Infrared and Terahertz Detectors, Third

Edition Antoni Rogalski

Visit to download the full and correct content document:
https://textbookfull.com/product/infrared-and-terahertz-detectors-third-edition-antoni-r
ogalski/
More products digital (pdf, epub, mobi) instant
download maybe you interests ...

Field guide to infrared systems detectors and FPAs

Third Edition Arnold Daniels

https://textbookfull.com/product/field-guide-to-infrared-systems-
detectors-and-fpas-third-edition-arnold-daniels/

Active Metamaterials Terahertz Modulators and Detectors

1st Edition Saroj Rout

https://textbookfull.com/product/active-metamaterials-terahertz-
modulators-and-detectors-1st-edition-saroj-rout/

Biota Grow 2C gather 2C cook Loucas

https://textbookfull.com/product/biota-grow-2c-gather-2c-cook-
loucas/

Introduction to Terahertz Electronics Jae-Sung Rieh

https://textbookfull.com/product/introduction-to-terahertz-
electronics-jae-sung-rieh/
Handbook of Radioactivity Analysis: Radiation Physics
and Detectors: Volume 1: Radiation Physics and
Detectors 4th Edition Michael F. L'Annunziata (Editor)

https://textbookfull.com/product/handbook-of-radioactivity-
analysis-radiation-physics-and-detectors-volume-1-radiation-
physics-and-detectors-4th-edition-michael-f-lannunziata-editor/

Terahertz Antenna Technology for Imaging and Sensing

Applications Isha Malhotra

https://textbookfull.com/product/terahertz-antenna-technology-
for-imaging-and-sensing-applications-isha-malhotra/

Semiconductor Radiation Detectors: Technology and

Applications 1st Edition Iniewski

https://textbookfull.com/product/semiconductor-radiation-
detectors-technology-and-applications-1st-edition-iniewski/

Si Detectors and Characterization for HEP and Photon

Science Experiment How to Design Detectors by TCAD
Simulation Ajay Kumar Srivastava

https://textbookfull.com/product/si-detectors-and-
characterization-for-hep-and-photon-science-experiment-how-to-
design-detectors-by-tcad-simulation-ajay-kumar-srivastava/

Solar and Infrared Radiation Measurements 2nd Edition

Frank Vignola

https://textbookfull.com/product/solar-and-infrared-radiation-
measurements-2nd-edition-frank-vignola/
Infrared and Terahertz Detectors
Infrared and Terahertz Detectors
Third Edition

Antoni Rogalski
CRC Press
Taylor & Francis Group
6000 Broken Sound Parkway NW, Suite 300
Boca Raton, FL 33487-2742

© 2019 by Taylor & Francis Group, LLC

CRC Press is an imprint of Taylor & Francis Group, an Informa business

No claim to original U.S. Government works

Printed on acid-free paper

International Standard Book Number-13: 978-1-138-19800-5 (Hardback)

This book contains information obtained from authentic and highly regarded sources. Reasonable efforts have been made
to publish reliable data and information, but the author and publisher cannot assume responsibility for the validity of all
­materials or the consequences of their use. The authors and publishers have attempted to trace the copyright holders of all
material reproduced in this publication and apologize to copyright holders if permission to publish in this form has not been
obtained. If any copyright material has not been acknowledged please write and let us know so we may rectify in any future
reprint.

Except as permitted under U.S. Copyright Law, no part of this book may be reprinted, reproduced, transmitted, or ­utilized
in any form by any electronic, mechanical, or other means, now known or hereafter invented, including p ­ hotocopying,
­m icrofilming, and recording, or in any information storage or retrieval system, without written permission from the
publishers.

For permission to photocopy or use material electronically from this work, please access www.copyright.com (http://www.
copyright.com/) or contact the Copyright Clearance Center, Inc. (CCC), 222 Rosewood Drive, Danvers, MA 01923, 978-750-
8400. CCC is a not-for-profit organization that provides licenses and registration for a variety of users. For organizations that
have been granted a photocopy license by the CCC, a separate system of payment has been arranged.

Trademark Notice: Product or corporate names may be trademarks or registered trademarks, and are used only for
identification and explanation without intent to infringe.

Visit the Taylor & Francis Web site at

http://www.taylorandfrancis.com

and the CRC Press Web site at

http://www.crcpress.com
“In memory of my daughter Marta”
Contents
Preface to the third edition xvii
Acknowledgements to the third edition xix
About the author xxi

Part I FUNDAMENTALS OF INFRARED AND TERAHERTZ DETECTION 1

1. Radiometry 3
1.1 R adiometric and photometric quantities and units 3
1.2 Definitions of radiometric quantities 5
1.3 R adiance 8
1.4 Blackbody radiation 11
1.5 Emissivity 15
1.6 Infrared optics 16
References 19
2. Infrared systems fundamentals 21
2.1 Infrared detector market 21
2.2 Night vision system concepts 21
2.3 Thermal imaging 26
2.3.1 Thermal imaging system concepts 27
2.3.2 IR cameras versus FLIR systems 30
2.3.3 Space-based systems 34
2.4 Cooler technologies 36
2.4.1 Cryocoolers 38
2.4.1.1 Cryogenic dewars 40
2.4.1.2 Stirling cycle 40
2.4.1.3 Pulse tube 41
2.4.1.4 Joule–Thomson coolers 43
2.4.1.5 Sorption 43
2.4.1.6 Brayton 43
2.4.1.7 Adiabatic demagnetization 43
2.4.1.8 3He coolers 43
2.4.1.9 Passive coolers 43
2.4.2 Peltier coolers 44
2.5 Atmospheric transmission and IR bands 45
2.6 Scene radiation and contrast 46
References 47
3. Characterization of infrared detectors 49
3.1 Historical aspects of modern IR technology 50
3.2 Classification of IR detectors 54
3.3 Detector operating temperature 58
3.4 Detector figures of merit 60
3.4.1 Responsivity 60
3.4.2 Noise equivalent power 61
3.4.3 Detectivity 61
3.4.4 Quantum efficiency 61
3.5 Fundamental detectivity limits 63
References 68
viii Contents

4. Fundamental performance limitations of infrared detectors 71

4.1 Thermal detectors 71
4.1.1 Principle of operation 71
4.1.2 Noise mechanisms 74
4.1.3 Detectivity and fundamental limits 75
4.2 Photon detectors 78
4.2.1 Photon detection process 78
4.2.2 Model of photon detector 81
4.2.2.1 Optical generation noise 82
4.2.2.2 Thermal generation and recombination noise 84
4.2.3 Optimum thickness of photodetector 85
4.2.4 Detector materials figure of merit 85
4.3 Comparison of fundamental limits of photon and thermal detectors 87
4.4 Modeling of photodetectors 90
References 93
5. Coupling of infrared radiation with detectors 95
5.1 Standard coupling 95
5.2 Plasmonic coupling 97
5.2.1 Surface plasmons 98
5.2.2 Plasmonic coupling of infrared detectors 100
5.3 Photon trapping detectors 106
References 111
6. Heterodyne detection 113
6.1 Heterodyne detection theory 115
6.2 Infrared heterodyne technology 118
References 124

Part II INFRARED THERMAL DETECTORS 127

7. Thermopiles 129
7.1 Basic principle and operation of thermopiles 129
7.2 Figures of merit 133
7.3 Thermoelectric materials 135
7.4 Micromachined thermopiles 138
7.4.1 Design optimization 138
7.4.2 Thermopile configurations 139
7.4.3 Micromachined thermopile technology 140
References 142
8. Bolometers 145
8.1 Basic principle and operation of bolometers 145
8.2 Types of bolometers 148
8.2.1 Metal bolometers 148
8.2.2 Thermistors 149
8.2.3 Semiconductor bolometers 150
8.3 Micromachined room-temperature bolometers 152
8.3.1 Microbolometer sensing materials 155
8.3.1.1 Vanadium oxide 155
8.3.1.2 A morphous silicon 156
8.3.1.3 Silicon diodes 157
8.3.1.4 Other materials 159
 Contents ix

8.4 Superconducting bolometers 160

8.5 High-temperature superconducting bolometers 165
8.6 Hot electron bolometers 170
References 174
9. Pyroelectric detectors 179
9.1 Basic principle and operation of pyroelectric detectors 179
9.1.1 Responsivity 180
9.1.2 Noise and detectivity 184
9.2 Pyroelectric material selection 185
9.2.1 Single crystals 186
9.2.2 Pyroelectric polymers 190
9.2.3 Pyroelectric ceramics 191
9.2.4 Dielectric bolometers 192
9.2.5 Choice of material 193
9.3 Detector designs 194
9.4 Pyroelectric vidicon 196
References 196
10. Pneumatic detectors 199
10.1 Golay detector 199
10.2 Micromachined Golay-type sensors 201
References 202
11. Novel thermal detectors 203
11.1 Novel uncooled detectors 203
11.1.1 Electrically coupled cantilevers 205
11.1.2 Optically coupled cantilevers 209
11.1.3 Pyro-optical transducers 214
11.2 Comparison of thermal detectors 216
References 217

