Bai Giang DTCB Tong Hop1

Giáo trình: Điển tử cơ bản Đại học Nông Lâm
CHƯƠNG 1. VẬT LIỆU BÁN DẪN

I. CHẤT BÁN DẪN.
1. Chất bán dẫn thuần.
Vật liệu được chia làm 3 loại: chất dẫn điện, chất cách điện và chất điện
môi.
a. chất cách điện b. chất bán dẫn c. chất dẫn điện

Hình 1.1. Cấu trúc vùng năng lượng của chất rắn tinh thể
 Vùng hóa trị (vùng đầy): tất cả các mức năng lượng của vùng này
đều bị chiếm chỗ, không còn mức năng lượng tự do.
 Vùng dẫn (vùng trống): tất cả các mức năng lượng của vùng này
đều bỏ trống hay chỉ bị chiếm chỗ một phần.
 Vùng cấm: không còn mức năng lượng nào để điện tử có thể chiếm
chỗ.
Chất bán dẫn thuần là chất mà ở tại mỗi nút mạng tinh thể của nó chỉ có
nguyên tử của cùng một loại nguyên tố.
Có nhiều loại chất bán dẫn thuần như: Bo (B), Indi (In), Gali (Ga), Silic
(Si), Gemanium (Ge), Asen (As), Selen (Se)… trong đó có hai loại chất bán
dẫn điểm hình là Si và Ge.
Cấu trúc electron của hai nguyên tử Si và Ge:
4 electron
4 electron 18 electron
Si Ge
Hình 1.2. Cấu trúc electron của Si và Ge

Khi xét sự liên kết giữa các nguyên tử ta chỉ xét lớp electron lớp ngoài
cùng.
Các chất bán dẫn điển hình như Gecmanium (Ge), Silicium (Si) thuộc
nhóm 4 trong bảng hệ thống tuần hoàn các nguyên tố. Chúng cấu tạo từ
những tinh thể có hình dạng xác định, trong các nguyên tử được sắp xếp theo
một trật tự chặt chẽ, tuần hoàn, tạo nên một mạng lưới, gọi là mạng tinh thể.
GV: LÊ QUANG HIỀN 1

Cấu trúc mạng tinh thể của Si sau:
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Hình 1.3. Cấu trúc mạng tinh thể của Si

Trong mạng tinh thể gồm nhiều nguyên tử, chung quanh mỗi nguyên tử
bán dẫn luôn luôn có 4 nguyên tử khác kế cận và liên kết chặt chẽ với nguyên
tử đó bằng liên kết cộng hóa trị. Do đó lớp vỏ ngoài cùng của Si như được bổ
sung thêm 4 điện tử, nghĩa là đủ số điện tử tối đa của lớp vỏ (8 điện tử) và
lớp vỏ này trở nên bền vững. Ở trạng thái này (t o thấp) chất bán dẫn không có
điện tích tự do, nó không dẫn điện.
Tuy nhiên, dưới tác dụng nhiệt (hoặc ánh sáng, điện trường…), một số
điện tử nhận được năng lượng đủ lớn hơn năng lượng liên kết cộng hoá trị
( năng lượng ion hoá 1.12 eV đối với Si và 0,6 eV đối với Ge) nên có thể
bức khỏi sự ràng buộc nói trên để trở thành điện tử tự do và dễ dàng di
chuyển trong mạng tinh thể à Si trở nên dẫn điện.
Khi có 1 điện tử rời khỏi vị trí sẽ để lại tại đó một lỗ trống mang điện tích
dươngà các lỗ trống di chuyển ngược chiều với điện tử tự do.
Hiện tượng trên được gọi là hiện tượng sinh tạo nhiệt cặp điện tử tự do –
lỗ trống.
2. Chất bán dẫn tạp chất.

Nguyên tố Si và Ge nguyên chất là các nguyên tố dẫn điện kém. Điều này
phụ thuộc vào số lượng các electron của lớp hóa trị, liên kết hóa trị, và các
vùng năng lượng gián đoạn tương đối lớn. Chính vì điều đó nên các nguyên
tố Si và Ge nguyên chất ít được sử dụng .
Chất bán dẫn tạp chất là chất bán dẫn thuần có pha thêm các nguyên tố
tạp chất, các nguyên tố tạp chất này được pha vào nguyên tố Si và Ge nguyên
chất để cải thiện tính dẫn điện của chất bán dẫn.
Hai nhóm tạp chất dùng để pha trộn có hóa trị 3 và hóa trị 5:
Nguyên tố hóa trị 3 Nguyên tố hóa trị 5

Aluminum (Al) Phosphorus (P)
Gallium (Ga) Arsenic (As)
Boron (B) Antimony (Sb)
Indium (In) Bismuth (Bi)

a. Chất bán dẫn loại N:

Khi pha nguyên tử hóa trị 5 (vd: P) vào nguyên tố Si ( hay Ge):
Si Si
điện tử thứ 5
Si Si Si
Si P Si
Si Si Si
Hình 1.4. Mạng tinh thể của bán dẫn N

 Khi tham gia vào liên kết cộng hóa trị, thì 4 nguyên tử của nguyên
tử P liên kết với 4 điện tử của nguyên tử Si ( hay Ge) lân cận tạo
thành 4 liên kết cộng hóa trị, còn điện tử thứ 5 không liên kết với
bất kỳ điện tử nào của nguyên tử Si (hay Ge).
 Do điện tử này ở lớp ngoài cùng nên liên kết với hạt yếu, do đó chỉ
cần cung cấp 1 năng lượng nhỏ thì điện tử này sẽ tách ra khỏi
nguyên tử để trở thành điện tử tự do. Nếu ta đặt vào một từ trường
thì các điện tử tự do chuyển động có hướng tạo ra dòng điện.
 Nếu ta pha nhiều nguyên tử P vào thì ta có nhiều điện tử tự do thì
dòng điện tạo ra sẽ mạnh.
Đó là chất bán dẫn loại N
Trong chất bán dẫn loại N có:
 Các điện tử gọi là các hạt tải đa số (nn ).
 Các lỗ trống gọi là các hạt tải tiểu số (pn ).
nn >> pn
b. Chất bán dẫn loại P:
Khi pha nguyên tử hóa trị 3 ( ví dụ Boron) vào nguyên tử Si (hay Ge):
Si Si
lỗ trống
Si Si Si
Si B Si
Si Si Si
Hình 1.4. Mạng tinh thể của bán dẫn P

 Nguyên tử B sẽ đưa ra 3 điện tử ngoài cùng để liên kết cộng hóa trị
với 3 điện tử của 3 nguyên tử Si (hay Ge) lân cận.
 Do còn thiếu 1 điện tử để liên kết nên tạo thành lỗ trống tích điện
tích dương. Các điện tử lân cận dễ liên kết với lỗ trống của B đồng
thời tạo ra lỗ trống mới, hiện tượng đó liên tục diễn ra dẫn đến tạo
ra dòng điện bằng lỗ trống.
 Nếu ta pha nhiều nguyên tử B vào nguyên tử Si (hay Ge) thì ta tạo
ra nhiều lỗ trống hơn thì tạo ra dòng điện càng mạnh.
Đó là chất bán dẫn loại P.
Trong chất bán dẫn loại P ta có:
 Các điện tử là các hạt tải tiểu số np
 Các lỗ trống là các hạt tải đa số pp
pp >> np
3. Dòng điện trong chất bán dẫn.
Trong chất bán dẫn có 2 thành phần dòng điện: dòng điện khuếch tán và
dòng điện trôi.
a. Dòng điện khuêch tán: Khi nồng độ điện tử hoặc lỗ trống phân bố
không đồng đều, chúng sẽ khuếch tán từ nơi có nồng độ cao về nơi nồng
độ thấp. Dòng điện do chuyển động có hướng này gây ra gọi là dòng điện
khuếch tán.
b. Dòng điện trôi: là dòng điện chuyển động của các hạt dẫn dưới tác
dụng của điện trường. Khi chịu tác của điện trường, các hạt dẫn trên
đường chuyển động có gia tốc sẽ va cham với các nguyên tử của mạng
tinh thể sẽ làm thay đổi trị số và chiều của vận tốc nghĩa là làm tán xạ
chúng.

