CS5N50 型 N 沟道场效应晶体管

参数符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位

PD TC=25℃ 74 W
线性降低系数 0.59 W/℃
ID （VGS=10V,TC=25℃） 5.0 A
极
ID （VGS=10V,TC=100℃） 3.2 A
限
值
IDM 20 A
VGS ±20 V
Tjm +150 ℃
Tstg -55 +150 ℃
热
特 RthJC 1.7 ℃/W
性

BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V

RDS（on） VGS=10V,ID=3A 1.4 Ω

VGS（th） VDS=VGS,ID=0.25mA 2.0 4.5 V
电
特 gfs VDS=50V,IDS=3A 2.8 S
性 VDS=500V, VGS=0V 25
IDSS µA
VDS=400V, VGS=0V,TJ=125℃ 250
VGS=30V 100
IGSS nA
VGS=-30V -100

外
引 1. S 源极
线 2. G 栅极
说 3. D 漏极
明
SMD-2.0 B2-01C(F2) TO-254

替代型号：5N50