Universidade Eduardo Mondlane

Faculdade de Engenharia
Departamento de Engenharia Electrotécnica

Medidas Eléctricas II

FICHA 2 (Teórica)

TRANSDUTORES ELÉCTRICOS DE TEMPERATURA E

FOTOELÉTRICOS

1 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

 1. Introdução
Conforme vimos, existem várias formas de classificação dos transdutores. A sua classificação é
feita de acordo com o fim, método aplicado na conversão, etc.

De qualquer um destes métodos de classificação não resulta uma divisão bem definida. No
entanto, o princípio eléctrico envolvido na transdução é um critério frequentemente utilizado
para a classificação de transdutores. Assim sendo, iremos abordar estes com maior detalhe, e
recordamos os subgrupos des transdutores: de Temperatura, Fotoelétricos, de Posição, de
Tensão Mecânica ou Extensômetros, Transdutores de Pressão, Vazão.

2. Transdutores de Temperatura
Trata-se de dispositivos que fazem a transformação da energia térmica em eléctrica. Existem
vários tipos de transdutores de temperatura, mas basicamente podem ser agrupados em quatro
grupos:

 Termopares;
 Termistores (podem ser do tipo NTC e PTC);
 Termoresistências ou RTD’s; e
 Semicondutores.

2.1 Termopares:
São basicamente dois fios metálicos, compostos por duas ligas metálicas, normalmente
heterogêneas, unidas por um ponto de junção. A junção ao ser submetida ao calor, fornece uma
tensão proporcional a temperatura, conforme a figura 2.1:

Figura 2.1 – Circuito do Termopar.

2 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

Termopares trabalham sobre ampla faixa de temperatura mantendo sua linearidade e são
bastante robustos. Por esta razão são largamente empregados na indústria para a medição e
controle de temperatura.

O princípio de funcionamento dos termopares é o efeito Seebeck, que consiste no facto de que
quando duas junções metálicas estão submetidas a temperaturas diferentes, surge uma FEM,
proporcional a diferença entre as temperaturas das duas junções.

Se considerarmos uma junta fria que esteja à 20ºC, e uma junta quente que esteja à 50ºC. E se
“K” é um factor de proporcionalidade, segundo o efeito Seebeck, o voltímetro medirá uma
tensão:

V = K * ( T2 - T1 )
O factor de porporcionalidade K deriva dos coeficientes de Seebeck dos metais envolvidos na
junção, e sendo T1 e T2 as temperaturas das junções, podemos a expressão anterior em:

Assim sendo o termopar somente mede a diferença de temperatura e não a temperatura absoluta
da junção. Isso quer dizer que devemos sempre conhecer a temperatura da junção fria, que por
esta razão, também é chamada de junção de referência.

Um ponto fraco dos termopares é que a tensão obtida em função da temperatura é bem baixa,
da ordem de milivolts, o que o torna muito vulnerável à ruídos. Contudo, uma prática comum é
o uso da termopilha. A pilha de termopares consiste em associar vários termopares do mesmo
tipo em série, de tal forma que a tensão de leitura seja a soma algébrica das tensões dos vários
termopares. Dessa forma consegue-se uma tensão de leitura mais elevada e maior imunidade ao
ruído. Uma ressalva, os termopares devem medir sempre a mesma temperatura. A figura 2.2
ilustra isto.

Figura 2.2 – Representação de uma pilha de termopares.

Investigue: Diga quantos tipos de termoelementos existem?

2.2 Termistores
Sao materiais semicondutores termorresistivos, que como o nome diz, apresentam uma variação
da resistência na base da variação da temperatura. Existem basicamente dois tipos de termístores:

3 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

  NTC (do inglês Negative Temperature Coefficient) - termístores cujo coeficiente de
variação de resistência com a temperatura é negativo: a resistência diminui com o
aumento da temperatura.
 PTC (do inglês Positive Temperature Coefficient) - termístores cujo coeficiente de
variação de resistência com a temperatura é positivo: a resistência aumenta com o
aumento da temperatura.

