‫ﺟﺰﻭﻩ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ‪۲‬‬

‫ﺑﻬﺮﻭﺯ ﺁﺩﻳﻨﻪ‬
 ‫ﻓﻬﺮﺳﺖ ﻣﻄﺎﻟﺐ‬

‫‪٣‬‬ ‫‪ ١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪۳‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۱-۱‬ﻣﻘﺪﻣﻪ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۴‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۲-۱‬ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۵‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۳-۱‬ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪. . . . . . . . .‬‬
‫‪۷‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۴-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۹‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۱-۴-۱‬ﻣﻨﺤﻨﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۱۲‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۲-۴-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺮﺍﯼ ﺳﺎﺯﻩﺍﯼ ﻣﺘﺸﮑﻞ ﺍﺯ ﭼﻨﺪ ﻣﺎﺩﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫‪۱۸‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۵-۱‬ﺍﺛﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۲۱‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۶-۱‬ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۲۶‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۷-۱‬ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۲۹‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۸-۱‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ( ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۳۳‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۱-۸-۱‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﯼ ﺩﻟﺘﺎ ﻣﺎﮐﺲ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۳۴‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۲-۸-۱‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ( ‪. . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۳۵‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۳-۸-۱‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ)ﻓﻮﮐﻮ( ‪. . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۳۷‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۴-۸-۱‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۳۸‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۹-۱‬ﺗﺤﺮﻳﮏ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬

‫‪۴٢‬‬ ‫‪ ٢‬اﺻﻮل ﺗﺒﺪﯾﻞ اﻧﺮژی اﻟﮑﺘﺮوﻣﮑﺎﻧﯿﮑﯽ‬

‫‪۴۲‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۱-۲‬ﻣﻘﺪﻣﻪ ‪. . . . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۴۲‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۲-۲‬ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺫﺧﻴﺮﻩ ﺷﺪﻩ ﺩﺭ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫‪۴۶‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۳-۲‬ﭘﺨﺶ ﺍﻧﺮﮊﯼ ‪. . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۵۱‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۴-۲‬ﺍﻧﺮﮊﯼ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪. . . . . .‬‬
‫‪۵۵‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪ ۵-۲‬ﺷﺒﻪ ﺍﻧﺮﮊﯼ ‪. . . . . . . . . . . .‬‬
‫‪۶۰‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫‪.‬‬ ‫ﻣﺮﺍﺟﻊ ‪. . . . . . . . . . . . . . . . .‬‬

‫‪۲‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪١‬‬

‫ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫ﻣﻘﺪﻣﻪ‬ ‫‪١-١‬‬
‫ﺷﺎﺭ ‪۲‬‬ ‫ﺍﻣﺘﻴﺎﺯ ﺍﺳﺎﺳﯽ ﺑﻪ ﮐﺎﺭ ﮔﺮﻓﺘﻦ ﻣﺎﺩﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‪ ،‬ﺑﻪ ﺍﻳﻦ ﺩﻟﻴﻞ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ‬
‫ﺑﺰﺭﮔﯽ ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦ ﺣﺎﺻﻞ ﺷﻮﺩ ﻭ ﺑﺎﻟﻤﺎﻝ ﺑﻪ ﺗﻮﻟﻴﺪ ﮔﺸﺘﺎﻭﺭﯼ ‪ ۳‬ﺯﻳﺎﺩ ﻳﺎ ﺧﺮﻭﺟﯽ ﺍﻓﺰﻭﻧﯽ ﺑﻪ ﺍﺯﺍ ﻭﺍﺣﺪ ﺣﺠﻢ ﻣﻨﺠﺮ‬
‫ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﺑﻪ ﺳﺨﻨﯽ ﺩﻳﮕﺮ ﺑﺎ ﺑﻪ ﮐﺎﺭﮔﻴﺮﯼ ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﺑﻌﺎﺩ ﻣﺎﺷﻴﻦ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﻪ ﻧﺤﻮ ﭼﺸﻢﮔﻴﺮﯼ ﮐﺎﻫﺶ‬
‫ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ ]‪.[۱‬‬
‫ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﻤﮑﻦ ﺍﺳﺖ ﻓﻘﻂ ﺍﺯ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ۴‬ﺗﺸﮑﻴﻞ ﺷﺪﻩ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫)ﺗﺮﺍﻧﺴﻔﻮﺭﻣﺎﺗﻮﺭﻫﺎ(‪ ،‬ﻳﺎ ﺍﺯ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﭘﻴﻮﻧﺪ ﺑﺎ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ )ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ( ‪ ۵‬ﻓﺮﺍﻫﻢ ﺷﺪﻩ ﺑﺎﺷﻨﺪ‬
‫)ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺩﻭﺍﺭ(‪ .‬ﺩﺭ ﺍﮐﺜﺮ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﻪ ﺟﺰ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺑﺎ ﺁﻫﻦﺭﺑﺎﯼ ﺩﺍﺋﻢ ‪ ،۶‬ﻣﻴﺪﺍﻥ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻳﺎ ﺷﺎﺭ ‪ ۷‬ﺑﻪ ﮐﻤﮏ ﻋﺒﻮﺭ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺯ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻﻫﺎﯼ ‪ ۸‬ﮐﻪ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪،‬‬
‫ﺍﻳﺠﺎﺩ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ ]‪.[۱‬‬
‫ﻣﻴﺪﺍﻥ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺯ ﺑﺎﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺳﺎﮐﻦ ﻧﺸﺎﺕ ﻣﯽﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﺍﮔﺮ ﺑﺎﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﺎ ﺳﺮﻋﺘﯽ ﻳﮑﻨﻮﺍﺧﺖ‬
‫ﺑﻪ ﺣﺮﮐﺖ ﺩﺭﺁﻳﻨﺪ‪ ،‬ﺍﺛﺮ ﺛﺎﻧﻮﻳﻪ ﻳﻌﻨﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺷﮑﻞ ﻣﯽﮔﻴﺮﺩ‪ .‬ﻧﺘﻴﺠﻪ ﺁﻧﮑﻪ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﺯ ﺑﺎﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‬
‫ﻣﺘﺤﺮﮎ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﺯ ﺁﻧﺤﺎﺋﻴﮑﻪ ﺑﺎﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﺘﺤﺮﮎ ﻣﻮﺟﺪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ ،‬ﻟﺬﺍ ﺟﺮﻳﺎﻥﻫﺎﯼ‬
‫ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﻨﺎﺑﻊ ﺍﺻﻠﯽ ﻣﻴﺪﺍﻥﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺤﺴﻮﺏ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ ]‪.[۲‬‬
‫‪2 Flux‬‬ ‫‪Density‬‬
‫‪3 Torque‬‬
‫‪4 Ferro‬‬ ‫‪Magnetic Materials‬‬
‫‪5 Air‬‬‫‪Gap‬‬
‫‪6 Permanent Magnet Machines‬‬
‫‪7 Flux‬‬
‫‪8 Coils‬‬

‫‪۳‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۴‬‬

‫راﺑﻄﻪ ﺑﯿﻦ ﺟﺮﯾﺎن و ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪٢-١‬‬

‫ﺩﺭ ﺁﻏﺎﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻳﮏ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ )‪ (i‬ﻭ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ۱‬ﺣﺎﺻﻠﻪ ﺗﻮﺳﻂ ﺟﺮﻳﺎﻥ ) ‪ (H‬ﺭﺍ ﻣﻮﺭﺩ‬
‫ﺑﺮﺭﺳﯽ ﻗﺮﺍﺭ ﻣﯽﺩﻫﻴﻢ‪ .‬ﻫﺮﮔﺎﻩ ﺍﺯ ﻳﮏ ﻫﺎﺩﯼ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻋﺒﻮﺭ ﮐﻨﺪ‪ ،‬ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﺍﻃﺮﺍﻑ ﻫﺎﺩﯼ ﺷﮑﻞ ﻣﯽﮔﻴﺮﺩ‬
‫)ﺷﮑﻞ ‪ .(۱-۱‬ﺟﻬﺖ ﺧﻄﻮﻁ ﺷﺎﺭ ﻳﺎ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺗﻮﺳﻂ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺷﺴﺖ ‪ ۲‬ﺩﺳﺖ ﻣﻌﻴﻦ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﻃﺒﻖ‬
‫ﺍﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮﻥ‪ ،‬ﺍﮔﺮ ﻫﺎﺩﯼ ﺑﺎ ﺩﺳﺖ ﺭﺍﺳﺖ ﻧﮕﻪﺩﺍﺷﺘﻪ ﺷﻮﺩ ﺑﻪ ﻧﺤﻮﯼ ﮐﻪ ﺍﻧﮕﺸﺖ ﺷﺴﺖ ﺩﺭ ﺟﻬﺖ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ‬
‫ﺻﻮﺭﺕ ﺳﺮﺍﻧﮕﺸﺘﺎﻥ ﺩﻳﮕﺮ ﺟﻬﺖ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺩﺍﺩ ]‪.[۱‬‬

‫‪fig1‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱-۱‬ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﮔﺮﺩﺍﮔﺮﺩ ﻳﮏ ﻫﺎﺩﯼ ﺣﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺩﺳﺖ ﺭﺍﺳﺖ‬

‫ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﺯ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻣﺪﺍﺭﯼ ﺁﻣﭙﺮ ‪ ۳‬ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﻃﺒﻖ ﺍﻳﻦ ﻗﺎﻧﻮﻥ‪ ،‬ﺍﻧﺘﮕﺮﺍﻝ‬
‫ﺧﻄﯽ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻫﺮ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺴﺪﻭﺩ ‪ ۴‬ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥﻫﺎﻳﯽ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﻮﺍﺳﻄﻪ ﺁﻥ ﻣﺴﻴﺮ‬
‫ﻣﺴﺪﻭﺩ ﺍﺣﺎﻃﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪.[۱‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ‪ ۲-۱‬ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪I‬‬ ‫∑‬
‫= ‪H.dl‬‬ ‫‪i = i۱ + i۲ − i۳‬‬ ‫‪(۱-۱) eq1‬‬

‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺭﺍﺑﻄﻪ ‪ H‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻳﮏ ﻧﻘﻄﻪ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ﺑﺴﺘﻪ ﺍﺳﺖ ﻭ ‪ dl‬ﻃﻮﻝ ﺟﺰﺋﯽ )ﺩﻳﻔﺮﺍﻧﺴﻴﻞ‬
‫ﻃﻮﻝ( ﺩﺭ ﻫﻤﺎﻥ ﻧﻘﻄﻪ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺍﮔﺮ ‪ θ‬ﺯﺍﻭﻳﻪ ﺑﻴﻦ ﺑﺮﺩﺍﺭﻫﺎﯼ ‪ H‬ﻭ ‪ dl‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪I‬‬ ‫∑‬
‫= ‪Hdl cos θ‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪(۲-۱) eq2‬‬

‫ﺍﮐﻨﻮﻥ ﻳﮏ ﻫﺎﺩﯼ ‪ ۵‬ﺭﺍ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ ﮐﻪ ﺟﺮﻳﺎﻧﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﺷﮑﻞ ‪ ۳-۱‬ﺍﺯ ﺁﻥ ﺑﮕﺬﺭﺩ‪ .‬ﺑﺮﺍﯼ ﺩﺳﺖﻳﺎﺑﯽ ﺑﻪ ﺭﺍﺑﻄﻪﺍﯼ‬
‫ﺟﻬﺖ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ‪ r‬ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻫﺎﺩﯼ‪ ،‬ﺩﺍﻳﺮﻩﺍﯼ ﺑﻪ ﺷﻌﺎﻉ ‪ r‬ﺭﺳﻢ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﻫﺮ ﻧﻘﻄﻪ ﺍﺯ ﺍﻳﻦ‬
‫‪1 Magnetic‬‬‫‪Field Intensity‬‬
‫‪2 Thumb‬‬ ‫‪Rule‬‬
‫‪3 Amper’s Circuit Law‬‬
‫‪4 Contour‬‬
‫‪5 Conductor‬‬
 ‫‪۵‬‬ ‫‪ .٣-١‬راﺑﻄﻪ ﺑﯿﻦ ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ و ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪fig2‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲-۱‬ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻣﺪﺍﺭﯼ ﺁﻣﭙﺮ‬

‫ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺪﻭﺭ ‪ H‬ﻭ ‪ dl‬ﻫﻢﺳﻮ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺳﺨﻨﯽ ﺩﻳﮕﺮ ‪ θ‬ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺻﻔﺮ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﮔﻔﺖ ﺑﻪ ﺳﺒﺐ ﺗﻘﺎﺭﻥ‪ H ،‬ﺩﺭ ﻫﻤﻪ‬
‫ﻧﻘﺎﻁ ﺍﻳﻦ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﺪﻭﺭ ﻭ ﻣﺴﺪﻭﺩ ﻳﮑﺴﺎﻥ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺑﻮﺩ‪ .‬ﻟﺬﺍ ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ )‪ (۲-۱‬ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪I‬‬ ‫‪I‬‬ ‫‪I‬‬
‫‪i‬‬
‫⇒ ‪H.dl = i‬‬ ‫‪Hdl cos ۰ = H‬‬ ‫= ‪dl = i ⇒ H۲πr = i ⇒ H‬‬ ‫‪(۳-۱) eq3‬‬
‫‪۲πr‬‬

‫‪fig3‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۳-۱‬ﺗﻌﻴﻴﻦ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﻄﺎﻳﺴﯽ ﻧﺎﺷﯽ ﺍﺯ ﻫﺎﺩﯼ ﺣﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬

‫راﺑﻄﻪ ﺑﯿﻦ ﺷﺪت ﻣﯿﺪان ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ و ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪٣-١‬‬

‫ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻫﺮ ﺟﺎ ﮐﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ) ‪ (B‬ﺭﺍ ﭘﺪﻳﺪ ﻣﯽﺁﻭﺭﺩ ﻭ ﺍﻳﻦ ﺩﻭ ﮐﻤﻴﺖ‬
‫ﺍﻳﻦﮔﻮﻧﻪ ﺑﻪ ﻫﻢ ﻭﺍﺑﺴﺘﻪﺍﻧﺪ ]‪:[۱‬‬

‫‪weber‬‬
‫‪B = µH‬‬ ‫‪ tesla‬ﻳﺎ‬ ‫‪(۴-۱) eq4‬‬
‫‪m۲‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۶‬‬

‫‪Wb‬‬
‫‪B = µr µ۰ H‬‬ ‫‪ T‬ﻳﺎ‬ ‫‪(۵-۱) eq5‬‬
‫‪m۲‬‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ]‪:[۱‬‬

‫‪ µ .۱‬ﺧﺼﻴﺼﻪﺍﯼ ﺍﺯ ﻣﺤﻴﻂ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ۱‬ﻣﺤﻴﻂ )ﭘﺮﻣﺎﺑﻠﻴﺘﻪ( ﻧﺎﻡ ﺩﺍﺭﺩ‪.‬‬

‫‪ µ۰ .۲‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﻀﺎﯼ ﺁﺯﺍﺩ ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﺑﺮﺍﺑﺮ ‪ ۴π × ۱۰−۷‬ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻭﺍﺣﺪ ﺍﻳﻦ ﺿﺮﻳﺐ ﻫﺎﻧﺮﯼ‬
‫ﺑﺮ ﻣﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ µr .۳‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ ‪ ۲‬ﻣﺤﻴﻂ ﻧﺎﻡ ﺩﺍﺭﺩ‪.‬‬

‫ﺩﺭ ﻓﻀﺎﯼ ﺁﺯﺍﺩ ﻳﺎ ﻫﺎﺩﯼﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﻣﺲ ﻭ ﺁﻟﻮﻣﻴﻨﻴﻮﻡ ﻳﺎ ﻋﺎﻳﻖﻫﺎ‪ ،‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ µr‬ﺑﺮﺍﺑﺮ ﻳﮏ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﻣﺎ‬
‫ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺁﻫﻦ‪ ،‬ﮐﺒﺎﻟﺖ ﻭ ﻧﻴﮑﻞ‪ µr ،‬ﺍﺯ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﺻﺪ ﺗﺎ ﭼﻨﺪﻳﻦ ﻫﺰﺍﺭ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ µr .‬ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻪ ﮐﺎﺭ ﺭﻓﺘﻪ ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺩﺭ ﻣﺤﺪﻭﺩﻩ ‪ ۲۰۰۰‬ﺗﺎ ‪ ۶۰۰۰‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﻫﺮﭼﻪ ‪ µr‬ﺑﺰﺭﮔﺘﺮ‬
‫ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﻪ ﺍﺯﺍ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮐﻤﺘﺮﯼ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺍﻓﺰﻭﻧﯽ ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪.[۱‬‬
‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺭﺍ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﺯﻳﺮ ﻧﻮﺷﺖ ]‪:[۲‬‬
‫‪I‬‬ ‫∑‬
‫‪B.dl = µ‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪(۶-۱) eq6‬‬

‫ﺍﺯ ﻧﻘﻄﻪ ﻧﻈﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ‪ B‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ‪ i‬ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﻣﻮﺍﺩ ﺭﺍ ﺑﻪ ﺩﻭ ﺩﺳﺘﻪ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﮐﺮﺩ ]‪:[۲‬‬

‫‪ .۱‬ﻣﻮﺍﺩ ﻏﻴﺮﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ،۳‬ﻫﻤﭽﻮﻥ ﻋﺎﻳﻖﻫﺎ ﻭ ﻓﻠﺰﺍﺗﯽ ﮐﻪ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺁﻥﻫﺎ ﺍﺯ ﻧﻈﺮ ﻣﻘﺎﺻﺪ ﻋﻤﻠﯽ‬
‫ﻣﻌﺎﺩﻝ ‪ µ۰‬ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ .۲‬ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻪ ﺑﻪ ﮔﺮﻭﻩ ﺁﻫﻦ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺷﺪﻩ ﻭ ﺑﻪ ﺁﻥﻫﺎ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﻴﺰ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ B .‬ﺑﺮﺣﺴﺐ‬
‫‪ i‬ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺭﺍ ﻧﻴﺰ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﻪ ﺩﻭ ﺩﺳﺘﻪ ﺗﻘﺴﻴﻢ ﻧﻤﻮﺩ ]‪:[۲‬‬

‫‪ .۱‬ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻧﺮﻡ ‪ ۴‬ﮐﻪ ﺩﺭ ﺁﻥﻫﺎ ﺧﻄﯽ ﮐﺮﺩﻥ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ‪ B‬ﺑﺮﺣﺴﺐ ‪ i‬ﺍﻣﮑﺎﻥﭘﺬﻳﺮ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺍﺯ ﺗﻘﺮﻳﺐ‬
‫ﺧﻮﺑﯽ ﺑﺮﺧﻮﺭﺩﺍﺭ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫‪1 Permability‬‬
‫‪2 Relative‬‬ ‫‪Permability‬‬
‫‪3 Nonmagnetic‬‬ ‫‪Materials‬‬
‫‪4 Soft‬‬
 ‫‪۷‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪ .۲‬ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺳﺨﺖ ‪ ۱‬ﮐﻪ ﺩﺭ ﺁﻥﻫﺎ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺸﮑﻞ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺍﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﻣﻮﺍﺩ ﺑﺮﺍﯼ‬
‫ﺳﺎﺧﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺩﺍﺋﻢ ﻣﻨﺎﺳﺐ ﻫﺴﺘﻨﺪ‪.‬‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ﮐﻪ ﻋﻤﻮﻣﺎ ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﻧﺮﻡ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺑﺨﺎﻃﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﺍﻣﺎ ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ‬
‫ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ ﺳﺨﺖ‪ B ،‬ﺑﺨﺎﻃﺮ ﺩﻭ ﻋﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ ﻣﺎﺩﻩ ﺑﺮﻭﺯ ﻣﯽﻧﻤﺎﻳﺪ ]‪.[۲‬‬

