You are on page 1of 6

www.DataSheet.co.

kr

MOS 电路 CS7106
三位半带 LCD 显示驱动的 A/D 转换电路
本资料适用范围:CS7106AGP,CS7106GN,CS7106D,CS7106R
1、概述
本产品是一种具有直接驱动 LCD 功能的 3 位半 A/D 转换电路。可应用于各种体积
小、重量轻、便于携带的数字仪表,数控系统等场合。其特点如下:
● 采用单电源供电,电压范围 7~15V,可使用 9V 叠层电池
● 输出形式为异或门输出,能直接驱动 LCD
● 采用 CMOS 差动输入,输入阻抗高,对输入信号无衰减作用
● 能通过内部模拟开关实现自动调零和自动极性显示
● 内部有时钟电路,可接阻容元件构成多谐振荡器
● 在芯片内部 V+与 COM 端之间,有一个稳定性很高的 3.0V(典型值)基准电压源
● 具有显示保持、电源低电压显示、A/D 正积分显示和 A/D 反积分显示(注:CS7106AGP
无此四种功能)
● 典型封装形式为:CS7106AGP:DIP40;CS7106GN:QFP44;
CS7106D&CS7106R:Die

2、功能框图与引脚说明
2. 1、引脚排列图
D3

A2
B2
C2
D2

G1

A1
E2

E1
F2

F1
V+ 1 40 OSC1
D1 2 39 OSC2
C1 3 38 OSC3 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13 12
B1 4 37 TEST B3 23 11 B1
A1 5 36 VREF+ F3 24 10 C1
F1 6 35 VREF- E3 25 9 D1
G1 7 34 CREF+
AB4 26 8 V+
E1 8 33 CREF-
D2 9 32 COM POL 27 7 OSC1
C2 10 CS7106AGP 31 VIN+ BP 28 CS7106GN 6 OSC2
B2 11 30 VIN- G3 29 5 HOLD
A2 12 29 A/Z A3 30 4 OSC3
F2 13 28 BUF
C3 31 3 TEST
E2 14 27 INT
D3 15 26 V- G2 32 2 INTE
B3 16 25 G2 LOWB 33 1 DEIN
F3 17 24 C3 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44
E3 18 23 A3
CREF+

VREF+
CREF-

VREF-
BUF

VIN-
VIN+
A/Z

COM
INT

AB4 19 22 G3
V-

POL 20 21 BP

2. 2、引脚说明

序号
管脚名 I/O 功 能 描 述
CS7106AGP CS7106GN
1 8 V+ IO 正电源
2 9 D1 O 个位笔划的驱动信号,依次接 LED 的相应笔划电
3 10 C1 O 极,LED 显示器笔划见图
4 11 B1 O

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第1页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/


www.DataSheet.co.kr

MOS 电 路 CS7106

5 12 A1 O
6 13 F1 O
7 14 G1 O
8 15 E1 O
9 16 D2 O
10 17 C2 O
11 18 B2 O 十位笔划的驱动信号,依次接 LED 的相应笔划电
12 19 A2 O 极,LED 显示器笔划见图
13 20 F2 O
14 21 E2 O
15 22 D3 O
16 23 B3 O 百位笔划的驱动信号,依次接 LED 的相应笔划电
17 24 F3 O 极,LED 显示器笔划见图
18 25 E3 O
千位笔划驱动信号,接千位液晶显示器的 b、c 两个
19 26 AB4 O 笔划电极。当计数值大于 1999 时,发生溢出,千
位数显示“1”,表示超量程显示。
负极性指示,接千位数码 g 端,当 POL 端输出的方
20 27 POL O
波与背电极方波的相位相反时,显示负号“-”。
21 28 BP O LCD 背面公共电极的驱动端
22 29 G3 O
百位笔划的驱动信号,依次接 LED 的相应笔划电
23 30 A3 O
极,LED 显示器笔划见图
24 31 C3 O
十位笔划的驱动信号,接 LED 的相应 G2 笔划电极,
25 32 G2 O
LED 显示器笔划见图
33 LOWB O 电池低压显示
26 34 V- IO 负电源
27 35 INT O 积分器输出端,接积分电容 CINT
28 36 BUF O 缓冲放大器的输出端,接积分电阻 RINT
积分器与比较器的反相输入端,接自动调零电容
29 37 A/Z I
CAZ。
30 38 VIN- I 模拟量负输入端,
31 39 VIN+ I 模拟量正输入端,
32 40 COM O 模拟信号公共端,简称“模拟地”。
33 41 CREF- I 外接基准电容端
34 42 CREF+ I 外接基准电容端
35 43 VREF- I 基准电压的负端,简称“基准负”
36 44 VREF+ I 基准电压的正端,简称“基准正”
1 DEIN O A/D 反积分显示
2 INTE O A/D 正积分显示
逻 辑 电 路 的 公 共 地 , 简 称 “ 逻 辑 地 ”, 可 接 负 电 源
37 3 TEST IO
供外部驱动器使用,例如组成小数点显示电路