II. CHUYỂN TIẾP P-N

Chuyển tiếp P-N gồm một khối chất bán dẫn loại P và một khối chất bán dẫn
loại N được ghép lại với nhau như hình sau:
p+ n+
Hình 1.5. Chuyển tiếp P - N
1. Tiếp giáp pn khi chưa có điện trường ngoài đặt vào:
Trước khi tiếp xúc, mỗi khối bán dẫn nằm ở trạng thái cân bằng ( tổng
điện tích âm bằng với tổng điện tích dương trong thể tích).
Hình 1.6. Chuyển tiếp P – N khi chưa có điện trường ngoài

Khi tiếp xúc với nhau, do chênh lệch nồng độ hạt dẫn giữa hai miếng bán
dẫn P và N (pp >> np, nn>>pn), nên xảy ra hiện tượng khuếch tán các hạt dẫn

đa số: lỗ trống khuếch tán từ p sang n và ngược lại điện tử khuếch tán từ n
sang p. Chúng tạo thành dòng khuếch tán Ikt có chiều từ p sang n.
Trên đường khuếch tán, các điện tích trái dấu sẽ tái hợp với nhau, hình
thành một vùng hẹp ở bên mặt ranh giới có nồng độ hạt tải giảm xuống rất
thấp. Tại vùng hẹp, bên bán dẫn p hầu như chỉ còn lại các ion âm, còn bên
bán dẫn n hầu như chỉ còn lại các ion dương. Tức là hình thành hai lớp điện
tích không gian khác dấu đối diện nhau. Giữa hai lớp điện tích này sẽ có một
sự chênh lệch điện thế ( bên n dương hơn bên p) gọi là điện thế tiếp xúc U tx.
Nói cách khác: trong vùng ranh giới đã xuất hiện một điện trường (hướng từ
n sang p) gọi là điện trường tiếp xúc Etx.
Vùng hẹp nói trên gọi là vùng nghèo hoặc vùng chuyển tiếp pn. Nồng độ
hạt dẫn vùng này rất thấp nên điện trở xuất rất lớn so với các vùng còn lại.
Do tồn tại điện trường tiếp xúc, các hạt tải tiểu số của hai miền sẽ bị cuốn
về phía đối diện: lỗ trống cúa bán dẫn loại n chạy về cực âm của điện trường,
điện tử của bán dẫn p chạy về cực dương của điện trường. Sự di chuyển đó
tạo thành dòng điện trôi Itr ngược chiều với dòng khuếch tán của hạt tải đa số.
Nồng độ hạt tải đa số trong hai khối bán dẫn càng chênh lệch thì hiện
tượng khuếch tán càng mãnh liệt và quá trình tái hợp càng nhiều, dẫn đến
điện trường tiếp xúc càng tăng và dòng điện trôi của hạt tải tiểu số cũng tăng.
Vì vậy trong thời gian ngắn, dòng trôi và dòng khuếch tán cân bằng nhau,
triệt tiêu nhau và dòng tổng hợp qua tiếp giáp bằng 0.
I = Ikt - Itr
Ta nói chuyển tiếp pn đạt tới cân bằng động. Ứng với trạng thái đó, hiệu
điện thế tiếp xúc giữa bán dẫn n và bán dẫn p có giá trị không đổi.
Thông thường, hiệu điện thế tiếp xúc vào khoảng 0,2 – 0,3V (đối với Ge)
hoặc 0,6 – 0,7V (đối với Si). Hiệu điện thế này ngăn không cho hạt tải đa số
chuyển động qua mặt ranh giới, duy trì trạng thái cân bằng, nên gọi là : hiệu
điện thế rào cản.
2. Tiếp giáp pn khi có điện trường ngoài đặt vào:

a. Phân cực nghịch (VD <0):
Khi đặt vào hai đầu tiếp giáp P-N một điện áp VD sao cho dương ở N, âm
ở P. Giả thiết điện trở của chất bán dẫn ở ngoài vùng nghèo là không đáng
kể. Lúc đó gần như toàn bộ điện áp VD sẽ đặt vào vùng nghèo, xếp chồng lên
điện thế tiếp xúc Vtx làm cho tình trạng cân bằng trước đây không còn nữa.
Số lượng ion dương trong vùng nghèo của chất bán dẫn loại n sẽ tăng lên phụ
thuộc vào số lượng rất lớn điện tích dương tự do lấy từ điện thế dương của
nguồn cung cấp. Tương tự số lượng ion âm sẽ tăng lên ở bán dẫn loại p. Kết
quả vùng nghèo càng nới rộng ra, làm cho hạt tải đa số không thể nào băng
qua khỏi vùng nghèo nên dòng điện khuếch tán bằng 0.
Eng
Etx
- - + +
P - - + + N
loã - - + + e
- +
GV: LÊ QUANG HIỀN VD 6
Hình 1.7. Tiếp giáp P – N khi phân cực ngược

Do vùng nghèo mở rộng, điện trở của nó tăng lên. Điện trở hàng rào trở
thành :
V = VD + Vtx
Điện thế hàng rào tăng lên thêm giá trị VD, làm cho dòng trôi của hạt tải
tiểu số tăng thêm VD. Nhưng do nồng độ hạt tải tiểu số rất ít nên trị số dòng
này rất nhỏ. Nó nhanh chóng đạt tới giá trị bảo hòa Is ngay khi điện áp VD
còn rất thấp.
b. Phân cực thuận (VD >0):

Khi đặt vào hai đầu tiếp giáp P-N một điện áp VD sao cho dương ở P, âm
ở N. Điện thế hàng rào giảm còn Vtx - VD. Số lượng ion dương trong vùng
nghèo của chất bán dẫn loại n sẽ giảm xuống phụ thuộc rất lớn vào số lượng
điện tích âm tự do lấy từ điện thế âm của nguồn điện áp cung cấp. Tương tự
số lượng ion âm sẽ giảm ở bán dẫn loại p. Kết quả vùng nghèo thu hẹp lại. Sự
thu hẹp của vùng nghèo làm cho các hạt dẫn đa số của hai bán dẫn tràn qua
hàng rào sang miền đối diện. Dòng do hạt dẫn đa số tăng lên theo điện tích
VD, còn dòng trôi do hạt dẫn tiểu số giảm theo điện tích VD.
Hình 1.8.
Tiếp giáp P – N khi phân cực thuận
Khi đó có dòng điện chạy qua chuyển tiếp pn.
3. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp pn :
Khi chuyển tiếp pn bị phân cực ngược, nếu điện áp ngược tăng lên đến
một giá trị khá lớn nào đó thì dòng điện ngược tăng vọt, nghĩa là chuyển tiếp
pn dẫn điện mạnh cả theo chiều nghịch, phá hỏng đặt tính van của nó. Hiện
tượng này gọi là hiện tượng đánh thủng.
Dựa vào nguyên nhân gây ra, ta có hai dạng đánh thủng về điện và đánh
thủng về nhiệt.
a. Đánh thủng về điện : chia làm hai loại
 Đánh thủng thác lũ :
Khi điện áp phân cực ngược của chuyển tiếp pn tăng lên, vận tốc
của các hạt tải tiều số tương ứng với dòng điện bảo hào ngược cũng
sẽ tăng. Khi đó vận tốc và động năng của nó đủ lớn để giải phóng các
hạt tải khác làm tăng thêm số lượng các hạt tải (gọi là các hạt tải mở
rộng) thông qua sự va chạm với cấu trúc ổn định của nguyên tử khác.

Đó là quá trình ion hóa sẽ daanc đến các điện tử ở trạng thái cân bằng
hấp thụ đủ năng lượng để rời khỏi nguyên tử. Sau đó các hạt tải mở
rộng trợ giúp cho quá trình ion hóa lên đên đỉnh mà dòng điện thác lũ
cao được thiết lập và vùng đánh thủng thác lũ được thiết lập.
 Đánh thủng xuyên hầm :
Xảy ra khi cấu trúc của chuyển tiếp là những bán dẫn có nồng độ
tạp chất rất lớn, khi đó điện trường trong vùng tiếp xúc rất lớn, có khả
năng gây ra hiệu ứng xuyên hầm, tức là điện tử trong vùng hóa trị của
ban dẫn loại p có khả năng cui qua hàng rào điện thế để chạy sang
vùng bán dẫn loại n, lam cho dòng điện tăng vọt.
b. Đánh thủng về nhiệt :
Xảy ra do tích lũy nhiệt trong vùng tiếp xúc. Khi có điện áp ngược
lớn, dòng điện ngược làm nóng chất bán dẫn, khiến cho nồng độ hạt dẫn
tiểu số tăng và do đó lại làm cho dòng điện ngược tăng nhanh. Quá trình
đó cứ tiếp diễn khiến cho nhiệt độ vùng tiếp xúc và dòng điện ngược liên
tục tăng rất nhanh, dẫn đến đánh thủng.

