Chap 4 Transistor Bipolaire Jonction PNP

UNIVERSITE MOHAMMED V DE RABAT ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE
DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE
Chapitre 4
Transistors bipolaires :
Jonction NPN & PNP
Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 1

A. Transistor en régime statique (courant continu)

I. Principe des transistors bipolaires
Le Transistor bipolaire est constitué de trois couches de semi-conducteurs extrinsèques. On
distingue deux types de transistors bipolaires, les transistors NPN et les transistors PNP.
 Transistor NPN
 
Schéma équivalent Symbole

Figure-1
 Caractéristiques : Le transistor NPN est caractérisé par :
 Une couche N fortement dopée constituant l’émetteur.
 Une couche P très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche N faiblement dopée constituant le collecteur.
 Transistor PNP
 
Schéma équivalent Symbole

Figure-2
 Caractéristiques : Le transistor PNP est caractérisé par :

 Une couche P fortement dopée constituant l’émetteur.
 Une couche N très mince et faiblement dopée constituant la base.
 Une couche P faiblement dopée constituant le collecteur.
La flèche indique le sens passent de la diode Base – Emetteur.

II. transistor bipolaire polarisé : effet transistor

En l’absence de polarisation (Figure-3a), les porteurs majoritaires diffusent de part et d’autres des
deux jonctions PN, provoquant la création de deux zones dépeuplées (de déplétion) où règnent
deux champs Ei qui s’opposent à la diffusion et engendrent une situation d’équilibre.
Si on applique un générateur externe entre le collecteur et l’émetteur (Figure-3b), la jonction
collecteur-base est polarisée en inverse, sa zone dépeuplée devient plus large, aucun courant ne
circule entre le collecteur et l’émetteur.
C
N P N
Ei Vcc
Ei
Ei B Ei P
E C
B N
Figure-3a : NPN non polarisé Figure-3b : alimentation du collecteur
Si on applique un deuxième générateur entre la base et l’émetteur (Figure-4a), la jonction base -

émetteur se trouve polarisée en direct, la zone de déplétion qui l’entourait disparaît et un courant
directe circule entre la base et l’émetteur, on l’appelle le courant de base IB
C
Ic
N
Vcc
N P Ei N
IB
Ei P
B électrons
VBB E C
N
IE
E
B
Figure-4a : NPN polarisé Figure-4b : effet transistor Figure-4b : NPN polarisé
Puisque l’émetteur fortement dopé N, la polarisation de la jonction B-E en direct va être à

l’origine de l’injection d’un grand nombre d’électrons dans la base (diffusion des porteurs
majoritaires), ces électrons ne vont pas tous être récupérés par le circuit extérieur (source VBB), car,
comme la base est très mince, un grand nombre d’entre eux va se trouver au voisinage de la
jonction base - collecteur. Pour cette jonction, les électrons du côté de la base constituent les
porteurs minoritaires dont le passage côté collecteur est fortement encouragé par le champ
important qui règne autour de cette jonction. Il en résulte la circulation d’un courant important entre
le collecteur et l’émetteur à travers la base, ce phénomène est appelé effet transistor(Figure-4b). Le
courant de l’émetteur est noté IE , celui de la base est noté IB et celui du collecteur est noté IC . Ces
trois courants obéissent aux relations suivantes :
I E  I B  IC
I C  I E
I C  I B
 est voisin de l’unité (0.95 à 0.99) ce qui permet souvent de considérer IC  IE, par contre, le
rapport  entre le courant du collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques
dizaines à quelques centaines, c’est le gain en courant du transistor. Dans les ouvrages
anglophones,  est souvent noté h21 ou hfe
En résumé, le transistor est un composant électronique géré par la relation IC = IB . Cette relation
traduit la possibilité de contrôler un courant important (IC) à l’aide d’un courant beaucoup plus
faible (IB) d’où son utilisation à grande échelle en amplification.
En réalité, le fonctionnement du transistor est légèrement plus complexe, il faut tenir compte des
courants inverses des jonctions. Si la base n’est pas polarisée (Figure-3b), le courant entre le
collecteur et l’émetteur n’est pas tout à fait nul mais il a une faible valeur, on le note ICEO. De la
même façon si on laisse l’émetteur ouvert et on polarise la jonction C-B en inverse, elle est
traversée par un courant inverse qui sera noté ICBO. La relation IC =  IB devient IC =  IB + ICEO ,
avec ICEO =  ICBO.
III. Réseaux des caractéristiques d’un transistor bipolaire

