OSNOVNI POJMOVI IZ TEORIJE POLUVODIČA

Ovo poglavlje obuhvaća, vrlo ukratko, onaj di teorije poluvodiča koji je neophodan za
razumjevanje električnih karakteristika poluvodiških komponenti kao što su diode, bipolarni
tranzistori, MOSFET-tranzistori, IGBT-i, tiristori, GTO-tiristori, SIT, SITh, te najnovije
komponente na području energetske elektronike kao što je MCT-tiristor (MOS kontrolirani
tiristor) EST (emitter switched thyristor) i BRT (base resistenc controlled thyristor).

INTRISIČNA VODLJIVOST
Za izradu poluvodiča danas se uglavno upotrebljavaju dva elementa germanij i silicij (u
najnovije vrijeme galijev-arsenid, silicijev-karbonat (Silicij karbid) i diamant).
Germanij i silicij pripadaju četvrtoj grupi periodskog sustava elemenata. Svaki atom je okružen
četirima atomima od kojih je jednako udaljen. Iako jedan atom germanija ima 32 elektrona, a
silicija 14 elektrona, većina elektrona čvrsto je vezana za matični atom. Samo su četiri vanjska
elektrona slabije vezana. Zbog tog močemo atom prikazati šematski s jezgrom, unutar koje je
pozitivni naboj od četiri elektronske jedinice i četiri elektrona koji kruže oko te jezgre, kako
prikazuje sl. 1. Na sobnoj temperaturi tek oko jedan atom od 109 atoma u kristalu pridonosi
električnoj vodljivosti, tj. daje toplinskim pobuñenjem jedan slobodan elektron i jednu šupljinu.
Dakle samo 0,0000001% atoma u kristalnoj rešetci pridonosi električnoj vodljivosti. U komadiću
Silicijeva kristala s volumenom od 1 cm3 nalazi se
1022 atoma. Znači da se u 1 cm3 kristala nalazi oko
10-9.1022=1013 slobodnih elektrona i isto toliko
šupljina. U kristalu metala na svaki atom otpada oko
jedan slobodni elektron. To znači da u 1cm3 metala
ima 1022 slobodnih elektrona, odnosno gustoća
nosilaca naboja u 1 cm3 metala je za 109 puta veća
nego u 1 cm3 poluvodiča. Dakle s porastom
temperature raste energija titraja atoma u kristalnoj
rešetci i odreñeni broj valentnih elektrona dobivaju
dovoljno energije da se mogu slobodno kretati.
Oslobañanjem elektrona odgovarajuća valentna veza
ostala je nepopunjena. Slobodno mjesto nazivamo
šupljinom. Atom koji je bio električki neutralan

Sl. 1. Prikaz kristalne rešetke postao je pozitivan ion. Taj pozitivni ion privlači
elektron iz susjedne kovalentne veze, jer je energija premještanja elektrona iz jedne kovalentne
veze u drugu mnogo manja od energije oslobañanja elektrona iz kovalentne veze. Govori se da
šupljina slobodno "putuje" od jedne do druge valentne veze. Gibanje šupljina može se poistovjetiti

1
s gibanjem pozitivno nabijene čestice. Ovaj proces stvaranja slobodnih nosilaca naboja nazivamo
toplinska generacija elektron-šupljina. U čistom (intrisičnom) kristalu postoji jednak broj
šupljina i elektrona. Vodljivost nastala na opisan način naziva se toplinska vodljivost ili intrisična
vodljivosi ili vlastita vodljivost.

Objašnjenje intrisične vodljivosti pomoću energetskih stanja

Proces toplinske generacija elektron-šupljina može se opisati i pomoću energetskog stanja

kristala silicija. Slika 2.a. prikazuje energetske razine izoliranog atoma silicija, a slika 2.b.
enegetske vrpce kristala silicija.

Sl. 2. Energetska stanja: a) atoma silicija

b) kristala silicija

Razmještaj elektrona prema slici 2.a. ostvareen je u silicijevu kristalu samo kad se on nalazi u
osnovnom stanju - stanju najniže energije. A kristal je u osnovnom stanju kada mu je temperatura
00 K (apsolutna nula).
S porastom temperature raste unutrašnja toplinska energija kristala, koja je pretežito u
obliku energije titranja atoma oko ravnotežnih položaja u kristalnoj rešetki.

