2019/3/29

電子學(一)TA課
Ch1、Ch3

課程助教:電機四 吳亭儀
見習助教:電機二 劉芳全
電機二 劉冠標

Ting-Yi Wu 1

重要的觀念-1
 半導體?
 導電性介於導體與絕緣體之間
 主要的半導體材料：矽、Si14
 價電子?
 原子軌道中，最外層(價層)的電子，可與其他原子形成鍵結。
 自由電子?
 自由電子(electron)：最外層之價電子受到原子核的束縛力較弱，容
易受到外在能量之影響使其脫離原子，此脫離軌道之自由移動之電
子就叫做自由電子。
 電量= - 1.6×10 C
 電洞?
 電子跑掉後的空位，可視為一個帶正電可移動的粒子(假想)
 →電量= + 1.6×10 C

Ting-Yi Wu 2

1
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 導電性介於導體與絕緣體之間
 主要的半導體材料：矽、Si14 一立方的矽有 6×10 個矽原子，
但只有 1.5×10 個自由電子可以導電
價電子：原子軌道中，最外層(價層)的電子，
可與其他原子形成鍵結。 自由電子(electron)：最外層之價電子受
到原子核的束縛力較弱，容易受到外在能
量之影響使其脫離原子，此脫離軌道之自
由移動之電子就叫做自由電子。
→電量= - 1.6×10 C
+14

電洞(hole)：電子跑掉後的空位，
可視為一個帶正電可移動的粒子
→電量= + 1.6×10 C

 電子與電洞同時產生

Ting-Yi Wu 3

重要的觀念-2
 本質半導體?
 沒有經過摻雜的半導體
 n = p = ni = 1.5 x 1010 cm-3
 異質半導體? N-type ?P-type?
 經過摻雜的半導體(有加摻雜物)
 純矽+摻雜物→改變導電性↑
 N-type：加入五價的摻雜物(ex:磷 P)，五價多一個電子， 往外跑 ，使得多出電子
 P-type：加入三價的摻雜物(ex:硼 B)，三價少一個電子，外來填上，使得多出電洞
 N-type的主要載子?次要載子?
 Dopant：電子(ND)→donor(施子),提供電子
 Majority carrier ：電子-nn =題目摻雜
 Minority carrier ：電洞-pn =用Mass action law 求出
 P-type的主要載子?次要載子?
 Dopant：電洞(NA) →acceptor(受子),接受電子
 Majority carrier ：電洞-pp=題目摻雜
 Minority carrier ：電子-np=用Mass action law 求出

Ting-Yi Wu 4

2
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重要的觀念-3
 質量運作定律(Mass action law)?
 n x p = ni (T) (1.5*1010 cm-3 when T = 300K)
 在熱平衡下，自由電子濃度n乘上電洞濃度p等於ni (T)
 愛因斯坦關係式(Einstein Relationship)?
 = = VT = = 0.025
 電子的擴散係數/電子的漂移率=電洞的擴散係數/電洞的漂移率
=熱電位(thermal voltage)
 pn-junction?
 為p-type與n-type的組合

 稱二極體(Diode)

Ting-Yi Wu 5

重要的觀念-4
 空乏區(Depletion region)?
 p-type內有電洞+負電原子核，而n-type內有電子+正電原子核，所
以有一向左的電場，於中間的區域電洞與電子結合，而形成不導電
的空乏區，又稱空間電荷區。
 W=xp+xn
 空乏區落在濃度較淡的區域
P-type N-type

空乏區

Ting-Yi Wu 6

3
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空乏區(cont’d)
 當NA>ND (p type 濃度較濃）
 空乏區落在濃度較淡的區域

 繪出載子濃度圖(Carrier concentration) (NA>ND)

Majority carrier ：電洞-pp Majority carrier ：電子-nn

Minority carrier ：電子-np Minority carrier ：電洞-pn

Ting-Yi Wu 7

重要的觀念-5
 請繪出pn-juncion在順偏下的少數載子濃度分布圖(NA>ND)

給予順偏
(p給+,n給-)

-xp xn
由Law of junction 由Law of junction
𝑽
Np(-xp)=Np0exp( 𝑫) 𝑽
Pn(xn)=Pn0exp( 𝑫)
𝑽𝑻
𝑽𝑻

Ting-Yi Wu 8

4
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少數載子濃度分布圖

Ting-Yi Wu 9

重要的觀念-6
 雪崩式崩潰(Avalanche Breakdown)?

