(0.1, Los semfconductores 10.2, diodo como semicond 1.1 dlodo de unis Semiconductores. Fl diodo 1-1. Caraeterfstieas :témicas det sillelo positivos optoelectréntcos Actividades de ensefianza aprendizaje El sector lectesnico ht comeyldo hoy en alta unas cotas de importancia en ef sector pro- ‘ductivo y de blenes de consumo que parectan Inimapinables hace unos anos. La electrdnica y os components eleetrinicas comienzan sn andadusa a finales del siglo x con ef desarrollo ddl diodo y del rd de vacto, Con estos elementos ya era posible la amplifcacion de seita~ tes y multilud do aplicaciones. Con ta Invencién a Sales de 1940 del transistor bipolar a base ile conponenites de estado std, se produja una verdadera revolucién en ef sector eleetrént- ‘0. El sigutente paso fue la aparicién en 1959 del primer eirculto nteprado. Desde ese momen- {0, las posbilidades de miniaturizacion de los circuitos gracias al aumento de las posibilidades cer fa densidad de integracion han erecdo exponencialmente, dando lugar a un nuevo concep to: ka microelectrénica. Se puede decl quo con los semiconductores so comlenza el estudio propio de la electréni= ‘a. Con el uso de fos semniconductores es posible la elaboracién de diodos, transstores, isto 105 y cheultosIntegeados en general. Em esta unidad dicta vamos a estudiar tos diodos para posterlonnente aplicarlos en cir- ceultos de rectiticacién (creultos que convierten ta corrente alterna en continua). CE. todos. > Deseribie ls eurvas earactettioas ai 8 diodos,explicind Ia relaciOn exsten tor cate ngnitads funlamenales qu los earacterizan. i GuTKoR impulsado por CamScanner10 semiconductors. odo fi] Los ser miconductores__ censes gracias alos semiconductors que hat ss sh rea ea ce Chacon ce de ina ce Tole ees “mec bs snes len deo semiontiones sttui pS tH Diol _Diodozener_ iodo Led’ ‘Fotadind & KR Tesi Tonio Ri are | Were | Mkt | teu | + XK ae ores igen tae mane + Simboleselétrcos de ls semiconductores. Grcuitn sepa mira 10.2. As i pecto de los semiconductors, fig 150 [A] El diodo como Semiconductor EI diodo es un elemento semiconductor q cinculacign de la comriente en un sentido i > 3) + Figura 10.3. ‘Su aplicacin es especialmente interesante en aquliog di, Positives en que sea necesarin esta cualdad, como, gy ejemplo, en los rectificadores, que son capaces de cant tirlaC.A.en CC, ‘Antes de pasar a estudiar los diodos de unin, convienew ner una idea muy clara de lo que es un serniconducter, Existen ciertos cuerpos como, por ejemplo, el solenio, germanio y el silicio que, en condiciones normales, oq islantes, pero con ciertas modificaciones de su organi idn molecular se pueden convertir en conductores, Esto debido a que su estructura cristalina no dispone de elec nes libres capaces de establecer una corrienteeléetica: sa ‘embargo, los electrones de sus sltimas érbitas pueden xt liberados antficialmente, por lo que se convierten en cos. Pos conductores. El procedimiiento més habitual para core {uirlo consiste en introducir, en el interior de estos mat tiales, sustancias con una estructura atémica determinads Adlividad experiential 19 Consigue un dindo y conéetalo intercalado ene in “to de una pila-y uaa taniparita (Figura'10.4); Si coves | {a5 el estodo del -diodo (terminal negativo indicads pt! impulsado por ( CamScannerSeniconductres dodo 10 cx propiedad es muy interesante y esti motivada por fa seeped tool Su constituido por Ia unin de dos cristales semiconduc- Eee uno ée tipo P y otro de tipo N (Figura 103). Figura 19.6. Enlaces covalentes en el silicio. x . Sas completa. El resultado dela combinasin del slicio eon fa SIs IVvIsIs impureza de antimonio es un cristal denominado silici tipo 9289 8aRe- Nga que existen cargasnegativas bres (Figura 10.) Q222esee Figura 10.5. Unién de dos cristales de tipo P y N. Estos cristales son de silicio o de germanio con ta adicién & slgin otro elemento que les confiere una cierta potari- ‘ad ya sca P (exceso de cargas positivas) 0 N (exceso de segativas). {Cémo se forman estos cristales? Estudiemos el caso del silicio como cuerpo semiconductor, porser el més utilizado, Figura 10.7. Enlaces covalentes incompletos [iE Caracteristicas atémicas eu erstal de sii tipo N. flict