‫ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۴-١‬‬

‫ﭼﻨﺒﺮﻩ ‪۲‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ ۴-۱‬ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺳﺎﺩﻩ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ ﮐﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺣﻠﻘﻪﮔﻮﻧﯽ ﺭﺍ ﺩﺍﺭﺩ ﻭ‬
‫ﻧﺎﻣﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﮔﻴﺮﻳﻢ ﺑﻪ ﺩﻭﺭ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻳﮏ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ‪ N‬ﺩﻭﺭﯼ )ﺣﻠﻘﻪﺍﯼ( ‪ ۳‬ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﺷﺪﻩ ﺑﺎﺷﺪ ﻭ ﺍﺯ ﺁﻥ‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ i‬ﻋﺒﻮﺭ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺻﻮﺭﺕ ﺷﺎﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻪ ﻋﻤﺪﺗﺎ ﺩﺭﻭﻥ ﻣﺎﺩﻩ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﺤﺒﻮﺱ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ ،‬ﺷﮑﻞ ﻣﯽﮔﻴﺮﺩ‪.‬‬
‫ﺷﺎﺭ ﺑﻴﺮﻭﻥ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﺑﻪ ﺍﻧﺪﺍﺯﻩﺍﯼ ﻧﺎﭼﻴﺰ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺩﺭ ﻣﻘﺎﺻﺪ ﻋﻤﻠﯽ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺍﺯ ﺁﻥ ﭼﺸﻢﭘﻮﺷﯽ ﻧﻤﻮﺩ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺷﺎﺭ ﺑﻪ ﺷﺎﺭ‬
‫ﻧﺸﺘﯽ ‪ ۴‬ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۴-۱‬ﻣﺴﻴﺮﯼ ﺑﻪ ﺷﻌﺎﻉ ‪ r‬ﺭﺍ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ‪ .‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﺍﻳﻦ‬
‫ﻣﺴﻴﺮ ‪ H‬ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﻃﺒﻖ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻣﺪﺍﺭﯼ ﺁﻣﭙﺮ ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪I‬‬
‫‪H.dl = N i ⇒ Hl = N i ⇒ H۲πr = N i‬‬ ‫)‪(۷-۱‬‬

‫‪fig4‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۴-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﭼﻨﺒﺮﻩﺍﯼ ﺷﮑﻞ‬

‫‪1 Hard‬‬
‫‪2 Toroid‬‬
‫‪3 Turns‬‬
‫‪4 Leakage‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۸‬‬

‫ﮐﻤﻴﺖ ‪ N i‬ﻧﻴﺮﻭﯼ ﻣﺤﺮﮐﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ۱‬ﻳﺎ ‪ mmf‬ﻧﺎﻣﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﻭ ﻭﺍﺣﺪ ﺁﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺩﻭﺭ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺳﻬﻮﻟﺖ‬
‫ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪At‬‬
‫= ‪Hl = N i = F ⇒ H‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪(۸-۱) eq7‬‬
‫‪l‬‬ ‫‪m‬‬

‫ﺍﺯ ﺭﻭﺍﺑﻂ )‪ (۴-۱‬ﻭ )‪ (۸-۱‬ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬

‫‪µN i‬‬
‫=‪B‬‬ ‫‪T‬‬ ‫‪(۹-۱) eq8‬‬
‫‪l‬‬

‫ﮔﻴﺮﻳﻢ ﻫﻤﮕﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﻣﺤﺒﻮﺱ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻳﻌﻨﯽ ﺷﺎﺭ ﻧﺸﺘﯽ ﺩﺭ ﻣﻴﺎﻥ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﺎﺭﯼ ﮐﻪ ﺍﺯ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﭼﻨﺒﺮﻩ‬
‫ﻣﯽﮔﺬﺭﺩ ﺍﻳﻦ ﭼﻨﻴﻦ ﺍﺳﺖ ]‪:[۱‬‬
‫∫‬
‫=‪ϕ‬‬ ‫‪BdA ⇒ ϕ = BA‬‬ ‫‪Wb‬‬ ‫‪(۱۰-۱) eq9‬‬

‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺭﻭﺍﺑﻂ ‪ B‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ‪ A‬ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻣﯽﺗﻮﺍﻧﺪ ﺑﺎ‬
‫ﻣﺴﻴﺮﯼ ﺑﻪ ﺷﻌﺎﻉ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﻣﺘﻨﺎﻇﺮ ﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﺍﮔﺮ ‪ H‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﻳﻦ ﻣﺴﻴﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺁﻧﮕﺎﻩ ﺍﺯ ﺭﻭﺍﺑﻂ‬
‫)‪ (۹-۱‬ﻭ )‪ (۱۰-۱‬ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۱‬‬
‫‪µN i‬‬ ‫‪Ni‬‬ ‫‪Ni‬‬ ‫‪F‬‬
‫=‪ϕ‬‬ ‫=‪A‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫)‪(۱۱-۱‬‬
‫‪l‬‬ ‫‪l‬‬ ‫‪Re‬‬ ‫‪Re‬‬
‫‪µA‬‬
‫ﮐﻪ‪:‬‬
‫‪l‬‬ ‫‪۱‬‬ ‫‪At‬‬
‫= ‪Re‬‬ ‫=‬ ‫‪(۱۲-۱) eq10‬‬
‫‪µA‬‬ ‫‪P‬‬ ‫‪Wb‬‬

‫‪ R‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪) ۲‬ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ( ﻭ ‪ P‬ﻫﺪﺍﻳﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪) ۳‬ﭘﺮﻣﺎﻧﺲ( ﻧﺎﻣﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ ]‪.[۱‬‬

‫ﺍﺯ ﺭﻭﺍﺑﻂ )‪ (۱۰-۱‬ﻭ )‪ (۱۲-۱‬ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ ﮐﻪ‪:‬‬

‫‪ .۱‬ﺍﮔﺮ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺎﺩﻩ ﺯﻳﺎﺩ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻢ ﺷﺪﻩ ﻭ ﻟﺬﺍ ﺷﺎﺭ ﺑﻴﺸﺘﺮﯼ ﺩﺭ ﻣﺎﺩﻩ ﺷﮑﻞ‬
‫ﻣﯽﮔﻴﺮﺩ‪.‬‬

‫‪ .۲‬ﺍﮔﺮ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺎﺩﻩ ﮐﻢ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺯﻳﺎﺩ ﺷﺪﻩ ﻭ ﻟﺬﺍ ﺷﺎﺭ ﮐﻤﺘﺮﯼ ﺩﺭ ﻣﺎﺩﻩ ﺑﻪ ﺍﺯﺍ‬
‫‪ mmf‬ﻣﺸﺎﺑﻬﯽ ﺷﮑﻞ ﻣﯽﮔﻴﺮﺩ‪.‬‬
‫‪1 Magnetic‬‬ ‫‪Motive Force‬‬
‫‪2 Reluctance‬‬
‫‪3 Permeance‬‬
 ‫‪۹‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫ﺍﮔﺮ ‪ a‬ﻭ ‪ b‬ﺑﻪ ﺗﺮﺗﻴﺐ ﺷﻌﺎﻉ ﺩﺍﺧﻠﯽ ﻭ ﺧﺎﺭﺟﯽ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ ،‬ﺁﻧﮕﺎﻩ ﺷﻌﺎﻉ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺁﻥ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﺯﻳﺮ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ‬
‫ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪:[۲‬‬

‫‪b−a‬‬
‫‪r =a+‬‬ ‫)‪(۱۳-۱‬‬
‫‪۲‬‬

‫ﺭﺍﺑﻄﻪ )‪ (۱۲-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ ﮐﻪ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺗﺤﺮﻳﮏﮐﻨﻨﺪﻩ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺷﮑﻞ ‪ ۴-۱‬ﻫﻤﺎﻥ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﻣﺤﺮﮐﻪ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ) ‪ F‬ﻳﺎ ‪ N i‬ﻳﺎ ‪ (mmf‬ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﺷﺎﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺭﺍ ﺩﺭ ﺑﺮﺍﺑﺮ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎ ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ ‪ Re‬ﭘﺪﻳﺪ‬
‫ﻣﯽﺁﻭﺭﺩ‪ .‬ﺍﺯ ﺍﻳﻦﺭﻭ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﻣﯽﺗﻮﺍﻧﺪ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﻌﺎﺩﻟﯽ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪)۵-۱‬ﺍﻟﻒ( ﻧﺸﺎﻥ‬
‫ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﻮﺩ‪.‬‬

‫‪fig52-‬‬ ‫‪fig51-‬‬
‫)ﺏ( ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‬ ‫)ﺍﻟﻒ( ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬

‫‪fig5‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۵-۱‬ﺗﺸﺎﺑﻪ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‬

‫‪E‬‬
‫= ‪ .(i‬ﻣﺪﺍﺭ‬ ‫ﻻﺯﻡ ﺑﻪ ﺗﺬﮐﺮ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺭﺍﺑﻄﻪ )‪ (۱۲-۱‬ﻣﺸﺎﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺍﻫﻢ ﺩﺭ ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺳﺖ )‬
‫‪R‬‬
‫ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﺸﺎﺑﻪ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪)۵-۱‬ﺏ( ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﮔﻔﺖ ﻫﻤﻮﺍﺭﻩ ﺑﻪ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﭼﻬﺮﻩ ﻳﮏ‬
‫ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻧﮕﺮﻳﺴﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺗﺸﺎﺑﻪ ﺍﻳﻦ ﺩﻭ ﻣﺪﺍﺭ ﺩﺭ ﺟﺪﻭﻝ )‪ (۱-۱‬ﺁﻣﺪﻩ ﺍﺳﺖ ]‪.[۱‬‬

‫ﺟﺪﻭﻝ ‪ :۱-۱‬ﮐﻤﻴﺖﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺩﺭ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺑﺎ ﮐﻤﻴﺖﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬

‫‪t1‬‬
‫ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‬ ‫ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫ﻣﻨﺒﻊ ﺗﻐﺬﻳﻪ ‪ E‬ﻳﺎ ‪Emf‬‬ ‫ﻧﻴﺮﻭﯼ ﻣﺤﺮﮐﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ F‬ﻳﺎ ‪mmf‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪i‬‬ ‫ﺷﺎﺭ ‪ϕ‬‬
‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ‪R‬‬ ‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪Re‬‬

‫ﻣﻨﺤﻨﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ‬ ‫‪١-۴-١‬‬

‫ﺍﮔﺮ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﺷﮑﻞ ‪ ۴-۱‬ﺑﺎ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ i‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﻓﺰﻭﻥ ﺷﻮﺩ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ‬
‫ﻫﺴﺘﻪ ﻣﺎﻧﻨﺪ ﺷﮑﻞ ‪ ۶-۱‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻳﺎﻓﺘﻪ ﻭ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﻣﻨﺤﻨﯽ ﺷﮑﻞ ‪ ۶-۱‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪ B − H‬ﻳﺎ ﻣﻨﺤﻨﯽ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ ‪ ۱‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻧﺎﺣﻴﻪﺍﯼ ﮐﻪ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﻧﺪﺍﺯﻩﻫﺎﯼ ﮐﻤﯽ ﺩﺍﺭﺩ‪،‬‬
‫‪1 Magnetization‬‬ ‫‪Curve‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۱۰‬‬

‫ﺗﻘﺮﻳﺒﺎ ﺑﻪ ﮔﻮﻧﻪﺍﯼ ﺧﻄﯽ ‪ ۱‬ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ‪ ،‬ﺩﺭ ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺍﻧﺪﺍﺯﻩﻫﺎﯼ ﺑﻴﺸﺘﺮ ‪ ،H‬ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ‪ B‬ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ‪ ۲‬ﺍﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺑﻪ ﻋﺒﺎﺭﺕ ﺩﻳﮕﺮ ﻣﺎﺩﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺍﺛﺮ ﺍﺷﺒﺎﻉ ‪ ۳‬ﺭﺍ ﺍﺯ ﺧﻮﺩ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ )ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ( ﻣﺴﻴﺮ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺑﺴﺘﮕﯽ ﺩﺍﺭﺩ‪ .‬ﺁﻧﮕﺎﻩ ﮐﻪ ‪ B‬ﮐﻢ ﺍﺳﺖ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻮﭼﮏ ﺍﺳﺖ ﻭ ﻫﺮﮔﺎﻩ ‪B‬‬
‫ﺑﺰﺭﮒ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ )ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ( ﻧﻴﺰ ﺯﻳﺎﺩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﻧﻈﺮ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎ ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ‬
‫ﻣﺘﻔﺎﻭﺕ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺯﻳﺮﺍ ﻋﻤﻮﻣﺎ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﺴﺘﮕﯽ ﻧﺪﺍﺭﺩ‪ ،‬ﺣﺎﻝ ﺁﻧﮑﻪ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫)ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ( ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭﺍﺑﺴﺘﻪ ﺍﺳﺖ ]‪.[۱‬‬

‫‪fig6‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۶-۱‬ﻣﺸﺨﺼﻪ ‪ B − H‬ﻳﺎ ﻣﻨﺤﻨﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ‬

‫ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎﯼ ‪ B − H‬ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﭼﺪﻥ ‪ ،۴‬ﻓﻮﻻﺩ ﺭﻳﺨﺘﻪﮔﺮﯼ ‪ ۵‬ﻭ ﻭﺭﻕ ﻓﻮﻻﺩﯼ ﺳﻴﻠﻴﮑﻮﻧﯽ ‪ ۶‬ﺩﺭ ﺷﮑﻞ‬
‫‪ ۷-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻭﺍﺿﺢ ﺍﺳﺖ ﺍﮔﺮ ﺑﺨﻮﺍﻫﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺧﺎﺻﯽ ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺳﻪ ﻣﺎﺩﻩ ﭘﺪﻳﺪ ﺁﻳﺪ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥﻫﺎﯼ‬
‫ﻣﺘﻔﺎﻭﺗﯽ ﻧﻴﺎﺯ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪.‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ ١-١‬ﯾﮏ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﭼﻤﺒﺮهای ﺷﮑﻞ ﻣﻔﺮوض اﺳﺖ‪ .‬ﺷﻌﺎع ﻣﺘﻮﺳﻂ ‪ ٢۵ ۷‬ﺳﺎﻧﺘﯽﻣﺘﺮ و‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ‪ ۸‬آن ‪ ٣‬ﺳﺎﻧﺘﯽﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ اﺳﺖ‪ .‬ﺗﻌﺪاد دور ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ‪ ۶٠٠‬دور و ﺟﺮﯾﺎن ﻣﺴﺘﻘﯿﻢ ﻋﺒﻮری از آن‬
‫‪ ۱٫۵‬آﻣﭙﺮ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ١۵٠٠‬اﺳﺖ‪ .‬ﻣﻄﻠﻮﺑﺴﺖ‪:‬‬

‫اﻟﻒ( ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ )رﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ ﻫﺴﺘﻪ(‬

‫‪1 Linear‬‬
‫‪2 Non‬‬ ‫‪Linear‬‬
‫‪3 Saturation‬‬
‫‪4 Cast‬‬ ‫‪Iron‬‬
‫‪5 Cast‬‬ ‫‪Steel‬‬
‫‪6 Silicon Sheet Steel‬‬
‫‪7 Average Radius‬‬
‫‪8 Croos sectional Area‬‬
 ‫‪۱۱‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪fig7‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۷-۱‬ﻣﻨﺤﻨﯽﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ‬

‫ب( ‪ MMF‬و ‪ H‬در اﯾﻦ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫ج( ﺷﺎر و ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر در ﻫﺴﺘﻪ ﭼﻨﺒﺮه‬

‫ﺣﻞ‪:‬‬

‫ﺍﻟﻒ(‬

‫‪Lav = ۲π × ۰٫۲۵ m,‬‬ ‫‪µ = ۱۵۰۰ × ۴π × ۱۰−۷ ,‬‬ ‫‪A = ۳ × ۱۰−۴ m۲‬‬
‫‪Lav‬‬ ‫‪۲π × ۰٫۲۵‬‬ ‫‪At‬‬
‫= ‪Re‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۲٫۸۷ × ۱۰۶‬‬
‫‪µA‬‬ ‫‪۱۵۰۰ × ۴π × ۱۰−۷ × ۳ × ۱۰−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬

‫ﺏ(‬

‫‪F‬‬ ‫‪۹۰۰‬‬ ‫‪At‬‬

‫‪F = N I = ۶۰۰ × ۱٫۵ = ۹۰۰ At,‬‬ ‫=‪H‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۵۷۲٫۹۶‬‬
‫‪Lav‬‬ ‫‪۲π × ۰٫۲۵‬‬ ‫‪m‬‬

‫ﺝ(‬

‫‪F‬‬ ‫‪۹۰۰‬‬ ‫‪ϕ‬‬ ‫‪۳٫۲۴ × ۱۰−۴‬‬

‫=‪ϕ‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۳٫۲۴ × ۱۰−۴ Wb‬‬ ‫=‪B‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۱٫۰۸T‬‬
‫‪Re‬‬ ‫‪۲٫۸۷ × ۱۰۶‬‬ ‫‪A‬‬ ‫‪۳ × ۱۰−۴‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۱۲‬‬

‫ﻳﺎ ﺑﻪ ﻃﺮﻳﻘﯽ ﺩﻳﮕﺮ‪:‬‬

‫‪B = µH = ۱۵۰۰ × ۴π × ۱۰−۷ × ۵۷۲٫۹۶ = ۱٫۰۸,‬‬

‫‪ϕ = BA = ۱٫۰۸ × ۳ × ۱۰−۴ = ۳٫۲۴ × ۱۰−۴ Wb‬‬

‫ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺑﺮای ﺳﺎزهای ﻣﺘﺸﮑﻞ از ﭼﻨﺪ ﻣﺎده ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪٢-۴-١‬‬

‫ﺍﮔﺮ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻳﮑﻨﻮﺍﺧﺖ ﻓﺮﺽ ﺷﻮﺩ‪ ،‬ﻣﻔﻬﻮﻡ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺭﺍ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﻪ ﺳﺎﺯﻩﻫﺎﯼ ﻫﻤﭽﻮﻥ‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ ۸-۱‬ﮐﻪ ﺍﺯ ﻣﻮﺍﺩ ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻥ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪﻩﺍﻧﺪ‪ ،‬ﺗﻌﻤﻴﻢ ﺩﺍﺩ‪ .‬ﻣﺴﻴﺮ ﺍﻧﺘﮕﺮﺍﻝﮔﻴﺮﯼ ﺟﻬﺖ ﺍﻋﻤﺎﻝ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺩﺭ ﺍﻳﻦ‬
‫ﺳﺎﺯﻩ‪ ،‬ﻣﺴﻴﺮ ‪ ahgfedcba‬ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻃﻮﻝ ﻣﺴﻴﺮ ‪ abcde‬ﺭﺍ ﺑﺎ ‪ ،l۱‬ﻣﺴﻴﺮ ‪ ef‬ﺭﺍ ﺑﺎ ‪ ،l۲‬ﻣﺴﻴﺮ ‪ fgh‬ﺭﺍ ﺑﺎ ‪ l۳‬ﻭ ﻣﺴﻴﺮ‬
‫‪ ah‬ﺭﺍ ﺑﺎ ‪ l۴‬ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﻴﻢ‪ .‬ﻃﺒﻖ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۲‬‬

‫‪F = N I = H۱ l۱ + H۲ l۲ + H۳ l۳ + H۴ l۴‬‬

‫‪fig8‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۸-۱‬ﻳﮏ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻪ ﺍﺯ ﻣﻮﺍﺩ ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻥ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‬

‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺗﮏ ﺩﺭﻳﭽﻪﺍﯼ )ﺗﮏ ﺣﻠﻘﻪﺍﯼ( ‪ ۱‬ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﺗﻤﺎﻣﯽ ﻣﺴﻴﺮﻫﺎ ﻳﮑﺴﺎﻥ ﺍﺳﺖ )ﺍﺯ ﺷﺎﺭ ﻧﺸﺘﯽ‬
‫ﺻﺮﻓﻨﻈﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ(‪ .‬ﻟﺬﺍ ﺩﺍﺭﻳﻢ ]‪:[۲‬‬
‫‪ϕ‬‬ ‫‪ϕ‬‬ ‫‪ϕ‬‬ ‫‪ϕ‬‬
‫= ‪B۱‬‬ ‫= ‪B۲‬‬ ‫= ‪B۳‬‬ ‫= ‪B۴‬‬
‫‪A۱‬‬ ‫‪A۲‬‬ ‫‪A۳‬‬ ‫‪A۴‬‬
‫‪ A۱‬ﺗﺎ ‪ A۴‬ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﯼ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻣﯽﺩﺍﻧﻴﻢ ]‪:[۲‬‬

‫‪B i = µ i Hi‬‬ ‫‪i = ۱, ۲, ۳, ۴‬‬

‫‪1 Single‬‬ ‫‪Loop‬‬
 ‫‪۱۳‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫ﻟﺬﺍ‪:‬‬
‫‪ϕ‬‬
‫= ‪Hi‬‬
‫‪µ i Ai‬‬
‫ﺩﺭ ﻧﺘﻴﺠﻪ‪:‬‬
‫(‬ ‫)‬
‫‪l۱‬‬ ‫‪l‬‬ ‫‪l‬‬ ‫‪l‬‬
‫‪F = NI = ϕ‬‬ ‫‪+ ۲ + ۳ + ۴‬‬ ‫)‪(۱۴-۱‬‬
‫‪µ ۱ A۱‬‬ ‫‪µ ۲ A۲‬‬ ‫‪µ ۳ A۳‬‬ ‫‪µ ۴ A۴‬‬

