AiP31567A Datasheet

无锡中微爱芯电子有限公司
Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd.

表 835-11 版次：B3 编号：AiP31567A-AX-XS-A043
AiP31567A
e
132 列 65 行点阵 LCD 驱动控制电路
or 产品说明书
i-c
说明书发行履历：
版本发行时间新制/修订内容
2018-05-A1 2018-05 新制
2019-08-A2 2019-08 更新模板
2019-09-B1 2019-09 修订内容
江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼第 1 页共 59 页

http://www.i-core. cn 邮编：214072 版本：2019-09-B1
1、概述
AiP31567A是一块集成了LCD控制和SEG/COM驱动端的点阵LCD驱动电路。AiP31567A电路可以
直接与微处理器进行通讯。需要显示的数据存储在内部存储器（DDRAM）中，大小为65*132bit，存
储的数据直接在LCD屏上面显示。AiP31567A电路包含132个SEG输出端、64个COMMON输出端、一
个图像公共输出端。AiP31567A电路内部集成时钟电路、以及显示电源管理电路，在驱动LCD屏时，
不需要外加时钟电路及显示电源，可大大降低电路的外围器件，同时可以降低电路的功耗。其主要特
点如下：
 单芯片LCD显示控制、驱动电路
 显示 RAM（DDRAM）
容量：65*132=8580bits
DDRAM 数据直接构成图形显示在 LCD 屏上
e
 可选的显示占空比（SEL2、SEL1）
：
1/65 占空比（00）
：65COM*132SEG
1/55 占空比（11）：55COM*132SEG
1/49 占空比（01）
or ：49COM*132SEG
1/33 占空比（10）
：33COM*132SEG
 微处理器接口
双向的 8bit 并行通讯接口：8080、6800 系列 MPU
4 线 SPI 的串行通讯接口(SPI-4)
3 线 SPI 的串行通讯接口(SPI-3)
I2C
 丰富的显示功能指令
显示开/关
i-c
普通显示及反显
设置显示的起始行
读取电路状态
显示全开
设置 LCD 的偏置
EV 控制
读-修改-写（Read-Modify-Write）设置
选择 SEG 的显示方式
省电模式
选择 COM 的显示方式
选择 V0 电压的电阻调节值（RR）
 外置的硬件复位端口（RSTB）
 内部集成的振荡电路
不需任何外围设备
 低功耗 LCD 显示电源管理电路

电荷泵（4 倍、5 倍）
LCD 工作电压 VOP 的高精度调节器
LCD 偏置电压的电压跟随器
 宽的电路工作电压范围：
VDD1-GND1=1.8V~3.3V
VDD2-GND2=1.8V~3.3V
VDD3-GND3=1.8V~3.3V
如果 LCD 屏的尺寸小于 1 寸，当 VDD2=VDD3=1.8V 时，请参考典型应用
 电路工作环境温度：-40～85℃
 封装形式：COG
e
2、功能框图及引脚说明
2.1、功能框图
or
i-c
图 1、功能框图

2.2、引脚说明
引脚符号属性功能
LCD 驱动输出引脚（注）
LCD SEG 驱动端口。
SEG 驱动电压
显示数据帧
正常显示反显
SEG0 H + VG GND
104~235 ～ O H - GND VG
SEG131 L + GND VG
L - VG GND
显示关，省电 GND GND
LCD COM 驱动端口。
e
COM 驱动电压
扫描信号帧
正常显示反显
COM0
236~267 H + XV0
～ O
71~102 H - V0
COM63
or L + VM
L - VM
显示关，省电 GND
COMS1， LCD 的图像公共输出端。
103，
COMS2 O 两个输出引脚上面的输出波形完全相同。
268
（COMS）不使用该功能时，引脚悬空。
微处理器接口引脚
4 RSTB I 硬件复位输入引脚，当为低电平时，电路复位。
片选输入引脚，低电平使能。
2 CSB I
当为高电平时，D[7:0]为高阻态。
i-c
指令和数据选择端口。
5 A0 I A0=H：D[7:0]为显示数据。
A0=L：D[7:0]为控制指令。
当 PSB 为高时，读写控制引脚。
C86 MPU 类型 RWR 描述
读写控制引脚
H 6800 系列 R/W R/W=H：读
6 RWR I R/W=L：写
写使能输入引脚
L 8080 系列 /WR D[7:0]上的数据在/WR 上升沿时
被锁存
RWR 在串行通讯时不使用，将其短接到 VDD1 或 VDDH。
当 PSB 为高时，读写控制引脚。
C86 MPU 类型 ERD 描述
读写控制引脚
7 ERD I R/W=H：当 E 为高时，D[7:0]为输
H 6800 系列 E 出端口
R/W=L：D[7:0]上的数据在 E 的下
降沿被锁存

读使能输入引脚
L 8080 系列 /RD
/RD 为低时，D[7:0]为输出端口
ERD 在串行通讯时不使用，将其短接到 VDD1 或 VDDH。
与微处理器通讯的 8bit 数据端口。
I/O
当 CSB 为高时，D[7:0]为高阻态。
串行通讯接口。
D0=SCL：串行时钟输入。
9~15，
17 D[7:0] D1=SDA_IN：串行数据输入。
I D[2:3]=SDA_OUT：串行数据输出。
D[1:3]必须接在一起作为 SDA。
D[4:7]=(1,1,1,1):ID PIN,应该连在 VDDH 或 GNDL。
在串行通讯时，从 D[0:7]可以读出 4-bit ID。
功能配置引脚
e
3，8 VDDH O 功能配置引脚使用的逻辑高电平。
16，56，
GNDL O 功能配置引脚使用的逻辑低电平。
62，66
61 PSB I 串行/并行通讯选择引脚。
59 C86 I 选择微处理器接口模式。
63
or SI2 I
选择微处理器接口。
SI2
L
L
L
L
PSB
L
L
H
H
C86
L
H
L
H
选择类型
3 线串行 SPI
4 线串行 SPI
8080 系列并行通讯
6800 系列并行通讯
H L X I2C 串行通讯
选择电路的占空比及偏置模式。
i-c
SEL2 SEL1 占空比偏置
L L 1/65 1/9 或 1/7
65，67 SEL[2:1] I L H 1/49 1/8 或 1/6
H L 1/33 1/6 或 1/5
H H 1/55 1/8 或 1/6
高功耗模式选择端。
58 TSEL I TSEL=L，模式关(1.6V≤VG≤VDD2-0.2V)。
TSEL=H，模式开(VDD2-0.2V≤VG≤3.8V)。
电源引脚
18，19，
VDD1 P 数字电源，如果 VDD1=VDD2，外部与 VDD2 短接。
68
20~22，
VDD2 P 模拟电源，如果 VDD1=VDD2，外部与 VDD1 短接。
69
23，70 VDD3 P 基准模块电源。
24，25 GND1 P 数字地，外部与 GND2 短接。
27~29 GND2 P 模拟地，外部与 GND1 短接。
26 GND3 P 基准模块地。
LCD 驱动在负帧时输出到 COM 端口的电压。

33，34 V0O V0O 为 V0 校准的输出端，V0I 为 COM 模块的输入端。
P
30~32 V0I V0≥VG＞VM＞GND≥XV0。
V0O、VOI 应该连在一起。
LCD 驱动在正帧时输出到 COM 端口的电压。
35，36 XV0O
P XV0O 为 XV0 校准的输出端，XV0I 为 COM 模块的输入端。
37~39 XV0I
XV0O、XV0I 应该连在一起。
LCD 驱动输出到 SEG 端口的电压。
45 VGO
P VGO 为 VG 校准的输出端，VGI 为 SEG 模块的输入端。
42~44 VGI
VGO、VGI 应该连在一起。
40，41 VMO P LCD 驱动输出到 COM 端口的电压，0.8V≤VM＜VG。
测试引脚
55 VREF T 测试电路内部基准，悬空。
e
50~54，
T1~T8 T 测试使用，悬空。
46~47
49 TFCOM T 测试使用，悬空。
1 or CL 测试 RC 时钟使用，悬空。
T
注：在 VDD1 上电后，与微处理器接口的任何引脚都不能悬空。
2.3、推荐的 ITO 阻抗
管脚名称 ITO 阻抗
VMO，VREF，T[1:8]，TFCOM，CL 悬空
VDD1，VDD2，VDD3 <100Ω
GND1，GND2，GND3 <70Ω
V0(V0I，V0O)，VG(VGI，VGO)，XV0(XV0O，XV0I) <200Ω
i-c
A0，RWR，ERD，CSB，D[7:0] <700Ω
PSB，C86，SEL[2:1]，SI2，TSEL <5kΩ
D[0:3]（I2C 时） <100Ω
D[0:3]（SPI 时） <300Ω
RSTB 2~3kΩ
注： 1、为了防止内部寄存器受到 ESD 冲击，应该增大 RSTB 的阻抗（串联一个电阻或加大 ITO 的
电阻）
。这是与其他管脚有所区别的。
2、需要设置为高时，应该连接到 VDD1 或 VDDH。
3、需要设置为低时，应该连接到 GND1 或 GNDL。

