Semiconductores.

Bandas
prohibidas.
Superconductividad.
Enlaces Moleculares – Introducción

Los mecanismos de enlace en una molécula se

deben fundamentalmente a las fuerzas
eléctricas entre los átomos (o iones). Las fuerzas
entre los átomos del sistema están relacionadas
con una función de energía potencial. Se
esperaría una molécula estable en una
configuración para la cual la función de
energía potencial tiene su valor mínimo.
 Enlace Iónico
 El enlace iónico ocurre cuando dos átomos se combinan de tal manera
que uno o más electrones externos se transfieren de un átomo al otro.
Los enlaces iónicos son causados fundamentalmente por la atracción
de Coulomb entre iones de carga opuesta.

Un ejemplo conocido de un sólido

enlazado en forma iónica es el cloruro
de sodio, NaCl. El sodio, que tiene la
configuración electrónica 1s22s22p63s1,
se ioniza con relativa facilidad, al
ceder su electrón 3s para formar un
ion Na+
Energía total en función de la distancia de
separación para iones de Na+ y Cl-.
 Enlaces en sólidos
Un sólido cristalino consta de gran número de átomos dispuestos en
un conjunto regular, que forman una estructura periódica.
Hay 14 tipos generales de esos patrones; se muestra algunos ejemplos
comunes. La red cúbica simple (sc, de simple cubic) tiene un punto de
red en cada vértice de un arreglo cúbico. La red cúbica centrada en la
cara (fcc, de face-centered cubic) es como la cúbica simple, pero con
un punto de red adicional en el centro de cada cara del cubo
 Sólidos iónicos
 Numerosos cristales se forman por enlace iónico, en que la
interacción dominante entre los iones es la fuerza de Coulomb.
Considere el cristal de NaCl. Cada ion de Na+ tiene seis iones de Cl-
vecinos más cercanos, y cada ion de Cl- tiene seis iones de Na+
vecinos más cercanos. Cada ion de Na+ es atraído por sus seis
vecinos de Cl-.

b) Cada ion positivo de

sodio (esferas de color c) Cada ion de
anaranjado) está rodeado cloro está
a) Estructura cristalina por seis iones negativos de rodeado por seis
de NaCl. cloro (esferas azules). iones de sodio.
El efecto neto de todas estas interacciones es la energía
potencial eléctrica negativa resultante

donde  es un número sin dimensiones, conocido como

constante de Madelung. El valor de  depende sólo de la
estructura cristalina particular del sólido. Por ejemplo,
 = 1.747 6 para la estructura de NaCl.
 Propiedades de Cristales Iónicos

 Los cristales iónicos forman cristales duros relativamente estables.

 Son malos conductores de electricidad porque no contienen
electrones libres; cada electrón del sólido está fuertemente ligado a
uno de los iones, de modo que no tiene suficiente movilidad para
llevar corriente.
 La radiación infrarroja se absorbe intensamente porque las
vibraciones de los iones tienen frecuencias resonantes naturales en
la región infrarroja de baja energía
 Sólidos covalentes
 El carbono sólido, en la forma de diamante, es un cristal cuyos
átomos están enlazados de manera covalente.
 En la estructura de diamante, cada átomo de carbono está ligado
de manera covalente a otros cuatro átomos de carbono situados
en las cuatro esquinas de un cubo,
La estructura cristalina de diamante se
ilustra en la figura. Observe que cada
átomo forma enlaces covalentes con los
cuatro átomos más cercanos. La estructura
básica de diamante se denomina tetraedro
(cada átomo de carbono está en el centro
de un tetraedro regular), y el ángulo entre
los enlaces es de 109.5°. Otros cristales
como el silicio y el germanio tienen la
misma estructura.
 Teoría de Bandas
La Teoría de Bandas es una teoría mecano-cuántica que describe el
comportamiento eléctrico de los sólidos, en general. Esta teoría se
basa en la formación de orbitales moleculares. El cristal sólido se trata
como una molécula gigante en la que los orbitales moleculares
pertenecen a todos los átomos del cristal.

