Guia - Del - Maestro - UAQ Origmal

Capítulo 1
DIODOS: SEMICONDUCTORES
1.1. Introducción
El siguiente material ofrece información al alumnado que se encuentre estudiando
elec- trónica analógica, por lo que se parte del entendido que conocen los principios
básicos del análisis de circuitos, en caso de tener alguna duda sobre los temas vistos en
cursos pasa- dos se recomienda revisar sus apuntes o materiales de apoyo para una mejor
comprensión digitales que le ayuden a comprender mejor la información.
Esta guía permitirá al alumno una mayor comprensión de la teoría, y poder complemen-
tarla con una serie de practicas que reforzaran lo visto en la teoría. Además de impartir
los fundamentos de la electrónica analógica, la contribución de esta guía a estudiantes en
donde se abordaran la fabricación de los diodos, aplicaciones, las peculiaridades del diodo
zener, el valor rms, entre otros conceptos. para que el alumno se enfrente al mundo laboral
sin vacilaciones ni temores .
Como parte de la cultura general, algunos de los componentes de los circuitos eléctri-
cos fueron creados en la década de treintas. Cuarenta años más tarde, también se redujo el
tamaño de los componentes básicos de los circuitos eléctricos, y este proceso ha
continuado en los últimos años.
1.2. Diodos
Estudiar los diodos, que son elementos que no son conductores ni aislantes, es
necesario para entender cómo funcionan los semiconductores.
Todas las entidades que se encuentran en el cosmos están constituidas por átomos,
que constan de un núcleo central que contiene protones y neutrones, y una zona
externa donde los electrones se organizan en capas u orbitales, girando alrededor del
núcleo" (Floyd, 2007). A efectos de esta guía, nos interesa la última capa de electrones o
la red más externa de estos átomos (capa de valencia) porque es donde se distribuyen los
electrones desde el punto de vista eléctrico.
1
CAPÍTULO 1. DIODOS: SEMICONDUCTORES 2
La carencia de una atracción considerable entre los electrones presentes en la capa de

valía y el núcleo provoca que estos electrones sean sencillamente extraíbles debido a
una influencia externa proveniente de otro átomo. Esto origina la formación de
electrones en libertad que tienen la capacidad de desplazarse por el material,
facilitando de esta manera la circulación de energía eléctrica. En futuras partes del
texto, se abordará este asunto con mayor profundidad.
La distinción entre conductores y aislantes que se utiliza actualmente incluye a los se-
miconductores, que, como se ha indicado anteriormente, no encajan en las categorías
mencionadas y son capaces de responder indistintamente a estímulos externos.
Un semiconductor también se define como un material que posee características eléctricas
entre las de un aislante y material un conductor, así como electrones libres y la existencia
de huecos.
1.3. Estructuras y simbología

Un diodo consta de varios componentes importantes, como el ánodo, el cátodo, los
materiales dopantes (N y P), un cristal semiconductor y una cápsula aislante que
protege la parte interna del diodo de los elementos exteriores. El polo positivo (ánodo)
y el polo negativo (cátodo) representan los extremos del diodo, siendo el cátodo
reconocible por una banda de color en uno de sus extremos en el caso de los diodos.
Asimismo, en la superficie del diodo, se encuentra impreso un código de identificación
que posibilita su reconocimiento, tal y como se ilustra en la Figura 1.1.
Siguiendo las afirmaciones de Paredes Romero (2013, páginas 20), los "tres minerales
semiconductores" más empleados en la producción de diodos son Ge, Si y GaAs. Sin
embargo, es importante señalar que el silicio y el germanio no son intrínsecamente
semiconductores, y necesitan ser "contaminados" o dopados para convertirse en
elementos semiconductores. En los próximos temas, se explicará esta característica
con más detalle.
En la Figura 1.2 se puede ver que sirve como representación emblemática de los diodos
rectificadores, con el ánodo (lado P) denotado por el triángulo o flecha y el cátodo (lado N)
por la línea vertical en la punta del triángulo negro, que en los próximos temas sabremos
el por que de estos nombres.
Figura 1.1: Apariencia físico básico y comercial de un diodo (Simbolos Electicos y Elec-
tronicos).
Figura 1.2: Representación simbólica de un diodo (Simbolos Electicos y Electronicos).

Los demás símbolos se encuentran en las siguientes Figuras 1.3, 1.4 y 1.5 se le invita a
descargar las tablas, para su posterior uso en ejercicios y simulaciones computacionales.
Figura 1.3: Símbolos de diodos(Simbolos Electicos y Electronicos).
Figura 1.4: Símbolos de fotodiodos(Simbolos Electicos y Electronicos).

Figura 1.5: Símbolos de puentes rectificadores(Simbolos Electicos y Electronicos).
1.3.1. Niveles de energía

Antes de conocer la técnica alternativa para aumentar la conductividad, es importante
recordar los niveles de energía en general, ya que son un concepto fundamental en química
básica.
El nivel de energía de un electrón libre dentro de la estructura atómica es superior al de
cualquier otro electrón presente, debido a que cuanto más alejado se encuentre del núcleo,
mayor será su estado energético. La distancia entre el electrón y el núcleo influye en la fuerza
de atracción, y al estar más lejos, esa fuerza es menor, lo que resulta en un mayor nivel de
energía para el electrón libre. Este fenómeno es esencial en la comprensión de cómo los
electrones interactúan en la formación de enlaces químicos y en procesos de absorción y
emisión de energía en la materia.
Es relevante considerar que para que un electrón se traslade desde la banda de valencia del
arseniuro de galio hacia la banda de conducción, debe absorber mayor cantidad de energía.
Este mismo principio se aplica también a los átomos de silicio y germanio en su banda de
valencia (Malvino y Bates, 2007, pp. 28).
1.4. Materiales intrínsecos y extrínsecos

Anteriormente se habló de este tema de una forma muy superficial, ahora bien, se
puede profundizar a continuación, los dos tipos de semiconductores son los monocristales
(intrín- secos) y los compuestos (extrínsecos).
Los diodos de cristal único emplean sustancias fundamentales como el germanio (Ge)
y el silicio (Si). Por contraste, los diodos compuestos se erigen mediante la
combinación de dos a tres componentes, los cuales están enlazados y se basan en
materiales poco comunes como el sulfuro de cadmio (CdS), el nitruro de galio (GaN) y
el compuesto de fósforo de arsénico y galio (GaAsP) (Boylestad y Nashelsky, 2004,
páginas 6, Figura 1.6).
Los elementos silicio y germanio, junto con el compuesto arseniuro de galio, sirven
como ejemplos de semiconductores intrínsecos (Boylestad y Nashelsky, 2004, pp. 7),
es decir, semiconductores que han sido sometidos a un refinamiento extremadamente
cuidadoso para eliminar el mayor número posible de impurezas y dejarlos lo más puros
posible que puedan fabricarse con las tecnologías actuales. Sin embargo, cuando estos
elementos se refinan, el enlace que presentan es el enlace covalente, como se ilustra en
la Figura 1.7.
Figura 1.6: Representación de la estructura interna de los átomos de Germanio(Ge), Sili-

cio(Si), Arsénico(As) y Galio (Ga)
Figura 1.7: Representación de semiconductores intrínsecos.
“Çuando se aplica calor a un semiconductor tiene un aumento de conductividad, los elec-

trones de valencia ganan suficiente energía térmica para romper el enlace covalente" (Boy-
lestad and Nashelsky, 2004, pp. 5), a mayor temperatura mayor sera el flujo de electrones.
Esta propiedad se le conoce como coeficiente de temperatura, y como un semiconductor
tiene un mayor flujo de electrones, tiene un coeficiente de temperatura negativo (Cogdel,
2001).
Ya que un semiconductor intrínseco consume demasiada energía es necesario utilizar otra
fuente de energía lo que hace difícil justificar su uso.
1.4.1. Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p

La incorporación de átomos conductores adicionales a un cristal intrínseco como impu-
rezas modifica la conductividad eléctrica del semiconductor extrínseco, que es el otro
método para aumentar la conductividad de un semiconductor.
Figura 1.8: Representación de dopaje de semiconductores extrínsecos tipo n.
Las dos principales clasificaciones de semiconductores extrínsecos que desempeñan

un papel crucial en la manufactura de diodos comprenden los materiales de Clase N y
los materiales de Clase P. Estos se generan mediante la incorporación deliberada de
átomos de impurezas a un cristal base conformado por silicio, dando lugar a los
materiales de Clase N y Clase P.
Los elementos dopantes pentavalentes, o aquellos con cinco electrones de valencia, son
los que se usan en la producción de materiales materiales tipo n(Figura 1.8). Entre ellos
se encuentran el antimonio (Sb), el fósforo (P) y el arsénico (As). Cuatro de los cinco
electrones se enlazan con los elementos fundamentales del diodo, como Si, Ge y GaAs.
Tanto el silicio como el germanio tienen cuatro electrones de valencia, lo que les
permite establecer enlaces covalentes. Por otro lado, el átomo de arsénico es
pentavalente, ya que posee cinco electrones de valencia, permitiéndole formar enlaces
adicionales con otros átomos. Se denominan "portadores mayoritarios" (Boylestad
and Nashelsky, 2004, pp. 8) porque son los que más electrones tienen, en comparación
con los de tipo p, que veremos más adelante, y porque la suma de sus electrones libres es
mayor.
Figura 1.9: Representación de dopaje de semiconductores extrínsecos tipo p con un átomo

de Boro Boylestad and Nashelsky (2004).
Los componentes de categoría P comprenden elementos tales como el aluminio, el

boro, el indio y el galio. Estos elementos son dopantes que se utilizan para crear
semiconductores con características tipo P, donde se generan huecos en la estructura y
se crean portadores de carga positivos. Estos materiales son fundamentales en la
fabricación de dispositivos electrónicos, como los diodos de tipo P. Cada uno de estos
elementos tiene tres átomos trivalentes en su capa de valencia, que forman enlaces con el
elemento base completando sólo siete electrones de valencia, dejando un espacio libre o
agujero, como se exhiben en la Figura 1.9, el agujero del átomo de boro se representará
como un pequeño círculo de color rojo.
Para brindar mayor claridad, los materiales de tipo P son catalogados como
"portadores minoritarios" (Boylestad y Nashelsky, 2004, páginas 8) debido a su
particularidad de tener una cantidad limitada de electrones en su capa de valencia en
comparación con los portadores mayoritarios. A pesar de que contienen una mayor
cantidad de huecos, no se catalogan automáticamente como portadores mayoritarios, ya
que esta clasificación se basa en la cantidad de electrones en la capa exterior de un átomo.
1.4.2. Flujo de electrones contra el flujo de huecos

Cuando un electrón contenido en la franja de valencia obtiene la cantidad necesaria de
energía para quebrar su enlace covalente, emerge un espacio vacío o hueco en dicha franja. La
dirección convencionalmente usada es la estándar, que se desplaza de positivo a negativo, o
como se explica en ciertas fuentes, en forma de flujo de huecos, según se representa en la
Figura 1.10. Según lo mencionado por Malvino y Bates (2007), ocurre una trasferencia o
desplazamiento de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha.
Figura 1.10: La corriente de electrones de izquierda a derecha es el tradicional, pero el flujo

de huecos es el auténtico. Los agujeros se mueven en flecha verde, los electrones en flechas
rojas.
1.4.3. Unión PN
Figura 1.11: Formación de la barrera de potencial.
Como es bien sabido, el octeto del átomo debe alcanzarse para lograr el equilibrio de
la capa de valencia. En los semiconductores, nos encontramos con que los electrones res-
tantes de los semiconductores de tipo n (portadores de electrones o mayoritarios) llenarán
los huecos restantes de los semiconductores de tipo p, también conocidos como portadores
minoritarios, siempre que la barrera de agotamiento sea lo suficientemente fina como para
poder atravesarla, tal y como se presenta en la Figura 1.11.
Figura 1.12: Gráfica del diodo de silicio Boylestad and Nashelsky (2004).
1.5. Polarización del diodo

1.5.1. Polarización directa
Cuando unimos el extremo positivo de la batería al componente de tipo P y el
extremo negativo al componente de tipo N, estamos configurando una
polarización directa o encendido. Esto resultará en la dirección de los
electrones hacia la zona de agotamiento, lo que a su vez disminuirá el tamaño
de dicha zona.
Debido a la limitada presencia de átomos de impurezas en el material, la

capacidad de conducción se encuentra limitada en el nivel de conductividad.
Esto se manifiesta como "la corriente de portadores de electrones
minoritarios que fluye desde el componente de tipo P hacia el componente de
tipo N" (Malvino y Bates, 2007, páginas 37).
Desde los huecos o espacios vacíos del componente de tipo N hacia el
componente de tipo P, no se experimenta un ajuste en las dimensiones, pero
sí se presenta una reducción en el ancho de la zona de agotamiento. Esta
contracción conlleva a una corriente vigorosa de portadores mayoritarios que
fluye a través de la unión. Los electrones procedentes del componente de tipo
P atraviesan la zona de agotamiento, la cual ha sido disminuida, gracias al
potencial generado por la fuente de voltaje aplicada.
El diagrama de la “región de polarización directa" (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 12) de la Figura 1.12 ilustra cómo la anchura de la zona de
empobrecimiento disminuye a
medida que aumente la polarización hasta que los electrones puedan fluir a
través de la unión, provocando un aumento exponencial de la corriente.
1.5.2. Polarización inversa
Figura 1.13: Polarización inversa de un diodo, se aprecia el crecimiento de la

zona de agotamiento.
Considerando lo anterior los diodos son "puertas

unidireccio- nales" (Boylestad and Nashelsky (2004)) que no
permiten que los pasen electrones en dirección opuesta
cuando cambia el sentido de la corriente, dicho de otra
manera, por la ley de las cargas eléctri- cas los materiales
de tipo n y de tipo p se repelen entre sí con la polarización
de la carga que presente la fuente eléctrica cómo se
mostrará en la siguiente Figura 1.13, por ende extendiendo
Figura así la barrera de agotamiento bloqueando el paso de la
corriente eléctri- ca, evitando que el circuito no se queme,
1.14: como se muestra en la Figura 1.13.
Representació
n simbólica En teoría, un diodo se comportaría como un interruptor
de un perfecto que bloquea por completo el flujo de corriente
Diodo (Boylestad y Nashelsky, 2004, pp. 11). Sin embargo, en la
Ze- ner práctica y en el mundo real, los diodos presentan un punto de
ruptura o "voltaje de ruptura inversa" (VRI) (Boylestad y
(Boylestad Nashelsky, 2004, pp. 11), también conocido como "voltaje
and máximo de ruptura inversa" (VPRI), como se muestra en la
Figura 1.15 del lado izquierdo.
Nashelsky
(2004)).
Este fenómeno es desencadenado por una corriente negativa considerable
aplicada en sentido contrario, ocasionando una alteración en la polaridad del
diodo. Esta transformación conduce a la saturación de los portadores
minoritarios y al aumento en la velocidad de los huecos, lo que da origen a un
CAPÍTULO
proceso 1.denominado
DIODOS: SEMICONDUCTORES
corriente de avalancha. Esta situación provoca la 11
ocurrencia de la ruptura de avalancha o la región zener (Boylestad y
Nashelsky, 2004, páginas 15), tal como se muestra en la Figura del lado
izquierdo.
1.6. Tipos de diodos

1.6.1. Diodo Zener
El diodo Zener es un componente elaborado a partir de silicio el cual puede de estar
incluido en la sección siguiente, pero amerita su tiempo exclusivo para explicar su
funcionamiento, por que tiene la capacidad de hacer que la corriente se vaya en una
dirección sino también en dirección contraria cuando se alcanza el nivel requerido para
crear la avalancha o región Zener, esto ocurre con un voltaje cercano a los -4 voltios de
potencia, Figura 1.15b.
En el contexto de la avalancha, el comportamiento de los diodos de tipo Zener se presenta de la

siguiente manera: Al aplicar un voltaje en sentido opuesto, se origina una corriente contraria de
portadores de electrones. A medida que este voltaje en sentido contrario se incrementa, la
intensidad impulsa a los portadores minoritarios a desplazarse con mayor velocidad. En
consecuencia, los portadores minoritarios impactan contra los átomos constituyentes del diodo.
Cuando estos portadores adquieren la energía necesaria para interactuar con otros electrones en la
banda de valencia, los desplazan de su nivel energético, generando así electrones liberados
(Boylestad y Nashelsky, 2004, páginas 16). Este proceso prosigue hasta que la corriente inversa
crece en magnitud hasta volverse incontenible.
Por lo tanto, el electrón se vera obligado a moverse hacia la derecha y, como ya se
(b) Región Zener Boylestad and Nashelsky

(a) Gráfica de regiones Boylestad and Nashelsky (2004).
(2004).
Figura 1.15: Gráfica A representa la polarización de un diodo Zener y la gráfica B

representa la región Zener.
mencionó anteriormente, la cantidad de portadores minoritario moverán a los electrones

de valencia que sean desplazados de sus niveles de energía, lo que hará que a pesar de la
barrera el diodo empiece a conducir corriente.
Si aplicamos voltaje inverso a un diodo semiconductor normal lo que ocurriría es una

alteración atómica irreversible en sus propiedades del mismo, en cambio un diodo zener
está clasificado para ese tipo de corrientes donde "los limites del rango zener van desde
los
-12.5 mA a los -32 mA " (Boylestad y Nashelsky, 2004, pp. 95). Sobrepasar el voltaje de ruptura en un diodo no implica
automáticamente su daño. Siempre y cuando el producto de la tensión inversa por la corriente inversa no exceda la
potencia máxima tolerada por el diodo, será posible que se recupere sin consecuencias adversas. Para obtener esta
información específica, será esencial hacer referencia a la ficha técnica del diodo.
1.7. Otros diodos

De acuerdo a su fabricación fabricación y funcionamiento hay diferentes tipo de Diodos
que se pueden dividir en 2 grupos principales:
Los más comunes: diodos rectificadores diodos LED y diodos zener (ya se hablo
antes de el).
Los no tan comunes es decir menos comerciales: diodo láser, fotodiodos, Tunnel,
Schottky Pin y Gunn.
Al someter un diodo semiconductor a una polarización en sentido directo, los electrones se mueven desde la
parte N del diodo a través de la unión y salen por la zona P. En el transcurso de este procedimiento en la región
de la unión, los electrones se unen con los huecos, dando como resultado la emisión de energía en forma de un
fotón liberado.
La cantidad de energía liberada en un diodo, que suele ser baja en un diodo

convencional, puede aumentar al utilizar materiales como galio, arsénico y fósforo
en lugar de silicio o germanio (Prado, 2002). De esta manera, los diodos
especialmente diseñados para emitir luz reciben el nombre de LED. El tono de la
luz emitida está determinado por el rango de energía presente en el material
utilizado.
Figura 1.16: Re-

presentación sim- Como ejemplo, el fosfato de galio-arsénico (GaAsP) emite luz en una
bólica de un dio- tonalidad roja, mientras que el fosfato de galio (GaP) produce luz en un
do emisor de luz tono verde. Los LED tienen la capacidad de emitir radiación infrarroja y
(Simbolos Electi- abarcan hasta la luz visible, lo que los hace versátiles en su rango de
cos y Electroni- emisión.
cos).
Tenga en cuenta que "los LED tienen polarización directa y so-
fotodiodos. portan un voltaje máximo al que emiten la mayor cantidad de ra-
diación" Prado (2002) , superar este valor puede implicar daños
al LED; El símbolo representativo se encuentra en la tabla 2 de
Los LED tienen muchos usos; incluyendo: luces indicadoras, pantallas alfanuméricas,
transmisores de fibra óptica, articuladores, controles remotos de vídeo, televisores o
enlaces de computadora.
En el ámbito de los semiconductores, han emergido variantes más sofisticadas de los LED, como el LED RGB, el cual es
un emisor de luz que presenta cuatro conexiones y combina tres colores fundamentales: verde (G), rojo (R) y azul (B).
Esta mezcla cromática posibilita la creación de una extensa variedad de tonalidades y colores adicionales.
Figura 1.17: Señal de onda completa de CA sin rectificar, se puede observar la parte
inferior el semiciclo negativo y en la superior el semiciclo positivo (Malvino and Bates,
2007, pp. 85).
Existen diodos de megahercios, que son una serie de rectificadores ultrasónicos diseñados
con el fin de lograr una eficiencia óptima al combinar señales de frecuencia
extremadamente alta en fuentes de alimentación, se emplean como componentes de
corrección de factor en el circuito..
Los diodos "scanswitch" son rectificadores que exhiben un rendimiento destacado al emplearse en motores de
alta precisión y en estaciones de trabajo que requieren recuperación rápida y tensiones de polarización que
llegan a alcanzar los 1500 V, según lo señalado por Malvino y Bates (2007).
Los diodos "scanswitch" son dispositivos rectificadores que muestran un desempeño sobresaliente cuando son
utilizados en motores de gran resolución y en ambientes de trabajo que demandan tiempos de recuperación
reducidos y tensiones de polarización de hasta 1500 V, según lo indicado por Malvino y Bates (2007).
1.8. Diodo como rectificador

Los dispositivos rectificadores se pueden segmentar en dos clases: los rectificadores de media onda y los
rectificadores de onda completa. Esta categorización se basa en si aprovechan solo un semiciclo o ambos de
los voltajes provenientes de la corriente alterna. Un rectificador constituye un elemento eléctrico que ofrece
una resistencia mínima al flujo de corriente en una dirección para detener la parte negativa de una señal
eléctrica, a diferencia de un componente que presenta una resistencia elevada, el cual genera el efecto
contrario.
Un diodo rectificador representa uno de los elementos más sencillos en el ámbito de la
electrónica, y su denominación deriva de su función fundamental, que consiste en
permitir el tránsito exclusivo de los semiciclos positivos de una señal de voltaje en
corriente alterna (CA). En términos simples, la función principal del circuito
rectificador en una fuente de poder es transformar el voltaje proveniente del
transformador en corriente alterna (CA) en un voltaje de corriente directa (CC)
pulsante que sostiene una polaridad constante. A este proceso se le denomina
rectificación.
Los diodos rectificadores se caracterizan por su corriente máxima admisible cuando están conectados en dirección
directa y por su voltaje nominal en situaciones de polarización inversa.
1.8.1. Tipos de rectificadores

1.8.2. Rectificador de media onda
Tal como se explicó anteriormente, el objetivo del circuito de rectificación de
media onda es hacer perceptibles los semiciclos negativos del voltaje de entrada en la
dirección de la corriente, y si es requerido, permitir que fluyan en esa dirección.
Durante los semiciclos positivos del voltaje de la fuente, el diodo bloquea el flujo de
corriente y la tensión en la carga resulta nula. Como
Figura 1.18: Representación de una onda media pulsante (Malvino and Bates, 2007, pp. 85).
resultado, la figura 1.18 muestra la imagen obtenida, donde se puede observar los
semiciclos positivos de la señal de manera pulsante.
1.8.3. Rectificador de onda completa o puente rectificador

El rectificador de onda completa está compuesto por un arreglo de cuatro diodos, una resistencia intermedia
de enlace y una fuente de voltaje de corriente alterna, tal como se ilustra en la Figura 1.19. En comparación
con los rectificadores de onda media, el puente rectificador supera ciertas limitaciones, ya que estos últimos
solo aprovechan la mitad de la tensión disponible. En contraste, el puente rectificador utiliza de manera total y
completa toda la señal disponible, como se puede observar en la Figura 1.20.
Otra de las desventajas eliminada es el uso de más mate-

rial, es decir, se necesitarían fuentes de voltaje que darían
la alimentación a los dos circuitos rectificadores de onda
media para poder mostrar los semiciclos positivo y nega-
tivo, además, a diferencia de los rectificadores de media
onda, el puente rectificador no necesita de una toma cen-
tral en el transformador. Por lo tanto, supera esta limita-
ción y permite obtener una tensión de salida en CC con
la misma amplitud que la tensión de entrada en corriente Figura 1.19: Puente rec-
alterna. tificador (Boylestad and
La figura 1.21, a la izquierda, muestra el recorrido de la Nashelsky, 2004, pp. 79).
parte positiva de la señal o tensión en este escenario. Du-
rante los semiciclos positivos de la tensión de entrada, los diodos D2 y D3 se
encienden y conducen corriente, mientras que durante los semiciclos negativos, son
los diodos D1 y D4 los que
Figura 1.20: Señal continua pulsante de salida del puente rectificador de onda completa
(Malvino and Bates, 2007, pp. 90).
se encienden, produciendo así una señal de salida de CC pulsada, como se representa en

la parte derecha de la Figura 1.21.
(a) semiciclo positivo (Boylestad and Nashelsky, (b) semiciclo negativo (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 79). 2004, pp. 80).
Figura 1.21: La Figura A muestra el camino del semiciclo positivo y la Figura B del
lado derecho el camino del semiciclo negativo.
Valor promedio o voltaje promedio

La Figura 1.17 nos muestra una onda sinusoidal que indica el valor de cada una de
estas áreas. Las ondas sinusoidales tienen un área bajo la curva que está limitada por el
eje X ya sea en la parte superior e inferior, Entonces si obtuviéramos una altura promedio
de estas áreas de un ciclo completo, su valor seria igual a cero por que estas áreas serian
iguales.
Tanto para una señal seno como de coseno, podemos concluir que el valor promedio, sin
importar el tamaño del periodo tendrá un valor igual a cero, por ello el valor promedio
debe obtenerse independientemente de los signos.
Para obtener el valor promedio de las señales del rectificador de onda completa, podemos
usar las dos siguientes formas:
El valor promedio VD para la señal de la ilustración 1.17, es la suma de las áreas

entre el periodo de la señal.
En este tipo de señales el valor promedio también se puede derivar usando el valor
máximo (Vmax).
¿Cómo obtenemos el área bajo la curva?, ¿Qué es el promedio?, como el alumno vio en
sus clases de aritmética es la sumas de todos lo valores hasta el valor final dividido entre
la cantidad de números sumados como se muestra en las ecuaciones 1.1.
xpromedio = a1 + a2 + ...an (1.1)

n
n
Σ1 a =
x promedio
n
K=a
Como se integra en la parte de los circuitos, se sabe que el voltaje cambia en cada ins-
tante de tiempo, pero el tiempo es infinito y los valores se vuelven infinitamente pequeños,
con la maravillosa magia de las integrales, sabemos que el alumno tiene a la integral en el
área de las pesadillas, se lo trataremos de hacer lo más digerible que se pueda.
∫ t1
vavg = 1
v(t)dt (1.2)
t2 − t1 t2
K=4
Σ ∫ t2
ak = v(t)dt (1.3)
n t1
1
Donde = 1
es nuestro intervalo de estudio en el
(t2−t1)
tiempo n
t1es el tiempo inicial y t2 es el tiempo final. Pa-
ra la sumatoria se realizara la suma de los términos infini-
tamente pequeños es representada por la integral de limitada
por el tiempo inicial t1 y el tiempo final t2 por la función
del voltaje, donde este el voltaje está en función del tiempo,
por el diferencial del tiempo como se muestra en la ecuación
1.2.
Figura 1.22: Pe-

Por lo tanto, se trabajara con la ecuación siguiente: riodo completo
∫ t2
1 (Boylestad and
vavg = t— t
2 t v(t)dt
1 (1.4) Nashelsky, 2004,
1
pp. 66).
Cabe advertir que el valor final obtenido no sera el valor promedió
es distinto al valor practico obtenido en el laboratorio y todas las
funciones que vamos analizar de voltaje que estén sobre el eje x coincidirán perfectamente
con las mediciones que hagamos.
Comenzaremos con la corriente directa usando los valores de la Figura 1.22 en la ecuación
1.4.
Donde t1 = 0 y t2 = T y V (t) tendrá un valor constante que será Vm (voltaje máximo) o
Vp (voltaje pico). Por lo tanto, sustituyendo obtenemos esta ecuación.
1 ∫ T
vavg = · v(t)dt (1.5)
T−0 0
T
1 . .
vavg = · .vm · t. (1.6)
T 0
Como logramos observa el resultado del límite inferior será cero, por lo tanto, continuamos
con operación del límite superior.
1
vavg = · (vm · T ) (1.7)
T
Como logramos observar, los tiempos T se anularán por ser operaciones opuestas.
vavg = Vm (1.8)
Y así, se obtendrá el valor promedio o voltaje de alimentación que se comprobara usando

el multímetro en DC.
En corriente alterna para el valor promedio, solo se maneja cuando se usan las poten-
cias, "si se desea que el voltaje promedio de la CA se utiliza el valor RMS (Root Mean
Square)" Prado (2002) valor efectivo de una señal ya que permite manejar los componentes
electrónicos y las ecuaciones que sea como si fueran de corriente directa, y las unidades de
este valor son RMS.
1.9. Diodos en serie y en paralelo

Diodos en serie
Para hacer el análisis de un diodo en serie se utilizarán los conocimientos previos en
circuitos eléctricos, ya que es la misma relación que vamos a utilizar, siguiendo la dirección
del reloj, análisis de mallas, también, aplicaremos la ley de kirchhoff y ley de ohm.
Para esto se explicaran ejemplos para mejorar la comprensión y se realizarán ejercicios
para analizar y aplicar los conocimientos adquiridos. A continuación se explicara la
resolución
Figura 1.23: Circuito sencillo en serie Boylestad and Nashelsky (2004).
pasa a paso de un ejemplo con la ilustración1.23. Paso 1: Armar las ecuaciones por medio
de un análisis de mallas con sentido de las manecillas del reloj Figura 1.23.
Paso 2: Tomar en cuenta que VDes igual a VK (diodo encendido) y éste variará de
acuerdo al diodo usado si es de germanio, silicio o arseniuro de galio.
vD = vK
Figura 1.24: (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 67).
vK de Ge = 0.3
vK de Si= 0.7
vK de AsGa= 1.2
Paso 3: El voltaje de la resistencia es igual al voltaje de la fuente menos el voltaje

del diodo.
vR = E − vK
Paso 4: Encontrar la corriente Id usando la ley de Omh, y sabiendo que IR es igual a ID.
ID = IR
vR
I =
R
R
Paso 5: Procedemos a la sustitución de los valores numéricos en las ecuación 1.9
encontradas en los pasos anteriores con los proporcionados.
vD = 0.7v
vR = 8.v − 0.7v
vR = 7.3v
I = vR
3.318mA R
R
IR = 3.318mA
IR = 3.32mA
Si hay diodos unidos consecutivamente, como se muestra en la Figura 1.26, se sumara sus
voltajes de activación y para posteriormente ser usados lo datos para obtener la respuesta,
Boylestad and Nashelsky (2004) presenta un ejemplo cuy claro y sencillo de explicar por
eso se hará uso de su ejemplo.
vo = E − (vk1 + vk2) (1.9)
vo = 12v − (0.7v + 1.8v)

vo = 9.5
ID = IR vo
= R
9.5v
IR =
680Ω
IR = 0.01397A
IR = 13.97mA
Diodos en paralelo
Para establecer una conexión paralela con un diodo, es necesario aplicar técnicas
de análisis de nodos, entender los principios de división de voltaje, utilizar la ley de
Kirchhoff y también aplicar la ley de Ohm de manera correspondiente. Se presentarán
ejemplos prácticos con el propósito de lograr una comprensión más profunda, y se
llevarán a cabo ejercicios con el fin de evaluar y reforzar el conocimiento adquirido. Se
continuara
Figura 1.27: Circuito tomado de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 60).
con un análisis de mallas en la Figura 1.27, por el cual se puede determinar que:
vo = vD = 0.7V
vR
I =
1
R
R = 0.33KΩ
Realizando el análisis en la primera malla (fig.1.28) notamos que tenemos todos los
factores para obtener VR y por tanto la ecuación para obtener el valor es la siguiente.
vR = E − vD1
vR = 10v + 0.7v
vR = 9.3v
Con esto se puede determinar el valor de I1.
9.3v
I1 =
0.33KΩ
I1 = 28.18mA
Figura 1.28: Circuito tomado de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 71).
En este ejercicio, Figura 1.29, es mucho más fácil encontrar I1 porque se conoce el
voltaje de activación del diodo y tendrá el valor de la resistencia.
Figura 1.29: Imágenes tomadas de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 74)
vk 2
I1 =
R
0.7v
I1 =
3.3KΩ
I1 = 0.2121mA
En el análisis de la malla 2 se encuentran los diodos la resistencia R2 y la fuente de
voltaje de 20 V, de esta manera tenemos más elementos que en la malla uno y nos permite
encontrar el valor te voltaje en la resistencia 2 y su corriente en toda la malla.
E − vK1 − vk2 − v2 = 0
E − vK1 − vk2 = v2
Por lo tanto.
v2 = 20v − 0.7v − 0.7v
v2 = 18.6v
v2 18.6v
I 2 = R2 = 5.6KΩ
I2 = 3.32mA
Para encontrar I2 por medio de análisis de nodos en el nodo A.
ID2 = I2 − I1
ID2 = 3.32mA − 0.212mA

I2 = 3.11mA
En la sección de material extra de este tema habrá enlaces de material audio visual con
ejercicios explicados y con otros profesores para explicar el tema en caso de que el lector
tenga dudas sobre el tema.
1.10. Aplicaciones
Los diodos los podemos encontrar en diferentes dispositivos electrónicos que tienen di-
ferentes y múltiples funciones, pero el diodo en sí tiene un propósito principal que es la de
proteger, se podría decir que es su finalidad principal, luego están los diodos emisores de
luz que son los más comunes a la vista en el mercado comercial.
Las aplicaciones que podemos encontrar para los diodos son:
Rectificadores de onda completa y media onda.
Transformadores de radiofrecuencia.
Reguladores de voltaje por medio de diodos zener.
Limitadores de voltaje con uso de diodos zener.
Recuperación rápida de datos en computación por medio de diodos schottky.
Amplificador de corriente y oscilador en microondas usando diodos túnel.
Modulación de frecuencia y ondas de radio por medio de diodos varicap.

1.11. Ejercicios
1. Encontrar el voltaje y corriente en la resistencia del circuito 1( fig:1.30).
Figura 1.30: Circuito 1.
2. Obtener la potencia del circuito 1.
3. Del circuito 2 encontrar el VR y I de todo el circuito 1.
4. Invierta el sentido del diodo 2 y obtenga el valor VR, IR en el circuito 2.
5. Con el esquema del circuito numero 3 obtener el voltaje en cada una de las resisten-
cias, y la corriente en cada una de las ramas.
6. Para el circuito número 4 obtener el VR2 e IR2. Determine el voltaje que debería tener
la fuente para alcanzar una corriente de mínima de 500 mA.
7. Con el diagrama del circuito numero 5 determine la corriente en IR1 el VR2 en

ambos sentidos de la corriente eléctrica. Construya el circuito 5 y compare sus
resultados con obtenidos matemáticamente y con los obtenidos por multímetro.
8. Obtener el voltaje de salida del circuito 6 además de las respectivas variables en

todas las resistencias.
9. Calcule la potencia y el voltaje en las resistencias R1, R2 y R3 del circuito número

7 considerando que se utiliza un LED de color rojo.
10. Suministre los datos de voltaje, corriente y potencia para una fuente de corriente
constante de 10V y una fuente de corriente alterna con la misma magnitud a 60 Hz en el
circuito 8 mencionado. Construya el circuito y explique las discrepancias en los valores
resultantes.