3、电特性
3.1、极限参数
（除非另有规定，Tamb=25℃。）
参数名称符号条件额定值单位
数字电源电压 VDD1 — -0.3 ~ 4.0 V
模拟电源电压 VDD2，VDD3 — -0.3 ~ 4.0 V
LCD 电源电压 V0-XV0 — -0.3 ~ 18 V
输入电压 VIN — -0.3 ~ VDD1+0.3 V
工作环境温度 Tamb — –40 ~ +85 ℃
贮存温度 Tstg — –55 ~ +125 ℃
注：1、V0，VDD2，VG，VM，GND和XV0的匹配关系：V0 ≥ VDD2 > VG > VM > GND ≥ XV0。
e
2、VIN要不超过3.6V（VIN≤3.6V）。
VO
or VDD
GND
系统（MPU）
VDD
GND
VG、VM
GND
芯片 XVO
i-c
图 2、电压关系图
3.2、电气特性
3.2.1、直流参数 1
（除非另有规定，Tamb=-40℃～+85℃，GND=0V。
）
规范值单对应
参数名称符号测试条件
最小典型最大位端口
工作电压（1） VDD1 — 1.7 — 3.6 V VDD1
工作电压（2） VDD2 — 1.7 — 3.6 V VDD2
工作电压（3） VDD3 — 1.7 — 3.6 V VDD3
输入高电平电压 VIHC — 0.7VDD1 — VDD1 V MPU 接口
输入低电平电压 VILC — GND1 — 0.3VDD1 V MPU 接口
输出高电平电压 VOHC IOUT=1mA，VDD1=1.8V 0.8VDD1 — VDD1 V D[7:0]
输出低电平电压 VOLC IOUT=-1mA，VDD1=1.8V GND1 — 0.2VDD1 V D[7:0]

输入漏电流 ILI — -1.0 — 1.0 uA MPU 接口

输出漏电流 ILO — -3.0 — 3.0 uA MPU 接口
VOP=8.5V，
— 0.6 0.8 kΩ COMx
ΔV=0.85V
LCD 导通电阻 RON Tamb=25℃
VG=1.9V，
— 1.3 1.5 kΩ SEGx
ΔV=0.19V
占空比=1/65，VOP=8.5V，
帧频 FR 70 75 80 Hz —
Tamb=25℃
LCD 驱动电压 VLCD Tamb=25℃ 4.0 — 13.65 V V0-XV0
3.2.2、直流参数 2
电流损耗：开显示，内部电源工作，整个裸芯片的电流损耗。
规范值
e
工作状态符号测试条件单位
最小典型最大
VDD1=VDD2=VDD3=3.0V，倍压 X5，
显示：Black（静态） ISS — 80 130 uA
VOP= 8.5V，Bias=1/9，Tamb=25℃
VDD1=VDD2=VDD3=3.0V，倍压X5，
显示关 ISS — 70 110 uA
or
静态电流
3.2.3、交流参数 1
6800系列MPU总线接口时序参数
A0
ISS
VOP= 8.5V，Bias=1/9，Tamb=25℃
VDD1=VDD2=VDD3=3.0V，Tamb=25℃
tAW6 tAH6
— 1.0 3.0 uA
R/W
CSB
i-c
tCYC6
tEWHW tEWLW
tEWHR tEWLR
tr tf
E tDS6 tDH6
D[7：0]
（写）
tACC6 tOH6
D[7:0]
(读)
图 3、交流参数 1
(VDD1 = 3.3V，Tamb=25℃)
规范值
参数名称对应端口符号测试条件单位
最小最大
地址建立时间 tAW6 — 0 —
A0
地址保持时间 tAH6 — 10 — ns
系统周期时间 E tCYC6 — 240 —

使能 L 脉冲宽度（写） tEWLW — 80 —
使能 H 脉冲宽度（写） tEWHW — 80 —
使能 L 脉冲宽度（读） tEWLR — 80 —
使能 H 脉冲宽度（读） tEWHR — 140 —
写数据建立时间 tDS6 — 40 —
写数据保持时间 tDH6 — 10 —
D[7:0]
读数据允许时间 tACC6 CL = 16 pF — 70
读数据输出禁止时间 tOH6 CL = 16 pF 5 50
(VDD1 = 2.8V，Tamb =25℃)

规范值
e
最小最大
A0
地址保持时间 tAH6 — 0 —
系统周期时间 tCYC6 — 400 —
or
使能 L 脉冲宽度（写）
使能 H 脉冲宽度（写）
使能 L 脉冲宽度（读）
使能 H 脉冲宽度（读）
写数据建立时间
E
tEWLW
tEWHW
tEWLR
tEWHR
tDS6
—
—
—
—
—
220
180
220
180
40
—
—
—
—
—
ns
D[7:0]
i-c
(VDD1 = 1.8V，Tamb=25℃)
规范值
最小最大
A0
使能 L 脉冲宽度（写） tEWLW — 360 —
使能 H 脉冲宽度（写） E tEWHW — 280 —
ns
使能 L 脉冲宽度（读） tEWLR — 360 —
使能 H 脉冲宽度（读） tEWHR — 280 —
写数据保持时间 D[7:0] tDH6 — 20 —
读数据允许时间 tACC6 CL = 16pF — 240

读数据输出禁止时间 tOH6 CL = 16pF 10 200

注：1、输入信号的上升下降时间(tr, tf)要≤15 ns。当系统周期时间非常快时，要满足如下要求：(tr + tf)
≦ (tCYC6 – tEWLW – tEWHW)，(tr + tf) ≦ (tCYC6 – tEWLR – tEWHR)。
2、所有时序测试的参考电压为20% VDD1到80% VDD1。
3、tEWLW和tEWLR定义的是CSB为低电平时与E的交叠时间。
3.2.4、交流参数 2
8080系列MPU总线接口时序参数
tAW8 tAH8
A0
CSB
e
tCYC8
tCCLW tCCHW
/WR
/RD tCCLR tCCHR
tr tf
tDS8 tDH8
D[7:0]
or
（写）
D[7:0]
(读)
(VDD1 = 3.3V，Tamb=25℃)
tACC8
图4、交流参数2
tOH8
规范值
最小最大
i-c
A0
/WR L 脉冲宽度（写） /WR tCCLW — 80 —
/WR H 脉冲宽度（写） tCCHW — 80 —
/RD L 脉冲宽度（读） tCCLR — 140 — ns
RD
/RD H 脉冲宽度（读） tCCHR — 80 —
D[7:0]

(VDD1 = 2.8V，Tamb=25℃)
规范值
最小最大
A0
/WR H 脉冲宽度（写） tCCHW — 180 —
RD
e
D[7:0]
or
(VDD1 = 1.8V，Tamb=25℃)
参数名称
地址建立时间
地址保持时间
系统周期时间
对应端口
A0
符号
tAW8
tAH8
tCYC8
测试条件
—
—
—
最小
0
0
640
规范值
最大
—
—
—
单位

— —
i-c
/WR H 脉冲宽度（写） tCCHW 280
RD
D[7:0]
注：1、输入信号的上升下降时间(tr, tf)要≤15 ns。当系统周期时间非常快时，要满足如下要求：
(tr + tf) ≦ (tCYC8 – tCCLW – tCCHW) ，(tr + tf) ≦ (tCYC8 – tCCLR – tCCHR)。
2、所有时序测试的参考电压为20%VDD1到80%VDD1。
3、tCCLW和tCCLR定义的是CSB为低电平时与WR及RD为低电平时的交叠时间。

3.2.5、交流参数 3
4线SPI时序参数
tCSS tCSH
CSB
tSAS tSAH
A0
tSCYC
tSLW tSHW
SCL
tr tf
tSDS tSDH
SDA 第一位最后一位
图 5、交流参数 3
e
(VDD1 = 3.3V，Tamb=25℃)
规范值
最小最大
or
串行时钟周期
SCL低电平脉宽
SCL高电平脉宽
地址建立时间
地址保持时间
SCL
A0
tSCYC
tSHW
tSLW
tSAS
tSAH
—
—
—
—
—
50
25
25
20
10
—
—
—
—
— ns
数据建立时间 tSDS — 20 —
SDA
数据保持时间 tSDH — 10 —
i-c
CSB 到 SCL 时间 tCSS — 20 —
CSB
CSB 到 SCL 时间 tCSH — 40 —
(VDD1 = 2.8V，Tamb=25℃)
规范值
最小最大
串行时钟周期 tSCYC — 100 —
SCL低电平脉宽 SCL tSHW — 50 —
SCL高电平脉宽 tSLW — 50 —
地址建立时间 tSAS — 30 —
A0
地址保持时间 tSAH — 20 — ns
SDA
CSB

(VDD1 = 1.8V，Tamb=25℃)
规范值
最小最大
地址建立时间 tSAS — 60 —
A0
地址保持时间 tSAH — 30 — ns
SDA
e
CSB
注：1、输入信号的上升下降时间(tr，tf)要≤15ns。
2、所有时序测试的参考电压为20%VDD1到80%VDD1。
or
3.2.6、交流参数 4
3线SPI时序参数
i-c
（VDD1=3.3V，Tamb=25℃）
规范值
最小最大
数据建立时间 tSDS — 20 — ns
SDA
CSB