2
 Pri sobnoj temperaturi srednja vrijednost unutrašnje toplinske energije po atomu iznosi
0,03 eV. No budući da je energija titranja statistički raspodijeljena meñu atomima, jedan mali dio
atoma ima i znatno veću energiju od prosječne. Primjerice, vrlo mali postotak atoma (oko
0,0000001%) ima energiju titranja nešto veću od 1,1 eV i tu energiju pri sudaru može preuzeti
neki elektron iz pune valentne vrpce, koji se nalazi uz gornju granicu valentne vrpce. Pri tome on
skače u vodljivu vrpcu, u neko energijsko stanje uz donju granicu te vrpce, preskočivši kroz
energetski rascijep od 1,1 eV, kako prikazuje slika 2.b. Tada se kaže da je došlo do toplinskog
pobuñenja elektrona iz pune valentne u praznu vodljivu vrpcu.
Pritom u valentnoj vrpci, koja je inače puna, iza tog elektrona ostaje jedno prazno mjesto -
energijskom stanju u kojem se je elektron nalazio prije skoka. Takvo prazno mjesto u inače punoj
vrpci naziva se šupljina. Prema tome toplinskom pobudom jednog elektrona iz valentne vrpce u
vodljivu vrpcu, nastaje slobodni elektron u vodljivoj vrpci i šupljina u valentnoj vrpci.
Uzmemo li poluvodički kristal volumena 1 cm3 koji je grañen od N= 1022 atoma, to znači
da se u njemu nalazi, pri sobnoj temperaturi, 1022 10-9 = 1013 elektrona u vodljivoj vrpci i isto
toliki broj šupljina u valentnoj vrpci.
Osim procesa toplinske pobude elektrona u vodljivoj vrpci i šupljine u valentnoj vrpci,
postoji i obrnuti proces tako da elektron iz vodljive vrpce skoči u prazno stanje (šupljinu) u
valentnoj vrpci. Taj proces se naziva proces rekombinacije.

EKSTRINSIČNA VODLJIVOST

Električne karakteristike kristala (a u krajnjoj liniji i električne karakteristike poluvodičkih

ventila) jako ovise o koncetraciji stranih atoma. odreñeni strani atomi unose dodatne nosioce
naboja i prema tome, znatno mijenjaju vodljivost. Obično odnos broja stranih atoma prema broju
atoma germanija i silicija iznosi 1:106 do 1:108. Vodljivost nastala dodavanjem stranih atoma
naziva se ekstrinsična vodljivost.
Uvoñenje stranih atoma u kristalnu rešetku naziva se dopiranje. Kao dopanti
upotrebljavaju se elementi iz trećeg i petog stupca tablice periodskog sustava elemenata. Elementi
iz trećeg i petog stupca tablice elemenata ulaze u kristalnu rešetku supstitucijski, tj. zamijenjuju
atome silicija i germanija i ne mijenjaju dijamantnu strukturu rešetke. Kako je količina primjesa
mala (oko 0,0001% tj. jedan atom primjesa na milijun atoma silicija ili germanija), svaki strani
atom primjesa okružen je atomima originala. Treba dodati da je dodavanjem primjesa poluvodič
ostao električno neutralan.

N - poluvodič

Ako u četverovalentnu strukturu silicija ili germanija dodamo elemente iz petog stupca
tablice elemenata, primjerice fosfor, antimon ili arsen, dobivamo N-poluvodič. Ti dodatni
peterovalentni atomi, supstituirani u poluvodičku kristalnu strukturu, nazivaju se donori (davaoci),
donorske primjese ili donorske nečistoće. Slika 3. shematski prikazuje strukturu

