KLOUZAZNA SEMICOND Part005

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 05)
Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
18 avril 2021
Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 05) 18 avril 2021 1 / 21
Sommaire
1 Section no.1
*/ Contacts Métal/Semiconducteur (M/S) :
*/ Grandeurs de Base.
*/ Contact M/S Schottky.
*/ Contact M/S Ohmique.

Section no.1
Physique des Matériaux Semiconducteurs.

a/ Fonction Travail d’extraction :
En général, la grandeur de la fonction travail W (Work function W or

ΦW ) va d’écrire l’énergie nécéssaire pour la libération d’un électron du
niveau de Fermi d’un matériau vers son extérieur (air ou vide). Pour le cas
des contacts Métal/Semiconducteur (M/S), les fonctions travail
respectives aux deux (02) matériaux sont définies par :
W Met = E Vac − EFMet
(W Met et W Sem ) représentant les fonctions travail du Métal (M) et du

Semiconducteur (S) respectivement, (EFMet et EFSem ) les énergies des
niveaux de Fermi des deux matériaux en question et E Vac l’énergie du
niveau de référence du vide (Vaccum Energy) :
W Sem = E Vac − EFSem

Section no.1

Les grandeurs des potentiels (tensions) correspondants à ces deux
grandeurs énergétiques sont respectivement données par 1 :
WX 1 Vac
VX = = . E − EFX avec X = (Met, Sem)
+|e| +|e|
b/ Affinité Electronique :
Pour le cas des matériaux semiconducteurs, la grandeur de l’affinité
électronique (electron affinity ΦSem or χSem ) va correspondre à l’énergie
nécéssaire pour la libération d’un électron du bas (minima ECSem ) de la
bande de conduction de ces matériaux semiconducteurs vers leur extérieur
(air ou vide) :
ΦSem = E Vac − ECSem
la relation de correspondance entre ces deux grandeurs :
W Sem = E Vac − EFSem → W Sem = ΦSem + ECSem − EFSem
1. +|e| représentant la valeur absolue (positive) charge élémentaire d’un électron
Section no.1

Section no.1

c/ Barrière d’un contact M/S :
En pratique, la barrière d’un contact M/S (Contact Barrier) va décrire la

hauteur de la barrière de potentiel à surmonter (franchir) par les électrons
du niveau Fermi du Métal (M) pour passer (parvenir) à la bande CB de
conduction du semiconducteur (S).
Par définition, la hauteur de la barrière de potentiel ΦB de ce contact

Métal/Semiconducteur (M/S) va décrire l’écart (différence) d’énergie
entre le niveau de Fermi d’équilibre du contact EF0MS et le bas (mimina) de
la bande de conduction du semiconducteur avant contact :
ΦMS Sem
B = EC
MS
− EFeq [J]SI ou [eV ]
MS 1
avec ΦB = +|e|.VBMS → VBMS = .(E Sem − EFeq
MS
) [V ]
+|e| C
MS étant le niveau de Fermi d’équilibre du contact (après contact).
EFeq
Section no.1
Met. (M) Ag Al Au Cu Li Na Mg
W Met [eV ] 4.4 4.27 4.9 4.65 2.3 2.75 3.7
EFMet [eV ] 5.5 11.7 5.5 7.0 4.7 7.1 3.2
Cr Ni Pt W
W Met [eV ] 4.5 4.5 5.3 4.6
EFMet [eV ] 11.95 9.66 8.79 11.47
Sem. (S) Si Ge GaAs Sn ZnO TiO

ΦSem [eV ] 2.20 2.04 1.95 1.96 2.09 1.3

Section no.1
ΦMS
B [eV ] (S/M) Ag Al Au Cr Ni Pt W
GeN 0.54 0.48 0.58 0.49 0.48

GeP 0.5 0.3
SiN 0.78 0.72 0.8 0.61 0.61 0.9 0.67

SiP 0.54 0.58 0.34 0.5 0.51 0.45
GaAsN 0.88 0.8 0.9 0.84 0.8

GaAsP 0.63 0.42

Section no.1

Pour le cas des contacts M/SN entre un métal (M) et un semiconducteur
dopé-N (SN ), la hauteur de la barriére du contact (Barrier Height, BH) en
question est donnée par :
ΦMS
B =W
Met
− ΦSem avec ΦMS MS
B = +|e|.VB [J]SI ou [eV ]
1
→ VBMS = .(W Met − ΦSem ) = V Met − VNSem [V ]
+|e|
Pour des contacts M/SP entre un métal (M) et un semiconducteur dopé-P

