實驗 12、MOSFET 共源極放大器

一、 實驗目的
透過本實驗瞭解 MOSFET 的偏壓方式，以及 MOSFET 基本的三種組態: (1)Common Source、
(2)Common Gate、與(3)Common Drain，而本次的實驗內容，將著重於 Common Source Amplifier 的
實作與設計。在本實驗中，我們首先會先根據「實驗 10」所測量的 NMOS 參數(λn、Vtn、kn)計算出
實作在電路中的電阻值；再透過 SPICE 來模擬 CS Amp 的小信號特性，最後透過實作來驗證
Common Source Amplifier 的小訊號交流特性。

二、 實驗材料
CD4007 x1、10kΩ x1、電阻若干

三、 實驗原理
A.基本原理
當我們在實做一個基本的 MOSFET 電路時，第一個步驟我們會先設定電晶體的操作的偏壓值
(Bias)，因為偏壓值決定該電晶體所操作的區域。在電路分析中，iD = ID + id，其中 ID 代表直流部分
(DC)，id 代表交流部分，所以 iD 同時交流訊號與直流準位的訊號。而 ID 與 id 則分別代表 MOSFET 的
大訊號模型( Large-Signal Model )與小訊號模型( Small-Signal Model )中的汲極電流(Drain current)。以
下則針對兩種模型進行基本分析。

A-1.大訊號模型( Large-Signal Model )

在電子學中，我們已經瞭解 MOSFET 會因為各端點的電壓差值而操作在不同的區域，分別為截

止區(Cut-off region)、線性區(Linear region)與飽和區(Saturation region)。當電晶體操作在截止區時，
Drain 與 Source 兩端幾乎沒有電流通過(僅有微弱的 leakage current)，故 G-S 與 D-S 可視為 Open
Circuit；當電晶體操作於線性區時，Drain 與 Source 兩端的電流大小會隨著 Drain 與 Source 兩端的電
壓差增加而變大；當電晶體操作於飽和區時，Drain 與 Source 的電流則根據 ID ≈ ( kn /2)( VGS - Vtn)2，此
時的電流大小則是依據 VGS 的變化而改變，但要注意的是，我們此時並沒有考慮通道調變效應的 λ
參數。以下為分別為 NMOS 與 PMOS 的大訊號模型(不考慮 Body effect):

Fig 13.1、NMOS 大訊號模型 Fig 13.2、PMOS 大訊號模型

A-2.小訊號模型( Small-Signal Model )

當 MOSFET 做為放大器時，電晶體需操作於飽和區( Saturation region )，而此時當我們想要分析

Drain-Source 兩端的電流時，則必須建立電晶體的小訊號模型。同時考慮直流與交流的情況下，則
vGS = VGS + vgs，又因為 iD ≈ ( kn /2)( vGS - Vtn)2，所以帶入 vGS = VGS + vgs 可以得到 Drain-Source 兩端電流
1 1
i D = k n (V GS −V t )2 +k n (V GS−V t )⋅v gs+ k n v 2
2
iD ≈ (kn /2)[( VGS + vgs ) - Vtn) ，展開則為 2 2 gs ，第一項為直流

訊號 ID，第二項則為交流訊號 iD，而第三項則代表非線性失真。為了使非線性失真降到最低，
NMOS 的 Gate-Source 端的交流小訊號輸入必須滿足以下條件: v gs <2(V GS −V tn ) 。當 MOSFET 符合以

上條件並且操作在飽和區(Saturation region)時，交流訊號的i d =k n (V GS −V tn )⋅v gs ；此時，我們用一個

id
gm = =k n (V GS −V t )
參數 gm 定義 id 與 vgs 的關係: v gs ，藉由參數 gm 繪製小訊號模型(Fig 13.3)

Fig 13.3、以 gm 與 ro 建構之小訊號模型

A-3.MOSFET 放大器 ( MOSFET Amplifier )

1
i D = k n (v GS −V t )2
當 MOSFET 的偏壓操作在飽和區( Saturation region )，則 2 ，由於 VDS 的必須高
V −V t 才能使 MOSFET 工作於 Saturation Region，所以我們可以設定一個 V 的最低電壓(V
於 GS ): DS DS,min

V DS,min =V GS −V t =
√ 2 L⋅I D
k n⋅W 。換言之，若要將 MOSFET 做為 Amplifier 使用，則V D >V G−V t 。