Ting-Yi Wu 10

5
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公式：P.46

𝑬𝒈 k
B T

質量運作定律 (Mass action law)

11

◎Table1.3

已知條件：(1)L = 10um = 10 * 10-4 cm = 10-3 cm

(2)W = 3um A = 3um * 1um = 3 * 10-4 cm * 1 * 10-4
(3)THI = 1um = 3 * 10-8 cm2
𝑳 𝟏
所求為R = ρ ，且 ρ =
𝑨 𝒒(𝒏∗𝒖𝒏 𝒑∗𝒖𝒑)
(b)異質半導體(n-type & ND = 5*1016 cm-3)
(a)本質半導體 q = 1.6 * 10-19 C
q = 1.6 * 10-19 C n = ND = 5*1016 cm-3
n = p = ni = 1.5*1010 cm-3
ni2 (1.5 x 1010 )2
p=N = 5∗1016 = 4.5*103 cm-3
un = 1350 cm2/V-s D

up = 450 cm2/V-s un = 1200 cm2/V-s

𝟏 up = 1200/3 = 400 cm2/V-s

ρ=
𝟏.𝟔∗𝟏𝟎-𝟏𝟗 (1.5∗1010 ∗1350 1.5∗1010∗450) 𝟏
ρ= =0.10 Ω-cm
=2.28 x 105 Ω-cm 𝟏.𝟔∗𝟏𝟎- (5∗1016∗1200 4.5∗103∗4𝟎𝟎)

10−3 10−3
R = 2.28 x 105 * = 7.6 * 109 Ω R = 0.10 * = 3.33 kΩ
3 ∗ 10−8 Ting-Yi Wu 3 ∗ 10−8 12

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E=V/r

13

已知條件：(1)ND = 1016 cm-3

(2)ni = 1.5 x 1010 cm-3
(3)Dp = 12 cm2/s(電洞的擴散係數)
(4)W = 50nm = 50 x 10-9m = 5 x 10-6 cm
題目為n-type，故主要載子為電子，少數(關鍵)載子為電洞
題意為將電洞注入此n-type Si中，故此excess的電洞會造成
向右的電洞電流擴散。
故所求為：Density of the hole current Jp = -

Sol：
x 2.25 x 104
= ≈ = = - 4.5 x 1017
5 x 10−6 5 x 10−6

因為電洞為少數載子，要得電洞的濃度可用mass action law

ni2 (1.5 x 1010 )2
𝑝𝑛0 = = = 2.25 x 104 cm-3
ND 1016
若本題改為p-type-Si
，注入電子，則所求即 所求
為Jn = qDn

注意題目是何種Type!!

Ting-Yi Wu 14

7
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已知條件： p-type n-type

Sol： NA = 1017 cm-3 ND = 1016 cm-3

(1)
題目為pn-junction
×
Vo = 0.0259 x ln( ) = 0.754 V 題意所求：
. ∗
(1)空乏區中的內建電位：
(2)
(2)空乏區寬度：
  × . × . × (3)空乏區於p、ntype各佔比例：利用doped濃度比(成反比)
W= ×( + ) × 0.754
. ×
(4)存在空乏區的電荷：
=0.328 × 10 cm

(3)空乏區落在濃度較淡者，故xn、xp與其濃度成反比
At p-type(左)：xp = W = 0.328 × 10 × ≈ 2.98 × 10 cm

At n-type(右)：xn = W = 0.328 × 10 × ≈ 2.98 × 10 cm

×
(4) = 10 × 1.6 × 10 ×( ) × 0.328 × 10 = 4.8 × 10 𝐶
Area=100um2
QJ =
= 100× 10 × 10 cm2
Ting-Yi Wu 15
= 10 cm2