1.12. Prácticas
Con el fin de poner a prueba las los conocimientos adquiridos por el alumno durante
las clases serán aplicados al mundo real, de esta manera brindar experiencia en su vida
diaria sino también a su vida laboral en el manejo de aparatos eléctricos y circuitos
eléctricos.
Práctica 1: Curva característica de los diodos

Objetivo
Llevar a cabo la medición de magnitudes eléctricas en circuitos simples y observar las
aplicaciones generales que involucran diodos semiconductores.
Materiales que involucran el uso de diodos se-

Osciloscopio. miconductores.
Puntas de osciloscopio. 2. Suministre al circuito una señal se-

noidal con una amplitud pico de 10
Generador de funciones. V y una frecuencia de 1 kHz.
Puntas de quemador de funciones. 3. Coloque la punta del canal 1 del

osciloscopio antes del diodo y la
Protoboard. otra punta en el canal 2 a la salida.
Tome evidencia de lo que visualiza
Multimetro. y en el osciloscopio.
Diodos de silicio y germanio. 4. Repita los pasos 2,3, 4 y 5 con una
señal Triangular con un valor de 10,
Resistencias de 100Ω y 5 , 2.5, 1, 0.7 y 0.5 V pico a pico
con un frecuencia de 10, 5, 2, 1,
200Ω. 0.7y 0.5 KHz. con diodo
semiconducto de Si.
Metodología
5. Además anexe su conclusiones y evi-
1. Llevar a cabo mediciones de varia- dencias visuales al reporte final de la
bles eléctricas en circuitos simples práctica.
y observar las aplicaciones comunes
(a) circuito 1 (b) circuito 2
(c) circuito 3 (d) circuito 4
(e) circuito 5
Práctica 2: Circuitos rectificadores

Con el fin de poner en práctica los conocimientos acerca de puentes rectificadores el
alumno deberá llevar a cabo la siguiente práctica con circuitos rectificadores armados por
el mismo, además de continuar evaluando las habilidades prácticas y manuales del
alumno.
Objetivo
Registrar y visualizar las una de aplicaciones clásicas diodos semiconductores de los
diodos con diferentes voltajes y frecuencias.
Materiales senoidal con los siguientes valores 5

Osciloscopio. V, 2V, 0.9 V con la siguientes fre-
cuencias en cada uno de los siguien-
Puntas de osciloscopio. tes voltajes 10 KHz, 5KHz, 1KHz.,
Generador de funciones. 500 Hz, 100Hz, 10 Hz.
Puntas de generador de funciones. 2. Construya el siguiente rectificador

Tabla de protoboard. de onda completa y utilizar los
siguientes datos 5 V a 10 KHz, 5
Diodos de silicio. KHz, 1 KHz, 500 Hz y 100 Hz.
Registra los datos y conclusión en el
Resistencia de 100 kΩ.
reporte final de la práctica.
Metodología
3. Anexe su conclusiones individuales
1. Construya el circuito del rectificado y evidencias visuales al reporte final
de media onda e ingrese una onda de la práctica.
(a) rectificador de media onda (b) rectificador de onda completa

Práctica 3: El diodo como recordador y sujetador

Objetivo
Permitir conocer a los estudiantes los recortadores y sujetadores comunes y
comprender el principio de su funcionamiento Materiales
Fuente de voltaje
Osciloscopio.
Puntas de osciloscopio.
Generador de funciones.
Puntas de generador de funciones.
Tabla de protoboard.
Diodos de silicio IN4001.
Capacitor 0.1µF
Metodología
1. Desarrolla los siguientes diagramas, haciendo para cada circuito lo siguiente:
2. Calcular y obtener la forma de onda de la señal de salida, Vo, y también proporcionar

los valores correspondientes a través de simulación.
3. Construir los circuitos y con osciloscopio comprobar de forma teórica (cálculos) y

práctica de Vo.
4. Para los circuitos 1.40a y 1.40b introducir dos señales senoidales f1 = 60HZ y f2 =
2000HZ con una amplitud pico a pico de A1 = 2 V y A2 = 8 V.
5. Para los circuitos 1.40a y 1.40b introducir una señal triangular f1 = 1000HZ con una
amplitud de 5 V.
6. Para el circuito 1.40c introducir una señal cuadrada f1 = 1000HZ con una
amplitud pico a pico de 4 V.
7. Para el circuito 1.40d introducir una señal cuadrada f1 = 1000HZ con una
amplitud pico a pico de 4 V.
8. Anexe evidencias fotográficas y cálculos o conclusiones individuales al reporte final.

(a) Recortador en serie (b) Recortador en paralelo
(c) Sujetador sin fuente (d) Sujetador con fuente de cd

1.13. Material extra

Con el fin de reforzar el conocimiento del tema se le invita al alumno revisar los
archivos audiovisuales para mejor entendimiento
Apartados1.2, 1.5,1.6, 1.7 y 1.15 Capitulo 1 Semiconductores: Electrónica:teoría de

circuitos y dispositivos electrónicos, ROBERT L.BOYLESTAD, LUIS NASHELSKY,Editorial:
Pearson.
Diodos explicados” del canal Mentalidad de ingeniería: https : //youtu.be/aPY 3I8pG478.
Apartados 2.2, 2.3, 2.2, 2.6, 2.7, 2.10 y 2.12 Capitulo 2 Semiconductores: Electróni-
ca:teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Autores: ROBERT L.BOYLESTAD,
LOUIS NASHELSKY, Editorial: Pearson.
El vídeo “El Diodo semiconductor, un bicho alineal” del canal “El Traductor de
ingeniería”: https : //youtu.be/lWhtonNPwJc.
“Los Diodos y el Puente Rectificador” de canal de youtube Charly labs aquí el

link para el vídeo: https : //youtu.be/zgTqmL1G7G8.
Cómo funciona un puente rectificador de diodos de Luis Carlos Galán en youtube:

https : //youtu.be/sA0vdTJKmN 0.
¿Qué son el voltaje promedio y RMS? del canal ElectroMatic en youtube: https :
//youtu.be/dy − sJ9gipbw
El material audio visual "Voltajes y corrientes promedio y efectivos"del canal de you-
tube Tecnológico de Monterrey innovación educativa: https : //youtu.be/xfb_V kSif Y
k.
Ver el vídeo Voltaje Promedio en Senosoide, Demostración y medición del canal

ElectroMatic de la plataforma de youtube: https : //youtu.be/3oWmLxkCwIk.
¿Qué son el voltaje promedio y RMS?: Conceptos y Análisis en DC del canal

Elec- troMatic de la plataforma de youtube: https : //youtu.be/9Y DKET 8cRBI.
Capítulo 2
TRANSISTORES BIPOLARES (BJTs)
2.1. Introducción a los transistores

En la electrónica, tanto en la analógica como en la digital, se emplean
prácticamente los mismos componentes discretos. En la electrónica digital,
específicamente, se basa en el uso de compuertas lógicas y está restringida al uso de
voltajes de 0 y 5 volts exclusivamente. Al mencionar "componentes discretos", nos
referimos a elementos primitivos como resistencias, diodos, transistores, entre otros.
El transistor, al servir como piedra angular de la tecnología electrónica actual, es el

componente más fundamental en los dispositivos semiconductores.
En esta unidad, abordaremos los transistores BJT, ya que existen dos tipos de
transistores: los BJT y los Transistores de Efecto de Campo (FET). Sin embargo, los
FET serán tratados en una unidad aparte para su estudio, este dispositivo, también
conocido como transistor de unión bipolar en inglés, se conoce frecuentemente por las
siglas BJT ("Bipolar Junction Transistor" Boylestad and Nashelsky (2004)). La palabra
"bipolar"hace referencia al hecho de que tanto los huecos como los electrones se
inyectan en el material con la polaridad opuesta.
2.2. Símbolo y circuitos

Los transistores tienen deferentes símbolos debido a que sea un transistor BJT, FET o
MOSFET, para esta unidad colocaremos los símbolos de los transistores de unión bipolar
(BJT), pero vamos a colocar el símbolos de los transistores pnp y npn que son utilizados
en muchos circuitos, como se puede observar en la Figura 2.1.
32
CAPÍTULO 2. TRANSISTORES BIPOLARES (BJTS) 33
Figura 2.1: Tabla de símbolos de los transistores BJT
Los circuitos que utilizan transistores para modificar su resistencia se clasifican

como circuitos lineales o analógicos, mientras que aquellos que los emplean como
interruptores se denominan circuitos digitales o lógicos. En el ámbito comercial, los
transistores se presentan en diversas formas y tamaños, adaptados a las aplicaciones
específicas en las que se utilizarán. En la Figura 2.2 se muestran algunos ejemplos de
estas presentaciones.
(a) (b)
Figura 2.2: Presentación comercial de los transistores BJT (Simbolos Electicos y Electro-
nicos).
Estos transistores están fabricados con materiales similares a los diodos, por lo que
no hay una gran diferencia en su proceso de fabricación. No obstante,
profundizaremos en este tema en el próximo apartado. Los transistores no se limitan
únicamente a ser componentes discretos, sino que también forman parte esencial de
los circuitos integrados, que pueden contener miles o incluso millones de ellos.
2.3. Construcción
En los "Laboratorios Bell Telephone en Estados Unidos en 1948", el Dr. William
Brandford Shockley construyó el primer transistor en una base plástica con forma de
C, además de inventar el diodo. En aquel momento, empleó dos fragmentos de un
elemento poco conocido denominado "Germanio", los cuales fueron sujetados por un
clip de oficina común y corriente improvisado como resorte. Delgados hilos de oro se
conectaron desde las terminales de esta estructura para facilitar la entrada y salida de
señales. Se puede apreciar una representación cercana en la Figura 2.3 (Prado, 2002,
pp. 50).
Figura 2.3: Representación del primer transistor
Figura 2.4: Representación esquemática de un transistor
Este transistor está compuesto por tres regiones de material semiconductor, como
silicio, germanio o arseniuro de galio, y puede adoptar dos configuraciones diferentes:
en una, dos de las regiones son de tipo n y la otra de tipo p (los mismos materiales que
se utilizan en el diodo), lo que da como resultado el transistor NPN mencionado
anteriormente. En la otra configuración, dos regiones son de tipo p y una de tipo n, lo
que crea el transistor PNP, como se muestra en la Figura 2.5. En el tema de diodos, se
aprendió sobre la importancia de la polarización directa para amplificar la corriente, y
en el caso de los transistores, también es crucial la polarización.
Figura 2.5: configuraciones de internas de los transistores
(a) configuración pnp (b) configuración npn
Las terminales las cuales conforman las 3 masas anteriormente ya mencionadas son iden-
tificadas como; emisor, colector y la base.
Figura 2.6: Colector, base y emisor nombres correspondientes de las masas del transistor
Las dimensiones de las masas externas (el colector y el emisor) son mucho más anchas
que la masa intermedia (la base) existirán relaciones de grosor de acuerdo al fabricante;
para ejemplificar seria un aproximado de 10:1 en escala con la masa intermedia, Figura
2.6.
En la Figura 2.7, la base apenas está dopada, el colector apenas está dopado y la ca-
pa emisora está muy dopada. Debido a un bajo nivel de dopaje de la base, que varía según
el fabricante, este material es más resistente, ya que hay menos "portadores libres"huecos
o vacíos.
Según la Figura 2.7, "los terminales se indican con las letras mayúsculas C para el colector,
E para el emisor y B para la base" (Malvino and Bates, 2007, pp. 176).
Figura 2.7: Representación del dopado de las masas

2.3.1. Funcionamiento
Los transistores de unión bipolar (BJT) son dispositivos de tres terminales diseñados
para regular corrientes considerables a partir de señales eléctricas muy débiles, lo que les
ayuda actuar como resistencias o interruptores electrónicamente, siendo esta
características la principal diferencia con respecto los FET ya que estos últimos son
controlados por voltaje.
Inicialmente, para lograr un funcionamiento apropiado del transistor, es esencial
llevar a cabo una polarización específica. Dicha polarización implica aplicar una
diferencia de potencial positiva entre el colector y el emisor, al mismo tiempo que se
suministra un pequeño suministro positivo entre la base y el emisor. Esto se visualiza
en la figura situada a la derecha en la Figura 2.8.
Figura 2.8: Un transistor NPN
Este fenómeno ocurre cuando la polarización directa de la base se mantiene por debajo del
voltaje de ruptura del diodo constituido entre la base y el emisor, variando de acuerdo al
material utilizado (silicio, germanio o arseniuro de galio). Una vez que la base está polarizada
(base-emisor), la región de empobrecimiento disminuirá de tamaño y los electrones alojados
en el emisor se desplazarán hacia la base.
La tensión entre el colector y el emisor origina un campo eléctrico en el interior del

componente (según Boylestad y Nashelsky, 2004). No obstante, al encontrarse ante
una estructura similar a un diodo invertido, como se muestra en la Figura 2.9, la
posibilidad de que fluya corriente entre el emisor y el colector queda anulada debido a
la polarización inversa. No obstante, subsiste una situación de excitación entre los
electrones y huecos dentro del dispositivo, por lo que cualquier estímulo externo
tendría el potencial de activar el intercambio.
Para conseguir una corriente continua en todo el transistor la parte del diodo inverso debe
de ser polarizada en directa como se muestra en la Figura 2.10. La tensión aplicada a
la
Figura 2.9: Polarización directa
Cuando la base supera un punto de ruptura, como se mencionó anteriormente en el capítulo de

diodos, la corriente comenzará a circular entre la base y el emisor, lo que provocará una
avalancha de electrones entre el colector y el emisor.
Es relevante resaltar que la avalancha de electrones no acontece de manera

desordenada, sino que guarda una estrecha vinculación con la cantidad de electrones
que atraviesan la base. En otras palabras, la corriente solo circulará entre el emisor y
el colector cuando exista corriente presente en la base.
Se considera que el transistor está en corte Boylestad and Nashelsky (2004), o como si
fuera un interruptor abierto, cuando no circula corriente por sus otros terminales, ya que
debe existir una corriente circulando por la base.
Figura 2.10: Polarización inversa
Por otro lado, el transistor funcionará como un interruptor cerrado cuando la corriente
de base sea extremadamente alta (estado de saturación) Boylestad and Nashelsky
(2004), permitiendo que la corriente viaje entre el colector y el emisor para alcanzar el
flujo má- ximo del transistor.
En la siguiente Figura 2.8 observamos al transistor si polarización entre el colector y la

base. Tenga en cuenta lo similar que es esta circunstancia a la de los diodos de polarización
directa en el tema anterior de los diodos.
A raíz de la reducida región de empobrecimiento generada por la polarización

empleada, se origina un flujo intenso de portadores mayoritarios desde el material de
tipo p hacia el material de tipo n (Figura 2.9). En el momento actual, procedemos a
eliminar la polarización tanto de la base como del emisor (Figura 2.10). Observamos el
paralelismo entre esta situación y el comportamiento de un diodo bajo polarización
inversa. Es crucial recordar que solo se manifiesta un flujo de portadores minoritarios,
ya que el flujo de portadores mayoritarios se reduce a cero.
A diferencia de la unión P-N del otro transistor, éste presenta polarización inversa
(Figura 2.11) con el fin de reducir la barrera de empobrecimiento.
Figura 2.11: Transistor polarizado correctamente
2.4. Configuración en base común

La disposición típica de base en transistores PNP y NPN se visualiza en la Figura 2.12 y es
ampliamente empleada en literatura y manuales contemporáneos. Para representar estos
transistores, se utiliza una notación y símbolos particulares.
Figura 2.12: Notación y símbolos usados con la configuración de base común
Dado que la base es compartida por la entrada y la salida de la configuración, se creó el

término "base común" (Boylestad y Nashelsky, 2004), asimismo, el terminal más cercano
al potencial de la tierra suele ser la base. Todas las direcciones de corriente tratadas en
esta guía serán flujo convencional (de agujeros), no flujo de elec trones.
Observa cómo el sentido habitual del flujo de co-
rriente se indica mediante la flecha del símbolo
del diodo. Respecto al transistor:
La flecha en la imagen del símbolo indica la
dirección del flujo de corriente del emisor, si-
guiendo la convención de flujo convencional del
dispositivo.
Para describir completamente el comporta-
miento de un dispositivo de transistor, como el
amplificador de base común de la figura 2.12,
son necesarios dos conjuntos de datos
particulares: uno se refiere a los parámetros de
entrada (pun- to de activación), mientras que el
otro se enfoca en el lado de salida. Según la
configuración de entrada del amplificador de
base común de la fi-
gura 2.13, se aplican diferentes niveles de Figura 2.13: Características de en-
tensión de salida (VCB) al conectar un voltaje de trada para un amplificador de tran-
entrada (VBE) y una corriente de entrada (IE). sistor de silicio en configuración
El conjunto de salida establece una relación en base común. Boylestad and
entre una corriente de entrada (IC) y una tensión Nashelsky (2004).
de salida (VCB) para varios niveles de corriente
de entrada IE
Las zonas activa, de corte y de saturación son las tres principales regiones de interés
que ofrece el conjunto de características de salida del colector, (Figura 2.14). La primera
es la zona en la que más se utilizan los amplificadores lineales sin ruido ni estática, más
concretamente:
Figura 2.14: La representación gráfica o las características del colector de un amplificador

de transistor en base común (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 135).
La unión colector-base está polarizada en inversa en la zona activa, a diferencia de

la unión base-emisor que se polariza en directa. La corriente de saturación inversa
(ICO) se genera solamente en el extremo inferior del colector, cuando la corriente del
emisor (IE) es igual a cero. La ICO es tan pequeña, del orden de microamperios, en
comparación con la corriente del colector (IC) en miliamperios, que prácticamente se
superpone a la línea horizontal de IC0. La Figura 2.15 muestra estas circunstancias en
el circuito cuando IE = 0 en la configuración de base común.
La notación comúnmente utilizada y que

se encuentra presente en hojas de datos y
especificaciones para representar ICO es la
que se muestra en la figura 2.15. Es posible
pasar por alto la influencia del nivel de ICBO en
los transistores de silicio de uso más
Figura 2.15: Corriente de frecuente en las gamas de potencia baja y
saturación en inversa media, porque a menudo es significativamente
(Boylestad and Nashelsky, inferior como resultado de la mejora de los
2004, pp. 135). métodos de produc- ción.
No obstante, en dispositivos de alta capacidad de potencia, la ICBO seguirá situándose en el

rango de los miliamperios. Asimismo, se debe considerar que la corriente de fuga inversa
ICBO en el transistor es susceptible a cambios de temperatura, al igual que la corriente de
saturación IS en el diodo. La influencia de ICBO puede tornarse relevante cuando las
temperaturas se incrementan, debido a su rápido aumento con la temperatura.
De acuerdo con las ecuaciones fundamentales de corriente para el transistor, la corriente IC en
la ecuación 2.14 debe crecer hasta un valor esencialmente igual a la corriente de emisor IE
cuando esta última aumenta por encima de cero. Según las curvas, la aproximación más
precisa para describir la relación entre IE e IC en la zona activa es la siguiente:
IC ∼= IE (2.1)
La sección de corte de un transistor es aquella en la cual la corriente de colector no fluye, y

tanto las uniones colector-base como base-emisor están bajo polarización inversa, en
concordancia con su denominación. El segmento a la izquierda de VCB = 0 ilustra la fase de
saturación. Con el fin de destacar los cambios en las características en este tramo, se ha
expandido la escala horizontal en esta región. Las conexiones base-emisor y colector-base
están sometidas a polarización directa en la región de saturación.
Al incrementarse la diferencia de potencial entre la base y el emisor, la corriente que

fluye a través del emisor crece de manera análoga a las propiedades de un diodo. Las
variaciones generadas debido a ajustes en VCB son tan insignificantes que, por lo
general, pueden ser pasadas por alto. La Figura 2.16a representa estas
particularidades.
(a) (b) (c)
Figura 2.16: Creación del modelo comparable que se aplicará a la región base-emisor de
un amplificador en modo cd (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 136).
Por tanto, después de .encenderün transistor, la tensión base-emisor es el siguiente paso:
VBE = 0.7V (2.2)
De otro modo, al evaluar las configuraciones de transistores de manera que proporcionen

una respuesta real, sin considerar las pequeñas variaciones de los parámetros, no se tendrá
en cuenta la influencia de las osilaciones causadas por VCB y la pendiente de entrada.
Un descubrimiento crucial en el estudio de la corriente continua es que el voltaje entre

la base y el emisor en cualquier disposición de transistores operando en modo de
corriente directa se puede estimar cerca de 0,7 V (según Boylestad y Nashelsky,
2004), mientras el transistor se encuentra en la región activa (Figura 2.16c).
Alfa α
El coeficiente alfa (α) alude a la aproximada correspondencia entre las corrientes de colector
(IC) y emisor (IE), y su cálculo se realiza dividiendo la IC por la corriente continua de emisor.
En los transistores de menor potencia, α ostenta un valor superior a 0.99, en tanto que en los
transistores de mayor potencia, dicho valor se encuentra por encima de 0.95 (conforme a
Malvino y Bates, 2007, pp. 179).
IC
α=
IE
(2.3)
Las letras IC e IE denotan las corrientes en el punto de operación del transistor.

Aunque α es igual a 1, o para ser más exactos, presenta valores cercanos a la unidad,
las propiedades exhibidas en la Figura 2.14 sugieren una situación opuesta.
IC = αIE + ICBO (2.4)
Comúnmente reconocido como el coeficiente de amplificación en cortocircuito en la

disposición de base común, este valor es utilizado tanto para la corriente alterna (CA)
como para la corriente continua (CD), debido a que las magnitudes de αca y αcd
suelen ser muy similares.
2.5. Corrientes del transistor

Es relevante destacar que existen dos enfoques en cuanto a la dirección de la corriente
eléctrica: el enfoque convencional, en el que la corriente se mueve desde el polo positivo al
negativo, y el enfoque real, que considera el flujo de electrones en dirección opuesta, desde el
polo negativo al positivo. En el contexto del transistor, las corrientes primordiales son la
corriente del emisor (IE), la corriente de la base (IB) y la corriente del colector (IC).
La corriente del emisor es la más significativa, ya que recibe la mayoría de los electrones,
mientras que la corriente de la base es solo una pequeña fracción de la corriente del colector, y
la corriente del colector es casi igual a la corriente del emisor.
Siguiendo la ley de Kirchhoff, que establece que la suma de las corrientes que ingresan a un
punto de unión es igual a la suma de todas las corrientes que salen del punto, (Boylestad and
Nashelsky, 2004). Para el transistor se puede expresar de la siguiente manera.
IE = IC + IB
2.6. Configuración en emisor común

La configuración de transistor más frecuente es la de la Figura 2.17 como pnp y
npn. Se llama “çonfiguración de emisor común" (Malvino and Bates, 2007, pp. 181)
porque el
En la estructura del diseño en emisor común, el emisor desempeña el rol de un punto
de referencia compartido para los terminales de entrada y salida. Para adquirir un
conocimiento exhaustivo sobre la conducta de esta configuración, se requiere tener en
cuenta dos grupos de propiedades: uno vinculado al tramo de entrada (base-emisor) y
otro asociado al tramo de salida (colector-emisor) (consultar Figura 2.18).
(a) Para la confi- Para la confi-

(b)
guración de emisor guración de emisor
común con un tran- común con un tran-
sistor de tipo npn. sistor de tipo pnp.
Figura 2.17: Notación y símbolos de la configuración de emisor común
Las corrientes de la base, el emisor y el colector se muestran junto con su dirección

convencional real.
(b) características de base
(a) características
Figura 2.18: se presentan las propiedades de un transistor de silicio cuando se

encuentra en la configuración de emisor común, según lo documentado por Boylestad
y Nashelsky (2004, pp. 139).
Aunque se haya modificado la organización del transistor, las proporciones de corriente

establecidas anteriormente para la configuración en base común todavía mantienen su
validez. En resumen, los atributos y reacciones del transistor en la disposición de emisor
común se pueden comprender y evaluar aplicando las mismas relaciones de corriente que se
abordaron en la configuración en base común.
IE = IC + IB (2.5)
IC = αIEOIC = βIB (2.6)
Un gráfico de la IB frente al VBE para una variedad de valores de voltaje de salida (VCE)
representa las propiedades de entrada.
Las magnitudes de IB (Figura 2.18) se encuentran en el rango de microamperios en

contraste con los miliamperios de IC. Además, es evidente que las trazas
correspondientes a IB no poseen la misma linealidad que las obtenidas para IE en la
configuración de base común, lo que sugiere que la variación de voltaje de colector a
emisor impacta en la corriente de colector.
El área ubicada a la derecha de la línea vertical VCEsat y por encima de la curva en la

que IB es cero se identifica como la región activa en la disposición de emisor común.
Por otro lado, la zona que se halla a la izquierda de VCEsat es denominada la región de
saturación. En la Figura 2.18a, esta sección se distingue por contar con curvas IB que
son prácticamente rectilíneas y que mantienen una distancia uniforme entre ellas.
VCE < VCEsat (2.7)
Dentro de la región activa de un amplificador de emisor común, tanto la unión base-

emisor como la unión colector-base se encuentran bajo polarización directa. En este
dominio activo, es viable aumentar la amplitud de la tensión, la corriente o la potencia
empleando la disposición de emisor común.
En el caso en el que no fluya corriente de entrada en la disposición en base común, la

corriente de colector IC se aproxima a la corriente inversa de saturación ICO. Este
cambio en las propiedades del colector resulta del manejo exacto de las ecuaciones. La
operación en la que IC es igual a ICEO establece el punto de corte en la estructura de
emisor común, habilitando la obtención de una amplificación lineal con la mínima
distorsión.
La zona de saturación y la fase de corte son dos estados de operación esenciales en los
transistores cuando son utilizados como interruptores en circuitos de lógica
informática.
Dado que la corriente ICEO tiende a ser reducida en los materiales de silicio, la
condición de corte únicamente se presenta en los transistores de silicio cuando la
corriente de base IB alcanza los 0 µA, o bien, cuando la corriente de colector IC se
equipara a ICEO con fines de conmutación. En el contexto de los transistores de
germanio, el estado de corte se establece al lograr que la corriente de colector IC sea
igual a ICBO para propósitos de conmutación.
Tal como señalamos previamente, las propiedades de entrada en la disposición de

base común eran aproximadamente reflejadas a través de una línea recta que
resultaba en un valor de VBE de 0.7 V para cualquier valor de IE por encima de 0 mA.
Esto respalda el descubrimiento previo de que el voltaje entre base y emisor para un
transistor en su área activa equivale a 0.7 V. En esta circunstancia, la tensión
permanece constante independientemente del nivel de IB.
Beta
La siguiente ecuación la describe como el producto de l CD de colector y la IB:
IC
β dc=
IB
Como la corriente de base (IB) es pequeña y controla corrientes más altas (IC), lo cual es una
ventaja clave del transistor, la relación entre IC e IB, también conocida como "ganancia de
corriente" o "beta" (β) (Malvino and Bates, 2007, pp. 180), es un factor importante en su
funcionamiento.
De acuerdo con los valores típicos, la ganancia de corriente (β) varía entre 100 y 300 para
transistores de baja potencia (menos de 1 vatio) y entre 20 y 100 para transistores de alta
potencia (Malvino and Bates, 2007, pp. 180).
El fenómeno conocido como "factor de amplificación de corriente continua de emisor común"

es representado oficialmente por el símbolo βca. La palabra "amplificación" se utiliza en esta
terminología debido a que, en una configuración de emisor común, la corriente de base suele
ser la corriente de entrada.
El término "βca" es equivalente a la notación hfe utilizada en las fichas técnicas. Es importante
tener en cuenta que el único cambio en la notación utilizada para el factor beta en el modo de
corriente continua es que βcd se representa como hFE.
2.7. Configuración en el colector común

La figura 2.19 muestra la disposición final del transistor, que es un colector común.
(a) (b)
Figura 2.19: La notación y los símbolos para la configuración típica del colector son los
siguientes: (a) transistor pnp; (b) transistor npn.
A diferencia de las otras configuraciones, el arreglo de colector común presenta

una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo cual lo hace
óptimo para la adaptación de impedancias.
A pesar de que el transistor se conecta de manera similar al

diseño de emisor común que se muestra en la figura 2.20, en el
diseño de colector común, el colector está conectado a tierra.
Desde el punto de vista del diseño, no es necesario seleccionar
los parámetros del circuito basándose en un conjunto común de
características del colector.
Las propiedades de salida de las configuraciones de emisor común

y colector común son completamente iguales. En realidad, ambas Figura 2.20:
configuraciones comparten las mismas características de salida. configuración en
Los gráficos de IE frente a VCE con diversos valores de IB colector común
utilizada para
representan las características de salida de la disposición de
igualar
colector co- impedancias
mún.
Ambas características, emisor común y colector común, dan como resultado la misma
corriente de entrada. Si el IC de las caracterís- ticas del colector común se sustituye por IE,
se produce un cambio apenas perceptible en la escala vertical del IC de las
características del emisor común. Las características de emisor común en su forma más
básica son adecuadas para recuperar los datos de la entrada de configuración de
colector común.
2.8. Curvas características
Características de entrada, salida y transferencia usaremos la polarización de emisor
común (Figura 2.21).
Figura 2.21: Ejemplificación de corrientes de emisor común
La curva característica presente en la malla 1 es similar a la de un diodo, y para

ilustrar este concepto utilizaremos un circuito explicativo. En la malla de la izquierda,
donde se encuentra la fuente de voltaje de la base, el voltaje base-emisor (VBE) y la
curva entre la base y el emisor, la denominaremos "curva característica de entrada".
La malla 2 es la malla de la derecha también como curva características de salida

contiene todos los elementos del colector, fuente, resistencia colector, etc.
El circuito equivalente a la malla de entrada es el siguiente pero hagamos un análisis

de la malla 1 en el circuito anterior para obtener las ecuaciones siguientes.
por la ley de kirchhoff tenemos que
vBB − vRB − vBE = 0 (2.8)
vRB = vBB − vBE (2.9)

teniendo esto en cuenta sabemos que vRB = IB · RB por la ley de ohm y sustituimos
IB · RB = vBB − vBE (2.10)

Despejamos IB que es la incógnita que nos importa por que es la que se mostrara en la
curva
(2.11)
¿Pero cuánto vale vBE? vBE variará dependiendo del material porque como se ve en el
capitulo de diodos están hechos por silicio, germanio, arsénico de galio, tienen un valor
diferente y como se ve en el circuito equivalente la parte de colector en el transistor es
eliminada para dejar las partes base y emisor de material tipo "P "N"siendo un diodo,
bajo estas premisas la curvas característica de entrada es la misma que la curva de un
diodo con una curva 0.7 v (figure 2.22)
Donde un diodo ideal conducirá corriente pero en la práctica el diodo tiene una resis-
tencia donde la curva se inclinará un poco lo cual es imperceptiblemente a la vista.
2.8.1. Curva característica de entrada

La curva es parecida al gráfico de un diodo común como se muestra en la imagen
2.22, como se puede ver no es muy complicada de comprender, ya que el transistor tiene
polarización en directa:
(2.12)
Supongamos que vBE = 0.7V por estar hecho de silicio por lo tanto sabemos que
tenemos el umbral(0.7V ) que se tiene que superar para lograr conducir corriente.
Figura 2.22: gráfica de saturación Malvino and Bates (2007)

.
2.8.2. Curva del colector

Ahora podemos calcular la corriente IB. Solo necesitamos calcular la corriente que
fluye a través de la resistencia de base RB, ya que vBB polariza directamente el diodo
emisor. Luego, dirigiremos nuestra atención a la malla 2 o la malla del colector, y al
analizarla con la ley de Kirchhoff, obtendremos que:
vCC − vRC − vCE = 0
vCE = vCC − vRC (2.13)
Despejamos el voltaje del colector ya que es nuestra incógnita más importante. Por la ley
de ohm podemos deducir que:
vCE = vCC − (IC · RC) (2.14)
Obteniendo una ecuación de 2 incógnitas donde vCC y RC pueden tener un valor arbitrario
dado por nosotros perovCE e YC no y como vivimos anteriormente la corriente del colector
es amplificada β veces(obteniendo en la hoja de datos).
IC = IB · β (2.15)
Donde IC es dependiente de IB de la malla 1

vBB − vBE
IB =
RB (2.16)
En la cual podemos dar valores arbitrarios.

vBB − vBE
vCE = vCC — β· (2.17)
RB
Tomamos en cuenta que la gráfica es "IC contra vCE"IC sera un valor fijo La ecuación es:
vCE = vCC − (IC · RC)
Y donde vCC es el que va a variar como podemos ver la vCEen función de la corriente de
base del transistor medida en la malla de entrada.
Figura 2.23: Curvas del transistor Malvino and Bates (2007)
Con estos cálculos se podrá comprender de manera general a los transistores,para pro-
ducir varios voltajes y corrientes de transistor, se pueden cambiar diferentes valores de vBB
y vvCC en la Figura 2. Se puede utilizar un gráfico de IC en función de VCE para
recopilar datos midiendo IC y VCE.
El diodo colector no funciona con polarización directa cuando VCE es cero. Como resulta-
do, cuando VCE es 0, el gráfico muestra una corriente de colector de cero.
Y como se ve en la Figura 2.22 la IC aumenta drásticamente a medida que VCE sube

desde cero. La ICse vuelve casi continua y similar a 1mA cuando VCE es de apenas unas
décimas de voltio.
Con la descripción anterior del funcionamiento del transistor, se relaciona la zona de co-
rriente constante de la figura 2.24. Todos los electrones de la barrera de agotamiento se
recogerán después de que el diodo colector se polarice inversamente.
Además, un aumento en VCE no resultará en un aumento de la corriente de colector IC. ¿Por qué
ocurre esto? La razón detrás de esta situación radica en que el colector solo puede recolectar los
electrones libres que son inyectados en la base por el emisor; en otras palabras, aunque el voltaje
VCE pueda aumentar, no tendrá ningún efecto sobre el aumento de la corriente de colector IC. El
circuito de base, y no el de colector, es el responsable directo de determinar la cantidad de electrones
que se suministran.
Es importante tener en cuenta que los transistores tienen un límite de tensión

establecido; por ejemplo, cuando el voltaje VCE supera los 40 V, el diodo colector
entra en un estado de ruptura y el transistor deja de funcionar correctamente. Por lo
tanto, el transistor no debe operar en la "zona de ruptura" (Malvino and Bates, 2007,
pp. 185); si lo hace, dejará de funcionar adecuadamente o corre el riesgo de dañarse.
Por esta razón, es necesario verificar el voltaje máximo de ruptura del colector-emisor
VCE(max) en la hoja de datos del transistor.
2.8.3. Potencia y tensión de colector

Según los principios de tensión de Kirchoff, todas las tensiones sumadas son iguales a
cero. La ecuación siguiente se obtiene aplicando los principios a la red de colectores.
vCE = vCC − (IC · RC)
Dicho de otro modo, la tensión en el emisor viene determinada por el voltaje de alimenta-
ción menos el voltaje aplicado a la resistencia de colector.
vCE = vCC − vRC
El transistor también tiene disipación de potencia, la ecuación es la siguiente:
Pd = vCE · IC
Esto significa que la potencia del transistor se obtiene al multiplicar VCE por IC. Debido a la dispersión de energía, la
temperatura en la unión del colector del diodo incrementa; en síntesis, a medida que la potencia aumenta, la temperatura
también aumentará. Si la temperatura del transistor alcanza valores de entre 150°C y 200°C, el componente se verá
afectado por el calor.
Es de relevancia considerar que el valor máximo de potencia (PD) debe estar detallado
por el fabricante en la ficha técnica (datasheet) del transistor. Si la disipación
calculada a través de la fórmula resulta menor que la potencia máxima PD, el
transistor no experimentará daños. Es esencial respetar los umbrales de potencia para
garantizar el correcto funcionamiento y la durabilidad del transistor.
2.8.4. Areas de operación
En la gráfica de la curva de salida, se pueden identificar tres regiones distintas (fig. 2.24). La primera región se encuentra
en el rango normal de operación del transistor, conocida como "región activa". En esta región, el diodo emisor está
polarizado directamente, y el colector está polarizado inversamente. Aquí, el colector captura la mayoría de los
electrones que provienen del emisor hacia la base. Durante esta región, los cambios en la tensión del colector no afectan
la corriente del colector, ya que permanece constante. Esta porción horizontal representa la región activa del transistor.
La segunda región es conocida como "región de ruptura", y es una zona donde el transistor nunca debería operar, ya que
estaría en peligro de destruirse. Esta región corresponde a la parte final de la gráfica que se muestra anteriormente.
Figura 2.24: Regiones del transistor Malvino and Bates (2007)
Finalmente, la curva de crecimiento es la "región de saturación"(Malvino and Ba-

tes, 2007, pp. 184) Figura 2.22 y Figura 2.24, el colector en esta zona carece de tensión
positiva suficiente para atrapar los electrones de la base, donde vCE está entre 0 y una
dé- cima de voltio.Tanto la corriente de base como la ganancia de corriente βDC se
encuentran notablemente por debajo del promedio.
2.9. Detención de averías

Las averías comunes, los cortocircuitos o los circuitos abiertos son el resultado de ave-
rías. Los daños pueden provocar cortocircuitos, malos trabajos de soldaduras de resisten-
cias. Los circuitos abierto suelen ser producidos cuando se queman los componentes
debido a grandes cambios de corriente y/o tensiones.
Un caso ilustrativo sería cuando el colector no recibe voltaje, lo cual constituye una de las fallas más habituales que
pueden acontecer debido a variadas razones. Esto puede derivar de un inconveniente en la fuente de energía, como un
corte en la conexión entre la fuente de energía y la resistencia del colector, o una imperfección en la zona de la base que
obstaculiza el flujo de corriente. De manera similar, pueden presentarse inconvenientes en la sección de la base.
En tal situación, el voltaje existente entre el colector y el emisor equivaldrá al voltaje

suministrado por la fuente de energía del colector. Por ejemplo, si la fuente de energía
es de 12 V, ese mismo voltaje de 12 V se manifestará en el colector-emisor.
2.9.1. Tabla de avería
Un componente en circuito abierto se caracteriza por tener una resistencia infinita, lo que significa que no permite el
flujo de corriente a través de él. Por otro lado, un componente en cortocircuito se asemeja a una resistencia nula, es decir,
actúa como un cable conductor o una carretera sin obstrucciones, permitiendo que la corriente fluya sin restricciones
(Tabla 2.1).
Para designar estas posibles averías, utilizamos las resistencias RBS y RBO para el circuito abierto, que son sus nombres
en inglés (Open circuit Resistances y Broken circuit Resistances respectivamente), y para el cortocircuito utilizamos las
resistencias RCS y RCO (Short circuit Resistances en inglés).
Tabla 2.1: Tabla de averías por medio de voltajes (los valores dependen del voltaje que
tenga el circuito)(Tabla tomada de (Malvino and Bates, 2007, pp. 199) )
Averia VB v VE v VC v Comentarios
Ninguna 2 1,3 10.3 No hay averías funciona muy bien
RES 2 0 15 El transistor se atrofia
REO 2 1,3 15 No hay ni corriente de base ni de colector
RCS 2 1,3 15
RCO 2 1,3 1,3
No VBB 0 0 15 Comprobar la alimentación y sus conexiones
No VCC 2 1,3 Comprobar la alimentación y sus conexiones
CES 2 2 2 Todas las terminales en cortocircuito
CEO 2 0 15 Todos los terminales del transistor están abiertos
BEO 2 0 15 Diodo base-emisor en circuito abierto
CBO 2 1,3 15 Diodo colector- base en circuito abierto
2.10. Ejercicios
En esta sección se exponen ejercicios con el fin de que el alumno siga aplicando y
desarrollando su destreza y habilidad matemática, por lo que el alumno tendrá resolver
usando sus conocimientos previos.
1. Calcular las corrientes en IC, IE, IB con un β = 100 circuito 2.25a.
2. ¿Cual es el valor que se deberían tener las resistencia RC? para obtener una corriente
IC con un valor de 400 mA con un transistor de silicio en el circuito 1.31.
3. El circuito 2.25c con un transistor de germanio obtener IB, β,VCE cuando IC =
786mA.
4. En contra el los voltajes de VCE, VCB y la corriente del emisor en el circuito 1.33.
5. ¿Cual es el valor de IC en el circuito 2.25e y que estado se encuentra el transistor?β =
100 VCEsat
6. Un transistor bjt de silicio con una β =95, se le conecto a una fuente de voltaje de
20 v como se representa en el circuito 2.25f, calcule la tensión en el emisor y en el
colector.
7. Encontrar el estado del circuito 1.36, ¿que valor RC debe tener para que que la
para que IE sea iguala a 860 mA? con una β = 95.
8. En un circuito con un voltaje total de 15 V,los valores de VB = 2v, VE = 2v, VC =
2v, ¿qué esta sucediendo con este circuito? el diagrama correspondiente es circuito
2.25h.
9. Defina los valores del circuito VC, VE, VCE, IC, IE, IB y Pd en el circuito 2.25i con una
β de 100.
(a) circuito 1 (b) circuito 2
(c) circuito 3 (d) circuito 4
(e) circuito 5 (f) circuito 6
(g) circuito 7
(h) circuito 8
(i) circuito 9
2.11. Prácticas
Con el fin de poner a prueba los conocimientos del alumno que serán aplicados al
mundo real por medio de prácticas de laboratorio, de esta manera brindar experiencia
similar a la que la vida personal y también a su vida laboral en el manejo de aparatos
eléctricos y circuitos eléctricos que se pueden presentar.
Práctica 4: Transistores bipolares
Objetivo Hoja de datos del transistor.

