TRANSISTOR BIPOLAIRE EN RÉGIME STATIQUE

Généralités
le Transistor = l’élément fondamental de l’électronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...
être utilisé comme une source de courant
agir comme un interrupteur commandé
essentiel pour l’électronique numérique
...

il existe :
soit comme composant discret

soit sous forme de circuit intégré, i.e. faisant partie d’un circuit plus
complexe, allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de
transistor par circuit (microprocesseurs)

STRUCTURE ET FONCTIONNEMENT D’UN TRANSISTOR BIPOLAIRE

Structure simplifiée

Transistor PNP Transistor NPN

E E

P+ émetteur N+
B B
N base P

P collecteur N

C C

Deux jonctions PN en tête-bêche qui se partage la région centrale : la « base »

Le couplage entre les jonctions Base-Emetteur et Base-Collecteur est à l’origine de l’

« effet transistor »

Comportement symétrique NPN / PNP (il suffit d ’inverser les polarisation)

1
 ■ Symboles C
C la flèche indique le sens du
courant dans l’état actif
B B

E E
PNP NPN

VCB VCB
■Conventions :
IC IC
IB VCE IB VCE

IE IE
VBE VBE

NPN PNP

EFFETE TRANSISTOR
Exemple: Transistor NPN

RE + RC
E N P N C
IE r IC
e- E

VEE IB VCC
B

si VEE > ~ 0.7V, le courant circule entre l’émetteur et la base ➨ VBE ~ 0.7V, IE >> 0
La jonction EB est dissymétrique (dopage plus élevé côté E)
➨ courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E)

VCC > 0, un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur

La majorité des é- injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ
IC ~IE et IB = IE -IC << IE

Le courant IC est contrôlé par IE , et non vice versa…

Relation entre les courants du transistor :

IE = IB+IC IC = β.IB IE = α.IC

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3. Caractéristiques du transistor NPN
VCE
Choix des paramètres :

Les différentes grandeurs électriques (IE, IB, RE IE IC RC

VBE,VCE,…) sont liées:
VEE IB VCB VCC
VEB
différentes repésentations équivalentes des
caractéristiques électriques existent

● Configuration “Base Commune”

( base = électrode commune)

Caractéristiques : IE (VEB,VCB), IC (VCB ,IE)

● Configuration “Emetteur Commun”

(émetteur= électrode commune)

Caractéristiques : IB (VBE , VCE), IC (VCE, IB)

☛ La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.

■Caractéristiques en configuration BC :

IE (VEB, VCB) :
➪ ~ caractéristique d’une jonction PN
 V  
IE (mA) I E ≅ I s exp EB  − 1
  VT  
VCB=0 , -15
➪ très peu d’influence de IC (resp. VCB)
2
➪ En mode actif : VEB ~ tension seuil ~ 0.7V
1
➪ Pour VEB > - 0.5V, IE ~0 →IC = 0
VEB (V) ➤ MODE BLOQUE
-0.1 -0.5

tension seuil

Mode bloqué : Mode actif :

IE ~ 0, VEB > -0.5 V IE >0, VEB≈ - 0.6-0.7V

3
 mode actif

IC (VCB, IE) : Ic (mA) IE (mA)

2.0

1.5 1.5
1.0 1
IC ≈ I E
0.5 0.5
0
-0.5 1 2 3 VCB (V)
≡ jonction PN polarisée en inverse
tension seuil de la jonction BC

➪ pour VCB > ~-0.5V, on a IC =αF IE , avec αF proche de 1.

➤ En mode actif, I B = I E − IC = I E (1 − α F )

➪ pour IE = 0, on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0

➤ Transistor en “mode bloqué”

➪ pour VCB ≈ -0.7, la jonction BC est passante, IC n’est plus controlée par IE
➤ Transistor en “mode saturé”

Ordre de grandeur : αF ~0.95 - 0.99 αF = “gain en courant continue en BC”

■Caractéristiques en configuration EC :

IB (VBE, VCE) : IE IC
IB (µA)
r
N P E
N
VCE= 0.1V
IB
3

1.5
> 1V
0.5
0 VBE (V)
0.1 0.2 0.3

VBE > 0.6V, jonction PN passante, transistor en mode actif

IB <<IE ↔ charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC

Influence non-négligeable de VCE sur IB ↔ “Effet Early”

VCE ↑ → VCB ≈VCE -0.7 ↑ → E ↑ → meilleure collection des charges → IB ↓

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 Ic(mA)
Ib= 20µA
IC (VCE, IB) : IE IC
r
2 15µA
N P E
N
10µA IB
1
5µA
VCE (V)

1 3 5 Transistor bloqué
Transistor saturé Mode actif IC = “ICO”

➪ Mode actif : BE passant, BC bloquée → VBE ≈ 0.7V et VCB >~ -0.5 V

➤ VCE = VCB +VBE > -0.5 + 0.7 ~0.2 V

αF
I C = α F I E = α F (I C + I B ) ⇒ I C = I B =" hFE " I B hFE = “gain en courant
1−αF continue en EC” = “β F”
ordre de grandeur : hFE ~ 50 - 250
☛ Grande dispersion de fabrication sur hFE.