Ting-Yi Wu 16

8
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Diode(二極體)

又稱pn-junction

◎當p接正，n接負 ◎當p接負，n接正
→順偏 →逆偏
→diode可想成short(短路) →diode可想成open(開路)

無視diode的存在 電路無電流(I=0)

ON Ting-Yi Wu
OFF 17

18

9
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19

20

10
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1.假設兩Diode皆ON。 假設錯誤!! 2.假設D1-OFF、D2-ON。

3− 0
𝐼′ = = 0.25𝑚𝐴
12
3 − −3 1
0V
𝐼 = = 𝑚𝐴
12 + 6 3

I=0
0V
1 𝑉 − −3
=
D1 3 6
OFF
𝑉 = 2 − 3 = −1𝑉
0 − −3
𝐼′′ = = 0.5𝑚𝐴 A：V=-1V、I=0mA 21
6 Ting-Yi Wu

1.假設兩Diode皆ON。

3− 0
𝐼′ = = 0.5𝑚𝐴
6
0V
I’=I+I’’
I=0.5-0.25=0.25mA(↓)
0V 假設正確
𝑉 − −3
0.25 =
12
𝑉 = 3 – 3 = 0V
0 − −3
𝐼′′ = = 0.25𝑚𝐴
12
A：V=0V、I=0.25mA
Ting-Yi Wu 22

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＝10－11mA

1.Vo = 2.0V。三個Diode為相同，故每一個Diode的跨壓相同。
→VD = 2 × = ≈ 0.667𝑉

2.由𝐼 = 𝐼 exp
題意所求𝐼 = 𝐼 = 3.9mA
.
𝐼 = 10 exp ≈ 3.9𝑚𝐴
.
◎當輸出端掛上負載，使1mA流向負載
(1)由題意，故Diode流過的𝐼 為3.9-1=2.9mA
𝐼 2.9𝑚𝐴
(2) 由𝐼 = 𝐼 exp = 0.025l𝑛( )
𝑉 = 𝑉 l𝑛 𝐼 10 𝑚𝐴
≈ 0.6598𝑉
(3)Vo = 0.6598*3 = 1.9794V
(4)Vo change is 1.9794 - 2.0 = - 0.0206V ≈ −21mA

A：(a) 𝐼 =3.9mA、(b)ΔV= -21mA

Ting-Yi Wu 24

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1.𝐼 = 𝐼 exp
𝑉 𝑉
𝐼 = 𝐼 exp ;𝐼 = 𝐼 exp
𝑉 𝑉
2. 𝐼 = ; 𝐼 =10mA -

𝑉
3.由1&2利用比例關係：
𝑉 𝐼 exp 𝑉
𝑉 𝐼 10 − 𝑉
= 𝑅=
𝐼 𝑉 𝑉
𝑅 𝐼 exp
𝑉

𝑉 =𝑉 +𝑉 → = exp = exp
→𝑉 = 𝑉 − 𝑉
. . .
→ =exp →R≈42Ω
. .

A：R = 42 Ω
Ting-Yi Wu 25

休息１５分鐘

Ting-Yi Wu 26

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◎Interative-analysis疊代法：利用圖形找解 ▲𝐼 = 𝐼 exp
𝑖 ▲𝐼 =
(1)當𝐼 = 0，則 =0→𝑉 =𝑉
𝑉
(2)當𝑉 = 0，則𝐼 =
𝑅
1.由𝑉 = 0.7，用𝐼 = ，得𝐼 ′

2.由𝐼 ′，用𝐼 = 𝐼 exp ，得𝑉 ’’

Load line 𝐼
𝑉 = 𝑛𝑉 ln
𝐼
(or 依照𝐼 的是否算出，可使用不同的方法找𝑉
Q點(Quiescent point操作點)
重複使用疊代法，逼近Q點

