mise au point sur les — TRANSISTORS CLASSIFICATION des TRANSISTORS 4 effet de champ monojonetion et structures MOS -TEC E_paragraphe 1.3. précé- I dant celuici, a brossé un tableau en trois volets (les artistes diraient un « triptyque »), quil nous faut rappeler ici pour Fixer les idées : nous avions ainsi Stabli un pré-lassement portant ppolaires, done & monojonction et non a unijonction)ou transis ‘Les “Anglo-Saxons les_nom- ‘ment J.F-E.T. (soit junction field effect transistors) qui, aujourd'hui, rassemblent, sure tout, des éléments laminaires & canal obtenu directement en fabrication par diffusion des agents chimiques dopants conve nables. ‘0: (132). Les transistors effet de champs & porte (ou a grille) {sole (L-E.C. - G.I). Les techeo~ Jogies actueliesretiennent les pro- “Of et BE CE 8 Om cédés M.S. (métal - oxyde semi-conducteur) et MAS (metal insulated semi-conductor ; semi conducieur a contact métallique isol ) (133), Les tetrodes effet de champ. Ce sont la les « prototy- pes» des structures modernes, Aérivant des procédés mis au point pour les composants du we di. 1) faints mle© moras stmt paragraph b(132).On y retrouve les MOS. - TE.C, les COS, MOS. complementary symetry metal - oxyde ~ semiconductor MOS. a symétrie complémen sire S. CO), mais aussi les SOS. MOS. SOS: silicon ow sap- pire; ép6 de slic épitaxial sur saphi) ainsi que les LOCOS: MOS. (local oxydation semi conductor, dont {a traduction ‘nous semble superflue) La majeure partie de ces mon- tages siexpligue a partir des theo- ries fondamentales ce Shackle reprises par Dacey et Ross, ause tes par Teszner, par Martin, par Le Mée. par Tribes et par Moisch leurs dispositis particuliers (te nétron, grdistor,slestron), En ce aqui concerne les’ M.OS, - F.E.T. xine pluie innombeuble de comp: tes-rendus a envani fe bibliothe ques, Kuhng, Atulla, Hoistin, Heiman, Lindner, Terman trae vaillerert fa question avee Leno: vee, Slobodskoy, Nicollian et Goetrberger, pionniers des inves tigations dans ce domaine, Les études entreprises démon- trent-que Ton a alfaire a une structure unipolaire (alors que ies transistors classiques & deux Joneti bipolaires. Phusieurs symboles graphique font été proposes pour feprésenter tes TEC, dans les schemas, La figure 2-1 en reprend quelques- uns parm ceux gu sant les plus fénandus. A noter la notion de subsicat (6) a appauvrissement depletion) et a entichissement (enhacément) que nous expl ‘uerons plus bus, en parlant des ‘modes de fonctionnement ($2.2 La classification doit tenie ‘compte dy nombre de connexions ripodes : ...& « trois pates » {etrodes +. « quatre pattes ») puis schémutiser les genres « [Vs le courant drain Ip est nul. La courbe qui sépare les deux régions de fonc- tionnement correspond aux consltons suivantes Vos + Wont Dans li région | égion ohmique? ona Vos + [Vaal < ¥p Dans ts réxion II drégion de pen tode) on Vos +1Vosh> Vo ci V, est tension de pincement Le mécanisme du pineemem sera expliqué au paragraph 3 22.2, Principe de fonctionne- ment d'un transistor a effet de champ (T.E.C.) a grille isolée Gal), du type MOS. WH faut diibord savoir qu'unsubstrat de type P_ (respective ment N} est employé pour fal quer un transistor a grille isolée doté d'un canal N ‘ou respective- ment Ph "Nous adoptons ici la premitre hypothése : substrat P, canst scinduit» ow canal diffuse (en fabrication) de type N. fig. 2.3). Dans cette eatégorie de disposi Us, om peut distinguer les types I) Les TEC. Cl. fi envichise- iment canal P ou a canal N, La technologie de_réalisation des transistors i effet de champ type MOS fut appel aux proced ccommuns de diffusion et de m ‘quage par des couches «x La Torme la plus simple de is coupe Wun transistor ECG Lat ccanal N est donnée ei-apres 2 Les TEC. GL. ii striction depletion), associé avec une dimi- ution de la conductivité, et tnrichissement enhancement), associé vec une augmentation de a conductivité, & canal P ou a anal N 22.2 1.Genre A: T.EC-G.L. a enrichissement (fig, 2.3) We n’existe pas de canal de conduction de source & drs en Tubsence d'une tension Vos >0 le transistor est aon conducteur ou blogué. Pour une tension + Vis. le courant drain correspond au courant résiduel Un canal dTenrichissement est formé quand une tension positive est appiiquée 4 la grille Quand ta tension Ves aug mente, hi résistance di canal lenire source et drain diminue et le courant drain fy augmente, 22.22. Genre B: T.E.C.-Gil striction. Dans fe canal (voie fig. 2.4), fa zone oi les porteurs de charge cir. coulent, va en se réisécissant de ta source vers le drain, puisgue ta polarisation inverse de ia grille pa rapport au canal est d'aatant plus forte que Von se rapproche plus du drain, cette polarisation créant,au voisinage de La jonetion tune zone déserte (phénoméne de ‘«déplétion ») 23.23.Genre CT. bi et a enrichissement). Dans ce type de transistor ig. 25) on constate Fexistence dun canal_de conduction de source di drain en absence d'une tension de polarisation 9 source Ver Avec une polarité de Ves le canal devient plus étroit tie: tion), et avec une autre polarité de fas le canal peut devenit plus large (enrichissement) augmen- tant la conductivite du canal et favorisant le passage du courant drain Ip, 2.2.2.4, Courbes complémen- taires. La résistance Rys entre drain et source varie dilferemment selon que fon a affaire aun TEC dugeare A.ou un TEC. du genre B fig. 26.) Lecourant de drain Ip Mfg. 2.6, by eroit avee les modes du type A mais dim nue avec le type B. (a suivre) B. MARIN Mow Mme emeurant igagement ® programe déludes techniques ‘manus dine cro yoindee timbres pour as dev). [ELECTRONIOUE) WMOUSTRIELLE | ‘D technicien frigoniste CD courselementaires C1 Ingenleur frigoriste programmes co Agee technique (MECANIQUE GENERALE] 1D agent technique 1D Dessinateur Indust. semi-conducteurs 1 ingenieur Kingen-électroricien grr oaaATiSIME [euecteicrré) Ag. techn, automaticien Cl agent technique [AUTOMOBILE DIESEL] Chingenieur electricien ee eee 1 I ! ! ! I I I I I I ! I Dacor 1 I ! t ! 1 ! I I ! I ! FRAVAUX PRATIOUES] © !ngenieur en electrcite INFORMATIONS En electronique i Operateur [BETON ARME: O Progremmeur 1 Dessnateur et 2analste ee fateuateur MATHEMATIOUES) «ingenieur bucEP.aueac CHAUFFAGE wate species “NENTILATION| Sagenttecnnique (ENERGIE ATOMIQUE] lo ingenieur am e I ‘Quel que soit votre niveau, iexiste dans votre spécialité lun programme eétudes qu Vous convient. Nous pouvons faciement Taoapter a votre personnalite et 3 la promotion que vous ambitionnez ‘Sachez que vos études a II.P. peuvent étre prises en charge par votre employeur au titre de Ia loi sur Jaformation permanente. Possibilité de regroupement ‘sur place en complément de la formation a distance. INSTIT downs TECHNIQUE «ecw ee PROFESSIONNEL 3302: wore