Segunda mesa

Profesor Guía: Carlos Reusser Franck

Profesor co-referente: Jorge Medina
EIE-630: Seminario de proyectos
Hanke.

Contacto:
Matias.parra.c@mail.pucv.cl

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 Objetivo de presentación:
• Presentar sobre las características eléctricas y térmicas de los
semiconductores y su implementación en PLECS

Objetivos específicos:
 Cuantificar las pérdidas desde distintos métodos
 Escoger el semiconductor según las condiciones de operación del sistema
 Definir el modelo térmico de los semiconductores
 Implementar una simulación del NPC en PLECS junto al modelo térmico
 Contrastar las pérdidas teóricas y simuladas

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 Introducción
• S e m ic o n d u c to r e s

• Semiconductores IGBT de 1 cuadrante y características de operación

• Adición de un diodo en antiparalelo
• Dinámicas entre semiconductores.

Fig 1. Semiconductor bidireccional en corriente. [4] Fig 2. Semiconductor de un cuadrante. [4]

Fig 3. Tiempo de recuperación inversa del diodo. [4] 3

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 P é r d i d as d e co n d u c c ió n y c o n m u ta c i ón
• Pérdidas de conmutación y conducción de los
semiconductores.
• Efecto de recuperación inversa del diodo

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𝑃 𝐶𝑂𝑁 , 𝐼𝐺𝐵𝑇 =𝐷 · ( 𝑣 𝐶𝐸 ·𝑖 𝐶𝑚𝑒𝑑 ( 𝑜𝑛) +𝑟 𝐶𝐸 · 𝐼 2𝐶 (𝑜𝑛 ) ,𝑟𝑚𝑠𝑃
) 𝑆𝑊 , 𝐼𝐺𝐵𝑇 (𝑜𝑛 +𝑜𝑓𝑓 )= · 𝑓 𝑠 · ( 𝐸 𝑜𝑛 ( 𝑖 ) + 𝐸 𝑜
𝜋
𝑃 𝐶𝑂𝑁 , 𝐷 = 𝐷 · ( 𝑣 𝐹 ·𝑖 𝑓𝑚𝑒𝑑 +𝑟 𝐷 · 𝑖2𝐹 , 𝑟𝑚𝑠 ) 1
𝑃 𝑆𝑊 , 𝐷= · 𝑓 𝑠 · ( 𝐸𝑟𝑟 ( 𝑖 ) )
𝜋

Fig 4. Corriente de colector v/s Voltaje colector-emisor [3]. Fig 5. Energía de encendido y apagado. [3]

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 Pérdidas de conducción y conmutación
• Eficiencia v/s frecuencia de conmutación.
• Otras manera de obtener las pérdidas de conmutación y conducción

𝑃 𝑐𝑜𝑛𝑑
𝑠𝑠 = 𝑃 𝑐𝑜𝑛𝑑 +𝑊𝑓 𝑡𝑜𝑡 · 𝑓 =
𝑐𝑟𝑖 𝑠 𝑊 𝑡𝑜𝑡

Fig 6. Eficiencia v/s frecuencia de conmutación [4]

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 Elección del semiconductor
Tabla 2. Datos del Datasheet

• Tensión del enlace DC 600 V. Parámetros Valor

Tensión de bloqueo [V] 650
• Corriente nominal de 300 Amperes. Corriente de colector nominal 300
• Modelo de Infineon F3L300R07PE4P Tensión de saturación colector-
1.5
emisor
Tensión del diodo a la corriente
1.5
nominal
Energía de encendido 1.3
Energía de apagado 13
Energía de recuperación
3.25
inversa
Tiempo de encendido 0.09
Tiempo de apagado 0.49

Resistencia colector emisor

Resistencia de encendido del
1.7
diodo

Fig 7. Infineon F3L300R07PE4P [3]

