Professional Documents
Culture Documents
B. KEKERASAN LAPISAN TIPIS Biasanya diukur dengan cara Mikrohardness tester dengan intender vickers (VHN) = Vickers Hardness Number. Kekerasan lapisan tipis ini tergantung dari substratnya. Kekerasan inilah yang penting dalam pelapisan tools, karena makin keras suatu bahan makin baik dapat dipakai untuk memotong dan mengebor dan makin besar pula daya tahannya, artinya tidak mudah aus.
C. DAYA LEKAT LAPISAN TIPIS Suatu lapisan tipis dapat saja mempunyai kekerasan yang besar mendekati kekerasan intan, namun jika daya lekatnya kecil, ke ausannya menjadi besar pula, sehingga tidak dapat dipakai untuk tools. Daya lekat Thin Film tergantung pada bahan substrat yang dilapisi. TiN misalnya mempunyai daya lekat yang sangat besar pada HSS, sehingga cocok sebagai Wear resistant coating D. KETAHANAN TERHADAP KOROSI E. SIFAT LISTRIK DAN MAGNET F. KELELAHAN : Perubahan berulang kali baik secara mekanis maupun suhu sering menyebabkan kelelahan pada benda. Dalam hal lapisan tipis ketebalan dapat terlihat dengan adanya keretakan keretakan mikro.
G. SIFAT OPTIS :
H. KEKERASAN PERMUKAAN : yang berperan agar benda yang dibor misalnya dengan mata bor yang dilapisi tidak terdeformasi dan tidak menjadi terlalu panas. Dengan demikian kecepatan putar bor dapat dipertinggi dan pengerjaan pengeboran / pembubukan dapat diperbesar sampai 3 kali lipat tanpa mengganggu hasil pengeboran. KEADAAN VAKUM 1. Vakum rendah : 1000 1 mbar 2. Vakum sedang : 1 10-3 mbar 3. Vakum tinggi : 10-3 10-7mbar 4. Vakum sangat tinggi : < 10-7
: 700 25 Torr : 25 10-3 Torr : 10-3 10-6 Torr : Below 10-9 Torr
1 atm = 1,013 x 105 N/m2 = Pa 1 atm = 1,013 bar 1 torr = 1 mmHg = 1 / 760 atm
II. SUMBER SUMBER RESISTIVITAS PADA KONDUKTOR METAL
A. Temperatur Teori elektronik quantum modern konduksi listrik pada metal disebabkan oleh elektron elektron, sementara resistivitas listrik dihasilkan oleh hamburan elektron elektron tersebut oleh kisi.
Resistivitas : adalah derajat ketidaksempurnaan kisi metal tetapi bagaimana pun tak ada kisi yang sempurna, elektron selalu mengalami hamburan pada saat melewati zat padat. Kisi yang tidak mempunyai cacat struktur dan tidak mempunyai atom asing pun, tidak dapat teratur sempurna diam, tetapi akan mengalami vibrasi sekitar posisi rata ratanya. Hal ini tepat bila digunakan TEMPERATUR DEBYE dalam menerangkan interaksi antara elektron elektron dan mode vibrasi yang bermacam macam dari kisi (phonon). Temperatur Debye D didefenisikan D = h max./k Pada temperatur rendah (T<<D) resistivitas bervariasi dengan Tn (n mendekati 5) dan pada temperatur tinggi (T>>D), resistivitasnya bervariasi secara linier terhadap T. Untuk sebagian besar metal temperatur debye berharga mendekati atau di bawah temperatur kamar, maka dari itu variasi temperatur terhadap resistansi di atas 250C mendekati linier.
Hal ini membuat mungkin untuk mendefenisikan temperatur koefisien resisitansi (TCR),
1 R R T
R = Resistansi () B. CACAT TITIK (POINT DEFECT) Atom impuritas yang menyelusup masuk dalam metal umumnya akan membawa muatan listrik efektif yang berbeda dengan logam induknya. Hal ini akan membuatnya berkelakuan sebagai sumber dari hamburan elektron, resistivitas bertambah dengan naiknya konsentrasi impuritas dan mencapai maksimal pada komposisi. Alloy mendekati 50% impuritas sistem perak emas . LIHAT GAMBAR DIBAWAH.
Resistivity
Komposisi (%)
Kontribusi resistivitas disebabkan kekosongan dan penyisipan (intertisial). 1. Material bulk pada suhu mutlak T mempunyai ketidaksempurnaan dalam orde e -w/kT dimana w adalah energi aktivasi untuk pembentukan ketidaksempurnaan. 2. Pada thin film pada ketebalan yang cukup besar dibentuk pada kondisi vakum yang baik dan bersih menjukkan resistivitas > beberapa % dari bulknya 3. Phase insulating dapat hadir/timbul bila impuritas yang cukup besar dan terkonsentrasi pada batas butir.
Hukum ini menyatakan bawa resistivitas sampel akan merupakan penjumlahan dari masing masing kontribusi yang dibuat oleh semua sumber sumber resistivitas, resistivitas residual adalah jumlah resistivitas diluar pengaruh temperatur, yang ditulis,
T temp residual
T Temp Po str
Thin Film
Substrat
Dimana ke empat probe dapat digerakkan naik-turun untuk mengenai permukaan thin film, Gerak naik untuk melepaskan sentuhan dari thin film. Susunan FPP yang digunakan terdiri dari 4 metal Tungsten yang sama jaraknya antar ujungnya dengan radius terbatas. Ujungnya berbentuk bulat. Dalam pengukuran resistansi thin Film dengan metode FPP dapat digunakan untuk menentukan Specific resistivity dari bahan thin Film.
Rs = Resistansi Sheet
Dimana V dan I di dapat di pengukuran sehingga resistivity dapat dihitung dengan persamaan
= Rs . d d = Ketebalan Rs = Resistansi
2. Two Point Probe (TPP) juga dapat dilakukan untuk pengukuran Resistansi thin Film, dalam pengukuran ini di lakukan dua kali dengan 2 alat : alat ukur tegangan (Voltmeter) dan alat ukur arus (Amperemeter) secara terpisah namun hasil Resistansi sama dengan pengukuran resistansi dengan alat FPP.
I
V
Thin Film
Substrat
Dalam perhitungan resistansi thin Film dengan metode ini dapat digunakan untuk menghitung specific resistivity dari bahan thin Film.
L t Thin Film
3. Metode Van der Pauw Metode Van der Pauw dapat digunakan untuk menentukan specific resistivity thin film.
a Thin Film d
Iab
Vcd b
Substrat
Dimana 4 kontak yaitu A, B, C, D yang diletakkan pada permukaan sampel. Pengukuran dilakukan dengan memberikan arus pada titik A, B dan mengukur tegangan pada titik C, D KEMUDIAN Arus diberikan pada titik B, C dan tegangan di ukur pada titik A, D (lihat gambar)
specific
resistivity
dengan