Figura 2.3 – A - Simbolo do termistor e B - curvas dos sensores PTC e NTC

.

A figura a baixo é usada para mostrar a forma comum de um termistor NTC:

Figura 2.4 – Termístor do tipo NTC.

O tipo NTC é mais usual na medição e controle de temperatura. E ele é mais utilizado do que o
PTC, devido a maior facilidade de ser manufacturado. O PTC tem como sua peculiaridade
possuir um ponto de transição, somente a partir de uma determinada temperatura exibirá uma
variação ôhmica com a variação da temperatura.

O diferencial do NTC é ser muito mais sensível a variações de temperatura, comparado com
outros sensores de resistência variável com a temperatura, como os RTDs e os termopares.
Porém, o fato de ser mais sensível faz com que se comporte de forma não linear. A curva que
define o comportamento da temperatura pela temperatura tem um comportamento exponencial.

Dentre as várias aplicações, pode-se citar o uso para controlar / alterar a temperatura em
dispositivos eletro-eletrônicos, como alarmes, termômetros, "relógios", circuítos eletrônicos de
compensação térmica, dissipadores de calor, ar-condicionados

Enquanto, os RTDs são formados por materiais como o níquel, a platina ou uma liga niquel-
platina, os termistores são fabricados de material semicondutor, tais como óxido de níquel,
cobalto ou magnésio e sulfeto de ferro. Os óxidos semicondutores reagem de forma diferente do
que os metais que formam os RTDs, para o NTC a resistência descresce exponencialmente com
o aumento da temperatura.

4 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

R – é a resistência do termistor na temperatura T;

Ro – é a resistência do termistor na temperatura To;

β – é a constante do material.

A figura 2.5 mostra as curvas características de um termistor com valor da constante variando de
2000 – 5000 K:

Figura 2.5 - Curva típica de um termistor.

A não-linearidade da resistência com a temperatura, pode ser melhorado com o uso de

amplificadores logarítmicos que linearizam o componente, tornando-o útil para a aplicações
como transdutor de temperatura. Pode-se também notar que a temperatura máxima não é das
mais elevadas, outro factor que limita o uso industrial. Uma aplicação típica de termistores é na
proteção de circuitos de potência.

O circuito equivalente a um termistor é o representado na Figura 2.6.

Figura 2.6: Circuito equivalente a um termistor NTC.

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 2.3 Termoresistências Metácas (RTD’s)
RTD é abreviação inglesa de "Resistance Temperature Detector". Esta designação é geralmente
atribuída aos sensores metálicos por serem precisamente constituídos por metal. Estes são
fabricados sob a forma de arame ou de uma fina película.

Os transdutores metálicos recorrem a elementos sensores (como a platina, o cobre e o níquel,

cobre, ferro, molibdênio e/ou ligas dos mesmos) cuja resistência aumenta com a temperatura.

A base do funcionamento é o conhecido fenômeno da variação da resistência elétrica dos metais

com a temperatura. Embora os anteriores usem princípios similares, em geral eles não são
classificados como RTDs, uma vez que os elementos resistivos são óxidos e semicondutores.

São dispositivos conhecidos pela sua estabilidade e elevada exactidão numa gama elevada de
temperaturas.

Na figura ao lado, esboços dos dois tipos comuns de RTD:

em A o RTD de fio (o fio metálico é enrolado em forma de
espiral dentro de um tubo cerâmico com suportes e outros
detalhes não mostrados). Em B o RTD de filme (um filme
metálico é depositado sobre uma placa de cerâmica). Na
prática, o RTD de filme é também colocado no interior de
um tubo para proteção. Ambos são desenhos sem escala.

A variação da resistência eléctrica com a temperatura de um fio metálico é dada pela relação:

R(t) = R0 (1 + α1 T + α2 T2 + α3 T3 +....+αn Tn )
Onde: R0 é a resistência a 0ºC; e “α1”, “α2”, “α3” e “αn” são coeficientes que caracterizam o
metal ou liga. E o número de coeficientes necessários depende do grau de exactidão pretendido e
da gama de temperaturas de medição.