Silicio tipo P: De la misma forma que en el caso anterior, — ‘si al silicio en estado puro se le introducen impurezas que, fs un cuerpo eristalino cuyas moléculss tienen formas en ‘vez de tener cinco clectrones de valencia, sélo dispongan posec 4 electrones de de tres, como cl indio, el aluminio, el galio, el boro, etc., et srométricas regulares. Por otro lado, ; : i samc es devin, que en su orbita exterior sOlo existen enlace covalente seni, ola Vez incompleto (Figura 10.3). ‘aalro electrones (Figura 10.6). Como se sabe, todo cuerpo recisa de 8 electrones de valencia para que mantenga 91% Etablidad normal. El silicio es un cuerpo estable con s/o 4 electzones de valencia, ya que se complementa con &2" tm clectones de los dtomos vecinos (enlace covaete) ¥ ts suma los 8 lectrones precisos pars su estabilidad Enestas condiciones, el dtomo de si Hislante, ya que no existen en su send ¢) ces de establecer una corriente eléctrica- Slico tipo N: Existen elementos, como el antimoni Asénico, ete,, que poseen 5 electrones de valencin, Si sai tos no de estos elementos con ¢l silicioy A produ in ‘aluces covalentes incompletos, ya que uno de 1% © tf ‘ tas Figura 10.8, Ent "5 de estos elementos quedaré libre por estar Ins érbitas Fist jo es completamente clectrones libres ca laces covalentes incompletos en un cristal P. 151 siciones Paraninfo impulsado por ( CamScannerVO semiconductors. odo FF dtomno de impureza, al tener slo 168 © ‘roller todos fos hnccos, ues so sat sidhades de tes de tos pues, an eleetrdn ctrones, no He fas nect Estos hnecos representan una falta de clectrones y prod~ leza positiva al cristal, quc en este caso se silicio tipo P. El diodo de unién Fl diodo de unign se forma al juntar un etistal tipo P con ‘tro tipo N (Figura 10.9). Da Ia impresién de que, al juntar estos dos cristales de cargas opuestas, en la uniGn AB se prodlucied una neutralizacién de cargas, pero no es ast, ya que en dicha unin aparece una pequefia bantera por efecto de la repulsién que evita este fenémeno, » 28) aa igura 10.9. Barrera de potencial en una unidn PN, Abora bien, si conectamos una bateria al diodo (Figura 10.10), de tal forma que el polo positive de éste coincida con el cristal tipo P y el negativo con el cristal tipo N, las, ccargas negativas serdn repelidas hacia la superficie de Ia ‘unidn eon gran fuerza y vencerin de este modo la barre AB. Por lo tanto, se produciré una comriente eléetrica Jy. través del diodo, neutralizandose los electrones con los Inuecos, A eoctrones ———evev Polarizacién directa de un diode de unidn, Veamos ahora qué pasar si coneetéseny sentido contrario (Figura 10.11), 5 In bate he oe 2 ot ae Figen 10.11, Polarizacin inversa del dodo de ang Jas electroncs libres del cristal N se seni atlas py «l polo positive de Ia batera y los huecos po el plo mh tivo de ésta, por lo que se erea en la unin AB una ape, de vacto que evita la circulaciGn de corriente a través is diodo, En este caso se ha conectado el diodo en seis inverso. A-pesar de ello siempre existe una pequeta ce niente de figa que recibe el nombre de corriene inns del diodo (Ip). Para que el diodo conduzca polarizado en seni dies necesita ser sometido a una tensién minima de polis ign, que en el caso del germanio es de 0,2 V y de 051 para el silico. Las caracterfsticas de los diodos semiconductores sss grandemente con Ia temperatura. De tal forma que, cuz) ‘mayor sea ta temperatura de la unin, mayor seri el nine 10 de electrones libres y, por tanto, aumentard Ia cores de conduccién. En el germanio estas variaciones sone sivas, por encima de los 75°C se hace dificil su uilizaie. mientras que el silicio puede emplearse hasta los 200% aproximadamente. En la actunlidad, fa gran mayoria de miconductores es de silicio. 