单级隔离式逆变器研究现状

已存在多种单级隔离性变换器结构，开关损耗少、消除两级间解耦电容、降压

变换器电感、功率密度高、实现升降压变换

矩阵型 控制简单、电流应力和导通损耗低
VIENNA
三电平结构 不能电能双向传输

降低导通损耗、提高变换效率、适用直流侧低压大电流
SWISS
适应高降压比场合、大功率 三相电流畸变、交流侧

电流纹波增大

Z源 实现升降压变换、可靠 影响功率密度

直流衍生 只适用中小功率场合

特殊工况 可靠性高、适用大功率

新型单极隔离 ac-dc 变换器

开关器件少、取消电解电容、缩小体积、提高功率因数、ZVS

1、 无电解电容：母线电压不为直流电压？（馒头波）
2、 电感电流过零点出无尖峰：开关管恒定导通

3、 变换器功率↑移相角↑

4、 软开关（ZVS）：移相角存在约束条件（9），限制电感比

控制策略

功率因数校正

输出电压恒压输出

检测交流&直流侧电压，计算桥间移相角（功率流向&输出电压）&副边侧桥内

移相角（PFC、软开关调整）

实验验证

交流电压、交流电流、母线电压：无需电解电容、良好功率因数校正、抑制过

零尖峰。

交流侧电压电流、原副边槽电压波形：包络、周期性奇对称

两种模态下波形

原副边槽电压：不存在低频分量

软开关——漏源电压&驱动电压：电压降 0 后，驱动电压才上升，实现

动态波形：加卸载——输出电压短时间稳定、电压波动小

功率因数 99.2%

效率 97.7%

用于 BESS 的转换器

大规模（兆瓦）——硅 IGBT

住宅&工业（千瓦）——GaN
使用单级隔离 ac-dc 逆变器 控制策略复杂

三相交流电网接口——单级 DAB ac-dc 拓扑 含单相转换器模块×3（Si MOSFET

展开桥&单级 GaN DAB）

GaN（半导体材料） DAB

优点：高开关频率、L、C 小、电网电压不随之改变

1、 ZVS：负晶体管电流足够大 无反向恢复问题

2、 PFC：要求交流侧电流与电网电压同相（THD 小）、转换器提供直流功

率=期望 PFC 功率

3、 DPS&VF：均方根电流最低

在线计算方法——满足 ZVS&PFC 减小二次侧晶体管关断电流&降低均方根电

双回路闭环控制——补偿将 DAB 视为无损的静态误差

自适应死区时间——需要足够死区时间保证 ZVS；应用所给公式得出时间，保

证死区时间足够且减少损失。

实验验证

主要部件选择——变压器、电感器、交流侧电容器

实现：电压峰值期间以最小频率工作、具单相移条件、自适应死区控制在 ZVS

应用、效率稳定（最高效——最低电池电压、充电/放电电流附近）

功率因数：99.9%

损耗：变压器绕组&直流侧 GaN FETs（场效应管）

峰值效率：96.6%——98%可行
单级隔离式逆变器存在问题

新型半导体在变换器中应用（以提升功率密度及效率）

实现 ZVS

提升可靠性（减小开关管数量、提升容错）

传统：住宅 BESS——三相整流器 高开关损耗限制开关频率

并网关键技术

电力电子装置(DC/DC 变换器或 DC/AC 变换器)由于整流二极管的非

线性和滤波电容的储能作用,造成输入电流畸变,输入电流除了包含基

波成分外,还含有丰富的高次谐波分量。

（1） DAB 电感器电流 iL

Cdc 大到足以保持恒定的直流电压，并且电网被认为是低阻抗的阻抗，因此，

电网电压不会随着 DAB 的运行而改变。因此，电网电压不会随着 DAB 的运行

而改变。
B

为了实现 ZVS，负的晶体管电流应该大到足以使两边的晶体管的 Coss 放电。足

够大，以便在转换器两边的晶体管打开时将 Coss 放电。转换器两边的晶体管的

Coss 放电，同时晶体管开启。由于晶体管的导通电流、晶体管的开启电流与辅

助电感电流的值相同、这已经包括在（1）中。基于能量的 ZVS 的要求在(2)中

说明，它描述的是 ZVS 的条件是电感的能量足以使晶体管的 Coss 放电。

其中 Coss,ac 和 Coss,dc 是交流侧和直流侧晶体管的能量相关输出电容。 Nac 指

的是等效的交流侧晶体管并联，而 Ndc 指的是等效的直流侧晶体管并联。由于

氮化镓晶体管的输出电容小得多，ZVS 范围比使用硅 MOSFET 的晶体管要大。

慢速反向恢复二极管被认为是导致 Si MOSFET 失效的原因，而在运输过程中无

法实现 ZVS[27]，实施 GaN 可以避免这个问题，因为 GaN 没有反向恢复问题。

C. PFC 和电池电流控制