𝑣
𝑉 Wu
Ting-Yi 27

Find
 𝐼 = 𝐼 exp → 𝑉 = 𝑛𝑉 ln

 𝐼 = 𝐼 exp → 𝑉 = 𝑛𝑉 ln

 𝑉 − 𝑉 = 𝑛𝑉 ln = 2.3𝑛𝑉 log

 (1)若已算𝐼 ，由𝑉 = 𝑛𝑉 ln ，找𝑉

 (2)若未算𝐼 ，由𝑉 − 𝑉 = 2.3𝑛𝑉 log ，找𝑉

Ting-Yi Wu 28

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1k =
1V
.
Sol：  令VD=0.7，由𝐼 = = = 0.3mA
.
 由𝑉 = 𝑛𝑉 ln =0.025ln( )=0.6607V
.
 由𝐼 = = =0.3393mA
.
 由𝑉 = 𝑛𝑉 ln = 0.025ln( )=0.6638V
.
 由𝐼 = = =0.3362mA
.
 由𝑉 = 𝑛𝑉 ln = 0.025ln( )=0.6635V
.
 由𝐼 = = =0.3365mA
A：VDTing-Yi
=0.6635V
Wu
、ID=0.3365mA 29

30

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(a)

(b)

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(c)

(d)

I = 0A
V = -3 + I(10) = -3 V

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 由𝑖 = 𝐼 exp

 𝑖 = 𝐼 exp
Q1：±5mV(小訊號模型有效)的變化，對應電流如何改變(%)?
 𝑖 = 𝐼 exp Q2：限制電流改變在± 10%內，則電壓變化最大多少?

 = exp( ) ◎ ps： 𝑣 − 𝑣 = 改變量； 𝑉 = 25mV

 (a) + 5mv
 = exp( )=1.221

 電流%數的變化： x 100% = (1.221-1) x 100% = 22.1%

 (b) - 5mv
 = exp( )=0.818

 電流%數的變化： x 100% = (0.818-1) x 100% = -18.2%

Ting-Yi Wu 33

Q2：限制電流改變在± 10%內，則電壓變化最大多少?
 電流%數的變化： x 100% ≤ ± 10 %
 - 1 ≤ ± 0.1

 - 0.1 ≤ - 1 ≤ 0.1

 0.9 ≤ ≤ 1.1
∆
 由Q1推導： = exp( ) = exp( )

 故∆𝑣 = 𝑉 ln

 (a) = 1.1
 ∆𝑣 = 25 ln 1.1
 ∆𝑣 = +2.38mV −2.63𝑚𝑉 ≤ ∆𝑣 ≤+2.38mV
 (a) = 0.9
 ∆𝑣 = 25 ln 0.9
 ∆𝑣 = -2.63mV
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 The Constant-Voltage-Drop Model(固定順向壓降模型)

~slope = ∞(rD = 0)

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 電壓源判斷何時能使二極體導通，
Non ideal 將+接+，-接-，so 𝑣 倒過來→ −𝑣
 − 𝑣 ≥ 0.7 diode ON
 − 𝑣 ≤0.7 diode OFF
 𝑣 ≤ −0.7 diode ON
 𝑣 =𝑣
 𝑣 ≥ -0.7 diode OFF
 𝑣 =0

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Ting-Yi Wu 37

.
 Angle θ =sin ( ) = sin =4°
°
 ∫ °
10 sin θ + 0.7 𝑑θ
° °
= 10∫ °
sin θ 𝑑θ +∫ °
0.7 𝑑θ
= 10 ∗ (−cos θ)| °° + 0.7 θ| °°
= -10(cos 356° - cos 184° ) + 0.7(356 ° -184 °)
= -19.95+120.4 °
= -19.95+120.4 ° ×
=-19.95 + 2.101 = -17.85
 Average value 故需除週期2𝜋
.
 Average value of vo = = -2.85 V