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第2页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/


www.DataSheet.co.kr

MOS 电 路 CS7106

38 4 OSC3 O 时钟振荡器的输出端
5 HOLD O 显示保持
39 6 OSC2 I 时钟振荡器的输入端
40 7 OSC1 I 时钟振荡器的输入端

a
f g b
e c
dp
d
3、电特性
3. 1、极限参数
除非另有规定,T amb = 25℃
参 数 名 称 符 号 额 定 值 单 位
极限工作电压 V DD -0.3~15 V
极限输入电压 V in -0.3~V DD +0.3 V
极限功耗 PD 800 mW
工作环境温度 T amb -25~70 ℃
贮存温度 T stg -55~125 ℃

3. 2、电特性
除非另有规定,T amb = 25℃,V CC = xxV
规 范 值
参 数 名 称 符号 测 试 条 件 单位
最小 典型 最大
直流参数
V IN =0.0,
输入为零时读数 Z IR -000.0 ±000.0 +000.0 读数
满量程=200mV
V IN =V REF , 999/
比率值读数 RR 999 1000 读数
V REF =100mV 1000
翻转误差(当输入
分别为两个极性相
反、数值相等且接 R/O -V IN =+V IN =200mV -1 ±0.2 +1 字
近满量程的电压时
读数值的差异)
线性度(最直线间 满 量 程 =200mV
EL -1 ±0.2 +1 字
最大偏差) 或 2.000V
V CM = ± 1V ,
共模抑制比 CMRR V IN =0V, — 50 — μV/V
满量程=200.0mV
V IN =0V, 满 量 程
噪声 eN — 15 — μV
=200.0mV
输入漏电流 IL V IN =0V — 1 10 pA

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第3页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/


www.DataSheet.co.kr

MOS 电 路 CS7106

输入为零时读数
Z RD V IN =0V — 0.2 1 μV/℃
漂移
温度系数 TC SF V IN =199.0mV — 1 5 ppm/℃
低压指示 V LOW V+~V- 6.3 7.0 7.7 V
提供电流 I DD V IN =0V — 0.8 1.8 mA
模拟公共端电压 公共端与正电源
V COM 2.7 3.05 3.35 V
(考虑正电源) 之间接 25kΩ电阻
模拟公共端温度系 公共端与正电源
V CTCP — 20 50 ppm/℃
数(考虑正电源) 之间接 25kΩ电阻
模拟公共端温度系 公共端与正电源
V CTCN — — 75 ppm/℃
数(考虑负电源) 之间接 25kΩ电阻
正电源到负电源
峰-峰段驱动电压 V SD 4 5 6 V
电压 9V
正电源到负电源
峰-峰背面驱动电压 V BD 4 5 6 V
电压 9V

5、典型应用线路

三位半LCD

20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1
CS7106AGP
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40
0.1μ

去LCD
0.47μ
0.47μF

100p
56k 120k
1k
0.01μ1M
24k
9V

- +
被测电压

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第4页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/


www.DataSheet.co.kr

MOS 电 路 CS7106

6、封装尺寸与外形图
DIP40
51.2MAX

13.4±0.2

3.5±0.2
0.51MIN
3.5±0.3
2.54 0.5±0.1
1.22TYP
1.4±0.1
15.24

0.25±0.1

0~15 单位:mm

QFP44

13.8±0.3
10.0±0.2

33 23
34 22
10.0±0.2
13.8±0.3

3.05MAX

0.19±0.1

44 12
1 11
1.0TYP

0.16 M
1.0TYP 0.8 0.35±0.1
2.7±0.2

+0.1
0.15-0.05
0.15 0.8±0.2 单位:mm

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第5页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/


www.DataSheet.co.kr

MOS 电 路 CS7106

9、软封示意图 (芯片衬底电位: V DD )

VREF+

CREF+
VREF-

CREF-

VIN+
COM

VIN-

BUF

INT
A/Z
44 43 42 41 40 39 38 37 36 35
34 V-
DEIN 1

INTE 2
33 LOWB

TEST 3
Y
模拟部分 32 G2

OSC3 4 31 C3

HOLD 5 30 A3

OSC2 29 G3
6 (0,0) X
28 BP
OSC1 7
27 POL
V+ 8
数字部分 26 AB4
D1 9 25 E3

C1 10 24 F3

11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
A1

G1

A2
B1

F1

E1

D2

C2

B2

F2

E2

D3

B3

产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有毒有害物质或元素
部件名称
六价铬 多溴联苯 多溴联苯
铅(Pb) 汞(Hg) 镉(Cd)
(Cr +6 ) (PBB) 醚(PBDE)
引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○
塑封树脂 ○ ○ ○ ○ ○ ○
芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○
装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○
○:表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求
说明 以下。×:表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的
限量要求。

版本:2007-11-A 无锡华润矽科微电子有限公司 第6页 共7页

Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/

You might also like