A PN réteg mint dióda és jelleggörbéje

A dióda két kivezetéssel ellátott,

A dióda grafikus jele
egy p-n átmenetet tartalmazó félvezető
eszköz, amely egyenirányításra alkal-
mas. Ha egy PN réteget a megfelelő
házba helyezünk (műanyag, fém, üveg)
és kivezetésekkel látjuk el, megkapjuk
a diódát mint félvezető ezközt. A görög
di ode, 'két út' szavakból nyerte nevét.

Azt a görbe vonalat, amelyet egy koordinátarendszerbe

rajzolunk és megmutatja az áram és a feszültség közötti
összefüggést, a dióda jelleggörbéjének nevezzük:

A dióda jelleggörbéjének mérése

Direkt jelgörbe mérése

1
Az E egy egyirányú feszültségforrás, amely 10 V, de ez esetben lehet kevesebb is,
pl 3V. Az R ellenállás az áram csökkentése érdekében van ott, hogy megvédje a
többi elemet a leégéstől. A tipikus értéke 1k  . A feszültséget egy feszültségosztó
potenciómeterrel szabályozzuk (P). A dióda direkt feszültségét egyenáramú
voltméterrel mérjük (V). A dióda direkt áramát egy egyenármú amperméterrel
mérjük (A). 100 mV-os lépésekkel mérjük az értékeket.

Inverz jelgörbe mérése

A dióda inverz feszültségét egyenáramú voltméterrel mérjük (V). A dióda inverz

áramát egy egyenármú amperméterrel mérjük (A). Azért van a voltméter az
amperméter előtt, hogy az amperméter ne mérj a voltméteren átáramló áramot,
csak a diódán áramló áramot.

A szilíciumdióda és germániumdióda jelleggörbéje

Ge dióda köszübfeszültsége:
U0=0.5V - 0.8V

Si dióda köszübfeszültsége:
U0=0.2V - 0.4V

2
 A PN réteg átütése és ellenállása

A dióda jelleggörbéjét
figyelve megállapíthatjuk,
hogy bizonyos inverz
feszültségig a dióda árama
nem változik és elhanya-
golhatóan kicsi, míg bizo-
nyos inverz feszültségnél az
inverz áram hirtelen megnő.
Ilyenkor a dióda átüt. Az
átütési feszültség éltalában:
UP= 40V – 100V (között
mozog).

Atütés fajtái:

a) Zéner átütés (Zéner efektus): ezt a jelenséget a nagy mértékü inverz villamos
tér hozza létre. Az inverz feszültség megnövekelésével a potenciálsánc villamos
tere olyan erős lesz, hogy a leűrítési rétegben az erősen szenyezett félvezető
atomjaiból képes lessz kiszakítani vegyérték elektronokat egyes kovalens
kötésekből. Ezek az elszabadult elektronok és lyukak kissebségi töltéshordozók és
általuk ismét vezetővé válik a leürítési tartomány is. Mivel ez a jelenség csak egy
pontossan definiált feszültségnél jön létre és ez a feszültség a dióda gyártásakor
nagyon pontossan meghatározható (a szenyezés kontrolálásával), nagyon hasznos
a feszültségszabályozás terén. A zéner átütés áramát korlátoznunk kell, mert
különben a túlzott melegedés által a dióda tönkremegy.
b) Lavina effektus: akkor jön létre amikor adióda inverzen van polarizálva és a
megnövekedett villamos tér a kovalens kötésben résztvevő vegyérték elektronok
közül képes egy párat kiszakítani. Az így elszabadult elektronok a nagy térerősség
hatására anyira felgyorsulnak (mozgási energiájuk nő), hogy a kristály atomjaiba
ütközve a leadott energia újabb elektronokat szakít ki a kötésből, ami lavina-
effektust eredményez, és a záróréteget hirtelen elárasztják az elektronok és a
lyukak, az áram inverz irányban ugrásszerűen megnő. Ez a jelenség is (a Zéner
átütéshez hasonlóan) egy pontossan definiált feszültségen jelentkezik, ami szintén
pontosan meghatározható a dióda gyártáskor. A Zéner effektus és a lavina efekus
kívülről nézve hasonló viselkedést eredményez, de e két jelenség között két
fontos különbség van ami a működésükből ered. A Zéner efektus 5.5 (5.6) Volt
alatt alakul ki és negatív termális hatása van, még a lavina efektus 5.5 (5.6) Volt
felett jön létre és pozitív termális hatása van. Mindkét jelenség reverzibilis
(visszafordítható), vagyis nem károsítja a félvezetőt, ha megfelelő mértékben
korlátozzuk a rajtuk keresztülfolyó áramot és a működésük közben felszabaduló
hőt elvezetjük és így a hőmérsékletüket mérsékelt korlátok közt tartjuk.

3
c) Melegedési átütés: akkor jön létre, amikor az inverz feszültség tartósan az
átötési feszültség körül mozog. Ilyenkor a PN réteg a nagy feszültség és a mindig
jelenlevő (nagyon kicsi, de nem elhanyagolható) inverz áramnak (ami a kis-
sebségi töltéshordozókon keresztül jön létre) köszönhetően (P=U*I) melegedni
kezd és a hő hatsásra egyre több kissebségi töltéshordozó szabadul el (felszakadó
kovalaens kötések), majd a megnövekedett vezetőképesség következtében megnő
az inverz áram is, ami további, még intenzívebb melegedést eredményez. Ez a
jelenség (ha nincs kontrolálva), exponenciális hőmérsékletnövekedést
eredményez, ami rövid idő leforgása alatt tönkreteszi a félvezetőt. Az előző két
átütéssel ellentétben ez a jelenség irreverzibilis (visszafordíthatatlan), vagyis
maradandó károsodást idéz elő.