Ting-Yi Wu 38

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. ( )
 i= =9.3mA
-10V

 PIV(逆向峰值電壓)：在某週期時，Diode因逆向偏壓故截止，
此時Diode承受一逆向電壓Vm。欲使電路正常，Diode的PIV
必須≥ Vm，否則Diode會因為逆向崩潰而壞掉。
 PIV=Vm
 Diode OFF→Vs = 10V = Vm
 PIV =10V

Ting-Yi Wu 39

 畫出vi-vo的轉移曲線
 當電壓差是0.5V時，diode才會導通
 當電壓差是0.7V時，iD = 1mA

Ting-Yi Wu 40

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 當Vo < 3.5V，Diode OFF

 i=0
 Vi = Vo → ~slope = 1
 當Vo = 3.5V，Diode 剛好ON
 i=0
 Vi = Vo = 3.5V
 當Vo = 3.7V
 i =1mA
3.5V diode short  Vi = Vo + iR = 3.7 + 1m1k = 4.7v
 當Vi > 4.7V，Diode的ID↑，butVD維持在0.7V，所
3.7V iD = 1mA 以Vo不會再改變。

 當電壓差是0.5V時，
diode才會導通
 當電壓差是0.7V時，
iD = 1mA

Ting-Yi Wu 41

 當Vo > 2.5V，Diode OFF

 i=0
 Vi = Vo → ~slope = 1
 當Vo = 2.5V，Diode 剛好ON
 i=0
 Vi = Vo = 2.5V
 當Vo = 2.3V
 i =1mA
2.5V diode short  Vi = Vo - iR = 2.3 - 1m1k = 1.3v
 當Vi < 1.3V，Diode的ID↑，butVD維持在0.7V，所
2.3V iD = 1mA 以Vo不會再改變。

 當電壓差是0.5V時，
diode才會導通
 當電壓差是0.7V時，
iD = 1mA

Ting-Yi Wu 42

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 當Vo < -2.5V，Diode OFF

 i=0
 Vi = Vo → ~slope = 1
 當Vo = -2.5V，Diode 剛好ON
 i=0
 Vi = Vo = -2.5V
 當Vo = -2.3V
 i =1mA
-2.5V diode short  Vi = Vo + iR = -2.3 + 1m1k = -1.3v
 當Vi > -1.3V，Diode的ID↑，butVD維持在0.7V，所
-2.3V iD = 1mA 以Vo不會再改變。

 當電壓差是0.5V時，
diode才會導通
 當電壓差是0.7V時，
iD = 1mA

Ting-Yi Wu 43

 當Vo > -3.5V，Diode OFF

 i=0
 Vi = Vo → ~slope = 1
 當Vo = -3.5V，Diode 剛好ON
 i=0
 Vi = Vo = 2.5V
 當Vo = -3.7V
 i =1mA
-3.5V diode short  Vi = Vo - iR = -3.7 - 1m1k = - 4.7v
 當Vi < 1.3V，Diode的ID↑，butVD維持在0.7V，所
-3.7V iD = 1mA 以Vo不會再改變。

 當電壓差是0.5V時，
diode才會導通
 當電壓差是0.7V時，
iD = 1mA

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考試注意事項
 問答題盡可能寫完整，可以拿較多分數，缺少重要的敘述
會被扣分。
 請將考卷左右對折，垂直書寫。
 計算題請寫完整，包含使用的公式，會分段給分。
 若不太會寫也可寫上相關公式，可得到一點點分數。
 計算完成後，請寫Ans： ○ ○= ___________。
 筆記如果讀不完，至少基本觀念+作業要會。
 注意單位：(1)通常都要換成cm (2)注意計算時單位一致性
 請勿作弊，否則明年繼續修
 第一次考試較簡單，之後的BJT、MOS稍微難點，請把握。
 如需此次TA課的投影片，會放到Line群組，歡迎下載。

Ting-Yi Wu 45

THE END
電路學(一)急救班20:45開始….

Ting-Yi Wu 46

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