对于提出的的 BESS，交流侧的电流控制需要实现 PFC，并在直流侧实现恒定的

电池电流控制。为了实现 PFC，交流侧的电流应该与电网电压同相，并且总谐

波失真最小。与电网电压同相，并具有最小的总谐波失真（THD）。而且转换

器提供的直流电能应等于所需的 PFC 功率。单级 DAB 的转移瞬时功率如下：

（3）

为了实现 PFC，它必须满足以下几点：（4）

其中 Vac,amp 和 Iac,amp 是电网相电压和电流的期望振幅。而 ωL 是线路弧度。

只要 P(t) = PPFC(t)，PFC 就可以实现。这个方程可以由 θ5,6, θ3,4, 和 fs 在整个

线路周期内的控制变量实现，然后，DAB 输送的功率 P(t)可以与 PPFC(t)匹配。

对于连接到三相交流电网的三相 BESS 来说，abc 到直接正交零点（dq0）的转

换是针对三相电压和电流，因此，直流电压和电流 Vd 和 Id 的等效关系是 Vd =

Vac,amp 和 Id = Iac,amp。三相功率可由（4）至（5）得出。

（5）三相 P

其中 Vdc 是电池电压，Idc 是所需的电池 充电或放电电流。Idc 的极性是充电时

为正，放电时为负。充电为正，放电为负。

D. DPS 和 VF 控制
有三个控制变量，即 θ3,4、θ5,6 和 fs，可以用来实现 ZVS 和 PFC。图 3 显示了

DAB 转换器在单相功率为 2kW 时，相电压为 277Vrms 时的案例研究。DAB 电

感的均方根（rms）电流被用来作为衡量转换器性能的指标。在图 3 中，具有固

定频率的 DPS 显示出较高的均方根电流。从 0 到 π/4 和 3π/4 到 π，固定频率的

DPS 显示出较高的均方根电流。带有 VF 的单相移位显示出较高的均方根电流，

从 0 到 π/5 和 4π/5。0 到 π/5 和 4π/5 到 π 的均方根电流。与其他两个相比，DPS

显示出最低的均方根电流。在图 3 的观察中，VF 对均方根电流的影响比 DPS

高。然而，更高的开关频率会导致更高的开关损耗、更高的绕组交流电阻，等

等。因此，重要的是要同时实施 DPS 和 VF 来改善整个系统的性能。

III. 讨论和优化

第二节展示了 DPS 和 VF 在最小化有效电流方面的优势。最小化均方根电流。

然而，他很难通过寻找最低的电感均方根电流进行在线计算。因此，在本节中，

提出了一种新颖而简单的在线计算方法，在整个线路周期内找到最低的直流侧

关断电流，同时满足 ZVS 和 PFC。最小的关断电流间接地最小化了 rms 电流。

在这个方法中只需要很少的计算、因此，这种方法可以在 MCU 中实现，并适

用于拟采用的开关频率高达 300kHz 或更高的 GaN 转换器。

A. 最小化关断电流的优化逻辑

1) 使用 VF：根据（1），当 τ = τ2 时，次级侧晶体管的 最大关断电流出现 。

iLσ(τ2, t)的表达式如下：（6）

为了找到 iLσ(τ2, t)的最小值，将其推导出的 与 θ3,4 和 θ5,6 的导数为零，在下面

的方程中：（7）

从上述公式中，可以得出实现最小 iLσ(τ2, t)的相移比 θ5,6 和 θ3,4。也可以应用

于 ZVS。

有了(3)和(4)，如果 P(t)=PPFC(t)得到满足，就可以实现 PFC。满足，因此，

（6）可以改写为（8）

为了满足（7）和（8），θ3,4 和 θ5,6 的关系可以得出推导出（9）

因此，θ5,6 的表达式可以由一个二次方程表达（10）

2）开关频率达到极限：由于 GaN 转换器硬件以及高频变压器的限制，开关频

率应该有一个预先确定的最大和最小限制。当计算的开关频率达到这些限制时，

它将被设置为一个固定值。定为一个固定值。PFC 功率仍然可以通过以下方式

得到满足 结合（3）和（4），θ3，4 和 θ5，6 之间的关系之间的关系可推导为

（11）

3）扩大 ZVS 范围： 二次侧晶体管的关断电流可以通过所提出的优化逻辑最小

化。然而，开关电流值 iLσ(τ1, t)、iLσ(τ2, t)和 iLσ(τ3, t)需要进行检查，以确保

在功率和电池电压的整个范围内都能满足 ZVS。如果 ZVS 不能得到保证，那么

在电源和电池电压的全范围内，将观察到更高的开关损耗和通信噪声。损耗和

通信噪声将在系统中被观察到。图 4(a)显示了在电池电压和负载的整个范围内

保持固定的最低开关频率（50 kHz）的 ZVS 范围。为了扩大 ZVS 的范围，最小