CHƯƠNG 2
DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG
I. ĐẠI CƯƠNG VỀ DIODE:
1. Cấu tạo.
Diode có cấu tạo gồm 2 miếng bán dẫn P và N ghép với nhau, có 2 điện
cực nối ra ngoài, điện cực nối với miếng bán dẫn P được gọi là Anode,
điện cực nối với miếng bán dẫn N được gọi là Kathode và có vỏ bảo vệ.
Ký hiệu:
Hình 2.1. Cấu tạo và ký

hiệu của diode
2. Nguyên lý hoạt động.
Khi diode chưa phân cực không có dòng điện chạy qua.
Khi diode phân cực thuận sẽ có dòng điện IA chạy qua diode theo chiều từ A
sang K. D
+
VAK
Khi diode phân cực nghịch điện qua diode IA = 0.
D
+
VAK
3. Đặc tuyến Von – Ampe.

Hình 2.2. Đăc tính Vom – Ampe của diode Ge và Si

 Phân cực thuận.
Khi điện áp thuận nhỏ, điện trường ngoài chưa đủ lớn để làm suy yếu điện
trường trong, nên điện trường trong vẫn đủ lớn để ngăn cản dòng điện khuếch
tán nên dòng điện thuận có giá trị rất nhỏ. Lúc này có thể coi điện trở của
Diode có giá trị lớn.
Khi điện áp thuận vượt quá giá trị U AK (UAK là điện áp mở của Diode) thì
điện trường ngoài đủ lớn để làm suy yếu điện trường trong nên các điện tử và
lỗ trống dễ dàng khuếch tán qua tiếp giáp pn. Điện áp thuận càng lớn thì điện
trường ngoài càng mạnh, điện trường trong càng bị suy yếu, các điện tử và lỗ
trống khuếch tán qua tiếp giáp pn càng nhiều làm cho dòng điện thuận tăng
nhanh theo điện áp thuận. Vì dòng điện thuận khá lớn cho nên có thể coi giá
trị điện trở của Diode lúc này khá nhỏ.
Điện áp mở của diode phụ thuộc vào nhiệt độ, vật liệu chế tạo Diode. Điện
áp mở của Diode sử dụng vật liệu Si thường là 0,7V, sử dụng vật liệu Ge
thường là 0,3V).
 Phân cực ngược.
Khi điện áp ngược nhỏ, dòng điện ngược rất nhỏ không đáng kể (cỡ A
đối với diode Ge và nA đối với diode Si). Dòng điện ngược tăng nhanh khi
nhiệt độ tăng và giá trị gần như không thay đổi ở một giới hạn điện áp nhất
định.
Khi điện áp ngược tăng đến giá trị UB thì dòng điện ngược tăng rất lớn
(Điện áp UB gọi là điện áp đánh thủng). Thì xảy ra hiện tượng đánh thủng.
4. Mạch điện tương ứng của diode

Do diode chỉ dẫn khi điện áp phân cực thuận lớn hơn 0,7V đối với Si
(hay 0,3V đối với Ge), nên mạch điện tương ứng của điên là;
Hình 2.3: Mạch tương đương của diode

Trong hầu hết các ứng dụng thì điện trở trung bình rav khá nhỏ so với
các phâng tử khác trong mạch điện nên có thể bỏ qua. Đồng thời điện áp
0,7V (hay 0,3V) có thể bỏ qua khi so sánh với tín hiệu điện áp cung cấp khá
lớn. Vì vậy mạch điện tương ứng của diode chỉ còn lại diode lý tưởng và có
sơ đồ như sau:

Hình 2.4: Diode lý tưởng

II. CÁC LOẠI DIODE
1. Diode chỉnh lưu
Cấu tạo là chuyển tiếp pn, tiếp xúc mặt. Do vậy diode chỉnh lưu có khả
năng chịu được dòng tải lớn. Nó được ứng dụng trong các mạch chỉnh lưu.
Hình 2.5. Ký hiệu của diode chỉnh lưu

2. Diode cao tần
Cấu tạo của diode cao tần là một chuyển tiếp pn, tiếp xúc điểm. Do vậy
diode cao tần có điện dung tiếp xúc bé, chỉ hoạt động ở tần số cao. Được
ứng dụng trong tách sóng cao tần.
Hình 2.6. Ký hiệu của diode cao tần

3. Diode zener
Cấu tạo là một chuyển tiếp pn nhưng được chế tạo với vật liệu chịu
nhiệt và toả nhiệt tốt hơn, do đó nó chịu được dòng ngược lớn.
I (mA)
Hình 2.7. Ký hiệu của diode zener

Hình 2.8 mô tả đặc tuyến
Vz
vom-ampe của diode zener
A V(V)
IZmin
IZmax
GV: LÊ QUANG HIỀN B 11
Hình 2.8. Đặc tuyến của diode zener

Đặc tuyến thuận của diode giống như đặc tuyến của diode chỉnh lưu
thông thường nhưng đặc tuyến ngược thì lại khác. Khi U ng tăng, lúc đầu
dòng điện ngược rất nhỏ như các diode khác nhưng khi tăng đến một trị số
nhất định Ung (A) thì xảy ra đột biến dòng ngược tăng đột ngột từ I Zmin đến
IZmax gọi là dòng Zener (IZ) nhưng điện áp hầu như không đổi. Giá trị điện
áp không đổi đó chính là giá trị ổn áp của diode.
Đoạn AB là vùng làm việc của Diode ổn áp.
Vz: giá trị điện áp ổn định (tùy thuộc vào từng loại Zener).
4. Diode biến dung (varicap)
Varicap là một linh kiện bán dẫn có điện dung thay đổi theo điện áp
ngược đặt vào mối nối p-n của nó. Varicaps được ứng dụng để thay đổi tần
số trong các bộ cộng hưởng để lựa chọ các kênh sóng, để nhân tần và chia
tần số, tự động kiển soát tần số, sử dụng trong các máy đo tần số cao và các
máy đo cường độ điện trường…
C(PF)
150
100
50
V(Volt)
-40 -30 -20-10
Hình 2.9. Đặc tuyến của Diode biến dung
5. Diode phát quang (led – light emitting diode)

Led là một diode phát ra ánh sáng khi được kích.
Hình 2.10. Ký hiệu của led

Led có đặc tính đường cong gần giống như diode mối nối pn, tuy nhiên
điện áp phân cực thuận cao hơn và điện áp phân cực nghịch thấp hơn. Các
dãy điện áp làm việc của led như sau :
 Điện áp phân cực thuận : +1V đến +3V
 Điện áp phân cực nghịch : -3V đến -10V

Dòng điện phân cực thuận trung bình thường là 10mA. Dòng điện phân
cực thuận thấp nên phải thêm điện trở hạn dòng.
III. GIẢI THÍCH MẠCH DIODE
Xét mạch điện như hình 2.11a sử dụng một diode có đặc tính như hình
3.10b.
ID
+V -
D
+ +
E R VR
- -
(a) (b)
Hình 2.11
Áp dụng định luật Kirchhoff cho mạch điện ta có:
Hay
Từ phương trình ta vẽ được đồ thị của nó trên đường đặt tính của diode:
ID (mA)
Đư
E/R ờn
g thẳ
ng
lấy
điệ
n
IDQ Q
VDQ E
Hình 2.12
IV. CÁC MẠCH ỨNG DỤNG CỦA DIODE
1. Diode mắc nối tiếp và song song
a. Nối tiếp
Trong phần này mạch tương đương được sử dụng để nghiên cứu các cấu
hình mắc nối tiếp và song song các diode với tín hiệu vào dc.
Xét mạch điện như hình 2.13
Hình 2.13: Cấu hình diode mắc nối tiếp

