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MEMORIA
Francisco Herreros y Héctor Pérez
CIRCUITO 1:
R V I P
R1
10kΩ 2,33V 1,06mA 2,35mW
R2
2k2Ω 2,67V 0,8mA 2,1mW
R3
3k3Ω 2,67V 0,2mA 0,5mW
RT
4k 5V 1,06mA 5,3mW
R 1 ∙ R3 3.300∙ 10.000
Req = = = 2481,203Ω
R 3 + R1 3.300+10.000
V2 2 ,67 V
I 2= =
R2 3 , 3∙ 10−3 Ω
= 0,8 mA
V3 2 , 67 V
I 3= =
R3 10 ∙10−3 Ω
= 0,2 mA
R V I P
R1
10kΩ 5V 0,5mA 2,5mW
R2
2k2Ω 1,5V 0,7mA 0,77mW
R3
3k3Ω 0,92V 0,28mA 0,18mW
R4
6k8 Ω 1,904V 0,28mA 0,66mW
R5
8k2 Ω 3,46V 0,42mA 1,45mW
RT
4k 5V 1,25mA 6,25mW
Req =R3 + R 4=3.300+6.800=10 K 1 Ω
R eq ∙ R 5 10.000 ∙ 8200
Req = = = 4.505,494Ω
R eq + R5 10.000+8200
V1 5V
I 1= =
R1 10 k ∙10−3 Ω
= 0,5mA
V 4 =I 4 ∙ R 4=0 , 28 ∙ 6.800=1,904 V
V5 3 , 46 V
I 5= =
R5 8 k 2 ∙10−3 Ω
= 0,42 mA
P4 =V 4 ∙ I 4 =1,904 ∙ 0 , 28=0 , 66 mW