Báo cáo tính toán sơ bộ mạch khuếch đại âm tần ngỏ vào vi sai

Yêu cầu:

Loại mạch : OTL.

Ngõ vào : Vi sai
Công suất : 30W.
Điện áp vào : 775mV.
Trở kháng loa : 4Ω.
Trở kháng vào : 250KΩ.
Méo phi tuyến : 0,3%.
Băng thông : 0,05 - 15
CMRR : 40 dB - 120 dB

1 Điện áp nguồn cung cấp

-Để đảm bảo năng lượng cung cấp cho mạch hoạt đông ổn đinh theo yêu cầu thì điện
áp nguồn phải bằng 2 lần điện áp trên loa, chọn hệ sô sử dụng nguồn là 0,8 .
Theo yêu cầu ta có :
2
2 𝑉𝐿ℎ𝑑 𝑉𝐿2
𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 . 𝐼𝐿ℎ𝑑 = =
𝑅𝐿 2𝑅𝐿
⇒ 𝑉𝐿 = √2𝑃𝐿 𝑅𝐿 = √2.30.4 = 15,5(𝑉)
𝑉𝐿 15.5
⇒ 𝐼𝐿 = = = 3,875(𝐴)
𝑅𝐿 4
2𝑉𝐿 2.15.5
Do vậy: 𝑉𝐶𝐶 = = = 38,75(𝑉)
0,8 0,8
 Ta chọn nguồn là Vcc = 40V
Công suất nguồn cung cấp
𝐼 3,875
𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐿 = 40 = 49,3(𝑊)
𝜋 𝜋
Hiệu suất của mạch:
𝑷 𝟑𝟎
𝜼= 𝑳 = . 𝟏𝟎𝟎% = 𝟔𝟎, 𝟖𝟓%
𝑷𝑪𝑪 49,3

Tính chọn trở R1, R2:

Vì mạch làm việc ở chế độ AB nên dòng tĩnh collector nằm trong khoảng 20 ÷ 50𝑚𝐴.
Ở đây ta chọn: 𝐼𝐸𝑄 = 𝐼𝐸𝑄1 = 𝐼𝐸𝑄2 = 50𝑚𝐴.
Dòng đỉnh qua QB1 QB2 là:
𝐼𝐸1𝑝 = 𝐼𝐸2𝑝 = 0,05 + 3,875 = 3,925 (𝐴)
R1, R2 có tác dụng cân bằng dòng , ổn định nhiệt nên phải có công suất lớn :
Để tránh hao phí ta chọn :
𝑉𝑅1 1 𝑉𝐿 15,5
≥ => 𝑉𝑅1 ≥ = = 0,775(𝑉)
𝑉𝐿 20 20 20
𝑉𝑅6 0,775
=> 𝑅1 = 𝑅2 = = = 0,2 Ω
𝐼𝐸1𝑝 3,875

12
Công suất trở R1, R2 : 𝑃𝑅1 = 𝑃𝑅2 = . 𝑅1. 𝐼𝐿ℎ𝑑
2
1
= . 0,2. 3,8752
4
= 0,75 𝑊
Ta chọn trở R1, R2 là 0,22 Ω / 5W hoặc 0,33 Ω / 5W (nếu không có)
Chọn cặp QB1 QB2 :
𝐼
Công suất nguồn cung cấp : 𝑃𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝑇𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 𝐿
𝜋
2 1
Công suất loa: 𝑃𝐿 = 𝑅𝐿 𝐼𝐿ℎ𝑑 = 𝑅 𝐼2
2 𝐿 𝐿
1
Công suất tiêu tán của R1, R2 : 𝑃𝑅 = 2𝑃𝑅1 = 𝑅1 𝐼𝐿2
2
Vậy công suất tiêu tán của hai BJT QB1, QB2 là :
𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐿 1 1
𝑃𝑡𝑡 = 𝑃𝐶𝐶 − 𝑃𝐿 − 𝑃𝑅 = − 𝑅𝐿 𝐼𝐿2 − 𝑅1 𝐼𝐿2
𝜋 2 2
Công suất tiêu tán của một BJT là:
𝑃𝑡𝑡 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿 1
𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 = 𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵2 = = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
2 2𝜋 4

Công suất tiêu tán cực đại của 1 BJT là lấy đạo hàm 𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 theo 𝐼𝐿 cho bằng 0 :
𝑑𝑃𝑡𝑡/𝑄𝐵1 𝑉𝐶𝐶 1
= − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿 = 0
d𝐼𝐿 2𝜋 2
 𝑉𝐶𝐶 40
=> 𝐼𝐿 = = = 3,01 𝐴
𝜋 (𝑅𝐿 + 𝑅1 ) 3,14(4 + 0,22)
𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝐿0 1
=> 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥 = − (𝑅𝐿 + 𝑅1 ). 𝐼𝐿2
𝑄𝐵1 2𝜋 4
40.3,01 1
= − (4 + 0,22). 3,012 = 9,6 𝑊
2.3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên QB1 :
𝑉𝐶𝐶 40
𝑃𝐷𝐶/𝑄𝐵1 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄𝐵1 . 𝐼𝐶/𝑄𝐵1 ≈ 𝐼𝐸𝑄 = . 0,05 = 1 𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên QB1 là:
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄𝐵1 = 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄𝐵1 + 𝑃𝐷𝐶/𝑄𝐵1 = 9,6 + 1 = 10,6 𝑊
Vì QB1, QB2 là cặp BJT bổ phụ nên ta chọn QB1, QB2 thỏa mãn điều kiện:
𝐼𝐶 (1,5 ÷ 2) > 𝐼𝐸1𝑝 = 5,8875 ÷ 7,85 (𝐴)
𝑉𝐶𝐸0 (1,5 ÷ 2) > 𝑉𝐶𝐶 = 60 ÷ 80 (𝑉)
𝑃𝐶 > (2 ÷ 3)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = (1,5 ÷ 2). 10,6𝑊 = 15,9 ÷ 21,2(𝑊)

 Tra cứu Datasheet ta chọn 2SD718 và 2SB688

2SD718
2SB688

Tính chọn R3, R4

Ta chọn:
𝛽𝑄𝐵1 = 𝛽𝑄𝐵1 = 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 55

Dòng Base tĩnh của QB1 :