 Un sólido cristalino tendrá un gran número

de bandas de energía permitidas. Las áreas
blancas representan brechas de energía,
correspondientes a energías prohibidas.
Algunas bandas exhiben una superposición.
El azul representa bandas llenas y el dorado
representa bandas vacías en este ejemplo
de sodio
 Metales
 Si un material puede ser un buen conductor eléctrico, los portadores
de carga del material deberán estar libres de moverse en respuesta a
un campo eléctrico aplicado. Considere los electrones de un metal
como los portadores de carga. El movimiento de los electrones, en
respuesta a un campo eléctrico, representa un aumento en la energía
del sistema correspondiente a la energía cinética adicional de los
electrones en movimiento.

Debido a eso, cuando se aplica un campo eléctrico a un conductor,

los electrones deben moverse hacia arriba a un estado de energía
más alto, disponible en un diagrama de nivel del energía
 En T = 0, la energía de Fermi se encuentra en el medio de la
banda. Todos los niveles por debajo de EF están llenos y los de
arriba están vacíos. Si se aplica una diferencia de potencial al
metal, los electrones que tienen energías cercanas a EF requieren
solo una pequeña cantidad de energía adicional del campo
aplicado para alcanzar estados vacíos cercanos por encima de la
energía de Fermi.
 Ejemplo
 El espacio entre las bandas de valencia y la de conducción en un
diamante es 5.47 eV. a) ¿Cuál es la longitud de onda máxima de un
fotón para que pueda excitar un electrón desde la parte superior de la
banda de valencia hasta el fondo de la banda de conducción? b)
Explique por qué el diamante puro es transparente e incoloro.

= 2.2695 x 10-7 m

b) La luz visible carece de suficiente energía para excitar los

electrones hacia la banda de conducción, por lo que la luz visible
pasa a través del diamante sin ser absorbida.
 Ejemplo
 El espacio entre las bandas de valencia y de conducción en el silicio
es 1.12 eV. Un núcleo de níquel, en un estado excitado, emite un fotón
de rayo gamma con 9.31x10-4 nm de longitud de onda. ¿Cuántos
electrones pueden excitarse desde la parte superior de la banda de
valencia, hasta el fondo de la banda de conducción al absorber este
rayo gamma?
Solución

Entonces, el número de electrones que pueden ser excitados a la

banda de conducción es
 Los Metales como buenos conductores

 Los electrones en un metal que experimentan solo un

campo eléctrico aplicado débil son libres de moverse
porque hay muchos niveles vacíos disponibles cerca del
nivel de energía ocupado.
 Esto demuestra que los metales son excelentes
conductores eléctricos.
 COORRIENTE ELÉCTRICA
La fuerza ejercida sobre los electrones
libres permite que éstos se mueven en la
misma dirección y sentido, generando un
flujo de cargas eléctricas.

En un conductor los electrones libres tienen un

movimiento caótico, es decir, se mueven en todas
direcciones.
Al conectar los extremos
del conductor a una
fuente de energía se
La corriente eléctrica es un flujo de cargas
establece una
eléctricas(electrones), que se mueven en la
diferencia de potencial
misma dirección y sentido, a través de un
entre los extremos del
conductor.
conductor
La diferencia de potencial, también
llamada voltaje, ejerce una fuerza sobre
los electrones libres del conductor.
 Aislante
 considere las dos bandas de energía
más externas de un material en que la
banda inferior baja está llena de
electrones y la banda más alta está
vacía a 0 K). La banda llena más baja se
denomina banda de valencia, y la
banda vacía superior se conoce como
banda de conducción. (La banda de
conducción es la que está parcialmente
llena en un metal.) Es común llamar
brecha de energía Eg del material a la
separación de energía entre las bandas
de valencia y de conducción
 Diagramas de bandas (I)
Diagrama de bandas del Carbono: diamante

4 estados/átomo Banda de
Energía conducción

Banda prohibida
Eg=6eV

- - Banda de valencia
- - 4 electrones/átomo
Si un electrón de la banda de valencia alcanzara la energía
necesaria para saltar a la banda de conducción, podría moverse al
estado vacío de la banda de conducción de otro átomo vecino,
generando corriente eléctrica. A temperatura ambiente casi ningún
electrón tiene esta energía.
Es un aislante.
 Semiconductores
 Los semiconductores tienen el mismo tipo de estructura de banda
que un aislante, pero la brecha de energía es mucho menor, del
orden de 1 eV.