Part III INFRARED PHOTON DETECTORS 221

12. Theory of photon detectors 223

12.1 
Photoconductive detectors 223
12.1.1 Intrinsic photoconductivity theory 223
12.1.1.1  Sweep-out effects 225
12.1.1.2  Noise mechanisms in photoconductors 228
12.1.1.3  Quantum efficiency 230
12.1.1.4  Ultimate performance of photoconductors 230
12.1.1.5  Influence of background 232
12.1.1.6  Influence of surface recombination 232
12.1.2 Extrinsic photoconductivity theory 233
12.1.3 Operating temperature of intrinsic and extrinsic IR detectors 242
12.2 
p-n junction photodiodes 245
12.2.1 Ideal diffusion-limited p-n junctions 247
12.2.1.1  Diffusion current 247
12.2.1.2  Quantum efficiency 249
12.2.1.3  Noise 251
12.2.1.4  Detectivity 252
12.2.2 Real p-n junctions 253
12.2.2.1  Generation–recombination current 254
x Contents

12.2.2.2  Tunneling current 256

12.2.2.3  Surface leakage current 258
12.2.2.4  Space charge–limited current 260
12.2.3  Response time 262
12.3 p-i-n photodiodes 263
12.4  Avalanche photodiodes 265
12.5  Schottky-barrier photodiodes 271
12.5.1  Schottky–Mott theory and its modifications 271
12.5.2  Current transport processes 273
12.5.3  Silicides 276
12.6  Metal–semiconductor–metal photodiodes 276
12.7  MIS photodiodes 278
12.8  Nonequilibrium photodiodes 282
12.9  Barrier photodetectors 283
12.9.1  Principle of operation 283
12.10 Photoelectromagnetic, magnetoconcentration, and Dember detectors 288
12.10.1 Photoelectromagnetic detectors 289
12.10.1.1 PEM effect 289
12.10.1.2 Fabrication and performance 291
12.10.2 Magnetoconcentration detectors 292
12.10.3 Dember detectors 293
12.11 Photon-drag detectors 294
References 297
13. Intrinsic silicon and germanium detectors 305
13.1 Silicon photodiodes 305
13.2 Germanium photodiodes 314
13.3 SiGe photodiodes 317
References 320
14. Extrinsic silicon and germanium detectors 323
14.1 Extrinsic photoconductivity 323
14.2 Technology of extrinsic photoconductors 324
14.3 Peculiarities of the operation of extrinsic photoconductors 326
14.4 Performance of extrinsic photoconductors 328
14.4.1 Silicon-doped photoconductors 328
14.4.2 Germanium-doped photoconductors 331
14.5 Blocked impurity band devices 332
14.6 Solid-state photomultipliers 337
References 338
15. Photoemissive detectors 343
15.1 Internal photoemission process 343
15.1.1 Scattering effects 347
15.1.2 Dark current 349
15.1.3 Metal electrodes 350
15.2 Control of Schottky-barrier detector cutoff wavelength 351
15.3 Optimized structure and fabrication of Schottky-barrier detectors 351
15.4 Novel internal photoemissive detectors 353
15.4.1 Heterojunction internal photoemissive detectors 353
15.4.2 Homojunction internal photoemissive detectors 354
References 356
 Contents xi

16. III–V Detectors 361

16.1 Some physical properties of III–V narrow gap semiconductors 361
16.2 InGaAs photodiodes 371
16.2.1 p –i–n InGaAs photodiodes 372
16.2.2 InGaAs avalanche photodiodes 375
16.3 Binary III–V photodetectors 377
16.3.1 InSb photoconductive detectors 377
16.3.2 InSb photoelectromagnetic detectors 380
16.3.3 InSb photodiodes 380
16.3.4 InSb nonequilibrium photodiodes 388
16.3.5 InAs photodiodes 389
16.4 InAsSb photodetectors 395
16.5 Photodiodes based on GaSb-related ternary and quaternary alloys 404
16.6 Novel Sb-based III–V narrow gap photodetectors 407
References 408
17. HgCdTe detectors 417
17.1 HgCdTe historical perspective 417
17.2 HgCdTe: Technology and properties 419
17.2.1 Phase diagrams 420
17.2.2 Outlook on crystal growth 422
17.2.3 Defects and impurities 426
17.2.3.1 Native defects 426
17.2.3.2 Dopants 428
17.3 Fundamental HgCdTe properties 429
17.3.1 Energy bandgap 430
17.3.2 Mobilities 431
17.3.3 Optical properties 433
17.3.4 Thermal generation-recombination processes 437
17.3.4.1 Shockley-Read processes 438
17.3.4.2 R adiative processes 439
17.3.4.3 Auger processes 440
17.4 Auger-dominated photodetector performance 442
17.4.1 Equilibrium devices 442
17.4.2 Nonequilibrium devices 443
17.5 Photoconductive detectors 445
17.5.1 Technology 445
17.5.2 Performance of photoconductive detectors 447
17.5.2.1 Devices for operation at 77 K 447
17.5.2.2 Devices for operation above 77 K 451
17.5.3 Other modes of photoconductor operations 452
17.5.3.1 Trapping-mode photoconductors 452
17.5.3.2 Excluded photoconductors 453
17.5.4 SPRITE detectors 456
17.6 Photovoltaic detectors 460
17.6.1 Junction formation 461
17.6.1.1 Hg in-diffusion 461
17.6.1.2 Ion milling 462
17.6.1.3 Ion implantation 462
17.6.1.4 Reactive ion etching 465
17.6.1.5 Doping during growth 466
xii Contents

17.6.1.6 Passivation 467

17.6.1.7 Device processing 469
17.6.2 Fundamental limitation to HgCdTe photodiode performance 471
17.6.3 Nonfundamental limitation to HgCdTe photodiode performance 482
17.6.3.1 Current-voltage characteristics 483
17.6.3.2 Dislocations and 1/f noise 485
17.6.4 Avalanche photodiodes 488
17.6.5 Auger-suppressed photodiodes 494
17.6.6 MIS photodiodes 497
17.6.7 Schottky barrier photodiodes 498
17.7 Barrier photodetectors 499
17.8 Hg-based alternative detectors 503
17.8.1 Crystal growth 504
17.8.2 Physical properties 505
17.8.3 HgZnTe photodetectors 506
17.8.4 HgMnTe photodetectors 507
References 508
18. IV–VI detectors 527
18.1 Material preparation and properties 527
18.1.1 Crystal growth 527
18.1.2 Defects and impurities 531
18.1.3 Some physical properties 532
18.1.4 Generation-recombination processes 537
18.2 Polycrystalline photoconductive detectors 541
18.2.1 Deposition of polycrystalline lead salts 541
18.2.2 Fabrication 542
18.2.3 Performance 544
18.3 p-n junction photodiodes 546
18.3.1 Performance limit 546
18.3.2 Technology and properties 551
18.3.2.1 Diffused photodiodes 551
18.3.2.2 Ion implantation 553
18.3.2.3 Heterojunctions 553
18.4 Schottky-barrier photodiodes 555
18.4.1 Schottky barrier controversial issue 555
18.4.2 Technology and properties 557
18.5 Unconventional thin-film photodiodes 562
18.6 Tunable resonant cavity enhanced detectors 565
18.7 Lead salts versus HgCdTe 567
References 569
19. Quantum well infrared photodetectors 579
19.1 Low dimensional solids: Background 579
19.2 Multiple quantum wells and superlattices 584
19.2.1 Compositional superlattices 584
19.2.2 Doping superlattices 587
19.2.3 Intersubband optical transitions 587
19.2.4 Intersubband relaxation time 591
19.3 Photoconductive QWIP 592
19.3.1 Fabrication 594
19.3.2 Dark current 595
19.3.3 Photocurrent 600
 Contents xiii

19.3.4 Detector performance 601

19.3.5 QWIP versus HgCdTe 605
19.4 Photovoltaic QWIP 608
19.5 Superlattice miniband QWIP 611
19.6 Light coupling 612
19.7 Related devices 615
19.7.1 p-doped GaAs/AlGaAs QWIPs 615
19.7.2 Hot-electron transistor detectors 616
19.7.3 SiGe/Si QWIPs 617
19.7.4 QWIPs with other material systems 619
19.7.5 Multicolor detectors 620
19.7.6 Integrated QWIP-LED 623
References 624
20. Superlattice detectors 631
20.1  HgTe/HgCdTe superlattices 632
20.1.1  Material properties 632
20.1.2  Superlattice photodiodes 636
20.2  Type II superlattices 637
20.2.1  Physical properties 640
20.3  InAs/GaSb superlattice photodiodes 647
20.3.1  M WIR photodiodes 649
20.3.2  LWIR photodiodes 653
20.4  InAs/InAsSb superlattice photodiodes 657
20.5  Device passivation 658
20.6  Noise mechanisms in type II superlattice photodetectors 662
References 664
21. Quantum dot infrared photodetectors 671
21.1 QDIP preparation and principle of operation 671
21.2 A nticipated advantages of QDIPs 673
21.3 QDIP model 674
21.4 Performance of QDIPs 680
21.4.1 R 0 A product 680
21.4.2 Detectivity at 78 K 680
21.4.3 Performance at higher temperature 681
21.5 Colloidal QDIPs 683
References 685
22. Infrared barrier photodetectors 689
22.1 SWIR barrier detectors 689
22.2 InAsSb barrier detectors 691
22.3 InAs/GaSb type II barrier detectors 694
22.4 Barrier detectors versus HgCdTe photodiodes 700
22.4.1 ­Ndop × τdiff product as the figure of merit of diffusion-limited photodetector 703
22.4.2 Dark current density 704
22.4.3 Noise equivalent difference temperature 707
22.4.4 Comparison with experimental data 708
References 711
23. Cascade infrared photodetectors 715
23.1 Multistage infrared detectors 715
23.2 Type II superlattice interband cascade infrared detectors 716
23.2.1 Principle of operation 717
xiv Contents

