X-NAND Teknolojisi, SLC ve QLC Özelliklerini

Bir Araya Getirecek

Yazar Fatih Işık -  10 Ağustos 2021

X-NAND teknolojisini temel alan yongalar yakında

kullanılmaya başlayabilir.
Geçtiğimiz yıl sanal ortamda düzenlenen 2020 Flash Bellek Zirvesi sırasında NEO
Semiconductors CEO’su Andy Hsu, daha yüksek hızlar sağlayan yeni bir NAND teknolojisi
duyurdu. X-NAND olarak adlandırılan teknoloji, o zamanlar sadece bir sunumdan ibaretti. Ancak
şirket artık nihayet tasarımlarını onayladı ve patenti aldı.

X-NAND teknolojisini NAND bellek geliştirme tekniğinin yeni bir yaklaşımı olarak tanımlayabiliriz.
NEO Semiconductor, merkezi San Jose’de bulunan ve 2012’de faaliyete başlayan bir silikon
vadisi şirketi. Bugüne kadar, bellek tarafında 20’den fazla patent almayı başardılar ve yeni
projeler üzerinde çalışıyorlar.
X-NAND teknolojisi, Tek Seviyeli Hücre (SLC) NAND hızlarına sahip olmayı ve Dört Seviyeli
Hücre (QLC) NAND flash kapasitesini bir arada sunmayı hedefliyor. Ayrıca bunu hedeflerken
mümkün olan en küçük form faktöründe yapmaya çalışıyorlar.

X-NAND temel olarak, SLC ve QLC’de muhafaza edilen verileri (bit) yüksek dayanıklılık, yüksek
hız ve yüksek kapasitede tek bir NAND çözümünde birleştirmek için kullanılan bir teknik.
Aşağıdaki tabloda yeni çözümün potansiyelini vurgulayan performans tablosunu görebilirsiniz.
Günümüzde depolama tarafında yüksek hızlar bir hayli bir önem kazandı. Bu bağlamda 5G ve
derin öğrenme ve makine öğrenimi gibi uygulamalarla X-NAND teknolojisi daha önemli.

Son olarak NEO Semiconductors, X-NAND teknolojisine dayalı çipler üreten bir şirket değil.
Bunun yerine bellek üreticilerine kendi çözümlerini ve planlarını sunuyorlar. Şirketin hedefi ise X-
NAND IP’sini (fikri mülkiyet) Samsung, SK Hynix ve Micron gibi bazı büyük bellek üreticilerine
lisanslamak.