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考前猜題 109年中國醫後中醫-化學
考前猜題 109年中國醫後中醫-化學
普通化學 梁傑(梁家榮)老師提供
原子結構相關的公式整理:
(1) Einstein 光電效應:
(2) 光子具有的能量大小:
高
(3) 不同能量狀態之間的能量差異:
點
醫
12 12
(4) 氫原子系統能階間的能量差異:∆E = −2.178 × 10−18 J ( − )
n2final n2initial
Z2 Z2
單電子系統能階間的能量差異:∆E = −2.178 × 10−18 J ( − )
n2final n2initial
分子結構相關的公式整理:
(1) 化學鍵的偶極矩(dipole moment)計算:μ = Q × R
2-1
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氣體相關的公式整理:
(1) 各種氣體定律:
高
點
(2) 理想氣體定律(ideal gas law):PV = nRT ⇒
變形
P(MW) = DRT
(3) 道耳吞分壓定律:
醫
(4) 格拉漢擴散定律: 護
(5) 氣體動力理論:
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氣體分子的平均動能
氣體分子的速度
氣體分子的速度
(6) 氣體分子碰撞容器壁的碰撞頻率:
(7) 氣體分子彼此互相碰撞的碰撞頻率:
2-2
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:
高
(1) 晶格能分析 – Born Haber Cycle:
鍵能
M+(g) + X(g) + e
M+(g) + X2(g) + e
電子親和力
+
點 1
(a) M+1X: 注意鍵能要用 2 計算
昇華
M(g) + X2(g)
晶格能
醫 (c) M+2X−2: 注意有第一和第二游離能
M+2X−2: 注意有第一和第二電子親和力
(第二電子親和力常為吸熱)
M(s) + X2(g)
f,MX
M X (s)
護
(2) 晶體結構分析 – 布拉格繞射公式:
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(3) 立方晶系特色整理:
名稱 簡單立方 體心立方 面心立方
單位晶格體積 a3 a3 a3
單位晶格原子數 1 2 4
距離最近的原子數 6 8 12
填充效率 52.4% 68% 74%
是否為最密堆積 否 否 是
1 √3 √2
a 與 r 之關係* r= 𝑎 r= a r= a
2 4 4
*:a 為單位晶格邊長;r 為原子半徑
2-3
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(4) 立方晶系密度計算:
(5) 離子晶體中陰陽離子半徑比例與堆積方式
高
(6) 不同種類晶體的性質
點
醫
護
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2-4
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溶液相關的公式整理:
(1) 理想溶液和非理想溶液之間的比較:
溶質(A)與溶劑(B) 產生溶液時的
之間作用力比較 溶解焓(∆Hsoln) 溫度變化(∆T) 與拉午耳定律之偏差 例子
AA & BB > AB
AA & BB < AB
∆Hsoln > 0
∆Hsoln < 0
高 ∆T < 0
∆T > 0
正偏差
負偏差
乙醇+己烷
丙酮+水
點
soln solvent
(2) 拉午耳定律(Raoult’s law):Pvapor = χsolvent × Pvapor
醫
護
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Note:
mole of particles in solution
moles of solute dissolved
(4) 計算不同溫度時液體的飽和蒸汽壓大小:
P2 ∆Hvap 1 1
Clausius − Clapeyron Equation: ln =− ( − )
P1 R T2 T1
(5) 亨利定律:
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(6) 各種溶液濃度的表示法:
高
點
(7) 濃度之間的轉換:
醫
護
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熱力學相關的公式整理:
(1) 常見的熱力學過程:
定壓過程 定容過程 恆溫過程 絕熱過程 自由膨脹過程
Isobaric process Isochoric process Isothermal process Adiabatic process Free expansion
∆P = 0 ∆V = 0 ∆T = 0 q=0 P外壓 = 0
(2) 各種過程中的熱力學性質:
過程 ∆𝐄 ∆𝐇 ∆𝐒
高 𝐪 𝐰
T2 −P∆V
點
定壓 nCv ∆T nCp ∆T nCp ln qp = nCp ∆T
T1 −nR∆T
T2
定容 nCv ∆T nCp ∆T nCv ln qv = nCv ∆T 0
T1
V2
q可逆 = nRT ln
醫
V1
V2
恆溫 0 0 nR ln q對抗一定外壓 = −P外壓 ∆V w = −q
V1
q自由膨脹 = 0
絕熱 nCv ∆T nCp ∆T
∆S可逆 = 0
護
∆S對抗一定外壓 = nCp ln
T2
T1
q可逆 = 0
q對抗一定外壓 = 0 w = ∆E
V2
∆S自由膨脹 = nR ln q自由膨脹 = 0
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恆溫自由膨脹 V2
V1
0 0 nR ln q自由膨脹 = 0 0
絕熱自由膨脹 V1
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(3) 系統的熵變化計算整理:
在恆溫(Tb)時的相變化 在恆溫(Tm)時的相變化
∆Hvap ∆Hfus
∆Ssys = (可逆相變化) ∆Ssys = (可逆相變化)
Tb Tm
固體變溫過程 液體變溫過程
T2 T2
高
∆Ssys = nCsolid ln ( ) ∆Ssys = nCliquid ln ( )
T1 T1
不可逆相變化 化學反應的熵變化
(1) 分階段求出各個步驟的熵變化
∆Ssys = ∑ S ° (產物) − ∑ S ° (反應物)
(2) 加總得到整個過程的熵變化
點
−q sys
(4) 外界的熵變化計算: ∆Ssurr =
T
(5) 吉布士自由能:
∆G=∆H − T∆S
醫
0
