QNS20220008 SiC and GaN 20220302R1

五道口电力电子
使用宽带隙器件推动高效率的下一
代电源设计，扩大了性能差距
QN2202-0008 2022 年 03 月 02
日
来源：《 https://www.powerelectronicsnews.com/next-generation-power-designs-
using-wide-bandgap-push-to-improve-efficiency-widens-the-performance-gap/ 》作者： Paul Lee
下一代半导体实现了逐步改进
不久前，全球能源需求预计将继续呈指数增长，但 2020 年的健康危机导致需求下降，一些主要经济

体在每周的某些时段内需求下降了 25% 以上。然而，预计主要由中国和印度经济推动的全球反弹将刺
激两位数的 GDP 增长。
与此同时，联合国制定了普遍获得负担得起的能源和扩大基础设施的目标。这种增加能源消耗和发电的
压力可以被视为减少二氧化碳排放的障碍，因此联合国的目标还包括将全球能源效率的提高速度提高一
倍。工程师们可能想知道这在真正的科学术语中意味着什么。它设定了一个基线要求，即从公用事业规
模到负载点以及从工业到电信和家庭的所有应用领域，不断地做得更好并最大限度地减少电源转换器设
计中的损耗。
功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的新型宽带

隙 (WBG) 类型有望取得重大进展。让我们详细研究一下这些优势。
文章链接： https://www.powerelectronicsnews.com/next-generation-power-designs-using-wide-bandgap-push-to-improve-
efficiency-widens-the-performance-gap/
电源转换的挑战
工程师的术语也可能有点不精确：功率没有转换。理想情况下，在 AC/DC 、 DC/DC 或 DC/AC 系统

中输入和输出是相同的。但是在这个过程中不可避免地会经历一些损失，这是我们尽量减少的。出于安
全或功能原因，通常需要电压转换以及调节和电流隔离，并且整个过程使用开关模式技术以获得最佳效
率。
开关模式的开关是晶体管，最初是双极结型，但现在最常见的是金属氧化物半导体场效应晶体管
(MOSFET) 或绝缘栅双极晶体管 (IGBT) ，用于更高的电压和功率水平。我们寄希望于的 WBG 器件
通常是 SiC MOSFET ，类似于硅类型和 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 单元，它们更类似于制
造为处于增强模式的结栅场效应晶体管 (JFET) ，因此它们通常在栅极电压为零的情况下关闭。稍后我
们将更详细地研究这两种类型。两者都比同类硅 MOSFET 具有更低的导通电阻和开关损耗，但前提是
它们被最佳驱动，这是它们使用中的挑战之一。可以使用许多不同的基本拓扑来设计电源转换器，选择
最好的拓扑可能是成败的决定。这取决于您的优先级，但如果这是效率，那么谐振拓扑通常是理想的。
硬开关、非谐振拓扑有其一席之地，但有时是唯一的选择，例如图腾柱功率因数校正 (PFC) 级。但在
这些情况下，使用 WBG 半导体仍然可以产生良好的效率。
无论选择哪种拓扑结构和半导体技术，我们将损耗降至最低的目标都集中在器件导通电阻和开关或动态
损耗上。无源元件总会有损耗，但与开关损耗相比，这些通常在噪声中。也存在一些互动。例如， GaN
可以实现非常高频的操作，其中磁性更小，铜更少，从而降低了欧姆损耗。此外，还可以选择一种拓扑
结构，通常是多相方法，其中输入和 / 或输出纹波电流可以被布置为抵消，从而减少电容器等效串联电
阻 (ESR) 元件中的损耗。
选择很简单：为更好的设备支付更多费用，或者考虑将设备并联以减少导通电阻损失。后一种方法具有
不成比例的好处。举个例子，让我们比较两个设备：每个设备中流过一半的电流，与同类型的一个设备
相比，每个设备的功率都是四分之一，因为 I2R 中的平方。因此，人们会得出结论，两个设备总共消
耗的功率是一个设备的一半。然而，四分之一的功率在每个器件中产生的温升要低得多，并且
RDS(on) 会随温度显着增加（图 1 ）。每个器件的导通电阻更低，整体耗散也更低。 RDS(on) 的正
温度系数有助于电流共享。但除了成本之外，代价是驱动功率增加，整体组合开关电容增加，这会减慢
开关速度并增加动态损耗。
开关损耗比传导损耗更受应用电路的影响。理论上， SiC 和 GaN 都可以快速切换，以致同时电流和