3
 jednog N-poluvodiča, tj. atom donora u
kristalnoj rešetci poluvodiča. U prikazanom
detalju kristalne rešetke jedan atom silicija
supstituiran je atomom antimona (Sb). Atom
antimona ima pet valentnih elektrona, a kako
mu je potrebno samo 4 elektrona za
uspostavljanje kovalentne veze s četiri susjedna
atoma silicija, peti elektron je slabo vezan i
može se smatrati slobodan (pri sobnoj
temperaturi toplinska energija je dovoljno
velika da se taj slobodni elektron odvoji od
atoma antimona. Na taj način donorski atom
antimona, ostaje s četiri elektrona, tj s manjkom
od jednog negativnog naboja. Drugim rječima
on postaje pozitivan ion čvrsto vezan u
kristalnoj strukturi (prostorno rasporeñen -
prostorni naboj).
Sl. 3. Struktura N-poluvodiča
Ako u N- poluvodiču na 106 atoma silicija
dolazi jedan atom antimona, tada na 1022 atoma u 1 cm3 kristala dolazi 10-6 1022 = 1016 atoma
antimona. Budući da praktički svaki atom antimona daje jedan slobodani donorski elektron, to
znači da u 1 cm3 tog N-poluvodiča ima 1016 slobodnih donorskih elektrona. Pored tih slobodnih
donorskih elektrona postoje i vlastiti slobodni elektroni i šupljine (nastali toplinskom generacijom)
i pri sobnoj temperaturi u 1 cm3 kristala ih ima oko 1013, dakle 1000 puta manje od slobodnih
donorskih elektrona. Prema tome, voñenje struje kroz N-poluvodič postiže se najvećim dijelom,
pomoću slobodnih donorskih elektrona. Ili možemo reći da su u N-poluvodiču elektron glavni
(majoritetni) nosioci naboja, a šupljine sporedni (minoritetni) nosioci naboja.

P - poluvodič

Ako u četverovalentnu strukturu silicija ili germanija dodamo elemente iz trećeg stupca
tablice elemenata, primjerice aluminij, bora, galij ili indij, dobivamo P-poluvodič. Ti dodatni
trovalentni atomi, supstituirani u poluvodičku kristalnu strukturu, nazivaju se akceptori,
akceptorsske primjese ili akceptorske nečistoće. Slika 4. shematski prikazuje strukturu jednog
P-poluvodiča, tj. atom akceptora u kristalnoj rešetci poluvodiča. U prikazanom detalju kristalne
rešetke jedan atom silicija supstituiran je atomom aluminija (Al). Atom aluminija ima tri
elektrona, a kako mu je potrebno 4 elektrona za uspostavljanje kovalentne veze s četiri susjedna
atoma silicija, on prisvaja jedan elektron iz susjednog atoma silicija (ili bolje rečeno na sobnoj
temperaturi usljed titranja atoma jedan elekton uskače u "šupljinu" akceptorskog atoma).
Popunjavanje šupljine na mjestu aluminijskog atoma, šupljina se je "pomakla" na poziciju
silicijeva atoma, odakle je elektron skočio u aluminijsku šupljinu.

4
 To je sada slobodna šupljina koja može služiti
za električno voñenje, slično kao šupljina u
čistom poluvodiču.Svaki atom akceptora daje u
kristalu P-poluvodiča jednu akceptorsku
šupljinu. Može se pokazatai da je u 1 cm3
kristala P-poluvodiču 1016 akceptorskih šupljina
kao nosilaca naboja što je za 1000 puta više od
broja elektrona i šupljina nastalih termičkom
generacijom. Prema tome, voñenje struje kroz
P-poluvodič postiže se najvećim dijelom,
pomoću slobodnih akceptorskih šupljina. Ili
možemo reći da su u P-poluvodiču šupljine
glavni (majoritetni) nosioci naboja, a elektroni
sporedni (minoritetni) nosioci naboja.Treba
napomenuti da je u kristalu P-poluvodiča
akceptorski atom prisvajanjem jednog elektrona
postao negativno nabijeni ion koji je čvrsto
Sl. 4. Struktura P-poluvodiča
vezan u kristalnoj strukturi i prestavlja prostorni
naboj P-poluvodiča.

Objašnjenje ekstrinsične vodljivosti pomoću energijskog spektra

N - poluvodič

Energijski spektar N-poluvodiča shematski je prikazan na slici 5. On se sastoji od energijskih

vrpci, slično kao energijski spektar čistog poluvodiča. To je razumljivo, budući da je samo
izvaredno mali postotak (oko 0,0001%) silicijevih atoma zamijenjeno atomima donora. Meñutim
zbog prisutnosti atoma donora, u energetskom spektru N-poluvodiča nalaze se i dodatni energijske
razine koje se nazivaju donorske razine. One odgovaraju slabo vezanom petom valentnom
elektronu u atomu donora. Nalaze se u energetskom rascijepu izmeñu valentne i vodljive vrpce, no
sasvim blizu vodljive vrpce. Primjerice, za silicijev N-poluvodič dopiran arsenom te donorske
razine nalaze se samo 0,05 eV ispod dna vodljive vrpce.
U osnovnom stanju N-poluvodiča (koje odgovara 00 K) valentna vrpca je puna, a vodljiva prazna,
dok se slabo vezan donorski elektroni nalaze na donorski razinama. S porastom temperature raste
energija titranaja atoma u kristalnoj rešetci. Pri sobnoj temperaturi ta energija titranja omogućuje
da slabo vezani (energija svega 0,05 eV) donorski elektron skoči s donorskih razina u vodljivu
vrpcu. Na taj način on je postao slobodan i naziva se slobodan donorski elektron; on postaje
nosilac električne struje kad se na poluvodič priključi vanjski izvor električne energije.