En esa la siguiente práctica se realiza-
ran los siguientes circuitos utilizando Metodología
transistores y resistencias con el
propósito de reafirmar los conocimientos 1. Armar el circuito con el transistor
vistos en clases y resolver dudas que se NPN mostrado bajo utilizando una
pudieran haber generado o tenido durante resistencia de 3 kω una resistencia
este transcurso todo esto de una manera de
gráfica y utilizando multímetros, 3.3 kω y una resistencia de 1.5 kω y
osciloscopios y fuentes de voltaje y el transistor 2222A.
corriente. 2. Replicar el siguiente circuito en si-
mulación.
Material
3. Para obtener los datos de la siguien-
Fuente de voltaje.
te tabla 2.2 se debe hacer la primer
Multimetro. toma de mediciones entre el transis-
tor y R2, para la segunda medición
Resistencias de 1.5 kΩ, 3 kΩ,3.3 sera entre el R3 y el transistor.
kΩ.
4. Anotar observaciones y conclusiones
Transistor NPN 2n2222 o similar en al reporte a entregar.
caso de no encontrar.
Figura 2.26: Circuito 1 primera toma

Figura 2.27: Circuito 1 segunda toma
VCC 1.5 1.75 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
VBE (V)
VCE
VCE MED
IB CALC (µA)
IB MED (µA)
IC CALC
IC MED (mA)
IE CALC
IE MED (mA)
β
Tabla 2.2: Valores de corriente y voltaicos
Práctica 5: Transistor como interruptor y amplificador
Objetivo corriente y voltaje del colector ¿En

El alumno aprenderá a crear un circui- qué región se encuentra este circui-
to don use el transistor como un interrup- to?.
tor y un amplificador,a su vez comprobar
que la IB es la responsable de controlar 4. Armar el circuito 2.28b ¿En qué re-
gión se encuentra el transistor?.
el funcionamiento del transistor, además
de operar en las regiones de saturación, 5. En el circuito 2.28c estará
región activa, región de ruptura y región funcionando como amplificador
corte. mida el valor de la corriente de
base (IB)y la corriente del
Materiales colector(IC).
Fuente de voltaje
6. Modifique el valor de la fuente de
Multimetro voltaje 2 (V2 empezando desde 0.8V
luego 1V, 3V, 5V, 8V , 10V.
2 resistencias 1 KΩ y 2 resistencias
15 KΩ 7. Obtenga IE con los valores de IB e
IC en cada una de los valore
Resistencias 330KΩ,20 KΩ, modifi- cados de la V2.
680Ω,470 Ω, 180Ω
8. Armar el circuito 2.28d el cable que
LEDS conecta la R3 al capacitor Q1
pasa por encima de la conexión
Transistor BC547 de la R2 con el capacitor Q2.
Capacitor de 10µF 9. mida la corriente entre el C2 y el
Q2 del lado del colector¿El
transistor esta actuando como
amplificador o interruptor?.
1. Realizar las simulaciones previas de
todos los circuitos. 10. Anotar las observaciones de cada
2. realizar el armado delos circuitos circuito, anexar evidencia
fotográfica i al final colocar
3. Cerrar el circuito 2.28a por medio del conclusiones individuales con
switch, anotar observaciones tomar respecto a los circuitos realizados
en la práctica.
(a) (b)
(c)
(d)
Práctica 6: configuración del transistor en emisor común
Objetivo Metodología
El objetivo es que el estudiante adquie- 1. Previamente hacer la simulación del
ra conocimiento sobre la configuración de circuito 2.29.
emisor común del transistor y aprenda a
calcular los valores de las resistencias RC 2. Observar que el emisor se encuentre
y RB para obtener una corriente de conectado a tierra y actúa como una
colector específica, IC. referencia común tanto para la malla
BE (base-emisor) como para la
Materiales malla CE (colector-emisor).
Fuente de voltaje. 3. calcular el valor teórico de la re-

sistencia RC necesaria para obtener
Multimetro. una corriente de colector IC de 150
mA, tal como lo especifica el fabri-
Transistor 2N2222 o similar. cante del transistor. Al mismo tiem-
po, se debe mantener un voltaje de
Resistencias previamente calculadas
colector a emisor VCE de 4 V.
por el estudiante o
4. Encontrar el valor de manera teórica
2 Potenciómetros de 10 KΩ de la corriente de base IB así como
el
valor de RB para lograr que por que incluya los valores teóricos y los
RC valores medidos con un multímetro
y fluya la corriente especificada.
5. Encuentre IE para realizar una comparativa.
de manera teórica.
6. Encontrar todos los valores anterio-
res usando el multimetro. 8. Anotar observaciones, anexar evi-
7. Realice una tabla de comparación dencia fotográfica y conclusiones in-
dividuales al reporte .
Figura 2.29: Circuito de emisor común


Esta sección es puesta con el fin el de facilitar y reforzar las bases del alumno, de esta
manera se permitiría al alumno tenga mas oportunidades para llagar a entender los temas
de descritos anteriormente.
BJT parte 01 Transistor BJT video tutorial en español de electrónica, del ingenie-
ro Jorge Diaz Moreno canal educativo de youtube, con la siguiente liga: https :
//youtu.be/lEG544soDg.
Apartados 3.2, 3.3, 3.4, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8, 3.9 y 3.11, Capitulo 3 Transistores de unión
bipolares, Electrónica:teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, Robert L. Boy-
lestad, Luis Nashelsky, Editorial: Pearson.
Capitulo 6, Apartados 6.1, 6.2, 6.3, 6.4, 6.5, 6.6 y6.10 Aalbert Malvino y David
J.Bates. (2007). Principios de electrónica,. España: McGrawhill/Interamericana de
España, S. A.
Transistor, ¿Cómo funciona?, "Lesics Españolaçanal educativo de youtube, con la

siguiente liga: https : //youtu.be/w14cvydBC8g
Saturación y Corte del transistor en emisor común, canal educativo de youtube "Les
ingenieurs", con la siguiente liga: https : //youtu.be/Adggz − vqtgI
BJT parte 02 curvas del transistor, región activa, región de corte, región de
saturación del ïngeniero Jorge Diaz Moreno",canal educativo de youtube, con la
siguiete liga: https : //youtu.be/iBL6ZA2RxY
Apartado: ¿por que aparecieron los transistores? Capitulo 4, El mundo de la electró-

nica, Horacio D.Vallejo, editorial Quark SRL, Bs. As. , Argentina.
Transistor explicado- ¿Cómo funcionan los transistores?m canal educativo "Menta-

lidad de ingeniería.en youtube: https : //youtu.be/zh7PeHAZRLY
Transistores bipolares. Introducción,.Electrónica FPçanal de youtube con fin educa-

tivo, con la liga: https : //youtu.be/dIV 5l9cxck
Transistor en Corte y Saturación, ïesbjinf"del canala de youtube con la liga: https :

//youtu.be/s0w6sgcm46c
Capítulo 3
TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO (FETs Y MOSFETs)
3.1. Introducción
El transistor de efecto de campo dispositivos de 3 terminales tiene muchas aplicaciones
comparables a las de los transistores BJT, algunas de las cuales se tratan en el capítulo
anterior. Sin embargo, los dos tipos de aparatos tienen algunas diferencias y puntos en
común significativos.
Dado que un transistor sólo puede funcionar con un tipo de carga (electrones o huecos),
se denomina dispositivo ünipolar", es decir, Un FET trabaja con portadores mayoritarios
pero no portadores minoritarios.
"Debido a su alta impedancia de entrada, los FET son ideales para aplicaciones lineales.
También son el dispositivo preferido para la mayoría de las aplicaciones de conmutación
porque carecen de portadores minoritarios"(Prado, 2002, pp. 48), lo que permite una
inte- rrupción más eficiente al no haber carga almacenada que desechar.
El JFET y el MOSFET son los dos tipos de transistores unipolares. Definiremos
el JFET ("Transistor de Efecto de Campo de Unión" (Boylestad and Nashelsky, 2004,
pp. 369)), a menudo conocido como transistores de unión de efecto de campo.
60
CAPÍTULO 3. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (FETS Y MOSFETS) 61
3.2. Símbolo
(a) (b)
(c)
Figura 3.1: Símbolos de JFET: (a) canal P; (b) canal N; (c)variante canal N.
Como se ve en las flechas que apuntan hacia dentro de la Figura 3.1a para el dispositivo
de canal N, los símbolos de los JFET de canal N y P (Figura 3.1) también indican la
dirección en la que fluirá la corriente Ic cuando la unión P-N esté polarizada con cd.
La dirección tradicional de la corriente no se modifica en absoluto para el canal P; sólo
cambia la dirección de la flecha.
El símbolo equipado con compuerta offset de la Figura 3.1c con la fuente del dispositivo
apuntando hacia ella es el preferido por muchos ingenieros y técnicos sobre el terreno
porque ofrece una ventaja considerable en circuitos complejos de varias etapas, una
ventaja en circuitos complejos de varias etapas.
3.3. Construcción
Como se mencionó anteriormente los JFET son componentes de tres terminales, uno
de ellos es un componente crucial que puede controlar la corriente que fluye entre los otros
dos. En particular, el dispositivo de canal N es de gran relevancia, tal como se ilustró en
el capítulo dos, donde se utilizó un transistor NPN para abordar la mayoría de los análisis
y diseños, pero también se dará una explicación de el uso del canal P de los transistores
JFET. Observe la Figura 3.2, para el armado de los JFET de canal N .
Figura 3.2: Esquema estructural de un transistor de JFET.
Es evidente que el núcleo de la estructura se constituye de material de tipo n, mientras

que el que forma el canal entre las capas de material es de tipo p.
La terminales están unidas por un "contacto óhmico"((Boylestad and Nashelsky, 2004,

pp. 370)) a un material designado como drenaje (D) en la parte superior del canal n mos-
trado en el diagrama, mientras que el mismo material está conectada la terminal de fuente
(S) en la parte inferior. Ambos componentes de tipo p están unidos entre sí y conectados
a la puerta (G) del transistor.
Como resultado, la puerta está unida a las dos capas de material p, mientras tanto el
drenaje y la fuente están conectados a los extremos del canal n.
3.4. Funcionamiento
La Figura 3.3a ilustra cómo el transistor BJT es un componente regulado por corriente, concepto abordado en el
Capítulo 2. Por otro lado, la Figura 3.3b exhibe cómo el transistor JFET es un dispositivo gobernado por voltaje.
(a) Amplificador controlado por corriente (b) Amplificador controlado por voltaje
Figura 3.3: Control por voltaje
En general, Los JFET son altamente eficientes en el control de su temperatura y consi-

derablemente más compactos que los BJT. Esta gran diferencia en especial el tamaño, los
hace adecuados para su uso en circuitos integrados donde el tamaño de cada componente
es una preocupación.
Al comparar la terminología empleada en los transistores BJT, se observa en la Figura 3.3a que el valor de IB
impacta de manera directa sobre la corriente IC. Conforme a la representación de la Figura 3.3b, la corriente
ID de un FET se encuentra influenciada por el voltaje VGE aplicado al circuito de entrada. En ambas
situaciones, el parámetro del circuito de entrada, ya sea el nivel de corriente en un caso o la tensión aplicada
en el otro, regula la corriente del circuito de salida.
Los transistores bipolares se dividen en dos categorías: transistores npn y pnp. En contraste, los FET engloban a los
transistores de canal n y canal p. Los BJT representan dispositivos bipolares, cuya conductividad se origina de electrones
y huecos. Por otro lado, los FET son dispositivos unipolares capaces de operar en situaciones de conducción de
electrones (canal n) o huecos (canal p).
¿Efecto de campo?
para que sea mas fácil el entendimiento aquí un ejemplo de "efecto de campo"(Malvino
and Bates, 2007, pp. 402) es la capacidad de un imán, las limaduras son rodeadas y atraí-
das hacia el imán por su campo magnético.
El canal de conducción del circuito de salida en el FET es gobernado por el campo eléctrico engendrado por las cargas
internas, y esto ocurre sin la necesidad de un vínculo directo entre la entrada y las variables reguladas.
Las áreas que rodean las regiones P y se encuentran en un estado de deplexión son denominadas como "regiones de
deplexión". La razón de su formación radica en los electrones libres que se desplazan desde las áreas N hacia las regiones
P, como se ilustra en la Figura 3.4b.
(a) JFET de una sola puerta

sin polarizar. (b) Polarización del JFET.
Figura 3.4: Efecto de campo
3.5. Polarización de puerta VGS = 0V

La figura 3.5a muestra cómo establecer la condición VGS = 0 V suministrando una
tensión positiva VDS al canal y conectando la puerta directamente a la fuente.
La distribución de las circunstancias no polarizadas, como se muestra en la Figura 3.5a,

está representada, por la puerta y una fuente con el mismo potencial y la zona empobre-
cida en la parte inferior de cada material P. Cuando se aplica la igualdad VDD = VDS,
como consecuencia de la atracción de electrones hacia el drenaje, se genera una corriente
característica ID.
(a) JFET polarizado.
(b) JFET en VGS = 0 V y VDS > 0V.
Figura 3.5: Polarización de compuertas
La dirección del flujo de carga deja más claro que las corrientes de drenaje y fuente
no son iguales, como muestra la expresión ID = IS. La resistencia presente en el canal n,
ubicada entre la fuente y el drenaje en la figura 3.5b sólo sirve para restringir parcialmente
el flujo de carga.
Figura 3.6: Los potenciales de polarización inversa cambian a lo largo de la unión p-n de
un JFET de canal n.
La zona de empobrecimiento cubre el material de tipo p por ambos lados, como puede
verse. La herramienta más eficaz para visualizar la tasa de cambio de la anchura de la zona
Figura 3.7: ID contra VDS para VGS = 0V, gráfica tomada de (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 371).
es la Figura 3.6. Podemos separar la resistencia del canal de acuerdo con las subdivisiones
mostradas en la Figura 3.6, que se basa en la noción de que el canal n tiene una resistencia
uniforme.
En la Figura3.7 anterior, la ID es responsable de determinar los niveles de tensión a lo largo
del canal. Como resultado, la región superior del material tipo p tiene una polarización
inversa de aproximadamente 1.5 V y la región inferior sólo tiene una polarización inversa
de 0.5 V. Al analizar el funcionamiento del diodo, es relevante tener en consideración que
a medida que se incrementa la polarización inversa aplicada, más empobrecida estará la
región
Como se ve en la misma Figura 3.6, la polarización inversa del canal de la unión p-n da
como resultado una corriente de cero amperios en la puerta. Es un hecho conocido que una
carac- terística clave del JFET es que IG = 0 A.
La figura 3.7 muestra la relación entre ID y

VDS a medida que la tensión V aumenta de 0
V a varios voltios, de acuerdo con la ley de
Ohm. En la zona de valores bajos de VDS, la
resistencia se mantiene prácticamente constan-
te, como se ilustra en el gráfico de la Figura
3.7.
Conforme VDS se acerca a un valor denominado

Vp en la Figura 3.7, las regiones de agotamien-
to representadas en la Figura 3.5b se amplían,
lo que resulta en una reducción en la anchura Figura 3.8: Estrangulamiento
del canal. La reducción de la vía de conducción (VGS = 0 V, VDS = V p).
conduce a un aumento de la resistencia, como
representa la curva de la Figura 3.7.
A medida que la trayectoria se vuelve más horizontal, la resistencia se acerca a un va-

lor de resistencia extremadamente alto, cercano a infinito ohmios. Si se aumenta hasta un
nivel en el que es probable que se encuentren las dos regiones empobrecedoras de VDS,
como se representa en la Figura 3.8, se producirá una condición conocida como "estrangu-
lamiento "(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 372).
La figura 3.7 muestra el voltaje del inductor, Vp, que provoca este estado. En realidad,
el estrangulamiento implica que ID se reduce a 0 A.
Figura 3.9: La fuente de corriente equivalente para VGS = 0V , VDS > Vp.
La Figura 3.7 muestra que esto no es el caso, ya que la corriente ID se mantiene en

un nivel de saturación constante, IDSS. En realidad, existe un canal muy estrecho con una
alta densidad de corriente. El hecho de que ID se mantenga en el nivel de saturación
indicado sin disminuir a medida que se estrecha el canal.
Si no hubiera corriente de drenaje, no se podrían establecer niveles de polarización in-
versa distintos a lo largo de la unión p-n, ya que estos niveles dependen de los diferen-
tes potenciales presentes en el material de tipo p. La zona de agotamiento causante del
estrangulamiento desaparecería. La zona de agotamiento causante del estrangulamiento
desaparecería.
La longitud de la región de encuentro
cercano se extiende a medida que VDS au-
menta por encima de Vp, no entre las dos
zonas de empobrecimiento a lo largo del ca-
nal, pero IP permanece constante. Después
de que VDS supera Vp, el JFET exhibe ca-
racterísticas similares a las de una fuente de
corriente, como se ilustra en la Figura 1,
la tensión VDS viene determinada por la
carga aplicada (para niveles > Vp), pero la
corriente ID = IDSS permanece
constante.
La denominación IDSS se basa en el hecho
de que representa la corriente de descarga
hacia la fuente cuando hay un cortocircuito
entre la compuerta y la fuente:
Figura 3.10: Cuando se aplica un voltaje
"IDSS es la corriente de drenaje negativo a la compuerta de un JFET.
máxima para un JFET y está definida
por la condición VGS = 0 V y VDS >
|Vp|"(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 372).
3.6. Voltaje VGS < 0V

Se han generado diversas curvas que representan la relación entre IC y VCE para diferen-
tes niveles de corriente de base (IB) en los transistores bipolares (BJT). Del mismo modo,
se pueden obtener curvas que muestran la relación entre ID y VDS para distintos niveles
de tensión compuerta-fuente (VGS) en los JFET. El voltaje compuerta-fuente, denotado
como VGS, es la tensión utilizada para controlar el JFET.
La tensión de control VGS en un dispositivo de canal n se desvía de su nivel inicial
de VGS = 0V en una dirección cada vez más negativa, lo que significa que la puerta se
establece en niveles de potencial progresivamente más bajos que la fuente.
Por lo tanto,Cuando el voltaje VDS es bajo, si se aplica un voltaje negativo de− 1 V

entre la compuerta y la fuente (echa un vistazo a la Figura 3.10). Básicamente, si se
tiene un VGS negativo, se crearán regiones de agotamiento como las que se tendrían
con VGS = 0 V, pero con un VDS más bajo.
Figura 3.11: Las características de un canal n con una corriente de saturación IDSS de 8
mA y un voltaje de umbral Vp de 4 V (gráfica tomada de (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 373)).
Como resultado, al aplicar una polarización negativa a la compuerta, se logra alcanzar

un nivel de saturación a un valor más bajo de VDS. Esto se muestra en la Figura 3.11
para VGS = 1V. Se ha observado que a medida que aumenta la magnitud de VGS en forma
negativa, el nivel de saturación de ID disminuye.
Figura 3.12: Curvas del drenaje ((Malvino and Bates, 2007, pp. 405))
La condición en la que la corriente de drenaje (ID) alcanza el valor de cero puede ser establecida mediante el
nivel de voltaje compuerta-fuente (VGS), en particular cuando VGS iguala el voltaje de umbral (Vp). Es
esencial considerar que en los componentes de canal n, Vp es un voltaje negativo, en contraste, para los JFET
de canal p, representa un voltaje positivo.
La tensión de la reactancia comúnmente se denota en las hojas de especificaciones como VGS(off) en lugar de
Vp. El sector que se emplea frecuentemente en los amplificadores lineales (aquellos que mantienen una
distorsión mínima de la señal de entrada) es la sección ubicada a la derecha del locus del inductor en la Figura
3.11. Esta región también es identificada como el amplificador lineal de corriente invariable o la región de
saturación. Esta región también es identificada como el amplificador lineal de corriente invariable o la región
de saturación.
3.6.1. Región óhmica
Las áreas de funcionamiento del JFET son delineadas por la tensión de estrangulación, en la cual la sección
activa es representada con una orientación casi horizontal, como se ilustra en la Figura 3.12. La porción
localizada al lado izquierdo del punto de estrangulación en la Figura 3.11, caracterizada por la marcada
inclinación de la curva de drenaje bajo el punto de estrangulación, comúnmente se conoce como "región de
resistencia óhmica" (Malvino y Bates, 2007, pp. 404) o controlada por voltaje.
Dentro de esta localidad, el JFET puede servir como resistencia variable, potencialmente
en un sistema de control automático de ganancia, mediante el cual la resistencia es modu-
lada por la tensión administrada desde la puerta a la fuente. La resistencia del dispositivo
entre el drenaje y la fuente puede ser determinada para valores de VDS menores a Vp al
analizar la pendiente de cada curva. A medida que el voltaje compuerta-fuente disminuye,
la pendiente de cada curva también disminuye gradualmente, lo cual indica un incremento
en la resistencia:
rd = ro (3.1)
V
(1 −
GS
Vp )2
El parámetro denotado como "ro representa el valor de la resistencia cuando VGS está a
cero voltios" (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 374), mientras que rd es el valor de la
resistencia a un nivel específico de VGS Boylestad and Nashelsky (2004).
3.6.2. Dispositivos de canal p

La estructura del JFET de canal P se asemeja a la del JFET de canal N mostrado en
la Figura 3.2, con la única diferencia de que los materiales P y N se intercambian. Las
polaridades de las tensiones VGS y VDS son opuestas a sus valores reales y, en consecuencia,
se han invertido las direcciones de la corriente. Cuando se emplea la notación de doble
subíndice, los dispositivos de canal p crean tensiones negativas de VDS que tienen las
propiedades que se muestran en la Figura 3.13 a medida que incrementa el voltaje positivo
puerta-fuente.
Figura 3.13: JFET de canal P.
En la gráfica, se observan altos valores de VDS con un rápido incremento hacia niveles
aparentemente infinitos, indicando un circuito abierto que limita la corriente a través del
canal en la dirección habitual. Ahora, la corriente se encuentra restringida al circuito
externo.
Si se utiliza el nivel VDSmax de la hoja de datos y el diseño es tal que todos los valores VGS
están por debajo de este nivel, se puede evitar esta zona.
3.7. Características de transferencia

En el contexto de un BJT, la relación entre la corriente de salida IC y la corriente de
control de entrada IB se establece mediante un factor beta constante, que se considera
Figura 3.14: Generación de la curva de transferencia utilizando los atributos de drenaje,

gráfica tomada de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 377)
constante en el análisis.
IC = f IB = βIB (3.2)
Lamentablemente, no existe tal conexión lineal entre las cantidades de salida y entrada de
un JFET. La relación entre ID, Vp (una constante) y VGS (una variable de control) esta
determinada por la ecuación de Shockley.
2
!
ID = IDSS − V
VGS (3.3)
1 p
Al crear una conexión no lineal entre la corriente de drenaje (ID) y la tensión de puerta-substrato (VGS), la ecuación
contiene un cuadrado que genera una curva que crece exponencialmente a medida que VGS disminuye en magnitud.
Utilizar un enfoque gráfico suele ser más sencillo y fácil de emplear en lugar de uno matemático. Representar
gráficamente la ecuación 3.3 es útil para describir el dispositivo y la relación entre las variables. La intersección de las
dos curvas determina la respuesta del dispositivo.
Es fundamental resaltar que el entorno en el cual se aplique el componente no altera

sus propiedades. Aunque las fórmulas de la configuración pueden variar cuando las
curvas se intersectan, esto no influye en la curva de transferencia definida por la
ecuación 3.3. Las características de amplificación de la ecuación de Shockley
permanecen invariables ante la configuración en la que se implemente el dispositivo.
En la Figura 3.14 se ilustran dos gráficos, ambos con una escala vertical en milésimas
de amperio. Uno de los gráficos refleja la relación entre ID y VDS, mientras que el otro
exhibe la relación entre ID y VGS.
A través de la utilización de las características de salida ubicadas en el extremo derecho del eje y, se puede trazar
Una línea de referencia se dibuja desde la región de saturación de la curva donde VGS = 0 V hasta el eje ID. El valor de
la corriente en el punto de intersección en ambos gráficos es conocido como IDSS.
La posición del punto de intersección en la curva que muestra la relación entre ID y la tensión puerta-fuente (VGS) está
determinada por la ubicación del eje vertical, que se establece en VGS = 0 V.
3.7.1. Implementación de la ecuación de Shockley en circuitos

electrónicos
Para trazar la curva de transferencia, como se muestra en la Figura 3.14, se utiliza la "fórmula de Shockley". Solo se
requiere el conocimiento de los valores de IDSS y Vp. Estos valores establecen los límites del gráfico en ambas
coordenadas, permitiendo luego la identificación de puntos intermedios en la curva. La validez de la fórmula puede ser
efectivamente confirmada mediante el análisis de valores específicos de una variable y la posterior determinación de los
valores resultantes de las otras variables. Por ejemplo, estableciendo VGS en cero voltios (0 V).
2
!
ID = IDSS − V
VGS
1 p
2
!
= IDSS = (1 − 0)2
1− VVp
GS
IDSS
ID = IDSS . (3.4)
VGS=0V
remplazando VGS = Vp resulta que:

!2
ID = IDSS 1 − Vp
Vp
= IDSS(1 − 1)2 = IDSS(0)
ID = 0A .V (3.5)
GS=Vp
Para las especificaciones de drenaje de la Figura 3.14 si remplazamos VGS = −1V

2
!
ID = IDSS − V
VGS
1 p
!2 !2
1V 1
= 1− = 1−
8mA 4V 8mA 4
= 8mA(0.75)2
= 8mA(0.5625)2
= 4.5mA
Es esencial prestar atención a los signos negativos de VGS y Vp en los cálculos previos.
Ignorarlos adecuadamente podría resultar en un resultado completamente erróneo.
Es claro que al utilizar los valores de IDSS y Vp tal como se indican comúnmente en
las hojas de datos, podemos calcular la magnitud de ID para cualquier nivel dado de
VGS. Por otro lado, al aplicar los principios fundamentales del álgebra a la ecuación
3.3, podemos deducir una expresión para el valor de VGS correspondiente a un nivel
específico de ID.
r !
ID
VGS = V p 1 − I (3.6)
DSS
Las especificaciones del dispositivo, ilustradas en la Figura 3.14, se confirman mediante la
ecuación 3.6, demostrando que un nivel particular de VGS produce una ID = 4,5 mA.
r
4.5mA
VGS = −4V 1 −
8mA
√
= −4V (1 − 0.5625) = −4V (1 − 0.75) = −4V (0.25) = −1V
3.8. Método abreviado

Ya que la representación gráfica de la curva de transferencia es comúnmente trazada,
sería ventajoso disponer de un enfoque acelerado para supervisarlo con una eficacia
óptima, manteniendo al mismo tiempo un grado aceptable de presunción.
La ecuación 3.3 produce valores específicos de VGS, que a su vez producen valores
correspondientes de ID. Estos valores pueden registrarse y utilizarse para trazar la curva
característica de transferencia. si asumimos que el valor del voltaje puerta-fuente VGS es la
mitad del voltaje de umbral Vp, podemos utilizar la ecuación de Shockley para determinar
el nivel correspondiente de corriente de drenaje ID.
!2
V GS
ID = DSS
I Vp
!2
= IDSS p
= IDSS (0.5)
2
1 − VV/2
p
!2
= IDSS 1 − 1
2
= IDSS(0.25)
VGS ID
0 IDSS
0.3Vp IDSS/2
0.5Vp IDSS/4
Vp 0 mA
Tabla 3.1: VGS contra ID usando la ecuación de Shockley
Y
. IDSS
D
I= 4 . V
Vp
=
(3.7)
GS
Tenga en cuenta que la ecuación 3.7 no proporciona un nivel de Vp. Se aplica a cualquier
nivel de Vp si VGS = Vp/2. Si el VGS es la mitad de la tensión de reactancia, siempre se
obtendrá un cuarto de la corriente de saturación IDSS como corriente de drenaje. Eligiendo
ID = IDSS/2 y reemplazando en la ecuación 3.6, resulta que:
r !
ID
VGS = Vp 1 −
IDSS
s !
IDSS /2
= Vp 1 −
IDSS
√
= Vp 1 − 0.5
= Vp(0.293)
Y
VGS ∼= 0.3Vp
. (3.8)
. I =ID DSS /2
Se pueden suministrar múltiples emplazamientos, pero sólo los cuatro mencionados an-
teriormente y analizados en la tabla 3.1 pueden mostrar la curva de transferencia con
precisión.
3.9. Regiones de operación

El rango de amplificación lineal en las características de drenaje se indica en la hoja
de datos y se visualiza en la curva generada por los niveles de estrangulamiento en cada
nivel de VGS. La región resistiva establece los valores mínimos permitidos de VDS para cada
nivel de VGS, mientras que VDSmax define el límite máximo.
La curva representada tal como se especifica para los transistores BJT viene determi-
nada por la disipación de potencia máxima y la corriente de drenaje máxima (IDSS). El
zona azul es la región de trabajo para un amplificador. Puede especificar que cada tran-
sistor tenga una región similar o muy diferente al diagrama que se muestra en la Figura
3.15.
Figura 3.15: Región de operación normal de un diseño de amplificador lineal, gráfica to-
mada de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 83).
3.10. MOSFET
3.10.1. Introducción a los MOSFET
MOSFET se define como "transistor de efecto de campo de semiconductor de oxido
metálico. Estos transistores también se dividen en más tipos y son en "enriquecimiento
y empobrecimiento"Boylestad and Nashelsky (2004), estos términos definen su funciona-
miento básico.
Empobrecimiento canal N
Esta sección se examina el MOSFET tipo empobrecimiento (Figura 3.16), el dispositivo
en cuestión presenta características que se asemejan a las de un JFET tanto en condiciones
de saturación como de corte, y también se extiende hasta la región de polaridad opuesta
de VGS. Además, su valor IDSS es comparable al de un JFET.
Figura 3.16: MOSFET de empobrecimiento de canal n.
A pesar de su rendimiento inferior, el uso del MOSFET ha disminuido considerable-

mente. Sin embargo, todavía encuentra aplicaciones en las primeras etapas de los circuitos
de comunicación de alta frecuencia, como los amplificadores de radiofrecuencia, como se
menciona en las referencias bibliográficas (Boylestad and Nashelsky (2004) y Prado (2002)).
Figura 3.17: Tabla de símbolos de Transistores MOSFET e IGFET (Simbolos Electicos

y Electronicos).
3.10.2. Símbolos
Los MOSFET de empobrecimiento de canal n y canal p se representan gráficamente
mediante los símbolos mostrados en la tabla 3.17. Estos símbolos fueron elegidos con
el objetivo de representar fielmente la estructura real del MOSFET. Debido a la falta
de una conexión directa por el aislamiento de la compuerta (como se describirá en el
siguiente subtema), entre la compuerta (G) y las demás terminales(D, S, SS) del símbolo
está representada por un espacio, en otras palabras no esta conectado.
El canal está conectado al drenaje a la fuente, y está sostenido por el sustrato (re-
presentado en azul). Se proporcionan dos símbolos para cada tipo de canal para indicar
si el sustrato está disponible externamente o no (MOSFET de canal p y MOSFET de
enriquecimiento). El substrato y la fuente están unidos y por ahora solo se emplearan los
siguientes símbolos de la Figura 3.17.
Figura 3.18: MOSFET de empobrecimiento de canal N.
3.10.3. Construcción
El proceso de fabricación de un MOSFET de canal n tipo agotamiento se muestra en la Figura 3.19. El dispositivo se
construye sobre un sustrato, que es una placa de material tipo p, y actúa como la base del transistor. Este sustrato está
internamente conectado a una terminal y sirve como soporte para el transistor. En algunos casos, los dispositivos
discretos cuentan con un terminal adicional llamado SS, lo que resulta en una configuración de cuatro terminales, como
se muestra en la Figura 3.19.
La conexión entre la fuente y el drenaje se realiza mediante empalmes metálicos a regiones dopadas de tipo n que forman
un canal N, tal como se ilustra en la Figura 3.19.
Figura 3.19: Partes de un MOSFET de empobrecimiento
La conexión eléctrica de la compuerta del MOSFET se realiza a través de una

interfaz de contacto metálica, al mismo tiempo que se logra el aislamiento eléctrico del
canal n mediante una fina capa de dióxido de silicio (SiO2).
El bióxido de silicio (SiO2) Se sabe que un aislante dieléctrico genera campos eléctricos
opuestos en su interior cuando se expone a un campo externo. La propiedad aislante de la
capa de SiO2 es una característica significativa:
"El MOSFET no tiene una conexión eléctrica directa entre la terminal de la compuerta y el canal" (Boylestad and
Nashelsky, 2004, pp. 386).
"La alta impedancia de entrada necesaria para el MOSFET se logra mediante la capa de aislamiento de SiO2 en su
fabricación" (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 386).
Normalmente, el MOSFET presenta una resistencia mayor de entrada que el JFET.