‫‪li‬‬
‫= ‪ Ri‬ﭘﺲ ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ‪:‬‬ ‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ )ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲﻫﺎ( ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬
‫‪µ i Ai‬‬

‫‪F = (R۱ + R۲ + R۳ + R۴ )ϕ‬‬

‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ ﮐﻪ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﺷﮑﻞ ‪ ۸-۱‬ﺑﺎ ﻫﻢ ﺳﺮﯼ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ ]‪.[۲‬‬

‫‪ ex2‬ﻣﺜﺎل ‪ ٢-١‬ﺳﺎزه ﯾﮏ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ در ﺷﮑﻞ ‪ ٩-١‬ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﺑﺨﻮاﻫﯿﻢ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎری‬
‫ﻣﻌﺎدل ﯾﮏ ﺗﺴﻼ در اﯾﻦ ﺳﺎزه ﺷﮑﻞ ﺑﮕﯿﺮد‪ .‬ﺟﺮﯾﺎن ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ را ﺣﺴﺎب ﮐﻨﯿﺪ‪ .‬ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬
‫ﻧﺴﺒﯽ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ۳۹۸۰‬اﺳﺖ ]‪.[٢‬‬

‫‪fig9‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۹-۱‬ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺮﺍﯼ ﻣﺜﺎﻝ ‪۲-۱‬‬

‫ﺣﻞ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﻃﻮﻝ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪lc = ۲(۱۶ + ۱۴) = ۶۰ cm = ۰٫۶ m :‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۱۴‬‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﻃﻮﻝ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﺍﺳﺖ‪lg = ۰٫۵ mm = ۰٫۵ × ۱۰−۳ m :‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﮐﻞ ﺳﺎﺯﻩ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪Ag = Ac = ۱۶ × ۱۰−۴ m۲ :‬‬
‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۰٫۵ × ۱۰−۳‬‬
‫= ‪Rg‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۲۴۸٫۶۸ × ۱۰۳‬‬
‫‪µ ۰ Ag‬‬ ‫) ‪(۴π × ۱۰−۷ )(۱۶ × ۱۰−۴‬‬

‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﺴﺘﻪ ﺁﻫﻨﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪lc‬‬ ‫‪۰٫۶‬‬
‫= ‪Rc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۷۴٫۹۷۹ × ۱۰۳‬‬
‫‪µ ۰ µ r Ac‬‬ ‫) ‪(۴π × ۱۰−۷ )(۳۹۸۰)(۱۶ × ۱۰−۴‬‬

‫ﻣﯽﺧﻮﺍﻫﻴﻢ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻳﮏ ﺗﺴﻼ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﭘﺲ ﺑﺎﻳﺪ‪:‬‬

‫‪ϕ = BA = (۱)(۱۶ × ۱۰−۴ ) = ۱٫۶ × ۱۰−۳ Wb‬‬

‫‪ MMF‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﻣﻴﻦ ﺷﺎﺭ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﺣﺴﺎﺏ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪:‬‬

‫‪F = (Rg + Rc )ϕ = ۱٫۶ × ۱۰−۳ (۲۴۸٫۶۸ × ۱۰۳ + ۷۴٫۹۷۹ × ۱۰۳ ) = ۵۱۷٫۸۵ At‬‬

‫‪F‬‬ ‫‪۵۱۷٫۸۵‬‬
‫=‪I‬‬ ‫=‬ ‫ﭘﺲ‪= ۱٫۰۳۵۷ A :‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪۵۰۰‬‬
‫ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﻣﺘﺬﮐﺮ ﻣﯽﺷﻮﻳﻢ ﮐﻪ ﺍﻏﻠﺐ ﺑﻪ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﻣﻮﺟﺪ ‪ ،MMF‬ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺗﺤﺮﻳﮏ ‪ ۱‬ﻭ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺁﻥ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﺗﺤﺮﻳﮏ ‪ ۲‬ﺍﻃﻼﻕ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺑﺤﺚﻫﺎﯼ ﻗﺒﻠﯽ ﺑﻪ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺗﮏ ﺩﺭﻳﭽﻪﺍﯼ ﻣﺤﺪﻭﺩ ﻣﯽﺷﺪ‪ .‬ﺍﻣﺎ ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ‬
‫ﮐﻪ ﺳﺎﺯﻩﻫﺎ ﻣﻤﮑﻦ ﺍﺳﺖ ﭼﻨﺪ ﺩﺭﻳﭽﻪ )ﭼﻨﺪ ﺣﻠﻘﻪﺍﯼ ‪ (۳‬ﻧﻴﺰ ﺑﺎﺷﻨﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪)۱۰-۱‬ﺍﻟﻒ( ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎ ﺳﺎﺯﻩ‬
‫ﺩﻭ ﺩﺭﻳﭽﻪﺍﯼ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪.‬‬
‫ﻃﺒﻖ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪F = Ha la + Hc lc + Hg lg :‬‬
‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ‪:‬‬
‫‪ϕ‬‬ ‫‪ϕ‬‬ ‫‪ϕ‬‬
‫= ‪Ha‬‬ ‫‪,‬‬ ‫‪Hc = ۱‬‬ ‫‪Hg = ۱‬‬
‫‪Aa µ‬‬ ‫‪Ac µ‬‬ ‫‪Ag µ‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‪ ،‬ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺯﻳﺮ ﺭﺍ ﺑﺮﺍﯼ ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ ﭼﭗ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﻧﻮﺷﺖ‪:‬‬

‫) ‪F = ϕRa + ϕ۱ (Rc + Rg‬‬

‫ﮐﻪ‪:‬‬
‫‪la‬‬ ‫‪lc‬‬ ‫‪lg‬‬
‫= ‪Ra‬‬ ‫= ‪Rc‬‬ ‫= ‪Rg‬‬
‫‪µAa‬‬ ‫‪µAc‬‬ ‫‪µ ۰ Ag‬‬
‫‪1 Excitation‬‬‫‪Winding‬‬
‫‪2 Excitation‬‬‫‪Current‬‬
‫‪3 Multi Loops‬‬
 ‫‪۱۵‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪fig10a‬‬
‫)ﺍﻟﻒ( ﺳﺎﺯﻩ ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﻭ ﺩﺭﻳﭽﻪﺍﯼ‬

‫‪fig10b‬‬
‫)ﺏ( ﻣﺪﺭﺍ ﻣﻌﺎﺩﻝ‬

‫‪fig10‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۰-۱‬ﺳﺎﺯﻩ ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﻭ ﺩﺭﻳﭽﻪﺍﯼ ﻭ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺁﻥ‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺍﺻﻞ ﺗﺪﺍﻭﻡ ﺷﺎﺭ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪ϕ = ϕ۱ + ϕ۲ :‬‬

‫ﻗﺎﻧﻮﻥ ﺁﻣﭙﺮ ﺭﺍ ﺩﺭ ﺣﻠﻘﻪ ﺳﻤﺖ ﺭﺍﺳﺖ ﺑﮑﺎﺭ ﻣﯽﺑﺮﻳﻢ‪ ،‬ﭘﺲ‪۰ = Hg lg + Hc lc − Hb lb :‬‬
‫ﻧﺘﻴﺠﻪ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ‪:‬‬
‫‪( lg‬‬ ‫) ‪lc‬‬ ‫‪lb‬‬
‫‪۰ = ϕ۱‬‬ ‫‪+‬‬ ‫‪− ϕ۲‬‬ ‫)‪(۱۵-۱‬‬
‫‪µ ۰ Ag‬‬ ‫‪µAc‬‬ ‫‪µAb‬‬
‫ﻟﺬﺍ‪۰ = ϕ۱ (Rg + Rc ) − ϕ۲ Rb :‬‬
‫‪lb‬‬
‫= ‪Rb‬‬ ‫ﻭ‬
‫‪µAb‬‬
‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﮑﺎﺕ ﻓﻮﻕﺍﻟﺬﮐﺮ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻟﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﺷﮑﻞ ‪)۱۰-۱‬ﺏ( ﺑﺮﺍﯼ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻧﻤﻮﺩ ﻭ‬
‫ﻣﺸﺎﻫﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﮐﻪ ﺍﻳﻦ ﻣﻌﺎﺩﻝﺳﺎﺯﯼ ﺑﻪ ﻧﺤﻮ ﭼﺸﻢﮔﻴﺮﯼ ﺑﻪ ﺣﻞ ﻣﺎﺳﺌﻞ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮐﻤﮏ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ‬
‫ﺩﺍﻧﺴﺖ ﻫﻤﺎﻥ ﻗﻮﺍﻧﻴﻦ ﻣﻮﺟﻮﺩ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺭﺍ ﻧﻴﺰ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺑﮑﺎﺭ ﺑﺮﺩ ]‪.[۲‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ ٣-١‬ﯾﮏ ﺳﺎزه ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻫﻤﭽﻮن ﺷﮑﻞ ‪)١٠-١‬اﻟﻒ( را در ﻧﻈﺮ ﻣﯽﮔﯿﺮﯾﻢ ﮐﻪ از ﻣﺎده ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۱۶‬‬

‫ﻧﺮم ﺑﺎ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ ‪ ۴١٠٠‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﺑﻌﺎد اﯾﻦ ﺳﺎزه ﺑﻘﺮار زﯾﺮ اﺳﺖ‪:‬‬

‫‪la = lb = ۰٫۸۵ m‬‬ ‫‪lc = ۰٫۳۶ m‬‬ ‫‪lg = ۰٫۸ mm‬‬ ‫)‪(۱۶-۱‬‬

‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ اﯾﻦ ﺳﺎزه در ﮐﻞ ﻣﺴﯿﺮﻫﺎ ﻣﻌﺎدل ‪ ۰٫۰۰۰۸‬ﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ ﺑﻮده و ‪ MMF‬اﻋﻤﺎل ﺷﺪه از ﻃﺮﯾﻖ‬
‫ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ‪ ١٨٠‬آﻣﭙﺮ دور اﺳﺖ‪ .‬ﭼﮑﺎﻟﯽ ﺷﺎر در ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﯾﯽ را ﺑﺪﺳﺖ آورﯾﺪ ]‪.[٢‬‬

‫ﺣﻞ‪ :‬ﺍﺑﺘﺪﺍ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﯼ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺭﺍ ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪la‬‬ ‫‪۰٫۸۵‬‬
‫= ‪Ra‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۲۰٫۶۲۲ × ۱۰۳ ,‬‬
‫‪µ۰ µr A‬‬ ‫) ‪(۴π × ۱۰ )(۴۱۰۰)(۸ × ۱۰−۳‬‬
‫‪−۷‬‬

‫‪Ra = Rb‬‬ ‫ﭼﺮﺍ؟‬

‫‪lc‬‬ ‫‪۰٫۳۶‬‬
‫= ‪Rc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۸٫۷۳۴ × ۱۰۳ ,‬‬
‫‪µ۰ µr A‬‬ ‫) ‪(۴π × ۱۰−۷ )(۴۱۰۰)(۸ × ۱۰−۳‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۰٫۸ × ۱۰−۳‬‬
‫= ‪Rg‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۷۹٫۵۷۷ × ۱۰۳ ,‬‬
‫‪µ۰ A‬‬ ‫) ‪(۴π × ۱۰−۷ )(۸ × ۱۰−۳‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺭﻭﺍﺑﻂ ﻣﻮﺟﻮﺩ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﺭﺍ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ‬
‫ﺑﺪﺳﺖ ﺁﻭﺭﺩ‪:‬‬

‫‪Rc + Rg = (۸٫۷۳۴ + ۷۹٫۵۷۷) × ۱۰۳ = ۸۸٫۳۱۱ × ۱۰۳‬‬

‫[‬ ‫]‬
‫) ‪Rb (Rc + Rg‬‬ ‫‪۲۰٫۶۲۲ × ۸۸٫۳۱۱‬‬
‫‪Req = Ra +‬‬ ‫‪= ۲۰٫۶۲۲ +‬‬ ‫‪× ۱۰۳ = ۳۷٫۳۴ × ۱۰۳‬‬
‫‪Rb + Rc + Rg‬‬ ‫‪۲۰٫۶۲۲ + ۸۸, ۳۱۱‬‬

‫ﺍﺯ ﺁﻧﺠﺎﻳﯽ ﮐﻪ ﻃﺒﻖ ﺻﻮﺭﺕ ﻣﺴﺎﻟﻪ ‪ MMF‬ﺍﻋﻤﺎﻝ ﺷﺪﻩ ﺑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ‪ ۱۸۰‬ﺁﻣﭙﺮ ﺩﻭﺭ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﭘﺲ‪:‬‬

‫‪F‬‬ ‫‪۱۸۰‬‬
‫=‪ϕ‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۴٫۸۲۰۵ × ۱۰−۳‬‬
‫‪Req‬‬ ‫‪۳۷٫۳۴ × ۱۰۳‬‬

‫ﺑﺎﺯ ﺍﺯ ﺗﺌﻮﺭﯼ ﻣﻮﺟﻮﺩ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﻣﯽﻧﻮﻳﺴﻴﻢ‪:‬‬

‫‪Rb‬‬ ‫(‬ ‫‪۲۰٫۶۲۲‬‬ ‫)‬

‫= ‪ϕ۱‬‬ ‫‪ϕ = ۴٫۸۲۰۵ × ۱۰−۳‬‬ ‫‪= ۹۱۲٫۵۷ × ۱۰−۶‬‬
‫‪Rb + Rc + Rg‬‬ ‫‪۲۰٫۶۲۲ + ۸۸٫۳۱۱‬‬

‫ﭘﺲ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪:‬‬

‫‪ϕ۱‬‬ ‫‪۹۱۲٫۵۷ × ۱۰−۶‬‬

‫= ‪B۱‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۰٫۱۱۴ T‬‬
‫‪A‬‬ ‫‪۸ × ۱۰−۳‬‬

‫ﺩﺭ ﺑﺮﺧﯽ ﺍﺯ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‪ ،‬ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻤﮑﻦ ﺍﺳﺖ ﺣﺎﻭﯼ ﺩﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﺷﮑﻞ ‪ ۱۱-۱‬ﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
 ‫‪۱۷‬‬ ‫‪ .۴-١‬ﻣﺪار ﻣﻌﺎدل ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬

‫‪fig11‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۱-۱‬ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎ ﺩﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﺞ‬

‫‪ ex4‬ﻣﺜﺎل ‪ ۴-١‬ﺷﮑﻞ ‪ ١١-١‬ﺳﺎزه ﯾﮏ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ و ﻫﺴﺘﻪ آن از ﻣﺎده ﻓﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬
‫ﻧﺮم ﺑﺎ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ ‪ ١٠٠٠٠‬ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ٢‬ﺳﺎﻧﺘﯽﻣﺘﺮ اﺳﺖ و‬
‫دارﯾﻢ‪:‬‬
‫‪N = ۴۰۰,‬‬ ‫‪I۱ = ۱ A,‬‬ ‫‪I۲ = ۱٫۲ A‬‬

‫ﺷﺎر در ﻫﺴﺘﻪ را ﺑﯿﺎﺑﯿﺪ ]‪.[٢‬‬

‫ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ ﮐﻪ ﻃﻮﻝ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺑﺎﺯﻭﻫﺎﯼ ﻋﻤﻮﺩﯼ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪l۱ = ۸ × ۱۰−۲ m :‬‬

‫ﺍﺯ ﺷﮑﻞ ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ ﮐﻪ ﻃﻮﻝ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﺷﺎﺧﻪﻫﺎﯼ ﺍﻓﻘﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪l۲ = ۱۱ × ۱۰−۲ m :‬‬

‫ﻃﻮﻝ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪lg = ۰٫۲ × ۱۰−۲ m :‬‬

‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﯼ ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺳﺎﺯﻩ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﻭ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪A۱ = ۶ × ۱۰−۴ m۲ ,‬‬ ‫‪A۲ = ۴ × ۱۰−۴ m۲ ,‬‬ ‫‪Ag = ۴ × ۱۰−۴ m۲‬‬

‫ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﺮ ﺑﺎﻭﺯﯼ ﻋﻤﻮﺩﯼ ﻭ ﻫﺮ ﺷﺎﺧﻪ ﺍﻓﻘﯽ ﻭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪l۱‬‬ ‫‪۸ × ۱۰−۲‬‬ ‫‪A‬‬

‫= ‪R۱‬‬ ‫‪= ۴‬‬ ‫‪= ۱۰٫۶۱ × ۱۰۳‬‬
‫‪µA۱‬‬ ‫) ‪۱۰ (۴π × ۱۰−۷ )(۶ × ۱۰−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫‪l۲‬‬ ‫‪۱۱ × ۱۰−۲‬‬ ‫‪A‬‬
‫= ‪R۲‬‬ ‫‪= ۴‬‬ ‫‪= ۲۱٫۸۸۴ × ۱۰۳‬‬
‫‪µA۲‬‬ ‫) ‪۱۰ (۴π × ۱۰ )(۴ × ۱۰‬‬
‫‪−۷‬‬ ‫‪−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۸ × ۱۰−۲‬‬ ‫‪A‬‬
‫= ‪Rg‬‬ ‫‪= ۴‬‬ ‫‪= ۳٫۹۷۸۹ × ۱۰۶‬‬
‫‪µ۰ Ag‬‬ ‫) ‪۱۰ (۴π × ۱۰−۷ )(۴ × ۱۰−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۱۸‬‬

‫ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۱۲-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺑﺴﻬﻮﻟﺖ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﮔﻔﺖ‪:‬‬

‫) ‪N (I۱ + I۲‬‬ ‫)‪۴۰۰(۱ + ۱٫۲‬‬

‫=‪ϕ‬‬ ‫=‬
‫‪۲(R۱ + R۲ ) + Rg‬‬ ‫‪[۲(۱۰٫۶۱ + ۲۱٫۸۸۴) + ۳٫۹۷۸۹ × ۱۰۳ ]۱۰۳‬‬
‫‪= ۰٫۲۱۷۶ × ۱۰−۳ W b‬‬

‫‪fig12‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۲-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺜﺎﻝ ‪۴-۱‬‬

‫اﺛﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﯾﯽ‬ ‫‪۵-١‬‬

‫ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺩﻭﺍﺭ‪ ،‬ﻗﺴﻤﺖ ﮔﺮﺩﺍﻥ ﻳﺎ ﺭﻭﺗﻮﺭ ‪ ۱‬ﺑﺎ ﻳﮏ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻳﺎ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﺯ ﻗﺴﻤﺖ‬
‫ﺳﺎﮐﻦ ﻳﺎ ﺍﺳﺘﺎﺗﻮﺭ ‪ ۲‬ﺟﺪﺍ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪ ۱۳-۱‬ﺗﺼﻮﻳﺮ ﻳﮏ ﺑﺮﺵ ﺍﺯ ﻣﺎﺷﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ )‪ (DC‬ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ‬
‫ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﮔﻔﺖ ﻫﻤﺎﻥ ﺷﺎﺭﯼ ﮐﻪ ﺩﺭ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﭘﺪﻳﺪ ﻣﯽﺁﻳﺪ ﻋﻤﻼ ﺩﺭ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻧﻴﺰ ﺍﻳﺠﺎﺩ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﮔﻔﺘﻨﯽ‬
‫ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﻗﻄﺐﻫﺎ ﺍﺯ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻌﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﺷﺪﻩﺍﻧﺪ‪ .‬ﺑﺮﺍﯼ ﻓﺮﺍﻫﻢ ﺁﻭﺭﺩﻥ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻫﻤﺴﺎﻧﯽ‪ ،‬ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ‬
‫ﺑﻪ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﻣﺤﺮﮐﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ)‪ (MMF‬ﺑﻴﺸﺘﺮﯼ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﻧﻴﺎﺯ ﺩﺍﺭﺩ‪ .‬ﺍﮔﺮ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺯﻳﺎﺩ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﺨﺶ‬
‫ﻫﺴﺘﻪﺍﯼ ﻳﺎ ﻓﻠﺰﯼ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﺭﻭﺑﺮﻭ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ ،‬ﺩﺭ ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﺎ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﻣﻮﺍﺟﻪ ﻧﻤﯽﺷﻮﺩ‪،‬‬
‫ﻋﻠﺖ ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﺁﻥ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ ‪ B − H‬ﻫﻮﺍ ﺧﻄﯽ ﺍﺳﺖ )‪ µ‬ﺛﺎﺑﺖ ﺍﺳﺖ( ]‪.[۱‬‬

‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻗﺴﻤﺖ ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﺣﻀﻮﺭ ﻓﻮﺍﺻﻞ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺩﺭ ﺳﺎﺯﻩﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺻﺤﺒﺖ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﺍﺑﺘﺪﺍ ﻻﺯﻡ‬
‫ﺍﺳﺖ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪﺍﯼ ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻭ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﻧﺠﺎﻡ ﺩﻫﻴﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﻣﺜﺎﻝ‬
‫‪ ۴-۱‬ﺩﻳﺪﻳﻢ ﮐﻪ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺣﺪﻭﺩ ‪ ۱۸۰‬ﺑﺮﺍﺑﺮ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺷﺎﺧﻪ ﺍﻓﻘﯽ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬
‫ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ ﮐﻪ ﺍﺻﻮﻻ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻪ ﻣﺮﺍﺗﺐ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺯ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ‬
‫‪1 Rotor‬‬
‫‪2 Stator‬‬
 ‫‪۱۹‬‬ ‫‪ .۵-١‬اﺛﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﯾﯽ‬

‫‪fig14‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۳-۱‬ﺑﺮﺷﯽ ﺍﺯ ﻳﮏ ﻣﺎﺷﻴﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ )‪(DC‬‬

‫ﺁﻫﻦ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﺭﺍ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺭﻭﺍﺑﻂ ﺯﻳﺮ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺗﻮﺟﻴﻪ ﮐﺮﺩ ﮐﻪ ‪ c‬ﻧﻤﺎﻳﺎﻧﮕﺮ ﺑﺨﺶ ﺁﻫﻨﯽ ﺳﺎﺯﻩ ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬
‫‪‬‬
‫‪‬‬ ‫‪lc‬‬
‫= ‪Rc‬‬ ‫‪µr‬‬
‫‪µ۰ µr A‬‬ ‫‪⇒ Rg = Rc‬‬ ‫)‪(۱۷-۱‬‬
‫‪‬‬ ‫‪l‬‬
‫‪Rg = g‬‬ ‫‪lc‬‬
‫‪µ۰ A‬‬ ‫‪lg‬‬
‫‪Rg‬‬ ‫‪lc‬‬
‫ﭘﺲ ‪≫ ۱‬‬ ‫ﺍﮔﺮ ‪≪ µr‬‬
‫‪Rc‬‬ ‫‪lg‬‬
‫ﭘﺲ ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺴﻴﺮ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺁﻫﻨﯽ ﺭﺍ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﺎ ﺗﻘﺮﻳﺐ ﺧﻮﺏ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﻳﮏ ﺍﺗﺼﺎﻝ ﮐﻮﺗﺎﻩ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭ‬
‫ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﺪﻝﺳﺎﺯﯼ ﻧﻤﻮﺩ ]‪.[۲‬‬
‫ﻧﮑﺘﻪ ﺩﻳﮕﺮ ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﺎ ﺣﻀﻮﺭ ﻓﻮﺍﺻﻞ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺩﺭ ﺳﺎﺯﻩﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺁﻥ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺧﻄﻮﻁ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﺩﺭ ﻫﻨﮕﺎﻡ‬
‫ﻋﺒﻮﺭ ﺍﺯ ﻓﻮﺍﺻﻞ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻗﺪﺭﯼ ﺑﻪ ﺳﻤﺖ ﺑﻴﺮﻭﻥ ﻣﺘﻤﺎﻳﻞ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ )ﺷﮑﻞ‪ .(۱۴-۱‬ﺍﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﺭﺍ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﺗﺮﺍﻭﺷﯽ ﻳﺎ‬
‫ﭘﺪﻳﺪﻩ ﭘﺮﺍﮐﻨﺪﮔﯽ ‪ ۱‬ﺷﺎﺭ ﻣﯽﻧﺎﻣﻨﺪ ﻭ ﺑﺮﺍﯼ ﺗﺎﺛﻴﺮ ﺍﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪ ﺩﺭ ﻣﺤﺎﺳﺒﺎﺕ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻓﻮﺍﺻﻞ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺭﺍ‬
‫ﺑﻴﺶ ﺍﺯ ﻣﻘﺪﺍﺭ ﻭﺍﻗﻌﯽ ﮔﺮﻓﺖ‪ .‬ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺯﻳﺮ ﺑﺮﺍﯼ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﺟﻬﺖ ﻣﻨﻈﻮﺭ ﻧﻤﻮﺩﻥ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﺗﺮﺍﻭﺷﯽ‬
‫ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ ]‪.[۲‬‬

‫) ‪Ag = (a + lg )(b + lg‬‬ ‫‪(۱۸-۱) eq22‬‬

‫‪ ex5‬ﻣﺜﺎل ‪ ۵-١‬ﺷﮑﻞ ‪ ١۵-١‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﯾﮏ رﻟﻪ ﺳﺎده و اﺑﺘﺪاﯾﯽ را ﻧﺸﺎن ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬ﺗﻌﺪاد دور ﺳﯿﻢﭘﯿﭽﯽ‬
‫ﺑﺮاﺑﺮ ‪ ۵٠٠‬دور ﺑﻮده و ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻣﺴﯿﺮ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻌﺎدل ‪ ٣۶٠‬ﻣﯿﻠﯽﻣﺘﺮ اﺳﺖ‪ .‬اﮔﺮ ﻃﻮل ﻫﺮ ﺷﮑﺎف‬
‫ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮاﯾﯽ ‪ ۱٫۵‬ﻣﯿﻠﯽﻣﺘﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺑﺮای ﻋﻤﻠﮑﺮد رﻟﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎری ﻣﻌﺎدل ‪ ۰٫۸‬ﺗﺴﻼ ﻧﯿﺎز دارﯾﻢ‪ .‬ﻣﻄﻠﻮب‬
‫اﺳﺖ ]‪:[١‬‬

‫‪ -١‬ﺟﺮﯾﺎن ﺳﯿﻢﭘﯿﭽﯽ‬
‫‪1 Fringing‬‬ ‫‪Effect‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۲۰‬‬

‫‪fig13‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۴-۱‬ﺷﺎﺭ ﺗﺮﺍﻭﺷﯽ )ﺷﺎﺭ ﭘﺮﺍﮐﻨﺪﮔﯽ( ﺩﺭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ‬

‫‪ -٢‬ﺿﺮﯾﺐ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی و ﺿﺮﯾﺐ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻧﺴﺒﯽ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫‪ -٣‬اﮔﺮ ﻃﻮل ﺷﮑﺎفﻫﺎی ﻫﻮاﯾﯽ ﺻﻔﺮ ﺷﻮد و ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر ﻫﻤﺎن ‪ ۰٫۸‬ﺗﺴﻼ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺟﺮﯾﺎن ﺳﯿﻢﭘﯿﭽﯽ را‬
‫ﺑﻪ دﺳﺖ آورﯾﺪ‪.‬‬

‫‪At‬‬
‫‪Hc = ۵۱۰‬‬ ‫ﺗﻮﺟﻪ‪ :‬ﺟﻨﺲ ﻫﺴﺘﻪ از ﻓﻮﻻد رﯾﺨﺘﻪﮔﺮی اﺳﺖ و ﺑﺮای ‪ Bc = ۰٫۸ T‬دارﯾﻢ‪:‬‬
‫‪m‬‬

‫‪fig15‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۵-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺜﺎﻝ ‪۵-۱‬‬

‫ﺣﻞ‪:‬‬
‫‪۲۱‬‬ ‫‪ .۶-١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‬

‫‪ -۱‬ﺍﺯ ﺁﻧﺠﺎﻳﯽ ﮐﻪ ﻃﻮﻝ ﺷﮑﺎﻑﻫﺎﯼ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﮐﻮﭼﮏ ﺍﺳﺖ ﺍﺯ ﺍﺛﺮ ﺧﻤﻴﺪﮔﯽ ﺷﺎﺭ ﭼﺸﻢﭘﻮﺷﯽ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫‪Fc = Hc lc = ۵۱۰ × ۰٫۳۶ = ۱۸۴ At‬‬

‫‪Bg‬‬ ‫‪۰٫۸‬‬
‫= ‪Fg = Hg ۲lg‬ﺑﺮﺍﯼ ﻫﺮ ﺩﻭ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ‬ ‫= ‪۲lg‬‬ ‫‪× ۲ × ۱٫۵ × ۱۰−۳‬‬
‫‪µ۰‬‬ ‫‪۴π × ۱۰−۷‬‬
‫‪= ۱۹۱۰ At‬‬

‫‪F = Fg + Fc = ۱۸۴ + ۱۹۱۰ = ۲۰۹۴ At‬ﮐﻞ ‪ mmf‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ‬

‫‪F‬‬ ‫‪۲۰۹۴‬‬
‫=‪i‬‬ ‫=‬ ‫‪۴٫۱۹ A‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪۵۰۰‬‬

‫ﻣﯽﺑﻴﻨﻴﻢ ﺑﺎ ﺁﻧﮑﻪ ﻃﻮﻝ ﺷﮑﺎﻑﻫﺎﯼ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻪ ﻣﺮﺍﺗﺐ ﺍﺯ ﻃﻮﻝ ﻫﺴﺘﻪ ﮐﻤﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎ ﺍﻳﻦ ﻭﺻﻒ ﺑﺨﺶ ﺍﻋﻈﻢ‬
‫‪ mmf‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﺷﮑﺎﻑﻫﺎﯼ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺑﻮﺩ‪.‬‬

‫‪ -۲‬ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﺴﺘﻪ‪:‬‬

‫‪Bc‬‬ ‫‪۰٫۸‬‬
‫= ‪µc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۱٫۵۷ × ۱۰−۳‬‬
‫‪Hc‬‬ ‫‪۵۱۰‬‬

‫ﺿﺮﻳﺐ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ‪:‬‬

‫‪µc‬‬ ‫‪۱٫۵۷ × ۱۰−۳‬‬

‫= ‪µr‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۱۲۵۰‬‬
‫‪µ۰‬‬ ‫‪۴π × ۱۰−۷‬‬

‫‪-۳‬‬
‫‪۱۸۴‬‬
‫‪F = Hc lc = ۵۱۰ × ۰٫۳۶ = ۱۸۴ At,‬‬ ‫=‪i‬‬ ‫‪= ۰٫۳۶۸ A‬‬
‫‪۵۰۰‬‬

‫ﻣﺸﺎﻫﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﺩﺭ ﺍﺛﺮ ﻋﺪﻡ ﺣﻀﻮﺭ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺩﺭ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺴﻴﺎﺭ ﮐﻤﺘﺮﯼ ﺟﻬﺖ ﺗﺎﻣﻴﻦ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ‬
‫ﻳﮑﺴﺎﻥ ﻧﻴﺎﺯ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪.‬‬

‫ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‬ ‫‪۶-١‬‬

‫ﺩﺭ ﺣﻞ ﻣﺴﺎﺋﻞ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻓﺮﺽ ﺑﺮ ﺁﻥ ﺑﻮﺩ ﮐﻪ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ ﻋﺪﺩﯼ ﺍﺳﺖ‬
‫ﺛﺎﺑﺖ‪ ،‬ﺑﻪ ﻋﺒﺎﺭﺕ ﺩﻳﮕﺮ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﺭﺍ ﺧﻄﯽ ﻓﺮﺽ ﮐﺮﺩﻩ ﺑﻮﺩﻳﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﺣﺎﻟﺘﯽ ﮐﻪ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﻣﻮﺍﺩ‪،‬‬
‫ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺑﺎﺯ ﺍﺯ ﻣﻔﻬﻮﻡ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﮐﺮﺩ ﻭ ﭼﻮﻥ ﺩﻳﮕﺮ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺛﺎﺑﺖ ﻧﻴﺴﺖ‪،‬‬
‫ﭘﺲ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖﻫﺎﯼ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺭﺍ ﺑﺎﻳﺪ ﺗﺎﺑﻌﯽ ﺍﺯ ‪ H‬ﻓﺮﺽ ﻧﻤﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺑﺎ ﺩﻭ ﻧﻮﻉ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺑﺮﺧﻮﺭﺩ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪:‬‬

‫‪ -۱‬ﺩﺭ ﺑﺮﺧﯽ ﻣﺴﺎﺋﻞ ‪ MMF‬ﻣﻌﻠﻮﻡ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺑﺎﻳﺪ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺣﺴﺎﺏ ﺷﻮﺩ‪.‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۲۲‬‬

‫‪ -۲‬ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﻌﻠﻮﻡ ﺍﺳﺖ ﻭ ‪ MMF‬ﺑﺎﻳﺪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﮔﺮﺩﺩ‪.‬‬

‫‪ ex6‬ﻣﺜﺎل ‪ ۶-١‬ﺷﮑﻞ ‪ ١۶-١‬ﺳﺎزه ﯾﮏ ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻣﺮﺑﻮط ﺑﻪ ﯾﮏ رﻟﻪ اﻟﮑﺘﺮوﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ را ﻧﺸﺎن‬

‫ﻣﯽدﻫﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﺑﺨﻮاﻫﯿﻢ ﺷﺎری ﻣﻌﺎدل ‪ ۵٠‬ﻣﯿﮑﺮو وﺑﺮ در اﯾﻦ ﺳﺎزه ﺷﮑﻞ ﺑﮕﯿﺮد‪ MMF ،‬ﻣﻮرد ﻧﯿﺎز را‬
‫ﺣﺴﺎب ﮐﻨﯿﺪ‪ .‬ﺟﻨﺲ ﻫﺴﺘﻪ را ﻓﻮﻻد رﯾﺨﺘﻪﮔﺮی در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﯿﺮﯾﺪ ﮐﻪ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬آن در ﺷﮑﻞ ‪١٧-١‬‬
‫ﻧﺸﺎن داده ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬اﺛﺮ ﭘﺮاﮐﻨﺪﮔﯽ ﺷﺎر را ﻧﯿﺰ در ﻣﺤﺎﺳﺒﺎت ﻣﻨﻈﻮر ﻧﻤﺎﺋﯿﺪ ]‪.[٢‬‬

‫‪fig18‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۶-۱‬ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻣﺜﺎﻝ ‪۶-۱‬‬

‫‪fig19‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۷-۱‬ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ ‪ B − H‬ﻣﺜﺎﻝ ‪۵-۱‬‬

‫‪۲۳‬‬ ‫‪ .۶-١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‬

‫ﺣﻞ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﻃﻮﻝ ﻣﺴﻴﺮ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪lc = ۲(۳ + ۷٫۵) + ۲(۰٫۵) = ۲۲ cm = ۰٫۲۲ m‬‬

‫ﻃﻮﻝ ﺩﻭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻣﻮﺟﻮﺩ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪lg = ۲ × ۰٫۵ × ۱۰−۳ = ۱۰−۳ m :‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪Ac = ۱ × ۱۰−۴ m۲ :‬‬
‫ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻫﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ )ﻃﺒﻖ ﻣﻌﺎﺩﻟﻪ ‪:(۱۸-۱‬‬

‫‪Ag = (۰٫۵ × ۱۰−۱ + ۱)(۰٫۵ × ۱۰−۱ + ۱) = ۱٫۱۰۲۵ cm۲ = ۱۱۰٫۲۵ × ۱۰−۶ m۲‬‬

‫‪ϕ‬‬ ‫‪۵۰ × ۱۰−۶‬‬

‫= ‪Bg‬‬ ‫=‬ ‫ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻫﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﺍﺳﺖ‪= ۰٫۴۵۳۵ T :‬‬
‫‪Ag‬‬ ‫‪۱۱۰٫۲۵ × ۱۰−۶‬‬
‫ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺭ ﻫﺮ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻘﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬
‫‪Bg‬‬ ‫‪۰٫۴۵۳۵‬‬
‫= ‪Hg‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۳۶۰٫۹ × ۱۰۳‬‬
‫‪µ۰‬‬ ‫‪۴π × ۱۰۶−۷‬‬

‫ﻟﺬﺍ ‪ MMF‬ﻣﻮﺭﺩﻧﻴﺎﺯ ﻫﺮﺩﻭ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﻪ ﺷﺮﺡ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪Fg = ۲Hg lg = ۳۶۰٫۹ At :‬‬
‫ﺗﺎ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺑﺎ ﻧﺤﻮﻩ ﺣﻞ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﻧﮑﺎﺕ ﻗﺒﻠﯽ ﺁﺷﻨﺎﻳﯽ ﺩﺍﺷﺘﻪﺍﻳﻢ‪ .‬ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺑﻪ ﺑﻌﺪ ﺭﺍﻩ ﺟﺪﻳﺪﯼ ﺑﺮﺍﯼ‬
‫ﻣﺤﺎﺳﺒﺎﺕ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻌﺮﻓﯽ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﺎﻳﺪ ﺍﻳﻦ ﭼﻨﻴﻦ ﺑﺎﺷﺪ )ﭼﺮﺍ؟(‬
‫‪ϕ‬‬ ‫‪۵۰ × ۱۰−۶‬‬
‫= ‪Bc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۰٫۵ T‬‬
‫‪Ac‬‬ ‫‪۱۰−۴‬‬

‫ﺍﺯ ﺁﻧﺠﺎﺋﻴﮑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﺍﺳﺖ ﻭ ﻧﻔﻮﺫﭘﺬﻳﺮﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﺴﺘﻪ ﺛﺎﺑﺖ ﻧﻤﯽﺑﺎﺷﺪ ﺍﺯ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﺩﺭ‬
‫‪At‬‬
‫‪Hc = ۳۵۰‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ ۱۷-۱‬ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻓﻮﻕﺍﻟﺬﮐﺮ‪ H ،‬ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪ .‬ﻟﺬﺍ‪:‬‬
‫‪m‬‬
‫ﭘﺲ ‪ MMF‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﺍﺳﺖ‪Fc = Hc lc = ۳۵۰ × ۰٫۲۲ = ۷۷ At :‬‬
‫ﻟﺬﺍ ﮐﻞ ‪ MMF‬ﻣﻮﺭﺩﻧﻴﺎﺯ ﺍﻳﻦ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎﻳﺪ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﺑﺎﺷﺪ‪:‬‬

‫‪Fc = Hg lg + Hc lc = ۳۶۰٫۹ + ۷۷ = ۴۳۷٫۹ At‬‬

‫ﺣﻞ ﻣﺴﺎﺋﻠﯽ ﺍﺯ ﻧﻮﻉ ﺁﻧﭽﻪ ﺩﺭ ﻣﺜﺎﻝ ﺑﺎﻻ ﺫﮐﺮ ﺷﺪﻩ ﺳﺎﺩﻩ ﻭ ﺳﻬﻞﺍﻟﻮﺻﻮﻝ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺭﻭﺵ ﺣﻞ ﺭﺍ ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ‬
‫ﺑﻪ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﺁﻥ ﺧﻼﺻﻪ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪:‬‬

‫ﮔﺎﻡ ﺍﻭﻝ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﺎﺭ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭﻫﺎ ﺭﺍ ﺣﺴﺎﺏ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪.‬‬

‫ﮔﺎﻡ ﺩﻭﻡ‪ :‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭﻫﺎﯼ ﺑﺪﺳﺖ ﺁﻣﺪﻩ ﻭ ﻣﻨﺤﻨﯽﻫﺎﯼ ‪ B − H‬ﺩﻭ ﻣﺎﺩﻩ ﻣﻮﺭﺩ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ‪ H۱ ،‬ﻭ ‪ H۲‬ﺭﺍ‬
‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺩﻭ ﻣﺎﺩﻩ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪.‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۲۴‬‬

‫ﮔﺎﻡ ﺳﻮﻡ‪ MMF :‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﻫﺮ ﻗﺴﻤﺖ ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪F۱ = H۱ l۱ ,‬‬ ‫‪F ۲ = H۲ l ۲‬‬

‫ﮔﺎﻡ ﭼﻬﺎﺭﻡ‪ :‬ﮐﻞ ‪ MMF‬ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﺭﺍ ﺍﻳﻨﭽﻨﻴﻦ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪:‬‬