A variação que se verifica é bastante pequena e circuitos adequados devem ser usados. Ver no
gráfico da figura 2.7, a comparação com um termistor típico.

Figura 2.7 – Variação da termoresistência.

6 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

Algumas vezes, impurezas são propositalmente adicionadas para contrabalançar o efeito de
impurezas existentes de difícil remoção.

Embora neste caso seja desejável a maior variação possível de resistência com a temperatura, em
outros casos deve ser o contrário. Por exemplo na produção de uma liga com 84% Cu, 12% Mn
e 4% Ni quase não apresenta variação com a temperatura. É usada para fabricar resistores de
precisão.

Abaixo, temos uma tabela 1 comparativa para alguns metais e ligas mais usados:

Tabela 1 - Coeficientes que caracterizam o metal ou liga.

 RTDs de cobre

Cobre é raramente usado para essa finalidade e parece não haver padrões internacionais.
Quando usado, é comum um coeficiente alfa = 0,00427 1/ºC. Na faixa de temperatura 0 a 200ºC
e se não há necessidade de muita precisão, pode ser empregada uma relação simplificada:

R(t) = R0 (1 + 0,00427 t)

 RTDs de molibdênio

O material cerâmico alumina (óxido de alumínio) tem coeficiente de expansão térmica próximo
do molibdênio e, portanto, formam um bom conjunto para o tipo filme metálico. O coeficiente
do metal é alfa = 0,00300 1/ºC. Através de dopagem com outros metais, é também disponível
com alfa = 0,00385 1/ºC, o que dá compatibilidade com a platina para uma faixa mais reduzida
de temperaturas.

 RTDs de níquel

São usados em aplicações onde o baixo custo é importante. Em relação à platina, o níquel tem
menor resistência à corrosão e é menos estável em temperaturas elevadas. Por isso, é geralmente
usado para ar sem impurezas.

Alguns fabricantes sugerem uma fórmula modificada: R(t) = R0 (1 + a t + b t2 + d t4 + f t6 ),

onde a = 5,485 10-3, b = 6,650 10-6, d = 2,805 10-11 e f = -2,000 10-17. O coeficiente alfa é
0,00672 1/ºC. Se não há muita exigência de precisão, pode-se usar R(t) = R0 (1 + a t) com a =
alfa.

 RTDs de níquel-ferro

Têm custo ainda menor que o de níquel e são usados em aplicações onde são possíveis e o custo
é fundamental. O fator alfa é 0,00518 1/ºC.

7 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

  RTDs de platina

Platina é o metal mais usado por sua resistência à corrosão e estabilidade em altas temperaturas.
É usada uma fórmula modificada: R(t) = R0 ( 1 + a t + b t2 + c (t - 100) t3).

Existem dois padrões internacionais que diferem no nível de dopagem e, portanto, nos
coeficientes:

1) Padrão Pt100: alfa = 0,00385055 1/ºC. R0 = 100 ohms. a = 3,90830 10-3, b = -5,77500
10-7 e c = - 4,18301 10-12 para t entre 0 e 200ºC. Para t entre 0 e 800ºC, mesmos a e b
mas c = 0. O padrão é usado em muitos países.
2) Padrão USA: alfa = 0,0039200 1/ºC. R0 = 98,129 ohms. a = 3,97869 10-3, b = -5,86863
10-7 e c = - 4,16696 10-12.

.A vantagem da independência da resistividade dos metais relativamente à temperatura permite

usá-los para medir temperaturas com eficiência.

A sensibilidade de um RTD é o coeficiente da variação de saída pela variação da entrada:

2.4 Semicondutores de junção PN

É sabido que os parâmetros eléctricos dos semicondutores variam com a temperatura. E eles
podem ser usados como sensores térmicos.

Analisemos a figura 2.8:

Figura 2.8 - Diodo de silício directamente polarizado.

