Sơ đồ bộ nhớ bán dẫn gồm:

- EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)

được chế tạo bằng công nghệ bán dẫn, nó có thể xóa và ghi lại dữ liệu
bằng điện.
- EPROM: Xóa được bằng tia cực tím, lập trình được bằng bộ lập trình EPROM. Xóa
tia cực tím nhiều lần sẽ hỏng EPROM.
- Masked PROM: được chế tạo để thực hiện một công việc cụ thể như các bảng tính,
bảng lượng giác , bảng logarit . . . . ngay sau khi xuất xưởng. Nói cách khác, các tế
bào nhớ trong ma trận nhớ đã được tạo ra theo một chương trình đã xác định trước
bằng phương pháp: đưa vào các linh kiện điện tử nối từ đường từ qua đường bít để
tạo ra một giá trị bit và để trống cho giá trị bit ngược lại.
- PROM: Có cấu tạo giống MROM nhưng ở mỗi vị trí nhớ đều có linh kiện nối với cầu
chì. Như vậy khi xuất xưởng các ROM này đều chứa cùng một loại bit (gọi là ROM
trắng), lúc sử dụng người lập trình thay đổi các bit mong muốn bằng cách phá vỡ
cầu chì ở các vị trí tương ứng với bit đó. Một khi cầu chì đã bị phá vỡ thì không thể
nối lại được do đó loại ROM này cho phép lập trình một lần duy nhất để sử dụng,
nếu bị lỗi không thể sửa chữa được
- SRAM: duy trì nội dung miễn là có nguồn điện áp vào. Dữ liệu SRAM sẽ mất khi mất
nguồn nuôi. Các vị trí trong ô nhớ được truy xuất bất kì không liên quan đến vị trí
truy xuất trước đó.
- DRAM: Lưu trữ các bit dữ liệu trong các tụ điện riêng lẻ, được refresh theo chu kì.

Hoạt động của bộ nhớ bán dẫn(slide 6).

Truy xuất dữ liệu trong bộ nhớ bán dẫn, có thể mượn hình ảnh tủ đựng hồ sơ
trong các công sở (hình A). Mỗi một hộc tủ trong tủ hồ sơ được đánh số theo
nguyên tắc như sau: chữ số đầu tiên (đánh theo hệ 16) của hộc là con số chỉ thứ tự
hàng của hộc này; chữ số đầu thứ hai (cũng đánh theo hệ 16) của hộc là con số chỉ
thứ tự cột của hộc này.
Do đó mỗi một hộc tủ đều có một mã địa chỉ được ghi dưới dạng mã 16 riêng, chỉ
ra vị trí của hộc trên tủ hồ sơ. Giả sử khi muốn đưa một hồ sơ mới (dữ liệu) vào hộc
tủ có mã số là 03, ta chỉ việc trùng phùng từ hàng 0 với cột 3 là gặp hộc tủ này. Việc
ghi hay nạp dữ liệu là tuỳ vào tuyến điều khiển.
Khi số hộc tủ không đủ để giữ số hồ sơ cần lưu trữ, người ta mua thêm một tủ
cùng loại với tủ cũ và việc đánh số địa chỉ tương tự như cũ.
Lúc này việc đánh số phân biệt giữa 2 tủ giống như lập mã vùng trong thuê bao điện
thoại:
Có thể xem tủ thứ nhất là vùng 1 và tủ mới mua là vùng 2 (hình B). Khi cần liên hệ
dữ liệu trong cùng một vùng thì không cần sử dụng mã vùng (giống như gọi điện
thoại nội hạt), chỉ khi liên hệ giữa hai vùng khác nhau lúc này mới sử dụng đến mã
vùng (giống như gọi điện thoại liên tỉnh).
Nghĩa là hồ sơ khi trao đổi trong cùng một tủ, ta không cần sử dụng thêm một số
nào trong mã địa chỉ nhưng muốn chuyển hồ sơ từ tủ này sang tủ kia bắt buộc phải
sử dụng thêm một con số nữa trong mã địa chỉ (tương tự như mã vùng khi gọi điện
thoại).
Cụ thể, tủ cũ thêm số 0 vào bên trái của mã địa chỉ còn tủ mới thêm số 1 vào bên
trái của mã địa chỉ. Như vậy 001; 011; 034; 075… là các địa chỉ của các hộc trong tủ
cũ và 101; 111; 134; 175 là các địa chỉ của các hộc trong tủ mới (cùng vị trí vật lý
nhưng khác tủ)

Cau 3:

1, DRAM là gì?

- DRAM là viết tắt của Dynamic random-access memory.

