U. Tietze, C. Schenk - UkÅ Ady Poì Å Przewodnikowe ELp (Skompresowany) (Skompresowany)

Ulrich T1e11e
ChristophSchenk
\ I
I
I
I
I
I
I
/
Wydawnictwa
Naukowo-Techniczne
Warszawa
f ~'-'P»I e:::~tego
:;~:~7ao:i:!f
•:•:·~;:
~:;:;;s,:;:;:
,.,w::::::::~
f':;)1-."X:::::.;
:;:-:,:•:
:·:::·:·:·:·:·:··:·:·:·::::..';:;:;:.,?'*'::
~~~w·~" :'f;:~w:
·:·:·:·: ::::
:.:.:.:
:::::
:.:::.:.:::.;~,::::;;::::::--::,::;::~;::::
:::::
:::::: :;:;::::::::
::::::::::::
::~~~~~~~=~==·::::
:::::::
Elektronika niepowstrzymanie wkracza do coraz nowszych dziedzin nauki i te-

chniki. od dawna kojarzy nie tylko z i przetwarzaniem
danych, lecz jest obecna tam, gdzie trzeba lub regu-
przy tym na pra-
i elastycznych mechanicznych systemami stano-
czujników (dla których coraz stosuje
sensory), organów wykonawczych oraz elektronicz nego
zmiana programu przystosowanie takiego sy-
stemu do rodzaju bez wprowadzania zmian
w Na tym opiera notowany w ostatnich latach w budowie
maszyn i precyzyjnych.
Taki rozwój sytuacji zmusza coraz szersze grono naukowców i techników
do Niniejsza jest dla nich.
tak, by pracowników naukowych z dziedzin nauk
przyrodniczych oraz studentów politechnik i w zagadnienia
z Ale oprócz tego zadaniem jej jest
stworzenie wszystkim zainteresowanym technikom szybkiego i
nego zapoznania z wybranymi tej wiedzy.
W tym celu na dwie pierwsza ma
charakter wprowad zenia do teorii i zawiera
dwusernestralnego z podstaw elektroniki technicznej.
nienia zaczynamy od przedstawienia charakterystyk elementów
nikowych i rezygnujemy z omówienia zjawisk fizycznych w
przewodnikach. Oprócz tego z góry pomijamy efekty o znaczeniu
nym, aby istotne zasady Przy twórczej pracy
projektowej zrozumienie zasady jest o wiele budowa
bardzo modeli matematycznych. Do analizy
programy symulacyjne, np. program SPICE, co
czyni Ze na rozrzut
produkcyjny parametrów elementów elektronicznych znaczenie ma jed-
nak projektowanie takich które z góry nie na rozrzut
parametrów zastosowanych elementów. W niniejszej do
tego szczególne znaczenie. Projektowanie cy[rowych od dawna nie garn
polega na lutowaniu z elementów logicznych TTL z rodzi-
ny 7400. Dzisiaj wiele elementów struk- tabli
(programmab/e logic device, PLD), programuje odpo- Tab:
wiednio do danego zadania. Ten sposób tak popularny w ty,
dlatego, jest oprogramowanie przystosowa ne do to kl
tanich komputerów klasy PC, a samo programowanie trwa nike
minut. poszczególne bloki funkcjonalne, jak multipleksery, liczniki w p,
i rejestry bierze 1 biblioteki przechowywanej w kom-
putera. Z tego powodu w dalszym celowe jest rozumowanie katego- pute
riami bloków funkcjonalnych. jest i to, w wielu przy-
padkach tutaj sobie budowania prototypu, pro-
gramy do projektowania przeprowadzenie symula- prze:
cji staw
zastosowaniom elektronicz- do ,,
nych, a wszystkie tak , aby je korzys- wyp1
w minimalnym stopniu z zawiera krytyczny wycl
i danego zadania. Aby sze,
Czytelnikowi szybkie od idei do przedstawiamy nie
tylko takie które wypróbowane w prakty ce. W wiciu przy- bard
padkach podajemy dodatkowo kompletne z elemen-
tów. one za zadanie Czytelnika do samodzie lnej realizacji.
Weryfikacja i wprowadzenie zmian do takiego szybkie ki.~
nabranie Aby Czytelnikowi frust- O Stil
racji z faktem , mimo poprawnie zbudowanego nie uzys-
kuje rezultatu, wszystkie z zaznaczonymi ele-
mentów sami w naszym laboratorium. Szeroki rezonans ze
strony Czytelników dowodzi, ten Erla .
publikacje z dziedziny elektroniki odnosi
analogowe na drugi plan przez cyfrowe. Postarali-
o potraktowanie obu tych obszarów. Nie bo-
wiem o tym, nas ma charakter analogowy.
Dlatego przy praktycznego zadania jest wymagany
przynajmniej odpowiedni interfejs , do budowy którego jest potrzebna grun-
towna techniki analogowej. Nie wolno
cyfrowe ostatecznie w postaci rzeczywistych impulsów i
bez opanowania którego nic
cyfrowe. Po zbadaniu wiele cyfro-
wych okazuje prawdziwymi generatorami losowych, co wynika
z efektów propagacji lub powielania impulsów na skutek Z tych
powodów o tych aspektów w poszczególnych
Ze na fakt , do wielu standardowych ist-
po bardzo scalone, projektowanie redukuje
si~ do paru odpowiednich elementów. Jest przy tym wyma-
gane przestudiowanie obszernych katalogów producent ów. Aby
Czytelnikowi w poszczególnych w postaci
tablic aktualnie typów elementów i scalonych.
Tablice te regularnie aktualizowane, a elementy i zamieszczone
w tym wydaniu najnowszemu stanowi techniki. nie
to kompletne wykazy elementów. nam jednak o wskazanie Czytel-
nikowi, jakie dane powinien pod oraz jacy producenci
w poszczególnych dziedzinach.
Nie dzisiaj sobie cyfrowych bez mikrokom-
putera. Zagadnieniom tym jest tak literatury fachowej,
adept z tej dziedziny ma od czego Aby
naprzeciw tego typu potrzebom , do opisu nieco
mikroprocesora z rodziny 6800. Ma on jednak wszystkie pod-
stawowe funkcje, a ze na nadaje szczególnie
do studiów. Oprócz tego ze na stosunkowo
jest god ny polecenia przy pierwszych próbach realizacji
wych.Na tak solidnej podstawie rozszerzenie posiadanych o now-
sze, bardziej typy z 16- lub danych, nie jest szczegól-
nietrudne. Odpowiedni wykaz typów zawiera najnowsze, naj-
bardziej rozbudowane mikroprocesory, z mikrokomputerem
serdecznie gronu Czytelników i Kolegów za liczne wskazów-

ki. z tego cennego toru zwrot nego ,
o stale ulepszanie naszej
Erlangen i Monachium U. Tietze, Ch. Schenk

w styczniu 1993
.~···;·······
~·····
·,i
,~: ( ,.,,'·."., ~;,X•

;s~;'"••.j"',.,"
~,.',~.:,, . ...
••,,~.,.," '. ·······'·.·•••••••
.•:•:•:•:•:•:
I
i
·~®:·
~.,·.·.'.' ·.
••.•.•.•.
Spis
••·•·.············ .·:....... .
·••·•••••·••·•.·•.••...·.....·......·..·..·..·......,:,:,:,:-.'*
·..·.·.:.·.·••·••·•••• »-<.".•··.· ••••
,.'., .•·•·•·•·• :;:::::::::::::::;:
;:;:::::f.~r::
;:;:;
:;:;:;:;:
;:;:;:::::::::h::$.~::::::::::::::;:;:;:;:;::~:;:
::;:; ;::::~: :::i!:=:
~¾
I. Podstawy
1. i oznaczenia ................
.....
.....
.....
.......
......
. 17
2. Binarne obwody RC i RLC ...:........... ........ .................. ..... ...... 25

2.1. Filtr dolnoprzepustowy ................... ................................................... 25
2.2. Filtr górnoprzepustowy .......................................... ............ ............ ... 30
2.3. Skompensowany dzielnik ..................................................... 33
2.4. Bierny filtr pasmowoprzepustowy RC.. .................................. ........... 34
2.5. Mostek Wiena-Robinsona ................................................................. 36
2.6. Filtr typu podwójne T ......................................................... .... .......... 37
2.7. Obwód rezonansowy .......................................................................... 38
3. Diody..... ................... ......... ....... ....... ............ .......................... . 40

3.1. Charakterystyki i dane techniczne ..................................................... 40
3.2. Stabilistory .. ............ ............ .. .. ...... ... ......... .... .... ........ .............. ........... 43
3.3. Diody .. ......... .. . ............ ......... ...... ......... .. .. ...... ............ 44
4. Tranzystory bipolarne .. ..... ........ ... .. ... .......... ............. ..... ... ... .... 46
4.1. Charakterystyki i parametry .......... .............. ........... . 47
4.2. Parametry graniczne ................. .... ... .... .... ......... ........ ............. ......... ... 52
4.3. ze wspólnym emiterem (WE) .................................................. 56
4.4. ze (WB) ............................................................ 72
4.5. ze wspólnym kolektorem (WK), wtórnik emiterowy ............. 73
4.6. Tranzystor jako .. .......... ...... ......... ............. ........... .... 76
4.7. Darlingtona .................. .... .......................................... ........ ..... 82
4.8. \Vzmacniacze ...... .. .. ...... ... ... .............. .............. ... ... ............ 84
4.9. Pomiar niektórych parametrów tranzystorów ................................... 94
4.10. Szumy w tranzystorach ........................... ...... ..................................... 96
5. Tranzystory polowe ..... ................... ........... ..... .................... .... 101

5.1. Klasyfikacja ....................................................................................... 101
5.2. Charakterystyki i parametry .................................... 103
5.3. Parametry graniczne .... ................ ........ ............ ...................... .... ........ 107
5.4. Podstawowe pracy ..................... ..................................... ....... 108
5.5. Tranzystor polowy jako .......................................... 113
5.6. Wzmacniacz z tranzystorami polowymi ........................... 116
5.7. Tranzystor polowy jako sterowana rezystancja ................................. 118
6. Elementy optoelektroniczne ... ... .. . .. ............................... ...... .... 121

11.
6.1. Podstawowe fotometrii ........................ .................................. 121
6.2. Fotorezystory .......................... .......... ................. ................................ 124
6.3. Fotodiody .......................................................................................... 125
6.4. Fototranzystory ................................................................................. 127
6.5. Diody elektroluminescencyjne ......................................................... .. 128
6.6. Transoptory ....................................................................................... 129
6.7. optyczne ........................................................................... 130
7. Wzmacniacz operacyjny ........ ... ....... ............ ............ ....... ....... . 141 12.
7.1. wzmacniaczy operacyjnych ...................... ...................... 141
7.2. Ujemne zwrotne ................................... ............... .............. 148
7 .3. Wzmacniacz fazy ........ ................... ..... .. ........ ............ 152
7.4. Wzmacniacz ........................................................ ... 155
7.5. Budowa wzmacniaczy operacyjnych .............................. 157
7.6. Standardowe scalone wzmacniacze operacyjne ................................. 159
7.7. Korekcja charakterystyk.i ............ ...................... ... 163
7 .8. Pomiar parametrów wzmacniacza operacyjnego .......... ..................... 176
7.9. scalonych wzmacniaczy operacyjnych ................................. 178
8. przerzutnikowe ..................... ....... ........ .......... ............. 185

8.l. Tranzystor jako element cyfrowy ...................................................... 185 13.
8.2. przerzutnikowe z tranzystorami nasyconymi ........................ 189 1
8.3. Tranzystorowe przerzutnikowe ze l
emiterowym ................................ ........ ................................................ 196 T
8.4. przerzutnikowe z bramkami ..................... ............. ............... 199 J
8.5. przerzutnikowe z komparatorami ......................... ................ 203 J
T
9. Podstawowe logiczne ..... .............................................. 215 I
9.1. Podstawowe funkcje logiczne .......................... ............. ........... ........ .. 215 14. ]
9.2. Opisy funkcji logicznych ................ .................................................... 218
9.3. funkcje logiczne ................................................... ................ 222 l
9.4. Realizacja podstawowych funkcji logicznych ................... 224 I
9.5. Przewody ............................................................................... 243 l
9.6. kombinacyjne ............................ ............................. ............... 245
9.7. Notacja ....................................................................... 250
1
1O. sekwencyjne . ... ........ ........... .... ... .. ... ............. .. ... .... . .... . 253
1
l 0.1. Przerzutniki scalone ......................................................................... .. 253
10.2. Liczniki dwójkowe ............................. ................................................ 261 11
, ., , ,, ...... .. ......... , . . .... ......,w,•,,.,,, .. , m-~,~~· ·•,. ,•,-,,. •,. •,. •,•,•,•,•.w u, •,w ,•,00 .,w·~--
10 SPIS
08 10.3. Liczniki w kodzie 8421 . .. ............. ...... ........ .... 270
13 10.4. Liczniki nastawne ...................................................................... ....... 273
16 10.5. Rejestry ......... ...... ............... ....... ........... ............. ..... .. .. 274
18 10.6. Przygotowanie asynchronicznych .... ................ ................. 276
10.7. Projektowanie sekwencyjnych ................ ..... ...................... 282
n
11. ..................................................... 291
21
24 11.1. z zapisem i odczytem (RAM) .............................. .............. . 293
25 11.2. Wykorzystanie RAM ..................... .................................. ... 302
27 11.3. (ROM) .. .. ........ .......................... ........ ....... . .. ... .. .......... 313
28 1I.4. logiki programowalnej (PLD) ...... ........ ... ............. ............... 321
29
30 II . Zastosowania
n 12. Liniowe i nieliniowe analogowe operacje
41 matematyczne ...................... ........ ..... ............................ ... ... .... 337
48 12.l. Sumator .................................... ............................ ............................ 337
52 12.2. .......................................................................... 338
55 12.3. o wzmocnienia ze zmiennym znakiem ....... 342
57 12.4. Integratory .... .............. .... ...... ...... ........ .................... .............. . .......... 343
59 12.5. ............................... ..... ............................ ....... 349
63 I2.6. .................. .............. ........... 352
76 12.7. Generatory funkcji funkcyjne) ........................ 355
78 12.8. Analogowe ................. ...................... ..................... 372
12.9. Zmiana ........................................................ 384
15
85 13. sterowane i przetworniki impedancji .... ....................... 388
B9 13.1. sterowane ....................................... .... ... 388
13.2. sterowane ...... ........ ......... ........... .... ... ... ... ... 390
13.3. sterowane ..................... .................. ........... 391
~9 13.4. sterowane ..................................................... 403
)3 13.5. Konwerter ujemnoimpedancyjny NIC ................. ........... ................. 404
13.6. .................. .......... .................. ........................................ ....... 407
~5 13.7. Cyrkulator ........................................................................................ 411
15 14. Filtry aktywne ........................... ............................................. 414
18
22 14.1. Podstawy teoretyczne filtrów dolnoprzepustowych .......... ...... ........ . 414
24 14.2. Transformacja filtru dolnopr2epustowego na górnoprzepustowy ... 437
B 14.3. Realizacja filtrów doino- i górnoprzepustowych
~5 pierwszego .............................................................................. 438
iO 14.4. Realizacja filtrów dolno- i górnoprzepustowych drugiego .... 440
14.5. Realizacja filtrów doino- i górnoprzepustowych
i3 .............................................................................. 445
14.6. Transfonnacja filtru dolnoprzepustowego na filtr
>3 pasmowoprzepustowy ... .. ... .. . ... .. .. .... .. ... ... ... .... . .... .. .. ... ... ... ... .. .. ... .. ... 448
il 14.7. Realizacja filtrów pasmowoprzepustowych drugiego ........ .... 453
SPIS 11
14.8. Transformacja filtru dolnoprzepustowego na filtr
pasmowozaporowy ............ ........................................................... ·.... 457 19.
14.9. Realizacja filtrów zaporowych drugiego ................................ 459
14.10. Filtry wszechprzepustowe ............................................. ................... 461
14.11. Regulowane filtry uniwersalne .... ................... .................................. 467
14.12. Filtry z 473
15. Generatory ... ... . .... .. .. ... .. ... ..... .... .. . ...... .... . ..... ... .. ... ...... ... .... ..... 482
15.1. Generatory LC ...................... ........................................................... 482
15.2. Generatory kwarcowe ...... ..... ............. ....... ........ ...... ... .......... ............ 490
15.3. Generatory z mostkie m Wiena ... ....................................... ........... ... 496 20.
15.4. Generatory z analogowymi operacyjnymi ....................... 501
15.5. Generatory funkcyjne ...................................................................... 504
16. Wzmacniacze szerokopasmowe ..... ... ............ .... .............. ....... .. 512
16.1. wzmocnienia
od .................................................................. ............ 512
16.2. tranzystora i
................................................................................... 515
16.3. kaskadowy .............. ........ ...................................................... 516
21.
16.4. Wzmacniacz jako wzmacniacz szerokopasmowy ........... 517
16.5. Symetryczne wzmacniacze szerokopasmowe ................................ ... 518
16.6. Szeroko pasmowy wtórnik .......... .......... ............... .......... 524
16.7. Szeroko pasmowy wzmacniacz operacyjny ....................................... 527
16.8. Wzmacniacz transimpedancyjny (ze ......... 529
16.9. Wzmacniacze szerokopasmowe o dwóch ... 531
17. Wzmacniacze mocy .... ............ ..... .............. ..... .... ..... ... ......... ... 536
17.1. Wtórnik emiterowy jako wzmacniacz mocy.................................... 536
17.2. Komp lementarne wtórn iki emiterowe ............................................. 538
17.3. Wzmacniacze z komplementarnymi Darlingtona ............ 544
17.4. Komplementarne wtórniki ............................................... 546
17.5. Elektroniczne ograniczenie ................................................ 548
l 7.6. Praca w czterech ....................... 551
17.7. Obliczanie stopnia mocy ............................................. 552
17.8. (przedwzmacniacze) ............................................. 555 22.
17.9. scalonego wzmacniacza
operacyjnego .... ...... .. .. ......... ....... ........ ......... ............. ...... ... ... ...... .. .... 558
18. ...... ... .......... ..... ..... ..... ............................ ..... 560
18.1. transformatorów sieciowych ............................ ............ 560
18.2. Prostown iki sieciowe ................................. ........................................ 562
18.3. stabilizatory ............................................................ 568
18.4. Wytwarzan ie odniesienia ................................................... 58 l 23.
18.5. Zasilacze impulsowe .................................................... ........... .......... 586
18.6. Stabi lizatory impulsowe kluczowane po stronie wtórnej ................. 588
18.7. Stabi lizatory impulsowe kluczowane po stron ie pierwotnej ............ 597
12 SPIS
19. Cyfrowe arytmetyczne ...... ...... ... .......... .......... ..... ........ 612
7
9 l 9.1. Sposoby przedstawiania liczb ... ............. ......... ............ ... ...... ............ 612
I 19.2. Konwertery kodów ................................................ ................ .......... 620
7 19.3. Kombinacyjne (harrel shijier) ........................ 626
3 19.4. Komparatory ... .. ... .. ........ ........ .. .. ... ................... ...... ...... .. ............ ..... 628
19.5. Sumatory ................ .......................................................................... 630
z 19.6. 638
2 19.7. Cyfrowe generowania funkcji standardowych ..................... 642
o
6 20. Podstawy mikrokomputerów ............. ........ ..... .......... 647
I
20.1. Podstawowa struktura mikrokomputera ......................................... 647
4
20.2. Zasada mikroprocesora ...... ......... ..... ...... .. ...... .... .. ......... ... 649
z 20.3. Lista rozkazów ................................................................................. 655
20.4. Uruchamianie systemu ................ ..................................................... 669
20.5. typów mikroprocesorów ................................................... 673
2 20.6. System w minimalnej konfiguracji ................................ ................... 678
5
21. konstrukcja mikrokomputera ....... .................... ..... 687
6
7 21.1. Karta mikrokomputera ............. .......... .............. ................ ............... 687
8 21.2. Karta ..................... .................... ........................ ............ ..... 692
4 21.3. Programowanie EPROM ........ ............................. ....... ........ 696
.7 21.4. Interfejs ......................................................................... 698
.9 21.5. Interfejs szeregowy ........ .. ...... .. .. .. ... ...... ... ........ .. ...... ........ ..... ..... ....... 702
,I 21.6. Interfejs IEC . ... .. .. .. ... ........... ....... ... ........... .. ......... .. .. ... ... ... ....... ..... ... 714
21.7. Licznik programowany ....... ............... .................. ............................ 719
6 21.8. Kontroler ............. ...................... ................... ................... 720
,6 21.9. do (DMA) ............ ................ ......... ..... 722
:8 21.10. Procesor arytmetyczny ......... . ........ ........ ..................................... ...... 725
4 21.11. danych .... .. .. ...... ... .. ....... ....... ..... ............. 729
16 21.12. wizyjne .............. .................................................................. 733
18 21.13. Analogowe ............. ................. .................... 740
il 21.14. Specjalne peryferyjne ........................................................... 745
i2
iS 22. Klucze analogowe i
................ ........ .... ..... .............. . 747
i8
22.1. kluczy ................. ........... ........... ...................................... ..... 747
10 22.2. Klucze elektroniczne ............ ............................................................ 748
22.3. Klucze analogowe ze wzmacniaczami .................. .................... ........ 760
;o
22.4. .................. .............. ....... ............... 762
i2
;g
n 23. Przetworniki C/ A i A/C ...... .. ..... ......... ............ ...... ................. 768
!6 23.1. Podstawy przetwarzania C/A ............. .......................... ........ ............ 768
!8 23.2. Przetworniki C/A w technologii CMOS ........ .......... ................. ....... 769
n 23.3. Przetworniki C/A w technologii bipolarnej ..................................... 774
.... .....,...,·...,.,....,.....
............
..........
, ·.. . .....·.-...........
.......~.~~-
- ..-.-.--·
, · ...,.,, ................ ... ........
,•.·, - - -.-................ ·. ................
-,.....,,,..,~--·,
·····
, •, •, , , ..... .......................................
..
SPIS TR.ESC! 13
23.4. Przetworniki C/A do specjalnych .................... ........ ..... 777
23.5. przetworników C/A ..................................................... 783
23.6. Podstawy przetwarzania A/C ........................................................... 785
23.7. przetworników A/C ...... ...................... ......................... 788
23.8. Re alizacja przetworników A/C ............ ....... ...................... ............... 791
24. Filtry cyfrowe .. ............ ... ..... ....... ........ ... ............. ..... .............. 807
24.1. Twierdzenie o próbkowaniu ................ ....... ........................... ........ .. 808
24.2. F unkcja przenos zenia cyfrowego .............. ........... ....... ....... .. 814
24.3. Pod stawowe struktury filtrów cyfrowych ............................... ......... 819
24.4. Projektowanie filtrów o odpowied zi
impulsowej (FfR) ............................. ......... ..... ........... ..... .............. .... 822
24.5. Reali zacja filtrów FIR ......... . ..... ................ ..................................... . 844
24.6. Obliczanie filtrów IIR .......... .. ... . . ............... ............ .............. ............ 848
24.7. Real izacja filtrów IIR ...................................................................... 856
24.8. Porównan ie filtrów FIR i IlR ... . ... ......... ................ ......................... 864
25. pomiarowe .. ... ............... ..................... ..... ........ .......... 866

25.l. Pomi ar ............ ................ ......................... ..................... ..... 866
25.2. Pomiar ........... ....... .......... .... ........ .................. ..... .................... 878
25.3. Prostowniki pomiarowe (przetworniki AC/DC) .............................. 880
26. Sensoryka .. .... ......... ........ .... ........... ... ............... ........ .. ...... ...... 899
26.1. Pomiar temperatury .. ............ .... .. ............... ....... ...... ...... .......... ......... 902
26.2. Pomi ar ...... .. ... ......... ............. ....... .............. ......................... 920
26.3 . Pomiar wilgoci ............. .. ..... .. ...... ........ ........... ......... ............. .. ....... ... 933
26.4. Tran smisja sensorów .......... ... ......................... ........ ..... ..... 938
26.5. Wzorcowanie sensorów ...... ...... ...... .. ..... ...... ... .................. 943
27. Regulatory elektroniczne ............... .................. ...................... 952

27.1. Pod sta wy ..... ........................... ...... ........ ....... ...... ............... ................ 952
27.2. Rodzaje regulatorów ........................................................................ 953
27.3. Regulacja obiektów nieliniowych ..................................................... 963
27.4. synchronizacji fazy (PLL) ....................................................... 966
28. Dodatki .. ... ... .. ... . ....... ...... ... .. ... ... .. . .... ... ..... .... . ....................... 980
28.1. Logiczn e scalone serii 7400 ...... .. ......... .. ......... .......... ............ 980
28.2. Szeregi znamionowych elementów wg norm
DlN 41426 i IEC 63 ...... .............................. ................. .................... 998
28.3. Sposoby oznaczania rezystorów ...... ..... .................. ...................... ... 999
Literatura .............................................................................. 1001
Skorowidz ... .................. ... ........ .. ........... ......... ..... ..... ..... ........ 1
,.,.,..,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,•_......-
..... . . ~.•.. .-.. ,., •.•.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,•,•,•,•,•,•,
._,,._,, u -..·.~ ·•uv. ·~~--- .,... .,h ..,, ..,., ,,,, , ,•,•,•,•,•,•,•,v. •.-......,.. ....-,.,.,. , •••••,.,., •••••, ...... ....................... . ~~ - ··· ·- ·· •._._......,....,...
..... _..••_..,••-.,..-. -.
14 SPIS
....~NWl!fi!Y~~~
I
Podstawy
1i ~trf:[]f~tm m
~:1:1:1m
1
1" 1I
~~'.$l\\S@<":s
-:i:,:s::a::.
,,.;$).,.:z&h:g,',,;;rnz~'*'7C ••4:::••:: :.
i oznaczenia
:.:,:.:.::
:w~ws:;:r:·
.''.:7>RW·~...
y,,:::.
:•••
'••'.'.,:':r?nmwh~
W celu podajemy w skrócie zestaw

szych
punktami X a Y jest oznaczone jako UXY· Uzgod niono,

Uxr jest dodatnie, gdy punkt X jest dodatni punktu Y. Uxr jest
ujemne, gdy punkt X jest ujemny punktu Y.
Uxr= -Uyx·
Zapis
U8 E = -5 V
lub
-UBE =5V
lub
oznacza punktami E i B 5 V, przy czym

punkt E jest dodatni punktu B. W opuszcza
podwójny indeks, zapis Uxr U, od
punktu Y do punktu X.
V to punktu wspólnego punktu odniesienia O:
W odniesienia oznacza symbolem masy .

zamiast symbolu Vx zapisu Ux , Mówi wtedy- niezbyt poprawnie
- o punktu, np. anody . Dla dwoma punk-
tami X i Y
,()xr= Vx- Vy
NNN.wm==
·=··=··"'w"=···•= ·······~=--···· ········'w"w.w,=--- ·u • ........,..·.w~---w ····"'w -··~--·,-,-,, .....-.,.-.,
.......
t. AN E f OZNACZENIA 17
I oznacza na przewodzie. Uzgodniono , I jest przekt
dodatni, gdy jest skierowana od do mniejszego
(z W istocie jest jak narysuje
i w tylko liczbowym
U i I odpowiednie znaki. i np. na rezystorze,
gdzie
przeciwny zwrot, to zgodnie z ustaleniami prawo Ohma ma
na ni1
R = U/I, zwroty takie same, musi ono R = - U/I.
Pokazano to na rys. 1.1.
I
u
R
R= y
I
- R
u
R=-..J!....
I
drugi
wewm
ot
Rys. 1.1. Prawo Ohma
Mówii
Rezystancja
rezystancja od lub o rezys-
tancji statycznej R = U/I lub rezystancji dynamicznej r= naprz
= oU/81 r::::::,/J.U//J.I. te przy przeciwnie skierowanych jego a
ui Przy jednakowych zwrotach jak to
pokazano na rys. 1.1, znak minus.
i
0---
Rzeczywiste jest opisane
Uwr=E-RJwr (1.1)
gdzie E jest a R1 = - d Uwr / d I wr jego rezystan-

u
O--
Ilustruje to schemat na rys. 1.2. W idealnym
Ri = O, tzn. nie od Rys. 1..
lwy Z pra '
R·
L
Rys. 1.2. Schemat rzeczywistego Rys. 1.3. Schemat rzeczywistego
18 I. I OZNACZENIA
Inny schemat rzeczywistego
równanie ( 1. I)
E- Uwr - I Uwr
lwr = --- - o- (1.2)
R1 Ri
gdzie / 0 jest zwarcia. Odpowiedni pokazano na rys. 1.3.

na nim, tym mniej od im
jest R 1• W gra nicy dla Ri-+ oo otrzymujemy idealne
Rzeczywiste zgodnie z rys. 1.2 lub 1.3, przed-
zarówno za idealnego jak i Jed en lub
drugi sposób przed stawie nia wybiera w od tego , czy rezystancja
Rdest czy w porównaniu z pod rezystan-
RL.
Pierwsze prawo Kirchhoffa
Przy obliczaniu wielu korzystamy z pierwszego prawa Kirchhoffa.
Mówi ono, suma wszystkich do jest równa zeru.
Stri.alki skierowane do za kierunek dodatni, a skierowane
od ujemny . Zastosowanie pierw szego prawa Kirchhoffa przedstawimy
na pokazanego na rys. 1.4. Chcemy U3 • Do
] jego obliczenia stosujemy pierwsze prawo Kirchhoffa do W
)
L 1 = 11 + 1
1 2 - 13 =O
i
R, I1
)
u,
u,j
a
Rys. 1.4. zastosowania pier wszego prawa Kirchhoffa
Z prawa Ohma mamy
---·-·····----·-----·~·•••·•-v ...
,v--- .........
,,,,w,m,=w,-,,.,,.,,,
I. WIELKOSCI I OZNACZENlA 19
Po podstawieniu otrzymamy
UIDO)
'
Uzyskujemy
a zatl
U3 = U1R2R3 + U2R1R3
R 1R 2 + R 1R 3 + R 2R 3
gdzie
Drugie prawoKirchhoffa
pomoc przy obliczaniu stanowi prawo oczka, zwane
drugim prawem Kirchhoffa. Mówi ono, suma wszystkich
w obwodzie jest równa zeru. Za dodatnie przy tym te a wi~
których zwrot jest zgodny ze zwrotem obiegu oczka.
za ujemne. W pokazanym na rys. 1.5 mamy posta
Ii ui= U1 + u 4 - U2 - U3 = o
zapc
Rys. 1.5.
-u„
zastosowania prawa
niuje
Obwód zmiennego gdzie

w obwodzie jest zmienne w czasie, to je
·u. dowolnego od czasu
zespo:
dziemy u z literami w indeksie, np. uwE, natomiast
[1.1, l
zmienne o sinusoidalnej od czasu
uz literami w indeksie, np. uwe
uwe= uwemsin(wt + <p) (1.3)
Do scharakteryzowania sinusoidalnych zmiennych

warto.fci skutecznej Uweef= UwemfJ2 lub Uwepp= 2Uwem· gdzie
Korzystanie z funkcji trygonometrycznych jest skomplikowane, na- wym.
tomiast - bardzo proste. Wzór Eulera nie, je
,www ___ .._.
,._,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,w
,._.·~-=· ~www=,~wow.-.-.-.-.- ......,.,.,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,
•,•,•,
20 I. UzYwANE I OZNACZENIA
ejll = cosa+ jsinoc (1.4)
funkcji sinus za zespolonej funkcji
a zatem zapisanie równania (1.3) w postaci
uwe = Uwe m = Im {Uwem = Im {Uwe ejan}

gdzie Uwe = Uwemejq,,. jest Jej
1e
te a jest równa szczytowej.

Dla o przebiegu zmiennym w czasie odpowiednie symbole
!C
i zmienne oznacza na schematach elektrycznych

za Zwrot nie mówi wtedy nic o bieguno-
lecz tylko o tym, z jakim znakiem te do ob-
tu ta sama podano na rys. 1.1 dla
obwodu zmiennego, defi-

niuje
gdzie <pjest fazowym a na-

wyprzedza to <pjest dodatnie. Dl a rezystancji Z = R, dla poje-
Z = 1/(jwC) = - j/(wC) , a dla Z = jwL. Dla
zespolonych prawa w obwodach
[J.1' 1.2].
mi Analogicznie definiuje wzmocnienie zespolone
.3)
I'
gdzie q>jest fazowym i
na- wym. wyprzedza to <pjest dodat-
a nie, jest ujemne.
I. I OZNACZENIA 21
Logarytmiczny stosunek
W elektronice podaje I Kuh08 stosunku na-
IKu I = U wym/ U wem· tymi jest
= 20 dB log
IKu hog ~wym = 20 dB logi Ku I
wem
W tablicy 1.1 podano kilka wybranych
Tablica 1.1. Porównanie wybranych liniowego i logarylmicznego stosunku
Liniowy stosunek Logarytmiczny stosunek

IA:I IKul1o,
0,5 - 6dB
11J2~0.1 - 3 dB
I O dB
J2 1,4 3 dB
2 6 dB
IO 20 dB
100 40dB
1000 60dB
Symbole matematyczne
skróconego zapisu w dziedzi-
nie czasu
du
dt
=u,
Symbol "' oznacza symbol - w rów-

ne, symbol - odpowiada, a symbol li - równolegle. Symbolu li do
skróconego przedstawienia rezystancji
y.
y ,
22 1. ANE 1 OZNACZENIA
Spis
- pasmo przenoszen ia dla spadku wzmocnienia 3 dB

B
-
CMRR wspólnego
- E elektromotoryczna, operacyjna
-
.f = 1/T
/4,/4 - graniczna
j~ - pole wzmocnienia
oiwy - konduktancja przenoszenia w pr zód
g =- -
m ouwe
(transkonduktancja)
I - z literami w indeksie -
I - z literami w indeksie - amplituda zespolona
I - z dodatkowym indeksem m - amplituda sinusoi-
dalnego
i - z literami w indeksie - chwilowa dowol-
nego od czasu
i - z Literami w indeksie - zmienna
k. = olwy - wzmocnienie
' ofwE
k - 8Uwr - wzmocnienie dla
uO - aUWE
Ku(jc.o)= Uwy - zespolone wzmocnienie

U..,e
K(s) - funkcja przenos zenia
In - logarytm naturalny
•log0 - logarytm przy podstawie a
log 2 - logarytm przy podstawie 2
l- r - rezystancja
R - rezystancja
s=q +jw - pulsacja zespolona
S = ..!_ - znormalizowana pulsacja zespolona
Wo
- czas t
{- T - okres wzmocnienie w zwrotnego,
o temperatura w skali
U, u - (patrz I, 1)
UT - elektrokinetyczny
x - czasu
x - dwukrotne czasu
y = X 1, Xz - funkcja AND
y = X1 + xz - funkcja OR
y = x - funkcja NOT
........ ,......
....................
....... .......... ............ ,•,·,
............ ·······~----~ ... ..... .... , ..... ..........................
....,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., ~--~..,
.......-,..........
,....... ,.,..,.,.,.,...
............... .. ..........-,..... .
l. I OZNACZENIA 23
y = x1 © x2 - funkcja EXOR
Z - impedancja (zespolona)
r~:
\
il:>.
.....
:~•:•::)'
{3 -
we tranzystora
/3!1 - wzmocnienie
zwrotnego, wzmocnienie
tranzystora dla
li
lt~~:;:;:::
9 - temperatura w °C
't' - czasowa
C - zmienna
w - pulsacja
Q - pulsacja znormalizowana
iru
{:f~1tit~
Filtr d
zmian"
pusto\11
Rys. 2.1.
2.1.1. •
W celu
K:
zai
to Otrz!
1 przesu
Obie kr
W~h:,'~,:}'3:
,%t\ ,:,:~ml:',:
:::\ ::::::::::,:
,;,;,:,:,,,,,,,:,,,:,:,:,;,;,:,;,;
,,,;,:,:,
,,,,,,",::,..tM,:,:,
,,,,,.
I
lir 2.1.Filtrdolnoprzepusto
·l"~~:,i::@::~r;::~:;
wy
:;:;:::;:;
:;::::;~~~;§~;:;::;
Filtr dolnoprzepustowy jest

:::::l)»:-1.:-%,,,:i:::l::
;:::::;,:,::;::
:::::;:
::::;
::;::;:::::::::
·:•:•
Jl
bez
zmian, a i fazy przy
Na rysu nku 2.1 pokazano najprostszy filtru dolnopr ze-
pustowego.
Uwi~UWY
1 I l
Rys. 2.1. Prosty filtr dolnoprzepustowy
2.1.1.Opis w dziedzinie
W celu obliczenia charakterystyki zastosujemy wzór

dla dzielnika w postaci zespolo nej
KuCw)=Uwy = I / jwC = - - I __
(2.1)
J Uwe R + 1/jwC l + jwRC
zapiszemy w postaci
Ku= IKul =
to otrzymamy (tzw.
i fazowego (tzw.
I
k
u
= ----:
J1= += w2R2c
== =- ,
2
<p= -arctgwRC (2.2)
Obiekrzywe przedstawione na rys. 2.2 .

.,,...,_,,..,~, ·.w ·•,-~ ........,,.,.~,.,.....-. .........
.-.. .........
_.,,...._......,.._,._,..._..._
. .......,.,.,.,.,.,.,.,.,
·.·r •..-.............._
__ .........,.,,,.•,.......,. .......
-.•• •• ....,,,,,..,,,
,.,•,•,•,•,
•, . .. ,,, ,,,,,,,,,,•,•,•r. •r,· • ·'·
2.1. FI LTR OOLNOPRZ EPUSTOWY 25

ku.1~ ku a)
[dB [v;vJ
L
1
UwE~ - -
o 1
0,1 f
- 20 o.1 Tg
Uw
01
-40 0,01
UH - - ·
{°J a.1
o 1/)J f
fg a
-45 Rys. 2.3.
- 90 -------------- Przy uw
Rys. 2.2. Charakterystyk.i amplitudowa i fazowa filtru dolnoprzepustowego
W celu obliczenia trzydecybelowej granicznej podstawiamy

do równania (2.2) k. = 1/ J2
Równan
1 1
Ji =~~ pr:
j1. -&"'• h~c

-l (2.3) Przebieg
U.V,= u:
fazy przy tej wynosi wzoru (2.2) w= - 45°. do stanu
Jak na rys. 2.2, k. = Uw,mf Uwem ka od wi
jej dwie asymptoty: wnania (
- dla f 4./g mamy k. = 1 O dB;
- dla wielkich f /g zgodnie z (2.2) mamy k. = J / wRC, tzn.
wzmocnienie jest odwrotnie pr opo rcjonalne do Przy
ciokrotnym wzmocnienie maleje 10 razy , z,
tzn. o 20 dB na lub 6 dB na mniejszy •
- dla/=/4 mamy k. = 1/J2 -3 dB tyc)
nych o o
niczego n
2.1.2.Opisw dziedzinieczasu rej
-r jest cz:
W celu zbadan ia zac howania w dziedzinie czasu podajemy na jego
kazanym
skok pr zedstawiony na rys. 2.3. Do obliczenia wyj-
zastosujemy pierwsze prawo Kir chhoffa dla
Tablica2.1.
i otrzymamy, zgodnie z rys. 2.1
UwE - Uwy - ie =O Czas ustal

R
26 2. BIERN E OBWODY RC 1 RLC

';f~- _ _,~b
a) b)
J '
"·--w -~
uWYt I
0
Rys. 2.3.
T f°"
filtru dolnopnepustowego
uu
·~~l "',
o,
0
na skok
T
Przy ie= Cuwr, otrzymamy równanie
. { UM d la t > O w pr zypadku a
RCuwr + u.., = UwB= (2.4)
1y " O dla t > O w przypadku b
Równanie to ma
przypadek a: przypad ek b:
Uwr(t ) = UM(l - e-1/Rc) Uwy(t ) = uMe - tfRC (2.5)
3)
Przebiegi te pokazane na rys. 2.3. Widzimy , ustalone
uw1 = UM lub uwr = O tylko asymptotycznie. czasu
·o
'.la do stanu ustalonego jest czasowa ·r. ona czas, po którym
ka od ustalo nej amplitudy skoku Z ró -
wnania (2.5) otrzymujemy czasowej
.n. (2.6)
!Y, Z równania (2.5) czasów do

mniejszych W tablicy (2.1) podano zestawie nie war-
tych czasów. jest impulsów
nych o okresie T, to po czasie T/2 od popr zedniego zbocza proces
niczegonarasta nia zostaje prz erwa ny prz ez zbocze do któ-
rej narasta , od tego, jak w por ówna niu ze
t jest czas T/2. ta jest widoczna na oscylogramie po-
go
kazanym na rys. 2.4.
)'J-
~o) Tablica 2.1. ustalania od czasu ustalanfa
ustalania 37% 10% 1% 0,1%
Czasustalania t 2,3 t 4,6 t 6,9 t
2.1. FILTR DOLNOPRZEPUSTOWY 27

,
pod cza
Rys. 2.4. filtru dolnoprze pustowego na impulsów o

górna krzywa/.,.= IOJ,, krzywa/.,. = J„ dolna krzywa /w,= J, / 10 Jo
Filtr dolnoprzepustowy jako

W poprzednim punkcie zmienne jest
w porównaniu z wy-
brano tak , by ona waru nek /~ /4.Filtr dolnop rzepustowy pracuje 2.1.3. C
wtedy jako ta wynika z równania
(2.4); przy Uwr uwE mamy
narasta,.
do 903/i
Z pr zeb
I
t
tr :
Uwy = ~c UwE(~)d~ + Uwy(O)
o
Dla/4=
Filtr dolnoprzepustowy jako
Przy niesymetrycznych zmiennych
nie jest nigdy w szereg Fouriera rozpoczyna miano -
wicie od która jest równa
T wych wy,
Pr z
U0 = JuwE(t)dt wych o n
o
gdzie T jest ok resem zsumujemy wszystkie t, ::::

wyrazy szeregu Fouriera, otrzymamy uwe(t) o pr zebiegu zgod nym
z ale tak, jego jest
Odpowi C(
rów na zeru.
w postaci
28 2. BIERNE OBWODY RC I RLC

uwe(t) jest od /4,to jest ono
podczas gdy jest przenoszona liniowo. wyj-
wynosi
}c fuweC~)d~+ Uo
t
Uwy = (2.7)
o l_,.,-J
1 czasowa r = RC jest to
z czego wynika
(2.8)
jest
N'j-
:uje 2.1.3
. Czasnarastaniai graniczna
.nia
filtrów dolnoprzepustowych jest czas
narastaniat,. Podaje on, w jakim czasie od 10%
do 90% ustalonej, na podamy skok jednostkowy.
Z przebiegu funkcji z równania (2.5) otrzymamy
t, = t90% - t 10% = 1:(ln0 ,9 - ln0,1) = dn9 2,21:
Dla/4 = 1/21t1:wynika
e. nie (2.9)
mo-
ten w dla filtrów dolnoprzepusto-
wych
Przy kaskadowym liczby filtrów dolnoprzepusto-
wych o czasach narastania wypadkowy czas narastania
(2.10)
lnym
. jest Odpowiednio dla granicznej mamy
,..,,.,..,.,..., ,,...
........,..,..,.........,.......
.....~.·-........
,•, .......
,.............. ....,.,..,,.,.,.,. ....
.,...,........... .... ....,.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,......................
...................................
2.1. FILTR DOLNOPRZEPUSTOWY
__
.......................... .......
.. ··························
...........,,....,,
29
Dla przypadku n filtrów doln oprze pu stowyc h o jednakowej /(" Kvlo,
granicznej
G
(2.11) o,, -20

O,Of- 411
§~~.:.::.;.;.~
·~.:\.?~::~
. ).$~?~.'.':.:.~~$."%=:r.n
.. ...
~.-: •....•w~:...
..........
~::.:,: .·.·==~=~~::
)•=-· ..t :..
:--::~ w. . ·
ii 2.2. Filtrgórnoprzepustowy
v:=w
wo
,:,:,:
·.·.·y~,:,,::,: ..:t:J:~st>~:t\,...,
,:,:,:,:, '"::•:-.,:::,;.;~
.,.;::::::::,:,:,
:,:,:
,:,:,:,<-~,my..;«:®,
0 ·: :mm®:~l
Filtr górnopr zepustowy jest wielkie bez 45°

zmian, a i wyprzedzenie fazy przy
Najprostszy filtru górnopr zep ustow ego RC pokazano na rys. 2.5. O""
Rys. 2.6
tzn.
toty
Rys. 2.5. Prosty filtr górnoprzepustowy
- dla}I
wzmocnienia i fazowego D
otrzymujemy ze wzoru dla dzielnika prawo .
. ) Uw, = ----- R 1
KII( JW = -- (2.12)
uwe R + 1/jwC 1+ 1/j w RC C
wynika
1
<p= arctg w RC (2.13)
IK"(jro)I = J l + 1/w2R2c2
którego ,
Obic krzywe pokazane na rys. 2.6. otr zymujemy ,
jak dla filtru do lnopr zepustowego , w po staci
1
!.,,= 21t (2.14)
cza
fazowe przy tej wynosi +45 °. Tak jak w przy -

padku filt ru dolnoprzepustowego, w skali po-
dwójnie logarytmicznej na pod stawie asym pto ty wo,
ni
- dla wielkich f f.J mamy IK,.I = 1 ,,; O dB; kowo o,
- dla zgodnie z równani em 2.13 mamy II<,.I ~ wRC;
4.1.,, od O do
30 2. BTBRNE OBWODY RC I RLC

*~ku/og
o l.11 (
10 100
I
Il) q, -zo I
I
I
I
rp I
gj O
I
------ 1
I
$.t'
·
.:«.ii I
45°
)CZ
vo-
00
:.5. 0,1 10 100 f
Rys. 2.6. Charakterystyki amplitudowa i fazowa filtru górnoprzepustowego
tzn. wzmocnienie jest proporcjonalne do Nachylenie asymp-

toty wynosi + 20 dB na czyli + 6 dB na
- dlafd: IKul= 1/ J2 ,;, -3 dB.
ego Do obliczenia odpowiedzi na skok jednostkowy zastosujemy pierwsze

prawo Kirchhoffa dla
.12) (2.15)
Dla tiws = O otrzymujemy równani e
.13) RCuwy+ Uwy = o (2.16)
którego jest
:my,
(2.17)
!.14) Stala czasowa ma podobnie jak w przypadku filtru dolnoprzepustowego,

r = RC.
,ny- UwrU =O) = UM
po- w chwili, w której zmienia skoko-
)ty wo, kondensatora nie ulega zmianie. Kondensator zachowuje jak
o U = Q/ C. zmienia sko-
kowoo liU tak samo, jak uwE zmienia skokowo
JRC; od Odo UM, to zmienia skokowo od O do UM
___ __ ,,_ ... ,_,,__ ==--••-•• -· ··· .... -.- ... .... ,. ,,_, ___ ,_
2.2. FILTR GÓRNOPRZEP USTOWY 31

(patrz rys. 2. 7a), po czym opada zgodnie z równaniem 2.17, z po-
wrotem do zera. natomiast zmieni skokowo od
UM do zera, to uwy zmieni skokowo od zera do - UM nap
(patrz rys. 2.7b). Warto tu przyjmuje
ko"'
ujemne, mimo jest zawsze dodatnie. Z tej ciekawej
korzysta w technice
a) b)
u~:bo
Nai;
";;l 1 cylo:
uwv
01
I
t
UM
wyd
- UM
Rys. 2.7. fi.Itru górnoprzepuslowego na skok Dla

gran:
Zastosowanie
na
impulsów
RC jako
omawianego filtru górnoprzepustowego RC podamy
o okresie T 1:, to w czasie okresu ko n-
I
densator nie
równe
i z do fj~
przez kondensator nic
?!~~*
wynosi zero - nie przenosi
cia Dlatego filtr górnoprzepustowy RC jest stosowany jako o.c
sza, i
zmnie
dolna
kondo
0---
Uwct
1
Rys. 2.8. fillru górnoprzepustowego na impulsów o
górna krzywa/_= 10/4 , krzywa/..,.=/,, dolna krzywa f..,, = f,/10 Rys. 2.!
- . -------- --------- ···········--- ······-·--·-········ --·---------····---

__________________
_,...,.._____
Zastosowanie RC jako
na omawianego filtru górnoprzepustowego RC podamy
o f J.i,to uwr UwE· Z równania
kowego (2.15) wynika wówczas
o Prze-
transmisyjnych filtru górnoprzepustowego os-
cylogramy na rys. 2.8.
Kaskadowe liczby filtrów górnoprzepustowych
Przy kaskadowym liczby filtrów górnoprzepusto-
wych wypadkowa graniczna
(2.18)
Dla przypadku n filtrów górnoprzepustowych o jednakowej

granicznej
(2.19)
ar·:,:~;:,:.·,:-:-,,~
...
'.·:~·
···
·~:-:·:··
···:•:•:
•:;:•:::::x~~::rs~~%::················$~~~~·•*:.:·:·~:·•·•·•·•·•·•·•·•
·•·•
·•<
·•<·•·•
·•·•<
·::•:•:•:>•:~;&.~~···
··:;:;
;l!2.3.Skompensowany
dzielnik
~?t:::
•:=:z.:::::
•:•:•:•::
:•:;:z:~.r:·:
·~~~,~~~::::·:~::::=:•:=:
•:•:
::::::;:::=:t;)~-:;:;~l':lr~=:~·:•
:•:•:•:•:=:
m:~t~:;:K:::::r:
·:·:
·:·:·:
rezystancyjny dzielnik jest to staje
on filtrem dolnoprzepustowym. Jego graniczna jest tym
sza, im mniejsze rezystancji dzielnika. Nie ich jednak
bez ograniczenia, rezystancja dzielnika nie powinna
zbyt
Inny sposób granicznej polega na tym, by filtr
dolnoprzepustowy filtrem górnoprzepustowym. Do tego
kondensator Cx na rys. 2.9. Dobiera go tak, by
s-
Rys.2.9.Skompensowany dzielnik
--·-"·" ·"N··=···,~··,...wwwwww-- ·-=www~-=__.,.,. ....................
,.,.,.,.
,..•.,Mw.·.~--"·"'••wu.v,~- ....... w.·.w.·.············
........,..., .....,.,...,
2.3. SKOMPENSOWANY DZIELNIK 33
dzielnik ten sam stosunek co Oz
dzielnik rezystancyjny. Wówczas dla wielkich i otrzyma-
my taki sam Wynika warunek
Przy doborze eksperymentalnym na skok jed -

nostkowy: przy optymalnym CK jest ona idealna.
;~'.~·~i!~~~~~t~~ ~-/4' 1 NaIJ

wyn
Przy kaskadowym filtrów górnoprzepustowego i dolnoprzepusto-
wego otrzymuje filtr pasmowoprzepustowy. Jego dla wie-
lkich i jest równe zeru. Szeroko rozpowszechniony
jest przedstaw iony na rys. 2.10. Obliczymy teraz
i fazy przy dla dziel- Wpr:
nika znor
a WZI
przed
Rys. 2.10. Bierny filtr pasmowoprzepuslowy RC
W zapisie zespolonym mamy:

aJ
a2
1 a,
1 . C OJ
R+Jw
uwy= _ __ 1_______ 1_ uwe b)rp
90°
-- -- +R +- .-
1 . ]WC 45°
R +JwC {f
- 45° 0,1
-9{f -
jwRC
Uwv = (jwRC + 1)2 + jwRC U"'" Rys. 2.11
---=,.,.,.,., .,.,.,.,.,.,.,.,,,,..,,.,,,.,,,,
.,.,.,
.,.,..,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,v,.,.,.,~===,.,... ..-...._.....,....... ,...,,,,,.,,_....,._
___ ~~h••····'·"'·.............
,...._ __ ,,...,,......._.
.,,...
. .,,... ,.......,.•
34 2. BIERNE OBWODY RC J RLC

wRC = Q, otrzymamy
Y("Q) -~- jQ (2.20)

·"'u J - Uwe - 1 + 3"Q
J - '2
2
i fazow ego
1 1-Q 2
<p= arctg
J( -Qr
ku= --=======- (2.21)
3Q
+9 ,
maksimum dla Q = 1. rezonansowa

wynosi
1
fo = 2n (2.22)
Wprowadzona uprzednio , tylko dla skrócenia zapisu , Q stanowi
(J) J
0= - = -
Wo fo
fazowe pr zy rezonansow ej jest równ e zeru ,

a wzmocnienie Ku(Q = 1) = 1/3. Charakterystyki Ku i q>
przedstawione na rys. 2.11.
0.f 0.2 0.5 2 5 !O 5?
45•
r!
-45'
0.1 o.z
-90-
Rys.2.11. Charakterystyki amplitudowa i fazowa biernego filtru pasmowoprzepustowego RC

__ ,_...,._. ,._W..,
, ..,l'>N'thVó,,t'
(',.,-,.,,.,
,,.,.,.,.,.,.,....,._._.,._,_._._._._._,.,_..,._,.,_,_,._
,,._~ ,....,,.~ .........
~ ,,.,,,.,•,•,•,•, .....---·#-'"
•,•,•,•,• '•~ ~,..,.=,www.- .....v,•,•, •,•,•,•,•,•,,
2.4. BIERNY FILT R PASMOWOPR ZEPUSTOWY RC 35
i.~. ..r:::::f'.'.'.
::·::::::::::::::::::::::
:~::::::::::
::::'.'.'.:'.'.:::
:::~:::::::::
:::::i
iif
Wa.i
filtr pasmowoprzepustowy z rys. 2.10 rezystorami R 1 i 2R 1

Cha :
jak w na rys. 2.12, otrzymamy mostek Wiena-Rob insona . Rezystan -
cyjny dzielnik dostarcza od uwe/3.
Przy rezonansowej jest równe zeru.
W do filtru pasmowoprzepustowego charakterystyka
wzmocnienia przy rezona nsowej minimum.
nadaje do pasma Do ob- Filtr
liczenia równaniem (2.20) tliwc
o.,
1 jQ
nieni
Uwy=
3 Uwe 1 + 3jQ - Q2 Uwe wzgli
dwa
Rys. 2.12. Mostek Wiena-Robin sona
Wynika
1 1 - D2 sze pr
K,,(jw) = ---- (2.23)
3 1 + 3jQ- Q2
0,f
0.2 0.5 2 5 IO Q
Po efr
2 5 IO9
- 45°
-90°
Rys. 2.13. Charakterystyk.i amplitudowa i fazowa mostka Wiena-Robinsona Obie~

mmu, •m,w,·,·.w ·=-----

i fazowe
_ 11 - a2 1 3Q
IK u I -
3
.J(1 _ Q 2 )2 + 9
Q2 , <p= arctg Q 2 _
1 dla Q #:l
Charakterystyki ku i cp przedstawiono na rys. 2.13.
Filtr typu podwójne T przedstawiony na rys. 2.14 ma

do charakterystyki mostka Wiena-Robinsona. Nadaje
on do pasma W
nieniu od mostka Wiena-Robinsona, jego jest mierzone
masy. Dla wielkich i i wyj-
równe. bowiem przenoszone przez
dwa kondensatory C, a - przez dwa rezystory R.
Rys. 2.14. Filtr typu podwójne T
W celu obliczenia charakterystyki zastosujemy pierw-

sze prawo Kirchhoffa dla punktów 1, 2 i 3 na rys. 2.14 i - przy
- otrzymamy
1:
2:
3:
Po eliminacji U 1 i U2 oraz normalizacj i Q = wRC otrzymamy

1 - Q2
(2.24)
K,,(jQ) = 1 + 4jQ - Q2
K _ 11 - Q
2
1 4Q
I u I - .J(1 - Q2 )2 + 16Q2 ' <p= arctg Q2 - 1
Obie krzywe pokazano na rys. 2.15.
2.6. FILTR TYPU PODWÓJNE T 37

Impec
a\~
1,0
Q6
Q2
,\ a.._1_a-,-L2-
____,a..,.5-
~1"-- -+2- -5~ 102·
.....,
b;lf!
:~: r-------_
2 5 10 9
Io= -
Rys. 2.15. Charakterystyki amplitudowa i fazowa filtru typu podwójne T
Rezyst,
Szeregowy Szerok
.
B= -
2:
Q= I~
.B
Jzl
R
4
1
o..__
__ __ _._____ _,__ _ o
0,3 3 f 0,3 3 f
fo Fo
Rys. 2.16. szeregowego Rys. 2.17.

obwodu rezonansowego i charakterystyka obwodu rezonansowego i charakterystyka
dla Q = 2 dla Q = 2

Impedancja:
Z= R + jroL
Z=R + j ( roL - rolC) 1 + jroRC - ro2LC
jwL
z~ -------
1 + jroRC- w 2LC
rezonansowa:
1 1
fo = .j LC Io~ ../LC
Rezystancja rezonansowa:
Z 0 =R
pasma:
R R
B= -- B~ --
21tL 21tL
Q = fo = - 1
B R
Jl::_
C
,,:,:,:, ··(·.-'·:··
, ,, ..,.,',','
3
UA.K„
riii przew
0 lokal11
ltw.,··
·.·,·.·.
·: .....·...·.·..·.·
-s,:•X!:.• .·.·...
....·...
·... . ·,.·,.·,·.·.·,1111111
......... ·..·.D ... ··.··.··.!.....,. ..·.· ..· ::::;:;:;:;::;}'~~:::;:::;::
···.··.··.··.··.i···...·.·.·.
··.·.d· :.::::::::':··:··:: ·: · :::·: ... ::5.-.··:·:·:·:···'.
::;:;:;.-
~~?,; :::::
·:::::::::::::::::::::
·:::·:::::::::
·::·:::~;
:{•:
od 101
gdzie,
Diody elementami w zasadzie ktrokii
w jednym kierunku. Wyprowadzenia diody nazwy: anody A i katody K.
Symbol graficzny diody przedstawia rys. 3.1. na diody doprowa-
dzi.my dodatnie katody {UAK > O},to ona spolaryzo-
wana w kierunku przewodzenia. Przy ujemnych UAK dioda jest
spolaryzowana w kierunku wstecznym. wsteczny diody jest na ogól o kil-
ka mniejszy od pr zewodzenia. czap- n
Ao Dl oK
F
diody t
Rys. 3.1. Symbol graficzny diody sty
niowyc
wej o n
dioda g,
diody opisuje charakterystyka ID = ID(UAK). Jej typowy przebieg pokaza- dioda k

no na rys. 3.2. przewodzenia wzrasta do przy
dodatnich UAK· Nie on fo{mA}
maksymalnej !Fmax• grozi to termicznym zniszczeniem diody. Przy- 100
o przebiegu charakterystyki uzyskuje przez pomiar na - 80
przewodzenia UF pr zy 0,1 !Fmax · Dla germanu ono 60
w zakresie od 0,2 do 0,4 V, dla kr zemu 0,5 a 0,8 V. 40
20
Io
Irmax
o C
Rys. 3.3.
Dl
ono od.i:
mi
Rys. 3.2. Charakterystyka diod y dzenia d
40 3. DIODY
Z rysunku 3.2 widzimy, przy wstecznych
T
UAK < - U Rmax wsteczny wzrasta do porównywalnych z
przewodzenia. Zwykle diody nie w tym zakresie,
lokalne przegrzanie prowadzi do ich uszkodzenia.
Maksymalne wsteczne wynosi, w od rodzaju diody,
od 10 V do 10 kV.
diody [3.1] wzorem
u,,. )
ID= I 5 (T) (emU T - 1 (3.1)
gdzie Is jest teoretycznym wstecznym, a Ur = kT/q - ele-

ktrokinetycznym. ten w temperaturze pokojow ej wynosi:
kT 1,38 · 10- 23 JJK· 296 K

Ur = q = I ,60. 10 - 19 C = 25,5 mV (3.2)
korekcyjny m od uproszczonej teorii

cza p-n opracowanej przez Shockleya i wynosi od 1 do 2.
Równanie 3.1 opisuje przebieg rzeczywistej charakterystyki
diody tylko w kierunku przewodzenia, i to dla nie za Rzeczywi-
sty wsteczny jest znacznie Is i z powodu efektów powierzch-
niowych wzrasta wraz z wstecznym. Na rysunku 3.3 podano ob-
na podstawie wzoru (3.1) diod krzemowej i germano-
wej o typowych danych:
diodagermanowa: !5 x = 100 mA
= 100 nA , mUr = 30 mV, !Fma
diodakrzemowa: Is= 10 pA , mUr = 30 mV, IFmax= 100 mA

n
:i
,_ fo{mA}~
IDO
Ge Si
L- 80
:~f
O
2()
l-...,"'-~~~==;:; ~:;:--; ~ ,..--,c;r-

0 QI 112
Rys.3.3. Charakterystyki diod w skali liniowej
Dla O,lIFmaxodczytujemy przewodzenia: wynosi

ono odpowiednio 0,35 V lub 0,62 V. Jest to zgodne z otrzymany-
mi UFjest definiowane jako przewo-
dzeniadiody w punkcie jej charakterystyki w kierunku przewodzenia.
-.,..w.,..,...,..,...,....,........~,.,-..,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•_..-_.,.,.,.,•.•,•,•.-
,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•.-,-,•,•,•rrrrr===,....._._ ,, , ,, .,,,. ,, ,., .~....,_,.._J>..,~..,..,.,....,.,.,
,,,,,,,,,,,,,,.,,.,. ,...~-~
3.1. CHARAKTERYSTYKI I DANE TECHNICZNE 41

W charakterystyka ta nie ma jak to wi-
na wykresie w skali pótlogarytmicznej na rys. 3.4. istnienia
cia stwarza tylko liniowe odwzorowanie funkcji e. Dlatego
cia tylko od wybranej skali
Io
[mA]
10-2
Rys. 3
10- 6
ale z
10- 8 .___ ......__
_ __. __ _.____ _ im w.i
o diod 1
jest n
Rys. 3.4. Charakterystyki diod w skali
sem rn
Z równania (3.1) przewodzenia stowa 1
wzrasta o l
Schoti
mUrlnIO = 60 ... 120 mV równic
gdy przewodzenia
zarówno Ur, jak i 15 od temperatury, przewo- warstv.
dzenia dla od temperatury . W ny dio1
zuje tu
Ao--
2 mV Rys. 3.7
(3.3)
K
Liniowy spadek przewodzenia przy oznacza ,

przy doprowadzonego wzrasta ze
:t~ 3.2.
wzrostem temperatury. wykazuje wsteczny. Po-
l r:m
:i~=
~m
~
dwaja on przy temperatury o 10 K. Przy temperatury We ws:
o 100 K razy. ksymal '.
rym nai
dynamiczne
na1 1
z zakresu przewodzenia do zaporowego nie odbywa natych - do stab:

miast, musi najpierw zmagazynowany w biliston
p-n. Zjawisko to w prostym prostowniczym cia od 2
pokazanym na rys . 3.5. Gdy eG jest dodatnie - dioda przewodzi i na
niej jest równe przewodzenia. Gdy eG staje ujemne, dioda zostaje J>I
spolaryzowana zaporowo i u» = - EG. cia wstecz
---w .·.·················,w.-.-.-.-
·=~--
42 3. DIODY
I
I I
I I
..
~t:
I
I - , ---
t
Rys. 3.5. diody Rys. 3.6. Wykresy czasowe diody
Na rysunku 3.6 widzimy, na diodzie nie spada

ale z równym czasowi magazynowania t/>. Jest on tym
im przewodzenia przed Typowe dla
diod mocy 10 ... 100 ns. Dla diod mocy czas magazynowania
jest µs. Okres musi w porównaniu z cza-
semmagazynowania, w przeciwnym wypadku nie efekt pro-
stowania.
Do realizacji bardzo krótkich czasów diody
Schottky'ego. Zamiast p-n one które
wykazuje prostownicze. magazynowany w takim
jest jednak bardzo i dlatego czas jest
100 ps. jest mniejsze w przypadku krzemowych diod
warstwowych przewodzenia, 0,3 V. Symbol graficz-
ny diody Schottky'ego podano na rys. 3.7.
Aa B!(' oK
Rys. 3.7. Dioda Schollky'ego
y We wszystkich diodach wsteczny wzrasta szybko po przekroczeniu ma-

ksymalnego wstecznego. W stabilistorach przebicia, przy któ-
rym ten wzrost, jest Nosi ono na-
stabilizacji lub Zenera Uz. Diody takie
do stabilizacji Na rysunku 3.8 pokazano symbol graficzny sta-
ll bilistora,a na rys. 3.9 jego stabilistory na
n cia od 3 do 200 V, ich przewodzenia wynosi ok. 0,6 V.
a
e l) Proces wyhiczania diody charakteryzuje za czasu ustalenia
cia wstecznegoomaczanego t,,, zwanego czasem (przyp.
=-,--- ·--- ·.w·.w.w-----=•• "•"•"•"•
W•"•"
•"•"•wu==~= ··w.--.
•.•.w~~------.w·· ······
················
··········
·······•
3.2. STABILISTORY 43
Io C
[PF}
200 ':
100
50
20 "
10
5
Rys. 3.8. Symbol graficzny stabilistora Rys. 3.9. Charakterystyka 2 -
stabilistora 1
o
Jak z rys. 3.9, rezystancja wsteczna przy wstecz- Rys. 3 ..
wnania .
nych U„x > -Uz jest Po stabilizacji wsteczny
raptownie wzrasta. stabilistora polega na tym,
I
zmiana ó.ID powoduje tylko ó.UAK·Stabi-
o
lizacja jest tym lepsza, im bardziej stromy jest przebieg krzywej, a im
dobro,
mniejsza jest rezystancja (rezystancja dynamiczna)
r::= ó.U„xfó.ID.Rezystancja dynamiczna stabilistorów o Uz 8 V
jest najmniejsza, dla stabilistorów o Uz tej rz szybko ze
spadkiem stabilizacji, dlatego diod o ma-
stabilizacji jest bardzo temperaturowy na-
w zakresie ± 0,1% na Przy stabilizacji
5,7 V zjawisko Zenera z ujemnym tem-
peraturowym a - przebicie lawinowe ze
dodatnim.
1/:1/r}:):ttti:~;§~~~\~l~)1~~~~~~:~~~~
I:!I§}
l~
~iii:3.3.Diody
::····:::::::::::}1~l~\"iil:lf.~
7f•? ,:;:::::::
:::::::::::::::::::
;:;:;:
::::::::::::::::::::::::::::
:,:,:,,·,•
,•,•
.
warstwy zaporowej diody maleje ze wzrostem wstecz-

nego. Diody, w których zjawisko to szczególnie
diod lub waraktorów. Na rysunku 3.10 pokazano
symbol graficzny takiej diody, a na rys. 3.11 kilka typowych charakterystyk.
Rys. 3.10. Symbol graficmy diody
maksymalna -w od typu - wynosi 5 ... 300 pF. Stosunek

minimalnej i maksymalnej wynosi 1 : 5.
44 3. DIODY
C
[PF]
5 10 15 20 25 -UAx[V)
Rys. 3.11. warslwy zaporowej diody od (dla poró-

wnania przedstawiono dla diody BAY 42)
l
Diody do realizacji obwodów rezonansowych
o rezonansowej przestrajanej Ze na
l
je do zakresu wielkich (UHF).
)
I
e
.-
ii
I-
z-
IO
k.
ek
4
lll~l;::{:::::::::
:::{:;:::}
tJ~:::,ii-'J~~~=::::
~~l!
l
i I
::»\~~=:=:::
Tranzystory
:::::::::::::::::::::::::
bipolarne
~:::::::::*~~:=:::;..lr.m::::.:~~~:::t:~::::::"~:::::~
::::f:~:w.~r::::
..~~i~~~~::::::?:~"::~~'*"k.\~:w:::::~:».~~~~~..~:::
sze 1
toró
-
fPW
i 41
w C:
UBE
pnio 1
kaza
Tranzystor jest elementem o trzech elektrodach, do istot1
wzmacniania lub tranzystory krzemowe kolcY
i germanowe. z nich typu pop lub npn. Na rysunkach 4.1 i 4.2 chara
przedstawiono ich symbole graficzne. do w.
wielk
rakte :
ta jes
Ie
[mA}
Rys. 4.1. Tran zystor npn i jego diodowy Rys. 4.2. Tranzystor pnp i jego diodowy
schemat schemat 30
25
Tran zystor z dwu przeciwnie diod,
20
n lub p. do tej warstwy elektroda nazywa
B. dwie elektrody nazwy emitera Ei kolektora C. Diod owy 15
schemat tranzystora (umieszczony obok symboli graficznych) nie 10
odzwierciedla wprawdziew jego daje jednak pewien na
elektrodami. W normalnym stanie pracy s
emiter-baza jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a kolektor-
-baza - w kierunku zaporowym. o
w sposób pokazany na rys. 4.3 i 4.4. Rys. 4.S
tranzystora jest to, kolektora Ie
jest proporcjonalny do bazy 18 . Stosunek fJ~= lc/18 nazywa wielko-
sygna/owym wzmocnienia k
J .~1~,>0 J •
lc>O fc<O
metren:
dobnie
od rów.
P,1U"<O [4.1]. M
Rys. 4.3. Polaryzacja tran zystora npn Rys. 4.4. Polaryzacja tranzystora pnp
46 4. TRANZVSTORY BIPOLAR NE
Zachowanie tranzystora jego charakterystyki. Dal -
sze dla tranzystorów npn. Przy rozpatrywaniu tranzys-
torów pnp wszystkie i znak.
-««..
w~.~·:,:,1ww.~...:..;..,..::t..:~
... ..w:..
m&.~::.:,:.:.:.:
,:.:,:,~"' .';;~ --~.;-:-~~:,;:,:
-~~.,<~
Iii4.1. Charakterystyki
i parametry
malosygnalowe
··
m:tl,x,:,:,:&.»x::.:.:•:•:•:::.:::-:
-:-::.w;;fua:~~~~r. ..::Jl;m;
....i.:.:. a~~:::.:,:,: ,;:;,
:,:
-:..-.:.
W celu zbadania tranzystora
U8 E i zmierzmy Ie w funkcji UeE· Sto-
pniowe daje po-
na rys. 4.6. Z obserwacji tej charakterystyki dwie
istotne tranzystora. Po pierw sze pewnego
kolektora prawie nie od UeE· przy którym
charakterystyk, nosi nasycenia kolektor-emiter UCEsat· Po drugie
do zmiany kolektora wystarcza nawet nie-
wielka zmiana Ta Zllliana, czyli cha-
rakterystykami, silnie przy kolektora.
ta jest jeszcze widoczna na charakterystyce z rys. 4.5.
le le
[mA} [mA]
30 30
25 UcE
h 20
=680mV
y 15
le 10 Mc=9m·tJUst =BBOmV
La
5 5 =64DmV
ie
=62DmV
r-
o 200 400 600 U8E[mV} O 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 UcdV]
Rys.4.5. Charakterystyka Rys. 4.6. Charakterystyka
Ie
:o-
kolektora Ie jest tu UBE•a UcEjest zmiennym para-
metrem. Na rysunku charakterystyka tranzystora, po-
dobniejak charakterystyka diody, ma przebieg W
od równania (3.1), korekcyjny m jest tu bardzo bliski
[4.l].Mamy
4 .1. CHARAK.TERYSTYKJ I PARAMETRY

_____ ,
(4.1)
...,.,.,.,.,.,..,,,,,..,.,,~."'~
47
Równanie (4.1) jest przy Ie jest od
zerowego Ies·
tranzystor powinien jako wzmacniacz liniowy. Jest to
WpJ
w ustalonym punkcie pracy IeQ, UcEQ on wysterowany
W takim przypadku charakterystyki w otocze-
niu punktu pracy stycznymi do nich. Nachylenie stycznej nazywamy paramet-
rem lub malosygnalowym .
kolektora Ie ze zmiany U»E charakteryzuje
konduktancja przenoszenia w przód (transkonduktantja) gm
la
{µAJ
100-
80
równanie (4.1) 60
40
20
(4.2)
o
Rys. 4J
Jest ona proportjonalna do kolektora i nie od indywidual-
nych poszczególnych tra nzystorów. Do jej obliczenia nie jest po- Jej wa
trzebny katalog dane tranzystora. teryst:
kolektora od kolektor-emiter charakteryzuje
rezystancja
D
poszcz;
Z rysunku 4.6 przy kolektora jest ona mniejsza, E
nachylenie charakterystyk Rezystancja jest w bazy. ,,
niu odwrotnie proporcjonalna do le, czyli nikiem:
I,..~: I
(4.3) /J
Ur nosi Early'ego [4.2]. Poniew.

Jego z pomiaru 'ce· wówczas rezys-
dla dowolnych kolektora. Typowe Uy wy- nie jest.
80 ... 200 V dla tranzystorów npn oraz 40 ... 150 V dla tranzystorów pop. podano:
W do lampy elektrono:,vej, tranzystora nie stero- ma/osy&
to na charakterystyce podanej na rys. 4.7.
Tak jak charakterystyka opisana wzorem (4.1), charakterystyka /J :
ma przebieg korekcyjnym nie jest jed-
nak równy i nie go w tym wypadku Jego zali
., . ,.•,, ••...., .•,..,.., •.,,,..,....,..,..,., •.., •.,., . , . ,.,• ,,.,..-,......,..,.._..,.. ~ •• .;J . ~ • .•• ,•.-u· •rrr•••, •,•,•,-,-, .,.,,........., ••• ••. u . • , •,• HtH+ ,·.-.·r·-- ... ,,,,,,,,,,, ,,._._.,.,.,h , ;.v •• ·.-,-.•,•,v,•.,,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•,•.-,•rr.r _ ,
48 4. TRANZYSTORY B!POLARNB
- """i'=.._ __ _____ .____ _ _ _ _
auBsI
O[B Uc, = ooost
e
Is
(µAJ
100
80
60-
40
20
.2)
o 200 400 600 UsE{vJ
Rys. 4.7. Charakterystyka

al-
JO- Jej otrzymujemy przez równa nia charak-
uje
Niestety , na tej podstawie nie rbv dla

poszczególnych przypadków korekcyjnym nie jest znany.
sza, kolekto ra w pierwszym jest proporcjonalny do
bazy. to na rys. 4.8. Stosunek Ie do / 8 nazywa statycznym
nikiem wzmocnienia
le
(4.3) Pst=/B (4.4)
[4.2]. charakterystyka w do cha rakte rystyki

ezys- zawiera korekcyjny m f:. I , wzmocnienie
< wy-
nie jest stale, lecz od kolekto ra. Typowy p rzebieg tej
pnp. podano na rys. 4.9. Do obliczenia zmian w punkcie pracy definiuje
;tero- malosygnalowy wzmocnienia
;, 4.7.
styka
;t jed-
Jego od kolektora podano na rys. 4.9.
4.1. CHARAKTERYSTYK I I PARAM ETRY MALOSYGNALOWE 49

le Re
[A] fist ,/3
100m
10m
1m
100JJ,
10µ
1µ, o.___,_ ___.
_ _.__---'---'--- -
10n 100n 1µ 10)). 100)). 1m lB[A] 1JJ. 10ji. 100J1. 1m 10m 100m Ie [A]
wa1
Rys. 4.8. Wykres typowej Rys. 4.9. Wykres typowej statycznego i ma-
kolektora od bazy dla wzmocnienia
tranzystora mocy go od kolektora dla tranzystora mocy
Dla tranzystorów mocy maksimum wzmocnienia w za-

kresie amperów, jego jest jednak znacznie mniejsza,
dla tranzystorów malej mocy.
Ze fJi na podstawie konduktancji przenoszenia w przód
na rbe w.
(4.5)
W przypadku cha rak terystyki z rys. 4.7

rzecz charakterystyk, UcEjako para- Wt(
metr. od UCEjestjed nak tak w prak tyce krzywe no D
na siebie. W analizie opisuje
wstecznego przenoszenia zwrotnego)
kuw lub malo:,,ygna/owa konduktancja przenoszenia wstecz (zwrotna) gw:
kuw= ~
auBEI ' g..,=
a1BI
au
CE l. = coosL CE v., = oonsl
Przy zwrotne jest dodatnie,

a przy - ujemn e. 10- 4 • Z tego
zwrotnego w praktyce Pr zy
wsteczne Zjawisko to
na przez kolektor-baza. Zajmiemy
tym jeszcze w rozdz. 16 (wzmacniacze szerokopasmowe). Wprowadzone para-
metry obliczenie zmiany bazy lub kolektora w spo-
só b ogólny. w tym celu, Wska
wukl
In = Ia(UnE, UcE)
obwa
Ie = Ic(UnE, UcE) rozwi
50 4. TRANZYSTORY HfPOLARNE
Po wprowadzonych iz
a1n
. zwrotnego (g w = ---
warna O) otrzymamy rownarua
, .
oUcE
(4.6)
(4.7)
W zapisie macierzowym
W teorii obwodów tu macierz czwórnika nazwa-

no Y. Oprócz niej, jest stosowana macierz H
elementami tych macierzy
1/rbe= Yue = 1/hue

gw= Y12e = - h12efh11e O
gm= Y21e = h21efh11e= /3/rbe
„e" w parametrach czwórnikowych oznacza, tranzystor pracuje

w wspólnego emitera. W tym zacisk emitera jest wspólny dla
obwodów i pracy tranzystora
w dalszych punktach.
____ ...,.. ... ...,......., .. ..... . ,., •••,., .............. , ............ ___ ......... ...... ..... ,., ........................ .-.w. ..................... .. ...... • • • • ••
4.l. CHARAKTERYSTYKI I PARAMETRY MALOSYGNALOWE 51

poda
wy 2
wart1
kroc:.
Dla tranzystora podaje wiele parametrów granicznych. z dopu- wych
szczalnych wstecznych jest z wsteczne a emi-
terem UEBomax·Dla tranzystorów krzemowych dopuszczalne zazwyczaj
znaczne wsteczne emiter-baza, podobnie jak w stabilistorach. termi
z dopuszczalnych wstecznych jest wstecz- w
ne kolektor-baza UcBomax·Maksymalne dopuszczalne kolektor-emiter dem,
UCEomax jest mniejsze UcBoma:x i wynosi tylko jego te
ono, gdy zacisk bazy nie jest rozwarty, lecz gdy nia o,
emiter a zostanie rezystor, przez który bazy. to Re
to oznacza jako UcER· poda,
Na rysunku 4.10 przedstawiono charakterystyk dla czona
kolektor-emiter, z zaznaczonymi przebicia
[4.3]. przebicia UcERjest tym im mniejsza jest
rezystantja R. Dla R = O otrzymuje UcEs
(zwarty obwód bazy - shorted base).
gdzie
le moc .
Rys. 4.10. Charakleryslyki dla
Dla porównania narysowano obwodu kolek-

tor-baza (/E = O). na niej,
UcEOmax
< UcER< UcES< UCB0max
Linia przerywana na rys. 4.10 oznacza drugiego przebicia (secon-
dary breakdown) [4.4). Rys. 4 ..
z dla tranzystorów mocy jest maksymal- górny r:
na moc strat. Moc strat jest zamieniana w tranzystorze na T0-92,
P,tr = UCEic + UBEIB UcEic I

temperatura nie wiono,
81, maksymalna dopuszczalna moc strat od W katalogach nej me
52 4. TRANZYSTORY BIPOLARNE
podaje moc strat Psrrmax przy temperat urze obudo-
wy 25°C. tej temperatury moc strat musi mniejsza od podanej
maksymalnej, w przeciwnym przypadku prze-
kroczenie 9i. Typowe 9i 90°C dla tranzystorów germano-
wych i l 75°C dla tranzystorów krzemowych.
w tranzystorze wydzieli moc strat Psr,, to ogrzeje
obudowy o l!..9j-, = Rthj - ,P sr,, przy czym R,hj -, jest tu
a Obudowa ogrzewa
otoczenia o l!..9,- a = Rch,- a Ps,,· ogrzewa
dem otoczenia o l!...9i- a = (R,hi -c + R 1h,-)P 31„przy czym R,h,-a jest rezystan-
a otoczeniem. ona od sposobu
nia obudowy. tranzystor pracuje w otoczeniu nieruchomego powietrza ,
to Rihc- a od jego obudowy. W tym przypadku jest
podawana Rrhj-a = Rrhj-, + Rthc-a· Moc, przy której zostaje przekro-
czona temperatura 91, oblicza zgodnie z tym ze wzoru
gdzie 90 jest powietrza. R,hj - , Rth, - b,

moc P,91 prawie od obudowy.
spotykane obudów pokazano na rys.4.11.
Rys.4.11. spotykane obudowy tranzystorów;

górny - obudowy metalowe T0-18 , T0-5, T0 -66, T0 -3; dolny - obudowy plastykowe
T0-92, T0 -126, T0 -220, T0-3P
Maksymalne moce strat dla typowych tranzystorów krzemowych zesta-

:1 wionow tabl. 4.1. W ostatniej kolumnie podano typowe maksymal-
l1 nejmocy strat, pod warunkiem, obudo-
4 .2. PARAMETRY GRANICZNE 53

wy tranzystora utrzymuje na poziomie 25°C. Warunek ten jest w praktyce szai
bardzo trudny do chcemy moce strat do ting
podanych w kolumnie drugiej, radiatory. one
znacznie a otoczeniem . Wt1
ne 1
Tablica 4.1. spotykane obudowy tranzystorów krzemowych
Typ obudowy Maksyma .Ina moc strat przy Maksymalna moc strat
nien
pracy w nieruchomym powietrzu przy temperaturze nale.
Metalowa Plastykowa o temperaturze 25°C obudowy 25°C weg,
[WJ [WJ traru
nie.z,
T0-18 T0-9 2 0,3 0,6
T0-5 T0 -126 l 5
Wm
T0-66 T0 -220 2 25 nym
T0 -3 T0 -3 P 3 100
Tablic
Rezystancja Rtl•c- a wówczas z rezystancji termicznej
otoczeniem a radiatorem oraz radiatorem a tranzystora. Po- Typ
w tranzystorach mocy kolektor jest z
Prodi
niekiedy istnieje izolacji za z miki lub folii
silikonowej. izolacyjna wprowadza jednak
Ogólnie P 8j oblicza w sposób: TypJ
Typ l
(4.8) Par8J
Napi~
.
gdzie 1:,Rih jest wszystkich rezystancji cieplnych a otocze-
niem, które ma liczbowy podamy w p. 17.7. I
Moc s
fe Param
z
Poje.11
Tzw.druq,e Pojemi
przebicie
Param
/
Param~
lfuomax UcE
Rys. 4.12. Dozwolony obszar pracy tranzystora

Pole wz
Na rysunku 4.12 w polu charakterystyk tranzystora wryso- Parame
wano dopuszczalny obszar pracy. Ograniczenia z maksymalnego
du kolektora Icmax,maksymalnej mocy strat P8j (tzw. drugie przebicie) i ma-
ksymalnego kolektor-emiter UcEmax·Wypadkowy , dopuszczalny ob-
·-~=,_ ......
,,-vmmmu.·,.w.....,.w .. -~N...-......-.-.- ·•V•W•···
······
·················
·····•·mmm""•'·· · ·······,s. •.s-•-· ~,-. .,.w .. w.·······••·
54 4. TRANZVSTORY BTPOLAR.NE
szar pracy nosi dozwolonego obszaru pracy aktywnej (safe opera-
ting area, SOA).
Opisane dane tranzystorów producenci w kartach katalogowych.
W tablicy 4.2 zebrano dane tranzystora mocy i tranzystora mocy. Znacz-
ne parametrów granicznych w przypadku i mocy strat.
parametrów charakterystycznych zwraca rozrzut wzmoc-
nienia Z tego w których tranzystory,
i tak, by rzeczywista wzmocnienia
wego nie w istotny sposób na ich Przy
tranzystory mocy z powodu rezystancji
niezwykle wysokie baza-emiter i nasycenia kolektor-emiter.
Wzmocnienie w tym zakresie silnie maleje i przy maksymal-
nym kolektora równym 25 A ma ok. 1O.
Tablica4.2. Typowe dane tranzystorów mocy i mocy
Typ BC237B BD249A
Producent TI, Motorola TI , Motorola

Siemens
Typ przewodnictwa npn npn
Typ komplementarny BC 307B BD 250A

Parametrygraniczne
kolektor-emiter UeP.Omc,x 45 V 60V
kolektora Ie m= lOOmA 25 A
baza -emiter U,rnomax 6V 5V
bazy [/Jmox 50mA 5A
Moc strat P11,max 300mW 125W
Parametry
zerowy kolektora ler:o 0,2 nA 0,5mA
kolektor-baza ej( 3 pF 500 pF
emiter-baza e1. 8 pF
Parametryprzy le 10 µA 0,1 A
baza-emiter UIJE 0,5 V 0,7 V
nasycenia UeE,ar lOOmW 70mV
wzmocnienia p ok. 150 ok. 100
Parametryprzy le 1 mA JA
baza-emiter U,rn 0,6 V 0,8 V
nasycenia Uee,., 60 mV 200 mV
wzmocnienia p 240 ... 500 40 ... 180
Pole wzmocnienia /1· 100 MHz 3MHz
1- Parametryprzy le 100 mA lOA
(- baza-emiter UBP. 0,8 V 1,3 V
L-
nasycenia UeE,a: 200mV 700 mV
w7.mocnienia fi ok. 200 ok . 40
)-
4.2. PARAMETRY GRANICZNE 55

Ponic
go pr
Re, t~
trzy podstawowe pracy tranzystora jako wzmacniacza.

od tego, czy emiter, kolektor lub baza
dy ze wspólnym emiterem, wspólnym kolektorem lub te
w dalszym opisane,
wszystkich tranzystorowych. Ze na wywodów
ograniczymy do tranzystorów npn, a tranzystory pnp
tylko tam, gdzie ku temu szczególne powody. We wszystkich
tranzystory npn tran zystorami pnp i na odwrót , W celv
i konde nsatorów elektrolitycz- i pods;
nych. Wszystkie obliczenia tranzystorów krzemowych, dla których
baza-emiter w punkcie pracy Q jest UBEQ 0,6 V.
Otrzyn
4.3.1.Zasada
W celu analizy ze wspólnym emiterem pokazanego na rys. 4.13, do-
prowadzimy do jego UwE o 0,6 V,
kolektora miliamperów. teraz Po roz•
cie o 11UwE,to kolektora Ie zgod-
nie z rys. 4.5, 4.6. charakterystyki prawie po-
ziomo, zrobimy najpierw Ie tylko od UBE, kI
a nie od UCE.Wtedy
W gran
Ucc
+
Re co jest z
lwr
le Uwy
1 k„c
Zgodnie:
ó.U cia na re
Wzmocnienie k. 0 =
ó.U wr = - gm (Re li, ce) Pr.
WF.
wzmocni
Rezystancja wej.frimva r .,,= rb,
Rezystancja r„1 = Relir„
Rys. 4.13. Wzmacniacz z tranzystorem w WE Rys. 4.14. Schemat uproszczony I) VI
56 4. TRANZVSTORY BIPOLARNE
kolektora do tranzystora ze
go przez rezystor Re, wzrost spowoduje spadku na
Re, tzn . Uwr zmaleje o
ma wzmocnienie rozwarciowe 1>
(4.9)
W celu obliczenia tego wzmocnienia wykorzystamy równani e (4.7)

i podstawimy warunki dla lwy= O rys. 4.14
Otrzymamy wówczas
Po d Uwr otrzymujemy wzór na wzmocnienie

rozwarciowe
(4.10)
W granicy, dla Re~ rce
co jest zgodne z równaniem (4.9). Po podstawieniu równania (4.2) uzyskujemy
k - lcRc (4.11)
uO - - UT
Zgodniez tym, wzmocnienie jest proporcjonalne do spadku

cia na rezystorze kolektorowym Re.
to na liczbowym: ro zwarciowe
wzmocnienie przy Ie= I mA i Re= 5 kil. Z równania (4.2) przy
l mA otrzymamy gm = 1 mA /2 6 mV = 38,5 mS.
•>Wzmocnienierozwarciowe jest przy braku (przyp. red.).
4.3. ZE WSPÓLNYM EMITERE M (WE) 57

r,e przy 1 mA jest J00 kil. Z równania (4.1 O) otrzyma-
my wówczas wzmocnienie
kuo = -38 ,5 mA/V· (5 kQ 11100kO) = -183
w jest warunek Re~ r,e, wykorzys-

równanie (4.11) i otrzymamy
ciu nii
5 V
kuo
26
mV =- 192
Obecnie przeanalizujemy drugi przypadek graniczny , Re~ r,e· Trudno

go za rezystora kolektorowego Re, po- Popoi
wówczas, zgodnie z równaniem (4.3), spadek na Re
w porównaniu z Uy 100 V. Istnieje jednak zrealizowa- I
nia rezystancji kolektorowej w postaci Jak jeszcze zobaczy- dUBE:
my w p. 4.6, za jego przy nieniu.
rezystancje dynamiczne. Z równania (4.10) przy Re~ rcewynika maksy-
malne wzmocnienie
r
kumax= lim lkuoI= lim gm(Re li r,e) = gmrce
Rc-t oo Re~ oo
Rezystl
Nie ono od kolektora, gm jest wprost, a r,e odwrotnie
proporcjonalne do Ie. Z (4.2) i (4.3) otrzymamy punkcii
wybier:
· --
Ur =-- Ur (4.12) .[
potrzeti
spadek:
Typowe dla tranzystorów npn 3000 ... 7500 , a dla tranzys-
to rów pnp 1500 ... 5500.
Rezystancja i r„
Przy obliczaniu wzmocnienia nie dotych-
czas rezystancji r 9 i rezystancji RL. Pi
Aby móc ich musimy dwa dodatkowe parametry cia, tzn
du rwe i r"'Y' pokazane na zmniejs;
rys. 4.15.
ku
gdzie ku
Sti
.L-- -- -- - -
gu
Rys. 4.15. Schemat w którym rezystancji i wyj-

wzmacniacza
-~-~~
................
. .....
,.,
.,........
. ..........................................
..;
..........
....
.,.,.,.
,.,.,.,.. ...
......
__ ....,_
.~-.,.,.
........,.......
. ......
=-- ....
..,.,
.......
......
...........
.-....
.,.._,,._.......,.....,.
....,.....
........................
...
58 4. TRAN2YSTORY BIPOLARNE
definiuje jako
przy rozwartym Zgodni e z rys . 4.15, na

ciu wzmacniacza
Po przez wzmocnienie tego kuo otr zymuje

y bez
Przy obliczaniu r we skorzystamy z równania (4.6) i przy
,_
dUBE= dUwE i dl 8 = dlwE otrzymamy wprost wynik r we = rb,r Przy
nieniu równania (4.5) wynika
,-
(4.13)
Rezystancja jest tym im jest mniejs zy kolektora

ie i wzmocnienie /J. wzmocnienie w
punkcie pracy zgodnie z równaniem (4.11) nie od fe, kolektora
wybiera tak, by rezystancja znacznie od r9 •
2) Do obliczenia wzmocnienia przy pracy z jest
potrzebna rezystancji rwy· Podaje ona , jak je st
spadek przy dlwr i
IS- E0 . Analogicznie do rezystancji definiujemy
rwy= -
iJUwr
i)J
I
WY E0 =consl
:b-
~L-
Przy RL rezystancje rwy i RL dzielnik
.la- cia, tzn. wzmocnienie jest zmniejszone RL/(rwy + R 1) razy.
na nazywamy wzmocnieniem roboczym
k = dUwr =k RL
• dUwE uO rwy+ RL
gdziek. 0 - wzmocnienie rozwarci owe.
Stosunek przy do bie-
gu jest wzmocnieniem skutecznym
wyj- k = dUwy I = ,-we k = _ rwe k RL

uef dEG R•• ,, ,.we+ rg u rwe + rg uO R1,+ rw y
•H nHnNnN N>.UV V VU "N,•V .. • ., , • • • ,n ._, ~ _, .,,,,. ._,.,_,,..... ........, ........ _.,,,•,•,•,•_.. o•o•o•o•o•o•o•o•
.. o•,v,•,• .. ,v-.•.-vv+ . ... ·. ·· -- • • • ••• • • • • • -' • •' • • • ,._..........___ ._._..._..._.o•o•o••·••••••o•o•o•o
•o•.... .... ,.,-•,••• •
4.3. ZE WSPÓLNYM EMITEREM (WE) 59

W celu obliczenia rwy zastosujemy pierwsze prawo Kirchhoffa do rysuje
ze wspólnym emiterem z rys. 4.14, otrzymamy rezystl
wych ..
dUwy jego n
- die-diwy - - - = 0
Re tego r
równa
Po wstawieniu do równania (4.7) mamy J,
dUwy l g
-diwy - R = gmdU 8 E+ - dUwy nia na .
C r,e
Wskutek zwrotnego, z równania dEc = O wynika

wprost d UBE= O, otrzymujemy 4.3.2.
dUwy R<:Yce
r
wy
= - --
diwy
= -- -
Re+ r,e
=Rcllr
ce
(4.14)
tek silrn
ai
nia. Mii
teraz wzmocnienie robocze ku. Z (4.10)
i (4.14) otrzymujemy
h:
(4.15)
Przy obliczeniach prowadzonych dla równo-

legle rezystancji Re, rce i RL. Wynik ten =
dowo na podstawie schematu podanego na
rys. 4.16. w odpowiada , co
równaniom (4.6) i (4.7) dla wybranego punktu pracy.
Poo
rg twe ,-- ---- --· : Le
-~, lwy skJ
Uwe= Ube
l..-- ---o--+!
l
_..-_., _ ___,~
!r1,e
.;......o- - --
RL
-.J
ot Uwy
soidalnie ,
L ____ ___ _ _
Rys. 4.16. Malosygnalowy schemat lranz ystora w WE Po
na 1
nas tylko
zmiany punktu pracy,
damy, z szeregowo
ie (t)I
Ee i zmiennego eg. e9 wybiera tak
w za deG. Zgodnie z tym
ee = Ee+ e9 , gdzie deG = e9

w odpowiednio na
i Na schemacie dla
,.•.,.,.,.,.,..,.,
..__ .........
._,.•• .....
,.,.._._
•••• · v.v-.v.-.-.v.v. .... -. ................. .,. •,.,.,.,.,. . ,,,,,,,.,.... ,.~ ....... .. . .,.. ..,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,.,.,.....,.,......_~ ....... , ·u · v ",. .........
....................
..........
....
rysujemy tylko zmienne i wtedy
rezystancje dynamiczne jak i metody analizy obwodów linio -
wych. zasilania jest wtedy za zwarcie , zmien na
jego jest równa zeru . Jak to z porówna nia z rys. 4.13, wskutek
tego rezystor kolektorowy Re jest kolektor a a
równolegledo rce i RL.
Zgodnie z rys. 4.16, przez tych rezysto rów
gmube" temu wyprowadzone
nia na kuo, ku, rwy,rwe·
4.3.2. nieliniow
e
amplituda uwe nie jest to wsku -

tek silnej charakterystyki
nia. jest harmonic znych
1
skute czna harmoniczny ch
100%=
JntU;
11= ------ -- ---- X -= =
skuteczna ca/ego
,-
X 100%
,a
Podaje on stosunek skutecznej harmonicznych do na-

podstawowej na jest wysterowane sinu-
soidalnie punktu pracy, zgodnie z
Po rów nania charakterystyk i (4.1) uzyskamy wyra-

na kolektora
da
m w szereg daje
lc(t) = lcs e Ur
• u,..[
--
1 + --u
wem ·
smwt + -uwem2
2
(1 - cos2rot) + ...J
UT 4 Ur
..., .... " · ·-..,........
-.·v .·-.·-.,,,•, .,., ,•••,,,..........,....,.,...,.,.,.. v ......... ..,......_...,.u ..... . . .... ........ ..,.,., .,.,.,.,.,.,., .... • ...... .... ..... .. .... ...,..,..,.,..,.,.,.,.
,.,.,.,·,·r,r,.;•rr
.·.. ... . . .. ~. ........,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•
, ..

o podstawowej oraz samy
ham10nicznych, otrzymujemy UBE :
napi~
h Icm2 • 100% = Uwem . 100% wzma
Jcml 4Ur
harmonicznych jest proporcjonalny do amplitu-
dy i nie od punktu pracy. Teraz
jak amplituda nie chcemy
nieliniowych 1%
na sp1
Przy wzmocnieniu k., 200 wynika maksymalna am-

plituda równa ok. 200 mV.
tzn. nit
4.3.3. WE z ujemnym zwrotnym W celu
Do zmniejszenia nieliniowych ujemne

zwrotne. W tym celu do d'
tak, by on Wprawdzie powo- d
duje to zmniejszenie wzmocnienia, ale ujemnemu ono
od stosunku dwu rezystancji, a w mniejszym stopniu od nieliniowej i podst~
charakterystyki tranzystora.
W przedstawionym na rys. 4.17 ujemne zwrotne jest g,,
zrealizowane za rezystancji RE do obwodu emitera.
li UwE• to kolektora IE~ le, w tym
+
Re W celu~
!Uwy
1
Ed DlaRE-
RE oczeki':
Rezystancja r .,. 'b•+ PRH
nego. Prz
RezystOJlcja wyjfriowa r „1 Re
d Uwy Re KmRe Re
Wzmocnienie kuo/ = - =- - - -
dUw 8 Re I I + g„R 8 Ri;
Re + - + _ ,
g„ kumax
Rys. 4.17. WE z ujemnym zwrotnym l) 2e,

.................................
..............................
.......·•,·,,•,•
,•,..,............
.......
..._
...........................
...,.,.,.,
..........
..-
.................
,.,.,.,.,,.,
...,.............
,......._
...._....,== ····
..............
, ,.............
,.,.,,... ...... ,...
...,..,,,..
samym stopniu wzrosme spadek UE= IERE.
U8E = Uwe - UE, przyrost U8 E(!::.U
8 E) mniejszy przyrost
(!::.UwE).Zmiana emitera
wzmacnianiu przyrostu (!::.UwE); ujemne
zwrotne. jest ono przez emitera ,
je lub szeregowym 1 >ujemnym zwrotnym.
w pierwszym U8 E, otrzymamy
t::.uE~!::.UwE
przez Re praktycznie taki sarn jak przez RE, zmia-
na spadku na Re jest Re/RE razy !::.UE.Wzmocnienie
ze zwrotnym jest w
tzn. nie zawiera od parametru tranzystora.

W celu obliczenia wzmocnienia
z rys. 4.17
dU8 E = dUwe - dUE dUwy = -Redle

dUcE = dUwy -dUE dUE Redle
i podstawimy je do równania (4.7). Otrzymamy wówczas, przy
dUwr ____ Rc"----- -

kuo1= d- U = - (4.16)
WE 1 Re
RE+ - + -
gm kumax
W celu zbadania przypadków granicznych pod
(4.17)
DlaRe_. Owzmocnienie k„01 do - gm(Re Jl rce),czyli - jak

do tego w bez zwrot-
nego. Przy silnym zwrotnym, tzn. Re/R E gm(Re li r,e) otrzymamy
(4.18)
•>Ze na sumowanie U8 e i Uli (przyp. red.).

,..,.,..,.,
,,,,,.,.,,..,,,...
,,...,.,..
.,....,,... . ....~·- ....-•.,.,.,.,.,.,.,
.•.,.,.,,,......,•. ,,,,,,,,,.,.,.....,.,.,.,.,.,.,.,. -=.,._,....,.,.. , .....,... ,,,,,.,...,.,.,.,.,
,..,.v+.,._.,,...,,.,,_,.... .,....,....... ....,
.. ..........
........
,.........
,...,.,.,.,.,
..................
..........,
4 .3. ZE WSPÓLNYM EMITEREM (WE) 63

co jest zgodne z Dla R e rce z równania (4.16)
ot rzymujemy
tu
(4.19)
Rys. 4. J
jest przenoszenia tranzystora ze zrealizo- 1

wanym za rezystora Re. ona podanie prostego wzoru na
wzmocnienie
Otrzyni
Rezys tancja
Jak ujemne zwrotne zmrneJsza
zmiany U8 E i tym samym powoduje wzmocnienia Po- \\I
powoduje to zmniejszenie pr zyrostu dl 9, rezy- pierws2!
sta ncja tyle razy, ile razy wzmocnienie
rce p Re otrzymamy dl
d.l
(4.20)
Przy uw
ujemne zwrotne nieco df.

która w granicy, przy silnym do Re·
oraz ko1
4.3.4. ujemne zwrotne
Inn a wprowadzenia ujemnego zwrotnego polega na do-
dani u poprzez RF do
wego, jak to pokazano na rys. 4.18. ze wspólnym emiterem Rp
jest wzmacniaczem wskutek tego zmniejsza
W celu przedstawienia
cie o 11Uwe· Spowoduje to wzrost U9 e, a wyj-
zmniejszy o I/1Uwr I p 11UBE· 1 przyjmiemy, rezys- Przy R 1 .
tancja RF nie jest rbe , to 111

8 11IF.Mamy wówczas
11IF 11Iwe k„o
......
,.,....
.,....
.,..,..,..
...,..
......,.,.,.,..
...,.,...,.,....,.... •......,.,.,
...,........
....
.........
....................
......
............. -,.,.,.,,.,..,.,.,..........
....... ·= ...-,...... ..,.............................................
. ..-. ···················
·..........
....
........
Wzmocnienie
Rp
k.o,~ - -
R1
Rezys tancja rw• R1
Rezystancja
r..,,~ - I ( I + - Rp)
g,.. R,
Rys. 4.18. WE z ujemnym zwrotnym
rezystancja R 1 jest tak l:!,,UwE l:!,,UBE>

to
Otrzymujemy
W celu obliczenia wzmocnienia zastos ujemy

pierwszeprawo Kirchhoffa do zacisków bazy i kolektora
dJWE - d[B - d[F =0
dlr - die - dUwrf Re = O
Przy
oraz z równania (4.6) i (4.7), otrzymamy wzmocnienie
dUwE 1 + R 1/(rbeliRF)
dUw 1, =- (gm - 1/Rr)(Rc li r"e li RF)
RF 1/gm, to
1 + Rif(rb~ fj_ _ ~1 (4.21)
gm(Rcll rceli RF) RF
PrzyR1 -4 Ootrzymujemy, zgodnie z oczekiwaniem , wzmocnienie bez

zwrotnego
kuo= - gm(RclirceliRF)
•~>Vb..,.,, ., ._.... ,,1 :,-v.•,v ,•h v ,•......,~,' .._._
.. ,,.,', '•~- ·· ~•• , ... ._,,.,•,•,•,•,•, ,,,,,,,,,, ,,,, U+r ,•,•r ... ..-...-.._._...•• •••• -.-.,..,-.~ , ,,,,,,, .HN •.•.••• , ,•v ,•,•,•,•,•,•r ,•.-.•,-.•,-.._,_,._ . ._,.. ,. ............. ....

na fakt, Rp nie za rezystancji w spos:
w porównaniu z Re, wówczas nawet bez prz~
wzmocnienie przy opisie zapom
Rp nie za w porównaniu z rbe• pustow,
wówczas nie Przydatnym kompromisem jest dobór RF~ Re~ rbe· one
W przypadku silnego tzn. wówczas, gdy R 1 ma ten sam wiel-
co Rp, otrzymamy wzmocnienie
(4.22)
co jest zgodne z
na podstawie
rozumowania: zmiana
!i Uwy = - gm(Rc 11rce li BE· Zmiana przez RF wy-
nosi wówczas Rys. 4.19!
w;
nie wart
Rezystancja zwrotnego RF na jak zm1
rezystor Rp/g,nCRcli r,e li RF) a Otrzymujemy produk:c:
w ten sposób alnie dlai
On
(4.23) peraturo,
tranzystc
rys. 4.21
zwrotne zmniejsza w tempe1
Dzieje tak , rezystancja RF powoduje wzrost bazy przy z rys. 4.:
kolektora. Przy zmianie wynika i jest tak
zmiana kolektora. Przy podanych dryl
otrzymamy
au
as
(4.24)
Prz1
o ok. 6 V
4.3.5.Polaryzacja
tranzystora
(ustalanie
punktupracy)
,-
Dotychczasowe pracy tranzystora z
w zadanym punkcie pracy lcQ, UcEQ·W celu ustalenia punktu pracy w szereg so-f--
'-·
ze - jak to pokazano na rys. 4.19 - j 2")/
o UBE· Ze na L_ __
zastosowania nieuziemionego to nie jest jednak
ekonomiczne. Z tego bazy U»EQuzyskuje z Ucc Rys. 4.21. Sc
........
........
.........
............
. ...
w sposób pokazany na rys. 4.20, a zmienne doprowadza uwe
przez kondensator. separuje UceQ
za drugiego kondensatora. zawiera dwa filtry górnoprze-
pustowe, których tak, by przeno-
one
+ +
Rys.4.19. Z.asada ustalania punktu pracy Rys. 4.20. Ustalanie punktu pracy dzielnikiem
w obwodzie bazy
Wobec stromego przebiegu charakterystyki z rys. 4.6 ustale -

nie UBEQ jest bard zo krytyczne. niewielkie zmiany U8 E
zmiany kolektora. Z powodu nie rozrzutów
y produkcyjnych, istnieje ustalenia UBEQ indywidu-
alniedla tranzystora, za rezystora zmiennego R 2 •
Omawiany jest szczególnie niekorzystny ze na dryft tem-
peraturowy- danemu kolektora baza-emiter
I) tranzystora maleje o ok. 2 mV/K. Zachowanie to przedstawia pokazane na
rys.4.21 hipotetyczne w obwodzie bazy, którego
w temperaturze pokojowej jest równe zeru i wzrasta o 2 mVfK. W
z rys. 4.20 to jest szeregowo z
ijest tak samo wzmacniane. Wskutek tego przy wzmocnieniu kuo= - 150 wy-
dryft kolektora Uc o
au = k C 2 mV - 300 mV = k . 2 mV = - 300 IDV
ó,9 uO K K uO K K
:4) Przy temperatury o 20 K kolektora
o ok. 6 V. Tak zmiana punktu pracy jest na nie do
, Rzeczywistytranzystor
m, ~Tranzystor bez dryftu
reg
:na
·~
I z"j/!rJ.
temperaturowego
L. __ _
I
• ....J
E
1ak
Rys.4.21.Schemat dryft temperaturowy baza-emiter
'lee
,,.,,, ,.,.,_ ........ , ............... . . .. . .......... . , ••• ,. .... ,. .................... . . . .... , • • , • • • ,.,.,.,.,.,.,. ... . ... ... .......... . . ........................ -- . . .. .. . • . .... ..... , •••• • ,.,., . .... . .............. h . ....................... ..... . . . . . . ... . . . , . .. .. . .. ..... ,v.... --'-··--
Polaryzacja tranzystora bazy
zmian UBE na kolektora przez ustalenie
punktu pracy bazy. W tym celu ze
o w sposób pokazany na rys. 4.22.
wymagany kolektora le wyznaczamy potrzebny bazy
IB =le/Pst
)1
u
Rys. 4.22. Polaryzacja tranzystora bazy
ten musi przez R 1 . Otrzymujemy
R _ Uee - UBEQ Uee

1- ly
sa
zasilania Ucc jest z znacznie od UBEQ,
UBEQ praktycznie nie na bazy. Eliminuje to
niejsze dryftu. Jednak i ten jest niepraktyczny ze na
od temperatury (I %/K) i rozrzut produkcyjny
fisi, który decyduje o i kolektora.
Polaryzacja tranzystora z zastosowaniem ujemnego

zwrotnego
Najlepsze ustalenia stabilnego punktu pracy daje
ujemnego zwrotnego dla do tego
RE, CE na rys. 4.23. Dryft baza-emiter jest wówczas wzmacniany
tylko Re/RE razy. oprócz dodatniego zasilania mamy do dys- Rys. 4 .25
pozycji ujemne, to na
rys. 4.24. przez spoczynkowy ba-
D,
zy, to spoczynkowe bazy równe zeru i
z dzielnika na
zwrotne dla zmiennych jest to kon-
~250, i
densator CE musi zmienne w wymaganym zakresie
CE na wzmocnie-
z:
nia. W równaniu (4.16) RE czenia ft
1 RE densaton
ZE= RE li . C l . R C (4.25) nania (4·
JW E + JW E E
68 4. TRANZYSTORY BlPOLARNE
+ +
R1
C1 u8
Uwer
Uwe
l
l Rz
l Rys. 4.24. Uproszczony stabilizacji
Rys. 4.23. Stabilizacja punktu pracy przez
ujemne zwrotne punktu pracy z dodatkowym (ujemnym)
zasilania
/ 1 = I/2rcRECE tej impedancji maleje, tzn.

wzmocnienie w sposób poka zany na rys. 4.25 proporcjonalnie do
do gmRc (przy J = / 2)
(4.26)
chcemy, by ujemne zwrot ne dla zmien-

nych, ale jednak dla to w szereg z konden-
satorem CE Re < Re,
ku
{log]
YmRc
r, ___ 1_ r[Lo11
2
- 21tCE/gm
Rys.4.25. kondensatora C„ na wzmocnienia
Dobór elementów pokazanego na rys. 4.23 teraz na

liczbowym. Mamy do dyspozycji o rezystancj i we-
rg = 10 kil. Wzmocnienie tranzystora wynosi fisi~ fi~
250, Ucc = + 15 V. Aby nie nadmiernie
wybieramy taki kolektora, by dla
zmiennych nie 20 k.n. ona z
czeniaR 1 , R 2 i rbe• w nas zak resie kon-
densator CE jako zwarc ie. Wybieramy Ie = 200 µA i z rów -
) nania (4.13)otrzymujemy
..........
4.3.
.................
, __
,............... ........,.,.,.,.......
, .•.
ZE WSPÓLNYM EMIT EREM (WE)

......,~~--
.............. ......................
.........................
..........
..........
69
= {JUT = 250 · 26 mV = 32 5 kn
rbe Ie 200 µA '
nie dobierzemy zbyt rezystancji R 1 , R 2 dzielnika

cia, to warunek na
musimy spoczynkowe. punktu pracy
jest tym lepsza, im wybierzemy spadek na rezystancji
RE, wtedy zmiana UBEjest w porównaniu z UE i niewiele
wa na kolektora. przyjmiemy UE= 2 V, to kolektora zmienia
tylko o
2 mV/K 0,1%
- 2V = K
Przy ustalaniu spoczynkowego kolektora Uca musimy

kolektor-emiter przy pracy tranzystora nie do
nasycenia UCEsat 0,3 V, wtedy - zgodnie z rys. 4.5 - na-
silny spadek parametrów /3,gm i rce· Stan nasycenia przy pracy liniowej
tranzystora jako wzmacniacza jest prowadzi do
nie powinno niepotrzebnie
kolektora, wtedy maleje spadek na Re, a tym sa-
mym wzmocnienie Przyjmiemy, maksymalne wysterowanie wyj-
powinno 1:!,.Ucmax = ±2 V.
Otrzymamy wtedy
UCQ > UE + UCEmin + II!,.UCmax I = 2 V + I V +2 V = 5 V

Aby warunek nawet przy tolerancji U»EQ• Ucc
i rezystorów, wybieramy Uca = 7 V.
Teraz rezystancji Re i RE:
!!__E 2V
RE -- o µA =lOkn
fc
Uce - UcQ 15 V - 7 V
Re = - -Ie- - = - 200 µA = 40 kn
Dryft spoczynkowego kolektora wynosi wówczas
oUcQ = -2 mV. Re =- 8 mVjK

89 K RE
spoczynkowy bazy tak, by spadek

na rezystancji RE 2 V. Zgodnie z rys. 4.5, przy
kolektora U»Ewynosi 0,6 V. Wynika
•....-.._....._.,.,-,-,•,•,•,v, ·,-.•, ,., , , ., ._,_._.,_ ............,._._._
,,., •• , - •._..,_ _ V> ........... V.",,, , , ,,. ~._,,._._...._._.
,.,•,•,•,•,•,•,•_.,...,_,_~, ~~-~ ·.,.-.,,.,.,,,•.-,•n ~...--.-.• • •••• , ....,~..,_._._..._.,
,,,_.,.,•,•,u ,•.. •., , .,._,,,,,,,_.,,,,,,,.........,...,...,..,
70 4. TRANzySTQR Y BIPOLARNE
UB= UE+ UBEQ 2,6 V
bazy
I = Ie = 200 µA = O 8 µA
B fi~ 250 '
cy
cji Nie powinien on w sposób istotny na bazy. Dlat ego dobiera-
ty- my przez dzielnik R 1, R2 o 10Is. Otrzy-
lia mamy wtedy
15 V - 2,6 V 26
R1 = 8 µA + O,S µA = 1,4 MO Rz = • V = 330 kO
8 µA
Obliczone rezystancji podane na rys. 4.26.
1a- 1,4M
St.
vej 7V C2 iwy
eh rg iwe
c,
10DnF
,v
"~1
10k52 36DnF RL
sa-
1
Uwy IDOkQ
yj- l
c/I1ooµF
1
Rys.4.26. projeklowania wzmacniacza
Rezystancja dla zmiennego
rwe = rbe li R 1 liRz= 29 kO

Przy kolektora równym 200 µA rezystancja rce wynosi 500 k n. Z rów-
nania (4.10) otrzymamy wzmocnienie bez
Ie
k.o = - Ur (Re 11rce) =- 285
Rezystancja
rwe =- ~Wl.'!!._ I = Re IIrce = 40 kO 11500kn = 37 kn

wym e, = O
Przy RL = 100 kn, dysponowane generatora

e9 jest wzmocnione ze wzmocnienia skutecznego
iek
1rzy k uef- _ UwymI
Egm RL = 100 kO

ta powinna do dolnej granicznej/min= 20 li z.
zawiera trzy filtry gó rn oprzepustowe , gran iczne
/~ poszczególnych filtrów mniejsze Imin· przyjmiemy,
one zgodnie z równaniem (2.19) otrzymamy
r ,...,fmln - 20 Hz - 11 5 JI
Jd,..., n - J 3 - ' J z
1
c1= - -- = o,36 µF
2n!,,,(r4 + rwe)
gm le
CE = 2n!,,, = 2 n!,,,Ur 100 µF o
:·:....... :.::r•-:·•·
..•:VN~(S::~::~:t¼~,r"t····:'··············:-:.-,;,;•r..::•··:-;:
:... ·•··•-:-x,•·•:=·:::--.r:··.:..
...
li~4.4.
:::~:
ze (WB)· D
z:
~"~?i~;:;::::;:::~::::::::::~:::::::::;:~::::~:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::~:::::::~;:;;;::t::::.~~\~
st:
Z porównania ze z rys. 4.27 z ze wspólnym
emiterem z rys. 4.14 w obu jest w
te same dwa zaciski. Z tego powodu otrzym ujemy to1
takie samo wzmocnienie ale z dodat nim znakiem, w tym zal
przypadku zamiast dU 8 e = dUwe dU 8 E = - dUwe· Istot- ko 1
na obydwoma polega na tym, w ze
zacisk od stro ny bazy jest
z Jak na rys. 4.27, jest wskutek tego nie
bazy, lecz emitera. Rezystancja WB jest
fJrazy m niejsza WE. W celu jej obliczenia, na
podstawie rys . 4.27 zapiszemy
Zas:
dlwE = - die = - dI 0 - di e
dU 8 e = - dUwE
dUeE = dUwy - dUwe dUwr = - dl e Re
Po (4.6) i (4.7) otr zymamy
r
we
= rbe(Re + rce)
Kmrber,e+Re+ r,e
= (-1-+
gm
Re ) lir
Kmr,e be
72 4. TRANZVSTOR Y BIPOLARN E
+ Wzmocnienie k. 0 = Km(Rclir,.)
Re Rezystancja r ,,,. :::: I/gm
rg fwE Ir le Rezystancja r .., :::::Re
UwEl fuw
r
t Is
l
tG
l
Rys. 4.27. ze (WB)
Przy Re r,e uzyskamy
(4.27)
co jest zgodne z
Rezystan cja
Dla rg-+O wynika rwy= Reli r,e, jak w ze wspól nym emiterem.
rezystancji prz ez r9 wynika rg powoduje wy-
ujemnego zwrot nego.
m Ze na ze jest
w zakresie stosowany rzadko. W zakresie wielkich
ma on jednak w porównaniu z WE pewne zalety. Ten
m zakres zostanie szerzej omówiony w rozdz. 16 (wzmacniacze szero -
>t- kopasmowe).
E:;; ::f;;_:::::?:1,
Jr;:;i
ze
ny
tie
na
Zasada ze wspólnym kolektorem (rys. 4.28) jest

na doprowadzimy UwE 0,6 V, to
kolektora spadek na rezystancji RE. wyj-
wzrasta do takiej przy której baza-emite r wynosi
0,6 V. Mamy
Uwr = UwE- UBEQ UwE - 0,6 V
wzrasta UwE, to kolekto ra, a wraz z nim spadek.

na RE. Z powodu stromego przebiegu charakterystyki na -
4.5. UKLAD ZE WSPÓLNYM KOLEK TOREM (WK), WfÓRNIK BMITEROWY 73

UBEQzmienia przy kolektora tylko nieznacznie. Na-
wzra sta prawie tak, jak Wy-
nika wzmocnienie
emitera za bazy (,,wtóroje" mu),

WK jest nazywany wtórnikiem emiterowym.
. .
Jvzmocmeme . . k .o -- g„Rs -- I
I+ g„R8
Rezystancja we/foiowa r ..,, :::::
Rezy.Hancja wyj.friowa r_ = RB li(:

.. + ~)
Rys. 4.28. Wtórnik emiterowy

równaniem (4.7) i F
dUCE = - dUwy
dU 8 E = dUwE - dUwy
Je
en
p1
tai
ot rzymamy wynik UIJ
pe
(4.28)
W)I
tu
nia
Po warunku RE P l fgm ze
nic;
jak
co jest zgodne z kol,

Rezy stancja wtórnika emiterowego nie od rezystancji
WE z ujemnym zwrotnym. Z równania (4.20),
przy warunku RE P l /gm, otrzymamy wynik
Irwe = rbe + fJRe fJRe I (4.29)

na ji
74 4. TRANZVSfORY BIPOLARNE
l- dla r 9 = O
y- dla llEG = O wtórnika emiterowego zachowuje tak, jak
du ze W tym przypadku mamy
\d W celu r9 z (4.6) i (4.7). Otr zymamy

wówczas
(4.30)
Na liczbowym jak przyjmo-

rezystancja Dla Ie = 2 mA, P= 300, RE = 3 k!l i r9 = 40 k!l
otrzymamy
26 mV 40 k.Q)3 kO = (13 O + 133 O) 11

11 3 k!l = 140
'wy = ( 2 mA +- 300 O
ny
Przy tych elementów rezystancja
'we = 300(13 O + 3 k.Q)

= 904 k!l
Jest ona 6 OOOraz y rwy· Z tego powodu wtórnik
emiterowy jest nazywany n iekiedy tra11Sformatoremimpedancji: dosta rcza on
praktycznie biegu ze zna cznie rezys-
wtó rnika emiterowego dwa stopnie
sto pnia o wysokiej im ped ancji ze stopniem o niskiej im-
pedancji, bez straty
28) Wybór punktu pracy jest realizowany tak jak w WE z
wymujemnym zwrot nym . Prz y wyborze emitera mamy
tu jednak swobody , kolektora, od wysterowa-
nia, wynosi Ucc· UEQ• w WE
ze tem u istnieje pro stego, galwa-
nicznego wtó rn ika emite rowe go z poprzedn iego stopn ia,
jak to pokazano na ry s. 4.29.
Aby przy wybr anym
kolektora o 2 mA , musimy
ncji
20), R6 = (7 V - 0,6 V)/2 mA = 3,2 kO
wtó rnik a emiterowego jest to, tak

.29) na sobie ze na
4.5. ZE WSPÓLNY M KOLEKTO REM (WK), WTÓRNIK EMITEROWY 75

+15V +1sv +tsv
Rys. 4.29. wtórnika emilerowego
go tylko w przypadku wysterowania bardzo t

mi zmiennymi. Dzieje tak dlatego, rezystancja RL jest Il
czona dla zmiennej równolegle do rezystancji zwrotnego
RE. rezystancja jest w porównaniu z RE, przy g
"
wysterowaniu !iUE wysterowanie jest tak jak p
spoczynkowy i By je na poziomie ,
warunek
4.
\\,,
czyli w
ka
!iU <~dRL u (4.31)
C RE EQ doi
po,
W naszym wynika np. dla RL =rw y= 140 Q maksymalna
dopuszczalna amplituda
A 3,2 kO li 140 n 64 v = 268 v

uUE < 3 2 kQ ' m
'
Z równania (4.31) dla wysterowania Uwym= 1/2 UEQre-
zystancja musi warunek
!?z
Idealne wymusza w RL który nie od
spadku na Rv Zgodnie z sobie schematami pokaza-
nymi na rys. 1.2 i 1.3, taki np. przez szeregowe Rys. 4.
·• ~~...,.,,.,.
.,.....,.,.,.,.,.,.....,..,.,.,.,.,.,.,.,.v.·.-.w.........,...........,.,..,~
••v.-.~ . •...,.,
....,......,..,....,.,.,.,....._.
.,, .., .,,. .,.,,,.,
.,.=-.,..-. ,,•.•,•,•n~-_,.,.,., , ,,, .,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,..
..,......,
,, , , ..
.............
......
EG i bard zo rezysta ncji R G. zwa r-
cia lwy nie ma zbyt EG musi bardzo Na
przy lwy= 1 mA i RG = 10 MO , Ee; 10 kV. Prob -
lem ten zadowolimy
rezystancji tylko w zakresie
go. W tym zakresie tylko rezystancja dynamiczna
dUwr
r =- -
9 diwy
musi podczas gdy rezystancja statyczna Warun ki

takie tranzystor: podczas gdy UaJ!c jest kilku kn , dUcE/dl c
kilkaset kO. Ujemne zwrotne
dynamicznej rezysta ncji o kilka W dal szym
gu i.ajmiemy prostymi z jednym tranzystorem; precyzyjne
ze wzmacniaczami operacyjnymi omówio ne w rozdz . 13.
4.6.1. podstawowy
W pok azanym na rys. 4.30 tranzystor pracuje w
WE z ujemnym zwrotnym. Istotna p olega tyl-
ko na tym, jest szeregowo z tranzystorem. wyj-
ma dopóki tranzystor nie zostanie przeste rowan y, tzn.
dopóki UcE> UcEur· W celu obli czenia rezysta ncji na
podstawie napiszemy
diwy= die
dUcE~ - d Uwy
die= di e+ dl 8
dU8 e = -d l 8 (R 1 li R 2 ) - dlERE
:-
U11 Us - UsHQ
l wr= - =
R ,; R,,.
Rezys tancja
)d
a-
Ne 4.30. z dzielnikiem
4.6. TRAN ZVSTOR JAKO 77

Po (4.6) i (4.7) wynika
(4.32)
Wzór ten trzech pr zypadków szczególnych, gdy

R 1 li R 2 <{ rb.,:
1) gdy Re= O, to rwy= rce,a rezystancji tranzystora;
2) gdy RE<{ rbe•to
rwy= rce (1 J!._ +

rbe
RE) = r,e(l + gmRE) = r,., + kumaxRE
W tym zakresie rezystancja liniowo ze wzrostem RE;

3) gdy RE~ rbe•to
rwy= r,e(l + /J) /Jr,e
W tym zakresie rezystancja nie przy rezys-
tancji emitera. Jest to rezystancja
w przypadku tranzystora bipolarnego.
Przy obliczaniu elementów najpierw
spadek na rezystancji RE. Im jest on tym jest
rezystancja przy zadanym Przy na-
zasilania zmniejsza maksymalny spadek na
RL. Wybierzemy np. UE= 5 V, przy u += 15 V. Przy wymaganym
1 mA uzyskamy wówczas emitera RE= 5 kO. Rezystancje
dzielnika tranzystora tak by
w istotny sposób nie rezystancji Dlatego przy
wzmocnieniu P= 300 wybieramy
Przy takim doborze elementów przez dzielnik R 1 , R2

nie / lwr· Rezystancja pr zy r,e = 100 kQ
300 · 5 kQ
rwy= 100kn [ 1+7,8kn+7,8k0+5kn
J = 7,4MQ
pn
dzielnika
R 2 stabilistorem Zenera).
pokazano na rys . 4.31. W tym bazy jest w stopniu
od zasilania.
-~" ····.._ •• •·.;.wr .·,·,, •,•.-,•,•,•.,.,..,.,.,.,,•,•,•,•,•,• ,•r,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•... ,..,.._. .. ,.,.,.,.,.,.. .,.,.,.,.,._.. ........,..._,.._~www- .,,. . . . ..... ,.,.,.,.,.,.,.,.
_ ... , ,.,.,.,.,.,.,.,.,.~ ..........
~~.-..~...• ...,.,..,.,...,..
.....,.,.,.,........,...,
...
78 4. TRANZVSTORY BIPOLARNE
~) Rezys tanCJa ._ .
. wy1sc1owa r„1 =- dUwr
- = r,. [i+ -- PR11-- J
d[WY (R1 I R 2) + rho+
,y
Rys. 4.31. i.e stabilistorem
4.6.2. dla i ujemnych

dodatnich
Niekiedy jest potrzebne dodatniego lub ujemne-
go lwy o proporcjo na lnej do podanego na
UwE· W tym celu ze dwa komplementarne
jak na rys. 4.32. Uwy = O, to / 1 i /2 sobie równe ,
IS- a lwy jest równy zeru. do doprowadzamy
na cie dodatnie, 12 i maleje I 1 . W wyniku tego ujemny
Przy ujemnym sytuacja jest odwrot na.
rw
est
la-
na
ym
cje
by
rzy
Rys. 4.32. dJa dodatruch i ujem nych
W celu obliczenia wyznaczamy najpierw

11 i 12 • Na podstawie rys. 4.32
,ina
1
Jniu 4 (UEE-
I1= ------
UwE)- UBEQ
RE
4.6. TRAN2YSTOR JAKO 79
1
(UEE+ UwE) - UBEQ.
4
lz= - -----
RE
Otrzymujemy
jak to pod ano

pra cuje poprawnie wówczas, gdy nie przeste ro-
wane. Aby tak z jednej stro n y
musi mniejsza od UEE - 4 UBE• w przeciwnym wypadku jede n
z dwu tranzystorów jest za tkan y. Z drugiej str ony rezystancja musi
na tyle by nie przekro -
UEE/2, wtedy jede n z tranzystorów zostaje nasycony.
4.6.3. Wtórnik Oustro n '

W pod stawowym z rys. 4.30 emitera wzrasta o 2 mV na ji
Ten temp eratu ry moi.na prz ez zapewn ienie spa - g
dk u bazy U8 2 mV na W tym celu r:
szeregowo z R2 jak to poka za no na rys. 4.33.
Mamy wówczas
Ze na lwy i lw E ten nosi wtór -

nika
Aby lepiej warunek UF~ UBEQ•zamiast diody stosuje lwe
tranzy sto r, któr ego kolektor jest zwarty z jak na rys. 4.34. W tym
dzie UcE = U8E > UcEsar·Tr anzystor T 1 nie jest
n asycony. Jego kolektora wynosi lwE - 218 . oba tranzystory
jed nakowe, prze z T 2 lwy= lw E - 21 8 . Po
wzmocnienia Psr= lwy /18
I WY f3sr I
= f3sr+ 2 WE~ lwE
tnc
w zas ad zie bez rezystancji cmiterowych. do
jednak nie rezygn uje z nich w celu rezystancji i dla dzii
wyrównania z doboru pary tran zysto rów. Nie
80 4. TRANZVSTORY BIPOLARN E
+ +i 1-
i
R1 ORL R, ORL
1
" Iwr
Us i wE'1 2IB Iwr
'l wc2IB
uFt fwE- 2/B 1
RE
r,
o- R2
~o
iwy ~ R lwi; wyj.friowy lwy~ lwi;
en "
JSi Rys. 4.33. Prost y wtórnik Rys. 4.34. Wtórnik z tranzystorem
w d iodowym
·o-
Wtórnikiem o i rezystancji
wej, nawet bez rezystancji emiterowych, jest Wilsona przed stawiony na
rys. 4.35. Jest to z ujemnym zwrot nym . Spadek na
tranzystorze T2 w diodowym wynosi zawsze tyle, ile
jest by przez tranzystor T 1 kolektora lwE - 18 •
na
zostaje wtedy stan ustalony, w którym zaznaczone na
pa-
rys. 4.35.
elu
.33. + lw r = iw li
R1
Is
,tór-
! 218
Y
.eniu
Rys.4.35. Wilsona
Wtórnik wytwar zanie wielokro-

lub u przez
do T2 albo T1 odpowiedniej liczby tranzystorów. Warunkiem
jest to, aby parametry tranzystorów prawie identyczne.
i dla
Nie tego w z tranzystorami dyskretnymi. Z tego
)rÓW.
4.6. TRANZVSTOR JAKO 81

powodu do budowy wtórników stosuje matryce tranzystorów
scalonych lub specjalne scalone (gotowe wtórniki jak np.
serii TL 011 ... 021 firmy Texas Instruments [4.5].
~-::···········
···:t,.~ ..~:·:::;
:-.,..
..:..:···:···w:-..:::,:",::...·:·~~·xh":'*:·:::·:::::::.·::.·:
.....
:,:;:,,
m,4•7• Uklad Darlingtona ,nnr:
mt::=····
: ~:~:~:-:·:·:~~·::·::
::······
(··t:·•~··::,.,,,:,:·:·:·:·:·:·:·:·················•
(•'•'•'•'
•'•'•'•',.,.,:,,,,,,,,,',','•'•'•'•'•
'•',',',',','??
~:~t
•.
W wielu wzmocnienie pojedynczego tranzystora jest za ma-

w stosunku do potrzeb. Dotyczy to wtórnika emiterowego.
Dlatego na wtórnika dodaje drugi tranzystor (rys. 4.36).
w ten sposób Dar/ingtona jako tranzystor
o zaciskach E', B ', C'. Jego symbol graficzny przedstawiono na
rys. 4.37.
Parametry tranzystora
Ma/osygnalowy wzmocnienia
c' P'= /31 P2
. ., . 2r ,n, Ur
Rezystanc1a we1sc1owa rb'•' = bel = -!' -
8' le •
le
T2 Transkonduktancja g' =- 2i
I m 2Ur
I
L -[=")- - 2
Rezystancja wyj.kiowa
E'
Rys. 4.36. Darlinglona Rys. 4.37. Symbol graficzny SI

g:
Obliczymy teraz jego parametry. emitera T 1 jest równy p:
bazy T 2 , otrzymujemy wzmocnienia n ,1
równy
(4.33)
Z równania (4.20) otrzymujemy w postaci:
Z równania (4.4) dla lc 2 {J2 lc 1 wynika
(4.34)
czyli
' Ur (4.35)
rb'e' = 2rbe1 = 2{J - -
1C'
---,. ....... .. , • .• ••• .,.,,.., . , •••••••• •••• , , . , .,, ., , , , , ,,,, 'V Hr ur,._...,........,.
._._,.
.... .... . .. .. .. . ,...,..._...,_..,,•,•,•,•,•,•,._._._....,.,.._.._._
.. ... -.·.·····••,-,·,•
,•,•,•,•r,-...-,_ ..~.,.,.• ._., , ,•,•,•,•,•,•,•r ,•r,•r,•.-,•rr,•.....,w....-
... ,
82 4. TRANzySTOR Y BrPOLARNE
W celu obliczenia rezystancji
r,'e' =
dUc'E'
dl '
I
C U•·•·=COOSl
zastosujemy równania (4.6) i (4.7) do tranzystorów T 1 i T 2 i pr zy
nieniu,
dUB'E'= dUBEl + dUBE2= Q
dls 2 = dl c 1
otrzymujemy
r
l - li r,e1(1 + gmrbe2) - li 2r,e1
r,'e' - r,e2 /32 - r,e2 fi2 (4.36)
Ze na (4.3) mamy r,e1 = f)r,ez· otrzymuje

2
r,'e' = r,e2li2r,e2 = 3 r,.,2 (4.37)
1'
W celu tranzystora T 2 , równolegle do jego

baza-em.iter
Darlingtonaz tranzystoramiprzeciwstawnym.i
Darlingtona z dwu tran zystorów przeciw -
stawnych, jak na rys . 4.38 . odgrywa tu tranzystor T 1 , podcza s
gdy T2 tylko wzmacnia tak jak na rys. 4.38, T 1 jest tranzystorem
1y pnp, zachowuje tak , jak tranzystor pnp o parametrach podob-
.ia nych do parametrów Darlingtona .
E' Parametry tranzystor a

Malosy gnalowy wzmo cnienia /3'= /31 /32
i3)
.
R ezystanCJa ., .
we)SCIOWa rb'•' = rbe1 =
fJ'-Ur
TC'
TC'
Transkonduktancja g =-
Ur
1 1
C' Rezystan cja r,.•, = r,, 2 = Uy/ le,
2 2
Rys.4.38. Darlingtona z tranz ystorami przeciwstawnymi
34)
Aby przez tranzystor T 1 kolektora, na
Us'E' = UBEl - 0,6 V. Rezystancja
35)
www ___ .,., ••••••,•,-...-.v.wwwwww- ,•...,,•,•,•,•r,•r•,.,..,.,...MVr==· ·.-.•._._,.,• ._..,.
4 .7. DARLIN GTONA 83

kolektora T 1 jest równy bazy T 2 , przez T 2
kolektora
dlc2 = /J2dlc1 = /J1/J2dIB1
wzmocnienia przyjmuje
,_ d[C' _ R fJ (4.38)
fJ - d[B,
- f'l 2
jak w poprzednim. Na otrzymujemy
dUc'E' I rce1 I (4.39)

= dl
Cl
+ dl C2 = rce2 I /J
-
2
= 2 rce2
ii'····.,.,.,.,.,.~,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,·nN
·*.~$~~. ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.:~~
~~w,.,.,.,.,.,::j:j:jij:j:::j:j:j:::::j:j:~::::::::ij::ilii~;t::':':':':
:$ 4.8. Wzmacniacze
rozn1cowe
,,,,,,,.,.,.,.,
.,.,..;-:,,,,,;::
,,,
,·,
, ,,,,,,,,,,
:~t-:N.st&"'½-~
$:.::::::::.:.·.·.·.·.·
...,.:.:.:,:,:,·.·)).:,:.·,·.·.:.·.·.·
.·::::.·.·.·.·.·.·.·.:
.::.
·.:
::::::.:f:::::w;.::~~.:it:?::
::•
.....
·.·.· .::x...............
··.·.':,:•:•:•:=:=::::::::::::'..
4.8.1. podstawowy
Wzmacniacz jest symetrycznym wzmacniaczem
o dwu i dwu Podstawowy jest przedstawiony na
rys. 4.39. We wspólnym wyprowadzeniu emiterowym znajduje
dowe, które powoduje, suma emiterów /El + /E 2 = Ima war-
8
W stanie spoczynkowym mamy UwEi = UwE2 rozdziela
wtedy, ze na równomiernie oba tranzys-
tory T1 i T 2 • Mamy
p:
1
[El= IE2 = 2 I R
Przy bazy Ri
RI
w
Warunki te nie zmianie, oba o
(wysterowanie wspólne). przy tego rodzaju pracy
dy kolektora tzn. wzmocnienie
wspólne jest równe zeru. jednak przyjmiemy, np . Uwei > UwE2, to roz-
we wzmacniaczu ulegnie zmianie: lei a lc 2 je
zmaleje. Ich suma pozostanie jednak i równa I. Wynika równanie a1
po:
...........
84
__=
Afc1
..,.,.,.......
- !llc 2
............
.,,.,..,.. ...........................
4. TRAN2YSTORY BIPOLARNE
~---.·-· ..,,.,,.,,.,,..~~---··.-
·""" ,•,,·,•······· ····-·;, ,•,•,•,• ...,,..~.·-·..•.-...........•.
,•,•,-.-., .............
,.,.,. ....
=
w do wysterowa-
nia wspólnego,
Zmiana baza-emiter spowodowana temperatury
jak wysterowanie wspólne, a nie skutku. Z tego
du wzmacniacz nadaje do wykorzystania jako wzmacniacz
du
38) + +
Re Re
nie
UwYI tuwr2
39) 1 -1.
r, Tz
UwEl
·::: 1
dUwr1 dUwY2 l
Wzmocnienie k ur -- --
dU -- - --
dU -- - 2 g"' (R C 11 rco )
WliR WP.R
gdzie U,na = Uwe1 - UwH2
.lego
y na
dUwYJ dUwr2 1 Re
Wzmocnieniewspólne k., = - = --- =-
dUwBs dUw,;s 2 r
1
war- gdzieUw,;s= (Uw,;1 + Uw,;2)
!ziela 2
k.,
nzys- wspólnego CM RR = - g.,r
k •.,
przy czym r - rezystancja
Rezystancja
dUwBS dUw,;s
Rezystancja wspólna r .,., =- - = -- = 2Pr
dlwll1 dlw,;2
Rezystancja r...,,= Re 11,
••
I I l
Wejfciowy polaryzacji l 8 = Uwili + lwP. 2) = --
2 2 {J„
o
:y Rys.4.39. Podstawowy wzmacniacza
:nienie
:o roz- Z powodu dryftu temperaturowego wzmacniacz stosu-
.e a Ic 2 je wtedy, kiedy chcemy tylko jedno
nanie a nie W tym przypadku jedno z dwu wzmacniacza ma
zerowy. wtedy UwER = UwE lub UwER =
= -UwE, od tego, które z jest
,w.-,vw..,....,......,,..,..,.,
....,....,.,,._...,..,.,.
• •,.•.v.v .·,·,·,.~~~-~ • • ,......., .,.,.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,••.,.......,......._
.........
._......,,_....., ........ ,.,•,•,•,•,•..,·~-.,.,, • •..••.,,,. ... ,..,., __ .,,_...... ............. ...-~,=
4.8. WZMACNIACZE 85
na dwie a mianowicie na
UwEs i UwER
1
UwE2= UwEs - UwER
2
Wynika
Najpierw zbadamy przypadek „czystego" wysterowania

tzn. przyjmujemy
1
dUwE1 = - dUwE2 =
2 dUwER
J
Ze na emitera pozostaje i
Oba tranzystory jak gdyby w ze wspólnym emiterem.

wzmocnienia
k = dUwn
ur dUwER m
ni1
lub (4.40)
i (1
-k = dUwn =
ur dUwER
Zmiany kolektora równe i przeciwnie skierowane, a przy

tym co do równe tych zmian dla ze wspólnym
emiterem, rozdziela równomiernie na oba
tranzystory. le
W celu obliczenia wzmocnienia wspólnego musimy
istnienie rzeczywistego w emiterach.
86 4. TRAN2YSTOR Y BCPOLARNE
tego oznaczymy jako r. na oba podamy to
samo UwEs, równomiernie oba tranzystory .
one w tym przypadku jak dwa równolegle wtórniki emite-
rowe ze wspólnym rezystorem emiterowym r. A emitera
zmieni o dUwEs, spowoduje to
kolektorów tylko o tej i zmia-

na obu kolektorach
Zmiany te Otr zym ujemy wzmocnienie

wspólnego
k = dUwn = dUwn Re
(4.41)
us dUwEs dUwEs = - 2r
Typowe kW/ ok. 10- 3 , podczas gdy ku,
100 i Przy równoc zesnym wysterowaniu
i wspólnym zmiany z liniowej superpozycji
wzmacniacza jest stos unek wzmocnienia syg-

do wspólnego. Nosi on
nia wspólnego (common mode rejection ratio , CMRR). Z (4.40)
i (4.41)otrzymujemy
(4.42)
y
n W liczbowym w p. 4.ó. l 1 mA ma rezystan-
a 7,4 MO. Konduktancja tranzystora przy
Ie= 1/2!= 0,5 mA
1y
gm= 0,5 mA/26 mV = 19 mA/V
4.8. WZMACNIACZE 87
Wynika wspólnego CMRR 140 OOO,;, 103 dB .
W praktyce uzyskuje jednak mniejsze CMRR, a zmia -
ny - w do wyniku równania (4.41) - nie
jednakowych faz .
Zjawisko to tym,
parametry tranzystorów nie
jednakowe, jak to w obliczeniach. Dlatego grani-
wspólnego tolerancja doboru par
tranzystorów. Przy dobrze dobranych tranzystorach podwójnych
CMRR 80 a 100 dB. Z powodu
kolektor-baza wspólnego, a
i sam maleje przy granicz-
na wspólnego jest mniej sza od
granicznej wzmocnienia
decyduje o niej rezystancja a przy wzmocnieniu
nicowym decyduje o tym stosunkowo rezystancja kolektora Re.
I CM RR I i Ikur I od dla kolektora
równego J mA przedstawiono na rys. 4.40. Pr zy mniejszych
s
(l
graniczne odpowiednio mniej sze .
dB
100
J;
80
60
ku „
40 4,
20
o D
100 1k 101<. 100k 1M 10M f [Hz] fo
Rys. 4.40. Charakterystyka wzmocnienia k., i wspólczynnika sy,
wspólnego CM RR
Rezystancja
Parametry wzmacniacza jest wygodnie Pa
na podstawie schematu przedstawionego na rys. 4.41. wej-
trzy polaryzacji 18 , przy
UwEi = UwEZ = O, przez rwe, i tylko przy
wysterowaniu oraz przez rezystancje r wes·
Rys. 4.41. Schemat obwodu wzmacnicza
88 4. TRANzySTORY BIPOLARNE
polaryzacji wynika ze wzmocnienia tran zy-
storów
Rezystancja wspólna r wes jest

przy „czystym" wysterowaniu wspólnym . Wynika ona z rezystancji
nej r
= liUwEs = liUw~ a = b..UwEs 2 R = 2 /J

rwes !il !il fi !il fi r
B E
rezystancji wspólnej w zakresie gigaomów,

i tak rezystancja r zostaje przez 2/3.
Przy czystym wysterowaniu emiterów pozost aje
a doprowadzone dzieli po na dwa
cia baza-emiter . Wynika rezystancja
_ liUwER _ b..UnE _ 2
'wer - !il - 2 M - rbe
B B
Jest ona dwukrotnie w ze wspólnym emiterem.
4.8.2. przypracyz
Dotychczas wzmacniacza w zakresie pra cy
liniowej.Obecnie zajmiemy jego przy przenoszeniu
Z charakterystyki opisanej wzorem (4.1) otrzymamy
Ic1 = lcseu ,,.tUr
lc2 = Icseu..,1u„
1- I= l c1 + lc2
y
UwER= UBEl- UBE2
.y
(4.43)
lc1 = [eUwu fU, = (1 + tgh UwER) (4.44)

J + eu.,,.tu, 2 2Ur
•- ··--·--···•···w~w··~···-···'-•••··
····=····· ···· ..........w . .wuwo·· ·' ' w,·· ,·····
············
·-- ·~vu ,·, ,·,·········•"'" '•'·-~-···· ·•·· ...-···•...-u,·,·
···
4.8. WZMACNIACZ E 89
Charakterystyka opisana jest przedstawiona
na rys. 4.42. dla UwER= O przez oba tranzystory
taki sam kolektora , równy I/2. W zera istnieje
obszar pracy liniowej ± UT::::::± 25 mV. Przy ±4UT
(± 100 mV) 98% przez jeden tranzystor, a tylko 2% przez drugi.
le
T
----
Ic2 - - -
1,0
le,
I T
-5 -4 -3 -2 -1 O 1 2 3
--4 5 Uwa
Ur
Rys. 4.42. Charakteryst yka dla
Na podstawie charakterystyki za-

harmonicznych. Rozwiniemy w tym celu tgh w szereg do
trzeciej i otrzymamy
/ ( UwER uiER )
lei = 2 1 + 2U T - 24 U/ + ···
Po podstawieniu uwer= Umsinwt
.
Ze 1 :=::::
-
I [ 1 + Um .
UT srnwt - U;. (3smwt
. . 3wt )]
- sm
2 2 96Ur3
Ze stosunku amplitudy trzeciej harmonicznej do ampHtudy pod-
stawowej otrzymujemy har-
mon icznych
h = __ 9_6_
um
U_f ~ - . 100%
3U~
_ I_
48
(_U_m
UT
)2.100% (4.45)
-- -
2UT 96U/
ten wzrasta z kwadratem Um• je st jednak mniejszy

w ze wspólnym emiterem. Dla porównania obliczmy Um,
dla której harmonicznych 1% Rya
ummax
= O,?UT = 18 mV fCZ}!
90 4. TRANzySTORY BIPOLARNE
a przyjmiemy wzmocnienia 80, otrzymamy
e 1,4 V (dla ze wspólnym emiterem am-
y plituda ta 0,2 V).
T
I.
4.8.3.Wzmacniacz z ujemnym zwrotnym
Podobnie jak w ze wspólnym emiterem, we wzmacniaczu
do realizacji regulowanego wzmocnienia za-
ujemne zwrotne. W tym celu w obwód emitera
z tranzystorów rezystor szeregowy, jak to pokazano
na rys. 4.43. UwER= UwEi - UwE2 zmieni
o 11UwER•zmieni wówczas o 11UwER na obu rezys-
torach. kolektorów o
Otrzymujemy wzmocnienie
za-
do
Rezystancje RE nie na wzmocnienie wspólnego.
Re
Uwr1f
,od-
1
tiar-
k45)
u, . . .. .
rrzmocmenzerozmcowe
k
"' = - -1 g„Rc
= - -I g I R c Re dl a R
- - -
I
2 l + g,..RE 2 "' 2Rl! " Km
Rezystancja wej.friowa r.,., = 2(rb, + PRR)
Rys.4.43. Wzmacniacz z ujemnym Rys. 4.44. W zmacniac z

zwrotnym z z ujemnym zwrotnym
z rozdzielonym zasilaniem
4.8. WZMACNIACZE 91
zastosujemy dwa jak to przedstawiono na
rys. 4.44, ujemne zwrotne za
tylko jednego rezystora. W stanie spoczynkowym przez ten rezystor nie
czemu wzmocnienie nie punk-
tów pracy tranzystorów.
4.8.4.
Dwa tranzystory przy tym samym kolektora Ie zawsze
baza-emiter, ta bywa niewielka. Z tego
przyjmiemy UwER= O, nie musi równa zeru.
Zdefiniujemy teraz UwEojako
musimy by Uwn = UwY2· W przypad -
ku zastosowania pary monolitycznych tranzystorów i dobrze dobranych rezy-
storów kolektorowych, typowe niezrównowa-
kilka mV. W niektórych zastosowaniach te zbyt
jednak sprowadzenia
wzmacniacza do zera. Przedstawiono je na
rys. 4.45.
Uwr1f
j_
l
Rys. 4.45. Wzmacniacz z do zerowania
jest potrzebne tylko jedno to na drugie

g
za którego kompensuje
V
Do tego celu potencjometr P 3 • Aby móc wygodnie
wymagane zwykle dodatkowo
f
dzielnik
potrzebne dwa baza-emiter wyrów-
za rezystancji emiterowych. do tego potencjometr P 1 . Po- J:
Si
woduje on jednak - jak rezystory RE na rys. 4.43 -
,.,.,.,
................ ............
. ..........
.....,,.,.,,..........,........
...,.,.,.,.
,.,·,···=~ - - ·.,._
,.,~
•.-....,.....
5'. ............................. . . ,. ,. ,.,..,....~--·· ........ . . . . . . . . . . . . , . . . . ........ ....... , ..... . . . . _, ,
ujemnego, zwrotnego. nie jest ono re-
na
zystancja potencjometru musi mniejsza 1/gm.
Trzecia metoda zrównania baza-emiter polega na ustaleniu
nie
nych kolektorowych. do tego potencjometr P 2 •
nk:-
ustawimy go, np. w lewym skrajnym to rezystancja kolektora tran-
zystora T2 tranzystora T1 • Wskutek tego
we kolektora T2 jest odpowiednio mniejszy od
kolektora T1 . W celu skompensowania
nia, np. 3 mV, stosunek w stanie spoczynkowym, zgodnie z wzorem
(4.43), musi
vsze
eru.
)ad-
Potencjometr P 2 ma w porównaniu z P 1 jego suwak znajduje
ezy-
na potencjale, podczas gdy na P 1 wspólne
iwa-
zbyt
Dryft
! na
Przy temperatury baza-emiter tranzystora (przy
kolektora) maleje o 2 mV na W przypadku wzmacniacza
nicowego to tak, jakby w przypadku tranzystorów z zerowym
czynnikiem temperaturowym doprowadzono wspólne o
2 mV na ono na wzmocnione kus razy, w postaci
dryftu Im lepsze jest wspólnego, tym
mniejszyjest dryft Dryft temperaturowy UBE
jest wzmacniany znacznie mniej Na tej
opiera znaczenie wzmacniacza jako wzmacniacza
Dwa tranzystory tego samego typu, przy jednakowych kolek-

torów, nie jednak nigdy równych temperaturowych.
Wskutektego obok wspólnego o 2 mV na
które o kilka mniejsze. Jest ono
jednak wzmacniane tak, jak ze wzmocnie-
nia ku,· Aby dryft tranzystory
i to dwa jednakowe egzemplarze.
Wymaganie to najlepiej monolityczne pary tranzystorów. Podczas
gdydla indywidualnych tranzystorów z dryftu
o 100 µV/K, pary tranzys -
;odnie
torów we wspólnej obudowie 0,1 ... 5 µVfK (np. LM 394
:kowo
firmyNational).
temperaturowy baza-emiter niewiele od
ryrów-
kolektora. Zmniejsza on o 200 µV/K przy
'1· Po-
szeniu tzn. UBE o 60 mV. Dryft nie-
fpienie
4.8. WZMACNIACZE 93
wzmacniacza rozmcowego zmienia zgodnie z tym
o 3,3 µV/K, baza-emiter zmienimy o 1 mV.
Na tej podstawie przez dobór nieco od siebie kole-
ktorów dryft temperaturowy wzmacniacza
Wynika jednak skompensowa nia dowolnego na -
powoduje to dryftu.
t?filiif~~l::::'i:,~:;,z
;;;~\~~~;i;.';:;;';(,:
:::;:;!;:
;:;::t?fr.~'t,.'$'::;:;:l
,;:;:::;:::::I~
~::s:;(~%
:',':':,:':':':{:;'; ::::::::::,
''.@~§.~\:,:f.
:i;:::;t'?..~~::::::::: ,::::::::j/{]f"
}i4.9. Pomiarmektorych
parametrow
tranzystorow
fa}f
@?t
J}:o;w":~:1
:1:.:.:
.:~~:::::::1:;:;:1:1:1:1:1~:~
..:~~=~:~~
=;:~:;:i:~:;
~~~i:t
:1:1:
~1:
1:~:~
..:~
::i;:;:
~:i:=:
~; .;•.;&.;.;~~
:~1:1::"·\<t%~&.<:::.%":A..t· =;:;:~:1:~1~rn
=:~;:1:~:;:;:1:~,
,-;:..:f *tEt{
parametry tranzystora w zasadzie z jego chara-
kterystyk statycznych. W niektórych przypadkach metoda ta jest
na lub zbyt Dlatego podamy kilka które bez-
pomiar parametrów tranzystorów za
zmiennych.
Na rysunku 4.46 pokazano do pomiaru
czynnika wzmocnienia fJi rezystancji rbe, a kon-
duktancji gm. spoczynkowy kolektora ustala rezystorem
RE na IcQ (p. 4.3.5). Dla zmiennej emiter jest
z za kondensatora CE. temu l'!.U8 E = ube· Sto-
sunek amplitud zmiennych ib oraz ie daje wprost
Pl
N
en
w,
Przy pomiarze rce ustalenia punktu pracy.
w·
Rys. 4.46. do pomiaru wzmocnienia transkon- Rys

duklancji i rezystancji pr~
94 4. TRANZYSTORY BlPOLARNE
Dla ube = O otrzymujemy
r
ce
= --U,e m
J,m
l -
u•• - u ••a
W celu regulacji kolektor-emiter szeregowo

zmiennego i jednak jest
zmiennego z jak to pokazano na
rys. 4.47.
Rys. 4.47. do pomiaru rezystancji i konduktancji przenoszenia wstecz
zmiennej bazy ib
przenoszenia wstecz
gw=u Jbm l
cem u••=u,.a
jednako tym, by nanoamperomierz w obwodzie bazy

by nie warunku pomiaru
U8E = const, tzn. ube = O.
przebicia tranzystora prze-
niewielkiego wstecznego i spadek na tranzystorze.
Na rysunku 4.48 pokazano do pomiaru U EBOmax· Do
emiter-baza
wsteczny. UEBOmax wówczas na woltomierzu. Jako
np. którego jest
wporównaniuz UEBOmax szeregowo z o
Is
4.48. do pomiaru Rys. 4.49. do pomiaru maksymalnego

przebicia
emiter-baza UHBOmox kolektor-emiter UcERmax
,_,,,uu ..,..-.•• ,••••••-.-.-.. , • •,,..._._.•,.,.,.,.,.,.._,..__..,,........._........-.v-.
. ,.,i.~ ......,,.,..,.,...,..,.,,,.......,.....,,.,., ·.········ ... ,.,._..._._._._._
__ .,,..w•,..,.-.
•,•,•,•,•,•,•,,, ,.,,._...__...__._.,....,. ,•,•,•,•,•,•,•r.•,•,•.·.,.,.••.•••._._._,...www-
4.9. POMIAR NIEKTÓRYCH PARAMETRÓW TRAN2YSTORÓW 95

W celu pomiaru maksymalnego kolektor-emiter UcERmax
kolektor i emiter, jak to pokazano na
rys. 4.49. Jak na rys. 4.10, musi
zerowy tranzystora, lecz na tyle by nie
drugie przebicie. od R,
cia przebicia:
R = 0-4 UCEs
R > 0-4 UcER
R = 00 -4 UcEo
4.10.Szumyw tranzystora
Ruchy cieplne elektronów w rezystorach powstanie szu-
mów, którego zakres od najmniejszych do
spotykanych w technice. Szum jest nazywany
widmowa mocy szumów dPn/df jest od W przy-
padku szumów cieplnych jest to w pierwszym
widmowa mocy szumów cieplnych w rezystorach wzorem
!:J,.pn= pn =4kT
/:J,.f B
gdzie k - Boltzmanna , T- temperatura B - pasmo. Wtem-

peraturze pokojowej mamy o
4kT= 1,6 · 10- 20 W· s
dla szumu mocy nie od moc

szumów Pn jest proporcjonalna do efektywnego pasma szumów
V
Pn =4kT B
Przy dopasowaniu do maksimum mocy, w odbiorniku u
1/4 tej mocy. (s,
Na podstawie mocy szumów :::::
szumów w:
Unef= JPnR = J4kTBR (4.46) w:.

SZI
Szumy w tranzystorach. Poziom szumu tranzystora okre- wii
zawsze w z ru syg- SZll
,.,.,.,.,,.....,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,••.,•••• •.•.., . ,,.•,•r,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.,,•,•_..-.., • ••., ,,,•,•u·v· ,·, ~rrr. ·,www- ·.-. .. ·. ~~ ... •. ,••,•,••• ,•+rv~=.,.,.., ·..····,.......,
.,,, .,.......... . ......,n,,"½...,....-.,..-.-.v.-.-.v,-.·,·,··················· ,.,v.••v.
96 4. TRANZVSTOR Y BIPOLARNE
Szumy tranzystora lokali zuje zawsze w rezystancji r,, dlatego moc
szumów w rezystancji r9 musi nii moc samyc h szumów cieplnych.
Tranzystor jest wtedy za element bezszumowy. szumów
F podaje , przez mo c szumów ciepl nych rezy-
stancji r 9 , by moc szumów na
tranzystora za bezs zum owy. Przyjm ujemy w r,
szumy o mocy
U,2 = 4kTBF
~r
rg
Otrzymujemy szumów w rezysta ncji r 11:
(4.47)
Schemat obwodu tran zysto ra przed stawiono na

1- rys. 4.50.
h
---,
I
rbe I
'
J
Rys. 4.50. Szumowy schemat tr anzystora
n- Rezystancja r9 jest tu
cia e9 • Na tranzystora
Ubee{ = JE 2
Q ef +- u,2
n ef -
rbe
- (4.48)
OC rg + rbe
szumów jest podawan y w decybelach, zgod nie z
F [dB] = 1OdB log F.
inte resujemy tym, ile razy E,,,1 jest od
U~e/·Ilora z S/N = E 9 eJIU~ef nazywa st osunkiem do szumu
(signal-to-noise-ratio)
. mu logarytmiczna S/N[dB] =
cia =20 dB log (S/N) no si od szumu i poda-
wanajest w dB.
Gdy mamy do czynienia z dowol ne
46) wimocnienia nic ma sensu, nie towa rzyszy mu ró wnoczes ne zmniejszenie
szumówwzmacniacza. Sprowadzo ne do szumy wzmacniacza bo-
JC- wiem Przy od
yg- szumurównym OdB mow y, przy 40 dB otrzy-
4.IO. SZUM Y W TRANZYSTORACH 97

muje dob re odtwarzanie, a przy 60 dB szumy w porównaniu z
praktycznie teraz na jak oblicza
szumów wzmacniacza.
Niech dany mikrofon o rezystancji r 9 = 200 n, do -
E 9 ef = 300 µV. Na wzmacniacza wymagamy na-
od szumu 60 dB, przy pasma równej
15 kHz. Dla skutecznego szumów mamy
SJN[dB] = 60dB = 20dBlog i/v

30
n ef
Wynika
U~et= 0,3 µV
Ze wzoru (4.47) otrzymamy
F= 1,88
lub
F[dB] = 2,74 dB
Tak logarytmiczny szumów wzmacniacza
3 d D.
szumów tranzystora silnie od jego parametrów
ro boczych, a szczególnie od zakresu kolektora i rezy-
sta ncji r9 Na rysunku 4.51 pokazano
szumów od [4.6]. W zakresie ok. 1 kHz D
jest on odwrotnie proporcjonalny do Zjawisko to nazwano u
szumami typu 1/f s
\I
1k. f[Hz)
Rys. 4.51 . szumów od w skali logarytmicznej Sc
szumów silnie od kolektora i rezystancji we- na
r9 • Przy kolektora mini- on
mum, które przy r 9 przesuwa w kierunku mniejszych
kolektora . przedstawia rys. 4.52 .
..... •· •••••··•·••·•·••••••~• •••••'•••
.,,,~~---$-·""""" •••~-- -·····---·····-·••-' ___ _
98 4. TRANzySTQRY BTPOLARNE
Jaki jest rezystancji r9 na szumów
z rys. 4.52, zgod nie ze wzorem (4.47) o szumów decy -
duje iloczyn Fru. Dla r9 -. OF-. oo tak, iloczyn Fr 9 ma
szumów od rezystancji r9 dla kolektora
przedstawiono na rys. 4.53. Z rysunku tego wynika, przy rezystanc-
jach generatora korzystne kolektora, przy
rezystancjach generatora - przeciwnie ,
F[d
B]
I !',
!Ok fc/µAj 1000rq[k2 J
Rys.4.52. Typowa Rys. 4.53. Typowa
szumówod koleklora szumów od rezyslancji
przy pasma równej I Hz
Jak szumów z jednej stro ny od rezystancji

r9 , a z drugiej strony od kolektora . Dla bard zo
i bardzo r9 zamiast szumów F, podaje war-
szumów U~ef, jak to pokazano na rys. 4.53.
U~ef i r
9
wzorem [4.7)
,2 u2 2 2
Unef= nef + 1ne[Yg (4.49)
Obie tylko od kolektora.
Une/ i
one znan e,!nef
dla wszystkich r • Ze
9
U~efna to znaczne
producenci elementów ostatnio , na
zamiast szumów , szumów !nef i ró-
szumów une[·
teraz w spo só b ogólny , jak jest na wej-
tranzystora bezszumowego z rys. 4.50. Na podstaw ie wzoru (4.48) otrzy-
mamy
(4.50)
Schemat z równania (4.50) podano na rys. 4.54. Ponie-

znamy teraz Ubeef od r ,
9
bez trud-
:- jego dla dwu przypadków granicznych r 9 -. O i rg .... oo.
I- Dla r9 .... Ootrzymamy
N
(4.51)
-,. ...'I'. ·~ "' • , ...., , . . .. ,.,..,.,.,.,...,.,v,,-v,•,• ......•,•,••• • •• • o•-,•,•,•,•, ·,• •,•,• <.• • •• • , ,v..•,·,•,•,•r ,·, ·,•r .. ... . .... . .,. .•,•,•,•,•.. ,•,•r •r.•r.· · •••• • • • • • • • , , ••• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,· , •
4.10. SZUMY W TRANZVSTORACH 99

r---- - -,
:
"~-!
i ,.. l
L ___ __ _ I
_J
Rys. 4.54. Schemat do obliczania szumów Uh•f na podstawie

szumów u••, i szumów 1••,
Rys. 4.55. do pomiaru i szumów
Dla r 9 -+ oo mamy
(4.52)
Przypadek graniczny r11-+ oo wówczas, gdy r11P rbe·Z

(4.51) i (4.52) wynika metoda pomiaru szumów i
szumów: tylko szumów na tranzystora
w przedstawionym na rys. 4.55 dla obu granicznych przypadków:
r9 rbe i r11P rbe i je przez wzmocnienie Otrzymuje
w ten sposób dwie Ubu/· z (4.51) i (4.52),
przy warunków E,ef = O i / 11ef = O, obie szu-
kane
une/ = ub eef dla '11 'b e
!nef = ubeeJlr,," dla '11p 'be
ii
t
J:
Jl
n
w
Ul
le
p>
Tranzystory polowe elementami które w
twie do normalnych tranzystorów bipolarnych sterowane polem elektrycz-
nym, tzn. bez poboru mocy.
szesc typów tranzystorów polowych (field effect transistor ,

FET). Ich symbole graficzne zebrano na rys. 5.1. Bramka G (gate) jest elektro-
Za jej drenem
D (drain) i S (source). jest UGs· Wiele
tranzystorów polowych wykazuje tzn. nie zmienia swych
przy zamianie Si D. W tranzystorach polowych
bramka jest oddzielona od p-n lub n-p. Przy biegu-
UGs jest spolaryzowane wstecznie i izoluje
a przy odwrotnej - przewodzi. W tranzystorach polowych z izo-
(metal oxide semiconductor FET, MOSFET) cienka warstwa
Si02 izoluje od temu od polaryzacji bramki
nie przez nigdy nie bramki
dla tranzystorów polowych od 1 pA do I nA, a dla tran-
zystorów mocy z jeszcze mniejsze.
temu rezystancje 1010 ... 1013 n.
Podobnie jak tranzystory bipolarne, które typu pnp lub npn,
tranzystory polowe z kana/em typu p lub typu n. W przypadku tranzys-
torów polowych z typu n jest tym mniejszy, im jest
bramki. W przypadku tranzystorów polowych z typu
p dzieje odwrotnie. to na charakterystykach przedstawio-
nychna rys. 5.1. Ze na w dalszym roz-
tranzystory z typu n, a tranzystory z typu p
tylko w szczególnych, uzasadnionych przypadkach. Tranzystor po-
lowyz typu n tranzystorem polowym z ty-
pu p, wówczas
..,.,.,..,.,.,,,.,.._
..,,.,,..,..,,v,...,v,,,v,•N ,',•N,· ,, ..._.~~.,,, ,__ --.-.·,• .. ,•,•,•,•,•r,•, ·,', ••• , .•._._,•._._..,_""""'-WWW=v.-...-.v,•, •,'•' •'•' •'",._ ,.._,, ~~ • ._,,.,.,.,_,.,.,.,,.,•,••••._.,.,. .. , _r.-.,._.. .. v. ~ ,..........,..,.,•,•,•,•,•,u,
5.1. KLASYFIKACJA 101

Tranzystory polowe
zlo,czowe I z izolowana. bramko,
z I z kanarem wzbogacanym
uf, uf,
z kanarem typu n Iz typu p Iz typu n I z kan11Temtypu p z typu n z typu p
~: ~:
r-
JD
g_j~B
ls
Jo
g_J----0
B
ls
lol
la
Vos r- _=j ,,
lol ~3 Uos Uos
E,_
1r
Uos Vos
_lL }T _JL
1
1,l
--
1Iass
Ji. Ues
10
lfoss
fos~
Ues
2~Up Up la
--,foss
I U6s
Up U6s
loss
Up U6S u.
p 2U U6s
Wzmacniacze zbu - Wzmacniacll? zbudo- Wzmacniacze w. cz. Wzmacniacze w. cz. Wzmacniacze mocy Wzmacniacze mocy
dowane z elemen- wane z elementów zbudowane z el e - zbudowane z elemen- zbudowane z elemen- zbudowane z elemen-
tów dyskretnych. dyskretnych. mentów dyslrretnych tów dyskretnych. tów dyskretnych . tów dyskretnych.
Analogowe ulrfody Analogowe Cyfrowe Cyfrowe ukrady sca - Cyfrowe Cyfrowe uHady
scalone scalone scalone lone scalone scalone
Rys. 5. 1. symbole graficzne, charakterystyki i zastosowania tranzystorów polowych

diod i kondensatorów elektrolitycznych
w
W tranzystorach polowych (junction FET, J FET)
drenu przy Ucs =O.Tak samo tranzystory
z z
Natomiast tran zystory polowe z wzbogacanym przy Ucs = O nic
Dlat ego tranzystory JFET oraz MOSFET z
nazywane normalnie tranzy story MOSFET z
wzbogacanym - tranzystorami normalnie
W tra nzystorze z wzbogacanym typu n drenu dopie-
ro wtedy, kiedy Ucs przekro czy to
na charakterystykach przedstawionych na rys. 5.1. tranzystorami po-
lowymi z wzbogaca nym a typy np.
takie, w których pr zy Ucs = O pewien drenu.
Tranzystory polowe z
(bulk). Elek troda ta ma podo bne
ce jak bramka, jest jed nak izolowana od Na
nie wykorzystuje jej i ze po-
trzebne dwie elektrody stosuje dwie rów-
nouprawnione bra mki.
W przypadku tranzystorów polowych z typu n powinno
na potencjale ujem nym drenu, a pr zy zmianie biegu-
.
.,
wych z
dren przejmuje
typu n
w tranzystorach polo-
ta elektroda, która ma
!
3
l
j
Na rysunku 5.2 przedstawiono do pomiaru cha raktery styk statycz nych

tranzystora polowego. Charakterystyki typowego tranzystora polowego
czowego mo cy przedstawio no na rys. 5.3 i 5.4. Od strony
one podobn ie do charakterystyk tranzystora bipolarnego.
- Dren odpowiada przy tym kolektorowi,
- bazie. W
emite rowi, a bramka
do tra nzystora bipolarnego npn, zakres
roboczych jest ujemny. N a bramki, pr zy którym / 0
Rys.5.2. Polaryzacja tranzystora z typu n

- --·--·= ··•-·'•'•·--=··w,. ..,.-,mmww,,·,.,, ..... -~·,., ..... .- .... , •••. -m-,-.· .. ·.... .. .... ...... -~, , ....... ..
5.2. CHARAKTERYSTYKI I PARAMETRY MALOSYGNAl.OWE 103

niewielki spada do zera , nosi
(pinch-ojf voltage).
Dla UGs Up charakterystyka z rys. 5.3 jest
opisana równaniem (5.1)
(5.1)
gdzie ID55 jest drenu przy UGs=O.W przypadku tranzystorów

wych stanowi on maksymalny uzyskiwany w praktyce drenu,
dodatnich unika by nie zalet
z bramki.
lo
Io [mA]
{mA]
UK Uas=OV
I
10 10
=- 0,5V
8 8
6 6 = - 1,0 V
4 4 =- 1,5 V
2 2 =- 2.o v
=- 5V
-3 -2 - 1 o UGs{V} o 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Uos [Vj
Rys. 5.3. Charakterystyka Rys. 5.4. Charakterystyki tran zystora

tranzystora z typu n .z
z typu n
równania (5.1) dla UGs= Up drenu powinien równy

zeru. Jest to jednak tylko w Z tego
definiuje z jako UGs n
dowi drenu w zakresie µA. Tak Up nie
jednak z równania (5.1) . z wykresu zmian
Jin w funkcji UGs, ten wykres na In= O.
Równanie (5.1) do tranzystorów polowych z izo- f(
[5.2), zarówno do tran zystorów polowych z

nym, jak i wzbogacanym, podstawimy UGs i Up z znakiem .
W przypadku tranzystorów z wzbogacanym za IDss
In dla UGs= 2Up. Jest to widoczne przy porównaniu charak-
terystyk przedstawionych na rys. 5.1 1>.W przypadku tranzys- Zi
•>W przypadku tran zystorów z na- sy.

nosi progowego (thereshold voltage) (przyp. . U'
. . • . • . • . ·, · .,.,.,· .,.• ,...,.,., ............... . .. ..... ..... ...................... •···· ....... •.. .... ..,.~.,....,., .... ., ......... ........ ... . ... . .......... ...... ..,,.,.,.,,,.,.......... ........ ,. ... ,.........v. ...... ..,.
104 5. TRANZYS TORY POLOWE

torów z do
przebicia warstwy dielektryka które
do 50 V. Dlatego przez te tranzystory znacznie
I Dss·
Z charakterystyki lD(UGs) transkonduk-
g,,.=~ ó1
0
I
GS Uos= consl
Po równania (5.1) otrzymamy
(5.2)
Szczególnie jest transkonduktancja p rzy ID = IDss, oznaczy-

my jako g,,.,,..Dla tranzystorów polowych jest to
liwa do uzyskania transkonduktancja. Z równania (5.2) otrzymujemy
(5.3)
W ten sposób uzyskujemy p rostego wyznaczania

na podstawie mierzalnych parametrów g,,.,,.i IDss·
Rodzina charakterystyk p rzedstawiona na rys. 5.4 obrazuje
ID a UDs dla UGs· Ma ona w zasadzie
tak.isam przebieg dla tranzystorów z jak i wzbogacanym.
Przy UDS Iv w proporcjonalnie do
1y UDs·W tym obszarze pracy tranzystor polowy zachowuje jak rezystor,
ie którego UGs· Dla mniejszych od
kolana
.ie
lO Iu K = uGS - upI (5.4)
o- charakterystyk równaniem (5.2, 5.3)

:a-
m. (5.5)
Lk-
Zakres ten nosi zakresu nienasycenia lub liniowego.
ys-
Zakres charakterystyk kolana nosi zakresu na-
na-
sycenia.W tym zakresie drenu tylko w niewielkim stopniu od
UDsi jest - zgodnie z równaniem (5.1) - prawie przez
, . ~, ~._~... . .. .._,..,,._. , .. •.,•v ,•= •,•,•""'""""'·.... ,•, -,,,,,,,.,, .. ._., •.-,•,·.- , ·,, •,, ·,,,,, •._._._._._._~h,,-.,. • • ·••,u,·,•,u.- · •.-, -~ -~·•·• ••••••••••••• •. ,·u.-.-J' ..,.....V.....--•
5.2. CHARAKT ERYSTYKI I PARAM ETRY 105

UGs· od UDs charakteryzuje dynamiczna rezystancja
Tak jak w przypadku tranzystorów bipolarnych, maleje ona ze wzrostem

d u drenu, nie jest jednak odwrotnie proporcjonalna do I0 , lecz w
odwrotnie proporcjonalna do J IO .
Maksymalne wzmocnienie
(5.6)
w pierwszym nie od transkonduktancja

tranzystorów polowych jest proporcjonalna do .JID. Jest ono jednak o wiele
mniejsze dla tranzystorów bipolarnych i w zakresie 50 ... 300.
tego jest o wiele mniejsza transkonduktancji tranzystorów
polowych bipolarnych przy takim samym
Tablica 5.1. Dane lranzyslorów polowych: mocy BF 2458

i typu MOS mocy lRF 530
Typ BF 2458 IRF 530
Producent Tl, Siemens IR, Siliconics

Technologia MOS
Rodzaj typu n lypu n

wzbogacany
JJ
Parametrygraniczne
30 V 100 V r:
Uvsmax
drenu lvmox 25 mA IOA J(
UGSmax - 30 V ± 20 V
Moc slral p IStrMQX 300mW 75 W
ParamelTycharakterystyczne Il1
progowe u„ -1,5 ... -4,5 V 1,5 ... 3,5 V s.
drenu przy Ucs = O I,)SS 6 ... 15 mA 5A bJ
Transkondukla ncja g,.,,. 5 mA/V 5 A/V W,
Minimalna rezystancja w fdson 2000 0,14 n
Maksymalny bramki Ie max 5 nA 0,5 mA d:
Maksymalny drenu w stanie [/)max 10 nA Im.A sz
c ...s 4pf 750 pf Z)'
c.,,s 1,6 pf 300 pf ul
zwrotna C„s 1,1 pF 50 pF
Pole wzmocnienia Is 700 MHz
Czas ,... 30 ns st:
Czas (•ff 50 ns
. .-...... .-•... .-... ············

·····•····'·•·•WU•
·•w.-.-.•.we..,,,.,,_,,,.e.•
.•.•.•.•..•.•.•.•.•...,, .•wr··w·.w•W .-.-.·.·····•···•·~~
-..- .·.·····www---· ·"'················"'--·--· ·•·'~ ·' ·'
f 06 5. TRANzySTORY POLOWE
kumax podanie rezystancji r <1.,od
(5.7)
Parametry techniczne dwu tranzystorów polowych zestawio-

no w tabl. 5.1.
Jest to uwarunkowane technologicznie i musi przy projekto-
waniu
Ze na i tranzy s-
tory polowe mocy jako wzmacniacze wielkiej
Czasy tranzystorów polowych mocy 10 razy mniejsze
czasy im tranzystorów bipolarnych. Dlatego
one szczególnie do pracy w charakterze szybkich kluczy. Przy sterowaniu nale-
jednak ich
Liczba producentów tranzystorów polowych jest Szczególnie
wybór tranzystorów firmy Siliconix, Intersil , Teledyne -
-Crystalonics, Motorola i Texas Instruments. Tranzystory MOS mocy
oferuje firma General Instrument. Bardzo tranzystorów mocy
z firmy International Rectifier , Siliconix, Hita -
chi, Siemens, Intersil i Motorola.
Parametry graniczne tranzystorów polowych podobne do odpowiednich pa-

rametrówtranzystorów bipolarnych. W tranzystorach polowych nie
jednak drugie przebicie. Dlatego tranzystory polowe mocy
zalet, tranzystory bipolarne mocy [5.4).
W przypadku tranzystorów polowych z pa-
o pewnym ograniczeniu: nie wolno maksymalnego dopu-
szczalnego bramki, w przeciwnym przypadku bowiem pr ze-
biciewarstwy i nieodwracalne uszkodzenie tranzystora. Ze
na takie bar -
dzo Szczególnie niebezpieczne statyczne, któr e zni-
tranzystor polowy przy Dlatego przy tran-
zystorówpolowych z siebie, miejsce pracy ,
i W niektórych tranzystorach a pod -
wbudowuje stabilistory przed elektro -
statycznych.
..,..........,,,_w.w,y.....,.,,,.............,
...,..•..,,,,.,,,......
._.,..,_.,..._.,.,•,
•,•,•,•,v,....,.__ .,...._.- •.h,-•••••••• •· • ••••••,•,•r,•r,•rrr,.,www _ _....,.,•,•,•,•
,... ,._._._......._.~~~
~ ···· ··••••• • • ·.;,. ·.·,•rr,.,,....-.w,-,.,.,.,.. __
5.3. PARAM BTR Y G RANI CZN E 107

5.4. Podstawowe pracy
Dla tranzystorów polowych, podobnie jak dla tranzystorów bipolarnych, ist-

trzy podstawowe pracy: ze wspólnym (WS), ze
wspólnym drenem (WD) i ze (WG), od tego, która
z elektrod znajduje na potencjale.
5.4.1. ze wspólnym
ze wspólnym przedstawiony na rys. 5.5, odpowiada
tranzystora bipolarnego ze wspólnym emiterem. tylko tym,
jest spolaryzowane wstecznie. Dlatego praktycznie nie
a rezystancja jest bardzo
Wzmocnienie k.o = - Km(Rvli r4,)

Rezystancja r .,. = 'v., :=::ro
Rezystancja r.,, = R0 li r4 ,
1
Rys. 5.5. ze wspólnym
Przy analizie z wyników uzyskanych w po-

przednim rozdziale dla tranzystorów bipolarnych. Z porównania charakterys-
tyk i parametrów otrzymujemy analogie:
Ie -4 Io gm-. gm
IE -4 Is gw-.gw O
JB-.JG Q rbe_. rgs OO (5.8)
i,
UcE-4 Uos rce_. rds
UBE-4 UGs p-. gmrgs CX)
f.
Po (4.6) i (4.7) otrzymujemy wprost równania
tranzystor polowy:
(5.9)
(5.10)
. ~ • • .>• .>~•• .-••••• w~=,._ ..._._._.....,.....,.........,,..==.......,...,,.,....,,.

.,.,•,•,•,•,•,•,•,•.-r•.-.-•rr.-,
,~--=,.,. ,.,•,•,•,•,•,•,•,_.., ..............
.,_.,. ,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,www __ _
108 5. TRAN2YSTORY POLOWE

Z równania (4.10), przy analogii z równania
(5.8), otrzymujemy wzmocnienie ze wspólnym
(5.11)
do granicznego warunku RD r ds• otrzymujemy wzór na maksy -

malne wzmocnienie
W zakresie
ono niewiele od drenu i dla tranzystorów polowych z

typu n w zakresie 100 ... 300. Dla tranzystorów polowych z
typu p jest o mniejsze. Maksymalne wzmocnienie tranzy s-
torów polowych stanowi w tylko wzmocnie-
nia tranzystorów bipolarnych.
Bardzo jest porównanie harmo-
nicznych ze wspólnym i ze wspólnym emiterem. W tym celu
ponownie dokonamy z charakterystyki
dla Przy sinusoidalnym wysterowaniu ustalo-
nego punktu pracy
z równania (5.1) otrzymamy drenu
. () - I
1D t - DSS
(1 -
UwE+ uwcmsinmt
U
p
)2
.
i»= Inss
[( 1 - UwE)
Up
2
+ U;,em
2
2Uwem ( 1 -
U; - Up UwE) .
Up smwt - U;,em
2 U; cos2wt
J
Na harmonicznych otrzymamy
h Idmt . 100% = Uwem . 100% = Uwem {i;;;. 100%

Idmo 4(UwE - Up) 41Upl V4
ten jest jak w przypadku tranzystorów bipolarnych, pro-
porcjonalnydo amplitudy jednak od punktu pracy: jest od-
wrotnieproporcjonalny do J ID.
•'••==•= ..•..e.,.w.wM·
•·=···-··· ....- .....,.-,.-.,
.......,......
,·,···
···········
·· .......
........
, ....~Nm--- ·'""" ·····'•'•'' ·'.,_,_...,. ..,...,.,.,.,..,.-w •....-e= ""~- w.
5.4. PODSTAWOWE UK.LADY PRA CY 109
dla tranzystora polowego o parametrach UP= - 3 V i J»ss =
= 10 mA wybierzemy I» = 3 mA , to otrzymamy har-
monicznych
h= uwem . 10001
6,6 V / O
nie ma on 1%, amplituda

Uwem nie 66 mV. Przy wzmocnieniu rów-
nym 20 odpowiada to maksymalnej amplitudzie równej
1,3 V. Jest to znacznie w analogicznym
z tranzystorami bipolarnymi.
szumów tranzystorów polowych jest znacznie mniejszy tranzys-
torów bipolarnych, natomiast szumów tranzystorów jest
tego samego co tranzystorów bipolarnych. Zgodnie ze schematem za-
podanym na rys. 4.54, w przypadku o rezystan-
cji uzyskuje temu znacznie mniejsze szumy, a dla
o rezystancji - w takie same. W przypadku tranzystorów
z szum typu przy
100 kHz i dlatego w zakresie tranzystory te silniej
od tranzystorów Tranzystory z 1
do niskoszumowych tylko w zakresie wielkich I
1
Ustalanie punktu pracy
Dla tranzystorów bipolarnych ustalania punk-
tu pracy zastosowanie ujemnego zwrotnego dla
z powodzeniem w przypadku [
tranzystorów polowych. W przypadku tranzystorów z
istnieje nawet ustalenia spoczynkowego bramki równego
zeru, jak to pokazano na rys. 5.6.
u
o
Rys. 5.6. Uslalanie punklu pracy
D1
Projektowanie zaczynamy od ustalenia drenu.
Z charakterystyki pokazanej na rys. 5.3 otrzymujemy odpowiada-
mu UGs· W od wybranego drenu
110 5. TRANZYSTORY POLOWE

ono O a Up. Nie w tym przypadku - tak jak dla
tranzystorów bipolarnych - ze (w war-
Do obliczenia Ucs korzystamy z równania (5.1) i otrzymujemy
(5.12)
Wynika rezystancja
(5.13)
Jako wybierzmy tra nzystor polowy o ID równym 10 mA

i Up= - 3 V i przyjmijmy lv = 3 mA. Wynika
UGS = - 3V ( 1- J 3
10
) = - 1,36 V
czyli R 5 = 1,36 V /3 mA = 452 O.

drenu Uv musimy na tyle by Uvs nawet
przy maksymalnym wysterowaniu !lU Dmax nie mniejsze od Ux·
temu unikniemy które przy
do zakresu nienasycenia.
Wynika warunek na drenu
UD> US+ UK+ I/l UDmax I

Dla Us= - UGs i przy równania (5.4) otrzymamy
UD> I Up!+ l/lUDmaxl

W celu wysterowania ±2 V i dodatkowej tolerancji 2 V otrzymamy
Un= 7 V. Przy zasilania UDD = + 15 V otrzymujemy Rv
o
15 V - 7 V
Rv= ---- = 2 7 k.Q
3 mA '
Transkonduktanc ja w punkcie pracy zgodnie z równaniem (5.2) wynosi
2
gm=~JlO mA· 3 mA = 3,7 mS
Dla od dol nej granicznej otrzymujemy

wzmocnienie
k.o -gmRD - JO
u, ,,........,N •• • , ,VNN, ............. ................ .. , • • ,.v,n·
,'n'N....., ...... ,....,, .... . .•, •• . ... .........,,,...,... ___ .,... ., ... , ..... · ...... .,.,,,,....,....,......,..
......... ............ ... .. .. . ............................. , .. ... ... ..... . . .. ........... .....
5.4. PODSTAWOWE PRACY 111

jak w z w p. 4.3.5, by dolna
graniczna 20 Hz , i przyjmiemy
z trzech filtrów górnoprzepustowych = 11,5 Hz, to z równania (4.26)
wynika
C gm = __ 3_,7_ m
_ S_ 51 F
s = 21t/4 21t · 11,5 Hz = µ
Przy wyborze RGmamy Górna granica wynika spadek

z bramki powinien w porównaniu
z I Ucsl- z tego RG Mil.
5.4.2. ze
Tranzystory polowe w ze stosowane rzadko, po-
nie wykorzystuje wówczas rezystancji
5.4.3. ze wspólnym
drenem(wtórnik
ze wspólnym drenem (rys. 5.7) ma
ze wspólnym Nie odgrywa to jednak na roli,
w ze wspólnym rezystancja ta jest bardzo Korzyst-
ne natomiast zmniejszenie W
do wtórnika emiterowego rezystancja wtórnika nie zale-
od rezystancji r9
o
1
Wzmocnienie k"o= ----- ~
1 1 + gmRs J
l+ --- C
gm(Rs lir4,)
Rezystancja wej.foiowa r.,. = r9-• co p
Rs I
Rezystancja r„1 = Rs 11
-
g„
Rys. 5.7. Wlómik
Typowe wzmocnienia i rezystancji

wtórnika obliczymy jeszcze na liczbowym. Dla trans-
konduktancji gm = 5 mS i rezystancji Rs = 1 kn otrzymamy
k 5 mS · I kil = O,S3
uo ::::::I + 5 mS · I kil
1 Rys
rwy= kil= 200 n IIIkn = 167 n
111 pole
5 mS
112 5. TRANZYSTORY POLOWE

W wtórnika nie tak rezystancji
jak w wtórnika emiterowego, tranzystory po-
lowe tranzystory bipolarne.
..: ..v,,§1,
..@"::~ ..•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,<.•,•:......... ,o,;,,,,,,,,,;,,,,,,, , . ........ , . , •, •, •, •, •, •, .. •,• . •, •. •.... .-.v. -- JJJ ..... ".'".,,,, ,,, , , , , , , , ,, , .... . .... . x"::x ~-··:i:~::::::::::::•·•··
···
i:!:5.5.Tranzystor polowyjako ·.....
iL......
::s:w.
..~.:i~k........
.«w». ....::~~x:1tm.~~%0>:
./L.2.L.:.:.:.: .:.:.:.:.:.:.•:..st.k~~~~.•.:.
.u.:.:.:.:.:.:.:~
z rys. 5.8 podobnie do na tranzystorach bipo-

larnych przedstawionego na rys. 4.30. W celu obliczenia rezystancji
zwrotnego Rs, z charakterystyki wyznacza UGs dla
I i z równania (5.12) otrzymuje
Rs = UH + I UGsl = Uu+ I Up 1(1- .J!Df!Dss)

ID ID
Do obliczenia rezystancji skorzystamy z równania (4.32) dla tran-
zystorów bipolarnych i przejdziemy do granicy dla P,rbe - oo.
równanie (5.8) otrzymamy
(5.14)
W przypadku tranzystorów polowych z
wówczas, gdy przyjmiemy pomocnicze UH równe zeru. Ten
tryb pracy jest szczególnie wtedy
dwójnik, jak to pokazano na rys. 5.9. go zamiast dowol-
nego rezystora i z tego jest nazywany Diody
polowe od 0,1 mA do 5 mA w szeregu E 12, np. serie CR 022 do
CR470 firmy Siliconix lub TCR 5278 do TCR 5315 firmy Teledyne.
Projektowanie na tranzystorze polowym bez
pomocniczego zilustrujemy liczbowym. Mamy
+
+i
R1 ON
L
!j
;-
UHt Rz Rs
I
Rezystancja r1 = r"'(] + g„R5 )

Rys.S.8. z tranzystorem Rys. 5.9. z tranzystorem
polowym polowym bez napir,;ciapomocniczego
..,.,,....-.,.·, ... .....,..... ,..,,.,,,.,•,•,
..._.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,,, •., ,, .•._._._._._,,._.,........,. •,•,.,•,•,·.-v.-,,,..,....
•.v .... .........,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•r,•,.,.,_,,._,.,.,.,.,.~-,
5.5. TRANZYSTOR POLOWY JAKO 113

o 1 mA z tranzystorem polowym o parametrach: Up=
=- 3 V, lDss = 10 mA, kumax= 200. obliczymy ze wzoru
Rs =~
ID
(1-
'1{I;-)=~ V
1 mA
(1-
'1~IOrni: ) =2,05 k.Q
musimy najpierw
rds tranzystora polowego przy ID= 1 mA. Z ró-
wnania (5.7) wynika
r = kumax = kumaxlUp I 200 · 3 V = 95 kO

ds gm 2J10 mA· 1 mA
2 JIDsslD
otrzymujemy, po równania (3.14),
r; = rds + kumaxRs= 95 k.Q + 200 · 2,05 kO = 505 kO
Jest ona znacznie mniejsza od rezystancji porównywalnych

zbudowa nych na tranzystorach bipolarnych.
równania (5.14) i (4.32),
z tranzystorami polowymi a bipolarnymi:
przyjmiemy bardzo rezystancji RE lub Rs, rezystancja
z tranzystorem polowym do podczas
gdy w przypadku tranzystora bipolarnego jest ograniczona maksymal-
{Jr,e.Typowy przebieg r1 w funkcji RE lub Rs podano na rys. 5.1O.
r,
[R)
109
8 TranziJStor
bipolarny
10
107
106
Iw
Tranzstor po/owy
10
2
105
Rys. 5.10. Porówn anie rezystancji z tranzystorem polowym i bipo·

larnym. typowe dla l mA
Lepszy rezultat na tranzystorze pe

polowym z rezystancji ujemnego zwrotnego. W tym cie
celu zwrotnego w postaci toi
114 5. TRANZVSTORY POLOWE

= dowego. zastosujemy przedstawione na rys. 5.11 na
l tranzystorze bipolarnym, to zgodnie z liczbowym z p. 4.6.1 przy
1 mA otrzymamy zwrotnego
rs~ 7 MO.
l = (UH - UBHQ
/ R,.)
ó- + Rezystancja
r; = g„2r,,r ·.. (l + g„1R,.) = k.1moxku2„oxRB
Rys. 5.11. Kaskadowe
Przy podanych parametrach tranzystora polowego wynika

rezystancji 1,1 GO .
Wt6rnik przedstawiony na rys. 5.12 odpowiada na
zna tranzystorach bipolarnych z rys. 4.34. oba tranzystory polowe z izolowa-
:zas jednakowe, to przez nie jednakowy
oal- sterowane tym samym Jest to jednak tylko
10. wtedy, kiedy sobie r6wne. warunek ten
nie jest to lwy od lwE
zgodnie z rezystancji rds tranzystora T 2 •
i bipo - Rys.5.12.Wlórn ik
Wtórnik pokazany na rys. 5.12 tylko za

itOrze tranzystorów polowych z wzbogacanym, w punk-
V tym cie pracy UDS = UGs· Spadek jest w przypadku tran zys-
a torów bipolarnych; on Up a 2Up.
5.5. TRANzySTOR POLOWY JAKO 115

Jf_, N.<'N
,r••:..::i:.wt;r;.••••••~~~§~~..:..~~X,_.
_.
,,.:
,:::••r,•r•,"•r:~™-::~,.
._
.,...._.
._.~~~-.;':':,:
,:,:/,..7.t~~
...-~i:..::::::
,:,:•:
,:,:,
......::<
"::. ::~t;;
):;;5.6. Wzmacniacz z tranzystorami
polowymi:-·
~2;
~}.,
.::~J::&.:;::.:.c
-..w.-.J~"'*~~•H•:t:=:Jf.ztX:W'*=.~\::
.~...~~t~~~t•:;:~ ::::::
:::1:i
:i~:
.:i:1: ...s:~~:::~:::::,~:;:;~:~t..:fk~~'::::::
.:.:.:~:: ::::f·
···
·.....
·.:::::::::::::::
W wielu zastosowaniach potrzebne wzmacniacze o rezys-

tancji W tym celu tranzystory bipolarne w pokazanym na
rys. 4.39 by Darlingtona. Znacznie lepsze wyniki
pod pasm.a i szumów jednak
tranzystory polowe .
Podstawowy wzmacniacza z tranzystorami polowymi
przedstawiono na rys. 5.13 . Do obliczenia jego
wzory z p. 4.8.1. Przy projektowaniu
by I~ IDsstak, by bram-
spolaryzowane wstecznie nawet przy wysterowaniu.
+
Ro
Tz
Uwtt
k dUwr1 dUwr2 1
. . •• .
zmocmeme rozmcowe .,
JV: = = - --- =- - g,.(Ro li rd,)
dUw11R dUwER 2
gdzie Uw11R= Uw,o - Uw112
·
dUwn dUwr2 l Rv
Wzmocnienie wspólne k = -- - = - -- =- - -
•• d Uwes dUw11s 2 r
k
Jfspó/czynnik wspólnego CM RR = g„r J
k.,
(l
r - rezystancja
11
Rezystancja rwu oo
n
Rezystancja wspólna rw .. oo d
Rezystancja r„7 = R 0 li r 4, t1
polaryzacji 18 O
Rys. 5.13. Podstawowy wzmacnia cza z tranzystorami polowymi
116 5. TRANzySTQRY POLOW E

W do charakterystyk z tranzystorami bipolar-
nymi, charakterystyka dla od /. Do jej
obliczenia skorzystamy z równania (5.1) dla obu tranzystorów polowych . Przy
UwER= UGs1- UGs2 i In1 + In2 = I

otrzymujemy
= fE (Fi -Ji-
1 1
~~;i ~ )
(5.15)
Wykres funkcji !Dl/I = f(UwER)/Up dla / przedsta-

wiono na rys. 5.14. w przypadku I= lnss do
wysterowania wzmacniacza jest potrzebne
UwER= ± I UPI; przy mniejszych I mniejsze
I01
T
-1,0 - 0,5 o 1,0 UwER

IUPI
Rys. 5.14. Charakterystyka wzmacniacza z tranzystorami polowymi dla
Dryft
W punkcie 4.8.4 temperaturowy
baza-emiter tranzystora bipolarnego wynosi - 2 mV /K i jego
nieco maleje przy temperaturowy
jest tego samego jednak znacznie silniej
od Jak na rys . 5.15, dla jest on ujem-
ny, a dla -dodatni. Przy lnz jest równy zeru. Praca wzmac-
niacza przy tym jest najbardziej korzystna,
dryft nie wtedy tak mocno od
tolerancjidoboru par tranzystorów polowych.
lnz [5.5] z
lnz = 0,4 V 2 lns; = 100 ... 600 µA (5.16)

Up
5.6. WZMACNIACZ ZTRAN2YSTORAMI POLOWYMI 117

Przy takim drenu w przypadku monolitycznych par tranzystorów po-
lowych dryft równy
1 ... 50 µV/K.
lo
20°c
60°[
120°c
UGs
Rys. 5.15. charakterystyki tranzystora polowego od temperatury
tranzystora polowego przy I0 z obli-

równanie (5.16) do (5.2)
(5.17)
gmZ= 0,32 V
™~~**...··.~..™~-.:
.~
•T~=~st~~k~~t~ro:e~j~,.AL,
=:=::~;:~~=5======-:.:x;:.;:f.):;3::;~~·.~::::===:=:=====
..• ..
l,,~
.7.
Jak na rys. 5.4 charakterystyk wyj-
przy tranzystory polowe
tak jak rezystancje, których w szerokich grani-
cach
W celu lepszego zobrazowania tego zjawiska na rys. 5.16 pokazano w po-
charakterystyk w otoczeniu zera. Do oblicze-
nia tej rezystancji skorzystamy z równania (5.5) dla obszaru nienasycenia i dla
Uos Ux otrzymamy
uDs u; (5.18)
s
rd
s =4 = 2IDss(UGs- Up) J
Il
Po równania (5.2) mamy c

r
1
rds -- -gm (5.19)
-:
otrzymujemy dla UGs= O z:
je
rd . = ---
l UpJ =-- 1 (5.20)
sm111 2[ DSS g,nm p.1
118 5. TRANZVSTORY POLOWE

Dla tranzystorów polowych mocy wynosi ona 50 ... 500 n. Oprócz
tego jednak typy tranzystorów przeznaczone specjalnie do zastoso-
wania jako rezystory sterowane lub klucze, o rdsmin
10 n.
Io
[mA]
=- 2,0 V
-~5 -1 1 1,5 Uos[V

li-
-4
7) -6
-8
Rys. 5.16. Charakterystyki przy
yj- Na rysunku 5.17 pokazano tranzystor polowy w sterowanego

dzielnika Stosunek
ni-
)0-
ze-
dla Abymóc stosunek w szerokich granicach za
cia UGs,wybieramy R 1 rd$min· Jak na rys. 5.16, przy
szych rezystancja rds staje nieliniowa drenu
18) przy jest mniejszy dla odpowiedniego
rezystoraliniowego). Charakterystyki tranzystora przez
dodanie do bramk i, jak to pokazano na
rys. 5.18.
.19) Przy wzrasta bramka-
wzrost rd$· UDs jest ujemne , wskutek kompensacji
zmniejsza UGs· temu od wysterowania spadek rds
jest kompensowany w trzeciej
.20) Na rysunku 5.19 przedstawiono charakterystyk
przyoptymalnym doborze rezystancji R 2 , R 3 .
5.7. TRANzySTOR POLOWY JAKO STEROWANA REZYSTANCJA 119

R1
Uwi
Rt
R2 tuwr
UwE
l_
Uwv
j_
1
Usrf Usrt
l 1
Rys. 5.17. Sterowany dzielnik Rys. 5.18. Sterowany dzielnik o
amplitudzie
Io
[mA}
-1,5 1 1,5 Uos[V]
-4
-6
-a
Rys. 5.19. Zlinearyzowane charakterystyki
od dla I UDsI I V jest wówczas mniejsza od I%.

otrzymuje dla R 2 R 3 r4 •. Mamy wtedy
Po wstawieniu tej do równania (5.5) redukuje kwadratowy I

U'f,
8 i otrzymujemy
wzór I
'd•= ---
u:
(~-"----- )~ (5.21)
z
2IDss Usr - Up
r*6"
li
"'·-1 ii!ii!: Elementyoptoelektroniczne
ii:~::
:~:*:::::
:m:: ::::
::~:
:;;:
:: ::::::;:::::~:i~~~r:::f.:::--mx::~:~r::!:::wm;:r;:=;r:~-::::;-.;~-:..~\~.s.%::~~~::~:;::
:m:~j::;::::::::~~W:ili~:;:~1:~:::1:;::r:::
: :=:~::
=::
?:::=
~==~
m~m::::r:::-1~:::~::::::r::::::~
:~::::::
~:
i!F~®
!®i~
!,lml
,!@Wi'i
!,:,:,:,
rn,.m:m:~m,.~~tm:.'t~,1:::m
rn
''rnmi,i,
6:~: .-~~stawowe
,1,~,
,w, ,,,
;:,
foto ··
Oko ludzkie odbiera fale elektromagnetyczne o 400 ... 700 nm jako
widzialne. fali decyduje o barwie, a - o jask-
W celu pomiaru musimy kilka
fotometrycznych. iP jest liczby kwantów
(fotonów) , które w jednostce czasu przez
obserwacji F. miary strumienia jest lumen (Im).
nie nadaje do charakteryzowania - ogólnie
rzecz - od powierzchni obserwacji F i r od
W przypadku punktowego o symetrii kulistej
iP jest proporcjonalny do Q. Jest on zdefiniowany
jako Q = powierzchnia a jest bezwymiarowy.
jednak dla niego zwykle jednostki zwanej steradianem (sr). Po-
wierzchnia kuli jest widziana ze pod
4nr 2
00 =- r2
- [sr] = 4n [sr]
Wycinekkuli o ± <pobejmuje
Q = 2n(l - cos<p)[sr] (6.1)
<p= ± 33° odpowiada w równemu 1 sr.

Przy w
wówczas
) Fn
0 =- [sr] (6.2)
r2
gdzier jest od kuli.
6.l. PODSTAWOWE FOTOMETRII 121

punktowego
jest proporcjo-
nalny do O, wiel-
I= d<P/dO, jest kandela (cd).
1 cd = 1 lm/sr. ma jednej
kandeli, przez pod 1 sr emituje
l lm. W przypadku symetrii kulistej emitowany
wynosi <P,0
, = /0
0 = 1 cd · 41t [sr] = 41t [lm]. Zgodnie z
1 cd ma idealnie czarne o powierzchni 1/60 cm 2 w temperaturze
platyny (1769°C) . ma 1 cd.
Dla I= 1 : · P, gdzie P jest
Dla niepunktowych podaje na

L = dlfdFn, gdzie F" jest rzutem powierzchni na
do kierunku obserwacji. normalna powierzchnia tworzy
z kierunkiem obserwacji e, dF" = dFcose.
luminancji jest stilb (sb): 1 sb = 1 cd/cm • 2
powierzchni F jest o.fwietlenia

E = d<P/dF".Jego jest luks Ox): I lx= 1 lm/m 2 • Przy
wynosi 0,1 ... 0,2 lx . jeszcze przy
od 0,2 ... 2 lx. Miejsce do pisania powinno
500 ... 1000 lx. dzienne do 50 OOO lx.
Obliczmy teraz, jakie w r pun-
ktowe o danej (rys. 6.1).
Do obliczenia powierzchnia elementar-
na dF jest w porównaniu z r 2 i jest ustawiona prostopadle do prostej
LM. dO, pod którym dF jest widziane z L , wynosi wówczas
zgodnie z równaniem (6.2)
dF
dO = [sr]
7
przez L jest równy z definicji
dF
d<P= /dO = / - 2
r
Otrzymujemy
d<P I
E= - = - 2 (6.3)
dF r
___
Rys. 6.1. Ilustracja
122
,........
...... .......,....,.........
............., ,
6. ELE MENTY OPTOELEKTRONICZNE

.....
.,.,............. ~---~-
a
.......................................................... - -·· ..,·,·--~
·"····· ..... --~
.......,.,...,.,.,.,.,............................
jest odwrotnie proporcjonalne do kwadratu
kwant ma hf, dla

(promieniowania
PL a strumieniem IP.Dla fali o 555 nm mamy
1,47 mW IP
PL = Im
Wynika
1m 1,47 mW
llx=l - 2- = ---,,-- 2 -
m m
orientacyjnych
o mocy znamionowej P = 1O W ma 10 cd. Wypro -
mieniowuje ona pod
101 = 41tsr · 10 cd = 126 lm, odpowiada to mocy
4> PL= 0,185 W przy
fali A= 555 nm. Zgodnie z tym, ma
rJ=PdP~2%.
Oprócz podanych jednostek fotometrycznych stosowane - szczególnie
w literaturze - inne jednostki, które zebrano
w tabl. 6.1.
Tablica6.1. fotometryczne
fizyczna Wzór Jednostki
llm=lcd·sr,;, 1,47 mW (l = 555 nm)
d~ Im mW
l= - I cd= 1 -,;. 1,47 --
dQ sr sr
dl cd
Luminancja L= - I sb = l -- = 7t lambertów = 4 · I0 4 apostilbów =
dF. cm 2
= 2919 stopolambertów (ang. footlambert)
d~ Im
E= - I lx = I -
m2
= 0,0929 stopokandeli (ang. footcandle) =
dF.
µW
=0,147 - 2
cm
.~----"""""" ''•·•~=m .... •,.•,.www

....... __ _,....,............
..........., ...., ..,,,.
6.1. PODSTAWOWE FOTOMETRII 123
6.2. Fotorezystor
Fotorezystory to których rezystan-

cja od Na rysunku 6.2 pokazano ich symbol gra-
ficzny, a na rys. 6.3 -
LogR
[QJ
7
6
5
4
3
2
1
o
-3 -2 -1 o 2 3 4 LogE{Lig
Rys. 6.2. Symbol graficzny fotorezystora Rys. 6.3. Charakterystyka fotorezystora
Fotorezystor zachowuje tak jak rezystor, tzn. jego

rezystancji nie od ani od kierunku doprowadzonego
Przy R"' e-y; gdzie
y jest o 0,5 ... 1.
Przy rezystancja do pewnej war-
minimalnej zwanej Przy
nia y a przy bardzo rezys-
tancja do rezystancji ciemnej. Stosunek rezystancji jasnej do
ciemnej fotorezystora 106 •
Przy rezystancja silnie od temperatu-
ry. przedstawiono na rys. 6.4.
Ustalona rezystancji nie pojawia natychmiast po
Fotorezystor wymaga pewnego czasu ustalania, który przy
__!f± )_
R(-S.=20°)
5
4
3
2-
o.__.....__...,__-'---'----'-- .1...__ ...,_ __

- 40 -20 o 20 40 60 80 100 ,(J,[°C]
Rys. 6.4. rezystancji fotorezystora od temperatury

·--~" """""'''"' ·=-- -
124 6. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE
nia luksów wynosi milisekundy, ale 1 lx
kilka sekund. ustalona, fotorezystor oprócz
od optycznej. Po
o otrzymuje rezystancji
wówczas, gdy fotorezystor przechowywany w
Fotorezystory wykonywane z siarczku kadmu; tego wykona-
nia podane dotychczas dane liczbowe. Fotorezystory z selenku kadmu
krótszymi czasami ustalania i stosunkiem rezystancji
jasnej do ciemnej. jednak temperaturowe i silniej
od optycznej. Fotorezystory na bazie kadmu widmowy
zakres pracy 400 ... 800 mn.
typy fotorezystorów, które w zakresie
fal i inne, na Fotorezystory na
wykonane z siarczku lub antymonku indu. do wykorzys-
tania w zakresie fal 3 ... 7 µm, jednak znacznie foto-
rezystory na bazie kadmu.
Fotorezystory cechuje bardzo tylko
z fotopowielaczy. Dlatego do pomiarów
wykorzystywane jako sterowane rezystan-
cje. fotorezystorów nawet kilku watów ,
one - bez dodatkowego wzmocnienia - np. sterowa-
nie
Szczególnie wybór fotorezystorów oferuje firma Clairex.
I 6.3.Fotodiod
~J~:~~:~::§:§,.t
:,:::•:•
:•:•:;:•:•:•:•:;:·:.:;:
:·::·•·•:•::::·
fotodiody jest zwarciowego wstecz-

nego,który jest proporcjonalny do Zjawisko to
do pomiarów fotometrycznych. Fotodiody do te-
go celu w szklane okna w obudowie. Na rysunku 6.5 przedstawiono symbol
-8 -6 -4 -2
I 1 I
E=200lx
=400tx
__ _:::~:....----r -
=600lt. -50
-BDO!x
- -100
Rys.6.5. Symbol Rys. 6.6. Schemat Rys. 6.7. Charakterystyki fotodiody

graficznyfotodiody fotodiody
........
..... .................
,.,,..,,.... ,.,.•. ~---.,,,.,,,.,
.,.,.,.,......
,.,.,., ......................,
.,, .,
6.3. FOTODIODY 125

graficzny, na rys. 6.6 schemat a na rys. 6.7 charakterystyki. W prze-
do fotorezystorów fotodiody nie
Typowe 0,1 µA/lx. Po doprowadzeniu
wstecznego fotoelektryczny praktycznie nie ulega zmianie. Jest
to korzystne, wymagamy krótkich czasów ze wzros-
tem wstecznego maleje warstwy zaporowej.
biegu fotodiody krzemowej wynosi ok. 0,5 V. Jak
na rys. 6.7 przy diody maleje niewiele,
jest mniejszy od zwarciowego lp, danym
Fotodiody nie tylko do pomiarów fotometry-
cznych, lecz do wytwarzania energii elektrycznej. Do tego celu pro-
dukowane fotodiody o powierzchni, zwane ogniwami
necznymi.
Zakres widmowy fotodiod krzemowych 0,6 a 1 µm, foto-
diod germanowych 0,5 a 1,7 µm. Na rysunku 6.8 pokazano przebieg
widmowej.
f/[%}
100
80
60
40
20
1,6 1,8 2,0 ;>,.{µm}
Rys. 6.8. Charaklerystyki widmowej '7 diod germanowych i krzemowych
Fotodiody znacznie krótszy czas fotorezystory. Ich

graniczna wynosi ok. 10 MHz. Fotodiody pin
graniczne do 1 GHz. Producentami np. firmy AEG-Telefunken i He-
wlett-Packard. Ze na fotoelektryczny fotodiody
z ze wzmacniaczem. W celu sze-
pasma utrzymuje na fotodiodzie,
warstwy zaporowej . Odpowiednie z wy-
korzystaniem wzmacniaczy operacyjnych przedstawione na rys. 6.9 i 6.10.
to przetworniki sterowane opisane
w p. 13.2. W z rys. 6.9 .na fotodiodzie - od
wzmacniacza operacyjnego
- nie ma spadku Dlatego ciemny jest w tym szczególnie
W z rys. 6.10 fotodioda jest spolaryzowana ujem-
nym. temu ma warstwy zaporowej, co
pasma.

Uwy
j_
wyj.foiowe Uwy = R"I Uwr = R"I
Rys. 6.9. Przetwornik Rys. 6.10. Przetwornik o

szczególnie ciemnym pasma
polaryzacji wzmacniacza operacyjnego powinien za-

wsre w porównaniu z fotoelektrycznym. Rezystor ujemnego
zwrotnego RF musi
w przeciwnym przypadku pasma Rezystor
RF= J GO z go CF = J pF daje gra-
tylko
W takich przypadkach zaleca stosowanie specjalnych rezystorów z

nym ekranowaniem, których jest 100 razy mniejsza .
6.4.Fototranzystory
·-
Fototranzystor jest tranzystorem, którego kolektor-baza jest wykonane
jako fotodioda. Na rysunku 6.ll pokazano symbol graficzny, a na rys. 6.12
:- schemat fototranzystora. fototranzystora
na podstawie schematu z rys. 6.12: fotodiody
bazy, a tym samym wzmocnionego kolektora.
To, czy bardziej korzystne jest bazy, czy pozostawienie jej otwartej,
od konkretnego Fototranzystory bez wyprowadzonego zacisku
bazy nazywane podwójnymi fotodiodami. W celu uzyskania bardzo
;o wzmocnienia fototranzystor w Darlin-
ie gtona. Schemat takiego jest przedstawiony na rys. 6.13. Ze
n- schematu wynika, zakres widmowy fototranzystorów jest taki ,
jak im fotodiod. Ich graniczna jest jednak
znaczniemniejsza. Dla fototranzystorów wynosi ona ok. 300 kHz, a dla foto-
tranzystorów w Darlingtona - ok. 30 kHz.
6.4. FOTOTRANZVSTORY 127

C
C
E E
Rys. 6.11. Symbol graficzny Rys. 6.12. Schemat Rys. 6.13. Schemat
fototranzystora fototranzystora fototranzystora w
Darlingtona
Na rysunku 6.14 przedstawiono zastosowanie fototranzystora jako od-

biornika fotoelektrycznego. fotoelektryczny diody kolektor-baza
oznaczymy jako lp, to w z rys. 6.14 otrzymamy
Dla z rys. 6.15 otrzymamy odpowiednio
wybór fototranzystorów firmy AEG -Telefunken i Optek.
tUwr
l
Rys. 6.14 i 6.15. Proste przetworniki fotoelektryczne
tuwr
1.
P<
w~g~:-:-:-:-::
:t:t.»»:::«;:§:;::•:•::::::::;:fa:,::•:::•:•:•:;:•:•:•:•:•:•:•:•·•:
•:•:•;:,•:•:z???::•:•::5u:::,
::::;.
1:W-ffl'-·•·=~~
~t•::::,:;
:•:•:
•:<·•
:•:•
:•:•
:·:~·
ill 6.5. Diodyelektroluminescencyjne

f&J:-,<,.;.:
~•<;.
J;,;:":,.;::••w••
lii!Ji
t
•Li•·.:::•,~i·+-:·
·:,;,wn•yx~•w
·..·-.K,...:s:,
·<·-3····:C.............,.,.•..•,:/:::....
Diody elektroluminescencyjne wykonywane nie z krzemu czy germanu, lecz Po:

z arsenku lub fosforku galu pierwiastków z grup III i V). Diody te np1
promieniowanie gdy przez nie przewodzenia. WY.
Zakres widmowy emitowanego strumienia jest ostro ograniczony po1
,•,•,•,w, ,•,•,•,•,•,, •,. •,w--wwwwww--wwwwww--

i od zastosowanyc h Symbol graficzny diody
elektrolumin escencyjnej przedstawiono na rys. 6.16. W tablicy 6.2 zebra no naj-
parametry diod elektro lumin escencyjnych. diody elekt-
roluminescencyjnej na zakres podczerwieni wynosi J ... 5%, dla
rodzajów 0,05%. Luminancja jest proporcjonalna w szerokim zakr esie
do przewodzenia. o kilku mA do uzys-
kania widocznego Dlat ego diody elektroluminescencyj-
ne szczególnie do wykorzystania jako w
przewodnik.owych. one w postaci gotowych
siedmiosegmentowych lub punktowych.
I/
Ao 1:)1 oK
Rys. 6.16. Symbol graficzny diody elektroluminescencyjnej
Tablica6.2. Parametry diod elektroluminescencyjnych
Barwa przy Moc przy

fali podstawowy przewodzenia 10 mA i IOmA
[nm] przy IO mA promieniowania [µWJ
M ± 45°
[med]
900 arsenek galu 1,3 ... l,5 50 ... 200
Czerwona 655 arsenek-fosforek
1,6 ... 1,8 I ... 5 2 ... 10
galu
Jasn0e2erwooa 635 arsenek-fosforek
2,0 ... 2,2 5 ... 25 12... 60
galu
583 arsenek-fosforek.
2,0 ... 2,2 5 ... 25 13... 65
galu
Zielona 565 fosforek galu 2,2 ... 2,4 5 ... 25 14 ... 70
Niebieska 490 azotek galu 3 ... 5 I .•.4 3 ... 12
Diody elektro luminescencyjne oferowane przez produc en-

tów elementów Szczególnie asortymentem dys-
firmy Hewlett-Packard , AEG-Telefunken i Siemens.
tE:!:Si~ diody elektroluminescencyjnej z od biorn ikiem fotoelektrycznym,

np. z fototranzystorem , przetwa rzanie na
który prze z element na dowolnym
I potencjale.Tego rodzaju transoptory jako elementy umieszczone
6.6. TRAN SOPTORY 129

w typowych obudowach scalonych . W celu dobrej spraw-
powinny w zakresie podczerwieni.
parametrem transoptora jest jego wzmoc-
nienia K = lwrflwE· on od odbiornika.
Typowe K podane w tabl. 6.3. wzmoc-
nienie uzyskuje w przypadku fototranzystorów w Darlin-
gtona, jednak graniczna jest wówczas najmniejsza.
Tablica 6.3. tran soptorów
Odbiornik wzmocnienia
K = lwr f lw li graniczna
[% ] [kHz]
Fotodioda ok . 0,1 10000

Fototranzystor 10 ... 300 300
Fototranzystor w Darlingtona 100 ... 1000 30
Transoptory do transmisji zarówno cyfrowych, jak

i analogowych. Odpowiednie omówione w p. 21.5.7 i 25.1.3.
Transoptory, które wykorzystane jako czujniki (sensory), wykony-
wane w postaci zapór dla lub od-
bitego. producentami transoptorów firmy AEG-Telefun-
ken, Clairex, Hewlett-Packard , Motorola, Siemens-Litronix i TRW-Optron.
Optyczne informacji cyfrowych w spo-

sób, np. za neonówek, diod elektroluminescencyjnych, ciek-
Obecnie wykorzystuje elektrolumines-
cencyjne oraz przy niskich i
Stosowanie jest dla proste
wyborowi scalonych dekoderów nie
elementami W do diod elektrolumi-
nescencyjnych same nie i z
nym Efekt optyczny temu, element ciek-
bez doprowadzonego jest przezroczysty i tym samym
jasny, a po doprowadzeniu staje nieprzezroczysty i jest widoczny
jako ciemny [6.4].
z dwu elektrod, którymi
znajduje substancja organiczna. Substancja ta zawiera których
za pola elektrycznego. Stan za-
od pola elektrycznego, a on sam zachowuje jak kon-
densator. .R
.•,,,,..,,.-.-, ....... = ·-----· · ···"········ •.w..w,·,···
····················
·----··"·"·" ············• .wce ,___ ,,,, • .... •. ••• •--~··,w ,~··········
·-.···•···- ·-"
130 <,. ELEMENTY OPTOEL EKTRONICZN E
Do sterowania zmiennych o na tyle
by nie migotanie i na tyle aby przez kondensator
zmienny Praktyczne w zak resie 30 ... 100 Hz.
zmienne nie przy
50 mV zjawiska elektrolityczne,
kontrastu od skutecznej
zmiennego przedstaw iono na rys. 6.17. 1,5 V jest praktycznie
niewidoczny; 2,5 V uzyskuje mak symal ny kontrast.
kontra
st
%
1001--- -- -- -::;:;,,
-- ---
90
10....._
_= __,___,___.____JL.,_..
_ _,__ __._
___ _
0 i 2 I3 4 s Uet[V}
UwyT Uzar
R)'S. 6.17. kontrastu od skutecznej doprowadzonego zmiennego
wynosi ok .
1 nF/cm2 , potrzebn e do wysterowania znacznie 1 µA. Ten
bardzo niski pobór sta nowi bard zo
talicznegow porównaniu z diodami elektroluminescencyjnymi.
6.7.1. binarny
Dla uzyskania dobrej przy dziennym diody elektrolumines -

cencyjne przewodzenia 5 ... 20 mA. te
z bramek, jak to pokaza no na rys. 6.18 i 6.19. Dioda z rys. 6.18
wówczas,gdy na bramki jest poziom wysoki, a na jest
podanypoziom niski. Na rysunku 6.19 sytuacja jest odwrotna. jest ograni-
czony rezystancjami bramki. Jed ynie w przypadk u TTL
(w pokazanym na rys. 6. 19) jest potrzebny rezystor
Ze na to, diody elektroluminescencyjne silnie
bramek, te nie do sterowania
innychbramek. Zaznacza to na bramki.
+SV
~
- r.L ~1:: J
00.Q
[~
{
20 mA
25mA
74LS
4 mA dla bramki 74C
74HC
Rys. 6.18i 6.19. Sterowanie diod elektrolumin escencyjnych za bramek
6.7. OPTYCZN E 131

diod elektroluminescencyjnych
za bramki na drugie impulsów
impulsu zmniej-
diody do zera. Aby nie migotanie,
powinna co najmniej 100 Hz.
Wytwarzanie
jest nieco skomplikowane, chcemy standardowe bramki o na-
zasilania 5 V. Musimy bowiem zmienne o wystar-
skutecznej i równej zeru.
to jak na rys. 6.20 dwa klucze,
które w zgodnej lub przeciwnej fazie a
Uzz· Przy pracy w zgodnych fazach uF = O, przy fazach przeciw-
nych - UI ef = Uzz· Ilustruje to wykres czasowy na rys. 6.22.
+ Uzz + uzz
U/ u2 1
t8
U7
:,,
r 01x'<
UF
p
uz
,:
l Y2
ljf
Zasada dziaTania, Realizacja.