➪ Effet Early : IC augmente avec VCE, pour IB constant → hFE change avec VCE

➪ Mode saturé : IC ~ indépendant de IB

➤ hFE diminue lorsque VCE → 0

■ Valeurs limites des transistors

➪ Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

➪ Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC

➪ Courants de saturations inverses :

➤IC , IB et IE ≠0 en mode bloqué

ICVCE =Pmax

fiches techniques :

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 4. Modes de fonctionnement du transistor ↔ Point de fonctionnement

■ Droites de charges :
Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliquées au circuit.

Exemple : ● Comment déterminer IB, IC, VBE, VCE ?

+VCC Droites de charges :

+VCC
V − VBE
Vth = Rth I B + VBE → I B = th
Rth
RC Rc

RB1 Rth V − VCE

VCC = RC I C + VCE → I C = CC
RC
RB2 Vth

■ Point de fonctionnement
IB
➪ VBEQ ≈0.6-0.7V, dès que Vth> 0.7V
V − VBE (diode passante
→ I B = th transistor actif ou saturé)
Rth

Q
IBQ

VBE (V)
0.1 0.2 0.3
VBEQ

Ic(mA) ➪ VCE sat ≤ VCEQ ≤ VCC

Q VCC − VCE sat VCC

I CO ≤ I c ≤ ≈
ICQ ← IBQ Rc Rc
V −V
I C = CC CE
RC
☛ Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
ICO

VCEsat VCEQ VCE (V)

6
 ■ Modes de fonctionnement du transistor

Configuration EC :

Mode actif : VBE ≈ 0.7V ~ 0.3V < VCE < VCC I c ≈ hFE I B

Mode bloqué : VBE ≤ 0.5V VCE ≅ VCC IC ≈ 0

V
Mode saturé : VBE ≈ 0.8V VCE ≈ 0.2V I c ≈ CC < hFE I B
RC

Configuration BC :

Mode actif : VBE ≈ 0.7V − 0.5V < VCB < VCC Ic ≈ α F I E

Mode bloqué : VBE ≤ 0.5V VCB ≅ VCC IC ≈ 0

V − 0.6
Mode saturé : VBE ≈ 0.8V VCB ≈ −0.6V I c ≈ CC
RC

5. Circuits de polarisation du transistor

● Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor

● Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit.

● Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transistor (IC(B) < Imax,, VCE (BE) <Vmax,....)

● Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont :

➤ sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE ,… )

➤ stabilité thermique.
(coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE, hFE,…).

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 ■ Circuit de polarisation de base (à courant IB constant)
IC
Dispersion de fabrication:
Vcc hFE mal défini
Rc
RC Q1 2 transistors
IC1 même IB différents
RB Q2
VCC IC2

VCE
VCE1 VCE2 Vcc
V − VBE Vcc − 0.7
I B = cc ≅
RB RB

Q : I c = hFE I B et VCE = Vcc − Rc I c

Conséquence : ∆ hFE ⇒ ∆ Ic ⇒ ∆ VCE

→Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur

→ Circuit de polarisation peu utilisé.

Vcc
Exemple : Transistor en mode saturé ↔ RB tel que I B > I Bsat ≈
Rc hFE
en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.

■ Polarisation par réaction de collecteur

+VCC VCC − 0.7

→ IC ≈
RC + RB
RC hFE
RB
Le point de fonctionnement reste sensible à hFE

Propriété intéressante du montage :

Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE
ne peut être inférieur à 0.7V

V − 0 .7
Cas particulier : RB=0 → I C ≈ CC VCE = 0.7V
RC
➪ Le transistor se comporte comme un diode.

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■ Polarisation par diviseur de tension

+VCC

Vth − 0.7
IC ≈ I E ≅
R1 RC RE + Rth / hFE

VCE = VCC − ( RC + RE )IC

R2
R2 Rth = R1 // R2
avec Vth = VCC et
RE R1 + R2

Rth V − 0.7
➪ Peu sensible à hFE : si << RE → IC ≈ th
hFE RE
➪ Bonne stabilité thermique