- Xét về công suất, nó có thể đạt được 8GB cho mỗi chip trong IC hiện đại.
- Về mặt vật lý, DRAM lưu trữ mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng bên trong mạch
tích hợp. Tụ điện có thể được nạp hoặc xả đại diện cho hai trạng thái của một bit
( gọi là 0 và 1).
- DRAM cần được làm tươi (refresh) hoặc nạp điện sau khoảng vài mili giây để bù
đắp cho sự rò rỉ điện từ tụ điện. Nếu không thì các bit dữ liệu lưu trên DRAM sẽ mất
dần.
- HOẠT ĐỘNG CỦA DRAM:
o Tại thời điểm đọc và ghi giá trị bit từ ô, dòng địa chỉ được kích hoạt. Transitor
có trong mạch hoạt động như một công tắc được đóng (cho phép dòng điện
chạy) nếu một điện áp được đặt vào dòng địa chỉ và mở (không có dòng
điện) nếu không có điện áp nào được đặt vào dòng địa chỉ. Đối với hoạt động
ghi, tín hiệu điện áp được sử dụng cho đường bit trong đó điện áp cao hiển
thị 1 và điện áp thấp cho biết 0. Sau đó, tín hiệu được sử dụng cho đường
địa chỉ cho phép truyền điện tích đến tụ điện.
o Khi dòng địa chỉ được chọn để thực hiện thao tác đọc, bóng bán dẫn sẽ bật
và điện tích được lưu trên tụ được cung cấp trên một dòng bit và tới bộ
khuếch đại cảm giác.
o Bộ khuếch đại cảm giác xác định xem ô chứa logic 1 hay logic 2 bằng cách
so sánh điện áp tụ với giá trị tham chiếu. 
2, SDRAM là gì?

- SDRAM là viết tắt của Synchronous dynamic random access memory.

- SDRAM là DRAM được đồng bộ hóa với bus hệ thống,
- SDRAM có thể chạy ở tốc độ xung nhịp cao hơn nhiều so với bộ nhớ thông thường,
- SDRAM đang dần thay thế DRAM EDO trong nhiều máy tính đời mới.
- HOẠT ĐỘNG CỦA SRAM:
o Để tạo trạng thái logic ổn định, bốn bóng bán dẫn (T1 T2 T3 T4 ) được tổ
chức theo cách kết nối chéo. Để tạo trạn thái logic 1 nút C1 cao và C2 thấp;
ở trạng thaí này, T1 và T4 tắt, T2 và T3 bật. Đối với trạng thái logic 0, đường
giao nhau C1 thấp và C2 cao; ở trạng thái đã cho, T1 và T4 được bật và T2
 T3 tắt. Cả 2 trạng thái đều ổn định cho đến khi dòng điện 1 chiều (DC
voltage) được áp dụng.
o Dòng địa chỉ SRAM được vận hành để mở và đóng công tắc và để điều khiển
các bóng bán dẫn T5 và T6 cho phép đọc và ghi. Đối với hoạt động đọc, tín
hiệu được áp dụng cho các dòng địa chỉ này sau đó bật lên T5 và T6 và giá
trị bit được đọc từ dòng B. Đối với hoạt động ghi, tín hiệu được sử dụng
cho dòng bit B và bổ sung của nó được áp dụng cho B ‘ 
3, Sự khác nhau giữa SDRAM và DRAM:

-
-  Sau khi DRAM nhận được lệnh từ giao diện của người dùng, nó ngay lập tức chạy
không đồng bộ với đồng hồ của máy tính để gửi lệnh, thay vì đợi như SDRAM đồng
bộ hóa với đồng hồ của máy tính.
- SDRAM được đồng bộ hóa với đồng hồ của máy tính. Quá trình xử lý thông tin
trong máy tính cho phép nó nhận một lệnh khác trước khi hoàn tất quá trình xử lý
lệnh trước đó. Điều này cho phép SDRAM chạy ở tốc độ cao hơn.

Cau 1:

- Do các ô bị lỗi, kết nối không thành công giữa các đường lựa chọn, đường bit/cảm
biến và các nhiễu khác nhau, nên có tồn tại lỗi trong bộ nhớ bán dẫn. Đặc biệt khi
các ô nhớ có xu hướng cực kỳ nhỏ và các chip cực kỳ dày đặc, các khiếm khuyết
tăng lên đáng kể. Kết quả là, một số bit khi chúng được đọc ra từ các ô lưu trữ, sẽ
khác với những cái đã được lưu trữ. Sự hiện diện của các lỗi này làm giảm đáng kể
độ tin cậy của bộ nhớ máy tính. Có một số loại lỗi, trong đó một là vĩnh viễn về vị trí
và tính chất, những cái khác là tạm thời và ngẫu nhiên. Lỗi được phân loại thành lỗi
cứng và lỗi mềm.
1, Lỗi trong hệ thống bộ nhớ bán dẫn:
- Có 2 loại lỗi: hard errors và soft errors