‫‪F = F۱ + F۲‬‬

‫ﺭﻭﻧﺪ ﻋﻤﻠﻴﺎﺗﯽ ﻓﻮﻕ ﺭﺍ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﺮﺍﯼ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎﯼ ﺗﮏﺣﻠﻘﻪﺍﯼ ﺑﺎ ﺑﻴﺶ ﺍﺯ ﺩﻭ ﻣﺎﺩﻩ ﺗﻌﻤﻴﻢ ﺩﺍﺩ‪ .‬ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺍﮔﺮ ﺩﺭ‬
‫ﺍﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﺳﺎﺭﻩﻫﺎ ﻓﻮﺍﺻﻞ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻣﻮﺟﻮﺩ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺍﺛﺮﺍﺕ ﺁﻥﻫﺎ ﺭﺍ ﻧﻴﺰ ﻣﻨﻈﻮﺭ ﺩﺍﺷﺖ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ﮐﻪ ﺭﺍﺑﻄﻪ‬
‫‪ B − H‬ﻓﺎﺻﻠﻪ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺧﻄﯽ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺷﻴﺐ ‪ ۱‬ﺁﻥ ‪ µ۰‬ﺍﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺣﺎﻝ ﺑﻴﺎﻳﻴﺪ ﻧﻮﻉ ﺩﻳﮕﺮﯼ ﺍﺯ ﻣﺴﺎﺋﻞ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﺭﺍ ﻣﻄﺮﺡ ﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‬
‫‪ MMF‬ﻣﻌﻠﻮﻡ ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﺷﺎﺭ ﺑﺎﻳﺪ ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﮔﺮﺩﺩ‪.‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ ٧-١‬ﻣﺪار ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺷﮑﻞ ‪ ١۵-١‬را در ﻧﻈﺮ ﺑﮕﯿﺮﯾﺪ‪ .‬اﮔﺮ ﺟﺮﯾﺎن ﺳﯿﻢﭘﯿﭽﯽ ‪ ۴‬آﻣﭙﺮ ﺑﺎﺷﺪ و‬
‫ﻃﻮل ﻫﺮ ﺷﮑﺎف ﻫﻮاﯾﯽ ﯾﮏ ﻣﯿﻠﯽﻣﺘﺮ در ﻧﻈﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺷﻮد‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر در ﺷﮑﺎف ﻫﻮاﯾﯽ ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬

‫ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻣﺜﺎﻝ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﻳﺎ ﺑﻪ ﻋﺒﺎﺭﺕ ﺩﻳﮕﺮ ‪ MMF‬ﻣﻌﻠﻮﻡ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺑﺎﻳﺪ ‪ B‬ﺭﺍ ﺣﺴﺎﺏ ﻧﻤﻮﺩ‪ .‬ﻣﯽﺩﺍﻧﻴﻢ ﻣﻨﺤﻨﯽ‬
‫‪ B − H‬ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﻫﻮﺍ ﻳﮏ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺍﻣﺎ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﻫﺴﺘﻪ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺑﺎﻳﺪ‬
‫ﻳﮏ ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﮔﺮﺩﺩ ﺗﺎ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺣﺎﺻﻞ ﺷﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻣﺜﺎﻝ ﺩﻭ ﺭﻭﺵ ﺑﺮﺭﺳﯽ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪:‬‬
‫ﺑﺎﺭ ‪۲‬‬ ‫ﺭﻭﺵ ﺍﻭﻝ‪ :‬ﺭﻭﺵ ﺧﻂ‬

‫ﮔﻴﺮﻳﻢ ‪ lc‬ﻃﻮﻝ ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ‪ lg‬ﻣﺠﻤﻮﻉ ﻃﻮﻝﻫﺎﯼ ﺩﻭ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺑﻪ ﺳﻬﻮﻟﺖ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬
‫‪Bg‬‬
‫= ‪N i = Hg lg + Hc lc‬‬ ‫‪l g + Hc l c‬‬
‫‪µ۰‬‬
‫ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺍﺧﻴﺮ ﺭﺍ ﻣﺮﺗﺐ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪:‬‬
‫‪lc‬‬ ‫‪Ni µ ۰‬‬
‫‪Bg = −µ۰‬‬ ‫‪Hc +‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪lg‬‬
‫ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻌﺎﺩﻟﻪ ﺧﻄﯽ ﺩﺭ ﻣﺨﺘﺼﺎﺕ ‪ B − H‬ﺍﺳﺖ ﻭ ﺷﻴﺐ ﺍﻳﻦ ﺧﻂ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ ﺍﻳﻦ‬
‫ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺧﻂ ﺑﺎﺭ ‪ ۳‬ﺍﻃﻼﻕ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪:‬‬
‫‪lc‬‬ ‫‪۳۶۰‬‬
‫‪)m = −µ۰‬ﺷﻴﺐ ﺧﻂ(‬ ‫× ‪= −۴π × ۱۰−۷‬‬ ‫‪= −۲٫۲۶ × ۱۰−۴‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۲‬‬
‫‪1 Slope‬‬
‫‪2 Load‬‬ ‫‪Line Method‬‬
‫‪3 Load‬‬ ‫‪Line‬‬
‫‪۲۵‬‬ ‫‪ .۶-١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻏﯿﺮﺧﻄﯽ‬

‫ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﯽ ﺍﻳﻦ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﺑﺎ ﻣﺤﻮﺭ ‪ B‬ﺩﺍﺭﺍﯼ ﻣﺨﺘﺼﺎﺕ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪N iµ۰‬‬ ‫‪۵۰۰ × ۴ × ۴π × ۱۰−۷‬‬

‫=‪c‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۱٫۲۵۶ T‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۲ × ۱۰−۳‬‬

‫ﺍﻳﻦ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﻗﻄﻊ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ‪ B‬ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ﺗﻼﻗﯽ ‪ ۱٫۰۸‬ﺗﺴﻼ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ )ﺷﮑﻞ‬
‫‪.(۱۸-۱‬‬

‫ﺭﻭﺵ ﺩﻳﮕﺮ ﺳﺎﺧﺘﻦ ﺧﻂ ﺑﺎﺭ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪ :‬ﺍﺭﻗﺎﻡ ‪ MMF‬ﺭﻭﯼ ﺷﮑﺎﻑ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﻋﻤﺎﻝ ﺷﻮﺩ )‬
‫‪ (Hc = ۰‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻋﺒﺎﺭﺕ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﺍﺯ‪:‬‬

‫‪Ni‬‬
‫= ‪Bg‬‬ ‫‪µ۰ = ۱٫۲۵۶ T‬‬
‫‪lg‬‬

‫‪ Bg‬ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﯽ ﺧﻂ ﺑﺎﺭ ﺑﺎ ﻣﺤﻮﺭ ‪ B‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺍﮔﺮ ﮐﻞ ‪ MMF‬ﺭﻭﯼ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﻋﻤﺎﻝ ﺷﻮﺩ ) ‪:(Bg = ۰‬‬

‫‪Ni‬‬ ‫‪۵۰۰ × ۴‬‬ ‫‪At‬‬

‫= ‪Hc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۵۵۵۵٫۶‬‬
‫‪lc‬‬ ‫‪۳۶ × ۱۰−۲‬‬ ‫‪m‬‬

‫‪ Hc‬ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﯽ ﺧﻂ ﺑﺎﺭ ﺑﺎ ﻣﺤﻮﺭ ‪ H‬ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫ﺭﻭﺵ ﺩﻭﻡ‪ :‬ﺭﻭﺵ ﺳﻌﯽ ﻭ ﺧﻄﺎ ‪ ۱‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺭﻭﺵ ﺳﻠﺴﻠﻪ ﻋﻤﻠﻴﺎﺕ ﺯﻳﺮ ﺭﺍ ﺍﻧﺠﺎﻡ ﻣﯽﺩﻫﻴﻢ‪:‬‬

‫)ﺍﻟﻒ( ﻳﮏ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺣﺪﺱ ﻣﯽﺯﻧﻴﻢ ) ‪(Bc = Bg‬‬

‫‪Bg‬‬
‫= ‪ Hg‬ﺷﺪﺕﻫﺎﯼ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺷﮑﺎﻑ‬ ‫)ﺏ( ﺍﺯ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﻫﺴﺘﻪ ‪ Hc‬ﻭ ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ‬
‫‪µ۰‬‬
‫ﻫﻮﺍﻳﯽ ﻭ ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪.‬‬

‫)ﺝ( ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪:‬‬

‫‪Fc = Hc lc ,‬‬ ‫‪Fg = Hg lg ,‬‬ ‫‪F = Fc + Fg‬‬

‫‪F‬‬
‫=‪i‬‬ ‫)ﺩ( ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺭﺍ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻭﺭﻳﻢ‪:‬‬
‫‪N‬‬
‫)ﻩ( ﺍﮔﺮ ‪ i‬ﺑﺪﺳﺖ ﺁﻣﺪﻩ ﺑﺎ ﺻﻮﺭﺕ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﺗﻄﺎﺑﻖ ﺩﺍﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺟﻮﺍﺏ ﻧﻬﺎﻳﯽ ﺣﺎﺻﻞ ﮔﺸﺘﻪ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺩﺭ‬
‫ﻏﻴﺮ ﺍﻳﻦ ﺻﻮﺭﺕ ﺍﺯ ﮔﺎﻡ ﺍﻟﻒ ﺩﻭﺑﺎﺭﻩ ﺷﺮﻭﻉ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﺑﺎ ﻳﮏ ‪ B‬ﺟﺪﻳﺪ ﺳﻠﺴﻠﻪ ﻋﻤﻠﻴﺎﺕ ﻓﻮﻕ ﺭﺍ ﺍﺩﺍﻣﻪ‬
‫ﻣﯽﺩﻫﻴﻢ ﺗﺎ ﺑﺎﻻﺧﺮﻩ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻧﺰﺩﻳﮏ ‪ ۴‬ﺁﻣﭙﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﺁﻭﺭﻳﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺷﺎﻳﺪ ﺳﻮﺍﻝ ﺍﻳﻦ ﺑﺎﺷﺪ ﮐﻪ ﭼﻪ‬
‫‪1 Trial‬‬ ‫‪and Error‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۲۶‬‬

‫ﻋﺪﺩﯼ ﺑﺮﺍﯼ ‪ B‬ﺣﺪﺱ ﻣﯽﺯﻧﻴﻢ‪ .‬ﻣﯽﮔﻮﻳﻴﻢ ﮐﻪ ﺍﮔﺮ ﮐﻞ ‪ MMF‬ﺑﻪ ﺷﮑﺎﻑﻫﺎﯼ ﻫﻮﺍﻳﯽ ﺍﻋﻤﺎﻝ ﺷﻮﺩ‬
‫ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬
‫‪Ni‬‬
‫=‪B‬‬ ‫‪µ۰ = ۱٫۲۵۶ T‬‬
‫‪lg‬‬

‫ﭘﺮﻭﺍﺿﺢ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺣﺎﻟﺖ ﮐﻠﯽ ﺑﺎ ﺣﻀﻮﺭ ﻫﺴﺘﻪ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺍﺯ ﻣﻘﺪﺍﺭﯼ ﻓﻮﻕ ﮐﻤﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻣﺎ ﺩﺭ‬
‫ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺩﻭ ﻧﻤﻮﻧﻪ ﺍﺯ ﻋﻤﻠﻴﺎﺕ ﻣﺮﺑﻮﻃﻪ ﺑﻪ ﺭﻭﺵ ﺳﻌﯽ ﻭ ﺧﻄﺎ ﺭﺍ ﺍﺭﺍﺋﻪ ﻣﯽﺩﻫﻴﻢ‪.‬‬

‫ﺟﺪﻭﻝ ‪ :۲-۱‬ﺭﻭﺵ ﺳﻌﯽ ﻭ ﺧﻄﺎ‬

‫‪t2‬‬
‫‪i‬‬ ‫‪F‬‬ ‫‪Fg‬‬ ‫‪Fc‬‬ ‫‪Hg‬‬ ‫‪Hc‬‬ ‫‪B‬‬
‫‪۴٫۰۸‬‬ ‫‪۲۰۳۸٫۷‬‬ ‫‪۱۷۵۰٫۷‬‬ ‫‪۲۸۸‬‬ ‫‪۸٫۷۵۳۵ × ۱۰۵‬‬ ‫‪۸۰۰‬‬ ‫‪۱٫۱‬‬
‫‪۴‬‬ ‫‪۲۰۰۰٫۸۷‬‬ ‫‪۱۷۱۸٫۸۷‬‬ ‫‪۲۸۲‬‬ ‫‪۸٫۵۹۴۳۵ × ۱۰۵‬‬ ‫‪۷۸۵‬‬ ‫‪۱٫۰۸‬‬

‫‪fig20‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۸-۱‬ﻣﺤﻞ ﺗﻼﻗﯽ ﺩﻭ ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ‬

‫اﻧﺪوﮐﺘﺎﻧﺲ‬ ‫‪٧-١‬‬

‫ﺩﺭ ﺑﺨﺶﻫﺎﯼ ﻗﺒﻠﯽ ﻫﻨﮕﺎﻡ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﻣﻄﺎﻟﺐ ﻭﺿﻌﻴﺘﯽ ﺧﺎﺹ ﺭﺍ ﻣﺪﻧﻈﺮ ﻗﺮﺍﺭ ﺩﺍﺩﻳﻢ ﻭ ﻓﺮﺽ ﻧﻤﻮﺩﻳﻢ ﮐﻪ ﻣﺘﻐﻴﺮﻫﺎﯼ‬
‫ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻈﺮ )ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻭ ﺷﺎﺭ( ﺑﺎ ﺯﻣﺎﻥ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻧﻤﯽﮐﻨﻨﺪ‪ .‬ﺣﺎﻝ ﺑﺒﻴﻨﻴﻢ ﺗﻐﻴﻴﺮﭘﺬﻳﺮﯼ ﺑﺎ ﺯﻣﺎﻥ ﭼﻪ ﺗﺎﺛﻴﺮﺍﺗﯽ ﺑﺮ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎﯼ‬
‫ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺩﺍﺭﻧﺪ‪ .‬ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ﮐﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺎﻋﺚ ﭘﺪﻳﺪ ﺁﻣﺪﻥ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎﻳﯽ ﺷﺪﻩ ﻭ ﺑﻪ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻓﺎﺭﺍﺩﻩ‬
‫ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬
‫ﺷﮑﻞ ‪)۱۹-۱‬ﺍﻟﻒ( ﺭﺍ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺁﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﺑﻪ ﺩﻭﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺍﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎ ﻏﺎﻟﺒﺎ ﺩﺭ ﺳﻴﺴﺘﻢﻫﺎ ﻭ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻣﻮﺭﺩ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﻗﺮﺍﺭ ﻣﯽﮔﻴﺮﻧﺪ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﻣﻤﮑﻦ ﺍﺳﺖ‬
‫ﺩﻭﺭ ‪۱‬‬ ‫ﺑﻪ ﻣﻨﺰﻟﻪ ﻳﮏ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﺪﺍﺭﯼ ﺍﻳﺪﻩﺁﻝ ﺑﻪ ﻧﺎﻡ ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﻧﺴﺒﺖ ﺷﺎﺭ‬
‫‪1 Flux‬‬ ‫‪Linkage‬‬
 ‫‪۲۷‬‬ ‫‪ .٧-١‬اﻧﺪوﮐﺘﺎﻧﺲ‬

‫ﻳﺎ ﺷﺎﺭ ﭘﻴﻮﻧﺪﯼ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺁﻥ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ ]‪:[۱‬‬

‫‪)λ = N ϕ‬ﺷﺎﺭ ﺩﻭﺭ(‬ ‫‪(۱۹-۱) eq18‬‬

‫‪λ‬‬
‫= ‪)L‬ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ(‬ ‫‪(۲۰-۱) eq19‬‬
‫‪i‬‬

‫‪fig16b‬‬ ‫‪fig16a‬‬
‫)ﺍﻟﻒ( ﻣﺠﻤﻮﻋﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ )ﺏ( ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻣﻌﺎﺩﻝ‬

‫‪fig16‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۱۹-۱‬ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻣﺠﻤﻮﻋﻪﺍﯼ ﺍﺯ ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ‬

‫ﻫﻤﭽﻨﻴﻦ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬
‫‪Nϕ‬‬ ‫‪N BA‬‬ ‫‪N µHA‬‬ ‫‪N µHA‬‬ ‫‪N۲‬‬
‫=‪L‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪(۲۱-۱) eq20‬‬
‫‪i‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪Hl‬‬ ‫‪l‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪µA‬‬
‫‪N۲‬‬
‫=‪L‬‬ ‫‪H‬‬ ‫‪(۲۲-۱) eq21‬‬
‫‪R‬‬

‫ﻣﻌﺎﺩﻟﻪ )‪ (۲۱-۱‬ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﺭﺍ ﺑﺮﺣﺴﺐ ﺍﺑﻌﺎﺩ ﻓﻴﺰﻳﮑﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻭ ﻃﻮﻝ ﻫﺴﺘﻪ ﺗﻌﺮﻳﻒ‬
‫ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪ ،‬ﺩﺭ ﺣﺎﻟﯽ ﮐﻪ ﻣﻌﺎﺩﻟﻪ )‪ (۲۲-۱‬ﺁﻥ ﺭﺍ ﺑﺮ ﭘﺎﻳﻪ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ )ﺭﻟﻮﮐﺘﺎﻧﺲ( ﺑﻴﺎﻥ ﻣﯽﻧﻤﺎﻳﺪ‪ .‬ﺗﻮﺟﻪ ﻧﻤﺎﻳﻴﺪ‬
‫ﮐﻪ ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﺑﺎ ﻣﺠﺬﻭﺭ ﺗﻌﺪﺍﺩ ﺩﻭﺭ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﺷﮑﻞ ‪)۱۹-۱‬ﺍﻟﻒ( ﺑﺎ ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻭ‬
‫ﺍﻳﺪﻩﺁﻟﯽ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﺷﮑﻞ ‪)۱۹-۱‬ﺏ( ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪.[۱‬‬
‫ﺍﮔﺮ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﺧﻄﯽ ﻧﺒﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻭﺍﺣﺪﯼ ﺑﺮﺍﯼ ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻭﺟﻮﺩ ﻧﺪﺍﺭﺩ‪ .‬ﻭﺍﺣﺪ ﺍﻧﺪﻭﮐﺘﺎﻧﺲ ﻫﺎﻧﺮﯼ‬
‫ﻳﺎ ﻭﺑﺮ ﺑﺮ ﺩﻭﺭ ﺑﺮ ﺁﻣﭙﺮ ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬
‫ﺑﺮﺍﺳﺎﺱ ﺷﺎﺭ ﺩﻭﺭ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﺷﺪﻩ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻓﺎﺭﺍﺩﻩ ﺩﺭ ﻗﺎﻟﺐ ﺭﻳﺎﺿﯽ ﺍﻳﻦﭼﻨﻴﻦ ﺗﻌﺮﻳﻒ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪:[۲‬‬
‫‪dλ‬‬ ‫‪dϕ‬‬
‫=‪e‬‬ ‫‪=N‬‬ ‫)‪(۲۳-۱‬‬
‫‪dt‬‬ ‫‪dt‬‬

‫ﻟﺬﺍ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﻣﺤﺮﮐﻪ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ‪ (EMF) ۱‬ﻳﺎ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎ ﺷﺪﻩ ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻧﺮﺥ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ﺷﺎﺭ ﺩﻭﺭ ﺩﺭ ﺳﺎﺯﻩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬
‫‪1 Electric‬‬ ‫‪Motive Force‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۲۸‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ ٨-١‬ﺑﺮای ﻣﻮاد ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﺷﮑﻞ ‪ ٢٠-١‬دارﯾﻢ‪:‬‬

‫‪N = ۴۰۰‬دور‬

‫‪lc = ۵ cm‬ﻃﻮل ﻣﺘﻮﺳﻂ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫‪lg = ۱ mm‬ﻃﻮل ﺷﮑﺎف ﻫﻮاﯾﯽ‬

‫‪Ac = Ag = ۱۵ cm۲‬ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ‬

‫‪µr = ۳۰۰۰‬ﺿﺮﯾﺐ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ ﻧﺴﺒﯽ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫‪i = ۱ A‬ﺟﺮﯾﺎن‬
‫ﭘﯿﺪا ﮐﻨﯿﺪ ]‪:[١‬‬

‫‪ -١‬ﺷﺎر و ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر در ﺷﮑﺎف ﻫﻮاﯾﯽ‬

‫‪ -٢‬اﻧﺪوﮐﺘﺎﻧﺲ ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ‬

‫‪fig17b‬‬ ‫‪fig17a‬‬
‫)ﺏ( ﻣﺪﺍﺭ ﻣﻌﺎﺩﻝ‬ ‫)ﺍﻟﻒ( ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﻤﺮﺍﻩ ﺑﺎ ﺷﮑﺎﻑ‬
‫ﻫﻮﺍﻳﯽ‬