规范值
最小最大
SDA
CSB
e
规范值
or 最小最大
SDA
CSB
i-c
3.2.7、交流参数 5
I2C串行时序参数

规范值
最小最大
SCL时钟频率 tSCL — — 400 kHz
SCL低电平脉宽 SCL tLOW — 160 —
SCL高电平脉宽 tHIGH — 60 —
DATA建立时间 tSU;DAT — 80 —
DATA保持时间 tHD;DAT — 40 —
ns
START建立时间 tSU;STA — 90 —
SDA
START保持时间 tHD;STA — 220 —
STOP建立时间 tSU;STO — 110 —
e
STOP到START总线空闲时间 tBUF — 150 —
规范值
or
SCL时钟频率
SCL低电平脉宽
SCL高电平脉宽
DATA建立时间
DATA保持时间
SCL
tSCL
tLOW
tHIGH
tSU;DAT
tHD;DAT
—
—
—
—
—
最小
—
160
60
80
40
最大
400
—
—
—
—
kHz
ns
START建立时间 tSU;STA — 90 —
SDA
— —
i-c
START保持时间 tHD;STA 220
STOP建立时间 tSU;STO — 110 —
STOP到START总线空闲时间 tBUF — 150 —
3.2.8、交流参数 6
硬件复位时序参数
tRW
RSTB
tR
内部状态正在复位复位结束

(VDD1 = 3.3V，Tamb=25℃)
规范值
参数名称符号测试条件单位
最小最大
VDD1 = 3.3V — 1.0
复位时间 tR VDD1 = 2.8V — 2.0
VDD1 = 1.8V — 3.0
us
VDD1 = 3.3V 1.0 —
RESET L 脉冲宽度 tRW VDD1 = 2.8V 2.0 —
VDD1 = 1.8V 3.0 —
e
4、功能介绍
4.1、MPU 通讯
4.1.1、电路输入接口选择
CSB 脚是电路的片选端。当 CSB 为低电平时，AiP31567A 可以与 MPU 进行通信。当 CSB 为高
or
电平时，A0、ERD 和 RWR 等输入端通讯被截止且 D[7:0]为高阻状态。在 4 线串行通讯模式下，当
CSB 为高电平时，内部移位寄存器和串行计数器均复位。
4.1.2、通讯接口的选择
通信接口的选择是通过 PSB、C86、SI2 来控制的。对应的选择模式如下表所示：
SI2 PSB C86 CSB A0 ERD RWR D[7:0] MPU 的接口方式
L L L — — — 3 线 SPI
串行接口
i-c
L L H — — 4 线 SPI
CSB
L H L A0 /RD /WR 8080 并行
D[7:0]
L H H E R/W 6800 并行
H L X — — SA0 SA1 串行接口 I2C 串行
注：1、被标注为“—”的引脚必须要短接到高电位，VDD1、VDDH。
2、被标注为“X”的引脚可以接高电位也可以接低电位。
4.1.3、并行接口
当 PSB 为高电平时，可以通过 8 位并行接口进行通讯，且微处理器的型号可以通过 C86 来进行
选择，如下表所示：
PSB C86 CSB A0 ERD RWR D[7:0] MPU 接口方式
H L /RD /WR 8080 并行
CSB A0 D[7:0]
H H E R/W 6800 并行

数据传输类型可以由 A0、ERD 和 RWD 来决定，由下表所示：

公共端口 6800 并行通讯 8080 并行通讯
描述
CSB A0 E(ERD) R/W(RWR) /RD(ERD) /WR(RWR)
H H H L H 显示数据读取
H H L H L 显示数据写入
L
L H H L H 内部状态读取
L H L H L 指令写入
4.1.4、串行通讯
设置串行接口
通讯模式 SI2 PSB C86 CSB A0 ERD RWR D[7:0]
e
ID3，ID2，ID1，ID0，
3 线 SPI 串行通讯 L L L CSB — — —
SDA，SDA，SDA，SCL
4 线 SPI 串行通讯 L L H CSB A0 — —
or SDA，SDA，SDA，SCL
I2C 串行通讯 H L X — — SA0 SA1
SDA，SDA，SDA，SCL
注：1、被标注为“—”的引脚必须要短接到高电位，VDD1、VDDH。
2、C86 被标注为“X”
，可以接高电位也可以接低电位。
4.2、4 线 SPI 串行（SI2=L，PSB=L，C86=H）

当 CSB 为低电平时，AiP31567A 可以进行通信，串行数据（SDA）和串行时钟（SCL）开始工作。
当 CSB 为高电平时，AiP31567A 无法进行通信，内部的 8 位移位寄存器和 3 位的计数器均被复位。
i-c
当电路处于串行模式时，SDA 上面的数据在 SCLK 的上升沿被存储在移位寄存器中，在第八个时钟的
上升沿时将 A0 端口的信号存储，同时产生一个脉冲信号，将串行数据转换为并行数据，之后数据的
处理与并行信号完全一致。在 DDRAM 存取每个字节之后，DDRAM 列地址指针会自动加一。SCL
的抗干扰性是非常重要的，外部的噪声会导致其有异常的数据或命令出现。
CSB
SDA D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 D7
SCLK
1st 2nd 3rd 4th 5th 6th 7th 8th
A0
图 9、4 线 SPI 时序
注：当处于省电模式或硬件复位后，一些微处理器通常会处于高阻抗状态。而当 AiP31567A 的 VDD1
端导通时，这是不允许的，因为这会导致电路的浮空输入端出现异常状态。

4.3、3 线 SPI 串行（SI2=L，PSB=L，C86=L）

3 线 SPI（9bit）使用 3 个端口（CSB,SDA,SCL）和 MPU 相连。当 CSB=L 时，IC 被使能。串行
数据在时钟的上升沿被锁存。内部移位寄存器连续接收数据并在第 9 个时钟后定义为 8bit 格式。当
CSB=H 时，IC 不被使能并且内部移位寄存器和计数器复位。每个 9bit 数据的第一个 bit 即 A0，决定
是传输的是数据/指令寄存器。
3 线 SPI 写数据（A0=1）
e
图 10、3 线 SPI 写数据
or
3 线 SPI 写命令（A0=0）
i-c
图 11、3 线 SPI 写命令
4.4、I2C 串行（SI2=H，PSB=L，C86=X）
I2C 总线可以在不同的 IC 和模块间进行两线通讯。两条总线为一条串行数据线（SDA）和一条串
行时钟线（SCL）。当总线不忙时，SDA 和 SCL 两条总线必须连接上拉电阻，数据只能在总线不忙时
被传送。
图 12、I2C 数据传输

图 13、开始、停止信号
系统配置如下图所示，一些说明如下：
Transmitter：发送数据到总线的器件。
Receiver：接收总线数据的设备。
e
Master：转移产生的时钟信号和终止。
Slave：由主机控制。
Multi-Master：超过一个主机可以尝试没有同步信号控制总线。
Arbitration：确保如果超过一个主机同时控制总线，只能有一个被允许。
or
Synchronization：同步两个或两个以上的时钟信号。
i-c
图 14、系统配置
4.4.1、应答信号
每个字节 8bit 后紧接着一个应答 bit。应答的高信号是主机在额外的时钟产生的。一个从机在接
收每个字节后必须生成一个应答信号，该设备在应答信号时钟脉宽内必须将 SDA 拉低，保证在应答
信号的时钟周期内 SDA 是稳定的低状态（建立时间和保持时间必须考虑）。
图 15、应答信号
4.4.2、I2C 通讯协议
AiP31567A 支持在总线上写入指令、数据。在每个数据传输之前，设备应首先回应一个地址。
AiP31567A 有 4 个 7bit 从机地址（0111100，0111101，0111110，0111111）
。最后 2bit 从机地址由 SA0
和 SA1 置为逻辑 0（GNDL）或逻辑 1（VDDH）来决定。通讯格式如下图：
e
C0
0
1
or
在数据之后其他的控制字节也被允许。
图 16、I2C 通讯协议
最后控制字节：后面只有一个字节被允许。只能被停止或重启终止。
在主机 I2C 的 START 信号开始后，紧跟一个从机地址。所有的从机通过从机地址来返回 ACK 应