IC
Caractéristique de sortie
Caractéristique de transfert
IC = f(VCE) à IB = cst
IC = f(IB) à VCE = cst
IB VCE
Caractéristique d’entrée Caractéristique de réaction
VBE = f(IB) à VCE = cst VBE = f(VCE) à IB = cst

VBE
Les transistors NPN sont plus répandus car ils ont de meilleures performances que les PNP (la
conductibilité du silicium N est meilleure que celle du silicium P, ainsi que la tenue en tension).
1. Les montages de base.
Quand on branche un transistor, si on s'arrange pour qu'il y ait une patte commune à l'entrée et à la
sortie du montage, il y a 3 manières fondamentales de procéder :
 La patte commune est l'émetteur : on parle de montage émetteur commun. L'entrée est la base
et la sortie le collecteur.
 La patte commune est la base : on parle de montage base commune. L'entrée est l'émetteur et
la sortie le collecteur.
 La patte commune est le collecteur : on parle de montage collecteur commun. L'entrée est la
base et la sortie l'émetteur.
2. Schéma de mesure des caractéristiques.

Les caractéristiques qui suivent sont données pour un montage émetteur commun. Le schéma
le plus simple est le suivant :

IC
IB
VC
E
VB
E
Figure 5 : Montage de base émetteur commun.

 Dans ce schéma, la base est polarisée en direct par la résistance de base Rb : le potentiel de la
base est alors de 0,7V environ, car l'émetteur est à la masse et la jonction base émetteur est
l'équivalent d'une diode passante.
 Le collecteur est lui polarisé par la résistance de collecteur Rc de telle manière que la tension du
collecteur soit supérieure à la tension de la base : la jonction base collecteur est alors polarisée
en inverse.
 On polarise donc convenablement le transistor avec une simple alimentation et deux
résistances. Dans ce montage, l'entrée est la base et la sortie est le collecteur.
 L'entrée est caractérisée par les deux grandeurs IB et VBE, et la sortie par les grandeurs IC et
VCE, soit 4 variables.
3. Caractéristique d'entrée.
La caractéristique d'entrée du transistor est donnée par la relation IB = f (VBE) à VCE = cte.
En fait, le circuit d'entrée est la jonction base émetteur du transistor, soit une jonction diode.
Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur-émetteur : on la donne en général

pour une seule valeur de VCE. La courbe est la suivante :
IB
Caractéristique directe
de la diode (B-E)
0.7V
VBE
Figure 6 : Caractéristique d'entrée du transistor.

La tension VBE est d'environ 0,7V pour une polarisation normale du transistor (courant de base
inférieur au mA). Cette valeur est donc légèrement supérieure à celle d'une jonction de diode.
4. Caractéristique de transfert.
La caractéristique de transfert est définie par la relation IC = f (IB) à VCE = cte.
Nous avons déjà dit que le courant d'émetteur est proportionnel au courant de base par I C  I B .
Pente 
ICE0
Figure-7 : Caractéristique de transfert du transistor.

 La caractéristique de transfert est donc une droite; le transistor est un générateur de courant
commandé par un courant.
 Si on considère le courant de fuite ICEO, la caractéristique ne passe pas par l'origine, car IC =
ICEO pour IB = 0.
 Le  du transistor va varier grandement en fonction du type de transistor : 5 à 10 pour des
transistors de grosse puissance, 30 à 80 pour des transistors de moyenne puissance, et de 100 à
500 pour des transistors de signal.
5. Caractéristique de sortie.
La caractéristique de sortie du transistor est définie par la relation IC = f (VCE) à IB = cte. En
pratique, on donne un réseau de caractéristiques pour plusieurs valeurs de IB.
IB5
IB3
IB2
1 2 IB1
IB0
Figure 8 : Caractéristiques de sortie du transistor.

Sur ces caractéristiques (Figure 8.), on distingue deux zones :
Une zone 2 importante où le courant IC dépend très peu de VCE à IB donné : cette caractéristique est
celle d'un générateur de courant à résistance interne utilisé en récepteur. Dans le cas des transistors
petits signaux, cette résistance est très grande : en première approche, on considérera que la sortie
de ce montage à transistor est un générateur de courant parfait.
La zone 1 des faibles tensions VCE (0 à quelques volts en fonction du transistor) est différente. C'est
la zone de saturation. Quand la tension collecteur-émetteur diminue pour devenir très faible, la
jonction collecteur-base cesse d'être polarisée en inverse, et l'effet transistor décroît alors très
rapidement. A la limite, la jonction collecteur-base devient aussi polarisée en direct : on n'a plus un
transistor, mais l'équivalent de deux diodes en parallèle. On a une caractéristique ohmique
déterminée principalement par la résistivité du silicium du collecteur. Les tensions de saturation
sont toujours définies à un courant collecteur donné : elles varient de 50mV pour des transistors de
signal à des courants d'environ 10mA, à 500mV pour les mêmes transistors utilisés au maximum de

leurs possibilités (100 à 300 mA), et atteignent 1 à 3V pour des transistors de puissance à des
courants de l'ordre de 10A.
Figure 8 : Réseaux de caractéristique d’un transistor