(SP ), la barriére correspondant à ce type de contacts est définie par :
ΦMS
B = Eg − (W
Met
− ΦSem ) avec ΦMS MS
B = +|e|.VB [J]SI ou [eV ]
1 h i Eg
→ VBMS = . Eg − (W Met − ΦSem ) = −(V Met −VPSem ) [V ]
+|e| +|e|

Section no.1

d/ Potentiel interne (intégré) d’un contact M/S :
En pratique, les niveaux d’énergies caractéristiques (ECSem , EVSem ) d’un
matériau semiconducteur intrinsèque (non -dopé) et les niveaux d’énergies
(ED , EA ) des atomes de leur dopage vont manifester une courbure à
l’intérieur de la région d’espace délimitant ses plans de surface (S − 1, S)
ou ses plans d’interface (I − 1, I ) qui vont constituer la jonction entre
l’intérieur du matériau et son extérieur 2 .
Par définition, la grandeur du potentiel (tension) interne ou intégré

(built-in Potential VI ) d’un matériau semiconducteur est définie par :
ΦSem
I = +|e|.VI = ECSem − ECeq
Sem
= EVSem − EVeq
Sem
Sem l’énergie du bas de la bande CB du semiconducteur après contact.

ECeq
2. l’extérieur de ce matériau pouvant être constitué par un second matériau (cas des
contacts Sem/Met ou Sem/Sem), par de l’air (Sem/Air) ou par du vide (Sem/Vide).
Section no.1

Pour le cas des contacts M/SN entre un métal (M) et un semiconducteur
dopé-N (SN ), la grandeur de la barrière interne (built-in Barrier) propre au
contact en question est donnée par :
ΦSem
I = W Met − ΦSem − ΦD [J]SI ou [eV ] avec Sem
ΦD = (ECeq MS
− EFeq )
en posant ΦSem
I = +|e|.VISem , le potentiel interne résulant :
1 h Met i
→ VISem = . W − ΦSem − ΦD
+|e|
→ VISem = V Met − VNSem − VD [V ]

A partir de la définition de la barrière interne :
ΦSem
I = ECSem − ECeq
Sem
← (+W Met − W Met + ΦSem − ΦSem )

Section no.1
→ ΦSem
I = +W Met − ΦSem + ECSem − ECeq
Sem
− W Met + ΦSem
ΦSem
Sem
− (E Vac − EFeq
Met
) + (E Vac − ECMet )
Après simplication :
ΦSem
Sem Met
− EFeq − ECMet
ΦSem
I = +W Met − ΦSem − ECeq
Sem Met
− EFeq
ΦSem
I = +W Met − ΦSem − ECeq
Sem MS
− EFeq
Pour un contact à l’équilibre :
Met Sem MS
EFeq = EFeq = EFeq

Section no.1

Pour des contacts M/SP entre un métal (M) et un semiconducteur dopé-P
(SP ), la barriére correspondant à ce type de contacts est définie par :
h i
ΦSem
I = − W Met − ΦSem − ΦA [J]SI ou [eV ] avec ΦA = (EFeq Sem MS
−EVeq )
1 h Met i
→ VISem = . W − ΦSem − (ECeq
Sem MS
− EFeq ) = V Met − VPSem [V ]
+|e|
*/ Formation de la barrière des contacts M/S :
Pa analogie aux contacts Métal/Métal (M/M), l’équilibrage des contacts

Métal/Semiconducteurs (M/S) est réalisé à travers l’égalisation des
niveaux de Fermi des deux matériaux :
Met Sem MS
EFeq = EFeq = EFeq