Rys. 6.20 i 6.21. Sterowanie bez z wykorzy slaniem
pojedynczego zasilania: a) zasada b) realizacja
11---------,
X
t·
"'h n n ,·
"' ~i
~-u,-uh
-t·
! .!
LJl.J t·
Rys. 6.22. Przebiegi czasowe dla i

Il
w
przedstawiono na rys. 6.21. Gdy x 1 = O, to
y1 = Yi = x 2 ; oba zaciski w zgodnych fazach w takt
x 2 . Dla x 1 = 1 mamy y 1 = .x2 i jest sterowany st
o przeciwnych fazach. Najlepiej do tego bramki CMOS,
,.,.,,,..,,,,..,.,•..,•.,.,,,,,' ,'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•·•'•'• '"r ,·•••r~ =~_..,.,.,, ................,...,,.,.._.,._
.. .,, ...,.,•,•,•r.·=--. ....-,.,..................~,.~""•..,..,....._.,_...,. •••,.,.•.•..-~, ·,v,vw..,..

przy czysto ich
od Uzz od masy tylko o kilka miliwoltów. Oprócz tego
tylko przy stosowaniu bramek CMOS w jest wykorzystywana zaleta ni-
skiego poboru przez
6.7.2. analogowe
quasianalogowe przez szeregowe zestawienie
liczby punktowych elementarnych. wska-
zywanej jest tylko jeden ele-
mentarny, to jest to tzw. ze punktem (rys. 6.23a).
wszystkie elementarne - jest to
ze (rys. 6.23b ).
a) DDDDDD - DDD
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
~- ------ DDD
Rys. 6.23. analogowe: a) ze punktem; b) ze
Do cyfrowego sterowania ze punktem

dekoder 1 z n (rys. 6.24) (patrz p. 9.6.1). wówczas ta dioda
elektroluminescencyjna, która jest do wybranego
ze z rys. 6.25 otrzymamy , za dodatkowych
bramek wszystkie diody, wybranego
+ 5V +5V
270Q
27052 t'/f
g
;f;I
A A
;}'
8 8
8 B
C 3
(j -
9 C :} G-o
3 9
;f/
D D
4 1 4
L...- ----'
o
74LS42 74 LS42
Rys.6.24.Cyfrowy sterowania Rys. 6.25. Cyfrowy sterowania
ze punktem ze
Do analogowego sterowania ze za-

przetwornik analogowo-cyfrowy, w którym
potrzebne do sterowania
6.7. OPTYCZNE 133

we jest wówczas porównywane, jak to pokazano na rys. 6.26, za
cucha komparatorów z odniesienia. Aktywne wówczas
tych wszystkich komparatorów, których odniesienia jest
mniejsze od
+sv
+S V
270Q
Rys. 6.26. Analogowy sterowania Rys. 6.27. Analogowy sterowania

ze ze punktem
Do realizacji ze punktem w tej technice potrzeb-

ne dodatkowe bramki (rys. 6.27).
do sterowania analogowymi w postaci
scalonej. W tablicy 6.4 zestawiono dane kilku typów tych
ze w postaci 5 ... 100 elementów oferuje
wielu producentów diod elektroluminescencyjnych, jak np. Hewlett-Packard
lub AEG-Telefunken.
Tablica 6.4. sterowania analogowymi

\'
Typ Producen t Liczba
punktów ze ze ograniczenie
punktem
U 237 Telefunken 5 - + +
LM 3914 National 10 + + +
U 1096B Telefunken 30 + - +
HEF 4754 V Valvo 18 + + LCD
TC 826 Teledyne 41 + + LCD
!CL 7182 Harris 101 - + LCD
____ _,,..,.......,,,_..,"='=-. .. . ,....,..,,•.•,•.•,•.•.•.ww ,s=, v m , .•,•,•,•,-m ,w=~=wm-.,• ,•,·,---

6.7.3. cyfrowe
Najprostsza reprezentacji cyfr od Odo 9 polega na sied-
miu elementarnych we 7-segmentowy, jak to pokazano
na rys. 6.28. cyfrze, która zazwyczaj jest zakodowa na dwójkowo
(w kodzie BCD), segmen-
tów. Tego rodzaju nosi dekodera kodu BCD na 7-segmentowy.
Jego tablica prawdy jest pokazana na rys. 6.29.
f,-,b a
e/ 9 Je
d
lc:I
o 1 2 3 4 5 6 7 8 9
Rys. 6.28. 7-segmentowy
Cyfra BCO w kodzie ?- segmentowym

L 23 22 21 20 a b C d e f g
o o o o o 1 11 1 1 o1
1 o o o 1 o 1o o o o1
2 o o 1 o 1 o 1 1 o 1
1
3 o o 1 1 1 111 o o 1
4 o 1 o o o 11o o 1 1
5 o 1 o 1 1 o 1 1 o 1 1
6 o 1 1 o 1 o 1 1 1 1 1
7 o 1 1 1 1 1 1 o o o o
8 1 o o o 1 1 1 1 1 1 1
9 1 o o 1 1 1 1 1 o 1 1
Rys. 6.29. Tablica dekodera kodu BCD na 7-segmentowy
Diody elektroluminescencyjne albo

zasady przedstawio ne na rys. 6.19 albo 6.21. Otrzymuje
wówczas pokazane na rys. 6.30 i 6.31.
A
BCD/7S
E6
aQ
,·--
·*
+-5V
B
2 bQ
C
4 •
o •
8 • Rys. 6.30. Sposób
gQ elektro luminescencyjnego z dekoderem kodu BCD
na ?-segmentowy
6.7. OPTYCZN E 135

BCD/7SE6
A
1
8
2
C
4
D
8
Rys. 6.31. Sposób

talicznego z dekod erem kodu BCD
na ?-segmentowy
Dekodery kodu BCD na 7-segmentowy jako scalone;

ich dane zestawiono w tabl. 6.5. Niektóre typy dekoderów do sterowania diod
elektroluminescencyjnych na nie wtedy wy-
magane rezystory Oprócz dekoderów do stero-
wania ze produ kowane dekodery do
dów ze Dekodery do zawie-
bramki EXOR. one tylko generatora
zegarowego.
Tablica 6.5. Dekodery z w kodzie 7-segme ntowym
Typ Produ cent Techno- Kod Wsp ólna Maksyma!-

logia trzny szesna- anoda/ ny lrzne
bufor stkowy /katoda ogranicze-
danych [mA] nie
pr<l(lowe
Do sterowania elektrolumi nescencyjnymi (LED)

74LS47 Tl TTL - - anoda 24 -
74L S247 Tl TTL - - anoda 24 -
9368 Fairchild TTL + + katoda 20 +
9370 Fairchild TTL + + anoda 40 -
9374 Fairchild TTL + - anoda 15 +
NE 587 Signetics TTL + - anoda 5 ... 50 +
NE 589 Signe tics TTL + + katoda 5 ... 50 +
CA 3161 RCA TTL + - anoda 25 +
4511 wielu CMOS + - katoda 25 -
Do ste rowania ciek{okrystalicznymi (LCD)
4055 wielu CMOS - -
4056 wielu CMOS + -
4543 wielu CMOS + -
4544 wiciu + -
Niektóre dekodery 7-segmentowe liczb 10 ... 15

za liter A ... F. Liczby 11 i 13 reprezentowane jednak przez litery
,._._._.,._.,.,•
,•,•,•,•,•.-.-0,_._.,,_.,.............h~ •••••••• •• • • •• ,H,H ,','•'•'•'•'•' ·,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,.. •,._._._._..
__ ,._~•• • •• •'••• '• •• " • • "'- ....... .._••. ,,.,•,•,•ur~w_._._. • ••••••• ••••••••....,.~h._,. , -.,.,., ,, ., .,...._• •• •, '.•.-r,vNr.V

bid, liter Bi Dnie od cyfr 8 i O. Tego
rodzaju dekodery nazwane dekoderami szesnastkowymi. Dekodery do
wielopozycyjnych opisane w p. 21.11.
6.7.4. alfanumeryczne
?-segmentowe tylko kilku liter.
lanie alfabetu wymaga przez za-
stosowanie 16-segmentowego lub matrycy 35-punktowej.
16-segmeotowe
Rozmieszczenie segmentów 16-segmentowego przedstawiono
na rys. 6.32: segmenty a, d i g ?-segmentowego z rys. 6.29
podzielone na dwie a ponadto dodane segmenty h ... m.
to znaków przedstawionych na rys. 6.33. ogranicza-
my do 64 znaków, wielkie litery, cyfry i znaki
specjalne. 16-segmentowe budowane z diod elektroluminescen-
cyjnych lub typu LED (z diodami elektro-
luminescencyjnymi) firmy: Hewlett-Packard , Monsanto i Siemens.
Siemensa wbudowane dekodery. Dekoderem
do typów jest np. dekoder AC5947 Texas lnstru-
ments. go ze tak samo, jak dekoder ?-seg-
mentowy (rys. 6.30). Dekodery do wielopozycyjnych
opisane w p. 21.11.
Rys. 6.32. 16-segmentowy. Nie pokazano dwu dodatkowych kropek
, '' ·1:HI55% fi . 1//

*-- - --
/
l /
\ /
\
-'-
I /
\ I -1
1
U
n 6 lI B -'l1 / L/ --
I
,
c
1 -- _).I ' C
.J
liJFi ,--1Tt E:F-LJ Tl,_,I }-( L_I If\/1f I/\" ,1I,__,

r- }--{ _,_ ,-7
1
[ ITI I
lpn1LY }-(I_J I I L_f
~_LI
V
I/ I I
11\I /\
\/l \/ 1 7 ,-
I IL IL ' \
7
J /\ 1--
I
Rys.6.33. zestaw znaków 16-segmcntowego

· ~,,...,,~,. ,.,..,,..,,.,.
.,..,..v.,..,...,...
,.,,,.......... • • , ,.,.,.·,www.,._ ••• •••• , . , •,,·,,.•,• ,•,•,•,•,•,•,•,.......... ... ... •,•,.,.,,•,·,,.,.,., .,.,..., ,................... .. . ·,·,·,·,·,•,•,•,-,u,-.-.......
.. .. . • •• , • , , ,.,.,·, ,·,·,u..-.·r.· .,.,......,
................ . .. .. .
6.7. OPTYCZNE 137

matrycowe 35-punktowc
dla 16 segmentów uzyskuje matry-

5 x 7, na rys. 6.34. ona
praktycz nie wszystkich znaków . W ten sposób za
• o oo •
• oo • o
• o• oo
•• oo o
• o• oo
• oo • o
• ooo •
Rys. 6.34. Rozmieszczenie punk lów matrycy Rys. 6.35. Matrycowa organizacja
35-punktowej w siedmiu wierszach na diod elektroluminescencyjnych
i kolumnach
••• • • ••••• oo ao n oooo a 11an oo ••••• o oco o 1, ••• 0 ou a 11. ou -:11.: ••••• oouco o,.:;a ~o 111
1 111
: , ••• u O• • •
:ggg
: :gg
gggg:gg~ggg
a u uu a
:
a ut:J..lC oo a o o oooo a ;)t1a c n aa o aa •• ooo n a ::ia o u c a u a 11ur.:aa n 0 :::000
ao oo a aoo oc tio aon oooo a c oo a o a o oo a • o ooo oa oao o ooo a oo • on ot1ru10 an ann t. aaa n oc au:'l ao1.oa aoco •
~g:g~
':laa a o • o a o a
=~[~
:
o a c..11.J aa Gaa a oco a
••••• a o ooc ••••• ••••• c ooo a ••••• unn0 1l aa ;;iaa 11:;1:111
• oo oou ••••• onono o o aoo tH) ;u; .1• • • c r •••.J
coonau
uoco oo ao
oo aooo oo a• oo ao
• o oo•• oo •• o•.J uo ••
o • oo •• oo o•
• • •• oo o• o• •coo
oo 1;
J •••• uu 9.~o
.~.""lim
cCJ ...... ... l aL10
o a• .:i
J eIJ oc
ocooo CllCUO
e uu c.u c o u o::moo
·1,Ju 1111 Hm 001JU~
tioco •1
gggggg8:agggggg
~555§
coo) OO 00 000 c oo oo 0 • 0 • 11 •••• o aoo •• a :io a o uuouu
~sggg:ggg ot1• t 1n
.=,_,..:
~ .o=~.oo e aa g::gg
c..a „oo 11:;1111
::
gg
, a• n•i
~5~g
g
• o~i:o
1-o"'o'-'cC:oc:o+'
...:
'"...:
"...:
".;;.u
-i.;c;.;;o;;:o;.;;o;:;.o-i.;o;..;
•;..;o..;;
• .c.n
+;o:;.;o
:;.;
•..;;O.c.
o +n-'n-'n
..C
•c.
• _• :: : : : :~ ,:: ;·, /,:: ,:: ,:~~: ~
g~: g3 nn ;,u e
a or:• • on a oo
?.;~
~: R
a noa • o ao • o •••• o a .:moo a oo e c a onr::1
•
•t1~~•
aooo •
r:•• o o
t1aa t1u
o aa oo
0 00 00
uo • u o
o a oor:
I onoo
•••••
1.lOa t:u
ono • o
aooc •
1111ur;e
a oao • o:i a :::o ua a ao o o• ao aoo • o oooo a •••• o o oa 110 oaaa o c •••• c u no n ti•e uu aoooc ou::m u 0:10:ta c11..,a n
•a t!Oa co a .uo aoo oo 0 0 0 0 • ••• • • 0000 • • urio• 0 •111;rJ ao oo • cooo • a a• co 11•• 0n a a oac ••••• rm ao on ann
• t100 • :: 11• 00 • oc oo a oo o• r:iot'le u a 11o a a • oo oa • oo:.o • o::ma ;;t1wao :-:aa o o o • noo n u ana unu,;:o „o • l.'.I
• 1n..iOO
oaaa o G••• o ••••• O••• n o oo • o o ••• o o ••• o • ooco o••• n o a• ::io fl!L.nu • oo oo u :.:.nar: ooo co .:• ooo .Jn • nn
o o•• ooo ::,oa • ooo o

1;1caa o
oocar; aonoo
oo a oua aaa o ao aa ;::
ooo ao oo oa a aa oo •
o••••
~im
0 0000 • ooo •
:,OIJOO • o oo • •• UO•
0 0000 o •••• ao aa n
r.111
000 oo aoc ooono ocooo ooo ao :,r aco r a oo n :;.• ooo a a ::e ::
ooc:o i: o:i• o o ::iocoo • ooo
oou •
o ••••
• 000-0
• • •••
oo acrn aao
oco
oo ••
00I 00
:-11 OUU0
aono •
• ooo a
00000
0:1 000
a ooo a
o • r:• ll
a no 11• gg: R?.~g
o •• • • oco a :: oa o:io
:gg gg:gg
::coo:o ouo an ::n ono a o• n•
o ••• n oo ao o a rna •• aoo o • oo ao::i o::ioo • oc a oo oo • .:io :::oar:o r,n an n ~.ooon o • c • o
o ooo a oo • o • e on a• n e oa o o• o• n • ~Jtn • n • o oo oo a -:o '.'JC• 1..~. oo aco c;ouo ::> a · • u •
••••!:I r nn • ri o •• o • 0 0 •1 10 a n ;m • c ••• o ••••• ,.~ 111• 1J -:r.• oo ca oc:u n n ~.u .l n an a 1
Rys. 6.36. Repertuar generatorów znaków MM 6061 (MMI) lub MCM 6674 (Motorola)
138 6. ELEMENTY OPTOELEKTRON ICZNE

w handlu generatorów znaków wszystkie 96 znaków
kodu ASCII oraz 32 znaki specjalne (rys. 6.36). Ze na
przewodów w matrycach punktowych nie wyprowadza zacisków
elementu, lecz od strony elektrycznej wprowadza organi-
typu macierzowego. Pokazano to na rys. 6.35 na diod elekt-
roluminescencyjnych. temu uzyskuje tylko 12 zacisków
nych. to jed nak jednoczesne wymaganych elementów.
Dlatego taki jest zasilany impulsowo z tzw. czasowym
(sterowanie mu/tipleksowe), przy czym wybiera kolejno za
i elementów od-
bywa szybko, obserwator odnosi wszystkie pun-
kty sterowa ne Przy powta rzania cyklu
tlania 100 Hz, oko ludzkie praktycznie nie wyczuwa migotania.
Schemat sterowania matrycy diod elektroluminescencyjnych
przedstawiono na rys. 6.37. Licznik binarny i dekoder 1 z 8 do wybiera-
nia Numer wraz z kodem ASCII znaku jest
wprowadzany do generatora znaków. Generator zgodnie z rys. 6.36,
które punkty danego wiersza Generatory znaków do-
w postaci programowanych przez producenta ROM
cychznaki przedstawione na rys. 6.35. chcemy inne znaki, to
odpowiednio EPROM.
Licznik dwójkowy Dekoder1 z 8

• o oo •
!1-
-+-~;
},4 •
a oo a o
• a o a oo
• sterowania • •• ooo
• anod • a o a oo
a oo a o
a ooo •
Generator
znaków
ao
a, •
• sterowania
Oz • katod
ASC!I 7
... ag d4 C>
Rys.6.37. sterowania diod elektroluminescencyjnych 5 x 7
Jak generatora znaków, pokazano - na

znaku „K" - na rys. 6.38. matrycowym ze scalonym
sterowaniajest np. DLR 7136 firmy Siemens.
Sterowanie rnultipleksowe jest bardziej
skomplikowane, nie tu podawania zmiennego
na te punkty, które nie wybrane. Z tego powodu do sterowania
o trzech poziomach, przy czym amplituda na elementach,
6.7. OPTYCZNE 139

Adres ROM ROM
Nu.mer
wiersza Litera „X" w kodzie ASCII i Xod kolumn
i a9 a8 Q7 a6 as a~ Q3 a2 a1 ao Co C1 C2 C3 C4
1 1 o o 1 o 1 f o o 1 1 o o o 1
2 1 o o 1 o 1 1 o 1 o 1 o o 1 o
3 1 o o 1 o 1 1 o 1 1 1 o 1 o o
4 1 o o 1 o 1 1 1 o o 1 1 o o o
5 1 o o 1 o 1 1 1 o 1 1 o 1 o o
6 1 o o 1 o 1 1 1 1 o 1 o o 1 o
7 1 o o 1 o 1 1 1 1 1 1 o o o 1
Rys. 6.38. generatora znaków dJa litery „K''
które nie wybrane, progu (patrz rys. 6.16). Tego

rodzaju dekodery trójstanowe w postaci scalo-
nych (6.5]; kilka typów podano w p. 21.11.
wzmacniaczem a wzmacniaczem operacyjnym nie ma w zasa-
dzie - oba do wzmacniania lub mocy. O ile jednak
sposób normalnego wzmacniacza przede wszystkim od jego
budowy o tyle wzmacniacz operacyjny jest tak , aby
jego sposób przez obwód
nia zwrotnego. W tym celu wzmacniacze operacyjne
stopniami i spoczynkowy na i równy
zeru. Wzmacniacze te wzmocnienie
i
Tego rodzaju wzmacniacze dawniej stosowane w maszy -
nach analogowych do wykonywania operacji matematycznych, takich jak su-
mowanie i pochodzi nazwa: wzmacniacz operacyjny. Dzi-
siaj one w wyborze jako monolityczne scalone i nie
prawie i od pojedynczego tranzystora.
pod wieloma prawie idealne stosowanie ich jest
o wiele prostsze pojedynczych tranzystorów. Z tego powodu wzmacniacze
operacyjne pojedyncze tranzystory z wielu dziedzin liniowej techniki
Do oceny, jaki typ wzmacniacza operacyjnego jest przydatny w da-
nym zastosowaniu, z wystarcza kilku parametrów. Jednak
przy pewnych zastosowaniach specjalnych , potrzebne podstawowe wiado -
o jego budowie Zajmiemy tym w p. 7.5.
W punktach omówimy najpierw parametry do opi-
su rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych . Potem podamy podstawowe za-
sady doboru obwodów Zbadamy zakres
stosowanych zwykle Uzyskane
do zrozumienia ze wzmacniaczami operacyjnymi , opisanych
w dalszych
,v~ :::$:,:,:J
:•::•,:..:..:x:&:.....
·=·~=· t :,;,:,;,:,;.;~
~::...t~~7\
..~~:•:•
:•:
•:•:,:,
...:,:::,;,;,;,;:;,;,;:;,;:;,;:;:;:;:::;!:::::i',;.;,:;,:~=0, ·~;.;.;
.;.; ::::::::::
:::;:;:;::::::
:::;:;:;:;::::
·..,.,'
li! 7.1. wzmacniaczy

operacyjnych
!il:!jll\f'' '
1
..~~==:::::
::::::::t:::::
::::::::1
:i:~:}
:=::::
::::::::
::·:·:·
····====:::
Na rysunku 7.1 poka zano symbol wzmacniacza operacyjn ego.

wyjest wykonany jako wzmacniacz Dlatego wzmacniacz operacyj-
ny ma dwa Przy Uwr jest w fa-
zie z
Dlatego P nazwane i oznacza

je znakiem ,, +" na symbolu wzmacniacza. N jest
cym i jest oznaczane znakiem ,, - ".
lwr
u,u,) Uwr
Rys. 7.1. Symbol graficzny wzmacniacza operacyjnego
Aby i dodat-
nie i ujemne , wzmacniacz operacyjny musi zasilany z dwu
dodatniego i ujemnego, jak to pokazano na rys. 7.1. W przypadku standar-
dowych scalonych wzmacniaczy operacyjnych zasilania wynosi z regu-
± 15 V. Na schematach ideowych , dla zaznacza
tylko zaciski i Idealny wzmacniacz operacyjny
nie istnieje. Do oceny, na ile dany wzmacniacz operacyjny jest bliski
parametry.
Wzmocnienie nazywane wzmocnieniem z
tj. wzmocnieniem bez zwrotnego (open loop gain) ma
I 04 •.• 105 .
11Uwr
-{_
dla U,v= const
11Uwr flUwr !lUp
k
"'
= = 11(Up- U,v)
(7.1)
11UR 11Uwr
dla Up = const
11UN
Na rysunku 7.2 pokazano przebieg w funkcji na-

UR. w zakresie Uwrmin< Uwr < Uwrmaxjestw przy-
liniowo od UR. Zakres ten nosi zakresu zmian
Po tej granicy Uwr nie wzrasta przy dalszym
szaniu UR, tzn. wzmacniacz zostaje przesterowany. Maksymalne wyj-
Uwrmini Uwrmax o ok. 3 V (co do od
zasilania. Przy zasilaniu wzmacniacza operacyjnego ± 15 V
uzyskuje typowy zakres zmian ± 12 V.
142 7. WZMACNIACZ OPERACYJNY
/
------- -
Uwrmin - 12
Rys. 7.2. w funkcji narysowano

wzmacniacza z
W przypadku idealnego wzmacniacza operacyjnego charakterystyka

przechodzi przez zero. Dla wzmacniacza rzeczywistego jest ona
- jak to zaznaczono na rys. 7 .2 - nieco tzn. do
uzyskania równego zeru na
niewielkie to nosi
U0 (input offset voltage). Jest ono kilku miliwoltów
i w wielu zastosowaniach je W przypadkach krytycznych
je do zera, jak to opisano w p. 4.8.4 dla wzmacniacza
scalonych wzmacniaczy operacyjnych ma do tego celu
wyprowadzone odpowiednie
Po skompensowaniu za-
jego zmiany od temperatury, czasu i
Czynnik oU0 /o9 jest wspólczynnikiem temperaturowym wej.friowego

Typowe 3 ... 10 µV/K. cza-
sowy oU0 /ot jest kilku µV na
zasilania oU0 /oUzzcharakteryzuje na wej-
Wynosi on 1O... 100 µV/V.
nam na zmianach to wahania
co kilka miliwoltów.
w dalszym zo-
skompensowane do zera. Z równania (7.1) wynika wówczas
(7.2)
zakresu zmian jest
proporcjonalne do
na Pi N doprowadzimy to samo U5 , to UR.
równe zeru. Zgodnie z równaniem (7.2), przy takim wysterowaniu
wspólnym Uwy powinno równe zeru. Jak to
7.1. WZMACNIAC2Y OPERACYJNYCH 143

w p. 4.8.1, w przypadku rzeczywistych wzmacniaczy
tak nie jest, tzn. wzmocnienie wspólnego
k = !!.Uwr
us !!.Us
nic jest równe zeru. Jak na rys. 7.3 przy wspólnych
na wzmocnienie to silnie wzrasta. Zakres wykorzystywany jest ograni-
czony przez maksymalne (wspólne). Z to jest
o 2 V mniejsze, co do od
od idealnych przy wysterowaniu wspólnym ,
charakteryzuje lepiej wspólczynnik wspólnego CMRR (com-
mon mode rejection ratio); CMRR = ku,fkus· Typowe CMRR
IO*... 105 • Wzmocnienie jest z definicji zawsze dodatnie, wzmocnie-
nie wspólne - nie. Dlatego CMRR dodatnie lub
ujemne. W kartach katalogowych podaje jednak tylko
CM RR . Jednak we wzorach CMRR z zna-
ku. interesuje nas tylko ze
CMRR, znak nie odgrywa roli.
Rys. 7.3. w funkcji wspólnego
Wzmacnianie wspólnego za
niejszego zdefiniowania wzmocnienia definiujemy
ku, jako
kur = oUwr
au ' R Us= coast
Otrzymujemy wówczas ogólne na
au
!!.Uwy= 8Uwy' a
!!.UR+ 8Uwy' o
AUs (7.3)
R u, = const Us u .= const

to wprowadzenie drugiej definicji
nika wspólnego: dla !).Uwr = Omamy bowiem
CMRR = k .., = !).Us I

kws !).UR Uw, =c ou, l
Zgodnie z wspólnego mówi, jakie

aby sy-
wspólnego na
charakterystyki dynamiczne na rys. 7.2 i 7.3 zakresu
zmian w liniowo, zamiast rów-
nania (7.3) - z
nia UO -
(7.4)
Dla U0 i U5 -. O to przechodz i w równanie (7. 1). Po

UR otrzymujemy
- --
Us (7.5)
CMRR
W idealnym wzmacn iaczu operacyjnym mamy : U0 = O, k = oo 11,
i CMRR = oo. Oznacza to, teoretyc znie UR

do na dowolnego, wyj-
Uwy·
Jak w p. 7.5, wzmacniacz operacyjny o uniwersalnych
ze na musi
wzmocnienia jak filtr dolnoprzepus-
towy pierwszego i to co najmniej do przy której
IK.,I= 1. Dla tego wymagania wzmacniacz operacyjny musi zawie-
filtr dolnoprzepustowy o bardzo granicznej. Na rysun-
ku7.4 pokazano takiego wzmacnia -
cza operacyjnego o skompensowanej charakterystyce
wzmocnienia zapisany w postaci zespolonej wyra-
wzorem
Ku,= k .., (7.6)

I +j _L
fu
..... .......
", ........
,..., ................,...,.,......................
~-...................
· ,..............
....... ..................... .....
. ...................
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., , ..........
,.,............ ,.,.............................
,.,........
........... . ............. .
7.1. WZMACNIACZV OPERA CYJNYCH 145
gdzie kurjest Ku, przy trzy-
decybelowej granicznej fu K,,,maleje odwrotnie propor-
cjonalnie do W tym zakresie mamy
(7.7)
!Kurl[dB}
100
80
60
40
20
o
f 10
Rys. 7.4. Typowa charakterystyka wzmocnienia
jest równa fr, to [KurI= 1. Na podstawie równania

(7.7) polem wzmocnienia, czyli iloczynem wzmo-
cnienia i szeroko.ki pasma (gain bandwidth product).
Rezystancja
Rzeczywiste wzmacniacze operacyjne wej-

tu i
Rys. 7.5. Schemat z wspólnej i rezystancji oraz

polaryzacji
Przedstawimy je - podobnie jak dla wzmacniacza pokazanego

na rys. 4.41 - na podstawie schematu stopnia po-
kazanego na rys. 7.5. Dla wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami bipo-
larnymi rezystancja r, jest MO, a rezystancja
wspólna r$ - GO. przez te rezystancje wyno-
kilka nA.

Znacznie polaryzacji. Wej.friowy polary zacji
(input bias current) jest zdefiniowany jako
1
I» = 2 U»+ + 19- )
a jako
Io = IIs + - lu - I
Dla standardowych wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami bipolarny-
mi polaryzacji w zakresie 20 ... 200 nA. Dla wzmacnia -
czy z na tranzystorach polowych wynosi on tylko kilka pA. Zestawie-
nie danych rzeczywistych wzmacniaczy operacyjnych zamieszczono
w tabl. 7.1. Wzmacniacz typu µA 741 (Texas Instr., National, Silicon General
i in.) jest przedstawicielem generacji prostych wzmacniaczy wykonanych techni-
Typ TL 051 (Texas Instruments) jest popularnym wzmacniaczem
operacyjnym z na tranzystorach polowych. Dlatego ma on bardzo
i niewielki polaryzacji.
Wzmacniacze operacyjne do
wzmocnienie i nie-
W podanym jako wzmacniaczu OP 177
jest tak nawet w krytycznych zastosowa-
niach z do zerowania. wzmacniacza EL
2038pokazuje , wzmacniacze operacyjne do pracy przy
wielkich
Powszechnie wszystkich popularnych
wzmacniaczy operacyjnych pokazano na rys. 7.6. tylko na
sposobie
c) 1
Wy1 Wy4
b)
We odwr.1 Weodwr.4
We
Weni
eodwr.1 Wenieodwr:4
Uzz
adwr. Uzz -Uzz
We Wenieodwr.Z Wenieadwr.3
nieodwr. Wy
Weadwr.
2 We odwr.3
l4y2 Wy3
-Uzz
Obudowametalowa Obudowa Obudowa
okrqg[a8-wyprowadze- 8 - wyprowadzeniowa, 14- wyprowadzeniowa,
niowa,zgodnaz typem741 zgodna z typem 741 zgodnaz typem 324
Rys.7.6. Wyprowadzenia wzmacniaczy operacyjnych

M.....,,,v,.,..,..-.,v..,M
' ,.,, ..,,......,.,_.,.,._, ....... , ....~•'>N . ,••• ..,.,,,,,.,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,......,..._.._
.,.N'Ar.......,._
.....__~,·,·,·,·, ·,·,·,·rrr, ·.,..•• • ........
~--.,,·,·,· ,·,·,·r,•,•,•,•,
•.-,•,•.-,.••••.,....-.•...,...................
.,,.,.,....
7.1. WZMACNIA CZY OPERACYJNYCH 147

Tablica 7.1. Typowe parametry scalonych wzmacniaczy operacyjnych bez
elementów przy zasilaniu ± 15 V
Parametr Symbol Wzmacniacze standardowe Wzmacniacze specjalne

µA 741 TL 051 OP 177 EL 2038
(bipolarny) (FET) (szybki)
Wzmocnienie k., 105 2· 105 107 2 · 104
CMRR 3. 104 2· 104 107 3 · 104

wspólnego
Rezystancja
r, 106 n 10 12 n 5 · 101 n 104 n
Rezystancja
wspólna '·· 109 n 10 14 n 2· 1011 n 101 n
polaryzacji [B 80 nA 5 pA l nA 5 µA
Uo 1 mV 0,5 mV IO µV 0,5 mV
Temperaturowy
/J.Uo/68 6 µV/K IO µV/K O,J µV/K 20 µV{K.
+14,5 V
Maksymalne wspólne Usmax ± 13 V ±13 V ± 12V
- 12V
Maksymalne
Uwrmax ± 13 V ± 13 V ±1 4 V ±12 V
Maksymaln y lwrmax ±2 0 mA ±20mA ±2 0mA ±50 mA

Rezystancja rwy I kQ 100 n 60 n 30 n
zasilania lzz 1,7 mA 1,4mA 1,6 mA 13 mA
Tr zydecybelowa
graniczna /g IO Hz 30 Hz 0,06 Hz SO kHz
Pole wzmocnienia 11' I MHz 3 MH z 0,6 MHz 1 GHz

MaksymaJna zmian
dUwrfdt 0,6 V/µs 18 V/µs 0,3 V/µ..~ 1000 V/µs
na
pasma przenoszenia
fp 10 kHz 290 kH z 5 kHz 16MHz
mocy
7.2. Ujemne zwrotne

Podstawowy wzmacniacza operacyjnego z ujemnym zwrot-
nym jest przedstawiony na rys. 7.7. wzmacniacza
jest podawana przez obwód na
148 7. WZMACNIA CZO PERACYJNY

zwrotnego, tak jak na rys. 7.7, jest odejmowane od weJsc10wego,
mówimy o ujemnym zwrotnym, jest dodawane - o dodatnim
W dalszym zajmiemy przypadkiem ujemnego
zwrotnego.
Wzmacniacz,__ _... _---0U wr

kur
UkTad
zwrotnego
ft
Rys. 7.7. Zasada ujemnego zwrotnego
W celu zbadania z rys. 7.7

skacze od zera do pewnej dodatniej UwE· W pierwszej
chwili Uwr, a tym samym zwrotnego
PUwy, jest jeszcze równe zeru. Na wzmacniacza
UR= Uwe· to zostaje wzmocnione z dodatnim
wzmocnienia ku,, wobec tego Uwr szybko wzrasta w kierun-
ku dodatnim, a wraz z nim fiUwr· Powoduje to zmniejszanie
wzmacniacza UR. Fakt zmian
wego zmianom jest charakterystyczny dla ujemnego
zwrotnego. ustali pewien stabilny
stan zostaje on wówczas, gdy
nie na tyle, zostaje warunek
Po Uwr otrzymamy
(7.8)
do granicy dla fJk.,,$> l daje wzór na wzmocnienie z ujemnym

zwrotnym
(7.9)
Przy takich wzmo cnienie tylko od obwodu

zwrotnego, a nie od wzmacniacza.
W najprostszym przypadku obwód zwrotnego
l z dzielnika pracuje wówczas jako liniowy wzmacniacz, które-
l go wzmocnienie dzielnika.
7.2. UJEMNE ZWROTNE 149

w zwrotnym zastosuje RC, powstaje filtr aktywny.
nieliniowe elementy obwodów elektrycznych, np.
diody lub tranzystory, i w ten sposób nieliniowe operacje oblicze-
niowe. Tego rodzaju zastosowaniami zajmiemy w
W tym rozdziale ograniczymy do przypadku rezys-
tancyjnego. Jak z równania (7.8), od zachowania idealnego
zl
(7.10)
wzmocnieniem w zwrotnego (loop gain) lub stosun-

kiem zwrotnym. Nazwa ta pochodzi z teorii regulacji. Jak to jeszcze zobaczymy
w rozdziale 27, rys. 7.7 nie przedstawia nic innego, jak schemat blokowy pros-
tego regulacji: wzmacniacz reguluje tak, by f3Uwr
UwE· Wzmocnienie w zwrotnego decyduje o
regulacji.
Przyjmijmy w tym celu UwE = O
i przerwijmy np. na
podajmy na Us i zmierzmy syg-
który z drugiej strony przerwy. W wybranym jest to
wzmacniacza Uwr· Jego bezpo-
z rys. 7.7
Po przez zostanie wzmoc-

niony T 0 razy, gdzie T 0 jest wzmocnienia w
Wzmocnienie w przy
zwrotnego. W tym celu podajemy na UwE i mierzy-
my stosunek obwodu zwrotnego /JUwr do
wzmacniacza UR· Otrzymujemy
Teraz spróbujmy o ile wzmocnienie kuf ze

zwrotnym odbiega od idealnej ku= 1//J. na od-
otrzymujemy z równania (7.8)
1
fi 1 1
(7.11)
1/P - 1 + T0 T0

Fakt, wzmocnienie kuf - zgodnie z równaniem (7.8) - w stopniu
nie od ku,, T 0 p 1, korzystnie na pasma prze-
noszenia z ujemnym zwrotnym: przy spadku IKu, I spo-
wodowanym IKuf I 1/P tak jak
lKu,I 1/{J.Gdy IKurI staje mniejsze od ustalonej 1/{J, zgodnie
z równaniem (7.8) K,,1 Ku,· Otrzymujemy w ten sposób przebieg 1Ku1 1 po-
kazany na rys. 7.8. W celu obliczenia wypadkowej granicznej
wstawiamy do równania (7 .8) K.,,,i - przy
równania (7.6) - otrzymujemy
I
Ku,
Ku1=- --"'-- ~ fi (7.12)
1+ l . f
+ J /Uk
1
f.
ur g
IKul
[dl/]
/QQkur
BQ- I
7o I
60 I
I
40 -- -- 1-- ---
Rys. 7.8. pasma przenos zenfa przez ujemne zwrolne
wypadkowa graniczna
(7.13)
gdzie T0 jest wzmocnienia w zwrotnego T dla ma-

Przy równania (7.10) otrzymamy
r ku, r
Jgf=k Jg
uf
tzn.
(7.14)
Iloczynwzmocnienia i pasma ze zwrotnym jest

równy JTwzmacniacza.
... ••rrrrr,=............,..-w..-~-.._.~ . ... . ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•r.......r~-_._., ,, ,,,,,, ,, .. ,,-.-- •• ..-. . ................. .. ..... ._.,.,•, •,•,•, •,•,•,•,•,•, •,•,• ,•,•, •,•,•,•,
7.2. UJEMNE ZWROTNE 151

:~:r:::~:~:i:::m®~~1:r:a:1::*~==::::;:;;;:;:k::::::i:::;::;::i:i:~;:;:~
:;:1:1::::
:::::::~:~
:::;:;:~~=~:::~:~:~
:~:~:~:~:~:
:::=
~===~=:::::::::::
::::::::
7.3. Wzmacniacz fazy
1\1/1\:::::::::::::::::::::::::::?::r:::::::.~1:~~~~~:~m;~
: :::~:::::.z
..
jako obwód zwrotnego zastosujemy dzielnik

a odejmowanie przeprowadzimy na wzmacniacza opera -
cyjnego, to otrzymamy pokazany na rys. 7.9 podstawowy wzmacniac za
fazy z ujemnym zwrotnym.
zwrotnego ma fJ= R 1/(R 1 + RF)- otrzymujemy - przy
idealnych wzmacniacza - wzmocnienie
k - Uwr (7.15)
uf- U
WE
k„1 dla wzmocnienia k.,,

w równaniu (7.8). W przypadku rzeczywistego wzmacniacza operacyjnego mu-
simy jednak dodatkowo od
wspólnego, tzn. wspólnego CMRR ma pew-
W celu wyliczenia wypadkowego
wzmocnienia skorzystajmy z równania (7.4) i wej-
U0 jest równe zeru. Dla U5 = Uwe i UR=
= Uwe - fJUwr otrzymamy
k.,, ( I ) (7.16)
k„1 = I+ f3k.,, I + CMRR
Dla CM RR I i T0 = fik.,, 1 dochodzimy do wyniku uzyskanego
RF l Uwy
1 1
Rys. 7.9. Wzmacniacz
przypadek szczególny dla fJ = 1, tzn. dla RF = O

i R 1 = oo. Przedstawiono go na rys. 7.10. Z równania (7.15) otrzymujemy
wzmocnienie k„1 = 1. Z tego powodu taki pracy wzmacniacza
operacyjnego nosi wtórnika Podobnie jak wtórnik emite-
rowy ten stosowany jest jako transformator impedancji. Jego
jest to, a
wym nie przekracza kilku mV.

z zba-
na podstawie schematu z rys. 7.11. w
z rys. 7.9 i 7.10 dodaje do
Rys. 7.10. Wt órnik
UwE
r0 - Uo
'tuwy UwEl rs
l
RF
1 1
R1 Ir
Rys. 7.11. Schemat Rys. 7.12. Schemat

rezystancji
niezrównowafonia
Jest ono, tak jak wzmacniane ze

nikiem kuf ·
Rezystancja
W celu obliczenia wypadkowej rezystancji wrysujemy schemat
z rys. 7.5 do z ujemnym zwrotnym. Otr zymamy
pokazany na rys. 7.12. Wskutek ujemnego zwrotnego na re-
zystancjir, tylko bardzo
przez wynosi tylko UwEf(T0 r,).

nicowarezystancja zostaje zgodnie z tym i wskutek ujemneg o sprn ~-
zwrotnego T0 razy. Z tego ten rodzaj ujemnego
zwrotnego bywa nazywany elektrometrycznym. Zgod-
nie z rys. 7.12 otrzymujemy
(7.17)
,. ,,_,,,..,,.,.,,,.,.,,.,,,,. , ., . . . ... ....... . ,.•.. .,._.,..,.,.,.,.,.,.,....,..,,..,.........,,............ .. -.-.-.-.-.-.-.-.....-.

....-........,..... .,_..,.,, .,,. ,.,, .,,_.,., .,, ,,, ,.,.....,.== • •. .. . -.•·v· •. ,... ,.. ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,. .,..-,.•.,
·•'•'•'•'•'•'•'•'•'"·.......,...~~ -~····
7.3. WZMACNlA CZ FAZV 153

Nawet we wzmacniaczach operacyjnych z tranzystorami bipolarnymi na
ciu jest ona 109 n. Nie wolno jednak chodzi tu tylko
o przyrosty; tzn. zmiany MwE natomiast pola-
ryzacji
Stosunki tu na liczbo-
wym. Niech dane o rezystancji r9 = 1 M!l.
wzmocnienia spowodowany nie
0,1%. Wynika warunek
go - jak to wynika z tabl. 7.1 - wzmacniacz typu 741. Jego

polaryzacji 18 = 80 nA jednak na rezystancji
spadek 80 mV. go w zasadzie
dzielnika w ob-
wodzie ujemnego zwrotnego o tej samej co r 9 • Pozostaje
wówczas tylko Metoda ta przynosi jed-
nak rzadko wymagany efekt, rezystancja nie jest do-
Z tego powodu przy rezystancjach
50 k!l , celowe jest zastosowanie wzmacniacza operacyjnego z na
tranzystorach polowych. to jest korzystne ze na
szumy, wzmacniacze operacyjne na tranzystorach polowych ze
na ich szumów do ze
o rezystancji.
Rezystancja
Jak w tabl. 7.1 rzeczywiste wzmacniacze operacyjne pod
rezystancji daleko od Rezystancja
ulega jednak znacznemu zmniejszeniu wskutek ujemnego zwrotne-
go. Zmniejszenie spowodowane przenosi
bowiem przez dzielnik Rp, Rt na N.
szenie UR zmianie
Rezystancja wzmacniacza operacyjnego bez zwrot-
nego zdefiniowana jest jako
rwy =-
aUwr
a1
I
WY u. =coost
Dla rezystancji z ujemnym zwrotnym

z rys. 7.9 mamy natomiast
rwyf = - aUwr
i}J
I
WY U„r=oonst
_____ A,~,.-.----.------- --..-..,-,,.,,,.-,._ _w.wm-
-----------
•---- -•--
-------
---
---
w-------w·..----·••.,.,,._.,. _.,_.~-=
-----w."'""•''-
--·,-·.
--.,.,.,,.,~-------
W z ujemnym zwrotnym , pr zy zmianach
nia, UR nie jest lecz zmienia o
(7.18)
superpozycji, otr zymujemy wyj-
(7.19)
przy tym przez dzielnik w obwod zie ujem-

nego zwrotnego. Po równania (7.18) otrzymujemy
rwy rwy
(7.20)
1 + /3k„r T0
Przy wzmocnieniu ze zwrotnym k„ 1 = JO i wzmoc-

nieniu k.,, = 105 , wskutek ujemnego zwrotne go rezys-
tancja zostaje zredukowana z I kO do 0,1 n. to jednak
tylko do trzydecybelowej granicznej j~ wzmacniacza operacyj -
nego.Przy rezystancja
ITJ maleje z 20 dB na Wykazuje ona ponadto chara kte r
indukcyjny.
7.4.Wzmacniacz
(;,;,,:,::~~~
,($,,~,,1,$.,~m,
,,,,,,,1,,
,,,,i,,,,,,,,,,,~,,
,,,,,,,,,,
,=~~,,,,=<i~:!\-s::::,~~-::twr:
, ,,,
,,,,,,,
,,,,
,,,,,,,fo,,,,,,
,,,,,,
,,,,,,,
,,,,,,,~=
............
Drugi, sposób wprowadze nia ujemnego zwrotnego polega na

P wzmacniacza operacyjnego z rys. 7 .9 z i podaniu
na wyprowadzenie rezystora R 1 . Powstaje wówczas
przedstawiony na rys. 7.13. W celu zbadania
wzrasta od zera do pewnej dodatniej UwE· Wów-
czas UNprzyjmuje
n
w pierwszej chwili Uwy jest jeszcze równe zeru.
UR= UP- UN jest ujemne. Ze na wzmocnienie kur
maleje do ujemnych , wskutek czego mal eje u....
zmienia tak zrówna
praktyczniez zerem.
,,,....,,,,"N>V,...,N"o._
..,.._...._
....,,
,••- . ... . .......,,_.,,.,.,.,.,.,.,., ~=
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•r,·rrr.·,·r.·rr .v.N'.-.VYAw.o...__-~.,.__.,,.,.,.,,,,.,.•.•.•.•.•.•.•.
,.• .....
v,·.·,·
,·,····
········
······..._www~--
7.4 . WZMACNIACZ 155
fuwr
1
Rys. 7.13. Wzmacniacz odwracajflCY
Do wyliczenia dla którego UN ::::: O,

zastosujemy
pierwsze prawo Kirchhoffa dla N i do idealnego
wzmacniacza operacyjnego nie wówczas
UwE
+ --Uwr ~o
R1 RF
Uzyskujemy
(7.21)
ujemnego zwrotnego tu ogólnie w

sposób: w obszarze pracy liniowej wzmacniacz operacyjny do
takiego Uwr, by UN:::::
O. N zachowuje
jak zacisk z mimo w nie ma niskorezys-
tancyjnego, biernego z Dlatego ten punkt jest
nazywany lub punktem sumacyjnym. W do
wzmacniacza nie tu wysterowanie
wspólnym, a ma do
z ujemnym zwrotnym, musimy od zera
UN -- - Uwr
kur
i otrzymamy wówczas
(7.22)
gdzie fJ= R 1 /(R 1 + RF). Przy

To= fiku, P I
wynika
l - /3
kuf= - fJ (7.23)

co jest zgodne z równaniem (7.21). od idealnych
- tak jak w przypadku wzmacniacza - wzmocnienie w
T0 = /Jkur.Rezystancja jest tu znacznie mniejsza od rezys-
tancji samego wzmacniacza. wprost z rys. 7. 13
UN O. Wynika
(7.24)
Dla UwE= coost z rys. 7.13 i 7.9 iden-

tyczne. otrzymujemy rezystancji co dla
wzmacniacza
1
,. .5. Budowa wzmacniac
zy operacyjnych !]ff
f:~l~ff=~~
~~:i:i:::":;
l:l:x::
: ·::::=:=:=:=:::
-:::::
::::::·:·:·:·· ...,...
....
;-::·.·~., ·: · : '" ¾:1':E$.Z?
..~.,....:-:\: ::::::::::=:=:=:=:=:=:=: :·:·:·:·:·:·:·:·:·:::·:·:·:·:·:·:·:·,n~:Yn:====:
:::::::::::: ··:::;..+·
·::::::::::::
W poprzednich punktach warunki , jakie powi-

nien wzmacniacz operacyjny:
-
- spoczynkowy na i równy zeru;
- dobra zera;
- rezystancja i
- wzmocnienie
- przebieg charakterystyki
Do wymaganego wzmocnienia jest po-

trzebna liczba stopni przy tym zastosujemy
tranzystory npn, ze na galwaniczne spoczynkowy
przesuwa ze stopnia na w kierunku dodatnich. Aby uzys-
spoczynkowy na równy zeru, w co najmniej jed-
nym punkcie wzmacniacza w kierunku ujem-
nym. w zasadzie cztery które zebrano na rys. 7.14:
a) dzielnik który wprawdzie
ale zawsze powoduje
b) dioda Zenera, ze na praktycznie nie
Przez musi jednak wystarcza-
by nie ona w postaci szumów. Dla-
tego na tylko wraz z wtórnikiem emiterowym;
c) wytwarza na rezystancji spadek
dolny rezystor w a) syg-
nie
d) tranzystory komplementarne najprostszy i najbardziej elegancki
sposób punktów o
,.,.,,,,, •.•~.,.~.-.·, .,..,,.........,•...,.,••w,• ,.,.....,.,....,,,.., ,...... ,....• • .. ...... ............. ,•••••,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., .............. ............ .. .... . .. '• ,·+,·r ·r·r ...,_.,,,,.,.,•• ,.,.,.,.,._....,.,,....,,..,.,.,.
....... .. . ..... . . .. • .•.• ,.,.,H,','•
7.5. BUDOWA WZMACNIACZV OPERACYJNYCH 157

a) b} c) d)
Rys. 7.14. Melody przesuwania a) dzielnik b) dioda Zenera; c)

we; d) tranzyslory komplementarne
Obecnie zbadamy, w jaki sposób zera poszczególnych stopni

wa na Do przyjmiemy wzmacniacz dwustopniowy.
obu stopni oznaczymy jako U01 i U02 ,
dla UWE = O, otrzymamy
Zgodnie z pierwszego stopnia

na silniej drugiego stopnia.
Aby na niskim poziomie, na
jest stosowany zawsze wzmacniacz Na jednak na
nie potrzeba napi~cia symetrycznego masy. Dlatego
który na jest symetryczny, w pewnym miejscu w nie-
symetryczny. Wzmocnienie do punktu, w którym staje niesymetryczny,
powinno tak by dalszej niesymetry-
cznej w porównaniu ze wzmocnionym
Napi~cie stopnia niesymetrycznego jest
wówczas do wobec
Najprostsza realizacja
Z postawionych w poprzednim punkcie wynika, na
wzmacniacza operacyjnego jest potrzebny wzmacniacz a na
wtórnik emiterowy. Wynika najprostsza realizacji wzmacnia-
cza operacyjnego , przedstawiona na rys. 7.15. Aby tranzystor T 2 nie
w nasycenie przy dodatnich wspólnych, spo-
czynkowy jego kolektora musi nie za np.
U22 /2. spoczynkowy na powinien jednak równy zeru. Do
galwanicznego z zachowaniem tej
dioda Zenera. W podanym Zenera musi
Uzz/2 - 0,6 V. wspólne na wynosi zero, przy takim
doborze kolektor T 2 wysterowany zerem a Uzz·
Przy dodatnim wspólnym na maksymalne ujemne
zmniejsza o
__ m,,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,,,.,.,-,,... .- ....... .- .- ...... h . •WA""""""'"' •'" '''' m~==--
158 7. WZMACNIACZ OPE RACYJNY

Wzmacniacz operacyjny o jednym stopniu wzmocnienia
nadaje w praktyce do wykorzystania tylko jako wtórnik jak
na rys. 7.10, ze na ku = 1 uzyskuje jeszcze wzmoc-
nienie w Dla tego specjalnego przypadku jeszcze
kilka jak na rys. 7.16. W celu wzmocnienia w
i zakresu zmian rezystory Re i RE
+ +
Ile
°TJ Tj
T, Tz Tr
fuwr
l
Rys. 7.15. Prosty wzmacniaczoperacyjny Rys. 7.16. Wtórnik
emiterów wzmacniacza wynosi UwE- 0,6 V. Po-

z powodu zwrotnego Uwr = UwE, bazy T 3 ma
UwE+ 0,6 V. kolektor-emiter tranzystorów T 1 i T 2
odpowiednio 0,6 V i 1,2 V, od doprowadzonego wej-
Przy takim pracuje Dla-
tego Zenera, do
w z rys. 7.15.
wszystkie tranzystora T 1
wy, ma bardzo i bard zo
Wtórniki w których wykorzystano do-
jako monolityczne scalone (np. LM 31O firmy National).
Sl:*l~:l~:1'::Z::::t' :::::::::::::
...::::::::
:::::
:::::,::::::::
::::::::JS ....l~.,
..::::=<..fu ...
1!;:Y
-~..::::::::::::::
:::::::::;:::~,:::::::::::
:::::::::::s.~~ ::::....;,·::::::::::.:.:.:,..
..J: :::k"'~<'::::•~:=:=::;•:•:=:.~::
:::::, ,.:.x ::.......
[
, 7.6.Standardowe
scalonewzmacniacze
operacyjne
ttr~:s:::~::::~::::
~~
:::::.:tf..;:
:::
:t.:Z~?Xt
::::::::;::.,.:::::d'::;t½~K~f:,=:
•:Pl•:•
:x.:::::::~::::::::~•:.s.
.J.Js'";~f» ...
Wzmacniaczeoperacyjne o uniwersalnych
wzmocnienia jeden wzmocnienia.
np. we wzmacniaczu typu 741,
1 przedstawionona rys. 7.17. Tranzystory pnp T 1 , T 2 wzmac-
niacz
e T 4 stanowi T 2 . Jego nie ma jednak
tranzystory T4 i T 3 wtórnika
7.6. STANDARDOWE SCALONE WZMACNIACZE OPERACYJNE 159

+
J
CK
r--11-
---
i 30pF
4
-o
Rys. 7.17. Uproszczony schemat elektrycmy scalonego wzmacniacza operacyjnego µA 741
wcgo dla kolektora T1 . W ten sposób uzyskuje stop-

nia
11 = lei - lc2
tej zmiany kolektorowych o jednako-
wych fazach, a wspólnych. Na tomiast
zmiany o fazach przeciwnych i wynikowy 11 • Z tego
wtórnik jest najbardziej do
z symetrycznego do niesymetrycznego wzmacnia-
cza operacyjnego. Zaciski emiterów tranzystorów T3 i T4 wyprowadzone na
w celu zerowania wzmacniacza. Uzyskuje w ten sposób
wpro wadzania - za potencjometru - przeciwnych zmian
spoczynkowych kolektorów T 1 i T2 •
Darlingtona T 5 stanowi drugi wzmacniacza. Pracuje on
w wspólnego emitera, ze jako
nia . Kondensato r Cx do korekcji charakterystyki Je-
go do bór omówimy w punkcie.
Tranzystory T 6 i T7 one w
komp lementarnego wtórnika emiterowego o spoczynkowym
(prac a przeciwsobna w klasie AB). Ten rodzaj pracy jest opisany
przy omawiani u wzmacniaczy mocy, w rozdziale 17. Spróbujmy teraz oszaco-
wzmocnienie Dla uzyskania
wych, kolektorów tranzystorów powinny tylko
10 µA. Ich transkonduktancja gm przy tym wynosi 0,4 mA/V. Zgodnie
z p. 4.8.1 transkonduktancja wzmacniacza jest o mniejsza.
z tranzystorów w z dwu
tranzystorów, jeszcze przez dwa.
Wtórnik na tranzystorach T3 , T4 powoduje jednak wzrost transkon-
duk tancji. Otrzymujemy w ten sposób
•• •• •••••••••• • · ···· · .._.,•••,•••••••••• ,.,•,•,•,•,•,,,•,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,w,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,-.v __ -_,,.._.,,. ,, .,•,•,•,•.•,•,___ ,, ••• , •• ••••••. •, . , ...... ... .. -. ... . .......... ... .... .. , . - •.-

(7.25)
W celu obliczenia wzmocnienia stopnia

z ry s. 4.17. Zgodnie
z schematem z rys. 7.18 dla
spoczynkowych wynosi ona 2 Mn. W ten sposób otrzymujemy wzmocnienie
stopnia równe 400.
,,o Wzmacniacz
rce2
BMQ
f'cH
BMQ
wtórnik
i1
rweTs
4Mf2
UkTad
j,,
Oarlingtona
Rys.7.18. Malosygnalowy schemal stopnia dla
Transkonduktancja g:,,stop nia z Darlingtona przy = 300 µA

wynosi, p. 4.7, 6 mA/V. Przy
RL= 2 kil, z schematu na rys. 7.19 otrzymuje-
my wzmocnienie tego stopnia równe 450.
"1
'~'•g.,, OL__ 6
_m_/_.....,_;_fó_'k_Q
_ _...,_
{i_io-kQ__j_.....,_i
_:0_\_2__ .()1"
·•
Uk[ad pra.dowe·I wtórnikemiterowy
Darlingtona
Rys. 7.19. schemat stopnia dla
wzmocnienie wzmacniacza operacyjnego wynosi

e
1 kur = 400 · 450 = 1, 8 · 105
e
1- W wzmocnienia jednak mniejsze.
1- nie termicznego
o dzystopniem a [7.1].
Jak na rys. 7.19, wtórnik emiterowy jest sterowany ze
l. o rezystancji stano-
'U wi rezystancja drugiego stopnia wzmacniacza. Zgodnie z rys. 7.19
a.. wynosi ona 120 kn. wzmocnienie tranzystorów
1- ma 100, otrzymamy wzmacniacza
operacyjnego 1,2 kn.
7.6. STANDARDOWE SCALONE WZMACNIACZE OPERACYJNE 161

Wzmacniacz operacyjny na tranzystorach polowych
Zastosowanie tranzystorów polowych w wzmacniaczu
nicowym wzmacniacza operacyjnego daje wiele
polaryzacji zostaje zredukowany do niewielkiego bramki.
Dla takiej samej transkonduktancji, jak przy tranzystorach bipo-
larnych, drenu razy Z tego wynika - jak
to zobaczymy w punkcie -
zmian i wielkosygnalowej pasma przenoszenia. Oprócz tego
tranzystory polowe tran-
zystory pnp, które w bipolarnych monolitycznych
bardzo parametrami. Wynika znacznie pasma
przenoszenia dla
trzy rodzaje wzmacniaczy operacyjnych na tranzystorach polo-
wych:
- z tranzysto rami polowymi na (technologia BIFET), np.
wzmacniacz TL 054;
- z tranzystorami polowymi z na (technologia
BIMOS). wzmacniacza tego typu jest wzmacniacz CA 3160
firmy RCA;
- wzmacniacze operacyjne zbudowane z tranzystorów polowych
z (technologia CMOS). takich wzmacniaczy sta-
nowi seria TLC firmy Texas Instruments.
,i ,J
-
lh-~
I 'h
o o
u,J tup
1 1
-~~-
tuwY
·{ 1, 'l "l
...,,.
"""" 1
Rys. 7.W. Wzmacniacz operacyjny CMOS serii ICL 7610. tranzystorów z typu
n z ujemnym, a tranzystorów z typu p z dodatnim zasilania
wzmacniacza operacyjnego CMOS z serii TLC pokazano na

rys. 7.20. Tranzystory T 1 i T2 wzmacniacz Lust-
ro T3 , T 4 przekazuje na drugi wzmocnienia T 5 i na
wtórnik T7 • Do tego miejsca odpowiada

wzmacniacza operacyjnego zbudowanego na tranzystorach bipolarnych,
przedstawionemu na rys. 7 .17. Inaczej tu jedynie problem wytwa-
rzania ujemnych do tego tranzystor T 6
w ze wspólnym szero-
pasma i moc strat W zakresie od 1OµA do 1 mA one do siebie
proporcjonalne. typy wzmacniaczy z spoczynkowymi usta-
wionymi na i takie, w których je za dodat-
kowego wyprowadzenia (7.2].
z wzmacniaczy operacyjnych CMOS na tru-
>
zrealizowania wzmacniacza o
t'
ciu i dryfcie. Dopiero wprowadzenie tranzystorów
l
z [7.3] parametrów.
). 7~
a
,O 7.7.1.Podstawy
:h Ze na i wzmacniacz
:l- operacyjnyzachowuje jak filtr dolnoprzepustowy Bez poje-
Cx charakterystyka wzmocnienia ró-
K.,, ma typowy przebieg przedstawio ny na rys. 7.21.
/1 RC o naj-
,os ku.r
101-
7ó
,oJ I
1 I
,02 fi I
I
10 I
f,I
tp 10 100 lk 101<. 100k 1M 10M f[Hz]

o• I
ypu
-9(f
nia
-,sa•
na
ust-
na Rys.7.21. T)'POWacharakterystyka i fazy wzmocnienia
owi (diagram Bodego)
7.7. KOREKCJA CHARAK TERYSTYK1 163

mniejszej granicznej. Wzmocnienie maleje z
20 a fazowe UR a Uwy wynosi <p= -90 °.
w stosunku do o 90°.
/2 drugi filtr dolnoprzepustowy; wzmocnie-
nie maleje teraz z 40 a fazowe UR
a Uwy jest <p= - 180°. Oznacza to jednak, role Pi N
Ujemne zwrotne, które zawsze jest podawane z na
w tym zakresie jak dodatnie. Z te-
go powodu wzmacniacze z ujemnym zwrotnym niesta-
bilne - tzn. do generowania W punkcie 15.1.1
drgania wówczas, gdy istnieje taka
przy której fazowe w zwrotnego jest równe zeru
(warunek fazy), a wzmocnienia w IT I = I/JKu,
I jest
lub równy (warunek amplitudy); /Jjest tu wzmocnieniem
du zwrotnego. Dla wzmacniacza i
/J= R1
R1 +RF
jak to z porównania z rys. 7.22 i 7.23 dla UwE = O. Zgodnie
z równaniami (7.15) i (7.23) kuf istnieje
_!_ { kuf dla wzmacniacza

/J 1- kuf dla wzmacniacza
gdzie kuf jest wypadkowym wzmocnieniem wzmacniacza z ujemnym

niem zwrotnym dla
RF tUwy
1
Rys. 7.22. zwrotnego Rys. 7.23. zwrotnego

dla wzmacniacza dla wzmacniacza
W celu doboru korekcji charakterystyki musimy nieco

warunki one to nie
drgania W praktyce jednak potrzebne informacje na
temat dochodzenia do stanu ustalonego.
Zdefiniujmy w tym celu jako przy
której I TI = 1 i zajmijmy fazowym wzmocnienia w przy
tej wynosi ono - 180°, mamy do czynienia z przy-

padkiem jego jest mniejsza
od 180°, otrzymamy drgania warunek fazy
ny dopiero dla pewnej h· Tam jednak dla
dolnoprzepustowego, zgodnie z I Tl < 1, tzn. tylko drgania
stanowi margines fazy <PM . Jest to war-
jaka dzieli fazowego dla h od 180°.
(7.26)
Na rysunku 7.24 przedstawiono przebiegi do stanu ustalonego przy
podaniu na skoku jednostkowego, dla if>M. Przy
<PM= 90° otrzymuje przebieg aperiodyczny, przy <PM= 65° prze-
rost 4%. Przy tej uzyskuje maksymalnie
1Ku 1 1 Butterwortha). Dlatego jest ona stosowana
w praktyce. Przy mniejszych <PM na skok jednostkowy
jest a charakterystyka IKu1 1 wykazuje wzra-
podbicie w otoczeniuh. Przy <PM= O drgania.
1,0
f,0 1,5 t[)lS]
Rys. 7.24. wzmacniacza operacyjnego z ujemnym zwrotnym na skok

przy marginesach fazy <p111(skafa czasu dla wzmacniacza LM 301)
W ten sposób w stanie z charakterystyki

(Bodego) wzmacniacza z jakie otrzy-
mamy dla zadanej /J.Dla na rys. 7.21 wrysowano przypa-
dek 1/P= 8 OOO.Mamy przy tymh = 100 kHz i <PM= 65°. Dla takiego
zwrotnego otrzymamy dobre Przy silniejszym ujemnym
zwrotnym <PMszybko maleje i dla 1//J= 300 zero.
7.7.2.Uniwersalna
korekcjacharakterystyki
Wzmacniacz przeznaczony do uniwersalnych powinien w
zakresie,w którym I.K;,,I > 1, fazowe mniejsze od I 20°. Dla
dowolnego ujemnego zwrotnego O~ fJ l otrzymamy wtedy mar-
.....,¾, , ... . . ..... ..... w,,•
<H,,,., ,•,•,••~~= ......................... . ·-- ~ - -~~ ..................... .. , •••, •••••, •••••,., .......... .......... "".................... .... ,,.••••••,., ...................... .....,. ....... . ..... . ..................... ,., ... ,., •••••,.,., ., ....... .. .
7.7. KOREKCJA CHARAKTERYSTYKJ 165

gines fazy od 60°. Warunek ten np. w ten sposób,
wzmocnienia koryguje by
w zakresie IKurI > 1 tak, jak charakterystyka filtru dolnoprzepus-
towego pierwszego Szkodliwych, dolnoprzepu-
stowych o zaznaczonych na rys. 7.21 granicznych/ 2 i/ 3 nie
jednak Z tego powodu jedynym jest - za
dodatkowego kondensatora korekcyjnego Cx - granicz-
nej / 1 pierwszego dolnoprzepustowego tak, by Ku,
zanim zacznie drugi dolnoprzepustowy. Przypa-
dek ten pokazano na rys. 7.25. przy takim doborze korekcji, nawet
w najbardziej niekorzystnym przypadku ujemnego
zwrotnego (fi= 1), pozostaje margines fazy cJ>M = 65°, podczas gdy dla
szego utrzymuje 90°. Oprócz tego wymagana
korekcja charakterystyki za reduk-
pasma przenoszenia wzmacniacza bez zwrotnego.
kur
f{Hz]
- 180°
- 270°
Rys. 7.25. Charakterystyki wzmocnienia wzmacnia-

cza bez korekcji i z (diagram Bodego)
Korekcja powoduje fazy przy mniejszych

do 90°, a przy nie wywiera na nie
Nigdzie nie kompensacja fazowego. Z te-
go powodu do korekcji fazowego na-
zwa „kompensacja fazy" jest
Realizacja
korekcji charakterystyki
nimy najpierw na wzmacniacza µA 741 z rys. 7.17. ma dwa

punkty o rezystancji, a mianowicie wzmacniacza
oraz Darlingtona. z tych punktów
z ok . 1O pF. Zgodnie ze schematem
czym z rys. 7.18 wzmacniacza tworzy filtr dolnoprzepus-
towy o gra nicznej
1
fi = 21t[8 MO li 8 M0 114 MO] · 1O pF = 8 kHz
Dla dolnoprzepustowego stopnia w Darlingtona ze
schematu na rys. 7.19 otrzymamy
f2 l = 210 kHz
= 21t[220 kO 11270 kO li 200 kO] · I O pF
fr scalonych tranzystorów pnp powoduje trze-
ciej granicznej
f 3 3 MHz
Oprócz tego jeszcze wiele innych dolnoprzepustowych,
które przy dalszych jednak
Aby przy zwrotnym (/3= 1) jeszcze margines
fazy 65°, fr o
~f2
Ten wybór przedstawiono na rys. 7.25. Aby

musimy z 8 kHz
do
r = fr = 100 kHz = 1 H
Jg k 10s z
ur
W tym celu na wzmacniacza do masy

kondensator CK= 80 nF. Tak nie jednak
w monolitycznym. Istotne zmniejszenie wymaganej
na kondensator nie z lecz - jak to pokaza no na rys. 7 .17
- z kolektorem wzmacniacza stopnia. temu ten zo-
,- staje od ujemnym
e zwrotnym.Otrzymamy wówczas zwany integratorem Millera. W celu
:- jego zasady schemat z rys. 7.26.
l- ujemnemu zwrotnemu w wej-
Darlingtona stanowi przy pozor-
i jest
••• -.,.•....,.•..-,•,•.-,• , •,•,•,._._.•._._._

,•,•,•,•,•,•,•,•,•,• .._.~.r.N',.,..,..___ ,..,,, ,•,•,'+ ,~'--'-~• ,JV,v.-~-,..........,_. _.••., ............. .......... ._ .... .... ........... r.v.~-
7.7. KOREKCJA CHARAKTERYSTYKI 167

{] Wzmacniacz ·, UkfadOarlinqtona
,
z korekcjo, charakterystyki'
Rys. 7.26. schemat z charakterystyki

wej za ujemnego zwrotnego
Wynika
K,, = Uw y =~ (7.27)
r ur jwCK
Zgodnie z przy fr Ku, jest równy

Otrzymujemy Cx
(7.28)
gdzie gmjest stopnia Dla podanej w poprzed-

nim punkcie gm = 0,2 mA/V i fr = 100 kHz otrzymujemy CK =
= 320 pF, a tylko 1/250 wyliczonej
;::~--,1..:.--------
..................
I I rl IK I k ,,"':', Ku bezkorekcji
10J I ur z ore1<CJQV
I '
m2 I '
W II '
I fg fr f3I\
.......
- 180° ------------------------.:: ', --- -
-270° ' _
.............
Rys. 7.27. Charakterystyki wzmocnienia wzmacniacza z

przez granicznych

Ujemne zwrotne drugiego stopnia przynosi jedna k
zmniejsza re zystancja tego stopnia .
ternu graniczna / 2 dolnoprzepustow e-
go z 200 kHz do 10 MHz. korekcyjna CK,
oprócz zmniejszenia / 1 , powoduje / 2 . Takie
granicznych jest nazywane biegunów (pole splittin g).
/ 2 do / 3, fr do
w / 3 • Dla/~ = 1 MH z otrzymujemy
na rys. 7.27. pasma przenoszenia wzmacni a-
cza bez zwrotnego do 10 Hz. Do obliczenia Cx stosuje-
my równanie (7 .28) i otrzymujemy
C = 0,2 mA /V 30 pF
K 2n · 1 MHz
Taka korekcyjna jest, np. w przypadku wzmacniacza µA 74 I , scalo-

na monolitycznie.
7.7.3.Dopasowana
korekcjacharakterystyki
Uniwersalna korekcja charakterystyki opisana w poprzednim
punkcie gwarantuje margines fazy dla rezystancyjne go
ujemnego zwrotnego. Niekorzystny jest jednak fakt ,
pasma z ujemnym zwrotnym, zgodnie z równaniem (7.14),
maleje odwrotnie proporcjonalnie do wybranego wzmocnienia. Taki stan rzeczy
na rys. 7.28. Przy zwrotnym do
stabilizacji potrzebna odpowiednio mniejsza redukcja wzmocnienia , po -
wówczas punkt I TI = 1 przy IKu,I = 1/ fJ> 1. Jak na
rys.7.29, np. przy 1/{J= 10 pasma przenoszenia bez
zwrotnego z 10 Hz do 100 Hz , dla ze
5
10 ~\-~
104 '\. •
CK=30pf'-,""· CK=JpF
103
2 '" ""·
10-- - ---".- ,-
10------" -- 10 r--------..
1 1.___.__,____. _ _.___.__ ~...__~ ....-
1·~1"="
0--=100
~ ,~k __,,--..__ --, -= [H.....,z]
ot1-,--
t.... - 1
Rys.7.28. pasma od Rys. 7.29. pasma od

wzmocnieniaprzy uniwersalnej korekcji wzmocnienia przy dopasowanej korekcji
charakterystyki charakterystyki

zwrotnym pasma 1 MH z, podczas gdy przy
korekcji uniwersalnej ona 100 kHz. Aby to zmniej-
z 30 pF do 3 pF.
Do takiego dopasowania korekcji charakterystyki
oferowane scalone wzmacniacze operacyjne bez
korekcyjnej , a zamiast tego z wyprowadzonymi na od-
powiednimi punktami np. µA 748, TL 080. Inne wersje wpraw-
dzie ale za mniejszej
Dla tych wzmacniaczy zawsze podaje jakiego wzmocnienia kumin
nie wolno ze na
Przy wyborze wzmocnienia IO nie pola wzmo-
cnienia przez dalsze zmniejszanie Cx, wskutek braku bie-
gunów zmniejszenie marginesu fazy.
7.7.4. zmian na
korekcji charakterystyki oprócz zmniejszenia
pasma przenoszenia, za
zmniejszenie maksymalnej zmian na (siew rate).
tej na pod stawie schematu
czego z rys. 7.26. Jak na rys. 7.17, wzmac-
niacza µA 741 jest ograniczony do maksymalnej
J1 max = J = 20 µA
Otrzymujemy zmian
dUwy I I1max I (7.29)

dt = - cK
ma~'C ·
- = cK
Dla I = 20 µA i Cx = 30 pF wynika
duwr Imax = 0,6 V/µs

Ze na zmian
przy szybkich na
zmianach których nie
ujemne zwrotne. one nazwane
mi przej.fciowymi (transient intermodu/ation, TIM) .
Obliczymy teraz, jak sinusoidalnych,
przy wysterowaniu Uwym = 10 V nie jeszcze znie-
Nachylenie jest przy przez zero
duwr
dl
I = 211:JUwym (7.30)
max
-.·.····-·······
····_,,,..... .. ,w~.www---•-·-' ·•·' m,w~,~w·,,•, .•,.•.•················-·---~-- ··•'••mh~-~·~,--· ············
··········- ·•~w
Przy zmian na 0,6 V/µs otrzymujemy Imax=10 kHz,
a znacznie pasma prze-
noszenia dla silnego ujemnego zwrotnego. Z równania (7.30)
jak wielka jeszcze amplituda
przy f max· ta dla Cx = 30 pF i Cx = 3 pF
jest pokazana na rys. 7.30. na nim, dopasowanie korekcji charakte-
rystyki przy wzmocnieniach 1 jest korzystne
pod zmian na
U..,gmlVJ
10 --, \
8 \
\
6
4
'2
\
\
\
' ' ...._
2
o, IO 100 1k 10k tOOk tM f[ Hzl
Rys. 7.30. maksymalnego od krzywa I -

zmian na 0,6 V/µs (µA 741, µA 748 przy Cl( = 30 pF); krzywa zmian
na 6 V/µs (µA 748 przy Cg = 3 pF, tzn . graniczne wzmocnienie ku/mln= 10)
zmian na
W celu zbadania zmian na
najpierw jakie wzmacniacza na
Podstawmy w tym celu do równania (7.29) równanie (7.28) na pojem -
Cx, Otrzymamy
(7.31)
Przy danej fr zmian na jest tym

im jest I przy danej transkonduktancji. W przypadku
tranzystorów bipolarnych stosunek I/gm jest jednak transkon-
duktancja gmjest proporcjonalna do I. Zgodnie z równaniem (7.25)
I
-= Ie - 4U ""1 O V
Ic/4Ur - T"" O m
tego stosunku jest przez zastosowanie ujem-

nego zwrotnego. Jest to stosowane w szerokopasmowych
wzmacniaczachoperacyjnych. jest z tym jednak niekorzystny wzrost
temperaturowej dryftu

rezystorów ujemnego zwrotnego nie do-
parami z
Korzystniej wzmacniaczy operacyjnych
z na tranzystorach polowych . W tym przypadku transkonduk-
tancja tranzystora polowego stanowi i
zmian na Tranzystory polowe
nie do tej samej transkonduktancji, co tranzys-
tory bipolarne. I tak wzmacniacz we wzmacniaczu TL 081 przy
I= 200 µA ma gm= 0,3 mA/V . Wynika
I/gm= 670 mV, a ponad w
dach z tranzystorami bipolarnymi.
Wzmacniacze operacyjne z tranzystorami polowymi z typu p na
jeszcze pole wzmocnienia, tran-
zystorów polowych jest znacznie bocznych tranzystorów pnp. Dla-
tego wzmacniacz TL 081 ma pole wzroocnieniafr = 3 MH z. Z równania (7.28)
wynika korekcyjna Cx = 15 pF , a z równania (7.29) -
zmian na 13 V/µs. Zgodnie z równaniem (7.30) otrzymujemy
pasma przenos zenia 200 kHz, w poró-
wnaniu z 10 kHz dla standardowego wzmacniacza bipolarnego µA 741. Poró-
wnanie dynamicznych wymienionych wzmacniaczy operacyjnych
przedstawiono w tabl. 7.2.
Tablica7.2. Parametry dynamiczne wzmacniaczy operacyjnych
Parametr Wzmacniacz operacyjny Wzmacniacz operacyjny

z tranzy storami bipolarnymi z tranzystorami unipolarnymi
µA 741 µA 748 przy TL 081 TL 080 przy

CK= 3 pF CK= 3 pF
Granica ku/mln 1 JO I 5
Pole wzmocnienia fr I MHz 10MHz 3 MH z 12 MH z
10 kHz 100 kH z 200 kHz 800 kHz

pasma przenoszenia
Maksymalna 13 Y/µs 50 V/µs
0,6 V/ µs 6 Y/µs
zmian na
7.7.5.Zastosowaniewzmacniaczy
operacyjnych
Nawet wzmacniacze operacyjne z charakterystyki
w praktyce niestabilne. tego
dodatnie zwrotne przez zasilania, ze stopnia do
Nawet w przypadku stosowania zasilaczy stabilizowanych o ma-
rezystancji na jest zwieranie wielkiej
,,..,.,.,.,.........
~-,_,. ,.,.,.,.,..,.,. ,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,...,.......,.,,... ,,,, ••,,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•, ,......,..,...,.,.,. v,....-.·,·.,..-..-.,.....,., ..... ,,,, ,,., ,._.....,....,._...,,,
..,,.,.,.,,,.,,,,,,,......,,
......~.-,.-...........
...,-,..,..,.,.,.,.,•,•
,•,•,

przy wzmacniaczu, przewody
w zakresie megaherców o charakterze induk-
cyjnym. do tego kondensatorów ceramicznych o
10 ... 220 nF.
Praca z
Przy wzmacniacza operacyjnego zo-
stanie utworzony - przy udziale rezystancji wzmacniacza - filtr
dolnoprzepustowy, dodatkowe fazy. Powoduje to
zmniejszenie marginesu fazy i wzbudza przy pojemno-
zapobiegawczym kondensato-
ra Ce równolegle do rezystancji zwrotnego, jak to pokazano
na rys. 7.31. temu faza ujemnego zwrotnego przy
zostaje przyspieszona, co
spowodowanego przez CL w
krytycznej. Metoda ta nosi kompensacji wyprzedzeniowej (lead
compensation).
Rys. 7.31. Kompensacja wyprzedzeniowa przy
kondensatora Ce przez rezys-

tora Re o 10 do 100 n w sposób pokazany na
rys. 7.31. Kondensator Ce podaje wówczas na rezystor ujemnego
zwrotnego U1 , Uwy·
Zastosowaniewzmacniaczyz
zmian na i pasma przenoszenia
wzmacniacza operacyjnego dla wydatnie
przezzastosowanie wzmacniacza z charakterystyki
lub wzmacniacza z jak np.
TL 080. Jest to jednak tylko w tych zastosowaniach, w których nie
schodzi granicy ku/min· chcemy mniej-
s- sze wzmocnienia, wymaga to dodatkowej korekcji charakterystyki
do korekcji na wzmacniacza opera-
Io cyjnego,jak to pokazuje rys. 7.32. Ma to zostaje zachowana
a- zmian na i pasma przenoszenia dla
lej
•"w''" ·- ·'' " ' ·"·'"""" ···""········••""'-•"'•'•"••"'=·= =, ..·,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•
.. ,•@www_,..,..,., .,.,.,.,.,..,www_www-,""'• '•'•"'•'•""~ ·,w=-~

na rys. 7.32 rezystor Rx wraz z R 1 powoduje zmniejszenie
W
zwrotnego do jednej W ten sposób -
niu ujemnego zwrotnego - warunek ku/min = 5. Kon-
densator CK2 zapobiega temu przy by
niepotrzebnie nie wzmocnienia w i zera.
R1= 10kQ
TLOBO tuwr
1
Rys. 7.32. Zastosowanie wzmacniacza z przy wzmocnie-
niach ku/min
Zasilanie z jednego
Wzmacniacze operacyjne przewidziane do zasilania ze
dodatniego i ujemnego. Tylko w ten sposób sterowania
dodatnim i ujemnym wspólnym oraz symetrycznych
zmian W o zasilaniu bateryjnym lub
w cyfrowych mamy jednak do dyspozycji tylko dodatnie na-
zasilania. W takim przypadku wzmacniacz operacyj-
ny, który jednak tylko w dodatnim zakresie zmian
Jako na rys. 7.33 przedstawiono wtórnik
dla dodatnich. Ujemny zacisk zasilania jest z punk-
tem o potencjale równym zeru.
Rys. 7.33. Zasilanie wzmacniacza operacyjnego z jednego

Uwy = Uw 8 dla O~ uw 8 Uzz - 1,5 V
Z z ujemnego zasilania w wielu przypad-

kach Jest jednak by przy tym rodzaju pracy
dodatni zakres zmian po-
zero. Dla wzmacniaczy standardowych maksymalne wspólne
i maksymalne jednak o kilka woltów
zasilania. Przy zasilaniu niesymetrycznym (rys. 7.33) oznacza to,
.......,........-.,.....-.......-.-.==,.. ,...,...,............... ,...,..,..+,•,·,-.-.·,·=-_._..,.,., .............,,....... ,.,...,.,.•.,.,.,.,.,.,v~-.........._.. ,.,.._,..,
,,,,.,.............
w~ ...................,.,.,.,,., .,.,... ,,.,,,,,,,,,,,,,.,., ··• ,·, · ·

i co najmniej ok. 2 V
zerowego, ujemne wynosi zero . Ogra-
niczenie to znika w przypadku wzmacniacza operacyjnego, którego
wspólne ujemnego zasilania . W tablicy 7.3 na
podano kilka typów takich wzmacniaczy. Na wzma -
cniaczoperacyjny LM 324 ma jego minimalne
ujemnego zasilania, pod warunkiem, do nie
Po zastosowaniu tego typu wzmacniacza wtórnik z rys. 7.33
pracuje w zakresie
O UWE Uzz - 1,5 V
Zabezpieczenie wzmacniaczaoperacyjnego
wzmacniacza operacyjnego nie na-
zasilania. W przeciwnym przypadku pr zewodzenie
diody i uszkodzenie termiczne, o ile nie ograniczy do niewielkiej
ok. 10 mA. Dla wzmacniaczy operacyjnych CMOS granica ta
znacznie (ok. 1 mA), tam przewodzenie
niczegotyrystora zasilania.
Przy normalnej pracy przekroczenia przez war-
zasilania jest niewielkie, w nie wy-
od zasilania. Sytuacja taka · jednak wy-
w przypadku zasilania wówczas, gdy do
wzmacniaczaoperacyjnego jest kondensator, jak na rys. 7.34.
Rys. 7.34. Zabezpieczenie wzmacniacza operacyjnego z kondensatorem za

rezystora R
Najbardziej niekorzystnym przypadkiem jest zasila-

nia wtedy, kiedy kondensator jest do bliskiego
zasilania.Kondensator wówczas przez we wzmacniaczu
operacyjnym. przy tym tym im szybciej maleje
zasilania i im jest Z tego przy konden-
satorach 10 nF, jest celowe szeregowo z rezystora
.,,.,.,,.,,,,,.,MW~NNl',V,"NNN W'>l\ · NVrNV> · r= · .- ,· ~-~- .................... ... ,.,.,.,.,.,.,. ,.,., . ,., . , .... .... .. ... ,wwwwww--

jak to pokazano na rys. 7.34, w celu ograniczenia do
bezpiecznej
Uzz 15 V
R=- 10 mA = 1,5 k!l
lmax
=:
=:::·:·«~s;:::,.,...r..:
:,:,:, -~...®.~~~:;;.;-«....:·:·:·:
:,:,:,:·:·:·:·=:·:-·:.:-:.':.:-: ·:·:·:·:-:.:
·:·::::.:·:::: ·:.:,:,:,:,n,,:,:~~::Z: -:-:·=·:
·:··: :·:·:
•:•:·:
·:•:
·:·:·-
II/l 7.8. Pomiarparametrów

wzmacniacza
operac·
~Ih·:.=:
:=======•••:•:::::~::::::•:::::
•:•::~~m·~•~::~:=~~:
::=~::~:!:!
:~*f®~~:=•=::=••••=••
::=:•,••::•:•:::•::
:•:•:•:f:
•:::•:•:::f:f:~•:•:
r:f:::*l!:,m1;:1f~f==······
···
····
Przy wyznaczaniu parametrów wzmacniacza operacyjnego

o to, by wzmacniacz oie przesterowany. Z powodu bar-
dzo wzmocnienia ten warunek jedynie
wzmacniacz ujemnym zwrotnym. nas pa-
rametry musimy przy pracy z ujemnym
niem zwrotnym [7.4].
Dla na rys. 7.35 pokazano pomiarowy
wzmocnienia Ku,· ustawia
tak , by nie i by przy nie
a mierzy stosunek
R R R R
Rys. 7.35. Zas ada pomiaru wzmocnienia Rys. 7.36. Praktyczny do pomiaru
wzmocnienia
Z powodu bardzo wzmocnienia amplituda Un przyjmuje bardzo

Dla z tym problemów pomiarowych
pomiarowy zgodnie z rys. 7.36. dzielniko-
wi na N wzmacniacza , U1 ma
prz ez co jest znacznie mierzalne.

Ku,· Przy tym pomiarze jest celowe
zastosowanie oscyloskopu, by móc dla czy nie
. ,-,- . .--».-•, .. .,.- , ,wo •,•,•,•,•o•,•,•,•,•,•,
•,•.•,•,•,•,•,•,•,w,-.-•-., ••• ,,,,,,,... ,•,wmu.w.·~www-wwwe-,.-,-.-.- . . .-. • .. ............. ,.,•,••wc-w=--
176 7. WZMACNlACZ OPERACYJNY

przesterowanie . Równolegle z tym fazy ,
miernika fazy o
Z fazowej charakterystyki margines
fazy dla wzmocnienia. Dla kuf go
przez oscylogramu odpowiedzi z odpowiednim
niem zwrotnym na skok jednostkowy i przez porównanie z rys. 7.24.
Pomiar polaryzacji
polaryzacji w zasadzie
amperomierzem . Jednak w przypadku wzmacniaczy z tranzystorami polowymi
specjalnego o bardzo a oprócz tego
ekranowany przed pól za-
tych badany wzmacniacz

w wtórnikowym, jak to pokazano na rys. 7.37. Z
pomiaru otwiera klucz K. polaryzacji kondensator,
a na liniowo zgodnie z
To w czasie na wmiacniacza
Kondensator wprowadzane
Jego dobiera tak , by w wygodnym do zmierze nia
czasu kilkuset miliwoltów. Przy wej-
polaryzacji równym np. 30 pA i C = 1,5 nF , uzyskuje
przyrost o 200 mV w 10 s.
Rys. 7.37. do pomiaru polaryza cji
o- W celu zminimalizowania pomiaru spowodowanego

wu,nie do zbyt wzrostu na kondensatorze .
Oprócztego kondensatory o rezystancji izolacji.
do tego, np. specjalne kondensatory styrofleksowe lub kondensatory z die-
lektrykiem szklanym. po tym,
ny nie wzrasta liniowo w czasie, lecz do gra-
nicznej.
we
rue
......... _..., ..........
......................... .·,·,,·. .....................,............................... .. ....
,...,.,.,., ,.., ,. ... ..... ........
·-- ..-. -. .................... ..... ,....... ................
-,,-,
7.8. POMIAR PARAME T RÓW WZMACNfACZA OPERACYJNEGO 177

:i;~;~;:·:·:·:·:·:~
·:·'.·:
·:·:::::::::
·:·:·:::
::~:r·:::::
:::::::
::::::;:;*::::~:;;::h:::
:::::::l~::;;~
::ili~::;;tlmt.:::~ ..ffi::;
::~1f~
::t:;
:::::·
:::::
:::
:·:~~~
~~- :::·:·:·~~:
·:·).:
·:·:·:·
:·:·:·
:·:·~:·:·:
·~:t :-:-
..-:-
7.9. scalonychwzmacniaczy
operacyjnych
··•·•:
;:;:::::::
::::::::-:;-;;~::::~~::':.~"'-
:~:;
::::::
::::;::
;:::
:::;,
..;:::;:::;:::;g;.
::;:~~~
;;~:~x:J~
l:<•::
?b:.f».~'xm~
~~;: ··.
t=.:,
x:::.,
.,.,.,;:
:::
::::::::::
:::
::'-::s~t''
"">:W·}:::::
:::::::::
Liczba na rynku wzmacniaczy operacyjnych jest bardzo

W tablicy 7.3 zebrano dane kilku typowych przedstawicieli dla za-
W wielu przypadkach jest potrzebny nie jeden wzmacniacz opera -
cyjny , lecz dwa, trzy, a nawet jeszcze ich liczba . Korzystne jest wte-
dy tzw. wielokrotnego wzmacniacza operacyjnego , a uzyskany w ten
sposób ma bardziej i jest Z tego powodu
w zestawieniu nacisk na wzmacniacze podwójne i poczwórne;
w wielu przypadkach typy pojedyncze i podwójne o takich
samych danych.
Wzmacniacze uniwersalne ceny, a ich parametry dla
wielu Wzmacniacz LM 324 jednym z pierw-
szych wzmacniaczy poczwórnych. jego - ulep-
szonych - ma jego Dlatego jest
wymiana wzmacniaczy poczwórnych
O ile wzmocnienie wzmacniaczy uniwersalnych jest kur~ 105 ,
dla wzmacniaczy precyzyjnych jest ono znacznie jak to w tabl.
7.3. Wynika z tego znacznie wzmocnienie w zwro tnego
T0 = kurfkuf• a mniejsza od idealnych.
Oprócz tego wzmacniacze precyzyjne znac znie mniejsze
cia co nawet w krytycznych zastosowaniach upraszc za icb
zerowanie .
Wzmacniacze operacyjne o
nia do wzmacniania bardzo op. po-
z termopar. Wzmacniacze te nie tylko bardzo
lecz bardzo dryft tego Z tego
nawet przy wzmacnianiu bardzo zrezygno-
z zerowania. jednak by przy wykonywaniu
i lutowaniu nie termoelektryc znych, które
parametry wzmacniacza.
Wzmacniacze LTC 2652 do TSC 914 wzmacniaczami operacyjnymi
z zera za dodat-
kowy wzmacniacz operacyjny do automatycznej korekcji zera wzmac-
niacza jest oparte na zasadzie pokazanej na rys.
16.16. W celu utr zymania dryftu wzmacniacza pomocniczego na niskim pozio-
mie koryguje on - przez sterowanie z generatora - na
zero i zero wzmacniacza za-
na kondensatorach. Niektóre typy wzmacniaczy nawet te
kondensatory scalone w strukturze Niskoszumowe wzmacniacze ope-
racyjne szczególnie do wzmacniania bardzo
z typów wymienionych w tablicy, zbudujemy wzmacniacz o
. ........ ......................
,.,..
,.,........,._.
,,..•.•.
,.,....................v.-.···
··,.........,--.,,,_.,,_,, .,.,.,.,
_..._._
.............
...,
,..,.........
...,.,...
....www.v.r•.,,...-.-.v,
·,·..-,
·,·,·,·,·,·
·-.v·-~- .-.·.-
,·,·,·,·,·
.-.·,·,·,······..,.,
.,._..._..,.....,..- .,,.._ ,v.,.

10 kHz, z szumów wy-
tylko 0,1 ... 0,3 µV. Do ze o
rezystancji szczególnie wzmacniacze operacyjne z
ciem na tranzystorach polowych. Ich szumów jest 1000
razy mniejszy we wzmacniaczacrn z tranzystorami bipolarnymi.
wzmacniacze operacyjne na wzmacniacz
na tranzystorach polowych o bardzo bramki. Nada-
one szczególnie do wzmacniania ze o bar-
dzo wysokiej impedancji, jak np. z elektrod pehametrów . i tutaj
podwojeniu przy temperatury o 10°C. Dlatego
o to, by wzmacniacze operacyjne podczas pracy
i by nie ich dodatkowo
Do stosowania w o zasilaniu bateryjnym wzmacnia-
cze operacyjne o bardzo poborze Niestety jest to okupione od-
powiednio narastania Dla niektó-
rych typów wzmacniaczy po bór jest tak je z bate-
rii bez
Do zasilania bateryjnego wzmacniacze o niskim na-
zasilania. Ich zaprojektowany tak, wysterowanie wspól -
ne i wysterowanie prawie do dodatniego ujemnego
zasilania to rai/). Stanowi to podstawowy warunek sensownego
wykorzystania tych przy niskim zasilania. We wzmacniaczu
NE 5234 wysterowanie wspólnym nawet 250 mV gra -
nic zasilania. Jest to zastosowaniu dwu komplemen-
tarnych wzmacniac zy (podobnie do z rys .
16.9),z których zawsze jeden gdy drugi jest zablokowany [7.3).
Wzmacniacze operacyjne o szerokim przenoszenia nie po
e uniwersalnej korekcji charakterystyki dla ku/min = 1 ,
D aby przy wzmocnieniu nie na pasma. one jed-
>- nak ze wzmocnieniem mniejs zym od ku/min • ale przy tym
~- dodatkowych elementów w celu korekcji charakterys-
tyki Szczególnie kor zystne jest w takim przypadku zas toso-
wanie wzmacniaczy transimpedancy j nych (patrz p. 16.8), ich szero-
11 pasma w zakresie nie od nastaw ionego wzmocnienia .
t- W uldadach szerokopasmowych stosuje przewody o
e- impedancji falowej, od 50 n do 100 n, których zamyka
·s. W tym przypadku maksymalny
o- 10... 20 mA nie wystarcza do wymagan ej ampli tudy.
wówczas wzmacniacze o
a-
te
,e-
:li,
tle
...,,,,,.,_ ,,..,...,
,,.,.v.....-.w......,
,......,..
,........,.,.,.,.........,.~., .._..,..=..,.....,..,....,....
•. , ,,.,,,....,._~....,"'-........,_
.............. ........ ....._.,.,-...
...,,...,. ,·,···•·······;-,-.
•,vv-~. ·········
··········,.,.,.,.
_____ www
7.9. SCALON YCH WZMACNIACZV OPERACYJNYCH 179

Tablica 7.3. Typowe dane wzmacniaczy operacyjnych
=
"'
.ij
·~
:~ o
., o
.><::,
-o
::,
.o
·i·a .o ·o
·~-~ ..c..""
-o
=
~-u,
·s;:
o
i$
=
„ i!:o ~-- "' i!:
c.. ]
=
.,
o
::, -~
O •O
:~
o :.i
u
.3 J [.a
a
il:
"'
.o
!:l
'6h
"'
i$
>,
f--o ·a & ;J ;:>
uniwersalne
µA 741 wielu 2mV IOOnA 0,6 V/µs I

LF 356 wielu 3mV 3pA 12 V/µs I do 10 nF na
LM 324 wielu 2mV 50nA 0,6 V/µs 4 tani
OP421 Analog Dcv. 2mV 5nA 0,5 V/µs 4 bipolarny
OP 482 Analog Dcv. 0,2mV 3pA 9 V/µs 4 FET
OP 467 Analog Dcv. 0,2mV IOOnA 170 V/µs 4 bipolarny
LT 1413 Lin. Techn. 50 µV 9nA 0,3 V/µs 2 bipolarny
LT 1202 Lin. Techn . 0,7 mV 500nA 50 V/µs 4 bipolarny
LT 1356 Lin. Techn. !mV lnA 400 V/µs 4 do IO nF na
LMC 6084 National 0,2mV O,J pA I V/µs 4 CMOS
TL054 Texas Instr. 0,5mV 5pA 18 V/µs 4 FET
TLE 2074 Texas Instr. 0,5mV 20pA 35 V/ µs 4 FET
precyz)joe
TLE 2227 Tex.as lnstr . 100 µV 15 nA 2,5 V/µs 2 k.,..=45 · 106

LT 1028 Lin. Techn . IO µV 25 nA 15 V/µs I k.,,=30 · 106
MAX427 Maxim JO µV IOnA 2,5 V/µs I k,,, = 20 · 106
OP 177 Analog Dcv. IO µV 0,3 nA 0,3 V/µs I k., = 12 · 106

LT 1125 Lin. Techn. 50 µV 7nA 4 V/µs 4 k., = IO· 106
LT 1114 Lin. Techn. 20 µV 50 pA 0,3 V/µs 4 k.,, = 5. 106
OP 400 Analog Dcv. 40 µV 0,1 nA 0,2 V/µs 4 k.,, = 5 · 106
LM 627 National 15 µV 3nA 5 V/µs I k., = 5· 106
HA 5134 Harris 25 µV IOnA I V/µs 4 k., = 2. 106
OP 227 Analog Dev. 40 µV 7nA 3 V/µs 2 k., = 2· 106
OP470 Analog Dcv. 100 µV 6nA 2 V/µs 4 k., = 2· 106
OPA 2lll Burr Brown 100 µV 2nA 2 V/µs 2 k., = 2· 106

OP471 Analog Dcv. 250 µV 7 nA 8 V/µs 4 k,,, = I· 106
........--=-- ....=,==--·-~ ..••····,················wu.·,~-www.w-. .•.•. ,.wu~=~www ..,.....

.....,..,......,_,_ _, ... ...
Tablica 7.3 (cd.)
LT 1028 Lin. Techn . 10 µV 25 nA 15 V/µs I dU 0 /d9 = O,J µV{K

HA 5177 Harris JOµV 2 nA I V/µs I dU 0 /d9 = 0,1 µV{K
OP 177 Analog Ocv. IO µV 1,2 nA 0,3 V/µs 1 dU 0 /d9 = 0,1 µV(K
AD708 Analog Dcv. JOµV 0,5 nA 0,3 V/µs 2 dU 0 /d9 = 0,1 µV/K
HA5147 Harris JOµV IO nA 35 V/µs I dU 0 /d9 = 0,2 µV{K
MAX427 Maxim JOµV IO nA 2,5 V/µs I dU 0 /d9 = 0,1 µV/K
OP 400 Analog Dev . 40 µV 0,8 nA 0,2 V/µs 4 dU 0 /d9 = 0,3 µV{K
LT 1014 Lin. Techn . 40 µV 15 nA 0,4 V/µs 4 dU 0 /d8 = 0,3 µV{K
LTC 2652 1' Texas Instr. 0,5 µV 4 pA 3 V/µs I dU 0 /d9 = 0,005 µV/K
MAX 43021 Ma."'l'.im I µV IO pA 0,5 V/µs I dU 0 /d9 = 0,005 µV(K
TSC 915 11 Telodyne 3 µV 30 pA 0,5 V/µs I dU 0 /d8 = 0,01 µV{K
2
LTCI050 ' Lin. Tochn. 0,5 µV 20 pA 4 V/µs I dU 0 /d8 = 0,01 µV{K
LTC 1054 , 2
Lin . Techn . 0,5 µV 20 pA 4 V/µs 4 dU 0 /d9 = 0,01 µV{K
TSC 9 14 1' Tclodyne 5 µV 30 pA 2,5 V/µs 4 dU 0 /d9 = 0,05 µV{K
szumy
LT 1028 Lin. Techn. JOµV 25 nA 15 V/µs I U,= 0,8 nV, !, = I pA 4 l
AD 797 Analog Ocv . 25 µV 500 nA 18 V/µs I U, = 0,9 nV, /, = 2 pA
CLC425 Comlincar 100 µV 12 µA 350 V/µs I V,= I nV, /, = 2 pA
MAX414 Ma."'l'.im 100 µV 80 nA 4V/µs 4 V,=2nV,l,=lpA
LT 1127 Lin. Techn. 50 µV 18 nA 10 V/µs 4 U, = 3 nV, I, = 0,3 pA
HFA 0002 Harris 500 µV 200 nA 250V/µs I U, = 3nV,I, = 5pA

OP227 Analog Dev. 40 µV IO nA 3V/µs 2 U, = 3nV,/, = 0,4pA
OP470 Analog Oev. 100 µV 6 nA 2V/µs 4 U,=3nV,/,=0,4pA
LM 837 National 300 µV 500 nA JOV/µs 4 U, = 5nV,/,=0,7pA
OPA 627 Burr Brown 40 µV 8 pA 55V/µs I U, = 5nV,/, = 1,6fA
LT 1113 Lin. Techn. 400 µV 300 pA 4 V/µs 2 U, = 5 nV, /, = IO fA
mMw,-.-, .•~, ., .e,A.•.=,•,,., ..,_... ,.,•,==,w,•,•,• ,•,•,•,•,w,•,•,• ,•,•,•,•, ,','•"' •'•"" """"""""-"''"' ' "' '•'• ••'••'•'•""-'"W ,w ,·=, ,w,V,','•'•'•'•'•'•'•'• '•'•'•''"" ''"'=·--=
7.9. SCALONYCH WZMACNJACZV OPERACYJNYCH 181

Tablica 7.3 (cd.)
AD 549 Analog Dev. 0,3mV 40 fA 3 V/µs J U, = 35 nV, I, = 0,1 fA4 >

OPA 128 Burr Brown 0,2mV 75 fA 3 V/µs 1 U, = 27 nV, I, = 0,1 fA
LMC 6001 National 0,2mV 25fA 1 V/µs 1 U, = 22 nV, I, = 0,1 fA
pobór
MAX 419 Maxim 0,3 mV 0,1 pA 5 V/ms 4 lzz = 1 µA/wmi .
LT I I 79 Lin. Techn. 0,1 mV 200 pA 40 V/ms 4 lzz = 15 µA/wzm .
LMC 6062 National 0,1 mV 10 fA 35 V/ms 2 lzz = 16 µA/wzm .
OP 490 Analog Dcv. 0,2 mV 4 nA 12 V/ms 4 lzz = 20 µA/wzm.
LP 324 National 1 mV 1 nA 50 V/ms 4 lzz = 25 µA/wzm.
HA 5144 Harris 2 mV 45 nA 2 V/µs 4 lzz = 45 µA/wmi.
LTC 1047 Lin. Techn. 3 µV JO pA 200 V/ms 2 lzz = 60 µA/w'ZID.
MAX 402 Maxim 0,5 mV 2 nA 7 V/µs I lzz = 60 µA/w®.
MAX 403 Maxim 0,5mV IOnA 40V /µs I lzz=250µA/w71Tl.
niskie zasilania
LM IO National 0,3 mV IO nA 100 V/ms I Vzz;;,, 1,1 V
TLC 254 Texas Instr. I mV I pA 10 V/ms 4 Uzz;;,, ±0,6 V
OP 490 Analog Dcv. 0,2 mV 4 nA 12 V/ms 4 Vzz;;,, ± 0,8 V
NE 5234 Philips 0,2 mV 90 nA 800 V/ms 4 Vzz;;,, ± 0,9 V
LT 1114 Lin. Techn. 20µV 70pA 300V/ms 4 Vzz;;.. ± IV
MAX 479 Maxim 30µV 3nA 25V/ms 4 Uzz>2,2V
LMC 6484 National 0,1 mV 0,1 pA I V/µs 4 Uzz > 3 V
wysokie wy~iowe
LM-343 National 2mV 8 nA 2,5 V/µs l lwy = 15 mA, Uwy = ± 30 V
HA 2645 Harris 2mV 12 nA 2,5 V/µs I lwy= 15 mA, Uwr = ±35 V
OPA 445 Burr Brown 0,5mV 20 pA IO V/µs I l,n = 15 mA, Uwr = ±35 V
PA41 Apcx 15mV SpA 40V/µs I lwr = 80m.A,Uwr= ± 160V
PA 85 3> Apcx 0,5mV 5 pA 1000 V/µs I lwr = 200 mA, Uwr = ± 200 V
PA 89 3> Apex 0,5mV 5 pA 30 V/µs I lwy = ?Sm.A, Uwr = ±SOOV

Tablica 7.3 (cd.)
.,
"1
-~ -~
o
.2
o -g
&·a
cd
·§ J;J
o
-~-~ -o
....
~-"'
:{
...
~;.,
"1 c:,.,
>, ·-
" o :I: '5'
·§ 1 .,
·§ .,
..
'6h
.,, ... i
;::, J;J
"'8 .'"' '"'
·c:r-
f-; Il.. ·a is: 8. ::Ei:';' ;:i
L465 SGS 2mV 300 nA 14 V/µs I lwy= 2,5 A, Uwy = ± 16 V

LM 675 Nalional lmV 200 nA 8 V/µs I lwy = 3 A, Uwy = ±20 V
OPA 541 Burr Brown 2mV 4pA IO V/µs I Irn = 3A, Uwy = ±35V
OPA 512 Burr Brown 2mV 12nA 4 V/µs I lwy= JOA, U,n = ±40 V
LM 12 National 2mV 150nA 9 V/µs I lwy= IO A, Uwy = ±35 V
PA 043l Apcx 5mV IOpA 50 V/µs 1 lwr = 20 A, Vwr = ±90 V
PA 053l Apcx 5mV IOpA IOOV/µs I IWY= 30 A, Vwy = ±45 V
szerokopasmowe, kooweocjooaloe
EL 2444 Elanlec 0,5 mV 3 µA 325 V/µs 4 lwy= 50 mA.fp= 5 MHz 5>
AD 828 Analog Dev . 0,5mV 3 µA 450 V/µs 2 lwy= 50 mA.fp= 7 MHz
OPA 621 Burr Brown 0,2mV 18 µA 500 V/µs I I,vy = 150 mA.fp= 8 MHz
HFA 0005 Harris 6mV 15 µA 600 V/µs I lwy = 50 mA.fp= 25 MHz
OPA 654 Burr Brown lmV 3pA 750 V/µs I ! 1yy = 200 mA.fp= 12 MHz
EL 2029 Elantcc 0,2 mV 0,3 µA 900 V/µs I lwy= 50 mA.fr= JOMHz
PA J93l Apcx 0,5mV IOpA 900 V/µs I lwy = 2000 mA.fp = 3 MHz
LT 1365 Lin. Techn. 0,5mV 0,6µA 1000 V/µs 4 l 1yy = 60 mA,/p= 15 MHz
EL 2099 Elantcc 5mV 5 µA 1000 V/µs I lwy= 400 mA,fp = 15 MHz
EL 2038 Elantec 0,5mV 5 µA 1000 V/µs I l,vy = 50 mA.fp= 16 MHz
HFA 0001 Harris !mV 15 µA 1000 V/µs I l 1yy = 50 mA.fp= 43 MHz
CLC424 Comlincar 0,5mV 9µA 2000 V/µs 4 lwy= 70 mA,J.,.= 180 MHz
AD 9624 AnalogDcv. 2mV 7 µA 2200 V/µs I lwy = 70 mA.fr = 170 MHz
I
V
V
V
7.9. SCALONYCH WZMACNIAczy OPERACYJNYCH 183

Tablica 7.3 (cd.)
szerokopasmowe, transimpedancyjoe
EL 2020 Elantcc 3mV 5 µA 600 V/µs I lwy = 33 mA,/,. = 8 MHz 5>
EL 2232 Ela ntcc 3mV 5 µA 600 V/µs 2 lwy = 33 mA,/,.= 8 MH z
LT 1206 Lin. Techn . 3mV 2 µA 900 V/µs I lwy = 250 mA,!,. = 12 MHz
OPA 603 Burr Brown 3mV 3 µA 1000 V/µs 1 lwy = 150 mA,/,. = 10 MHz
IIFA 1405 Harris 2mV 6 µA 1100 V/µs 4 lwy = 50 mA,!,.= 50 MHz
EL 2460 Elanlcc 3mV I µA 1400 V/µs 4 lwy = 50 mA,/,. = 20 MHz
AD 9617 Analog Dcv. 0,5mV 5 µA 1400 V/µs I lwr = 70 mA,/,.= 100 MHz
CLC 400 Comlincar 2mV 10 µA 1500V /µs I lwy = 50 mA, fr = 80 MHz
CLC 415 Comlincar 2mV 5 µA 1500V /µs 4 lwy= 70 mA,/,. = 95 MHz
LT 1260 Lin. Techn . 2mV 0,5 µA 1600 V/µs 3 lwy= 60 mA,/,. = 25 MHz
Ad 844 Analog. Dcv. 0 , 1 mV 0,1 µA 2000 V/µs I lwy = 50 mA,!,.= 32 MHz
OPA 623 Burr Bro\l<n 2mV 1 µA 2000 V/µs I lwy = 70 mA,/,. = 130 MHz
EL 2030 Elantcc !mV 5 µA 2000 V/µs I lwr = 100mA,!,. = 30 MHz
LM 6181 National 2mV I µA 2000 V/µs I lwy = 200 mA, f,. = 33 MHz
HFA 1100 Harris 2mV 12 µA 2500 V/µs I lwy = 60 mA,!,. = 130 MHz
CLC404 Comlincar 2mV 15 µA 2500 V/µs I lwy = IOOm.A,fr = 150 MHz

AD 9610 31 Analog Dcv . 0,3mV 5 µA 3000 V/µs 1 lwy= 50 mA,!,. = 50 MHz
WA0t 3l Apcx 5mV IO µA 4000 V/µs 1 lwy = 400 mA, fr = 40 MHz
CLC 203 3l Comlincar 0,5mV 5 µA 6000 V/µs I lwy= 200 mA , fr = 60 MHz
11 Stabilizowany kluczuj:ic}'lll . Kondensator y

2 > Tak jak 1), ale kondensatory
3l Hybrydowy.
4l i pr!idu szumów na J Hz przy l kHz.
S) f,. = (dU /dt) /( n · Uwypp)= pasma przy wysterowaniu
(=pasmo przenoszenia mocy).
8 przerzutnikow
e
~:;::;:::;::::
:::::::::5:::
::::::
,:::,:q,~:::::::
::•1*5;::~~:::;::::~:
~:::::
::;::::::::::::::::::::::::::
::::::
::::,::
:::,:,:
:;,:::::::::::::::::::::
:::::
:@ijJ1M''*';!i::::::::,:,.....
M8.1.Tranzystor Jakoelement cyfrow
y tf!)r:n
Hb:::::::::::::::
:::=
~:::::
:~==:::
:::=~l~~~::
:::::~~
~1:f::Z,-x-:::::~=
=~~==~==
===
=:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::::::::
::~:
::r.::~~-f::~l~mmrm~mt~
W liniowych spoczynkowy kolekto ra tak , by

on Uee a UcEsat· wtedy wysterowania tranzys-
tora w otoczeniu punk tu pracy . liniowych
jest to, wysterowanie musi tak by
Dlatego nie
dodatniej ani ujemnej gra nicy zakresu wysterowania,
by W do tego, cyfrowe tylko dwa
stany pracy. Interesuje nas tylko to , czy jest od zadanej warto -
Utt, czy mniejsze od zadanej UL < Un. jest
od Utt, mówimy, jest w stanie wysokim H (high), jest
mniejsze od UL mówimy , jest w stani e niskim L (low).
poziomów Uu i UL od zastosowanego
du. Dla jednoznacznej interpretacji tych poziomów poziomy
UH a UL nie z tego konsekwencje
na inwerte ra przedstawionego na rys. 8.1.
powinien
dla Uwe UL powinno Uwy UH
dla UwE UH powinno Uwy UL
te powinny nawet w najba rdziej niekorzystnym przy-

padku, tzn. Uwy nie mniejsze od UHdla UwE = UL i nie
od UL dla UwE= U". Warunek ten tylko wówczas , gdy
odpowiednio dobie rze poziomy U" oraz rezystancje Re i R 8 . Jak
przy tym na liczbowym.
tranzysto r w przedstawio nym na rys. 8.1 jest zablokowa -
ny, w przypadku braku wynosi Uce· przyj-
miemy, najmniejsza rezystancji wynosi RL = Re , to Uwy
równe Ucc/2.
8.l. TRANZYSTOR JAKO ELEMENT CYFROWY 185

M1,- na
+ przy niskim stanie
MH - na z.a.klócenia
przy wysokim
3 4 5UwcM
Rys. 8.1. Tranzystor jako inwerter Rys. 8.2. Charakterystyka dla R1,= Re
Jest to w stanie wysokim. Dla pewno-

sc1 zdefiniujemy UH< Uee/2, przy zasilania Uee = +5 V, np .
UH= 1,5 V. Zgodnie z wymaganiem, dla Uwr UH wej-
powinno w stanie niskim. Dlatego jako ULzdefiniujemy maksymal-
ne przy którym tranzystor jest jeszcze z zablo-
kowany. Dla tranzystora krzemowego 0,4 V,
znajduje on w temperaturze pokojowej.
Wybieramy UL= 0,4 V. Po ustaleniu poziomów U" i UL w taki
sposób, musimy teraz tak by dla UwE= UH
Uwr < Uv w najbardziej niekorzystnym przypad-
ku pewnego zapasu tzn. dla UwE = U11 = 1,5 V
cie powinno jeszcze mniejsze od UL= 0,4 V.
rezystancji kolektora Re dobiera na tyle by czasy prze-
krótkie, a pobór nie za Wybierzmy
np. Re = 5 kO. Teraz musimy RB tak, by przy
UwE= 1,5 V na pewno mniejsze od
UL= 0,4 V. kolektora musi wtedy Ie~ UeefRc = 1 mA. Wybra-
ne tranzystory statyczny wzmocnienia
fisr= 100. Wymagany bazy wynosi wtedy IBmin= Ie/ Psr= 10 µA. Aby
tranzystor nasycony w sposób pewny, wybieramy In= 100 µA, czyli IO-
-krotne przesterowanie. Otrzymujemy
R = 1,5 V - 0,6 V = 9 kQ
B 100 µA
Na rysunku 8.2 przedstawiono tak zaprojektowa-

nego Dla UwE= = 0,4 V, przy (RL = Re) na-
wynosi Uwr = 2,5 V, jest o 1V od wymaganej
minimalnej Uu= 1,5 V.
W prowadzimy teraz odpornoJci na przy stanie wysokim,
zwanej marginesem dla stanu wysokiego, MH = Uwr - Uu dla
UwE=UL . W naszym wynosi ona 1 V. Podobnie zdefinio-
na przy stanie niskim ML= UL- Uwr dla UwE= UH.
186 8. UK.LADY PRZERZUTNIKOWE

Na rysunku 8.1 jest ona równa UL a nasycenia
kolektor-emiter UcEsar 0,2 V i wynosi ML= 0,4 V - 0,2 V= 0,2 V. Odpor-
na Ich ogólna definicja
brzmi dla najgorszego przypadku (worst case) na
MH = Uwr - UH
ML= UL - Uwr
chcemy na musimy UL, po-
Uwy (UwE = UH) UcEsari nie go W tym celu w ob-
wód bazy lub diod, jak to pokazano na rys. 8.3a.
Rezystancja R 2 do odprowadzenia wstecznego kolektor-
-baza i zapewnia tym samym pewne zablokowanie tranzystora. Inna
polega na dzielnika jak to przedstawiono
na rys. 8.3b lub 8.3c.
b) + c) +
Rys. 8.3. Metody na przy niskim stanie
zwana wzmocnieniem logicznym (fan out) inwer-

tera z rys. 8.1 jest w stanie wysokim ma nie
mniejsze od 2,5 V, to do dwa tego
samegorodzaju.
dynamiczne
Przy zastosowaniu tranzystora jako klucza nas szczególnie cza-
sy (rys. 8.4).
td - czas (delay time)

UwEl Ir -czas opadania (fali time)
I- --+-I
----,- ts -czas magazyno wania (stof'aqe time)
---+--
tr - czas naras tania ( rise time)
I (
----, --
I
I
.,
I
1 10%
a
f• Rys.8.4. inwertera na impuls
8.1. TRAN2YSTOR JAKO ELEMENT CYFROWY 187

czas magazynowania ts jest znacznie od
czasów. on przy zatykaniu tranzystora , który
uprzednio nasycony (Ua = UcEsaJ UcE tran-
zystora jest od UCE sat, czas magazynowania praktycznie nie
potrzebujemy szybkich kluczy, wykorzystujemy to zjawisko i zapo-
biegamy przez kolektor-emiter UcEsar· lo-
giczne zgodnie z z tranzystorami
nienasyconymi. Ich przedstawimy w p. 9.4.5.
dynamiczne cyfrowych zwykle sumarycz-
nie za czasu propagacji bramki tP (propagation delay time):
Czas t pHL jest mierzony przy ze stanu H do L od momentu , w któ-

rym poziom 50% do momentu, w którym
poziom 50%. Czas tpLH jest mierzony analogicznie przy
ze stanu L do H (rys. 8.5).
Uw!1
f --- \--- 50%
,I tpHl I , .. t""
tS---f;..
0
t 111- czar propagacji
Rys. 8.5. czasu propagacji bramki
W przedstawionym na rys. 8.1 poziom wysoki

zasilania i od Aby temu
zapobiec, wtórnik emiterowy, jak to pokazano na rys. 8.6.
+
Re
Tz
Rys. 8.6. Przeciwsobny do cyfrowych

__ _ ,, • .w,,• ,, w - w--w-. •• -•• ·~-wm•---= ·=• '-•'"' •'•'•'•',',',-,•,•,wo •,wwwwwww,.,._, ,.,,,,,, ,,,w ,_w,~-~ --- ---W--'•'•'•' •'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•-,',-.w=~· ,wwo
188 8. PRZERZUTNIKOWE
tranzystor T 1 jest zatkany, przez wtórnik emitero-
wy T2 • temu rezystancji kolektora Re jest niewielkie.
T1 przewodzi, na kolektorze maleje do niewielkiej Przy rezy-
stancyjnym maleje Przy ob-
musi kondensato-
ra. tranzystor T2 wówczas nie przewodzi, w zastosowano
D, która przez
tranzystor T 1 . Powoduje to jednak wzrost w stanie ni-
skun do ok. 0,8 V.
M!\ii~,,~ ,m ~ 1~,, · • "'~$,~~"'"''. ·· • @t'::t11

1i
118.2. przerzutmkowe
z tranzystorallll
nasyconynu
~/;;I1lir:1lltl
i :~·~·~':':.~·
:·::ffi·:
:::::
:&ffi•11·
•·•·•·::::::
;·:::-:.:;::~·z0,;:-;.:,;.;.:::;:.;~~;
=·:·:·:,:·=·:·:·=·=·•·=·•·•·•·•·=·::::=·=·•·=·=·=·•·•·•·•·•·•·=->=-=-
•·•·•·•·
•·•·•·•·•·•
**~"t~1·* ·•·:·•·•·•·•·•·•·::::::
1~™*™ ·•·:·• ·•·•·•·•·•·=··:.:.:.:.:.:.:.:.
:.:.:,:.:,:,:,:,.,~1
1-
Przerzutniki to cyfrowe z dodatnim zwrotnym.
one od analogowych z dodatnim zwrotnym (genera-
y torów) tym, ich nie zmienia w sposób lecz
przeskakuje dwiema
W przerzutnikach bistabilnych stan na zmienia tylko wtedy,
kiedy proces przeskoku (przerzut) zostanie za syg-
np. krótkiego impulsu lub zmiany poziomu wej-
W przypadku przerzutnika wystarcza do tego krótki im-
puls, podczas gdy przerzutnik Schmitta wymaga poziomu wej-
Przerzutnik monostabilny ma tylko jeden stan stabilny. Drugi stan trwa

tylko przez czas od elementów Po
tego czasu samoczynnie wraca do stanu stabilnego. Z tego powodu pr ze-
rzutnik monostabilny jest nazywany uniwibratorem lub multiwibrato-
rem monostabilnym.
Przerzutnik astabilny nie ma stanu stabilnego i stale zmienia swój stan
bez pobudzenia z Z tego nosi multiwibratora
lub multiwibratora astabilnego.
llU
z omówionych trzech rodzajów przerzutników
.6.
w podstawowym przedstawionym na rys. 8.7. polega tylko
na sposobie realizacji obu S 1 i S 2 , zgodnie z zestawie-
niem podanym w tabl. 8.1.
Tablica8.1. w rod zajach przerzutników
Przerwtnik Nazwa I 2
Bistabilny Przerzutnik (tryger),
przerzutnjk Schmjtta
R R
Monostabilny Uniwibrator R C
Astabilny Multiwibrator C C
8.2. PRZER ZUTNlKOWE Z TRANZVSTORAMI NASYCONYMI 189

+ +
Re Re
Rys. 8.7. Zasadniczy schemat przerzutn.ikowego z tranzystorami nasyconym.i
8.2.1.Przerzutniki
bistabilne
Symetryczny przerzutnikbistabilny
przerzutnik bistabilny szeregowo dwa
inwertery i galwaniczne dodatnie zwrotne, jak to poka-
zano na rys. 8.8. oba inwertery równouprawnione, ten jest
przedstawiany z w postaci symetrycznej (rys. 8.9).
+ +
s R
S R
Rys. 8.8. Dwa inwertery w Rys. 8.9. Przerzutnik RS
dodatniego zwrotnego
w sposób: dodatnie na
S, zwanym wej.fciem (set) powoduje przewodzenie tran-
zystora T1 , wskutek czego na jego kolektorze maleje. Powoduje to
zmniejszenie bazy tranzystora T 2 i wzrost na jego kolektorze.
Wzrost ten powoduje przez R 1 wzrost bazy T1 . Stan ustalo-
ny zostaje wówczas, gdy na kolektorze tranzystora T 1
spad nie do nasycenia. Tranzy stor T 2 jest wtedy zatkany,
a T 1 przez R 1 jest utrzymywany w stanie przewodzenia. Dlat ego
po procesu przerzutu na S z powrotem
do zera i w nic nie zmieni.
,wwwwww_-......_. _......,._
..._.,
....·~-.·····,•,•,•,•,•,•r,•,•,•r,-,. ,.,.___ _._.,._.,.,•,•,, •,-. ,,.,._....__...
, •......._
••••-...,,..,-.-.-.-.,. •••,.,._.,.,.,.,.,.,
••._.,._._., .,•""""•'.W•
19() 8. PRZERZlJfNIKOWE
Przerzutnik z powrotem przez podanie dodatniego im-
pulsu na R, zwane (reset).
Gdy oba równe zeru, przerzutnik zachowuje swój po-
przedni stan. tej przerzutnik jest wykorzystywany jako ele-
ment
oba wysokie, oba tranzystory
w tym czasie W tym przypadku ich bazy dostarczane
przez a nie przez tranzystory ,
na obu kolektorach niskie. Dlatego stan ten nie jest
stabilny.
Gdy oba ponownie zero, na
obu kolektorach Z powodu syme-
trii na kolektorze jednego z tranzystorów narasta jednak nieco
szybciej drugiego. Dodatnie zwrotne powoduje wzmocnienie tej
tak, w zostaje ponownie stan stabilny, w którym
jeden tranzystor przewodzi, a drugi jest zablokowany. Nie jednak defi-
nitywnie do którego z dwu stanów stabilnych przejdzie przerzut-
nik. Z tego stan R = S = H jest logicznie zabroniony. wy-
kluczymyten stan, stany zawsze stanami Otrzy-
mamy wówczas funkcji na rys. 8.10, która jest
opisem
R s Q a
H H (L) (L)
H l L H
L H H L
L L Stanpoprzedni
Rys.8.10. Tablica stanów przerzutnika RS
PrzerzutnikSchmitta1>
Opisany w poprzednim punkcie przerzutnik RS jest pobudzany dodat-
nimimpulsem podawanym na aktualnie tran-
zystora. Inna polega na zastosowaniu tylko jednego wej-
.- i inicjowaniu przeskoku przez podawanie na dodatniej
1- i ujemnejjego Taki przerzutnik nosi przerzutnika Schmitta.
Jego przedstawiono na rys. 8.11.
.~-
0
)-
1
> W polskiej literaturze przerzutnikiem Schmitta nazywa tradycyjnie tranzystorowy
1
przerzutnikniesymetryczny ze emiterowym (por . p. 8.3.1). Przerzutnik symetryczny
y, nazywa Eclessa -Jordana . Oba te przerzutniki wyzwalane zarówno impul -
sem, jak i poziomem. Tu zgodnie z w technice cyfrowej przerzutnikiem
Ol Schmittanazywa przerzutnik bistabilny, który ma jedno sterowane po ziomem,
wskutekczego ujawnia histereza charakterystyki .
.,..~,.,.,.,..,._._.,,...,w,..,,, ,w,......,,•,•.w--, •,•,•_ ...........,.,..,.,.,•,•,t,•,•,•,•,•,;,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,•,•,-,
•...-,•.-.,,........,._..,._
....... .,._•• ,, N_. , , ,, , , •, •, •, .. ,r .....---· ·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•
·r,•,-,-,-,.,•r.-.-.-,•,•r,•,
•,..._,.,.,..,._
8.2. PRZERZITTNIKOWE Z TRANZYSTORAMI NASYCONYMI 191

Re
Rys. 8.11. Przerzutnik Scbmilla
Na rysunku 8.12 przedstawiono przetwarzania przebiegu sinu-

soidal nego na impulsów Proce s przerzutu zachodzi
kawicznie wówczas , gdy zmienia powoli.
Uwr
Rys. 8. U. Przerzulnik Schmilla jak o impulsy
przerzutnika Schmitta przedstawiono na

rys. 8.13. przekrocz y górny próg Upu,
skacze do górnej granicy wysterowania Uwrma,cWraca ono
skok owo do dolnej granicy Uwrm1ndopiero wtedy, kiedy
Uwr
UwYmax
Uwrmin
UPL UpH UW[

I _,I
Histereza
Rys. 8.13. Charakte rystyka przerzutnik a Schmilla
192 8. UKLADY PRZERZUTNIKOWE

spadnie dolnego UPL· Na tym polega wykorzys-
tanie przerzutnika Schmitta do formowania przebiegów
poziomem a nosi
szeroko.vci histerezy. Jest ona tym mniejsza, im mniejsza jest
Uwrmax a UwYmin•lub im jest wprowadzane przez
dzielnik R 1 , R 2 • Wszystkie do zmniejszenia hi-
sterezy wzmocnienie w dodatniego
zwrotnego przerzutnika Schmitta i do tego, prze-
staje bistabilny. Dla R 1 -+ oo przechodzi w wzmacniacz
dwustopniowy.
8.2.2.Przerzutniki
monostabilne
W celu realizacji przerzutnika monostabilnego skorzystamy ze sche-
matu przerzutnika RS, w którym jeden z rezystorów zwrotnego
kondensatorem, jak to pokazano na rys. 8.14. przez kon -
densator nie w stanie ustalonym tranzystor T2 przewo-
dzi, a T1 jest zatkany. Dodatni impuls powoduje tranzys-
tora T1 do stanu przewodzenia. Wskutek tego na jego kolektorze
zmienia skokowo z Uce do zera. Skok ten zostaje przeniesiony
przez RC na T2 •
+ + Czas trwania impulsu T = RC In 2
Rys.8.14. Przerzutnikmonostabi1ny
na bazie T2 zmienia wskutek tego z 0,6 V do

-Ucc + 0,6 V~ -Ucc i tranzystor T 2 zostaje zatkany. Rezystancja
nia zwrotnego R 1 podtrzymuje przewodzenie T1 nawet po powrocie
do zera. Kondensator C zaczyna przez
R do Ucc· Zgodnie z z punktu 2, na
bazietranzystora T 2 wzrasta zgodnie z równaniem
Un 2 (t) Ucc(l - 2e -r/RC) (8.1)
8.2. PRZERZUTNIKOWE Z TRAN2YSTORAMJ NASYCONYMI 193

Tranzystor T 2 jest zatkany tak uBz do ok. + 0,6 V.
Potrzebny na to czas T otrzymamy z podstawienia do wzoru 8.1
Usz = O
T~ RCln2 0,7 RC (8.2)
Po czasu T tranzystor T 2 zaczyna ponownie tzn.

wraca do stanu stabilnego. Przebiegi czasowe w przedstawione na
rys. 8.15. wraca do stanu spoczynkowego po obliczonym czasie trwania
wtedy, kiedy impuls jest czas trwania impulsu.
W tym przypadku tranzystor T 1 przewodzi do chwili zaniku impulsu wej-
i dodatnie zwrotne nie
·~1
D I t
..
I
""1 I I
t
Uc f
I I
t
ua2D
1
I I
:
t
..
t
Rys. 8.15. Przebiegi czasowe
Po procesu kondensator musi

przez Re, kondensator nie do
chwili pojawienia impulsu czas trwania
nego impulsu ulega skróceniu. efekt ten ma mniejszy od 1% , T 1 musi
zatkany co najmniej przez czas równy 5RcC.
zasilania nie powinno od 5 V,
wtedy istnieje przekroczenia przebicia baza-
194 8. PRZERZUTNfKOWE
-emiter tranzystora T 2 podczas przewodzenia tra nzystora T 1 . Powoduje to
skrócenie czasu trwania imp ulsu od zasilania.
)
8.2.3.Pnerzutniki
astabilne
a w przerzutniku monostabilnym kondensatorem drugi

a rezystor zwrotnego, jak to pokazano na rys. 8.16, to oba jego stany
Uwy/
lAJ=i
1. niestabilne. Dlatego omawiany nosi multiwibratora.
j-
Ucc
t,
!
uwr,, r,
1
Czasy trwania impulsów :
11 = R 1 C1 ln2; 1Jwr2 ~
Ucc
12 = R2 C2 ln2
Iz
Rys. 8.16. Przerzulnilc astabilny
""V
- Ucc
Zgodnie z równaniem 8.2 na czasy trwania impulsów otrzymujemy wzory

t 1 = R 1 C1 ln2
t2 = R 2 C2 ln2
Przebiegi czasowe przedstawione na rys. 8.17. Jak t 1 jest
czasem, w którym nie przewodzi tranzystor T1 , a t 2 - czasem, w którym nie
przewodzi T2 • Stan zmienia zawsze wtedy , kiedy zaczyna przewo-
tranzystor, który dotychczas zatka n y.
Przy doborze rezystancji R1 i R 2 nie mamy zbyt wiele swobo dy. Z jednej
strony one mniejsze od fJRc,aby przez nie
do nasycenia tranzystora. Z drugiej strony
do od Re , by konden sato ry do
zasilania. Wynika warunek
musi
Re R1, R2 /JRc
Tak jak w przypadku przerzutnika z rys. 8.14, zasilania nie po-
baza- winno od 5 V, by nie przebicia baza-emiter
--- --- ···
·····---·---·------·
8.2. UKLADY PRZERZlITNIKOW E Z TRANZVSTORAMI NASYCONYM[ 195
tranzystorów. pokazany na rys. 8.16 nie wzbudzi
samoczynnie. na zewrzemy jedno z jego oba tranzys-
tory w nasycenie. Stan ten utrzymuje po zaniku zwarcia.
Przy I 00 Hz kondensatory zbyt
Przy 10 kHz szkodliwy cza-
sów tranzystorów. Dlatego z rys. 8.16 nie ma
znaczenia praktycznego. Przy bardzo bardziej przy-
datne z komparatorami omówione w p . 8.5.3, a przy wielkich
przerzutniki astabilne ze emiterowym omówione
w p. 8.3.2.
·:·~~;l:
..;:." :,:,..·.;
,:,:,•,•, :,··'.:l~{~~~':f:.~~-
-·····u•>
°%'&~"'&~··'>·:
······· .,,..,,,,,,,,,,,,,,':',',',',',',:,:.':'~':~~:_::.;~7'7
•.••••••;.:::.;.;';';
,:.:.;.;.:
8.3. Tranzystorowe ~l:':;~':I;:'

przerzutnikowe
,;:;;~:~1:~:}fa'
'+~~~:~
hl :!~!niem?emi~~ro
: 1:i~,:Lk~'::::;:::::::::
~ ;::~:,,illl
lll~lllf
····
8.3.1.PrzerzutnikSchmittaze emiterowym
Wzmacniacz w postaci wzmacniacza
obejmiemy go dodatniego zwrotnego zrea-
lizowanego za dzielnika powstanie przerzutnik Schmitta ze
emiterowym przedstawiony na rys. 8.18. Oba progi
dodatnie.
+
Re
uwr
Uwrmax
,_
Uwrmi
n ~--+------4
I
!
Rys. 8.19. Charakterystyka 8

Rys. 8.18. Przerzulnik. Schmitta
ze emiterowym li
z
Przy odpowiednim doborze elementów
,
z jednego tranzystora na drugi t:
bez nasycania. Przy nie wówczas czas magazynowa- z;
nia ts, czemu znacznie prze- n

t1
8.
196 8. PRZERZUTNIKOWE
8.3.2.Przerzutnikastabilnyze emiterowym
Przerzutniki astabilne ze emiterowym pracy bez nasycenia
uzyskanie znacznie
z tranzystorami nasyconymi. Stosowany w praktyce przedsta-
wiono na rys. 8.20.
W celu jego zasady amplituda
zmiennych we wszystkich punktach jest i wynosi
Um~0,5 V.
+p + + + + +9
I
ot
I
I
R1 tn
I
L - _ ...J
T3
t
uwr1
ucz
juwrz
1 1
a
L-
Rys. 8.20. Przerzulnik astabilny ze emiterowym
:e
.a
tranzystor T 1 jest zatkany, na jego kolektorze jest prak-
tycznierówne zasilania . na emiterze tranzystora T2 jest wów-
czas równe Ucc - 1,2 V, a emitera 11 + 12 • Aby na R 1
musimy R 1 = 0,5 V/(11 + 12 ). Wówczas w tym stanie
pracy na emiterze tranzystora T4 jest równe Ucc - 1,1 V. Tak
jak jest zatkany tranzystor T 1 , lewego
przezkondensator Ci powoduje opadanie na emiterze T 1 z
!:iUEl 11
-- =-
tit C
Tranzystor T1 zaczyna wówczas, gdy na jego emiterze

spadniedo Ucc - 1,7 V. na bazie T 2 spada wówczas o 0,5 V
i T2 zostaje zatkany. na kolektorze wzrasta do Ucc· Wraz
z nim,za wtórnika erniterowego, wzrasta na bazie T 1 .
Wskutektego na emiterze T 1 skacze do Ucc - 1,2 V. Skok
uje ten przenosi przez kondensator C na emiter T 2 , wzrost
.va- z Ucc- 1,2 V do Ucc - 0,7 V. Tak jak tranzystor T 2 jest zatka-
ize- ny, 12 przez kondensator Ci powoduje opadanie na emi-
terze T2 z
8.3.TRANZVSI"OROWE PRZERZUTNJKOWE ZE EMITEROWYM 197

Tranzystor T 2 jest zatkany tak na jego emiterze zmaleje od
Ucc - 0,7 V do Ucc - 1,7 V. Wynika czas trwania impulsu
1
t2 = C lub ogólnie: t2 = 2( 1 + ;: ) R 1 C (8.3)
Odpowiednio otrzymamy
! 1 = ---lVC
11
lub ogólnie: t 1 = 2 ( 1 + /12
l
)RC
l
(8.4)
Przebiegi w przedstaw ione na rys. 8.21. Widzimy, przy

warunku Um= 0,5 V z tranzystorów nie wchodzi w nasycenie.
bez trudu 100 MHz. Na-
daje do modulacji W tym celu dobieramy
11 = 12 = l i sterujemy je Aby
w tym przypadku amplitudy na rezystancji R 1 , równolegle do R 1
na diody, jak to pokazano na rys. 8.20.
wtedy wzorem
/= J /
12 4UFC
gdzie UF jest przewodzenia diod.
Ucc
t1
t
Ucc
Ucc- 0,5 V
t
198 8. PRZERZUTNJKOWE
Przerzutniki astabilne ze emiterowym w postaci
monolitycznych scalonych (tabl. 8.2). Z wtedy
charakterystyczny dla ITL lub ECL.
,d
Tablica8.2. Typy scalonych
Technologia Maksymalna
3) Symbol Producent
wykonania [MHz]
TTL XR 2209 1 Exar

TTL SN 74 LS 624 ... 629 20 Texas Instr.
ECL MC 12100 200 Motorola
.4)
·zy
Je. J:~::1:m:~d:
:~
~x::::::::
:::::::
:::
::::::;:;.;:;.;
..·;,.,:;:::::::::::;.}}!:}}
......
~;;:
ra- /:·8.4. przerzutnikoutn

(.,hl'•!ln
nie tylko z tranzystorów, lecz ze
scalonych logicznych (bramek), którymi zajmJemy w p. 9. Czytel-
nicy, którzy nie jeszcze podstawowych funkcji logicznych, powinni na-
punkty przy pierwszym czytaniu
8.4.1.Przerzutnik
symetryczny
Przeanalizujmy jeszcze raz przerzutnik przedstawiony na rys. 8.9. Tranzystor

T1 przewodzi, na rezystancji R 1 lub rezystancji R 2 jest dodatnie.
przez tranzystor poziomu
elementy R 1 , R 2 , T 1 i Re NOR. To samo odnosi do drugiej
odpowiednich symboli graficznych, powsta-
je przedstawiony na rys. 8.22. Jego podano na rys. 8.23.
s~Q
R~Q
Rys. 8.22. Przerzutnik zbudowany z bramek NOR
R s Q Q
o o Stanpoprzedni
o 1 1 o
1 o o 1
f 1 (O) (O}
Rys. 8.23. Tablica
8.4. PRZERZUTNIKOWE Z BRAMKAMI 199

8.4.2.Przerzutnik
monostabilny
(uniwibrator)
Krótkie impulsy o czasie trwania równym kilkakrotnej cza-
su propagacji bramki w prosty sposób w przed-
stawionym na rys. 8.24. Jak zmienna x = O,na bram-
ki AND jest O. Gdy x = 1, na bramki AND pojawia 1 tak
jak trwa przez inwerterów. Przy
z powrotem na O warunek AND nie jest
:,7 b
J_r__ T\r-__.
1 1 1 x, I/ _..__
___ _
Czas trwania impulm T = sumie czasów t1 - czas propagacji bramki AND

propagacji inwerterów
Rys. 8.24. Przerzutnik monostabilny do generacji Rys. 8.25. Przebiegi czasowe

impulsów o krótkim czasie trwania
Przebiegi czasowe pokazano na rys. 8.25. Czas trwania impulsu

wego jest równy wprowadzanemu przez inwerterów.
na go bramek. przy tym
by liczba inwerterów nieparzysta . Jak na rys. 8.25, w przypad -
ku tego przerzutnika musi co najmniej przez czas
trwania impulsu Przy realizacji czasów trwania impul-
su staje zbyt wówczas jest korzystniejsze stosowa-
nie przerzutników scalonych (tabl. 8.3), w których czas trwania impulsu
la RC.
Tablica8.3. Typy scalonych
Technologia wykonania Symbol Producent
CMOS CD 4098 RCA

CMOS 74HC123 Motorola
TTL 74LS121... 123 Texas Instr.
TTL 74LS422 Texas Instr.
TTL 74LS423 Texas Instr.
ECL MC 10198 Motorola
bramki AND na rys. 8.24 bramkami EXNOR, to otrzy-

mamy przerzutnik monostabilny impuls po zbo-
czu Odpowiedni podano na rys. 8.26, a na
rys. 8.27 przebiegi czasowe W stanie ustalonym stany bram-
ki EXNOR przeciwne i jest równy zeru. zmienna
x zmieni swój stan, z powodu wprowadzanego przez
2()() 8. PRZERZUTNIKOWE
o~y
1 1 1
x,
Czas trwania impulsu T= 31, 11 - czas propagacji bramki EXNOR
Rys. 8.26. Przerzutnik monostabilny wyzwalany Rys. 8.27. Przebiegi czasowe

zboczamj i
inwertery na bramki EXNOR jednakowe

W tym czasie jest równy 1.
8.4.3.Przerzutnikastabilny(multiwi
brator)
Prosty przerzutnik astabilny zbudowany z dwu inwerterów przedstawiono na
rys. 8.28. W celu sposobu jego przyjmijmy ,
x jest wysoki (H) , jest wtedy niski (L). Kondensator C prze z
R tak u przekroczy poziom UP
bramki B1 . x staje wtedy niski (L), a y wysoki (H). Wskutek tego
u wzrasta skokowo o kon-
densator przez R, dopóki nie spadnie po-
poziomu
81 82
Okres T = 2 ... 3 RC Poziom UP
Rys. 8.28. Przerzutnik astabilny zbudowany Rys. 8.29. Przebiegi czasowe

z dwu inwerterów
Przebieg czasowy jest pokazany na rys. 8.29. poziom prz e-

w po ziomami okres
T= 2RC ln3 2,2RC
W praktycznych warunek ten jest jedynie

w Dodatkowe powoduje bramki B 1
8.4. l'RZERZlJrNIKOWE Z BRAMKAMI 201

RC. W TTL mocy z diodami Schottky'ego rezystancja
R musi w granicach I ... 3,9 k!l.
W przypadku zastosowania bramek CMOS rezystancja R
i temu okresy W tym jednak
przypadku do bramki B 1 rezystor szeregowy zmniej-
RC. to powstaje wskutek tego,
zabezpieczenia bramki B 1 przewodzi, u jest od
zasilania lub od masy.
w którym problem ten nie przedstawiono na rys. 8.30.
Kondensator C przez R do poziomu przerzut-
nika Schmitta, a do poziomu Na rysun-
ku 8.31 na kondensatorze zmienia poziomami
wyzwalania przerzutnika.
t y
r
Okres (ITL) T = 1,4 ... 1,8 RC;
(CMOS, 5 V) T= 0,5 ... 1 RC
Rys. 8.30. Przerzutnik astabilny Rys. 8.31. Przebiegiczasowe

z przerzutnikiem Schmitta
Przy stosowaniu TTL mocy z diodami Schottky'ego rezy-

stancja R musi tak aby u mimo
go poziomu progowego bramki. Zale-
cane rezystancji 220 ... 680 n. Ograniczenie to nie dotyczy
przerzutników Schmitta w technologii CMOS.
lj
T1 T2
y
Okres T 3 RC
Rys. 8.32. Przerzutnik astabilny Rys. 8.33. Budowa przerzutnika

z wykorzystaniem odbiornika linii ECL astabilnego, w którym wykorzystano odbiornik linii
202 8. UK.LADY PRZERZUTNlKOWE

Szczególnie 50 MHz, stosu-
bramki ECL. Po odbiornika linii (np. MC 10116) dodatnim
zwrotnym otrzymamy przerzutnik Schmitta , który
w przerzutnika astabilnego z rys. 8.30. Na rysunkach 8.32 i 8.33 przed-
stawiono i przerzutnika .
.s, .5. przerzutnikowe z komparatorami

,.....
t~:R\~:~f=i*mifil#:~:::f~=~=~'¾=~~*~"*~~~~~~t.1$
..
8.5.1.Komparatory
Wzmacniacz operacyjny bez ujemnego zwrotnego w
dzie jak na rys. 8.34 staje komparatorem. Jego
Odpowiednia charakterystyka jest przedstawiona na rys. 8.35. z.e

na wzmocnienie przy bardzo na-
U1 - U2 i dlatego nadaje do ich porównywania.
Uwy
Uwvmox>-
1
¼~ +
- tuwr U2 Ut
u2i 1 Uwrmin
Rys. 8.34. Wzmacniacz operacyjny jako komparator Rys. 8.35 . Charakterystyka
Przy przez zero

nie przeskakuje natychmiast od jednej granicy wysterowania do drugiej ze
na zmian na W przypadku
standardowych wzmacniaczy z ta wynosi
niekiedy tylko 1 V/µs. Zgodnie z tym, od - 12 V do + 12 V trwa
24 µs. Dodatkowe powoduje jeszcze czas ustalania we
wzmacniaczu po jego przesterowaniu.
wzmacniacz nie ma zwrotnego, nie wymaga ko-
rekcji charakterystyki usuniemy, zmian
na i czas ustalenia znacznie.
8.5. PRZERZUTNIKOWE Z KOMPARATORAMI 203

Znacznie mniejsze czasy za kompara-
torów specjalnych. one przeznaczone do pracy bez zwrotnego
i szczególnie czasy Ich wzmocnienie, a tym samym
progu jest jednak nieco mniejsza w przypadku
wzmacniaczy operacyjnych. wzmacniacza jest
z dopasowania poziomu , który
sterowanie cyfrowych scalonych. zastosowania i charaktery-
takiego komparatora rys. 8.36 i 8.37. Zestawienie
ciej komparatorów podano w tabl. 8.4.
~1-. u1- u2
Rys. 8.36. Komparator z cyfrowym Rys. 8.37. Charakterystyka
Tablica 8.4. typy komparatorów
Typ Producent Liczba Moc/ Czas

kompara- jkomparator odpo -
torów wiedzi
w jednym [ns]
MAX 934 Maxim 4 CMOS 15 µW 4000

LM 339 National 4 Otwarty kolektor 8mW 600
LM 311 wielu I Otwarty kolektor 140mW 200
MAX 944 Maxim 4 CMOS ]mW 75
MAX 908 Maxim 4 CMOS 4mW 40
LT 1116 Linear Techn. I TIL 130mW 12
NE 521 Signetics 2 TIL IOOmW 8
MAX 900 Maxim 4 ITL 18mW 8
AD 9698 AnalogDev. 2 TIL 300mW 4,5
AD 9687 Analog Dev. 2 ECL 215mW 2,7
HFA 0003 Harris I ECL 200mW 2
MAX 906 Maxim 2 ECL 180mW 2
SP 93808 Plessey 8 ECL 60mW I
MCI0E!651 Motorola 2 ECL 350mW 0,8
SPT 9689 SPT 2 ECL 200mW 0,6
Komparatorokienkowy
Za komparatora okienkowego czy
w zakresie dwoma porównawc zymi,
czy poza tym zakresem. W tym celu za dwu komparatorów
204 8. UKLADY PRZERZUTNlKOWE

czy od mniejszego i mniejsze od jest
porównawczego. taki pokazano na rys. 8.38. Waru-
nek ten jest tylko wtedy, kiedy oba komparatory na
jedynki. bramka AND.
du przebiegi przedstawione na rys. 8.39.
';t I
UwE
y
'~
1 i¼
i"' UwE
..
~t
I I
H UwE
.
y = I dla U1 < U..,. < U2
Rys. 8.38. Komparator okienkowy Rys. 8.39. Przebiegi w komparatorze okienkowym
8.5.2.Przerzutnik
Schmitta
Przerzutnik Schmitta jest komparatorem, w którym poziomy i
czania nie lecz o histerezy JlUwe·
Takie zbudowane z dwu tranzystorów, w poprzednich
punktach. Teraz kilka zastosowania komparatorów
w przerzutników Schmitta.
PrzerzutnikSchmitta w
W przypadku przerzutnika Schmitta przedstawionego na rys. 8.40, his-
tereza powstaje wskutek komparatora dodatnim
niem zwrotnym przez dzielnik R 1, R 2 . na podamy
ujemne UwE, to Uwy = Uwrmax·
PoziomwTqczania UpL= _!!__+,Uwrmin

R1 Rz
1 Pozi(JmwyTqczaniaUpH= R
1
:
2
Uwymax
.t
His ereza lJUwE= R,+ Rz 1Uwrmax-U wrmin)
R1 1
1,
a Rys. 8.40. Przerzutnik Schmitta w

llWNN,v .~ •....,••••
v.·1V>·,vv-•,
•...,..,..,.,
,•,._.,....._.N>.
.,','•'•'r,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.,,
Y,·-'.,·'"·'•'•'•'-'•'•···"··""~.............,,,,..,...,.....,.. • ....,.,,..._-.w,~,·r, •r, ·r,v•·r,..------•· ···•··••·······"·'"""''"•'•'",.,. __ _
8.5. UKLADY PRZERZUTNJKOWE Z KOMPARA TORAMI 205

Na P wówczas
R1
Upmax= R +R UwYmax
1 2
zaczniemy Uwy
kowo nie zmieni Dopiero wówczas, gdy uwE UPmax•
cie a wraz z nim Up, zacznie uR = Up - uN stanie
ujemna.
dodatniemu zwrotnemu uwy bardzo szybko
UwYmin· Up przyjmuje
R1
UPmin = Ri + R 2 UwYmin
uR staje silnie dodatnie i stan ten jest stabilny. przyjmie

ponownie Uwrmaxdopiero wtedy, kiedy
UPmin·Odpowiednia charakterystyka jest przedstawiona
na rys. 8.41.
U.wy
- , , Uwrmax
'
UPL UpH
ll.wE.
, Uwrmin
jest stabilny tylko wówczas, gdy wzmocnienie w

zwrotnego ma
Rys. 8.42. Przebiegi
206 8. UKLADYPRZERZtITNIKOWE
Na rysunku 8.42 przedstawiono przebieg czasowy odpowiedzi przerzutnika
Schmitta na sinusoidalne
PrzerzutnikSchmitta w
W przypadku przerzutnika Schmitta przedstawionego na rys. 8.40
na ten punkt dzielnika w obwodzie
dodatniego zwrotnego, który jest z równo-
z Powstaje wtedy przerzutnik Schmitta
w pokazany na rys. 8.43.
·
Pozwm
r · 11
upL = - Rz
-R1 Uwrmin
.
Pozwm
. R,
UpH=- Rz Uwrma~
.
Histereza tJUwE=
R1 (
Rz
Uwrmax-UwYmin)
Rys. 8.43. Pr:zerzutnik Schmitta w
na jego podamy dodatnie uwE, to uwr =

= Uwrmax·Przy zmniejszaniu UwE nie zmie-
nia dopóty, dopóki up nie przejdzie przez zero. to przy
l
I
I Uwy
Uwr
max
UpL UpH
Uwrmin
Gdy uwE lub spadnie niej, spada

do UwYmin·Proces przerzutu jest inicjowany przez uwE, jednak
w dalszym tylko od dodatniego zwrotnego zrealizowanego
za rezystancji R 2 • Nowy stan jest stabilny tak UwE prze-
kroczy
8.5. PR ZERZUTNIKOWE Z KOMPARATORAMI 207

Na rysunku 8.45 przedstawiono przebieg czasowy przy
sinusoidalnym w chwili mamy
up = O,wzory na poziom wyzwalania formalnie zgodne z wzorami dla
du wzmacniacza
Rys. 8.45. Przebiegi
Precyzyjny przerzutnikSchmitta
W opisanych dotychczas przerzutnikach Schmitta poziomy
nia nie jakiej od
ze wzmacniaczami operacyjnymi. Wynika to na poziomy
wyzwalania
Uwrmaxi Uwrm;,.· przez zastosowanie dwu komparato-
rów, z poziomami
taki przedstawiono na rys. 8.46. Komparatory przerzutnik
RS w stan 1 po przekroczeniu górnego poziomu wyzwalania i go przy
dolnego poziomu wyzwalania (rys. 8.47).
Uzf
j_
lj
''J 1
u1
:
IU2 UwE
..
UwEt
j_ '!1 I
: I ..
;t..I
U wE
I
u,t E
..
;i,
.1 "" UwE
Poziom UPH= U2 }
dJa U2 > U 1
Poziom UPL= U,
Rys. 8.46. Precyzyjny przerzutnik Schmitta Rys. 8.47. stanu zmiennych od
Precyzyjny przerzutnik Schmitta z rys. 8.46 szczegól-

nie za podwójnego komparatora NE 521, zawiera
on potrzebne do tego dwie bramki NAND . Dla
___ ._..,.,.....,,..
..,,..,.,,.,.,,.., ,.,.,,.,.,...,,.,,u,-..,.,.,.,
208 8. PRZERZUTNTKOWE
istnieje jeszcze inne tylko jeden scalony
- tzw. czasowy (timer) NE 555. Zostanie ono opisane w
punkcie.
8.5.3.Przerzutniki
astabilne
przerzutnik Schmitta w elementami

tak, by do z
powstaje przerzutnik astabilny, którego schemat podano na rys. 8.48.
Uwy
Umax---
Upl
f uwr
.1
Okres T = 2RCln(l + 2R 1/ R2 )
Rys. 8.48. Przerzutnik astabilny Rys. 8.49. Przebiegi czasowe

z komparatorem
Gdy N przekroczy poziom wyzwalania na prze-

rzut, a przejdzie do przeciwnej granicy wysterowania. Wsku-
tek tego na N zacznie w przeciwnym kierunku, do
drugiego poziomu wyzwalania. powraca wtedy do stanu
Przebiegi w pokazane na rys. 8.49. Zgodnie
z rys. 8.40dla Uwrmax= - Uwrmin= U maxpoziomy wyzwalania
UPR= -rx.Umax
UPL = rt.Umax
gdziert.= R 1 /(R 1 + R 2 ).
Na podstawie schematu wprost równanie
kowe dla uN:
du,v
-- =
dt
Dla warunku uN(t = O)= UPH= - rxUmax otrzymujemy
zanie
.....,,.,...,,.,,.,.,..,.N,w,:N,-v.,...,.,._
.,,.,.....,
,._,...,,-.w..,•,..,..,......
,.,·,·r.•.v-.r
.-.v.-.·•.......,.,.,..~~
..- ••••.•.,.,.,.,.,...,..,.,.www=v.·,·,·,·,.,·
......,.,.,.,•,•,•,•,
•.•,•. ,······ ""~·.......·-·.-.....,. ......,.,...,._,www
,.,•,•,•,•,•.-.•r .w.-..
·.. .
8.5. PR ZERZUTNlKOWE Z KOMPARATORAMI 209

Poziom wyzwalania UPL = ocUmax
zostaje po czasie
2 1
t 1 = RCln ~: = RCln(l + ~ )
Okres wynosi
2
T = 2t 1 = 2RC In( 1 + ~
1
) (8.5)
Dla R 1 = R 2 przyjmuje on
T= 2RC ln3 2,2RC

Przerzutnik astabilny z precyzyjnymprzerzutnilóemSchmitta
przerzutnika astabilnego z rys. 8.48 popra-
przez zastosowanie precyzyjnego przerzutnika Schmitta z rys . 8.46. Uzys-
kany w ten sposób przedstawiono na rys . 8.50, a przebiegi czasowe na
rys. 8.51. w ramki to scalony NE 555, który w przypadku
stanowi najpros tsze przerzutnika
astabilnego. od elementów z ten
jako przerzutnik astabilny (rys. 8.52) lub precyzyjny przerzutnik
Schmitta (rys. 8.46).
+
+ 4
5
6
7
T I
'L_---"-'-1
____ __ ___ __J
Rys. 8.50. Przer zutnik astabilny z scalonym (timerem)
dzielnik 3R ustala progów na

Ucc/3 i 2Ucc/3. Zacisk 5 ich w pewnych granicach.
w kondensatorze przekroczy górny próg R jest
niski. jest niskie, a tranzystor T zaczyna
--.-.~ ·.__., • ..__._._v•-.rl"h•r,vr.-. ·,·,.,.......-.-..... ,... ••,.,..... ... ... .. -.-.= .,.,,..,,,.
... ,,,,,,.,.~•., ............ ··.- ·o- •• -,·,•,·,·,·,··, ·-- · · · ·· '·'· ••••••• . , • .,,. • v.vru-.-.v-.-.·, ·+ ,.,,.,,.., ,v, , ,
210 8. PRZERZUTNlKOWE
Kondensator C przez rezystor R 2 do
dolnego progu Ucc/3. Trwa to przez czas
t, I t2
o.__
_ __ -i---+------,1---'-- ..,-
~l
.__ __ _.___ L..- __ ___._
_ __.._t
_ _. Rys. 8.51. Przebiegi czasowe
t
+ + +
Rt
Czastrwaniaimpulsu t 1 = R1 Cln3 l,1R 1 C

Rys.8.52.Przerzutnik monostabilny z scalonym (timerem)
Przy progu Sjest niski i zmienia

poziom na na wysokie, a tranzystor zostaje zatkany. Konden-
satorjest przez szeregowo rezystancje R 1 i R 2 • Do chwili
górnego progu czas
t1 = (R 1 + R 2 )C ln2 0,693(R 1 + R 2)C
Otrzymujemy wzór na
f = 1 ·1,44
t1 + t2 (R 1 + 2R 2 )C
Zaciskzerowania 4 przerwanie
8.5. PR ZERZUTNIKOWE Z KOMPARATORAMI 211

na zacisk 5 podamy poziom wyzwalania.
W ten sposób czas t 1 , a tym samym
Us= 2Uccf3 zmienimy o ~us, otrzymamy
Przy niezbyt skokach otrzymujemy

z
8.5.4. Przerzutniki
monostabilne
scalony 555 do wytwarzania pojedynczych
impulsów. Za jego impulsy o czasie trwania od
kilku µs do kilku minut. Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 8.52.
na kondensatorze przekracza górny próg
jest wyzerowany, tzn. na jest niskie. Tranzystor T prze-
wodzi i powoduje kondensatora. dolny komparator
nie jest z kondensatorem, stan ten jest zachowany do chwili, gdy
impuls L na 2 spowoduje przerzut. Czas trwania impulsu jest równy
czasowi potrzebnemu do tego, by na kondensatorze od zera
do górnego progu Uce
t1 = R 1 Cln3 1,1R1 C
w czasie trwania impulsu pojawi nowy impuls przerzut
nie a impuls ten zostanie zignorowany. Przebiegi przed-
stawione na rys. 8.53.
x,1
_
OL----+ J
1I--'- ------ 11 ____
...L-.,___ ___ t •-
Uc1 :
....====:l=~::=========
I~: ===== \
=====
f========--
~=
f ucc1- I t• I
L 1.
o
I
lt • I
I
212 8. PRZERZUTNJKOWE
kondensatora C po czasu trwania impulsu nie
odbywa dowolnie szybko ze na kolek-
tora. Czas nosi czasu biernego. w tym czasie pojawi
impuls czas trwania impulsu przerzutnika ulega skróceniu
w stopniu przez parametry To samo odnosi do
przypadku, gdy impuls jest od impulsu generowanego
w przerzutniku.
Uniwibratorz podtrzymaniem
przypadki, w których czas trwania impulsu przerzutnika powi-
nien liczony nie od pierwszego impulsu w impulsów
- jak to miejsce w poprzednim - lecz od ostatniego. Przerzut-
nild o tej uniwibratorów z podtrzymaniem.
du scalonego 555 w takim przedstawiono na rys. 8.54. Wykorzystuje
tu tylko jego jako precyzyjnego przerzutnika Schmitta .
+ + +
4
5
3
6
y
7
T
t e
I L_
I
Czas trwaniaimpulsu t 1 = R 1 C ln 3 l ,IR 1 C
Rys.8.54. Przerzutnik monostabilny z podtr zymaniem
na kondensatorze przekracza górny próg

jest wyzerowany, a na jest niskie. Kondensator jednak
nie nie jest tranzystor T. Wskutek tego
kondensatora do Ucc· Jest to stan spoczynkowy.
Dodatni impuls o czasie trwania podany na
z tranzystora T' powoduje konden-
satora. Dolny komparator powoduje ustawienie przerzutnika (S = L), wsku-
tek czego przyjmuje stan H . przed czasu
trwania impulsu pojawi nowy impuls kondensator zostaje
ponownie a pozostanie w stanie H.
••··- ••·=vv~wmm. ·a,·.w...,,M..·,o"w··········,.,.,-·,.,"'"'"·='""""·"""'' '' " " """'"'"""• ·--= ·······"········..w,m,,=""··•'"°"""" "".,..,,......................
8.5. PRZERZUTNIKOWE Z KOMPARA TORAMI 213
I
"'1 p n q I ·I
t
.
I
I
fu"
"'1 ___, i~ ! t•
~t
o
I
:. t,
I
I
t
..
powróci do stanu spoczynkowego dopiero wówczas, gdy co najmniej

przez czas t 1 = R 1 Cln3 nie pojawi nowy impuls ten
jest nazywany detektorem przerw w impulsów (missing pulse dete-
ctor). Przebiegi dla kilku po sobie impulsów
cych przedstawiono na rys. 8.55.
I 9 I Podstawowe
;;ii
:::
logiczne
!~~
····s·w;·;i:;· ·,·,·: .·,·:·:·:·····;~·:1l;;:,r:::::r:r::~;:
····i,·,···:< :½
½·,·
·,,·,,,½·:%,\·,'i':
·········
···········
i·,:·:·:,,,fai:,,i,ifa@~··;
,·,·,·,·,
·,·,·,·,
·r:rn~~"""''''''''''''''
''''''''~''~'~i,,:-:~
-·-
·!:
:':·····,·.
·.·:,.;.;.;.
;.;.,
...,,:.:.:.·.·.·.:.·
,·,\····i··:······
·
cyfrowe w pierwszej chwili skomplikowane. Ich budo-

wa opiera jednak na prostej idei wielokrotnego stosowania niewielkiej licz-
by podstawowych rodzajów logicznych. Sposób tych
dów na podstawie postawionego problemu metodami czysto
formalnymi. jest tu algebra Boole 'a, która w przypadku stosowania
w cyfrowych nosi algebry Dlatego w punk-
tach podamy najpierw podstawy algebry
9.1.Podstawowe
funkcjelogiczne
W do zmiennej w algebr ze, zmienna logiczna
tylko dwie dyskretne, oznaczane na jako zero logiczne
ijedynka logiczna. te oznacza „O" i „ I" , ,,L" i „H " lub po prostu
Oi 1. W dalszym tych ostatnich symboli. Nie
przy tym pomieszania logicznych z cyframi O i 1,
z kontekstu zawsze wynika czy chodz i o czy o
trzy podstawowe zmiennymi logicz-
nymi:
- iloczyn(koniunkcja) y = Xi A x 2 = Xi · x 2 = x 1x 2 ;
-suma (dysjunkcja) y = x 1 v x 2 = x 1 + x 2 ;
- negacjay = x.
Dlatycb szereg praw , podanych w zestawieniu
(9.1].
X1X2= (9.la)
I
XzX1
Prawoprzemienno.fri
= X 2 + X1
X1 + X2 (9.1 b)
X 1 (XzX3)= (x1X2)X3 (9.2a)
Prawo
Xi+ (x 2 + x 3) = (x 1 + x 2) + x 3 (9.2b)
9.1 . PODSTAWOWE FUNKCJE LOGlC ZN"B 215

X1 (X2 + X3) = X1X2 + X1X3 (9.3a)
Prawo
X1 + X2X3 = (x1 + X2)(x1 + X3) (9.3b)
(9.4a)
Prawo
(9.4b)
XX=X (9.5a)
Prawo tautologii
x+x=x (9.5b)
XX= o (9.6a)
WlasnoJci negacji
x+x=l (9.6b)
Podwójna negacja (x) = X (9.7)
X1X2= X1+X 2 (9.8a)

Prawo de Morgana
Xi+ X2 = X1X2 (9.8b)
X· 1= X (9.9a)
x+O=x (9.9b)
x ·O= O (9.10a)
z Oi I
x+l=l (9.10b)
0=1 (9.1 la)
1=0 (9.11b)
Wiele z tych praw jest znanych w algebrze liczb. Jednak prawa (9.3b),
(9.4a,b) , (9.5a,b) i (9.10b) dla liczb nie a negacji dla liczb
w ogóle nie istnieje. Zgodnie z prawem tautologii takie jak 2x i x 2
w algebrze nie wzory a i b,
znaczenie w
zamienimy iloczyn na a O na 1, otrzymamy
Za (9.9) ... (9.11) jest obliczenie iloczynu i sumy
logicznej dla wszystkich zmiennych x 1 i x 2 • Na rysun-
ku 9.1 przedstawiono iloczynu , a na rys. 9.2 sumy logicznej. Z rysunku
9.1 y jest równe 1 tylko wtedy, kiedy x 1 i x 2 równe 1. Dlatego
iloczyn logiczny jest nazywany AND. W przypadku sumy
logicznej y jest równe 1 wówczas, gdy x 1 lub x 2 jest równe 1. Dlatego jest
ona nazywana OR. Obie funkcje na
zmiennych .
__ ,_,.v,.,,v,N',I' ...... ,.,., . .... ,., . . . . .. . . ... . ... ... . ...... ... . ,.,., .,. ,., . ,.,.,., ... , . . ................. .. ~--. ,.,,.,•,•,•,•,•,•,•c,,·,~--=··,.,.,•,•, •,•cu,·-.--""· ··•·• "''•'•'•W •''•w,·,--"··
216 9. PODSTAWOWE WGICZNE

X1 X2 lj x, x2 lj
o
o ,
o a
o
o
o
o
1
o
1
1 o o 1 a 1
I 1 1
' 1 1
) Rys. 9.1. Tablica prawdy funkcji AND Rys. 9.2. Tablica prawdy funkcji OR
) zagadnieniem jest sposób realizacji funkcji logicznych za po-

obwodów elektrycznych. zmienne logiczne
,)
tylko dwie dyskretne, pod tylko te które
1) dwa stany pracy. reprezen-
tacji zmiennej logicznej stanowi zestyk przedstawiony na rys. 9.3.
zestyk otwarty odpowiada zeru logicznemu , a - jedynce
/)
logicznej. Zestyk reprezentuje wiec x, dla x = 1 jest
a .x,gdy dla x = 1 jest otwarty.
1.)
X X1 X2
)) ~ -<> ~_____,..? ---o
Rys. 9.3. Reprezentacja zmiennej logicznej Rys. 9.4. AND

a) za zestyku
b)
W przypadku szeregowego zestyków x 1 i x 2 , jak na rys. 9.4,
a) jest tylko wówczas, gdy oba zestyki
czyli x 1 i x 2 równe jeden. szeregowe stanowi AND.
b) OR otrzymuje przez równolegle zestyków .
a) Za zestyki teraz w sposób po-
podanych praw . to na
b) prawa tautologii. Na rysunku 9.5 obie strony równania (9.5a) zrealizowano za
zestyków. przedstawiona jest
b), dwa szeregowo zestyki , które otwierane
:zb i zamykane, jak zestyk pojedync zy.
x2
:na X
o,-- -----o
Rys. 9.5. Przedstawienie prawa tautologii xx = x
my
un- zmiennych logicznych elektryczne,
iku o czym w p. 8.1. tam dwa poziomy H i L,
którym teraz stany logiczne 1 i O.
my nie H = 1 i L = O nos i logiki dodatniej. jest przypo-
jest odwrotne, H = O i L = 1, które nosi logiki ujemnej.
Podstawowe funkcje logiczne za odpowied-
nich elektronicznych. takie jedno lub i jed -
9.1. PODSTAWOWE FUNKCJE LOGICZN E 217

no Z bramek lub funktorów logicznych. Poziomy
na i rodzaj funkcji logiczn~i poziom na
istnieje wiele elektronicznej realizacji funkcji logicz-
nych, dla uproszczenia wprowadzono symbole graficzne tylko
przez a nie nic o jego budowie
Symbole te przedstawiono na rys. 9.6 ... 9.8. system ozna-
w stosownych normach. tych zawie-
np. pozycje (9.2, 9.3, 9.4). Na rysunkach 9.9 ... 9.11 pokazano inne stoso-
wane symbole elementów logicznych.
x, ~y =x, Xz
x2
x,3:r
xz =1 y=x1+x 2+•.. +xn
Xn
x ~y =x
Symbole bramek zgodnie z IEC 617-12 oraz IEEE Std 91-1994
Rys. 9.6. Symbol Rys. 9.7. Symbol Rys. 9.8. Symbol

bramki AND bramki OR bramki NOT
w technice cyfrowej nas nie jako

fizyczne, lecz jako stany logiczne, i nie oznaczane jako U1 ,
U2 itd., lecz jako im zmienne logiczne.
x--D- y==
x
X~ y ==x
Rys. 9.9. Inne Rys. 9.10. Inne Rys. 9.11. Inne

symbole bramki AND symbole bramki OR symbole bramki NOT
Opis funkcjonalny który ma realizowany w technice cyfrowej jest

podany w postaci tzw. tablicyfunkcji lub tablicy prawdy.
zadania polega na znalezieniufunkcji logicznej, prawdy,
sprowadzeniu tej funkcji do najprostszej postaci (minimalizacja) i realizacji za
odpowiedniej kombinacji podstawowych elementów logicznych.
Wygodnym pod realizacji jest opis funkcji logicznej w postaci
kanonicznej, zwanej sumy. po-
218 9. PODSTAWOWE LOGICZNE

- w tablicy prawdy wyszukujemy wszystkie wiersze, w których zmienna wyj-
y ma 1;
- dla ze znalezionych wierszy tworzymy iloczyn wszystkich 7.Jllien-
nych w ten sposób, danej zmiennej wynosi 1,
piszemy x 1, O - piszemy W ten sposób otrzymujemy tyle iloczynów,
ile jest wierszy z y = 1;
- otrzymujemy, wszystkich znalezionych
iloczynów.
Prze bieg teraz na tablicy prawdy
z rys. 9.12. W wierszach 3, 5 i 7 jest y = 1. Najpierw musimy
iloczyn dla tych wierszy:
wiersz 3 / 3 = j\x 2 .x3
wiersz 5 / 5 = x 1.x2 .x3
wiersz 7 / 7 = x 1x 2i 3
Wiersz X1 X2 X3 y
wiersz 3 /3 = x1 x 2 .x3
wiersz 5 /5 = x 1x2 x3
1 o o o o wiersz 7 11 = x 1x 2 x3
2 o o 1 o
3 o 1 o 1
4 o 1 1 o
5 1 o o 1
6 f o 1 o
7 1 1 o 1
8 1 1 1 o
Rys. 9.12. tablicy prawdy
Poszukiwana funkcja jest iloczy nów
Jest to normalna sumy szukanej funkcji logicznej. W celu jej uproszcze-

nia zastosujemy teraz równanie (9.3a) ,
:!St
y = [i 1 Xz + X 1 (Xz + Xz)]i3
:iie
jy, Równania (9.6b) i (9.9a) dalsze uproszczenia
za
y = (i1X2 + X1)X3
aci
Z równania (9.3b) wynika,
JO-
y = (x 1 + x 2 )(x 1 + .x1).x3
9.2. OPISY FUNKCJI LOGICZNYCH 219
Po ponownym zastosowaniu (9.6b) i (9.9a) otrzymujemy ostatecznie
prosty wynik
zmienna y w tablicy prawdy ma jedynek zer,

otrzymuje wiele iloczynów. wówczas na samym zastoso-
uproszczenie na wykorzystaniu zanegowanej zmiennej
wej y. Zanegowana zmienna ma wówczas z mniej jedy-
nek zer i przy opisie funkcji logicznej zanegowanej zmiennej y otrzymujemy
mniej iloczynów, a
Wystarczy tylko na i otrzymujemy y.
W tym celu tylko operacje ,, +" i ,, ·", a
i
9.2.1.TablicaKarnaugha
pomocniczym przy uzyskiwaniu najprostszych
postaci funkcji logicznej jest tablica Kamaugha. Jest to po prostu tablica praw-
dy o innym zmiennych wpisuje tu nie w ko-
lejnych kolumnach, lecz na poziomym i pionowym brzegu pola podzielonego
podobnie do szachownicy. Przy parzystej liczbie zmiennych
z nich wpisuje na jednym brzegu, - na drugim. W przypadku
nieparzystej liczby zmiennych na jednym brzegu o zmien-
na drugim. Kombinacje zmiennych
tak, by przy z jednej kratki tablicy do
tylko jedna zmienna. W kratki wpisuje zmiennej wyj-
y, zmiennych
na brzegach.
x, X2 y
I~ 2
o 1
o o o o o o
o 1 o
1 o o f o 1
1 1 1
Rys. 9.13. Tablica prawdy funkcji AND Rys. 9.14. Tablica Karnaugha funkcji AND
Na rysunku 9.13 przedstawiono jeszcze raz prawdy funkcji AND

dwu zmiennych a na rys. 9.14 jej Kar-
naugha. tablica Kamaugha jest tylko uproszczonym sposobem zapi-
su tablicy prawdy, najej podstawie w opisany sposób
--==,.,.,.,.,.,.,.,., .,.,.,.,•,•,•,•r,•,•,
•,•,•,•,•,•,•
,-,•r,
•,•,•,•,•,•
,•,•,•r,•,•,•,
•,•rrr,·...-r"'
·~r.....,.,. •._._._._
•.,._.,,,..,;,,-.
~.,. .,, .,.,,.,•,•,•,-.-.www-www . ..........

sumy szukanej funkcji logicznej. tablicy jest to,
na niej uproszczenia. to na przy-
podanym na rys. 9.15. W celu otrzymania postaci normalnej sumy
najpierw - jak to opisano - dla kai.dej kratki , w której znajduje
jedynka, iloczyn wszystkich 2'Jlliennych Dla kratki
w lewym górnym rogu otrzymamy
X1 X2 X3 X4 y
o o o o 1
o o o 1 1
o o 1 o 1
o o 1 1 1
o 1 o o 1
00 01 11 10
o 1 o 1 o 3
o o o
o
1
1
1
o
o
1
1
o
o
1
o
o
1
o
00 1 8 1) o
w
1 1 01 1 o o o
1 o 1 o 1
o
1 o 1 1 1
1 1 o o o 11 1 o 1 1
1 1 o 1 o c- -
1 1 1 o 1
10 o 1 I~
1 1 1 1 1 J..,
IA
Rys. 9.15. Tablica prawdy i jej tabHca Karnaugba
Dla kratki z prawej strony
Gdy na utworzymy wszystkich iloczynów innymi

w niej
je do postaci
Wynika ogólna zasada upraszczania ta blicy Karnaugha:

w lub kwadracie o 2, 4, 8, 16... kratkach
same jedynki, iloczyn dla grupy bezpo.frednio,
tylko te zmienne które dla wszystkich kratek gru-
py
9.2. OPISY FUNKCJf LOGICZNYCH 221

Zgodnie z tym w naszym dJa grupy dwu jedynek B otrzyma-
my iloczyn
co jest zgodne z
Do grupy te kratki, które na lewym
i prawym brzegu tego samego wiersza lub na górnym i dolnym brzegu tej
samej kolumny. Dla czterech jedynek Dna rys. 9.15 otrzymamy
Odpowiednio dla kwadratu czterech jedynek C otrzymamy iloczyn
teraz tylko jedynka w prawym górnym rogu. np.

z na dolnym brzegu tej samej kolumny, dwu jedynek l,c.
jest z na lewym brzegu pierwszego wier-
sza. Najprostsze otrzymuje jednak wtedy, kiedy zwróci uwa-
na to, w rogu tablicy Karnaugha znajduje jedynka. Jedynki te
w czterech jedynek,
normalna sumy przyjmie teraz bardzo

y = I;4 +I»+ Ie + I 0
;:;:~r;§..~~~
.. .............
...·.···························································································
.....
,..::,:.,.,..:;:!:::::•······
····~~;:;:;
:~:~:~:~:~:;:~:~:~:~:~:~:,.,
..
li 9.3. funkcjelogicznel:tf'J,,,,,:::,.,.,.,.
M.:.:.:.:,
:,:,m_a~k<t~:..4:f.;..:..:wW„h·wfr
·w'·'····.............
W poprzednich punktach
za odpowiedniej kombinacji podstawowych funkcji OR,
AND i NOT . Istnieje wiele funkcji, które w technice
tak nadano im nazwy. Ich tablice prawdy i sym-
bole graficzne zestawiono na rys. 9.16.
Funkcje NOR i NAND odpowiednio z negacji funkcji OR
i AND:
NOR= Not OR, NAND = Not AND. Zgodnie z tym mamy
NOR(x 1 , x 2 ) = x 1 + x 2 = x1 x2 (9.12)
NAND(x 1 , x 2 ) = x 1x 2 = x1 + X2 (9.13)

Zmienne y• x1 +x2 !J=X1·Xz y=X1+X2 !J=X1•X2 !J=X1(t)X2 y=x1©x2
=OR(x1,x2) =ANO(X1,X2) =NOR(X1,Xz) =NANO(x 1, x2) =[XOR(X1,Xz) =[XNOR (x1, x2)
x, Xz =ANTJV(x„x2) =f0.UIV(x1,Xz)
o o o o 1 1 o 1
o 1 1 o o 1 1 o
1 o 1 o o 1 1 o
1 1 1 1 o o o 1
Symbole
bramek X1~!J Xf~y X1~IJ x,~ y X1~y X1=:!3-
Xz IJ
Xz x2 Xz Xz Xz
Rys. 9.16. stosowane funkcje logiczne
Funkcja (equivalence Junction) przyjmuje y = I

wówczas, gdy obie zmienne sobie równe . Z tablicy prawdy otrzy-
mujemy sumy
Funkcja (antivalence lub non-equivalence Junction) jest

y jest tu równe jeden wtedy, kiedy zmienne
W postaci normalnej sumy otrzymamy
Z tablicy prawdy wynika jeszcze inna interp retacja funkcji

funkcja ta jest zgodna z OR dla wszystkich z
przypadku, gdy wszystkie zmienne równe jeden . Dlatego nosi ona
funkcji EXCLUSIVE OR (EXOR) lub sumy modulo 2 (MOD 2).
Zgodnie z tym EXCLUSIVE

NOR (EXNOR).
Przy stosowaniu scalonych jest korzystna realizacja do-

wolnych funkcji za bramek NAND lub NOR. W tym celu
funkcje te tak , by w nich tylko
l to w prosty sposób po ustaleniu
z funkcjami podstawowymi.
Dla funkcji AND mamy
.) x1x2 = x 1x 2 = NAND(x 1 , x 2 )
,) x 1 x 2 = x1 .x2 = x 1 + x 2 = NOR(.x 1 , x2 )
9.3. FUNKCJE LOGICZNE 223

F, NANO NOR
NOT x------@-y=x X ----d=}----y =X
ANO x,~ & & y = x, ·Xz ,,~ > ?;f y =x,·Xz

Xz
Xz =/
OR ,,~ & y =x1+x1 x,~ Y=X,+Xz

Xz
Xz &
Rys. 9.17. Realizacja podstawowych funkcji logicmych za bramek NOR i NAND
Odpowiednio dla funkcji OR otrzymamy
X1 + X2 = X1 + X2 = ½ = NAND(.x1, X2)
x 1 + x 2 = x 1 + x 2 = NOR(x 1 , x 2 )
realizacji przedstawione na rys. 9.17.
I 9.4. Realizacja
:;:f':':'·':':':·:·:·:·:·:·:
·:·:·:·:
···x········· ····=·>f'l:~~% -h:::x::-········::·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:········"·
:·· ·'=·Z:=::
:!~":!$-:,:
·:·:·:·:·:·:·:·:·:··"
··: ····': .. .::: ..';.:·::;.::·:::·:·:·:···:·:·:·:··
·:···•;::···:;:;:
podstawowych
funkcjilogicznych;;i:t,d\
W dotychczasowych elementami logicznymi,
nie o ich Taki sposób rozumowania ma
swoje uzasadnienie w tym, w technice cyfrowej stosuje pra-
wie scalone, które oprócz zacisków zasilania oznaczone
i Do realizacji poszczególnych podstawowych funkcji logicz-
nych istnieje wiele technik od siebie poborem mo-
cy, zasilania , poziomami H i L, czasem propagacji i
Aby móc wyboru , przynajmniej w sposób
ogólny w budowie tych Dlatego
w punktach omówimy rodziny cyfrowych.
Przy scalonych, do jednego
bramek . (Jan out) bramki ile bra-
mek tej samej rodziny do jednego bez zmniejszenia
na gwarantowanego poziomu.
równa 10 oznacza do bramki 10
jest zamiast bramki standardowej stosuje
mocy (buffer) .
........................
...... __.
..... . .............,..........,.,.,.,.,..•,.,.,.
,.,.,.,.,.,.
,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.
••,.,•••,.,.,.•.,.....,.v.,,.,,.
...............
~.~-,.. .•.,.,•,•,•,•,•, •,•,._•,•,•.•r .~.•• ._-..................... ,._.,.,.,., •••,.,. ,.,., .,.. ~,. .. ...,......... ....... •• •• .,._.,.,.,,_.,., ., .. , ... ,....
Z24 9. PODSTAWOWE LOGICZNE

stanowi bramki logicznej jest
lony stan Jak p okazano w rozdz. 8, stany te oznacza sym bolami
H i L, od tego czy jest UH, czy mniejsze
bramki logicznej za tablicy funkcji pokazanej
na rys. 9.18. Nie zostaje jednak w ten sposób ustalone,
realizuje bramka, nic nie wiadomo na temat wzajemnego
dkowania poziomów i sta n ów logicznych. do-
wolne, jest jednak celowe , aby w jednego ono jed n olite.
Ut Uz /lwy X1 X2 lj x, Xz lj
L L H D D 1 1 1 D
L
H
}I
L
H
H
o
f
I
o
1
1
I
o ,
o o
o
L o o o
Rys. 9.18. tablicy
' 1
Rys. 9.19. Tablica prawdy

I
Rys. 9.20. Tablica prawdy

funkcji w logice dodatn iej: w logice ujemnej:
funkcja NAND funkcja NOR
H ,;, 1, L ,;, O
nosi logiki dodatniej i w naszym prowadzi do tablicy p rawdy

z rys. 9. 19, jako prawdy funkcji
NAND.
H ,;, O, L ,;, I
jest jako logika ujemna. W naszym p rowadzi ono do

tablicy prawdy z rys. 9.20, czyli do funkcji NO R .
Ten sam od wybor u konwe ncji logicznej , sta-
NOR lub NAND. Nazwy bramek podaje z w logice
dodatniej. P rzy do logiki ujemnej funkcje logiczne w na-
sposób:
NOR-=>NAND
OR-=>AND
NOT-=>NOT
9.4.1. logiczn
e RTL
RTL - rezystorowo -tranzystorowe (resistor-transistor logic), zbudo-
wane z nasyconych inwerterów tranzystorowych zrealizowanych w technologii
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH FUNKCJI LOGICZNYCH 225

scalonej. bramki RTL prz edstawionej na rys. 9.21 jest
w stanie H, odpowiedni tranzystor przewodzi i jest w stanie L. W logice
dodatniej otrzymujemy NOR.
+J,oV Moc strat P,,, = 5 mW

Czas propagacji IP = 25 ns
.i
Rys. 9.21. Bram.ka NOR RTL typu MC 717
rezystancji w obwód bazy zapewnia,

nawet przy wzmocnienia tranzystory
kowicie z tym jednak tych
Pod tym omówione w dalszej znacznie lepsze.
Elementów RTL obecnie nie stosuje.
9.4.2. logiczneDTL
W DTL - diodowo-tranzystorowym (diode-transistor logic), przedsta-

wionym na rys. 9 .22, bazy tranzystora przez rezys-
tor R 1 , gdy diody D 1 i D 2 zatkane, tzn. gdy wszystkie
w stanie H. Tranzystor T 1 wówczas przewodzi, a napi ~cie jest w sta-
nie L. W logice dodatniej jest to wiec bramka NAND. do
czymy NAND, jej nie
go w stanie IL Dlate go w stanie H przyjmuje ono Ucc· Ze
na czasy propagacji, spowodowane nasyceniem tranzystorów,
DTL nie stosowane.
+SV +SV Moc strat P., = 15 mW

Czas propagacji IP= 25 ns
R1 Re
5kQ 2kQ
D1 U3 D3
T1 tuwr
l
u1f Rz
l
A 5kQ
u2 I 02
l
Rys. 9.22. Dram.kaNAND DTL typu MC 849
~26
------- ···------·~'
•••---~~
9. PODSTAWOWE UK-LADY LOGICZNE
••·-------V•'••••••M-~--~----
9.4.3. o na - logiczneHLL
Do w w których impu lsy
ce, zmodyfikowane bramki DTL, w których D 3 za-
stabilistorem taki pokazan o na rys. 9.23). temu poziom
progowy wynosi ok. 6 V, co oznaci.a, przy zasilania równym 12 V
otrzymuje na 5 V. W celu ob-
bramki te przeciwsobny poka zany na
rys. 8.6. W bramkach tych sztucznie czas przez za-
stosowanie wolnych tra nzystorów. I stnieje dalszego
tego czasu za kondensatora z
temu bramka staje odporna na krótkich impulsów
nawet ich amplituda jest od z ma rginesu
na tego typu logicznych wyso kiego
poziomu (high level logic, HLL).
+1zv +!2V +12V Mo c s trat P.,, = 180 mW

Czas propagacji tP = 175 ns
10kQ 9,1kQ
Rys. 9.23. Bramka NAND HLL typu FZH 101 A
9.4.4. logiczneTIL
Bramki TTL- tranzystorowo-tranzystorowe (transistor-transistor logic)
w zasadzie tak samo, jak bramki DTL. polega tylko na innej realizacji
diod i wzmacniacza W standa rdowej bramce TTL przed -
stawionej na rys. 9.24 diod jest wieloemiterowym tranzys-
torem T1 . wszystkie w stanie H , przez
R1 i baza-kolektor tranzystor a spolaryzowa ne w kierunku
przewodzenia do bazy tranzystora T 2 , jego przewodzenie. na
jedno z doprowadzimy niskie odpowiedni e baza-emiter
zaczyna i przejmuje bazy T 2 • Powoduje to zatkanie tranzys-
tora T 2 i do stanu H.
9.4. REALIZACJA PODSTAWOWYCl-1 FUNKCJ I LOOICZNYCH 227

Wzmacniacz w TTL z tranzystora T2
i przeciwsobnego wzmacniacza (totem-pole). Gdy tranzystor T2
przewodzi, przewodzi T 3 , a T4 jest zatkany. Na jest poziom L,
a tra nzystor T3 op. z
bramek (w stanie L z
+SV +5V +SV Mo c s trat P., - IO mW
Czas propagacji t, = 10 os
Rys. 9.24. Standardowa bramka NAND TTL typu 7400
Gdy tranzystor T2 jest zatkany, zatkany jest T3 . W tym przypad-

ku T4 przewodzi i daje poziom H na Tranzystor T4 jako
wtórnik emiterowy teraz i
temu szybko Standardowe TTL tego
rodzaju, jak pokazany na rys. 9.24, obecnie stosowane rzadko z powodu
czasu propagacji nasycaniem tran zystorów. Nasyceniu
zapobiec przez diody Schottky'cgo równolegle do
kolektor-baza (r ys. 9.25). zwrotnemu przy
przewodzeniu tranzystora ona spadek kolektor-emiter
ok. 0,3 V.
C C
E E
Rys. 9.25. Tranzystor z Scbotlky'ego nasyceniu i jego symbol graficzny
Bramka TTL zbudowana z takich „tranzystorów Schottky'ego" (bramka

TTL-S} jest przedstawiona na rys. 9.26. Jest to uproszczony schemat bramki
TTL-S malej mocy, tzw. bramki TTL-LS (low power Schottky). Z porównania
ze TTL z rys. 9.24 ma ona rezystancje kolek-
torowe razy czemu pobór mocy jest razy mniejszy

i wynosi tylko 2 mW. Mimo to czas propagacji bramki nie jest i wy-
nosi 10 ns. diod jest zbudowany tak, jak w DTL ,
z oddzielnych diod. Dioda D (rys. 9.24) w stopni u do
tu Darlin gtona T3 .
+SV +5V +SV Moc strat P,,, = 2 mW

Czas propagacji t, = 10 ns
u,j
l
Rys. 9.26. Bramka TTL Scholtky'ego mocy typu 74LSOO
1Br-- --.- -----.- - - -r-----.--.----r- ---,

Uwy~=::t:::::,,..._~
[vj ---l-- -+--- 1----!-- _,j
42
2,41<-""<"<"~~"':"M
'- +- +
1,6~~~~~ - -t- ;- -;- - --t>-~~'I;:'---,
o 1.2 1,6 2,0 uwdV} 2,8

Rys. 9.27. Charakterystyka inwertera TTL Scbotlky'ego mocy. Zakreskowane
- granice tolerancji
inwertera TTL-S mocy przedstawio-

no na rys. 9.27. Nietrudno poziom wynosi ok. 1,1 V.
Charakterystyczne dla TTL tolerancje tu zachowane z za-
pasem. Przy dopuszczalnym poziomie L na równym
0,8 V, na musi poziom H co najmniej 2,4 V. Przy
poziomie H na równym 2,0 V, poziom L na
0,4 V.
z otwartym kolektorem
Niekiedy problem logicznego liczby
bramek. Przy np. dwudziestu potrzebna do tego bramka
o dwudziestu do których oddziel-
nych przewodów. tego z otwartym
kolektorem (open collector).Jej stanowi (rys. 9.28) tranzys-
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH FUNKCJI LOOICZNYCH 229

tor opn, którego emiter jest z Takie
nieniu od stosowanych zazwyczaj przeciwsobnych stopni - bez
obaw równolegle i we wspólny rezystor kolektor owy
(rys. 9.28).
Re
r- ·-·
I
i
jB, j
,--·
1s2 • • •
, ·-·
i_ __ _ j i_ ___ _j L._.
i -=.l
'Bn
Rys. 9.28. bramek z otwartym kolekto rem
przyjmuje stan H tylko wówczas, gdy wszystkie

w stanie H. W logice dodatniej otrzymamy AND.
wiadomo, przechodzi w stan L wówczas, gdy jedno lub
ma sta n L. W logice ujemnej otrzymamy OR . funkcja
logiczna zrealizowana przez galwaniczne, mówi-
my wówczas o iloczy nie galwanicznym lub sumie galwanicznej (potocznie : ilo-
czyn na drucie , suma na drucie - wired AND, wired OR) .
bramek tylko w stanie L, je
wyj.friami z aktywnym stanem niskim (active low). Przedstawianie iloczynu gal-
wanicznego za symboli logicznych pokazano na rys. 9.29.
+5V
Re
&
..----- --- -- - -- - ~ --- - ~y =y11j2···!In
...
Rys. 9.29. Przed stawienie iloczynu galwanicznego za symboli logicznych.
Znak .Q. w symbolu bramki oznacza z otwartym kolektorem
Za z otwartym kolektorem
OR , iloczyn galwaniczny dla zmiennych zanegowanych.
Zgodnie z prawem de Mor gana mamy
Y1 + Y2 + ···+ Yn = Y1.J\
...jin
Odpo wiedni jest przedstawiony na rys. 9.30.
z otwartym kolektorem jest wolniejsze nara stanie
cia w przypadku elementów z przeciwsobnym, po-
tylko przez Re·
230 9. PODSTAWOWE UK.LADY LOGICZNE

.- +SV
z Re
y g
...
Rys. 9.30. Suma galwaniczna zrealizowana za z otwartym kolektorem
W z tym bramki TTL z otwartym kolektorem podobne wady,

jak RTL z rys. 9.21. Tam interpreto-
jako iloczyn galwaniczny.
trójstanowe
:l Istnieje jeszcze jeden zastosowania, w którym
e bramek prowadzi do upro szczenia jest to przypadek,
gdy jedna z wielu bramek ma o stanie linii w tzw.
magistrali. Zadanie to pr zy bramek z otwartym ko-
lektorem w sposób pokazany na rys. 9.29, w wysokoimpeda n cyjny
stan li wszystkie z jednego. Zasadniczej wady tego roz-
narastania w tym
specyficznym zastosowaniu zamiast bramek z otwartym
kolektorem tzw. br amki z trójstanowym. Je st to typowe
przeciwsobne z tym, z.a dodatkowego
je w trzeci stan tzw. wysokiej impedancji. Stan ten nosi
stanu Z.
realizacji takiego przed stawiono na rys. 9.31, a jego sym-
bol graficzny na rys. 9.32. zezwolenia (enable) EN= 1,
jak inwerter: dla x = 1 mamy z 1 = O i z 2 = 1, tzn. T 1 jest zatkany, a T 2
przewodzi. jednak zmien na EN = O, to z 1 = z2 = O i oba tran-
zystory zatkane. Jest to stan wysokiej impedancji Z.
+5V
Zz
I/
Rys. 9.31. Inwerter z trójstanowym Rys. 9.32. Symbol graficzny inwertera z

trój sta nowym
Ze n a korzystne parametry elektryczne, wybór typów i ni-
TTL -LS lo-
gicznych. Zestawienie rodzin TTL -S
w tabl. 9.2 w p. 9.4.8.
·-- .....................
,....,• ......,..,.,
....~-"'-•••r-- . ..,..,.,.~I•,,·, ...............
•••• ...... .,.,,..,,.,.,.,..,. ,.,.,.-.,..,....,.,.,. , ._.,., •..,..,.~._ .,, .... ,.,.,.,.,,,., .,•,•,•.-,..-,......... ~-.---
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH FUNKCJI LOOICZNYCH 231

9.4.5. logiczneECL
Jak na rys. 4.42 we wzmacniaczu za
ok . ± I 00 mV / z jednego
tranzystora na drugi. Wzmacniacz ten ma dwa stany pracy ,
a mianowicie ie = I lub ie = O. Dl atego ten
dem z on bez nasycenia, bowiem przy
odpowiednio rezystancji kolektorowych niewie-
lkie skoki na tych rezystancjach.
Na rysunku 9.33 przedstawiono schemat typowej bramki ECL (ze
emiterowym - emitler coup/ed logic). Tranzystory Tz i T3 wzma-
cniacz Za dzielnika na bazie tranzystora T 3 jest
utrzymywane stale Up. wszystkie po -
ziom L, tranzystory T 1 i Tz zatkane. emitera wówczas przez
tranzystor T3 i powoduj e spadek na rezystancji R z. wyj-
Uwn ma wtedy poziom L, a uwrz ma poziom H . przynajmniej
jedno zmieni swój poziom na H, stany na
przeciwne. W logice dodatniej na pierwszym realizuje
OR, a na drugim NOR.
Moc strat bramki P,,, = 25 mW

Moc strat rezystorów R5 , R 6
po PA= 30 mW
Czas propagacji IP = 1 ns
Ts
juwr1
1
U[
Re
tuwcz 780Q
1 -5,2 V -5,2 V - 5.2 V - 5,2 V
Rys. 9.33. Bramka OR/NOR ECL typu MC 10102. scalony nie zawiera rezystorów emite-
rowych R 5 i R6 , które w razie potrzeby z
Zbadajmy teraz w nie przewodzi tranzys-

tor T 3 na rezystancji Rz tylko niewielki spadek ok. 0,2 V,
bazy tranzystora T 5 . emitera T5 wynosi
w tym przypadku - 0,9 V. Jest to poziom H na o tej
podamy, np. na tranzystora Tz, to
UE= -0 ,9 V - 0,7 V= -1 ,6 V
232 9. POD SfA WOWE LOGICZNE

Aby tranzystor T2 nie w nasycenie , jego kolektor-emiter nie
powinno 0,6 V. Wynika minimalne na
kolektorze musi
Uc = - 1,6 V + 0,6 V = - J,O V
Poziom L na wynosi zatem - 1,7 V. teraz tak Up, aby

tranzystory przy U" = - 0,9 V dobrze przewo-
a przy UL= -1,7 V pewnie zatkane. Waru -
nek ten najlepiej wówczas , gdy progowe Upjest
UH i Uv a wynosi ok. -1,3 V.
omawianego przedstawiono na
rys. 9.34.
-0, 4 r<"M~CV""<""""'S"<"""<"
~r-..--- ---.---,,""" '<"<"'O~"<"r-
--r-- -,-- --.- ---,
Uwy
[Vj- --~ -- -l---'- ~-"'"""- ----1-- -1---1
-o.s ~.....,_,+-"-"
....,.__,_""'+-'-
.,_,._
-1.2-
----""
- t,DITT"'m°"':<:sd<~.- -t\-- -tr -.=m""'ct---t-- -i---+-- --,
-1,8 -1,6 - 1,4 - ~2 - 1,0 -0,8 -0,6 - D,4 u.wEfV} O

Rys. 9.34. Charakterystyka bramki ECL serii MC 10000.
Zakreskowane - granice tolerancji
poziom wynosi - 1,3 V. Przy

dopuszczalnym poziomie niskim na równym - 1,5 V,
na NOR musi poziom wysoki, równy co najmniej -1,0 V. Przy
poziomie wysokim na równym -1,I V, poziom niski
na -1,65 V. W do pozo -
rodzin logicznych, w stanie H jest wy-
ograniczone od góry. Nie ono -0,8 V, w przeciw-
nym bowiem przypadku dany tranzystor wejdzie w nasycenie.
to na charakterystyce dla NOR (za-
przy równym - 0,4 V). Przy dalszym
z powodu nasycenia tranzystora T 2 , wraz z emitera
wzrasta kolektora uc, a tym samym wzrasta wyj-
uwyz.
Na rysunku 9.34 poziomy logiczne znacznie zera
ujemnego zasilania. Oprócz tego nie
na poziom H, wyznacza go baza-emiter wtórnika
emiterowego. Gdyby ujemne zasilania za odniesienia,
to tego na oba poziomy logiczne. Nie
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PO DSTAWOWYCH FUNKCJI LOGICZNYCH 233

wtedy niezawodna praca Bramki ECL najmniejszy czas
propagacji ze wszystkich rodzin logicznych. one jeszcze szybsze od
bramek TTL-S, które bez nasycenia. Wynika tom.in.
kolektor-emiter tranzystora nigdy nie spada
0,6 V. Istnieje od nasycenia, a co za tym idzie,
zmniejszenie kolektor-baza.
Kolejnym powodem ECL amplitudy
przy ich wynosi tylko 0,8 V.
temu szybkie Uzyskiwa-
niu krótkich czasów sprzyja rezystancja
wtórnika emiterowego. Zgodnie z równaniem (4.30) wynosi ona tylko
J U 1• __ 26 mV __ n
rwy~ - =- 34 ;,.t
gm le 7,7 mA '
ECL jest okupiona strat. Moc strat

samej bramki serii MC IO.OOOwynosi 25 mW. Do tego dochodzi jeszcze
moc tracona w rezystancjach emiterowych. Przy
równym -1,3 V w rezystorze emiterowym o rezystancji 510 n wydziela
moc strat 30 mW, czyli w bramce. Dlatego rezystory emite-
rowe tylko do Moc w rezystorach emite-
rowych do 10 zamiast rezystorów 510 n
nych do -5,2 V zastosuje rezystory 50 n, które do
dodatkowego UEE = - 2 V. z tym
raczej w rozbudowanych systemach ECL i to tylko wtedy, kiedy
zasilacz -2 V ma W przeciwnym przypadk u straty
jedynie przeniesione z bramki do zasilacza. Jest tak np. wówczas, gdy
-2 V uzyskuje za stabilizatora szeregowego z -5,2 V.
Suma galwaniczna
Przez bramek ECL - tak jak w przy-
padku z otwartym kolektorem -
(rys. 9.35). przy wtórników emiterowych
jest poziom H (active high), w logice dodatniej otrzymuje funk-
OR. realizacji sumy galwanicznej w technice ECL jest to, równo-
bramek nie zmniejsza ich
nie tylko na bramce, lecz na wypadkowym czasie propagacji.
jeszcze raz powody, które zaliczenie
bramek ECL do szybkich logicznych:
1) najmniejszy czas propagacji;

2) pobór mocy nie od stanu logicznego. Przy nie
impulsy Dlatego nie jest na
impulsowych;
........., .. •"m- ~A. ·www~- ··"·~·-=--- ···· ·.......
,..,,....,......,._, __ ,_,~,wam,. ·---=·
234 9. PODSTAWOWE UKLADY LOGICZNE
r--
~1
X1_---f_--::-ie--- -.ffi. - -..-- X1 + X2 +X3+X.f
x2 ~----.__ _,.._______,
510Q
-5,2 V
X3 --L . .-:;:-i---+----'
X4----i=.:....:.J<>--<~- - -,--- xr~+X3·X4
~1
510S2
-5,2 V
Rys. 9.35. Realiz.acja sumy galwanicznej w ECL.
Symbol O oznacza z olwartym emiterem
3) symetryczne nawet na
(patrz p. 9.5).
rodzin ECL w tabl. 9.2 w p. 9.4.8.
9.4.6. logiczneCMOS
logicznych szczególnie niskim poborem
mocy bramki CMOS (comp/ementary MOS). inwertera jest pokazany
na rys. 9.36, a parametry w tabl. 9.1. Zwraca fakt, ten
z tranzystorów polowych MOS z wzbogacanym.
tranzystora z typu n jest z a tranzystora z
typu p - z zasilania Uss· Oba tranzystory w ze
wspólnym i jego
z tranzystorów stanowi drugiego
tranzystora.
Rys. 9.36. Inwerter CMOS
Tablica9.1. Inwertery CMOS
Uss = 5 V standardowy szybki

Typ 74C04 74HC04
I/ Moc strat 0,3 µW/kHz 0,5 µW/kHz
Czas propagacji 90 ns 10 ns
N"NNV.,,W,.,_,.-.w,,,•-"-V-~~, -v.,,,,, ........ _...,_, ,,._,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,..-rl"hVr.- ..V.V.* ,, .. .. ~~-~ , _._._.,,,,,.,,,'+_V. ..V.-."1, ......... ..,, ..... .. , _., _,, ,_,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•r, •,•r.-,-,•r,•rr,-r,-.'+ ",'-"•"""-.,,. ••••'-
9.4. REALIZACJA PODSTAWOWYCH FUNKCJI LOGICZNYCH 235

progowe obu tran zysto rów wynosi 1,5 V. Dl atego
przy zasilania równym 5 V przynajmniej jede n z tranzystorów prze-
wodzi. przyjmiemy UwE = O, przewod zi tranzystor z typu
p (T 2), a tranzy stor z typu n (T 1 ) jest zatkany. jest
równe U55 . Dl a UwE = Uss tranzystor T 2 jest zatkany , a T1 przewodzi.
cie jest równe zeru. Nietrudno w sta nie ustalonym
przez nie Niewie lki jedynie podczas
nia, gdy znajduje w zakresie I Up I < uw E < Uss - I UpJ.
Przebieg tego przed stawiono wra z z na rys.
9.37. Poziomy logiczne od wybranego zasila nia. Dopuszczalny
zakres zasilania CM OS jest bardzo Dla
z wynosi on od 3 do 6 V, a dla z
nawet od 3 do 15 V. Poziom ze na jest
równy za wsze zasila nia. Z tego powodu pr zy zasila-
nia Uss = 5 V poziom H musi 3,5 V, jak to na rys. 9.37.
,..,.,,.,
::...;.J..
----1- -f::_i...:,.
__ 1--~~~...;;
I
I
I
I
I
I
o 1 2 3 uwc[V}5
Rys. 9.37. Charakteryslyka bramki CMOS przy zasilaniu 5 V. Zakreskowane
- granice tolerancji . Linia przerywana - pobór
Pr zy sterowa niu bramek CMOS z TTL jest jed nak

dodatkowego rezystora a Ucc,
minimalny poziom wysoki do 3,5 V. CMOS w kompatybil-
nymi z TTL z serii UCT, na specjalny
translator poziomu.
pobierany prz ez CMOS ma trzy
1. Gdy jest i równe zeru lub U55 , bard zo

bramek kilku mikroamperów .
2. Gdy zmienia stan, przez oba tranzystory
przewodzenia.
3. ma jednak tranzystora CT.
Pr zy jest magazynowana energia { C7'(Ps
5; taka
sama energia jest w tran zystorze na Przy rozladowa -
236 9. PODSTAWOWE UKLADY LOGICZNE

niu energia zmagazynowana w kondensatorze jest przetwarzana na
W cyklu L-H-L przetworzona zostaje energia W = CT Wynika
moc strat Pdiss = W/t = W· f = CTfPssJ:Ze na fakt, straty
przez przewodzenia proporcjonalne do
je mocy strat
CPdiss = Pdissrotf( U';sf)
Jest ona nieco od Cr samego tranzystora.

rozwartego CMOS jest Dlatego
CMOS z lub U88 .
Jest to zalecane w przypadku bramek, w przeciwnym
razie na ich taki przy którym
przez oba tranzystory przewodzenia, co za
wzrost strat.
przy pracy CMOS

Elektrody bramek tranzystorów polowych z bar-
dzo na statyczne. W celu
dów scalonych MOS zabezpieczone diodami w sposób pokazany na
rys. 9.38. Mimo to
Diody dalsze ograniczenie, które na-
przy stosowaniu bramek CMOS [9.5). Wskutek izolacji
wej obu tranzystorów polowych T1 i T2 , zaciskami zasilania
powstaje tyrystor, jak to pokazano na rys. 9.39. W normalnych
warunkach tyrystor ten nie na tranzystory T3
i T4 zatkane, a ich zerowe przez R 2 lub R 3 •
jednak jedna z jako dodatkowe emitery diod
zostanie spolaryzowana w kierunku przewodzenia, to
czenietyrystora T3 , T4 . Oba tranzystory wtedy w stan przewod ze-
nia i zwarcie zasilania.
Uss Uss Uss
dr2
uw
cj ft
1 ::t'l"··UwE1't
Rys. 9.38. zabezpieczenia
bramek CMOS. Diody D 3 , D4
zrealizowaneza tranzystorów Rys. 9.39. tyrystor wskutek
T3, T4 izolacji tranzystora MOS
..........
.,,...,...- ..,,..,..,...,..,.
,......
.,..... .,..........
....~.··'".................. .,......................
,.,.,.,.,.,.,.,........ .....
_,_._. __, .~ ....,...,.,
...,......
, .•.
,.............. ,,,........
.......... . ................,.,.,.,.,.,.,.............._._..,... _ ___
____.__,.,._
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH PUNKCH LOGICZNYCH 237
przy tym o zniszczenie
du scalonego. Dla tego zjawiska, zwanego zatrzaskiwaniem (/atch
up), nie powinno od masy, ani
od zasilania. nie da tego przynajmniej
przez diody do
- w od technologii - od l do 100 mA. Wystarcza do tego
rezystancja szeregowa. tyrystora rów-
po podaniu na zakres
zasilania .
Bramki CMOS
Na rysunku 9.40 pokazano NOR CMOS na tej samej
zasadzie, co opisany inwerter. Aby sterowana rezystancja
(T{ , TD gdy jedno z jest w stanie H,
szeregowo tranzystorów polowych z kana-
typu p. Po zamianie szeregowego na z bramek
NOR powstaje bramka NAND, przedstawiona na rys. 9.41.
Uss
T[
T1
tuwr
ju1 1
1 Tz
Rys. 9.40. Bramka NOR CMOS Rys. 9.41. Bram.ka NAND CMOS
Bramka transmisyjna
W punkcie 9.1 funkcje logiczne rów-
za zestyków. Z tej korzysta w technice
MOS, prowadzi to do uproszcrenia Stosowany doda-
tkowo, obok konwencjonalnych bramek, element nosi bramki transmi-
syjnej . Symbol graficzny i schemat takiej bramki jest przedstawiony
na rys. 9.42. Jej polega na tym, i
przy czym oba wyprowadzenia równoupraw-
nione. Istnieje dwukierunkowego z bardzo
W do konwencjonalnych bramek nie wy-

-,I
tu odtwarzanie poziomu. Dlatego na jest tym

gorsza, im bramek transmisyjnych jest ze Z tego
powodu stosuje je tylko w z konwencjonalnymi bramkami.
Realizacja bramki transmisyjnej w technice CMOS jest przed-
stawiona na rys. 9.43. Sam zestyk komplementarne tranzystory MOS
T1 i T 2 . one sterowane przeciwsobnie za inwertera. Gdy
u 5 = O,mamy uGN = Oi uGP = U55 • Oba tranzystory MOS wówczas zatkane,
przy u1 i u 2 w zakresie od O do U55 •
natomiast u 5 = U55 , mamy uGN = U55 i uGP = O. W tym przypadku w
dopuszczalnym zakresie przewodzi zawsze przynajmniej jeden z dwu
tranzystorów.
f
o
ju1 rU2 Uss

jus
l 1 1 T2
1 .t' 1' 1
fus
fJ
IJ.GN
T1 l
ju2
Rys. 9.42. Symbol graficzny i zasada Rys. 9.43. Budowa bramki

bramki transmisyjnej transmisyjnej
Jak zobaczymy w rozdziale 23, ten sam jest stosowany

jako (klucz) analogowy. w stosunku do bramki transmi-
syjnejpolega tylko na tym, elektrody bramek tranzystorów T 1 i T 2 stero-
wane nie komplementarnymi, ale o przeciwnej bieguno-
temu dodatnie i ujemne
Ze na pobór i zakres zasilania
CMOS szczególnie do stosowania w z zasilaniem bate-
ryjnyin. rodzin CMOS zawiera tabl. 9.2.
9.4.7. logiczneNMOS
scalonych NMOS jest to, zbudowane
z tranzystorów MOS z typu n. temu ich wytwarza-
nie jest szczególnie proste i z tego stosowane w
o stopniu scalenia . Bramka NOR NMOS przedstawiona na rys. 9.44
jest bardzo podobna do bramki NOR RTL z rys. 9.21. Ze technicz-
nych, zamiast rezystancji zastosowano tu tran-
,,...,....,,v,v.,....
.,.,.....,.,.,.......,,..
....,..,...,,.,.,.....,.,.,
,,,....._..._
•••.,.,,.•.••.•.•.·rrr,·,·,·,·
····················
· .........
.,..........
._,.,.._,.,.,...,
••• •,..,
••.....,...,,..,.
...........,.
...........
,..,...,.,.,.,
-....,.,-.- ..........• •...... •,,•,• .,. ·r.r···r.-vr.·.r.-.-=www·
9.4. REALIZACJA UKLADOWA PODSTAWOWYCH fUNKCJI LOGICZNYCH 239
zystor MOS, podobnie jak w przypadku tranzystorów z kana-
wzbogacanym. Aby tranzystor ten w nim na jego
wysokie UGG· w stanie H .ma
do zasilania drenu UDD, pomocniczy poten-
UGG musi przynajmniej o progowe od UDD·
jest potrzebne dodatkowo ujemne U88 , gwa-
zatkanie tranzystorów i zmniejszenie wars-
twy zaporowej.
Jak na rys. 9.44, tranzystor T3 pracuje jako wtórnik dla
UGG· Jego rezystancja jest niewielka i ma 1/gm.
Aby wymagane rezystancji, tranzystor ten musi
znacznie tranzystory
Uoo=5V
U99= -SV
Rys. 9.44. Podstawowy Rys. 9.45. Bramka NOR NMOS z

bramk i NOR NMOS NDMOS (depletion /oad)
dodatniego pomocniczego UGG uni-

jako T3 tranzystor z Takie
przedstawiono na rys. 9.45, gdzie tranzystor T3 pracuje jako
takie jak pokazano na rys. 5.9. Tranzystory jednak za-
wsze tranzystorami z wzbogacanym, w przeciwnym przy-
padku ujemne, podczas gdy wyj-
jest zawsze dodatnie. tych bramek zatem
Implantacja jonów wykonywanie scalonych, zawie-

tranzystory polowe zarówno z wzbogacanym, jak i
nym. Przy odpowiednim doborze ujemne U88
ne. nie, je z dodatniego zasilania za
przetwornicy scalonej z W technologii NMOS produko-
wane o stopniu scalenia, a nie proste elementy, jak
np. bramki .
........ ... . ............. ~ - ........ ~ ·....................... ........... . ..... . .... .. . ................ . ............................ .. ... . ~-.,.,,. .. .,., .......... ....... . .. ... . ... .. ~h .... , . . . . . . ......... . ...... .. ... ........ .. . , .,. ,., ................. ... . . ...

9.4.8.
W tablicy 9.2 przedstawiono rodzin
cyfrowych. Podane dane tech niczne do pojedynczej bramki. Nie-
trudno technik.a realizacyjna istnieje w wykona -
niach, od siebie poborem mocy i czasem propagacji bramek.
rodziny logicznych jest iloczyn czasu propagacji
i strat mocy bramki energetyczny). Mówi on, czy bramka oprócz
strat mocy ma czas propagacji.
nowsze rodziny, jak 74AS, 74ALS, 74F, lOHlOO i 100.100 bardzo
energetyczny. Jest to spowodowane zastosowaniem izolacji dielekt-
rycznej i z tym elemen-
ty przy ma to miejsce w przypadku starszych rodzin z
technologicznym CMOS z
[9.6]. Przy takich samych one razy szyb-
sze od typów z
rodzin cyfrowych oferowanych przez produ-
centów jest oznaczana symbolami tylko umiesz-
na symbolu. Zestawienie producentów i symboli literowych
podano w tabl. 9.3. Moc pobierana przez elementy z rodzin
cyfrowychjest bardzo Z wykresu na rys. 9.46 CMOS
bardzo korzyst ne przy 1 MHz mocy
strat TTL-S malej mocy i CMOS niewielkie.
Godnym jest fakt, w tym zakresie
pobór mocy przez TTL. tego jest przez prze-
ciwsobny podczas procesu
cy znaczne poboru mocy przy Wady
tej nie ECL. Dlatego przy 30 MHz
ECL samymi zaletami z ich wysokiej ceny.
100m~--~--~- - -.-- - ---.--- ~ -----.

Pstr 1----+-----+----+-----,..----1-----1
{W}
Wmt-------
1
TTL74LS00
1mt-- --·t----
-,
:-
100)1.
.-
,- 1p.....__ _ .........c __ _,__ __ ....._ _ _ ~ -- - --,-~
k 1{)() 1k 10k 100k 1M 1011 f[Hzj 100M
Rys. 9.46. mocy strat od
9.4. REALIZACJA PODSTAWOWYCH FUNKCJ I LOGICZNYCH 241

Tablica 9.2. najbardziej rozpowszechnionych rodzin TTL, ECL j CMOS
Rodzina Typ Symbol Moc strat Czas Iloczyn czasu

literowy zasilania P., propagacji propagacji
[V] IP i mocy strat
[ns] Pn,t"
TIL SN,MC,
7400 5 lOmW 10 100 pJ
standard DM
LP 74LSOO
SN,MC,
2mW 20pJ
5 lO
Scbottky DM, U
Schotlky 74SOO SN,DM 5 l9mW 3 57 pJ
LP SN,MC,
74AISOO 5 lmW 4 4pJ
advanced DM
fast 74FOO F, MC , SN 5 4mW 3 12 pJ
advanced 74ASOO SN 5 lOmW 1,5 15 pJ
ECL
10.100 MC,F -5,2 3SmW 1> 2 60pJ
standard
10.200 MC - 5,2 35 mW 1l 1,5 50 pJ
high speed l.600 MC -5,2 70mw 1> l 70 pJ

lOHlOO MC -5,2 35 mW 11 l 35 pJ
100.100 F,U -5,2 50 mw 1 > 0,75 38 pJ
lOElOO MC -5,2 somw 1
> 0,4 20pJ
- 4,5 40mW 11 0,4
lOOElOO MC 16pJ
CMOS 4.000 TC 5 0,3 µW/kHz 90 0,03 pJ/kHz

standard 14.000 MC
74COO MM 15 3 µW/kHz 30 0,09 pJfkHz
74HCOO MC,MM,SP
high speed 5 0,3 µW/kHz 10 0,005 pJ/kHz
74HCTOO SN,TC,PC
74ACOO SN, PC, F
advanced 5 0,8 µW/kHz 3 0,002 pJ/kHz
74ACTOO SN,F
TTL 74BCTOO SN 5 lmW 3 3 pJ
1
> wraz z rezystorem emiterowym 50 O do zasilania - 2 V,
10 mW
Tablica 9.3. Symbole literowe stosowane przez producentów
Symbol Producent Symbol Producent
Am AMD DM,MM,F National

HD Hitachi u Signetics
MC Motorola SN Texas lnstrument s
PC Philips SP SPI
M SGS-Thomson TC Toshiba

Warunkiem pracy cyfrowych scalonych
jest poprawne doprowadzenie Wszystkie rodziny
cyfrowych przy impulsy w przewodach do -
zasilania. wszystkie za punkt
odniesienia masy, jest wymagane wykonywanie we wszystkich
dach scalonych masy o rezystancji i Na
drukowanej warunek ten najlepiej przez wykonanie masy w po-
staci siatki. Przy 50 MHz raczej
w postaci metalizacji jednej strony Aby impulsy
przy nie zasilania, musi ooo doprowa-
dzone do scalonych w sposób niskorezystancyjny i bezindukcyjny.
masa jest dobra, impulsowe odfiltrowane konden-
satorami Stosuje do tego kondensatory ceramiczne o pojem-
10 ... 100 nF. Nie do tego celu kondensatory elektrolityczne , ze
na przy wielkich jeden
kondensator powinien na 2 ... 5 scalonych.
W dotychczasowych cyfrowe przesy-

scalonymi bez W przypadku stromych zboczy
nie jednak z istnienia przewodów
Jako drutowe nie wy-
starcza, czas rozchodzenia fali linii jest
dem do czasu narastania w trzeba
tego rodzaju nie powinny I O cm na
czasu narastania. przekroczy
impulsów, odbicia i mniej lub bardziej drga-
nia. Skutków tych przez zastosowanie dopasowanych linii
o impedancji charakterystycznej (przewód linia pas-
kowa). Wynosi ona 30 ... 300 n.
Linie paskowe np . przez wykonanie wszystkich
na dolnej stronie drukowanej i strony
tylko miejsca na elementów.

W ten sposób wszystkie poprowadzone po dolnej stronie
liniamipaskowymi (microstrip line). drukowana ma
e, = 5 i d = 1,2 mm, to przy
równej 1 mm otrzymuje 75 n (9.2].
Do przewody
Jednak ze na brak specjalnych lepsze jest prowadzenie
przezdwa izolowane i ze przewody, tzw. (twisted
9.5. PRZEWODY 243

pair line), które do dwu typowego
Taki przewód przy ok. 100 splotach na metr, ma charak-
ok. 110 n (9.2].
Najprostsza danych za jest przed-
stawiona na rys. 9.47. Ze na linii
impedancji charakterystycznej, bramka na-
dajnika musi odpowiednio Takie bram-
ki tzw. nadajniki linii, bufory (buffer) wykonywane w postaci scalonej. Jako
odbiornik najlepiej jest z przerzutnikiem Schmitta, co po-
zwala na zbocza
+5V +5V
74AS804 74LS14
Rys. 9.47. Transmisja danych przez niesymetrycznie przewodów
Przedstawiony na rys. 9.47 niesymetry<;zny do

jest na jak np. impulsy
cia w przewodzie masy. Dlatego w systemach bardziej korzystne
jest symetryczne jak to pokazano na rys. 9.48.
przez dwa przewody pary, a jako
odbiornik komparator. Przy tym rodzaju pracy informacja jest kodowa-
na w znaku a nie w poziomu.
Impuls jest w tym przypadku wspólnym, który nie od-
na
+SV
Am26LS31 Am26LS32
Rys. 9.48. Transmisja danych przez symetrycznie przewodów
- 5,2 V
Rys. 9.49. Transmisja danych w ECL przez symetrycznie przewodów

Przy tworzeniu symetrycznego by
mi nie w czasie. Dlatego w przypadku TTL
zamiast inwertera specjalny element o
(np. Am 26LS31 firmy Advanced Micro Devices). Bramki ECL
na dwa i szczególnie dobrze
do symetrycznego By móc w ich
jako komparatora prostego wzmacniacza
z kompatybilnym z poziomem ECL. Nosi on odbiornika linii
(line receiver). Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 9.49.
$~@:%','jt),''ml:':':!:!
:r·:·:,·ww·····
:":)'·,·:,:·::::"r :·7 w"
Iii 9.6. kombinacyj
i•~
k~%:~~
:}f,t:l ?~
~::
·:,:,:½%::::
Przez kombinacyjnego rozumie cyfrowy nie
cy Zmienne jednoznacznie przez zmienne wej-
Stanowi to kryterium kombinacyjne od
sekwencyjnych, w których zmienne dodatkowo od stanu
du, czyli od jego W kombinacyjnych zmienne
zmiennym za tabel prawdy lub
funkcji logicznych . Do realizacji technicznej kombinacyjnych
ROM (read only memory) , w których zapisuje tabele
prawdy. Zmienne wówczas adresami. Druga polega na
bramek lub logiki programowalnej PLO (programmable logic
devices), za których realizuje funkcje logiczne. W dalszym
zajmiemy kilkoma prostymi kombinacyjne do
realizacji cyfrowych arytmetycznych przedstawimy w rozdz. 19.
kombinacyjne stosowane do i przekodowywa-
nia liczb. Aby te liczby móc za zmiennych logicznych,
je w informacji (binarnych). Jedna
taka pozycja binarna nosi bitu . Specjalnym przypadkiem binarnego
przedstawienia liczb jest kod dwójkowy , w którym poszczególne pozycje
uszeregowane liczby 2. Cyfra I jest wtedy identyfikowa-
na z a cyfra O- z zerem logicznym . przypi-
poszczególnym pozycjom literami, a
- N-pozycyjna liczba ma w kodzie dwójkowym
XN = XN-12N-1 + XN - 22N - 2 + ...+ X121 + Xo20
zawsze czy chcemy ary-
tmetyczne na cyfrach, czy zmiennych logicznych.
jeszcze raz na chcemy
1 + 1. znak ,, +" potraktujemy
jako rozkaz dodawania w systemie otrzymamy
1+1=2
9.6. UK.LADY KOMBINACYJNE 245

Natomiast dodawanie w systemie dwójkowym daje
1 + 1 = 1 O 2 (czytaj: jeden zero).
znak ,, +" potraktujemy jako zmiennych logicznych, otrzymamy
I+ l =1
9.6.1.Dekoder1 z n
Dekoder I z n jest o n i log2 n Yi
ponumerowane od Odo (n - 1). jest w stanie jeden wtedy, kiedy wpro-
wadzona liczba dwójkowa A jest równa numerowi tego Na rysun-
ku 9.50 przedstawiono prawdy dekodera 1 z 4. Zmienne a 0 i a 1 przed-
A w kodzie dwójkowym. z niej
sumy dla funkcji konwersji kodu.
przedstawiono na rys. 9.51.
A a1 ao YJ Y2 Y1 Yo
o o D o o D 1
1 o 1 o o 1 o
2 1 o o 1 o o
3 1 1 1 o o o
Rys. 9.50. Tablica prawdy dekodera l z 4 Rys. 9.51. logiczny dekodera l z 4
Przy realizacji scalonej w postaci monolitycznego, zamiast bram-

ki AND bramki NAND. Zmienne
ciej zanegowane.
Typy scalonych:
TTL CMOS
74LS42 4028
Dalsze typy w punkcie demulti-

plekserom.
9.6.2.Demultiplekser
Za demultipleksera d do
Stanowi on rozszerzenie dekodera 1 z n. Zaadresowane
246 9. PODSTAWOWE LOGICZN E

nie przechodzi do stanu jeden, lecz przyjmuje 2miennej d.
Na rysunku 9.52 pokazano jego pracy, zestykami, a na
rys. 9.53 jego na bramkach. x = const = 1, demultiplekser pra-
cuje jako dekoder I z n. typy demultiplekserów zebrano
w tabl. 9.4.
ao
a1
ao
Dekoder Yo
1z 4
a1
Y1
d
-Yo
Y2
Yf
d
1/2
lj3
1/3
Rys. 9.52. Zasada demultipleksera Rys. 9.53. logiczny demultipleksera
Tablica 9.4. Scalone demultipleksery
TIL ECL CMOS
16 74LS154 4514
8 74LS138 10162 74HCl38
8 74ALS538 1> 40Hl38
2x 4 74LS139 10172 74HC139
2x 4 74ALS539 1> 4555
1> polaryzacja
9.6.3.Multiplekser
odwrotnie do demultipleksera nazywa multiplekserem.
schemat ideowy z rys. 9.52, go przez zamia-
z Powstaje wówczas przedstawiony na rys. 9.54. Na
tej podstawie w bardzo prosty sposób jego de-
koder 1 z n wybiera to z n którego numer jest zgodny z
i je z
na bramkach przedstawiono na rys. 9.55.
W technice CMOS multiplekser zarówno za
bramek, jak i kluczy analogowych (bramek transmisyjnych - transmission
9.6. KOMBINACYJNE 247

gates). Jak z porównania rys. 9.52 i 9.54, multiplekser zbudowany przy
zastosowaniu kluczy analogowych staje identyczny z demultiplekserem.
W tym przypadku nosi analogowego multipleksera/demultipleksera.
Oekodert-----,
1z 4
!I
Rys. 9.54. Zasada mullipleksera Rys. 9.55. logiczny multipleksera
!I
Rys. 9.56. Multiplekser z bram.kami Rys. 9.57. Multiplekser z bram.kami

z otwartym kolektorem lrójstanowymi
w multiplekserach OR w postaci
sumy galwanicznej, np. bramki z otwartym kolektorem
(rys. 9.56). w logice dodatniej otrzymuje w tym przypadku funk-
AND, - tak jak na rys. 9.30 - na zanegowane.
chcemy wady z otwartym kolektorem, tzn. wzrostu czasu
propagacji lpLH, równolegle bramek trójstanowych,
z których zawsze tylko jedna jest To przedstawiono na
rys. 9.57.
realizacji funkcji OR przedstawione na rys. 9.56 i 9.57 nie
stosowane w scalonych multiplekserach. one jednak znaczenie wówczas,
·~--=~ ·,•,.,ow,·,·m,·,·-.···················,.,w"'''"'~~"""""'- -"""www=, •,o•,•,.•,•,w,.-~"== ....~.-.,..---,.,......
,., ..,.,.,.,.,.,.
,,.,,.,.,·,··~""
248 9. PODSTAWOWE WGICZNE
gdy multipleksera rozmieszczone w
miejscach. to, np. w systemach z opi-
sanych w rozdz. 21.
typy multiplekserów zestawiono w tabl. 9.5.
Tablica9.S. Scalone multipleksery. CMOS analogowy oznacza multiplekser /demultiplekser
z bramkami transmisyjnymi
TIL ECL CMOS cyfrowy CMOS analogowy
16 74LSI50 4515 4067

2x8 4097
8 74LS151 10164 4512 4051
2x4 74LS153 10174 4539 4052
8x2 74LS604
4x2 74LS157 10159 4519 4066
9.6.4.Dekoderpriorytetowy
Do zamiany kodu I z n na kod dwójkowy dekoder prioryte-
towy. Na jego pojawia liczba dwójkowa
szemunumerowi na którym jest jedynka. zmiennych
wych o numerach nie jest istotna. Nazwa dekoder priorytetowy
za tego nie tylko kod 1 z n, lecz
kod, w którym jedynki we wszystkich pozycjach
Tablica prawdy kodera priorytetowego jest przedstawiona na rys. 9.58.
J Xg Xa X7 X5 X5 X,t X3 Xz X1 ':13 Yz Y1 Yo
o o o o o o o o o o o o o o
1 o o o o o o o o 1 o o o 1
2 o o o o o o o 1 X o o 1 o
3 o o o o o o f X X o o 1 1
4 o o o o o 1 X X X o 1 o o
5 o o o o 1 X X X X o 1 o 1
6 o o o 1 X X X X X o 1 1 o
7 o o 1 X X X X X X o 1 1 1
8 o 1 X X X X X X X 1 o o o
9 1 X X X X X X X X 1 o o 1
x =dowolne
Rys. 9.58. Tablica prawdy dekodera priorytetowego
Typy scalonych:
TTL ECL CMOS
kod 1 z JO SN 74147
kod I z 8 z rozszerzenia SN 74148 MC 10165 MC 14532
9.6. KOMBINACYJNE 249

.7. Notacja
Nowa norma symboli graficznych elementów cyfrowych (IEC

617-12 oraz IEEE Std 91-1984) nie ogranicza tylko do dotych-
czasowych symboli symbolami nowej
symboliki jest wprowadzenie tak zwanej notacji która
liwia przejrzyste przedstawienie [9.3, 9.4, 9.5].
Podstawowa idea polega na tym, by na podstawie ustalonych
zasad opisu symbolu graficznego jak zmienne na
inne zmienne.
przy tym i sterowane. Jest
by sterowana na inne jako
Norma wprowadza rodzaje one oznaczone symbola-
mi literowymi przedstawionymi w tabl. 9.6. Za symbolem literowym podaje
numer identyfikacyjny. Numer ten umieszcza dodatkowo przy wszystkich
których stan ma z
Tablica 9.6. Oznaczenia w notacji
Symbol Znaczenie
G AND
V OR
N EXOR
z bez zmian
C Clock, zegar
s Set, ustawianie
R Reset, zerowanie
EN Enahle, zezwolenie
M Mode, tryb
L Load,
T Toggle, zmiana stanu na przeciwny
A Adress, adres
CT Content,
Na rysunku 9.59 pokazano dla rozszerzenie symbolu bramki

mocy o AND za notacji Na rysunkach 9.60
i 9.61 przedstawiono odpowiednio rozszerzenie symbolu bramki mocy o funk-
OR lub EXOR.
Rys. 9.59. Bramka AND Rys. 9.60. Bramka OR Rys. 9.61. Bramka EXOR
Notacja na bramki mocy

Jedna sterowana przez kilka innych
W tym przypadku numery identyfikacyjne oddziela prze-
cinkiem, jak na rys. 9.62. Odpowiednie funkcje logiczne po
kolei od lewej strony do prawej. Na rysunku 9.63 pokazano jak
na kilka innych Kreska
nad numerem identyfikacyjnym mówi,
w z
Yo=aXo +a X1
~ 1
1
1
Rys. 9.62. Wielokrotne Rys. 9.63. Sterowanie kilku Rys. 9.64. o

sterowanie jednego na podwójnego liczbie zmiennych
multipleksera o dwu na multipleksera
- tak jak na rys. 9.64 - kilka two-

Numerem identyfikacyjnym jest wtedy liczba
dwójkowa z zapisu w Zakres liczb brany pod uwa-
umieszcza za symbolem funkcji. Oznaczenie jako
O... 3. W x0 tylko wówczas, gdy
a0 i a1 O.
Dotychczasowe sterowane
oznaczone tylko numerami identyfikacyjnymi. jednak przypadki ,
w których z innych powodów jest mnemotechniczne oznaczenie
cówki, np. symbolem D w przypadku danych. W takich przypadkach numer
identyfikacyjny, oddzielony przecinkiem, umieszcza przed symbolem litero-
wym np. 1, D.
Na rysunku 9.65 pokazano wykorzystania trybów pra-
cy - M (mode) oraz i - CT (content).
Rysunek przedstawia symbol licznika rewersyjnego z
ciem od trybu pracy, impulsy zegarowe - CLK (c/ock)
licznika.
Zapis 2,4+ na zegarowym oznacza, stan licznika
o jeden ( + ), gdy istnieje tryb 2 (LOAD = O, UP = 1) i gdy ENABLE = 1.
Odpowiednio w trybie O odbywa zlfozanie „w Stosowny warunek ma
tu 0,4-. tryby jednej zapisuje obok sie-
bie, je
W trzecim trybie pracy impuls zegarowy powoduje wpisanie
danych z D. Zapis 1,5 D mówi, wpis ma miejsce w trybie 1
9.7. NOTACJA 251

LOAO
UP/DOWN
o}o
1
M-
2
[NABLE EN4
2,4CT„ 15/0„4Cl=O co
CLK 2,4+/0, 4-/ C5
a
b
C
Rys. 9.65. Opis trybów pracy na licznika rewersyjnego z
i odbywa synchronicznie z impulsem zegarowym. Zapis 1 D

odpowiednio wpis asynchroniczny, czyli od zegara.
przeniesienia CO jest sterowane licznika. Jest ono
równe jeden , gdy przy zliczaniu „w przód" wynosi 15 (2,4 CT= 15),
lub gdy przy zliczaniu „w jest równa zeru (0,4 CT= O).
Przez sekwencyjnego rozumie taki elementów cyfro-
wych do realizacji logicznych, który
poszczególne stany zmiennych. W od kombinacyjnych
zmienne y nie tylko od zmiennych x , lecz
dodatkowo od która jest reprezentowana przez stan przerzutników
stan
lllv~~~
,·~;rzer~utn~.~~
....
W punkcie 8.2.1 proste przerzutniki zbudowane z tranzys-
torów. W dalszym opiszemy przerzutników zbudowanych
z bramek. temu ich od
zastosowanej techniki
10.1.1.Przerzutniki
proste
dwie bramki NOR w sposób pokazany na rys. 10.1, to
otrzymamy przerzutnik (flip-flop). Ma on dwa
Q i Q oraz dwa S (set) i R (reset). na podamy S = 1
i R = O, otrzymamy
Q = s+Q = l+Q = O
Q=R+Q=O+O=l
Oba stany W analo-
giczny sposób dla R = 1 i S = O otrzymamy odwrotny stan
R = S = O, zostaje zachowany poprzedni stan Na tym polega
zastosowanie przerzutnika RS jako elementu Dla R = S = 1 oba wyj-
równe zeru, jednak w chwili R i S
...,.,,..,.N",
.....,..................
.............
.................
...,.,.,.,.,.,.,.........................
....,.,.,.,.,.,.,..................
.....
IO.I. PR.ZERZlITNIKI SCALONE 253
równe zeru, stan jest Dlatego stan
R = S = 1 jest w zasadzie niedozwolony.
Zestawienie stanów przerzutnika zamieszczono w tablicy na
rys. 10.2. je przy omawianiu tranzystorowego z rys. 8.9.
s R Q Q
o o q_, Q- 1
o 1 o 1
1 o 1 o
1 1 (OJ (OJ
Rys. 10.] . Przerzutnik RS zbudowamy Rys. 10.2. Tablica przerzutnika RS

z bramek NOR
W punkcie 9.2 równanie logiczne nie ulega

li zanegujemy wszystkie zmienne i zamienimy operacje (+)i ( ·).
zastosujemy w tym przypadku, otrzymamy przerzutnik RS
zbudowany z bramek NAND (rys. 10.3) o takiej samej tablicy jak
podana na rys. 10.2. jednak teraz mamy do czynienia ze
zmiennymi R i S. w
przerzutnika RS zbudowanego z bramek NAND, jego dla
zmiennych RiS na rys. 10.4.
s R q Q
o o (1/ (1)
o 1 1 o
1 o o 1
1 1 q_1 Q_1
Rys. 10.3. Przerzutnik RS zbudowany Rys. 10.4. Tablica przerzutnika RS

z bram ek NAND z bramek NAND
Przerzutnik RS kluczowany (z
jest potrzebny przerzutnik RS, który reaguje na stan tylko
w czasie. Czas ten ma dodatkowa zmienna C.
Na rysunku 10.5 przedstawiono taki kluczowany przerzutnik RS (clocked RS
flip-flop). Dla C =Omamy R = S = I. W tym przypadku przerzutnik
poprzedni stan. Dla C = I mamy
R = R' i S= S'
Przerzu tnik zachowuje wtedy jak normalny przerzutnik RS.