6. Limites d'utilisation.
Le transistor pourra fonctionner sans casser à l'intérieur d'un domaine d'utilisation bien déterminé.
Ce domaine sera limité par trois paramètres :
 Le courant collecteur maxi ICMax. Le dépassement n'est pas immédiatement destructif, mais le
gain en courant va chuter fortement, ce qui rend le transistor peu intéressant dans cette zone.
 La tension de claquage VCEMax : au delà de cette tension, le courant de collecteur croît très
rapidement s'il n'est pas limité à l'extérieur du transistor.
 La puissance maxi que peut supporter le transistor, et qui va être représentée par une hyperbole
sur le graphique, car on a la relation :
IC Max
PTT Max
P Max
Saturation
Zone
Active
VCE Max
d’amplification
Figure 9 : Limites d'utilisation du transistor.
Toute la zone pointillée sur la caractéristique de sortie du transistor (Figure 9.) est donc interdite.

7. En bref
 Ce qu'il faut retenir d'essentiel dans le transistor , c'est que c'est un amplificateur de courant:
c'est un générateur de fort courant en sortie piloté par un faible courant en entrée.
 Le choix d'un transistor au premier ordre, se fera en considérant les paramètres suivants :
 Le VCEMax que peut supporter le transistor.
 Le courant de collecteur maxi ICMax.
 La puissance maxi que le transistor aura à dissiper.
 Le gain en courant  .
 Si on utilise le transistor en commutation, la tension de saturation VCEmaxsat sera un critère de
choix essentiel.
IV. Polarisation du transistor

Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction base-émetteur polarisée en direct
ce qui engendre un courant IB dans la base et un courant IC =  IB dans le collecteur. L’état du
transistor est caractérisé par ce qu’on appelle le point de fonctionnement correspondant au couple
(VCE , IC ) qui sont la tension entre le collecteur et l’émetteur ainsi que le courant du collecteur IC.
IV-1. Polarisation par une résistance de base
IC
IB
VC
E
VB
E
IE
Figure 10 : Montage : polarisation par une résistance de base
 On détermine le courant IB en écrivant la loi d’Ohm dans la maille d’entré :

Vcc  R B I B  0.7  R E (I B  I C )
En remplaçant IC par  IB, on obtient :
 VBE VCC
IB  
R B  (  1)R E R B  (  1)R E c’est l’équation de la droite d’attaque
 Le courant du collecteur est I C  I B
 La tension VCE est obtenue en écrivant la loi d’Ohm dans la maille de sortie :
Vcc  R CI C  VCE  R E (I B  I C )

 1 
 VCC  VCE   R C  R E (1  ) I C
  
1 1
soit IC  VCE  VCC
 1   1 
 R C  R E (1  )   R C  R E (1  ) 
     
C’est l’équation de la droite de charge
Application numérique :
Vcc=12V, =100, RB =750K, RE =1K, RC =4K.
Calculer le point de fonctionnement pour VBE = 0.7.
12  0.7
IB   13.3A
750  10110 3
I C  100  13.3A  1.33mA
VCE  12  (4  1)  1.33  1  13.3x10 3  5.35V
Il arrive que le problème soit posé à l’envers, c’est à dire qu’on se donne un point de
fonctionnement et qu’on cherche les valeurs des résistances qui permettent d’obtenir ce point de
fonctionnement.
IC (mA)
 2.4 PS
T0 1.33 Q0
IB (A) PB
VCE (V)
1.33 5.35 12
VBE
E0
Droite d’attaque Droite de charge
VBE
Figure 11 : position du point de fonctionnement dans le réseau de caractéristique
Exemple : calcul des éléments du montage en fixant un point de fonctionnement

Soit un transistor de gain =100, polarisé à l’aide d’une alimentation Vcc=12V, Calculer RB, RE,
et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
Q {VCE =5V, IC=1mA}
Si on écrit la loi d’Ohm dans les deux mailles d’entrée et de sortie, on s’aperçoit que nous n’avons
pas suffisamment de donnée pour calculer les trois résistances. Il faut fixer une donnée
supplémentaire, fixons la tension de l’émetteur à VE = 2V et VBE = 0.7V.