23.2.2 M WIR interband cascade detectors 719

23.2.3 LWIR interband cascade detectors 721
23.3 Performance comparison with HgCdTe HOT photodetectors 724
References 726

Part IV INFRARED FOCAL PLANE ARRAYS 729

24. Overview of focal plane array architectures 731

24.1 Focal plane array overview 732
24.2 Monolithic arrays 735
24.2.1 CCD devices 735
24.2.2 CMOS devices 737
24.3 Hybrid arrays 740
24.4 Readout integrated circuits 744
24.5 Performance of focal plane arrays 750
24.5.1 Modulation transfer function 750
24.5.2 Noise equivalent difference temperature 750
24.5.3 NEDT limited by readout circuit 755
24.5.3.1 Readout-limited NEDT for HgCdTe photodiode and QWIP 756
24.6 Toward small pixel focal plane arrays 757
24.6.1 SWaP considerations 765
24.7 Adaptive focal plane arrays 767
References 769
25. Thermal detector focal plane arrays 773
25.1  Thermopile focal plane arrays 775
25.2  Bolometer focal plane arrays 778
25.2.1 Trade-off between sensitivity, response time, and detector size 780
25.2.2 Manufacturing techniques 784
25.2.3 FPA performance 787
25.3  Pyroelectric focal plane arrays 794
25.3.1 Linear arrays 795
25.3.2 Hybrid architecture 797
25.3.3 Monolithic architecture 798
25.4  Packaging 802
25.5  Novel uncooled focal plane arrays 804
References 806
26. Photon detector focal plane arrays 813
26.1 Intrinsic silicon arrays 813
26.2 Extrinsic silicon and germanium arrays 824
26.3 Photoemissive arrays 830
26.4 III-V focal plane arrays 836
26.4.1 InGaAs arrays 837
26.4.2 InSb arrays 840
26.4.2.1 Hybrid arrays 840
26.4.2.2 Monolithic InSb arrays 843
26.5 HgCdTe focal plane arrays 846
26.5.1 Monolithic focal plane arrays 848
26.5.2 Hybrid focal plane arrays 849
26.6 Lead salt arrays 857
 Contents xv

26.7 Q  uantum well infrared photoconductor arrays 862

26.8 Barrier detector and type-II superlattice focal plane arrays 865
26.9 HgCdTe versus III-Vs—future prospect 872
26.9.1 p-i-n HgCdTe photodiodes 874
26.9.2 Manufacturability of focal plane arrays 876
26.9.3 Conclusions 877
References 879
27. Third-generation infrared detectors 891
27.1  Requirements of third-generation detectors 892
27.2  HgCdTe multicolor detectors 896
27.2.1 
Dual-band HgCdTe detectors 897
27.2.2 
Three-color HgCdTe detectors 903
27.3 Multiband quantum well infrared photoconductors 906
27.4  Multiband type-II InAs/GaSb detectors 914
27.5  Multiband quantum dot infrared photodetectors 918
References 921

Part V TERAHERTZ DETECTORS AND FOCAL PLANE ARRAYS 927

28. Terahertz detectors and focal plane arrays 929

28.1 Introduction 929
28.2 Outlook on terahertz radiation specificity 932
28.3 Trends in developments of terahertz detectors 935
28.4  Direct and heterodyne terahertz detection 938
28.4.1 Direct detection 941
28.4.2 Heterodyne detection 942
28.4.3 Heterodyne vs. direct detection 946
28.5 Photoconductive terahertz generation and detection 946
28.6 Room temperature terahertz detectors 948
28.6.1 Schottky barrier diodes 952
28.6.2 Pyroelectric detectors 958
28.6.3 Microbolometers 960
28.6.4 Field-effect transistor detectors 965
28.7 Extrinsic detectors 971
28.8 Pair braking photon detectors 972
28.9 Microwave kinetic inductance detectors 976
28.10 Semiconductor bolometers 979
28.10.1 Semiconductor hot electron bolometers 983
28.11 Superconducting bolometers 984
28.11.1 Superconducting hot-electron bolometers 985
28.12 Transition edge sensor bolometers 990
28.13 Novel terahertz detectors 995
28.13.1 Novel nanoelectronic detectors 995
28.13.1.1 Quantum dot detectors 997
28.13.1.2 Charge-sensitive IR phototransistors 998
28.13.2 Graphene detectors 1001
28.13.2.1 Relevant graphene properties 1001
28.13.2.2 Photodetection mechanisms in graphene detectors 1003
28.13.2.3 Responsivity enhanced graphene detectors 1008
xvi Contents

28.13.2.4 Related 2D material detectors 1008

28.13.2.5 Graphene detector performance–the present status 1012
References 1013

Final Remarks 1029

Index 1031
Preface to the third edition
Progress in infrared (IR) detector technology has been mainly connected to semiconductor IR detectors,
which are included in the class of photon detectors. They exhibit both perfect signal-to-noise performance
and a very fast response. But to achieve this, the photon detectors require cryogenic cooling. Cooling
requirements are the main obstacles to the more widespread use of IR systems based on semiconductor
photodetectors making them bulky, heavy, expensive, and inconvenient to use.
Until the 1990s, despite numerous research initiatives and the appeal of room temperature operation and
low-cost potential, thermal detectors have enjoyed limited success compared with cooled photon detectors
for thermal imaging applications. Only the pyroelectric vidicon received much attention with the hope that
it could be made practical for some applications. Throughout the 1980s and early 1990s, many compa-
nies in the United States (especially Texas Instruments and Honeywell’s Research Laboratory) ­developed
devices based on various thermal detection principles. In the mid-1990s, this success caused DARPA
(Defense Advanced Research Projects Agency) to reduce support for HgCdTe and attempt a major leap
with uncooled technology. The desire was to have producible arrays with useful performance, without the
burden of fast (f/1) long-wavelength infrared optics.
In order to access these new changes in IR detector technology, there was need for a comprehensive introduc-
tory account of IR detector physics and operational principles, together with important references. In 2000,
the first edition of Infrared Detectors was published with the intention of meeting this need. In the second edi-
tion published in 2011, about 70% of the contents were revised and updated, and much of the materials were
reorganized. The last decade has seen considerable changes with new breakthroughs in detector concepts and
performance. It became clear that the book needed substantial revision to continue to serve its purpose.
In this third edition titled Infrared and Terahertz Detectors, about 50% of the content is revised and
updated. The arrangement of material will be similar to the previous edition, but several new chapters have
been introduced and most of the remaining—reorganized.
The monograph is divided into five parts: fundaments of detection, infrared thermal detectors, ­infrared pho-
ton detectors, infrared focal plane arrays (FPAs) and terahertz detectors and focal plane arrays. The first part
provides a tutorial introduction to the technical topics that are fundamental to a thorough ­understanding of
different types of IR detectors and systems. The second part presents the theories and technologies of differ-
ent types of thermal detectors, while the third part—theory and technology of photon detectors. The fourth
part concerns IR FPAs where relations between the performance of detector array and IR system quality are
considered. The new last part of this monograph constitutes comprehensive review of the present status and
trends in the development of different types of terahertz detectors and focal plane arrays.
A short description given below concerns mainly the differences between the third edition and the
­previously published book (Infrared Detectors, second edition, 2011):
•• in the fundamentals of IR detection, IR systems are discussed with an emphasis on the difference
between night vision systems and thermal imaging systems,
•• since heterodyne detection is more widely used in terahertz imaging systems, the chapter devoted to this
topic has been considerably broadened,
•• in the last decade, considerable progress has been observed in the development of a new class of IR
photon detectors, the so-called barrier detectors. As a result, additional topics have been introduced like
dedicated barrier and cascade photodetectors,
•• in imaging systems with above megapixel formats, the pixel dimension plays a crucial role in determining
critical system attributes such as system size, weight, and power consumption (SWaP). The advent of smaller
pixels also results in superior spatial and temperature resolutions of imaging systems. The above topic is
considered for the development trends of different types of FPAs—both thermal and photon detector arrays,
xviii Preface to the third edition

•• it is expected that THz technology is one of the emerging technologies that will change our world. The
THz region of the electromagnetic spectrum has proven to be one of the most elusive. Being situated
between IR light and microwave radiation, THz radiation is resistant to the techniques commonly
employed in these well-established neighboring bands. The last chapter is, in fact, the new chapter
devoted to terahertz detectors. It has been completely reorganized with emphasis on status and trends in
the development of THz detectors and imaging systems including low-­dimensional solids and graphene.
This book is written for those who desire a comprehensive analysis of the latest developments in IR detector
technology and a basic insight into the fundamental processes important for evolving detection techniques.
Special attention has been given to the physical limits of detector performance and comparisons of per-
formance in different types of detectors. The reader should gain a good understanding of the similarities
and contrasts, the strengths and weaknesses of a multitude of approaches that have been developed over a
century to improve our ability to sense IR radiation.
The level of presentation is suitable for graduate students in physics and engineering who have received
standard preparation in modern solid-state physics and electronic circuits. This book is also of interest to
individuals working with aerospace sensors and systems, remote sensing, thermal imaging, military imag-
ing, optical telecommunications, IR spectroscopy, and light detection and ranging. To satisfy the needs of
the first group, many chapters discuss the principles underlying each topic and some historical background
before bringing to the reader the most recent information available. For those currently in the field, the
book can be used as a collection of useful data, as a guide to the literature, and as an overview of topics
covering a wide range of applications. The book could also be used as a reference for participants of relevant
workshops and short courses.
The new edition of Infrared and Terahertz Detectors give, I hope, a comprehensive analysis of the latest
developments in IR and THz detector technology and a basic insight into the fundamental processes
important for evolving detection techniques. The book covers a broad spectrum of detectors, including
theory, types of materials and their physical properties, and detector fabrication.

