Eletrônica Analógica

Transistor Bipolar de Junção –

Introdução
Prof. Paulo Piber
 Transistor de Junção Bipolar
O TJB é um dispositivo de 3 terminais formado por duas
junções pn. O TJB tem como função amplificar sinais AC, através
da injeção de uma pequena corrente na base é possível controlar
a corrente de saída no coletor.
Os três terminais do transistor são:
• Emissor (E) → fortemente dopado. Emite portadores de
carga para base.
• Base (B) → dopagem média e é muito fina. Assim, a
maioria dos portadores lançados do emissor para a base,
conseguem atravessá-la, dirigindo-se ao coletor.
• Coletor (C) → levemente dopado. Recolhe os portadores
que vêm da base. Tem maior área, pois dissipa a maior
parte da potência gerada.
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 As duas junções são a base-emissor (BE) e a coletor-
base (CB). O termo bipolar é devido a característica de
funcionamento, onde aparecem os portadores de carga com as
duas polaridades, negativa (elétrons) e positiva (lacunas).
A corrente convencional tem sentido contrário ao do fluxo
de elétrons e mesmo sentido que do fluxo de lacunas.
Estrutura do transistor

npn pnp
Para o transistor operar como amplificador a junção base-emissor
deverá ser diretamente polarizada (VBE) e a coletor-base
reversamente polarizada (VCB).
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 Símbolos do transistor

npn pnp
Modos de operação
Modo EB CB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta

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 Correntes no Transistor
Transistor na Região de Corte

iB = 0 iE = 0 iC = 0
Transistor na Região de Saturação

iE = i B + i C vCEsat.≈ 0,2V
Transistor na Região Ativa

iC =   iE α varia de 0.90 a 0.99.

i B = (1 −  )  i E =
iE 
=  e =
 +1 1-  +1
iC =   iB
i E = ( + 1)  i B
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• A corrente de coletor IC é independente do valor da tensão do
coletor enquanto a junção coletor-base permanecer polarizada
reversamente, isto é, VCB ≥ 0.
• Portanto, no modo ativo, o terminal de coletor se comporta
como uma fonte de corrente ideal em que o valor da corrente é
determinado por VBE.
• A corrente de base IB é um fator 1/β da corrente de coletor, e a
corrente de emissor é igual a soma das correntes do coletor e
da base.
Aplicando LKT para o transistor, temos
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC
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 Podemos expressar as correntes de coletor, base e
emissor como,

IC =IS e(VBE /VT )

 I S  (VBE /VT )
I B =    e
  

 I S  (VBE /VT )
IE =    e
  

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Fig. 4.5 Large-signal equivalent-circuit models of the npn BJT operating in the active mode.

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Fig. 4.8 Two large-signal models for the pnp transistor operating in the active mode.

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 Modelo de Ebers-Moll (EM)
Este modelo é geral, empregado pelo SPICE e demais
simuladores, pode ser utilizado para baixas frequências ou
polarização DC.

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 As correntes iDE e iDC são dadas por
i DE =ISE [e(VBE /VT ) − 1]
i DC =ISC [e(VBC /VT ) − 1]
ISE e ISC são as correntes de saturação. ISC > ISE por um fator
entre 2 e 50.
αF = alfa direto (≈1) e αR = alfa reverso (entre 0,02 e 0,5).
αFISE = αRISC = IS
Correntes nos Terminais do Transistor

i E = i DE -  R i DC
i C = -i DC +  F i DE
i B = (1-  F )i DE + (1-  R )i DC
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 Fazendo as devidas substituições temos:

 [e(VBE /VT ) − 1] -IS [e(VBC /VT ) − 1]

IS
iE =
F

i C =I S [e(VBE
/VT ) − 1] - I S  [e(VBC /VT ) − 1]
R
( )  [e(VBC /VT ) − 1]
IS V /V IS
iB =  [e BE T
− 1] +
F R
onde
F
F =
1 - F
R
R =
1 - R
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Configurações Básicas

Base Comum (BC)

Coletor Comum (CC)

Emissor Comum (EC)

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 Características de Entrada
BC: Para VCB constante, variando-se VBE, obtém-se uma corrente
de entrada IE. A partir do momento em que a tensão de entrada
faz os portadores vencerem a barreira de potencial, a corrente
através da junção dispara. Assim, nesta região, pequenas
variações de VBE causam grandes variações de IE. Também, a
característica é afetada pela mudança de VCB.

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CC ou EC: Para VCE constante, variando-se VBE, obtém-se uma
corrente de entrada IB. É possível controlar a corrente de base,
variando-se a tensão VBE.

Como nos diodos de silício, a tensão na junção emissor-

base diminui cerca de 2 mV para cada 1oC de aumento na
temperatura, considerando operação em um valor constante de
corrente.
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 Características de saída
BC: Para cada valor de IE constante, variando-se VCB, obtém-se
uma corrente de saída IC.

Na saturação VCB ≈ -0,7 V

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CC ou EC: Para cada valor de IB constante, variando-se VCE,
obtém-se uma corrente de saída IC.

Na saturação VCE ≈ 0,2 V

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 Especificações Básicas
VCEmáx. = Tensão máxima de coletor-emissor
ICmáx = Corrente máxima de coletor
PCmáx = Potência máxima de coletor

PCmáx = VCEmáx ∙ ICmáx (EC e CC)

PCmáx = VCBmáx ∙ ICmáx (BC)

BVCBO = Tensão de ruptura entre C e B, com IE = 0

BVCEO = Tensão de ruptura entre C e E, com IB = 0

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Gráfico da potência

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 Dependência de IC da tensão de coletor
• As curvas apresentam uma inclinação finita.
• Quando extrapoladas, as linhas características encontram-se em um ponto do
eixo negativo de VCE, em VCE = - VA.
• VA é positivo, com valores típicos entre 50 e 100V. Sendo VA a tensão de
Early.
• Para um dado valor de VBE, aumentando-se VCE aumenta-se a tensão de
polarização reversa sobre a junção coletor-base e, portanto, aumenta-se a
largura da região de depleção desta junção.
• Isso, por sua vez, resulta na diminuição da largura efetiva da base. IS é
inversamente proporcional a largura, então IS e IC aumentarão
proporcionalmente. (Efeito Early).

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 A inclinação das retas IC x VCE indica que a resistência de saída vista do
coletor não é infinita. É finita e dada por

VA
ro =
IC
Esta resistência tem efeito significativo na análise AC dos circuitos
amplificadores.
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