IB= IC /  = 1mA / 100 = 0.01 mA
VB =VE+0.7 = 2.7V
VCC  VB 12  2.7 VE VE 2
RB    930K RE     1.98K
IB 0.01x10  3 I E I C  I B 1.01x10  3
VCC  VCE  VE 12  5  2
RC    5K
IC 10  3
IV-1. Polarisation par pont diviseur

La base est polarisée par un "pont diviseur" constitué de deux résistance RB1 et RB2 (fig 3.8). Pour
faciliter la calcul, on applique le théorème de Thévenin au circuit d'entrée et on obtient le schéma de
la figure 3.9 ce qui permet de ramener le problème à une polarisation par une résistance de base.
IC IC
IB IB
VC VC
E
VB E VB
IE E IE
E
Figure 12 : polarisation par pont diviseur
R B2
 E Th  VCC
R B1  R B 2
R B1 R B2
 R Th  R B1 // R B2 
R B1  R B2
 Le courant IB est déterminé à partir de :
ETh  R ThI B  VBE  R E (I B  I C )
En remplaçant IC par  IB , on obtient :
 VBE E Th
IB  
R Th  (  1)R E R Th  (  1)R E c’est l’équation de la droite d’attaque
 Le courant du collecteur est I C  I B
 La tension VCE est obtenue en écrivant la loi d’Ohm dans la maille de sortie :
Vcc  R CI C  VCE  R E (I B  I C )

 1 
 VCC  VCE   R C  R E (1  ) I C
  
1 1
soit IC  VCE  VCC
 1   1 
 R C  R E (1  )   R C  R E (1  ) 
     
Application numérique :
Vcc=12V, =100, RB1 =56K RB2 =10K, RE =2K, RC =10K.
Calculer le point de fonctionnement pour VBE = 0.7 V

On trouve : ETh = 1.82 V, RTh = 8 K d'où
1.82  0.7
IB   5.3A
8  101  210 3
I C  100  5.3A  0.53mA
VCE  12  (10  2)  0.53  2  5.3x10 3  5.6V
IC (mA)
 1 PS
T0 0.53 Q0
IB (A) PB
VCE (V)
5.3 5.6 12
VBE
E0
Droite d’attaque Droite de charge
VBE
Figure 13 : position du point de fonctionnement dans le réseau de caractéristique
Exemple : calcul des éléments du montage en fixant un point de fonctionnement
Vcc=12V, =100, Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
Q {VCE = 5.5V; IC = 1mA, VE = 1V}.
VE : Tension entre émetteur et la masse.

Ces données ne suffisent pas pour calculer les deux résistances du pont, elle permettent seulement
de calculer RTh. Pour lever cette indétermination, on se donne une des deux résistances et on calcule
l'autre. Une deuxième solution consiste à se donner le rapport entre le courant du pont IP et le
courant de base IB. Si on note I1 le courant dans RB1 et I2 le courant dans RB2, on a I1 = IB + I2, si I2
est grand devant IB, on peut négliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont. Prenons IP =
30 IB.
IB = IC/ = 1 / 100 = 0.01 mA
VB = Ve + 0.7 = 1.7 V
V  VB 12  1.7 V 1.7
R B1  CC   34.3K R B2  B   5.9K
I1 30  0.01 I2 29  0.01
VE VE 1 VCC  VCE  VE 12  5.5  1

RE     1K RC    5.5K
I E I C  I B 1.01 IC 1

B. Transistor en régime Dynamique (variable)

Amplificateurs petits signaux
I. Introduction
En régime statique (continu), le point de fonctionnement (position de repos) du montage à
transistor est désigné par QO (VCEO, ICO). Tant que les éléments du montage (les résistances,
Vcc,…) sont fixe, QO est aussi fixe.
On injecte maintenant dans le montage, un deuxième courant alternatif ib(t) d’amplitude
IB, le courant IB subit des oscillations autour de IB0 avec une amplitude IB, alors IC subit des
oscillations autour de IC0 (comme indique la flèche double sur la figure ci-après) avec une
amplitude IC =  IB , en effet :
IB = IB0 + IBsin(wt) = IB0 + ib(t)  Ic =  IB =  IB0 +  IBsin(wt)
 Ic = IC0 + ICsin(wt) = IC0 + ic(t)
Figure 14 : Caractéristiques de sortie d’un transistor bipolaire
Pour que le fonctionnement du montage soit dans la zone d’amplification normale,

l’amplitude du courant alternatif injecté dans le montage doit être faible pour avoir des oscillations
du point de repos Qo dans la zone active limiter par les points de saturation S et de blocage B.
II. Transistor en régime dynamique

