KLOUZAZNA SEMICOND Part006

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 06)
Mr. K. Louzazna.
Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.
9 mai 2021
Document destiné aux étudiants du Master M1 (Physique des Matériaux)
Mr. K. Louzazna. Univ. A.Mira de Béjaia. ALGERIE.

Contacts Métal/Semiconducteur (partie 06) 9 mai 2021 1 / 20
Sommaire
1 Section no.1
*/ Contacts Métal/Semiconducteur (M/S) :
*/ Grandeurs de Base.
*/ Contact M/S Schottky.
*/ Contact M/S Ohmique.

Section no.1
Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Description Phńoménologique de la formation de la barrière de Schottky :
Pour le cas W Met > W Sem , le désaccord (mismatch) entre les deux
niveaux de Fermi des deux matériaux va induire un transfert des électrons
du semiconducteur vers le métal en raison de la grande énergie de ces
électrons transférés. Ce transfert est arrété avec l’établissment d’un
équilibrage des deux niveaux de Fermi des deux matéraiux.
Ainsi, les électrons provenants du semiconducteur vont générer une charge

électrique négative dans la région du contact du coté du métal et va laisser
une charge électrique positive dans la région du contact du coté du
semiconducteur. Cette différence de charge électrique est responsable de la
formation de cette région dite de dépletion ou zone de charge d’espace
(Space Charge Zone, SCZ) et de la formation d’une barrière de potentiel
dite de Schottky ΦB au niveau de l’interface (jonction) entre les deux
matériaux en contact.
Section no.1

En général, cette barrière de potentiel dite barrière de Schottky (Schottky
Barrier, SB) générée par les états d’interface (Interface States, IS) du côté
de la région du semiconducteur sont à l’origine de la courbure des niveaux
des énergies au niveau de l’interface en question.
Cette barrière de potentiiel d’interface (de Schottky) est caractérisée par

sa hauteur de barrière de Schottky (Shottky Barrier Height, SBH)
dépendant de la fonction travail du Métal et de l’affinité électronique du
Semiconducteur :
(
W Met − ΦS Semi − N
ΦB = Eg Met S

|e| − W −Φ Semi − P
Ainsi, la barrière de Shottky est indépendante de l’énergie du gap Eg des

semiconcuteurs dopés-N mais elle est dépendante de cette énergie du gap
pour le cas des semiconducteurs dopés-P (suivant une loi linéaire).
Section no.1

En pratique, la hauteur de cette barrière de Schottky est essentiellment
modifiée par la tension électrique (polarisation) externe Vo (directe ou
inverse) appliquée au contact M/S en question. cette tension externe est à
l’origine d’une circulation des électrons de conduction en-dessus ou à
travers (effet tunnel) cette barrière de Schottky :

∗ ΦBN si Vo = 0
ΦBN =
ΦBN − |e| .Vo si Vo 6= 0
En fait, la hauteur de cette barrière de Schottky (SBH) est diminuée
(abaissée) sous l’action d’une tension électrique externe positive Vo > 0
(polarisation directe, Forward Bias) :
Φ∗BN = ΦBN − |e| .Vo < ΦBN si Vo > 0
A l’opposé, cette barrière de Schottky est augmentée (élevée) sous l’effet
d’une tension électrique externe négative Vo < 0 (polarisation inverse,
Reverse Bias) : Φ∗BN = ΦBN − |e| .Vo > ΦBN si Vo < 0
Section no.1

Note :
*/ En général, la fonction travail W Met du métal et l’affinité électronique
ΦSem du semiconductreur sont des grandeurs caractéristiques invariantes 1
qui ne sont pas modifiées par les phénomènes de contact.
*/ Dans le but de conserver invariante (inchangée) l’a grandeur de
l’afffinité électronique du semiconducteur avant et après contact, le niveau
du vide du coté du semiconducteur va mainifester une courbure identique
à celle des autres niveaux d’énergie du semiconducteur en question :
E vac − ΦI

