UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE

Prishtin, 28/09/2012

ZGJIDHJET E PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA, gr A

Msimdhnsit:
Prof.Dr. Myzafere Limani
Dr.sc. Qamil Kabashi, ass

kohzgjatja e provimit:
100 min

1. Nj pllak gjysmpruese prej Silici t pastr ka gjatsi 4 mm dhe prerje trthore drejtkndshe me dimensione 50 X 80 m.
Pllaka gjendet n temperaturn 300 K. Llogaritni intensitetin e fushs elektrike n pllak si dhe intensitetin e rryms npr pllak nse
tensioni i kyur sht 2300 V. sht e njohur ( Si ) = 2.30 10 cm
5

[10 p]
Zgjidhje
Intensiteti i fushs elektrike n pllak sht: E =

J = E,

Nga Ligji i Omit n form lokale

I
= E I = ES
S

1
V
5.75 105 50 106 m 80 106 m = 106 A = 1 A
2

2.3 10 10 m
m
Pra, intensiteti i rryms npr pllak sht 1 A
I=

U
2300
V
V
V
=
= 575 103 = 5.75 105 = 5.75 103
3
L 4 10
m
m
cm

ES =

Rezultati i fituar n ket shembull tregon q nj tension jashtzakonisht i madh sht i nevojshm pr t prodhuar nj rrym shum t
vogl (1 A). Prandaj, gjysmpruesit e pastr (intrisik) nuk jan t prshtatshm pr komponent elektronike dhe pr ket arsye
prdorn gjysmprquesit e papastr t tipit n respektivisht n.
2. Pr rregullatorin e tensionit t paraqitur n figur jan t njohur t gjith parametrat e qarkut. Llogaritni rrymat n t gjitha degt e
qarkut si dhe fuqin n zener diod PZ.
[12 p]

Zgjidhje
Dioda zener do t kyet vetm nse rezistenca e ngarkess R2

RSVZ
55
=
= 2.5 k
Vi VZ 15 5

N rastin konkret R2 = 1 k, prandaj dioda zener nuk do t kyet (figura e mposhtme)

I 2 = I1 =

15
= 2.5 mA
5 +1

I z = 0, Pz = U AB I z = 0 W

3. Te paraqitet forma e sakt valore e tensionit n ngarkesn RL. Te gjendet vlera mesatare tensionit n ngarkesn RL . Dioda t
konsiderohet reale me tension pragu 0.7 V.
[8+13p]

Zgjidhje
Tensioni n hyrje t qarkut mund t shkruhet

vi = 5 sin [V ]

I - Dioda pron kur vi 0.7 V , ather tensioni n ngarkes sht

II- Kur vi < 0.7 V dioda nuk pron dhe npr RL rrjedh rryma

vo = 0.7 V
vi
v
= i = 2.5 sin [ A] , prandaj tensioni n
i=
R1 + RL 2

ngarkes sht vo = RL i = 1 2.5sin = 2.5 sin [V ]

Kndi

1 gjendet si rezultat i prerjes s vo = 2.5 sin [V ]

me 0.7 [V], pra

0.7
= 16.26o , prandaj
2.5
o
1 = 16.26 = 0.28 rad

2.5 sin = 0.7 1 = arcsin

2 = 0.28 = 2.85 rad

Vlera mesatare e tensionit n ngarkes gjendet nga formula e mposhtme:

U mes =

2 2.5 sin d + 0.7( 2 1 ) +

2

2.5 sin d

4. Pr qarkun n figur (boot-strapped follower), sht e njohur =100. Gjeni:

a) Potencialin n Baz dhe Emiter n kushte stacionare

[8 p]

b) Amplifikimin e tensionit n frekuenca t ulta kur C1 sht i kyur Au1 = u0 / vsig

[10p]

c) Amplifikimin e tensionit n frekuenca t ulta kur C1 sht i shkyur Au 2 = u0 / vsig

[8 p]

d) Raportin Au1/Au2

[4 p]

'

Zgjidhje
a) Skema ekuivalente n regjimin DC sht si m posht:
Pas ekuivalentimit U BB =

20 9
20 20
= 4.5V dhe RB =
+ 10 = 20k
40
40
4.5 0.7
= 1.73mA
IE =
10 + 10
2+
101

Potenciali i Bazs, respektivisht Emiterit sht:

VB = VBE + RE I E = 0.7 + 2 1.73 = 4.16 V

VE = RE I E = 2 1.73 = 3.46 V

b) Kur kondensatori C1 sht i kyur, skema AC n frekuenca t ulta sht si m posht

Le t shnojm

RE =

10 2
= 1.66 k , ndrsa vlera e r 1.517k
12

uo = RE ( iB + iB +

r
r
iB ) = RE ( + 1 + ) iB
10
10

r
iB ) u0 = 0
10
r
r
R r
= [10 (1 + ) + RE ( + 1 + )] iB = (10 + r + r + RE + E )iB
10
10
10
r
RE ( + 1 + )
uo
10
Au1 =
=
= 0.93
usig (10 + r + R ( + 1 + r )

E
10

usig 10 (iB +
usig

b) Kur kondensatori C1 sht i shkyur, skema AC n frekuenca t ulta sht si m posht

uo' = 2( + 1)iB = 202 iB

u + uo
r + 202
) u BE uo = 0 usig = [10(1 +
usig 10(iB + BE
) + r + 202] iB ,
20
20
u'
202
= 0.64
Au 2 = o =
+
r
202
usig 10(1 +
) + r + 202
20
Au1 0.93
d) Raporti
=
= 1.45
Au 2 0.64

5. Pr prforcuesin me MOSFET n-kanalsh jan t njohura parametrat e tij: k n (W / L ) = 2.25 mA / V

'

VTN = 0.5 V dhe

=0 si dhe elementet e qarkut: U DD = 18V , Rg = 500 , R1 = 3.3M , R2 = 1.1M , RD = 2k dhe RT = 3.3k . Gjeni:
a)

Vlern e rezistencs Rs ashtu q rryma n pikn e puns npr Drejn sht IDQ = 2.915 mA

b) Prforcimin e tensionit Au = uo / ui
c)

Prforcimin e tensionit

Avg = uo / ug

Zgjidhje

I DQ =

2 I DQ
1 'W
= 0.5 1.61
( kn )(U GSQ U TN ) 2 U GSQ = U TN
2
L
' W
kn
L

Pwr MOSFET-in me kanal-n vlen UGSQ > UTN, ather UGSQ = 2.11 V

U GG =

R2
R R
U DD = 4.5V , RG = 1 2 = 825 k
R1 + R2
R1 + R2

Pasi rryma e Gejtit wshtw zero (IG = 0), ekuacioni pwr qarkun
hyrs wshtw: U GG RG I G U GSQ + RS I DQ = 0 , prej nga

RS =

U GG U GSQ
I DQ

4.5 2.11
= 820
2.915 103

b) Q t caktojm prforcimin e tensionit, duhet te llogarisim gm

W
g m = kn'
L

uo =

c)

2 I DQ

3
= 3.62 mA / V
(U GSQ U TN )(1 + U DSQ ) = 2.25 10 (2.11 0.5) =
U GSQ VTN

RD R
u
R R
g mu gs , ui = u gs , Au = o = D T g m = 4.5
RD + RT
ui
RD + RT
u u
RG
825
Aug = o i = Au
= 4,5
= 4, 49
ui u g
Rg + RG
0.5 + 825

[10 p]
[9 p]
[8p]