ELEKTRONIKI SKLOPOVI

pitanja i odgovori za 2. kontrolnu zadau prof. predmeta Mario Lamei; odgovorili Ivan Marinkovi i Adrian Bijeli 1. to je bipolarni tranzistor, kakve razlikujemo i shematski prikaz? - aktivna troslojna poluvodika nelinearna komponenta u kojoj su dva sloja istog tipa poluvodia odvojena slojem suprotnog tipa - razlikujemo NPN tranzistor i PNP tranzistor

2. Nacrtaj i objasni spoj zajednike baze.

IE

IC

+
ulaz U EB B IB

+
UC B izlaz

- istosmjerni faktor struje pojaanja - obino ima vrijednost 0,98 0,995 3. Nacrtaj i objasni spoj zajednikog emitera.
IC

+
C IB B E u la z UB E IE UC E izlaz

- tipine vrijednosti faktora su od 50 do 400 - istosmjerni faktor struje pojaanja

4. Nacrtaj i objasni spoj zajednikog kolektora.

IE

+
IB E B C u la z UB C IC UE C izlaz

5. Objasni podruje rada bipolarnih tranzistora. 1. NORMALNO-AKTIVNO PODRUJE (NAP) - emiterski PN spoj je propusno polariziran, a kolektorski PN spoj je zaporno polariziran - tranzistor vodi struju u tom se podruju koristi kad radi kao pojaalo 2. INVERZNO AKTIVNO PODRUJE (IAP) - emiterski PN spoj je zaporno polariziran, a kolektorski PN spoj je propusno polariziran - tranzistor u tom podruju moe raditi kao pojaalo, ali ima manje pojaanje nego u NAP 3. PODRUJE ZASIENJA - oba PN spoja su propusno polarizirana, tranzistor vodi struju 4. PODRUJE ZAPIRANJA - oba PN spoja su zaporno polarizirana i tranzistor ne vodi struju 6. Ulazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera. - ulazna kka tranzistora daje ovisnost ulazne struje baze po ulaznom naponu baza emitera Uk stalnu vrijednost izlaznog napona kolektora emitera

7. Raunanje statikog i dinamikog ulaznog otpora iz ulaznih karakteristika. to je ulazni dinamiki otpor? - dinamini ulazni otpor rBE odreuje se iz ulaznih karakteristika kao omjer ulaznog napona i odgovarajue promjene ulazne struje baze IB uz stalan izlazni napon UCE

8. Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera. Nacrtaj za NPN tranzistor. - izlazne karakteristike tranzistora daju ovisnost izlazne struje kolektora o izlaznom naponu kolektor-emiter uz stalnu vrijednost ulazne struje baze

9. Izlazne karakteristike tranzistora u spoju zajednikog emitera za PNP tranzistor. to je izlazni dinamiki otpor?

10. to je dinamiki faktor strujnog pojaanja, a to strmina? (i formule) dinamiki faktor strujnog pojaanja

strmina [ ]

11. to je unipolarni tranzistor i kakav moe biti? (tipovi) - naponom upravljivi tranzistor, aktivna poluvodika komponenta obino s tri prikljuka TIPOVI: - spojni tranzistor s uinkom polja (JFET) - grade se kao N-kanalni i P-kanalni - s uinkom polja i izoliran upravljakom elektrodom (IGFET) - ako je izolator silicijev dioksid koristi se naziv MOSFET - grade se kao N-kanalni i P-kanalni osiromaenog ili obogaenog tipa 12. Kakav je N kanalni JFET? Koji su vei nosioci naboja?

13. Kakav je P kanalni JFET? Koji su vei nosioci naboja? (simbol, struktura)

14. Spoj zajednikog uvoda za N kanalni JFET.

15. Spoj zajednikog uvoda za P kanalni JFET.

16. Izlazne karakteristike N-kanalnog JFET-a.

17. Izlazne karakteristike P-kanalnog JFET-a.

18. to je MOSFET? Kakav moe biti? - kod tranzistora s uinkom polja i izoliranom upravljakom elektrodom (MOSFET), irinom kanala upravlja napon upravljake elektrode koja je od kanala odvedena izolatorom - gradi se kao N-kanalni i P-kanalni, a ovisno o nainu izvedbe i djelovanju kanala razlikuje se osiromaeni i obogaeni MOSFET 19. Struktura N kanalnog MOSFET-a.

20. Struktura P kanalnog MOSFET-a.

21. Koja je razlika izmeu obogaenog i osiromaenog tipa? - razlikuju se dva tipa: obogaeni (enhancement) i osiromaeni (depeletion) - u obogaenom tipu MOSFET-a vodljivi kanal izmeu izvora i odvoda nastaje tek primjenom napona na vratima G. primjerice, kod N-kanalnog obogaenog tipa MOSFET-a vodljivi kanal izmeu jako dopiranih N-podruja izvora S i odvoda D nastaje tek kad dostatno pozitivni napon na vratima VGS influencijskim djelovanjem potisne veinskim nositeljima ("obogaivanje kanala") - napon VGS = VT pri kojem se formira kanal naziva se okidni (engl. threshold) - u osiromaenom tipu MOSFET-a postoji vodljivi kanal izmeu izvora i odvoda i pri nultom naponu na vratima (VGS=0), a okidni je napon negativan - u oba sluaja promjenom napona na vratima kapacitivnim (influencijskim) djelovanjem utjee se na vodljivost kanala, a time i na iznos struje izmeu odvoda i izvora