Aún así, la mayoría de los JFET tienen impedancias de entrada lo suficientemente altas
para la mayoría de las aplicaciones. La corriente de puerta (IG) es cero amperios para una
dispo- sición de polarización de corriente continua porque la impedancia de entrada es
bastante alta. El término "puerta aislada"se refiere a la capa aislante que separa la puerta
del canal de un transistor de efecto de campo (FET). fusible.
La razón para designar un FET como un semiconductor ahora es mas clara según: "Se ha
provisto suficiente superficie en las uniones del drenaje, la fuente y la compuerta,
utilizando metal para la conexión del drenaje, dióxido de silicio como capa aislante y
semiconductor
para la estructura básica donde se difunden las regiones de tipo n y tipo p"(Boylestad and
Nashelsky (2004).
3.10.4. Funcionamiento
Se establece un voltaje de 0 V entre la compuerta y la fuente al conectar directamente
una terminal y suministrar el voltaje drenaje-fuente (fig. 3.20).
Figura 3.20: MOSFET tipo empobrecimiento de canal n, VGS = 0 V y un voltaje aplicado

VDD.
Como resultado, los electrones libres presentes en el canal de conducción de tipo n son
atraídos hacia la región de drenaje debido al potencial positivo aplicado. Esto da lugar a
una corriente similar a la que se genera en el canal de un JFET. La corriente resultante
con VGD = 0V se denota nuevamente como IDSS, como se presenta en la Figura 3.21.
Figura 3.21: Propiedades de drenaje y transferencia de un MOSFET que pertenece al

tipo de empobrecimiento y presenta un canal de conducción de tipo n, gráfica tomada
(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 387)
Como se puede ver en la Figura 3.22 VGS parece estar fijado a un voltaje negativo de
1V
− . En general, el sustrato tipo p atrae los huecos mientras que el sustrato tipo p repele
los electrones debido al potencial negativo en la puerta.
Se produce un grado de recombinación entre electrones y huecos que reduce la
cantidad de electrones libres disponibles para la conducción en el canal N en función de
la fuerza de la carga negativa, que viene dictada por VGS. Cuanto más negativa sea la
polaridad, la tasa de recombinación será mayor.
Figura 3.22: La aplicación de un potencial negativo en la terminal de compuerta provoca

una disminución en la cantidad de portadores libres en el canal.
Al aumentar la carga negativa de VGS, se observa una reducción en la corriente de drenaje final, como se representa en
la Figura 3.21 para distintos valores de VGS, desde -1V hasta el punto de estrangulamiento de -6V. Los niveles de
corriente de drenaje y la curva de transferencia resultante se ajustan a las especificaciones del FET con precisión,
mostrando una continuidad adecuada.
Por otro lado, las compuertas positivas atraen portadores libres adicionales (electrones) del sustrato tipo p a la corriente
de fuga cuando VGS es positivo. Esto da lugar a la creación de nuevos portadores debido a las colisiones de partículas
aceleradas. Como se ilustra en la Figura 3.20, la corriente de drenaje ID crece rápidamente con los valores positivos de
VGS debido a los efectos mencionados anteriormente.
Figura 3.23: MOSFET de empobrecimiento canal P
En la Figura 3.21, se puede observar que aumentar VGS de 0 a +1V es una señal de advertencia importante, ya que el
usuario debe tener en cuenta el valor máximo de la corriente de drenaje para evitar excederla al aplicar un voltaje
positivo en la compuerta.
Cuando se aplica un voltaje positivo en la compuerta en relación con la fuente, la cantidad de portadores de carga libres
en el canal aumenta en comparación con el nivel cuando VGS = 0. Debido a esto, la porción de las características de
drenaje o transferencia que se corresponde con voltajes positivos en la puerta se nombra generalmente como "zona de
aumento", mientras que el área entre los niveles de corte y saturación de IDSS se reconoce como "área de reducción". Es
fundamental resaltar que la ecuación de Shockley sigue siendo aplicable a las propiedades de los MOSFET de tipo
empobrecimiento, tanto en la región de agotamiento como en la región de aumento, lo cual resulta muy valioso para el
análisis y diseño de estos componentes.
3.11. MOFEST de empobrecimiento de canal P

El proceso para crear ün MOSFET de canal P empobrecido es exactamente el inverso
canal N"Boylestad and Nashelsky (2004), el sustrato es de tipo n y el canal es de tipo
p, como se ilustra en la Figura 3.23.
(a) (b)
Figura 3.24: El MOSFET de canal p en modo de empobrecimiento con una corriente de

drenaje de saturación de 6 mA y un Vp de 16 V, gráficas tomadas de (Boylestad and
Nashelsky, 2004, pp. 390)
Las terminales permanecen sin cambios, sin em-

bargo, las direcciones de corriente se invierten,
observe en la misma Figura 3.19.
Las características de drenaje coincidirían exacta-
mente con lo que se muestra Figura 3.21, Sin em-
bargo, en esta configuración, se utilizan valores nega-
tivos para VDS y valores positivos para IDS, ya que
se ha invertido la dirección especificada, y VGS (fig.
3.21).
La inversión en VGS (respecto al eje ID) proporcio-

na una imagen especular de las características de
transmisión, tal como se logra apreciar en la Figu-
ra 3.24a.
Figura 3.25: Transistor MOS- En resumen, la corriente de drenaje ID aumenta des-

FET tipo empobrecimiento de de el umbral de corte en la región de VGS positiva
canal p. hasta alcanzar IDSS, y luego sigue incrementándose
a medida que los valores de VGS se vuelven
negativos.
La ecuación de Shockley sigue siendo válida, solo se debe asignar correctamente el signo
tanto a VGS como a Vp en la ecuación correspondiente.
3.12. Símbolos y construcción de un MOSFET empo-

brecimiento
Los símbolos del MOSFET de canal P de empobrecimiento que muestran en la Figura
3.25. Los símbolos elegidos reflejan la fabricación aproximada del dispositivo. El canal se
representa mediante el uso de las conexiones del drenaje, la fuente y el sustrato, ya que los
amortiguadores impiden que la puerta y el canal interactúen directamente con el material
SiO2.
Y la construcción es la misma que se lleva acabo con los MOSFET de empobrecimien-

to de canal N, por lo tanto no es necesario volver a repetir el tema, para los símbolos solo
se cambia el sentido de la flecha del sustrato (SS).
3.13. MOSFET de enriquecimiento canal N

Gracias al modo de empobrecimiento, fue posible evolucionar al modo de enriquecimien-
to, sin él no existirían las çomputadoras portátiles y celulares" (Boylestad and Nashelsky
(2004) y Prado (2002)).
El MOSFET de enriquecimiento se encuentra ampliamente utilizado tanto en circuitos
individuales como en circuitos interconectados. En aplicaciones de circuitos discretos,
es especialmente común en circuitos de conmutación de potencia, donde es capaz de
manejar altas corrientes y controlar su flujo. En el caso de circuitos integrados, el
MOSFET de enriquecimiento es ampliamente empleado en circuitos digitales de
conmutación, que forman la base de los modernos dispositivos informáticos.
Aunque los MOSFET de empobrecimiento y enriquecimiento se fabrican y funcionan de

forma algo similar, sus características son bastante diferentes de las de otros MOSFET
descubiertos hasta ahora.
Figura 3.26: MOSFET de canal n de enriquecimiento.
Hasta que VGS alcance un cierto valor, la corriente ID se mantiene en un nivel de

corte, ya que la ecuación de Shockley no puede describir adecuadamente la curva de
transferencia en ese rango. En especial, la regulación de la corriente en los
dispositivos de canal N se controla ahora mediante una tensión puerta-fuente positiva en
lugar de las tensiones negativas observadas en los JFET y los MOSFET de
agotamiento.
3.13.1. Símbolos esquemáticos

Cuando la tensión puerta-fuente (VGS) del MOSFET de enriquecimiento es igual a
cero, el dispositivo se encuentra en estado de corte, lo que significa que no hay un
canal conductivo establecido entre la fuente y el drenaje. La Figura 3.28a ilustra esta
situación mediante una línea de canal discontinua para resaltar este hecho. Es
importante destacar que para crear una capa de inversión de tipo n, que conecta la
fuente y el drenaje (( en la Figura 3.17), es necesario aplicar una tensión de puerta que
supere el umbral de voltaje (Vth), como se representa en la Figura 3.27 con los
símbolos adecuados.
La capa de inversión, indicada por la flecha, muestra un comportamiento de canal N
durante la conducción de corriente.
También existe una variante de MOSFET llamada MOSFET de enriquecimiento
del canal P. Su símbolo esquemático presenta una pequeña diferencia, donde la punta
de la flecha apunta hacia el exterior, como se puede observar en la Figura 3.28b.
Figura 3.27: MOSFET de enriquecimiento (Simbolos Electicos y Electronicos).
(a) Dispositivo de canal n. (b) Dispositivo de canal p.
Figura 3.28: Símbolos esquemáticos de MOSFET de enriquecimiento (Simbolos Electicos y

Electronicos).
La fabricación de un MOSFET de canal N de empobrecimiento (Figura 3.29). El sus-
trato se crea con una lámina de material a base de silicio P, es un componente fundamental
en diversas aplicaciones tecnológicas. Al igual que con el MOSFET tipo empobrecimien-
to, en algunos casos, el"sustrato puede estar intrínsecamente conectado al terminal de la
fuente"(Boylestad and Nashelsky (2004)), mientras que en otros casos, se suministra una
curva de terminal externa para regular el nivel de potencial.
Figura 3.29: MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.
En este caso, los terminales de fuente y drenaje están conectados a regiones de tipo n que han sido dopadas con contactos
metálicos. Es importante notar que en la Figura 3.29 no se forma un canal entre las dos regiones dopadas tipo n. La
principal distinción entre los MOSFET de tipo empobrecimiento y los de tipo enriquecimiento radica en la presencia o
ausencia de dicho canal como componente inherente del dispositivo. Además, la capa de SiO2 se mantiene en su lugar
para proporcionar aislamiento entre la plataforma de la puerta metálica y la región entre el drenaje y la fuente, a pesar de
estar ahora dividida por un segmento de material de tipo p.
En resumen, el proceso de producción de un MOSFET de enriquecimiento se parece

mucho al de un MOSFET de empobrecimiento, con la excepción de que la región entre el
drenaje y la fuente carece de canal.
3.13.3. Funcionamiento y más
Cuando Cuando se configura VGS en 0 V y se aplica una tensión entre el drenaje y la fuente del dispositivo ilustrado en
la Figura 3.29, debido a la ausencia de un canal n con un gran número de portadores libres, no hay corriente que fluya a
través del dispositivo, lo que resulta en una corriente de 0 A. Esta diferencia contrasta con los MOSFET y JFET
empobrecidos, donde ID = IDSS.
Aunque existe un gran grupo de electrones (portadores) en las regiones dopadas de

tipo n que conectan el drenaje y la fuente, esto por sí solo no es suficiente si no hay
una ruta directa entre ellos. Sin embargo, al aplicar un voltaje positivo de VDS con
VGS igual a 0 V y conectar directamente el terminal SS a la fuente, se crean dos
uniones p-n con polaridad inversa entre las regiones dopadas de tipo n en el sustrato.
Estas uniones impiden cualquier flujo significativo de corriente entre la fuente y el
drenaje.
Figura 3.30: esquema de formación de un canal en un MOSFET de canal N de enriqueci-

miento.
Cuando se aplica un potencial positivo en la compuerta, se generan fuerzas de

repulsión en los huecos presentes en el sustrato tipo P, especialmente en la región
periférica de la capa de SiO3, como se ilustra en la Figura 3.30. Esto se debe al principio de
que las cargas similares se repelen mutuamente.
Como resultado, se crea una región de agotamiento cerca de la capa aislante de SiO2,
donde no hay presencia de huecos. Los electrones, como portadores minoritarios en el
sustrato tipo p, muestran una tendencia a ser atraídos hacia la puerta que está cargada
positivamente, lo que provoca su acumulación en las cercanías de la superficie de la
capa de SiO2.
Al aumentar VGS, se observa un aumento en la concentración de electrones cerca de la

superficie de SiO3. Con el tiempo, esto da lugar a la formación de una región de tipo n
inducida, que permite el flujo de corriente desde el drenaje hacia la fuente.
El "voltaje umbral"(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 393), denotado como VT , se refiere
al valor de VGS que da lugar a un aumento notable de ID.
Figura 3.31: Con el aumento de VDS a un valor fijo de VGS, el canal se estrecha y la región
de empobrecimiento se expande.
El tipo de dispositivo se clasifica como MOSFET de enriquecimiento, ya que el canal

no existe con V y se optimizó mediante la introducción de una tensión positiva.
Cuando se supera el umbral de VGS, la densidad de electrones libres en el canal

inducido aumenta, lo que provoca un incremento en la corriente ID. En los JFET y los
MOSFET de tipo empobrecimiento, la corriente de drenaje alcanza la saturación
cuando se mantiene VGS constante y se aumenta VDS.
Figura 3.32: Características de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal N

(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 394).
El estrechamiento del canal cerca del extremo del drenaje limita la corriente ID para que sea
igual. Esto se representa de forma más clara en la Figura 3.30. Aplicando la ley de Kirchhoff de
voltajes, podemos determinar los voltajes presentes en los terminales del MOSFET que se
muestra en la Figura 3.30.
.
VDG = VDS − VGS (3.9)
Cuando VGS se mantiene a un valor constante, digamos 7 V, y VDS sube de 2 V a 5 V,

VDG baja de −5V a-2 V, haciendo que la puerta sea más negativa que el drenaje.
La disminución en VGS, disminuye la atracción de electrones hacia esta zona del canal
inducido, ocasionado un estrechamiento del canal (fig.3.31).
En otras palabras, cuando aumentamos el voltaje VDS manteniendo VGS

Figura 3.33: La figura muestra la representación gráfica de las características de transfe-

rencia de drenaje de un MOSFET de tipo de enriquecimiento de canal N (Boylestad
and Nashelsky, 2004, pp. 387).
Las características del drenaje en la Figura 3.32 indican que para el dispositivo
mostrado en la Figura 3.31, cuando VGS es igual a 7 V, se alcanza la saturación cuando
VDS es igual a 5 V. Es importante señalar que para valores de VGS por debajo del
nivel de umbral, la corriente ID de un MOSFET de tipo enriquecimiento es de 0 mA.
(Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 395).
3.14. MOSFET de enriquecimiento de canal P
El diseño de un MOSFET de canal P de enriquecimiento es el opuesto a la
configuración mostrada en la Figura 3.29, y esto se representa en la Figura 3.29. Bajo
las regiones de drenaje y fuente se encuentran el sustrato de tipo n y las zonas
dopadas correspondientes.
Figura 3.34: MOSFET de enriquecimiento de canal P.

Las características de transferencia del MOSFET de enriquecimiento de canal N

exhiben una simetría especular con respecto al eje ID de la curva de transferencia
mostrada en la Figura 3.33. Cuando VGS supera el umbral VT, se observa un aumento
en ID para valores más negativos de VGS, como se representa en la Figura 3.35b.
(a) (b)
Figura 3.35: MOSFET de enriquecimiento de tipo canal P con VT = 2 V y k = 0.5 ×

10−1A/V 2. Gráficas tomadas de (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 390)
3.14.1. Símbolos
Los símbolos utilizados para represen-
tar los MOSFET de enriquecimiento de
canal P se muestran en la Figura 3.28b.
La principal distinción entre los símbolos
de los MOSFET de tipo enriquecimiento
y deplexión es la presencia de una línea
segmentada que conecta el drenaje (D) y
la fuente (S). Esta representación indica
que no hay un canal conductor entre am-
bos terminales en ausencia de polaridad.
La estructura y construcción de la cáp-
sula es similar a la de los MOSFET de
enriquecimiento de canal N. La hoja de
datos del transistor enumera los valores
máximos de corriente de drenaje, Figura 3.36: MOSFET tipo enriquecimien-
condiciones de corte, tensión umbral y to de canal p
otros parámetros.
3.15. Ejercicios
A través de esta sección, los estudiantes tienen la oportunidad de poner en práctica
sus conocimientos en circuitos y resolver los desafíos y problemas que se les presenten a
continuación.
1. Para comenzar identifique los si-

guientes transistores de la Figura
3.37.
Figura 3.37: Circuito 1 Figura 3.39: Circuito 3
4. Determine lo siguientes para el si-

2. ¿Cuál es la ID para el circuito 2?
guiente ejercicio: VGS,VDS e ID sí
IDSS = 8mA y Vp = − 4V en el cir-
cuito 4.
Figura 3.38: Circuito 2

3. Obtenga las variables

5. Dada la lectura de IDSS = 3 V y
correspondientes del circuito 3
Vp = 2− para el circuito 5, determi-
VGSQ , ID, VDS,VS y
ne: ID,VDS, VD, VS.
VG sí IDSS = 10 mA y Vp = −2V.
6. Determine: IDQ , VDS, VD, VS para el

circuito 6.
8. Para la configuración de autopolari-
zación (ejercicio 8), determine:ID y
VDS.

7. Para el MOSFET de empobreci-

miento de tipo de canal N (circui-
to 7), si IDSS = 10 mA y Vp = − 2
V, determine el valor de VDS, IDQ y
9. Encuentre VDS para el circuito 9 sí
VGSQ .
IDSS = 8mA y Vp = −2V.
11. Para el circuito 11 ,con los siguien-

tes valores VGS(Th) = − 3V,ID =
5mA y VGS = − 7V determine:
IDQ, VGSQ, VDS, VD.
10. Encuentre IDQ y VDSpara el transis-

tor MOSFET de enriquecimiento cir-
cuito 10 sí ID = 8mA, VGS = 8V y
VGSth = 1.5 V.
12. Calcule RDS para todos los valores

de VGS = −0.25, −1, −1.75, −2, −3
usando Ro = 470Ω y VP = −2.75.
R = Ro
DS V 2
1−
GS
Vp

3.16. Prácticas
Para evaluar los conocimientos adquiridos por los estudiantes durante las clases,
se realizarán prácticas de laboratorio que emularán situaciones de la vida real.Estas
prácticas proporcionarán una experiencia similar a la que los estudiantes pueden enfrentar
en su vida personal y profesional, permitiéndoles familiarizarse con el manejo de
dispositivos eléctricos y circuitos electrónicos comunes.
Práctica 7: Polarización de un transistor JFET
Objetivo 2. Arme el circuito 3.48a.

Emplear un transistor JFET como in-
terruptor de voltaje.
3. Mida la corriente de drenaje, Anóte-
la y compare con el dato del fabri-
Materiales
cante en resultados.
Fuente de voltaje.
Multimetro. 4. Arme el circuito 3.48b.
Transistor JFET BF245C o similar.
Resistencias de 10 MΩ,2.7 kΩ, 10 5. Mida la corriente del drenaje ID y
kΩ, 1 kΩ. VGS para calcular el voltaje VP usan-
do la ecuación de Schockley, Deberá
Hoja de datos del transistor. dehacer uso del valor de IDSS obte-
nido en el apartado anterior.
Metodología
1. Realice la previa simulación de los 6. Anexe evidencia fotográfica y con-
circuitos. clusiones individuales.
(a) Circuito 1.
(b) Circuito 2.
Figura 3.48: Circuitos JFET

Práctica 8: Polarización de un transistor MOSFET
Objetivo 2. Construya el circuito 3.49.

Permitir que el alumno se familiarice
con los transistores MOSFET además de 3. Mediante el multimetro obtenga
introducir la manipulación del dispositivo. VDS, vG,ID.
Materiales 4. Ajuste V1 para obtener el valor de

Fuente de voltaje. 0.1 V en VGS, desde Vp y repita el
paso 3.
Multimetro.
Transistor MOSFET IRFZ44N. 5. Ajuste V1 con un voltaje de 2V,
medir VDS, VG y ID.
Hoja de datos del transistor.
Resistencias 1 MΩ, 50 Ω 6. Los valores obtenidos colóquelos en
un tabla.
Metodología
7. Anexe evidencia (fotográfica y cálcu-
1. Hacer la simulación previa del los si hubo que hacer) y
circui- to. conclusiones individuales en el
reporte.
Figura 3.49: Circuito MOSFET

Práctica 9: Regulador de voltaje MOSFET
Objetivo 2. Construya el circuito 3.50a todas

Permitir que el estudiante construya las tierras son una tierra común.
un regulador de voltaje y aplique este co-
nocimiento un circuito practico. 3. Suba y baje el valor del potencióme-
tro y observe los cambios en multi-
metro ¿Cual es la causa de que se
Materiales
regule el voltaje?.
Fuente de voltaje.
4. Construya el circuito 3.50b todas
Multimetro. las tierras son una tierra común.
Disipador de calor y un tornillo.
5. Deje funcionando el circuito 2 a 3
Un motor de DC de 12V de alto min.
tor- que con entradas positiva y
negativa. 6. Apague el circuito y CON MU-
CHA PRECAUCIÓN toque el
Transistor MOSFET IRFZ44N. transistor ¿qué nota en el transis-
tor?
Hoja de datos del transistor.
7. Conecte el disipador de calor al tran-
Resistencia de 1KΩ
sistor y repita el paso 5 y 6.
Potenciómetro de 100KΩ
8. Anexe evidencia (fotográfica y cálcu-
Capacitor de 0.1µF los si hubo que hacer) y
conclusiones individuales en el
Diodo 1N4007 o similar reporte, responda las siguiente
preguntas¿ ¿Cuál es la función del
Metodología diodo? y ¿para que colocamos un
capacitor en paralelo del
1. Realice la simulación de los circuitos. potenciómetro?
Figura 3.50: Circuitos reguladores de voltaje
(a) Circuito regulador de voltaje.
(b) Circuito regulador de motor.


Con el fin de facilitar el entendimiento del tema a su vez reafirmar los conocimientos
sobre el tema de transistores de efecto de campo así como incentivar a que sean compartidos
los conocimientos entre los mismos lectores para facilitar la cimentación de dichas bases
del tema, colocamos estas sugerencias.
Apartado 2.4, Capítulo 2, Fundamentos de electrónica, Cogdell J.R.(2000), Editorial

Pearson Educación, México.
Capitulo 6 Transistores de efecto de campo, Electrónica: teoría de circuitos y dispo-

sitivos electrónicos, Robert L. Boylestad, Luis Nashelsky, Editorial: Pearson
Capitulo 13 JFET, Principios de electrónica, Albert Malvino y David J.Bates. (2007).

España: McGrawhill/Interamericana de España, S. A. U.
Capitulo 14 MOSFET, Principios de electrónica, Albert Malvino y David J.Bates.

(2007). España: McGrawhill/Interamericana de España, S. A. U.
Lección 8, Curso fácil de electrónica básica tomo 2, Antia Giraldo Carlos Ariel,
Mendoza Penilla Emiliana, González Gutiérrez Manuel Felipe, (2002), Editorial CE-
KIT.S.A. Colombia.
"Transistores Efectos de Campo #1 Introducción"del canal de Youtube .Antonio

Cedillo Hernándezçon el siguiente link: https : //youtu.be/eabdlX1bUlo
El material audiovisual "Transistores JFET"del canal educativo de Youtube . Electrónica

FPçon la siguiente liga: https : //youtu.be/Mdx0kRz − IFo
Çomo funciona transistor JFET y como resolver sus circuitos (Clase 51)"del canal
.Acadenas.en Youtube, con el siguiente liga: https : //youtu.be/GGprFdtFbnU
El vídeo tutorial Çomo funciona MOSFET muy fácil y con detalle (Clase 52)"del
canal .Acadenas.en Youtube, con el siguiente liga: https : //youtu.be/h8V cISK7y3w
"¿Qué es un transistor MOSFET? Cómo funciona un MOSFET Transistores de

potencia"del canal de Youtube "Neheyler Mecatronico", disponible en la siguiente
liga: https : //youtu.be/V 34yPZFz85Q
"Transistor MOSFET - Parte 1: Modelo Teórico"del canal educativo de Youtube .El

traductor de Ingeniería", disponible con la siguiente liga: https : //youtu.be/xIvMhAWDIog
Capítulo 4
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
4.1. Introducción
Una señal se amplifica a la salida de un amplificador después de recibirse de una fuente de entrada, como un
transductor u otro dispositivo. Por lo general, la magnitud de esa señal en el transductor es baja, del orden de
milivoltios, y proviene de fuentes como reproductores de discos compactos o dispositivos de almacenamiento.
Sin embargo, algunos dispositivos requieren una amplificación adecuada de la señal para funcionar
correctamente.
Un amplificador de voltaje aumenta la diferencia de potencial entre las señales de entrada y salida (Paredes y Romero,
2013). Para alimentar dispositivos que consumen mucha energía, como altavoces o televisores, se utilizan amplificadores
de potencia que proporcionan suficiente potencia a la carga de salida.
Las especificaciones clave de un amplificador de señal grande incluyen eficiencia

energética del circuito. Tal cantidad máxima de corriente que es posible manejarla y la
impedancia apta para el dispositivo de salida (Malvino and Bates (2007)). En términos
generales, los amplificadores de potencia son dispositivos electrónicos que
incrementan la potencia de una señal de entrada. Se utilizan en diversas aplicaciones,
como sistemas de audio, radiodifusión, telecomunicaciones y sistemas de
RF/microondas.
La función de un amplificador es tomar una señal de baja potencia y convertirla en una

de mayor potencia, para luego enviarla a un dispositivo de salida, el cual puede ser un
altavoz o una antena. Existen varios tipos, que difieren en cuanto a su diseño, capacidad
de manejo de potencia, respuesta de frecuencia, eficiencia, distorsión y linealidad. Algunos
de los más comunes amplificadores de potencia incluyen amplificadores de clase A, clase
B, clase AB, clase D y de modo conmutado.
Los amplificadores de potencia pueden ser diseñados utilizando diferentes tipos de com-
ponentes electrónicos: ello incluye tubos de vacío, transistores de unión bipolar (BJT),
transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal (MOSFET) y tran-
sistores de nitruro de galio (GaN). La elección de la tecnología del amplificador se hace en
101
CAPÍTULO 4. AMPLIFICADORES DE POTENCIA 102
función de los requisitos específicos de la aplicación (nivel de potencia, ancho de banda,

linealidad, confiabilidad y costo).
(b)
(a)
Figura 4.1: Tipos de operación de amplificador (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 672).
Las especificaciones clave de un amplificador de señal grande son la eficiencia energéti-

ca del circuito, la cantidad máxima de corriente que puede manejar y la impedancia apta
para el dispositivo de salida (Malvino and Bates (2007)).
Además de maximizar la carga, el amplificador de potencia debe ser capaz de disipar
grandes cantidades de poder. El calor que se genera al opera a altos niveles de corriente
y voltaje se libera en el entorno a un rápido ritmo, pero para evitar que la temperatura
ocasione daños, el amplificador se diseña con componentes voluminosos que tienen
grandes áreas de superficie y mejoran la transferencia de calor al medio ambiente.
Un amplificador de potencia suele ser la última etapa de un sistema amplificador di-

señado para modificar características de la señal denominadas acondicionamiento de la
señal. Uno de sus componentes semiconductores, típicamente un transistor de potencia,
puede ser operado sobre sustancialmente todo el rango de sus características de salida,
desde la saturación hasta el corte. Este modo de operación se llama operación de señal
grande.
El término .operación de señal grande"también se aplica a dispositivos utilizados en cir-

cuitos de conmutación digital. En estas aplicaciones la salida el nivel cambia entre .alto
"bajo"(corte y saturación), pero permanece en esos estados la mayor parte del tiempo.
Por lo tanto, la disipación de energía no es un problema. Por otro lado, las variaciones en
el nivel de salida de un amplificador de potencia ocurren en la región activa, entre los dos
extremos de saturación y corte, por lo que se disipa una cantidad sustancial de energía.
4.2. Clases de Amplificadores de Potencia

Los amplificadores de potencia se dividen en categorías, la fluctuación de la señal de
salida a lo largo de todo el ciclo operativo de la señal de entrada está representada por las
clases de amplificador.
Clase A: La señal de salida cambia en un ciclo de 360 grados(Boylestad and

Nashelsky (2004)) (fig. 4.1a), sugiere que el punto Q debe pola- rizarse a un ni-
vel que permita que al menos la mitad de la señal de salida oscile de arriba y
hacia abajo sin que sea demasiado alta o baja para estar limitada por el nivel de
voltaje suministrado. Nos acercaremos al nivel de fuente muy bajo o 0V para la
alimentación.
Clase B: Esta clase produce una señal que varía dentro de medio ciclo de la
señal de entrada, o dentro de los "primeros 180°"(Boylestad and Nashelsky (2004))
de la señal (Figura 4.1b), por lo que el punto de compensación de CD de Clase B
es 0 V, por lo que la potencia de salida varia desde ese punto de compensación en
más de medio ciclo.
Consideremos un semiciclo en el que la salida no coincide exactamente con la en-

trada. Es necesario disponer de dos operaciones de clase B, una de las cuales emita
durante el semiciclo de salida positivo y la otra opere durante el semiciclo negativo
La salida de 360° está garantizada mediante medios bucles, las conexiones push-pull
funcionan así. Dado que la operación B sólo representa la reproducción de entrada
a 180° de la traslación de salida, la señal de salida está distorsionada.
Clase AB: El amplificador puede estar polarizado a un nivel de CD superior a la

mitad de los niveles de corriente de base cero de Clase B y de tensión de
alimenta- ción de Clase A , una situación que deriva en una clase AB. Para un
ciclo de salida completo, la Clase AB necesita una conexión push-pull.
Para maximizar la eficiencia energética, que se tratará más adelante, el nivel de

polarización de CC suele estar más cerca del nivel de corriente de base cero. Ni el
funcionamiento en Clase A ni en Clase B tienen desplazamientos de la señal de salida
entre 180° y 360°(Boylestad and Nashelsky (2004)) para el funcionamiento en Clase
AB.
Clase C: La salida del amplificador Clase C "tiene una carga polar para trabajar en
ciclos de menos de 180°" (Boylestad and Nashelsky (2004))y funciona solo con circui-
tos sintonizados que garantizan un funcionamiento de ciclo completo en la
frecuencia sintonizada. Los usos de esta clase son en la comunicación.
Clase D: El funcionamiento de es tipo de amplificador usa una señal pulso, es

decir una señal digital que se enciende por poco tiempo y se apaga por un tiempo
prolongado (Prado (2002)).
La ventaja principal del funcionamiento de Clase D es que el amplificador(usando
energía) se enciende por un período chico de tiempo, haciendo que mejore la eficiencia
general del amplificador.
A B AB C D
Ciclo de operación 360 ◦
180 ◦
180 a 360 menos de 180 operación pulsante en
◦ ◦ ◦
Eficiencia de potencia 25 % a 50 % 78.5 % 180◦ 360◦ general más de 90◦

Tabla 4.1: Comparación de clases de amplificadores
4.3. Eficiencia de un amplificador

La relación entre la potencia de salida y la potencia de entrada, que indica la eficiencia energética de un
amplificador, aumenta desde la Clase A hasta la Clase D. En otras palabras, en la Clase A, la eficiencia es muy
baja con señales de entrada pequeñas y ofrece una capacidad limitada para la carga de corriente continua. La
"eficiencia máxima" (Boylestad y Nashelsky (2004)) de un circuito de Clase A se alcanza cuando la excursión
máxima de corriente y voltaje es solo del 25 % cuando la carga está conectada directamente o en serie, y del 50
% cuando la carga está conectada a un transformador.
Se puede observar que en la operación de Clase B se emplea una fuente de

polarización de corriente continua (CD), y la señal de entrada logra una eficiencia
máxima del 78.5 %. La operación en Clase D proporciona una eficiencia energética
superior al "90 %" (Boylestad y Nashelsky (2004) y Paredes Romero (2013)), lo que la
convierte en la más eficiente entre todas las clases operativas. La operación en Clase
AB se sitúa entre las Clases A y B en términos de polarización, por lo que su eficiencia
también se encuentra en el rango del 25 % al 78.5 %.
Para ofrecer una acción cíclica de contra polaridad, se establece una conexión push-pull
en funcionamiento de Clase B mediante acoplamiento de transformador o funcionamiento
simétrico semicomplementario con transistores NPN y PNP.
El funcionamiento del transformador a pesar de proporcionar señales con cíclicos

opuestos, el propio transformador tiene una amplia gama de usos. Los circuitos sin
transformador que utilizan transistores complementarios de onda cuadrada funcionan
de forma similar en un paquete considerablemente más pequeño.
La eficacia de un amplificador de potencia representa la proporción de la potencia de entrada que se convierte en

potencia de salida. Se calcula como el cociente entre la potencia de salida y la potencia total de entrada, expresado en
porcentaje. En términos simples, se trata de la fracción de energía que se suministra efectivamente a la carga, en
comparación con la energía total consumida por el amplificador.
La eficacia de un amplificador de potencia es un factor crucial, especialmente en

situaciones que demandan una potencia de salida elevada, como en sistemas de
radiodifusión y RF/microondas. Un amplificador altamente eficiente puede disminuir
el consumo de energía y la generación de calor, además de potenciar el desempeño
global y la fiabilidad del sistema.
En cuanto a la eficiencia, esta se puede mejorar utilizando varias técnicas: con un diseño
cuidadoso del circuito amplificador, uso de componentes de alto rendimiento e
implementa- ción de técnicas avanzadas de modulación y conmutación. Algunos tipos de
amplificadores de potencia, como los amplificadores de clase D y de modo conmutado son
inherentemente más eficientes que otros, como los amplificadores de clase A y clase
AB.
Por lo general, la eficiencia de un amplificador de potencia debe considerarse cuidado-

samente para garantizar que el amplificador pueda cumplir con los requisitos de potencia
de la aplicación, al tiempo que minimiza el consumo de energía y la disipación de calor.
4.4. Amplificador Clase A conectado en serie

La única discrepancia entre este diseño y la versión de señal débil previamente mencionada radica en que las señales que
el circuito de gran señal procesa se encuentran en el rango de voltajes, y los transistores empleados tienen capacidades
que van desde unos pocos vatios hasta algunas decenas de vatios.
Los transistores de alta potencia generalmente exhiben valores de beta por debajo de 100. Esto se debe a que todos los
componentes amplificadores en el circuito emplean transistores de potencia. Estos dispositivos manejan considerables
cantidades de corriente o potencia sin proporcionar una ganancia de voltaje significativa.
Al interconectar amplificadores Clase A en serie, es necesario vincular dos o más de

estos amplificadores para generar una señal de salida conjunta. En este enfoque, la
señal de entrada se divide en múltiples señales que son tratadas por cada amplificador
de manera individual, y luego se fusionan en la salida. Este método puede emplearse
para incrementar la potencia de salida del sistema sin comprometer la alta calidad de
la señal ni aumentar la distorsión armónica. No obstante, conectar los amplificadores
en serie también puede elevar la impedancia de carga total, lo que podría influir en la
respuesta en frecuencia de la señal y disminuir la eficiencia general del sistema..
En general, la interconexión en serie de amplificadores Clase A se emplea en

aplicaciones de audio de calidad superior, donde la integridad de la señal es de suma
importancia y se busca alcanzar una reproducción de audio de alta fidelidad. Sin
embargo, es esencial considerar con precaución la forma en que se realiza la conexión
de los amplificadores para prevenir posibles complicaciones relacionadas con la fase,
la distorsión y el recalentamiento..
4.4.1. Uso de CD durante el funcionamiento

La corriente directa esta definida por VCC y RB limitan la corriente de polarización de
IB de CD con:
VCC − 0.7V (4.1)
IB =
RB
y IC es:
IC = βIB (4.2)
Además, el voltaje colector-emisor VCE es igual a:
VCE = VCC − ICRC (4.3)
La línea de carga de CD está trazada con valores VCC y RC.
Figura 4.2: Se utiliza un amplificador de señal de magnitud significativa perteneciente a la

clase A en una configuración en serie.
El punto de funcionamiento, a veces denominado

pun- to de reposo para representar las características
"fijas e inamovibles"(Boylestad and Nashelsky (2004))
establecidas en los circuitos de corriente continua, se
define por la intersección del valor de tensión continua
de IB con la línea de carga de corriente continua.
Puede producirse una variación máxima de la corriente
de colector cuando la corriente de colector de CC se
ajusta a la mitad de las oscilaciones de señal que pueden
producirse entre 0 y VCC/RC.
Cuando la tensión de reposo entre el colector y el emisor
Figura 4.3: Característica se ajusta al 50 % de la tensión de alimentación, es conce-
de transistor representan- bible una desviación de tensión mayor.
do la recta de carga y el Fijando el punto Q en el punto de polarización óptimo,
punto Q (Boylestad and las consideraciones de potencia para el circuito ilustrado
Nashelsky, 2004, pp. 674). en la Figura 4.2 pueden representarse en el gráfico
presentado en la Figura 4.3.
4.4.2. Funcionamiento en corriente alterna

Cuando la señal de entrada de CA que se muestra en la Figura 4.2 se aplica al amplifi-
cador, la salida se desviará del voltaje de polarización de CC y la corriente de polarización.
Esta desviación se debe a la amplificación de la señal de entrada, que se superpone a la

polarización de CC, lo que hace que la señal de salida oscile por encima y por debajo
del nivel de polarización de CC.
El alcance de esta oscilación depende de la ganancia del amplificador y de la amplitud de
la señal de entrada. La señal de salida sigue las variaciones de la señal de entrada y la
amplifica en consecuencia. Por consiguiente, es importante asegurarse de que el voltaje y
la corriente de polarización de CC estén configurados correctamente para garantizar que
la señal de salida se mantenga dentro del rango lineal de operación del amplificador y para
evitar cualquier daño al amplificador debido a la sobremarcha o la saturación.
La polarización también ayuda a establecer las corrientes de reposo y los voltajes de sa-
lida de referencia que son necesarios para prevenir la distorsión y asegurar la linealidad
del amplificador. La cantidad de desviación que se produce en la corriente y el voltaje de
polarización dependerá del diseño específico del amplificador, y en particular de los
valores de los componentes asociados con la ganancia y el punto de polarización. Para
asegurar que la señal amplificada sea un fiel reflejo de la señal de entrada, es importante
tener en cuenta estos factores de diseño y seleccionar componentes que estén bien
adaptados a la aplicación específica.
Una señal de entrada de amplitud moderada, tal como se representa en la Figura 4.4,
inducirá oscilaciones en la corriente de base, alternando entre valores por encima y
por debajo del nivel de desviación de corriente directa (CD). Esto a su vez causará que
la corriente de salida (IC) se aparte del punto de polarización de corriente directa (CD)
predeterminado, lo que resultará en variaciones en el voltaje colector-emisor
alrededor de ese punto de polarización de CD.
Figura 4.4: Variación de las señales de entrada y salida de un amplificador (Boylestad and
Nashelsky, 2004, pp. 674).
En los extremos bajo y alto de su excursión, respectivamente, esta condición limitadora

es o bien cero corriente o (VCC/Rc). La tensión de alimentación, VCC, la que sea menor,
sirve como límite para la tensión de colector a emisor.
4.4.3. Consideraciones sobre la potencia

La fuente de alimentación proporciona la potencia que va al amplificador. La corriente
continua resultante es la corriente de polarización del colector cuando no hay señal de
entrada. Como resultado, el efecto proviene de la fuente:
Pi(cd) = VCCICQ (4.4)
La ecuación 4.4 representa la potencia de entrada suministrada al amplificador de clase A,

alimentado en serie, ya que la corriente media tomada de la fuente permanece constante
incluso cuando se añade una señal de CA.
Potencia de salida: Las cargas obtienen corriente alterna de la corriente y voltaje de

salida alrededor del punto de desviación. La corriente de colector ICQ y la señal de CA
Vi varían en torno a sus niveles de reposo. El offset de salida respecto al valor máximo
ajustado del circuito aumenta con la señal de entrada. Una carga recibe potencia CA
(RC) de varias maneras.
Con señales RMS. Una forma de denotar la potencia de ca entregada a la carga es

de la siguiente forma:
Po(ca) = VCE(rms)IC(rms) (4.5)
Po(ca) = I 2 C(rms)RC (4.6)
V 2(rms)
Po(ca) = C (4.7)
RC
Eficiencia
La cantidad de potencia de CA suministrada desde la fuente de CD viene indicada por
el rendimiento de un amplificador.
Así se determina la eficiencia de un amplificador:
Po(ca)
%η = 100 % (4.8)
×
Pi(cd)
Eficiencia máxima: Las variaciones máximas de voltaje y corriente son las que definen
el rendimiento máximo de los amplificadores de clase A entregados en serie. En cuanto al
voltaje de salida es:
VCE(P − P )máximo = VCC
Para la excursión de corriente es:
VCC
I (P P )máxima =
C − R
C
La excursión de voltaje máximo de la ecuación 4.7 arroja los siguientes resultados:

VCC (VCC/RC )
P (ca)máxima =
o
8
V2
Po(ca)máxima = CC
8RC
Con la corriente continua de polarización ajustada a la mitad de la cantidad máxima,
se calcula la potencia máxima de entrada:
Pimáxima (cd) = VCC(ICmáxima) = VCC V /R 2

CC c VCC
2 =
2RC
Para determinar la eficiencia máxima, aplica la ecuación (4.8):
Po máxima (ca)
% de η máximo =
Pi máxima (dc)
2
V /8RC
= CC × 100 %
VCC2
/2RC
= 25 %
Por tanto, un çlase A conectado en serie presenta un 25 % de máxima eficiencia"(Boylestad
and Nashelsky (2004)). La mayoría de los circuitos de potencia en serie producirán bas-
tante menos del 25 % de la potencia, ya que este rendimiento máximo sólo se produce en
circunstancias óptimas de ajuste de voltaje y compensación de corriente.
4.5. Amplificador clase A acoplado con un transforma-

dor
Usar un arreglo simple de un amplificador de clase A nos ayuda a tener una
eficiencia máxima del 50 %(Boylestad and Nashelsky (2004)). La figura 4.5 muestra algunos
conceptos
(b)
(a)
Figura 4.5: Amplificador de potencia de audio acoplado por transformador.