Antoni Rogalski
Acknowledgements to the third
edition
In the course of this writing, many people have assisted me and offered their support. I would like, first,
to express my appreciation to the management of the Institute of Applied Physics, Military University of
Technology, Warsaw, Poland, for providing the environment in which I worked on the book.
The author has benefited from the kind cooperation of many scientists who are actively working in
IR detector technologies. The preparation of this book was aided by many informative and stimulat-
ing ­discussions with the author’s colleagues at the Institute of Applied Physics, Military University of
Technology in Warsaw. The author thanks the following individuals for providing preprints, unpublished
information, and in some cases original figures, which were used in preparing the book: Drs. L. Faraone
and J. Antoszewski (University of Western Australia, Perth), Dr. J.L. Tissot (Ulis, Voroize, France), Dr.
S.D. Gunapala (California Institute of Technology, Pasadena), Dr. M. Kimata (Ritsumeikan University,
Shiga, Japan), Dr. M. Razeghi (Northwestern University, Evanston, Illinois), Drs. M.Z. Tidrow and P.
Norton (U.S. Army RDECOM CERDEC NVESD, Fort Belvoir, Virginia), Dr. S. Krishna (University
of New Mexico, Albuquerque, New Mexico), Dr. H.C. Liu (National Research Council, Ottawa,
Canada), G.U. Perera (Georgia State University, Atlanta, Georgia), Professor J. Piotrowski (Vigo System
Ltd., Ożarów Mazowiecki, Poland), Dr. M. Reine (Lockheed Martin IR Imaging Systems, Lexington,
Massachusetts), Dr. F.F. Sizov (Institute of Semiconductor Physics, Kiev, Ukraine), and Dr. H. Zogg (AFIF
at Swiss Federal Institute of Technology, Zürich). Thanks also to CRC Press, especially Luna Han, who
encouraged me to undertake this new edition and for her cooperation and care in publishing this third
edition.
Ultimately, it is the encouragement, understanding, and support of my family that provided me the cour-
age to embark on this project and see it to its conclusion.
About the author

Antoni Rogalski is a professor at the Institute of Applied Physics, Military University of Technology in
Warsaw, Poland. He is a leading researcher in the field of IR optoelectronics. During the course of his
scientific career, he has made pioneering contributions in the areas of theory, design, and technology of
different types of IR detectors. In 1997, he received an award from the Foundation for Polish Science
(the most prestigious scientific award in Poland) for achievements in the study of ternary alloy systems for
IR detectors—­mainly an alternative to HgCdTe new ternary alloy detectors such as lead salts, InAsSb,
HgZnTe, and HgMnTe. In 2013, he was elected as an ordinary member of the Polish Academy of Sciences
(PASs) and a dean of PASs Division Four: Engineering Sciences. In the period 2013–2016, he was a
­member of the Central Commission for Academic Degrees and Titles.
Professor Rogalski’s scientific achievements include determining the fundamental parameters of narrow-
gap semiconducting materials estimating the ultimate performance of IR detectors, elaborating on studies
of high-quality PbSnTe, HgZnTe, and HgCdTe photodiodes operated in IR spectral ranges; and con-
ducting comparative studies of the performance limitation of HgCdTe photodiodes versus other types of
photon detectors (especially QWIP, QDIP, and type II superlattice IR detectors) for third generation IR
detectors. His activity is focused on the research of physical processes and phenomena conditioning the
best quality detectors’ formation. His cooperation with Vigo-System S.A. lasts about 20 years and is, in the
Polish reality, a unique example of a cooperation between the academic research team and the High-Tech
optoelectronic devices’ implementation company.
Professor Rogalski has given over 70 invited plenary talks at international conferences. He is the author and
co-author of over 250 indexed papers, cited ca. 7,000 with index h ≈ 40, 13 books, and 30 monographic
papers (book chapters). His monumental monograph Infrared Detectors published by Taylor and Francis was
translated into the Russian and Chinese languages. Another monograph entitles High-Operating Temperature
Infrared Photodetectors (edited by SPIE Press, 2007), of which he is the co-author, summarizes the globally
unique Polish scientific and manufacturing achievements in the field of near room temperature long wave-
length IR detectors. Recently he has published the monograph Antimonide-based infrared detectors – A new
perspective (SPIE Press) as a possible alternative to HgCdTe material system.
Professor Rogalski is a fellow of the International Society for Optical Engineering (SPIE), vice president of
the Polish Optoelectronic Committee, editor-in-chief of the journal Opto-Electronics Review (1998–2015),
deputy editor-in-chief of the Bulletin of the Polish Academy of Sciences: Technical Sciences, and a mem-
ber of the editorial boards of Journal of Infrared and Millimeter Waves, International Review of Physics,
International Journal of Electronics and Telecommunications, and Photonics Letters of Poland. He is an active
member of the international technical community—a chair and co-chair, organizer, and member of sci-
entific committees of many national and international conferences on optoelectronic devices and material
sciences. For more information see web: http://antonirogalski.com.
      
Part
I
Fundamentals of infrared and
terahertz detection
 1
Radiometry
This chapter discusses the vocabulary that will be needed in subsequent discussions. The radiometric calcu-
lations are a necessary part of the characterization of detectors and the prediction of signal and noise level.
The word radiometry not only describes the detection and measurement of radiated electromagnetic energy,
but is also used to describe the prediction and calculation of the power transferred by radiation from one
object or surface to another. The concepts of radiometry are similar to those of photometry (related to vision
and detection by the human eye) and to the transfer of photons, making it convenient to discuss all three
together.
The infrared range covers all electromagnetic radiation longer than the visible, but shorter than millime-
ter waves (Figure 1.1). The divisions between these categories are based on the different source and detector
technologies used in each region. Many proposals in the division of IR range have been published and are
shown in Table 1.1; these are based on limits of spectral bands of commonly used IR detectors. A wave-
length of 1 μm is the sensitivity limit of popular Si detectors. Similarly, 3 μm is a long wavelength sensitiv-
ity of PbS and InGaAs detectors; 6-μm wavelength is the sensitivity limit of InSb, PbSe, PtSi detectors, and
HgCdTe detectors optimized for a 3–5 μm atmospheric window; and finally, 15 μm is a long wavelength
sensitivity limit of HgCdTe detectors optimized for an 8–14 μm atmospheric window.
The IR devices cannot be designed without an understanding of the amount of radiation power that
impinges on the detector from the target, and the radiation of the target cannot be understood without
a radiometric measurement. This issue is critical to the overall signal-to-noise ratio achieved by the IR
system.
Our discussion in this chapter is simplified due to certain provisions and approximations. We specifi-
cally consider the radiometry of incoherent sources and ignore the effects of diffraction. In general, we
make small-angle assumptions similar to those made for paraxial optics. The sine of an angle is approxi-
mated by the angle itself in radians.
This chapter provides some guidance in radiometry. For further details, see [1–7].

1.1 R ADIOMETRIC AND PHOTOMETRIC QUANTITIES

AND UNITS
Radiometry is the branch of optical physics that deals with the measurement of electromagnetic radiation
in the frequency range between 3 × 1013 and 3 × 1016 Hz. This range corresponds to wavelengths between
10 nm and 10 μm and includes the regions commonly called ultraviolet, visible, and infrared. Radiometry
deals with the actual energy content of light rather than its perception through a human visual system.
Typical radiometric units include watt (radiant flux), watt per steradian (radiant intensity), watt per square
meter (irradiance), and watt per square meter per steradian (radiance).
Historically, the power of a light source was obtained by observing brightness of the source. It turns out
that brightness, perceived by the human eye, depends upon wavelength and the color of light, and differs
from the actual energy contained in the light. The eye is sensitive to radiation over a range of approximately
11 orders of magnitude from bright sunlight to a flash of light containing only a few photons.
The retina of the human eye contains two different types of photoreceptors called rods and cones that
produce nerve impulses that are passed on to subsequent stages of the human visual system for processing.
The cones are spread over the entire retina, together with a large concentration within a small central area
of our vision called the fovea, which results from our high visual acuity at the center of the field of view of
 4 Radiometry

Wavelength
3km 30m 30cm 3mm 30 m 300nm 3nm 0.03nm

Frequency Hz
10 11 12 15 18
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
10
9
10 10 10 1013 1014 10 1016 1017 10 1019

Long TV
Short Microwaves
Medium Ultraviolet X
Radio Visible Rays
waves Infrared
THz

Figure 1.1 Electromagnetic spectrum.