答，其他的设备将会忽略 I2C 的传输。在 ACK 应答之后，一个或多个命令来控制从机的状态，命令
i-c
包括一个控制字节（定义了 C0 和 A0）和一个数据字节。
最后一个控制字节标记了一个清空位（C0）
。在一个控制字节清空了 C0 位后，后面只有一个字
节被允许。紧跟着的数据是作为命令还是 RAM 的数据由 A0 的状态决定。总线上所有的从机在控制
命令和数据字节后也要返回 ACK 应答信号。
如果最后一个控制字节的 A0 位被设置为逻辑 1，接下来的数据（显示数据）会被存储在显示 RAM
的数据寄存器指定的的地址中。数据指针自动更新数据指向 AiP31567A。如果最后一个控制字节的
A0 位被设置为逻辑 0，接下来的数据（命令数据）会根据解码来改变 AiP31567A 的设置。
只有从机应答了每个字节之后，最终总线上主机发送一个 STOP 信号。如果在每个字节后没有生
成 ACK 应答，那么主机停止传输数据。
4.5、数据传输
AiP31567A 使用总线锁存和内部数据总线进行接口数据传输。在从 MPU 向 DDRAM 写数据时，
数据自动从总线锁存传输至 DDRAM，如图当从片内 DDRAM 读数据到 MPU 时，第一个读周期读取
总线锁存的内容(空读)，在下一个读周期才输出 MPU 应该读取的数据，如图 18，这表示，设置完目
标地址后，在接下来的读操作之前需要有一个空闲的读周期。因此，一些要求精确的数据无法在设置
完目标地址的第一个读周期读取，但是可以在第二个读周期读取。
写
/WR
MPU
DATA N N+1 N+2 N+3
总线
锁存 N N+1 N+2 N+3
内部时序
写信号
图 17、数据传输：写
e
or
i-c
图 18、数据传输：读
注： 8080 并行：8-bit
6800 并行：8-bit
3 线串行：1-bit
4 线串行：1-bit
I2C 串行：8-bit
4.6、显示数据
AiP31567A 电路内建有 65*132bit 的 RAM 用于存储显示数据，显示数据 RAM（DDRAM）存储
了 LCD 的点数据，可以通过设定 132 列和 65 行来控制显示。DDRAM 与 LCD 屏及通讯地址的对应
关系如图 19。当处于 MPU 通讯模式时，当处于 LCD 显示模式时，DDRAM 被分为 65 行，每行 132bit
数据，其中行又以页来划分，第 0 页～第 7 页每页有 8 行（对应 COM0～63）
，第 8 页仅有一行（对
应 COMS，用作图像显示）
。显示数据(D7～D0)对应 LCD 的 COM 行方向，D0 在首位。除图像页外，

其余所有页都可以通过 D7 ～D0 直接存取。图像 RAM 只需使用数据总线的 D0 这一位。见图 20。

MPU 可以通过 I/O 总线来进行读写操作。由于 LCD 驱动器可独立操作，数据进行显示时可以同步写
入数据，不会导致 LCD 闪烁或者数据冲突。
D0 1 0 1 0 0 COM0
D1 0 1 0 1 0 COM1
D2 0 0 0 0 0 COM2
D3 0 0 1 1 0 COM3
D4 1 1 0 0 0 COM4
显示数据RAM 液晶显示
e
图 19、DDRAM 的数据与显示屏的对应关系
or
图 20、读写地址与 DDRAM 的对应关系
i-c
4.7、寻址
AiP31567A 的显示数据 RAM 为 132bit*65，地址范围为：X=0～131（列地址）,Y=0～8（页地址）
。
在该范围之外的数据是无效的。
4.7.1、页地址电路
此电路由一个 4 位页地址寄存器组成，只能通过“设置页地址”指令进行修改，能提供 DDRAM
的页面数据。页地址必须在存取 DDRAM 内容前进行设置，页地址 8 是一个用于图像显示的特殊 RAM
区，只有一个合法操作位：D0。
4.7.2、列地址电路
DDRAM 的列地址是由“设置列地址”指令来设置的。列地址在每次显示数据存取（读/写）后会
加 1，因此 MPU 可连续存取 DDRAM 的内容，但由于页地址电路和列地址电路是独立的，此特性只
能执行至每一页页尾（列地址“83H”）。例如，从（页-0，列 -83H）到（页-1，列 -0），需要对页地
址和列地址均重新赋值来改变 DDRAM 指针。
此外，寄存器 MX 和 MY 可以颠倒 DDRAM 与输出（COM/SEG）的关系，在改变 MX 的设置后，
必须重新将显示数据写入到 DDRAM 里。

e
or
i-c
图 21、选择 1/65 占空比时 DDRAM 的数据与 SEG、COM 的对应关系

e
or
i-c

e
or
i-c

e
or
i-c

4.7.3、行地址电路
行地址电路由一个计数器和一个行地址寄存器组成，行地址寄存器由“设置起始行”指令来设置。
此电路赋值给 DDRAM 一个行地址，作为显示的第一行（COM0）。因此，通过重复设置行地址，
AiP31567A 可以不改变 DDRAM 内容来实现屏幕的滚动。如图 25 所示。最后一个行始终是 COMS（用
作图像的行输出），即图像不会和通常的显示数据一起滚动。
e
or
i-c
图 25、 DDRAM 数据与起始行的对应关系

4.8、显示数据锁存电路
显示数据锁存电路将每个 segment 要输出的显示数据进行暂存，然后在下一个时钟输出。象反显、
显示关和显示所有点打开这类特殊操作只会改变锁存器里的数据，而 DDRAM 里的内容不会改变。
4.9、振荡电路
AiP31567A 内建振荡电路来产生液晶驱动电路需要的系统时钟。在 AiP31567A 初始化后振荡电路
被激活。为降低电源损耗，时钟不会被输出。
4.10、液晶驱动电源电路
AiP31567A 内建电源电路来产生驱动液晶的电压。电路采用最少的外围元件以降低电源损耗。内
建的电源电路包括电压倍压器、电压调整器和电压跟随电路。在 AiP31567A 断电前需要一个电源关闭
e
时序。
4.11、电源电路的外围元件
推荐的电源外围元件只有两个电容。这两个电容的具体值由屏的尺寸和负载决定。
or 电路内部外围
VO VO
产生模块
R1
C2
VG VG
产生模块
VDD2 C1
i-c
GND GND
XVO XVO
产生模块
图 26、电源电路（C1、C2、R1 可以省略）
注：
1、如果屏幕尺寸超过 2”或重负载，C1 和 C2 必须连接。
2、如果使用 icon，C1 和 C2 必须连接。
3、如果模块掉电异常或不按顺序掉电，电阻 R1 可根据屏的显示效果连接。
4、外接器件的值：
C1=0.1uF~0.47uF（无极性、耐压 25V，或省略）
C2=0.1uF~0.47uF（无极性、耐压 6V，或省略）
R1=500kΩ~1MΩ（可以省略）
为了避免 LCD 屏显示差异，电容值要根据 LCD 的规格来决定。
5、高功耗（High Power）模式下，C2 必须连接。

4.12、调整器电路
AiP31567A 内建高精度调整器电路，共 8 种调节比率（regulation ratio—RR）,每种 RR 有 64 个
EV 电平进行电压调节。无需额外的外围元件，输出电压可以通过“RR 设置”和“EV 设置”指令进
行改变。指令描述部分有详细的设置方法。
4.13、复位电路
AiP31567A 由 RSTB 端口置低对电路内部进行初始化。当 RSTB 置低时除读状态指令有效，其余
均无效。操作前需要通过 RSTB 脚对电路进行初始化。硬件复位与软件复位不同，当 RSTB 变为低，
硬件复位程序就会启动；当执行 RESET 指令后，软件复位程序就会启动。
寄存器 RSTB 硬件复位值 RESET 软件复位值
e
显示关闭：D=0，所有 SEG 和 COM 输出均为低 V X
正常显示：INV=0，AP=0 V X
SEG 正常显示，MX=0 V X
串行计数器和移位寄存器清零（若使用了串行接口）
or V X
偏置选择：BS=0 V X
倍压幅度：BL=0 V X
退出节电模式 V X
关闭电源控制：VB=0，VR=0，VF=0 V X
N-Line NL[4:0]=(0,1,1,0,0) V X
扩展指令设置：Mode=0 V X
显示模式设置：DSM=0 V X
占空比：DT[3:0]=（0,0,0,0） V X
i-c
设置偏置：BA[2:0]=（0,0,0） V X
设置帧频：FR[2:0]=（0,0,0） V X
退出读写修正模式 V V
起始行：S[5]=0 V V
行地址：X[7:0]=0 V V
页地址：Y[3:0]=0 V V
COM 正常显示方式：MY=0 V V
V0 调整率：RR[2:0]=(1,0,0) V V
EV[5:0]=(1,0,0,0,0,0) V V
上电后，RAM 数据未定义，显示状态为“显示关”
。在显示打开之前最好初始化整个 DDRAM（如：
填写全 00H 或写显示图案）。此外，电源刚打开时不稳定，当电源稳定之后需要进行硬件复位对内部
寄存器进行初始化。

