Professional Documents
Culture Documents
Polprzewody Test
Polprzewody Test
Polega na tym, że foton uwalnia parę elektron-dziura. Musi zajść warunek, że foton dostarczy
energie minimalna, dzięki której elektron z pasma walencyjnego będzie mógł przeskoczyć
przerwę zabroniona i przejść do pasma przewodnictwa. W ten sposób pod wpływem
oświetlenia następuje wzrost koncentracji nośników ładunku w PP i wzrost konduktywności,
co opisuje pewien wzór.
6>> Co to są dziury?
- ?
- diód i źródeł pradowych
- diod i źródeł ?
- diód i pojemności
W OB wzmocnienie jest bliskie 1 (jednak nie przekracza tej wartości, tutaj: ~0,96).
Występuje w paśmie podstawowym lub w przewodzenia (tj. zagłębia się w te pasma) lub jest
w odległości od nich < 2kT.
13>> Dyfuzja.
Nadmiarowe nośniki ładunku, występujące w pewnym obszarze PP, ulegają tak częstym
zderzeniom z siecią i wykonują chaotyczne ruchy, ulegają rozproszeniu – występuje ich
dyfuzja.
Dla typu p znajduje się bliżej wierzchołka pasma podstawowego, gdyż pp zawiera wtedy
więcej dziur i większe jest prawdopodobieństwo obsadzenia niższego stanu energetycznego.
Przy polaryzacji zaporowej jedyny prąd jaki płynie przez półprzewodnik to prąd unoszenia
(zwany prądem ciemnym). Jest to prąd wytwarzany przez nośniki mniejszościowe (dla pp
typu p – elektrony, dla pp typu n – dziury).
23>> Dioda Si przepuszcza 10nA, następuje wzrost spadku napięcia np. o 10mV. Czym
jest to spowodowane?
24>> Dla jakich polaryzacji i napiec JFET działa przy największym prądzie na złączu
bramka – kanał.
W tranzystorach polowych złączowych JFET (junction FET) największy prąd drenu płynie
przy napięciu sterującym UGS=0, co widać na charakterystyce.
32>> Dioda SI przewodzi stały prąd 10mA zmniejszenie na niej spadku napiecia o 20mA
jest skutkiem:
+oboniżenia temperatury o 10K
+wzrostu temperatury o 10K
+oboniżenia temperatury o 20K
+wzrostu temperatury o 20K
36>> Najwyższa częstotliwość graniczna przy spadku o 3 dB (to już chyba było ) i -
chyba ma być w OB
37>> Co tworzy dipol w złaczu P-N - i teraz nie wiem, odpowiedzi były typu dodatnie
akceptory i ujemne donory i na odwrót albo te i te (?) niech ktoś na to odpowie
+Warstwa dipolowa w złączu PN tworzą nieskompensowane ładunki dodatnie w
warstwie N (domieszek donorowych) oraz nieskompensowane ładunki ujemne po stronie P
(akceptorowych).
43>> Jak zależy moc tracona w układzie cmos od częstotliwosci pracy układu
(liniowo rośnie wraz z czestotoliwością)
44>> Jakie konstrukcjie tranzystorow sa najłatwiejsze do wykonania w technologiach
monolitycznych (npn - jest ich najwiecej wiec są najłatwiejsze do wykonania)
45>> Standardowe napięcia pracy ttl. Zasilanie, Uh Ul. (nie jestem pewien odp.)