,•,•,wca,·, ·, ,,,,,, ,, ______ =
254 IO. SEKWENCYJNE
PrzerzutnikD kluczowany
W dalszej zbadamy, jak w przerzutniku z rys. 10.5
zmiennej logicznej D. Q = S, na
podamy stany i C = 1. Aby
zmiennej D, tylko warunek S =Di R = D. Do tego inwer-
ter B 5 na rys. 10.6. W w ten sposób komórce mamy Q = D
tak jak zegarowy C = 1. Wynika to z tablicy
pokazanej na rys. 10.7. Ze na taka kluczowana
komórka nosi przerzutnika D typu „zatrzask" (data latch).
Rys. 10.5. Przerzutnik RS kluczowany
85
C D Q
o o Q-1
C--'>-4-- -----i
o 1 Q-1
1 o o
1 1 1
Rys. 10.6. Przerzutnik D lypu „zalrzask" Rys. 10.7. Tablica przerzutnika D

typu „zatrzask"
C = O, aktualny w danej chwili stan zostaje

Nietrudno bramka NAND B4 na rys. 10.6 dla C = I jest inwer-
terem zmiennej D. to inwertera B 5 i prowadzi do
praktycznej realizacji przerzutnika D przedstawionej na rys. 10.8. Jego symbol
graficznypokazano na rys. 10.9.
s c-----fctl------Q
o~ q
Rys. 10.8. Realizacja praktyczna przerzutnika D Rys. 10.9. Symbol graficzny przerzutnika D
typu ,,zatrzask" typu „zatrzask"
10.1. PRZERZUTNIKJ SCALONE 255

Typy uklad6w scalonych:
74LS75 (ITL) , 10133 (ECL), 4042 (CMOS)
10.1.2.Przerzutniki
Do wielu jak np . liczniki i rejestry przerzutniki
proste nie W tych zastosowa niach potrzebne przerzutn iki za-
stany i je na dopiero po ponow-
nym zablokowaniu one z dwu przerzutników prostych:
przerzut nika (master) na i przerzutnika pomocniczego (s/ave)
na
Przerzutnik.iwyzwalaneimpulsem (two-edge triggeredjlip-jlops)
Na rysunku 10.10 pokazano przerzutnik typu master-slave zbudowa ny
z dwu kluczowanych przerzutników RS z rys. 10.5. Oba przerzutniki bloko-
wane na przemian zegarowym C. Do inwersji zegarowego
bramka B15 . Gdy zegara C = I, informacja jest wczyty-
wana do przerzutnika Stan nie ulega zmianie, przerzut-
nik pomocniczy jest zablokowany .
-- - ·-,
Master L_ Slave j
Rys. 10.10. Przerzutnik RS maste r-slave
Gdy impuls zegara zmieni swój stan na C = O, przerzutnik zo-

staje zablokowany i w ten sposób zostaje informacja, która
na przed ujemnym zboczem impulsu zegara.
nie zostaje odblokowany przerzutnik pom ocniczy i tym samym stan przerzut-
nika zostaje przekazany na danych
przy ujemnym zboczu zegara, nie ma jednak takiego stanu zega-
ra, przy którym dane na jak
to ma miejsce w przerzutnikach prostych (transparen t flip-jlops).
Kombin acja zmiennych R = S = 1 prowadzi do
nego zachowania przerzutnika , S1 , l?.1 w
256 10. SEKWENCYJNE

z 00 na 11 przy zegara do stanu C = O.
W celu wykorzystania tej kombinacji zmiennych na bramki wej-
podajemy dodatkowo przerzutnika.
Do tego celu zwrotne narysowane na rys. 10.11
wówczas J i K. W tablicy
z rys. 10.12 dla J = K = l przy impulsie zegaro-
wym zmiana stanu na przeciwny . Jest to równoznaczne z po-
przez dwa, jak to pokazano na rys. 10.13. temu
przerzutniki JK master-slave szczególnie liczników.
·--· Slave ____ :__j

Rys. l0.11. Przerzutnik JK master -slave
zwrotne wprowadza jednak ograniczenie pracy prze-

rzutnika JK: tablica z rys. 10.12 tylko wówczas, gdy przy
stanie zegara C = 1 stan J, K nie ulega zmianie. W od prze-
rzutnika RS master-slave z rys. 10.10 bowiem, przerzutnik tu
tylko jeden raz i nie do poprzedniego stanu,
jedna z dwu bramek AND na jest zablokowana przez
zwrotne. Nie dostrzeganie tego ograniczenia jest
w cyfrowych.
J K Q
o o Q-1 (niezmienione)
a
1
1
o ~} (Q =J)
1 1 q_, (zaneqowane)
Rys. 10.12.Stan przerzutnika JK Rys. 10.13. Przerzutnik JK master-slave
master-slave po cyklu zegara (010) jako dzielnik (J = K = l)
specjalne typy przerzutników JK master-slave, nie tego

ograniczenia. W tych przerzutnikach, tzw. strobowanych (data lockout), jest
wczytywany ten stan który istnieje w chwili pojawienia
IO.I. PRZERZtrrNIKl SCALONE 257

dodatniego zbocza impulsu zegarowego. za tym zboczem obie
bramki zablokowane i nie na zmiany stanów na
[JO.I]. Przedstawiono to na rys. 10.14.
O ile w przypadku przerzutnika JK stany J i K nie
w czasie stanu 1 na zegarowym, o tyle w przypadku prze-
rzutnika strobowanego stany J, K nie tylko w czasie
trwania dodatniego zbocza impulsu zegarowego . obu przerzutni-
ków jest to, informacja wczytana na dodatnim zboczu impulsu zegara poja-
wia na dopiero przy ujemnym zboczu impulsu zegarowego. Dlatego
na symbolu graficznym z rys. 10.5 obok umieszczono znaki
C
5
J I( J1 -,
standardowy ...-- - --- - '<-L"-'-'--'- J2
J I( C
strobowany....:
1/,___._~_, K1
K2 - ---,_ _J -,
q R
Rys. 10.14. Przebiegi czasowe Rys. 10.15. Symbol graficzny
i przerzutnjka JK master-slave przerzutnika JK master-slave
Przerzutniki JK jedno J albo K, doprowa-

dzone do bramki AND. zmienne J lub K równe
jeden tylko wtedy, kiedy wszystkie J lub K równe jeden (rys. 10.15).
Oprócz J, K przerzutniki JK
S (set) i R (reset), od zegarowego, czyli
asynchronicznie. S ustawianie , a R zerowanie prze-
rzutnika pomocniczego. R, S nad J, K. Dla
liwienia pracy synchronicznej (tj. sterowanej zegarem) musi wa-
runek R = S = O, lub R.= S = 1. Typy scalonych przerzutników JK przedsta-
wiono w tabl. 10.l.
Tablica 10.1. Wybrane scalone przerzulnikj JK
Rodzaj przerzutnika Typ scalonego

TIL ECL CMOS
Standardowy 7476 10135 4027
Strobowany 74LSlll -
Przerzutnikiwyzwalanezboczem (singla-edge-triggered jlip-jlops)

Przerzutniki szeregowo dwa
przerzutniki D typu „zatrzask" (rys. 10.8) i je
zegarowymi. Otrzymuje wtedy przedstawiony na
258 10. SEKWENCYJNE

rys. 10.16. zegar jest w stanie C = O, przerzutnik
i Q 1 = D. W tym czasie pr zerzutnik pomocniczy poprzedni
stan. Gdy zegar zmienia swój stan na 1, w tym momencie informacja
D zostaje w przerzutniku i przeniesiona do przerzutnika
pomocniczego, a tym samym na Q. Informacja na
D w chwili pojawienia dodatniego zbocza impulsu zegarowego zostaje
natychmiast przeniesiona na Q. W czasie stan Dnie
odgrywa roli, co na rys. 10.17. W do strobowane-
go przerzutnika JK., w przerzutniku z rys. 10.16 wczytana pojawia na
natychmiast, a nie dopiero przy ujemnym zboczu impulsu zegarowego.
Dlatego na symbolu graficznym z rys. 10.18 nie ma znaków
_ _ -· Master _____ L__ Slave
Rys. 10.16. Przerzutn ik D wyzwalany zboczem
Stanowi to dla utworzenia nowych D mamy

do dyspozycji czas trwania okresu zegara. przerzutników
JK, tracimy czas, w którym zegarowy ma O, a w przypad-
ku przebiegu symetrycznego - okresu przebiegu zegara.
Q
s~
C Cf
D 10
R R Q
Rys. 10.17. Przebiegi czasowe Rys. 10.18. Symbol graficzny prze -
i w przerzutniku D wyzwalanym zboczem rzutnika D wyzwalanego zboczem
Symbol graficzny przerzutnika D wyzwalanego zboczem przedstawiono

narys.10.18.
scalonych:
74 LS 74 (fTL); 10131 (ECL); 4013 (CMOS)
Przerzutniki D wyzwalane zboczem jako prze-

rzutniki T (toggle). w tym celu D = Q, jak to
IO.I. PRZERZUTNIKI SCALONE 259

pokazano na rys. 10.19. W chwili dodatniego zbocza impulsu ze-
garowego stan zmienia na przeciwny. Przedstawiono to na
rys. 10.20. W przypadku zastosowania przerzutników D typu „zatrzask", za-
miast dzielenia w czasie, gdy C = 1,
ze na nie zablokowane po
czasu odwrócenie jego fazy.
C Q
~Q
Rys. 10.19. Przerzutnik D wyzwalany Rys. 10.20. Przebiegi czasowe w dzielniku

zboczem jako dzielnik
Odwracanie fazy od zmiennej

zgodnie z wyborem Q lub Q z D przez multiplekser. Multi-
plekser jest sterowany z T, jak to pokazano na rys. 10.21. W taki sam
sposób przerzutnik JK z rys. 10.22 o J i K.
1J ....,1----Q
C C1
1K
Q ={Q_I dla
T=O
T= l
Rys. 10.21. Budowa przerzutnika T Rys. 10.22. Symbol przerzutnika T
Jeszcze bardziej uniwersalne przerzutniki przez stworze-

nie dodatkowej synchronicznego wprowadzania danych. W tym
celu multiplekser o dodatkowym - poza D - wej-
które jest wybierane za L (load) w sposób
przedstawiony na rys. 10.23. Dla L = 1 mamy y = D, a w takcie
Q = D. Dla L = O pracuje tak, jak na rys. 10.21. Sym-
bol oraz tego przerzutnika przedstawiono na rys. 10.25.
Takie same w przerzutnika JK
przedstawionym na rys. 10.24. Dla L = 1 mamy J = D lub K = Q.Po
nym impulsie zegarowym Q = D. Gdy L = O, mamy J = K = T;
pracuje wtedy tak, jak przerzutnik na rys. 10.22.
Na przerzutników JK dane podawane przed dodatnim
zboczem impulsu zegarowego, natomiast do-
piero z ujemnym zboczem zegara. W przypadku przerzutników JK
(zbudowanych tak, jak na rys. 10.11) ponadto by stan
J i K nie zmianom w czasie, gdy impuls zegarowy ma C = 1.
W tym czasie nie stany L, T oraz D.
26() 10. SEKWENCYJNE

r
L
L
Q
Q T
o 1] -, Q
D
Q Cf
C 1k
T (toggle) - L (load) - D (data) - dane; C (clock) - zegar
Rys. 10.23. Przerzutnik wielofunkcyjny Rys. 10.24. Przerzutnik wielofunkcyjny
T 1,2T Q
L T O.
L L2 o o 0.-1
o 1,2D o 1 Q_1
C C1 if 1 o D
1 1 D
Rys. 10.25. Symbol graficzny i tablica przer zutnika wielofunkcyjnego
Wielofunkcyjne przerzutniki przedstawione na rys. 10.23 i 10.24 stano-

podstawowe elementy liczników.
sekwencyjnych liczniki. Licznikiem

w którym w pewnym zakresie istnieje jednoznaczne przy-
liczbie wprowadzonych impulsów stanu zmiennych
wych. zmienna tylko dwie war-
w przypadku n istnieje 2n kombinatji wyko-
rzystuje jednak tylko kombi nacji). Wybór kombinacji,
która ma danej liczbie, jest w zasadzie Celowe jest
jednak dobranie takiego sposobu przedstawienia liczb, który
ich dekodowanie.
Najprostsze otrzymuje w przypadku naturalnego kodu dwój-
kowego. Na rysunku 10.26 przedstawiono odpowiednie
liczbieimpulsów Z zmiennych z, dla 4-bito-
wego licznika dwójkowego . czytamy od góry do
dwie
- zmienna zi zmienia wtedy, kiedy zmien-
na zi- l przechodzi z I na O;
10.2. l,ICZN!Kl DWÓJKOWE 261

- zmienna zi zmienia zawsze wtedy, kiedy wszystkie
zmienne zi_ 1 ... z0 1 i pojawi nowy impuls zliczany.
te z wykresu czasowego przedsta-
wionego na rys. 10.27. Pierwsza prowadzi do realizacji licz-
nika asynchronicznego, a druga - licznika synchronicznego.
Z3 Z2 Z1 Zo
z 1 2 3 4 5 6 7 8 g 10 11 12 13 14 15 16
23 22 2' 20 CLI( 1
o
o o o o o
1 o o o 1
2 o o 1 o 1
J o o 1 1
o
4 o 1 o o Zo
5 o 1 o 1
6 o 1 1 o
7 o 1 1 1 1
8 1 o o o Z1 o
9 1 o o 1
10 1 o 1 o
11 1 o 1 1 1
12 1 1 o o Z2 0 ----' L
13 1 1 o 1
14 1 1 1 o
15 1 1 1 1
16 o o o o l3
1
O ______ __.
Rys. 10.26. T ablica stanów Rys. 10.27. Przebiegi czasowe na licznika

licznika dwójkowego dwójkowego w przód
Niekiedy potrzebne liczniki, których stan po impulsie zlicza-

nym zmniejsza o jeden. taki licznik
w ty/ - down counter) dostrzec w tablicy na
rys. 10.26, od do góry:
- w liczniku zmienna zi zmienia zawsze
wtedy, kiedy zmienna z i - i przechodzi z O na 1;
- w liczniku zmienna zi zmienia zawsze
wtedy, kiedy wszystkie zmienne z1_ 1 ... z0 Oi pojawi
nowy impuls zliczany.
10.2.1. Asynchroniczny
licznikdwójkowy
Asynchroniczny licznik dwójkowy prze-
rzutników i zegarowe C przerzutnika z Q
poprzedniego, jak to pokazano na rys. 10.28. Aby zliczanie w przód,
przerzutniki swój stan przy zmianie impulsu zegarowe-
,.,.,...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,...,,......,...v-n-.....-n-.w.r.-.·
.·w.v.r.••.,..
. ......
~~-.-,,,,..-----=w.-...-..,, ,•,•,•,•,•,•,•,•,,•, ............ ....._~., ..,.,.....,.,.,.,.,.,-.~~,= --=-= ,.-
262 !O. SEKWENCYJNE

go z 1 na O. Potrzebne przerzutniki wyzwalane impulsem, np. przerzut-
niki JK master-slave z J = K = 1. Licznik ten dowolnie
przerzutników zliczanie do 1023.
przerzutniki wyzwalane dodatnim zboczem
impulsu zegarowego, czyli np. przerzutniki D wyzwalane zboczem.
czymyje tak,jak na rys. 10.28, otrzymamy licznik Aby
zliczanie w przód, inwersji zegarowego. W tym celu
zegarowe po prostu z Q poprzedniego przerzutnika.
1 1
Zo Zz
RCO
CLK
Cf
1K
CLK (clock) - zegar; RCO (ripple carry output) - przeniesienia szeregowego
Rys. 10.28. Asynchroniczny !jcznik dwójkowy
licznik jest dzielnikiem

na przerzutnika PO jest równa im pulsów zlicza-
nych. Na P1 jedna czwarta na
P2 jedna ósma, itd. Ta dzielenia jest dobrze
widoczna na rys. 10.27. Typy scalonych asynchronicznych liczników dwójko-
wych przedstawiono w tabl. 10.2.
Tablica10.2. Wybrane scaJone asynchroniczne liczni.ki dwójkowe
bity TTL EC L CMOS
4 74LS93 10178
7 4024
8 74LS393
24 4521
30 74LS292
10.2.2.Synchroniczne
licznikidwójkowe
liczników asynchronicznych jest to, zliczane impulsy podawane
tylko na zegarowe pierwszego przerzutnika, podczas gdy
przerzutniki sterowane w sposób W tego wej-
dociera do ostatniego przerzutnika dopiero wówczas, gdy
wszystkiepoprzednie przerzutniki. Stany kolejnych z 0 do zn
z równym czasowi przerzutu. W przypadku
przerzutników i liczenia zn zmienia
10.2. LICZNIKI DWÓJKOWE 263

dopiero po pojawieniu impulsu zliczanego. Dlatego po ostatnim
impulsie czas p rzerzutników,
a dopiero potem stan licznika. jest potrzebny odczyt stanu
licznika w trakcie liczenia, to okres impulsów zliczanych nie krótszy
od czasu przerzutników licznik .
Wad tych nie liczniki synchroniczne. one tym ,
zliczane impulsy podawane na wszystkie zegarowe C.
Aby impuls zegarowy nie wszystkich przerzutników, stosuje
sterowane przerzutniki T z rys. 10.21 lub 10.22, które stan tylko
wówczas, gdy zmienna T = 1. Zgodnie z na rys. 10.26 waru-
nek przerzutu brzmi: przerzutnik w licznika dwójkowego
stan tylko wtedy, kiedy wszystkie przerzutniki poprzednie
w stanie jeden. Aby to warunki T 0 = 1, T1 = z0 ,
T 2 = z 0 z 1 i T 3 = z 0 z 1 z 2 . Na rysunku 10.29 do tego
celu bramki AND.
Zo Zt
CLK
Rys. 10.29. Synchroniczny licznik dwójkowy
Scalone liczniki synchroniczne jeszcze kilka innych i

których i zastosowanie na podstawie
rys. 10.30. CLR wyzerowanie licznika
(Z= O). LOAD wpisanie do licznika dowolnej
liczby Z= D. CLR asynchroniczne, natomiast
zarówno synchroniczne, jak i asynchroniczne. Liczniki
we przez kaskadowe liczby np.
czteropozycyjnych. ze przez przeniesienia szerego-
wego RCO (ripple carry output) i zezwolenia T (enabie 1) ENT, za
których licznika i przeniesienia.
Na przeniesienia 1 pojawi wówczas, gdy licznik stan
11 11, i wszystkie przeniesienie 1.
W tym celu w
RCO = ENT z 0 z 1 z2 z 3
W celu kaskadowego licznika tylko
ENT jednego z RCO
264 10. SEKWENCYJNE

Zq
ENT
RCO
ENP
CLR
dz
ENT (enable 1) - zezwolenie T; ENP (enable P) - zezwolenie P; CLR (elear) - zerowanie; CLK
(clock) - zegar; RCO (ripple carry output) - przeruesienia szeregowego
Rys. 10.30. Praktyczna realizacja scalonego licznika synchrorucznego
Kaskadowa realizacja funkcji AND powoduje jednak sumowanie cza-

sów propagacji. W licznikach powoduje to zmniejszenie ma-
ksymalnej liczenia. W tym przypadku jest bardziej
korzystne tworzenie wymaganej funkcji AND równolegle w
licznika. W tym celu opuszcza licznika przy szeregowym
RCO-ENT i steruje równolegle , przez wej-
zezwolenia P (enable P) ENP. W ten sposób funkcji
AND bez bramek, jak to pokaza -
no na rys. 10.31.
scalo nych synchronicznych liczników dwójkowych podano
w tabl. 10.3.
GZ ENP
cz
ENT ENT
G1 1CT
= f5 ft T=t5 61 1CT=15 61 1cr=1s
RCO RCO RCO
Ct,2+ Cf,2+ C1,2+ Cf,2+
[1) Zo [1] z„ 1] Zs [1 Z12
z, [21 Z5 [2) Z9 [2) Z13
[4] Zz [4 Z5 [4] 2 10 [4] - Z14
[8] Z3 [BJ Z7 [BJ Z11 [8] Z15
CLK
CT (content) - stan licznika
Rys. 10.31.Kaskadowe licznika synchronicznego
I0.2. LICZNIKI DWÓJKOWE 265

TabUca10.3. Wybrane scalone synchroniczne Liczniki dwójkowe
bity Zerowanie TIL ECL CMOS

4 asynchroniczne 74LSI61A 4116
4 synchroniczne 74LS163A 10136 4163
8 synchroniczne 74LS590
10.2.3.Licznikidwukierunkowe
(rewersyjne)
dwa typy liczników rewersyjnych (up-down counters): liczniki
jedno impulsów zliczanych i drugie które decyduje
o kierunku zliczania, oraz dwa impulsów zliczanych, z których
jedno powoduje a drugie - zmniejszenie stanu licznika.
Liczniki z kierunkiem zliczania
Warunek przerzutu przy zliczaniu licznika w - zgodnie z rys. 10.26
- mówi, przerzutnik musi stan wówczas, gdy na wszyst-
kich go przerzutników zera. W celu zdekodowania tego
stanu, logiczny znany z rys. 10.30 do Q.W licz-
niku z kierunkiem zliczania z rys. 10.32 sterowania kie-
runku zliczania U/15odblokowuje kombinacyjnego do zli-
czania w przód lub - do zliczania w
Przeniesienie w przód w dwu przypadkach, a mianowicie
wówczas, gdy przy zliczaniu w przód (U/.D= 1) stan licznika wynosi J 111, lub
Zz Z3
u/ff
ENT
CLK
U/15 = UPI DOWN
Rys. 10.32. Licznik dwójkowy z kierunkiem zliczania
266 10. SEKWENCYJNE

gdy przy zliczaniu w (U/15= 1) stan licznika wynosi 0000. Otrzymujemy
na przeniesienia:
RCO = [z0 z 1 z 2z 3 U/D + z0 z1.z2 z3 U/D]ENT
Zmienna ta zostaje podana na ENT
licznika. Przy wspólnym kierunku zliczania wszystkich liczników
przeniesieniejest interpretowane zawsze z zachowaniem znaku.
scalonych zebrano w tabl. 10.4.
Tablica 10.4. Typy scalonych liczników z kierunkiem zliczania
bity TTL ECL CMOS
4 74LSL91 10136 4516

8 74AS867
IO 74LS491 (MMI)
Licznikiz impulsówdodawanychi odejmowanych

Na rysunku 10.33 przedstawiono licznik z dwoma impulsów
zliczanych, które zliczanie w przód i w W omawia-
nych poprzednio impulsy zliczane do wszystkich przerzutników . Te
przerzutniki, które nie stanu, blokowane przez T.
Zo
co
CUP
CDN
80
P0 ••• P3 - przerzutniki T
CUP(c/ockup)-zliczanie w przód (dodawanie); CDN (clock do1Vn)- zliczanie w (odejmowani e);
CO (carry output) - pneniesieoia; BO (borrolV output) -
Rys. 10.33. Licznik dwójkowy z i
W liczniku z rys. 10.33 impulsy zliczane w przód (dodawane) i w (odej-

mowane) odpowiednio separowane. Impulsy zliczane w przód CUP (clock
up) na zegarowe tylko tych przerzutników , które poprze-

dzane przerzutnikami w stanie jeden. Impu lsy zliczane w CDN (clock down)
odpowiednio do tych przerzutników, które poprzedzane przerzut-
nikami w stanie zero.
Do tych przerzutników , które stan, impulsy zegarowe do-
praktycznie Przerzutnik i cyfr"
stan z przerzutnikami „cyfr pracuje jako
licznik synchroniczny. Bramki AND na przeniesienia
albo Do tych identyczny licznik, który sam
pracuje wówczas synchronicznie, ale z pierwszego licz-
nika, czyli asynchronicznie.
Typ scalonego:
4-bitowy 74LS193 (ITL)
Zapobieganiekoincydencji
dwoma zliczonymi impulsami oraz czas ich trwania nie
krótszy od czasu ustalania -r za licznika, wówczas
drugi impuls przetworzony Dla liczników z jednym
ciem impulsów zliczanych z warunku tego wynika maksymalna
liczenia równa J„111.Y: = 1/2-r. W przypadku licznika przedstawionego na
rys. 10.33 sytuacja jest jednak gorsza. Nawet wówczas, gdy im-
pulsów zliczanych na i znacznie
mniejsze od Ima.-.,w asynchronicznych przypadek,
czasu impulsem dodawanym a impulsem odejmowanym jest
mniejszy od ·r. Tak bliskie siebie (koincydencyjne) impulsy
stan licznika. temu zapobiec tylko przez niedopuszczenie
do licznika impulsów zbyt szybko po sobie. Stan licznika nie
ulegnie wtedy zmianie, co powinno miejsce po dodaniu i
jednego impulsu.
Taki antykoincydencyjny (anti-race clock generator) zreali-
np. w sposób przedstawiony na rys. 10.34 [10.2]. Przerzutniki mono-
stabilne P 1 i P 2 impulsy zliczane CUP i CDN na Xup
CUP
&
81
Pz
CDN 1.n..
t1 XDN
Rys. 10-14. antykoincydencyjny
268 10. UK.LADY SEKWENCYJNE

i XnN o t 1 . Ich zbocza przerzutniki P 4
i P5 impulsy Za bramki B 1 , stwierdza czy
unormowane impulsy Xup i xDN na siebie. tak jest, to
na jej pojawia dodatnie zbocze przerzutnik P 3 • Po-
woduje to zablokowanie na czas t 2 obu bramek B 3 i B 4 i na
nie dociera impuls, jak to powinno w przypadku
koincydencji. W celu zapewnienia eliminacji jednoczesnych impulsów
warunek
t2>t1+L3
przy czym t 3 czas trwania impulsów Najkrótszy
tymi impulsami wtedy, kiedy nie ma jeszcze koincydencji.
Wynosi on lit= t 1 - t3 . Dla pracy licznika
dodatkowe warunki
Najkrótsze dozwolone czasy trwania impulsów przerzutników wiec

t = r , t 1 = 2-r i t 2 = 3-r. Maksymalna liczenia na obu
3
koincydencyjnego wynosi zgodnie z
1 1
!max= lz = ~
antykoincydencyjny zmniejsza 1,5 raza.

Zgodnie z pracuje antykoincydencyjny w liczniku
40110(CMOS).
Metoda odejmowania dwu liczników)
Znacznie bardziej jednoczesnego zliczania impulsów
w przód i w jest zliczanie impulsów dodawanych i odejmowanych w od-
dzielnych licznikach i tworzenie stanów tych liczników. W takim przy-
padku koincydencja zliczanych impulsów nie jest szkodliwa.
jest to, liczniki jednokierunkowe ze na prosty logiczny
uzyskanie liczenia (rys. 10.35).
CU
P CDN
_.,._..i,,C +
Rys. 10.35.Dwójkowy licznik rewersyjny odporny na koincydencje

...... ..... vHN>H,.,..,. ,·,·r.,.,....,_.,,, •'•, . ,._~ • ,,,.,,.,..~ ,.......,.,.,.,.,._,._..,_. . .. ., .,...,.,.,...,,........., .. ..,,. ,., , .,,,,,, ·,•,•,•,•,•,•, , , , , . ... . . v .,._• •. .,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., .,., ............ ,. .. ,. ...... . . .. . .. . .. ...... ..... . .... ..

Do sygnalizacji znaku nie bitu przeniesienia odej-
to do interpretacji stale do-
datniej stanów w przypadku jednego z liczników. Wynik
z znak.iem otrzymuje jednak przez - jak
to zrobiono w naszym - jako czteropozycyjnej liczby w zapisie
do dwóch. Bit d3 podaje wówczas znak,
nie przekracza dopuszczalnego zakresu: -8 ... +7.
..~:::::::::::*:;:::::::::::::::::::::
·2==::::::::::..:~s :::::::~::::::::::-::::~<:::::~:*:::;::::::::::::::::::~=;::::~:~:•:::?:.~:=~*~::$.:f.-s::-<:-:::=:
=:::::::::::::::::=:::::::::=:-::-}::~::::::
::=
:=:::::=:=::::::::#&1~11~11Itt
,,,,10.3.L1czmk1 w kodzie8421 11[Ittf
%::~~f:i:;$**'~~3*~~:~:~::;::*~;::;::;:~?~:~.:1:1:;:::~.:~:fa;::::::~::::
:::::::
:::::::::
::::,::;:
~f::~!:ltJJ~Mt~~:;:;:_¾:fa~::
:::::;::
:::;
:::
::::}f::::;~~:;.::::::~~:::;
:;:;:
;:::
~::
:::
::~:
l:~~~::&%i1@t~~i~il~~~~~l~l::::::
::;:;
::::::
..
10.3.1. Asynchroniczny
licznik (BCD)
Na rysunku 10.26 trzypozycyjny licznik dwójkowy do 7,
a czteropozycyjny - do 15. W liczniku w naturalnym kodzie dwój-
kowym d la jednej cyfry jest potr zebny czteropozycyjny licznik
dwójkowy, zwany Dekada od licznika dwójkowego
tylko tym, przy impulsie zliczanym zostaje wyzerowana i generu-
je przeniesienia. Przeniesienie
cyfry
Przy zastosowani u liczników w kodzie BCD odczyt stanu licznika w sys-
temie jest znacznie prostszy w przypadku licznika
dwójkowego, oddzielnie i
jako cyfra jest przedstawiona
w naturalnym kodzie dwójkowym jako czteropozycyjna liczba dwójkowa, któ-
rej poszczególne pozycje wagi 23, 22 , 21 i 2°, kod ten jest nazywany
kodem 8421. Tabli ca stanów dekady w kodzie 8421 jest przed-
stawiona na rys. 10.36.
Zgodnie z do cyfry 9 musi ona z z rys. 10.26,
a liczbie 1Omusi 0000. Odpow iednie przebiegi czasowe zmiennych
pokazano na rys. 10.37.
D o spowodowania licznika przy impulsie do stanu
jest potrzebny dodatkowy logiczny.
jednak stoso wania bramek, przerzutników JK
z J i K, jak to poka zano na rys. 10.38. W stosunku do
licznika dwójkowego z rys. 10.28 mamy tu przede wszystkim na-
przy impulsie nie stanu przerzutnik
Pi, mimo z0 zmienia z 1 na O. Na rysunku 10.28 proste
kryterium tego przypadku: z 1 musi w stanie O, gdy z 3 przed
impulsem zegarowym jest w stanie 1. Aby to wystarczy po prostu
J przerzutnika P 1 z .i3 . Warunek , by przy impulsie
z2 równe zeru, jest wtedy automatycznie. w sto-
sunku do licznika dwójkowego jest to, przy impulsie z3 zmienia
270 IO. SEKWENCYJNE

cLK 1 n n n n n n n n n nt''-n
O-'f-'r-,'j"'ur'11f-'1
Z3 Z2 Z1 Zo : I I I I I I I
z 1 I I I I I I
23 22 21 20 I H rl HHH
O __J 1---1!-I 1---1f-
o
Zo
o o o o i I I I I
1 o o o 1 I I I
z o o 1 o f I , I I I
3 o o 1 1 z, o~
4 o 1 o o I I I
5 o 1 o 1 I
6 o 1 1 o 1 I
7 o 1 1 1 Zz 0-- ----' I
I
8 1 o o o I
9 1 o o 1 I I
10 o o o o 1
I I
ZJ O_____r-t__
Rys. 10.36. Tablica stanów dla kodu 8421 Rys. 10.37. Przebiegi czasowe na licznika
w kod zie 8421
z I na O. Pojawia tu jednak pewna zegarowe P 3

- tak jak w liczniku dwójkowym - z z 2 , po ósmym impulsie
z3 nie stanu, przerzutnik P 1 jest zablokowany przez
zwr otne. Z tego powodu zegarowe P 3 z wyj-
tego przerzutnika , który nie jest blokowany przez zwrotne,
a w naszym przypadku z z0 .
Teraz mu simy jeszcze za J zapobiec zbyt wczesnemu prze-
rzutowi przerzutnika P 3 . Z tablicy na rys. 10.36 z3
jeden dopiero wtedy, kiedy przed impulsem zegarowym z 1 i z 2
równe jeden. Aby to oba J przerzutnika P 3 z z 1
lub z 2 . Wówcza s przy ósmym impulsie z 3 = I.
mamy z 1 = z 2 = O, z 3 przy okazji wraca do stanu z3
to przy impul sie, wtedy z0 zmienia z jede n na zero.
Zgodnie z na rys. I 0.36, jest to odpowiednia chwila.
Zo Z1 Zz
-, -, Reo
1 1] Q
Clk
C1 Cf C1
1 1k
Pa P, Pz
Rys. 10.38. Asynchr oniczny licznik BCD
10.3. LICZNIKI W KODZIE 8421 271

W tablicy 10.5 przedstawiono typy scalonych liczników dwójkowo-dzie-
Tablica 10.5. Wybrane scalone licznilci
Rodzaj licznika Typ scalonego
TTL ECL
4-bitowy 74LS90 10138
2 X 4-bitowy 74LS390 -
10.3.2.Synchroniczny
licznik
Dekada synchroniczna z rys. 10.39 odpowiada w stopniu

synchronicz nego licznika dwójkowego, przedstawionego na rys. 10.30. Tak jak
w przypadku dekady asynchronicznej, tu potrzebne dwa
nia, które przy z 9 = 10012 do O= 00002 nie zmieni
stanu przerzutnik P 1 , natomiast zmieni stan przerzutnik P 3 . W na
rys. 10.39 przerzutnika P 1 przez zwrotne z Q3 ,
a przerzut P 3 - przez dodatkowe dekodowanie 9 na T.
Zo z, 22
ENT
CLK
Rys. 10.39. Synchroniczny licznik BCD
scalonych dekad synchronicznych umieszczono w tabl. 10.6.
Tablica 10.6. Wybrane scalone dekady synchroniczne
Typ scalonego
Rodzaj licznika
TTL ECL CMOS
Synchroniczny 74LSl60 - 4160
Z kierunku zliczania 74LSl90 10137 4510
Z i 74LSI92
,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,w. ·.w~uA~-u mum, ·,········w, •,•,•,•,w, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,••• ,•,•,•,• •,••mm~- -~,=· ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,·,·,=v ~~wu,• ,w,,.,.,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•• •w . ,w .. ., .. .w=· , , '"'
272 IO. UK.LADY SEKWENCYJNE
.4. Licznikinastawne
Liczniki nastawne (o programowanej pojemno.fcz) to wyj-

w chwili przez impulsów uprzednio
wybranej M. do wyzwalania
przebiegu. wtedy ingerencja w przebieg
zliczania, na zatrzymaniu licznika lub sprowadzeniu go do sta-
nu po wyzerowaniu jego otrzy-
mamy licznik modu/o m, którego cykl zliczania wybra-
na liczba.
Oczywista metoda realizacji licznika nastawnego, przedstawiona na
rys. 10.40,polega na porównaniu stanu licznika Z z
M. Do tego celu komparatora cyfrowego, który zostanie opisany
w p. 19.4. Gdy po M impulsach zliczanych mamy Z = M, to y = l i licznik
zostaje wyzerowany (Z = O). y przy tym przez czas
operacji zerowania. W przypadku asynchronicznego zerowania CLR
czas ten jest tylko kilka razy od czasu propagacji bramki. Dlatego
zaleca korzystanie z synchronicznego
trwa wtedy okres zegara. Licznik z rys. 10.40 po M + I impulsach zlicza-
nych wraca do zera, jest licznikiem modulo (M + 1).
Clk
CLR
m,
y
Rys. 10.40. Licznik modulo (M + I) z komparatorem
Stosowania komparato ra z rys. 10.40 wykorzysta

wpisywania (rys. 10.30), które liczniki
synchroniczne. Z tej skorzystano w przedstawionych na
rys. 10.41i 10.42. Do licznika z rys. 10.41 wpisuje P = Zmax- M. Po
M impulsach zliczanych zostaje maksymal ny stan licznika Zmax•
który zostaje zdekodowany i powoduje ustawienie przeniesienia
RCO= 1. to - tak jak na rys. 10.41 - z
LOAD, to w takcie M + I ponownie zostanie wpisana ustawio na liczba P.
Otrzymuje licznik o (M + I). W przypadku liczników
dwójkowych w bardzo sposób P: jest
ona równa do liczby M (patrz p. 19.1.3).
l0.4. LICZNIKI NASTAWNE 273

LOAO LZ f/CO LZ CT= O y
ClK CT= /5 lj
2+/C1 -- - o2_/C1
1.ZD[I] 1,20 [I)
1.ZO[Z] 1,20 [l]
1,20 (4) f,2D [4]
1.zo(8) I.ZD[8]
Rys. 10.41. Licznik modulo (M + 1) Rys. 10.42. Licznik modulo (M + I)

z wpisem P = Z., - M z wpisem M pr zy Z = O,
przy Z= 15 z wykorzystaniem licznika w
Licznik przedstawiony na rys. 10.42 sam wpisuje M,

po czym zlicza w do zera. Przy zerze podczas zliczania w jest generowane
przeniesienie RCO (patrz rys. 10.32), które do ponownego
wpisania do licznika.
Rejestry to zbudow ane z pr zerzutników, które

przesuwanie informacji podanej na o jeden przerzutnik w
dym takcie zegara. Po przez informacja jest na
z ale w niezmienionej postaci.
10..5.1. podstawowy
Zasada pracy rejestru jest przedstawiona na rys. 10.43. Pierw-

szy impuls zegarowy powoduje wczytanie informacji D 1 podanej na do
przerzutnika P 1 . Dru gi impuls zegarowy powoduje przekazanie jej do prze-
rzutnika P 2 ; do przerzutnika P 1 zostaje wczytana nowa informa-
cja. Tablica na rys. 10.44 ilustruje takiego na
rejestru o czterech bitów. po
Q,f
Ol DO
CLK
Dl (data input) d anych; DO (data output) - dan ych ; CLK (clock) - zegar
Rys. 10.43. Najprostsza realizacja 4-bitowego rejestru
274 10. SEKWENCYJNE

czterech taktach rejestr zostaje wprowadzanymi da-
nymi. one do dyspozycji w postaci na czterech prze-
rzutników Q1 ... Q4 lub je w taktach w postaci
szeregowej na Q4 .
CLK Q1 Q2 Q3 Q-,
1 01 - - -
2 02 01 - -
3 03 02 01 -
,f 04 03 02 01
5 Os 04 03 02
6 06 05 o„ 03
7 01 06 05 04
Rys. 10.44.Tablica stanów 4-bilowego rejestru
Jako przerzutniki do tego celu wszystkie typy przerzutników

Przerzutniki proste nie w chwili pojawienia
jedynki na zegarowym informacja podana na na -
tychmiast do ostatniego przerzutnika.
10.5.2.Rejestr z wpisywaniem
do D multiplekser, jak to pokazano na
rys. 10.45, to za LOAD na wpisywa-
nie równolegle. W takcie dane d 1 ... d4 wpisane równolegle
i na Q 1 .•. Q4 . to nie tylko z postaci
szeregowej na lecz z postaci na
LOAD
Dl OD
CLk
Rys. 10.45. Rejestr z
Rejestr z do wpisywania
jako rejestr dwukierunkowy. W tym celu
do wpisywania z po prawej
l0.5. REJESTRY 275

stronie. Wtedy dla LOAD = 1 otrzymuje przesuwanie danych od prawej
strony do lewej.
scalonych rejestrów przedstawiono w tabl. 10.7.
Tablica 10.7. Wybrane scalone rejestry
Typ scalonego
Rejestr
TTL ECL CMOS
4-bitowy 74LSl94A 10141 40194
8-bitowy 74LS 164, 299 - 4014
16-bitowy 74LS673 - 4006
2 x 64-bitowy TDC I 0051 (fR W) - 4517
8 x I ... 16-bilowy Am 29525 -
10.6. Przygotowanie asynchronicznych

sekwencyjne asynchroniczne lub synchroniczne. Realizacja
asynchroniczna jest wprawdzie z mniej jednak
wiele problemów, zawsze musimy czy jako stanu ustalo-
nego nie zdekodowano chwilowo sta nu spowo-
dowanego czasów propagacji (tzw. hazard). W synchro-
nicznych sytuacja jest znacznie prostsza . w punkcie na-
zmiana, ma ona na stan tylko w chwili
zbocza impulsu (zegarowego). Tak po stanie zegara
kiedy jest w stanie ustalonym. Celowe jest zapewnienie, by wszy-
stkie zmiany w w chwili dodat-
niego lub ujemnego zbocza impulsu zegarowego. wszystkie bramki
w wyzwalane, np. ujemnym zboczem, to z jest
w stanie ustalonym , gdy zegar jest w stanie 1.
Dane wprowadzane do z z nie zsynchronizo-
wane z impulsami zegarowymi. Aby móc je synchroniczni e,
je najpierw W dalszych punktach przedstawimy kilka
do tego celu.
10.6.1.Eliminacja stykówmechanicznych
Przy otwieraniu lub zamykaniu zestyku mechanicznego wskutek mecha-

nicznych powstaje zawsze impulsów. W z tym licznik zarejestruje
- zamiast jednego impulsu - impulsów.
zaradczym zastosowanie zestyków to
jest jednak drogie. Prosta metoda elektronicznej eliminacji zesty-
·--www~ ~~~=ww • ••• • . ,-. • .- -.•, w ······················•······,ww~w,~ww.,•.,•,• • • •••••• "" ____ ww ,•,•,•,. ,
276 IO. SEKWENCYJN E

ków za przerzutnika RS jest przedstawiona na rys. I 0.46. W stanie
spoczynkowym mamy R = O i = 1, a x = O. ur uchomimy prze-
po otwarciu zestyk u rozwiernego najpierw impulsów na
R. stan R = S = 1 jest stanem na x nic
nie zmieni. Po otwarciu zestyku rozwiernego im-
pulsów na zestyku zwiernym. Przy pierwszym mamy R = 1 i S = O.
Przerzutnik wskutek tego zmienia swój stan na x = I. Stan ten jest
podczas dalszych Przerzutnik powróci do stanu poprzedniego dopiero
wówczas, gdy zestyk dotknie styku rozwiernego. Przebiegi czasowe
s;--.....,lflJID..._
__ .....
ruuu
- 1
R R 0 -_,jUUU
1
X O- ---'
Rys. 10.46. Eliminacja styków Rys. 10.47. Przebiegi czasowe
mechanicznych
10.6.2.PrzerzutnikRS wyzwalany
zboczem
Przerzutnik z R, Sjest w stanie 1, gdy S = 1, i w stanie O, gdy R = 1.
przy tym stanu, w którym na obu
jedynki. Aby to krótkie impulsy R albo S. Pros-
takiego przedstawiono na rys. 10.48. wej-
tu podawane na przerzutników D wyzwalanych dodatnim
zboczem. temu jest istotna tylko chwila pojawienia dodatniego zbo-
CS
CR
CS (clockset) - synchronizacja ustawiania; CR (clock reset) - synchronizacja zerowania
Rys. 10.48. Przerzutnik RS wyzwalany zboczem
10.6. PRZYGOTOWANI E SYGNALÓW ASYNCHRONICZNYCH 277

cza, a przebieg czasowy jest bez znaczenia.
dodatnie zbocze mamy Q 1 = Q 2 . Wobec tego funk-
cja EXOR daje
dodatnie zbocze mamy Q 2 = Q1 . W tym wypadku

otrzymujemy y = O. y zachowuje tak, jak Q prze-
rzutnika RS.
tu jednak pewne ograniczenie przebiegu czasowego
dodatnie zbocza na nie
one oddzielone w czasie co najmniej o czas propaga-
cji (propagation de/ay time) plus czas ustalenia danych (data setup time).
W przypadku TTL serii 74LS jest to ok. 50 ns. W przypadku rów-
noczesnego pojawienia zboczy na
zostaje zanegowany.
10.6.3.Synchronizacjaprzebiegówimpulsowych
Najprostsza metoda synchronizacji impulsów polega na wykorzystaniu prze-

rzutnika D. Jak to pokazano na rys. 10.49, x zostaje podany
na D, a impulsy zegarowe systemu <Pna C. W ten sposób stan
zmiennej x jest badany w chwili pojawienia dodatniego
zbocza impulsów zegarowych, po czym zostaje przeniesiony na Ponie-
stan zarówno przy <P= O, jak i przy <P= I,
zastosowane przerzutniki wyzwalane zboczem.
Rys. 10.49. do synchronizacji Rys. 10.50. Przebiegi czasowe
Na rysunku 10.50 pokazano przebieg czasowy. Impuls, któ-

ry jest tak krótki, nie obejmuje dodatniego zbocza impulsu zegarowego,
zostaje zignorowany. Na rysunku przedstawiono ten przypadek.
nie chcemy tak krótkich impulsów, je do chwili prze-
kazania do przerzutnika. Do tego pierwszy przerzutnik DP 1 na
rys. 10.51. Jest on ustawiany asynchronicznie przez S wówczas, gdy
x = I. dodatnie zbocze zegara powoduje, y = 1. w tym
momencie x jest znów równe O, przerzutnik P 1 zostaje tym samym zboczem
,,,......,..
.........
...·.·.·...................
.... . ......,...........,.,...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,. ,.,.,.,..,,.,•,•,•,
•,·,·. •.•,..,,..,.•..................................
_-~',N",h ·.,.....,.,
_..,, .,.......................
__ ,...,.,...,
........
,.,.,......~ .-.....
278 10. UK.LADY SEKWENCYJNE
1
o
X
1 __j
O ~-'---~
I
I ._____ _,II
i
n
~1
I
I
1------'-- -
Q
1
1 __J
O
'
I
lrl
I I
b ,..,
- - -------, :I H_
I 1
y
Rys. 10.51. do rejestracji Rys. 10.52. Przebiegi czasowe

krótkich impulsów
wyzerowany. W ten sposó b krótki impuls x zostaje do

zbocza impulsu zegarowego i temu nie
w przedstaw ionym na rys. 10.52.
10.6.4.Synchroniczny
przerzutnik
monost.abilny
pokazany na rys. 10.53 wytwor zenie impul su
synchronicznego z zegarem , o czasie trwania równym okresowi impulsów zega-
rowych od czasu trwania x.
1
<P
o
X
y a1 o1
- 1
ll2
o I
!J
1
o H
Rys. 10.53. Generacja pojedynczego impulsu Rys. 10.54. Przebiegi czasowe
synchronicznego
x zmieni z O na 1 przy dodatnim zboczu zegara mamy

Q1 = l ; wtedy y = 1. Pr zy kolejnym dodatnim zboczu zegara mamy
Q2 = O i z powrotem y = O. Stan ten utr zymuje tak x przynaj-
mniej przez jeden takt równe O i potem zmieni swój sta n na 1. Kr ótkie
impulsy nie doda tniego zbocza impulsu zegarowego,
- tak jak w z rys. 10.49 - zignorowan e. chcemy je
musimy je do chwili przekazania w dodatkowym prze rzut-
niku, jak to poka zano na rys. 10.51. Na rysunku 10.54 przedstawiono przebie -
gi czasowe w z rys. 10.53.
Przerzutnik mono stab ilny syncilroni czny o czasie trwania impulsu
szym od pojedynczego okresu zegara w pro sty sposób za
licznika synchronicz nego, jak to pokazano na rys. 10.55. zmien-
---··-- ..···-- ··"·······-~--· ···············-- ·-····---
10.6. PRZVGOTOWAN IE ASYNCHRONI CZNYCH 279
na przyjmie stan I, w impulsie
wpis do licznika. W czasie impulsów zegarowych zlicza je on do
Zmax· Po licznika przeniesie-
nia przechodzi do stanu RCO = 1. W tym stanie licznik zostaje zablokowany
przez ENP, a zmienna y przyjmuje stan O. Do tego celu nie
normalnego ENT, ono nie tylko na
przerzutniki, lecz dodatkowo na RCO. to nie-
drgania.
y
X
C1/l.,3,4,+
Po f,20 [1]
P1 1,ZD[2]
P2 1,2D [4]
/)3 1,2D [8)
Rys. 10.55. Przerzulnik monoslabilny synchroniczny
Nowy cykl zostaje przez wpis.

po wpisaniu mamy RCO = O i y = 1. zwrotne z RCO na
AND na x zapobiega ponownemu wpisaniu przed stanu
licznika Zma x· Zmienna x musi stan O do tej chwili,
w przeciwnym razie natychmiast nowy wpis do licznika, tzn. pracuje
on wtedy jak licznik modulo M + I przedstawiony na rys. 10.41.
er 1
15 a g 10 11 12 13 14 15 15 CT (concent)-
</>
o
t I~
X 0---j :
1 I I
WAD O _Jl 1'------------+---
y ~_J
Przebiegi czasowe dla czasu trwa nia impulsu równego siedmiu taktom
zegara pokazano na rys. 10.56. Przy zastosowa niu 4-bitowego licznika dwój-
kowego, dla uzyskania takiego czasu trwania impulsu do licz-
nika P = 8. Pierwszy takt zostaje wykorzystany do wpisania, a
do liczenia do 15.
,n .w ···········~~ ,wmwmv• •• .... . . .. , .. , .- •.··'"" """ ··- -~=
280 IO. SEKWENCYJNE
10.6.5.Synchroniczny do wykrywania
zmian
'
Synchroniczny do wykrywania zmian (detektor) powinien
synchronicznych z zegarem , zmienna
x ulegnie zmianie. W celu realizacji takiego skorzystamy z uniwibratora
przedstawionego na rys. 10.53. Wytwarza on impuls wówczas, gdy
x 2lllienia z O na 1. Aby impuls przy
z 1 na O, AND EXOR; otrzymamy wtedy
pokazany na rys. 10.57. Jego ilustruje wykres czasowy przed -
stawiony na rys. I 0.58.
1
o
' __Jl
O I
X
!J 1 I
O, o~
L
1 I
02 o I
I
1
y o
Rys. 10.57.Synchroniczny Rys. 10.58. Przebiegi czasowe
do wykrywania zmian
10.6.6.
Synchroniczny kluczowania
impulsów
zegarowych
problem i impulsów zegarowych, bez
zatrzymywania samego generatora impulsów zegarowych. Do tego celu
by w zasadzie AND . jednak nie
jest zsynchronizowany z zegarem , przy i powstaje impuls
zegarowy o W celu eliminacji tego zjawiska do syn-
chronizacji przerzutnik D wyzwalany zboczem, jak to po -
kazano na rys. 10.59. EN= I, przy dodatnim zboczu impulsu
zegarowego mamy Q = 1 oraz <Pi= 1. Ze na wyzwalanie zboczem
pierwszyimpuls zegara <Pima zawsze .
.P'
Rys. 10.59.Synchroniczny kluczowania impulsów zegarowych
10.6. PRzyGQTOWANJ E SYGNALÓW ASYNCHRONICZNYCH 281

1
o
EN O
1
a o---'
1
4>' 0 ----'
Do nic dodatniego zbocza impulsu zegarowe-

go, po narastaniu zbocza mamy Q
by to krótki impuls Dlatego przerzutnik jest zerowany asynchro-
nicznie za R, gdy EN i <P równe zeru. Do tego celu
bramka NOR do R. Jak na rys. 10.60, przez
AND tylko impulsy zegarowe.
10.7.Projektowanie sekwencyjnych
10.7.1. Graf
Aby móc w sposób systematyczny sekwencyjne, musimy

najpierw przejrzystym opisem postawionego zadania.
Skorzystamy w tym celu z ogólnego schematu blokowego przedstawionego na
rys. 10.61.
Wektor X;
,, ,.. z)
Weklor Y;
X
"I UkTad
kombifla-
m
; Y=f (X,
Wekl or stanu Z;
Zegar 
cyjny Z(fk+1) zmiennych,__
;
n n stanu
Z(tk)I
Rys. 10.61. Zasada budowy sekwencyjnego
W od kombinacyjnych zmienne wyjfriowe yi

tu nie tylko od zmiennych wej.friowych X;, lecz od poprzedniego stanu
systemu. Wszystkie zmienne logiczne systemu, które obok zmiennych
wych na do stanu, zmiennymi sta-
nów lub stanów zn. By one na
·--~ ....................
.......
...................
..........
......
282 IO. SEKWENCYJNE
w takcie, na jeden takt w stanów we-
Zbiór zmiennych X; nosi wektora

X={x 1 ,x 2 ••• x 1}
Zbiór zmiennych YJ nosi wektora
Y= {Y1,Yz·· ·Ym}
Zbiór zmiennych stanów zn nosi wektora stanu
Z = {z1, z2 ... zn}
stany, które sekwencyjny , oznaczamy jako
S2 • Dla uproszczenia zapisu jest celowe odczytanie wektora stanu
nego jako liczby dwójkowej i zapisanie jako indeksu jej liczby
Nowy stan S(tk+ 1) jest z jednej strony przez poprzedni stan

S(tk),a z drugiej strony przez zmienne x 1• Na
nia stanów za zmiennych Odpo-
wiednie realizuje kombinacyjny: na jego
cia podamy poprzedni wektor stanów Z(tJ, na
nowy wektor stanów Z(tk+ 1 ). mu stan systemu
powinien zachowany do impulsu zegarowego. Zgodnie
z tym, wektor stanów Z(tk 1) przekazany na
przerzutników dopiero w chwili pojaw ienia impulsu zegarowe-
go. Z tego powodu stosowane przerzutniki wyzwalane impulsem.
Istnieje kilka specjalnych rodzajów sekwencyjnych.
Jednym z nich jest np. w którym zmienne stanów
wykorzystane jako zmienne Innym
jest w którym stanów jest zawsze taka sama.
Nie wówczas potrzebne zmienne Z tych skorzystali -
w przypadku liczników.
Do ogólnego opisu stanów grafu pokazanego
na rys. 10.62. stan Sz systemu jest przedstawiany w postaci
z jednego stanu do drugiego oznacza
Opis podaje warunki, przy których W
na rys. 10.62 po stanie S(tk) = S 1 stan S(t k+1) = S2 , x 1 = 1.
natomiast x 1 = O, to S(tk+ 1 = S 0
) . bez opisu oznacza
bezwarunkowe.
W przypadku synchronicznego sekwencyjnego
jeszcze dodatkowy warunek na tym, nie
w chwili warunku lecz dopiero w chwili pojawienia
zbocza impulsu zegarowego. to ograniczenie odnosi
do wszystkich w systemie, nie nanosi go z na graf lecz
tylko zaznacza przy opisie.
10.7. PROJEKTOWANI li UK L ADÓW SEKWENCYJNYCH 283

W dalszym ograniczymy do synchro nicznych
dów sekwencyjnych, ich projek towanie jest prostsze. system jest
w stanie Szi nie jest z warunków go
z tego stanu, system pozostaje w stanie Sz. Ten fakt w pewnych szczegól-
nych przypadkach jeszcze bardziej przez wprowadzenie do grafu
z Szi z powrotem do Sz (stan oczekiwa-
nia). Na rysunku 10.62 pokazano takie w stanie S 2 •
xz
S0 - stan S 1 - stan S2 - stan oczekiwania; S 3 - stan
Rys. 10.62. graf Rys. 10.63. schemat blokowy
Po zasilania sekwencyjny musi sprowa-

dzony do stanu Do tego pon (power
on). ten, generowany przez specjalny logiczny, przyjmuje war-
1 przez krótki czas po zasilania, po czym jest równy O.
Powoduje on z wyzerowanie zmiennych stanów
i jest podawany na R przerzutników .
sekwencyjnego - zamiast
grafu - na schemacie blokowym (rys. 10.63). Taki sposób przedstawie-
nia prowadzi do realizacji sekwencyjnego za mik-
rokomputera. Zajmiemy tym w rozdz. 20.
10.7.2. projektowania
licznikao programowanej
Dla zaprojektujemy licznik w cyklu O, 1, 2, 3 lub O, 1, 2
nie od tego, czy zmienna ma jeden, czy zero. Odpowiedni
............. , ... . ,.,..,.,.,•,•,•,•,•,•,•.,.,..,
.. .•.• ·-.•u -.-.-.• ...-..-.~- ... .... . ,--.- ... ,.,H,•,•,• ,•,•,•,•,•, ,•,•,•,•,•,•,•,•,-.•................. .... •••• , ,·,•,•,•,•,•,•,•,·,•r,•,•r~--- ····~·· ·······"",. • • • •'•
284 JO. SEKWENCYJNE

graf jest przedstawiony na rys. 10.64. system przyj-
cztery stany , potrzebne dwa przerzutniki do wektora
stanów ze zmiennymi z 0 i z1 . Na podstawie tych zmiennych
stan licznika, one zatem ja -
ko zmienne Dodatkowo w stanie Zmax musi generowane prze-
niesienie, tzn. gdy dla x = 1 stan licznika Z = 3, a dla x = O stan licznika
Z=2.
3 dla X= 0
= { 4 dla x = 1
Rys. 10.64. Graf liczni.ka o programowanej
W ten sposób otrzymujemy przedstawiony na rys. 10.65 o tablicy

prawdy z rys. 10.66. Po lewej stronie tablicy podane wszystkie
które zmienna i zmienne stanów
Z grafu pokazanego na rys. 10.64 dla kombinacji od-
jaki stan systemu. Jest on podany po prawej stronie
tablicy. Dodatkowo umieszczono przeniesienia y.
X
X y
Zt Zt
Zt
zó Zo
Rys. J0.65. sekwencyjny licznika o programowanej
kombinacyjny zrealiz ujemy w postaci ROM ,

prawdyz rys. 10.66 jako tablicy programu
Zmienne i zmienne stanów wtedy zmienne
adresowe. Pod adresem Z' wektora
stanów Z i zmiennych y. Do realizacji
wegolicznika potrzebujemy zgodnie z tym ROM o 8
3-bitowych. Najmniejsza PROM ma 32 8-bitowe (patrz
rozdz. l l). zostanie tylko jedna jej
I ~.- .... , . ....... ..... ..... . ... , ...... . ... ,.,.,.,. ,.,.,.,.,.,., ••• ,., ... . ... . . . . .. , . , ....... .. ... ·rr .... .r.r·,..,...M>N'<I',·
... .........,.............. ., ................. ......... ........ ................................. ,•••,••••••••••••,•., ••••.,.,., ,•••., ••, •.., ••••
10.7. PROJEKTOWANIE SEKWENCYJNYCH 285
l
X Z1 Zo z', z~ y
o o o o 1 o
o o 1 1 o o
o 1 o o o 1
o 1 1 o o a
1 o o o 1 o
1 o 1 1 o a
f 1 o 1 1 o
1 1 1 o a 1
Adres ROM ROM
Rys. 10.66. Tablica prawdy do grafu z rys. 10.64
Na podstawie tablicy prawdy podanej na rys. 10.66

funkcje
z~ = z 0 z1+ xz0 z 1
zó= z0 .z1 + xz0
Na podstawie tych funkcji uzyskuje sekwencyjne-

go z bramek, jak to pokazano na rys. 10.67. Nietrudno
liczba scalonych jest tu wielokrotnie w przypadku
)(
IJ
Z1
{J
Zt
Za
()
Za
Rys. 10.67. Licznik o programowanej z kombinacyjnym zrealizowanym

z bramek
286 IO. SEKWENCYJNE

zastosowania ROM. Realizacja sekwencyjnego z pa-
ROM ma - oprócz mni ejszej liczby elementów -
jest aby o odmiennych
wystarczy, bez wprowadzania dodatkowych zmian, na nowo
ROM. sekwencyjnego z bramek
tylko w prostych przypadkach szczególnych, np. w przypadku liczni-
ków, które w poprzednich punktach.
Przy budowie sekwencyjnych, nawet w przypadku
z ROM, dochodzi do granicy, od której wyma-
gana wzrasta. Dlatego w punk-
cie podamy kilka sposobów tego problemu.
10.7.3.Redukcja
Jak na ogólnym schemacie przedstawionym na rys. 10.61, kom-
binacyjny w sekwencyjnego ma n+ i oraz
n+ m n jest tu zmiennych stanów l- zmien-
nych (kwalifikatorów), am - zmiennych Przy
realizacji z wykorzystaniem ROM otrzymamy
1>s/ów (n+
2<n+ =(n+ m) 2<n+I) bitów
Mamy wówczas kombinacji
zmiennych stanów i zmiennych wek-
tora Y. W praktyce jednak zmiennych
przez zmienne stanów i tylko niektóre
z nich od zmiennych
Na tej podstawie nasuwa podzielenia ROM na dwie
jak to pokazano na rys. 10.68. Pierwsza z nich zwana pro-
gramu zawiera tylko stanów systemu, a nie zawiera sta nów
wych. Stany tworzone w tzw. wyj.fciowej na podstawie
zmiennych stanów i niewielkiej liczby zmiennych
Dlatego /2 jest z w porównaniu z /.
X
l l1;al
- b m
, y
n programu n n
,---A, zmiennych
Z{fk+t) stanu
z(t*)
Rys. 10.68.Redukcja sumarycznej przez ROM na dwie
10.7. PROJEKTOWANIE SEKWENCYJNYCH 287

przypadki, w których zmienna weJsc10wa ma
tylko na dekodowanie nie ma natomiast na
stanów. w przypadku pokazanego na
rys. I 0.68 do i nie jej
do programu. Dlatego /1 < /. do obu
ROM podane tylko te zmienne które faktycznie od-
powiednio na stan albo otrzymuje
zapotrzebowania na miejsce w Najbardziej niekorzystny przypadek
wówczas, gdy do obu ROM trzeba wszystkie
zmienne Wtedy wymagana sumaryczna obu
ROM jest równa pojedynczej ROM z na
rys. 10.61. Nie wtedy
Mimo to jednak na dwie zgodnie z rys. 10.68 jest i tutaj
korzystny: do Istnieje
np. wiele o identycznej stanów, tylko in-
strukcjami one nato-
miast takie same programu .
Multipleksowanie
Spotykane w praktyce sekwencyjne jeszcze
w celu redukcji liczba zmiennych
wych l jest tak przekracza znacznie zmiennych adresowych
ROM, podczas gdy jest wykorzystywana tylko niewielka liczba kombi-
nacji 21 a niekiedy tylko i Nasuwa
by nie zmiennych jako zmiennych
adresowych, lecz za multipleksera w stanie
tylko potrzebne zmienne. Otrzymuje wówczas schemat blokowy przedstawio-
ny na rys. 10.69. Do adresowego ROM oprócz zmiennych
stanów jest tylko x multipleksera. Multiplekser
jest sterowany Q za kilku dodatkowych
ROM. w ten sposób oznaczymy jako x 0 •
przy trzeba stan kilku zmiennych
przy zastosowaniu tej metody to kolejno, za-
0.
r _J
X 1 m
-; y
Multi-
{
plekser RON
X 1
n
zmiennych'"""
Z(tw) stanu.
Z(tk)
Rys. 10.69. Zmniejszenie wymaganej za na
288 IO. UK.LADY SEKWENCYJNE

wsze tylko w tym celu dany stan
na kilka podstanów, w których jest badana tylko jedna zmienna
Wskutek tego otrzymuje stanów systemu, które
za kilku dodatkowych zmiennych sta nów
Ten dodatkowy niewiele jednak znaczy w porównaniu z
z multipleksowania zmiennych
Zademonstrujemy to na typowym
sekwencyjny o grafie poka zanym na rys. 10.70. Ma on cztery stany
i zmiennych Do realizacji rys. 10.61
potrzebna ROM o Jej
28 = 256 Przyjmijmy, potrzebne dwie zmienne Przy
dwu zmiennych stanów otrzymuje w ten sposób
4 bity , a 1024 bity .
Rys. 10.70. grafu
Teraz przeanalizujemy z multiplekserem na Najpierw

stany A i C na trzy podstany , w których jest badana tylko jed na
z podanych na rys. 10.70 zmiennych Otrzymamy wówczas zmo-
dyfikowany graf przedstawiony na rys. 10.71. Jak istnieje teraz
w sumie osiem stanów oznaczonych jako S 0 ... S 7 .
z makrostanu A do makrostanu B wtedy, kiedy
x3 jest równe O, a x 0 i x 1 równe 1, co jest zgodne z pierwotnym grafem
przedstawionym na rys. 10.70. Dla makrostanu C
zmiennych charakterystyczny dla funkcji OR. Dla reprezentacji
stanów potrzebne trzy zmienne stanów ROM na
rys. 10.69 musi oprócz tego jeszcze trzy do sterowania
wego multipleksera oraz dwa y. W ten sposób otrzymuje
8-bitowe. oprócz trzech zmiennych sta nów
jest tylko multipleksera. Wynika
24 8-bitowych = 128 bitów
Stanowi to tylko ok. wymaganej przy reali-
zacjistandardowej.
dla tego na rys. 10.72 otrzy-
muje z grafu na rys. 10.71. Mówi ona, jaki wektor
stanu Z(tk+ 1 ) po wektorze Z(tk) w od tego,
mmm, ,vuu•w ,·•, ·~ ···~ .. N ., .wm~wu, •,•,•,•,.,.,-.,,_ , ,,,_ , ,m~--- ---- -- - ·ww,-.-, -,·,--- ---- - .... mv~,------ ------,-•-•-uw,M
10-7. PROJEKTOWANIE UK.LADÓW SEKWENCYJNYCH 289
----."
,,,,,-
Al x0 \
( X9
pon
Rys. 10.71. Zmodyfikowany graf z pojedynczym sprawdzaniem stanu
Ad.res
Z(t1r) X l(tk+1) Q Z2 Z1 Zo X z; Z1 zó
o o 1 3 o o o o o o 1 o 1 1
o 1 4 3 o o o 1 1 o o o 1 1
1 o o o o o 1 o o o o o o o
1 1 2 o o o 1 1 o 1 o o o o
2 o o 1 o 1 o o o o o o o 1
2 1 3 1 a 1 o 1 o 1 1 o o 1
3 o 3 2 o 1 1 o o 1 1 o 1 o
3 1 4 2 o 1 1 1 1 o o o 1 o
4 o 5 o 1 o o o 1 o 1 o o o
4 1 7 o 1 o o 1 1 1 1 o o o
5 o 6 1 a 1 a 1 1 o 1 o o
5 1 7 4 1 o 1 1 1 1 1 1 o o
6 o 4 5 1 1 a a 1 o a 1 o 1
6 1 7 5 1 1 a 1 1 1 1 1 o 1
7 o o dowolne 1 1 1 o o o o o o o
7 1 o dowolne 1 1 1 1 o o o o o o
Rys. 10.72. Tablica Rys. 10.73. Tablica programu PROM
czy x jest równe 1 czy O. Liczba dwójkowa Q oznacza przy tym

xQ w stanie Sz(tk). Teraz musimy tylko liczby
Z(tk), Z (tk+1 ) i Q w postaci dwójkowej i otrzymujemy wprost pro-
gramu na rys. 10.73. Wpisano do niej tylko 6 bitów
nych do sterowania przebiegu. Doda tkowe bity uzu-
w dowolny sposób.
- - ---- ----
dwie podstawowe gru-

py: typu tablicowego oraz typu funkc yjnego . Na rysunku 11.1
przedstawiono rodzajów
W typu tablicowego podaje adres w zakresie
O~ A ~ n= 2N -1
adresu wynosi, od rod zaju N = 5 ... 22.
Pod z 2N adresów dane . danych
wynosi m = 1 ... 16 bitów. Na rysun ku 11.2 pokazano
o N = 3 bitach adresu i m = 2 bitach danych .
poTprzewodmkowe
/~
typu tablicowego typu funkcyjnego
I I
/'\
staflp11e dynamicZ//e
i 1r~
MROM
P IIOM
PLA PAL
P PAL
LCA
EP RO
M EP PAL
EEPROM EEP PAI
RAM "" Random Access Memory PLD = Programmable Logic D evice

ROM = Read Only Memory PLA = Programmable Logic Arr ay
M = programowane PAL = Programmable Arra y Logic
P = programowalne LCA = Logic Cell Arra y
EP = kasowalne i programowalne E EP = kasowalne i programowalne elektrycznie
Rys. 11.1.Rodzaje
P = m · n jest podawana w bitach, a przy

danych 8 lub 16 bitów - w bajtach, jako P/8.
liczbyelementów dowolne rozszerzenie tak przestrzeni ad-
resowej, jak W ten sposób dowolne
tablice, jak np. tablice prawdy, programy komputerowe lub danych po-
miarowych.
W typu funkcyjnego nie tablice, lecz funkcje
logiczne. tablicy prawdy w postaci funkcji
logicznej. Funkcja logiczna zmiennej d0 na rys. 11.2 ma
sumy:
do = ii2ii1iiodoo+ lz2ii1aod10+ ...+ a2a1aod10
d0 nie wykazuje a zera i jedynki
ne zgodnie z zasadami statystyk.i, otrzymujemy n/2, a w tym przypadku
4 nie iloczyny. Tego rodzaju np. przy
tywaniu programów. W tym przypadku realizacja funkcji logicznej jest bar-
dziej jej w tablicy.
A D adresu N= 3 bity
danych m = 2 bity
o o o o do1 doo
I o o 1 dlJ d10
2 o 1 o d,.. d20
3 o 1 1 d31 d30
4 l o o d41 d40
5 1 o I d51 dso
6 1 l o d61 d6o
7 I 1 1 d71 d70
Rys. 11.2. tablicy
jednak punktem jest tablica prawdy, z powodu

cych daleko uproszczenia funk-
cji logicznej. Przypadek ten ma miejsce np. wtedy, kiedy w tablicy
bardzo jedynek. np. funkcja d0 jest równa tylko d70 = J, potrzebny
jest tylko jeden iloczyn d0 = a 2 a 1a 0 • Inny przypadek wtedy, kiedy
funkcja logiczna daje za algebry Boole'a.
np. na rys. 11.2 d0 = a 1 , otrzymuje bardzo zawiera
ona 4 jedynki. W takich przypadkach zastosowanie typu funkcyjnego
prowadzi do znacznie bardziej korzystnych zastosowanie
ci typu tablicowego.
typu tablicowego na RAM i ROM.
RAM jest ogólnym oznaczeniem w których przy normalnej pracy
istnieje zapisywania i odczytywania informacji. Skrót RAM ozna-
cza „Random Access M emory", czyli o swobodnym
pie". Oznacza to, w chwili istnieje do danych,
w do o szeregowym, w których wpisane sto-
.....
.....
..,..,,.,
.,.,
...
,.,
.....
,............
.............
.... .............................
www---
292 11.
wo danych odczytane lub zmienione tylko w
chwili. o szeregowym nie obecnie znaczenia.
Dlatego nazwa RAM stanowi ogólne z zapisem i od-
czytem.Jest ona o tyle ROM swobod-
ny do danych.
ROM jest skrótem angielskiej nazwy „Read-Only Memory" , czyli „pa-
tylko odczytywana". Nazwa ta obejmuje scalone
dane nawet wówczas, gdy bez zasilania, w tym rów-
bez pomocniczych baterii. Jak sama nazwa wskazuje przy normalnej pra-
cy dane z tych tylko odczytywane. Proces zapisu danych
odbywa na w specjalnych i nosi programowania.
Przedstawio ne na rys. 11.1 rodzaje ROM sposobem
programowania; zostanie to opisane w punktach.
wi:s~rn~
.,l;'y.,w,.,.,....
..... ,.,,,,,,,,.
•,•
.•.·.•.·.·.·.·
.'.','·':.ldw.·,,·.···
·········
·····:,•··,,
·...•.w,•,•,
•,•,•,,•
,.·.·.·.·.·.·
.·JJ,,,:::~w ···w,',',',',"
li\ 11.1. z zapisemi odczytem(RA

lhmwM-m::
:··,w~x···--
"-T>&"*''"t'···
·"·"'~*""·· ··--····:·:·:·:·:·:·:·:·:·
:·:·:
·:-:-:·:""'·
··AW,%:
·:·:·:·:··.····
11.1.
l. statyczneRAM
RAMjest w której po podaniu adresu dane i pod tym
adresem ponownie je (tzw. swobodny). Ze techno-
logicznychkomórki nie liniowo , lecz
W celu wybrania komórki adres A jest dekodowa-
ny przez dekoder kolumn i wierszy, jak to pokazano na rys. 11.3.
Oprócz adresowych RAM ma jeszcze danych DI
(data input), danych DO (data output), zapis/odczyt
R/ W (read/write) i wyboru (selekcji) CS (chip select)
lub zezwolenia dla CE (chip enable). CS i CE
w systemie multipleksowym liczby
ze danych (praca z wykorzystaniem magistrali) . CS = O,
danych DO znajduje w sta nie wysokiej impedancji i nie ma
na danych. W celu tego rodzaju danych
jest zrealizowane jako z otwartym kolektorem lub
trójstanowe.
W czasie zapisu (R/W = O) dodatkowa funkcja logiczna powoduje usta-
wieniebramki w stan wysokiej impedancji. temu
istnieje DI z DO i prowadzenie w ten sposób transmisji
danych w obu kierunkach za tej samej linii (magistrala dwukierun-
kowa).
Inna funkcja logiczna zapobiega w stan zapisu (we= 1), gdy
CS= O. temu unika zapisu przed wybraniem odpo-
wiedniego
....,...,,,...,..,,....,.,,.
...,~......
......,.~ ..................
.,.,•,•
,•,•,•,•,•,•,•,
...............
.........,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
,,,.,............... .........
--.....,,..· ··h.........
,.,.,.,.,.,.......
.....................
. .................
........
.....................
.,......,.,...,.IV>MV
__ _
11.l. Z ZAPISEM I ODCZITEM (RAM) 293
O Yo
f
Y1
::,,
<..
"'
-~
'- 2
!12
"'
"t:l
c:,
c::,
Y3
3
ao
a1 o}
1
G-o
3
Xo X1 Xz X3
a2
09
o}o
1
G-
3
o 1
Dekoderkolumn
2 3
di we do +
t
DI .-,
t EN 'il
Dl= danych (data input); CS= wybór (chip select); we= zezwolenie na zapis (wri-
te enahle); DO = danych (data output); RI W = czytaj/pisz
Rys. 11.3. Budowa RAM. o 16 bitów
Xi
Rys. 11.4. Logiczny schemat komórki
Funkcje te pokazane na rys. 11.3. do ko-

mórki doprowadzone linie di, do i we (write enable), jak to schema-
tycznie przedstawiono na rys. 11.4.
Dane wpisane do komórki tylko wówczas, gdy jest
warunek adresu xi = yi = l i oprócz tego we = 1. realizu-
je bramka B 1 • komórki podana na rów-
tylko wtedy, kiedy jest warunek adresu. realizuje
bramka B 2 • Ma ona z otwartym kolektorem. komórka nie jest
294 11.
zaadresowana, tranzystor jest zablokowany . wszystkich ko-
mórek iloczyn galwaniczny
i za pokazanej na rys. 11.3 bramki trójstanowej do wyj-
DO.
nie zostanie zasilania, jest
zachowana tak zostanie zmieniona nowym poleceniem zapisu. Takie
statycznych, w od dynamicz-
nych, których musi stale aby nie zatarciu.
Symbol graficzny RAM przedstawia rys. 11.5. Na symbolu wi-
N adresowych, które dekodowane przez dekoder adresu tak , by
(z 2Nkomórek), która od-
powiada podanemu adresowi. z zapisu na odczyt Rf W jest aktyw-
ne tylko wtedy, kiedy zezwolenia dla (chip enable) CE= I lub
CE= O. Wtedy przy R/W = I trójstanowe jest aktywne, a przy
R/W = O w stanie wysokiej impedancji. Dlatego istnieje we-
i danych w elemencie Powstaje
wówczasdwukierunkowy port danych, którego kierunek transmisji jest
lany za Rf W.
ao
'}
a,
A O
N 2t1-1
UN
CE 61
R/W 1,EN
L 1,C2
dio
i r dog
A,ZD A'v
dim dom
A,2D A\J
Rys. 11.5. Symbol graficzny RAM
pod jednym adresem jest nie pojedynczy bit, ale

m-pozycyjne jako przestrzen-
ne rozszerzenie schematu blokowego z rys. 11.3. Dodatkowe bity wówczas
na poziomach jeden nad drugim; ich linie x, y, i we
równolegle , a linie danych lub
Parametrydynamiczne
W celu zapewnienia niezawodnej pracy powinny
pewne warunki. Na rysunku 11.6 przedstawiono wykresy czasowe
Il.I. Z ZAPISBM I 0DC2YTEM (RAM) 295

w trakcie zapisu. Dla wpisania danych do komórki,
polecenie zapisu dopiero pewien czas po adresie. Czas ten nosi
czasu ustalania na wejJciu adresowym tAs (adress setup time). Czas trwa-
nia zapisu nie twp (write pulse width).
A >///77///,V Adres \P/

~'-----------'ljo/ / /20½;
es ·---- -- -- ---- -- ,
R/W
I I
I I I
D
i I ' tow I I
i tAs I twp I•
- --
"'1 t
~
I
tsA -czas ustalania na adresowym (adress setup time); twp-czas trwania impulsu zapisu (write
pulve width); tvw - czas ustalania danych (data valid to end of write time); t 11 -czas przetrzymywania
(hold time)
Rys. 11.6. Pr zebiegi czasowe cyklu zapisu
Dane wpisane na zapisu. one aktualne,

tj. stabilne dla minimalnego czasu. Czas
ten jest oznaczany symbolem tDw, (data va/id to end of W wielu
ciach dane lub adresy przetrzymane jeszcze przez pewien czas t8
po impulsu zapisu (hold time). Jak na rys. 11.6, zapisywanie
wymaga czasu
tw = t AS + twp + lu
Nosi on czasu cyklu zapim (write cycle time). Cykl odczytu jest przed-
stawiony na rys. 11.7. Po podaniu adresu czas tAA> dane
na Czas ten nosi czasu od wej,fria adreso-
wego (adress access time) lub po prostu czasu
W tablicy 11.1 podano zestawienie sta-
tycznych RAM w technologii bipolarn ej i MOS.
A ____ __,~
CS Ir-------------~
--~ I
/AA - czas do adresowego (adress access time)
Rys. 11.7. Przebieg czasowy cyklu odczytu
296 11.
i, Tablica 11.l. statycznych RAM
si
l-
c,i :>,;:i
·a
cd
.,
...,, N
]
•O '6' ei
..
o )3
·~
Typ Producenl Moc ~8"O o
e
<U "'
bO
'o'
o
<I)
o..
CMOS: (Um, = 5 V, f=f,.. ..,J

64.Kb 8Kx 8 6264 Hi, Ne, To 200mW 100 ns 28
8Kx 8 DS 12251 Da, St, Bq 200mW 150 ns 28
8Kx 8 5588 To, Cy, To 500mW 15 ns 28
16 K x 4 55416 To, Cy, To 400 mW 15 ns 22
64 K x 1 6787 Hi, Cy 400mW 15 ns 22
256Kb 32K x 8 62256 Hi, Ne, To, Fu 300mW 100 ns 28
32 K x 8 DS 1230 1 Da, Bq, St 300 mW 60 ns 28
e 32 K X 8 67832 Hi, Cy, Id, Ne, To 600mW 15 ns 28
i 64 K x 4 6709 Hi, Cy, Id, Ne, To 500mW 15 ns 28
256 K x 1 6707 Hi, Cy, Id , Ne 400mW 15 ns 24
1Mb 128K x 8 628128 Hi, Fu, Ne, To 2SOmW 70 ns 32
128 K x 8 DS 12451 Da, Bq, Sl 250mW 70 ns 32
64 K x 16 621664 Hi, Ne, To lOOOmW 15 ns 44
128 K X 8 628127 Hi, Cy, Fu, Ne , To 800mW 15 ns 32
256 K x 4 674256 Hi, Cy, Fu, Ne, To 600mW 15 ns 32
1024 K x l 621100 Hi, Cy, Fu, Ne, To 500mW 20 ns 28
4Mb 512 K x 8 628512 Hi,Ne, To 3SOmW 70 DS 32
512K x 8 DS 1650 Da, Bq , St 300mW 70 ns 32
lMx 4 624100 Hi, Fu, Ne, To 500mW 15 ns 32
4Mx 1 621400 Hi, Fu, Ne, To 500mW 25 ns 32
8Mb 256 K x 32 8 F 32256 2 Ed, Cy, Dp, Hm, Id 2000mW 35 ns 64
512K X 16 DS 2229 2 Da 220mW 85 ns 80
1024 K X 8 MS 81000 2 Hm,Dp, Ed 300mW 85 ns 35
16Mb 512 K x 32 512 X 32A V3 2 I>p 35 ns 66
2 Mx 8 MS82000 2 Hm, Id , Ed, Cy l55mW 85 ns 36
32Mb l M x32 7MP4104 2
Id , Ed, Cy 5000mW 20 ns 80
ECL: (UEP.= - 4,5 V)
64 Kb 16 K x 4 101494 Hi , Cy, Fu, Id, Ne 800mW 8 ns 28

64 K x I 101490 Hi, Fu, Id, Ne 600mW 10 ns 22
256 Kb 64Kx 4 101504 Hi , Fu, Id, Ne 750mW 10 ns 32
256 K x 1 101500 Hi, Fu, Id , Ne 500mW 15 ns 24
l Mb 256K x 4 101515 Hi , Id , Ne, Na 800mW 15 ns 32
!Mx I 101510 Hi 700 mW 15 ns 28
4Mb !Mx 4 101524 Hi 700mW 15 ns 36
1
Zawiera zachowanie danych: 10 lat; 2
Producenci: Bq = Benchmarq , Cy = Cypress, Da = Dallas, Dp = Dense-Pac, Ed = EDI ,
Fu = Fujit su, Hi = Hilachi, Hm = Hybrid Memory, Id = IDT, Mi = Micron ,
Na = National , Ne = NEC, St = SGS-Thomson, To = Toshiba
,vo--www-·,~·,w,·,=, ·,·,·,w.·.·• .w ,.,·,···
.w .,.,.............. ,.,.,.,.,.., .•• ··~, ··-'"-' ·WWW-~w, ..,,...,...-.-..---=,·, ·,·,·,·,·,ww.--,~v,v. •·.·~ -e--·,•,•,
-.•,•,•,w
,
l I.I. Z ZAPISEM I ODC2YTEM (RAM) 297

11.1.2. dynamiczne
RAM
w komórek, je
w prosty sposób. Z komórka
tylko z kilku tranzystorów [11.1]; w statycznych RAM CMOS ty-
powa komórka z 6 tranzystorów. W najprostszym przypadku rezyg-
nuje nawet z przerzutnika, go kondensatorem, który jest wybie-
rany za tranzystora MOS. W ten sposób
tylko 1 tranzys tor. Informacja jest wówczas
w postaci ale niestety pozostaje zachowana tylko przez krótki czas.
Dlatego kondensator wymaga regularnego (co
ok. 2 ... 8 ms).
nazywamy (refresh), a nosi pa-
dynamicznej RAM.
Mimo tej wady dynamiczne wiele zalet: na tej samej po-
wierzchni przy tym samym poborze i tych samych
kosztach uzyskanie w czterokrotnie po-
W celu zmniejszenia liczby w
dynamicznych adres jest wprowadzany w dwu krokach oraz zostaje przej-
w scalonym. Odpowiedni schemat blokowy
jest przedstawiony na rys. 11.8. W pierwszym kroku bramkowania
adresu wiersza RAS (row adress strobe) powoduje wpisanie bitów adresu
a0 ..• a 7 do rejestru adresu wiersza (row adress /atch), a w drugim kroku sy-
bramkowania adresu kolumny CAS (column adress strobe) - wpisanie
bitów adresu a 8 ... a 15 do rejestru adresu kolumny (column adress latch).
RAS
- -
"'
""~ -~
"'c...8 f-A, Matryca
{i 512
t1~,o ao... as -~
- <>::
tzo4B
a,s_
-
09...
Rejestradresu
CAS kolumny Dekoderkolumn
11
-
RAS (row address strobe) - bramkowanie adresu wiersza chip enable); CAS (co/umn
address strobe) - bramkowanie adresu kolumny
Rys. 11.8. Dekodowanie adresu w dynamicznej I Mbil
to umieszczenie 1-megabitowej w obudowie 18-wypro-

wadzeniowej. W tablicy 11.2 umieszczono zestawienie
typów takich
298 11.
Tablica11.2. d)namicznycb RAM
je
y- Typ Producenl 1
Moc \11
o...
g-
e-
CMOS: (UOD = 5 V, f =! ...,,.)
1a 1Mb 1Mx 1 511000 Toshiba 300mW 80 DS 18
lS. 256 K x 4 514256 Toshiba 300mW I 80 ns 20
128 K x 8 HM 6581282 Hitachi 200mW 80 ns 32
4Mb 4Mx 1 514100 Toshiba 400mW 80 DS 20

a- lMx 4 514400 To shiba 400mW 80 ns 20
512 K x 8 HM 6585122 Hitachi 350mW 80 ns 32
D- 16Mb 16M x 1 5116100 Toshiba 300mW 70 DS 28
;h 4M x 4 5116400 Toshiba 300mW 70 ns 28
D- l M x 16 5116160 Toshiba 350mW 70 ns 42
;h 64Mb 16 Mx 4 42S64400 NEC 50 ns
~- 4 Mx 16 42S64160 NEC 50 ns
ry 36Mb 4M x 9 THM 9400 3 Toshiba 3500mW 70 DS 30
ia 1 MX 36 THM361020 3
Toshiba 3500 mW 70 ns 72
iU
72Mb 8M x 9 THM98020 3 Toshiba 4500 mW 70 ns 72
v- 2M x 36 THM362060 3 Toshiba 3500 mW 70 ns 72
ie 288 Mb SM x 36 THM368020 3 Toshiba 4500mW 70 DS 72
i).
2
1Inni producenci: Fujitsu, Hitachi, NEC, Oki, Texas Instruments; pseudostatyczna ze
scalonym sterowania 3
_j
sterowania(kontroler) dynamicznejRAM
dynamiczne RAM dodatkowych
Przynormalnym do adres musi wpisany do w dwu
po sobie krokach. W celu utraty danych jest wymaga-
ne wszystkich adresów wierszy co najmniej raz w 8 ms.
nie jest czytana cyklicznie, konieczne dodat-
kowe które adresowanie cykliczne normalnymi cyk-
rn
lami do te kontrolerów dyna-
micznych RAM (dynamie RAM control/er). Schemat blokowy takiego
jest pokazany na rys. 11.9 [11.2, 11.3].
W normalnym cyklu do podany z adres zo-
>- staje w rejestrze adresu wiersza i kolumny, bramkowa-
h nia adresu AS (adress strobe) jest równy 1 i wskazuje, adres jest aktualny.
sterowania przebiegu inicjuje cykl do
Powoduje to najpierw podanie adresu wiersza a0 ... a9 do za
li.I . Z ZAPISEM I ODCZYTEM (RAM) 299

multipleksera. bramkowania adresu wiersza RAS przyjmuje
1 i powoduje przekazanie adresu do Potem zostaje podany
adres kolumny a 10 ... a 19 i za bramkowania adresu kolumny
CAS zostaje wczytany do Odpowiedni przebieg czasowy po-
kazano na rys. Il.IO.
ao·· .a9 10
Rejestr
adresu
wiersta
alfJ... a,9
Rejestr Multi- 10 MA
adresu
kol1J1T1ny plekser
AS licznikadresów
2
Dekoder RAS
priorytetowy
Ukfod
Ukfody slerowonio
CAS
CLK
DRAM
WAIT
Komputer
AS (address strobe) - bramkowanie adresu; RAS (row address strobe)-bramkowanie adresu wiersza;
CAS (column address strobe) - bramkowanie adresu kolumny; MA (memory address)- adres
CLK (clock) - zegar
Rys. 11.9. Schemat blokowy kontrolera dynamicznej RAM I Mbil
:~;=f-i:
MA -r--W-ie-r-sz-~Xr-- -- K
-O-lu_m_n
_a- - - -~ ~r-=777'=>'?
Rys. 11.10. Przebieg czasowy wprowadzania adresu do d}namicznej RAM
Po wprowadzeniu adresu bramkowania adresu musi

tak w stanie 1, danych. cykl
do nie natychmiast, lecz dopiero po
czasu (precharge time), który jest tego samego
co czas
W czasie co 8 ms 512 adresów.
Przy czasie cyklu (refresh cycle time) równym 300 ns potrzeba na
to w sumie ok. 150 µs. zmniejsza wskutek tego
tylko o mniej 2%.
300 11.
trzy metody czasowego cyklu
- z przerwaniem cyklu pracy (burst refresh). Przy tym rodzaju
po 8 ms normalnej pracy jej przerwanie i od-
wszystkich komórek W wielu jednak przypadkach zablo-
kowanie na 150 µs jej
- z wykradaniem cykli (cyc/e stealing). Dla niekorzystne -
go blokowania proces równomiernie na
okres 8 ros: stan licznika co 15 µs
o I po 512 x 15 µs 8 ms, aktywizacja wszystkich adresów wierszy,
tak jak jest to wymagane. Przy tym rodzaju procesor jest zatrzy-
mywany co 15 µs na jeden cykl i jest wykonywany krok Do
realizacji procesu czasowy pokazany na
rys. I 1.11, który dzieli impulsy zegara CLK tak, do sterowania
przebiegu co 15 µsjest podawany rozkaz W czasie cyklu
stan licznika jest podawany przez multiplekser do
a RAS jest ustawiany w sta n 1. Na stan
licznika zostaje o jeden. W czasie cyklu
jest wstrzymywany oczekiwania ( wait). proces jest
wskutek tego zatrzymywany co 15 µs na 0,3 µs, a przebiega o 2% wolniej;
- o minimalnych stratach czasu (transparent refresh lub hidden re-
Jresh). Metoda ta polega na realizacji cyklu co 15 µs.
sterowania (refresh controller) jest jednak synchronizo-
wany tak, nie wstrzymywanie do lecz
odbywa wtedy, kiedy i tak nie korzysta
z Nie wtedy strata czasu. nie
na siebie do z i cyklu
dekoder priorytetowy (arbiter), jak to poka-
zano na rys. 11.11. z zostaje potwierdzone syg-
oczekiwania do cyk.lu
nia, po czym jego realizacja.
Typy scalonych:
do DRAM 1 M: SN74ACT4503 CMOS Texas Instr.
DP842IA CMOS National
74Fl 764 1TL Philip s
673104 1TL AMD
R/W, A/W2
dwubramowa
D1
Brama
1 Brama2
Rys. 11.11.Wyprowadzenia dwubramowej
Il.I. Z ZAPISEM I ODCZVTEM (RAM) 301

do DRAM 4 M DP8430 CMOS National
AM29C668 CMOS AMD
74Fl 762 TTL Philips
}~~':ill@J:l
:~;:;:1
:1:1:1
:1:
1:
1:1:1:1{:;;~;
}~:~I{:~:~:J}~:}~:}~:}}~:;:}~:l:(I:J
:$.i
:~~i~~&"®:.W.:.~~~~i~~
:t:/:]:\:l:\:):):]:]:/f:
11.2.Wykorzystanie RAM
11.2.1. dwubramowe
dwubramowe (dual port RAM) to specjalne RAM, które umo-
dwu procesom do wspólnych danych.
to danych obydwoma procesami [11.4, 11.5]. W tym celu
dwubramowa musi dwa oddzielne zestawy linii adresowych, da-
nych i jak to pokazano na rys. 11.11. Zasady tej nie zreali-
bez nie jest równoczesny wpis z obu
bram do tej samej komórki
W przypadku z odczytu w trakcie zapisu (read white
write) problem ten w ten sposób, jedna brama tylko do
zapisu, a druga - tylko do odczytu. Na rysunku 11.12 te
dwa oddzielne dekodery adresu, które równoczesny zapis
pod jednym adresem i odczyt spod drugiego.
WRIT
[1 READ2
A1 Dekoder Matryca Dekoder A;,

adresu adresu
01 02
Brama 1 Brama 2
Rys. 11.12. Budowa z odczytu podczas zapisu z oddzielnymi

adresowymi
chcemy i na obu bramach dwubramowej,

konflikt w ogólny sposób tylko przez
liwienie równoczesnego do do tego nor-
RAM, jak to pokazano na rys. 11.13, której linie adresowe,
danych i bramie za multi-
pleksera. W wielu przypadkach oba procesy tak ze zsynchronizo-
'=""'·· ··.w.•.... ., ...·.··································w.·.w.,.w.w.·.·.,w.,w.w
........
........... ·.w..=,·~=·········....
...w.·.········w.wMw. ···············M~~-=··A·-· ·"" ·•·•·"---
302 11.
równoczesny do zostaje wykluczony. nie jest to
dekoder priorytetowy, który w przypadku
dania do wstrzymuje jeden z procesów syg-
oczekiwania. Wybrane typy scalonych dwubramowych podan e
w tablicy l 1.3. Ich jest jednak ograni czona. Przy realizacji du-
dwubramowych celowe jest zastosowanie normalnych
RAM i kontrolera dwubramowej . W tym wypadku szczególnie przy-
datny jest kontroler 74 LS 764 firmy Valvo , dy-
namicznych RAM jako dwubramowych.
CS
1 CS2
Dekoder
WAJT
1 prioryt etowy WAIT2
A1
T 01
A D
Az
1 Oz
RIW1 RAM
T RI W
R! W2
Rys. ll.13. dwubramowa z wykor zystaniem standardow ej RAM
Tablica 11.3. Przylclady dwubram owych (CMOS )
I T IV
t
>, :,
,o
""
"'
.g' C l}
<il ...
-0
"'
o
Producent M oc
·~ "' -0 ....
co
I '5'1:1, o
- - - --
8Kb IK x 8 IDT 7 130 Id, Cy, Am
16Kb 2K x 8 IDT7132 Id, Cy , Vl 325 mW 35 ns 48
32Kb 4K x 8 JDT 7134 Id 500 mW 35 ns 48
32Kb 2K x 16 lDT 7133 Id 375 mW 45 ns 68
64Kb 8K x 8 JDT7005 Id 750 mW 35 os 68
64Kb 4K x 16 IDT7024 Id 750mW 30 n s 84
128Kb 16 K x 8 JDT 7006 Id 750mW 35 ns 68
128Kb 8K X 16 IDT 7025 Id 750mW 30 ns 84
Producenci: Am = AMD , Cy = Cypre ss, Id = lDT , Yl = VT I
11.2
.2. RAMjako rejestr
RAM jako rejestry adresy prze -

liczanecyklicznie. do tego licznik na rys. 11.14. Pod adresem
11.2. WYKORZY STANIE RAM 303

najpierw wyprowadzane dane, a wczytywane nowe
dane. Przebiegi czasowe przedstawione na rys. 11.15.
Stan licznika przy dodatnim zboczu impulsu zegara. Ponie-
CLK jest jako Rf W, zatem przy dodatnim
zboczu impulsu zegarowego odbywa odczytywanie
a przy ujemnym - jej w przerzutniku W czasie gdy
zegarowy CLK = O do komórki z której od-
czyt, wpisuje nowe dane. Minimalny okres impulsów zegarowych jest tu
krótszy od sumy czasów cyklu odczytu i zapisu, adres pozostaje
Okres ten jest równy czasowi zmodyfikowanego cyklu odczytu-zapisu (re-
ad modify write cycle time).
Ol DI ---do Q DO
-- ------- RAM 1---..--,
A
R/W
CLK
Rys. 11.14. Praca RAM jako rejestru
Rys. 11.15. Przebiegi czasowe w rejestrze z RAM
w stosunku do normalnego rejestru (patrz

p. 10.5) polega na tym, tu nie przesuwane dane, ale tylko adresy, które
dla nieruchomych danych. z tej me-
tody jest stosowania normalnych RAM, które o wiele
konwencjonalne rejestry
zegara jest 64 kHz, nawet dyna-
miczne RAM o I Mbita bez dodatkowych
jest wtedy zapewnione danych spod 512 dolnych ad-
resów w 8 ms.
Korzystne pod ceny RAM
przy przesuwania , równolegle przetwarza
bitów danych i stosuje na przetwornik szeregowo-rów-
lub na przetwornik w celu
wymaganej przesuwania.
304 11.
11.2.3. FIFO
FIFO jest rejestru Podobnie jak w rejestrze,
w FIFO dane na w tej samej w jakiej
wprowadzone: wpisane jak.o pierwsze (first in) zostaje
jako pierwsze wyprowadzone (first out). W przypadku FIFO proces
ten - inaczej w rejestrze - w asyn-
J
chronicznie, to znaczy takt wyprowadzenia jest od taktu wprowa-
e dzenia. Dlatego FIFO do systemów asyn-
chronicznych (11.6].
Zasada FIFO jest podobna do tworzenia kolejki:
dane nie od do w takt kolejnych impulsów
zegarowych, lecz w tak wszystkie wprowadzone
dane wyprowadzone. Jest to schematycznie pokazane na
rys. 11.16. W FIFO pierwszej generacji dane
przesuwane przez rejestrów zgodnie ze schematem pokazanym na
rys. 11.16. Wprowadzane dane do wolnego miejsca
i do w takt impulsów
cych. tej metody jest czas przelotu (fafl-trough time). Uwidacznia
on w szczególnie nieprzyjemny sposób w przypadku, gdy FIFO jest
pusta, wtedy dane, zanim na przez
wszystkierejestry. Dlatego nawet FIFO czas przelotu
wielumikrosekund. Dalszymi wadami rozbudowany logiczny i
liczba operacji przesuwania, w z pod
poboru CMOS.
DO
~/llllllllllllllf - 1
;>
Wolne
z Rys.11.16. przedstawienie zasady FIFO
e
:- Dlatego w FIFO drugiej generacji nie przesuwa
e danych, a tylko dwa adres lub
.- RAM. to na rys. 11.17. wskazuje pierwszy wolny
L-
adresAI, a adres ostatni adres AO.
l, Przy wprowadzaniu i wyprowadzaniu danych oba
I-
obu AI - AO podaje stan
li mamy AI - AO = Amax• FIFO jest Nie wtedy niczego
skasowanie danych, które nie jeszcze czytane.
l-
AI = AO FIFO jest pusta . Wtedy nie wolno
a danych, grozi to przeczytaniem starych danych po raz drugi.
nienialub tylko wówczas, gdy
11.2. WYKORZYSTANIE RAM 305

transmisji danych przy odczycie i zap1s1e równe. W tym celu
i tak na
i danych, by w FIFO
wtedy zamiany tylko ma wystar-
Rys. 11.17. FIFO
DI DO
Dl DO
z odczljfem
CI podczas
zapisu +C
co
Al AD
licznik Licznik
wpisu oduytu
Ukfadodejmujacy
Komparator
Pefna Wpofowie Pusta

peTna
Rys. 11.18. Realizacja FIFO z wykorzystaniem z odczytem podczas zapisu
FIFO przedstawia rys. J 1.18. Jej struktura jest

do rejestru RAM z rys. 11.13. Na
tu szczególnie dobrze z odczytu pod-
czas zapisu (p. rys. 11.12), wpisywania i czytania
asynchronicznego. Zgodnie z nowsze FIFO, których
wybrane przedstawione w tablicy 11.4.
Realizacja FIFO z wykorzystaniem standardowych RAM
Przy realizacji FIFO jest celowe wykorzystanie standar-
dowych RAM, wtedy scalenia.
... . .. v ........ ......... . . ... ... ,.... ,.,.,.,., ...,.,•, ·,,, .. . ... .... . . .,., ..... ,.•.,.,.,.,.,... •. .•.,. . ....... .. ....... . ... .. ...........,........... ...,... ,.•.,.. . . ................................. ......... .......... .... - r. ,•,.......,..,.,.,...
306 11.
Tablica11.4. FIFO
<Il •O
C: •.,,
·i
N
.-o.,,
o
<Il
.o' "1
"0
<Il
Typ Producent Moc ~:.-3
·a o
.. I~
C:
.,
8 <Il
"' o
e:'
o"°
'o' ~B
;:8N~
Il, o ...
-
Standardowe typu FIFO CMOS: (Uvo = 5 V, f =fmOJ<)
2Kb 256 X 9 IDT7200 Id, Am 300mW 40 MHz 28

4Kb 512 X 9 IDT7201 Id, Am, Cy, Da, 300mW 40 MH z 28
9Kb lKx 9 IDT7202 Id, Am, Cy, Da, Vt 300mW 40MHz 28
18 Kb 2Kx 9 IDT7203 Id, Am, Cy, Da, 375 mW 30 MHz 28
18Kb l Kx 18 IDT72025 Id, Ti 1000 mW 50 MHz 68
36 Kb 4Kx 9 IDT7204 Id, Am, Cy, Da 375mW 30MHz 28
36Kb l K x 36 74ACT7823 Ti 50MHz 120
72Kb 8Kx 9 IDT7205 Id, Am, Da SOOmW 20MHz 28
144Kb 16 K x 9 IDT7206 Id 600mW 20MHz 28
1 Mb 256K x 4 TMS4Cl050 Ti 250mW 20MHz 16
I
Dwukierunkowe FIFO CMOS: (U 00 = 5 V.f = /,..x)
9Kb 2 X 512 X 9 67C4701 Am 350 mW 16MHz 28

18Kb 2 X 512 X 18 JDT 72511 Id, Ti 450mW 30 MHz 68
18Kb 2x1Kx 9 74ACT2236 Ti 50 MHz 44
36 Kb 2 x 1K x 18 fDT72521 Id 350 mW 30MHz 68
36 Kb 2 X 512 X 36 74ACT7822 Ti 50MHz 120
Zawiera
1 RAM; 2 Scalony sterowania
Producenci: Am = AMD, Cy= Cypress, Da = Dallas, Id = IDT, Ne = NEC,
St = SGS-Thomson, Ti = Texas Instruments, Vt = VTI
W tym celu z odczytem podczas zapisu z rys. 11.J8

z rys.11.13, z wykorzystaniem standardowych
RAM. jest przedstawiony na rys. 11.19.
-- -- ·-- - -- ·- ·- ·-·::-i
,t Multiplekser ' Dl
Licznikzapisu adresów
a
l- RAM
a
h DO
licznikodczijl/J
'L ______ _ __ ___ __ _
lf RAM- FIFO
Kontroler
W Pusta
l. Rys.11.19.Realizacja FIFO z wykorzystaniem standardowych RAM

... • •• ....... .... .... .. • •• ;,.>r. · •• -...... .r...,._
...............,.,•••,.................
~----
11.2. WYKORZVSTANIE RAM 307

w przypadku normalnej RAM nie
nie zapisu i odczytu, operacje te kolejno. Koor-
przejmuje arbiter w sterowania.
zapis ma wykonany w czasie, gdy trwa jeszcze odczyt, najpierw
cykl odczytu, a zapis zostaje oczekiwania. Przy
odczycie jest odwrotnie. Wykonywany jest zawsze ten cykl, który wywo-
takty zapisu i odczytu arbiter podejmuje
Wskutek czasu oczekiwania, w niekorzyst-
nym przypadku czas potrzebny do
pracy RAM jako FIFO jest w postaci scalonego
zwanego kontrolerem RAM-FIFO:
512 ... 64k 10 MHz, TTL: 674219 AMD
i korekcja
11.2.4.Wykrywanie
Przy przechowywaniu danych w RAM dwa
rodzaje i chwilowe. trwale (hard errors)
spowodowane uszkodzeniami samych scalonych lub
chwilowe (soft errors) tylko przypadko-
wo i nie powtarzalne. one powodowane przez promieniowanie a.
obudowy. a kondensatorów dyna-
micznych RAM, a przerzuty przerzutników statycznych
RAM. chwilowe skutkiem impulsów
wytwarzanych w lub poza nim [11.7].
daleko
Na jeden komputera nie tylko
wynik, lecz do przerwania programu. Dlatego
opracowano metody Aby
wykrywanie oprócz bitów danych doda-
tkowo jeden lub bitów kontrolnych. Im bitów kontrolnych za-
stosujemy, tym a nawet
Bit
Najprostsza metoda wykrycia polega na wykorzystaniu bitu parzy-
p. umownie lub bitów. Przy
kontroli dodatkowy bit ma O, gdy liczba jedy-
nek w danych jest parzysta, a 1, gdy jest niepar zysta .
temu liczba jedynek w z bitem jest zawsze parzy-
sta. Przy kontroli jest ona nieparzysta. Bit
interpretowany jako suma poprzeczna (modulo 2) bitów danych. Su-
EXOR dla poszczególnych
bitów danych.
,=--~--w...-,• ...-,•,•,•,•,•,•,•
,•,,_,=·=•
308 Il.
generatora bitu przedstawiono na rys. 11.20. Ko-
•r- bramek EXOR jest dowolna. Wybiera tak, by suma
cych czasów najmniejsza.
-w
W celu wykrywania bit zostaje wraz
zy
z bitami danych. Przy odczycie danych tak jak na rys. 11.21, ponownie
o-
bit i za bramki EXOR go z
1je
tanym bitem one i
;t -
przyjmuje stan b = 1.
fo
go do
d,
d2
d3
d4
ds
t4
d1
Typy scalonych:
ne 8 bilów: SN 74180 (ITL) ; 9 bitów: SN74S280 (fTL) ; 12 bitów: MC 10160 (ECL); MC 14531
(CMOS)
eh
Rys. 11.20. generator bitu
:o-
vw RI W
1a - o 8 8
do,,,d1
·eh
RAM
va. Generator
bitu [N 1'1
parzy-
;go
P'fp P! P
fa-
za- -f --------1== 1,___ __
Rys.11.21. dany ch z dla 8-bitowego danych)
W ten sposób pojedynczy Korekcja nie jest

zy-
jednak bitu nie
rzy
jest liczba bitów, to tylko
:iy-
natomiast parzystej - nie.
zy- KodHamminga
Zasada kodu Hamminga polega na takim ulepszeniu wykrywania
Su-
przy zastosowaniu liczby bitów kontrolnych, by pojedynczy
ych
nie tylko lecz w kodzie binarnym
zostaniezlokaLizowany bit, przez go
11.2. WYKORZV STAN IE RAM 309

na pytanie o bitów kontrolnych po-
trzebnych do tego celu: za k bitów kontrolnych 2t
numerów bitów. Przy m bitach danych otrzymuje
m + k. Dodatkowa kombinacja bitów kontrolnych jest po-
trzebna do sygnalizacji, danych jest Wynika
warunek
2k ?J;m +k+ 1
praktyczne zestawione w tabl. 11.5. Nietrudno
bitów kontrolnych w jest tym mniej-
szy, im jest
Tablica 11.5. Minimalna liczba bitów kontrolnych do wykrycia i korekcji pojedyn-

czego w od danych
Liczba bitów danych m 1 ... 4 5 ... Il 12 ... 26 27 ... 57 58 ... 120 121 ... 247
Liczba bitów kontrolnych k 3 4 5 6 7 8
bitów kontrolnych na liczby

16-bitowej. Aby 16 bitów, zgodnie z tabl. 11.5 jest potrzebne
5 bitów kontrolnych, czyli musi równa 21 bitów.
Hamminga poszczególne bity kontrolne obliczane jako bity parzys-
dla danych. W naszym potrzebujemy
generatorów bitów Ich rozdzielamy na bity
danych tak, by bit do co najmniej dwu z generato-
rów. teraz bit danych zostanie odczytany, otrzymamy
nie tych bitów na które rozpatrywana pozycja. Zamiast
sygnalizacji b, w tej metodzie otrzymamy 5-bitowe
ono 32
wniosków co do bitu. w przypadku pojedyn-
czego wniosek jest jednoznaczny wówczas, gdy dla pozycji wybie-
rzemy tylko jednego bitu
to o sam.ego bitu zgodnie
z schematem w przypadku bitu danych
co najmniej dwa bity wszystkie bity da-
nych i odczytane wyliczone bity
z i ma B = O.
bitów poszczególnym bi-
tom danych przedstawiono na rys. 11.22. Zgodnie z tym, np. bit danych d0
na bity Po i Pi bit danych d 1 na bity Po i p 2
itd. zgodnie z bit danych na
bitów kontrolnych. Dla uproszczenia kombinacje
tak, by generator 8 Przy odczycie
310 li.
(R/W = 1) generator na rys . 11.24 por ównuje
P' z obliczonym na podstawi e danych D' P".
W razie przyjmuje B = P' EBP "-::/: O.
Dekoder sygnalizuje, który bit danych wymaga ko rekcji i powo-
duje bitu w korektorze da nych.
Bitq di
---
o f 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Po X X X X X X X X
Pt X X X X X X X X
P2 X X X X X X X ,<
{)3 X X X X X X X X
"' X X X X X X X X
Rys. 11.22. bitów kontrolnych wg Hamming a dla 16-bitowego
RIW
-- -- - -- -.----- -- -- -- --- -- o- - vw
o
16 16
----- ---+
-- - --16 -~d o···d,s
16 RAM
16
Korektor Generator
-......- .....-. bitów
16 danych 16 16 kontrolnych 5
5 P''IP 5 P'IP
16
Rodzajbledu
++-- - -- -1
Dekoder
b[,:du
--~-1 1 5
8 Generator
sfowa
b[,:du
I
bledu I
++---- --- -- -- - --- - -- --~
5
Rys. 11.23. dan ych z d la 16-bilowego
Sposób dekodera na przy-

rys. 11.24. W od b0 .. . b 4 , trzy
rodzaje danych d 0 ••• d 15 , bitów kontrolnych Po ... p 4 i
wielokrotne. Przy zastosowaniu macierzy Hamminga o minimaln ej te
ostatnie jednak tylko w spo sób i nie ich
[11.8, 11.9].
z jest to, rejest-
które jed nak korekcji w rzeczywisto-
nie Aby wszystkie z tym
pod kilka punkt ów widzenia:
nia wielokrotnych, których nie
11.2. WYKORZVSTANIE RAM 311

Brak danych bilów
kontrolnych wielokrotne
'do d1 d2 ... d,4 d,s Po P1 P2 P3 p„
ho o l 1 I ... l o I o o o o o 1 ... 0 l
hl o l o o o o o 1 o o o l o l l
b„ o o l o 1 1 o o I o o I o l I
h3 o o o I l 1 o o o I o o I 1 l
b„ o o o I o l o o o o I o o 1 I
Rys. 11.24. Zestawienie i ich znaczenie
na niskim poziomie. Z tego powodu dla bitu danych i bitu

kontrolnego powinno oddzielny scalonej. W prze-
ciwnym wypadku przy uszkodzeniu jednego elementu wy-
wiele bitów. Oprócz tego wymaga
liwie szybkiego wykrytego Dlatego w razie wy-
krycia w komputera przerwanie biegu programu i wy-
konanie programu W tym celu najpierw czy
chodzi o dynamiczny, który przez ponowne wpisanie do
skorygowanego danych i nowy odczyt, czy o
którego w ten sposób nie W przypadku
to
odpowiedzialnego za i numer scalonego i
do odpowiedniej tablicy. regularnie
w celu wymiany uszkodwnych elementów. W ten sposób wzrasta
z wykrywania i korekcji EDC (error
detection and correction).
W tablicy 11.6 zestawiono kilka scalonych do wykrywania i ko-
rekcji Wszystkie wymienione dodatkowy bit kontrolny
wykrywanie wszystkich podwójnych;
jednak tylko pojedyncze [11.10].
Tablica 11.6. do wykrywania i korekcji
Typ Producent Liczba Czas Moc strat Liczba

bitów korek cji wypro-
[bity] k.onlroln ych
8 74LS636 Texas Instr . 5 45 ns 450mW 20

16 74LS630 Texas Instr . 6 50 ns 600mW 28
16 IDT39C60 IDT 7 30 ns 300mW 48
16 Am29C60 AMD 7 50 ns 250mW 48
32 74ALS632 Texas Instr . 7 60 ns 780mW 52
32 IDT49C460 IDT 8 35 ns 350mW 68
32 Am29C660 AMD 8 50 ns 300mW 68
312 11.
ROM to typu tablicowego, które normalnie tylko odczyty-
wane. Z tego do tablic i programów . Ich
jest, zostaje zachowana po
ROM stanowi to, wpisywanie tablicy jest znacz-
nie bardziej w przypadku RAM. Odmiany
ROM przedstawione na rys. 11.l (MROM, PROM, EPROM, EEPROM)
zapisu.
113.1. ROM programowane

W ROM programowanych (MROM)
zostaje przez producenta w ostatnim etapie produkcji za
specjalniedo tego celu przygotowanej maski metalizacji. Metoda ta jest
calnajedynie przy seriach produkcyjnych (od ok. 10 OOOsztuk), a wy-
konanie scalonego trwa kilka
11.3.2. programowane
w sposób (PROM)
Skrót PROM (programmable ROM} oznacza której jest
programowana przez Elementami programo -
wanietakich bezpieczniki, realizowane w scalonych w po-
staci bardzo cienkich, metalizowanych mostków. Oprócz tego stosowane
diody, które po w kierunku zaporowym
w stan zwarcia. Najnowszymi elementami programowanie
PROM specjalne tranzystory MOS ,
(tzw. (jloating gate). W procesie programowania
tej bramki zostaje co powoduje progowego
tranzystora MOS. Ze na fakt, swobodna bramka jest ze wszystkich
stron izolowana za warstwy Si0 2 , IO-letni czas
zachowania
PROM omówimy na
z rys. 11.25. Ze technologicznych poszczególne komórki nie
liniowo, lecz Adresowanie
nejkomórki odbywa przez podanie logicznej jedynki na odpowied-
wiersza i kolumny. W tym celu odpowiednio wek-
tor adresu A = (a0 •.• an) podany z Do tego dekodery kolumn
i wierszy. one jako dekodery 1 z n.
11.3. (ROM) 313

Linia odczytu.
0 IJO
Yt
1
&
"'
:;;
.!
!J2
:;; 2
o &
1)3
3
ao
a1
o}o
1
6-
3
Xo X1 X2 XJ
a2
aJ
o}
1
G-0
3
o 1
Oekoder kolumn
2 3
o
es
Rys. 11.25. Budowa PROM . o 16 bitów
Wybrana komórka jest aktywowana przez AND w pun-

kcie wybranych linii kolumn i wierszy. D otrzymu-
je jako (OR) wszystkich komórek Aby unik-
bramki o 2" stosuje (wired OR).
W przypadku z otwartym kolektorem poprzez
iloczyn galwaniczny (wired AND) zanegowanych pokaza-
no na rys. 9.30.
W stanie pierwotnym zaadresowana komórka daje
D = 1. W celu zaprogramowania zera przepala bezpiecznik na
komórki. W tym celu wybiera adres odpowiedniej komórki
i tym samym powoduje przewodzenie tranzystora bramki
NAND. wymusza w linii odczytu silny impuls który
jest tak powoduje przepalenie bezpiecznika na bramki
NAND. przy tym podanego przez producenta
impulsu. Dlatego do tego celu specjalnych programato -
rów, które do typów
W PROM pod jednym adresem jest z nie jeden
bit, ale 4- lub 8-bitowe. Dlatego te
danych. np. lk x 8 bitów oznacza, zawie-
ra 1024 8-bitowe.
podaje w postaci tablicy programu. Na rysun-
ku 11.26 podano dla PROM 32 x 8 bitów.
314 li.
X4 X3 X2 X1 Xo d7 d6 d5 d4 d3 d2 d1 da
o o o o o
o o o o 1
o o o 1 o
o o o 1 1
1,1 I I I: I I I I I I I I I
Rys. 11.26. tablicy programu dla PROM o 32 8-bilowe
Tablica 11.7. PROM
>, ::,
·5"'
:~ "'
.o' d Il.
<il .,. "'
-g
o "' .,.""
,o„ .5
.><:•...,,
[~'O
i:l
El ·~ Typ Producent
.ij
Moc <Il ...
o
"'
.o'
Q.,
...
bi)
o ~p. o
TTL: (Ucc = 5 V)
256 b 32 X 8 TBP38S30 Ti, Fu, Ph FL 400mW 15 ns 16

2 Kb 256 X 8 TBP38S22 Ti, Fu, Ph FL 400mW 25 ns 20
8Kb I Kx 8 Am27S281 Am, Fu, Ph FL 500mW 30 ns 24
16 Kb 2Kx 8 Am27S291 Am, Fu, Ph FL 600mW 25 ns 24
64Kb 8K x 8 Am27S49 Am, Fu, Ph FL 800mW 25 ns 24
CMOS: (U 00 = 5 V,f = /,..,.:,)

16Kb 2K x 8 CY7C245A Cy FG 600mW 15 ns 24
16Kb 2Kx8 CY7C291 Cy, Ws, At FG 300mW 30m 24
64Kb 8K x8 CY7C264 Cy, Ws, At, Am FG 400mW 20m 24
128Kb 16K x 8 CY7C251 Cy, Ws, Am FG 450mW 35 ns 28
256Kb 32Kx8 CY7C271 Cy, Ws FG SOOmW 30m 28
Producenci: Am = AMD, At = Atmel, Cy = Cypress, Fu = Fujitsu , Ph = Philips,

Ti= Texas lnstruments, Ws = Waver Scale
Komórki FL = fusihle link = Przepalane
FG = floating gate = Swobodna bramka = MOSFET
11.3. (ROM) 315

Symbol graficzny PROM odpowiada symbolowi RAM
z rys. 11.5. z zapisu na odczyt jest tu programu-
W tablicy 11.7 kilka typów
PROM wykonanych w technologiach. wyszczegól-
nionych w tablicy 11.8 jest w obudowach plas-
tykowych . Nie ich i dlatego one tak, jak
PROM. Nie powoduje to zmiany ich danych elektrycznych.
11.3.3. kasowane promieniowaniemultrafioletowym(EPROM)

Nazwa EPROM (erasable PROM) oznacza
nie tylko lecz jej
ultrafioletowym. Elementami tranzystory
MOS z (jloating gate). Przy programowaniu
(tak jak w przypadku niektórych PROM) i wsku-
tek tego przesuwa progowe tranzystora MOS. W przypadku
EPROM istnieje dodatkowa skasowania jej przez na-
promieniowaniem ultrafioletowym w ok. 20 min. Aby to umo-
w obudowie nad znajduje okienko wykonane ze
kwarcowego.
Ze, na obudowy,
EPROM od wykonanych PROM bez
okna. Z tego przy projektowaniu stosowanie
EPROM jest uzasadnione, ale przy produkcji seryjnej na ele-
menty PROM.
EPROM programuje przy typowej organizacji
8-bitowej bajtami. W starszych typach (np. 2716, 2k x 8 bitów) pro-
gramowanie stosunkowo proste. tylko
Upp = 25 V, adres i wzór bitów, a potem polece-
nie programowania o czasie trwania 50 ms. Na tym programowanie
lub pod innym adresem i z nowym
wzorem bitów. Programowanie EPROM o 2 kilobaj-
tów ok. 2 minut. Programowanie 128 kB
prawie 2 godziny. tej nie dla
EPROM produkcji i al-
gorytmy programowania. U podstaw wszystkich szybkich algorytmów progra -
mowania bajtów EPROM daje
w czasie znacznie krótszym 50 ms. jednak istnie-
„wolne" bajty, czasu programowania nie daje generalnie
Stosuje przy tym raczej zmienny czas trwania impulsów
Stosowany obecnie „szybki" lub „inteligentny" algorytm programowa-
nia przedstawiono na rys. 11.27. Najpierw podaje
Upp = 12,5 V i zasilania do Ucc = 6 V.
316 Il.
zasilania z jednej strony proces programowania, bo tranzystory
wówC'Zas a z drugiej strony stwarza we-
ryfikacji w warunkach „najgorszego przypadku" (worst case). Potem
podaje ad res A = O i odpowiednie dane. Teraz procedura pro-
gramowania danego bajtu . W tym celu zeruje pomocniczy licznik (n = O)
i podaje polecenie programowania o czasie trwania I ms. Po stanu
licznika odczytuje aby C'ZYprogramowanie
sukcesem. nie, podaje rozkazy programowa-
nia, do 24. nawet wtedy dany bajt nie zostanie zaprogramowany ,
program uznaje, element jest uszkod zony.
Start
UstawUpp
=::12,5V,Ucc= 6,0 V
Adres= O,Dane
Licznik n=O
programuj1ms
n= :n+1
tak
A= :A+1
nie
i
doprogr:3n· 1ms
3.
1 nie
C
a
J- Ustawu,,=U,,=rV
L-
nie
.
~-
l- gotowe
:e
Rys. 11.27.Szybki algorytm programowania EPROM
ie
STALE(ROM) 317
Normalnie potrzeba tylko kilka impulsów Nie jest wte-
dy jednak pewne, czy do izolowanej bramki wprowadzony
co który utrzyma przez 10 lat. Aby to
wykonuje jeszcze trzykrotnie. Do tego celu opera-
cja „doprogramowywania" o czasie trwania 3n x 1 ms.
W ten sposób zaprogramowany pierwszy bajt i
pod adresem, z nowymi danymi. Na programo-
wania do trybu czytania i jeszcze jedna weryfikacja
zastosowaniu szybkiego algorytmu programowania
czas programowania EPROM o 1 Mb skraca z ok.
2 godzin do 10 ~inut. Przez zmniejszenie czasu trwania impulsu pro-
do 100 µs w przypadku niektórych EPROM
nawet czasy 1 minuty.
Tablica 11.8. EPROM
«I
>, :::,
·a
...,,
•O
o
«I
'o' = ei
«l ....
f:!
i:
e
., ·a«I Typ Producent Moc ~,.g o...
Oil
'o'
Q., o ::Eo
r=CMOS:
1 (Ul)I) = 5 V, f = Imax)
64 Kb 8K x 8 27C64 Ti, Fu, Na, Am lOOmW 150 DS 28
8K x 8 27HC64 Al, Cy, Ws 300mW 45 DS 28
256 Kb 32 K x 8 27C256 Am, At, Fu, Hi, Na, Ne, Ti l50mW 150 DS 28
32 K x 8 27HC256 Am, Al, Cy, Ws 350mW 55 DS 28
16 K x 16 27C202 In, Ws 500mW 55 ns 40
512 Kb 64 K x 8 27C512 Am, At, Fu, Mi, Na, Ne, Ti 150 mW 150 ns 28
64K x 8 27C285 Cy 700mW 30 ns 28
1 Mb 128 K x 8 27C010 Am, Fu, Hi, In, Mi, Na, Ti l50mW 200 DS 32
128 K x 8 27H010 Am 200mW 45 ns 32
64 K x 16 27C1024 Am, At, Fu, Mi, Na, Ti, To 250mW 200 DS 40
64 K x 16 27HCI024 At, In 500mW 55 ns 40
4Mb 512 K x 8 27C040 Am, At, Hi, Ne, St, Ti, To 150mW 150 DS 32
256 K x 16 27C4096 Am, At, Hi, Ne, St, Ti, To 250mW 200 DS 40
8 Mb IM x 8 27C080 Am, Ne 250mW 150 DS 32
512 K x 16 27C800 Am, In, Ne, To 250mW 150 DS 42
16 Mb 1 Mx 16 5716200 To, Ne, St 250mW 150 ns 42
Producenci : Am = AMD, At = Atmel, Cy = Cypress, Fu = Fujitsu, Hi = Hitachi,

Jn = Intel , Mi = Mitsubishi, Na= National, Ne = NEC, St= SGS-Thomson,
Ti= Texas Instrumenls, To= Toshiba
W tablicy 11.8 podano zestawienie typów

EPROM .
318 li.
11.3.4. kasowaneelektrycznie(EEPROM)
Nazwa EEPROM (electrically erasable PROM) oznacza PROM, której
do EPROM elektrycz-
nie. W nowszych typach takich w strukturze scalona jest
przetwornica (konwerter) i czasowy
(timer) do ustalania impulsu W celu zaprogramowania
bajtu wystarczy tylko adres i dane. podamy potem polecenie zapisu
i zainicjujemy programowania, EEPROM
adres i dane, po czym natychmiast zwalnia linie adresowe i linie danych. Dalszy
operacji programowania przebiega autonomicznie w strukturze
scalonego. Najpierw jest kasowany stary bajt, a programowany nowy.
Operacja ta jest nadzor,owana w celu zapewnienia, zaprogramo-
wany jest Czas trwania programowania wynosi
l ... 10 ms, a jest tego samego jak w EPROM. W niektó-
rych EEPROM w jednej operacji programowania nie
tylko pojedynczy bajt, lecz 16 ... 64 bajty. W tym celu
do RAM i
polecenie programowania. W ten sposób efektywny czas programowa-
nia jednego bajtu równy 30 µs. Ta prostota operacji wpisywania i kasowania nie
daje jednak wykorzystywania EEPROM jako
RAM, liczba cykli zapisu jest ograniczona. Jednego bajtu nie wolno
104 ... 106 razy (w od typu scalonego).
Przy czasie programowania równym 1 ms po 10 s
bajtu lub strony, programowanie
w sposób [11.11, 11.12]. Z tego powodu w niektórych typach
EEPROM i RAM. przenosi do
ci EEPROM tylko w przypadku zaniku zasilania . temu przy
normalnej pracy krótki cykl zapisu, nie ze zjawiskami
[I 1. 13].
EPROM a EEPROM stano-
EEPROM kasowane równolegle (jlash). je elekt-
rycznie tak, jak EEPROM, ale nie bajt po bajcie, lecz za
jednym razem. nazwa tych EEPROM typu „flash".
Ich kasowanie jest o wiele prostsze EPROM; wymaga podania tylko
jednego impulsu kilka sekund. Nie ma potrzeby
wyjmowania elementu z i go na ok. 20 minut do kasownika.
Technologia produkcji tych elementów nie jest wcale bardziej od tech-
nologii elementów EPROM i uzyskanie odpowiednio
upakowania, a niskiej ceny. Aby niepotrzebnie nie produkcji,
w EEPROM typu „flash" z rodziny 28 rezygnuje z przetwornicy
(konwertera) i czasowego (timera) do ustala-
nia impulsu w typowych
EEPROM. Dlatego programuje je tak samo, jak EPROM.
11.3. STALE (ROM) 319

Tablica 11.9. EEPROM
"'
-~
>, ;:I
•O
""
o "["' ~e 1o
a
d
-~ Typ Producent Moc [~'O
., bi)
Cl)
"o'
o.. o o
Standardowe EEPROM CMOS: (U00 = 5 V, U PP= 5 V)

64Kb 8Kx 8 28C64 At, Se, Xi 120mW 200 ns 28
64Kb 8Kx 8 28HC64 At, Se, Xi 280mW 45 ns 28
256Kb 32Kx 8 28C256 At, Se, Xi, St lSOmW 200 ns 28
256 Kb 32 K x 8 28HC256 Al , Se, Xi 350mW 70 ns 28
1 Mb 128 K x 8 28C010 At, Se, Xi, St JOOmW 200 DS 32
1 Mb 64 K X 16 28Cl024 Al, St 400mW 150 ns 40
4Mb 512 K x 8 28C040 At, Xi 200 DS 32
4Mb 256 K x 16 28C4096 Xi 200 ns 40
Z kasowaniem równolegJym (flash) EEPROM CMOS: (U00 = 5 V, Upp= 12 V)
1Mb 128 K x 8 28F010 In, Am, At, Ti lSOmW 1SODS 32
4Mb S12 K x 8 28F4001 Ne, To lSOmW 120 DS 32
4Mb 256 K x 16 28F4000 Ne 150mW 120 ns 40
16Mb 2Mx8 28F016 In 80 ns S6
16Mb IM x 16 28F1600 Hi 150mW 150 ns 48
Z kasowaniem EEPROM CMOS: (U00 = 5 V, U PP= 5 V)
1Mb 128 K x 8 29C010 Am,At 250mW 100 ns 32
1 Mb 64 K x 16 29C1024 At 350mW 100 ns 44
4Mb S12 K x 8 29C040 Am,At 2SOmW 100 ns 32
4Mb 256 K x 16 29C4096 Am,Al 100 ns 48
16Mb 2Mx 8 29F016 Am 100 DS 48
RAM+ EEPROM: (U 00 = 5 V)
4Kb 512 K x 8 X20C05 Xi 400mW 35 ns 28
16Kb 2Kx 8 X20Cl6 Xi 400mW 35 ns 28
64Kb 8Kx 8 PNCl1C68 Pl 250mW 35 ns 28
Producenci: Am = AMD, At = Atmel, In = Intel, Pl = Plessey, Se = Seeq,

St= SGS-Thomson, Ti = Texas Instruments, Xi = Xicor
Porównanie odmian ROM z RAM pod

tem zapisu i odczytu jest przedstawione w tablicy 11.10. Widoczna
jest RAM pod zapisu i odczytu, przy
czym operacje zapisu i odczytu powtarzane dowolnie
W przypadku wszystkich odmian ROM istnieje mniej lub ogra-
z zapisem. Za to wszystkie ROM
bez zasilania. W przypadku RAM
do Pobór
wielu RAM CMOS - jak to w tablicy 1J .1 - jest mniejszy,
320 Il.
baterii. Dlatego i tutaj w przypadku zastosowa-
nia odpowiednich baterii 10-letni okres zachowania
danych.
Tablica11.10. Porównanie RAM i ROM pod zapisu i odczytu
ROM
RAM
MROM PROM EPROM EEPROM
Zapis
dowolna 1 raz I raz ... 100 razy 104 ..• 105 razy
Czas 10 ... 200 ns Minuty Minuty Milisekundy
Odczyt
dowolna dowolna dowolna dowolna dowolna
Czas 10 ... 200 ns ok. 100 ns 10 ... 300 ns 30 ... 300 ns 30 ... 300 ns
urri:~(~:(:
(:(:}~
:]:
]/:j:
Jml:l:l:J
~iJ ~:~:~{~~{
~~~~~~ lf~§~f
~~~~:~:~:r1 r:1:1:1:1
:1:
1:1::1:J:;:
j:j:J
;J:J~!:~f(;(:r1rrr;~::
..
0 11.4.
1 (PLD) Il''l]\t„
logikiprogramowalnej
......
logiki programowalnej (programmable logic devices, PLD) do

funkcji logicznych. Na rysunku 11.1 widoczne trzy rodzaje
takich PLA, PAL i LCA. one programo-
wania. programuje PAL (programmable array /ogic).
Dlatego one i w wielu
odmianach.Programowalne matryce logiczne PLA (programmable logic array)
bardziej uniwersalne, ale ich programowanie jest bardziej skomplikowane.
Dlatego PLA nie obecnie roli. Nowymi elemen-
tami LCA (logic ce/I array). one programowanie nie
tylko funkcji logicznych, lecz pól blokami
logicznymi. temu one matryce bramek i
na je matrycami logicznymi programowalnymi przez
a b C d
++++--@- a bd
\fil- a+b
+d m¾- a+b+d
a b C d
Rys.11.28.Uproszczony sposób przedstawienia funkcji AND i OR . które

z nie nie na stan w przypadku funkcji
ANDjest stanowi I, a w przypadku funkcji OR stanowi O
11.4. UK.LADY LOGIKI PROGRAMOWALNEJ (PLD) 321

przy realizacji funkcji logicznej skorzystamy z normalnej postaci
sumy, musimy najpierw wymagane iloczyny logiczne zmiennychwej-
a potem sumy logiczne tych iloczynów. Aby
w sposób przejrzysty , stosuje skrócony zapis pokazany na rys. 11.28. Umo-
to proste przedstawienie budowy PLA i PAL,jak
to pokazano na schematach logicznych z rys. 11.29. Zmienne i ich
Program
owalna matrycaANO
PLA
Programowalna.
matryca OR
matryca
Programowalna ANO
PAL
Yo
Staramatryca
OR
Ut
StaramatrycaANO
PROM
PLE
Programo
walna Yo
matrycaOR
Y1
x -poTaczenieprogramowalne o - poTaczenie
stare
Rys. 11.29. Porównanie budowy PLA, PAL i PROM
ww ··~-----·...s .-.............................................
···············
····················"'m-'='~·-
·-~ ...... .•"""""·---, 0 .. . , •• ,..,, •• , •• ,,. • ....,=-•·= ·-
322 11.
negacje wraz z z nimi bramek AND matry-
w której wszystkie potrzebne iloczyny. Aby otrzy-
potrzebne sumy logiczne, w odpowiedniej drugiej matrycy zreali-
bramek AND i bramkami OR. Na
jest potrzebna przy tym tylko jedna bramka OR.
W przypadku PLA (rys. 11.29 u góry) ma
programowania obu matryc. W PAL (rys. 11.29 w
matryca OR jest narzucona przez producenta; tutaj tylko
AND. Za PROM ,
dekoder adresu z rys. 11.3 interpretuje jako iloczynów logicz-
nych (AND). Uzyskuje wówczas pokazany na rys. J 1.29 u Dla
kai.dego adresu tylko jeden iloczyn logiczny ma ,jeden", i to
ten, który odpowiada podanemu adresowi. Mamy tu n = 2N iloczynów
logicznych,podczas gdy PLA i PAL ich znacznie mniej. To, czy
funkcji jest równa I czy O,ustala przez zaprogramowa-
nie matrycy OR.
PROM przewidziane do realizacji funkcji logicznych oznacza-
ne skrótem PLE (programmable logic element). tymi elemen-
tami na funkcji logicznych z rys. 11.30. W tym celu
usuniemywszystkie które dla funkcji nie potrzeb-
ne. Na rysunku 11.31 wszystkie wymagane iloczyny
w matrycach AND PLA i PAL. W PLA iloczyn logiczny,
który jest wielokrotnie, w matrycy OR nawet
dwa razy. W PAL nie mamy takiej swobody,
matryca OR jest zaprogramowana na
z X2 X1 Xo Y1 Yo
o o o o I o Yo= x 2 + x0 x 1
1 o o I o o Y1 = XoX1 + XoX2 + XoX1X2
2 o I o 1 I
3 o 1 I o o
4 I o o o 1
5 1 o 1 1 1
6 I 1 o I 1
7 1 I I o I
Rys.11.30. tablicy prawdy i jej funkcje logiczne
W PROM „jeden" przyjmuje ten iloczyn

logiczny,który odpowiada kombinacji zmiennych Dlatego
w matrycy OR dla tych kombinacji, dla
których w tablicy prawdy jedynki. Nietrudno zawar-
PROM stanowi odwzorowanie tablicy prawdy, podczas gdy
dy PLA i PAL funkcje logiczne. W PROM zapa-
11.4. LOGfKl PROGRAMOWALNEJ (PLD) 323

prawdy, podczas gdy w PLA lub PAL dys-
ponujemy tylko iloczynów i sum logicznych. Z tego
nie mamy tu realizacji dowolnych tablic prawdy, lecz tylko
te, które do prostych funkcji logicznych.
Programu
walnamatrycaANO--- ~
PLA
Programo
walna
mu:trycaOP
Programuwalna
matryca
PAL
Stara matryca
OR
x2 x0 x
Staramatryca ANO~,
PROM
PLE
Pl'Ogramowa/na Yo
matryca OR
Yt
o 2 3 4 5 6 7
x - poT4cz.en
ie pmgramowa/ne o - poTa,czenie
sfllle
Rys. 11.31. Realizacja funkcji z rys. 11.30 za PLA, PAL i PROM
324 11.
Aby efektywnie PAL, musimy maksymalnie
funkcje logiczne, z algebry Boole'a, a w razie potrzeby za po-
prawa de Morgana iloczyny na sumy logiczne. Dzisiaj nie
robi tego lecz korzysta ze specjalnych programów
cych projektowanie, na komputerze osobistym. Ich za-
stosowanie opiszemy w p. 11.4.2.
11.4.
1. PAL
PAL (programmable array /ogic) przedstawicielem
rodziny logiki programowalnej (PLD) [11.14). w wielu
odmianach, ale wszystkie oparte na zasadzie pokazanej na rys. 11.29
(w na odmiennych wykonaniach sum logicznych na
PAL przedstawione na rys. 11.32.
Typ H (z prostym - high, Jl) to typ podstawowy, przedstawio-
ny na rys. 11.39. Typ L ma zanegowane (low, L). Typ S (sharing) ma
do PLA. Ma programowa-
nia matrycy OR: dwie ze sumy logiczne w dowolny
sposób z iloczynów. temu
funkcje, dla których w innym przypadku by sum logicznych.
W wielu PAL jako lub
(WE/WY). Do tego celu
bramka trójstanowa na której samo zezwolenia (enable) stano-
wi
elementów PAL sekwencyjne.
Abynie potrzebne dodatkowe elementy, w strukturze PAL scala
rejestry (R). Rejestry te wspólne wyprowadzenie zegaro-
wych, synchronicznych sekwencyjnych. Syg-
podawane z powrotem do mat-
rycyAND, czemu na liniach
cych(patrz. rys. 10.61) i niepotrzebnie nie zajmuje do
zastosowania optymalnego PAL, potrzebowaliby-
- jak na rys. 11.32 - wielu typów. Aby
typów, na rynek wprowadza coraz PAL z programo-
Tego rodzaju makrokomórka V (variable) jest przed-
stawiona na rys. 11.32. Jej jest multiplekser,
wybórjednego z czterech trybów pracy. Wyboru dokonuje przez zaprog-
ramowaniebitów konfiguracyjnych / 0 i .fi. W tablicy 11.11 zestawiono tryby
pracy Bit/ 0 czy ma proste , czy zanegowane. Bit/ 1
z pracy asynchronicznej na i odwrotnie. Rów-
drugi multiplekser z na rejestr.
ia tego jednego typu funkcje
PAL.
11.4. LOGIKI PROGRAMOWALNEJ (PLD) 325

y
proste
Wyjscie y
zanego
wane
Yo
Progra
mowalny
podziaT
matrycyAND y
owo,;.,,,,,,,.,
~ - ~ 1 _'v Y_
Rejestr
y
Programowalna
makrokomórka
Rys. 11.32. struktur PAL
Tablica 11.11. Tryby pracy programowalnej makrokomórki
!1 fo Typ
o o H Funkcja
o I L Funkcja, zanegowana
1 o R Rejestr Rejestr
I 1 R Rejestr, zanegowany Rejestr
326 11.
11.4.2.Komputerowe
wspomaganie
programowania
strukturlogicznych
(PLD)
W celu nadania strukturze PAL indywidualnych cech najpierw stwier-
jakie a - w drugim kroku
- je. od chwili, gdy na rynku pakiety
programów na komputerze osobistym, programowania
PAL nie wykonuje Poszczególne fazy projektowania
przedstawione na rys. 11.33. Przy programowaniu korzysta z for-
matów wprowadzanych danych, z których przedstawiono tutaj
wane. Funkcje logiczne tablice prawdy wprowadzane za
edytora tekstowego. Przy projektowaniu sekwencyjnych rów-
z grafu i warunki
Dan
e Projekt Weryfikacja
Funkcja
logiczna
Tablica Symulator
prawdy Kontrola
funkcji logicznej Plikw
t1inimali zacja formacie
Graf Dopasowanie JEDEC Programator
Schemat skTadniowe
wgiczny Funkcjalogiczna
Wykorzysmnie
Rys. 11.33. Przebieg wspomaganego komputerowo programowania PLD
Szczególnie wprowadzania danych jest metoda wpro-

wadzania schematu wtedy z biblioteki, w której
zdefiniowanemakromodele funkcji TTL. Oprócz bramek
i przerzutników tam multipleksery i demultiplekse-
ry, sumatory i komparatory, a liczniki i rejestry Taka
biblioteka przydaje nie tylko do przeróbki starego zbudowanego
z elementów TTL na elementy PLO , lecz upraszcza
projektowanie nowych dla których elementy TTL tylko jako
pomoc Wprowadzanie wspomaga tutaj graficzny edytor schematów.
Po dokonaniu wprowadzenia - z metod
- wszystkiedane na funkcje logiczne i poddawa-
nebadaniu Potem funkcje te za procedu-
ry (flattener) realizowany do struktury dwuwarstwowej:
najpierw tworzone iloczynowe, a potem realizowane sumy logiczne.
Na procedura minimalizacyjna (minimizer) dokonuje
zgodnychz algebry Boole'a. Po takich nie jest
jednakoptymalnie dopasowany do struktury PLO , chcemy
11.4. LOGIKI PROGRAMOWALNEJ (PLO) 327

go jeszcze do specyficznej architektury; do tego
specjalny program w strukturze (fltter). Zadaniem jego
jest ro.in. taka zmiana funkcji logicznych, nie liczby iloczy-
nów dopuszczalnych dla danej funkcji. W tym celu on np. czy
zanegowana funkcja nie jest prostsza tub czy w elemencie swobodnie
dysponowalne iloczynowe (expander product terms), lub w razie
w dwu matrycy. Na koniec dane do
programowania, które w starych strukturach PAL wykonanych TTL
bezpieczniki, które i z tego do dzisiaj
tablicy (fuse map), w znormalizowanym for-
macie w pliku zgodnym ze standardem JEDEC (JEDEC - file).
W celu zaprogramowania PLD do komputera osobistego
programator i zbiór w formacie JEDEC. Nowsze programatory
nie elementów lecz ste-
rowane z komputera osobistego. wprowadzania danych do procesu
programowania nie za nowoczesne, a ze na
danych jest ono niewykonalne. Przed decyzji o zastosowaniu
nowego typu PLD jest celowe sprawdzenie, czy posiadany programator
ten rodzaj Nie wystarcza posiadanie uniwersalnego progra-
matora, w którym programowo sterowane i wy-
prowadzenia, lecz jest potrzebne odpowiednie oprogramowanie. Nie-
kiedy dotarcie do takiego oprogramowania kilka W nie-
których nowszych typach struktur PLD te nie
je w (in circuit programmable).
W tym celu one interfejs, który do komputera
osobistego. Odpowiednie zaprogramowanie
na samej strukturze. W ten sposób nie tylko na programatorze
lub odpowiednim adapterze, lecz zmian programu
w trakcie pracy Mimo to, logiki programowal-
nej daje jest celowe sprawdzenie jeszcze przed zaprogramowa-
niem, czy zaprojektowany ma Do tego celu stosu-
je symulator funkcjonalny. on sprawdzenie, czy funkcje
we na funkcje i taktu w przewidywany sposób. Uzys-
kuje przy tym wykresy czasowe podobne do przebiegów na ekranie analiza-
tora stanów logicznych; czasy propagacji nie jednak przy tym
Aby dynamiczne jest potrzebny symula-
tor logiczno-czasowy (timing simulator) , który jest znacznie bardziej skompli-
kowany, musi dane i odpowiedniego
PLD. niespodzianek zawsze wtedy, kiedy
przy tworzeniu skomplikowanej funkcji program (fltter) po-
dwu przez PLD.
Prawie producent oferuje pakiet oprogramowania do projektowa-
nia swoich PLD. Najbardziej znanym programem do wspomagania
projektowania logiki programowalnej jest pakiet PALASM firmy
328 11.
AMO. oprogramowania firmowego jest jednak to, na nie
za jego wyrobów innych producentów. Pod tym
dem najbardziej uniwersalne programy od producenta
PLO. Do pakietów pakiety LoglC (Isdata ,
Karlsruhe), ABEL (Data-I/O, Grafelfink) i Cupl (iSystem, Dachau).
one fittery i symulatory do wyrobów producentów, jednak
opracowanie oprogramowania dla nowego typu PLD
nawet lata.
11.4.3. typów
przy realizacji zastosowania kilku ele-
mentów z rodziny 7400 celowe jest zastosowanie PLD. Jak
w tablicy 11.12, w handlu elementów
SOdo 14000 bramek. Nawet w praktyce wykorzysta tylko
z nich, wiele da za jednego
tylko PLD. Do realizacji wystarcza liczba
która wynosi do 200. I tak np. zaprojektowanie prostego mik-
rokomputera w strukturze PLD nie sprawia Jeden element
PLO elementami TTL. Re-
dukcja liczby elementów niesie ze zawsze wiele
- jest potrzebna mniejsza czemu miejsce i koszty;
- jeden PLO jest sumaryczna tradycyjnych
elementów;
- wzrasta PLD jest
drukowanej;
- zmiany projektu tylko
PLO.
Bez wszystkie logiki programowalnej CMOS kon -

figurowalnekomórki typu V = variabelz rys. 11.32. W
one PAL TTL ze tak
samoszybkie. Podane w tablicy czasy propagacji standardowy-
mi. Szczególniew przypadku prostszych PLD wersje, które
znacznieszybsze i czas propagacji tylko 5 ns.
parametrem PLD jest
liczbamakrokomórek.
Informuje ona o liczbie funkcji logicznych, które
PLD i makrokomórka wprowadza
do matrycy iloczynów logicznych po jednym sygnale. Dlatego
liczba do matrycy AND = liczbie + liczba makrokomórek

~,.....,...,,,...,.,....,...,,.,.,,...,,,.,,...
,.....,.,,
,, .,.,., •...,..
.......
._.....
=----......._.,..,..,..,,,,. . -.._v.-.-.-.u
·.-.·u·,·,·,·,·,·,·,·.-,·,·,·,·.-,·,·,·,·,..-
............
...,.....
.......~-.•. ~.·., •,,• •,•,•.-•.-·+rr+...-,....~----
11.4. UKLADY LOGIKI PROGRAMOWALNEJ (PLD) 329

Tabli.ca 11.12. logiki programowalnej (PLD)
<si
Typ Producent
Architektura
Prog. Czas <si~ -~
-~ ij ]
....
o•
:.w
·o J:2,o„ l1 o .o
.,.
<si
;,-
.
'"' <si E
b
<si
~2!j
•O
~] c:::=
Standardowe PAL CMOS

16V8 Am, At, La, Na 10 8 16x 64 EEP 15ns 300 20
20V8 Am, La, Na 12 8 20x 64 EEP 15 ns 310 24
22Vl0 Am, At, Cy, In, La, Pb 12 10 22 X }30 EEP 15 ns 400 24
24VI0 Am 14 10 24 X )30 EEP 15 ns 410 28
26Vl2 Am, La, Se 14 12 26 X 160 EEP 15 ns 500 28
ATV750 At, Ph 12 20 42 X 130 EP 25 ns 750 24
EP320 AJ, In IO 8 18 X 72 EP 25 ns 300 20
EP610 AJ, In, Ti 4 16 20 X ]60 EP 25 ns 600 24
EP910 Al, In, Ti 12 24 36x 240 EP 30 ns 900 40
EPl810 AJ, In, Ti 12 48 60 X 480 EP 35 ns 1800 68
EPM5032 AJ, Cy 8 32 120 X 256 EEP 15 ns 1200 28
EPM7032 AJ 4 32 52 X 160 EEP 8 ns 1200 44
Standardowe PAL ECL
1016C4 I Na, Cy 161 - I
)6 X 32
16 X 32
p
p 2 ns
3 ns
I 50
100 I 24
24
1016P8
IOH20EV8
Na, Cy, Am
Ph I 16 -
12 8 20 X 90 I p I 5 ns 310 24
PAL CMOS Liczba standardowych PAL
MACHllO Am 2 22Vl6 EEP 15 ns 900 44
MACH210 Am 4 22V16 EEP 15 ns 1800 44
MACH230 Am 8 22Vl6 EEP 15 ns 3600 84
MACH435 Am 8 33Vl6 EEP 15 ns 5000 84
MACH465 Am 16 34Vl6 EEP 15 ns 10000 196
EPM5064 AJ, Cy 4 24Vl6 EEP 30 ns 2500 40
EPM5192 AJ, Cy 12 24Vl6 EEP 30 ns 7500 84
EPM7064 Al 4 36Vl6 EEP 8 ns 2500 84
EPM7256 Al 16 36Vl6 EEP 20 ns 10000 208
CY7C371 Cy 2 36Vl6 EEP 10 ns 1200 44
CY7C377 Cy 16 36Vl6 EEP 15 ns 10000 288
iFX740 In 4 24V10 iEP IO ns 2500 44
iFX780 In 8 24V10 iEP 15 ns 5000 84
pLSIIOl6 La 16 18V4 iEEP 10 ns 2000 44
pLSil048 La 48 18V4 iEEP 15 ns 8000 120
pLSl2032 La 8 18V4 iEEP 8 ns 1000 44
pLSI2096 La 24 18V4 iEEP 10 ns 4000 102
pLSI3192 La 48 24V8 iEEP 10 ns 8000 128
pLSl3320 La 80 24V8 iEEP 15 ns 14000 208
XC7336 Xi 4 22VIO EP 8 ns 2200 44
XC73144 Xi 16 22VIO EP IO ns 10000 184
Producenci: Am= AMD, AJ = Altera, At= Atmel, Cy = Cypress , In= Intel, La= Lattice,
Na = National, Ph = Philips, Se= Seeq, Ti= Texas lnstruments, Xi= Xilinx
Programowanie: P = w technologii PROM, EP = w technologii EPROM,
EEP = w technologii EEPROM, i= programowanie w
Niektóre PLO, jak z tabl. 11.12, znacznie
do matrycy AND. Jest tak dlatego, w tym przypadku z makrokomórki jest
wyprowadzany jeden zwrotny lub do matrycy wprowa-
dzone W strukturze podwójne liczby
do matrycy, w postaci zanego-
wanej, jak to na rys. 11.29.
Liczba matrycy podaje, ile jest iloczynowych
PLO. one równomiernie w makrokomórkach to
maksymalna liczba iloczynowych funkcji = liczbie matrycy

podzielonej przez makrokomórek
i wynosi w przypadku l 6V8 o 64 64/8 = 8. Dla

funkcji jest to ale nie dla wszystkich. Aby móc
bardziej skomplikowane funkcje, „
ny iloczynowe (product term sharing) lU!b iloczy-
nowe (expander product term), które dowolnym
funkcjom. Pod tym te tak, jak struktury PLA.
W tablicy 11.12 we wszystkich logiki programowalnej
CMOS konfiguracja jest w EPROM lub EEPROM ,
a Aby EPROM jest
potrzebna jednak droga obudowa, w okienko kwarcowe. Dlatego
do celów produkcyjnych stosuje niekasowalne wersje OTP (one
timeprogrammabie). W nowszych jest stosowana technika
EEPROM. Przedrostek „i" przed programowania wskazuje , ist-
warianty, które programowalne w W tych typach elementów
jest scalony na strukturze i dlatego nie jest wymagane
zastosowania programatora. tych jest jednak to ,
przyprojektowaniu :zmian wprowadzonych w trak-
cie pracy. W kolumnie ,,Architektura" oprócz liczby
tylkojako jest podana liczba makrokomórek. Ich skon -
jako jak to w przypadku komórki
typu V. W niektórych standardowych strukturach PLO CMOS
na podstawie oznaczenia typu:
Liczba do matrycy V liczba makrokomórek
PLO CMOS (zwane w skrócie CPLD) z wielu

standardowych umieszczonych na jednej strukturze i ze
programowalnymi Z tego przy opisie architektury
jest celowepodawanie, ile standardowych PLD i o jakiej konfiguracji
znajduje na strukturze. Za elementu CPLD na jednej strukturze
zastosowania wielu standardowych
PLD. programy (fittery) tu znacznie
11.4. LOGIKI PROGRAMOWALNEJ (PLO) 331

bardziej skomplikowane, zadania na dysponowane
dy PLO i wymagane
11.4.4.Matrycelogiczneprogramowane
przez
logicznych, które programowane

przez FPGA (field programmable gate arrays).
one od opisanych dotychczas logiki programowalnej tym, za-
bardzo wiele prostych komórek z bramek i przerzut-
ników, a proste PLD do typu 5V2. W tablicy 11.13
liczba bramek jest po nawet w przypadku elemen-
tów CPLD . Dlatego za struktur FPGA
ne Ich zastosowanie niesie ze szczególne wtedy, kiedy
zadanie projektowe trudno jest w architekturze PLD.
Oprócz wprowadzania realizowanej funkcji w opisu funkcji tu
schemat, na którym elementarne komórki
w funkcje. W ten sposób za struktury FPGA
na strukturze prawie dowolny tak, jak
robiono to na z TTL. W porównaniu z projekto-
waniem PLD dochodzi tu jeszcze jeden krok projektowania, w któ-
rym - podobnie jak przy planowaniu schematu drukowa-
nej - najpierw plasuje zastosowane bramki w strukturze FPGA (place)
a potem ze (route).
Tablica 11.13. FPGA
Rodzina Producent Programowanie Wyprowadzenia

liczba bramek
EPF800 Altera RAM 2500 ... 24000 84 ... 240
AT6000 Atmel RAM 2000 ... 10000 44 ... 200
XC3000 Xilinx RAM 2000 ... 9000 44 ... 223
XCAOOO Xilinx RAM 2000 ... 20000 84 ... 280
Al200 Actel, Texas In. PL 2500 ... 8000 84 ... 176
Al400 Actel, Texas ln. PL 1500 ... 10000 84 ... 257
7C380 Cypress PL 1000 ... 4000 44 ... 144
QL8 x 12 Quicklogic PL 1000 ... 4000 44 ... 144
RAM = Konfigura cja w SRAM na strukturze
PL = Programmahle link = programowalne
Odpowiednie programy tzw. routery (router)

danego elementu, a w szczególno-
zasoby które
nia krytyczne uwarunkowania czasowe, do dyspo-
zycji mamy o danych, a krótkie
332 li.
szybsze takie, które wiele jest tutaj symulacja
przebiegów czasowych z (post layout simulation).
Konfiguracja w struktur FPGA jest zapisana w pa-
RAM na strukturze. Po jest ona automatycznie
przez interfejs szeregowy z oddzielnej EPROM. inaczej wy-
programowanie struktur FPGA programowanie
(programmable link). W tym wypadku wytwarzane progra-
mowo. Stanowi to stosowanej w EPROM techniki
przepalania (fussible link), w której przy programowaniu przery-
wane. programowalne, podobnie jak przepalane, nie da-
l
C
.-
)
r)
D-
e-
o-
ia
:::1::::1
::1:rJ=
J@ /MlJlW!flmatmru:::a:mmm
m:r
rnnli~~}f
ir1:f
t:i::1::r:r:11:1::!:::::::
II
Zastosowania
li
12
i:~: lli\il
i!l!I
Liniowei nieliniowe analogowe
operacjematematyczne
h:s::3:::$:::$:;
::~ :*~~-:::;
: ::
:::::;:;::
:;:;:;:;::;:;:
;'.;
:;:;:;:;;;:;:;:;:;:::::;:;:;:;:;:;:
:;::;:;:
:::::::::;:
::;::;:;:;:::::::::::fa:[:[:[:f.:mr:::::~~~~{.:i:f:$
:::::::;::
::::::::::::t:r::'f:.$:..~~~::f:.%~~:;~::::::
::;::
:::::::?:::fa::
:::::::::;:;:
;::~~=:::::::::~::::~~::
maszynom cyfrowym ma.my wykonywania operacji ma-

tematycznych z na których chcemy te
operacje, jednak w postaci np. jako
elektryczne mierzonej; oprócz maszyny cyf-
rowejjest potrzebny przetwornik analogowo-cyfrowy.Przetworzenie syg-
nalu tylko wówczas, gdy wymagania tak
dui.e, nie ich za analogowych.
analogowych stanowi ok. 0,1 %. W dalszym
zajmiemy analogowymi opera-
cje matematyczne: cztery podstawowe, i
oraz tworzenie funkcji i dowolnych. Chcemy w jasny
sposób zasady tych W tym celu ko-
zawsze najpierw z idealnych wzmacniaczy operacyjnych
stosowanych w tych Ograniczenia i kryteria projektowa-
nia z zastosowania rzeczywistych wzmacniaczy operacyj-
nych w rozdz. 7. Odpowiednie ró-
tu tylko takimi zjawis-
kami ubocznymi, które w poszczególnych najbardziej
Do dodawania kilku wzmacniacz operacyjny pracu-

w wzmacniacza podawane
tak, jak to pokazano na rys. 12.1, przez rezystancje szeregowe na od-
punkt ten stanowi z zastosowania pierw-
szegoprawa .Kirchhoffa wynika na
UwEl + UwE2 + ...+ U w En + Uwy - =o

R2 RF
12.1.SUMATOR 337
Sumator jako wzmacniacz o
zakresie regulacji zera, w opisany sposób do
uwEn Rn
Rp Rp Rp
!-o~o-CR =2J- +
i -[ =RF -Uwr = - uwe1 + - uwe2 + ...+ R. Uw11.
R1 R2
1-o~~ .,------,_
......,__J
Rys. 12.1. Sumator
12.2.1.Wykorzystanie
dodawania
Odejmowanie do dodawania przez znaku
odejmowanego. na tej zasadzie jest pokazany na rys. 12.2.
We wzmacniaczu operacyjnym W0 1 jest zmieniany znak Uwez·
wyj .friowe:
Uwr = k,,,(uw112- Uw111)
Warunek na
ku,'<= k.,, = k,..
t uwy
.1
Rys. 12.2. z sumatorem
Otrzymujemy w ten sposób
(12.1)
Uwy= ku,(uwez - UwE1) otrzy-

muje wówczas, gdy oba wzmocnienia kuP i kuN równe
wzmocnienia ku,·
od idealnej charakteryzuje syg-
wspólnego CMRR = ku,fkus· Dla j ego obliczenia oznac2IDy
,.,.,.,.,........... ,.,.,., ......... .....................__ __ __ ...... ..,..·.r~.?.;.••• •.-... .......................... =~-....w.lV'••,w. ...... ..... ,., .•.•.••,. ............ r. .. ..,..,.,...w.--.
...........,.........,.,.................
.,......... .. .V , V. ..
338 12. LINIOWE I NIELINIOWE ANALOGO WE

(12.2)
i do (12.1) otrzymujemy
I
Uwy = (kuP- k„N)Us+ 2 (k„p + kuN)uR (12.3)
kur
gdzie u5 jest wspólnym, a uR

Ze wzoru (12.3) otrzymamy wspólnego
CMRR = kur = _!_kuP+ ~N (12.4)

ku.t 2 kuP -k„N
warunek na jest w czyli
1
k„N= k., -
2 /lk„
1
k„p= k., +
2 llk„
Po podstawieniu do równania (12.4) otrzymujemy
k„
CMRR= -- (12.5)
llk„
wspólnego jest równy

tolerancji doboru wzmocnienia.
12.2.2
. z jednymwzmacniaczem
operacyjnym
W celu obliczenia z rys. 12.3 za-

stosujemy superpozycji. Zgodnie z
12.2. UK.LADY 339

Dla uwE2 = O pracuje jako wzmacniacz dla którego
Uwr = -aNuwEi · Wynika ku1 = -a.N. Dla uwEi = O pracuje jako
wzmacniacz z dzielnikiem na
jest zatem wzmacniane ze (1 + a.N).W tym wypadku
Uwy =
"wr = a (uw82 - "w81 )
JVarunek na a.,,= a.p= a.
Rys. 12.3. z jednym wzmacniaczem operacyjnym
stosunki obu rezystancji równe, tzn. a.N= ap= rx, to
czyli ku2 = a. W ogólnym przypadku

Uwy = a.(uwe2 - UwE1)
stosunki rezystancji na Pi N nie równe a., nie
realizuje idealnej lecz
1 + a.N
Uwy = I + ap a.pUwE2- a.NuWEl
W celu obliczenia wspólnego zastosujemy

ponownie podane w równaniu (12.2) i otrzymamy
CMRR = ku, = J_ (1 + aN)a.p + (I + a.p)a.N

kus 2 (1 + rxN)a.p- (I + a.p)a.N
Jes'l'1a.N= a. - 1 ua.
A
1ap = a. + 1 urx,
• A
to po • • • ' wyzszego
cz onow . rz u
2 2
(12.6)
Zgodnie z przy rx
wspólnego jest odwrotn ie proporcjonalny do tolerancji stosunków rezystancji
==~~---~ ....,_...,.,
.......,....,w ...•.•··············•···•···•·•w
•···
··•·•·•
W'-·····""""'-- ·""~ ... . w• ·.w wmA~
.. . •.•.• ·"·•·•··············
······w"""""-"~~. w·~·, A"'
340 12. LfNIOWE I NIBLJNIOWE ANALOGOWE
fl.c,,/a. oba stosunki rezystancji równe, to CMRR = oo, ale
to tylko w przypadku idealnego wzmacniacza operacyjnego. chcemy uzy-
szczególnie wspólnego , to w niewielkim
stopniu RP i /i(t. tak , by
wspólnego.
Z równania (12.6) wynika ponadto wniosek , przy danej tolerancji re-
zystancji !ia/(1. wspólnego jest w
proporcjonalny do wybranego wzmocnienia k"' = (1,
, Stanowi to
w porównaniu z poprzednim to na
liczbowym: mamy od siebie dwa o ok.
10V. Ich wynosi maks. 100 mV. ta ma wzmocniona na
do 5 V, przy 1% . Wzmocnienie musi
k.,, = 50. na musi mniejszy
5 V· 1% = 50 mV . teraz korzystny przypadek , wzmocnienie syg-
wspólnego stanowi jedyne Wynika warunek
k 50 mV = 5 . 10-3
U$ ~ 10 V
tzn.
50
CMRR ~ -- ~ = 104 80 dB
5. 10- 3
Zgodnie z równaniem (12.6) warunek ten
z rys. 12.3 przy tolerancji doboru par /i(t./(1,= 0,5%. Natomiast w
z rys.12.2, zgodnie z równaniem (12.5), tolerancja doboru par powinna
równa 0,01%.
Na rysunku 12.4 przedstawiono o dowolnej liczbie
i Warunkiem jego
jest warunku na podanego pod rysunkiem. wa-
runek ten nie jest to albo równe zeru
z odpowiednim Dla wyprowadzenia podanego wzoru zasto-
sujemypierwsze prawo Kirchhoffa do
=0
Wynika
l= l
f a.,uWEi - Up [ I
i=l
(1.i + 1]+ Uwy = O
Analogiczniena
l
12.2. 341
Przy up = uN i przy dodatkowym
m n
I aj= I a; (12.7)
i=l i=l
z obu wynika
n m
Uwy = L a.f UwEi
i=l
- L a.iuWEi
i=l
i--o-
UwEm RF/am
o- --c::::::J- -, .wyj.foiowe: ,.
Uwt:2 Rr/az : Uwr = L o:;u;..,a - L o:,Uwe1
1--o-,.<>----C=}--,..------,C=:J---, ,.. l=J
Warunek na
n "'
I
uwE1
1-o-
U~E2
1-o --<>-----L=-t--+----{=}-~
I RI I I Rp
uwEn P/On I
1-o-0---c=:J--J
Rys. 12.4.
Dla n =m = 1 przechodzi w podstawowy

z rys. 12.3.
przez reali-
operacje matematyczne. nie to rezystancje
w2macniacze operacyjne ujemnym zwrotnym, to warunek

ten jest na W przypadku innych jest
konieczne na ukadów w postaci wzmacniaczy
Otrzymane w ten sposób nazywane
wzmacniaczami (instrumentation amplifier) stosowane
nie w miernictwie. Zajmiemy nimi w rozdz. 25.
i~if
~~~::::::::::::
:::::::::~
~::~;::~~:~~:::~::::~~:~;;~~1.::~::::;;~i~~~~:;;;;.;~:~::::~~:::::::::
::::::::::::::::::::::t§
~~~~~~::: ::::::..
/] 12.3. o wzmocnienia
!i!i! ze zmiennym
znakiem ,......
)
z rysunku 12.5 przez
który potencjometrem R 2 w zakresie ± n. li
potencjometr jest w prawym skrajnym to q = O i t;
pracuje jako wzmacniacz o wzmocnieniu ku= -n. Rezystor p
342 12. LINIOWE I NIELINIOWE ANALOGOWE

Rif(n - 1) w tym wypadku nie odgrywa roli, nie ma na nim
spadku
Dla q = I uwE jest podawane na nieod-
Wskutek tego spadek na rezystancji Rifn jest równy zeru,
a pracuje jako wzmacniacz o wzmocnieniu
k - 1+ Ri = +n
"- R 1/(n - 1)
Uwy = n(2q- l)uw 8
uwr
.___,__, 1
Rz
Rys. 12.5. o wzmocnienia ze zmiennym znakiem
W wzmocnienie
ku= n(2q - 1)
jest liniowo od q i dlatego je wygodnie poten-

cjometrem wieloobrotowym. Liczba n zakres wzmocnienia. Najmniej-
sza n wynosi 1, w tym wypadku rezystor R if(n - 1) stanowi rozwarcie
i go
. 12.4.Integratory
;::~
,,,;,·
tÓ1~:~1t~~JM:\;j~;\J~t:
1:1
~1~:j:j
{:"
J:;~"W!~~~i§~~ tttf tlt::::. ....
{1]\tf!:(:(:(\f ..........
...
SZC'Zególnie zastosowa niem wzmacniaczy operacyjnych w technice
analogowej integratory. one uzyskanie
f
I
Uw 1 (t) =A UwE(~)d~ + UwrU = O)

o
12.4.1.
Integrator
Integrator z rys. 12.6 od wzmacniacza
tym, rezystor zwrotnego RF kondensatorem C. Na-
,u...,..,,.,,....,
...,.,.,.,.,....
.,.,,....,.
,,.....,,,.w.·,,,,...............
...v,-.·,-.v.v.-.
..-......
.,,....
...,,~-., •..,.. ....,,. ... ._.,••·.-.·.·=...-.v.-...,....,....
,...,,,.,.,.,,..,,,...v,.....,.,,._ .,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.._ _....,........,,,,,.,.,,.
,, ,•,,•,•,•,•,•,•.•,..........,.,.•.,.•.••,.-..-
.-.-.-...-.
........
12.4. INTEGRATORY 343

t
uwr(t) = = [f o
ic(e)de + Qo J
gdzie Q 0 jest zgromadzonym w kondensatorze na
wania (t = O). Dla ie = - uwEIR mamy
;cf
t
Uwy(t) =- Uwy(e)de + Uo
o
U0 stanowi warunek U0 = UwrU = O)= Q 0 /C. Obliczymy

w punkcie.
I '
llwy = - - Jllwe@d~ + U0
RCO
Rys. 12.6. Integrator
Zbadamy teraz dwa przypadki szczególne. jest

w czasie (uwE = UwE), to
UwE
Uwy = - RC t + Uo
a liniowo w czasie. nadaje do wytwarzania

i
jest kosinusoidalnym zmiennym
UwE= Uwe = ljwemCOSWl, to
Amplituda zmiennego na jest odwrotnie propor-

cjonalna do w.
narysujemy integratora w skali po- (•
dwójnie logarytmicznej, otrzymamy o nachyleniu - 6 Jest 1

to kryterium czy zachowuje jak integrator. I
w dziedzinie wprost o
w rachunku zespolonym §

K,,= -Uw~= - -
Ze
= - --
1
(12.8)
uwe R jwRC
Wynika stosunek amplitud
1
= IK I =
Uwem " wRC
w do dotychczas omawianych
dów, zwrotnego integratora wprowadza fazowe,
tzn. zwrotnego jest zespolony
jwRC
(12.9)
1 + jwRC
Przy wielkich fJ do a fazowe jest

równe zeru. W takim zakresie zachowuje tak, jak
wzmacniacz z ujemnym zwrotnym (rozdz. 7).
Dlatego charakterystyki
W integratorach wzmacniacze z ko-
stabilne przy kuf = I.
a
- 40
- 60
Rys. 12.7. Charakterystyka wzmocnienia w zwrotnego T
r- Zakres wykorzystywany przy

z typowego wykresu przedstawionego na rys. 12.7. Wybrano tu
)- i-= RC= 100 µs. Nietrudno maksymalne wzmocnie-
st nie w zwrotnego I Tl= Ifiku, I~ 600, tzn.
nia jest równa 1/1Tl 0,2%. W od wzmacniacza
st maleje nie tylko przy wielkich, lecz przy
W przypadku rzeczywistego wzmacniacza operacyjnego

dów polaryzacji IB i niezrów-
U0 , ich sumuje w czasie. wej-
UwEjest równe zeru, przez kondensator (U 0 /R) + IB.
Powoduje to
duwy = _1 ( UO )
dt C R + 1B (12.10)
równy 1 µA powoduje wzrost

o 1 V na C = I µF. Z równania (12.10) wynika, przy danej
czasowej polaryzacji IB jest tym mniejszy, im
jest C, podczas gdy jest
jednak kondensator C nie dowolnie
co najmniej by 18 nie U0 . Jest tak
wówczas, gdy
za kondensatora o 1 µF chcemy czaso-

"C 1 s, wzmacniacz operacyjny o
równym I mV powinien polaryzacji mniejszy
Is = ___
1 µF l_· s1__mV _ l nA
Wzmacniacze operacyjne z tranzystorami bipolarnymi na

polaryzacji Ich
w sposób pokazany na rys. 12.8, nie
nio z ale przez rezystor o R. Na obu rezystorach wy-
wówczas równe IB · R, a przez konden-
sator C jest równy zeru. jest wówczas tylko
polaryzacji, czyli któ-
ry na jest jednak
uwEj
j_
Rys. 12.8. Integrator z polaryzacji. Kondensator C 1 zwiera na·

szumów na P

W przypadku wzmacniaczy operacyjnych z tranzystorami polowymi wej-
polaryzacji jest pomijalnie Dlatego
one bardziej do realizacji czasowych mimo
ich znacznie wzma-
cniaczy operacyjnych z tranzystorami bipolarnymi na
Kolejnym integratora jest kondensatora.
Kondensatory elektrolityczne mikroamperów, wo-
bec czego nie stosowane w integratorach.
kondensatory foliowe, które jednak przy l O µF
bardzo wymiary.
12.4.2.
Warunki
W wielu zastosowaniach integrator dopiero wówczas, gdy
istnieje ustalenia warunków czyli
wego Uwy(t = O), od to
przedstawiony na rys. 12.9. klucz K 1 jest a K 2 otwarty,
pracuje tak, jak na rys. 12.6: jest UwEi· rozewrzemy
klucz K 1 , w przypadku idealnego integratora jest równy zeru,
a utrzymuje w chwili
Jest to wygodne, gdy chcemy obliczenia i spokojnie
Rp
Warunek Uwy(I =O)= - R uw„2
2
Rys.12.9.Trzy lryby pracy integratora: ustawianie warunku
W celu ustawienia warunku pozostawiamy otwarty klucz

K1 i zamykamy K2 . Integrator staje wtedy wzmacniaczem
o
ta ustala jednak z pewnym od

czasowejRFC.

Na rysunku 12.10 pokazano elektronicznej realizacji kluczy.
Tranzystory polowe T 1 i T2 klucze K 1 i K 2 z rys. 12.9.
one wówczas, gdy odpowiednie jest od zera; przy
ujemnym one zablokowane. Do-
klucza z tranzystorem polowym i diodami D 1 ... D 6 zostanie
opisane w rozdziale 22. Wtórnik W0 2 zmniejsza
przy ustawieniu warunku z RFC
do mniejszej r'"on C.
Warunek
R„
UwE2j D4 Uwy (t = O) = - - Uws2
C R2
1
Usr2
usr1
Ds
UwElj R1
1
Rys. 12.10. Integrator sterowany elektronicznie.
scalonym dwa takie integratory jest ACF2101 Burr Brown
12.4.3.Integrator
tak, jak ze wzmacniacza
integrator przedstawiony na
rys. 12.11. pod rysunkiem dla otrzymuje
pierwsze prawo Kirchhoffa do
UwEn Rn
~-0- --c::J-- -1
C
~i2 Rz ,
~~,b-~=:J-_...-l
Uwy
.1
uwr = - -l f(UWl
-- ll + --Uw112
+ ...+ --Uw11.)
d~ + U0
C R1 R2 R.
o
Rys. t:2..11.Integrator
348 12. LINIOWE I NIELINJOWE ANALOGOWE

12.4.4.Integrator
W celu przeprowadzenia bez :zmiany znaku doda -
tkowo, oprócz integratora , wzmacniacz przedsta-
wiono na rys . 12.12. z filtru dolnoprzepustowego
jako i równolegle konwertera NIC (patrz p. 13.5)
o rezystancji - R, który stanowi
Uwy= -2
RC
f + Uo
o
juwy
1
Rys. 12.12. Integrator
Do obliczenia zastosujemy pierwsze prawo Kirch-

hoffa do
uwy - Up + uwE - Up _ C dup = O
R R dt
Dla up = uN = 1/2 Uwy otrzymujemy
f
t
Uwy = R~ UwE(e)de
o
o tym, powinno bard zo
by warunek NIC.
Przy kompensacji strat za NIC odejmowane od siebie
o wskutek czego integrator nie ma takiej
jak podstawowy z rys. 12.6.
tt·'·w:;;;··
w..-.
•,$S·,·f;;~,
..........···;·-~··:··.~:
·:. ::·:·:"
:·:"
::::·,,,,.·
.·,.·.
·..·.·;m11=:
@ 12.5. Illl
~~k~l~tl:t:[:it::1::::~~~:
::~:;.~(~::~
:: :t::~
:::~::::::::
: ::::::::::::::::::::::
::::
: ::::::::::::K:::;:;:;j:1:1
0t :=:::::::::
12.5.1. podstawowy
w integratorze z rys. 12.6 zamienimy miejscami rezystor i kondensator,
otrzymamy przedstawiony na rys. 12.13. Zastosowanie
pierwszegoprawa Kirchhoff a do sumacyjnego prowadzi do
·-- == ·•w················wm==v.swe.-.•.··
···•W•""""""=·-v• ••-'••••
12.5. 349
u = -RC duwE (12.I I)
WY dt
Dla sinusoidalnego UwE= Uwemsinwtotrzymamy
Stosunek amplitud wynosi
Uwym = IK„I = wRC (12.12)

uwem
duwH
Uwr =- RC - -
dt
Rys. 12.13.
Charakterystyka w skali podwójnie logaryt-

micznej jest o nachyleniu + 6 dB na Ogólnie,
w pewnym zakresie jest nazywany którego cha-
rakterystyka narasta z nachyleniem 6 dB na
w dziedzinie bezpo-
w rachunku zespolonym
K,, =I Uwy
Uwe '=- J!._
Ze =- jwRC
(12.13)
Wynika
IK,,.l=wRC
co jest zgodne z równaniem (12.12).
12.5.2.Realizacjapraktyczna
j
Realizacja praktyczna z rys. 12.13 pewne
ze na do wzbudzania

tego jest fakt, obwód ujemnego zwrotnego przy wielkich
wprowadza fazy równe 90°
J
(12.14)
P= 1 + jwRC
Dodaje ono do fazowego wzmacniacza operacyjnego, które
nawet w korzystnym przypadku 90°. Margines fazy wynosi
zero, a jest niestabilny. zaradczym
szeregowoz kondensatorem rezystora R 1 w sposób pokazany
na rys. 12.14, co zmniejsza fazy obwodu zwrotnego
przy Nie musi to zmniejszenia wyko-
rzystywanego zakresu przy
i tak nie ze na
wzmocnienie w zwrotnego. Jako
RC z elementów R 1 C war-
przy której wzmocnienie w zwrotnego jest równe jedno-
mamy wzmacniacz z którego charak-
terystyka na rys. 12.15 jest narysowana
Marginesfazy przy wynosi wtedy 45°. wzma-
R
duwH l
R
1
C~
uwy = - RC -- dla /<1..
--
uJo--c:~ : d1 21tR 1 C
l juwy
1
Rys.12.14. Realizacja praktyczna
[dB] IKu,I
(korekcjaopt1:1malna)
100-----.-----....
80
60
40
20
Ol==l===::l=,!,=='='#-:....._½---..J....,..--.J,,.......1.~-.1.._,,..__:~~--
!1= Jfr/2n-r , gdzie r = RC

Rys.12.15. charakterystyki wzmocnienia w zwrotnego
12.5. 351
cniacz w tej nie jest ujemnym
zwrotnym, przez zmniejszenie korekcyjnej CK
kszenie marginesu fazy, do granicznego przypadku aperiodycznego.
W celu optymalizacji korekcyjnej po-
na i CK tak
otrzyma optymalne
12.5.3. o rezystancji
Charakter impedancji
w niektórych przypadkach jako
ze wzmacniaczem operacyjnym,
niestabilny. Z tego powodu bardziej korzyst-
ny jest przedstawiony na rys. 12.16. Jego impedancja nawet
przy wielkich nie spada R.
duwP.
Uwy = R C --
dt
Impedancja wej.fciowa: IZwel;i: R
juw
y
1
Rys. 12.16. o rezystancji
za rozumowania : na-
zmienne o przez
obwód RC. W tym zakresie wzmacniacz operacyjny pracuje jako
wzmacniacz o wzmocnieniu Ku= I. zmienne o
szych przenoszone w przez RC
i przez wzmacniacz z ujemnym zwrotnym.
obie czasowe jednakowe, zakresy przy i
szych na siebie.
Pod zachowuje podobnie jak poprzedni.
Rezystor R 1 jest narysowany na rys. 12.16
)!,,'<>'>.°'S
lf*t"@,~'·:-:
-:·:<
·:·~=<-:-:
-,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,. ,,,,,:,,,, ,,,,,,,
,.,.,.,., ,,,,,,,,,,,,, ,,,,,,,,,
,,,,,,,,
,,,,tM&,'®i.1:.
~'m '!!,:,:,:,
:,:
,:,,,
:,:::~,
:i:,~~~
::::
$:::,:,
:,:,,,,,,,,,,,,,,,
l~ ,~~!~ r•
Istnieje wiele które równaniami
kowymi. otrzymuje przez zamodelowanie równania
kowego za operacje matematyczne i pomiar
W celu ze stabilno-
352 12. LINIOWE I NIBLrNIOWE ANALOGOWE

równanie tak, by zamiast
tylko (integratory).
Sposób na liniowego równania
niczkowego drugiego
y" + k 1y' + k 0 y = f(x) (12.15)

I
l Pierwszym krokiem jest
x= -
t
zmiennej x przez czas t
f 't
Mamy wtedy
, dy dt
y =- - ='ty
dt dx
y" = 't2 ji
Po podstawieniu do równania (12.15) otrzymamy
(12. J6)
Drugim krokiem jest równania nie

pochodnymi
koY - f(l/-r) = -'t
2
ji - k1't)'
W trzecim kroku obie strony równania przez ( - 1/r:) i
-!J [k0 y - f(t/-r)]dt = -ry + k 1y (12.17)
Po lewej stronie otrzymujemy w ten sposób które

za integratora integrato-
ra nosi w tym przypadku zmiennej stanu zn; n jest równania
a tutaj wynosi 2. Otrzymujemy w ten sposób
z2 =- !J [k0 y - f(t/-r)] dt (12.18)
y traktujemy jako Po podstawieniu równania

(12.18)do (12.17) otrzymujemy
(12.19)
.,.._.
.._._.
.._......•.•,•,w•-.---
12.6. 353
To równanie potraktujemy tak samo, jak równanie (12.16).
Otrzymamy w ten sposób
(12.20)
Lewa strona jest stanu z 1
(12.21)
to realizujemy za drugiego integratora Pod-

stawienie do wzoru (12.22) daje równanie na
(12.22)
nic tu pochodna ,
ne. Ostatnie równanie (12.22) stanowi dla za
y.
Operatje matematyczne potrzebne do równania
wego, opisane równaniami (12.18), (12.21) i (12.22), w spo-
sób przejrzysty w postaci grafu zwanego grafem prze-
pokazanego na rys. 12.17. mu schemat analogowe-
go przedstawia rys. 12.18. Dla dodatkowego
w:zmacniacza k 1y z równania (12.21)
skorzystano z faktu, zgodnie z równaniem (12.22) z 1 = - y .
Rys. 12.17. Graf dla równania
-rfI1i
1
R/ko
Rys. 12.18. Realizacja
354 12. LINIOWE 1 NIELINTOWE ANALOGOWE

i]f:~$l:@r~
::::~
~~~~i~#t~lWJ~:fa!:!:??::W?::fflT:~~~~""t¾:i:::~~g~:~:~:;:
::::;:;:::::;:;;::::::::::::;
::::
::::::~=:~:::::
MtZ:@::::;:
:::::
:::::::::~::::f~#f~~~fa~~:
!!~
12.7.Generatory
funkcji funkcyjne)
~i~:~.:re.:™:.::::;J
\\\~'>¾~\\'('
"~:::::::
:.J:&:.:i½Ml:fU~+¼Kl::~~'t~~»"'Xh«<:*:
.:::::::
.:::::::;:
::.:::;::::;
:;:;::~::;::;.J
...
-...:..'#-ks.,~~:;:::;:;:;:;:;:,;:",:,·
:1·,:;;;.,,:;:,,,,.:-;.>.
problem pewnemu u1
u2 =f(u 1), gdzie f jest np.
lub
u"'sm0 B
. U1
U2 =
podane w postaci wykresu lub tablicy

trzy realizacji takiego
na zjawiska fizyczne szukany doko -
aproksymacji odcinkowej lub aproksymacji szeregiem W dal-
szym podamy kilka wykorzystania tych metod.
12.7.1.Logarytm
powinien proporcjonalne do
logarytmu do tego celu charaktery-
diody
(12.23)
gdzieIs jest wstecznym, UT = kT/ q - elektrokinetycznym,

am - korekcyjnym o 1 a 2. W obszarze
przewodzenia iD Is równanie (12.23) upraszcza z zachowaniem wystar-
do postaci
(12.24)
Wynika
(12.25)
a szukana funkcja logarytmiczna. Najprostsza wykorzystania

tej do logarytmowania polega na wzmacniacza operacyjne -
go ujemnym zwrotnym za diody w sposób pokazany na
rys. 12.19.
12.7. GENERATORY FUNKCJI FUNKCYJNE) 355

Wzmacniacz operacyjny weJsc10weUwE na
iD = uwE/R
1• na o niskiej rezystancji
cie Uwy = - uAK· Otrzymamy w ten sposób
Uwy = -mUrln - 1UwE

R = -mUrln101og --
UwE
(12.26)
s 1 lsR1
a w temperaturze pokojowej
UwE
Uwy = -(1 ... 2) · 60 mVlog --
lsR1
Wykorzystywany zakres logarytmowania dwa zjawiska. Po pierw-

sze dioda ma na której przy
znaczny spadek logarytmo-
wania. Po drugie korekcyjny m od Dlatego
tylko w niewielkim zakresie zmian
( dwóch dekad).
Uws
Uwr = -mUr ln - dla uw 8 >O
l,R 1
Rys. 12.19. z Rys. 12.20. z tranzystorem
Niekorzystny korekcyjnego m
przez zastosowanie tranzystora zamiast diody, jak to pokazano na rys. 12.20.
Zgodnie z równaniem (4.1) dla ie~ les
u,.
ie = Ie 5 emuT (12.27)
czyli
(12.28)
Wobec tego z tranzystorem

z rys. 12.20 wynosi
356 12. LTNfOWE I NIELINIOWE ANALOGOWE

"
Oprócz eliminacji korekcyjnego m z rys. 12.20 ma jeszcze

dwie inne zalety: nie spowodowany wstecznym
kolektor-baza, Uc8 = O i na wynik nie
nika wzmocnienia bazy do masy. Przy
ciwymdoborze tranzystora mamy do dyspozycji zakres kolektora od pA
do mA, czyli dekad. jednak chcemy w ten
zakres, jest potrzebny do tego wzmacniacz operacyjny o bardzo
dach
Tranzystor T wzmocnienie w z ujemnym
niem zwrotnym o swoje wzmocnienie Dlatego ten wykazuje
do wzbudzania Wzmocnienie tranzystora
wo przez w szereg rezystora emiterowego RE,jak pokaza-
no na rys. 12.21. Wskutek tego wzmocnienie tranzystora zostaje
ograniczone do R 1 /RE. Rezystancja RE tylko tak
by nie przesterowania
wzmacniacza operacyjnego . jeszcze
kondensator C w obwód zwrotnego. jednak
ze na charakterystyki tranzystora górna
graniczna takiego maleje proporcjonalnie do
--1~-
Rys. 12.21. Realizacja prak.lyczna
Lepsze uzyskuje wówczas, gdy tranzystor

jest sterowany ze o rezystancji. Wzmocnienie w
zwrotnego wynosi wówczas gmR 1 , przy czym gmjest transkonduk-
nie ona od kolektora,

charakterystyki dla zakresu W ta-
kich wzmacniacze operacyjne z
(transconductance amplifier), które w postaci scalonej, np.
CA 3060 i CA 3080 firmy RCA. ich jest jednak
polaryzacji
Dioda D na rys. 12.21 zapobiega przesterowaniu wzmacniacza przy
ujemnych Zapobiega w ten sposób uszkodzeniu
tranzystora T zbyt wysokim wstecznym i skraca czas do
stanu ustalonego.

opisanego jest silna charaktery-
styki logarytmicznej od temperatury. Wynika ona Ur oraz lcs zmie-
mocno z przy temperatury od 20°c do 50°C
Ur maleje o 10%, a zerowy
zerowego przez utworzenie dwóch logarytmów.
Skorzystano z tego w z rys. 12.22.
Ic2 lct
--,r--,
C1
I
I
Tz Uf ,-,r--
I
C2
R
I I
UwEi R3 juREF
1 1
uwrt R2
Rys. 12.22. skompensowany temperaturowo
Wzmacniacz T1 , T2 do logarytmowania. W celu zbada-

nia wyznaczymy we wzmacniaczu
wym. Z drugiego prawa Kirchhoff a wynika
Charakterystyki tranzystorów opisane wzorami
"•a::z
icz = lcseU.
Wynika
(12.29)
Z rysunku 12.22 kolejne R 2 nie ma zbyt
. UwE . UREF
Zez = R ~' zc1 = - R-- ,
1
,.,.,.,...,.,.,.,.,.,.,.,.,
..,_...._..
........
,..,=~wwwwww~~-~-~-=_... ,...,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,vvr-= .,.,.,...,...,.,v,...,,,.~~=,.-w.v,•,•,•r,,..v,•,,,,.
..............
...,...,.,

Po podstawieniu otrzymujemy wzór na
(12.30)
rezystancji R 4 nie na wynik. jednak tak

by spadek na niej w zakresie zmian wyj-
wzmacniacza operacyjnego WOz.
jest potrzebny wyj-
o 1 V na W celu
wyznaczenia rezystancji Rz i R 3 dla tego przypadku szczególnego
równanie (12.30)
u - - U - R3--+ Rz 1 log UwE = - 1 V 1og UwE

wr - r Rz loge URE-F UREF
Przy UT = 26 mV wynika warunek
R3 + Rz l V · log e ,
16 7
Rz Ur
wybierzemy R 2 = 1 kn, otrzymamy R 3 = 15,7 kQ.

Przy korekcji charakterystyki obu wzmacniaczy obo-
te same zasady, co dla popr zedniego Kondensatory C 1 i C 2
dodatkowymi kompensacyjnymi.
zmian temperatury na Ur przez dobór re-
zystancji R 2 z dodatnim temperaturowym lub R 3 z ujemnym
temperaturowym równym 0,3%/K. Ta jest wyko-
rzystana w scalonym ICL 8048 firmy Intersil. lnne polega
na stabilizacji temperatury wzmacniacza Do tego celu
scalony, umieszczony na tej samej strukt urze , jako dodat-
kowy regulator temperatury, jak np. SSM2100 firmy Analog Devices.
Temperatura jest tu regulowana w zakresie do 60°C. Moc strat wynosi
450 mW przy temperaturze otoczenia 25°C.
12.7.2.
Funkcja
Na rysunku 12.23 pr zedstawiono funkcji
zbudowany podobnie do z rys. 12.20 . doprowa-
dzimy ujemne zgodnie z równaniem (12.27) przez tranzys-
tor
11wB
ic=lcseu,=fcse- Ur

i otrzymamy
u,..
Uwr = ieR1 = IesR1 e- u„
Tak jak w przypadku z rys. 12.22, tutaj

na przez zastosowanie wzmacniacza
wego. Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 12.24. Zgodnie z równa -
niem (12.29)
Z rysunku 12.24
. Uwy
1e1 =~,
Po podstawieniu otrzymujemy wzór na
(12.31)
na wynik nie ani fes, pary tranzystorów

dobrze dobrane, ani rezystor R 4 tranzystorów T 1 i T2 ,
wzmacniacz operacyjny W0 2 nie jest przesterowany.
Uwr = l„ R Ie -{u.,, / U,) dla Uw,; <o
Rys. 12.23. Prosty generator funkcji
ic1 R,
d
fi
ró
f-u
R1 u.,.,
s1
Uwr=UREFeR,+R, · u, dla UREP>O
Rys. 12.24. Generator funkcji skompensowany lemperaturowo
360 12. LINIOWE 1 NIEUNIOWE ANALOGOWE

Szczególnie jest projektowanie w którym
wema (o przy
go o I V. Warunkiem (z równania (12.31)) jest
• ""'"logc ~}
Uwy = UREF. IOR,+R, Ur = UREF. 101v
PrzyUT = 26 mV wynika
1 V · log e
16 7
Ur ,
czyliten sam warunek, co w przypadku z rys. 12.22.

Scalonym generatorem funkcji z
jest np. ICL 8049 firmy Intersil.
Opisane generatory funkcji utworzenie wyra-
w postaci
y= eax
Na podstawie
= (elnb)ax=
ba."' eaxlnb
o dowolnej podstawie b
y = bax
x ze In b i na genera-
tor funkcji
12.7.3.
Tworzenie
funkcji za logarytmowania
funkcji o postaci
y= xa
dla x > O za i generatora
funkcji Korzystamy w tym celu z
Podstawowy jest pokazany na rys. 12.25. Naniesione na rysunku

równania do z rys. 12.22 i generatora
funkcji z rys. 12.24 dla R 2 = oo i R 3 = O. Otrzymujemy w ten
sposób
12.7. GENERATORY FUNKCJI FUNKCYJNE) - 361

Logarytm i za tylko jednego
scalonego, stosuje tzw. konwerter wielofunkcyjny, jak np.
LH 0094 firmy National lub AD 538 Analog Devices.
*(-a)
dla uw1,> O
Rys. 12.25. Ogólna funkcji
za logarytmów jest w zasadzie tylko dla

dodatnich Pod czysto matematycznym przy
kowitym a dopuszczalne dodatnie
i ujemne. to za
opisanych w p. 12.8.
12.7.4.Funkcjesinusi cosinus
Funkcja sinus
Generator funkcji sinus powinien
Uwy = UwrmSIO . (1t

2 UUwE ) (12.32)
WEmax
w zakresie -U wEmax UwE Dla

UwEma.-.· mamy Ul
Celowe jest takie dobranie Uwrm, by w zera uwr = uwE· Jest tak le
wówczas, gdy W,
2
Uwrm = -1tUwEmax
Przy generator funkcji sinus musi

wzmocnienie równe 1, natomiast przy musi ono
w której wykorzystano aproksymacji
odcinkowej jest przedstawiony na rys. 12.26. to ,
362 12. LINIOWE I NIBLIN10WE UKLADY ANALOGOWE
Przy dioda nie przewodzi i ma-
my zgodnie z wymaganiem Uwr = UwE· Gdy Uwr staje U1 ,
zaczyna dioda D 1 i Uwr wolniej uwE· Gdy
Uwr staje U2 , zostaje dodatkowo rezystan-
R5 i jeszcze wolniej. Na diodzie D 3
jest wytwarzana pozioma styczna w punkcie maksimum
przebiegu sinusoidalnego. Diody Di, ..., D 3 podobnie w ujemnej po-
lówce sinusoidy.
+15V +15V
10kS2
4702
l-
ic 2,7/«J.
l,
Rs
2,2kS2
2,7kS2
jUwy
1
470 S2
2)
- f5V -15V
Rys.12.26.Generator funkcji sinus o 2n = 6 punktach
diody nie charakterystyk

ak lecz toniewielka liczba diod
harmonicznych uwr·
W celu zaprojektowania najpierw punkty
mania krzywej 2n punktów
mania znajduje w miejscach [12.2]:
2k
UwEk= ± 2n + I UwEmax O<k~n (12.34)
rcji
to nie n pierwszych nieparzystych harmonicznych.
12.7. GENERATORY FUNKCJI (UKLADY FUNKCYJNE) 363

Odpowiednie zgodne z równaniami (12.32) i (12.31)
Uwn = ±-;2 U
WEmaxSlil
. (
1t 2n
k
+ 1) O<k~n (12.35)
Wynika nachylenie odcinka k-tego punktu
mk = Uwy(k + 1) - Uwn = 2n + !_ [sin 1t(k + 1) - sin 1tk ]

UwE(k + 1) - UwEk 7t 2n + 1 2n + 1
(12.36)
Dla k = n, a dla punktu m = O,jak

przy opisie nachylenie m 0 powinno równe
Ze na wszystkie parzyste harmoniczne .
skuteczna nieparzystych harmonicznych daje przy 2n = 6 punktach
harmonkznych 1,8%,
a przy 2n = 12 - 0,8%. Ze na krzywych przez rzeczywiste
charakterystyki diod faktyczne znacznie lepsze.
to na projektowym: o
szczytowej UwEmax = 5 V na sinusoidalne. Zgodnie
z równaniem (12.33) jego amplituda musi 3,18 V, aby nachylenie odcin-
ka przez zero - zgodnie z wymaganiami - równe
Do aproksymacji krzywej o 2n = 6 punktach Zgodnie z ró-
wnaniem (12.35} punkty te przy rów- I
nych ± 1,4, ±2,5 i ±3,1 V. W przypadku rzeczywistych diod
dopiero od przewodzenia równego
0,5 V. O diody . Otr zymujemy
w ten sposób U1 = 0,9 V, U2 = 2,0 V i U 3 = 2,6 V. rezystorów R 1 , R 2 ,
R 3 dzielnika dla tych podane na rys. 12.26. Wtórniki
I
emiterowe T 1 i T { do realizacji niskiej rezystancji t,
i do kompensacji temperaturowej przewodzenia diod.
Z równania (12.36) otrzymamy nachylenia trzech odcinków m 1 = 0,78, c;
m 2 = 0,43 i m 3 = O. Wybieramy R 5 = 2,2 k.O.
dzielników, otrzymujemy ze wzoru
R4
dl
W'
R4 = 7,8 kQ. Nachylenie drugiego odcinka d!
w:
(Rs liR4}
m2= nii
Rs + (Rs Jl R4) B1
Wynika R5 = 2,1 kQ. by
•• • ~• ~•'•'-'-'•Y ....,._._._~._.______ ..............................,.,...--,--~--.-.-.-., •,•,..- •,•,•,•,•,•,•,•,•;.-.,.N"A,/"A , ••• •• • •••• ,, .,•, ·o·,._.,._,,._,,www_www=

W celu zestroje nia
najlepiej jest filtr za-
porowy na (patrz p. 14.9) i oscylogram pozo-
Optimum wtedy, kiedy maksima
jak to na oscylogramie poka-
zanym na rys. 12.27. Zmierzony dla tego przypadku
harmonicznych 0,42%, a znacznie mniej teoretyczna
dla diod idealnych.
Rys. 12.27. i 50 razy) w funkcji

Pionowo: 2 V / poziomo I V /
w szereg
Inny rodzaj aproksymacji funkcji sinus polega na jej w szereg
o postaci
X3 XS
sinx = x - 3! + 5! + ...
1 Dlazmniejszenia pracy urywamy szereg po drugim wyrazie. Powoduje

l to powstanie jednak ograniczymy zakres argumentu do
-1e/2 x n/2, przez
,,
'
czynników[12.3]. wybierzemy
sinx y = 0,9825x - 0,1402x 3 (12.37)
dla x = O, ±0,96 i ±1t/2 równa zeru. Dla x tymi

mniejszy 0,57% amplitu-
dy. harmonicznych wyniesie 0,6%. Przez nie-
go do 0,25% i jest on wtedy
niecomniejszy przy aproksymacji odcinkowej z 2 x 3 punktami
Brakpunktów jest szczególnie korzystny wówczas, gdy ma

W celu realizacji
1t UwE
X= -- - -- y=
2 UwEmax UwYmax
wybieramy UwYmax = UwEmax i z równania (12.37} otrzymujemy
Uwy = 1 ,543 uwE - 0,543 u3UwE

3 UwEmaxSlll
.
( 2 u
1t UwE
)
WEmax WEmax
Schemat blokowy tych operacji przedstawiono na rys. 12.28. Jako

UwEmax wybrano tu E Potrzebne
do tego celu analogowe poznamy w punkcie.
f,543 UwE
- 0,543u.2
UwE
dla UWBmax =E
Rys. 12.28. Aproksymacja funkcji sinus przez w szereg
Wzmacniacz
Kolejna aproksymac ji funkcji sinus wynika z
przebiegu funkcji th x i sin x dla x. th x
w prosty sposób za wzmacniacza przedsta-
wionego na rys. 12.29.
l
+ + m
n
r
C
Rys. 12.29. Aproksymacja funkcji sinus za wzmacniacza fi
366 12. LINIOWE T NIELINIOWE ANALOGOWE

Jak pokazano w p. 12.7.J, we wzmacniaczu zgodnie z rów-
naniem (12.29) mamy
Wynika
(12.38)
Wzmacniacz operacyjny wytwarza obu kolektorów zgod-

nie z równaniem
otrzymujemy
(12.39)
w za sinus
, ( 1t Uwe ) , 1t 1t
Uwy = UwYmax sm
2
U w zakresie -
2 2
WEmax
aproksymacji funkcji sinus od wybranej szczyto-

wej UwEmax· Dla UwEmax = 2,8Ur 73 mV jest minimalny, a Uwrmax wy-
nosi0,86 JER2 , co jednak stanowi 3%. ten do
0,02%, wzmacniacz o 2 odpowiednio spolaryzowane
tranzystory. Zgodnie z pracuje AD 639 firmy Analog Devices ,
oprócz funkcji sinus wytwarzanie innych funkcji trygo-
nometrycznych[12.3, 12.4].
Funkcjacosinus
cosinus dla argumentów w zakresie O x 1t
za opisanych generatorów funkcji sinus, two-
z w zakresie od Odo UwEmax
ciepomocnicze
(12.40)
Jak na rys. 12.30, otrzymuje w ten sposób pierwsze

funkcjicosinus. W celu krzywizny w zakresie maksi-
12.7. GEN ERATORY FUNKCJI FUNKCYJNE) 367

mum i mmimum u 1 na we1sc1e generatora funkcji sinus
(rys. 12.31). Jak na rys. 12.31, rozbudowa polega tylko na doda-
niu sumatora.
u,
UwEmax
Rys. 12.30. Przebieg pomocniczego do realizacji funkcji cosinus (zaznaczonej
R
Uwy = U„1„COS (
7t --
Uwli )
UwEmox
u, u dla O Uwe Uw,_,
>-._.; _,. wym SW -
. 7(
-- u,
2 Uw, m(J)(
Rys. 12.31. Wytwarzanie funkcji cosinu s za generatora funkcji sinus
Równoczesnewytwarzaniefunkcjisinusi cosinusdla argumentu- n x 1t

Dotychczas opisane wytwarzanie funkcji sinus i cosi-
nus przez okresu. zakres argumentu ma okres
lub jako pierwsze wytwarza najpierw o przebie-
gu a do szczytów stosuje generatory funkcji sinus.
l
t
l
- 1 z
u,/U wEmax
1
Rys. 12.32. Przebieg pomocniczych do wytwarzania funkcji sinus i cosinus dla argumentu &
- 7t~X~ 7t
je
Przebieg jest przedstawiony na rys. 12.32. u1

aproksymuje cosinus. Dla uwE > Ojest ono identyczne z u1
na rys. 12.30. Dla uwE < Ojest ono odbiciem lustrzanym osi y. Mo-
--=r.N"r .wrr...-rrr.v...-. .....,~--
•,•,,,,, .,.,,,,..,., . ,,, .,,.,,, ..,,.,.,,..,.....,.,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,.,.,.,.,............... .-,·,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,v.v.,-.·,,., ·..-.,..,.,.,~..,..,..,...,,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.~,,-.v.v,.;=-......,..,..
,.,,...,...,...,.,
368 12. LINIOWE l NLELIN!OWE ANALOGOWE
równanie (12.40), w nim uwE przez IuwE I-
Otrzymamy wtedy
U1 = UwEmax- 21UwEI (12.41)
Dla funkcji sinus sytuacja jest nieco bard ziej skomplikowana. Musimy tu wy-
trzy zakresy
1
- 2(uwE + UwEmax) dla - UWEma ~ uWE '-"
x '-" ~ - -2 U WEmax (12.42a)
I l .
Uz.= 2uwE dla - -2 U WEmax'-"
~ u WE'-" x (12.42b)
~ -2 UWEma
I
-2(uwE - UwEmax) dla (12.42c)
2 UwEmax UwE UwEmax
Funkcje takie najlepiej za uniwersalnych,

nych generatorów funkcji, którymi zajmiemy w punkcie.
12.7.5
. Nastawnygenerator
funkcji
Na rysunku 12.26 diodowy do odcinkowej aproksyma-
cji funkcji. Obliczenie elementów tego jest tylko
re w przewodzenia diod i wza-
,- jemneich Oprócz tego struktura obwodu narzuca znak nachyle-
:s nia odcinka. Dlatego tego rodzaju tylko dla
funkcji i nie ich w prosty sposób
Na rysunku 12.33 przedstawiono który ustalenie punk-
tów i nachylenia poszczególnych odcinków za oddzielnych
potencjometrów. ze wzmacniaczami operacyjnymi W0 1 i W0 2
dodawanie dodatnich, a wzmacniacze WO 5
i W0 6 ujemnych Wzmacniacz W0 4 nachylenie
przy przez zero. na segmen-
tówprzez dodanie identycznych Wzmacniacze WO 2 ,
W04 i W0 6 jako o wzmocnienia ze zmiennym
znakiem,jak na rys. 12.5 dla n = 1. Ich wzmocnienie od-
powiednimipotencjometrami w zakresie - 1 ku + 1.
tu sumowane we wzmacniaczu W0 3 • Za potencjometru P 3
jeszczedo tego
W zera ma tylko od
wzmacniaczaWO4
12.7. GENERATORY FUNKCJI FUNKC YJNE) 369

-E
R R
P1
P3
R R
UwE
j
1 P4
R
Rys. 12.33. Nastawny generator funkcji
u 1 i u5 wówczas równe zeru, diody D 1 i D 4 nie

a wzmacniacze operacyjne WO 1 i WO 5 ujemnym
niem zwrotnym przez diody D 2 i D 3 •
Gdy staje Ux1 , dioda D 1 zaczyna
dla
Wzmacniacz W0 1 pracuje wtedy jako prostownik z dodat-

nim U Kl. Analogicznie zachowuje wzmacniacz WO5
przy ujemnych
dla
Otrzymujemy ogólne na nachylenie
-k 0 + k 1 + ... +km dla UwE> Uxm > O

-ko+ k1 dla uwE > Ux1 > O
dUwy
m= = 10 -ko dla UK2 < UwE< UK1 (12.43)
duwE
-ko+ k2 dla UwE< Ux2 < O
- ko + k2 + ... + kn dla UwE< Uxn < O
Dla przeanalizujemy przebiegu u 2 przedsta-

wionego na rys. 12.32. Potrzebny jest dodatni punkt przy UKl =
= 1/2 UwEmaxi ujemny punkt przy Ux 2 = -1/2 UwEmax·
·-----=w~w.·.· ····
········• -..."·---···
•..,-- ...... ········
·····ww•··-• ·-- - -
370 12. LINlOWE I NIELINIOWE UKLADY ANALOGOWE
Zgodnie z równaniem (12.42b) nachylenie segmentu zerowego musi wy-
m = + 2. Wynika k 0 = -0,2. dodatniego punktu
mania jest wymagane nachylenie równe -2. Z równania (12.43) dla tego
zakresu mamy
k1 = - 0,4. W analogiczny sposób uzyskuje k 2 = - 0,4. Wy-

przebieg przedstawiono na rys. 12.34.
u
UwEmax
2
-f
- 1
/
/
/
/
-2
Rys. 12.34. Przebieg przebieg u2 na rys. 13.32
Regulacja parametrów w celu uzyskania wymaganego przebiegu

jest w sposób prosty wówczas, gdy mamy do dyspozycji tylko
niecechowane potencjometry. wtedy najpierw usta-
wiamymaksymalne wszystkich i i podaje-
my uwE= O.Wówczas z IuwE I < I Ux1 I i potencjometr P3 do
regulacji zera. Tym potencjometrem ustawiamy Uwy(O).
ustawiamy uwE = UKl i regulujemy P 4 tak, by Uwy(Ux1)
W ten sposób zostaje ustawiona k 0 . Na koniec
regulujemyP 1 tak, by temu P 1
zostajeustawiony na UKl.
ustawiamy uwE na punkt
(w razie potrzeby na koniec zakresu) i regulujemy P 2 tak, by Uwr
W ten sposób zostaje ustawiona k1 .
W podobny sposób z punktami
i nachyleniami.W przypadku, gdy nie potrzebne cechowane potencjometry
do regulowania jest uproszczenie
o wzmocnienia ze zmiennym znakiem za-
potencjometrami, które do
zwieloma jak to pokazano na rys. 12.35. ten z dwu
wzmacniaczyoperacyjnych W0 2 i W0 3 i zgodnie z przedstawio-
na rys. 12.2.
12.7.GENERATORY FUNKCJI FUNKCYJNE) 371

Rys. 12.35. Nastawny generator funkcji, uproszczony
Dotychczas dodawanie, odejmowanie,

czkowanie i ale tylko przez
Obecnie omówimy zasady i dziele-
nia dwu o zmiennych
12.8.1. z wykorzystaniem
i dzielenie do dodawania i odejmowania loga-
rytmów
xy = exp[lnx + lny- lnz]

z
za trzech
jednego generatora funkcji i jednego
cego. Z
wm1acniacza generatora funkcji z rys. 12.24 wyko-
rzysta do odejmowania oraz fakt, doprowadzenie
odniesienia jako dodatkowe

z rys. 12.36
Generator funkcji daje wtedy
w tym przypadku nie tylko

zerowefes, ale znika Ur· Dlatego nie jest potrzebna kom-
pensacja temperaturowa pod warunkiem, wszystkie tranzystory jed-
nakowe parametry i jednakowe temperatury. Powinny one mo-
nolityczny scalony.
tej metody jest to, wszystkie
dodatnie i nie zero. Tego rc,dzaju
nosi w jednej
R1
C
- ~~-,
I
uxl juwy
1 1.
T1 Ut
UxUr
U,vy =- dla Ux, Uy, Uz >o
Uz
Rys. 12.36. z wykorzystaniem logarylmowania
Takie jak przedstawiony na rys. 12.36, realizo-

za konwerterów wielofunkcyjnych, np. typu LH 0094 firmy Na-
l tionallub AD 538 (Analog Devices). one jednak w po-
staci scalonej, jak np. RC 4200 firmy Raytheon [12.5].
12.8. ANALOGOWE 373

12.8.2.Transkonduktancyjne
Jak pokazano w rozdz. 4, transkonduktancja tranzystora
jest proporcjonalna do kolektora.

Zgodnie z tym zmiana kolektora jest proporcjonalna do iloc~ynu
zmiany i spoczynkowego kolektora. We wzmac-
niaczu z rys. 12.37 wykorzystano do
Rz uxur
Rz u ~ - ·- - dla ur <O
WY R y 2U T
Rys. 12.37. Zasada lranskonduktancyjnego
Na wzmacniacza operacyjnego otrzymujemy

kolektorów
Uwy = - b) (12.44)
podamy ujemne u 1 i przyjmiemy ux = O, przez oba tranzystory
taki sam a równe zeru. Ux
dodatnie, kolektora T 1 a T 2 zmaleje. stanie
ujemne. Odpowiednio Uwr staje dodatnie, gdy ux jest ujemne.
ca kolektorów jest tym im jest emiterów,
tzn. im jest Uy. Uwr, przynajmniej
w proporcjonalne doux uy. W celu przeprowadzenia
nych we wzmacniaczu Jak
pokazano w p. 12.7.4, zgodnie z równaniem (12.38) mamy
u
b - ic2 = th 2i (12.45)
T
w szereg z do czwartej daje
(12.46)
374 12. LINIOWEJ NIBUN!OWE ANALOGOWE

Wynika
dla (12.47)
lur I~ UnE, to
Po podstawieniu do równania (12.47) i równania (12.44)

otrzymamy
(12.48)
Aby w równaniu (12.48) nie od 1% musi waru-

nek IUx I< 0,35 UT~ 9 mV. Ze na ux para
tranzystorów T1 i T 2 musi dobrana tak, by dryft
nie dodatkowych
Aby ur musi zawsze ujemne, a ux
dodatnie lub ujemne. Taki nosi w dwu
Transkondukcyjny z rys. 12.37 pod wieloma

Przy wyprowadzaniu wzoru (12.48)
Iur I~ UnE 0,6 V. Warunek ten je-
Rr sterowanym o iE
proporcjonalnym do uy.
z rys. 12.37 jest ograniczenia Iux I do
chcemy tego
Ux doprowadzi nie ale przez
Rozszerzenie z rys. 12.37 do w czterech
tzn. przy dowolnych znakach obu jest
liweprzez drugiego wzmacniacza którego
emitera jest sterowany w przeciwnej fazie za ur·
Wszystkie te w transkonduktancyjnym
dzie w czterech przedstawionym na rys. 12.38. Wzmac-
niacz T 1 , T2 jest fragmentem z rys. 12.37. Wzmacniacz
nicowy T{, T2 stanowi jego symetryczne Tranzystory T5 , T6
wzmacniacz z ujemnym zwrotnym.
Ich kolektory dwu które zgodnie z wyma-
ganiami sterowane w przeciwnych fazach ur
. Uy
is = la +R , (12.49)
f
,~ ••·•·•,,·,vvv,,,.,.
.v.;,. ..,.;,...,,..v,v,.,,,.,...., _ •••••v ......,•••••,.,.,.,.,•••,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., •••,.,., ..... ............... "",.,.......,~ ,. •• •-.·.vh-.-.
_.,,,,,,,,,,,.,,.,,,,,.,,., ·.·····················rrrr·----
12.8. ANALOGOWE 375
Analogicznie do poprzedniego otrzymamy w ten sposób na
kolektorowych wzmacniaczy T1 , T2 i T{, T2
(12.50)
(12.51)
Rz
Uwy
i
1
2Rz U;rUr
Uwr =-- ·--
RxRr 11
dla /7 > O
Rys. 12.38. transkonduklancyjny
Na wzmacniacza otrzymujemy
(12.52)
Po równania (12.50) od (12.51)
(12.53)
Dla Uy dopuszcza oba znaki. w szereg pokazuje (tak jak w po-

przednim mamy do czynienia z
Zbadamy teraz u1 i ux, Oba tranzystory w po-
diodowym D 1 i D3 do logarytmowania
--~, .,.,.,... . ._u ,•,•,•, ,,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,.~-.

·.-.,'>h'--
376 12. LINIOWE 1 NlELJNJOWE ANALOGOWE

Wynika
(12.54)
Po wstawieniu do równania (12.53) otrzymamy
(12.55)
Wzmacniacz operacyjny w wytwarza
(12.56)
E = RxRyl 7 /2Rz jest tu Jej wynosi prze-

10 V. Ur nie we wzorze , otrzymuje kom -
Równanie (12.55) lub (12.56) otrzymuje bez roz -
w szereg. Dlatego jest dopuszczalny znacznie zakres
cia ux. wtedy, kiedy jeden z tranzystorów stero -
wanych zostaje zablokowany.
ograniczenia na
lurl < Ryl 8

17 sterowane jeszcze jednym u 7 , wraz
z jest dzielenie. zakres / 7 jest jed-
nak ograniczony, wraz z nim wszystkie punkty pracy
w i zakres wysterowania ux.
Prostsza dzielenia polega na Uwr
a uz, i zamiast tego uy z uwr· Wskutek ujemnego
zwrotnego ustala takie mamy /ii = Uz/Rz. Po
równania (12.55) wynika
Nowe wynosi wtedy
(12.57)
,www-=~-~, -,,, ,,., .. .. ...
12.:8. ANALOGOWE 377

jest stabilny tylko wtedy, kiedy ux jest ujemne, w przeciwnym
przypadku zamiast ujemnego dodatnie zwrotne.
Uz dowolne. Mamy do czynienia z w dwóch
Ograniczenie znaku mianownika nie stanowi jednak spec-
jalnego ograniczenia tylko w tym lecz we
wszystkich
Transkonduktancyjne na zasadzie przedsta-
wionej na rys. 12.38 w postaci monoli tycznych scalonych
(tabl. 12.J). wynosi 0,1% opera-
cyjnej E, czyli 10 mV przy operacyjnej równej 10 V. Jak jesz-
cze w p. 12.8.5, dla takiej proste wy-
czterech punktów regulacji; bardziej skomplikowane dostrajane
przez produc enta [12.5] i z nie regulacji z
Tablica 12.1. scalonych transkonduktancY.inych
Typ Producent pasma

bez zerowania z zerowaniem 1% 3 dB
[%] [%] [kHz] [MHz]
MPY 100 Burr Brown 0,5 0,35 35 0,5

MPY 600 Burr Brown l 0,5 60
AD 534 AnalogDev. 0,25 0,1 70 I
AD 633 AnalogDev. 1 0,1 100 I
AD 734 AnalogDev. 0,1 1000 10
AD 834 Analog Dev. 2 500
Trzydecybelowa pasma przenoszenia tych wynosi

ok. 1 MHz. Przy tej wynosi 30%. W wielu
zastosowaniach taka jest niedopuszczalna. daje
taka graniczna, przy której spadek wynosi 1% .
Transkonduktancyjne o
Dotychczas dwie metody dzielenia: za mno-
z wykorzystaniem logarytmowania przedstawionego na rys. 12.36 oraz
za opisanego transkonduktancyjnego
W punktu zerowego przy dzieleniu zasadniczy problem: na-
w istocie zera. ten jest szczególnie istotny
w przypadku transkonduktancyjnego tam
w do dodaje
w celu zmiany znaku argumentu Gest /7
w równaniu (12.54)). Przy dzieleniu przez logarytmowanie pokazanym na u
rys. 12.36, sytuacja jest znacznie bardziej korzystna, mamy tu jednak do dys-
pozycji tylko .R
,.....,.,.,.,.,
__ ,.. ........
.,...,.........
,.,.,.
....
,........
,...,.....
,.,•,•,•,•,•,··························r.
·-.·,·······- -~ ............ .H.;-.>u•,•r,.,v.-.-.-- .,....,
,.......,.,.,._
...........
._._,.....,,,...,,.,....,..
...,.,,...,.....,,..,,.,.,,.
378 12. LJNIOWE I NIELINIOWE ANALOGOWE
Zalety obu metod, tzn. dzielenia w obu przy dob-
rej w punktu zerowego, ze
do licznika - zamiast - do mianownika, co
zapobiega zmianie znaku argumentu logarytmu [12.7].
powinien
Ux
Uwy=E -
Uz
Przy Uz > O Iux I < Uz dwa

pomocnicze
1
Uz = uz + 2 Ux (12.58)
które zawsze dodatnie. Zgodnie re schematem blokowym przedstawionym

na rys. 12.39 one logarytmowane za logaryt-
pokazanych na rys. 12.20. Z u 3 i u4 we
wzmacniaczu jak na rys. 12.37 tworzy tangens hiperboliczny
i otrzymujemy
Przy równania (12.58) wynika
Metoda ta 0, 1% operacyjnej w za-

kresiedynamiki 1:1000 (np. 436 finny Analog Devices).
U1
uxj u 1 - 21 ux - Urln--
lcsR,
l.
1 R Lth uru•
zf 2Ur
U2
Uz+ 21 ux -UrlnIR
CS I
'j
a
., Rzle Ux
a urr=-· - dla Uz > O i lu:rl uz
2 Uz
Rys.12.39. tran skonduktancyjn y
12.8. ANALOOOWE 379

12.8.3. z izolowa
nymielektrycznie
dzielnik dzielenie przez Je-
za regulacji zapewnimy, ta proporcjonalna
do drugiego wówczas jest analogowe.
Schemat takiego jest przedstawiony na rys. 12.40. Zawiera on dwa
identyczne Kx i Kz, których jest propor-
cjonalne do za
u1 . u 1 wzmacniacza wskutek ujemnego
zwrotnego przez Kz przyjmuje kuz = Uy. Ma to
miejsce dla k = uy/Uz. na drugi podamy ux, jego
UxUy
Uwy = kux= --
Uz
Uz musi dodatnie, aby ujemne zwrotne nie

w dodatnie. To czy uy zarówno dodatnie , jak
i ujemne, od budowy dopuszczalne
dodatnie i ujemne, uy dowolny znak.
UxUy
Uy uwr = -- dla uz >O
Uz<>- - -1 Uz
Uxn----1
kux
fuwy
1 1
Rys. 12.40. zasadniczy
ux zarówno dodatnie, jak i ujemne, a oprócz tego nie

jest ograniczone nie przechodzi przez wzmacniacz
regulacyjny W0 1 . jako elektrycznie zastosujemy
tranzystor polowy, otrzymamy pokazany na rys. 12.41. Wzmacniacz
W0 1 pracuje jako wzmacniacz regulacyjny do ustalenia
ników Jego reguluje rezys-
tancji RDs tak, by
CXUz +~ =0
RDs R4
Wynika
,.,.,.,.,
.,.,.,,.,...
.__ -_..,.,. ,,.,.,.,.,.,.,,_.,.
,,,,,.,..,,,,,.,,........
,.,•,•,
•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,,..,...,.
.,,..,.,.
,.,.•.,.,....._..'h._...__~·~· ··• ,•r•rv __ ....,,.,,,. , , ,, , , , , '+ .. ._,~._,,.,.._-.-..v.,v,,-,..,,.....,,
,,,.nv,,,w .,..,.,..
380 12. LINIOWE I NIBLINIOWE ANALOGOWE

wzmacniacza W0 2 przyjmuje
R3 R UxUy
Uwy = - CX-- Ux = -----3
R»s R4 Uz
Aby tranzystory polowe jako rezystancje liniowe, spadek

na nich musi mniejszy od ok. 0,5 V. Wymagane wprowa-
dzielniki R 1, R 2 . tranzystora
polowego w sposób opisany w p. 5.7 rezystancjom R 5 • Dla
zwrotnego u1 na
we uzi ux, przewidziano dwa dodatkowe wtórniki T 3 i T4 .
ich nie ma znaczenia, jest ono regulowa ne
przez wzmacniacz operacyjny WO 1 . jest tylko, by one identyczne
parametry. Z tego powodu pary tranzystorów polowych.
Uy
R4 O(Uz T1
Uz
R2 T3
1 +
R5 R5 Uf
+
R2
Ux
(X ux T2 luwy
1
R3 UxUy
Uwr= - ·-- dla Uz > 0, Uy <0
R4 Uz
Rys. 12.41. z tranzystorami polowymi jako sterowane rezyslancje
Aby obwód regulacji z ujemnym zwrotnym, Uz

musi dodatnie. Proste przedstawione na rys. 12.41 umo-
tylko dodatnich [12.8]. Dlatego aby
e
uy musi zawsze ujemne . Natomiast
z
Ux dowolny znak.
y
W celu dobrej tranzystory polowe T 1 i T 2
:z
l-
w szerokim zakresie rezystancji identyczne parametry. Wymaganie to
tylko pary tranzystorów wykonane na jednej strukturze (np.
VCRllN firmy Intersil).
12.8.4.
Zerowanie
powinien
UxUy
Uwy =
12.R. ANALOOOWE 381

gdzie E jest np. IO V. W praktyce na z
W ogólnym przypadku mamy
Wynika
(12.59)
Iloczyn Ux uy musi równy zeru, kiedy ux lub uy jest równe zeru. Jest
to tylko wówczas, gdy Uxo, Uroi Uwro oddzielnie kompensowane.
A do kompensacji potrzebne trzy
zerowania. Przy zerowaniu jest zalecany sposób
najpierw ustawiamy ux = O. Wtedy zgodnie z równaniem (12.59)
zmieniamy Uy.Ze na wyra-

uyUxo, zmienia przy tym W
z tym ustawiamy potencjometr zerowania ux tak, by mimo zmian Ur
Mamy wtedy Uxo = O. W drugim kroku ustawiamy uy
równe zeru i zmieniamy ux. temu w taki sposób
zero uy. W trzecim kroku podajemy Ux = uy = Oi zerujemy
Uwro· jest po trzebny jeszcze czwarty
potencjometr do ustalenia E.
12.8.5.Rozszerzenie w jedneji dwu

nacztery
Niekiedy w jednej lub dwu
kach do pracy przy o dowolnym znaku . nasu-
jest w tym przypadku zmiana znaku na
i w razie znaku niedozwolonego. Me-
toda ta jest jednak bardzo skomplikowana i niezbyt szybka. Bar-
dziej korzystne jest dodanie do ux i ur takich na-
UXki Un, by wypadkowe w warunkach
w dozwolonym zakresie. Dla otrzymujemy wtedy
(ux + Un)(uy + Un)

Uwy =
E
......................, ..,"'·---=,.wmmow .·.················,•,•,•c.•o
•,wow=----,_,.., ..,.,•,•.-,
.... __ ,.,,,-,.,., ...... .. =-····•"'' ··•- ··-=' ·
382 12. LINIOWE I NIBLINTOWE ANALOGOWE
uzyskujemy szukanego iloczynu
Zgodnie z tym od jedno

i dwa proporcjonalne odpowiednio do z
do realizacji takiej funkcji w pierw-

szych punktach tego
Ut>O
u;j
rl E
I
Uy
0,5 jUwy= f UxUy
()---+-~
1
Rys. 12.42. Rozszerzenie do
Schemat blokowy opisanej zasa-

dy jest przedstawiony na rys. 12.42. i tu
dobrane tak, by w zakres wysterowania. wej-
Ux w zakresie -E ux + E, dla u 1 = 0,5 ux + 0,5E otrzymuje
zakres O u 1 E.
1 I
-2 (ux + E) -2 (uy + E)
Uwy = 4 --- ------ - Ux - Uy - E = --UxUy
E E
U.8.6. jako i
Na rysunku 12.43 przedstawiono która wykorzystanie do

dzielenia bez korzystania z
Wskutek ujemnego zwrotnego wzmacniacza
operacyjnegoprzyjmuje otrzymuje
UwyUz
E =ux
Zgodnie z tym tworzy iloraz Uwy = Eux/uz. Pracuje on jednak pra-

tylko wówczas, gdy Uz > O. Gdy mianownik jest ujemny , zamiast
ujemnego zwrotnego dodatnie.
12.8. ANALOGOWE 383

do pierwiastkowania,
go jak do kwadratu w ujemnego
zwrotnego wzmacniacza operacyjnego, co pokazano na rys. 12.44. Na-
przyjmuje
2
Uwy
E=Ux, a Uwr = JEuwE
U;r
Uwy = E- dla Uz >O
Uz
.l
Rys. 12.43. Dzielenie za
jest zapewnione tylko dla dodatnich

i wówczas, gdy
chwilowo, op. przy stanie ujemne. W tym bowiem
przypadku do kwadratu powoduje odwrócenie fazy w
ujemnego zwrotnego. Wskutek tego powstaje dodatnie
zwrotne, a do ujemnych, zostanie ograni-
czone maksymalnego wzmacniacza operacyj-
nego. Po takim jest niezdatny do pracy. Dlatego za
dodatkowych przyjmo-
wanie ujemnych przez
I> p
Uwr = J EuwE dla UwH > O
U~y
T I o
tUwy
o
Uwcf 1.
j_
Rys. 12.44. Pierwiastkowanie za
W naukach przyrodniczych i technice oprócz

biegunowe. Dlatego podamy teraz kilka
384 12. LINIOWE l NIELINIOWE ANALOGOWE

·1
12.9.1.Zmiana biegunowych
na
Do realizacji transformacji
x = rcosq>
(12.60)
y = rsinq>
w postaci analogowego musimy za na -
Podstawiamy
gdzie -E~ u'P +E
W ten sposób zakres + n.

Dla podstawmy
Ux UR
x= - · r= --
E' E
Równania (12.60) wówczas do postaci
Ux = uRcos( 1t i) (12.61)
Do obliczenia tych zastosujemy opisany w p. 12.7.4 do

wytwarzania funkcji sinus i kosinus dla argumentów ±n oraz dwa
Schemat blokowy odpowiedniego jest przedstawiony na
rys. 12..15.
Esm!f. Tu- u = u cos (7tu,,.)

X E '
X
.
Up
.1 Ecos ,r7
Rys. 12.45. biegunowych na prostok!ltne
12.9.2.
Zmiana na biegunowe
Po odwróceniu transformacji (12.60) mamy
r = Jx2 + y2 czyli UR - -J Ux2 + Uy2 (12.62)

,.._,....,,...,,.,,,,,..._..,.
....,.........
...,.,
...........
..,.~ ..........
.,.......
.,.,.,.,...,.,.
....,.
......
...................
......
........
.,.......,.,.,.,
............
..........................................
...............................
.,.,...,.,...,...,................. ..w.
......
........
............
,.,
12.9. ZMIANA 385
<p= arctgL E Uy
czyli u = - arctg - (12.63)
X <p 1t Ux
Obliczanie uR zgodnie ze schematem blokowym

z rys. 12.46 za dwu do kwadratu i jednego
uZ
X
T
ux't u,
vfu,
Ur! u{
T
Rys. 12.46. Zasada tworzenia wektora
Kilka uzyskanie prostszego, który ma

ponadto zakres dynamiki. Z równania (12.62) otrzymamy
2 2 2
UR - Uy = Ux
(uR - Uy)(uR + Uy}= u;

Wynika
Takie równanie uR w postaci niejawnej za po-

z przedstawionego na rys. 12.47.
Na sumatora S 1 otrzymujemy
W ten sposób
t
.l
1
Rys. 12.47. Praktyczna realizacja obliczenia wektora

....,..,...,,..,.,.= .........
-.--.....-.·
.·.-.-........
..,..~-..~-...·
·........,.,
·,•,...,.,.,.,.,.,.,
.,.,,..,•, ,.,.~=.-.-.
•,......................... ·.·.v..~----.-.-. ·,·········'···'·'·····-.·,......-.-v....,..,..,.._.,,,
.... ,..,,,.,.,.,.,.,.
,.,..-,,,.r,.,,...-..,..,.,.,...,..,......,...,.,
.,.,......,,...,
...,..,..,.
386 12. LINIOWE J NI ELI NIOWE ANALOGOWE

W celu otrzymania uR w sumatorze S2 do tego jest dodawane
Ur.
musi
Uy zawsze dodatnie. to
w przypadku szczególnym Ux = O, wtedy bowiem u 2 = O i uR = Uy. Stanowi to
tylko dla dodatnich uy. Poza tym praktyczne
nie ze znaku w mianowniku.
Dlatego w przypadku dodatnich i ujemnych Uy musimy
tego np. za przeds tawionego na
rys. 25.18.
u,
Rys. 12.48. Zastosowanie transkonduktancY.inych do obliczania
wektora na rys. 12.47
otrzymuje i dzielenie za
logarytmowania, obie operacje za po-
jednego tylko takiego jak przedstawiony na rys. 12.36. Jednak
w tym przypadku Ux powinno zawsze dodatnie. Przy stosowaniu
transkonduktancyjnych nie jest to potrzebne,
z one w czterech
Potrzebne jednak wtedy oddzielne do i dzielenia. Zaleca
- jak to pokazano na rys. 12.48 - najpierw wykonanie dzielenia, a potem
w przeciwnym przypadku u} po-
zmniejszenie dynamiki.
sterowane
i przetworniki
impedancji
W syntezie liniowych oprócz elementów biernych stosowane ide-

alne elementy czynne w postaci sterowanych i a
idealne elementy jak np. konwerter ujemnoimpedancyjny NIC ,
i cyrkulator. W punktach zajmiemy ich
realizacji.
··:·:::
...
13.1. sterowane fafif...
~:::::
:i:1:i:::i
:~:~cx~; ;:;:::1:!:f~
:1:J:J:1:1:rr~:~:~:l:~:l:l::=~=l:::::::i:::i::~:::m:~:~m~:~:i:~:~:i:~=~=~=~=~:1:J:J:J:~:J:1:J:1~~
~·~~1:~:i:~~K.}?~~~:l:~=~=
=·····
···············
sterowane charakteryzuje tym, wyj-

u 2 jest proporcjonalne do u1 . Nie chodzi tu
o nic innego , jak o wzmacniacz W przypadku idealnym
by nie od a
równy zeru. Równania
W praktyceidealne tylko w Po
na warunku braku
nia wstecznego, otrzymuje schemat rzeczywistego przed-
stawiony na rys. 13.1, opisany równaniami
i1 = --1 U1 +0•
rwe
(13.1)
na rysunku za idealne; r we jest

rwy
·= =-_..,.... ._.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,.._.,.,.._.,.,•,
•,-.-.-.-.•,,.-............v.-,--~-......,_...., .,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,, •,•.,.,. ,,,..._._
__ ._....,..,.,•,•,•,•,•.-,•r,•rrr,•r
r ,,.,,,..._,.,.
~..._,.,_
............,..._..w
....
388 13. STEROWANE I PRZETWORNIK! IMPEDANCJI

sterowane o rezystancji WYJSC1owej
i regulowanym wzmocnieniu, w rozdz. 7 jako
wzmacniacz i wzmacniacz (elektrometryczny).
Pokazano je jeszcze raz na rys. 13.2 i I 3.3.
Rys. 13.1. schemat sterowanego
R2
Idealizowana funkcja przenoszenia u 2 = - - u1
R1
Impedancja Zw,= R 1
r
Impedancja Zwy =
T
Rys. 13.2. Wzmacniacz jako sterowane
C
r
Idealizowana funkcja przenoszenia u 2 = ( I + :: ) u 1
'
,1
Impedancja Zw, = r, .-1-
I[-JWC
r
Impedancja Z wy= __!!_
T

o
l-
:1- Z uzyskuje rezystancje o l n,
czyli bardzo do idealnych. jednak impedancja
jak to pokazano w rozdz. 7, ma charakter indukcyjny, a
ze wzrostem W przypadku wzmacniacza re-
zystancja jest bardzo W zakresie
1)
z GO, a praktycznie idealne. rezystancja
nie powinna nas jednak w
polaryzacji IB rezystancja
:st jest W przypadkach krytycznych sto-
wzmacniacze z tranzystorami polowymi na
UNt.N'N'.r,•,n,,.v,w,vwvv, ·,....,..,..,,·~.,.,, ,,•,•,•,•,•,•,•,•,-.-......-.-.,.,.,.. .,,•.,.,.,.,.,,,...,.,.,,,_.,.,•,• ,•,•,•,•,•,•.... ,.,.,.,.,. _~_,.,,.,,.......,..,_. ,.,.,.,., •••,..... ,.....""""""'" .. -.,...._~,==""'.....,...,. ,.,.,.,,.,._....,.,.
......
13.l. STEROWANE 389

W przypadku o rezystancji sto-
wzmacniacz z rys. 13.2, jego rezystancja
R 1 nie nie wtedy
spowodowane wysterowaniem wspólnym .
{•:;:::;:::::::
,:;:::::::::
::::::}'V{;
.t}:}:::::;:::::::::::::;:::::::;::
:::::;:;:;;=':.."X.,::
-.-.:
w_ ..._ :;:;~:::;:::;:;::
:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:;
:;:;:::;:;:;
:;:;:;;.:,.~a:{,.:;,:;.:;:::;:::;
:::;;';:;
::_.%'="::::
:;::::::·
liiiii 13.2. sterowane lil::i::J

I
/•j:~:~
·=•:;:t: :~:~{:i
:~:
~:f~:~:f~:~§~:~~\1tif
%%~:;~::..
:l*.-)1~:J:i:~;
:~:
J.):::
!:J{:j:~:j:~:!
:~
:!:~
:~:~:~~~~~~taA~
~ 1::'-:Z~\:~:
~:fi~~
:·•-:-:
Schemat sterowanego przedstawiony na

rys. 13.4 jest identyczny ze schematem sterowanego
z rys. 13.1. polega tylko na tym, teraz jest
tego powinna w jak najmniejszym stopniu
od a w przypadku idealnym, dla rwe= Opowinna
na . Po wstecznego równania
Uz = Ri1 - rwyi2 u2 = Ri 1
(rzeczy wiste) (idealne, rwe = rwy= O)
W realizacji przedstawionej na rys. 13.5 wykorzystano fakt,

wzmacniacza stanowi temu
wynosi
u2= -Ri 1, polaryzacji wzmacniacza
wobec i1 . bardzo i 1, to
musimy wzmacniacz z tranzystorem polowym na
Ideal izowana funkcja przenoszenia u 1 = - R i1
R1
Impedancj a z..,.= -
K.,,.
r
Imp edancja Zwy =
T
Rys. 13.5. sterowane
=,=== ··--.-.,....._
....__....,..,..,_.
_.,,.,,,.,
.,,,.,.,
..,,.,.,.,.
,.,.,.
,........
................
w.,,.
-.·.,...,.,._,..,,.
..,,,,,,, .,...,.....N\N'
,.,.,.,.,., ==-~y., ..,_, .,.,,...,.,,..,.,...
390 13. Sl'EROWAN E I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
Dodatkowe
nia. one tym im mniejsza jest rezystancja r9
jest wzmacniane ze
J + R/rg.
Impedancja jest opisana co w poprzed-
nim w niej wzmocnienie w T od rezystancji
r9
sterowanym z nieuziemionym zajmiemy

jeszcze w p. 25.2.1.
sterowa ne powinno w i2 ,
który nie od u 2 i jest tylko przez
cie u 1, a
i1 = 0 · u 1 + 0 · u2
(13.3)
Wymaganie to w praktyce tylko w sposób
tz
A A
Ut I f'wy
Ju2
0-----
I
-- -- --- --0
Po warunku braku
nia wstecznego otrzymuje schemat
przedstawiony na rys. 13.6, opisany równaniami
1
i1 =- u 1 + 0 · u2
rwe (13.4)
13.3. STEROWANE 391

Dla rwe-+ oo i rwy-+ oo otrzymuje idealne Parametr gm nosi
transkonduktancji lub konduktancji przenoszenia w przód.
13.3.1. dla nieuziemionych

We wzmacniaczach i przez ujem-
nego zwrotnego i 2 = uif R 1 . Nie on od spad-
ku na rezystancji zwrotnego. Dlatego oba
jako RL zamiast rezys-
tancji zwrotnego, jak to przedstawiono na rys. 13.7 i 13.8. Otrzymu-
je takie same na jak dJa odpowiednich
sterowanych przedstawionych na rys. 13.2 i 13.3.
l ·,1uea /' izowana fi un k CJa

. przenoszenia. l. = - U1
2
R,
l1 Impedan cja z.,.= R 1
,mpeuan
T ,I
cJa
•
WYJSClOWa
" • zwy = kur R 1 li k.,R,
jw w,
Rys. 13.7. Wzmacniacz jako sterowanego
u
Ideal izowana funkcja pr zenoszenia i 2 = - l
R1
1
Impedancja wej.foiowa z.,. = r, 11-.- -
JwC,
Przy wzmocnienia ku, wzmacniacza

operacyjnego otrzymuje rezystancji ponie-
uR = up - uN nie jest równa zeru. W celu oblicze-
nia rezystancji skorzystamy z z rys. 13.7
i otrzymamy
. U1 Uz U1 U2
Zz = R1 - R 1 (I + ku,) R1 - ku,R1
~---=· ··········
,·,···_.
.....,
,..,,._.
.........,
___ =,,.v.w.w ••......,.,•• ...... ~~~_..,.,.,.,..,,.,,.,,,•. ,.,.,.,., .,.,.,.,., .,.,.,.,.,.,.,. NVV'.,.........
• ..,.•• - .. . ...,,,••.,,.,.,.,.,.,•..,.,,...,.,
•.-.v --=··~-
392 13. STEROWANE l PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
Wynika rezystancja
(13.5)
Jest ona proporcjonalna do wzmocnienia wzmacniacza ope-

racyjnego. wzmocnienie wzmacniacza operacyjnego
skompensowanego ma bardzo
(np.fu~ 10 Hz dla wzmacniacza typu 741), przy
staje ono zespolone. Równanie (13.5) w postaci ze-
spolonej przybiera
(13.6)
w postaci
nia rezystancji rwy i ewy•jak to wynika z
postaci równania (13.6)
(13.7)
gdzie:rwy= kurR2, Cwy = l/(ku,R1wg).

W przypadku wzmacniacza operacyjnego o parametrach ku, = 105
i Jg= IO Hz otrzymuje dla R 1 = I kO
rwy= 100 MO ewy= 159 pF
Zgodnie z tym przy 10 kHz impedancji maleje
do 100 kn.
Dla impedancji z rys. 13.8 otrzymuje takie same
jak podane
Pod parametrów elektrycznych oba z rys. 13.7
i 13.8 do wielu one niestety
z RL nie wolno do punktu o
to zwarcie wzmacniacza lub
cia N. Ograniczenia tego nie omówione
13.3.2. dla uziemionych

przedstawionego na rys. 13.9 jest oparte na po-
miarze przez spadek na rezystancji R 1 .
13.3. STEROWANE 393

wzmacniacza przyjmuje ten spadek jest równy za-
danemu W celu obliczenia zasto-
sujemy pierwsze prawo Kirchhoffa do N i P oraz do Otrzy-
mujemy
Uwy - U2 Up - U2 . - Q
+ - l2 -
R1 R3
uN = up uzyskujemy na
u1
i2 = dla R 3 = R 2
R1
Rys. 13.9. sterowane dla uziemionych
Nietrudno R2 = R 3 nie od
Rezystancja rwy jest wówczas
wielka, a wynosi 12 = U 1 /R 1 . W praktyce dobiera tak
rezystancji R 1 , spadek na niej wynosi kilka woltów. Rezys-
R 2 dobiera w porównaniu z R 1 , by niepotrzebnie nie
wzmacniacza operacyjnego i u1 . doborowi
rezystancji R 3 w przypadku rzeczywistego wzmacniacza operacyjnego
rezystancji
dla Rezystancja r9
cia u 1 jest szeregowo z rezystancjami R 1 i R 2 • Aby nie 1
ona powinna pomijalnie 1
jako z
W tym celu R 3 < R 2 ; otrzymamy wówczas C
V
!1
.. .. -.. •. ••... ,, .. •.v .=.vu,•m, •-.w, •,•,•,·,·

···················--···'·""•'-'•W", •,•,•,•,-wwmuw·=-www-w, •,•,•-.w,·.w----"""" ···········"'" "''~---~~-- --·"u . .v.w,
394 13. STEROWANE I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI

W z rys. 13.10 nie od Uz, czyi.i od
rezystancji RL, rezystancja R z jest do masy
pozornej. jest brak wysterowania wspólnym.
u1
i2 =-
R,
12
Rys. 13.10. sterowane bez wyslerowania wspólnym
W celu obliczenia skorzystamy z

cej z rys. 13.10 ·
Rz
U4 =- U3 = U1 + R Uz
3
Zastosowanie pierwszego prawa Kirchhoffa do daje
Po eliminacji u4 otrzymujemy
. Rz - R3 - R1
lz = -u1 + ----- - Uz
R1 R1R3
od wówczas, gdy
warunek
R3 =R2 - Ri
133.3.Precyzyjne
tranzystorowe
W 4 i 5 zagadnieniom podstawowym
proste w których wykorzystano tranzystor bipolarny albo
polowy, odbiorniki jednym zaciskiem z punktem
o potencjale. tych jest to, ich nie jest
od u 8E albo uGs· Nasuwa
wyeliminowania tego przez zastosowanie wzmacniacza operacyjnego.
Na rysunku 13.1 J pokazano odpowiednie z tranzystorami bipolarnym
i polowym.
13.3. STEROWANE 395

a)
++
b) +i
RLQtu2 RL Qtuz
iz
U./ ut t
j_ .l
1 u1
i2 = ·(1 - - - ) dla u 1 > O i2 =- dla u 1 > O
Ri p„ Ri
Rezystancja rwy= Pr„
Rys. 13.11. a) z tranzystorem bipolarnym; b) z tranzystorem polowym
wzmacniacza operacyjnego przyjmuje

na rezystancji R 1 jest równe u 1 to tylko dla
dodatnich w przeciwnym przypadku tranzystory nie przewo-
przez R 1 wynosi wtedy u 1/R 1 .
jest
- dla tranzystora bipolarnego • U1 ( l )
'2 = R1 I- fist
. U1
- dla tranzystora polowego lz =--
R1
bierze w przypadku tranzystora bipolarnego
emitera przez statyczny wzmocnienia
Psr od UcE, i8 zmienia przy zmianach
u 2 • Zgodnie z p. 5.5 zjawisko to powoduje ograniczenie
rezystancji do flrcE nawet wówczas, gdy wzmacniacz ope-
racyjny jest za idealny.
wzmocnienia
tranzystor bipolarny Darlingtona. Pra-
ktycznie ten przez zastosowanie tran-
zystora polowego, jego bramki jest nadzwyczaj Rezystan-
z rys. 13.11b ogranicza tylko wzmocnienie
wzmacniacza operacyjnego. Aby skorzystamy z za-
dla u 1 = const
duDs -du 2
duGs = duc - du 5 = -kurR 1 di 2 - R 1 di 2 -ku,R 1 di 2

,~--·-·" ·'··"··'"·m,w,~~,=~ ,.,.,.,.,.,.,.,.,•,-.•,·
um------~, .. w.-·~·mw~

Po równania (5.1O)
. I
dz2 = gmduGS+ - duDS
rds
otrzymujemy na
du 2
rwy= - - d · = rds(l + ku,gmR1) kumaxku,R1 (13.8)
Z2
Jest ona kumax= gmrds 150 razy w przypadku

nego ze wzmacniaczem operacyjnym bez tranzystora polo-
wego, przedstawionego na rys. 13.8. Przy z podanego
tam liczbowego, otrzymuje bardzo
ok. 15 GO. Ze na wzmocnienia
ku, od ta tylko
granicznej /4 wzmacniacza operacyjnego. Przy
musimy wzmocnienia
nicowego do równania (J3.8) i otrzymujemy
Zwy = k umaxKu,Rl = --=--- kur k umaxRl (13.9)

. w
I +J -
Wg
Jak z porównania wzorów (13.6) i (13.7),

jako rezystancji rwy= kumaxku,R1 i pojem-
ewy= lfkumaxku,R1 W 9 (dla omawianego liczbowego ewy=
= I pF). Równolegle do nich jest jeszcze tranzystora
polowego, kilka pF. potrzebujemy wyj-
tranzystor polowy mocy z
jak to pokazano na rys. 13.12. przez i tak nie
parametry nie pogorszeniu.
u
wyj.friowy i2 =_ J dla u1 > O
R1
Rezystancja wyj.friowa r,.,1 = kumaxk.,..RJ
Rys. 13.12. o
13.3. STEROWANE 397

z rys. 13.llb przez podanie wyj-
na R 1 i P z
pokazano na rys. 13.13. Aby tranzystor polowy nie zatkany u1 musi
zawsze ujemne. W od z rys. 13.11b, steru-
jest i2 .
u1
i2 =- - dla u 1 < O
R1
Rezystancja r„Y= k.,.""k.,R,
u,t
1_
Rys. 13.13. z tranzystorem polowym
potrzebujemy którego
w kierunku przeciwnym w z rys. 13.11b, wystarczy tylko
tranzystor polowy z typu n tranzystorem z typu p. Otrzymu-
je wtedy pokazany na rys. 13.14. nie dysponujemy tranzys-
torem z typu p, przedstawiony na
rys. 13.15. W do dotychczas
stanowi tu Nie powoduje to jednak zmian
jest on w dalszym sterowany na rezys-
tancji R 1 .
u1
i2 =- - dla u 1 < O
R1
Rezystancja wyj.fciowa r..,1 = k.maxk„R 1
Rys. 13.14. z tranzystorem polowym z typu p
Ujemne zwrotne jest tu realizowane w sposób:

maleje to wzrasta up. Wskutek tego wzrasta l
wzmocnione
398 13.
bramki i zmniejsza
STEROWANE I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI

uGs·
_____
to
,.-- ..,..............
spadkowi Rezystancja jest tu jednak mniejsza w poprzed-
nich
wskutek przesterowania zacznie dioda
wzmacniacza operacyjnego podawane
na P. wówczas dodatnie zwrotne i wyj-
do maksymalnego dodatniego. Dla
wzmacniacza, D.
u1
i2 = - - dla u 1 < O
R1
Rezystancja rwy= kurR 1
Rys. 13.15. z: tranzystorem z typu p
Tranzystorowe dla dodatnichi ujemnych
omawianych dotychczas to,

one o jednym znaku. z rys. 13.11 i 13.14 otrzymuje
przedstawione na rys. 13.16, które
dodatniego i ujemnego. W stanie spoczynkowym mamy UP! = 3/4 u+
i Un = 3/4 u-. Otrzymamy wówczas
dla u-= - u+
Przy dodatnich u1 iD 2 o uif(4R 1)

a iD 1 maleje o Otrzymuje wtedy ujemny
. U1
l -- --
2- 2R
1
Przy ujemnych iD 2 maleje, a iDl Otrzymuje

wtedydodatni wysterowania wtedy, kiedy
jeden z tranzystorów polowych zostaje zatkany, a dla u 1 = ±u+. Aby
tranzystory polowe, bramki musi
13.3. STEROWANE 399

zasilania u+. Dlatego do zasilania wzmacniaczy W0 1
i W0 2 potrzebne zasilania. Oznaczone one na rys. 13.16
symbolami u++ i u--.
u+ u+ p d wyJS.c1owy 1.
2 = - --U1
2R 1
R R,
1.u+
4
UPI
u+
4
JR io,
i1
u,I
A
JR tu2
.l Upz j_
1.u-
4
R,
u-
Rys. 13.16. dodatnich i ujemnych z tranzystorami polowymi z zaznaczonymi po·
spoczynkowymi
charakteryzuje punktu zerowego,

jest które dodatkowo od
zasilania. Pod tym znacznie lepszy jest z rys. 13.17.
on od poprzedniego innym rodzajem sterowania [13.1]. Oba stopnie
sterowane i3 i i4 , w wyprowadzeniach zasilania
wzmacniacza W0 1 . drenu opisane wzorami
(13.10)
Stopnie jako wtórniki

Dla mamy
(13.11)
Wzmacniacz W0 1 pracuje jako wtórnik Na rezystancji R3

u1 , a
(13.12)

Przy dalszej obróbce wykorzystuje fakt, re wzmacniacz operacyjny
za w którym zgodnie z pierwszym prawem Kirchhoffa
suma musi równa zeru. pomi-
a zacisku masy z nie ma, z bardzo jest
równanie
(13.13)
Podstawienie do (13.12) i (13.11) daje na
. R2 U1
i2 = U1= -- dla R2 =R3
R1R3 R1
I UJ t
+
Rz
+ +
tuJ
wyj.friowy i2
R2
= --
R1R3
- u1
r,
iJ
iz
t
u,
tuz
l iuz
l
Tz
Rys. 13.17. dodatnich i ujemnych z tranzyslorami polowymi
W stanie spoczynkowym mamy 15 = O i / 3 = 14 = I. I jest tu

dem spoczynkowym, który przez zaciski zasilania wzmacniacza W0 1 •
Jest on w porównaniu z maksymalnym
15 wzmacniacza. Przy dodatniej mamy i3 i 5 }> i4 •
W praktyce prawie i2 jest dostarczany przez górny
podczas gdy dolny nie przewodzi. Przy ujemnej
dzieje na odwrót. Ma tu miejsce praca przeciwsob-
na w klasie AB. spoczynkowy stopnia
3 (13.14)
jest w porównaniu z maksymalnym

:)
w stanie spoczynkowym stanowi dwu
13.3. STBROWANE 401

temu punktu zerowego. tego
jest do której szczególnie wówczas,
gdy jest przewidziany dla Z tego powodu
jako W0 1 stosuje wzmacniacz operacyjny o poborze I, jak
np. LF 441.
W z rys. 13.17 szczególnie korzystne jest zastosowanie tranzys-
torów mocy z one normalnie
ich bramek w zakresie zasilania.
z dodatnich ujemnych pomocniczych dla wzma-
cniaczy operacyjnych W0 2 i W0 3 . W tym celu musimy jednak
takie wzmacniacze, których zakres wysterowania wspólnym
dodatniego albo ujemnego zasilania. Warunek ten podane
na rysunku typy.
rezystor R 3 na rys. 13.17 nie z lecz z
drugiego wtórnika jest wówczas
przez [13.2).
13.3.4.Nieuziemione
W poprzednich punktach dwa rodzaje W
dach z rys. 13.7 i 13.8 z zacisków nie
z punktem o potencjale. Tego rodzaju nosi
nieuziemionego lub (rys. 13.18a). tu
praktycznie tylko elementy bierne, w przypadku czynnych
z istnieje z przez obwód zasilania. Takie
uziemione ze przedstawionym na
rys. 13.18b, którego realizacje pokazano na rys. 13.9 ... 13.17. chcemy
dowolnego do jednego z zacisków
bez spowodowania zmiany potrzebujemy wówczas nieuziemio-
nego Jak to pokazano na rys. 13.19, je
za dwu uziemionych jednakowych
o przeciwnych zwrotach.
..L
Rys. 13.18. a) dla nieuziemionych; b) dla uziemionych
i c) nieuziemione dla dowolnych

Rys. 13.19. Realizacja nieuziemione go za dwu uziemionych
Schemat sterowanego jest identyczny ze sche-

matem sterowanego przedstawionego na rys. 13.6. Ró-
polega tylko na tym, teraz jest
powinien na ten najmniejszy Ma
to miejsce w przypadku idealnym, dla r ..,.,= O. Po
wstecznego równania
=> (13.15)
I
i2 = k1i1- - U2 i2 = k1i1
rwy
(rzeczywiste) (idealne, r..,.,= O, r..,y = oo)
Na rysunkach 13.7 i 13.13 dwa sterowane na-
o rezystancji one jako
sterowane o prawie idealnych przyjmie
rezystancji R 1 zeru. Mamy wtedy i 2 = i1 .
Szczególnie sterowane ze
znaku. one wtórników luster) Jedna
z realizacji jest przedstawiona na rys. 13.20. Przetwarzanie
R1
,, wyj.friowy i 2 =-
R2
i1
Rys. 13.20. Wtórnik
13.4. STEROWANE 403

na jest realizowane za dodatkow ego rezystora R 1 . Nie otrzy-
muje jednak wtedy idealnej rezystancji przy
projektowaniu dysponuje wówczas, gdy najpierw dokona prze-
tworzenia na za przedstawionego w p. 13.2,
po czym jedno z opisanych w p. I 3.3 sterowanych
:;:;
::::
....
::::::·"
·,.::::
::..:7$$~~~.} ..\..::::::
::::::::
::::::::::::
::::::K~:-.:"%~
......
:,~~
..:::::::
::::::::::::
::::::::::: :: :,;,;,;;,,:,:::..::\~I··~:-(·[~:§.misID.sl§::.l
:::::::::::::
Jll 13.5.Konwerter
ujemnoimpedancyjny
NIC
I
:~:::-.):->:~X113::i'
(negativeimpedanceconverter)
:.-:-:-::;::-;
-:-::-<::
·::,:-:
::·:·:·:·:·:·:-~::::-:.
:::-•·:-=-
:-:-
•·:·•·•s:
·•·•::::::-:- ~~~\~'::&~~~~"'¾\~"Z.~~~J:·:·
::;'f{':
.... :·:·:·:·•
·•·•·•<·•·•·•·•·
:·:-:::
:•:•:•:•:::
•:::•..:..-:-:,:-::..,:,:-:,:,:,
Niejednokrotnie potrzebne rezystancje ujemne lub o ujemnej

rezystancji Zgodnie z rezystancji, R = + U/ 1,
i przeciwny zwrot. mamy dwójnik, w któ-
rym z Ui przeciwne
znaki, czyli iloraz U/I< O, to taki dwójnik ma Rezystancje
ujemne w zasadzie tylko za aktywnych,
zwanych konwerterami ujemnoimpedancyjnymi NIC. dwa typy:
UNIC, przy nie zmienionym
i INIC, który zmienia zwrot przy nie zmienionym
realizacja konwertera INIC jest szczególnie prosta. W idealnym przypadku
równania konwerter INIC
(13.16)
Równania te w sposób przedstawiony na rys. 13.21 za

sterowanego i sterowanego
Obie te funkcje jednak pojedynczy wzmacniacz opera-
cyjny. Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 13.22.
Rys. 13.21. Konwerter INIC Rys. 13.22. Konwert er JNIC

ze sterowanymi ze wzmacniaczem opera cyjnym
404 13. STEROWANE I PRZETWORNIKI IMPEOANCJl

W idealnym wzmacniaczu operacyjnym up = uN, czyli zgodnie z wyma-
ganianli, u 1 = u 2 • wzmacniacza operacyjnego przyjmuje
Uwr = u 2 + i2 R
Wskutek tego do wrót 1 wymagany
W wyprowadzeniu jest stabilny. Ponie-

jednak tu dodatnie i ujemne zwrotne,
musimy oddzielnie czy warunki W tym celu
wyliczymy, jaka jest podawana odpowiednio na
P i N. Na rysunku 13.23 przedstawiono ogólny kon-
wertera INIC . Rezystancje R 1 i R 2 rezystancjami
nych
dodatniego zwrotnego
a ujemnego zwrotnego
jest stabilny, dodatniego zwrotnego jest

mniejsze od ujemnego, czyli gdy
Stosowany w praktyce konwertera INIC do wytwarzania ujem-

nych rezystancji przedstawiono na rys. 13.24. do wrót 1 doprowadzimy
Uwr • •
U1emnarezystancja -
U1
= - R2
i,
Il
1
Rys. 13.23.
konwerteralNl C Rys. 13.24. Wytwarzanie ujemnych rezystancji
13.5. KONWERTER UJEMNOIMPEDANCYINY NIC 405

dodatnie, zgodnie z równaniem (13.16) u2 = u1 jest dodatnie,
a tym samym i 2 • Z równania (13.16) otrzymuje
.
li= -l2
.
= - -Ul
R2
Do wrót 1 ujemny mimo dodatnie
cie. Wrota 1 jak ujemna rezystancja o
(13.17)
jest stabilny tak jak rezystancja R1

do wrót 1 jest mniejsza R 2 • Tego rodzaju
nazywamy zwarciowo. jest realizacja re-
zystancji ujemnej stabilnej rozwarciowo; polega ona na odwrotnym
konwertera INIC, czyli rezystancji R 2 do wrót 1.
równanie (13.16) dla zmiennych,
R2 Z2 i w ten
sposób ujemne impedancje. Konwerter INIC jako
z o
biegu ee i rezystancji r9 dostarcza przy
cia u= ee - ir 9 • W normalnych r9 jest dodatnie
i dlatego u maleje prz y Natomiast w przypadku
z u wzrasta ze wzrostem
ma z rys. 13.25.
. ., . du2 R
R ezystanc1a WYJSCIOWG r, = - - =- 1
di2
Rys. 13.25. o ujemnej rezystancji
Dla i1 = -i 2 wynika
u2 = eG + i2R1
Konwerter IN1C jest tak, jest stabilne
w stanie rozwarcia. Prawa szeregowego i obo-
w nie zmienionej postaci rezystancje ujemne.
z np. do kompensacji rezys-
tancji przewodu w celu otrzymania na jego
ee z zeru.
406 13.
----······-----·---
STEROWANE I PRZETWORNIKI IMPEDANCJI
~---··--··---
jest który do-
wolnej impedancji w do niej a np. w in-
Rys. 13.26. Symbol graficmy
Symbol graficzny jest przedstawiony na rys. 13.26. W przypad-

ku idealnym równani a
(13.18)
Tak zawsze po jednej stronie jest proporcjonalny do po

drugiej stronie. Zgodnie z tym za dwu
sterowa nych o rezystancji i
wej,jak to schematycznie przedstawiono na rys. 13.27.
i,
Rys. 13.27.Realizacja za dwu sterowanych
W realizacji przedstawionej na rys. J3.28 wykorzystano dwa konwertery

lNlC [13.3). W celu wyznaczenia zastosujemy
pierwszeprawo Kirchhoffa do Pi N wzmacniaczy W0 1 i W0 2 :
- P1 :
13.6. 407
- P2 :
Po eliminacji u3 i u4 otrzymamy
R·./
R;
Rys. 13.28. Realizacja za dwu konwerterów INIC
a opisane równaniami (13.18).

Zajmiemy teraz pewnymi zastosowaniami W tym celu
czymy po jego prawej stronie R2 • i2 i u2 przeciwne
zwroty, zgodnie z prawem Ohma mamy i2 = u2/R2 . wstawi-
my do równania otrzymamy
Wrota 1 dla tak jak rezystancja o
(13.19)
a proporcjonalna do rezystancji wrota 2.

Dla zmiennej transformacja taka zgodnie z równaniem (13.19)
ma
(13.20)
.........,.,..,.,,,..,.,...,
.......,..........,,,...""""'...,.."""""'°..,..v,
,,,.-...,.
,.,..,.,,,.,.,,,.,.,,.,_.., ,.,.,.,.,.,,.,.,
, .,.,,.,.~.,.,.,.,.,,...,.,,.,.,.,.,.,., ,.,,.
,,.,,.,..,...,.,~-=---.,.,,-,,,·, •,•,•,.
.,.,.,.,.,..._,..,.._,__ .,..-,.;,,,v,
,,,.,,...,..
408 13. STEROWANE I PRZETWORNlKJ IMPEDANCJI

ta nasuwa zastosowania po jed-
nejjego stronie kondensator o C2 , to po drugiej stronie
otrzymamy
Z1 = RfjroC 2
Jest to po prostu impedancja o
L1 = R;C 2 (13.21)
Znaczenie polega na tym, za jego
o niewielkich stratach; odpowiedni jest przedstawiony na
rys. 13.29. Zaciski zgodnie z równaniem
(13.21) tak, jakby nimi L 1 = Rf C 2 • Dla
C2 = 1 µFi Rt = 10 len otrzymuje L 1 = 100 H.
Rys. 13.29. Symulacja
równolegle do L1 kondensator C 1 , to
otrzymamy obwód rezonansowy. W ten sposób
filtry LC o dobroci. obwodu rezonansowego dla
C1 = C2 jest rzeczywistego. Nosi ona
dobroci Q Straty rzeczywistego za po-
dwu rezystancji równolegle do obu wrót. W ze
z rys. 13.27 jest to rezystancji wej-
jednego i rezystancji drugiego. Przy realizacji za po-
konwerterów INIC rys. 13.28 straty przez
doboru par rezystorów. Schemat obwodu rezonanso-
wegow przypadku rzeczywistego, stratami jest przed-
stawionyna rys. 13.30a.
równanie transformacji (13.20) zastosujemy do prawej strony
otrzymamy przetransformowany schemat przedstawiony na
rys. 13.30b. Zgodnie z p. 2.7, wynosi wówczas Q =
o) b) n?
..L
Rs
R, L=RfCz
Rys. 13.30. Symulowany obwód rezonansowy z ze stratami (a), schemat

obwodurezonansowego ze stratami (b)
13.6. ITRATOR 409

ta jednak tylko przy
jest bardzo na fazy w równaniach (13.18). We-
[13.4] dla modelu pierwszego otrzymuje
1
Q(<p)= - 1 - --
Qo + <f>1+ <f>2
gdzie Q 0 jest dobroci dla q,1 i <p2
fazy i1 a u2 albo i2 a
ciem u 1 , przy rezonansowej obwodu. Przy fazy dob-
ze wzrostem rezonansowej.
Przy I q,1 + <p2 I 1/Q0 staje niestabilny , drgania
z obwodu rezonansowego. Przy wyprzedzeniu
fazy maleje ze wzrostem rezonansowej.
Za nie tylko dwójniki , lecz
czwórniki. W tym celu transformowany czwórnik dwa
o jednakowych w sposób pokazany na
rys. 13.31. Na wrotach wtedy czwórnik dualny. W ce-
lu wyprowadzenia transformacji tworzy iloczyn macierzy
wych . Transformowany czwórnik ma macierz
[A] = [A11 A12]

A21 A22
Z równania (13.18) otrzymuje dla
(13.22)
Zgodnie z macierz [A'] wypadkowego czwórnika ma

[ A
22
[A'] = [A] [At] = (13.23)
A 12 /Rt2
Jest to macierz czwórnika dualnego czwórnika
Rys. 13.31. Transformacja dualna czwórnika

·------~..,.,~~~ ..........,...,.,.,.,.
..,.,.,.,.r<·-~-.- ......,...........,....,.....,...,.,...,_,..,,......,,,.
,.,.,,,,......
......
.....,v,•,.,....
....,

Rys. 13.32. transformacji dualnej
Na rysunku 13.32 pokazano dla jak trzech induk-

dualnym z trzech poje-
równolegle do L 1 i L 2 z kondensatory,
otrzymamy filtr pasmowy indukcyjnie, zbudowany z kon-
densatorów. zewrzemy C0 i Cb, otrzymamy
L3•
Cyrkulator jest z trzema lub Jego symbol gra-

ficzny przedstawiono na rys. 13.33. cyrkulatora jest
to, doprowadzony do jednej z jest przekazywany dalej
w kierunku zaznaczonym W przypadku rozwarcia jest on przekazy-
wany dalej, a w przypadku zwarcia zostaje zmieniony znak
jedna z jest z przez Re, na tej
rezystancji W takim jednak przypadku nie jest ono
) kierowanedalej .
Rys.13.33.Symbol graficzn y cyrkulatora
o takich jest przedstawiony na rys. 13.34 [13.5].

Nietrudno z trzech identycznych stopni, z któ -
rychjeden przedstawiono na rys. 13.35. Najpierw zbadamy pojedyn-
czegostopnia. Musimy przy tym kilka przypadków:
- 1 jest rozwarta, mamy i 1 = O. Jest wtedy up= UwE = uN,

przez ujemnego zwrotnego nie i mamy
Uwy = UwE;
=---~-==- ····- ==•mm, .·,.·.··••"•"•"•"•
'-"•"•"•"
•"•"•"•"•"
•"•"
mumm·----- -
13.7. CYRKULATOR 411

- zewrzemy =Oi
1, to u 1 pracuje jako wzmacniacz
o wzmocnienia równym -1. W tym przypadku
otrzymujemy uwy = - uwE;
- do 1 R 1 = Re, pracuje jako
dwa jednakowe UwE· W tym przypadku mamy
Uwr = O;
- przyjmiemy uwE = O i podamy na 1 u 1, pra-
cuje jako wzmacniacz o wzmocnieniu równym 2 i otrzymu -
jemy uwr = 2u1 .
Ile
u,t Uzt
.1.. .1..
Rys. 13.34. realizacji cyrkulatora
Rys. 13.35. jednego stopnia cyrkulatora
te zrozumienie przed-
stawionego na rys. 13.34. Na przyjmijmy, na I jest poda-
ne u1, 2 jest z rezystorem Re, a
ka 3 pozostaje rozwarta.
jednego stopnia, wiemy w tym przypadku
cie wzmacniacza W0 2 równe zeru. Wzmacniacz W0 3 ze
na 3 ma wzmocnienie równe 1 i jego
jest równe zeru. Wzmacniacz WO 1 pracuje jako wzmac-
niacz o wzmocnieniu 2. Dlatego jego jest równe 2u 1 • Na
2 Re tego a
u1 . W analogiczny sposób inne przypadki
szczególne.
nie z wymienionych przypadków szczególnych, do
obliczenia parametrów potrzebne równania cyrkulatora. W celu ich
otrzymania zastosujemy pierwsze prawo Kirchhoffa dla PiN

P: N:
Q U6 - U1 U4 - U1
-U6 - --U1 + '1. = + =0
Re Re Re
0 U4 - U2 Us - U2
U4 - U2
--
.
+12-
-
+ -- =0
Re Re Re
Us - U3 . Us - U3 U6 - U3
- - +13=0 + =0
Re Re Re
Po wyeliminowaniu u 4 ... u6 otrzymujemy równania
1
=- (U2 - U3)
Re
I
i2 = R (- U1 + U3) (13.24)
C
Z (I 3.24) cyrkulator z trzech

sterowanych z jak to pokazano na
rys. 13.36. do tego celu na
rys. 13.17.
Rys.13.36. Realizacja cyrkula t ora za sterowanych
Centralo
Cr ReD
_r--
Rys.13.37. Zastosowanie cyrkulatora w telefonicznego
Jako praktyczny zastosowania cyrkulatora przedstawiono na

rys. 13.37 aktywny telefonicznego. on z trój-
wrotowegocyrkulatora, którego wrota cyrkulacji
Re. z mikrofonu kierowany jest do centrali, a nie do-
chodzido z centrali jest przekazywany do i nie
dociera do mikrofonu. od tolerancji
doboru par rezystancji
{·:-:
..... ;;1(l~~;
..f.•.:~OJ~~fi;~;fu~(...,.]:.._;'i,_::~:..:~
....... ..J::t':..h,:.:.:..,:..,:..,
...........
.:,.,.,.,.~&:.
............-..•~•.K·•·•·•·•·..:-•·•·•·•·•·,..;J$~~:x»':
........
lllllt4.1. Podstawy
teoretyczne
filtrówdolnoprzepustowych
~~w:Sr:-Jt~i~~~~::*~:::::f:;:~:~x{*?-~~'"'l:~~~1:
~~~~~~~ ~it~~~m
m:m:1:;:;:
~~
~;:i~~~~~~=~=1:f~:~
:~:~~:~:~:
~;i:~:
i:~~=;~:~~~
=1
:::!:~
:~~=~
=~
=r
W punktach 2.1 i 2.2 proste filtry gómo- i dolnoprzepustowe.