Um simples diodo de silício directamente polarizado conforme figura ao lado é provavelmente o
mais barato sensor de temperatura que pode existir. A tensão lida no voltímetro varia com a
temperatura na razão aproximada de 2,3 mV/ºC. A corrente de polarização deve ser mantida
constante com uso de, por exemplo, uma fonte de corrente constante.

8 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

Na prática, o diodo funciona como um resistor cuja resistência varia com a temperatura.
Diversos fabricantes desenvolveram diodos específicos para a função. A curva da figura 2.9 é
característica do tipo KTY81 da Philips. Alguns fabricantes também desenvolveram transistores
para uso como sensores de temperatura.

Figura 2.9 - característica do tipo KTY81 da Philips.

Entretanto, sempre há necessidade de circuitos auxiliares para compensar falta de linearidade e

para levar o sinal para níveis de operação do circuito de controle. Para isso, vários fabricantes
produzem o conjunto sensor + circuitos auxiliares em forma de circuito integrado. Existem tipos
analógicos com saída de tensão ou saída de corrente e os de saída digital para uso com
microcontroladores.

3. Transdutores Fotoelétricos
São dispositivos que convertem a luz em sinal elétrico. São utilizados em aparelhos de medição
como luxímetros e em transmissão de sinais por meios óticos(fibra ótica). Podem ainda, ser
específicos para uma determinada região do espectro, inclusive o infravermelho, que é a faixa de
região das ondas de calor, que são utilizadas nos pirômetros à distância ou infravermelhos. São
basicamente utilizados os seguintes componentes:

 Células Fotovoltaicas;
 Fotoresistores: LDR’s;
 Fotodiodos; e
 Fototransístores.

3.1 Células foto-voltaicas

São dispositivos que convertem energia luminosa em elétrica. O diodo iluminado intensamente
na junção pode reverter a barreira de potencial em fonte de elétrons, produzindo energia. A
eficiência do processo é baixa devido a pouca transparência da junção (somente as camadas
superficiais são iluminadas), apenas alguns %. Seu uso atual está mais restrito aos painéis solares.

9 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

Outro dispositivo é a foto-célula de selênio (um semicondutor), de operação similar. Usa-se em
medidores de luminosidade e aparelhos de análise química (como fotocolorímetros).

3.2 Fotoresistores - LDR’s (Light Dependent Resistor)

O LDR tem sua resistência diminuída ao ser iluminado. É composto de um material
semicondutor, o sulfeto de cádmio, cuja a fórmula quimica é “CdS”. A energia luminosa desloca
elétrons da camada de valência para a de condução (mais longe do núcleo), aumentando o
número destes, diminuindo a resistência. A resistência varia de alguns MΩ, no escuro, até
centenas de Ω, com luz solar direta.

Figura 3.1 – A luz liberta portadores de carga que reduzem a resistência eléctrica de
determinados materiais.

O sulfeto de cádmio apresenta uma resistência extremamente elevada no escuro, da ordem de

milhões de ohms, contudo, essa resistência é diminuida para algumas centenas de milhares de
ohms quando recebe iluminação directa, a luz forte, uma lâmpada próxima ou luz directa do sol.

A figura 3.2 ilustra a variação da resistência em função da incidência lunimosa sobre o

fotorressistor.

Figura 3.2 – Variação da resistência do LDR com a luz.

10 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

A superfície é composta de sulfateto de cádmio. Pequenas trilhas de material condutor,
eventualmente ouro, se entrelaçam com o material condutor de modo a aumentar a superfície de
contacto e assim serem conseguidas maior capacidade de corrente e maior sensibilidade.

A luz pode atingir essa superfície sensível por uma janela de plástico transparesnte no próprio
invólcro. Dois terminais dão acesso ao sensor para sua ligação a um circuito externo. A figura 3.3
mostra dois tipos de encapsulamento deste fotorresistor e sua simbologia.

Figura 3.3 – LDRs – Construção e Simbologia.