4.14、指令描述
4.14.1、通用指令表
序 A R/ 指令位
指令描述
号 0 W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
D=1，显示开
1 显示开/关 0 0 1 0 1 0 1 1 1 D
D=0，显示关
2 设置起始行 0 0 0 1 S5 S4 S3 S2 S1 S0 设置显示的起始行
3 设置页地址 0 0 1 0 1 1 Y3 Y2 Y1 Y0 设置页地址
0 0 0 0 0 1 X7 X6 X5 X4 设置列地址高位（MSB）
4 设置列地址
0 0 0 0 0 0 X3 X2 X1 X0 设置列地址低位（LSB）
5 读状态 0 1 0 MX D RST 0 0 0 0 读取 IC 的状态
e
6 写数据 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 对 DDRAM 写数据
7 读数据 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 读取 DDRAM 的数据
设置 SEG 的扫描方向
8 SEG 显示方式 0 0 1 0 1 0 0 0 0 MX MX=1，显示左右颠倒
10
反显
屏全亮
or 0
0
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
0
0
1
1
1
0
INV
AP
MX=0，普通显示
INV=1，反显
INV=0，普通显示
AP=1，屏全部点亮
AP=0，普通显示
偏置选择
11 偏置选择 0 0 1 0 1 0 0 0 1 BS
1=1/7(1/65 占空比)
0=1/9；
i-c
列地址增量：
12 读-修改-写 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0
读：+0，写：+1
13 结束 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 退出读-修改-写模式
14 复位 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 软件复位
设置 COM 的扫描方向
15 COM 扫描方式 0 0 1 1 0 0 MY — — — MY=1，上下颠倒
MY=0，普通显示
设置内置电源
16 电源控制 0 0 0 0 1 0 1 VB VR VF
管理电路的工作
17 RR 设置 0 0 0 0 1 0 0 RR2 RR1 RR0 选择 RR 电阻范围
0 0 1 0 0 0 0 0 0 1 双行指令
18 EV 设置
0 0 0 0 EV5 EV4 EV3 EV2 EV1 EV0 设置 EV 等级
0 0 1 1 1 1 1 0 0 0 双行指令,设置倍压等级：
19 设置倍压 BL=0：4 倍
0 0 0 0 0 0 0 0 0 BL
BL=1：5 倍

20 省电模式 0 0 复用指令显示关+屏全亮

21 空操作 0 0 1 1 1 0 0 0 1 1 不执行操作
0 0 1 0 0 0 0 1 0 1
22 设置 N-Line 设置 N-Line 翻转
0 0 0 0 0 NL4 NL3 NL2 NL1 NL0
23 退出 N-Line 0 0 1 0 0 0 0 1 0 0 退出 N-Line 翻转
0 1 1 1 1 1 1 1 0 0
24 SPI 读状态 SPI 读状态命令
0 1 0 MX D RST ID3 ID2 ID1 ID0
0 1 1 1 1 1 1 1 0 1
25 SPI 读 DDRAM SPI 读 DDRAM 命令
1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
R/ 指令位
e
序号指令 A0 描述
W D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Mode=1：进入扩展指令
扩展指令 0 0 1 1 1 1 1 1 1 Mode
Mode=0；退出扩展指令
高功耗
（1）
（2）
模式开
高功耗
模式关
显示模
or 0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
0
1
1
0
0
0
1
1
1
—
DT3
1
0
—
DT2
BA2
0
1
1
DSM
DT1
BA1
1
0
DT0
BA0
进入高功耗模式
退出高功耗模式
复合命令
DSM=1：进入模式设置
DSM=0：退出模式设置
（3）
式设置 DT[3:0]占空比
i-c
0 0 1 0 0 1 1 FR2 FR1 FR0 BA[2:0]偏置电压
FR[2:0]显示帧频
注：
1、标记为“—”的表示可以为“H”或“L”。
2、禁止使用不在表中的命令。
4.14.2、显示开/关
A0 R/W(RWR) D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 0 1 0 1 0 1 1 1 D
D=1，显示开。
D=0，显示关，所有的 SEG、COM 端口被置为 0 电平。

4.14.3、设置起始行
0 0 0 1 S5 S4 S3 S2 S1 S0
设置起始行的作用是选择 DDRAM 中被 S[5:0]指定的显示数据在 COM0 上面进行显示，其余的数
据按照地址自加进行循环，用于设置画面的滚动效果。
S5 S4 S3 S2 S1 S0 显示地址
0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 1 1
0 0 0 0 1 0 2
0 0 0 0 1 1 3
e
· · · · · · ·
· · · · · · ·
1 1 1 1 0 1 61
1 or 1 1 1 1 0 62
1 1 1 1 1 1 63
4.14.4、设置页地址
0 0 1 0 1 1 Y3 Y2 Y1 Y0
Y3 Y2 Y1 Y0 页地址数据的有效位
0 0 0 0 第0页 D0~D7
i-c
0 0 0 1 第1页 D0~D7
0 0 1 0 第2页 D0~D7
· · · · · ·
· · · · · ·
0 1 1 0 第6页 D0~D7
0 1 1 1 第7页 D0~D7
1 0 0 0 第 8 页（icon 页） D0
4.14.5、设置列地址
0 0 0 0 0 1 X7 X6 X5 X4
0 0 0 0 0 0 X3 X2 X1 X0
行地址可选择的范围为 0~131，需要采用两条指令才能够完全设置完成。

X7 X6 X5 X4 X3 X2 X1 X0 行地址
0 0 0 0 0 0 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 1 1
0 0 0 0 0 0 1 0 2
· · · · · · · · ·
· · · · · · · · ·
1 0 0 0 0 0 0 1 129
1 0 0 0 0 0 1 0 130
1 0 0 0 0 0 1 1 131
e
4.14.6、读状态
0 1 0 MX D RST 0 0 0 0
MX=0：普通显示模式（SEG0->SEG131）
or 。
MX=1：左右颠倒显示模式（SEG131~SEG0）。
。
D=0：显示开（与设置显示开启状态寄存器值相反）
。
D=1：显示关（与设置显示开启状态寄存器值相反）
。
RST=1：处于电路复位状态（硬件复位或软件复位）
RST=0：正常工作模式。
4.14.7、写数据
i-c
1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
当地址设置完成之后，MPU 可以连续的对 DDRAM 进行写数据操作，但当一页写完之后，必须
重新设置 X、Y 地址才可以进行下一页数据的写操作，否则在 X 地址溢出之后将会覆盖原输入数据。
4.14.8、读数据
1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
当地址设置完成之后，MPU 可以连续的读取 DDRAM 中的数据，但当读取完一页数据后也需要
重新设置 X、Y 地址，才可以进行下一页数据的读取。
4.14.9、SEG 显示方式
0 0 1 0 1 0 0 0 0 MX
MX=0：普通显示模式（SEG0->SEG131）。
MX=1：左右颠倒显示方式（SEG131~SEG0）。

4.14.10、反显
0 0 1 0 1 0 0 1 1 INV
INV=0：普通显示模式。
INV=1：反转显示模式。
4.14.11、屏全亮
0 0 1 0 1 0 0 1 0 AP
AP=0：普通显示模式。
AP=1：屏全亮显示模式。
e
4.14.12、偏置选择
0 or 0 1 0 1 0 0 0 1 BS
偏置
占空比端口名偏置电压
BS=0 BS=1
V0 V0
1/65 1/9 1/7
VG 2/9×V0
1/49 1/8 1/6
VM 1/9×V0
1/33 1/6 1/5
1/55 1/8 1/6 GND GND
i-c
4.14.13、读-修改-写（Read-Modify-Write）模式
0 0 1 1 1 0 0 0 0 0
这条指令搭配“结束”（“END”）命令一起使用。当进入这条命令后，显示数据的读操作不会改
变列地址，但是显示数据的写操作会会增加列地址（X[7:0]+1）
，这种模式一直保持到“结束”
（“END”）
命令。这个功能可以减少负载上有重复数据时显示区域的变化。

Read-Modify-Write
设置页地址（Page）
设置列地址（Column）
Read-Modify-Write循环
假读
读数据（Read Data）
e
修改数据
写数据（同一地址）
NO
结束？
or
4.14.14、结束（END）模式
A0 R/W(RWR) D7 D6
退出
D5
YES
图 27、读-修改-写模式
D4 D3 D2 D1 D0
0 0 1 1 1 0 1 1 1 0
退出读-修改-写（Read-modify-write）模式。
i-c
“读-修改-写”指令和“结束”指令必须配合使用，当设置读-修改-写指令之后，只有对 DDRAM
进行写操作，X 的地址才会自加，当设置结束指令之后，即退出读-修改-写模式，此时 X 的地址回复
到设置读-修改-写时的地址。
返回初始地址
地址自增
列地址 N N+1 N+2 N+3 …… N+n N
读-修改-写开始
退出读-修改-写
图 28、退出读-修改-写

4.14.15、复位
0 0 1 1 1 0 0 0 1 0
执行这条指令之后，电路进入软件复位状态，各寄存器值详见复位状态寄存器表。
4.14.16、COM 扫描方式
0 0 1 1 0 0 MY — — —
。
MY=0：普通扫描显示模式（COM0~COM63）
。
MY=1：上下颠倒扫描显示模式（COM63~COM0）
e
4.14.17、电源控制
0 0 0 0 1 0 1 VB VR VF
VB=0：内置的电荷泵关闭。
or
VB=1：内置的电荷泵开启。
VR=0：内置的电压检测关闭。
VR=1：内置的电压检测开启。
VF=0：内置的电压跟随关闭。
VF=1：内置的电压跟随开启。
4.14.18、RR 设置
i-c
0 0 0 0 1 0 0 RR2 RR1 RR0
RR2 RR1 RR0 对应 RR 值