10.4.1. Caracteristicas en polarizacién directa de un diodo ‘Obtener las caracterfsticas «le polarizacion de wn a nifica determinar la relacién existente entre los SH valores de la tensi6n de polarizacién (V,) y 1 com recta (I). “ Para obtener experimentalmente esta relacidn DUS realizar ef ensayo que se muestra en la Figuet 7, ella, Ia lectura de Vp indica ta tensin de pole?) reela en voltios y la‘lectura de la corviente dis! / impulsado por CamScanneride polarizacién directa de un diodo. sigua 10.13 se puede apreciar la curva carecteristica © eisizcién del diodo ensayado. La curva tiene forma ER encisl en las proximidades del cero y se acerea al va- nt is imensidad de corriente méxima admisible a medi o fo 7G 02 0308 0505 0.7 0809 | a pra 10.3, Curva de polarizacién directa de un diodo, Cando polarizamos directamente un diodo, éste no Om asta que le ‘imza a conducir de una forma apreciable hk spicemos la minima diferencia de poles ale bares, Ecccida por el nombre de tensién umbral. En el 359 4 ee easidn e silicio 0,6 V. ‘mano esta tensién es de 0.2 V y en el del Fer dejo de esta tensin, 18 comiente os ray peavena Y perencima aumenta considerablemente. 10.4.2. Caracteristicas _ en polarizaci6n inversa de un diodo invrsa basta comin al negativo (Fi- on obtener la curva caracterfstica Yenir fa coriente del diodo, de tal forma ave al ‘ conectado al positivo de la pila y el P Be 10.14, 2 una tensi6n inversa. Vqp SP&FECe a "ene de ga fea la eval denomingbamos eomiens Phere Pais Seniconducores tiodo 19 ura 10.14, Circuito para obtener fa caracteristica inversa de un diodo. ‘versa, Esta corriente es del orden de unos WA 0 nA, tal Co mo se puede apreciar en la curva de la Figura 10.15 corres- pondiente a Ia caracteristica inversa del diodo. ee wee “a lat aaa pom | | 008A “ma Figura 10.15. Caraeteristica inversa de un diodo. Los fabricantes de diodos expresan el valor de la corriente Javersa en sus hojas de especificaciones téenicas. Ast, por tjemplo, la serie de diodos con Ia referencia IN4O01 a {h4007 establece una corriente inversa de 10 WA evando son polarizados inversamente, CObserva que, segin se aurenta la tensi6n inversa, también fp hace la corrient, hasta que se llega a un valor Vz, lam do tensién de ruptura del diodo. En este momento aparece 0 (fecto de avalancha y aumenta bruscamente Ia intensi- jad de corriente inversa, lo que provoca la destruceién del ‘iodo por Ia excesiva disipacién de calor. to no ocurra, es necesario disefiar las condicio~ Para que es Par jb trabajo del diodo con wna tensién inversa siempre menor a su tensiGn de ruptura. Los fabricantes de diodos espeeifican Ios valores de la fen- ign inversa pico en sus hojas de especifieaciones técnica error ejemplo, mientras el diodo con Ia referencia Nol soporta una censi6a méxima inversa de 50 V, el 1N40O7 llega a soportar 1.000 V. se ney Maia | impulsado por 9 CamScanner1G semiconductors iodo En Ja Figura 10.16, se muestra la curva earaeteristica com pleta de un diodo de wnién. Figura 10.16. Curva caracteristica de un diado de unién, 10.4.3. Potencia y corriente nominal Undiodo se disefa para trabajar 6ptimamente en unas con- diciones nominales determinadas. Existen dos formas de provocar la destruccién de un diodo: ** Bxceder la tensién inversa de ruptura, + Exceder la potencia mixima nominal. ‘Como ocurrfa con las resistencias, los diodos.poseen una cierta capacidad de disipar el calor que se produce en su tniga. Este calor depende de la potencia a la que trabaja el iodo, que depende, a su vez, del producto de la corrionte por Ia tensidn de éste, Si la potencia que se produce en el diodo es superior a sur capacidad de disipaci6n, éste aumentard excesivamente st. temperatura y acabard deterioréndose. Existen algunos fabricantes que especifican la potencia no~ minal de sus diodos en las hojas de informacién técnica, No obstante, lo normal es que cn estas informaciois dni- camente aparezca la corriente méxima de polarizacién di- recta. Bastaré con no sobrepasar este valor para que en nin= sn caso se supere la potencia méxima nominal. Ast, por ejemplo, Ia gama de diodos con la referencia IN4001 a 14007 permite una corriente directa nomi- nal de | A, tients queef diodo IN4I8 permite una co- rricnte directa de 150 mA y una disipacién de potenci Tana, = 25°C de 500 mW. ” = 154 10.4.4. Linea de carga de un diody Mediante el conocimiento de la tinea de cary encontrar el valor cxacto de la corriente y I iodo para una carga determinada, , pod ny In tensa in el circuito de ta Figura 10.17 se puede fuemte de tensién V que suministra energta a cia R, en serie con un diodo. La tensién que les Vp. La tensi6n que