Thay diode bằng một điện trở R như hình 3.14, do diode được phân cực
thuận nên diode đang ở trạng thái dẫn. Do đó mạch điện được vẽ lại như
sau:
Hình 2.14: Mạch điện tương đương

Điện áp đặt trên R là:
Và dòng qua điện trở R là:
Xét mạch điện như hình 2.15
Hình 2.15
Trong hình trên diode phân cực ngược nên không có dòng điện chạy
qua, diode đang ở trạng thái ngưng dẫn. Do hở mạch nên dòng điện qua
điện trở R bằng 0.
b. Song song
Tương tự như mắc nối tiếp.
2. Cổng or/and
Cho mạch điện như hình 2.16

Hình 2.16
Khi cho điện áp ngõ vào 1 và 2 bằng 0 thì cả 2 diode ngưng dẫn nên điện
áp trên tải R bằng 0.
Khi cho điện áp ngõ vào 1 bằng 10V, ngõ vào 2 bằng 0, thì diode 1 dẫn,
diode 2 ngưng dẫn, điện áp ra được xác định như sau:
Khi cho điện áp 2 ngõ vào 1 và 2 bằng 10V thì cả hai con diode đều dẫn,
điện áp ra bằng 9,3V.
Đây là cổng or.
Cho mạch điện như hình 2.17
Hình 2.17
Giải thích tương tự cổng or.
3. Mạch chỉnh lưu
a. Mạch chỉnh lưu bán kỳ

Hình 2.18: Mạch chỉnh lưu bán kỳ
Trong nửa chu kỳ đầu [0,T/2], tín hiều vào v dương nên diode dẫn ta
xem như nối tắt mạch. Mạch điện tương đương như hình 2.19.
Hình 2.19: Nửa chu kỳ đầu [0,T/2]

Trong nửa chu kỳ tiếp theo [T/2,T], tín hiệu v âm nên diode ngưng dẫn
ta xem như hở mạch và mạch điện tương đương như hình 3.19.
Hình 2.20: Nửa chu kỳ sau [T/2,T]

Giá trị trung bình của điện áp như sau:

Hình 2.21: Dạng sóng tín hiệu trong chỉnh lưu bán chu kỳ
b. Mạch chỉnh lưu toàn chu kỳ
 Mạch cầu
Mạch chỉnh lưu cầu sử dụng 4 con diode mắc như hình sau:
Hình 2.22: Mạch chỉnh lưu cầu

Trong nửa chu kỳ đầu [0,T/2] tín hiệu vào có giá trị dương làm cho
diode D2, D3 dẫn (phân cực thuận), còn diode D1, D4 ngưng dẫn (phân
cực nghịch).

Hình 2.23: Mạch cầu và dạng sóng trên R ở nửa chu kỳ đầu [0.T/2]
Nếu xét diode lý tưởng thì điện áp ra
Trong nửa chu kỳ tiếp theo [T/2,T] tín hiệu vào có giá trị âm làm
cho diode D2, D3 ngưng dẫn ( phân cực nghịch), diode D1, D4 dẫn
(phân cực thuận).
Hình 2.24: Mạch cầu và dạng sóng trên R ở nửa chu kỳ tiếp theo [T/2,T]
Vậy dạng sóng vào ra đối với 1 chu kỳ tín hiệu như sau:
Hình 2.25: Dạng sóng vào ra trong một chu kỳ của mạch chỉnh lưu cầu
Dạng sóng của chỉnh lưu cầu gấp đôi bán lỳ nên điện áp trung bình
được tính là:
 Dùng biến áp có điểm giữa (biến áp đôi)

Mạch chỉnh toàn kỳ này sử dụng 2 diode và biến áp có điểm giữa
như hình sau:
Hình 2.26: Mạch chỉnh lưu dùng biến áp có điểm ở giữa

Trong nửa chu kỳ đầu [0.T/2] dương thì D1 dẫn và D2 ngưng

dẫn.
Hình 2.27: Dạng sóng vào ra và mạch tương đương ở chu kỳ đầu
Trong nửa chu kỳ tiếp theo [T/2,T] âm thì D1 ngưng dẫn và D2
dẫn.
Hình 2.28: Dạng sóng vào ra và mạch tương đương ở chu kỳ tiếp theo
Vậy dạng sóng vào ra đối với 1 chu kỳ tín hiệu như sau:
Hình 2.29: Dạng sóng vào ra của mạch chỉnh lưu dùng biến áp đôi
Dạng sóng của chỉnh lưu dùng biến áp có điểm giữa gấp đôi bán kỳ
nên điện áp trung bình được tính là:
4. Mạch xén
Mạch xén là mạch cắt bỏ một phần tín hiệu ngõ vào mà không làm biến
dạng phần tín hiệu còn lại. Có 2 loại mạch xén:
a. Mạch xén nối tiếp

Mạch xén nối tiếp căn bản có dạng như hình 3.29
Hình 2.30: Mạch xén nối tiếp cơ bản
Hình 2.31: Dạng sóng vào ra trong mạch xén nối tiếp
Bây giờ nếu ta mắc thêm một nguồn điện thế một chiều V nối tiếp với
diode như hình 3.31b. Nếu tín hiệu vào v i(t) có dạng hình sin với điện thế
đỉnh là Vm như hình 3.31a thì ngõ ra sẽ có dạng như hình vẽ 3.31c với điện
thế đỉnh Vm-V (coi diode lý tưởng).

Hình 2.32
b. Mạch xén song song
Mạch xén song song cơ bản có dạng như hình 3.32
Hình 2.33: Mạch xén song song cơ bản
Hình 2.34: Dạng sóng vào ra trong mạch xén song song
 Mạch xén có phân cực:
Xét mạch điện và dạng sóng như hình sau:

Hình 2.35: Mạch xén song song có thêm nguồn dc

 Nửa chu kỳ đầu [0,T/2]:
 Khi diode dẫn ( ) thì xem như ngắn mạch kết quả điện áp ra:
Hình 2.36
 Khi diode ngưng dẫn thì xem như hở mạch kết quả điện
áp ra bằng với điện áp vào:
Hình 2.37
 Nửa chu kỳ tiếp theo [T/2,T] thì diode luôn dẫn nên xem như ngắn
mạch kết quả điện áp ra:
Dạng sóng tín hiệu vào ra như hình sau:

Hình 2.38: Dạng sóng vào ra của mạch xén có phân cực
5. Mạch ghim áp
Mạch ghim áp dùng để dời tín hiệu vào đến một mức điện áp dc khác.
Mạch gồm có một tụ điện, một diode, một điện trở và còn có thể có thêm một
nguồn dc.
Hình 2.39: mạch ghim áp
 Khi t: 0 → T/2 diode dẫn điện,tụ C nạp nhanh đến trị số V và
 Khi t: T/2 → T, diode ngưng, tụ phóng điện qua R. Áp dụng định

luật Kirchhoff ta có
Hình 2.40: Dạng sóng vào ra của mạch ghim áp

6. Mạch ổn áp IR IL
Mạch căn bản dùng diode zener có dạng như hình 3.40
R
IZ
VIn RL VOut(t)
VZ Z1
Hình 2.41: Mạch dùng diode zener

Xác định trạng thái của diode zener bằng cách tháo rời diode zener ra khỏi
mạch và tính hiệu thế V ở hai đầu của mạch hở ta được:
 Nếu V≥Vz diode zener dẫn điện nên Vout=Vz.

Khi dẫn điện, dòng điện chạy qua diode zener được xác định bởi:
Trong đó:
với là dòng điện tối đa qua zener mà không làm

hỏng
 Nếu V<Vz diode zener không dẫn điện thì Vout=V; ;
7. Mạch chỉnh lưu bội áp

Hình 3.41 mô tả một mạch chỉnh lưu tăng đôi điện thế một bán kỳ
Hình 2.42 Mạch chỉnh lưu bội áp

 Ở bán kỳ dương của nguồn điện, D 1 dẫn ,D2 ngưng. Tụ C1 nạp điện
đến điện thế đỉnh Vm
 Ở bán kỳ âm D1 ngưng và D2 dẫn điện. Tụ C2 nạp điện đến điện thế
C2=Vm+VC1=2Vm
 Bán kỳ dương kế tiếp, D2 ngưng, C2 phóng điện qua tải và đến bán kỳ
âm kế tiếp C2 lại nạp điện 2Vm. Vì thế mạch này gọi là mạch chỉnh
lưu tăng đôi điện thế một bán kỳ. Ðiện thế đỉnh nghịch ở 2 đầu diode
là 2Vm.