On peut représenter un transistor comme un quadripôle :
ic
ib
vce
vbe
Quadripôle
Figure-15 : Transistor bipolaire NPN

 v be  h11i b  h12 v ce
Le schéma équivalent à l’aide des paramètres hybrides est : 
 i c  h 21i b  h 22 v ce

iB iC C
B
h11
v BE  iB 1
+
h22 v CE
h12 v CE
-
E E
Figure-16 : Schéma équivalent en dynamique du transistor
VB E
 h11 est l'impédance d'entrée du transistor : h11 
I B VCE  0
I C
 h 21    est le gain en courant du transistor :
I B VCE  0
VBE
 h 12  est un terme de réaction interne, il donne la variation de VBE en fonction
VCE IB 0
de celle de VCE, sa valeur est très faible, il sera le plus souvent
négligé (h12 ≈ 0).
I C
 h 22  est l’admittance de sortie du transistor. C'est la pente de la
VCE IB 0
caractéristique IC = fVCE) à IB = Cte. La caractéristique étant
quasiment horizontale, h22 est faible et sera le plus souvent négligé
(h22 ≈ 0).
Les termes h12 et h22 étant très faibles, on les néglige pour obtenir le schéma équivalent simplifié
ci-dessous.
iB iC C
B
v BE h11  iB v CE
E E
Figure-17 : Schéma équivalent simplifié du transistor
Grâce aux modèles linéaires du transistor, le calcul complet d'un amplificateur est très simple et se
décompose en quatre étapes successives :
1. calcul du point de fonctionnement du circuit : celui-ci ne dépend que des sources
continues (les sources alternatives sont mises à zéro) ;
2. calcul des paramètres du transistor , h11,  = 1/h22 à partir du courant de repos Ic ;
3. dessin du schéma « petits signaux » dans lequel on annule toutes les sources continues et
on remplace le transistor par son modèle petits signaux;
4. calcul des paramètres de l'amplificateur équivalent représenté par les résistances Ze, Zs
et son gain en tension Av ;

III. Montage amplificateur émetteur commun

Le montage le plus répondu tout en étant fonctionnel est le suivant (Figure-18 ) :
Vs
Figure-18 : Montage émetteur commun

Rôle des condensateurs :
 Cle et Cls: capacité de liaison respectivement à l’entrée et à la sortie.
 Ce : capacité de couplage
III-1. Etude statique (en régime continu)
En continu, toutes les capacités (Cle, Cls et Ce) sont des circuits ouverts, donc on sépare Ru et la
source Ve (on garde que le montage pont diviseur comme indique la Figure-19 :
Le rôle de ce schéma est de :
 déterminer la droite de charge et d’attaque ;

 fixer le point de fonctionnement statique ;
 fixer les éléments du montage (les résistances, l’alimentation Vcc)
Figure-19 : Montage émetteur commun en régime statique (continu)
On applique le théorème de Thevenin entre les points B et M :

R2 R1R 2
E Th  E bb  Vcc R b  R Th  R 1 // R 2 
R1  R 2 R1  R 2
La maille d’entrée  Ebb  R bbI B  VBE  R e (I C  I B )
 VBE E bb
 IB   C’est l’équation la droite d’attaque
R b  (1  )R e R b  (1   )R e

La maille de sortie  Vcc  RcI C  VCE  R e (I C  I B )

 1 
 Vcc  VCE   R e (1  )  Rc I C
  
 Vcc  VCE  R e (1  )  Rc I C
 
 IC  VCE  Vcc
R e (1  )  Rc  R e (1  )  Rc 
III-2. Etude dynamique (en régime variable)
En régime dynamique, l’alimentation Vcc ainsi que toutes les capacités, sont considérées comme
des circuits fermés à la fréquence du travail. Deux cas seront étudiés :
III-2-1. Avec capacité de couplage Ce
Avec Ce, la résistance Re sera court-circuitée en régime dynamique comme indique la Figure-20 :
Figure-20 : Montage émetteur commun en régime dynamique (CE est un court-circuit)