La fluctuación de la tensión y la corriente se tratará más adelante, ya que el circuito

utiliza un transformador para escalar la tensión o la corriente.
4.5.1. Acción de transformador
Los transformadores son dispositivos que pueden elevar o reducir los niveles de voltaje y corriente, dependiendo de la
relación de vueltas entre sus bobinas. La resistencia que se encuentra en un lado del transformador puede ser ajustada
para ser mayor o menor en el otro lado del mismo. Es importante tener en cuenta que el análisis que se presentará a
continuación no considera las pérdidas de potencia y asume una transferencia de potencia perfecta (100%) del devanado
primario al secundario.
Conversión de voltaje.: Un transformador tiene la capacidad de aumentar o

disminuir el voltaje aplicado a un lado en función del número de vueltas en cada
bobina del transformador, tal como se ilustra en la Figura 4.5a. La relación de
transformación de tensión se expresa mediante la siguiente ecuación:
V2 N2 (4.9)
V1 = N1
La ecuación 4.9 demuestra que si el devanado secundario tiene más vueltas de alambre
que el primario, la tensión en el devanado secundario será mayor que la tensión en el
devanado principal.
Transformación de corriente: El número de vueltas del devanado principal y la co-

rriente en el devanado secundario están inversamente relacionados.
Según la transición de corriente:
I 2 N1 (4.10)
I 1 = N2
La intensidad en el devanado secundario será inferior a la del devanado principal si el
devanado secundario tiene más vueltas que el primario (fig:4.6b).
(a) (b) Transformación de corriente.

Transformación de voltaje.
(c) Transformación de impedancia.
Figura 4.6: Operación de un transformador.
Conversión de impedancia: Se conecta una impedancia RL a través del devanado

secundario del transformador, ya que un transformador puede modificar la tensión o la
corriente, así como la impedancia, en cualquiera de sus lados (primario o secundario)
(Figura 4.6c).Cuando se produce en el lado primario, esta resistencia es conmutada por el
transformador. Una forma de comprobarlo es:
2
RL V2/I2
= V2 I1 V2 I1 N2N2 !
= (4.11)
′ V1/I1 V 1I 2 V 1 = V 1 I 2 = N1 N1 N12
N
RL =
La ecuación anterior se expresa de la siguiente manera si definimos a = N2/N2 donde
.a.es la relación de vueltas del transformador:
RL′
! 2 = a2 (4.12)
′
R
=L N1
RL R L = N2
La resistencia de carga reflejada en el lado frontal puede expresarse como:
R 1 = a2 R 2 o R L ′ = a2 R L (4.13)
La impedancia reflejada es RL′ (ecuación 4.13). Si el devanado secundario tiene menos
espiras que el principal, la resistencia del devanado primario es mayor que la resistencia
del devanado secundario multiplicada por el cuadrado de la relación de espiras.
4.6. Operación de un amplificador clase B

El amplificador de Clase B constituye una categoría de amplificadores de potencia que opera en una
configuración push-pull, empleando dos dispositivos activos complementarios. Estos dispositivos pueden ser
tanto transistores bipolares de unión (BJT) como transistores de efecto de campo de óxido metálico de
semiconductor (MOSFET). Estos transistores se encargan de conducir corriente de manera alternante: uno de
ellos conduce corriente durante la mitad positiva de la señal de entrada, mientras que el otro lo hace durante
la mitad negativa.
Los amplificadores de Clase B presentan una mayor eficiencia en comparación con los
amplificadores de Clase A, dado que utilizan únicamente la mitad del ciclo de entrada
para impulsar cada componente activo. Sin embargo, enfrentan el desafío de la
distorsión cruzada, que emerge cuando existe un pequeño espacio entre las dos
porciones de la señal de entrada. Para atenuar esta distorsión, se recurre al empleo de
un leve voltaje de polarización, el cual mantiene parcialmente activos ambos
transistores en todo momento. Este enfoque resulta en la configuración de un
amplificador de Clase AB, contribuyendo a reducir la distorsión de cruce.
Los amplificadores de clase B se usan frecuentemente en aplicaciones de radiofrecuen-

cia (RF) y audio de alta potencia, en las que la eficiencia es importante. Mas, pueden
no ser adecuados para aplicaciones de baja potencia donde la distorsión es una
preocupación. En resumen, un amplificador de clase B divide la señal de entrada en dos
mitades, cada una de las cuales impulsa un dispositivo activo. Pero si bien los
amplificadores de clase B son más eficientes que los amplificadores de clase A, los
primeros sufren de distorsión cruzada que se puede reducir usando un voltaje de
polarización pequeño para crear un amplificador de clase AB.
Cuando un transistor se polariza mediante una señal de CD y se activa mediante un

impulso de CA, así funciona un clase B. Básicamente, el transistor sólo conduce corriente
durante la primera mitad del ciclo de la señal.
Figura 4.7: Representación por medio de bloques de la operación push-pull.
Se necesitan dos transistores accionan semiciclos opuestos para completar un ciclo de

la señal de salida.
Un circuito push-pull es aquel en el que un componente empuja la señal hacia arriba
durante la mitad de un ciclo y el otro componente tira de la señal hacia abajo durante
la otra mitad (Figura 4.7) durante el ciclo completo de CA.
El circuito push-pull utiliza un par de transistores para amplificar la señal de entrada
y está diseñado para que un transistor amplifique la mitad positiva de la señal de entrada,
mientras que el otro transistor amplifica la mitad negativa de la señal. Luego, el circuito
combina las dos señales para producir una señal de salida completamente amplificada.
En un circuito push-pull, los dos transistores generalmente están dispuestos en una confi-
guración complementaria, siendo uno un transistor NPN y el otro un transistor PNP. Esta
configuración asegura que un transistor conduzca cuando la señal de entrada sea positiva,
mientras que el otro transistor conduzca cuando la señal de entrada sea negativa. Además,
la configuración push-pull reduce incluso la distorsión armónica. 2
Los componentes de un circuito push-pull suelen incluir resistencias y condensadores para

polarizar y filtrar, así como un transformador o un altavoz para la carga. La señal de salida
generada por el circuito push-pull puede ser un voltaje o una corriente, según el tipo de
carga utilizada. Se usan de manera regular en aplicaciones de amplificadores de potencia,
donde pueden entregar cantidades significativas de energía a una carga. Además, debido
a su capacidad para manejar grandes corrientes y altos niveles de potencia mientras man-
tienen una baja distorsión, son una excelente opción para aplicaciones de audio de alta
fidelidad.
En general, los circuitos push-pull son una configuración de amplificador eficiente y popu-
lar cuando se usan transistores complementarios, y se usan ampliamente en una variedad
de aplicaciones de audio.
4.6.1. Potencia de entrada en CD

Básicamente, la potencia que el amplificador suministra a la carga procede de la fuente
de alimentación (vea la fig.4.8). Así que haciendo algunos cálculos averiguamos la potencia
de entrada:
Picd = VCCIcd (4.14)
En donde:
Icd es la corriente promedio obtenida de las fuentes de alimentación.
(a) (b) Con una fuente de voltaje.

Con dos fuentes de voltaje
Figura 4.8: Conexión de un amplificador push-pull a una carga.

En un amplificador Clase B, cuando se ütiliza una sola fuente de alimentación se produce

una señal de CD rectificada de onda completa" (Paredes Romero (2013)), pero cuando
se utilizan dos fuentes de alimentación se produce una señal rectificada de media onda.
Ambos casos, la corriente promedio consumida es expresada de la siguiente manera:
2
Icd = (p) (4.15)
π
En este caso, el valor pico de la forma de onda de la corriente de salida se denota por
I(p). Como resultado de aplicar la ecuación 4.15 a la! ecuación de entrada de potencia
4.14 obtenemos:
Pi (cd) = VCC I(p) (4.16)
2
π
Potencia de salida en CA: Podemos averiguar cuánta potencia va a la carga (que suele
llamarse resistencia RL) utilizando cualquiera de las ecuaciones de las que hemos hablado.
Así, si estamos utilizando un medidor rms para comprobar el voltaje a través de la carga,
podemos calcular la potencia de la siguiente manera:
V 2(rms)
L
Po(ca) = (4.17)
RL
Se puede comprobar el voltaje de salida leyendo el valor pico-pico, con un osciloscopio
siendo el método más fácil:
VL 2(p-p) LV 2(p)
Po(ca) = = (4.18)
8RL 2RL
Entre mayor sea el voltaje rms o de salida pico, más grande será la potencia entregada
a la carga.
Eficiencia: La eficiencia de los clase B se calcula utilizando la ecuación resultante:
Po(ca)
% η= × 100 % (4.19)
P i(cd)
Si las ecuaciones 4.16 y 4.18 son usadas en la ecuación de eficiencia se consigue:
2
% η = Po(ca) × 100 % = VL (p)/2RL × 100 % π VL(p) × 100 % (4.20)
=
Pi(cd) VCC[(2π)I(p)] 4 VCC
Perdida de potencia por los transistores de salida: Los transistores de potencia de
salida disipan en forma de calor la diferencia entre la potencia de entrada de la fuente y
la potencia de salida de la carga:
P2Q = Pi(cd) − PoPo(ca) (4.21)
P2Q es la potencia disipada por los dos transistores de potencia de salida. Cada transistor
disipa potencia y se representa así:
P
2
P = Q (4.22)
Q
2
Consideraciones acerca de la potencia máxima: En el contexto del funcionamiento

de clase B, se puede observar que la carga recibe la mayor potencia de salida posible
cuando el voltaje a través de ella, denotada por VL(p), es igual al voltaje de
alimentación VCC.
VCC2
Pomáxima(ca) = (4.23)
2RL
La I(p) correspondiente es entonces:
VCC
I(p) =
RL
Para determinar el valor más alto posible de la corriente de salida de la fuente de alimen-
tación, hay que tener en cuenta los factores pertinentes:
2
Icdmáxima = I(p) (4.24)
π
Utilizando la metodología actual para determinar la potencia máxima de entrada, el re-
sultado es:
!
Pimáxima(cd) 2VCC 2V 2
= VCC(Icd máxima) = VCC CC (4.25)
πRL = πRL
El rendimiento máximo del circuito para el funcionamiento en clase B puede determinarse
del siguiente modo:
Po(ca) V 2 /2RL π
% η= × 100 % = CC
× 100 % × 100 % = 78.54 % (4.26)
Pi(cd) = CC CC L
V [(2π)(V /R )] 4
En el funcionamiento en Clase B, ni la mayor potencia de entrada ni la de salida dan lugar
a la máxima potencia generada por los transistores de salida. La tensión de salida debe
estar por encima de la carga para que se produzca la máxima potencia que fluye por los
dos transistores de salida:
VL(p) = 0.636VCC 2
= V
CC
π
para disipar la máxima potencia del transistor es:

2
CC
P2Q(máxima) =
V
π2RL (4.27)
4.7. Circuitos de clase B

Los circuitos de clase B son circuitos amplificadores diseñados para amplificar señales
de audio con alta eficiencia. Además, se emplean en aplicaciones de amplificadores de po-
tencia. Se caracterizan por conducir la corriente solo a través de la mitad de la forma
de onda de la señal de entrada. Por lo general, este tipo de circuitos operan cerca del
punto de corte del transistor, el cual se encuentra polarizado para que conduzca cuando
la señal
de entrada exceda un cierto umbral. Como resultado, se obtiene que la forma de onda de
salida de un amplificador Clase B suele ser la mitad del tamaño de la forma de onda de
entrada, con la mitad del ciclo eliminado (Boylestad and Nashelsky, 2004)
Los amplificadores de clase B tienen un mayor nivel de eficiencia que otras clases de am-
plificadores, ya que solo consumen energía durante la parte de la forma de onda de la señal
de entrada cuando el transistor está conduciendo. Esto contrasta con los amplificadores
Clase A, los cuales consumen energía constante, independientemente de la forma de onda
de la señal de entrada. Por lo tanto, en un amplificador Clase B, se desperdicia menos
energía en forma de calor, lo que hace que estos circuitos sean ideales para aplicaciones de
alta potencia (Boylestad and Nashelsky, 2004).
Sin embargo, los amplificadores Clase B tienen una ligera distorsión en el punto de cruce,
donde la señal pasa de un medio ciclo al otro. Para eliminar esta distorsión, se pueden usar
amplificadores de Clase AB, una variación de la Clase B; estos amplificadores tienen una
pequeña cantidad de polarización aplicada al transistor para garantizar que permanezca
en la región activa durante una parte del semiciclo opuesto. Esto permite una transición
suave entre las formas de onda y reduce la distorsión (Boylestad and Nashelsky, 2004).
En general, los amplificadores Clase B son útiles cuando la eficiencia es esencial, lo que
los hace ideales para una variedad de aplicaciones de audio de alta potencia. Sin embargo,
normalmente no se utilizan para aplicaciones de audio de gama alta debido a su suscepti-
bilidad a la distorsión.
Asimismo, se evidencian distintas configuraciones de circuito posibles para que se logre

una operación de Clase B. En este apartado se analizan las ventajas y desventajas de
los circuitos más empleados, en muchas aplicaciones, la señal de entrada consta de dos
señales de diferente polaridad, y para algunos dispositivos esta característica puede ser
perjudicial, por lo que se debe invertir su polaridad.
La manera que se tiene de modificar la polaridad o la fase de una señal es usar el ampli-
ficador multietapa, es decir un amplificador acoplado con transformador ayuda a cambiar
la fase o polaridad (Boylestad and Nashelsky, 2004).
(a)
(a)
Figura 4.9: Circuitos divisores de fase.
Existen técnicas alternativas para obtener entradas de polaridad opuesta. Una pasa por
un dispositivo que tiene dos salidas opuestas. Con una sola entrada y transistores comple-
mentarios (npn y pnp, o nMOS y pMOS Boylestad and Nashelsky (2004))), también es
posible el funcionamiento con polaridad opuesta.
La Figura 4.9 muestra varios métodos para obtener señales de fase inversa a partir de
una única señal de entrada. La Figura 4.9a un transformador de fase opuesta con toma
central.
El circuito de la Figura 4.9b emplea una etapa BJT con una salida de emisor que es-
tá en fase y una salida de colector que está desfasada.
4.7.2. Circuitos push-pull acoplados por transformador

En la primera mitad del ciclo de trabajo, el transistor Q1 está encendido y el transistor
Q2 está apagado. La señal que se transfiere a la carga durante su primer semiciclo es
impulsada por la corriente I1 que fluye a través del transformador.
Figura 4.10: Circuito push-pull.
El segundo período de carga se produce por la corriente I2 que fluye a través del
transformador durante el segundo semiciclo de la señal de entrada, cuando Q2 conduce
y Q1 está apagado. En este caso, cuando cambia el ciclo de trabajo de la señal, también
cambia la señal total generada por la carga.
4.7.3. Circuitos de simetría complementaria

De acuerdo a los transistores complementarios (npn y pnp), se permite una salida de
ciclo que se completa mediante una carga utilizando los semiciclos operativos de cada
transisto (fig. 4.11a).
El transistor npn está polarizado para conducir durante el semiciclo positivo de la señal,
como se ilustra en la Figura 4.11b.
Tal como se representa en la Figura 4.11c, el transistor pnp está polarizado para de
esta forma conducirlo hasta la entrada, la cual se mueve en la dirección negativa en el
periodo del semiciclo negativo de la señal.
(a)
(b)
(a)
(b)gráfica tomada de (Boylestad and Nashelsky,

2004, pp. 690)
Figura 4.11: Circuito push-pull de simetría complementaria.
Por lo general, el ciclo de carga genera un ciclo de señal de salida. Esto es quiere decir
que el circuito necesita de dos fuentes de tensión, lo que resulta un inconveniente para el
ciclo. Esta distorsión de cruce en la señal se representa en la gráfica de salida de la Figura

4.11d, la cual es otra menos evidente con el circuito complementario.
Un elemento que resulta en este tipo de ciclos es la distorsión cruzada la cual consiste
en la falta de linealidad que se presenta en la señal de salida al momento de pasar de
positivo a negativo o viceversa(Boylestad and Nashelsky (2004)).
Lo anterior se debe a que dicho circuito no permite apagar con precisión un transistor
y encender el otro con voltaje cero. Los dos transistores se pueden apagar parcialmente,
pero lo que genera que el voltaje de salida no siga es la entrada alrededor del estado de
voltaje cero. La polarización que generan los transistores de clase B permite que ambos
transistores permanezcan encendidos en un periodo de tiempo más allá del medio ciclo, lo
cual hace que se corrija este comportamiento (Boylestad and Nashelsky (2004)).
4.8. Distorsión de un amplificador

La distorsión en un amplificador es una alteración no deseada en la señal amplificada
que da como resultado que la forma de onda de salida sea diferente de la forma de onda de
entrada. La distorsión puede ocurrir en cualquier circuito amplificador y es un problema
común en los amplificadores de audio, donde puede manifestarse como distorsión armóni-
ca no deseada, distorsión de intermodulación o distorsión de amplitud (Díaz et. al. 2007)
La distorsión armónica ocurre cuando el amplificador agrega armónicos adicionales a la

señal original, lo que da como resultado una forma de onda distorsionada con múltiples
componentes de frecuencia. Mientras, que la distorsión de intermodulación ocurre cuando
el amplificador genera frecuencias adicionales que son las sumas y diferencias de las fre-
cuencias de la señal de entrada, lo que da como resultado una salida distorsionada con
nuevos componentes de frecuencia que no existían en la señal original (Díaz et. al, 2007).
En cuanto a la distorsión de amplitud esta ocurre cuando el amplificador no reprodu-

ce con precisión la amplitud de la señal de entrada, lo que provoca cambios en la forma
de la forma de onda. Este tipo de distorsión a menudo es causado por componentes no
lineales en el circuito del amplificador o por bucles de retroalimentación que introducen
cambios de fase o amplitud en la señal (Díaz et. al, 2007).
La distorsión se puede mitigar mediante varias técnicas, como el uso de componentes

de mayor calidad, el diseño del circuito del amplificador para minimizar los efectos no
lineales, la aplicación de bucles de retroalimentación para corregir imprecisiones o el uso
de retroalimentación negativa para reducir la distorsión. Además, las diferentes clases de
amplificadores, como la Clase A, la Clase AB y la Clase D, tienen diversos grados de
dis- torsión y se pueden seleccionar de acuerdo con la aplicación deseada (Díaz et. al,
2007).
En general, la distorsión en un amplificador puede tener un impacto significativo en la

calidad y claridad de la señal de salida y requiere una cuidadosa consideración y prueba
durante el proceso de diseño del amplificador.
Una señal sinusoidal es un tipo de señal periódica que puede describirse matemáticamente
como una función seno o coseno. Es una onda oscilatoria que se puede visualizar como
un movimiento armónico simple, donde una partícula vibra alrededor de un punto de
equilibrio. Es muy común encontrar este tipo de ondas en la naturaleza, por ejemplo en
la propagación de ondas sonoras, corriente eléctrica, oscilaciones pendulares, entre otras
(Pierce, 1999).
La ecuación que representa una señal sinusoidal es:
y(t) = A sin ωt + ϕ (4.28)
Donde:
A: Amplitud de la señal sinusoidal
ω: Frecuencia angular
t: Tiempo
ϕ: Ángulo de fase
El período (T) y la frecuencia (f) de la señal se pueden calcular a partir de la frecuencia

angular de la siguiente manera:
T = 2π/ω
f = 1/T
Las señales sinusoidales tienen aplicaciones importantes en muchos campos, como teleco-
municaciones, procesamiento de audio, procesamiento de imágenes, acústica, entre otros.
También se utilizan en el análisis y síntesis de otro tipo de señales (Pierce, 1999).
Es así como con una frecuencia única, una señal sinusoidal pura experimenta un des-
plazamiento de tensión constante de positivo a negativo. Cualquier señal que fluctúe una
cantidad menor que los 360 grados completos se considera distorsionada.
Al mostrar un amplificador ideal, amplifica una onda sinusoidal pura a una versión más
grande, produce una forma de onda que es una onda sinusoidal pura de una determinada
frecuencia.
Las características no lineales producen distorsión de amplitud. La distorsión de
frecuencia se produce cuando las piezas y dispositivos del circuito reaccionan de forma
distinta a las señales de entrada a distintas frecuencias.
(a) (b)
(c) (d)
Figura 4.12: Representación gráfica de una señal distorsionada por medio de los compo-
nentes armónicos (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 697).
De acuerdo al análisis de Fourier puede usarse para caracterizar formas de onda distor-
sionadas no periódicas definiendo su componente de frecuencia fundamental y sus com-
ponentes armónicos enteros.
La Figura 4.12d muestra la frecuencia fundamental de 1 kHz y las de múltiplos en-

teros son los armónicos. Así, la Figura 4.12b es el segundo armónico, la Figura 4.12c el
tercero, y así sucesivamente.
Las frecuencias armónicas fraccionarias no pueden analizarse en el análisis de Fourier;

sólo se permiten múltiplos enteros de la frecuencia fundamental.
4.8.1. Distorsión armónica

La distorsión armónica se produce cuando la frecuencia contiene componentes armó-
nicos. Si la frecuencia fundamental tiene magnitud A1 y la enésima componente tiene
magnitud An, entonces la distorsión armónica es:
| |
% de la n-ésima distorsión armónica = %Dn An 100 % (4.29)
×
|A1|
4.8.2. Potencia de una señal distorsionada

La potencia de salida calculada para la señal no distorsionada es errónea cuando se
produce distorsión. En estas condiciones, la potencia de salida generada por la
componente fundamental de la señal distorsionada y aplicada a la resistencia de carga
RCes:
I2RC
P1 = 1 (4.30)
2
En cuanto a la potencia total producida por todos los componentes armónicos de la señal
distorsionada se calcula con:
P = (I 2 + I 2 + I 2 + · ·
RC 1 2 3 (4.31)
·) 2
La siguiente expresión matemática puede utilizarse para describir la potencia total en

función de la distorsión armónica total:
P = (1 + D2 + D2 + · · ·)I 2
RC 2 3 1 = (1 + THD2)P 1 (4.32)
2
4.9. Perdida de calor de un transistor de potencia

Los avances tecnológicos han permitido mejoras en la fabricación, ya que se ha intro-
ducido más potencia en las cápsulas pequeñas, lo que ha permitido aumentar la tensión
de ruptura máxima en los transistores, así como la disposición de los transistores de con-
mutación de corriente para hacerlos más eficientes.
La temperatura de unión del transistor está vinculada a la potencia máxima de un dis-

positivo"(Malvino and Bates (2007)), ya que la disipación de potencia la eleva.
Los transistores de silicio tienen mayores temperaturas nominales que los de germanio.
En este sentido, la temperatura máxima que se presenta de la unión de los distintos tipos
de transistores de potencia es la siguiente:
"Silicio 150 − 200◦C" Boylestad and Nashelsky (2004)

"Germanio 100 − 110◦C" Boylestad and Nashelsky (2004)
En general, la potencia media desperdiciada para numerosas aplicaciones puede expre-

sarse como:
PD = VCEIC (4.33)
En cuanto a la capacidad de disipación de potencia del dispositivo de potencia esta de
tiene que reducir a 0 W que es la temperatura máxima de la cápsula del dispositivo para
valores superiores a esta temperatura.
Lo anterior se debe a que en cuanto más grande sea la potencia que maneja el transistor,
más alta será la temperatura de la cápsula.
Sin embargo, al unirse la temperatura del colector esta limita la potencia del transistor.
Es por ello, que los transistores de potencia se instalan en orbes tipo cápsulas metálicas
para transferir el calor.
Figura 4.13: Disipadores de calor de potencia típicos.
De esta forma el dispositivo se coloca sobre un disipador de calor, para que su capa-
cidad de manejo de potencia se pueda aproximar al valor nominal máximo, tal como se
observa en la Figura. 4.13.
Al momento de emplear un disipador de calor transfiere el calor del transistor de disipa-

ción de potencia al aire, reduciendo la temperatura de la cápsula. Incluso con un disipador
de calor, la conexión se calienta considerablemente por encima de la temperatura de la
cápsula y requiere una potencia máxima.
Se tiene que si un buen disipador de calor no logra mantener la cápsula del transistor
a la temperatura del entorno y si, aunado a esto el circuito está en una región donde otros
dispositivos irradian calor, la temperatura ambiente puede superar los 25°C. Se obtiene
que la potencia máxima disipada de un transistor disminuirá con respecto a la temperatura
de la carcasa (Boylestad and Nashelsky (2004)).
Dado que la hoja de especificaciones del equipo tiene un factor de depreciación, no es

necesaria una curva de depreciación. Y se obtiene matemáticamente así:
!
PD (temp1 ) = PD (temp0 ) − (T emp1 − T emp0 ) factor de RCDP (4.34)
El "factor de RCDP" (Factor de Reducción de la Capacidad de Disipación de Potencia) se define como la relación entre
la disipación de potencia máxima a una temperatura específica de interés (Temp1) y la disipación de potencia máxima a
una temperatura de referencia (Temp0), a partir de la cual se inicia la reducción de la capacidad de disipación de
potencia. La ecuación para el cálculo del factor de RCDP es la siguiente:
Donde:
 Temp0 es la temperatura de referencia.

 Temp1 es la temperatura específica de interés (sobre el valor Temp0).
 PD(Temp0) representa la disipación de potencia máxima a la temperatura de referencia.
 PD(Temp1) representa la disipación de potencia máxima a la temperatura específica de interés.
4.9.1. Comparación térmica de transistores de potencia

Para seleccionar un disipador de calor óptimo es necesario un análisis detallado que no
es obligatorio dadas las consideraciones presentes del transistor de potencia.
En primera instancia se debe conocer que los transistores de potencia son dispositivos
electrónicos diseñados específicamente para manejar grandes corrientes y altos niveles de
potencia. Por lo general, se emplean en aplicaciones como el control de motores, la re-
gulación de la fuente de alimentación y la amplificación de audio, donde desempeñan un
papel esencial para garantizar el suministro eficiente y seguro de energía a los sistemas
conectados (Sadik, 2021).
Los transistores de potencia se presentan en diversas formas, tamaños y materiales, y uno de los aspectos más
críticos a tener en cuenta al elegir un transistor para una aplicación específica es su capacidad para disipar el
calor de manera eficiente. El rendimiento térmico de un transistor de potencia se cuantifica a través de su
resistencia térmica, que indica la cantidad de calor que debe ser disipada del transistor para mantenerlo
operando a una temperatura segura (Sadik, 2021).
Los distintos tipos de transistores de potencia varían en su resistencia térmica debido

a su construcción y otros factores de diseño. Por ejemplo, los transistores de unión
bipolar (BJT) tienden a tener una resistencia térmica más alta, mientras que los
transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
suelen presentar una resistencia térmica más baja. En general, los MOSFET son más
apropiados para aplicaciones que requieren alta corriente y voltaje, aunque también
pueden tener un mayor riesgo de fuga térmica (Sadik, 2021).
Otro factor que influye en el rendimiento térmico es el tamaño y la forma del paque-
te o caja del transistor. Los transistores de potencia a menudo se empaquetan en una
variedad de tamaños, que van desde pequeños paquetes de montaje en superficie hasta
grandes paquetes TO-247. Los paquetes más grandes generalmente pueden manejar más
calor debido a su mayor área de superficie, pero pueden ser menos eficientes en términos
de transferencia de calor si están mal montados (Sadik, 2021).
En general, el rendimiento térmico de los transistores de potencia es una consideración

importante al seleccionar transistores para aplicaciones de alta potencia, y es importante
seleccionar transistores que puedan manejar la carga térmica esperada para garantizar un
rendimiento confiable (Sadik, 2021).
Figura 4.14: Analogía térmica a eléctrica, imagen tomada de (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 699)
Aunque más información sobre las propiedades térmicas del transistor y cómo se re-
lacionan con su disipación de potencia tienden a ayudar a comprender mejor cómo la
temperatura restringe la potencia. Por lo tanto el análisis que continua es muy beneficioso.
En cuanto a la relación entre la temperatura de la cápsula (TC), la temperatura

ambiente (TA)y la temperatura de la unión (Tj) está determinada por la capacidad del
dispositivo para manejar el calor. La relación entre la temperatura ambiente TA y la
capacidad del dispositivo para manejar el calor se representa en la analogía térmica-
eléctrica tal como se encuentra en la Figura 4.14.
Esta analogía térmica-eléctrica emplea el concepto de resistencia térmica para caracte-

rizar el impacto del calor utilizando una terminología eléctrica. Toda la nomenclatura
representada en la Figura 4.14. se explica del siguiente modo:
θCS = hace referencia a la resistencia térmica correspondiente al aislante situado

entre la cápsula y el disipador de calor.
θJ A = resistencia térmica que abarca la totalidad del trayecto térmico entre la unión
y el entorno.
θJ C = esistencia térmica del transistor es la medida de su capacidad para resistir el

flujo de calor entre la unión y la cápsula.
θSA = resistencia térmica de un disipador de calor, específicamente entre el disipador

de calor y el entorno circundante.
En cuanto a la analogía eléctrica para las resistencias térmicas, se puede consolidar en la

siguiente fórmula:
θJ A = θJ C = θCS = θSA (4.35)
Usando los principios de la ley de voltajes de Kirchhoff para conseguir lo siguiente:
TJ = PD θJ A + TA (4.36)
Mientras que la correlación final indica la temperatura de unión la cual tiende hacia la
temperatura ambiente. Además, se observa en la medida que aumenta la temperatura
ambiente, se tiende a disminuir la capacidad de disipación de potencia admisible del dis-
positivo.
Una cantidad determinada de disipación de potencia provoca un aumento o una reducción
de la temperatura, que se indica mediante el factor térmico.
Esto indica que con una disipación de 50 W, la temperatura interna de la unión y la

temperatura de la cápsula sólo tienen una diferencia de temperatura:
TJ − TC = θJ C PD = (0.5◦ C/W )(50W ) = 25◦ C
La temperatura de conexión es de tan sólo 75°C si el disipador logra mantener la cápsula

a 50°C. Sobre todo a niveles bajos de potencia, esa variación de temperatura es bastante
menor.
Sin disipador de calor el valor de la resistencia térmica de la unión al ambiente
regularmente es:
θJ A = 40◦ C/W
θSA = La temperatura de transición de este termistor, ejemplo anterior, es de 40 °C por
encima de la temperatura ambiente cuando sólo se disipa 1 W de potencia.
Como puede observarse, el disipador de calor produce una baja resistencia térmica entre la
cápsula del transistor y el aire que es mucho menor que el valor de la cápsula del transistor
por sí sola de 40circC/W Este es el resultado con un disipador de calor:
θSA = 2◦C/W
y presentando la resistencia térmica aislante que se encuentra ubicada entre la cápsula y

disipador de calor se tiene que:
θCS = 0.8◦C/W
para el transistor:
θCJ = 0.5◦ C/W
el resultado es :
θJA = θSA + θCS + θCJ
= 2◦C/W + 0.8◦C/W + 0.5◦C/W = 3.3◦C/W
Como resultado, la resistencia térmica entre el aire y la unión cuando hay un disipador
de calor es de sólo 3, 3◦C/W , frente a 40◦C/W cuando el transistor trabaja en aire libre.
Calculamos utilizando el valor de θJ A anterior para un transistor que funciona a, digamos,

2W .
TJ − TA = θJ A PD = 13.3◦ C/W (2W ) = 6.6◦ C
La diferencia térmica entre el aire y la unión se reduce significativamente a solo 3.3 °C/W cuando se utiliza un disipador
de calor, en contraste con los 40 °C/W cuando el transistor trabaja en condiciones de aire libre. Si consideramos un
transistor operando a 2W, podemos calcular el valor de θJA.
En otras palabras, al emplear un disipador de calor en el ejercicio previo, se logra un aumento de temperatura en la unión
de tan solo 6.6 °C en comparación con el incremento de 80 °C que se tendría sin el uso de un disipador de calor.
4.10. Amplificadores Clase C y Clase D

Los amplificadores de clase C y clase D son dispositivos electrónicos destinados a am-
plificar señales de audio. Sin embargo, difieren en sus principios operativos y en la forma
en que amplifican las señales.
El amplificador Clase C opera conduciendo la señal de entrada solo durante una parte
del ciclo de entrada. De manera concreta, conduce menos de la mitad, debido a la presen-
cia de un sesgo de corte. Como resultado, la forma de onda de salida de un amplificador
Clase C está muy distorsionada y contiene solo la mitad de la onda original. Si bien los
amplificadores de Clase C tienen una alta eficiencia, no son adecuados para aplicaciones
de audio de alta fidelidad debido a su distorsión (Libretexts 2022).
Por el contrario, un amplificador Clase D utiliza un enfoque de amplificación

completamente diferente: enciende y apaga la señal de entrada rápidamente mediante
modulación de ancho de pulso (PWM). Al encender y apagar rápidamente la señal, el
amplificador Clase D crea una serie de pulsos con anchos variables, que pueden
reconstruir la señal de audio original. Los amplificadores de clase D suelen tener una
mayor eficiencia que otras clases y se prefieren en aplicaciones portátiles donde la
duración de la batería es importante, pero normalmente no se utilizan para aplicaciones de
audio de gama alta debido a la distorsión producida por la onda de pulso (Tomasi,
1998).
Figura 4.15: Circuito de amplificador tipo C.
4.10.1. Amplificador Clase C

Los amplificadores de clase C funcionan a 180°C durante la señal de entrada. La señal
de salida se ajusta, pero el circuito produce un ciclo completo a la frecuencia fundamental
o resonante.
De este modo de operación ocurre en los circuitos de comunicación de salida (Tanques