CHƯƠNG 3
TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT
1. Cấu tạo
Transistor là một linh kiện bán dẫn 3 lớp gồm 2 lớp n 1 lớp p – được gọi là
transistor npn hoặc 2 lớp p 1 lớp n – gọi là transistor pnp. Cả hai transistor được
trình bày ở hình 3.1. Lớp bán dẫn bên ngoài dày hơn lớp bán dẫn ở chính giữa,
đối với transistor ở hình 3.1 thì tỉ lệ về bề dày của cả transistor so với độ dày lớp
ở giữa là 0.150/0.001=150/1.
Hình 3.1: Cấu tạo của transistor pnp và npn

Các cực được ký hiệu bằng các kí tự E cho chữ Emitter (cực phát), C cho chữ
Collector (cực thu) và B cho chữ Base (cực nền).

PNP NPN
Hình 3.2: Ký hiệu transistor pnp và npn
 Tiếp giáp p-n giữa miền Emitter và Base gọi là tiếp giáp Emitter ( ).
 Tiếp giáp p-n giữa miền Base và miền Collector là tiếp giáp Collector
( ).
 Về kí hiệu Transistor cần chú ý là mũi tên đặt ở giữa cực Emitter và
Base có chiều từ bán dẫn p sang bán dẫn n.
Về mặt cấu trúc có thể coi transistor như 2 diode mắc đối nhau:
Hình 3.3: Cấu trúc của transistor NPN và PNP
2. Nguyên lý hoạt động của BJT

Để Transistor làm việc, người ta phải đưa điện áp 1 chiều tới các điện cực
của nó, gọi là phân cực cho Transistor. Để transistor làm việc ở chế độ tích cực
cần cấp nguồn điện một chiều sao cho phân cực thuận và phân cực
ngược.
Hình 3.4: Mạch phân cực cho transistor pnp và npn

Nói chung, transistor PNP và NPN có thể hoạt động như nhau trong các
mạch điện tử nhưng có điểm khác biệt là đảo chiều sự phân cực điện áp và
hướng của dòng điện. Do vậy, ở đây ta chỉ cần xét hoạt động của loại PNP như
sau :

 Trong trường hợp chưa có điện áp ngoài đặt vào các chuyển tiếp emittor
và collector thì qua các cực của transistor không có dòng điện, hai chuyển
tiếp ở trạng thái cân bằng. Hiện tượng không có dòng chảy qua transistor
cũng xảy ra khi đặt điện áp lên cực C và E nhưng cực B để hở.
 Khi phân cực cho transistor như hình 3.4, trạng thái cân bằng ban đầu bị
phá vỡ. JE được phân cực thuận nên các hạt đa số trong emitor (là lỗ
trống) tăng cường khuếch tán sang base. Khi này hạt đa số trong base (là
điện tử) cũng khuếch tán sang emitor nhưng do nồng độ pha tạp trong
base ít nên thành phần ngược này không đáng kể. Các hạt đa số của
emitor phun vào base và trở thành các hạt thiểu số trội. Do chênh lệch
nồng độ mà chúng sẽ khuếch tán tới bờ miền điện tích không gian của
chuyển tiếp JC. Tại đây do chuyển tiếp J C phân cực ngược nên sẽ cuốn trôi
các hạt thiểu số sang miền collector. Nếu sự phân cực vẫn tiếp tục được
duy trì thì rõ ràng trên 3 cực của transistor sẽ xuất hiện dòng điện.
Hình 3.5: Chiều các hạt tải đa số và tiểu số chạy trong transistor pnp
 Hệ thức cơ bản về các dòng điện trong Transistor
 Hệ số truyền đạt dòng điện α của Transistor
 Hệ số khuếch đại dòng điện β của Transistor
 Ta có hệ thức:
và
3. Đặc Tuyến Vôn – Ampe
a. Mạch cực B chung – CB (Common Base)
Cấu hình mạch cực B chung cho cả BJT pnp và npn được trình bày như
hình 3.6, chiều mũi tên là chiều dòng điện.
Hình 3.6: Mạch mắc B chung cho BJT pnp và npn

Họ đặc tuyến ngõ vào của mạch khuếch đại cực B chung được trình bày
như hình 3.7 diễn tả mối quan hệ giữa dòng điện ngõ vào với điện áp ngõ
vào tương ứng với các điện áp ra khác nhau của .
Hình 3.7: Họ đặc tuyến ngõ vào của mạch khuếch đại cực B chung
Họ đặc tuyến ngõ ra diễn tả mối quan hệ giữa dòng điện ra với điện áp
ra tương ứng với các dòng điện ngõ vào khác nhau được trình bày như hình
3.8.
Hình 3.8: Họ đặc tuyến ngõ ra của mạch khuếch đại cực B chung
Đặc tuyến chia làm 3 vùng: vùng tích cực, vùng bào hòa và vùng ngưng
dẫn.
 Vùng tích cực: mối nối CB phân cực ngược và mối nối BE phân cực
thuận. Ta có: .
 Vùng ngưng dẫn: cả hai mối nối CB và BE đều phân cực ngược. Ta
có: .
 Vùng bão hòa: cả hai mối nối CB và BE đều phân cực thuận. Ta có
.

Qua khảo sát đặt tuyến ta thấy để transistor làm việc ở vùng khuếch đại
thì điện áp phân cực mối nối BE:
Ta có: hệ số alpha hay hệ số truyền đạt được xác định theo phương trình:
Đối với các linh kiện transistor ngoài thực tế thì hệ số alpha nằm trong
khoảng từ 0.9 đến 0.998.
b. Mạch cực E chung – CE (Common Emitter)
Mạnh cực E chung có dạng như hình 3.9 đối với cả hai transistor pnp và
npn. Gọi là cực E chung vì nó là một cực tín hiệu vào và cũng là 1 cực tín
hiệu ra.
Hình 3.9: Mạch mắc cực E chung

Họ đặc tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra được trình bày như hình 3.10.
Hình 3.10: Họ đặc tuyến ngõ vào và ra của transistor

Mối liên hệ giữa dòng điện trong mạch mắc cực E chung là:
và
Đối với mạch cực E chung thì họ đặc tuyến ngõ vào diễn ra mối quan hệ
giữa dòng điện vào và điện áp vào trong một dãy điện áp ra khác
nhau. Họ đặc tuyến ngõ ra diễn ra mối quan hệ giữa dòng điện ra và điện
áp ra trong một dãy dòng điện ngõ vào khác nhau.
Trong vùng tích cực của mạch khuếch đại cực E chung thì mối nối CB
phân cực ngược còn mối nối BE phân cực thuận.

Trong vùng tích cực của mạch cực E chung có chức năng khuếch đại điện
áp và dòng điện.
Hệ số khuếch đại dòng điện được tính theo phương trình:
Mối liên hệ giữa hệ số α và hệ số β là:

Ta có:
và ,
Từ 3 phương trình trên ta được:
Suy ra:
Hay:
c. Mạch cực C chung – CC (Common Collecter)

Cấu hình mạch cực C chung được trình bày như hình 3.11.
Hình 3.11. Mạch mắc CC

Đặc tính ngõ ra của cấu hình mạch cực C chung giống với mạch cực E
chung nên có thể dùng chung đường đặc tuyến với mạch CE.
4. Mạch phân cực cho BJT
Đối với BJT việc phân cực để hoạt động trong vùng tích cực (vùng tuyến tính
hay vùng khuếch đại) cần phải chú ý:
 Mối nối B – E phải phân cực thuận với điện áp phân cực vào
khoảng 0.6 đến 0.7V. v
 Mối nối B – C phải phân cực ngược với điện áp phân cực nằm trong
giới hạn cực đại của trangsistor.
Phương pháp chung để phân giải mạch phân cực gồm ba bước:
 Bước 1: Dùng mạch điện ngõ vào để xác định dòng điện ngõ vào (
hoặc ).
 Bước 2: Suy ra dòng điện ngõ ra từ các liên hệ hay
.