Table 1.1 Division of infrared radiation

REGION (ABBREVIATION) WAVELENGTH RANGE (μm)

Near-infrared (NIR) 0.78–1
Short wavelength IR (SWIR) 1–3
Medium wavelength IR (MWIR) 3–6
Long wavelength IR (LWIR) 6–15
Very long wavelength IR (VLWIR) 15–30
Far infrared (FIR) 30–100
Submillimeter (SubMM) 100–1000

the eye. The cones are responsible for our daytime color vision. The rods are spread over the entire retina,
except the fovea, and are responsible for our nighttime, basically black-and-white, vision.
Fundamentals of infrared and terahertz detection

The eye is most sensitive to the yellow–green light and less sensitive to red and blue lights of the spec-
trum. To take the difference into account, a new set of physical measures of light is defined for the visible
light that parallels the quantities of radiometry, where the power is weighted according to the human
response by multiplying the corresponding quantity by a spectral function, called the V(λ) function or the
spectral luminous efficiency for photopic vision, defined in the domain from 360 to 830 nm, and is nor-
malized to one at its leak, 555 nm (Figure 1.2). The V(λ) function tells us the appropriate response of the
human eye to various wavelengths. This function was first defined by the Commission Internationale de
l’Éclairage (CIE) in 1924 [8] and is an average response of a population of people in a wide range of ages.
It should be noted that the V(λ) function was defined assuming additivity of sensation and a 2° field of
view at relatively high luminance levels (>1 cd/m2)—the high radiation range is mediated by the cones. The

1.2

1.0

0.8
Value

0.6
Scotopic Photopic
0.4

0.2

0.0
350 400 450 500 550 600 650 700 750
Wavelength (nm)

Figure 1.2 CIE spectral luminous efficiency functions.

 1.2 Definitions of radiometric quantities 5

spectral responsivity of human eyes deviates significantly at very low levels of luminescence (<10−3 cd/m2)
when the rods in the eyes are the dominant receptors. This type of vision is called scotopic vision.
Photometry is the measurement of light, which is defined as radiation detectable by the human eye. It
is restricted to the visible region and all quantities are weighted by the spectral response of the eye. Typical
photometric units include lumen (luminous flux), candela (luminous intensity), lux (illuminance), and
candela per square meter (luminance).
The units, as well as the names, of similar properties in photometry differ from those in radiometry. For
instance, power is simply called power in radiometry or radiant flux, but it is called the luminous flux in
photometry. While the unit of power in radiometry is watt, in photometry it is lumen. A lumen is defined
in terms of a superfluous fundamental unit, called candela, which is one of the seven independent quanti-
ties of the SI system of units (meter, kilogram, second, ampere, Kelvin, mole, and candela). Candela is the
SI unit of the photometric quantity called luminous intensity or luminosity that corresponds to the radiant
intensity in radiometry. Table 1.2 lists the radiometric and photometric quantities and units along with
translation between both groups of units.
Radiometry is plagued by a confusion of terminology, symbols, definitions, and units. The origin of this
confusion is largely because of the parallel or duplicate development of the fundamental radiometric practices
by researchers in different disciplines. Consequently, considerable care should be exercised when reading pub-
lications. The terminology used in this chapter follows international standards and recommendations [7,9].

1.2 DEFINITIONS OF RADIOMETRIC QUANTITIES

Radiant flux, also called radiant power, is the energy Q (in joules) radiated by a source per unit of time and
is defined by

dQ
Φ= . (1.1)
dt

Fundamentals of infrared and terahertz detection

The unit of radiant flux is the Watt (W = J/s).
Radiant intensity is the radiant flux from a point source emitted per unit solid angle in a given direction
and is expressed as

dΦ ∂2 Q
I = = , (1.2)
d Ω ∂t ∂Ω

Table 1.2 Radiometric and photometric quantities and units

PHOTOMETRIC UNIT RADIOMETRIC SYMBOL UNIT UNIT

QUANTITY QUANTITY CONVERSION
Luminous flux lm (lumen) Radiant flux ϕ W (Watt) 1 W = 683 lm
Luminous cd (candela) = Radiant I W/sr 1 W/sr =
intensity lm/sr intensity 683 cd
Illuminance lx (lux) = Irradiance E W/m2 1 W/m2 =
lm/m2 683 lx
Luminance cd/m2 = Radiance L W/(sr m2) 1 W/(sr m2)
lm/(sr m2) = 683 cd/m2
Luminous lm/m2 Radiant M W/m2
exitance exitance
Luminous lx s Radiant W/(m2 s)
exposure exposure
Luminous lm s Radiant energy Q J (Joule) 1 J = 683 lm s
energy
 6 Radiometry

where dФ is the radiant flux leaving the source and propagating in an element of solid angle dΩ containing
the given direction (see Figure 1.3). The unit of radiant intensity is W/sr.
The solid angle may be expressed in differential form as

dA
dΩ = . (1.3)
r2
The unit of solid angle is steradian (sr).
If we use the spherical coordinate system seen in Figure 1.4, and use dA = r 2sinθdθdφ, we can write an
expression for the solid angle subtense of a flat disc of planar half angle θmax as
2π θ max
Ω=
∫ dΩ =
∫
0
dϕ
∫
0
sin θ d θ = 2π (1 − cosθ max ) . (1.4)

Irradiance is the density of incident radiant flux at a point of surface and is defined as radiant flux per unit
area [see Figure 1.5a], as follows

∂Φ ∂2Q
E= = , (1.5)
∂ A ∂t ∂ A
where ∂Φ is the radiant flux incident on an element ∂A of the surface containing the point. The unit of
irradiance is W/m2.

Point source
d
I d
Fundamentals of infrared and terahertz detection

Figure 1.3 Radiant intensity.

z
max
dA
rd

rsin d

Figure 1.4 Relationship of solid angle to planar angle.

Another random document with
no related content on Scribd:
dan niet een beetje [a38] zelfzuchtig om alleen maar aan je eigen
plezier te denken, en kalm door te gaan?"

"Ja maar daar heb ik heelemaal niet over gedacht!"

"Dat begrijp ik wel," zei Vader terwijl hij opstond, "maar wil je dan
niet eens probeeren om daar voortaan wel aan te denken?"

"Ja Vader."

"Mooi. En ga dan nu maar met me mee en laat me die lastige som

eens zien."

Vader opende de deur om naar zijn eigen kamer te gaan.

Eduard volgde hem, maar eerst holde hij nog even naar de keuken.

"Rika, ben je nog boos op me?"

"Ik ben niet boos."

"Geef me dan een hand, Rika!" En hij schudde de uitgestoken hand

zóó lang en zóó krachtig, dat Rika "au" riep.
 [a39]

II.
"Och, Vader, u luistert niet!"

"Jawel vent, ik luister, de man heeft rogge en tarwe."

"Een een vijfde maal zooveel rogge als tarwe!"

"Een een vijfde maal zooveel," herhaalde Vader geduldig.

"En nu verkoopt hij de helft van de rogge en een derde van de

tarwe, 1 H.L. rogge voor f 10.—en 1 H.L. tarwe voor f 15.—, en nu
ontvangt hij voor de rogge f 75.— meer dan voor de tarwe, hoeveel
heeft hij van elk gehad?" dreunde Eduard op, en toen: "Kijk, nu heb
ik zoo gedaan," en hij zocht in een hoek van zijn kladpapier tusschen
een menigte cijfertjes, waar hij zelf blijkbaar nog maar met moeite uit
wijs kon worden: "O ja, kijk, zoo ben ik begonnen" .... Maar opeens
hield hij midden in zijn zin op toen hij toevallig Vader even aanzag.
"Och, nu hebt u weer heelemaal niet geluisterd!" zei hij ongeduldig.

Vader schrikte op. "Nee, ik heb ook niet geluis-[a42] terd, ik zat aan
iets anders te denken. Leg het me nog maar eens uit, ik zal nu beter
opletten."

"Heusch?"

"Ja heusch," en Vaders donker hoofd boog zich over het

sommenschrift heen.

Eduard begon weer van voren af aan over zijn rogge en tarwe tot
hij eindelijk midden in zijn uitlegging bleef steken. "Maar nu kan ik
niet verder komen," zei hij, "ik begrijp niet wat ik nu doen moet."

"Je kunt er zoo ook nooit komen," verklaarde Vader. "Begin nu

eens van den anderen kant af, en reken uit hoeveel rogge hij
verkoopt als hij 1 H.L. tarwe verkoopt."
 "Dat heb ik ook al gedaan," zei Eduard uit zijn humeur, "maar toen
ging 't ook niet!" en toen Vader zweeg: "Komt 't dan wel uit, Vader?"

"Probeer 't maar eens," antwoordde Vader kort, terwijl hij de

courant openvouwde en begon te lezen.

Eduard beet besluiteloos op zijn potlood en streek met zijn hand

door het kortgeknipte blonde haar. Toen ging hij zuchtend weer aan
't cijferen.

Een minuut of tien bleef 't stil in de kamer.

"Vader!"

"Wat is er?"

"'t Komt niet uit!"

"Laat maar eens kijken!" en Vader verdiepte zich even in de som

en besloot: "Je hebt je vergist, reken 't maar eens over, dan vind je
de fout wel."

[a43] En weer was 't stil; alleen ritselde nu en dan de courant,

wanneer Vader een blad omsloeg, en telkens zuchtte Eduard,
wanneer weer een nieuwe poging om de fout te ontdekken mislukt
was.

"Niet zoo zuchten!" zei Vader eindelijk, "gaat het niet?"

En Eduard keek even op, eerst heel nadenkend en met rimpels in

zijn voorhoofd, en toen glimlachend, en rekende weer verder. —

"Klaar!" 't Klonk als een juichkreet, en met een triomfantelijk gezicht
legde hij het sommenschrift op de opengeslagen courant.