Tabla 1. Parámetros del motor seleccionado

Parámetros Valor
Potencia nominal 15
Frecuencia de operación 50
Velocidad nominal 1460
Número de polos 4
Corriente nominal 30
Factor de potencia 0.86 6
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Estimación de pérdidas mediante PLECS
Co n d ic io n e s de o p e r a c ió n
• Vdc de 600 V
•
Ca rg a t r if ás i c a R- L
Corriente de carga de 100 Amperes
• Resistor de
• Frecuencia de conmutación 5 kHz
• Inductor de 5 mH
• Modulación LS-PWM
• Heat Sink
• Temperatura ambiente de 25°C

Fig 8. Inversor NPC trifásico

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Estimación de pérdidas mediante PLECS
Re s u lta do s o b te n id o s
• Pérdidas en 5 semiconductores

Tabla 3. Pérdidas de los IGBTs en un NPC 3L

Valor simulado Valor teórico
Parámetros
IGBT IGBT IGBT IGBT
28.4647 48.0996 28.1324 51.0198
12.1632 2.7932 11.3795 2.2759
40.6279 50.8927 39.5119 53.2957

Tabla 4. Pérdidas de los diodos en un NPC 3L

Valor simulado Valor teórico

Parámetros
Diodo Diodo Diodo Diodo Diodo Diodo
2.3822 2.3840 21.4448 2.1811 1.9993 19.7934
0.9296 0 3.6517 0.9051 0 3.3621
3.3118 2.3840 25.0965 3.0862 1.9993 23.1555

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Estimación de pérdidas mediante PLECS

• Gráfica de las pérdidas de conducción y conmutación

• Pérdidas de encendido y apagado.

Fig 9. a) Conductividad del IGBT Sa1 b) Pérdidas de conducción c) Pérdidas de conmutación

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Estimación de pérdidas mediante PLECS
Va r i a ci ó n d e la s pé r d id a s
• En función de la frecuencia de conmutación, índice de modulación y eficiencia
• Pérdidas asimétricas

Fig 10. Pérdidas totales [W] v/s Frecuencia de conmutación [kHz] Fig 11. Pérdidas totales [W] v/s Índice de modulación

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Fig 12. Eficiencia del circuito % v/s frecuencia de conmutación [kHz]
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Estimación de temperaturas
Cir cu ito t é r m i c o.
• Ensamblaje del semiconductor
• Resistencias térmicas de 0.25 K/W para el Tabla 5. Temperatura de los semiconductores

IGBT y 0.369 K/W para el diodo Semiconductor

IGBT
Temperatura °C
58.6320
IGBT 60.8154
Diodo 28.3213
Diodo 27.9464
Clamping diode 43.2520

Fig 13. Esquema del ensamblaje de un semiconductor. [7]

Fig 14. Comportamiento térmico de los semiconductores.
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Conclusiones y proyecciones futuras

• Modelamiento de un motor de inducción en PLECS en lazo

abierto (sin control)
• Estimación de pérdidas para distintas cargas y operaciones
• Implementación de los distintos esquemas de control

Fig 15. Motor de inducción alimentado por un NPC [1]

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Bibliografía
[1] B. Wu, HIGH-POWER CONVERTERS, New Jersey: John Wiley &
Sons, Inc., 2006.
[2] S.-K. Sul, Control of Electrical Machine Drive Systems, New Jersey:
John Wiley & Sons, Inc, 2011.
[3] Infineon, Infineon IGBT/ Diode module data sheets. Online.
Available: www.infineon.com.
[4] R. Erickson, Fundamental Of Power Electronics, New York: Kluwer
Academic Publisher, 2001.
[5] O. A. Alatise, D. Hamilton y N.-A. Parker-Allotey Member, IEEE,
Conduction and Switching Loss Comparison Between an IGBT/Si-
PiN Diode Pair and an IGBT/SiC-Schottky Diode Pair.
[6] D.-C. Lee, Power Loss Comparison in Two- and Three-Level PWM
Converters, Shilla Jeju, 2011.
J. Arta-Sevil, • Análisis de pérdidas de potencia en un inversor
[7]
trifásico 3L-NPC. Comparación con diferentes técnicas de
modulación PWM., Zaragoza, 2018. 13
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