‫‪fig17‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۰-۱‬ﺳﺎﺯﻩ ﻣﺮﮐﺐ‬

‫ﺣﻞ‪:‬‬

‫‪.۱‬‬
‫‪lc‬‬ ‫‪۵۰ × ۱۰‬‬ ‫‪−۲‬‬
‫‪At‬‬
‫= ‪Rc‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۸۸٫۴۲ × ۱۰۳‬‬
‫‪µ r µ ۰ Ac‬‬ ‫‪۳۰۰۰ × ۴π × ۱۰ × ۱۵ × ۱۰‬‬
‫‪−۷‬‬ ‫‪−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫‪lg‬‬ ‫‪۱ × ۱۰−۳‬‬ ‫‪At‬‬
‫= ‪Rg‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۵۳۰٫۵۱۵ × ۱۰۳‬‬
‫‪µ ۰ Ag‬‬ ‫‪۴π × ۱۰−۷ × ۱۵ × ۱۰−۴‬‬ ‫‪Wb‬‬
‫‪Ni‬‬ ‫‪۴۰۰ × ۱‬‬
‫=‪ϕ‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۰٫۶۴۶۳ × ۱۰−۳‬‬
‫‪Rc + Rg‬‬ ‫‪(۸۸٫۴۲ + ۵۳۰٫۵۱۵) × ۱۰۳‬‬
‫‪ϕ‬‬ ‫‪۰٫۶۴۶۳ × ۱۰−۳‬‬
‫=‪B‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۰٫۴۳۰۹ T‬‬
‫‪Ag‬‬ ‫‪۱۵ × ۱۰−۴‬‬
 ‫‪۲۹‬‬ ‫‪ .٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫‪.۲‬‬
‫‪N۲‬‬ ‫‪۴۰۰۲‬‬
‫=‪L‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۲۵۸٫۵۲ × ۱۰−۳ H‬‬
‫‪Rc + Rg‬‬ ‫‪(۸۸٫۴۲ + ۵۳۰٫۵۱۵) × ۱۰۳‬‬
‫ﻳﺎ‬
‫‪λ‬‬ ‫‪Nϕ‬‬ ‫‪۴۰۰ × ۰٫۶۴۶۳ × ۱۰−۳‬‬
‫=‪L‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪= ۲۵۸٫۵۲ × ۱۰−۳ H‬‬
‫‪i‬‬ ‫‪i‬‬ ‫‪۱‬‬

‫‪ ٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻮﺳﻴﻠﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎﯼ ‪ B − H‬ﻣﻌﺮﻓﯽ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ ﮐﻪ ﻫﻢ ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﻭ ﻫﻢ ﭼﻨﺪ ﻣﻘﺪﺍﺭﯼ‬

‫ﻫﺴﺘﻨﺪ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﻣﻌﻤﻮﻻ ﺑﻪ ﻣﺸﺨﺼﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ‪ ۱‬ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ ]‪ .[۲‬ﺑﺮﺍﯼ ﻧﻤﺎﻳﺶ ﺍﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۱-۱‬ﺭﺍ ﺩﺭ‬
‫ﻧﻈﺮ ﺑﮕﻴﺮﻳﺪ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺁﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﺑﻪ ﺩﻭﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻓﺮﺽ ﮐﻨﻴﺪ ﮐﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﺭ ﺍﺑﺘﺪﺍﯼ ﺍﻣﺮ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲ‬
‫ﻧﺸﺪﻩ ﺑﺎﺷﺪ ]‪ .[۱‬ﺳﻠﺴﻠﻪ ﻣﺮﺍﺗﺒﯽ ﺭﺍ ﮐﻪ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۱۸-۱‬ﭘﺪﻳﺪ ﻣﯽﺁﻳﺪ ﺭﺍ ﺗﺸﺮﻳﺢ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﻓﺮﺽ ﺑﺮﺁﻧﺴﺖ ﮐﻪ ﻫﺴﺘﻪ‬
‫ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺧﺎﻡ ‪ ۲‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ ﻭ ‪ MMF‬ﺍﻋﻤﺎﻟﯽ ﺑﻪ ﭼﻨﺒﺮﻩ ﻭ ﺑﺎﻟﻤﺎﻝ ‪ H‬ﺑﺼﻮﺭﺕ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺑﺎ ﭘﺮﻳﻮﺩ ﺯﻣﺎﻧﯽ ‪ T‬ﺗﻐﻴﻴﺮ‬
‫ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ ]‪.[۲‬‬

‫‪fig21‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۱-۱‬ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﺎ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ )ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺗﺤﺮﻳﮏ(‬

‫‪ -۱‬ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﯽ اول )ﺷﮑﻞ ‪)٢٢-١‬اﻟﻒ((‪:‬‬

‫‪T‬‬
‫⩽ ‪ ۰ ⩽ t‬ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ) ‪ (H‬ﻣﺜﺒﺖ ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺸﯽ‬ ‫ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺑﻴﻦ‬
‫‪۴‬‬
‫ﺩﺍﺭﺩ‪ .‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻧﻴﺰ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ oa‬ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ ﺗﺎ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﺑﺮﺳﺪ ) ‪ .(Bs‬ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺑﻴﺸﺘﺮ ‪H‬‬
‫ﺍﺯ ﺳﻄﺢ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﻣﺎﺩﻩ‪ ،‬ﺩﻳﮕﺮ ‪ B‬ﺭﺍ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻧﺨﻮﺍﻫﺪ ﺩﺍﺩ‪.‬‬

‫‪ -۲‬ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﯽ دوم )ﺷﮑﻞ ‪)٢٢-١‬ب((‪:‬‬

‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ H‬ﻣﺜﺒﺖ ﺍﻣﺎ ﺭﻭﻧﺪ ﻧﺰﻭﻟﯽ ﺩﺍﺭﺩ‪.‬‬ ‫ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺑﻴﻦ ⩽ ‪⩽ t‬‬
‫‪۴‬‬ ‫‪۲‬‬
‫ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻧﻴﺰ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ‪ ab‬ﮐﻪ ﺑﺎﻻﯼ ‪ oa‬ﻗﺮﺍﺭ ﺩﺍﺭﺩ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ‪ .‬ﻟﺬﺍ ﺑﺮﺍﯼ ‪ H‬ﻣﻔﺮﻭﺿﯽ ﻣﻘﺎﺩﻳﺮ‬
‫‪1 Hysteresis‬‬ ‫‪Characterestic‬‬
‫‪2 Vergin‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۳۰‬‬

‫‪fig22d‬‬ ‫‪fig22c‬‬ ‫‪fig22b‬‬ ‫‪fig22a‬‬

‫)ﺩ( ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﭼﻬﺎﺭﻡ‬ ‫)ﺝ( ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺳﻮﻡ‬ ‫)ﺏ( ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺩﻭﻡ‬ ‫)ﺍﻟﻒ( ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺍﻭﻝ‬

‫‪fig22e‬‬
‫)ﻩ( ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﭘﻨﺠﻢ‬

‫‪fig22‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۲-۱‬ﺗﮑﺎﻣﻞ ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ‬

‫‪۳۱‬‬ ‫‪ .٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫‪T‬‬
‫= ‪ t‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ H‬ﺻﻔﺮ ﺷﺪﻩ ﺍﻣﺎ ‪ B‬ﻣﻌﺎﺩﻝ ‪ Br‬ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺷﺪ ﮐﻪ ﺑﻪ ﺁﻥ‬ ‫ﻣﺨﺘﻠﻒ ﺑﺮﺍﯼ ‪ B‬ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ‬
‫‪۴‬‬
‫ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ‪ ۱‬ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ‪ ،‬ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﺭﺍ ﻗﻄﻊ ﮐﻨﻴﻢ‪ ،‬ﻫﺴﺘﻪ‬
‫ﻫﻤﭽﻨﺎﻥ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺧﻮﺩ ﺭﺍ ﺣﻔﻆ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﻣﺮﺟﻊ ]‪ [۱‬ﺑﻪ ‪ Br‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ‪ ۲‬ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪﻩ‬
‫ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ -۳‬ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﯽ ﺳﻮم )ﺷﮑﻞ ‪)٢٢-١‬ج((‪:‬‬

‫‪T‬‬ ‫‪T‬‬
‫ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺟﻬﺖ ‪ H‬ﻋﻮﺽ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﻭ ﻣﻘﺪﺍﺭ ﺁﻥ‬ ‫ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺑﻴﻦ ‪⩽ t ⩽ ۳‬‬
‫‪۲‬‬ ‫‪۴‬‬
‫ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺩﺍﺭﺩ‪ B .‬ﻧﻴﺰ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ ﻭ ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ‪ c‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ B‬ﺻﻔﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﻫﻨﮕﺎﻣﻴﮑﻪ ‪ B‬ﺻﻔﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪،‬‬
‫ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ H‬ﻣﻌﺎﺩﻝ ‪ Hc‬ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ ﻭ ﺑﻪ ﺁﻥ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺿﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ‪ ۳‬ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻧﺘﻬﺎﯼ ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ‬
‫ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ d‬ﺧﻮﺍﻫﻴﻢ ﺭﺳﻴﺪ ﮐﻪ ﺑﺎﺯ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﭘﻴﺶ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺁﻣﺪ‪.‬‬

‫‪ -۴‬ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﯽ ﭼﻬﺎرم )ﺷﮑﻞ ‪)٢٢-١‬د((‪:‬‬

‫‪T‬‬
‫‪ ۳‬ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ H‬ﻣﻨﻔﯽ ﺍﻣﺎ ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺸﯽ‬ ‫ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺑﻴﻦ ‪⩽ t ⩽ T‬‬
‫‪۴‬‬
‫ﺩﺍﺭﺩ‪ B .‬ﻧﻴﺰ ﻣﻨﻔﯽ ﻭ ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺸﯽ ﺩﺍﺭﺩ ﺗﺎ ﺑﺎﻻﺧﺮﻩ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ e‬ﺑﺮﺳﻴﻢ‪ .‬ﺑﺎﺯ ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﺑﻪ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫ﺑﺮﻣﯽﺧﻮﺭﻳﻢ‪.‬‬

‫‪ -۵‬ﻓﺎﺻﻠﻪ زﻣﺎﻧﯽ ﭘﻨﺠﻢ )ﺷﮑﻞ ‪)٢٢-١‬ه((‪:‬‬

‫‪T‬‬
‫‪ T ⩽ t ⩽ ۵‬ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ‪ H‬ﺍﺯ ﺻﻔﺮ ﺷﺮﻭﻉ ﺷﺪﻩ ﻭ ﺍﺑﺘﺪﺍﯼ ﺍﻣﺮ‬ ‫ﺍﻳﻦ ﻓﺎﺻﻠﻪ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺑﻴﻦ‬
‫‪۴‬‬
‫‪ B‬ﻣﻨﻔﯽ ﻭﻟﯽ ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺸﯽ ﺩﺍﺭﺩ ﺗﺎ ﺑﺎﻻﺧﺮﻩ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ f‬ﺑﺮﺳﻴﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ‪ f‬ﺑﺎﺯ ﺩﻭﺑﺎﺭﻩ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺿﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﭘﺲ ﺍﺯ ﻧﻘﻄﻪ ‪ f‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺭﻭﻧﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺸﯽ ﺧﻮﺩ ﺭﺍ ﺍﺩﺍﻣﻪ ﻣﯽﺩﻫﺪ ﺗﺎ ﺩﻭﺑﺎﺭﻩ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ a‬ﺑﺮﺳﻴﻢ‪.‬‬

‫ﺩﺭ ﻃﻮﻝ ﺳﻴﮑﻞ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺷﺪﻥ‪ ،‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺍﺯ ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻋﻘﺐ ﻣﯽﻣﺎﻧﺪ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﺭﺍ ﻋﻘﺐﻣﺎﻧﺪﮔﯽ‬
‫ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻧﺎﻣﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪.[۱‬‬
‫ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﻣﺘﺬﮐﺮ ﻣﯽﺷﻮﻳﻢ ﮐﻪ ﺍﮔﺮ ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ DC‬ﺗﺤﺮﻳﮏ ﮐﻨﻴﻢ ﻭ ﺍﺑﺘﺪﺍ ﺁﻥ ﺭﺍ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺩﻫﻴﻢ‪ ،‬ﻣﻄﺎﺑﻖ‬
‫ﺷﮑﻞ ‪ ۲۳-۱‬ﺩﺭ ﻣﺴﻴﺮ ‪ oa‬ﺣﺮﮐﺖ ﺧﻮﺍﻫﻴﻢ ﮐﺮﺩ ﺗﺎ ﺑﻪ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﺑﺮﺳﻴﻢ ) ‪ .(Bs‬ﺣﺎﻝ ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺭﺍ ﮐﻢ ﮐﻨﻴﻢ‪،‬‬
‫ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ‪ ab‬ﺣﺮﮐﺖ ﺧﻮﺍﻫﻴﻢ ﮐﺮﺩ ﻭ ﺣﺘﯽ ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺷﻮﺩ )‪ ،(H = ۰‬ﺑﺎﺯ ﻫﺴﺘﻪ ﺧﺎﺻﻴﺖ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺧﻮﺩ ﺭﺍ‬
‫ﺣﻔﻆ ﻣﯽﮐﻨﺪ )ﻧﻘﻄﻪ ‪ b‬ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ(‪ .‬ﺣﺎﻝ ﺍﮔﺮ ﺟﻬﺖ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺭﺍ ﻋﻮﺽ ﮐﻨﻴﻢ ﻭ ﺁﻥ ﺭﺍ ﺯﻳﺎﺩ ﮐﻨﻴﻢ‪،‬‬
‫ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ‪ bc‬ﺣﺮﮐﺖ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ‪ c‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ‪ B‬ﺻﻔﺮ ﺷﺪﻩ ﻭ ﺑﻪ ‪ H‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﻧﻘﻄﻪ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺿﺪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬
‫‪1 Residual‬‬ ‫‪Field‬‬
‫‪2 Residual‬‬ ‫‪Flux Density‬‬
‫‪3 Coercive Force‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۳۲‬‬

‫ﮔﻔﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺑﺎ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ d‬ﻣﯽﺭﺳﻴﻢ ﮐﻪ ﺑﺎﺯ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﺭﺍ ﭘﻴﺶﺭﻭ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪ .‬ﺣﺎﻝ ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺭﺍ‬
‫ﮐﻢ ﮐﻨﻴﻢ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ‪ de‬ﺣﺮﮐﺖ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﺩﻭﺑﺎﺭﻩ ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ‪ e‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﭘﻴﺶ ﻣﯽﺁﻳﺪ‪ .‬ﭘﺲ ﺍﺯ ﻧﻘﻄﻪ ‪ e‬ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ‬
‫‪ ef‬ﺣﺮﮐﺖ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﺩﺭ ﻧﻘﻄﻪ ‪ f‬ﺑﻪ ﻣﺴﺎﻟﻪ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺿﺪﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﺮﻣﯽﺧﻮﺭﻳﻢ‪ .‬ﭘﺲ ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﻣﺮﺣﻠﻪ ﺑﺎ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻣﺴﻴﺮ ‪ fa‬ﺣﺮﮐﺖ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ ﺗﺎ ﺑﺎﻻﺧﺮﻩ ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ﺍﻭﻟﻴﻪ ‪ a‬ﺑﺎﺯﮔﺮﺩﻳﻢ‪ .‬ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۳-۱‬ﻣﻨﺤﻨﯽ ‪ B − H‬ﻳﮏ‬
‫ﻣﺎﺩﻩ ﻏﻴﺮﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﺧﻂ ﻣﺴﺘﻘﻴﻢ ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬

‫‪fig23‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۳-۱‬ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻳﮏ ﻣﺎﺩﻩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ﺍﮔﺮ ﺗﺤﺮﻳﮏ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺑﺎﺷﺪ ﺩﺍﺋﻤﺎ ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺁﻧﭽﻪ ﮐﻪ ﮔﻔﺘﻪ ﺷﺪ‪ ،‬ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﺩﻭﺭ ﺯﺩﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪.‬‬
‫ﺩﺭ ﺍﻳﻨﺠﺎ ﻣﺘﺬﮐﺮ ﻣﯽﺷﻮﻳﻢ ﺍﮔﺮ ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﺑﺎ ‪ MMF‬ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺑﺎ ﺩﺍﻣﻨﻪﻫﺎﯼ ﮔﻮﻧﺎﮔﻮﻥ ﺗﺤﺮﻳﮏ ﮐﻨﻴﻢ‪ ،‬ﺑﻪ ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ‬
‫ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻣﺨﺘﻠﻔﯽ ﺩﺳﺖ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ )ﺷﮑﻞ ‪ .(۲۴-۱‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺷﮑﻞ ﻣﻨﺤﻨﯽ ﺧﻂ ﭼﻴﻨﯽ ﮐﻪ ﻧﻮﮎ ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ‬
‫ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﺭﺍ ﺑﻪ ﻳﮑﺪﻳﮕﺮ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﻣﯽﺳﺎﺯﺩ‪ ،‬ﻫﻤﺎﻥ ﻣﻨﺤﻨﯽ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺲﺷﻮﻧﺪﮔﯽ ﻣﺎﺩﻩ ﺩﺭ ﻣﻮﻗﻌﯽ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﺗﺤﺮﻳﮏ )ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ( ‪ DC‬ﺑﺎﺷﺪ ]‪.[۲‬‬

‫‪fig24‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۴-۱‬ﻣﺠﻤﻮﻋﻪﺍﯼ ﺍﺯ ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ‬

‫ﺗﻤﺎﻳﺰ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺮﻡ ﻭ ﺳﺨﺖ ﺭﺍ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﺎ ﻣﻘﺎﻳﺴﻪ ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﺁﻥﻫﺎ ﺑﻬﺘﺮ ﺩﺭﮎ ﻧﻤﻮﺩ ﻭ‬
‫ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۵-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺮﻡ ﻧﻴﺮﻭﯼ ﺿﺪﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ) ‪ (Hc‬ﺑﻤﺮﺍﺗﺐ‬
‫ﮐﻤﺘﺮ ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﻧﻴﺮﻭ ﺩﺭ ﻣﻮﺍﺩ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺳﺨﺖ ﺍﺳﺖ ]‪.[۲‬‬
 ‫‪۳۳‬‬ ‫‪ .٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫‪fig25‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۵-۱‬ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺮﻡ ﻭ ﺳﺨﺖ‬

‫‪ ١-٨-١‬ﻫﺴﺘﻪﻫﺎی دﻟﺘﺎ ﻣﺎﮐﺲ‬

‫ﮔﻬﮕﺎﻩ ﺁﻟﻴﺎﮊﯼ ﻓﺮﻭﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺧﺎﺹ ﺑﺮﺍﯼ ﮐﺎﺭﺑﺮﺩﻫﺎﯼ ﻭﻳﮋﻩﺍﯼ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ‪ ،‬ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ(‬
‫ﺍﻳﻦﮔﻮﻧﻪ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺑﺎ ﺁﻧﭽﻪ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۴-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﻣﺘﻔﺎﻭﺕ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﺁﻟﻴﺎﮊﯼ ﮐﻪ‬
‫‪ ۵۰‬ﺩﺭﺻﺪ ﺁﻥ ﺁﻫﻦ ﻭ ‪ ۵۰‬ﺩﺭﺻﺪ ﺩﻳﮕﺮ ﺁﻥ ﺍﺯ ﻧﻴﮑﻞ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۶-۱‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺣﻠﻘﻪ ‪B − H‬‬
‫ﺍﻳﻨﮕﻮﻧﻪ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎ ﺗﻘﺮﻳﺒﺎ ﻣﺮﺑﻌﯽ ﺷﮑﻞ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺑﻪ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﯼ ﺩﻟﺘﺎ ﻣﺎﮐﺲ ‪ ۱‬ﻣﻌﺮﻭﻑﺍﻧﺪ‪ .‬ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﮐﻪ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﻟﺘﺎ‬
‫ﻣﺎﮐﺲ ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﻣﯽﺗﻮﺍﻧﺪ ﺑﻪ ﻣﻨﺰﻟﻪ ﮐﻠﻴﺪ )ﺳﻮﺋﻴﭻ( ﻋﻤﻞ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﺩﻗﺖ ﮐﻨﻴﺪ ﻫﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ) ‪ (B‬ﺍﺯ‬
‫‪) Br‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ( ﮐﻤﺘﺮ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﺑﺎﻟﻤﺎﻝ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺴﻴﺎﺭ ﮐﻢ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﮔﺮ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ‬
‫) ‪ (B‬ﺍﺯ ‪) Br‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ( ﻓﺮﺍﺗﺮ ﺭﻭﺩ‪ ،‬ﺷﺪﺕ ﻣﻴﺪﺍﻥ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﺑﺎﻟﻤﺎﻝ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺸﺪﺕ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ‪.‬‬
‫ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﺍﻣﺮ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﮐﺮﺩ ﺗﺎ ﺳﻴﻢﭘﻴﭽﯽ ﮐﻪ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﻟﺘﺎﻣﺎﮐﺲ ﭘﻴﭽﻴﺪﻩ ﺷﺪﻩ ﺍﺳﺖ ﺭﻓﺘﺎﺭﯼ ﻫﻤﭽﻮﻥ ﮐﻠﻴﺪ‬
‫ﺩﺍﺷﺘﻪ ﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺯﻳﺮﺍ ﻫﻨﮕﺎﻣﯽ ﮐﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﻧﺸﺪﻩ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺴﻴﺎﺭ ﮐﻢ ﻭ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﮐﻪ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﺭ ﺍﺷﺒﺎﻉ ﺑﺴﺮ ﻣﯽﺑﺮﺩ‪،‬‬
‫ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺑﺴﻴﺎﺭ ﺯﻳﺎﺩ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺑﻮﺩ ]‪.[۱‬‬