Vader las 't even vluchtig door. "Mooi zoo," zei hij, toen klapte hij
het schrift dicht en gaf het aan Eduard terug.
 De jongen ging naar een hoek van de kamer waar zijn schooltasch
op den grond lag, en stopte er zijn boeken en schriften in.

"Pepi, kom eens hier!" vroeg Vader, en toen Eduard tegen zijn knie
aanleunde en hem verwonderd aanzag: "Weet jij nog, wanneer ik het
laatst op reis ben geweest?"

"Op reis? Ja, was dat niet verleden week, toen u naar Arnhem was,
of bedoelt u dat niet?"

"Nee, dat bedoel ik niet, toen kwam ik 's avonds weer thuis; ik
bedoel voor langer tijd."

"O," zei Eduard; hij begreep niet goed wat Vader eigenlijk wilde
vertellen; "was dat niet twee jaar geleden, toen u naar Engeland
was?"

[a44] "Ik geloof het ook; ik vroeg 't maar, omdat ik nu weer op reis
moet, zie je."

Eduards gezicht betrok. "Gaat u op reis? Waar naar toe?"

"Naar Indië.

"Naar Indië?"

"Ja; er moeten een heeleboel nieuwe machines naar Indië toe, en

nu gaat een van de ingenieurs mee, en dat ben ik."

"En hoe lang blijft u dan weg?"

"Vier maanden."

"En wanneer gaat u?"

"Over drie weken."

Eduard vroeg niet verder. Stijf hield hij de leuning van den stoel
vast en keek Vader met wijd open oogen aan. 't Was, of hij 't nog
maar half begreep, maar vóór zich zag hij alleen vier lange,
eindeloos lange maanden, leeg en vreemd, en Vader heel ver weg.
Toen barstte hij uit: "Maar ik ga toch mee, is 't niet Vader?" en toen
Vader geen antwoord gaf: "Vader, zeg dat ik mee ga!"

"Nee jongen, ik kan je niet meenemen," zei Vader, en hij legde zijn
hand op Eduards schouder. "Kijk, als ik voor mijn plezier op reis ging
zou dat gaan, maar ik moet daar in Indië hard werken; ik zal den
heelen dag druk bezig zijn, en ben nu hier, dan daar. Je zou er niets
aan hebben, ik zou je den heelen dag alleen moeten laten, en
bovendien zou al dat heen en weer trekken veel te vermoeiend voor
je zijn."

[a45] "Maar u doet 't zelf toch ook!"

"Ja, maar ik ben ook geen kleine jongen meer!"

"Ik ook niet!"

"Nu, een groote jongen dan," en Vader glimlachte even. "Heusch

vent, 't gaat niet, 't is veel verstandiger dat je kalm hier blijft en naar
school gaat!"
 "En moet ik dan alleen thuis blijven?"

"Nee, je blijft niet thuis, je gaat uit logeeren. Ik heb gevraagd of je

dien tijd bij Tante Lina mag komen. Ik hoorde het vanmiddag, en
toen ben ik dadelijk aan het plannen maken gegaan; voor het eten
liep ik even bij Oom en Tante aan om te vragen of zij 't niet te lastig
vonden er nog een jongen [a48] bij te krijgen, en daardoor kwam ik
zoo laat thuis."

Eduard was op Vaders knie gaan zitten; tot nu toe had hij rustig
geluisterd, maar nu sloeg hij opeens zijn armen om Vaders hals en
begon onstuimig: "Maar u mag niet weggaan! Ik wil niet alleen hier
blijven, en ik wil ook niet naar Tante Lina!" En toen smeekend: "O,
Vader, ga toch niet weg!"

Vader zweeg, en drukte zijn jongen dicht tegen zich aan; het was
het eenige wat hij op dit oogenblik voor hem kon doen. Veel was het
hem waard geweest, wanneer een van de andere ingenieurs deze
reis had kunnen maken, maar een langdurig gesprek met den
directeur van de groote machinefabriek waaraan hij verbonden was,
had hem de noodzakelijkheid van zijn gaan doen inzien. Het lachte
hem niet erg toe, zijn jongen alleen te moeten achterlaten, maar hij
was er van overtuigd, dat Eduard bij de oudere zuster van zijn vrouw
werkelijk goed bezorgd zou zijn, ook al was hij geen groot
huishouden gewend en al zou hij er in het begin misschien wat
moeite mee hebben, zich naar zijn nichtjes en neefjes te schikken.

"Eddy, lieveling, maak het niet nog moeilijker voor me dan het is!
Doe je best om ferm te zijn! Vier maanden zijn gauw om, en je zult
het zeker prettig hebben bij Tante Lina!"

"Hugo en Piet zijn zulke vervelende jongens!" klonk het gesmoord.

"Ja, dat vind jij, maar ligt dat nu ook niet een [a49] beetje aan
jezelf? Kijk, Oom en Tante wonen hier nog niet lang en je kent je
neefjes pas kort, zijn die jongens nu heusch zoo vervelend, nu je ze
niet dadelijk bizonder aardig vindt?"

Er kwam geen antwoord.

"Eddy, waaraan denk je?"

"Was Moeder er nog maar!"

Vader zweeg, en kuste zacht het blonde hoofd, dat tegen zijn
schouder leunde.

"Weet je nog wel hoe Moeder altijd probeerde het goede in de

menschen op te zoeken?" begon hij toen. "Moeder zei altijd, 'als ik
iemand vervelend vind, dan kan dat even goed aan mij liggen als
aan hem, en dan wil ik toch eerst eens trachten te weten te komen,
waarom een ander wel van hem houdt en ik niet!' En waarom
zouden andere menschen Hugo en Piet wel aardig vinden, en jij
niet? Begrijp je wat ik bedoel?"

"Ja."

"En zou je het zelf ook niet prettig vinden om goede vrienden met
de neefjes te zijn?"

Eduard antwoordde niet. "Alleen dán zou ik niet graag willen dat je
goede vrienden met ze werdt, als het jongens zijn die liegen of laf
zijn of gemeene dingen doen, maar dat geloof ik niet van ze. Kijk
eens, je zult een heeleboel te doen hebben in die vier maanden; je
zult je best moeten doen geduldig te blijven en niet boos te worden,
ook al gaat alles niet even gemakkelijk. — En het [a50] moeilijkste
van alles is om altijd te doen wat je zelf weet dat goed is. — Om
moedig te doen wat je duidelijk ziet dat je plicht is, en je er niet aan
te storen wat de andere jongens zeggen. — En daar is een
heeleboel moed voor noodig, weet je dat wel?"

"Ja, dat weet ik wel." —

"En wil je daarvoor je best doen? Kijk me eens aan, Eddy! Zoo —
wil je probeeren Vaders moedige, eerlijke jongen te zijn?"

Eduard knikte van ja, met een vreemd, strak gevoel in zijn
oogen. —

"En je zoo flink mogelijk houden als ik weg ben?"

En weer knikte Eduard van ja, half hopend dat Vader nu maar over
iets anders zou gaan praten, want hij voelde dat hij zich nu niet lang
meer goed zou kunnen houden.

"Mooi!" en zacht streek Vader over het kortgeknipte haar. "Heusch,

't zal zoo lang niet duren, in 't begin van Juni ben ik weer bij je!"
 "Maar ik vind het juist zoo vreeselijk lang!"

"Ja, maar dat valt wel mee; kijk, 't is niet eens vier heele maanden,
we gaan den achtsten Februari uit Genua; morgen over drie weken
ga ik weg, 's ochtends vroeg, en dan over land naar Genua. En daar
ligt de Willem II dan al op ons te wachten, en die brengt ons naar
Indië toe."

"Wie gaat er nog meer mee?"

"Mijnheer van der Zande gaat mee; hij heeft de machines gekocht
voor zijn fabrieken in Indië en nu [a51] gaat hij zelf mee om ze te
brengen, en dan maken we samen de reis."

"En blijft u dan eerst nog in Genua?"

"Blijven? Welnee! We komen er 's avonds aan, en ja, dan blijven

we er één nacht, en den volgenden morgen gaan we weg." —

"Maar u kent toch geen Italiaansch?"

Vader glimlachte even; "Nee, dat ken ik ook niet, maar ze verstaan
in Genua wel Fransch ook! Zoo zie je al weer, doe op school maar
goed je best met Fransch, anders kun je later nooit in Italië reizen!"

"En ik vind Fransch juist zoo'n naar vak," zuchtte Eduard. "Fransch
en sommen vind ik 't akeligste dat er bestaat, maar sommen toch
eigenlijk nog 't allerakeligste!"

"Juist een reden om er heel goed je best op te doen; heusch, als je

iets goed kent vind je het niet akelig meer, geloof je dat ook niet?"

"Misschien niet," zei Eduard voorzichtig, "maar sommen zal ik toch

wel altijd naar blijven vinden, denk ik."

Vader lachte, en kneep zijn jongen in de wang. "Pepi!" zei hij; — en

toen: "Maar kijk eens op de klok! Vraag aan Rika een glas melk en
maak dat je naar bed komt!"
 "Ja, maar ik wou nu juist nog zoo'n boel vragen, en ik wou nog veel
meer hooren over Indië!"

"Goed Pepi, morgen. Nacht Pepi!"