开关频率 fmin 在非 ZVS 范围内被提高。图 4(b)显示了所需的最小开关频率，它

将满足 ZVS 的要求。最小开关频率的增加对于直流侧电池电压和功率接近 ZVS

限制的情况下，最小开关频率的增加是不明显的。然而，在期望的操作范围的

边缘，在电池电压为 32V，每相功率为 600W（或三相为 1800W）的情况下，

最小开关频率的增加对于直流侧电池电压和功率接近 ZVS 的限制来说并不明显。

(或三相为 1800W)，所需的最低频率 可以达到 180kHz。对于电池电压为 32-

55V，总功率为 1.8-10KW（大约 20%的负载到 100%的负载）的应用，这种方

法可以满足保证 ZVS 的需要。图 5 中的流程图用来解释所提出的在线计算算法。

系统首先接收所需的交流电流的振幅和感应到的交流和直流电压。对于交流线

相角为 0 到 2π，系统将对于从 0 到 360 的每一个整数相角度数 Φ 进行计算，然

后进行（6）至（10）的优化逻辑，得出一组所需的控制变量。如果开关频率达

到预设的最大或最小限制 fmax 和 fmin，那么将进行(11)到(14)的算法。并在线

得出一组最新的控制变量。在通过(1)和(2)检查了 ZVS 条件后，得出该特定相

位角度的最终控制变量集。这个过程需要从 0 到 180◦进行，因为 180-360◦的结

果与 0-180◦的结果相同。

图 6 显示了一个在线计算控制逻辑的例子，在每相 2 千瓦（三相 6 千瓦）的情

况下，将 277Vrms 转换成 48Vdc 充电。在交流电压过零时，开关频率 fs 达到上

限。在电压峰值期间，fs 达到下限。在这两种情况下，优化逻辑遵循固定频率

方程。在这些时候，移相比 θ5,6 和 θ3,4 被用来实现 PFC，同时使直流侧关断损

耗最小。对于介于上限和下限之间的开关频率，计算结果遵循优化逻辑 与

VF。这些逻辑可以很容易地由一个 MCU 执行。对于系统频率为 200MHz 的

TMS320F28379D，更新频率固定为 21.6MHz。更新频率被固定在 21.6 kHz(60

Hz ×360◦)。这个 MCU 能够以固定的速率更新 VF。它可以 在 350μs 内计算出整

个 180◦的半线周期逻辑。在 图 6 中的 VF 区域，它只需要 1.2μs。在 FF 区域 图

6 中，它只需要 2.5μs。在线计算的性能已经在一个宽的直流电压范围，几个交

流电压候选（208/240/277 V）和一个宽的功率范围内得到了验证。

所提出的控制方法不仅最大限度地减少了二次侧晶体管的关断电流 而且还降低

了均方根电流。图 7 显示了这些不同类型控制的 DAB 电感均方根电流的比较。

不同类型的控制的比较：最低的 DAB 电感均方根电流控制、提议的控制和

控制、提议的控制和梯形调制 17]。建议的控制方法的均方根电流非常接近 靠

近最低均方根电流控制，同时只利用了有限的 MCU 资源。

B. 双回路闭环控制

由于稳态分析假设了一个无损的 DAB 转换器，由于 DAB 损失，输送的功率将

降低。因此，有必要采用闭环控制来补偿这些静态误差。

提出的的新型双环闭环控制图 如图 8 所示。

d 通道的电网电流 id,ref 被用作为参考 。BESS 将根据电网的充电/放电要求和控

制变量来确定 id,ref。电网充电/放电要求，以及控制变量 θ3,4、θ5,6, 和 fs 是由

提 出 的 的 在 线 计 算 得 出 的 图 5 中 描 述 的 函 数 。
id,ref 减去 id 就是 id,误差。经过一个低通滤波器 (LPF)后，这个误差电流 id,error

补偿了 d 通道电网电流的平均误差。DAB 的每个阶段都将收到一组基于其电网

电压相位角的控制变量。由于使用了 LPF，这个回路的带宽很低。一个 θ5,6 的

相位偏移然后被用来纠正误差，具有更快的瞬态响应速度和更高的带宽。经过

一个 dq/abc 变换后，补偿后的 θ5,6 被应用于所有三相。

仿真结果显示在图 9 中，以验证所提出的 当 id,ref 在 125A/s 的斜率下从-20A

（放电）到 5A（充电）变化时，模拟结果显示验证了所提出的闭环控制。

DPS 调制是通过在原边和副边同时引入一个相等的内移相比，进一步扩大软开
关范围和回流功率、电流应力等指标的优化程度

在高频工作下，开关管的开关损耗对逆变器效率影响很大，对 DAB 的开关管进

行 ZVS 分析。若要实现 S5 与 S8 在 t1 时刻的零电压开通，则需要 iL（t1）≥0。

在该时刻