‫‪fig26‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۶-۱‬ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻳﮏ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﻟﺘﺎ ﻣﺎﮐﺲ‬

‫‪1 Delta‬‬ ‫‪Max Cores‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۳۴‬‬

‫ﺗﻠﻔﺎت ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﺗﻠﻔﺎت ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬ ‫‪٢-٨-١‬‬

‫ﺩﺭ ﻃﯽ ﻳﮏ ﺳﻴﮑﻞ ﮐﺎﻣﻞ ﺟﺮﻳﺎﻥ‪ ،‬ﺩﺭ ﭼﻨﺪ ﺩﻭﺭﻩ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ )ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ( ﺭﻭﺍﻧﻪ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﻭ‬
‫ﺩﺭ ﭼﻨﺪ ﺩﻭﺭﻩ ﺯﻣﺎﻧﯽ ﺩﻳﮕﺮ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺑﻪ ﻣﻨﺒﻊ ﺑﺎﺯ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﺍﻧﺮﮊﯼ ﻭﺍﺭﺩﻩ ﺑﻪ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻫﻤﻮﺍﺭﻩ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﺍﺯ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺑﺮﮔﺸﺘﯽ ﺑﻪ‬
‫ﻣﻨﻴﻊ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻟﺬﺍ ﺩﺭ ﻳﮏ ﺳﻴﮑﻞ ﮐﺎﻣﻞ ﺍﺯ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮐﻪ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ‪ H‬ﺭﺍ ﺑﻪ ﺩﻧﺒﺎﻝ ﺩﺍﺭﺩ‪ ،‬ﻣﻘﺪﺍﺭﯼ ﺍﺯ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺗﻠﻒ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻳﻦ‬
‫ﺗﻠﻒ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﮔﺮﻣﺎ ﺁﺷﮑﺎﺭ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺗﻮﺍﻥ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ(‬
‫ﺑﻪ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ‪ (۱‬ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﮐﻪ ﺍﻧﺪﺍﺯﻩ ﺣﻠﻘﻪ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﺑﺎ ﺗﻠﻔﺎﺕ‬
‫ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ ﻣﺘﻨﺎﺳﺐ ﺍﺳﺖ ]‪.[۱‬‬
‫ﮔﻴﺮﻳﻢ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۱-۱‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺘﯽ ﻧﺪﺍﺷﺘﻪ ﻭ ﺷﺎﺭ ﺩﺭﻭﻥ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ϕ‬ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻃﺒﻖ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻓﺎﺭﺍﺩﻩ ﻭﻟﺘﺎﮊ ‪ e‬ﺩﺭ ﺩﻭ‬
‫ﺳﺮ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬
‫‪dϕ‬‬
‫‪e=N‬‬
‫‪dt‬‬

‫ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺍﻧﺘﻘﺎﻟﯽ ﺩﺭ ﺍﺛﻨﺎﯼ ﺩﻭﺭﻩ ﺯﻣﺎﻧﯽ ‪ t۱‬ﻭ ‪ t۲‬ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ ]‪:[۱‬‬
‫∫‬ ‫‪t۲‬‬ ‫∫‬ ‫‪t۲‬‬ ‫∫‬ ‫∫‬ ‫‪ϕ۲‬‬
‫‪dϕ‬‬
‫= ‪W‬‬ ‫= ‪ dt‬ﺗﻮﺍﻥ‬ ‫= ‪eidt‬‬ ‫= ‪N · idt‬‬ ‫‪N idϕ‬‬ ‫‪(۲۴-۱) eq23‬‬
‫‪t۱‬‬ ‫‪t۱‬‬ ‫‪dt‬‬ ‫‪ϕ۱‬‬

‫ﺍﻣﺎ‬
‫‪Hl‬‬
‫‪ϕ = BA,‬‬ ‫=‪i‬‬
‫‪N‬‬

‫ﭘﺲ‪:‬‬
‫∫‬ ‫‪B۲‬‬ ‫∫‬ ‫‪B۲‬‬ ‫∫‬ ‫‪B۲‬‬
‫‪Hl‬‬
‫= ‪W‬‬ ‫·‪N‬‬ ‫‪AdB = lA‬‬ ‫‪HdB = Vcore‬‬ ‫‪HdB‬‬ ‫‪(۲۵-۱) eq24‬‬
‫‪B۱‬‬ ‫‪N‬‬ ‫‪B۱‬‬ ‫‪B۱‬‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ ﮐﻪ ‪ Vcore‬ﺣﺠﻢ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺍﻧﺘﮕﺮﺍﻝ ﺫﮐﺮ ﺷﺪﻩ ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ )‪ (۲۵-۱‬ﻣﺒﻴﻦ ﺳﻄﺢ ﻫﺎﺷﻮﺭ ﺯﺩﻩ‬
‫ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۷-۱‬ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺍﻧﺘﻘﺎﻟﯽ ﺩﺭ ﺍﺛﻨﺎﯼ ﻳﮏ ﺳﻴﮑﻞ ﮐﺎﻣﻞ ﺍﺯ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ‪ ،‬ﺑﺮﺍﺑﺮ ﺍﺳﺖ ﺑﺎ‪:‬‬
‫‪I‬‬
‫‪W |cycle = Vcore‬‬ ‫‪) = Vcore × Wh‬ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺣﻠﻘﻪ ‪HdB = Vcore × (B − H‬‬ ‫‪(۲۶-۱) eq25‬‬

‫ﭘﺮﻭﺍﺿﺢ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ‪ Wh‬ﻣﻌﺎﺩﻝ ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﺑﻮﺩﻩ ﻭ ﺑﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺍﻧﺮﮊﯼ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ ]‪.[۱‬‬

‫‪1 Hysteresis‬‬ ‫‪Loss‬‬

 ‫‪۳۵‬‬ ‫‪ .٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫‪fig27‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۷-۱‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ‬

‫ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺗﻮﺍﻥ ‪ ۱‬ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺳﺒﺐ ﺗﺎﺛﻴﺮ ﭘﺪﻳﺪﻩ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪Ph = Vcore Wh f‬‬ ‫‪(۲۷-۱) eq26‬‬

‫ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺍﺧﻴﺮ ‪ f‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ‪ ۲‬ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ i‬ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﮐﺎﺭ ﺩﺷﻮﺍﺭﯼ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺯﻳﺮﺍ ﻣﺸﺨﺼﻪﻫﺎﯼ‬
‫‪ B − H‬ﻏﻴﺮﺧﻄﯽ ﻭ ﭼﻨﺪ ﻣﻘﺪﺍﺭﯼ ﻫﺴﺘﻨﺪ ﻭ ﮔﺬﺷﺘﻪ ﺍﺯ ﺁﻥ ﺗﻮﺻﻴﻒ ﺭﻳﺎﺿﯽ ﺳﺎﺩﻩﺍﯼ ﺍﺯ ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ‪ B − H‬ﺩﺭ‬
‫ﺩﺳﺖ ﻧﻴﺴﺖ‪ .‬ﺁﻗﺎﯼ ﭼﺎﺭﻟﺰ ﺍﺳﺘﻴﻨﻤﺘﺰ ‪ ۳‬ﺍﺯ ﺷﺮﮐﺖ ﺟﻨﺮﺍﻝ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮏ ﺁﺯﻣﺎﻳﺶﻫﺎﯼ ﻣﺘﻌﺪﺩﯼ ﺍﻧﺠﺎﻡ ﺩﺍﺩ ﻭ ﺑﺮﺍﺳﺎﺱ ﺁﻥﻫﺎ‬
‫ﺭﺍﺑﻄﻪﺍﯼ ﺗﻘﺮﻳﺒﯽ ﺑﺮﺍﯼ ﻣﻮﺍﺩ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺑﻪ ﮐﺎﺭ ﺭﻓﺘﻪ ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺭﺍﺋﻪ ﻧﻤﻮﺩ ]‪:[۱‬‬

‫‪ = KBmax‬ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺣﻠﻘﻪ ‪B − H‬‬

‫‪n‬‬
‫‪(۲۸-۱) eq27‬‬

‫ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺍﺧﻴﺮ ‪ Bmax‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﻣﺎﮐﺰﻳﻤﻢ )ﺑﻴﺸﻴﻨﻪ(‪ n ،‬ﻋﺪﺩﯼ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺑﻴﻦ ‪ ۱٫۵‬ﺗﺎ ‪ ۲٫۵‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ ﻭ ‪K‬‬
‫ﺿﺮﻳﺒﯽ ﺛﺎﺑﺖ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﺯ ﺭﻭﺍﺑﻂ )‪ (۲۷-۱‬ﻭ )‪ (۲۸-۱‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﺯﻳﺮ ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺑﻮﺩ‪:‬‬

‫‪n‬‬
‫‪Ph = Kh Bmax‬‬ ‫‪f‬‬ ‫‪(۲۹-۱) eq28‬‬

‫ﺩﺭ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺍﺧﻴﺮ ‪ Kh‬ﻋﺪﺩﯼ ﺍﺳﺖ ﺛﺎﺑﺖ ﻭ ﺑﻪ ﺟﻨﺲ ﻫﺴﺘﻪ ﻭ ﺣﺠﻢ ﻫﺴﺘﻪ ﺑﺴﺘﮕﯽ ﺩﺍﺭﺩ ]‪.[۱‬‬

‫ﺗﻠﻔﺎت ﺟﺮﯾﺎن ﮔﺮداﺑﯽ)ﻓﻮﮐﻮ(‬ ‫‪٣-٨-١‬‬

‫ﻋﻼﻭﻩ ﺑﺮ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻓﻮﻕﺍﻟﺬﮐﺮ‪ ،‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺩﻳﮕﺮﯼ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﺭﺥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪)۲۸-۱‬ﺍﻟﻒ( ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ‬
‫ﻫﺴﺘﻪﺍﯼ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ ﮐﻪ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﺁﻥ ﺑﻪ ﺗﻨﺪﯼ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﻫﻤﺎﻧﻨﺪ ﺍﻳﻦ ﺷﮑﻞ‪ ،‬ﻣﺴﻴﺮﯼ ﺭﺍ ﺑﺮﺭﻭﯼ ﺳﻄﺢ‬
‫‪1 Power‬‬ ‫‪Loss‬‬
‫‪2 Frequency‬‬
‫‪3 Charles‬‬ ‫‪Steinmetz‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۳۶‬‬

‫ﻣﻘﻄﻊ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ‪ .‬ﺍﺯ ﺁﻧﺠﺎﻳﯽ ﮐﻪ ﺍﻳﻦ ﻣﺴﻴﺮ ﺷﺎﺭ ﺭﺍ ﺩﺭ ﺑﺮ ﮔﺮﻓﺘﻪ ﺍﺳﺖ ﻭ ﺍﻳﻦ ﺷﺎﺭ ﺑﺎ ﺯﻣﺎﻥ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ ،‬ﻟﺬﺍ‬
‫ﺩﺭ ﺁﻥ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﺍﺯ ﺍﻳﻦ ﺭﻫﮕﺬﺭ ﺟﺮﻳﺎﻥ ‪ ie‬ﮐﻪ ﺑﻪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ‪ ۱‬ﻣﻌﺮﻭﻑ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﮔﺮﺩﺍﮔﺮﺩ ﻣﺴﻴﺮ ﺣﺮﮐﺖ‬
‫ﺧﻮﺍﻫﺪ ﮐﺮﺩ‪ .‬ﭼﻮﻥ ﻣﺎﺩﻩ ﻫﺴﺘﻪ ﺩﺍﺭﺍﯼ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺗﻮﺍﻥ ‪ RI ۲‬ﺑﻪ ﺳﺒﺐ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ﮔﺮﻣﺎ ﺩﺭ‬
‫ﻫﺴﺘﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺑﻪ ﺩﻭ ﺷﻴﻮﻩ ﮐﺎﻫﺶ ﻣﯽﻳﺎﺑﺪ‪:‬‬

‫‪ -۱‬ﻣﺎﺩﻩ ﺑﺎ ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ ﺯﻳﺎﺩ ﺑﻪ ﮐﺎﺭ ﺑﺮﺩﻩ ﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻓﺰﻭﺩﻥ ﺩﺭﺻﺪ ﻧﺎﭼﻴﺰﯼ ﺍﺯ ﺳﻴﻠﻴﮑﻮﻥ ﺑﻪ ﺁﻫﻦ )ﻣﺜﻼ ‪ ۴‬ﺩﺭﺻﺪ(‪ ،‬ﻣﻘﺎﻭﻣﺖ‬
‫ﺭﺍ ﺑﻪ ﺷﺪﺕ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪.‬‬

‫‪ -۲‬ﻫﺴﺘﻪ ﻻﻳﻪ ﺑﻪ ﻻﻳﻪ )ﻣﻮﺭﻕ( ‪ ۲‬ﺑﻪ ﮐﺎﺭ ﺑﺮﺩﻩ ﺷﻮﺩ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﻻﻳﻪﻫﺎﯼ ﻧﺎﺯﮎ )ﻭﺭﻕﻫﺎ(‪ ،‬ﺍﺯ ﻳﮑﺪﻳﮕﺮ ﻋﺎﻳﻖﺑﻨﺪﯼ‬
‫ﺷﺪﻩﺍﻧﺪ‪ .‬ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﻭ ﺗﺮﺍﻧﺴﻔﺮﻭﻣﺎﺗﻮﺭﻫﺎ ﺁﻥ ﻗﺴﻤﺖﻫﺎﻳﯽ ﮐﻪ ﺗﺤﺖ ﺗﺎﺛﻴﺮ ﺷﺎﺭﻫﺎﯼ ﻭﺍﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺯﻣﺎﻥ ﺍﺳﺖ‪ ،‬ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﻣﻮﺭﻕ ﺳﺎﺧﺘﻪ ﻣﯽﺷﻮﻧﺪ)ﺷﮑﻞ ‪)۲۸-۱‬ﺏ(( ]‪.[۱‬‬

‫‪fig28b‬‬ ‫‪fig28a‬‬
‫)ﺍﻟﻒ( ﻫﺴﺘﻪ ﺁﻫﻨﯽ ﻳﮑﭙﺎﺭﭼﻪ )ﺏ( ﻫﺴﺘﻪ ﺁﻫﻨﯽ ﻣﻮﺭﻕ )ﻻﻳﻪ ﺑﻪ‬
‫ﻻﻳﻪ(‬

‫‪fig28‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۸-۱‬ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬

‫ﺗﻠﻔﺎﺕ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪﻫﺎﯼ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻧﺎﺷﯽ ﺍﺯ ﺷﺎﺭ ﻭﺍﺑﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﺯﻣﺎﻥ ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺯﻳﺮ ﺑﺪﺳﺖ ﻣﯽﺁﻳﺪ‪:‬‬

‫‪۲‬‬
‫‪Pe = Ke Bmax‬‬ ‫‪f۲‬‬ ‫‪(۳۰-۱) eq29‬‬

‫‪ Ke‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ﺛﺎﺑﺘﯽ ﺍﺳﺖ ﮐﻪ ﺍﺭﺯﺵ ﺁﻥ ﺑﻪ ﻧﻮﻉ ﻣﻮﺍﺩ ﻭ ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪﻫﺎ ﺑﺴﺘﮕﯽ ﺩﺍﺭﺩ‪ .‬ﺿﺨﺎﻣﺖ ﻻﻳﻪﻫﺎ ﺩﺭ‬
‫ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺍﺯ ‪ ۰٫۵‬ﺗﺎ ‪ ۵‬ﻣﻴﻠﯽﻣﺘﺮ ﻭ ﺩﺭ ﻭﺳﺎﻳﻞ ﻣﻮﺭﺩ ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﺩﺭ ﻣﺪﺍﺭﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﺎ ﻓﺮﮐﺎﻧﺲﻫﺎﯼ‬
‫ﺑﺎﻻﺗﺮ ‪ ۰٫۰۱‬ﺗﺎ ‪ ۰٫۵‬ﻣﻴﻠﯽﻣﺘﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬
‫‪1 Eddy‬‬ ‫‪Current‬‬
‫‪2 Laminated‬‬ ‫‪Core‬‬
 ‫‪۳۷‬‬ ‫‪ .٨-١‬ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﯿﺴﺘﺮزﯾﺲ(‬

‫ﺗﻠﻔﺎت ﻫﺴﺘﻪ‬ ‫‪۴-٨-١‬‬

‫ﺑﻪ ﻃﻮﺭ ﮐﻠﯽ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ۱‬ﺍﺯ ﻣﺠﻤﻮﻉ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﻭ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺣﺎﺻﻞ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﭘﺲ ]‪:[۱‬‬

‫‪P c = P e + Ph‬‬ ‫‪(۳۱-۱) eq30‬‬

‫ﺣﺎﻝ ﺩﻭﺑﺎﺭﻩ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﺷﮑﻞ ‪ ۲۱-۱‬ﺭﺍ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ‪ .‬ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﺁﺭﺍﻣﯽ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﮐﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺍﻟﻘﺎ ﺷﺪﻩ ﺑﺴﻴﺎﺭ ﻧﺎﭼﻴﺰ ﻭ ﻗﺎﺑﻞ ﭼﺸﻢﭘﻮﺷﯽ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺩﺭ ﺍﻳﻦ ﺣﺎﻟﺖ ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﺑﺮﺍﯼ ﻣﻴﺪﺍﻥﻫﺎﻳﯽ ﮐﻪ ﺑﻪ‬
‫ﺁﺭﺍﻣﯽ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﻧﻤﺎﻳﻨﺪ‪ ،‬ﺣﻠﻘﻪ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ( ﻳﺎ ﺣﻠﻘﻪ ﺍﻳﺴﺘﺎ ‪) ۲‬ﺍﺳﺘﺎﺗﻴﮏ( ﻧﺎﻣﻴﺪﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻣﺎ ﺍﮔﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﺗﻨﺪﯼ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﮐﻨﺪ‪ ،‬ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﭘﻬﻦﺗﺮ ﺷﺪﻩ ﻭ ﻋﻠﺖ ﺁﻥ ﺗﺎﺛﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺣﻠﻘﻪ ﻭﺳﻌﺖﻳﺎﻓﺘﻪ‬
‫‪ B − H‬ﺭﺍ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﻮﻳﺎ ‪) ۳‬ﺩﻳﻨﺎﻣﻴﮏ( ﻣﯽﻧﺎﻣﻨﺪ‪ .‬ﺍﻟﺒﺘﻪ ﮔﺎﻫﯽ ﺑﻪ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﻬﻦ ﺷﺪﻩ ﻧﺎﻡ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﻧﻴﺰ‬
‫ﺍﻃﻼﻕ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪ ۲۹-۱‬ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ﺍﻳﺴﺘﺎ ﻭ ﭘﻮﻳﺎ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﺗﺎﺛﻴﺮ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺑﺮ ﺣﻠﻘﻪ ‪B − H‬‬
‫ﺭﺍ ﺍﻳﻦ ﭼﻨﻴﻦ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺗﻮﺿﻴﺢ ﺩﺍﺩ ]‪.[۱‬‬

‫‪fig29‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۲۹-۱‬ﺣﻠﻘﻪﻫﺎﯼ ﺍﻳﺴﺘﺎ ﻭ ﭘﻮﻳﺎ )ﺍﺳﺘﺎﺗﻴﮏ ﻭ ﺩﻳﻨﺎﻣﻴﮏ(‬