0 vac
si Vo = 0
E N = vac
E − ΦI + |e| .Vo si Vo 6= 0
E vac + ΦI

vac si Vo = 0
E0 P =
E vac + ΦI − |e| .Vo si Vo 6= 0
1. La grandeur invarante est une grandeur qui n’est modfiée par le contact de manière
à conserver une même valeur avant et après ce contact.
Section no.1
En général, ces transferts d’électrons de conduction du semiconducteur

vers le métal (ou vice-versa) sont contrôlés (régies) par l’un des trois (03)
processus suivants :
*/ Porcessus de l’émission thermionique (Thermionic Emission, TE)

manifesté dans le cas des semiconducteurs à faible densité de dopage
(ÑD < 10+23 [m−3 ]SI ). Pour ce cas, la grande largeur de la barrière de
Schottky (Shottky Barrier Width, SBW) va empécher les électrons de
conduction de la traverser (franchir) par effet tunnel, le passage de ces
électrons d’un matériau à l’autre n’est réalisé que par ceux ayant
suffisament d’énergie leurs permettant de passer en-dessus (surmonter) la
hauteur de cette barrière de Schottky (Schottky Barrier Height, SBH).

Section no.1
*/ processus de l’émission à champs ( Field Emission, FE) propre au

semiconducteurs à forte densité de dopage (ÑD > 10+25 [m−3 ]SI ). En
raison la trés faible largeur de la barrière de Schottky (SBW), tous les
électrons de conduction vont la traverser (franchir) sur toute sa hauteur
par effet tunnel lors de leurs passage du semiconducteur vers le métal ou
vice-versa.
*/ Processus de l’émission thermionique à champs (Thermionic Field

Emission, TFE) correspondant au cas des semiconducteurs à densité de
dopage moyenne (10+23 ≤ ÑD ≤ 10+25 [m−3 ]SI ). Pour ce cas avec une
largeur moyenne de la barrière de Schottky, le passage des électrons de
conduction est réalisé à travers les deux processus précédents (TE et FE).
Ainsi, certains électrons de conduction de plus haute énergie vont passer
d’un matériau à l’autre en surmontant la barrière de Schottky et d’autres
de plus basse énergie vont la franchir par effet tunnel : TFM = TE + FE
Section no.1
Figure – Les trois processus (TE, TFE et FE) régissants les transferts
électroniques entre les régions d’espace du semiconducteur dopé-N et du métal.

Section no.1

D’un point de vue théorique, la relation de correspondnance entre la
largeur de la barrière de Schottky et la densité des atomes de dopage d’un
semiconducteur dopé-N est déduite de l’expression du potentiel (tension)
électrique de la zone de charge d’espace (SCZ) ou dépletion :
|e|.ÑD
V (z) = − (z − zN )+2 + VN
2Sem
à l’extrémité (z = 0) du coté du métal, la potentiel électrique
correspondant :
V (z = 0) = VM
Après susbtitution
s
|e|.ÑD 2Sem
VM = − Sem (zN )+2 + VN → zN = ± .(VN − VM )
2 |e|.ÑD

Section no.1
En choisissant le potentiel du métal comme origine des potentiels

(VM = 0) : s
2Sem
zN = ± .(VN − 0) [m]SI
|e|.ÑD
La largeur de la zone de charge d’espace (SCZ) résultante :
s
2Sem
ωN = |zN − 0| = + .VN [m]SI
|e|.ÑD
Ainsi, d’autant la densité ÑD des atomes donneurs de dopage est élevée
d’autant la largeur de la zone de charge d’espace est petite.

Section no.1

En général, l’augmentation de la densité des atomes de dopage ÑD est de
générer une diminution de la largeur wN de la barrière de Schottky et une
diminution de la hauteur du potentiel (tension) interne Φi , la hauteur de la
barrière de Schottky ΦB restant conservée (inchangée).
Pour le cas d’une barrière de Schottky de forme linéaire, de largeur zN1 et
de potentiel interne Φi1 , la caracéristique (E − z) est ainsi décrite à
l’intérieur de la zone de charge de’espace (SCZ) par l’équation suivante,
voir figure ci-dessous :
E1 (e) = A1 .z + B1 [J]SI ou [eV ]
Les deux (02) conditions aux extrémités corespondant à cette zone
d’espace SCZ :
z =0 → E1 (0) = ΦB → B1 = ΦB
Φi1
z = zN1 → E1 (zN1 ) = ΦB − Φi1 → A1 = −
zN1
Section no.1
Figure – Barrières de Schottky de formes linéaires et correspondants à deux

largeurs de barrières différentes et à deux potentiels internes distincts.

