T.

C MARMARA ÜNİVERSİTESİ
TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
ELEKTRONİK-1 DENEY RAPORU-7
AD: Şimal

SOYAD: TATLISES

NUMARA: 170522053

AD: Beyza Nur

SOYAD: BAYAR

NUMARA:170522028

E-POSTA: beyzabayar.76@gmail.com, tatlisesbiber@gmail.com

ŞEKİL-1:
BÖLÜM 1.1: Hesaplanan Değerler
BÖLÜM 1.2: Simülasyon Uygulaması
ŞEKİL-2:
BÖLÜM 2.1: Hesaplanan Değerler
BÖLÜM 2.2: Simülasyon Uygulaması
ŞEKİL-3:
BÖLÜM 3.1: Hesaplanan Değerler
BÖLÜM 3.2: Simülasyon Uygulaması
DENEY FÖYÜNDEKİ SORULARIN YANITLARI

ÖĞRETİM ÜYELERİ: Dr. Öğr. Üyesi Veysel Gökhan BÖCEKÇİ

Arş. Gör. Dr. Kenan SAVAŞ
Arş. Gör. Kenan TOKER

TARİH: 09/12/2023
ŞEKİL-1: Beyz Ön Gerilimlendirme

Ölçülen Hesaplanan
VCQ 6,85 V 7,11 V
VBE 0,758 V 0,74 V
IBQ 2,56 µA 89,4 µA
ICQ 13,6 mA 16,9 mA
β = ICQ / IBQ 531,25 189,03
R1 284,7 KΩ 159,995 KΩ

BÖLÜM 1.: Devrenin Simülasyon Uygulaması

 ŞEKİL-2: Kollektöre Geri-Beslemeli Ön Gerilimlendirme

Ölçülen Hesaplanan
VCQ 6,97 V 6,98 V
VBE 0,68 V 0,74 V
IBQ 1,5 mA 99,1 µA
ICQ 0,18 mA 17,1 mA
β = ICQ / IBQ 12,666 172,55
R1 37,8 KΩ 6,05 KΩ

BÖLÜM 2: Devrenin Simülasyon Uygulaması

ŞEKİL-3: Gerilim Bölücü Dirençler ile Yapılan Ön Gerilimlendirme

Ölçülen Hesaplanan
VCQ 7,112 V 7,14 V
VBE 0,74 V 0,74 V
IBQ 0,804 mA 0,09 mA
ICQ 0,015 A 16,7 mA
β = ICQ / IBQ 1,86 185,5
R1 21,23 KΩ 11,997 KΩ

BÖLÜM 3: Devrenin Simülasyon Uygulaması

DENEY FÖYÜNDEKİ SORULARIN YANITLARI:

1. Her bir devre için VBE = 0.6 V ve β =150 kabul ederek, R 1’i teorik olarak hesaplayınız ve ölçtüğünüz
değerlerle karşılaştırınız.
2. β, VBE ve ICQ’daki değişimlerden yola çıkarak en kararlı devre hangisidir? Belirtiniz.

En kararlı devre gerilim bölücü dirençler ile yapılan ön gerilimlendirme devresidir. Transistörün β katsayısı ve V BE
gerilimi değişse bile, beyz terminaline uygulanan gerilim değişmez. Bu nedenle bu devrede I CQ akımı da değişmez.

3. Şekil 3’te sıcaklık değişimine karşı kararlılık nasıl sağlanmıştır? Açıklayınız.

Beyz terminaline uygulanan gerilim, transistörün β katsayısı ve VBE gerilimi değişse bile değişmez. Bu beyz terminaline
uygulanan gerilimin sıcaklığa bağlı olarak değişimini azaltır ve transistörün çalışma noktasının sıcaklık değişiminden
etkilenmesini engeller.