A T = 0 K, todos los electrones en estos materiales están en la

banda de valencia y no hay energía que los excite a cruzar la
banda de energía. Por lo tanto, los semiconductores
son malos conductores a temperaturas muy bajas. Porque la
excitación térmica de los electrones al otro lado de la brecha
angosta es más probable a temperaturas más altas, la
conductividad de los semiconductores aumenta rápidamente
con la temperatura
Materiales semiconductores

Semiconductores elementales: Germanio (Ge) y Silicio (Si)

Compuestos IV: SiC y SiGe
Compuestos III-V:
Binarios: GaAs, GaP, GaSb, AlAs, AlP, AlSb, InAs, InP y InSb
Ternarios: GaAsP, AlGaAs
Cuaternarios: InGaAsP
Compuestos II-VI: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe y CdTe

Son materiales de conductividad intermedia entre la

de los metales y la de los aislantes, que se modifica
en gran medida por la temperatura, la excitación
óptica y las impurezas.
 Materiales semiconductores (II)

•Estructura atómica del Carbono (6 electrones)

1s2 2s2 2p2
•Estructura atómica del Silicio (14 electrones)
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

•Estructura atómica del Germanio (32 electrones)

1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d10 4s2 4p2

4 electrones en la última capa

 Semiconductores – Bandas de Energía

 Un número apreciable de
electrones se excita térmicamente
en la banda de conducción.
 Una pequeña diferencia de
potencial aplicada puede elevar
fácilmente la energía de los
electrones a la banda de
conducción.
 Semiconductores – Movimiento de Cargas
 Los portadores de carga en un semiconductor pueden ser positivos,
negativos o ambos. Cuando un electrón se mueve hacia la banda de
conducción, deja atrás un sitio vacío, llamado hueco.
Este hueco (deficiente en electrones) actúa
como portador de carga en el sentido de
que un electrón libre de un lugar cercano
puede entrar en el hueco. Siempre que un
electrón ingrese en un hueco, crea un nuevo
hueco en el lugar que abandonó.
Debido a eso, el efecto neto se puede ver
como el hueco que emigra por el material en
dirección opuesta a la del movimiento de
electrones. El hueco se comporta como si
fuera una partícula con una carga positiva e.
Semiconductores que contienen impurezas
(dopado de semiconductores)

 Se pueden agregar impurezas a un semiconductor. Este

proceso se llama dopado.
 El dopado
Modifica la estructura de bandas del semiconductor.
Modifica su resistividad
Se puede utilizar para controlar la conductividad del
semiconductor.
 Semiconductores de tipo n.
 Una impureza puede agregar un
electrón a la estructura.
 Esta impureza se denominaría átomo
donador.
 Los semiconductores dopados con
átomos donantes se denominan
semiconductores de tipo n.
Por ejemplo, cuando un átomo que
contiene cinco electrones en la capa
exterior, como el arsénico, se agrega a
un semiconductor del Grupo IV, cuatro
de los electrones forman enlaces
covalentes con los átomos del
semiconductor y uno queda sobrante.
 Niveles de Energía Semiconductor tipo n
 El nivel de energía del electrón extra,
que está casi libre de su átomo padre,
está justo debajo de la banda de
conducción.
 El electrón del átomo donante puede
pasar a la banda de conducción como
resultado de una pequeña cantidad de
energía.

es necesaria sólo una pequeña

cantidad de excitación térmica para
hacer que este electrón se mueva y
entre en la banda de conducción.
 Semiconductores de tipo p.

 Una impureza puede agregar un

hueco a la estructura.
 Esto es una deficiencia de
electrones.
 Esta impureza se denominaría
átomo aceptor.
 Los semiconductores dopados con
átomos aceptores se denominan
semiconductores tipo p.
 Niveles de Energía Semiconductores de tipo p.