aparece en los bor igual a fa tensién total V menos la ca provoca el diodo. preciag yo Una cesisen, parecer ¢ 18 Je Ry set la de tensa Vg Rs Figura 10.17. Circuito para trazar la linea de carga : de un diodo. Aplicando la ley de Ohm, obtenemos la corriente del cc cuito: Rs. Esta comiente se puede representar miediante una rect te ‘nos va ayudar a determina el punto de trabajo de! iodo pia ‘unos valores determinados de tensién V y resistencia Ry 5 Actividad resuelta 10.1 = El valor de la cottiente en el cireuito de Ia Figura 10.18 es: | oleate : ee TS Rs ; 175-8 + 4 Ve av - Figura 10.18. cal entre 1a 6: £ Observa cémo aparece una relacisn li “rriente y Ta tensién, eacones Fo impulsado por CamScannerporn alia una representacidn gra de ex am fata cow lar valores a V,'y ohvenerdifereoe oe de ta Hine. rentes po Fel easo de que Vp OV Ty tin ef caso de que ta cl ewo de que In curva caracteristica del diodo sea te gue ee representa en la Figura 10.19, la linea de ear- fa verd una recta que corte os puntos de 1,2 Vy 7 mA. + Ei panto de interseccién de estas dos eurvas nos indica ju valores de la tensiGn y corriente del diodo para una teasiin de 1,2 V y una resistencia fimitadora de 175 0. a” Ts i é | oma Q 2 o "T0102 0304 0506 07 O89 1 112 i no 10.19. Recta de carga del diodo, Ex nuestro ejemplo se obtienc una corriente de 3,6 mA yuna tensién de polarizacién directa ene) diode de | 142 V. A este punto se lo deaomina punto de funsio~ | amiento de! diodo. 10.45, Caracteristica aproximada de un diodo A catudiar Las resistencias ¥ rin sperwridad de eomprobar que los valores de La etch! 11 capacidad de estos disposiivos poseen Goadee = de tolerancia. Lo mismo ocurre con 1o8 staan de ret Gindos de Yes cuales no s© puede fim {Re sean exacten, Por esta raza, se pucde cas ark cava caructerietica aproximada de tab3}0 de un di cimeter, pon muestra, parte, prancics erTOtes ‘hn sipfifica notatement® ten dete. res, hemos tenido se feta ich curva epecsiinasds, Ia Figura 10.20, se amaestra dicha eur ees me sve cual et dao ests polenta? Stan "rey Paar Sericemuctors. Coin 10) ‘idm were, Este oe eo i q 7 Este se comporta como un interruptor abierto ¥ Mo deja pasar ninguna corriente eléeteiea. t b 07 Fey Figura 10.20, Caractertstiea aproximada ie un dodo, Por otro lado, se considera que se necesitan aprescimaita- mente unos 0,7 V para que un diedo de silicio condwrca ‘como un interruptor cerrido, Se supone que, hasta que no se alcance esa tensién, la corriente directa ex nul, De esta explicacién se podrfan sacar los exquemas equiva. Tentes de las Figuras 10.21(a) y (b). Caando el diodo es polarizado directamente se comporta co- ‘mo un intertuptor cerrado en serie con tna fuente de tensién ide 0,7 V. De tal forina que, sila tensi6n de polarizacién ex superior a 0,7 V, el interruptor se cierra (Figura (0.21(a)} Si se invierte la tensiGn de polarizacién det dicdo, éte se Ccomporta como un interruptor abierto (Figura 10.21(b)}. @ o Figuea 10.21, (a) Diode polarizado directamente. {h) Diode polarizade inversamente. Actividad resuctta 1.2 Cul sec la coriemte diceta del diodo del cievito de fa Figura 10.22? Higura Wht impulsado por 3 CamScanner40 Semiconductoes. Edo resolver este cjereici Salwcidns Pa ‘caracteréstica aproximada, ali rena Ia cur Y = o,o0091 = 0,91 mA en el circuito de la Act {Qué valor deberia poseer Rs vorriente direc Vielad resuelta 10.2 para conseguir una c ta por el diod dle 7,3 mA? [WE] Dispositives optoelectrénicos Dentro de Ia denominacién de disposi cos se incluyen todos aquellos elementos semiconductorcs epaces de producir una radiaci6n luminosa comprendida {lento del espectro visible o fuera de él (infrarrojos), como fo son los diodos LED. También se incluyen los compo- nentes sensibles la luz, coma, por ejemplo, los fotediodos. 