 Bước 3: Dùng mạch điện ngõ ra để tìm các thông số còn lại (điện
thế tại các chân, giữa các chân của BJT...)
a. Mạch phân cực cố định
Mạch phân cực cố định như hình 3.12 sử dụng transistor npn.
Hình 3.12. Mạch phân cực cố định

Sơ đồ hình 3.12 có thể chia nguồn cung cấp thành 2 nguồn như hình
sau:
Hình 3.13.
Xét mạch vòng phân cực mối nối B – E như hình 3.14
Hình 3.14
Áp dụng định luật Kirchhoff:
Suy ra dòng điện
Xét mạch vòng phân cực mối nối C – E như hình 3.15

Hình 3.15
Mối quan hệ giữa dòng và :
Hay:
Phương trình điện áp :
Trong đó điện áp tại E bằng không, nên phương trình được viết lại:
Phương trình điện áp :
Với nên:
b. Mạch phân cực cố định ổn định cực emitter:
Mạch phân cực dc hình 3.16 có thêm điện trở tại cực Emitter để cải thiện
mức độ ổn định của cấu hình mạch phân cực cố định.
Hình 3.16:Mạch phân cực BJT có thêm điện trở cực E.


Hình 3.17
Mối quan hệ giữa dòng điện và :
Thay vào phương trình trên ta được:
Suy ra dòng điện :
Hình 3.18
Thay thế và suy ra điện áp :
Điện áp cực Emittter :
Điện áp cực Collector :
Hay:

Điện áp cực Base :
Hay:
c. Mạch phân cực bằng cầu phân áp:

Mạch phân cực bằng cầu phân áp dc như hình 3.19.
Hình 3.19: Mạch phân cực bằng cầu phân áp
Dùng định lý Thevenin để biến thành mạch tương đương như hình 3.20:
Hình 3.20
Dựa vào định lý Thevenin ta xác định điện trở Thevenin và điện áp
Thevenin như sau:
và

Hình 3.21
Áp dụng định luật Kirchhoff ta được:
Thay thế dòng vào ta suy ra:
Từ liên hệ:
Hình 3.22
Áp dụng định luật Kirchhoff ta có:
Vì suy ra:
d. Mạch phân cực hồi tiếp từ Collector:

Xét mạch phân cực hồi tiếp điện áp như hình 3.23:

Hình 3.23
Hình 3.24
Vì:
Thay vào phương trình trên ta được:
Suy ra dòng điện :
Suy ra:

Hình 3.25
Do và nên :
5. Thiết kế mạch phân cực :

Khi thiết kế mạch phân cực, người ta thường dùng các định luật căn bản về
mạch điện như định luật Ohm, định luật Kirchhoff, định lý Thevenin..., để từ các
thông số đã biết tìm ra các thông số chưa biết của mạch điện.
Phần thiết kế mạch phân cực được khảo sát thông qua các ví dụ.
a. Ví dụ 1:
Cho mạch phân cực với đặc tuyến ngõ ra của BJT như hình 3.26. Xác
định .
IC(mA)
8
6 IB=40μA
2
UCE(V)
0 10 20
Hình 3.26
Xét mạch vòng phân cực mối nối C – E ta có:
Khi thì suy ra .
Khi thì suy ra

Xét mạch vòng phân cực mối nối B – E ta có:
Suy ra:
Để có các điện trở tiêu chuẩn ta chọn: .

b. Ví dụ 2:
Thiết kế mạch phân cực như hình 3.27. , .
Hình 3.27
Điện áp cực E thường chọn bằng 1/10 điện áp nguồn cung cấp:
Vì nên suy ra điện trở :
Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng phân cực mối nối C – E:
Suy ra điện trở tại C:
Suy ra dòng điện tại cực B:
Suy ra điện trở tại B:
c. Ví dụ 3:
Thiết kế mạch phân cực có dạng như hình 3.28:
Vcc=20V
IC
R1 RC
VCE=10V
IB IC=2mA
 min  80 / Si
R2 RE 100μF
IE

Hình 3.28
Điện áp cực E thường chọn bằng 1/10 điện áp nguồn cung cấp:
Vì nên suy ra điện trở :
Áp dụng định luật Kirchhoff cho vòng phân cực mối nối C – E:
Suy ra dòng điện tại C:
Điện áp tại điểm B:
Ðiện trở , không thể tính trực tiếp từ điện thế chân B và điện thế
nguồn. Ðể mạch hoạt động tốt, ta phải chọn , sao cho có mong
muốn và sao cho dòng qua , gần như bằng nhau và xấp xỉ gấp 10 lần
đối với .
Lúc đó:
Ta có thể chọn:
Với:
Suy ra: ta có thể chọn hoặc 47kΩ.
6. Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT

a. Khái niệm
Mạch khuếch đại là mạch có nhiệm vụ biến đổi tín hiệu ngõ vào thành tín
hiệu ngõ ra nhưng vẫn giữ nguyên quy luật của tín hiệu vào và không bị méo
dạng.
Sơ đồ khối tổng quát của 1 bộ khuếch đại được mô tả ở hình 3.29.

Hình 3.29: Sơ đò khối của mạch khuếch đại

b. Các chỉ tiêu của bộ khuếch đại:
 Tổng trở vào :
Tổng trở vào được xác định bởi định luật Ohm có phương trình:
 Tổng trở ra :
Tổng trở ra thường được xác định tại các đầu ngõ ra nhưng hoàn
toàn khác với tổng trở.
Sự khác nhau đó là: tổng trở ra được xác định tại các đầu ngõ ra
nhìn vào hệ thống khi không có tín hiệu ở ngõ vào.
Tổng trợ ra được xác định theo phương trình:
 Độ lợi điện áp:

Một trong những đặc tính quan trọng nhất của mạnh khuếch đại là
độ lợi điện áp, chính là tỉ số điện áp ngõ ra và ngõ vào:
 Độ lợi dòng điện:

Độ lợi dòng điện được xác định bởi phương trình:
Với: và
c. Dạng mạch tương đương

Mạch CE:
Cấu hình tương đương của transistor cực E chung như hình 3.30.

Hình 3.30: a. Mạch CE; b. Mô hình tương đương của mạch CE

Trong cấu hình tương đương trên các thông số được thêm vào chữ e để
phân biệt đây là cấu hình mạch tương đương cực E chung.
Ta có dòng vào và dòng ra . Dòng . Điện áp vào
và điện áp ra là .
Mạch CB:
Cấu hình tương đương của transistor cực B chung như hình 3.31.
Hình 3.31: a. Mạch CB; b. Mô hình tương đương của mạch CB

Trong cấu hình tương đương trên các thông số được thêm vào chữ b
để phân biệt đây là cấu hình mạch tương đương cực B chung.
Ta có dòng vào và dòng ra . Dòng . Điện áp
vào và điện áp ra là .
Mạch CC:
Cấu hình tương đương của transistor cực C chung tương tự với cấu
hình tương đương của transistor cực E chung.

d. Các mối liên hệ:

Ta có:
e. Các ví dụ
Mạch CE
Xét mạch điện như hình sau:
Hình 3.32
Mạch điện tương đương được xác định như sau: Giả sử tín hiệu vào ac
đã được xác định. Do chỉ xét tín hiệu ac nên tất cả các nguồn dc có thể
xem như ngắn mạch do chúng chỉ xác định điện áp ngõ ra mà không xác
định biên độ dao động ngõ ra. Các tụ điện liên lạc xem như nối tắt và
.
Sơ đồ mạch hình 3.32 được vẽ lại như sau:
Hình 3.33: Mạch điện khi chỉ xét tín hiệu xoay chiều
Sơ đồ tương đương tín hiệu nhỏ của mạch hình 3.33 như sau:
Hình 3.34: Mạnh tương đương tín hiệu nhỏ

 Tổng trở vào:

Ta có suy ra:
 Tổng trở ra:

Được xác định khi tín hiệu vào , suy ra
nên có thể xem như hở mạch nguồn dòng và kết quả
tổng trở ra:
 Hệ số khuếch đại điện áp:

Điện áp ra:
Điện áp vào:
Hệ số khuếch đại điện áp:
 Hệ số khuếch đại dòng điện:
 Mối liên hệ về pha: Dấu “ – ” trong hệ số khuếch đại điện áp

chứng tỏ tín hiệu ra đảo 180 độ so với tín hiệu vào.
Hình 3.35.Dạng sóng vào ra của mạch khuếch đại mắc CE