- Hard errors:
o Nếu lỗi ở bất kỳ vị trí nào của một từ có tính chất cố định,thì nó được gọi là
lỗi cứng. Đặc điểm của lỗi cứng là một khi nó đã xảy ra ở vị trí nào, đầu ra
của vị trí này bị kẹt vĩnh viễn ở trạng thái 1' hoặc 0' bất kể nội dung được ghi
vào.
o Lỗi cứng là ngẫu nhiên, vĩnh viễn và không thể đảo ngược.

o Tuy nhiên, bằng cách tổ chức bộ nhớ thích hợp, các mẫu lỗi có thể được giới
hạn ở các lỗi đơn lẻ trong mọi bộ nhớ.

- Soft errors:

o Lỗi mềm được gây ra bởi tiếng ồn hệ thống, xung điện và bức xạ hạt alpha.
o Lỗi mềm là ngẫu nhiên, tạm thời và có thể đảo ngược.
o Bằng chứng thực nghiệm chỉ ra rằng hầu hết (hơn 90 phần trăm) lỗi mềm
được thấy trong các thiết bị từ một số nhà sản xuất là do bức xạ hạt alpha từ
vật liệu đóng gói.(nói câu này)
- Những hạt này là kết quả của sự phân rã phóng xạ và rất phổ biến vì hạt nhân
phóng xạ được tìm thấy với số lượng nhỏ trong hầu hết các vật liệu. Cả lỗi cứng và
lỗi mềm rõ ràng là không mong muốn và hầu hết các hệ thống bộ nhớ chính hiện đại
đều bao gồm logic cho cả việc phát hiện và sửa lỗi.
- Sửa lỗi cứng lỗi mềm:
o Figure 5.7:
 Khi dữ liệu được ghi vào bộ nhớ, một phép tính, được mô tả dưới
dạng hàm f, được thực hiện trên dữ liệu để tạo mã. Cả mã và dữ liệu
đều được lưu trữ. Do đó, nếu một từ dữ liệu M bit được lưu trữ và mã
có độ dài K bit, thì kích thước thực tế của từ được lưu trữ là M + K bit.

 Khi từ được lưu trữ trước đó được đọc ra, mã được sử dụng để phát
hiện và có thể sửa lỗi. Một bộ K bit mã mới được tạo ra từ M bit dữ
liệu và được so sánh với các bit mã được tìm nạp. Việc so sánh mang
lại một trong ba kết quả:

• Không phát hiện lỗi. Các bit dữ liệu tìm nạp được gửi đi.

• Lỗi được phát hiện và có thể sửa lỗi. Các bit dữ liệu cộng với các bit
sửa lỗi được đưa vào một bộ sửa lỗi, bộ này tạo ra một bộ M bit đã
sửa được gửi đi.

• Lỗi được phát hiện nhưng không thể sửa lỗi đó. Tình trạng này được
báo cáo.

Các mã hoạt động theo cách này được gọi là mã sửa lỗi. mã được
đặc trưng bởi số lỗi bit trong một từ mà nó có thể sửa và phát hiện.
o Hamming error correcting code:
 Mã sửa lỗi đơn giản nhất là mã Hamming do Richard Hamming tại
Phòng thí nghiệm Bell nghĩ ra. Hình 5.8 sử dụng biểu đồ Venn để
minh họa việc sử dụng mã này trên các từ 4 bit (M = 4).
 Với ba vòng tròn giao nhau, có bảy ngăn. Gán 4 bit dữ liệu cho các
ngăn bên trong (Hình 5.8a).
 Các ngăn còn lại được lấp đầy bởi những gì được gọi là bit chẵn lẻ.
Mỗi bit chẵn lẻ được chọn sao cho tổng số bit 1 trong vòng tròn của
nó là số chẵn (Hình 5.8b). Như vậy, vì vòng tròn A bao gồm ba bit dữ
liệu 1, nên bit chẵn lẻ trong vòng tròn đó được đặt thành 1.
 Bây giờ, nếu một lỗi làm thay đổi một trong các bit dữ liệu (Hình 5.8c),
thì có thể dễ dàng thành lập. Bằng cách kiểm tra các bit chẵn lẻ, sự
khác biệt được tìm thấy trong vòng tròn A và vòng tròn C nhưng
không nằm trong hình tròn B. Chỉ một trong bảy ngăn nằm ở A và C
mà không thuộc B. Do đó, lỗi có thể được sửa bằng cách thay đổi bit
đó.