电压的任何瞬态耗散仅持续几纳秒。如果频率被推高，每秒的边沿数增加，平均功率损耗增加。磁芯损
耗也随着频率而增加，因此为特定拓扑选择开关频率是开关损耗、磁芯损耗以及更小、更便宜和更轻的
磁芯优势之间的折衷。 EMI 也是一个因素，它可以在高频下使用较小的滤波器进行控制，但来自快速
边沿速率的 EMI 可以通过潜行路径绕过滤波器并导致它们自身的问题。
在一些现代应用中，例如逆变器和电机驱动器，开关频率保持在较低水平，有时甚至低于 10 kHz ，因
为磁性元件的尺寸不像电机那样与频率直接成比例。因此，提高频率并没有什么好处，除了电机控制响
应性和平滑度的一些改进，因此 IGBT 仍然在这些领域占据主导地位，尤其是在更高功率的情况下。
然而，快速 WBG 器件正在进入应用领域，因为它们在开关损耗方面的优势即使在低频下仍然可以有
效提高系统效率，并且传导损耗可以与 IGBT 相媲美，当然在较低功率水平下也是如此。
WBG 半导体简介
我们已经暗示了 SiC 和 GaN 为功率转换带来的优势，但稍微解释一下它们的基础知识可能会有所帮

助。带隙是指将材料中的电子从原子价带移动到导带所需的能量，在那里它们可用于电流流动。在
WBG 材料中，该能量高于硅： SiC 为 3.2 eV ， GaN 为 3.4 eV ，而硅为 1.1 eV 。更高的带隙导致
半导体中更高的临界击穿电压和更低的泄漏电流，以及更高温度操作和一定程度的辐射硬化的额外好处。
尽管它们可以在超过 500°C 的温度下工作，但 SiC 和 GaN 器件受封装技术的限制，通常在 200°C
左右。然而，有效地增加了瞬态功耗的故障容限。该材料还具有更高的饱和电子速度，以实现更快的切
换。使用 SiC ，热导率比硅好得多，允许在相同的功耗和温升下使用更小的芯片。图 2 总结了这些特
性。
WBG 半导体简介
WBG 半导体简介
与硅相比，导通电阻有所提高，因为在相同的额定电压下可以减少漂移层的厚度，从而降低
RDS(on) 。在制造过程中，始终可以通过增加裸片中并联单元的数量来降低导通电阻，但这是以更大的
裸片面积 A 为代价的，这会增加器件电容。这降低了开关速度并增加了成本，因为每个晶片的管芯产
量降低了。因此，表明权衡的一个有用的比较品质因数 (FOM) 是 RDS(on).A ，图 3 显示了 WBG
器件、硅超级结 MOSFET 和 IGBT 的一些数据和标准化裸片尺寸，所有这些都在相同的电压下 / 当
前班级。
WBG 半导体简介
WBG 半导体简介
较小的 WBG 器件电容也导致较低的驱动功率要求，这可能是相当大的。如果 SiC MOSFET 取代逆

变器中的六个 IGBT ，则在 20 kHz 时的栅极驱动损耗从总计约 10 W 减少到远小于 1 W 。另一个
有用的 FOM 是 RDS(on).EOSS ，表示总导通和开关给定类别设备的能量损失。。
证明使用 WBG 设备的合理性
使用 SiC 或 GaN 的情况取决于您的观点。假设零件成本很重要，并且您有一个可行的 IGBT 解决

方案。在这种情况下，使用新技术开发产品的风险似乎令人生畏，尤其是在需要允许增加 EMI 等影响
的情况下。有些器件采用 TO-247 等封装，与 IGBT 和 Si MOSFET 兼容，可直接替代，但这很少是
最佳解决方案。 SiC MOSFET 通常需要比其他技术更高的栅极驱动电压才能实现完全饱和。非常快的
边沿速率可能需要负关闭驱动来抵消米勒电容的影响，而共源电感往往会阻止关闭驱动（图 4 ）。
GaN 仍然比较棘手，它具有非常低的开启阈值电压和绝对最大值，需要仔细的栅极驱动设计以避免电
压过冲和破坏性应力。
WBG 制造发展
所有主要的半导体制造商都致力于不同侧重点的 WBG 器件。例如，英飞凌一直致力于证明其 SiC

MOSFET 栅极氧化物的稳健性，其沟槽结构允许在低栅极场强和低缺陷率的情况下实现低导通电阻。英飞
凌的 e-mode CoolGaN 器件没有栅极氧化物，测试显示故障率低于 1 次 FIT （ 109 小时内的故障）。
英飞凌 CoolSiC 器件以模块形式提供 1,700 V 额定值和 1,200 V 时低至 2 mΩ 的模块。 Infineon
CoolGaN 器件采用 20 引脚 PG-DSO-20-85 封装，电压范围为 600 V/60 A ，导通电阻为 70-mΩ 。
罗门半导体的第三代 SiC MOSFET 也采用沟槽结构，与第二代平面型相比，可提供 1,200 V 的导通电阻
降低 50% 。可用的封装包括四引线 TO-247 版本，以避免其源极和栅极连接中的常见电感。 Rohm 的
GaN 器件还实现了 8V 的栅极击穿电压额定值，从而提高了推荐驱动电压 (5V) 与绝对最大值之间的裕
度。 Rohm 与 WBG 技术的主要参与者 GaN Systems 合作，专注于创新器件封装，以实现器件的最高
电气和热性能。罗门岛技术使用横向排列的金属条来降低电阻、电感、尺寸和成本。
STMicroelectronics 声称其在 200˚C 时的额定温度为业界最高的 1,200-V SiC MOSFET ，并强调其领先的
产品系列高达 1,700-V 的额定电压和极低的导通电阻。 STMicroelectronics 声称在温度范围内的变化远
小于竞争部件（图 5 ）。 STMicroelectronics SiC MOSFET 具有非常快速且坚固的体二极管，可有效用
作续流二极管。
压力下的电路操作也是一个重要的考虑因素。 SiC MOSFET 确实具有雪崩等级，但 GaN 器件没有，因