‫ﻫﺮﮔﺎﻩ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﻪ ﺗﻨﺪﯼ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﮐﻨﺪ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﻧﻴﺮﻭﯼ‬
‫ﻣﺤﺮﮐﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ) ‪ (MMF‬ﺍﻳﺠﺎﺩ ﮐﺮﺩﻩ ﻭ ﺩﺭﺻﺪ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺷﺎﺭ ﺑﺮﻣﯽﺁﻳﺪ‪ .‬ﺑﺮﺍﯼ ﺣﻔﻆ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﺣﺪ ﻣﻌﻴﻦ‪ ،‬ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺑﺎﻳﺪ ﺍﻓﺰﺍﻳﺶ ﻳﺎﺑﺪ ﺗﺎ ﺑﺮ ‪ MMF‬ﻧﺎﺷﯽ ﺍﺯ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﭼﻴﺮﻩ ﮔﺮﺩﺩ‪ .‬ﻟﺬﺍ ﻧﻘﻄﻪ ‪ a‬ﺍﺯ ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﺍﻳﺴﺘﺎ‬
‫ﺑﻪ ﻧﻘﻄﻪ ‪ a′‬ﺑﺮﺭﻭﯼ ﺣﻠﻘﻪ ‪ B − H‬ﭘﻮﻳﺎ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎ ﻣﯽﺷﻮﺩ‪ .‬ﺍﻳﻦ ﺟﺎﺑﻪﺟﺎﻳﯽ ﺑﻪ ﺧﺎﻃﺮ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﺗﻨﺪ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ﺍﺳﺖ‬
‫ﻭ ﺳﺒﺐ ﻣﯽﮔﺮﺩﺩ ﺗﺎ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﻮﻳﺎ ﭘﻬﻦﺗﺮ ﺍﺯ ﺣﻠﻘﻪ ﺍﻳﺴﺘﺎ ﺑﺎﺷﺪ ]‪.[۱‬‬
‫ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﺯ ﺭﻭﺍﺑﻂ )‪ (۲۸-۱‬ﺗﺎ )‪ (۳۰-۱‬ﻗﺎﺑﻞ ﺍﺳﺘﺤﺼﺎﻝ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺍﻣﺎ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﺍﻳﻦ ﭼﻨﻴﻦ‬
‫‪1 Core‬‬‫‪Loss‬‬
‫‪2 Static‬‬
‫‪Loop‬‬
‫‪3 Dynamic Loop‬‬
‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۳۸‬‬

‫ﻧﻴﺰ ﺣﺴﺎﺏ ﮐﺮﺩ‪:‬‬

‫‪I‬‬
‫‪Pc = Vcore f‬‬ ‫)ﺳﻄﺢ ﺣﻠﻘﻪ ﭘﻮﻳﺎ()ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ()ﺣﺠﻢ ﻫﺴﺘﻪ( = ‪HdB‬‬ ‫‪(۳۲-۱) eq30‬‬
‫‪DynamicLoop‬‬

‫ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ﺭﺍ ﻣﯽﺗﻮﺍﻥ ﺑﺎ ﻭﺍﺕﻣﺘﺮ ﺍﻧﺪﺍﺯﻩ ﮔﺮﻓﺖ‪ ،‬ﺍﻣﺎ ﺍﻳﻨﮑﻪ ﺑﺪﺍﻧﻴﻢ ﭼﻪ ﺩﺭﺻﺪﯼ ﺍﺯ ﺁﻥ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺟﺮﻳﺎﻥ‬
‫ﮔﺮﺩﺍﺑﯽ ﻭ ﭼﻪ ﺩﺭﺻﺪﯼ ﻣﺮﺑﻮﻁ ﺑﻪ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﭘﺲﻣﺎﻧﺪ )ﻫﻴﺴﺘﺮﺯﻳﺲ( ﺍﺳﺖ ﮐﺎﺭﯼ ﺑﺲ ﺩﺷﻮﺍﺭ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﺧﻮﺷﺒﺨﺘﺎﻧﻪ ﺩﺭ‬
‫ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺑﻪ ﺟﺪﺍﺳﺎﺯﯼ ﺍﻳﻦ ﺩﻭ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻧﻴﺎﺯ ﻧﺪﺍﺭﻳﻢ ﻭ ﮐﻞ ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ﻫﻤﻮﺍﺭﻩ ﻣﺪ ﻧﻈﺮ ﺍﺳﺖ‪.‬‬
‫ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺣﺎﻭﯼ ﻫﺴﺘﻪ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ ﻭ ﺷﺎﺭ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﮐﻨﻨﺪﻩ ﺑﺎ ﺯﻣﺎﻥ‪ ،‬ﺗﻠﻔﺎﺕ ﻫﺴﺘﻪ ﻭﺍﻗﻊ ﻣﯽﺷﻮﺩ ﻭ ﺍﻳﻦ‬
‫ﺗﻠﻔﺎﺕ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﺣﺮﺍﺭﺕ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻇﺎﻫﺮ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪.[۱‬‬

‫ﺗﺤﺮﯾﮏ ﺳﯿﻨﻮﺳﯽ‬ ‫‪٩-١‬‬

‫ﺩﺭ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻣﺘﻨﺎﻭﺏ ‪ (AC) ۱‬ﻭ ﺳﺎﻳﺮ ﮐﺎﺑﺮﺩﻫﺎ‪ ،‬ﻭﻟﺘﺎﮊﻫﺎ ﻭ ﺷﺎﺭﻫﺎ ﺑﻪ ﻧﺴﺒﺖ ﺯﻣﺎﻥ ﺑﮕﻮﻧﻪﺍﯼ‬
‫ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﻨﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪)۳۰-۱‬ﺍﻟﻒ( ﺭﺍ ﺩﺭ ﻧﻈﺮ ﻣﯽﮔﻴﺮﻳﻢ ﻭ ﻓﺮﺽ ﻣﯽﮐﻨﻴﻢ ﺷﺎﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﻳﺎ )‪ ϕ(t‬ﺑﮕﻮﻧﻪﺍﯼ‬
‫ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺑﺎ ﺯﻣﺎﻥ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﮐﻨﺪ‪ .‬ﭘﺲ ]‪:[۱‬‬

‫‪ϕ(t) = ϕmax sin ωt‬‬ ‫‪(۳۳-۱) eq31‬‬

‫ﺑﺎﻳﺪ ﺩﺍﻧﺴﺖ‪:‬‬

‫‪ ϕmax -‬ﺩﺍﻣﻨﻪ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻫﺴﺘﻪ ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ ω = ۲πf -‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﺯﺍﻭﻳﻪﺍﯼ ‪ ۲‬ﺍﺳﺖ‪.‬‬

‫‪ f -‬ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪.‬‬

‫ﺍﺯ ﻗﺎﻧﻮﻥ ﻓﺎﺭﺍﺩﻩ ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ ﮐﻪ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎ ﺷﺪﻩ ﺩﺭ ﺳﻴﻢﭘﻴﭻ ‪ N‬ﺩﻭﺭﯼ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ‪:‬‬

‫‪dϕ‬‬
‫‪e(t) = N‬‬ ‫‪= N ϕmax ω cos ωt = Emax cos ωt‬‬ ‫‪(۳۴-۱) eq32‬‬
‫‪dt‬‬

‫ﺑﻪ ﺳﻬﻮﻟﺖ ﺩﺭ ﻣﯽﻳﺎﺑﻴﻢ ﺍﮔﺮ ﺷﺎﺭ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎ ﺷﺪﻩ ﮐﺴﻴﻨﻮﺳﯽ ﺍﺳﺖ‪ .‬ﻣﻮﺝﻫﺎﯼ ﺷﺎﺭ ﻭ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ‬
‫‪)۳۰-۱‬ﺏ( ﻧﺸﺎﻥ ﺩﺍﺩﻩ ﺷﺪﻩﺍﻧﺪ‪ .‬ﺷﮑﻞ ‪)۳۰-۱‬ﺝ( ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ ﻓﺎﺯﻭﺭﯼ ﺷﺎﺭ ﻭ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺭﺍ ﻧﺸﺎﻥ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ﻣﻮﺛﺮ‬
‫‪1 Altenating‬‬ ‫‪Current‬‬
‫‪2 Angular‬‬ ‫‪Frequency‬‬
 ‫‪۳۹‬‬ ‫‪ .٩-١‬ﺗﺤﺮﯾﮏ ﺳﯿﻨﻮﺳﯽ‬

‫‪fig30c‬‬ ‫‪fig30b‬‬ ‫‪fig30a‬‬

‫)ﺝ( ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ ﻓﺎﺯﻭﺭﯼ‬ ‫)ﺏ( ﻧﻤﺎﻳﺶ ﻣﻮﺝﻫﺎﯼ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ‬ ‫)ﺍﻟﻒ( ﺷﻤﺎﯼ ﺳﻴﺴﺘﻢ ﻣﻐﻨﺎﻃﻴﺴﯽ‬

‫‪fig30‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۳۰-۱‬ﺗﺤﺮﻳﮏ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ ﻫﺴﺘﻪ‬

‫)‪ (rms‬ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺍﻟﻘﺎ ﺷﺪﻩ ﺑﻪ ﻗﺮﺍﺭ ﺯﻳﺮ ﺍﺳﺖ ]‪:[۱‬‬

‫‪Emax‬‬ ‫‪N ωϕmax‬‬ ‫‪۲πf N ϕmax‬‬ ‫√‬

‫= √ = ‪Erms‬‬ ‫√‬ ‫=‬ ‫√‬ ‫‪= ۲πf N ϕmax‬‬
‫‪۲‬‬ ‫‪۲‬‬ ‫‪۲‬‬ ‫‪(۳۵-۱) eq33‬‬
‫‪= ۴٫۴۴N f ϕmax = ۴٫۴۴N f Ac Bmax‬‬

‫ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺍﺧﻴﺮ ﺩﺭ ﺗﺤﻠﻴﻞ ﻣﺎﺷﻴﻦﻫﺎﯼ ﺍﻟﮑﺘﺮﻳﮑﯽ ﺟﺮﻳﺎﻥ ﻣﺘﻨﺎﻭﺏ )‪ (AC‬ﺍﺳﺘﻔﺎﺩﻩ ﻣﯽﺷﻮﺩ ]‪ .[۱‬ﺩﺭ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺎﻧﺪﮔﺎﺭ‬
‫‪ ،ac‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ﻣﻮﺛﺮ ﻭﻟﺘﺎﮊﻫﺎ ﻭ ﺟﺮﻳﺎﻥﻫﺎ ﺑﻴﺸﺘﺮ ﻣﻮﺭﺩ ﻧﻴﺎﺯ ﺍﺳﺖ ﺗﺎ ﻣﻘﺪﺍﺭ ﻟﺤﻈﻪﺍﯼ ﻳﺎ ﺣﺪﺍﮐﺜﺮ ﺁﻥﻫﺎ‪ ،‬ﻣﻘﺪﺍﺭ ﻣﻮﺛﺮ ﻳﮏ‬
‫‪۱‬‬
‫ﻣﻮﺝ ﺳﻴﻨﻮﺳﯽ‪ √ ،‬ﺑﺮﺍﺑﺮ ﻣﻘﺪﺍﺭ ﭘﻴﮏ ﺁﻥ ﺍﺳﺖ ]‪.[۳‬‬
‫‪۲‬‬

‫ﻣﺜﺎل ‪ ٩-١‬ﯾﮏ ﻣﻨﺒﻊ ﺗﮏ ﻓﺎز‪ ١٢٠ ،‬وﻟﺘﯽ و ‪ ۶٠‬ﻫﺮﺗﺰی ﺑﻪ ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ﺷﮑﻞ ‪)٣٠-١‬اﻟﻒ( ﻣﺘﺼﻞ ﺷﺪه‬
‫اﺳﺖ‪ .‬اﯾﻦ ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ‪ ٢٠٠‬دور دارد‪ .‬ﭘﺎراﻣﺘﺮﻫﺎی ﻫﺴﺘﻪ ﺑﻪ ﻗﺮار زﯾﺮ اﺳﺖ ]‪:[١‬‬
‫ﻃﻮل ﻫﺴﺘﻪ = ‪۱۰۰‬ﺳﺎﻧﺘﯽﻣﺘﺮ‬
‫ﻣﺴﺎﺣﺖ ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻫﺴﺘﻪ = ‪۲۰‬ﺳﺎﻧﺘﯽﻣﺘﺮ ﻣﺮﺑﻊ‬
‫ﺿﺮﯾﺐ ﻧﻔﻮذﭘﺬﯾﺮی ﻧﺴﺒﯽ ﻫﺴﺘﻪ = ‪۲۵۰۰‬‬

‫اﻟﻒ‪ -‬ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر ﻫﺴﺘﻪ را ﺑﯿﺎﺑﯿﺪ‪.‬‬

‫ب‪ -‬ﺟﺮﯾﺎن ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ﭼﻘﺪر اﺳﺖ؟‬

‫ﺍﻟﻒ‪ -‬ﺍﺯ ﺭﺍﺑﻄﻪ )‪ (۳۵-۱‬ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪Emax‬‬ ‫‪۱۲۰‬‬
‫= ‪ϕmax‬‬ ‫=‬ ‫‪= ۰٫۰۰۲۲۵۳ Wb‬‬
‫‪Nω‬‬ ‫‪۴٫۴۴ × ۲۰۰ × ۶۰‬‬
‫‪ϕmax‬‬ ‫‪۰٫۰۰۲۲۵۳‬‬
‫‪Bmax‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪= ۱٫۱۲۶۵ T‬‬
‫‪A‬‬ ‫‪۲۰ × ۱۰−۴‬‬
‫‪B = ۱٫۱۲۶۵ sin ۲π۶۰t‬‬
 ‫ﻓﺼﻞ ‪ .١‬ﻣﺪارﻫﺎی ﻣﻐﻨﺎﻃﯿﺴﯽ‬ ‫‪۴۰‬‬

‫ﺏ‪-‬‬
‫‪Bmax‬‬ ‫‪۱٫۱۲۶۵‬‬ ‫‪At‬‬
‫= ‪Hmax‬‬ ‫‪= ۳۵۸٫۵۷۵‬‬
‫‪µr µ۰ ۲۵۰۰ × ۴π × ۱۰−۷‬‬ ‫‪m‬‬
‫‪Hmax l‬‬ ‫‪۳۵۸٫۵۷۵ × ۱۰۰ × ۱۰‬‬ ‫‪−۲‬‬
‫‪imax‬‬ ‫=‬ ‫=‬ ‫‪= ۱٫۷۹۲۸ A‬‬
‫‪N‬‬ ‫‪۲۰۰‬‬
‫‪i = ۱٫۷۹۲۸ sin ۲π۶۰t‬‬

‫‪ ex10‬ﻣﺜﺎل ‪ ١٠-١‬ﯾﮏ ﻫﺴﺘﻪ آﻫﻨﯽ ﻣﻄﺎﺑﻖ ﺷﮑﻞ ‪)٣٠-١‬اﻟﻒ( ﻣﻔﺮوض اﺳﺖ و ﺑﻪ دور آن ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ﭘﯿﭽﯿﺪه‬
‫ﺷﺪه اﺳﺖ‪ .‬ﺑﻪ اﯾﻦ ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ﯾﮏ ﻣﻮج ﭼﻬﺎرﮔﻮش ﺑﺎ داﻣﻨﻪ ‪ E = ۱۰۰‬وﻟﺖ و ﻓﺮﮐﺎﻧﺲ ‪ ۶٠‬ﻫﺮﺗﺰ اﻋﻤﺎل‬
‫ﻣﯽﺷﻮد)‪ .(٣١-١‬ﺗﻌﺪاد دور ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ‪ ۵٠٠‬دور اﺳﺖ‪ .‬ﻣﺴﺎﺣﺖ و ﺳﻄﺢ ﻣﻘﻄﻊ ﻫﺴﺘﻪ ‪ ۰٫۰۰۱‬ﻣﺘﺮﻣﺮﺑﻊ‬
‫ﻣﯽﺑﺎﺷﺪ‪ .‬از ﻣﻘﺎوﻣﺖ ﺳﯿﻢﭘﯿﭻ ﺻﺮﻓﻨﻈﺮ ﮐﻨﯿﺪ ]‪.[١‬‬

‫اﻟﻒ‪ -‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﻣﻘﺪار ﺷﺎر در ﻫﺴﺘﻪ را ﻣﺤﺎﺳﺒﻪ ﮐﻨﯿﺪ و ﻣﻮجﻫﺎی وﻟﺘﺎژ و ﺷﺎر را ﺑﺮ ﺣﺴﺐ زﻣﺎن رﺳﻢ‬
‫ﮐﻨﯿﺪ‪.‬‬

‫ب‪ -‬اﮔﺮ ﺑﺨﻮاﻫﯿﻢ ﭼﮕﺎﻟﯽ ﺷﺎر ﻣﺎﮐﺰﯾﻤﻢ از ‪ ۱٫۲‬ﺗﺴﻼ ﺗﺠﺎوز ﻧﮑﻨﺪ‪ ،‬ﺣﺪاﮐﺜﺮ ﻣﻘﺪار ‪ E‬را ﺣﺴﺎب ﮐﻨﯿﺪ‪.‬‬

‫‪fig31‬‬ ‫ﺷﮑﻞ ‪ :۳۱-۱‬ﺷﮑﻞ ﻣﺜﺎﻝ ‪۱۰-۱‬‬

‫ﺣﻞ‪:‬‬

‫ﺍﻟﻒ‪ -‬ﺑﺎ ﺗﻮﺟﻪ ﺑﻪ ﺷﮑﻞ ‪)۳۰-۱‬ﺍﻟﻒ( ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪dϕ‬‬ ‫ﺑﻪ ﺩﻟﻴﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ ﻟﺤﻈﻪﺍﯼ ﻭ ﺍﻧﺪﮎ‬
‫‪e=N‬‬ ‫‪⇒ N dϕ = edt −−−−−−−−−−−−−→ N ∆ϕ = E∆t‬‬
‫‪dt‬‬

‫ﺩﺭ ﺣﺎﻟﺖ ﻣﺎﻧﺎ )ﻣﺎﻧﺪﮔﺎﺭ( ‪ ۱‬ﺳﻄﺢ ﺑﺨﺶ ﻣﺜﺒﺖ ﻧﻤﻮﺩﺍﺭ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﺯﻣﺎﻥ ﺩﺭ ﻧﻴﻢﺳﻴﮑﻞ ﻣﺜﺒﺖ‪ ،‬ﺷﺎﺭ ﺭﺍ ﺍﺯ ﻣﺎﮐﺰﻳﻤﻢ ﻣﻨﻔﯽ‬
‫)ﺑﻴﺸﻴﻨﻪ ﻣﻨﻔﯽ ﻳﺎ ‪ (−ϕmax‬ﺑﻪ ﻣﺎﮐﺰﻳﻤﻢ ﻣﺜﺒﺖ )ﺑﻴﺸﻴﻨﻪ ﻣﺜﺒﺖ ﻳﺎ ‪ (+ϕmax‬ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﺩﻫﺪ‪ .‬ﻟﺬﺍ ﮐﻞ ﺗﻐﻴﻴﺮﺍﺕ‬
‫‪1 Steady‬‬ ‫‪State‬‬
‫‪۴۱‬‬ ‫‪ .٩-١‬ﺗﺤﺮﯾﮏ ﺳﯿﻨﻮﺳﯽ‬

‫ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﻃﯽ ﻧﻴﻢ ﺳﻴﮑﻞ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﻣﻌﺎﺩﻝ ‪ ۲ϕmax‬ﺧﻮﺍﻫﺪ ﺑﻮﺩ‪ .‬ﻃﺒﻖ ﺭﺍﺑﻄﻪ ﺑﺎﻻ ﺍﮔﺮ ‪ E‬ﺛﺎﺑﺖ ﺑﺎﺷﺪ‪ ،‬ﺷﺎﺭ ﻧﺴﺒﺖ ﺑﻪ‬
‫ﺯﻣﺎﻥ ﺑﻪ ﺻﻮﺭﺕ ﺧﻄﯽ ﺗﻐﻴﻴﺮ ﻣﯽﮐﻨﺪ‪ .‬ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪۱‬‬ ‫‪۱۰۰‬‬
‫× ‪۵۰۰ × ۲ × ϕmax = ۱۰۰‬‬ ‫‪⇒ ϕmax‬‬ ‫‪= ۰٫۸۳۳ × ۱۰−۳ Wb‬‬
‫‪۱۲۰‬‬ ‫‪۱۰۰۰ × ۱۲۰‬‬

‫ﻣﻮﺝﻫﺎﯼ ﻭﻟﺘﺎﮊ ﻭ ﺷﺎﺭ ﺩﺭ ﺷﮑﻞ ‪ ۳۱-۱‬ﺭﺳﻢ ﺷﺪﻩﺍﻧﺪ‪.‬‬

‫ﺏ‪ -‬ﺑﻪ ﺳﻬﻮﻟﺖ ﺩﺍﺭﻳﻢ‪:‬‬

‫‪Bmax = ۱٫۲ T ⇒ ϕmax = Bmax A = ۱٫۲ × ۰٫۰۰۱ = ۱٫۲ × ۱۰−۳ Wb‬‬

‫‪۱‬‬
‫× ‪N × ۲ × ϕmax = E‬‬ ‫‪⇒ E = ۱۲۰ × ۵۰۰ × ۲ × ۱٫۲ × ۱۰−۳ = ۱۴۴ V‬‬
‫‪۱۲۰‬‬