On a :
 Re est court-circuité, E est à la masse
 R1 et R2 sont en parallèle
 Rc et Ru sont en parallèle
Le circuit précédent est vu comme indique la Figure-21 :
Figure-21 : Montage émetteur commun en régime dynamique (variable)
On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent de la Figure-16 à l’aide des
paramètres hybrides (on pose Rb = R1//R2), on obtient le schéma de la Figure-22 :

Figure-22 : Schéma équivalent du montage EC
Vs
 Gain en tension A V 
Ve
D’après le schéma de la Figure-22, on peut écrire :
Ve = h11i b
RcRu
Vs =  Rc // Ru //  x i b =   ib
Rc  Ru  RcRu
D’où l'expression du gain en tension du montage:
Vs  RcRu
Av  
Ve Rc  Ru  RcRu h11
Vs RcRu
Si   + (h22 = 0) (Montage (a))  Av  
Ve Rc  Ru h11
ie ib ic is
ic-ib Montage (a)
Rb ib  Vs   + (h22 = 0)
Vs  Rc
De plus, si Ru + (montage (b))  Av  
Ve h11
ie ib ic is
ic-ib Montage (b)
Rb ib    + et Ru = +
Vs
Sans charge
i
 Gain en en courant Ai  s
ie
D’après le schéma de la Figure-22, on a aussi :
R b h 11
Ve = R b // h11 i e = ie
R b  h 11

Vs =  R u i S
i  Vs R b h11 R b h11 Vs
 Ai  s  =
Ru R b  h11 Ve Ru R b  h11  Ve
x
ie
i R b h11  RcRu
 Ai  s 
i e Ru R b  h11  Rc  Ru  RcRu h11
x
D’où l'expression du gain en courant du montage:
is Rb  Rc
Ai  
i e R b  h11  Rc  Ru  RcRu 
Si Ru + (sans charge is = 0 et Ai = 0) alors,

 Rc
La quantité  0  Ai = 0
Rc  Ru  RcRu 
i Rb  Rc
Si  +  Ai  s 
i e R b  h11  Rc  Ru 
Ve
 Impédance d’entrée Ze 
ie
Définition : l’impédance d’entrée c’est l’impédance vue entre les bornes de l’entrée de
l’amplificateur
V
Par définition, on a Z e  e
ie
On a D’après le schéma de la Figure-9, on a:

Ve = R b // h11 i e =
R b h 11
ie
R b  h 11
R b h 11
 L’expression de l’impédance d’entrée est :   Ze =
R b  h 11
VS
 Impédance de sortie ZS 
iS
Définition : l’impédance de sortie c’est l’impédance vue entre les bornes de la sortie de
l’amplificateur en isolant la charge et en court-circuitant les sources de tension.
V
Par définition, on a Z S  S
iS
Zs n’est pas fonction de la charge Ru

Pour calculer Zs, on applique la définition et on obtient le schéma de la Figure-23
Figure-23 : Schéma de calcul de Zs (Ve court-circuitée, la source de courant βib nulle)
D’après ce schéma, on a :
Rc Rc
Vs = (//Rc) i S = i S  L’expression de l’impédance de sortie est : Zs =
  Rc   Rc
Si  +  Zs = Rc
III-2-2. Sans capacité de couplage Ce

En absence de Ce, la résistance Re ne sera pas court-circuitée. Par contre, Cle et Cls sont des
circuits fermés comme indique la Figure-24 :
Figure-24 : Montage émetteur commun en régime dynamique (sans CE)
On a :
 Re existe entre l’émetteur et la masse
 R1 et R2 sont en parallèle
 Rc et Ru sont en parallèle
Le schéma précédent est vu ainsi comme indique la Figure-25 :
Figure-25 : Montage émetteur commun en régime dynamique (sans CE)

On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent à l’aide des paramètres hybrides
(on prend (h22 ≈ 0 ;  = +) Figure-17 :
Figure-26 : Schéma équivalent en régime dynamique (sans CE ; Re existe)
Vs
 Gain en tension A V  on pose Rcu  Rc // Ru 
Ve
D’après le schéma de la Figure-13, on peut écrire :
Ve = h11i b  R e (i b  i c ) = h11  (1  )R e i b

Vs =  Rc // Ru  i c = - Rcu ic = = - Rcu ib
Vs   Rcu
 d’où l'expression du gain en tension du montage A V  
Ve h11  (1  )R e 
Cas particulier pour Re = 0, c’est le cas du montage avec Ce

V   Rcu
A V ( R e  0)  s =
Ve h 11  (1   )0
Vs   Rcu
A V ( R e  0)  = résultat déjà trouvé précédemment
Ve h11
Si de plus Ru  + (sans charge)  Rcu = Rc//Ru = Rc