𝐼𝐸𝑄/𝑄𝐵1 0,05
𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 = = = 0,89𝑚𝐴
1 + 𝛽1 1 + 55
Dòng Base cực đạI của 𝑄1 :
𝐼𝐸𝑝/𝑄𝐵1 3,925
𝐼𝐵𝑄𝑝/𝑄𝐵1 = = = 70𝑚𝐴
1 + 𝛽1 1 + 55
Để R3, R4 không ảnh hưởng đến dòng ra ở chỉ độ xoay chiều thì R3, R4 thoả:
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐)
R3, R4 ≪ 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) để rẽ dòng nhiệt
R3, R4 ≫ 𝑍𝐵1(𝑎𝑐) để giảm tổn thất tín hiệu
Với 𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐), 𝑍𝐵1(𝑎𝑐): là điện tử một chiều và xoay chiều đưa cực Base QB1 đến M
Xét đặc tuyến của 2SD718, ta có:
𝐼𝐸𝑄 = 50𝑚𝐴 → 𝑉𝐵𝐸𝑄 = 0,6V

𝐼𝐸𝑝 = 3,925𝐴 → 𝑉𝐵𝐸𝑝= 1V

 Vậy:
𝑉𝐵1𝑀𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1 0,6 + 0,05.0,22
𝑍𝐵1𝑀(𝑑𝑐) = = = = 686,5Ω
𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 0,89. 10−3
𝑉𝐵1𝑀𝑝 − 𝑉𝐵1𝑀𝑄 (𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1𝑝) − (𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 + 𝑉𝑅1 )
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = =
𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 − 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1
(1 + 0,22.3,875) − (0,6 + 0,05.0,22)
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = 18 Ω
(70 − 0,89). 10−3

Vậy: 18Ω ≪ 𝑅3, 𝑅4 ≪ 686,5Ω

Chọn R3 = R4= 330 Ω hoặc 220 Ω

Tính chọn cặp Q1, Q2 :

𝑉𝐵𝐸𝑄/𝑄𝐵1 +𝑉𝑅6 0,6+0,05.0,22
- Dòng tĩnh qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 2,8 𝑚𝐴
𝑅3 220
𝑉𝐵𝐸𝑝/𝑄𝐵1 +𝑉𝑅6𝑝 1+3.875.0,22
Dòng cực đại qua R3 : 𝐼𝑅3𝑄 = = = 10 𝑚𝐴
𝑅17 220

- Dòng emitter qua Q1 : 𝐼𝐸𝑄/𝑄1 = 𝐼𝑅3𝑄 + 𝐼𝐵𝑄/𝑄𝐵1 = 2,8 + 0,89 = 3,69𝑚𝐴

𝐼𝐸𝑝/𝑄1 = 𝐼𝑅3𝑝 + 𝐼𝐵𝑝/𝑄𝐵1 = 10 + 70 = 80 𝑚𝐴

Khi đó trở kháng xoay chiều từ cực B QB1:

 𝑉𝐵1𝑝 − 𝑉𝐵1𝑄 1 + 0,22.3,875 − 0,6 − 0,05.0,22
𝑍𝐵1(𝑎𝑐) = = = 16,27 Ω
𝐼𝐸𝑝/𝑄1 − 𝐼𝐸𝑄/𝑄1 (80 − 3,69). 10−3

So sánh với 𝑍𝐵1𝑎𝑐 tính ở trước là ta thấy khi thêm R3, R4 vào thì sai khác không đáng kể.
Như vậy, tải xoay chiều của Q1 là:
𝑍𝑡/𝑄4 = 𝑍𝐵1(𝑎𝑐) + (1 + 𝛽 ). 𝑅𝐿 = 16,27 + (1 + 55).4 = 240.27 Ω

Để tìm được Q1, Q2 ta tìm công suất tiêu tán lớn nhất của chúng. Gọi 𝐼𝐸2 là biên độ dòng
AC chạy qua Q1, ta có:
Dòng cung cấp xoay chiều trung bình cho Q1 :
𝐼𝐸1
𝐼𝑡𝑏/𝑄1 =
𝜋
Công suất nguồn cung cấp cho Q1:
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸1
𝑃𝐶𝐶/𝑄4 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝐼𝑡𝑏/𝑄4 =
𝜋
Công suất cung cấp cho tải của Q1 :
2
1 𝜋 1 2
𝑃𝑡/𝑄1 = 𝑍𝑡/𝑄1 . 𝐼𝐸2 = 𝑍𝑡/𝑄1. ∫ (𝐼𝐸1 . 𝑠𝑖𝑛𝜔𝑡)2 𝑑𝜔𝑡 = 𝐼𝐸1 . 𝑍𝑡/𝑄1
2𝜋 0 4
Công suất tiêu tán xoay chiều trên Q1 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸1 1 2
𝑃𝑡𝑡/𝑄1 = 𝑃𝐶𝐶/𝑄1 − 𝑃 𝑡 = − 𝐼𝐸1 . 𝑍𝑡/𝑄1
𝑄1 𝜋 4
Lấy đạo hàm theo 𝐼𝐸3𝑀 và cho 𝑃𝑡𝑡/𝑄1 = 0 ta được:
2𝑉𝐶𝐶 2.40
𝐼𝐸10 = = = 0,1 𝐴
𝜋. 𝑍𝑡/𝑄1 3,14.245,78
Vậy công suất tiêu tán lớn nhất do dòng xoay chiều trên rơi trên Q1 :
𝑉𝐶𝐶. 𝐼𝐸10 1 2 40.0,1 1
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄1 = − 𝐼𝐸1 . 𝑍 𝑡 = − . 245,78. 0,12 = 0,66 𝑊
𝜋 4 𝑄1 3,14 4
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q1 :
𝑉𝐶𝐶 40
𝑃𝑑𝑐/𝑄1 = . 𝐼𝐸𝑄/𝑄1 = . 3,69. 10−3 = 0,0738 𝑊
2 2
Vậy công suất tiêu tán cực đại trên Q1 :
𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥 = 𝑃𝑑𝑐/𝑄1 + 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄1 = 0,0738 + 0,66 = 0,7338𝑊
Vậy chọn Q1, Q2 là cặp bổ phụ thỏa mãn điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2). 𝐼𝐶𝑝/𝑄2 = 120 ÷ 160 (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸0 > (1,5 ÷ 2). 𝑉𝐶𝐶 = 60 ÷ 80 (𝑉)
𝑃𝐶 > (2 ÷ 3)𝑃𝑡𝑡∑𝑚𝑎𝑥/𝑄4 = (1,5 ÷ 2). 0,7338𝑊 = 1,1007 ÷ 1.4676(𝑊)

