REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACIÓN

UNIVERSIDAD CATOLICA ANDRES BELLO U.C.A.B

CIRCUITOS NO LINEALES

Profesor: Elaborado por:

Igor Chavez Leandro Narváez
Héctor Vazquez

Caracas, Diciembre de 2016

 Introducción

Los semiconductores son sólidos cristalinos o amorfos con características

eléctricas distintas. Son de alta resistencia eléctrica - más altos que los materiales
de resistencia típicos, pero todavía de mucha menor resistencia que los
aisladores. Su resistencia disminuye a medida que aumenta su temperatura, que
es un comportamiento opuesto al de un metal. Finalmente, sus propiedades
conductoras pueden ser alteradas de manera útil por la introducción deliberada y
controlada de impurezas ("dopaje") en la estructura cristalina, lo que disminuye su
resistencia, pero también permite la creación de uniones semiconductoras entre
regiones dopadas de forma diferente del semiconductor extrínseco cristal. El
comportamiento de los portadores de carga que incluyen electrones, iones y
agujeros de electrones en estas uniones es la base de diodos, transistores y toda
la electrónica moderna. (Raúl Zavala 2003)

Los dispositivos semiconductores pueden mostrar una gama de

propiedades útiles tales como pasar corriente más fácilmente en una dirección que
la otra, mostrando resistencia variable y sensibilidad a la luz o al calor. Debido a
que las propiedades eléctricas de un material semiconductor pueden modificarse
mediante dopaje, o mediante la aplicación de campos eléctricos o luz, los
dispositivos fabricados a partir de semiconductores pueden utilizarse para
amplificación, conmutación y conversión de energía. (Alessandro Cordelli 2008)

El objetivo general de este trabajo son los siguientes: Conocer dispositivos

eléctricos que presentan una característica tensión–corriente no lineal (materiales
no óhmicos); Analizar y discutir las características tensión–corriente de un: diodo
semiconductor, LED y bombillo de filamento de tungsteno; Comprender el proceso
que diferencia la conductividad en cada uno de los elementos no lineales,
utilizados en la práctica.
Para desarrollar este tema a través de una experiencia en clase se elabora
un informe que consta de las siguientes partes: Introducción en la que se plantea
tema; Marco Teórico donde se define brevemente tópicos del experimento;
Desarrollo punto en cual se expone e interpreta las premisas a tratar. Y por último
bibliografía donde se adjunta los libros y autores que lograron facilitar el
desenvolvimiento del trabajo.

“Estudia no para saber una cosa más, sino para saberla mejor”
Albert Einstein
 Marco Teórico

Conductividad variable: Los semiconductores en su estado natural son

conductores pobres debido a que una corriente requiere el flujo de electrones, y
los semiconductores tienen sus bandas de valencia llenas, evitando el flujo de
entrada de nuevos electrones. Existen varias técnicas desarrolladas que permiten
que los materiales semiconductores se comporten como materiales conductores,
como el dopado o el gating. Estas modificaciones tienen dos resultados: n-type y
p-type. Estos se refieren al exceso o escasez de electrones, respectivamente. Un
número desequilibrado de electrones causaría una corriente fluir a través del
material. (Raúl Zavala 2003)
Heterojunciones: ocurren cuando dos materiales semiconducting dopado
diferentemente se unen juntos. Por ejemplo, una configuración podría consistir en
germanio dopado p y n-dopado. Esto da como resultado un intercambio de
electrones y agujeros entre los materiales semiconductores dopados de manera
diferente. El germanio n-dopado tendría un exceso de electrones, y el germanio
dopado-p tendría un exceso de agujeros. La transferencia se produce hasta que el
equilibrio se alcanza mediante un proceso llamado recombinación, lo que hace
que los electrones migratorios del tipo n entren en contacto con los orificios
migratorios del tipo p. Un producto de este proceso es iones cargados, que dan
como resultado un campo eléctrico. (Alessandro Cordelli 2008)
Electrones emocionados: Una diferencia de potencial eléctrico sobre un material
semiconductor causaría que saliera de un equilibrio térmico y creara una situación
de no equilibrio. Esto introduce electrones y agujeros al sistema, que interactúan a
través de un proceso llamado difusión ambipolar. Siempre que el equilibrio térmico
se altera en un material semiconductor, la cantidad de agujeros y electrones
cambia. Tales interrupciones pueden ocurrir como resultado de una diferencia de
temperatura o fotones, que pueden entrar en el sistema y crear electrones y
agujeros. El proceso que crea y aniquila electrones y agujeros se llama generación
y recombinación. (Raúl Zavala 2003)
Emisión de luz: En ciertos semiconductores, los electrones excitados pueden
relajarse emitiendo luz en lugar de producir calor. Estos semiconductores se
utilizan en la construcción de diodos emisores de luz y puntos cuánticos
fluorescentes. (Alessandro Cordelli 2008)
Conversión de energía térmica: Los semiconductores tienen grandes factores de
potencia termoeléctrica que los hacen útiles en generadores termoeléctricos, así
como altas figuras termoeléctricas de mérito que los hacen útiles en refrigeradores
termoeléctricos. (Alessandro Cordelli 2008)
 Parte Experimental
Equipos utilizados:

 Multímetro Digital GoldStar y Gwinstek

 Fuente de voltaje.
 Tabla con resistencias de diferentes valores.
 Resistencia
 Diodo LED