V   Rc
 A V( Re  0, Ru  )  s =
Ve h 11
is
Gain en courant A i 
ie
D’après le schéma de la Figure-13, on a :
Ve = R b (i e  i b ) = R b i e  R b i b
Ve = h11i b  Re(i c  i b )
= h11i b  R e (i c  i b 
= h11  (1  )R e i b  R b i e  R b i b = h11  (1  )R e i b

 ie =
1
R b  h11  (1  )R e i b (*)
Rb
Vs =  R u i S
Vs =  (R u // Rc )i C =  R cu i C =  R cu i b   R u i S =  R cu i b
 R cu
 iS = ib
Ru
D’après la relation (*), l’expression du gain en courant est :

i  R cu R b
 Ai  s =
i e R u R b  h11  (1   )R e 
Ve
 Impédance d’entrée Z e 
ie
D’après le schéma de la Figure-13, on a :
Ve = h11i b  re(i c  i b )
= h11i b  R e (i c  i b 
= h11  (1  )R e i b  ib =
Ve
h11  (1   )R e
De plus, on a Ve = R b (i e  i b ) = R b i e  R b i b
R b Ve
= Rbie 
h11  (1   )R e
 Rb 
  1  Ve = R b i e
 h 11  (1   )R e 
Ve  R b (h11  (1   )R e ) 
D’où l’expression de l’impédance d’entrée :  Ze  =  
ie  11
h  R b  (1   ) R e
VS
 Impédance de sortie Z S 
iS
On respecte la méthodologie de calcul de l’impédance de sortie (débrancher la charge Ru et court-
circuiter la source Ve de la Figure-26), le schéma de la Figure-26 devient comme indique la
Figure-27 :
Figure-27 : Schéma de calcul de Zs (Ve court-circuitée, la source de courant βib est nulle)
V
On constate que : Z S  S = Rc//RE
iS

IV. Montage amplificateur Collecteur Commun CC

Dans ce montage, l'entrée est sur la base et la sortie sur l'émetteur. C'est le collecteur qui est le point
commun entre l'entrée et la sortie. En fait, le collecteur est bien commun en alternatif, car le
générateur de polarisation +Vcc est un court circuit pour ce régime, et donc, le collecteur va se
retrouver à la masse alternative : ce sera donc bien la patte commune entrée sortie Figure-14a.
On a pour le fonctionnement en régime variable Figure-14b :
 Rc est court-circuité, C est à la masse
 R1 et R2 sont en parallèle Rb = R1 // R2
 Re et Ru sont en parallèle Rcu = Re // Ru
Figure-28a : Montage CC Figure-28b : Montage CC en dynamique
Le schéma précédent est donc vu comme indique la Figure-29 :
Figure-29 : Montage CC en dynamique
On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent à l’aide des paramètres
hybrides (Rb = R1//R2) Figure-30:
Figure-30 : Schéma équivalent en dynamique du montage CC

On montre de la même manière que le montage émetteur commun, les résultats illustrés ci-dessous :
V
 Gain en tension A V  s
Ve
Ve  h11i b  Vs et Vs  ( // R e // Ru )(1  )i b
 h11  Vs ( // Re// Ru )(1  )
Ve    1 Vs  AV  
 ( // R e // Ru )(1   )  Ve h11  ( // Re// Ru )(1  )
Vs (Re// Ru )(1   )
Si  +  AV  
Ve h11  (Re// Ru )(1   )
Vs R e (1  )
Sans charge Ru = +  AV  
Ve h11  R e (1  )
is
 Gain en courant A i 
ie
i (1   )R b R e  (1   )R
Ai  s 
ie (h11  R b )(R e  Ru )
Ve
 Impédance d’entrée Z e 
ie
Ze  h11  (1  )(R E //  // R U  // R b  ( // R e // Ru )(1  )i b
V
 Impédance de sortie Z S  S
iS
VS
ZS   (h11 //  // R e )
iS

V. Montage amplificateur Base commune BC

Dans ce montage, l'entrée est sur l’émetteur et la sortie sur le collecteur. C'est la base qui est le point
commun entre l'entrée et la sortie. En fait, la base est bien commune en alternatif, car le générateur
de polarisation +Vcc est un court-circuit pour ce régime, et donc, la base va se retrouver à la masse
alternative : ce sera donc bien la patte commune entrée sortie Figure-32a.
On a pour le fonctionnement en régime variable Figure-32b :