[a52] "Maar Vader, ik ...."

"Nacht Pepi!"

En lachend nam Vader zijn tegenstribbelenden jongen bij een arm

om hem de kamer uit te zetten.

"Luister dan nog even, Vader!"

"Nu, wat is er?"

"Komt u dan zoo meteen nog even boven als ik roep?"

"Ja, voor dezen keer."

"En, Vader, ik zal heusch denken aan wat ik beloofd heb, maar ik"
— Eduard slikte even — "ik wou toch wel dat u niet weg ging,
Vader!"

"Ik ook," antwoordde zijn Vader.

 [a53]

III.
Eduard stak zijn hoofd om de huiskamerdeur.

"Vader, mag ik eerst nog wat steltenloopen voor we gaan

koffiedrinken?"

"Ha, daar hebben we Pepi! Kom eens hier, Pepi, zeg je mijnheer
van der Zande niet goeiendag?"

Eduard kwam dichter bij, "Dag mijnheer!" zei hij.

"Dag e... jongmensch, hoe heet je ook weer?" en de jongen voelde

zich van het hoofd tot de voeten opnemen.

"Eduard," zei hij kort, en toen tegen zijn Vader, "mag ik nog even?"

"Ja, nog vijf minuten, maar voor 't huis blijven."

De beide heeren stonden voor 't raam, en keken er naar hoe

Eduard even later met een vlugge beweging op de stelten sprong.

"Een flinke jongen," zei mijnheer van der Zande, "hij begint op je te
lijken, Kerner!"

"Vind je?" vroeg Eduards Vader afgetrokken, en toen levendiger:

"Hij doet mij altijd sterk aan zijn Moeder denken." En knikkend tegen
Eduard, die op één stelt hinkend met de andere probeerde aan te
slaan: "maar 't is een echte bengel."

[a56] Eduard had intusschen ergens op straat een steentje ontdekt

en was daar nu zoo vlug als hij op zijn stelten vooruit kon komen
naar toe gegaan om in zijn eentje wat te voetballen.
 Hij was niet erg gesteld op mijnheer van der Zande, die óf tegen
hem sprak als tegen een kind van vijf jaar, óf doodkalm deed alsof hij
niet bestond. Maar dat was nog niet het voornaamste. Eduards
grootste grief was, dat mijnheer van der Zande, die een oude kennis
van Vader was, altijd onverwacht kwam, en juist altijd, als er het een
of ander prettige plannetje gemaakt was, dat daardoor dan natuurlijk
in het water viel. En dat kon hij nu wel niet helpen, maar 't was voor
Eduard toch reden genoeg om zijn komst nu niet met bizonder veel
genoegen te begroeten. — Vandaag ook weer, 't was de laatste dag
dat Vader er was, want morgenochtend vroeg zou Vader weggaan;
verder was 't Woensdag, en Eduard had zijn vioolles mogen
verzetten om voor 't laatst nog een gezelligen middag met Vader te
hebben en om te helpen Vaders handkoffertje in te pakken — en
natuurlijk kwam nu mijnheer van der Zande. — Misschien ging hij
wel dadelijk weg, maar die hoop werd steeds flauwer en verdween
geheel, toen Vader hem tikte om te komen koffiedrinken. Eduard gaf
nog een fermen schop tegen zijn steentje, toen sprong hij van zijn
stelten en zette ze met een verdrietig gezicht in de gang neer.

"En dan vind ik je morgen dus aan het station [a57] in Arnhem,"
hoorde hij zijn Vader zeggen toen hij binnenkwam, en mijnheer van
der Zande: "Uitstekend; in ieder geval ga ik vanmiddag nog door, ik
moet nog verschillende lui spreken."

De twee heeren zaten al aan tafel en Eduard schoof haastig zijn

stoel bij. — "In ieder geval gaat hij voor 't eten dus weg," dacht hij.

Mijnheer van der Zande begon iets te vertellen over zijn Vader, die
nog zoo flink was, en nog altijd zelf aan 't hoofd stond van de
fabrieken in Indië, en gaf toen een uitvoerig verslag van de oude
machines, en de bizonderheden waarin zij van de nieuwe
verschilden.

Eduard luisterde er niet naar; 't kon hem niet veel schelen; verder
hield hij zich bezig met het tellen van de broodjes en de kopjes
koffie, die mijnheer van der Zande achtereenvolgens deed
verdwijnen.
 "O, de betrekking van Hollandsche vertegenwoordiger van de zaak
bevalt mij best!" hoorde Eduard hem zeggen; "op mijn tiende jaar
kwam ik voor 't eerst naar Holland, en sedert dien tijd ben ik al zes
keer heen en weer geweest, maar nooit voor langer dan drie
maanden; dit is de zevende keer."

"Bleef hij er nu maar voor goed," dacht Eduard, "dan kwam hij hier
onze middagen tenminste niet meer bederven!"

Mijnheer van der Zande wendde zich nu plotseling tot Eduard.

"Zoo, mannetje, en leer je nogal vlijtig?" vroeg hij.

[a58] Eduard zei niets, en keek zijn Vader aan. — "Dat gaat nogal,
hè Pepi?" antwoordde deze voor hem, en toen mijnheer van der
Zande weer: "En in welke klas zit je wel?"

"In de zesde, mijnheer."

"Zoo, zoo; nou, dat schiet al op, hoor!" en toen van onderwerp
veranderend: "En ga je niet met Pa mee naar Indië?"

"Nee mijnheer."

"Zoo; 't is anders een best land, geloof je dat niet?"

"Jawel mijnheer."

"En waarom wil je dan niet mee?"

"Ik wil wel mee."

"Wat? En daarnet zei je dat je niet mee wou?" Eduard zei niets
meer, maar keek naar zijn Vader, alsof hij dacht, dat die wel voor
hem antwoorden zou.

"Later gaat hij eens mee," zei Vader, en toen, om er een eind aan
te maken: "Wil je nog een kop koffie?"
 Rika werd gebeld om nog eens koffie te schenken.

't Was zijn derde kopje al, dacht Eduard, aldoor schuins naar
mijnheer van der Zande kijkend, en hij was aan zijn vierde broodje
bezig.

En zonder dat mijnheer van der Zande het merkte stak hij tegen
Rika, die opnieuw het kopje vulde, eerst drie, en toen, met een
veelbeteekenende blik — naar de broodbak, vier vingers in de
hoogte. — Maar Vader had het wél gemerkt, en zag hem een halve
minuut lang streng aan.

[a59] Mijnheer van der Zande had zijn spoorboekje te voorschijn

gehaald en er met aandacht in gekeken. — "Mijn plan was om de
trein van 3.17 te nemen," zei hij toen, "maar heb je soms iets anders
te doen, zeg het dan gerust, ik vind mijn weg wel."

"Wel neen, ik vind het uitstekend. Ik had mijn jongen beloofd om

wat met hem te wandelen, maar dat kan toch gebeuren; na de koffie
kunnen we in mijn kamer gaan zitten en Eduard kan in dien tijd zijn
huiswerk maken; daarna brengen we je samen naar den trein en dan
loopen we buitenom, door het bosch."

"Ik vind ...." begon Eduard, maar zijn Vader viel hem haastig in de
rede. "Je opinie wordt niet gevraagd," zei hij kortaf.

Eduard was niet bizonder ingenomen met de schikking. Waarom

zei Vader nu niet dat hij wél wat anders te doen had? Vader had hem
toch beloofd met hem te gaan wandelen, en tegen dat mijnheer van
der Zande nu goed en wel weg was, zou de middag om zijn. En dan
dat vervelende huiswerk nog! Haastig dronk hij zijn glas melk leeg.

Mijnheer van der Zande begon weer een nieuw verhaal over
Indische huizen en Indische tuinen. Eduard luisterde maar half, maar
opeens begon hij 't zelf ook leuk te vinden, en toen wilde hij er ook
dadelijk nog veel meer van weten en ging van alles vragen.
 Eindelijk stond Vader op. "Willen we nu maar eens naar de andere
kamer gaan?" stelde hij voor, "en ga jij dan boven aan 't werk, Pepi?"

[a60] Maar Pepi had niet veel zin. Aan Vaders arm liep hij mee naar
de studeerkamer. "Toe, nog eventjes," smeekte hij, "omdat 't uw
laatste dag is!"

Vader gaf geen antwoord, maar liet toch toe dat hij nog wat bleef
rond hangen. Een paar keer waarschuwde hij: "Kom, Pepi!" Want
mijnheer van der Zande was weer van onderwerp veranderd en had
het over groote orders van den laatsten tijd, en Vader zag duidelijk
dat Eduard er geen belang in stelde en zich verveelde. — "Kom,
Eduard, ga nu aan je huiswerk!" zei hij nog eens; maar toen de
jongen eindelijk lastig werd en met propjes papier door de kamer
begon te knippen raakte zijn geduld op, en plotseling viel hij mijnheer
van der Zande in de rede met een boos: "Eduard, ga nu onmiddellijk
naar boven; je hoeft niet weer beneden te komen voor ik je roep."

Een benauwende stilte volgde, en heel verschrikt zag Eduard zijn

Vader aan; toen stond hij langzaam op en liep aldoor naar den grond
kijkend de kamer uit, zijn handen in zijn zakken. — Pas toen hij de
trap opging hoorde hij in de studeerkamer weer praten.