5
 Sl. 5. Shematski prikaz energijskog spektra N-poluvodiča

S druge strane, na donorskoj razini s koje elektron skoči ostaje prazno mjesto. Za razliku od
šupljine koje nastaju toplinskim pobuñenjem elektrona iz valentne vrpce u vodljivu, ovo prazno
mjesto je nepokretno, vezano za svoj atom-donor. Kažemo da je to nepokretna šupljina i ona ne
može služiti za voñenje električne struje.

P - poluvodič

Energijski spektar P-poluvodiča shematski je prikazan na slici 6. On se razlikuje od

energijskog spektra N-poluvodiča na slici 5. time što se u energijskom rascijepu izmeñu valentne i
vodljive vrpce nalaze akceptorske razine umjesto donorskih. To su razine u kojima se nalaze
nepokretne (vezane) šupljine. Te razine nalaze se sasvim blizu valentnoj vrpci. U slučaju silicijeva
kristala dopiranog s indijem, akceptorske razine nalaze se oko 0,05 eV iznad vrha valentne vrpce.
U osnovnom stanju P-poluvodiča (koje odgovara 00 K) valentna vrpca je puna, a vodljiva
prazna, dok se na poziciji svakog akceptorskog atoma nalazi jedna nepokretna (vezana) šupljina.
Pri sobnoj temperaturi energija titranja atoma dovoljno je velika da doñe do pobuñenja
elektrona iz pune valentne vrpce u šupljine na akceptorskoj razini (zato je potrebno svega

6
0,05eV). Kad neki elektron iz valentne vrpce skoči u vezanu šupljinu na akceptorskoj razini, on
ostaje vezan za dotičan akceptorski atom. On ne može služiti za voñenje električne struje.
Naime neposredno iznad te razine nalazi se širok energijski rascijep u kojem nema bliske razine
na koju bi takav elektron skočio pa se taj elektron nemože ubrzati pod utjecajem električnog
polja izvora.

Sl. 6. Shema prikaza energijskog spektra P-poluvodiča

Meñutim na razini u valentnoj vrpci s koje je elektron skočio ostalo je prazno mjesto - nastala je
šupljina. To je slobodna šupljina, slično kao šupljina u čistom poluvodiču. Ova šupljina postaje
nosilac struje (naboja) kad se na krajeve P-poluvodiča priključi električni izvor.Takve šupljine u
valentnoj vrpci, koje nastaju pri skoku elektrona iz valentne vrpce u praznu akceptorsku razinu,
nazivaju se akceptorske šupljine.Pored akceptorskih šupljina, u valentnoj vrpci P-poluvodiča pri
sobnoj temperaturi nalaze se i šupljine nastale toplinskim pobuñenjem elektrona iz valentne vrpce
u vodljivu, slično kao i u čistom poluvodiču. To su vlastite šupljine. No u P-poluvodiču je broj
akceptorskih šupljina mnogo veći od broja vlastitih šupljina. To je posljedica činjenice da treba
mnogo manje energije za stvaranje akceptorske šupljine (0,05 eV za silicijev poluvodič dopiran
indijem) nego za stvaranje vlastite šupljine (1,1 eV).
Dakele, električna vodljivos kod P-poluvodiča najvećim dijelom nastaje zbog
akceptorskih šupljina.