 Tra cứu Datasheet ta chọn TIP41C và TIP42C :

TIP41C

TIP42C

Tính tầng lái:

Để tính toán tầng lái ta chọn 𝛽𝑄1 = 75
𝐼𝐸𝑝/𝑄2 80
=> 𝐼𝐵1𝑝 = = = 1,05 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄2 1 + 75
𝐼𝐸𝑄/𝑄2 3,69
=> 𝐼𝐵1𝑄 = = = 0,048 𝑚𝐴
1 + 𝛽𝑄2 1 + 75
Tính chọn D3, D4, D5, VR2
Để tránh méo tín hiệu xuyên tâm đồng thời ổn định điểm làm việc cho các cặp BJT
khuyếch đại công suất thì các tổ hợp này phải làm việc ở chế độ AB. Vì vậy, ta dùng D3,
D4, D5, VR2 để tạo ra áp ban đầu cho các BJT để khi có tín hiệu vào thì các BJT
khuyếch đại công suất dẫn ngay.
Chọn D3, D4, D5 : là loại D1N4007.
Để QB1, QB2 làm việc ở chế độ dòng tĩnh 50mA thì điện áp trên tiếp giáp BE của các tổ
hợp BJT ở chế độ tĩnh là 0,6V.
Ta có: 𝑉𝐵1𝐵2𝑄 = 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵1 + 𝑉𝐵𝐸𝑄𝐵2 + 𝑉𝐵𝐸2 + 𝑉𝑅1𝑄 + 𝑉𝑅2𝑄
= 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,6 + 0,05.0,22 + 0,05.0,22 = 2,422 𝑉
Để dòng tĩnh Q5 ít thay đổi và tránh méo tín hiệu, ta chọn:
𝐼𝐶𝑄5𝑄=140. 𝐼𝐵1𝑄 =140.0,048=6,72 mA
Dòng cực đại qua Q5:
𝐼𝐶𝑄5𝑝 = 140. 𝐼𝐵1𝑝 = 140. 1,05 = 147 𝑚𝐴
Dùng diode để ổn định áp phân cực cho tầng lái:
Như vậy, 3 diode D3, D4, D5 và VR2 đảm bảo cho QB1, QB2 và Q1, Q2 làm việc ở chế
độ AB, tức là 𝑉𝐵1𝐵2𝑄=2,422V ngay khi có tín hiệu vào.
 Lợi dụng tính chất ghim áp của diode
𝑉𝐵1𝐵2𝑄−3𝑉𝐷 2,422 −3.0,7
Lúc này: VR2 = = =47,9 Ω
𝐼𝐶𝑄5 6,72.10−3
Chọn VR2 = 50 Ω
Ta chọn :
𝐼𝐶𝑄9 = 3,2 𝑚𝐴 và dùng Diode để ổn định áp phân cực cho tầng lái.
Như vậy, ba diode D1, D2, D3 và VR2 đảm bảo cho QB1, QB2 và Q3, Q4 làm việc ở chế
độ AB, tức là 𝑉𝐴𝐵 = 2,433 𝑉 ngay khi có tín hiệu vào.
Lợi dụng tính chất ghim áp của diode ( dòng qua diode tăng nhưng áp đặt lên diode hầu
như không đổi. Muốn được như vậy ta chọn sao cho điểm làm việc nằm trong đoạn tuyến
tính nhất(đoạn thẳng)).
𝑉 −3𝑉 2,433−3.0,7
Lúc này: 𝑅𝑉3 = 𝐴𝐵 𝐷 = −3
= 104 Ω
𝐼𝐶𝑄9 3,2.10
Chọn RV =100 Ω .sau đó hiệu chỉnh lại.
Tính toán transistor Q5 làm nguồn dòng:
- Q5 tạo dòng điện ổn định phân cực cho Q6 và ổn định điểm làm việc của cho hai cặp
Dalington ở tầng khuyếch đại công suất. Do nội trở nguồn dòng ở chế độ xoay chiều lớn
nên tăng hệ số khuyếch đại của tầng lái, phối hợp trở kháng với trở kháng vào lớn của 2
cặp Dalington làm nâng cao hiệu suất của mạch.
- Dòng collector qua Q5: 𝐼𝐶𝑄5 = 𝐼𝐶𝑄6 = 6,72 mA
- Chọn D1 D2 là diode D1N4007 .
Dòng qua hai diode là dòng phân áp cho Q5. Chọn dòng phân cực 𝐼𝐵𝑄5 ≪ 𝐼𝐷 , mà để
diode ghim áp ổn định thì dòng 𝐼𝐷 > 8mA
Chọn dòng phân áp 𝐼𝑅9 = 9𝑚𝐴.Lúc này 𝑉𝐷 = 0,7𝑉.
Sụt áp trên R9 là: 𝑉𝑅9 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷1 − 𝑉𝐷2 = 40 − 0,7 − 0,7 = 38,6 𝑉
𝑉𝑅9 38,6
=> 𝑅9 = = = 4288 Ω
𝐼𝑝𝑎 9. 10−3
Chọn R9 = 4,3 kΩ
Công suất của R9 là: PR9 =I2R9.R9=(9.10-3)2.4300=0,3483W
Chọn R9 = 4,3 kΩ, công suất (0,5 ÷ 1) W
V +V −V 0,7+0,7−0,6
Tính chọn VR1: VR1 = D1 D2 EB = −3
= 119 Ω
ICQ5 6,72 .10
 Chọn VR1 = 1K Ω hoặc 500 Ω sau đó tinh chỉnh lại.
Do Q5 hoạt động chế độ A được dùng làm nguồn dòng nên công suất tiêu tán lớn
nhất của nó là công suất tiêu tán tĩnh.
Điện áp DC trên tiếp giáp CE của Q5 là:

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄1 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄𝐵1 − 𝑉𝑅1
2
40
= − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,05.0,22
2
= 17,989 𝑉
 => 𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄5 . 𝐼𝐶𝑄5 = 17,989.6,72. 10−3 = 0,12𝑊
Vậy ta chọn Q5 thỏa các điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶5𝑝 = 220,5 ÷ 294 (𝑚𝐴)
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = 27 ÷ 36 (𝑉)
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝐷𝐶/𝑄5 = 0,18 ÷ 0,24 𝑊

 Tra cứu Datasheet ta chọn Q5 2SA1013:

Tính chọn BJT thúc Q6:

Transistor Q6 làm nhiệm vụ nâng cao tín hiệu đủ lớn để kích cho tầng thúc làm việc và
đảo pha cho tầng công suất. Q6 được chọn làm việc ở chế độ A. Q6 có tải lớn nên hệ số
khuyếch đại lớn,ta phải chọn điểm làm việc của Q6 sao cho khi không có tín hiệu vào
điện thế vào cực E của 𝑄𝐵1, 𝑄𝐵2 ≈ 0, lúc này sụt áp trên tải ≈0.
Vì Q6 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà và gây ra méo tín hiệu, do đó
cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc . Điện trở
R10, R11 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R11 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho
Q6.
Do Q6 làm việc chế độ A, để tránh suy giảm tín hiệu ta có thể chọn trước điện áp tĩnh
trên điện trở hồi tiếp một chiều R10, R11 là 0,7(V).
Ta có: 𝑉𝑅10 + 𝑉𝑅11 = 0,7 (𝑉)
R10 VR10
=
R11 VR11
Để tránh hồi tiếp âm quá nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại của Q6, ta chọn R11 > R10
=> 𝑉𝑅11 > 𝑉𝑅10.
VR10 0,3
R10 = = = 44,64 (Ω)
VR10 = 0,3 𝐼𝐶𝑄5𝑄 6,72.10−3
Chọn { => { VR11 0,4
VR11 = 0,4 R11 = = = 59,5 (Ω)
𝐼𝐶𝑄5𝑄−3 6,72.10
R10 = 47
Chọn {
R11 = 62
Trở kháng tải của Q6 :
𝑍𝑡/𝑄6 = 𝑅𝐶0/𝑄5 // (𝑟𝑏𝑒2 + (1 + 𝛽2 ). 𝑍𝑡/𝑄3)
với
 𝑉𝑇
𝑍𝑡/𝑄6 = 𝑟𝑏𝑒2 + (1 + 𝛽𝑄1). 𝑍𝑡/𝑄2 = 𝛽𝑄1 + (1 + 𝛽𝑄1). 𝑍𝑡/𝑄2
𝐼𝐸𝑄/𝑄2
25
= 75. + (1 + 75). 245,78 = 19,18 𝐾Ω
3,69
Do đó: 𝑍𝑡/𝑄6 = 19,18 𝐾Ω vì 𝑅𝐶0/𝑄5 ≫ 19,18 𝐾Ω
Vì Q5 có điện trở tải lớn nên dễ dàng rơi vào vùng bão hoà và gây ra méo tín hiệu, do đó
cần phải mắc hồi tiếp âm một chiều lẫn xoay chiều để ổn định điểm làm việc . Điện trở
R5, R6 làm nhiệm vụ hồi tiếp âm DC, riêng R6 còn làm nhiệm vụ hồi tiếp âm AC cho
Q5.
Do Q5 làm việc chế độ A, ta có thể chọn trước điện áp tĩnh trên điện trở hồi tiếp một
chiều R5, R6 là 0,34V.
Ta có: 𝑉𝑅5 + 𝑉𝑅6 = 0,34𝑉
𝑅5 𝑉𝑅5
=
𝑅6 𝑉𝑅6
Để tránh hồi tiếp âm quá nhiều làm giảm hệ số khuyếch đại của Q6, ta chọn R6 > R5.
𝐼𝐶𝑄1 = 𝐼𝐶𝑄6 = 3,2 𝑚𝐴

𝑉𝑅5 + 𝑉𝑅6 0,34

=> 𝑅5 + 𝑅6 = = = 106,25 Ω
𝐼𝐶𝑄5 3,2. 10−3

𝑹𝟔 = 𝟖𝟐 Ω
Chọn {
𝑹𝟓 = 𝟐𝟒 Ω

Với hai giá trị này của trở thì áp rơi trên hai điện trở này là:
𝑉𝑅10𝑅11 = (𝑅10 + 𝑅11). 𝐼𝐶𝑄6 = (62 + 47). 6,72. 10−3 = 0,73248 𝑉
Điện thế trên cực C, E của Q6:
𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸/𝑄5 = − 𝑉𝑅1 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄2 − 𝑉𝐸𝐵/𝑄2 − 𝑉𝑅10𝑅11
2
40
= − (0,7 + 0,7 − 0,6) − 0,6 − 0,6 − 0,73248 = 17,3 𝑉
2
Công suất tiêu tán tĩnh của Q6:
𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 . 𝐼𝐶𝑄6 = 17,3.6,72. 10−3 = 0,116 𝑊
Vì Q5=6 làm việc ở chế độ A nên:
𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄5 = 𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 0,116𝑊
Từ những tính toán trên ta chọn Q6 phải thỏa những điều kiện sau:
𝐼𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 220,5 ÷ 294 𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐸 > (1,5 ÷ 2)𝑉𝐶𝐶 = 60 ÷ 80 𝑉
𝑃𝐶 > (1,5 ÷ 2)𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 0,174 ÷ 0,232 𝑊

 Tra cứu Datasheet ta chọn Q6 2SC2383:

 Tính toán tần nhận tín hiệu vào
Chọn 𝛽𝑄6 = 150
𝐼𝐶𝑄6 6,72.10−3
=> 𝐼𝐵𝑄6 = = = 44,8 𝜇𝐴
𝛽𝑄6 150
Để không ảnh hưởng đến điểm làm việc Q7, ta chọn ICQ7 ≫ IBQ6
ICQ7 = 10. 𝐼𝐵𝑄6=10. 44,8. 10−6 =0,448mA
Chọn: 𝐼𝐶𝑄6 = 10. 𝐼𝐵𝑄5 = 0,32 𝑚𝐴
Tính chọn R12:
Ta có R12 là trở kháng vào của Q2, để giảm nhiễu đồng pha tầng vi sai, chọn R12 = Zin
= 250k theo yêu cầu thiết kế ban đầu.
Tính chọn R14, R15:
Áp rơi trên R14 bằng áp rơi trên cực B của Q6 với mass
VR14 = (47+62).6,72. 10−3 + 0,6 = 1,33 V
1,33
=> R14 = = 2968 Ω
0,448.10−3
Ta có : 𝐼𝑅7 = 𝐼𝐶𝑄6 − 𝐼𝐵𝑄5 = 0,32. 10−3 − 32. 10−6 = 0,288 𝑚𝐴
𝑉𝑅7 = 𝑉𝐵𝐸/𝑄6 + 𝑉𝑅5𝑅6 = 0,6 + 0,34 = 0,94 𝑉
𝑉𝑅7 0,94
=> 𝑅7 = = = 3263 Ω
𝐼𝑅7 0,288. 10−3
Chọn R14,R15=3.3k Ω
1,33
=> I = = 0,4mA
3,3
Chọn D6, D7 là diode 1N4007
𝑉𝑅3 𝑉𝐷6 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄1 0,6
VR3 = = = = 750 Ω
2𝐼 2𝐼 2.0,4.10−3
Chọn VR3 là trở 1kΩ sau đó chỉnh lại
Tính Q9, R18 (nguồn dòng vi sai)
VCC
Ta có 𝑉𝐶𝐸/𝑄9 = VCC – − VVR4 − VR41 −VBE/Q8 − VR12
2
= 40 – 20 − 10 – 0,4.10−3.50 − 0,6 − VR12
= 9,38 − VR12 ≤ 8,4
=> 𝑉𝐶𝐸max = 9,38V
Công suất tiêu tán tĩnh trên Q9:
Pttmax/Q9 = IC/Q9.VCE/Q9 = 2.0,4.9,4 = 7,76mW
Chọn BJT có:
Pmax ≫ 2Ptt = 2.7,76 = 15,52mW
VCEO ≫ 2VCEmax = 2.9,4 = 18,8V
ICmax ≫ 2IC/Q9 = 2.2.0,4 = 1,6 mA
Chọn Q9 là BJT 2SA1013
Ta có IC/Q9 = 2.0,4 = 0,8 mA, 𝛽 = 100
𝐼𝐶
=> IB = = 0,008mA
𝛽
Chọn ID ≫ IB/Q9 = 0,4mA
𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝑉𝑅5 −𝑉𝐷6− 𝑉𝐷6 40−10− 1,2
=> R18 = = = 72k Ω
𝐼𝐷 0,4.10−3
Chọn R18 = 72k Ω
Tính chọn Q7,Q8 cho tầng vi sai:
V
VCE/Q7 = VCC − VVR5 – VVR3 −VCE/Q9 − R41 − VR14
2
= 40 – 10 – 0,6 − 9,4 − 0,01 – 1,32
= 18,67V
Công suất tiêu tán ở chế độ tĩnh:
Ptt = VCE/Q7.ICQ7 = 18,67.0,4 = 7,468mW
Chọn BJT thoả:
Pmax ≫ 2Ptt = 2.7,468 = 15mW
VCEO ≫ 2VCEmax = 2.18,67 = 37,34V
ICmax ≫ 2IC/Q9 = 2.0,4 = 0,8 mA
=>Chọn Q7, Q8 là BJT: 2SA1013
Tính chọn VR5:
Hệ số khuếch đại toàn mạch khi có hồi tiếp âm điện áp nối tiếp:
𝑉ℎ𝑡 𝑉𝑅13
A= =
𝑉𝐶 𝑉𝑅12 +𝑉𝑅13
Hệ số khuếch đại toàn mạch:
𝐴0 1 𝑉𝐿 15.5
A=
1+𝐴0 .𝐴ℎ𝑡
=
𝐴ℎ𝑡
Vì (𝐴0 ≫ 1, 𝐴0 . 𝐴ℎ𝑡 ≫ 1) Mặc khác A = = = 14,14
√2𝑉𝑖𝑛 √2.0,775
𝑅12
A=1+ => VR5 = 15,22kΩ
𝑅13
Chọn VR5 là : 15kΩ sau đó chỉnh lại
Tính chọn R19, R20:
Ta có Zin = R19//R20 = 250kΩ
Mặt khác: IC/Q7 = 0,4mA
0,4
=> IB/Q7 = = 4𝜇A
100
Chọn dòng qua R19 và R20 ≫ IB/Q7 để không ảnh hưởng đến phân cực của Q7
IR19R20 = 10.IB/Q7 = 40𝜇A
Ta có: VR19R20 = VCC – VVR5 = 40 − 10 = 30V
 30
R19R20 = = 750 kΩ
40.10−6
Trong thực tế ta chọn sao cho R19//R20 ≈ Zin = 250kΩ
=> Chọn R19 = 680k, R20 = 440k
Mà 𝐼𝐸𝑄8 = 2. 𝐼𝐶𝑄6 = 2.0,32𝑚𝐴 = 0,64𝑚𝐴
Áp dụng KVL:
𝑉𝐷7 + 𝑉𝐷8 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄8 1,4 − 0,6
=> 𝑅𝑉4 = = = 3263 Ω
𝐼𝐸𝑄8 0,64. 10−3
Chọn 𝐼𝐷8 = 8 mA
𝐼𝐸𝑄8 0,64.10−3
𝐼𝐵𝑄8 = = = 10,67 𝜇𝐴
𝛽𝑄8 60

39 − 𝑉𝐷7 − 𝑉𝐷8 39 − 0,7 − 0,7

=> 𝑅13 = = = 4706 Ω
𝐼𝐷8 − 𝐼𝐵𝑄8 8. 10−3 − 10,67. 10−6
Chọn R13=4.7k

Công suất tiêu tán tĩnh của Q6 :

𝑃𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6. 𝐼𝐶𝑄6 = 26,2.0,32. 10−3 = 8,38 𝑚𝑊

𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 0,32 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐶 = 55 𝑉
𝑃𝐶 > 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 8,38 𝑚𝑊
 Ta chọn Q6,Q7 2SA1013:

Ta có:
𝑉𝐶𝐸/𝑄8 = 40 − 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 − 𝑉𝐵𝐸/𝑄8 = 40 − 26,2 − 0,6 = 13,2 𝑉
𝑃𝐷𝐶/𝑄8 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄8. 𝐼𝐶𝑄8 = 13,2.0,64. 10−3 = 8,448 𝑚𝑊

𝐼𝐶 > 𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥/𝑄8 = 0,64 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 > 𝑉𝐶𝐶 = 55 𝑉
𝑃𝐶 > 𝑃𝑡𝑡𝑚𝑎𝑥/𝑄6 = 8,448 𝑚𝑊
 Ta chọn Q8 2SA1013:

Tính chọn trở kháng vào:

Để mạch hoạt động thì VBQ6 = VBQ7 = 25 ÷ 27V
Chọn 𝐼𝑅14 = 0,03 𝑚𝐴A
40 − 25,5 39 − 0,7 − 0,7
=> 𝑅14 = = = 483 𝑘Ω
𝐼𝑅14 8. 10−3 − 10,67. 10−6

Chọn R14 = 430 KΩ

𝑅14.𝑅15 470.103 .𝑅15
Ta có : 𝑍𝑖𝑛 = = = 250 𝐾Ω
𝑅14+𝑅15 470.103 +𝑅15
=> 𝑅15 = 597 𝐾Ω
Chọn R15 = 680 KΩ

Ta có : 𝑃𝑡𝑡𝐷𝐶/𝑄6 = 𝑉𝐶𝐸/𝑄6 . 𝐼𝐶𝑄6 = 10.0,32. 10−3 = 7,467 𝑚𝑊

Tính mạch bảo vệ

Hoạt động bình thường thì mạch khuếch đại công suất làm việc thì Q3, Q4 tắt. Không
ảnh hưởng đến hoạt động của mạch. Khi xảy ra ngắn mạch dòng qua QB1, QB2 lớn sẽ
đính thủng BJT công suất và điện trở R1, R2. Vì vậy khi dòng qua hai BJT lớn sẽ kích
thích mạch bảo vệ hoạt động. Mạch này sẽ hút dòng làm cho dòng qua 2 BJT và điện trở
R1, R2 nhỏ đảm bảo BJT làm việc an toàn
- Dòng đỉnh qua, R1, R2 : IE1p = 3,925A
- Chọn dòng để mạch bảo vệ hoạt động là: IE1p = 5A
- Sụt áp trên R1: VR1 = IE1p.R1 =5.0,22 = 1,1V
- Chọn dòng tĩnh: ICQ3 = ICQ3 = 1mA
Ta có: VCEQ3 = VCEQ4 = VBEQ1 + VBEQB1 +VR1 = 0,6 + 0,6 + 1,1 = 2,3V
Công suất tiêu tán trên Q3, Q4 là:
PttQ3 = PttQ4 = VCEQ3. ICQ3 = 2,3. 1.10−3 = 2,3mW
 Chọn Q3, Q4 thoả:
IC > (1,5 ÷ 2)ICQ3 = 1,5 ÷ 2 (mA)
VCE > (1,5 ÷ 2)VCEQ3 = 3,45 ÷ 4,6 (V)
P > (1,5 ÷ 2) PttQ3 = 3,45 ÷ 4,6 (mW)
Tra cứu datasheet chọn Q3, Q4 là: Q3 là 2SC1815, Q4 là 2SA1015

 Tính R5, R6, R7, R8:

𝐼𝐶𝑄3 1.10−3
- Dòng tĩnh cực B của Q3: IBQ3 = = = 6,07𝜇A
𝛽𝑄3 150
- Dòng qua R5, R7: IR5 ≫ IBQ3 → IR5 = 15. IBQ3 = 0,1mA
- Khi mạch hoạt động bình thường thì Q3, Q4 tắt nên:
IR1max = 3,925A
→ VR1max = IR1max.R1 = 3,925.0,22 = 0,8635V
𝑉𝑅1𝑚𝑎𝑥 0,8635
R5 + R7 = = = 8,635kΩ
𝐼𝑅5 0,1.10−3
𝑉𝐵𝐸𝑄3 0,4
R7 = = = 4kΩ
𝐼𝑅5 0,1.10−3
Chọn R7 = 3,9 kΩ; R5 = 3,3 kΩ
R5 = R6 = 3,3kΩ; R7 = R8 = 3,9 kΩ

 Tính các tụ:

Cho băng thông từ 0,05kHz – 15kHz
Tụ C7 là tụ liên lạc tín hiệu vào, vì tín hiệu vào khá nhỏ nên để tín hiệu không bị giữ
trên tụ:
1 250
Chọn XC5 = Zin = = 5kΩ
50 50
Chọn tần số cắt nhỏ hơn 0,05kHz:
1 1
→ C7 = = = 0,6𝜇F
2𝜋𝑓𝑋𝐶5 2.3,14.50.5000
Chọn C7 = 1𝜇F/50V
Tụ C6 và VR5 tạo mạch lọc thông thấp cho nguồn
1 1
→ C6 = = = 4,2𝜇F
2𝜋𝑓𝑉𝑅3 2.3,14.50.750
Chọn C6 = 4,7𝜇F/50V
Tụ C5 là tụ lọc nguồn tầng nhận tín hiệu vào và chống dao động tự kích
1 1
Chọn XC5 = VR13 =
10 2𝜋𝑓𝐶5
1 1
→ C5 = = = 2,12𝜇F
2𝜋𝑓𝑉𝑅5 2.3,14.50.15000
Chọn C5 = 3,3𝜇F/50V
Tụ C3 là tụ xoay chiều Q6
1 62
Chọn XC3 = R11 = = 6,2Ω
10 10
 1 1
→ C3 = = = 513,6𝜇F
2𝜋𝑓𝑋𝐶3 2.3,14.50.6,2
Chọn C3 = 50𝜇F/50V
Tụ C2 là tụ đưa tín hiệu ra loa, để tín hiệu không bị giữ lại liên tục
1 4
Chọn XC2 = VRL = = 0,4Ω
10 10
1 1
→ C2 = = = 7961𝜇F
2𝜋𝑓𝑋𝐶2 2.3,14.50.0,4
Chọn C2 = 10000𝜇F/50V