 El nivel de energía del hueco está

justo por encima de la banda de
valencia.
 Un electrón de la banda de valencia
puede llenar el hueco con una
pequeña cantidad de energía
Queda un agujero en la banda de la
cenefa.
 Este agujero puede transportar
corriente en presencia de un campo
eléctrico.
 Dispositivos semiconductores
La electrónica de la primera mitad del siglo XX estuvo en
función de tubos de vacío, en donde los electrones
pasaban a través del espacio vacío entre un cátodo y un
ánodo
 Muchos dispositivos electrónicos se basan en
semiconductores.
 Estos dispositivos incluyen
diodo de unión
Diodos emisores y absorbentes de luz
Transistor
Circuito integrado
 El diodo de unión
 Una unidad fundamental de un dispositivo semiconductor se
forma cuando un semiconductor tipo p se une a un
semiconductor tipo n para formar una unión p–n. Un diodo de
unión es un dispositivo que está a partir de una sola unión p–n. La
función de un diodo de cualquier tipo es pasar corriente en una
dirección pero no en la otra. Por lo tanto, actúa como válvula
unidireccional para la corriente.
 El diodo de unión
 La unión p-n consiste en tres regiones diferentes: una región p, una
región n y una pequeña área que se extiende varios micrómetros de
lado a lado de la interfase, llamada región de agotamiento.

La región de
agotamiento o es
causada por la difusión
de electrones para
llenar los huecos.
Esto se puede modelar
como si los agujeros
que se están llenando
se estuvieran
difundiendo a la región
n
El diodo de unión
 Un diodo tiene polarización directa
cuando el lado p está conectado al
terminal positivo de una batería. Esto
disminuye la diferencia de potencial
interno, lo que da como resultado una
corriente que aumenta
exponencialmente.
 Un diodo tiene polarización inversa
cuando el lado n está conectado al
terminal positivo de una batería. Esto
aumenta la diferencia de potencial
interna y da como resultado una donde la primera e es la base de los
corriente muy pequeña que alcanza logaritmos naturales, la segunda e
rápidamente un valor de saturación I0 representa la magnitud de la carga
electrónica, kB es la constante de
Boltzmann y T es la temperatura
absoluta.
 Ejemplo
 Una temperatura de 290 K, cierto diodo de unión p-n tiene una
corriente de saturación I0 = 0.500 mA. Calcule la corriente en esta
temperatura, cuando la diferencia de potencial es 1.00 mV, -1.00 mV,

Solución

kB = 8,617332410-5 eV T = 290K KT = 0.0250 eV

V = 1.00 mV, eV/kT = e(1.00 mV)/(25.0 meV) = 0.0400

 Ejemplo
 Para cierto diodo de unión p-n, la corriente de saturación a
temperatura ambiente (20 °C) es de 0.750 mA. ¿Cuál es la resistencia
de este diodo, cuando el voltaje que pasa por él es de a) 85.0 mV y
b) -50.0 mV?
Solución
 Ejemplo
 Una unión p-n tiene una corriente de saturación de 3.60 mA. a) A la
temperatura de 300 K, ¿qué voltaje se necesita para producir una
corriente positiva de 40.0 mA? b) Para un voltaje igual al negativo del
valor calculado en el inciso a), ¿cuál es la corriente negativa?

Solución
Diodos emisores de luz y de absorción de luz

 Los diodos emisores de luz (LED, light-emitting diodes) y

los láser semiconductores son ejemplos comunes de
dispositivos que dependen del comportamiento de los
semiconductores.
 Diodos emisores de luz y de absorción de luz

un electrón excitado eléctricamente

para entrar en la banda de conducción
puede recombinarse con facilidad en un
hueco (en especial si el electrón se
inyecta hacia una región p).
Cuando tiene lugar esta recombinación,
se emite un fotón de energía Con un
diseño apropiado del semiconductor y la
envoltura plástica asociada o espejos, la
luz de un gran número de estas
transiciones servirá como fuente de un
LED o un láser semiconductor.
 El transistor

 Un transistor de unión se forma a partir de dos

uniones p-n.
 Una región n estrecha intercalada entre dos
regiones p o una región p estrecha entre dos
regiones n.
 El transistor se puede utilizar como:
un amplificador.
Un interruptor
Superconductividad

Se define como superconductividad al flujo de

corriente eléctrica sin resistencia en ciertos
metales, aleaciones y cerámica a
temperaturas cercanas al cero absoluto y en
algunos casos en temperaturas cientos de
grados sobre el absoluto cero -273ºK.
 Superconductividad
 El Descubridor Onnes, pensó que la resistencia en un
alambre frío se disiparía. Claramente al decrecer la
resistencia se permitiría una mejor conducción de
electricidad.