Najprostszy filtr dolnoprzepustowy przedstawiono jeszcze raz na rys. 14.1.
Zgodnie z równaniem (2.1) charakterystyka stosunku
cia do ma
Y(' - Uwy - 1
-'>-vJa>) - Uwe - 1 + jroRC
jro przez jro + a = s, otrzymamy przenoszenia (trans-
1 +sRC
Podaje ona stosunek transformat Laplace'a i

go dla dowolnych od czasu. odwrotne, od funkcji
K..(s) do charakterystyki Ku(jw) dla sinusoidalnych sygna-
otrzymuje przez a = O.
W celu otrzymania postaci ogólnej jest celowe znormalizowanie
zespolonej s przez podstawienie
Rys. 14.1. Najprostszy pasywny filtr dolnoprzepustowy
414 14. FILTRY AKTYWNE

Dla a = O wynika
jw . J ·n
S= - =J -= Ju
Wg /g
z rys. 14.1 ma /g = 1/(2nRC). otrzymuje

S = sRC oraz
K,,(S) = (14.1)
Otrzymujemy na funkcji przenoszenia, czyli stosunek

amplitud przy sinusoidalnym sygnale w postaci
Dla Q O, tzn. dlaf /g IKu I= 1/Q; odpowiada to spadkowi 20 dB na

wymaga bardziej stromego spadku, szerego-
wo n filtrów dolnoprzepustowych. Otrzymamy wtedy przenoszenia
(14.2)
z rzeczywistymi dodatnimi <Xi, a 2 , a 3 ••• Dla Q I

IK.1- 1/Qn, a wzmocnienie maleje z n · 20 dB na
funkcja przenoszenia ma n rzeczywistych, ujemnych bie-
gunów. Jest to cecha charakterystyczna filtrów biernych RC n-tego
li szeregowo nie wzajemnie filtry dolnoprzepustowe
o tej samej granicznej, otrzymamy
Jest to przypadek krytycznego. Poszczególne filtry dolnoprzepusto-

we wtedy 1/a razy filtr.
Funkcja przenoszenia filtru dolnoprzepustowego ma
(14.3)
ci, c 2 en
••• rzeczywiste i dodatnie. filtru jest równy
S. Ze na filtru jest korzystne, aby wielo-
mian mianownika na czynniki.
14.1. PODSTAWY TEORETYCZNE FILTRÓW DOLNOPRZEPUSTOWYCH 415

dopuszcza bieguny zespolone, na czynniki li-
niowe jak w równaniu (14.2) nie jest otrzymuje wówczas iloczyn
kwadratowych
(14.4)
gdzie aj, bi rzeczywistymi dodatnimi . Dla nieparzystego

filtru b 1 jest równy zeru.
z teoretycznych punktów widzenia.
Z takich optymalizacyjnych
aj i bi. Jak jeszcze zobaczymy , przy tym bieguny
zespolone których nie za biernych
RC, jak z porównania (14.2) i (14.4).
otrzymywania biegunów zespolonych istnieje w zawie-
elementy RLC.
W zakresie wielkich realizacja o wymaga-
nych nie zwykle W zakresie
jednak potrzebne które nie-
wygodne i elektryczne. jednak stosowa-
nia w zakresie do RC doda
elementy aktywne, np. wzmacniacze operacyjne. Takie
filtrów aktywnych.
Na porównamy ze zoptymalizowane charak-
terystyki Ich przedstawimy w
nych punktach.
Filtry dolnoprzepustowe Butterwortha amplitudo-
która na odcinku przebiega poziomo
i ostro dopiero przed Ich
skokowa ma znaczne oscylacje ze wzrostem filtru.
Filtry dolnoprzepustowe Czebyszewa o jeszcze bar-
dziej stromym spadku granicznej. W przepusto-
wym przebieg charakterystyki nie jest jednak lecz odznacza falisto-
o amplitudzie. Dla danego filtru spadek
granicznej jest tym bardziej stromy, im jest Oscylacje w od-
powiedzi skokowej jeszcze w przypadku filtrów Butterwortha.
Filtry dolnoprzepustowe Bessela optymalne przy prze-
no szeniu impulsów Warunkiem tego jest
grupowego w zakresie co oznacza , w tym
zakresie fazowe jest proporcjonalne do
Charakterystyka nie ma jednak tak ostrego
jak w przypadku filtrów Butterwortha i Czebyszewa.
Na rysunku 14.2 przedstawiono porównanie czterech opisanych
charakterystyk filtrów czwartego i
·=~-wwwm,•,, •,_,.,•,•,
•,•c~-·=--

go Nietrudno filtr dolnoprzepustowy Czebyszewa ma naj-
bardziej strome od pasma przepustowego do pasma zaporowego. Jest
to okupione charakterystyki w przepus-
towym. zmniejsza to filtr Czebyszewa przechodzi w sposób
w filtr Butterwortha [14.1]. Oba filtry znaczne oscylacje od-
powiedzi skokowej. to na rys. 14.3. Natomiast filtry Bessela os-
cylacje minimalne. Mimo niekorzystnej charakterystyki
stosuje je zawsze wówczas, gdy wymagane dobre
przy przenoszeniu impulsów Dolnoprzepustowy bierny filtr
RC nie wykazuje oscylacji, w stosunku do filtrów Bessela
okupuje jednak znacznym pogorszeniem charakterystyki amplitu-
Opróc z tego rogów odpowiedzi skoko-
wejjest silniejsze w przypadku filtrów Bessela.
a) 10,---,-- --,--·-.- -- -.-- - .--- -..- ---.

IKul
kuo Ol--~~- -+-===+:::;;;~~ --~ --- -1--____j
[dB]_IO
t---1----l---.J-- ~~...,.,,._ .
-20 t-- --, f-----1-- --+- -- --+-\--\
-30
- 101--- -
-50 t-----,f-----l-- --l-- ---+-- -\-!--',,--l---'\I- - ~
- 60.'::-:--~,--- ---;!- ,----,L- --..l. - ---'--'- -'-- .-LJ,_l._ _ _J

a01 ao1 0,1 Q3 Jo
b) 10
!K
ul -
kuo O
[dB]
-10
/'"',.
--
-20 1\
:i -30 \ \
,-
- 40 4\3 2\1
-50- ~- \\ \\
a
n
-60
ao1 0,03 0,1 Q3
\\ 3\ \ 10 Q 30
>- Rys. 14.2. Porównanie charakterystyk typów filtrów:
a, a) czwartego b)
krzywa J - filtr dolnoprzepustowy z krytycznym; krzywa 2 - filtr dolnoprzepustowy
ej Bessela;krzywa 3 - filtr dolnoprzepustowy Bullerwortha ; krzywa 4 - filtr dolnoprzepustowy
e- Czebyszewao 3 dB
14.1. PODSTAWY TEORETYCZNE FILTRÓW DOLNOPRZEPUSTOWYC H 417

Uwr{f}
UwEmax
1,4
1,2
1,0
0.8
0.6
0,4
0,2
o 2 3 4 s 6 t!T;
Rys. 14.3. skokowa filtrów dolnoprzepustowych czwartego

krzywa 1 - filtr dolnoprzepustowy z krytycznym; krzywa 2 - filtr dolnoprzepustowy
Bessela; krzywa 3 - filtr dolnoprzepustowy Butterwortha; krzywa 4 - filtr dolnoprzepustowy
Czebyszewa o 0,5 dB; krzywa 5 - filtr dolnoprzepustowy Czebyszewa o 3 dB
czasów narastania, czasów i przerostów podano

w tabl. 14.1. Czas narastania jest to czas, w którym narasta
od 10% do 90% ustalonej. Czas jest czasem, w którym
narasta od O do 50% ustalonej.
czas narastania nie zbyt silnie od lub
typu filtru i ma 1/(3/g), do podanej w p. 2.1.3. Natomiast
czas i przerost ze wzrostem filtru.
filtry Bessela. W tych filtrach przyrost ponownie maleje czwartego
Zobaczymy ten sam omówionych

charakterystyk filtrów Typ filtru od rezys-
tancji i
Aby móc musimy charakterystyki

poszczególnych typów filtrów Dlatego w
punktach zajmiemy nimi bardziej
14.1.1.Filtrydolnoprzepustowe
Butterwortha
Z równania (14.3) otrzymujemy wzmocnienia filtru dol-
noprzepustowego n-tego
(14.5)
418 14. FIL T RY AKTYWNB

Tablica14.1. Porównanie filtrów dolnoprzepustowych. Czasy narastania i znor -
malizowane granicznej T, = 1/f,
2 4 6 8 IO
Filtr dolnoprzepustowy o krytycznym
Znormalizowany czas narastania t,JT 9 0,344 0,342 0,341 0,341 0,340

Znormalizowany czas t4 /T, 0,172 0,254 0,316 0,367 0,412
Przerost[%] o o o o o
Filtr dolnoprzepustowy Bessela
Znormalizowany czas narastania t,JT, 0,344 0,352 0,350 0,347 0,345
Znormalizowany czas tJT, 0,195 0,329 0,428 0,505 0,574
Przerost[%] 0,43 0,84 0,64 0,34 0,06
Filtr dolnoprzepustowy Butterwortha
Znormalizowany czas narastania t,/T, 0,342 0,387 0,427 0,460 0,485
V Znormalizowany czas t4 /T, 0,228 0,449 0,663 0,874 1,518
y Przerost [%] 4,3 10,8 14,3 16,3 24,l
Filtr dolnoprzepustowy Czebyszewa o 0,5 dB
) Znormalizowany czas narastania t,/T, 0,338 0,421 0,487 0,540 0,584

Znormalizowany czas t4 /T, 0,251 0,556 0,875 1,196 1,518
a
Przerost [%] 10,7 18,1 21,2 22,9 24,1
n
Filtr dolnoprzepustowy Czebyszewa o I dB
b Znormalizowany czas narastania t,/T, 0,334 0,421 0,486 0,537 0,582
;t Znormalizowany czas narastania t4 /T, 0,260 0,572 0,893 1,215 1,540
Przerost[%] 14,6 21,6 24,9 26,6 27,8
;o Filtr dolnoprzepustowy Czebyszewa o 2 dB

Znormalizowany czas narastania t,/T, 0,326 0,414 0,491 0,529 0,570
:h Znormalizowany czas narastania t4/T, 0,267 0,584 0,912 1,231 1,555
s- Przerost[%] 21,2 28,9 32,0 33,5 34,7
Filtrdolnoprzepustowy Czebyszewa o falLvto.fci 3 dB
Znormalizowany czas narastania t,IT, 0,318 0,407 0,470 0,519 0,692
o- Znormalizowany czas narastania t4 /T, 0,271 0,590 0,912 1,235 1,557
ch Przerost [%] 27,2 35,7 38,7 40,6 41,6
Nieparzyste nie kwadrat jest pa-

W przypadku filtru dolnoprzepustowego Butterwortha funkcja I .K,,12
powinna granicznej pozio-
mo. w tym zakresie Q < I , wymagany warunek
ol- wówczas, gdy I K„ 12 tylko od Q. Dzieje tak
dlatego, dla Q < 1 Q o mianownika, a tym
samymo spadku wzmocnienia. Otrzymujemy
k;o
-.5) 2
IK„ I = 1 + k Q2n
2n

k 2 " otrzymujemy z warunku normali zacji, z którego wynika,
dla Q = 1 wzmocnienie powinno o 3 dB.
Kwadrat funkcji przenoszenia filtru dolnoprzepustowego Butterwort-

ha n-tego ma
(14.6)
w tym równaniu tylko Q, filtry dolno-

przepustowe Butterwortha filtrów
Aby filtr dolnoprzepustowy Butterwortha ,
którego funkcja przenoszenia warunek (14.6). Z analizy
otrzymuje jednak w pierwszej nie kwadrat wzmocnienia
I Ku 1 , lecz zespolony wzmocnienia K,.. W celu doboru elemen-
2
tów zespolony wzmocnienia odpowia-

równaniu (14.6). W tym celu obliczymy funkcji opisanej równa-
niem (14.3) i porównamy z równaniem (14.6). otr zymamy
szukane c 1 ... c". Otrzymane w ten sposób mianowniki równania
(14.3) wielomianami Butterwortha; pierwsze cztery podan e w tabl. 14.2.
Bieguny funkcji przenoszenia w postaci zwartej [14.2].
po zgrupowaniu biegunów zespolonych otrzymuje
nio a; i b; kwadratowych z równania (14.4)
- n parzysty
(2i - l)rc
a 1 = 2cos ---- dla
2n
b; = 1
- n nieparzysty
a1 = 1
b1 = 0
(i - l)rc n+l
a; = 2cos ---- dla i= 2 ...
n 2
b; = J
wielomianów Butterwortha do poda-

ne w tabl. 14.6.
420 14. FILTRY AKTYWN E

Tablica 14.2. Wielomiany Bullerwortha
I l+S
2 I+ ./2 S + S 2
3 I + 2S + 2S 2+ S 3 = (1 + S) (I + s + S 2 )
4 I + 2,613S + 3,414S 2 + 2,613S3 + S 4 = (I + l,848S + S 2 )(1 + 0,765S + S 2 )
Nietrudno pasywny filtr dolnoprzepustowy o funkcji prze-

noszenia opisanej równaniem (14.1) jest filtrem Butterwortha pierwszego
du. Wielomiany Butterwortha zera zespolone
ne. Jak z porównania z równaniem (14.2), takich wielomianów mianow-
nika nie za biernych RC,
one wszystkie zera rzeczywiste. Mamy do wyboru albo RLC z ich
znanymi wadami, albo filtry aktywne RC.
funkcji przenoszenia przedstawiono na rys. 14.4.
lkuJ fO
kuo o
[dB]
l -10
j -20
-30
-10
- 50
-60
0,01 0,03 OJ 0,3 10 Q 30
Rys. 14.4. Charakterystyki amplitudowe filtrów dolnoprzepustowych Butlerwortha
14.1.2.
Filtrydolnoprzepustowe
Czebyszewa
Funkcja przenoszenia filtrów dolnoprzepustowych Czebyszewa przy
ma kuo,jednak jeszcze granicz-
nej waha z w zakresie
wielomianami Czebyszewa
cos(n arccosx) dla O~ X~ J

la- Tn(x) = {
cosh(n arcosbx) dla X> 1

z których cztery pierwsze podane w tabl. 14.3. W zakresie O~ x 11T(x) I
oscyluje O i 1, a dla x > 1 monotonicznie. Dla uzyskania równa-
nia filtru dolnoprzepustowego z wielomianów Czebyszewa, przyjmujemy
(14.7)
Tablica 14.3. Wielomiany Czebyszewa
n
1 T1(X) = X
2 T2 (x) = 2x 2 - 1
3 T3 (x) = 4x 3 - 3x
4 T4 (x) = 8x4 - 8x 2 +I
k dobiera tak, by dla x = O kwadrat funkcji przenosze-

nia IKu 12 równy k; 0 , tzn. dla n nieparzystych k = I, a dla n parzystych
k = 1 + F.2 • e jest Mamy
kumax= kuo..jl + 62
} dla parzystego
kumin= k,..o
kumax= kuo --- } dla nieparzystego

kumin= kuof.J1 + 6
2
W tablicy 14.4 przedstawiono parametry przy falis-
Tablica 14.4. Zestawienie wybranych parametrów filtrów Czebyszewa
0,5 dB 1 dB 2dB 3dB

ku„axfku„l,i 1,059 1,122 1,259 1,413
k 1,122 1,259 1,585 1,995
f. 0,349 0,509 0,765 0,998
W zasadzie z wzmocnienia by
przenoszenia i równania filtru. Jest jednak

liwe wyliczenie biegunów funkcji przenoszenia wprost z biegunów filtru Butter -
wortha [14.3]. Po zgrupowaniu biegunów zespolonych z równania
(14.4) otrzymuje ai i bi:
- n parzysty:
b' 1
;= (2i - l)1t
cosh y- cos 2
2
n . n
2 dla z= 1 ...
2
, h (2i - l)7t
I
ai = 2bl1 sm y · cos
2
n
- n nieparzysty:
b{ = o
a;=1/sinh y
b'. = 1
I (i-l)1t
cosh y - cos 2 ---
2
n+l
n dla i = 2 ...
2
a.I' = 2b'. Slfl
I
. h y · COS (i - l)1t
n
y = (1/n) arsinh 1/e.

otrzymane w ten sposób a;
i b{ podstawimy do rów-
nania (14.4) zamiast ai i bi, otrzymamy filtr Czebyszewa , w którym S nie jest
znormalizowane trzydecybelowej granicznej, lecz
pewnej ro0 przy której wzmocnienie po raz ostatni
przyjmuje kumin· W celu lepszego porównania typów filtrów
bardziej korzystne jest znormalizowanie S trzydecybelowej
granicznej ro9 • w tym celu S przez a.Si ustalamy
czynnik normalizacji tak, by dla S = j wzmocnienie 1/J2. Wy-
kwadratowe w mianowniku zespolonego wzmocnienia
wtedy
Z porównania z równaniem (14.4) wynika
ai i bi dla 0,5, l i 3 dB do
podane w tabl. 14.6. Charakterystyka wzmocnienia
dla 0,5 i 3 dB jest przedstawiona na rys. 14.5. Na rysunku 14.6
przedstawiono porównanie filtrów Czebyszewa czwartego
----
................. .... .
...,......,..,... ..
, ,, .,...,,..,., ,,,,,,,,,.,
14.1. PODSTAWY TEORETYCZNE FrLTRÓW DOLNOPRZEPUSTOWYCH 423

010~-~
\Ku]
- -~ -- ~-- -- -~ -- ~- ~
kuo D r---~ - - --1- --"1' - "'--=
-~-":e
_,-=o,:~
[dB)
-10 1---1-
-20
-301----1---
- 40 1--- -+----
- SO
- 60.~ - - ~ -- - '---- - --'-- -==~-.J.L.u....;'---'-L--\
--'. -L._ _ ....,._,
0,01 0,03 0.1 0.3 1 3 10 Q 30
b) 10
/l<ul
kuo o ----
--· ~ ;g~~ -::.c~~~~-:·~ ~;
[dB} -,
-10
',,, n=1
\~ '' ',,,,,
-
\~
- 20
\ \ "' =2 ' ' ,,
-JO- - \\\ \ ' '
=s_
- 40 -
=6 .
- 7_
11
~\\ \
- 50 - =8 - ,\
-9
1\\' \ I
,=3
\
'\ "'
-60
0,01 0,03 0,1 0,3
=10 . f-- I :t\'
I \
3
1\= 4\
10 Q 30
Rys. 14.5. Charakte rystyki amplitudowe filtrów dolnoprzepustowych Czebyszewa: a) o

0,5 dB ; b) o 3 dB
1Dr- -- ,-- --,- - - --,-- - - ,- -- -,- - - ---.- ---,

!&J
ku11 ol-- -+- - --4--.. ~~ ilo.......,
~ - - + -- + - __j
[dB)
- 101- -- --1----- -+-- - -+ --
-201- -- - ~- --+- -
-W l- -- -:- - --r -- -+ --
- SOi--- - -1-----
- 60~-
0,01
---;c-!;-;;---
0,03
--:::----
0,1
-::-:-- --'
0,J
-- - --:!-'""---
-'------:l=,--
!O
---=-
--,d
Q 30
Rys. 14.6. Porównanie liJlrów do lnoprzepustowych Czebyszewa czwartego o
kr zywa 1 - 3 d B; krzywa 2- 2 dB ; krzywa 3 - l dB; krzywa 4 - 0,5 dB; krzywa 5 - dJa porównania
ftltr dolnoprzepustowy Butte rwortha czwartego

o charakterystyk
w zaporowym bardzo Dla
one nawet jeszcze mniejsze.
Filtr Czebyszewa o niewielkiej 0,5 dB ma bardzi ej
strome do pasma zaporowego filtr Butterwortha.
z pasma przepustowego do zaporowego jeszcze bar -
dziej strome, granicznej dodamy zera charakte-
rystyki Dobór parametrów zoptyma -
tak, by w zaporowym
charakterystyki amplitudowej. Takie filtry filtrów eliptycznych
lubfiltrów Cauera. Ich funkcja przenoszenia od funkcji przenoszenia
filtru dolnoprzepustowego tym, w liczniku zamiast kuo wy-
wielomian. wielomianów Cauera
z tablic [14.4).
14.1.3.Filtrydolnoprzepustowe
Bessela
Filtry dolnoprzepustowe Butterwort ha i Czebyszewa jak
wspomniano, znacznym i oscylacjami odpowiedzi impulsowej. Idealne
przy przenoszeniu impulsów filtry, w których opó -
nie od tzn. w których fazowe jest
proporcjonalne do Takie najlepiej filt-
ry Bessela, zwane filtrami Thomsona. Aproksymacja polega na takim
doborze by grupowe gra-
nicznejQ = l w stopniu od Q. Dla grupo-
wego stosuje Butterwortha .
Zgodnie z równaniem (14.4) wzmocnienie filtru dolnoprzepu stowego
drugiego dla S = jQ jest
Otrzymuje fazowe
(14.8)
grupowe jest zdefiniowane jako

W celu uproszczenia dalszych wprowadzimy znormalizowane
grupowe
1
Tgr _!E_
-
_t
Tg -
J. -- 21t
gr g -
- J.gr rog (14.9a)
gdzie Tg jest granicznej. Otrzymamy w ten sposób
w 9 dq, 1 d<p
T =- - - =- - - (14.9b)
gr 21t dro 21t d.Q
a po równania (14.8)
(14.9c)
Przy aproksymacji grupowego w sensie Butterwortha wykorzysta-

no fakt, dla D 1
T _ ...E.!_ I+ h1D2
dla D 1
gr - 21t 1 + (a: - 2b 1 )D 2
to nie od Q wówczas, gdy przy D 2

w liczniku i mianowniku jednakowe. Wynika warunek
lub (14.10)
Drugi otrzymuje z warunku normalizacji II(,, J 2 = 1/2 dla Q = I
1 1
2
Przy równania (14.10) wynika

a1 = 1,3617; bi= 0,6180
Odpowiednie obliczenia dla trudne.
Zgodnie z [14.5] i na podstawie innych wzór
rekurencyjny na równania (14.3)
c~ = I
- i+ 1)
c. = - 2(n
I
-'---- -'--c;_1
' i(2n - i+ 1)
•• ,... •• ~,.,..._._.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,·.-.-.·.-.-.-.-.-... -- . ,.,.,., • ., •• ,,_._..,_._.
,.,•,•,•,•.-,w,~ -.-.-. .. ..... •. , ·,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•.-,•,•,•,,•r,v , ,..,._ • ,, ..,,.w.-,•, •...........,•.....,...,..

Tablica145. Wielomiany Bessela
n
I 1+ S
1
2 1 + s+ - s 2
3
2 1
3 1 + S + - S 2 + - S3
5 15
3 2 l
4 1 + s+ - s 2 +- s3 +- S4
7 21 105
Otrzymane w ten sposób mianowniki równania (14.3) wielomianam i

Bessela;przedstawiono je w tablicy 14.5 do czwartego
jednak w takim S nie jest znormalizowane trzy-
decybelowej granicznej, lecz
grupowego dla Q =O.Taka normalizacja jest przydatna do budowy filt-
rów dolnoprzepustowych. Dlatego podobnie jak w poprzednim punkcie ,
przeliczono c1 na a na-
mianownik na iloczyn kwadratowych. Otrzymane
w ten sposób a1 i b; z równania (14.4) do
przedstawiono w tabl. 14.6. Charakterystyki filtrów dolno-
przepustowych przedstawiono na rys. 14.7.
10
IKu
l
kuo O
[dB}
-10
-20
-JO
-40
-SO
-50
0,01 0,03 0.1 0,3
Rys. 14.7. Charakterystyki amplitudowe filtrów dolnoprzepustowych Bessela
Na rysunku 14.8 przedstawiono charakterystyki prze-

fazowego i grupowego dla filtrów czwartego
du w celu pokazania, jak fazowe innych filtrów
w porównaniu z filtrami Bessela. te charakterystyki najwygod-
niej jest z funkcji przenoszenia w postaci na czynniki
zgodniez równaniem (14.4) i fazowe i gru-
14.1. PODSTAWY TEORETYCZNE FILTRÓW DOLNOPRZEPUSTOWYC..'H 427

powe poszczególnych drugiego Z (14.8) i (14.9c) otrzy-
muje wówczas dla filtru dowolnego
a)'9,
2,5 -
2,0
1,0
f 2 J 4 5
0.5
91!'
-180°
-2 70°
-3 60°
'P
Rys. 14.8. Porównanie charak terystyk grupowego i

fazowego filtrów czwartego
krzywa i - filtr dolnoprzepustowy z krytycznym; kr zywa 2 - filtr dolnoprzepustowy
Bessela; krzywa 3 - filtr doln oprzepu stowy Butterw orth a; krzywa 4 - filtr dolnoprzepustowy
Czebyszewa o 0,5 d B; krzywa 5 - filtr doln oprzepustowy Czebyszewa o 3 dB
Przy projektowaniu filtru dla wszystkich sekcji

J;, filtru. Podana w tabl. 14.6 graniczna
sekcji J;,
JJ;, tylko do kontroli. przy projektowaniu
liczne pro gramy , m.in. przez producen tów scalonych,
takich jak Burr Brown, Linear Technology, Maxim i Natio nal.

Tablica 14.6. dla typów filtrów
n i a, bi !,Jl, Qi
Filtry z krytycznym
I l 1,0000 0,0000 1,000 -
2 l 1,2872 0,4 142 1,000 0,50
3 1 0,5098 0,0000 1,961 -

2 1,0197 0,2599 1,262 0,50
4 l 0,8700 0, 1892 1,480 0,50

2 0,8700 0,1892 1,480 0,50
5 1 0,3856 0,0000 2,593 -

2 0,7712 0,1487 1,669 0,50
3 0,7712 0,1487 1,669 0,50
6 1 0,6999 0, 1225 1,839 0,50

2 0,6999 0,1225 1,839 0,50
3 0,6999 0,1225 1,839 0,50
7 I 0,3226 0,0000 3,100

2 0,6453 0,1041 1,995 0,50
3 0,6453 0,1041 1,995 0,50
4 0,6453 0, 1041 1,995 0,50
8 1 0,6017 0,0905 2, 139 0,50

2 0,6017 0,0905 2,139 0,50
3 0,6017 0,0905 2,139 0,50
4 0,6017 0,0905 2,139 0,50
9 1 0,2829 0,0000 3,534

2 0,5659 0,0801 2,275 0,50
3 0,5659 0,0801 2,275 0,50
4 0,5659 0 ,0801 2,275 0,50
5 0,5659 0,0801 2,275 0,50
10 l 0,5358 0,0718 2,402 0,50

2 0,5358 0,07 18 2,402 0,50
3 0,5358 0,0718 2,402 0,50
4 0,5358 0,0718 2,402 0,50
5 0,5358 0,0718 2,402 0,50
14.l. PODSTAWY TEORETYCZNE FILT RÓW DOLNOPRZEPUSTOWYCH 429

Tablica 14.6 (cd.)
n i a, b. f,;/f, Q,
Filtry Hesse/a
1 l 1,0000 0,0000 1,000 -

2 I 1,3617 0,6180 1,000 0,58
3 l 0,7560 0,0000 1,323 -

2 0,9996 0,4772 1,414 0,69
4 I 1,3397 0,4889 0,978 0,52

2 0,7743 0,3890 1,797 0,8 1
5 1 0,6656 0,0000 1,502 -

2 1,1402 0,4128 1,184 0,56
3 0,6216 0,3245 2,138 0,92
6 1 1,2217 0,3887 1,063 0,51

2 0,9686 0,3505 1,431 0,61
3 0,5231 0,2756 2,447 1,02
7 1 0,5937 0,0000 1,684

2 1,0944 0,3395 1,207 0,53
3 0,8304 0,3011 1,695 0,66
4 0,4332 0,2381 2,731 1,13
8 1 1,1112 0,3162 1,164 0,51

2 0,9754 0,2979 1,381 0,56
3 0,7202 0,2621 1,963 0,71
4 0,3728 0,2087 2,992 1,23
9 1 0,5386 0,0000 1,857 -

2 1,0244 0,2834 1,277 0,52
3 0,8710 0,2636 1,574 0,59
4 0,6320 0,2311 2,226 0,76
5 0,3257 0,1854 3,237 1,32
10 1 1,0215 0,2650 1,264 0,50

2 0,9393 0,2549 1,412 0,54
3 0,7815 0,2351 1,780 0,62
4 0,5604 0,2059 2,479 0,81
5 0,2883 0,1665 3,466 l,42

Tablica14.6 (cd.)
n i a, hi hdh Qi
Filtry Butterwortha
1 l 1,0000 0,0000 1,000 -

2 l 1,4142 1,0000 1,000 0,71
3 l 1,0000 0,0000 1,000 -

2 1,0000 1,0000 1,272 1,00
4 1 1,8478 1,0000 0,719 0,54

2 0,7654 1,0000 1,390 1,31
5 1 1,0000 0,0000 1,000 -

2 1,6180 1,0000 0,859 0,62
3 1,6180 1,0000 1,448 1,62
6 1 1,9319 1,0000 0,676 0,52

2 1,4142 1,0000 1,000 0,71
3 0,5176 1,0000 1,479 1,93
7 1 1,0000 0,0000 1,000 -

2 1,8019 1,0000 0,745 0,55
3 1,2470 1,0000 1,117 0,80
4 0,4450 1,0000 1,499 2,25
8 1 1,9619 1,0000 0,661 0,51

2 1,6629 1,0000 0,829 0,60
3 1,1111 1,0000 1,206 0,90
4 0,3902 1,0000 1,512 2,56
9 1 1,0000 0,0000 1,000 -

2 1,8794 1,0000 0,703 0,53
3 1,5321 1,0000 0,917 0,65
4 1,0000 1,0000 1,272 1,00
5 0,3473 1,0000 1,521 2,88
10 1 1,9754 1,0000 0,655 0,51

2 1,7820 1,0000 0,756 0,56
3 1,4142 1,0000 1,000 0,71
4 0,9080 1,0000 1,322 1,10
5 0,3129 1,0000 1,527 3,20
,. 'MNNV<'W'N_.,.........,.,. ,, ·, ·.•.•.r,v,.r.,..v,v.-rrr.•r,-.-.-,.,,, .,..,..,,.....,.,.....,.•••.,.,.,.,.,..;,,.,-.....,..~--_,.,.,.,.,.,., , .. .. .., ...,,.•.,..,..n·~-......,..,,.,., ...,.,,,.,,.,.~~~._..,..,,.....,.., .,.,.,.,..

Tablica 14.6 (cd.)
n i a; h; /gJ/4 Qi
Fi/Jry Czebyszewa o 0,5 dB
1 1 1,0000 0,0000 1,000
2 1 1,36 14 1,3827 1,000 0,86
3 1 1,8636 0,0000 0,537

2 0,6402 1, 1931 1,335 1,71
4 l 2,6282 3,4341 0,538 0,71

2 0,3648 1,1509 1,419 2,94
5 I 2,9235 0,0000 0,342

2 1,3025 2,3534 0,881 1,18
3 0,2290 1,0833 1,480 4,54
6 1 3,8645 6,9797 0,366 0,68

2 0,7528 1,8573 1,078 1,81
3 0, 1589 1,0711 1,495 6,51
7 I 0,0000 0,0000 0,249

2 4,02 11 4,1795 0,645 1,09
3 1,5676 1,5676 1,208 2,58
4 1,0443 1,0443 1,517 8,84
8 1 11,9607 11,9607 0,276 0,68

2 2,9365 2,9365 0,844 1,6 1
3 1,4206 1,4206 1,284 3,47
4 1,0407 1,0407 1,521 11,53
9 1 5, 1318 0,0000 0,195

2 2,4283 6,6307 0,506 1,06
3 0,6839 2,2908 0,989 2,21
4 0,2559 1,3133 1,344 4,48
5 0,0695 1,0272 1,532 14,58
IO I 6,3548 18,3695 0,222 0,67

2 1,3582 4,3453 0,689 1,53
3 0,4822 1,9440 1,091 2,89
4 0, 1994 1,25220 1,381 5,61
5 0,0563 1,0263 1,533 17,99
432 14. FILTRY AKTYW!f E

Tablica14.6 (cxl.)
n i aj h; J;,dJ;, Qi
Filtry Czebyszewa o I dB
1 1 1,0000 0,0000 1,000 -
2 1 1,3022 1,5515 1,000 0,96
3 I 2,2156 0,0000 0,451 -

2 0,5442 1,2057 1,353 2,02
4 1 2,5904 4,1301 0,540 0,78
2 0,3039 1,1697 1,427 3,56
5 1 3,5711 0,0000 0,280 -
2 1,1280 2,4896 0,894 1,40
3 0,1872 1,0814 1,486 5,56
6 1 3,8437 8,5529 0,366 0,76
2 0,6292 1,9124 1,082 2,20
3 0,1296 1,0766 1,493 8,00
7 1 4,9520 0,0000 0,202 -
2 1,6338 4,4899 0,655 1,30
3 0,3987 1,5834 1,213 3,16
4 0,0937 1,0423 1,520 10,90
8 1 5,1019 14,7608 0,276 0,75

2 0,8916 3,0426 0,849 1,96
3 0,2806 1,4334 1,285 4,27
4 0,0717 1,0432 1,520 14,24
9 I 6,3415 0,0000 0,158 -

2 2,1252 7,1711 0,514 1,26
3 0,5624 2,3278 0,994 2,71
4 0,2076 1,3166 1,346 5,53
5 0,0562 1,0258 1,533 18,03
IO 1 6,3634 22,7468 0,221 0,75
2 l, 1399 4,5167 0,694 1,86
3 0,3939 1,9665 1,093 3,56
4 o,1616 1,2569 1,381 6,94
5 0,0455 1,0277 1,532 22,26
rr,,v •.,n . •.•~ ,,..,,..,.......,_. ,.,www,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•, •,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,·,,, ·, • .,., , ,,, , , ,,, .,,,,, .,., ........ ....,....,.. """ ..,.... .-. . .... ~.. , , , , , .,., .......... ,.....,_...,, .. ...,,.......,. ,•,•,•,•,•,•,•,• , , , ,.,,.. ,,,,,. ,, . •,,., ,,, . •• ,.,.,.... •.,..............

Tablica 14.6 (cd.)
n i a; h, /4;//4 Qi
Filtry Czebyszewa o 2 dB
l 1 1,0000 0,0000 1,000

2 1 1, 1813 1,7775 1,000 1,13
3 1 2,7994 0,0000 0,357 -
2 0,4300 1,2036 1,378 2,55
4 1 2,4025 4,9862 0,550 0,93
2 0,2374 1,1896 l,413 4,59
5 1 4,6345 0,0000 0,216 -

2 0,9090 2,6036 0,908 1,78
3 0,1434 1,0750 l ,493 7,23
6 1 3,5880 10,4648 0,373 0,90
2 0,4925 1,9622 1,085 2,84
3 0,0925 1,0826 1,491 10,46
7 1 6,4760 0,0000 1, 154
2 1,3258 4,7649 0,665 1,65
3 0,3067 1,5927 1,218 4,12
4 0,0714 1,0384 1,523 14,28
8 l 4,7743 18,1510 0,282 0,89
2 0,6991 3,1353 0,853 2,53
3 0,3153 1,4449 1,285 5,58
4 0,0547 1,0461 1,518 18,69
9 1 8,3198 0,0000 0,120 -
2 1,7299 7,6580 0,522 1,60
3 0,4337 2,3549 0,998 3,54
4 0,1583 1,3174 1,349 7,25
5 0,0427 1,0232 1,536 23,68
10 l 5,9618 28,0376 0,226 0,89
2 0,8947 4,6644 0,697 2,41
3 0,3023 1,9858 1,094 4,66
4 0,1233 1,2614 1,380 9,11
5 0,0347 1,0294 1,531 29,27

Tablica14.6 (cd.)
n i ai bi /4;//4 Q;
Filtry Czebyszewa o 3 dB
1 l 1,0000 0,0000 1,000 -
2 1 1,0650 1,9305 1,000 1,30
3 l 3,3496 0,0000 0,299 -

2 0,3559 1,1923 1,396 3,07
4 l 2,1853 5,5339 0,557 1,08

2 0,1964 1,2009 1,410 5,58
5 1 5,6334 0,0000 0, 178 -

2 0,7620 2,6530 0,917 2,14
3 0,1172 1,0686 1,500 8,82
6 1 3,272 1 11,6773 0,379 1,04

2 0,4077 1,9&73 1,086 3,46
3 0,0815 l,0&61 1,489 12,78
7 1 7,9064 0,0000 0,126 -

2 1,1159 4,8963 0,670 1,98
3 0,2515 1,5944 1,222 5,02
4 0,0582 1,0348 1,527 17,46
8 1 4,3583 20,2948 0,286 1,03

2 0,5791 3,1808 0 ,855 3,08
3 0,1765 1,4507 1,285 6,83
4 0,0448 1,0478 1,517 22,87
9 l 10,1759 0,0000 0,098 -

2 1,4585 7,8971 0,526 1,93
3 0,3561 2,3651 1,001 4,32
4 0,1294 1,3165 1,351 8,87
5 0,0348 1,0210 1,537 29,00
10 I 5,4449 31,3788 0,230 1,03

2 0,7414 4,7363 0,699 2,94
3 0,2479 1,9952 1,094 5,70
4 0,1008 1,2638 1,380 11,15
5 0,0283 1,0304 1,530 35,85
-.- .·-·- ·•-s=,w, •.,w.w==M·-~---·---·~, •• ,,.-,,u,,•,w,•,•,•,•,•,,wmu~_..., ,.,.,.,.,.,w,_, _ _.,_,,_= , ... ."v,•,,•,•,•,•,• ,•,•,•,w,•,•,
14.1. PODSTAWY TEORETYCZN E FILTRÓW DOLNOPRZEP USTOWYCH 435

14.1.4.Podsumowanie teoretycznych
przenoszenia wszystkich filtrów dolnoprzepustowych
w postaci
(14.1I)
n filtru S w równaniu (14.11), po wykonaniu

w mianowniku.
Wyznacza on nachylenie asymptoty charakterystyki
które wynosi - n · 20 przebiegu charakterystyki
od typu filtru. Szczególne znaczenie filtry Butterwortha , Czeby-
szewa i Bessela, które ai i bi równania (14.11).
dla filtrów do przedstawiono
w tabl. 14.6. Dodatkowo dla pojedynczego ogniwa filtru za
parametru fui/ fu podano Wprawdzie
nie jest ona potrzebna przy projektowaniu , jest jednak bardzo przydatna przy
sprawdzaniu poszczególnych ogniw filtrów.
W tablicy podano ponad to dobroci biegunów Qi, dla poszczególnych
ogniw. Analogicznie do dobroci filtrów selektywnych z p. 14.6.l jest ona zdefi-
niowana jako
Im biegunów jest tym jest filtru do nie-

Filtry o biegunach rzeczywistych biegunów Qi 0,5.
ai i bi funkcji przenoszenia w postaci na czyn-
niki obliczenie charakterystyki fazowego
i grupowego
(14.12)
(14.13)
(14.14)
.. .,_.,.,, ._,..,,,,. .....,.,.www- ..........
..-......,,,•.-,._.,,,._.,._,,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•r,•,•r,•r, •,•,•,•,•,._._
•...._.,,, ,.~ •• • ••••••• ,, ..,, , ..,.,,,, ,, ,,.,•,•,•, ,•,•,-................... _......_......,,.,-,.,., ...

-
tf®%!•l~
:•:•;
.;,:,
;.;.;,;::.;:
•: •,•,•.<•:•:•:•·N,~~.m-~w.••: :«: :,:...;.;.".;.;
·:,:,:,:,:,;,;,;,,,;,,,.•.•, ,;,;,;,;,;,;,;
... ,:·.:,;,::':,:•!•!•!•!•:•!•!•!•!
;.-;•:•:•:•0:-:.; :,,;;,:,;.;.:,.°:~
*::::•!•!,:.:,;,;,;,;
1~14.2.Transformacja
filtrudolnoprzepustowego
~i na górnoprzepustowy
W skali logarytmicznej z filtru dolnoprzepustowego otrzymuje filtr górno-

przepustowy przez odbicie lustrzane charakterystyki modu-
wzmocnienia granicznej, tzn. przez
Q przez 1/Q albo S przez 1/S. graniczna zostaje przy tym bez
zmian, a kuo przechodzi w kuro· Równanie (14.11} ma wtedy
K.,(S} = kuoo (14.15)

a. b. )
n, (I+ -f + s~
Nie podobnej transformacji w dziedzinie czasu, od-

powiedzi skokowe obu filtrów zasadniczo. Jak na rys. 14.9,
nawet w przypadku filtrów górnoprzepustowych z krytycznym wy-
drgania ustalonej. Analogia do odpowiedniego filtru
dolnoprzepustowego polega jedynie na tym, stan nieustalony zanika tym
wolniej,im dobroci biegunów .
Uwy/t)
U„m
1,0
0,8
0.6
0.4
QZ
o
-o.z
- 0.4
- 0.óo z 3 4 5 t/Tg
Rys.14.9. skokowa filtrów górnoprzepustowych czwartego

krzywa J - filtr górnoprzepustowy z krytycznym ; krzywa 2 - nJtr górnoprzepustowy
Bess
ela; krzywa 3 - filtr górnoprzepustowy Bu.tlerwortha ; kr zywa 4 - filtr górnoprzepus towy
Czebyszewao 0,5 dB; krzywa 3 - fillr górnoprzepustowy Czebyszewa o 3 dB
~-=-~m•. •-w"', '•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•"•"•"-'-'
="'·",w,· ,·,·················---~ ··~•°'"~=v• "'•'•"""'
14.2.TRANSFORMACJA FILTR U DOLNOPR ZEPU STOWEGO NA GÓ RNOPRZEPUST'OWY 437

••.+,
•,•
,•,:,.::···
, :···············
·····
•·•
·•·w~~~~~::.:....®f: :~·-
:.:.....
•.•::::
..........
•,•,
•,•,•....
,•.
•,•.•
:················
·············
········.':•.3.;:::::;:
•.;.;.
,,.,.
,,,•,•
:···:·::~::2§;:::(
:x·<.··w·
· ·:x~\.
14.3.Realizacjafiltrówdoino-i górnoprzepustowych
ik,:::,
lrr,=:;:mz
:,;:':m
~,!:::.::!.~!!~~:::,,r~::@
w@ ,,,::,:,
::mr
:r :}::':m:::::,;rnu,.,
,,,,:::,:,:::::'::::
'.:w::,\1
:::t" 1
Zgodnie z równaniem (14.11) funkcja przenoszenia filtru dolnoprzepustowego

pierwszego ma
(14.16)
za prostego RC pokazanego na
rys. 14.10. Dla tego mamy
1 1
K,,(S) = 1 + sRC = I + wgRCS
W2mocnienie dla wynosi Ku(S) = kuo = l. Parametr a 1
dowolnie. Z porównania otrzymujemy
Jak w tabl. 14.6, w przypadku pierwszego wszystkie typy filtrów

identyczne i a 1 = 1. Przy realizacji filtrów
w postaci kaskadowego ogniw jed-
nak ogniwa pierwszego w których a 1 =I=1.
R,
Rys. 14.10. Filtr dol noprzepustowy pierwszego ze wzmacniaczem
Dzieje tak dlatego, poszczególne ogniwa z

filtr, amianowicie/4 1 = /g/a1 .
Prosty filtr RC z rys . 14.1 ma jego
wraz z Dlatego z do niego
cy
ten ma w2mocnienie kuo, otrzymujemy
swobodnego wyboru wzmocnien ia dla Odpowiedni

przedstawiono na rys. 14.10. Aby analogiczny filtr górnoprzepus-
towy, w równaniu (14.16) musimy S przez 1/S. W to
bardzo prosto przez miejscami R 1 i C1 .
Nieco prostsze filtry doino- i górnoprzepustowe pierwszego otrzy-
muje przez filtru do obwodu ujemnego zwrot nego
w7111acniacza operacyjnego. Taki filtr dolnoprzepustowy pokazano na
rys. 14.11.
R2/R1
K.(S)= ------
1 + wgR 2 C 1S
Rys. 14.11. Filtr dolnoprzepustowy pierwszego ze wzmacniaczem
W celu doboru elementów filtru podaje war-

funkcji przenoszenia dla kuo oraz C 1 . Wtedy
z porównania ze równania (14.16)
__ _!!_2
R1 -
kuo
Rysunek 14.12 przedstawia analogiczny filtru górnoprzepustowego.
Z porównania z równaniem (14.15) elementów
1+ ---
Rys. 14.12. Filtr górnoprzepustowy pierwszego ze wzmacniaczem
Funkcje przenoszenia omawianych tylko w tym za-

kresie w którym wzmocnienia jest
od funkcji przenoszenia. Warunek ten jest trudny do
nia przy ze na korek-
charakterystyki wzmocnienia maleje
z 6 dB na i dla standardowego wzmacniacza przy 10 kHz
wynositylko J 00.
14.3. REALIZACJA FILTRÓW DOLNO- I GÓRNOPRZEPUSTOWYCH 439

14
A
z
Zgodnie z równaniem (14.11) funkcja przenoszenia filtru dolnoprzepustowego
drugiego ma
(14.17)
Jak w tabl. 14.6 zoptymalizowane funkcje przenoszenia filtrów

drugiego i bieguny zespolone W punk- Pr
cie 14.1 poka zano, takich funkcji nie za pasyw- i1
nych RC. je natomiast m~
to przedstawia Z0 1
sta
faz
14.4.1.FiltryRLC
Klasyczna realizacja filtrów 2. polega na zastosowaniu RLC,
jak filtr pokazany na rys. 14.13.
L R
K.(S)= ----
1 + w:Rcs+ w;Lcs2
I
UwE~Uwy
j_ j_
Rys. 14.13. Pasywny filtr dolnoprzepustowy drugiego
Z porównania z równaniem (14.17) otrzymuje

Rys
R =~ nien
2n.fuC
Dla filtru dolnoprzepustowego Butterwortha drugiego dobieramy nie:

w tabl. 14.6 a 1 = 1,414 i b 1 = 1,000. przyjmiemy mo:
fu= 10 Hz i C = 10 µF, to otrzymamy R = 2,25 k.Q len:
i L = 25,3 H. Nietrudno taki filtr jest nadzwyczaj trudny do róv,
zrealizowania ze na Ze stosowania indukcyjno- najj
za aktywnego uk1adu
RC. Do tego celu z rys. 12.32; otrzymamy ton
wówczas bardzo Wymagane funkcje przenoszenia reali-
w znacznie prostszy sposób za odpowiednich ze
wzmacniaczami operacyjnymi, bez symulowania
440 14. FlLTRY AKTYWNE 14.4.

14.4.2.Filtrz wielokrotnym
ujemnym zwrotnym
Aktywny filtr dolnoprzepustowy 2. pr zedstawiony jest na rys. 14.14.
Z porównania z równaniem (14.17) otrzymujemy
Przy doborze elementów np. rezystancji R 1

i R2 i z projektowych R 2 , C 1 i C 2 . Jak dobór jest
dla wszystkich dodatnich a I i b 1. zreali-
wymagany typ filtru. funkcji przenoszenia dla
kuojest ujemna . Zgodnie z tym dla filtr odwr aca
Rys.14.14. Aklywny fi.llr dolnoprzepuslowy drugiego z wielokrotnym ujemnym

niem zwrotnym
Aby elementy
nie zbyt tolerancji. W przypadku rezys tancji wymaganie to
z rezystory o z E96 o to-
lerancji l % powszechnie Inaczej jest w przypadku kond ensato-
rów. Z one 10% lub i
w E6. Dlatego przy projektowaniu filtrów jest korzystne przy-
zadanych kondensatorów i obliczenie potrzebnej rezys-
torów. W tym celu równania projektow e rezystancji
14.4.REALIZACJA FILTRÓW DOLNO- I GÓRNOPRZEPUSTOWYCH DR UGIEGCJ 441

Dla otrzymania rzeczywistej R 2 musi warunek
Najbardziej korzystne jest wówczas C1 i dobór C2 jako

ze znormali zowanego szeregu. Parametry takiego
filtru na tolerancje elementów Dlatego ten
nadaje do realizacji filtrów o dobroci.
Aby wzmacniacz operacyjny za idealny, przy
granicznej filtru musi on jeszcze wzmocnienie
Z tego powodu nawet przy granicznych filtrów wy-
magane jest stosowanie szybkich wzmacniaczy operacyjnych, jak np. OP 227
(Analog Devices), LT 1201 (Linear Technology) lub MAX 414 (Maxim).
14.4.3.Filtr z pojedynczym
dodatnim zwrotnym
Filtry aktywne przez wzmacniacza

zwrotnego. wzmocnienia musi
ustalona za ujemnego zwrotnego. Dzielnik
R 3 , (a - l)R 3 na rys. 14.15 stanowi obwód ujemnego n
zwrotnego i ustala wzmocnienie o a. Dodatnie p
zwrot ne jest realizowane za kondensatora C2 • B
b
w
re
Z<
W,
z
Rys. 14.15. Aktywny filtr dolnoprzepustowy drugiego z pojedynczym dodatnim
niem zwrotnym Sallena-Keya)
442 14. FILTRY AKTYWNE 14,

Projektowanie znacznie ma-
my dane niektórych parametrów. Jednym z jest
wzmocnienia a= 1. Wtedy mamy
(rx- l)R 3 = O i oba rezystory R 3 nie potrzebne. Wzmacniacze ope racyjne
z ujemnym zwrotnym w postaci scalonych
wtórników kilka typów przedstawiono w tablicy 16.1.
wystarcza prosty wtórnik emiterowy lub W ten sposób
filtry na zakres MHz. W przypadku szczególnym a = 1
funkcja ma
przyjmiemy C1 C 2 , to z porównania z równaniem (14.17)

otrzymujemy
Aby rzeczywiste, musi warunek
Tak jak w przypadku filtru z wielokrotnym ujemnym zwrot-

nymjest najkorzystniej, lewa strona jest niewiele od
prawej. Filtry oparte na tej zasadzie w postaci scalonych.
Rodzina MAX 270 firmy MAXIM zawiera 2 filtry drugiego o charak -
terystyce Butterwortha. z
w zakresie 1 ... 25 kHz za 7-bitowego
Inne ciekawe otrzymuje w przypadku jednakowych
rezystorów i kondensatorów , tzn. R 1 = R 2 = R i C 1 = C2 = C. Aby móc reali-
typy filtrów, musimy w tym przypadku we-
wzmocnienia a. Funkcja przenoszenia ma
Z porównania z równaniem (14.17) otrzymamy
RC= Jb1
2rcfu
14.4.REALIZACJA FILTRÓW DOLNO- I GÓRNOPRZEPUSTOWYCH DRUGIEGO 443

Jak wzmocnienie a tylko od dobroci biegunów, a nie
od granicznej/4. Dlatego a typ filtru.
podstawimy filtru drugiego podane
w tabl. 14.7, to otrzymamy odpowiednie IX. Przy IX= 3 generuje
drgania o f = 1/(21tRC).
Tablica 14.7. wzmocnienie w filtrze z pojedynczym dodatnjm

zwrotnym
filtry Drgania
krytyc zne samowzbudne
Bessela Bullerwort ba Czebyszewa
(3 dB)
(l 1,000 1,268 1,586 2,234 3,000
regulacja wzmocnienia jest tym trud-

niejsza, im bardziej ono do IX = 3. Dlatego w przypadku
filtru Czebyszewa jest wymagana regulacja szczególnie Stanowi to
w porównaniu z innymi ale
je st jednak fakt, typ filtru od a i nie na to R i C.
Cl
K.(S) =-- ------- -
R2(C1 + C2) + R 1C 2(1 - :x) I
I+ --
R1R2C1C2 w----
9 S
+ -- -
R 1R 2 C 1 C 2 w;S2
Rys. 14.16. Aktywny filtr górnoprzepustowy drugiego z pojedynczym dodatnim
zwrotnym
Z tego powodu w tym w szczególnie sposób

np. za podwójnego potencjometru \I
cego jednakowe rezystancje R 1 i R 2 na rys. 14. I 5. zamienimy miejscami s

rezystory i kondensatory, otrzymamy filtr górnoprzepustowy przedstawio ny na ji
rys. 14.16. C
444 14. FILTR Y AKTYWNE

W celu projektowania przyjmuj emy: 1:t. = 1 C1 = C 2 = C.
H14.5.Realizacjafiltrówdoino-i górnoprzepustowych
1
l,1
•:•:·::~:;::::~::x
::J.;..{:.:;::
~::;:;:: ..'w::.:-·:f
....
:::::;::::::
..~~::,f:::::;:;:;:;::.::::::;:;:;:;:;::nrt~'*~~
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,~k~ ~':>:;:~· .•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
charakterystyka filtru nie ma ostrego spadku, musimy

filtr Charakterystyki poszcze-
gólnych sekcji filtru wówczas przez siebie. jednak
kaskadowe np. dwu filtrów Butterwortha drugiego w celu
otrzymania filtru Butterwortha czwartego w ten sposób filtr
a Dlatego
poszczególnych sekcji filtru tak, by iloczyn cha-
rakterystyk zoptymali zowany typ filtru .
W celu doboru elementów poszczególnych sekcji filtru wielo-
miany typów filtrów na czynniki. Wspólczynniki a;
i b; poszczególnych sekcji podane w tabl. 14.6. czynnik z b; =I=O
za jednego z opisanych filtrów drugiego
Wymagato tylko wspólczynników a 1 i b 1 a; i b;.
W celu zaprojektowania do podanych wzorów podstawia
filtru. Poszczególne sekcje filtru z inn e
graniczne, jak to w tabl. 14.6. Filtry nieparzystych
z b1 = O. za jed-
negoz opisanych filtrów pierwszego przy czym a1 prze z
a;. tutaj
filtru. odpowiedniej a; sekcja automatycznie
w tabl. 14.6.
w jakiej uszeregowane poszczególne sekcje filtru, jest w za-
sadzie wypadkowa charakterystyka j est za-
wszetaka sama. W praktyce jednak kryteria doboru
sekcji,jednym z nich jest np. zakres wysterowania . Z tego punktu widzenia
jest korzystne uszeregowanie sekcji granicznej i
czeniesekcji o najmniejszej granicznej na W przeciwnym
14.5.REAL!Zi\OA FILTRÓW DOLNO- I GÓRNOPRZ EPUSTOWYCH 445

bowiem przypadku pierwsza sekcja przesterowana, podczas gdy druga
nie jest jeszcze w wysterowana. Dzieje tak dlatego, sekcje filtru
o granicznych bez
biegunów i z tego powodu wzrost wzmocnienia w swej
granicznej. to na rys. 14.17, na którym przedstawiono charaktery-
styki wzmocnienia filtru dolnoprzepustowego Czebyszewa
o 0,5 dB oraz jego sekcji.
zakres wysterowania otrzymuje wówczas, gdy sekcje o najmniej-
szych granicznych na filtru.
IK„I
kuo
[dB]
20
10
o
-10
- zo
-JO
- 40
- 50
-50
0.01 O.OJ 0,1
Rys. 14.17. Charakterystyka ampliludowa filtru Czebyszewa o
0,5 dB i jego sekcji
Innym kryterium rozmieszczenia sekcji szumowe.

Pod tym jest korzystna odwrotna, wtedy sekcje
o granicznej na filtru szumy stopni wej-
Pr zebieg projektowania przedstawimy na dolnoprzepustowe-

go filtru Bessela trzeciego Zrealizujemy go za sekcji dolnoprze-
pustowej pierwszego z rys. 14.10 oraz sekcji dolnoprzepustowej drugiego
z rys. 14.15 , przy czym wybierzemy opisane w punkcie
14.4.3 et= 1. Wzmocnienie filtru dla powinno 1
1. Aby to wzmacniacz sekcji pierw-
szego musi wzmocnienie równe 1. Otrzymany w ten sposób
graniczna ma fu= 100 Hz. Przy projektowani u
pierwszej sekcji filtru przyjmujemy C 11 = 100 nF i zgodnie z punk-
tem 14.3 , przy z tabl. 14.6, otrzymujemy u
01 0,7560
21t 1·c 12 03
Ru= g 11 Hz· 100 nF = • kO Il
446 14. FILTRY AKTYWNE l•

Dla drugiej sekcji filtru C 22 = 100 nF i zgodnie z punktem 14.4.3
otrzymujemy warunek na C21
a~ = 100 nF . (0,9996)
2
C21 C22 4b 2 4 · 0,4772
C21 52,3 nF
Dobieramy C 21 = 47 nF i otrzymujemy
R.J.1= 11,51 kn
R 22 = 22,33 kn
W przypadku filtrów trzeciego jest wyeliminowanie pierwszego

w:zmacniaczaoperacyjnego. Przed drugiego wtedy zwy-
filtr dolnoprzepustowy pierwszego z rys. 14.1.
l(
Uw;
I
11=/00nF I
Rys.14.18.Filtr dolnoprzepustowy Besscla trzeciego o granicznej!,= 100 Hz
Dotychczasowe obliczenia przy po-

szczególnesekcje nie nawzajem. to nie jest
ne, to obliczenia znacznie trudniejsze. Na rysunku 14.19 przedstawiono
w którym wzajemne sekcji; jego parametry
jako takie same jak omawianego poprzednio.
Rys.14.19.Uproszczony filtr Bessela trzeciego o granicznej ..f,= I 00 Hz
14.5.REALIZACIAFI LTRÓW OOLN0-1 GÓRNOPR ZEPUSTOWYCH 447

14.6. Transfor macjafiltrudolnoprzepustowego
na filtr pasmowoprzepustowy
W punkcie 14.2 przez

filtru dolnoprzepustowego przeksz-
w jej filtru górnoprzepustowego.
podobnej transformacji
filtru pa smowoprzepustowego. w tym celu w funkcji przenosze-
nia riltru dolnoprzepustowego S
~Q
1 (5+ sl )
•
(14.18)
tej tra nsformacji charakterystyka amplitudowa filtru dolnoprzepusto-

wego 7 zakresu O~ Q 1 zostaje odwzorowana w przenoszenia, czyli T
mii;:dt.y Q = 1 a C
D,,,ax·Oprócz tego charakterystyka ta jest w skali logarytmicznej symetryczna
wzp,lydcm i ma
D„1111 - 1/ Qmax [14.7]. jest rys. 14.20.
\Kul !Kul
k111
1 kuo V
(dBl-;;, [dB] p
1--
f<
\.\I
w
ró
su
. o •
Q(tog) Qmin I flm
Rys. 14.20. Jlustracja charakterystyki dolnoprzepustowej w
pasma ~Q = Qmax - Qmin swobodnie

p(l
Z r,odanych odwzorowania wynika, filtr pasmowoprze-
pu'>towy ma prz y Qmax i D 111;n takie samo wzmocnienie jak mu
fi.Itrdo lnoprzep ustowy przy Q = 1. filtr dolnoprzepustowy jest znormali-
zowany trzydecybelowej granicznej, jak w tabl. 14.6,
to !\Q jest pasma przenoszenia
filtru pasmow oprzepustowego. Przy
~Q = Qmax - Qmin
448 14. FIL TRY AKTYWNE 14.6

otrzymamy znormalizowane graniczne
I - 1
Qmax/min = 2 J (ó f1)2 + 4 ± óQ
2
14.6.1.Filtrpasmowoprz
epustowy drugi
ego
Najprostszy filtr pasmowoprzepustowy otrzymuje w wyniku zastosowania
transformacji (14. 18) do filtru dolnoprzepustowego pierwszego o funkcji
przenoszenia
K,,(S) = k„o
1+ S
Uzyskuje wówczas przenosze nia filtru pasmowoprzepustowego

drugiego
k„ 0 k„0 óQS
( (14.19)
K,, S) = 1 ( 1) = 1 + óQS + S 2
1+ - s+ -
óD S
W przypadku filtrów pasmowoprzepustowych interesuje nas wzmocnienie

przy rezonansowej k, i Q. Z podanych trans-
formacji wynika k, = k„0 . to podsta -
do równania (14.19) Q = 1, tzn. S = j . otrzymujemy rzeczy-
k,, fazowe przy rezonansowej jest
równezeru.
Przez do obwodu rezonansowego definiujemy jako sto-
sunek rezonansowej do pasma B. Mamy
Q=iI__= f, - --- = -- (14.20)

B Imax -Imin
Po wstawieniu do równania (14.19) otrzymujemy przenoszenia
(k,/Q)S
K,,(S)= (14.21)
Równanieto odczytanie wszystkich bezpo-

z funkcji przenoszenia filtru pasmowoprzepustowego drugiego
.. ~-.w.-,-.-...-.,,·,•,• ,•,•,-.•,..-,.,... ,.,•,•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•,•,•.. r ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r,•N•rr,•rn•,•r ,•.•h' , ••••• ••• ••• - . ... -. . ~_.,_..._.,,_.,,,, ,,,._,,,,.__._...,.,.,,_._.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,•, •, , •• •• •• • • •"" ' • •' •'+'•' •' •' •'•"'•"'•
146.
TRANSFORMACJA
FILTRUOOlNOPRZEPUSfOWEGO NA FlLTRPASMOWOPRZEPUSTOWY 449
Z równania (14.21) dla S = jQ otrzymujemy
i
(14.22)
(14.23)
Obie funkcje dla dobroci 1 i 10 przedstawione na rys. 14.21.
o,-----. -- ---.---=-----==- -,--- --.-----,

1
(I
IKul
k, V
[de
j
-20 ~ - ---4- -- --1--~ - -+- - ~ - l-4--- - -1-- ---""1 f
C
1
i:
'J)
45°
(]°
- 45°
-9oa, o.z 0,5 2 5 Q IO
Rys. 14.21. Charakterystyki ampliludowe i fazowe liltrów pasmowoprzepusto-

wych drugiego o dobroci Q = I i Q = IO
14.6.2.Filtrpasmowoprzepustowy
czwartego
Charakterystyka amplitudowa filtru pasmowoprzepustowego drugiego
jest tym bardziej selektywna, im wybierzemy jed-
nak takie przypadki, w których jest wymagany przebieg charakterystyki
w otoczeniu rezonansowej i strome do pasma zaporo-
wego. To zadanie optymalizacyjne przez zastosowanie trans-
formacji charakterystyki dolnoprzepustowej na do filtru
dolnoprzepustowego Mamy wówczas swobodnego
wyboru pasma ~Q i odpowiedniego typu filtru. Szczególne znacze-
nie ma transformacja charakterystyk.i dolnoprzepustowej na pasmowoprzepus-
,,._V,. ..,._._._. . . ... , •• , •• •, •, •
0•,•,•,•,•,•,•.......-.~-h-- •••• ••:Y.l'.V',-...,..,,.,-.-.._.,-,-,-,-,..-,,,-......,__ _..,_., ._.,,,,,•_.,,, ..._,, ,, ~._~,..,..-,,,....-,.,•,•,-,y,-r.-.- ......-.--- . ~ . _._., ,_., ......_ _.,, , ~V\''A ' hV V
450 14. FILTRY AKTYWN E 14.6

w przypadku filtrów dolnoprzepustowych drugiego Prowadzi ona
do uzyskania filtru pasmowoprzepustowego czwartego którym zajmie-
my nieco
Po podstawieniu równania transformacji (14.18) do równania filtru dol-
noprzepustowego drugiego otrzymamy przenoszenia filtru pas -
mowoprzepustowego
Nietrudno charakterystyka amplitudowa przy i wie-

lkich ma asymptoty o nachyleniu ± 12 dB na Przy
(Q = 1) funkcja przenoszenia jest rzeczywista i ma
km = kuo·
Na rysunku 14.22 przedstawiono i
filtru pasmowoprzepustowego Butterwortha i filtru pasmowoprzepus towego
Czebyszewa o 0,5 dB, o znormalizowanej pasma LiQ = 1.
Dla porównania narysowano filtru
pasmowoprzepustowego drugiego o tej samej pasma.
10,-----,. - -- --,-- - -,-- ---,-- - -- ..-- --,

IK.
I
km O1---
---+ - - ---+-~ ~,4,oi~~ -+-- - -t- --,
[dB]
to-
'f)
o•
:du
ed- -go•
.yki
-180°
1ro- 0,1 0,2 0,5 2 5 Q 10
ms-
Rys. 14.22. Charakteryst yki ampliludowe i fazowe filtrów pasmowoprzepustowych o
Itru pasmat.O = I
ego krzywaJ - fi.Itr pasmowoprzepustowy Bulterwortha czwartego krzywa 2 - filtr pasmowo -
cze- przepustowyCzebyszewa czwartego 0,5 dB; krzywa 3 - dla porównania filtr pasmowo-
pus- przepustowydrugiego
HH,,v,,v,v...,NN'o.
,or.-.
·,..-.·,·,,.,.,....,,,,.,.
,._._..,._._=- --=,--.,····· ~., .......,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
........., •.,.,,_..,.
•........,,.,.,.,.,.,
.............,.,~,,.N>.v.'•H.-,
','r,•.. u,•,•,•,•.-
,•,•,•,•,._. ...... ,,.,.,.,.,.,.,.,.,,,.,,.,...............,..
14.6.
TRANSFORMAOA
flLTRUDOLNOPRZEPUSIUWEGO
NA flLTR PASMOWOPRZEPUSIUWY 451
Tak jak w przypadku filtrów dolnoprzepustowych, dla reali-
zacji mianownik na czynniki drugiego stopnia. Ze na sy-
(14.25)
Po i porównaniu z równaniem (14.24) otrzymamy równanie okre-

a
(14.26)
W konkretnym zastosowaniu je numerycznie za pomo-

kieszonkowego kalkulatora.
Po wyznaczeniu a obliczamy bieguna Q 1 sekcji filtru jako
1
(14.27) o
od licznika otrzymuje dwie realizacji. 1

na czynnik i czynnik S 2 prowadzi do kaskadowego
nia filtrów górno- i dolnoprzepustowego. Realizacja ta jest szczególnie korzyst-
na w przypadku pasma .1.Q.
Przy pasma .1.Q 1 lepiej jest kaskadowe 1
dwu sekcji pasmowoprzepustowych drugiego o nieco przesu- n
(staggered tuning). Dla zaprojektowania
sekcji pasmowoprzepustowych licznik równania (14.25) na dwa
czynniki S i otrzymujemy
K,,(S) = _ (_k,_/_Q_;)_(a_S)_ (k,/Q;)(S/a)

(14.28)
I+ + aS
Qi (aS)
2
1+½(!)+(!)2 p
z,
Ul
Tablica 14.8. Parametry filtru pasmowoprzepustowego
!, Q k,
Pierwsza sekcja fola. Q, 0 /b1
Q1!:!,.Q.Jk.
Druga sekcja Io· a. Q, Q/iQJk. 0 /b1
Po porównaniu z równaniami (14.25) i (14.21) otrzymamy parametry RI

sekcji filtru przedstawione w tabl. 14.8, gdzie / 0 jest sz
452 14. FIL TRY AKTYWNE

wypadkowego filtru pasmowoprzepustowego, a kuo wzmocnieniem przy
exi Qi otrzymuje z (14.26) i (14.27).
Dobór elementów sekcji jeszcze na liczbowym:
chcemy filtr pasmowoprzepustowy Butterwortha o
= 1 kHz i pasma .:1Q= 100 Hz . Wzmocnienie przy
powinno kuo = 1. Najpierw z tablicy 14.6
a 1 i b 1 dla filtru dolnoprzepustowego Butterwortba
drugiego one a 1 = 1,4142 i b 1 = 1. Dla .:1Q= 0,1 otrzymamy
z równania (14.26) ex= 1,0360. Z równania (14.27) otrzymujemy Qi = 14,15,
a z tabl. 14.8 k, = 1,415,/, 1 = 965 Hz i/, 2 = 1,036 kHz.
) ,:~~:~
:~:;§:=~ =:
•,;; .•
:::;:::
=:=:
=:::::::::
=:
=:=:=:=:
=:=::::.::;;:;::.:::A'=:.~~::~:~::::::
:::~::::
:::::
::::;:::;:::::::;:::~;:E.::~§:::~ ::::::
:::::::::. ::::::
~:~:~:;:~:~:~:~:~:::::::::::::.
14.7. Realizacjafiltrówpasmowo
przepustowych
drugiego
kaskadowo filtry górnoprzepustowy i dolnoprzepustowy

pierwszego jak na rys. 14.23, otrzymamy filtr pasmowoprzepustowy
o funkcji przenoszenia
1 1 cxsRC
ll Ku(S)= - -- - - -- =- -- - (14.29)
1 sRC 1 + ex 2
1 + -- 1+ -- J + - sRC + (sRC) 2
asRC (X (X
t-
Po pulsacji rezonansowej w,= l /RC otrzymuje znor-
,e
Z porównania z równaniem (14.21) otrzymujemy wzór
.l-
ia (X
,a Q = 1 + ex2
Przy a= 1 Qmax = 1/2 . Jest to ma

naj-
8) przy kaskadowym sekcji
pierwszego Przy dobrociach mianownik równania (14.21) ma
zera zespolone; przenoszenia tylko za
RLC lub specjalnych aktywnych RC.
':1.S
al? K.(S) = --- ---
1 + (X2
1 + -- s+s 2
(X
Rys. 14.23. Fillr pasmowoprzepustow y zbudowany z filtrów gómo- i dolnoprzepuslowego pierw-

szego
,r,...,.,,,._.,...,.,.,...,.,.,
.,........,.,
.,..,.,,
.............
,.,,, ,,,,,,..•••
..-,.,.,,......,.,..
.,._
.................................
-.-.-.v~--.,., . .,,.,, .... ...........
.......
..,...
........
...,....,.,.,.,
.,.,...,..................................
.....,.....,..... ...... ................ ,,,·,•,;,,•,•
,
14.7. REALIZACJA FILTRÓW PASMOWOPRZ BPUSTOWYCH DRUGIEGO 453

14.7.1.FiltryRLC
Konwencjonal na metoda realizacji filtrów selektywnych o wysokiej dobroci
polega na stosowaniu obwodów rezonansowych. takiego filtru pokaza-
no na rys. 14.24. Jego funkcja przenoszenia ma
sRC
K,,(s) = 1 + sRC + s 2 LC
Dla rezonansowej wr = 1/J LC otrzymujemy

transmitancji na rys. 14.24. Z porównania z równaniem (14.21)
otrzymujemy
kr= 1
W zakresie wielkich zrea-

jako elementy o niewielkich stratach. W zakresie
potrzebne bardzo trudne do wykonania i
elektryczne.
K.(S) = - --
RJ~S
---
1+ RJ~ s+s 2
Rys. 14.24. Filtr pasmowoprzepuslowy RLC
w takim jak na rys. 14.24 filtr

o rezonansowej f,. = 10 Hz, to przy 10 µF
potrzebna L = 25,3 H. Jak wykazano przy omawianiu filtrów
doino- i górnoprzepustowych w p. 14.4.1, takie np. sy-
za jest jednak opisa-
wzorem (14.21) za wzmacniacza operacyjnego odpowied-
nim zwrotnym RC.
14.7.2.Fi1trpasmowoprzepustowy
z wielokrotnym
ujemnym
zwrotnym
wielokrotnego ujemnego zwrotnego rów-

do filtrów pasmowoprzepustowych. Odpowiedni przedstawiono na
rys. 14.25.

Jak z porów n ania z równa niem (14.21), przy S 2
musi równy 1. Wynika rezo n ansowa
(14.30)
Po podstawie niu tego do funkcji przenosze nia i porów nania pozo-

z rów nania (14.21) ot rzymamy
-k = R2 (14.3 1)
, 2R 1
(14.32)
Jak i funkcji przenoszenia

dla rezona n sowej dowolnie.
Rys. 14.25. Filtr pasmowoprz.epustowy z wielokrotnym ujemnym zwrotnym
Z równania (14.32) otrzymujemy wzór na pasma ftltru
B= J,
Q
y- Nic ona od R 1 i R 3 • Z dru giej strony z równania (14.31)

a- k, nie od R 3 • Dlatego mamy zmiany rezo-
:i- nansowej za R 3 , bez na pasma i fu nkcji
przenoszenia dla rezo n ansowej.
z usu niemy rezysto r R 3 filtr b~dzie nadal ale
od k,. Dla R 3 -. oo z równania (14.32) wynika bowiem
-k, = 2Q 2
w- Aby wzmocnienie w zwrotnego od 1,
na wzmocnienie wzmacniacza operacyj nego musi od
2Q2• Rezystor R 3 utrzymanie dob roci przy ma-
14.7. REALJZACJA FILTRÓW PASMOWOPRZEPUSTOWYCH DRUGIEGO 455

k,. Jak na rys. 14.25, mniejsze wzmocnienie wynika jedynie
dzielnik R 1, R 3 Dlatego wzmacniacz opera-
cyjny w tym przypadku musi wzmocnienie przy ot-
wartej zwrotnego 2Qz. Warunek ten jest
szczególnie ostry dlatego, musi przy
rezonansowej.
o tym przy wyborze wzmacniacza operacyjnego , szcze-
gólnie przy rezonansowych.
Dobór elementów przedstawimy na liczbowym: filtr
selektywny ma = 1O Hz i Q = J00.
graniczne ok. 9,95 Hz i 10,05 Hz .
funkcji przenoszenia przy rezonansowej powinna
k, = - JO. dowolnie, np. C = l µF , a
Najpierw z równania (14.32) wyznaczamy
Q
Rz= rcf,C = 3,18 MO
Z równania (14.31) otrzymamy wówczas
R1 = Rz = 159 k.O
-2k,
rezystancji R 3 otrzymamy z równania (14.30)
R3 = -k,Ri =795.0
2Qz + k, '
Wzmocnienie wzmacniacza operacyjnego przy rezo-

nansowej musi znacznie 2Q z = 20 OOO.
ma przy niezbyt doborze elementów nie
wykazuje do z przy
tym wzmacniacza operacyjne-
go, w przeciwnym bowiem wypadku drgania o wielkiej j
14.7.3.Filtr pasmowoprzepustowy
z pojedynczym
dodatnim
zwrotnym
Zastosowanie pojedynczego dodatniego zwrotnego prowadzi do uzy-

skania filtru pasmowoprzepustowego przedstawionego na rys. 14.26.
ujemnemu zwrotnemu przez rezystancje: R 1 i (a - l)R 1 ,
wzmocnienje wynosi a. Przez porównanie z równaniem (14.21)
parametry jest to, Qi k, nie

r:t.RCw,S
R
C
1 ?R (a- 1)R1 tuw,

1.
I
Q = --
3- x
I :X
rezonansowa: f, = -- Wzmocnienie pr zy J,: k, =
2n RC 3 - :x
Rys. 14.26. Filtr pasmowoprzepustowy z pojedynczym dodatnim zwrotnym
wybierane od siebie. jest jednak zmiany dobroc i

przez :x bez na
Dla a = 3 wzmocnienie staje wielkie, tzn.
drgania Regulacja wzmocnienia :x jest tym
bardziej krytyczna, im bardziej do a = 3.
14.8.Transformacjafiltrudolnoprzepustowego
na filtrpasmowozaporowy
Do selektywnego jest potrzebny filtr , któr e-

go funkcja przenoszenia przy rezo nansowej ma równy
zeru, a przy i mniejszych wzrasta do warto -
Takie filtry filtrów zaporowych. W celu ich selek-
definiuje Q = !,/ B, gdzie B jest pas-
ma przy spadku wzmocnienia o 3 dB. Im jest filtru, tym bar -
dziej stromo spada wzmocnienie w rezonansowej J,. Tak
jak w przypadku filtru pasmowoprzepustowego, dla filtru pasmowo -
zaporowego z charaktery -
styki filtru dolnoprzepustowego przez
W tym celu S
(14.33)
1
s+ -
s
gdzie /iQ = 1/Q jest pasma dla spadku wzmoc -
nienia o 3 dB. Transformacja ta powoduje odwzorowanie charakterystyki filt-
,,., .............. ..... ,w.v,, .• ......... ....... .. ... .. . . . .... . .. , ..... . ............ . .. ......... ... .. ,., •••,.,•,• ,•,•,•,•,•,•, •,•,•,•,•.·,•···.. ··._.......... ....... ...... ..... ..... ....... -- ,u ....................................... .... ,.,..... ,.,., ............ .......,... ....... ...........,................... ..
14.8.
TRANSFORMACJAFILTRU DOLNOPRZEPUSTOWEGONA FILTR PASMOWOZAPOROWY 457
ru dolnoprzepustowego w zakresie O~ Q 1 na filtru pas-
mowozaporowego w przenoszenia , czyli w zakresie od O Q Q91 .
Oprócz tego w skali logarytmicznej charakterystyka ta przebiega symetrycznie
rezonansowej . Przy rezonansowej
Q=1 funkcji przenoszenia ma zero. Tak jak w przypadku
filtru pasmowoprzepustowego, transformacja powoduje podwojenie filt-
ru. Szczególnie jest zastosowanie tej transformacji do filtru dolno-
przepustowego pierwszego w wyniku czego otrzymujemy filtr zaporowy
drugiego o funkcji przenoszenia
k„o(l + S2)
K.,(S) = 1 + 11QS+ S 2 (14.34)
Charakterystyki amplitudowa i fazowa opisane wzorami
IK I= k„oll-a21
" J1+ a 2
( ~ 2 _ 2)+ Q
4
Q
<p= arctg Q(Q 2 _ l)
o
IKuJ
kuo
[dB}
-10
- 15
- zo
g{f
!P
45°
oo
- 45°
- 9o°o_, o.z 0,5 z 5 Q 10

Rys. 14.27. Charakterystyki amplitudowa i fazowa fillrów zaporowych drugiego o dobroci
Q = li Q = 10

Przebiegi dla dobroci 1 i 10 przedstawione na rys. 14.27. Mianow -
nik równania (14.38) jest identyczny z mianownikiem równania (14.29) opisu-
filtr pasmowoprzepustowy .
Jak pokazano za pasywnych RC
Q = 1/ 2. Do dobroci potrzebne
RLC lub specjalne aktywne RC.
i~....
« .........
...... ..·· ····· ~-.. ... .. ···,: ·. ····. ·...................,!•.,, ............. .. . .. .... ... . . ........ ~:»iH:~l~~-.............
...........
:.. ....
::..·,·····..:;:;:;:;:;
:;::
::;~:~/:....
~114.9.Realizacja
filtrówzaporowych drugiego ;:i:::i)~:i::f}
ii:h
..J~Jit~:V,-·:.:.
~-;~·=·
~-;;/U~ ·1:'.':~.:'.'.::::
'.~
::'.'.:'.:::,:::,:
-:--:
:--:
::-:.
RLC
14.9.1.Filtrzaporowy
Znana od dawna realizacja filtrów zaporowych polega na wykorzystaniu szere-
gowych obwodów rezonansowych, jak to przedstawiono na rys. 14.28. Szere-
gowy obwód rezonansowy przy rezonansowej stanowi zwarcie
i jest równe zeru. Funkcja przenoszenia ma
1 + s 2 LC
K,,(S) = 1 + sRC + s 2 LC
1+ s 2
K,,(S) =- - - ---
1 +Rjfs + s 2
Rys. 14.28. Filtr zaporowy RL C
rezonansowa w,= 1/JLC i znormalizowana po-

funkcji przenoszenia podana na rys. 14.28. Z porównania z równaniem
(14.21)otrzymuje
Q= - 1
R '1c
to jednak tylko wówczas, gdy jest bezstratna ,
w przeciwnym bowiem przypadku nie maleje do
zera. Poza tym te same ograniczenia ze stosowaniem
jak w przypadku filtrów selektywnych.
14.9.2.
Aktywnyfiltr pasmowozaporowy
z podwójne
T
Jak pokazano w p. 2.6, filtr typu podwójne T jest pasywnym filtrem za-
porowymRC.
14.9. REALIZACJA FILTRÓW ZAPOROWYCH DR UGIEGO 459

Z równania (2.24) otrzymuje Q = 0,25.
przez wprowadzenie podwójne T do obwodu
zwrotnego. przedstawiono na rys. 14.29.
Przy wielkich i filtr typu podwójne T przenosi
bez zmian. wzmacniacza
wynosi wówczas Q'.UwE· Przy rezonansowej
staje równe zeru. W tym przypadku filtr typu podwójne T pracuje tak,
jakby rezystancja R/2 do masy. Dlatego rezonan-
sowa J, = 1/(2nRC) nie ulega zmianie. Z funkcji przenoszenia bezpo-
parametry filtru. wtórnik ma wzmocnienie
równe 1, to Q = 0,5. Przy wzmocnienia Q do
a do 2.
cx(l + S 2 )
K,,= -- -
1 + 2 (2 - :x)S + S 2
I I
rezonansowa j~ = -- ·wzmocnienie k. 0 =a Q = ---
2nRC 2(2 - rx)
Rys. 14.29. Aktywny filtr zaporowy z podwójne T
Warunkiem jest optymalne dostrojenie

filtru typu podwójne T do rezonansowej i dobór odpowiedniego
wzmocnienia. Przy dobrociach jest to trudne do zrealizowania, po-
zmiana jednego rezystora na oba parametry.
Pod tym bardziej korzystny jest aktywny filtr zaporowy Wiena-
-Robinsona.
14.9.3.Aktywnyfiltrpasmowozaporowy
z mostkiem
Wiena-Robinsona
Jak w p. 2.5, mostek Wiena-Robinsona jest filtrem
zaporowym. Jego nie jest wiele filtru typu podwój-
ne T. jednak do dowolnej przez
nie filtru do zwrotnego wzmacniacza operacyjnego. Odpowied-
ni przedstawiono na rys. 14.30. Jego funkcja przenoszenia wynika z wzo-
ru dla mostka Wiena-Robinsona:

1 - Q2
Uwy(jD)= 1 + 3jQ - 02 U1(jQ)
parametry filtru.
UwE t
l
_ P_ (t +s2) 1
l+x rezonansowa j~ = -
K.(S) = - -- -- -- 2nR 2 C
3
1+ - s+s 2
l+a Wzmocnienie k.o = - p

I+ IX
l+a
Q = --
3
Rys. 14.30. Aktywny filtr zaporowy z mostkiem Wiena-Robinsona
Przy projektowaniu filtru przyjmuje f,, kuo, Q i C i otrzymuj e
a= 3Q-1
Przy strojeniu rezonansowej filtru obie rezys-

tancje R 2 , a kondensatory C skokowo. wskutek
rezonansowa nie jest do-
strojenie przez rezystora 2R 3 •
;;;~:~
,·~
··.·,
:-:
.·-
:,:··«:··:~t:··~~:
-··············
·:·············:···
····· ·.························
............
....... ············~:···w···~r~~K~~;g;~
~;;;;;;~;;;""
···•~;:;:;:
;:;:;:;··
t1!14.10.Filtrywszechprzepustowe
:i:r=··
14.10
.1. Podstawyteoretyczne
Filtry omawiane dotychczas w których amplituda i faza funkcji
przenoszenia od W tym punk cie zajmiemy
. , ,. , • , ,1. ,..,. .•._..,,w .•NV,•,•,•,,..... ..,_,~ • • , ,H ,•,•,•••,•••,•••••••••••••••
••••_..,.,,•.,., , •• •" • • • ++ ' ,,.,1 •ru . •' •'•' ,,.,.._._._.,._._~~~...,_
••• ._..,..,..~.,..,, ,,,•,•,•,•, ·,' , •••••••• -.-.H•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•' •' •._,.,,,..... ~.~ ••• ••• • ..,.........,....,._......,.. ............
,
14.10. FILTRY WSZEC HPRZEPUSTOW E 461

mi, których wzmocnienie jest lecz mimo to fazy
od
Takie filtrów wszechprzepustowych i stosowane do
korekcji fazy oraz do
Na w jaki sposób od charakterystyki
wej filtru dolnoprzepustowego przechodzi do charakterystyki filtru wszech-
przepustowego. W tym celu czynnik kuo w liczniku równania {14.11)
zespolonym z mianownikiem i otrzymamy
przenoszenia o amplitudzie równej 1 i podwojonej prze-
fazowego
CT(1 - a;S+ b;S 2)

K,,(S) = Il(I I
+ a 1S + b;S 2) =
nJ(l -= b,Q2)2 + a;Q2

1_ _
e- p
= n J(l - b,Q2)2 + afQ2 = I ·e- Zi« = e i'I' {14.35)
c +j «
I
gdzie
<p =- 2oc= - 2L, arctg --"- - -
a1Q
{14.36)
1 - b,0 2
Szczególne znaczenie ma zastosowanie ów wszecbprzepustowych

do Warunkiem przenoszenia sygna-
jest funkcji przenoszenia : w filtrach wszechprzepustowych
jest to z Drugim warunkiem jest grupo-
wego dla wszystkich Filtry najlepiej to wy-
maganie jako filtry dolnoprzepustowe Bessela, których
nienie grupowe aproksymowano w sensie Butterwortha. Aby filtr
wszecbprzepustowy Butterwortha, wystarczy tylko do równania (14.35) pod-
Bessela. jednak tak otrzy-
manej charakterystyki trzydecybelowa
graniczna filtru dolnoprzepustowego traci tu swój sens . Dlatego
a1 i b 1 tak , by dla Q = J grupowe zmniej-
do 1/../2 uzyskiwanych dla Otrzyma-
ne w ten sposób dla filtrów do zebrane
w tabl. 14.9.
grupowe to czas, o który zostaje w filtrze
wszechprzepustowym. Zgodnie z {14.9b), z równania (14.36) wynika
grupowe
_. .. . ..,. ...... . .. h'>o ........ ..,~ .............. ...... ""- ·- --- · .,, · '- · """---~-- .. -~ ........................................ ••••••• ~-.-·, • • ;. • .-
462 14. FILTRY AKTYWN E

Tablica14.9. filtrów wszechprz.epustowych o maksymalnie charakterystyce
grupowego
n i a, bi !Jl, Qi Tg,O
l l 0,6436 0,0000 1,554 - 0,2049
2 l 1,6268 0,8832 1,064 0,58 0,5181
3 1 1,1415 0,0000 0,876 - 0,8437

2 1,5092 1,0877 0,959 0,69
4 1 2,3370 1,4878 0,820 0,52 1,1738

2 1,3506 1,1837 0,819 0,81
5 l 1,2974 0,0000 0,771 - 1,5060

2 1,2224 1,5685 0,791 0,56
3 1,2116 1,2330 0,901 0,92
6 1 2,6117 1,7763 0,750 0,51 1,8395

2 2,0706 1,6015 0,790 0,61
3 1,0967 1,2596 0,891 1,02
7 1 1,3735 0,0000 0,728 - 2,1737

2 2,5320 1,8169 0,742 0,53
3 1,9211 1,6116 0,788 0,66
4 1,0023 1,2746 0,886 1,13
8 1 2,7541 1,9420 0,718 0,51 2,5084

2 2,4174 1,8300 0,739 0,56
3 1,7850 1,6101 0,788 0,71
4 0,9239 1,2822 0,883 1,23
9 1 1,4186 0,0000 0,705 - 2,8434

2 2,6979 1,9659 0,713 0,52
3 2,2940 1,8282 0,740 0,59
4 1,6644 1,6027 0,790 0,76
5 0,8579 1,2862 0,882 1,32
10 1 1,8406 2,0490 0,699 0,50 3,1786

2 2,6120 1,9714 0,712 0,54
3 2,1733 1,8184 0,742 0,62
4 1,5583 1,5923 0,792 0,81
5 0,8018 1,2877 0,881 1,42
Przy przyjmuje ono
... , ... , .. . ,. ,•,•,•.•, •.-...... .- •• , .. .. ,•,•,....-,•,•,•.-, •,•,•,• ,•,•,•,•,•,• ,-.•,-.-.,...-... .... ,~-- .N.
• •,•,•,•,•,• ,•r ~ -,N_._._. ,,,. ...... N'r~ - -•
14.10. FILTRY WSZECHPRZEPUSTOWE 463

opozmenia grupowego dla filtrów do podano
w tabl. 14.9. Poda no tam do broci biegunów Qi= Jb.fai.
nie zmianie przy zmianie normalizacji , takie same,
jak dla filtrów Bessela.
W celu kontroli poszczególnych sekcji filtru, w tabl. 14.9
podano dodatkowo /J /4, gdzie J; jest przy której
fazowe danej sekcji filtru wynosi w przypadku drugiego
- 180°, a w przypadk u pierwszego - 90°. zmie-
znacznie grupowego. Cha-
rakterystyki grupowego filtrów wszechprzepus-
towych od pierwszego do przedstawio no na rys. 14.31.
'gr
3,5
= 10
3.0 =9
?.5
=7
2,0 =6
=5
1.5
=4
1,0 =3
=2
0.5
n =1
0.01 O.DJ
J_
0,1 0,3 10 30 Q -
R)S. 14.31. Charaklerystyb grupowego dla filtrów od pierwszego do
projektowania filtru wszechprzepustowego wyJasnuny na

liczbowym: o widmie od O do 1 kHz ma
o t11,0 = 2 ms. Aby nie zbyt fazowe,
graniczna filtru wszechprzepustowego powinna warunek
/4 J kHz. Zgodnie z równa niem (14.9a) wynika wymaganie
T9, 0 2 ms · I kH z = 2,00
Z tablicy 14.9 do tego celu jest potrzebny co

najmniej fiJtr siódmego Ola takiego filtru mamy T 9, 0 = 2,1737. Aby
grupowe 2 ms, zgodnie z równaniem (14.19)
r = Tu,o = 2,1737 = 1 087 kHz

Jg
t9, 0 2 ms '

14.10.2.
Realizacjafiltrówwszechpnepustowych
pierwszego
Nietrudno z rys. 14.34 ma dla wzmo-
cnienie równe + l, a dla -1. fazowe zmie-
nia zatem od 0° do -180°. jest filtrem wszechprzepustowym,
amplituda funkcji przenoszenia jest równa 1 przy
Aby to przenoszenia na
rys. 14.32. wzmocnienia jest tu stale równy 1. Porównanie
ze równania (14.35) daje
RC= ~
2rcJ;,
Z równania (14.37) otrzymuje grupowego dla
tg,O = 2RC
l -sRC
K,,(S)= --
1 +sRC
Uwy
j_
Rys. 14.32.Filtr wszechprzepustowy pierwszego
Filtr wszechprzepustowy pierwszego z rys. 14.32

stosowany jako przesuwnik fazy o szerokim zakresie regulacji. Przez
rezystora R fazowe O a -180 °, bez
wu na fazowe
(f) = -2arctg(roRC)
14.10.3.
Realizacjafiltrówwszechprzepustowych
drugiego
Filtr wszechprzepustowy drugiego np. przez
od filtru pasmowoprzepustowego.
Funkcja przenoszenia ma wtedy
k, S' 1 + I - k, S' + S'2

Ku(S') = I - __ Q:...___ _ = --- ; ---
1 + l S' + S' 2 1+ - S' + S' 2
Q Q
...-...,,..,,.......,.....,,.,._...
,,•..-. ,•,· •v,r ,•,•,•0•,•,•,•,•,•r,•,•,•,•,•,•r,•,• ,•, ,,,,,,,,,, ,._,,,.,,,,,,,.,. •••,,,.,._,,,...,,,.....,,.,r,r
.•,vv,;,.,,v. V'h~=·..,_._._.,,,• ,•,•,•,•,•,-.-.-............... ••. ,,,•, ·,•v" "._._....,._..,...._........,.
•..,.....,.._._..._.. ._...... ._.,.,•,•,•,•,•,•,•,.,•,•,•,-.
14.10. FILTRY WSZECHPRZEPUSTOWE 465

dla k, = 2 otrzymuje filtru wszechprzepustowego.
Nie jest ona jednak znormalizowana granicznej filtru
wszechprzepustowego, lecz rezonansowej filtru selek-
tywnego. W celu znormalizowania podstawmy
Wg= /JW,
i otrzymamy
Funkcja przenoszenia ma wtedy
1 - _} S + fJ2S2
K.t(S) = _ _ Q__ _
1+ Y_s
Q
+ /J2s 2
parametry filtru selektywnego:

k, = 2
f,. = /4/J-,;;
Q= Jb1/a1 = Q1
Dla przy filtru pasmowoprzepus-
towego z rys. 14.25. dobroci z rezys-
tora R 3 i zamiast tego wzmocnienie rezystorem R/a z rys. 14.33.
Rys. 14.33. Filtr wszechprzepustowy drugiego

•.~ ••••,.,...,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,••,H,','+ • ,•• , ,,,, ,,,_.,,,•,•,•,•,•,•,•.-.,,•,.,,,,_.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,-.._,.._.•.___ ...._.,.,,
.. ,. • • ,,,.,,,,,,,._._,.__ .,.,•,., ,•,•, , ,,,,,.,,,._.......,...... ...........,.....,._.,.,•,•,
•,•,.............,.,,..._v, •,- ...,.. v,.....-.

Z porównania funkcji przenoszenia z równaniem
(14.35) otrzymujemy
1
Qf
N a podstawie funkcji przenoszenia jeszcze
zastosowania z rys. 14.33. bowiem przyjmiemy
2R1 - 11,R2 = O, to otrzymamy filtr zaporowy.
Z dotychczasowych wynika ogólna funkcji przenoszenia sek-

cji filtru drugiego
(14.38)
Opisane dotychczas rodzaje filtrów funkcje przenoszenia odpowia-

szczególnym przypadkom równania (14.38);
- filtr dolnoprzepustowy d 1 = d2 = O;
- filtr górnoprzepustowy d0 = d 1 = O;
- filtr pasmowoprzepustowy d 0 = d 2 = O;
- filtr pasmowozaporowy d 1 = O, d0 = d2 ;
- filtr wszechprzepustowy d0 = c0 , d1 = - c 1 , d2 = c2 •
licznika dowolny znak, a mia-
S- nownika ze na zawsze dodatnie. biegu-
S- nów jest przez mianownika
(14.39)
Filtr o regulowanych
W poprzednich punktach dla rodzaju filtru spec-
jalne, proste Niekiedy jednak pojawia potrzeba zbudowa-
nia takiego który przy odpowiednim doborze parametrów
by dowolnego z opisanych filtrów, a nawet ogólnie na
równania (14.38) z dowolnymi licznika. Zadanie to
za z rys. 14.34. ten ma ponadto
poszczególne od siebie,
14.11. REGULOWANE FILTRY UNfWERSALNE 467

tylko od jednego elementu W po-
danej funkcji prz eno szenia w 0 jest
a -r = RC obu integrato rów. k, i 11 stosunkami
rezystancji i dlatego zawsze dodatnie. znak któ-
ze wspólczynników licznika ,
filtru za dodatkowego wzmacniacza i tam odpowiedni rezys-
tor. W celu real izacji filtrów odpowiednio
integratorów. N a pro stszym jest jednak filtru
na sekcje drugiego i kaskadowe tych sekcji.
R R
Rys. 14.34. Uniwersalny filtr drugiego z
Dobór elementów jeszcze na liczbowym:

chcemy filtr wszechprzepustowy drugiego którego
nie grupowe ma przebieg maksymalnie plaski i przy
wynosi 1 ms. Z ta blicy 14.9 odczytujemy a 1 = 1,6278, b 1 = 0,8832 i Tg,o=
= 0,5181. Z równania (14.9a) otr zymujemy
r
Jg
= Tgro = 0,5181
1 ms
= 518, I Hz
t9, 0
Wybieramy -r = I ms i z porównania równania (14.40) ]

i (14.35) dla w 0 = 2rc/g = 3,26 kHz otrzym ujemy
J
10 = k0 = 1 l
j
n
d
12 = k 2 = (Wo't )2 = 0,0833 g
468 14. FILTRY A KTYWNE

Iz nie jest wygodna do realizacji .
bardziej od 't. Dlatego wybieramy -r = 0,3 ms
i otrzymujemy
/0 = k0 = I, 11= kl= 1,67 Iz= kz = 0,92
Filtr o regulowanychparametrach
W wielu zastosowaniac h jest korzystne,
i wzmocnienie przy rezonansowej filtru selektywnego
od siebie. Jak z porównania
(14.40) i (14.21), w celu regulacji dobroci bez zmiany wzroocnienia
dwa / 1 i k 1 • Na rysunku 14.35 przed -
stawiono który
tego jest to , on
nie jako filtr selektywny, zaporowy, dolnoprzepustowy i górnop rzepustowy,
od tego, które z wyko rzystamy. Do obliczenia parametrów filtru
na podstawie jako
-r = RC:
Po eliminacji trzech z czterech otrzy-

mujemypodane funkcje przeno szenia. Z porównania
(14.11),(14.15), (14.21) i (14.34) otrzymuje parametry filtrów. Jest to szcze-
gólnie proste, podstawi
]
t ·w = 1' czyli RC = --
g
21tfs
Filtr dolnoprzepustowy Filtr górnoprzepustowy Filtr pasmowoprzepusto-

wy i pa smowozaporowy
Dane: R1 Dane: R 1 Dane: R 1
R3= R1/bi R3 = R1b1 R3 = R1
R4 = Ri/ a; R 4 = R 1 b;/ai R4 = R1Q
R2 = R 1 aJk. 0 Rz = R 1 aJk.a, Rz = - R ifk ur
Z podanych w filtrach doino- i górnoprzepustowych

rezystoryR 3 i R 4 typ filtru , a rezystor R z wzmocnienia. Dla
danego typu filtru wzmocnienie i
14.11. REGU LOWANE F ILTRY UNIW ERSALN E 469

R,
Filtr
tun Filtr
9timoprze{J{Jsfowy
Filtr f Filtr
dolnopr1epustowy
zaporowy pasmowo - Upp
1.. puepustowy .1
(filtr dolnoprzepustowy)
(filtr górnoprzepustowy)
R3 l R3
1+ -- - · - + ---
R4TW, S R1-r
2
w; S 2
R2
1
--- - -rwS
R2R4 ,
(filtr pasmowoprzepustowy)
(filtr pasmowozaporowy)
Rys. 14.35. Uniwersalny filtr drugiego z parametrów. Sekcja bikwad-

ratowa typu zmiennych stanu. Typy scalonych: MAX 274/275 Maxim, UAF 42 Burr
Brown. , = RC
przy pracy jako filtru pasmowoprzepustowego Jub za-

porowego wzmocnie-
nie i Dzieje tak dlatego, rezonansowa zale-
tylko od iloczynu -r = RC, ani k,, ani Q od tego iloczynu nie
jest zmiana bez zmiany k, i Q. Oba te parametry
od siebie za rezystorów R 2 i R4 .
Filtry uniwersalne jako scalone, w których w celu
wybrania typu filtru i granicznej jedynie kilka
rezystancji. takich to klasyczna rodzina

AF 100 firmy National i nowsze typy filtrów firmy Maxim MAX 275 z dwoma
sekcjami 2. lub MAX 274, 4 sekcje. W porównaniu z rozpo-
wszechnionymi obecnie filtrami SC, które omówione w p. 14.12,
filtrów jest nie w nich szumów z taktowa-
nia te nie sterowania syg-
Elektronicznaregulacjaparametrówfiltru
Przy otrzymuje rezystan-
cji R. Korzystne wówczas ich rezystorami pod-
do dzielników Dzielniki te wówczas jako
potencjometry o rezystancji.
w przypadku rezystorów R 1 i R 2 •
chcemy parametry filtru za dzielniki
analogowymi jak to pokazano
na rys. 14.36.
1. j_
Rys. 14.36. do regulacji rezystancji
Efektywna rezystancji wynosi wówczas
gdzie u5 T jest takie zastosujemy zamiast

obu rezystancji to rezonansowa filt-
ru selektywnego wzorem
} . UsT
/,
,= 2nR 0 C E
proporcjonalna do
chcemy parametry filtru w sposób cyfrowy, np. za po-
komputera zamiast analogowego
przetwornik cyfrowo-analogowy. Dostarcza on które
jest proporcjonalne do iloczynu podanej liczby i odniesienia
L
Uwy = UREF L 1
max+
Szczególnie przydatne do stosowania w filtrach te typy przetworni-

ków, w których odniesienia dowolne do-
14.11. REGULOWANE FILTRY UNIWERSALNE 471

datnie i ujemne. Szczególnie do tego celu przetworniki C/A
z kluczami CMOS, opisane w p. 23.2. jednak one
znacznymi tolerancjami rezystancji, nie ich jako
rezystorów szeregowych w na rys. 14.35. tolerancji
nej rezystancji jednak przez zastosowanie
wzmacniacza operacyjnego ujemnym zwrotnym zrealizo-
wanym za jednego z rezystorów przetwornika C/A.
cyfrowej regulacji jest przedstawiony na rys. 14.37.
Przed integratorami tam przetworniki C/ A. Wynika wypadko-
wa czasowa integratora
"C = RC Lmax +l (14.40)

L
Filtr filtr Filtr

qórnoprzep11stowl/ pasmowoprzepusfowy dolnoprzepustowi/
Stala T = RC(Lm + l)/L

Ri
Ulltr dolnoprzepustowy)
R3 l R3
1+--- · - + ---
R4TW, S R1 -r2 w;
R,
-- -rwS
R2 '
Rys. 14.37. UniwersaJny filtr o regulowanej cyfrowo

....
....,.,..........,.,
....
__ ,===,.,,..._. ......
.............
.......................
.,.,,.
......
,.,.N'.r
...........
.__._
__ .....,.,.,.••,.,.,.,,.,................__ ........
..... ... ..................
.._ ........,., ..................
w. ... ,• , ......... , .,.. ... ....

Gdy liczba L przyjmie Lmw a gdy wszystkie bity
1, otrzymujemy praktycznie rezonan-
jak w z rys. 14.35.
W porównaniu z z rys. 14.35 zwrotnego
nieco zmodyfikowane, przetworniki A/C wraz z odpowiednimi
wzmacniaczami operacyjnymi i integratorami integrator
cy. Wypadkowe funkcje przenoszenia jednak podobne. Projektowa-
nie jest szczególnie proste, podstawi
1
'L· W g = 1' czyli f,= -
g 21t'L
Filtr dolnoprzepustowy Filtr górnop rzepustowy Filtr pasmowoprzepustowy
Dane: R 1 Dane: R 1 Dane: R 1
R3 = R 1/b, R3 = R1b1 R3 = R1
R4 = R 1/a; R 4 = R 3 /a; R4 = R1Q
R2 = -Ri/kuo R2 = -R3fku oo R 2 = - R1 Q/k,
podstawimy z równania (14.40) widoczne jest,

graniczna lub rezonansowa jest proporcjonalna do liczby L:
1 L
J; = - = J .
g 2n'L 2nRC Lmax +1
chcemy w szerokim zakresie, przetwor-
nik.ówA/C zakres dynamiki. Aby w nie
spowodowane wzmacniacze
operacyjne o do tego np.
wzmacniacze OP 227 (Analog Devices), LT 1356 (Linear Technology) i MAX
414 (Maxim), zmian syg-
na Do przetwarzania C/A np. przetworniki AD 7528
(8-bitowy) lub AD 7537 (12-bitowy) Analog D evices, dwa prze-
tworniki C/A sterowane wspólnym interfejsem komputerowym.
Znacznie realizacji filtrów przestrajanych stwarza
technika filtry takie opiszemy w punkcie.
one w wykonaniach jako scalone.
14.12.Filtry z
14.12.1.
Zasada
Do realizacji dotychczas opisanych typów filtrów aktywnych jako elementy
aktywne wzmacniacze operacyjne, a jako elementy bierne - kon-
14.12. FILTRY Z 473

densatory i rezystory . Filtry o zmiennej granicznej
zazwyczaj przez kondensatorów lub rezystorów (patrz
rys. 14.36). Istnieje jednak symulacji rezystancji za
kondensatora (switched-capacitor). pokazano na
rys. 14.38.
I =U/R I =U·Cs ·fs

Rys. 14.38. i rezystora
w pokazanym na rysunku
kondensator do w kondensatorze C zgromadzi
nek Q = Cs · U. W drugim kondensator oddaje ten
a w okresie przenosi Q = C5 · U
z do jego W ten sposób
którego wynosi I= C5 · U/Ts = Cs · U· Is· ten
porównamy z prawem Ohma, warunek
kondensatorem a rezystorem
gdzie Rzast = I/Cs ·Is
Warto na
czania a wykorzystuje w filtrach
z (filtrach SC).
14.12.2
. IntegratorSC
kondensator rezystor w tradycyjnym
integratorze przedstawionym na rys. 14.39. Uzyskujemy w ten sposób integ-
rator SC pokazany na rys. 14.40. W takim integratorze
C _ _ '1_
-r = C. Rzast = Csls - 21tls (14.41)
za Stosunek
Cf Cs = '1/2n jest przy tym ustalany przez producenta, a parametr I'/
w karcie katalogowej on zazwyczaj 50
a 200 [14.9].
Zastosowanie daje jednak jeszcze inne korzy-
aby w tradycyjny sposób integrator musimy
za lub przed integratorem znak na-

W integratorze SC znaku
w prosty sposób, podczas fazy przekazywania konden-
sator do próbkowanego do wzmacniacza opera-
cyjnego odwrotnie, czyli z zamienionymi wyprowadzeniami. wypro-
w sposób pokazany na rys. 14.41 za doda-
tkowego K2 , z K1 .
Uwr
t = R· C; - - = - --
Uwe. t · s
Rys. 14.39. Integrator w technice RC
C C
't = ·- ·
!. c'•
tuvir
1
Rys. 14.40. Integrator w technice SC
Uw, f. C.,
--=- ·- = --
s C -r·s
Rys. 14.41. Integrator w technice SC i jego symbol graficzny
i kondensatora C5 nie natychmias-

towo, lecz - ze na nie kluczy -
niczo. Natychmiastowe nie wcale
ani ani wzmacniacz operacyjny niemo-
potrzebnych do tego Te rezystancje ogra-
ze na fakt,
przy zbyt wielkiej nie
wania kondensatorów.
u,vr.v,., .•.,.,v.v.w ,.,,,...,....,..,..
.,..........,...~
,.,.,,•,•.•.-.-r.v,·,·r.v.-""'"""" ....'-"""v..............
www ___ ..__=.,.
.....,, ..,,.,., .,..,.,.• ,.,.,.,.,.
__ ___,.,.,.,.,.,.,.,.,, .,,,,,,.;,. •.•,•,•,•,•,•,r,·,· r.-rh',V.V-
14. 12. FILTRY Z 475

14.12.3.Filtr SC pierwszego
Oba podstawowe integratorów SC o rezystor
nia zwrot nego, podobny do przedstawionego na rys. 14.11.
Do realizacji w postaci monolitycznej wybiera jednak zazwyczaj struk-
ona z integratora w technice SC, na którego znajduje
dodatkowy sumator. ten o trzy rezystory
w sposób pokazany na rys. 14.42. temu uzyskuje filtr
górno- i dolnoprzepustowy.
C 11
Stala T = -- = --
C, f. 21tf.
(filtr dolnoprzepustowy)
u,:i,R 1
1+ -- s
R3
R3
R2
(filt r górnoprzepustowy)
R3 I
1+ --- ·-
Tw,R. S
Rys. 14.42. Filtr górno- i dolnoprzepustowy l.
Przy projektowaniu najpierw fsl /g = r,. Z funkcji

filtru wówczas projektowe:
Filtr dolnoprzepustowy Filtr górnoprzepustowy
Dane: R 1 Dane: R 1
R3 = R1fa1 R3 = R1a1
R2 =- R1fkuo R 2 = -R3/kuoo
. ............... """ ........... ... ........ ... . .. . . . ... . . . , . . . ......... ... .. , • • • , ............................... ......., ............... .,.,.., .. ,, .... , . , ., ..... , ...... ......... .... ...... ---.-. ·, • , • , • , • , • , . ... . ........... .... . ... -.,,,.~~ - · · · ··· · · ·.... ,. • .._ .... . .. .... .. , • • ,..;. .. -w. , N\, 'V\, .. . ,...

Tak w filtrach pierwszego w których zgodnie z tabl. 14.6
a 1 = 1, mamy R 3 = R 1 . Wzmocnienia filtru dolno- i górnoprzepustowego
wtedy równe i otrzymujemy z filtru górno-
i dolnoprzepustowego.
14.12.4.
Projektowanie
filtrówSC drugiego
Filtry SC drugiego tzw. bikwadu, pr zedstawio-
na rys. 14.43. Ze na fakt , w obu wykorzys -
tywane integratory, otrzymujemy w wyniku struk-
i te same funkcje przenoszenia (scalone, monolityczne filtry uniwersalne
C 11
Stala 't = -- = --
C,f. 21tf.
R1
u,,,, (filtr dolnoprzepustowy)
R3 I R3
1+ --- ·-+---
R4't(J)g S R1.2w: s2
R1
'tW,S
R2
Rys. 14.43. Sekcja bikwadratowa SC do syntezy fi.Itrów gómo-, doino- i pasmowoprzepu stowych
2.
14.12. FILTRY Z 477

zawsze typu bikwadu). Odmiennie w filtrach
zgodnie ze wzorem (14.41) przez wybór
/ 5.
W celu wyznaczenia funkcji wykorzystamy
dla z rys. 14.43:
I
UDP= - Upp
tS
z nich, funkcje poszczególnych filt-

rów. ponownie przyjmiemy rrrazy
graniczna (lub filtru, mamy ta) 9 = 1,
otrzymamy równania projektowe:
Filtr dolnoprzepustowy Filtr górnoprzepustowy Filtr pasmowoprzepustowy

Dane: R 1 Dane: R 1 Dane: R 1
R3 = R1/b1 R3 = R1b1 R3 = R1
R4 = R1/a1 R4 = R3/a1 R4 = R1Q
Rz= - Rifkuo Rz = - R3/k„oo Rz= -R 1Q/k,
zaprojektujemy jeden rodzaj filtru , dwa nie oczywi-

tych samych danych. Dla granicznych (lub
wówczas
/4nP/Jbl = f.pp = /4GPJb1

Ze na fakt, w filtrach drugiego b1 = 1, wszystkie te trzy
Dla
kuo = k,/Q = k„oo

Zaprojektujmy dolnoprzepustowy filtr drugiego
o granicznej /4= 1 kHz, wzmocnieniu w przepustowym
k„0 = -1 i charakterystyce Butterwortha. Z tablicy 14.6 dobieramy
czynniki a 1 = 1,4142 i b 1 = 1. Przyjmujemy Rz = 10 kO, otrzymujemy
R 1 = R 3 = 10 kQ i R 4 = 7,15 kQ. Dla rr= 100 musi
100 kHz. Przy tym sposobie projektowania otrzymamy filtr
górnoprzepustowy o k„00 = - 1 i charakterystyce Butterwortha oraz filtr pas-
mowoprzepustowy ok, = - 0,707 i Q = 0,707. Filtry SC
realizowane przez kaskadowe ogniw
poszczególnych ogniw
478
.............. .......
.........................
................
~.•.•,•,,,.,.,
14. FILTRY AKTYWN E

.. ....,.,.......
......
,.,, ......................
........
.,.,,
,,.... ____
.........,,.,.,.,.,.,.,.,,..
z tablicy 14.6.
.....--........ ..... .....
. ...........
...,_,.,., .. . ,.,,,,..................... , ,...
........,.__.....,.,,....,
.-;
14.12.5.ScalonefiltrySC
Filtrów SC nie realizuje z elementów dyskretnych, ale wykorzys-
tuje do tego celu scalone, poza (kluczami)
kondensatory i wzmacniacze operacyjne. Stanowi to nie tylko
dla ale niesie ze istotne
W scalonych filtrach SC jest wykorzystywany z dwoma
nikami z rys. 14.41, w którym kompensacja
czych. Scalone klucze w z
realizowane jako bramki transmisyjne, sterowane generato-
rem taktu, który wytwarza nie zegarowe. temu
w fazie nie utrata Jak wiadomo, stosunek
Cf Cs wraz z fs
wania. scalonej realizacji jest to, wyprodukowane mo-
stosunki o tolerancji 0,1 %. temu monolityczne
filtry SC Oprócz tego nie
od temperatu ry, dwa kondensatory wykonane na jednej struk-
turze
czasowych, w analogowych scalonych daje
z i w technice
W tym celu tylko odpowiednio stos unek
14.12.6
. Ogólnewarunki
stosowania
filtrówSC
Mimo wszelkich oczywistych zalet nowoczesnych z
stosowanie ich podlega pewnym ograniczeniom. Ogranic:z.eniate
z faktu, mamy tu do czynienia z dyskretnymi, wykorzys-
próbkowania. naruszone warunki
z twierdzenia o próbkowaniu, zawsze z
danych produktów przemiany (mieszania) w podstawo-
wym. Z tego nie
wych o
niaf5. Aby to na trzeba z filtr analo-
gowy.Filtr ten przy 1/2/s musi odpowiednio
(ok. 70-90 dB). typowa filtru SC jest
50... 100 razy od granic znej, do tego celu wystarcza
zazwyczajanalogowy filtr drugiego zwany filtrem antyalia.fingowym.
filtru SC ma zawsze schodkowy, na-
zmienia tylko w chwili Zawiera on
dowe widma z Dlatego -
od zastosowania - na analogowy filtr wy-
,w....,,,.,,..,....,.,,........,..,
........,.,..,.,.,,.,,..,
...,.,......,;,:.•.•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-.-,,,,,.,•,•,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,.,.,.,,.,' .'" •"""""".,..,..~=....,...,....,,,.....,, ....,~-.. . ,,,
,.,•,•,•,•,•,,..,..........,..~ .·.-.v...v,..,....,....,..
, ,..,..,._,,.,,.~ ............_
•...........,.
,.,.,.,.,.,
.,.,.,,,.,•,•.-,•,.,•
,
14.12. FILTRY Z 479
Tablica 14.10. monolityczne filtry SC
Mak s.
Typ Producent Typ liltru Dynamika Uwagi
graniczna
Filtry uniwersalne
CS 7008 Crystal 4 bikwady 8 10 kHz 72dB progr. µP

LTC 1059 Lin. Tech. 2 bikwady 2 20 kHz 90dB wo
LTClO<iO Lin. Tech. 2 bikwady 2 x2 15 kHz 90dB 2xLTC 1059
LTC 1061 Lin. Tech. 3 bikwady 3x2 15 kHz 90 dB 3x LTC 1059
LTC 1264 Lin. Tech. 4 bi.kwady 4x2 250 kHz 90dB 4x LTC 1059
MAX 262 Maxim 2 bikwady 2x2 75 kHz 90dB progr. µP
MAX 266 Maxim 2 bikwady 2x2 140 kHz 90dB pio-progr.
LMF 100 NationaJ 2 bikwady 2x2 100 kHz 85 dB
RU 5620 Reticon 1 bikwad 2 30 kHz 90 dB pin-progr.
RF 5621 Reticon 2 bikwady 2x2 30 kH z 95 dB
RF 5622 Reticon 4 bikwady 4 x2 30 kHz 95 dB
SC 22324 Sierra 4 bikwady 4x2 pin-progr.
Filtry dolnoprzepustowe
XR 1001 Exar Bullerwortha 4 40 kHz 72dB

XR 1003 Exar Bessela 4 40 kHz 72dB
XR 1005 Exar Czebyszewa 4 40 kHz 72 dB O,1 dB
LMF40 NalionaJ Bullcrwortha 4 20 kHz 88 dB
LMF 60 National Butterwortha 6 20 kHz 88 dB 2WO
RF 5609 Reticon Caucra 7 25 kHz 75 dB 2 WO
RF 5613 Reticon Bessela 7 25 kHz 75 dB 2WO
MAX 291 Maxim Butterwortha 8 2S kHz 70dB obud. 8-wypr.
MAX 292 Maxim Bessela 8 25 kHz 70 dB obud. 8-wypr.
MAX 293 Maxim Cauera 8 25 kHz 70dB obud. 8-wypr.
LTC 1264-2 Lin. Tecll. Butterwortha 8 250 kHz 90dB
LTC 1264-3 Lin. Tech. Bessela 8 250 kHz 90dB
LTC 1264-4 Lin. Tech. Cauera 8 250 kHz 90dB
Filtry górnoprzepustowe
RF 5611 Relicon Czebyszewa 5 8 kHz 80dB

TSG 8531 SGS-Thoms. Cauera 6 18 kHz 80 dB 2WO
TSG 8532 SGS-Thoms. Czebyszewa 6 18 kHz 85 dB 2WO
Filtry pasmowoprzepustowe
MAX268 Maxim 2x2 75 kHz 90 dB pin-pro gr.

LMF 380 National Czebyszewa 3x4 20 kHz 80 dB 1/3 oktawy
RF 5614 Relicon Czebyszewa 6 20 kHz 85 dB
RM 5604 Reticon 3x 6 IO kHz 80 dB bank filtrów
TSG 8550 SGS-Thoms. Caucra 6 12 kHz 78 dB 2WO
TSG 8551 SGS-Thoms. 35 8 38 kHz 90dB 2WO
Filtry pasmowozaporowe
LMF90 I
National I Cauera 4 30 kHz 50dB I oscy!. kwarcowy
RF 5612 Reticon I I
4 5 kHz I 65 dB

14.12.7. typów
obecnie filtry SC kompletne bloki funkcjonal -
ne z integrato ró w SC, sumato rów i odpowiednich (sterowanych)
generatorów do wytwarza nia zegarowego. taki jest albo za pro g-
ramowany na struktur ze (filtry o charakte rystykac h za pro gramow a-
nych na albo sam odpowied nio poszczegól-
ne ogniwa (filtry uniwersalne o zmiennych cha rakterystykach). Ze na
fakt, do filtrów uniwersalnych konieczne jest elementów ze-
filtry te niskie w jednej obud o-
wie umieszczone dwa filtry , które w pro sty sposó b kas-
kadowo. Dlatego w ten sposób za jed nego scalonego
na filtr czwartego [14.10].
Jak to wynika z ta blicy 14.JO, z
powoduje powst anie w filtrze szumu, stosunek
do 70 ... 90 dB. W porównaniu z filtrami sta nowi to
[14.11].
Wielu producent ów na tej samej strukturze, filtr SC, oferuj e
dodatkowe w2"IDac niacze operacyjne , które po ele-
mentów do budowy filtru lub antyalias ingowego.
W tablicy 14.10 zebrano repre zentatyw ne typy filtr ów SC. Opr ócz tego wszys-
cy producenci dodatkowo specjaln e, dedykowane typy filtrów (semi-
-custom).
1
,~ 1··
··""'·:·:·:·.
s·· ·
z:~ ]j\\j\j
:,~_:
•..
,·.·.·,
..~«·.·,·.·,·.·,·.·,·.·,·
..·.·,·
..·. .·,
..-i'" · ·,·.·,
·.·,·.·
,·.·,·.·,·.·,·
.·,·.·,·.·,·.·,
.,,.·,·.
·,·.
·,,....Generatory
i.:$~~~ -~"~:<~. .. ~~~ ~:::~~:::;:::::
::::::::
::::;:;:;
:;:;:;:;:;:::;::
:::::::::;:;::;:::~:::~;
:;:;!:!;:
;:;:;:.-.
?-::i ::::;;:
:::::
;:::;:
;:;:;:;:;:;:;:;::;(:~~·.'ffl::~~~;::::
:::::::::
::~~;;~::;:(:~~~::?§
W tym rozdziale opisane sinusoidalne.

W generatorach LC obwód rezonansowy, w generato-
rach kwarcowych rezonator kwarcowy, a w generatorach z mostkiem Wiena
i generatorach analogowe operacyjne - elementy RC.
Generatory funkcyjne najpierw przebiegi które w od-
powiednim na sinusoidalne.
t/ ::1 ./:'::*~~j..:;,:;.;,;;f,,t,;;t:.i.:.:;;.;.
r ;.;;;.;.;;j(
· 5.1. GeneratoryC ............ .
';::;:::;:;:},:::;,::'.;
.:•::ii:::::=::: ::i@:'<~~~~~~~':i:dlltlk,,., .......
.
Najprostsza metoda wytwarzania sinusoidalnych polega na
mieniu obwodu RC za wzmacniacza.
15.1.1.Warunek
generacji
Na rysunku 15.1 przedstawiono ogólny schemat generatora. Wzmacniacz

wzmacnia ze Ku(jco). przy tym
nicze fazowe q,1 U1 (jw) a U2 (jw). Do
wzmacniacza jest rezystancja RL i od
obwód zwrotnego, którym np. obwód rezonan-
sowy. zwrotnego U3 (jco) = fJ(jw)U 2 (jco). fa-
zowe U3 (jw) i U2 (jco) oznaczymy jako <p2 •
W celu sprawdzenia, czy generator jest zdolny do generacji
obwód zwrotnego, przy tym
zwrotnego RwE o równej rezystancji wzmac-
niacza. na wzmacniacz zmienne U 1 (jw)
i U3 (jco). Generator jest zdolny do wytwarzania
jest równe Wynika warunek generacji
.,.,.,.,._~=,n~,.,.,.,..,,.,,. ..,.,,.,,.
.. ...... .............,.,.,.,,.,,
....,.,.,.,.,.,.,.,.,
...,.,...........,...
,,..._
..........
. .............
.,,..,,,,,,,,,.,,,., ........
,.,.,.,'
,'•'•'•'•'•'"•···~··
...···· ._
,._
...................
,......,..,........,
482 15. GENERATORY
Wzmocnienie w zwrotnego musi
T= Ku(jw)/J(jw) = 1 (15.1)
Otrzymuje dwa warunki
IT(jw)J = JKu(jw)J · I/J(jw)J =1 (l 5.2)
<{)1 + ({)z = 0,21t ... (15.3)
Tor zwrotnego
r- --- ------ -- ----- ---,
i ~---~ fi l
i1 ~---- l
Ku.
wzmacniacz 1-- -.-----i Obwód
zwrotnego I
Ut u2j RL rweQ UJ
_L 1-
Rys. 15.1.Ogólny schemat generatora
Równanie (15.2) nosi warunku amplitudy, a równanie (15.3) - wa-

runkufazy. Z warunku amplitudy wynika, w generowane
drgania tylko wówczas, gdy wzmacniacz kompensuje wprowadzone
przez obwód zwrotnego, a z warunku fazy - drgania wy-
tylko wówczas, gdy jest w fazie z wej-
informacje na temat i przebie-
gu generatora dopiero wtedy, kiedy znane dane
obwodu zwrotnego.
Rozpatrzmy dla generator LC przedstawiony na rys. 15.2.
Wzmacniacz wzmacnia u1 (t)ku razy.
wzmacniaczama obwód rezonansowy jest równo -
R.
W celu obliczenia zwrotnego zastosujemy pierwsze
prawo Kirchhoffa dla 1 i otrzymamy
Uz -
R
U1
- Cu 1 - L} f ut dt =o
Rys. 15.2. Zasada generatora LC

V>tll'M•V,V,V'<',..,.....,,'.W""<,,,.A, ...-.-.-., •,•.-,•,•,•_.,,_..........,
...... .A , , ...... _.,,,, ,,, •, •, •,•,•,• .-, •,•, •,•,•,•,-.-...- , -.-.-.-. .. ._ . ~,._._._.,., ,._ . ,.._..............
.._.._
............... ,. •• ,.,•, •, ·· ..-...-.--.-.-_,_..,., ,,, •, •,•, -.• , -.-.-.-.._..._...,_._._._._._._._ __ _
15.1. GENERATORY LC 483

Po u2 = k„u 1 , wynika
(15.4)
Jest to równanie oznaczenia
J - k„ 2 l
y= 2RC Wo = LC
otrzymujemy równanie
Ma ono
(15.5)
trzy przypadki szczególne :

1) y > O, tzn. k., < 1
Amplituda zmiennego maleje Drgania
2) y = O, tzn. k., = 1
Otrzymuje drgania sinusoidalne o pulsacji w 0 = 1/JLC i am-
plitudzie;
3) y < O, tzn. k., > 1
Amplituda zmiennego
Równanie (15.2) stanowi warunek konieczny Wynik
ten teraz dla k., = 1 otrzymuje sinusoidalne
o amplitudzie i pulsacji
I
W = Wo = -==
JLC
W przypadku zwrotnego amplituda maleje,

a w przypadku silniejszego Aby generator
drgania po musi warunek k., > 1;
amplituda narasta wówczas do przesterowania wzmacniacza .
Wskutek przesterowania k„ zmniejsza samoczynnie do warto-
równej 1. wzmacniacza nie jest wtedy jednak sinusoi-
dalne. chcemy, by sinusoidalne, regulacji
wzmocnienia wzmacniacza musi warunku k., = l jeszcze
przed przesterowaniem wzmacniacza .
....... .,..........
,.,.,.,., """'...............................
......... ......................... ...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., ....
.,.,.,.,.,.,.,,.............~.... .............
....... ...... ............
,.,.,.,.,.,.,., .............. ........ ....................
,.,,,,,,,.,., , ......,,..
,., ............
............ ......
484 15. GEN ERATORY
W technice wielkich z jest obwód
rezonansowy o dobroci. Wówczas w obwodzie rezonansowym
jest sinusoidalne nawet przy przesterowaniu wzmacniacza. Dlatego w tym
zakresie rezygnuje ze specjalnego regulacji
amplitudy i wykorzystuje w obwodzie rezonansowym jako
15.l.2.Generator
Meissnera
generatora Meissnera jest zwrotne zreali-
zowane za transformatora, którego uzwojenie pierwotne tworzy wraz
z kondensatorem obwód rezonansowy Nary-
sunkach 15.3 ... J 5.5 przedstawiono trzy generatory Meissnera w ze
wspólnym emiterem. Wzmocnione na kolektorze
tranzystora przy pulsacji rezonansowej
Wo= JLC
z iz fazowym 180°. tego

zmiennego, pobierana z uzwojenia wtórnego, stanowi
zwrotnego. Dla warunku fazy transformator musi prze-
fazy o dalsze 180°. uzwojenia pierwotne i wtórne
zgodnie, w tym celu do masy koniec uzwojenia wtórnego od
strony kolektora. Kropki na symbolach graficznych cewek wypro-
wadzenia o tej samej fazie. transformatora dobiera
tak, by wzmocnienia w zwrotnego Ku(jw)f3(jw) przy
rezonansowej z od Wtedy po
+ +
R,
Rys. 15.3. Uslalanie punktu Rys. 15.4. Ustalani e punktu Rys. 15.5. Ujemne
pracy za pracy przez ujemne zwrotne przy
bazy dowe zwrotne ujemnym
''""" ""'._...,., ,,..,.. ,.,. ,., •• ,...,,,., ., •........, .... •••••• -. .......... ..,, ............. ....,. ....... • •• • • ,+-..,-.-. •,•,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,, •,•, , , . , •••,., .,. ,.,., ., •....,...,..,...._~~-. .-.·. ,·,·,·,· .. ,·~- .... ~-· ····••-.v.-.·.-.·.-,·,·,•,•,...,...,.,.
,,.,,,.,
,

drgania, a ich amplituda narasta
do przesterowania tranzystora. Wskutek przesterowania
nie wzmocnienie tranzystora zmniejsza na tyle, by IKu(jco)P(jco) I = 1 i am-
plituda
dwa rodzaje przesterowania, przesterowanie na
i przesterowanie na Przesterowanie na pojawia wskutek
przewodzenia diody kolektor -baza. W na rys. 15.3 i 15.5
to wtedy, kiedy kolektora staje ujemny. Maksymalna amplituda
wynosi Ucmax= Ucc· Maksymaln e kolektora wynosi wów-
czas UcEmax= 2Ucc· o tym przy wyborze tranzystora.
W z rys. 15.4 maksymalna amplituda jest o stabilizacji
Uz mniejsza od Ucc·
Przy silnym zwrotnym przesterowanie
na o amplitudzie, które jest prostowane
przez emiter-baza, powoduje kondensatora C 1 , wskutek cze-
go tranzystor przewodzi tylko w czasie dodatnich szczytów
cia zmiennego. W z rys. 15.3 kondensator C1 po kilku okresach
do tak ujemnej, drgania
zerwane. one ponownie dopiero wówczas, gdy
bazy ze stosunkowo R1 C1 znów do
+0,6 V. Na C1 w tym przypadku
Generator o takim nazywa generatorem
on dawniej stosowany do wytwarzania
Dla przesterowania na przede wszystkim do-
odpowiednio transformatora, a ponadto 1
rezystancji w obwodzie polaryzacji bazy [15.1]. W ,
z rys. 15.3 drugiego z tych jest utrudnione, wtedy
zbyt bazy. Dlatego bardziej korzystne jest ustalenie punktu
pracy za ujemnego zwrotnego, jak w
z rys. 15.4 i 15.5.
15.1.3.Generator
Hartleya trójpunktowy
indukcyjny)
Generator Hartleya jest podobny do generatora Meissnera. polega
tylko na tym, transformator z odczepem. Indukcyj- L
tej cewki wraz z równolegle kondensatorem
Na rysunku 15.6 przedstawiono generator Hartleya w ze wspól-

nym emiterem. Za kondensatora C2 na jest podawane
zmienne kolektora o 180° tak, powstaje do-
datnie zwrot ne. amplitudy dodatniego
zwrotnego przez odpowiednie odczepu.
spoczynkowy kolektora jest zdeterminowany przez R 1 w ob-
--. - ..................... . .. . . . .. . ... .. ........... ., .......... . ............................ ................ . ........ . .. . ..-• • ~~,... .. .. ..... ...,,.,.,., . ,., ................. ...._.__ ...... ~-~~~-...,__.,,,,,.,,,., ., ., . , . , • • ............ , ....... , ... _ ..... , • •• , . __ ., ...,..,......,. .............. .
486 15.GENERATORY
wodzie ujemnego zwrotnego, tak jak w generatorze
Meissnera z rys. 15.5.
W generatorze Hartleya z rys. 15.7 tranzystor pracuje w ze
Dlatego z cewki L jest pobierane przez kondensator C 1
w fazie z kolektora.
C1
Rys. 15.6. Generator Hartleya w Rys. 15.7. Generator Hartleya w

ze wspóln:i,memiterem ze
15.1.4.Generator
Colpittsa trójpunktowy
generatora Colpittsa jest dzielnik na-
dodatniego zwrotnego. Pojem-
obwodu rezonansowego dwa kondensatory szerego-
wo o wypadkowej
CACB
C=
CA+ CB
+
R3
L
CAB
CB
Rz
Rys. 15.8. Generator Colpittsa w Rys. 15.9. Generator Colpittsa w

ze wspólnym emiterem ze

ze wspólnym emiterem z rys. 15.8 odpowiada z rys. 15.6. Jest
jednak bardziej rozbudowany, wymaga dodatkowej rezystancji kolekto-
rowej R 3 , przez doprowadza dodatnie
Znacznie prostszy jest ze przedstawiony na rys. 15.9.
Odpowiada on generatorowi Hartleya z rys J5.7.
15.1.5.GeneratorLC ze emiterowym
Generator w prosty sposób, tranzystorowy
wzmacniacz jak to poka zano na rys. 15.10.
bazy tranzystora T 1 jest w fazie z tranzystora T 2 , dodatnie
zwrotne te punkty. Wzmocnienie
w zwrotnego jest proporcjonalne do transkonduktancji tran-
zystora. je w szerokich granicach za emitera.
tranzystory przy Uc» = O, amplituda
jest ograniczona do ok. 0,5 V.
Tz
Rys. 15.10. Generator ze emilerowym
Wzmacniacz generatora za emiterowym wraz ze wzmacnia-

czem mocy i regulacji amplitudy jest w postaci sca-
lonego MC 1648 firmy Motorola . Nadaje on do pracy przy
do ponad 200 MHz.
15.1.6.Generatoryprzeciwsobne
Generatory przeciwsobne, podobnie jak przeciwsobne wzmacniacze mocy,
stosowane w celu mocy i
generatora przeciwsobnego przedstawiono na rys. 15.11.
on w zasadzie z dwóch generatorów Meissnera. Tranzystory T1 i T 2 prze-
na przemian. bazy jednego tranzystora zmienia
w fazie z kolektora drugiego, z uzwojenia
do odwracania fazy. pokazano na rys. 15.12.
nie zwrotne zrealizowano za dzielnika C1,
C2 • równolegle rezystancyjny dzielnik do ustalenia
spoczynkowego bazy.
..,.,,,,,, ,,,·,•, ,,,,,,,, ...... ..................,..
..............
.....,
......,,
...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,,.,
a. .~.. ,.~- . .... ....,. , ....,...,,..,,. ,.,.,.,.,.,.,.,.,..,.,.,,.,.,. ~-· ••• ~ ~~_,.,.,.,,,.,.,.,,., .,.,._ ,.,.,.,. ......,.•w ,• y,,"'
488 15. GENERATORY

Oba oprócz mocy o mniejszej zawarto -
harmonicznych generatory omówione dotychczas.
Generator przeciwsobny w prosty sposób
przez sterowanie obwodu rezonansowego ze dla do -
datnich i ujemnych pokazanego na rys. 4.32. ten przedstawiono na
rys. 15.13. 'Z.obwodu rezonansowego przez wtórnik emiterowy T3 jest
podawane na obwód rezonansowy w tym
jest bardzo w nim sinusoidalne
o harmonicznych .
C +
L
C
+
Rys. 15.11. Generator przeciwsobny Rys. 15.12. Generator przeciwsobny
z indukcyjnym dodatnim z dodatnim
zwrotnym zwrotnym
Rys. 15.13. Generator przeciwsobny ze sterowanymi
Rezystor R 6 zapewnia ograniczenie i tym samym

zmniejsza w przypadku przesterowania. Dzielnik R4 ,
R5 przesterowania, a tym samym ge-
nerowanego Rezystory R 2 spoczynko-
wego nam na harmonicz-
nych, tak tych rezystorów, aby tranzystory T1
........ ......
....,..
.,...........
,...,..,,...,,..,, . ..................
.......... ,.,...
.......
,.,..,.,.,., .............................. ...............
....... ,,--
....
,,.,...,. -~
.....................
,...... .................
. ...... ............
..............
........,...................................
,•.. .
15.l. GENERATORY LC 489
i T2 w klasie A. Rezystory R 1 dodatniego
nia zwrotnego.
za obwód rezo-
nansowy. Dla jej obliczenia du 1 . Powoduje
ona zmniejszenie kolektora T 2 o du 1 /R 1 i wzrost kolektora T1
o W ten sposób i1 zmniejsza o 2..1u1 /R 1 • Równolegle
do obwodu rezonansowego jest rezystancja
Do warunku generacji R 1/2 nieco

od rezystancji dynamicznej obwodu rezonansowego.
wm:=
: :11::::!
: ::::1l~\%%1l!1!!1,
1
..
15.2.Generatory
kwarco
,,.,.·\jJ11jllllii!il!ili:i1:
: Im,,
opisanych dotychczas generatorów LC jest w wielu za-
stosowaniach ona od temperaturo-
wych i obwodu rezonansowego. Znacznie sta-
za rezonatorów kwarcowych.
Drgania mechaniczne rezonatora kwarcowego za po-
la elektrycznego. Rezonator kwarcowy z elektrodami zachowuje
tak, jak obwód rezonansowy o dobroci. temperaturo-
wy rezonansowej jest bardzo
generatora kwarcowego jest
; = 10- 6 ... 10-10
l
15.2.1. elektryczne
rezonatora
kwarcowego 2
Il
elektryczne rezonatora kwarcowego dobrze reprezentuje schemat t!
pokazany na rys. 15.14. Parametry L i C z
mechanicznych samego kwarcu. Rezystancja R reprezentuje po-
C0 - elektrod i przewodów
Co
Rys. 15.14. Schemat rezonatora kwarcowego Ili
490 15. GENERATORY

Typowe parametry rezonatora kwarcowego 4 MHz
L = 100 mH, R = 100 n, C = 0,015 pF, C0 = 5 pF

Wynika
Q= -
1
R
JL =26
,_/c
000
W celu obliczenia rezonansowej wyznaczmy najpierw impedan-

rezonatora kwarcowego. Z rysunku 15.14 R mamy
j w 2 LC---- l
Zx = - . --- -- -- - (15.6)
w C0 + C ----w2 LCC 0
istnieje pewna przy której ZK = O, a

przy której Zx = oo. Rezonator kwarcowy wykazuje rezo-
nans szeregowy i
W celu obliczenia rezonansu szeregowego fs przyrównuje-
my licznik równania (15.6) do zera i otrzymujemy
(15.7)
rezonansu otrzymuje z przyrównania do zera

mianownika
------- I
fR ---- 2n,JLC
Hl+ -
Co
(15.8)
Jak rezonansu szeregowego tylko od

z samego kwarcu iloczynu LC , podczas gdy rezo-
nansu od sta-
tycznej C0 •
o% rn--------0
c5 a
Rys. 15.15.Strojenie rezonansu szeregowego
pojawia potrzeba zmiany rezonatora kwarcowe-

go w niewielkim zakresie, w celu ustalenia wymaganej jej
W tym celu wystarczy w szereg z rezonatorem kondensator o pojem-
od C (rys. 15.15). Dla obliczenia nowej
15.2. GENERATORY KWARCOWE 491

rezonansowej wyznaczymy takiego szeregowego Ko-
z równania (15.6) otrzymamy
2
,
ZK = --
1
. -C + C0 + Cs·---- w 2,LC(C
,...--~-~ 0
+ Cs)
(15.9)
jwCs C0 + C - w LCC 0
Po przyrównaniu licznika do zera otrzymujemy rezonansu

szeregowego
1;=
~Ju
1 J1+ -- c - =fsJ
~ -c-- (15.10)
Po w szereg i C C0 + Cs
J; = fs[l + 2(C0 ~ Cs)]
zmiana
li/ C
f 2(C 0 + Cs)
Cs nie zmienia rezonansu szeregowego fs,
zero mianownika równania (15.9) nie od Cs. Z porównania
(15.10) i (15.9) wynika, przy Cs .... O rezonansu szeregowego
prawie do rezonansu
15.2.2.Generatory o podstawowej
W generatora Pierce'a z rys. 15.16 kwarc wraz z kondensatorami Cs

i C 1 tworzy szeregowy obwód rezonansowy o szeregowej
Obwód rezonansowy jest pobudzany z kolektora.

w obwodzie rezonansowym jest znacznie od wzbu-
na C 1 i Cs otrzymamy w przeciwnej fazie.
W ten sposób jest realizowane dodatnie zwrotne.
Jako wzmacniacze stosuje inwertery CMOS (rys. 15.17). ,
Zastosowanie inwertera CMOS znaczne uproszczenie a po-
nadto, ze na inwertera, zminimalizowanie e
rezonatora kwarcowego. Rezystorem ustala punkt pracy Uwr = c
= Uwr l/2Uss· on bardzo praktycz- []
nie nie r:
492 15. GENERATORY

Generator kwarcowy z rys. 15.18 pracuje podobnie do przerzutnika asta-
bilnego ze emiterowyrn z rys. 8.20 [15.2]. dodatniego
zwrotnego poprzez tranzysto-
rów za rezystorów emiterowych. Wybiera tak by
pewnie lecz nie zbyt silnie przesterowany. Wtedy
a tym samym rezonatora kwarcowego, w przy-
sinusoidalne. Odpowiedni automatycznej regulacji wzmocnienia
zawiera np. MC 12061.
I
Rys. 15.16. Generator Pierce'a ze wzmacnia - Rys. 15. 17. Generator Pierce'a z inwerterem
cz.emw wspólnego emitera CMOS jako wzmacniacz
Rys. 15.18. Przerzutnik astabilny kwarcowy ze emiterowym
Praktyczny generatora kwarcowego uziemienie re-

zonatora kwarcowego z jednej strony jest przedstawiony na rys. 15.19. Aby nie
dobroci rezonatora , musimy go ze o
impedancji (rezonans szeregowy). do tego wtórnik emiterowy T 1 .
i przez rezonator kwarcowy jest przetwarzany przez tranzystor T2
w przetwornika na Liuc2 = iR 2 • dodatniego
zwrotnego jest podawany na tranzystora T 1 przez wtórnik
emiterowy T4 . Przy rezonansie szeregowym kwarcu zredukowana transkon-
duktancja tranzystora T1 , a tym samym wzmocnienie w zwrot-
nego, R 5, R 6 ustawia tak, by zmienne na
rezonatorze kwarcowym tylko miliwoltów. Moc strat
•. ~vowo•o•.w.wuh • .w, ...........................,, ........,•., ....,........,.w ..-.-,..-.-.
. ... .-.--.--...-.,..-.-., .--~=,•· ·•·•... .-.-..-...-.- ....,·.-w...-........
•.,w.,•.-.-•...-.,w.•mmmnm, .. ,,. "'
15.2.GENERATORY KWARCOWE 493

w rezonatorze jest wówczas wskutek czego nie
ulega pogorszeniu. Najlepiej jest sterowany elektrycznie,
np. transkonduktancyjny który ustawia na
za regulacji amplitudy. W tym wypadku generator
wzbudza pewnie, a ma przebieg sinusoidalny. W tabli-
cy 15.1 zestawiono kilka typów generatorów kwarcowych. Ze, na fakt,
na rynku jest liczba typów generatorów kwarcowych
o od I do 50 MHz, stosowanie omówionych ma sens
tylko w przypadkach.
Cs
Q=
I
Rys. 15.19. Precyzyjny generator kwarcowy
Tablica 15.l. Scalone generatory kwarcowe z

rezonatorami kwarcowymi
Typ Producent
maksymalna
[MHz]
74LS320 Texas Instr. TTL 20
74LS624 Texas Instr. TTL 20
ICM 7209 Intersil CMOS IO
MC 12061 Motorola TTL,ECL 20
15.2.3.Generatory o ponadpodstawowych
Rezonatory kwarcowe na 30 MHz

trudne do wykonania. o tak wielkiej
generator LC rezonatorem kwarcowym o mniejszej
w fazowej PLL (phase locked loop) (p. 26.4.5), lub kwarc
do na harmonicznej.
494 15. GENERATORY

przyjrzymy przebiegowi zmian reaktancji rezonatora kwarcowe-
go w funkcji przedstawionemu na rys. 15.20, to stwierdzimy,
wykazuje on rezonanse przy nieparzystych harmo-
nicznych. Dotychczas poznane rezonatorów nie jednak do
pracy przy ponadpodstawowej. Aby kwarc do
ponadpodstawowych, jest potrzebny wzmacniacz, którego wzmocnienie ma
maksimum w to za
dodatkowego obwodu rezonansowego LC.
Rys. 15.20. Typow a charakterystyka reaktancji rezonatora kwarcowego
w generatorze Hartleya z rys. 15.7 dodatnie zwrotne

zrealizujemy za rezonatora kwarcowego, to otrzymamy przed-
stawiony na rys. 15.21. Obwód rezonansowy LC jest dostrojony do wymaganej
harmonicznej. Wtedy wzmocnienie dla tej jest i rezo-
nator kwarcowy jest pobudzony do z har-
Odpowiednio zmodyfikowany generator Colpittsa z rys. 15.9, jest
przedstawiony na rys. 15.22.
Rys. 15.21. Generator Hartleya Rys. 15.22. Generator Colpittsa

z rezonatorem kwarcowym z rezonatorem kwarcowym
Generator o ponadpodstawowej rów-

za generatora ze emiterowym z rys. 15.10. W tym
celu dodatniego zwrotnego zamyka przez rezonator kwar-
15.2. GENERATORY KWARCOWE 495

cowy,jak to pokazano na rys. 15.23. Przy rezonansowej obwodu
LC dodatnie zwrotne z harmo-
rezonatora kwarcowego. wzmacniacza wielkiej
otrzymuje przez zastosowanie bramki ECL. Nadaje do
tego szczególnie odbiornika linii, ma on wyprowadzony zacisk
odniesienia Unn· do niego obwód rezonansowy jak
na rys. 15.23, to wzmacniacz ma optymalny punkt pracy. Kondensator C 1
do zwierania U88 dla wielkich
.,
.,
tuwr
C L 1
Uee
c,T
Rys. 15.23. Generalor ze emilerowym slabilizowany kwarcem . Odbiornik linii
ECL IO.116 100 MHz
Generowane jest w pierwszym sinusoi-

dalne. jest potrzebny ECL, wystarczy tylko
drugi odbiornik linii [15.3).
Do pracy w zakresie w zasadzie nie stosuje generato-

rów LC, i zbyt
Dlatego w tym zakresie stosuje przede wszystkim generatory, których
jest przez obwody RC.
Generator RC w zasadzie obwód rezo-
nansowy z rys. 15.2 biernym filtrem pasmowoprzepustowym RC. Maksymalna
jednak wówczas ograniczona do 1/2, jak to
w p. 14.1. drgania sinusoidalne
to przebieg charakterystyki
fazowego na rys. 15.24. Dla pasywnego filtru pas-
mowoprzepustowego o dobroci Q = 1/3 fazy przy
496 15. GENERATORY

!P
Rys. 15.24. Charakterystyka fazowego

krzywa / - mostek Wiena-Robinsona, e = 0,01; krzywa 2 - obwód rezonansowy , Q = 10; krzy -
wa 3 - pasywny filtr pasmowoprzepuslowy, Q = 1/3
równej rezonansowej wynosi 27°. wzmacniacz

np. fazowe - 27°, to generator ze na waru-
nek fazy cp101 = O drgania o równej
rezonansowej.
Dla uzyskania dobrej jest pot rzebny obwód
zwrotnego, którego charakterystyka fazowa ma strome
cie przez zero. np. obwody rezonansowe o dobroci
oraz mostek Wiena -Robinsona. tego mostka przy
rezonansowej wynosi zero, i dlatego mostek jako obwód
zwrotnego musi nieco rozstrojony, jak to pokaza no na
rys. 15.25; niech r, znacznie od
R1
Rys. 15.25. Odstrojony mostek Wiena -Robinson a
Przebieg fazowego tak zmodyfikowanego mostka Wiena-Robin-

sona przy wielkich i
dzie Uc= O, a U, - Uwef3. z tym fazowe wynosi
± 180°. Przy rezonansowej U, = Uwef3i
1 1 ) 6
U, = ( 3- ~ Uwe~ 9 Uwe
15.3. GENERATORY Z MOSTKIEM WIENA 497

Urjest przy rezonansowej w fazie z Uwe·
W celu obliczenia przebiegu krzywej 1 na rys. 15.24 wyznaczymy najpierw
przenoszenia
U,
- - = -
1 + S 2)
(I - eS
u we 3+e 1+ 9 + e s + s2
3+e
Wynika po e, charakterystyka fazowa
3Q(Q - 1)(3 + 2a) 2
q>= arctg (Q2 - 1)2(3 + 6) - 9aQ2
Przedstawiono na rys. 15.24 dla e = 0,01.

fazowe odstrojonego mostka Wiena-Robinsona
w bardzo zakresie zmienia od + 90° do - 90°; zakres
jest tym mniejszy, im mniejsze wybierzemy s. Pod tym mostek Wie-
na-Robinsona jest porównywalny z bardzo dobrymi obwodami rezonansowy-
mi. jego jest to, fazowe nie jest ograniczone
do ± 90°, lecz wzrasta do ± 180°. temu harmoniczne
silnie mostka Wiena-Robinsona jest to, przy
rezonansowej jest tym silniejsze, im wybrano 6.
Ogólnie przy rezonansowej jest
a w naszym jest równe 1/900. w generatorze

warunek amplitudy wzmacniacz musi to Na rysun-
ku 15.26 pokazano taki generatora.
rezonansowa / 0 = l / (2n RC)
Rys. 15.26. Prosty generatora z mostkiem Wiena-Robinsona

_.... ._.,.,,,~w....-. w , ....,_.,,,,,,......,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.• . ·•·· ,, . ,,,,,.,.,...,...,.,,...,....._.,.,,....,vAl'.l'.
,.,._.,._. ~ ~~.,.....,.,,.,,
,.,.,.,.,.,.,.,.,,.,
.,..v,,..,,,_~-.....,..-....-
......,.,•,·,•,,•,·,•,•,-.•,..-._,....v.-. ·.•.•,,.•.-..,,.,,,...
498 15. GENERATORY

w2macniacz ma wzmocnienie ku„ ze na warunek amplitu-
dy ku,P = 1 odstrojenie c musi c = 9P = 9/kur c jest nieco
amplituda wzrasta tak wzmacniacz zostanie przeste-
rowany. sjest za lub nawet ujemne , drgania nie Jednak
ustawienie rezystancji R 1 i Rz/(2 + s) z nie jest
liwe, dlatego musimy jednej z tych rezystancji w sposób
automatyczny, w od amplitudy na Do tego celu tran-
zystor polowy Tna rys. 15.26. Jak w p. 5.7, rezystancja rds
tylko od uGs, o ile uDs jest dostatecznie Dla
tego warunku uN na rezystancji Rz. Szere-
gowe rezystancji Rz i rds powinno Ri/(2 + s). Naj-
mniejsza rds • jest równa rdsmin· Wynika wa-
runek
Po uG jest równe zeru i dlatego

r ds= rdsmin· podany warunek projektowy jest rezys-
tancja szeregowego R 1 i rds jest w tym przypadku mniejsza
R1/2. Przy rezonansowej mostka Wiena sto -
sunkowo uR. tego jest powstanie
i wzrost amplitudy . jest prostowane w podwa-
jacza D 1 , Dz. Wskutek tego bramki staje ujemny i rds
ulega Amplituda na wzrasta tak zostanie
niony warunek
harmonicznych wyJsc1owego
od charakterystyki tranzystora polowego. Jak.
w punkcie 5.7, znacznie
dodamy do bramki, jak to przedstawiono na rys. 5.18.
do tego rezystory R 3 i R 4 . Kondensator C3 separuje
wzmacniacza operacyjnego dla który
cie zera na W praktyce dobiera R 3 R: R 4 . ustawienie R 3
uzyskanie minimalnego harmonicznych.
w ten sposób 0,1 %.
R jest regulowana, w sposób
Im gorsza jest obu rezystancji R, tym bar-
dziej skuteczna powinna regulacja amplitudy. Maksymalna rezys-
tancji R musi na tyle by polaryzacji wzmacniacza
15.3. G EN ERATORY Z MOSTKLEM WIENA 499

operacyjnego nie na niej zbyt spadku
R nie zbyt to zbyt
Do regulacji w zakresie 1... 10 sze-
regowo z rezystorami o R/ l O potencjometry o re-
zystancji R. dodatkowo kondensatory C, taki
w zakr esie 1O Hz ... 1 MHz. Aby
regulacji nie naw et przy najmniejszych
czasowe i R 5 C 1 i R6 C2
co najmniej razy od maksymalnego okresu genera-
tora. amplitudy, jaka ustali na generatora, od
parametrów tranzystora polowego T. amplitudy na nie jest
jednak zbyt dobra, do zmiany rezystancji
tranzystora polowego T jest potrzebna zmiana tej amplitudy.
7t
Amplituda u..,,m
=- URHI'
2
Rys. 15.27. Generator z mostkiem Wiena-Robinsona z amplitud y
to Tego rodzaju
pokazano na rys. 15.27. Na prostownika otrzymujemy
zmiennego Wzmacniacz W0 2 pracuje
w zmodyfikowanego regulatora PI z rys. 27.7. Reguluje on poten-
bramki tranzystora polowego T tak, by jego
zeru. Ma to miejsce wówczas, gdy arytme-
tyczna IUwy I jest równa UREF· regulacji od-
powiednio od okresu w przeciwnym przypadku
wzmocnienie w czasie jednego okresu. Prowadzi to do
znacznych Dlatego nie tu samego regula-
tora PI w klasycznej postaci, lecz równolegle do R 6 kon-
densator zmienne na rezystancji R 6 nawet dla najmniej-
szych proporcjonalna P wówczas
dopiero tych I
==._ ......_,
...•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•,•,....
,,,.
........
,....................
.,....
, ................
...
.... .........
---=,• ,•,•.,,•,•,•,•++,{'C,{',N>,{'•~
.... -~h .. __ .,,.,,,.,,,•,•,•,•,•rrr,•oh',._ +,,.,.w.,,_,,~ .................. ,,,•,•,•,•.-.,,,,..,..
........,.,._....,.,.,''- • • •
50() 15. GENERATORY

Drgania sinusoidalne przez za-
programowanie równania sinusoidalnych za
wzmacniacze operacyjne. Zgodnie z punktem 15.1.1
ma ono
Uwy + 2'}'Uwy+ (t)~Uwy= 0 (15.11)
Jego jest
Uwy(t) = Uwyme11 sin(Jw~ -y 2
) (15.12)
za wzmacniaczy operacyjnych
kowanie równanie je
dwukrotnie i otrzymujemy
Uwy + 2y JUwydl + w~ JJUwydt 2

=O
To równanie za dwóch integratorów i jednego
wzmacniacza Istnieje tu wiele
z nich szczególnie do budowy generatora, przedstawiono na
rys. 15.28. W tym wynosi y = - rx/20RC, a
rezonansowa/ 0 = 1/2rcRC. Wobec tego zgodnie z równa-
niem (15.12), ma
Uwr(t) = U e20Rc
wym
_ a sin (J 1 - --c,,
400
2
-- t )
RC
(15.13)
a ustawimy poten-
cjometr P w prawym skrajnym otrzymamy rx= 1. W lewym skraj-
nym IX.= -1. W rx= O.
od dodatnich do ujemnych.
rezonansowa j~ = l/2nRC
Rys. 15.28.Zaprogramowane równanie
15.4. GENERATORY Z ANALOGOWYMI OPERACYJNYMI 501

Dla a= 1 amplituda wzrasta po dwudziestu okresach e razy, dla
a = - 1 maleje 1/e razy. Dla a = O otrzymuje drgania
zuje to jednak tylko w przypadku idealnym. W praktyce dla a= O
drgania lekko dla otrzymania o amplitudzie
musimy a. Regulacja ta jest tak kry-
tyczna, utrzymanie przez czas amplitudy jest prak-
tycznie wobec czego jest potrzebna automatyczna regulacja am-
plitudy. tak jak w przypadku generatora z mostkiem
Wiena -Robinsona z rys. 15.28, na za pros-
townika i aw od zmierzonym
a odniesienia. Jak czasowa regulacji musi
odpowiednio w porównaniu z okresem aby regulacji am-
plitudy nie Dla 10 Hz waru-
nek ten jest jednak trudny do
dla zmierzenia amplitudy musimy
jeden okres tego gdyby
w dowolnej chwili; w z rys. 15.28 jest to W przy-
padku mamy bowiem
w chwili, utworzy
uiy +uf= U;ym(sin2 w 0 t + cos 2 w 0 t) = V:,ym (15.14)
u~y + u~ tylko od amplitudy
a nie
od ich fazy. Otrzymuje którego nie trzeba filt-
lecz z odniesienia.
Generator na analogowych operacyjnych, którego amplituda
jest regulowana zgodnie z przedstawiono na rys. 15.29. Analogowe
M1 i M2 do kwadratu u 1 i Uwy·
z obu wraz z dodatkowym odniesienia,
podawane na wzmacniacza W0 4 •
we wzmacniacza powoduje ustalenie takich w
warunek
Zgodnie z równaniem (15.14) jest to dla o am-

plitudzie U;,Y'"= EU REF · R 3C1 wzmacniacza
du. Dobór elementów opisano w rozdziale 27.
Na M3 Uwyu 3/E.
to jest (bez potencjometru P) do rezystora lOR z rys. 15.28. Mamy
o'"•··r,, , ,••• • .,........,... ._..___ ._...,...,.......,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,
•,•,•,•,•r.•.•.l',·,·,._,, ..._www_-._....,., •,•,•,•,•,•,
•,•,•,•.-,•,·r.-,..,_'-= · ·..-"""·· ··"'•'"•'•._._._._www- ·.·,·,·=····=·,.,..,,.,w.v.
502 15. GENERATORY

C C
fuwr
.1
1
/0 =- - Amplituda lf!,m = EURB„
21tRC
Rys. 15.29.Generator na analogowych operacyjnych z

amplitudy
wówczas ex= u 3 /E. amplituda wzrasta, to U!ym> EUREF· Wskutek tego

u3 , a tym samym a, ujemne i drgania amplituda
zmaleje, u 3 staje dodatnie i drga nia
Oprócz wygodnej metody stabilizacji amplitudy, realizacja ró-
wnania ma jeszcze uzyskanie prawie
idealnej modulacji W generatorach LCmodulacja
jest przeprowadzana przez Li C. Powoduje to jednak zmia-
energii generatora, i tym samym jego amplitudy. efekt wzmoc-
nienia parametrycznego. W przypadku zaprogramowania równania
wego natomiast przez zmia-
dwu rezystancji R, bez na w
oba rezystory do masy pozornej, do modulacji
analogowe które sze-
regowo z rezystorami. one wtedy
, Usr
Uwy = -- Uwy albo
E
Wskutek tego rezystancje R E/usr razy i re-
zonansowa
f 1 Usr
0
= 2nRC E
jest proporcjonal na do .
..,.,...,,,..,.,,w,..,...,•,w.- ,•.'•V. • •J • •V•·•·•·•·r,•,•,•,•,,•, •,•,•,•.-.-,,_..,.,.,.,.,.,.,,..,., •• , , .o', • • .,,·,•,•,•,•,•,,,• ,•,•,•, •, •.-. ••••••••••._._ ___ ,, _..,. , .. . H,',''~ ~~= ·_,,,.,,.,,,,,,,,,,,,,.,,,._._._.,,
,._..._~-,,,..,....,...,..,..V>l',V;
15.4. GENERATORY Z ANALOGOWYMI OPERACYJNYMI 503

cyfrowo, zamiast analogo-
wych szeregowo do integratorów przetworniki
cyfrowo-analogowe. Powstaje wówczas taki sam jak w przypadku filtru
strojonego cyfrowo z rys. 14.37. W ten sposób
w zakresie 1:100 z Aby
generatora w tak zakresie celowe jest
nie niewielkiego kondensatora równolegle do rezystora R 1 na W0 3 .
Kompensuje on wzrost przy spowodo-
wany fazy wprowadzanym przez w:zmacniacz operacyjny.
:::=:=·=·=·:
-:,:-:,;:,:,:,
:,:,:::,:::::::::::::.:,§X::~~~\12:::;.~-•-:-:-:-:-:
-:-:-:
-:-:-:
.:":, .. ~":'*"*~~~,~~}~
....
·.····:·
ii/I 15.5.Generatory
funkcyjne
]
r·.:..,:,.....•
; ~;;.%;t~~.:i :;.;.:.:.:.:.:.;
.;.;.;.:.:.:
.:.:.
;.;.;
,;.;.;.;.;
,;.;.;.;.
;.;.;.;.;
.;.;.;.
:.:.;.;.;.;.;.;.;.;.;.:;w
:'.
;'.:;:;:;:'.:
:•:~···
Jak stabilizacja sinusoidalnych

jest skomplikowana. O wiele bardziej proste jest wytwarzanie
zmiennego o przebiegu za przerzutnika Schmitta i integ-
ratora. na sinusoidalne za ge-
neratora funkcji sinus opisanego w p. 12.7.4. otrzymuje
drgania o przebiegu i sinusoidal-
nym , w oparciu o generatorów .funk -
cyjnych. Schemat blokowy takiego generatora przedstawiono na rys. 15.30.
Klucz
Integrator Przerzutnik
analogowy Schmitta
nn
Generator
f unkcji sinus
Rys. 15.30. Schemat blokowy generatora funkcyjnego
Zasada pracy polega na podawaniu na integrator

dodatniego lub ujemnego, od tego, w jakim kierunku ma po- ji
integratora. integratora C
poziom lub przerzutnika Schmitta , zostaje od- n
wrócony znak na integratora . Wskutek tego na jego L
powstaje poziomami wyzwalania &
przerzutnika Schmitta. r:
. ••._,-_,.,.,.,.,.,.,.,.,., .,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,•,•,
•,•·•,u •·v .............. .,.._.,.,.,...,.,.,...,.,.,.,._
., ~v~-. ....... ........ .,..,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,......,..,,,....
....,....,..,.... <? ..,.,.,,. , •, •, •, •,•, .. -._,.,.,.,.,..., • ••• r,.•,v.; ,
504 15. GENERATORY

15.5.1. podstawowy
dwie metody realizacji generatorów funkcyjnych , sposo -
bem realizacji operacji W z rys. 15.31 na integrator jest
podawane - w od klucza analogowego - + UwE
- UwE· W z rys. 15.32 za klucza analogowego jest
wymuszany +I WE -!wt przez kondensator C.
temu otrzymuje liniowy w czasie wzrost lub spadek Aby
nie przebiegu na kondensator ze,
z jest potrzeb ny (wtórnik). tej
metody jest to, u i wtórnik zreali-
dla wielkich [15.4].
Przerzutnik
Schmitta
Rys. 15.31.Generator funkcyjny z integratorem
Rys. 15.32. Generator funkcyjny ze
15.5.2.
Realizacja praktyczna
Najprostszy otrzymuje z zasady podanej na rys. 15.31,
przerzutnika Schmitta podamy na integratora
(rys. 15.33). Przerzutnik Schmitta dostarcza któ -
re jest przez integrator. Po przez
integratora poziomu wyzwalania przerzutnika Schmitta natychmiast zmienia
znak up. Wskutek tego integrato -
ra zaczyna w przeciwnym kierunku, do drugiego
,,,,.-..,_..~ ...... w,,•.--..-., ...... .......-.-...-.v.-
.......,.,.,,,.-- •••.,.,,,·,·,·,·,•,•,•,
•.-.•,•
..,•,·,,·,,,,,.,.,.,-.,..., .. ,.,,.,.., ___ _,,, .• .,.,,.,.,.,,.,.
,.,.,.,.,.,.,.,
........ . .. . . , .. ,,.,,.,
I 5.5. GENERATORY FUNKCYJNE 505

poziomu wyzwalania. Aby dodatniego i ujemnego na-
chylenia równe, komparator musi symetryczne
± UPma:x·Wówczas zgodnie z punktem 8.5.2 otrzymuje
R C Rt
. ,,
f = --R 2 - 1-
4R I RC
. R1
Amplituda U,.,= - U,,.,...
R2
Rys. 15.33. Prosty generator funkcyjny
Okres jest cztery razy czas potrzebny do zmiany

cia integratora od zera do Urmi wynosi
praktycznej realizacji zasady z rys. 15.32jest

przedstawiony na rys. 15.34. Sterowany klucz
z tranzystorów T 1 ... T3 . Kondensator jest I przez
tra nzystor T1 tak jak ma x = L. Gdy
+SV
l 0,6
f = -- = -
4U1„C RC
Amplituda U,., = I V
Rys. 15.34. Szybki generator funkcyjny z kluczem i precyzyjnym komparatorem
506 15. GENERATORY

spadnie -1 V, przerzuca precyzyjny prze-
rzutnik Schmitta zrealizowany jak na rys. 8.46 i mamy x = H. Wskutek tego
zostaje zablokowany tranzystor T 3 i zostaje T2 .
Dostarcza ono dwa razy T1 , a mianowicie 2/. W ten
sposób kondensator C jest I bez
nia T1 •
Gdy przekroczy górny poziom wyzwalania + 1 V,
przerzutnik Schmitta przerzuca z powrotem do stanu x = L i kondensator C
jest ponownie Do realizacji precyzyjnego przerzutnika
Schmitta typu „zatrzask" szczególnie nadaje podwójny komparator
NE 521 firmy Signetics, zawiera obie potrzebne do tego bramk i.
Ponadto ten komparator ma bardzo krótkie czasy
ok. 8 ns, co wytwarzanie wielu MHz.
Pokazany na rys. 15.32 wtórnik jest potrzebny tylko wtedy, kiedy na-
chcemy komparatory
praktycznie nie
15.5.3.Generatory
funkcyjne
o przestrajanej
Zasada przedstawiona na rys. 15.31 proste przestrajanie
przez + UwE i - UwB· takiego generatora funk-
cyjnegopokazano na rys. 15.35. Na wzmacniaczy W0 1 i W0 2 o ma-
rezystancji odpowiednio + UWE i - UwE·
te podawane przez tranzystory T 1 i T2 na integratora
w od stanu przerzutnika Schmitta. Gdy kom-
paratora jest ± UwE•oba tranzystory jako przesterowane
wtórniki emiterowe i wtedy, jak to pokazano w punkcie 22.2.3,
R2 l R1
f = - - -- - -
UwB
Amplituda U,,,.= - u,,,.....
4R 1 RC U,,,.... R2
Rys. 15.35. Generator funkcyjny o przestrajanej

.....,
_.....,,,.,._
,,..,- ..,....w,•,•,.,...........,....,..,,.~_ ..,.,.,.,.,..,._
,...
,..~-- = ·-.-.-.
·.-•.,..........,..,..,
-.,,·,·,·
··· ,,,.,.,, .........,
.............
._._.,,.
,.,.,.,.,
.....,...._ .~.~-··· .,..
.. w,-..........-.........
,..,....
.,.,..~.-.... -..·.·.······
15.5. GENERATORY FUNKCYJNE 507
niewielkim spadkiem miliwoltów. w tym przypadku
przebiegu przerzutnik Schmitta
Nachylenie wynosi
Okres jest cztery razy czas potrzebny do zmiany

integratora od Odo Urm·Otrzymujemy w ten sposób
. UwE
j
= 4RCU Im
Jest ona proporcjonalna do UwE· Zgodnie z tym

nadaje do wykorzystania jako przetwornik
wybierzemy
otrzymamy
do i amplitudy oraz
musimy by nie one od UPmax· to
za precyzyjnego przerzutnika Schmitta typu „zatrzask" , jak
to pokazano na rys. 15.34. Potr zebny jest wtedy jednak dodatkowy wzmac-
niacz, dodatnie i ujemne tranzystory T 1 i T2 .
W tym przypadku jest tranzystor analogowym kluczem
CMOS ze scalonym Nadaje do tego np. DG 301
firmy Siliconix (patrz 22).
Zmienny
Aby i regulowanym o przebiegu
za
komparatora z Sytuacja jest nieco trudniejsza, nie tylko
lecz ma przebieg nie-
symetryczn y, jak to pokazano na rys. 15.36. stwarza
z rys. 15.35, U1 i U2 Wtedy czasy
narastania i opadania ± Utmaxwy-
2RCUtmax 2RCUtn,ax
'1= U1
t - -
2 -
--
I U2 I
_._.,,
,...,.,-,._, ........ ... '-'•'•'•"'-"'•'•'•'••••••••••••••••••••.-.•.-.-.-.•.-.-.-.-- .....
w.-.-.-.
.......... •••••'•'•'•'•"•'•'•'·--,......., .........,,,,H •,, ' '-'-'- •~••• ~• •• ~~.,..,.._........,,.,,,._,,.,,,., .,.,.,.,.,. ... ,N • . ._, ,
508 15. GENERATORY

chcemy tylko bez zmiany musimy wa-
jednego a drugiego tak
by
U1 + IUii
. ( ] 1 ) (15.15)
T= t1 + t2 = 2RCUrmax
Warunek ten w prosty sposób,

z rys. 15.37 [15.5]. Jego
1 I 1
+ -I U I = - U - R [R3 + (J - a.}R4+ R3 + a.RJ =
Ul 2 WE 3
Up
h
..
~tj. I
t, .11
I
....._
I
--
t
,, : i
b-~
Rys. 15.36.Przebiegi przy

:
wypelnienia t 1 /T = 20%
t
..
Rys. 15.37. Dodatkowy do realizacji zmiennego
to - jak - nie od ustawionego

symetrii a..Po podstawieniu do równania (15.15) otrzymujemy
UwE
utmax
15.5. GENERATORY FUNKCYJNE 509

t 1/T i t 2 /T potencjometrem
dzy
Dla R 4 = 3R3 otrzymuje 20% a 80%.

Generatory funkcyjne, które nie tylko
i lecz sinusoidalnego,
I
sinus (generator funkcji sinus) i jako scalone
(tabl. 15.2).
Tablica 15.2. Generatory

i sinusoidalnych
Typ Producent
maksymalna
[MHz]
MAX 038 Max.im 25
XR 205 Exar 4
XR 2206 Exar l
1
li
z tych generator funkcyj-
ny. jednak chcemy tylko najprostszym
multiwibratorów przedstawione w p. 8.3.2.
15.5.4.Generatoryfunkcyjne przebiegi
i cosinusoidalne
sinusoidalne
stabilizacji amplitudy generatorów funkcyjnych

przy równoczesnym wytwarzaniu sinusoidalnych i cosinusoidal- H
nych. Wykorzystuje wówczas dowolnego generatora funk-
cyjnego. Znak tego za komparatora, na które-
go uzyskamy w fazie o 90° ]I
Za integratora ten fi
na drugi który jest w fazie V
o 90° w stosunku do pierwotnego VI
Prosty zrealizowany tej zasady przedstawiono na R
rys. 15.38. Wzmacniacz operacyjny W0 1 i komparator K 1 generator Dl
funkcyjny z rys. 15.33. Komparator K2 wytwarza w fazie k:
a integrator W0 2 mu
nie jednak bez zwrotnego przez R 3 : ze
na nie symetrii i
........,.,.,.,
.,.,.,.,v,·,~=•,.,.,...,..,. •.,.,.,
.,.,.,..,.., ,,,,•,•,. u,,··... ... ~.-,,_.,,_.,., .,.,.,.,. ..,,,.....,..~-.
·.-;···-.·,·,•,••.r.~' '-....._~~- .....-.·
..,.,...,.,.,.,.,.,.==-·vv,.,,,.,,.,.>,vv. •.,...................,
510 15. GENE RATOR Y

integratora W0 2 z wówczas do maksymalnego
wysterowania. Zapobiega temu
dodatkowa rezystancja R 3 , której Ursin w kie-
runku dodatnich lub ujemnych i w ten sposób
up Ujemne 00
zwrotne przez R 3 stabilizuje na-
, .
na ura„ praktycznie na
równej zeru.
. .• R2 I . R1
f = -- -- Amp/ztuda U,,.,= - Up,_"
4R1 RC R2
Rys. 15.38. Generator funkcyjny do wytwarzania i

tychw fazie o 90°
"th":+:cF:==-k I
"kif i;k$ i" ,·

Rys. 15.39.Przebiegi czasowe i o 90°
Fakt, na Uroos i podawane przez

R3 jako zwrotnego nie na generatora
funkcji sinus (K1 , W0 1), nie jest wcale oczywisty. Wynika to z rys. 15.39.
tam, urcosw chwili, gdy uTsin ma szczyto-
jest równe zeru i z tego powodu moment przerzutu przerzutnika Schmitta
K1 nie ulega zmianie. z rys. 15.38 tak, przebiegi
sinusoidalnego i cosinusoidalnego przesuwane w fazie o dowolny
z zakresu 0° ... 180° (15.6, 15.7).
Wzmacniacze
szerokopasmowe
Przy projektowaniu których górna

graniczna ma 100 kHz, kilka specyficznych
którymi zajmiemy nieco dwa
ne zjawiska na
- wzmocnienia od wyni-
z budowy tranzystora;
- które wraz z rezystancjami
filtry dolnoprz epustowe.
16.1. wzmocnienia
od
wzmoc-
nienia /3= leiIb tranzystora bipolarnego z dobrym
niem przenoszenia filtru dolnoprzepustowego pierwszego
/3= /Jo (16.1)

f
1 +j -
/p
gdzie /30 jest malosygnalowym wzmocnienia dla
a/p dla spad ku wzmocnienia o 3 dB.
Zamiast granicznej Jppodaje na fr-
Jest to przy któ rej f3maleje do równej 11>.Z ró-
wnania (16. l ) dla /3p 1 wynika
(16.2)
1> Podwarunkiem, charakterystyka p jest dana rów-

naniem (16.1) (przyp.
512 16. WZMACNTACZE SZEROKOPASMOW E

Z tego powodu fr nosi pola wzmocnienia.
Sposób charakterystyki
wego wzmocnienia na
wzmocnienia najlepiej na
podsta wie schematu z rys. 16.1, w którym wykorzystano model
Giacoletto.
ib rbtf B' ie
Bo- --r1- - -.-- --~-f - l---~>---+- -4---
-o [
Ube
E
I i
Utfe rJfe cd rc'e rUce
E
parametrów modelu z parametrami tranzysto ra dla
rezystancja baza-emiter rb'• rb•
Rezystan cja rozproszona bazy rw 1/ 10 rb,
transkonduktancja g~ gm
rezystan cja kolektor -baza rb'c lfgw
rezystancja kolektor-emiter ,; . r,.
Rys. 16.1. Model Giacoletlo ze wspólnym emiterem
wzmocnienia od reprezentuje w nim

dyfuzyjna Cd baza-emiter. doda-
tkowo warstwy zaporowej Cie na razie pomijamy.
Cdaf r ma [16.1]
(16.3)
w pierwszym nie od ko-

lektora. Dlatego , zgodnie z równaniem (16.3), Cd musi proporcjonalne
do Ie·
tranzystor w ze wspólnym emiterem jest sterowany ze
o rezystancji, czyli wymuszonym bazy Ib,
wyznacza filtr dolnoprzepustowy z rb'e
i cd, zgodnie z równaniem
I c = gm ub'e rb'e I /Jo (16.4)

= gm 1 + JWrb'e =
I I
· C b
. f
d
1
+ J frff3o
ta wynosi f rlf30 i jest równa /p, co wynika z definicji fp-
ze wspólnym emiterem jest sterowany ze o
l6.I. WZMOCNIENTA OD 513

rezystancji, (czyli
transkondukta ncji) wyznacza czasowa
Charakterystyka transkonduktancji ma wówczas
gm
-- ~-- = ---- gm (16.5)
1 + jcorbb'cd f
1+ j -
/4m
gdzie gm jest traoskonduktancji dla
a fam= 1/(2nrwCd) - traoskonduktancji .
ta jest rb'efrw 10 razy graniczna _[p.
tranzystor pracuje w ze ze sterowaniem
otrzymuje taki sam wynik, jest podawane na te
same zaciski.
Jest inaczej, wymusza emitera. kolektora
praktycznie jest równy emitera I/31p 1), spadek wzmocnienia
dopiero w fr - kolek-
tora a emitera otrzymuje z ie = ie+ ib i ib = ic/fJ
ie {3
(X. = - = ---
ie 1 + {3
Przy równan ia (16.1) wynika
fJ
a = ---
1 + f3
Przy pracy tra nzystora w wtórnika w od

rezystancji graniczna
ciowego fama fr- Ogólnie
kp~f~m ~Ja~JT I
514 16. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE
16.2. tranzysto
ra
i
W rzeczywistym istnieje wiele któ -

re wraz z rezystancjami filtry dolnoprzepustowe. one przed -
stawione na rys . 16.2. Nietrudno zawiera dwa filtry dolno-
przepustowe . Kondensatory C3 i C4 wraz z równolegle
Re filtr dolnoprzepustowy na one dy-
kolektora dla i wskutek tego
wzmocnienie Na kondensatory C1 , C 2 i C 3 wraz z rezys-
r
9
filtr dolnoprzepustowy. Wypadkowa
gdzie ku jest wzmocnieniem Multiplikacja C3

kolektor-baza nosi efektu Millera i spowodowana jest tym, na ko n-
densatorze C3 (1 + Iku I) razy.
Iku I 1, Iku IC3 jest znacznie od i otrzy-
mujemy w
ewe~Iku IC3
Filtr dolnoprzepustowy na powoduje, ze wspólnym emiterem
ma pasma.
+
Re
, -- f-------?
rg
cJ-r-
-L =i=C4 fuwy
I
T
I
I .1
C _L
C1=*=
rr
I
..L
L __
Ie
C1 - szczególnie doprowadzenia
C2 - emiter -baza
C3 - kolekt or-baza
C4 - kolektor-emiter
Rys. 16.2. tranzystora i w ze

wspólnym emiterem
16.2. TRANzySTORA I 515

I
I
C1=-i=
I
I
_J_ -
Rys. 16.3. tranzystora i w ze
W ze warunki bardziej korzystne. Jak na

rys. 16.3, w tym wypadkowa
gdzie ku> o
Zamiast tu nawet pewna kompensacja.
Niekorzystna jest j ednak rezysta ncja
Wady ze jest rezystancja

dwa tranzystory w sposób pokazany na rys. 12.4 i
zwany Tran zystor T1 pracuje wówczas w ze
wspólnym emiterem, a tranzystor T2 w ze ze
sterowa niem tranzystor T 2 na zacisku emitera ma rezys-
l /gm, ma wzmocnienie
dla
1
k =- g - =- 1
ul m gm
+ Wzmocnienie K. = - GmRc
Rezystancja wej.friowa r we = rbel
Rezystancja rw y = Re
Uaz
Rys. 16.4. kaskodowy

_ _,,, .,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•
,ow ,mN-wwwwwwwwwwwwwwwwww=,,~~W,',',',W,',W,w,,·,,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•, wwwwww ___ ,.,.,,-.W,'.W,',',',',',Wa, ,,,.,,,,,, ,W ,
516 16. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOW E

W ten sposób zostaje wyeliminowany efekt Millera. przez oba tran-
zystory praktycznie ten sam kolektora, wzmocnienie
Ku= - GmRc
czyli tyle samo, co dla WE . Tranzystor T2 nie zmniejsza
granicznej transkond uktancji , wskutek ste-
rowania WB ma on f r P /4m· na
bazie U132 tranzystora T 2 na kolektorze T 1 . Wybiera
jego by kolektor-emiter tranzystorów T 1 i T2 nie
od kilku woltów , co utrzymanie najmniejszych
od kolek tor-baza .
:=:::::::
::::::::::
:::::::::
:::==
:~:~~~~x; ~;;::::
::::::::=:=:=:=:=:=:=:=:=:
::=::;-:{
:_:§:=f~~f:: ::::::::::
:::::
::::::::: ::::::::::::::::::::::::::::
::::::::::::::::::::::::=::::
f-:L::$:
f*~;~;::;.:::::f ;::::::::
:::
jl 16.4.Wzmacniacz jakowzmacniaczTtt::=
m
·"'* szerokopasmowy .....
;:'1
hu:z.
u.:.t:::~Wv ·-+~
·:···:······:::::;:~
.::*½~m ·:rv:.-...
.......
~:~§::::::::
:::·
JJ.&:::i~m::.,
:~~
~~:1~:1:1:1:;:;:;:::::::::J:i:
·~~
r} :~=
~=
~=
~=,:·=·=
······_
Inna rezystancji WB polega na

do niego wtórnika emiterowego. Powstaje w ten sposób przedsta-
wiony na rys. 16.5 niesymetryczny wzmacn iacza
tranzystor T 1 pracuje ze kolektora , efekt M illera nie wy-
Tran zystor T 2 pracuje w WB ze sterowaniem
dlatego tego stopnia jest graniczna
transkonduktancji /4,w graniczna wtórnika emiterowe-
go tej /4mjest
transkonduktancji taki sam rezultat , jak
w kaskod y. Istnieje jednak wypadkowych
transkonduk tancji w obu
W celu obliczenia wypadkowej transkonduktancji wzmacniacza
cowego skorzystamy z faktu , wtórnik emiterowy T 1 sterowany ze
o rezystancji ma rwy l = 1/gm1 , a WB
+ 1
Wzmocnienie K. =- G,..Rc
2
Rezy stancj a rw• = 'l.rb,
Rezystancja r ,.,1 Re
juwr
1
Rys. 16.S. Wzmacniac z

.www-~=._. .,w.·."mwm •·········• ·····················•·"""'"°'=w=,www-- -'·'-"·w.w.w.•.•.•·····················,-······w,,-
16.4. WZMACNI ACZ JAKO WZMACN JACZ SZEROKOPASMOWY 517
ma r we 2 = If gm2 . Oba tranzystory przy
tym samym spoczynkowym kolektora i dlatego tra ns-
gm. Dlatego mamy
Zgodnie z tym na emiterze T 2 zmiennego

wego i otrzymuje
Gmtoi= lc2
-u
we
= - 2
lc2
ube2 = _ ..!_
G
2 m
i wzmocnienie
1
K., =
2 GmRc
Transkonduktancja wzmacniacza jest o mniejsza od
tra nskonduktancji kaskady.
wzmacniacza ma w porównaniu z
baza-emiter Dobre wzmacniacza
nicowego przy wielkich otrzymuje tylko wtedy, kiedy tak ,
jak na rys. 16.5 kolektor tranzystora i baza tranzystora
wego jest rozbudowanie do symetrycz-
nego szerokopasmowego wzmacniacza za kilku
dodatkowych, które opisane w punkcie.
~1::;: 1:J:1:J:J:1:1:1:1:1:1:1:i:1:1:
;:m:~
;:m~Ji~mfu:~.._l~~m~~~~~~:~:1:1:~1
:1:1:1:ti:1:1:1:1
fl1 16.5. Symetryczne
wzmacniacze
szerokopasmowe
::::
:....
•..~.•?~
~M •...
,.,.,.~
....
16.5.1.Wzmacniacz z kaskodowym
Na rysunku 16.6 przedstawiono szerokopasmowy wzmacn iacz z sy-
metrycznymi i Dla wyeliminowania efektu Millera tranzys -
tory podstawowego wzmacniacza
kaskadowymi.
We wzmacniaczach szerokopasmowych zastosowanie ujemnego
nia zwrotnego kilka stopni przysparza znacznych
ze Aby wzmocnienie, jed-
nak do tego dwie rezys-
tancje RE, ujemne zwrotne. one
tranzystorów do (p. 4.3.3).
(16.6)
""°'v.,w .·.w~v.w.w.-.-.·.··········
··············
········
······
············
··········
······ ················
······••••w""""'°'"'°''www~ - =
Nietrudno transkonduktancja jest tym bardziej od
rezystancji zwrotnego, im jest RE w porównaniu z I I/Gm I.
Ponadto zwrotne powoduje granicznej
transkonduktancji: po wstawieniu równania (16.5) do (16.6) charakterystyka
wypadkowa transkond uktancji wzorem
(16.7)
. f
1 +J - -- --
/4m(gmfgmf)
graniczna transkonduktancji zostaje do
(16.8)
1
Wzmocnienie K,,, = - - gm1Rc
Re Re 2
Transkonduktancja Km/ = g,,,/(1 +gmRli)
Rys. 16.6. Wzmacniacz z kaskodowym
Dobór elementów w celu uzyskania pasma prze-

noszenia na liczbowym: wymagana pasma
B = 100 MHz. Celowy jest wybór mniej jednakowych
granicznych fe filtru dolnoprzepustowego na i
granicznej transkonduktancjifam/· Przy kaskadowym n filtrów dol-
noprzepustowych o jednakowych granicznych /4 mamy
w
(16.9)
W naszym przypadku otrzymu je wymaganie
/4mf ~fe~ 100 MHz· /i~ 150 MHz

.,.,...... • .,,., . ,. ....,..._,_._ • • ._.....,, • • ._ •• ._.....,..__ .,.,. ,. , . , ,• , • , • ,•, • • •
0 0 0
v.v~w.-. •,•,•,•,•,•,•,•.,_.,., .,.•,-.-.·.,.,.-.-.wr,vr ,v,,.,,..,..........-.
-.-.-.-.,,•,•,•,•,•,•,•,•.-... ·· .v.-.•,-.-.-.-.....www~.-. ...,., ,,., ,,,•,•,•,•,•,•,•J-'"' '·"•' •"•._..,..•.,..v.,.r ,•r, •r,•r,•, v,v.,..,..,.,,..
16.5. SYMETRYCZNE WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE 519

Sumaryczne tranzystora i powinny 6 pF.
Otrzymujemy
1
Re = 2 fi C 180 n
7t e we
Aby przy tak rezystancji kolektorowej wzmoc-

nienie jest potrzebna traoskonduktancja, tzn. kole-
ktora . stanowi moc strat tranzystora i spadek fr
przy kolektora. Wybieramy Ie = IO mA i otrzymujemy
I/gm = Ur/ Ie~ 3 n. Dla ujemnego
zwrotnego wybieramy RE~ 1/gm. Dla RE= 15 n otrzymujemy
1 1 mA
gmf = 3 .0+15 .O = 18 .O = 56 v
i tym samym wzmocnienie dla
k = Uwyl
ur Uwel - Uwe2
Pojedynczy szerokopasmowego wzmacniacza z ujemnym

zwrotnym zapewnia niskie wzmocnienie
we. ponadto tranzystory polowe nie do wzmac-
niania ich transkonduktancja jest za Dla uzyskania
rezystancji tranzystory wtórnikami
na tranzystorach polowych.
Z równania (I 6.8)
transkonduktancji tranzystorów
gmL 3 n
/4m
=~ /4 1= 180 · 150 MHz
111 =25 MHz
fr musi 250 MHz. Takie fr

nawet tranzystory Nie one jednak do wzmac-
niaczy szerokopasmowych, ich zbyt
Istnieje wiele pasma przez dodanie
filtrów górnoprzepustowych. np. ujemnego
wego zwrotnego przy konden-
satorem wyprowadzenia emiterów tranzystorów T1 i T 2 . Dla dolnej
granicznej równej I 00 MHz, otrzymuje w naszym licz-
bowym 53 pF.
Inna polega na impedancji kolektorowych w po-
granicznej przez szeregowe Meto-
da ta nosi kompensacji indukcyjnej. W naszym otrzymuje
L = 0,3 µH.
,.,.,.,.,.,,,,,.,.........,.,., •.,.....,..._~==,v,•rrrr. .. ·rr-r.r
.•.,..
,;,,,.,- = .........,.....
.....,.,..,..,..,,....,,.,.,.,.,., .,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•r ... -.,...,,._ ~ ...,..., .,_..,, ,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,H ,',','' •"•'•'•'•'•'•..'•

16.5.2.Wzmacniacz ze wzmacniaczem
Na rysunku 16.7 przedstawiono inny szerokopasmowy wzmacniacz
podobnie do wzmacniacza opisanego
jest identyczny. Dla uzyskania pasma i tu
kolektorów tranzystorów prawie nie bowiem tran-
zystory T3 i T4 wzmacniacza lokalnym
ujemnym zwrotnym przez rezystancje Re. Wskutek tego na zacis-
kach baz sumacyjne, na których zmiana jest
[16.2].Zmienne
W tym rezystory ujemnego zwrotnego Re

wzmocnienie Rezystory R 1 do ustalania punktów pracy
kolektorów . Ich wybiera tego samego co Re. Na
otrzymujemy
+ 1
Wzmocnienie k., = - KmfRc
2
R1
Uwr1
f Re Re
tUwyz
l_ j_
Rz
Tz
Rys. 16.7. Wzmacniacz ze wzmacniaczem
Oba szczególnie do stosowania jako wzmacniacze

w oscyloskopach szerokopasmowych. W przypadku zastosowania
tranzystorów o kilku GHz i odpowiednio rezy-
stancji elementów, pasma 500 MHz [16.3].
....
...........
....... . ,........ ~ ·.-....
.........
~,..,.,._ ......
= ......
~.,......,.....
......,...,•.•.•.·,·········
···········
............................
""""'-
.....
..............
,..............
....,.,.,.,.,.,.,
...,...,.............................
......,.,.,,..,.,.,.,
16.5. SYMETRYCZNE WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE 521
16.5.3.Wzmacniacz z komplementarnym kaskodowym
Jak w pojedynczym. stopniu szerokopasmowego wzmacniacza
z trudem wzmocnienie 10.
Dlatego kaskadowo stopni Przy
liczba stopni jest jednak bardzo ograniczona, ponie-
poziomy ze stopnia na
przez zastosowanie w kaskodowym wzmacniaczu z rys. 16.6
tranzystorów pnp w stopniu jak to przedstawiono na rys. 16.8.
to dobór poziomów na i równych zeru.
Us
T1
Rz
J
Wzmocnienie k., = - - gm/Re liR 2 )
2
Rys. 16.8. Wzmacniacz z komplementarnym kaskodowym
Jak pokazano w p. 16.5.1, wyznacza

graniczna transkonduktancji/4m/ tranzystorów
ujemnym zwrotnym, ma znacznie
~fr· Dlatego w z rys. 16.8 nie stanowi
przeszkody fakt, fr tranzystorów pnp jest z mniejsza od
fr tranzystorów npn.
bazy UB kolektora wzmacniacza
zgodnie z Uc1 = UB+ 0,7 V. Wskutek tego przez re-
zystory R 1 o
Ucc - Uc1 Ucc - U8 - 0,7 V
Ie= Ic1 + lc3 = R =
1 R1
kolektora Ic 1 kolektora ICJzmaleje o war-

Dla zmiennych kolektora mamy
lcJ = -Ic1

Jest to z do znaku taki sam jak w przypadku normal-
nego kaskadowego.
Rezystory R 2 dobiera tak, by przy wybranym. kolektora usta-
na poziom równy zeru .
nie rezystancji, jest to dopuszczalne ze na szero-
pasma . Dlatego przewidziano rezystory Re, które dowol-
nie, nie na nich
Podobnie jak dla z rys. 16.6, otrzymuje na wzmocnienie
ciowe wzór
16.5.4.Przeciwsobny
wzmacniacz
W opisanych wzmacniaczy szerokopasmowych przy prac y z du-
otrzymuje zboczy i
cych. Dzieje tak dlatego, w spotykanych warunkach sterowa-
nia wzrost kolektora jest zwykle szybszy jego spadek. Dla uzyskania
jednakowych Wzmacniacz
wówczas z tranzystorów sterowanych przeciwnie, tak zarówno
+ +
T3
ic3
-Us
(+) (- }
uwo
l fuwo ib
Re tUwy
1. Tf
j_ j_
T1
RE RE
R1
T3
-
- Ua
Wzmocnienie ku, = KmrRc

Rys. 16.9. Przeciwsobny wzmacniacz
16.5. SYMETRYCZNE WZMACNIACZE SZEROKOPASMOW E 523

przy dodatnim i ujemnym zboczu, zawsze w jednej wzra-
sta, a w drugiej maleje. Aby to z rys. 16.8
symetrycznie tranzystorami komplementarnymi w sposób przedstawiony na
rys. 16.9.
W stanie spoczynkowym przez tranzystory T3 i r;ten sam
spoczynkowy na jest równy zeru . na poda-
my niewielkie UwER= UwBi - UwEz, kolektora tran-
zystora T3 o UwERgm1, podczas gdy IJ3 o tyle samo
zmaleje. Przez rezystor Re obu Wskutek tego otrzyma-
my wzmocnienie
V - UW>'_ - G R
~._,,,
- U - mf e
wer
Tak jak w poprzednim na rezystorze Re nie spadek

cia Dlatego go dowolnie, kryteriami
dynamicznymi. jest potrzebne symetryczne
uwy, do tranzystorów T1 i r; drugi
16.6.Szerokopasmowy
wtórnik
Wtórnik emiterowy pokazany na .rys. 16.10 w zasadzie jako

szerokopasmowy wtórnik jego graniczna
granicznej transkonduktancji. tego
jest jednak to, jest o 0,6 V
a ponadto to silnie od temperatury
(ze - 2 mV/K).
o
T1
uwE
I t UR
1 Tz
t
I
_LC
-r s
I
uwy
Ufi I
.J... 1
Uwy ;::; Uwe - 0,6 V
Rys. 16.10. Wtórnik emiterowy Rys. 16.11. Wtórnik

.....
w.·.·,·············
········.w.w~~---
524 l6. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE
Wady tej tranzystory polowe z zubo-
jak na rys. 16.11. stanowi tu na
tranzystorze polowym T 2 . oba tranzystory jednakowe (konieczne jest
zastosowanie tranzystora podwójnego), w obu mamy U0 s = - UR,
przez nie ten sam dlatego Uwy = UwE·
Rezystory R spoczynkowy. Dla R maksymal-
ny drenu IDss· W tym przypadku musimy jednak war-
w przeciwnym razie dioda
tranzystora T1 w stan przewodzenia i
pasma obu jest tym im
przyjmiemy spoczynkowy. Przy otrzymuje jednak
silnie przenoszenia. Wynika to paso-
Cs jest szybko przez
tranzystor T1 o rezystancji I/gm, podczas gdy jest
tylko spoczynkowym, ujemne zbocze powoduje zablokowa-
nie tranzystora . prze-
ciwsobne.
16.6.1.Przeciwsobny
wtórnik
przeciwsobne realizuje w szczególnie prosty sposób przy

tranzystorów polowych do ustalenia punktu pracy nie
potrzeba pomocniczych. W z rys. 16.12 wymagany
spoczynkowy ustala za rezystorów R 1 i R 2 w obwodzie ujem-
nego zwrotnego. Przy projektowaniu war-
drenu IDQ:Aby na równe zeru,
+ +
Rys. 16.12. Przeciwsobny wtórnik Rys. 16.13. Przeciwsobny wtórnik emilerowy
16.6. SZEROKOPASMOWY WTÓRNIK 525

spadek na rezystorze R 1 musi IUGsiUDQ) I. Z parabolicznej
charakterystyki opisanej równaniem (5.1) otrzymujemy
Wynika
(
1 n;;;-)
v~
potrzebne od 10 mA, musimy tranzys-
tory bipolarne. Odpowiedni przedstawiono na rys. 16.13. Aby przez oba
tranzystory T3 i T4 spoczynkowy, zaciskami ich
baz musi ok. 1,4 V. to jest wytwarzane za dwu
wtórników emiterowych T 1 i T 2 , które oprócz tego transformacji
impedancji. jest stabilizowany przez ujemne
zwrotne zrealizowane na rezystorach R 2 o 3 a 30 n. Rezy-
story R 1 emitera dla i bazy dla
stopnia one tak by przy ma-
ksymalnym sygnale od wymaganego
bazy odpowiedniego tranzystora stopnia Przy sygna-
celowe jest ich
Wtórniki emiterowe do generowania wielkiej
W celu tych szeregowo z
rezystor. Dobiera je jak najmniejsze, by nie niekorzystnie
na i praktycznie w zakresie
20 ... 200 n.
Wtórnik na tranzystorach komplementarnych z rys. 16.12
na do wytwarzania komplementarny
Rys. 16.14. Przeciwsobny wtórnik przeciwsobny wtórnik emiterowy

,ee -.•-. w~,--w.w ............ , . . ... ..... . .. .... .. --.-• • -,-, • ••••••• •.-. ••• ~.--www--
wtórnik emiterowy (rys. 16.14). Diody 1) 1 i D 2 w tym przypadku
baz do 1,4 V. W celu regulacji zera dodat-
kowo wtórnik T1 i T 2 o regulowanym
tej zasady pracuje scalonych szerokopasmowych wtórników
zestawionych w tablicy 16.1.
Tablica16.1. Wybrane szybkie szerokopasmowe wtórnik.i
Typ Producent Techno- zmian Pasmo

logia na przenosze-
nia mocy
[V/ µs]
MAX405 Maxim monol. 650 V/µs 20MHz 2µA 60mA

HA5002 Harris monol. 1300 V/µs 11 MHz 2µA 200mA
EL2002 Elantec mono!. 2000 V/µs 30 lVIl-lz 3µA 100 mA
HFA1112 Harris monol. 2000 V/µs 140 MHz 25 µA 60 mA
BUF634 Burr Br. monol. 2000 V/µs 180 SµA 250mA
AD9620 Analog Dev. mono!. 2300 V/µs 150 MHz 15 µA 50mA
EL 2009 Elantec monol. 3000 V/µs 45MHz SµA 1000 mA
LH4011 Nalional hybrid 5000 V/µs 80MHz 10 pA 200 mA
EL2031 Elantec hybrid 7000 V/µs 130 MHz 10 nA 70 mA
LH4009 National hybrid 10000 V/µs 150 MHz 5nA 200 mA
LH4012 National hybrid 11500 V/µs 200 MHz 200 µA 200mA
WB05 Apex bybrid 15000 V/ µs 70MHz 150 µA 1000 mA
tl 16.7. Szerokopasmowy
wzmacniacz
operacyjny
lt ~:~~*~~:;:~
=~=:::::::::
~ ::::::::::::::::
~t.w.~n ~:::::::::
;:::;:::;::=~~:;..::::=:::=:=
: ;:::;:;:;:;:;:;:;:;:;:;:
:::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::~::
:::: ;:;::::~·~***~=:::-*;~::::::,;
..
Szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny realizuje na podstawie szeroko-
pasmowego wzmacniacza go o pra-
jako rezystancje i do niego szerokopasmowy
wtórnik temu uzyskuje wzmocnienie
a wykorzystamy
komplementarny kaskody z rys. 16.8, otrzymamy wzmacniacz opera-
cyjny pokazany na rys. 16.15. T 5 , T 6 z jednej strony
zapewnia tranzysto ra T4 , a równo-
wykorzystuje tranzystora T 3 . Jako dopasowu-
zastosowano przeciwsobny wtórnik emiterowy z rys. 16.13.
Zgodnie z pracuje np. LM 6365 firmy National oraz
HA 2541/42 firmy Harris.
przyjmiemy przeciwsobny wzmacniacza przed-
stawiony na rys. 16.9, musimy jedynie z niego rezystor Re
i zamiast niego Na rysunku 16.16
pokazano wypadkowy Warunkiem realizacji jego w technice mono li-
16.7. SZEROKOPASMOWY WZMACNIACZ OPERACYJNY 527

tycznej jest jednak wyprodukowania wysokiej tranzystorów
pnp. jest to tylko w skomplikowanym procesie produkcyjnym wyko-
W tej technice zbudowane szybkie
wzmacniacze operacyjne firmy Harris, np. typy HA 2539 i HA 5160.
+ + +
½ Tg
T7
R3
+
R3
t Uwy
j_
Tto
R2
Rys. 16.15. Szerokopasmowy wzmacniacz operacyjny z kaskodowym wzmacniaczem
+ +
Rys. 16.16. Szerokopasmowy wzmacniacz operacyjn y

www ___ _.,,,,,,,,,.,, ..,.,., .,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,• •

Aby wzmacniacz operacyjny z
zwrotnego , musi zapewniony zapas fazy, to zna-
czy wzmocnienia w musi mniejszy jeden, zanim
cie fazowe -180 °. W tym celu w zasadzie
RC do kolektorów tranzystorów T 3 i r;. to jednak
silnie na narastania na (,;lew rate).
Znacznie bardziej korzystniejsze jest zapewnienie dyna-
micznych przez rezystorów zwrotnego Re .
16.8.Wzmacniacz
transimpedancyjny
(ze
opisanego szerokopasmowego wzmacniacza operacyjnego jest to,

w celu uzyskania optymalnej pasma musimy rezys-
tancje emiterowe do wzmocnienia. W scalonym nie jest to
jednak rezystorów tych nie z
za a wzmacniane zbyt
Aby z tym problemem, wzmacniacz
z rys. 16.16 tak, emi-
tery tranzystorów T 2 r;.
W wypadkowym pokazanym na rys. 16.17 istnieje
decydowania o stopnia T2 T; i tym samym o wzmoc -
nieniu za tylko jednego rezystora
czonego do rezy-
stancja jest tranzystory T1 T; pracu-
w wtórnika emiterowego; rezystancja
cego jest bardzo tranzystory T 2 w ze r;
Tak jak w wzmacniaczu operacyjnym, tutaj
wzmacniana jest tylko obu
Aby niskoimpedancyjne
z rys. 16.16 T3 T4 lub T4 . r;
Ik spoczynkowe bowiem tranzystory T 1 , T2 lub
T{, r; dla Ik. Dlatego mamy
Ic1 = Ic1· = Ic2 = Ic2· = le3 = Ic3• = Ic4 = Ic4•
wzmacniacza transimpedancyjnego jest
na podstawie jego schematu pokazanego na rys . 14.18.
- traktujemy go jako idealny - jak wtórn ik
ciowy. wysokoimpedancyjne
i wtórnika Dlatego
-tak jak w wzmacniaczu operacyjnym - jest równa zero .
•w •• ,~ ...... w ...... , . ..... ......................... w.·.··
············
..································
·········· ,-.www---
........ ·..
16.8. WZMACNIACZ TRANSIMPEDANCYJNY (ZE 529
+ + +
Tt,
T1 T5
Rz
+
+ + tu.wy
upf tuN Rz
.1 T,' .1 .1
Tt,'
Rys. 16.17. Wzmacniacz transimpedancyjny
Rys. 16.18. Schemat wzmacniacza Rys. 16.19. Symbol graficzny

transimpedancyjnego wzmacniacza transimpedancyjnego
z za
sterowanego (na rys. 16.18 tranzystory T3 , r;,
T4 ,
TDspadek INZ na impedancji Z, a spadek ten poprzez dopaso-
(T 5 , r;,
T 6 , T~) wytwarza Wzmocnie-
nie dopiero wtedy, kiedy odwraca-
zostanie rezystor - np. R 1 na rys. 16.20.
wówczas IN = Up/R 1 i uzyskujemy

Wzmocnienie Z/R 1 - tak jak - z ze-
Aby wzmocnienia, wzmacniacze transimpedancyjne ma-
Z, której rzeczywista w zakresie 100 kQ ... 1 MO .
Za R 1 = 200 n ...2 kO uzyskuje wzmocnienie w 1000.
Jest to typowy kompromis , z którym mamy do czynienia w przypadku wzmac-
niaczy szerokopasmowych .
impedancji Z za konsekwencje.
IN potrzebne do wysterowania w zakresie mikroamperów. Ze
na fakt, rezystory te
tutaj jest równe ze-
ro, otrzymuje takie same równania jak w przypadku kon -
wencjonalnych wzmacniaczy operacyjnych. wzmacniacza trans-
impedancyjnego jest to, jego wzmocnienie jest proporcjonalne do
wzmocnienia nastawia je za R 1, a RN utrzymuje
na Wówczas wzmocnienie w jest i jest rów-
pasma oraz dynamiczne ze
zwrotnym . W konwencjonalnych wzmacniaczach operacyjnych to
tylko wtedy, kiedy charak terystyki dopasowuje
do wzmocnienia. Na rysunku 16.20 zebrano wspólne cechy i
nice obydwa rodzaje wzmacniaczy [16.4, 16.5, 16.6].
nych w handlu wzmacniaczy transimpedancyjnych podane w tablicy 7.3.
Wyszczególnione tam najszybsze typy wzmacniaczy zrealizowane bez
ku w tej technice.
16.9.Wzmacniacze
szerokopasmowe
o dwóch
szerokopasmowych wzmacniaczy operacyjnych dla

znacznie gorsze te, do których w przypadku scalonych
wzmacniaczy Qperacyjnych. Konieczne do stabilizacji rezystancje
ujemnego zwrotnego RE wzmocnienie sta-
i tranzys tory ze
na pasma przy du -
kolektorów, otrzymuje odpowiednio
polaryzacji.
Wad tych wzmacniacz szerokopasmowy W0 2 po -
ze wzmacniaczem WO 1 w sposób pokazany na
rys. 16.21 [16.7]. Wówczas wzmacniacz szerokopasmowy
dla wielkich, a wzmacniacz - dla
Musimy wówczas z jest
tylko
,~ ·,•,www ,w,w,•,•,•,•,w,· ---·
16.9. WZMACNIACZE SZEROKOPASMOWE O DWÓCH 531

Wzmacniacz operacyjny
Schemat wzmacniacza
+
Upo
u,]
o
/
,
~,
ru,
--F
.R
\ -
UN~ o
f9 = 1/2nRC
fr = k.o . Jg
wzmacniacza
Uwr - Ut1 _ __
_.;;..;__...:.;_ UN = O
RN R1
I Uwr UR.= Up - Ufl = Uwe - UN
Charakterystyka z rezystancjami
Ku = k.o , df, gs = --f 1• za lezne

. od R N 1. R
1
k k
l+ j~ f uO
!1·
Wzmocnienie w
R1 k
T0 = -- -- kuro=~ od R„ i R 1
' R 1 + R„ ku0
Charakterystyka
ku.
1041--~-,-- - --
' ' , Kurio
103 skompensowane
Ku,1 ' /
T1 T; '-..(
'
10
1----1-
1.___.__...____
_i_ ____ ku.
=.:
o:...
=_ 10
.....__
___
__ 1_.___
kuo=
_.;::,~'-'- -:
_._
I
1 __
1,I/
ir,.,___ -"'-___
...,.., , _ _
1
10k 100k 1M 100M 16'- ....._
.......
Rys. 16.20. Porównanie wzmacniacza operacyjnego ze wzmacniaczem lransimpedanc yjnym
.~------~=w.wm .•.•.•,•m ,•, ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,wu,,-•,•,w

Wzmacniacz transimpedancyjny
Schemat wzmacniacza
ku,o = R/R 1
Uwy Z ku,O
K = - - =- = - - -- /4 = l/2nRC
ur UR Rl
wzmacniacza
Uwy- UN UN
- - -IN = O
RN R1
UN = Up= UwE
Charakterystyka z rezystancjami
k
K = uO f~.= I/2nRNC od R1
" I + RN · j 2nf C
Wzmocnienie w
R R R
ku,o = - - - = -- kuo = T0 k. 0 , a T0 =- - od R 1
RN liR1 RN ' RN
Charakte(ystyka
ku
4
10
103
Tio
102
T1
kuo=10
10
ku.0 = 1
1
10k 100k 1M f[Hz}
Rys.16.20.(cd.)
16.9.WZMACNIACZ E SZEROKOPASMOWE O DWÓCH 533

C
Rys. 16.21. Wzmacniacz szerokopasmowy o dwu (ze

wej
Dla ma wzmocnienie
na wzmacniacza W0 2 wzmoc-
nione z bardzo ku,, niezrównowa-
W0 2 nie odgrywa roli. polaryzacji wzmacniacza
W0 2 przez R i nie na Dlatego ma
polaryzacji i
wzmacniacza WO 1 .
Przy wzmacniacz WO 1 pracuje jako integrator.
Jego wzmocnienie spada z nachyleniem -20 a wzmocnienie wzma-
cniacza szerokopasmowego W0 2 jest jeszcze Dlatego w tym zakresie
ma wzmocnienie
Jego przebieg jest pokazany na rys. 16.22.
Rys. 16.22. Charakterystyka wzmacniacza szerokopasmowego o dwu
""""" ' ·.w.w.·.·················,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•

,•,•o,.
---·
Przy cale wzmocnienie daje tylko wzmacniacz
szerokopasmowy W0 2 • W tym celu RC dobiera tak, by
przy granicznej /4 2 wzmacniacza W0 2
graniczna filtru górnoprzepustowego i wzmocnienie integratora
1.
Wynika warunek
RC= l/21t/4 2
przyjmiemy R = 10 kil, w z rys. 16.21 otrzymamy dla

/4 2 = 100 kHz C = 160 pF. Zapewniony jest wtedy liniowy przebieg
charakterystyki IK„ I pokazany na rys. 16.22. Wzmocnienie
dla wynosi IK„ I= IK,,,2 1.
17 Wzmacniaczemocy
Wzmacniacze mocy których najwazmeJszym parametrem jest

moc a wzmocnienie odgrywa Na
wzmocnienie stopni mocy jest
Wzmocnienie mocy wzmocnieniu
i powinny móc zarówno do-
datnie, jak i ujemne. Wzmacniacze mocy, których
tylko , jednego znaku, w istocie zasilaczami i omówione w roz-
dziale 18.
wtórnika emiterowego opisane w p. 4.4. Teraz obliczymy

tylko jego wybrane parametry, które szczególnie przy zastosowaniu
wtórnika jako wzmacniacza mocy. W tym celu obliczymy najpierw
przy której oddaje moc.
Wzmocnienie k. I
Wzmocnienie przy dopasowaniu energetycznym
l
k, = - f]
2
Rezystancja w warunkach dopasowania
energetycznego RL = Re
Moc przy dopasowaniu energetycznym i
u2
wysterowaniu przebiegiem sinusoidalnym Pi,max=
8Rli
p
maksymalna '1max= = 6,25%
P,.,
Maksymalna moc tracona w tranzystorze Pd1,. = -
U;,z
= BPLmax
„ Re
Rys. 17.1. Wtórnik emiterowy jako wzmacniacz mocy

~= ..u...-.·.········
····
··········•.,.
wm~·----------·'- """""""""""•""·•·•""""
536 17. WZMACNIACZE MOCY
Gdy jest ujemne, przez rezys-
RE z rezystancji RL. Granica wysterowana zostanie
wówczas, gdy emitera staje równy zeru, czyli przy
chcemy sinusoidalnie OV, amplituda

nie
RL
Uwrmax= R + RL Uzz
E
Moc oddawana do RL wynosi w przypadku maksymalnego

wysterowania
p _ _1 uWYmax
2
L- 2 RL
Z warunku dPL/dRL = O wynika, dla RL = RE otrzymuje

moc
Wynik ten jest normalnie moc

maksimum
wówczas, gdy rezystancja
równa rezystancji rwy Jest tak jednak tylko przy
biegu a w omawianym przez nas
biegu musi tym mniejsze, im mniejsza jest RL.
Obliczymy teraz mocy w dla dowolnych amplitud wyj-
i dowolnych rezystancji Przy sinusoidalnym przebiegu
do rezystancji RL jest oddawana moc
p _ _1 uWYmax
2
L - 2 RL
Moc strat tranzystora wzorem
Pdiss= T
l I T
[Uzz - Uwy(t)]
[Uwy(t)
RL +
Uwy(t) + Uzz
R
E
Jt
d
o
Dla UwrU) = Uwym sin(wt) otrzymamy
17.1. WTÓRNIK EMITEROWY JAKO WZMACNIACZ MOCY 537