Tụ C4 là tụ chống dao động tự kích và quyết định cắt tần số cao cho mạch. Vì tụ có
chức năng cắt dãy tần cao nên điện dung của tụ sẽ nhỏ:
Chọn XC4 ≫ ZinQ6 → XC4 = 10ZinQ6 = 10.5460=54,6kΩ
1 1
→ C4 = = = 146𝑝F
2𝜋𝑓𝑋𝐶4 2.3,14.20.54600
Chọn C4 = 150𝑝F/50V

- Tính tụ C1:
Ta chọn tụ C1 sao cho ở tầng số thấp nhất thì sụt áp trên tụ rất nhỏ so với sụt
áp trên loa để không ảnh hưởng đến tín hiệu ra trên loa.
1
Ta chọn 𝑋𝐶 = 𝑅𝐿
10
1 1 1
𝑋𝐶1 = = 𝑅𝐿 = 8 = 0,8𝛺
2𝜋.𝑓min 𝐶1 10 10
1
⇒ 𝐶1 = = 6634𝜇𝐹
2.3,14.0,03.103 .0,8
Chọn C1 = 10000 𝝁𝑭
- Tính tụ C3: C3 là tụ liên lac ngõ vào nên để sụt áp trên tụ không ảnh
hưởng đến tín hiệu vào và chất lượng của mạch ta chọn tụ C3 sao cho
1
𝑋𝐶3 = 𝑍𝑖𝑛 = 12,5 𝑘
20
1 1
⇒ 𝐶3 = = = 0,42𝜇𝐹
2𝜋.𝑓min .Xc 2.3,14.0,03.103 .12,5.103

Chọn tụ C3 = 0,42 𝝁𝑭

- Tính tụ C4:

Chọn tụ C4 = 100 𝝁𝑭
- Tính tụ C8:
Tụ C8 cùng với R16 tạo thành mạch lọc thông thấp lọc nhiễu (hài bậc
cao) từ nguồn để tránh hồi tiếp về tạo thành dao động tự kích.
 1
𝑋𝐶8 = 𝑅16
10
10 10
⇒ 𝐶8 = = = 33,17𝜇𝐹
2𝜋.𝑓min .𝑅16 2.3,14.0,03.103 .1,6.103

Chọn tụ C8 = 33 𝝁𝑭
- Tính tụ C5 :
1
𝑋𝐶5 = (𝑅5 + 𝑅6 )
10
10 10
⇒ 𝐶5 = = = 520𝜇𝐹
2𝜋.𝑓min .(𝑅5 +𝑅6 ) 2.3,14.0,03.103 .102

Chọn tụ C5 = 560 𝝁𝑭

- Tính tụ C7 :
1
𝑋𝐶7 = 𝑅23
10
10 10
⇒ 𝐶7 = = = 10,61𝜇𝐹
2𝜋.𝑓max .𝑅23 2.3,14.15.103 .10

Chọn tụ C7 = 10 𝝁𝑭

Tính mạch lọc Zobel C1, R22

Cấu tạo của loa bao gồm một cuộn cảm và một điện trở ZL = RL + jwL. Như vậy,
trở kháng loa phụ thuộc vào tần số. Khi tần số cao trở kháng loa càng lớn dẫn đến
méo tín hiệu. Mạch lọc Zobel là mạch ổn định trở kháng loa không đổi ở tần số
cao. C mắc nối tiếp với R và tất cả mắc song song với tải RL. Ở tần số cao tụ ngắn
mạch giảm tải ngõ ra tức là XL↑, 𝑋c ↓ → RL không đổi.
1
Ta có: ZL = (R22 + ) // (RL + jwL)
𝑗𝑤𝐶
1
(R22 +
𝑗𝑤𝐶).(RL + jwL)
= 1
R22 +
𝑗𝑤𝐶
+ RL + jwL
Để không phụ thuộc vào tần số thì ZL = RL
𝑅𝐿 𝐿 𝑅𝐿
→ R22.RL + R22.jwL + + = R22.RL + + 𝑅𝐿 2 + RL.jwL
𝑗𝑤𝐶 𝐶 𝑗𝑤𝐶
𝐿 2
= 𝑅𝐿
→{ 𝐶
𝑅22 . jwL = jwL. 𝑅𝐿
→ 𝑅22 = 𝑅𝐿 = 4Ω
𝐿 0,1.10−6
Vì L của loa thường rất nhỏ ≈ 0,1𝜇H → C1 = = = 6,25 (𝑛𝐹)
𝑅𝐿 2 16
Chọn C1 = 10(nF), R22 = 4,7(Ω)
5.15. Tính toán hệ số khuếch đại và tầng hồi tiếp:
5.15.1 Hệ số khuếch đại vòng hở của tầng vi sai:

riB/Q6 = 𝑟𝜋/𝑄6 + (𝛽𝑄6 + 1)R10

𝛽𝑄6
= + (𝛽𝑄6 + 1)R10
40𝐼𝐶/𝑄6
150
= + (150 + 1)47 = 7655 (Ω)
40.6,72.10−3

𝑉0 = − β7. 𝑖𝐵 . (𝑅14//𝑟𝑖𝐵/𝑄6 )
Vì REE rất lớn nên giả sử không có dòng chạy qua REE .
Áp dụng KVL ta có:
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝐵 . 𝑟π/𝑄7 + (β7 + 1) . 𝑖𝐵. 𝑅𝑉𝐸1 + (β7 + 1) . 𝑖𝐵. 𝑅𝑉𝐸2+ 𝑖𝐵 . 𝑟π/𝑄8 +𝑖𝐵 . 𝑅12
𝑟π/𝑄7 = 𝑟π/𝑄8 ; 𝑅𝑉𝐸1 = 𝑅𝑉𝐸2
𝑉𝑖𝑛 = 𝑖𝐵[2. 𝑟π/𝑄7 + 2. (β7 + 1).𝑅𝑉𝐸1 + 𝑅12
 𝐴𝑣 𝑉𝑜 − β7 .𝑖𝐵 .(R14//riB/Q6 )
= =
𝐴𝑠 𝑉𝑖𝑛 𝑖𝐵 [2.𝑖π/Q7 + 2.(β7 + 1).𝑅𝑉𝐸1 + R12
−200(3300//7655)
= = -1,9
2.11111 + 2.(200+1).50 +200.103
Với: 𝑔𝑚7 = 40.𝐼𝐶/𝑄7 = 40.0,448. 10−3 = 0,018 (𝑆)