0 0 0 3.0
0 0 1 3.5
0 1 0 4.0
0 1 1 4.5
1 0 0 5.0
1 0 1 5.5
1 1 0 6.0
1 1 1 6.5
V0 的输出电压计算公式如下：（RR 的大小取决于 RR[2:0]的设置，EV 的大小取决于 EV[5:0]的设置）
V0=RR*[1-(63-EV)/162]*2.1，或 V0=RR*[(99+EV)/162]*2.1。
符号寄存器数值
RR RR[2:0] 3，3.5，4，4.5，5，5.5，6，6.5
EV EV[5:0] 0~63

4.14.19、EV 设置
0 0 1 0 0 0 0 0 0 1
0 0 0 0 EV5 EV4 EV3 EV2 EV1 EV0
RR 设置和 EV 设置两条指令需要联合使用，用来确定需要的 LCD 显示电压 V0。
Electronic Volume设置
设置EV（0x81）
双指令
e
设置EV（取决于需求）
否
设置完成？
or 结束
图 29、EV 设置流程
是
i-c
图 30、EV 和 RR 与 V0 的关系

4.14.20、省电模式
0 0 1 0 1 0 1 1 1 0
0 0 1 0 1 0 0 1 0 1
AiP31567A 电路的省电模式是通过两条指令联合使用来实现的，第一条指令为设置显示关
（D=0），
第二条指令为设置屏全亮（AP=1），之后电路进入省电模式，进入省电模式时电路的工作状态：
1、RC 时钟关闭。
2、内置的电源管理电路关闭。
3、LCD 的时序发生关闭，所有的 COM、SEG 端口被置为 0 电位。
e
正常模式省电模式
关显示（0XAE）取消全亮（0XA4）
or 屏全亮（0XA5）
省电模式
图 31、省电模式
开显示（0XAF）
正常模式
退出省电模式时方向执行上面两条指令，退出省电模式后，电路回复到省电模式前的配置状态。
4.14.21、设置倍压
i-c
0 0 1 1 1 1 1 0 0 0
0 0 0 0 0 0 0 0 0 BL
BL=0：4 倍压。
BL=1：5 倍压。
电荷泵设置
设置倍压（0XF8）
设置倍压（0X00/0X01）
否
设置完成
是
完成
图 32、倍压设置
4.14.22、空指令
0 0 1 1 1 0 0 0 1 1
当设置为这条指令时，电路不执行任何操作。
4.14.23、设置 N-Line
这两条指令通过控制帧信号可以提高1至32行内的显示质量。如果N-Line没有设置好，可能会引
起直流偏差。因此一定要确认后面NL的值。
0 0 1 0 0 0 0 1 0 1
e
0 0 0 0 0 NL4 NL3 NL2 NL1 NL0
NL4 NL3 NL2 NL1 NL0 选择N-Line倒序

0 or 0 0 0 0 1-line 倒序
0 0 0 0 1 2-line 倒序
0 0 0 1 0 3-line 倒序
0 0 0 1 1 4-line 倒序
· · · · · ·
· · · · · ·
1 1 1 1 0 31-line 倒序
1 1 1 1 1 32-line 倒序
i-c
4.14.24、释放 N-Line
0 0 1 0 0 0 0 1 0 0
这条指令可以是N-Line的帧翻转模式恢复。
4.14.25、SPI 读状态
0 1 1 1 1 1 1 1 0 0
0 1 0 MX D RST ID3 ID2 ID1 ID0
4.14.26、SPI 读 DDRAM
0 1 1 1 1 1 1 1 0 1
1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0

4.14.27、扩展指令
0 0 1 1 1 1 1 1 0 Mode
Mode=0：退出扩展指令。
Mode=1：进入测试指令。
4.14.28、高能耗模式
0 0 0 1 1 0 1 0 1 1
这条命令可以进入高功耗模式，如果VG电压超过VDD必须打开这个功能。
e
准备进入高功耗模式
进入扩展指令（0XFF）
or 开启高功耗模式（0X6B）
退出扩展指令（0XFE）
进入高功耗模式
i-c
图33、进入高功耗模式

0 0 0 1 1 0 0 1 0 0
准备退出高功耗模式
开启高功耗模式（0X64）
e
or 退出高功耗模式
图34、退出高功耗模式
4.14.29、显示模式设置
这条命令能够设置显示模式。当进入显示模式设置后，占空比（duty）、偏置电压（bias）、显示
帧频（frame）才能被设置。
0 0 0 1 1 1 — — DSM 0
0 0 1 1 0 1 DT3 DT2 DT1 DT0
i-c
0 0 1 0 0 1 0 BA2 BA1 BA0
0 0 1 0 0 1 1 FR2 FR1 FR0
DSM=0：退出显示模式设置。
DSM=1：进入显示模式设置。
DT[3:0]设置占空比的优先级高于SEL[2:1]。
DT3 DT2 DT1 DT0 选择的占空比

0 1 0 0 65（1/64+1 icon）
0 1 1 1 55（1/54+1 icon）
0 1 0 1 49（1/48+1 icon）
0 1 1 0 33（1/32+1 icon）
1 1 1 0 17（1/16+1 icon）
1 0 1 0 9（1/8+1 icon）

BA[2:0]用于配置内部跟随器产生的LCD驱动电压的偏置。这条命令的优先级高于BS。
BA2 BA1 BA0 偏置
0 0 0 1/9
1 0 0 1/8
0 0 1 1/7
1 0 1 1/6
0 1 1 1/5
1 1 0 1/4
显示帧频（Hz）
FR2 FR1 FR0
9~17 占空比 33~65 占空比
0 0 0 70 75
e
0 0 1 105 110
0 1 0 140 150
0 1 1 175 190
1 0 0 195 220
or
1
1
1
0
1
1
1
0
1
准备显示模式设置
230
275
—
250
300
—
i-c
显示模式设置（0X72)
设置占空比（DT[3:0]）
设置偏置（BA[2:0]）
设置显示帧频（FR[2:0]）
显示模式设置完成
图35、显示模式设置

4.15、工作时序
4.15.1、电路上电
e
or
i-c
图 36、上电时序
注：下面表格有参数的详细描述
1、 tRW 和 tR 请参考时序参数指标。
2、 RESET 请参考4.13节说明。
3、 5ms 是为了符合LCD屏的规格和电源部分外接器件的要求。可根据实际使用的器件来检测。
4、指令功能的详细描述见4.14节说明。
5、 VDDI 或者 VDDA 电压上升到预定值的90%时，被视为电源的稳定态。

4.15.2、时序要求
参数符号条件备注
VDDA 电源延时 tON-V2 0 ≤ tON-V2 VDDI 和 VDDA 在任何情况下都不会损坏电路。
 在上电期间，如果RSTB 为低电平、高电平或者
补丁态，RSTB有效的外部复位应该是在VDDI 电
压稳定后。
 电源电压稳定后，在任何时候都可以使RSTB置为
RSTB 输入时间 tON-RST 没有限制
低电平。
 tRW 和 tR 必须符合RSTB的时序要求。
 防止损坏显示，推荐的时序是：
0 ≤ tON-RST ≤ 30 ms。
e
注：表中给出的时序要求是为了防止损坏LCD模组。
4.15.3、显示数据
or 写显示数据（在初始化后）
功能指令设置
设置显示起始行（0X40）
设置页地址（0XB0）
设置行地址（0X10/0X00）
i-c
写显示数据（0XXX）
显示开/关（0XAF）
结束
图 37、显示数据流程

4.15.4、刷新
推荐在固定的间隔时间刷新时序
刷新时序
使用复位指令或空指令
（Reset or NOP）
设置工作状态的所有指令
e
刷新DDRAM
图38、刷新流程图39、刷新时序
注： or
1、电源稳定时间取决于加载的LCD屏。
2、上图中给出的电源稳定时间的条件是：LCD屏尺寸=1.4”， C1=1uF, C2=1uF，VDD=2.7V, VOP=9V。
4.15.5、电路掉电时序
电路在省电模式时，LCD输出端拉到GND，模拟输出端处于放电状态，电源电压关断。下面给出
的两种方式可以触发电路进入省电模式。
掉电流程：
i-c
正常模式
关显示（1）
屏全亮（10）
等待250ms
关闭VDD1~VDD3
关闭电源
图40、掉电流程图41、工作时序
在内置电源电路关断和完全放电之后，VDD1和VDDA电压被移掉。