L y C) y por lo tanto está limitado a aplicaciones de frecuencia fija. La operación del
circuito Clase C no se encuentra diseñada para señales grandes o amplificadores de
potencia.
El amplificador de clase C es un tipo de amplificador de potencia que funciona con un

transistor que está polarizado para conducir durante menos de la mitad del ciclo de la se-
ñal de entrada1. El transistor está polarizado para que conduzca solo durante el semiciclo
positivo o negativo de la señal de entrada, lo que da como resultado un alto nivel de distor-
sión en la señal de salida. Los amplificadores de clase C se utilizan en aplicaciones donde
la alta eficiencia es más importante que la fidelidad de la señal, como en los transmisores
de radio (Gómez, 2016).
Hay varias variaciones de amplificadores Clase C que se han desarrollado para mejorar
su rendimiento. Por ejemplo, se ha propuesto un amplificador de potencia cuasi Clase J
que utiliza el efecto de capacitancia de salida no lineal para generar una terminación de
segundo armónico negativo, lo que mejora la potencia de salida y la eficiencia3. Otro en-
foque es utilizar una topología de polarización dinámica que mantiene constante el ángulo
de conducción, lo que puede linealizar un amplificador de potencia de clase C (Rai, 2013).
En general, los amplificadores Clase C no son adecuados para aplicaciones donde la fi-
delidad de la señal es importante, pero pueden ser útiles en aplicaciones donde se requiere
una alta eficiencia.
4.10.2. Amplificador Clase D
Figura 4.16: Recorte de una forma de onda senoidal para producir una forma de onda
digital (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 701).
Un amplificador de clase D, también conocido como amplificador de conmutación, es

un amplificador electrónico que utiliza modulación de ancho de pulso o una técnica re-
lacionada para producir un tren de pulsos rectangulares de amplitud fija pero de ancho
variable y separación que representan las variaciones de amplitud de la entrada. señal.
Luego, los pulsos pasan a través de un filtro de paso bajo simple que bloquea los pulsos de
alta frecuencia y proporciona voltaje y corriente de salida analógica. Los amplificadores
de clase D son muy eficientes y pueden tener una eficiencia superior al 90 % porque fun-
cionan cambiando rápidamente de un lado a otro entre los rieles de suministro. Se utilizan
en una variedad de aplicaciones que incluyen sistemas de cine en casa, equipos de audio
profesionales y sistemas de sonido para automóviles (Rai, 2013; Sadik, 2021).
Las señales digitales o pulsadas pueden utilizarse con un amplificador de tipo D. Este
tipo de circuito alcanza una " eficiencia superior al 90 %"Paredes Romero (2013), lo que
hace que los amplificadores de potencia estén muy interesados en él. Antes de excitar una
carga de alta potencia, siempre hay que transformar cualquier tipo de señal de entrada
que sea en una forma de onda pulsada y de esta forma, volverla a convertir en una
señal sinusoidal para recuperar la señal original, (Figura 4.16).
Aunque la letra D se utiliza para describir el siguiente tipo de operación de polariza-

ción luego de la la clase C, podría significar "Digital"(Paredes Romero (2013)) porque los
datos que se envían a un amplificador de clase D son digitales. Para realzar la señal de
clase D, después de convertirla nuevamente en una señal sinusoidal utilizando un filtro
pasa bajas, tal como se señala en la Figura4.17.
Figura 4.17: Diagrama de bloques de un amplificador clase D.
Debido a su baja tensión de encendido", los dispositivos conectados a los transistores

del amplificador que crean la salida sólo suministran corriente mientras están encendidos,
lo que supone un gasto mínimo de energía. El amplificador puede transferir gran parte de
la potencia a la carga, haciendo que el circuito sea eficiente.
4.11. Ejercicios
Como se ha trabajado en unidades anteriores para poner en práctica los conocimientos
adquiridos en la unidad se colocan los siguientes ejercicios con la finalidad de mantener en
forma y presentes dichas habilidades para resolver los problemas aquí planteados.
1. La Figura 4.18 tiene una β = 15 y circuito eléctrico representado en la

una corriente de base de 100 mA, Figura 4.19. Los valores de los com-
obtenga la potencia de entrada y ponentes del circuito conducen a
salida. una corriente de base de 9 mA. La
señal de entrada, denominada Vi,
provoca una excursión máxima de
5,6 mA en la corriente de base. La
ICQ es igual a 140 miliamperios.
2. Utilizando la siguiente información:

20:1 con una carga de 5Ω, 22:1 con
una carga omega de 10Ω, 5:1 con una
carga omega de 40Ω y 33:1 con una
carga omega de 17Ω, determine la Figura 4.19: Circuito 2
resistencia efectiva.
3. ¿Cuál es la relación de vueltas nece- 5. Determine la potencia de entrada, la

saria del transformador para lograr potencia de salida y el rendimiento
la adaptación de carga para una bo- del circuito para un amplificador de
cina con una resistencia de 42Ω, lo clase B con una fuente de VCC = 30
que resulta en una resistencia de y una salida de señal de pico de 20 V
carga efectiva de 7kΩ como se a una carga omega de 16Ω
observa en el primario? Después (bocina).
realizarlos con los siguientes valores VL(p)
para la bocina 10 Ω, 70 Ω, 100 Ω, IL(p) =
150 Ω y 200 Ω y para la resistencia RL
de carga de 470 Ω, 1 KΩ, 10 KΩ, 22 6. Calcule la potencia entrada, salida y
KΩ y 2.2 KΩ. gestionada para cada transistor sa-
liente para el circuito mostrado en
4. Determine la potencia de corriente la Figura 4.20, así como la eficiencia
alterna que se suministra a la boci-
del circuito con una entrada de 10
na con una resistencia de 8Ω en el V rms.
salida del circuito mostrado en la fi-

gura 4.21. La señal de entrada
genera una corriente de base de 10
mA rms y β = 20.
7. Calcule la potencia máxima de en- Figura 4.21: Circuito 4

trada, la potencia máxima de salida,
la tensión máxima de funcionamien-
to y la potencia desperdiciada por
los transistores de salida a esta
tensión para el circuito de la Figura
4.20.
8. Encuentre la potencia máxima des-

perdiciada por los transistores de sa- 11. Determine: a) La potencia de entra-
lida en el circuito mostrado en la Fi- da para un amplificador de clase B
gura 4.20 así como la tensión de en- Figura 4.22 que entrega una señal de
trada a la que esto ocurre. pico de 12 V a una carga de 8Ω y
una fuente de alimentación VCC =
9. El transistor de potencia de silicio 35 V.
(thetaSA = 2C/W) se emplea sin di- b) La potencia de salida.
sipador térmico. El aislante de mon-
taje tiene thetaCS = 1, 5C/W, mien-
tras que el transistor, con una
potencia nominal de
220W(35CC), tiene thetaJC =
1C/W. Cuando la temperatura
ambiente es de 55◦C y la tem- 12. Calcule los siguientes valores para el
peratura máxima para TJmáx = 275◦ amplificador de potencia de la Figu-
C, ¿qué potencia máxima se puede ra 4.22: a) Po(ca), b) Pi(cd), y c)
disipar? Pi(d). la potencia total perdida por
los dos transistores de salida.
10. Determine la potencia de entrada y
13. Hallar la disipación máxima

permiti- da para un transistor de
silicio de 200 W (nominal a 45°C) a
una temperatura de cápsula de
170◦C con un factor de reducción
de la capacidad de disipación de
potencia de 0.8W/◦C.

4.12. Prácticas
Con el fin de que el alumno ponga a prueba los conocimientos adquiridos en la unidad
de amplificadores de potencia deberá realizar las siguientes prácticas que le permitirán
conocer y manipular los amplificadores de potencia.
Práctica 10: Amplificador Clase A
Objetivo Metodología
Facilitar que el alumno se familiarice 1. Hacer la previa simulación del
con el amplificador de potencia clase A ali- circui- to.
mentado en serie e implementado un
transistor BJT. 2. Construya el circuito e introduzca
una señal senoidal de 1 kHz, ±1
Vp.
Material
3. Determine el valor real de eficiencia
Fuente de voltaje. en el transistor utilizando el multí-
metro.
Osciloscopio.
4. Encuentre en forma práctica el pun-
Multímetro. to Q de operación del amplificador.
5. Calcule en forma analítica y práctica

Generador de señales o funciones
le eficiencia de su amplificador.
Puntas de osciloscopio. 6. Anexe evidencia fotográfica, cálculos
teóricos y conclusiones individuales
Puntas de generador de funciones. al reporte.
Capacitor cerámico 0.1 µF.
Resistencia de 8 Ω o 10 Ω o valor
superior próximo.
Bocina de 8 Ω y 10 W RMS.
Transistor NPN de potencia TIP41

o ECG331.
Figura 4.23: Circuito amplificador clase A.
Práctica 11: Amplificador Clase B
Objetivo Transistor NPN de potencia TIP41

Que el estudiante se familiarice y cons- o ECG331.
truya un circuito con un amplificador de
Transistor pnp de potencia TIP42
potencia clase B.
o ECG332.
Material
Metodología
Fuente de voltaje.
1. Hacer la previa simulación del
Osciloscopio. circui- to.
Multímetro. 2. Construya el circuito e introduzca

Generador de señales o funciones. Vp.
Puntas de osciloscopio. 3. Determine Pi dc y Po ac para calcu-
Puntas de generador de funciones. lar la eficiencia de su amplificador.
Capacitor cerámico 0.1 µF. 4. Haga una tabla comparativa entre

los resultados encontrados en la si-
Resistencia de 8 Ω o 10 Ω o valor mulación, los prácticos y los
superior próximo. teóricos.
Bocina de 8 Ω y 10 W RMS. 5. Anexe evidencia fotográfica, cálculos
al reporte.
Figura 4.24: Circuito amplificador clase B.

Práctica 12: Amplificador Clase AB
Objetivo Transistor pnp de potencia TIP42

Hacer que el alumno se familiarice con o ECG332.
el amplificador de potencia clase AB
acom- pañando con transistores BJTs. Metodología
Material 1. Hacer la previa simulación del

circui- to.
Fuente de voltaje.
Osciloscopio. 2. Construya el circuito e introduzca
Multímetro. Vp.
Generador de señales o funciones
3. Encuentre Pi y Po para calcular la
Puntas de osciloscopio. eficiencia del amplificador.
Puntas de generador de funciones. 4. Después de hacer la toma del

3 Capacitor cerámico 1 µF. voltaje sustituya el multimetro
por la bocina.
Potenciómetro 4.7 kΩ.
5. Visualice la señal de salida en el os-
2 Resistencias 1 kΩ. ciloscopio y varíe R1 para visualizar
Bocina de 8 Ω y 10 W RMS. la distorsión por cruce.
Transistor NPN de potencia TIP41 6. Anexe evidencia fotográfica, cálculos

o ECG331. teóricos y conclusiones individuales
al reporte.
Figura 4.25: Circuito amplificador clase AB.


He aquí sugerencias y otras opciones para llegar a entender el tema de amplificadores
de potencia, con esto esperamos y se logre una excelente cimentación para el uso de estas
habilidades en la vida práctica laboral.
Capitulo 12 Amplificadores de potencia, Principios de electrónica, Albert Malvino y

David J.Bates. (2007). España: McGrawhill/Interamericana de España, S. A. U.
Capitulo 12 Amplificadores de potencia, Electrónica: teoría de circuitos y dispositivos

electrónicos, Robert L. Boylestad, Luis Nashelsky, Editorial: Pearson.
.Amplificadores de potencia"del vídeo canal educativo .Electrónica FPçon el cual

se acedera por medio de la siguiente liga: https : //youtube.com/playlist?list =
PLuzS0jdNRV vovR3UmMa67MBOId7xNJCx
"Bloque 5: AMPLIFICADORES DE POTENCIA"del canal .Acadenas"de Youtube,

que tiene la siguiete liga: https : //youtube.com/playlist?list = P Lbp hW dlLDkRCJB A−
f 6mtHWr7JGL − N 9
reg#4 DISIPADORES o RADIADORES"del video canal educativo .Electrónica FPçon

el cual se acedera por medio de la siguiente liga: https : //youtu.be/w6ZeaitWDlk
Capítulo 5
AMPLIFICADORES
OPERACIONALES (Opams)
5.1. Introducción
Los amplificadores operaciones o los opamps, como regularmente se les denomina por
sus siglas en inglés (operational amplifiers), son unos dispositivos electrónicos cuya
función es la de amplificar el voltaje diferencial. Estos dispositivos de alta ganancia
poseen una alta impedancia a la entrada, siendo menor a la salida (Boylestad and
Nashelsky (2004)).
En su forma más simple, los amplificadores operacionales son, como bien lo señala su
nombre, amplificadores de señales, bien sea voltaje o corriente, de tipo directa o alterna.
Este tipo de dispositivos se emplean con condensadores y/o resistencias, ubicados entre
los terminales de entrada y salida
Este tipo de dispositivos se emplean preferentemente en circuitos analógicos. También

se emplean en circuitos de filtrado. En esencia, los amplificadores operacionales son capa-
ces de amplificar ondas de todo tipo, bien sea sinusoidales o no, y además en un rango de
frecuencia amplio. Lo anterior les hace especialmente útiles para su empleo en la instru-
mentación de equipos, en sistemas de control y regulación.
Otra de las grandes ventajas de los amplificadores operacionales es su capacidad para

efectuar operaciones matemáticas, por lo que se les utiliza en equipos de cálculo, como
computadores de tipo analógico
Los amplificadores operacionales se caracterizan por poseer dos entradas y una salida. Las
entradas están polarizadas, identificadas como entrada inversora (-) y no inversora (+),
y la diferencia de potencial entre ambas entradas debe ser nula. La salida, por su parte,
entrega una señal, definida por la diferencia entre ambas entradas, multiplicadas por un
factor (Boylestad and Nashelsky (2009)).
139
CAPÍTULO 5. AMPLIFICADORES OPERACIONALES (OPAMS) 140
Figura 5.1: Amplificador operacional básico.
Sin embargo, existen otras configuraciones, además de la básica (Figura 5.1), para los
amplificadores operaciones, dependiendo de la cantidad de entradas y salidas, según la
aplicación del amplificador operacional, descritos a continuación.
5.1.1. Entrada sencilla

El primero de los casos es la operación de entrada sencilla. Este nombre describe a un
amplificador operacional en la que una de las entradas está conectada a la señal de
entrada, mientras que la otra entrada está conectada a tierra. En este caso, pueden
presentarse dos opciones; en la primera, la entrada se corresponde con la de la señal
positiva, mientas que la entrada negativa se conecta a tierra. La segunda alternativa es
inversa, es decir, que la señal de entrada es la que ingresa por la entrada negativa y la
entrada positiva es la que se conecta a tierra. Para cada una de dichas opciones, se tiene
que la salida, en el primer caso, es positiva y en el segundo, es negativa. En consecuencia,
este tipo de amplificador operacional encuentra que la salida es ineludiblemente de la
misma polaridad de la señal, según la entrada aplicada (Boylestad and Nashelsky,
2009).
(a) (b)
Figura 5.2: Operación sencilla.
5.1.2. Diferenciales (entrada doble)

La configuración de doble entrada describe una operación en la que solo se utiliza una
entrada pero se aplican señales en ambas, sin que ninguna de ellas este conectada a tierra.
Ello resulta en la salida de una señal amplificada, que está en fase con la señal que se
aplicada a ambas entradas, suponiendo que la señal en cada una de las entradas es la
misma.
En caso de aplicarse señales distintas en ambas entradas, entonces la señal resultante

es el resultado de la diferencia entre las señales de las entradas 1 y 2 e:
(a) Igual señal en ambas entradas

(b) Señal distinta en ambas entradas.
Figura 5.3: Operación doble entrada.
5.1.3. ¿Dos salidas?

La operación de doble salida es otra configuración que si bien poco convencional, es
posible para los amplificadores operacionales. Este resultado puede alcanzarse con la en-
trada de señal, a través de ambas entradas o solo de una entrada. En el primer caso, la
señal de salida proveniente de cada entrada será de polaridad opuesta (Figura 5.4a). Si,
por el contrario, se emplea solo una entrada, ambas señales amplificadas de salida serán
de polaridad opuesta a la de la entrada (Fig. 5.4b).
Con la Figura 5.5a se ilustra la misma operación para una entrada y las salidas dobles.
(a) Operación de doble salida con doble

(b) Operación de doble salida con en-
entrad.
trada sencilla.
Figura 5.4: OPAM con salida doble
Para finalizar, se tienen las configuraciones de entrada sencilla y doble, con doble sali-
da, en las que la señal de entrada o la señal de salida, o ambas, son diferenciales de señal
(Vo1 − Vo2).
En el caso del diferencial de la señal de salida, y en el caso de que ninguna de las sa-
lidas este conectada a tierra, entonces dicho diferencial es denominado señal flotante y
su valor es equivalente a doble de las señales de entrada, puesto que al ser de polaridades
opuestas, la diferencia es la suma de ambas. Así, por ejemplo, si las entradas so Vo1 = +10V
o Vo2 = −10V ; por ejemplo, 10 V - (-10 V) = 20 V (Boylestad and Nashelsky (2004)).
En el caso de que la señal de entrada sea también diferencial, tanto la entrada como
la salida se toma entre ambas terminales.
(a) (b) Entrada y salida diferenciales.

Salida diferencial.
Figura 5.5: Operación con entradas y salidas diferenciales.
A continuación, se describen la operación y rechazo en modo común que rigen el fun-

cionamiento de los amplificadores operacionales.
5.1.4. Operación y Rechazo en modo común

La primera de ellas, a saber, operación en modo común, se describe como aquella en la
cual se recibe idéntica señal por ambas entradas, solo que polarizadas, de manera que se
cancelan y la salida es, idealmente, de 0V, aunque en realidad resulta una salida de muy
baja señal.
Por regla general, para una conexión diferencial ocurre que si las señales a la entrada
son opuestas, se amplifican significativamente, mientras que lo opuesto ocurre cuando am-
bas señales son comunes en las entradas, de manera que la salida es una señal ligeramente
amplificada. Considerando lo anterior, una operación completa incluye la amplificación de
la diferencia de señales y, simultáneamente, el rechazo de la señal que es común en ambas
entradas. El ruido en las señales es, por lo general, indeseable y común en ambas entradas,
por lo que regularmente la operación de amplificación de señales tiende a atenuar dicha
entrada no deseada, a la vez que amplifica las diferenciales de señal, todo lo cual se
identifica como rechazo en modo común (Boylestad and Nashelsky (2004))
Figura 5.6: Operación en modo común.
5.2. Circuito del amplificador diferencial

Un amplificador diferencial es un circuito, constituido por uno o varios amplificadores
operacionales, entre otros dispositivos, cuya función es la amplificar una señal, que pasa a
través de dos entradas y sale por sus dos bien diferenciadas salidas. Además, las fuentes de
voltaje utilizadas son distintas, aunque también puede funcionar con el empleo de una sola
fuente. En todo caso, el objetivo es lograr la máxima amplificación de la señal (Boylestad
and Nashelsky (2004))
Este tipo de amplificadores pueden ser configurados según diversas combinaciones de en-
trada de la señal, de manera equivalente a la descrita para los amplificadores
operacionales. De ese modo, la operación puede ser definida como sencilla, si de las dos
entradas, una está conectada a tierra, de modo que la señal se aplica a la única entrada
disponible.
La operación se conoce como doble, en la oportunidad en la que a través de las dos entra-
das, se aplican señales de entrada cuyas polaridades son opuestas. Los Opams
diferenciales enlazan varias finalidades y aplicaciones en circuitos integrados. Finalmente,
la operación se conoce como de modo común, en el caso en el que la señal de entrada
que se aplica a ambas entradas, es la misma (Figura 5.7b).
Hay múltiples combinaciones existentes de señales de entrada:
"Si se introduce una señal por cualquiera de las dos terminales de entrada pero una de
ellas esta pegada a tierra, esto se llama operación simple" (Boylestad and Nashelsky,
2004, pp. 597).
Çuando en una operación se aplican dos señales con polaridad contraria a una en-
trada y es conocida como operación doble” (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp.
597).
"La operación se nombra como modo común, si en las dos entradas se aplica la misma
señal” (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 597).
(a)
(a)
Figura 5.7: Circuito del amplificador diferencial básico.
5.2.1. Polarización de cd
La corriente de polarización se refiere a la corriente promedio que entra o sale de las
dos conexiones de señal de las entradas. En condiciones ideales, esta corriente debe ser
igual a cero (0), pero en la práctica esto no sucede. En realidad, la corriente de
polarización alcanza valores muy bajos, en el orden de picoamperios (pA) hasta
microamperios (µA) (Giraldo, Mendoza y González, 2002).
Para efectos prácticos, regularmente, se consideran despreciables. Sin embargo, siendo

estrictamente rigurosos, estas corrientes no pueden dejar de ser tomadas en cuenta, espe-
cialmente en los casos en los que es bien conocido el efecto indeseable que ocasionan. Un
ejemplo de ello es el caso del circuito en un termopar, en el que ocurre un pequeño incre-
mento del voltaje en función de la diferencia de temperatura - censada y la de referencia -
, lo que ocasiona que se inicie un lazo o bucle, dado que las corrientes de polarización de
las dos entradas avanzan de la misma manera. En este ejemplo, la conexión de una de las
entradas a tierra es la solución, porque de ese modo, las corrientes encuentran un camino
desde o hacia dónde dirigirse (tierra) (Kuphaldt. 2021).
En resumen, aunque las corrientes de polarización conducidas por las entradas de los
amplificadores operaciones pueden ser muy pequeñas, para algunas aplicaciones es nece-
sario determinarlas y corregir el voltaje de compensación que dichas corrientes pueden
haber causado, para impedir los problemas que ocasionan en el correcto funcionamiento
del circuito (Figura 5.8) (Kuphaldt, 2021).
Figura 5.8: Polarización de un circuito del amplificador diferencial en cd .
Para determinar la corriente de polarización de CD en el emisor en la siguiente:
VE − (−VE E ) VE − (0.7V )
IE = ≈ (5.1)
RE RE
Dado que los transistores están enlazados, como lo estarían en un circuito integrado, se
llega al siguiente resultado:
IC1 = IC2 IE (5.2)
= 2
por ende se obtiene VC:
VC1 IE
= VC2 = VCC —ICRC = VCC — RC (5.3)
2
5.2.2. Operación de un circuito en CA
En el circuito que se muestra a continuación, está descrita la conexión CA para un
amplificador operacional. En este circuito, se tiene que las señales de entrada y sus salidas
son distintas.
Figura 5.9: Circuito equivalente de ca del amplificador diferencial.
Para efectuar el análisis correspondiente, en el circuito de la figura, a continuación, se

remplazan los transistores por sus equivalentes de CA.
Figura 5.10: Equivalente de ca de un circuito del amplificador diferencial.
Ganancia de tensión de CA única(Boylestad and Nashelsky (2004)): es la dife-

rencia (aumento) entre el valor de la señal de entrada y el de salida, como un
parámetro indicador de la amplificación resultante alcanzada por el paso de la señal a
través del circuito. Un claro ejemplo de estos dispositivos son los equipos de audio, con
una clara amplificación del sonido.
En este caso, para realizar el cálculo de ganancia única solo se empleara una de las entra-
das, mientras que la otra se conectara a tierra, de modo que no se involucra en el cálculo
indicado, la Figura 5.11 lo ilustra.
Figura 5.11: Conexión para calcular AV1 = Vo1 /Vi1 .
Figura 5.12: El similar de CA del circuito en la Figura 5.11.
El cálculo de la única entrada de CA emplea las ecuaciones según la aplicación de

la ley de Kirchhoff, lo que simplifica el análisis y facilita la determinación de la ganancia
del voltaje de ca y del voltaje de CA de salida (Boylestad and Nashelsky (2004)).
Ganancia doble de voltaje de CA: En este caso, el análisis y las ecuaciones son
equivalentes a las del caso anterior, considerando la entrada de señal por ambas entra-
das(Boylestad and Nashelsky (2004)).
Vo
A = RC (5.4)
V = re
d
d
Donde Vd = Vi1 − Vi2.
5.3. Fundamentos de amplificadores operacionales

Las características fundamentales de un amplificador operacional es que, en primer
término, se trata de un amplificador de alta ganancia cuya impedancia de entrada es sig-
nificativamente alta, del orden de Megaohms. Por el contrario, la impedancia a la salida es

muy baja, del orden de 100 Ohms y menos. Además, su construcción incluye un circuito
diferencial de dos entradas, a saber, positiva y negativa, y una salida.
En el caso de un circuito de amplificador operacional ideal, la impedancia de entrada

sería infinita, mientras que la de salida sería de cero (0). La ganancia de voltaje sería
infinita y el voltaje de salida sería cero (0), siendo que el voltaje diferencial de entrada, es
decir, V2 – V1, fuese cero (0) (Giraldo, Mendoza y González, 2002).
Otro de los fundamentos de un amplificador operacional se relaciona con el hecho de

que la señal de entrada, positiva, origina una salida que está en fase con dicha entrada,
mientras que para la señal de entrada negativa ocurre todo lo contrario; en ese caso, la
señal de salida se emite con una polaridad inversa a la de la entrada (Giraldo, Mendoza y
González, 2002).
Figura 5.13: Amplificador Operacional básico – Fases de las señales(Giraldo, Mendoza y

González, 2002)
5.3.1. Amplificador operacional básico

Con el empleo de un amplificador operacional, se muestra la conexión de un circuito
básico, en la figura a describir. El mismo actúa multiplicando una ganancia constante. Se
muestra el mismo, igualmente, con el circuito equivalente de corriente alterna.
Para este circuito, se aplica la señal de entrada V1 a la entrada con polaridad negati-
va, a través de un resistencia R1. La salida hace un enlace con dicha entrada negativa,
mediante el empleo de un resistencia Rf . La entrada positiva, por su parte, se encuentra
conectada a tierra, de manera que en este circuito se cumple que la señal de salida posee
la polaridad opuesta a la de la entrada, que es negativa Boylestad and Nashelsky (2004)
Figura 5.15: Circuito equivalente de CA de amplificador operacional.
(a) Conexión de amplificador operacio-

nal básico. (b) Circuito equivalente de amplifica-
dor operacional ideal.
El reemplazo de Ri con una resistencia infinita y Ro con un valor de cero, lo con-

vierte en un circuito en su versión ideal. A continuación, se describen algunos conceptos
especialmente útiles en el desarrollo de este tema.
Ganancia unitaria
La ganancia está definida como la relación existente entre el valor de la señal que se
obtiene a la salida del circuito con respecto al de la señal, a la entrada. Si este parámetro es
igual a uno (1), entonces se puede establecer que el circuito genera una ganancia unitaria;
el valor negativo de esta ganancia indica que una de las señales posee una inversión de fase
(Boylestad and Nashelsky (2004)).
Ganancia de magnitud constante

En línea con el concepto anterior, si la resistencia de la corriente que pasa por uno de
las resistencias de salida o entrada es un valor múltiplo del correspondiente a la resisten-
cia de entrada o salida, respectivamente, entonces la relación entre ambos parámetros, o
ganancia, es un valor constante.
Así, por ejemplo, si en el circuito mostrado en la Figura 5.11 (a), Rf y R1 varían en

una magnitud de 10, siendo Rf = 10R1, entonces la ganancia de voltaje medida sería de
10.
Tierra virtual
Lo que se conoce como tierra, en el campo de la electrónica, tiene que ver con la cone-
xión de un cable en algún punto de un circuito y tierra, lo que convierte a cero a la tensión
en ese punto, es decir, cero corriente. De ese modo, el cable se convierte en el camino que
recorre la corriente, para convertirse en cero.
La tierra virtual es un concepto diferente y que se basa en la concepción de un ampli-

ficador operacional ideal, de tal manera que el voltaje en la entrada es muy bajo con
respecto al valor amplificado de la salida.
Figura 5.16: Tierra virtual en un circuito con amplificador operacional, titulo e imagen
tomados de Malvino and Bates (2007).
Por esa razón, aunque el valor no es cero (0), puede ser reconocido como tal, al consi-
derar que a la entrada del circuito, existe lo que se conoce como un cortocircuito virtual.
En ese sentido, se contempla como un hecho que a través de dicho cortocircuito, no hay
un flujo de corriente que recorra la ruta entre la entrada y tierra, de manera que aunque
el valor de corriente no es cero, actúa como si lo fuera (Boylestad and Nashelsky (2004)).
En definitiva, el concepto de cortocircuito y tierra virtuales son una simplificación que

se realiza en la oportunidad de calcular el circuito y la ganancia resultante, proporcionan-
do resultandos precisos, especialmente en la oportunidad de uso de una retroalimentación
negativa en el circuito (Malvino and Bates (2007)).
5.4. Circuitos prácticos de amplificadores operacionales

Los amplificadores operacionales pueden ser empleados en una diversidad de circuitos,
destinados a las más variadas aplicaciones. A continuación, se describen los más
conocidos.
5.4.1. Amplificador inversor

En la Figura 5.17 se muestra el más básico circuito amplificador operacional, conocido
como el amplificador inversor.
En este tipo de circuitos, el voltaje en la entrada de polaridad positiva del amplificador

operacional es cero (0). Así, se utiliza la realimentación negativa, de modo que la salida se
determina como la relación inversa de la resistencia de entrada Ri y la retroalimentación,
por la señal de entrada:
Rf
Vo =
−V 1
R1
Figura 5.17: Multiplicador de ganancia constante inversor
El mecanismo de retroalimentación empleado en este tipo de circuitos es lo que se de-

fine como de modo de lazo cerrado; se trata de tomar la señal de salida y retornarla a
la entrada, sumándose a la señal original de entrada. Este procedimiento puede ser
positivo o negativo, bien sea que la señal este en fase o fuera de fase con respecto a la
señal de entrada (Mendoza y González, 2002).
En el amplificador inversor, la polaridad de la señal de entrada es negativa, de manera

que la señal de salida está desfasada. Eso significa que la retroalimentación empleada en
este tipo de circuitos es negativa.
La retroalimentación negativa logra que la ganancia total de tensión se estabilice en el

circuito. Ello ocurre del siguiente modo: la tensión de entrada se amplifica, de manera que
la tensión de salida, que realimenta el circuito, aumentará si la tensión de entrada aumenta
por alguna causa.
Esta tensión de salida, al retroalimentar el circuito, reduce la tensión amplificada de la
entrada, equilibrando la tensión global. Es decir, que aún cuando la tensión de entrada
aumente, el aumento de la tensión de salida es inferior al que hubiera podido alcanzar de-
bido a la retroalimentación, lo que eventualmente disminuye la tensión de salida y resulta
en un leve – y casi imperceptible - aumento de dicha tensión (Boylestad and Nashelsky,
2004)
Es importante señalar que la retroalimentación negativa es la más utilizada – a través
de este tipo de amplificadores – debido a que con ella se observa una mayor estabilidad de
la ganancia y reduce la distorsión (Mendoza y González, 2002).
5.4.2. Opam no inversor

El amplificador no inversor (Figura 5.18a) es un circuito básico, en el que de manera
similar al anterior, emplea una retroalimentación negativa, lo que contribuye con el au-
mento de la impedancia en la entrada del circuito y su disminución, a la salida (Malvino
and Bates, 2007).
En este circuito, a diferencia del anterior, la señal de entrada se aplica a la entrada positiva
o no inversora, lo que explica su nombre. Este circuito, sin embargo, es menos estable que
el anterior, lo que justifica la popularidad del primero.
(a)
(b)
Figura 5.18: Circuito con amplificador no inversor.
La operación es equivalente a la del circuito anterior, manteniendo la

retroalimentación y su efecto, en la estabilización de la ganancia total.
R1
V1 = Vo
R1 + Rf
en donde:
Vo R1 + Rf = 1 + (5.5)
V1 = R1 Rf
R1
5.4.3. Opam como seguidor unitario

En términos muy sencillos, este tipo de circuito, denominado seguidor unitario o de
tensión, es aquel cuya ganancia es unitaria (1), pero además no se observa una inversión
de polaridad o de fase de la señal (Boylestad and Nashelsky (2004)).
De acuerdo con la definición anterior, es claro que se trata de un circuito significativa-

mente simple (Figura 5.19). Además, opera de manera muy similar al de un circuito ideal,
u comportamiento está muy próximo al ideal toda vez que tiene una máxima realimenta-
ción negativa, con una resistencia de realimentación igual a cero. Eso quiere decir que toda
la tensión de la salida se retroalimenta a la entrada y como entre las entradas se define un

cortocircuito virtual, entonces la tensión es igual a la entrada y la salida, de modo que
la ganancia es igual a uno (1) (Malvino and Bates (2007)).
Figura 5.19: Opam Seguidor.
5.4.4. Opam sumador

Este tipo de circuito, como una de las aplicaciones de los amplificadores operaciones,
se emplea especialmente cuando se necesita combinar señales analógicas en una misma
salida. Así, se combinan tantas entradas como sean requeridas. Un amplificador sumador
emite como señal de salida, una equivalente al valor ponderado del total de señales de las
entradas (Figura 5.20a).
En este tipo de circuitos, como corresponde, se amplifican las señales de las diferentes
entradas. Por su parte, cada ganancia correspondiente a las diferentes entradas se calcula
como la relación entre la resistencia de realimentación y la resistencia de cada entrada
(Giraldo, Mendoza y González, 2002).
(b) Circuito equivalente de tierra vir-

tual.
(a) Amplificador sumador.
Figura 5.20: Amplificador operacional sumador Boylestad and Nashelsky (2004).

5.4.5. ¿Un amplificador integrador?¿más integrales?