Os usos mais comuns do LDR são em relés fotoelétricos, fotômetros e alarmes. Sua
desvantagem está na lentidão de resposta, que limita sua operação

3.3 Fotodiodo e Fototransistor

O comportamento eléctrico de diodos e transistores é normalmente afectadado quando uma luz
incide na junção. Quando na região de polarização directa, o fotodiódp actua como um
dispositivo fotovoltaíco. A energia dos fotões incidente na junção causa a formação de mais
pares de electrões-lacuna na junção, o que resulta uma diminuição da barreira de potencial
através da junção. Os portadores minoritários do material são dispersos atravéz da junção,
causando a formação de uma corrente eléctrica.

3.3.1 Fotodiodo
É um diodo semicondutor em que a junção está exposta à luz. A energia luminosa desloca
elétrões para a banda de condução, reduzindo a barreira de potencial pelo aumento do número
de elétrons, que podem circular se aplicada polarização reversa. A corrente nos foto-diodos é da
ordem de dezenas de mA com alta luminosidade, e a resposta é rápida.

A figura 3.4 mostra aspectos construtivos e princípio de funcionamento.

11 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

 Figura 3.4 – Construção e princípio de fuincionamento do fotodiodo.

Há foto-diodos para todas as faixas de comprimentos de onda, do infravermelho ao ultravioleta,

dependendo do material. O foto-diodo é usado como sensor em controle remoto, em sistemas
de fibra óptica, leitoras de código de barras, scanner (digitalizador de imagens, para computador),
canetas ópticas (que permitem escrever na tela do computador), toca-discos CD, fotômetros e
como sensor indireto de posição e velocidade (encoder’s e tacômetros óticos).

Os materiais usados na fabricação dos fotodiódos são semicondutores (pn), como o germano e
silício. Sua sensibilidade luminosa se baseia no efeito fotoeléctrico, no valor nda resistência no
sentido de vloqueio na camada semicondutora modificada pela incidência da luz. Quando uma
junção é atingida pela energia luminosa, é produzida uma corrente chamada fotocorrente,
conforme mostra a figura 3.5.

Figura 3.5 – a) Estrutura e b) Simbologia.

12 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

Na figura 3.6, temos as curvas características de um fotodiodo. Verifique que a corrente
reversa(em micro-Ampere) aumenta, com o aumento da intensidade luminosa.

Figura 3.6 - Curvas características de um fotodiodo.

Verifique também que existe sempre uma corrente mínima, na falta de luz, chamada corrente de
escuro. Na figura abaixo, temos um circuito que utiliza o fotodiodo. Verifique que a informação
é obtida através da leitura da tensão sobre o resistor, que será proporcional a corrente reversa e
esta proporcional a luz.

A tabela seguinte mostra as diferentes características dos materiais semicondutores para a

confecção dos fotodiodos.

Tabela 2 – Características dos maretias semicondutores.

13 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

3.3.2 Fototransistor
É um transistor cuja junção coletor-base fica exposta à luz e atua como um fotodiodo. O
transistor amplifica a corrente, e fornece alguns mA com alta luminosidade. A figura 3.7 mostra
aspectos construtivos e princípio de funcionamento.

Figura 3.7 – Construção e princípio de fuincionamento do fotodiodo.

Esse dispositivo é um transistor sensível à radiação luminosa, como ilustra o gráfico da figura 3.8
a. Seu esquema está na figura 3.8 b.

Figura 3.8- Curvas características de um fototransistor.

Na figura ao lado, temos as curvas características de um fototransistor. Verifique que as curvas

são iguais as de um transistor comum, exceto que não temos a corrente de base e sim o nível de
iluminamento em lux. Abaixo temos um circuito que usa o fototransistor. A informação também

14 Elaborado pelo Engº Luís C. Massango

é colhida na tensão sobre um resistor, já que a corrente de emissor e coletor são proporcionais
ao nível de iluminamento.

Exercício de Aplicação:

1. O termistor NTC é um dos sensores de temperatura que dão a maior variação da saída
por variação de temperatura, mas a relação não é linear. Comente.

2. Por que um fotodiódo não conduz na ausencia da luz?

3. Apresente a equação de transdução para uma pilha de 3 termopares.

FIM

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