 R1 et R2 sont court-circuitées, la base B est à la masse
 Re et Ru sont en parallèle Rcu = Re // Ru
Figure-32a : : Montage BC Figure-32b : Montage BC en dynamique
Le schéma précédent devient ainsi figure-33 :
Figure-33 : Montage BC en dynamique
On remplace maintenant le transistor par son schéma équivalent à l’aide des paramètres hybrides,
on obtient le schéma suivant figure-33 :
Figure-34 : Schéma équivalent en dynamique du montage BC

On suit la même manière que le montage émetteur commun, on trouve les résultats suivants :
Vs
 Gain en tension A V 
Ve
Vs  Rcu
AV  avec Rcu =Rc//Ru
Ve h11
V
 Impédance d’entrée Z e  e
ie
Ve  h 
Ze    R e // 11 
ie  (1  ) 
VS
 Impédance de sortie Z S 
iS
VS
ZS   RC
iS
VI. Transistor fonctionnant en régime petits signaux :

Considérons le montage émetteur commun ainsi que le réseau de caractéristique ci-après :
Figure-36 : : Montage EC
En absence de la source alternative Ve, le montage est alimenté par une source continue Vcc. Alors
le point de fonctionnement Q0 est fixe.
En présence d’une source alternative, Ve, le point de fonctionnement subit une fluctuation autour du
point de repos Q0.


L’amplitude des fluctuations dépend de l’amplitude d’entrée (figure 37a et 37b):
figure 37a : Cas d’amplitude d’entrée faible. Les fluctuations restent dans la zone normale
d’amplification.
figure 37b : Cas d’amplitude d’entrée grande. Les fluctuations peuvent atteindre les points de
saturation S ou de blocage B

Chap 4 Transistor Bipolaire Jonction PNP

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UNIVERSITE MOHAMMED V DE RABAT ECOLE SUPERIEURE DE TECHNOLOGIE DE SALE

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Jonction NPN & PNP

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 1

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

A. Transistor en régime statique (courant continu)

Schéma équivalent Symbole

Schéma équivalent Symbole

 Caractéristiques : Le transistor PNP est caractérisé par :

La flèche indique le sens passent de la diode Base – Emetteur.

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 2

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II. transistor bipolaire polarisé : effet transistor

Figure-3a : NPN non polarisé Figure-3b : alimentation du collecteur

Si on applique un deuxième générateur entre la base et l’émetteur (Figure-4a), la jonction base -

Puisque l’émetteur fortement dopé N, la polarisation de la jonction B-E en direct va être à

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

III. Réseaux des caractéristiques d’un transistor bipolaire

Caractéristique d’entrée Caractéristique de réaction

VBE = f(IB) à VCE = cst VBE = f(VCE) à IB = cst

2. Schéma de mesure des caractéristiques.

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 4

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Figure 5 : Montage de base émetteur commun.

Cette caractéristique va dépendre très peu de la tension collecteur-émetteur : on la donne en général

Figure 6 : Caractéristique d'entrée du transistor.

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Figure-7 : Caractéristique de transfert du transistor.

Figure 8 : Caractéristiques de sortie du transistor.

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 6

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Figure 8 : Réseaux de caractéristique d’un transistor

Figure 9 : Limites d'utilisation du transistor.

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 7

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IV. Polarisation du transistor

IV-1. Polarisation par une résistance de base

Figure 10 : Montage : polarisation par une résistance de base

 On détermine le courant IB en écrivant la loi d’Ohm dans la maille d’entré :

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 8

DEPARTEMENT MAINTENANCE INDUSTRIELLE

Exemple : calcul des éléments du montage en fixant un point de fonctionnement

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 9

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IB= IC /  = 1mA / 100 = 0.01 mA

IV-1. Polarisation par pont diviseur

Figure 12 : polarisation par pont diviseur

En remplaçant IC par  IB , on obtient :

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 10

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Vcc=12V, =100, RB1 =56K RB2 =10K, RE =2K, RC =10K.

Calculer le point de fonctionnement pour VBE = 0.7 V

Exemple : calcul des éléments du montage en fixant un point de fonctionnement

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 11

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VE VE 1 VCC  VCE  VE 12  5.5  1

Transistor bipolaire à jonction NPN & PNP 12

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B. Transistor en régime Dynamique (variable)

Figure 14 : Caractéristiques de sortie d’un transistor bipolaire

Pour que le fonctionnement du montage soit dans la zone d’amplification normale,

II. Transistor en régime dynamique

Figure-15 : Transistor bipolaire NPN