Mạch CC
Xét mạch điện như hình sau:
Hình 3.36: Mạch khuếch đại mắc CC

Phân tích tương tự như mạch khuếch đại mắc CE ta có sơ đồ mạch
tương đương của mạch khuếch đại mắc CC:
Hình 3.37: Mạch tương đương tín hiệu nhỏ

Ta có:
Suy ra:

Tổng trở ra được xác định tại các đầu ngõ ra nhìn vào hệ thống
khi không có tín hiệu ở ngõ vào.
Tổng trở ra xác định theo phương trình:
Ta có:

Hay:
Từ công thức ta vẽ lại mạch điện như hình sau:
Hình 3.38
Khi điện áp vào thì:
Nếu thì
 Độ lợi điên áp:

Một trong những đặc tính quan trọng nhất của mạch khuếch đại là
độ lợi điện áp ac tín hiệu nhỏ được xác định bởi phương trình:
Do
Suy ra:
Vậy mạch CC không khuếch đại điện áp và có độ lệch pha giữa
tín hiệu vào và ra bằng 0.
Ta có:
Với: mà ,
Suy ra:
Và

Suy ra:
Mạch CB
Xét mạch khuếch đại mắc CB như hình sau:
Hình 3.39: Mạch khuếch đại mắc CB
Ta có sơ đồ mạch tương đương như hình sau:
Hình 3.40: Cấu hình tương đương mạch khuếch đại CB
 Độ lợi điện áp:
Với

Suy ra:
Với:
Suy ra:
vì
Mạch CB có độ lợi điện áp lớn nhưng độ lợi dòng bé, tín hiệu vào
ra cùng pha với nhau. Ứng dụng trong các mạch khuếch đại cao tần.

CHƯƠNG 4.
MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
1. Khái niệm
Khuếch đại thuật toán còn được gọi là Op-Amp (viết tắt Operational
Amplifier) được dùng để nói đến bộ khuếch đại có hệ số khuếch đại cao.
2. Ký hiệu
Hình 4.1: Ký hiệu của Op-Amp

Trong đó:
 : điện áp đầu vào đảo.
 : điện áp đầu vào không đảo.
 : điện áp ngõ ra.
 : nguồn cấp điện cho Op-Amp.
Trạng thái ngõ ra không có mạch hồi tiếp về ngõ vào như hình vẽ trên gọi là
trạng thái vòng hở.
3. Các tính chất cơ bản của mạch Op-Amp
Hệ số khuếch đại điện áp của Op-Amp ký hiệu là và được gọi là hệ số
khuếch đại vòng hở. Mối liên hệ giữa tín hiệu ra với tín hiệu vào được thể hiện
ở các biểu thức sau:
 Nếu đưa tín hiệu vào ngõ vào đảo:
 Nếu đưa tín hiệu vào ngõ vào không đảo:
 Nếu đưa tín hiệu vào đồng thời cả hai ngõ:
Trong thực tế, người ta ít sử dụng OP – AMP ở trạng thái vòng hở vì tuy có hệ
số khuếch đại lớn nhưng điện áp vào bị giới hạn quá bé. Mạch khuếch đại
vòng hở thường chỉ sử dụng trong chế độ xung.
Trong chế độ khuếch đại tuyến tính, người ta phải dùng hồi tiếp âm để tạo sự
làm việc ổn định cho bộ khuếch đại, đồng thời vùng làm việc của tín hiệu vào
tương ứng sẽ được mở rộng hơn. Trạng thái OP–AMP có thêm mạch hồi tiếp âm
như vậy được gọi là trạng thái vòng kín.
Trong chương này, ta khảo sát Op – Amp lý tưởng. Sau đây là các đặc tính của
một Op – Amp lý tưởng:
 Hệ số khuếch đại vòng hở .

 Tổng trở vào .

 Tổng trở ra .
 Băng tần rộng từ 0Hz đến vô cực.
4. Mạch khuếch đại Op – Amp căn bản

a. Mạch khuếch đại đảo
Hình 4.2: Mạch khuếch đại đảo

Theo tính chất lý tưởng của Op – Amp ta có:
và nên coi như điểm N là điểm nối đất giả
suy ra và .
Áp dụng định luật Kirchhoff tại điểm N ta có:
Hệ số khuếch đại của mạch:
Như vậy ta thấy: Hệ số khuếch đại chỉ phụ thuộc vào các phần tử bên ngoài
mà không phụ thuộc vào các tham số của bộ khuếch đại thuật toán.
b. Mạch khuếch đại không đảo
Hình 4.3: Mạch khuếch đại không đảo


và
Suy ra:
Hệ số khuếch đại của mạch:
c. Mạch cộng đảo dấu
Hình 4.4: Mạch cộng đảo dấu

và nên coi như điểm N là điểm nối đất giả
suy ra .
Áp dụng định luật Kirchhoff tại điểm N ta có:
d. Mạch khuếch đại trừ
Hình 4.5: Mạch khuếch đại trừ

Nếu
e. Mạch so sánh
So sánh có nhiệm vụ so sánh một điện áp vào với 1 điện áp chuẩn
. Trong mạch so sánh, tín hiệu vào tương tự sẽ được biến thành tín hiệu ra ở
dạng mã nhị phân (đầu ra hoặc ở mức cao hoặc ở mức thấp). Bộ so sánh thực
hiện trên khuếch đại thuật toán làm việc ở chế độ bão hòa nên các mức ra thấp
và cao chính là các mức âm và dương của nguồn.
Điện thế ngõ ra bão hòa
Ta xét mạch điện như hình sau:
Hình 4.6: Mạch ngõ ra bão hòa

là điện thế khác nhau giữa hai ngõ vào và được định nghĩa:
= ( Điện thế ngõ vào dương (+) – Điện thế ngõ vào âm (– ))
Hay
Do mạch không có hồi âm nên ta có:
Khi vượt qua trị số nào đó thì điện áp ra đạt đến trị số bão hòa
và được ký hiệu là .
 Khi hay mạch đảo pha nên
 Khi hay mạch không đảo pha nên
Điện thế ra bão hòa thường nhỏ hơn điện thế nguồn từ 1 đến 2v.
Mạch so sánh mức 0:

 So sánh mức 0 không đảo:
Hình 4.7: Mạch so sánh mức 0 không đảo

Điện thế ngõ vào (–) được dùng làm điện thế chuẩn, và là điện
thế đi so sánh với điện thế chuẩn, được đưa vào ngõ vào (+).
o Khi thì
o Khi thì
Hình 4.8: Dạng sóng tín hiệu đầu vào và ra của mạch so sánh mức 0 không đảo
 So sánh mức 0 đảo
Điện thế ngõ vào (+) được dùng làm điện thế chuẩn, và là điện
thế đi so sánh với điện thế chuẩn, được đưa vào ngõ vào (–).
o Khi thì
o Khi thì

Hình 4.9: Dạng sóng tín hiệu đầu vào và ra của mạch so sánh mức 0 đảo
Mạch so sánh với 2 ngõ vào có điện áp bất kỳ
 So sánh với mức dương không đảo:
Hình 4.10: Mạch so sánh với mức dương không đảo

Điện thế chuẩn đặt vào ngõ vào (–), điện thế so sánh
được đưa vào ngõ vào (+).
o Khi thì
o Khi thì
Hình 4.11: Dạng sóng tín hiệu đầu vào và ra của mạch so sánh
với mức dương không đảo
 So sánh với mức dương đảo:

Hình 4.12: Mạch so sánh với mức dương đảo
Điện thế chuẩn đặt vào ngõ vào (+), điện thế so sánh
được đưa vào ngõ vào (–).
o Khi thì
o Khi thì
với mức dương đảo
 So sánh với mức âm không đảo:
Hình 4.14: Mạch so sánh với mức âm không đảo

Điện thế chuẩn đặt vào ngõ vào (–), điện thế so sánh
được đưa vào ngõ vào (+).
o Khi thì
o Khi thì

với mức âm không đảo
 So sánh với mức âm đảo:
Hình 4.16: Mạch so sánh với mức âm đảo