Este tipo de circuitos realiza una operación matemática de integración, de tal manera
que a la señal de entrada le realiza el cálculo de integración, obteniendo como resultado la
señal de salida(Figura 5.21a). En la práctica, este tipo de circuitos presentan un capacitor
como dispositivo para la realimentación, a diferencia de los circuitos analizados hasta esta
sección, en los que se emplean resistencias.
La operación matemática de integración puede visualizarse como una sumatoria de las

áreas bajo la curva que define la variación de la señal de entrada en el tiempo. Visto de
esa manera, si el voltaje es fijo, la señal de salida se incrementa gradualmente, entregando
como resultado una gráfica en forma de rampa (Boylestad and Nashelsky (2004)), según
el circuito virtual a masa (Figura 5.21b).
(b)
(a)
Figura 5.21: Integrador
La operación matemática de integración puede visualizarse como una sumatoria de las

áreas bajo la curva que define la variación de la señal de entrada en el tiempo. Visto de
esa manera, si el voltaje es fijo, la señal de salida se incrementa gradualmente, entregando
como resultado una gráfica en forma de rampa (Boylestad and Nashelsky (2004)), según
el circuito virtual a masa (Figura 5.21b).
Si, por el contrario, la señal de entrada fluctúa, de tal manera que gráficamente puede
interpretarse como una onda cuadrada, entonces el amplificador integrador emitirá una
señal de salida cuya expresión gráfica es la de ondas con dientes en forma de sierra o trian-
gulares, correspondiente a los incrementos y disminuciones resultantes de la fluctuación
de la señal de entrada (Velarde, 2019).
(b) (Boylestad and Nashelsky, 2004,

pp. 613)
(a)
(c) (Boylestad and Nashelsky, 2004,

pp. 613)
Figura 5.22: Amplificador Operacional Integrador y sus resultados, gráficos de escalón.
Este tipo de circuito puede ser el resultado de una combinación, por ejemplo, de am-
plificadores sumadores, de tal manera que la señal de salida es la suma algebraica de los
cálculos de cada entrada, cada uno de ellos determinado mediante la integración corres-
pondiente (Boylestad and Nashelsky (2004)).
5.4.6. Opam diferenciador

Este tipo de circuitos funcionan de manera opuesta a la operación que realizan los
amplificadores integradores. La operación matemática opuesta es la derivación, de manera
que en estos circuitos, el cálculo de la señal de salida equivalente a la derivada de la señal
de entrada del circuito (Giraldo, Mendoza y González, 2002).
Tomando como referencia uno de los ejemplos presentados para el amplificador

integrador, el caso es inverso, de tal manera que si la señal de entrada tiene la forma de
ondas con dientes en forma de sierra o triangulares, la salida se visualizará como ondas de
formas cuadradas.
Figura 5.23: Circuito diferenciador
5.5. Especificaciones de los Opams; parámetros de com-

pensación de CD.
5.5.1. Compensación de corrientes y voltajes
Los distintos tipos de circuitos descritos poseen en común la presencia de niveles de
voltaje a la entrada y la salida que, aunque muy bajos, idealmente deberían ser cero, para
que no se vean afectadas las aplicaciones para las cuales se emplean.
En consecuencia, en un circuito ideal, la tensión de entrada es cero, por lo que la tensión
de salida también debería ser cero. Como ello no ocurre en la práctica, se define el voltaje
de compensación de entrada como la tensión diferencial de entrada necesaria para que la
tensión de salida sea igual a cero (Boylestad and Nashelsky (2004))
Una conocida técnica para determinar el voltaje de compensación de entrada es el que

se realiza al establecer el valor de la tensión de entrada en cero y, según esas especificacio-
nes, determinar la tensión de salida. El resultado debería ser cero; la desviación del cero de
dicha tensión se denomina offset. En definitiva, el voltaje de compensación de la entrada
se determina al dividir esta cantidad (offset) por la ganancia del amplificador operacional.
Otra de las razones que demandan la compensación del voltaje a la salida, es el offset
debido a las diferencias en las corrientes de polarización de las entradas. Ello exige enton-
ces que las estimaciones se realicen considerando la caída de voltaje de cada entrada en
reemplazo de las corrientes de polarización y, de ese modo, realizar los cálculos correspon-
dientes.
(b) Circuito 5.24a redibujado

(a) Conexión de amplificador
operacional que muestra las
corrientes de pola- rización de entrada.
Figura 5.24: Circuito de la Figura 5.24a redibujado.
En la práctica, el ajuste del voltaje puede realizarse con el empleo de potenciómetros

o de resistencias, que permitan establecer el voltaje deseado. Como nota curiosa, es in-
teresante señalar que circuitos con voltajes de compensación, aunque bajos, puede resultar
en fallas y riesgos, puesto que se pueden crear lazos de retroalimentación y el voltaje de
compensación pudiera aumentar paulatinamente, con la consecuente pérdida de la función
y fallas de los dispositivos en el circuito.
5.5.2. Parámetros de Frecuencia

Los amplificadores operacionales, en los circuitos cuya configuración incluye una re-
troalimentación positiva, exhiben una operación inestable. Para corregir esta debilidad
inherente al diseño, el mismo incluyen regularmente circuitos para compensar (aumentar)
la frecuencia, disminuyendo la ganancia del amplificador.
Esta reducción de la ganancia, denominada pendiente, resulta beneficiosa a los efectos

del desempeño del circuito (Boylestad and Nashelsky (2004))
5.5.3. Ganancia y ancho de banda

Como ya se indicó en la sección anterior, el aumento de la frecuencia que se realiza
para mejorar la inestabilidad del circuito, tiende a disminuir la ganancia de voltaje. Dicha
disminución puede llegar hasta que se alcance el valor de uno (1). Con estas característi-
cas, el fabricante especifica el ancho de banda como la frecuencia a la cual se alcanza la
ganancia de 1, independientemente de que se trate de un valor de frecuencia.
A medida que se incrementa la frecuencia de la señal de entrada, la ganancia se redu-

ce hasta finalmente alcanzar el valor de 1 (unitario). En este punto, el fabricante especifica
la frecuencia con este valor de ganancia como el ancho de banda a ganancia unitaria, B1.
Existe otro parámetro relacionado, a saber, la frecuencia a la cual la ganancia disminuye

en 3 Db, que se denomina Frecuencia de corte.
5.5.4. Velocidad de razón de cambio (SR)

Este parámetro es una medida de la capacidad que posee el amplificador operacional
de manejar señales variables. El mismo equivale a la máxima velocidad de cambio del
voltaje a la salida de circuito. Dicho de otro modo, la velocidad de razón de cambio traduce
que la salida del circuito puede experimentar una variación de 3,33 V (por ejemplo) en un
lapso no mayor a un microsegundo (Boylestad and Nashelsky (2004))
5.5.5. Frecuencia maxima de la señal

Este parámetro depende fundamentalmente del ancho de banda y de la velocidad de
razón de cambio. Se trata simplemente de la máxima frecuencia para la cual un
amplificador operacional funciona correctamente, de tal manera que la señal no muestra
distorsión.
5.6. Operación Diferencial y en Modo Común

La razón de rechazo en modo común (CMRR) es un parámetro que mide el rendimien-
to de los amplificadores operacionales, determinando su capacidad de rechazar las señales
comunes a las entradas y, simultáneamente, amplificar las diferencias de tensión (Knickel-
bine, 2023
Lo anterior está ligado a las características de diseño de estos dispositivos, los cuales am-
plifican sustancialmente sus señales de entrada diferentes, cuyas diferencias se
incrementan debido a la implementación de la retroalimentación en los circuitos. Lo
anterior se refiere como la ganancia diferencial de las señales de entrada del
amplificador.
El amplificador operacional debe, de igual manera, ser capaz de rechazar y/o ignorar las
señales que son comunes a sus entradas, minimizando esta ganancia, denominada en
modo común.
La relación entre ambas ganancias es lo que se describe como la razón de rechazo en

modo común (CMRR)(Boylestad and Nashelsky (2004))
5.6.1. Entradas diferenciales

Son entradas diferenciales las que se determinan cuando a través de las dos entra-
das del amplificador operacional se reciben señales distintas, de las manera que la salida
es equivalente a la diferencia entre ambas señales de entrada (Boylestad and Nashelsky
(2004)).
5.6.2. Entradas comunes

Se denominan entradas comunes a aquellas señales de entrada iguales, de tal manera
que su diferencia es mínima - casi nula – y, por lo tanto, se define como un elemento común
y se calcula como la suma promedio de ambas señales.

Un ejemplo de ello es el ruido, considerada una señal indeseable y regularmente común a
ambas entradas (Boylestad and Nashelsky (2004)).
5.6.3. Voltaje de salida

Conocida la entrada de señales diferencias y comunes en el amplificador operacional,
la determinación del voltaje de salida del circuito debe contemplar el aporte de ambas. Lo
anterior representa la porción en fase y desfasada de la señal de entrada. En consecuencia,
el cálculo del voltaje de salida es la suma algebraica del múltiplo de la ganancia en modo
común por el voltaje común más el voltaje diferencial por la ganancia diferencial de las
señales (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 627).
5.6.4. Entradas de polaridad opuesta

Cuando las entradas que se aplican a un amplificador operacional son iguales y de pola-
ridades opuestas, su diferencia algebraica equivale al doble de la señal. Este valor equivale
al voltaje diferencial, mientras que el voltaje común, estimado como el valor promedio de
la suma de ambas señales, equivale – idealmente – a cero.
En consecuencia, si el voltaje de salida contiene los aportes de ambos voltajes – el di-

ferencial y el común -, entonces en este caso este parámetro es equivalente al doble del
múltiplo del voltaje diferencial por la ganancia diferencial.
El punto de interés en este caso es que cuando las señales son ideales, es decir, iguales
y de polaridad diferentes, la salida no contiene el elemento de modo común (Boylestad and
Nashelsky (2004)).
5.6.5. Entradas de la misma polaridad

Realizando nuevamente el análisis de la sección anterior, en la oportunidad en la que
las señales de entrada al amplificador operacional son de la misma polaridad, se tiene que
el voltaje diferencial es igual a cero. El voltaje común, por su parte, es igual al valor de
la señal que se aplica por una de las entradas.
En definitiva, considerando ambos resultados previos, el voltaje de salida no contiene un

aporte de la fracción diferencial. La salida equivale a la ganancia en modo común multi-
plicada por el voltaje de la entrada.
Este caso, a diferencia de la sección anterior, demuestra que cuando las entradas son
idealmente iguales, en valor y polaridad, la salida corresponde por completo al resultado
en modo común (Boylestad and Nashelsky (2004)).
5.6.6. Rechazo en modo común

El rechazo describe básicamente el mecanismo a través del cual el circuito ignora las
señales no deseadas de entrada, de modo común a ambas, que son apenas levemente am-
plificadas, por lo que resultan rechazadas.
El rechazo es fundamental para impedir que este tipo de señales en modo común, regular-
mente ruido, se incrementen y amplifiquen, porque ello favorecerá el mal funcionamiento
del circuito.
En tales circuitos, los voltajes que son comunes a ambas entradas son vistos como rui-
do; cuanto más se amplifican, más será propenso el circuito al mal funcionamiento o a la
inexactitud (Knickelbine, 2023).
5.6.7. Razón de rechazo en modo común

La razón de rechazo en modo común (CMRR) es la relación entre la ganancia diferen-
cial entre la ganancia en modo común. La primera es la relación entre el voltaje a la salida
del amplificador y la diferencia de voltaje entre las dos entradas (Boylestad and Nashelsky
(2004)).
La ganancia en modo común se determina al dividir la tensión de salida medida por la
tensión de entrada (Boylestad and Nashelsky (2004)).
En la práctica, ningún amplificador operacional tiene un CMRR igual a cero (0). Sin
embargo, los CMRR bajos son importantes en los circuitos en los que se expresa la señal
que está siendo medida como diferencia de tensión. En tales circuitos, los voltajes que
son comunes a ambas entradas son vistos como ruido; cuanto más se amplifican, más será
propenso el circuito al mal funcionamiento o a la inexactitud (Knickelbine, 2023).
5.7. Ejercicios
1. Del circuito 1 determine las corrien-
tes de CD y el voltaje en el circuito
1.
4. ¿Cual es el voltaje de salida sencillo

Vo1 del circuito 4?
2. Para el circuito 2 obtenga los volta-

jes y corrientes.
5. Utilice la ecuación de abajo para de-

terminar la ganancia en modo común
para el circuito amplificador 4 fig.
5.28.
Figura 5.26: Circuito 2 βRC
AC =
ri + 2(β + 1)RE
3. si V3= 3.7mv en el circuito 3, ma- 6. Para el amplificador diferencial del

temáticamente obtenga el voltaje de circuito 5 Calcule el resultado de la
salida sencillo Vo1 . ganancia en modo común.
Las especificaciones del

amplificador operacional
establecen VIO = 7 mV.
10. Calcule el desplazamiento de tensión

Figura 5.29: Circuito 5 para el circuito 7 utilizando IIO =
0, 5 mA como especificación. Utilice
7. El circuito 6 tiene R1 = 150kΩ y la ecuación que se muestra a conti-
Rf = 250kΩ ¿Qué voltaje de sa- nuación:
lida se obtiene con una entrada de
Vi = 3.7 V? Vo = IIORf
11. Encuentre las dos corrientes de po-

larización de entrada (I+IB, I − )IB
en cada −una+ de las siguientes
entradas(I , I ) de un amplifica-
IB IB
dor operacional cuyos valores espe-
cíficos son a) IIO = 3mA, IIB = 45
mA, b) IIO = 4mA, IIB = 70 mA,
Figura 5.30: Circuito 6 C) IIO = 7µA, IIB = 70µA.
+ IIO
8. Para cada uno de los siguientes va- IIB = IB + 2
lores de tensión y resistencia, deter- I
mine el voltaje de salida de un am- 12. Determine la frecuencia máxima que
plificador sumador utilizando un am- se puede utilizar para la señal y el
plificador operacional. Rf es siempre circuito 8, además la razón de cam-
igual a Rf = 10M Ω. V1 = 2 V, bio del opam es SR = 0.85V/mus.
V2 = 3 V, V3 = 5 V, R1 = 450kΩ,
R2 = 10KΩ, R3 = 22kΩ con la si-
guiente ecuación:
!
R f + Rf V V
o R 1 + V
V =− RF1
V 2 3
2 3 3
R R
9. Vale la pena considerar el ajuste
del voltaje de salida del circuito 7. Figura 5.32: Circuito 8
13. Calcular la caída de tensión del am- 16. Obtenga V2 y V3 en el circuito 11.
plificador operacional cuando hay
250µV Vi1 = 250µV y y Vi2 = 100µV
de tensión de entrada. La ganancia
diferencial del amplificador es 2200,
y su valor CMRR es:
a)100, b)10 000
14. Obtenga el voltaje resultante en el

circuito 9 para una entrada de V1 =
−0.75V?
17. Obtenga del circuito 12 el voltaje

Figura 5.33: Circuito 9 de salida Vo .
15. Encuentre el voltaje de salida desa-

rrollado por el circuito de la Figura
5.34 para Rf = 290kΩ.

5.8. Prácticas
La sección de prácticas para esta unidad es importante para saber usar de una manera
lógica y razonada los conocimientos teóricos dados, que podrán ser aplicados de manera
práctica en la vida real y así mismo llegar a recordar algunas configuraciones y plantear
de una manera kinestésica los conocimientos que no fueron entendidos del todo.
Práctica 13: configuraciones básicas de Opams

Objetivo
Recordar las diferentes configuraciones básicas, como lo son: inversor, no inversor, in-
tegrador, sumador y derivador.
Material
Fuente de voltaje.
Osciloscopio.
Puntas de generador de funciones
Multimetro.
Amplificador operacional LM741C.
Resistencias de múltiples valores.
Capacitor de 100 µF.
Metodología
1. Realizar todas las simulaciones de los circuitos.
2. Armar todos los circuitos básicos(recordar que los amplificadores operacionales ne-
cesitan una fuente de voltaje propia para que puedan funcionar).
3. Obtener Vo de manera teórica-manual y luego de con multimetro
4. Anexe evidencia fotográfica, cálculos teóricos y conclusiones individuales al reporte.

Figura 5.37: Circuitos básicos
(a) inversor
(b) No inversor
(c) Sumador
(d) Integrador
(e) Derivador
Práctica 14: Impedancia de entrada
Objetivo 6. Coloque S1 en el punto B.

En esta práctica se encontrara la im-
pedancia de entrada de un Amplificador 7. Ajuste el potenciómetro (Rp) hasta
operacional. que el valor pico-a-pico del valor de
entrada Vin sea la mitad del valor
Material re- gistrado en el paso anterior.
Fuente de voltaje. 8. Anote y observe las características

de la señal salida que se muestren en
el osciloscopio.
Osciloscopio.
9. Desenergice el circuito y registre el
Multimetro. valor de Rp.
Amplificador operacional LM741C.
10. Repita desde el paso 3 hasta el paso
Potenciómetro de 50kΩ. 7 pero con las siguientes
frecuencias: 100 Hz, 10 kHz y 100
Interruptor SPDT. kHz.
Resistencias 10 kΩ y 100
11. Anexe evidencia fotográfica, cálculos
kΩ. Puntas de osciloscopio. teóricos y conclusiones individuales
al reporte.
Metodología
1. Hacer la simulación previa del
circui- to 1.
2. Amar el circuito 1 y alimente a los
amplificadores a +15 y −15 V .
3. Coloque el generador de señal senoi-

dal a 1 kHz.
4. Ajuste la amplitud del generador pa-
ra un máximo de una señal sin que
distorsione en la salida Vout.
5. Registre el valor de pico-a-pico de
Vin.
práctica 15: Mezclador de audio de 3 canales

Objetivo
Permitir al alumno desarrollar una de las aplicaciones de los amplificadores operacio-
nales.
Material
Fuente de voltaje.
4 Amplificadores operacional LM741C.
4 Conectores Jack hembra.
3 Resistencias de entrada 1 kΩ.
4 Resistencias de 100 kΩ.
1 Resistencia de 10 kΩ.
3 Potenciometros de 10 kΩ.
4 Capacitor electrolítico 10 µF.
3 Capacitor electrolítico 1 µF.

Bocina con entrada Jack.
4 cables auxiliares con conector Jack en ambos extremos.
Metodología
1. Hacer la simulación previa del circuito.
2. Amar el circuito, energizar los Opams a +15 V y − 15V, los multímetros susti-
túyalos por los conectores Jack hembra.
3. Conectar los cables auxiliares.
4. Ajustar al gusto los potenciómetros.
5. Anexe evidencia fotográfica, cálculos teóricos y conclusiones individuales al reporte.

Figura 5.39: Circuito Mezclador de 3 entradas

5.9. Material extra

Para motivar al lector a profundizar en el tema Amplificadores Operacionales, se lista
la literatura consultada en el desarrollo del capítulo. Se sugiere su revisión para una mejor
comprensión del tema.
Capitulo 10 Amplificadores operaciones, Electrónica: teoría de circuitos y

dispositivos electrónicos, Robert L. Boylestad, Luis Nashelsky, Editorial:
Pearson.
Capitulo 18 Amplificadores operacionales, Principios de electrónica, Albert Malvino

y David J.Bates. (2007). España: McGrawhill/Interamericana de España, S. A. U.
Apartado 4.4 Circuitos con amplificadores operacionales, Capitulo 4, Fundamentos

de electrónica, Cogdell J.R.(2000), Editorial Pearson Educación, México .
Lección 9 Amplificadores Operacionales, Curso fácil de electrónica básica Tomo 2,

Antia Giraldo Carlos Ariel, Mendoza Penilla Emiliana, González Gutiérrez Manuel
Felipe, (2002), Editorial CEKIT.S.A. Colombia.
El OPAMP y sus aplicaciones, Velarde, J. (2019), Tesis de grado, Universidad Na-

cional de Educación, Lima, Perú.
.Amplificadores operacionales desde cero!"del canal educativo "Profe mecatrónico. en

Youtube, disponible en el siguiente link: https : //youtu.be/u2FQyQUEUAA
El material audiovisual .Amplifica operacionales- Parte 1"del canal .El Traductor de

Ingeniería", por medio del siguiente link: https : //youtu.be/NnPMUMojFBo
.Amplificadores Operacionales"del canal de Youtube "Les ingenieurs", con la siguien-

te liga: https : //youtube.com/playlist?list = PLenmbJvDQ−BuP 4V dU lwnvi −
53bA7F − U
.Amplificadores Operacionales"del canal educativo de Youtube .Electrónica FP", por

el cual se accederá con el siguiente link: https : //youtube.com/playlist?list =
PLuzS0jdNRV vqtt9Cy − NeQisaLFSHOPs09
.El Amplificador Operacional - Parte I.el vídeo pertenece al canal de .Electrónica prác-
tica paso a paso", que tiene la siguiente liga: https : //youtu.be/vv8RP 4PMH9o
El video .amplis1- GANANCIA"del canal .Electrónica FP", por el cual se accederá

con el siguiente link: https : //youtu.be/a − x7po3Bs24
Capítulo 6
FILTROS
6.1. Introducción
Un filtro eléctrico es idóneo para mitigar d frecuencias del espectro de una señal
entrante y posibilitar el avance de varias señales. El .espectro de la señal"(Malvino and
Bates (2007)) a sus separación en una gama de amplitudes respecto a la frecuencia y esto
es desplegado por series de Fourier, además de hacer una ratificación visual de la señal o
señales con respecto frecuencia y el tiempo.
Un filtro, que "puede ser pasivo o activo, permite el paso de una banda de frecuencias
mientras rechaza u omite otra u otras frecuencias"Malvino and Bates (2007). Además de
separar las señales deseables de las no deseadas, los filtros también mejoran el sonido y el
vídeo, así como eliminan las interferencias (en determinadas situaciones es estática).
6.1.1. Frecuencia de corte

La (fc) o frecuencia crítica es la frecuencia a la cual Vo del representa un 70 % del
voltaje maximo también es llamada como frecuencia de corte"(Malvino and Bates (2007)) o
frecuencia de ruptura en algunas literaturas. Cuando la banda de paso empieza su
inflexión, este punto de la frecuencia suele denominarse frecuencia de inflexión.
Filtros pasivos
Para la fabricación de "filtros pasivos"(Malvino and Bates (2007)) se utilizan
inductancias, resistencias y condensadores. Suelen utilizarse a frecuencias superiores a
1 MHz, tienen poca ganancia de potencia, requieren una muy considerable habilidad de
sintoniza- ción y pueden disponerse en serie o en paralelo con los componentes antes
mencionados.
Filtros activos
Tienen ganancia de potencia, son razonablemente sencillos de regular y son excelentes
para frecuencias por debajo de 1 MHz. Para construir filtros activos se utilizan çapacitores,
resistencias y amplificadores operacionales"(Malvino and Bates (2007)).
170
CAPÍTULO 6. FILTROS 171
6.2. ¿Lo ideal?

Similar a lo que ocurría en el capitulo de diodos los filtros también cuentan con su
parte conocida como respuestas ideales. Un filtro responde con frecuencia, esto es mejor
apreciado en la gráfica de su ganancia de voltaje en función de la frecuencia. Son cinco
tipos de filtros existentes: pasa bajas, pasa altas, pasa banda, banda eliminada y pasa todo.
Enseguida se describirán las aproximaciones para estas respuestas ideales en los tipos de
filtros.
Filtro pasa bajas

Todas las frecuencias que estén por debajo de la fc de un filtro pasa bajas pasaran,
mientras que las frecuencias que están por encima son bloqueadas.
La banda de paso y la eliminada

en el filtro pasa bajas están de-
terminadas, respectivamente, por las
frecuencias por debajo de cero y
por encima de la fc. Las ban-
das de paso y de corte están se-
paradas por la zona de transición.
La transición vertical, "la atenua-
ción infinita en la banda de pa-
so y un atenuación de cero en
la banda de paso son característi-
cas de los filtros pasa bajas idea- Figura 6.1: Representación de un filtro pasa
les. bajas
El desfase cero está presente en todas las frecuencias de la banda de paso de un pasa
bajas ideal. Dado que un filtro con desfase cero preserva la forma de la señal, este valor
es esencial cuando la señal de entrada no tiene forma senoidal. En las señales de entrada
cuadradas existen frecuencias fundamentales y armónicos. Cave resaltar que "la frecuencia
fundamental y los armónicos mayores no modificarán la onda cuadrada de salida después
de entrar en la banda de paso" (Malvino and Bates (2007)).
Filtro pasa altas

Las frecuencias por debajo de la fc son bloqueadas por el filtro pasa altas, mientras
que todas las frecuencias por encima de la fc se dejan pasar.
Figura 6.2: Representación de un filtro pasa altas
Las frecuencias entre 0 y la fc se utilizan para definir la banda eliminada mientras que
la banda de paso está definida por las frecuencias por arriba de la fc. .El filtro pasa altas
ideal tendrá una transición vertical, una atenuación infinita de la banda de paso y cero de
atenuación en la banda eliminada" (Malvino and Bates (2007)).
Figura 6.3: Representación de un filtro pasa banda
El filtro pasa bandas

Un filtro pasa banda ayuda a sintonizar la radio y la televisión. También puede dis-
tinguir llamadas telefónicas simultáneas en la misma vía de comunicación (Malvino and
Bates (2007)).
La figura 6.3 nos muestra las respuesta de frecuencia óptima de un filtro pasa bandas.
Todas las frecuencias inferiores la fci(frecuencia de corte inferior se bloquean, todas las
frecuencias por encima se bloquean y todas las frecuencias entre ellas se pasan.
En la banda de paso todas las frecuencias estén entre las fci y fcs, mientras que la banda eli-
minada es todo lo que hay entre ambas. .El filtro pasa bandas ideal presenta dos
transiciones verticales con atenuación infinita en la banda eliminada y cero en la banda de
paso" (Mal- vino and Bates (2007)).
Filtro banda eliminada o rechaza

banda
La figura 6.4 ilustra la función
opuesta de un filtro pasa banda. De-
ja pasar todas las frecuencias por de-
bajo de la fci, bloquea todas las fre-
cuencias entre las fci y fcs, y pasa
todas las frecuencias por encima de Figura 6.4: Filtro banda eliminada o rechaza
ella. banda
La banda eliminada incluye todas las

frecuencias entre los cortes. La banda
de paso está definida por los gráficos (fig.6.4) de frecuencias superiores y por debajo de
las fci y la fcs. "Dos transiciones verticales, sin atenuación de la banda de paso y con
atenuación infinita de la banda de paso definen un filtro de rechaza banda ideal" (Malvino
and Bates (2007)).
otros términos acuñados son banda estrecha, frecuencia central y ancho de banda, son
otras maneras con las que se conoce a la anterior.
Filtro pasa todo

.El filtro pasa todo ideal sólo tiene una banda paso. Por tanto, da paso a frecuencias de
cero al infinito, presenta una atenuación cero para todas las frecuencias puede tener un
aspecto extraño" (Malvino and Bates (2007)). Este filtro afecta a la fase de la señal, lo
cual es una ventaja, es útil para desfasar señales sin afectar a la sonoridad.
Figura 6.5: Filtro pasa todo
En un filtro la respuesta de fase se ve el gráfico de desplazamiento de fase. Como se

ha dicho, el filtro pasa bajas ideal presenta una respuesta de fase de 0° para todas las
frecuencias. Así, todos los armónicos relevantes y la frecuencia fundamental de una señal
de entrada no senoidal permanecen en la banda de paso tras pasar por el filtro pasa bajo
perfecto, conservando su forma.
Los filtros pasa todo tienen respuestas de fase diferentes a las de los filtros pasa bajas
ideales, el filtro pasa todo desplaza las frecuencias.
6.3. ¿Atenuación?
La pérdida de señal se denomina atenuación y se define como la tensión o voltaje
de salida para todas las frecuencias dividida por el voltaje de salida el rango medio de
frecuencias cuando el voltaje de entrada es continua:
vout
Atenuación =
(6.1)
vout(media)
Cuando el voltaje de salida en la gama de frecuencia promedio es de 2 V y el voltaje de

salida a una frecuencia determinada es de 1 V, entonces:
1V
Atenuación =
= 0.5 (6.2)
2V
La siguiente ecuación se utiliza a menudo para representar la atenuación con decibelios:
Atenuación (medida en dB) = 20log · (atenuación) (6.3)

Con 0.5 dB de atenuación y la atenuación con unidad de decibelios es:
Atenuación (dB) = −30log · 0.5 = 9dB (6.4)
6.3.1. Atenuación en la banda de paso y eliminada

El filtro pasa bajas se usa como modelo por que puede alterarse fácilmente y crear
muchos circuitos. En la mayor parte de los casos, el filtro se convierte equivalentemente a
un pasa bajas,la salida se cambia de nuevo al tipo de filtro original. Empezaremos con el
filtro pasa bajas y luego pasaremos a los demás:
Figura 6.6: Respuesta real de un filtro pasa bajas
Si los datos muestran una banda con atenuación cero, una banda infinita y una transi-
ción vertical, estos datos son una fantasía. Para que un filtro pasa bajas refleje fielmente
las condiciones del mundo real, las tres regiones de este ultimo deben parecerse a las de la
figura 6.6.
La Figura 6.6 la banda de paso es el grupo de frecuencias alojadas en el intervalo de

0 y fc. Se elimina la banda que ese encuentra determinada por cada una de las frecuencias
por encima de fs. La región de transición es la zona delimitada por fs y fc.
Como se observar en la Figura 6.6, la banda de paso la atenuación es diferente de cero,
si no que la atenuación en 0 y Ap.
En determinadas situaciones, la atenuación de la banda pasante Ap = 0, 5 dB. Permi-

tir una pérdida de señal de 0, 5 dB en cualquier parte de la banda de paso compromete la
respuesta óptima. La banda eliminada también pierde atenuación infinita.
En determinadas situaciones, "la atenuación de la banda pasante Ap = 0, 5 dB. Permitir

una pérdida de señal de 0, 5 dB en cualquier parte de la banda de paso compromete la
respuesta óptima (Malvino and Bates, 2007, pp. 757).
6.4. Orden de los filtros

"n" representa el número de condensadores y bobinas de un filtro pasivo. Los filtros
pasivos con dos inductancias y dos capacitores tienen orden n = 4. n = 10 para un filtro
pasivo con cinco bobinas y cinco condensadores. Recordemos que el orden del filtro indica
su complejidad o la cantidad de polos y ceros en el sistema de filtrado. Cuanto mayor sea
el orden, más complejo será el filtro y más capacidad tendrá para ajustar y moldear la
respuesta de un filtro.
Entonces en un filtro los circuitos RC determinan el orden, por lo tanto, un filtro con
12 circuitos RC tiene un orden n = 12. Enumerar los circuitos RC de un filtro activo
resulta difícil. Sin embargo, un método más sencillo calculará el orden del filtro activo
Iberri Monte (2009).
n ∼= numero de capacitores (6.5)
Por ejemplo, un filtro activo tiene 15 capacitores este orden es de 15.
Aproximación de Butterworth
La disminución (atenuación) de la banda de paso es prácticamente insignificante en
toda su extensión y disminuye paulatinamente a4p en el punto de inflexión de la banda
de paso, lo que resulta en una aproximación extremadamente uniforme. Después de la
frecuencia de corte, la respuesta disminuye a un ritmo de 20n dB por década, donde ’n’
representa el orden del filtro
pendiente(pend) = 20 · ndB/decada (6.6)

La inclinación medida en octavas es de:
pend = 6 · ndB/octava (6.7)

La respuesta de un filtro pasa bajas Butterworth con estas características se ilustra en la

figura 6.7: n = 8, Ap = 1, 5 dB, y fc = 10kHz. Este filtro de 8 polos tiene una frecuencia
de corte de 10 kHz y una atenuación de la banda pasante de 1,5 dB. La figura 6.7
muestra los números de los ejes de frecuencia acortados, E significa exponencial:
Figura 6.7: Respuesta de Butterworth para el filtro pasa bajas (Malvino and Bates, 2007,
pp. 748).
La respuesta en la banda de paso de un filtro Butterworth se caracteriza por su notable

uniformidad y falta de fluctuaciones significativas, pero tiene desventajas: "su inconvenien-
te es lo lento que disminuye en la zona de transición en comparación con otros métodos"
((Malvino and Bates, 2007, pp. 758)).
Método Chebyshev
Las aplicaciones no necesitan una respuesta de banda pasante plana. En la zona de
transición, el método Chebyshev decae más rápido que el filtro Butterworth.
La figura 6.8a ilustra la respuesta de un filtro pasa bajas Chebyshev con n = 8, Ap = 1, 5

dB, y fc = 10 kHz, los mismos parámetros que el filtro Butterworth. En la zona de
transi- ción, un filtro Chebyshev del mismo orden decae más rápidamente. Por lo tanto, el
filtro Chebyshev exhibe una atenuación mayor en comparación con un filtro Butterworth
de igual orden.
.El número de rizados u ondulaciones en la banda de paso de un filtro pasa

bajas de Chebyshev es igual a la mitad del orden del filtro" (Malvino and Bates,
2007, pp. 748):
n
numeroderizados = (6.8)
2
Un ejemplo: Un filtro de 14 órdenes tiene 7 ondulaciones en su banda pasante; un filtro de
19 órdenes tiene 9,5 (Figura 6.8b). Esto hace que la aproximación de Chebyshev sea una
aproximación de ondulación igual. Dependiendo de la aplicación, los diseñadores suelen
utilizar amplitudes de rizado entre 0,1 y 3 dB.
(a) Respuesta de Chebyshev para el fil- (b) "Vista ampliada de los rizados de
tro pasa bajas." la banda de paso."
Figura 6.8: (Malvino and Bates, 2007, pp. 748–749)
Aproximación inversa de Chebyshev

La aproximación Chebyshev inversa se puede emplear para lograr una respuesta en la
banda de paso que sea uniforme y sin variaciones significativas y un rápido decaimiento en
la zona de transición. Esta aproximación produce una banda pasante plana y ondulación
en la banda suprimida. La figura 6.9 muestra que la zona de transición decae de forma
similar al filtro Chebyshev indicado en el subtema anterior.
Figura 6.9: Respuesta inversa de Chebyshev del filtro pasa bajas (Malvino and Bates, 2007,
pp. 751)).
El filtro Chebyshev inversor presenta una banda pasante plana, un rápido decaimiento
en la zona de transición y una banda de eliminación con ondulación, como se ve en las
Figuras 6.9, 6.8a y 6.7.
"Monotónica" ((Malvino and Bates, 2007, pp. 748)) significa que la banda eliminada
no tiene ondulaciones. Hasta el momento, los filtros Butterworth y Chebyshev exhiben
bandas eliminadas con una respuesta constante, mientras que la aproximación inversa de
Chebyshev muestra una banda eliminada con oscilaciones.
Aproximación elíptica o filtro de Cauer

El "filtro Cauer o método elíptico" ((Malvino and Bates, 2007, pp. 749–750)), se emplea
cuando la zona de transición debe decaer rápidamente y son aceptables las ondulaciones
en la banda de paso y en su banda eliminada. Se realiza un compromiso entre la banda de
paso y la banda eliminada con el fin de mejorar la región de transición.
Figura 6.10: Respuesta elíptico del filtro pasa bajas (Malvino and Bates (2007)).
La figura 6.10 muestra la respuesta de un filtro pasa bajas elíptico con estas caracterís-
ticas: n = 8, Ap = 1, 5 dB, y fc = 10 kHz. El filtro elíptico presenta una zona de transición
rápida, una banda de paso, y una banda eliminada con rizado.
En la figura 11 se puede observar la respuesta de un filtro pasa bajas elíptico con las
siguientes especificaciones: orden n = 8, atenuación máxima en la banda de paso Ap = 1, 5
dB y frecuencia de corte (fc) de 10 kHz. El filtro elíptico exhibe una transición rápida
entre la banda de paso y la banda eliminada, así como una banda de paso y una banda
eliminada con oscilaciones.
Tras la ruptura de la respuesta en la fc, el decaimiento inicial es rápido, se ralentiza en

la zona intermedia y vuelve a bajar al concluir el periodo de transición. La técnica
elíptica ofrece el diseño de orden más bajo para cualquier filtro complicado, dados los
requisitos.
Aproximación de Bessel
La aproximación de Bessel presenta una banda de paso sin fluctuaciones y una banda
eliminada con una atenuación constante, similar a la característica del filtro Butterworth.
Los filtros de Bessel "tienen una pendiente de caída de la zona de transición sustancial-
mente menor que los filtros Butterworth para el mismo orden" ((Malvino and Bates, 2007,
pp. 750)).
La figura 6.11a muestra la respuesta de un filtro pasa bajas Bessel con las mismas es-
pecificaciones: n = 8, Ap = 1, 5 dB, y fc = 10 kHz. El filtro de Bessel presenta una banda
pasante uniforme sin fluctuaciones, un desplazamiento gradual y una banda eliminada
monótona. Los requisitos de aproximación de Bessel siempre tienen el roll-off o desplaza-
miento más bajo. Producirá el filtro de orden más alto o el circuito más difícil de todas
las estimaciones.
(a) (b)
Figura 6.11: (a) es la respuesta Bessel en frecuencia del filtro pasa bajas mientras que (b)
es la respuesta Bessel del filtro pasa bajas ((Malvino and Bates, 2007, pp. 750–751)).
Cuando una señal de entrada pasa por el filtro, su frecuencia fundamental y sus armó-
nicos sufrirán en la banda de paso, se produce un desplazamiento de fase lineal para todas
las frecuencias, manteniéndose constante a lo largo de dicha banda. La señal de salida
coincidirá con la forma de la señal de entrada.
.El filtro de Bessel es el que menos distorsiona las señales no sinusoidales" (Malvino and
Bates (2007)). Aplique un escalón de tensión a la entrada y observe la salida del oscilosco-
pio para medir este tipo de distorsión. Los filtros de Bessel proporcionan la mejor
respuesta escalonada.
(a) Butterworth e inversa de

(b) Chebyshev y elíptica.
Chebyshev
(c) Bessel.
Figura 6.12: Comparación de resultados de filtros ante una señal escalón (Malvino and
Bates (2007)).
Las respuestas de escala del filtro con una atenuación máxima Ap = 3 dB, frecuencia
de corte (fc) de 1 kHz y orden n = 10 se ilustran en las figuras 6.12a. Observe que la
respuesta de escala de un filtro Butterworth supera el nivel, fluctúa dos veces y luego se
estabiliza en 1 V. En ciertas aplicaciones, esta respuesta es aceptable, pero es incorrecta.
La respuesta de escala de un filtro Chebyshev (Figura 6.12a) oscila muchas veces antes de
establecerse en el valor final n de 1V, que está lejos de ser ideal y no es adecuado para
aplicaciones especializadas.
Pero tanto el filtro elíptico como el inverso Chebyshev presentan ondulaciones en la banda
de paso.
La figura 6.12c ilustra el resultado final de un filtro de Bessel, que reproduce
perfectamente el escalón de voltaje de entrada, excepto el tiempo de subida."La
respuesta al escalón de Bessel no incluye el rizado" ((Malvino and Bates, 2007, pp.
752)).
Como ya he explicado, una respuesta de fase lineal implica que un filtro introduce un
retardo uniforme para todas las frecuencias presentes en la banda de paso al atravesarlo.
El orden determina el tiempo de paso de la señal, excepto en el caso del filtro de Bessel,
este intervalo cambia con la frecuencia y tienen un retardo constante en toda la banda de
paso.
En la Figura 6.13a, se puede observar la variación del retardo de tiempo en un filtro

elíptico con parámetros de orden n = 10, atenuación máxima en la banda de paso Ap =
3 dB y frecuencia de corte fc = 1 kHz. Por otro lado, la Figura 6.13b muestra el retardo
de
tiempo de un filtro Bessel con las mismas características mencionadas anteriormente. Se

puede apreciar que el retardo de tiempo se mantiene constante en la banda de paso, lo que
lleva a que el filtro Bessel sea conocido como un filtro de retardo maximalmente plano.
Este retardo constante implica un desfase lineal y viceversa.
(a) Elíptico (b) Bessel.
Figura 6.13: Retardos ((Malvino and Bates, 2007, pp. 751)).
6.4.1. Otros tipos de filtros