𝑟π/𝑄7 = β7/𝑔𝑚7 = 200 /0,018 = 11111 (Ω)

Hệ số kđ tầng thúc:
𝑉𝑇 0,025
𝑟𝐵𝐸/𝑄6 = 𝛽Q6 = 150 = 560Ω
𝐼𝐸𝑄/𝑄6 6,72.10−3
Theo công thức, ta có hệ số khuếch đại của tầng thúc là:
𝑍𝑡/𝑄7 19180
KU = −𝛽 Q6 = −150 = -375,7
𝑟𝐵𝐸/𝑄6 + (1 + 𝐵𝑄6 )𝑅10 560 + (1 + 150)47

Tính theo đơn vị dB: KU (dB ) = 20 lg(375,7) ≈51,5dB

=> 𝐴𝑣𝑡2 = = −375,7
5.15.3 Hệ số khuếch đại tầng công suất:
Do Q1, Q2, Q3, Q4 mắc theo kiểu C chung: => 𝐴𝑣𝑡3 = 1
5.15.4 Hệ số khuếch đại toàn mạch:
- Hệ số khuếch đại toàn mạch khi chưa có hồi tiếp:

𝐴𝑣𝑡 = 𝐴𝑣𝑡1. 𝐴𝑣𝑡2. 𝐴𝑣𝑡3 = (−1,9).(− 375,7).1 = 713,83

Hệ số khuếch đại toàn mạch khi có hồi tiếp:

𝑉𝐿 15.5
Av = = = 14,14
√2𝑉𝑖𝑛 √2.0,775

Kiểm tra độ méo phi tuyến:

Trong mạch hầu hết các linh kiện làm việc ở chế độ A chỉ có cặp
𝑄𝐵1 , 𝑄𝐵2làm việc ở chế độ AB nên độ méo phi tuyến toàn mạch phụ thuộc
chủ yếu ở 𝑄𝐵1 , 𝑄𝐵2 quyết định.
Giả sử tín hiệu vào là hình sin và 𝑉𝑖𝑛 = 0,775𝑉. Lúc này điện áp đặt lên
tiếp giáp BE của 𝑄1 :𝑉𝐵𝐸1 (𝑡) = 𝑉𝐵𝐸1𝑄 + 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛 𝜔 𝑡
Trong đó: 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 0,6𝑉
 𝑉𝐵𝐸𝑚 = 𝑉𝐵𝐸𝑝 − 𝑉𝐵𝐸1𝑄 = 1 − 0,6 = 0,4𝑉
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸𝑄 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
Gọi 𝐼𝐶0 là dòng rỉ của 𝑄𝐵1 , 𝑄𝐵2 : 𝐼𝐶 = 𝐼𝐶0 𝑒 𝑉𝑇 = 𝐼𝐶0 𝑒 𝑉𝑇 𝑒 𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑠𝑖𝑛(𝜔𝑡)
Khai triễn 𝑦 = 𝑒 𝑉𝑇 theo chuỗI Taylor:
𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ 𝑠𝑖𝑛 𝜔 𝑡 + ( ) 𝑠𝑖𝑛2 ( 𝜔𝑡)+. . . ..
𝑉𝑇 2 𝑉𝑇
Méo phi tuyến chủ yếu do hài bậc cao gây ra. Loại hài bậc cao và biến đổi
1−𝑐𝑜𝑠(2𝜔𝑡)
𝑠𝑖𝑛2 ( 𝜔𝑡) = ta được:
2
2
1 𝑉𝐵𝐸𝑚 𝑉𝐵𝐸𝑚 1 𝑉𝐵𝐸𝑚 2
𝑦 =1+ + 𝑠𝑖𝑛( 𝜔𝑡) − ( ) 𝑐𝑜𝑠( 2𝜔𝑡)
4 𝑉𝑇2 𝑉𝑇 4 𝑉𝑇
√∑𝑛 2
𝑖=2 𝐼𝑖𝑚
Theo định nghĩa méo phi tuyến: 𝛾 =
𝐼1𝑚
Trong đó : 𝐼1𝑚 : thành phần dòng cơ bản.
𝐼𝑖𝑚 : biên độ hài.
Loại bỏ các hài bậc cao ta được:
𝑉2
𝐵𝐸𝑚
𝐼2𝑚 4𝑉2
𝑇 𝑉𝐵𝐸𝑚
𝛾= = 𝑉𝐵𝐸𝑚 =
𝐼1𝑚 4𝑉𝑇
𝑉𝑇
𝑉𝐵𝐸𝑚 0,4
Khi chưa có hồi tiếp: 𝛾 = = =4
4𝑉𝑇 4.0,025
𝛾
Khi có hồi tiếp: 𝛾′ =
(1+𝑔𝑚 𝑅𝐿 )𝑔
Av𝑡 713,83
g: độ sâu hồi tiếp: 𝑔 = = = 50,48
A𝑣 14,14
𝑔𝑚 hỗ dẫn: 𝑔𝑚 = 40. 𝐼𝐶 = 40.0,05 = 2 (S)
𝛾 4
𝛾′ = = = 0,01% < 0,3%
(1+𝑔𝑚 𝑅𝐿 )𝑔 (1+2.4)50,48
Đáp ứng yêu cầu bài toán

Mạch sau khi đã tính toán:

 Linh kiện sử dụng

Điện trở Biến trở Tụ Diode BJT

R1 0,33 RV1 1k C1 10000uF D1 1N4007 Q1 2SD718
R2 0,33 RV2 1k C2 120pF D2 1N4007 Q2 2SB688
R3 330 RV3 1k C3 0.42uF D3 1N4007 Q3 TIP41
R4 330 RV4 1k C4 100uF D4 1N4007 Q4 TIP42
R5 22 RV6 100k C5 560uF D5 1N4007 Q5 2SC2383
R6 75 C7 10uF D7 1N4007 Q6 2SA1013
R7 3,3k C8 33uF D8 1N4007 Q7 2SA1013
R8 7,4k Q8 2SA1013
R9 3.3k Q9 2SA1013
R10 2.2k
R11 2.2k
R12 250k
R13 4.7k
R14 430k
R15 680k
R16 1.6k