Điện thế chuẩn đặt vào ngõ vào (+), điện thế so sánh
được đưa vào ngõ vào (–).
o Khi thì
o Khi thì
với mức âm đảo

MỤC LỤC
Chương 1. VẬT LIỆU BÁN DẪN
I. CHẤT BÁN DẪN 1
1. Chất bán dẫn thuần 1
2. Chất bán dẫn tạp chất 2
a. Chất bán dẫn loại N 3
b. Chất bán dẫn loại P 3
3. Dòng điện trong chất bán dẫn 4
a. Dòng điện khuếch tán 4
b. Dòng điện trôi 4
II. CHUYỂN TIẾP P - N 5
1. Tiếp giáp pn khi chưa có điện trường ngoài đặt vào 5
2. Tiếp giáp pn khi có điện trường ngoài đặt vào 6
a. Phân cực nghịch (VD <0) 6
b. Phân cực thuận (VD >0) 7
3. Hiện tượng đánh thủng chuyển tiếp pn 7
a. Đánh thủng về điện 7
b. Đánh thủng về nhiệt 7
Chương 2. DIODE VÀ MẠCH ỨNG DỤNG
I. ĐẠI CƯƠNG VỀ DIODE 9
1. Cấu tạo 9
2. Nguyên lý hoạt động 9
3. Đặc tuyến Von – Ampe 9
4. Mạch điện tương ứn của diode 10
II. CÁC LOẠI DIODE 10
1. Diode chỉnh lưu 10
2. Diode cao tần 11
3. Diode Zener 11
4. Diode biến dung (varicap) 12
5. Diode phát quang (led) 12
III. GIẢI THÍCH MẠCH DIODE 12
IV. CÁC MẠCH ỨNG DỤNG CỦA DIODE 13
1. Diode mắc nối tiếp và song song 13
a. Nối tiếp 13
b. Song song 14
2. Cổng Or/And 14
3. Mạch chỉnh lưu 15
a. Mạch chỉnh lưu bán lỳ 15
b. Mạch chỉnh lưu toàn kỳ 16
4. Mạch xén 19
a. Mạch xén nối tiếp 19
b. Mạch xén song song 20
5. Mạch ghim áp 22
6. Mạch ổn áp 23
7. Mạch chỉnh lưu bội áp 24
CHƯƠNG 3. TRANSISTOR LƯỠNG CỰC BJT
I. CẤU TẠO 25

II. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG CỦA BJT 26

III. ĐĂC TUYẾN VON – AMPE 27
1. Mạch cực B chung – CB 27
2. Mạch cực E chung – CE 28
3. Mạch cực C chung – CC 30
IV. MẠCH PHÂN CỰC CHO BJT 30
1. Mạch phân cực cố định 30
2. Mạch phân cực cố định ổn định cực emitter 32
3. Mạch phân cực bằng cầu phân áp 33
4. Mạch phân cực hồi tiếp từ Collector 35
V. THIẾT KẾ MẠCH PHÂN CỰC 36
1. Ví dụ 1 36
2. Ví dụ 2 37
3. Ví dụ 3 38
VI. MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU NHỎ DÙNG BJT 39
1. Khái niệm 39
2. Các chỉ tiêu của bộ khuếch đại 39
3. Dạng mạch tương đương 39
4. Các mối liên hệ 40
5. Các ví dụ 40
CHƯƠNG 4. MẠCH KHUẾCH ĐẠI THUẬT TOÁN
I. KHÁI NIỆM 47
II. KÝ HIỆU 47
III. CÁC TÍNH CHẤT CƠ BẢN CỦA OP – AMP 47
IV. MẠCH KHUẾCH ĐẠI OP – AMP CĂN BẢN 48
1. Mạch khuếch đại đảo 48
2. Mạch khuếch đại không đảo 48
3. Mạch cổng đảo dấu 49
4. Mạch khuếch đại trừ 49
5. Mạch so sánh 50
a. Điện thế ngõ ra bão hòa 50
b. Mạch so sánh mức 0 51
c. Mạch so sánh với 2 ngõ vào có điện áp bất kỳ 52

TÀI LIỆU THAM KHẢO

[1] Đỗ Xuân Thụ, Kỹ thuật điện tử, NXB Giáo dục, 1999.
[2] Phạm Minh Hà, Kỹ thuật mạch điện tử, NXB Khoa học và Kỹ thuật, 1997.
[3] Lê Sắc, Ngô Đức Thiện, Cơ sở kỹ thuật điện – điện tử, Học viện Công nghệ
BCVT,2002.
[4] Hồ Anh Túy, lý thuyết mạch (tập 1,2) NXB Khoa học và Kỹ thuật, 1996.

Bai Giang DTCB Tong Hop1

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Bai Giang DTCB Tong Hop1

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Giáo trình: Điển tử cơ bản Đại học Nông Lâm

CHƯƠNG 1. VẬT LIỆU BÁN DẪN

a. chất cách điện b. chất bán dẫn c. chất dẫn điện

Hình 1.2. Cấu trúc electron của Si và Ge

GV: LÊ QUANG HIỀN 1

Cấu trúc mạng tinh thể của Si sau:

Hình 1.3. Cấu trúc mạng tinh thể của Si

2. Chất bán dẫn tạp chất.

Nguyên tố hóa trị 3 Nguyên tố hóa trị 5

GV: LÊ QUANG HIỀN 2

a. Chất bán dẫn loại N:

Hình 1.4. Mạng tinh thể của bán dẫn N

Hình 1.4. Mạng tinh thể của bán dẫn P

GV: LÊ QUANG HIỀN 3

GV: LÊ QUANG HIỀN 4

II. CHUYỂN TIẾP P-N

Hình 1.6. Chuyển tiếp P – N khi chưa có điện trường ngoài

GV: LÊ QUANG HIỀN 5

2. Tiếp giáp pn khi có điện trường ngoài đặt vào:

Hình 1.7. Tiếp giáp P – N khi phân cực ngược

b. Phân cực thuận (VD >0):

GV: LÊ QUANG HIỀN 7

GV: LÊ QUANG HIỀN 8

Hình 2.1. Cấu tạo và ký

GV: LÊ QUANG HIỀN 9

Hình 2.2. Đăc tính Vom – Ampe của diode Ge và Si

4. Mạch điện tương ứng của diode

Hình 2.3: Mạch tương đương của diode

GV: LÊ QUANG HIỀN 10

Hình 2.4: Diode lý tưởng

Hình 2.5. Ký hiệu của diode chỉnh lưu

Hình 2.6. Ký hiệu của diode cao tần

Hình 2.7. Ký hiệu của diode zener

Hình 2.8. Đặc tuyến của diode zener

Hình 2.9. Đặc tuyến của Diode biến dung

5. Diode phát quang (led – light emitting diode)

Hình 2.10. Ký hiệu của led

GV: LÊ QUANG HIỀN 12

Hình 2.13: Cấu hình diode mắc nối tiếp

GV: LÊ QUANG HIỀN 13

Hình 2.14: Mạch điện tương đương

Và dòng qua điện trở R là:

Xét mạch điện như hình 2.15

GV: LÊ QUANG HIỀN 14

GV: LÊ QUANG HIỀN 15

Hình 2.18: Mạch chỉnh lưu bán kỳ

Hình 2.19: Nửa chu kỳ đầu [0,T/2]

Hình 2.20: Nửa chu kỳ sau [T/2,T]

GV: LÊ QUANG HIỀN 16

Hình 2.22: Mạch chỉnh lưu cầu

GV: LÊ QUANG HIỀN 17

 Dùng biến áp có điểm giữa (biến áp đôi)

Hình 2.26: Mạch chỉnh lưu dùng biến áp có điểm ở giữa

GV: LÊ QUANG HIỀN 18

Trong nửa chu kỳ đầu [0.T/2] dương thì D1 dẫn và D2 ngưng

GV: LÊ QUANG HIỀN 19

Hình 2.30: Mạch xén nối tiếp cơ bản

GV: LÊ QUANG HIỀN 20

Hình 2.33: Mạch xén song song cơ bản

GV: LÊ QUANG HIỀN 21

Hình 2.35: Mạch xén song song có thêm nguồn dc

Dạng sóng tín hiệu vào ra như hình sau:

GV: LÊ QUANG HIỀN 22