10.5.1. Diodos luminiscentes (LED) Seguro que ya conoces este tipo de dispositivo electr6nico, ‘ya.que poscen una gran aplicacién como clementos sefali- Jadores del encendido de cualquier equipo electrénico, co- ‘mo puede ser: un equipo de sonido, un ordenador, ete. Ha- Giendo combinaciones con ellos, también pueden ser ‘mpleados para visualizar nimeros y letras en pequetios indicadores luminosos (displays), con los cuales se pueden presentar los resultados en equipos de medida, catculado- ras, ete, En Ia Figura 10.23(a) se muesira el aspecto de un diodo LED y en Ia Figura 10.23(b) su representaci6n esquemética. ete neo scat @) (o) Figuea 10.23, Diodo LED. (a) Aspeeto fisieo, (b) Simbolo, 156 Actividad expe Consigue un diodo LED, estudia 0 a:pecio y ong fon través de una resistencia serie de uns 420 Qa cn Tucnte de alimentaciGn de 10 V, tl com 2m iy Figur 10.24 : Habrds podido:comprobar que, para que el diodo LED| frilumine, hay-que. conectarlo de tal forma que ques! fotarizade'difectamignt, El terminal que representa 3 Prod® ‘ile aparecet en el componente indicato cia! nn Ypatea™ (este: terminal: suele. tener. una Tong] snayor que la del cstodo,) (Por si fuera fo20, se alae dn pequed aplanaynicito en la‘edpsula a ls inte clones del terminal, del todo). Enel caso dena Seguro de cules cada tno de los terminales, sep velifcarel’¢stado dé condueciGn con un pobirat. omg se hacia Eon fos diodos de union PN. i {Se encignde-‘el diode LED al polatizarlo dives, mente? : i Los diodos LED se fabrican mediante la unis de des tales semiconductores PN, a los que se les ha conta! de una forma especial. Cuando una unién de este do * polariza con una tensién directs, al igual que cous fos diodos convencionales, los electrones de valent (tial cio N atraviesan Ta unign y se recombinants Hiuecos del eristal tipo P. Dado que dichos elects’ © trasladan de un nivel de energta ms ata uno ms fe produce una lberacién de energis, que en ese SP dloalos se manifesta en forma de radiaciones eles! néticas dentro del espectro luminoso. especiales ra conse de 110 iere™ Los djodos LED se fabrican con elementos, mo arseniuro de galio (GaAs) y fésforo. Fe tmodifiear Ia fongitud de onda de a radiocion Tumtinosa y asf conseguir diodos con emision®) tes colores (ray naranja, verde, amar 929 ja), se contaminan los cristal 7 por ejemplo, tos diodos lumi } fésforo (GaP) emiten luz roja euandD £1 de cine y emiten luz verde con la aulcién de 2 impulsado por (9 CamScanner15.1.1. Caracteristicas de tos KED {el color de los diodos luminiscentes, sus caracte- nilnres a las de los diodos ta tensin directa (V;) es a eafda de tension que : cece dreeta. Esta tensin stele ser del arden de 15 a 22 ¥ pec a mayor parte deo wots, Cuno se des- To tensi6n dirceta exacta, bastaré con tomar com sin i jomar como conoce walor aprox Lacorriente de excitacién directa (I,) es la conriente que {abe circular por el dioda LED para aleanzar ta intensidad Juminosa esperada. Para Ia mayorfa de los modelos, estn torrente esti comprendida entre 10 y 50 ma, Lacorriente inversa (Iq) es la maxima corriente que puede fiir por el diodo Iuminiscente cunndo a éste se le aplien tna tension de polarizacién inversa, Este valor suele estar entorno a Tos 10 yA. Ladisipaci6n de poteneia es aquella parte de la potencia {qe el diodo luminiscente no convierte en luz y que acaba degradindose en calor, por fo que tiene que evacuarla al ‘nteior, Por esta razén, los diodos LED se conectan en se~ fe con una resistencia, con cl fin de Timitar la corriente {que fluye por ellos. Para calcular dicha resistencia, se apli- Gila ley de Ohm al circuito de Ja Figura 10.25: ,wtls ve eae te Rs 4 Ve sgusa 10.25, Conexi6n de un dodo LED- | Actividad resuelta 10-3 . + sequieve determina Ia resistexcia que bay ave Com | tar en serie con ua diode LED pave tuna tensi6n:de ; fuente de 12 V. Para ello, tendremos en ‘cuenta que a leralon diverts ce de 2.V ¥ que-con 20 mA de corienl irecta se consigue una ‘emisién luminos aceptable, } = | sauciéns Apicando li ley de Ohm a eet, fendre { mos quer { ate n BER = 3000 t = = 9,020 © €enas Paronnto Senicanductores.Eiéodo 10 {Cust tendria que ser el valor de 1 Activ rest 1038 a tensa da et fuese Las ventajas que poscen los diodos LED, pora aplicaciones dn, frente a las pequefias Kimparas incandes- ccentes son innumerables, tales como pueden ser: grad ‘mecinica frente alos impactos ‘jibraciones, tamafio reducido y pequefio consumo, {ue los hacen jdeales. para aplicaciones en, combinacién on otros semiconductores. ‘Una de las aplicaciones que sc puede hacer de los a LED, es Ia fabricacién de indicadores numéricos de siete segmentos (splays). Mediante site diodos luminiseentes dispuestos como se indica en la Figura 10.26, se pueden representa digitos del 0 al 9. Para elo, se excitan sirmulti- Tenmmente Tas combinaciones de diodos que se correspon- ddan on coda caso. fea {Qué diodos habré que excitar simultincamente en al fndicador de sicte segmentos de la Figura 10.26 para {que se ilumine el miimero 5? En In actualidad, los indicadores de cristal liquide (LCD) datén desplazando a los indieadores con didlos Tuminis- centes a campos de aplicacisn mds reducidos. 