7
P-N prijelaz

Područje oko granice P-poluvodiča i N-poluvodiča unutar monokristala poluvodiča naziva se P-N
prijelaz. Električne karakteristike P-N prijelaza najlakše je shvatiti na slijedeći način. Za trenutak
zamislimo da je P-strana odvojena od N-strane. Svaka strana je električki neutralna jer je na P-
strani broj šupljina jednak broju negativnih akceptorskih atoma, a na N-strani broj elektrona
jednak je broju pozitivnih donorskih atoma. Dovoñenjem N i P strane u kontakt, a budući da je
koncentracija elektrona u P i N području različita, neki elektroni prelaze na P-stranu i analogno
šupljine na N-stranu. Elektroni prelaskom iz N-područja u P-područje postoju minoritetni nosioci
naboja i nailaskom na veliku koncetraciju šupljina oni se rekombiniraju. Analogno se dešava i sa
šupljinama koje prelaze na N-stranu.
Procesom rekombinacije oko P-N prijelaza nastalo je područje prostornog naboja. Na P-strani
preostali su negativno ionizirani atomi poluvodiča (akceptori), a na N-strani pozitivno ionizirani
atomi poluvodiča (donori), slika 7. U okolini P-N
prijelaza nema slobodnih nosilaca naboja. Na
prijelazu, točnije u zoni prostornog naboja,
nastao je pad potencijala, odnosno djeluje
p
električno polje kroz dodirnu plohu P i N
poluvodiča i usmjereno je od N-poluvodiča ka P-
poluvodiču i nazivamo ga kontaktno električno
polje. Potencijalna barijera (kontaktno
električno polje) spriječava tok majoritetnih
nosilaca naboja preko P-N prijelaza. S obije
n
strane P-N prijelaza, zbog toplinskog titranja
kristalne rešetke, stvaraju se parovi elektron-
šupljina. Slobodni elektroni s P-strane i slobodne
šupljine s N-strane nesmetano prelaze preko
Donorski atomi Akceptorski atomi prijelaza; pad potencijala (električnog polja) na
Elektroni Šupljine barijeri pomaže njihovo kretanje. Ovaj tok
Područje pozitivnog Područje negativnog naboja naziva se toplinska struja, jer ovisi o
prostornog naboja prostornog naboja
temperaturi. U beznaponskom stanju ukupan tok
struje preko P-N prijelaza jednak je nuli. Zbog
toga se mora pretpostaviti da vrlo mali broj
Sl. 7. Struktura P-N prijelaza šupljina iz P-područja i elektrona iz N-područja
uspijeva savladati potencijalnu barijeru i prijeći na drugu stranu. Ova se struja se zove struja
rekombinacije, jer se nakon prijelaza barijere nosioci naboja rekombiniraju. Dakle, struja
rekombinacije jednaka je toplinskoj struji. Ravnoteža vrijedi i za struju elektrona i za struju
šupljina. Tako, u stvari, imamo četiri struje u ravnoteži.
Što će se dogoditi ako se na vanjske krajeve P-područja i N-područja narine napon
iz nekog vanjskog izvora? Izvor, primjerice baterija, može se priključiti na dva načina, slika 8.b i

8
8.c. Na slici 8.b. vidi se što se dogaña ako se na P-područje stavi negativni pol baterije. Šupljine se
kreću prema negativnom, a elektroni prema pozitivnom polu. Zona prostornog naboja se širi,
potencijalna barijera veća je nego u beznaponskom stanju, jer električno polje kojim izvor djeluje
na PN-prijelaz, ima isti smjer kao i kontaktno električno polje u zapornom sloju. Gotovo ni jedna
šupljina iz P-područja ili elektron iz N-područja ne može prijeći na suprotnu stranu. Jedina struja
koja teče preko P-N prijelaza jest toplinska struja. P-N prijelaz ne dopušta tok struje, on je
nepropusno (zaporno, inverzno) polariziran.

Sl. 8. Ispravljačko djelovanje P-N prijelaza: a) P-n prijelaz u beznaponskom stanju, b) P-N
prijelaza nepropusno polariziran i c) P-N prijelaza propusno polariziran

Sl.8. Ispravljačko djelovanje P-N prijelaza:

a) P-N prijelaz u beznaponskom stanju,
b) P-N prijelaz nepropusno polariziran i
c) P-N prijelaz propusno polariziran

Toplinska struja koja teče preko nepropusnog polariziranog P-N prijelaza naziva se zaporna
struja. Zaporna struja raste s temperaturom, jer je generacija parova elektron-šupljina to
intezivnija što je jače titranje atoma u kristalnoj rešetki. Napon koji nepropusno polarizira P-N
prijelaz naziva se zaporni napon. Povećanje zapornog napona ne može ići u beskonačnost. O
veličini zapornog napona ovisi jakost električnog polja unutar potencijalne barijere. Napon pri
kojem dolazi do naglog porasta zaporne struje naziva se probojni napon P-N prijelaza. Nagli
porast zaporne struje u blizini probojnog napona ima dva uzroka:

9
 a) Usljed velike jakosti električnog polja (oko 106 V/cm) kidaju se kovalentne veze
unutar zone prostornog naboja; broj slobodnih nosioca naboja se povećava, i
zaporna struja raste. Ova se pojava zove po pronalazaču Zenerov efekt.
b) Elektroni i šupljine prilikom prolaska kroz zonu prostornog naboja ubrzavaju se i
dobivaju energiju. Kod neke odreñene jakosti električnog polja zadobivaju toliku
energiju da mogu putem sudara s atomima rešetke osloboditi nove naboje.
Osloboñeni naboji opet stvaraju nove naboje. Proces je kumulativan (multiplikacija
naboja, lavinski proboj). Zaporna struja brzo raste.

Mehanizam lavinskog proboja prevladava za sve P-N prijelaze koji imaju probojni napon veći od
približno 10 V. Kod P-N prijelaza s manjim probojnim naponom prevladava Zenerov proboj.
Ako se na P-područje priključi pozitivni pol, a na
N-područje negativnipol baterije, slika 8.c,
potencijalna barijera se smanjuje. Električno polje
izvora djeluje suprotno od kontaktnog električnog
polja u zapornom sloju i ako napon izvora premaši
vrijednost kontaktnog potencijala u zapornom
sloju dolazi do slobodnog kretanja naboja. Sada
velik broj elektrona s N-strane i šupljina s P-strane
može prijeći barijeru, baterija tjera nosioce naboja
prema P-N prijelazu. P-N prijelaz dopušta tok
struje, on je propusno (direktno, izravno)
polariziran. Kažemo da struja teče u propusnom
smjeru P-N prijelaza. Na osnovi gornjih
kvalitativnih razmatranja nacrtana je U-I
Sl. 9. U-I karakteristika P-N prijelaza
karakteristika P-N prijelaza, slika 9. Iz slike se vidi
da zaporna stuja lagano raste sa zapornim
naponom do probojnog napona. Razlog je u tome što zaporna struja uglavnom potječe od
toplinske generacije nosilaca naboja u zoni prostornog naboja. Kako raste zaporni napon, zona
prostornog naboja se proširuje i raste ukupan broj generiranih nosilaca naboja u jedinici vremena.
Ionizirani atomi donora i akceptora s obje strane prijelaza tvore kondezator. Dialektrik je
poluvodič. Svaka promjena napona baterije uzrokuje kapacitivnu komponentu struje preko P-N
prijelaza. Kapacitet P-N prijelaza opada s porastom napona na P-N prijelazu ( C= dQ/dU).

Vrste P-N prijelaza

S obzirom na jačinu dopiranja, P-N prijelazi mogu biti simetrični i aimetrični. Simetrični
P-N prijelazi su oni kod kojih je koncetracija donora na N-strani jednaka koncetraciji akceptora na
P-strani. Asimetrični P-N prijelazi imaju različite koncetracije primjesa s obije strane prijelaza.

10
 Razmotrimo tok nosilaca naboja preko
simetričnog P-N prijelaza, slika 10. Injektirane
šupljine u N-područje, zbog velike koncetracije
elektrona u N-području, vrlo brzo susretnu
elektron i rekombiniraju se. Analogno, injektirani
elektron u P-područje brzo se rekombinira s
jednom od brojnih šupljina u P-području.Dakle,
vrijeme života injektiranih minoritetnih nosioca
naboja je kratko, te oni ne mogu prodrijeti daleko
od P-N prijelaza.
Razmotrimo tok nosilaca naboja preko
asimetričnog P-N prijelaza. Slika 11.a. prikazuje
asimetričan P-N prijelaz koji ima P-područje
Sl. 10. Simetrični P-N prijelaz mnogo jače dopirano od N-područja. Preko takvog
propusno polariziranog prijelaza prolazi mnogo više šupljina u N-područje nego elektrona iz N-
područja u P-područje. Gustoća injektiranih šupljina u N-području mnogo je veća od gustoće

Sl. 11. Asimetrično propusno polariziran P-N prijelaz

elektrona u N-području, te je vjerojatnost rekombinacije injektiranih šupljina mala. Prema tome,
većina šupljina uspijeva preći tanko N-područje i doći do omskog priključka. Analogno, kod
asimetričnog P-N prijelaza, koji ima mnogo jače dopirano N-područje, Slika 11.b, većina
injektiranih elektrona u P-područje završava na omskom priključku.

11