UNIVERSIDAD NACIONAL AUTÓNOMA DE

MÉXICO
FACULTAD DE ESTUDIOS SUPERIORES
CUAUTITLÁN

INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONES
SISTEMAS Y ELECTRÓNICA

LABORATORIO DE AMPLIFICACIÓN DE SEÑALES

ACTIVIDADES PREVIAS A LA PRÁCTICA NO.4

PROFESORA:
ERIKA RAMIREZ RAMIREZ

ALUMNO:
JORGE EDUARDO SUÁREZ GALLARDO

GRUPO:2609A

FECHA DE ENTREGA: 02 DE ABRIL DE 2018

SEMESTRE: 2018-2
INTRODUCCION

Un circuito conocido como amplificador cascodo, que se ilustra en la figura 4.1, consiste en un
amplificador emisor común acoplado directamente con una configuración en base común. Este
circuito combina muchas de las ventajas de los amplificadores en emisor común y base común.

La ventaja del circuito es su baja capacidad de entrada, lo cual es importante para señales de
VHF y UHF. A frecuencias muy altas, la capacidad de entrada empieza a ser un factor limitador
de la ganancia de tensión. En un amplificador cascodo, la baja capacidad de entrada permite al
circuito amplificar frecuencias más altas que las que son posibles con un solo amplificador en
fuente común.

- Desarrollar el análisis teórico de la figura 4.1

RB1=R 1∨¿ R 2 RB 3=R 5∨¿ R 6

RB 1=100 kΩ∨¿ 1 MΩ RB 3=3.3 kΩ∨¿15 kΩ
100 kΩ x 1 MΩ 3.3 kΩ x 15 kΩ
RB 1= =90.909 kΩ RB 3= =2.704 kΩ
100 kΩ+1 MΩ 3.3 kΩ+15 kΩ

V CC x R 1 −V EE x R 5
V BB1 = V BB3 =
R 1+ R 2 R 5+ R 6

12V x 100 kΩ −12 V x 3.3 kΩ

V BB1 = =1.09V V BB3 = =−2.163 V
100 kΩ+1 MΩ 3.3 kΩ+15 kΩ
A partir de los cálculos realizados anteriormente, realizamos el circuito equivalente de CD, que
se muestra en la figura 4.2
De la malla 1 (en el transistor 1)

VBB1 = RB1(IB1) + VBE

V BB 1−V BE
I C 1=
RB 1
β

1.09 V −0.7 V
I C 1= =1.28 mA
90.90 kΩ
300

A partir de este valor podemos conocer IB1

I C 1 1.28 mA
I B 1= =
β 300
IB1 = 4.26μA

De la malla 2 (en el transistor 3)

–VBB2 = RB3(IB3) + VBE +RE3(IC3) + (–VEE)

V EE−V BB 3−V BE
I C 3=
RB3
+ RE3
β

12 V −2.163V −0.7 V
I C 3=
2.7 kΩ
+1.8 kΩ
300

I C 3=5.05 mA

Pero por ser un cascodo IC3 = IC2 = 5.05mA. Por

tanto, IB2 = IB3

I C2 5.05 mA
I B 2= =
β 300
IB2 = 16.83μA

VCE1 = VC1 – VE1

VC1 = VCC – I1 (R3+R4), donde I1 = IC1+IB2
VC1 = 12V – 1.29mA(7.5kΩ+1kΩ) = 1.035V
VE1 = 0V VCE2 = VC2 – VE2
VCE1 = 1.035V – 0V = 1.035V VC2 = VCC = 12V
VE2 = IC2(R7) = 5.05mA(1kΩ) = 5.05V
VCE2 = 12V – 5.05V = 6.95V VC2 = 0V
VE2 = –VEE –(–5.05mA) (1.8kΩ) = –2.91
VCE2 = VC2 – VE2 VCE2 = 0V – (–2.91V) = 2.91V

Con los valores obtenidos anteriormente, llenamos la siguiente tabla.

T VC (V) VE(V) VCE(V) IB (μA) IC (mA)

1 1.035 0 1.035 4.26 1.28
2 12 5.05 6.95 16.83 5.05
3 0 –2.91 2.91 16.83 5.05

Para el análisis de CA se dibuja el modelo π que se muestra en la siguiente figura

Donde ro es la resistencia dinámica del transistor. La parte entre línea punteada se sustituirá por
una sola resistencia Ro.

1
ro =
η gm 3

η = 2.6x10-4
 [
Ro =r o 1+
RE 3 β 3
R E 3 + R B 3 +r π 3 ]
Parámetros π

gm1 = 40(IC1) = 40(1.28mA) = 51.2mƱ

gm2 = gm3 = 40(IC2) = 40(5.05mA) = 202mƱ

rπ1 = β/gm1 = 300/51.2mƱ = 5.859kΩ

rπ2 = rπ3 = β/gm2 = 300/202mƱ = 1.485kΩ

1 1
ro = = =19.04 kΩ
η gm 3 2.6 x 10−4(202 mƱ )

Ro =19.04 kΩ 1+ [ 1.8 kΩ(300)

1.8 kΩ+2.7 kΩ+1.485 kΩ]= 1736.93 kΩ

Por lo que el modelo π queda de la siguiente manera.

Ganancia de voltaje

Vs Vπ 2 Vπ 1
ΔV =
Vπ 2 Vπ 1 Ve

Vs=ic 2 Ro=gm 2Vπ 2 R o

 Vs
=gm 2 ( Ro )=202 mƱ ( 1736.93 k Ω) =350859.86
Vπ 2

−RC 1( ic1)
i b 2=
RC 1+rπ 2+(ℜ2+ Ro) β

Vπ 2 −RC 1(rπ 2)(gm 1) −8.5 kΩ(1.485 kΩ)(51.2 mƱ ) −3

= = =−1.239 x 10
Vπ 1 RC 1+ rπ 2+( ℜ2+ Ro)β 8.5 kΩ+1.485 kΩ+ ( 1737.93 kΩ ) 300

Ve(R 2∨¿ rπ 1)
Vπ 1=
R 1+( R 2∨¿ rπ 1)

R2||rπ1 = 5.824kΩ

Vπ 1 ( R 2∨¿ rπ 1) 5.824 kΩ
= = =0.055
Ve R1+( R 2∨¿ rπ 1) 100 kΩ+5.824 kΩ

ΔV = ( 350859.86 ) (−1.239 x 10−3) ( 0.055 )−23.909

Realizar la simulación del circuito

R3
55 %
Tecla = A
15kΩ
I: 4.96 mA
A
IC2
R4
R2
1MΩ 1kΩ I: 28.7 uA

I: 1.03 mA A Q2
IB2
V2 A 2N3904
IC1
12V I: 7.63 uA

R1 A Q1
IB1
2N3904
100kΩ R7
V1
1kΩ
1Vpk
1kHz I: 4.99 mA
V3 0° A
12V IC3
R5 I: 32.0 uA
3.3kΩ
A Q3
IB3
2N3904

R6
R8
15kΩ
1.8kΩ