Section no.1

L’ëquation de la droite résultante :
Φi1
E1 (z) = −
.z + ΦB
zN1
Aprés la modification de la largeur de la barrière de Schottky (zN1 → zN2 )
sous l’effet d’un changement (augmentation ou diminution) de la densité
des atomes donneurs de dopage ÑD , l’équation de la carcatéristique
(E − z) correspondante est donnée par :
Φi2
E2 (z) = − .z + ΦB
zN2
En pratique, l’aire contenue à l’intérieur de ces deux caractéristiques
(E − z) est une grandeur conservée (invariante) pour les deux (02)
différentes largeurs zN1 et zN2 :
ZzN1 ZzN2
E1 (z) dz − zN1 .ΦB1 = E2 (z) dz − zN2 .ΦB2
0 0
Section no.1
Après substitution :
ZzN1 ZzN1
Φi1
− . z dz + ΦB . dz − zN1 .ΦB1
zN1
0 0
ZzN2 ZzN2
Φi2
= − . z dz + ΦB . dz − zN2 .ΦB2
zN2
0 0
1 +2 zN1

Φi1
− . z + ΦB . [z]z0N1 − zN1 .ΦB1
zN1 2 0
1 +2 zN2

Φi2
= − . z + ΦB . [z]z0N2 − ΦB2
zN2 2 0

Section no.1

Φi1 Φi2
ΦB − .zN1 − zN1 .ΦB1 = ΦB − .zN2 − zN2 .ΦB2
2 2

Φi1 Φi2
ΦB − ΦB1 − .zN1 = ΦB − ΦB2 − .zN2 ← (×2)
2 2
Ainsi, la relation de correspondance entre les deux (02) largeurs de

barrières de Schottky (zN1 , zN2 ) et les hauteurs des deux potentiels
internes (Φi1 , Φi2 ) est définie par :
(2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 ) (2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 )

zN2 = .zN1 → ωN2 = .ωN1
(2ΦB − 2ΦB2 − Φi2 ) (2ΦB − 2ΦB2 − Φi2 )

Section no.1
En considérant deux densités d’atomes donneurs de dopage (ÑD1 et ÑD2 )

donnants lieu à deux différentes hauteurs de potentiels internes (Φi1 , Φi2 ) ,
tels que :
ΦB 3ΦB
ΦB1 = ΦB (z = zN1 ) = , ΦB2 = ΦB (z = zN2 ) =
2 4
ΦB ΦB
avec Φi1 = , Φi2 = → Φi1 = 2Φi2
2 4
Après substitution, la relation de correspondance entre les deux (02)

largeurs des barrières de Schottky correspondantes :
(2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 )

ωN2 = .ωN1
(2ΦB − 2ΦB2 − Φi2 )

Section no.1
h i
2ΦB − 2 Φ2B − Φi1 (Φ − Φi1 )
ωN2 =h i .ωN1 = 1 B .ωN1
2 ΦB − Φi2
3ΦB
2ΦB − 2 4 − Φi2
avec
ΦB = 2Φi1 , ΦB = 4Φi2 et Φi1 = 2Φi2
(2Φi1 − Φi1 ) (2Φi1 − Φi1 )

ωN2 = 1 .ωN1 = .ωN1
2 .4Φi2 − Φi2
[2Φi2 − Φi2 ]
Φi1 2Φi2
→ ωN2 = .ωN1 = .ωN1 = 2ωN1
Φi2 Φi2
Ainsi, d’autant la densité des atomes donneurs de dopage est élevée,
d’autant la barrière du potentiel interne Φi est grande et d’autant la
largeur zN de la barrière de Schottky est petite, et vice versa.
Section no.1

Section no.1


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*/ Contact M/S Ohmique.

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Physique des Matériaux Semiconducteurs.

Ainsi, les électrons provenants du semiconducteur vont générer une charge

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Cette barrière de potentiiel d’interface (de Schottky) est caractérisée par

Ainsi, la barrière de Shottky est indépendante de l’énergie du gap Eg des

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Figure – Barrières de Schottky de formes linéaires et correspondants à deux

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Ainsi, la relation de correspondance entre les deux (02) largeurs de

(2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 ) (2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 )

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En considérant deux densités d’atomes donneurs de dopage (ÑD1 et ÑD2 )

Après substitution, la relation de correspondance entre les deux (02)

(2ΦB − 2ΦB1 − Φi1 )

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(2Φi1 − Φi1 ) (2Φi1 − Φi1 )

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