为 1700V 沟道和软穿通 IGBT 设计的高性能 CAL HD 二极管

igbt 是现代逆变器的主功率器件，续流二极管是其不可缺少的搭档。

在当代的能量转换和能量传输技术中，高功率密度成为人们追求不懈的目标。带沟道
门极器件的 igbt 和场致截止技术的 igbt 就是这种趋势的典型代表。和以前的非穿通性
(npt)功率器件相比，上述两种 igbt 的通态损耗都减小了。然而，为了达到上述目标 ，
igbt 模块必须使用优化的续流二极管来完善 igbt 的性能以确保器件整体良好的性能。

对续流二极管的总体要求就是在较大的温度和电流范围内具备较低的正向导通压降，
较小的恢复电荷和软开关特性。其他一些重要的性能还包括二极管能够并联使用以保证器
件能够覆盖很广的功率范围，很好的动态抗冲击性以确保发生短路时能够使器件免于损坏。

我们的方法中使用了轴向载流子寿命控制(cal)新技术来减小导通压降。轴向载流子寿
命控制高密度续流二极管(cal hd fwd)的设计有两个基本的目标:提高芯片单位面积的有效
电流，提高器件的动态性能。

轴向载流子寿命控制高密度二极管(cal hd)是由 n+深度搀杂的阴极区和 p+搀杂的作

为结端子的保护环构成的平板型器件。结端子经过优化设计以适应 1700v 的阻断电压。
载流子寿命受电子扩散和植入的 he2+-离子控制，从而造成杂质陷阱的不均一分布，如图
1 所示。结合阳极和阴极的扩散剖面图，我们认为 cal hd 二极管可以获得较低的恢复峰值
电流和较好的软开关特性。
 图 1 cal hd 二极管中由电子扩散和 he2+-离子植入形成的

杂质陷阱的垂直分布截面图

我们用芯片截面积为 61mm2 的 75a cal hd 作为 1700v 高密度二极管系列产品的代

表来验证我们提出的方法。图 2 显示了室温下和 125℃时的导通特性。可以看出，第一个
杰出的特性就是在额定电流下表现出的 du/dt 的正温度系数，这使得二极管并联使用时具
备自动均流的能力，从而在大功率器件中 cal hd 二极管可以采用这种先进的并联方式;第
二个特征就是功率密度显著提高。和标准的截面积为 61mm2，额定电流为 50a 的 1700v
轴向载流子寿命控制(cal)二极管相比，轴向载流子寿命控制高密度二极管(cal hd)额定电
流提高 50%。由于电流密度的增加，和标准的 cal 二极管相比，cal-hd 二极管的正向冲
击电流也提高了 14%。

图 2 室温和 125℃时截面积为 61mm2 的 75a cal hd 的通态特性

在相同的情况下，通过比较 cal hd 搭配沟道型 igbt(3a)和非穿通性 igbt(3b)开关器

件时的二极管的软恢复特性，证明了 cal hd 二极管和沟道型 igbt 有良好的匹配性。用沟
道型 igbt 作为开关器件，初始导通电流下降到和反向恢复电流峰值 irrm=55a 一样。而软
开关特性表现在恢复电流逐渐降低形成小的拖尾电流。与此相反, 由 cal hd 二极管和传统
的非穿通性 igbt 构成的开关组合动态损耗大:在相同的 di/dt 情况下, 非穿通性 igbt 电压上
升的速度(du/dt=2450v/μs)是沟道型 igbt 速度(du/dt=800v/μs)的三倍。反过来沟道型
igbt 又能改善 cal hd 二极管的软特性:使用沟道型 igbt 进行功率变化的搭配组合可以观察
到平稳的尾电流，其软特性因子 s=(t2-t1)/(t1-t0)要比非穿通性 igbt 配对高出 60%。
 图 4 展示了在很宽的 di/dt 变换范围内 cal hd 二极管展现出了较低的动态损耗的优异
性能。图 4 展示的参数有反向恢复电荷 qrr，反向峰值电流 irrm 以及能量损耗 erec。实
线反映的是沟道型 igbt 的性能，短画线是非穿通性 igbt 的性能。在沟道型 igbt 典型的运
行条件约 1000a/μs 情况下，沟道型 igbt/cal hd 组合要比非穿通性 igbt/cal hd 组合的损
耗减少 27%。随着频率升高，沟道型 igbt/cal 配对的动态损耗迅速增加，在 di/dt>3000
a/μs 时，沟道型 igbt/cal hd 和非穿通性 igbt/cal hd 的损耗几乎相等。同时由于受限于
集成门极的阻抗，沟道型 igbt 的开关速度限制在 3200a/μs 内。

图 3 使用沟道 igbt(a)和非穿通性 igbt(b)作为开关器件的二极管电流和电压波形

 图 4 和沟道型 igbt 配对(实线)以及和非穿通性 igbt 配对(虚线)时作为换向速度函数的
cal hd 二极管的动态数据

对短路时器件稳定性极为重要的因素就是在极度快速的变换情况下器件内部也不会发
生动态的载流子雪崩。即使在这些极端的条件下，cal hd 二极管都表现出较好的软恢复特
性，从而证明了和传统的 cal 二极管一样具备良好的动态可靠性。如图 5 示。

图 5 在极高的 di/dt=6000 a/μs 情况下 cal hd 二极管的动态可靠性

 为了验证因采用 cal hd 二极管而使得功率模块性能改善的效果，设计了一个 dc/dc
变换电路(e.g. skm400 gb 176 d)。该电路中，四个二极管并联，结温是动态损耗和稳态
损耗的函数。最大的负载电流定义为二极管或 igbt 的结温为 125℃时的电流。为了便于
计 算 ， 使 用 了 表 1 的 电 气 和 热 学 数 据 ， 其 中 器 件 封 装 温 度 tc=90℃ ， 输 入 电 压

vin=1200v，输出电压 vout=600v。

当开关频率在 6khz 以下时，cal hd 二极管的电流输出能力极为优秀。在 2~3khz 时，

该二极管能够为 1700v 沟道型 igbt 模块的典型工作情况提供最优的性能。如图 6 所示。

图 6 沟道型 igbt/cal 二极管(虚线)组合和沟道型 igbt/cal hd 二极管(实线)的最大输出

电流

沟道型 igbt/cal hd 二极管组合的额定输出电流能力得到改善是因为在 6khz 以下时

cal hd 二极管的损耗较小。当开关频率超过 6khz 时，动态损耗增加，超过稳态损耗的减
少，从而和标准的 cal 二极管相比，整体损耗更大。如图 7 所示。
 图 7 dc/dc cal(虚线)和 dc/dc cal hd(实线)电路中续流二极管的能量损耗

总而言之，为现代沟道型 igbt 设计的新型 1700v 轴向载流子寿命控制高密度二极管

(cal hd)使得续流二极管和 igbt 组合表现出优异的性能。特别值得指出的是，该二极管最
大电流密度和 igbt 相匹配，而通态的温度系数也是一个正的温度系数。这些都使得 cal
hd 可以并联使用而不用担心过热。此外，cal hd 二极管的软开关特性以及很高的动态抗
冲击性都使得这种二极管是现代 igbt 功率模块的理想选择:该二极管已经用于 semikron
的 semitranstm 新的 176 系列模块，第二代 skiip 3 以及 semixtm 模块。