Instrucciones

Característica tensión-corriente de un diodo semiconductor

 Montar el circuito mostrado a continuación

Varíe la tensión V0 y mida el voltaje Vd y la corriente Id (considere para Vd

ocho valores entre 0 V y 0,5 V e, igualmente, entre 0,5 V y 1 V). Vacíe los valores
obtenidos en una tabla. Invierta el diodo y varíe V0 entre 0 y 20 V. Considere diez
medidas en dicho intervalo. Realice previamente un dibujo donde esquematice
cómo conectará el o los multímetros para medir Vd e Id en este caso. Con los
puntos obtenidos en los apartes 1.a y 1.b, realice la gráfica I(V) para el diodo
semiconductor. A partir de la curva tensión–corriente obtenida, determine el voltaje
de conducción del diodo semiconductor (indíquelo en la gráfica y tabla de valores).
Característica tensión-corriente de un bombillo con filamento de tungsteno
 Montar el circuito indicado

Varíe V0 hasta observar que el bombillo se enciende. Vuelva la perilla de la

fuente a cero y considere quince valores entre éste y un voltio por encima del valor
de voltaje para el cual se encendió el bombillo. Mida los valores de Vb y de ib
(observe de nuevo el voltaje de encendido). Grafique los valores obtenidos [V(i)] e
indique el voltaje de encendido. Para cada par de valores de voltaje e intensidad,
calcule la resistencia del filamento del bombillo aplicando la ley de Ohm.
Represente estos valores junto a la tabla de Vb e ib. Haga un gráfico de Rb en
función de ib en papel milimetrado y semilog. Deduzca la relación entre las dos
magnitudes.

Comportamiento de un LED
Monte el circuito de la experiencia 1, colocando en este caso el LED que se
encuentra en su tablero de trabajo. El LED soporta una tensión ánado-cátodo
aproximadamente de 1,5V y una corriente de 20mA. Alimente el circuito con una
tensión de 9V, mida el voltaje en el LED y en la resistencia de protección. Calcule
la intensidad de corriente que circula por la resistencia, conocidos los datos de la
sección (3.a.). Analice sus resultados. Invierta el LED y repita todo el
procedimiento de la sección (3.b.). Analice sus resultados. Considere para las
medidas realizadas en (3.b. y 3.c), que el LED tiene las siguientes características
Vd = 2V y Id = 30mA. Repita los cálculos rezados en las secciones anteriores.
 Resultados

TABLA Nº1

(Tabla relacionada con los 6 valores obtenidos de 0V a 0,5V)

Fuente I Vo

00,1V (0,001±0,001)mA (0,125±0,001)V

00,2V (0,002±0,001)mA (0,171±0,001)V

00,3V (0,006±0,001)mA (0,263±0,001)V

00,4V (0,084±0,001)mA (0,386±0,001)V

00,5V (0,498±0,001)mA (0,448±0,001)V

TABLA Nº2

(Tabla relacionada con los 5 valores obtenidos de 0,5V a 1V)

Fuente I Vo

00,6V (0,181±0,001)mA (0,501±0,001)V

00,7V (0,276±0,001)mA (0,519±0,001)V

00,8V (0,368±0,001)mA (0,532±0,001)V

00,9V (0,470±0,001)mA (0,543±0,001)V

01,0V (0,614±0,001)mA (0,555±0,001)V

TABLA Nº3
 (Tabla relacionada con los 10 valores obtenidos de 0V a 20V)

Fuente I Vo

01,0V (0,001±0,001)mA (1,020±0,001)V

03,0V (0,006±0,001)mA (3,080±0,001)V

03,2V (0,006±0,001)mA (3,200±0,001)V

04,4V (0,008±0,001)mA (4,450±0,001)V

06,1V (0,011±0,001)mA (6,120±0,001)V

10,9V (0,018±0,001)mA (10,980±0,001)V

11,3V (0,019±0,001)mA (11,420±0,001)V

14,3V (0,023±0,001)mA (14,470±0,001)V

16,5V (0,027±0,001)mA (16,760±0,001)V

19,9V (0,031±0,001)mA (20,120±0,001)V

TABLA Nº4

(Tabla relacionada con los valores obtenidos del bombillo por 1V menos)
 Fuente I Vo

0V (0,0042±0,001)mA (0±0,001)V

1V (0,0648±0,001)mA (0,730±0,001)V

2V (0,0951±0,001)mA (1,600±0,001)V

3V (0,1222±0,001)mA (2,550±0,001)V

4V (0,1433±0,001)mA (3,400±0,001)V

5V (0,1665±0,001)mA (4,470±0,001)V

Conclusión

Los semiconductores se definen como materiales que tienen una

conectividad entre los no conductores y conductores, de acuerdo con el
Departamento de Ciencia de los Materiales e Ingeniería de la Universidad de
Illinois Urbana-Champaign. Los no conductores se clasifican generalmente como
cerámicas, mientras que los conductores se clasifican generalmente como
metales. Los semiconductores pueden ser de una variedad de elementos. Por
ejemplo, los semiconductores pueden ser elementos puros tales como el germanio
o el silicio, o pueden ser compuestos tales como el seleniuro de cadmio o el
arseniuro de galio.
Al trabajar con las magnitudes mencionadas es preciso conocer el tema
previamente para poder desempeñar con fluidez a la hora de resolver los
ejercicios, por ello se recomienda siempre que se tenga actividades
experimentales para estar familiarizado con el contenido a fin de desarrollar
positivamente la guía de los ejercicios.
“No importa el numero de intentos, las cosas hay que hacerlas bien” Robert
Hardwell

Bibliografía

 Raúl Antonio Zavala López. Fundamentos de física para principiantes.

Editorial Interamericana (Julio 2003)
 Alessandro Cordelli. Fisica Moderna. (Marzo 2008)