接下來分析小訊號的部分，我們將 Fig 13.4 中的 VDD 直流電源短路，所有電容也因小訊號為

AC 訊號而視為短路，化簡後可得到如 Fig 13.5 所示的小訊號模型。Rsig 可視為輸入訊號端的內阻；
輸入阻抗( Rin )則為 RG1 // RG2；輸出阻抗( Rout )則為 ro // RD；電壓增益 Av= -gm( RD // RL // rO ) ≈-
gm( RD // RL)。若不考慮輸出負載 RL，則 Av= -gmRD。一個理想的電壓放大器的輸入阻抗( Rin )越大越
好，輸出阻抗( Rout )越小越好，所以當輸出端掛上負載( RL )時可以使輸出阻抗變小，但同時會讓電
壓增益( Av )下降。針對這個問題，其中一個方法是在 CS 放大器後加個 Source follower 來降低輸出阻
抗。
 Fig 13.4、CS Amp 的基本架構

Fig 13.5、CS Amp 的小訊號模型

四、 實驗內容
工作一、分析 Common-Source Amplifier 偏壓與被動元件的數值
參考 Fig 13.6 的 CS Amp 基本架構，並以先前實驗所測得的電晶體參數(λn、Vt、kn)為數據，同時，
因計算偏壓時考慮的是直流電源，因此可將電容視為斷路。將目標電流 ID=0.15 mA。VS 設定為 0V，
且 VD 電壓要在 VS 與 VDD 之間，使小訊號輸出的振幅得以對稱。
(1) 列出”實驗 10”所量測的 CD4007 參數。λn= V-1、Vt= V、
kn= mA/V2。

√
2I D
V GS =V t +
(2)求 VD 電壓。ID=0.15mA，則 kn = V，
V G=V GS +V S = V。
(3)
V DS, sat =V GS −V t = V，V 須大於 V – V ，可先根據先前模擬 CD4007 的 I – V 特性曲線，
D G t D DS

找出 VD 適當直流值 V 與 RD= KΩ。

2⋅I D
gm =
(4) 最後在小訊號模型下計算電壓增益 Avo。首先計算 gm ， (V GS−V t ) =________mA/V。

1
ro=
λ⋅I D =_________Ω，則 A vo=−g m (R D // r o ) =_____；若考慮負載 R =10KΩ，則
L
Av=−gm ( R D // r o // R L ) =_____。
工作二、PSPICE 模擬
依 Fig13.6 之電路畫在 Pspice 中，並將實測的參數建構 SPICE NMOSFET Model 中。
(1) 請先驗證各點的直流偏壓 VG、VD 以及 ID 電流，檢查與工作一中手算之差距，並紀錄結果。
(2) 接著驗證其 Common Source Amplifier 之電壓增益。先模擬無負載情況下的電壓增益 Avo(即圖
Fig13.6 中，將 RL 移除)。請在 PSpice 選擇 Analysis Type 為 Time Domain，其 Run to time 填
入 5m，而電路中的輸入訊號頻率為 5KHz、振幅 Amp 自行輸入適當值(輸出電壓能夠達到全
擺幅)。請比較模擬結果之電壓增益與工作一之(4)項的手算分析結果，並將模擬波形記錄於實
驗記錄簿中。
(3) 接著請接上負載 RL=10K，再次模擬輸出入振幅並計算閉迴路增益 Av，請比較模擬結果與工
作一之(4)項的手算分析結果，請將模擬波形記錄於實驗記錄簿中。
工作三、麵包板實做
實際操作並測量工作二之(1)、(2)、(3)之工作內容：
(1) 請以 CD4007 連接如圖 Fig13.6 之電路，RD 根據工作一之(3)中所決定的實際電阻。請分別實
測各點的直流偏壓 VG、VD、VS，以及 ID 電流，記錄於實驗筆記(註：此時 pin3 請接上工作一
之(2)所計算出的 VG 直流電壓)。
(2) 依圖 Fig13.6 之電路，將負載 RL 移除，Vsig 請輸入與工作二之(2)一樣的訊號，藉由示波器觀
測其輸出波形、振幅，計算其電壓增益 Avo 於實驗記錄簿中。
(3) 再修改上述之電路，於輸出端連接負載 RL=10K，同樣記錄有負載 RL 情況下的輸出振幅波形，
計算其電壓增益 Av 於實驗記錄簿中。

Fig 13.6、CS Amp 電路圖