Moc strat w tranzystorze jest przy braku
Dla mocy traconej w rezystorze RE otrzymuje analogicznie
pobiera ze zasilania moc
w ten sposób wynik, zgodnie z którym moc pobie-

rana przez jest i nie od wysterowania i
o ile nie jest przesterowany.
definiuje jako stosunek otrzymanej mocy
wej do mocy pobieranej . Z otrzymanych PLmax i Pioc wynika spra-
maksymalna 11max = 1/16 = 6,25%. ten ma dwie cechy charak-
terystyczne:
- przez tranzystor nigdy nie jest równy zeru;
- moc pobierana przez jest i od wysterowa-
nia.
to charakterystyczne cechy pracy wzmacniaczy w klasie A.
s········
········:,
......
..... ...r..-·····
,;..~x'.:;{..;:~;:~ ·-..>>~"%:-m..~ ..-·····~····~·--:-...........
................
.............,.=-····
I~17.2.Komplementarne
wtormk1
em1terowe
H:%
t.,r,,,i,i,:;,;.;.;.;.;.;.;.
;.;.;,:,;~::;_.;:,.~;;;:"._.;~;!(?;:::•::::;!;<;!;0;0;:;.;
....-: •''' •'' ' ''' "W"( U U ":':'•':';',','W '• ••••• ·w~:.
:..::::.~\::.w;:;:~~~$:.Y'""'''
.. ~~..,..,., ' .,.,,·,,,·,,·,,,·,,·,,·,,·,,,i,1,1,1,1,1,1,1,i,1,1,1,,,
.,.
We wtórniku emiterowym z rys. 17.1 moc ograniczona wsku-

tek tego, przez tranzystor RE tylko ograniczony
wy. Znacznie moc i
rezystor RE drugim wtórnikiem emiterowym, jak na rys. 17.2.
Wzmocnienie ku ;:::j 1
Wzmocnienie k1 f1
Uzz Moc przy wysterowaniu przebiegiem
. .
smuso1dalnym PL= --
u:z
2RL
przy wysterowaniu przebiegiem
p
= _ L_ = 78,5%
sinusoidalnym 1'/max
P,.,
Maksymalna moc tracona w tranzystorze
- Uzz Pdlnl = Pdi> .,2 = --;-

R = 0,2P L
u;,z
1t L
Rys. 17.2. Komplementarny wtórnik emiterowy

17.2.1.Komplementarne
wtórniki
emiterowe
w klasieB
Przy dodatnich tranzystor T 1 pracuje jako wtórnik

emiterowy, a tranzystor T2 jest zablokowany; przy ujemnych wej-
jest odwrotnie. Tranzystory na co okre-
su. Tego rodzaju praca nosi pracy w klasie B w przeciwsob-
nym. Dla uwE = O oba tranzystory nie Dlatego nie pobiera
spoczynkowego. pobierany ze dodatniego albo
ujemnego zasilania jest równy
pozwala ma znacznie
normalny wtórnik emiterowy. stanowi to,
w zakresie ± Uzz przy po-
tranzystory nie
ciem a jest równa baza-emiter aktualnie
tranzystora. Przy zmianie zmienia ona niewiele.
Dlatego uwy uwE, od
Moc jest odwrotnie proporcjonalna do RL i nie ma ekstre-
mum. W tym nie istnieje problem dopasowania mocowego. Maksy-
malna moc jest raczej przez dopuszczalne szczy-
towe i moc strat tranzystorów. Przy sinusoidalnym wy-
sterowaniu moc
Obliczymy teraz moc strat Pdissl w tranzystorze T1 ; ze na

moc strat w tranzystorze T 2 jest taka sama.
Pdiss1 = TI f
T/2
[Uzz - Uwy(t)]~UwxU)
R-=-
L..:_c.....
dt
o
Dla Uwy= Uwymsinwt otrzymamy
p. =-1-(UwymUzz _ U':,Y!JL)
d1ss1 RL 1t 4
wynosi
Jest ona proporcjonalna do amplitudy na i przy wystero-

waniu (Uwym= Uzz) 11max = 78,5%.
17.2. KOMPLEMENTARNE WTÓRNIKI EMJTEROWE 539
Moc strat w tranzystorach maksimum nie przy wystero-
waniu, lecz przy
2
Uwym= - Uzz 0,64Uzz
1t
Otrzymuje to ze
dPdissl =O
dUwym
Maksymalna moc strat w jednym tranzystorze jest w tym przypadku
1 U]z U]z
pdissmax = 2 -R O,I - R
1t L L
Przebieg mocy mocy strat i mocy w funkcji wysterowa-

nia przedstawiono na rys. 17.3. moc pobierana
Uzz · Uzz
ptot = 2Pdissl + p L = 2 - R Uwym 0,64 - R Uwym
1t L L
jest proporcjonalna do amplitudy na Jest to cecha pracy w klasie B.
(i~,
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
o,1
O O,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 O,7 0,8 0,9 1,0 Uwgm
Uzz
Rys. 173 . mocy w komplementarnym wtórniku emiterowym w od amplitudy
Jak wspomniano, w z rys. 17.2 przewodzi tyl-

ko jeden tranzystor. Jest tak jednak tylko wtedy, kiedy
jest w porównaniu z fr zastosowanego tranzys-
tora. Na ze stanu przewodzenia do zatkania tranzystor potrzebuje
bowiem pewnego czasu. okres jest mniejszy

od tego czasu, oba tranzystory Ze
+ Uzz i - Uzz przez oba tranzystory bardzo wsku-
tek czego ulegnie uszkodzeniu . Drgania o takich krytycznych
samoistnie we wzmacniaczu z ujemnym
zwrotnym, a przy wtórnika
emiterowego. W celu zabezpieczenia tranzystorów ograni-
czenie
17.2.2.Komplementarne
wtórniki
emiterowe
w klasieAB
Na rysunku 17.4 przedstawiono Uwy = uwy(uwE)

dla przypadku pracy przeciwsobnej w klasie B takiego jaki omówili-
poprzednio . W zera tranzystora jest
a rezystancja Dlatego w tym zakresie
pod zmienia mniej z tym
Il.wy
U.wy
U W(;
Rys. 17.4. pr zy pracy Rys. 17.5. przy pracy

przeciwsobnej w klasie B przeciwsobnej w klasie AB
przez tranzystory niewielki spoczynkowy, zmniejsza

ich rezystancja w zera i otrzymuje
na rys. 17.5. z niej, w takim przypadku
znacznie mniejsze. narysowane charakterystyki dynamicz-
ne poszczególnych wtórników emiterowych. przyjmie spoczyn-
kowy tak jak maksymalny tego rodzaju
przez do opisanego w p. 17.1
w klasie A.
jednak znacznie przy
spoczynkowym niewielkim maksymalnego
wego. Taki rodzaj pracy nosi pracy przeciwsobnej w klasie AB. Znie-
przy pracy przeciwsobnej w klasie AB tak za
= ···~· ·····" ""<w m •,•,
•,·,·····
···············'•'•'' ··········,···,
•,•,•,•
,.•e,. mw..- •···,·· .,.,.,.,.,
......
..w, .•.•.o.. v .•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,.,.,, , ·.w < •• = """ .. •=--
17.2. KOMPLEM ENTARNE WTÓRNIKI EMITEROWE 541
ujemnego zwrotnego je do pomi-
jalnych
Dodatkowe wówczas, gdy do-
datnie i ujemne wzmacniane w sposób. Przypadek ten wtedy ,
kiedy komplementarne wtórniki emiterowe sterowane ze o du-
impedancji, a tranzystory wzmocnienia
go. nie zastosowano silnego ujemnego zwrotnego,
tranzystory o jednakowych wzmocnienia
Na rysunku 17.6 przedstawiono podstawowy w klasie
AB. Dla uzyskania niewielkiego spoczynkowego bazy
tranzystorów T1 i T 2 jest ok . 1,4 V.
U1 i U2 sobie równe, to spoczynkowe na jest
w równe spoczynkowemu na
polaryzacji w sposób poka-
zany na rys. 17.7 za tylko jednego U3 = U1 + U2 .
W tym przypadku a
ok. 0,7 V.
Podstawowym problemem przy pracy w klasie AB jest utrzymanie
spoczynkowego w szerokim zakresie temperatur. Przy nagrze-
waniu tranzystorów spoczynkowy to do dal-
szego wzrostu temperatury tranzystorów i w do ich uszkodzenia. Zjawi-
sko to nosi termicznego dodatniego zwrotnego .
Wzrostowi spoczynkowego
U1 i U2 o 2 mV na wzrostu temperatury. W tym celu
diody lub termistory umieszczone na radiatorach tranzystorów mocy.
Kompensacja temperaturowa nie jest jednak nigdy prze-
tranzystora mocy a elementem wy-
znaczne temperatur. Dlatego jest dodatkowa stabili-
zacja, np . za rezystancji R 1 i R 2 ujemnego
zwrotnego. to jest tym silniejsze, im jest rezystan -
Rys. 17.6. Polaryzacja w klasie AB Rys. 17.7. Polaryzacja w klasie AB

za dwu pomocniczych za jednego pomocniczego
--m. •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•m ,•,•m ., v .~ , =· ~--~= ~ -wwwm,-.• ,•,·,·········,•,,,,•,•,•,•,•,•,•.•.•.,.,.,.,.,......." ,.._._,_wm= w- - _......-, ..,=
542 17. WZMACN IACZE MOCY

cji. Rezystory te jednak szeregowo z wskutek czego
moc Dlatego ich musi znacznie mniej-
sza od rezystancji W przypadku stosowania Darlingtona
kompromisu tego jak to zostanie pokazane w p. 17.3.
17.2.3.Wytwarzanie polaryzacji
z wytwarzania polaryzacji pokazano na
rys. 17.8. Na diodach D 1 i D 2 spadki U1 = U2 0,7 V. Przy
takich przez tranzystory T 1 i T 2 niewielki spoczynkowy.
Dla uzyskania rezystancji diody wtórnika -
mi emiterowymi. Otrzymuje w ten sposób przedstawiony na rys. 17.9.
Tz
Rys. 17.8. Polaryzacja Rys. 17.9. Polaryzacja

za diod za tranzystorów
na polaryzacji i
czynnika temperaturowego w szerokich granicach pokazano na rys. 17.10.
Tranzystor T 3 jest ujemnym zwrotnym zrealizowanym za
dzielnika R 5 i R 6 . Przy bazy jego
kolektor-emiter
Dla uzyskania temperaturowego, zamiast rezys-

tancji R 5 stosuje termistor o ujemnym
czynniku temperaturowym, któ ry jest umieszczony na radiatorze. W ten spo-
sób spoczynkowego od temperatury,
,w,·,······
········
······,wu,,·=--- --.--,•.-" '"'~'""'"""""' ·'·~====-w .·.•.·.·.•.w.•.•,•,•,•,•
,•,•,•,v,·.········w········,,·,···
· ··"w.w,·,,,,..., ..,.,.......
, ..,...........
..............
,
17.2. KOMPLEMENTARNE WTÓRNIKIEMITEROWE 543
mimo temperatura obudowy jest znacznie od temperatury
tranzystorów
W opisanych polaryzacji bazy tranzystorów wyj-
musi dostarczony przez 11 musi przy
tym maksymalny bazy tranzystorów T1 i T2 , aby diody D 1
i D 2 lub tranzystory T3 i T4 nie zablokowan e przed
go wysterowania. Z tego rezystorami
nie korzystne, wtedy ze wzrostem wysterowania.
Rys. 17.10. Wytwarzanie Rys. 17.11. Polaryzacja za

polaryzacji o dowolnie wybie- tranzystorów polowych
ranym temperaturowym
Najbardziej korzystny jest taki który przy wy-

sterowaniu bazy. taki jest przedsta-
wiony na rys. 17.11. Tranzystory polowe T3 i T4 jako wtórniki
we. Wskutek ujemnego zwrotnego ich
ustala na poziomie 1,4 V. do tego tranzystory polowe
drenu IDss·
::f' ·efX~{:%:r
~: ::.::~····
·:·:·:·:·:·:·:·:·
:·:·:·:·:·:·:·:·:·
:···:·
:·:·:·:·····:·.';'•'"' ('•'::d·•'i.'i:·?~Xt·:·:·:·:·:·
··:·:·:·:·:·:·:·:·:·
:•:•:•:•:,:-:,:,:,::.
,' ,:, ..........
•.•.•.•
,•
:lil!l 17.3.Wzmacniacze tf:f::

z komplementarnymi f
L "'"'~~
Opisane dotychczas otrzymanie do kil-
-,,,,",,_,IL
kuset mA . tego przez zastosowanie tranzys-
torów o wzmocnienia lub, co jest
sze w praktyce, Darlingtona. te i ich parametry
w punkcie 4.7.
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.,,.,N,V...,..,...N'>N'<V,','.-.-.v,,, ...... ._._._._._
...... ,, ........ ._._,, ,,,,,,,,•,•,•,•.•.•.•.•.•.•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•••••••••••••••••••••••.-.-.-.
•.••.,._ ,._.,..._.........___ ._..,..... , ... ,.,•,••••••••••••
•••••,
•,••-.••v_.,._.
..........._.,._._.....,........._..._._
.,,,'o,,•,•,•,•,•,•••,•,•,•,

Na rysunku 17.12 pokazano podstawowy wzmacniacza mocy
z Darlingtona (T 1 i T{ oraz T 2 i T~). W przypadku pracy przeciwsob-
nej w klasie AB ustalenie spoczynkowego pewne
trzeba cztery baza-emiter od tempera -
tury. Jest nieco lepiej, spoczynkowy tylko przez tranzysto-
ry T1 i T2 stopnia W tym celu dobiera takie polaryzacji
by na rezystorach R 1 i R 2 spadki po ok. 0,4 V, czyli
U1 2(0,4 V+ 0,7 V)= 2,2 V. Tranzystory w stanie spo-
czynkowym pewnie zatkane, nawet przy temperaturach ich
+ +
r.,
Tf
R1
UwEt Rz
tuwy UwEt tuwr
1 Tz 1 1 1
T2
Rys. 17.12. Wzmacniacz z komplementarnymi Rys. 17.13. Quasi-komplementarny wzmacniacz

Darlinglona z Darlingtona
Przy baza-emiter tranzystorów

wzrasta do ok. 0,8 V. przez rezystory R 1 i R 2
co równy podwójnej spoczynkowego. Dlatego
przy silnym wysterowaniu emiterów tranzystorów
cych stanowi baz tranzystorów Rezystory R 1 i R 2
odprowadzenie zgromadzonego na bazach tranzystorów wyj-
Im mniejsza jest rezystancja R 1 i R 2 , tym szybciej tranzystory te
tranzystorów ma istotne zna-
czenie, przy zmianie znaku jeden z tranzystorów
zanim drugi zablokowany. Wskutek tego,
jak wspomniano w p. 17.2.1, przez
i uszkodzenie tranzystorów wskutek przebicia
wtórnego. Zjawisko tranzystorów decyduje o
galnej pasma stopnia
w stopniu chcemy tranzystory mocy takie-
go samego typu przewodnictwa , to Darlingtona T2 i T~ z rys. 17.2
musimy Darliogtona z tranzystorami przeciwstawnymi, opi-
sanym w p . 4.7. Tak nosi quasi-komplementarnego
wzmacniacza mocy. Jest on przedstawiony na rys. 17.13. W celu zapewnienia
17.3. WZMACNIAC ZE Z KOMPLEMENTARNYMI DARLINGTON A 545

takich samych warunków dla spoczynkowego, jak w poprzednim
spadek na rezystorze R 1
ok . 0,4 V. W tym celu U1 musi 0,4 V + 2 · 0,7 V = 1,8 V.
spoczynkowy przez T 2 i R 2 do ujemnego zasilania.
Dobieramy R 2 = R 1 i otrzymujemy polaryzacji tranzystora
r; równe 0,4 V. Rola rezystorów R 1 i R 2 jest taka sama, jak w poprzed -
nim (odprowadzanie z baz).
Omówiony jest w postaci monolitycznego u scalo-
nego. Typ TDA 1420 firmy SGS dostarcza maksymalnego
równego 3 A. Dopuszczalna moc strat wynosi 30 W przy temperaturze obudo-
wy równej 60°C. Typ L 149 firmy SGS ma dodatkowe
które nie zostanie przekroczony obszar pracy dozwolonej .
Tranzystory polowe mocy MOS znacznie szybsze od bipolarnych tranzys-

torów mocy . O ile czasy bipolarnych tranzystorów mocy
100 ns ... 1 µs, o tyle dla tranzystorów mocy MOS w zakresie
10 ns ... 100 ns . Dlatego tranzystory mocy MOS do pracy w stop-
niach przy 100 kHz do 1 MHz.
Tranzystory polowe mocy dren-bramka i bram-
które kilkaset pF. Dlatego tranzystory te powinny
w wtórnika Nie wówczas efekt Mil-
lera, a wskutek ujemnego zwrotnego ule-
ga silnej redukcji.
Podstawowy komplementarnego wtórnika jest przed-
stawiony na rys. 17.14. Dwa pomocniczego U1 tak jak
w przypadku tranzystorów bipolarnych z rys. 17.6, do ustalenia wymaganego
spoczynkowego .
Rys. 17.14. Zasada komplementarnego wtórnika

,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,w o""'"""~=,

Dla U1 = UP nie jeszcze spoczynkowy; pracuje w kla-
sie B. Dla utrzymania dopuszcza
jednak z pewien spoczynkowy, U1 > Up.
du spoczynkowego jest stabilizowana ujemnym zwrot-
nym przez rezystancje R 1 i R 2 . Z charakterystyki tranzystora polowego MOS
otrzymuje na U1
znacznie w przypadku tranzystorów

bipolarnych, progowe tranzystorów MOS mocy w za-
kresie od 1 ... 4 V. Prosta uzyskania wymaganego pola-
ryzacji polega na wtórników emiterowych T3 i T4 na
rys. 17.9 wtórnikami w ten sposób jest przed-
stawiony na rys. 17.15. Tranzystor T3 dostarcza w tym przypadku
polaryzacji
dla tranzystorów
fumy International Rectifier:
T 1 - IRF 531
T2 - IRF 9531
T3 -IRFD 112
T4 - IRFD 9122
Rys. 17.15. Polaryzacja komplementarnego wtórnika
tranzystory MOS mocy T 3 i T4 wykonane w tym samym

procesie technologicznym co tranzystory mocy T1 , T 2 i takie samo
cie progowe, dla R 1 = R 2 = O otrzymuje maksymalny spoczynkowy
_
I1 -
IDSS1 J
3
IDSS3
Za rezystancji R 1 , R 2 go
17.4. KOMPLEMENTARNE WTÓRNIKI 547

13 , 14 wybiera tak by do
wania wtórnilk:ów z
Do pracy jest potrzebne z zasilania

o co najmniej 1O V od zasilania stopnia w prze-
ciwnym bowiem przypadku maksymalne
o 10 V od zasilania. to niedopuszczalnie ma-
::::::::::::::::::
·:: .. 1m11.,im:
..1.]
17.5. Elektroniczne
ograniczenie
~.it::3;:::t::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::~:m§:::::;::~:r::;:::,m::
~~~~"::$1:'K:;:::~:$.(:~)r,~~'.':ff~::
::~:::::::::::::::::::
.................
Wzmacniacze mocy ze na ich

wo iw Dlatego celowe jest ograniczenie
do maksymalnej za dodatko-
wego regulacji. realizacji na
prostego komplementarnego wtórnika emiterowego z rys. 17.8. Szczególnie
prosty przedstawiono na rys. 17.16. Ograniczenie zaczyna wów-
czas, gdy zaczyna diod D 3 lub D 4 , wtedy nie
spadek na rezystancji R 1 lub R 2 .
R1
D3 iwy
R1
iwy uwEI tUwy
UwEt
D4
Rz tUwy 1.
Rz
j_
j_ 1.
T2 T2
lwr,.,,.x = ±1,4 V/R 1 , 2
Rys. 17.16. Ograniczenie Rys. 17.17. Ograniczenie za

za diod tranzystorów
.......
·,····························"·•"""
"•WWW ____ "'""''''•."''······<··· ·········"······""··
·w"""' =•
548 17. WZMACNlACZE MOCY
Maksymalny wynosi
0,7 V
+
I WYmax--
UD3 - UBEl
--==-- ~ =
Ri-----= R (n3 - I)
1
=- o,; 2
V (n4 - 1)
gdzie n 3 lub n4 diod D3 D4 .

Inna ograniczenia jest pokazana na rys. 17.17.
spadek na rezystancji R 1 albo R 2 przekroczy 0,7 V,
zaczyna odpowiednio T2 albo T 4 , co dalszy wzrost
bazy tranzystora T 1 albo T 2 . Powoduje to ograniczenie maksymalnej
do
albo
r ,...,0,7 V
WYmax"' Rz
Korzystne jest, w tych nie silnie na-

baza-emiter tranzystorów mocy, lecz tylko baza-emiter tranzys -
torów ogranicznika . Rezystory R 3 i R 4 do zabezpieczenia tych tranzys -
torów przed zbyt szczytowymi bazy .
W przypadku zwarcia na przez pól okresu albo przez T1 ,
albo przez T 2 lwYmax, podczas gdy jest równe
zeru. Moc strat w tranzystorach stopnia wynosi wówczas
Jak w porównaniu z wynikami uzyskanymi w punkcie 17.2, jest to war -

w przypadku normalnej pracy. Aby
z rys. 17.16 i 17.17 odporne na zwarcie, to przy dobo-
rze tranzystorów mocy i radiatorów.
Ograniczenie od amplitudy
Projektowania stopnia z zapasem z zabezpie -
czenia zwarciowego tylko rezystan-
cyjne o rezystancji RL. wtedy z faktu,
przy
nie musi wówczas ograniczony do
lwYmax = UwYmaxfRv lecz do od czyli
lwy = Uwy/Rv W tak im przypadku przy zwarciu ( Uwr = O)
odpowiednio
- ···•= •,•.•,•,•,•,•,•,•,w,• .•.•.ss• .w .•.w .•.•.•.•.•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ···················' •' •' •' •' •' •' •' •' ••·•·· •,• •,•,•,• •,•,• ••• ,• •,•,•,•,•,w,•,• ,•.. ""'•www-~ .. ........ .. w,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, •,•,
17.5. ELEKTRONTCZNE OGRANICZENIE 549

W celu granicznej od
tranzystory T3 i T4 na rys. 17.18 tak , by
polaryzacji ze wzrostem do tego rezys-
tory R 5 i R 6 , o znacznie R 3 i R 4 . Przy
otrzymuje wówczas jak
w z rys. 17.17. Przy dodatnich na
rezystancji R 3 powstaje dodatkowy spadek UwyR 3 /R 5 .
Wskutek tego graniczny do
T1
D3
D1
R1
Uw
fi t Uwy
j_ R2 1..
02
R4
04
Tz
0,7 V R3 ,4 Uwr Rys. 17.19. Przebieg

JlWYmax 1-- --R + --R ·--R
1,2 S,6 1.2 i jego granicznych w funkcji
pr zy
Rys. 17.18. Ograniczenie od rezystancyjnym
Dioda D 5 zapobiega wysterowaniu tranzystora T3 dodatnim

przy ujemnych i, tym samym, jego nie-
zamierzonemu przewodzeniu. Dioda D 3 zapobiega przewodzeniu diody kolek-
tor-baza tranzystora T 3 , gdy przy ujemnych na rezys-
tancji R 2 spadek (w przeciwnym przypadku
dodatkowo Analogiczne rozumowanie dotyczy
.......... .,.,,.,.,.,,.,,,,W ,W, '"-'""WWW_WWW_

ograniczenia ujemnych za tranzystora T4 . Wykres
granicznych od przedsta-
wiono na rys. 17.19. Takie zabezpieczenie od umo -
wykorzystanie obszaru pracy dozwolonej tranzystorów mocy.
Dlatego nosi ono ograniczenia obszaru pracy do-
zwolonej SOA (ang. safe operating area). Scalonymi z takim ograni-
czeniem np. ICL 8063 firmy Intersil i LM 391 firmy
National.
17.6. Pracaw czterech

Najostrzejsze ograniczenia dla stopnia mocy wów-
czas, gdy dla dowolnych wymaga gra-
nicznej r;Ymax i 1;Ymax· Wymaganie to istnieje wtedy, kiedy mamy do
czynienia nie z rezystancyjnym, lecz z które
do stopnia mocy. Tego rodzaju np . kon-
densatory, cewki indukcyjne i silniki elektryczne. W takim przypadku
z ograniczenia przedstawionego na rys. 17.16
lub 17.17.
Krytyczny stan pracy tranzystora T2 stopnia otrzymuje
wówczas, gdy przy Uwy = Uwrmax Uzz do-
starcza do równy granicznemu lwrmax· Przez tranzystor
T2 wtedy 1;,Ymaxprzy UcEz 2Uzz· Wydziela w nim
wówczas moc strat P 2 d,ss = 2UzzI;Ymax· Przy 2Uzz tranzys-
torów bipolarnych ze na przebicie wtórne, tylko
mocy dopuszczalnej. Dlatego istnieje po-
kilku tranzystorów mocy lub , lepiej, zastosowania tranzystorów mocy
MOS, które nie przebicia wtórnego.
zmniejszenia na tranzystorach stopnia
do polowy przedstawiono na rys. 17.20. Podstawowa idea polega na sterowa-
niu kolektorów T1 i T 2 Dla dodatnich
otrzymuje
u 1 = UwE+ 0,7 V +3 V - 0,7 V - 0,7 V = uwE + 2,3 V
Tranzystor T 1 pracuje z poza obszarem nasycenia.

Przy ujemnych dioda D 3 przejmuje
wy i mamy u1 = - 0,7 V. zmaleje do
UwE= UwEmin Uzz, to spadek na tranzystorze T1 wyniesie tylko
UcElmax Uzz· Maksymalne na tranzystorze T3 nie jest
ono dla uwE = O i wynosi UcEJmax Uzz· Maksymalna
moc strat w tranzystorach T 1 i T 2 wynosi P max= Do
17.6. PRACA W CZTER ECH 551

zostaje zmniejszone nie tylko maksymalne kolektor -emiter, lecz
moc strat. Ze na odpowiednie dla
ujemnej polówki z tranzystorami T2 , T4 analogiczne. Wykres
u1 i u 2 od UwE przedstawiono na rys. 17.21.
01
Rys. 17.20. Przeciwsobny mocy Rys. 17.21. Przebiegi

do pracy w czterech wego i pomocniczych u 1 i u 2
w funkcji
17.7. Obliczaniestopnia mocy
W celu nieco bardziej przedstawienia stopnia

wego mocy przeprowadzimy je, dla dla wzmacniacza o mocy 50 W.
schemat wzmacniacza jest przedstawiony na rys. 17.22. Wykorzystano
w nim z rys. 17.12.
Wzmacniacz powinien do o rezystancji RL moc
50 W przy sinusoida lnym przebiegu i Wyliczona
szczytowa wynosi U wym = 22,4 V, a
szczytowy Iwym = 4,48 A. W celu obliczenia zasilania mini-
malny spadek na tranzystorach T~, T 1, T 3 i rezystancji R 3 .
baza-emiter tranzystorów T1 i T~ przy szczytowym musimy
na ok. 2 V. Spadek na rezystorze R 3 jest równy
przewodzenia diody, a ok. 0,7 V. kolektor-emiter tranzystora T3
przy wysterowaniu nie powinno 0,9 V. sto-
zasilany z niestabilizowanego którego
,•••,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•n•,•,,
•,•,•,•,•,•,•,,,•••,...,,.,,,,,,..._._._
.._'"
,.,.,......~----.-....-.-.--.-. ......... ,,,,•,•.•.•.•,,,,,,,,,,,,,,,,,

przy o ok. 3 V. Otrzymujemy
w ten sposób zasilania
Uzz = 22,4 V+ 2 V + 0,7 V + 0,9 V + 3 V = 29 V
+
C1 r--- - -- --.
470p c.l_
....,
R7 I
Rs
10kQ
132.
-:..-- ---1
100 S2 I
c2=l=
4 70pFI
L---+--- - ~
Rys. 17.22. o mocy przebiegu sinusoidalnego 50 W
Ze na ujemne zasilania musi

to podanie wymaganych parametrów granicznych
tranzystorów T{ i r;.
Maksymalne kolektor-emiter przy
wysterowaniu i wynosi Uzz + Uwym= 51,4 V. Wybieramy UcER =
= 60 V. Z
Uiz
pdiss = 0,1
L
z p. 17.2.1 otrzymujemy P 1 ,d,ss = P 2 'di.ss = 17 W. Zgodnie z p. 4.2

dzy strat a ma
9. - 9
p8j = a
Rrhj- c + Rthc-a
Maksymalna temperatura 9j dla tranzystorów krzemowych wynosi 175°C. Tem-
peratura otoczenia w nie powinna 55°C. Przyjmijmy,
rezystancja Rihj-a z radiatora wynosi 4 K/W. Otrzymamy w ten
sposób wymaganie na rezystancji termicznej w postaci
11sc - ss c
0 0
17 W= K
4
+ Rrh j - c
17.7. OBLICZANIE STOPNIA MOCY 553

czyli
3,1 K
Rihj-c = W
Dla tranzystorów mocy jest podawana maksymalna moc strat w kolek-

torze P 25 przy temperaturze obudowy równej 25°C. Rrhj-c i 8,
moc
150 K = 48 W
3,1 K
w
Wzmocnienie wybranych w ten sposób tranzystorów przy ma -
ksymalnym wynosi 30. to dobór tranzystorów
T1 i T 2 . Ich maksymalny kolektorów wynosi
4,48 A = 149 mA
30
takiej jednak tylko przy jest

Przy fu~ 20 kHz wzmocnienie
tranzystorów mocy maleje . Dlatego przy stro-
mym tranzystor przez krótki czas musi
Dla uzyskania
pasma wybieramy Icmax = 1 A. Tr anzystory tej o gra-
nicznej/ T ok . 50 MHz za niezbyt
W punkcie 17.3 jest korzystne w którym
spoczynkowy tylko przez tranzystory i spadek
cia na rezystorach R 1 i R 2 wynosi ok. 400 mV. W na rys . 17.22
do tego trzy diody krzemowe D3 , na których spadek
ok. 2,1 V . Dla zapewnienia wybieramy
spoczynkowy równy ok. 30 mA; otrzymujemy
400 mV
R 1 = R 2 = - -- = 13 O
30 mA
Moc strat w tranzystorach w stanie spoczynkowym wynosi

30 mA· 29 V~ 0,9 W, a przy wysterowaniu 0,75 W.
do tego celu wystarcza tranzystor mocy w obudowie T0-5 z radiatorem.
Przyjmijmy, wzmocnienie tych tranzystorów wynosi 100. Maksy-
malny bazy
1 ( 4,48 A 0,8 V )
max = 100
111 30 + 13 n 2 mA
... .. .w . .. --- -=-~mu u ... v.~'""w .w .•.•....................
................... . .•."'" v..~-===~ u .•.•..... •m,,, ......, .......
.. ·······
·•···········•·•·
··..·ww,. .•.•... .. .....,.•..., .........

przez tranzystory T3 i T4 powinien
w porównaniu z Wybieramy równy ok . 10 mA.
Wtórniki emiterowe do w po-
fr tranzystorów [17.1]. W celu
szeregowym obwodem RC (ok. 1 n, 0,22 µF),
co jednak powoduje zmniejszenie przy
albo dodatkowa, wprowadzenia polega na wyko-
rzystaniu rezystorów szeregowo w obwód bazy tranzystorów ste-
w z kolektor-baza. dobie-
rze jak to pokazano na rys. 17.22, R 7 = R 8 = 100 n, na nich
spadek mniejszy 0,2 V. Spowoduje to tylko nieznaczne
zmniejszenie zakresu wysterowania.
17.8. (przedwzmacn
iacze)
W opisanych wzmacniaczach mocy, w punktu zerowego,

mniejsze lub je w znacznym stopniu
za ujemnego zwrotnego. W tym celu przed
stopniem
(przedwzmacniacz) i obejmuje obie ujemnym zwrot-
nym. z prostszych realizacji przedstawiono na rys. 17.23.
+ +
R3 R3
T7 T3
+ Ic6
Ic6 R1
Ts
R2 juwy
j_
R6
Rys. 17.23. Prosty przedwzmacniacz
jest sterowany ze T3 , które wraz

z tranzystorem T7 tworzy wtórnik dla ic6 • Wzmacniacz
cowy T5 , T 6 wzmacnia do wymaganego poziomu. Jego rezystancja
N,- ····= , ,•,•,•,•,w.·.···· ·•·'~"~" .w .•.wu ,wu .•,•,•,•,•,•,•,•,.,
.,.,.,,,,, ·,•••• ,•,w~-- - ··w ,w.•. •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
.,•,.,, .,,.,,,., • .," .. ._.,,'hWWW-hWm . # , WW""W•,
17.8. (PRZEDW ZMACNIACZE) 555

jest stosunkowo tworzy rezystancji
T3 i T4 i rezystancji wtórników
emiterowych T1 , T 2 . jest ujemnego zwrotnego
za rezystorów R 7 , R 8 • Wzmocnienie wynosi kuf=
= 1 + R 7 /R 8 . Aby wzmocnienie w
zwrotnego, nie zbyt kuf· Stosowane w praktyce
5 ... 30.
chcemy tylko zmienne, punktu zero-
wego szeregowo z R 1 kondensator
Powoduje to wzmocnienia dla do rów-
nej 1. Wedle tej zasady pracuje scalonych wzmacniaczy mocy, jak
np. wzmacniacz TDA 2002 firmy SGS.
Przedwzmacniaczszerokopasmowy
pasma (przedwzmacniacza)
na przez przeciwne wysterowanie T 3 i T4
cych w ze Otrzymuje wówczas pokazany na
rys. 17.24, do szerokopasmowego wzmacniacza operacyjnego
z rys. 16.16. jednak we wzmacniaczu mocy nie jest potrzebne
tu przeciwsobnego wzmacniacza za-
przeciwsobnym stopniem wzmacniacza operacyjnego.
Stabilizuje on spoczynkowe zgodnie z na
rys. 16.21. zachowuje jak wzmacniacz operacyjny,
+ +
Uwf! 01
..1 Ic2
Rio Ra
C1
T4
Rys. 17.24. Szerokopasmowy wzmacniacz mocy

ujemnym zwrotnym za rezystorów R 15 i R 16 . Jego
wzmocnienie wynosi kuf = -R 16 /R 15 .
Przy projektowaniu najpierw kolek-
torów tranzystorów T3 ••• T 6 ; wybierzmy o 1OmA. Przez rezys-
tory R 3 i R 4 musi wtedy 20 mA. Spadek na tych rezys-
torach wynosi 1,4 V . Mamy wówczas
1,4 V
R3 = R4 = 20 mA = 1,5 k.Q
spoczynkowe na jest przez niezrównowa-

stopnia i w zera. Dlatego w stanie spoczyn -
kowym przez rezystory R 11 i R 12 nie praktycznie
kolektorów tranzystorów T 5 i T 6 przez rezystory R 9 i R 10 .
Przy zasilania ± 15 V
15 V
R 9 = R 10 10 mA = 1,5 kO
Dla maksymalnego wysterowa nia

T3 i T4 kolektorów tranzystorów T 5 i T 6 od O do
20 mA. te powinno przy wysterowaniu wzmac-
niacza operacyjnego. rezysta ncji R 11 i R 12
10 V = l kr.
R11 = R 12 10 mA
Wzmacniacz operacyjny WO pracuje w integratora. temu jego

wzmocnienie od doboru elementów Elementy te dobiera
tak, by wzmocnienie znacznie mniejsze od wzmocnienia wzmacniacza
z zwrotnego . dobieramy np. R 14 = 10 kO
i C4 = 160 pF, wzmocn ienie dla/ = 100 kHz spadnie do równej l.
filtru górnoprzepustowego C3 R 13 w torze wiel-
kiej dobiera np . 1 kHz .
wzmocnienie za rezystancji R 15
i R 16 na 1 a 10. wzmocnienia nie zalecane ,
wzmocnienie w wzmocnie n ia zwrotnego w torze wiel-
kiej wtedy za Wzmocni~nie toru wielkiej
z zwrotnego za rezys -
torów R 7 i R 8 . Ustawia je tak , by dynamicz-
ne Wystarcza przy tym standardowa korekcja charakterystyki
wzmacniacza operacyjnego . Dla w zakresie
bardzo wielkich (VHF) konieczne szeregowe
rezystorów do obwodów baz poszczególnych tranzystorów [17.1].
•- ···-· ·····"' ·""" ·"·'"=-=,w .,=~--""""°m,.-=-""'"' "·"·"·" ··-·,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,·
·······-'""•"""'"'~-- ·····'·""··········-·,·,·,·,w,•,,,v,•,•,·•······•·'·'···
l 7.8. (PRZEDWZMACNIACZE) 557
I t7.9.
i;:,:.:~~::::::::::
.::::::::::::::::.~:::::
.:::::::=~:
.~: ~X'.'S>?'t=~:1v.~~<-:;fa~h
J:::::
::::
:::::::::::
.::::::;:;:;:;:::
;::::
:::-.::..:Y':~l?:":"::~::
:::::
.::::::
scalonego
I wzmacmacza
operacyJnego
;'.;'.;'.;
.:·:·
:·:·:
•~ ~-wx.-:::*:*~•:::::?.::,~··~···········
········
••:•,
.,••.•.•.•.
,.,./:;:;:;r.
r:mmma:~ ;:,:,:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·:·•':·:<·•
·:·•·•·•·•·•·•·•·•·•·
)*»:<:t,.••.••.•.
,.,.;.,•=·:·=·•·•·•·•·:·:·:·:·•·;:;'.;:;:;:;'.;:;:;'.;
'.;'.;::'.:
'.:'.:'.:·:·:·········
··
scalonych wzmacniaczy operacyjnych jest normalnie ograni-

czony do maksymalnie 20 mA. Istnieje jednak wiele
w których bez
10 razy. Do tego celu opisane
stopnie mocy .
Przy przeciw-
sobny wtórnik emiterowy w klasie B. Wskutek zmian
na wzmacniacza operacyjnego , mimo ujemnego
zwrotnego jednak dostrzegalne je
znacznie rezystor R 1 w sposób pokazany na rys. 17.25.
Rezystor ten w zera bocznikuje wtórników emiterowych.
zmian na ulega w ten sposób zmniejszeniu z
do (I + R 1 /Ri) razy od narastania
cia
Rys. 17.25. Wzmacniacz z komple- Rys. 17.26. Wzmacniacz z komple-

mentarnymi wtórnikami emiterowymi mentarnymi ze wspólnym emiterem
z rys. 17.26 ma takie same jak poprzedni. Tranzystory

stopnia tu jednak sterowane ze zasilania wzma-
cniacza operacyjnego. temu tranzystory wzmacniacza ope-
racyjnego dwa komplementarne Darlingtona , przyjmiemy
R 2 = O.
Przy oba tranzystory T1 i T 2 stopnia
zablokowane. dostarcza wtedy wzmac-
niacz operacyjny. Przy tranzystory T1 i T 2
i
wzmacniacza operacyjnego jest ograniczony do ok.
0,7 V/R 1 .
558
.........
.....,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
17. WZMACNIACZB MOCY
,,,.,•,•,• ••.: ,•• " ......................,.,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.........
, ..,.,•,•,•,•,•• ••..- -.-. ___
..................
w stosunku do poprzedniego jest to, spoczyn-
kowy zasilania wzmacniacza operacyjnego powoduje powstanie spadku
baza-emiter tranzystorów stopnia
Rezystory R 1 dobiera tak, by spadek ten ok. 400 mV.
temu obszar zostaje silnie
zmniejszony bez spoczynkowego tranzystorów stopnia wyj-
którego stabilizacja po dodatkowe
Za dzielnika R2 , R3 dodatkowo
wzmocnienie stopnia o 1 + R 2/R 3 . to
szenie zakresu wysterowania wzmacniacza; zakres wysterowania jest wtedy
mniejszy od zasilania o nasycenia tranzystora T 1
lub T 2 • Oprócz tego takie zmniejsza do
w komplementarnych Darlingtona .
~i I s·
L.-~,_ -
l,,i,,r,,t,,_~,,:,,
_i,,
elektroniczne musi zasilane jednym lub kilkoma

ciami Przy zapotrzebowaniu na stosowanie akumulato-
rów jest nieekonomiczne . wytwarza przez transformowa-
nie i prostowanie sieciowego.Uzyskane w ten sposób jest
obarczone z znacznymi a ponadto jego ulega zmia-
nom przy wahaniach sieci i zmianie Z tego powodu do
jest stabilizator którego zadaniem jest
utrzymanie W dwu punktach omówimy
najpierw wytwarzanie niestabilizowanego a
stabilizacji.
transformatorów
sieciowych
Przy projektowaniu prostowniczych odgrywa rezystancja
r 1 transformatora sieciowego. na podstawie
danych znamionowych uzwojenia wtórnego Une/ >]nef oraz ,\
spadek przy znamionowym. Jest on zdefi-
niowany jako stosunek skutecznych biegu do na-
znamionowego
s =-- Uoef (18.1)

u une/
Wynika na
r.=
Uoef -
-~--~ une/ une/O
= -~--- - Su)
(18.2)
t ]nef !nef
znamionowe jako RN= Une/ ! !nef z równania (18.2)

otrzymujemy
(18.3)
·---- ..................................
,..,,.,.
,.,•,•,•
,•,•,•,•,•
,•,•,••,,•,•,
....
•,
.,.. .....
,.,..............
.=--- ...........
. ...................
.,.,..
560 18.
Zestawienie danych technicznych transformatorów z rdze-
niem zamieszczono w tabl. 18.1, a odpowiednie dane transfor-
matorów z rdzeniem w tabl. 18.2. Transformatory z rdzeniem
trudniejsze do nawijania; wynik.a ich znacznie
cena, szczególnie przy mocach. one jednak kilka godnych uwagi
zalet: ich pole (magnetyczne) rozproszenia jest znacznie mniejsze, z czego wy-
nika mniejszy i mniejsze straty biegu Inne szcze-
w literaturze [18.l, 18.2].
Tablica 18.J. Typowe dane transformatorów z rdzeniem dla pierwotnych

U1 , 1 = 220 V, 50 Hz
Typ rdzenia Moc Liczba Liczba Znormalizo-

znamionowa nik strat zwojów przewodu zwojów wana
boku) Pri uzwojenia uzwojenia uzwojenia przewodu
[mm] [W] s. pierwotnego pierwotnego wtórnego uzwoJerua
Z1 d1 na wolt wtórnego
[mm] Z2/U2,1 d2/JI2,1
[1/Vl
[mm/JA J
M42 4 1,31 47 16 0,09 28,00 0,61
M 55 15 1,20 3671 0,18 14,62 0,62
M 65 33 1,14 1677 0,26 8,68 0,64
M74 55 1,11 1235 0,34 6,24 0,65
M 85a 80 1,09 978 0,42 4,83 0,66
M 85b 105 1,06 655 0,48 3,17 0,67
M 102a 135 1,07 763 0,56 3,72 0,69
M 102b 195 1,05 513 0,69 2,45 0,71
Tablica18.2. Typowe dane tunsformatorów z rdzeniem dla pierwotnych

U1 •f = 220 V, 50 Hz
Moc Wspólczyn- Liczba Liczba Znormalizo-
znamionowa nik strat zwojów zwoj ów zwojów wana
ok. Pri uzwojenia uzwojenia uzwojenia przewodu
D [W] s. pierwotnego pierwotnego wtórnego uzwojenia
[mm) z, di na wolt wtórnego
[mm] Z2/U , •I d 2/J I 2 , 1
[I/V]
[mm/JA J
60 10 1,18 3500 0,15 19,83 0,49

61 20 1, 18 2720 0,18 14,83 0,54
70 30 1,16 2300 0,22 12,33 0,55
80 50 1,15 2140 0,30 11,25 0,56
94 75 1,12 1765 0,36 9,08 0,58
95 100 1,11 1410 0,40 7,08 0,60
100 150 1,09 1100 0,56 5,42 0,61
115 200 1,08 820 0,60 4,00 0,62
120 300 1,07 715 0,71 3,42 0,63
wwwwwwwww------.w .•.•...•.··········
············
·,•,•.•,•,
•,•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•
···----= - •.w .•.,==""•==--- ·
18. l. TRANSFORMATORÓW SIECIOWYCH 561
B :~~:::;::i:::;:;:::::::::
:= "'X1
:=::: f t:::.-81~~»"'::::~::::::::::::::::::
:::::: .:::::::
::::::_::::::::::::
:·
illili 18.2.Prostowniki
sieciow
&::l~:=:=,
:·:·:·:·:·:·:·:·
:::·:·
:·:·:·:·:·:·:::::,:,:,
:,:?Jff:§.1t%~~~'%.'\~$W
:E;·=·=·=·•
·=·=•:·•·:·•·•••••
••·•
·•·=:•
·•·•
:~:
18.2.1.Prostownik
Najprostsza metoda prostowania polega na kondensato ra przez

jak to pokazano na rys. 18.1.
biegu ja/owego Uwro = .JzU0 , 1 - U„
pod Uwr = Uwro ( 1 - J;~)

Maksymalne wsteczne URM= 2.j2 U0 , 1
przewodzenia IPav = lwy
o Szczytowy przewodzenia Ir,,..,= Uwrof.J r ..,RL
N . . . , Utpp = -lwr
Cf
(1- Jr..,
- )
Rr,
2
Minimalne Uwrmrn Uwr - - U,pp
3
Rys. 18.1. Prostownik
nie jest kondensator C zostaje w czasie dodat-

meJ do szczytowej
Uwro = ./2
UoeJ - UF, gdzie UFjest przewodzenia diody. Maksy-
malne wsteczne ma diodzie wówczas, gdy transfor-
matora Zgodnie z wynosi ono
ok. 2.fi, Uoef'
Przy kondensator C przez
RL tak jak nie przewodzi dioda, Dopiero wtedy, kiedy
biegu transformato ra stanie o UF od
u(t}
I
I
I
I I
I I
I I
'/\
I
I
'
I
'I
Rys. 18.2. Przebiegi i w prostowniku j ednopolówkowy m
562 18.
wy3sc10wego,kondensator zostanie ponownie do wyj-
którego od rezystancji transformatora.
Na rysunku 18.2 przedstawiono przebieg w stanie
ustalonym. Ze na stosunku czasu do czasu
silnie maleje przy niewielkim
niu. Z tego powodu opisywany jest zalecany tylko dla
Wyprowadzenie wzorów umieszczonych obok rys. 18.1 podamy
w punkcie, prostownikowi mostkowemu.
18.2.2.Prostownik
mostkowy
Stosunek czasu do czasu kondensatora C
znacznie obie zmiennego .
to w mostkowym pokazanym na rys. 18.3. W czasie
diody ujemny zacisk transformatora z a dodatni z Ma-
ksymalne wsteczne jest w równe biegu
wzorem
(18.4)
Maksymalne wsteczne jest o mniejsze w prostowniku
biegujalowego Uwyo = / i.U 0 •1 - 2Up
pod Uwv = Uwro ( 1 - J 2

~L )
Maksymalne wsteczne UR...,= J 2u 0• 1

1
------o+ iwr
Szczytowy
ly...,= Uwvof J2r 1R 1,
przewodzenia lp 00 = - lwy
przewodzenia
2
N . . U,,,,, = --lwy
. .
2C f
(l- :/·-- 2RL
ri )
2
Minimalne wyj.friowe UwYmin Uwy - - u,pp
3
Moc znamionowa transformatora P.,, = (1,2 ... 2) Uwrlwr
Rys. 18.3. Prostownik mostkowy
W celu obliczenia spadku pod najpierw ,

kondensator C ma
uwy jest wtedy oznaczymy je symbolem Uwr· Im bardziej wyj-
spadnie wskutek tym staje czas .
•-. • •w. .. . ......... www- ............. ......... . ....... .............,.,.,,,,,,,.,,,,,.,,,,,, .•,....... ..... ....... , •.,.•.,.,.,.,.,..,.,.,., .. ........ ....... -- ...... ........ = ......................
.........................•.•,•,•..........
,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•
..,
18.2. PROSTOWNIKI SIECIOWE 563
Stan równowagi wówczas, gdy doprowadzony jest równy
odprowadzonemu . Otrzymuje
Uwy = Uwro(I -Rf) (18.5)
gdzie RL = Uwrflwy jest Wyprowadzenie tego wzoru

wymaga (z zastosowaniem aproksymacji przebiegu sinusoi-
dalnego parabol), które tutaj Jak z porówna-
nia z prostownikiem z rys. 18.3, do wzoru na spadek
cia w przypadku prostownika wchodzi tylko rezys-
tancji transformatora, która jest pod
Do zaprojektowania prostownika jest konieczna znajo-
w nim Zgodnie z zachowania
przewodzenia mostka jest równy wyj-
przewodzenia w niewielkim stopniu od
moc strat jednej diody
W czasie przyjmuje !FM, która

wielokrotnie od
Po równania (18.5)
rezystancja zmiennego ma r;
cy na ma bardzo rezys-
kon ieczne szeregowej rezystan-
cji w celu ograniczenia maksymalnego szczytowego przewodzenia. Na-
to szczególnie w przypadku prostowania na -
sieci. Prostowanie jest pod tym korzystniej-
sze od szczytowa jest razy /2
mniejsza.
skuteczna impulsów jest od ich warto-
Dlatego nie chcemy dopuszczalnej mocy
strat w transformatorze, moc powinna mniejsza od mocy
znamionowej transformatora przy rezystancyjnym.
~m, w,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w,•,•,•,• ,•,w,,·,,·.wN ,w,• ,•,•,•,•,., ·•.~~---=.w,w,•,•,•,•,•...-,•,•,•,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,• ,•,•,•,,• .•.•,, •. . ., ., •.•.w .•.w ., ."' ·"'·-"" '•'•'"W•'• '•'•'•'U,
564 18.
Moc z mocy oddawanej do lwyUwy
i mocy strat prostownika, ok . 2Uplwy· Dlatego moc znamiono -
wa transformatora powinna
(18.6)
gdzie a jest
skutecznej Przy prostowaniu wynosi on
ok. 1,2.
do granicy termicznej podanej wzorem (18.6)
nie jest jednak celowe; transformator,
a. Otrzymuje w ten sposób spraw-
tego wymiary transformatora, któ-
re wybierzemy nawet
zbyt transformator z rdzeniem to i tak nie spowoduje to
wzrostu strat biegu
kondensatora C jest na
Ich na podstawie który
z kondensatora w czasie ti
U - lwytr
tPP - C
Z równania (18.5) otrzymuje w
, ~_!_(1-4~)r
f y2.ii; 2
gdzie T = Ilf jest okresem sieci. Wynika
(18.7)
Szczególnie jest dolna szczytowa

Wynosi ona w
2
UwYmin Uwy - 3 utPP (18.8)
Projektowanie prostowniczego na liczbo-

wym [18.3]. Chcemy zasilacz o minimalnym
UwYmin= 30 V przy lwy = 1 A, z maksymal-
nym UrPP = 3 V. Najpierw z równania (18.8) otrzymujemy
2
Uwy = UwYmin+ 3 utPP = 32 V
---·-----~'-"'------------
---
--we,-,
-,-,-,-,
_____________,_,_,_,_,___
___
._.,.
...,---,----,
--,-,--,-,-,-,
---------------------·-·-·-·-··'-"'-"'--''-"''--
h'"=-- -
]8_2, PROSTOWNIKI SIECIOWE 565
a z równania (18.6) dla a = 1,5 obliczamy moc transformatora
PN= alwy(Uwy + 2Up) = 1,5 A(32 V+ 2 V) = 51 W
Z tablicy 18.2 dobieramy o D = 80 mm. Jego

strat wynosi su = 1,15. Do dalszych jest potrzebna rezy-
stancja transformatora. ona jednak od jeszcze nie znanego
znamionowego . W celu jego obliczenia musimy rów-
nieliniowych (18.3) ... (18.5). wykonuje to przez
jako un ef UwYmin= 30 V.
Z równania (18.3) wynika wtedy
3
n
2
ri -- R N (Su -
1) -- U;et
p (Su -
1) -
. -
( 51
0 V)
W (1>15 - 1) = 2' 65
N
Z (18.4) i (18.5) wynika
Uwy = (J2 Unefsu - 2Up)(1 -;;ff) =

= ( 1-2 · 30 V· 1,15 - 2 V)( 1 - -- 2,65 --n ) "'37 3V
V 2 · 32 V/1 A "' '
jest o ok. 5 V wynosi potrzebna W

nym kroku iteracji zmniejszymy znamionowe transformatora o
i otrzymamy odpowiednio
r; = 1,84 O Uwr = 32,1 V
W ten sposób
Dane transforma tora
Uner= 25 V,
Z tablicy 18.2 teraz dane dla pierwotnego

równego 220 V.
z1 = 2140, d1 = 0,30 mm
1 mm --
z 2 = 11,25 V · 25 V = 281, d2 = 0,56 JA J2 A = 0,79 mm
kondensatora obliczona z równania (18.7)
C= Iwy (1-
2UrPPf
40;)=
y"iR;, 2·3V·50Hz
lA (1 - 4 1,840 )
J2 ·320
2000 µF
~-
...........
............ ..........
....
..................,,,,,,,,,,,,,.,,,.,.,.....,.,.,.,.,.........,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,.,.,
.,.,•,•,•,•,•,· ·····....
··············~·-·.-.·, ~-
........................... ......... .•.,.,...,.,.,.,.,.,.....,.................
..............,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,...,.,.•.• ...........
566 18.
biegu wynosi 39 V. Tyle powinno minimalne
pracy kondensatora. W przypadku transformatorów z
wtórnych obliczenia tak samo. Za PN podsta-
wia moc uzwojenia wtórnego. Moc
stanowi mocy Decydu j e ona o doborze rdzenia i tym samym
o su.
18.2.3. z dzielonym
uzwojeniem
wtórnym
Prostowanie przez
wyprostowanie dwu zmiennych o przeciwnych fazach. Zgodnie z
zrealizowano prostownika z rys . 18.4. Z podanych pod rysun-
kiem parametrów zachowane parametry mostkowe-
go, a ponadto, w okresu tylko przez
(a nie przez dwie, jak w przypadku mostkowego), strata
spowodowana przewodzenia diod jest mniejsza o
iwy f iwy I~
( WY C IUwy
biegu Uwro = /i. U0 , 1 - Up
pod Uwy = UWYo( 1 - J:L) 2

Mahymalne wsteczne URM = 2,J2 U0 , 1
1
przewodzenia IFav =- lwy
2
Szczytowy przewodzenia I„M= UwrofJ2r 1RL
U,pp= I WY (1 - r if2R1, )/2C f

2
Minimalne UwYmln Uwr - - u,pp
3
Rys. 18.4. z dzielonym uzwojeniem Rys. 18.5. z dzielonym uzwojeniem wtórnym

wtórnym transformatora transformatora z dwoma symetrycznymi
rezystancja transformatora jest dwa razy

z uzwojenia jest zaprojektowana na
moc Powoduje to spadku na transformatorze.
Które z tych zjawisk od stosunku do
18.2. PROSTOWNIKI SIECIOWE 567

przewodzenia diody. Przy bardziej
korzystny jest z dzielonym uzwojeniem wtórnym, a przy
ciach - mostkowy.
Podwójny z dzielonym uzwojeniem wtórnym
W z rys. 18.4 nie wykorzystane ujemne
je w drugim z dzielonym uzwojeniem wtórnym
transformatora z odwrotnie diodam i i
ujemne Wykorzystanie tej do wytwarzania dwu na-
symetrycznych masy przedstawiono na rys. 18.5. Potrzebne do
tego cztery diody scalonym mostkowym prostowni-
czym. Moc znamionowa transformatora i tutaj powinna 1,2 ... 2 razy
od mocy
18.3. stabilizatory
Do zasilania elektronicznych jest potrzebne na
o utrzymywanej z 5 ... 10%. Tolerancja ta
powinna zachowana w zakresie zmian sieci,
nia i temperatury. na nie powin-
no kilku miliwoltów. Z tych opisa-
nych dotychczas prostowniczych nie nadaje do zasi-
lania elektronicznych, lecz musi poddane stabilizacji i filtracji
w stabilizatorze
parametry stabilizatora to:
- i jego tolerancja;
- maksymalny i zwarcia;
- minimalny spadek który jest do stabilizacji wyj-
(w katalogach nosi on na i
(dropout voltage) , w skrócie go
- stabilizacji (line
- stabilizacji (load rejection).
18.3.1.Najprostsza
realizacja
Najprostszym stabilizatorem szeregowym jest wtórnik emiterowy, którego ba-
za jest do odniesienia. odniesienia
np. za stabilistora (diody Zenera) z niestabilizowanego
UwB, jak to pokazano na rys. 18.6. Inne
poznamy w punkcie 18.4.
568 18.
Tt Iwr
+ o-- ---, .- -~
u~
) R1
1
wyj.friowe Uwr = URBI' - U88
Rys. 18.6. Stabilizacja Rys. 18.7. Dodatkowy do regulacji

za wtórnika emiterowego
Wskutek ujemnego zwrotnego

ma
zmian przy zmianach obli -

ze wzoru na
rwy= =
gm
=
Dla Ur~ 26 mV prz y lwy= 100 mA rezystancja ma ok .

0,3 n. Wahania redukowane przez
rz stabilistora. Zmiana
od elementów, zmiana stanowi

l ... 10% zmiany
jest potrzebn e o zmiennej wy-
przedst awiony na rys. 18.7, w którym wyj-
jest regulowana potencjometrem P. Aby w istotny sposób nie
rezystan cji rezystancja potencjometru powinna
znacznie mniejsza od rezystancji rbe·
18.3.2.Stabilizatory
o (nienastawne)
Praktyczne stabilizatorów oprócz wzmacniacza

du i odniesienia tranzystor mocy [18.4).
one pokazane na rys. 18.8 ogólny schemat blokowy sca-
lonego stabili zato ra
,,..,,...,...., , ,., ·, , ·,-,H,•,•,•,•,-,•,-,•,·v ,·, ·,'>,,"o..,_.,.,= __ ,,,_.._ , .,,.,., ,, •• ,, .... _www_...,..._ ., , , , ,,,,,,, ·,-.•,•,•,-.•,•,-.•.-. ....,,.._._.,,,,.~ ... .... .. ...,., ___ _
18.3. SfABILIZATORY 569

zrodro
SOA
odniesienia
R
Rys. 18.8. Schemat blokowy scalonego stabilizatora
ogranicznika (blok I) kontroluje spadek na rezys-

torze R do pomiaru Obszar pracy dozwolonej (safe operation
area) tranzystora mocy kontroluje blok SOA (gdy spadek na tranzys-
torze mocy wzrasta, ograniczenie zostaje odpowiednio zmniejszone).
Blok T kontroluje temperatury struktury i w przypadku nadmiernego
jej wzrostu ogranicza Diody
ta która ma Wzma-
cniacz (blok U) utrzymuje tylko
tak jak nie zostanie przekroczona jedna z granicznych.
+ o----- --,.--...-- ---- --...------,

Uw
EJ fD1
1 I
Tt
=t=
I
CK
T3 T4
R3
Rz
+
R7 R1 Uwyi
1
0,6 V
l wrmax= ~
Rys. 18.9. Upro szczony schemat scalonego stabilizatora serii 7800
Praktyczna realizacja scalonego stabilizat ora z serii 7800 jest przedsta-

wiona na rys. 18.9. Wymagania wzmacniacza nie szczegól-
nie wysokie, sam wtórnik emiterowy jest dostatecznie dobrym
stabilizatorem Dlatego do tego celu wystarcza prosty
570 18.
wzmacniacz T3 , T4 , który wraz z Darlingtona T 1 pracuje
jako wzmacniacz operacyjny mocy . Jest on ujemnego
zwrotnego przez dzielnik R 1R 2 ii daje na wzmocnione
odniesienia
Tranzystor T2 do ograniczania gdy wskutek nadmiernego wzrostu

spadek na rezystorze R 3 przekroczy 0,6 V,
T 2 zaczyna i zmniejsza na bazie T1 . Wskutek
zwrotnego przyjmuje spadek
na rezystorze R 3 utrzymuje na poziomie 0,6 V. Jest to równoznac z-
ne ze
lwrmax= 0,6 V/R3
W tym stanie pracy od rezystancji zgod-

nie z równaniem Uwr = lwrmaxRL.
Po maksymalnego w tranzystorze T1 wy-
dziela moc strat
W przypadku zwarcia jest ona znacznie przy normalnej pracy ,

bowiem UcEna tranzystorze T 1 jest wtedy Aby zapobiec
tak znacznemu wzrostowi mocy strat przy zwarciu, ograni-
czenie wraz ze spadkiem W ten sposób po-
wstaje charakterystyka z przedstawiona na
rys. 18.10.
Uwy
lwys Iwrmax lwr

Rys. 18.10. Charakterystyka ze zmiennym ograniczeniem
wzrost mocy strat wskutek wzrostu

cia UwE• co prowadzi do UCE=
= UwE- Uwr· Dob re zabezpieczenie tranzystora T1
przez ograniczenia od

UwE - Uwr· do tego rezystor R 5 i stabilistor D 1 , na rys. 18.9 narysowa-
ne UwE - Uwy jest mniejsza od
regulacji Uz diody D 1 , przez rezystor R 5 nie temu ograni-
czenie nie zmienia i wynosi w tym przypadku 0,6 V/R 3 .
przekroczy Uz, dzielnik R 5 , R 4 powoduje
baza-emiter tranzystora T 2 dodatnim Wskutek
tego tranzystor T2 zaczyna przy odpowiednio mniejszym spadku
na rezystorze R 3 •
Kondensator CK powoduje charakterystyki
do zachowania Jako dodatkowe elementy stabi-
na i stabilizatora z kondensatory
o ok. I 00 nF.
18.3.3.Stabilizatory
o regulowanej (nastawne)
Oprócz stabilizatorów o
stabilizatory nastawne (np. seria 78G). Zrezygnowano w nich z dzielnika na-
R 1R 2 , a za to wyprowadzono wzmacniacza jak t~ pokaza -
no na rys. 18.11. one cztery Za
z dzielnika R 1, R 2 dowolne wyj-
w zakresie UREF 5 V.:::;Uwy < UwE- 3 V.
Uwy = (1+ ;:) U Ru; Uwr = (1+ :: ) UREP; URTil' = 1,25 V

Rys. 18.11. Nastawny stabilizator Rys. 18.12. Nastawny stabilizator
z czterema wyprowadzeniami (seria 78G) z trzema wyprowadzeniami (seria 317)
Nastawne stabilizatory tylko trzy zrea-

z zacisku masy i zasilania wzmacniacza
du do Dla uwidocznienia tej na rys. 18.11 przedstawiono na-
stawny stabilizator serii 78G o czterech zaciskach, a na rys. 18.12
nastawny stabilizator serii 317 o trzech zaciskach. odniesienia
nie jest tu z lecz z wzmacniacza
du. Dlatego wzrasta do takiej przy której na rezy-
572 18.
stancji R 2 spadek równy UREF ·
wzmacniacza operacyjnego jest wtedy równa zeru.
stabilizatora z rys. 18.12 nie bez
nia, nie wtedy zasilania wzmacniacza
Z tego powodu celowy jest dobór rezystancji dzielnika
R 1, R 2 . wybierzemy, np. R 2 = 240 n, przy odniesienia
UREF = 1,25 V 5 mA. Wówczas 100 µA ze
odniesienia nie w sposób spa-
dku na rezystancji R 1 .
18.3.4.Stabilizatoro spadku
Jak na rys. 18.9, stabilizatora
ze spadku 0,6 V na rezystorze R 3 , baza-emiter
Darlingtona równego 1,6 V i minimalnego na I1
ok. 0,3 V. Tak na i wynosi
2,5 V. Stanowi to szczególnie przy stabil izacji wyj-
w przypadku stabilizatora 5 V otrzymuje moc strat wy-
co najmniej 50% mocy do wyrównania
sieci i jest potrzebny jeszcze dodatkowy spadek
otrzymuje jeszcze moc strat . Praktycznie jest ona równa mocy wyj-
Odprowadzenie wiele trud -
Scalone stabi lizatory zabezpieczenie termiczne, które
w przypadku nadmiernego wzrostu temperatury redukuje
Z tego jak
nicowego W z rys. 18.9 to przez zasi-
lanie pomocniczym o kilka woltów od
Takie zastosowano w scalonym stabilizato -
rze LM 396-5.
Prostszy sposób zmniejszenia pole-
ga na zastosowaniu tranzystora mocy pnp, jak to przedstawiono na rys. 18.13.
r,
juwv
1
Rys. 18.13. Stabilizator o spadku
.,._...
,.,.,....
.,.,·
.··=.-. ..,.•.•.•,.........,.•••,•.·,·.-.·.-.-.·.-.-.w=--www==_,....,._..,..,.
•,•,•.- ,..•.•,•.-.·.-.•.-.
•,..,,..•.-.·.•.•,•,•,;,,•,•,•,•,•,•,-.·,·············-"•"•'•'.,.,""'•'•"•'"'"'"'-""'•"N'rrr.r.-M',,..,..v,v.....,.,.,.,,..v.-,r,wr.-rr<','h'r,•,•,•,•,•r,•,
jest równe nasycenia tranzystora
mocy T1 . Przy odpowiednio bazy je na
poziomie 0,5 V.
Dla zapewnienia bazy tranzystora T 1 nie jednak
Darlingtona, to na-
o emiter-baza. Dlatego T 2 pracuje
w ze wspólnym emiterem. Ujemne zwrotne na
rezystorze R 3 ogranicza przy tym maksymalny i
zmniejsza obwodu regulacji do scalone na
tej zasadzie tylko w wersjach o (np.
LM 2940), ze na z wytwarzaniem tranzystorów mocy
pnp w monolitycznych scalonych.
Przy konieczne staje stosowanie dyskretnych tran -
zystorów mocy pnp.
ne w handlu wzmacniacze operacyjne.
R8 = 10 mQ
,-
. 2N 5745
I. .---'----,
I URE,
F
'--..------'
'
L_ 8 14 13
Rs R7 Rz R3
5,6 kQ 3,9 kQ 2,37H2 8,2Q
1W juw)'::sv
l
C2 C1 +
Rs
1kQ ju1 R1
1kQ 47, F 100fF
Uwr = 5 V Maksymalny lwrmax = 10 A

Minimalne wej.friowe UwEmin= 5,5 V zwarcia I wr.w =2A
Minimalny spadek !iUm;,,= 0,5 V
Rys. 18.14. reaUzacji praktycznej stabilizatora o spadku
Szczególnie proste uzyskuje przy scalonego stabili-

zatora UC 3834 firmy Unitrode, zaprojektowanego specjalnie do ta-
kich Jego i elementy z
on z regulatora W0 1 , regulatora W0 2 ,
odniesienia i nie pokazanego na rysunku logicznego do nad-
574 18.
zorowania pracy stabilizatora. Obwód regulacji odpowiada
z rys. 18.13. Wzmacniacz W0 1 stabilizuje tak , by
podzielone na dzielniku R 1 , R 2 równe odnie-
sienia. Przy podanych elementów wynosi 5 V.
W celu nadzorowania mierzony jest spadek na
rezystorze R 8 . zrówna on z ze
U2 , przejmuje wzmacniacz W0 2 i ogranicza do war-
Uwr = UifR 8 . U2 = const, uzyskuje charakterysty-
Przypadek ten ma miejsce np. wtedy, kiedy
sterowanego (wyprowadzenie 4) nie jest
U2 jest wtedy równe 150 mV. Istnieje jednak ustawienia ogranicze-
nia o charakterystyce z pokazanej na rys. 18.10, przez
, zmniejszanie U1 przy spadku
do tego rezystory R 5 do R 7 • Przy znamionowym równym
5 V otrzymuje U1 = 1 V. Wynika maksymalny
1
lwrmax= U2 /R = 10 Ui/R 8 = 100 mV/10 mn = 10 A
Przy zwarciu (Uwr = O) U1 spada do 200 mV; dlatego

zwarcia jest równy 2 A. Kondensatory C1 i C2 do korekcji charakte-
rystyki obwodu regulacji i Kondensator
C1 kompensuje wzrost impedancji spowodowany
spadkiem wzmocnienia w stabilizacji przy
Podobnym LT 1123 firmy LinearTechno-

logy. Wprawdzie jest on nieco mniej uniwersalny, ale znacznie pros-
stabilizatora.
18.3.5.Stabilizatory ujemnych
Opisane stabilizatory wykorzystywane tylko do stabilizacji do-
datnich Za tych samych stabilizatorów
ujemne dysponujemy nieuziemionym
Odpowiedni jest przedstawiony na rys. 18.15.
Nietrudno nie uziemiony jeden
z zacisków niestabilizowanego, wtedy zwarty
albo stabilizator, albo Problem ten np . wtedy,
kiedy stosuje uproszczony do równoczesnego wytwarzania dodat-
niego i ujemnego zasilania, przedstawiony na rys. 18.15. W tym przy-
padku potrzebny jest stabilizator ujemnego jak to pokazano na
rys. 18.16. W scalonych stabilizatorach ujemnych serii 7900 i 337 kom-
plementarnych do serii 7800 i 317, tranzystor mocy pracuje w ze
...,
....,..
...,......
......,..
....,..
....... ....
.............
...
=·.-.v.-,,..s·------~--
. ....
.,..
...
....
........
. ....
......
.. ....................
.N"." .............. .
18.3. STABILIZATORY 575

wspólnym emiterem, wykorzystuje w ten sposób do wy-
twarzania tranzystor npn.
Zasada przedstawionych na rys. 18.17 i 18.18 jest
taka sama jak stabilizatorów o spadku (rys. 18.13). Z tego
powodu scalone stabilizatory ujemnych znacznie na-
im stabilizatory
dodatnich.
Stabilizator
+
C
Stabilizator
dodatniego
j-uw,
+ J dodatniego
Stabilizator
ujemnego
1-uwr
'I
Rys. 18.15. Stabilizacja ujemnego Rys. 18.16. Stabilizacja dwu

symetrycznych masy
1+
I Uwy
~ -{ =]-
R2
- ----<;>
t
Rys. 18.17. Rodzina 7900 Rys. 18.18. Rodzina 337
18.3.6.Symetryzacja
nieuziemionego
W o zasilaniu bateryjnym problem wytworzenia
dwu stabilizowanych, symetrycznych masy zjed-
nego niestabilizowanego, nieuziemionego W tym celu za jed-
nego z opisanych stabilizatorów najpierw o war-
równej sumie obu a to na dwie
w stosunku. Jako dzielnik
cia, którego odczep jest z Takie jest tym lepsze,
im mniejsze rezystancje dzielnika Zmniejszenie rezystancji powo-
_...,.,...,.,.....,v.n,• ,•,•, ,,,n•~---~ -.-.-.-.....,._
._._._._._......_._._._
._._._._._._._._._-...
.._.._._
._.___ ""•' "'"'•'''"'''•"'''"''""''"-'A-....,._..,..,,.,,._.., ,,,,. ,_.,,,._.._,_._.
,,_.,,_.,,_,_._.
,,,•,•,•,•,•,•,•_.,,,,,,_.,,,•,•,•,•,•,•,•,•,._,,,_._.,.,•,
576 18.
duje jednak znaczny wzrost mocy traconej w dzielniku. Dlatego lepiej jest
dzielnik dwoma tranzystorami, z których prze -
wodzi ten, który po mniej stronie. Odpowiedni przed-
stawiono na rys. 18.19.
~- -------- - - - --- ---<>+ scalony:

TLE 2426 Texas Instruments
+ ,.__ _ _ -o'U
zz/2
Uzzl -
J-Uzz
/2
Rys. 18.19. Symetryzacja nieuziemionego
Dzielnik zbudowany z dwu rezystorów R 1 dzieli Uzz na

Rezystory dzielnika rezystancji,
tylko polaryzacji wzmacniacza operacyjnego.
dzielnika ma równy zeru, to Uzz dzieli
w stosunku 1: 1 na dodatnie i ujemne Na wzmac-
niacza operacyjnego porównywane dzielnika z
zerowym, a powoduje taki w aby
porównywanych zero. Ujemne zwrotne jest
realizowane w sposób: dodatniego jest ob-
silniej od ujemnego, to dodatnie maleje. Wskutek
tego maleje na ,, + ". na maleje wów-
czas jeszcze silniej, wobec czego tranzystor T 1 zostaje zablokowany, a T 2 prze-
wodzi. to spadkowi na nieodwraca-
W stanie ustalonym przez tranzystor T 2 ma
oba jednakowo. Oba tranzystory
T1 i T 2 jako stabilizatory przy czym przewo-
dzi tylko jeden z nich.
Przy niewielkiej asymetrii zamiast tranzystorów T 1 i T 2
na wzmacniacza operacyjnego.
W tym celu po prostu wzmacniac,-zaoperacyjnego
z
18.3.7.Stabilizator z dodatkowymi
zaciskami
pomiarowymi
Rezystancja rP przewodów stabilizator z wraz z rezys-
tancjami styków znacznie stabili-
zatora tego przewodów i
do zwrotnego, tzn. dokona pomiaru wyj-
jak odbiornika. Do tego celu zaciski pomia-
,.,., ........... ... w.-·u,• ,•,•r, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•.-.·.-vH ,','•'•'•' "'•'•'•' .....,.,.,,,.,.,.,, ... .,,,,,.,,._. ,.,•,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,.,............ , ... ,. ... ._.,....w,,,...-. •• -.-.-.-.·.--.·.-.·
.-.-.-.........
~- ·-
18.3. STABILIZATORY 577

rowe s+ is
- na rys. 18.20. Rezystancje przewodów pomiarowych nie powo-
w nich
z wykorzystaniem dwu dodatkowych przewodów po -
miarowych za scalonych stabilizatorów
zaciski masy i pomiaru z
do tego np. stabilizatory serii 78G, 79G lub L200.
'
I -
'
I
L_ __ __ ___ _
Rys. 18.20. Stabilizacja na
18.3.8.Zasilaczelaboratoryjne
W opisanych typach stabilizatorów tylko

w zakresie Uwr UREF· Ograniczenie tylko do za-
bezpieczenia stabilizatora i z tego powodu jest ustawione na Imax·
Od zasilacza laboratoryjnego wymaga by jego i
ograniczenia w sposób liniowy od zera do
maksymalnej . o takich przedstawiony jest na
rys. 18.21. Elementem jest wzmacniacz operacyjny
W0 1 jako wzmacniacz
UWY = - RR2 U
REFl
l
jest proporcjonalne do rezystancji rezystora R 2 i UREFl.

z nieuziemionego, niestabilizowanego na-
mocy UL przez Darlingtona T 1 , i rezystor do
pomiaru R 5 z powrotem do Spadek na rezys-
tancji R 5 , proporcjonalny do lwy jest porównywany z dru-
gim odniesienia URu 2 we wzmacniaczu operacyjnym W0 2 ,
cym w
.......,.,.,
.. .................
..,.,.,,..
...........................
....
,,,,,,..............,.,.,.,.,.
,.,.,.,
.,..,,.,,.,,.,.,. ,,.,.,.,..........
....,..,..,.,.,.,....,.,.,...,,.
......
,...,.,
..........................
....
-= ..... ,.......................
.
578 18.
to Un > O. Wskutek tego wzmacniacza W0 2 ma-
i dioda D 2 zostaje zatkana.
W tym stanie pracy nie ma na stabilizacji
R4
IwYgr= RR UREF2
5 3
to Un = O. wzmacniacza W0 2 spada i zaczyna przewo-

dioda D 2 • Wskutek tego maleje na bazach tranzystorów
Darlingtona: zaczyna regulacji
we wzmacniacza W0 1 do maksymalnej i tym samym zapobie-
ga spadkowi zasilacza. Powoduje to zablokowanie diody
D 1 i brak na regulacji
lwy t+ Uwr
Rs
Rys. 18.21. Zasilacz laboratoryjny o regulowanym i ograniczeniu
W zasilaczach, których regulowane od zera,

szczególnie wysokie moce strat. Aby
maksymalne Uwrmax,niestabilizowane ULmusi
Uwrmax·Maksymalna moc strat wydziela na tranzystorze T 1
wówczas, gdy przy pobieramy maksymalny
IwYmax·Moc ta wynosi ok. UwYmaxIWYmax, jest taka sama, jak
maksymalna moc dysponowana na Z tego powodu przy
mocach w stopniach preferowane stabilizatory impulsowe, które
cechuje moc strat przy
18.3.9. scalonych
stabilizatorów
Oprócz stabilizatorów do specjalnych
dwie wielkie rodziny stabilizatorów: 7800 i 317. to w ze-
stawieniu w tabl. 18.3. W obu rodzinach stabilizatory
•.,-,,,....,...,,,._......,.,,.,,._._._
............. ,._...,....,..,..,...,,..,....,.,.,.
,.,V,r.-~-V,V'N'o''r,",-,......,._,,..._..._ ~--.N'-.-.,.,V
..,.,,f,AV. 0.",Vo"ro''ooW -....-.-,~ •. •.•.-H',H' ,',',', •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.••·o ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.-,•,•,•.-.-
,.....
18.'.J.
. STABILIZATORY 579
ujemnych. O ile w serii 7800 stabilizatory nastawne wszy-
stkie stabilizatory 317 nastawne i tylko trzy wyprowadzenia . Nietrud-
no wszystkich typów stabi-
lizatorów wynosi 2 V i Stanowi to szczególnie w przypadku
stabilizatorów 5 V na wtedy moc strat w stabiliza-
Tablica 18.3. Typowe parametry scalonych stabilizatorów
Typ Producent Uwagi

na
Uwr [WYmax
[V] i
przy [WYmax
!:!.U
[V]
Rodzina 7800
7800 I I
7900
Rodzina 317
wielu
wielu
+5 ... +24
- 5 ... - 24
11 A
lA
I 2
1,1
13 wyprowadzenia
3 wyprowadzenia
317 wielu * + 1,2 ... +37 1,5 A 2,3 3 wyprowadzenia

317 HV National *+ 1,2 ... +57 1,5 A 2,3 3 wyprowadzenia
350 wielu *+1,2 ... +32 3A 2,3 3 wyprowadzenia
337 wielu * - 1,2 ... -37 1,5 A 2,3 3 wyprowadzenia
337 HV National *- 1,2 ... -47 1,5 A 2,3 3 wyprowadzenia
333 National *- 1,2 ... -32 3A 2,3 3 wyprowadzenia
spadek
LT1083 Lin.Techn. *+1,3 ... + 25 7A 1,3 3 wyprowadze nia
L4041 SGS +5 IA 0,4 3 wyprowadzenia
L4940 SGS +s ... +12 1,5 A 0,5 3 wyprowadzenia
LM2940 National + 5 ... +10 lA 0,5 3 wyprowadzenia
LM2941 National *+1,3 ... + 25 l A 0,5 5
IM2990 National - 5 ... - 15 lA 0,6 3 wyprowadzenia
LM2991 Nat ional *- 2 ... -25 lA 0,6 5
spoczynkowy
LT1121 Lin.Techn. *+3 ... + 20 150 mA 0,4 spocz. 30 µA
LT1129 Lin.Techn . *+2,8 ... +5 500 mA 0,4 spocz. 50 µA
MAX682 Maxim *+ 2,7 ... + IO 200mA 0,2 spocz. 5µA
LP2951 National *+ 1,3 ... +25 100 mA 0,4 spocz. 75 µA
LP2957 National +5 250 mA 0,4 spocz. 170 µA
specjalne
TL783 Texas Instr. *+ l,3 ... +125 0,5 A 10 U0 =
L200 SGS * + 2,9 ... +36 *0 ... 1,5 A 2 lomax regulowany
LT1183 Lin.Techn. *- 2,5 ... -25 *0 ... 3 A 0,8 /- ~ regulowany
• lub w podanym zakresie za dzielnika
580 18.
torach jest od 40% mocy Dlatego
zasilacza 25%; znaczy to, moc trzykrotnie
od mocy oddawanej do zostaje przetworzona na
jedynie przez zastosowanie stabilizatorów
o Nie one jednak
w postaci scalonych przewidzianych na Przy budowie
z elementów dyskretnych , jak na rys. 18.14, i starannym zaprojekto-
waniu zasilacz 5 V o 50%. Inna
minimalizacji strat polega na zastosowaniu stabilizatorów impulsowych, opi-
sanych w p. 18.5.
1!18.4.Wytwarzanie odniesienia'
1
:::
111:~=~
=~=~=~=l=i~
~~:~~~~~:;:;:~:~:
i%~:i:m:1
:1:~r
=~=i=i=i=~=~=i=~=i=~=~:;:~:;:;:;:~=~=~=~=~=~=i=~=!:1:~:i:l:i:l:l:l:~:l:1:i:l:;:i:!:i~i:i:~~m=1:i:J:::m:
~:fu~~
:~~=i
=~=~~§;~
W stabilizatorze jest odniesienia , z którym
jest porównywane nie
lepsza od odniesienia. Z tego powodu zajmiemy
zagadnieniami z wytwarzaniem odniesienia.
18.4.1. odniesienia
ze stabilizatorami
Najprostsza metoda wytwarzania odniesienia polega na tym, by
w sposób pokazany na rys. 18.22 niestabilizowane
przez szeregowy rezystor na stabilistor. stabilizacji jest
czynnik stabilizacji (line regulation) podawany naj-
w dB. W z rys. 18.22 wynosi on
li Uw E = 1 + .li_ !!:_ = l O... 100

liUREF rz 'z
gdzie rz jest stabilistora w wybranym punkcie pracy.
Jest ona w odwrotnie proporcjona lna do
Dlatego przy zadanym nie poprawy sta-
bilizacji przez rezystancji szeregowej R.
I
+o-- - 0 1--+-- --0+
uwA D fuREF
1 1
Rys. 18.22. Stabilizacja Rys. 18.23. Poprawa stabilizacji
za stabilistora za
18.4. WYTWARZANIE ODNIESIENIA 581

kryterium wyboru diody szumy na
Zenera. Przy one silnie. R dobiera
tak, by przy minimalnym i maksymalnym
jeszcze diody.
Znacznie rezystor R
dowym , jak to pokazano na rys. 18.23. najprostsze jest zastosowa-
nie z tranzystorem polowym jak na rys. 5.9, ma
ono tylko dwa zaciski. W ten sposób stabiliza-
cji do ok. 10 OOO.
>-- - - --o+
tuR
EF
1
Rys. 18.24. Zasilanie stabilistora stabilizowanym
Inna zasilania stabilistora o polega na

go nie do niestabilizowanego lecz do
stabilizowanego Wytwarza w tym celu , w sposób
pokazany na rys. 18.24,
które jest od Zenera Uz. Wówczas przez rezystor R 3

o Iz = (UREF - Uz)/R 3. stabilizacji
ciowej jest w tym przypadku przez
zmian zasilania wzmacniacza operacyjnego (supply voltage ripple rejec-
tion) SVRR = AUzzl AU 0 • Po
A
u.Up= r
Z
+'zR 3 AU
REF
R1
!!.UN= -- - - 1!.UREF
R1 +R2
l!.Uzz = AUwE
wynika
AUwE = SVRR( 'z - Ri R ) ISVRRI Ri ISVRRI

AU REF 7z + R3 R1 + 2 R1 + R2
·--=~,~.,="""" "' " "'•'" •'•'•'•'•'•'•'•'•'•' ''"' •'•'' " •'•'•'•'"•'•'•'"" •'•',w,•,• o•• .. ••«,•oow. ,,.,.,.,.
wm, •,owm ·-~-www,="--==="
582 18.
ok. 10 000. zmiana
go jest mniejsza 10 V, to zmienia o mniej 1 mV.
Znacznie wahania zmiany temperatury.
temperaturowy zmian Zenera w gran icach
± I o- 3 /K . Przy jest on ujemny, a przy dodatni. Jego
typowy przebieg pokazano na rys. 18.25. dla Zenera ok.
6 V jest on najmniejszy. Przy go przez
szeregowe diody spolaryzowane j w kierunku pr zewodzenia . Tego
rodzaju elementy pod diod referencyjnych (reference diodes).
C(
[%./K]
1,0
0,5
o__ ......_
_ __,_,<-- -'- - -'- -- -'-- - -'-- - -
2 10 20 50 1{]0 Uz[ VJ
- 0,5
- 1,0
Rys. 18.25. temperatur owego Zenera lXz = ó Uz/ Uz · 1/M) od

regulacji
stosowane scalone odniesienia jak jednak

na rys. I 8.24 , diody referencyjne. Kilka typów podano w zestawie-
niu w tabl. 18.4 w p. 18.4.3. temperaturowe w tych
nie 10- 6 /K, co 1 ppm /K (part
per
18.4.2. odniesienia nazasadzie

wykorzystania pasmazabronionego
Jako odniesienia w zasadzie
przewodzenia diody lub baza-emiter tranzystora bipolarnego.
czynnik ternpera turo wy - 2 m V/K przy 0,6 V jest jednak
zbyt wysoki. go przez dodanie o
niku temperaturowym równym +2 mV /K.
z rys. 18.26 jest to , o dodatnim
temperaturowym wytwarza za drugiego tranzys-
tora. Tranzys t ory T 1 i T2 z kolektora Ic 2 > lc 1 .
Z charakterystyk otrzymuje wówczas spadek na
rezystancji R 1
Ie2
E = UBE2
11UB - UBEl= Ur ln - -
1ci
,.. . ....... . . ... . , ,,.._......,. . ........... ~.,,.,,, • ..V ... ._ .. VV-.V....,., ._.,._.......,.._._._._._
••._.,._.0. _.,.,-,.,•,•,•,•,•,._.,._._._._._._
._,,. ... ._.,._._V"<"~ ._._www-W A, =-_..._.... _._.,,,,,•,•,'•'•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••'•'•'•'•""'•' •'•'••••••••••••••••••••••••
•••'>'o'.-,',

~-----,...--<.;UwE
Rys. 18.26. odniesienia, w któ - Rys. 18.27. Zasilanie tranzystorów na-

rym wykorzystano pasma zabronionego odniesienia stabilizowanym
Jest on proporcjonalny do Ur, a ze na Ur = kT/q, jest pro-

porcjonal ny do temperatury T. Na rezystorze R 2 wy -
odpowiednio spadek nie
tylko Ic 1 = l:!.Um,R1 , lecz Na wzmacniacza opera-
cyjnego usta la takie Ic 2 = nlc 1 . na rezystorze R 2 jest
opisane wzorem
l:!.UBE
UR2 = R 2Uc1 + Ic2) = R2 Ri (1 +n)=
R2
= Ur -- (1 + n)lnn = ku Ur= UrEMP
R1
n lub R 2 /R 1 ku;
temperaturowy UTEMP · temperaturowy
równy +2 mV/K, wybierzemy ku~ 23, wtedy
dUrEMP = k dU!...=k ..!5:.._=k Ur = 23 . 26 mV= + 2 mV

dT u dT u q u T 300 K K
[18.5] teoretyczna temperaturowego dla tran-

zystora bipolarnego wynosi
dUne = U»E _ UG = _ mV
2
dT T T K
gdzie UG= WG/q = 1,205 V jest przerwy energetycznej dla krzemu .

•v.,,..,.....,..,.,.,.,,..,.,,...
........
,.,•,•,•,•,•
,•,•,•.•
....... ~=·
......................... ····
584 18. UK.LADY
Zgodnie z temperaturowy
go UREF = UTEMP + UBEZ równy zeru, gdy (18.6]
I UREF = kuUT + UBE = Uo = 1,205 V I

W przypadku budowy z rys. 18.26 z elementów dyskretnych naj-
wygodniej jest 10Ic 1 , wówczas R 1 ~Rz.Jako tranzystory T1 i Tz
tranzystorów, np. LM 394.
Budowanie odniesienia z emiter -ba-
za tranzysto rów, na zasadzie wykorzystania pasma za-
bronio nego (bandgap reference), z elementów dyskretnych jest w praktyce sto-
sowane rzadko, na rynku na -
w postaci scalonej (tabl. 18.4 w p. 18.4.3). tran-
zystorów T 1 i Tzw tych uzyskuje niekiedy, zamiast T 1
równolegle kilka tranzystorów (18.7].
na zasadzie wykorzystania
pasma zabronionego, w porównaniu ze z diodami referencyjnymi jest
to, je niskim które w przypadku granicznym
równe tylko przerwy energetycznej U0 1,2 V z diodami
referencyjnymi zasilane co najmniej 6,4 V).
tych pierwszych, jest odniesienia,
zaciski baz tranzystorów z punktem o równym
wzmacniacza operacyjnego, jak to pokazano na rys. 18.27. W tym
przypadku (podobnie jak w z rys. 18.24)
odniesienia stabilizowanym co powodu-
je parametrów.
U TEMP do pomiaru temperatury
jego jest proporcjonalna do temperatury) (patrz p . 26.1.5).
Dlatego w niektórych scalonych jest wyprowadzone na na-
UTEMP = 2 mV/K (np. MAX 873, /875, /876 lub AD 680, /780).
18.4.3. scalonych odniesienia

W tablicy 18.4 zestawiono niektóre popularne odn iesienia.
tolerancje i temperat urowe .
ga je laserowej korekcji odpowiednich rezystancji w trakcie produk-
cji. Podane jednak tylko informacje ogólne, wszy-
stkie oferowane w klasach (18.8).
oznaczone dwójnikami . je tak
jak stabilistory; przez nie nie
równy zeru . Niektóre na wtórnik emite-
rowy i dlatego a Inne
na przeciwsobny wtórnik emiterowy i dlatego

Tablica 18.4. scalonych odn iesienia i ich parametry
Typ Producent Tolerancja
odruesienia [%] temperaturowy
M (ppm/KJ
odniesienia na zasadzie wykorzystania pasma zabronionego
AD589 AD *1,2 1 10 50 µA ... 5 mA
LTC1004-l,2 Lin. Techn. *1,2 0,3 20 10 µA ... 10mA
LM385-1,2 National *1,2 1 20 10 µA ... 20 mA
REF12 Plessey *1,2 I 40 80 µA ... 3 mA
AD680 AD 2,5 0,2 20 O... lO mA
AD780 AD 2,5 0,04 3 - 0,5 ... 20 mA
LT1004-2,5 Lin. Techn. *2,5 0,3 20 10 µA ... 10 mA
MAX872 Maxim 2,5 0,2 20 -0,3 ... 0,3 mA
MAX873 Maxim 2,5 0,05 7 --2 ... 10 mA
LM4040-2,5 National *2,5 1 25 60 µA ... 15 mA
REF25 Plessey *2,5 1 35 60 µA ... 5 mA
TL43I Texas Instr. *2,5 2 30 1 ... 100 mA
REF195 AD 5 0,1 5 0 ... 20 mA
LT1019-5 Lin . Techn. 5 0,05 3 -10 ... lOmA
MAX875 Maxim 5 0,05 7 -2 ... 10 mA
MAX677 Maxim 5 0,01 l -0,5 ... 5 mA
AD584 AD 10 0,2 10 0 ... 10 mA
LT1019- 10 Lin. Techn. 10 0,05 3 - 10 ... lOmA
MAX876 Maxim 10 0,1 7 -2 ... 10 mA
MAX678 Maxim 10 0,01 1 -0,5 ... 5mA
odniesienia ze stabilistorami
LT1027 Lin. Techn . 5 ± lmV 2 - 10 ... 10 mA
AD588 AD 10 ±1 mV 1 -10 ... lOmA
AD688 AD ±10 ±2mV 2 -10 ... lOmA
REF102 BB 10 ± 5mV 2 - 10 ... 10 mA
LT1021-10 Lin.Techn. 10 ± 5mV 2 - 10 ... 10 mA
MAX671 Maxim 10 ±!mV I -10 ... 10 mA
• Dwójnik, pracuje w stabilistora.
Wszystkie stabilizatory i wiele przetworników A/Ci C/A

wbudowane odniesienia, czemu
na ze stosowania osobnego odniesienia.
W opisanych dotychczas zasilaczach ze stabilizatorami szeregowymi o

niu straty mocy w trzech elementach: transformato -
rze sieciowym, prostowniku i tranzystorze szeregowym stabilizatora. Spraw-
586 18.
1'/równa stosunkowi mocy oddawanej i mocy pobieranej wynosi
+-
ciej tylko 25% do 50%. Moc strat wzorem
Pdiss= PwE -Pwy = ( 1)Pwy
do trzech razy od mocy oddawanej, co

z
Straty w szeregowym tranzystorze stabilizatora znacznie zmniej-
go kluczem, jak to pokazano na rys. 18.28. Aby wyj-
dodatkowy filtr dolnoprzepustowy,
przebieg w czasie. wtedy regulo-
przebiegu kluczem. zasto-
sujemy filtr dolnoprzepustowy LC, to w stabilizatorze nie strat
z metody stabilizacji . Tego rodzaju zasilacze na-
zasilaczy impulsowych z kluczowaniem po stronie wtórnej transformatora
(secondary switched-mode power supplies), stabilizator impulsowy
znajduje po stronie wtórnej transformatora sieciowego.
Transformator
Prostownik Klucz Filtr
sieciowy
Regulator
Rys. 18.28. Stabilizator impulsowy z kJuczowaniem po stronie wtórnej
Stabilizator impulsowy nie redukuje strat w transformatorze

sieciowym. Straty te jednak na transformator zamiast
sieciowego podaje zmienne W tym
celu najpierw sieciowe, jak to pokazano na
rys. 18.29, po czym za przetwornicy o
w zakresie 20 ... 200 kHz. to
tzw. strat w miedzi, liczba zwojów transformatora sieciowego maleje
odwrotnie proporcjonalnie do
wtórne jest prostowane, filtrowane, po czym zostaje przekazane
na W celu stabilizacji zmienia
przebiegu kluczem po pierwotnej stronie
transformatora.
Transformator
Prostownik Klucz Prostownik Fi/fr
w.cz.
Izolacja
Regulator K --- ---'
galwaniczna
Rys. 18.29. Stabilizator impulsowy z kJuczowaniem po stronie pierwotnej
18.5. ZASILACZE IMPULSOWE 587

Takie zasilacze zasilaczy impulsowych z kluczowaniem po
pierwotnej stronie transformatora (primary switched-mode power supplies). Ich
60% ... 80% . ich niewielkie rozmiary
i transformatora, który przy
niewielki
Jak z porównania zasad z rys. 18.28 i 18.29,
w obu przypadkach jest kluczowane, a
przebiegu O ile jednak stabili-
zator impulsowy z kluczem po stronie wtórnej jest oddzielony od sieci
transformatorem sieciowym na 50 Hz, o tyle w przypadku stabili-
zatora kluczowanego po stronie pierwotnej to za transforma -
tora wielkiej Z tego powodu w stabilizatorach z kluczowaniem po
stronie pierwotnej klucze na potencjale sieci; wytrzymy-
co najmniej równe szczytowej sieci. Taki stabili-
zator z dwu jedna (na potencjale sieci) steruje kluczem,
a druga na (potencjale mierzy Obie
odizolowane galwanicznie . Mimo tych i skomplikowania
zasilacze kluczowane po stronie pierwotnej ze na spraw-
na pierwszym miejscu. Zasilacze kluczowane po stronie
wtórnej stosowane jako przetwornice mocy .
18.6.Stabilizatory
impulsowe
kluczowane
po stroniewtórnej
Na rysunkach 18.30 ... 18.32 przedstawiono trzy podstawowe rodzaje konwer-
terów (przetwornic) (DC-DC converter). z nich
z trzech elementów: klucza K, Li kondensatora C.
z trzech daje jednak inne
Rys. 18.30. Konwerter Rys. 1831. Konwerter
W z rys. 18.30 w
od przebiegu w zakresie UwE... O V.
W z rys. 18.31 UwE = Uwr, gdy klucz znajduje w górnym
W dolnym klucza w jest magazynowana energia ,
która dodatkowo zostaje przekazana na kiedy klucz wróci z powrotem
w górne Dlatego jest od
588 18.
W z rys. 18.32 energia jest magazynowana w w czasie,
kiedy klucz jest w lewym. Po w prawo
zachowuje swój kierunek i kondensator (przy dodatnim wej-
do ujemnej.
Uwr < 0
Rys. 18.32. Konwerter Rys. 18.33. Konwerter z zestykiem zwiemym
W z rys. 18.30 przez kondensator stale

Dlatego nosi konwertera (for-
ward converter). Inaczej jest w 18.31 i 18.32, w których przez konden-
sator tylko wówczas, gdy w nie jest magazynowana ener-
gia. Dlatego je konwerterami (dwutaktowymz)
(jlyback converters).
18.6.1.Konwerter
Zestyk zawsze w jednej

klucz (zestyk) zwiemy, a w drugiej Otrzymuje w ten sposób
konwerter (step-down converter), pokazany na rys. 18.33.
klucz jest to u 1 = UwE· klucz otworzy, to zachowuje
swój kierunek, a u 1 spada do chwili przewodzenia przez
czyli w do równego zeru. to na wykresie
na rys. 18.34.
lwe,1v = - '··
T
lwr lwEmax= lwy
t
Rys. 18.34. Przebiegi i
18.6. STABILIZATOR Y IMPULSOWE KLUC ZOWANE PO STRONIE WTÓRN EJ 589

Przebieg czasowy przez wynika ze wzoru
diL
u =L -- (18.9)
L dt
W czasie t0 n, kiedy klucz jest na uL =
= UwE - Uwy; w czasie t011 , kiedy klucz jest otwarty, uL =- Uwr·
równanie (18.9) otrzymujemy
!iiL = 1(Uw:e- Uwy)ton= 1 Uwrloff (I 8.10)
(18.11)
gdzie T = t0n + t011 jest okresem ap= t 2 /T

nia. zgodnie z oczekiwaniem, jest
u1.
inaczej, gdy lwy jest mniejszy od
1 . T ( Uwr)
lwYmin= 2 !izL = 2L . Uwy 1 - UwE (18.12)
Gdy klucz jest otwarty, w spada do zera, dioda przestaje

a na jest równe zeru. przed-
stawiono na rys. 18.35. W celu obliczenia
pracuje bez strat. Wówczas moc musi równa
mocy
Uw:elw:eAv= Uwrlwr (18.13)
U1b
:;:
{J -~-------]±T p
Rzeczywisty
I
H
I I
~
I
li
I I
t"
/
/
.,,..--
_I---
ldealn
il I fon I I toff I I I,
t-- I I i I,
: I I I A
I I I I
I I I lwy
t lwrmin lwr
Rys. 18.35. Przebiegi i w konwerterze
Rys. 18.36.
dla p = t0 ./T od
lwr przy
lwrmin = - T Uwy ( 1 --- Uwr)
2L Uwe Uwr
590 18. UK.LADY

w wzrasta w czasie t 0 n od zera do IL= ULtonfL.
Dlatego arytmetyczna wynosi
(18.14)
Po podstawieniu do równania (18.13) otrzymujemy
- uiEpzT
Uwy-
2Liwy + UwEPz T
albo p = (18.15)
Aby zapobiec wzrostowi przy

(Iwy < IwYmin), odpowiednio p.
Pokazano to na rys. 18.36. Dla czas t 0n, w którym klucz j est
powinien bardzo krótki. Przy Iwrm ,n
czynnik pozostaje zgodnie z równaniem (18.11) Odnosi
to jednak tylko do bezstratnego. W rzeczywistym (ze stratami )
do utrzymania jest wzrost
IwYmin> mniejszy dla
lwy < Iwymin·
Projektowanie
dobiera w tak aby wyj-
nie mniejszy IwYmin· Z równania (18.12) wynika wówczas
L = r(1- Uwy)
UwE
Uwy
2IwYmin
(18.16)
Maksymalny przez a tym samym przez klucz i dio-

jest ILmax= Iwy + Iwrmin· Parametrem, który jest
tylko okres T = 1ff
Aby wybieramy f tak
jak tylko Na przeszkodzie stoi jednak cena szybkich tranzystorów
i bardziej a ponad to straty dynamicz-
ne przy liniowo ze wzrostem Z tych
dów optymalne 20 ... 200 kHz.
Kondensator decyduje o
wynosi ie = iL - iwy· odprowadzony i do-
prowadzony w jednego okresu równe powierzchniom zakresko-
wanym na rys. 18.34. opisane
L\.Qc 1 1( 1 1 ) 1 T
L\.Uwy- C - C 2 2 ton +2 [off 2 L\.IL- 8C L\.JL
18.6. STABILIZATORY IMPULSOWE KLU CZOWANE PO STRONIE WTÓRNEJ 591

ponadto równania (18.10) i (18.16), otrzymuje poje-
(18.17)
Przy doborze kondensatora na to,

by on i
Aby to równolegle jeden lub kilka kondensato-
rów elektrolitycznych i ceramicznych.
18.6.2. Wytwarzanie
jest wytwarzany w dwu modulator ze

impulsów i stabilizatorze ze odniesienia. Schemat blokowy
jest przedstawiony na rys. 18.37. Modulator impulsów
da z generatora i komparatora. Klucz jest zwarty
wówczas, gdy u1dest up. Na rysunku 18.38 poka-
zano przebiegi uR, up i u 8 w przypadku, kiedy uR
wzrasta liniowo od dolnej do górnej granicznej.
impulsów
p= - ton = -- UR
T Upm
jest proporcjonalny do uR.
UREF
- kUwy Uwv
Generator Up UJ? UREF

Wzmacniacz UkTad
przebiegu Kompar ator
pffoksztartnego odniesienia
Rys. 18.37. Realizacja sterowania
Rys. 18.38. Zasada modulatora impulsu
Na otrzymamy odniesie-
nia i UREF- kUwr· We wzmacniaczu o cha-
rakte rystyce (Pl) uR jest tak
592 18.
rozmca równa zero. Wtedy równe
Uwr = URBF/k.
Projektowanie stabilizatora impulsowego na na-
stabilizator impulsowy o 5 V przy
maksymalnym równym 4 A; minimalny powinien wy-
0,5 A, a ok. 20 V. do tego celu np.
stabilizator impulsowy L 296 firmy SGS (rys. 18.39).
jako stabilizator filtr LC na i kilka rezy-
storów i kondensatorów . Stabilizator impulsowy ma z
50 kHz; wynika okres 20 µs. Zgodnie z równaniem (18.11)
otrzymuje czas t 0 n
U SV
t =T ~ =20µs -- =5µs
on UwB 20 V
.zov
OJµF T C1
L ___ __ __ __ __
Uwy= 5 V; lw,max = 4 A; 1,5 V ... 50 V
Rys. 18.39. konwertera ze stabilizatorem impulsowym L 296
Z równania (18.16) wynika
L = T( 1- - Uwr)
- _ Uwr = 20 µs ( I - --5 V ) - --
5 V
___;,;_ ...=__ = 75 µH
UwB 2! WY min 20 V 2 · 0,5 A
na 10 mV, to z równania (18.17) otrzy-

muje kondensatora
C = T lwYmin = 20 µs 0,5 A = 250 F

4~.Uwr 4 · 10 mV µ
Dzielnik w obwodzie zwrotnego nie jest potrzebny, ponie-

odniesienia ma 5 V. jest
nawet wówczas, gdy jest mniejszy od do
lwrmin = 0,5 A. W tym przypadku we wzmacniaczu za
komparatora jest zmniejszany zgodnie z rys. 18.36.
....-, ......... ,.__ ._.., , _.. , , •,•,•,•,•, •,•,•,•,•,•, •.- ,,,,,,_,_.. .._._ .. . , ._. , . ,._ .,,.................,. . .. ..,.r.">,WWW _ _ ,•,w...-,w.- ...._.,,,,_.,....,.,,,.,•,•,•,•,•,•,•
,._.,-.,..,,•..-.- ,•_.,.,......-..,,...,,..,..,.~ ~ - - -· .·=~-
18.6. STABILIZATORY IMPULSOWE KLUCZOWANE PO STRONIE WTÓRNEJ 593

wtedy, kiedy czas t 0 n staje krótszy od minimalnego,
czasu tranzystora T. W tym wypadku
w czasie tranzystora T tak wzrasta, przez
kilka okresów tranzystor jest zablokowany. Powoduje to bardzo
Elementy R 1 C1 na wysokorezystancyjnym wzmacniacza opera -

cyjnego do regulacji parametrów dynamicznych wzmacniacza
przy tym regulacji stabilizatorów impulsowych
do Wynika to z dwu przyczyn: po pierwsze
regulacji jest impulsowym o czasie martwym równym
okresu a po drugie filtr na jest filtrem dol-
noprzepustowym drugiego fazy do 180°.
Z tych by wzmacniacz nie prze-
fazy przy Do tego celu rezystor
R 1 na rys. 18.39.
Statyczne straty w powodowane przez spadki
cia w obwodzie jednak z z pewnym
nadmiarem tak, by straty na jej rezystancji Wówczas strat
jest spadek na kluczu utworzonym z tranzystora Ti diody D. W cza-
sie t0n przez tranzystor T, a w czasie t011 przez D.
W przypadku stabilizatora L 296 spadki przy 4A po
1,5 V. Przy maksymalnym otrzymuje moc strat
6 W. wynosi najwyzej
Pwr 20 W _
11= PwE =
0
20 W+ 6 W - ?71/o
18.6.3. Konwertery
Na rysunku 18.40 przedstawiono konwertera

~,;;tep-upconverter lub boost regulator) z rys. 18.31, a na rys. 18.41
przebiegi i w Z przebiegu narastania i opadania
w iL w obu stanach klucza K i w tym przypadku wy-
potrzebne przy projektowaniu
cie Uwr = UwE·W bez strat taki przypadek zachodzi wów-
czas, gdy klucz K jest stale otwarty.
otrzymuje i tutaj tylko przy w nie
spada do zera.
Gdy spada IwYmin, czas, w którym
klucz jest zgodnie z rys. 18.36, musi ulec skróceniu, by zapobiec
wzrostowi Przypadek ten narysowano na rys. 18.41
jest wytwarzany tak samo, jak w kon-
werterze
594 18.
L ft O lit
+ ~+ Uwy -- --r-~ - ~ r--
UwElt A,j
111(" tl_ I
I
1
+ C" TtUwr I I
.t u,l 1 UwE ---

I
-1--
1
I
I----,
I __
I
I
I
I
f--
_ _J 1
T
Uwr = -- UwB dla lwr > lwrmin t
1011
lwrm1.= UwB( 1 --- UwB) · - T

I I
I I I
Uwr 2L I I
_....-.J.......,.
I _..J...,. :
L = Uw8 (1 - Uwe) · T - , L __ .,,,,,,.- ', L _
Uwy 2lwYmln t
Tlwrmax
c~ - - - Rys. 18.41. Przebiegi i w konwerterze
tY>.Uwy
Linia przerywana - przebiegi
Rys. 18.40. Konwerter dla lwr < lwrmln
18.6.4.Konwertery
Konwerter (inverting converter lub inverting regulator) i odpowia-
jemu wykresy czasowe przedstawione na rys. 18.42 i 18.43. Nietrud-
no wtedy, kiedy klucz jest otwarty, kondensator przez
do ujemnego Wzory podane obok rys. 18.42 otrzymuje
w tym przypadku z warunku zmian podczas
fazy i otwarcia klucza .
Uf
UwE ----, r----,

I I I
I ,
r--
I I
t,,. Uwy ----+- J.1..- _ __.
Uwr = - - Uwe dla lwy > lwrmln Il

'•rr
UweUwy T I
l - - - - - I
- Uwr + UwB
WYmln 2L I I I
_,,,
_..J....,'..LI ___
I
J-...--
_..J...,.
.....,..J_
UwEUwr T __
L = - --=-- '-- i
c~ -Tlwrmax
~- Rys. 18.43. Przebiegi i w konwerterze
tY>.Uwy Linia przerywana - przebiegi
Rys. 18.42. Konwerter dla lwy< lwrmln
spadnie lwYmin> w jest

przez pewien czas równy zeru. Aby w tym przypadku
zgodnie z rys. 18.36 czas, w którym klucz jest
Takie warunki pracy przedstawione na rys. 18.43
18.6. STABILIZATORY IMPULSOWE KLUCZOWANE PO STRONIE WTÓRNEJ 595

18.6.5.Konwerteryz pompowaniem
Przy niewielkim poborze istnieje prosta metoda odwrócenia biegunowo-
W tym celu za
klucza K 1 na zmienne, jak to pokazano na rys. 18.44. to jest
przenoszone przez kondensator C 1 , po czym zostaje z powrotem wyprostowa-
ne. do tego klucz K 2 • W zaznaczonym na rysunku kluczy
kondensator C 1 jest do i u1 = U1 = UwE· Na-
oba klucze Wskutek tego na kondensator C2 zostaje
doprowadzone - U1 i po kilku cyklach on do
Uwr = -U 1 = - UwE·
Uwr = - Uwe
Rys. 18.44. Zasada Rys. 18.45. Uproszczony do

w którym wykorzystano prostowania
zjawisko pompowania
Pro stowanie nie wymaga stosowania

sterowanego klucza: je za dwu diod, jak to poka-
zano na rys. I 8.45. od tego, na jakim potencjale prostownik
i jaka diod , UwE albo od
dowolnego Prostowanie za diod ma jednak na-
o podwojonego przewodzenia.
Dlatego w scalonych jak
np. ICL 7660 firmy Intersil, do prostowania wykorzystuje klucze CMOS.
Przy do 20 mA suma spadków na czterech klu-
czach nie przekracza I V [18.9). Dodatkowe straty w takim
wskutek kond ensatorów. one jednak tylko od warto-
przy W stanie ustalonym
je z na niskim poziomie, odpowiednio
18.6.6. scalonychdo stabilizatorówimpulsowych
W tablicy 18.5 zestawiono wybrane scalone szczególnie do

zastosowania w konwerterach Do tego celu
modulatorów impulsów do stabilizatorów impulsowych
z kluczowaniem po stronie pierwotnej transformatora, które
596 18.
w tabl. 18.7 na one jednak dodatkowego
czenia tranzystora mocy.
Tablica18.5. Regulat ory do stabilizatorów impulsowych z kluczowaniem po stronie wtórnej
ze scalonymi tranzystorami mocy
Typ Producent Pobór

pracy
[V] [V] [mA] [kHz]
Konwertery
LTC1174 Lin.Techn. 4 ... 13 5 0,4A 0,5 zmienna
LTC1142 Lin.Techn. 4 ... 16 5 l A 0,2 zmienna
LT1176 Lin.Techn. 8 ... 35 2,5 ... 30 1,2 A 8 100
LTl074 Lin. T echn. 3 ... 45 2,5 ... 40 SA 9 100
LM25 75 National 4 ... 35 1,2 ... 30 1A 5 52
LM2576 National 4 ... 40 1,2 ... 37 3A 5 52
MAX738 Maxim 5 ... 16 5 0,7 A 2 160
MAX727 Maxim 7 ... 40 5 2A 9 100
MAX787 Maxim 8 ... 40 5 SA 9 100
L4970 SGS -Thom. 9 ... 60 5 ... 40 10 A 9 70
Konwertery
LT1300 Lin.Techn. 2 ... 10 5 200mA 0,1 155
LTl271 Lin.Techn. 4 ... 30 5 ... 30 500mA 7 60
MAX619 1l Maxim 2 ... 4 5 15mA 0,1 250
MAX777 Maxim 1 ... 6 5 200mA 0,2 zmienna
LM257 7 National 4 ... 40 5 ... 50 800mA 10 52
Konwertery
LTI054 11 Lin.Techn. 3,5 ... 15 - Uw11 IOOmA 3 25
Max665 1l Maxim 2... 8 - Uw8 100 mA I 45
Max764 Maxim 2 ... 16 - 5 ... - 15 150mA 0,1 zmienna
TC962 11 Teledyne 3 ... 18 - UwB 80mA 0,5 24
Konwertery
MAX680 11
IMaxim 12 ... 6 I±
± 2U w11 lOmA I 8
MAX743
1
Maxim 3...18 12, ± 15 lOOmA
I 20 200
> zgodnie z pompowania
W przypadku stabilizatorów kluczowanych po stronie pierwotnej transforma-

tora konwertery z pojedynczym kluczem i przeciwsobne.
Konwertery z jednym tylko kluczem elementów . Ich za-
stosowanie ogranicza jednak tylko do mocy. Przy mocach
18.7. STABILIZATORY IMPULSOWE KLUCZOWANE PO STRONIE PIERWOTNEJ 597

100 W lepsze konwertery przeciwsobne, mimo
zastosowania dwu kluczy.
18.7.1.Konwertery
z pojedynczym
kluczem
Konwerter z pojedynczym kluczem (single-ended converter) z rys. 18.46 stanowi
stabilizatora impulsowego z kluczowaniem po pierwo-
tnej stronie transformatora. Otrzymuje go z konwertera
pokazanego na rys. 18.42 przez transfor-
matorem . Gdy klucz K jest energia jest magazynowana w transfor-
matorze. Po otwarciu klucza jest ona oddawana do kondensatora
cego. Dlatego otrzymuje tu takie samo na
jak w przypadku z rys. 18.42. polega tylko na tym,
jest tu zmniejszone o n transformatora. Przebieg czaso-
wy na kluczu jest przedstawiony na rys. 18.47.

Rys. 18.46. Konwerter i dla lwr > lwrmu,
Po otwarciu klucza wzrasta zacznie dioda D,

a do Uxmax= Uwr,+ nUwr· Aby nie do zbyt
wzrostu przyjmuje czas, w którym klucz jest !0 " 0,5T,
wtedy Uxmax 2UwE· przy prostowaniu sieci 220 V powsta-
je UwB= 220 V· .j2 = 310 V, na kluczu otrzymuje
w tym przypadku UKmax = 620 V. W praktyce jeszcze
ze na rozproszenia.
Na rysunku 18.47 przedstawiono przebieg Gdy klucz jest
wzrasta o M = UwBton/L.Po otwarciu klucza zaczyna prze-
dioda i przetransformowany na maleje
o M = nUwyt 011/L. otrzymuje wzór na podany
obok rysunku. Jest on prawdziwy pod warunkiem, transfor-
matora jest dostatecznie by w czasie otwarcia klucza nie
do zera.
598 18. UKLADY

jest to, transformator oprócz galwanicznego izolowania
od sieci i odgrywa elementu
Z powodu magnesowania musi on za-
projektowany z zapasem. Bardziej korzystne jest odseparowanie trans-
formatora od obwodu i do magazynowania osobnej cew-
ki. tej zasady wszystkie Pierwotne i wtórne
uzwojenia konwertera z pojedynczym kluczem z rys. 18.48 ten sam kieru-
nek temu energia jest przekazywana do przez
Dz wówczas, gdy klucz jest Dlatego ten nosi
konwertera Przebiegi czasowe przedstawione na rys.
18.49. Gdy klucz jest na uzwojenie pierwotne jest podawane
cie Uws, a na uzwojeniu wtórnym jest Uz = UwJn. Po otwarciu klu-
cza zostaje zablokowana dioda Dz, a zostaje przez
D3 • Z tego powodu warunki po stronie wtórnej takie same, jak
w przypadku konwertera z rys. 18.33. Dlatego otrzymuje tu
od n) takie samo na i te
same kryteria doboru i kondensatora Dioda Dz zo-
staje zablokowana w tej samej chwili, w której otwiera klucz.
+o---~
n:n:1
~--_J
02 L
Uw,
1•• UwB
Uwr = - ·- - dla Iwr > Iwr,,.,.;
T n
Rys. 18.48. Konwerter Rys. 18.49. Przebiegi czasowe

z pojedynczym kluczem
Bez dodatkowych energia zmagazynowana w transformatorze

impulsu o bardzo amplitudzie.
Aby temu zapobiec, zaopatruje transformator w trzecie uzwojenie o tej
samej liczbie zwojów co uzwojenie pierwotne, lecz o mniejszym przekroju. Przy
podanej dioda D 1 zaczyna wtedy, kiedy indukowane
staje równe W ten sposób na klu-
czu zostaje ograniczone do Uxmax = 2Uws· Oprócz tego w fazie,
w której klucz jest otwarty , do zostaje zwrócona
taka sama energia, jaka w fazie, w której klucz zmaga-
zynowana w transformatorze . temu transformator pracuje bez
nego magnesowania

18.7.2.Konwertery
przeciwsobne
W przypadku konwerterów przeciwsobnych jest prze-
twarzane na zmienne przez falownik zbudowany z co najmniej dwóch
kluczy. to jest przez transformator wielkiej
a prostowane.
W z rys. 18.50 cykl o czasie trwania T dzieli na cztery od-
cinki. Najpierw zamyka klucz K 1 , zaczyna dioda D 1 , a na cewce
L u3 = U3 = UwE/n. K1 otwiera i wszystkie
transformatora do zera. Diody D 1 i D2 po
W odcinku czasu klucz K 1 pozostaje otwarty, a za-
myka klucz K 2 . Zaczyna dioda D 2 , która przenosi
u3 = U3 = UwEfn. Gdy K 2 ponownie otwiera, wszystkie
transformatora, tak jak w drugim odcinku, znowu równe zeru. Prze-
biegi czasowe tych przedstawiono na rys. I 8.51.
.--- l':>l-...-..rYY'---..- - -0 +
fuwr
Dz
( u c••
U -2 ~ ·~ - <0 5·
wr - T n ' T '' UK"'""=2Uw„
Rys. 18.50. Konwerter przeciwsobny Rys. 18.51. Przebiegi czasowe
z zasilaniem
Strona wtórna pracuje w zasadzie tak samo, jak konwerter ob-

z rys. 18.33. Tu jednak, ze na prostowanie
w czasie T energia jest przekazywana dwukrotnie. Dlatego do
cych konwerter zamiast T T/2.
Ze na transformator pracuje bez Jest
tak jednak tylko wtedy, kiedy czasy, w których klucze sobie
równe, a wtedy, kiedy t oni= t0 n2 = ton· Warunek ten musi zape-
sterowania kluczy, w przeciwnym bowiem razie tran sformator na-
syci i klucze uszkodzeniu. Z tego samego powodu
zapobiec sytuacji, w której jeden z kluczy nie podczas
cyklu. scalonych do przeciwsobnych stabiliza-
torów impulsowych ma takie zabezpieczenia. Sterowanie kluczy upraszcza
fakt, ich ujemne wyprowadzenia na tym samym potencjale.
W konwerterze przeciwsobnym z rys. 18.52 zmienne jest wytwa-
rzane w ten sposób, jeden koniec uzwojenia pierwotnego jest
6()() 18. UKLADY

dodatnim i ujemnym biegunem podczas gdy
drugi znajduje na potencjale 1/2 U{wE. tutaj klucze sterowane na
przemian. Przebiegi pokazane na rys. 18.53 takie same, ja k
w poprzednim polega jedynie na tym, amplituda jest
o mniejsza. Jest to szczególnie korzystne przy doborze kluczy.
stanowi fakt, ze na przez
transformator nie Dzieje tak nawet wtedy, kiedy czasy
obu kluczy nie jednakowe . W tym przypadku przesuwa tylko
nieco na kondensatorach C 1 i C2 . jest to, ujem-
ne wyprowadzenia kluczy na co komplikuje
sterowania .
'•• UwE '••

Uwy = T·-n-, T <0,5; UK.max=UwE
Rys. 18.52. Konwerter przeciwsobny w Rys. 18.53. Przebiegi czasowe
18.7.3.Transformatory
wielkiej
Gotowe cewki w szerokim asortymencie: o od
10 µH do 10 mH i na od 0,1 do 60 A. produkowane przez
wytwórców. Dlatego nie musi sam ich Inaczej
da sprawa z transformatorami wielkiej Tylko przypadkowo
na gotowy transformator o odpowiednich danych technicznych.
Z tego musi na sam parametry transfor -
matora, a niekiedy nawet go
w transformatorze wynosi zgodnie z prawem
Faradaya
d<P dB
u(t) = z- = zS - (18.18)
dt dt
gdzie <Pjest strumieniem magnetycznym, B S powierzch-

przekroju rdzenia, w którym znajduje korpus cewki, a z zwojów.
18.7. STABILIZATORY IMPULSOWE KLU CZOWANE PO STRONIE PIERWOTNEJ 601

Z równania (18.18) wynika liczba zwojów uzwojenia pierwotnego z 1
zwojów otrzymuje przy dopuszczalnej szczyto-

wej indukcji magnetycznej Bm i maksymalnej Llt
LlB=Bm
Llt = tonmax= Pmax· T = Pmaxff
Wynika
(18.19)
Nietrudno liczba zwojów jest odwrotnie proporcjonalna do

Dlatego moc, przy danym rdzeniu i danej
przestrzeni nawojowej, jest proporcjonalna do
zwojów po stronie wtórnej otrzymuje z
(18.20)
Straty wskutek magnesowania i straty w uzwojeniach na ogól

na tak niskim poziomie, nie trzeba ich
przewodów na podstawie 'Ze
termicznych nie
j = 5 ... 7 A/mm 2 • chcemy straty w przewodach,
mniejsze . Wzó r na przewodu ma
D=2 ._;-;;- (18.21)
Wskutek zjawiska przy nie

równomiernie w przekroju poprzecznym przewodu, lecz
przy jego powierzchni.
wnikania (dla spadku e razy) wynosi [18.10]
b = 2,2 mm/J f/kHz (18.22)
Na rysunku 18.54 wnikania maleje ze wzrostem

Z tego dobieranie od podwójnej
602 18.
wnikania nie ma sensu. Aby mimo to wymagane przekroje,
specjalny przewód tzw. w.cz., w której od siebie odizolo-
wane. Korzystne jest zastosowanie odpowiednio cienkich kabli
kich lub folii miedzianych.
o
[mm]
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
O 20 40 60 80 100120 140 f[kHz]
Rys. 1854. zjawiska wnikania w funkcji
dane techniczne wybranych rdzeni ferrytowych typu EC

podano w tabl. 18.6. Dane mocy w tej tablicy
Tablica18.6. Rdzenie ferrytowe do transformatorów w.cz. Indukcja maksymalna
Bmax= 200 mT = 2 kG, L = ALz 2
Typ rdzenia Moc przenoszona Powierzchnia przewodu magnetowodu
boku) przy f = 20 kHz magnetowodu S AL
[mm] [W] [mm2] [µH]
EC 35 50 71 2,1
EC41 80 106 2,7
EC 52 130 141 3,4
EC70 350 211 3,9
w celu zminimalizowania strat dobierze zbyt prze-

wodu, do otrzymania przestrzeni nawojo-
wej potrzebny
18.7.4.Klucze
Przy doborze kluczy do wszystkich stabilizatorów impulsowych
takie same zasady. Kluczami w stabilizatorach impulsowych tran-
zystory bipolarne i tranzysto ry mocy MOSFET . Tyrystory
dopiero przy mocach kilowatów i dlatego nie nimi tutaj
przyjrzymy dozwolonemu obszarowi pracy aktywnej tranzys-

torów mocy, to praktycznie nie ma tranzystorów, które przy
wysokich by 100 W. Dotyczy to jednak tylko
,=wwwwww--www--,-wwwwww-~-=·,w,w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.v, •,•,•,•,•,•,•,w ,•,•,•.w~w. •.w ,•.•.•,o•, .•.•.•em.v .

pracy przy pracy impulsowej dozwolony obszar pracy jest
Przedstawiono go na rys. 18.55. jest dopuszczalne
przekroczenie maksymalnej mocy strat i obszaru przebicia wtórnego. W przy-
padku granicznym (kilka mikrosekund) dopuszcza nawet równoczesne do-
prowadzenie UcEmaxi Icmax· W ten sposób za pojedynczego tranzys-
tora moc kilku kilowatów . wykorzystuje
w zasilaczach impulsowych.
Moc do Uc8 = 50 V: 50 W
Ie
Moc przy Uce = 500 V: 5 W
[Aj
Moc w impulsie 5 µs przy Uce = 500 V: 2500 W
5
0,1
Przebicie
wt6rne
10m ~ --___._ _ __ _,_ _ __, __ _
1 10 100 500 UcE{V}
Rys. 18.55. Bezpieczny obszar pracy tranzystora bipolarnego jako klucza
Istnieje jednak jeszcze jeden powód za szybkim

niem i tranzystorów. Klucz pracuje bez strat tylko wtedy, kiedy
procesy (otwierania i zamykania) bardzo krótko. W prze-
ciwnym przypadku przy straty. one tym
im wolniej przebiega proces one proporcjonalne do
Z nasyceniem
ue
eLJ~ __ ..____ ,_ ts .:1
t
t"
Rys. 18.56. Czasy tranzystora bipolarnego z nasyceniem i bez nasycenia: Ir - czas
opadania; t, - czas narastania; t, - czas magazynowania
.-,,•,w, ·,·················,m, = www - -""'"" """"•' '" •'•'•"' ········,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,wc, •,•,w N ,W NN ·-- -- ·v= ,.wN ,'.W ,'" •'""" •' '•'•" •"• '•'•'•'•····w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,, ,
604 18.
W stabilizatorów impulsowych w celu zapewnienia prawid-
pracy przy lwy< lwYmln•
czas t0 n, w którym klucz jest powinien jak najkrótszy. Aby to
powinno bardzo szybkie. Dlatego w przypadku
tranzystorów bipolarnych staramy nie do ich nasycenia
(UCE> UcEsar) w ten sposób czasu magazynowania. Nary-
sunku 18.56 przedstawiono tranzystorów z nasyceniem i bez
nasycenia.
Zasadniczy pracy tranzystora bipolarnego jako klucza mocy jest
przedstawiony na rys. 18.57. W celu tranzystora
klucz K w górne bazy przez
rezystor R 1 • Wskutek tego szybko wzrasta kolektora i czas opadania
na kolektorze jest krótki. Gdy kolektora spadnie
bazy zaczyna dioda Schottky'ego, która zapo-
biega nasycaniu tranzystora. przez R 1 jest
wówczas odprowadzana przez do kolektora, a stanowi
bazy o punktowi pracy. Do zatkania tranzystora nie
wystarcza bazy, lecz kierunek tego
w celu odprowadzenia przestrzennego zgromadzonego w obszarze ba-
zy. ma to szybko, jest potrzebny ujemny bazy. Jego
rezystancja R 2 • takiego przedstawiono na
rys. 18.58. Komplementarny wtórnik emiterowy T 2 , T3 zapewnia
bazy. Rezystor RB ogranicza bazy. Dioda
nasyceniu D 1 powoduje, kolektora jest od bazy.
Scalonymi na tej zasadzie np.
UAA 4002 i 4006 firmy Thomson, bazy do ± 1,5 A.
+ ++ + ++
R1 RL RL
D1 C
Tz
§,
B
r, r,
D1
Rys. 18.57. Sterowanie Rys. 18.58. Realizacja Rys. 18.59.

obwodu bazy przy praktyczna Darlingtona z
krótkich czasach sterowania obwodu bazy
klucz ma to baz zbyt

wtedy Darlingtona, jak to pokazano na rys. 18.59.
Powoduje to jednak nasycenia o UBEi· Warunkiem pra-

jest zastosowanie diody D 1 , bez
której zatkanie tranzystora T1
Bardzo korzystne jest zastosowanie jako kluczy tranzystorów mocy MO-
SFET . Nie w nich bowiem ani przebicie wtórne, ani czas magazyno-
wania, czemu je co najmniej 1Orazy szybciej poró-
wnywalne tranzystory bipolarne . Dlatego -mimo cen - one fawo-
ryzowane przy 50 ... 100 kHz.
Sterowanie kluczem zbudowanym z tranzystorów MOSFET nie dokonu-
je jednak bez poboru mocy. to na rys. 18.60. Kon-
densatory C1 i C2 tranzysto ra mocy
MOS. bramki z O na 10 V, tranzystor zaczyna
a jego drenu spada z 310 V do ok. OV. Zmiana
w obu kondensatorach jest
L\Q= 500 pF · 10 V+ 50 pF · 320 V= 21 nC
bramki ma w 100 ns, to bramki powinien

równy I = 21 nC/100 ns = 210 mA .
+310V
+10V +10V
Rys. 18.60. Sterowanie tranzystora

mocy MOS za komplementarnego Rys. 18.61. Sterowanie tranzystora mocy MOS
wtórnika emiterowego za „totem pole"
bramki jest tego samego co bazy tranzystorów

bipolarnych . stanowi lto, bramki tylko w chwili
Dlatego do szybkiego tranzystorów MOS po-
trzebne stopnie o rezystancji. Na rysunku 18.60 pokazano
komplementarny wtórnik emiterowy, a na rys. 18.61 „totem
pole", stosowany w bramkach TTL. go w techno-
logii monolitycznej i dlatego jest stosowany w scalonych ste-
np. SG 3525 ... 27 firmy Silicon General.
Do sterowania tranzystorów MOSFET nie jest potrzebne ujem-
nego pomocniczego, jak w przypadku tranzystorów bipolarnych .
.,,, .......,..,.......... .....

..... ....
.... ,,,..,.....-
- .............
.................
,.,.,.,.,.,.,.,., , ..........
,.,.,.,.,.,.,......................
.,............
........,....
606 18.
18.7.5.Wytwarzanie
konwerterami z pojedynczym kluczem za
modulatora impulsów, jak to pokazano w p. 18.6.2. Do
sterowania konwerterami przeciwsobnymi potrzebne dwa o modu-
lowanej impulsu, które na w stanie aktywnym.
takie modulator impulsów
z rys. 18.37 przez przerzutnika T; otrzymamy wówczas przed-
stawiony na rys. 18.62.
Up
Q
I I
-....;
:___~,_....
:___r
I ---
tonf
S2
I. T .I
Rys. 18.62. Przeciwsobny modulator Rys. 18.63. Przebiegi czasowe
impulsu
W tym przerzut przy ujemnym zboczu

i otwiera na lub AND. Z przebie-
gu pokazanych na rys. 18.63 do otrzymania jednego cyklu
na konieczne dwa okresy generatora przebiegu
Jego musi dwa razy od
pracy transformatora w.cz. Maksymalny czas t 0 n z przebiegów
nie 50%; temu oba klucze nigdy nie
Innym problemem ze stosowaniem zasilaczy impulsowych

z kluczowaniem po stronie pierwotnej transformatora jest izolacja od sieci
w to na rys. 18.29. powinien zjed-
nej strony a z drugiej strony syg-
klucze, na potencjale sieci. Dlatego w ulda-
dzie jest stosowanie izolacji galwanicznej, najlepiej na regu-
latora z rys. 18.62 lub w torze S 1 , S 2 . Do izolacji w torze
transoptor, jak w na rys. 18.64.
Regulator wyrównuje wówczas charakterystyki transoptora
[18.11]. Potrzeba wprowadzenia izolacji galwanicznej jest szczególnie zrozu-
wówczas, gdy oba klucze, jak np. w z rys. 18.52, na
i wskutek tego z modulatorem
impulsów nie jest W tym do izolacji galwanicznej
oprócz transoptora, transformator impulsowy.
wwwwww--www., .... ...... ,... .,.,., ,.,., ... .,., ... .................. ,•• ,.. .......... .
18.7. STABILIZATORY IMPULSOWE KLUCZOWANE PO STRONIE PIERWOTNEJ 607°

Transoptor y nie mocy do sterowa-
nia kluczy, wobec czego powinny dodatkowo zasilane z pomocniczego
na potencjale klucza [18.12]. Transformatory impulsowe natomiast
przekazywanie mocy potrzebnej do sterowania.
Szczególnie prosty otrzymuje w przypadku zastosowania tranzystora
mocy MOSFET. Transformator impulsowy wówczas po pros-
tu i tranzystor, jak to pokazano na rys. 18.65 [18.13).
Kondensator oddziela transformator od
jednak amplituda na bramce od czasu t0 n, pola
pod przebieg czasowy (nad i pod
zawsze równe (rys. 18.66). Z tego powodu nie daje cza-
sów t0 " 50%, co jest na bardzo rzadko potrzebne .
Regulatori s,
odniesienia Sz
Potencja[masy sieci
Rys. 18.64. Izolacja galwaniczna analogowego za transoptora
U.z
d --, --, I --,

Uk[ad
sterujqcy !r Ir
I I I
I I I 1, I
IL I I I I t
__ ...J L __ _J
L-
Potencja[masy Potencja[
sieci
Rys. 18.65. Izolacja galwaniczna za Rys. 18.66. amplitudy impulsu

transformatora impulsowego od czasu trwania
Przy sterowaniu kluczami zbudowanymi z tranzystorów bipolarnych za

transformatora impulsowego powinna
na potencjale tranzystora. musi
przy zamykaniu i otwieraniu klucza oraz nasyceniu. Naj-
jest do tego celu scalony sterowania kluczami (jloat-
ing switch driver), np. SG 3629 firmy Silicon General.
18.7.6. Analizamocystrat
trzy rodzaje strat o stabilizatora impulsowe-
go. Straty statyczne z poboru przez modulator im-
pulsów i sterowania oraz ze spadku na kluczu i prostowniku
Nie one od Straty dynamiczne
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w -=wuuumm.v- ,•,•,w ,,, ,.,,,,,,,,,,w ,w .,._w,w,w, •,•,•m.w===•wwwwww--= ··· v M, .... ,. •,•,,.,, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,•,•,•,•,•,•,•,.,,,.,,,.,., ,,,,.,,,,,,,,,,,,,' ,"""
608 18.
wskutek kluczy i magnesowania transformatora oraz
one w proporcjonalne do
Straty w transformatorze w.cz. i ze spad-
ku na rezystancji czynnej (tzw. straty w miedzi).
zgodnie z równaniem 18.19 przy otrzymuje
zwojów, straty te odwrotnie proporcjonalne do
Na rysunku 18.67 przedstawiono tych trzech rodzajów strat od
Korzyst ny zakres pracy to 20 ... 200 kHz. Wprawdzie przy
szych elementy magnetyczne mniejsze i wobec cze-
go straty ale szybko straty dynamiczne i one decy-
o sumie strat.
O 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 f[kHz
Straty statyczne Pobór przez

Spadki na kluczach
Spadki na diodach
Straty dynamiczne kluczy
Straty na magnesowanie
Straty Transformator w.cz.
Rys. 18.67. strat w stabilizatorze impulsowym od
Przy kluczy one przez

spadki na rozproszenia transformatora w.cz. i na
przewodach. Aby je wszystkie przewody obwodu silno-
powinny jak najkrótsze . Mimo to nawet induk-
rozproszenia od-
bywa szybko. to na liczbowym:
Il! 1A
U = L, Tt = 100 nH · ns = 100 V
100
Aby nie kluczy takim stosuje dodatkowy

,mubber network), który jednak powoduje straty dynamiczne [18.14,
18.15].
..........
....................
..,. .. ,..,.,.,.,.,... ,,,.,. ... ,._,,."""w• •w,,.ww ••,,..... .. ,.w .•.•,•.••.ww .,sw"w""""""""""= ·m• ......... ..,.., ....•.•.•.•.•.•.•,.,.,. ..,....•.•.•"·""""' ····
18.7. STABILIZATORY IMP ULSOWE KLUCZOWANE PO STRONIE PIERWOT NE J 609

18.7.7.Scalone
Zestawienie stabilizatorów impulsowych zawiera
tabl. 18.7. do sterowania konwerterów przeciwsobnych dwa wyj-
na je w konwerterach
z pojedynczym kluczem, jedno pozostawi nie wykorzystane.
stanowi ograniczenie czasu do 50%, oba
na OR.
Tablica 18.7. do zasilaczy impulsowych
Typ Producent Sterowanie Maksymalna Uwagi
generatora [AJ
Do konwerterów z pojedynczym kluczem
3842 wielu 300 kHz ± 0,5 CMOS
SG3528 Silicon Gen. 3 MHz ±0,2
TDA4919 Siemens 200 kHz ± 0,5 wyster.
TC172 Teledyne 1 MHz ±1 pobór
MC44602 Motorola 500 kHz ±I wyster.
UCC3570 Unitrode 500 kHz ±l pobór pr~u
Do konwerterów z pojedynczym kluczem i przeciwsobnych

3525 wielu 500 kHz ±0,4 wy. odwr.: 3527
3526 wielu 500 kHz ±0,2
3846 wielu 500 kHz ±0,2 wy. odwr.: 3847
3825 wielu I MHz ± 1,5
TCl70 Teledyne 200 kHz ± 0,3 CMOS
TDA49l8 Siemens 200 kHz ±0,5 wyster.
IXDP610 Ixys wewn. gen. 300 kHz - cyfrowa mod. szer.
impulsów
Producenci: Silicon General (SG), Teledyne (TC), Unitrode (UC).
ze znakiem ± przed przeciw-

sobne i tranzystorami mocy MOSFET;
typy na pojedynczy tranzystor.
W stabilizatorach impulsowych sterowanych
tne potrzebne do regulacji impulsu uzyskuje z
przez klucz. temu te szybko na zmiany
i cechuje je automatyczna korekcja symetrii przy pracy przeciwsob-
nej. Dodatkowo uzyskuje temu (dynamiczne)
zabezpieczenie przed wzrostem
Wszystkie modulatory impulsów startu
(soft start), który powoduje, po
nik impulsu kluczem narasta powoli do usta-
---' "" ""' ·'•.,w.w.v.•-.-•-.v
.•.·····,.·.•
··········
···················
·········
·····
···················,.·,w,,·.···,,·,·,., w, ===,.,=w, ·-.·····
"······
·······
··········-.•,w,-,
610 18. UK.LADY
lonej. We wszystkich przewidziano Niektóre
regulacji do nadzorowania stabi-
lizatora. Pracuje on równolegle z stabilizacji i
cie gdy zostanie przekro-
czony maksymalny (statyczne ograniczenie Inne
dynamiczne ograniczenie ono do nadzoru chwilowej
klucza i w przypadku przekroczenia maksymalnej przerywa
cykl sterowania.
Tablica18.8. Przeciwsobne mocy
Typ Producent Liczba Czas Technologia

narastania
maks. [ns]
[A] M
Si9910 > 1
Siliconix l ±0,2/1 18 40 bipolarna
IR2121 Intern. Rect. l ±0,1/1 18 40 CMOS
MAX628 Maxim 2 ±0,25/1,5 18 30 CMOS
MC34153 Motorola 2 ±0,4/1,5 18 15 bipolarna
UC3711 Unitrode 2 ±0,5/1 ,5 32 15 bipolarna
TC4426 Teledyne 2 ±0,1 / 1,5 18 25 CMOS
EL7272 Elantec 2 ±0,2/2 18 20 CMOS
TC4423 Teledyne 2 ±0,15 /3 18 25 CMOS
SG3626 Silicon Gen. 2 ±0,5/3 20 25 bipolarna
UC3710 Unitrode l ±0,5/6 18 30 bipolarna
TC4421 Teledyne 1 ±2/9 18 30 CMOS
Z 500 V
Si9901/l4 1
> Siliconix 2 ±0,1/0,5 18 40 CMOS
SP600 Harris 2 ±0,1/0,5 18 50 CMOS
IR2125 Intern. Rect. l ±0,1/1 18 40 CMOS
1
> Zawiera nadzoru dU/dt, dl/dt i I'"'"' dla tranzystorów MOSFET.
impulsów wbudowany w ty-

pów blokuje wielokrotnego zamykania klucza w czasie jednego
okresu to wówczas, gdy wysokie
impulsy w chwili otwierania i zamykania klucza
na komparator modulatora impulsów. Blokada impulsów podwój-
nych zapobiega pojawianiu na tym samym sterowania kon-
wertera przeciwsobnego dwu po sobie impulsów
Cyfrowe
19 arytmetyczne
trzy sposoby cyfrowej realizacji operacji oblicze-

niowych:
- za programu realizowanego przez mikrokomputer;
- za procesora arytmetycznego;
- za odpowiednio rozbudowanego logicznego.
pierwsze jest lecz najwolniejsze - obliczenia
realizowane pozycja po pozycji przez program. Drugie wymaga
mikrokomputera o specjalizowany arytmetyczny (number
cruncher). Wprawdzie on sekwencyjnie, leczjest zoptymalizowany
pod wykonywania operacji arytmetycznych. Takie
ok. 100 razy. Trzecie jest najszybsze. Operacje
arytmetyczne wykonywane przez kombinacyjne logiczne. tego
jest rozbudowy który silnie wraz ze
niem najkrótsze czasy 50 ... 200 ns.
:(i:\·...•,•,•,:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~:~~:~:~~~~1~
?1§~T:i~~~:.*~~?~;,:::1::*~:~:::~:;:;:
,,,,,,:;:;:::
::::::;::::::
1?19.1.Sposobyprzedstawiania
liczb
cyfrowe tylko tj. dwuwarto-
Wynika z ogólnie systemu dzie-
na system binarny. przedstawimy sposoby reprezentacji
liczb w postaci binarnej.
19.1.1.Liczby dodatnie
w naturalnym
kodziedwójkowym
Naturalny kod dwójkowy jest najprostszym kodem binarnym. Pozycja cyfry jest
kolejno liczby 2. Dla reprezentacji
N-pozycyjnej liczby w kodzie dwójkowym prostym mamy
N- 1
XN = xN - 1 . 2N-1 + XN-2. 2N - 2 + ... + X1 . 21 + Xo. 20 = L xi2;
i= O
•• mu •••• ,.,•, ,-..,., ,..,_,,,.__ === ·~ ---- vm,uu.,==u .. v.-,u ,•.,•,•.,•,•,•,•,"""'""'"""""""" ~--m ---v -,w- •-w---w---w-·-----------·,-,-,'-'
•'•'•-•'•'•-•
612 18. CYFROWE UK.LADY ARYTMETYCZNE

Analogicznie jak dla systemu w celu przedstawie nia liczby
piszemy po prostu cyfr {xN-l ... x 0}; pozycja cyfry w
nie przez liczby 2, suma tych iloczynów daje w wyniku
liczby.
1 1 1 O 1 1 1 O O 1 O 1 O 1 dwójkowa
1525310 = 2 13 20 ..
waga pozyc31
Kod ósemkowy (oktalny)

Jak z kod dwójkowy prosty jest ko-
munikatywny, wobec czego zapisu skróconego:
czy w grupy trzy obok siebie znaki i przedstawia jako
Nazwa kod ósemkowy pochodzi cyfr jest przypo -
2 3 = 8.
3 5 6 2 5 ósemkowa
1525310 = O1 1 1OI 1I O O1O 1 O1 dwójkowa
212 29 26 23 20 waga pozycji
84 83 82 81 go
Kod szesnastkowy (heksadecymalny)

Innym powszechnie zapisem skróco nym jest w grupy
czterech pozycji zapisu dwójkowego i przedstawienie ich jako cyfry.
cyfr jest 24 = 16 i pochodzi
nazwa kodu szesnastkowego (heksadecymalnego). z cyfr
wynosi od O do 15. Ze na brak cyfr od IO
do 15 w zbiorze cyfr do ich przedstawienia wielkich
liter od A do F.
3 B 9 5 szesnastkowo
1525310 = OO I 1 1 l O 1 1 O O I O1 O 1 dwójkowa
212 2s 24 20 waga pozycji
163 162 16 1 16°
19.1.2.Liczby dodatniew kodzieBCD

Ze na przyzwyczajenie do systemu liczenia liczby dwój -
kowe przydatne do wprowadzania i wyprowadzania informacji. To
zastosowanie kodu (BCD) .
....
....,..........
""== ..........
......
..........
...........
. . .........
.......,.,.,.,.,.......
..,.......,.,.. .............................................
................
V'4VV .. ....... ..... . .... . . . .. .... . . . . . . . . . . . . .. . . . . . .,.. ... ,.,.. .................... , ............... ,.,,. ........ , . . .. . . . .... . ... . . . . . . , ••••
19.l. SPOSOBY PRZEDSTAW JANJA LICZB 613

W kodzie tym pozycji binar-
np. w kodzie dwójkowym prostym.
1 5 2 5 3
1525310 = OO O 1 O 1 O 1 OO 1 O O 1 O 1 O O 1 1 BCD
104 103 102 101 10° waga pozycji
Tak zapisana liczba nazywa BCD w kodzie 8421 !ub

BCD. Poszczególne cyfry kodowane w inny
sposób za innych kombinacji czterech lub bitów. Ze na
to, kod BCD 8421 jest najpowszechniej nazywa go kodem
BCD. My dalej z tego uproszczenia nazwy, zwra-
jednak na od naturalnego kodu BCD.
Na czterech pozycjach binarnych liczby od
O do 15. Kod BCD wykorzystuje tylko kombinacji, do przed-
stawienia w tym kodzie liczby potrzeba bitów w kodzie binarnym .
19.1.3. Liczby ze znakiem
Liczba w postaci
Liczba ujemna daje na najstarszej pozycji
zostanie umieszczony bit znaku s. Zero oznacza a jedynka
Poprawna interpretacja znaku liczby tylko przy
dla 8-bitowego:
+ 11810 = [QJ 1 1 1 o 1 1 02
-11810 = OJ 1 1 1 o 1 1 02
6 5 4 2
( -1)9 2 2 2 23 2 2 1 2°
Liczba w postaci do dwóch (two's complement)

Przedstawienie liczby w postaci ma nie
dodawania liczb o przeciwnych znakach. W przypadku znaku mi-
nus sumator musi przestawiony na odejmowanie. Przy zapisie w postaci
do dwóch nie jest to potrzebne.
W zapisie w postaci do dwóch najstarszy bit ma ujem-
liczby jest normalnym kodem dwójkowym. w tym
zapisie musi aby jednoznacznie zdefinio-
.-, .,www- " "····"" ·····"····································.,·
····•·
···•.,•,•,w,•,•.,•.,•,•,•,•.,•,•,
.,••••••.m., .""-" "_ _ ___ .,.,
.,,.,.,.,,.,,
..,•,•,•,v• •w• •,•• ••••• .~" ' """
614 19. CYFROWE ARYTMETYCZNE

najstarszy bit. W przypadku liczby dodatniej najstarszego bitu
wynosi O. Dla liczby ujemnej bit ten ma 1, bo tylko ta pozycja ma
dla 8-bitowego:
+ 11810 = lli] 1 1 1 o 1 1 o
BN
-11810 = w o o o 1 o 1 o
X
- 27 26 2s 24 23 22 21 20
z liczby dodatniej na co do jest oczywi-

nieco trudniejsze przy zapisie liczba dwój-
kowa BN ma bez bitu znaku N. waga pozycji znaku wynosi - 2N.
- BN przedstawia wzór
dodatniej reszty X
To nosi do dwóch B:J>liczby BN. je

na podstawie BN. przed-
za N pozycji . Ma ona
1111 ... =
Il 2N
- 1
od niej BN otrzymujemy
w której wszystkie bity negacjami odpowiednich bitów BN. Licz-
ba taka nazywa do JJ<Jlliczby BN. mamy
(19.1)
Zapis liczby dwójkowej w postaci do dwóch otrzymujemy

przez wszystkich jej pozycji oraz dodanie 1.
-~~·~wnw·-.·, ,·,·,·-.·········•
""'"""w"~·,-,·
19.l. SPOSOBY PRZEDSTAWIANIA LICZB 615

zm iana znaku liczby nie musi od-
dzielnie, wystarczy do dwóch liczby ze zna-
kiem. Dla liczb w zapisie do dwóch
(19.2)
ta w przypadku, kiedy w wyniku tylko

N po zycji, a pomija
8-bitowej liczby dwójkowej w do dwóch :
11810 = 01110110
do 10001001
+ 1
do dwóch 1OOO1O10 = - 11810
Przejfri e odwrotne:
do 01110101
+ l
do dwóch 01110110 = + 11810
Rozszerzenie liczby (sign extension)
na dopisuje
na dodatkowe zera. W zapisie do dwóch
inna bit znaku .
8 bitów 16 bitów
11810 = o111 o11 o = 0000000001110110
- 11810 = 10001010 = 1111111110001010
'----r--1
rozszerzenie
Dowód jes t prosty . W N-pozycyjnej liczbie ujemnej bit znaku ma

- 2N- 1 . o jeden bit, z przodu jedyn-
Nowy dodany bit znaku ma - 2"'- 1 , stara po zycja znaku zmienia
z - 2N- l na + 2N-i _ Obie pozycje razem zatem
a nie ona zmianie.
Kod binarnyz (offeet hinary)

które tylko liczby dodatnie. Najstar-
liczby one z jako W takim wypadku
zero definiuje w zakresu dopuszczalnych liczby.
-~='"-•r.· .·········· ··••n •,•.•.•.•.•,•.•,•,•,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,.,,,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,• • • •,•,•,•,•,•.•.•.•.•.•.•.•,,,,,,,-.,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,.,.,.,.,·,vr. · .,...,..._.,..._._._._....,.,_=-..w ...... ...-.- ,., ,, .,.,.,.,., ., ., ... , . •••• .,..,..,.,., ,,, ,,,,.,,,,,., .... .. .,..
616 19. CYFROWE ARYT METYCZNE

Za 8-bitowej dodatniej liczby dwójkowej
od O do 255, a za 8-bitowej liczby w postaci do
dwóch od -1 28 do + 127. na kod binarny z
zakres Dodaje zatem 128 i przesuwa liczby
do od O do 255. Liczby od 128 teraz traktowane jako
dodatnie, liczby mniejsze od 128 ujemne. zakresu - 128 - reprezen-
tuje zero. Dodanie 128 bardzo przez bitów zna-
ku w zapisie do dwóch . Zestawienie niektórych obu re-
prezentacji liczb podano na rys. 19.1.
do dwóch Kod binarny z

b7 b5 b5 b4 b:; bz b1 bo b7 b5 b5 b4 b:; bz b1 bo
127 o 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
1 o o o o o o o 1 1 o o o o o o 1
o o o o o o o o o 1 o o o o o o o
-1 1 1 1 1 1 1 1 1 o 1 1 1 1 1 1 1
-127 1 o o o o o o 1 o o o o o o o 1
-128 1 o o o o o o o o o o o o o o o
Rys. 19.J. do dwóch a kodem binarnym z
19.1.4.Liczbydwójkowe
Analogicznie jak dla dwójkowy definiuje tak,
pozycje po przecinku interpretowane jako kolejne ujemne.
1 I O O O O 1, 1 1 O 1
225,812510 = 27 26 2s 24 23 22 21 2o i-1
2 -2 2-3 2-4
zapisu jest liczba pozycji po przecinku. bierze

nazwa liczba stalopozycyjna . przedstawia w zapisie znak-
Ze na pozycji,
przez pozycji,
do postaci liczbie która przetwa-
rzana w sposób jej reprezentacji. Przed wyprowadzeniem liczby
na powrotne.
19.1.5.Liczbydwójkowe
zmiennopozycyjne
Analogicznie jak dla liczb zmiennopozycyjnych
X= M. lOE
19.L. SPOSOBY PRZEDSTAWIANIA LICZB 617

definiuje
gdzie M jest aE
225,8125 pozycja przecinka

= 2,2258125 E2 zmienna pozycja przecinka
11100001,1101 dwójkowo , pozycja przecinka
= l,11000011101 EOlll dwójkowo, zmienna pozycja przecinka
Przy obliczeniach przy zmiennej pozycji przecinka stosuje obecnie

nie za standardem zapisu zmiennopozycyjnego
(jloating-point-standard) IEEE-P754. Ta reprezentacja jest stosowana nie tyl-
ko w maszynach cyfrowych, lecz w komputerach osobistych,
a nawet w procesorach wspomagana przez od-
powiednie procesory arytmetyczne. ma przy tym wy-
boru dwiema 32-bitowym formatem pojedynczej pre-
cyzji a z na 64 bitach. Obliczenia
wykonywane z 80 bitów. Te trzy forma ty liczb przedstawio-
ne w tabl. 19.1 i na rys. 19.2.
Tablica 19.1. Fonnaty Jiczb zmiennopozycyjnych wg normy IEEE
Format Znak Mant ysa

IE EE s
[bity] [bity] Zakres
E [bity] M [bity]
Pojedyncza 32 1 8 2 ±127 10 ±38 23 7 miejsc dzies.

Podwójna 64 I 11 2 ±1023 10±308 52 ,;, 16 miejsc dzies.
80 1 15 2±16383 10±4932 64 ,;; 19 miejsc dzies.
srowa
I. t 32 1
.
ls!e e0!.m,
pojedyncza 7 m23!
podwójna !sje e !,m1
10 0
Is!e 1,i e !mo.m1 0
Rys. 19.2. Porównanie formatów zmiennopozycyjnych
tu trzy liczby: bit znaku S,

Ei M. i mantysy od wyboru precyzji.

M w standardzie IEEE podaje za cyfr m 0 , m 1 ,
m 2 ... . Zazwyczaj mantysa jest znormalizowana m0 = 1:
k
M = 1 +m l . 2- 1 + m2. 2- 2 + ... = 1 + L m,r 1
i= l
Jej 1 M 2. m 0 = 1 podaje tylko pr zy

reprezentacji a normalnie jest ukryta i w trakcie
w formacie IEEE jest podawany w kodzi e dwójkowym

z aby liczby dodatnie i ujemne . Dlate-
go podczas zakresu . Wynosi ona
27 - 1 = 127 przy pojedynczej precyzji
2 10 - 1 = 1023 przy podwójnej precyzji
2 14 - 1 = 16 383 przy precyzji
Znak liczby bit znaku S. Jest to reprezentacja w for -
macie liczby w formacie IEEE
z wzoru :
z = (- 1)8, M.
to jeszcze na pojedynczej precy zji dla
równego 32 bity. przedstawiono na rys. 19.3. Naj -
starszy bit jest bitem znaku S . Za nim 8 bitów i 23 bity
mantysy. Najstarszy bit mantysy m 0 = 1 jest ukryty; przecinek stoi pr zed m 1 .
pozycji m 1 wynosi 1/i.
Znak 1, Mantysa
Tetroda 1 Tetro da 2 Tetrod.a 3 Tetrada 4 Tetrada 5 Te/ra da 6 Tetroda 7 Tetroda 8

'---- -~- -.J'-----v- -''--- -.~ - , '-----y---____,
Bajt 1 Bajt 2 Bajt 3 Bajt 4
STowo1 2
Rys. 19.3. Budowa 32-bitowej liczby zmiennopozycyjnej
16-bitowe , 4 baj ty lub 8 na dwa

bajtów (tetrad) po 4 bity, a za 8 znaków w for-
macie szesnastkowym. Kilka pokazano na rys. 19.4. Znormali zo-
wana liczba NOR 1 ma równy 127; po wyno-
127 otrzymujemy 2° = 1. mantysy wy-
nosi 0,75. Wraz z daje to + 1,75. W drugim
NOR 2 wybrano tutaj S = 1. Liczba 10 w trzecim
jest przedstawiona w postaci znormalizowanej jako 10 = 2 3 • 1,25.
Do podanej reprezentacji szesnastkowej dochodzi bity po cztery
.- .........-.....v-,v, ,,.............,.,...........................,......... ,.••,.,.,.,.,.,.,.,, .,.,.,.,.,..................<Jo..... . .. .. ,v ... . . . ...... .. .... . ... ----~·w, .·.··························
·····•····
······
···············--···········w.,.....•,,~•.•.,
19.l. SPOSOBY PR ZEDSTAWIANIA LICZB 619
i im odpowiednie symbole szesnastkowe. Niestety szesnastkowe
przedstawianie liczb IEEE jest bardzo nieprzejrzyste, w pierwszym
symbolu zawarte znak i a w trzecim pomieszane wy-
i mantysa .
NORI = 3 FE OOOOOHt.< =0 01111111,1100 ... 0 = + 1,75

~"-----y--)
+ 127 0,75
NOR 2 = BFBOOOOOHcx = 1 OlHilll,01 1 0 ... 0 = -1,375
~"-----y--)
127 0,375
N OR 3 = 4 1 2 OOOOOHcx = 0 10000010,0100 ... 0 = +10
'---v----'
+ 130 0,25
NORmax = 7F7FFFFFHex = 0 11111110 , 1111. .. l = +2127(2 - r23)
'-----y--J '----,--l
+ 254 1 - z-23
IN F = 7 F 8 OOO OOHex = O 1 1 1 1 1 1 1 1 , OOOO ... O = + <X)
--~ '---v----'
+ 255 O
ZERO = 00000000 8 .. = x 00000000,0000 ... O =O

'---v----'
o o
Rys . 19.4. znormalizowanego zapisu liczb i w 32-bitowym formacie zmienno-
pozycyjnym
Na rysunku 19.4 pokazano przypadków specjalnych .

sza liczba , w 32-bitowym formacie IEEE, jest równa
NORmax = 2254- 127(1 + I - 2 - 23) = 2121(2 - 2-23) 2128 3,4. J038
Olub 255 zarezerwowane dla przypadków specjalnych .
nik 255 w z Ojest interpretowany jako ± co, od
znaku. i man tysa równe zero, traktuje jak O. Znak
nie odgrywa wtedy roli.
19.2. Konwertery
kodów
19.2.1.Konwersja
liczbydwójkowej
na BCD
konwersji liczby zapisanej w kodzie dwójkowym na BCD
jest jednoczesne odliczanie impulsów w dwóch licznikach: binarnym i BCD.
Gdy oba liczniki z zera i zatrzymane wtedy , kiedy w licz-
niku binarnym zostanie liczby przetwarzanej, na
620 19. CYFROWE UK.LADY ARYTMETYC ZNE

licznika BCD znajdzie liczba przetworzona. tej metody jest to, dla
konwersji N-pozycyjnej liczby dwójkowej do 2""kroków zli-
czenia w licznikach. opisana procedura wymaga tylko N kroków.
Przy na kodzie BCD w wyniku „cyfry" dzie-
1010 a 1510. Takie nieprzewidziane cyfry nazwiemy pseudotet-
radami . Przez one zredukowane do
1010 = 1010 2 , a kolejna pozycja musi o jeden.
Ten sam cel do pseudotetrady 0110 2 = 6, jak
pokazuje
pseudo 13: 0000 1101 0000 1101

-1010 0000 1010 +6 0000 0110
+ 1010 0001 0000
poprawne 13: 0001 0011 0001 0011
tu w jaki sposób
na BCD . Liczby do
9 nie zmie-
nione, liczby od 9 jak pseudotetrady . Podobnie
liczby
4-bitowe. W tym celu przesuwa
od najstarszego bitu w lewo, tak jak
pokazano na rys. 19.5, w tetrady BCD kolejnym pozycjom
Grupy (tetrady) BCO
Setki Oziesia.tki
,__ 11011010
,__ 1011010
1 1 - 011010
1 1 o - 11010
+3
1 O o 1 - 11010
o o 1 1 - 1010
It Io o 1 1 1 - 010 +3
I, o 1 o 1 o - 010
1 Io 1 o 1 Jo o - 10
+30
1 oJo o o 1 IoIo - 10
1 I o oJo o oIoI, I ..--o
-
+3
1 I ojojo oj , IoIo I - o
I1 oj ojoJo 1 j oJoJol
2 8
Rys. 19.5. Konwersja liczby BCD na 218 jako
19.2. KONWERTERY KODÓW 621

Przekroczenie przez granicy a gru-
oznacza W przypadku liczby dwójkowej jest to
z 8 na 16, podczas gdy dla liczby BCD tylko z 8 na
10. Oznacza to, liczba BCD jest w tym momencie za o 6. Dla korekcji
trzeba zatem zawsze 6, gdy jedynka przekracza grupy.
Odpowiednio 6 do grupy wówczas, gdy jedyn-
ka przekracza a setkami itd. w ten spo-
sób liczba BCD ma jednak pseudotetrady .
Aby tego koryguje pseudotetrady po przez
dodanie 6 do odpowiedniej pseudotetrady i przeniesieniu 1 do Obie
korekcje z tej samej operacji, a mianowicie dodania 6. Za-
miast 6 po równie dobrze 3 przed
O tym, czy korekcja potrzebna,
jeszcze przed kiedy tetrady wynosi mniej lub równa
4 = 01002 , po nie ani jedynki przez
grup, ani nie powstanie pseudotetrada. tetrady przed
wynosi 5, 6 lub 7 nie jedynki przez
grup, bo najstarszy bit tetrady jest O. jednak pseudotetrady
10, 12 albo 14, lub 11, 13, 15 w od tego, czy zostanie wprowa-
dzone zero czy jedynka. W tych przypadkach jest konieczna korekta pseudo-
tetrady przez dodanie 3 przed
tetrada ma przed 8 lub 9, skorygo-
jedynki przez grup. Po regularne
(poprawne) tetrady 6 lub 7, albo 8 lub 9. z korekcji pseudotetrad nie da
w efekcie 9. Tak po wyczerpaniu wszystkich
korekcji je w tabeli poprawek, jak na rys. 19.6.
Funkcja
I X4 X3 X2 X1 y.., Y3 Y2 Y1 y
o o o o o o o o o X
1 o o o 1 o o o 1 X
2 o o 1 o o o 1 o X
Binarna- BCD 3 o o 1 1 o o 1 1 X
4 o 1 o o o 1 o o X
5 o 1 o 1 1 o o o X+3
Y4 Y3 Y2 IJ1 6 o 1 1 o 1 o o 1 X+3
7 o 1 1 1 1 o 1 o X+3
8 1 o o o 1 o 1 1 X+3
9 1 o o 1 1 f o o X+3
Rys. 19.6. Tablica korekcji dla konwersji liczby binarnej na BED

Realizacja konwertera kodu dwójkowego na kod BCD polega
na wprowadzeniu liczby dwójkowej od prawej strony do rejestru przesuwa-
podzielonego na 4-bitowe bloki (dekady). Do z dekad jest do-
w taki sposób, rejestru prze-
...-.·.w.~ WN•·•w•··
········
···•····
···•w···························,w
.•.w.o,.•.•.•.w.•.•e.w.•.·········e.w·.··············w···········W"'""°''~www--.,w,.w. ·•·•··
·····•·•···········w··"w''°"'"' •-wwwe,w
622 19. CYFROWE UKLADY ARITMETYCZNE
zmienia przed zgodnie z praw-
dy z rys. 19.6.
Zamiast realizacji konwertera w postaci sekwencyjnego go
w postaci kombinacyjnego. Operacje
tu przez odpowiednie Pokazano to na rys. 19.7. Za-
miast w lewo w rejestrze, ,,nasuwa" na grupy BCD
z lewej na i z tetrad koryguje zgodnie z
z rys. 19.6. Aby móc przesuwanie grup BCD, na i
jest potrzebny jeden korekcyjny. Uproszczenie wy-
nika z faktu, korekcyjny wówczas, gdy do tetrady
wchodzi nie 3 bity, wtedy korekcja nie jest potrzebna. Na
rysunku 19.7 przedstawiono 8-bitowy konwerter kodu dwójko-
wego na BCD. ten daje w sposób dowolnie
prostego schematu. niepotrzebne przy przetwarzaniu 8-bitowym na-
rysowane Podane liczbowe
dla z rys. 19.5. Kombinacyjny blok konwertera w postaci
256-bajtowej, zaprogramowanej przez producenta ROM, jest
ny na rynku (SN 74S485). kombinacyjnych poka-
zanych na rys. 19.8. Jak z porównania z rys. 19.7, dwa scalone
8-bitowej liczby dwójkowej. Do konwersji liczby 16-
-bitowej jest potrzebnych osiem elementów.
11011010
r- - --, 1 -- --, r-- -

1 II II I
L _ __ _J L ___ _J L _ _ _
1000011000
'-r./ '--..--1
2 1 8
Setki Dziesio,tki
Rys. 19.7. Konwersja liczby binarnej na BCD z korekcji. Wprowadzone od-

konwersji liczby 218

r ,-,...
I
___,_
_ _.__
-'--, ·1
l I
I
Binarna -BCD
I
Binarna - BCO I
I
I I
Binarna - BCO
I
I
Binarna - BCD I
L. .J
Ye Y7 Y6 Ys Y4 Y3 Y2 Y1
Rys. 19.8. Zasada scalonego konwertera liczby binarnej na BCD SN 74185)
19.2.2.Konwersja
liczbyBCDna
W wielu przypadkach kod BCD w sposób
np . liczników BCD . Na kodzie tym, jak
wiele operacji arytmetycznych. Niekiedy jednak jest
potrzebna jego konwersja na kod dwójkowy. to za
kolejnych przez 2: dzielimy przez 2. jest nieparzy-
sta pozostaje reszta 1; oznacza to, pozycja 2° wynosi 1. Iloraz dzielimy
znowu przez dwa, reszta wynosi O, to na pozycji 2 1 stoi O, gdy pozostanie
reszta 1 na pozycji 21 stoi I. Podobnie z kolejnymi
pozycjami liczby.
Dzielenie liczby BCD przez 2 przez przesu-
wanie w prawo o poszczególne cyfry BCD w po-
prawnym kodzie binarnym (od O do 9). Bit w prawo jest
nie Przenos zenie jedynki z jednej grupy BCD do kolej-
nej wprowadza przy z grupy do jedynek powinna
jej waga z na podczas gdy w liczbie dwójkowej zmie-
nia na osiem. zatem 3. W ten sposób
gotowy przepis na najstar szy bit dekady po wy-
nosi 1, od dekady 3. otrzymujemy natychmiast
prawdy z rys. 19.9. Konwersja wówczas, gdy liczba
BCD zostanie z grup BCD .
Na rysunku 19.10 przedstawiono kombinacyjny do konwersji 2 1/r
-cyfrowej liczby BCD . Analogicznie do konwertera z rys. 19.7 efekt przesuwania
grup BCD przez ze identycznych
kombinacyjnych. Aby rysunek przejrzysty, dla kroku zamieszczono

od razu wszystkie trzy poprawek. Kiedy najstarszy bit nie jest
to zgodnie z rys. 19.9 nie potrzebne poprawki i odpowiednie
te poprawki, zaznaczone na rys. 19.10
Funkcja
I X4 X3 Xz X1 Y4 lj3 !Jz !J1 y
o o o o o o o o o X
1 o o o 1 o o o 1 X
2 o o 1 o o o 1 o X
3 o o 1 1 o o 1 1 X
4 o 1 o o o 1 o o X
5 o 1 o 1 o 1 o 1 X
6 o 1 1 o o 1 1 o X
BCD-,,. Binarna
7 o 1 1 1 o 1 1 1 X
8 1 o o o o 1 o 1 X-3
9 1 o o 1 o 1 1 o X-3
10 1 o 1 o o 1 1 1 X-3
IJ4 IJ3 Yz Y1 11 1 o 1 1 1 o o o X-3
12 1 1 o o 1 o o 1 X-3
13 1 1 o 1 1 o 1 o X-3
14 1 1 1 o 1 o 1 1 X-3
15 1 1 1 1 1 1 o o X-3
Rys. 19.9. Tablica korekcji dla konwersji liczby BCD na
Setki Dziesio,tki
2 1 8
,...,., ,--A-,. r--'---.
1 O OO O 1 1 O O O
r ---, r -
I 11
L ___ _j L _
, ----, r--
1 II
L _ _ _jL_
0011011010
Rys. 19.10. Konwersja liczby BCD na Wprowadzone konwersji

liczby 218

konwerterów na rynku (SN 74S484).
one z bloków (jak pokazano na rys. 19.11), w efekcie zapro-
przez producenta ROM o 256 bajtów. Do
konwersji 2 dekad BCD jest potrzebny jeden taki element, a do konwersji
4 dekad 5 elementów.
Xe X7 X6 X5 X~ X3 Xz X1
-1
I
BCO- binarna '
BCD- binarna
I
'
BCD _,,.. binarna

I
I
BCD - binarna
II
L _J
YB 'h Y6 Ys Y-t Y3 Y2 Y1
Rys. 19.11. Zasada scalonego konwerlera liczby BCD na (typ SN 74S484)
······
· • ········:········::·····:·····:················
··-·.<·.·
··~-
~*~~~~),: ;..·..· ····:··
· ··
·······················
· ····
·······
·-~~*~~-..~~-
-~:~>~
·-·~;i;i;i;i;~
:ii~I;~;i;i;~;;:;~;
.3. KombmacyJne (barrelshifter) ,@,i]=i\W?=],
!
:~~=~~:~~~~:~:~:~:~:
~:~:~:~{:~
:~:~t=~=
~=~=~=~=~=~:~:~=~=~~=~~:~1:~
~::s~i.$.R~t-sP~
..;J~
:m:m
:1:1:~:i:~
:r:~
=~=l{:rrrr~=t~~@
MAf;<~«:~ ..~
~i~::
.......
..:i:~:;:i:l:~:i:l:l:l:l:rrr ~:~:~=~:~:~:~:~:1:1:;:;:1:~~;:
..:;:;:;:1:
W wielu operacjach arytmetycznych przesuwania

bitów o lub pozycji. to np. za rejestru
(por. p. 10.5). wówczas o pozy-
w jednym cyklu zegara. takiego jest stoso-
wania do rejestru odpowiedniego bitów
oraz rejestru
Takie samo przesuwanie bez synchronicznych
za multiplekserów
pokazano na rys. 19.12. Ze na sposób takie
niesynchronizowane rejestry jako kombinacyjne lub asyn chronicz-
ne. Niech adres na rys. 19.12 A = O, wówczas y 3 = x 3 , Yi = x 2 itd.
A= l, wówczas YJ = x 2 , Yi = x 1 , Yi = x 0 i Yo= x _ 1 .
bitów X pojawia zatem na jako o jedno miejsce
w lewo. Tak samo jak w przypadku rejestru najstar-
szy bit zgubiony. multiplekser o N tu do-
o O, 1, 2 ... (N - I) pozycji.
626 19. CYFROWE ARYTMETYC ZNE

X3 Xz Xo
X-1 X-2 X- 3
O 1 2 3 O 1 2 3 O 1 2 3 O 1 2 3
Multiplekser Multiplekser Multiplekser Multiplekser
Y1 Yo
Rys. 19.12. Kombinacyjny rejestr zbudowany z multiplekserów
a1 ao Y3 Y2 Y1 Yo
o o X3 Xz X1 Xo
o 1 x2 X1 Xg X- 1
1 o X1 Xo X- 1 X-2
1 o Xq X-1 X- 2 X-3
Rys. 19.13. Tablica funkcji k ombinacyjnego rejestru
W z rys. 19.12 N= 4; mamy funkcji z rys . 19.13.

Aby zapo biec zgubieniu starszych bitów rejestr jak poka-
zano na rys. 19.14 przez identycznych W wybranym przy-
dla N= 4 temu bez utraty informacji
X o trzy pozycje. liczba pojawia na y 3 •. . y 7 .
3 2 1 O -1 -2 - 3 3 2 1 O -1 -2 -3
Kombinacyjny
rejestrprzesu.wajqClj Kombinacyjnyrejestr
3 2 1 O 3 2 1 O
Y3 Y2 Y1 Yo
Rys. 19.14. Rozszerzenie kombinacyjnego rejestru
X3 X2 X1 Xo
3 2 O - 1 -2 -3
ao Kombinacyjnyrejestr przesu.wajqcy
a1-'-- - -.--- --.--- -r-- -.---'
Y3 Y2 Y1 Yo Rys. 19.15. Kombinacyjny rejestr
19.3. KOMBINACYJNE (BARREL SHIFfER) 627

z rysunku 19.12 w rejestr
wy, w tym przypadku x _ 1 ... x _ 3
z x 1 ... x 3 , jak to pokazano na rys. 19.15.
Typy scalonych:
16-bitowe (ITL): SN74AS897 - Texas Instruments
16-bitowe (ITL): 677530 - MMI
16-bitowe (IT L): Am29I30 -AMD
32-bitowe (CMOS): LSH32 - Logic
Komparatory to logiczne, które ze dwie liczby. Naj-

kryteria porównania to A = B, A> Bi A< B. Najpierw zajmiemy
komparatorami, które dwóch liczb dwójkowych. Kryte-
rium dwóch liczb dwójkowych to wszystkich bitów.
Komparator powinien na 1 wówczas, gdy dwie porównywane
liczby sobie równe; w przeciwnym razie na powinno O. Naj-
prostszy przypadek jest wówczas, gdy dwie porównywane liczby jednobito -
we. Jako komparatora wówczas bramki EXOR. Dwie N-bitowe
liczby dwójkowe porównuje równolegle bit po bicie, a jest iloczy-
nem wszystkich pokazuje rys. I 9.16.
Typy scalonych :
2x 8 SN74LS688 (ITL) -Texas Instruments
2x9 Am29809 (ITL) -AMD
2 x 10 SN74LS460 - MMI
Bardziej uniwersalne komparatory prócz wykrywania wskazu-
która z porównywanych liczb jest je komparato-
ra wartoJci (magnitude comparator). Aby móc dwóch liczb
w jakim kodzie one zapisane . W dalszych
przyjmiemy, liczby traktowane jako dwójkowe, tzn.
A = aN- 1. 2N- 1 + aN- 2. 2N-2 + ... + a1. 21 + ao. 20
'IA.=8
Rys. 19.16. Komparator dla dwóch liczb N-pozycyjnych
628 19. CYFROWE ARYTM ETYCZNE

Najprostsze jest, podobnie jak poprzednio, porównanie dwóch liczb jednopo-
zycyjnych. Dla utworzenia funkcji logicznych skorzystamy z przedstawionej na
rys. 19.17 tablicy prawdy . Na jej podstawie otrzymamy
przedstawiony na rys. 19.18.
a b Yo.>b Ya =b Ya <b
o o o 1 o
o 1 o o 1
1 o 1 o o
1 1 o 1 o
Rys. 19.17. Tablica prawd y komparatora Rys. 19.18. Jednobitowy komparator
jedno bitowego
Dla porównania liczb wielopozycyjnych algo-

rytm: porównuje bity na najstarszych pozycjach, one
porównanie jest W przypadku najstarszych bitów
porównuje kolejno itd. (identyczno-
na pozycji przez g;, otrzymujemy N-pozycyjnej liczby
jako
YA > B = aN-1 · b N - 1 + gN - 1 · aN- 2 · b N - 2 + ···
+ gN - 1 · gN- 2 . . . g1 · ao · bo
scalonych komparatorów
5-pozycyjny: scalony MC10166 (ECL)
8-pozycyjny: scalony SN74LS682...689 (fTL).
Komparatory szeregowo (rys. 19.19) lub równolegle

(rys. 19.20). Przy szeregowym, w przypadku trzech naj-
starszych bitów stan komparatora K2 od
komparatora K 1 , one do kom-
paratora K 2 •
b3 a3 b2 a2 b1 a1 bo ao b3 a3 b2 az b1 a1 bo ao
Kompar ator K2 Kompar .ator K1
AB A<:.B A=B A>B
YAB
Rys. 19.19. Szeregowe rozszerzenie komparato rów
19.4. KOMPARATORY 629

b, a3 b2a2 b1 a1 bo ao b3a1b2a 2 b1 a1 boao
Komparator K4 Komparator K3
AB AB
b3 a3 b,a2 b1 a1 bo ao
Komparator K5
AB
IJA<8 YA=IJ YA>IJ
Rys. 19.20. rozszerzenie komparatorów
Przy porównywaniu bardzo liczb jest korzystniejsza metoda rów-

komparatorów, daje ona krótszy czas porównania.
ft 19.5.Sumato
:::!W
fflfJi:fit?.
Mt:::::::::::::::::::
:::.:::
:.
19.5.1.
Sumatory dwie liczby binarne. Zajmiemy tutaj
sumatorami liczb dwójkowych. Najprostszy przypadek wówczas,
gdy trzeba dwie liczby jednobitowe . Aby móc odpowied-
ni logiczny, wszystkie przypadki i
tablice funkcji logicznych.
Przy dodawaniu dwóch liczb jednobitowych
przypadki:
0+0=0
O+ 1 = 1
1+0 = 1
1 + 1 = 10
ao bo So C1
o o o o
o 1 f o
1 o 1 o
1 1 o 1
Rys. 19.21. Tablica prawdy Rys. 19.22.

---==w.·.,w.w .w.•.•.•.•.•.•.•.•······•W•W•W•·········
•·············
········.w.•,.ww .•.o,..... ..........,.............. .. ...........·.-··········•
zarówno A, jak i B jedynkami, przy dodawaniu prze-
niesienie do starszej pozycji. Wobec tego sumator musi dwa jed-
no dla sumy na sumatorowi pozycji i jedno
przeniesienia do pozycji. do tablicy prawdy przedstawio-
nej na rys. 19.21 przydzielamy liczbom A i B zmienne logiczne a0 i b0 • Przenie-
sienie oznaczymy przez c1 , a jako s0 • Otrzymujemy funkcje Bo-
ole'owskie w postaci normalnej sumy
C1 = aobo
s0 = a0 b0 + aofiO = a0 EBb0
Pr zeniesienie jest iloczynem zmiennych (funkcja AND), su-
ma (EXOR). który realizuje te dwie
nazywamy przedstawiono go na rys. 19.22.
19.5.2. sumator
W przypadku dodawania liczb dwójkowych wielopozycyjnych

tylko na pozycji. N a wszystkich
trzeba nie dwa, ale trzy bity z powodu przeniesienia z pozy-
cji. W ogólnym przypadku dla bitu jest potr zebny logiczny
o trzech a 1 , b 1 , c 1 oraz dwóch si i c,+i· taki nosi
s; = a1 EBb1 EBci;
s; C1+1 = a1b1 + G1C1+ b1C1
Rys. 19.23. sumator
Funkcja
ai b; Ci Pi g; r; s; C/+1 E
o o o o o o o o o
o 1 o 1 o o 1 o 1
1 o o 1 o o 1 o 1
1 1 o o 1 o o 1 2
o o 1 o o o 1 o 1
o 1 1 1 o 1 o 1 2
1 o 1 1 o 1 o 1 2
1 1 1 o 1 o 1 1 3
Rys. 19.24. Tablica prawdy sumatora

..........
.,.,. .............
. .....
....
.,·,············
································
_.
......... ......
,.,••,•,••,
,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•.."...........................
~~-= ...............
.,.,.,.,.,.,.,.,.,
...
...........,...,.
................
.,.
.....................
...........
...,.
............
,.,•,•,
l9.5. SUMATORY 631
sumatora. go w sposób pokazany na
rys. 19.23 za dwóch Tablica prawdy sumatora
jest przedstawiona na rys. 19.24. Aby móc dwie wielopozycyjne licz-
by dwójkowe potrzeba na jeden sumator. Na
szym bicie Na rysunku 19.25 pokazano
dwie 4-bitowe liczby A i B. Sumatory takie wykonuje w postaci
scalonego , przy czym na pozycji one
sumator po to, aby je równolegle (SN 74LS83).
bo ao
So
Rys. 19.25. Dodawanie czterech bitów z przeniesieniem szeregowym
19.5.3. propagacji
Czas wykonywania operacji sumatora z rys. 19.25 jest wielokrotnie

sumatora dwubitowego; przeniesienie c 4 bowiem war-
dopiero wówczas, gdy ustali poprawna przeniesienia c 3 • To
samo dla poprzedniego przeniesienia (ripple carry).
Aby czas dodawania wielopozycyjnych liczb dwójkowych,
(carry look-ahead) . W tej metodzie
wszystkie przeniesienia oblicza wprost z zmiennych
Z tablicy prawdy z rys. 19.24 otrzymuje na przeniesienie ci ze
stopnia i sumatora
ci+1 = a; · b; + (a; EBbJc; (19.3)

'--,,-' "--r-'
gt Pt
Wprowadzone dla uproszczenia g; i Pt w sumato-

rze z rys. 19.23 jako wyniki Ich obliczenie nie wymaga zatem
nego dodatkowego te w sposób na-
zmienna gi informuje, czy w stopniu i przeniesienie od
zmiennych a; b;, dlatego jako
Zmienna P; informuje, czy kombinacja zmiennych powoduje pro-
przeniesienia z poprzedniej pozycji dalej, czy jego przez
i-ty sumatora; P; jako Z równa-
_-
nia 19.3 otrzymujemy kolejno poszczególne przeniesienia:
..... ........................
....,..,..,.... ........
.,.,.,.,.,.,.,.,.,.•.,.,..,.,.,. ,.,.,.,...........................
..................,.,.,.,.,.,.,.,...................
........
... ,.....
.......... ...........................................
,.,.....
,.•.•. ....
,.....
.......,..,~.,..,....,..,.,..,. ......
,.•.•.•.•.•
.,.,•,•.
C2 + PJ.PoCo (19.4)
C3= g2 + P2C2= g2 + P2g1 + PiPogo +
C4= g:i + p3 C3= g3 + p3g2 + P3 P2g1 + P3P2P1go + P3P2P1P0Co
te wprawdzie coraz bardziej skomplikowane, ale

z nich obliczone jako zmienna pomocnicza w czasie równym
dwóm czasom propagacji bramki.
Na rysunku 19.26 przedstawiono schemat blokowy 4-bitowego sumatora
z propagacji W bloku równo -
PCL realizowane równania (19.4). Aktualnie na rynku
sumatory w postaci monolitycznych scalonych.
TTL: SN74LS181; SN74LS281; SN74LS381; SN74LS382; SN74LS681

CMOS (16 + 16 bit, 4 x 381); L4C381 Logic Dev., 1DT 7381.
b3 a3 b2 a2 b1 a1 bo ao
Pe[ny C3 Pelny Cz c, Co
sumator sumator su.ma.tor sumator
g p
S3 S1 So
93 p3 C3 92 P2 Cz 91 P1 C1
C4 C4 PCL Co
G p
Rys. 19.26. Dodawanie czterech bitów z przeniesieniem
Sumatory wielobitowe przez zestawienie licz-

by 4-bitowych bloków. Przeniesienie c4 wówczas z prze-
niesieniem c0 kolejnego starszego bloku. to jest jednak niekon-
sekwentne, przeniesienia w bloku równolegle, przy
z bloku do bloku szeregowo. Aby najkrót-
szy czas dodawania, równolegle propagowanie
blokami. W tym celu rozpatrzmy jeszcze raz na zmien-
c4 z (19.4)
C4= g:i + p3g2 + P3P~1 + P:iP2Pigo + AP2P1P0Co

"-----y---)
G P
w.- 00
....... w.•,.•.•.•.·······················
w .-....... ....... . ••······· ····•·•·•·•·•······ ••••••••••••••••••• ······•
·•···············"
"-- ' ""www=, ···•w,•.-.,.-.,.-.,
.........
•.···············•"""
""""" =A•~==
19.5. SUMATORY 633
Dla uproszczenia oznaczmy przez G w bloku, a przez
P przez blok. Otrzymamy zatem
c4 = G + Pc 0
jest pod formalnym zgodne z równaniem (19.3).
zatem dla 4-bitowych bloków sumatora zmienne pomocnicze
G i Pi zgodnie z tym samym algorytmem, co w równaniu (19.4) dla propagacji
z pozycji na przeniesienia z bloku do bloku.
Rysunek 19.27 przedstawia schemat 16-bitowego sumatora z przeniesie-
niami Blok PCL jest identyczny z zastosowanym
w sumatora z rys. 19.26. Bloki jako od-
scalone. Przy zastosowaniu elementów TTL dla 16-bitowego su-
matora uzyskuje czas wykonania operacji 36 ns, a przy elementach TTL
Schottky'ego (TTL-S) 19 ns.
b12...1sa12...1s be...11 ae...11 b 4 .. . 7 a4__

,1 bo...3 ao...3
4 4 4 4 4 4 4 4
Sumator Sumator Sumato r Sumat or

4- bitowy C12 C9 C4 Co
4- bitowy 4-bi towy 4-b ito wy
8 p 6 p G p G p
4 4 4 4
S1z...15 Se .. . 11 S4 ___
7 so...3
93 p3 C3 92 P2 C2 91 P1 C1
C16 C4 PCL Co
6 p
Rys. 19.27. Dodawanie szesnastu bitów z dwoma poziomami
scalonych propagacji
4-pozycyjne: SN74182 (TTL); MCI0179 (ECL); MC14582 (CMOS)
8-pozycyjne: SN74LS882 (TTL); 67S583...585 (TTL) firmy MMI.
19.5.4.Dodawanie
liczbBCD
Dodawanie liczb BCD dla z dekad jednego

4-bitowego sumatora. Po wykonaniu dodawania jeszcze
do tej, z do czynienia przy
konwersji liczby dwójkowej na BCD, tzn . 6 do dekady , w której
przeniesienie. Otrzymuje wówczas BCD o poprawnej war-
jednak w niej pseudotetrady . W z tym
czy w dekadzie liczba od 9, a tak , to
do niej 6. przy tym operacje przeniesienia
powinny propagowane w normalny sposób do starszych dekad.
•,•,•,•,w,•.•,•,•.,., o., . , ~A ,,WWW- -www=

Opisane operacje w najprostszy sposób w
przedstawionym na rys. 19.28. Dodaje w tym celu do podstawowego suma-
tora drugi wprowadzenie poprawek . jest
w postaci scalonej .
a3 s31----+--+-+- -- ------la3
a2 s2 a2
a1 S1 a1
ao co s0 ao co
Rys. 19.28. Dodawanie liczb BCD przy sumatorów dwójkowych
Typy scalonych TTL:

N 82S82, N 82S83 (Signetics)
74F582, 74F583 (Fairchild).
19.5.5.Odejmowanie
Odejmowanie dwóch liczb do ich sumowania w
sposób:
D= A- B= A + (- B) (19.6)
zatem w postaci do dwóch, otrzymujemy

dla o N proste
-
-
BN-DN n/2)
DN= AN+ J3<;>

W celu obliczenia musimy do dwóch BN i
je do AN. równania (19.1) w tym celu wszystkie
pozycje BN do i 1. Dodawanie AN i 1
w jednym sumatorze, w tym celu przeniesienia.
W ten sposób otrzymujemy przedstawiony na rys. 19.26 dla
4-bitowego Aby DN w poprawnej postaci
do dwóch, obie liczby AN i BN podane w tym
samym formacie, tzn . dla liczb dodatnich najstarszy bit musi O.
19.5. SUMATORY 635

Znak Znak
Sumator 4- bitowy
Rys. 19.29. Odejmowanie liczb w do dwóch: D =A - B
Opisane w p. 19.5.3 sumatory scalone z rodziny 181 ste-

liczb one zatem
stosowane jako (subtraktory) .
ce na zmiennych Elementy
takie nazywa jednostkami arytmetyczno-logicznymi ALU logic
unit).
19.5.6. Nadmiarw dodwóch

do siebie dwie liczby N-pozycyjne, w wyniku
(N+ Taki nadmiar po przenie-
sienia (carry) do najstarszej pozycji.
W zapisie do dwóch najstarszy bit jest zarezerwowany dla
znaku. Przy dodawaniu dwóch liczb ujemnych do pozycji nadmiaru
zawsze propagowane przeniesienie, w obu liczbach na pozycjach
znaku jedynki . Przy dodawaniu liczb o dowolnych znakach w ko-
dzie do dwóch przeniesienia do pozycji nadmiaru
wcale nie musi nadmiar. Rozpoznanie nadmiaru
kiedy dodajemy dwie liczby dodatnie , ich suma
musi dodatnia. Kiedy suma jest prze-
niesienie na pozycji znaku , tzn. wynik jest ujemny. W ten sposób rozpoznaje-
my nadmiar dodatni. Podobnie nadmiar ujemny: on
wówczas, gdy dwie liczby ujemne Przy dodawaniu liczby
ao bo
Co
S1 So
Rys. 19.30. Tworzenie nadmiaru OV w do dwóch

·················
·······-,w~,=~-"""-""'"' ·············'·'·'·'·'·'·'·'·'"' ·'·'·"""""'"" ·'-,=--www
636 19. CYFROWE ARYTM ETYCZNE
dodatniej i ujemnej nadmiar nie dwóch liczb nie
od z liczb
Rozpoznanie nadmiaru w do dwóch w prosty spo-
sób do porównania przeniesienia cN -l na znaku i przenie-
sienia cN z pozycji znaku, jak to pokazano na rys. 19.30. Nadmiar
wtedy, kiedy oba te przeniesienia Stan ten dekoduje ope-
racja logiczna EXOR. W arytme tycznym 74LS382 to jest wy-
prowadzone na
19.5.7. Dodawanie
i odejmowanie
liczbzmiennopozycyjnych
Przy na liczbach zmiennopozycyjnych mantysa i roz-
patrywane oddzielnie. Przy dodawaniu na
niki. W tym celu tworzy ich io przesuwa w prawo
mniejszego ze Po tej operacji obie liczby wspólny,
tj. który przez multiplekser (rys. 19.31) przechod zi na wyj-
jako wynikowy. Teraz do siebie lub obie mantysy.
Wynik jest nieznormalizowany, tzn . pierwsza jedynka mantysy nie
stoi na pozycji. W celu znormalizowania wyniku lokalizuje pierw-
wyniku w dekoderze priorytetu (patrz p. 9.6.4). Wówczas
przesuwa o pozycji w lewo, jedno-
o [19.1].
BE odejmuja.cy
A,
B, odejmuja,cy
priorytetowy
AM Ukfad
A przesuwaja,cy
w prawo Ukfad
dodaja,cy/ 1--...._ ...iprzesuwaja,cy
odejmuja,cy w l ewo
S11
>--+---_,.__,..
s
BM Ukfad
8 przesuwaja,cy
w prawo
'------v------- '------v------- '------v-------

Denormalizator dodaja,cy/ Normalizator
odejmuja,cy
Rys. 19.31. Realizacja dodawania lub odejmowania liczb zmiennopozycyjnych A i B
scalonych sumatorów liczb zmiennopozycyjnych przedstawio-

no w tabl. 19.3.
_.,.,.. ._...,.....,.,...
,_._._.
_.,,,,, .•, .•.•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,-,•,-.w~ •.•,,,l,AN,•.,.,.•.•,•,•,•,v ,....... _....... ~_.., ............ .,....-.,.,,,,,,,_._._._.
,,,•,•,•,•,•,•,•,,,•.•,•,•,-,•,•,•,•,•,•,•,•,-.v.vr.=-w,......., ,, ,,,_.,,,•,•,•.•_.,,,,,,_.,.,,,'.',•,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
19.5. SUMATORY 637

19.6.1. liczb
w systemie dwójkowym najpierw na liczbo-

wym. Obliczymy iloczyn 13 · 11 = 143
1101-1011
1101
+1101
+0000
+ 1101
10001111
Obliczenia dlatego takie proste, tylko przez

O lub I. Iloczyn otrzymuje o jeden bit w lewo
i lub nie w od tego, czy odpowiedni bit
ma 1 czy O. Poszczególne cyfry w tej metodzie przetwa-
rzane po kolei - metoda ta nosi metody szeregowej.
za rejestru i sumatorów . jest
tu
Jak przy opisie konwersji liczb dwójkowych na BCD,
kombinacyjnym. Z
tym N sumatorów. Co prawda potrzebujemy wówczas wielu suma-
torów, jednak rejestr oraz sterowania.
takiego jest istotnie krótszy czas wykonywania operacji; zamiast
czasu wykonywania kolejnych cykli jedynie czasy pro-
pagacji bramek.
N a rysunku 19.32 przedstawiono kombinacyjnego
4 x 4 bity. Jako sumatorów elementów 74LS381,
w których za lub
dodawania. Mamy
S={A+O dla m=O

A+B dla m=I
jest bit po bicie do m. jest
równolegle do b0 ... b 3 sumatorów.
Na przyjmiemy, pewna liczba dodatkowa K = O. Wtedy na
pierwszego elementu arytmetycznego mamy
S0 =X · Yo
. ~~ '"""·· ·-- ················ ················· ·····.,., •• . • .••..• ·.•.•,•,•,•.•.•• . , • ............,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,········· ··w• ··m.v '·---·•··•········· ····
············
•,w,s
·.,- .,.--_.
...--.-.~w„wm.v,•,•, •.wu.

To pierwszego wiersza w przedstawionym
schemacie (najmniej bit LSB (least significant
bit) iloczynu S0 LSB iloczynu P - jest on wyprowadzony
na starsze od S0 bity dodawane do
nia X· y 1 w drugim elemencie arytmetycznym. Tak otrzymana suma jest
dla pierwszego i drugiego wiersza sumowania. Jej LSB jest
iloczynu P, jest on przenoszony na Pi.
o
o o
1
1
1111 o 1 00~
b3 02 b1 bo a3 a2 a1 ao
Sumator sterowany m ,.-J.._._Yo
C4 S3 S2 S1 So
1 1 O 1 ol 11 1 O 1
b3 b2 b1 bo a3 a2 a1ao
1 1
Sumator sterowanym
C4 S3 S2 S1 So
1 1 O 1 1O O 1 1
b3b2 b1bo a3a2 a1ao
Suma.tor sterowany m
0 o !J2
C4S3 S2 S1 So
1 1 a1 a1 oo 1
b3 b2 b1 bo a3 a2 a1ao
1 1
Suma.tor sterowany m Y3
C4S3 S2S1 So
al alol 1l 1 1 1
P7P6 P5P4 p3 P2 P1 Po
Rys. 19.32. dwóch liczb 4 -bitowych; jako pokazano 13 · ll = 143.

Wynik: P = X · Y + K
Podobnie
obliczane kolejne starsze sumy Dla
na rys. 19.29 na podano liczbowe
z opisanego Przez dodatkowe k 0 .•. k 3 do iloczynu
jeszcze K. Zatem dla
go wzorem
P=X· Y+K
dostrzec sposób rozszerzenia dla
kolejnego bitu do ostatniego stopnia kolejny
arytmetyczny. Rozszerzenie X przez
szenie liczby elementów arytmetycznych. w stopniu. W opisanej
.w .w.•.•,• .•.w.w,•,•,,•, •,•.•,•.•.•.•.•,•,•,••••
•••••••·····
···············n .>n .•n .·.•.•.w .•,•,•,•,•,w ,•,•.•,•, .•.•.•,•,•.•.w,•,•c,•,•,•cm.w,-,u_,==·---
19.6. 639
metodzie do sumy dodaje zawsze nowy iloczynu. Takie
zapewnia najmniejszy kosztów oraz czytelny, roz-
szerzalny Czas wykonywania operacji by gdy-
by wiele operacji sumowania wykonywane równolegle, a na
dodawanie poszczególnych sum w szybkim su-
matorze. Znanych jest wiele takich sposobem doda-
wania (Wallace Tree) [19.2].
Inna skrócenia czasu opiera na algorytmie Bootha
[19.3]: bity pobierane parami, wobec czego liczba sumatorów
zmniejsza dwukrotnie i skraca czas wykonywania operacji. Zgodnie z
zestawione w tablicy 19.2. argumentu
wynosi od 8 do 32 bitów. Przy powstaje wynik o podwójnej
W celu zmniejszenia liczby w wielu typach aryt-
metycznych stosuje multipleksowanie lub wprowadzanie i wyprowadzanie
danych przez linie dwukierunkowe. Mimo to niektóre
ponad 100
arytmetyczne obecnie wykonywane powszechnie w technologii
CMOS. Nietrudno mimo tego nie one wcale wolniejsze od
swoich poprzedników w technice TTL, a oprócz tego nawet przy
zegara tylko niewielkiego pobieranego przez
TTL. temu ze stosowania radia-
torów i wentylatorów. Systemy o bardzo obecnie
budowane w technice ECL. W tych zastosowaniach ECL
jedyne translatory poziomu doda-
tkowe czasy propagacji.
typów ma które czy operacja obliczeniowa
ma wykonywana w zapisie czy w do dwóch.
Niektóre typy dodatkowy akumulator, dodawanie
nika do iloczynu. Pozwala to w sposób iloczynów. Zada -
nie to szczególnie w cyfrowym przetwarzaniu
(p. rozdz. 24).
19.6.2. liczbzmiennopozycyjnych
Aby dwie liczby zmiennopozycyjne, ich mantysy
i jak to pokazano na rys. 19.33. tu nadmiar
mantysy. Wynik z powrotem przez
cie mantysy o jeden w prawo, o jeden wy-
Denormalizacja taka, jak opisana dla sumatora liczb zmiennopozy-
cyjnych, nie jest tu potrzebna, jest to zaleta [19.l]. Wybrane
zmiennopozycyjnych arytmetycznych zebrano w tabl. 19.3.
Podana moc obliczeniowa oznacza, z
argumenty i wyniki. Ze na
'""""-w ,•,•,•,•,•.,, o.w ,. ,..,u .. M~===·--wuu. ·.--,_._.
..,..w ,•,•...,,•,•,•,•,•,•,•,•,•• ,•, ,•• ,w• ., •w•ww'""'""'-"""" · ""'"" ·w ,,,,....... ............... , •"'•"'•••""'•'""'="""

Tablica19.2. arytmetyczne
(Obecnie do tych celów wykorzystuje procesory (tabl. 24.10))
Typ Producent Techno- Funkcje Port WE/WY Moc obli- Moc

logia [bity] czeniowa strat
[MOPS] [mW]
Argument 8-bitowy (TDC1008 -, rodzina SN74S558)
ADSPI080A* I Analog Dev. I

CMOS Ix
x 30 275
ADSP1008A * Analog Dev. CMOS :E 20 I 100
Argument 12-bitowy (rodzina TDC 1009)
JDT7212* IDT CMOS X .....12-> 12 24-> 25 150
IDT7209* IDT CMOS x:E ->12->12 24-> 25 200
MC10951 Motorola ECL x -+12->12 24-+ 70 6500
Argument 16-bitowy (TDC 1010-, rodzina Am 29516)
IDT7216* IDT CMOS X ->16->16->16-+ 50 220
IDT72!0* IDT CMOS X :E -+16-+16-+16-+ 40 220
lDT7381 IDT CMOS +- ->16->16 16-+ 50 150
lDT7216 IDT CMOS X -+16->16-+16-+ 50 220
IDT7210 IDT CMOS X :E -+16-+!6-+16-+ 40 220
1AC381 Logic Dev . CMOS +- -+16-+ 16 16-+ 30 60
LMU18 Logic Dev. CMOS X ->16-+16 32-+ 28 300
PDSP1601 P!essey CMOS + - +-+ -+16-+16-+16-+ 20 300
PDSP16116 Plessey CMOS X (a+ jb) -+164 162 -+ 10 400
PDSP16318 P!essey CMOS + - (a+jb) -+16 2 162 -+ 20 350
PDSP16330 Plessey CMOS x,y-+r,x,y -+16 2 162 -+ 20 400
ADSP!llOA Analog Dev. CMOS X :E -+ 16-+ 12 150
ADSPllOlA Analog Dev. CMOS x:E + - -+16-+16-+16-+ 15 300
ADSP7018 AnalogDev. TTL x -+16-+16 32-+ 50 3000
ADSP7011 Analog Dev . TTL X :E -+16-+16 32-+ 67 4500
ADSP8018 Analog Dev . ECL X -+16-+16 32-+ 67 3000
ADSP80ll AnalogDev. ECL X :I; -+ l 6-+ l 6 32-+ 80 5500
Argument 24-bilowy
ADSP1024A j Analog Dev . ICMOS I x I-+24-+24 24-+ I 10 I 300
Argument 32-bitowy
L64032 LSI-Logic CMOS X :I; -+32-+32 32-+ 10 900
Arn29C323 AMD CMOS X ::I; ... 32 ... 32 32-> 10 750
Am29323 AMD TTL X ::I; -+32-+32 32-> 14
Am29423 AMD ECL XL -+32-+32 32-> 20 6200
Am29C332 AMD CMOS + - +-+ -+32-+32 32 .... 10
74ACT8836 Texas Instr. CMOS X ::I; -+32->32 32-> 13
74AS8832 Texas Instr. TTL +- ->32-+32 32-> 13
* Inni producenci AMD, Analog Dev., Cypress, IDT, Logic Dev., LSI -Logic
Funkcje: :E akumulator,+-+ kombinacyjny (a+ jb) operacje
na liczbach zespolonych, x, y-+r, <pbieg .->kart., r,<p-+x,y kart.-+bieg .
WE/WY: -+XX ->XX-+dwukierunkowe, xx->
162 : 2 x 16 bitów; 164 : 4 x 16 bitów
MOPS: milion operacji na
Sumator
Sumator 1------~ +1
Ukfod Normalizator
Rys. 19.33. liczb zmiennopozycyjnych
(pipeline) wynik jest jednak przewazrue opozmony o jeden lub

taktów. Aby moc przed pojawieniem
na pierwszego wyniku zatem kilka kolej-
nych operacji.
t...
~~::::::.:/
~\~ ..:: :....;:............,«v,.
":;;:;:;:;:;:::;:::;::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::::=:::::::::::::::::::::::::::::::::::
.......
::":::::.. ::::::::::;,,..} ........
{:.
························ ...... .. ..
jl!/!i 19.7.Cyfrowe generowania
funkcjistandardowych
v··:...
,•,•,•s ••••••••••••••• ; ....... .... . w,;,.,
.......
,.;,:,•,:,:,:,:,:,:,:•:•:•:•
:,~=~=~
=~=~=~
:~{{{:~{:}~:~:}
~:}~=~=~=~=~
=~:~:;:~=~~=~=~=~:;:;:r:~:;~
~~<t~~~~
~~[:~~~~:1:~:;:~:;:;:;:;:;:;:;:;:~;:1~~~:~~:m
w sposób Y = J(X) za
tablic zawartych w ROM. W przypadku jest ko-
nieczna i co za tym idzie
w sposób w tablicy
tylko funkcji, a funkcji na podstawie prostych
i W tym celu niektóre specjalne
obliczanych funkcji [19.4].
19.7.1.Funkcjasinus
funkcji sinus jest jej W z tym wystarczy
jedynie funkcji dla argumentu z O~ 0 rc/2.
jako dwójkowy z O~ X~ I
i podstawia
re
0=-X
2
642 19. CYFROWE UK.LADY ARYTMETYCZNE

Przy do 9 bitów (0,2%) i wyj-
do 8 bitów ROM MM 5232 programo-
wane AEI firmy National. Rozszerzenie do
16 bitów jest przy kolejnej MM 5232 programowanej
AEJ. ROM Am 29526 ... 29 firmy AMD ma
10 bitów i 16 bitów.
Tablica 19.3. Zmiennopozycyjne arytmetyczne

(Obecnie do tych celów wykorzystuje procesory (tabl. 24.10))
Typ Producent Techno - Funkcje Port WE/WY Moc Moc

logia [bity] obliczeniowa strat
[MFLOPS] [mW]
Argument 32-bitowy JEEE (rodzina WTL 1032, 1033)

WTL 3332 Weitek CMOS +- X -+32 32-+32-+ 20 700
WTL 3132 Weitek CMOS +- X -+32-+ 20 700
Am29C 325 AMD CMOS +-x -+32-+32 32-+ 10 900
L 64133 LSI-Logic CMOS +-x -+32-+32 32-+ 16 1000
ADSP 3201* Analog Dev. CMOS X -+32-+32 32-+ 10 500
ADSP 3202* Analog Dev. CMOS +- -+32-+32 32-+ 10 500
Argument 64/32-bitowy IEEE (rodzina WTL 1064, 1065)
WTL 2264 Weitek CMOS X -+32-+32 32-+ 10/20 500
WTL 2265 Weitek CMOS +- -+32-+32 32-+ 20/20 500
WTL 3364 Weitek CMOS + - X -;-J
- -+32-+32 32-+ 20 1800
WTL 3164 Weitek CMOS +- X -;-J- -+32-+ 20 1800
AM29C 327* AMD CMOS +-x-;- .... -+32-+32 32-+ 10 1100
IDT721264 IDT CMOS X -+32-+32 32-+ 6/12 500
IDT721265 IDT CMOS +- -+32-+32 32-+ 12/12 500
74ACT 8847 Texas Instr. CMOS +- X -;-J
- -+32-+32 32-+ 33/33 500
ADSP 3212* Analog Dev. CMOS X -+32-+32 32-+ 20/ 20 1000
ADSP 3222* Analog Dev. CMOS +- -+32-+32 32-+ 20/20 1000
ADSP 7110* Analog Dev. TTL x-;-.f -+32-+32 32-+ 20/ 25 8000
ADSP 7120* Analog Dev. TTL +- - -+32-+32 32-+ 40/40 8000
ADSP 8110* Analog Dev. ECL +....-.;- -+32-+32 32-+ 20/25 8000
ADSP 8120* Analog Dev. ECL +- - -+32-+32 32-+ 40/40 8000
B 3130* Bipolar Int. ECL +- X -;-J- -+64-+64 64-+ 200 25000
• do operacji na 32- wzgl. 64-bitowych

Funkcje: .... kombinacyjny
WEfWY: -+XX -+xx-+ dwukierunkowe, xx-+
MFLOPS = milion operacji zmiennoprzecinkowych na
Wzrost powoduje bardzo szybki wzrost wy-

maganej do nierealnych Dla 16-bitowych
i 1 Mbit.
Zmniejszenie przez przedstawienie zmiennej
19.7. CYFROWE GENEROWANIA FUNKCJI STANDARDOWYCH 643

w postaci sumy zgrubnej Mi L oraz wykorzystanie
prawa dodawania funkcji trygonometrycznych . Podstawiamy
X=M +L
i otrzymujemy
sin0 = sin; (M + L) = sin; M cos; L + cos; Msin; L (19.7)
jest tak dla mamy

7t
cos- L = I (19.8)
2
wynika
. 1tL nL (19.9)
Slll2 =2
Równanie (19.7) upraszcza do postaci
·0 = sm
sm . -nM + -nL cos -1tM (19.10)
2 2 2
L-..y---1
K
Do obliczenia tego wymagane funkcje sin i cos dla nieznacznej

to na
sinus dla 16-bitowego i 16-
-bitowego Na L. War-
w równaniu (19.8) wówczas, gdy L pr zyjmie war -
Z warunku
(ó.sin0) max < o, 5. r 16
=r 11
(19.11)
otrzymujemy z równania (19.8)
tzn . Lmax < 2-9
Aby nie tej granicy, na L ma ksymaln ie

7 bitów , tzn. pozycje dwójkowe od r 10 do T 16 . Na M po zo-
stanie starszych 9 bitów dwójkowego, a mianowicie pozycje od
r 1 do T 9 . ten pokazano na rys. 19.34. Dla obliczenia
zgrubnej potrzebujemy zatem ROM z funkcji sinus o po-
29 16-bitowych . Obliczanie K z równa-
nia (19.10) za Na jego
nie jest potrzebna ló-bitowa Wykorzys tujemy tylko
••'-A'-== ·' •'-' ••••••••••••"•
••·······
···················• ··········
····································'-" ""A'W"W'WAwm='-=v,•w ,·,·········
··········
········•
W-'"-'WWW_WWW_
górne 8 bitów (pozycje dwójkowe 2- 9 do 2- 16 ), a wprowadzona
jest
¾iax = ; Lmaxcos(; ·O)~ 3,1 · 10- 3 < r 8
W przypadku cosinusowej ROM do utrzymania na poziomie

mniejszym 2 - 17 wystarczy 9 bitów. Tak pojem-
wynosi 13 kilobitów, czyli tylko ok. 1% wymaganej
przy realizacji Istotne wynika z konieczno -
realizacji 9 x 7.
M L
ROM ROM
512xt6-bitowa 512x 9-bitowa
Sumator r~ ..r16 UkTad

16 bitów +8 bitów 9x7-bitów
8
16
sinf (M+L)
Rys. 19.34. Generowanie funkcji sinus z 16 bitów
M i_
ROM ROM
MM5232AE!,A[ J MM5232A[K
sin21M 2J-LcosM
8 2 8
8
Sumator
16 bitów+8 bitów
16
Rys. 19.35. Uproszczone generowanie funkcji sinus przy 12-bitowym oraz

14-bitowej
19.7. CYFROWE GENEROWANIA FUN KCJI STANDARDOWYC H 645

jest zrealizowanie tego w co-
sinusowej ROM. Dla 12-bitowej i 14-bitowej
z ROM MM 5232 programowanej ma-
AEK. ta z dla funkcji
sinus, tak jak na rys. 19.35. wynosi 16 bitów,
jest jednak zmniejszona do ok. 0,7 · r 1 4, do
ROM jest tylko 6 starszych bitów M.
f~2Q~I
f.m;,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,.,,
.,.:.: :.: ·:·:
.....:..:::.:,:
.:,:.
Podstawy
mikrokomputerów
·:·:·:·
~~~~i~t:·
:·::=·=·
:·=1
·=·:.:.:,
0::+:+:.:q•:q.:.:111·:·:·:
·:1·:·:·:1·:
,,,:,:,:·:·:·=·=·=·=·~=·*
~m~.;; .•.• =::·•·=·:·: :::::::======•====~~~:.::fa~fa::::1
;:•••=· §§~~~~:.::?l:~:-1t~:t.~~
mikrokomputerów jest to, ich wszystkie istotne

zawarte w jednym lub kilku o stopniu scalenia. Zakres
mocy obliczeniowej takiego przy tym od
cych proste sekwencyjne, po przez systemy
obliczeniowe. Tego rodzaju mikrokomputery o mocy obliczeniowej na-
zywane w angielskim micro mainframe.
~: -,.~~~#1::":•:::•·••»•:•
·•·•·•·•·•·•·•·•·•·•
·•·•·=·
······························*'*::•:i*:;::::::::.,,am;g.;};K
-$:;':%;::..
:,:,:,:,·,:,:,
:,:,:,:,:,:,:,:,
:,:,:,:,:,:,:•
:•:•:•~'.·'.·'.\;~;~;~;:;:;:;:·•·:-:,:-:---
·! 20.1.Podstawowa
struktura
mikrokomputera
f'''''
·;t.;...,...~wm::;.:•:•·•
• ·•:•'.::::::,:::K-=~·=~~~·:•:•:t'r.::~t~:r.~.:::
:·:::·:·:·:·:·:·:
·:·:·:·:<·:·:·
:<·:
·:·:·:·:<·:·
\ ·:·:·:·:·::=·=:=·::=·=
:::=·=:::=R=-=:s~•@:.tl..lfaj:~k{!:;:;:::::::::;:::::::::::·:::
:
Mikrokomputer z czterech zasadniczych bloków funkcjonalnych

(rys. 20.1). to:
- mikroprocesor - mikrokomputera, która wykonuje pod-

stawowe ze sterowaniem i przetwarzaniem danych. Z te-
go powodu mikroprocesor jest nazywany (CPU, central
processing unit);
- programu - zawiera do wykonania nazywany programem.
Z ona z EPROM, co pozwala program
przy zaniku zasilania. W przypadku zmienianych progra-
mów jako programu RAM. wówczas
z masowej (np. dyskietki lub dysku
- danych - w niej zmienne. Jest to zawsze RAM;
- - z
nymi takimi jak: monitor ekranowy, klawiatura, ma-
sowe itd .
Wymiana informacji (komunikacja) a pozo-

blokami odbywa za trzech magistral (szyn). Za po-
magistrali adresowej mikroprocesor podaje adres
·=-- --~,MW WW ., •. .,,, •.•••••••••••••••
•••••••W•-•WWW --• .. W'WW •.• • • • v •.w••••••••••••••••
•••••••••••••"W"" •••"""
20,1. PODSTAWOWA STRUKTURA MIKROKOMPUTERA 647

Informacja przez decyduje o tym, czy dane
czytane czy pisane. Wymiana danych odbywa poprzez danych.
W od obu poprzednich, magistrala danych jest dwukierunkowa.
CPU
I Mikroprocesor I
li I
_I
- I
programu
I
-I
--,
--
danych
I
- I Uk[ady
' I peryferyjne
I
'
Magistra/aMagistralaMaqisfrala
adresowa dan1Jchsterujqca
Rys. 20.1. Schemat blokowy mikrokomputera
Schemat blokowy z rys. 20.1 nie zawiera informacji o stopniu

jednostki centralnej (CPU), ani o W
od zainstalowanej i mocy obliczeniowej (podawanej w mi-
lionach instrukcji na (milion instructions per second, MIPS), kompute-
ry dzielimy ogólnie na klasy :
Klasyfikacja Moc obliczeniowa
Mikrokomputery 1 ... 256 KB 4 ... 16 bit 0,1 ... 1 MIPS
Komputery osobiste 0,5 M ... 8 MB 8 ... 32 bit 0,5 ... 3 MIPS
Stacje robocze 4M ... 16MB 16 ... 32 bit 1 ... 10 MIPS
Komputery 8 M ... 256 MB 32 ... 64 bit 5 ... 100 MIPS
Ekspansja mikrokomputerów jest wynikiem wprowadzenia monolitycznych
mikroprocesorów. Wskutek raptownie ceny mikroprocesory znalaz -
zastosowanie nie tylko w prostych systemach przetwarzania danych, lecz
w skomplikowanych ze na
odpowiedniego zaprogramowania i wykonywania
nych funkcje sterowania tych W ten sposób
w wielu zastosowaniach standardowy
projektowania systemu w kierunku stworzenia
odpowiedniego oprogramowania. Tendencja ta jeszcze bardziej
po wprowadzeniu mikrokomputerów jednoukladowych. Te o sto-
pniu scalenia oprócz procesora we/wy, ROM
i RAM. Taki mikrokomputer bez dodatkowych
···························
·w=,---wwwwww---·
648 20. PODSTAWY MIKROKOMPUTERÓW
20.2.1.Budowa
W tym rozdziale zajmiemy i rozkazów
mikroprocesora . Schemat blokowy mikroprocesora przedstawiono na
rys. 20.2. Zawiera on trzy bloki funkcjonalne: blok wykonawczy, stero-
wania i interfejsy magistral. W bloku wykonawczym wykonywane operacje
arytmetyczne i logiczne. Odpowiednie argumenty w rejestrach da-
nych albo adresowych, ewentualnie na magistrali
sterowania z dekodera rozkazów oraz licznika rozkazów.
Licznik rozkazów adresuje kolejne rozkazy programu. Dekoder rozkazów ge-
neruje kolejne operacji do wykonania rozkazu.
sterowania jest sekwencyjnym (p. punkt 10.7); w nowszych
mikroprocesorach jego tablica prawdy jest zakodowana w ROM. Za-
takiej ROM nosi mikroprogramu. rozkazy
w tym przypadku adresami skoków do mikroprogramu.
wykonawczy ...--=---,----,., -
~ei 1 estm dan11ch

_. _ ::1
_ _ ::1
--4
:Jednostlw
arytmetyczno-
;-iHn=
Dekoderrozlrazó~ I
,I Re1eslry
-Io iczna . . ,
adresu fLu , -Ltczmlr rozkazow '
L:_ _J L ___ ___J
r,::_---''--~--~--
· Bufory
-
,- _ ..L.._·
Bufory
=~
--,-·-=~-,
__,_ Bufory ·1
magistr ali magistrali magistra{i

I
i_:::_danych__ _ ___!!_~uJqcej___ _ adres~~ _j
r terfejs maqistra{i
Magistrala Magistra la Magistrata

danych adresowa
Rys. 20.2. Struktura mikroprocesora
Przy starcie programu licznik rozkazów ustawia na adresu

startowego. Ten adres jest przenoszony do poprzez adreso-
odczytu na magistrali przenosi wybranej ko-
mórki na danych i dalej do dekodera rozkazów, który gene-
ruje do wykonania rozkazu mikrooperacji. Jak zobaczymy
dalej, wykonanie rozkazów wymaga liczb cykli maszynowych.
Po wykonaniu rozkazu sterowania ustawia licznik rozkazów na adres
rozkazu .
20.2. ZASADA DZIALANIA MIKROPROCESORA 649

Aby nasze bardziej konkretne, zajmiemy w dalszej
rzeczywistym mikroprocesorem 8-bitowym „8-bitowy" po -
chodzi od danych, czyli liczby linii magistrali danych). Do tego
rodzaju najlepiej nadaje podstawowy typ z rodziny
6800, mikroprocesor o prostej budowie, przejrzystej strukturze i niewielkim
stopniu a mimo to Za-
równo firma Motorola jak i inni producenci procesorów opracowali co prawda
wiele bardziej nowoczesnych konstrukcji (patrz p. 20.5), lecz ze na
bardzo szerokie funkcjonalne ich jest trudniejsze do zro-
zumienia.
Rejestr
znaczników 8 bitów
AkumulatorA 8 bitów
AkumulatorB 8bitow
Rejestr
indeksowy 16bitów
stosu 16bitów
Licznik
rozkazów 16bitów
Rys. 20.3. Zestawienie rejestrów mikroprocesora MC 6800 dla programisty
Na rysunku 20.3 pokazano dla programisty rejest-

ry mikroprocesora MC 6800. operacji arytmetycznych jest wykony-
wana za akumulatorów A i B. Rejestr indeksowy do
kolejno adresów; stosu do organizacji podprogramów,
a rejestr znaczników (rejestr stanu) (condition code register) zawiera informacje
wyniku ostatnio wykonywanej operacji arytmetyczno-logicznej.
20.2.2.Struktura
rozkazu
Jak procesor MC 6800 ma
danych ( = 1 bajt) oraz ( = 2 bajty). Ze
na to, operowanie tak jest niewygodne, stosuje zapis
skrócony. cztery bity w z cyfr przyjmo-
z szesnastu Dlatego kod nosi kodu
szesnastkowego (heksadecymalnego): cyfry od „zera" do
ne przez cyfry a cyfry od do przez
wielkie litery od A do F . Sposób przedstawiono na rys. 20.4.
Ze na to, 16 jest 2, dwa sposoby przelicza-
nia wielopozycyjnych liczb szesnastkowych na
Pierwszy sposób polega na skorzystaniu z

2 16 = ZN-l · 16N- l + ZN-2 · 16N-
2
+ ...+ Z1 • 16 + Zo
Drugi sposób polega na przedstawieniu cyfr szesnastkowych w postaci
liczb dwójkowych. w ten sposób
w zgodnie ze znanymi powinien
oba te sposoby.
A148 16 = 10 · 163 + 1 · 162 + 4 · 16 + 8 = 41288 10
A148 16 = (1010 0001 0100 1000)2 = 41288 10
Dwójkowa Szesnastkowo Dwójkowa Szesnastkowo
0000 o o 1000 8 8
0001 1 1 1001 9 g
0010 2 2 1010 A 10
0011 J 3 1011 8 11
0100 4 4 1100 C 12
0101 5 5 1101 D 13
0110 6 6 1110 E 14
0111 7 7 1111 F 15
Rys. 20.4. Porównanie liczb binarnych, szesnastkowych i
adresowe 16-bitowe w zapisie skróconym jako

w kodzie szesnastkowym, a 8-bitowe danych jako
Rozkazy, które wykonywane przez mikropro-
cesor, opisane 8-bitowym kodem maszynowym, tzn.
w kodzie szesnastkowym. Ponadto rozkazy opisywane symbolami
mnemonicznymi, które z Rozkaz
akumulator A" (load accumulator A) ma symbol LDA A. Jednak
opis rozkazów za symboli nie jest dla mikroprocesora.
Przed wykonaniem program musi na kod maszy-
nowy. Dokonuje tego albo za specjalnych tablic, albo przez spe-
cjalny program zwany asemblerem.
Rozkaz LDA A nie jest jeszcze w kompletny. Trzeba jeszcze po-
mikroprocesor, do akumulatora,
tzn. jaki argument rozkazu. Istnieje wiele podawania adresu
argumentu.
1. Adresowanie pebte (extended)
dwa bajty w programie po rozkazie 16-
-bitowy adres komórki której ma aku -
mulator, mówimy o adresowaniu argumentu.
Rozkaz B6 LDAA
Starszy bajt adresowy Al mnemonik Al
bajt adresowy 48 48
20.2. ZASADA MIKROPROCESORA 651

Kod maszynowy dla rozkazu LDA A dla mikroprocesora MC 6800 ma
B6 16 = 1011 01102 . Dla otrzymujemy
adres
AI48 16 = 1010 0001 0100 10002
2. Adresowanie skrócone (di.rect)

w programie tylko jeden bajt adresowy, to bajt starszy
zostaje przez mikroprocesor zerami. Kod roz-
kazowi LDA A wynosi „96". W tym trybie adresowania jest do-
tylko do komórek o adresach od 0000 do OOFF16, tj. od O do
255 strony podstawowej (base page). W obszarze tym najlepiej jest zatem
zmienne i
Rozkaz 96 mnemonik LDAA

Bajt adresowy 17 17
W tym do akumulatora A zostanie wczytana komór-
ki o adresie
1716 = 0000 0000 0001 01112
3. Adresowanie indeksowe (indexed)

W tym trybie adresowania jest wczytywana tej komórki
której adres znajduje w rejestrze indeksowym. Istnieje jednak jeszcze
dodatkowa dodanie do rejestru indeksowego 8-bitowego prze-
(offset). W ten sposób
dowolnego 16-bitowego adresu umieszczonego w rejestrze indek-
sowym.
Rozkaz A6 mnemonik LDAA,X

Bajt 07 07
Kod maszynowy dla rozkazu LDA A wynosi A6 16 = 1010 01102 .
Przyjmijmy, rejestru indeksowego wynosi Al 48 16. W podanym
do akumulatora zostanie wczytana komórki o ad-
resie A148 16 + 000716 = A14F 16. jest trakto-
wana zawsze jako liczba dodatnia . Nie przewidziano ujemnego
cia. wynosi zatem
W punkcie 20.3.3 (rozkazy skoków) poznamy jeszcze inne sposoby dodawa -

nia one tam do realizacji skoków
N.w.·,~ """' ····························.w-·"·--~----------··aw. ······
·········
··············
··········.•.•,•.w.•.w.w.""' ·= --,,, ..- ·,,•,•,•,•,
•,•,w,,•,•,•.•,•,w,•,•,•,•,•,w,
w.•.
W tym przypadku jest jednak traktowane jako 8-bitowa liczba
dwójkowa w kodzie do dwóch.
4. Adresowanie natychmiastowe (immediate)
W tym przypadku jest wczytywany bajt po roz-
kazie, np .:
Rozkaz 86 mnemonik LDAA#
Bajt danych 3F 3F
Kod maszynowy dla rozkazu LDA A wynosi 8616 . W tym przypadku wyra-
3F 16 = 0011 11112 zostanie wczytane do akumulatora
A. rejestru indeksowego lub stosu,
w od akumulatora, wymaga dwóch bajtów danych, które w su-
mie 16 bitów.
5. Rozkazy bezadresowe (inherent)
Niekiedy specyfikowanie argumentu nie jest potrzebne, jest on
zdefiniowany w kodzie rozkazu, np.:
Rozkaz 4F mnemonik CLRA
W kod 4F 16 = CLR A oznacza „wyzeruj akumulator A". Wi-
do wykonania tego rozkazu nie potrzebne dalsze informacje.
Zapis symboliczny (mnemonie code)
Przy pisaniu programu w kodzie symbolicznym dla wszystkich rodzin
procesorów stosuje podane zasady, podczas gdy symbole (mnemoniki)
na Zasady te argument pisany jest po rozkazie.
Liczby w kodzie szesnastkowym poprzedzane znakiem s;1 i, liczby bez znacz-
ników traktowane jako Przy na kod maszynowy
one na liczby szesnastkowe. Znaki ASCII poprzedzane cu-
w czasie programu one kombinacjami
bitów zgodnie z tabl. 21.9. W pewnych przypadkach argumenty
jako binarne, one wówczas poprzedzane znakiem & .
przedstawienia argumentu w zapisie symbolicznym jest
etykiety (label). Jest ona definiowana przez nadanie np.
Ml EQUAL $ AOOO
tam, gdzie program asemblera napotka Ml, przydzieli mu
AOOO. przypisanie EQUAL jest
przez asembler tylko przy programu i nie ma swego
odpowiednika w wynikowym programie maszynowym. Przypisanie takie
jest nazywane asemblera. Etykiety szczególnie przy
1> Intel, ZiJog zapis: litera H po kodzie i O przed kodem, np. 2516 = 025H
(przyp. .
.w...-.·.
·,=---" ·w.•.•.w,·,·,·······
···,·····
····--
··'········.._., ····--····'·"--"w ....w=-~
.,•,•,•,•,•,•,•,•,,.,.,·,· -
20.2. ZASADA MIKROPROCESORA 653
adresów skoków. W tym przypadku przypisanie nie jest
wykonywane przez EQUAL, lecz wynika z
etykiety przy odpowiednim adresie przed symbolem rozkazu. Sposób adreso-
wania argumentów rozkazu nie jest podawany lecz wy-
nika z formy ich zapisu, jak to pokazano na rys. 20.5. z argumentów
przez Przy etykiet przestrzega
pierwszym znakiem etykiety jest litera, nie do tego
znaków specjalnych. Wynika argumenty bez znaków specjal-
nych liczbami lub etykietami. Kryterium tych ar-
gumentów jest pierwszy znak - litera. Gdy asembler wykryje
wybiera z tablicy etykiet po czym zgodnie z rys. 20.5
sposób adresowania.
Rodzajadresowania Arqument Interpretacja
$ I I I I I Adresszesnastkowy
skrócone $ [TI Adresszesnastkowy
Indeksowe $ [TI , X szesnastkowe
[OJ, X Przesunifcie
dziesiffne
Natqchmiastowe
* .t [I] Daneszesnastkowe
** & rn
I I I I I I I I I
Danedziesirtne
Danebinarne
*,. o DaneASCII
Rozkazybezadresowe Daneimplikowane
Rys. 20.5. sposobów adresowania oraz metoda ich przedstawiania w zapisie symbolicznym
W tablicy 20.1 podano zapisu symbolicznego. Lewa strona tab-

licy zawiera program na maszynowy wraz z
kowanymi fizycznymi adresami. Przy zapisie rozkazów w kodzie maszynowym
zwyczajowo argumenty pisze w jednym wierszu z kodem rozkazu. Adres
kolejnego rozkazu otrzymuje przez dodanie do adresu liczby
·bajtów rozkazu W z tabl 20.l komórka o ad-
resie 1008 zawiera argument 3F.
Tablica 20.1 . zapisu programu w asemblera
Adres Kod szesnastkowy Etykieta Symbol Argument Komentarz

1000 B6 Al 48 LDAA $Al48
1003 96 17 LDAA $ 17 skrócony
1005 A6 07 LDAA $0,7, X Ind eksowy
1007 86 3F LDAA #$ 3F Natychmiastowe
1009 4F CLR A Rozkaz bezadresowy
Asembler Programista

20.2.3.Wykonywanie
rozkazów
Do wykonania rozkazu potrzeba zwykle kilku cykli maszynowych. Sposób
wykonywania rozkazu na rozkazu LDA A (ext) B616 .
Gdy licznik rozkazów adresu M, pod którym jest umieszczo-
ny rozkaz do wykonania, na liniach danych pojawia kod rozkazu, w na-
szym przypadku B616 . Mikroprocesor dekoduje rozkaz i ustala, do jego
wykonania w celu adresu argumentu musi
dwóch kolejnych komórek. Wystawia teraz na liniach adresowych adres
M + 1 i wpisuje odczytany bajt adresu argumentu do rejestru,
a wystawia adres M + 2 i odczytany bajt umieszcza w wew-
rejestrze. W czwartym cyklu wystawia odczytane bajty na
(16 bitów adresu argumentu) i komórki o tym adresie
wpisuje do akumulatora A. do wykonania omawianego rozkazu
potrzeba czterech cykli maszynowych, które przedstawiono w tabl. 20.2. Z po-
danego do wykonania rozkazu
LDA A przy adresowaniu skróconym potrzeba trzech, a przy
adresowaniu natychmiastowym - dwóch cykli maszynowych.
Tablica 20.2. magistrali adresowej i magistrali danych

przy wykonywaniu rozkazu LDA A (adresowanie
Cykl Magistrala adresowa MagislTala danych
1 Adres M rozkazu Kod rozkazu

2 Adres M +l Starszy bajl adresu argumentu
3 Adres M +2 bajt adresu argumentu
4 Adres argumentu Argument
Liczba cykli do wykonania rozkazu czas wykonywa-

nia rozkazów przez mikroprocesor. Dla mikroprocesora MC 6800 czas cyklu
jest okresem zegara. Przy zegara
1 MHz otrzymuje czas cyklu równy 1 µs, co oznacza, czas wykonania
LDA A przy adresowaniu wynosi 4 µs.
·:1=,=
,',,1
=,EM:'
i~ *;-~
~g,,,,i
,=t
,mii1=,m
m!"'~,,,,
,,=
,'\lt,:::::.
fa 20.3.Listarozkazow}Ittt
f¾::;::
~v;~w~
·:·:::t;:~1:~~~1::;:;~:;:
: ;:;:1:;
:~~::~~
=1~1=~=~:;:
;:;:;:;:;:;:;:;:
1:;:i
:;:;:;:w••:1:1:1:1:·
:,:.:.:.:.:.:.:
.:.:
.•.
;.::~
W tym punkcie dokonamy rozkazów procesora MC 6800. Procesor

ten dwie operacje na argumen-
tach. Ze na sposoby adresowania argumentów daje to w sumie
stu siedmiu rozkazów.
-···- -" ·"" www- = ·"= -=,= w_,, ,,.N,,._,,. ,m .••• ·· , ••.••w--~ ~""""""" ""","•'•'•W•'•'•'•'•"'•"" '"•w ,,w ,, ,, ... ,,._.
,.,•,•,•,
•,•,••
20.3. LISTA ROZKAZÓW 655

20.3.1. Operacje
W tablicy 20.3 przedstawiono zbiór operacji, które in-
formacji rejestrami lub rejestrem a
Tablica 20.3. Rozkazy mikroprocesora MC 6800
Adresowanie
Opis
Operacja Symbol bezpo- bezpo - inde- natych- rozkaz wykonywania
ksowe miasto - bezadr e- ro zkazu
skrócone we sowy
LDAA B6 96 A6 86 [M]-+A
akumulator LDAB F6 D6 E6 C6 [M]-+B
STAA B7 97 A7 A -+M
STAB F7 07 E7 B-+M
akumulatora
Skopiuj TAB 16 A-+B
akumulator TBA 17 B-+A
Wyzeruj CLR 7F 6F 00-+M
CLRA 4F 00-+ A
CLR B 5F 00-+ B
rejestr LDX FE DE EE CE [M] -> XH,
indeksowy [M + l] ->X L
za-
STX FF OF EF XH-+ M
rejestru
indeksowego X L-> M + l
Stosowane skróty
A: akumulatora A;
B: akumulatora B;
[Af]: komórki o adresie M;
X: rejestru indeksowego;
XH; starszy bajt rejestru indeksowego;
XL: bajt rejestru indeksowego;
C: bit przeniesienia w rejestrze znaczników.
20.3.2. Operacje
arytmetyczno-logiczne
Operacje arytmetyczno-logiczne zebrane w tabl. 20.4. Operacje logiczne
wykonywane na bicie danych oddzielnie i przedstawian e w
wie wyniku na odpowiedniej pozycji.
•.•.•.•.,w. •,•.•.•.•.•.•.•.•.•.-.•.-.-.-........... w .wo••""'•"=,. ·, .•.•.•.•.o,•••.,.,.••
656 20. PODSTAWY MIKRO KOMPUTERÓW

Tablica 20.4. Rozkazy arytmetyczno-logiczne mikroprocesora MC 6800
Adresowanie
Operacja Symbol bezpo- bezpo- inde - natych - rozkaz Opis wykonywania rozkazu
ksowe miastowe bezadre-
skrócone sowy
Dodaj ADDA BB 9B AB 8B A plus [M]-+A
ADDB FB DB EB CB B plus [M]-+ B
ABA 1B A plus B-+A
Dodaj z przeniesieniem ADCA B9 99 A9 89 A plus [M] plus C-+ A
ADCB F9 D9 E9 C9 B plus [M] plus C-+ B
Korekcja BC DAA 19 A skorygowane -+ A
Odejmij SUBA BO 90 AO 80 A minus [M]-+A
SUBB FO DO EO co Bminus [M]-+B
SBA 10 A minus B-d
Odejmij z SBCA B2 92 A2 82 A minus [M] minus C-+ A
SBCB F2 D2 E2 C2 B minus [M] minus C-+ B
do 2 NEG 70 60 [M]-+M
NEGA 40 A-+A
NEGB 50 B-+B
o l INC 7C 6C [M] plus 1-+ M
INCA 4C A plus 1-+A
INCB 5C B plus 1-+B
INX 08 Xplus 1-+X
Zmniejsz o 1 DEC 7A 6A [M] minus I -+ M
DECA 4A A minus l-+A
DECB 5A B minus l -+ B
DEX 09 Xminus 1-+X
Tablica 20.4 (cd.)
Adresowanie
Operacja Symbol bezpo - bezpo- inde- natych- rozkaz Opis wykonywania rozkazu
ksowe miastowe bezadre-
skrócone sowy
do l COM 73 63 [M]-+M
COMA 43 A-+A
COMB 53 B-+B
END ANDA B4 94 A4 84 A · [M]-+A
ANDB F4 D4 E4 C4 B · [M]-+B
OR ORAA BA 9A AA 8A A+[M]-+A
ORAB FA DA EA CA B + [M] -+B
EXOR BORA B8 98 A8 88 A EB[M]-+A
EORB FS D8 E8 C8 BEB [M]-+B
w lewo ROL
ROLA
ROLB
79 69
49
59 r} - µ C
I I I I I I I
br bo
w lewo ASL
ASLA
ASLB
78 68
48
58 r} - 0 -111111111
C b7 bo
- 0
w prawo ROR
RORA
RORB
76 66
46
56 r} -- µ L..o--11 1 1 11 11
C b7 bo
w prawo
arytmetycznie
ASR
ASR A
ASR B
77 67
47
57 r} - c:? 1 1111 1 1 1- 0
b7 bo C
logicznie
w prawo
Nie rób nic

LSR
LSR A
LSR B
NOP
74 64
44
54
Ol
r} - o~ 11111 1 11-0
b7
licznik programu o I
bo C
Dla operacji iloczynu logicznego ma.my:
A: 1001 1101
B: 0110 1011
AB: 0000 100I
Zbiór operacji arytmetycznych jest w powszechnie mikroproceso-

rach bardzo ograniczony . Do dyspozycji tylko: do dwóch, do-
dawanie i odejmowanie. Dodawanie z rozkazu DAA (popraw-
ka (decimal adjust) na liczby BCD. Na wów-
czas przeprowadzane poprawki, o których mowa w p . 19.5.4.
zatem w programie
z podstawowych operacji. Nowsze procesory w swych listach rozkazów
rozkazy i dzielenia.
Jako listy rozkazów podamy program dodawania dwóch
liczb 16-bitowych. Pierwszy jest umieszczony w komórkach 0001
i 0002, starszy bajt w komórce 0001, w komórce 0002. Drugi
jest umieszczony w ten sam sposób w komórkach 0003 i 0004. Wynik ma
umieszczony w komórkach 0005 i 0006. W pierwszym kroku do
siebie bajty obu liczb dwójkowych, czyli komórek 0002
i 0004. Ze na przeniesienia z pozycji,
do sumowania rozkazu ADD A . Wynik w rejestrze 0006.
Kolejny krok to dodanie starszych bajtów za rozkazu ADC A,
w razie potrzeby zostanie wówczas dodane ewentualne przeniesie-
nie z bajtów. Zostanie ono z rejestru znaczników ALU.
Wynik umieszczamy w rejestrze 0005. Kompletny program przedstawiono
w tabl. 20.5. Ten sam program do dodawania 4-pozy-
cyjnych liczb BCD. W tym celu zamiast instrukcji NOP miej-
sce rozkaz DAA, wprowadzenie poprawek dzie-
Tablica 20.5. Dodawanie dwu liczb 16-bitowych
Adres Kod Etykieta Symbol Argument Komentarz

szesnastkowy
1000 96 02 AD16 LDAA $ 02 Dodawanie
1002 9B 04 ADDA $ 04 bajtów
1004 Ol NOP
1005 97 06 STAA $ 06
1007 96 Ol LDAA $ 01 Dodawanie starszych
bajtów
1009 99 03 ADCA $ 03
100B Ol NOP
lOOC 97 05 STAA $ 05
lOOE 39 RTS
~,w.·.·.w...-.
·.•···········
····································-'- - -
20,3. LISTA ROZKAZÓW 659
20.3.3.Rozkazyskoków
Rejestr znaczników (rejestr stanu)
mikroprocesorów jest ich do wykonywania
nych logicznie programów. Przy podejmowaniu decyzji testowane
tzw. znaczniki (flagi) z rejestru znaczników procesora . Rejestr znaczników jest
to rejestr 8-bitowy, w którym dwa najstarsze bity 1. Po-
szczególne znaczniki bitom wg schematu
1 IHINZVC
bit 7 6 5 4 3 2 1 O
i
C: przeniesienie (carry);
V: nadmiar przy liczbie w postaci do dwóch (overflow);
Z: zero (zero);
N: znak minus przy liczbie w postaci do dwóch (negative);
I: przerwanie (interrupt);
H: przeniesienie z trzeciego bitu (half carry).
Podczas wykonywania operacji bity rejestru znaczników

1 lub O. Na do akumulatora liczby, której siód-
my bit ma I, powoduje przez znacznik N 1, ponie-
liczba taka w zapisie do dwóch jest
podczas operacji dodawania lub odejmowania nadmiar, tak jak to
opisano w p. 19.5.6, pojawi 1 na pozycji znacznika V. Znacznik zera
Z przyjmuje 1 wówczas, gdy w wyniku operacji na wszystkich bitach
od O do 7 pojawia zero.
Istnieje pewien zbiór rozkazów, dla których wynikiem jest tylko
zmiana rejestru znaczników. na chcemy dowie-
czy liczba w rejestrze A jest od liczby w rejestrze E, za
rozkazu SBA porównywanych liczb i
znacznika N. jest ona równa 1, wówczas A< E. obliczonej
zawiera rejestr A. Gdy nas nie interesuje, rozkazu
CBA. Powoduje on obliczenie A - E i ustawienie
znaczników w rejestrze, ale obliczonej nie zostaje umieszczona
w rejestrze A. Argumenty w rejestrach A i E zatem do dalszego
wykorzystania.
Zbiór rozkazów, które poza rejestru znaczników nie
innych zawarto w tabl. 20.6.
Skoki bezwarunkowe
Skoki bezwarunkowe wykonywane bez testowania rejestru
one adresowane dwojako: w sposób absolutny albo
--- -., =,=--=w a,•,•-,""° ''W ,W.WN ,','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'' '•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•W •"•=~= ,m .... ,.,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•
.. w,•, •,w .... •., .,"'" " == ·,
66() 20. PODST AWY MIKROKOMPUTERÓW

Tablica 20.6. Rozkazy mikrokomputera MC 6800 na rejestrze znaczników
Adresowanie
Opis
Operacja Symbol bezpo- bezpo- inde- natych- rozkaz wykonywania
ksowe miasto- bezadre - rozkazu
skrócone we sowy
Porównaj CMPA 91 Al 81 A minus (M]
CMPB FI Dl BI Cl B minus [M]
CBA 11 A minus B
CPX BC 9C AC SC Xn minus [M]
XL minus [M + l]
Testuj bit BIT A B5 95 A5 85 A . [M]
BITB F5 D5 B5 C5 B. [M]
Testuj TST 7D 6D [M] - 00
TST A 4D A - 00
TSTB 5D B - 00
Ustaw znacznik
przeniesienia SEC OD 1-+C
Wyzeruj znacznik
przeniesienia CLC OC 0-+C
Ustaw znacznik
nadmiaru SEV OB 1-+ V
Wyzeruj znacznik
nadmiaru CLV OA 0-+V
Ustaw
SEI OF 1-+/
Wyzeruj
CLI OE 0-+[
Przy adresowaniu absolutnym argumentem skoku (lump) jest ad-

resu, jaka zostanie nadana licznikowi programu w trakcie wykonywania rozka-
zu. tu znowu dwa sposoby podawania argumentu:
ni oraz indeksowy. Adres podany jako liczba w kodzie szesnastko-
wym lub jako etykieta. Oba sposoby adresowania przedstawiono w tabl. 20.7.
Przy adresowaniu (branch) nie podaje absolutnego adresu
rozkazu do wykonania, a jedynie które do-
daje do aktualnego stanu licznika rozkazów. tego sposobu adreso-
wania jest to , nie trzeba zmian w programie podczas jego prze-
noszenia w inny obszar adresowy. jest
w kodzie do dwóch . Zakres skoku jest ograniczony od - 128
do + 127 kroków programu. wykonywania skoku przed-
stawiono w tabl. 20.7.
adresu oblicza w stosunku do rozkazu
cego po rozkazie skoku. 00 oznacza zatem normalny przebieg
programu bez skoku .
"'-= um• wwwwwwwww www ~www-w ," .... , , , , ,,,•, •,w, •, ,•, .. •.. ,

Tablica 20.7. adresowania
Adres Kod szesnastkowy Symbol Argument Komentarz

Skok bezwarunkowy, adresowanie natychmiastowe
1107 7E 11 8F JMP $ 118F
118F rozkaz
Skok bezwarunkowy, adresowanie indeksowe
1107 6E lA JMP $1A,X
X+ lA rozkaz
Skok warunkowy
1107 20 OE BRA $OE
1109 +OE = 1117 rozkaz
Skoki warunkowe
Skoki warunkowe wykonywane tylko wtedy, kiedy jest

warunek zawarty w rejestrze stanu. Mamy tu do czynienia z roz-
programu od warunku. warunek skoku nie jest
program jest wykonywany dalej bez skoku, tzn . jest wykonywany
rozkaz po rozkazie skoku.
W tablicy 20.8 zestawiono rozkazy skoków warunkowych .
Dla rozkazów arytmetyki w do dwóch znak
jest interpretowany nawet przy nadmiaru,
jest brany pod znacznik nadmiaru . Istotny jest ten ze znacz-
ników, który z Daje ona w po-
staci zmiany stanu rejestru znaczników wtedy, kiedy dla dowolnie przedstawia-
nej liczby testuje kombinacje bitów.
Zastosowanie skoków warunkowych omówimy na
kolejne liczby O, 1, 2, 3 ... w od 0200 do M - l.
Starszy bajt adresu znajduje w rejestrze 0000, w rejestrze 0001.
Program to zadanie przedstawiono w tabl. 20.9.
Na 0200 16 do rejestru indeksowego,
po czym jest zerowany akumulator A. Na akumula-
tora A jest umieszczona przez rejestr indeksowy w akumu-
lator A i rejestr indeksowy inkrementowane, tzn . ich
o 1. nowy adres jest mniejszy od M , to stan licznika rozkazów przyjmuje
z powrotem W ten sposób kolejna
jest umieszczana w komórce itd. Kiedy
X= M powrót z podprogramu i program zatrzymuje na rozkazie
WAI.