Section no.1
Pour le cas d’un Métal et d’un Semiconducteur manifestant avant leur

contact une différence de niveaux de Fermi positive (EFMet < EFSem ) ou
(W Met > W Sem ), les électrons de conduction du Semiconducteur vont
traverser la jonction (M/S) formée après contact et vont parvenir au Métal
de manière à élever (augmenter) le niveau de Fermi de ce Métal qui va
égaliser le niveau le Fermi du semiconducteur qui va s’abaisser (diminuer).
Par définition, la condition d’équilibrage du contact M/S est régi par

l’égalisation des niveaux de Fermi des deux (02) matériaux en contact :
Met Sem MS
EFeq = EFeq = EFeq
Ainsi, la satisfaction de cette condition qui va provoquer l’arrêt de la

circulation des électrons de conduction du Semiconducteur vers le Métal
ou vice-versa (contraire est vrai).

Section no.1

Du point de vue électrique, la neutralité d’un contact M/S idéal est décrite
par la densité de charge électrique suivante :

 0 z < zM
−

 QM zM ≤ z < 0
ρ (z) = +
Q = + |e| .Ñ D 0 ≤ z < zN
 D


0 z > zN
−
avec QD+ = + |e| .ÑD et QM = −QD+
En pratique, la région du semiconducteur dopé-N est constituée de deux
(02) zones distinctes : la zone de charge d’espace (Space Charge Zone,
SCZ : 0 ≤ z < zN ) et la zone interne (z > zN ).
D’un point de vue théorique, l’évolution de la grandeur du champs

~
électrique ξ(z) en fonction de la variable de la distance (z) est déterminée
~
par l’application de Poisson suivante : div ξ(z) = dξ(z) ρ(z)
dz = + εSem
Section no.1

La grandeur du champs électrique correspodannt est défini par l’expression
intégrale suivante :
Z
dξ(z) ρ(z) 1
= + Sem → ξ (z) = + Sem . ρ (z) dz
dz ε ε
Pour le cas de la zone de charge d’espace (SCZ : 0 ≤ z < zN ), après

substitution :
|e| .ÑD
Z
ξ (z) = + Sem . dz = + |e| .ÑD . [z] + Co
ε
La constante d’intégration Co est déterminée à partir de la condition à

l’extrémité (limite : z = zN ) de cette zone SCZ :
|e| .ÑD |e| .ÑD
ξ (z = zN ) = 0 → + . [zN ] + Co = 0 → Co = − .zN
εSem εSem
Section no.1

L’expression finale du champs électrique :
|e| .ÑD
ξ (z) = + . (z − zN ) = A1 .z + A2
εSem
avec :
|e| .ÑD |e| .ÑD
A1 = + (> 0) et A2 = − .zN
εSem εSem
Ainsi, ce champs électrique ξ(z) va constituer une fonction suivant une loi
linéaire (équation d’une droite) croissante avec la distance (z), de pente
positive et qui est régie par la densité des atomes donneurs de dopage du
semiconducteur :
|e| .ÑD
tan(Φ) = A1 = + Sem
ε
En pratique, la charge électrique de la zone SCZ est essentiellement
constituée par la charge électrique des atomes donneurs de dopage du
semiconducteur en question.
Section no.1

La valeur du champs èlectrique au niveau de l’interface (z = 0) du contact
M/Z traité est égale à : ξ (z) = + |e|.
εSem
ÑD
. (0 − zN ) = − |e|.
εSem
ÑD
.zN
La grandeur du potentiel (tension) électrique résultant :
|e| .ÑD
Z
dV
ξ (z) = − → V (z) = − Sem . (z − zN ) dz
dz ε
|e| .ÑD 1 h +2
i
→ V (z) = − . (z − zN ) + C1
εSem 2
A partir de la condition à la limite (z = zN ) de cette zone SCZ :
|e| .ÑD 1 h i
V (z = zN ) = VN → − Sem . (zN − zN )+2 +C1 = VN → C1 = VN
ε 2
|e| .ÑD 1
→ . (z − zN )+2 + VN
V (z) = −
εSem 2
VN représentant le potentiel (tension) interne du semiconducteur dopé-N.
Section no.1