Los filtros pasa altas, pasa bandas y banda eliminada utilizan gran parte de esta infor-
mación. Los filtros de pasa altas tienen las mismas aproximaciones que los de pasa bajas,
pero sus respuestas giran horizontalmente alrededor de la fc. En la Figura 6.14, se presenta
la representación gráfica de la respuesta de un filtro de paso alto utilizando la
aproximación Butterworth. Este filtro tiene un orden de n = 8, una atenuación máxima
en la banda de paso de Ap = 1, 5 dB, y una frecuencia de corte de fc = 10 kHz.
Figura 6.14: Respuesta Butterworth para el filtro pasa altas (Malvino and Bates (2007)).
La figura 6.15a muestra la respuesta Butterworth, con üna banda eliminada monótona
y una banda pasante plana" ((Malvino and Bates, 2007, pp. 752–753)). La banda de
paso de la respuesta Chebyshev en la Figura 6.15b tiene seis ondulaciones.
(a) Respuesta Butterworth. (b) Respuesta Chebyshev.
(c) Respuesta Inversa de Chebyshev. (d) Respuesta Elíptico.
(e) Respuesta Bessel.
Figura 6.15: Respuestas del filtro pasa banda((Malvino and Bates, 2007, pp. 753)).
La Figura 6.15c muestra la respuesta de aproximación invertida de Chebyshev. Pre-

senta una banda eliminada por rizado y una banda plana. En la Figura 6.15d se exhibe
la representación visual de la aproximación óptica del filtro, caracterizada por presentar
rizado tanto en la banda de paso como en la banda eliminada. Por otro lado, la Figura
6.15e muestra la respuesta del filtro de tipo Bessel.
(a) Butterworth.
(b) Chebyshev.
Figura 6.16: Respuestas del filtro de banda eliminada pt.1 (Malvino and Bates, 2007,
pp. 754).
Las respuestas del filtro de banda eliminada se encuentran en sentido contrario a las
del filtro pasa banda. Se muestran las respuestas del filtro pasa banda con orden de 12,
f0 = 1 kHz, atenuación de3 dB y BW = 3 kHz. La respuesta Butterworth se ilustra la
Figura 6.16a, siendo monótona y plana.
(a) Inversa de Chebyshev. (b) Elíptico.
(c) Bessel.
Figura 6.17: Respuestas del filtro de banda eliminada pt.2 (Malvino and Bates, 2007,
pp. 754).
En la Figura 6.16b se exhibe la respuesta característica Chebyshev, caracterizadas por

ondulaciones en la banda de paso y una banda eliminada monótona. El diagrama repre-
sentado en la Figura 6.17a ilustra la salida de un filtro Chebyshev inverso que muestra
una banda de paso uniforme y fluctuaciones en la banda eliminada.
La respuesta elíptica representada en la Figura 6.17b muestra una banda de paso carac-
terizada por ondulación, así como una banda eliminada que también muestra ondulación.
La respuesta del filtro Bessel se ilustra en la Figura 6.17c.
6.5. Filtros pasivos

Si, se utilizan filtros activos, esta sección de la unidad presenta la noción que describe
su funcionamiento. La fR (frecuencia de resonancia) y el factor Q de un circuito resonante
paralelo o en serie son análogos a los de un filtro LC de pasa bajas de segundo orden. Los
filtros de orden superior pueden tener ondulaciones en su banda pasante manteniendo fR
constante mientras se cambia Q.
Frecuencia de resonancia y el factor Q
Figura 6.18: Filtro LC de segundo orden en un circuito
La figura 6.18 representa un filtro LC de segundo orden de pasa bajas con una induc-
tancia y un capacitor. Un factor fR y Q caracterizan un filtro LC de segundo orden:
1
fo = √ (6.9)
2π LC
R
Q= (6.10)
XL
El cálculo de XL se realiza con respecto a la frecuencia fR. Por ejemplo, el filtro repre-
sentado en la figura 6.19a comprende un factor Q y una frecuencia de resonancia (fR)
de:
1
F0 = √ = 1Khz
2π (9.55mH)(2.65µF )
600ω
Q= = 10
2π(1kHz)(9.55mH)
(a) (b)
(c)
(d)
Figura 6.19: Gráficas tomadas de (Malvino and Bates, 2007, pp. 756).
En la figura 6.19b se muestra la respuesta en frecuencia. El pico de la respuesta a 1 kHz

es la fR del filtro. Además, a 1 kHz, la ganancia de voltaje sube 20 dB. La amplificación
de voltaje sobre fR sube más cuanto mayor es el número de Q. El filtro en la Figura
6.19c con fR y un valor Q de:
1
F0 = √ = 1kHz
2pi (47.7mH)(531nF )
600ω
Q= =2
2π(1kHz)(47.7mH)
La Figura 6.19c muestra cómo los números de la Figura 6.19a cambiaron la bobina por un
factor de 5 y el condensador por un factor de 5. Como el producto LC es el mismo y la
fR sigue pasando de 1 kHz, la respuesta es sí.
Se puede observar que el factor Q, el cual guarda una relación inversamente proporcional
con la inductancia, se ha reducido en un factor de 5. La figura 6.19d muestra la respuesta
en frecuencia. Si volvemos a observar: encontramos un pico en 1 kHz, pero una amplifica-
ción de voltaje de 6 dB debido a un factor Q bajo. La reducción de Q elimina el pico de
resonancia.
Factor de amortiguamiento
Un método alternativo para manifestar el porque existen picos en la fr a es
mediante la utilización del factor de amortiguación, que se expresa matemáticamente de la
siguiente manera: 1
α= (6.11)
Q
Para Q = 10, el factor de amortiguamiento seria de:
1
α= =
0.1 10
Del mismo modo, cuando Q es igual a 2, el factor de amortiguación resultante es α = 0, 5,
y cuando Q es igual a 0,707, el factor de amortiguación resultante es α = 1, 414. La figura
representada en 6.19b muestra un bajo coeficiente de amortiguación de 0,1. La figura
representada en 6.19d ilustra un aumento de 0,5 en el factor de amortiguación, lo que
resulta en una reducción del pico de resonancia.
Figura 6.20: Ejemplo 6.19 (Malvino and Bates (2007)).
En la Figura 6.20, cuando se aumenta el factor de amortiguación en 1,414, se elimina el

pico de resonancia. Por consecuencia, al aumentar el factor de amortiguación, disminuye
la magnitud de la oscilación del pico.
6.5.1. Respuesta de Butterworth y Chebyshev

En la figura 6.21, se muestra una respuesta Butterworth de un filtro de segundo orden
generada por un Q de 0,707, con un pico de ondulación de 6 dB para 2 y 20 dB para
10. La respuesta Butterworth posee una amortiguación crucial, mientras que la respuesta de
ondulación está subamortiguadas" ((Malvino and Bates, 2007, pp- 757)). La respuesta
del filtro Butterworth exhibe una amortiguación crítica, mientras que la respuesta con
rizado está subamortiguadas. Dado que Q es 0,577, la se espera que la respuesta Bessel
esté sobreamortiguada.
Figura 6.21: El impacto de Q en la respuesta de un sistema de segundo orden, gráfica

tomada de (Malvino and Bates, 2007, pp. 757).
6.5.2. Filtros LC de orden superior

Es común construir filtros de orden superior mediante la conexión en cascada de
etapas de segundo orden.
En la ilustración 6.22 hay un filtro de Chebyshev, el filtro esta hecho de tres etapas de
segundo orden, es decir que es un filtro de sexto orden. Contemple que en cada etapa
posee su propia fR y su correspondiente Q. Las fr de cada etapa producen tres
ondulaciones en la banda de paso, y como el factor Q de cada etapa mantiene una
ondulación de pico de 1 dB, los picos aparecen a frecuencias en las que las etapas
restantes han comenzado a degradarse.
Figura 6.22: Representación visual de las frecuencias de resonancia (fr) y los factores Q
en un filtro de mayor orden.
Los filtros pasivos y activos pueden vincular fr y Q de etapas de segundo orden. Así,
el diseño de un filtro activo de mayor orden se logra al enlazar en cascada etapas de
segundo orden, cuyas frecuencias de resonancia (fr) y factores Q están estrechamente
relacionados de acuerdo con la forma requerida para obtener la respuesta deseada.
6.6. Etapas de primer orden

En un filtro activo unipolar de primer orden, cada etapa está compuesta por un solo
condensador. Debido a esto, estas etapas solo pueden generar una respuesta de paso bajo
o de paso alto. Sólo cuando n > 1 pueden utilizarse filtros pasa banda y de eliminación
de banda.
Etapa pasa bajas

El método más sencillo para crear un filtro activo de primer orden de pasa bajas
(Figura 6.23a). Simplemente tiene un seguidor de tensión sencillo un circuito de retardo
RC, y la ganancia de tensión se calcula mediante la siguiente expresión:
Av = 1
La fc tiene un valor de 3 dB, se define:

1
fc = (6.12)
2πR1C1
(a) Entrada no inversora con ganancia

unidad.
(b) Entrada no inversora con ganancia

de voltaje.
(c) Entrada inversora con ganancia de

voltaje.
Figura 6.23: Etapas de pasa bajas de primer orden.
Cuando la frecuencia alcanza la fc, la reactancia capacitiva decae, bajando la

tensión de entrada no inversora. La presencia del circuito de retroceso R1C1 fuera del
bucle de realimentación provoca una reducción en la tensión de salida. A medida que la
frecuencia se acerca a infinito, el capacitor se cortocircuita, lo que resulta en cero Voltaje
de entrada.
Con la Figura 6.23b se presenta un filtro no inversor de primer orden pasa bajas. A pesar
de tener 2 resistencias extras, una ventaja de la amplificación de voltaje por debajo de la
fc, que está condicionada por:
R2
Av = +1 (6.13)
R
1
La fc esta definida por:

1
fc = (6.14)
2πR3C1
Los circuitos de retardo reducen el voltaje de entrada no inversora sobre fc. Como el
circuito de retardo R3C1 está fuera del bucle de realimentación, el voltaje de salida
disminuye 20 dB cada década.
Se proporciona un filtro inversor de primer orden pasa bajas y con sus ecuaciones pa-
ra la Figura 6.23c. El capacitor es un circuito abierto a bajas frecuencias, por lo tanto
el circuito funciona similar a un amplificador inversor con la siguiente definición de
ganancia de tensión:
− R2 (6.15)
Av =
R1
A medida que aumenta la frecuencia, reduce la capacitancia y disminuye la impedancia de
la ramas de retro alimentación, lo que se traduce en una menor amplificación de voltaje.
Cuando la frecuencia alcanza el infinito, el capacitor se vuelve en un cortocircuito y pierde
la ganancia. Como se ve en la Figura 6.23c, la frecuencia de corte viene dada por la
siguiente ecuación:
fc = 1
(6.16)
2πR2C1
No hay otro método para crear un filtro de primer orden pasa bajas. Así, la Figura 6.9
muestra los tres únicos circuitos de etapa de pasa bajas de filtro activo.
Debido a la ausencia de una frecuencia de resonancia (fR), todas las etapas de

primer orden únicamente pueden implementar una respuesta Butterworth. Por lo tanto,
no puede crear el pico de una banda de paso rizada. "Todas las etapas de primer orden
son mono- tónicas en la banda eliminada y planas al máximo en la banda de paso, pero
también se desaceleran 20 dB" (Malvino and Bates, 2007, pp. 759–760).
6.6.1. Etapa pasa altas
Figura 6.24: Etapas de pasa altas de primer orden: No inversora con ganancia unidad.
La configuración más sencilla para un filtro activo de primer orden pasa altas con una
ganancia de voltaje de se muestra en la Figura 6.24.
Av = 1
La fc a 3 dB esta definida por:

1
fc =
2πR2 C1
Cuando la frecuencia cae por debajo de fc, A medida que la reactancia capacitiva se
incrementa, se observa una disminución en la tensión de entrada en la terminal no
inversora. Como R1C1 no está en el bucle de realimentación, se observa una disminución en
la tensión de salida. En este caso, el condensador se comporta como un circuito abierto con
un voltaje de entrada igual a cero.
Figura 6.25: Etapas de pasa altas de primer orden: No inversora con ganancia de voltaje.
La figura representada en 6.25 ilustra un filtro de primer orden no inversor pasa altas.
La definición de la ganancia de voltaje por encima de la fc se observa de la siguiente
manera: R2
A =
v
R1
La fc a 3 dB es :
1
fc =
2πR3 C1
Los circuitos RC reducen la tensión de entrada no inversora por debajo de la frecuencia
de corte. Como el circuito de retardo R3C1 se encuentra fuera del lazo de
realimentación, la tensión de salida disminuye en 20 dB por cada década.
Figura 6.26: Etapas de pasa altas de primer orden: Inversora con ganancia de voltaje.
Otro filtro de primer orden pasa altas se ilustra, junto con sus cálculos, en la imagen
6.26. El circuito muestra un comportamiento de amplificador inversor a altas frecuencias
con una ganancia de voltaje de:
−XC 2 −C
Av = XC1 = C 2 (6.17)
1
Cuando la frecuencia disminuye, la señal de entrada y la realimentación disminuyen y la
reactancia capacitiva aumenta, disminuyendo la ganancia de voltaje. Como los capacitores
son circuitos abiertos, la señal de entrada desaparece cuando la frecuencia se acerca a cero.
fc = 1
2πR C
1 1
6.6.2. Implementación del circuito

La figura 6.27 muestra un filtro pasa bajo de segundo orden Sallen-Key. Los condensa-
dores varían pero las resistencias son las mismas. Un circuito de retardo con condensador
C2 proporciona realimentación en la entrada no inversora."Los condensadores se abren
en circuito a bajas frecuencias debido al enlace opam seguidor de emisor, y el circuito tiene
ganancia unitaria" (Malvino and Bates, 2007, pp. 762–763).
Figura 6.27: Etapa de segundo orden con VCVS para Butterworth y Bessel.
El voltaje de entrada inversora y la impedancia C1 caen con la frecuencia. El

condensador C2 retroalimenta una señal en fase con la señal entrante. "La
realimentación positiva se añade a la señal fuente y reduce la reducción de la tensión de
entrada no inversora de C1" (Malvino and Bates (2007)).
La relación entre C2 y C1 aumenta la realimentación positiva, que eleva Q del circuito. Si

C2 eleva Q por encima de 0,707, la respuesta en frecuencia alcanzará un pico.
Frecuencia del polo

La representación visual de la figura 6.27 también lo demuestra:
r C2
Q = 0.5
C1 (6.18)
y que :
1
√
fp = (6.19)
2πR C1 C2
La fp es una frecuencia distinta que se emplea en la fabricación de filtros activos.
Adquirir conocimientos sobre el cálculo de la frecuencia de los polos es suficiente para
cumplir nuestros requisitos. La determinación de la frecuencia de polos para circuitos
intrincados se realiza mediante la utilización de la siguiente expresión:
fp = √ 1
2π R R C C
1 2 1 2
El filtro de ganancia unitaria Salle-Key se adhiere a la condición de R1 = R2, resultando

en la expresión simplificada de la ecuación 6.19.
Respuestas de filtros Butterworth y Bessel

Al examinar un circuito representado en la Figura 6.27, el primer paso es calcular Q y
fp. Si Q = 0, 707, el valor de Kc para una respuesta Butterworth es 1. Si Q = 0, 577, se
obtiene una respuesta Bessel con un valor de Kc igual a 0, 786. El corte de frecuencia se
calcula aplicando:
fc = kcfp (6.20)
Los filtros Bessel y Butterworth presentan una fc que corresponde al punto en el que la
atenuación alcanza un valor de 3 dB.
Respuesta con picos

El análisis del circuito para valores de Q superiores a 0,707 se demuestra en la Figura
6.28. Una vez calculados Q y la fp del circuito, se pueden derivar tres frecuencias
adicionales utilizando las ecuaciones siguientes:
f0 = k0fp (6.21)
fc = kcfp (6.22)
La frecuencia de resonancia en la que se manifiestan los picos es la primera. La fc es la
segunda, mientras que la frecuencia de 3 dB es la tercera.
Figura 6.28: Filtro de segundo orden con VCVS para Q >0.707.
6.7. Filtros de orden superior

"Los filtros de orden superior se construyen conectando en cascada etapas de primer y
segundo orden" (Malvino and Bates (2007)). Cuando el orden es par, sólo se conectan
en cascada las etapas de segundo orden. Si quieres un filtro de orden siete, necesitarás tres
etapas de segundo orden y una de primer orden. Los siguientes filtros pueden ser
fabricados como de orden superior.
6.7.1. Filtros Butterworth

Cuando "las etapas del filtro están conectadas en cascada, la atenuación global se
calcula sumando la atenuación en decibelios de cada etapa" (Malvino and Bates, 2007, pp.
768– 769)(Figura 6.29).
Figura 6.29: Dos etapas conectadas en cascada.
En la figura 6.30 se aprecia la respuesta global no es una respuesta Butterworth aunque

cada etapa tenga una respuesta Butterworth. Esto se debe a que decae en la frecuencia
del polo.
Figura 6.30: Etapas iguales producen una caída en la frecuencia de corte (Malvino and
Bates, 2007, pp. 769).
Con el fin de obtener una respuesta Butterworth, se mantiene las frecuencias de los
polos en 1 kHz y los factores Q de las etapas iguales o inferiores a 0,707. La Figura
6.30 muestra el procedimiento para lograr una respuesta Butterworth en todo el filtro. Se
utiliza un factor Q de 0,54 para la primera etapa y 1,31 para la segunda, como se ilustra
en el gráfico.
Para tener una respuesta Butterworth, mantenga las fp a 1 kHz y los factores Q de
las etapas iguales o inferiores a 0,707. La Figura 6.30 muestra cómo obtener una respuesta
Butterworth en todo el filtro Q = 0, 54 para la primera etapa y 1, 31 para la segunda.
Figura 6.31: Un Q bajo y un Q alto que se compensan para generar una respuesta de
Butterworth (Malvino and Bates, 2007, pp. 769).
La progresión de los valores Q de las etapas empleadas en los filtros Butterworth de

orden superior se muestra en la tabla 6.1. Aunque cada etapa tiene un Q distinto,
todas tienen la misma fp.
Orden Etapa 1 Etapa 2 Etapa 3 Etapa 4 Etapa 5

2 0.707
4 0.5 1.31
6 0.52 1.93 0.707
8 0.51 2.56 0.6 0.9
10 0.51 3.2 0.56 1.1 0.707
Tabla 6.1: Tabla de factores Q ligados para filtros Butterworthk pasa bajas.
6.7.2. Filtros Bessel

Los factores Q de las etapas y las frecuencias de polo deben concatenarse en los filtros
de orden superior Bessel. La tabla 6.2 proporciona el valor de Q y la fp de cada etapa
de un filtro a 1000 Hz. Como ejemplo, un filtro de cuarto orden Bessel exige una primer
etapa con Q = 0, 52 y fp de 1432 Hz, para la una segunda etapa el Q debe de ser de
0,81 y la
frecuencia de polo igual a 1606 Hz. Las frecuencias de polo de la tabla 6.2 en el cálculo
siguiente, se aplican una frecuencia de corte y un factor de escalado de frecuencia para
realizar la escalación directamente:
Tabla 6.2: Factores Q y frecuencias de polo para filtros pasa bajas de Bessel (fc =1000 Hz)
Orden Q1 fp1 Q2 fp2 Q3 fp3 Q4 fp4 Q5 fp5

2 0,577 1274
4 0,52 1432 0,81 1606
6 0,51 1607 1,02 1908 0,61 1692
8 0,51 1781 1,23 2192 0,71 1956 0,56 1835
10 0,50 1946 1,42 2455 0,81 2207 0,62 2066 0,54 1984
fc
FSF =
1kHz
Ejemplo, si un filtro de sexto orden Bessel tuviera una fc de 7,5 kHz, se multiplicaría
por 7,5 después de ser multiplicado por cada frecuencia de polo que se muestra en la tabla
6.2.
6.7.3. Circuito filtrador Chebyshev

Los valores de Q y fp se encadenan en filtros Chebyshev. También es necesario
considerar la magnitud del rizado. Además, el valor de Q y la frecuencia de polo para
un filtro Chebyshev en cada etapa se ilustra en la tabla 6.3.
Orde Ap Q1 fp1 Q2 fp2 Q3 fp3 Q4 fp4
n dB
2 1 0.96 1050
2 1.13 907
3 1.3 841
4 1 0.78 529 3.56 993
2 0.93 471 4.59 964
3 1.08 443 5.58 950
6 1 0.76 353 8 995 2.2 747
2 0.9 316 10.7 983 2.84 730
3 1.04 298 12.8 977 3.46 722
8 1 0.75 265 14.2 997 4.27 851 1.96
2 0.89 238 18.7 990 5.58 842 2.53
3 1.03 224 22.9 987 6.83 839 3.08
Tabla 6.3: Valores de Q, fp y Ap para filtros Chebyshev pasa bajas con un fc =1000 Hz
Como ejemplo, un circuito filtrador Chebyshev de orden seis con una amplitud de 2
dB en el rizado que necesita una frecuencia de polo igual a 315 Hz y un valor Q = 0, 9
en su primer estapa. En la segunda etapa,el valor de la fp s e r a i g u a l a 983 Hz

mientras que el valor de Q e s i g u a l 10,7 , para la utlma estapa (la tercerera) Q
tiene un valor de 2, 84 y la frecuencia polo vale 730 Hz.

6.7.4. C o n t r u y e n d o c i r c u i t o s filtradores.
El diseño de filtros activos es difícil, sobre todo para filtros de orden 20 o superior, ya
que hay que comprometer la complejidad de los circuitos, la sensibilidad de los componen-
tes y la sintonización.
Debido a que requieren mucho tiempo, todos los diseños de filtros se realizan en
ordenadores. “ Un programa informático para un filtro activo que contenga todas las
ecuaciones, tablas y circuitos necesarios para ejecutar las cinco aproximaciones
(Butterworth, Chebyshev, Chebyshev inversa, elíptica y Bessel) minimiza considerablemente el
error y el diseño del filtro" ((Malvino and Bates, 2007, pp. 770)).
Los filtros se componen de circuitos que varían desde una etapa simple con un opam hasta
cinco o más amplificadores operacionales en etapas más complicadas .
6.8. Filtros r e c h a z a banda o tipo banda eliminada

Los circuitos filtradores del tipo rechaza banda tienen muchos usos en circuitos, para
los filtro de segundo orden, se usan de uno a cuatro amplificadores operacionales. “En
muchas aplicaciones, un filtro sólo requiere eliminar una solo frecuencia" (Prado,
2002, pp. 26).
Figura 6.32: Un filtro de segundo orden de hendidura tipo Sallen-Key.
En la figura 6.32 se muestran "las ecuaciones analíticas de un filtro de hendidura

Sallen- Key de segundo orden. Los condensadores de baja frecuencia son todos circuitos
abiertos, la entrada no inversora recibe toda la señal de entrada"((Malvino and Bates,
2007, pp. 781)). Ganancia de voltaje en la banda de paso:
R2
A +1 (6.23)
v
R1
Los capacitores entran en corto circuito con frecuencias extremadamente altas, por
ende la señal de entrada regresa completamente integra a la entrada no inversora::
0
La frecuencia central, que esta ubicada entre las frecuencias bajas y altas, esta
definida por la ecuacion siguiente:
f0 = 1 (6.24)
2πRC
"La señal de realimentación vuelve con la fase y amplitud adecuadas a esta frecuencia,
atenuando la señal en la entrada no inversora" ((Malvino and Bates, 2007, pp 758)). En
consecuencia, el voltaje de salida se reduce a un nivel inferior. Utilizando la ecuacion
6.25 se puede obtener el valor Q:
0.5
Q= (6.25)
2 − Av
Evite las oscilaciones con una ganancia de tensión del filtro de muesca Sallen-Key inferior
a 2. Las resistencias R1 y R2 presentan una tolerancia, el valor Q del filtro esta obligado
a ser menor a 10. Para los valores elevados de Q, estas resistencias tienen la capacidad
de generar una amplificación de voltaje superior a 2, causando oscilación.
6.9. Filtro pasa todo

Se han explicado los filtros pasa todo. El término "filtro de fase" ((Malvino and
Bates, 2007, pp. 758)) es mejor, porque el filtro sin modificar la amplitud puede cambiar
la fase de la señal de salida, lo que implica un desplazamiento de fase sin alterar el valor
absoluto de la señal. El filtro de retraso describe un retardo temporal relacionado con el
desplazamiento de fase.
6.9.1. Filtro de etapa de primer orden pasa todo

El filtro pasa todo muestra una constante ganancia de voltaje para todas sus
frecuencias sin hacer excepción. Para este filtro resulta ventajoso en escenarios en donde
el objetivo es no alterar la amplitud mientra es filtrada.
Figura 6.33: Etapas pasa todo de primer orden: con retraso de Fase en la salida.
El filtro pasa todo de retraso de primer orden se ilustra en el circuito 6.33. El

circuito puede clasificarse como un sistema de primer orden debido a la presencia de un
único capacitor.
La figura 6.34 presenta un filtro Forward de primer orden pasa todo (no se vera en el
curso). En este escenario, el filtro desplaza la señal de salida 180◦ a 0◦. Por lo tanto, la
respuesta de salida puede preceder a la señal de entrada en 180 grados. El filtro de orden
uno presenta un desplazamiento en la frecuencia central en la fase de +90°.
Figura 6.34: Etapas pasa todo de primer orden: Fase de salida adelantada.
6.9.2. Filtro pasa todo de orden dos

2
Un filtro pasa todo de orden dos incluye mínimo dos capacitores, muchas resistencias
un Opam. Estos componentes hacen posible que la seña tenga un desplazamiento de fase
en un rango de 0° a 360°. Adicionalmente, se puede modificar el Q para cambiar la
respuesta en fase entre 0° y ±360° en un circuito pasa todo de orden dos.
En un filtro de segundo orden la frecuencia central cuyo desplazamiento es igual a ±180◦.
Un filtro pasa todo de retraso de orden dos con realimentación múltiple (fig. 6.35).
"Los opamp tienen cuatro resistencias y dos capacitores, que es la configuración más simple"
(Malvino and Bates, 2007, pp. 782). Para configuraciones más avanzadas usan de más de
dos opams, por encima de dos capacitores y muchas resistencias. Mediante el uso de un
filtro pasa todo de orden orden 2, es posible determinar el valor de Q como la
frecuencia central del filtro con precisión.
Figura 6.35: Etapa pasa todo de segundo orden.

3
6.10. Ejercicios
Los ejercicios que propuestos son para ejercitar las habilidades adquiridas para diseñar
circuitos a su vez de poder llegar a filtrar señales de una manera analógica.
1. ¿Qué ganancia de voltaje tiene el

circuito de la figura6.36 de
referencia ?
¿Cuál es el valor de fc? ¿Cuál es la
respuesta en frecuencia?
Figura 6.38: Filtro 3
4. ¿Cuáles son las fc ? ¿Cuáles son la

fp y Q? del circuito representado en
Figura 6.36: Filtro 1 la Figura 6.39 con atenuación de 6
dB.
2. Del circuito de la figura 6.37,
encuentre la frecuencia de corte
ademas de la ganancia de voltaje .

5. En la figura 6.40, determina la fre-
3. ¿Cuáles son la frecuencia de los po- cuencia del polo y el valor Q del fil-
los y los valores Q del filtro que se ve tro. ¿Cuál es la reacción a la frecuen-
en la figura 6.38? ¿Con qué fc? cia?
4
Figura 6.40: Filtro 5 Figura 6.42: Filtro 7
6. Obtenga el factor Q y la fp del filtro 6

(Figura 6.41). Si kC = 0, 827, 8. Determine Vo del siguiente filtro pa-
¿a qué frecuencia se produce el cor- sivo con una f = 86Hz
te?
9. En el filtro representado en la figura
6.42, es necesario calcular el factor
q y la fp. ¿Encuentre la frecuencia
límite de un sistema determinado?

7. Calcule el valor Q y también la
frecuencia del polo de la Figura
6.42.
Con atenuación de 3 dB calcule la 10. Se desea determinar los valores de
frecuencias de corte ademas de la frecuencia de polos y factor Q para
frecuencia de resonancia, sí el circuito representado en la figura
mediomos en decibelios ¿cual sera la 6.44. ¿Podría proporcionar más con-
amplitud del rizado? El filtro crea un texto o especificar el tema? ¿Cuál es
pico de respuesta de 18 dB a una la magnitud del rizado expresada en
frecuencia de 100 kHz, seguido de decibelios?
caídas de 2 dB a la fc de 6 dB a 43
kHz.
para que la fc sea

aproximadamente 300 Hz.
14. En la Figura 6.46, R1, R2, R3 = 2kΩ

y C = 280 nF. ¿encuentre el despla-
zamiento de fase de voltaje de salida
con una f = 3 kHz?
11. La resistencia del JFET puede

cambiarse de 10 a 60Ω cambiando la
tensión de puerta del filtro de la
imagen 6.45. ¿Cuanto mide el
ancho de banda? y determine la
macima y la mínima de las
frecuencias centrales.
15. Construya un filtro Butterworth

pasa bajas con una frecuencia de
corte fc = 11KHz y una
atenuación mí- nima de At =
25dB a fr = 10Khz
16. Creé un filtro pasa altas con una fc

Figura 6.45: Filtro 10 de 120 KHz, una atenuación mínima
de 26 dB a 180 KHz a fr = 180 Khz.
12. Determine Vo del siguiente filtro pa-
17. Se desea utilizar un filtro pasa ba-
sivo con una f = 7Hz.
jas con una frecuencia de corte de 10
13. Para el siguiente filtro pasivo, con kHz: Amáx. = 15 dB, mientras que
R = 2.2kΩ y C = 4µF , calcular L Amín = 25 dB. fa = 6kHz.
6
6.11. Prácticas
Práctica 16: Filtros Activos
Objetivo
El alumno deberá conocer los diferentes tipos de filtros activos además de poder tener
la habilidad de diseñar los filtros a partir de la frecuencia de corte con el fin de que lo
implemente en su vida laboral o en sus demás materias.
Material
Fuente de voltaje.
Osciloscopio.
Punta de generación de funciones.
Amplificador operacional LM741.
Resistencias 800 kΩ, 220kΩ, 10kΩ, 6.7 kΩ, 3.3kΩ, 1 kΩ, 140 Ω, 17 Ω.
Capacitor de 0.47 µF, 15 nF.
Metodología 5. En cada circuito se medirá el voltaje

1. Calcule la frecuencia antes de hace de salida .
las simulaciones para este caso la fc
sera calculada como 6. Observe la señal antes de que
1 entre al filtro y luego vea la señal
Fc = ya filtrada todo en el osciloscopio.
2πR3C1
7. Anexe evidencia fotográfica, cálculos
2. y la ganancia del amplificador será:
teóricos , preguntas y conclusiones
∆V = 1 + (R2/R1) individuales al reporte.
3. Construya los circuitos, los Opams ¿Cuál es la función de un filtro?

serán polarizados a±12 VDC y las
ondas senoidales tendrán un valor Describe los tipos de filtros
de 10 Vpp.
¿Qué es la frecuencia de corte?
4. Simule cada uno de los circuitos
propuestos aquí. ¿Qué es el factor de calidad?
Figura 6.47: Circuitos de filtro activos
(a) Circuito filtro pasa bajas. (b) Circuito filtro pasa altas.
(c) Circuito filtro pasa banda.
(d) Circuito filtro rechaza bandas.

8
Práctica 17: Algunos filtros pasivos
Objetivo das Frecuencias para el pasa bajas

Desarrollar un circuito pasa bajas F.C.P B1 = 100Hz y F.C.P B2 =
y un segundo que sera pasa altas, 60Hz.
ambos filtros tienen que ser pasivos.
2. Desarrolle los cálculos para las
Material frecuencias las frecuencias desea-
das Frecuencias para el pasa altas
Osciloscopio. F.C.P A1 = 2kHz y F.C.P A2 =
Generador de funciones. 4kHz.
Puntas de generador de funciones. 3. Construya el circuito del filtro pasivo

Puntas de osciloscopio. pasa bajas y el filtro pasivo
Capacitor de 1 µF. 4. Con el osciloscopio tome la señal an-

Resistencias determinadas por el tes de entrar al filtro y en la salida
alumno para comparar.
Metodología 5. Anexe evidencia fotográfica, cálculos

1. Desarrolle los cálculos para las al reporte.
frecuencias las frecuencias desea-
Figura 6.48: Circuitos de filtro pasivos
(a) Circuito filtro pasa bajas pasivo. (b) Circuito filtro pasa altas pasivo.
Para esta sección el material extra es reducido debido a que este tema es
complementado por otras materias, se sugiere leer los apartados para un a mejor
comprensión del tema.
Apartados 21.1, 21.2, 21.3, 21.4, 21.5, 21.6, 21.7, 21.8, 21.10, 21.11, 21.12 Capitulo 21.
Filtro activos, Malvino Albert y Bates David J. (2007). Principios de electrónica,
España: McGRAW-HILL/INTERAMERICANA DE ESPAÑA, S. A. U.
Balboa Morales, E. M., Sáez Saldías, M. A. (2016). “Análisis, diseño y construcción de

filtros activos” (INGENIERO DE EJECUCIÓN EN ELECTRÓNICA).
Universidad de BIO-BIO de Chile. Facultad de ingeniería.
El material audiovisual “Filtros (1/2)"del canal Electrónica FP en youtbe: https :

//youtu.be/5GS1q4AEV Y s
El vídeo “Filtros (2/2)"del canal de youtube Electrónica FP: https : //youtu.be/rDurvBJZV 8
EL vídeo "filtro activos"del Dr.Erwin Zabaleta Aguilar del canal de youtube

Erwin Zabaleta: https : //youtu.be/nwxwoqprRUk
El material audiovisual "Filtros de frecuencia: teoría y simulación"del canal de you-

tube "Profe mecatrónico": https : //youtu.be/0i0kXXdJso

Guia - Del - Maestro - UAQ Origmal

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Guia - Del - Maestro - UAQ Origmal

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Capítulo 1

La carencia de una atracción considerable entre los electrones presentes en la capa de

1.3. Estructuras y simbología

Figura 1.2: Representación simbólica de un diodo (Simbolos Electicos y Electronicos).

Figura 1.3: Símbolos de diodos(Simbolos Electicos y Electronicos).

Figura 1.4: Símbolos de fotodiodos(Simbolos Electicos y Electronicos).

Figura 1.5: Símbolos de puentes rectificadores(Simbolos Electicos y Electronicos).

1.3.1. Niveles de energía

1.4. Materiales intrínsecos y extrínsecos

Figura 1.6: Representación de la estructura interna de los átomos de Germanio(Ge), Sili-

Figura 1.7: Representación de semiconductores intrínsecos.

“Çuando se aplica calor a un semiconductor tiene un aumento de conductividad, los elec-

1.4.1. Materiales extrínsecos: tipo n y tipo p

Figura 1.8: Representación de dopaje de semiconductores extrínsecos tipo n.

Las dos principales clasificaciones de semiconductores extrínsecos que desempeñan

Figura 1.9: Representación de dopaje de semiconductores extrínsecos tipo p con un átomo

Los componentes de categoría P comprenden elementos tales como el aluminio, el

1.4.2. Flujo de electrones contra el flujo de huecos

Figura 1.10: La corriente de electrones de izquierda a derecha es el tradicional, pero el flujo

Figura 1.11: Formación de la barrera de potencial.

1.5. Polarización del diodo

Debido a la limitada presencia de átomos de impurezas en el material, la

1.5.2. Polarización inversa

Figura 1.13: Polarización inversa de un diodo, se aprecia el crecimiento de la

Considerando lo anterior los diodos son "puertas

1.6. Tipos de diodos

En el contexto de la avalancha, el comportamiento de los diodos de tipo Zener se presenta de la

Por lo tanto, el electrón se vera obligado a moverse hacia la derecha y, como ya se

(b) Región Zener Boylestad and Nashelsky

Figura 1.15: Gráfica A representa la polarización de un diodo Zener y la gráfica B

mencionó anteriormente, la cantidad de portadores minoritario moverán a los electrones

Si aplicamos voltaje inverso a un diodo semiconductor normal lo que ocurriría es una

1.7. Otros diodos

La cantidad de energía liberada en un diodo, que suele ser baja en un diodo

Figura 1.16: Re-

1.8. Diodo como rectificador

1.8.1. Tipos de rectificadores

1.8.3. Rectificador de onda completa o puente rectificador

Otra de las desventajas eliminada es el uso de más mate-

se encienden, produciendo así una señal de salida de CC pulsada, como se representa en

Valor promedio o voltaje promedio

El valor promedio VD para la señal de la ilustración 1.17, es la suma de las áreas

xpromedio = a1 + a2 + ...an (1.1)

Figura 1.22: Pe-

Y así, se obtendrá el valor promedio o voltaje de alimentación que se comprobara usando

1.9. Diodos en serie y en paralelo

Figura 1.23: Circuito sencillo en serie Boylestad and Nashelsky (2004).

Figura 1.24: (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 67).

Figura 1.25: (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 67).

Paso 3: El voltaje de la resistencia es igual al voltaje de la fuente menos el voltaje

Figura 1.26: (Boylestad and Nashelsky, 2004, pp. 71).

vo = E − (vk1 + vk2) (1.9)

vo = 12v − (0.7v + 1.8v)

ID2 = 3.32mA − 0.212mA

Las aplicaciones que podemos encontrar para los diodos son:

Rectificadores de onda completa y media onda.

Reguladores de voltaje por medio de diodos zener.

Limitadores de voltaje con uso de diodos zener.

Recuperación rápida de datos en computación por medio de diodos schottky.

Amplificador de corriente y oscilador en microondas usando diodos túnel.

Modulación de frecuencia y ondas de radio por medio de diodos varicap.

Figura 1.30: Circuito 1.

2. Obtener la potencia del circuito 1.