10.5.2. Fotodiodos Este dispositivo es un diodo esp ceasible a las vadincioncs turn mente diseflado para yosas que en él inel~ 157 impulsado por 9 CamScanner10 Semiconductors. El dodo fe al forma que al ame unbign fo hag see teeter a aplicaciones fundamentals de este dispositiv es como fo, fodetector, elemento cape de transformar wna magnitud Tuminosa en elgctrica. Veamos emo funciona este dispositive: recuerda e6mo ndo a un diodo unin PN se Ie aplicaba energfa térmica © rompfa un miimero determinado de enlaces covatentes y, por tanto, aparecfa en ambos eristates un mimero determi- nado de portadores de carga minoritaris. Pues bien, en es- te tipo de diodos ademds apanéce un aumento de portacto- res minoritarios cuando se apliea energia en forma de radiaciones luminosas. De esta forma, si conectamos un fotodiodo con una tensién de polarizacién inversa, Air tuna pequetia cortiente inyersa por él. Los fotodiodos se fa- boican de ta forma que la Juz pueda incidir en ellos, de tal forma que endo Ia intensidad de Ia radiaci6n Juminosa se hace mas grande, aumenian Tos portadores minoritarios y con ellos ia corriente inversa. Asi se consigue que exista, una relacién dterminada entre la luz y la corriente, En Ia Figura 10.27, se muestra el cireuito de un fotodiodo polarizado inversamente, Las fechas, que apuntan hacia ef componente, indican que el diodo aprovecha Ia incidenci de Ja Juz en él para funcionar. fh ft 10.27. Circuito con fotodiodo, Fn la Figura 10.28 se muestra la curva de polarizaciGn in- versa de un fotodiado, Qbserva e6mo, al aumentar fa intensidad de Ia radiacién {uminosa (su unidad de medida es el hix), también lo hace Ia comicnte inversa. ‘Una de las aplicaciones que se puede hacer del food tas ay hacer d liodo, Gq combinacién con el diodo Iuminiscente, es la fabricacion ¢ un @ptoacoplador, tal como se muestia en Io Figura 10.29. Estos dos elementos se integran en un selo elemento, 158 ea 4.000 tx tes 3.000 tux ee tw 2.0000 he 02 ou 010 29.3040 30 69 Tes yp 1a 10.28, Curvas caracteristicas de un fotodiody, Figura 10.29. Optoacoplador, Con un optoacoplador se pueden aislar eléctricamente dos ireuitos entre los que hay que intercambiar una deter. nada sefial. La sefial de entrada se aplica al diodo LED, con lo que éste genera una intensidad luminosa que estar en funcién de la corriente entrepada por la sefial, Esta diacién Juminosa incide en el fotodiodo, el eval generar una corriente en la salida proporcioual a la entregada ala entrada del optoacoplador. Con el uso de optoacopladores se eliminan todos los riesgos que pueden surgir al conec- tar $ que trabajan con sefiales de muy pequciss tensiones, con otros circuitos que lo hacen con tensiones clevadas. Por ejemplo, se utilizan para aistar la sada de un ordenador con circuitos exteriores que estén alimeats dos con tensiones peligrosas. También se ulifizan en ele tromedicina para aislar los circuitos de los electrodos qv? cuerpo humano y en otras muchas vit (© ketones Po impulsado por CamScannerSemicondy ores. dodo 1 SSS etpeeeenenreeneeneeernes Actividades de Ensefianza Aprendizaje COMPROBACION PRACTICA EN EL LABORATORIO. 10.1 zCémo se puede comprobar et buen n estado de un iodo? Consigue un diodo y un poltmena ae comprobar si el estado de Ia unin del diodo es per fect, basa con conectar el polimettoullimide weep Getto entre sus terminales, de (al forma que I punta de prueba negra (—) est unida al énodo del la roja (++) al eftoxto (Figura 10:30), ra 10.30. Comprobacién de un diodo mediante el Shmetro. 