Vader boos, en dat op den laatsten dag! Was dat nu zoo erg, dat hij
eens eventjes met een propje schoot? Die akelige mijnheer van der
Zande ook, 't was allemaal z i j n schuld, als die niet gekomen was
zou hij nu prettig met Vader bezig zijn aan 't koffertje of iets anders,
en nu moest hij hier alleen op de slaapkamer zitten — met een ruk
trok hij zijn tasch op [a61] tafel en schudde zijn boeken en schriften
er uit. Och, hij had immers ook zoowat niks te doen, het grootste
deel van zijn sommen had hij gisterenavond al gemaakt, juist om
vandaag niet veel te hebben; 't waren net nog twee korte dingetjes,
die waren in een wip klaar. Maar dat gaf nou allemaal niks, want
naar beneden gaan mocht hij toch niet.

Kom, er nu maar niet meer aan denken en schrijven.

 Maar telkens dwaalden zijn gedachten weer af, en telkens vergiste
hij zich, en toen de sommen eindelijk klaar waren zagen ze er slordig
en knoeierig uit. — 't Kon Eduard niets schelen en ongeduldig
schoof hij alles op zij. — Toen zette hij zijn ellebogen op tafel, liet zijn
hoofd in zijn handen leunen en keek naar buiten.

Dat was nu bijna voor 't laatst dat hij al die tuinen en daken zoo
zag. — Morgenochtend misschien nog even, en dan in vier maanden
niet meer. — En [a64] vannacht zouden Vader en hij hier ook voor 't
laatst samen slapen en morgen — dan was Vader al heel ver weg en
zou 's nachts in Bazel ergens in een vreemd hotel slapen, en hij zelf
zou bij Tante Lina zijn, ook in een vreemd kamertje en in een vreemd
bed. — Niets geen gezellig huis was dat van Tante Lina, met al die
groote kamers, 't was hier thuis toch veel prettiger en gezelliger. Wat
zou 't gek leeg zijn, als hier nu morgenavond niemand meer in de
kamer kwam, en beneden ook, in de huiskamer, en in Vaders kamer,
wat zou 't overal akelig leeg en donker en koud zijn. — Hoe lang zou
Vader er nu nog zijn, 't was nu bijna drie uur, en morgenochtend om
kwart voor negen ging Vader weg, dat was dus nog twaalf, en nog
zes, nog achttien uur, bijna. En nu zat die mijnheer van der Zande,
die Vader nog vier heele maanden zien kon, en die 't bovendien niks
schelen kon of hij vader zag of niet, aldoor maar gezellig beneden te
praten, en hij zelf moest hier alleen boven zitten. — Hoe lang zou
dat nu nog duren?

En uit medelijden met zichzelf kwamen de tranen hem in de oogen;

maar hij veegde ze haastig weg, en keek toen weer stil naar buiten.

En zoo zat hij nog toen Vader om drie uur naar boven kwam om
hem te roepen. — Zachtjes trok Vader het hoofd van zijn jongen
achterover en keek hem aan, en weer voelde Eduard zijn oogen
vochtig worden.

"Ik vind 't zoo naar dat u boos werdt!" fluisterde [a65] hij, "maar 't
kwam allemaal door mijnheer van der Zande, als die niet gekomen
was ..."

"Nee vent, dat weet je wel beter, ik had je genoeg gewaarschuwd,

je hadt niets meer te doen beneden, en als ik je dan drie, vier keer
zeg naar boven te gaan moet je het ook doen; en ik wil nu wel
gelooven dat je het niet prettig vondt dat mijnheer van der Zande er
was, maar daarom mag je toch niet onbeleefd zijn, en dat propjes
schieten kwam heelemaal niet te pas; zul je dat nu voortaan
onthouden?"

Eduard knikte. "Maar nu bent u toch niet boos meer, is 't wel
Vader?"

"Nee, ik ben nu niet meer boos. Ga nu maar gauw je jas

aantrekken, dan gaan we mijnheer van der Zande naar den trein
brengen."

Eduard trok zijn ijsmuts over de ooren toen ze buiten kwamen. 't
Was koud, vriezend weer. — "Hoe is 't mogelijk, we gingen al haast
naar de lente toe, en nu weer zoo'n kou, we krijgen bepaald nog ijs!"
hoorde hij mijnheer van der Zande zeggen. Toen holde Eduard
vooruit naar 't bosch. Een helder winterzonnetje deed de witte
sneeuwplekken, die hier in 't bosch na de laatste sneeuwbui nog niet
waren weggedooid, glinsteren. — Eduards verdriet van straks was
vergeten, en voor een half uurtje dacht hij er niet aan dat het Vaders
laatste dag was, en dat het de eerstvolgende keer, dat hij hier weer
met Vader zou wandelen, midden in den zomer zou zijn.

[a66] Telkens holde hij een zijweg in, om dan opeens weer uit een
klein laantje te voorschijn te schieten en een pas of tien rustig naast
de beide heeren verder te wandelen, die druk in gesprek hun weg
vervolgden; dan rende hij weer vooruit om even verder over een
bank te springen.

"Wel Kerner, die jongen van jou lijkt wel onvermoeid!" zei mijnheer
van der Zande eindelijk. "Wat een levenslust!" en tegen Eduard, die
weer hijgend aan kwam loopen: "Word je niet moe, baas?"

"Nee mijnheer, heelemaal niet!" lachte Eduard, "maar nu blijf ik toch

eens een beetje hier!" En hij stak zijn hand door Vaders arm.

[a67]

IV.
 "Meneer, alles is klaar, zal ik nu maar heengaan? En dan breng ik
meteen het restje van Edu z'n goed naar mevrouw Verhey."

Vader liet zijn koffertje, waar nog een paar vergeten dingen
ingeperst werden, in den steek.

"Is alles klaar, Rika? En achter alles gesloten ook? Mooi, dan zal ik
zoo meteen nog wel even gaan zien. — Ja, dan zou ik nu maar
weggaan," en op een pak in de gang wijzend: "is dat alles wat nog
voor Eduard weggebracht moet worden?"

"Ja meneer, het andere is gisterenavond gegaan."

"Mooi, mooi. — Nou Rika, 't ga je goed hoor, tot over vier
maanden!"

"Ja meneer. Dag meneer, goeie reis!"

"Dank je. Dag Rika!"

Eduard ging mee om Rika uit te laten. "'k Zal vast aan je Tante
vertellen wat voor een lastpost ze in haar huis krijgt," beloofde ze.

"Dat zeg je nou wel, maar dat doe je toch niet!" lachte Eduard, "je
durft het niet eens! Dag ouwe [a70] Rika!" En toen ze de deur al uit
was nog eens "Dag ouwe Rika!"

Toen liep hij weer naar de huiskamer terug en bleef stil staan kijken
terwijl Vader de riemen van het koffertje dicht gespte. 't Was 't laatste
stuk van Vaders bagage; de groote koffer was de vorige week al
weggegaan, en twee kleinere stonden nog in de gang om straks
boven op de vigelante getild te worden. 't Handkoffertje zou Vader bij
zich houden.

"Afgeloopen," zei Vader, toen de riemen vast waren, en hij keek

Eduard aan. — "En nu gaan we weer verder," en hij nam 't koffertje
op om het in de gang bij de andere te zetten.
 En toen begon een tocht door het huis; 't was een van de akeligste
tochten, die Eduard ooit gemaakt had. — Aldoor zwijgend liep hij
met Vader mee, bezochten ze alle kamers om de beurt, en terwijl
Vader keek of de ramen goed dicht waren, en de kasten sloot, moest
Eduard steeds maar denken aan dat vreeselijke oogenblik, dat nu al
zoo vlak bij was, het oogenblik, dat Vader weg zou rijden, dat hij
Vader niet meer zien zou, voor vier lange maanden, voor een
vreeselijk langen tijd, waaraan bijna geen eind zou komen.

Vaders eigen kamer was het laatst aan de beurt, en daar borg
Vader de sleutels weg. — "Ga je aankleeden, Pepi," zei hij, "je moet
naar school toe, het rijtuig zal mij wel dadelijk komen halen." En toen
hij merkte dat Eduard maar heel stil dicht bij [a71] hem bleef staan
en hem aldoor strak aanzag, keek hij zijn jongen diep in de oogen en
zei zacht: "zul je voorzichtig zijn, Pepi? Zul je maken dat ik over vier
maanden een gezonden, vroolijken jongen terugvind?"

Eduard knikte, maar zonder iets te zeggen. — En aldoor bleef hij

Vader maar aankijken.

Toen klonk in de verte het geluid van wielen; dichter en dichter bij
kwam het. Eduard ging naar het raam; "het rijtuig," zei hij. —

Voor de deur hield het stil. —

Toen werd er gebeld, Vader liep de gang in en zette zijn hoed op,
en opende toen de voordeur om den koetsier aanwijzingen te geven
voor het opladen van de koffers. Toen trok Vader zijn jas aan, nam
die van Eduard van den kapstok, en kwam weer binnen.

Eduard stond nog voor het raam, en Vader ging naar hem toe en
heesch hem in zijn jas. — En toen .... "Vader, Vader!" snikte Eduard,
en hij klemde zijn armen om Vaders hals.

"Mijn kleine Eddy!" Even liet Vader zijn jongen nog tegen zich
aanleunen en klopte hij hem zacht op den rug. Toen maakte hij zich
los, en Eduards hoofd tusschen zijn handen nemende kuste hij hem
voor 't laatst.