Tablica20.8. Rozkazy skoków mikroprocesora MC 6800
Sposób adresowania
Opis
Operacja Symbol bezpo - inde- rozkaz
wykonywania
dne ksowe bezadre-
sowy
Skoki bezwarunkowe
Skok JMP 7E 6E
BRA 20
Skoki podprogramowe
do
podprogramu BSR 8D
Skok do podprogramu JSR BD AD
Powrót z podprogramu RTS 39
Skoki warunkowe
gdy ,tO BNE 26 Z=O
gdy = O BEQ 27 Z= l
gdy 0 1l BCC 24 C =O
gdy 0 11 BLS 23 C + Z=l
gdy > 0 11 BHI 22 C + Z=O
gdy < 0 1J BCS 25 C= l
gdy V = 0 2' BVC 28 V=O
gdy V= 121 BVS 29 V=l
gdy 0 2 > BGE 2C Nfl,V=O
gdy 0 2 ' BLE 2F Z+ (NEBJ/)=l
gdy > 0 2 ' BGT 2E Z + (NEB V)= O
gdy < 0 2l BLT 2D Nfl,V=l
gdy b 1 = O BPL 2A N=O
gdy h1 = l BMI 2B N= l
Skoki softwarowe
Przerwanie SWI 3F
Powrót z procedury RTI 3B
Oczekiwanie WAI 3E
1l Przy przetwarzaniu bez znaku.

21 Przy przetwarzaniu w postaci do 2.
Tablica20.9. Program od adresu 0200 O, l, 2 ...
Adres Kod Etykieta Symbol Argument Komentarz

szesnastkowy
1000 CE 02 00 LDX #$ 0200
1003 4F CLRA
1004 A 7 00 LOOP STAA O,X
1006 4C INCA
1007 08 INX
1008 9 C 00 CPX $ 00
lOOA 26 F8 BNE LOOP Powrót do LOOP gdy X< M
JOOC 39 RTS
•-" " ""w•w,,• ,w,•, •,-.•.-.-.-.,.,._. • ._......... ,.,•,•,•,············"""···•·w ·,,•••••.•v--~---- ----=="'w ,•.-.•
.-,.-.-.,.,,.""" " ·"•"•"•"''"""
Podprogramy
Skok do podprogramu (BSR, JSR) jest skokiem bezwarunkowym z

adres rozkazu jest umieszczany i zapa-
w specjalnym obszarze jako adres skoku powrotnego. Po-
wstaje w ten sposób skoków do procedur z
nych miejsc programu Za rozkazu RTS (return from sub-
routine) licznik programu wraca zawsze do adresu powrotu.
Istnieje skoków z podprogramu do dalszych podprogramów (zanu-
rzanie podprogramów). Ze na to, uprzednio adres
skoku powrotnego nie jeszcze wykorzystany, kolejny
adres skoku powrotnego itd. Pierwszy powrót musi ostatnio
adresu, drugi przedostatniego, wreszcie ostatni po-
wrót pierwszego. Do organizacji takiego procesu specjalny 16-
-bitowy rejestr w CPU, tzw. stosu (stackpointer).
Tablica 20.10. Operacje ze stosem dla mikroprocesora MC 6800
Adresowanie
Opis
Operacja Symbol bezpo - bezpo- inde - natych- rozkaz wykonywania
ksowe miasto- bezadre- rozkazu
skrócone we sowy
Akumulator na PSH A 36 1-+Msr
stos (PUSH) SP minus 1 -...SP
PSHB 37 B-+M 5 „
SP minus 1 -+ SP
Szczyt stosu do PULA 32 SP plus 1 -+ SP
akumulatora [M 5 „J-+A
(POP) PULB 33 SP plus I -+ SP
[M 5 „J-+B
LDS BE 9E AE 8E [M]-+SP, 1
stosu [M + IJ-+SPL
STS BF 9F AF SPn-+M
stosu SPL-+M +1
Inkrementuj
stosu INS 31 SP plus 1 -+ SP
Dekrementuj
stosu DES 34 SP minus 1 -+ SP
stosu TSX 30 SP plus 1-+X
-+Rejestr
indeksowy
Rejestr indekso- TXS 35 X minus 1 -+ SP
wy -+
stosu
wu.-.•,- ,,,, --·,u,•,•,•,•,•,•,·,·················

····.w,v=.=- -- - - =
Do adresów skoków powrotnych definiuje pewien
obszar RAM nie w innym celu. Obszar ten jest nazywany
stosem (stack). stosu jest z podprogramu
i nie jest zwykle ograniczona. Po pracy mikroprocesor naj-
starszy adres tego obszaru do rejestru stosu - do tego opisany
w tabl. 20.10 rozkaz LDS.
rozkazy BSR lub JSR wykonanie skoku do podpro-
gramu w trakcie ich wykonywania, bajt adresu powrotu jest auto-
matycznie do pod adres wskazywany przez stosu.
stosu jest zmniejszana o 1 i starszy bajt adresu
powrotu jest pod nowy adres, mniejszy o 1 od poprzedniego. Kolej-
no stosu jest znowu zmniejszana o 1, w ten
sposób stosu.
podprogramu znajduje kolejnego podpro-
gramu, drugi adres skoku powrotnego jest w opisany
sposób w dwóch komórkach stosu o kolejno adresach.
Stos zawsze w (w adresów).
Rozkaz RTS powoduje ostatnio adresu po-
wrotu do licznika rozkazów i stosu o 2. W ten
sposób adresy skoków powrotnych w odwrotnej skokami
z podprogramów (last in first out: LIFO).
Na rysunku 20.6 pokazano w schematyczny sposób przebieg realizacji
programu, gdy jeden podprogram jest dwukrotnie z programu
Na rysunku 20.7 pokazano przypadek z jednego podpro-

gramu kolejnego podprogramu. Na stosie zaznaczono sposób umieszczenia
z adresów skoków powrotnych.
Program Podprogram Program Podprogram Podprogram

1 2
1010. 1100 1110
1013
1010•
1013
1018.
10/E 110g
PopierwszymPadrugim Popierwszym Podrugim

stosu skoku skoku stosu skoku skoku
Rys. 20.6. Dwukrotne Rys. 20.7. Zan urzanie podprogramów

podprogramu
,, ...-_,,. ,.•.w.w,·,····..-•=-===,w~~--·=,=w~·,.w .•,•.•,•,w
,.•,•,•,,
•,•, ...........,.......,.,.w .•.•.•.•.•,•.w.·.···•·==---w,-.w.v.w, •,•,-,,w,•,,•.•, •.•.w.w.w.
20.3. LISTA ROZKA ZÓW 665

Stos wykorzystywany do (przechowy-
wania) akumulatorów. do tego bezadresowe rozkazy PSH A
i PSH B. akumulatorów jest wówczas w komó rce
stosu pod adresem wskazywanym przez stosu . W tym przypadku
jego jest zmniejszana o 1, danych w
nieniu od adresowego wynosi tylko 8 bitów. Dane
z powrotem rozkazami PUL A i PUL B. Jest oczywiste, w ten sposób prze-
chowywane dane z powrotem w tym samym podpro-
gramie, w przeciwnym bowiem razie adresy skoków powrotnych wy-
mieszane z danymi.
Przerwanie
Procedura przerwania jest podprogramu. ona
tym od podprogramu, skok z programu nie
pod rozkazu skoku w miejscu progra-
mu ale z dowolnego miejsca na skutek steru-
Ten musi podany na prze-
rwania IRQ (interrupt request) w CPU.
Adres startowy procedury przerwania jest umieszczony w okre-
miejscu poza programem. W procesorze MC 6800 w tym
celu przydzielonych na adresów FFF8 (starszy bajt) oraz FFF9
szy bajt).
Aby móc z dowolnego miejsca programu ,
powrotu. dane procesora sprzed skoku przy
powrocie odtworzone. W tym celu podczas przerwania aku-
mulatorów A i B rejestru indeksowego i rejestru stanu automatycznie zapi-
sywane na stosie. Rozkaz powrót z przerwania RTI (return from interrupt) po-
woduje ich ponowne do rejestrów CPU .
Adres Stos
07FF
07FE
Adrespowrotu
Adrespowrotu
Low
High } Podprogram
pierwszlJ
07FO Akumulator
A PSHA
07FC Akumulator8 PSH8
07F8
07FA
Adrespowrotu
Adrespowrotu
Low
High } Podprogram
drugi
07F9 Adrespowrotu Low

07F8 Adrespowrotu High
07F7 Rejestrindeksowy Low
07F6 1/ejestrindeksowy High Przerwanie
07F5 Akumulator A
07f4 AkumulatorB
W:k • 'k OJFJ flejestrznaczników
s azn, ._ 07FZ
stosu •
Rys. 20.8. stosu

-~ ·•.,.,.,.,.,.,.•.,.,.,.,.,.,.•.,.,.........................................................
................................
Vl,M= .,..,.,.,..,..,.,..
~.,.,·.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,-.•,-.•.-,-.-..... .....................................
..................
.- ..............................................,,,......

Jako na rys. 20.8 podajemy stosu po przerwaniu.
program zanurzony na drugim poziomie podpro-
gramu, a podczas realizacji pierwszego zachowano na stosie akumu-
latorów A i B. Po programu przerwania jest wykonywany
skok powrotny do drugiego podprogramu, a do pierwszego. Na tym po-
ziomie dane na stos rozkazami PUL. Wtedy
powrót do programu W tym stanie stosu
znowu adres stosu (w 07FF).
Maska
IRQ procesora za znacz-
nika I w rejestrze znaczników. Skok do procedury przerwania
wykonany tylko wówczas, gdy IRQ jest doprowadzony do CPU
oraz gdy znacznik I w rejestrze stanu ma O. Z tego powodu znacznik
rejestrów )
roboczych z CPU-Stos
Adres powrotu
Ustaw I= 1
Licznik rozkazów na: [FFFB}[FFF9)
Nie- - -~Rozkaz
">--
UstawI =O
rejestrówroboczych
zestosu - CPU
Licznik rozkazów na adrespowrotu.
Rys. 20.9. Schemat blokowy sposobu przerwania IRQ oraz powrotu z procedury przerwa-
nia RTI

ten nosi maski lub kaso -
za rozkazów SEI i CLI (tabl. 20.8). Jest ona automatycznie usta-
wiana przy skoku do procedury przerwania, aby procedury tej nie
po raz wtóry przed jej Przebieg programu z przerwa-
niami przedstawiono na rys. 20.9.
NMI (non maskable interrupt) daje skoku do
drugiej procedury przerwania o adres.ie startowym w komór-
kach FFFC (starszy bajt) i FFFD bajt). W tym trybie
maska nie jest testowana , to zanurzenie obu procedur
jednej w drugiej.
Trzeci rodzaj to skok do procedury przerwania za
rozkazu przerwania programowego SWI (software interrupt). Adres
tej procedury nie jest umieszczony w programie, lecz w komórkach
o adresach FFF A i FFFB. przerwania programowego w porównaniu
z normalnym skokiem jest zapis rejestrów roboczych na stosie bez konie-
stosowania dodatkowych rozkazów. Powrót z przerwania progra-
mowego wykonuje za rozkazu RTL. Maska nie jest
testowana .
Restart
ingerencji w
program jest doprowadzenie do CPU zerowania RES (reset). Zwykle
tego do procesu Rozpoznanie
RES przez CPU powoduje licznika programu adresem „restartu".
Adres ten musi na w rejestrach FFFE i FFFF (np. za
lub w lub
w ROM). Na rysunku 20. 10 przedstawiono zebrane rodzaje ad-
resów startowych.
Adres Warunek
skoku Przyczyna
FFFF
FFFE
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Restart -Reset
FFFO
FFFC
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Non - maskable
lnterrupt
-NM/
FFFB
FFFA
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } Software-
lnterrupt
Rozkaz-SW!
FFF9
FFF8
Adresstartowy Low
Adresstartowy High } lnterrupt-
Rys. 20.10. obszarów dla adresów startowych procedur
Po zasilania stosu ustawia na

kowej Dlatego, jakiekolwiek operacje ze stosem,
nik stosu na programu za rozkazu LDS .
u .•= .~~=,,.w, .w ...........,w,, ===~,- ·m .. ,,--,,.-,............................
.......
......,•" ·•
668 20. PODST AWY MIKROKOMPUTERÓW
20.4.Uruchamianiesys
Jak mikrokomputer z nie jest wykorzys-

tywany jako programowalny kalkulator, ale pracuje jako zaprogramowany na
Program jego jest przy tym pa-
w PROM. W poprzednim rozdziale jak korzys-
z tablicy programu program w we-
Za programatora gotowy program w pa-
PROM i do systemu mikrokomputerowego zgodnie
z na rys. 20.1. Przy takim w przy-
padków program nie poprawnie ze na
w nim jeszcze Ze na to, przy takiej architekturze systemu
zmiany pojedynczych rozkazów czy kolejne ich
poszukiwanie jest trudne i W punktach tego
chcemy kilka sposobów uruchamiania programów i ich
testowania przed umieszczeniem w PROM.
20.4.1.Programowanie
w
Gdy potrzeba dokonywania zmian w programie podczas jego uru-
chamiania, program ten zamiast w PROM w
RAM i w tym stanie W najprostszym przypadku do tego celu
normalnego mikrokomputera z rys. 20.1, którego PROM zawiera
program nazywany monitorem . Program taki jest przez wielu pro-
ducentów dostarczany wraz z mikrokomputerem. Podstawowymi
programu monitora procedury
Procedura we/foiowa testuje i do akumu-
latora klawiszem bitów.
Procedura akumulatora na
szesnastkowym. Z tych obu podprogramów programy
przez specjalne klawisze.
Procedura odczytu i zapisu Procedura ta w ten sposób,
po podaniu adresu rejestru M w postaci czterocyfrowej liczby szes-
nastkowej otrzymuje na odpowiedniej komórki
w postaci dwucyfrowej liczby szesnastkowej, jak w
FCOOSE
komórki przez wpisanie nowych war-

W rejestrze zostanie ostatnio wpisana po czym
automatycznie jest kolejny adres.
20.4. URUCHAMIANIE SYSTEMU 669

procedura umieszczenie programu
w dowolnym obszarze jest program ten
na maszynowy ta nosi
asemblera zrób to sam, do-it-yourself-assembler).
Po wprowadzeniu programu adres restartu z adresu star-
towego programu na adres startowy programu
i startuje go reset. adres startowy jest sztywno
z programem monitora. Aby program wtedy
specjalnej procedury startowej (GO), za której adres startowy jest
odczytywany z klawiatury i umieszczany w liczniku programu . pro-
gramów typu monitor zapis programu na
magnetycznej i programów z prze-
chowywania programów jest umieszczanie ich w EPROM
za specjalnej dyrektywy. dysponuje wiele do-
w handlu mikrokomputerów .
w asem
blerze
Przygotowanie programów w jest nierealne.
Programy takie pisze w adresów symbolicznych (tzw. asemblerze)
za programu edytora pisanego tekstu . Po-
instrukcjom programu nie przydziela adresów. Adresy skoków
definiowane przez tzw. etykiety (label). Komentarze do pro-
gramu.
Tak przygotowany tekst mianem programu (source
listing). Jest on o wiele bardziej obszerny od mu
programu . Stosunek jak 20:1. W celu jego
jest masowa, taka jak dysk magnetyczny.
za programu, nazywanego asemblerem, pro-
gram jest na kod maszynowy. programy roz-
celowo na i oddzielnie. jest wtedy wy-
szukiwanie oddzielnie.
z programu rozpoczyna od adresu 0000. ustala
jakie i w jakiej w program. te
konsolidowane (linking), tzn . automatycznie kopiowane i do pro-
gramu. Zadanie to wykonuje program o nazwie konsolidator (!inker). W re-
zultacie otrzymuje program wynikowy, którego instrukcje
od adresu 0000. W nadaje programowi adres startowy taki, jaki
w docelowym komputerze. Od tej rozpoczyna
wanie kodu maszynowego programu do przez program (lo-
ader), który numeruje wszystkie kroki programu. Gotowy pro-
gram wtedy uruchomiony w celu jego sprawdzenia lub zapisany
w EPROM.
__ __ ,w" ··,·····" ' "°'~· ··-'~Y•W•·•·,•,•,•.·······
······
·········=·=== ·-- - - ,m·,•,•.•,•.•.•,•,•
.•,•,,wmo-~- ,- ,,, ..,..,.._.,,
.,•,•,•,•,•,•,•,•,
•.•,•,•,wm~
670 20. PODST AWY MIKROKOMPUTERÓW

opisany tu sposób przedstawiono na rys. 20.11
w postaci schematu blokowego. które pot rafi prze-
bieg tego schematu, nazywa systemem uruchomieniowym . Schemat
jego budowy przedstawia rys. 20.12. 2.e na fakt , proces
nia jest czysto tekstu, CPU systemu uruchomien iowego
nie musi identyczna z docelowym komputerem, na który przygotowuje
program.
Wprowadzenieprogramu
~a edytora tekstu
Program
Asembler
relokowa!ny
programuwynikowego
(Linkowanie) Bibliptekaprogramów
Regulowany
program
wynikOWIJ
Programwynikowy
WJ~zyku
Rys. 20.11. Przebieg syntezy programu w systemie uruchomieniow ym
Do tego celu z powodzeniem np. komputer osobisty.

Wymagane oprogramowanie z asemblera, !inkera
oraz loadera jest oferowane obecnie przez wielu producentów oprogramowa-
nia i praktycznie dla wszystkich typów mikroprocesorów .
System
Konso
la Emulator uruchamiany
Kompute
r
z
masowq
Drukarka Programator
Rys. 20.12. Struktura systemu uruchomieniow ego

,•..v.v,•, •,•,•,•,•,•,•,._•,•,•,•,•,•,-,•.-,•,-.•-'·"' •V•V•'•'•'•'_...,....,,,,....,.,.,...,.,•..,.,,.,.
,-..,•,•,-.
·,v.-.-,
........,...,
......
_...
,,...,.,.,,,,,,..,,,,,•,•,•,•,•,•,•,•.r,._•,•,•,•,•,._,,._._._,.._,,._.._.. ...,,_==-.,..,..., .,.,,,,,,•,.,.,,,._.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,.,.,...,,.._,,......,.__._.....,,,.--.v ,
20.4. URUCHAMIANIE SYSTEMU 671

20.4.3.Symulacja
i emulacja
Podczas asembler bada programu, nie
potrafi jednak logicznych. Dlatego popraw-
programu po uruchomieniu. do tego dwa programowe :
symulator i emulator. Symulator to program
(CPU) systemu docelowego na komputerze systemu uruchomieniowego (np.
na komputerze osobistym). Przy wykonywaniu programu
rejestrów, stosu i innych obszarów W lepszych symulato-
rach istnieje nawet i bada-
nia reakcji systemu na W ten sposób
logicznych programu . Przy stosowaniu symulatora nie trzeba
jeszcze docelowym temu prace nad
i oprogramowaniem biec równolegle.
symulatorów jest to, o kilka wolniej jedno-
stka centralna systemu docelowego. Nie one na badanie za-
chowania systemu w czasie rzeczywistym. Dlatego do przeprowadzenia
testu systemu jest potrzebny emulator (in circuit emulator, !CE).
Emulator zawiera interfejs (tzw. i oprogramowanie
systemu uruchomieniowego z systemem docelowym. Emulator
zawiera mikroprocesor i programu uruchamianego systemu i
go kablem z procesora systemu. on testowan ie progra -
mu w czasie rzeczywistym, z i systemu docelowe-
go. on wprowadzanie do programu punktów zatrzymania
programu (breakpoints), po których jest re-
jestrów i obszarów
Emulatory typom mikroprocesorów. Dlatego,
chcemy oprogramowanie na inny mikroprocesor, musimy
i oprogramowanie emulatora na nowe. Emulatory mikrokomputerów
programator EPROM danego mik-
rokomputera.
20.4.4.Prostesystemyurucbomieniowe
bez masowych
W opisanych dotychczas systemach uruchomieniowych
sprawia fakt, program musi zapisany i wykonywany w po-
staci symbolicznej. Powoduje to stosowania masowych
wraz z odpowiednim systemem operacyjnym .
masowa staje zbyteczna, zastosuje asembler, który
natychmiast po wprowadzeniu wprowadzony rozkaz i zapisuje
go w maszynowym. Traci przy tym
nia komentarzy. Aby jednak podczas poprawiania programu nie
trzeba w kodzie szesnastkowym, jest potrzebny program
,, ..w- = =m um u.·.······w~··"""•"•"·'"-"
·'-"···························
·······················•·······•·•············w····, ·~-------- ··········
···················
···,.·.•.w.,_..,w.•.-,.wwwm==
kod szesnastkowy z powrotem na symboliczny. Taki program nosi
disasemblera (disassembler). Wbrew rozpowszechnionemu mniemaniu
metoda ta wykorzystywanie etykiet. W tym celu asembler
program linia po linii (line-by-line assembler) musi tylko
etykiet razem z programem i disasemblerowi
przy z powrotem na kod symboliczny.
Taki asembler/disasembler wraz z programem monitora zajmuje tylko
ok . 8 KB i dlatego go w komputerze
docelowym. temu napisany program
po wprowadzeniu, bez potrzeby korzystania z emulatora . jest
wprowadzanie zmian, bez potrzeby za razem czaso-
procedury wg rys. 20.11. Tego rodzaju prosty system
nadaje szczególnie do uruchamiania krótkich programów do ok. 1O KB,
w takich przypadkach na pierwszym planie jest stawiana
szybkich zmian, a wada na braku komentarza nie jest tak bardzo
istotna.
Z wielu typów mikroprocesorów dwie rodziny. Jedna

z nich opiera na typie 6800 firmy Motorola, a druga na typie 8080 firmy
Intel. przedstawicieli obu rodzin przedstawiono w tabl. 20.11
i 20.12. Mikroprocesory 6800 i 8080 znaczenie tylko historyczne.
je produkowane typy 6802 i 8085, które jed-
nak dalece zgodne z typami podstawowymi. Na ich podstawie w obu rodzi-
nach zaprojektowano bardziej wydajne typy mikroprocesorów.
mocy obliczeniowej kilkoma drogami.
z nich jest rejestrów danych z 8 do 16
i 32 bitów i odpowiednie poszerzenie magistrali danych . temu w jednym
cyklu i 2 lub 4 bajty. Aby to zdefinio-
wano odpowiednie typy danych.
Z 16 poprzez 20 i 24 do 32 bitów
rejestrów adresowych. temu adresowa do 4 gi-
gabajtów, a z skoków przy adresowaniu
temu w nowszych mikroprocesorów nawet programy
jako programy relokowalne (tzn. od miejsca, w którym
Dalszy wzrost mocy obliczeniowej przez listy roz-

kazów . Nowe, bardziej wydajne rozkazy, jak np. rozkaz
znacznie szybsze wykonywanie wielu operacji, bez potrzeby pro -
gramu. do tablic i dodatkowe sposoby ad-
resowania.
20.5. TYPÓW MIKROPROCESORÓW 673

Tablica 20.11. mikroprocesorów rodziny 6800
.,
-..!;
-~ .,;
..Cl
o o
---
'B .§_
p..
.,
>, .,...
"' -8 o "' 'E :3:
o A
.,... :3: C<S
:3:
,o >,
"' •O "';::l ·5 :o
"O
e: ii;,.,
bi) bi)
C<S
;a 'i=l "O ] ~o
..Cl
., [$ .... -~ 2
a'&
"' ·a
...
o [$
h
>, >,
hen
;,.,
A
.[$
.:i
ON
o"'
"O ~Ul "O "';,.,
'!ib~
a ·~ ..,.,,....
., ·-
., ·- ~e
o ~l:t: o 0.. ;,.,
ie ij
., >, ..Cl
!;:
;J
C<S
e. cte ~e
' '::"I~
o
"'00N
,O
:3:
i:l
V.!:.
'vi' o-
i.e r' V
Rodzina 6500 (Rockwe11,WDC, VLSI)
6502 16500 I 650/17010,3 I B,B, DD, W

65C816 6500+
18 164Kllx8 12xl61±1271-
8/16 16 M I x 16 5 X 16/24 ±32 k -
11/3
2/8 365/70 0,8 I
CP
Rodzina 6800 (Motorola, Hitachi, Thomson, Valvo (68070))
6800 6800 8 64K 2x8 3X 16 ±127 - 1/2 600/290 0,3 B,D
6802 6800 8 64K 2x8 3X 16 ±127 - 1/2 600/230 0,3 B,D RAM 128 B
6809 6809 8 64K 2x8 5X 16 ±32k 8x8 1/2 700/330 0,4 B,D,W
68000 68000 16 16M 8 X 32 IO x 32 ±32k 16 X 16 12/16 400/300 1,0 B,D, W,L, T SY
68008 68000 8 lM 8 X 32 IO x 32 ±32k 16 X 16 12/16 400/300 1,0 B,D, W,L, T SY
68070 68000 16 16M 8 X 32 10 X 32 ±32k 16 X 16 10 400 0,8 B,D, W,L, T SY, VM, MMU, DMA, TIM
68010 68000+ 16 16M 8 X 32 11 X 32 ±32k 16 X 16 8/12 600/400 1,3 B,D, W,L, T SY, VM
68020 68000+ + 32 4G 8 X 32 11 X 32 ±2G 32 X 32 16/50 180/60 10 B, D, W, L, T, Q SY, VM, CA, CP
68030 68000+ + + 32 4G 8 X 32 11 X 32 ±2G 32 X 32 25/50 120/60 12 B, D, W, L, T, Q SY, VM, CA, MMU, CP
68040 68000+ + + 32 4G 8 X 32 11 X 32 ±2G 32 X 32 25/50 80/40 20 B, D, W, L, T, Q SY, VM, CA, MMU, CP, MCP
Tablica 20.12. mikroprocesorów rodziny 8080
od
.@.
'B
.e
.@.
... p.
i3:
-6 o Cl)
Ul
'3
Cl)
c::
,o ...
Ul
Cl)
-s o
,o
od
@ "' o
·a -O
-g >,
...
Ul
N
"'
"O §
Cl)
-g
,-14
o -6
::,
.@: -s
...: od ·C:: "O
...
...: >, -~ N
.Q
>,
§ ij
... ... c:: U)
o
N Cl)
o .!:l N
.!:l-;;::
>, >, Ul
@-g, 5 -=
ON' '0 :gfi5' '0 "'
>,
i:i::
Ul •N
...,
od
-~'E ·~ ·= ... ,g,'B o
A "'
od 8 e=
>,
il
~e o d
U)
r' ;J Q'.::e e:::e

Cl)·~ Cl)·~
e:::e
.0 N
u6 N
U..8.
<Il
::;6 r'
Rodzina 8080 (Intel, Siemens, AMD, NEC)
8080 8080 8 64K 8x8 5X 16 - - 1/ 3 500/ 200 0,2 B,D
8085 8080 8 64K 8x8 5X 16 - - 3/ 6 300/ 75 0,4 B,D
8086 8086 16 IM 4 X 16 9X 16 ± 32k 16 X 16 5/ 10 325/ 200 1,0 B,D,W CP
8088 8086 8 lM 4 X 16 9X 16 ± 32k 16 X 16 5/8 325/ 200 0,7 B,D,W CP
80186 8086 + 16 lM 4 X 16 9X 16 ±32k 16 X 16 8/ 12 200/ 120 1,3 B,D, W,A,S CP, TIM, DMA, IRC
80188 8086 + 8 IM 4 X 16 9X 16 ±32k 16 X 16 8/ 10 200/ 150 0,9 B,D, W,A,S CP, TIM, DMA, IRC
80286 8086 + + 16 16M 4 X 16 9X 16 ± 32k 16 X 16 6/ 16 250/ 100 2,0 B,D, W,A,S CP, SY, MMU, VM
80386 8086 + + 32 4G 8 X 32 9X 32 ±2G 32 X 32 20/33 60/ 35 8,0 B,D , W,A,S,Q CP, SY, MMU, VM
80486 8086 + ++ 32 4G 8 X 32 9X 32 ±2G 32 X 32 25/33 35/25 18,0 B, D, W, A, S, Q CP, SY, MMU,VM, CA, MCP
Rodzina Z80 (Zilog, NEC, SGS, Sharp)
Z80 8080 + 8 64K 8x8 4 X 16 ±127 - 2,5/8 360/ 120 0,6 B, T,T RC
Zl80 Z80 + 8 512 K 8x8 4 X 16 ± 127 8x8 4/ 10 250/100 0,7 B,D,T RC, MMU, DMA, TIM
Z280 Z80 + + 8/ 16 16M 8x8 4 X 16 ± 32k 16 X 16 10/ 12,5 100/80 1,4 B, D, W, L, S, T RC, MMU, DMA, TIM, CA
Z320 Z8000 + 32 4G 8 X 32 9 X 32 ±2G 32 X 32 8/ 10 120/ 100 B, D, W, L, S, T, Q SY,MMU,CA
Typy danych: T - bity, B - bajty, W - 16-bitowe, L - 32-bitowe, Q - 64-bitowe, D - dane w kodzie BCD, A - dane w kodzie ASCII,
S-
Cechy szczególne: CP - interfejs koprocesora, TIM - czasowy (timer), DMA - do IRC - kontroler
MMU - SY - trybu pracy, VM - wirtualna, CA - MCP - koprocesor
matematyczny, RC - kontroler
Nowoczesna technologia
zegara. Powoduje to jednak zmniejszenie wymaganego czasu do pa-
RAM i ROM. mikroprocesora przejawia w tym, nawet przy
bardzo wielkiej zegara nie wymaga on ekstremalnie krótkich
czasów tego warunku do
stosowania bardzo drogich elementów RAM i ROM. Wprawdzie wy-
czas przez wprowadzenie czasów oczekiwania (wait state), ob-
to jednak moc podane w tablicach 20.11 i 20.12
pracy bez cykli oczekiwania. w systemach
jest stosowanie buforów magistrali, czas o ich czas propa-
gacji. mocy obliczeniowej jednostki MIPS (milion instrukcji na se-
milion instructions per second) . MIPS to liczba instrukcji, które mikro-
procesor w sekundy.
Musimy przy tym procesor 32-bitowy ma i tak moc
procesor 8-bitowy, nawet wtedy, kiedy ma tyle samo MIPS -
-ów. Jednym rozkazem on bowiem argument 32-bitowy. Do
tego celu procesor 8-bitowy wymaga kilku rozkazów. Moc obliczeniowa jest
proporcjonalna do zegara. Podana dotyczy
maksymalnej zegara. Czynnikiem moc oblicze-
oprócz czasu do jest magistrali.
Aby moc przy niezbyt wysokich wymaganiach
(i kosztach), opracowano metody. Szeroko
jest metoda pobierania rozkazu (prefetch).
Przy wykonywaniu rozkazu, gdy tylko magistrala jest wolna, pobiera
(a niekiedy jeszcze dalszy) rozkaz. Problemy z takim
pobieraniem wtedy, kiedy w programie
Wtedy dopiero po wykonaniu rozkazu wiadomo, który rozkaz jest na-
pobrane rozkazy
odrzucone . Przy pisaniu programu technika pobierania stanowi
w fazie emulacji rozkaz , który jest
nie jest wykonywany jako (a nawet w ogóle nie
wykonany). Dlatego mechanizm pobierania daje
Inna metoda do programu a danych po-

lega na zastosowaniu (cache). to
szybka buforowa, która jest scalona ze mikroproceso-
ra. w niej ostatnio instrukcje (i dane).
programów zawiera stosunkowo istnieje prawdopodo-
potrzebne rozkazy i argumenty jeszcze w
Wskutek tego odpada wiele cykli do
magistrali. Pogarsza to jednak programu.
adresowa, nowoczesne mikroproceso-
ry, jest dla programisty i bardzo nieprzejrzysta. Z tego
mikroprocesor a blok

(memory management unit, MMU) . on dowolne
nie adresów logicznych procesora i adresów fizycznych To odwzorowa-
nie jest realizowane za tablicy owan ej do MMU . Dodatkowo
demu segmentowi atrybuty, jak np. atrybut zabezpiecze-
nia przed zapisem. techniki MMU jest to, adresów zabie-
ra dodatkowy czas. Dlatego istnieje potrzeba dodatkowych
czasów oczekiwania. Pod tym jest korzystne, gdy blok MMU jest
scalony na strukturze procesora, wówczas jest
Nowsze mikroprocesory z
(virtual memory, VM). Technika ta takie danych
i programów w masowej (np. w dyskowym),
jakby w RAM. W trakcie wykonywania
programu wtedy przypadek, jest potrzebny argument, który
znajduje nie w RAM, lecz w masowej. Wtedy
wykonanie rozkazu zostaje przerwane . System operacyjny segment da-
nych, w którym znajduje argument, z masowej do RAM
i z powrotem system na wykonywanie rozkazu . W ten
sposób o 4 GB.
Moc procesora znacznie do
niego równolegle koprocesor wykonanie operacji, które
silnie mikroprocesor. Najbardziej rozpowszechnionymi typami
koprocesory arytmetyczne , które nie tylko cztery podstawo-
we w formacie i formacie IEEE (patrz p. 19.I), lecz
funkcji i konwersji
formatów liczb. Oprócz tego koprocesory graficzne, tekstowe
i koprocesory DMA . Warunkiem zastosowania koprocesora jest to, by mikro -
procesor interfejs koprocesora, poprzez który wymiana danych
i synchronizacja pracy . Samo programowan ie koprocesora jest bardzo wygod-
ne: on po prostu rozkazów mikroprocesora o kilka rozkazów.
Przy wykonywaniu rozkazu procesory po kodzie rozkazu, który
z nich ma jego wykonanie .
Przy mikroprocesorach wymienionych w tabl. 20.11 i 20.12
pobór nie jest w porównaniu z poborem
masowych oraz
z takimi procesorami jest on praktycznie do
Mimo to niektóre nowsze, szczególnie rozbudowane typy mikroprocesorów
wykonywane lub w technologii CMOS. Celem tego
nie jest jednak lecz odpowiedniego
struktur miliona tranzystorów.
Inaczej sprawa w przypadku prostych mikroprocesorów, które
stosowane w o zasilaniu bateryjnym. Tutaj poboru
przez mikroprocesor nie i jest stosowanie
wersji CMOS o poborze W tablicy 20.13 moc strat
wszystkich typów przy zegara I MHz jest .
....
................ ~-
....,.,.,.•.,.,.,.,................................
,.,.,.,... ...................
....
...........................
20.5. TYPÓW MIKROPROCESORÓW 677
ona jednak proporcjona lnie z mikroprocesory
CMOS z ich moc strat jest porówny-
walna z typów wykonanych w technologii NMOS. Mikroprocesory
wykonane w technologii CMOS jednak bez statyczne,
zatrzymanie taktowania. to do zmniej-
szenia mocy strat nawet przy wielkiej zegara, wstrzy-
taktowanie w fazach oczekiwania . Dla o zasilaniu
bateryjnym mikrokomputery wymienione w tabl. 20.14 i 20.15
korzystnym, wszystkie nie-
WE/WY .
Tablica 20.13. Mikroproc:esory rodzin 6800 i 8080 wykonane w technologii CMOS
Typ Typ CMOS Moc str at Maks. Producen t

podstawowy przy
/= 1 MH z zegara
[mW) [MHz]
6502 R65C02 20 4 Rockwell

6809 HD 6309 12 3 Hitachi
68000 HD 68HCOOO 12 12 Hitachi, Motorola
8085 MSM 80C85 15 5 Oki
8086 80C86 50 8 Harris, Oki, Intel
8086 V 30 30 16 NE C
8088 80C88 50 8 Harris , Oki, In tel
8088 V20 30 10 NEC
80186 80Cl86 50 16 Intel
80186 V 50 35 8 NE C
80188 80Cl88 50 16 Intel
80188 V40 35 8 NEC
80286 80C286 60 20 Har ris
Z 80 TMPZ84COO 20 8 Toshiba, Zilog
Z 180 HD 64180 12 8 Hitachi, Zilog
20.6. Systemw minimalnej

konfiguracji
Mikrokomputer w programu o 2 KB,

ROM 128 KB i stanowi wydajne za-
wiele sekwencyjnych. Dlatego przy spec-
jalistycznych z roz-
szerzania systemu i temu znacznie wymagania
zajmiemy teraz nieco
= w .w~ w .••'•'•'•'•'•'•'•'•'·····•,,,_._._,_,__=v ,= v .w .w .==w~ ~ ,-· .•,•,•,•
,•,•,•,•, ,•.•.·,·.·.-.-u.-.·.w .•, .,_" ·~ ---= , ·,•,•,•,•,•,•, ,•,w,.-.-, -, ...-, .-, .....-, .ss

20.6.1.Konstrukcja
prostegomikrokomputera
Wiemy z do realizacji mikrokompute ra pot rze-
ba niewiele obwodów scalonych. W pierwszym uproszczeniu zrezygno-
ze wszystkich buforów magistrali . Drugie uproszczenie polega na
nym dekodowaniu adresu, korzystaniu jedynie z linii adresowych .
dekodowania na Przyj-
miemy, jako programu 2 KB EPROM, a jako
danych 128 bajty RAM. Dodatkowo jest zastosowany równo-
PIO (parallel input output). W sumie jest
2048 + 128 + 4 = 2180
komórek Do ich potrzeba 12 bitów adresowych dekodo-
wanych zgodnie z rys. 20.13. Bity od a0 do a 10 oznaczone jako M 3
ne do EPROM. Bit a 11 obszar progra-
mu. Jest on do CS (chip select) EPROM.
Adresw kodzie
szesnastkowym Rodzaj Adresw kodziebinarnym
FFFF I EPROM2 KB 1 1 1 f 1 1 1 11 1 f 1 1 1 1
F 8 OO 1 1 1 1 o oo oooo 0000
t M3
O4 O3
48
0000 o 1 OO o o o o O O 1 1
0400 ' PIA 0000 o 1 O O oo oo o o o o '-.,--'
t t Mz
007F oo o o o o oo O 1 1 1 1 1 1 1
oo oo RAM IZB B o o o o o o o o 0000 oooo
'--,--/
t at
a 11
M1
10
'------,---'
Dekodowanie
wst1;pne
Rys. 20.13. adresów i sposób ich dekodowania. Ml, M2, M3 bity adresowe
do z opisanych Podano tylko dwa skrajne i adresy
z grup
Obszar we/wy jest rozpoznawany przez bity adresowe a 11 i a 10 w kom-

binacji Ol. rejestry PIO dekodowane przez bity a 1 i a 0 • Obszar
RAM jest 00 bitów a 11 i a 10 . 128 rejestrów
jest wybieranych przez bity od a0 do a6 (M1 ). Poprzez dodatkowe
zdekodowanie bitów od a 7 do a 9 bez zmiany dekodera ob-
szar RAM do 1 KB.
Przy przedstawionym dekodowaniu adresów z rejest-
rów adresowany jednym z 16 adresów 16-bitowych, bity
od a 12 do a 16 nie dekodowane. Tak samo najstarsza z czterech cyfr szes-
nastkowego adresu dowolna. Jest jednak wskazane takie wybieranie
20.6. SYSTEM W MINIMALNEJ KONFIGURACJI 679

.
4
A
+5V
l~
+5V
VCC1,
VCC2 12 Oq . • . a10 vcc 2
Xia! A On ... Dtn ao_ RSO I CA
I27prI
EXtal
CS 8BRSI
CSJ
LSOO I 8 PA
+ MR CS2
+ VPP
+ RE dq... d7'
+- NM! OE
+ HLT GNO
IR(} I 8 PB
+9 IRQ
8
o E
'
T o/;t={
f1""
R/W
I 2 CB
RES
Klawiszl ~ ~UU J<
GNO
Reset 5 C
I47µF CPU:MC680
2 / EPROM:
2716 PJA.·MC6821
Rys. 20.14. minimalnej konfiguracji mikrokomputera

adresu, jakby on w dekodowany. Daje to poprawnego
programu w innym otoczeniu i przy dekodowaniu adresów.
opisanego systemu z adresowaniem przedstawiono
na rys. 20.14. Jako jednostki centralnej tu mikroprocesora 6802
go RAM 128 bajtów.
20.6.2.Mikrokomputer
jednoukladowy
scalenia (VLSI) umieszczenie w jednym elemencie sca-
lonym poza procesorem i RAM dodatkowo ROM
oraz peryferyjnych. W ten sposób z mikro-
procesora mikrokomputer. Jako takiej
struktury przedstawiono na rys. 20.15 schemat blokowy MC
68HC11A8 . Jednostka centralna (CPU) tego komputera jest istotnie
ta w stosunku do mikroprocesora 6800. Ma dodatkowy rejestr indeksowy,
a oba akumulatory A i B w jeden akumulator 16-bitowy.
wielu nowych rozkazów znajduje 8 x 8 bitów.
(rys. 20.16) 8 KB (ROM) w górnym obszarze oraz 256
bajtów (RAM) na stronicy bazowej (base page). Mikrokomputer ten zawiera
dodatkowo EEPROM, lub
w bez stosowania dodatkowych
W ten sposób dane takie, jak np.
czynniki, których z jednej strony nie ustalone, a z dru-
giej nie utracone w razie zaniku zasilania. W EEP-
ROM programy, jak np. krótki program
Zegar 6Boo++CPu
Port A
Wylqcznikczasowy Licznik 16bitów.
8
Interfejs Port 8
8 bajtów ROM
równoleqly 8
Interfejs Port C
512bajtów ff PROM równoleqly 8
Interfejs Port D
256 bajtdw RAM szeregowy 8
PrzetwornikA/C Port E
8-bitowy 8
Rys. 20.15. Struktura mikrokomputera jednoukladowego MC 68HC11A8

.w.w .•.w.·,.w,•,·,w .,·.""''~-- - .. ~w·~,w,-~w~""w, .. _ .. ,.,., ....,.....................,..,. .......... "w·---
w ROM procedur. Jako
we/wy mikrokomputer MC 68HC11A8 ma interfejsów. Przez oba interfej-
sy (bramy B i C) na magistrale: ad-
resowa i danych . W ten sposób uzyskuje podczas uruchamiania programu
RAM jako programu .
Interfejs szeregowy z interfejsu asynchronicznego do
czenia terminalu oraz z interfejsu synchronicznego do sterowanego
szeregowo przetworników C/A lub do komunikacji z innymi
mikroprocesorami w tym samym
FFFF
ROMBKB
EOOO
Wolne
8800
EEPROM5128
8600
Wolne
1400
WE/WY
1000
Wolne
0100
ROM2568
0000
Rys. 20.16. Mapa MC 68HCllA8
Do przetwarzania analogowych mikrokomputer jest

ny w przetwornik A/C o 8 bitów, a multiplekser na
przetwornika go do 8
podana nie jest nieco
mierzonych lub zakres pomiarowy na podzak-
resy. Przy wymaganiach jest celowe
nie przetwornika A/C do synchronicznego interfejsu szeregowego.
Programowany licznik nie tylko zlicza impulsy, lecz tak-
do pomiaru lub czasu, a jako zegar czasu rzeczywistego.
Realizuje on ponadto czasowego (watch dog): zegar czeka
przez pewien czas na zachowanie wykonywanego programu, a
takowe nie procedura restartu jest przeprowadzana samoczynnie.
temu mikrokomputera w i zdefinio-
wany stan, gdy wskutek lub impulsu
skok z programu .
mikrokomputerów na jest jed-
nak znacznie mniejsza w wieloelementowych,
przewodów struktury scalonego jest kilka
mniejsza. w tym istotnej zalety takiego której
nie przez zastosowanie programu.
,,, , .,-,•,•,•,•,•,•,•,w,·-- --~~·

W celu utrzymania niskiego poboru 68HC11 jest wykonany
w technologii CMOS. Aby dodatkowo moc wybiera
zegara nie z wymaganej szybko-
pracy mikrokomputera . Bardziej korzystnym jest jednak pra-
ca mikrokomputera z zegara i wstrzymywanie
pracy, w pewnych okresach nie jest wymagana.
wówczas krótsze czasy reakcji. tego rodzaju trybu pra-
cy praktycznie wszystkie mikrokomputery wykonane w technologii
CMOS. Za rozkazu WAIT zostaje jednostka centralna , ale
zegar i liczniki nadal, czemu powrót CPU do stanu aktywnego
jest po podaniu przerwania przez odpowiednio zaprogramo-
wany czasowy. Najmniejszy pobiera mikrokomputer
rozkazem stop (sleep mode) . Wtedy jest zatrzymywana praca zegara.
W tryb normalnej pracy mikrokomputer jest wprowadzany przez
przerwanie. RAM zostaje przy tym zachowana,
RAM CMOS zawsze statycznymi.
We wszystkich prawie typach mikrokomputerów ist-
nieje uzyskania z do magistrali adresowej i magis-
trali danych. wtedy dodatkowe programu i danych
oraz we/wy. pokazano na rys. 20.17. Nietrudno zauwa-
traci wskutek tego 18 Aby nie
nych 8 linii, multipleksuje 8 dolnych linii adresowych z liniami danych.
strobowania adresu AS informuje czy w danej chwili
adresy, czy dane. Dla wykorzystywania normalnych
i we/wy, dolne 8 bitów adresu jest zapisywane w rejestrze. Mamy
wtedy do dyspozycji jak w normalnym
mikroprocesorze Traci jednak wtedy prawie wszystkie
ze stosowania mikrokomputera
Port A
RIW
d7I--- -------- --- -- -~
B l-- __ a8 .,.._
... a__15 A
.,....,,.......,-
---,1-- ------...
PRU
PortB
Dekoder 8
µC adresów CS d6,d7
68HC11 2
D Port e
8
C 1--'----..;;.--,-
o----s..- ~-------~
68HCZ4
8
do... d5 -
E
Rys. 20.17. Praca milcrokomputera w trybie multipleksowanym (expanded muf.

tiplexed made) z ,,Port replacement unit"
==www---,~""" ·= =w.w,•...-...-
.v,•,•,•,•,•m
,•,w.......-=www=www--- w.•.•···················"···················"w
Aby utraconych do mikroprocesora nale-
specjalny (port rep/acement unit) wybierany przez dekoder
adresów wtedy, kiedy pojawi adres, który brama przez
programu . Tego rodzaju stosuje tylko w emu-
latorach, w których istnieje emulacji mikrokomputera.
typów mikrokomputerów
tabl. 20.14 i 20.15. dla praktycznie
z prostszych mikroprocesorów istnieje mikrokomputer
Jego lista rozkazów jest rozszerzona lub zreduko -
wana, praktycznie nie jest jednak nigdy identyczna.
w nich dodatkowo np. lub bit pojedynczym
rozkazem, lub bit ma jeden lub zero.
programu mikrokomputera w wersji podstawowej
jest wykonywana zawsze jako programowana przez producenta.
Ze na koszty wykonania maski to tylko
w przypadku zamawiania liczby sztuk. Wówczas ceny jednego
bardzo niskie. Do programowania mikrokomputerów produkowa-
nych w seriach oferowane w od typu warianty
programu:
1) bez programu;
2) z EPROM i oknem kwarcowym;
3) z EPROM w obudowie z tworzywa sztucznego;
4) z EEPROM.
Przy zastosowaniu wersji bez programu ze-

RAM lub EPROM. Traci przy tym - jak na
rys. 20.17 - 18 Niestety wyprowadzenia nie wystar-
Dlatego stosunkowo i za-
dodatkowy interfejsu Znacznie bardziej korzyst-
ne warianty 2) do 4), w których sam
i program, bez utraty bram . Z tego w zestawieniu w tabl.
20.14 i 20.15 mikrokomputery, w których te warianty.
W przypadku EPROM scalonej w strukturze programu
i tak, jak EPROM. tu
wykonania w obudowie plastykowej bez okna . Takie (one time progra-
mable, OTP, lub zero turn-around time , ZTAT) znacznie i przy produ-
kcji do 5000 sztuk bardziej od typów programowanych
To, nie da ich przy produkcji seryjnej nie stanowi wady.
Bardziej nowoczesnymi do programu
mi EPROM EEPROM. one szczególnie do tych
mikrokomputerów, które EEPROM do sta-
Wariant ten w niektórych nowszych mikrokomputerach
wykonanych w technologii CMOS.
A"" ·"""' ·'•'•'•'•'•'•'•'>,',W,',W,""""'"="·WWW---~~- ·-""''' ·w .w,•,•,• ,•,•,•,•,•.,•,•,•,•,•,•,•,•,w,•, ., ... ~.~--·" ·"" " " """""" •'•""""""""" '""" '"" """-

Tablica 20.14. Mikrokomputery jednoukladowe rodziny 6800
Typ Producent Techno- Lista RAM/ROM Wypro- We/wy Licznik Przetwornik Cechyszczególne
logia rozkazów [B)/[KB] wadze- szeregowe (bity) A/C
Wersja ROM Wersja x
nia
EPROM we/wy X bity]
MC6804P2 MC68704P2 Motorola NMOS 6800-- 32/1 20 - !X8 -

MC68HC04P4 MC68HC704P4 Motorola CMOS 6800-- 156/4 20 - 1X 8 - VDD;;; 2 V
MC68HC05J2 2
MC68HC705J2 > Motorola CMOS 6800- 112/2 14 - ! X 16 - DOG
MC68HC05P7 MC68HC705P921 Motorola CMOS 6800- 128/2 21 Asynchr. 1 X 16 4x8 DOG
MC68HC05C4 MC68HC705C4 Mot.(fosh. CMOS 6800- 176/4 31 As., syochr. I x 16 -
MC68HC05B6 MC68HC805B61
l Motorola CMOS 6800- 176/6 32 Asynchr. 1 X 16 8x8 DOG,PWM, 256BE
MC68HC05C8 MC68HC705C811 Mol.(fosh. CMOS 6800- 304/8 31 As., syochr. 1 X 16 - DOG
MC68HCl1D3 MC68HC711D321 Motorola CMOS 6800+ 192/4 32 As., syochr. 1 X 16 - DOG
MC68HCIIA8 MC68HC811A81
l Mot.(fosh. CMOS 6800+ 256/8 38 As.,synchr. 1 X 16 8x8 DOG, 512BE
MC68HC11E9 MC68HC711E911 Mot./f osh. CMOS 6800+ 512/12 38 As., synchr. 1 X 16 8x8 DOG, 512BE
MC68HC11K4 MC68HC711K42l Motorola CMOS 6800+ 768/24 62 As.,syncbr. 1 X 16 8x8 DOG, PWM,640EE
MC68HCJIN4 MC68HC71IN4 Motorola CMOS 6800+ 768/24 62 As., syocbr. I x 16 12X 8 ~K4+Koproc. mat.
MC68HCl6YI MC68HC916YI I) Motorola CMOS 6800+ 2K/48 50 As., syochr. 9 X 16 8 X 10 DOG,PWM
P93CJOO P97C100 Philips CMOS 68000 512/34 40 As., syochr. 3 X 16 - DOG
MC68F333ll Motorola CMOS 68020- 4K/64 84 As., syochr. 16X 16 8 X 10 PWM
1
> programuEEPROM
2
> EPROMOTP
Cechyszczególne: EE: dodatkowej EEPROM, bajty

PWM:Modulator impulsów
DOG: czasowy(watchdog)
Tablica 20.15. Mikrokomputery rodziny 8080
Typ Producent Techno- Lista RAM/ROM Wypro- We/wy Licznik Przetwornik Cechyszczególne
logia rozkazów [B]/[K.B] wadze- szeregowe [bity] A/C
Wersja ROM Wersja
EPROM nia x
we/wy X bity]
8048 8748 Intel,Siem. NMOS 8080- 64/1 24 - lx8 -

80C48 Intel,Siem. CMOS 8080- 64/1 24 - lx8 -
HD643180X HD647180X Hitachi CMOS 8080+ 512/16 54 As., synchr. 2 X 16 -
HD643180Y HD647180Y Hitachi CMOS 8080+ 1024/32 54 As., synchr. 2x 16 6 X 10
8051 8751 Intel,Siem. NMOS 8080+ 128/4 32 Asynchr. 2 X 16 -
80C51 87C51 AMD,O.ki CMOS 8080+ 128/4 32 Asyncbr. 2 X 16 -
SC83C451 SC87C451 2
> Philips CMOS 8080+ 128/4 56 Asynchr. 2 X 16 -
2
S83C575 S87C575> Philips CMOS 8080+ 128/4 48 Asynchr. 3 X 16 8 X 10 DOG,PWM
SAB80C517 SAB83C517-3J 1
> Siemens CMOS 8080+ 256/8 56 As., synchr. 4 X 16 12X 8 DOG,PWM
80C521 87C521 AMD CMOS 8080+ 256/8 32 Asyncbr. 2 X 16 - DOG
80C541 87C541 AMD CMOS 8080+ 256/16 32 Asyncbr. 2 X 16 - DOG
P83C592 P87C592
2
> Philips CMOS 8080+ 512/16 48 Asynchr. 3 X 16 8 X 10 DOG,PWM
P83C598 P87C598
2
> Philips CMOS 8080+ 512/16 32 Asyncbr. 3 X 16 - DOG
SAB8DC5l7A-5 SAB83C5l7AH-5J1> Siemens CMOS 8080+ 512/32 56 As., synchr. 4 X 16 12X 10 DOG, Koproc.mat.
8096 8796 Intel NMOS 8086- 232/8 40 Asyncbr. 2 X 16 8 X 10 DOG,PWM
80C196KD 87C196KD
2
> Intel CMOS 8086- IK/32 40 Asyncbr. 2 X 16 8 X 10 DOG,PWM
1
> programuEEPROM
2
> jako EPROMOTP
Cechyszczególne
: EE: dodatkowej EEPROM,bajty
PWM: Modulator impulsów
DOG: czasowy(watchdog)
W poprzednim rozdziale na pierwszym planie postawione zagadnienia
programowania mikrokomputerów. Teraz poznamy ich Zostanie
w tym celu omówiony system w którym blok funkcjonalny
znajduje na oddzielnej karcie module). kart
mikrokomputera, która równolegle wszystkich
kart systemu.
, 21.1. Kartamikrokomput
~:.:;::;
:;:::::½:::;::::::?~::;:;:;:;::::::1~Vi*:*
*~::~q~~:~;~:::;::::
:::;?;:;:;:;:;:;:;=::::;:;:::::f:::55::::;:5%*5~g;:@:1::::1:::;::;::;:;:;::::::;_;:,;~~
Na rysunku 21.1 pokazano wyprowadzenia mikroprocesora 6802. Wszystkie

jego i poziom zgodny ze standardem TTL.
Przeznaczenie podano w poprzednich
RES [Xtal u;AM

I Xtal I E RE I R/W do d, dz d3 d4
40
MC 6802
Rys. 21.1. Wyprowadzenia mikroprocesora MC 6802
Wszystkie oznaczenia zebrane w tabl. 21.1. Jak na

rys. 20.1, wyprowadzenia danych CPU, oraz peryferyjnych
równolegle. Takie nazywa (bus). Jest
oczywiste, w jednym czasie tylko jeden nadawca dane na
Do wyboru tego nadawcy linie adresowe magistrali. Poprzez
linie magistrali kierunek transmisji
danych oraz
21.1. KART A MIKROKOMPUTERA 687

Tablica 21.1. Opis funkcjonalny i mikroprocesora 6802
Kierunek Funkcja
Go··· G15 trójstaoowe Adresy

do···d1 we/wy lrójstanowe Dane
R/W wy trójstanowe zapis - odczyt
VMA Poziom High zawiera o adresach na ma-
gislrali adresowej
BA Procesor w HALT; wszystkie w stanie wyso-
kiej impedancji
E Enable (uprzednio c/>
2 ), zegara systemowego
EXtal do zegara, 1/4 podanej
jest na E zegara systemowego
Xtal do generatora kwarcowego wraz z EXtal do
rezonatora kwarcowego dla geoe-
ratora cyklu
HLT Poziom Low zatrzymuje procesor; wszystkie lrójs ta -
nowe w stanie wysokiej impedancji. BA = 1 oraz
VMA =0
MR Procesor czeka w stanie E = I tak dopóki MR= O.
Wszystkie Maksymalny czas trwania: 10 µs
IRQ przerwania
NMI Przerwania niemaskowalne
RES reset
RE Poziom Low uaktywnia RAM
Do jednego z mikroprocesora 10
MOS lub 5 TTL LS. Z tego powodu w systemach wymagane
wzmacniacze nazywane buforami (bu/Jer) na wszystkich Na rysun-
ku 21.2 przedstawiono sposób ich do mikroprocesora. Dla dwu-
kierunkowej magistrali danych konieczne jest buforów dwukierunko-
wych. one z dwóch przeciwsobnie wzmacniaczy z wyj-
trójstanowymi, wzmacniacze te sterowane na przemian
kierunek Do R/ W mi-
kroprocesora. EN bufora jest do
BA mikroprocesora. stan wysokiej impedancji na liniach danych ma-
gistrali podczas zatrzymania pracy mikroprocesora. Ten tryb prze-
widziany jest dla do (DMA) . Z tego samego
powodu trój stanowe linie adresowe oraz linia R/ W. Do
mikroprocesorowych dobrze trójstanowe bufory wykonane w te-
chnice TTL LS:
- jednokierunkowy 8-bitowy 74LS541;
- dwukierunkowy 8-bitowy 74LS245.
688 2 1. KONSTRUKCJA MlKROKOMP UTERA

MR
1
R/W
EN f>
" BA
71-----+- - 1 f>
E
371----- +- - I f>
+
470'i?
VMA
'?!;f I>
Generator 5 i---- - - - c.:._:_..:::
Reset
l,21,36
\ Klawisz
J_Reset RES
Rys. 21.2. Sposób mikroprocesora 6802 poprzez bufory do magislnl adresowej, da-
nych i
21.1.1. generowania reset
Jest bardzo istotne, aby po zasilania mikrokom-

putera zawsze stan W tym celu utrzy-
reset w stanie niskim jeszcze pewien czas po Czas ten
dla procesora 6802 musi ok. 8 µs od chwili, kiedy zasilania
spadnie dolnej granicy tolerancji 4,75 V.
Prosty przedstawiono na rys. 21.3. Po
czeniu na kondensatorze wolniej zasilania. Gdy
to próg bramki TTL, czyli ok. 1,4 V,
RES staje równy 1. Przebieg czasowy RES pokazany jest na
rys. 21.4. Nietrudno przy podanych elementów stan
resetu znika dopiero wtedy, kiedy przekroczy 4,75 V. Bez-
po resetu najpierw wraz z zasila-
nia, ze na zbyt niskie zasilania bramki
w nie Wzrost ten
nia, szczególnie wtedy, kiedy w systemie RAM CMOS
z podtrzymaniem bateryjnym , jako .
................ ..... w .w . . N=v==---·
21.l. KARTA MIKROKOMPUTERA 689

u+
+ + + [V}
5 _ _ 4,75V ___ __ ,..,...-----
10kQ 4702 4 / / ..-
/
RES 3 /
2
100Q
Klawisz\
Reset l +
I41µF
f
o 100 125 f[ms)
Rys. 21.3. Prosty generowania Rys. 21.4. Przebieg czasowy RES

RES po zasilania przy zasilania
+
4702
RES
_____ :J
' I
O.1µF Klawis\
Resetl..
JOkQ I C1= 77nf· t/ms
Gz
Rys. 21.5. Precyzyjny generator reset bez przy i
Dopóki zasilania jest mniejsze od 4,75 V ani mikroprocesor, ani

bufory magistrali nie poprawnie. W tym czasie nie-
przewidziane cykle zapisu, Z te-
go potrzebny jest reset, na czas narostu
zasilania. Tego rodzaju za ze-
styku spoczynkowego Dopóki z rys. 21.5 jest w
spoczynkowym, linia resetu jest do masy. Dopiero po zadzia-
mamy RES = 1. Przerzutnik RS (G1 , G2 ) wyeli-
minowanie styków (por. rys. 10.46). Do wysterowania
w scalonego generatora resetu po zasila-
nia TL 7705, który odpowiednio podzielone zasila-
nia jest porównywane na komparatorze K 1 z odniesienia 2,5 V. Po
zasilania, gdy zasilania przekroczy 4,75 V, na kom-
paratora pojawia stan 1, na bramki stan O,a tyrystor nie przewodzi.
Kondensator C1 Kiedy na nim
nie do 2,5 V na komparatora K 2 pojawia stan O, który
zatkanie tranzystora poprzez inwerter Czas
dowolnie przez dobór C,. Kiedy po na-
"•"················"········
······w.w
,.-www--www- ·
690 21. KONSTRUKCJA MIKROKOMPUTERA
zasilania spadnie 4,75 V, komparator K1 przechodzi w stan O,
a bramki G4 w stan 1, tyrystora. Cr
prawie natychmiast, przechodzi w stan spoczyn-
kowy, a reset przyjmuje zero.
Najprostsze w którym z
zastosowane scalone do 1 V,
nowsze typy generatorów, np. TL 7757 firmy Texas Instruments,
DS1233 firmy Dallas lub MAX 707 firmy Maxim.
21.1.2.Ustawialnyadresrestartu
Na rysunku 20.10 w obszarze FFF8 ... FFFF
adresy procedur Gdy obszar ten jest
RAM, wówczas tam adres startowy, np. za pro-
gramu monitora. Aby jednak program ten samoczynnie,
adres jego startu musi stale w komórkach restartu FFFE/FFFF.
Na rysunku 21.6 pokazano z tych komórek
z RAM i ich
--- G2 VMA
1 I> Q I>-----
r. ·- · 8 O
Bajt ·1 .... . '--- _... -- ..,l-l- ~---'-----'
starszy.L ___8 x _;
I 8
~-- ·-,
Bajt ·, ~ ....;
·---.-- -1----1._ _ _..
8
Bx .
L._ . ...J
Rys. 21.6. restartu z ustawialnym adresem startowym
Gdy mikroprocesor wystawi jeden z adresów FFFE lub FFFF

z odczytu, linia VMA zostanie wysterowana przez z otwar-
tym kolektorem G2 w stan O. Aby to na VMA
z karty CPU musi wykonane, tak jak na rys. 21.2, jako bufor z otwartym
kolektorem. Gdy VMA = O, z komórek nie adresowa-
ne, nawet te, których adresy FFFE lub FFFF. Stan
zostanie podany poprzez bufory trójstanowe na linie danych - zarówno
bajt poprzez adres FFFF (a0 = 1), jak i starszy bajt danych przez
•...,.,,,,.., _,_. _._,,,..,•.,,,.. 1.,,,.,._. . . .. ... . ... . ..... . , •• •,•,•,•,•,•,•,,•, •,• , •, •,• , •, •, •, •, •. •.,.._. •• _..,,..,., •• •••••• • , . . . ... . ... ._._._.,._..,.,,.,, , .,.,, ,, , , , , ,,, , , , . , , , ,., , , , , , , , , , , , , , •, •. •. •. •, ... v.-_.
•.•._..-
•.•.•.
..,'NVM'MV'~- .......... ......-. .... -.,.·
.•,··•················
···············
·····..-..-
,v,v,•,,...-...,....
2J.J. KARTA MIKROKOMPUTERA 691
adres FFFE (a0 = O).W przypadku wykorzystywania skonfigu-
rowanych w kodzie dwójkowym adres restartu
w kodzie szesnastkowym .
liiiii 21.2.Karta
i:::::
::,:,:,:,:,:,:,:,:,:•~
;,,:,::,.;X$:!:»:::.-:,;4.,...::!;S-::;:::::W.XY~~
»:-."::'$';:>,:
Przy do modularoie rozszerzanego systemu mikrokompu-

terowego na pewne które
na rys. 21.7. Przedstawiono tu o 16 KB.
czenie do magistrali mikrokomputera wymaga zastosowania
buforów na wszystkich liniach. Na liniach danych bufory dwukie-
runkowe. Wybór kierunku jest dokonywany przeciwnie w karcie mikro-
procesora: przy sygnale Rf W = 1 (odczyt) otwarte bufory
we. z rys. 21.7 jest zaprojektowany dla o 2 KB.
Adresy przez bity a0 ... a10 . trzy bity adresowe
a 11 ... a 13 do tego, aby za dekodera 1/8 jeden z
elementów Do dekodowania dwóch najstarszych bitów kom-
parator te bity z o O... 3. Licz-
by te jako numer karty. bierze
obszaru na cztery bloki po 16 KB:
Z = O: A = 0000 ... 3FFF

Z = 1: A = 4000 ... 7FFF
Z = 2: A = 8000 ... BFFF
Z = 3: A = 0000 ... FFFF
Komparator generuje BS = 1 (board select) wtedy, kiedy

podany adres pochodzi z wybranego obszaru. Dodatkowo na-
czy adres ten jest Jest tak, gdy iloczyn VMA · E = I.
Do realizacji tej funkcji tak jak na rys. 21.7, dwóch wolnych
bitów komparatora, do nich 1. Kiedy karta nie jest wybrana,
bufory w stanie wysokiej impedancji. Nie jest aktywny z syg-
elementy ( CSi = 1) ani zapisu do
(WEi = 1). Wszystkie od linii danych (OE= 1). W cyklu
odczytu do linii danych ( OE = O),a w cyklu zapisu
jest podawany zapisu ( WE = O). zapisu i odczytu jednak
tylko na ( CSi = O). S utrzymanie syg-
zapis/odczyt w stanie „odczyt" WE= 1, tak aby zapo -
biec cyklom zapisu. W tym celu jednego
nika przed zapisem lub prze-
osobny dla elementu oddzielnie, co daje
692
,,_,__
. ..,... ·--~-~
- ....,..., •........•.•··········································· ···············""'--·-
21. KONSTRUKCJA MIKROKOMPUTERA
---
VMA + + +
..-..-- ----<PJ 1/J 1 24 +B
""'
E- - ------lpz Qz
10k5? 2 „O" 23 a,
Pt ~Adres 3 22 a,
PoP=Q Qo~- - ...,_~bazowy 4 21 WED
74LS85 Z 5 ZO OE
EN O t>-~ __
CSD
_
... CS!
,,__ _
6 19
7 18
a,3 } • 8 8 17
.,+--- ---'a,.z;;.. c.P.. 1k5?
9 16
+- -- O
-a~11 7 7 10 15
A 16
74LS156 ao... a10 ft 14
12 13
11
fOkQ
R/W
RAM:HM6116
+ EP!lOM:2716
+ fOkQ
ROM s, 8
BS RAM ... WE?

WEO
t
OE
'--- o---d JENt 10k5?
3ENZ
t>--- -dGJ f 24 +B
2 „7" 23 aa
O 8 dg... d7
3 22 09
8 WE?
74LS245 4 21
10kQ OE
5 ZO
+5 V BAT48 +B 6 19
7 18
8AT48 8 17
9 16
10 15
11 14
L ____ _ 1
-=. Akum.
MCd
12 13
Rys. 21.7. Karta 16 KB dla elementów RAM i EPROM kompatybilnych z 2716
ochrony z dwukilobajtowych obszarów oddzielnie (S 0 ... S 7 ).

Przebiegi czasowe cykli odczytu i zapisu przedstawiono na rys. 21.8 . Przebiegi
sterowane cyklem zegara systemowego E. Cykl mikroprocesora rozpoczyna
na zboczu E. Po czasie t,w (address delay time) adres
staje po czasie tDD(data delay time) dane. Pod-
czas cyklu odczytu mikroprocesor czyta dane przy cyklu na
zboczu zegara E. Aby one poprawnie odczytane, przez
czas tnsu (data setup time) przed momentem odczytu .
...........,.........,.......
....,....,...,......,.,.,..~~.....-.~ ......
-...·,··················· •"..,·,-,..........,............,..,.
···········'-'•'•'•"-'•'•'•'•'•'•' .•.,,.,,...,,.,..,..,.,,....,..,..,..,.,
..........
.......... ...,.,.,,., .,.............
............... ...............
..
21.2. KARTA 693
wynika maksymalna dopuszczalna czasu do
ci: dane wyprowadzone z 630 ns po ustaleniu
adresu i 400 ns po uaktywnieniu CS.
D--+----+--+-----<
tcsA tosv too tow

400ns 100ns 725ns 275ns
tAD tcsA tAD twR
27Dns 630ns t 270ns 500ns
CYC tcyc
100Dns 1000ns
Cykl odczytu Cykl zapisu
tAv - czas adresu (address delay time)
t 00 - czas danych (data delay time)
t05 u - czas ustalenia danych (data setup time)
tH - czas przetrzymania (hold time)
tADA - czas wzg). adresu (address access time)
fcsA - czas wzg!. CS (chip-select access time)
fwR - czas zapisu (write time)
t0 w - czas danych (data va/id time)
Rys. 21.8. Przebiegi czasowe cykli zapisu i odczytu mikroprocesora 6802 przy zegara
systemowego l MHz . Podano czasy lzw. ,,najgorszego przypadku"
W cyklu zapisu czas trwania impulsu zapisu lwR (write time) wynosi 500 ns.
Dane powinny na 275 ns przed cyklu tDw (data va/id time) .
Rzeczywiste czasy do od strony magistrali, nieco
krótsze, w czasy wnoszone przez
bufory . Istotny na czas jednak wolne elementy
21.2.1.
CMOS RAM w stanie spoczynku, tzn.

przy ze zasilania
µA. je w tym stanie przez czas z baterii i wykorzys-
jako które w od EPROM nie wyma-
specjalnych procedur programowania ani kasowania. wy-
zalety RAM CMOS, kilka dodatkowych
·~---m umm.••••••••····~" .........,...,............
.,..........
..........
.,-,............,...w~ ---= ·"w•···········•········•mm.•.•.•"•"··········
······
·················
··············~"·=
. przedstawionych na rys. 21.7. Operacja
z zasilania bateryjnego na sieciowe i odwrotnie jest realizowana za
diod Schottky'ego D 1 i D 2 . Gdy zasilania spada 4 V, dioda D 1
zatyka i bateria akumulatorów przejmuje zasilanie RAM. akumu -
latorów do poziomu 2 V bez utraty informacji przez RAM.
ICL 7663 jako regulator przy akumulatorów . Tak
jak akumulatorów wynosi mniej 4 V, akumu latory
20 mA. Z drugiej strony ten zapobiega
niu, po ustawionego
nie maleje. Przy zasilania regulator ba-
tylko kilkoma mikroamperami. Zastosowanie DS 1633 firmy Dal-
las znaczne uproszczenie baterii.
Dla zabezpieczenia danych przed zniszczeniem
jeszcze dodatkowe zaradcze. Jest to spowodowane faktem, podczas
zmian zasilania od O do ok. 4,5 V stany buforów magistrali
i mikroprocesora niezdefiniowane, w z czym do RAM
CMOS wpisane dane . Aby temu zapobiec, wyko-
RES z karty CPU. ten przyjmuje zero, gdy
zasilania spadnie 4,5 V, a jeszcze zanim nie-
zdefiniowane stany Tym dekoder 1 z 8
(74 LS 156) z rys. 21.7, co powoduje zatkanie wszystkich tranzystorów wej-
od tego, O i 4,75 V ma
zasilania. Zapewnia to pozostanie wszystkich linii CS na potencjale + B, a
z nie wybrana . zatkanym tranzystorom
rezystory nie +B przy
czonym sieci.
Rezystory na liniach danych i adresowych przy
nym zasilania wszystkie RAM na potencjale ma-
sy lub + B, tylko wtedy jest w stanie i pobiera ze
zasilania nieznaczny
21.2.2.KartaEPROM
W EPROM
z rys. 21.7 pod
z CMOS RAM HM 6116, np . EPROM 2716.
zapisu (write enable) odpowiada Vpp· W nor-
malnych warunkach na nim musi 5 V. Takie na
do ROM zakazu zapi-
su S 0 •.. S 7 .
21.2.3.Rozszerzenie
do64 KB
z rys. 21.7 do 64 KB, tam
RAM lub EPROM 8 KB. Zgodne pod
,.,.,...,.,,.,..,.,...,...,....,.,,.,,.,,,,,,..
•.....v.~ -.-.....,....._._y... •.·.-.·. -.·r ,•,•,•,•,•,•,•r,•,•, •,•,-.-.,,,,...., ..,..w,;,.•,;,.-r .·r
21.2. KARTA 695

takie jak np. CMOS RAM HM 6264 i EPROM 2764. W tym przypad -
ku do elementów doprowadza dodatkowo adresy a 11 i a 12 , adresy
a 13 ... a 15 do dekodera 1 z 8. Komparator adresu nie jest w tym przypadku
potrzebny, adresowa 6802 jest wykorzystana na karcie
Adresy dla we/wy podobnie jak przy re-
starcie VMA tak, jak to pokazano na rys. 21.6 [21.l].
21.3.Programowanie EPROM
Programowanie EPROM wykazuje wiele z zapisem do

RAM . Na do wybranego elementu (CE/PGM = O)
Upp (25 V dla 2716). podaje
adres i dane.
Na CE/PGM podaje impuls o czasie trwania
50 ms. Kolejno podaje adres i odpowiednie dane, po czym po-
wtarza impuls Podczas tych operacji nie ma potrzeby
nia
VMA +
------,p5
E
------,p5
a11... a,s p_
4
/Jo BS
EN P=
74LS588
07 24
a6 2 23
a5 3 22
HLT HLT a',,
-- +--- -, Q <] 1 I--+-- ----+----,. 4
03 5
az 6
a, 7
au...a,o ao
I I
A 11
[> 8 17
RW R/W' do 9 16
ID [>
d1 15
74ALS574 d:Z 14
1J
C3 OE 2716
D 8
Rys. 21.9. Karta programatora EPROM dla 2 KB

Dopuszczalny jest odczyt po impulsie pro-
dla sprawdzenia zapisu.
Najprostszy sposób utrzymywania adresów i danych na
poziomie przez czas cyklu programowania 50 ms, to odpowiednie
cyklu zapisu do za READY. Dopusz-
czalny czas cyklu 1O µs, w przeciwnym razie dane
z rejestrów; CMOS RAM (patrz tabl. 20.13).
Do dowolnie utrzymywania linii danych w stanie
linii HALT. Uaktywnienie HALT przerywa wykonanie
rozkazu i linie danych oraz adresowe. Tak zapa-
dane i adresy na karcie programatora EPROM . Powo -
duje to niezbyt - buforów
na rejestry stan linii danych i adresowych. Tak
w przedstawionym na rysunku 21.9. Przebieg czasowy pod-
czas programowania przedstawiono na rys. 21.10.
BS
A'
D'
PSM
min 2,5JJ.S 50ms
Rys. 21.10. Przebiegi czasowe cyklu programowania
Na dodatnim zboczu wyboru karty (BS) zostaje

adres i R/W. Na zboczu BS
dane.
Do sterowania cyklem programowania jest generator podsta-
wy czasu wyzwalany R/W' oraz BS; generuje on HLToraz
PGM. HLT wprowadza mikroprocesor w stan HALT . Ze na
to, w trakcie wykonywania aktualnego rozkazu pobrany kod
kolejnego rozkazu, nie jego wykonania przez mikroprocesor.
Aby nie to programowania, po rozkazie programowanie
powinien pusty rozkaz NOP . z pojawieniem syg-
HLT jest blokowany komparator adresów.
temu podczas cyklu programowania karta nie wybrana .
. ,,,,,,,,,,.,.,..,•.•.•.·.-.•,•,•,•,v,·,·, ·_.,.,..,.,.,_..,~.,.,..,._._. _.,._.,.,.,.,•,•,•,•,•.,...,.,
•.,.,,.,.,.,,,.,.,.,.,,,,.,.,,,.,,, ,,,,,,,,.,,,,•.•.•,•,•,v,•,•,•,•,•,v,•...-,•,.,.....,,._...,.,,.,,.,,._.._w..,_ ,,.,.,.,.,.,._.,.,v,•,•,v,•,•,•,-..,,...,,..,._~-=
21.3. PROGRAMOWANIE EPROM 697

Dane zarówno przed, jak i po rozkazie programowania
PGM przez przynajmniej 2 µs. Aby to impuls
nie 2,5 µs po sygnale HLT. Nie ma powodu, by
ten poza cykl programowania, adresy i dane
na karcie programatora.
uaktywnienie procesora na pewno po czasie
2 µs od chwili zmiany HLT. Istnieje wiele sposobów
generowania obu zapisem. Najlepszy polega na dekodowa -
niu stanu licznika zegar Eo 1 MHz. Niedopuszczalne
jest generowanie cyklu programowania podczas cyklu odczytu (R/W = 1). Wte-
dy z rysunku 21.9 praktycznie jak karta W takim
przypadku nie danych w buforach, dane
za do mikroprocesora, lecz tak buforem danych, aby
dane jedynie w kierunku karty, a nie w kierunku mikroprocesora .
21.4.1. kierunek
transmisji
Najprostszy sposób czytania danych polega na tym, jak na

rys. 21.11, do magistrali danych bufor trójstanowy sterowany
+
74LS688+ 74LS688
E E
A 16 A 16
p :--I
R/W R/W
o io D Oo
10
o,
'v <l .Jr [>
i1
iz Oz
i3 03
i4 04
is 05
i5 05
i7 07
7"1LS541 74ALS 574
Rys. 21.11. Rys. 21.12.

przez dekoder adresu. Przy ustalonego adresu dane po-
na magistrali i wczytane przez mikroprocesor. Taki spo-
sób jest identyczny z komórki Operacja
od czytania jedynie wykorzystywanych adre-
sów. Przez wybranego adresu mikrokomputer na
8-bitowej magistrali danych stan
Rejestr w podobny sposób. Aby zape-
danych efo chwili wyprowadzenia nowych,
przerzutników jako rejestru tak, jak pokazano na
rys. 21.12.
IRQ-E------ -- ----- -1 CRA 2

Rejestr Przerwania
CA1,CA2
ODRA
Rejestrkierunku
8
Rejestr ~---'--~
Dane
Bufor PAO...PA7
RSO Wybór
RS1 rejestru Rejestrdanych
j PRA
CS
E
Sterowanie
zapis/odczyt PRB
Rejestrdanych
RES
Bufor
8
Rejestr
Dane
PBD
... P87
8 DDRB
o---,L--- ---- -+--E--'a>--l
Rejestrkierunku
CRB 2
lRQ---- -- -- ------l .__ Rejestr
____ sterujqcy
___..c..._ _J Przerwanie
Mikrokomputer CB1,CBZ
Urzqdzenia
peryferqjne
Rys. 21.13. struktura interfejsu PIA 6821
Kiedy dekoder rozpozna wybrany adres i rozkaz

zapisu (R/W = O),wówczas C zbocze E spowoduje, BS = 1
i C = 1. Do tej chwili na przerzutników dane.
zbocze C spowoduje przepisanie ich na gdzie po-
do operacji .
••.w.-www-•• •,w .•.•,··•·•· ,•.·w. ·.······················ .....-, .-, mmww•w ,ww· · · ·,···•·•W•W N•wwwwwwwwwwwww- ·,..- w" ·'.w, .w .w .•.•.•.•,•.•,•.•.•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•.•...-.•.•,•,•,•.•.•.•.·.•.·.•.·.•.
21.4. INTERFEJS RÓWNO LEGL Y 699

21.4.2. Dwukierunkowy
interfejs
Przy transmisji dwukierunkowej z rys. 21.11 i 21.12.
jest jednak do tego celu dwukierunkowego interfejsu równoleg-
we/wy, np. PIA (peripheral interface adapter), którego schemat blokowy
przedstawiono na rys. 21.13. Ma on dwa 8-bitowe we/wy. Dane wyj-
w rejestrze któremu jest
kowany rejestr kierunku o kierunku transmisji z linii we/wy.
Interfejs zawiera decyzyjny rejestr oraz dodatkowe obwody do
generowania i potwierdzenia
Interfejs PIA zawiera w sumie rejestrów 8-bitowych. Dwa
adresowe tylko do czterech rejestrów . Z tego powodu rejestr
danych oraz mu rejestr kierunku te same adresy
ne. za bitu w rejestrze
kowanie adresów przedstawiono w tabl. 21.2 [21.2], a na rys. 21.14 pokazano
sposób interfejsu PIA do magistrali mikrokomputera. Stosowane
tu te same co dla RAM. polega na
enable (E) nie do dekodera adresu, jak w przypadku RAM, lecz do specjalnego
Jest to konieczne, gdy przerwania jest testowane tylko na zboczu
enable; w przeciwnym wypadku przerwania
+
VMA
P14 10k9 +
az...a,s/J.13 q_,3
14 VOO
PoP=Qrio - CS
74LS688 BS
a, RS1
A a0 , a 1 CA
ff I> - RSO
CA2
E ao CA1 2
E
RES
RES PA7 PA
RjW
- R/W PAO 8
74LS541
JEN/
3EN2 P$7 PB
G3 PBD 8
-
D
IRQ
CB2
C81 2
CB
IRQ
Q
<O ' vss
Mikrokomput er Urzqdzenia
PIA 6821 peryfery;ne
Rys. 21.14. Sposób interfejsu PIA do magistrali mikrokomputera

wtedy, kiedy PIA nie jest zaadresowany. Do wykorzystania jest
reset, za którego wszystkie rejestry.
Tablica 21.2. Sposób adresowania rejestrów PIA
Adres Bit u RejestT

a1 ao
= 0 DDRA Rejestr kierunku A
o o { U,4
U,4 = 1 PRA Rejestr danych A
o l u,. = dowolne CRA Rejestr A
DDRB Rejestr kierunku B
I o { Uy = 0
UB= I PRB Rejeslr danych B
l l u 8 = dowolne CRB Rejestr B
Sposób programowania interfejsu PIA na Po-

przez A PA3 ... PAO chcemy bitów 1101,
a do akumulatora B stan PA4 ... PA7. Odpowiada-
temu zadaniu program jest przedstawiony w tabl. 21.3. Jako adres bazowy
F000 16 . W korzystamy tylko z jednego bitu
u - trzecia pozycja. pozycje ustawiamy
na zero . Powoduje to (zamaskowanie) wszystkich funkcji
Tablica 21.3. programowania PIA
Adres Kod Symbol Argument Wybrany Komentarz

szesnastkowy rejestr
1000 CE FO 00 LDX #$ FOOO Adres bazowy PIA

1003 6F 00 CLR 00, X CRA u= O do DDRA)
1005 86 OF LDAA # &0000 1111 } PA 7 ... 4 jako
1007 A? 00 STAA 00, X DDRA PA 3 ... Ojako
1009 86 04 LDAA # &0000 0100
lOOB A7 01 STAA 01,X CRA u = I do PRA
IOOD 86 OD LDAA # &0000 l!Ol
lOOF A? 00 STAA 00, X PRA Wyprowadzenie 1101 na PA
3 ... 0
1011 E6 00 LDAB 00, X PRA Wczytanie PA 7 ... 4
1013 39 RTS
Po wykonaniu tego programu w akumulatorze B znajduje in-

formacja:
B = PA7 PA6 PAS PA4 1 1 O 1
scalonych interfejsów rodziny

6800 zestawiono w tabl. 21.4. interfejsy z
lub z wbudowanym czasowym (timerem). Dla ty-
pów tych elementów wersje CMOS.
.••• • w ~, . m ,w, •,•,,•,•,•,•.•,............ ,.., •••,•.w ,•,•,•.•,•,•,•,•,•·········
·•...•........ . .···• ···············,·.·,·········· ........... """"" ·".w~"'~-= ·" ..- ···························
......
....
........
w .•.•, .w ,•,••,•,••,w ,·.·········,•,•,•,•,
21.4. INTERFEJS RÓWNOLEGLY 701

Tablica 21.4. Interfejsy dla rodziny 6800 z danych
Typ Producent Technologia Brama I Brama 2 Brama 3 Timer
6821 Motorola NMOS 8+2 8+2 - -

68SC2I Mitel CMOS 8+2 8+2 - -
6522 Rockwell NMOS 8+2 8+2 szeregowa 16 bitów
65SC22 Mitel CMOS 8+ 2 8+ 2 szeregowa 16 bitów
6823 Motorola NMOS 8 8 8 -
146823 Mo tor ola CMOS 8 8 8 -
6525 Commodore NMOS 8 8 8 -
6526 Commodore NMOS 8 8 szeregowa 2 X 16 bitów
Zegar 24 h
":··:·:·····:·:···::;;::::;~:;·:·:
~;!:is
...···•·•· . ... ·... ,... .
Tran smisja szeregowa ma

suregowy
w porównaniu z
·I~,: wymaga
·:,::::
:··········:·:·:::::::
::::::·:
::::::::::·:·:
·::.:··
niewielu linii. Jest to bardzo istotne przy transmisji danych na

Transmisji szeregowej przy krótkich odcinkach wtedy,
kiedy nie przeszkadza nam nieznaczna danych. Z tego
powod u monitory ekranowe i drukarki z interfejsy szeregowe.
21.5.1. Transmisja
szeregowa
Wymiany informacji szeregowej bit po bicie za rów-

we/wy, tylko z jednego W tym celu nale-
programowo o po kroku
operacji Przy operacji po kroku z ko-
lejno wsuwanych bitów. transmisji szeregowej nie
zbyt z powodu wykonywania licznych rozkazów
dla transmisji bitu. Korzystniej jest konwersji równoleg-
lub za specjalnego Jego
elementem jest rejestr z taki
jaki opisano w p. 10.5.2. Potrzebny jest dodatkowo przesuwa-
niem. Organizuje on kolejnych bitów z
(bitrate). problemem przy transmisji szeregowej jest synchronizacja
nadajnik a z odbiornikiem. W tym celu dzieli bitów na bloki (ramki):
przy transmisji synchronicznej do synchronizacji
bitów zwanego synchronizacji, który nie w
danych. synchronizacji oznacza dla odbiornika
bloku danych . Gdy daoe nie nadajnik tylko syn-
chronizacji. W ten sposób zegar odbiornika w chwili synchronizo-

W transmisji asynchronicznej nie synchroni-
zuje zegarów nadajnika i odbiornika . Oba zegary ustawia na
jedynie w (±3%). Z tego powodu kolejnymi
synchronizacji tylko krótkie bloki danych. Zwykle
?-bitowe znaki ASCII wraz z bitem oraz poprzedza
i ten blok bitami stopu i startu . takiej ramki przedstawia
rys. 21.15. nie ma danych do w przypadku transmisji asyn-
chronicznej przerwa .
Ramkatransmisji
Siedem bitówdanych
( znak ASCll"S")
Rys. 21.15. Transmisja asynchroniczna znaku ASCII „S" (* oznacza moment

pojawienia bitu startu)
21.5.2.Programowany szeregowy
(ACIA)
Jest oczywiste, w przypadku sterowania danych w opi-
sany sposób jest skomplikowany Do dyspozycji mamy
scalone programowane interfejsy szeregowe ACIA (asynchronous communica-
tions interface adapter), jak np. MC 6850. Jego schemat blokowy przedstawio-
no na rys. 21.16. ten zawiera cztery rejestry, wybierane za
adresowego RS oraz zapisu/odczytu w sposób
przedstawiony w tabl. 21.5. taki jest dlatego, rejestr odbior -
czy i rejestr stanu to typowe rejestry, z których odczytuje dane (read regis-
ters), natomiast rejestry nadawczy i to rejestry, do których informa -
cja jest zapisywana (write registers).
Tablica 21.5. Sterowanie rejeslTami w interfejsie AOA 6850
RS R/ W
1 o Rejestr nadawczy do konwersji

1 1 Rejestr odbiorczy do konwersji
o o Rejestr do trybu pracy
___
o 1 Rejestr statusu stan elementu
.....................·.· · ·····-·.-,·,··
·········· ,,,,,,,,,,,.,,,,, ......•.•.•,•,···················...................................... .,.,.,.,................
.........................,.•.,...,.,..... .............................
....•.•. .....
...............
...,....,..,,.. ................
.,,,•,•,•,···············.-..··
·.....
.....
21.5. INTERFEJS SZEREGOWY 703
Za 8-bitowego rejestru format
transmisji oraz sposób testowania ponadto jakie
zdarzenia przerwanie. dodatkowo stosu-
nek zegara (dzielnik n = l, 16, 64). Przy ustawieniu
n= 16 lub n = 64 przy odbiorze otrzymuje
odbiorn ika na bicie startu.
legar Dzielnik Rejestr

n-bifOWIJ SIJncllronizacja nadawczy
RS Rejestr Sterowanie CTS C/ear-to-

3 Wybór statusu nadawaniem Send
CS rejestw
DCO DataCarrier
E Detected
R/W Sterowanie Rejestr Sterowanie RTS Request
- fo-
zapis/odczyt ster11jqcy odbiorem Send
IRa
l
"n
8 Rejestr Rejestr
o odbiorczy
Mikrakamputer !Jrzqdzenia
peryferyjne
Rys. 21.16. struktura interfejsu ACTA 6850
Po zasilania interfejs ACIA w stan

master reset. Ze na brak
reset programowo,
bitów do rejestru innych interfejsów szerego-
wych przedstawiono w tabl. 21.6.
Tablica 21.6. Szeregowe interfejsy asynchroniczne z danych
Typ Producent Technologia Maksymalna

transmisji
transmisji [kbody]
MC 6850 Motorola NMOS 1 - 19,2

HD 6350 Hitachi CMOS 1 - 19,2
COM 8502 SMC CMOS 1 - 38,4
R 65C51 Rockwell CMOS I X 19,2
R 65C52 Rockwell CMOS 2 X 38,4
MC 68562 Motorola NMOS 2 X 38,4
COM 78808 SMC CMOS 8 X 19,2
sec 2698 Valvo CMOS 8 X 38,4
=-••,w• .•.,..,..........•.•.•.•.•.•.•,.,. ,,...,.,. ,,..,.,.,~,""'""''w ,,...,,. ... ..,,.,,..,....•.•,•"""" ••""" ·"···"•"·····•W·-"wwwwww....__,_,,..,.,., ., ,......,.,,.,.,
..............•............... .,,-.w.-. .•
21.5.3.Kartaprogramowanego szeregowego
Sposób opisanego interfejsu do magistrali mikrokomputera przed-
stawiono na rys. 21.17. Dekoder adresów oraz bufory magistrali danych dzia-
identycznie, jak dla interfejsu (rys. 21.14). zegarowy
dla interfejsu szeregowego COM
8146 firmy Standard Microsystems z rezonatorem kwarcowym o
5,0688 MHz. Za czterech
transmisji. Zebrano je w tabl. 21.7. Zaznaczone bufory jako
konwertery poziomów logicznych dla interfejsu V24. tego interfejsu
zostanie omówione w p . 21.5.6.
VMA + +
/Jt5 q,5
a, ... a15 15
P14 q,4
VDD TXO
hoP=ado p=q CS TXD I> 2
74LS688 BS
A aa Jr I> RS RXO
• E RXD <l 3
E
R/W
. R/W MAX 232
RTS
RTS I> 4
3EN1 -
AGIA
3EN2 - CTS
63 GTS <l 5
D GNO
o 7
+
!RO.
.Q <l 1 IRQ
OCD
?
Generator - CLK
4 vss
Btransmisji
Mikrokomputer COM
8146 f1C 6850 Interfejs V24
Rys. 21.17. Sposób interfejsu ACIA do magistrali milcrokomputera oraz do interfejsu

V.24 przy pracy jako dla danych (DTE). Cyfry na liniach interfejsu V.24
numery 25-stykowego Cannon
Tablica 21.7. Znormalizowane transmisji
50 150 1,8 k 4,8 k

75 300 2,0 k 7,2 k
110 600 2,4 k 9,6 k drukiem zaznaczono ogólnie
135 1200 3,6 k 19,2 k I bit/s = l bod.
.·.·.v.-.,..v.v.-.~-._._
._._
,.,._._,.._,.,.,.,.,.
.,.,.•.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,........,.,.,,.,...,,
••.•••.••
,.,.,.,.,.,.,.,.,._.,.
,.,.,.,.,
........
....._,.,.......,......,...
•••,..........
___ .......,....,._,
.,....•.-.·.-.v.·,······
·················.-,-.•,•,•,-.-.
.......
.........
,.,.,.,.
.......
,.•••,._
._.,.,.,....._.,
•...•....,
programowanego
interfejsu
szeregowego
Sposób interfejsu omówimy na z tabl. 21.8. Program PO
inicjuje (wykonuje master reset) i format trans-
misji. 0916 oznacza format: 1 bit startu, 7 bitów
danych, prosta, 1 bit stopu oraz przez 16,
przerwania Jako adres dla interfejsu F010 16 .
Tablica 21.8. programowania interfejsu ACIA
Adres Kod Etykieta Symbol Argument Wybrany Komentarz

szesnastkowy rejestr
1000 CE FO 10 PO LDX #$F010 Inicjacja

3 C6 03 LDAB #$ 03
5 E7 00 STA B 00,X Master Reset
7 C6 09 LDAB #$ 09
9 E7 00 STAB 00, X format
B 39 RTS
1010 CE FO 10 Pl LDX #$ FOIO Nadawanie
3 E6 00 Ml LDAB 00,X Statusu
5 es 02 BIT B #$ 02
7 27 FA BEQ Ml Czy rejestr nadawczy
jest pusty?
9 A7 01 STAA Ol, X Transmisyjny bit
B 39 RTS
1020 CE FO 10 P2 LDX #$ FOlO Odbiór
3 E6 00 M2 LDA 00,X Statusu
5 56 RORB
6 24 FB BCC M2 Czy rejestr odbiorczy
jest pusty?
8 A6 Ol LDAA 0 1,X Odbiorczy bit
Przed danych czy jest wolny rejestr

nadawczy. W programie do tego celu Pl, w której testuje
pierwszy bit rejestru statusu . Dopiero gdy bit ten przyjmie 1, wolno
do rejestru danych.
Program odczytu P2 musi na pokazanie
w rejestrze danych . W tym celu testuje bit Ow rejestrze statusu.
Jedynka na tej pozycji oznacza danych rejestru, wczy-
tane do akumulatora.
Za bitu w rejestrze stanu system
interfejsu . Wówczas, zawsze po pojawieniu nowego w rejestrze wej-
jest generowane przerwanie. W ten sposób
wanie procesora tylko wówczas, gdy dane gotowe w rejestrze
czas wykorzystany przez inne programy. Testowanie
dalszych bitów statusu pozwala czy w

lub czy nie utrata bajtu danych wskutek przepisania rejes-
tru Sytuacja taka wtedy, kiedy procesor nie pobie-
rze we czasie z rejestru
21.5.5.KodASCII
Przy transmisji szeregowej litery oraz cyfry przedstawia z jako znaki
kodu ASCII (American Standard Code for Information Interchange). Dotyczy
to transmisji przez IEC (p. 21.6) oraz danych .
znaków alfanumerycznych odpowiednim liczbom binar-
nym norma kodu ASCII. Jest on przedstawiony, z odpowied -
nikami w kodzie szesnastkowym, w tabl. 21.9 [21.3]. W kodzie ASCII wy-
96 znaków alfanumerycznych. Cyfry od O... 9
liczbom szesnastkowym 30 ... 39. z cyfry ASCII na
przez 3016 . Dwie pierwsze kolumny
kody, które nie swoich odpowiedników znakowych; ich znacze-
nie podano w tabl. 21.10. z nich, takim jak znak powrotu
karetki CR czy zmiany wiersza LF, na klawiaturze oddziel-
ne klawisze; generuje przy klawisza oznaczonego CTRL
(control) w z odpowiednim znakiem z kolum n 4 i 5. Znak BEL
(dzwonek)= 0716 generuje klawisze CTRL oraz
G. Kolejny znak specjalny to spacja SP 20 16 .
Tablica21.9. Znaki kodu ASCII

Odpowiednik w kodzie
szesnastkowym o 1 2 3 4 5 6 7
Odpowiednik
ooo 001 010 011 100 101 110 I 11
-
w kodzie
szesnastkowym o
o oo oo NUL DLE SP o @§ p ' p

1 oo o l SOH DCi ! 1 A Q a q
2 OO1 O STX DC2 " 2 B R b r
3 OO I 1 ETX DC3 # 3 C s C s
4 o l oo EOT DC4 $ 4 D T d t
5 ol ol ENQ NAK % 5 E u e u
6 ol l o ACK SYN & 6 F V f V
7 O1 I 1 BEL ETB ' 7 G w g w

8 1 OOO BS CAN ( 8 H X h X
9 1 OO1 HT EM ) 9 I y i y
A l O1O LF SUB * : J z j z
B 1O1 1 VT ESC + , K [A k {a
C 1 1 OO FF FS < L \o 1 16
D 11 1O CR GS -' = M JO m }ii
E 1 1 1O SO RS > N i n -fJ
F 11 11 SI us I ? o +- o DEL
.·.·e=,,wu~v~v-~-'•""v.·.w.·.-.v.·•·•······ ···············
···'"···""'""""·····w.·.wu.----~= ·," ·""'"'••••··········
··············
·••··"" . "'"'-'= ,=~--
Tablica 21.10. Znaczenie znaków specjalnych ASCII
Kod szes- Znaki

Znaczenie
nastkowy ASC II
00 NULL N ull Znak

Ol SOH Start of Heading
02 STX Start of Text tekstu
03 ETX End of Text Koniec tekstu
04 BOT End of Transmission Koniec transmisji
05 ENQ Enquiry stacji
06 ACK Acknowledge Pot wierdzenie
07 BEL Bell Dzwonek
08 BS Backspace Cofanieo 1
09 HT Horizontal Tabulation Tabulacj a po zioma
OA LF Line Feed o I wiersz
OB VT Vertical Tahulation Tab ulacja pionowa
OC FF Form Feed o l
OD CR Carriage Return Powrót karetki
OE SO Shift Out
OF SI Shift In powrotne)
10 DLE Data Link & cape znaków
11 DCI Device Control 1 Sterowan ie 1
12 DC2 Device Control 2 Sterow anie 2
13 DC 3 Device Control 3 Sterowanie 3
14 DC4 Device Control 4 Stero wanie 4
15 NAK Negative Acknowledge Po twierdzenie negatywne
16 SYN Synchronous /die Synchronizacja
17 ETB End of Transmission Koniec bloku
18 CAN Cancel Anulowani e
19 EM End of Medium Koni ec
IA SUB Suhstitute
1B ESC Escape
lC FS File Separator Popr zedza dane alfanum eryczne
1D GS Group Separator Poprzed za dane binarn e
IE RS Record Separator Separ ator rekordó w
IF us Unit Separator Separat or pozycji
20 SP Space Spacja
7F DEL Delete Kasowanie
21.5.6.Interfejsy
RS 232 Ci V.24
W normie RS 232 (DIN 66020, 66022, CCITT V.24) wysoki poziom definiuje
jako w zakresie + 3 ... + 15 V, niski - 3 ... - 15 V. Dane
w logice ujemnej, a w logice dodatniej .
Klasycznymi typami scalonych translatorów (konwerterów) poziomów
logicznych 1488/89. Ich jest jednak zasilania na-
symetrycznym ± 12 V, które jest potrzebne tylko do tego ce-
lu. Znaczne oferuje pod tym rodzina MAX 232 firmy
·=~w ,•,•,•,•-. •,•,•,•,w.-.-.-.-.- ·~·.-~-===·,w.-w.""•'•'•'•W•'·'·'·'·'•'• '·'•' ·W .._.,,,,.•.•.. •.•.•.. •.-.•.-."""" """""""- ·--= ·=················
·.-.-.·
,w,•,.,·.·.·.-.-.-.-
.,.·.•.w , .. ,.,.,.,
708 21. KONSTRUKCJA MTKROKOMPUTERA

MAXIM i LT 1081 firmy Linear Technology. Poza dwoma translatorami
dla kierunku zawiera scalony konwerter
MAX 252 ma oprócz tego wszystkich czterech cze-
mu unika problemów z przez
Na rysunku 21.18 przedstawiono linie toru V.24
wraz z odpowiednimi translatorami poziomów logicznych, natomiast znor-
malizowane transmisji w bodach w tablicy 21.7. linii
transmisyjnej jest ograniczona do 15 m, tak aby
Komputer Terminal
Rys. 21.18. konwerterów poziomów danych dla interfejsu V.24. Nazwy
dwu dla danych (DTE)
W standardzie V.24 poza dwiema liniami definiuje

linii do sterowania informacji.
one pierwotnie przewidziane do informacji przez modem (mo-
dulator/demodulator). Przy takiej transmisji dane zakodowane przez prze-
telefonicznymi w
akustycznych. Definicje V.24 i ich znaczenie zestawiono
w tablicy 21.11.
Tablica 21.11. Symbole i znaczenie interfejsu V.24
Nr wypro- Symbol Nazwa Znaczenie

wadzenia
I FG Frame Ground Masa ochronna

2 TXD Transmil Dala Dane nadawane z DTE
3 RXD Receive Dala Dane odbierane przez DTE
4 RTS Request To Send nadawania DTE
5 CTS Clear To Send do nadawania
6 DSR Dala Set Ready OCE
7 SG Signal Ground Masa
8 DCO Data Carrier Detected Poziom odbieranego OCE
20 DTR Dala Terminal Ready DTE
22 Rl Ring Indicator
DTE (Data Tumfnal Equipment) • dla danych , np . terminal, drulca,lca, komputer

OCE (Data Communication Equipmtnt) • komu nikacyjne dla danych, np. modern, komputer
21.5. TNTERFEJS SZEREGOWY 709

a) FG
Fram e Ground
1 FG
Tr ansmit Data _
Txo 2 o-;,,--- -- - -- - -- - -<> 2 TXD
Recei ve Data
RXD 3 o---E--- --- - -- - - ---0 3 RXD
Request To Send
RTS 4 o--s>- - - - ~-- - - - -- --s.--o 4 RTS
Clear To Send
CTS 5 o-- -E- -- - --- -- - - -----E'--<> 5 CTS
DSR 6 o-....,._
_ _ D_a_ta_ S_et_ R_e_a
6
dy'-- -
_, - --e-o DSR
Signa/ (Jround
S(J 7 0--
- - - -- - - - -- - --0 7 SG
Data Carri er Detected
DCO 8 0--E- -- - - - -- - - - - -E--c 8 OCD
Data Terminal Ready
DTR 20 o-- - - -- - -- ~ -- -.;,.--c 20 DTR
RI Ring lndicator Rl
22 22
DTE np. komputer OCE np.terminal
b)
FG 1 1 FG
:;~:_:.,__
____><~--
--~=
--o:
i::
~=·
;;~;: :
=
X~---C
.-..,
-_
2!:=J
0_____
-
>< : : ; ;;;
B OSR
z~;;
RI 22 0 022 Rl
DTE np. komputer DTEnp. terminal
c)
FG 1° o 1 FG
:_:E-
-----><~
-----;
:
....
c-_: !::~
E
RTS 4 o----i 4 RTS
C~ 5~ - 5C~
OSR 6~ 60S R
SG 7 >----t--- -- -----i- - 7 SG
DCO 8 8 DCO
DTR 20 - 20 DTR
RI 22 o o 22 RI
OTE np. komputer DTE np. drukarka
Rys. 21.19. a) komunikacyjnego dla danych (DCE) z

cowym dla danych (DTE) za interfejsu V.24. Cyfry na liniach numery wyprowa-
25-stykowego Cannon;
b) dwu dla danych (DTE) za modemu zerowego;
c) dwu dla danych (DTE) przy transmisji XON/XOFF
-'"-- ..........
..........
,.,.,.,.,...,.,.,.,.,.,.,. .,.,.,.,.,.............
................................
........
....
.,.,...,.,.,.,,.,.,.,.,.,.,.,.....;............
,........
.......
...............
_~=-· ..............
. .............,
....,
,,,,,,
........
. ....
.....
,..,.,•,
710 21. KONSTRUK CJA MIKROKOM PU TERA
Oprócz dwóch danych TXD i RXD tu dwa dodat-
kowe RTS i GTS, za których komputer lub terminal
wzajemnie o do przyjmowania danych. Jedno z
niejszych tej to sterowanie drukarki z
z drukowania. W przypadku bu-
fora drukarka czyni nieaktywnym RTS i chwilowo wstrzymuje wypro-
wadzanie danych z komputera . Za GTS komputer
terminalu, nie z przyjmowaniem danych.
DSR i DTR ich zamiast
RTS i GTS do potwierdzenia transmisji (handshake). steru-
DGD i RJ znaczenie tylko w przypadku stosowania modemów.
Przy interfejsów V.24 najpierw czy mamy
do czynienia z (DTE), jak termina l lub drukarka,
czy z komunikacyjnym (DCE), jak np . modem . Komputery,
jak to pokazano na rys. 21.17, DCE,
ale komunikacyjnymi DTE. To, czy interfejs V.24
jest interfejsem czy komunikacyjnego,
po kierunku zaznaczonym na rys. 21.19a. W
TXD jest aw komunikacyjnym wej-
Na rysunku 21.19a oba te
kablem.
Przy dwu jednakowych interfejsów V.24 sobie
Rysunek 21.19b pokazuje to na dwu
Wymagane spe-
cjalny kabel. Bardziej uniwersalne jest jednak normalnego, równoleg-
kabla V.24, a w specjalnym adapterze, tzw.
modemie zerowym.
nie chcemy linii po ze stron nie wolno
otwartych Otwarte jest zwykle interpretowane jako
zero i zablokowanie komputera lub terminalu . Aby temu
zapobiec, lokalne zwrotne na
wzajemnym 4, 5 i 6, 8, 20 w obu wtykach, jak to
pokazano na rys. 12.19c. Jedno z jest
które przy normalnej pracy jest w stanie „I ", czemu steruje ono pozo-
nie chcemy z transmisji z potwierdzeniem,
z „XON/XOFF" . Na
liniach danych TXD i RXD jest wówczas znak specjalny kodu
ASCII (p. tabl. 21.10) DC3 = 1316 = 191 0 , do zatrzyman ia nadawania
lub DC l = 1116 = 1710 do jego ponownego W takim przypadku
interfejsy V.24 kablem jak do na
rys. 21.19c.
·~ ,, ,.,,., •• w ,•.•.•.· ••"•"•"•"•"

c ,•,•,•.•.•.•.•c.•.•c.••••• • ww•• •,• •c •,•••••••••••-'••••••"' •""•"• •'•W"" "" "=--- ·
21.5. TNTERFEJS SZEREGOWY 711

21.5.7. z
Przy transmisji na jest separacja obu
stron te
jako efekt w linii masy. ma
przedstawione na rys. 21.20, czyli tzw.
dowe, znane pod 20 mA (current loop) lub
dalekopisowego (TTY), nie jest znormalizowane . Mimo to takie
jest stosowane na to jest opisane ro.in. w pro-
jekcie normy DIN 66258 cz. 1 pt. i metody sterowania przekazem da-
nych w zastosowaniach klinicznych i chemii".
24
25
-
10
strona aktywna Stronabierna
Rys. 21.20. Liczby przy numer w 25-stykowym
typu Cannon
wówczas za dwu nadawczej i

tli odbiorczej. Do doprowadza 20 mA; do tego
rezystor wprost do + 12 V. tym albo
albo Str-0na zasilana ze jest
zwana nie musi izolowane,
wystarcza izolacja z jednej strony Jest to strona bierna.
Jedynka logiczna odpowiada zero oznacza brak
du. Dopuszczalna transmisji wynosi (zgodnie z tabl. 21.7)
9,6 kboda. linii transmisyjnej do 1000 m.
21.5.8.NormaRS 449
standardu RS 232C jest nieco i nadaje do
transmisji o nowej normy RS 449
uzyskanie znacznie transmisji na
_ ..........................
.. .... ... ..... ............................ .....,...,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,• • •,•,•,•,•,• •,,,•,•,,,, ,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,...........................~--.,.,..,..,., .,.,.,.,.,.,.,.,.,','•'•'•'•'+',•,•.-.,........................................
...,...,,.,,..,
......,..~

Ze na parametry elektryczne dwa
- asymetry czne (RS 423A, CCITT V.IO) o maksymalnej trans-
misji 300 kbit /s;
- ze symetryczne (RS 422A, CCITT V.11) o maksymalnej trans-
misji 2 Mbit /s [21.4].
asymetryczne (RS 423A)

Na rysunku 21.21 przedstawiono danych przez asyme-
tryczne (single ended, unbalaced). Poziomy ustalone na
± 3,6 V. Linia musi Maksymalna
transmisji wynosi 300 kbitów /s przy linii do 30 m, a przy linii
do 600 rn zmniejsza do 15 kbitów/s.
symetryczne (RS 422A, RS 485)
transmisji i linii uzys-
przy zastosowaniu symetrycznego przedstawionego na rys. 21.22.
Przy linii do 60 m informacje z szybko-
10 Mbi t/s, a przy do 1200 rn,
zmniejsza do 100 kbit/s.
Rr
Rr
Rys. 21.21. RS 423
W tablicy 21.12 zestawiono parametry elektryczne czterech opisanych

standardów [21.5].
Rys. 21.22. RS 422

Tablica 21.12. Por ównanie interfejsów szeregowych
RS 232C RS 423 RS422 RS 485

(V.24) (V.IO) (V.Il )
Sposób transmisji Asymetryczna Asymetryczna Asymetryczna Symetryczna Symetryczna

Rodzaj linii Koncen- Koncen-
tryczna tryczna
Maksymalna
15m 300 m 600 m 1200m 1200m
Maksymalna
transmisji 20 kbit/s 10 k bil/s 300 k bit/s IO Mbit/s 10 Mbit/s
nego bufora, maks. ± 25 V 20mA ±6 V ± 6 V, ± 5 V,
bufora ±5 ... ± 15V 20mA ±3,6 V ± 2 V, ± 1,5 V,

Minimalny poziom
na
odbiornika ±3V lOmA ± 0,2 V ±0,2 V, ±0,2 V,
scalony
nadajnika MAX 232 Optoizolator Am 26LS29 Am 26LS31 SN 75176
scalony
odbiornika MAX 232 Optoizolator Am 26LS32 Am 26LS32 SN 75176
Producent Maxim Wielu AMD AMD Texas Instr.
Oprócz tego istnieje wiele innych scalonych prod ukowanych

przez firmy Linear Technology, Maxim i Texas Instruments.
W punkcie 21. l jak za magistrali w prosty spo-

sób wiele elementów systemu. Te same z za-
pr zy wymianie informacji Aby
w dowolny sposób wykonywanych przez
producentów, opracowana norma zna-
,) na w USA jako IEEE Standard 488 -1978, a w Europi e jako IEC 66.22, znana
pod IEC Bus Standard.
Obie normy identyczne, z stosowanych
dowi o stopniu scalenia MC 68488, zwanemu General Purpose Interface
Adapter (GPIA), mikrokomputera z IEC-625 staje
bardzo proste . Aby funkcje realizowane przez ten musimy
ze magistrali IEC 66.22. Jej schemat blokowy przed-
stawia rys. 21.23.
714 21. KONSTRUKCJ A MIKROKOMPUTERA

Magistrala IEC z linii danych oraz linii
cych. W od magistrali mikrokomputera adresy wybranych
przez danych. Ich rozpoznawanie odbywa za
ATN (attention). Dane nie przekazywane syn-
chronicznie z zegarowym, lecz asynchronicznie w postaci transmisji
z potwierdzeniem. do tego RFD (ready for data) , DAV
(data valid) i DAC (data accepted). one tzw. trójprzewo-
z potwierdzeniem (handshake trójprzewodowy). Dane przez jed-
nego przekazywane do dowolnej liczby odbiorców, bez
transmisji; dane
tak na liniach, zanim nie odebrane pr zez najwolniejs zego
I Kontroler
I I Urzqdzenie1
I urzqdzenia
-
010 1... DIO8 Dafa
- Dane
DAV Data Va/id
DAc Dafa Accepted
RFOReadyfor Data
EO! End or ldentify

lLinie potwierdzenia
transmisji
ATN Attention
Rys. 21.23. Sposób

zrozumienia podano, w
-
REN Remote Enable
!FC Interface C/ear
SRQService Request ILinie sterowania
do magistr ali IEC. Nazwy linii

do normy , w logice dodatniej
dla lepszego ich
Przebieg trójprzewodowej transmisji z potwierdzeniem przedstawiono na

rys. 21.24. Kiedy nadawca ma nowy bajt do transmisji, wystawia go na ma -
danych i testuje RFD. RFD jest z otwartym kolektorem
tzw. iloczyn logiczny na drucie i tak nie znajdzie w stanie
I, wszystkie do niej nie do przy -
danych . Wówczas nadawca dane oraz DAV = l
o ich Odbiorcy na to RFD = O, co
mówi o ich chwilowym braku do kolejnych danych i wczy-
bajt do swoich rejestrów danych przez wszy-
stkich zaadresowanych odbiorców jest sygnalizowane linii DAC
linia z otwartym kolektorem) w stan l. Wówczas nadawca ustawia
DA V= O; jest to dla odbiorców o potwierdzenia
DAC, w z tym oni z powrotem DAC w stan O. W tym
momencie odbiorca rozpoczyna przetwar zanie bajtu.
21.6. INTERFEJS TEC 715

tego procesu jest sygnalizowane R.FD. Kiedy wszyscy odbiorcy
ponownie w stanie mamy R.FD = 1; jest to znak dla nadawcy,
kolejny bajt.
Wurzqdzeniu nadawczlJm W odbiorczqm
DAV=O
OAC=O
Obróbkadanych
RFD=1
Rys. 21.24. Przebiegi czasowe i schemat blokowy trójprzewodow ej transmi sji z pot wierdzeniem
W celu lepszego zrozumienia sposobu wymiany informacji na rys. 21.24

obok przebiegu czasowego zamieszczono dwa schematy blokowe przebiegu
transmisji z potwierdzeniem, zarówno dla nadawcy, jak i dla odbiorcy. Jak
przy transmisji danych od nadawcy do odbiorców nie jest potrzebna
ingerencja kontrolera systemu. Rozpoczyna on dopiero wów-
czas, gdy trzeba kolejnego lub W tym celu
kontroler ATN = 1 i odpowiednie adresy poprzez linie
danych. Odbywa przy tym normalna transmisja. Aby system po-
prawnie, w normie zdefiniowano, po czasie maksimum 200 ns od
linii ATN w stan l wszystkie w stan odbioru,
od dotychczasowej
716 21. KONSTRUK CJA MlKROKOM PUTERA

Adresy zdefiniowane w normie jako znaki ASCII. Adresami
odbiorców znaki z kolumn 2 i 3 z tabl. 21.9, nadawców znaki z kolumn
4 i 5. Adresy jako adresy nadawcy i odbiorcy nie wybierane
dowolnie, na ostatnich bitach. Do adresu
nadawcy „T" jest przyp isany adres odbiorcy „4". Znak ,,?" jest przydzielany
na oznacza „nie (unlisten) i do wszystkich
odbiorców. mu adres nadawcy ,,-" oznacza „nie
(untalk) i do nadawcy. Zwykle jest on jednak
nadawca jest automatycznie, gdy inny nadawca przejmuje
nad 31 adresów odbiorców oraz tyle samo
nadawców. znaki kodu ASCII zdefiniowane jako rozkazy specjal-
ne, np. DC 4 oznacza zerowanie (device elear).
+ e>+ +y
VMA
P13 qfJ110kQ
a3... a,s f:12
112 '---I
VDD
180
-
181
r->-C [>
'121§
010 2
1(1)
2(2)
Po Po -
P=a- CS 0103
BS 182 3(3)
74LS688 0104
- 1(4)
A !6,, a1 RSO 183
§ I> RS1 . OJOS
E a0 ... az RS2 184 - 13(14)
E DI06
RES !85 - - 14(15)
- RES 0107
R/W 186 15(16)
R/W -
187
Dl08
16(17)
74LS541
3EN1~ ~ EN2
SN75160
l
' 3EN2b-
G3b- T/R2 ,.,EN2 ] -
, - !FC
erl 'v1 <I§ i.,_ !FC 9(10)
1
SRG
o § I> Z'v
Ej SRO. .
10(11)
+o
- do---d7 ATN
74LS245
ATN - 11(12)
10k REN
REN 17(5)
j---/ 8 y § [> 1\7 EOI -
EO!
5(6)
OAV
Adres ma- EN'i'r ASF OAV - 6(7)
gistrali !EC 74LS541 RFD
+010- RFD 7(8)
- kQ.
IRG [>
I <J 1~ - IRG DAC
'12 ur ~ .8(9)
DMA
VSS SN75161 18... 24
Orant
..l.. ..l.. (18... 25)
Mihrokomputer GP/A 68488 Magistrala !EC
Rys. 21.25. Sposób GPIA do magistrali IEC i mikrokomputera. Liczby na

liniach magistrali IEC numery w 24-stykowym Arophenol (w na-
wiasach w 25-stykowym typu Cannon)
·'·" ""w.·,v.w ,==~ ""' ""'"' ·w······ ··········-·,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,.-.-.-.-.-.-.-.,.......... ""'''WV
. ' 'WU=~-- ·
21.6. INT ERFE JS IBC 717

Tablica 21.13. programowania GPIA
Adres Kod szes- Etykieta Symbol Argument Rejestr Komentarz

nastkowy
1000 CE FO 20 PO LDX #$ F020 Ini cjacja

3 E6 04 LDAB 04,X adresowy Odczytanie
ni.ków adresowych
5 E7 04 STAB 04,X adresowy adr esu
7 6F 03 CLR 03, X rozkazowy Zerowanie bilu

RESET
9 6F 00 CLR 00, X
B C6 80 LD A B #$ 80
D E7 02 STA B 02, X trybu adre- Normalny tryb adre -
sowania sowania
F 39 RTS
1010 E6 00 Pl LD AB 00,X statusu Odbiór
2 56 RORB
3 24 07 BCC Ml Czy znak?
5 A6 07 LDAA 07, X znak
7 BDXXXX JSR VI Obróbk a znaku
A 20 F4 BRA Pl
C 39 Ml RTS
1020 F6 00 P2 LDAB 00, X statusu Nadawanie
2 C5 40 BIT B #$ 40
4 27 06 BEQ M2 Czy rejestr
wy je st pusty?
6 BD XXXX JSR V2 Ustaw znak
9 A7 07 STA A 07,X znak
B 20 BRA P2
C 39 M2 RTS
1030 8D CE P3 BSR PO Program
2 8DDC M3 BSR Pl Inicjacja
4 8DEA BSR P2 Odbiór
6 20FA BSR M3 Nadawanie
Powtór zenie
Na rysunku 21.25 pr zedstawiono sposób GPIA do

magistrali mikrokomputera. Trzy bity adresowe siedem
rejestrów do zapisu i osiem do odczytu danych. danych od-
bywa poprzez rejestr siódmy. rejestry do trybu
pracy lub wskazywania stanu, w jakim on znajduje. Adres
nia jest w rejestrze czwartym. Musi tam pro-
gramowo. wygodnie jest to Do tego celu
niki adresowe. Kiedy odczytuje stan rejestru czwartego linii danych
w stanie wysokiej impedancji, ASE otwiera bufo-
ry trójstanowe, które stany Ustawiony na nich ad-
res znajduje na magistrali danych i odczytany przez
718 21. KONSTRUKCJA MIKROKOMP UTERA

CPU. bitów adresowych. Za
górnych trzeGh bitów specjalne tryby pracy, jak „tyl-
ko nadawca" (talk only) lub „tylko odbiorca" (listen only).
Stosowanie GPIA jest stosunkowo proste, reakcje na komu-
nikaty interfejsowe oraz organizacja transmisji przeprowadzan e automa-
tycznie. kierunku transmisji na buforach magistrali IEC odbywa
automatycznie, przy definiowaniu interfejsu jako nadawcy lub od-
biorcy. Powinien to programu przedstawiony w tabl. 21.13.
Jako adres bazowy GPIA F020 16 . W procedurze inicjacji wybrali-
najprostszy tryb. Wystarcza on do wielu W procedurze od-
bioru sprawdza czy wczytany znak z magistrali IEC. tak, to
zostaje on do akumulatora A.
W cyklu odczytu, w wybranym uprzednio trybie, zostaje ustawiony auto-
matycznie RFD = 1, co powoduje transmisji.
Przez wybór innego z trybów pracy RFD
w stanie Oi w ten sposób IEC do czasu przetworzenia
wczytanego znaku. W wybranym momencie RFD wówczas od-
dzielnym rozkazem w stan 1. Po przetworzeniu znaku po-
wrót do procedury odbioru.
w tym czasie nie nowy znak , opuszcza podprogram.
W procedurze wyprowadzania znaku najpierw sprawdza czy rejestr wyj-
jest wolny. tak, to odpowiedni znak jest z akumulatora
A do rejestru i transmitowany z automatycznym cyklem potwierdze-
nia na IEC. transmisji znaku po zwol-
nieniu rejestru wówczas kolejny znak. W innym
przypadku opuszcza podprogram.
Program na przemian obie procedury. temu
na magistrali IEC lub
21.7. Licznikprogramowany
W punkcie 10.2 zastosowania licznika z ró-
Licznik taki do magistrali mikrokomputera
poprzez dwukierunkowy interfejs magistrali PIA. liczby zasto-
sowanych i programu specjal-
nego licznika kompatybilnego z np. programowanego mo-
liczników PTM (programmable timer module) MC 6840, którego schemat
blokowy pokazano na rys. 21.26. Zawiera on trzy liczniki
ce o 16-bitowej z liczników jest przypisany 16-bitowy
rejestr, do oraz rejestr
cy, w którym tryb pracy. W trybie pracy licznik jest
ny automatycznie kiedy stan licznika ma O.
,.•.•.•·--" ·'•'•W........,........
.,•••••
•••••••••••••"" """""""""•""••••••••••••••.•....•.•.•.•.•.......,, •.•,•••••••••••,•,•,•,•,.w,u ••= ---~ww •••,• •,.•·••••.w •...... ....... ............. ,..•.•••••••••••••••••••••
•••••••••
21.7. LICZNIK PROGRAMOWANY 719

Jako zegarowego albo C, albo sko-
z zegara systemowego E. O zmienia swój stan przy
przez licznik zero; w ten sposób otrzymuje
symetryczny którego jest 2 ... 217 razy
(w od zadanej liczby mniejsza od zegarowego.
r ·- ·-- Jrazy
--- --·,
RSO Wybór Licznik 16-bitowy
c
RS 1 rejestru I o
'
RS2 16
CS I Licznik16-bitowy
E
R/W Sterowanie I Rejestr sferujqcy
odczyt/zapis 8-bitowy
IRQ
II_ _ _____ ____ J
C - zegar
O--=
8
---'-'>---,.<
'--------- .._--E-l Rejestrstatusu O- licznika
8-bitowy G - bramka
Rys. 21.26. struktura licznika programowanego 6840
W trybie uniwibratora (monoflop) za G wygene-

pojedynczy impuls o regulowanym czasie trwania w zakresie
T ... (216 - l)T. Licznik jako ·licznik
w przód i w Wówczas na jeden z liczników podawane impulsy do licze-
nia w przód, na drugi do liczenia w Stan licznika
tak jak w z rys. 10.35, przez stanów obu liczników. to
programowo za liczby rozkazów. MC 6840 firmy
Mitel jest w technologii CMOS. funkcje licz-
nika z interfejsu jak np . w 6522 lub 6526,
które w tabl. 21.4. 146818 firmy Motorola jest
specjalnym licznikiem wykonanym w technologii CMOS, zaprojektowanym
jako zegar i kalendarz. Realizuje on funkcje: sekundy, minuty,
godziny, dni tygodnia, dni do 100 lat.
jest lata
Do chwili obecnej wszystkich pe-

ryferyjnych z otwartym kolektorem do IRQ mikro-
procesora . Kiedy nadejdzie przerwanie trzeba na które

dzenie we/wy je programu W tym celu na
przerwania statusu kolejno
we/wy i bity Takie nazywamy odpyty-
waniem szeregowym (serial po/ling). Gdy w ten sposób po-
chodzi przerwanie, program w ob-
nadchodzi wiele trzeba na podstawie
niej utworzonej listy priorytetowej które z ma
ne jako pierwsze. Na rysunku 21.27 przedstawiono
schematu blokowego, w którym osiem poziomów priorytetów.
numer zwykle priorytet.
RTI
RTI
RTl
RTI
Rys. 21.27. prze z odpyty wanie szeregowe
Jest oczywiste, czas jest tym im jest numer

priorytetu. tego kontroler (interrupt cont -
rol/er). on skok do odpowiedniej procedury bez konieczno-
odpytywania. Kontroler MC 6828 ma osiem
IN O... IN 7. one testowane na zboczu E.
W od tego, które z nadejdzie, procesor otrzymuje od kont-
rolera adres skoku do odpowiedniej procedury przerwania
w komórkach FFF8, FFF9. Kontroler z EP-
ROM rys. 21.28. ta powinna w górnej
przestrzeni adresowej. Adresy startowe O... 7
wówczas w komórkach FFE8/9 ... FFF6/7. Bity adresowe a 1 .. . a 4 wtedy
do kontrolera a nie podawa ne przez
one zawsze modyfikowane przez kontroler wówczas,
gdy CPU odczyta komórek FFF8/9. W ten sposób po przerwaniu
na liniach danych znajduje odpowiednia EPR OM z ob-
szaru FFE8 do FFF7 .
Gdy nie jest wysterowane z kontrolera na
adresowe EPROM podawane nie zmienione adresy. Wówczas
·····-""""-"'= .....,w.w.w.·.···
·~~m~,.,., ...,., ··•·······
· ......,......•.•.•.,•.•.•.•.•.·······.. ······"···••"""""""""' "' ·' ·"·.w~=-~• . .. . M .. . ·. ·· ·•· •·· ·············• "" ·• "" ····•.. . •,., . ... .... .,.,,. .. ... w ..
21.8. KONTRO LER 721

EPRO
M2KB
es
16 a,o a,o
A
t1C6828 a5 d,
C 4 a4 Z4 a4
- CS
a, z, ao
ci,
ao
d1
- R/W o
do
E [N7 8 !N7
IRQ
[NO
!NO
D 8
Rys. 21.28. Sposób kontrolera do magistrali mikrokomputera
pod adresem FFF8 /9 jest rejestru FFF8 /9. temu

te we/wy, które swoje przerwanie po-
na IRQ. Priorytet takiego wynosi w tym
przypadku - 1.
fff„:r:-::
...........
: ............
............ , .,,","';,;:::?e:~'t~~ .."?-:~.;
's)'!:s-%~:.\ ................
........".... ..........................t~:~:~:~::
:
id 21.9. Bezposredm do (DMA) Mli
.•.,.,.;.
;.;,:-:•
,.,:,.;.,~lt~l*l*~fu':::W.t~;:;;;:1:e#.~$:%:
~~~:::.:-:•:•:•:•:•:•:•:•:
•:•:•
:•:•:
•:-:,:,;:'.:'.~'.~'.~'.
...
Przy czytaniu lub bloku danych przez interfejs podczas transmisji

bajtu wiele rozkazów. Pokazano to w tabl. 21.14 na
danych pod adres FOOO . ma
z przestrzeni adresowej, k tórej jest w komórce
1010, a koniec w 1012. W tym celu bajt z pola danych jest do
akumulatora, po czym jest do interfejsu.
rejestru indeksowego jest o jeden i jest
sprawdzany warunek, czy koniec pola danych. Do chwili
nia takiego przypadku programowa jest powtarzana i dane
bajt po bajcie. W tablicy 21.14 aby jeden bajt, wyko-
5 rozkazów w które w sumie 23 cykle zegarowe.
jednego bajtu przy czasie trwania cyklu I µs trwa 23 µs. zatem
tra nsmisji 43 KB/s .
Znacznie transmisji wówczas, gdy
w miejsce mikroprocesora jako generatora adresów licznika.
dem do tego celu jest kontroler DMA 6844. Ma on cztery identyczne
---=-= •-·""' •" •" ..•·················•w ••,•,•,•,•,•,w,w-,.w,.w,•o•,-w,•.w.w,. ·.·.•.·.w .,w~ ·.·.•.•.•.•,•.•.w-,-, .,.w ,,. ,,,-,-,..,,. .....,...,.,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,
722 21. KONSTRUKCJA MIKROKOMP UTER A

z których jeden przedstawiono na rys. 21.29. W celu inicjacji kontrolera
DM A do rejestru adresowego adresu
bloku a do rejestru liczenia bajtów (byte count register) bajtów
do transmisji. W rejestrze ustala czy adresy liczone
w czy w dól or az czy dane odczytywane czy zapisywane w
ci. Gdy kont roler DMA otrzyma transmisji Tx RQ od pery -
feryjnego, do mik roproceso ra DMA -Request
cia w stan HALT. Mik roproces or, wykonywanie rozkazu,
zwalnia o czym informuje kontroler DMA DMA-Grant.
Kontroler przejmuje wówczas sterowani e liniami adresowymi oraz R/W.
Tablica 21.14. Program wyprowadzania przez interfejs
Adres Kod szes- Etykieta Symbol Argument Liczba Kom entarz

nastkow y cykli
1000 FE IO 00 LDX #$ 1010 Adres startowy

3 A6 00 LOOP LDAA 00,X 5 Sprawdzanie znaków
5 B7 FO 00 STAA FOOO 5 Wyprowad zanie znaków
8 08 INX 4 Adres
9 BC 10 02 CPX $ 1012 5 Adres
C 26 FS BNE LOOP 4 Powtarzanie
--
E 39 RTS 23
1010 00 00 WORD $ 0000 Adres startowy
2 02 00 WORD $0200 Adres
A
r-· --- ----·-·- --- ---,
16 ! 4 raztJ j
s ao... a1
Wybór
r
rejestru Rejestradresowy ! TxRQ
OD 01
D 8 -~
.-.- -,,,...
-- -- - +--+---- -+------ - ---
· 02 03 fO i ! TxSTB
I Licznikbajtów F
R/W
IRQ
L_______
__________J
14
E Interfejs
Rejestr
priorytetu
- --""'I magistrali
.,.
tf__ systemo wej f!i
Rejestr
ffH}JiQU
DMAGRT 16
Dane
Rys. 21.29. struklura kontroler a DMA 6844. Wpisane numery adresy rejest-
rów O
21.9. DO (DMA) 723

Sposób kontrolera DMA do mikrokomputera oraz organiza-
przedstawiono na rys. 21.30. Aby on
zainicjowania kontrolera, musi do magistrali, jak inne
peryferyjne. Przy transmisji kontroler DMA generuje adresy ora z
R/ W. Dlatego na tych liniach magistrali wymagane bufory dwu-
kierunkowe. BA (bus available) one w tryb nadawania
na Do sterowania kontroler DMA
TxSTB (transfer strobe). Odpowiada on VMA mikroproce -
sora i informuje, kiedy kontroler wystawia poprawny adres. tym
wybierane interfejsów. Przy cyklu transmisji, po odczytaniu po-
prawnych danych z zapisuje je do interfejsu zboczem
E.
D 8
TxRQ
o TxRQ
A 16
A
Dekoder D
odresu
CS
R/W
R/W
!RO_
IRQ
TxSTB es Doul
8
RES
E
CLK
OMARQU
BA
- OMA6RT RES CLR
DMA:6844 Am25LS2520
Rys. 2130. Sposób kontrolera DMA do magistrali mikrokomputera oraz interfejsu
tych elementów interfejsu, które rejestrów

i inicjacji, jak np. dwukierunkowy interfejs PIA 6821, jest skom-
plikowana, oprócz interfejsu DMA musi nor-
malny interfejs magistrali , przez który mikroprocesor ma
do rejestrów tego interfejsu. Dodatkowo jest potrzebna jeszcze
wyboru rejestru, w której DMA adres rejestru da-
nych we/wy.
Istnieje wiele organizacji transmisji DMA. N ajszybsza jest
transmisja blokowa. Mikroprocesor jest tu tak zatrzymany, zostanie
transmisja bloku . W tym trybie w jednym cyklu
E transmisji jednego bajtu. W stosunku do transmisji pro-
gramowej tu 23-krotne zmniejszenie czasu transmisji.
724 21. KONSTRUKCJA MIKR OKOMPUTE RA

to tylko wówczas, gdy czas inicjacji DM A nie jest istotny w sto-
sunku do czasu transmi sji. Bezsensowna jest zatem transmisja DMA nielicz-
nych bajtów.
kontrolery DMA DMA typu
w tym celu dwa DM A. Pierwszy
obszar drugi docelowy. Pr zy transmisji bajt zostaje
w pierwszym cyklu pobrany z obszaru i chwilowo
w kontrolerze DMA. W drugim cyklu jest pod adre sem doce-
lowym. Transmisja DMA typu wymaga zatem dwóch cykli,
jest dwukro tnie wolniejsza od transmisji typu jej
jest jednak to , nie trzeba kontrolera DMA konkret nemu
we/wy, lecz DMA zgodnie z potrzebami
do dowolnego typu transmisji danych, do przesuwania pól
danych w
..::.:,:,:,:,···
·:.::::::;:,:
21.10. Procesor arytmetyczny
Gdy postawimy sobie zada nie wykonania za mik-

rokomp ut era, nie piszemy zwykle samodzielnie odpowiedniego programu, lecz
korzysta my ze standardowych procedur matematycznych , je jako
podprogramy (np. zmiennopozycyjny ROM MC 68A39 dla procesora 6809).
Czasy jedn ak dla podstaw owych w zmienn o-
pozycyjnym 32-bitowym formacie normy IEEE
2 ... 6 ms. Najk rótsze czasy
dów omówionych w rozdz. 19. Przy takim
jednak znaczne.
Optymal nym kompromisem w wielu przypadkach jest procesora
arytmetycznego. Jest on do magistrali mik rokom putera jak
peryferyjny. Czas wykonywania podstawowych operacji dla 32-bitowego for-
matu zmiennopozycyjnego IEEE wynosi ok. 100 µs. obecnie
wanymi typami takich procesorów Am 9511A i Am 9512 firmy AMD .
Procesor 9511 trzy typy danyc h: 16- i 32-bitowe liczby
pozycyjne oraz 32-bitowe liczby zmiennop ozycyjne. Oprócz czterech
podsta wowych potrafi i funkcji trygonomet-
rycznych, logarytmów i funkcji procesora Am 9512 jest
wykonywania na 32- i 64-bitowycb argumentach w forma-
cie IEEE, jest jednak wykonywania tylko czterech podstawo -
wych Oba typy identyczne wyprowadzenia.
Sposób pro cesora arytmetycz nego do magistrali mikrokom-
putera przed stawiono na rys. 21.31. Dekoder adresów i bufory da nych zor-
ganizowane tak jak na
--~-
karcie we/wy.
,............
..................
,._.....,.........,..,., ......... .....
,.,.,,,,,., _,.,.,.,,.,.,.... -- ~-·......,.
,.,.,.,.,.,................................ ,-,.,.....
............................
,...
....
21.10. PROCESOR ARYTMETYCZNY
-
.. .............
,.,................
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,. .- .,.......
...............
725
..
VMA + 10kQ
+ +5V +12v
a,...a1sPJ4 P15 Q1
5
Q14 15
:..--1
Po vcc VOO
P=O.
QÓ
es
A ao 74lS ó88
1f C/tf
E &
BS
- WR
R/W
.rr
iw
EACK
Am 95 1/A
MR
...,..
_ _ _,Q <l
6eneratorcyklu _ CLK
2MHz 1-- -;;,.i
6NO
Rys. 21.31. Sposób procesora arytmetycznego do magistrali mikrokomputera
polega tylko na tym, procesor arytmetyczny ma osobne

cia zapisu i odczytu , które aktywne tylko wtedy, kiedy jest
wybrany (CS = O).Taki sposób sterowania jest typowy dla rodziny 8080. Opi-
szemy go w punkcie 21.14. Aby w cza-
sie, CS jest aktywowane po ustaleniu adresów, a
cia RD lub WR tylko wtedy, kiedy E = 1. Do we/wy danych 9511/12
stos . Przed wykonaniem operacji obliczeniowej
wszystkie argumenty bajt po bajcie na stos. W celu wpisu-
je odpowiedni rozkaz do rejestru rozkazów . Wynik jest umieszczany na
stosie, pobrany. Dodatkowe informacje o wyniku (np. nad-
miar) pobrane z rejestru statusu. Wyboru rejestru dokonuje za
C/Di bitu adresowego a0 w sposó b przedstawio-
ny w tabl. 21.15.
CPU i procesora arytmetycznego na wiele
sposobów. Najstarszy bit statusu sygnalizuje, czy procesor arytmetyczny
jest (BUSY) . tego bitu wynosi zero, lub
Druga polega na PAUSE do MR
(memory ready) CPU. wówczas testowanie BUSY.
~-...............
......
,.,.,.,
.........
,,,•,•,•,•,,,.......
........
....................
....
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•
,••,•,
•,•,•.•.•.•......
............
,.,•,,.,.,.,............
,......
.....
.......
==-- ....
.....
,.,.,•
,•,•,•,•,•,
•...•.•.•.v.>.-...................,.
Gdy CPU otrzyma procesora arytmetycznego, jego praca zo-
stanie wstrzymana do chwili kolejnej procesora arytmetycznego. Na
rysunku 21.32 pokazano sposób organizacji stosu. Zapis do
szego rejestru TOS (top of stack). Przy kolejnym zapisie stos cofa auto-
matycznie o jeden bajt Przy odczycie jest odwrotnie.
Tablica 21.15. Wybór rejestru

za c/75i Rf W
-
C/D(a 0 ) R/W Wybrany rejestr
o o Dane (zapis)
o 1 Dane (odczyt)
1 o Polecenie (zapis)
1 l Status (odczyt)
::== I} TOS
========~
Bajtnajstarszy
bo
przy 16bitach
TOS
przy 32 bitach ;:=:===============:;
} NOS
przy 16bitach
NOS
przy 3 2 bitach
TOS (top of stack) - szczyt stosu

NOS (next of stack) - na stosie
Rys. 21.32. argumentów na stosie procesora arytmetycznego. Przedstawiono

górne 8 bajtów z 16
W tablicy 21.16 zestawiono rozkazów procesora arytmetycznego

Am 951lA. W od zdefiniowanej rejestry TOS i NOS
z dwóch lub czterech bajtów. aby przy
operacjach we/wy zawsze wszystkie bajty argumentów, w przeciwnym
razie jest praca stosu.
Prost y programu powinien sposób z pro-
cesorem arytmetycznym. synchronizacja odbywa za
PAUSE zgodnie z z rys. 21.31. Program powinien
Y = (K - L)/M, liczba.mi 16-bitowymi o
przecinku. Argumenty umieszczone w rejestrach:
0000/0001 K (high/low)
0002/0003 L (high/low)
0004/0005 M (high/low)
0006/ 0007 Y (high/low)
21.10. PROCESOR ARYTMETYCZNY 727

Tablica 2 1.16. Lista rozkazów procesora arytmetycznego Am 951IA
Symbol Kod Maksymalna Opis operacji Wynik Operacja

szesnastkowy liczba cykli ze stosem
16-bitowe operacje sra/opozy cyjne S

SADD 6C 18 NOS +TOS NOS PULL
SSUB 6D 32 NOS - TOS NOS PULL
SMUL 6E 94 NOS*TOS 11 NOS PULL
SMUU 76 98 NOS*TOS 1 > NOS PULL
SDIV 6F 94 NOS:TOS NOS PULL
FIXS IF 214 F--+S TOS -
CHSS 74 24 +C - TOS -
PTOS 77 16 NOS -+TOS - PUSH
POPS 78 JO Rotale Slack TOS PULL
XCHS 79 18 NOS ~ TOS TOS -
16-birowe operacje sra/opozy cyjne D
DADD 2C 22 NOS + TOS NOS PULL
DSUB 2D 40 NOS - TOS NOS PULL
DMUL 2E 210 NOS *TOS 11 NOS PULL
DMUU 36 218 NOS*TOS 1 > NOS PULL
DDJV 2F 210 NOS :TOS NOS PULL
FIXD IE 336 F-+D TOS -
CHSD 34 28 +C - TOS -
PTOD 37 20 NOS-+TOS - PUSH
POPD 38 12 Rotat e Stack TOS PULL
XCHD 39 26 NOS C, TOS TOS -
32-bitowe operacje zmiennopo zycyj ne F
FADO IO 368 NOS + TOS NOS PULL
FSUB 11 370 NOS - TOS NOS PULL
FM UL 12 168 NOS*TOS 1 > NOS PULL
FDI V 13 184 NOS:TOS NOS PULL
SQRT Ol 870 SQRT (TOS) TOS -
SIN 02 4808 SIN(TOS) TOS -
cos 93 4878 COS(TOS) TOS -
TA N 04 5886 TAN(TOS) TOS -
ASIN 05 7938 ARCSIN(TOS) TOS -
ACOS 06 8284 ARCCOS(TOS) TOS -
ATAN 07 6536 ARCTAN(TOS) TOS -
LOG 08 7132 LOG(TOS) TOS -
LN 09 6956 LN(TOS) TOS -
EXP OA 4878 EXP(TOS) TOS -
PWR OB 12032 NOS jTOS NOS PULL
FLTS ID 156 s .....
F TOS -
FLTD lC 342 o .....
F TOS -
CHSF 15 20 + ~ - TOS -
PTOF 17 20 NOS - TOS - PUSH
POPF 18 12 Rotatc Stack TOS PULL
XCHF 19 26 NOS C;' TOS TOS -
PUPI JA 16 1t-+TOS TOS PUSH
N OP 00 8 No Operatio n - -
11 Czas cykJu 0,5 µs przy zegara 2 MHz .
Tablica 21.17. programowania procesora arytmetycznego Am 9511A do obliczenia war-
Y = (K - L)M dla 16-bitowycb liczb
Adres Kod szes- Etykieta Symbol Argument Komentarz

nastkowy
1000 CE FO 00 AR I LDX #$ F030 Adres bazowy 9511

3 96 Ol STOI LDAA $ 01
5 A7 00 STAA o,x
7 96 00 LDAA $ 00
9 A7 00 STAA o,x TOS = K
B 96 03 LDA A $ 03
D A7 00 STA A o,x
F 96 02 LDA A $ 02
Il A7 00 STA A o,x TOS = L; NOS = K
3 86 6D SUB I LDAA #$6D Kod dla SSUD
5 A7 Ol STA A 1, X TOS : = NOS - TOS
7 96 05 STO 2 LDAA $ 05
9 A7 00 STAA o,x
B 96 04 LDAA $ 04
D A7 00 STAA O, X TOS= M, NOS= K - L
F 86 6F DIV! LDAA #$ 6F Kod dla SDIV
21 A7 01 STAA 1, X TOS: = NOS:TOS
3 A6 00 REC 1 LDAA O, X
5 97 06 STAA $ 06
7 A6 00 LDAA o,x
9 97 07 STAA $ 07 Y = <0006l0007)
102B 39 RTS
Procesor arytmetyczny znajduje po d adresem F030. programu

podano w tablicy 21.17. stos z do
wyników podo bnie jak w kalkulatorze kieszon-
kowym z RPN.
21.11. danych
Do danych opisanych w p. 6.7 diod lub
Omówione sterowane in-
terfejsem mikrop r ocesora. Aby na niskim poziomie
buforów oraz przewodów dla wielopozycyjnych
je w tablice i w sposób multipleksowany w czasie. Dla przy-
na rys. 21.33 przedstawiono 8-pozycyjny
z ?-segmentowych LED . sobie segmenty wszyst-
kich równolegle. Aby j ednak w tym samym czasie
nie te same segmenty wszystkich pozycji, dekodera 1 z 8,
który w jednej chwili tylko segmenty wybranej przez dekoder pozycji.
Do zasilania 8-pozycyjnego z ?-segmentowych
potrzeba jedynie 15 przewodów. Jako mikroproceso ra wy-
starcza pojedynczy 8-bitowy interfejs
21.ll. DANYCH 729

Dekoder
1z 8
7 [>
Interfejs Bufor
rownolegTy anodowy
a- bitowy
[>
Dekoder Jt li
l 1
[>
siedmio- I. I
segmentowy
g
[>
Bufor
katodowy
Rys. 21.33. Sposób 8-pozycyjnego 7-segmentowego pop rzez interfejs r ó-
(np. z rys. 21.12)
do magistrali mikrokomputera
przez dekoder 1 z 8, dekoder ?-segmentowy ma Nie-
które typy ?-segmentowych zestawiono w tabl. 6.5, natomiast
bufory anodowe lub katodowe zebrano w tabl. 21.18.
Tablica 21.18. Bufory do sterowania elektroluminescencyjnych

ora z innych o poborze
Typ Producen t Liczba Spadek przy

maksymalny maksymalnym
[mA] /m ax
[V]
Bufory anodowe
UCN 5815 Allegro 8 40 1,5
DS 8867 Nat ional 8 14
UDN 2985 Allegro 8 250 1,3
UCN 5890 Allegro 8 500 2,0
Bufory katodowe
CA 3262 Harris 4 600 0,6
SN 75492 Texas Instr. 6 250 1,3
DS 8859 National 6 40
SN 75497 Texas Instr. 7 125 0,4
ULN 2003 Allegro 7 500 2,3
NE 590 Philips 8 250 1, 1
TPIC 6273 Texas Instr. 8 250 0,8
ULN 2803 Allegro 8 500 2,3
L 603 SGS 8 500 2,3
UDN 2597 A Allegro 8 500 1,0
SN 75498 Texas Instr. 9 125 0,4

Operacja multipleksowania jest przeprowadzana programowo przez mi-
kroprocesor. W tym celu na czterech bitach numer pozycji, a na
znak w kodzie BCD. wyprowadza w taki sam spo-
sób Aby zjawiska migotania cykl wy-
musi wykonany co najmniej 100 razy na W prostych
czas jest tylko czasu Migotanie
wtedy, kiedy mikroprocesor jest przez
czas innymi zadaniami.
Aby bez ingerencji mikroprocesora, musi on
dodatkowo, w stosunku do rys. 21.33, znaków
i multiplekser. Taki pokazano na rys. 21.34. Dane do wy-
w dwubramowej (patr z p. 11.2)
do magistrali mikrokomputera tak jak normalna RAM .
dwubramowej jest wczytywana Licznik generuje adresy
w sposób cykliczny i przez dekoder I z 8 steruje Bufory wy-
tych w wyborze . Nie-
które z nich zestawiono w tabl. 21.19. Obok buforów z równoleg-
takie, w których dane do przechowywane w rejest-
rze Do sterowania one tylko jednej szeregowej linii
danych i nie adresu. Oba rozszerzenia kon-
figuracji. W buforach z RAM wybiera element za
dekodera 1 z n; w przypadku rejestru dane do
elementów szeregowo.
I>
Licznik 3 Dekoder I>

binarny 1z 8
0.... 7
7 I>
Bufor
anodowy
!I
-
es
3
dwubra-
A'
3 Dekoder
siedmio- b
segmento-
I>
I> o
Lf o
,,
D 4 mowa o' wy
4
Bufor
katodowy
Rys. 21.34. Autonomiczny multipleksowany z danych
Niektóre z LED wbudowane bufory z multiplek-

sowaniem. Tego rodzaju „inteligentne zamieszczono
w tabl. 21.19.
21.11. DANYCH 731

Tablica 21.19. Scalone elementy elektroluminescencyjnych z danych
Typ Producent Liczba Liczba Wspólna

pozycji segmentów anoda/katoda danych
na pozycji [bity]
Bufory do LED
ICM 7212 Harris 4 7 Anoda 4
MM 74C911 National 4 7 Katoda 8
MC 14499 Motorola 4 7 Katoda l
MM 74C912 National 6 7 Katoda 5
MAX 7219 Maxim 8 7 An./Kat. l
ICM 7243 Harris 8 16 Katoda 6
10937 Rockwell 16 16 Katoda l
LED z wbudowanymi buforami
PD 1165 Siemens 1 8x8 8
PD 3435 Siemens 4 5x7 8
HDSP 2382 Helwett -Pack . 4 5x7 l
PD 2816 Siemens · 8 16 8
HDSP 2112 HP, Siemens 8 5x7 8
Tablica 21.20. Scalone elementy z dan ych
Typ Producent Liczba Liczba Tryb pracy

pozycji segmentów danych
na pozycji [bity)
Bufor y do LCD stat./multipl.

ICM 7211 Harris 4 7 stat. 4
MSM 58292 Oki 5 7 stat. 1
ICM 7231 Harris 8 7 mul tipi. 6
HD 6103 Hitachi 8 7 stat. 4
ICM 7232 Harris 10 7 multipl. 1
HD 6102 Hitachi 25 8 multipl. 8
HD 61104 Hitachi dow. 80 stat. 4
MSM 5265 Oki dow. 80/160 stat./mullipl. I
Do pracy jest
zmienne o amplitudzie. Dla pojedynczych segmentów
to w sposób przedstawiony na rys. 6.20, na przeciwsob-
nym wysterowaniu buforów. Przy liczbie pozycji pozycje
w matryce, aby w grani-
cach. Aby wybranemu segmentowi dostateczny poziom za-
silania i zmienne, do wysterowania takiej matrycy
potrzebne (pr ócz poziomu zera) trzy poziomy Ta specjalna tech-
nika multipleksowania nazywa trip/ex (21.6].

1.12. wizyjne
Do tekstów lub do graficznego przedstawienia danych

ze na oraz niewielki koszt monitor ów
ekranowych . Szczególnie korzystne ceny monitory nor-
my TV, one bowiem z tanich elementów odbiornika telewizyjnego.
W najprostszych jako wizyjnego normaln e-
go telewizora. Warunkiem jest jednak zawsze przetworzenie obrazu na
znormalizowany wizyjny.
21.12.1.Normaodbioru
TV
Obraz w technice TV uzyskuje linia po linii
ekranu i w odpowiedni sposób (a w razie potrzeby
kolorem) punktu tak, w efekcie uzyskuje zawar-
ekranu. Ra ster tego sposobu pokazano schematycznie na
rys. 21.35. Zgodnie z TV CCIR (Comite Consultatif International des
Radiocommunications) obraz 625 linii w czasie
40 ms. Daje to powtarzania obrazów 25 Hz .
linii jest 625 razy i wynosi fu = 15,625 kHz, jej czas
trwania jed nej linii wynosi tH = 64 µs.
__ .,:;.o _ >-
<r --- - 1 /,.... -----

---- '\ - - I --==-- -- --~ 2
~- -- = z1 -- 3 -----
- ~ -.=-=-----4
- ---- 3 ' - - - - - I --=-=---------- 4
_.....__ -- 5 I
-<;;-- - t -----
1 .......
__ 622
---_- ____ .......,__ - -- - -- 623 ---- ---- '
-~..;;;;;.... ____ ,,_,623
624 ----- / <-- \624
- ~=-=--- ----O b625 --==---- - - - - 625
PeTnyobraz Pierwszy pó[obraz Druqipólobraz
Rys. 21.35. Rastrow y sposób Rys. 21.36. obrazu z dwóch

rysowania obrazu pr zy wybieraniu
M imo kolejnego pojedynczych punk tów, ze na po-

fosforowego luminoforu oraz ludzkiego oka, powstaje
obrazu. Przy zasadzie z rys. 21.35
pewne nieznaczne migotanie, spowodowane tym, gdy górna ek-
ranu zaczyna lekko dolna jest dopiero Tego
niekorzystnego efektu przez odpowiedni sposób prze-
platania linii, tzw. wybieranie (rys. 21.36); obraz jest po-
..,,, <-.
S• .-.-...-.-.-.,.,,,,,, ,,,,,','' " ' H'H·-.,=-- .,.._..._,_,_
y...,._...,._._.....,..,..
...._._.
••_.....,._.o•,•o-,•o•.....-.•--..-. -..,.,..
....~ .••-.-,-,-,-.•.-,•,-,•,•,•,-.•,--.-,-.•,•,•_.
,.,•,•••••
••••,•••••••••••-'
••-'•'-'-'••••.-_._._.,
.•-.;.•.•.•.•.-.•,-.•.•,-.-.-.-,•.•.-.
21.12. WIZYJNE 733

dzielony na dwa W pierwszym tylko niepa-
rzyste , a w drugim parzyste linie obrazu. Otrzymuje w ten sposób czas
trwania tv = 20 ms, co daje odchylania
pionowego fv = 50 Hz.
Aby obraz, by plamka
zawsze w przewidzianym miejscu ekranu. do tego impulsy synchroni-
zacji pionowej i poziomej, generatorami odchylania w monitorze.
Oba te razem, synchronizacji, pokazany
w uproszczeniu na rysunku 21.37. Impulsy synchronizacji tam przedstawio-
ne jako kreski: co 64 µs impuls synchronizacji linii, a co 20 ms impuls syn -
chronizacji obrazu (ramki). Podczas synchronizacji obrazu synchroni-
zacji linii z tak, aby odchylanie
poziome. Z rysunku 21.37 wynika impulsy kolejne
o linii [21.7, 21.8]. synchronizacji jest
sumowany z wizji. Otrzymany w ten sposób zespolo ny wizyj-
ny przedstawiono na rys. 21.38 w postaci linii schodkowej. jako
poziom odniesienia poziom czerni, poziom synchronizacji 0,3 V
poziom bieli 0,7 V poziomu odniesienia. Do transmis ji
kabla koncentrycznego o impedancji falowej 75 n, nadajnika o im-
pedancji 75 n oraz odbiornika o takiej samej impedancji
temu pasma i je-
minimalne odbicia w linii.
111111
Impuls Vj I I I ,
160y.s l' r._ 6_I4_'Jl_S1
'""'
11
___ 1 Ilm_pu
_Ils_ H'I''
_ -1 li
-· 20ms __
0
Pierwszy pólobraz Drugi pólobraz
Rys. 21.37. synchronizacji poziomej i pionowej (ilustracja uproszczona)
Biel
....---'
5,8J1S
64µs
Rys. 21.38. Zespolon y wizyjny linii pionowym pasom o stopniach

Amplitudy linii 75 Q
Ze na powrotu plamki zarówno po

linii, jak i obrazu, opisany czas wyko-
rzystany do obrazu. Aby powrót plamki nie-
widoczny, obraz musi w tym czasie ciemny, za co jest odpowiedzialny
·==~~'""""w,m ..-..u .mwn,.mwh-.~h=,w=•''-"'-"•• ••••••"••"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"•"
•"••"•"•"• •"•"•"•"•"••• "•"••"••"•"•"•

tzw . wygaszania. Czas trwa nia wygasza nia poziomego wynosi 12 µs,
na linii po zostaje 52 µs. Impuls wygaszania pionowego jest
równy czasowi trwania ok. 25 linii; na utworzenie obrazu pozostaje jedynie
600. Z kol ei, aby niewidoczne obrazu, jego powinna
ramy ekranu. Kiedy np. podc zas wyprowadzania danych z kom-
putera chcemy obrazu, wystarczy zwykle
512 linii o czasie trwania ok. 42 µs. Odbiornik telewizyjny ma pasmo
wizji ograniczone do 5 MH z; daje to minimalny czas jednego
punktu 100 ns. zatem
420 punktów. Monitory do danych zwykle
pasma
W monitorach ekranowych rezygnuje zwykle z wybierania
liniowego i zapisuje ten sam z 50 Hz. Wsku -
tek tego linii zmniejsza do czyli do 256. Unika
za to z jas nymi liniam i tylko w jednym z
które efekt migotania, z
25 Hz.
21.12.2.Monitoralfanumeryczny
Z punktu widzenia programisty, wyJsc1a polega na
przedstawienia na ekra nie TV RAM. Odpowiedni
przedstawiono na rys . 21.39. RAM jest z mikro-
komputera za interfejsu, mikroproceso r w niej zapisy-
lub jej RAM jest czyta-
na w sposób przez interfejs monitora. Do sterowania przebi egami czaso-
wymi i uzyskania synchronizacji specjalnego kontrolera wi-
zyjnego, jak np. 6845 firmy Motorola lub SY 6545 firmy Synertek.
synchronizacji
Adres wygaszania
znaku
A A' _.,__ _~~ Zegar----~
sterowanie znakow Dzielnik
przebiegam? 1"<------1
czasowymi
R/w 4
dwubra-
mowa, Adresy
linii Przes
uwanie
~--'-- -- -'-~ Sygnar
Generator Rejestr Generator wizji
znaków - -~ zespolonego
D przesuwajo,cy - wizji
8 .___ _ _ __, 8 '- - -- --' Obrazu
Mikrokomputer Sterownik Monitor
Rys. 21.39. Alfanumeryczny interfejs wizyjny z
,www.v,--v.v ,""'w ,. ·.w.v,•, •,•,•,•,•,•,•,•,.,"""' ·""""...,•W•'•' •' •' •'•'•'•'•'•'""• '•'-"-wwwwwwwww=.,= .•.v,• ,•,w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•"w ,w ,, .,,., ,,ssssm,w .•.w ,w ,w ,w ,•,•,
21.12. WJzyJNE 735
.....
Kontroler adresuje w RAM znaki do Wszystkie znaki
z ekranu, od górnego lewego do dolnego prawego rogu, kolejno
numerowane i wczytywane na ekran spod po sobie adresów
RAM .
1 2 3 4 5 61 1 2 3 4 5 6 7
2 I 2
3 I 3
4 I 4
5 I 5
6 I 6
7 I 7
8
9
10
11
12
punktów 6MHz 12MHz 6MHz 12MHz

znaków 1 MHz 2 MH z 0,6 MHz 1,2 MHz
znaków w wierszu 40 80 25 50
wierszy na ekranie 25 25 16 16 ..
]
znaków na ekranie 1000 2000 400 800

J
Rys. 21.40. znaków w postaci matrycy 5 x 7 lub 7 x 12 przy czasie trwania linii
42 µs oraz 256 liniach wykorzystanych w obrazie
Do jednego znaku na ekranie potrz eba liczby linii.

Na rysunku 21.40 pokazano dwa tworzenia znaku. Najpierw wy-
wszystkich znaków wiersza. W tym celu
generator znaków otrzymuje z RAM kod ASCII z
nych znaków oraz dodatkowo od kontrolera numer linii. Po
czeniu pierwszej linii wiersza tekstu kontroler o jeden
numer linii i ponownie czyta z RAM tego samego wiersza
tekstu. Generator znaków zostaje pobudzony do wygenerowania wzorca mo -
dulacji plamki dla drugiej linii wiersza tekstu. Procedura ta jest po-
wtarzana tak wszystkie linie danego wiersza
tekstu. Kolejny wiersz tekstu jest tego samego schematu.
Wzorzec kropek dla linii znaku jest wyprowadzany równo-
legle. tej postaci na do na ekranie
przeprowadza za rejestru Rejestr jest
równolegle zmiany znaku, a odczytywany szeregowo syg-
zmiany punktu . Stosunek tymi musi od po-
linii na znaków, z
736 21. KONSTRUK CJA MIKROKOMPUT ERA

Jako generatora znaków zwykle programowanej
jak np. MCM 6674 o matrycy 5 x 7 lub MCM 66710 ... 66790 o matry-
cy 7 x 12. Oferowane generatory znaków z wbudowanymi rejestrami
one sterowników (kontrolerów) wizyjnych.
Najpopularniejszy z nich to kontroler CRT 8002 firmy Standard Micro-
systems Corp. (SMC).
on dodatkowo takie funkcje, jak np. inwersja, miganie
znaku czy Te dodatkowe funkcje (atrybuty)
wraz ze znakiem w RAM. Dodatkowy bit atrybutu jest ze
na to, w kodzie ASCII wykorzystuje tylko 7 bitów.
Generator wizyjnego to zwykle 2-bitowy przetwor-
nik C/A. Ze na jego go przez
sumowanie TTL. stanowi wtórnik emiterowy
cy za zadanie dopasowanie impedancji. przedstawiono na
rys. 21.41.
Rys. 21.41. Sposób twor zenia zespolonego wizji o amplitudzie I VPP i impedancji
75 n z wizji, synchronizacji i wygaszania
jako monitora odbiornika TV nie

wizji, z wizyjnego zmodulowany amplitudowo
antenowy . Szczególnie dobrze do tego celu nadaje scalony modulator na
pasmo VHF MC 1374 firmy Motorola.
Interfejsmagistrali mikrokomputera
Kontroler wizyjny MC 6845 lub R 6445 jest peryferyjnym mik-
rokomputera do jego magistrali tak samo jak inne interfejsy szere-
gowe lub Ma on 17 lub 19 rejestrów, w których
podczas inicjalizacji umieszcza wszystkie parametry formatu obrazu [21.9].
RAM jest do magistrali interfejsem. Ma on dodat-
ustawiania adresów, tak aby jego adres
od kontrolera. Pewna polega tu na tym,
RAM musi jako dwubramowa .
21.12. WIZYJNE 737

R/W
o
A A'
+
Dekoder
adresu
D'
A O R/ W
tekstu
Rys. 21.42. Realizacja dwubramowej
Ze, na koszty korzysta ze standardowych

RAM. Dlatego jest potrzebny multiplekser dla linii adresowych, danych
i Rf W takiej RAM. Sposób tych linii do interfejsu
magistrali i kontrolera przedstawiono na rys. 21.42. W trakcie normalnej pracy
RAM jest do interfejsu wizyjnego. Jedynie wtedy, kiedy
mikroprocesor uaktywnia dekoder adresów, który
RAM z mikrokomputera.
mikrokomputera do RAM powoduje nieznaczne
cenie obrazu. one jednak podczas jednego
zu linia jest tylko na 1- 2 znaków. Aby wyelimi-
mikrokomputer nie powinien w pa-
podczas obrazu. Przy czasie linii
42 z 64 µs oraz ·512 z 625 linii pozostaje czasu.
do tylko podczas wygaszania obrazu,
bit pionowemu powrotowi plamki w jednym z rejest-
rów kontrolera.
Inna nie czekania przez mi-
kroprocesor na do polega na synchronicznym
multipleksera zegarowym znaków. Multip lekser
cza wówczas kolejno a mikro-
procesora . Kiedy wybierze zegarowego mikroproce -
sora E znaków, mikroprocesor ma zapew-
niony do tak jak E = 1, interfejs wizyjny
wówczas gdy E =O.Wtedy na pewno mikroprocesor nie
do RAM i konflikt nie Mikroprocesorem, w którym
zegarowego E zegarowy o podstawow ej
jest np. mikroprocesor Motoroli 6800. takiego
zania jest fakt, zegara mikroprocesora nie
dowolnie, a ma ona równa znaków . W pew-
nych wymaga to zastosowania szybszych wersji A lub B.
738 21. KONSTRUKCJA MIKROK OMPUTERA

21.12.3.Monitorgraficzny
wyprowadzania informacji graficznej za interfejsu alfanwne-
rycznego jest ograniczona. ósmego bitu w generatorze znaków
poza 96 znakami ASCII jeszcze 160 symboli graficznych. Nie
jednak w ten sposób na ekranie dowolnej kombinacji punktów. Aby
to z punktów
obrazu. Przy 256 x 256 punktów potrzeba o
2 x 2 bitów= 2 bitów= 2 bajtów= 8 KB.
8 8 16 13
to punktu obrazowego (picture element,

pixel) tylko na jednym bicie. Gdy punktu obrazowego chcemy zapa-
na czterech bitach, aby móc 16 odcieni lub kolorów,
jest potrzebna o 32 KB. Dla 512 x 512
punktów potrzeba 128 KB zdarza taka adresowana
jest dla mikroprocesora zbyt
Elementy graficzne, takie jak wektory, z nie umieszczane na
ekranie punkt po punkcie, bo to zbyt czasu
Zwykle obrazu a mikrokomputer jest procesor gra-
ficzny GDP (grajzc display processor). Takim elementem dla rodziny 6800 jest
EF 9367 firmy Thomson . Sposób jego przedstawia rys. 21.43.
do magistrali mikrokomputera jest realizowane tak jak w przypa-
dku innych peryferyjnych, poprzez danych, i ste-
Procesor graficzny zapisuje obrazu. W celu
miejsca i poboru oraz kosztów do tego celu dyna-
micznych RAM. Potrzebny dla nich tu bez do-
datkowych cyklicznemu odczytowi przez
interfejs wizyjny. adresy oraz CAS lub RAS GDP
generuje ze znormalizowanym rastru TV, podobnie jak syg-
wygaszania i synchronizacji.
7 A'~ -- -
4 RAS
obrazu
6enerator SygnaT
Procesor
1 CAS
Cztery o;ut4 Rejestr 1 · B zespolonegowizji
1 R/Wdynamic~ne przesuwajqcy sygnaTu
graficzny wizji
-
Dl RAM
1-+----,1 16KB Wygaszanie
Stjnchronizacja
2
D
1,5MHz 6MHz
Zegar
Takt Takt
EF9367 znaków punktów
Mikroprocesor Monitor
Rys. 21.43. Interfejs wizyjny do alfanumerycznego i graficznego o
256 X 256
21.12. WizyJNE 739

Aby zastosowanie tanich RAM o czasie do-
nie wyczytuje z jednego tylko punktu obrazowego, lecz tak
jak na rysunku 21.43 za razem cztery punkty obrazowe.
W przypadku grafiki o wysokiej 512 punktów w linii jest to
nawet osiem punktów. wynika zna-
ków tylko 1,5 MHz. Jest to
w procesorze graficznym i RAM. Szeregowy wizyjny jest gene-
rowany za rejestru który wykonuje
Procesor graficzny programuje jego dwunastu rejestrów.

W celu wektorów podaje adres startowy w parze rejestrów. W ko-
lejnej parze podaje przyrostów ~X i ~y wektora. Rozkaz zapisu
powoduje wówczas wektora na ekranie . W tym celu
generator GDP generuje takie punkty na ekranie , które w najlep-
szy sposób wektor [21.l O].Po wykonaniu rozkazu w rejes-
trach X i Y wektora, tak
rysowanie. W innym rejestrze rodzaj linii, ma
wektor - czy
Prócz generatora wektorów procesor graficzny zawiera generator
znaków, który samodzielnie steruje znaków alfanumerycznych na
ekranie . Z tego powodu nie ma potrzeby generowania programowo liter i cyfr
przez zestawianie pojedynczych punktów. Aby znak ,
jego w rejestrach X i Y oraz kod ASCII do rejestru rozka zo-
wego. Po znaku rejestry X i Y odpowiednio inkrementowan e
o znaku tak, aby natychmias t kolejny znak.
EF 9367 256 rozkazów: 16 rozkazów
ogólnych, 16 wektorów, 128 krótkich wektorów oraz 96
znaków ASCII. 11 rejestrów zawiera parametry tych rozkazów
[21.11].
Pozornie wyprowadzanie tekstu na interfejsy alfanumeryczny i graficzny
jest podobne. jednak podstawowa w sposobie
nia znaku. W interfejsie alfanumerycznym znak jest w kodzie
ASCII, a jego adres znaku na ekranie, natomiast w interfej-
sie graficznym znak jest jako siatka punktów o
tak , jak ona na ekranie.
~:::;:,.,:,:,.·,
..,.~~~~
~'$:::=J:=?::~;;';;.
4.x,,~··:,,,.,·
......,
.....
:..,.,,,:,:,:,.,:,.,:,:,.,:,:,:,
...,.,.,:,.,.,,,:,
:,:,.,.,,,:,:
...:.:,:,:,:..,.
.....
:..,.,:,.,.,.....,.,,,,,·
··
ii 21.13.Analogowe ·
·..·>nk::rR,%
~::·:::·:r:-.:.·.·.·. WX::?\:/)~1:~
::::
·"-:.;x
..::t.n·r.·r:·::.·.·:::·:·:·:·::.:
.·::n·
..
w celu cyfrowego przetwarzania do mikrokomputera dopro-

wadza analogowe. do tego dwa specjalne
interfejsowe: jeden to przetwornik analogowo-cyfrowy na drug i to
przetwornik cyfrowo-analogowy do wyprowadzenia analogowych .

przetworników A/ C oraz C/A opiszemy w roz-
dziale 23. Tu omówimy tylko pewne aspekty istotne przy przetwor-
ników do mikrokomputera.
21.13.1. analogowe
karty analogowego przedstawiono na rys. 21.44.
W celu dokonania konwersji najpierw analogo-
wego w po czym podaje rozkaz startu
konwersji dla przetwornika A/C. do tego dwa przerzutniki monostabilne
wyzwalane pojawieniem adresu o dwa od adresu bazowego . Gdy
jest wolnozmienne (mniej 1 LSB w czasie jednej konwer-
sji) oraz przerzutniki.
podczas konwersji bit przetwornika A/C czy konwe-
rsja jest zakonc zona. Odczytuje w tym celu status spod adresu bazowego
+ Oi testuje, czy jest ustawion y bit 7. Gdy konwersja jest
spod dwóch adresów: bazowego oraz bazowego + 1.
JMA
E
P, Qi
R/W
14
:.----I
74LS588
'tuwE
A 2
EN
1 1
6 2.. 2 ~7
3 "J <l
3
74LS541 J8
D 8 74LS 155
A/C
Rys. 21.44. karty analogow ych z 12-bitowym przetworniki em A/ C
Niektóre scalone przetworniki A/C specjalnie przeznaczone do zastoso-

mikrokomputerowych zestawiono w tabl. 21.21. Inne typy przetworni-
ków, które do magistrali mikrokomputera za dodat-
kowych interfejsowych, w rozdziale 23.
Przetworniki z tabl. 21.21, o czasach konwersji mikrosekund, dzia-
na zasadzie konwersji wagowej lub kaskadowej. Wolne przetworniki A/C
o czasach konwersji ms na zasadzie zliczania impulsów. one
przeznaczone specjalnie do pomiaru wolnozmiennych i dobrze
2l.l 3. ANALOGOWE 741

Tablica 21.21. Przetworniki A/C ze scalonym dostosowane do
z mikrokomputerem
Rozdziel- Typ Producent Ka- Czas
naly kon - zasilania [bity]
[bity] wersji +SV i
odniesienia
8 AD 7575 Analog Dev. l 5 µs - - 8
AD 77741> Analog Dev. 4 4 µs +l2V tak 8
LTC 1096 Lin. Techn. l 16 µs - - l
LTC 1099 Lin. Techn. I 3 µs - - 8
MAX 155 Max im 8 3 µs - +2,SV 8
TLC 540 Texas Instr. 11 12 µs - - l
10 AD 7580 Analog Dev. l 20 µs - - 8
LTC 1090 Lin. Techn. 8 20 µs - - l
MAX 151 Maxi m 1 3 µs - SV +4 V 10
ADC 10664 National 4 l µs - - 10
TLC 1540 Texas Instr. 11 21 µs - - l
12 AD 7875 Ana log Dev. l 10 µs - SV + 3V 1/ 12
AD 77741> Analog Dev. 4 4 µs + 12 V tak 8
AD 1341 Analog Dev. 16 7 µs ± 15 V + 10 V 16
ADS 7804 Burr Brown 1 JOµs - + 2,SV 12
ADS 7810 Burr Brown 1 1 µs - SV + 2,5 V 12
ADC 7802 Burr Brown 4 8 µs - SV tak 8
CS 5412 Crystal 1 1 µs -SV - 12
HI 5812 Harris l 20 µs - - 4/ 12
LTC 1272 Lin. Techn. 1 3 µs - + 2,4 V 8/12
LTC 1286 Lin. Techn. I 60 µs - - l
LTC 1290 Lin. Techn. 8 13 µs - - l
MAX 190 Maxim 1 13 µs - +2,5 V 8
MAX 120 Maxi m 1 2 µs - 12 V - SV 12
MAX 186 Maxim 8 10 µs - +4 V l
MP 3275 Micro Power 16 15 µs ±12V +4 V l
ADC 12062 National 2 1 µs - - 12
SP 8120 Sipex 8 10 µs +12V tak 12
12+S ADC 12441 National l 13 µs ± SV - 13
ADC 12458 National 8 9 µs - +2,SV 16
TLC 1225 Texas Instr. 1 12 µs - - 13
16 AD 677 Analog Dev. 1 10 µs ± 12 V - 16
AD 1832 Analog Dev. 1 2 µs ± 15V +lOV 8
ADS 7809 Burr Brown 1 10 µs - +2,SV 1
DSP 102 Burr Brown 2 5 µs - SV tak l
CS 5126 Crystal l 10 µs -SV - )6
MAX 132 Maxim 1 5 ms -SV - I
MAX 195 Maxim 1 10 µs +12V - 1
SP i'678 Sipex 1 20 µs +15 V tak l
TSC 850 Teledyne 1 25 ms -SV - 16
20 CS 5503 Crystal 1 50 ms -SV - I
24 AD 7710 Analog Dev. 2 100 ms - - l
1
> Zawiera dodatkowo przetwornik C/A.
Inne typy przetworników A/ C zamieszczono w tablicy 23.5.
odniesienia, jest ono z
Przetworniki A/Cz na multiplekser,
który pozwala jedno z wielu Multi-
plekser sterowany mikroprocesorem. W ten sposób kolejno
wiele
21.13.2. analogowe
karty analogowego o 12 bitów przedstawiono
na rys. 21.45. pracuje tak jak z rys. 21.12. Starsze
4 bity pod adresem bazowym, kolejne 8 bitów
- pod adresem bazowym + 1. Tak na przetwornika jako pierwsze
starsze 4 bity; powinny one podwójnie buforowane. Bez
dodatkowej - przynajmniej chwilowo
- wynikiem konwersji nowych 4 starszych bitów i poprzednich 8
Nie tu przerzutników D wyzwalanych zboczem przerzut-
nikami D wyzwalanymi poziomem typu „zatrzask" ze na to, prze-
twornik C/A na stan magistrali danych przez czas,
w którym E = 1, podczas gdy przetworzone dane dopie-
ro przy cyklu - jak wiemy z rys. 21.8. wówczas na
analogowym impulsy o amplitudzie .
VMA
E
RtW
C/ A
A d8 tua
1 1
d7
D
8 - juRl:F
do
Rys. 21.45. karty analogowych z 12-bitowym przetwornikiem C/A
Niektóre przetworniki C/A kompatybilne z mikroprocesorami zestawio-

no w ta bl. 21.22. one danych; przetworniki ponad
8-bitowe zwykle podwójnie buforowane. Wszystkie przetworniki
wzmacniacz operacyjny, który zmniejsza
[21.12].
.,,...,.,.,.,.,...,.,.,......-........_.
....,.,.,.,.,.,....,,,,,,.•_.
"'__ ,.._,.
,.,.,,.,•, ,,,,,.,.,.,.,.,._.,. .,.... .........,..,.~-=r,·.-.......-.-...- .-............................
................ ....,,.,,,.,
.•••
, ,.,.,.,.,.
...,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,
21.13. ANALOGOWE 743

Tablica 21.22. Przetworniki CfA ze scalonym wzmacniaczem dostosowane do
pracy z mikrokomputerem
Rozdziel - Typ Producent Ka- Czas

naly usta- zasilania [bity]
[bity] lania +5Vi
[µs] odniesienia
8 AD558 Analog Dev. 1 1 - tak 8
AD 77741 l Analog D ev. 3 4 + 12 V - 8
AD 7226 Analog Dev. 4 5 +12 V - 8
AD 7228 Analog Dev. 8 5 +12V - 8
MAX 505 Maxim 4 6 - - 1
MAX 528 Maxim 8 5 - - 1
DAC 0854 National 4 3 - +3V 1
12 AD 7868'l Analog Dev. 1 3 - SV +3V I
AD 7248 Analog Dev. 1 5 +15V + 5V 8
AD 7247 Analog Dev. 2 5 +15 V +5V 12
DAC 8412 Ana log Dev. 4 12 - - 12
DAC 8512 Analog Dev. 1 16 - tak 1
AD 75004 Analog Dev . 4 2 ± 12 V + 5V 8
AD 75069 Analog Dev. 8 2 ±12 V + 5V 8
DAC 813 Burr Brown 1 6 ± 12 V + 10 V 4/12
DAC 4813 Burr Brown 4 6 ±12 V + 10 V 4/12
LT 1257 Lin. Techn. 1 6 - + 2V 1
MAX 538 Maxim I 25 - - 1
MAX 507 Maxim 1 5 +12 V +sv 4/12
MAX527 Max im 4 3 - SV - 8
MP 7642 Micro Power 16 I -5V - 1
SP 9345 Sipex 4 5 ± 15 V - 12
16 AD669 Analog Dev. l 6 ± lSV + lOV 16
AD 1856 Analog Dev. 1 2 -5V tak .I
AD 11482l Analog Dev. 1 20 ± 15V +10 V 16
DAC56 Burr Brown 1 2 -5V tak 1
DAC712 Burr Brown l 6 ±1 2V tak 16
DAC725 Burr Brown 2 4 ±12 V lak 8
SP ll 48i J Sipex 1 20 ± 15 V tak 16
18 AD ll39 AnalogDev. I 40 ± 15V - 10 V 18
AD 1860 Analog Dev. 1 2 -5V tak I
PCM 61 Burr Brown I 2 - SV +3 V 1
DAC 729 Burr Brown I 8 ±15 V +IO V 18
SP 9380 Sipex 1 30 ± 15 V +10 V 16/ 18
ll Zawiera dodatkowo przetwornik A/ C.
2
l Programowalne zero i wzmocnienie.
Inne typy przetworników C/A zamieszczono w tablicy 23.1.

odniesienia, jest ono z
744 21. KONSTR UKCJA MIKROK OMPUTERA

·-::-:-:-::~
~» :-:~::;:;:•:•:-:,:,:::B~:
•:•
:•:•:•:•::•::::·•·•
·•·:
•:•:·~~,:~;:•:•:-:-
: :;:
.:-:~-..:4~~1~:~:::~*=:::;·:'.;:~•··~:·:·:·:·:·:·:·:
·:·:·:·:::::::
::::~??:'.?:
.....
1.14. Specjalne peryferyjne · · ,,,,,,,,
,,,,,,::t
..s:.i.t.~::i~?im™
r::::::::;;:1
~ :::::::
:::::::::
::::::::
~< 11::::::::;;:rn
«-mm:::::;,
n::::::
:::::i· :\{t
Wybór peryferyjnych istotnie gdy pod

elementy z innych rod zin. one
cych typowych dla rodziny 8080. Zamiast jednego
typu odczyt/zapis R/ W one dwa jedno dla odczytu
(RD) oraz j edno dla zapisu (RW). Cykl zapisu lub odczytu nie jest rozpo-
czynan y tak jak dla rodz iny 6800 w chwili wyboru elemen-
tu CS, lecz wymaga dodatkowo jedn ego z RD lub WR.
interfejsu magistrali dla z pro cesorem arytme-
tycznym z rys. 21.31. przedstawion o jeszcze raz ogólnie na rys. 21.46.
Na wykresie czasowym z rys. 21.47 CS (8080) jest generowany
natychmiast po pojawieniu adresów, podczas gdy RD lub WR
aktywne dopiero wtedy, kiedy E = 1.
Pr ócz opisanych w tym rozdziale peryferyjnych ist-
nieje jeszcze wiele innych przeznaczonych do specjalnych.
niekt órych z nich przedstawio no w tabl. 21.23.
A 16 Dekoder
adresu.
E BS WR
MA
R/W
8080
6800
Rys. 21.46. Konwersja peryferyjnymi ze standardu 6800 na
standard 8080
R/W(tJBOO)
=.c..,c..,c..c..,c..,c.
.c..,c..,c.
~
E (6800)
es(8080)
R0(8080)
es{6800)
Rys. 21.47. Przebiegi czasowe w cyklu odczytu
21.14. SPECJALNE UK.L ADY PERYFE RYJNE 745

Tablica 21.23. Specjalne peryferyjne
Funkcja Typ Producent
Sterownik dysków elastycznych WD 1773 Western Digital

(Floppy-Disk -Controller) WD 37C65C Western Digital
FDC 9267 SMC
82077 Intel
µPD765B NEC
Sterownik dysków WD 33C93B Western Digital
(Hard-Disk -Con/roller) WD 42C22A Western Digital
HDC 7261 SMC
82064 Intel
HD 63463 Hitachi
MC 68HC99 Motorola
µPD 7262 NEC
Sterownik dysków HDC 9224 SMC
(Hard/ Floppy -Disk-Con toller) µPD 7260 NEC
Sterownik skanera rastrowego TMS 34020 Texas Instr .
(Raster -Scan-Con toller) 82786 Intel
DP 8500 National
HD 63484 Hitachi
HD 64400 Hitachi
Sterownik graficzny matrycy LCD HD 63645 Hitachi
(LCD -Grajic-Contoller) µPD 72030 NEC
Sterownik klawiatury
(Keyboard -Con/roller)
KR 9600 SMC
Sterownik
(Keyboard-Display -Con/roller)
8279 Int el
Syntezator mowy TMS 50C50 Texas Instr .

(Speech Synthesizer) µPD 7764 NEC
Analizator mowy (Speech Analyser) µPD 7763 NEC
Kontroler DMA (DMA -Con/roller) Am 9517 AMD
Szyfrator danych (Data-Encryption -Unit) Am 9568 AMD
Sterownik magistrali JEC µPD 7210 NEC
(/EC -Bus-Con/roller) TMS 9914A Texas Instr.
TNT 4882C National JnslTum.
Sterownik sieci lokalnej
(Local -Area -Network-Con /roller)
COM 9026 SMC
Sterownik Eternetu (Ethernet-Con /roller) 82595 Intel

Am 79C960 AMD
SMC 91C92 SMC
WD 83C690 Western Digital
Klucze analogowe
i
Klucz analogowy powinien i wej-

jest to powinno z
równe jest po winno
równe zeru. analogowego charak-
paramet ry:
- rezystancja w stanie
- rezystancja w stanie
- zakres analogowych;
- czasy
i 22.1.
~;~~:
1:l:i:;."i:OOlli
f::1:;:;:
1:1:1:1:~
:1~
~~:V~~~ *i.~~~
~*~1-:~J~
~~~lt°
kluczy .....
pracy kluczy , stawiane im zadania. Pokazano

je na rys. 22.1. Na rysunku 22.la przedstawiono klucz szeregowy. jest on
to Uwy = uwE· klucz zostanie otwarty, to
staje równ e zeru. Dzieje tak jedn ak tylko przy braku Prz y
ze na rezystancji wyj-
rwy = R spada wolno do zera.
Wady tej nie ma klucz pokazany na rys. 22.lb. Za to w stanie
a przy otwartym zestyku, ma on wyj-
rwy= R. Klucz z rys. 22.lc zalety obu po -
przednich W obu sta nach ma Rezys-
tancja w stanie jest niewielka, a w sta nie Zwarte
w stanie jed nak Jest tak np .
wtedy, kiedy chcemy na kondensatorze, jak
w omówionych w p. 22.4. wów-
czas jeszcze jeden zestyk K3 , jak na rys. 22.2. Gdy klucz jest otwarty ,
wówczas przez K 1 jest zwierany
przez zestyk K 2 ; jednak - ze na K3 - jest w stanie wysokiej
22.1. UKLADY .KLuczy 747

impedancji. ten zachowuje na tak jak klucz szeregowy
z rys. 22.la; charakteryzuje jednak znacznie lepszym dla wiel-
kich
Rys. 22.1. Klucze: a) szeregowy; b) c)
Rys. 22.2. Klucz szeregowy o Rys. 22.3. Analogowy

llumieniu multiplekser / demultiplekser
o liczbie przedstawiono na rys. 22.3. Z czterech

zestyków jest zawsze tylko jeden, wskutek czego
jest równe odpowiedniemu Dlatego ten nosi rów-
multipleksera analogowego. odwrócimy, tyl-
ko jedno to otrzymamy demultiplekser analogowy. Odpowiednie
dy dla cyfrowych w p. 9.6.
Do realizacji kluczy stosuje tranzystory polowe, diody lub tranzystory bipo-

larne. one ale ogólnie schemat w którym
te elementy kluczy, jest zawsze taki sam. Przedstawiono go na
rys. 22.4.
+5V + 15V
Xs
Klucz
- 15V
Rys. 22.4. sterowania klucza
748 22. KLUCZ E ANALOGOWE

zgodne ze standa rdem TTL, wzmacniane
przez mocy (bufor). Za znajduje dopasowania poziomu
(tzw. translator), potrzebne do otwierania i zamykania
klucza.
22.2.1.Tranzystor
polowyjakoklucz
Jak w p . 5.7, tranzystor polowy przy dren -
zachowuje tak jak rezystor, którego o kil-
ka za UGs; praco-
jako klucz. Na rysunku 22.5 pokazano tranzystor polowy
w klucza szeregowego . Usr co naj-
mniej o Up mniejsze od ujem nego wej-
to tranzystor polowy nie i
równe zeru. tranzystor UGspowinno
równe zeru. Warunek ten nie jest do
nie jest ustalony. tego warunku przed-
stawiono na rys. 22.6. w tym Usr
dodatnie to dioda nie przewodzi i mamy zgodnie z
niem Ucs = O.
uwE
.1.. /?
Usr
j_
dla UwE > O u,, dla Uwe > O

uSTOPP <
={ U U
dla Uwfi < O P + WEmin dla Uw 11 < O
Rys. 22.5. Klu cz z lranzystorem polowym Rys. 22.6. Uproszczenie sterowania klucza
Przy ujemnym dioda przewodzi i tran -

zystor jest zatkany. W tym stanie pracy ze
przez rezystor R 1 do obwodu sterowania. W normalnych warunkach nie
sta nowi to przeszkody , jest i tak równe zeru.
wówczas, gdy jest podawane
przez kondensator w fazie nieprzewodzenia jest on
wany ujemnym .
Problemy te nie gdy jako klucz zastosujemy tranzystor MOS-
FET. Tranzystor MOSFET z typu n w stan prze-
wodzenia przez podanie od dodat-
niego nie
22.2. KLUCZE ELEKTRONICZNE 749

z diody D i rezystora R 1 . Aby zakres
dopuszczalnych zamiast pojedynczego tranzystora MOS
klucz CMOS, z dwu komplementarnych tran-
zystorów MOSFET równolegle, jak na rys. 22.7. Aby klucz prze-
na tranzystora T1 z n podajemy u+,a bram-
tranzystora Ti z p z
Przy uwE oba tranzystory MOSFET
to zmniejsza Ucsi · Wskutek
tego rezystancja tranzystora T 1 wzrasta. Nie stanowi to jednak przeszkody,
Ucs2 , wskutek czego rezystancja Ti ma-
leje. Przedstawiono to na rys. 22.8, z którego wynika,
O i u+.
W przypadku standardowych kluczy CMOS nie
tego zakresu, wskutek tzw. (lat eh up)
klucz ulec zniszczeniu. W tym bowiem przypadku zaczyna
dioda do one
tyrystora (por. rys. 9.39), który zwiera
zasilania. nie bezpiecznego zakresu na-
to szeregowo rezystor do
1 mA. ten jest z mniejszy od tyrystora [22.1]. Ze
na te scalonych kluczy CMOS jest
w dodatkowe lub ma [22.2]. Pod-
nie jest wówczas izolowane za pn, lecz za warstwy
tlenku . Dlatego w elementach CMOS z nie
zjawisko zatrzaskiwania. W tablicy 22.1 przedstawiono parametry
kluczy CMOS i multiplekserów . z serii 74HC normal-
nymi bramkami CMOS o bardzo niskiej cenie. jednak
i ograniczony zakres dopuszczalnych
i ich stosowanie nie
Wymienieni producenci ponadto wiele innych typów kluczy, z których
wymieniono tylko kilka.
UsroN = U\ UsrOFF = OV
Rys. 22.8. rezystancji tranzystoró w
Rys. 22.7. Klucz szeregowy CMOS od
dla Usr = UsrON = u+ = 5V
,.....•.•••.•.•w,m =,wm=v, •,m ,•,•,•,- -,.. ,••.,., •••,.,•,•,•,•,•.•,•,•,•.•,•.•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,,•,"""'"'"=- --= = ,,w.w." ·····
,· ··· ·,•,•,,,.,. ,.,.,.w .,.,.,.,....• ..., .......,...,.,. .,.,.,.•.,•••,••.••••• •·····
750 22. KLUCZE ANALOGOWE
Typowe kluczy w temperaturze pokojowej
0,1 ... 1 nA . one przy temperatury o 10° i wzros-
nawet do 100 nA.
Tablica 22.1. kluczy analogowych CMOS
Typ Producent Funkcja Rezystancja Zakres Moc Czas

w stanie strat dan ych
M czania
[QJ [ns]
Bez translatora poziomu, bez zabezpieczenia
74HC4016 Philips 4 X 65 O... 12 10 µW 10 nie

74HC4066 Philips 4 X 35 O... 12 10 µW 20 nie
SD 5000 Siliconix 4 X 30 ± 10 lOµW 1 nie
Szybkie (:,;;100 ns)
74HC4316 Philips 4X 65 ±5 10 µW 20 nie

DG 611 Siliconix 4X 18 ±5 20µW 15 nie
HI 201HS Harris 4X 30 ± 15 120mW 30 nie
ADG 201 HS Anal. Dev. 4X 30 ± 15 200mW 50 nie
moc strat (:,;; 100 µW) i rezystancja (:,;; 100 Q)
DG405 Siliconix 4 X 20 ±15 10 µW 100 nie

DG 411 Harris 4 X 30 ±15 30 µW 150 nie
MAX 351 Maxim 4 X 22 ±15 35 µW 150 nie
ADG 511 Anal. Dev . 4 X 30 ±2 0 20µW 200 nie
LT 221 Lin . Tech. 4 X 70 ±15 lOµW 250 tak
rezystancja (:,;;100 Q)
DG 271 Siliconix 4 X 32 ± 15 120mW 50 nie

Hl 5049 Harr is 4 X 50 ± 15 2mW 300 nie
CDG 211 Teledyne 4 X 40 ± 10 50mW 200 nie
ADG 221 Anal. Dev. 4 X 60 ±15 lOmW 200 tak
Wysokie ±3 0 V)
HV 348 I Supertex
I
2 X
I 35
I ± 50 I
lOmWI 500
I
nie
w stanie (~40 dB przy 100 MHz)
DG 540* Siliconix 4X 30 ±6 60mW 30 nie

HI 222* Harris 2X 35 ±15 75mW 90 nie
CDG 5341* Teledyne 2X 100 ± 10 100 µW 120 nie
* w stanie dla wielkich wg rys. 22.2.

Elementy o innej konfiguracji kluczy symbolu.
www __ ,•.,w.·.·········
_,, _ _ ·············
········
···············, -,nm .•,.y.w.w.==
22.2. KLUCZ E ELEKTRONICZNE 751
Tablica 22.2. analogowych multip lekserów CMOS
Typ Producent Funkcja Rezystancja Zakres Moc Czas

w stanie strat adresów
M czania
Szybkie ( 100 ns), bez zabezpieczenia

74HC405 1 I Philips 11 X 8
I
60 n ±5 10 µW 20 os nie
74HC4052 Philips 2x4 60 n I ±5 I 10 µW I 20 ns I nie
moc strat ( 100 µW)
DG 485 Siliconix 1X 8 55 Q ± 15 10 µW 160 ns tak
DG408 Maxim Ix8 80Q ± 15 20µW 200 ns nie
DG406 Maxim I x 16 80 n ±15 20µW 200 ns nie
Wysokie zabezpieczenia ±30 V)
MAX 378
DG 458
IMaxim
Harris
I l x8
l X8 I
2 kQ
80 Q
±15
I ± 15
2mW
I 5mW
300 ns
I 200 ns I
nie
nie
Wysokie ±30 V)
HV 22816 11X 8 I n
I
j Supertex
w stanie (>
I I 22
±80
40 dB prz y 100 MHz)
2mW 4 µs
I tak
DG 538* Siliconix 2x4 45 Q ±6 lO mW 200 ns tak

DG 536* Siliconix 1 X 16 55 n o...IO 75 µW 200 ns tak
MAX 310* Maxim l X 8 150 n ± 12 !mW 300 ns nie
w stanie ( 1O pA)
MAX 328 j Maxim Il x8 I 1,5 kQ
l ±15
I 50 µW
I 1000 ns I nie
Typy standardowe
MAX 368 Maxim I X 8 1,5 kQ ± 15 !mW 500 ns tak
DG408 Harris i X 8 80 Q ± 15 7mW 200 ns nie
ADG 408 Anal. Dev. i X 8 80 n ±15 2mW 200 ns nie
ADG 526 AnaJ. De v. l X 16 280 n ± 15 IO mW 200 ns tak
* w stanie wg rys. 22.2.

Element y o innej konfiguracji kluczy symbolu.
22.2.2.Kluczediodowe
Diody , ze na ich i przewo-
dzenia, jako klucze. na z rys.
22.9 podamy dodatnie to diody D 5 i D 6 spolaryzowa-
ne wstecznie. I wówczas przez D 1 , D 4 i D 2 , D 3 z jednego
do drugiego. Wskutek tego
.......,.,....
........... .........
.....,.,. . ........
...... ..
, , , ,., , ,., ..........
.. .....,·.·~····· ..... ,,,,,,,.,.,.,.,.,...
.................................
,,,,,,,,,,,,,,.,,,•,•,•,•, ........
.......................
. ............
........
......
....,.,.,.,.,.,.,.,., ,........
.,.,...
.,.,.,., ....
..
a
przewodzenia sobie równe. tak nie jest, to pojawia

resztkowe (tzw.
Usr
j_
1.
Rys. 22.9. Diodowy klucz szeregowy
staje ujemne, diody D 5

i D6 , a mostkowy zostaje zablokowany. W ten sposób zostaje
podwójnie oddzielone od a ma Mamy do
czynienia z kluczem analogowym o rezystancji w stanie
(rys. 22.2). Przy zastosowaniu szybkich diod zasada
czasów 1 ns [22.2]. Nadaje do tego np. matryca
diodowa CA 3019 firmy RCA lub czwórka diod Schottky'ego 5082-2813 firmy
Hewlett-Packard.
Do szybkiego odpowiednio szybko
odpowiedniego
przedstawiono na rys. 22.10. on z mostkowego i czterech
T 1 ... T 4 . Oba górne na przemian syg-
Gdy przewodzi tranzystor T 1 , przez mostek diodowy I i mo-

stek przewodzi. Gdy jest tranzystor T 2 , mostek diodowy zostaje za-
blokowany. Aby w tym przypadku nie do nasycenia
T2 i T 3 , wsteczne ograniczone za tranzystorów T 5 i T 6 .
one obwodu sterowania mostka
diodowego przy polaryzacji wstecznej, co rezys-
tancji w stanie klucza.
Amplituda analogowego musi mniejsza od maksymalnego
na mostku diodowym. W podanym tranzystory
T5 i T 6 do ±2,7 V. Szybkie klucze nie powinny jednak pra-
przy elementów przy
szych wstecznych ma znacznie gorsze dla wielkich
..,...,.,.,._.,.
,.,.,.,.,.,.,.,.,,,._,......_._
•.._.
_._....._..._.......
._www_ ,......,..,.,.,.,_.,,.,,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•.•,•,•,
•,-.•,•,,.......-
......_._._._

+5V
21 21
+JV
Tt Tz
Dz
±2,5V
uwel D4 tuwy
.1.. ..1
- JV
Ukad scalony: AD 1315 Analog Devices
Rys. 22.10. Mostek diodowy z szybkim sterowania
22.2.3. Tranzystorbipolarnyjako klucz
W celu zbadania tranzystora bipolarnego jako klucza przyjrzyj-

my jego charakterystykom w zera. one narysowane na rys. 22.11
dla (dodatnich i ujemnych) kolektor -emiter. W pierwszej
ce znana z rys. 4.5 charakterystyka UcE
ujemne, to nie bazy otrzymamy charakterystyki
w trzeciej Przy tak iej odwrotnej polaryzacji
tranzystor ma znacznie mniejszy wzmocnienia wy-
nosi on ok. /3/30. Maksymalne dopuszczalne kolektor-emiter przy ta-
kiej polaryzacji jest równe maksymalnemu wstecznemu emiter-baza
UEBOmax · Dzieje tak dlatego, w tym stanie pracy dioda kolektor -baza
przewodzi, a dioda emiter-baza jest spolaryzowana zaporowo. Ten rodzaj pra-
cy nosi pracy inwersyjnej, a jej wzmocnienia
- inwersyjnego wzmocnienia Pi· kolektora przechodzi przez
zero przy kolektor-emiter równym 10 ... 50 mV.
bazy przekroczy kilku mA, to resztkowe
silnie przy bazy pozostaje jednak w szerokim za-
kresie resztkowe znacznie by
przy przez zero tranzystor inwersyjnie.
Aby to kolektor z emiterem. przy tym
pokazano na rys. 22.12. UcEmierzy
=-=,.,.,.,.,. . ,.,.,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,
•,•,•,
•,•,•,•,,.-.......
..-.,.v .•...-.~- ........
....,.
•••••
,.,•,•,•,•,•,•,•.•,
•,·A•,•.-.,.,.,.,.,.,, ,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,._.,.,.,.,.,.,.,.,.._• ._........,.,.......,._.
,._.,.
754 22. KLUC ZE ANALOGOWE

z znakiem, to przy otrzymuje
praktycznie taki sam przebieg jak przy pracy normalnej na rys. 22.11. Wy-
nika to emitera jest praktycznie
równy kolektora . W zera jednak istotna
w tym zakresie bazy nie w porównaniu z
dem przy pracy normalnej jest równy zeru,
to emitera jest równy bazy, a nie równa zeru. Na
resztkowe 10 ... 50 mV. natomiast po za-
mianie emitera i kolektora równy zeru, to kolek-
tora równy bazy. Przewodzi wtedy dioda kolektor-baza (praca
inwersyjna), a resztkowe jest ok. 10 razy mniejsze przy pracy
normalnej (przy czym tak jak uprzednio - dodatnie, w
z rys. 22.12 uwy = - UCE). Typowe 1 ... 5 mV. Z tego
du praca tranzystora z zamienionymi rolami kolektora i emitera jest korzystna.
emitera jest tranzystor pracuje prak tycznie w ulda-
dzie inwersyjnym.
le l[
[mA] [mA]
3 3
40 Uu[mV}
Rys. 22.11. Charakterystyki Rys. 22.12. Charaktery styki

ze wspólnym emiterem i im z zamienionymi rolami emiter a i kolektora
pomiarowy oraz im pomiarowy
Klucz
tranzystora jako klucza (short-circuiting switch)
przedstawiono na rys. 22.13 i 22.14. W z rys. 22.13 tranzystor jest
normalnie , a w z rys. 22.14 inwersyjnie. Dla zapewnienia
w=w.,=-- ·········.....•.•.w.•.•·•·························
··-,,."'==··· ··········,.w=,,_,,-,,,=.w.w,·.··
·················
········
······················""' ···,wu.·.w.w--= ··········"""=-,
22.2. KLUCZE ELEKTRO NICZNE 755
rezystancji tranzystora bazy jest mA. Aby
resztkowe kolektora (albo emitera) nie
o wiele
R R
Rys. 22.13. Tranzystor bipolarny Rys. 22.14. Klucz w

jako klucz inwersyjnym
Klucz szeregowy
Na rysunku 22.15 przedstawiono tranzystor bipolarny w
dzie klucza szeregowego (~eries switch). Aby tranzystor zatkany,
ujemne o nie
- UEBomax - 6 V. Aby tranzystor ste-
o !J.U= InR 8 od Przewodzi wtedy dioda
kolektor-baza, a tranzystor pracuje jako klucz w inwersyjnym. Wa-
jest to, bazy przez
Aby nie to rezystancja
powinna bardzo nadaje szczególnie w przypadku do-
datnich W stanie emitera jest wtedy do-
datni, co powoduje zmniejszenie resztkowego. Jak na rys.
22.12 przy pewnym emitera jest ono równe zeru. pra-
w takich warunkach nosi przesterowanego wtórnika emitero -
wego, dla O a UwE pracuje on bowiem jako wtór-
nik emiterowy dla Usr· te widoczne na charakte-
rystyce dla dodatnich przedstawionej na
rys. 22.16.
UwE --- --~ --- --

uwv= UwE
Uwy=O
UwE Usr
---v--' '---...r-------
Zablokowany Wtórnik Przesterowany
emiterowy wtórn
ik emiterowy
Rys. 22.15. Przesterowany wtórnik Rys. 22.16. Charakterystyka dla dodatnich
emiterowy jako klucz szeregowy
756 22. KLUCZE KJ) ANALOGOWE

Klucz
Z przesterowanego wtórnika emiterowego z rys. 22.15 z klu-

czem z rys. 22.14 otrzymuje klucz (ve-
ries-short -circuiting switch), który w obu stanach ma resztkowe .
jego jest jednak stosowania komplementarnych
Szczególnie proste sterowanie uzyskuje w przypadku komple-
mentarnego wtórnika emiterowego przedstawionego na rys. 22.17, który jest
przesterowywany w obu kierunkach. W tym celu Usrmax> UwE
oraz UsTmin <O.Ze na jest szyb-
kie zerem a uwE· Praktyc zne zasto-
sowanie przesterow anego wtórnika emiterowego w generatora funk-
cyjnego na rys. 15.35.
Usr f
..t
Rys. 22.17. Klucz
22.2.4.Wzmacniacz jakoklucz
Wzmocnienie wzmacniacza (differentia/ amplijier) jest proporcjo-
nalne do transkonduktancji , która z kolei jest proporcjona lna do kolek-
tora. Wzmocnienie równym zeru przez
nie emitera . Na rysunku 22.18 pokazano , w jaki sposób
w kluczu analogowym.
dla Usr = I V
dla U5 r = - 1 V
Rys. 22.18. Zasada pra cy wzmacniacza jako klucza

.,= •··· .................
.....
..................
,.,•,•
,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,•,
•...•.•.•.•·,····
·····················
········.....
......•.•··· ······················ ..= .....................
·············"'·"'·"•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'........................
..,..
.....,....,.. .,..,..,,.
....,...·.·.·
jest ujemne, dioda D nie przewodzi i do wzmac-
niacza emiterowy IE= I.
wym jest obydwoma otrzymamy
I- tJJ ]+IJ]
+o-- - -----t-- ---' 2/JI

I - tH I-!JI
lsr
Tto
dla isr =O
dla isr > O
Rys. 22.19. Wzmacniacz transkonduktancyjn y jako klucz
dodatnie, to I przez stanie

i tranzystory Ie = O. Wprawdzie oba
wskutek tego do Ucc,
we Uwy jednak równe zeru. Na rysunku 22.19 pokazano zastosowanie
tej zasady do realizacji klucza analogowego malej
uwER = O, to rozdziela równomiernie na oba tran-
zystory wzmacniacza i przez wszystkie wtórniki
I. jest równy zeru. doprowadzimy dodatnie
cie to kolektora tranzystora T 2 o
1
M= 2 gmuWER
a tranzystora T1 o tyle samo zmaleje. Otrzymuje w ten sposób
le lsr
=U
• Ar
1wy = 2u.i = gmUWER UwER =~ U UwER
T T
równy zeru, to wszystkie tranzystory przesta-
a spadnie do zera. Wzmacniacze
zgodnie z na rys. 22.19 wzmacniaczy trans-
_,.,.,....,..
...,.,.,.,.,.,.,...,.,·,-.-.-.-.w.-
.v.·.·-......,.....,._- .......
,..-..........,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.
,...,., .,.,•,•,vo.v,.o.-.v,. ............,.,..,..,,.....,......~=.-.v.·
.·r~- ...,,.....,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,
•,•,•,
•,•,•,•,•,,.,.
._,.._.
,,.,.,,,..,.... ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•
,•,•,•,•,,.,,
758 22. KLUCZE ANAL OGOWE
konduktancyjnych (transconductance amplifier). one w postaci
scalonych, np. CA 3060 lub CA 3280 firmy RCA lub GAP 01 firmy
PMI. Przy jako wzmacnia-
cze operacyjne. proporcjonalny do drugiego
cia to je jako analogowe mno-
[22.3].
Na rysunku 22.20 pokazano, jak z rys. 22.18
do budowy dla wielkich Oba wzmacnia-
cze T 1 , T 2 , T 3 i T4 tu ze wspólnymi rezystorami kolek-
torowymi R 1 . jest jednak zawsze tylko jeden z nich: przy dodatnim
I zostaje podany na lewy wzmacniacz
w przeciwnym przypadku - na prawy. W stosunku do zasady przedstawionej
na rys. 22.18 uzyskuje przy
Mamy do dyspozycji za którego

z jednego UwEi = u 1 - u 2 na drugie UwE 2 = u3 - u4 .
Przez odpowiednich u3 = u 2 i u4 = u1 , wsku-
tek czego uwEi = -uw E2 . W ten sposób powstaje bie-
projektuje jako wzmacniacz szerokopasmowy,
taki jak wzmacniacz z komplementarnym kaskodowym
z rys. 16.8. do tego rezystory RE w obwodzie ujemnego
zwrotnego i kaskodowe T7 , T 8 . Przy odpowiednim zaprojektowa-
niu pasma 100 MHz. Z tego
+ + +
uwr,
i
1
dla Usr = l V I
ku = - gm/Re liR2)
dla Usr = - 1 V 2
gm/= gm/(1+ gmR,i)
Rys. 22.20. Multiplekser s:zerokopasmowy

ten nadaje np. do zastosowania w telekomunikacji jako modulator,
demodulator lub detektor fazy, a jako w oscylo-
skopach szerokopasmowych.
scalonymi na podstawie tej zasady i
pasma np. LT I I 93 firmy Linear Technology, OPA
678 firmy Burr Brown, CLC 532 firmy Comlinear lub AD 539 firmy Analog
Devices; AD 630 firmy Analog Devices charakteryzuje do-
22.3. Klucze analogow

e ze wzmacnia
czami
Z kluczy analogowych ze wzmacniaczami operacyjnymi

wiele ciekawych Same klucze w dalszym
przedstawia ne w sposób symboliczny. Do realizacji praktycznej najlepiej nada-
klucze CMOS (tabl. 22.1).
22.3.1. Klucze analogowe do
W na rys. 22.21 wzmacniacz operacyjny pracuje jako wzmacniacz

(inverting amplifier). klucz jest otwarty, to na nim
jest ograniczone przez diody D 1 i D 2 do ok. ± 0,7 V. Gdy klucz jest
oba jego zaciski na potencja le masy,
z wzmacniacza. pracuje wtedy jako wzmac-
niacz a diody nie na jego prak-
tycznie nie ma na nich spadku Wzmocnienie regulo-
za R 1 i R2 tak, by nawet przy
wych wzmacniacz operacyjny nie przesterowany.
Rys. 22.21. Rys. 22.22.

przy klucza z
,.,.,•,•,•,•,•,•,·
.·········-·.-...-.....w.-.,,.,_.,,..._,..
..........................
..,.,,. ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•
,·,················· .................
· ············......... _=
.......,..................
....................... .........,.,.,.,•,•,•,•,•,
•,•
,•,•,•,•,•.-.•.•
.........
.....
.....
..........
,................
...- ...........
........
przedstawiono na
rys. 22.22. W zaznaczonym na rysunku klucza wzmacniacz pracuje
jako wzmacniacz Korzystne jest jednak to, klucz znaj-
duje w zwrotnego, wskutek czego jego rezystancja w stanie
nie na wzmocnienie. Potrzebny jest jednak do tego klucz,
którego zakres pracy jest równy zakresowi wysterowania
wzmacniacza operacyjnego. Po klucza jest
przez rezystor R 2 z wzmacniacza, czyli znajduje na
potencjale równym zeru.
22.3.2. Wzmacniacz
o wzmocnieniu
W z rys. 22.23 wzmocnienie wzmacniacza
za multipleksera analogowego. od tego, który
z kluczy multipleksera jest przez odpowiedni dobór rezystancji
dzielnika dowolne wzmocnienia
ku~ 1. Szczególnie jest w tym fakt, klucze multiplek-
sera analogowego czemu ich rezystancja w stanie
nie na
"•l>--K
-+-
[--<~ ~ >- -+-
1 Up
uwE, gdy klucz w górnym

Uwe ={ - uwE, gdy klucz w dolnym
Rys. 22.23. Wzmacniacz Rys. 22.24. Wzmacniacz

o wzmocnieniu
W z rys. 22.24 klucz K znaku wzmocnienia.

Gdy klucz jest w dolnym pracuje jako wzmacniacz odwraca-
o wzmocnieniu ku= -1. Gdy klucz jest w górnym mamy
up = uN. Wskutek tego przyjmuje nie wy-
spadek na rezystorze R 1 , czyli Uwy = uwE· Wzmac-
niacz pracuje jako wzmacniacz ten jest bardzo
do wzmacniacza o dodatnim i ujemnym wzmocnienia
z rys. 12.5.
22.3. KLUCZE ANALOGOWE ZE WZMACNIACZAMI 761

22.4.1.Podstawowe
(sample and hold circuit)

w sta nie powinno W tym stanie ten
zacho wuje jak analo gowy. W stanie
nie po winno jednak do zera, lecz powinno równe
w chwili Ze na te
(track and hold
circuits) .
Rys. 22.25. Podstaw owy
Zas adn iczy schemat jest przedstawio-

ny na rys . 22.25. elementem jest kondensator
C. Gdy klucz K jest wówczas konden sator j~st do na-
Aby nie to wej-
stosuje N a rysunku 22.25 re-
alizowano go za wtórnika W0 1 . Musi on
szybkie konden-
satora klucz K jest otwarty, to na kondensatorze
C powi nno jak bez zmian. Dlatego za kondensatorem jest
wtó rnik Oprócz tego
musi w stanie a kondensator - wy-
sokiej Porównanie zmian na kondensator ze w idealnym
dzie i w rzeczywistym przedstawiono na
rys . 22.26. Po klucza K nie natychmiast
lecz naras ta z przez ma-
zmian na (siew rate). Ogranicza przede
wszystkim m aksymalny wtórnika Potem na-
stan nieustalony, którego czas trwania od wprowa-
dzaneg o przez wtórnik i od rezystancji klucza w stanie Jako czas
akw izycji tA (acquisition time) definiuje czas, który od chwili po-
ja wienia klucz do chwili, kiedy
z
kondensatora od rezy-
stancji klucza w stan ie R 0 N , to czas akwizycji na
==w,.·.wu.·.····································,w·==== = h,wwwwww=~=w.w.w.wm
.w.w.w.·.·.v.·.········ ...,........,,.•••••w °' ••••~ -==wwwwwwwww- - ·

podstawie przebiegu RC i wymaganej ustala-
nia. Otrzymuje wtedy
4,6 przy 1%
tA = RoNC. {
6,9 przy 0,1%
Jest on tym krótszy, im mniejsza jest C.
D,1%
BOdB
Piedesta! Zwi s
10mV 30mV/s
Czasakwizycji
4 s
zmian
sygna[una Czas ustalania 0,6JJ,s
5Vj)LS
Rys. 22.26. Definicje parametrów podano dane

typowe LF 398 z kondensatorem l nF. Czas trwania fazy musi co
najmniej równy czasowi akwizycji
Na fazy od chwili pojawienia

cego klucz do chwili jego otwarcia pewien czas. Czas ten nosi
czasu apertury t» (aperture delay). nie ma on war-
lecz ulega wahaniom, od
Wahania te apertury d i-» (aperturejitter). Po
tego czasu nie ma jeszcze zapa-
lecz niewielki skok Lluwy zwany piedes-
(hold step), z po nim stanem nieustalonym . Bierze on
przy pewien niewielki jest przeka zywany przez
klucza Cx z obwodu do kondensatora
C. przy tym skok wynosi
gdzie LiU8 jest to jest tym

mniejsze, im wybierzemy C.
22.4. 763
Kolejnym parametrem jest przenik (feedthrough). Wynika on
mimo otwartego klucza na Zja-
wisko to jest przez dzielnik utwo-
rzony z otwartego klucza i kondensatora
parametrem w stanie jest spadek na
kondensatorze zwany zwisem (droop). on od
wtórnika oraz klucza. Przy
dzie IL otrzymuje
W celu minimalizacji jako W0 2 stosuje wzmacniacz

z na tranzystorach polowych.
Nietrudno wszystkie parametry w stanie
tym lepsze, im jest C, natomiast przy C powinno
jak najmniejsze. Dlatego - w od zastosowania - musimy
na kompromis. W dotychczasowych
kondensator ma idealne konden-
satory o praktycznie pomijalnie samoistnego.
Mimo to w stanie zmiana
magazynowaniem w dielektryku . Zjawisko to schemat za-
kondensatora pokazany na rys. 22.27. Kondensator C1 reprezentuje
zmagazynowany w dielektryku . Przy skokowej zmianie
dunek ten nie ulega zmianie; dopiero
z czasu. okres próbkowania jest krótki, to potrzebny do
tego jest pobierany z kondensatora C podczas fazy
Przy skoku o U otrzymuje wskutek tego
tiu= cl u
. C
Przy parametrach takich, jak podane na rys. 22.27, stanowi to 0,6%. Stosunek
C1/C od rodzaju dielektryka. Dobre pod tym
teflon, polistyren i polipropylen, natomiast my-
laru i dielektryków ceramicznych nie dobre [22.4).
1GQ
~' "'
Rys. 22.27. Schemat kondensatora (parametry podane na rys. kondensatora
I µF z dielektrykiem mylarowym)

22.4.2.Realizacja
praktyczna
Najszybsze (jak np.
HTS 0010 firmy Analog Devices) zgodnie z na
rys. 22.25, przy zastosowaniu klucza diodowego z rys. 22.10 i wtórników na-
(p. 16.6.1). w
z ujemnym zwrotnym przetwornik, przedsta-
wionym na rys. 22.28. Gdy klucz jest wówczas u 1 na wyj-
wzmacniacza operacyjnego WO1 przyjmuje Uwy = uwE·
temu zostaje wyeliminowany przez
wzmacniacz W0 2 lub klucz. W tym stanie pracy diody D 2 i D 3 nie
na nich niewielki spadek u 1 - uwr, równy
ciu Po otwarciu klucza pozostaje
Rezystor R 2 i diody D 2 , D 3 przesterowaniu wzmacniacza WO 1
w tym stanie pracy. Ma to istotne znaczenie, po przesterowaniu
czas ustalania, a tym samym zostaje czas akwizy-
cji. tej zasady pracuje LF 398. 'Ze na jest on
do uni-
wersalnych.
o-----, + Ut
Uwf t W01 U.w

r
l_ .l
Rys. 22.28. z ujemnym zwrotnym z na
z integratorem
Zamiast uziemionego kondensatora z wtórnikiem jako
analogowy integrator.
przedstawiono na rys. 22.29. Klucz szeregowy jest wtedy do
wzmacniacza, czemu go
Rz
04
uwv
l_
Rys. 22.29. z integratorem jako
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.w"" '-- == ··, .w .·.wh==---..,,.,, ,.,.,..., ,. ., ,...,,.., ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,•,v ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w.w·=~----
22,4. 765
Gdy klucz jest wówczas ze na ujemne zwro-
tne w przyjmuje uwy =
= - uwER 2 /R 1 • Wzmacniacz W0 1 , podobnie jak w poprzednim
skraca czas akwizycji i eliminuje wzmacniacza
z tran zystorami polowymi W0 2 •
Gdy klucz jest otwarty , wówczas kondensato ra jest
równy zeru, a pozostaje Nie wówczas
nie zwrotne natomiast diody D 1 ... D4 na-
wzmacniacza W0 1 do ok . ± 1,2 V. Zapobiega to jego prze-
sterowaniu. W szybkich wzmacniacz
WO1 nie
Tablica 22.3. Typowe dane scalonych

Typ Pro du cent Czas Zwis Technologi a
kond ensa- akwi zycji nara sta nia,
tora [bity) maks.
[V/µs)
LF 398 wielu IO nF 20 µs 10 0,5 3 mV/ s Bifet

LF 398 wielu 1 nF 4 µs IO 5 '30mV/s Bifet
HA 2425 H arris 1 nF 6 µs 12 5 20 mV/s bipolarna
SMP IO PMI 5nF 5 µs 12 10 5 mV /s bipolarna
AD 585 An al. De v. lOOpf"' 3 µs 12 10 0,1 V/s bipolarna
SH C 5320 Bu rr Brown 100 pF* 1,5 µs 12 45 0,1 V/s bipolarna
SH M 20 Dat el * 1 µs 12 45 0,1 V/s bipolarna
CS 3112 Crystal * 1 µs 12 4 1 mV/s CMOS
CS 314124 Crysta! * 1 µs 12 4 1 mV/s CMOS
AD781 Anal. Dev. * 0,6 µs 12 60 10 mV/s BIMOS
AD 6822 An al. Dev. * 0,6 µs 12 60 10 mV/s BIMOS
AD 6844 Anal. Dev . • 0,6 µs 12 60 10 mV/s BIMOS
HA 5330 Harris 90 pF* 0,5 µs 12 90 10 mV/s bipolarna
AD783 Anal . Dcv. * 0,2 µs 12 50 20 mV/s BIMOS
LF 6197 National 10 pF* 0,2 µs 12 145 0,6 V/s Bifet
AD 9100 Anal. Dev. 22 pF* 16 ns 12 859 1 kV/s bipolarna
MSH 8404 Da tel • 0,8 µs 12 45 1,5 V/s hybrydowa
SHC 702 Burr Brown * 0,5 µs 16 150 0,2 V/s hybrydowa
SP 9760 Sipex * 0,35 µs 16 120 1 V/s hybrydowa
SHC 803 Burr Br own * 0,25 µs 12 160 0,5 V/s hybrydowa
SHC49 Dat el • 0,16 µs 12 300 0,5 V/s hybrydowa
HS 9730 Sipex • 0,12 µs 12 200 50 V/s hybrydowa
SHM4 3 Datel • 35 ns 12 250 1 V/s hybrydow a
CLC 942 Comlinear * 25 ns 12 300 20 V/s hybrydowa
SH C 601 Burr Br own * 12 ns 10 350 20 V/s hybr ydowa .
HT S 0010 Anal . De v. • 10 ns 8 300 50 V/s hybrydowa
CLC 940 Comlinear * 10 DS 8 500 20 V/s hybrydowa
* Z kondensatorem
2
Podwójny
4
Poczwórn y
766 22. KLlJCZE ANALOGOWE

odpowiada wówczas integratorowi z rys. 12.9. tej zasady
pracuje HTC 0300 firmy Analog Devices. Naj-
polem
przetwarzania A/C. Jak w tablicach 21.21, 23.3 i 23.4, dla prawie wszyst-
kich przetworniki A/C z wbudowanymi prób-
takie cechuje zwarta budowa, dopasowa-
ne do siebie parametry obu oraz korzystna cena.
w tablicy 22.3 na dwie grupy:
monolityczne i hybrydowe. hybrydowe pod tylko
wtedy, kiedy nam na one wielokrotnie
z przetwornikami A/C
realizuje przetwornik A/C z wbudowanym
tzw. przetwornik A/C (sampling ADC).
takich przetworników podano w tablicy 21.21.
''''',:,:,:, •,
123 I
!l,,,.,.,,
,m;...'**'"'#f@::::::,,.)
;:i:f
,n,}·%fr'·-8:·'·'
··:A>
····
·'''·'·
·}l?I'·:·:·
C/A i A/C
Przetworniki
····
'·''''·'''''''···.:.::,.,,.,
.-:::,r.:,ww,?:!z.@:,,~.,
.,.•.
,.,.,
.•.
,.,.•.•.
,.•,•.•
.•.
,,,,&··=MMi%1Mi>·"''
''·"·'·
':'·'='···,.,.,
.·.M-,,
Prztworniki analogowo-cyfrowe (A/C, analog to digital converter, ADC) umo-

przedstawienie analog owego w postac i liczby L
gdzie ULsBjest najmniej bitowi (least

significant bit, LSB), czyli L = 1.
W celu odwrotnego: liczby na stosuje przetwo-
rniki cyfrowo -analogowe (CfA, digital analog to converter, DAC). Ich
jest proporcjonaln e do wprowadzo nej liczby zgodnie z
·;~;~;r:=:=::::
::::::=:=:~
=~:s~.r.@=:~=·
::::::::::::::::::::::::::::::::::::
:::::::::,:
::::
::::::::::::::::::
::::=====
::=
===
====
=======:=
=====
===:=•
=======
:~:=~:=:~
=~:~/:•
=~f~ttt~~~~~~m~~~~t~t~t~~~~t
~rr ~tr
··'·''23 1 Podstawyprzetwarzania
C/ A ···························-i:-:::.. ,,,,,,,,,,
,.,,,..,
Zada niem przetwornika C/A jest przetworzenie liczby na wy-
trzy zasadniczo metody przetwarzania: -
-
-
- zliczania.
Metody te przedstawiono na rys. 23.1. W metodzie równoleg-
(rys. 23.la) dzielnik dostarcza wszystkich a de-
koder 1 z n powoduje tego klucza, któremu odpowiada
W metod zie wagowej (rys. 23.1b) bitowi jest

jeden klucz. jest sumowane za rezystorów o od-
powiednich wagach . Metoda zliczania (rys. 23.lc) wymaga zastosowania tylko
jednego klucza, który jest okresowo otwierany i zamyka ny . Impulsy
-wN.wc ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•-.,=--- ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w•=www~www~=·
768 23. PRZETWORNIKI C/A I A/C

kondensatora do proporcjonalnego do liczby
klucza lub impulsu.
Porównanie tych trzech metod wskazuje, metoda wymaga
Lmax kluczy, metoda wagowa - Iog 2 Lmax kluczy, a metoda zliczania - tylko
jednego klucza. Ze na kluczy metoda jest sto-
sowana rzadko. Coraz znaczenie zdobywa metoda zliczania,
modulator impulsów jest cyfrowym sca-
pracuje z znacznie od wymaganej
próbkowania (z tzw. próbkowaniem nadmiarowym , oversampfing),
upraszcza temu wymagany filtr dolnoprzepustowy.
a) JREF
K4
b)
R juwyUREF
.1
R c)
R
4R
Rys. 23.1. Metoda pr zetwarzania cyfrowo-analogowego: a) metoda b) metoda wagowa

c) metoda zliczania
znaczenie przetworniki C/A metody

wagowej. W dalszym opisane
w których wykorzystano Klucze realizowane dwoma sposobami:
w CMOS stosowane przedstawione na rys. 22.7 bramki trans-
misyjne, a w bipolarnych stosuje o
za diod lub wzmacniaczy (por. rys. 22.18).
23.2. PrzetwornikiCfA w technolo

gii CMOS
23.2.1. Sumowani
e
Prosty na proporcjonalne do niej na-
jest przedstawiony na rys. 23.2. Rezystancje dobrane tak, przy
kluczu wadze danej pozycji. Klucze
•......·.wuu~wu .......w.,=·=- - --w...-,.•.•.ssssss".•.w .wuu .·,.w.·,m.wu _______ w.•.•.•.•.wa.•.w.•.·.·.•.•.·m.·.····
···············
·•······v.w.w.·mu.w.····
··w···················
23.2. PRZETWORNIKI C/A W TECHNOLOGII CMOS 769
zawsze wówczas, gdy na danej pozycji jedynka
logiczna. wzmacniacza operacyjnego ujemnym
zwrotnym za rezystancji RF, jest zawsze na poten -
cjale równym zeru .
L URBF L
Uwy =- URP.P
l6 ; l = ----
R 16
Rys. 23..2. Zasada przetwornika C/A
sumowa ne, nie na siebie wzajemnie .