∆Grxn = ∑ Gf0 (products) − ∑ Gf0 (reactants)
組合不同反應之∆Grxn ,求出目標反應之∆Grxn
(6) 溫度與反應自發與否之關係:
護
Case Result
∆Ssys > 0;∆Hsys < 0 Spontaneous at all temperatures
∆Ssys > 0;∆Hsys > 0 Spontaneous at high temperatures
∆Ssys < 0;∆Hsys < 0 Spontaneous at low temperature
∆Ssys < 0;∆Hsys > 0 Process not spontaneous at any temperature
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(7) 自由能與反應商數(Q)和平衡常數(K)之關係:
∆H ° 1 ∆S °
(8) 平衡常數(K)與 ΔH°和 ΔS°的關係: ln(K) = − × +
R T R
°
K2 ∆Hrxn 1 1
(9) van′ t Hoff equation:ln ( )=− [ − ]
K1 R T2 T1
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電化學相關公式整理:
(1) 電化電池的表示方式 ==> 陽極○
− |陽極電解質‖陰極電解質|陰極○
+
(2) 半反應電位計算
半電池電位 自由能(ΔG = nFE)
A(s) → A+(aq) + 1e− E1 ΔG1 = 1FE1
A+(aq) → A3+(aq) + 2e− E2 ΔG2 = 2FE1
A(s) →
(3) 電池電位計算(1) →
A3+(aq) + 3e−
計算標準狀態電池電位差
高 E3 ΔG3 =
點
計算非標準狀態電池的電位差 (3) Ecell < 0 ==> 非自發
(電解可強迫發生反應)
0 RT 0 0.059
Ecell = Ecell + log Q (若溫度為 298K 則直接用 Ecell = Ecell + log Q 計算)
nF n
醫
(1) ΔG > 0 ==> 非自發
計算標準狀態電池電位差
° ° (電解可強迫發生反應)
(4) 電池電壓計算(2) → ∆G = −nFE
(2) ΔG = 0 ==> 達平衡
計算非標準狀態電池的電位差
(3) ΔG < 0 ==> 自發
∆G = −nFE
(5) 電池位差判斷 →
電池位差判斷 →
護
使平衡向右的條件: Ecell ↑
使平衡向左的條件: Ecell ↓
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(6) 電解
陽極(備註 1) (○+ 極)析出物質: 有鹵素離子的水溶液,Cl2(備註 2)、Br2、I2 析出
(Cl−、Br−、I−被氧化)
5: 陽極(備註 1) (○
+ 極)析出物質: 只有其他陰離子的水溶液,則 O2 析出,並產生 H+
(H2O 被氧化)
備註 1: 陽極為鈍性電極(石墨或 Pt)則按照上表判斷產物;若為活性電極,則電極本身會被氧化
觀念
備註 2: 濃 NaCl(aq)則陽極產生 Cl2 (overvoltage 現象);稀 NaCl(aq)則陽極產生 O2
陰極(○
− 極)析出物質: 有低活性金屬離子的水溶液,則低活性金屬析出
2-9
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酸鹼鹽相關公式整理:
(1) 單質子酸求[H+]
強酸:[H+] = [HA]0
Ka
弱酸:[H + ] = √K a × [HA]0 且 α = √ (若解離率大於 5%,直接公式解)
高
[HA]0
(2) 多質子酸求[H+]
[H + ] = √K a1 × [HA]0
[HA2− ] = K a2
點
(多質子酸除了 H2SO4 之外皆為弱酸,直接用 Ka1 公式解)
護
(4) 兩性鹽的 pH 值計算:
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(5) 不同型式鹽類的溶解度(S)和溶度積常數(Ksp)之間的關係:
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化學動力學相關的公式整理:
(1) 不同級數之的簡單反應動力學整理:aA → Products
零級 一級 二級
Rate law Rate = k Rate = k[A] Rate = k[A]2
1 1
Integrated rate law [A] = −kt + [A]0 ln[A] = −kt + ln[A]0 = kt +
高
[A] [A]0
Plot needed to give a 1
[A] v. s. t ln[A] v. s. t v. s. t
straight line [A]
Relationship of rate
constant to the slope Slope = −k Slope = −k Slope = k
of the straight line
Half-life t 1⁄2 =
[A]0
2k
點 t 1⁄2 =
ln 2
k
t 1⁄2 =
1
k[A]0
醫
𝐸𝑎⁄
(2) Arrhenius Equation:k = A × e−( 𝑅𝑇)
k2 Ea 1 1
速率常數(k)與反應溫度之關係: ln ( ) = − [ − ]
k1 R T2 T1
護
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護
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護
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高
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護
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點
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護
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護
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護
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高
點
醫
護
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點
醫
護
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