Liquefação de Helio - Lab. de K. Onnes; Leiden, 1908.

 1) R = 0 ; Heike Kamerlingh Onnes, Leiden Comm. 120b
(Apr. 1911) Tc  4.2 K para mercúrio, Hg

V = 0

Condutividad Perfecta (1911-1932)

0
Tc T
En un cierto punto de la temperatura muy baja, los
científicos creían que habría una nivelación pues la
resistencia alcanzó un cierto valor mínimo permitiendo que
la corriente fluya con poco o nada de resistencia.

Onnes pasó una corriente a través de un

alambre de mercurio puro y midió su
resistencia mientras que él bajó
constantemente la temperatura. Para su H. K. Onnes, Prêmio Nobel em 1913; e Fig. histórica
de R(T), em Leiden Comm. 124c (Nov. 1911).
sorpresa no habia ninguna resistencia a 4.2K. ofl – Escola de
Inverno 2015 –
IFGW, 20 de julho
Superconductividad
 Superconductividad

 La mayoría de los materiales superconductores se

comportan como tales a muy bajas temperaturas,
cercanas al 0 absoluto.
 A temperaturas superiores a una temperatura crítica
(Tc), el material se comportará como un conductor
metálico convencional o incluso como un aislante.
 Tan pronto como la temperatura decrece por
debajo de Tc, la resistividad disminuye a cero y la
corriente eléctrica fluye sin resistencia.
 Superconductividad

 El estado superconductivo es definido por tres factores muy

importantes: temperatura crítica (Tc), campo crítico (Hc) y densidad
de corriente crítica (Jc). Cada uno de estos parámetros depende
de los otros dos:
 Temperatura crítica (Tc): la temperatura más alta a la cual la
superconductividad ocurre en un material. Debajo de esta
temperatura de transición, la resistencia del material es igual a cero.
 El campo magnético crítico (Hc): sobre este valor de campo
magnético, externamente aplicado, un superconductor deja de ser
superconductor.
 Densidad de corriente crítica (Jc): es el máximo valor de la corriente
eléctrica por unidad de área (sección transversal) que un
superconductor puede llevar sin resistencia.
 Campo magnético crítico
 El campo magnético aplicado necesario para restablecer la
conductividad eléctrica normal en el superconductor se
denomina campo crítico (Hc).

donde Ho = constante, T = temperatura, Tc = temperatura crítica.

 Efecto Meissner
 Cuando un superconductor se enfría por
debajo de su temperatura critica, si se le
aplica un campo magnético externo, hay
una desaparición total del flujo del
campo magnético en el interior del
material superconductor. Esta se
convierte en la segunda condición para
que un material sea superconductor. Fue
descubierto por Wilhelm Meissner y
Robert Ochsenfeld midiendo la
distribución de flujo en el exterior de
muestras de plomo y estaño enfriados por
debajo de su temperatura crítica en
presencia de un campo magnético.
 Efecto Meissner
Efecto por el cual se observa la levitación de un
imán sobre un superconductor frío.
 Teoría BCS
 La comprensión de la superconductividad avanzó notablemente
hacia1957 gracias a tres físicos americanos, Bardeen, Cooper y
Schrieffer, con su teoría de la superconductividad, conocida
como la teoría de BCS.

La teoría de BCS explica cómo se da

la superconductividad a temperaturas
cercanas al cero absoluto.
Explicaron el fenómeno planteando la
idea de que los electrones se agrupan
en equipos (pares) que podrían pasar
todos los obstáculos que causaban
resistencia en el conductor.
Par de Cooper