Gdy jest klucz sterowany / 0 , wówczas
wynosi
W ogólnym przypadku mamy
Wynika
(23.l)
23.2.2.Przetwornik
C/A z zestykami
opisanego przetwornika C/A jest to, na kluczach
wahaniom: od UREF (gdy klucze otwarte) do O (gdy
Dlatego przy
cze klucza . Wa dy tej zestyki (klucze) poka-
zane na rys. 23.3, które wzmac-
niacza a temu przez rezystor ma
Wynika kolejna odniesienia jest
- .,.,..
..,..,....,_._.....,,..,.,..., ,,,.,,,,,,.,...,.,,.,,,.,,,_____ ----,.....,.,.,.,.,.,., ,.,.,.,
.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,.,.,.,.,.,
...,.,.,.,.,.,.,....,=====,,.,,..-.=··r.- ...-.-.-.-
.............
,.,,._

Jego rezystancja nie musi - jak w poprzednim
- równa zeru . Rezystancja sieci rezystancyjnej, a tym samym
rezystancja wynosi w tym
16
rwE = 2R li4R li 8R li 16R = l5 R
MS8 LSB I
UREI' L
l=- - - --
R L,...x+l
Rys. 23.3. Przetwornik C/A z zestykami
23.2.3.Drabinkowa rezystancyjoa
Przy produkcji scalonych przetworników CJAwykonanie rezystorów o silnie
i tolerancji znaczne Dla-
tego wagi stopni realizuje za wielokrotnego
cia w drabince rezystancyjnej przedstawionej na rys. 23.4. Podstawowym ele-
mentem takiej drabinki jest dzielnik pokazany na rys. 23.5,
który powinien go rezystan-
RP, to jego rezystancja r we powinna RP.
1
UREF R au11EF
uw
f- 2R llp=2R
[3 lo
I'
MS8 LSB I
Rys. 23.4. Przetwornik C/A z stosowany w technice

CMOS
,~ .-.-.-.-.=-._ ,.,.,.,.,.._
.. ., .. ,...,...,.,...,.,,,,,,,•,•n •,•, ,•,•,•,•,•,-,•, ,,.,,,,,.,,•....,.,.,,,..•.•.,.•.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,,,,,,,,.,,,,,,,,,.,,•.•,•,•,•.·············.-,•,•,•,-.........~-. •. w .-.-.-=~..,. w.,;....,...,..,._•,•
.-.·.········-.v··.-~
23.2. PRZ ETWORNIKI C/A W TECHNOLOG II CMOS 771

dzielnika a= U2/U 1 powinno przy tym Z tych
dwu warunków otrzymuje projektowe
R = (l -a)2
I a,
R
q
R = (I - a) R (23.2)
p (t, q
W przypadku kodu dwójkowego a= 0,5. = 2R, to otrzyma-

my zgodnie z rys. 23.4
R p =2R (23.3)
odniesienia jest
'we=2Rll2R =R
sumatora
u,f
l_
Rys. 23.5. Budowa ogniwa drabinki rezystancyjn ej
W przetworniku C/A z rys. 23.4 potrzebne tylko rezystory o

R, 2R szeregowo rezystorami R. Dla-
tego nadaje dobrze do wykonania w postaci monolitycznego
scalonego. przy tym wymagane tolerancje par rezysto-
rów. rezystancji nie jednak
wskutek czego tolerancje do ± 50%. I i /'
w szerokich granicach. Aby mimo to
o tolerancjach, scala rezystor zwrotnego RF.
temu w równaniu (23.4) na upraszcza
R . Z tego przy przetwarzaniu na
zawsze - nigdy - rezystor ujemnego
nia zwrotnego.
23.2.4.Odwrotne drabinki
rezystancyjnej
Niekiedy drabinka rezystancyjna pracuje z zamienionymi i
jak na rys. 23.6, wtedy do sumowania nie jest potrzebny wzmac-

oiacz. Musimy jednak pod wymienione wady w postaci
go skoku na kluczach i nierównomiernego
odniesienia.
twr
LSB
Rys. 23.6. Odwrotne drabinki rezystancyjnej. stosowany w przetwornikach

z
W celu obliczenia jest potrzebny

podawanymi na Ui a u;.
Skorzystamy z zasady superpozycji, tzn. wszystkie podawane na -
oprócz Ui, równe zeru i dodamy poszczególne
zamkniemy z lewej i prawej stro ny Ri = RP = 2R, to,
zgodnie z otrzymamy w po prawej i lewej stronie
RP = 2R. Il.U; = I / 3/l.U; i po do-
daniu odpowiednio otrzymamy
(23.5)
rezystancja tej sieci, od nastawionej liczby,

ma
r we = RP li Rq = (1 - a) Rq = R (23.6)
wagi zachowa ne wtedy, kiedy rezystancja RL nie
ma uprzednio RP = 2R. Ze schematu na
rys. 23.7 za równania (23.5)
biegu i zwarcia
I - UREF - UREF L (23.7)

WYz - R 16 - R Lmax+ 1
....,..........,.............
..... .............
..... ....,.,.•.,.,.,., ..,.,,,,,,,,,,,,,,,. ,....,.,','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•
........... •'•'•'•'•'•'•'·'·'·'-'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•""' '"" ..
.....................................................
...........
....
,.,•,•,•,•,•,•,•,•,..
.,.,.,.,.............................
.........
23.2. PRZETWORNIKI C/A W TECHNO LOGII CMOS 773
Rys. 23.7. Schemat do obliczania biegu i zwarcia
23.2.5. rezystancyjna do dekad
z rys. 23 .4 dowolnie w celu przetwa-

rzania liczb dwójkowych . Przy przetwarzaniu liczb BCD
modyfikuje w sposób przedstawiony na rys. 23.8. Dla pozycji dzie-
stosuje czterobitowy przetwornik C/A wg rys. 24.3 lub 24.4 i
je poszczególnymi stopniami
a = 1/ 10. W równaniu (23.2) musimy za
r we przetwornika C/A jednego stopnia i otrzymujemy rezystorów
R 1 = 8, lr we i rezystor RP = 9rwe, jak pokazano na
rys. 23.8. temu poszczególnych przetworników C/A
o I O i np . przy czterech dekadach otrzymuje
UREF ( 1 1 1 )
Uwr = - 16 L3 + 1oL 2 + 100 L1 + 1000 Lo
w dekadzie zastosujemy z rys. 23.4.
Rys. 23.8. rezystancyjna . do dekad
~·
:::·:·
:·:·Wrn1 ':':':·:·:·:·:··:·:·:·:·:··.:r-r~~
lfi'VN '•':':': ~-...}*.;Z~~w ...r..-::.-:.t
·......·;·:;:;:·:::::::::::·:::·:·:::::::::;:
;:;:::
i~23.3. Przetworniki C/A w technologiibipolarne

· ,.
..~r,~~x :::~~~,w:?.!:"''
.tt .:.:,:,:~J:
.:.:·:·
'.•:
·'.:
.
W przetwornikach C/A w technologii bipo larnej w prosty sposób reali-

poszczególnych wyj-
przedstawiono na rys. 23.9. wagi odpowiada-
.-.,,,,.,......,,
,.,..,-= M'M'r.vr.·.-.-.•.-
...,.,•••
_._.
,..•.•.•.,.,.,_..,
...,...,.,...,.,
.,,.,.,,.,,.,,.,
.,,...-.._....,.,
•,•,•.,._.
.www= .,.,.,.,.,,
•.,.,,,.,._.
,.,•,•
,•,•,
•.•,•,•.•,,
,.• ....-.••-.••·.-,.•~

pozycji. od tego czy pozycja dwójkowa jest
czy zerem, odpowiedni do lub jest kierowany do masy.
Przewód zbiorczy I nie musi bezwarunkowo na potencjale
zerowym, dostarczany przez nie od
to tylko w zakresie wysterowania
Z tego tu która
nie musi - tak, jak np. w z rys. 23.4 - do masy
pozornej.
j'
Rys. 23.9. Przetwornik C/ A z
Do wytwarzania o stosuje proste, tran-

zystorowe z rys. 4.31. przy tym wszystkie
baz równe, a wszystkie rezystancje emiterowe do
- UEE, to tych rezystancji w odwrotnym stosunku
pozycji. Nawet w procesie bipolarnym stwarza to problemy
z utrzymaniem tolerancji. Z tego powodu tutaj do
stosuje przedstawiono na rys. 23.10.
Rys. 23.10. Wytwarzanie stosowany w technice bipolarnej
Zespól T 1 ... T 6 ma ten sam baz. wzma-

cniaczowi operacyjnemu przyjmuje on przez tranzystor od-
niesienia T1 !REF= UREF/RREF·Jest tak przy U1 = 2RIREF·
baza-emiter tranzysto rów takie jak tranzystora T1 ,
to otrzymuje podane spadki na rezystorach emiterowych, a tym
samym wagi stopni.
-- = ,...........
......,.,.,., ..,.,,,
,,','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•.... .,..,...,...,..,..
.. .....
.............................................
............
....,.,•,•,•,
•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•
,•,•,-.•,-.-.
.............................
....,.,,
.....
........
23.3. PRZETWORNIK! C/A W TECHNOLOGII BIPOLARNEJ 775
Jednakowych baza-emiter nie jednak nawet wte-
dy, kiedy tranzystory identyczne, nie przez nie równe
Z charakterystyki (4.1) otrzymujemy
Wynika wzrost o 18 mV przy podwojeniu kolektora. Aby

nie to wszystkie tranzystory powinny z rów-
nym kolektora . W tym celu równolegle tyle tranzystorów, by
przez tylko ILSB· W scalonych to
przez stosowanie dla tranzystorów o odpowiednio
powierzchni.
Rezystor 2R z rys. 23.10 nie
z lecz z punktem na potencjale emitera . Do tego celu
tranzystor T 6 nie ponadto innych funkcji. Dla uproszczenia
jego emiter równolegle do T 5 , a zamiast dwu
rezystorów emiterowych jeden rezystor o rezystancji R.
zwarcia (RL = O);

l
iyyy
lwyz = l.v:ss. L = lr,SH. L8
Uwy = lwyz(2R liR,,)
Rys. 23.11. Przetwornik C/A z odwrotnie stosowany

w przetwornikach wizyjn ych
przetwarzania C/A przy zastosowaniu

przedstawiono na rys. 23.11. Wytwarzane tu jednakowe
które po wprowadzeniu odpowiednich wag przez
na odpowiada odwrotnie drabince
rezystancyjnej z rys. 23.6. Rezystory 2R , dra -
binki, tu do masy; szeregowo ze
nie na nie
zmienia drabinki, to - przynajmniej teoretycznie
- ma
, .... .. ,., ,,,,,,,,., ,.,,_..,__ ._._._._

.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,., .,.,.,. ,.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,v.• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.··• ,•.•,•.••• •.•.•.•.,., .,, ,,,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,.,..,,•.•.•.•.•a"
.•.•.•...•••· •·.,,._._....._.....,_~.,,.,...,..,. _._.,.........., ............................
776 23. PRZETWORNIK.I C/A I A/C