4.15.6、硬件复位功能
掉电流程：
正常模式
设置RSTB=L
设置RSTB=H
等待250ms
关闭VDD1~VDD3
e
关闭电源
图42、掉电流程图43、工作时序
在内置电源电路关断和完全放电之后，VDD1和VDDA电压被移除。
注：
or
1、 tPOFF：内部电源放电时间≥250ms(最大)。
2、 tV2OFF ：VDDI和VDDA关断时间≥0ms(最小)。
3、不建议在VDDA关断前，先关断VDDI。关断了VDDI，电路内部状态不稳定，可能会停止放电。
未被放掉的电压可能会流入COM/SEG输出端，及极化LCD屏。
4、VDDI和VDDA不同时供电，不会损坏电路。
5、时序与负载屏和外接电容有关。
i-c
6、上图中的时序测试条件：LCD P屏尺寸 = 1.4”，C1=0.47uF，C2=0.47uF。
7、VDDA关断时，下降时间要满足如下要求：20ms ≤ tPFall ≤ 0.2s。

5、典型应用线路与应用说明
5.1、应用线路 1——6800 接口
e
or C2
Default NC
C1
Default NC
R1
Default NC
i-c
C3
Default NC

5.2、应用线路 2——8080 接口
e
or C2
Default NC
C1
Default NC
R1
Default NC
i-c
C3
Default NC

5.3、应用线路 3——4 线 SPI 接口
e
or C2
Default NC
C1
Default NC
R1
Default NC
i-c
C3
Default NC

5.4、应用线路 4——3 线 SPI 接口
e
or C2
Default NC
C1
Default NC
R1
Default NC
i-c
C3
Default NC

5.5、应用线路 5——I2C 接口
e
or C2
Default NC
C1
Default NC
R1
Default NC
i-c
C3
Default NC

5.6、应用说明
应用时的电压选择：
（VDD2*BL*BE）≥V0 或（VDD2*BL*BE）≥VOP。
1、正极性倍压：
2、负极性倍压：[-VDD2*（BL-1）*BE]≤XV0 或[VDD2*（BL-1）*BE]≥（VOP-VG）
。
3、如果 VG≥VDD2-0.2V，要使用高功耗模式。
4、VOP 的要求：[VDD2*（BL-1）*BE]≥[VOP*（N-2）/N]或[VOP≤VDD2*（BL-1）*BE*N/（N-2）]。
5、BL 是电荷泵倍率，BE 是电荷泵效率。假设 VDD2=VDD3=3.3V，模块尺寸≤1.0”，BE=90%（典型
值），实际应该考虑模块负载的 ITO 阻抗。
6、实际使用应该考略更坏的情况，留有一定的温度补偿和对比度控制的域量。
下表给出了 VOP 设置范围的参考
e
（VDD1=VDD2=VDD3=2.8V，Tamb=25℃）
VOP
偏置电荷泵
非高功耗模式高功耗模式
1/9 X5 8.5~11.5 8.5~13.5
or1/8 X5 7.5~10.0 7.5~13.5
1/7 X5 6.5~9.0 6.5~13.0
1/6 X5 5.5~7.5 5.5~11.0
1/5 X5 4.5~6.5 4.5~9.0
1/4 X5 4.0~5.0 4.0~7.0
（VDD1=VDD2=VDD3=3.3V，Tamb=25℃）
VOP
偏置电荷泵
非高功耗模式高功耗模式
1/9 X5 8.5~13.5 8.5~13.5
1/8 X5 7.5~12.0 7.5~13.5
i-c
1/7 X5 6.5~10.5 6.5~13.0
1/6 X5 5.5~9.0 5.5~11.0
1/5 X5 4.5~7.5 4.5~9.0
1/4 X5 4.0~6.0 4.0~7.0
 ITO 输出推荐
ITO输出的参考见下图：

等效电路如下：
1、V0，XV0，VG
理想输出： R4=0Ω，R2＞＞R1＞R3
e
可接受输出： R4≠0Ω，R2＞＞R1＞R3＞R4
不可接受输出：R4≥（R1 或者 R2 或者 R3）
2、VDD
or
i-c
3、GND
6、PAD 图和 PAD 坐标
6.1、PAD 排列图
80 (1805.45,-171.85)
91 71
92
93
94
95 10
70
10 15
104
105
106
107
20 80
15 15
e
55
46
or
X
Y
i-c
16
(-1805.45,-171.85) 80
8
15 15
232
233
234
235
236
238
237
239
3 20 80
1
244
246
245
247 10 15
10
248 268
图 44、PAD 图

电路尺寸 4242*652
芯片高度 300
Gold bump 高度 9
压点尺寸
PAD 编号尺寸
71~91、248~268 115*12
92~103、104~235、236~247 12*115
3、8、16、55~70 30*45
46~54 25*45
1、2、4~7、9~15、17~45 40*45
压点距离
e
PAD 编号距离
1~70 15
71~91、248~268 14
92~103、104~235、236~247 36
1
or
6.2、PAD 坐标
编号 PAD 名
CL
X
-1735
Y
-253.85
编号
135
单位：um，参考点为 PAD 中心
PAD 名
SEG31
X
828
Y
90.15
2 CSB -1680 -253.85 136 SEG32 804 220.15
3 VDDH -1630 -253.85 137 SEG33 780 90.15
i-c
4 RSTB -1580 -253.85 138 SEG34 756 220.15
5 A0 -1525 -253.85 139 SEG35 732 90.15
6 RWR -1470 -253.85 140 SEG36 708 220.15
7 ERD -1415 -253.85 141 SEG37 684 90.15
8 VDDH -1365 -253.85 142 SEG38 660 220.15
9 D0 -1315 -253.85 143 SEG39 636 90.15
10 D1 -1260 -253.85 144 SEG40 612 220.15
11 D2 -1205 -253.85 145 SEG41 588 90.15
12 D3 -1150 -253.85 146 SEG42 564 220.15
13 D4 -1095 -253.85 147 SEG43 540 90.15
14 D5 -1040 -253.85 148 SEG44 516 220.15
15 D6 -985 -253.85 149 SEG45 492 90.15
16 GNDL -935 -253.85 150 SEG46 468 220.15
17 D7 -885 -253.85 151 SEG47 444 90.15
18 VDD1 -830 -253.85 152 SEG48 420 220.15
19 VDD1 -775 -253.85 153 SEG49 396 90.15
20 VDD2 -720 -253.85 154 SEG50 372 220.15
21 VDD2 -665 -253.85 155 SEG51 348 90.15

22 VDD2 -610 -253.85 156 SEG52 324 220.15

23 VDD3 -555 -253.85 157 SEG53 300 90.15
24 GND1 -500 -253.85 158 SEG54 276 220.15
25 GND1 -445 -253.85 159 SEG55 252 90.15
26 GND3 -390 -253.85 160 SEG56 228 220.15
27 GND2 -335 -253.85 161 SEG57 204 90.15
28 GND2 -280 -253.85 162 SEG58 180 220.15
29 GND2 -225 -253.85 163 SEG59 156 90.15
30 V0I -170 -253.85 164 SEG60 132 220.15
31 V0I -115 -253.85 165 SEG61 108 90.15
32 V0I -60 -253.85 166 SEG62 84 220.15
33 V0O -5 -253.85 167 SEG63 60 90.15
34 V0O 50 -253.85 168 SEG64 36 220.15
e
35 XV0O 105 -253.85 169 SEG65 12 90.15
36 XV0O 160 -253.85 170 SEG66 -12 220.15
37 XV0I 215 -253.85 171 SEG67 -36 90.15
38 or XV0I 270 -253.85 172 SEG68 -60 220.15
39 XV0I 325 -253.85 173 SEG69 -84 90.15
40 VMO 380 -253.85 174 SEG70 -108 220.15
41 VMO 435 -253.85 175 SEG71 -132 90.15
42 VGI 490 -253.85 176 SEG72 -156 220.15
43 VGI 545 -253.85 177 SEG73 -180 90.15
44 VGI 600 -253.85 178 SEG74 -204 220.15
45 VGO 655 -253.85 179 SEG75 -228 90.15
46 T6 702.5 -253.85 180 SEG76 -252 220.15
47 T7 742.5 -253.85 181 SEG77 -276 90.15
i-c
48 T8 782.5 -253.85 182 SEG78 -300 220.15
49 TFCOM 822.5 -253.85 183 SEG79 -324 90.15
50 T1 862.5 -253.85 184 SEG80 -348 220.15
51 T2 902.5 -253.85 185 SEG81 -372 90.15
52 T3 942.5 -253.85 186 SEG82 -396 220.15
53 T4 982.5 -253.85 187 SEG83 -420 90.15
54 T5 1022.5 -253.85 188 SEG84 -444 220.15
55 VREF 1065 -253.85 189 SEG85 -468 90.15
56 GNDL 1110 -253.85 190 SEG86 -492 220.15
57 VDDH 1155 -253.85 191 SEG87 -516 90.15
58 TSEL 1200 -253.85 192 SEG88 -540 220.15
59 C86 1245 -253.85 193 SEG89 -564 90.15
60 VDDH 1290 -253.85 194 SEG90 -588 220.15
61 PSB 1335 -253.85 195 SEG91 -612 90.15
62 GNDL 1380 -253.85 196 SEG92 -636 220.15
63 SI2 1425 -253.85 197 SEG93 -660 90.15
64 VDDH 1470 -253.85 198 SEG94 -684 220.15
65 SEL1 1515 -253.85 199 SEG95 -708 90.15