1 resultado de la medida es cero ohimios, seré so- fal de que el diodo est en buen estado (Ia fuente de alimentacién del Ghmetro ha polarizado directa- mente al diodo). Una vez que hayas comprobado es- to Gltimo, invierte las conexiones. Si el polimetro indica infinito (en este caso la fuente de alimenta- cién polariza inversamente al diodo), el diodo esti en perfecto estado. Sial realizar estas comprobaciones se mide una re- istencia alta con ambas polarizaciones, nos indicard que el diodo esté abierto, En el caso de que se mida tina resistencia baja con ambas polarizaciones esta- remos ante un diodo en cortocireuito En el caso de que se mida una resistencia relativamente baja con la polarizacién inversa estaremos ante un diodo con Sugas. Convene tomar ciertas precauciones cuando se trata de comprobar diodos de pequefia potencia, ya que se puede dar‘el caso de que la corriente que proporci. na el Ghmetro para tomar Ia medida sea suficietve para destruir el diodo. En estos casos, €8 aconses el uso de las escalas mas altas del ‘éhmetro, ya ae éstas reducen la corriente de medida a valores acep- tables, Fdcones Paraninto Sick wee So vn de Ine 10.2 Idemtiticacién de tas caracteristicas de Tos diodos semiconductores. ‘Toma un conjunto de diferentes diodos semiconductores, determina su polaridad y comprucba con el Ghmetro su estado. A continus- i6n, identifica su referencia y consigue las hojas de ‘especificaciones téenicas que facilita su fabricante Con ellas determina sus caracteristicas més rele- vvantes. Una vez, hecho esto, observa las diferencias eexistentes entre las siguientes caraeteristicas de di cchos diodos: corriente y potencia nominal, tensién de ruptura y corriente inversa. Para facilitar la torea de identificacién de los diodos, consigue los cédigos y normas internacionales més usuales para identi car dispositivos semiconductores y comprueba tas referencias dadas por los fabricantes de los diodos. En las siguientes direcciones de Intemet podrés ‘encontrar las caracteristicas que necesites de cual- Quier componente electrénico (diodos, transisto- res, CI, etc.) hutpivfvww.dlatasheetlocator.com/es! hup:ifveww datasheeteatalog.netles! 10.3 Caracteristica de polarizacién de un diodo de si- licio. Mediante el circuito de la Figura 10.31 averi- agua la curva caracterfstica de un diodo. Para hacerlo correctamente, ten en cuenta las siguientes conside- raciones: Figura 10.31. Circuito para obtener la curva caracteristica de un diodo. a) Consulta las caracteristicas del diodo por ensayar que facilitan los fabricantes en las hojas de espe- cificaciones técnicas y ten en cuenta los valores méximos de tensién inversa y corriente directa del mismo. saris GR GORE 159 AO TRRARICO METS ae impulsado por CamScanner10 semiconductors. Edda so con nates de 0 vol Wy Come ee yates do tens 9 ios peas de Tos diferentes aparatos de e- vay nt, prctrando no sobre Pasat Pe Sete disc del dis fuente de alimentacin da, procurando n° Ge tatension mist ef valor mx © Invierte fa polar de I 4 toma vivios puntos de med Sobrepasar el valor maximo nna de ruptura del diodo. los, raza la curva caracte> istfea del iodo, Compara Ta curva obtenida con {a facititada por el fabricante, 4 Circuito para dos nivetes te ituminactén de aprovechar la propiedad que posee el dicta seni~ conductor de conducir en un solo sentido. Fl circu Jste, bisicamente, en conectar en serie un Linypara sometida a corriente alterna, tal en In Figura 10.32. Dado que el dio- iodo: do sélo permite el paso de la corriente en un solo sentido, los semiciclos negatives de In ved dle C.A. ‘quedan anulados para ta npara De esta forms, igual al valor 1 cl 9s. Hsta tensién viene a ser ‘un paco menor de In mitad del valor efiew de ta ten- ‘én alterna original, Con este circuito, podemos conseguir redueir aproximadamente a ki mitad la tensién a que sometemos a la limmpara y con ello re- ducir la potencia y Ia luminosidad que &sta produce. Para conseauie gue Ia mpaa taba «dos sites de ionic e propre cl eae Taigum 1023, Lampara 230 too Figura 10:83, Circuito para conseg ie iuninacin, 160 Su funcionamienta es como sigu rmupior f, cerrado y el 1, abicrto, tos ty aan {ete Mt poreldiod, por lo. que, tetiendg ea ta que el valor eficaz de la C.A, es de 230 y ye" Sion que aparece en ta Kimpara es igual a," tensién