.:.:::
..::::~:
:~ ~:.
:_::.:.:::.~:.::..:r:t::m11km::;xc::
:;_~:;:: :c.::.:.:.:.:.:.:.::.::.:.:.:.:.:.:.:.:.:.:.~:.:.:.:;.:.:.:.:.:.:.:.:;>:::
:.::::::_:: :_::m·
·,sm~i,11.;rn,
1
J!!1i 23.4. Przetworniki
C/A do specja
.....·.:~::::~~
~~~~h&>>4}t1~
::::::::\:::
::::::::::::::::::::
::::::::t
.::::::::=;:
::::::::.::::::~~~\d*1'::z;:;~::::
::::;
...::::::::::::~~~=r~~
==
~-:::::::
:::::::::::::
.:.:.:.:;::u.:::::..\~_-
:::·.::)··
23.4.1.Przetwarzanie
liczbze znakiem
Przy opisie przetworników C/A dotychczas, mamy do czynie-
nia z liczbami dodatnimi , które przetwarzane na dodatnie (lub, w
od na ujemne) Obecnie zbadamy, w jaki sposób za
opisanych przetworników C/A obu
znaków. sposobem przedstawiania liczb dwójkowych o dowol-
nym znaku jest zapis zwany do dwóch (patrz p. 19.1.3). do
dyspozycji osiem bitów, w ten sposób liczby z zakresu
-128 ... + 127; pokazano to jeszcze raz na rys. 23.12. W celu wprowadzenia
liczby do przetwornika C/A zakres liczbowy przez dodanie
128, zakres O ... 255. Liczby od 128 wówczas
jako dodatnie, a liczby mniejsze od 128 jako ujemne. zakresu, 128,
oznacza zero. Taki sposób przedstawiania liczb ze znakiem, za po-
liczb dodatnich, nosi kodu dwójkowego (offset bina-
ry). Dodanie 128 w bardzo prosty sposób przez zanegowanie
bitu znaku, jak to na rys. 23.12 . Aby z
znakiem, likwiduje doda ne przez po stronie
analogowej 128 ULsB = U REF/2. Do tego celu sumator W0 2 na
rys. 23.13. Na jego otrzymujemy
1 L + 128 1 L
Uwy = -Ui - UREF = UREF -
2 UREF = UREF (23.8)
2 256 256
do dwóch Dwójkowyz Analogowo

, l5 ls /4 IJ lz ,, lo t, ls 15 l4 /J Iz 1, Io U1/Uuo uwr/ULSB
127o 1 1 1 1 1 I 1 1 1 1 I 1 1 1 1 -255 127

126o1 1 1 1 1 1 o 1 1 1 1 1 f 1 o - 254 126
1 oo o o 1 oo o 1 o o oooo 1 -12 9 I
o oo o o o o o o I oo oo oo o - 128 o
- 1 1 1 1 I f 1 1 f of 1 f 1 1 1 1 -127 -1
- 127 1 o o o ooo 1 ooo o ooo 1 -1 -127
-128 1 o o o oo oo ooo oo oo o -o -128
Rys. 23.12. Przedstawienie liczb ujemnych w przetwornikach C/A
i U1 podano na rys. 23.12. Sta-

zera z rys. 23.13 do odejmowania przesu-
wykorzysta nie odniesienia, lecz komplemen-
A"== ,w•········
·•wmA"'=~v=,w·· ····•············
··········
·······'•'•'•·····
·············
········.............w,.,•.•···················
·····•V•""""'"' •.v=~- ==• ,vm=--~ ·
23.4. PRZETWORNIKI C/A DO SPECJALNYCH 777
tamy I'. Przy cyfrze zero w kodzie do dwóch,
która odpowiada liczbie dwójkowej o 128, mamy bowiem
I= 128/LSB J' = 127 JLSB
do I' dodamy ILSB i odejmiemy od I, to otrzymamy

zero. przedstawiono na rys. 23.14. Wzmacniacz opera-
cyjny WO 1 przetwarza - jak dotychczas - I na Aby
nie przy tym jest on przetwornika ujem-
nym zwrotnym za rezystora RF. Wzmacniacz operacyjny
W0 2 powoduje znaku I' i doda nie tego do
go WO 1 . obu rezystorów R 1 jest przy tym dowolna;
one tylko sobie równe. Rezystor R 2 powoduje dodanie ILSB ·
I LsB = URE F/(256R), otrzymamy
I
PrzetwornikCjA
l7 Le L5 l4 L3 L2 L1 lo
L
uwr = UREF-- dla -128 L 127
256
Rys. 23.13. Pr zetwornik C/A z dla dodatn ich i ujemnych
Przetwornik
C/A I WOz
Uwy
j_
[7 Ls l5 L4 [3 l2 L1 Lo
L
uwr=UREP dla -I28~L ~l27
128
Rys. 23.14. Przetwornik C/A z dla dodatnich i ujemnych i ~ra
............,...,..,......,.,...,..
................................,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,....................................
.. ...................... .,..,-~= .,,•.,,•,,,•,•,
•,•,•,•.-,•,•,•,•,•,•....,.....................,..,...,......"""' ,-- -
778 23, PRZETWORNIKI C/A I A/C

W celu obliczenia wystarczy
do wzmacniacza W0 1 . Otrzymuje wtedy
Uwy -
_R[ UREF
R
. L + 128
256
- UREF
R
. 255 - (L
256
+ 128) _ UREF
R
• _ l_ J
256
=
"----.,------) "-----.,--1
I I'
(23.9)
23.4.2. przetworniki
C/A
Jak przetworniki C/A które
jest proporcjonalne do wprowadzonej liczby i odniesienia UREF, two-
iloczyn L · UREF· Z tego powodu przetworniki, w których jest
liwa zmiana odniesienia, przetwor-
ników C/A.
W przetwo rnikach wykonanych odniesie-
nia tylko dodatnie, w przeciwnym przy-
padku nie z rys. 23.10. W przetwornikach
CMOS natomiast dopuszczalne zarówno dodatnie, jak i ujemne
odniesienia. przy tym zastosujemy takie jak na rys. 23.13 i 23.14,
które przetwarzanie dodatnich i ujemnych liczb z zna-
kiem, mówimy o
24.4.3. przetworniki
C/A
Przetwornik C/A w taki sposób, wykonuje dzielenie
przez W tym celu go w ujemnego
nia zwrotnego wzmacniacza operacyjnego w sposób pokazany na rys. 23.15.
R Lmax+ I
UREF Uwy = -U wE - .
ln Rp L
przetwornik I
l1
Lo C/A juwr
RF=/? j_
Rys. 23.15. przetwornik C/A

_.,.,..-,_.,.,w,w.w-- ---= ·=-w,__ .." ....w_w,un=wwww==wwwA w ,,-mm,••,• .•.-.•.•.•.•... .•.w .o,•.•.•.•.•.•... .,.,.-.-.•.•.-.-.•.•.-.-.•.-.-.-.-.
•.w.w---.
23.4. PRZETWORNII<J C/A DO SPECJALNYCH 779

Wskutek tego odniesienia UREF przyjmuje I=
= -uwEIRF . równanie przetwornika
L
1= UREF L I
max+
otrzymujemy na
(23.10)
Za tej prostej wykonywania dzielenia

dzielenia analogowego lub cyfrowego, które w przypadku
zawsze skomplikowane.
C/Ajakogenerator
23.4.4.Przetwornik funkcji funkcyjny)
W przetworniku C/A Uwy jest proporcjonalne do
wprowadzonej liczby L: Uwy = aL. zamiast tego zrealizo-
Uwy = f(L), to najpierw
X= f(L) za cyfrowego generatora funkcji (patrz p. 19.7) i
X na przetwornik C/A. Przy mniejszych wymaganiach
cych istnieje jednak znacznie prostsza sterowanie
multipleksera analogowego L. Na jego podaje
takie analogowe, które danej liczbie dwójko-
wej. Dla analogowej jest potrzebny jeden klucz, co ogra-
nicza do ok. 16 poziomów. Jedna z realiza-
cji jest przedstawiona na rys. 23.16 . Inaczej w przetwornikach
C/A, z kluczy K 0 ... K7 zawsze jest tylko jeden . Wówczas
dla L= 0 ... 3
dla L=4 ... ?
Zasada ta jest wykorzystywana w cyfrowym wytwarzaniu sinusoi -

dalnych (np . w modemach) . Za dzielników
w prosty sposób drgania o wykorzys -
zegarowy. Uzyskane w ten sposób
ny. z nich przebiegi sinusoidalne, drgania
----·· ·······
·········
---
o podstawowej za filtru dolno- lub pasmowoprze-
pustowego. Fi ltry te jednak dostrojone do odpowiedniej
Rys. 23.16. Przetwornik C/A z dowolnymi wagami
Opisany przetwornik C/A wytwarzanie sinusoidalnych

w sposób od Zgodnie z rys. 23.17 cyfrowym syg-
jest liczb i w jednakowych od-
czasu. ten odpowiada przy
wytwarzaniu sinusoidalnych za analogowego generatora funk-
cji, który w p. 12.7.4.
Rys. 23.17. Aproksymacja przebiegu sinusoidalnego za szesnastu schodków
wybierzemy zapis liczb w systemie to liczb o wy-

maganych w prosty sposób za pra-
cyklicznie licznika dwójkowego [23.l]: najstarszy bit stanowi znak. Za
dwu najstars zych bitów kierunek zliczania dla
bitów, odpowiednie za bramek EXOR. Bity te re-
Przy zastosowaniu czterobitowego licznika dwójkowego
otrzymuje na rys. 23.18. w ten sposób
liczb podano na rys. 23.19. Trzyb itowa liczba na multipleksera
23.4. PRZETWORNIKI C/A DO SPECJALNYC H 781

analogowego powoduje wybranie czterech dodatnich (schodków) +O,
1, 2, 3 i czterech ujemnych - 0, -1 , -2 , -3 funkcji sinus. Po roz-
tych w sposób pokazany na rys. 23.19, otrzymuje
funkcji podane na rys. 23.19, a tym samym odpowiednie rezystancji.
W przypadku wybranej, zgrubnej kwantyzacji wystarcza za-
stosowanie znormalizowanej w przebie-
gu sinusoidalnym dwukrotnie, uzyskuje
na 16 (schodków). Zgodnie z tym f WE licz-
nika musi równa 16-krotnej przebiegu sinusoidalnego.
+5V 2 V sm2n
. fwe
uWY = -- t
16
'.Q
fw '""'
l(') :g "'
.....
O")
"' ,- 1~- . I
I
I I
S5 Voo
Multiplekser
analogowq
[4] np.CD1051 Uss
tuwy
[8] S2 S1 So uEE
1
.....
"'
..,..., "'
:g "'
'""'
o,
"'
<::,
- 5V
Rys. 23.18. do generacji przebiegu sinusoidalnego
L licznika
multipleksera Numer
klucz schodka Uwr/Uwym
13 Iz 1, Io 22 21 20
o o o o o o o o Ko +o 0,20
1 o o o 1 o o 1 K1 +1 0,56
2 o o 1 o o 1 o Kz +2 0,83
o o 1 1
3
4 o
o 1 1
1 o o o 1 , K3
Ki
+3
+3
0,98
0,98
5 o 1 o 1 o1 o K2 +2 0,83
6 o 1 1 o o o 1 I<, +1 0,56
7 o 1 1 1 o o o Ko +o 0,20
8 f o oo f o o K4 -o -0. 20
g 1 o o 1 1 o 1 Ks -1 - 0,56
10
11
1
1 o 1 ,
o 1 o 1 1 o
1 1 1
K6
K,
- 2
-3
-0,83
-0,98
12 1 f o o 1 1 1 K7 -J -0,98
1 o 1 o -0,83
-,
13 1 1 1 K6 -2
14 1 1 1 o 1 o
1 Ks -0,56
f5 1 1 1 1 1 oo K4 -o -0.20
Rys. 23.19. Zestawienie liczb oraz
782 23. PRZETWORNIKJ C/A l A/C

23.5. przetworników
C/A
23.5.1.Parametry
statyczne
zera przetwornika C/A przez otwarte
klucze. zakr esu z jednej strony rezystancje kluczy,
a z drugiej stro ny rezystora zwrotnego RF. Oba te
w stopniu przez W
stwie do obu tych przetwornika nie
przez parametrów. mówi, o ile lub mniejszy
od najmniej bitu (LSB) jest w najgorszym przypadku jeden scho-
dek charakterystyki przetwornika. Na rysunku 23.20 pokazano
+ LSB/2. Najbardziej krytyczny jest przy tym zakresu. Za-
1 ma tylko najstarszy bit, wówczas tylko przez
jeden , ostatni klucz. zmniejszymy o jeden, zamiast ostatniego klu-
cza wszystkie poprzednie klucze. Wypadkowy tych kluczy musi
teraz o ILsB mniejszy. natomiast jest
u
ULsB
D Rys. 23.20. Przetwornik C/A z

L ± LSB/2
u
ULsB
7
6
Rys. 23.21. Przetwornik C/A z

D ± l 1/2LSB i z tym
L
........ ~- .....
...,.,.,.,........... -...... ,... ... .........................
............... ....
..... .....,............
..........,....
.........................,.•.,.,.•.•.,.,•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.•,•,-.-.•,•,-.-.•.-.-.......
..............
..........,....., ...............
...
23.5. PRZETWORN1KÓW C/A 783
1 LSB, to przy zmniejszeniu liczby o jeden Tego
rodzaju nosi (rys. 23.21). prze-
tworników C/A jest zaprojektowana tak, by ich nie
± 1/2 LSB, w przeciwnym przypadku bit pozba-
wiony
~23.5.2. Paramet
ry dynamiczne
Czas ustalania jest to czas, który od chwili liczby Ona Lmax
do chwili, gdy z
LSB/2. analogowego wynika z prze-
twornika C/A. LSB/2 jako odniesienia powoduje,
przy tej samej czasowej przetwornik o
dochodzi do stanu ustalonego z LSB/2.
W wielu przetwornikach C/A jest który w ra-
zie potrzeby za wzmacniacza operacyjnego
przetworzony na W tym przypadku czas przetwarzania
jeszcze o czas ustalania na wzmacniacza operacyjnego,
który jest znacznie od czasu ustalania przetwornika C/A.
Aby krótkie czasy ustalania , takie metody, które
zrealizowanie bez stosowania wzmacniacza
operacyjnego. Dlatego w przetwornikach CMOS stosowane tylko drabinki
rezystancyjne z rys. 23.6 w odwrotnym. Wszystkie przetworniki bipo-
larne natomiast na rezystancji
nia. Aby pasma w zakresie MH z najlepiej jest
przetworniki C/A o które uzyskanie
wymaganych amplitud na rezystancjach 50 albo 75 n.
Przy z jednej liczby do drugiej bardzo nieprzy-
jemne, szpilkowe impulsy (glitches). ich nie
na przez klucza na
lecz nierównoczesne kluczy przetwornika C/A. Krytycznym pun-
ktem jest znowu zakresu: najsta rszy bit (MSB) jest to
tylko przez jeden klucz. zmniejszymy o jeden, to klucz
ten zostaje a wszystkie przy tym klucz
MSB otworzy przed to na
przyjmie zeru. natomiast klucz MSB otworzy
nieco za to na krótko przyjmie za-
kresu. W ten sposób impulsy o amplitud zie
równej zakresu. dla przypadku, kiedy klucze
szybciej jest przedstawiony na rys. 23.22.
impulsy typu krótkie, je
za filtru dolnoprzepustowego, ale w ten sposób ich czas
trwania, bowiem energia impulsu jest w tym przypadku
m, ..... ,_.,._.....,...•,,-m~-- ·=~--,=-,--., ...........,.-......,.,.,.,w,·,················w=,==vN .·, .·.·m, .·.w.,w.•~,-- .-.-A. , .....ss"""--
.....,...............................
Impulsy typu glitch próbku -
W czasie trwania impulsu ten w stan
i w ten sposób
zaprojektowane specjalnie do tego celu degliczerów (de-
glitcher).
u
ULSB 7
o
L
Rys. 23.22. dodatnich impulsów typu „glitch" przy zbyt wolnym otwieraniu kluczy
jednak jest przetworniki C/A , w których zjawisko to

nie te z rejestr liczby L wyzwalany
zboczem, który zapewnia, podawane na
wszystkie klucze. Niekiedy dla najstarszych , krytycznych bitów, stosu-
je przetwarzanie które w zasadzie jest wolne od tego rodzaju
[23.2].
W tablicy 23.1 przedstawiono dane typów przetwor-
ników C/A.
Zadanie przetwornika A/C polega na przetworzeniu na

do niego trzy zasadniczo
metody przetwarzania:
- porównania) (flash lub word at a time);

- (kolejnych (successive approximation lub digit at a time);
- zliczania (level at a time).
W metodzie jest porównywane równo -

zn odniesienia. W wyniku otrzymuje dwa od-
niesienia, którymi jest ono zawarte. W ten sposób
otrzymuje w jednym kroku. jest jednak bardzo po -
dla liczby jest potrzebny jeden komparator. Dla zakresu pomia-
rowego od O do 100 i kroku (jednostki kwantyzacji) równego 1 potrzeba
n = 100 komparatorów.
, ...__ ,,, .., ..,-.-..w .•aN.•mN. •...-.W.Wh•= =- ---WWW ___ ,A,M .......... .. . ,•,•,•,•,•,•,•,•,•
.. •.•,••••••.. •••••• .. •,•,•,••
•••••• •,•,•
••••,•
,•,•,•,•
,•,•,•,•,•.•,•,••
23.6. PODSTAWY PRZETWARZANIA A/C 785

Tablica 23.1. Typowe dane przetworników cyfrowo -anaJogowych bez wzmacniaczy
Roz -
dziel- Ka· Pa- Czas Techno-
Typ Producent
ustaJania [bity] logia
[bity]
8 AD 7524* AnalogDev . l X 200 ns sumacyjne 8 CMOS

AD 7524* AnalogDev . 2 X 200 ns sumacyjne 8 CMOS
DAC 8408 AnalogDe v. 4 R 200 ns sumacyjne 8 CMOS
Bt 100 Brooktree 8 X 100 ns sumacyjne 8 CMOS
DA C 830 N ationa l 1 X I µs sumacyjne 8 CMOS
MP 7628 Micro Power 4 R 200 ns sumacyjne 8 CMOS
AM 6080 AMD l X 160 ns 2mA 8 TTL
ZN 559 Plessey l X 800 ns 2,5 V 8 TTL
ZN 508 Plessey 2 X 800 ns 2,5 V 8 TTL
AD 9701 AnalogDev. I X 8 ns 27mA 8 ECL
SDA 8005 Siemens l X 7 ns 40mA 8 ECL
HDAC 51400 SPT I X 4 ns 40mA 8 ECL
SP 98608 Plessey 1 X 2 ns 40mA 8 ECL
12 AD 7545* Analog Dev . I X 250 ns sumacyjn e 12 CMOS
DAC 8043* Analog Dev . 1 X 250 ns sumacyjne 1 CMOS
AD 7547 Analog De v. 2 X 800 ns sumacyjne 12 CMOS
AD 7568 Analog Dev . 8 X 500 ns sumacyjn e I CMOS
DAC 7800 Burr Br own 2 X 800 ns sumac yjn e I CMOS
DAC 7802 Burr Br own 2 X 800 ns sumacyjn e 12 CMOS
MAX 543 Maxwell 1 X 250 ns sumacyjne 1 CMOS
MP 7622 Micro Power 1 X l µs sumacyjne 4/ 12 CMOS
MP 7680 Micro Power 4 X 1 µs sumacyjne 8/ 12 CMOS
DAC 1210 National l X 1 µs sumacyj ne 8/ 12 CMOS
HS 7584 Sipex 4 X 2 µs sumacyj ne 8/ 12 CMOS
AM 6012* AMD I - 75 ns 4mA 12 TTL
AD 565* Analog De v. I - 250 ns 2mA 12 TTL
AD 568 Analog Dev. l - 35 ns lOmA 12 TTL
AD 9713 AnalogDev. l X 15 ns 20mA 12 TTL
AD 9712 AnalogDev. I X 15 ns 20mA 12 ECL
DAC 650 Burr Brown I X 5 ns 20mA 12 E CL
16 AD 1951 Analog De v. 1 X 400 ns ±8mA 1 CMOS

DAC 708 Burr Brown I X 350 ns sumacyjne 8 CMOS
MP 7636 M icro Power 1 X 1 µs sumacyjne 8/ 16 CMOS
SP 9316 Sipex 1 X 3 µs sumacyjne 8/16 CMOS
18 PCM 58 Burr Brown l X 200 ns sumacyjne 1 CMOS
PCM 64 Burr Brown I - 200 ns sumacyjne 18 CMOS
• Inni producenci: Burr Brown, Dale!, Maxim, Micro Power Systems, PMI , Sipex.
R = rejestr ze zwrotn ym odczytem danych. Inne typy w tabl . 21.22 .
•., •., •.•·.w m, .,•.•, ...,.,.•·.,w.,··"'"·'"' ············

································
······················
·············
··········
·········
····••'•""·'·'•"'
·'·'·'·'·'·'·'·······"w···"""""'=""" ·""'°~www-----
W metodzie wagowej w jednym kroku nie uzyskuje wyniku,
lecz tylko liczby dwójkowej. Rozpoczyna przy
tym od pozycji i ustala , czy jest czy
mniejsze od odniesienia pozycji.
jest przyjmuje pozycji
1 i odejmuje odniesienia. porównuje z
itd . Potrzeba tylu kroków , ile pozycji ma liczba i tyle samo
odniesienia.
z metod jest metoda zliczania. Zlicza w niej, ile razy
odniesienia pozycji, by otrzy-
Wynik jest równy liczbie kroków .
reprezentowana liczba wynosi n, to do otrzymania wyniku potrz eba maksy-
malnie n kroków .
20 ~:;:::--.---.-----.--.-----,-- - .,---,- - ---,- ---,

,r ....
{bit)
16l-\- --t- ----' k- --+- --1--= ""-"'= =-J= ---t- Przetworniki -
14 etodazliczania -.,-1--_._, ,__ ,1--.
"'- kaskadowe -
u1----' '-"--1 ----
1
(podwójne Metoda --u-- +l-'
' - -- - -1
12 / wagowa / \
101-----'i-----l-- -.,L--<--- -
'~
Metoda I
6 1-- --1--- --1---1- ---1---+- --1----1 -i-
21- ---1-----1---1-- - -1- --+---l-----l----+-- -l
0'-- _ _,__
__ ,...___-'--__ .,___ __._
__ _,__ --1.__ _,_ _ ___,
1 10 100 1k 10k 100k 1M f[ Hz] 10011
Rys. 23.23. przetwarzania i przetworników A/ C
Do porównania poszczególnych metod , w tabl. 23.2 przedstawiono ich

Na rysunku 23.23 przedstawiono zakresy
i przedstawionym metodom.
Tablica 23.2 . Porówn anie metod przetwarzania A/C
Metoda Liczba Liczba Cechy

krokó w odniesienia szczególne
I n = 2N szybka, rozbud owany
Wagowa N = log 2 n N = log 2 n
Zliczania n= 2N l wolna, prosty ukad
.......
.................
..,,,,.,..,.,
..,..
.............
==- - .......
........
.......
............
......
....,.,•,
•,•,•,•,•,
•,•.
·····.-,·,······...·····._
.........................
...........
....
.....................
.........................
............
...,..............
..........................,..............
.............................
.,..........
23.6. PODSTAWY PRZETW ARZANIA A/C 787
t··:;:·.........
................
«w:2**%m.:,:zz®)'>.;•?
·r r~····
··········
·······
················
·····
······;;
····r········
..::~·:;:··'.
·....
.·::::~~
=-~~,t
•._
I~?,23.7. przetworników
A/
..:
23.7.1. statyczne
Przy przetwarzaniu analogowej na o liczbie bitów

ze na powstaje systematyczny, który
nosi kwantyzacji Zgodnie z rys. 23.24 wynosi on
± ULSn/2,tzn. jest równy zmiany która
je pozycji liczby. otrzymany liczb przetworzymy
za przetwornika C/A z powrotem na kwantyzacji ujaw-
ni w postaci szumu, którego skuteczna wynosi [23.3]
u - ULSB (23.11)
nef- Ju
Przy wysterowaniu przebiegiem sinusoidalnym w przypadku N-bitowe-
go przetwornika skuteczna
Otrzymujemy stosunek do szumu
u
S/N = 20 dB log Use/ = N · 6 dB+ 1,8 dB = N · 6 dB (23.12)
nef
Oprócz systematycznego kwantyzacji lub mniejsze

pochodzenia w idealnej charakterystyce przetwarza-
nia na rys. 23.24 schodków, to otrzymamy o nachyle-
niu 1, przez W rzeczywistym
przetworniku A/C prosta ta nie przechodzi przez O zera), a jej nachylenie
odbiega od wzmocnienia). wzmocnienia dla
zakresu wysterowania od za-
danej, natomiast zera - Oba te
z przez zera i
zakresowi. wtedy tylko (dryftem)
i
poza systematyczny kwantyzacji po-
wstaje zawsze wówczas, gdy schodki nie jednakowo szerokie. W celu
lenia liniowo,fri najpierw regulacji zera oraz wzmocnienia
i od idealnej prostej.
ta, po systematycznego kwantyzacji ULSn/2, stanowi

Podaje go zazwyczaj w postaci jednostki
podstawowej równej najmniej bitowi. W z rys. 23.25
wynosi on ± ULsn/2.
u.wr
{l)
blqd
dodatni
UWE
UwE
Rys. 23.24. Powstawanie szumu kwantyzacji. Rys. 23.25. Charakterystyka przetwarzania

uwy( L) otrz ymuje z przetworzenia przetwor nika A/ C z
C/A liczby L na
przetworn ika A/ C
jest Mówi on, o ile

poszczególnych schodków od zadanej ULSB·
ten jest od Ui sn, to „przeskakiwanie" niektórych cyfr
(missing code). Przy jeszcze liczba L nawet
przy
23.7.2. dynamiczne
dwie dziedziny przetworników A/C: z nich
woltomierze cyfrowe, a - przetwarzanie W woltomierzach
cyfrowych w czasie przetwarzania ma war-
nat omiast przy przetwarzaniu stale
zmienia. Z tego zmiennego, w celu poddania go obróbce cyfrowej,
pobiera w równych czasu próbki za
Przetwornik A/C przetwarza te próbki na liczby. Jak poka -
w p . 24.1 liczb {L} reprezentuje
bez utraty informacji tylko wówczas, gdy jest twierdzenie o prób-
kowaniu . Zgodnie z tym próbkowania fp musi co naj-
mniej dwa razy od maksymalnej Imax· Wynika
.w.·.·················
····•··
wu•-- = =w,-•,-w,··•···•······
•···•···········
·················•·v.v,•.•.•·
··············
·······•···•················w····•" "~ - ··=·=- - -,,, ..,,, ..,,, ,,.wm •,mmww~ w
23.7. PRZETWORNIKÓW A/C 789
wymaganie, by czas przetwarzania przetwornika A/C i czas akwizycji
razem mniejsze 1/(2/max).Aby móc
to wymaganie przy kosztów, ogranicza
pasma do koniecznej W tym celu na
filtr dolnoprzepustowy.
Do oceny wspólnie przetwornika
A/Ci Nie ma np. sensu dwuna-
stobitowego przetwornika A/C z który
w do dyspozycji czasie nie ustalonej z do
1/4096 0,025% zakresu wysterowania. Inny dynamiczny jest spowodowa-
ny chwili pobrania próbki apertury). Czas
apertury tv powoduje pobranie próbki z opó-
Gdy czas apertury jest próbka jest
o ten sam czas . temu jest zapewnione próbkowanie w równych
czasu. jednak czas - jak na rys. 23.26 - zmienia o
apertury 11lv, to powstaje pomiaru, który jest równy
zmianie !iU. W celu obliczenia maksymal nego !iU
jest przebiegiem sinusoidalnym o maksymalnej przewidzianej
nachylenie przy przez zero
- du
d
t
I t= o
= Umwmax
Otrzymujemy amplitudy
ma on mniejszy od jednostki podstawowej ULSB przetwornika A/C,

to otrzymuje warunek na apertury
ULSB
/1tD < =- - --- (23.13)
Uw,
Uwemi- -----------: =---
Rys. 23.26. apertury

~-.·
•••.•.
.,.•..••.v.•,,.,.....-.-.~-....,,.,.,.....,._,.,.,.,.,.._,.,.,,,,,,,,,,.,.... ..,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,.,.,.,., ,,. •,•,,, , ,,,.,., , .. ._,,...,_....,.,
...,,,.,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,. ,.,,.,,,..,.,n_.,....,.._._._.....,._._
,..~-= ..-.·,,..
·= -.v.-......,.,,._,._
790 23. PR ZETWORNIKI C/A I A/C

Przy wielkich warunek ten jest bardzo trudno
jak to na liczbowym: dla przetwornika
ULsBI Umax= 1/255. maksymalna
wynosi 10 MHz, to apertury zgodnie z równaniem (23.13) powinna
mniejsza 125 ps.
;~ei~":.::~$:~~j1'~,?~~.············
·········
··········
·····
·····
··········-·>.·.········w·····
·,·,······•
·Vdk=-·•·•·:-:·:-:·•·•·•:0·•·•·•·•··
·•·•·•···
•······················;;;;;;;;;;;;;;;;;:;:;:;:;:;:··
3.8. Realizacjaprzetworników
A/C ]]!?
@k:§#§@f®f-.:;~f.$:}@;$:;~
M::~::::::::::::::::::::::
::::
:;:::::;;ffilf:•
:•:•
::%::~~~··:•:::;•:
•:•:•
i:•:•:
::••:•:•:
: :;:::;•:tt::~·:;:;:;{t:55:t:~t:
:;:;;;;::;:
;:;:;:\:::;:;:;:
\,?W •.
23.8.1.Metoda porównania)
Na rysunku 23.27 pokazano przetwornika dla liczb
trzybitowych. Liczba trzybitowa liczb
z zerem Przetwornik wymaga zastosowania siedmiu komparato-
L = uwE =1 Uwe =L Uwe

U LSH UREP max U REP
Q X7
Q X5
Q X5
::::,,
li:
Iz
::,,,
Q X4 <..
.~
<..
c:,_
I1
<..
O) Io
Q X3
Q
""'
"'
Q X2
Q x,
1
zULsB - --1
lR
2
Rys. 23.27. przetwornik A/C

.-www== •,•,•,W, ','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•',',',','•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•V•'•
23.8. REALI ZACJA PRZETWORNIKÓW A/C 791

rów. Siedem o odniesienia wytwarza za
dzielnika podamy
w zakresie 5/2 ... 7/2 UisB, to na komparatorów 1 ... 3
otrzymamy 1, a na komparatorów 4 ... 7 -0 . Potrzebny jest teraz
logiczny, który przetworzy te stany komparato rów na 3. Na rysun-
ku 23.28 stanami komparatorów a odpowia-
im liczbami dwójkowymi. Jak z porównania z rys. 9.58, prze-
to za dekodera priorytetowego, który
w p. 9.6.4.
Stanykomparatorów Liczba Liczba

dwójkowa dziesiqtkowa
uw.fl/2.ss k, k5 k5 k4 k3 k2 k1 Iz ,, lo L
o o o o oo oo ooo o
1 o o o oo o 1 oo 1 f
z o o o oo 1 1 o 1 o z
3 o o o of 1 f o 1 1 3
4 o o 1 o 1 1 1 1 o o 4
5 o o
1 1 1 1 1 1 o 1 5
6 o 1 1 1 1 1 1 1 1 o 6
7 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 7
Rys. 23.28. Stany zmiennych w przetworniku A/ C w od
Dekodera priorytetowego nie jednak do

komparatorów. bowiem nie jest to w ko-
dzie dwójkowym liczb. dla
z trzech na cztery, czyli w kodzie dwójkowym z 011 na 100.
z powodu krótszych czasów propagacji pozycja zmieni
od dwu, to pojawi liczba 111, czyli 7.
Odpowiada to równemu zakresu pomiarowego. wy-
nik przetwarzania A/C jest z przechowywany w istnieje pewne
tej
tu np. zapo bieganie zmianom w czasie pomia-
ru za to jednak na
wymaga czasu akwizycji. Poza tym nie gwarantuje to,

stany kompar atorów nie zmianie, szybkie prób-
dryft. Problemów tych jednak
zamiast analogowej (przed komparato rami), war-
(za kompa ratorami). Do tego celu przerzutnik i D wyzwala-
ne zboczem za komparatorem na rys. 23.27. nim, przez
okres przebiegu dekoder priorytetowy otrzymuje usta lony
Opisana zastosowan ia cyfrowego próbku -
·········
·······
·····················w···
·······w ·•wwwww.· ,•,. .w .•.•.•.,.-, .... ...........,.,•,•,•,w ,w,•o ~,o=.w,. ·.,.~= --=
792 23. PR ZETWORNIKI C/A I A/C
jest o szybko-
przetwarzania A/C. Dla kilku megaherców bow~em,
nawet przy nie analogowych
o wymaganej
W cyfrowym pobrania prób-
ki wyznacza zbocze impulsu Jest ona o czas pro-
pagacji komparatora od tego zbocza. czasów propa-
gacji o czasu apertury. Aby
tej niewielkie, czasy propa-
gacji od analogowego do Z tego powodu w
realizacji jest zintegrowany z komparatorem . Poka-
zano to na rysunku 23.29 [23.4]. klucz K jest w lewym to
tranzystory T 1, T 2 jako komparator. Po klucza w pra-
wo komparator T 1 T2 zostaje a zamiast niego zostaje
przerzutnik T 3 T4 . Przerzutnik wtedy stan, jaki na
komparatora w chwili klucza. Nie jest przy tym konieczne, aby
komparator uprzednio przerzutnik jest
zbudowany jako wzmacniacz o przerzucie ró-
mV. W ten sposób apertury do
kilku pikosekund.
Rys. 23.29. komparatora z przerzutnikiem
W tablicy 23.3 zestawiono typów przetworników A/C, w któ-

rych wykorzystano porównania). Niektó-
rzy producenci oprócz tego przetworniki 4- i 6-bitowe. Widoczne jest,
przetworniki CMOS moc strat, a ich zakres
30 MHz. nowsze przetworniki wykonane w technice TTL wcale
nie znacznie mocy strat. Przy
30 ... 50 MHz przetworniki ECL, które mniej
tów z przebiegów czasowych i na
----- ~=w ,,,,,,,w,·,·,·,·,wm ,·-·-- -~
23.8. REALIZACJA PRZETWORNIKÓW A/C 793

przetworników A/C przy
jest zazwyczaj równa ± 1/2LSB, a niekiedy nawet ± 1/4LSB.
Przy wzrasta , wsku-
tek czego bit, a nawet niekiedy dwa bity,
Odpowiednio, zgodnie z równaniem (23.12), szum kwantyzacji
o 6 albo 12 dB [23.5).
Tablica 23.3. Typowe dane przetwo rników A/ C (typu jlash)
Rozdziel - Typ Producent Maksymalna Technologia Moc strat

[mW]
[bity] próbkowania fpF]
[MHz]
8 AD 9048 Analog Dev. 30 16 TTL 550

AD 9012 AnalogDev. 100 16 TTL 950
AD 9002 Analog Dev. 150 17 ECL 750
AD 9038 AnalogDev. 300 17 ECL 2200
ADC304 Da tel 20 30 TTL 360
ADC 307 Da tel 125 35 ECL 1100
ADC 308 Datel 250 18 ECL 1400
ADC 309 Datel 500 20 ECL 2800
HI 5700 20 60 CMOS 725
HI 1386 Sony 75 17 ECL 580
HI 1396 Harris, Sony 125 17 ECL 870
Hl 1166 Sony 250 16 ECL 1400
HJ 1276 Sony 500 16 ECL 2800
MP 8780 Micro Power 20 50 CMOS 250
ADC0882 National 20 30 CMOS 500
SP 973 T8 Plessey 30 25 TTL 500
SP 97508 Plessey 110 35 ECL 1100
SDA 8010 Siemens 100 30 ECL 1300
SP 1078 Sipex 50 3 TTL 560
HADC 77100 SPT 150 56 ECL 1600
SPT 7750 SPT 500 15 ECL 4500
TKAD 20C Tektronix 250 ECL 5000
TKAD 1oc• Tektronix 500 1 ECL 7500
10 AD 9020 Analog Dev . 60 45 TTL 2800
AD 9060 Analog Dev. 75 45 ECL 2800
TS 83010 SGS-Th omson 20 100 CMOS 650
hybrydowy
23.8.2.Przetwornik
kaskadowy
metody jest to, liczba komparatorów
z I tak dla przetwornika potrzeba 1023
komparatory. znacznie kosztem prze-
.._-m,. •,•,•.w·= ==wmm.·,w, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•w-, •• •ww•"w~- .,.,,.,. .,...,... ., .............. •., •,,w.w~wwu=www=,· www--=
•.

twarzania, przez zastosowanie zmodyfikowanej metody Zasada
przetwornika, w którym wykorzystano zmodyfi-
polega na tym, w pierwszym kroku przetwarza
równolegle 5 bardziej bitów, jak to pokazano na schemacie
blokowym na rys. 23.30. W wyniku otrzymujemy odpowia-
W przetworniku C/A jest
ona przetwarzana na analogowe, które jest odejmowane od
jest przetwarzana za drugiego
bitowego przetwornika A/C. a na-
wzmocnimy 32 razy, to dwa przetwor -
niki A/C o tym samym zakresie przy czym
pierwszego przetwornika A/C powinna taka jak przetwor-
nika (w przeciwnym przypadku utworzonej
nie prawdziwa). przetworniki A/C o tak
nie jednak a dla wielkich nierealizowalne. Na-
tego jest wychodzenie poza zakres i prze-
sterowywanie drugiego przetwornika A/C. Wskutek tego wynik przetwarzania
obarczony Problem ten
wzmocnienie na drugiego przetwornika A/C
o (do równej 16), jak to w z rys. 23.31. Bit / 5
jest wówczas wytwarzany zarówno przez przetwornik zgrubny , jak i przetwor-
nik
1-------i ~ 1---- ~
przetwornik Przetwornik ~32 przetwornik
próbkujo,co
-
A/C C/A A/C
5-bitowy 5-bitowy 5-bitowy
1,,/3 LzL1 Io
L =L Uw B = 1023 uwE
max URBP UREP
Rys. 23.30. Zasada prac y przetwornika kaskadowego
z przetwornika z powodu
przetwornika zgrubnego, wyjdzie poza przewidziany zakres, to zgrub-
za bitu I 5 lub o jeden. W ten sposób
jest skorygowanie przetwornika zgrubnego do war-
±LSB/2. tego przetwornika w przypadku z rys. 23.31
- w do poprzedniego - nie musi lepsza roz-

Tylko przetwornik C/A musi 10 bitów
[23.7]. Dla cyfrowej korekcji zakresy zgrubny i
na siebie przynajmniej o jeden bit. Aby nie to
zmniejszenia przetwornika, przetwornik ma
dodatkowy bit.
Równo!egry
1-- - -.....1-i Równo/egfy
Ukfad przetwornik Przetwornik
próbkujqco
- prwt:wornik
1--- ~
A/C C/A A/C
-pamiRfa)qcy 5-bitowy 5- bitowy 6-bitowy
Io
Cyfrowakorekcja
MSB LSB
Rys. 23.31. Przetwornik kaskadowy z
Zarówno zgrubna, jak i utwo-

rzone z tej samej chwilowej UwE(ti). Czas pro-
pagacji pierwszego stopnia powoduje jednak pewne czasowe. Dla-
tego w omawianej metodzie za analogowego
musi utrzymywana do
chwili cyklu pr zetwarzania. Stanowi to
w porównaniu z
W tablicy 23.4 zebrano dane kilku typów kaskadowych przetworników
A/C.
23.8.3.Metodawagowa(kolejnych
Zasadniczy schemat przetwornika A/C, w którym wykorzystano wa-

jest przedstawiony na rys. 23.32. Komparator porównuj e
z przetwornika A/C. Na pomiaru liczba
L jest ustawiona na zero. zostaje ustawiona jedynka na pozycji
najstarszego bitu (MSB) i sprawdza czy jest
u(L). tak, to jedynka pozostaje, natomiast w przypadku przeciwnym
pozycja ta zostaje wyzerowana. W ten sposób najstar-
szego bitu. Proces ten jest powtarzany dla wszystkich
bitów, w zostaje ustalona bitu (LSB). W ten
sposób w rejestrze powstaje liczba, która po przetworzeniu przez przetwornik
~.w.·,,·•==-''"• ·····················
······
•wo,.~--·
Tablica23.4. Typowe dane kaskadowych przetworników A/C half jlash
lub two-step flash converter)
•O
o
'"' >,
.~
-:gN ·;, '6'
t;':I::
o~ ] -l
;:, c:,.
o
...
..14
:~
.,
o
tj d i·~ .,.-~ >, '
.,.
... ·a
o
·i;i 8
;::,
~! ;::,
!:l
!:l
"'
oa
"2~ "8
"'..14
:g <> •O ., g fj.,
o.~
e:::e
!;:
r' ::Ea a ::=: ::E r'
8 LTC 1099 Lln. Techn. 0,2 tak - 55mW CMOS

MAX 153 Maxim 1 tak - 40mW CMOS
MP 8785 Micro Power 20 tak tak 60mW CMOS
10 LTC 1272 Lln. Techn. 0,3 tak - 75 mW CMOS
MAX 153 Max.im 0,3 tak - 275mW CMOS
MP 8782 :Micro Power 5 tak tak 200mW CMOS
AD 9040 Analog Dev. 40 tak 1 bit 900mW bipolarna
12 CS 5412 Crystal 1 tak - 700mW CMOS
AD 671 Analog Dev. 2 - 2 bit 300mW CMOS
MP 8790 Micro Power 2 tak tak 200mW CMOS
HI 5800 Harris 3 tak 2 bit 1,7W CMOS
ADS 118 Datel 5 tak 2 bit 2,3W hybrydowa
AD872 Analog Dev. 10 tak 3 bit 1,2W bipolarna
SP 9560 Sipex 12 tak 4 bit 3,3W hybrydowa
CLC 935 Comlinear 15 tak tak 5,2 W hybrydowa
CLC 950 Comlinear 25 tak tak 1,5 W bipolarna
AD 9032 Analog Dev. 25 tak 1 bit 5,0W hybrydowa
16 ADS 930 Date l 0,5 tak 1,8 W hybrydowa
ADC 701 Burr Brown 0,5 - 2 w hybrydowa
AD 1382 Analog Dev. 0,5 tak 2,8 W hybrydowa
A/C daje równe z ULSB

uwE· Mamy wt~dy
L
U(L) = UREF L = uwE
max+ 1
czyli
UwE
L = (Lmax+ 1)- U- (23.14)
REF
zmienia w czasie przetwarzania , to jest potrzebny

Bez
ze zmiany w czasie przetwarza-
nia [23.7].
..............,,,,,,,,,_" """"° ...-•
'•····
···•·
····•···•·•·
•w••,.w,= =-"w•············ ···•···•···•·•
·•·······•····
·•·•···········,•,•.•,•,•,······"'"' ~~===w ·===~,=•=~---
UkTad
próbkujqco
- t----t o Rejestr
aprokrymacji
sukcesywnej
L
U{L) L
uwe
L
L = (L,.,ax+ 1)--
Uiuw
Rys. 23.32. Wagowy przetwornik A/C
Schemat blokowy dla pierwszych trzech kroków przetwarzania przedsta-

wiono na rys. 23.33. W kroku jest podejmowana decyzja, czy odpo-
wiedni bit ma 1 czy O. bitów nie ulega
przy tym zmianie.
START
Pierwszy
krok
Rys. 23.33. Schemat blokowy przebiegu konwersji wagowej
Przebieg czasowy konwersji wagowej przedstawiono na rys. 23.34 dla

u(L), a na rys. 23.35 - dla liczby L. bit przyjmuje na
jeden. wskutek tego zostanie przekroczone wej-
to zostaje on wyzerowany. W przetwarzanie
zostaje po krokach.
Proces przetwarzania jest sterowany za tzw. rejestru sukcesywnej
aproksymacji SAR (successive approximation register), zwanego rejestrem
kolejnych jego na rys. 23.36. Na po-
pomiaru zerowania R powoduje wyzerowanie wszystkich prze-
rzutników. W rejestrze jest przesuwana jedynka w tak-
cie o w prawo. Wskutek tego bity /7 ... / 0 po kolei
jeden. Wynik porównania zostaje w przerzutnikach
P 1 ••• P O przez wczytanie stanu D odpowiedniego komparatora. na wej-
C powoduje odblokowanie tylko tego przerzutnika, który odpowiada ak-
tualnie przetwarzanemu bitowi. Po ustaleniu bitu /0 ,
ostatni przerzutnik P rejestru przyjmuje 1. Sygnalizuje

on przetwarza nia (conversioncomplete, CC). Bramka OR na
ciu D powoduje zachowanie tego stanu przy impulsach
Przerzutnik i wynik wyzerowane dopiero przy
pomiaru.
U{L)
--D /7 ls ls T4 T3- lz T1 - Io ~
L7
- 1 1
ls ,__ -
--'-
o o
l5 - o o
I
/4 1 1
l1 Ls ls l4 l3 lz l1 lu l3
=1 =O =O =1 =1 =O =1 =O 1 1
Iz - o o
l1
-
1 1
1 2 3 4 5 6 7 8 Krok lo
Rys. 23.34. Przebieg czasowy u(L) Rys. 23.35. Przebieg czasowy L przetwarzania
przetwarzania A/C A/ C
P5 Pó CC
1 1D Q 1D Q
C1 C1 C1
a
Rys. 23.36. realizacji rejestru kolejnych SAR
Tablica prawdy rejestru SAR jest przedstawiona na rys. 23.37.

zerowania powoduje wyzerowanie wszystkich z bitu /7 ,
który ma 1 do pierwszej kompensacji. W kroku
T decyzja D komparatora zostaje na odpowiedniej pozycji i rów-
porównywanie bitu.
W tablicy prawdy jest widoczne rejestru po
krokach jedynka dociera do CC (conversion complete) i prze-
twarzanie zostaje a wynik L jest w postaci
r
T R o /7 /5 /5 /4 /3 12 ,, Io CC
o 1 o, 1 o o o o o o o o
1 o o, 07 1 o o o o o o o
2 o n. o, n. 1 a o o o o o
3 o 05 o, Ds 05 1 o o o o o
4 o 04 o, 05 05 04 1 o o o o
5 o 03 o, o. 05 04 03 1 o o o
ó o Oz o, o. 05 04 03 02 1 o o
7 o o, o, o. 05 04 03 Oz o, 1 o
8 o Do o, o. 05 04 03 02 o, Do 1
Rys. 23.37. Tablica prawdy rejestru kolejnych
go z kompara tora w postaci szeregowej. Rejestry

kolejnych SAR w postaci scalonych:
8 bitów: Am 2502, F 74LS502 (ITL), SP 74HCT502 (CMOS)
12 bitów : Am 2504, F 74LS504 (ITL), SP .74HCT 504 (CMOS)
Budowa wagowego przetwornika A/C z elementów dyskretnych ma sens
tylko w przypadkach , na rynku jest ofero-
wany szeroki asortyment tych przetworników w po staci scalonej.
tych przetworników zamieszczono w tabl. 23.5.
Inne typy z
w tabl. 21.21.
23.8.4. Metodazliczania
Przetwarzani e A/C zliczania nie wymaga zbyt skomplikowanych
dów. Czas przetwarzania jest tu jednak znacznie w przypadku
innych metod i wynosi 1 ms ... 1 s. W przypadku wolno-
zmiennych, np. pr zy pomiarze temperatury , nie stanow i to ograniczenia. Rów-
w woltomierzach cyfrowych nie jest potrzebna, ponie-
wyniku i tak nie szybciej odmiany metody
zliczania; w dalszym zajmiemy z nich.
znaczenie ma metoda przetwarzania z podwójnym (dual slope),
przy
dzie
Metoda kompensacyjna
Kompensacyjny przetwornik A/C pokazany na rys. 23.38 jest bardzo
podobny do przetwornika wagowego z rys. 23.32. Istotna polega na
tym, zamiast rejestru kolejnych SAR zastosowano tu licznik re-
wersyjny. Komparator porównuje uwE z kom-
u(L) . jest dodatnia, to licznik liczy w przód, w prze-

ciwnym przypadku - w Wskutek tego zmienia
do a je. Z tego powodu
ten nosi przetwornika A/C (tracking ADC).
Tablica 23.5. Wagowe przetworniki A/C (bez
Rozdzie.1- Typ Producent Czas Moc Technologia

prze- strat [bity)
[bity) twarzania [mW)
[µs] odniesienia
8 AD 7574* Analog Dev. 15 - 30 8 CMOS

AD 7576 Analog Dev. 10 - 15 8 CMOS
AD 670 AnalogDev. 10 tak 150 8 bipolarna
Am 6108 AMD 1 + 2,5 V 600 8 bipolarna
ADC 847 Datel 9 +2,5 V 125 8 CMOS
ZN 488 Plessey 9 + 2,5V 125 8 bipolarna
ZN 509 Plessey 5 +2,5 V 200 1 bipolarna
ADC 0841 National 40 - 15 8 CMOS
10 AD 575 Analog Dev. 30 tak 200 1 bipolarna
ZN 503 Plessey 15 +2,5 V 300 1/10 bipolarna
ADC 1005 National 50 - 15 10 CMOS
12 AD 7572* AnalogDev. 5 -5,2 V 135 8/12 CMOS
AD 7672* Analog D ev. 3 - 110 12 CMOS
AD 574* Analog Dev. 25 + 10 V 400 8/12 2 struktury
AD 674* Analog Dev. 15 + lOV 400 8/12 2 struk tury
AD 7772 Analog Dev. 10 - 5,2 V 135 1 CMOS
ADC774 Burr Brown 8 + JO V 325 12 2 struktury
MAX 170 Maxim 6 -5,2V 115 1 CMOS
MAX 1711 Maxim 6 - 5,2 V 265 1 2 struktury
MAX 172 Maxim 10 -5,2 V 145 8/ 12 CMOS
MAX 162 Maxim 3 -5,2 V 145 8/12 CMOS
HI 774* Harris 9 +10 V 400 8/12 2 struktury
AM 6112 AMD 3 +2 ,5V 500 8 bipolarna
16 AD 1377 Analog Dev. 10 tak 600 16 hybrydowa
ADC700 Burr Brown 17 tak 645 8 2 struktury
PCM 78 Burr Brown 4 tak 600 1 2 struktury
HS 9576 Sipex 15 tak 1000 16 hybrydowa
• Inni producenci: Burr Brown , Datel, Harris, Maxim, Micro Power Systems, Sipex.
1 z
z rys. 23.38 jest to, licznik nigdy nie

zatrzymuje, lecz zawsze oscyluje o 1 LSB w obie strony wej-
taktowanie nie jest stanowi to
to zamiast komparato ra komparator okienkowy.
wtedy takt , gdy u(L)
z ± LSB/2. Redukcja
------------=s•.
•,,. ....
,.,•.••
••••
•.....w . •.•hW o~WWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWWW-•

logicznego, w porównaniu z zostaje okupiona
znacznym zmniejszeniem przetwarzania , kompen-
zmienia w krokach równych ULsB· zmienia
wolno, to nawet tutaj krótki czas ustalania, ze
na aproksymacja odbywa w sposób a nie
zaczyna zawsze od zera, jak w metodzie wagowej.
Uw B
L= (L + I) --
UWE URBI!
1 L
u(l) Przetwornik
C/A _L _ _.
Rys. 23.38. przetwornik A/C
Monolitycznymi scalonymi przetwornikami np. przetwor-

nik ADC 856 firmy Datel i ZN 433 firmy Ferranti. one 10
bitów i czas przetwarzania 1 µs/LSB.
Metoda pojedynczego (single slope)
Przedstawiony na rys. 23.39 przetwornik A/C, w którym wykorzystano
przebieg nie wymaga stosowania przetwornika C/A. Zasada jego
polega na przetworzeniu na proporcjonalny do
niego odcinek czasu. Do tego celu generator
wraz z komparatorem okienkowym K 1 , K 2 i B 1 .
narasta od ujemnych do dodatnich zgod-
nie ze wzorem
Up = UREFt - U(O)
'C
Licznik
L
6enerator 6enerator
przebiegu kwarcowg
piloksztaltnego
Rys. 23.39. Przetwornik A/Cz pojedynczym

.,...............
.......,.,,._
..,,.,,..
••,,,,.,.,•,•,
•,,,•,•,•,·,····· ._.,,.,.,,....,.,.,.,..,...,.,.rM'MV
············.-.v.-.-.-.
.......... ..,.,.,.,....,.....,.,.,.....,.,v,...,.,........=www=,=,.......,..,
... ,.,,,..,.
,.,...,.,.,.,.,.,
.,.,...,
...,..____ ......_._.._
.........
._._._._._
..._._._

Na bramki EXN OR B 1 jedynka tak jak
cie w zakresie O... uwE· temu czas wy-
nosi l1t = ww Ef UREF· Jest on mierzony przez zliczanie impulsów z generatora
kwarcowego. na pomiaru licznik zostaje wyzerowany, to po
przekroczeniu górnego progu komparatora otrzymuje stan licznika
/::..t UwE
L = - =-cf -- (23.15)
T UREF
mierzone jest ujemne, to najpierw przez war-

mierzonego, a potem przez zero. Z tej
znak mierzonego. Czas trwania pomiaru jest rów-
ny /::..ti tylko od mierzonego. Po
pomiarze licznik, a do
ujemnej Aby mimo to wynik, zazwyczaj
stary wynik jest do chwili uzyskania nowego.
Ja k z równania (23.15), tolerancja czasowej na do-
pomiaru. jest ona przez RC, na
dryft temperaturowy i kondensatora. Z tego powodu
z O,1% .
Metoda podwójnego calkowanfa (dual slop e)

W metodzie podwójnego nie tylko od-
niesienia, lecz W stanie spoczynkowym klucze K 1
i K2 na rys. 23.40 otwarte, a klucz K3 - Wskutek tego
integratora jest równe zeru.
stero-
waniakluczy
Licznik
Uwe L
L = (Lmax+ 1)- -
UREF
Rys. 23.40. Przetwornik A/C z podwójnym
Na pomiaru licznik zostaje wyzerowany, klucz K3 otwarty,

a klucz K 1 Powoduje to
jest dodatnie, to integratora staje ujemne,
a komparator odblokowuje generator Pomiar zostaje
~-www- ,,,,,,,, .., .............. .........,. ..........-, ......, ...•.•.wm .,===

licznika po Lmax+ 1 impulsach kiedy to licznik
jest ponownie wyzerowany. integratora wynosi wówczas
ur(t 1 ) = - -I
L
f
lt
Uw Edt =- ---UwEAV
L
(Lmax+ l)T (23.16)
o
wtedy na odniesienia. Znak

cia odniesienia wybiera przeciwny do znaku W ten
sposó b integratora ponownie zmniejsza jak
to na rys. 23.41. Za komparatora i licznika teraz, jak
czas do ponownego integratora przez zero
(23.17)
Po równania (23.16) otrzymuje wynik
L = (Lmax + 1)- UUwE

- (23.18)
REF
Zgodnie . z równaniem przetwarzania z podwój-
nym jest to, na wynik nie ani taktowania
1/T , ani czasowa • = RCr· jest jednak, aby
taktowania w czasie t 1 + t 2 •
za prostych generatorów Z tego powodu
metoda ta z 0,01% = 100 ppm
(23.8].
tz
t, tz
/ t
/
/
/
/
/
llwE UnEF
Rys. 23.41. Przebiegi czasowe integratora dla
Jak przy wyprowadzaniu wzorów, na wynik nie

chwilowa mierzonego, lecz jego w czasie po-
miaru t 1 . Z tego zmienne tym silniej, im
jest ich zmienne, których jest
804 23. PRZETWORN1KI C/A I A/C

1/t 1 , Dlatego jest korzystna taka regu-
lacja generatora by czas t 1 równy okresowi na-
sieci lub jego wówczas wyeliminowane wszelkie
o sieci.
Ze na to, metoda podwójnego przy niewielkich
pozwala i jest ona
powszechnie stosowana w woltomierzach cyfrowych. czas przetwarzania
nie stanowi w tym przypadku przeszkody . Licznik na rys. 23.40 nie musi
licznikiem dwójkowym. takie same, zastosuje
licznik BCD. Wykorzystuje to w woltomierzach cyfrowych, nie
trzeba wtedy konwersji mierzonej.
Automatycznakorekcja zera
Przy opisie metody podwójnego cza-
sowa -r = RC 1 i taktowania/ = 1/T nie na wynik.
w mierze od tolerancji odniesienia
oraz zera integratora i komparatora . zera znacznie
zera. W tym celu klucz K 3 na
rys. 23.40 regulacji przedstawionym na rys. 23.42, za
którego ustawia odpowiedni warunek integratora .
Integrat
or Komparator
Rys. 23.42. Metoda podwójnego z zera
W stanie spoczynkowym klucz K3 jest temu integrator

i wzmacniacz na komparatora wtórnik
którego ux kondensator C. Do korekcji
zera dodatkowy klucz K4 , który z integratora . Wsku-
tek tego Ux przyjmuje U0 - !BR. U0 jest tu
komparatora , a IB jego polaryzacji.
W stanie ustalonym tej kompensacji kondensatora Cr jest, tak jak
w idealnym integratorze, równy zeru.
Przy klucze K3 i K4 otwarte, a klucz
K1 w tym czasie ux jest na kondensa-
torze C, zero jest wyregulowane w fazie Dryft zera
wtedy tylko od krótkookresowej. Automatyczna korekcja zera
wia z
23.8. REAL IZACJA PRZETWORNIKÓW A/C 805
f
komparatora. integratora ur nie przyjmuje bowiem - tak
jak w poprzednim - równej zeru, lecz
wzmacniacza przed komparatorem, czy-
li wprost progu
w obwodzie kompensacji kaskadowo dwa
wzmacniacze, w drgania. Aby tego
szeregowo z C rezystor , a ponadto wzmocnienie
wzmacniacza do 100. temu czasy
pracy komparatora w fazie
Tablica 23.6. Scalone przetworniki A/Cz podwójnym
Rozdziel- Typ Producent Czas Moc

konwersji multiplekso- zasilania strat
[ms] wany [V] [mW)
3. 3/4 cyfry MAX 134* Maxim 50 BCD Multipl. ±5 1

4 1/2 cyfry TC 835 Teledyne 200 BCD Multipl. ±5 9
4 1/2 cyfry MAX 135 Maxim 5 BCD Multipl. ±5 0,6
16 bit MAX 132 Maxim 5 Dwójkowe Szeregowy ±5 0,6
16 bit TC 850 Teledyne 25 Dwójkowe Równol. ±5 20
5 1/2 cyfry HI 7159 Harris 130 BCD Multipl. ±5 450
26 bit ADC 180 Thaler 250 µs Dwójkowy Multipl. ±5,±15
Do siedmiosegmentowych
3 1/2 cyfry TC 7116 Teledyne 200 LCD Równo!. 9 10
TC 7117 Teledyne 200 LED Równo!. ±5 600
ICL 7136 Harris 400 LCD Równol. 9 1
ICL 7137 Harris 400 LED Równol. ±5 600
MAX 138 Maxim 200 LCD Równol. 5 1
MAX 139 Maxim 200 LED Równol. 5 600
3 3/4 cyfry ICL 7149* Harris 200 LCD Multipl. 9 15
TC 822 Teledyne 300 LCD Multipl . 3 1
4 1/2 cyfry ICL 7129 Harris 500 LCD Multipl. 9 10
* Z automatycznym zakresów.
Przetworniki A/C z podwójnym w wy-

borze jako monolityczne scalone CMOS. dwie
grupy tych przetworników: do uniwersalnych (szczególnie do
z mikrokomputerem) i do sterowania Prze -
tworniki pierwszej grupy w kodzie dwójkowym lub BCD, drugie
- w kodzie siedmiosegmentowym. takich
przetworników przedstawiono w tabl. 23.6.
...:•.:•:•: ...........
(*2,4 ~,,~ --~ -M mkWAW
W rozdziale 14 wiele realizacji funkcji przeno-

szenia za filtrów aktywnych. Przetwarzanymi
w postaci funkcji czasu. Stosowanymi elementami rezystory,
kondensatory i wzmacniacze. Obecnie coraz stosuje cyfrowe, a nie
analogowe, przetwarzanie Zaletami przetwarzania cyfrowego
i a niewielka na
nia. jest budowania skomplikowanych co jednak
ze na scalenia cyfrowych ma coraz
mniejsze znaczenie.
Przy przetwarzaniu cyfrowym przetwarzanymi nie
lecz dyskretne, a elementami i arytmetyczne.
Przy od filtrów analogowych do cyfrowych trzy
pytania:
1) W jaki sposób z dys-
kretnych liczbowych bez utraty informacji?
2) Jak ten liczb, by prze-
noszenia?
3) W j aki sposób z powrotem na
Na rysunku 24.l jest przedstawiony schemat blokowy filtru cyfrowego

w analogowym . po-
biera w chwilach t,,próbki u 1(tµ) u 1 (t) i je przez
okres próbkowania .
u\(t ) x(tµ) y(tµ) uz(t )

Filtr UkTad Przetwornik Przetworni k Filt r
Filtr
o-- dolno - '- analogowo- h- c frow r, cyfrowo - h- dolno- f----<>
1 - cyfrowy : IJ IJ 1 -analogowy I - przepustowy
-p rzepustow</ I
I I
: 1
1 dyskretn e ;
~- Amplitudy dyskretne
Czas dyskretny
Rys. 24.1. Zastosowanie filtru cyfrowego w analogowym

Aby przy próbkowaniu nie nie
zgodnie z twierdzeniem o próbkowaniu pasmo
wego musi ograniczone do próbkowania. Dlat ego
na jest potrzebny filtr dolnoprzepustowy.
Przetwornik analogowo-cyfrowy przetwarza dyskretny w czasie na-
u 1(tµ) na dyskretny w czasie dyskretnych liczbowych x(tµ).
x to N-pozycyjne liczby dwójkowe. Liczba pozycji N
przy tym tzw. szumu kwantyzacji (por. równanie (23.12)). Na rysun-
ku 24.2 podajemy kilka próbkowania i rozdzielczo-
stosowanych w prakty ce.
Filtr dolnoprzepustowy
próbkowania
Ro zmowa telefoniczna 8 kHz 12 bitów

Muzyka z kompaktowej 44,1 kH z 16 bitów
Telewizja cyfro wa 13,3 MH z 8 bitów
Rys. 24.2. próbkowania i w cyfrowym przetwarzaniu
Filtr cyfrowy z rys. 24.1 wytwarza liczb y(tµ), wynikiem

przeprowadzonej filtracji. Do tego liczb z powrotem
na jest wykorzystywany przetwornik cyfrowo-analogowy . Na
tego przetwornika w dyskretnych chwilach czasu scho-
dkowe o dyskretnych W celu takiego
na na przetwornika filtr do -
lnoprzepustowy.
24.1.Twierdzenieo próbkowaniu
na dyskretnych ,
za pobiera w równych od-
czasu tµ = µTP próbki /p = I / TP
jest próbkowania. Na rysunku 24.3 funkcja
schodkowa jest tym funkcji im jest
próbkowania. jednak techniczne bardzo ze
wzrostem próbkowania, wybiera tak jak tylko da.
Nasuwa wobec tego pytanie: jaka jest ta najmniejsza prób-
kowania, która - a bez utraty informacji - rekon -
oryginalnego twierdzenie
o próbkowaniu.
808 24. FILTRY CYFROWE

Do opisu matema tycznego jest wygodniej
z rys. 24.3 impulsów Diraca - tak jak na rys. 24.4
ro
u1(t) = I ui(tµ,) T/:,(t- tµ,) (24.1)
µ,=O
u 1 (tµ,)TPjest przedstawiona symbolicznie Nie wolno jej jed-

nak z impulsu, zgodnie z impuls Diraca
jest impulsem o i zerowym czasie trwania , którego
powierzchnia ma jednak
u,{t) u,(tJ
I
I
t t
..,......,..-
I I
Tp
Rys. 24.3. u 1 (t) Rys. 24.4. Reprezentacja

i próbek u 1 (t,.) za. impulsów
Uf (tµ)Pe
6Tp
-
....,..., -
3
----
I
tµ t
Rys. 24.5. Aproks ymacja impulsu Diraca za impulsu
przedstawiono na rys. 24.5, gdzie impuls Diraca za-

impulsem Pe-W granicy otrzymujemy
ui(tµ,) TPb(t - tµ,) = lim u1(tµ,)pe(t - tµ) (24.2)
t-+ co
W celu zawiera impulsów opisany równaniem

(24.1), zbadajmy jego widmo. do równania (24.1) Fou-
riera, otrzymamy
= TP I
00
X(jf) U1(µTp)e - 2njµ,flfp (24.3)

µ,=o
widmo to jest Jego okres jest równy
próbkowania/P. w szereg Fouriera,
24.J. TWIERDZENIE O PRÓBKOWAN IU 809
r.
widmo IX(jf) I w zakresie - JP.::::;
f.::::; JPjest identyczne z widmem
IX(jf) I funkcji oryginalnej [24.l]. Zawiera ono mimo
pobrano tylko próbek funkcji. przy tym
tylko jedno ograniczenie, które na podstawie rys. 24.6; wid-
mo oryginalne otrzymuje bez zmiany tylko wtedy, kiedy prób-
kowania jest tak okresowo widma nie na
siebie. Zgodnie z rys. 24.6 jest tak wówczas, gdy
(24.4)
Warunek ten nosi twierdzenia o próbkowaniu.
- fmax O fmax
-2 fp -fp - f/2fp O 1/2f p fp 2fp f
Rys. 24.6. Widmo przed próbkowaniem (u góry) i po próbkowaniu (u
Odzyskiwanie analogowego
Z rysunku 24.4 przepis na odzyskanie syg-
analogowego: wystarczy za filtru dolnoprzepustowego
widma JP.Filtr dolnoprzepustowy musi przy tym
zaprojektowany tak, by przy fmax jeszcze równe
zeru, a przy fP - wielkie. Ogólnie
na podstawie próbek funkcji czasu o ograniczonym wid-
mie jest waru-
nek Is,~ 2f~ax· W tym celu próbek na impul-
sów Diraca , który na idealny filtr dolnoprzepustowy o
granicznej /4= !max·
wybierzemy próbkowania od
z twierdzenia o próbkowaniu, widma o
nicowej / 2 - f <!max, których nie filtr dolnoprzepustowy i które wi-
doczne na jako interferencja (aliasing). to na rys. 24.7. Nietrud-
no widma o powy-

f P wcale nie lecz w odwrócone ,
w postaci odbicia lustrzanego . Maksymalna
fimax w podstawowym widma jako najmniej sza
lustrzana fp - fimax < fr Na rysunku 24.8 pokazano to dla
którego widmo ma tylko jeden o
fimax < fp· wówczas dudnienia o
fp - f1max·
x( t)
Id . filtr do/noprzep.
!
t
- fp -1/2fp O t 1/2fp l fp f
fp - fimax f1ma x
Rys. 24.7. widm przy Rys. 24.8. przy za

zbyt próbkowania próbkowania / 1 <~IP
24.1.1.Uwagipraktyczne
W realizacji praktycznej problem na tym, w rzeczywi-
stym nie impulsów Diraca.
w sposób zgodnie z rys. 24.5, impulsy o amplitud zie
i czasie trwania . Po podstawieniu równania (24.2) do (24.l) otr zy-
mujemy przy e impulsów
()()
u~(t) = L ui(tµ)Pe(t - tµ) (24.5)

µ=O
Po transformacji Fouriera otrzymamy widmo
X '(jf) = sinnsJ;,f . X(jf) (24.6)

ns½f
Jest to takie samo widmo jak w przypadku impulsu Diraca, lecz z

wagi, która prowadzi do zmniejszenia o
Szczególnie jest przypadek funkcji schodkowej, dla
której impulsu sTPjest równa okresowi próbkowania TP. Otrzymuje
wówczas widmo
.....,.,."",..._,
,.,,,,,,,,.,.,.,.,.,._.,,,.,,,
._..
•.vwv,.,...,.,.,
.,.,., ,.,.,.,,,,,,,,,,,,,,,.,,,
•..,.....,.,.,.,.,·,-.·.-.www- ~....,._..,._. ,..·.•.·.·.....·.wr.=~=.,_., ,,,.,....,-.,.•,•,,,•,•,•,•
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,-.•,•,•,•,•,•,•,-.-.
•,•.-.·
--~
2.4.l . TWIERDZENIE O PRÓ BKOWANIU 811

X'(jf) = sin(nf/fp) . X(jf) (24.7)
nf//p
funkcji wagi jest pokazany na rys. 24.9 nad symbolicznym widmem

impulsów Diraca. Przy równej fP redukcji
wynosi 0,64. Wybór próbkowania oraz filtrów
i na pokazanym na rys. 24.10.
chcemy i wiernie akustyczny - np . nagranie
utworu muzycznego - o widmie w zakresie
O ~ f f max = 16 kHz. Nie jest przy tym istotne, czy o
16 kHz z liniowy przebieg charakterys-
tyki ma raczej za zadanie uwypuklenie by w tym
zakresie wzmocnienie
funkcja wagi
-f max O fmax
Rys. 24.9. od. widma impulsów Diraca do widma funkcji schodkowej za

funkcji wagi I (sin nf /fp )/ (nf /JP)I
Nawet wówczas, gdy pewni, nie po-

16 kHz, nie oznacza to automatycznie, widmo na
jest ograniczone do 16 kHz. Szerokopasmowym
np. szumy wzmacniacza. Z tego powodu na zawsze prze-
filtr dolnoprzepustowy, jak to pokazano na rys. 24.1. Jego zadaniem
jest ograniczenie widma do próbkowania,
aby zapo biec zjawisku aliasingu. Z drugiej jednak strony granicz-
na takiego filtru musi równa co najmniej fmax, aby nie widma
jest by przy niewiele
od granicznej filtr ten co
zastosowanie próbkowania. Wymaganie to wynika
z próbkowania wzrasta skomplikowania przetwor-
ników A/Ci C/A oraz filtru cyfrowego. Z drugiej jednak strony ze wzrostem
nachylenia charakterystyki filtru dolnoprzepustowego i wzrostem
w zaporowym skomplikowania filtru . Dlatego
zawsze kompromisu pracy na filtry dolno-
przepustowe a na przetworniki i filtr cyfrowy. W
z rys. 24.10 dla Imax= 16 kHz j~ = 22 kHz,
a próbkowania f P = 44 kHz.

filtr
Widmo dolnoprzepustowy
u1{t)
fra,I 1/2fp fp t
I
I I I
I I I
)
Syna[o ograniczonym
widmie
I",(/) l:
I
I
I
I
I
I
I I
I Próbkowanie
I
I
Próbkowanie
ui{t)
J t
I
filtr
dolnoprzepustowy
fi ltr
dolnoprzepu
stowy
t
I
I
I
I I
,J
Widmo
.,(t/ L1
f,,,ax"-t/2fp fp t
Rys. 24.10. Rekonstrukcja widma w cyfrowym z rys. 24.1 dla y(t,.) = x(t,.)
Jak na rys. 24.10, wskutek próbkowania o ogra-

niczonym widmie zostaje okresowo do f P. Z tego
powodu po przetworzeniu C/A ponownie pasmo podstawo-
we O f fp- Ze na fakt, na przetwornika Cf A otrzymu-
jemy dodatkowo czynnik siox/x zgod-
nie z równaniem (24.7).
do tego albo w charakt erystyce
filtru cyfrowego, albo w filtrze dolnoprzepusto wym na
poka zano na rys. 24.10. zadaniem
filtru jest jednak wydzielenie z widma
w podstawowym O ~ f fp- Przy Imaxfiltr ten musi
jeszcze lecz przy fp, niekiedy
24.1. TWIERDZENIE O PRÓBKOWANI U 813

f~ax, powinien Nietrudno przy
nachylenia charakterystyki filtru napotykamy na takie same zagad-
nienia, jak w przypadku filtru Aby taki
filtr, w tym przypadku musi
Imax a f P.
przy realizacji filtrów lub
go znacznie a np. lub cztero-
krotnie próbkowania. Tego rodzaju próbkowanie nad-
miarowe (oversampling) naturalnie koszt przetwornika A/Ci C/A. Za
filtru cyfrowego zlokalizowanego za przetwornikiem A/C jed-
nak próbkowania do wymaganej zgodnie
z twierdzeniem o próbkowaniu. temu unika nadmiernego
nia i danych. Przed przetwa-
rzania C/A, za interpolatora oblicza z powrotem
nie, aby tam próbkowaniu nadmiarowemu móc na
prosty filtr dolnoprzepus towy [24.2].
24.2. Funkcjaprzenoszenia cyfrowego
W rozdziale 14 filtry analogowe za pomo-

integratorów, sumatorów i
ników. do filtrów cyfrowych odbywa przez integrato-
rów takie np. za
rejestrów w których próbki funkcji przesuwa-
ne z próbkowania fr Najprostszym przypadkiem jest
nienie o czas Tr takiego jest przedstawiony
na rys. 24.11.
{x(tµ)J---W- {y(tµ}} X(z )-----{E]----Y(z )

y{tµ) = x (tµ-1) Y(z) =z- 1 X(z) =e-j z:rrr
/rp X(z)
Dziedzina czasu Dziedzina
Rys. 24.11. Reprez entacja
24.2.1. Opisw dziedzinieczasu

Dany jest liczb {x(tµ)} = {xµ}, który za próbek,
o 8, 16 lub 32 bitów. te przesuwane
w rejestrze, z odpowiedniej liczby równolegle taktowanych

przerzutników. {y(tµ)} = {yµ} jest
o jeden takt TP. Mamy
(24.8)
24.2.2. Opisw dziedzinie

W celu zbadania charakterystyki podaje na wej-
sinusoidalny x(t,,) = k 0 sinwtw jest liniowy, na
otrzymamy sinusoida lny. Stosunek amplitud jest, jak w przypad-
ku filtrów analogowych, równy funkcji przenoszenia dla s = jw.
filtru poznaj e po równania Zgodnie
z równaniem (24.8) filtr z rys. 24.11 jest liniowy.
Tak jak w przypadku filtrów analogowych, przenoszenia
za rachunku zespolonego. D o tego cetu
jest nam potrzebna charakterystyka
z harmonicznego na
x(tµ) = xejwt,
wynika harmoniczny na
a dla s = jco funkcja przenoszenia
y(t µ _) = e -
= __
A(s) sTP (24.9)
x(tµ)
Jest to funkcja okresowa o okresie f = fP = 1/Tp, gdzie JP jest

próbkowania. skrócony zapis
(24.10)
otrzymamy z równania (24.9) przenoszenia
IA(z) = z - I 1 (24.11)
Za tego wzoru na rys. 24.11 opisano

go w dziedzinie
W rozdziale 14 funkcja przenoszenia A(s) poprzez
Laplace'a opisuje a do-
wolnym, od czasu zgodnie z równaniem
L {y(t)} = A(s) · L{x(t)} (24.12)
24.2. FUNKCJA PRZENOSZENIA CYFROWEGO 815

Wzór ten dla cyfrowego. funkcja
przenoszenia wzorem (24.11) uproszczenie dla
liczb. Mamy mianowicie
Z {y(t,,)} = A(z) · Z{x(tµ)} (24.13)

gdzie
<X)
Z{ x(tµ)} = X(z) = L x(tµ)z- 1

' (24.14) l
µ=O
jest otrzymuje przez od-

[24.3/4]. Ze na A(z)
nosi operatorowej .funkcji przenoszenia cyfrowego lub cyfrowej
(dyskretnej) funkcji przenoszenia.
Funkcja ta obliczenie analogowej funkcji przenoszenia oraz
innych z niej jak fazy i grupowe-
go. Dla mamy:
- Y(z) _1
A(z) = X(z) = z , gdzie
A(jw) = z- 1 = e-jwT P = coswTP - jsinwTP

Wyliczamy
-sinwT f
(f) = arctg coswT p
P = arctg( - tgwT)
P
=- wT
P
=- 21t-
.f.p
i grupowe
filtr dolnoprzepustowy
dla bez
filtr cyfrowy. W chwili t1, na
jest o x(tµ) - f31 y(tµ). O jeden takt
ta pojawia na Otrzymujemy w ten sposób
y(t 1,+ 1 ) = x(t,.) - {J1 y(tµ)

,'••••••• •,.•••••••••••,.~~•W "•••••••••""""" WNm~~-

To równanie stanowi do równania
je jako wzór rekurencyjny przy obliczaniu
y(t 0 ). Dla wybierzmy
y(t0 ) = O i wyliczmy dla /31 = 0,75. Jest ona pokazana na
rys. 24.13. Nietrudno wykazuje filtru dolno-
przepustowego.
X(z)
z-1
Y(z)- -~ x(z}
- 1+/31z-1
Dziedzinaczasu Dziedzina
Rys. 24.12. cyfrowego filtru rekurencyjnego 1.
y(0i)
O 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 JL
Rys. 24.13. skokowa filtru cyfrowego z rys. 22.12 dla /31 = -0,75 przy skoku wej-
z O na 1
filtru dolnoprzepus-
towego podobnie jak dla Ze schematu
po prawej stronie rys. 24.12 mamy
Y(z) = [X(z) - /31 Y(z)]z - 1

Otrzymujemy przenoszenia
1
- Y(z) z-
A(z) = X(z) = 1 + /J1z - 1 X(z)
W celu obliczenia charakterystyki podstawiamy
z- 1 = e - jwTP = coswT p - J·sinwT p
24.2. FUN KCJA PR ZENOSZENIA CYFRO\VEGO 817
,.
i otrzymujemy
1
A (jw) = /J + ei"' Tp = _/3
__+_ c_o_sw_T
_P-+- J-.S-in_w
_T_P
_
1 1
Dla wTP = 2nf/JP otrzymamy
1
IA(jw)I =
J(/3 1 + cos2nf//P) 2 + (sin2n///p) 2
Na rysunku 24.14 jest o okresie/p, a w ob-

okresu wykazuje j~. Jest to wspólna
wszystkich filtrów cyfrowych. Zakresu fP

nie jednak to twierdzenie o pró-
bkowaniu.
4
3
2
1
o 1/2fp 3/2f p f
Rys. 24.14. Charakterystyka amplitudowa filtru cyfrowego z rys. 22.12 dla /31 = -0,75
przypadek szczególny otrzymuje dla /31 = 1. Po

nieniu, cos 2 x + sin 2x = 1 na do postaci:
1 1 1
IA(jw)I = =
J2 + 2cos2nf/JP J4(sinn.f//P) 2 2sinnf//P
Dla ~IP,przy sin x x, otrzymamy
. f. 1
IA(Jw)I = - p- ,....,_
21tf f
a integratora. Wy-
padkowy
,.,.,...
......
818
,.__ ......
._ ....... ,,,,, ,,,,,,,, ,,, ,,, ,,,,
24. FILTRY CYFROWE

_______- _____
..,.,....,..,..,..
za sumatora lub akumulatora .
.....,.,...,.,...
........
._.,. ,...........
................................................
. ....
Do realizacji filtrów cyfrowych - od opartych na symula-
cji struk tur drabinkowych- trzy struktury, pokazane na rys. 24.15
do 24.17. Wszystkie trzy struktury takie same funkcje przenoszenia,
w odpowiednich miejscach wstawi ak i {Jk [24.5/6/7].
\'
Rys. 24.15. Filtr cyfrowy z wieloma sumatorami
Na rysunkach 24.15 do 24.17 do budowy filtrów oprócz

dów potrzebne które zmienne przez
filtru, oraz sumatory dwie lub trzy liczby. Naj-
jest struktura z rys. 24.15, tutaj
z i sumatora jest oddzielony od stop-
nia temu na wykonanie tych operacji pozostaje
do dyspozycji czas taktu. tzw. poto-
(pipeline). W dwu w jednym takcie trzeba
wiele zmiennych. Nie wymaga to wprawdzie zastosowa nia liczby su-
matorów, ale czas
Rys. 24.16. Filtr cyfrowy z sumatorem globalnym na i
W z rys. 24. J6 podawany na

z X i wszystkich
nich z odpowiednimi wagami, a jest wszystkich
24.3. PODSTAWOWE STRUK T URY FILTRÓW CYFROWYCH 819

Dlatego sumatory do dwu suma-
torów globalnych: jednego na i jednego na
W z rys. 24.17 jest tylko jeden globalny sumator na
Sumuje on tak i jak i wa-
Do tego celu jest potrzebny dodatkowy, drugi
do Nie komplikuje to jednak zbytnio
X
------- - y
IE- +--- ----1 z- 1 1-E

- -----'
Rys. 24.17. Filtr cyfrowy z pojedynczym sumatorem globalnym na
Liczba stopni filtru decyduje o jego N. W stopniu jest

potrzebny jeden (w strukturze z rys. 24.17 dwa), dwa
do przez a oprócz tego musimy do
siebie trzy Tylko pierwszy i ostatni nieco prostsze.
filtrów na rys. 24.15. Równanie
ma
N N
y(tN) = L Cl.kXN- k - k=Ll f3kYN-k

k=O
(24.15)
Z wynika
N N
Y(z) = L akz-kX(z) - L fikz-kY(z)
k=O k=1
z którego wynika funkcja przenoszenia
Y(z)
A(z) = X(z) = (24.16)
820 24. FILTR Y CYFROWE

W celu obliczenia zespolonej charakterystyki podstawimy
z- 1 = e - jwTP = coswT p - 1·sinwT p
Przydatne jest znormalizowanie pró-

bkowania fp= 1/ TP. Otrzymamy wówczas F
lub (24.17)
Aby nie twierdzenia o próbkowaniu, musi zachowany warunek
lub O~ F 1/2
W ten sposób z równania (24.16) otrzymujemy na zespolonej

funkcji przenoszenia
IA(jw) I = (24.18)
{30 nie w filtrach w postaci jawnej jako

cy; f30 ma zawsze I.
Równanie (24.18) jest bardzo obliczenie cha-
rakterystyki dowolnego filtru cyfrowego, znane je-
go Za jego wyliczono wszystkie charakterystyki
w tym rozdziale.
Rozszerzeniem wariantów z rys. 24.15 -24.17 jest struktura
kaskadowa. Tutaj, jak to pokazano na rys. 24.18, szeregowo kilka
sekcji filtru.
A, 0 , = A 1 • A 2 · A 3
IA ,0 , I = IAJ I · IA2I · IA3I
Az(jw)
N,., = N 1 + N 2 + N3
Rys. 24.18. Kaskadowe sekcji filtru
Charakterystyka filtru jest wówczas iloczynem

charakterystyk poszczególnych sekcji. W celu zaprojektowania poszczególnych
sekcji przenoszenia na czynniki. Wskutek tego
24.3. PODSTAWOWE SfRUKTURY FILTRÓW CYFROWYCH 821

filtr N-tego (o czym decyduje z-N) dzieli na sekcje,
które wypadkowy równy N. Wybór poszczególnych sekcji
jest zasadniczo w przypadku filtrów o od-
powiedzi impulsowej (IIR) sekcji nie powinien jednak
N; = 2, w przeciwnym przypadku nie ze-
spolonych biegunów funkcji przenoszenia, prze-
w pr aktyce. Jak przy do struktury kaskadowej
filtru pozostaje zachowany. Pewnej zalety takiego
w fakcie, sekcje projektuje i weryfiku-
je. Kor zystamy z tego w filtrach analogowych w rozdziale 14 i w filtrach
rekursywnych w punkcie 24.6.
!] 24.4. Projektowanie
filtrówo ,,.,.
,,,,,, odpowiedzi impulsowej(FIR)
t:::1:tf:;:::;:~;:J:::::f:::::::=::~:;:=:::;:;:::::;:;:1:i:i:;{:;:;:~l
~:t~~~~~?:~::~~~S:~:~::::::
:::::~:::!:::::::::;:::::::::::::::::;::;:::::::;:;{:}:;;:::
fik filtrów cyfrowych (patrz rys. 24.15 -24.17)

zwrotnego . przyjmiemy, wszystkie równe
zero, zwrotne znika i jest tylko suma
i jego
Rys. 24.19. Filtr o odpowiedzi impulsowej (FIR) z wieloma sumatoram i
Rys. 24.20. Filtr o odpowiedzi impulsowej (FIR) z sumatorem globalnym na
Tego rodzaju filtry filtrów nierekursywnych, transwersalnych

(poprzecznych) lub filtrów o odpowiedzi impulsowej (SOI) (finite
impulse response, FIR). Nazwa FIR oznacza, impulsowa filtru
ma (N + 1 z rys. 24.15 do 24.17 przyj-
wówczas na rys. 24.19 i 24.20.

24.4.1.Podstawowe równania
Wskutek eliminacji /Jk równania filt-
ru . Równanie przyjmuje
N
YN = ct.oX N + C1.1XN- 1 + ··· + aN- 1X 1 + aNxo, YN = L akxN-k (24.19)
k=O
Otrzymujemy przenoszenia
- Y( z) N
A(z) = - (-) = L akz - k (24.20)
X z k=O
Przy wzoru Eulera
z- 1 = e -ji nF = cos2nF- jsi n 2rcF (24.21)
otrzymujemy przenoszenia
L ake-j2nkF
N
A (jco) = (24.22)
k=O
to symetryczne:
aN-k = ak symetria parzysta (24.23)
a N-k = - ak symetria nieparzysta (24.24)
wtedy po dwa o jednakowych (na

czynnikach , a wspólne fazy przed nawias. R ównanie
(24.22) upraszcza wtedy do postaci:
- przy symetrii parzystej:

N
A(jco) = e - j nNF L akcosn(N - 2k)F (24.25a)
k=O
- przy symetrii nieparzystej:

N
A(jco) = je- inNF L aksinn(N - 2k)F (24.25b)
k=O
24.4. PROJEKT 9 WANIE FI LTRÓW O ODPOWIEDZI IMPUL SOWEJ (FIR) 823

Przy symetrii nieparzystej i parzystym musi
tzn . musi a½N to w postaci B(cv) i fazy ej<P
otrzymamy
. { B(cv)e - jnNF dla symetrii parzystej

A(Jcv) = B(cv)je-jnNF dla symetrii nieparzystej
Aby wystarczy w równaniu

(24.25). fazowe wynika z argumentu funkcj i
- 1tNF dla symetrii parzystej
<p= n (24.26)
{ - 1tNF+ dla symetrii nieparzystej
2
Nietrudno w obydwu przypadkach mamy do czynienia
z która jest zachowana przy dowolnych, symetrycz-
nych Na podstawie definicji czasu grupowego
t = _ dep = _ d<p . dF = _ IL . dep (24.27)

9
' dcv dF dcv 21t dF
po równania (24.26) otrzymamy
(24.28)
grupowe jest od Tak

w symetrycznych filtrach FIR nie
ce z przebiegu czasu grupowego. Jest to szcze-
filtrów o odpowiedzi impulsowej (FIR). Z tego
powodu projektuje filtry FIR o symetrycznych
Metody i podane w tym rozdziale zawsze do
filtrów FIR o grupowym .
24.4.2.Proste
W celu zapoz nania z i metodami obliczania filtrów FIR

kilka prostych
Filtr FIR 1.
z rys. 24.21 przedstawia filtr FI R 1. (N= 1).
mamy tu do czynienia z filtrem dolnoprzepustowym. Jego wzmocnien ie dla
wynosi I A(F = O)I = 1. Jest to widoczne wprost w
824 /24. FILTRY CYFROWE

na podamy jednostkowy x,, = 1, otrzymamy y,, = a 0 + a1 =
= 0,5 + 0,5 = 1.
Wzmocnienie filtru FIR dJa jest równe sumie wszyst-
kich filtru.
D 0,25 0,50 D,75 1,00 F
A(z) = o,5(1+ z - 1) F9 = 0,25

A(jw) = 0,5(1 + cos21tF- jsin21tF) q>= -1tF
IA(jw)I = jcosnFI t9 , = 0,5Tgr
Rys. 24.21. Filtr dolnoprzepustowy /interpolator 1.
Przy dopuszcza twierdzenie

o próbkowaniu, a
lub F= 1/2
otrzymujemy jednostkowy, w którym na wa-

+ 1 i -1 {X1J = {+ 1, -1, + 1, - 1, ...}. Dlatego w z rys. 24.20
ma Y = +0,5 - 0,5 = -0,5 + 0,5 = O, a jest
równy zero. to na charakterystyce
ta daje
Wzmocnienie filtru FIR przy równej

próbkowania jest równe sumie
na przemian przez + 1 i - 1.
wszystkie filtru przez ten sam czynnik,

efekt jest taki sam, jakby przez ten czynnik
wy.
wszystkie filtru FIR przez ten sam

czynnik , o ten czynnik zmieni tylko podstawowe wzmocnienie filtru,
a jego charakterystyka pozostanie bez zmian .
")
,., •• r.-,....,..-.nvn •r ,•n •,•,•,-.•,•,•.-...-.•• ..,.. r • • • -.v=- ····,.,.,.,,,,,,,,,,,,._._
.. .,,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,•,•r ,,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,-.-.•,,.,.,...,,,._._.,•••••••••••••••,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,•,•,•, •,•,•,•, _..-.._..... .._._.
24.4. PROJEKTOWAN1B FILTRÓW O ODPOWIEDZI IMPULSOWEJ (FIR) 825

W celu obliczenia granicznej podstawimy
JA(jcv) I= cosnF 9 = )
2
i otrzymujemy Fu= 1/4 lub _[g= ! fp.
na filtr FIR podamy {x(t/L)}, który ma tylko
a zera, na otrzymamy najpierw
y(t/L)= o:0 , a potem y(t!L+1) = o:1 , a jeden za drugim . Ogól-
nie zasada:
filtru F IR na impuls jednostkowy jest jego

czynników. Ma on N+ 1.
Filtr górnoprzepustowy pierwszego jest przedstawiony na

rys. 24.22. Nietrudno suma jego o:0 = +0,5
i o:1 = -0,5 jest równa zero.
o 0,25 0,50 0,75 1,00 F
A(z) = 0,5( 1 - z- 1 ) F9 = 0,25

A (j w) = 0,5(1 - cos2nF + jsin2nF) <p = n(0,5 - F)
I A (jw) I= sinnF tg,= O,STP
Rys. 24.22. Filtr 1.
Wynika wzmocnienie dla równe zero. W przypadku

+ 1, - 1, ... (maksymalna na
otrzymamy + 1, -1, ..., a wzmocnienie jest równe jeden.
graniczna filtru górnoprzepustowego wynosi, podobnie jak w fil-
trze dolnoprzepustowym, /4= 4I f P.
W obu opisanych mamy liniowy przebieg fazy i wyni-

grupowe. Jak na podstawie
filtr dolnoprzepustowy nadaje do Filtr gór-
noprzepustowy natomiast jako dla
mamy
IA(jcv)I = sionF~ nF;
'\
a wzmocnienie jest wprost proporcjonalne do
·--www~~~~w .=· .·,·w ,•,,.,.,,,.,.
Filtr FIR 2.
Filtr dolnoprzepustowy lub interpolator drugiego jest przedstawio -

ny na rys. 24.23. Nietrudno argument cosinusa ma tu
z czego wynika fazy i
nia grupowego.
IAI
1
1
V2
o 0,75 1,00 F
A(z) = 0,25 + 0,5z- 1 + 0,25z- 2

IA(j w) I= 0,5 + 0,5cos 2nF
l -
F9 = - ru:ccos(.}2 - 1) = 0,182
21t
Rys. 24.23. Filtr dolnoprzepustowy /i nterpolator 2.
Jego amplitudowa charakterystyka jest przedstawiona

na rys. 24.24 w skali podwójnie logarytmicznej, a dla porównania jest
narysowana charakterystyka filtru dolnoprzepustowego
pierwszego
Odp owiednie schematy filtru górnoprzepustowego
cego) drugiego przedstawione na rys. 24.25 i 24'.26. Po tym, suma
o -
dB 1/1/
-20
N= 1'\ ~(_
~
\ I
- 40
\ --
-· - - - --
I
-60 -
-'- 1- ~
-ao o,1
I
o,g1 F 1
N = I : a0 = a1 = + 0,5
N= 2: a0 = a2 = +0,25 C1.1 = + 0,5
Rys. 24.24. Chru:akterystyki filtrów dolnopr zepustowych w ska-

li podwójnie logru:ytmicznej
...,...., •....... , ...... . ., .. .. .. ~· -=M'N'h ' •..... ............. ............. ...... .. ,.,., .•. , .•• ,.,., .•. ,.,.,., ......... .. ...,... .............. ...... .... .... , ..... .... ,.,., ••. ,., .•. , ...... ,.,.,.,.,.,., .,.,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, .... ......... ...... .. ..... ... ......... ...... M' .. ............ ....... . . . . . .. ... . . . . . . .
24.4. PROJEKTOWANIE FILTRÓW O ODPOWIEDZI IMPULSOWEJ (FIR) 827

jest równa zero, natychmiast jest to filtr
górnoprzepustowy. dodamy ze
+ I i -1 , wzmocnienie przy 1/zfP jest
równe 1.
X
1
1
v'Z
D 0,'25 0,50 D,75 1,00 F
A(z) = o,25 - 0,5z- 1 + o,25z- 2
IA (jw) I = 0,5 - 0,5cos2nF

1 -
F9 = - arccos (1 - ./2) = 0,318
21t
Rys. 24.25. Filtr 2.
o
.....
I
-
dB
-20
!-"'" -
..... r,
- 40 ---- V
/
V
v i--"
- 60 /'
-80
0,01 0,1 F 1
N = l : ix0 = + 0,5 ix 1 = - 0,5

N = 2: ix0 = ix2 = +0,25 ix 1 = -0,5
Rys. 24.26. Charakterystyk i filtrów górnoprzepustowych w ska-
li podwójnie logarytmicznej
Dla a 1 = O otrzymujemy filtr pasmowozaporowy o

kowej f, = fP pokazany na rys. 24.27. tutaj,
na dwie kolejne + 1,
a dwie -1. temu istnieje· realizacji filtrów pasmo-
wozaporowych o rezonansowej, gdy w
pierwszy i ostatni
a 0 = aN = 0,5, a wszystkie inne równe zero .
·- ---====~"w. ·.w.v.w.•,.·.~~,m,-, ..,,,, . ················
·····················••••
...••••••• ···'=
X
1
X 0<.o
=+0,5 V2
y o 0,75 1,00 F
A(z) = 0,5 + o,5z- 2 cp= -21tF

IA(jw)I = lcos21tFI tg,= TP
F, = 0,25 Q = F,/B = l
Rys. 24.27. Filtr pasmowo zaporowy 2.
24.4.3. Obliczanie filtru

Do obliczenia filtru FIR szczególnie dwie metody:
metoda okien i algorytm Remeza [24.8-24.10]. Ta ostatnia metoda jest
numerycznej aproksymacji Czebyszewa zadanego pola tolerancj i wzmocnienia.
Daje ona i prowadzi w z tym do
bardzo metody okien jest to,
zrozumienie zasady a nie wymaga zbyt wielu
jak oblicza filtru.
Filtry FIR szczegó lnie
na podamy impuls jednostkowy z
dla k= O
(24.29)
inne
zgodnie z rys. 24.19 i 24.20 równaniem (24.19) otrzymamy odpo-
(24.30)
a filtru.
Z teorii systemów wiadomo, impulsowa systemu jest od-
Fouriera jego funkcji przenoszenia Aw(jw) zgodnie z ró -
wnaniem
' +«>
y(t) = J Aw(jw)eia,rdw (24.31)
-«>
W dyskretnych w czasie charakterystyka jest okre-

sowa z okresem f P = 1/Tp, a czas jako okresu
próbkowania: t = kTP. Równ anie (24.31) upraszcza wówczas do postaci
+ ½fp .
y(kTp) = J Aw(jf) e 12"fkTP df (24.32)
-½fp
24.4. PROJEKTOWAN IE FILTRÓW O ODPOWIEDZ I IMPULSOWEJ (FIR) 829

Szukane filtru otrzymujemy w ten sposób, przyrównuje
do siebie równania (24.30) i (24.32) i zadaje
Aw(jw ). Szczególnie jest przypadek idealnego filtru
dolnoprzepustowego o granicznej F9 =/4//p,przedstawiony na
rys. 24.28, wzmocnienie 1 w przepustowym i O w
zaporowym.
-0,5 -F
9
O 0,5 F
Rys. 24.28. Idealna charakterystyka amplitudowa filtru dolnoprzepustowego i jej

okresowe
dodatkowo grupowego t9, = 1/zNTp,

to Aw(jf) w postaci funkcji
e - jnfNTP
dla - /4 f /4
Aw(jf) = { O (24.33)
indziej
podstawimy do równania (24.32)

otrzymamy
lg
s s
F8
akz = e - j nfNT ej2nfkTPdf = einF(2k-N)dF
- fg - Fg
sin(2k - N)nF
akz = 2 F9 (2k - N)nFg
9
dla k = O, 1, 2, ... N (24.34)
to szukane filtru, ale tylko zgrubne; dlatego

one indeks z. je jeszcze tak, by
lub wzmocnienia. Z tego
w dalszych wspólny czynnik wszystkich
ków 2Fc w równaniu (24.34), i tak zostanie wy-
wzmocnienia. (sin 0)/0 w
parzystym , a przy nieparzystej liczbie
. sinx
1Im -- =1
x->O X
w praktyce tylko N, akz

to - jak poka zano na rys. 24.29 - jako
······················•·h~,wm .······
·····
······
········
···········•,.w.w,=---~--==www·==v.v.·~,=w······· ······
······w·
·······
··,.w.·.w.·.·.•.w.w.•.•.w..~wwwv=
przed Okno
przetworzeniem
z 3 k
(XkW 1
OknoHamminga
funkcji okna
2 3 5 k
IXkB t
Normalizacja znormalizowane
wzmocnienia
o 1 2 3 5 k
Normalizacja
OknoHamminga
f unkcji okna
o 1 z 3 k
znormalizowane
Normalizacja
wzmocnienia
o 2 3 5 k
Rezultat: oc0 = oc5 = - 0,00979, O\ = a4 = +0,00979 , oc2 = oc3 = 0,5000

Rys. 24.29. Kroki obliczeniowe przy obliczaniu filtru na filtru
dolnoprzepustowego 5. o granicznej Fg = 0,25
przez Wskutek tego charaktery styka
aproksymowana w sposób Na
rysunku 24.30 od przebiegu charak -
terystyki i w zaporowym. to
znacznie zamiast okna okno, w którym
na brzegu w sposób w pra -
ktyce funkcjami okien okna:
- Hamminga,
- Blackmann a,
- Hana,
- Kaisera.
zf== ::f====l==....J
-_.j Idealna charaxterystyka
z oknemprostokqtnym
1,-1-=====::t=:
===::::t
---r-1-- ~ ~ --- ----
1
V2l- - +---1----1---t-- .:i,,-.""""'-'{'='""'-<;2'-,!;;
,----l--+---I
o 0,1 0,2 Fg 0,3 0,4 F 0,5
Rys. 24.30. poszczególnych kroków przy obliczaniu na

filtru na filtru dolnoprzepustowego 5. o granicznej F9 = 0,25
My zastosujemy okno Hamm inga, daje ono dobre wyniki przy

niewielkich obliczeniowych. Funkcja Hamminga
IW,= 2nk
0,54 - 0,46cos-,;- dla k= o,I, 2 ... N I (24.35)
naszkicowana jest na rys. 24.29. Jej brzegowe
W(k = O)= W(k = N) = 0,08;

a w ma W(k = 1/iN) = 1. filtru
przez okna przedstawione na rys. 24.29, a wypadkowa charakterys-
tyka na rys. 24.30. charakterystyki pra-
wie a w zaporowym Teraz
jeszcze wzmocnienie dla do równej 1.
832 24. FILTRY C'YFROWE

a)
o
dB Fg=0,25 [7)~ ?- 5
: \ \\' \(2
20
I
I
\\ \ v11
40
1
15·f-' -\ ,/
\
1
63 31
I
I
I
60
!
I
80 !
b) I
I Fg= 0,1
o
dB
- 20
;\\ y ~=7 -
I
I \ \ '\\~J_
-40
I
I
I 63 31
\ 15\ \'\\ 11\
-
I ('
'"'I
I (\ /
'n" 1n
~)
I imrn
'h I
I
- 60 I• ,J l
I
I 1irn
I
-BO I
c)
o
-dB Fa=D,025
~r--
- 20
I
I \ I\" "\
I
I \ \ \
I
I
I 127 63\ \--
- 40 I
I ,..
I \
I I"'
} li /'\
-60
-
I
I
'
'l'I lfiJ
I
- BO I lV
0,01 0,1 F 1
Rys. 24.31. Charak terystyki filtrów dolnoprzepustowych o od-
powiedzi impulsowej
W tym celu przez wszystkich
czynników. Krok ten jest przedstawiony na rys. 24.29 i 24.30. Uzyska-
ny filtr mimo tego nie ma jeszcze granicznej. F9
wstawiona do równania (24.29) daje tylko Dlatego
Fg w równaniu (24.29) nieco aby przy
granicznej wzmocnienie równe 1//2. W tym przypadku nale-
do F~ = 0,32. W tym celu jest jednak konieczne po -
wtórzenie procesu projektowania, ze Fg.
Prowadzi to do procesu iteracyjnego, który wielokrotnie.
Wynikiem jest filtr dolnoprzepustowy o znormalizowanym wzmocnieniu i
granicznej, przedstawiony na rys. 24.29 i 24.30.
zaprojektowano filtry dolnoprzepustowe, które na rys. 24.31
przedstawione dla znormalizowanych granicznych równych
fu= 0,25; 0,1; 0,025. filtru stabelaryzowane na rys. 24.32. Im
mniejsza jest graniczna fu w porównaniu z pr ób-
kowania fp, a im mniejsza jest Fg = fu/fp, tym jest
szy N, przy którym istnieje Dla fu = 0,25
jest N= 27, przy fu= 0,01 to N= 65. tu do filtrów
dolnoprzepustowych nieparzystych one dwie zalety: po pierwsze
ich charakterystyka przy F = 0,5 ma zero, podc zas gdy filtry
dolnoprzepustowe parzystego tam (lokalne) maksimum. Pro-
wadzi to, szczególnie w przypadku filtrów dolnopr zepustowych o
granicznej F9 = 0,25 do znacznie lepszych w pa-
zaporowym. Z drugiej strony otrzymuje wówczas
czemu lepiej scalone filtry FIR.
do najprostszej realizacji filtrów dolnoprzepu stowych
musimy pytanie: jak F9 , aby
Filtr wszechprzepustowy N=8

Fg=0,5
o 8 k
aftz
1
Filtr póTpasmowy
N =8
Fg= 0,25
o 3 4 5
Rys. 24.32. Filtry o odpowiedzi impulsowej z zerowymi

filtru w równaniu (24.34) równych O?
Dwa tego rodzaju przypadki szczególne przedstawione na rys. 24.32.
przyjmiemy F9 = I/2, to w przypadku parzystego (nieparzystej liczby
wszystkie z
który ma a(½N) = 1.
Tablica 24.1. filtrów dolnoprzepustowych o odpowiedzi impulsowej

przy f 9 = 0,25f P
graniczna F9 = 0,25
N= l
et0 = cx1 = +0,50000
N=5 1>
cx0 = cx5 = - 0,00979 Gt1 = Gt4 = +0,00979 OCz = OC3 = + 0,50000
N =7
ct0 = cx7 = + 0,00343
Gt3 = IX4 = + 0,49657
N = 11
ct0 = au = -0,00203 a,= Gt10 = +0,01056 Gtz = Gt9 = +0, 00010
OC3 = eta = -0,07531 OC4 = Gt7 = +0,07734 Gt5 = Gt6 = +0,48934
N= 15
OCo = a 15 = +0,00152 C(l = C.t14 = -0,00561 Gtz = Gt13 = -0,00175
OC3 = IX12 = +0,02812 OC
4 = Gt11 = -0,01076 Gt5 = Gt10 =- 0,09143
OC6 = IX9 = +0,09879 OC7 =as = + 0,48112
N = 31
OCo = OC31 = +0,00074 0'.1 = IX30 = -0,00182 IXz = Gt29 = - 0,00083
cx3 = oc28 = +0 ,00404 Gt4 = °'21 =
+0,00088 ct5 = a:26 = -0,00898
ct6 = oc25 = + 0,00024 cx7 = cx24 = +0,0 1753 a:8 = a:23 = -0,00429
&9 = rt22 = - 0,03102 a 10 = cx21 = +0 ,01441 a 11 = ct20 = +0,05303
OC12 = OC19 = -0,0 3900 Gt13 = GtJR = -0,10015 C.t14 =C.t 17 = +0 ,12815
OC15 = OC16 = +0,46707
N=63
ct0 = oc63 = + 0,00036 Gt1 = - 0,00078
OC62 = CXz = «61 = - 0,00036
Gt3 = C(60 = +0,001 05 Gt4 = + 0,00041
OC59 = °'s = a 58 = - 0,00158
OC6 = OC57 = -0,0 0045 Gt7 = OC56 = + 0,00239 OCs = OC55 = +0,00044
Gt9 = 0'.54 = - 0,00356 Gt10 = Gt53 = -0,00030 OCu = Gt52 = +0,00513
Gt12 = 0'.51 = - 0,00006 OC13 = Gt50 = -0,00714 ctl4 = OC49 = +0,00075
48 = +0,00968
ct 15 = cx Gt16 = Gt47 = -0,00190 = OC46 = -0,01283
OCJ7
0'.18 = Gt45 = +0,00372 IX19 = Gt44 = +0,0)677 = oc43 = - 0,00650

OCzo
cx21 = cx42 = -0,02179 a 22 = ct41 = +0,01074 OC23 = OC40 = + 0,02852
Gt24 = 0'.39 = - 0,01743 ct25 = a:38 = -0,03839 OC26 = OC37 = + 0,02898
Gt27 = Gt36 = + 0,05549 ct28 = a 35 = -0,05326 0Cz9 = oc34 = -0,09716
Gt30 = Gt33 = + 0,14016 Gt31 = Gt32 = +0,45891
1> N = 3 nie a 0 i oc3

Tablica 24.2. filtrów o odpowiedzi impulsowej przy /g = O,lf„
graniczna F9 = 0,1
N = 11 >
o:0 = a7 = + 0,00976
0:3 = 0:4 = +0,27616
N= 11
eto = CX1J = -0,00 470 CXJ = et 10 = - 0,00605 «2 = «9 = + 0,00818
ct3 = o:8 = + 0,07006 CX
4 = OC7 = +0,1 7404 «5 = 0:6 = + 0,25848
N= 15
o:0 = o:15 = -0,00101 etl = 0:14 = - 0,00521 0:2 = et13 = - 0,01269
CX3 = CXJl = - 0,01214 OC4 = 0:11 = +0 ,01830 et5 = et10 = + 0,08914
et6 = 0:9 = +0,179 62 0:1 = et 8 = +0,24399
N = 31
O!o = et3 1 = -0,00165 et l = °'30 = - 0,00146 °'2 = 0:29 = - 0,00037
o:3 = oc28 = +0,00225 et4 = 0:27 = + 0,00593 «5 = 0:26 = +0,00823
(X6 = °'25 = +0,005 48 °'1 = 0:24 = -0,00461 0:9 = 0:23 = - 0,01979
0:9 = CX22 = -0 ,03195 °'10 = et21 = - 0,02944 CXu = CX20 = - 0,00261
et 12 = ct 19 = + 0,04987 °' 13 = °'J 8 = +0,11780 0:14 = CX17 = + 0,18175
et 15 = CX16 = + 0,22058
N =63
eto = cx63 = +0,00065 et1 = °'62 = +0,00086 «2 = «61 = +0,00073
CX3 = °'60 = +0,00022 et4 = 0:59 = - 0,00061 «5 = 0:55 = -0,00148
CX
6 = CX57 = -0,00194 «1 = 0:56 = - 0,00150 et 8 = et55 = +0,0 0001
CX9 = CX54 = + 0,00223 °' 10 = OC53 = + 0,00418 CXll = et 52 = + 0,00464
CXJl = CX51 = +0, 00272 o:13 = « 50 = -0,00144 ' CX14 = et49 - 0,00639
=
°' 1s = CX
48 = - 0,00973 0:16 = 0:47 = -0,00909 et17 = et4 6 = - 0,00343
°' J S = CX45 = +0,00593 CX19 = CX44 = +0, 01532 et20 = oc43 = +0,01986
°'21 = et42 = +0,0 1560 etzz = 0:4 1 = +0 ,00177 OC23 = et40 = -0,01790
Gt24 = OC39 = - 0,03551 et25 = 0:3 8 = - 0,04135 «2 6 = 0:37 = - 0,02742
Gt27 = °'36 = + 0,00903 CX2s = et35 = +0,063 48 0:29 = CX34 = +0,12467

CX30 = Gt33 = +0, 17761 °'31 = et32 = + 0,20829
ll Dla N< 7 nie ma
Tablica 24.3 . filtrów o odpowiedzi impulsowej przy /4= 0,025/,,

graniczna F9 = 0,025
N= 311>
CXo = °'31 = + 0,00077 °'1 = CX30 = +0,00 132 CX2 = etz9 = + 0,00236
cx3 = cx28 = + 0,00417 CX4 = CX27 = + 0,00698 et5 = et20 = + 0,01095
et6 = et25 = +0,016 13 0:7 = et24 = - 0,02244 eta +0,0296 8
= et23 =
CX9 = CX22 = +0 ,03754 CX10 = 0:2 .1 = +0 ,04559 etll +0,05335
= °'20 =
°'12 = CX19 = + 0,06033 CX13 = CX1s = +0,06606 0:14 = °'n= +0,07012
O:l5 = cx16 = +0,07222

N=63
OCo = OC63= - 0,00005 OC1 = - 0,00022
OC62 = OC2 = OC61= - 0,00042
OC3 = OC6o = - 0,00068 OC4 = - 0,00101
OC
59 = OC5 = <X55 = - 0,00141
OC
6 = OC57 = - 0,00188 OC7 = OC5 6 = - 0,00241 OC
5 = - 0,00295
<X55 =
OC9 = OC54 = -0,00344 °'10 = OC53 = -0,00383 <t11 = 0,00403
<t52 = -
OC12 = OC51 = -0 ,00395 OC13 = OC50 = - 0,00350 <X14 = 0,00259
OC49 = -
OC
15 = OC4g = -0 ,00115 OC 7 = +0,00089
16 = OC4 7 = ()(46 = + 0,00356
OC1s = OC45 = +0,00689 OC19 = OC44 = +0,01084 OC20 = OC43 = +0 ,01536

<X21 = OC42 = +0,02036 OCzz = OC41 = +0 ,02573 OC23 = OC40 = +0,03131
<X24= OC39 = + 0,03694 OC25 = OC35 = +0, 04243 OC26 = OC37 = + 0,04759
27 = OC36 =
OC +0,05227 OC28 = OC35 = + 0,05618 OC29 = OC34 = + 0,05928
OC30 = OC33 = +0,06143 OC31 = OC32 = + 0,06252
11 Dla N < 21 nie ma
Wypadkowy filtr jest filtrem wszechprzepustowym, a nie da wy-

jako filtr dolnoprzepustowy .
podzielimy przez 2, otrzymamy tzw. filtr
pólpasmowy o granicznej F9 = 1/4. warunek ten podstawi-
my do równania (24.34) otrzymamy
sin(2k - N)rc/4
(24.36)
(2k- N)n/4
Na rysunku 24.32 tutaj przy parzystym (niepa-

rzystej liczbie uzyskujemy istotne uproszczenie, co
drugi jest równy O.Aby filtr do zastosowa-
nia w praktyce , jeszcze przez okna.
Przy zastosowaniu okna Hamminga opisanego równaniem (24.35) otrzymamy
dla akw = akz . wk
sin(2k - N)rc/4 2rck)

akw = ( 0,54 - 0,46cos
(2k - N)n/4
dla k = O, l , 2, ..., N (24.37)
obliczymy filtru dla wszystkich k, w celu otrzymania ich

ostatecznych musimy je jeszcze w celu znormalizowania
przez ich Tak w tym przypadku metoda iteracyjna przy projek-
towaniu filtru nie jest konieczna, a takiego filtru
na kalkulatorze. Wypadkowe graniczne nie do-
równe F 9 = 1/4, nie dla tej znorma-
lizowane. Normalizacja nie jest jednak w tym przypadku zalecana,
wówczas na tym, co drugi
znika. Charakterystyki wybranych filtrów
·o, •,•, •• h,nn,., ','•'•'•"•• ,.-=- ..........
...._.,,,,,,,
...,.,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•.,.,,,,,_.
,,.,.,.,
,,,,,,,.,..,,,,,,,,,•,•,
••, ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•r.-,•,•,•,•,-,-,-.-,........-.-.••~,www-~,~v. •,•,•,•,•,•,•,•,

pokazane na rys. 24.33, a ich w tabl. 24.4. Na rysunku 24.33
6 graniczne ze wzrostem coraz bardziej do-
do F9 = 0,25, a do pasma".
o,- - 11 11 1M--tiH- = ===±~ + ---::1-

-+++ ++--1
dB ~k ::2
- 2oi-- - - -i----i- -1- -1--1- ~ +1-- - -1-- +~l--f[\
.----+
-l-
l'--
---l--l--l-l----l-l
I\ ,~
!§___l-1 \
-32 ... I
9J/Mlt I ~--i-;--,
-80';:;:;--- --'- -- L..----L-

--'---'- -L --'-'-+--- -..L_ _ _L_LJLU _.!.,L_ L_l._j_.LJ
0,01 0,1 F
Rys. 24 .33. Ch arakterystyki filtrów
Tablica 24.4. filtrów
N= 4 3 F9 = 0,205
a.0 = a4 = O a1 = a3 = +0,20371 CX2 = +0 ,59258
N= 8 5 F9 = 0,199
a.o = a.8 = O a.1 = a.1 = -0,02266 a:3 = a5 = + 0,27398
a.4 = + 0,49737
N= 16 9 F9 = 0,225
a.o = a.16 = O a.1 = a. 15 = - 0,00524 0:2 = a.14 = Q CX3 = CX13 = +0,02321
a.4 = a.12 = O a.5 = a. 11 = - 0,07611 a6 = a.10= O CX7 = a.9 = + 0,030770
a.a = +0,50087
N = 32 17 F9 = 0,238
a 0 = a.32 = O a. 1 = a. 31 = - 0,00189 °'2 = a.30 = 0 a.3 = a.29 = +0,00386
°'4 = a.2s = O a.s = a.21= - 0,00824 (t.6 = °'26 = 0 a.7 = (t.25 = + 0,01595
a.a = IX24 = 0 a.9 = Ot:23 = - 0,02868 a.10 = a.22 = 0 a., l = a.21 = + 0,05072
a.12= 0:20 = o a.13 = a.19 = -0,09802 a.14 = a.19 = 0 a.15= a.17 = + 0,31594
CX1 6 = +0,50071
N = 64 33 F9 = 0,244
cx0 = a.64 =O a:1 = cx63 = -0,00084 0:2 = (t.62 = 0 a.3 = a.61 = +0,00110
CX4 = CX6o = o a.s = CX59 = -0,00 158 °'1= a.59 =0 CX7 = CX57 = +0,00235
CX5 = cx5 6 = 0 CX9 = cx 55 = -0,00344 CX10 = a.54 =0 a.u = a. 53 = +0,00490
CX12 = CX52 = 0 CX13 = 0:5 1 = -0,0068 1 CX14 = CXso = O a. 1 5 = a.49 = +0,00927
CX16 = CX45 = 0 CXl 7 = CX47 = -0,012 43 CX18 = CX46 = 0 (t.)9 = a.45 = +0,01650
0:20 = CX44 = 0 CX19 = CX43 = -0,02192 (t.22 = a.42 =0 a.23 = a.41 = +0,0 2944
0:24 = CX40 = 0 a.25= ~9 = - 0,04076 (t.26 = a.38 = 0 a.27 = a. 37 = + 0,06025
a.2a = Ot:36 = o a.29= a.35 = - 0,10408 a.3 0 = a.34 = 0 a.3 1 = a.33 = + 0,31785
a.32 = + 0,50039

Podawane zwyczajowo 3 graniczne mniejsze - ich
podano dodatkowo w tabl. 24.4. Zgrubne Fg
mimo to realizacje dowolnych - -
granicznych przez odpowiedni wybór próbkowania:
Na rysunku 24.32 tylko przy nieparzystej liczbie

ników ich jest równa zero. Z tego stosowa ne
filtry parzystego. Oprócz tego
czynniki brzegowe (w a 0 i a 8) przy wszystkich
podzielnych przez 4. Dlatego wybór takiego jest szczególnie korzyst-
ny, bez dodatkowego zyskuje dwa dodat-
kowe nawet te dwa które przypisa-
ne do brzegowych a 0 =a.N = O.
jednak tylko wtedy, kiedy algorytm filtracji jest zaprogramowany
na procesorze W filtrach przedstawio nych
w tabl. 24.9 zalet filtrów nie daje
Filtry z powodzeniem w kas-
kadowych, jak to pokazano na rys. 24.34. przy tym identycznych
bloków filtrów, które przy próbkowania
zaporowe. Wówczas, bez naruszenia twierdzenia
o próbkowaniu, drugi blok filtrów z prób-
kowania o Powoduje to zmniejszenie obliczenio-
wego do
Filtr 1
F9 =t /4
Filt r 2
Fg= 1/4
Filtr 3
Fg= 1/4
"t:
1 1 1
fp 2 fp 4 fp 8 r;,
Rys. 24.34. Zastosowanie filtrów w strukturze kaskadowej z próbkowaniem niedo -
miarowym. Liczba operacji i dodawania wymagana do obliczenia
(N+ 1) + 1/2(N + 1) + 1/ 4(N + l) + ... =(N+ 1)(1 + 1/2 + 1/4 + ...) = 2(N + I)
W 3 i 4 bloku filtru dalej dzielimy próbkowania przez 2.

graniczna filtru w dodatkowym bloku zostaje
zmniejszona do jest to przedstawione na rys. 24.34. W ten sposób
graniczne znacznie
próbkowania, których realizacja bardzo wiele
[24.l 6).
., ••• ,.~ ..... . . . ,. ,.,,, . , ...... . .,.,,.,,.., •• _.,., • .V.VW-.~ .... .... .... . . ....... . .. •. •, •, •, •, •,•, •, •,•,•,• , •, •,• , •, •, •, •, •, •, •, •, •, •, •••• , ... .... . . ... ... ...,.. . . ....... . ... . , . , •,•, •,•,•, • ,• , •, •,• ,-. -,•,...,., .... ...... ~-·---·===~ .........
.......
....
........
.... ....
.
24.4. PROJEKTOWANIE FILTRÓW O ODPOWIEDZI IMPULS OWEJ (FIR) 839
Filtry górnoprzepustowe
Obliczenia filtrów górnoprzepus towych sprowa-

do projektowania filtrów dolnoprzepustowych. W tym celu skorzy-
z twierdzenia o transformacji Fouriera, które mówi, dodawa-
niu w dziedzinie odpowiada dodawan ie w dziedzinie czasu. Na
rysunku 24.35 pokazano, jak twierdzenie to do projekto-
wania filtrów górnoprzepustowych. filtr górnoprzepustowy
od filtru wszechprzepustowego odejmie filtr dolnoprzepus-
towy. Odpowiednie filtru otrzymuje w z tym przez
filtru dolnoprzepustowego od filtru
wszechprzepustowego, jak to pokazano po prawej stronie rysunku.
w tym przypadku przez ok-
na oraz wzmocnienia przy F = 0,5 do
1, a przy F = Fg do 1/J2.
fXkz
1
Filtr wszechprze-
) (j)
[Awf pustawy N ==8
Fg=O,S
1 .
IF o 8 k
I
I
Fil tr dolnoprze-
I
fAwf
le
li
pustawy
N= B
Fg= 0,25
/
o
0
IF 3 1 8 k
I
I
I Filtr górnoprze-
fA-1
1@ I
I
pustawy fXxz N= 8
Fq=0,25
@
Fg
I
0,5
I
I
1F
. o 8 k
Rys. 24.35. Projektowani e fillrów górnoprzepustowych
Okazuje jednak, filtry górnoprzepustowe zaprojektowane meto-

w przypadku nieparzystych zero przy F = 0,5. Z tego
nie zbyt dobrze na filtry górnoprzepustowe. Dlatego w charak-
terystykach przedstawionych na rys. 24.36 i w tablicy
(tabl. 24.5) przedstawiono tylko filtry parzystych, tzn.
o nieparzystej liczbie

Fg= 0,25
o
dB
L--
L--- ~ // I
,_.
~r
i---
I
1...)·'
- 20 i--- V
V L,} ' V
._
vv I 1Q__
/
V
ó_..,,... /
- 40
V
/
V
/ ,_"'
Ni
V /
V[\
"., V
-60
/
V 1, I
\h
- BO
) V I I I~
o
dB ~V t;:::i?
ti~fl.. V V I
- 20 /
/
/ ">
~ I
/
/ I
"-i
/
--
<,:,
- 40
/
- /
X
V
- 60 I
/ \ I
-BO I I
I
Fg= 0,025
o
dB f
- 20~ /
1/
-4 0
I I
-
-6 0 \
- Bo
0,01 0,1 F 1
Rys. 24.36. Charakterystyki filtrów górnoprzepustowych o od-
powiedzi impulsowej
24.4. PROJEKTOWANIE FI LTRÓW O ODPOWIEDZI IMPULSOWEJ (FIR) 841

1'·110 1'·110
I I .
Je
I
0,5 0,5 F
le
I I
I I
I
I I
I
n
I
I I
:Fgt F F
le I j''' Je
F F
Filtr pasmowoprzepustowy Filt r pasmowozap or owy
Rys. 24.37. Projektowanie filtru pasmowoprzepustowego lub pasmowozaporowego
Tablica 24.5. filtrów górnoprzepustowych o odpowiedzi impulsowej

przy / 9 = 0,25/P
graniczna F9 = 0,25
N= l
ix 0 = -ix 1 = +0,5000
N=6
IXo = IX6 = - 0,00009 0:1 = IX5 = -0,05091 !lz =a = - 4 0,25163
IX3 = + 0,60528
N= 10
1Xo = IX10 = -0,00162 IX1 = 0:9 = +0,01114 Ol:2 = <Y.9 = +0,03079
/ IX3 = IX7 = -0,05152 !l4 = 0:6 = - 0,27968 <Y.5 = +0,58179
N=l4
IXo = IX14 = +0 ,00113 0:1 = 1X13 = -0,00587 IX2 = IX12 = -0,01005
IX3 = IX1 I = +0,02291 IX4 = IX10 = + 0,05852 IX5 = !l9 = - 0,04623
IX6 = IXs = - 0,29895 IX7 = +0,55709
N=30
1Xo = IX30 = +0,00053 IX1 = IX29 = -0,00188 IX2 = 1Xn = -0,00136
IX3 = (1,27 = +0,00375 IX4 = +0,00407
1X26 = IX5 = IXz5 =
- 0,00732
IX6 = (1,24 = - 0,01026 IX7 = IX23 = +0,01213 IXa = 1X22 =
+0,02267
IX9 = IX21 = -0,01739 IX10 = IX20 = - 0,04475 1X11 = 1X19 = + 0,02213
IX12 = IX1s = + 0,09366 IX13 = OC17 = -0,02541 IX14 = IX16 = - 0,31369
°'15 = +0,52709
N=62
0:o = IX62 = +0,00025 IXl = IX6J = - 0,00082 1X2 = 0:60 = -0,00038
IX3 = +0,00104
OC59 = IX4 = Ol:59 =
+0,00064 OC5 = IX57 = -0,00) 46
IX6 = (1,56 = - 0,00110 IX7 = <1,55 =
+0,00209 0:a = IX54 = + 0,00184
IX9 = 0:53 = - 0,0029] IX10 = IX52 = - 0,00297 CX11 = CX51 = +0,00389
IX12 = Ol:50 = +0,00457 au = ix49 = - 0,00500 IX14 = -0,00680
IX49 =
IX15 = IX4 7 = +0,00620 IX16 = °'46 = +0,00981 CX17 = CX45 = -0,00744
IX1a = IX44 = -0,01387 0:19 = IX43 = +0,00866 IX.zo = IX4 2 = +0,01938
°'2 1 = IX41 = - 0,00982 IX22 = Ol:40 = - 0,02713 IX.z3 = <1,39 = +0,01085
<1,24 = IX39 = +0,03879 1Xz5 = IX37 = - 0,01170 °'26 = Ol:36 = - 0,05873
Ol:27 = Ol:35 = +0,01235 IXzs = IX3 4 = +0,10304 Ol:29 = Ol:33 = -0,01275
0:30 = (1,32 = -0,31713 IX31 = +0,51315
·······"·'-""" "·'·'·W.wm.,~~-- -"" "·" "" ·"-'·······················-·,.-...•.•....,...•.•.•,•.•.•,•,•.,.•.,,.,., _,,..., ,W ,W ,','·" ·'·'·'·"" •" '•'""" ""·" ·"""""" "··----= ·w ,.,, .... , ......
Filtry pasmowoprzepustowe i pasmowozaporowe
Filtr pasmowoprzepustowy przez od siebie
charakterystyk dwóch filtrów dolnoprzepustowych , jak to
pokazano na rys. 24.40 . Aby filtr pasmowozaporowy , charakterysty-
filtru pasmowoprzepustowego od charak-
ter ystyki filtru wszechprzep ustowego.

przy / 9 = O,lfP
graniczna F9 = O, 1
N = 12
a. 0 = a.12 = - 0,01015 CX
1 = Ci11 = - 0,01925 a2 =a. JO = -0,04453
a.3 = a.9 = - 0,08090 a.4 = °' 8 = -0,11882 a.5 = a.1 = -0,14737
(J,6 = + 0,84203
N =3 0
a. 0 = a.30 = - 0,00160 al = IX29 = - 0,00200 r:t2 = 0(28 = - 0,00212
a.3 = a.2 7 = - 0,00117 CX4 = IX26 = +0,00185 Ci5 = IX25 = + 0,00723
(J,6 = a.24 = + 0,01375 fX7 = a.23 = +0 ,01836 °'s = a22 = +0,01674
Ci9 = (J,2) = + 0,00479 CX10 = !IC20 = - 0,01960 <X11 = °' 19 = - 0,05505
Ci12 = (J,18 = -0 ,09628 °'n = al? = - 0,13521 °'14 = °'16 = - 0,16308
Ci15 = +0,82679
N = 62
a0 = a.62 = +0,00048 IX1 = IX61 = + 0,00082 <X2 = IX60 = +0 ,00096
Ci3 = 0:59 = +0,00079 Ci4 = IX5 5 = +0 ,00023 a.5 = a 51 = -0 ,00070
a6 = oc56 = - 0,00176 °'1 = a.55 = - 0,00254 a.8 = a.54 = - 0,00252
a\ = oc53 = -0,00134 IXl O = +0 ,00099
IX52 = a.11 = a.5 1
+0,00390
=
o,;12 = o,;50 = +0 ,00629 °' 13 = <X49 = +0,00689 <X14 = +0,00475

a.45 =
a. 15 = OC47 = - 0,00020 IX16 = IX46 = -0,00683 0(17 =
fX4 5 - 0,01292
=
(J,18 = a.44 = - 0,01572 a.19 = a.43 = -0,01296 °'20 = a.42 = -0,00392
(J,21 = a.4 1 = +0,00984 (J,22 = a.40 = +0,02439 °'23 = OC39= +0,03417
0:24 = (J,38 = + 0,03350 (1.25 = IX37 = +0,01835 °'26 = °'36 = -0,01 208
0:27 = a.3 5 = - 0,05455 a2 8 = a34 = -0,10217 OC,29= <X33 = -0 ,14584
Ci30 = a.32 = - 0,17650 Ci31 = + 0,81246

przy / 9 = 0,025/P
graniczna F9 = 0,025
N=48
a.o = 1X48 = -0,00271 a,1 = OC4
7 = -0,00288 IX2 = <X46 = - 0,00332
o,;3 = 1X4 5 = -0,00404 a.4 = a44 = -0,00503 o,;5 = •X 4 3 = - 0,00628
IX6 = IX42 = - 0,00778 a.7 = IX41 = -0,00951 o,;8 = oc40 = -0 ,01144
a.9 = IX39 = - 0,01353 a 1 o = a 38= -0,01577 <X11 = Ci37 = - 0,01811
a.12 = (J,36 = -0,02050 a.13 = OC35 = - 0,02291 °'14 = OC34= -0,02530
Ci15 = a.33 = -0,02762 IX16 = OC32= - 0,02983 <X17 = <X31 = -0,03189
(J,18 = a.30 = -0,0 3376 ·Cl19 = IX29 = -0,03541 a20 = a 28 = - 0,03680

a.21 = CX27 = - 0,03791 IX22 = 1X26 = - 0,03872 °'23 = IX25 = -0 ,03921
(J,24 = +0,9606 2
--- -... ,,. ,,,•,•,•,v,•,•,•,-.v •..-............... ,.,.._,.... ,.,.,.,•••••••

,.,•,•,•,•, ..........,.,.,,... ..,,,, .,,, •., .,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,,,,,,,,,,,,,._._._._ ·,·.-.-.-.-=-
••._,,••••••,.-••• ·•= =· .·.·.·,.....-.-.==-·
24.4. PRO JEKTOWANIE FILT RÓW O ODPOWIEDZ I IMPULSOWEJ (FTR) 843
filtru otrzymuje wtedy przez
odpowiednich zestawów Inna uzyskania
filtrów pasmowoprzepustowych i pasmowozaporowych pole-
ga na funkcji przenoszenia A(z) odpowiedniego filtru górno-
i dolnoprzepustowego . Filtr taki w postaci kaskadowego
filtrów lub - po - w jed-
norod nym.
[E:~
W celu zrealizowania filtru FIR musimy zgodnie z równaniem (24.19)
N
y(tN) = L akx(tN-k)
k= O
jako N ostatnich przez

niki wagi. albo równolegle, a w jednym
kroku, albo szeregowo, tzn. w N krokach. W pierwszym przypadku jest ko-
nieczny a w drugim przypadku czas ob-
" jak to pokazano w tabl. 24.8. dla podstawowej operacji
i dodawania czas np . 100 ns, przy przetwarzaniu
na próbkowania 10 MHz, w przeciwnym przypa -
dku tej
Tablica 24.8. Oszacowanie obliczeniowego dla filtrów N-tego

o odpowiedzi impulsowej przy przetwarzaniu
i szeregowym
Przetwarzanie Dodawania Czas
równolegle N+ l N I takt 2N +l
szeregowe 1 l N+ l taktów 2N +l
Przy wykonywaniu zgodnie z równaniem (24.19) musimy oczy-

wszystkie i N ostatnich próbek . Wy-
nika z tego w obu przypadkac h 2N + 1
w danych x wyznacza na podstawie od-
od szumu kwantyzacji, ok. w· 6 dB.
wa do z
obliczone Z tego wybiera przynaj-
mniej tak jak danych. Wskutek tego po po-
. ........ . .....,,.,.,..,. .,;,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,w ·-- -

o podwójnej równej 2w. Przy obliczeniu sumy
w kroku o jeden bit, a do 2w + N.
Rzeczywisty wzrost jest jednak mniejszy,
ak jest mniejsza od W z ograniczenia
stopnia rozbudowy nie daje zmniejszenia
24.5.1. realizacja
filtrówFIR
Do realizacji filtrów FIR szczególnie nadaje strukt ura
pokazana na rys. 24.19, w tym na operacje i do -
dawania mamy do dyspozycji okres próbkowania. tu opera-
cje przez filtru w zasadzie
za w których czynnik
filtru bit po bicie przez O lub 1.
dla i zapa -
w EPROM.
Obie .te metody nie jednak stosowane , w handlu
ne scalone filtry FIR w wykonaniach. Zbudowane one
nie zgodnie z na rys. 29.19. Mamy tu do czynienia z bar-
dzo iskomplikowanymi
sumat orów i
X
Yexp
Rys. 24.38. Budowa scalonego filtru FIR
Do wprowadzania i przewidziano w nich

dodatkowy rejestr jak to na rys. 24.38. Do
niego po zasilania i w ten spo-
sób filtr zostaje skonfigurowany. w trakcie
pracy filtru, czemu charak terystyka staje adaptacyj-
z tego robi np. w eliminatorach echa.
filtru jako drugie W tym wy-
padku wylicza korelacji wzajemnej Do -
datkowe Yexp kaskadowe jednakowych elementów
w celu Dan e wybranych scalonych filtrów FIR przed-
stawione w tabl. 24.9.
-,·m,,., __ , """"' '' •'•'•'•'•',.,.,',',',',',',',',''=~--- --
24.5. REALIZAC JA FILTRÓW FIR 845

Tablica 24.9. Scalone filtry o odpowiedzi impulsowej
Typ Prod ucent Liczba Moc Obudowa

próbkowania strat
ników [bit] [W]
HSP43168 Harris 16 10 40MHz 84PGA

HSP43216 Harris 67 16 50MHz 1,8 84LCC
TFIR6400 ITT 64 8 20MHz 0,5 68 LCC
L64245 LSI-Logic 26 IO 40MHz 68PGA
L64240 LSI -Logic 64 8 20MHz 2,5 155 PGA
DSP56200* Motorola 256 16 37 kHz 0,75 28 DIL
PDSPJ6256 Plessey 16 16 25MHz 1 144 PGA
RP5S01 Ricoh 55 10 0,5 MHz 0,2 40DIL
IMSAllO SGS-Thoms. 21 8 20MHz 1 100 PGA
IMSAlOO SGS-Thoms . 32 16 2,5 MHz 1 84PGA
M27HC68 SGS-Thoms. 16 8 40MH z 1 68LCC
ZR33891 Zoran 8 9 20MHz 0,75 84 PGA
* szeregowy
24.5.2.Szeregowa
realizacja
filtrówFIR
Przy szeregowej realizacji filtrów FIR wychodzi ze struktury podstawowej
pokazanej na rys. 24.20, z globalnym sumatorem na Do
stosuje rejestr zgodnie z rys. 24.39. Wszyst-
kie i sumatory tutaj jednym jak to
pokazano na rys. 24.40. W celu obliczenia
przesuwane przez wszystkie stopnie filtru, a uzyskane iloczyny
zsumowane. Oba rejestry zrealizowane jako
FIFO (patrz p . 11.2.3). Nie jest przy tym konieczne fizyczne przesuwa-
nie danych, przesuwany jest tylko odpowiedni lub
pokazano na rys. 24.41. wykorzystano np. w
IM29Cl28 ,fi1ter-control chip" firmy Intersil.
Potrz ebna jest jeszcze tylko dodatkowa EPROM , w której zapa-
i jeden - akumulator. je
w sposób pokazany na rys. 24.42. W ten sposób filtry
Rys. 24.39. Filtr o

,
846
~- ·
.....,.,.,.,.,.,.,....
24. FIL TRY CYFROWE
___
... ....,.,,,,,,, ,,,,,, ..,.,...,...,.....
odpowiedzi impulsowej (FIR) z sumatorem globalnym na
"""................................................ ,.,..........
... ,,,, ,,,,,,,,,.,., .,......... ...............................................................................................
....
...........
,.,.,.,.,.,.,.,.,....
.............
..
o 16-bitowym które przy maksymalnej 128
próbkowanie z
1 1
fp = --- ~78kHz
128. "MAC 12,8 µs
i akumulator (MAC) (multiplication and addition) ma

czas wykonywania operacji równy 100 ns [24.13].
-----ru-i
y
---- ~
Rys. 24.40. Szeregowe obliczanie
Rys. 24.41. Szeregowe obliczanie y. W celu obliczenia dokonuje jednokrot -

nej rotacji obu i sumuje wszystkie a potem wczytuj e
x
Zwarty filtru procesor FIR DSP

56200 firmy Motorola. Tutaj z rys. 24.42 scalony na jednej
strukturze. Maksymalna tego filtru to 256 Element
DSP 56200 jest procesorem z rodziny DSP 5600
dedykowany program filtru FIR. sami napiszemy potrzebny program,
dowolny inny procesor Kilka swo-
bodnie programowalnych procesorów
w tabl. 24.10.
24.5. REALIZACJA FILTRÓW FIR 847

X
16
Dwe
Gener .
adresów
7
A RAM
128
Dwy
16
-------,
MAC ,
danych s[ów I
- Rejestr
I
Gener. 16 Y
adresów A EPROM Dwy
wspó[czyn- 128 __ _____ __ _J
7 sTów 16
ników
I M29C128 np. IM 29 C 510
Rys. 24.42. Szeregowy filtr o odpowiedzi impulsowej (FIR) z „filter-control

chip" Im 29 C 128 firmy IntersiJ
,·
:\:j:):
(:j:(:j:
(:(:(:(:\:~§~~~:;%,~~
:~:
;:;:i:i:
;:i:i:1:1
:~?~j(f::?f.~~~,~:f:lf:
lj~~jlll:J:tl:i:j:(:j:
~i:~i:i:i
:1:
j:(:j::
Jl24.6. Obliczanie filtrów ITR!]]I]]]]
.~~~t~
: ;~::::::
:::: :t,r.§;'f~;:fil
,;.:.:~.:.:
,:.:::,:.:::.:
.:.:.
::;'fil
~~oo~~::::s*x.•
:f::.:v.::.:,:.:.:
.:.:.::~:~
:~:~:~:~:\
ttiili@'.::.
Filtry rekursywne filtrów o odpowiedzi im-
p ulsowej (NOI) (infinite impulse response, !IR), ich impul-
sowa - przynajmniej teoretycznie - ma wiele od zera
pró bek. Ich podstawowe struktury i funkcje przenoszenia, którymi zajmowali-
w punkcie 24.3, ogólny przypadek filtru cyfrowego.
24.6.1.Obliczanie filtru
D o obliczania filtrów dwie metody,
tzw. algorytm Yulewalk i transformacja biliniowa . Algorytm Yulewalk (24.10-
-24.14] aproksymuje zadane gabaryty filtru w dziedzinie wyko-
przy tym Daje on
n iki minimalnego filtru UR i z tego powodu stanowi algorytmu Reme-
za dla filtrów FIR. My zajmiemy tutaj
wymaga ona mniejszej liczby i z tego zrozumienie
zasady Przy transformacji bµiniowej wychodzi z charakterystyki
filtru analogowego i próbuje go zasymu-
za filtru TIR. Nie jest to jednak
funkcja przenoszenia filtru cyfrowego wykorzystywana tylko do po-
próbkowania, a poza tym zakresem musi okresowa.
Z tego charakterystyka filtru analogowego z zakre-
/ if P filtru cyfrowego,
1
su O f oo zostaje odwzorowana do zakresu O f'
a potem jest okresowo Transformacja to
J = iL tg 1ef (24.38)
1t fp

Dla/-+ co jak f' do ½fr Dlaf' ~JPmamy f ~f' . Znie-
osi jest tym mniejsze, im jest
próbkowania w stosunku do zakresu roboczych filtru.
Aby tak jak w przypadku filtrów analogowych móc z
znormalizowanymi, normalizujemy wszystkie
próbkowania:
lub (24.39)
Równanie (24.38) ma wówczas
1
F =- tgnF' (24.40)
1C
Jako transformacji osi

na rys. 24.43 przedstawili-
dolnoprzepustowego filt-
ru Czebyszewa drugiego Nietrudno typowa charakterysty-
ka w przepustowym zachowana. jednak
granicznych. Aby zapobiec temu zjawisku, do równania (24.40)
wprowadzamy l, który wybiera-
my tak, by graniczna przy transformacji zachowana,
a F0 = F;:
(24.41)
IAI/Ao IA(JQ)I IAUSc;

I
1,5 Aa
r,/7,
I \.
Aa
/ \
I \
I
I"
',
1,0 I 'i-" \ I -.,
/ I \ I
I
0.7 / I \ I
I I
0,5 / I \ I I
/ : \ I I
/ I '
I I
/
o FgFg 0,5 1 1,5 2 F,F 1
f =fg f=fp
Rys. 24.43. Twor zenie okresowej charakterystyki na

charakterystyki Czebyszewa drugiego o 3 dB. graniczna Fg = 0,3, tzn .
/
9
= 0,3 / 0 • Skala liniowa
Na rysunku 24.44 przedstawiono wykres charakterystyki

wej przetransformowanej zgodnie z Formalnie wiel-
F ' interpretujemy przy tym jako F,
24.6. OBLICZANrE F{LTRÓW IIR 849

a oznaczamy jako
A '(jQ). uzyskuje w ten sposób filtru ana-
logowego.
Zgodnie z dotychczasowymi przetransformowana charak -
terystyka A '(jF) ma za
filtru cyfrowego.
IAI
d.8 Ao
oL-------
- 10
, · - 20
- 30
- 40.__ __ _._____ _._ __ __. ___
0,1 0,3 0,5 1 F
f = fg f =fp
Rys. 24.44. Dopasowanie granicznej na charak terystyki Czebyszewa

drugiego o 3 dB. graniczna F9 = 0,3, tzn. f 9 = 0,3 f P.
Skala logarytmi czna
Do obliczenia funkcji przenoszenia A(z) potrzebujemy teraz równania

transformacji dla zespolonej S.
Dla S = jQ = jF/F 9 z równania (24.41) wynika
S = l · jtgnF
matematycznych
I- e-2jx
jtgx = -tgh(-jx) = .
1 + e- 2JX
i z definicji z- 1 = e 2 niF otrzymujemy

} - e- 2 njF 1- z-1
S = [ 1 + e- 2 7tJ'F = / 1 + z- 1 dla l = ctgnF 9 (24.42)
ta nosi transformacji biliniowej.

filtru analogowego
na
w analogowej funkcji przenoszenia A(S)
S /(z - 1)/(z + 1) i otrzymujemy przenosze-
nia A(z), za filtru cyfrowego. Charakterysty-

ka przebiega wówczas bardzo podobnie do charakterystyki
filtru analogowego. Charakterystyka ta w kierunku osi jest
tak, IA (joo) I przy 1 / 2/
z tego jest tym mniejsza, im jest próbkowania
w stosunku do zakresu roboczej z zakresu O</ <Imax·
Charakterystyka fazowa zmienia jednak znacznie bardziej. Z tego
filtru w dziedzinie analogowej nie bez za-
przeniesione do dziedziny cyfrowej. Z tego powodu aproksymacja
charakterystyki filtru Bessela nie ma sensu,
traci przy tym fazy. potrzebujemy filtru o liniowej
fazie, najlepiej jest filtr FIR.
, - W celu obliczenia filtru IIR do na charak-
filtru liniowego
(24.43)
podstawia na
- 1
S= l 1 - z (24.42)
1 + z- 1
Porównanie z ogólnym na
filtru UR
(24.16)
daje szukane filtru ak f3k.
24.6.2.Kaskadowa filtrówIIR
struktura
Przy realizacji filtrów cyfrowych podobnie jak w filtrach analogowych naj-
prostszym jest kaskadowe bloków pierwszego i drugie-
go W tym przypadku przy obliczaniu filtrów
ze stabelaryzowanych dla filtrów analogowych ,
podanych w tablicy 14.6. Z tego zajmiemy przelicze-
niem filtrów w takim przypadku.
24.6. OBLICZANIE FILTRÓW IIR 851

Filtr ITRpierwszego
Przedstawiona na rys. 24.45 struktura filtru IIR pierwszego po-

wstaje z pokazanego na rys. 24.15 dla przypadku N= l. Z analogowej
funkcji przenoszenia filtru pierwszego
A(S) = do + d1S (24.44)

c0 + c1 S
po zastosowaniu transformacji biliniowej otrzymujemy prze-
noszenia
_ CXo + tx1 Z -1 (24.45)
(
A z) - 1 + /Jz- 1
(24.46)
X - y ao+o: 1z - 1
A(z)=- = ----
X l + P1z-1
Rys. 24.45. Filtr o odpowiedzi impul sowej (IIR) 1.
te ogólne równania zastosujemy do filtru dolnoprzepustowego

otrzymamy
(24.47)
(24.48)
W przypadku filtru górnoprzepustowego otrzymamy odpowiednio

A 00 AS - l- z- 1
A(S) = 1 = oo
a l + S
=> A(z) = CXo 1 + fi1Z - 1
1+ a1S
(24.49)

Jako obliczymy filtru górnoprzepustowego
pierwszego dla a 1 = l . Jego graniczna ma fu=
= l 00 Hz, pasma 3,4 kHz. Wybieramy
.fr,= 10 kHz i otrzymujemy
F9 =fu/fp = 100 Hz/10 kHz= 0,01
Wynika normalizacyjny
l = ctgnF 9 = ctgn · 0,01 = 31,82

Z równania (24.49) otrzymujemy
a0 = - a 1 = 0,9695 /31= 0,9391

Tak cyfrowa funkcja przenoszenia ma
W procesie projektowania ustalono stosunku próbko-

wania i granicznej 100. Tak graniczna
jest proporcjonalna do próbkowania. zmie-
próbkowania . Jest to cecha szczególna wszyst-
kich filtrów cyfrowych, oprócz nich jedynie filtry z
opisane w punkcie 14.10.
Filtr IIR drugiego
Filtr UR drugiego p rzypadkiem szczególnym
z rys. 24.15 pokazany jest na rys. 24.46. do na przeno-
szenia
Rys. 24.46. Filtr o odpowiedzi impul:sowej (IIR) 2.
24.6. OBLICZANIE FILTRÓ W llR 853

podstawimy wzór na zgodnie z równaniem (24.42)
otrzymamy
(24.50)
d 2 12 ) •
2(d0 - d0 - d1 1 + d2 12
<X1 = Co+ C1f + C212' c 0 +c 1 f+c 2i2
/3 _ c0 -c 1 l +c 2l 2
2- co +c 1l+c2l2
Na tej podstawie filtry drugiego

filtr dolnoprzepustowy (równanie (24.51))
A0 . a_ 2(1 - b 1 l 2) 1-a 1 l+b 1/

2
2
I+a 1 l+b 1l ' 1
1' -1+a 2 /32 = l + b 1 !2
1 l+b 1 1 ; I+a 1
filtr górnoprzepustowy (równanie (24.52))
Aa) 2 2(6 1 - /2) b1 - a 1 l + 12

ao = b 1 + a1 I+ 12 ; /31 = b1 + a 1 I+ 12 ; /32 = b1 + a 1 l + 12
filtr pasmowoprzepustowy (równanie (24.53))
IAr/Q 2(1 - / 2 ) 1 - l/Q + /2

1 + //Q + 12 ; fJ1 = 1 + 1/Q + 12 ; {J2 = 1 + l/Q + / 2
854 24. FI LTRY CYFROWE

filtr pasmowozaporowy (równanie (24.54))
2
A(S) = A 0 (1 + S )
1 + S/Q + S
2
Ao(I + 12) 2(1 - 12) 1 - //Q + 12

eto = 1 + l/Q + 12 ; /\ = 1 + //Q + 12 ; P2 = 1 + //Q + 12
Projektowanie na liczbowym. Chcemy zapro-
dolnoprzepustowy filtr Czebyszewa drugiego o
0,5 dB i 3 dB - granicznej fo = 100 H z. Analogowy ma
pasmo o 3,4 kHz i jest próbkowany z = 10 kHz.
Wynika znormalizowana graniczna F9 = 0,01 i
nik normalizacyjny l = 31,82. Z tab licy 14.6 wybieramy
a 1 = 1,3614 i b1 = 1,3827. Na tej podstawie otrzymujemy przenoszenia
1
A(S) = 1 + 1,3614S + 1,3827S 2
Z równania (24.51) otrzymujemy na tej podstawie

przenoszenia
1 + 2z-
+z- 2 1
A(z) = 6,9231 · 10- 4 ------- --
1 - l,937z - 1 + 0,9400z- 2
Drugim filtr pasmowoprzepustowy. próbko-

wania wynosi jak w poprzednim przypadku 10 kHz. rezonan-
sowa J;.= 1 kHz. Ma.my wówczas F9 = I kHz/IO kHz= 0,1. Przy dobroci
równej 10 analogowa funkcja przenoszenia zgodnie z równaniem 14.24 dla
A, = I ma
0,1S
(
A S) = 1 + 0,1S + S 2
Z L= ctgnFg = 3,078 i równania (24.53) wynika cyf-
rowa funkcja przenoszenia
1 - z- 2
A(z) = - 2,855 · 10- 2 - ---~---~
1 - l,572z- 1 + 0,9429z- 2
odpowiednio przy dobroci Q = 100 otrzymamy

- - 3 1 - z -2
A(z) =- 2 ,930 · lO 1 - 1,613z- 1 + 0,9941z - 2
~ = m ..-,•,•,•,•,.,,w, --- ·~ =" '"" ·',w ,•.,,,,•,w .w .•,•,•,•.•,-,.,.,.,,,,,.•,•,•.•
,•,,•.•,•.·,•,.•.•,•.•...•,•,•,
,.•,•,•,•.·,·····························
················.w.·.··
········w.w,.wu •.•.•-,,,•.•.,.•.,.•.,.,.•.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•,w.,
24.6. OBLI CZANIE FILTRÓW HR 855

Teraz zajmiemy przypadkiem Q = 10 i F, = 0,01. Otrzymujemy wówczas
1 - 2
- -3 - z
A(z) = - 3,BO · lO 1 - 1,990z- 1 + 0,9937z- 2
Nietrudno z Q lub
F, a 0 zmniejsza a fi2
do 1 i /31 do - 2. Informacja o charakterystyce filtru jest ukryta w bardzo
od 1 lub -2. Oznacza to wymaganie
co do to znaczy odpowiednio
w filtrze. By nie zbytnich komplikacji, nie
próbkowa nia, jest to
24.7. RealizacjafiltrówITR
24.7.1. Najprostsze realizacj

e filtrów
Proces dochodzenia do najprostszego filtru na
z punktu 24.6.2 dla filtru górnoprzepustowego pierwszego
tam przenoszenia filtru górnoprzepustowego o
granicznej fu= 100 Hz przy próbkowania
JP= 10 kHz, a F9= 0,01:
A( z) = + a; 1 z- 1 =
a;0 0,9695 - 0,9695z-
1
1 + /31 z- 1 1 - 0,939lz- 1
Odpowiedni jest pokazany na rys. 24.47.

trzy prawie równe 1. licznika a;0 i a;1
do równej 1, nie
one tylko na wzmocnienie. Inaczej sprawa ze
nikiem fi1 , którego od 1
filtru . W tym przypadku jednak prze-
/J1 = 1 - /3{ = - 0,9391 = -(1 - 0,0609)
Mamy tutaj {1'1 = 1 - /31 , czyli od jeden. ten

ma znac znie mniej pozycji fJ1 .
mu
dwójki to 2- 4 = 0,025. na obliczenia w systemie dwójkowym
znac znie fi{ do tej mno-
przez r 4 wymaga jedynie o cztery pozycje.

przez wykonanie odpowiednich Wy-
granicznej zgodnie z równaniem
(24.44) jest
1- p1 2- r 4
l= /31 = 2-4 = 31, a F9 = 0,0103
tzn. graniczna do/~ = 103 Hz.

X X
CX1=-1 a0 =+ 1
0,9695 - 0,9695z- 1 1 - z- 1
A(z) = - - -- - --1 A(z)=- -- -- -
1 - (I - r 4 )z- 1
1 - 0,93912-
F9 = /g/fp = 0,01 F9 = /g/Jp= 0,0103
A(f=0,5/p) =1 A(!= 0,5fp) = 1,032
Rys. 24.47. Filtr górnoprzepustowy Rys. 24.48. Filtr górnoprzep ustowy o
o odpowiedzi impulsowej czonej odpowiedzi impulsowej (IIR) z uprosz-
(IIR) 1. czonymi
w celu dalszego uproszczenia licznika

glimy do a 0 = - a 1 = I, dla wielkich (/4 1/zfp) zgodnie z rów-
naniem (24.44) otrzymamy wzmocnienie
1+ l 1 + 31
Aw = a0 - -
1
=1
31
= 1,032
Ale z Taki uproszczony jest
przedstawiony na rys. 24.48. Nietrudno w przypadku prostych
filtrów istnieje znacznego upro szczenia przez
filtru o 4-bitowym pokazano na

rys. 24.49. Aby móc liczby dodatnie i ujemne, wybrano wpro-
wadzony w punkcie 16.1.3 zapis z do dwóch. N ajstarszy bit jest
bitem znaku. Ze na fakt, przez
potrzebne tylko sumatory. Wykorzystano do tego cztero-
bitowe uniwersalne arytmetyczno-logiczne SN 74LS382. one
jako W ten sposób tworzenie
nia do dwóch dla a 1 = -1 i - f:3
1 = 1 - 2-
4
przesu-
do sumatora.
=-- ~,m, w.·.··
·······•···········
.w.•.w,.•.s-
.•.w.s-~•.•.•
.·w.·.············
··················
····m,w,_
24.7. REALIZACJA FILTRÓW UR 857
1/>p Y-r 4Y r-x
4 us,
{x11
I„ r-· V ro, - 4 !/
[4) f
[2) f [2] f
a
b [ 1) f [1] f Po 10 Q VV b L'J f
74LS175 74LSJ82 74lS175 74LSJ82 I 74lS8/f u_

{yj
I
[8] f '-1 P-1 10 q_, I I _, L1-1
Q
Y-2
(4) f '-z P-z
10 Q Q-2
f '-J P-i q_, Y-J

10 Q
Y-4
'-,( P-41,o Q Q-4
llS4 llS7
Rys. 24.49. Realizacja cyfrowego filtru górnoprzepustowego o odpowiedzi impulsowej (UR) i 8 bitów lub
4 bitów
USS i US9
y przez 2- 4 w ten sposób, y podaje na odej-

o cztery pozycje. Wskutek tego
z czterech do bitów.
Bit znaku vY musi podany na wszystkie zwolnione pozycje, aby
y przez 2- 4 wykonywane tak dla dodatnich,
jak i dla ujemnych y (sign extension).
Element US2 wykonuje odejmowanie r - x na
z rys. 24.48, USS dodawanie x + q na o takt realizowane
jest za scalonych US3 i US4, które po cztery prz e-
rzutniki D wyzwalane zboczem. Przerzutniki w scalonym USl
do synchronizacji Bramki EXOR w US6 i US7
zabezpieczenie przed przesterowaniem. Jak
w p. 19.1.3, przy przekroczeniu dodatniego zakresu liczbowego w
skok z + 127 do -128, najstarszy bit przeczyta-
ny jako znak. Wskutek tej zmiany znaku przy przesterowaniu
filtr niestabilny i w pewnych nie po-
do normalnej pracy. Zjawisko to odpowiada zjawisku „za-
trzaskiwania (latch up) znanemu z analogowych . tego
np. sumatora przy doda tnim przesterowaniu na
+ 127, a przy ujemnym na - 128. W tym celu jednak oddzielnie
dodatnie i ujemne przesterowanie.
tych przypadków nie jest jednak potrzebne , w przypa-
dku zanegujemy
a) F b) y
A+B A+B
Rys. 24.50. Charakterystyka z przesterowaniem elementów arytmetycznych: a) bez ogranic znika

logicznego; b) z ogranicznikiem logicznym
Uzyskuje wówczas na rys. 24.50. W celu jej

realizacji jak to na rys. 24.49, bramki EXOR za J;
tych w których przesterowanie. Powoduje to
gdy OV = 1. Uniwersalne arytmetyczno-logiczne 74LS382 w sto-
sunku do standardowych typów 74LS181 wyprowadzenie
zmiennej O V i nie trzeba jej na
filtru cyfrowego jego
na rys. 24.51.
24.7. REALIZACJA FI LTRÓW TIR 859

Rys. 24.51. skokowa filtru cyfrowego z rys . 24.49 przy wysterowaniu
24.7.2.Budowafiltruz elementów
o stopniuscalenia
trzy realizacji filtrów IIR z o stopniu

scalenia:
1) specjalizowane filtry IIR,
2) zastosowanie filtrów FIR,
3) programowalne procesory
Oferta specjalizowanych (dedykowanych) filtrów IIR nie jest
MS 2014 firmy Plessey jest blokiem filtru drugiego
cym z rys. 24.46, ze danych 16 bitów i
o 13 bitów. Jest on jednak wolny, jego
szeregowo. Dlatego w nim
próbkowania do 64 kHz.
Filtr IIR z dwóch filtrów FIR, które - jak
z tabl. 24.9 - w wykonaniach w postaci
o stopniu scalenia. W tym celu z podstawowej struk -
tury z globalnymi sumatorami na i pokazanej na rys. 24.16
i Uzyskuje w ten sposób pokazany na
rys. 24.52, gdzie dwa filtry FIR. Nie jest przy tym czy
zastosowane filtry FIR - jak pokazano w - na glo-
balny sumator czy sumatory rozdzielone, tak jak na rys. 24.19. W obu
przypadkach wynik jest ten sam, tylko odpowiednio
czynniki. Do szczególnie efektywnej realizacji zasady przedstawionej na rys.
24.52 dochodzi za filtru FIR IMSA 100 firmy Inmos.
w nim dwa zestawy i za zmiennej
cej który z nich ma aktyw ny. W ten sposób za
czynników /Jk najpierw y 1, a za
ników ak y [24.15]. Dodatkowy sumator na
za jednego z z rys. 19.33 i 16.34 oraz tabl. 24.4.

z rys. 24.17 na dwa filtry
FIR , sumator globalny na rozdzieli na dwie Na rysun-
ku 24.53 wówczas dwa filtry FIR, których wyniki
we w dodatkowym sumat orze.
I/
Rys. 24.52. Realizacja filtru o odpowiedzi impulsowej (IIR) z sumatorem globaln ym

na i z dwu filtrów o odpowiedzi impulsowej (FIR) i dodatkowego
sumator a
+ i-.. - .e,.
y
Rys. 24.53. Realizacja filtru o odpowied zi impulsowej (IIR) z pojedyn czym sumat o-
rem na z dwu filtrów o odpowiedzi impulsowej (FIR) i dodatkowego su mat ora
Do szeregowych filtrów IIR najlepiej

procesory które oprócz z akumu -
latorem danych .
............,.,.,,,..•.······=- ..........
...........
,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,....~w.;-.-. .. -.~~--------~-- ...,.,,.,,.,,..
.......................... ....... ..... ............... .......,....... .............................. --,
'.?A.
7. REALI ZACJA FILTRÓW IIR 861
Operacje obliczeniowe wówczas na poziomie ma-
szynowym w asemblerze, tak jak w mikroprocesorze. Obecnie oprog-
ramowanie jest pisane w poziomu, jak „C".
Przy programowaniu najlepiej jest od struktury podstawowej z global-
nym sumatorem na zgodnie z rys. 24.53. Jak na rys. 24.44,
zgodnie z równaniem (24.15)
N N
YN = L akxN-k - L fJkYN-k
k=O k= l
wylicza przez wszystkich i

zwrotnego przez odpowiednie i zsumowanie ich.
W tym celu przesuwa odczep od-
powiednie ak i fJk. funkcji YN zostaje obliczona po jed-
nokrotnym Wtedy, w celu obliczenia war-
funkcji w obu rejestrów
o jeden takt. tutaj danych nie przesuwa fi-
zycznie, a jedynie dokonuje rotacji który adresuje xk, Yk,
a" i fJk. Za procesora
algorytmowi filtru IIR w postaci kaskadowej. W tym celu
filtru z rys. 24.54 do N= 2 i
Yz = CX0X2 + CX1X1 + CXzXo - /J1Y 1 - /J2Y2
za niewielkiego podprogramu.
/ XN-k ,YN -1<
~ - -- -- ---- --- - -- - -
Rejestr
-J3k -JJo=O
Rys. 24.54. Szeregowa realizacja filtru o odpowiedzi impulsowej (IIR) z pojedynczym
sumatorem globalnym na na programowalnym procesorze
filtr uzyskuje wówczas przez wielokrotne progra-

mu sekcji drugiego i zestawu danych
czynników. Wykaz wybranych nowszych typów procesorów

w tabl. 24.10. stosowane formy reprezentacji liczb
to 16-bitowe liczby przy zastosowan iach uniwersalnych lub 32-
-bitowe liczby zmiennopozycyjne
i wysokiej dynamiki. danych akumulatora jest po-
nad dwukrotnie by nie na wynik.
procesorów ma dan ych i programów na
strukturze. w ze-
operacja do nawet przy krótkich czasach
prowadzi do wstawienia stanów oczekiwani a (wait state) .
Tablica 24.10. Nowsze typy procesorów
Typ Producent Maksymalna Moc Obudowa

strat
danych danych/ danych/ zegara
[bity] /programu /programu
ADSP2101 Analog Dev. 16 l K/2K 16 K/16 K 20 MHz 0,3W 80QFP

ADSP21060 Analog Dev. 32E8 64 K/40K 4 G/4 G 40 MHz 240QFP
DSP1617 AT&T 16 2 K/12 K 64 K/64 K 50MHz 0,3W IOOQFP
DSP3210 AT&T 24E8 1 K/256 4M /4M 55MHz o,sw 132QFP
24 13 MHz
MB86232 Fujitsu 512/1K l M/64 K 208PGA
24E8 7 MHz
HD817820 Hitachi 16E4 512/2K -/- 10 MHz 0,2W 40LCC
DSP56166 Motorola 16 2 K/2 K 64 K/64 K 60 MHz 0,4W II2QFP
DSP56002 Motorola 24 1 K/512 128 K/64 K 40MHz 0,4W 132QFP
DSP96002 Motorola 24E8 2K/ 1 K 4 G/4 G 33 MHz !,IW 223PGA
µPD77220 NEC 24 1 K/2K 8 K/4 K 20 MHz 0,8W 68PGA
µPD77240 NEC 24E8 1 K/- 16 M/64 K li MHz 132PGA
MSM699210 Oki 16E6 512/2 K 64 K/64 K 10 MHz 0,4 W 84LCC
LH9124 Sharp 24 -!- l M/- 1> 40 MHz 3,5 W 262PGA
TMS320C51 Texas Instr. 16 2K/8K 128 K/128 K 57 MHz 0,2W 132QFP
TMS320C31 Texas Instr. 24E8 2K/ - 16M/16M 40MHz 1,4W 132QFP
TMS320CAOTexas Instr. 24E8 2K/ 4 K 4 G/4 G 50 MHz 3W 325PGA
TC8000 Toshiba 16 512/2 K 64 K/64 K 33 MHz 144PGA
ZR38000 Zoran 20 2K/8 K 1 M/1 M 25 MHz 128QFP
1> Wymaga generatora adresu LH9320
Czas wykonania operacji i dodawania z

procesor algorytm filtru, algorytm ten
niemal z operacji i dodawa nia. W przypadku
filtru FIR N-tego na potrzeba n+ 1 operacji dodawania
i przy filtrze IIR 2n + 1 operacji. W nowych procesorów
operacja i dodawania jest wykonywana w jednym cyk-
lu maszyn owym.
,.,.,
................................
.....
........
...,.....,.•.•.•.•·········
················
···.-..
.. ~v.u.-.·,-.·.·=-- .........................
,.,.,.,.,.,.,.,...,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,.,
...............
........
............
"""""'."
······
·······
················
······
···
24.7. REALIZACJA FILTRÓW IIR 863
porównamy filtru IIR na rysunkach 24.15 - 24 .17 z filtrami FIR
na rysunkach 24.19-24.20 filtry UR przy tym samym
mniej dwa razy operacji i dodawania
filtry FIR. one jednak filtry FIR o takiej samej
liczbie operacji dodawania i to na na rys. 24.55.
Ogólnie wymagany filtru FIR jest ponad dwukrotnie
od filtru IIR. W punkcie 24.6.2 filtr dolno-
przepustowy o granicznej Fu = 0,01 za
filtru IIR pierwszego W przypadku filtru FIR o takiej
granicznej co najmniej N= 65. W tym bo-
wiem przypadku w pierwszym okres o
granicznej Fu musi przez
temu jednak kilka istotnych zalet filtru FIR. Jak stwierdzi-

filtry FIR i liniowej fazy,
a czasu grupowego. Wszystkie opisane w tym rozdziale
filtry FIR nie fazy.
o
dB Fg=0,1V ~
FIR N=B
f"-...,
- 40 !IR N = 4 "' \
Buttenwortha/'
~ l'I
'\
- BO
'
- 120
- 160
0,01 0,1 F 1
Rys. 24.55. Porównanie dolnoprzepustowego filtru 8. o odpowiedzi impulsowej

(FIR) z filtrem 4. o odpowiedzi impulsowej (IIR)
Ze na fakt, filtry FIR nie zwrotnego,

one stabilne dla dowolnych
W do tego filtry IIR, podobnie jak filtry analogowe ,
do i to tym im jest ich
...,~._ ...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,........
.~=-....,.,.-.-....,., .,.,....,.,.,
.. .........
..,.•..-.,,.._.,..._,.._.
,,,._,
.._,.,.
,...,,.,,..,,., ,,,,,,,,,,,,,.
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,...=,==,.., -.v,•.;.r.,..,.
.v.v.,,,;,.v.v.- - =~ =·.- ......
v,.v,;,.-.

biegunów, im jest graniczna w porównaniu
z próbkowania (patrz p. 24.6.2). Aby nie
charakterystyki od przebiegu,
czynniki filtrów IIR zrealizowane znacznie w przy-
padku filtrów FIR; wymaga to Oprócz tego
w filtrach IIR
do cykli granicznych. to drgania okresowe na
szych bitach, których jest szczególnie widoczne przy syg-
Porównani e zalet i wad obu typów filtrów przedstawiono
w tabl. 24.11.
Tablica 24.11. Porównanie filtrów o odpowiedzi impulsowej

(FIR) z filtrami o odpowiedzi impulsowej (IIR)
Cecha Fillr FIR Filtr UR

wysoka
Wymagany wysoki niski
operacji i dodawania
Zapotrzebowanie
fazy bez prawie
grupowe bez prawie
bezwarunkowa warunkowa
Wymagana umiarkowana
Wymagana umiarkowana
Cykle graniczne brak
Filtr adaptacyjny prawie
:.·:·:.:::.:~:.•
~•:•~•' •<·•
~Y·YJ;.;.;.;.;.;.;.:
.:.:.:.
I. W,,=~.~~m,W
W poprzednich wiele metod analogowego i cyfrowego
przetwarzania W niektórych przypadkach istnieje jednak koniecz-
jeszcze przed podaniem ich na analogowy
lub na przetwornik A/C . Do tego celu
potrzebne pomiarowe o rezystancji których sygna-
jest niesymetryczne.
25.1. Pomiar
25.1.1. Przetwornik
impedancji
Aby o rezystancji nie ob-

tego np.
przedstawiony na rys. 13.3 wzmacniacz jednak
o rezystancji jest bardzo na iz
musi ekranowane. Powoduje to znaczne
masy (30 ... 100 pF /m). Przy rezystancji równej
I GO i przewodu 100 pF górna
graniczna wynosi tylko 1,6 Hz. problemem zmia-
ny tej w czasie, które spowodowane np. przez poruszanie
przewodów. Powoduje to powstanie bardzo Je-
przewód jest np . do 10 V, to zmiana
o 1% powoduje skok o 100 mV!
Wad tych wzmacniacza do
zrównania przewodu i ekranu. W tym celu ekran
w sposób pokazany na rys. 25.l nie z lecz z wzmacnia-
cza. W ten sposób przewodu zostaje pozornie zmniejszona ze
równym wzmocnieniu wzmacniacza operacyj-
nego przy otwartej zwrotnego.
866 25. POMIAROWE

na przewodu tylko
wzmacniacza operacyjnego, zredukowane
szumy z toru
Rys. 25.1. Zmniejszenie ekranu i zmianami tej przez

sprowadzenie ekranu do mierzonego
zakresu wysterowania
Maksymal ne dopuszczalne zasilania powszechnie
scalonych wzmacniaczy operacyjnych wynosi ± 18 V. Tym samym
zakres wysterowania jest ograniczony do ok. ± 15 V.
Ograniczenie to zasilania wzmacniacza opera-
cyjnego za (bootstrap). do tego
dwa wtórniki emiterowe na rys. 25.2. one u1 - Uwy
i uwy - u2 na Uz - 0,7 V. Zakres wysterowania nie wówczas
od wzmacniacza operacyjnego, ale od dopuszczalnych wtórników emi-
terowych i
UwEt
l_
Rys. 25.2. Wtórnik dla
25.1.2.Pomiar
Przy p omiarze chodzi o wzmocnienie
...,.,.,.,.,........
............
,...
,.• .,.,...,....
................ ,.,.,.,,,,,,,,, ........................ .,.......,...........
.....,.,................ ......,...........
................,.•.•
.•.,.•.,.,.,.,.,.,.,.,......
•' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •' •'-' , .... ..................
....,.,.,.....,.,.,........ ···························•·•·•·
25.1. POMlAR 867
w bez na nie wspólnego
Uc = l /2(U 1 + U2 )
Zdarza przy tym na w zakresie miliwol-
tów wspólne równe 10 V i O odej-
jego wspólnego
CMRR = kuD = Uwy/UD
kuc Uwy/Uc
W podanym musi CMRR p, 10 V/1 mV = 104 • Szczególne tru-
wtedy, kiedy wspólne ma bardzo
lub
trzy metody wzmacniania
- zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych jako
- zastosowa nie wzmacniacza z ujemnym zwrotnym;
- przeprowadzenie odejmowania w z
z wykorzystaniem wzmacniaczy operacyjnych

(wzmacniacz
Pomiar w zasadzie za
z rys. 12.3. jednak mierzonych nie
one Zastosowanie dodatkowych wtórników na-

w z rys. 25.3
od rezystancji mierzonych
Rys. 25.3. Wzmacniacz z wtórnikami na
wspólnego zada-
nie realizacji wzmocnienia wzmacniaczom
i wzmocnienie równe I. Ten wariant
wy jest przedstawiony na rys. 25.4. Dla R 1 = oo wzmacniacze W0 1 i W0 2
jako wtórniki i wówczas nie ma praktycznie
w stosunku do poprzedniego
868 25. POMIAROWE

Rys. 25.4. Wzmacniacz (instrumentation amplifler)
R2 tuwr
Uz j_
Rz
R1
R2
U1
R2
Rys. 25.5. Niesymetryczny wzmacniacz Rys. 25.6. Wzmacniacz

o regulowanym wzmocnieniu
Dodatkowa zaleta tego polega na tym, za jednego

rezystora wzmocnienie Jak na rys. 25.5, na
rezystorze R 1 u 1 - u 2 . Wskutek tego otrzymujemy
2
u; - u~= ( 1 + : / ) (u2 - u1 )
W0 3 przekazuje na uziemione (niesymetryczne)

Przy wysterowani u wspólnym (u1 = u 2 = uc) ma-
my u~= u; = uc. Wzmocnienie wspólne wzmacniaczy W0 1 i W0 2 ma
od nastaw ionego wzmocnienia 1. Z równania
(12.6) otrzymujemy wspólnego równy
25.1. POMIAR 869

CMRR = (1 + 2R2 ) 2a
R1 !!.a
gdzie !!.a/ajest doboru par rezystorów R 3 •

W wzmacniacza z rys. 25.4
jeden wzmacniacz operacyjny, zrezygnuje z symetrii Wzmac-
niacz W0 2 z rys. 25.5 ma wzmocnienie 1 + RifR 2 .
Wzmacniacz W0 1 wzmacnia U2 ze
1 + R 2 /R 1 i dodaje U{ z W0 2 z
-R 2 /R 1 . temu oba wzmocnione 1 + R 2 /R 1
razy. zmodyfikujemy w sposób pokazany na rys. 25.6,
tutaj wzmocnienie tylko jednym rezystorem. W wielu za-
stosowaniach w którym
tylko jedno ma Wtedy jest potrzebny tylko jeden
wzmacniacz operacyjny, jak to pokazano na rys. 25.7. Na podstawie równa-
nia wzmacniacz jednak wzmocnienie
cia U2 jest zawsze na wzmocnienie U1 . W przy-
padku wzmacniania i przesuwania zera z czujników pomiarowych
nie stanowi to jednak wady . przypadek szczególny otrzymujemy
dla R,v = R 1 = R i R 2 = oo: jest wówczas równe
Uwr = 2U 2 - U1 •
Rys. 25.7. Wzmacniacz z jednym o impedancji
do odejmowania wysokich
Do odejmowania wysokich z rys. 25.3.
trzech wzmacniaczy operacyjnych
R 1 p- R 2 ; na rys. 25.8 jest przedstawiony
takiego z elementów . Rezystancja
jest tak z wtórników .
nie odpowiedniemu doborowi elementów podawane
na tak zmniejszone, wzmac-
niacz operacyjny wcale nie jest potrzebny. W przedstawionym przy
zakresie wysterowania wspólnym ± 10 V na
200 V.
870 25. POMIAROWE

takiego doboru elementów jest jednak to, otrzymane
wzmocnienie ku= R 2 /R 1 1. Aby
razy, drugi wzmacniacz. Pros-
tszym jest jednak zastosowanie z rys. 25.9, w którym
wysokich i wzmocnienie nieza-
w tym o wzmocnieniu rezystory R 1 i R 2 ;
dodatkowe rezystory R 3 tylko wysterowanie wspólnym.
Przy podanych elementów wzmocnienie wynosi jeden, a zakres
wysterowania wspólnym w porównaniu z z rys. 25.8
praktycznie nie zmianie. Scalonym
zgodnie z jest INA 117 ±inny Burr Brown.
Rz
ul
1. tuwy
tuwy 1
1
Uzt R1 R2
1
Rys. 25.8. Odejmowanie wysokich Rys. 25.9. Odejmowanie wysokich

z dowolnie ustawianym wzmocnieniem
zakresu wysterowania wspólnym za rezy-

storów R 3 w z rys. 25.9 jednak z pewnymi utrudnieniami,
które przy wyborze wzmacniacza operacyjnego. Rezystory
R3 jako wzmacniacza. Dlatego powo-
one zmniejszenie wzmocnienia w zwrotnego, a wskutek
tego pasma. w takim samym stosunku
wzmocnienie i jego dryft. Z tego
wymaga zastosowania wysokiej wzmacniacza opera-
cyjnego. Jest oczywiste, rezystory R 3 jednakowo na
obu i dlatego ich tolerancje tu szczególne znaczenie.
Aby symetryczne tolerancje na obu wzmacniacza operacyj-
nego, rezystorów R 2 i R 3 na z nie
w jeden wypadkowy rezystor.
.,.. .....,.,.,.,.,.,.,·, ~ ·.,.,.-,.......,...,.,., ....,.,,,..,.,...v.•.·.•.·.·.-.-.-
.·.-.-.
-.·~--- ·..._....,.
.........
~-~v.-. ·.N>hv.www---,, ...,, ...-..,.................,...,..................
~..,.,,.._,.._.....,..
25.1. POMIAR 871
Wzmacniacz z wzmacniaczami
z ujemnym zwrotnym
Wzmocnienie wzmacniacza do
dowolnej, zdefiniowanej za ujemnego
zwrotnego (patrz p. 4.8.3). Z drugiej strony wiadomo, wzmacniacz
uzyskanie wspólnego,
zamiast rezystora w obwodzie emiterów zastosuje
w którym wykorzystano przedstawiony jest na rys. 25.10.
+ +
Re Re
tuw
y
-
1
11
11
+ Uz
Tt U z -U1 li
U7
1
u2t 'tu1
1 R0
1
-
U4 - U3
Rs
U3 R2
Rys. 25.10. Wzmacniacz z wzmacniaczami z ujemnym

zwrotnym
wzmacniacz T 1T 2 ma ujemne zwrotne zreali-

zowane za rezystora RG. kolektorów
zamieniana jest w wzmacniaczu operacyjnym na
we. Tut aj jednak na drugim wzmacniaczu T 3T 4 wytwarzana jest
z przeciwnym znakiem taka sama
która kompensuje tak, kolektorów tran-

zystor ów T 1 i T 2 zawsze 11 , odpowiednich
Uzyskuje to ujemnemu zwrotnemu
wzmacniacz operacyjny. Jego przyjmuje
wzmacniacza jest równe zero, a wtedy
kolektorów T 1 i T 2 jednakowe.
872 25. POMIAROW E

na dzielniku R 1R 2 zgodnie z u3 - u4 = uwyR 1/(R 1 + R 2 ), otrzy-
mamy na w stanie ustalonym równe
W
scalonych zgodnie z rezystory R 1 i R 2
dobrane przez producenta. ma ustawia-
nia wzmocnienia za rezystorów Rs i Re. tych
w porównaniu z na wzmacniaczach opera-
cyjnych jest to, wspólnego nie
od tolerancji doboru par rezystorów R 1 R 2 w dzielniku Z tego
powodu z rys. 25.10 w jako monolityczny
scalony, podczas gdy krytyczne rezystory w poprzednim
wykonywane jako oddzielny cienkowarstwowy.
Wzmacniacze z
Zasada z
(switched SC) polega na kondensatora do mierzonej
nicy i przenoszeniu tego do innego kondensatora, którego jed-
na jest uziemiona. taki pokazano na rys. 25.11. Gdy
niki w lewym kondensator Cs do
Po do prawego
przenoszony jest do kondensatora C8 .
Uz
Rz
_.L
I
e
-r T
1µF 1µF I
'-----+ - - - J
U/
LTC10~
Rys. 25.11. Wzmacniac z z
Po kilku cyklach UH
to w dowolnie
wzmacniaczu
tu tworzenia nie wymaga
na-
tworzenia w praktyce tylko od
kluczy. W celu zminimalizowania tego dobiera
Cs i C8 , np. równe 1 µF, jak w
,•,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,·-- . .....
....... _
......,.,.,.,.,.,.,., ..............................
......... . ... .....
........
... ......................
. ...
.,.........
..... ........
.........
, ,.,.,.,.,.,,,,,,,.,....•.
25.1. POMIAR
.....•...,,,...,.,•,•,•,•,•,•,•,•· ····..,.......
··············· ....
873
.........
na rys. 25.11. jako zastosujemy LTC 1043 firmy Li-
near Technology, wspólne-
go 120 dB = 106 , i to nie tylko dla lecz do
20 kHz (25.1]. LTC 1043 nadaje bardzo dobrze do tego
celu, oprócz 4 kluczy zawiera generator do ste-
rowa nia kluczy.
W trzy filtry dolnoprzepustowe, szero-
pasma. Pierwszy filtr dolnoprzepustowy przejawia swoje podczas
kondensatora Cs. Rezystancja kluczy w stanie
nia (2 x 240 n dla LTC 1043) i rezystancja
dla rezystancji jest ona równa 0,5 ms.
Tablica 25.1. Scalone wzmacniacze (instrumentation amplifier)
T yp Producent Wzmocnienie Uwagi

niezrów - z rys.
nia
INA 105 Burr. Br. 1 20 µA/V 50 µV 25.8 tani

INA 106 Burr. Br. 10 50 µA/V 50 µV 25.8 tani
INA 117 Burr . Br . 1 2,5 µA/V 120 µV 25.9 Uc = ±200 V
INA 102 Burr. Br. 1 .. . 1000 10 nA 100 µV 25.4 lb = 0,75 mA_
INA 103 Burr. Br. 1 ... 100 2,:5 µA 50 µV 25.4 u. = 1 nV/ JHz
INA 110 Burr. Br . 1 ... 500 20pA 50 µV 25.4 AUwy/ót = 17 V/µs
INA 114 Borr. Br. 1 ... 1000 1 nA 25µV 25.4 tani
INA 131 Burr. Br. 100 1 nA 25 µV 25.4 tani
PGA 204 Burr. Br. 1 . 1000
.. 2 nA 50 µV 25.4 cyfr. regol. wzmocn.
AD 22050 Anal. Dev. 1 ... 160 4 µA/V 30 µV 25.9 tani
AD 620 Anal. Dev. 1 ... 1000 0,5 nA/V 30 µV 25.10 tani
AD 624 Anal. Dev . 1 ... 1000 25 nA 25 µV 25.4
AD 625 AnaJ. Dev. l ... 10000 10 nA 25 µV 25.4
LTC 1100 Lin. Techn. 100 25pA 2µV 25.5 stabil. za
kJuczowania
LT llOl Lin.Techn. 10, 100 6 .nA 50 µV 25.5 Pv = 0,5 mW
LT 1102 Lin. Techn. 10, 100 lOpA 200 µV 25.5 AUwy/At = 25 V/µs
AMP Ol PMI 0,1 ... 10000 1 nA 20 µV 25.IO lwy= 50 mA
AMP02 PM I 1 ... 10000 20pA 20 µV 25.10
AMP05 PMI 1 ... lQOO 20 pA 300 µV 25.10 AUwy/M = 5 V/µs
LM 363 National 10 ... 1000 2nA 30 µV 25.10 lani
LH 0084 National 1 ... 100 150 pA 300 µV 25.4 cyfr. wzmocn.
Drug i filtr dolnoprzepustowy przy przenoszeniu na

kondensator Cn. Gdy Un = O, w pierwszym kroku jego
do l /2Uv, w dru gim do 3/4Uv, w trzecim do 7/8Uv itd. Wypad-
kowa czasowa jest równa ok. 2 okresom pracy kluczy. Aby zmini-
wprowadzane przy wybiera
ok. 500 Hz 2 ms. Dlatego
874 25. POMIAROWE

ten tylko malej gór-
na granica przy 10 ... 50 Hz. wspólne o
do ponad 20 kHz nie pracy
Trzeci filtr dolnoprzepustowy tworzy dodatkowy kondensator Cr. Ogra-
nicza on pasma wzmacniacza do zakresu 10 ... 50 Hz
w celu zminimalizowania szumów na
scalonych wzmacniaczy podano w tabl. 25.1.
25.1.3.Wzmacniacz (isolationamplijier)
Opisane dotychczas wzmacniacze - w od
- przy w zakresie 10 V ... 200 V.
Istnieje jednak wiele w których na mierzone jest
znacznie wspólne, np. kilka kV. Dla po-
kona nia tak pomiarowy na dwie
oddzielone od siebie galwanicznie, jak to pokazano na rys. 25.12. Izola-
cja galwaniczna ze na
np. w zastosowaniach medycznych. pomiarowa znajduje na potenc-
jale pomiarowym, a - na potencjale zerowym. Dla
nia takiego rodzaju pracy, pomiarowa wymaga nieuziemio-
nego zasilania, którego zacisk masy (masy pomiarowej - .floating
ground) stanowi jedno z Nie wolno jednak
wprawdzie to jest oddzielone galwanicznie od zera (masy
systemu - system ground), istnieje jednak
z
_ __ _iz_olacja,ga/wani.....
·cz_
n_a___
, _,
Uzr>-+-
t
-_.
(
pomiarowa
nada)nik)
- I
Odbiornik
-+
T+ u_ I
I
Masa Masa
____
r-'- - -,,'-- -'- , I
pomiarowo Zasilacz 1
Zasilacz systemu
6enerator
nieuziemiony 1
1
-----,
--._ _. uziemiony
1
L_1
I
~-_J
1
Cs
Rys. 25.12. Zasada pomiaru nieuziemio nych za wzmacn iacza z
jest przez to
Cs transfor-
matora W celu minimalizacji tego zamiast transfor-
matora sieciowego transformator w.cz. na ok. 100 kHz,
który jest zasilany z generatora sinusoidalnego. W ten sposób
Cs< 10 pF. oba punkty pomiarowe
to nawet niewielki przez
,.,.,.,.,.,.,.,........-""-._,...,.,,. ••••.•.,.,.,.,.,.,.•.•.......•,.,,,,,.,,.•.•.·.•.-..,.......,•••.........,
__ ,.._
v .,._,.
••••·.•·············-.·····.,........
.....
_...........,,,
,,_.......,,._.,,
,,,•,•.•.•.•,,,•.·,·····················
······,•,•,•,
•,•,•,•,
...,......,,.,.
......,.,.,.._,.,.._'N>.
.,,....r
.v...-••,._.,._.,.,•••,•••,.,.,.,
25.1 POMIAR 875

znaczny na zacisku masy pomiarowej. W takich
przypadkach bardziej korzystne jest masy pomiarowej z innym
punktem i pomiar punktami pomiarowymi za
wzmacniacza z rys. 25.4. W obu przewodach pomiarowych nie wtedy
Wzmacniacz jest zasilany z nieuziemionego
Wysterowanie wspólne masy pomiarowej wtedy na
niskim poziomie, z odpowiednim punktem mierzonego
Problem stanowi jednak wówczas przekazanie zmierzonego
do izolowanej elektrycznie trzy
tego zagadnienia: zastosowanie transformatorów, transoptorów lub konden-
satorów [25.1, 25.2]. Przy transformatorowym lub
musi przebieg o odpowiednio wielkiej
(modulacja amplitudy lub impulsu).
+
Rz
U1
-
lp1 juwr=u1-u2
U2i 1
Tran
soptorpomiarowy
u-
Transoptor
porównawczy
Podwójny transoptor: TL 300 firmy Siemens
Rys. 25.13. Optoelektroniczna transmisja analogowego
Transoptory natomiast rówrnez

Przy wymaganiach
analogowy na cyfrowy po stronie pomiarowej,
a cyfrowe na za transoptorów .
transoptorów nje odgrywa wówczas roli.
transmisji optoelektronicznej analogowych przed-
stawiono na rys. 25.14. Dla skompens owania tran soptora za
wzmacniacza WO 1 reguluje diod elektroluminescencyjnych
tak, by fotoelektryczny odbiornika porównawczego T 1 równy warto-
zadanej. ujemnego zwrotnego zamyka transoptor porów-
nawczy, czemu otrzymujemy
. Uzz U1 - U2
zp1 =-R
1
+ R
l
876 25. POMIAROWE

fotoelektryczny nie znaku, dla
przetwarzania dodatnich i ujemnych dodajemy do niego
Uzz/R 2 . oba transoptory chara-
kterystyki, to po stronie odbiorczej in= iP1, a wynosi
R' Uzz u+
Uwy = -i:-1-
(u 1 -
.l~l
u2 ) dla --
R2
= --
R;
Uwt1
R2
R2 tuw
r
1
Uwu R3 R3
Rys. 25.14. Nieuz iemiony amperomierz bez spadku
Tablica 25.2 . Scalone wzmacniacze
Typ Producent Izolowana Pasmo Uwagi

przetwor- przeno- izolacji
nica szenia [V]
mocy
[kHz]
HCPL 7800 Hew. Pack. optoe!ektr . 85 600 wysokie du /dt

ISO 100 Burr B. oploelektr. 5 750
ISO 122P Burr B. 3 1500 bardzo tani
ISO 121 BurrB. 5 3500
izolacji
ISO 103 Burr B. na 10 1500} komplementarne
ISO 113 Burr B. na IO 1500 zasilanie
ISO 212 BurrB . transform. na 3 750 tani
AD 202 Anal. Dev. transform. na 2 1500 tani
AD 210 Anal. Dev. transform. na we. i na wy. 20 2500 3 tory iwlacji
1B 21 AnaJ. Dev. transform. na 5 1500 4 ... 20 mA
1
np. PWS 725 lub HPR 11O firmy Burr Brown.
2
z na 20 mA .
- .....-
................,.,........ ................ . ....
,.,,,,,,,,,,,., ............
....,.........
.....................
..........
,.,.,...............................
.....
.........
.........
...........
..............
....,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.....,.,.,.,.,...,.,......
,.. ...........
.................................
...•.•.•.•,•,·,··········
25.J. POMIAR 877
Wzmacniacze ze transformatorowym lub optoelek-
tronicznym w postaci gotowych Wybrane typy przed-
stawione w tabl. 25.2. Szczególnie wygodne w te z nich , które
(konwerter) Zastosowanie ze-
przetwornicy ma sens jedynie wtedy, kiedy ona
kilka wzmacniaczy których masa pomiarowa na wspólnym
potencjale.
Typy z wykorzystanie
nieuziemionego przez z niego np.
wzmacniacz elektrometryczny lub czujnik. Szczególnie uniwer-
salnym typem jest wzmacniacz AD 210 Analo g D evices, w którym
zasilany z nieuziemionego ma on trzy
odizolowane od siebie zaciski masy, w tym przypadku o trzech
izolowanych torach .
25.2.Pomiar
25.2.1. Nieuziemionyamperomierz
o spadk
u
W punkcie 13.2 przetwornik który ze na
bardzo stosowany jako amperomierz .
nim jed nak tylko do masy , ponie-
jego stanowi
Uwr = Rl
] -
I
- ---
Tra;to/
pomiarowy
I
Rys. 25.15. Prosty wzmacniacz do pomiaru
Nieuziemiony amperomie rz za wzmacniacza

z rys. 25.4 z rezystorem do pomiaru
Traci jednak wskutek tego rezystancji
rezystor do pomiaru w ujemnego zwrotnego
wzmacniacza w sposób pokazany na rys. 25.14, to otrzymamy
~v.-.·...-.www.-.
·,·, ...........,,,.-...1.•.,.-..••••,-....,.,www_..,.... ._..........._._._._
._._._,..
...._,,.....,.,.,.,.,._.,.,.,.,., •.,,., ._,.._
.,...,.,.,..,.,.,.,., ,.,.........,........._,..._..,._._,.._._ .,.._.,...v.-
.u,,·.-w.
878 25. POMIAROWE

nieuziemiony amperomierz o bardzo sp adku ujemne-
mu zwrotnemu przez rezystancje R 2 i R; UNjest równe
UwE•a 1 a 2 jest równa zeru.
do zacisku 1 J. Wtedy wzmacniacza W0 2
wskutek ujemnego zwrotnego przyjmuje
(25.1)
Dla UN= UwE wynika
(25.2)
Otrzymuje wtedy z zacisku 2
I' = U1 - UwE = (25.3)

R~
oba nieuziemionego, to musi

warunek I' = I. W przeciwnym wypadku
!).J= I' - I przez wzmacniaczy operacyjnych do masy. Wy-
nika warunek
(25.4)
Na W0 3 otrzymujemy U1 - U2 , wyno-
zgodnie z równaniem (25.1) i (25.2)
Uwy = R 1 ( 1 + ~; ) I (25.5)
a do
25.2.2. Pomiar w przewodzieo wysokimpotencjale
Maksymalne wspólne poprzedniego jest ograniczo-

ne do zasilania. Prosty
z rys. 13.5 nadaje do pomiaru w przewodzie o potencja le,
zamiast do zerowego, go do masy pomiarowej
wzmacniacza Wzmacniacz sprowadza jego wyj-
do zera. ..,
25.2. POMIAR 879

w istotny sposób przy pomia-
rze spadek 1 ... 2 V (np. w przewodzie anodowym
lamp wysokiego W tym przypadku mierzony
wprost przez transoptora, czemu nie ma
potrzeby stosowania nieuziemionego D o linearyzacji cha-
rakterystyki przenoszenia transoptor porównawczy po stro-
nie wtórnej, jak to pokazano na rys. 25.15. Wzmacniacz operacyjny reguluje
jego tak, by fotoelektryczne transoptora porównawcze-
go i transoptora pomiarowego wzajemnie. oba trans-
optory dobrze dobrane, to
12 =I
ten przez pomiar spadku na uziemionym re-
zystorze R.
25.3. Prostowniki
pomiarowe
(przetworniki
AC/DC)
Do opisu zmiennych arytmetyczna
wyprostowanej skuteczna , a szczy-
towe: dodatnia i ujemna.
25.3.1.Pomiar
Do utworzenia zmiennego jest potrzebny

którego znak wzmocnienia jest w od znaku na-
Jego charakterystyka przenoszenia musi prze-
bieg pokazany na rys. 25.16. o takiej charakterystyce, nazywany prosto-
wnikiem dwupolówkowym, za diodowego
mostkowego. Ze na nieliniowy przebieg charakterystyki diody
w takim jest niewielka.
prostownik mostkowy ze
takiego pokazano na rys. 25.17. Wzmacniacz operacyjny pracuje
w sterowanego z rys. 13.8. temu,
od przewodzenia diod, mamy
iwy=
luwel
R
Do pomiaru tego np. amperomierz

magnetoelektryczny. Dlatego ta metoda jest stosowana w analogo-
wych miernikach uniwersalnych.
880 25. POMIAROWE

Przy w zakresie - 2UF < Uwy < 2UF wzmac-
niacz pracuje bez zwrotnego, z diod nie przewodzi.
W czasie gdy Uwy zmienia od 2UF do -2UF, uN nie ulega zmianie. Stanowi
to czas martwy regulacji. W czasie ma rtwym jednak
- od - fazy, co utrudnia wzmac-
niacza operacyjnego. Czas martwy wzmacniacze
o zmian na i diody o przewo-
dzenia, a ponadto charakte rystyki
wej dla liniowego zwrotnego .
Uwr
IP'
"
"""
" "
Dwupolówkow!f ,,"Jednopolówk
owy
"
UwE
Rys. 25.16. Charakterystyka prostownika jedno- i
iwy = IUwB I/R

UwE i
1.
Rys. 25.17. Prostownik z nieuziemionym miernikiem
Prostownik dwupolówkowy z uziemionym

W poprzednim prostownika pomiarowy)
nie uziemione. prostownika ma podda-
ne dalszemu przetwarzaniu (np. A/C), to powinno uziemione.
takie z iwy, np. za nieuziemionego
przetwornika Prosty przetwornika z uziemionym wyj-
przedstawiono na rys. 25.18. Najpierw przeanalizujemy wzma-
cniacza WO 1 . Przy dodatnich pracuje on jako wzmac-
niacz u 2 jest ujemne, czyli dioda D 1 przewodzi, a D 2 nie
przewodzi, wskutek czego u1 = - uwE· Przy ujemnych
u 2 jest dodat nie, czyli nie przewodzi dioda D 1 , a D 2 przewodzi i obejmuje
wzmacniacz ujemnym zwrotnym (zapobiega to przesterowaniu
wzmacniacza W0 1 ), i na jego jest równe zeru.
dioda D 1 nie przewodzi, to u 1 jest równe zeru .
-~W • ••"•"•"•
"•"•"•"•W•·-~~- · .,w.•~w.w.·.•,.·.·······
·············
·············,w,•,w.·.-·=··=~---
25.3. PROSTOWNIKI POMIAROWE (PRZETWORNIK.1 AC/DC) 881
11wEt
j_
Rys. 25.18. Prostownik z uziemionym
M amy
dla uwE > O

(25.6)
dla uwE O
Zgodnie z wzmacniacz WO 1 pracuje jako prostownik

a wzmacniacz W0 2 do prostownika dwu-
Na jego otrzymujemy
(25.7)
a po równania (25.6)
Uwy dla uwE O

Uwy= (25.8)
{
-Uw y dla uwE O
Przebiegi w przeds tawiono na rys. 25.19.
11
t
'\I\ I'/
\
1\ &I
\I /I I\\ '-
/ I/
\\ /
'- /
\ I
,_1
\ I
\ I
\_/
u --- --- ---------Uwrav
Rys. 25.19. Przebiegi przy sinusoidalnym

·- ·~·· ·········-- -- .w··'"'''"-' ·•· .w wMw.•.w ·•.w.w .. •w.•.•··
··············,··w···
···,.,w,.•.w.•.wuM"w
·=~=~=~---
882 25. POMIAROWE
Za kondensatora C na rys. 25.18
wzmacniacz W0 2 w filtr dolnoprzepustowy pierwszego
jego graniczna w porównaniu z naj-
to na otrzymamy
o
Uwy = IUwE lav
Wzmacniacz WO 1 musi zmian na
by czas martwy przy z jednej diody na jak najmniejszy.
Prostowanie przez znaku
Z równania (25.8) prostownik ma dla
dodatnich wzmocnienie ku= + 1, a dla ujemnych ku= -1.
wzmacniacz, którego wzmocnienie
z + 1 na -1, a steruje znak
go. przedstawiono na rys. 25.20. Przy dodatnim
jest wykorzystywane wzmacniacza, a przy ujemnych
komparato r klucz na
Rys. 25.20. Prostowanie przez znaku
Wzmacniacz W nie wzmacniaczem operacyjnym bez

zwrotnego, jego wzmocnienie kur P 1. Na-
daje do tego np. z rys. 22.23, w którym wzmocnienie
+ 1 i - 1.
Do pracy przy nadaje szerokopasmowy
multiplekser z rys. 22.19. Na rysunku 25.21 pokazano, jak go wykorzy-
Rys. 25.21. Praktyczna realizacja operacji prostowania przez znaku
25.3. PROSTOWNIKI POMIAROWE (PRZETWORNIKI AC{DC) 883

w charakterze prostownika. Wzmacniacz jest do
tak, uzyskuje przeciwne znaki. W od
tego, który wzmacniacz wybierze komparator, otrzymuje
cie równe + Uwelub - Uwe·
Jest to praktyczna metoda wykorzystywana w scalonych, jak
np. w AD 630 firmy Anal og Devices. ten zawiera
komparator. wprowadzane przez komparator jednak
znaczne przy pracy z odgrywa wtedy
komparatora.
Szerokopasmowyprostownik
szybkiego prostownika z powodzeniem
wzmacniacz (rys. 25.22). tranzystorom T3/T 4 pracu-
w wtórników emiterowych, na jest podawane
z kolektorów T 1/T 2 . Za stabilistora kompensuje
spoczynkowy kolektora tak, by spoczynkowy równy zeru.
2R
Tz
Rys. 25.22. Szerokopasmowy prostownik
Metoda ta prostowanie zmiennych do ok. 100 MHz , przy

zachowaniu dobrej Przy projektowaniu kryteria
ce szerokopasmowych wzmacniaczy omówionych w p. 16.5.
25.3.2.Pomiar skutecznej
W od arytmetycznej (average ab-
solute vafue, mean modulus)
Iu(t) lav= +f
o
T
Iu(t) ldt (25.9)
884 25. POMIAROWE

definiuje jako pierwiastek
(root mean square value, RMS)
f
T
uef = ,J(u 2 (t))av = 2

u (t)dt (25.10)
o
gdzie T jest czasem pomiaru, który dobiera znacznie od

szego okresu zawartych w sygnale. Otrzymuje wtedy wskazanie nie-
od czasu pomiaru. W przypadku funkcji okresowych dla otr zy-
mania wyniku wystarcza za jeden okres.
Dla sinusoidalnego zmiennego mamy
Zgodnie z pomiar skutecznej sinusoidalnego

do pomiaru amplitudy. Przy innym krzywej meto-
da ta daje jednak szczególnie w przypadku
impulsy o amplitudzie, tzn. przy szczytu UmfUef
(crest Jactor) . Mniejsze otrzymuje przy pomiaru war-
skutecznej pomiarem przebiegu wyprostowanego (mo-
Dla przebiegu sinusoidalnego mamy
°; flsinwt ldt !
1·
]u(t)lav = = um (25.11)
o
Dla U"1 = Umf/2wynika

n
U"1 = r Iu(t) lav= 1,111u(t) lav (25.12)
2v2
Na rysunku 25.23 przedstawiono porównanie tych
Up
t
-'-- - -- - -- -- -- --
Rys. 25.23. l' orov- na ru.: v-ano~cr skutecznej i przebiegu
sinusoidalnego
,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.. ,•,•,•,•.-...• .•.......,,,. ., •••••••,.,.,., ........... ,.,.,.,., ................ ........ .......... .........v.vM'o ......,. ........................ ,,.............. .... .... ........ ...... ........ .. ..
25.3. PROSTOWNIKI POMIAROWE (PRZETWORNIKI AC/DC) 885

w handlu mierników przebiegu
wyprostowanego jest wycechowana z
1,11. Dla przebiegu sinusoidalnego one
w Wskutek
takiego sposobu pomiaru, w przypadku innego krzywej
mniejsze lub od rzeczywistej Przy przebiegu trój -
otrzymuje Uer = (2/J3)1u lav, a w przypadku szumu
uef = J(1t/2) Iu lav'Dla mamy Uer = I Ulav·Zgodnie z po-
od krzywej otrzymuje
[25.3]:
- przebieg wskazania o 11% za
- przebieg wskazania o 4 % za
- szum wskazania o 11% za
Pomiar rzeczywistej skutecznej

Do rzeczywistego, od krzywej, pomiaru
skutecznej równanie (25.10), lub moc . W
dzie z rys. 25.24 skuteczna jest mierzona zgodnie z równaniem (25.1O).
Rys. 25.24. Pomiar skutecznej z wykorzystaniem operacje matema-

tyczne
Do utworzenia kwadratu zastoso-

wano tu filtr dolnoprzepustowy pierwszego którego
graniczna jest znacznie mniejsza od najmniejszej
tego jest dynamika. np. doprowadzimy wej-
równe 10 mV, to przy stosowanej zwykle operacyjnej 10 V na
do kwadratu otrzymamy 10 µV. War-
ta jednak w zakresie szumów Pod tym
bardziej korzystny jest z rys. 25.25. Pierwiastko wanie na wyj-
tu dzieleniem na Na filtru dolnoprzepustowe-
go otrzymuje wtedy
UwE )
Uwy= - U--2 . (25.13)
(
WY av
W stanie ustalonym uwy = const. Wynika
U _ (ufvE)av
wy- U ' czyli
WY
--w.- •,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,,
-www=
886 25. POMIAROWE

Zaleta tej metody polega na tym, uwE nie jest
przez uwE/E, który przy jest
znacznie mniejszy od lecz przez uwEfUwy, któ ry jest
Otrzymuje w ten sposób znacznie Wa-
runkiem jest jednak wykonywanie dzielenia uwEIUwr z na-
wet dla do tego z wykorzysta-
niem logarytmowania, opisane w p. 12.8.1.
Rys. 25.25. Miernik skutecznej o dynamic e
2
UwE
In-uwr
t
i-. - --0
2Ln exp
1uwr
'-- - ---- -{n~ 1
Rys. 25.26. Wyznaczanie skutecznej za logarytmowania
Równanie (25.13) jest wówczas zgodnie z przed-

na rys. 25.26 [25.4]. Przed zlogarytmowaniem najpierw utwo-
Podnoszenie do kwadratu od-
bywa po prostu przez logarytmu przez dwa . W celu podziele-
nia przez Uwr zlogarytmowane
tej zasady p rzedstawiono na rys. 25.27. Na
wzmacniacza W0 2 otrzymuje wyprostowany
Rys. 25:27. Praktyczna realizacja

,•,•,•,·,········.-, --.v.vm •·········" ..._. .•.•.•.•.•.•.•,•.•,·,···················,,• ,•,w,•,w.•, ,-"•.w m .v.w .•.w ,w ,•.•, •,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,•,w, ,•,w ,•-www-~ .www=~=wm.v , =v.w, ,•,w ,•,
25.3. PR0STOWN1Kl POMIAROWE (PRZETWORNlKl AC/OC) 887

Wzmacniacz operacyjny W0 2 Jogarytmuje
we. Potrzebne do podniesienia do kwadratu podwojenie za
dwóch szeregowo tranzystorów T 1 i T 2
2
u2 = -2Urln!R UwE = -Urln ( ~R
UwE )
co co
Wzmacniacz WO 4 logarytmuje
Uwy
u4 = - Urln-. - -
lcoR
u4 - u2 podawane na T3 w celu utworzenia funkcji daje
(25.14)
Za kondensatora C otrzymuje takie samo na-

jak wynika ze wzoru (25.13).
Tranzystory T 1 ... T4 monolityczny scalony, aby
- jak to przy obliczeniach - jednakowe parametry. Jak
z tabl. 25.3, jest scalenie wzmacniaczy operacyjnych i re-
zystorów.
Tablica 25.3. scalone do wyznaczania skutecznej
Typ Producent Technologia pasma

[%] [kHz]
AD 637 Analog Devices bipolarna 0,1 80

AD736 Analog Devices bipolarna 0,3 30
AD 536 Maxim bipolarna 0,2 45
Uf 0091 National hybrydowa 0,2 80
Przetworniktermiczny
Zgodnie z skuteczna zmiennego to takie
cie które powoduje wydzielenie w rezystancji takiej samej mocy
niej, jak zmienne. Mamy
zmiennego u
UEFna rezystancji R tak , by ona tak samo, jak pod
·----""WN• "•"•"•"•"•"•"•••• •• •• ,••••••• ,••• ,•••••••••••••••.w .w .•.•.•.•.s •.••••••••••••••••••••••••••••••••••
•••••••••
•••••••••
••w •
888 25. UK.LADY POMIAROWE

zmiennego. Na tej zasadzie opiera termiczny pomiar
skutecznej. Do pomiaru temperatury w zasadzie
(patrz p. 26.1). Szczególnie korzystne jest zastosowanie czuj-
ników pomiarowych, które w jednym z grzejnikiem rezy-
stancyjnym. Dlatego jako czujniki temperatury stosowane obecnie dio-
dy, w pokazanym na rys. 25.28.
C1 C1
+-- ----r--i-__.._ --r
Rys. 25.28. Miernik skutecznej z przetwornikiem termicznym
Rezystor R 1 jest nagrzewany a R2 wyj-

tak obu diod
spadnie do zera, a obie temperatury równe. Wzmacniaczem
jest tu wzmacniacz pomiarowy o charakterystyce dolnoprzepustowej . Konden-
satory C1 do masy o
Dioda na wzmacniacza zapobiega nagrzewaniu rezystora
R 2 ujemnym wskutek termicznego dodatniego
zwrotnego
Ze na fakt, moc grzania jest proporcjonalna do kwadratu
Uwr, otrzymuje wzmocnienie w proporcjonalne do ~r- Zja-
wisko to prowadzi do nieliniowej odpowiedzi skokowej: czasowa
czania jest znacznie od czasowej
daje wprowadzenie dodatkowego, kwadratowego ujemnego zwrot-
nego [25.5, 25.6].
Aby pasma, rezystory R 1 i R 2
(50 .Q). Dlatego do wysterowania potrzebne i na
wzmacniacza dodaje zazwyczaj wtórnik emiterowy. Zastoso -
wanie wzmacniacza na jest trudniejsze, musi on nie tylko
pasmo lecz w impulsie
kilkuset miliamperów. Konieczne jest zastosowanie szerokopasm o-
wych wzmacniaczy operacyjnych lub wtórników opisanych
w rozdziale 16.
•-...-...........................
.. ,.,.,.,.,•,•,•, ,,,,,,.,.....,..,.,.,
_.,._._.
_.._,._.,.,..,..v .,.,.,.,.,,,,,,,.,,,.,,,,,,,,,,,,,,,••,.-.......,.-.,,-.-.-.-.•,v ,·,•············,•,•,•,•,•,vr,•,•,• ,•,•,•,•,.,.,.,._._.,.....,........-. ..-.-.-.
,,...,._._ , ,.,._.,._.._._
w .-.w;.·.·.,..-.==·, ·,v,,-.-.-.-.-.•
,•,•,•,•
,•,
25.3. PROSTOWNIKI POMlAROWE (PRZETWORNIKI AC/OC) 889

Dla wyników pomiaru obie pary przetworników
pomiarowych charakterystyki. scalonym
te wymagania jest LT 1088 Linear Technology.
on uzyskanie 1% do 100 MHz .
25.3.3.Pomiar szczytowej
Pomiar szczytowej w bardzo prosty sposób,
kondensator przez W celu wyeliminowania przewo-
dzenia, w sposób pokazany na rys. 25.29 w ujem-
nego zwrotnego wtórnika uwE < uc, to dioda
D nie przewodzi. uwE > uc, to dioda przewodzi i na skutek ujemnego
zwrotnego uc = uwe· temu kondensator C do war-
szczytowej
Rys. 25.29. Miernik szczytowej
Wtórnik kondensator w niewielkim stopniu, wobec

czego szczytowa przez czas.
kondensatora przed nowym pomiarem. Rezystor R 1
zapobiega wzbudzaniu wzmacniacza WO 1 . Powoduje on jednak
nie czasu ustalania na kondensatorze. jest prze-
sterowywanie wzmacniacza WO 1 dla uwE < Uc· wskutek tego
czas bierny ogranicza zastosowanie do
tuwr=U
wem
1
Rys. 25.30. Ulepszony miernika szczytowej
Wad tych nie ma przetwornik szczytowej z rys. 25.30, w któ rym

W0 1 pracuje jak wzmacniacz uwE
-uc, to u1 staje ujemne i dioda D 1 przewodzi. Z powodu ujem-
nego zwrotnego przez R 2 u1 przyjmuje
890 25. POMIAROWE

Uwy = - UwE· Oprócz przewodzenia diody D 1 zostaje wyeliminowane
przy tym wtórnika W0 2 .
ponownie spadnie, to u 1 Dioda D 1
wówczas nie przewodzi i zwrotnego przez R 2 zo-
staje przerwana. u1 wzrasta tylko o tyle, by dioda
D2 w ujemnego zwrotnego wzmacniacza W0 1 . Zapobiega to
jego przesterowaniu. Odwrócona szczytowa uwE zostaje zapa-
na kondensatorze C, który nie ani przez
D 1 , ani przez wtórnik W0 2 . Po pomiaru kondensator C
przez W celu pomiaru ujemnych szczytowych
diod.
- W02 ·
____ _J
l
Rys. 25.31. Miernik szczytowej z
I I t
sltJ off
t"
Rys. 25.32. Przebiegi czasowe w mierniku szczytowej z
Inna realizacji miernika szczytowej polega na zasto-

sowaniu i podaniu rozkazu
w odpowiednim momencie. Do tego celu komparator,
którego zadaniem jest stwierdzenie, kiedy jest od
i w tym momencie klucz S
pokazany jest na rys. 25.31.
wówczas tak jak wej-
i zostaje gdy ponownie spadnie.
zacznie dopiero wtedy, kiedy
przekroczy przebiegi
25.3. PROSTOWNIKI POMIAROWE (PRZETWORNIKI AC/DC) 89 1

czasowe omawianego przedstawione na
rys. 25.32. Do realizacji
z tabl. 22.2 i komparatory z tabl. 8.2 [25.7]. scalonym zawiera-
wszystkie elementy miernika szczytowej i dwa sterowane elekt-
ronicznie klucze jest PKD Ol firmy PMI.
Pomiar chwilowej szczytowej

W celu pomiaru szczytowej klucz K
rezystorem o rezystancji. Rezystor ten dobiera tak, by dwoma
szczytami nie kondensatora C. Wa-
tej metody jest jednak bardzo wolny pomiar spadku amplitudy.
W wielu zastosowaniach, a szczególnie w regulacji, nam na okre-
amplitudy w najkrótszym czasie. W opisanych me-
todach czas pomiaru wynosi jednak co najmniej jeden okres
wego. sinusoidalnego jednak w
chwili ze wzoru
Um = V
1
Um2 sin2 wt+ Um2 cos 2 wt (25.15)
Z tej przy stabilizacji amplitudy generatora

z rys. 15.29. to szczególnie zarówno
sin wt, jak i cos wt. Przy pomiarze nieznanego sinusoidalnego
coswt musimy z do tego celu zastoso-
Na jego otrzymamy
U1 ()t = - RC duwe(t)
dt
= _ UwemRC d(sinwt)
dt = - uwemwRCcoswt
(25.16)
wRC je-
den i otrzymamy w ten sposób poszukiwany do dalszych prowa-
dzonych za równania (25.15). Po podniesieniu do kwadratu i dodaniu
uwe(t) i u 1 (t) otrzymamy wskazania amplitudy, bez konieczno-
stosowania filtru. sinusoidalnego
zmienia w czasie, to dodatkowo integrator (rys. 25.3,3).
na jego wynosi
U2 (t) =- 1
RC
Juwe(t )dt = - 1
RC
J uwemsmwtdt
. = Uwem
wRC coswt
(25.17)
892 25. POMIAROWE

Za rezystancji RPdobieramy tak , by w sta-
nie ustalonym zeru. przez siebie u 1
i u 2 , otrzymujemy
rP
u 3 (t) = -~ cos2 wt
E
o amplitudzie od Po utworzeniu u4 - u3
i pierwiastka otrzymujemy
Uwy = Uwem
Jest ono w chwili równe amplitudzie
llwem sin GJt

Rp
r -C:::J--,
1 C I
Rys. 25.33. do pom iaru chwilowej amplitudy sinusoidalnych
Przy zmianach amplitudy chwilowe

wskazania z ustalenia na integratora war-
równej zeru. Zmiana jednak bar-
dzo szybko, tak, np. wzmacniacz otrzymuje o ten-
dencji zmian prawie bez
25.3.4.Prostownik
synchroniczny
W prostowniku synchronicznym zmiana znaku wzmocnienia
nie na skutek zmiany znaku lecz na skutek
zmian Usr(t). Do tego celu zastoso-
ze znaku (p. 22.2.4 i 22.3.2).
Prostownik synchroniczny w pomiarowym
pokazanym na rys. 25.34 do w silnie zaszumionym sygnale amplitu-
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,.~._,.w_..,. ..,.,..,...,.....,.,.,.,.,.,
.,.,.......,...........
.,... ...,.......,.
........
.. .,....... .,.. .. .... ..,.•.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,., ...,.,,,,,,,,,,,,,
...,,,..._,.,.,,.
.,......_.._.
•.,........................
,...,....
..,._
.,,....,
...,...,.,.,.,.,,,.,,,,,,,,,,,.,,,,,,,

dy o równ ej i
fazowym q> Przypadek szczególny fwe =fst
i q>= O przedstawiono na rys. 25.35. Nietrudno prostownik syn-
chroniczny tu tak jak prostownik
, -~ ~adany.!
,-...-i- K(jw) Prostownik Filtr
synchroniczny dolnoprzepustowy
usr
mierzonego
Uk[ad
formowania
impulsów
prosiokqtnych
Rys . 25.34. Zastosowanie prostownika synchronicznego do pomiaru w szumu
t
.
Rys. 25.35. Zasada prostownika synchronicznego
q>#- Olub !we #-fsr, to nie zawsze jest od

zera, a jego jest zawsze mniejsza w przypadku przed-
stawionym na rys. 25.35. Wyznac zmy teraz od
i fazowego. uwE jest
w takt fst przez + 1 lub - 1. to w na -
sposób
Uwy(t) = UwE(t)s(t) (25.18)
gdzie
1 dla usr > O
s(t) ={
- 1 dla Usr < O
Po w szereg Fouriera
4 1
= - I;
a)
s(t) sin(2n + l)cos t (25.19)

n,.=o 2 n+ 1
1
894 25. POMIAROWE

teraz, jest sinusoidalne zmienne
o = kfsr i fazy <p
Z (25.18) i (25.19) otrzymujemy
Uwy(t) = uwemsin(kws, t + <pk)41t I

n=O
l
2n+ I
sin(2n + l)ws,t (25.20)
Na filtru dolnoprzepustowego otrzymamy tego

cia. wykorzystamy równanie
T
f
o
sin(kwstt + <pk)= O
oraz skorzystamy z warunku
dla k i= l
dla k =l
Otrzymamy
2
dla k = 2n +1
UWY -- { 1tk UwemCOS<pk (25.21)
o dla ki= 2n +1
gdzie n = O, 1, 2, 3 ...
sinusoidalnych o dowol-
nych to tyl-
ko te których j est równa lub
jej nieparzystej Dlatego prostownik synchroniczny nadaje
do selektywnego pomiaru amplitudy. wyj-
od fazowego
cia a prostownik synchroniczny nosi rów-
prostownika fazoczu/ego . Dla <pk= 90° Uwyavjest równe zeru rów-
wówczas, gdy jest warunek
W z rys. 25.35 k = I i <pk= O, a zgodnie z równaniem
(25.21)
2
Uwyav= - Uwem
1t
Jest to akurat wyprostowanego sinu-

soidalnego. Wynik ten z rys. 25.35.
Z równania (25.21) wynika, zawiera tylko te
dowe, których jest i:ówna lub jej niepa-
_....,..
.,.,......
........
..,.,.,.,.
,. ..... .............
.......
.,..,.....,.......
. .....
•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,
•,.•,•.•
.•-.•.,•,
...............
..............
...............
. ......................
....,.,,.,,.._.,.,...,
....,..
..=~-- --
25.3. PROSTOWNIKI P0MIAR0WE (PRZETWORNIKI AC/DC) 895
rzystej to jednak tylko wówczas, gdy cza-
sowa filtru dolnoprzepustowego jest wielka. W praktyce jest
to jednak nierealizowalne, a górna gra-
niczna fu równa zeru i nie w ogóle
w czasie.
Uwy av
Uwem
0,3
0,2
0,1
o z 4 s 8 7 fwe/ f'st
Rys. 25.36. Charakterystyka pr ostownika s1nchronicznego
> O, to prostownik synchroniczny nie filtruje z

wego dyskretnych lecz poszczególne pasma o szeroko-
równej 2fu. Charakterystyka takiego filtru jest przedstawiona na rys. 25.36.
w przypadków nieparzyste harmoniczne usu-
przez zastosowanie jako prostownika synchronicznego (zamiast
nika) analogowego wtedy po-
zamiast przez impulsów s(t), przez sinuso-
ust= Ustmsinwt. taka funkcja sinusoidalna nie zawiera har-
monicznych, równanie (25.21) tylko dla n = O. amplituda
jest równa operacyjnej E to
zamiast równania (25.21) otrzymamy
U = { 21UwemCOS ({J dla fwe = fst

wyav
(25.22)
o dla Jwe =I=
fst
Z równania (25.20) wynika, na prostownika synchroniczne-

go nie otrzym ujemy amplitudy Uwem, ale
Uwemcos({J zespolonej amplitudy Uwe· W celu wyznaczenia jej
I U,.,e I = Uwem za regulowanego przesuwnika fazy
o tyle, aby prostownika synchro-
nicznego maksimum. uwE(t) i Usr(t) wówczas w fazie
i z równania (25.22) otrzymamy
896 25. POMIAROWE

do fazy zastosujemy cechowany prze-
suwnik fazowy, to na nim fazy
wnoszone przez mierzony obiekt.
interesuje nas tylko amplituda widma
cia a nie jego faza. Wówczas z synchroniza-
cji i - w sposób przedstawiony na rys. 25.37
- dwa prostowniki synchroniczne z o 90°
gdzie E jest jako prostownik

synchroniczny. Do wytwarzania takich dwu za-
np. generator z rys. 15.29. obu prostowników
synchronicznych zawiera tylko widma któ-
ra ma fsr· Jest ona w fazie o cp
u1 i wynosi
U wf U/ Filtr UJav
U1 - E- dolnoprzepustowy
E sin Wstt Miernikmodu[u

wektora
aenerator
UwEt Ecosw5 tt -Vulav+ulav t
Uwy
1. U2
Uw[Uz Filtr U4av 1
- E- dolnoprzepustowy
1
Uwy = Uwr = - uw,m dJa f,, =fwe
2
Rys. 25.37. Prostowanie synchroniczne od fazowego
Zgodnie z równaniem (25.22) górny prostownik synchroniczny dostarcza na-
(25.23)
a dolny
(25.24)

Po podniesieniu do kwadratu i zsumowaniu otrzymujemy
od fazowego
UWY= 2lu wem

J·2 z lu
Sln <p+ COS (f) =2 wem (25.25)
w przestrajanym woltomierzu selektywnym.

Jego pasma jest i równa podwójnej granicznej
filtru dolnoprzepustowego. filtru jest znacznie
w przypadku filtrów aktywnych. bez np.
1 MHz przy pasma równej 1 Hz, co odpowiada dobroci
Q = 106 . Przy przestrajaniu pracuje ja-
ko analizator widma (Fouriera).
W tym rozdziale zajmiemy wykonywanie po-
miarów nieelektrycznych. W tym celu
najpierw za sensora (zwanego przetwornikiem lub czujni-
kiem) i na elektroniczny
z sensorem zamienia na
które po odpowiednim przygotowaniu zostaje poddane wizualizacji
lub jest wykorzystane w regulacji automatycznej.
Zasilanie Przet warzanie

Sensor i wsfl;tpne Kalibracja
przetwar zanie -:,, analogowo- ....
-,, W:ysw ietlacz
cyfrowe
sygnaru 1 cyfrowy,
'f ukr regulacji
analogowy,
ukTadregulacji
Rys. 26.1. Przetwarzanie fizycznej G na kalibrowany elektryczny
Na rysunku 26.1 przedstawiono poszczególne etapy przetwarzania wiel-

nieelektrycznej, a na rys. 26.2 pokazano sensora do pomiaru
Sam sensor ma od po-
wietrza. Aby go w do pomiaru
taki daje na proporcjonalne do ale niestety
nie proporcjonalne do Potrzebny jest dodatkowy do
linearyzacji i wzorcowania sensora. Istnieje sensorów
nych mierzonych i o zakresach pomiarowych. W tablicy 26.1
przedstawiono zestawienie sensorów nieelektrycznych.
Rys. 26.2. Otrzymywanie mierzonej na czujnika

·--- -
....,.................
..........
..... ...,.........
..... ....,..,,
26. SENSORYKA 899
Tablica 26.1. Zestawienie sensorów nieelektrycznych
Sensor Zakres Zasada

mierzona pomiarowy
Temperatura Termometr - 200 ... + 800°C Dodatni temperaturowy

oporowy rezystancji metali, np. platyny
Termistory -50 ... +150°C Dodatni temperaturowy
o dodatnim rezystancji np.
krzemu
temperaturowym
Termistory -50 ... + 150° Ujemny temperaturow y
o ujemnym rezystancji mieszanin tlenków metali
i ceramiki
temperaturowym
Tranzystor - 50 ... + 150° Ujemny temperaturowy
baza-emiter tranzystora
Termoelement - 200 ... + 2800°C termoelektryczna na styku dwóch
metali
Rezonator - 50 ... +300 °C temperaturowy
kwarcowy rezonansowej kwarcu
o specjalnym
Temperatura Pirometr - 100 ... + 3000°c widmowy luminancji

za od temperatury
promieni o-
wania
Piroelement - 50 ... + 2200°c Wzrost temperatur y
promieniowaniem cieplnym wytwarza
polaryzacji
Fotodioda 10- 2 ••• 105 lx wzrasta z

uwalnianiu
Fototranzystor
za
Fotorezystor 10- 2
.• • 105 lx Opór elektryczny maleje ze wzrostem
Fotopowielacz 10- 6 ••• 103 lx uwalnia z fotokatody

elektrony, które
powielane przez dynod y
Mikrofon Indukowanie w cewce

dynamiczn y w polu magnetyczn ym
Mikrofon na
kondensatorze zmienia v..raz
z jego
Mikrofon Efekt piezoelektryczn y
piezoelektryczny
900 26. SENSORYKA

Tablica 26.1. cd.

mierzona pomiarowy
Pole Cewka indukcyjna Dostarcza pole

magnetyczne magnetyczne zmienja lub cewka
porusza w polu
Hallotron 0,1 mT ... 1 T Wskutek odchylania elektronów
w polu magnetycznym poprzecznie do
osi powstaje
Gaussotron 0,1 mT ... 1 T Wzrost rezystancji ze
wzrostem pola
magnetycznego
Tensometr 10- 7 ••• 107 N powoduje elastyczne
rezystora cienkowarstwowego i tym
samym wzrost jego rezystancji
10- 3 ..• 103 bar 1J Rozstrojeni e mostka tensometrycznego
Tensometr
umieszczonego na membranie
Tensometr 1 ... 5000 g Rozstrojenie mostka tensometrycznego
nie umieszczonego na membranie
pod
PotencjometTyczny µm ... m odczepu potencjometru

liniowe czujnik
Indukcyjn y czujnik µm ... dm rdzenia ferrytowego

rozstrojenie mostka
indukcyjnego
Optyczny czujnik µm ... m Odczyt kodu kreskowego, liczba
kresek proporcjonalna do
Optyczny czujnik 1 ... 20 OOO
/ obr Odczyt kodu kreskowego, liczba
kresek proporcjonalna do obrotu
Magnetyczny 1 ... 1000/ obr Odczyt magnetyczny nadajnika
czujnik w postaci kola
1 ... 1000/obr Odczyt nadajnika
czujnik w postaci
Turbinka obrotowa wzrasta
z
Anemometr
z czujnikiem
termicznym
Nadajnik/odbiornik z efektu
Dopplera z
1> 1 bar = 105 Pa .

.... .,.., .. .,..,..... .......... ... ....... ....... ........ . ,.,., ••••••••••, •••••,.,,,,,,,,,,,,, ••, ••••••• ,,,,,,, •,•,•,•,•,•, •,•,•,•,•,•,•, •,•, ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.• ,<.<.-... ........ ............ .... N' ... .,. .... =- .............
.,........
.,.,
..........
...
.......................
................
.. ......,.,...,.,.,.....,.
.....
..........................
.
26. SENSORYKA 901
Ta blica 26.J. cd.

mierzona pomiarowy
Rezystor Adsorpcja wykrywanego gazu

gazu ceramiczny
MOSFET Zmiana progowego przy
adsorpcji wykrywanego gazu pod
obszarem bramki
Widmo absorpcji Linie absorpc yjne charakterystyczne
dla gazu
Kondensator 1 ... 100% Wskut ek wody
elektryczna ze wzrostem
Rezystancja 5 ... 95% Wskut ek wody

rezystancja maleje ze wzrostem
((\j 26.1. Pomia

r temperatury
J~t1~~:
::~;:::i:i:i:i:
1:1~~~3.t
ttl~~~~~®~m:@*::=-~~?-..1~~~~g:;:::i
Opiszemy teraz metody pom iaru temperatury. Jak w przedstawio-
nej tablicy, sensory wykonane z metalu,jak termoelement i termomet r
oporowy, w bardzo szerokim zakresie temperatur.
dnikowe czujniki temperatury (termistory o dodatnim i ujemnym
ku temperaturowym , tranzysto r) za to znacznie
Dla tego ich stosowanie prowadzi do
26.1.1.Oporowetermomet
ry metaliczne
Rezystancja metali ze wzrostem temperatury, a one dodat ni
temperatu rowy. metalami do pomiaru
temperatury pla tyna i W pierwszym rezystancja
ich wzrasta z o ok. 0,4% na Przy temperat ury
o 100 K rezystancja wzrasta 1,4 raza. Dla czujników temperatury wykonanych
z platyny podaje R 0 w temperaturze 0°C. jest
100 n (P t 100), ale 200 n (Pt 200), 500 n (Pt 500) i 1000 n (Pt 1000).
W zakresie temperatur 0°C 9 850°C rezystancja ta jest opisaI).a równa-
niem (DIN 43760 i IEC 571):
R 9 = R 0 [1 + 3,90802 · 10- 3 .9/°C - 0,580 195 · 10- 6 (8f°C)2]
a w zakresie - 200°C .9 0°C równaniem
902 26. SENSORYKA

Ra= R 0 [1 + 3,90802 · 10- 3 .9-/°C- 0,580195 · 10- 6 (.9/ C) 2 ] 0
+
+ 0,42735 · 10- 9 (.9f°C)3 - 4,2735 · 10- 12
(9f°C)4]
zakres temperatur -200°C do + 850°C jest bardzo i pod

górnego zakresu temperatu r go tylko termoelementy
(patrz p. 26.6.1). równania jest Z te-
go w zakresie temperatu r z li-
nearyzacji. odpowiednich podane w p. 26. 1.4 .
. D la czujników temperatury wykonanych z i niklu podaje rezys-
R 0 w temperaturze 20°C. rezystancji od temperatury w za-
kresie - 50°C ,9 l 50°C równanie
Ra= R 20 [1 + 3,83 · 10- 3 (.9/°C) + 4,64 · 10- 6 (.9f°C)2]
oprócz kwadratowy, który przy liniowego istnieje tu
150°C powoduje powstanie ok. 25%. Dlatego w prak-
tyce prawie zawsze jest potrzebna linearyzacja [26.1). odpowiednich
i ich dobór opiszemy w p. 26.1.4.
26.1.2.Termistory o dodatnim temperaturowym

nabazie krzemu
Rezystancja jednorodnie domieszkowanego krzemu z
a temperaturowy jest dwa razy dla metali.
Rezystancja podwaja w przy temperatury o
100 K. Równanie ma
Jest ono tylko dla sensorów firmy Texas Instruments serii TS, dla
wyrobów innych producentów tylko w R 25 jest tu
w temperaturze 25°C. ona
w granicach 1 ... 2 k.Q. /1.9 jest a tem-
ti,r). = S - 25°C . zakres temperatur wynosi
- tak jak dla termometrów - od - 50°C do + 150°C.
Sposób i linearyzacji charakterystyki termistorów krzemowych
przedstawimy w p. 26.1.4.
26.1.3. Termistory o ujemnym temperaturo

wym
Termistory o ujemnym temperaturowym wykonane z mie-
szaniny tlenków metali i ceramiki. Ich temperaturowy jest bar-
dzo i - 3 ... - 5% na Termistory mocy
., ....s-,s-,s-•
.•·······w.•.•.•-.•.www·.·············,··
····················
·· ····························
·-''"" "'~"' ' ~w w ·····,· ········
··w·~~- ··- -.····'"·····
·····-'"'•~~---"'"w· .•,•••••••.
26.1. POMIAR TEMPERATURY 903
do ograniczania ich nagrzewanie przez
jest zjawiskiem one w sta-
nie nagrzanym oraz W do tego
w termistorach pomiarowych nagrzewanie wskutek
powinno chodzi tu bowiem o jak ustalenie
przebiegu rezystancji. rezystancji od temperatury aproksy-
równaniem (26.2]
nas temperatu ra T w temperatury znamionowej

T,v. Temperatury do wzoru w kelwinach (T = 9 + 273). B
w od typu w zakresie 1500 ... 7000 K. Aby opi-
r ezystancji przy tem-
peratur, równanie
3
1 l 1 R 1 ( R )
- T- = TN + Bln RN +C In RN
tu dodatkowo ze 1/C. temu

jednak nawet w zakresie temperatur 100 K do-
0,1 K. Warunkiem jest jednak to , by prod ucent z
lub przebieg charakterystyki rezystancji.
dy pracy termistorów o ujemnym temperat urowym podamy
w punkcie 26.1.4.
26.1.4. pracy rezystancyjnych czujnikówtemperatury

Dla opisywanych tu oporowych czujników temper at ury (RTD = resistivetem-
perature detector) rezystancja jest temperatu ry, a tymi
dwoma jest opisany równa niem R = f(fJ.). zmian rezys-
tancji z podaje temperaturowy
l dR
TK = - · - (26.1)
R dfJ.
w % na temperatury
z tolerancji rezystancji:
1 ~R
(26.2)
TK R
tolerancja temperatury tolerancja rezys tancji
904 26. SENSORYKA

Przy temperaturowym równym 0,3% na tolerancja re-
zystancji ± 1% daje temperatury ± 3 K. Im jest
nik temperaturowy, tym mniejsza tolerancja temperatury przy danej tolerancji
rezystancji.
W celu zmierzenia rezystancji oporowego czujnika temperatury
przez czujnik. ten powinien tak
by nie wzrostu temperatury sensora.
mocy strat mniejsza od 1 mW. Na sensorze otrzymuje wówczas
proporcjonalne do jego rezystancji. sensorem a
przewody korzystny pomiar
rezystancji w czteroprzewodowym, jak to pokazano na rys. 26.3.
Rys. 26.3. Pomiar rezystancji w czteroprzewodowym wynik pomiaru od

rezystancji
Rezystancja przewodów nie tu wyniku pomiaru U9, pomiar

jest realizowany przy rezystancji. Wprawdzie U9 jest
proporcjonalne do rezystancji, ze na charakte rystyki nie
jest jednak proporcjona lne do temperatury. dokonamy konwersji analo-
gowo-cyfrowej mierzonej,
równanie charak terystyki ze na 8. Do analogowej linearyzacji
nastawny generator funkcyjny z p. 12.7.5.
Dla wystarcza jednak linearyzacja na
do sensora rezystora Run, jak to pokazano na
rys. 26.4a. Rysunek 26.5 przedstawia rezystora Run na
R3
Rys. 26.4a. U9 = IR-eP· Ru,. -- -
Rs + R11.
Linearyzacja charakte rystyki termistora za rezystora R 11

•. Dla UREF = /REF· Ru. oba
tak.i sam
••••,,,, ,,,·,···········~- ._._
.........
...... .........,•••,.,.,•••
,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,,,,,,,,,,,,.,....,,,•,•,••,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•
,•, ,,,,,,,,,,,,,.,,,,,._,.,
,,.._,.......,._, ,,.,., ,.,•••,..~.,._.,....,., , ...... . ...,...,,....v.-,,.
,,..,....,.,
..,.....,......,......,.......,.
..,.,,._._'J'>A.,,.,..
..-.•.....-.r.
26.1. POMIAR TEMPE RATURY 905

termistora krzemowego o dodatnim temperaturowym. Przy
R 9 wypadkowa rezystancja wzrasta wolniej
z powodu rezystora temu w znacznym
stopniu kwadratowy we wzorze
termistora. linearyzacji w istotnym stopniu od
tego, czy wykonana optymalizacja rezystora dla
nego zakresu pomiarowego. Najprosts zym jest zastosowanie war-
z katalogu. jednak co nie dysponuje
danymi dla wymaganego zakresu pomiarowego.
granicznego w zakresie pomiarowym.
Rezystor uzyskanie zerowego w trzech
temperaturach (8D, 8G).Pr zesuwa wówczas te trzy temperatury i dobiera
Rlin tak maksymalny i na zakresu jed-
nakowe. to ilustruje rys. 26.5.
Zakres pomiarowy '/,
I
I
I
I
I I I
iPunkty kompensacji II
I
I I I
Rys. 26.5. Optymalna kompensacja
Rlin uzyskuje w prosty sposób, tem-

peratury 8D i SGna zakresu pomiarowego, a w Przypadek
ten pokazano na rys. 26.6. Warunek linearyzacji wynika wówczas z wymaga-
nia, by zmiana rezystancji (R 9 li Run) w dolnej
ce zakresu pomiarowego taka sama jak w górnej. Otrzymuje wtedy
rezystancji
Rr = + R9G) - 2R9D· R,9G

(26.3)
tn R9D+ R9G- 2R9/;
Rrw, i R 9 G tu rezystancjami czujnika w dolnej (RaD),

i górnej (R 90 ) temperaturze. Ze wzoru rezystor jest
wielki, a w
Rrw a R90 , wtedy sam czujnik jest liniowy.
Run staje ujemny. Przypadek ten ma miejsce wtedy, kiedy
906 26. SENSORYKA

kwadratowy równania czujnika jest ujemny,
jak np. dla czujników platynowych.
Opisana linearyzacja ma miejsce wtedy, kiedy
z rezystorem i przeliczy na
jak na rys. 26.4b. Rezystor Rlin jest w obu przypadkach
taki sam. Rysunek 26.7 przedstawia odpowiedni pomiarowy.
U1dest tu temperat ury.
Zakres pomiarowy
~------ --------
cf:' I
<:::J I
Rys. 26.6. Uproszczona metoda obliczania rezystora
Rlin R2
28512 28512
UREF
t _
2,5V juPOM
R,s. R1 33312 1
TSP102F tu,s. 1076Q u,,oM = 20 mV · 8/°C
dla 0° 8 100°c
Rys. 26.7. Linearyzacja, regulacja zera i wzmacnianie z termistora krzemowego o dodat-

nim temperaturowym
Aby nie pojawienia to po-

daje na wzmacniacza operacyjnego. re-
zystorów Ri, R 2 i R 3 równoczesne uzyskanie wzmocnie-
nia i zera. Na rysunku 26.7 wypadkowy
za mostek pomiarowy. Projektowa nie takiego wyja-
na ma w zakresie od 0°C do
100°C i na od O V do 2 V. odniesienia ma
2,5 V. Jako czujnik wybieramy termistor krzemowy o dodatnim
temperaturowym (PTC) TSP 102F Texas Instruments. Naj-
pierw musimy linearyzacji dla wybranego zakresu. W tym celu od-
............. ~._.,....._ ...... ,.,. •,.•.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,,,,,,,,,,,,.,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,, .,•,•,•,•,•,•,• •,•,•,•,•.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,.,.,.......... ..,. .......... ......_,.,.,._._
••••. , • .,.._www=,-.-.-.•,• ,•,•.,,•.,,•.,,•,•,•.. .,,.,,,,,,,,,,,',',',•,•,•,•,•,•,•,-.•,•,•,,,.,.,.,••.,.,•,•,•,•,•, • .
26.J. POMIAR TEMPERATURY 907

czytujemy z katalogu rezystancji na obu iw zakresu,
jak to pokazano w tabl. 26.2. Z równania (26.3) otrzymujemy rezys-
tancji Run= 2851 n. linearyzacji w jej
a w naszym przypadku 25°C a 75°C, jest Ale
wynosi on tylko 0,2 K! Na dzielniku R 8, R un otrzymamy U8
podane w tabl. 26.2. Nietrudno zakresu
jednakowe.
Tabl.ica 26.2. z rys. 26.7
9 Rs U9 UPOM
90 = 0°c RsD = 813 n U90 = o,555 v UPOMD= 0,00 V
50°C R 85 = 1211 n = 0,745 V = l,00 V
9G = 100°C RsG = 1706 n U9G= 0,935 V UPOMG= 2,00 V
Przy obliczaniu rezystancji R 1 , R 2 i R 3 z nich

dowolnie. Wybieramy R 2 = Run = 2851 n. Rezystory R 1 i R 3 wyzna-
wzmocnienie i punktu zerowego. Wzmocnienie wynika
z jednej strony z
k = UPOMG - UPOMD = 2,00 V = 5 263

. u UsG - u ,9D 380 mV '
a z drugiej strony ze wzoru na wzmocnienie wzmacniacza

ku = l + R 3 /(R 1 liR 2 )
Wybrana zera UPoMD = OV prowadzi zgodnie z rys. 26.7 do
warunku, spadek na dwu rezystorach R 1 i R 3 , które wtedy
pozornie równolegle, powinien
Z projektowych wynika
R1 = 1076 n R 3 = 3331 O
Do realizacji wybieramy znormalizowane z szeregu

E96 (patrz p. 28.2). Regulacja upraszcza w przypadków
wtedy, kiedy zastosuje odniesienia o tolerancji na-
np. Motoroli MC 1403.
W przypadku wysokich co do zera prze-
prowadza za rezystora R 1 , a wzmocnienia - rezystora R 3 . Aby nie
trzeba tego w drodze kolejnych iteracji, najpierw ustawia
908 26. SENSORYKA

zero przy temperaturze, w której na rezystorze R 3 jest równe
zero. R 1 wtedy od R 3 • W naszym przy-
jest to
UpoM= U9 = 0,685 V
dla R 9 = 1076 n
lub 8 = 34,3°C. wtedy bez naruszania zerowania
wzmocnienie w dowolnej innej temperaturze. Ogólny sposób
powania przy regulacji z sensorami zostanie po-
dany w p. 26.5 .
wybierzemy wzmacniacz operacyjny, którego zakres wysterowania
wspólnym i zakres zmian ujemnego
zasilania, z jednego o 5 V. Aby
zera (kilka mV
na dodatkowo 1 kn „
Do linearyzacji charakterystyk termometrów platynowych, ze
na ujemny kwadratowy równania jest po-
trzebna ujemna rezystancja. Do linearyzacji czujnika Pt 100 w zakresie tem-
peratur od 0°C do 400°C, zgodnie z równaniem (26.3), jest potrzebny rezystor
R tin= - 2,5 kO.
Z tego linearyzacja w jak na rys. 26.7 nie jest
Do zasilania tu o ujemnej rezystancji we-
Na rysunku 26.9 jest przestawiony schemat takiego
du. Do realizacji szczególnie dobrze nadaje z rys. 13.9.
R3 pr zyjmiemy nieco mniejsze, wymaga tego otrzy-
mamy
Jest to równanie projektowe dla R 3 . przyJm1emy R 1 = 250 n

i R un= -2,5 kO, otrzymamy R3 = 9,09 kO. Tak zaprojektowany jest
pokazany na rys. 26.9. regulacji wzmocnienia i regulacji zera
czujnika U8 odpowiednio z rys. 26.7.
!REF llin I1;n
R1;n
-2,5kQ
R,.9.
Pt100
fu, R,9. 1~,9.
1 9,08kQ 10kQ 1
Rys. 26.8. Zasada linear yzacji Rys. 26.9. Rea lizacja o ujemnej
czujnika Pt 100 rezystancji
.............•.•.•.••.v~,w, .·.=v•="W•-·'"· ""ww•• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, •"•"•"•"•'""'"'"v~·.w .....wm=--- , .. _..,,,•,• .•,•,• • •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w,• .•.•,·,········' •' •' •' •' •' •W .... .

W ograniczonym zakresie temperatur i przy niezbyt wysokich wymaga-
niach co do za rezystancji
przebieg charakterystyki termistora z ujemnym
kiem temperaturowym.
Rz
z UREFI- juPOM
l
R3
Run R1
40 óO 80 100 '15/°C
Rys. 26.10. Linearyzacja termistora o ujem- Rys. 26.11. do linearyzacji, regulacji zera
nym temperaturowym za i wzmacniania z termistora o ujemnym
równolegle rezystancji temperaturowym
ilustruje rys. 26.10. uzyskuje wtedy,

kiedy punkt krzywej Run liRr wybierze w T_,
zakresu temperatur. Wynika rezystora [26.2)
B jest tu równania charak-

termistora. tutaj czujnik temperatury szere-
gowo z tym samym rezystorem Run i zlinearyzowany
przebieg Aby wraz z
z rezystora jak to pokazano na rys. 26.11.
Poza tym i proces projektowania odpowiada z ter-
mistorem o dodatnim temperaturowym z rys. 26.7.
26.1.5.Tranzystor jako czujnik temperatur

y
Ze na tranzystor bipolarny jest elementem
silnie od temperatury. Jego zerowy podwaja przy
temperatury o ok. 10 K, a baza-emiter maleje o ok. 2 mV (patrz
p. 4.3.5). Te na niekorzystne efekty do pomiaru tem-
peratury. Na rysunku 26.12 tranzysto r w diodowym pracuje ze
Uzyskuje wtedy baza-emiter
910 26. SENSORYKA

na rys. 26.13. W temperaturze pokojowej to ma typo-
ok . 600 mV. Przy o 100 K maleje o 200 mV, a przy
spadku temperatury odpowiednio wzrasta.
temperaturowy wynosi
t:..U = O 3°/4
0 /K
U· t:..T '
UaEfmv
800- - -- - -- --1
I
600 - - - - -- - - , - - - -
~o __ _ _ _ _ _ __ 'L _ _ _ _ LI _ _ _ _
I I I
I I I
200 I I I
I I I
o 100 zoo 300 400 TjK

Rys. 26.12. Wykorzystanie Rys. 26.13. baza-emiter od temperatury
baza-emiter (typowy przebieg)
do pomiaru temperatury
Rozrzut przewodzenia i temperaturowych tranzysto-

rów jest jednak niestety znaczny. Z tego pojedyncze tranzys -
tory stosuje obecnie do pomiarów temperatury tylko w przypadku niewiel-
kich co do Lepiej oparte na
baza-emiter dwu tranzystorów przy
ilustruje rys . 26.14 . Mamy tu do czynienia ze
odniesienia pasma zabronionego (kom-
baza-emiter tranzystorów , bandgap reference), opisanym
w punkcie 18.4. baza -emiter wynosi tutaj
lc2 lei
t:..UnE= Urln I A - Urln I A
co 2 co 1
obu kolektorów jednakowe, a stosunek powierzchni tran-

zystorów wynosi A 1 /A 2 = 10, otrzymujemy
kT µV
t:..UBE = - lol O = 200 - ·T
e K
Do realizacji odniesienia pasma

zabronionego to za R 2 tak, by
UrEMP (2 mV/K) · T, temperaturowy
T2 (patrz p. 18.4).
.•.·.~·=w.·.w..·.·············..,~ -- .- - =-s w .•.•.w .•,·.w .w.wu.w .·= ·= www- "' "·-~ - .... .-nw ......... .... ..._.
....,.........
..................
.....-............
..............
............
26.l. POMIAR TEMPERATURY 911
UrEMP do pomiaru tempera-
tury: jest ono proporcjonalne do temperatury (proportional to
absolute temperature, PTAT). W temperaturze 9 = 0°C wynosi
mV
UTEMP =2 · 273 K = 546 mV
+ + +
R3 R3
le Ie
0 T2
A1=10A2 UrEMP
Az 2mV Ti
!JUsE
0,2mV T
t tUss
K 1
1,23V
K
UrEMP
2mVT
t lUrEMP
2mVT
K
1 Usd
1,23VI
1
K
1 UpoM
= 5UTEMP
- 2,22Uaa
Rys. 26.14. Wykorzystanie Rys. 26.15. Dodatkowy do realizacji
odniesienia z baza-emiter zera w skali Celsjusza
tranzystorów do pomiaru temperatury
(np. REF 43 firmy PMI)
Aby zero skali Celsjusza , od

UTEMP o tej
Do tego w z rys. 26.15 wykorzystano
UBG z na rys. 26.14 zmodyfi-
emitery do punktu o tym samym potencjal e. wyj-
wzmacniacza operacyjnego z rys. 26.16 przyjmuje wówczas war -
oba kolektorów jednakowe. Uzyskuje przy tym
!iUBE> ale wyprowadzeniami baz . na rezystancji R 1
jest proporcjonalne do T(,,PTAT") . Za szeregowo
rezystancji je do dowolnej W
dzie z rys. 26.16 SO-krotnie:
mV
UTEMP = 50/iUB E= 10~ ·T
W temperaturze pokojowej (T~ 300 K) otrzymujemy UrEMP 3 V.

tego jest to, UrEMP na wzma-
cniacza operacyjnego i temu je
912 26. SENSORYKA

Czujniki temperatury w sposób przedstawiony na rys . 26.16
produkowane przez firmy Texas Instruments (STP 35) i National (LM 335)
w postaci scalonych. Nie one oddzielnego wyprowa -
dzenia do zasilania i jak stabilistor (dioda Zenera).
R3 R3
r UrEHP
10mVT
K
Ie 1
j5,;vr
Tz
A2
R1 iO,~
mVT
Rys. 26.16. Zmodyfikowane odniesienia z baza-emiter

tranzystorów do pomiaru temperatury (np . STP 35 firmy Texas
Instruments)
9,16kQ 10kQ
UTEHP
10mVT
t
K
- 12v
Rys. 26.17. do przesuwania zera w skali Celsjusza dla dwójnikowego czujnika
temperatur y
takiego czujnika temperatury z zera skali Celsjusza

na pokazanym na rys. 26.17. pod fakt,
czujnik zachowuje tak, jak dioda Zenera o rezystancji
(ok. 0,5 n przy 1 mA), nie ma praktycznie
wu na i z niestabilizowanego tylko
zasilania nie spadnie minimaln ego
,www_www_www_m-mme.•,•,•,w,•,w,• ,•,•,•,•,•,•,w,•,•,•,•,•, •.,•,•,•,•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,w,• ,•,•,•,•==
26.l. POMIAR TEMPERATURY 913

(w naszym przypadku 0,4 mA). Z drugiej strony nie niepot rzebnie wy-
zbyt wysokiej zasilania, aby nie do nagrzewa-
nia w z rys. 26.17 wybierzemy
7 ,5 kO, przy 0°C przez czujnik ok. I mA; przy 150°C jest on jeszcze
od 0,4 mA. Aby zero skali Celsjusza,
2,73 V 2,5 V
273
10 kn = 9,16 kn = µA
wzmacniacz operacyjny pracuje w na wyj-
- zgodnie z - otrzymujemy Celsjusza.
zera skali Celsjusza jest w postaci
scalonej z czujnika . LM 35 firmy National dostarcza np. na -
10 mV/°C. Jest to znaczne uproszczenie w przypadku , kiedy chce-
my dodatnie temperatu ry.
Proporcjonalne do temperatury !::.UBE wykorzys-
do wytwarzania proporcjonalnego do temperatury
Tak na rys. 26.14, jak na rys. 26.16, kolektora Ie jest proporcjonalny
do temperatury. Aby wzmacniacz operacyjny
z rys . 26.14 tylko z rys. 26.18.
ny jest wtedy nadal warunek Ic 1 = Ic 2 ·
!::.U = U ln Ai = ~ In Ai · T = 86 µV In Ai · T
BE r A2 e A2 K A2
powoduje
I= 21c = 2!::.UBE/R
1
f:::fµA/K
T2
Az
JOµA/K
Rys. 26.18. Sterowane Rys. 26.19. Sterowane

z baza-emiter z dowolnie wybieranym
tranzystorów (np. AD 592 firmy (np. LM 344 firmy
Analog Devices) National)
mw .. ~w .... ...... .... ...... . -- -= ·
914 26. SENSORYKA
Przy stosunku powierzchni równym A 1 /A2 = 8 i rezystancji R 1 = 358 n otrzy-
muje
I= T · I µA(K.
Zgodnie z pracuje np. AD 592 firmy Analog Devices

[26.3]. Niekiedy rezystor R 1 nie jest wbudowywany do i go
z Istnieje wówczas swobodnego wyboru
a np. zaprogramowania 10
µA/K. Monolitycznym czujnikiem o takiej jest LM 334 fir-
my National. Jego pracy przedstawiono w na rys. 26.19. Za
rezystora 22 n tu ustawiony 10 µA(K.. Na rezystorze
1 kO on spadek 10 mV/K . Ze na to,
takie czujniki temperatu ry charakter zasila-
nia nie ma na tylko nie spadnie
poziomu minimalnego (1 V dla LM 334). Dlatego nie jest tu po-
trzebne stabilizowane zasilania.
26.1.6.Termoeleme
nt
W miejscu styku dwu metali lub stopów zjawisko Seebecka powoduje
powstanie w zakresie miliwoltów, zwanego termo-
elektrycznym. Na rysunku 26.20 pomiaru temperatury wi-
nawet wtedy, kiedy jednym z dwu metali jest zawsze
dwa przeciwnie spolaryzowane termoelementy.
{},., Cu
Konstantan
Cu- Ni fu„
..Jp
Cu
Rys. 26.20. Zasada pomiaru temperatury za termoelement u na termoelementu
Dla tego w tej samej temperaturze 9M = ,9-Pich termoelektryczne

tylko temperatur !J..9= 9M - 9p,
Do pomiaru temperatury jest potrzebny punkt (spoina) odniesienia otem -
peraturze 9p, Szczególnie proste uzyskuje dla 9p = 0°C.
to jedno termoelementu w wodzie z lodem.
mierzona informuje wtedy, o ile stopni 0°C 9M.
tego rodzaju metoda wytwarzania temperatury por ównaw-
czej stanowi tylko prosty eksperyment niewygodny do zrealizowania
,•,•,w ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,·,·~- - = , w ~•.w ,-'"' ' •'•'•'•' •'•'•'•'•'•'•'' •' •'•'•W•'• '•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'•'• '•'•'•'•' •''•''-"• " "''

w praktyce. jest bowiem grzejnik
na poziomie np. 60°C i jako
odniesienia. mierzona jest odniesiona wówczas do 60°C. Aby przeli-
na 0°C, po prostu tem-
peraturze porównawczej 60°C.
Jeszcze prostszym jest pozostawienie temperatury punktu
porównawczego jaka jest [26.4]. ona wówczas w
temperatury otoczenia. jej nie pojawia
20 ... 50°C, który dla jest zbyt jednak zmie-
rzymy otoczenia to np . za scalonego
termometru tranzystorowego), odpowiednie wówczas
do obwodu pomiarowego. tej metody przedstawiono na rys.
26.21. Pokazano tam przypadek, kiedy z metali
cych termoelement nie jest W tym przypadku do-
datkowy, termoelement w punkcie na prze-
wód miedziany. Aby oba termoelektryczne dodat-
kowe termoelementy
z rys. 26.21 dwa bloki izotermiczne w je-
den blok o temperaturze Bp i w ten sposób
metalowego (w tym przypadku wykonanego z do zera. Powstaje wtedy
w praktyce z rys. 26.22, zastosowania tylko jed-
nego bloku izotermicznego.
Fe Cu
Blok
Cu- Ni
izotermiczny1
,·-- ·1
'I !
I ~P Fe
i
-- i - --------
.
L. -,
---
Cu
-~
'
J izotermiczny2
L_____ ' Blok
Rys. 26.21. Kompensacja temperatury spoiny odniesienia fJ„
kombinacje metali i stopów na termoelementy, nor-

mami1> IEC 584 i DIN 43710. Ich zestawienie zamieszczono w tablicy 26.3.
Nietrudno maksymalne temperatury pracy bardzo
a termoelementy wykonane z metali mniejsze
temperaturowe. Przebieg termoelektrycznego pokaza-
no na rys. 26.23. Widoczne jest, z krzywych nie przebiega
liniowo. typy T, J, E, K a oprócz tego
Z tego one stoso-
1> W Polsce PN -85/M-53855. normy przed stosowaniem (przyp. .

........,-,-- •.•.mv.·.·· •W"""' "··~·..Mww ww•www.•. •,•············
··················.,······· ·······················w·············'"=vwwv-mm ·~---- -------- ·.-.•.
916 26. SENSORYKA
wane, o ile tylko to zakres temperatur. Dla typów - je-
nie do zakresu temperatur - jest wymagana
linearyzacja.
Tablica. 26.3. Termoelementy. drukiem stosowane typy J i K.

Typy B i G tak nieliniowe, nie tem-
peraturowego
Typ Metal I Metal 2 Zakres temperatur

Biegun dodatni Biegun ujemny [OC)
temperaturowy
[µVf°C)
T Konstantan 42,8 -200 ... +400°C

J Kon.stanta.n 51,7 -200 ... + 100°c
E Chromel Konstantan 60,9 -200 ... + 1000°c
K Chromel Alumel 40,5 - 200 ... + 1300°c
s Platyna Platyna - 10% rod 6,4 O... + 1500°C
R Platyna Platyna - 13% rod 6,4 o...+1600°C
B Platyna - 6% rod Platyna - 30% rod o...+ 1sooc 0
G Tungsten Tungsten - 26% ren O... +2800°C

C Tungsten - 5% ren Tungsten - 26% ren 15 o... +2800°C
konstantan = - nikiel chromel = chrom - nikiel alumel = aluminium - nikiel
W celu wykorzystania termoelektrycznego do pomiaru,

do niego, zgodnie z rys. 26.22, temperaturze
porównawczej Bp,w celu przeliczenia na topnienia lodu,
czyli 0°C. na poziomie termoelementu, lub
po wzmocnieniu Na rysunku 26.24 przedstawiono tego dru-
giego W wykorzystano termoelement
tan. Aby jego do 10 mV/K, zgodnie z 26.3 jest
potrzebne wzmocnienie
k = lO mV/K = 193
" 51,7 µV/K
Fe Cu
Blol<
izotermiczny
Cu-Ni
,L_1-t-----
_.J
J
Rys. 26.22. Praktyczna realizacja pomiarowego z termoelementem
- - -"-..............
.... ... ..............................
,.,•,•,•,•,•,•,•,•, ,.,.,.,., .............
u/mv
50 K
40
30
20
200 400 óoo 800 100012001400 1600180020002200N 'C
- 10
Rys. 26.23. termoelektrycznej od temperatury. Temperatura odniesienia 0°C
kv.=193
>--- ...L...
--' "'"+
+
- J
li.-~-- ----- --- - ----

i. J
L.-.
Rys. 26.24. Wzmocnienie i kompensacja tempera tury spoin odniesienia termoelementu na przy-
termoelementu
Rys. 26.25. Praktyczna realizacja pomiarow ego na termoelementu

stantan
punktu odniesienia wówczas z zachowaniem

takiej samej a 10 mV/K. Na rysunku 26.25 przedstawio-
no realizacji tej idei. termoelektryczne w za-
kresie µV, jest potr zebny wzmacniacz operacyjny z dryftem. Opró cz
918 26. SENSORYKA

tego musi on wzmocnienie aby przy wzmocnieniu rów-
nym 193 wzmocnienie w zwrotnego.
Pomiar temperatury punktu odniesienia staje szczególnie
do tego gotowego czujnika temperatury z zerem w skali Celsjusza, np.
LM 35 firmy National lub LT 1025 firmy Linear Technology.
inny z tego
1OmV/K.
µV µV
51,7°C{J,r..Jp) 51,7oc ,JM
Fe Cu
+
.,Jp
ku=/93 iUwy
mV
10°[,J,M
Cu-Ni ~- , Cu
ii_ ___&>
--!- ------
1
_J
Rys. 26.26. Kompensacja temperatury spoin odniesienia przed wzmocnieniem na

dzie termoelementu
µV
51,7°(;,J,M OP77
Fe
+
..J,/'f
rwy
mV
Cu-Ni
70 oc-3-/'f
{}p µV
51,7°[,Jp 1
Rys. 26.27. Praktycma realizacja kompensacji temperatury spoin odniesienia przed wzmocnie-
niem na termoelementu
Na rysunku 26.26 przedstawiono na do-

daniu do termoelementu korekcji temperatury topnienia lodu i
niejszym wzmocnieniu W przypadku termoelementu
tan 51,7 µVf°C. upraszcza skorzystamy
z faktu, termoelement nie jest uziemiony. go wówczas sze-
regowo ze korekcyjnego, jak to pokazano na rys. 26.27.
otrzymuje specjalizowane sca-
lone przeznaczone do z termoelementami, jak np. z rodziny
AD 594 ... 597 firmy Analog Devices. AD 594 i 596 kalibrowane do
z termoelementami (typ J), a AD 595
i 597 z termoelementami chromel-alumel (typ K). Przewody termoelementu
wtedy do scalonego, jak to pokazano na
rys. 26.28. stanowi blok izotermiczny o temperaturze odniesienia 8p,

Fe
,J,p
+
tWY
,JH
I oc
51,7µV ,J,p
AD594
mV
10°f {},H
Cu-Ni
Rys.· 26.28. Zastosowanie scalonego wzmacniacza z termoelementu
przy tym, krzemu ma co

Dla temperatury struktury tworzy wówczas
temperatu ry topnienia lodu , dodaje do termoelektrycznego
i wzmacnia. przy tym kalibracji zera
i wzmocnienia z I °C . zewrzemy i usuniemy termo-
element, na otrzymamy tylko korekcji temperatury topnienia
lodu równe
µV mV
U!J= 51,7°C · 9p · 193 = I0 ~9 p
pracuje \\!tedy jako tra nzystorowy czujnik temperatury z zerem

w skali Celsjusza .
26.1.7. typów
W tablicy 26.4 zestawiono producentów elementów do
pomiaru temperatu ry i ich wyroby . Wyroby te znaczne cen.
Dla tego najpierw zasady pomiaru oraz typy
elementów i Ogól nie im dany czujnik jest
szy, tym skalibrowany pr zez producenta (kalibracja laserowa) .
.,:-:::::
-::::::::::::::::::
:::::::
::::;:::
::::::
:::::::::
rrttttrt11tti1i1
i1tttlttlft ttt
·2· ~~!!!~~
,t~'~~:
~!.:~.!,!. ,.J~1i1ii1l::::1;i~;;:1~;~1:;:::::
_:.:.:
_;_:f..........
.
jest zdefiniowane jako na
p = F/A
jest
1 niuton I N
1 pas k a 1 = IPa= --
1 metr kwadratowy 1 m2
920 26. SENSORYKA

Tablica 26.4. czujników temperatury
Typ Producent Znamionowy Zakres temperatur
Termistory metalowe o dodatnim temperaturowym

Pt 100 ... 1000 Heraeus 100 ... 1000 Q - 50°C ... + 500°C
Pt 100 ... 1000 Murata 100 ... 1000 Q - 50°C ... + 600°C
Pt 100 ... 1000 Degussa 100 ... 1000 n - 250°C ... + 850°C
NilOO Degussa IOOQ - 60°C ... + 180°C
Ni2000 Honywell 2kQ - 40°C ... + 150°C
Termisto ry krzemowe o dodatnim temperaturowym
Seria TS Texas Instr. 1 k!L.2 kQ - 50°C ... + 150°C
SeriaKTY Philips 1 k!l ... 2 kQ - 50°C ... + 300°C
Seria KTY Siemens 2kQ - 50°C ... + 150°C
Termistory metalowo-ceramiczne
SeriaM Siemens lkQ ... 2k.O - 50°c ... + 200°c
Termistor Philips 1 k!l ... 1 MQ - 50°c ... + 200°c
Termistor Yellow-Springs 100 Q ... l Mil - 80°C ... + 150°C
Czujniki pasma zabronionego
baza-emiter tranzystorów)
STP 35 Texas Instr. 10 mV(K - 40°C ... + 125°C
LM 237 Z National 10 mV(K -40°C ... + 125°C
LM 35 National IO mV(K 0°C ... + 125°C
LT 1025 Lin . Technology 10 mV/°C* 0°C ... +60°C
LM 134Z National 0,1 ... 10 µA/K -40 °C ... + 125°C
AD 590 Analog Devices 1 µA/K - 55°C ... +150°C
Termoelementy
J,K, S, R,B Heraeus p. itabl. 26.3 p. tabl. 26.3
J, K, S, R,B Sensycon p. tab l. 26.3 p. tabl. 26.3
J, K, S Philips p. tabl. 26.3 p. tabl. 26.3
J, K, S, R, B, T, E, C, G Omega, USA p.tabl. 26.3 p . tabl. 26.3
Wzmacniacze do termoelementów
AD 594 IAnalog Dev.
Analog Dev .
110 mVf°C (typ J)
10 mVf°C (typ K)
I - s5°C ... +125°c
- 55°c ... + 125°c
AD 595
* Dodatkowe do kompensacji spoin odniesienia termoelementów

typu E, J, K, T, R, S.
Jest stosowana jednostka bar.

1 bar= 100 kPa lub 1 mbar= 1 hPa
Niekiedy podaje jako wody lub
tymi jednostkami
1 cm H 2 0 = 98,1 Pa = 0,981 mbar
,.,.,.,.,.,.,.,.,., ., ~._,,.,. .-J<.v, •,•,•.. ,•,•.-.-.-.-........ ,._,.,.,.,. , ,.,. ... ,••.,.,.,.•.••,••.,.,.,.,.,.,.,., ,,,,,,,,,,.._,,._,.,.,.,.,.~..,.. ••,._.,vv, ,w,v,v~www- ............. ._._....,...._.,._,..,•••,•••,••.,.,•,•,•,•,•,•,•, ,.,.,.,.,.,. ,..,.,,.,,_.,.,.,_.;/',_._.,._. ••••• ._
26.2. POMIAR 921

1 mm Hg= 133 Pa= 1,33 mbar
W angielskich katalogach jest podawa ne w funtach na cal

kwadratowy
psi = pounds per square inch
Przeliczenie tu
1 psi = 6,89 k.Pa = 68,9 mbar lub 15 psi~ 1 bar
W tablicy 26.5 poda no kilka

w praktyce [26.5].
Tablica 265. w praktyce
Zakres
<40 mbar Woda w pralce lub zmywarce do

100 mbar Odkurzacz, kontrola filtru, pomiar
200 mbar Pomiar krwi
1 bar Barometr, samochód regulator i wtrysku)
2 bar Samochód w oponach)
10 bar Samochód oleju, powietrze w hamulcowym), in-
stalacje
50 bar pneumatyczne, roboty
500 bar hydrauliczne, maszyny budowlane
Czujniki bardzo uniwersalne zastosowania. Za ich

oprócz i prze-
26.2.1. Budowa czujników
Czujniki membran y W tym

celu na membranie umieszcza mostek tensometryczny. Przy zginaniu,
kaniu Jub mostek zmienia p od zjawi-
ska piezorezystancyjnego. modele tensometrów wykonywa-
ne naparowyw ania warstwy ko nstantanu lub platyny i irydu. Obecnie
stosuje rezystory implantowane w krzemie. krzemowe
stanowi przy tym takich czujników mniej-
sze koszty wytwarzania i ponad jest
jednak temperaturowy .
.................-, ...., .-,,, .-, ....,.-,,. ., w ....., .........,.,.,.,.•.,.,•,•,•,•,
•,•.•,•,•,••···•···•w.-.w.w====~~=w,.w••• ••wm~w,-_ www_
922 26. SENSORYKA

czujnika pokazano w uproszczeniu na rys. 26.29.
W czujniku z rys. 26.29a po jednej stronie membrany panuje
nienie p 1 , a po drugiej O wychyleniu membrany decyduje tylko
Pi - p 2 . W czujnikach po jednej stronie memb-
rany umieszcza [26.6]. rozmieszczenia tenso-
metrów na membranie pokazano na rys. 26.30. Lewy rysunek pokazuje,
przy wyginaniu membrany obszary i W tych
obszarach - patrz rysunek po prawej - um ieszcza cztery rezystancje mostka .
Rys. 26.29. Czujniki: a) b)
a)
Rys. 26.30. i membrany czlljnika (a); rozmieszczenie tensom etrów

na membr anie (b)
je ze tak , by zmiany rezystancji w

mostka przeciwne. W tym - jak na rys. 26.31 - otrzymuje
szczególnie a efekty
wspólnie, jak rezystancji i jej temperaturo-
wy, Ze na niewielkie zmiany rezystancji AR
jest mimo wszystko Przy maksymalnym i
zasilania UREF = 5 V wynosi on, w od typu czujnika, od 25 do 250
mV. zmiana rezystancji wynosi od 0,5 do 5%. wyj-
rzeczywistego czujnika z proporcjo nalnej do
i (offsetu):
(26.4)
.,,,.__,
__ " . ''"' ~· ·········· ····,·,·, ·,•,•,-•,-•,•,·
·---- .,w •..mw ·www Ms• •• ,•,•,•,•,•,·········· ·················'-'"'"''"'~'-"=~=·====-=
26.2. POMIAR 923
Uc R+ll.R R-ll.R ll.R
-- =
URE;
t - UREP 2R 2R R
1:U2
Rys. 26.31. Czujnik w mostkowym
gdzie
!iR
= !ip. R
jest a a0 -
Obie przy tym proporcjonalne do odniesienia. Aby
nie zbyt stosuje odniesienia. Ogra-
nicza je jednak zjawisko nagrzewania czujnika. Dlatego stosowane
odniesienia 2 i 12 V.
26.2.2.Skompensowane
temperaturowo
czujniki
Czujniki wyprodukowane na bazie krzemu tak
niki temperaturowe, nie kompensacji temperatu-
ry. Dla najwygodniejsze jest stosowanie czujników fab-
jednak ze
na koszty musi sam Jak
wtedy w punkcie. Przygotowanie
z czujników do dalszego przetwarzania kilka pod-
stawowych
1) Cztery rezystancje mostka z rys. 26.31 starannie dobierane
parami, ale ich ma i oprócz tego silnie
od temperatury. Z tego powodu nie silnie
do wzmacniania stosuje wzmacniacz pomiarowy o
rezystancji
2) Czujniki z~era, który wprawdzie jako wiel-
jest (np. ± 50 mV), ale z porównania go z
wynika, z jego odpowiada zakresowi
pomiarowemu. Z tego powodu jest regulacji zera pokry-
zakres pomiarowy.
3) czujnika wykazuje
(np. ±30%), wskutek czego staje regulacj~ wzmocnienia.
·-~=-'-'W"'""' ·"'····w·•·························
·····
············
···········
··············
··'··············
··········
·······w············
·····
•.w,•,o•.
•==www,.w .w.....w.·.··········w···················'"'•"'··'"'•'"='
924 26. SENSORYKA
4) Regulacja zera i wzmocnienia powinna realizowana bez
iteracji.
5) Ze na fakt, czujnika jest
wymagane potem ich znaczne wzmocnienie. wówczas wyma-
szumy wzmacniacza, a i sam czujnik ma nie
Dlatego pasma na
wzmacniacza do zakresu zmian
6) pojawia potrzeba zasilania do pomiaru z jed-

nego, dodatniego i rezygnacji z ujemnego na-
Popularnym do obróbki z przetwornika

nienia jest wzmacniacz (instrumentalny, instrumentation amplifier)
[26.7]. Na rysunku 26.32 pokazano niesymetryczny wzmacniacz
z rys. 25.5. Za rezystora R 1 wzmocnienie dopaso -
do parametrów czujnika. Do regulacji zera dolny punkt rezystora R 2
dzielnika jest nie do masy, lecz przez wtór-
nik W0 3 do zerowania. temu UzER jest
dodawa ne do
pokazany na rys. 26.32 z jednego, dodatniego
spoczynkowe ok. l/2UREF·
jest jednak to, regulacji zera i wzmocnienia nie
bez interakcji. bowiem zgodnie z równaniem (26.4)
Rz
U1
R2
Wzmoc.
Uz
Rys. 2632 . pracy czujnika
26.2. POMIAR 925

czujnika na od UP
i U0 , obie wzmacniane
ze wzmocnieniem ku= 2(1 + R 2 /R 1) :
Uwy = kuCU1- U2) + UzER= ku UP+ kuUo + UzER

podczas gdy do regulacji zera nie jest wzmacniane.
Tak
od wzmocnienia ku. Z warunku nieiteracyjnej regulacji wynika wymaga-

nie, by do korekcji zera wzmacniane ze
czynnikiem ku. zera w przed miej-
scem, w którym wykonuje wzmocnienia. Miejsce zerowania
na wtedy tak, by na rezystorze do nasta wy wzmocnienia nie
spadku czemu jego nie ma na
Aby zerowania, przed wzmacniaczem

wym regulacji zera dodano wzmacniacze W0 3 i WO 4
pokazane na rys. 26.33. Otrzymujemy tu U3 :
Do U2 od- UzER-
± 1/2UREFR3 /(R 3 + R4 ). temu, dolny punkt rezystora R 2
w dzielnika nie jest do masy tylko do
UR.EF•zero wzmacniacza nie na poziomie O V, lecz na
poziomie UR.EF· Wskutek tego regulacja zera przesuwa z równego
zero i zero do Uwr = UREF
(patrz p. 26.5.1). OV w tym nie by i tak
w zasilany z dodatniego
Projektowanie na do po-
miaru powietrza ma równe 5 mV /hPa.
Jako czujnik zastosujemy KP 100 A l firmy Valvo. Przy
ciu zasilania UREF= 5 V daje on 20 ... 80 µV/hPa; jego zera
do ± 50 mV. W celu zaprojektowania zerowania przyjmujemy
R 3 = I kn. Przy zasilania UR.EF=5 V wymagany zakres re-
gulacji uzyskuje R 4 = 49 k.O. Wzm·ocnienie -w od
czujnika - musi w zakresie od 62,5 do 250.
R 2 = 10 kO, otrzymamy R1 80 n (rezystor
i 330 n. Rezystor regulacyjny musi
250 n.
--~ ---,w,-.--
,.....,
........,......
.w,.,.,, ____ ,
.-,w,·,····
··············
·····
·············•············•W•"·"•""-"""" ·= -'·www- --- ---
926 26. SENSORYKA
Przy kalibracji najpierw zero. Aby to
bez iteracji, wybiera do tego celu przy którym na rezys-
torze do regulacji wzmocnienia nie ma a gdy U1 - U3 = O.
W naszym przypadku ma to miejsce dla Uwr = UREF= 5 V; odpowiada to
1000 hPa. Ustawia regulator zera tak, by przy 1000 hPa
Uwr = 5 V. po wykonaniu regulacji na rezystorze R 1
nie ma jego nie na Przy kalibracji wzmoc-
nienia wybiera daleko od zera ustawionego na
1000 hPa, a na górnym lub dolnym zakresu
pomiarowego i za R 1 ustawia na
opis kalibracji czujników zostanie podany w p. 26.5.
Rz juwy
U1 1
Uz Rz
},,
UREF Rz
U3
Rz
UREF
Rys. 26.33. do wzorcowania bez interakcji
Ze na fakt, z czujników w zakresie mikrowolt ów,

celowe jest stosowanie wzmacniaczy operacyjnych o niezrów-
i dryfcie Wyma gania
ce pasma nie przy tym wysokie. Dlatego tu
wzmacniacze o poborze Korzystne jest np. poczwórnego
wzmacniacza operacyjnego OP 490 firmy PMI. wyko-
gotowy wzmacniacz (instrumentation amplifier).
jednak niewielkie: tylko cztery rezystory R 2 •
·.····
w ••••••••,, •• •• ··························W
N'""m m,_ ..w.·.········•'•'•'•'•'•'•'
•wuu·u..w~ ·..,~.--
="w, •,•,•,·········· =,m, .•.."" •""w ·""'"""'•'•'.W•'•'•'•'•'•'•'•'•'•················w··•
·•·•·•·······•·•
26.2. POMIAR 927
przygotowania z czujnika daje znacznie
dysponuje dodatkowo ujemnym lub wytworzy
je za przetwornicy (konwertera). W z rys. 26.34 jedna z
mostka czujnika w torze ujemnego zwrotnego wzmac-
niacza WO 1 . wyobrazimy sobie, Uze,= O, wzmac-
niacza W0 1 ustawi tak, U2 =O.W ten sposób Ucz
nej mostka jest przekazywany na jego prawe i odejmowanie nie jest
potrzebne. Dlatego do wzmacniania jest wtedy potrzebny
wzmacniacz W0 2 • W celu wyzerowania na wzmac-
niacz W0 1 podaje Uzer Mamy wtedy U2 = Uzeri
U1 = Uc + Uzer= Up+ Uo + Uzer
Zero jest ustawione dla Uzer= - U0 •
)R,
Rys. 26.34. Transmisja przez mostka
Kondensator C filtru dolnoprzepustowego

pasma szumów
filtr dolnoprzepustowy drugiego na mo-
stka drugi kondensator do masy.
26.2.3.Kompensacja
temperaturowa
czujników
Wykonane z domieszkowanego krzemu rezystory czujnika natural-
nie od temperatury. one nawet stosowane do pomiaru tempera(tiry
(patrz p. 26.1).
928 26. SENSORYKA

Typowa rezystancji od temperatury jest pokazana na rys. 26.35.
temperaturowy ma w temperaturze pokojowej
TK !::.R 1350 ppm = O 135 %

R = R . !::,.
,<). K ' K
W mostkowym, w którym czujniki ta
od temperatury zmiana rezystancji nie stanowi tylko jest
jednakowa dla wszystkich rezystorów, a nie jest
Problem polega jednak na tym, czujnika od temperatu-
ry: jej temperaturowy
!::.S ppm - O235 %
TKs= S·!::.S - 2350~ = , K
Przy tempera tury o 40°C zmniejsza o 10%, jak to

na rys. 26.35. Aby nie to wyników pomiaru , przy tem-
peratury odpowiednio wzmocnienie. przy tym
pod nie wzmacniacza, lecz czujnika
Czujnik temperatury musi zabudowany wraz z czujnikiem
Jest to bliskie idei zrealizowania kompensacji temperaturowej w sa-
mym czujniku. W tym celu odniesienia UREF z tem-
tak, by spadek
Uc = S · P · UREF + <Xo· UREF = Up+ Uo
trzeba jednak pod przesunie przy tym nieco
zero U0 = x 0 UREF·
b.R ppm
TK= - - ~ +1350 --
I< R·M) °C'
6S ppm
TK = -- ~ - 2350--
R({}) s S· M) °C
R(25°C)
S(..J)
S{25°C)
Rys. 26.35. rezyslancji i krzemowych czujników od temperatury
Skompensowane temperaturowe czujniki tylko meto-

kompensacji temperatury. Trzy stosowane metody przedsta-
wione na rys. 26.36. Na rysunku 26.36a zastosowano termistor o ujemnym
temperaturowym , który powoduje mo-
stka przy temperatury. Na rysunku 26.36b wykorzystano ujemny
temperaturowy diody, - 2 mV/K. odpowied-
niemu tranzystora tak, jak trzy diody .
26.2. POMIAR 929

czujnik temperatury pasma zabronione-
go (z baza-emite r tranzystorów, bandgap reference);
w z rys. 26.36c zastosowano czujnik STP 35. Pracuje on w
z rys. 26.16 i dostarcza 10 mV/K, a w temperaturze pokojowej
ok. 3 V. tego jest to, kompensacji
temperaturowej do pomiaru temperatury .
a) c)
f 1,8V
Rys. 26.36. Metody kompensacji temperatury : a) termistor o ujemnym tem-

peraturowym, np. serii SDX firmy SenSym; b) 3 diodom, np. w elemencie KP I00
A 1 Valvo; c) czujnik temperatury z baza-emiter tranzystorów, np. w
TSP 411 A firmy Texas lnstruments
Metoda kompensacji temperaturowej nie zastosowania czuj-

nika temperatury polega na tym, by do kompensacji temperaturowej wykorzy-
rezystancji mostka od temperatury. mostek
my nie UREF , lecz !REF , na
mostku wzrasta w tym samym stopniu, co jego rezystancja.
Niestety jednak wzrost TKR = 1350 ppm/K nie wy-
starcza do skompensowania spadku TK5 = - 2350 ppm/K. jed-
nak z rys. 26.37
przy IM by mostka
UM ze ITK5/TKRI szybciej, przy pro-
wadzi do warunku:
Wynika wzór na Ri
R ITKsl R 235R
i = TKR - I TKs I M = - ' M
·=----www= .w~w- ••·••••••• ···········

·············
··•·····•···•···•w•·•w•·•·····
•·•·•·•
w,..~w.w.•.••
930 26. SENSORYKA
Do realizacji odpowiedniego nadaje dob rze
z rys. 13.9. Na rysunku 26.38 pokaza no jego zastos owanie do kompe nsacji
temperaturowej czujnika z mostkiem o rezystancji RM = 3 kn (np .
TSP 410 A firmy Texas Instruments). Wybieramy zwarcia l z = 1 mA .
Otrzymujemy wówczas R 1 = UREFflz= 2,5 kQ. Znamionowe zasila-
nia mostka wynosi wówczas
UM= I TK5 /TKR IRMlz = (2350/1350) · 3 kQ · 1 mA= 5,22 V

R1+R2 R3
I-- -~
12,5kS2
Iz
UREFj
- 2,5V
6,45kQ JOkQ
Iz = 1 mA; R1 = - 7,05 kQ
Rys. 26.37. Zasilanie czujnika Rys. 26.38. Praktyczna realizacja

nia ze o ujemnej
rezystancji
W celu obliczenia elementów najpierw wy-
ITKs l
Ri = TKR _ I TKs I RM = - 2,35 · 3 kn = - 7,05 kQ
przyjmiemy R2 = 10 kn, otrzymamy
26.2.4.Oferow
ane typy czujników
Tablica 26.6 ma za zadanie przedstawienie Czytelnikowi, jak szerok i jest wy-
bór czujników innych producentów czuj-
ników, a typy wymienione w tab licy jedynie przedstawicielami rodzin
.~------""' · " ·" ·"'"w.w .,.,,,.•.•.•.•.•,•,•,•,•,•,•,,.•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,v,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,
26.2. POMIAR 931

czujników. W tablicy 26.6 oprócz czujn ików na zakres od
1 do 2 barów, przewidzianych w pierwszej do barometrów, rów -
typy o wiele mniejszych i zakresac h pomiarowych. Czujniki
przeznaczone do pomia ru w dwu wykona-
niach: jedne atmosferycznego, a drugie
na dwu doprowadzeniach .
czujników bardzo takiego stanu
rzeczy bardzo zakresy pomiarowe. Przy i znamiono-
wej zasilania
50 ... 250 mV . typy z wbudowanymi wzmacniaczami. Do-
one wzmocniony, skompensowany temperaturowe i kalibrowany sy-
Tablica 26.6. czujników
Typ Producent Za.kres Rezys- Kom-

zera tancja pensacja
mostka TK
[k!l] (rys. 26 .37)
TS P 410 A Texas In. O... 2 bar 20 mV/ V bar ± 8 mV/V 3 -

TSP 411 A Texas In. O... 2 bar 20 mV/ V bar ± 8mV/V 3 C
KP 100 Al Valvo O... 2 bar 13 mV/Vbar ± 5mV / V 1,8 b

KPY 43 A Siemens O... 2 bar IO mV/Vb ar 6 -
KPY 43 R Siemens ±2 bar 10 mV/V bar 6 -
KPY 31 R Siemens ±2 0 mbar 250 mV/V bar 6 -
MPX2100GVP Motorola O... I bar 4 mV/V bar ± 0,I mV/ V 1,8 a
MPX3 100* Motorola O... 1 bar 2,5 V/bar ±50 mV a
136PC15 Honeywell O... 1 bar 10 mV/V bar ± 0,1 mV/V 6,8 a
142PC15A* Honeywell O... 1 bar 5 V/bar ± 25mV a
242PC250G* Honeywell O... 17 bar 0,3 V/ bar ± 50mV a
126PC05 Honeywell ±0,35 bar 50 mV/V bar ±0 ,l mV/V 6,8 a
SDX15 SenSym 0 ... 1 bar 7,5 mV/V bar ±80 µV/V 4 a
HCXOOI* SenSym O... l bar 4,5 V/ bar ±50 mV/ V a
SSX2350 SenSym O... 350 bar 0,1 mV/ bar ± 0,3 mV/ V 4 b
103LP05* SenSym 0 ... 5 mbar 500 V/ bar ±0 ,1 V
* scalony ze wzmacniaczem .
Za.kres pomiarow y O ... = czujnik
zakres pomiarowy ± = czujnik
Dla wielu typów zera jest zakresu pomiarowego. Pozy-

tywnie typy z (rys. 26.36a), dla któ-
rych nie tylko lecz zero jest kalibrowane przez producenta.
932 26. SENSORYKA

podaje wody w danej substancji. Szczególnie
jest powietrza. F abs definiuje jako
wody w powietrza:
F _ masa wody
abs - powietrza
wody, powietrze, podaje
nasycenia Fsat:
Fsa t = Fabsm = f(9)

Jej silnie od temperatury, jak to na rys. 26.39. Po
lub przekroczeniu nasycenia skraplanie wody:
zostaje punkt rosy .
punkt rosy i z rys. 26.39, bezpo-
reakcji przez jak np. dobre samopo-

czucie, od R,ei:
F = Fabs
rei F
sat
600
500 I
1'400
I
;;;'
~ 300
I Loo1---1-
;:;--
- -+ - - /-,f-,''--A- - 0--1
:;:;
"'
t.l::200
/ Li:
700
/V
_,/
V
.___ I
o 20 40 60 80 700 40 60 80 700
N°c- {fjoc -
Dla F„ 1 = 100% oba wykresy
Rys. 26.39. nasycenia Rys. 26.40.

od temperatury nej od temperatury
Pararnelr: F„ 1
26.3. POMIAR WILGOCI 933

Podaje ona, w jakim procencie nasycenia. Wil-
z rys. 26.39. np .
powietrze, wyznaczymy punkt rosy równy 25°C,
wynosi Fabs = 20 g/m 3 • jednak w temperaturze 55°C powietrze
Fsat = 100 g/m wody. Tak
3
przy 55°C
Fabs 20 g/mJ
Frei-~- -- - 100
---=-
g/mJ =20%
sat
powietrza od temperatury podaje rys. 26.40.
26.3.1.Czujniki
pokazuje, powietrza wy-
z pomiaru temperatury otoczenia i punktu rosy.
Wprawdzie pomiar punktu rosy jest i nie wymaga
dodatkowego wzorcowania, do pomiaru jest
[26.8]. Powszechnie stosowane czujniki do pomiaru
pomiar temu,
n io od nas one kon-
densator z dielektrykiem, którego elektryczna od
Dielektryk
pochTaniajqcy
Rys. 26.41. Schemat

Elektrodap_rzeguszczalna czujnika
Cs -
C5
=1+04
(
--
F,ei )l.4
pF Co ' 100%
140
130
110
o 2 4 6 8 Fred%
Rys. 26.42. czujnika od czujni k 2322 691
90001 firmy Valvo
934 26. SENSORYKA

Na rysunku 26.41 przedstawiono schematycznie takiego czujni-
ka [26.8]. Dielektrykiem jest tlenek aluminium lub specjalna folia z tworzywa
sztucznego. Elektroda lub obie elektrody wykonane z metalu
cego od przedstawia
rys. 26.42. Nietrudno istnieje
a wzrost jest nieliniowy. W ograniczonym zakresie pomiarowym
w stopniu za szeregowo
kondensatora.
26.3.2. pracy czujników

W celu czujnika wilgotno-
Z tego pod do pomiaru pojemno-
op. na czujnik zmienne i
jak to schematycznie pokazano na rys. 26.43. Metoda ta, z wy-
pozornie prosta, w jest
oprócz cechowanego miernika zmiennego wymaga
zmiennego o amplitudz ie i
I, 1 = 21tU,1 · f · Cs
Rys. 26.43. Pomiar przez pomiar reaktancji
M2
U2 Bramki : CMOS, np . CD400I
Cs=Co+LlC
Ml
Cr""Coz/10
pF
Rys. 26.44. Wyznaczanie wzrostu przez pomiar okresu
Prostszym jest czujnika w multiwibratora

tak, by o jego lub
impulsu. taki pokazano na rys. 26.44 [26.9]. on z dwu multi-

wibratorów z rys. 8.28. Multiwibrator M 1 drga ze
ok. 10 kHz, w zastosuje bramki CMOS. Synchronizuje on
multiwibrator M 2 , w którym czas trwania impulsu wyznacza czujnik wilgotno-
Cs. Przy równej zero czasy trwania impulsu obu multiwibrato-
rów sobie równe; przy czas trwania impulsu M 2 po-
jak to pokazano na rys. 26.45. utworzymy tych
czasów trwania, otrzymamy U3 proporcjonalny do 11C, a tym samym
w proporcjonalny do Dolnoprzepustowy filtr na wyj-
znacznie przedsta-
wiono na rys. 26.46. Tutaj czujnika jest wyznaczana
z definicji Cs= QIU. Najpierw kondensator Cs jest do
UREF • a potem przez punkt masy pozornej.
przy tym
IsAv = UREF ·f· Cs
gdzie/jest klucza.
C 1 , na otrzymuje proporcjonalne do Cs.
"·t I I
I t1__J
C t
Uz
i : :
-1
t2
! jI
I
C
j t
1
~----=- -1 1-· I I
1 I
iw..l
I I I
u, i. t~
Rys. 26.45. jako dwóch czasów trwania impulsu
Uwy= - UREF·R·f · Cs
Rys. 26.46. Zasada pomiaru w z
936 26. SENSORYKA

Aby do praktycznego na rys. 26.46
ustawienie zera i
nego wychylenia skali). pokazano na rys. 26.47. Do re-
gulacji zera kondensator Cr. on do UREF,
potem jest jednak do masy pozornej z
Wynika
Ir AV= - UREF·I· Cr
Rezystor zwrotnego przez

czany kondensator. Jego
Z pierwszego prawa Kirchhoffa zastosowanego do masy pozornej

wzmacniacza operacyjn ego), Is AV + Ir AV + Ic-Av = O
wynika wzór na
Nietrudno zastosowaniu techniki

do nastawy zera i wzmocnienia wszystkie proporcjonalne do f Dla te-
go w wyniku upraszcza traci w trad y-
cyjny sposób rezystory; jest to widoczne w z rys. 26.46. Do realizacji
kluczy szczególnie dobrze nadaj e LTC 1043 (Linear Technology),
który zawiera nie tylko 4 klucze lecz generator zegarowy
do ich sterow ania.
---l
la c,
Cs=Co
+!JC
Rys. 26.47. Pomiar z regulacji zera i
Kor zystne jest, gdy zera i skali nie

za kondensatorów dostrojc zych, lecz za potencjometrów. Jak
to nie przy tym zalet czystej techniki SC, pokazano na
-~ -.··················'·'-''··"' ........... __ .,..........,.
_•.,.,,._.,..;.,....-.w.
....,....
.....,.,...,,.
____ ...............
................
.,,......... .............,.,..,.••,.,.,.,............,,,.,
...,.......,-- ,
la C1
-----..- -----
Wzmoc.
Cs=Co+!JC
Rys. 26.48. Regulacja zera i czujnika za potencjometrów
rys. 26.48. przez CT lub CG jest regulowany za

pobieranego z potencjometru. Aby nie to
czasu kondensatorów, stosuje dodatkowe kondensatory C2 i C3
o znacznie od CT lub CG [26.10].
::.:.:=::;:;::::::::::::
:::x.~1
..
iJJJjJ26.4. Transmisja sensotówj!Jl!i!JJJ:JJJJl!Jjlj!J:

Jl~iiitrnt,,,,,,,,,,,=,====
1ut~t~~ m:::1:1:1:;:1:m:m:m
::::~~~~'im~tf;YJ~ :r~*P-~f::j;j;j:J!;:i: titrttf lftflt..,.
1:1:::r:;:{:j:p.;:1:1:~1:~~~=i:1~
:(f:)~:~f
sensorem a miejscem, w którym poddawane dalszemu prze-
twarzaniu, znaczne a otoczeniecharakteryzuje
poziomem Aby mierzone nie przez
w takich przypadkach jest konieczne specjalnych
W od obszaru i wymaganej klasy zabezpiecze-
nia, ze galwanicznym i bardziej
izolacji galwanicznej.
26.4.1.Transmisjaze galwanicznym
Przy przewodów nie rezystancji czynnej
przewodów Rp. Nawet potrzebne do pracy sensora wte-
dy spadki w niedopuszczalny sposób mierzo-
ne. Problem ten pomiarowy przez dwa
dodatkowe przewody, przez które nie
Do uzyskania mierzonej w pomiarowym jest stosowa-
ny wzmacniacz jak to pokazano na rys. 26.49. Spadek
w obwodzie pomiarowym powoduje wówczas tylko wysterowanie
wspólnym UwsP = I 0 Rp, który po wykonaniu odejmowania znika .
rezystancje wszystkich przewodów sobie równe,
jeden przewód, tzw. trójprzewodowy, po-
,www ___ ., wmu,mw. ·,···············
-•.•.•.,..... ,•• ···············'"'w-
938 26. SENSORYKA
Rp Io
---~ ---- -0-------- ----,
\u,-------=:-
---
Rp
R,, - -<l>-Uw-r--,
Q Io
--- ~ --- --<>-----l
Rp
------c:::J--- ------0--- ------0-----'
Rys. 26.49. Pomiar w czteroprzewodowym na oporowego czujnika tempera-

tury
kazany na rys. 26.50 (26.11]. Spadek na rezystancji Rp wów-

czas z
Rp U2 Io
-- ---1=]--- - --- ~ c;;_------ -- --
Rp
--- ----{=::::J--- - --
Rp
---- -c::J-- -----<>- -- - ----o-- -'
Rys. 2650. Pomiar w trójprzewodowym na oporowego czujnika temperatury
sensorów jak np. w przypadku przetworników

lub termoelementów, przed podaniem na o
je w sensora. Zasada ta
jest przedstawiona na rys. 26.51. Wprawdzie jest tu obar -
czony ze spadku na rezystancji Rp, jednak przy
Rp
~--- -------- ---c:::J--------<>---
Rp
--- ----c::J--- - ----o
Rp Uwy~ku Usl
'---------- -- - ----c::J--------<>----
Rys. 26.51. Wzmacniacz umieszczony przy sensorze zmniejsza przy
transmisji
.,,,,w ,,,,,,,,,,,,,'"·-~" • WW'W' W.'"•'•"•'•'•'•'•'•'•'•'•'•"'•'•'•'•""" '-" " " "" """" " """"' " ·'·'" ·'·'" '•'·'" ·"" •'""' """""•""••••'"'~"M' =-~--- -"""""'' •""""""
26.4. TRANSMISJA SENSORÓW 939

wyborze odpowiednio wzmocnienia k ten nie odgrywa
roli. go czteroprz ewodowy
z rys. 26.49. Po stronie odbiorczej jest jednak potrzebny wtedy odej-
Prostszym jest w takim przypadku

sensora na proporcjonalny do niego Rezysta ncje przewodów nie powo-
powstawania przedstawia rys. 26.52.
du sterowane przetwarza sensora Us na 15 = GU 5 .
ten na rezystancji spadek Uwy = g111R 1 U5 .
wybierzemy R 1 = 1/G, otrzymamy z powrotem sensora .
do wzmacniania sensora,
ku = g,,,R1 P 1.
Rp
.- - - -- --- -- - ----c=::J---- ---o - ~
Sensor tus ~ -i--;I_s ___ ~ - - -
R1 juwy
ft Rp
~ - - --- - --~- ---c::J- --- ---Q- --'
Rys. 26.52. Wzmacniacz z umieszczony przy sensorze

eliminuje przy transmisji scalonego sterowanego
XTR I IO finny Burr Brown
.- - -- - ---,,----- ----c=::r- ---- - - --,

Rp
Sensor +
- juzz
~- -- ----~---- -------c=J--
-- -
Rp 4... 20mA
h h +Is
Rys. 26.53. Dwuprzewodowa do transmisji sensora. Typy scalo-

nych: XTR 101 firmy Burr Brown lub AD 693 firmy Analog Devices
940 26. SENSORYKA

Dalsze uproszczenie transmisji jest zapew-
nieniu poboru przez sensor i sterowane
Is i IL wtedy tym samym prze-
wodem. Potrzebne wtedy tylko dwa przewody, jak to pokazano na rys.
26.53. one tak do zasilania sensora i z nim jak
do transmisji pomiarowego. na rezystorze pomiarowym odej-
miemy h lub przez niego R 1 IL>pozostanie tylko syg-
sensora. Tak jak przy tran smisji z rys. 26.52, rezystancja przewo-
dów nie na wynik pomiaru. Warunkiem jest jednak, zasila-
nia Uzz jest tak by mimo wszystkich spadków
w obwodzie nie w stan nasycenia.
Ii + Is w (current loop) znormali zowane
i w zakresie od 4 do 20 mA; 4 mA przy tym doln emu
zakresu, a 20 mA górnemu. Dla unipolarnych przyjmuje
zero na poziomie 4 mA. Dla bipolarnych przyjmuje zero równe
12 mA i otrzymuje zakres wysterowania ± 8 mA.
wybierzemy R 1 = 250 n, po stronie odbiorczej
otrzymamy dla obu przypadków Uwr = l ... 5 V. Scalonym nadajni-
kiem dodatkowe odniesienia do od-
twarzania zera, jest RCV 420 firmy Burr Brown.
Budowa z sensorem, z
w postaci pokazana jest na rys. 26.54. jest
precyzyjne, tranzystorowe z tranzystora T,
h lwy=lz+ls
ls+(!rh)
Sensor
prqdowa
IWY =i+l
7, s
=-R3 URF.P ( R2 ) Us
R4 -- R/ + l + - R 1 - R/
Rys. 26.54. Budowa nadajnika na AD 693 firmy

Analog Devices lub XTR 103 firmy Burr Brown
26.4. TRANSMISJA SYGNALÓW SENSORÓW 941

wzmacniacza operacyjnego W0 1 i rezystora do pomiaru Rr. lwy
przyjmuje wzmacniacza W0 1 jest
równa zeru . dla uproszczenia pominiemy R 4 , ma to miejsce wtedy, gdy
spadek lwyRr = U1 . Rezystor T4 tylko do dodania przesu-
zero do poziomu Iz= 4 mA lub 12 mA. sensora jest podawany
na wzmacniacz pomiarowy i steruje ,,Chwyt" zastosowany
w z rys. 26.54 polega na tym, zasilania czterech wzmacniaczy
operacyjnych, odniesienia i ewentualnie sensorów
przez rezystor do pomiaru R 1 . lch suma jest
niana przy pomiarze Przez tranzystor T wówczas tylko ta
której brakuje w zadanym Aby rów-
przy minimalnym równym lwy= = 4 mA, suma wszystkich
IL musi mniejsza od 4 mA . W w handlu
scalonych pobór wynosi mniej 1 mA,
czemu do dyspozycji pozostaje jeszcze do 3 mA do zasilania sensora.
Pozytywnym efektem ubocznym opisanej metody jest to, rozpo-
znaje uszkodzenia: jest mniejszy od 4 mA, ma miejsce
uszkodzenie, np. zbocznikowanie lub przerwa w obwodzie.
26.4.2.Transmisja z
Przy transmisji na dalsze i w o poziomie za-
elektrycznych tak silne opisane
dotychczas metody transmisji nie zachowania wystarcza-
do szumu.
W takich przypadkach istnieje tylko jedno zasto -
sowanie transmisji Linie nie na
pola elektrostatycznego ani pól elektromagnetycznych i
punkty o prawie dowolnej Na rysunku 26.55 pokazano
optycznej transmisji sensorów.
Transmisja analogowych po liniach jest jed-
nak praktyczna, toru optycznego jest trudne do zdefinio-
wania, a oprócz tego podlega wahaniom od temperatury oraz proce-
sowi starzenia. Dlatego sensora jest pr zetwarzany w nadajniku na
Sensor UkTad
Nadajnik Odbiornik
dopasowujqcy
Zasilacz Zasilacz
lokalny centralny
Rys. 26.55. Zasada optycznej transmisji sensorów
u .w .·.•.w ~ •.w ._..... . w.•.•.•.•,•.•.•.•,•.•.w.w.·.·.•.·.·.•.•.•.•.·.=,===w ··==~ -~ - www--- ,·,·~ ·····,w,• ,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•• •.w w www , w•••· •
942 26. SENSORYKA

szeregowy cyfrowy. Istnieje wiele przeprowad zenia tej ope-
racji. Przy konwersji jest
impulsu jest i wynosi 1:1. Przy prze-
twarzaniu na jest ale
za to impulsu jest Nary-
sunku 26.56 pokazano na której oparte obie metody. one wy-
godne szczególnie wtedy, kiedy po stronie odbiorczej chcemy
analogowy .
Us __ _ Górny koniec zakresu -- - ---- - ---- -:;.

- -----
~ - ---=--- - ----- - -- --Dolny

----koniec--- - ----
zakresu
t
u góry: analogowy z czujnika

w przetwarzanie na
u przetwar zanie na impulsu
Rys. 26.56. Modulacja impulsowa
Dalsze przetwarzanie na drod ze cyf-

rowej, przez cyfrowy pomiar lub
jednak jest potrzebna lepszym jest
konwersja A/C po stronie sensora za typowego przetwornika analogo-
wo-cyfrowego, a szeregowa transmisja wyniku po
26.5. Wzorcowanie sensorów

Niektóre sensory tak tolerancje, w
cym z nimi zastosowane elementy o toleranc-
jach, wzorcowanie nie jest potrzebne. W takim przypadku nawet wy-
sensor, bez ponownego wzorcowania . Tak dobra sytuacja
panuje jednak tylko w przypadku kilku rodzajów czujników temperatury.
W ogólnym przypadku po wymianie sensora jest zawsze potrzebne ponowne
wzorcowanie. Przy wysokich wymaganiach co do nie-
nawet okresowe powtarzanie operacji wzorcowania.
,._...hVoW •···,•,•,•,•,·
=--''""-" ·"-" ·"·W .•.w .w...- ,•,•,•.•,•,•,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•. ·······························'•'•'·······'•'•''· ·" '"'"-"V·"""-"w,_...ww,.www==
26.5. WZORCOWANI E SENSORÓW 943
26.5.1.Wzorcowanie analogowego
Aby móc przebieg wzorcowania od specyficznych
sensora, do wzorcowania jak na rys. 26.57
od z sensorem.
przy tym, sensora liniowo od fizycznej G, lub
zlinearyzowany przez
wzorcowania wówczas w postaci
UwE=a'+m'G (26.5)
po wzorcowaniu powinien z proporcjonalny do
mierzonej zgodnie z równaniem
Uwr = mG (26.6)
Sensor UkTad
dopasowujo,cy
Rys. 26.57. Schemat blokowy do wzorcowania sensorów przez zera Uz

i wzmocnienia k.
U/V
__ __ Uwn ____ _ Uwy=m6
4
= 100~V,9,
2 UwE= a'+m 'G

=- 0 5 V+ 50m ViJ.
I OC
30 40 50 G/°C
Rys. 26.58. Ih,1stracja przebiegu wzorcowania: najpierw regulacja zera, a polem regulacja wzmoc-
nienia. termometr lekarski
Na rysunk u 26.58 pokazano przebieg tych na pomiaru tem-

peratury. wzorcowania musi zera i wzmocnie-
nia. warunkiem dodatkowymjest to, by wzorcowanie przebie-
bez interakcji , tzn. powinna to procedura , w której jedna nastawa nie
944 26. SENSORYKA

na (tzw. nastawa bez interakcji). W z rys. 26.57 jest to
wynosi tu
(26.7)
podstawimy tu (26.5/6), z porównania otrzy-

mamy warunki wzorcowania
zera: U=
z
-a '·'
wzmocnienia: ku = m/m'.
W celu ustawienia zera na sensor podajemy G = G0 ,
mierzonej U0 = O. za U2 ustawia-
my na Uwy = O. Regulacja ta jest od
przypadkowej nastawy wzmocnienia ku; tylko by ku nie
równe zero. Na rysunku 26.58 regulacja zera powoduje
cie charakterystyki zera.
W celu ustawienia wzmocnienia na sensor podaj emy G1
i regulujemy wzmocnienie tak, by na
cia Uw1, = mG 1 . Na rysunku 26.58 odpowiada to obrotowi prze-
charakterystyki do uzyskania z
przebiegiem. Nie to na zerowanie, przy regulacji wzmocnie-
nia zmianie ulega tylko ku z równania (26.7). Nietrudno zauwa-
w odwrotnej nie prowad zi do nastawy bez
interakcji. Dlatego konieczne jest umieszczenie regulatora ze-
ra na drodze przed regulatorem wzmocnienia. z rys. 26.57 nie
innej struktury.
wzorcowania na termom etru do pomia-
ru temperatury przedstawionym na rys. 26.58. W celu wykonania na-
stawy zera umieszczamy sensor w temperaturze 9 = 0°C i za Uz regu-
lujemy na Uwy = O. Ma to miejsce przy
U2 =-a'=+ 0,5V
W celu ustawienia wzmocnienia podajemy na sensor

np . G 1 = 8 1 = 40°C i regulujemy wzmocnienie ku, uzyskamy zada-
100 mV
Uwn=mG 1 = oc ·40 °=4V
Wzmocni en ie ma wtedy
m 100 mV f°C
ku= m' = 50 mV/°C =2
26.5. WZORCOWANIE SENSORÓW 945

W opisanym w pierwszej zostaje usta-
wione zero Uwy = O przy G jednak przypadek, wielko-
fizycznej G = Onie daje lub nie z
by oba punkty wzorco-
wania w danego zakresu pomiarowego; w z termo-
metrem lekarskim z rys. 26.58 to G1 = 40°C
i G2 = 30°C. to utrzymanie w tym zakresie na
poziomie. Aby wtedy wzorcowanie bez interakcji, zero
charakterystyki z rys. 26.59 do poziomu jednej
z wzorcowych i na odpowiednie do tego
dodatkowe Up pokazane na rys. 26.60. dobiera
je odpowiednio do mniejszej z dwu wzorcowych:
u/v
4 Przesunicie zera Up
____ Uwy2 __
3
2 Regulacjawzmocnieniaku
Regulacjazera Uz
40 50 6/°C
Rys. 26.59. Beziteracyjny przebieg wzorcowania dla dwu od zera punktów wzorcowania
G1, G2
W celu ustawienia zera podajemy G2 i za Uz

regulujemy UwE+ Uz wzgl. k/UwE + U2 ) do zera. Nie trzeba przy
tym pomiarów wystarczy tylko wynik
regulacji na Musi wtedy UwY2= Up.
Ze na fakt, po wyzerowaniu wzmacniacza jest
równe zeru, proces regulacji nie od ku.
Potem podajemy i ustawiamy wzmocnienie
ku tak jak dotychczas. charakterystyka na rys. 26.59
obraca wówczas do momentu nachylenia. Wzo-
rcowy uzyskuje do odpo-
wiednie
praktycznej realizacji wzorcowania jest pokazany na
rys. 26.61. i z regulacji zera sumowane
946 26. SENSORYKA

na wzmacniacza operacyjnego W0 1 . wzmoc-
nienia ustawia za rezystora w zwrot nego.
rezystor do ograniczenia zakresu nastaw, a
ustawienie wzmocnienia równego zero. Wzmacnia cz W0 2 powoduje przesu-
zera na w pierwszym punkcie wzorcowania. Ze na fakt ,
jest zadana, je przez wybór rezystancji
R 3 . Regulacja nie jest tu potrzebna.
U/<lad
Sensor dopasowujqcy
tuwr
=ku(Uw1:
+Uz)+Uz
1
Rys. 26.60. do beziteracyjnego wzorcowania sensorów, gdy z punktów
wzorcowania nie w zerze
Rys. 26.61. Praktyczna realizacja
Sposób przy wzorcowaniu na ter-

mometru lekarskiego. Niech dane charakterystyki i
50 mV
UwE = - 0,5 + oc ,9-;
i punkty wzorcowania
2 = 30°C, Uwrz
(,9- = 3 V); (9 1 = 40°C, Uwn = 4V)
Wynika z tego zera na Up= Uwr2 = 3 V. prz yj-

miemy R 1 = 10 kn , przy odniesienia - 5 V, otrzymamy
R 3 = 16,7 k.Q.

W celu ustawienia zera umieszczamy sensor w temperatur ze ,92 = 30°C
i regulujemy na UwY2= 3 V. Potrzebne do tego celu
cie ma
50 mV
Uz =- UIVF,1= + 0,5 V - oc . 30°C = - 1V
wzmacniacza WO 1 jest wtedy równ e zero i przypadkowa

nastawa ku nie na zera. W celu przeprowadzenia
wzorcowan ia wzmocnienia zadaje drugi punkt wzorcowania ,91 = 40°C i re-
guluje na Uwn = 4 V. Ma to miejsce przy wzmocnieniu
k = _!!!_= l 00 mV /°C = 2
u m' 50 mV/°C
Dl a R 1 = 10 kQ w stanie wywzorcowanym otrzymujemy R 2 = 20 kQ.
26.5.2.Komputerowe
wspomaganie
wzorcowania
planujemy dalsze przetwarzanie sensora w systemie mikrokom -

puterowym, celowe jest wykonanie wzorcowania sensora za
mikrokompute ra. Jak na rys. 26.62, przy tym nie tylko
na analo gowym do wzorcowania, lecz wzorcowanie przebiega
a jego i jest lepsza.
{
~ ---~
Sensor
Przetwornik Mikro-
dopasowuja,cy A/C komputer
Rys. 26.62. do komputerowego wspomagania wzorcowania sensorów
Przy wzorcowaniu wychodzi z liczba L na prze-

twornika A/C, tak jak to poka zano na rys. 26.63, jest
mierzonej G:
L= a+ bG (26.8)
wzorcowania wyznacza z dwu punktów wzorcowania
równania
948 26. SENSORYKA

ze na a i b:
b = Lz - L1 (26.9)
G2 - G1
a= L 1 - bG 1 (26.10)
Aby z mierzonej L z równa-

nia (26.8) G:
G=(L-a)/b (26.11)
W celu praktycznego wykonania wzorcowania przewidywane wzorco-
we, np. G1 = 30°C i G2 = 40°C zapisuje w tablicy.
L
3000 --- Lz_ _____ _
L= Z360
2000
1000
o 10 zo 30 315,840 50 G/°C
G1 G2
Rys. 26.63. Numeryczne wzorcowanie sensora w dwu punktach wzorcowania (G1 , L 1) i (G2 , L 2 )
podaje je po kolei na sensor i wydaje komputerowi - np .

z klawiatury - polecenie wczytania mierzonych, np.
L 1 = 1000 i L 2 = 3000 i dodatkowego wprowadzenia do tablicy. Na tej po-
stawie program mikrokomputerowy z (26.9/10) warto-
wzorcowe i je w tablicy:
b = 200/°C lub a= -5000
Na tym wzorcowanie zostaje Program obróbki wyników
potem G1 i G2 z równania (26.11). Dla mierzonej
L = 2360 otrzymuje w
G= L - a = 2360 + 5000 = 36 80C
b 200/°C '
Przy wzorcowaniu programowym traktuje
(rys. 26.63) jako opisuje równaniem i wykorzystuje
do mierzonych L; na fizyczne Gi. Nie ma
potrzeby przesuwania ani obracania charakterystyki, jak to miejsce
przy wzorcowaniu analogowym . Wybór pun któw wzorcowania jest przy tym
dowolny; wzorcowa nie przebiega z zasady bez interakcji,
wzorcowe wyznaczane przez Szczególnie

trudnym zadaniem jest wzorcowanie sensorów, których nie tylko
od szukanej, lecz od innej Najbardziej rozpo-
takiej podwójnej jest
sensora od temperatury. tu czujniki Na takim
sposób mierzona L ma
cztery
L = a + bp + c9 + d9p (26.12)
gdzie: p - 9 - temperatura; a - zera; b - na zmiany
c- temperaturowy zera; d - temperatu-
rowy
W celu wyznaczenia czterech a, b, c i d
cztery pomiary wzorcowe,
L 11 =a+ bPi + c,91 + dp/\ L 21 = a + bPi + c9 1 + dp2 9 1

L 12 =a+ bp1 + c92 + dp/) 2 L 22 = a + bPi + cfJ.2 + dp 2 9 2
Otr zymamy
d = L 22 +L 11 -L 12 -L 21
(p2 - Pi) (92 - ,91)
(26.13)
Na tym wzorcowanie zostaje a z równa-

nia (26.12):
L-a-c9
p = (26.14)
b+ d9
Wykonanie wzorcowania wyJasrnmy na jeszcze jednym

Cztery wymagane wzorcowe wyznaczmy przy Pi= 900
mbar i p 2 = 1035 mbar i w temperaturach ,91 = 25°C i 92 = 50°C. Uzyskuje
przy tym mierzone podane w tablicy 26.7. Z (26.13) wylicza-
my
a= -13 75 b = 5,18 I/mbar
c = 1,71 1/°C d = -0,0119 I/mbar· °C
Takie wzorcowanie jest bardzo nie tylko ustawia zero
i wzmocnienie, lecz temperaturowe
i zera. W ten sposób za tanich, nie wzorcowanych fabrycznie sensorów
precyzyjne pomiary.
950 26. SENSORYKA

Tablica 26.7. wzorcowania
81 = 2s c
0
82 = 50°C
p 1 = 900 mbar L 11 = 3061 L 12 = 2837
Pz = 1035 mbar L 2 1 = 3720 L 22 = 3456
Do pomiaru wykorzystuje równanie (26.14). np. przy

temperaturze 9 = 15°C otrzymamy L = 3351, daje to
nienie równe
L- a - c9 3351 + 1375 - 1,71 · 15

p= -- --- ---- mbar = 940 mbar
b + d9 5,18 - 0,0119 · 15
Aby móc temperatury,jest wymaga-

ny wzorcowany pomiar temperatury. Wzorcowanie pomiaru temperatury wy-
konamy w tym przypadku na drodze rachunkowej, w opisany
sposób. Otr zymujemy wówczas schemat blokowy pokazany na rys. 26.64.
przygotowane z czujnika temperatury lub czujnika
podawane na przetwornik A/C z wbudowanym multiplekserem. Do mikro-
komputera przekazywane mierzone L, które w trakcie wzorcowa-
nia przeliczane na a w trakcie normal -
nej pracy, na mierzone . Aby
przetwornik A/C musi co najmniej 12 bitów.
'-- ---
Czujnik Ukfod
temperatury dopasowuja,cy
Przetwornik A/C Mikro-
·~-- -- i multiplekser komputer
Czujnik UkTad
dopasowuja,cy
Rys. 26.64. do komputerowego pomiaru i wzorcowania temperatury i
Mikrokomputery nie jednak tak

przetworników. Z tego z istnieje zastosowania od-
dzielnego przetwornika A/C, jak np . przetwornik AD 7582 firmy Analog Devi-
ces, na multiplekser .
Specjalnie do przetwarzania sensorów skonstruowany
procesor TSS 400 firmy Texas Instruments [26.12]. Opróc z 12-bito-
wego przetwornika A/C z multiplekserem zawiera on sterowania
to uzys-
kanie szczególnie prostego w przypadku, gdy mierzone
chcemy tylko
Regulatoryelektroniczne
27.1.Podstawy
Zadaniem regulatora jest zrównanie fizycznej (wielkoJci
regulowanej x') z odniesienia W) i utrzymanie
tego stanu. W tym celu regulator musi w odpowiedni sposób
[27.1, 27.2).
Podstawowy prostego obwodu regulacji pokazano na rys. 27.1.
Regulator na X za
cej Y tak , by regulacji W - X jak najmniejszy.
na obiekt regulacji reprezentowane przez Z, które dodaje do
W da.Iszym regulo-
wana jest elektrycznym , a obiekt jest sterowany elektr ycz-
nie. wtedy regulatory elektroniczne.
Zakrócenia Z + Y+Z Obiekt regulacj

i regulowana
k0 X
Y
regu/uja,
ca
Regulator W- X - + W Wie/kose
kr BTqd + odniesienia
regulacji
Rys. 27.1. Schemat blokowy regulacji
W najprostszym przypadku regulator jest wzmacniaczem, który wzmac-

nia regulacji W - X regulowana X wzrasta war-
odniesienia W, to W - X staje ujemne. Wskutek tego regulu-
Y maleje , a jej spadek wzrostowi regulowanej.
Mamy do czynienia z ujemnym zwrotnym. regulacji
w stanie ustalonym jest tym mniejszy, im jest wzmocnienie regulatora
kR. Zgodn ie z rys. 27.1 dla liniowego
952 27. REGU LATO RY ELEKT RONI CZNE

Y= kR(W-X) (27.1)
X= ko(Y +Z)
Otrzymujemy
X= kRko W+ ko Z (27.2)
1 + kRko l + kRko
Nietrudno ax/aWjest tym im jest
wzmocnienie w zwrotnego
(27.3)
na oX/oZjest tym zeru, im jest wzmoc -

nienie kR regulatora.
Ale ze wzrostem kR wzmocn ienie w ujem -
nego zwrotnego T, które , jak wiemy z rozdz . 7, nie
bez ograniczenia, bo spowoduje to Zadaniem techniki
regulacji jest mimo tych
regulacji i dobrych dynamicznych. W tym celu do wzmacniacza
proporcjo nalnego dodaj e integrator i i otrzymuje
zamiast regulatora typu P, regulator PI lub PID . W dalszym zajmiemy
regulatorów.
27.2. Rodzajeregulatorów
(P)
27.2.1. Regulatorproporcjonalny
Regulator typu P jest wzmacniaczem liniowym, którego fazowe

w zakresie, w którym wzmocnienie w T obwodu regulacji jest od
jest pomijalnie Tego rodzaju regulatorem np . wzmac-
niacz operacyjny z rezysta ncyjnym zwrotnym.
W celu maksymal nego wzmocnienia prop orcjona l-
nego kp przeanalizujemy typowego obiekt u
regulacji. Jest ona przedstawiona na rys. 27.2. Przy 3,3 kHz
fazy wynosi 180°. ·
Pr zy tej ujemne zwrotne staje
niem dodat nim, czyli warunek fazy opisany równaniem (15.3) jest
To, czy warunek amplitudy (15.2) od wzmo-
cnienia regulatora proporcjonalnego kp. W z rys. 27 .2 wzmoc-
nienie obiektu regulacji IK 0 I przy 3,3 kH z wynosi
27.2. RODZAJE REGULATORÓW 953

0,01 = -40 wybierzemy kp= 100 = + 40 dB, to wzmocnienie w
dB.
IT I= IK 0 lkp przy tej równe 1, tzn.
warunek amplitudy i w drgania o
f = 3,3 kHz. wybierzemy kp> 100, to drgania
o amplitudzie a wybierzemy kp < 100 to po-
drgania
k
[dB} RegulatorP
20~-------....,,,- -'---,--------
f
10 100k f[Hz)
- 20 Obiektregulacji
- 40
-60
Obiektregulacjii
-90° obiektregulacji
+re ulator
-180°
Marginesfazy
-270° 0<=60°
Rys. 27.2. charakterystyk amplitudowej i fazowej obiektu z regulatorem P
Nasuwa w z tym pytanie, o ile kp, aby

optymalne do stanu ustalonego.
stanu nieustalonego na podstawie charakterys-
tyki amplitudowo-fazowej, w postaci marginesu fazy. Przypomnijmy: margines
fazy jest to fazowym przy krytycz-
nej h, przy której wzmocnienie w zwrotnego IT I= 1, a 180°.
Margines fazy ·
a = 180° - I<Pr(fk) I = 180° - I<Po(h) + <PR(fk)I (27.4)
W przypadku regulatora P, z definicji mamy
wobec czego
a= 180° - I <Po(h) I (27.5)
Przy marginesie fazy a = O w drgania ponie-
jest wówczas zarówno warunek amplitudy , jak i warunek fazy.
Przypadek a= 90° jest granicznym przypadkiem aperiodycznym .
.w.·.·.w.,·
.=v.w.·.··············
··········
···········
·,.w,~==www-~-------~.,w,•,. •,··········w······•
·····
··················,.
······•
,.,•,.•··• ...,.,...................................
..,,.
954 27. REGULATORY ELEKTRONICZNE
Przy a= 60° w odpowiedzi skokowej z
przerost 4%, a czas ustalenia jest minimalny . D latego ten
margines fazy jest optymal ny w przypadków. Porównanie
przebiegów w stanie nieustalonym oscylogramy na rys. 27.3.
Rys. 27.3. odpowiedzi skokowej od marginesu fazy przy Od góry

do a; = 90°, a; = 60°, a; = 45"
W celu wyznaczenia optymalnej wzmocnienia regulatora propo-

rcjon alnego, na charakterystyce
przy której obiekt regulacji wprowadza fazowe równe
a= 90°. W z rys. 27.2 jest to 700 Hz.
w wzmocnienie regulato-
ra P tak, aby dla niej warunek J T I = I. Z równania (27.3) wy-
nika wówczas
1 1
kp =-= -- = 7 albo IKPltog= - IK0 liog= -(-17 dB)= 17 dB
k0 0,14
Pr zypadek ten nar ysowano na rys. 27 .2. Grani czne wzmocnienie w

dla wynosi wówczas
Z równania (26.2) wynika regulacji w stanie ustalonym
W-X
= __ 1_ = I +17 = 12,5%
w 1 + T0
w celu zmniejszenia regula cji wzmocnienie regulatora,

to dynamiczne. Do wolnie wzmocnienie regulatora
proporcjonalnego tylko w przypadku obiektów regulacji
o filtru dolnopr zepustowego pierwszego wte-
dy margines fazy przy dowolnej jest od 90°.
27.2. RODZAJE REG ULATORÓW 955

27.2.2.Regulator (Pl)
W poprzednim punkcie ze na wzmocnienie
regulatora proporcjonalnego nie dowolnie
szenia regulacji polega na wzmocnienia w przy
jak to pokaza no na rys. 27.4. tam, charak-
terystyka wzmocnienia w w otoczeniu
krytycznej h nie ulega wskutek tego zmianie. Nie to na
dynamiczne.
10 110k 100k f[H°L}

I
- 20 Obiektregulacji I Obiektregulacji
I +regulator
-40 I (wzmocnieniew
I' p tli ITl
- 60 \
- 90°
-180°
Obiektregulacj
i
+regulator
- 270°
Rys. 27.4. charakterystyk amplitudowej i fazowej obiektu z regulatorem PI
Statyczny regulacji jest jednak równy zeru,
limlTl=oo
1- 0
W celu realizacji takiej charakterystyki równolegle do regu-

latora P integrato r, co pokazano na rys. 27.5.
Charakterystyka amplitudowo-fazowa otrzymanego w ten sposób regu-
latora PI jest przedstawiona na rys. 27.6. Przy regula-
tor PI zachowuje jak integrator, a przy - jak
wzmacniacz proporcjonalny. Przy granicznej/2 regulato-
...............
...........,..... ...,.,,.w-- - ~ ·
......
ra PI fazy wynosi -45°, a wzmocnienie regulatora IKR I jest
o 3 dB kp.
W celu obliczenia granicznej fr, na podstawie rys. 27.5
napiszemy wzór na przenoszenia regulatora
KR = kp + -.-
1-
= kp (1+ jw -rlkp )
JW•r 1
wynika
KR = kp ( 1 + ;~ ), gdzie w 1 = 2nfr = _J__

k (27.6)
'"r P
k
[log}
Wzmacniacz
proporcjonalny r{log}
rp ff
oo
Uwf
l Integrator -45°
r[log)
1. -90°
Rys. 27.5. Schemat blokowy regulalora PI Rys. 27.6. Charakterystyki amplitud owa i fazowa
regulatoraPI
1
Ji=---
21tC1R2
fuwr
j_
Rys. 27.7. Regulator Pl
Regulator PI za jednego wzmacnia-

cza operacyjnego . Odpowiedni przedstawiono na rys. 27.7. Jego zespolo-
na funkcja przenoszenia ma
KR= _ R 2 + 1/jwC 1
R1
= _ R2
R1
(i+ I
jwC 1R 2
) (27.7)
Z porównania z równania (27.6) otrzymujemy parametry

regulatora
kp- - - R2 (27.8)
R1

Dobór parametrów regulatora PI jest prosty, wykorzystamy fakt,
nie zmienia marginesu fazy. Parametry proporcjonalnej
bez zmian: w naszym fk = 700 Hz i kp= 7.
Aby nie marginesu fazy,
./2 k Z drugiej jednak strony wybranie zbyt nie ma sensu,
wówczas redukcja do zera za Górna granica
II wynosi ok. 0,1/2, zmniejsza wtedy margines fazy o mniej
6°.
regulatora PI o tak dobranych pa-
rametrach przedstawiono na rys. 27.4, a przebieg czasowy regulacji na
rys. 26.8. i na rys. 27.8,
w regulatorze PI zostaje zredukowany do zera w takim samym czasie,
w jakim w regulatorze P zostaje zmniejszony do 1/(1 + T) = 1/8 =
= 12,5%.
Rys. 27 ..8. regulacji: u góry Rys. 27.9. regulacji regulatora PI:

regulator P, u - regulator Pl przy u góry - f 1 za u - f, za
optymalnym doborze / 1
Skutki z doboru fI na
oscylogramie na rys. 27.9. Przy zbyt fr (krzywa górna) czas
ustalania jest Przy zbyt zmniejsza margines fazy i pojawia-
oscylacje.
27.2.3. Regulator PID

Regulator PI zgodnie z rys. 27.10
powstaje wtedy regulator PID. granicznej
ten zachowuje jak
cie fazowe wzrasta do +90 °, jak to na charakterystyce amp litudowo-
-fazowej z rys. 27.11. Wyprzedzenie fazy przy
do kompensacji fazowego obiektu
regulacji w otoczeniu h· temu

Wzmacniacz
- proporcjonalny
Integrator -45° f{loq}

~-----' ifawEdf -90 °
Rys. 27.10. Schemat blokowy regulatoraPID Rys. 27.11. Charakterystykiamplitudowa
i fazowa regulatoraPID
wzmocnienie proporcjonalnej i krytycz-

I,;. dochodzi wtedy szybciej do stanu usta lonego.
Dobór parametrów na poprzednim Najpierw
wzmocnienie proporcjonalnej kp tak, by margi nes fazy wy-
tylko ok. 15°. Z rysunku 27.12 otrzymujemy kp = 50 ,...,34 dB
i h 8:i 2,2 kHz (w regulatorze PI h = 700 Hz). teraz wybierzemy
ID fk, to fazy regulatora
przy /,;, ok. +45°, to znaczy margines fazy
k
[dB]
Regulator
PIO
20
o1 10 -,_ 10k 100k r[Hz}
- 20- f''"- Obiektregulacji

I ,"' +regulator
Obiektre ulacji I ,
-40 I ".
I
-60
I
-9 0° I
----------- - ·____·.-~~r-------:::::,,,...,._
·- ·- I
- 100°
Obiektregulacji
+l'e u.lato!'
-270 °
Rys. 27.12. charakterystyk amplitudowej i fazowej obiektu z regulatorem PID

w= .. w.w...............
..w.,w~---w.s-. •.•.•.•.•.•.w.•.w.•.•.•.•.•.•.w...-.·.·········
·······,•• ·••••• ••"""••••••W ••vw·=wwwwwwwwwwwwwww--wwwwwwwww.

z 15° do 60° i otrzymamy dynamicz ne. Przy
dobo rze granicznej fr te same kryteria co
dla regulatora PI, czyli fr~ f,JlO. Otrzymamy w ten sposób
wzmocnienia w na rys. 27.12.
oscylogramy z rys . 27.13 widzimy, czas ustalania w
dzie z regulatorem PID jest krótszy w z regulatorem PI.
Rys. 27.13. Porównanie dynamicznych obiektu z regulatorem PI (u góry) i regulatorem

PID (u
W celu realizacji regulatora PID skorzystamy ze schema tu

blokowego z rys. 27.10. Zespolona funkcja przenoszenia regulatora PID ma
KR = kp+ jun-v
1
+ -.- -
JWr'CI
= kp [1+ j ( ~-
WD
wr )]
())
(27.9)
gdzie
J; -~ (27.10)
D - 2n-cD
o charakterystyce opisanej równaniem (27.9)

za jednego wzmacniacza operacyjnego,
jak to pokazano na rys. 27.14. Jego zespolona funkcja przenoszenia ma
to
(27.11)
960 27. REGULATORY ELEKTRONlCZNE

Z porównania ze równania (27.9) otrzymujemy parametry
regulatora
(27.12)
27.2.4. Nastawny
regulator
PIO
Przy doborze typów regulatorów dane obiektu regu-

lacji znane. Dane te jednak trudne do zmierzenia. Dlatego z
cel szybciej, parametry regulatora w sposób
ny. Do tego jest potrzeb ny paramet-
rów regulatora. Jak z (27.12) i (27.10), warunku tego nie
ani z rys. 27.14, ani z rys. 27.10, przy zmianie kp
graniczne :h i JD. przedstawiony na rys. 27.15·
wszystkich parametrów. Jego zespolona funk-
cja przenoszenia ma
(27.13)
Z porównania z równaniem (27.9) otrzymujemy parametry regulatora
(26.14)
l l
fr= -- -, fo= ---
2nC 1R 2 2nC0R1
Rys. 27.14. Regulator PID
Dobór paramet rów regulatora na z rys. 27.15.

Najpierw zamkniemy klucz K, by integrator. Rezystor RDustawiamy
na zero. Wtedy nie a pracuje jako
regulator P.
Na zadanej podajemy i obserwujemy
dochodze nie regulowanej X do stanu ustalonego. przy
tym kp od zera do takiej by przebieg
jak na górnej krzywej z rys. 27.16. Odpowiada to na rys. 27.12

marginesowi fazy, równemu 15° bez D. W drugim kroku przez
kszenie RD
do przy której (dolna krzywa
na rys. 27.16).
tU.wy
1.
Rys. 27.15. Regulator PID z oddzielnie regulowanymi (bez interakcji)
Rys. 27.16. dobór parametrów proporcjonalnej i
W trzecim kroku obserwujemy przebieg regulacji

W - X. Po otwarciu klucza K
h na tyle, by czas ustalania minimalny. Odpowiednie oscylogramy
przedstawione na rys. 27.8 i 27.9. takiej metody jest
uzyskania optymalnych charakterystykom z rys. 27.12) pa-
rametrów regulatora w sposób bez iteracji. uzyska-
nymi w ten sposób parametrami, prosty regulator PID
z rys. 27.14.
Wszystkie parametry regulatora PID na podsta-
wie próby na doprowadzeniu regulacji do
jest równa krytycznej

1
fo= - =/4
To
Wzmocnienie, dla którego drgania, wzmocnienie

proporc jonalnej kRo = kp, dobiera
=f 0 , a rów-
jedn ej = f 0 /IO. Otrzymuje w ten sposób
parametry regulatora PID:
;::::
•·:....
'i;·
:::::::::K
t.::W-®i:-:t~
··:...:...:................
::,........................
.........................
:::::::..:..,;;.
:...H~··
27.3. Regulacja
obiektównieliniowych
.
27.3.1. statyczna
Do tej pory ró wnanie obiektu ma
X=k 0 Y
czyli, regulowany obiekt jest liniowy. Wiele obiektów nie jednak

tego warunku . Ogólnie
X = f(Y)
Dla wysterowania usta lonego punktu pracy obiekt
jednak jako liniowy, jego charakterystyka w otoczeniu tego
punk tu pracy jest i Stosujemy wtedy
dX
ko = dY
Dla mamy
x~koY
gdzie
x = (X -X 0 ), y = (Y- Y0 )
W punkcie pracy parame try regulatora w opisany
sposób. Przy zmianach odniesienia
27.3. REGULACJA OBIEKTÓW NIELINIOWY CH 963

wzmocnienie obiektu k 0 od punktu pracy, a dynamiczne
od W. Problem ten obiekt przez
generatora funkcji opisanego w p. 12.7.5. Odpowiedni schemat blo-
kowy przedstawiono na rys. 27.17.
, --- . ~ekt zlinearyzo~any.- -,

Linearyzacja Y Obiektnieliniowy ,x
, Y=f - 1(Y'} Wie/kose X=f(Y) . Wie/ko
se
L=.____ !egulu)~'!!__ ____ __ J
regulowana
y' Regulator w-x -+ +

Zlinearyzowana kR BTo,d
regulacji Wielkosc
odniesienia
Rys. 27.17. Linear yzacja obiektu z
generator realizuje Y = 1- 1 (Y'), to otrzymamy zgodnie

z wymaganiami liniowe równanie obiektu
X= J(Y) = f[J - 1 (Y ') ] = Y'
obiekt ma np. równaniem
X=Aey
to generator funkcji musi
1
Y = J- (Y') = ln~
A
27.3.2. dynamiczna
Inn y rodzaj obiektu regulacji na tym,
zmian na obiektu regulacji jest ograniczona (zjawisko to po-
przy omawianiu wzmacniaczy operacyjnych , jako ograniczenie
zmian na (siew rate)) . W pr zypadku zastosowania
regulatora z przy szybkich zmianach na
w przesterowania, które wolno Przesterowania po-
w sposób: przy optymalnych parametrach
i skoku integrator wyj-
w tej chwili, w której regulacji jest równy zeru.
podwoimy skok u , to w przypadku liniowego obiektu regulacji po-
dwoi zarówno narastania na obiektu , jak i na
integratora. odniesienia zostanie po
takim samym czasie. jednak narastania na
obiektu regulac ji jest ograniczona, to dwukrotnie tylko na-

rastania na integratora, natomiast na obiektu - nie.
Wskutek tego na obiektu regulacji odniesienia pojawi
znacznie a integrator powinien. Z tego
powodu regulowana narasta znacznie odniesienia.
Proces powrotu do stanu ustalonego trwa tym im bardziej ponad
na integratorze. Czas powrotu do stanu
ustalonego przy tego rodzaju pracy nieliniowej ze wzrostem wy-
skoku.
zapobiegawczym takie czasowej
(czyli zmniejszeniefr), by przy maksymalnym skoku nie
przesterowanie. Przy pracy z otrzymuje jednak wów-
czas czas ustalania (patrz rys. 27.9, dolna krzywa).
Znacznie lepszym jest ograniczenie maksymalnej
zmian odniesienia do równej maksymalnej zmian
na obiektu regulacji. temu obiekt regulacji pracuje
czas w obszarze liniowym i przesterowania nie Nie powoduje to
czasu ustalania dla regulo-
wana i tak nie szybciej. Zjawisko to jest bardzo
widoczne na oscylogramach z rys. 27.18.
Rys. 27.18. skokowa regulowanej obiektu o ograniczonej zmian

na krzywa górna - pobudzenie krz ywa - pobudzenie
krzywa dolna - pobudzenie przy ograniczonej zmian
odniesienia
Do ograniczenia narastania by w zasadzie

filtr dolnoprzepustowy. to jednak zmniejszenie
wej pasma. Lepsze przedstawiono na rys. 27.19.
na podamy skok to na wzmacniacza WO 1 otrzymuje-
my maksymalne Uwrmax·Wskutek tego
wzmacniacza W0 2 wzrasta z
duwy UwYmax
--- =
dt RC
27.3. REGULACJA OBIEKTÓW NIE LINIOWYCH 965

w stanie ustalonym Uwr = - uw.e
>f ks
ma yma lna szy bk osc
" zmian
. sygna {u na wyJsc1u
., . --duwy = --umax
dt RC
Rys. 27.19. zmian odniesienia. Rezystancje R 2 , R 3 ogra-

wzmocnienie W0 1 i do korekcji
póki nie - uwE, z

zwrot nego o przebiegu zo-
staje zamie nione na przebieg trapezoidalny. zmian
cia jest mniejsza od granicznej, to jest przenoszo-
ny bez zmian , a w do filtru dolnoprzepustowego
pasma nie ulega zmianie.
~::r~1"#:~
u-..·.·--··
:·..,....
: ·.... ........·.·.·..··..·.·. .·......·.·,·-:.·,,·,·,•,•,•,•,•,•,·,·,•,•,:,•,•,•,:,
:,•,:,:,:,:,:,:,:,::.,.,u~·.; ..y..;:;;
......
~]27.4. synchronizacji
fazy (PLL) ·
L'.
:~...,.,.,.,.,,,.,.
L~~~-Tu.:tu..w:. ..........
:........
.......
:.~.......... ..::.ttt~~;_
;,:,;.:.:..,:,:w.« ...:.;............................... .
Szczególnie przypadkiem wykorzystania teorii regulacji w telekomu-
nikacji jest synchronizacji fazy PLL (phase locked loop). Zadaniem
PL L jest zrówna nie / 2 generatora z / 1 generatora
wzorcowego i to tak by nie fazowe obu
przebiegów.
Schemat blokowy PLL przedstawiono na rys. 27.20.
generatora przestrajanego za ste-
up zgodnie ze wzorem
(27.15)
Takie generato ry przestrajane (voltage controlled oscillator,
VCO) w rozdziale 15. Przy
generatory z analogowymi operacyjnymi z p. 15.4 lub
generatory fun kcyjne z p. 15.5. Przy do tego celu
np. przerzutnik astabilny ze emiterowym
z rys. 8.20 lub dowol ny generator LC, w którym równolegle do obwodu re-
zonansowego W tym przypadku liniowa za-
(27.15) tylko dla niewielkich od punktu pracy
/ 0 , tzn. sterowania k 1 = dj 2/duF od punktu
pracy.
·~ -- -- ·····
···············
·····································
·······
··········..-•'•'•
'•'-"'•
Detektor fazy dostarcza od fazo-
wego <p generatora przestrajanego u2 a
odniesienia u 1
u=k·cp
rp rp
jest przy tym charakter obiektu regulacji:

/2 od odniesienia, to fazowe
wzrasta proporcjonalnie do czasu w sposób nieograniczony (tzw. obiekt asta-
tyczny) . temu regulacji w wzrasta nawet przy
wzmocnieniu regulatora na tyle, by obie do-
równe. regulacji jest równy zeru. statycz-
ny fazy nie jest jednak równy zeru. Zgodnie z rys. 27.20 mamy
ua - urp= uFfkR. Wynika
(27.16)
gdzie Jo jest generatora przestrajanego dla uF = O.

nam na tym, by fazy nie tylko lecz
by to musimy regulator PI, dla którego
KR(! = O)= IX) .
Genera
tor Detektor fazy r,
przestrajany
Uz k u1 odniesienia
Wie/kose
uF
Regu
lator
kR
Rys. 27.20. Schemat blokowy z synchronizacji fazy (PLL)
W wielu przypadkach regulacji ma za zadanie przesu-

fazowego a; w nie ma wówczas ua.
regulacj i jest wówczas równy urp.Do wyboru regulatora
jest potrzebna charakterystyki obiektu. Jak
obiekt ma charakter fazowe jest opisa-
ne
t t t
<p= Jw d~ - Jw d~ = J.1.wd,
2 1 (27.17)
o o o
W celu charakterystyki obiektu modulujemy

w 2 sinusoidalnie wm
w 1 . Mamy wówczas
.1.w(t) = (.1.w)mcoswmt
27.4. SYNCHRONIZACJI FAzy (PLL) 967

gdzie (ów)m oznacza zmian w. Po podstawieniu do równania (27.17)
otrzymamy
fazy o 90°, otrzymujemy w postaci zespolonej za-

I
.!
<l>(
jw) 1
(27.18)
ó.Q(jcv)
czyli równanie integratora. Po przetwarzania

k 1 i k'P otrzymujemy przenoszenia obiektu regulacji
Ko= U<p= 2~k1 k<p k 1 krp (27.I 9)

Uf JCVm = jfm
Jak jeszcze zobaczymy, fazy zawsze z

lub mniejszym Wskutek tego k'Pstaje zespolone, a
obiektu regulacji wzrasta. synchronizacji fazy w istot-
ny sposób od zastosowanego detektora fazy. W dalszym zajmiemy
rodzajami detektorów fazy.
27.4.1. jakodetektorfazy
fazowe dwoma u1 i u2 np.
przez próbkowanie chwilowej u1 za prób-
w chwili, gdy u2 przechodzi przez zero w kie-
runku dodat nich. W tym celu za u2 steruje w sposób
przedstawiony na rys. 27.21 przerzutnik bistabilny wyzwalany zboczem, któ ry
dostarcza impuls do Jak na
rys. 27.22,
(27.20)
W otoczeniu punktu pracy cp= Ocharakterystyka detektora przebiega w przy-

liniowo, zgodnie z równaniem
Otrzymujemy przetwarzania detektora fazy
(27.21)

Jak na rys. 27.23 dalszy punkt pracy przy <p= 1t. W tym
punkcie mamy kq,= - Uim· Który z tych punktów ustali, od znaku
wzmocnienia regulatora. Dalsze stabilne punkty pracy o 21t.
Oznacza to, detektor fazy nie rozpoznaje o dwa okresy
zamiast sinusoidalnego u1 zastosuje na-
to otrzymamy detektora .
Dla u 1 omawiany detektora nie
11 1II
u,t tUg, 11 I I J IJt=!f!.
..1. j_
li
x(u2)t 11
, 111,
I1
w
Uz 1
o
tl
t
..
- -~ · te
Rys. 27.21. Rys. 27.22. Przebiegi w detektorze fazy.
jako detektor fazy na u'I' w stopniu
dobierzemy tP tego
samego co czasowa
pró bku
IJI
Rys. 27.23. Charakterystyka jako detektora fazy
dynamiczne
Opisany detektor fazy mierzy fazy tylko jeden raz
na okres, zachowuje jak element od chwili
zmiany fazy, to wynosi od O do T 2 = 1/f2 .
wynosi T 2 /2. Aby to przetwarzania przy
modulacji fazy fm musi zespolona, zgodnie
z równaniem
(27.22)
Zgodnie z równaniem (21.19) otrzymujemy przenoszenia

obiektu regulacji

czyli
(27.23)
Dobór regulatora
Jako regulatora celowo
po- bez
zmienia tylko
skokowo. Zgodnie z równaniem (27.23) fazowe cpm U"'
a U1 ma przy fm= 1/4 / 2 -135 °. wzmocnienie
proporcjonalnej kp wybierzemy tak, by krytyczna h. = 1/4
/ 2 , to margines fazy równy 45°. Zgodnie z dla fm = h. mamy
Przy równania (27.23) i warunku KR= kp otrzymamy
W typowym mamy/ 2 = 10 kHz, k1 = 5 kHz/V i k"' = U1 m = 10 V.

Wynika kp= 0,05. Regula torem w tym przypadku bierny dziel-
nik
W celu zmniejszenia statycznego fazy (równanie (27.16)),
wzmocnienie dla za
(fr = 1/10 h. = !2/40).
u,i
1
Przerzutnik
monostabilny
Rys. 27.24. synchroni zacji fazy z jako detektorem fazy
Celowe jest jednak ograniczenie gra-

nicznej wzmocnienia do kr, w razie
obiektu z synchronizmu integrator do granicy wysterowa-
nia. to takie odstroje nie generatora VCO, syn-
chronizacji fazy nie powróci do synchronizmu . Bierny dzielnik
·--==._. ........
..........
,......
..........
..........
....,__,_
......
,..............
............,.....
............
..,....,.............. .......
........,.,.,.,.,•,•
. ,•, •,•,•,•,
•,•,•,•,......
..............
...........
....,.,.,
.,.,.,...,.,•,•,•,•,
•,•,•,
do regulatora PI z ograniczonym wzmocnieniem kJ,
szeregowo z rezystorem Rz kondensato r, jak to pokazano na rys. 27.24.
Parametry regulatora wtedy
Rz 1
kp= R +R ; h= 2nR Z CI ; k1 = 1
1 Z
do synchronizmu (zask ok)

Po z powstaje pewna
11/= / 1 - wskutek czego
/ 0, fazowe proporcjonal nie do
czasu. Zgodnie z rys. 26.23, na detektora fazy zmien-
ne o /1/ i amplitudzie U<pm= Uim· Generator przestrajany na -
jest wskutek tego modulowany
u1 = kp U1m sin!iwt
Pojawia moment, w którym równe i zaskok
fazowej, pod warunkiem jednak, /1/= / 1 - / 0
jest mniejsza od skoku
(27.24)
Ta maksymalna dopuszczalna nosi zakresu za-
skoku (capture range). Zakres ten jest normalnym zak resem pracy. W naszym
liczbowym wynosi on ± 2,5 kHz, a 2,5%/ 0 .
27.4.2.Prostownik
synchroniczny jakodetektorfazy
W punkcie 25.3.4 prostownika
sinusoidalnymi u 1 =
= Ecosw 1 t i uz = Ecos(wzt + cp),to otrzymamy
(27.25)
Dla w 1 = Wz jego wynosi
E
u,p= Uwrav = 2 COS(f) (27.26)
co jest zgodne z równaniem (25.22). Przebieg tego jest przedstawiony

na rys. 27.25. w otoczeniu cp= O to nie
jako regulowana, nie wtedy znaku
27.4. SYNCHRONIZACJI FAZY (PLL) 971

regulacji. Dobrze do tego celu punkty ±rc/2, tam
U"' przechodzi przez zero. To, który z punktów pracy ustali od
znaku wzmocnienia regulatora. Dalsze stabilne punkty pracy
o 2rc, co oznacza, ten detektor fazy nie rozpoznaje
o okresy
I
I
I
I
I,
- 'J( 21[ <p
Rys. 27.25. przy sinusoidalnych

ciach o amplitudzie E narysowano przebieg dla
o szczytowych ± E)
W otoczeniu ok. ± rc/4 stabilnego punktu pracy cp0 charakterysty-

ka detektora fazy jest w liniowa i dla cp= cp0 + 9 mamy
VIP= 1 cos(cp0 + 8) = ± 1 sin8 ± 9 (27.27)
Jego wynosi:
E
k = -
'I' 9 = +-
- 2 (27.28)
zamiast sinusoidalnych zastosujemy dwa przebiegi

o szczytowych ± E, to otrzymamy na rys. 27.25
detektora. tutaj stabilne punk-
ty pracy przy cp0 = ± (n/2)± n · 2rc. wynosi w tym przypadku
2E
k 'I' =+-
- 1C (27.29)
Przy nie potrzebujemy

analogowego Znacznie
w tym przypadku za modulatora tranzystorowego
z rys. 22.20. u"' odpowiednio to za
filtr dolnoprzepustowy, którego
graniczna fu jest zgodnie z równaniem (27.25) w porównaniu z 2/ 1 .
......,..,.••••••,.,.,...,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•,•,,,.,,,,,••, ..........,.,....,•••.,..,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,•,•,•,•
,•,•,•,•.•,..,,._,.,,,,.,,.,.,,,.,.,.._,.,.,
.........._._._._.....,.
wwwwww=v..........,,_._...,_,.,...._
._._.._
._._._._,
,.,.,.,.,.,.,

Stanowi to w porównaniu z poprzednim
musimy wzmocnienie proporcjonalnej regulatora , by
tak
krytyczna A~ /4.Wtedy bowiem fazowe
obiektu i filtru dolnoprzepustowego wynosi w sumie -135° . Przy A /44. / 1
otrzymuje jednak praktycznie zbyt wolny regulacji.
go w zasadzie za regulatora ,
to jednak zniesienie filtru dolnoprzepustowego , tzn.
pasma regulacji kosztem u"'

na w prosty sposób, regulator Pi z filtru doln o-
przepustowego. Wtedy przy wzmocnienia proporcjonalnego
dysponujemy marginesem fazy 90°, tzn. obwód regulacji zapew-
nia aperiodyczne. Wprowadzenie do na
u"' powoduje, generatora VCO jest modulowana
Uwidacznia to w postaci
przebiegu sinusoidalnego. Przy drganiach zmienia
czynnik impulsów. Dla utrzymania w dopuszczal-
nych granicach, nie wolno zbyt wzmocnienia
proporcjonalnej. warunek h ~./1 /3.
w ten sposób jest przedstawiony na rys. 27.26. Jest on jako
scalony PLL, przy czym zostaje uproszczony z do
modulatora z rys. 22.20. wymienimy tu NE 560 ... 566
firmy Signetics i 74HC 4046 firmy National.
Generator uF
~---1 przestrajam;~ -- --'--~
Uzfz
u1 t
1..
Rys. 27.26. synchronizacji fazy z jak o detektorem fazy do demodulacji
FM
Pr zy pracy bez filtru dolnoprzepustowego nadaje do takich

w których chodzi tylko o doprowadzenie do war-
/ 1 , podczas gdy krzywej i fazy nie roli .
Takim zastosowaniem jest np. demodulacja przy czym sygna-
jest przebieg wzorcowy (odniesienia). /2
generatora VCO liniowo od u1, to to jest proporcjonalne do
zmiany l:l/1 . za po-
filtru dolnoprzepustowego o odpowiedniej
,..,.,.,.........
.......,,,.,...,...........
.......-.,www--=,.,._ ._........,
..........
, ,.,.,.,.
,.,.,.,..,.
..........
,.,.,...,,..,,,.._.,.....
........w,..,... ......... .........,........,....,. , • .., . ,,.,, •• ,.,.,.,.,.,.,.,.,.,. , .,.,. , . , .,. , . , . , •,• , , •,•,• ,•, •,• , •,• ,•, •,• ,•, •,-.• , -. •, •,• ,,. •,• ,• , •, •,• , •, •, •• •
27.4. SYNCHRONIZACJI FAZY (PLL) 973

27.4.3.Detektorfazyi
opisanych detektorów fazy jest ich ograniczony zakres zaskoku, tzn.
nie dochodzi nigdy do synchronizmu,
przekroczy Dzieje tak dlatego, pomia-
rowy fazy w przypadku jest zmiennym sy-
metrycznym zera. u1 powoduje jedynie
generatora VCO, a nie przestraja go w wymaganym
kierunku.
Odmiennie sytuacja w przypadku detektora fazy z rys. 27.27,
który dostarcza o znaku przy dowolnej
on w istocie z dwu przerzutników D wyzwalanych zboczem.
Do sterowania przerzutników wykorzystuje x1 i x2
[27.3] utworzone z u 1 (t) i ui(t).
- Uy1- Uy2 Filtr doino-

+
+·}---"----=-~
przepustowy
1D
x2(u2,._.- -1> Cl
_r '----' Q Yz
Rys. 27.27. Detektor fazy z znaku
oba przerzutniki wyzerowane. u 2 wyprze-

dza u1 (cp> O), to najpierw pojawi dodatnie zbocze x 2 . Powoduje to usta-
wienie przerzutnika P 2 , który pozostaje w tym stanie do chwili, gdy
dodatnie zbocze x 1 ustawi przerzutnik P 1 •
Stan jedynek na obu przerzutników trwa tylko przez czas pro-
pagacji, po którym one z powrotem wyzerowane za bramki B.
Jak na rys. 27.28, na otrzymujemy
I
I I
LJ o
~<O
Rys. 27.28. i detektora fazy
.... ..... ,~, .. , ........ .......,.,•,•,,,••,•,•,•,,,................
....- w,, ... , •,•,•,•,•,•,•,·,~ •., .w, .,... ,.... .,...,., ... ,.,• .. w·,~=··.~ --- ....
dodatnich impulsów impulsów ujemnych otrzymuje
wtedy, kiedy dodatnie zbocze x 2 pojawi za zboczem x 1 , czyli gdy mamy
q>< O. w postaci grafu pokazanego na
rys. 27.29.
Rys. 27.29. Graf detektora fazy
Czas trwania impulsów jest równy czasów

dodatnimi przez zero u 1 (t) i ui(t). temu
wynosi
(27.30)
do ± 360° czasów
proporcjonalnie do q>, liniowy zakres pomiaru fazy wynosi ± 360°. Po
przekroczeniu tej granicy skacze do zera, po czym
pierwotny znak. Otrzymuje w ten sposób charak-
na rys. 27.30. Charakterystyka ta od poznanych
dotychczas tym, uq, dla q>> Ojest zawsze dodatnie, a dla q>< O - zawsze
ujemne. Wynika tego detektora na np.
/ 2 jest / 1 , to fazowe proporcjonalnie
do czasu do coraz Zgodnie z rys. 27 .30 wskutek tego uq,
o dodatniej taki dete-
ktor zastosujemy w regulacji fazy, to wzmacniacz
sygnalizowane na wyprzedzenie fazy. W przypadku regulatora z
regulowana / 2 zmniejszana tak
zrówna z / 1 . Dlatego zakres zaskoku jest teoretycznie
wielki i ograniczony w praktyce tylko zakresem wysterowania
generatora VCO.
Rys. 27.30. Charakterystyka detekcji detektora fazy

=-=-,wM w,•,• ,.,,•,, ,,., .,..- .. w~ .. --m.wm, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,w,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,~,~,· .. ,",www----= ---=
Jak w p. 27.4.2, za filtru dolnoprzepus-
towego bardzo niekorzystnie na dobór regulatora . Dlate go z
w tym rezygnuje z filtru.
(za doprowadzimy do stanu <p= O, to nie wy-
fazy, w tym przypadku bez filtru
uq>= O. Oba przerzutniki nie wówczas impulsów
wych. omawianego jest to, nie rozpoznaje on bardzo
fazy. Przerzutniki wówczas bardzo krót-
kich impulsów które jednak ze na ograniczony czas na-
rastania Powoduje to nieco szum fazy w przypa-
dku detektorów z [26.4].
chcemy PLL o zakresie zaskoku i
szumie fazy, jest celowe omawianego z detektorem prób- o
i po zaskoku na drugi detektor. Scalone
detektory fazy zgodnie z przedstawione w tabl. 27.1.
27.4.4.Detektorfazyz dowolnierozszerzalnym
zakresempomiarowym
Opisane do tej pory detektory fazy nie regulacji
o jeden okres zakres pomiaru fazy jest ograniczony
do 2n. jednak zastosowania, w których trzeba zmie-
o kilka okresów. Do tego celu nadaje detektor przed-
stawiony na rys. 27.31, w którym wykorzystano licznik rewersyjny z rys. 10.35
odporny na zjawisko koincydencji.
x,
O=A- 8
RES
a2
a3 do Przetwornik
di C/A Uo
w kodzie Filtr
Xz
d2 do/noprzepustoY.
d3 do dwóch
Rys. 27.31. Detektor fazy z dowolnie rozszerzalnym zakresem pomiarowym. Zakres pomiarowy
w + 7, -8 okresów
W zera detektor ten zachowuje tak jak poprzedni

przy wyprzedzeniu fazy x 1 x2 dodatnie impulsy
o amplitudzie ULS8 , których czas trwania jest równy czasów
,www~=~=··w·· ,·. m,.,. ,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,.,.,.,.,.,.,.,.,.
,.,.,.,.,w , ,,.,,. ,.,M,~,
976 27. REG ULATORY ELEKTRONICZNE

przez zero. Przy fazy impulsy ujemne. War-
tych impulsów wynosi
l1t (f)
U,,,= UDav= ULSBy = ULSB2n
Gdy fazy 2n, wówczas lit skacze z T do

zera. Odmiennie w popr zednim nie jest wtedy
równe zeru, lecz jest równe ULsB, D
o 1. temu w przypadku ogólnym wynosi
u,,,= ULSB (D+ ) = ULSB in

t D + /J.t/Tmówi, o ile siebie.
1
Rys. 27.32. Charakterystyka detekcji detektora fazy
w ten sposób charakterystyka jest przedstawiona na rys. 27.32

dla czterech bitów. licznika pozwala na dowolne roz-
szerzenie zakresu pomiarowego.
27.4.5. fazowajakopowielacz
Szczególnie zastosowaniem PLL jest powielanie

Do tego celu wystarczy dzielników na detek-
tora fazy, jak to pokazano na rys . 27.33. generatora VCO przyj-
muje wtedy
W ten sposób generatora VCO wymier-

wzorcowej / 1 zgodnie z równaniem

w tym zastosowaniu detektor fazy w niektórych sytuacjach pracuje
ze znacznie generator VCO, by
u'Pnie W przeciwnym bowiem przypadku
zamiast opisanego w p. 27.4.2 krzywej powstaje
modulacja
Tablica 27.1. scalone PLL
Typ Producent Techno - Zakres Zasada

logia
[MHz]
Detektory fazy
MC4044 Motorola TTL ... 20 Detektor
MC 12040 Motorola ECL ... 80 Detektor
AD 9901 Analog DeY. TTL/ECL ... 200 Detektor
MCH 12140 Motorola ECL ... 800 Detektor
Q 3036 Qualcomm ECL ... 1600 Detektor
XR 2228 Exar bipolarna ... 50 Ana!.
EL 4084 Elantec bipolarna ... 250 Anal.
AD 834 AnalogDev. bipolarna ... 500 Ana!.
LF 398 National bifet ... 0,3
AD 783 AnalogDev. bipolarna ... 15
AD 9100 AnalogDev. bipolarna ... 200
Generatory przestrajane (VCO)
XR2209 Exar TTL ... 1 Multiwibrator
74LS624 Texas Instr. TTL ... 20 Multiwibrator
MC4024 Motorola TfL ... 20 Multiwibrator
MC 12100 Motorola ECL ... 200 Multiwibrator
VFC llO Burr Brown bipolarna ... 4 Komp.
MC 12061 Motorola ECL ... 20 Gener. kwarcowy
Dl10 Fujitsu TI'L ... 30 Gener.piezoelektryczny
MC 1648 Motorola ECL ... 225 Generator LC
MC 12148 Motorola ECL ... 1100 GeneratorLC
Q 3500 Qualcomm ECL ... 2400 Generator LC
synchronizacji fazy (PLL)
NE 567 Philips TTL ... 0,5 Det. fazy + vco
CD 4046 wielu CMOS ... 1 Det. fazy + VCO
MM74HC4046 National CMOS ... 20 Det. fazy + VCO
PC74HC7046 Philips CMOS ... 20 Det. fazy + VCO
XR 210 Exar TTL ... 20 Det. fazy + VCO
SC ll346 Sierra bipolarna ... 80 Det. fazy + VCO
NE 568 Philips bipolarna ... 150 Det. fazy + VCO
AD 800 Analog Dev. ECL ... 155 Det. fazy + VCO
DP 8512 National ECL ..•225 Det. fazy + VCO + dzielnik
VM 305 VTC ECL ... 290 Det. fazy + VCO + dzielnik
TQ 2062 Triquint ECL ... 400 Det. fazy + VCO + dzielnik

nz
f2=-t,
Licmik Detektor Licznik n1
+n1 fazy + n2
tuz
ul/
1
Generator
Regulator Uf -
przestrajany
Rys. 27.33. Powielanie z wykorzystaniem synchronizacji fazy
do powielania wytwarzanie o do-

kwarcu i 50 MHz, dla których praktycznie
nie rezonatory kwarcowe. W tym celu do rezona -
tor o np. / 1 = 10 MHz i wybiera n 2 > n 1 . chcemy otrzy-
rezonatora kwarcowego,
n 1 = 1, a dzielnik natomias t chcieliby-
np. zakres 90 ... 100 MHz z krokiem 100 kHz, musimy najpierw
rezonatora kwarcowego przez n1 = 100 w celu uzyska-
nia 100 kHz . Wtedy
n 2 = 900 ... 1000 wszystkie Na tej zasa-
dzie tunery cyfrowe we odbiornikach rad iowych i tele-
wizyjnych (27.7]. Zestawienie scalonych elementów synchronizacji fazy
zawiera tablica 27 .1.
fifl:§:':fu':::::
::::::::::::.::::i:~::
:::::::::::~;:;:
::::
::::::::::::::::::;:;:::;:;:;:
::::::::::::
::::::::
:::::
::::~:::::s{{~t::-·
f;28.1.Logiczne
=·
scaloneserii7400 :'
~~1~~:t~l~~:::i{:~:~~=
~=~::;:::;:
;:~::::::::::::::::::
~:::::f@=::::::::::::::::;:;::::::::::::::::::
::::::::
::::::::::::::
::::::::::::::::::::
::::::::::::::::::
:::::::::::
:::::::::::
::::::::::::::::::
:::::::::::
....:..
28.1.1.Rodziny producentów
Producent TTL CMOS
Texas lnstruments (SN7 4) SN74HC

(SN74S) SN74HCT
SN74LS SN74AC
SN74ALS SN74ACT
SN74AS SN74BCT
SN74F
Valvo (PC74) PC74HC
PC74LS PC74HCT
PC74F PC74AC
PC74ACT
National DM74LS MM74HC
DM74ALS MM74HCT
DM74AS 74AC
74F 74ACT
74FCT
TTL C MOS
Motoro la MC74LS MC74HC
MC74F MC74HCT
RCA CD74HC
CD74HCT
CD74AC
CD74ACT
SGS M74HC
M74HCT
IDT IDT74HCT
IDT74FCT
,.,.,.,,,,.,.,.,,......,.,,.,.,
..........._•.,..•.,.....,._._._.,..._.,.,.,v
....,.,.,.,,.,. ,.,.,,.....,..,,,.,,,,,,.._,.,.
..,.,.,,,.,.•••.,...,.,
....._._.
,.,.,._._.,.,
.,.,.•.,.,._.,._.,.,.,
.,.,.,._.,,.....,.,.......,
,..,.,,,
.v,:•...•.........,.,,._www •J ·· ...-.·..-. .............--.-..........~--
980 28. DODATKI

28.1.2. Zestawienie funkcji
Typ Bramki NAND Wyprowadzenia
00 Quad 2 input NAND TP 14

Ol Quad 2 inpu t NAND OC 14
03 Quad 2 inpu l NAND TP 14
IO Trip le 3 inpu t NAND TP 14
12 Triple 3 input NAND OC 14
13 Dua l 4 input NAND schmitl -triggcr TP 14
18 Dua l 4 inpu t NAND schmitt-t rigger TP 14
20 Dual 4 inpu t NAND TP 14
22 Dual 4 input NAND OC 14
24 Quad 2 input NA ND schm itt-t rigger TP 14
26 Qu ad 2 inpul gate NA ND 15VO/P OC 14
30 8 input NAND TP 14
37 Qu ad 2 input NAND bu ffer TP 14
38 Qu ad 2 inpul NAND bu ffer OC 14
40 Dua l 4 input NAND buffer TP 16
132 Quad 2 inpu t NAND schmitt -trigger TP 14
133 13 input NAND TP 16
(134 12 inp ut 3 sta te NAND TS 16)
!OOO Buffer '00' gate TP 14
1003 Buffer '03' ga te TP 14
1010 Buffer ' IO' ga te TP 14
1020 Buffer '20' gate TP 14
4023 Trip le 3-inpu t NA N D TP 14
7003 Quad 2 input NAND schmit t-trigger TP 14
7006 3/4 input NAND/NOR gates TP 24
8003 Dual 2-input NA N D TP 8
Typ Bramki NOR Wyprowadzenia
02 Quad 2 input NOR TP 14

23 Du al 4 in pu t stro be expan dabl e I/P NO R TP 16
25 Dual 4 in pu t strobe NOR TP 14
27 Trip le 3 input NOR TP 14
28 Quad 2 inpul NOR buffer TP 14
33 Quad 2 input NO R buffer OC 14
36 Quad 2 inpu t NOR TP 14
(260 Dua l 5 inpu t NOR gate TP 14)
1002 Buffer '02' gate TP 14
1036 Quad 2-inpul NOR TP 14
4002 Dual 4-input NOR TP 14
4078 8-input NOR TP 14
7002 Quad 2 inpu t NOR schmitt-tr igger TP 14
TP= Totem Pole , OC = Open Collector, TS = Tristate , 0/P = Overvoltage Protection

( ) = ty lko j ako standardowe lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do nowych
=·· ·-."'
.....
.........
.........
.,.
......
.,.,,._,._._._. .,.,•••,.,.••,.,.,.,.,._.,.,•,•,•,•,•,,. ••,.... ... ,.._._,.,.,.,.,. .. ,..,..,.,., ,..,., •.....,..,..._..,._
, ,_._...,._._. ,v, n•,•, •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•_.,,_.,._.,,.,,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,-.•,,.,.,.,..,., •,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•.•,•,•,•,•_.., . ,,,,
28.1. LOGI CZNE SCALONE SERII 7400 981

Typ Bramki AND Wyprowadzenia
08 Quad 2 input AND TP 14

09 Quad 2 input AND OC 14
li Triple 3 input AND TP 14
15 Triple 3 input AND OC 14
21 Dual 4 input AND TP 14
1008 BulTer'08' gate OC 14
1011 BulTer'Il' gate TP 14
7001 Quad 2 input AND schmitt-trigger TP 14
T yp Bramki OR Wyprowadzenia
32 Quad 2 input OR TP 14
802 Triple 4 input OR NOR TP
832 Hex 2 input bulTcr TP 20
1032 BulTer'32' gale TP 14
.4075 Triple 3-input OR TP 14
7032 Quad 2 input OR schmitt-trigger TP 14
Typ Bramki AND-OR Wyprowadzenia
(50 Dual 2 wide input AND-OR-Invert TP 14)

51 Dual wide 2 inpul AND-OR-Invert TP 14
54 4 wide 2 input AND-OR-Invert TP 14
64 4-2-3-2 inpu t AND-OR -Invert TP 14
(65 4-2-3-2 input AND -OR-Invert OC 14)
Typ Bramki EXOR Wyprowadzenia
86 Quad exclusive OR TP 14
(135 Quad exclusiv.e OR / NOR TS 16)
136 Quad exclusive OR OC 14
266 Quad 2 input exclusive NOR OC 16
386 Quad exclusive OR TP 14
810 '86' with inverting outputs TP 14
811 '810' with open collector OC 14
7266 '266' with totempo le outpu t TP 16
Typ Ekspandery Wyprowadzenia
(53 4 wide 2 input AND -OR -Invert expand. TP 14)

55 Expandable 2 wide input and OR- lnvert TP 14
vw-.- .........- ..... .... ......__ .......,.,.,....,.,.....,.,.,.,...,.........

,., .,.............................
...................
.........
,.
982 28. DODATKI

Typ Kombinacjebramek Wyprowadzenia
7006 3-4 input NAND, 3-4 input NOR TP 24

7008 Triple 2 input NA ND, 2 input NOR, Dual INV TP 24
7074 Dual D-FF, 2 input NA ND / NOR, Dua l TNV TP 24
7075 Dual D -FF, Dual 2 input NAND , Dua l INV TP 24
7076 Dual D -FF , Dual 2 input NO R, Dual INV TP 24
Typ Inwertery Wyprowadzenia
04 Hex invcrter TP 14
05 Hex inverler OC 14
(06 Hex inverter / bulfer 30VO/ P OC 14)
14 Hex inverter schm itt-trigger TP 14
(16 Hex inverter / bulfer l5 VO/ P OC 14)
(17 Hex bulfer 15 VO/ P OC 14)
19 Hex inverter schmitt-trigger TP 14
1004 Bulfer '04 ' gate TP 14
1005 BufTcr'05 ' gate OC 14
4049 Hex invcrting bufTcr TP 16
Typ Wzmacniaczecyfrowe Wyprowadzenia
(07 Hex bulfer 30VO/P OC 14)

34 Hex butTer TP 14
35 Hex buffer OC 14
125 Quad 3 state buffer TS 14
126 Quad 3 state butTer TS 14
1034 Hex bufTer TP 14
1035 Hex buJTer OC 14
4050 Hex buffer TP 16
Typ Nadajniki linii Wyprowadzenia
(128 Quad 2 input NOR line driver TP 14)

(140 Dual input NAND line driver TP 16)
(425 Quad gates active low anable TS 14)
804 Hex 2-input NAND line driver TP 20
805 Hex 2-input NOR line driver TP 20
808 Hex 2-input AND line driver TP 20
832 Hex 2-input OR line driver TP 20
1631 Quad differentia! line driver TS 16
1804 '804' With Center Vcc, GND TP 20
0/ P = Overvoltage Protection
() = tylko jako standardowe lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do nowych
,.~ .........
,.,...,...,....................
=~-.,........,,.,. , ·····················································································································-....
..,....... ..,...,.........
....
28.l. LOGICZNE SCALONE SERil 7400 983
Typ Przerzutniki proste Wyprowadzenia
75 Quad D-latch TP 16
77 Quad D-lateh TP 16
(100 Dual 4 bit D-latch TP 24)
(116 Dual 4 bit D-latch TP 24)
(118 Hex SR-flip-Oop TP 16)
(I 19 Hex SR-flip-Oop TP 24)
279 Hex SR-flip-flop TP 16
375 Quad D-lateh TP 16
873 Dual 4 bit D-lateh TS 24
880 '873' inverting TS 24
Typ Przerzutnikitypu master-slave Wyprowadzenia
(70 JK -Oip-Oop, preset, elear TP 14)

(72 JK -Oip-Oop, pre set, elear TP 14)
73 Dual JK-flip-flop, elear TP 14
74 Dual D-Oip-flop, preset, elear TP 14
76 Dual JK-flip-Oop, preset, elear TP 16
78 Dual JK-flip-flop , preset, elear TP 14
107 Dual JK-flip -Oop, elear TP 14
109 Dual JK-flip-Oop , preset, elear TP 16
(111 Dual JK-flip-flopwith data lock out TP 16)
112 Dual JK-flip-Oop, preset, elear TP 16
113 Dual JK-flip-fiop, preset TP 14
114 Dual JK-Oip-Oop, preset , elear TP 14
171 Quad D-Oip-flop, elear TP 16
173 Quad D-flip-Oop, elear , enable TS 16
174 Hex D-Oip-Oop, elear TP 16
175 Quad D-flip-Oop, elear TP 16
(276 Quad JK -flip-flop, preset, elear TP 20)
(376 Quad JK-Oip-Oop, elear TP 16)
378 Hex D-flip-flop, cnable TP 16
379 Quad O-flip-flop, enable TP 16
3074 '74' metastable resistant TP 14
7074 Dual D-IT+ Nand, Nor, lnvert er TP 24
7075 Dual D-IT+ N and, Invertcr TP 24
7076 Dual D-IT+ Nor, Inverter TP 24
Typ Rejestry Wyprowadzenia
91 8 bit shift register TP 14

95 4 bit shift register PIPO TP 14
96 5 bit shift register PI TP 16
164 8 bit shift register PO TP 14
166 8 bit sh ift register PI TP 16
Pl= paraUel input , PO= parallel output

••••,.,.,.,.,.,.,............................................. .,................ ... ,.,•,•,•,•,•,············,..···................... ...,., .... .v....., .. ...,..,..,.
.............................. ................. ,.,., . ..... ......,,.,,...................... ................................ .. .......................... ................... ......,.,.,.,.,
984 28. DODATKI

Typ Rejestry Wyprowadzenia
(178 4 bit shift register PIPO TP 14)

(179 4 bit shift register PI TP 16)
194 4 bit shift reg. right / left PIPO TP 16
195 4 bit shift register PIPO TP 16
(198 8 bit shift reg. right/Ieft PIPO TP 24)
(199 8 bit shift register PIPO TP 24)
295 4 bil shi ft reg. rightjleft PIPO TS 14
299 8 bit shift rcg. rightjleft PIPO TS 20
(322 8 bit shift reg. sign protection PIPO TS 20)
323 8 bit shift rcg. right / left PIPO TS 20
395 4 bil shift register PIPO TS 16
396 Quad 2 bit shift register PO TP J6
673 16 bit shift register PO TP 24
Typ Rejestry z rejestrami danych Wyprowadzenia
594 8 bit shift reg. w . output reg. PO TP 16

595 8 bit shift reg. w. output reg. PO TS 16
596 8 bit shi ft reg. w. outpu t reg. PO OC 16
597 8 bit shift reg. w. input reg. PI TP 16
598 8 bit shift reg. w. input reg. PIPO TS 20
599 8 bit shift reg. w. output reg. PO OC 16
671 4 bil shift reg. w. outp. reg. right/l efl PO TS 20
. 672 4 bit sh ift reg. w. outp. reg. right/ lefl PO TS 20
962 8 bit shift reg. dual rank PIPO TS 18
963 8 bit shi ft reg. dual rank PIPO TS 20
964 8 bit shift reg. dual rank PIPO TS 20
Typ Liczniki asynchroniczne Wyprowadzenia
68 Dual decade counter TP 16

69 Dual 4 bil binary coun ter TP 16
90 Decade counter TP 14
92 Divide by 12 counter TP 14
93 4 bit binary counter TP 14
(176 Decade counter (prese tablc) TP 14)
(177 4 bit Binary counter (presetable) TP 14)
197 4 bit Binary counter TP 14
I 293
390
4 bit binary counter
Dual deeade counter
TP
TP
14
16
393 Dual 4 bit binary counter TP 14
490 Dual decadc counters TP 16
() = tylko jako sta ndardowe lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do nowych
...................
......,...... . .. ,= ............................................
,.,..........,...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
.,.,.,
.,.,.,......,...,.,.,.,.,.,
........
.,............ ............................
==== ............................................
..... . ,.......
28.1. LOGICZNE SCALONE SERII 7400 985

Il
Typ Dzielniki (asynchroniczne) Wyprowadzenia
56 Fre qu ency divider : 50 TP 8

57 Frequency divider : 60 TP 8
(97 6 bit binary rate multiplier TP 16) J
(167 4 bit decade rat e multiplier TP 16)
292 30 bit programmable freq. dividcr TP 16
294 16 bil programmable freq. divider TP 16
4059 16 bit programmable frcqu. divider TP 24
4060 14 bit binary counter , oszillator TP 16
7060 14 bit binary counter, oszillator TP 16
Typ Liczniki synchroniczne Wyprowadzenia
160 4 bit decadecounter,sync.Joad TP 16

161 4 bit binary counter , sync. load TP 16
162 4 bit decade counter, sync. load TP 16
163 4 bit binary counter , syne. load TP 16
168 4 bit decade up/down counter, sync. load TP 16
169 4 bit binary up/down counter, syne. load TP 16
190 4 bit decade up/down counter, async. load TP 16
191 4 bit up/down counter, async. load TP 16
192 4 bit decade up/dow n counter , async. load TP 16
193 4 bit binary up/down counter, async . load TP 16
264 carry-look -ahead for counters TP 16
269 8 bit binar y up/down counter, sync. load TP 24
560 4 bit decadc counter, sync./ async. load TS 20
561 4 bit binary counter, sync./ async. load TS 20
568 4 bit decade up/ down counter , sync. load TS 20
569 4 bil binary up/down counter , sync. load TS 20
579 8 bit binary up/ down counter TS 20
668 4 bit decade up/down counter, sync. load TP 16
669 4 bit binary up/ down counter, sync. load TP 16
867 8 bit binary up/down counter, sync. load TP 24
869 8 bit binary up/down counter , sync. load TP 24 1
4017 divide by 10 counter, decoded outputs TP 16
4022 divide by 8 counter, decoded outputs TP 16
4510 dual 4 bit decade up/ down counter, async. load TP 16
4516 4 bit binary up/ down counter , async. load TP 16
4518 dual 4 bit decade counter TP 16
4520 dual 4 bit binary counter TP 16
7022 divide by 8 counter , decoded outputs TP 16
,...,...,.,.,.,._.,.,.,.,..,.,•,•,
•.·.•,•,•,-.,..,,,,.,.
,.,.,..,..,.,.,.._
,,,.,,,.,,,,,.,,,.......,.,
.,v,-.-......,..
....,-.v-,.....,...==···•w.v ........ ,..,.,. .. h" .. J' . ~~
986 28. DODATKI

li
T yp Li czniki synchroniczne z rejestrami danych Wyprowadzenia
590 8 bit binary counter w. output reg. TS 16

591 8 bit binary counter w. output reg. OC 16
592 8 bit binary counter w. input reg. TP 16
593 8 bit binary counter w. input reg. TS 20
690 4 bit decade counter w. input reg. TS 20
692 4 bit decade counter w. output reg. TS 20
697 4 bit bina ry counter w. output reg. TS 20
Typ Sterowniki magistrali (jednokierunkowe) Wyp rowadzenia
230 8 bit bus driver , 4 bil inverting TS 20

2:H 8 bit bus driver , data inverting TS 20
240 8 bit bus driver, data inverting TS 20
241 8 bit bus driver TS 20
• 244 8 bit bus driver TS 20
466 8 bit bus driver , data inverting TS 20
746 '540' with input pullup resistor TS 20
747 '54 l' with input pull up resistor TS 20
762A '230' with open collcctor OC 20
827 10 bit bus driver, data non inverting TS 28
828 IObit bus driver, data inverting TS 28
1240 '240' reduced power TS 20
1244 '244' rcduced power TS 20
2240 '240' with serial damping Resistor TS 20
.,..._,,._._
,.,.._.,....,.......
, ,,.,,.,.,...,,,.,.
.,.,....,
.,.....,..,.
,,.•.-.•.v.•.,..,..,.,.....,..,..,
.,.,.,.,,,
.,u.....,
•..,....,.,..,..,..,
.,..,.,.,.
.,,,.,.,, •'•'•' •' •' •' •' •' •' •'' •'• '' •' •' ' •'•' •'•'•' •' •' •' •' •' •' •·•···,. .....
.............
......................
....................
,. ......
........
Typ Sterowniki magistrali (jednokierunkowe) Wyprowadzenia

2410 11 bit bus driver , data non invert., ser. damp. Res. TS 28
2411 11 bit bus driver, data invert., ser. damp. Res. TS 28
16244 16 bit bus driver , dala non inverting TS 48
29827 10 bit bus driver, data non inverting TS 24
Typ Sterowniki magistrali z przerzutnikami prostymi Wyprowadzenia
373 8 bit latch TS 20

533 8 bit lat ch, data inverting TS 20
563 '533' bus pinout TS 20
666 8 bit latch, readback TS 24
667 8 bit latch, data inverting, readback TS 24
990 8 bit latch , readback TP 20
991 8 bit latch, data inverting, readback TP 20 l
992 9 bit latch, readback TS 24 f
993 9 bit latch, data inverting, readback TS 24

994 10 bit latch, data readback TS 24
995 IObit latch , data inverting, readback TS 24
16373 16 bit latch, data non inverting TS 48
16533 16 bit latch, data inverting TS 48
29846 8 bit latch , data inverting TS 24
Typ Sterownikimagistraliz przerzutnikamiD Wyprowadzenia

wyzwalanymi zboczem
273 8 bit D-Flip-Flop with elear TP 20

374 8 bit D-Flip-Flop TS 20
377 8 bit D-Flip-Flop with enable TP 20
534 '374' data inverting TS 20
563 8 bit D-Flip-Flop, data inverting TS 20
564 8 bit O-Flip-Flop, data inverting TS 20
TS
__
574 '374' bus pinout 20
575 ' 574' with syncronous elear TS 24
...................................... ---
...,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.............. .. ....
...... ............
... ...,.,.,.,....,.....,.,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•, ,..,....,........................................
,.,.,.,.... .................
..........,.. ...... ........
.,.............,., .....,.,.,.,.,.,.,.,.,•,•,•,
988 28. DODATKI
Typ Ster ownik i magistrali z przerzutnikami D Wyprow adze nia
wyzwalanymi zboczem

577 "576' with syncronous elear TS 24
821 tobit O-Flip-Flop TS 24
822 10 bit O-Flip-Flop, data inver ting TS 24
823 9 bit O-Flip-Flop TS 24
874 8 bit O-Flip -F lop TS 24
876 8 bit O-Flip-Flop, data invert ing TS 24
878 Dual 4 bit O-Flip-Flop TS 24
879 Dual 4 bit O-Flip-Flop, data invening TS 24
996 8 bit O-Flip-Flop, data rcadback TS 24
1821 JObit O-F lip-Flop TS 24
1823 JObit O-Flip-Flop, data inverti ng TS 24
3374 8 bit mciastable-resistant Flip-Flop TS 20
3674 8 bit mctastable -resistant Flip-Flop TS 24
16374 16 bil O-Flip-Flop TS 48
16534 16 bit O-F lip-Flop, data inverting TS 48
29821 10 bit O-J71ip-Flop TS 24
.. 29822 10 bit O-Flip-Flop, data inverting TS 24
29825 8 bit O-Flip-Fl op TS 24
29826 8 bit O-Flip -Flop , data inverting TS 24
Typ Odbiorn.iJci -nadajniki Jjnii (dwukierunkowe) Wyprow adze nia
242 4 bit transceiver, data inverting TS 14

243 4 bit transceiver TS 14
245 8 bit transceiver, bus pinout TS 20
446 4 bit transce iver, data inverting TS 16
620 8 bit transceiver, data inver ting TS 20
621 8 bit transceiver OC 20
622 8 bit transceiver, data inverting OC 20
623 8 bit transcciver TS 20
638 8 bit tra nscciver, data inver ting TS/OC 20
639 8 bit transcciver TS/OC 20
641 8 bit transcciver OC 20
642 8 bit transceiver, data inverting OC 20
643 8 bit transceiver, true/ inverting TS 20
644 8 bit transceiver, true/i nverting OC 20
758 "242' wi1h open collector OC 20
___
759 ·243· with open collector OC 20
833 8 bit tra nsceiver, parit y gen. TS 24
.......
...................................
..............
................
,.,.,.,... ....,...,..,,,,.., ,......
....,.........
........ ._ .. ............................
........
.
28.1. LOGICZNE UK.LADY SCALONE SERII 7400 989
Typ i linii (dwukierunkowe)
Odbiorniki-nadajnik Wyprowadzenia
8348 bil transceiver, data inverling, parity TS 24

8538 bil tran sceiver, parily gen. TS 24
8548 bit lransceiver , data inverting , parity TS 24
8639 bit transce iver TS 24
8649 bit transceiver, data inverting TS 24
1242'242' reduced power TS 14
1243,'243' reduce d power TS 14
2242'242' with serial damping resistor TS 14
16640 16 bit transceiver , data inverting TS 48
298338 bit transceiver, parity gen. TS 24
29834
;.
8 bit transceiver, data inverting , parity TS 24
298538 bit transceiver, parily gen. TS 24
29854 8 bit transceiver , data inverting, parity TS 24
29861 1Obit transceiver TS 24
29862 10 bit transceiver, data inverting TS
29863 9 bit transceiver
24 J
TS 24
Typ Odbiorniki -nad ajnik i linii z rejes tram i Wyprowadzenia

wyzwalanymi zboczem
543 8 bit reg. lra nsceiver TS 24

544 8 bit reg. tran sceiver, data inverting TS 24
614 8 bit reg. transceiver , data inverting OC 24
615 8 bit reg. tra osceiver OC 24
646 8 bit reg. transceiver TS 24
647 8 bit reg. transc eiver OC 24
648 8 bit reg. transceiver, data inverting TS 24
649 8 bit reg. transceiver , data invertiog OC 24
653 8 bit reg. transceiver, data invertiog OC/TS 24
654 8 bit reg. transceiver OC/TS 24
852 8 bit reg. tr ansceiver TS 24
877 8 bil reg. transceiver TS 24
16652 16 bit reg. tran sceiver TS 56
........,..,,,
.,.,...............
........................... .........................
.....................
, ..•.,,.,,,.,,,
,.,......... , ... .....................
,., ,.,.,.,.,., ..,., ,.,.,.,·,···
·······
········
·····...........................
-== ,
990 28. DODATKI
Typ Trójkierunkowe odbiorniki-nadajniki linii Wyprowadzenia
440 4 bit tridir. transc. OC 20

441 4 bit tridir. transc., data inverting OC 20
442 4 bit tridir. transc. TS 20
443 4 bit tridir . transc., data inverting TS 20
444 4 bit tridir. transc., true /inverting TS 20
Typ Komparatory Wyprowadzenia
85 4 bit magnitude comparator TP 16

518 8 bit identity comparator OC 20
520 8 bit identity comparator TP 20
521 8 bit identity comparator TP 20
526 16bit identity comparator, fuse progr . TP 20
527 12bit identity comparator, fuse progr. TP 20
J
528 12bit identity comparator, fuse progr. TP 16
677 16bit address comparator TP 24
678 16bit address comparator w. outpu t latch TP 24
679 12bit address comparator TP 20
680 12bit address comparator w. output latch TP 20
683 8 bit magnitude comparator OC 20
685 8 bit magnitude comparator OC 20
687 8 bit magnitude comparato r OC 20
688 8 bit identity comparator w. enable TP \ 20
689 8 bit identity comparator w. enable OC 20
812 12bit ident. comp., fuse progr. + I of 4 dcc. TP 24
866 8 bit magnitude comparator w. inp./outp. latch TP 28
885 8 bit magnitude comparator w. inpul latch TP 24
29806 6 bit idcntity comparator + 1 of 4 decoder TP 24
29809 9 bit idcntity comparator TP 24
Typ Dekodery, demultipleksery Wyprowadzenia
42 BCD to JO line decoder TP 16

(45 BCD to JO line decoder OC 16)
131 3 to 8 line decoder w. addr. register TP 16
137 3 to 8 line decoder w. addr. latch TP 16
138 3 to 8 line decoder TP 16
139 Dual 2 to 4 line decoder . TP 16

Typ Dekodery, demultipleksery Wyprowadzenia
(141 BCD to l Oline decoder OC 16)

145 BCD to 10 line decoder OC 16
155 Dual 2 to 4 Jjne decoder TP 16
156 Dual 2 to 4 line decoder OC 16
(159 4 to 16 line decoder OC 24)
237 3 to 8 line decoder w. addr. latch TP 16
239 Dual 2 to 4 line decoder TP 16
259 3 Io 8 line decoder w. output latch TP 16
445 BCD to 10 line decoder OC 16
538 3 to 8 line decoder TS 20
539 Dual 2 to 4 line decoder TS 20
4514 4 to 16 line decoder w. add r. latch TP 24
4515 4 to 16 line decoder w. addr . latch TP 24
Typ Multi pleksery cyfrowe Wyprowadzenia
150 16 input multip lexer TP 24

151 8 input mult iplexer TP 16
152 8 input multiplexer TP 16
153 Dual 4 input multiplexer TP 16
157 Duad 2 input multiplexe r TP 16
158 Quad 2 input multiplexer TP 16
250 16 input multiplexer TS 24
25 1 8 input multip lexer TP/TS 16
253 Dual 4 input multiplexer TS 16
257 Duad 2 input multiplexer TS 16
258 Duad 2 input multiplexer TS 16
298 Duad 2 input mux . w. output register TP 16
352 Dual 4 input multiplexer TP 16
353 Dual 4 input multiplexer TS 16
354 8 input multiplexer w. input data latch TS 20
355 8 input multiplexer w. data+ addrcss latch OC 20
356 8 input multiplexer w. data reg. + adr. Jatch TS 20
398 Quad 2 input multiplexer w. data reg. TP 20
399 Quad 2 input multiplexer w. data register TP 16
604 Oktal 2 input multiplexer w. data register TS 28
605 Oktal 2 input multiplexer w. data register OC 28
606 Oktal 2 inpul multiplex er w. data reg ister TS 28
607 Oktal 2 input multiplcxer w. data register OC 28
850 16 input multiplexer w. address register TS 28
851 16 input multiplexer w. addr ess latch TS 28
857 Hex 2 input mu ltiplexer, masking TS 24
() = tylko jako stan dardo we lub TTL typu Schottky'ego, zatem nie do no wych
,-.- .-w.•, •,•,•,•,•,•,,•,w.w=www, .·.····"" - "··"'"' """"'" ......................,.,.,..·,····
·····················.w .,.,.w .w'"'"' """''•""""'"'~~""w,-ww ,w,-~--
992 28. DODATKI
Typ Multipleksery/demultiplekseryanalogowe Wyprowadzenia
4016 Quad analog switch R 14

4051 8 to l line Mux/De mux, level conv. R 16
4052 Dual 4 to I line Mux/Demux , level conv. R 16
4053 Trip le 2 to 1 line Mux/Demux, level conv . R 16
4066 Quad analog switch R 14
4067 16 to 1 line Mux/ Demux R 24
43 16 Quad analog switch, level conv. R 16
4351 8 to I line Mux/ Demux, level conv. R 18
4352 Dual 4 to 1 line Mux/ Demux , level conv. R 18
4353 Triple 2 to 1 line Mux/Demux, Jevel conv. R 18
Typ Konwerterykodów Wyprowadzenia
(184 5 bit BCD to binary converter OC 16)

(185 5 bit binary to BCD converter OC 16)
484 8 bit BCD to binary converter TS 20
485 8 bit binary to BCD converter TS 20
Typ Dekodery priorytetowe Wyprowadzenia
147 1Oline to binary priori ty encoder TP 16

148 8 line to binary priority encoder TP 16
278 4 bit priority encoder , input latch TP 14
348 8 line to binary prio rity encoder TS 16
Typ Dekodery do Wyprowadzenia
(46 BCD to seven segment for LEDs OC 16)

47 BCD to seven segment for LEDs OC 16
48 BCD to seven segment TP 16
(143 BCD counter , latch, ?-segment dec. for LEDs OC 24)
(144 BCD counter , latch, ?-segment dec. for LEDs OC 24)
248 BCD to seven segment TP 16
451 1 BCD to seven segment w. latch for LEDs TP 16
4543 BCD to seven segment w. latch for LCDs TP 16
R: jak rezystor a
,•,•,-.w, •"wm -""'"w m,w ,•,•,•,•,•,w, •,•,•, N ,wm.w.•. •,•,,,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,•,, •,•,•,•,w ,., ,..,.,.,., ,,.. ,,,.,,w, •"w,w wo-.,,~~---- -~~
28.l . LOGIC ZNE UK.LADY SCALONE SERII 7400 993

Typ Przerzutni.ki monostabilne (uniwibratory) Wyp ro wad zenia
(121 Monostable TP 14)

122 Monostable, retriggerable TP 14
123 Dua l monostable, retriggerable TP 16
221 Dual monostab le TP 16
422 Monostable , retriggerable TP 14
423 D ual monostab le, retriggerable TP 16
4538 Dual monostab le, retriggerabl e TP 16
Typ Generatory Wyprowadzenia
(124 Dual voltage controlled oscillator TP 16)

320 Crys tal con trolled oscillator · TP 16
321 Crysta l con trolled osc., frequ. divider TP 16
624 Voltage controlled oscillator TP 14
625 Dual voltage controlle d oscillator TP 16
626 Dua l voltage controlled oscillator TP 16
627 Dual vollage controlled oscillator TP 14
628 Voltage controlled oscillator TP 14
629 Dua l voltage controlled oscillator TP 16
T yp sync hroniza cji fazy Wyprowadzenia
297 Digita l phase locked loop TP 16

4046 Phase locked loop TS 16
7046 PLL w . lock detector TS 16
Typ Sumatory Wyprowadzenia
(82 2 bit binary full adder TP 14)

83 4 bit binary full adder TP 16
183 Dua l carry save full adder TP 14
283 4 bit binary full adder TP 16
385 Quad serial adder /subtractor TP 20
583 4 bil BCD adder TP 16
=-=-,__, ,...,,..,.
......,...........,,.,.,M., ,h.- ,
994 28. DODATKI
Typ _ Jednostki arytmetyczno-logiczne Wyprowadzenia
181 4 bit arithmetic logic unit TP 24

281 4 bit parallel binary accumu lat or TP 24
381 4 bit arithmetic /function generator TP 20
382 4 bit arithmetic /function generator TP 20
681 4 bit binary accumulator TP 20
881 4-bit arithmetic logic unit with status chcck TP 24
1181 4-bit arithmet ic logic unit TP 20
1881 4-bit arithmetic logic unit with status check TP 24
Typ generacji Wyprowadzenia
182 Carry look ahead unit for 4 adders TP 16

282 '182' cascadab le TP 20
882 Carry look ahead unit for 8 adders TP 24
Typ Wyprowadzenia
261 4 x 2 binary multiplier TP 16

(274 4 bit x 4 bit binary multiplier TS 20)
275 7 bit x 4 bit binary multiplier TS 20
285 4 x 4 multiplier TP 16
384 8 bit multiplier, serial TP 16
1010 16 x 16 Multipli er/ Accumulator TS 64
1016 16 x 16 Multiplier TS 64
1017 16 x 16 Multiplier TS 64
Typ Rejestry typu „pipeline" Wyprowadzenia
818 8 bit Pipeline/ Shadow Register TS 24

Typ Pliki rejestrów Wyprowadzenia
170 4 x 4 bit register file TP 16

(172 16 x 4 bit register file TP 24)
670 4 x 4 bit register file TS 16
870 Dual 16 x 4 bil register file TS 24
871 Dual 16 x 4 bit register file TS 28
.............
.........
..... .........
........
............... .,,..,..,....,.,
........
..,.,..,,.,...._,.._
..,......,
.........
...,...,._,,,
,,.-..-..
:•.vo.V'"""""'-
._..._
.,,.... ••••·.;-
, ,1,.•...,.. .v.-..
-.v,w.-....-
.·.····························
······
················
······
··········
·····=·.,.·.··r,·,······
··························
28.l. LOGICZNE SCALONE SERII 7400 995
Typ RAM Wyprowadzenia
189 16 x 4 bit static ram TP 16
Typ FIFO Wyprowadzenia
222 16 x 4 bit FIFO TS 20

(225 16 x 5 bit FIFO TS 20)
227 16 x 4 bit FIFO OC 20
228 16 x 4 bit FIFO OC 16
7030 64 x 9 bit FIFO TS 28
7202 1024 x 9 bit FIFO TS 28
7402 64 x 5 bit FIFO TS 18
Typ Generatory bitu Wyprowadzenia
180 8 bit parity generator TP 14

280 9 bit parity generator / checker TP 14
286 '280' with bidirectional port TP 20
658 8/ 9 bit Par. Gen/ Check, Transceiver TS 24
664 8/ 9 bit Par. Gen/Check , Transceiver TS 24
Typ do korekcji Wyprowadzenia
616 I 6 bit error detection and correction TS 40

617 16 bit error detection and correction OC 40
630 16 bit parallel error correction circuits TS 28
631 16 bit parallel error correction circuit s OC 28
632 32 bit error correction with byte write TS 52
633 32 bit error correction with byte write OC 52
634 32 bit error detection and correction TS 48
635 32 bit error detector and correction OC 48
636 8 bit error detection and correction TS 20
637 8 bit error detection and correction OC 20
·--~ ,,....
.... .....
, ,.,.,.. ,.....
.,... ,,............. .....
,·,········ ..,.....,...._
·····························-·; .............................
996 28. DODATKI
Typ Kontrolery dynamicznych RAM Wyprowadzenia
600 Memory timer controller for 4K / 16K TS 20

601 Memory timer controller for 64 K TS 20
602 Memory timer controller for 4 K/ 16K TS 20
603 Memory timer controller for 64 K TS 20
608 Memory cycle controller TS 16
764 256K DRAM controller TS 40
6301 1 M DRAM controller
6302 l M DRAM controller
Typ Generatorymap Wyprowadzenia
610 Memory mapper with latch TS 40

611 Memory mapper with latch OC 40
612 '610' without latch TS 40
613 '611' without latch OC 40
Typ 8-bitowe bloki funkcjonalne Wyprowadzenia
887 Microprogrammable 8 bit ALU TS 68

888 Microprogrammable 8 bit ALU, cascadable TS 68
890 14 bit microsequencer with stack TS 68
897 16 bit expandable barrel shifter TS 68
Typ 32-bitowe bloki funkcjonalne Wyprowadzenia
8818 16 bit Microsequencer TS 85

8832 32 bit registered integer ALU TS 208
8833 64 bit to 32 bit barrel/funnel-shifter TS 156
8834 64 Word by 40 bit register file TS 156
8835 16 bit microsequencer with stack TS 156
8836 32 bit by 32 bit integer multiplier accu TS 156
8837 64 bit tloating point processor TS 156
8838 32 bit barrel shifter TS 84
8839 32 bit shuffie exchange network TS 85
8841 Crossbar switch for 16 4-bit buses TS 156
8847 64 bit tloating point /integer processor TS 208
Typ Wyprowadzenia
31 Hex delay element TP 16

(120 Dual pulse synchroniser TP 16}
(265 Quad complem. output gate TP 16}
350 4 bit shifter, combinatorical TS 16
...,.,..,.,.,.,,..,.,,,_..,..,,,,.
,.,,,..••••
...,.,,..,.,
.,........,.,v
=.,,,_.r.r,..vo.•
.-.•.·
.-.·.-
....,...-
,••.,•••
,,.•••.,.,.

E3 E6 E12 E24 E 48 E96 E3 E6 El2 E 24 E 48 E96
± 20 % ±20 % ±10 % ±5 % ±2 % ±1 % ±20 % ±20 % ±10 % ± 5 % ± 2 % ± 1%
I.O I.O I.O I.O 1.00 1.00 3.3 3.3 3.3 3.32 3.32
1.02 3.40
1.05 1.05 3.48 3.48
1.07 3.57
I. I 1.10 110 3.6 3.65 3.65
1.13 3.74
11 5 1.15 3.83 3.83
1.18 3.9 3.9 3.92
1.2 1.2 1.2 1.21 1.21 4.02 4.02
1.24 4.12
1.27 1.27 4.22 4.22
1.3 1.30 4.3 4.32
1.33 1.33 4.42 4.42
1.37 4.53
1.40 1.40 4.64 4.64
1.43 4.7 4.7 4.7 4.7 4.75
1.47 1.47 4.87 4.87
1.5 1.5 1.5 1.50 4.99
1.54 1.54 5.1 5.11 5. 11
1.58 5.23
1.6 1.62 1.62 5.36 5.36
1.65 5.49
l.69 1.69 5.6 5.6 5.62 5.62
1.74 5.76
1.78 l.78 5.90 5.90
1.8 1.8 1.82 6.04
1 87 1.87 6.2 6.19 6.19
1.91 6.34
1.96 1.96 6.49 6.49
2.0 2.00 665
2.05 2.05 6.8 6.8 68 6.81 6.81
2.10 698
2.15 2. 15 7.15 7.15
2.2 2.2 2.2 2.2 2.21 7.32
2.26 2.26 7.5 7.50 7.50
2.32 7.68
2.37 2.37 7.87 7.87
2.4 2.43 8.06
2.49 2.49 8.2 8.2 8.25 8.25
2.55 8.45
2.6 1 2.61 8.66 8.66
2.67 8.87
2.7 2.7 2.74 2.74 9.1 9.09 9.09
2.80 9.31
2.87 2.87 9.53 9.53
2.94 9.76
3.0 3.01 3.01
3.09
3.16 3.16
3.24
................
998
,.,·,····
···················· .......,....
·.-.-.·.-................
····· ···-
28. DODATKI
-- , .,,,, ., .,.,...., ..,....,.,.,.,.,.,.,.,...,...,.,.,..........
.... .....
i"Is.3~Sposoby.;;;n;cz:niarezyst~rów'
•.•.·. >~~::t..:t..¼#f:\.._
:::::::::;::::;::
::::::::: ...... :;: .:··: :~
·::::
;~~~m~:.A::·::::$):>;:~~::.;:fa:;~$;§~4=~:~~~ _"#~'®,\.~>§
2 .ll.l.i..l1./
'.! '
./.lillrr,,i,
28.3.1.Kodbarwnywg oonnyDIN41429
Pierwsza Druga
Barwa Tolerancja
cyfra cyfra [Q] [%]
Brak ±20
Srebrna xo,01 ±10
ZTota x0,1 ±5
Czarna o x1,0 ± ZO
Brqzowa 1 x10 ±1
Czerwona 2 2 •100 ±2
J 3 x1k
4 4 x10k
Zielona 5 5 xtOOk
Niebieska 6 6 X1M
Fiolrdowa 7 7 •10M
Szara 8 8 xfOOH
BiaTa 9 9
28.3. SPOSOBY OZNACZANIA REzySTORÓW 999

28.3.2. Kodbanvn
y wgnonny IEC 62
WspoTczynnik
Pierwsza Druga Trzecia
Barwa Tolerancja
ft!mteraturowy
cyfra cyfra cyfra [Q] {:'/4) ipm/k)
Srebrna 0,01
0,1 ±5
Czarna o o 1,0 •250
f 1 1 10 ±1 *100
Czerwona 2 2 2 100 ±2 •50
3 3 3 •1k •15
Zórta 4 4 4 xtOk •25
Zielona 5 5 s •100k ±0,S •20
Niebieska 6 6 6 x1M •10
Fioletowa 7 7 7 •10M <5
Szara 8 8 8 x100M •1
Siara 9 9 9
1 1
r J
f l
1l l Id)==J
T
l r- '----1,
PrzykTad J
4,75kQ J fioletowa zielona I J Jniebieskal
4 7 5 x10Q 1¼ 10ppm/K
Uwaga: tempe raturowy jest podawa ny z tylko wtedy,

kiedy jest m niejszy 50 ppm/K
1000 28. DODATKI

1.1. Weyh U., Benzinger H.: Die Grundlagen der Wechselstromlehre. Munchen, Wien, R.Old en-
bourg 1967.
1.2. Brophy J. J.: Basic Electronics for Scientists. New York, McGraw -HilJ 1977.
2.1. Unbehauen R.: Elektrische Netzwerke. Eine Einfiihrung in die Analyse. Berlin, Heidelberg,
New York , Springer 1981.
,
2.2. SchiiBler H. W.: Elektrische Netzwerke und Systeme /. Mannheim, Bibliographisches
Institut 1981.
3.1. Miiller R.: Grundlagen der Halbleiter-F.lektronik. Halbleiter-Elek tronik, Bd. I. Hrsg. v. W.
Heywang u. R . Miiller, Berlin, Heidelb erg, !\ ew York , Spring er 1979.
3.2. Unge r H. G., Schulz W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke I. Braun schweig,
Vieweg I 979.
4 .L SheingoldD. H. (&litor): NonlinearCircuits Handbook.Analog Devices,Inc., Norwood,

Mass. , I 974, s. I 65
4.2. Hart B. L., Barker R. W. J.: Early-Intercept Voltage: A Parameter of Voltage-Driven
B. J.T. Electronics Letters, 1976, 12, No. 7, s. 174-175.
4.3 . Turner C. R.: Tnterpretation of Voftage Ratings for Transistors. SMA-2. RCA, Harrison.
4.4. Wanka H.: Gefahr durch den z weiten Durchhruch. Markt & Technik, 1981, H. 9, s. 6-8.
4.5. Pippenger D .: Current-ntirror !Cs Aid in Current Handling. EDN, 1981, 26, No . 13,
s. 109-112.
4.6. Cooke H. F.: Causes of Noise. M-1. Texas Instrumenls, Dallas, Miinchen.
4.7. Mantena N . R .: Sources of Noise in Transistors. Hewlett -Packard Journal. 1969, 21, No.
2, s. 8-11.
4.8. MiiJJer R .: Bauelemente der Halbleiter-Eleklronik. Halbleiter-Elektronik. Bd. 2. Berlin,
Heidelberg, New York, Springer 1979.
5.1. Wiistehube J.: Feldeffekt -Transistoren. Valvo, Hamburg 1968.

5.2. Tiefert K . H., Tsang D. W., Meyers R. L., Li V.: The Vertical Power Mosfet for High -
-Speed Power Control. Hewlett -Packard Journal. 1981, 32, No. 8, s. 18-23.
5.3. Beneking H.: FeldelTekttransistoren. Halbleiter-Elektronik, Bd. 7. Hrsg. v. W. Heywang u.
R. M iiller, Berlin, Heidelberg, New York, Springer 1973.
5.4. Schaeffer L.: VMOS, a Breakthrough in Power Mos/et Technology. AN 76-3. Siliconix,
Bernhausen.
5.5. Graeme J . D ., Gene E. T., Huelsman L. P.: Operational Amplif'1ers. New York, McGraw -
-Hill 1973, s. 61.
6.1. Hartel V.: Das Opto-Kochbuch. Freising. Texas Instrumenls 1975.

6.2. Optoelectronics Designer'.5 Catalog. Hewlett-Packard, Palo Alto, Frankfurt.
,.•.•.•.•·····
·······.--~=h"-'""•W•···· ···················
······················.-.-.
·.··················
···•.-.•
.•.•.••"'""·""·'-'"·""'"~· -,----,-· ·······
··············
··········
··········
············w.,•.•.w.'>w.,""" ........
.
LITERATURA 1001
6.3. Photoconductive Cell Application Design Handbook. Clairex, Mount Vernon, N. Y.
6.4. Camatini E.: Progress in Electro-Optics. New York, London, Plenum Press 1975.
6.5. Walter K. H.: Bin universeUer Ansteuerbaustei n fiir Fliissigkristal lanzeigen. Siemens Com-
ponents, 1981, 19, No. 5, s. 160-165.
7.1. Solomon J. E.: The Monolithic Op Arnp: A Tutorial Study. IEEE Journal of Solid-State
Circuits. 1974, 9, No. 6, s. 314-332.
7.2. Hammer! M.: CMOS - speziell fiir analoge ICs. Design & Elektronik, Oktober 1985, I
s. 131-134.
7.3. Blaesner W.: Operationsverstarker mit weitem Gleichtakt- und Ausgangsspanungsbereich.
Design & Elektronik, 28.4.1987, No. 9, s. 112-114.
7.4. Sheehan G ., Johnson J., Wilhelm T.: Software-Configured Family Boards Speed Testing.
Analog Dialogue, 1980, 14, No. 3, s. 8-13.
j
8.1. Shah A., Pellandini F., Birolini A.: Grundschaltungen mit Transistoren. Zurich, Ver!ag des
Akademischen Maschinen- und Elektro-Ingenieur-Vereins und der ETH 1972.
9.1. Whitesitt J. E.: Boolesche Algebra und ihre Anwendungen. Braunschweig, Vieweg 1964.
9.2. Blood W. R.: MECL-System Design Handbook. Motorola.
9.3. Scbaltzeichen, Digitale Informationsverarbeitung. D IN 40900, Teil 12. Berlin, Beuth.
9.4. Biirgel E.: Neue Normen und Schaltzeichen der digitalen Informationsverarbeitung. Miin -
chen, Franzis 1978.
9.5. Mann F. A.: Explanation of New Logic Symbols. Dallas, Texas Instruments .
9.6. Twaddell W.: The 80s Belong to CMOS. EDN, 1981, 26. No . 13. s. 89-100.
9.7. Karakotsios K., Wakeman L.: CMOS Support Logic Helps Build Unified, High-Speed
Systems. Electronics, 1981, 54, No. 25, s. 137-140.
9.8. Giloi W., Liebig H.: Logischer Entwurf digitaler Systeme. Berlin, Heidelberg, New York,
Springer 1980.
10.1. Kraft G. D., Toy W. N.: Mini/Microcomputer Hardware Design. Englewood Clifs, Prenti -
ce-Hall 1979, s. 87-91.
10.2. Schaltbeispiele. Handbuch. lntermetall, Freiburg 1967, s. 40.
10.3. Wendt S.: Entwurf komplexer Schaltwerke. Berlin, Heidelberg, New York ., Springer 1974.
10.4. Clare C. R.: Designing Logic Systems Using State Machines. New York. McGraw-Hill 1973.
11.1. Seitzer D .: Arbeitsspeicher fur Digitalrechner. Berlin, Heidelberg, New York, Springer 1975.
11.2. Huse H.: Speicberenwurfmit DRAM -Controllern. Design & Elektronik , 19.12.1986. H . 26,
s. 94-104.
11.3. Voldarn W.: Die Speicheransteuerung mit RAM-Controllern. Design & Elektronik,
27.5.1986, H. 11, s. 149-151.
11.4. Iversen W. R.: Dual-Port RAM Transfer Data More Efficiently. Electronics, 1982, 55, No.
20, s. 47-48.
11.5. Wyland, D.C.: Dual Port RAMs Simplify Cornmunications in Computer Systems. Ap-
plications Note AN-02 der Firma IDT.
11.6. Hallau, D.: Die vielfaltigen Anwendungsmoglichkeiten von FIFO-Speichern . Design & Ele-
ktronik, 9.6.1987, H. 12, S.109-114.
11.7. Evans M.: Nelson-Matrix Can Pin Down 2 Errors per Word. Electronics, 1982, 55, No.
20, s. 47-48.
11.8. Peterson W. W., Weldon E. J.: Error-Correction Codes. Cambridge, Mass., The MIT -Press
1972.
11.9. Berlekamp E. R.: Algebraic CodingTheory. New York, McGraw-Hill 1968.
11.10. Fleder K .: Schaltkreis zur Erkennung und Korrektur von Fehlern in Speichersystemen.
Applications-Bericbt der Firma Texas Instruments, 1984, EB I 61.
I 1.11. Landers G .: 5-Volt-Only EEPROM Mimics Static-RAM Timing. Electronics, 1982, 55,
No. 13, s. 127-130.
-=--w··• ····················wm
,-m- --=
1002 LITERATURA
11.12. Gupta A., Chiu T., Yound S.: 5 V-only EEPROM-Springboard for Autoprogrammable
Systems. Electronics. 1982. 55, No. 3, s. 121-125.
11.13. Orlando, R.: NOVRAM oder EPROM-welcher Speicher fiir welche Anwendung?, Design
& Elektonik, Oktober 1985, s. 62-68.
11.14. Voldan W.: Alles iiber PALs. Markt & Technik, 7.11.1986, H . 45, s. 324-332.
11.15. Agraval D., Mubarak F. : Elektrisch loschbare PLDs mit Eingangs -/Aus gangs - Makrozel-
len. Elektronik, 27.11.1987, H . 24, s. 66-74.
11.16. Wichmann B.: Doppel-Array mit programmierbaren AND- und OR-Feldern. Design
& Elektronik, 7.1.1988, H. l, s. 116,117.
11.17. Huber R.: Logic-Cell-Arrays, die programmierbaren Gate -Arrays. Design & Elektronik,
7.1.1988, H. l, s. 109-114.
12.1. Henry P.: JFET-lnput Amps are unrivaled for speed and accuracy. EDN, 14.5.1987, No.
10, s. 161-169.
12.2. Roberge J. K.: Operational Amplifiers. New York, London, Sydney, Toronto, J. Wiley
1975.
12.3. Hentschel C., Leitner A., Traub S., Schweikardt H., Eberle V.: Designing Bipolar Integ-
rated Circuits for a Pulse/Function Generator Family. Hewlett-Packard Journal, 1983, 34,
No. 6, s. 33-38.
12.4. Gilbert B.: A Monolithic Microsyslem for Analog Synthesis of Trigonomet ric Funclions
and Their lnverse . IEEE Journal of Solid State Circuits, 17, 1982, No. 6, I 179-1191.
12.5. Arnold W. F.: Analog Multiplier Compensates Jtself. Electronics, 1977, 50, No. 25, s. 130.
12.6. Wagner R.: Laser Trimming on the Wafer. Analog Dialogue, 1975, 9, No. 3, s. 3-5. No. 23,
s. 143-151.
12.7. Sheingold D. H. (Editor): Nonlinear Circuits Handbook. Analog Devices . Inc ., Norwood,
Mass. 1974, s. 289-294.
12.8. Tietze U .: Analogmulliplizierer mit isolierenden Kopplem. Elektronik, 1968, 17, No. 8,
s. 233-238.
12.9. Graeme J. G.: Applications of Operational Amplifiers. New York, McGraw-Hill 1973.
13.1. Schenk Ch.: Ein neues SchaUungskonzepl fiir eine bipolare, spannungsgesteuerte Prazi -
sions-Stromquelle. Nachrichtentechn. Z. 27, 1974, s. 102-104.
13.2. Tietze U., Schenk Ch.: Bipolar steuerbare Leistungsstromquelle mil Power-MOSFETs, Ele-
ktronikpraxi.s, 1981, 16, H. 10, s. 142-144.
13.3. Antoniou A.: 3-Terminal Gyrator Circuits Using Operalional Amplifiers. Electronics Let-
ters, 1968, 4. s. 591.
13.4. Schenk Ch .: Neue Schaltungen spannungsgesteuerter Stromquellen und ihre Anwendung in
elektronischen Y-Gyratoren, Dissertalion Universitat Erlangen-Niimberg, 1976.
13.5. Rollett J. M., Greenaway P. E .: Direct Coupled Active Circulators . Electronics Letters,
1968, 4, s. 579.
14.l. Ghausi M. S.: Principles and Design of Linear Active Circuits. New York, McGraw-Hill
1965, s. 84.
14.2. Weinberg L. : Network Analysis and Synthesi.s. New York, McGraw -Hill 1962, s. 494.
14 .3. Steffen P.: Die Pole auf der Ellipse. Elektronikpraxis, 1982, 17, H. 4. s. 16, 17.
14.4. Saal R.: Handhuch zum Filterentwurf Berlin, Elitera 1979.
14.5. Storch L.: Synthesis of Constant-Delay Ladder -Networks Using Bessel Polynomials. Proc.
!RE, 1954, 42, 1666.
14.6. Schaumann R.: A Low-Sensitivity , High-Frequency, Tunable Aclive Filler without Exter-
nal Capacitors. Proc. IEEE, Int. Syrop. on Circuits and Systems, 1974, s. 438.
14.7. Unbehauen R.: Synthese elektri.scher Netzwerke. Miinchen, Wien, R. Oldenbourg 1972.
14.8. Heinlein W. E., Homes W. H.: Active Filters for Integrated Circuits. Miinchen, Wien. R.
Oldenbourg 1974.
14.9. Lacanette K. : Univer sal Switched Capacitor Filler Lowers Part Count. EDN, 3.4.1986, No.
7, s. 139-147.
_ ..__ ,- ·.,·,···············
····· ···············
········
w····~·v·w wvw··· ····.w,.-'·.m ••.•.•.•.•··················· ································~ ,·-~=·,=====mmm-' ·=-
LITERATURA 1003
14.10. Cormier D.: Programmable Switched-Capacitor Filter ICs Cut Component Count in Man y
Filter Types . EDN, 26.6.1986, No . 13, s. 71-80.
14.11. Shear D.: Comparison Reveal the Pros and Cons of Designing with Switched-Capacilor
ICs . EDN, 25.6.1987, No. 13, s. 83-90.
15.1. Bo yd H.: Destroy Your Microwave Transistors. Electronic Design, 1967, 15, No. 20, s. 98.
15.2. Luckau H., Sellar D., Weil G.: lntegrierter Quarzoszillator Q 052. Bauteile Report der
Firma Siemens, 1976, 14, H. 5, s. 162- 166.
15.3. Blood W. R .: MECL -System Design Handhook . Motorola. 3 ed ., 1980, s. 216-224.
15.4. Riedel R., Vyduna J ., Crume B.: Funklion Generator Lets User Build Waveforms of Vary-
ing Shape. Electronics, 1982, 55, No. 9, s. 143-147.
15.5. Riedel R. J., Danielson D. D.: The Dual Function Generator: A Source of a Wid e Variety
of Test Signals. Heivlet1-Packard Journal, 1975, 26, No. 7, s. 18-24.
15.6. Clayton G. B.: Voltage-Controlled Ampli.fier Phase-Adjus ts Wave Generator. Electronics,
1979, 52, No . 3, s. 118.
15.7. Smith J. I.: Modern Operational Circuit Design. New York, Wiley-Interscience 1971.
16.l. Miiller R.: Bauelemente der Halbleiter -Elektronik. Halhleiter-Elektronik. Bd. 2, Hrsg. v. W.
Heywang u. R. Miiller. Berlin, Heidelberg, New York, Springer 1973.
16.2. Cherry E. M. , Hooper D. E.: The Desing of Wide-Band Transistor Feedback Amp!ifiers .
Proc. !EE , 1963, 110, s. 375-389.
16.3. De Vilbiss A. J.: A Wideband Oscillo scope Amplifier. Hewlett-Packard Journal. 1970, 21.
No. 15, s. 11-14.
16.4. NN: A New Approach to Op Amp Design. Applications Note 300-1 der Firma Comlinear.
16.5. Biebel H.: Hohere Bandbreite mit Strom -Riick.kopplungs-Ver stiirkem. Elektronik 36,
23.12.1987, No. 26, s. 106-110.
16.6. Hansford, A.: Use of Transimpedance Amplifiers Minintizes Design Tradeoffs . EDN, l
26.11.1987 , No. 24, s. 205-214.
16.7. Williams J .: Composite Ampli.fiers Yield HighSpeed and Low Offset. EDN, 22.1.1987, No.
2, s. 137-150.
17.l. Chessman M., Sokal N. : Prevent Emitter -Follower Oscillation. Electronic Design, 1976, 24,
No. 13, s. 110-113.
18.1. Kiihn R .: Der Kleintransformator. Prien, C . F. Winter 1964.

18.2. Hanncke W.: Kleintransformatoren und Eisenkerndrosseln. Wiirzburg, Vogel 1970.
18.3. Koellner R.: Netzteilberechnung in Basic. Funkschau, 1981, 53, No . 6, s. 93-95.
18.4. Koch E.: Integrierter Leistungs-Span nungsregler ist einstellbar und kurzschluilfest. E lektro-
nik. 1977, 26, H. Il , s. 71-73.
18.5. Widlar R. J.: New Deve!opments in IC Voltage Regulators. IEEE Journal of Solid -State
Circuits, 1971, 6, No. l, s. 2-7.
18.6. Nelson C. T.: Supermatched Bipolar T ransistors Improve DC and AC Designs. ED N,
1980, 25, No. !, s. 115-120.
18.7. McDermoll J.: Ullraprecision IC Vollage References Serve Varied Circui l Needs. EDN,
1981, 26, No . 8, s. 61-74.
18.8. Knapp R .: Selection Criteria Assist in Choice of Optimum Reference . EDN, 18.2.1988, No.
4, s. 183-192.
18.9. Bingham D.: CMOS Makes Voltage Converter a Paragon of Efficiency. Electronics, 1980,
53, No. 20, s. 141-146.
18.10. Kohlrausch F.: Praktische Physik, Bd . 2. Stultgarl, Teubner 1968.
18.11. SchaltnetzteiJe mit Sipmos-Leistungst ransisto ren. Auszug aus den „Schaltbeispe len
1982/83" Siemens .
18.12. Power Mos.fet Gate Drive ldeas. Application Bulletin , 1980, 32, Hewlett-Packa rd .
.................
.,.,•,•,•,•,•,•,•,•,
•,•...............
, ................
,.,.
,.,.,.,.,.,.,.,.,.,.,
,.,.,.,.,
.,..,.,.
,..,............
..
1004 LITERATURA
18.13. A 300 Watt, 100 kHz , Off-line Switch Mode Power Supply. Application Note 977, 1980,
Hewlett-Packard.
18.14 Rischmiiller K.: Hochvolttransistoren ais Cbopper. Technische Jnformation. No. 40. Thom-
son.
18.15. Shaughnessy W. J.: LC-Snubber Networks Cut Switcber Power Losses. EDN, I 980, 25,
No. 23, s. 175-180.
18.16. Wiistehube J. : Schaltnetzteile. Grafenau, Expert 1982.
19.1. Ware F., McAJJister W.: CMOS Chip Set Streamlines Floating Point Processing. Elect-
ronics, 1982, 55, No. 3, s. 149-152.
19.2. Spaniel, O.: Arithmetik in Rechenanlagen . Stuttgart: Teubner 1976.
19.3. Bucklen W., Eldon J., Schirm L., WiJliams F.: Single-Chip Digital Mullipliers Form Basic
DSP Building Blocks. EDN , 1981, 26, No. 7, s. 153-163.
19.4. Schmid H.: Decimal Computation. New York, London , Sydney, Toronto, J. Wiley 1981.
I 9.5. Flores I.: The Logic of Computer Arithmetic. Englewood CliITs,N. J., Prentice- Hall 1963.
19.6. Peatman J. B.: Projektowanie systemów cyfrowych. Warszawa, WNT 1976.
19.7. Barna A., Porat D . I.: Integrated Circuits in Digital Electronics. New York, London, Syd-
ney, Toronto, J. Wiley 1973.
19.8. Hwang K.: Computer Arithmetik. New York, Lond on, Sydney, Toronto, J. Wiley 1979.
20.l. Klein M .: Software-Entwurfstecbniken. Elektro nikpraxl~, 1980, 15, H. I, s. 8-11.

20.2. Datlon W. F.: Design Microcomp uter Software Like Other Systems - Systematically. Elect-
ronics, 1978, 51, No . 2, s. 97-101.
20.3. Zscbocke J.: Mikrocomputer - A ufbau und Amvendungen. Braunschweig. Wiesbaden, Vie-
weg 1982.
20.4. Bonzon M., Queyssac D., Schneider K.: Mikroprozessoren: Aufba u und Arheitsweise.
Motorola .
20.5. M 6800-Mikroprozes sor Programmierhandhuch. Mo torola.
20.6. M 6800-Mikroprozesso r Applications Motorola.
20.7. Leventhal L. A.: 6800-Programmieren in Assembler. Miinchen , te-wi VerJag 1978.
21.1. Cushman R . H .: Dyte-Wide-Memor y Standard Gains Adherents as Designers Discover its

Advantages. EDN , 1982, 27, No . 15, s. 53-58.
21.2. Hutcheson R.: Understanding PIA Operation Increases Your Design Options. EDN, 1980,
25, No . 18, s. 175-184.
21.3. Deutsche Normen: Informationsve rarbeitung: 7-Bit-Code. DIN 66003. Berlin, Koln,
Beuth.
21.4. Weissberger A. J.: Upgrade Data Communications with an RS-449 Interface . EDN, 1982,
27, No. 4, s. I 67-176.
21.5. Laws D. A., Levy R. J.: Use of the Quad Driver/ Receiver Family in EIA RS-422 and 423
Applicatio ns. Application-Note AMD.
21.6. Fenger, C.; Muhlemann, K.: High-Resolution LCD Panels Change Demands on Driver
Electronics. EDN, 14.4.1988, No . 8, s. 157-162.
21.1. Technisches Pflichtenheft. Richtlinien fiir die Messung der Pflicbtenheftsbedingungen an
Videogeraten. No. 8/1.1. Miinchen, Institut fiir Rundfunktechnik 1981.
21.8. Schonfelder H. : Fernsehtechnik. Darmstadt, Justus von Liebig.
21.9. CRTC Design and Applications Application -Note AN 8. Synertek.
21.10. Bresenham J . E.: Algorithm for Compuler Control of a Digital Plotter . IBM System Jou-
rnal, 1965, 4, No. 1, s. 25-30.
21.11. Lambinet P.: Basic Routines fo r Graphic Display Processors. Application-Note NA - 028
A Tbomso n-Efcis.
21.12. Amazeen B., Holloway P., Mercer D.: MonoJithlc DA Converter Operates on a Single
Supply. Electronics, 1980, 53, No. 5, s. 125-131.
LITERATURA 1005
2l.13. M 6800-Mikroprozessor Applications Motorola. Handbuch der Firma Motorola.
22.1. Frenzel D.: CMOS-Schalter und -Multiplexer ohne Latch up-EffekL Elek tronik, 1978, 27,
No. 1, s. 57-60.
22.2. Mutto A. S., Peetz B. E., Rehner R. C.: Designing a Ten-Bit, Twenty-Megasamples-
·per-Second Analog-to-Digital Converter System . HewleU-Packard Journal, 1982, 33,
No. 11, s. 9-20.
22.3. Gillooly D . L., Henneuse P: Multifunction Chip Plays Many Parts in Analog Design.
Electronics, 1981, 54, No. 7, s. 121-129.
22.4. Pease R. A.: Understand Capacitor Soakage to Optimize Analog Systems. EDN, 1982, 27,
No. 20, s. 125-129.
23.1. McGuire P. L.: Digi tal Pulses Synthesize Audio Sine Wave. Electronics, 1975, 48, No. 20,
s. 104,105.
23.2. Yuen M .: DA Converter's Low-Glitch Design Lowers Parts Count in Graphic Displays.
Electronics, 1979, 52, No . 16, s. 131-135.
23.3. Seiter D., Pretzl G., Hamdy N.: Electronic Analog-to-Digital Converters. Chichester, New
York, Brisbane, Toronto, Singapore, J. Wiley 1983.
23.4. Lammert M ., Olsen R.: 1 µm Process Shrinks and Speeds up Flash Converter. Electronics,
1982, 55, No. 9, s. 135-137.
23.5. Bolm, E.D.: Dynamie Testing Describes Behavior of High-Frequency ADCs. EDN,
14.4.1988, No. 8, s. 215-222.
23.6. Pratt W. J.: High Linearity and Video Speed Come Together in AD Converters. Elect -
ronics, 1980, 53, No . 22, s. 167-170.
23.7. Little A., Burnett B.: S/H Amp-ADC Matrimony Provides Accurate Sampling. EDN,
4.2.1988, No. 3, s. 153-166.
23.8. Jones L. T., James J . R., Clark C. A.: Precision DVM has Wide Dynamie Range and High
System Speed. Hewlett -Packard Journal, 1981, 32, No. 4, s. 23-3L
23.9. Hnatek E. R.: scalone monolityczne i hybrydowe. Poradnik Warszawa,
WNT 1978.
23.10. Loriferne B.: Analog -Digital and Digital-Analog Conversion. London, Philadelphia , Rheine,
Heyden 1982.
23.11. Zander H.: Analog-Digital-Wandler in der Praxis. Markt und Technik, 1983.
24.1. Unbehauen, R.: Systemtheorie. Miinchen, Wien: R. Oldenburg 1983.

24.2. Pohlmann, K.C.: Principles of Digital Audio. Howard W. Sams & Co ., Indianapolis 1986
24.3. Schonfelder H.: Digitale Filter in der Video-Technik . Berlin, Drei -R -Ver]ag 1988.
24.4. Azizi S.A.: Entwurf und Realisierung Digitaler Filter. Miinchen, Wien, R. Oldenbourg 1983.
24.5. Bucklen W., Bidon J., Schirm L., Williams F.: Digital Processing Facilitates Signal Analy-
sis. EDN 26 (1981) H . 8, s. 133-146.
24.6. Windsor B., Toldalagi P.: Simplify FIR-Filter Design with a Cookbook Approach. EDN,
3.3.1983, s. 119-128.
24.7. SchiiBler, W .: Eigenschaften und Entwurf digitaler Filter. NTZ, 24 (1971) H. 6, s. 289-352.
24.8. Programs for Digital Signal Processing . Edited by the Digital Signal Processing Committee
IEEE ASSP. New York.: IEEE Press 1979.
24.9. Cushman R.H.: DSP-Filter Software OJiers Design Help to Novices. EDN, 10.7.1986,
s. 152-162.
24.10. Texas Instruments: Digital Filter Design Package . Program do projektowania filtrów
w PC/DOS lub VAX/VMS.
24.11. Jackson L. B.: Digital Filters and Signal Processing. Boston, Dordrecht, Lancaster: KJuwer
1986.
24.12. Bose N. K.: Digital Filters, Theory and Applications . New York, Amsterdam, North-Hol-
land 1985.
1006 LITERATURA
24.13. Haight J. D.: Simplify FIR-Filter Design with a CMOS Filter-Control Chip. EDN,
6.8.1987, s. 157-164.
24.14. Friedlander B.; Por at B.: The Modified Yule-Walker Method of ARMA Spectra! Estima-
tion. IEEE Transactions on Aerospace Electronic Systems. AES-20 (1984), No. 2, s. 158-173.
24.15. Yassaie H.: Digital Filtering with the IMS A 100. Applicalion Note 1 der Firma Inmos,
Bristol, 1986.
24.16. Jonuscheit H.; Kapust, R.; Goring, H.D .: Aufwand bei Digitalfiltern gesenkt. Halbbandfil-
ter-Struklur reduziert Zahl der Rechenoperationen. Elektronik, 22.7.1988, H. 15, s. 82-84.
25.1. Grandi P.: Was ist ein Trennverstiirker. Elektronikpraxis, 1982, 17 No. 2, s. 29- 34.
25.2. Morong B.: Isolator Stretches the Bandwidth of two-Transformer Design. Elec tronics,
1980, 53, No. 15, s. 151-158.
25.3. Counls L., Kitchin Ch., Jung W.: Low-Cost RMS/DC ICs Upgrade AC Measurem ents.
EDN, 1982, 27, No. 2, s. 101-112.
25.4. Buchana R . M.: Match True-RMS D etection to Accuracy, Cost Requirements. EDN, 1982,
27, No. 1, s. 139-142.
25.5. Ott W. E.: A New Technique ofThermal RMS Measurement. IEEE Journal of Solid-State
Circuits, 1974, 9, No. 6, s. 374-380.
25.6. Williams J.: Thermal-Tracking JC Converts RMS to DC . EDN, 19.2.1987,No. 4, s. 137-151.
25.7. Koeppe W., Peters E.G., Schroder D .: Spitzenwertmessung mit Track & Hold-Verstarkem.
Design & Elektronik. 8.7.1986, H. 14, s. 75-79.
26.1. Hencke H.: Lasergetrimmte Temperatursensoren fiir Messungen von -40 bis + 150°C.
Design & Elektronik, 20.1.1987, H. 2, s. 69-73.
26.2. Wetzel K.: Der HeiBleiter ais Temperatursensor. Design & Elektronik, 15.4.1986, H.
8., s. 83-85.
26.3. Timko M., Suttler G.: Temperature -to-Current Transducer. Analog Dialogue 12 (1978),
Nr 1, s. 3-5.
26.4. Williams, J.: Clever Techniques Impro ve Thermocouple Measurement s. EDN, 26.5.1988,
No. 11, s. 145-160.
26.5. Ehler G., Nagy G.: Silizium-Ducksensoren. Elektronikpraxis 18 (1983) H. 9, s. 30-33.
26.6. Werner F.: Absolutdrucksensoren. lndust rieelektrik und Elektronik (1986) H. 7, s. 24,25.
26.7. Werner F.: Signalaufbereitung fiir moderne temperalurkompensierte Drucksensoren.
Markt & Technik (1986) H. 37, s. 74-78.
26.8. Sherman L.H.: Sensors and Conditioning Circuits Simplify Humidity Measurement. EDN
30, 16.5.1985, No. 12, s. 179-188.
26.9. N.N.: Sensor zur Messung der relativen Luftfeuchte. Valvo: Technische Information. TI
790423.
26.10. Williams J.: Monolithic CMOS-Switch IC Suits Diverse Applications. EDN 29 (1984), No.
21, s. 183-194.
26.11. Schiltz J.M., Weiss W.O.: Intelligenz im Me.Bwandler. Elektronik 18 (1985) H. 18, s. 69-73.
26.12. Bier! L., Brenninger H., Diewald H.: Sensor & Systems, T SS 400 Application Report.
Druckschrift der Firma Texas lnstrurnents, Freising.
27.1. Oppelt W.: Kleines Handbuch technischer Regelvorgiinge. WeinheimjBergstra.Be, Verlag

Chemie 1972.
27.2. Schlilt H.: Regelungstechnik in Verfahrenstechnik und Chemie. Wiirzburg, Vogel 1978.
27.3. Warnkross V.: Schneller Phasen-und Frequenzdetektor. Elektronik, 1979, 28, 21, s. 85,86.
27.4. Breeze E. G.: High Frequency Digital PLL Synthesizer. firmowe firmy Fairchild .
27.5. Best R .: Theorie und Anwendung des Phase-locked Loops. Stuttgart, AT-Fachverlag 1982.
27.6. Gardner F. M.: Phaselock Techniques. New York, London, Sydney, J. Wiley 1966.
27.7. Greenshields D.: Einsatz eines Video-Taktgenerators. Design & Elektronik, 24.5.1988,
H. 11, s. 91-98.
LITERATURA 1007
fi
~filllll!!'.S --111
Adres przerwania 666- 668 bufor 224

adresowanie 651-654, 661-665 - dwukierunkowy 688
- 651-652 - trójstanowy 688
- indeksowe 652
- natychmiastowe 653 podwój ne 803-805
- 651-652 charakterystyka diody 40-42
- skrócone 652 - bramki 186, 229
- 661 - - tranzystora 47, 756
akumulator 650-655, 662 - - wzmacniacza 89-90
ALU 636 - tranzystora 49
amperom ierz nieuziemiony 878 - tranzy stora 47, 52
analizator widma 898 charakt erystyki tran zystora polowego 102
anoda 40 kryszlal 130
aproksymacja odcinkowa 362 CPU 647
asembler 670-671 -, karta 687- 692
cyrkulator 41 l
Bajt 291, 619 czas akwizycji 762
baza 46 - 693-694
BCD, konwersja binarna 620-626 - magazynowania 43, 187- 188
bikwad 477 - naras tania 29, 187, 418
bit 612-61 7 - opadania 187
- 308 - 187, 418
chwilowy 308 - propagacji bramki 188
- kwanty zacji 788 - 187, 747
- 784 - zapisu 693-694
- regulacji 952 !1"512
- statyczny 956 - graniczna 26, 29
- 308 - - transkonduktancji 514
bod 705 - - rx514
Boole'a algebra 215 - - - p 512
bootstrap 867 - - znorma lizowana 415
bramka 101 - krytyczna 164, 954
- AND 218 - próbkowania 808, 810
- CMOS 235, 238 - rezonansowa 35, 39
- DTL 226
- ECL 232 Decybel 22
- logiczna 218, 225 dekoder 246
- mocy 224 - BCD/siedmiosegmentowy 135, 729- 731
- NMOS 240 - priorytetowy 249, 791-792
- OR 218 dekodowanie 679, 681
- RTL 225 - 679
- transmisyjna 238 demodulacja FM 973
- TTL 227 demultiplekser 246
1008 SKOROWIDZ
detektor fazy 968-969, 971,974,976 filtr transwersalny 822
dioda 40 - t~rpu podwójne T 37
- elektroluminescencyjna 128 - - - - aktywny 459
- 43 - uniwersalny, regulowany 467
- 44 - wszechprzepustowy 461
- polowa 113 - z mo stkiem Wiena-Robinsona 460
- referencyjna 583 - z 473
- Schottky'ego 43 - zaporowy 457
- Zenera 43 - - regulowany 467
588 format transmisji 704
DMA 722 fotodioda 125
39 fotometria 121
- bieguna 436 -, jednostki 121- 123
- lillru 449 foton 121
- obwodu rezonansowego 39 fotorezystor 24
dopasowanie mocy 537 fototranzystor 127
drabinka rezystancyjna 771 - 773 funkcja logiczna 215
- - do dekad 774 - 223
dren 101 - 361
drgania 164, 243, 526 - przenoszenia 414
dryft 143 - - cyfrowego 814
- 143 - 223
- 143 - schodkowa 809
dysjunkcja 215
dzielnik 260, 263 Generator Colpittsa 487, 495
- skompensowan y 33 - funkcji 355, 359, 361, 780
- - sinus 362, 642, 780
Edytor 670 - funkcyjny 504
EEPROM 319-321 , 681 - HarUeya 486, 495
element 814, 969 - impulsów 195, 197,201 ,209
eliminacja styków 276 - 277, 690 - kwarcowy 490
emiter 46 - LC 483,488
emulator 672 - Meissnera 485
EPROM 316 - 318, 670,672,679,681,684,696 - Pierce'a 492-493
Eulera wzór 20 - RC 496,501
- 486
Fala elektromagnetyczna 121 - Wiena-Bobinsona 496
falownik 600 - znaków 138
FIFO 305-308 widmowa mocy szumów 96
lillr aktywny 414 graf 282, 975
- - o regulowanych parametrach 469 - 354
- Bessela 425
- Butterwortha dolnoprzepustowy 416, 418 Hazard 276
- - pasmowoprzepustowy 451 histereza 193, 205, 207
- Cauera 425 Iloczyn galwaniczny 230
- cyfrowy 807 impedancja 21, 406
- - FIR 822 - falowa 243
- - JIR 844 implantacja jonów 240
- dolnoprzepustowy aktywny 441 -444 impuls Diraca 809
- - bierny 25 - 254, 260
- - cyfrowy 816 409
- - Czebyszewa 421 INIC 404
I
- górnoprzepustowy bierny 30 integrator 343
- pasmowoprzepustowy bierny 34 - 343
- poprzeczny 822 - 349
- 420 - se 474
- 837 - 348
- RLC 440, 454, 459 interfejs IEC 714
- SC 473 - 698 - 701
SKOROWIDZ 1009
li
interfejs szeregowy 702- 707 LCA 291,321
- wizyjny 739 liczba dwójkowa z 616
- 729 - 617
inwerter 185 - zmiennopozycyjna 617
izolacja galwaniczna 607, 875, 942 licznik asynchroniczny 262, 270
- BCD asynchroniczny 270
Kalibracja 943, 948 - - synchroniczny 272
101 - dwójkowy 261
kandela 122 - - asynchroniczny 262
kaskoda 516 - - synchroniczny 263
katoda 40 - asynchroniczny 270
121
- - synchroniczny 272
Kirchchotra prawa 19 - 20 - w przód 266
klasa pracy wzmacniacza 538- 539, 541 - - w 266
klucz analogowy 474 - modulo m 273
- CMOS 750 - nastawny 273
- diodowy 752 - programowany 273
- elektroniczny 748 - rewersyjny 266
- 747 - rozkazów 649
- szeregowy 747 - synchroniczny 263, 272
- tranzystorowy 754 - - z 273
kod ASCII 707 LIFO 665
- BCD 613 linia paskowa 243
- binarny 612, 616 lista rozkazów 655
- Hamminga 309 logarytm 335
- heksadecymalny 613, 650 logika 217, 225
- maszynowy 651
- mnemoniczny 653 712
- ósemkowy 613
kolektor 46 Macierz 51
-, otwarty 229-230, 248 magistrala 647 -649, 687
komórka 190, 253 - adresowa 647
komparator analogowy 203 - danych 648
- cyfrowy 628 - 630 - IEC-625 715
- 203 - 648
- okienkowy 204 - 649
- 628 makrokomórka 325- 326
kompensacja fazy 166 makrostan 289
- indukcyjna 520 margines fazy 164
- temperaturowa 80, 85 masa pozorna 156
- wyprzedzeniowa 173 maska 667
kondensator zbiorczy 562 matryca 321, 736
konduktancja przenoszenia wstecz 50 - punktowa 137
koniunkcja 215 miernik szczytowej 890
konsolidator 670 - wektora 386
kontrola 308 mikrokomputer 647 -668, 678-687
konwerter impedancyjny 404 mikroprocesor 649-668, 673- 678, 687
- 589 mikroprogram 649
- 954 moc strat 52-54, 608
- 595 modem 709, 780
- 589, 600 modulacja 876
- 589, 599 - 198, 212, 503, 508
korekcja 308 modulator 508, 592
- charakterystyki 163, 165, monitor, program 669
169 mostek diodowy 563, 753
- fazy 166 - Wiena - Robinsona 36
- zera, automatyczna 178 MROM 291
korelacja wzajemna 845 multiplekser 247, 626, 750
kwant 123 - analogowy 748
1010 SKOROWIDZ
multiwibrator 189, 195, 201 694
- o modulowanej 212 - RAM CM OS 298, 679
- z Schmitta 209 - ROM programowalna 313
- ze emiterowym 197 - (ROM, EPROM) 292-293, 313
- wirtualna 677
Nadmiar 636, 660 parametry czwórnikowe 51
baza· emiter 67 - fillru, sterowane 467, 469, 471
- -, temperaturowy 67 - graniczne 52, 107
- Early'ego 48 - 48, 103
- kolana 105 308
- nasycenia 47, 105 piksel 739
- l 04 PLA 291, 321-324
- odniesienia 581, 583 PLD 291, 321-324, 327
- progowe 104 PLL 494,966
- przewodzenia 41 103
- -, temperaturowy 42 podprogram 664-666
- resztkowe 753, 755 podwajacz 499
- 568 106
- stabilizacji 43 - dyfuzyjna 513
- szumów 96 - kolektor-baza 513
- 565 - 515
602 - 291
122 - warstwy zaporowej 44-45
negacja 215-216 pole wzmocnienia 146, 513
NIC 404 pomiar amplitudy 892
notacja 250 - - chwilowej 890
- 920
224 - 866
NDMOS 240 - 878
- 173 - temperatury 902
obiekt astatyczny 967 - skutecznej 884
- nieliniowy dynamicznie 964 - 933
- - statycznie 963 normalna sumy 218
- regulacji 952 elektrokinetyczny 41, 355, 584
obszar pracy, dopuszczalny 54 powielacz 977
obudowa tranzystora, rodzaje 53 - 54 poziom H l 85, 215, 217, 224, 225
obwód regulacji 963 - 964 - L 185,215,2 17, 224-225
- rezonansowy 38 - 193, 205, 207
odbicie 243 - wyzwalania 208-209
odbiornik linii 245 630
na 186 prawo de Morgana 216
skokowa 28, 32 - 20
odpytywanie szeregowe 721 - 215
298 - 300 - 216
ograniczenie 570 - 572, 578 - 579 - 215
grupowe 464 - 216
oprogramowanie 671 ciemny 127
- 147
PAL 291, 325-326 - szumów 100
291, 647 - 648 prefetch 676
- dwubramowa 302
procesor arytmentyczny 725 - 729
- dyskowa 647
- zmiennopozycyjny 725
- EEPROM 319
- - typu flash 319 program maszynowy 670
- EPROM 316 - 670
- FIFO 305 prostownik 562 - 563
- o swobodnym (RAM) 292 - 293 - dwupolówkowy 563, 567, 880
- 676 - - - szerokopasmowy 884
- PROM 313 - - z uziemionym 881
--, ·~, . " •.wu...-...-u.·.····
·········•···•·•w•
················
········- -- -- ··--·············"'"""" =- ,wm .•.•.•,•,•,s•.w.w .•.wN.v.wuu .·.·.·u.·.·····
······...-...-
.·.···•
·c.-
,•w •wwrn •• •
SKOROWIDZ 1011
I'
prostownik 895 rezonat or kwarcowy 490

- 562 rezystancja dynam iczna 18, 77
- mostkowy 563 - rezonanso wa 39
- - z symetrycznym 565 - rozproszona bazy 513
- synchroniczny 893 - 18
- - jako filtr 898 - statyczna 18, 77
próbkowanie 807 - termiczna 53
- nadmiarowe 807 - 49, 58, 64, 66, 71, 73-74, 82, 101,
przebicie lawinowe 44 108, 112, 406
- drugie 52 - - 85, 88, 91, 116
dualne czwórnika 410 - - wspólna 85, 88, 116
przeniesienie 632 - 18, 77, 113
przerwanie prog ramowe 666-667, 720 - 722 - - ujemna 405, 909
przerzutnik D 255 - 48, 58, 66, 73, 75, 78, 83, 108, 122
- - wyzwalany zboczem 258 - 259 4 I3
- JK ze strobowaniem 260 rozkaz 650-654
- kluczowany 254 - bezwarunkowy 660
- master-slave 256 - programu 664
- RS 190,254 - skoku 660
- Schmitta 191, 196, 205 - warunkowy 662
- T 259 biegunów 169
- wielofunkcyjny 261 w szereg 61, 90, 355, 365
przetwornica 588 równanie 484
przetwornik A/C 785
- - kompensacyjny 800 Schemat Giacoletto 513
- - z podwójnym 803 - - 60
- - z pojedynczym 802 selekcja 293
- AC/DC 880 sensory, wzorcowanie 943
- C/A 768-769 sensoryka 899
- - bipolarny 774 skok bezwarunkowy 660
- - 779 - do podprogramu 664
- - 779 - warunkowy 662
- - 779 243
- impedancji 388, 404, 866 SOA 55,570
- - 508 123, 536, 538 -539
- - 390, 878 galwaniczne 75, 157
- termiczny 888 - zwrotne dodatnie 149, 189- 190, 196,205,207
pseudotetrada 621 - - ujemne 62, 64, 148, 952
-, korekcja 622 stabilistor 43
punkt pracy 48, 66, 486 stabilizacja 568, 587, 597
- rosy 933 stabilizator impulsowy z kluczowaniem po pie-
rwotnej stronie transformatora 587
Radiator 54 - - - - po wtórnej stronie transformatora 588
RAM 293, 647, 695 - 696 - 569, 572, 575, 577, 579
regulator elektroniczny 952 - o spadku 573
- P 953 - 577
- PI 956 - szeregowy 568
- PlD 958 czasowa 27, 31
- - nasta'Wny 961 - operacyjna 377, 382
rejestr adresowy 674 - 675 standard notacji zmiennopozycyjnej 618
- indeksowy 650 stan Z 231
- 274 sterowanie multipleksowe 139, 731, 743
- - dwukierunkowy 275 struktura potokowa 819
- - kombinacyjny 626 suma galwaniczna 230, 234
- - z 275 sumator 337, 630
- - z wykorzystaniem RAM 303 - analogo wy 337 - 338
- znaczn ików 650, 660 - cyfrowy 630
rezonans 38-39, 491 - - dla dowolnego znaku 635 - 636
- szeregowy 38-39, 491 wizyjny, zespolony 734
1012 SKOROWIDZ
symetryzacja 576 tranzystor polowy jako klucz 749
synchroniza~ja 702 - - - rezystor sterowany 118
system, uruchomieni 669, 671 - - z 101
szereg Fouriera 28 - - 103
pasma 39, 169, 378 -, diodowy schemat 46
- -, 171 -, diodowe 81
- -, 172 twierdzenie o próbkowaniu 808
- - zabronionego 583 - 584 tyrystor 237
- -, znormalizowana 457
szum 96 antykoincydencyjny 268
szumowy schemat 97 - 28, 343
zmian na 170, 203, - czteroprzewodowy 939
558, 964 - Darlingtona 82
- transmisji 705 - - komplementarny 83, 544
- - z tranzystorami przeciwstawnymi 83
- 372, 378, 383
122
- kluczowania impulsów zegarowych, synchro-
niczny 281
Tablica funkcji 218 - kombinacyjny 245
- Karnaugha 220-221 - 355
- prawdy 218,623, 629-631 - logiczny 224-240
- programu 315 - - o na 227
technika SC 474, 873, 937 - - ze emiterowym 232
technologia BiFET 162 - analogowy 372-384
- BiMOS 162 - - cyfrowy 638
temperatura obudowy 53 - - transkonduktancyjny 372
- 52 - 338, 342
termistor 900, 903 - 904, 910 - 462, 814-816
- o dodatnim temperaturowym - peryferyjny 648
.. 903
- o ujemnym temperaturowym
-
- 361
analogowy 383
903,910 - 762, 785, 790, 807,
TIM 170 968
krytyczne 415 - 33, 349
transformacja biliniowa 848 - RC 32
- charakterystyk i filtru 437, - sterowania optycznego 131- 140
448, 457 - totem pole 228, 606
- Fouriera 81 I - trójprzwodowy 938
transformator sieciowy 560 - 28
- wielkiej 601 - ze 72
- z rdzeniem 561 - - - 112
- - - 561 - - drenem 112
transko ndukt ancja 48, 94-95 - - - emiterem 56
- tranzystora ze zwrotnym 64 - - - kolektorem 73
- 513 - - - 108
- zespolona 514 logiczne podstawowe 215
transmisja danych 702- 705, 708-719 - - CMOS 235
- - szeregowa 702- 705 - - DTL 226
- w asymetrycznym 713 - - ECL 232
- - - - czteroprzewod owym 939 - - HLL 227
- - - - symetrycznym 713 - - NMOS 239
- - - - trójprzewodowym 938 - - RTL 225
- - ze galwanicznym 938 - - TTL 227
- - z 942 - pomiarowe 866
- 942 - analogowe operacje matematycz-
transoptor 129 ne 337
tranzystor bipolarn y 46, 94, 583 - 560
- MOS 101 binarny 617, 642
- polowy 101 UNIC404
SKOROWIDZ 1013
uniwibrator 193, 200, 212 wtórnik 80 115
- cyfrowy 279 - 112 '
- z podtrzymaniem 213 trójsta nowe 231
- - licznikiem 279 - z aktualnym stanem niskim 230
do dwóch 614, 635 - - - - wysokim 234
heksadecymalny 136 729
VCO 966 wzmacniacz 875 '
chwilowa 23, 892 - 71
- skuteczna 884 - mocy 536
- szczytowa 502, 890 892 - - szerokopasmowy 556
- 152
- arytmetyczr°ia 28
- 155
- - kwadratowa 885
- operacyjny 141, 178
- - 884
- - z tranzystorami polowymi 162
warunek amplitudy 164, 483
- - szerokop asmowy 527, 532
- fazy 164, 483
- generacji 483 - - - o dwóch 531
- 895 - 342, 868, 925
- 347 - - z 873
- 283 - 84, 517-58, 757
- 164 - - z tranzystorami polowymi 116
142 - - szerokopasmowy 517
- 142 - przec!wsobny 523, 538, 546, 552, 558
- przewania 666 - trans1Il1pedansyjny 529, 533
647, 699 - transkonduktancyjny 357, 758
143 - ze 529 533
polaryzacji 147 wzmocnienie logiczne 187, 224 '
- z 142
- - 147
wektor stanu 282 - 283 - robocze 59
odsienienia 952 - zespolone 145
powietrza 933 - 934 wzorcowanie 943, 948
alfanumeryczny 137 - wspomagane komputerowo 948
- sensorów 943
- binarny 131
- matrycowy 138
- siedmiosegmentowy 137, 729-732 Zakres zaskoku 971
- stosu 664 zasilacz 560
- ze 133 - impulsowy 586
- laboratoryjny 578
- - punktem 133
886 zatrzask 255
zatrzaskiwa nie 238
- zwrotnego 50
- zwrotnego 149 zerowanie 160, 178, 381, 805
- stabilizacji 568 zmienna stanu 282
- generowana 632
- szczytu 885
451
- szumów 97
- wspólnego 87, 144 - intermodulacyjne 170
- - zmian zasilania 143 101
- 508 - 18
- wzmoc,nienia 57-60 - odniesienia 581
- - 49 - - o ujemnej rezystancj i 406
- - 86 - - sterowane 388
- - - wspólnego 86, 144 - - - 390
- harmonicznej 61 - 17, 76, 113
biegunowe 384-386 - - z tranzystorem polowym 113
- 384-386 - - nieuziemione 402
wtórnik erniterowy 73, 536 - - sterowane 391
- - komplementarny 536-540 - - - 403
- 152 - sterowane 388
- - przeciwsobny 525, 546
- - szerokopasmowy 524 407
1014 • •••••• ••••••W•W.w . .•.•·" '" " . , ....... --v~" V " ••·••••··•·" ·'"·····"" " _ ,,__ _ .. v .... •....,.,................•.. m ...•.•.•..

U. Tietze, C. Schenk - UkÅ Ady Poì Å Przewodnikowe ELp (Skompresowany) (Skompresowany)

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

U. Tietze, C. Schenk - UkÅ Ady Poì Å Przewodnikowe ELp (Skompresowany) (Skompresowany)

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Ulrich T1e11e

Elektronika niepowstrzymanie wkracza do coraz nowszych dziedzin nauki i te-

serdecznie gronu Czytelników i Kolegów za liczne wskazów-

Erlangen i Monachium U. Tietze, Ch. Schenk

,~: ( ,.,,'·."., ~;,X•

2. Binarne obwody RC i RLC ...:........... ........ .................. ..... ...... 25

3. Diody..... ................... ......... ....... ....... ............ .......................... . 40

5. Tranzystory polowe ..... ................... ........... ..... .................... .... 101

6. Elementy optoelektroniczne ... ... .. . .. ............................... ...... .... 121

8. przerzutnikowe ..................... ....... ........ .......... ............. 185

25. pomiarowe .. ... ............... ..................... ..... ........ .......... 866

27. Regulatory elektroniczne ............... .................. ...................... 952

Literatura .............................................................................. 1001

W celu podajemy w skrócie zestaw

punktami X a Y jest oznaczone jako UXY· Uzgod niono,

oznacza punktami E i B 5 V, przy czym

V to punktu wspólnego punktu odniesienia O:

W odniesienia oznacza symbolem masy .

Rys. 1.1. Prawo Ohma

gdzie E jest a R1 = - d Uwr / d I wr jego rezystan-

lwy Z pra '

Rys. 1.2. Schemat rzeczywistego Rys. 1.3. Schemat rzeczywistego

gdzie / 0 jest zwarcia. Odpowiedni pokazano na rys. 1.3.

Z prawa Ohma mamy

Obwód zmiennego gdzie

uwe= uwemsin(wt + <p) (1.3)

Do scharakteryzowania sinusoidalnych zmiennych

funkcji sinus za zespolonej funkcji

a zatem zapisanie równania (1.3) w postaci

uwe = Uwe m = Im {Uwem = Im {Uwe ejan}

te a jest równa szczytowej.

i zmienne oznacza na schematach elektrycznych

obwodu zmiennego, defi-

gdzie <pjest fazowym a na-

W tablicy 1.1 podano kilka wybranych

Tablica 1.1. Porównanie wybranych liniowego i logarylmicznego stosunku

Liniowy stosunek Logarytmiczny stosunek

Symbol "' oznacza symbol - w rów-

- pasmo przenoszen ia dla spadku wzmocnienia 3 dB

Ku(jc.o)= Uwy - zespolone wzmocnienie

Filtr dolnoprzepustowy jest

W celu obliczenia charakterystyki zastosujemy wzór

Obiekrzywe przedstawione na rys. 2.2 .

2.1. FI LTR OOLNOPRZ EPUSTOWY 25

Rys. 2.2. Charakterystyk.i amplitudowa i fazowa filtru dolnoprzepustowego

W celu obliczenia trzydecybelowej granicznej podstawiamy

j1. -&"'• h~c

UwE - Uwy - ie =O Czas ustal

26 2. BIERN E OBWODY RC 1 RLC

Przy ie= Cuwr, otrzymamy równanie

!Y, Z równania (2.5) czasów do

2.1. FILTR DOLNOPRZEPUSTOWY 27

Rys. 2.4. filtru dolnoprze pustowego na impulsów o

Filtr dolnoprzepustowy jako

gdzie T jest ok resem zsumujemy wszystkie t, ::::

28 2. BIERNE OBWODY RC I RLC

t, = t90% - t 10% = 1:(ln0 ,9 - ln0,1) = dn9 2,21:

(2.11) o,, -20

Filtr górnopr zepustowy jest wielkie bez 45°

fazowe przy tej wynosi +45 °. Tak jak w przy -

30 2. BTBRNE OBWODY RC I RLC

Rys. 2.6. Charakterystyki amplitudowa i fazowa filtru górnoprzepustowego

tzn. wzmocnienie jest proporcjonalne do Nachylenie asymp-

;~'.~·~i!~~~t ~-/4' 1 NaIJ