66 GNDL 1560 -253.85 200 SEG96 -732 220.15

67 SEL2 1605 -253.85 201 SEG97 -756 90.15
68 VDD1 1650 -253.85 202 SEG98 -780 220.15
69 VDD2 1695 -253.85 203 SEG99 -804 90.15
70 VDD3 1740 -253.85 204 SEG100 -828 220.15
71 COM62 2009.5 -256.85 205 SEG101 -852 90.15
72 COM60 2009.5 -230.85 206 SEG102 -876 220.15
73 COM58 2009.5 -204.85 207 SEG103 -900 90.15
74 COM56 2009.5 -178.85 208 SEG104 -924 220.15
75 COM54 2009.5 -152.85 209 SEG105 -948 90.15
76 COM52 2009.5 -126.85 210 SEG106 -972 220.15
77 COM50 2009.5 -100.85 211 SEG107 -996 90.15
78 COM48 2009.5 -74.85 212 SEG108 -1020 220.15
e
79 COM46 2009.5 -48.85 213 SEG109 -1044 90.15
80 COM44 2009.5 -22.85 214 SEG110 -1068 220.15
81 COM42 2009.5 3.15 215 SEG111 -1092 90.15
82 orCOM40 2009.5 29.15 216 SEG112 -1116 220.15
83 COM38 2009.5 55.15 217 SEG113 -1140 90.15
84 COM36 2009.5 81.15 218 SEG114 -1164 220.15
85 COM34 2009.5 107.15 219 SEG115 -1188 90.15
86 COM32 2009.5 133.15 220 SEG116 -1212 220.15
87 COM30 2009.5 159.15 221 SEG117 -1236 90.15
88 COM28 2009.5 185.15 222 SEG118 -1260 220.15
89 COM26 2009.5 211.15 223 SEG119 -1284 90.15
90 COM24 2009.5 237.15 224 SEG120 -1308 220.15
91 COM22 2009.5 263.15 225 SEG121 -1332 90.15
i-c
92 COM20 1880 220.15 226 SEG122 -1356 220.15
93 COM18 1856 90.15 227 SEG123 -1380 90.15
94 COM16 1832 220.15 228 SEG124 -1404 220.15
95 COM14 1808 90.15 229 SEG125 -1428 90.15
96 COM12 1784 220.15 230 SEG126 -1452 220.15
97 COM10 1760 90.15 231 SEG127 -1476 90.15
98 COM8 1736 220.15 232 SEG128 -1500 220.15
99 COM6 1712 90.15 233 SEG129 -1524 90.15
100 COM4 1688 220.15 234 SEG130 -1548 220.15
101 COM2 1664 90.15 235 SEG131 -1572 90.15
102 COM0 1640 220.15 236 COM1 -1616 220.15
103 COMS2 1616 90.15 237 COM3 -1640 90.15
104 SEG0 1572 220.15 238 COM5 -1664 220.15
105 SEG1 1548 90.15 239 COM7 -1688 90.15
106 SEG2 1524 220.15 240 COM9 -1712 220.15
107 SEG3 1500 90.15 241 COM11 -1736 90.15
108 SEG4 1476 220.15 242 COM13 -1760 220.15
109 SEG5 1452 90.15 243 COM15 -1784 90.15

110 SEG6 1428 220.15 244 COM17 -1808 220.15

111 SEG7 1404 90.15 245 COM19 -1832 90.15
112 SEG8 1380 220.15 246 COM21 -1856 220.15
113 SEG9 1356 90.15 247 COM23 -1880 90.15
114 SEG10 1332 220.15 248 COM25 -2009.5 263.15
115 SEG11 1308 90.15 249 COM27 -2009.5 237.15
116 SEG12 1284 220.15 250 COM29 -2009.5 211.15
117 SEG13 1260 90.15 251 COM31 -2009.5 185.15
118 SEG14 1236 220.15 252 COM33 -2009.5 159.15
119 SEG15 1212 90.15 253 COM35 -2009.5 133.15
120 SEG16 1188 220.15 254 COM37 -2009.5 107.15
121 SEG17 1164 90.15 255 COM39 -2009.5 81.15
122 SEG18 1140 220.15 256 COM41 -2009.5 55.15
e
123 SEG19 1116 90.15 257 COM43 -2009.5 29.15
124 SEG20 1092 220.15 258 COM45 -2009.5 3.15
125 SEG21 1068 90.15 259 COM47 -2009.5 -22.85
126 orSEG22 1044 220.15 260 COM49 -2009.5 -48.85
127 SEG23 1020 90.15 261 COM51 -2009.5 -74.85
128 SEG24 996 220.15 262 COM53 -2009.5 -100.85
129 SEG25 972 90.15 263 COM55 -2009.5 -126.85
130 SEG26 948 220.15 264 COM57 -2009.5 -152.85
131 SEG27 924 90.15 265 COM59 -2009.5 -178.85
132 SEG28 900 220.15 266 COM61 -2009.5 -204.85
133 SEG29 876 90.15 267 COM63 -2009.5 -230.85
134 SEG30 852 220.15 268 COMS1 -2009.5 -256.85
注：1、单位：um。
i-c
2、这是 1/65 占空比的 PAD 坐标表。
3、误差：±0.05um。

7、声明及注意事项：
7.1、产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有毒有害物质或元素
部
六阶铬邻苯二
件多溴联苯
邻苯二邻苯二
甲酸二
邻苯二
铅汞镉（Cr 多溴联苯甲酸二甲酸丁甲酸二
名醚（2-乙基
（Pb）（Hg）（Cd）（Ⅵ （PBBs）丁酯苄酯异丁酯
（PBDEs）巳基）酯
称））（DBP) （BBP) （DIBP)
（DEHP)
引线框 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
塑封
○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
树脂
芯片 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
e
内引线 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
装片胶 ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○
○：表示该有毒有害物质或元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的检出限以下。
说明 or ×：表示该有毒有害物质或元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
7.2、注意
在使用本产品之前建议仔细阅读本资料；
本资料中的信息如有变化，恕不另行通知；
本资料仅供参考，本公司不承担任何由此而引起的任何损失；
本公司也不承担任何在使用过程中引起的侵犯第三方专利或其它权利的责任。
i-c


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无锡中微爱芯电子有限公司

Wuxi I-CORE Electronics Co., Ltd.

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 3 页 共 59 页

LCD COM 驱动端口。

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 4 页 共 59 页

LCD 驱动在负帧时输出到 COM 端口的电压。

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 6 页 共 59 页

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 7 页 共 59 页

输入漏电流 ILI — -1.0 — 1.0 uA MPU 接口

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 8 页 共 59 页

(VDD1 = 2.8V，Tamb =25℃)

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 9 页 共 59 页

读数据输出禁止时间 tOH6 CL = 16pF 10 200

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 10 页 共 59 页

/WR L 脉冲宽度（写） /WR tCCLW — 360 —

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 11 页 共 59 页

SDA 第一位 最后一位

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 12 页 共 59 页

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 13 页 共 59 页

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 14 页 共 59 页

内部状态 正在复位 复位结束

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 15 页 共 59 页

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 16 页 共 59 页

数据传输类型可以由 A0、ERD 和 RWD 来决定，由下表所示：

4.2、4 线 SPI 串行（SI2=L，PSB=L，C86=H）

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 17 页 共 59 页

4.3、3 线 SPI 串行（SI2=L，PSB=L，C86=L）

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 18 页 共 59 页

在主机 I2C 的 START 信号开始后，紧跟一个从机地址。所有的从机通过从机地址来返回 ACK 应

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 21 页 共 59 页

其余所有页都可以通过 D7 ～D0 直接存取。图像 RAM 只需使用数据总线的 D0 这一位。见图 20。

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 22 页 共 59 页

图 21、选择 1/65 占空比时 DDRAM 的数据与 SEG、COM 的对应关系

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 23 页 共 59 页

图 22、选择 1/49 占空比时 DDRAM 的数据与 SEG、COM 的对应关系

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 24 页 共 59 页

图 23、选择 1/33 占空比时 DDRAM 的数据与 SEG、COM 的对应关系

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 25 页 共 59 页

图 24、选择 1/55 占空比时 DDRAM 的数据与 SEG、COM 的对应关系

图 25、 DDRAM 数据与起始行的对应关系

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 27 页 共 59 页

江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 28 页 共 59 页

寄存器 RSTB 硬件复位值 RESET 软件复位值

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 30 页 共 59 页

20 省电模式 0 0 复用指令 显示关+屏全亮

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 32 页 共 59 页

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 34 页 共 59 页

列地址 N N+1 N+2 N+3 …… N+n N

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RR2 RR1 RR0 对应 RR 值

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼 第 37 页 共 59 页

NL4 NL3 NL2 NL1 NL0 选择N-Line倒序

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DT3 DT2 DT1 DT0 选择的占空比

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SDA 第一位最后一位

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江苏省无锡市滨湖区建筑西路 777 号无锡国家集成电路设计中心 B4 楼第 14 页共 59 页

内部状态正在复位复位结束

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20 省电模式 0 0 复用指令显示关+屏全亮

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