此制造商必须保守地对他们的器件进行评级，以获得连续最大值，因此有很好的余量。这使器件的电压额
定值稍稍落后于曲线，因此 GaN 通常用于较低的电压范围，而 SiC 很容易在 1,200 V 或更高电压范围
内使用。器件还需要针对故障条件进行短路额定值，并且 WBG 器件的稳健性一直是深入研究的主题，
在 GaN 中发现了新的故障机制，例如，由热电子俘获触发。
许多电源转换拓扑都表现出开关反向或三象限传导，通常来自引起换向的感性负载或在双向转换器中，其
中开关成为输出整流器。 IGBT 需要一个并联二极管来实现这一功能，但 Si 和 SiC MOSFET 有一个
可以导通的体二极管，尽管它具有高正向压降和有限的恢复时间。 GaN HEMT 单元没有本征体二极管，
而是通过它们的通道自然地反向传导，没有恢复电荷。然而，电压降可能很高，并随栅极阈值和栅极关态
偏置电压而变化。
尽管使用 WBG 器件有额外的考虑，但与 IGBT 和 Si MOSFET 相比，可实现的效率提高可以使效率目
标更容易达到，例如用于服务器电源的 80+ 钛。这不仅履行了法定义务，而且还节省了能源和成本。如
果充分利用其性能，围绕 SiC 或 GaN 设计的系统具有额外的优势，例如更小、更轻、更便宜的磁性元
件和散热片。这些在电动汽车中可能具有双重优势，例如，更高的效率和连锁效应还允许更长的续航里程。
Panasonic 还凭借其 X-GaN 技术在 GaN 器件方面取得了领先地位，该技术实现了增强模式但没有电流

崩塌，由于施加高压时导通电阻瞬态增加，这种效应可能导致器件故障。 Panasonic 还拥有绝缘栅 GaN
器件技术，即栅极注入晶体管 (GIT) ，它克服了以前在这种布置中出现的栅极不稳定性和滞后现象。
结论
与以前的技术相比，采用 SiC 和 GaN 的 WBG 器件具有显着优势，尤其是从更大的系统图景来看，其

连锁效应为其使用增添了令人信服的论据。应用程序设计规则各不相同，但制造商正在努力使这些部件更
易于使用，大量积累的证据证明了它们的稳健性和可靠性。
联系方式
 北京乾勤科技发展有限公司
电话： 010 － 82642324

传真： 010 － 82641640
地址：北京市海淀区智造大街 D 栋 106
邮编： 100190
信箱： service@qianqin.com.cn
网址： www.qianqin.com.cn
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不久前，全球能源需求预计将继续呈指数增长，但 2020 年的健康危机导致需求下降，一些主要经济

功率转换器中使用的半导体开关技术是改进的关键，而使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的新型宽带

工程师的术语也可能有点不精确：功率没有转换。理想情况下，在 AC/DC 、 DC/DC 或 DC/AC 系统

开关损耗比传导损耗更受应用电路的影响。理论上， SiC 和 GaN 都可以快速切换，以致同时电流和

我们已经暗示了 SiC 和 GaN 为功率转换带来的优势，但稍微解释一下它们的基础知识可能会有所帮

较小的 WBG 器件电容也导致较低的驱动功率要求，这可能是相当大的。如果 SiC MOSFET 取代逆

证明使用 WBG 设备的合理性

使用 SiC 或 GaN 的情况取决于您的观点。假设零件成本很重要，并且您有一个可行的 IGBT 解决

证明使用 WBG 设备的合理性

所有主要的半导体制造商都致力于不同侧重点的 WBG 器件。例如，英飞凌一直致力于证明其 SiC

证明使用 WBG 设备的合理性

压力下的电路操作也是一个重要的考虑因素。 SiC MOSFET 确实具有雪崩等级，但 GaN 器件没有，因

证明使用 WBG 设备的合理性

证明使用 WBG 设备的合理性

Panasonic 还凭借其 X-GaN 技术在 GaN 器件方面取得了领先地位，该技术实现了增强模式但没有电流

与以前的技术相比，采用 SiC 和 GaN 的 WBG 器件具有显着优势，尤其是从更大的系统图景来看，其

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