Ainsi, la grandeur du potentiel (tension) électrique de la zone de SCZ au
niveau de l’interface (jonction) du contact M/S (z = 0) :
|e| .ÑD 1 +2 |e| .ÑD zN+2
→ V (z = 0) = − . (0 − zN ) + VN = − . + VN
εSem 2 εSem 2
Du point de vue du spectre (diagramme) des énergies, la courbure de
l’énergie à l’intérieur de cette zone de charge d’espace (SCH) est décrite à
partir de l’expression du potentiel (tension)) électrique correspondante :
|e|+2 .ÑD 1
E scz (z) = −|e|.V (z) = + . (z − zN )+2 − |e|.VN
εSem 2
La courbure de cette grandeur de l’énergie E scz (z) est ainsi régie par
l’expression quadratique suivante :
|e|+2 .ÑD 1
→ E scz
(z) = + . (z − zN )+2 +EN [J]SI avec EN = −|e|.VN
εSem 2
Section no.1

*/ Types de contacts M/S (Schottky & Ohmique) :
Par définiton, un contact M/S est dit ohmique (non-réctificateur) si sa

caratéristique tension externe-courant (Vo − I ) est décrite par une loi
linéraire (équation d’une droite). A l’opposé, tout contact M/S dont la
cacractérique (Vo − I ) est non-linéaire est dit contact Schottky
(réctificateur).
En pratique, pour le cas des contacts M/S de barrière positive (ΦMS B > 0)
ou (W Met Sem
> φ ), le contact est dit de Schottky (réctificateur,
rectifying) si le semiconducteur est dopé-N et il est dit ohmique
(non-réctificateur, non-rectifying) pour le cas d’un semiconducteur dopé-P.
A l’opposé, pour le cas des contacts Métal-Semiconducteur (M/S) de
barrière négative (ΦMS
B < 0) ou (W
Met < φSem ),, le contact de Schottky
(réctificateur) va correspodnre à un semiconducteur dopé-P et le contact

ohmique (non-réctificateur) à un semiconducteur dopé-N.
Section no.1


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Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

*/ Contacts Métal/Semiconducteur (M/S) :

*/ Contact M/S Schottky.

*/ Contact M/S Ohmique.

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Physique des Matériaux Semiconducteurs.

En général, la grandeur de la fonction travail W (Work function W or

W Met = E Vac − EFMet

(W Met et W Sem ) représentant les fonctions travail du Métal (M) et du

W Sem = E Vac − EFSem

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En pratique, la barrière d’un contact M/S (Contact Barrier) va décrire la

Par définition, la hauteur de la barrière de potentiel ΦB de ce contact

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Sem. (S) Si Ge GaAs Sn ZnO TiO

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GeN 0.54 0.48 0.58 0.49 0.48

SiN 0.78 0.72 0.8 0.61 0.61 0.9 0.67

GaAsN 0.88 0.8 0.9 0.84 0.8

Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

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Pour des contacts M/SP entre un métal (M) et un semiconducteur dopé-P

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Par définition, la grandeur du potentiel (tension) interne ou intégré

Sem l’énergie du bas de la bande CB du semiconducteur après contact.

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→ VISem = V Met − VNSem − VD [V ]

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*/ Formation de la barrière des contacts M/S :

Pa analogie aux contacts Métal/Métal (M/M), l’équilibrage des contacts

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Pour le cas d’un Métal et d’un Semiconducteur manifestant avant leur

Par définition, la condition d’équilibrage du contact M/S est régi par

Ainsi, la satisfaction de cette condition qui va provoquer l’arrêt de la

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D’un point de vue théorique, l’évolution de la grandeur du champs

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Pour le cas de la zone de charge d’espace (SCZ : 0 ≤ z < zN ), après

La constante d’intégration Co est déterminée à partir de la condition à

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Par définiton, un contact M/S est dit ohmique (non-réctificateur) si sa

(réctificateur) va correspodnre à un semiconducteur dopé-P et le contact

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