y funciona a plena potencia Monta ef circuito propuesto comprucha su funcionami siones que aparecen en él py minaci6n, Tas os ef para este montaje debe de soportar la corriente nominal de cin to, asf como fener una tensidn inversa de ruplura so. perior a la tensién maxima que bloquea (en este ce so tender que ser mayor a 325 V), De los diodos que se exponen en Ia Tabla 10.1, gcwdl se podria para esta aplicacisn? Tabla 10.4, ser capa INs003 INs004 INS406 El diodo conectado en serie como reductor de late sign en circuitos de C.A. para cargas resistvas tant bign se puede utilizar para adaptar receptors de U0 V a redes de 230 V. Tambign se suelen usar p* dos niveles de potencia en un calefae tor eléettico, Tdentificacién de componentes optocleetrdnices Consigue tos esquemas de algiin cirevito clecténie donde aparezcan diodos LED, fotodiodos y onto copladores. Reconoce su ubicacién en el ciriln comprueba su polarizacién y examina su funcidn dicho circuito, ‘Al finaizar cada una de estas actividades, debit elaborar un informe-memoria sobre a ai esarrollada, indicando los resultados obteni6® estructurdndolos en fos apartados necesarios B2 adecuada documentacién (descripcién del seguido, medios utilizados, esqueiss y plan zados, céleulos, medidas, ete.) os wilt - edloes Pa impulsado por CamScanneryf 1VALUACION “A qué tensin de pots 104 i be diodos de silicio? AU03V. puly. cuOTv. ici6n comienzan a condu- 1022 4A qué se debe una corienteinversa elevada por el tliodo? ‘AL A laaplicacién de una tensién dirceta tambi clevaula BA Ia aplicacién de una ten: bién elevada. inversa tam- € UA la elevacin de la comiente por el diodo. .il es Ia disipacién de potencia en un diodo de cio polnrizado directamente, si la tensidn del dio- do es de 0,7 V y la corriente es 500 mA? 10.3 10.4 Determina fa corriente que se establece por un diodo de silicio que se conccta en serie con una resis tencia de 1 kQ al ser polarizado directamente por tuna fuente de tensién de 10 V. 10.5 En la Figura 10.34 esté representada Ia curva caracte~ ristica del diodo comercial 1N4007. En el easo de {ve alimentemos a este diodlo con una fuente de ten~ Gon de 3-V y a través de una resistencia Himitadors de 50, determina Ia Ifnea de carga, los valores de Vy de Jpenel punto de trabajo del diodo, para una temperate rade 25°C y Ia disipacién de potencia de éste. ts re ore Ir ase W 42 : og os 9 12 0 0,2 04 06 08 | Yew) — Figuen-10ct4, Curva caracteristica del diodo 1N4007. O8icones Paraninto 10.6 10.7 10.8 10.9 10.10 Semiconductors. thdiodo 10 zn ln ‘Tubln 10.2 se mnestran algunas de las espe- ciffcaciones de una serie de diodos. {Cul de estos diodes teabajatia en Sptimas condiciones en el ei cuito de la Figura 10.35? tabla 10.2, INDIA 15V 200 mA INS404 400 V 3A 1N4003 200.V 1A Rs 1008 “ar s0V Figura 10.35. {Qué valor deberd tener la resistencia R, en el cit- Guito de la Figura 10.35 para poder wilizar ef dio- do IN914, En el cireuito de Ia Figura 10.35 se mide con un vyoltfmetro una tensién de 0 V entre los terminales del diodo y 50 V entre los terminates de la fuente de alimentaci6n, ,Cuil es la posible causa de esta anomalia? ‘A. U La unién del diodo esti en cortocircuito, B ( La unién del diodo ha quedado abierta. CO Ninguna anomatia. El funcionamiento es el adecuado. En el circuito de Ja Figura 10.35 se mide con un voltimetro una tensién de 50 V entre los termina les del diodo. gCul es Ia razén de esta anomalia? ‘AC Launién del diodo esté en cortocitcuito, BC) Launién del diodo ha quedado abierta. CC Ninguna anomalia. El funcionamiento es el adecuado. {Qué resistencia comercial habri que conectar a gGiodo LED para que éste trabaje con una co- Wente directa de unos 18 mA, si se le conecta a tuna tensién de 50 V? impulsado por 9 CamScanner10. semicnntitoes. th diodo AMPLIACION 10.4 net solve fos temas relneionadlos ccontrastar yan liar 1a informacién obtenida, dennis, buse’ 0 fabricante de diodos ps eleetrsnicos, 162 analiza las caracteristicns de tos d diferentes bricndos, como pueden ser: tipos de vas dos, aplicaciones, dimensiones, denom sy merciales, (ensiGn inversa pico, intensity intensig directa, eurvas caracteristicas, ete, i nding op wp eae impulsado por ( CamScanner