UNIVERSITETI I PRISHTINS

FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE

ZGJIDHJET E DETYRAVE T PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA, Janari 2012 gr. A

1. Pr qarkun kufizues dioda t konsiderohet reale me tension pragu 0.7[V]
a) paraqitni formn e sakt valore t tensionit n dalje Vo(t), nse n hyrje vepron tensioni si n fig.
`
[12p]
b) llogaritni vlern mesatare t tensionit n dalje
[18p]

Zgjidhja:
Dioda
pron
nse
vi 3 + 0.7 < 0 vi < 2.3V ,
me
ket
rast
tensioni
sht v o = vi 2.3 = 10 sin wt 2.3
Dioda nuk do t pron vetm kur vi > 2.3V , n ket rast tensioni n dalje sht vo = 0 V .
Kjo sht paraqitur grafikisht si n Fig. 1

Kndi 1 gjendet si pikprerje ndrmjet vi = 10 sin wt dhe 2.3, pra nga Fig. 1 vrejm q:
2.3
1 = 180 0 arcsin
= 180 0 13.29 0 = 166.7 0 , ndrsa 2 = 360 0 + 13.29 0 = 373.29 0
10
Prandaj s fundmi, vlera mesatare e tensionit n dalje gjendet nga shprehja matematikore:

ne

dalje

U mes

syprina e siperfaqs nn lakore vo

=
=
perioda

(10 sin wt 2.3)d (wt )

2. Silici sht pasuruar fillimisht me 1.5x1014 atome pes - valente n cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) si
dhe koncentrimin e atomeve t papastrtis s dyt ashtu q n T=300K prueshmria e silicit t jet pr 35%
m e madhe se pas pasurimit t par. sht e njohur: n (300K) = 1400 cm2/Vs, p(300K) = 460 cm2/Vs,
ni=1,381010 cm-3).
[20p]
Zgjidhje:
Gjysmpruesi i Si pas pasurimit t par sht i tipit donor, pra
1 = e N D 1 p , ku ND1 = 1.5 x 1014cm-3
Tipi i dyt i papastrtis duhet t jet i llojit t njjt me papastrtin e par pasi q prueshmria e Si rritet pr
35 % , pra
2 = 1 + 35% 1 = 1.35 1
Pas pasurimit t dyt koncentrimi i prgjithshm(total) sht:

N tot = N D1 + N D 2
e N tot n = 1.35 e N D1 n N tot = 1.35 N D1
N D1 + N D 2 = 1.35 N D1 , prandaj koncentrimi i papastrtis s dyt do t jet: N D 2 = 0.35 N D1
N D 2 0.35 1.5 1014 cm 3 = 0.525 1014 cm 3
3. N qarkun prforcues me MOSFET sht e njohur VTN = 1 V dhe kn' W / L = 2mA / V 2 .
a) Gjeni VGS, ID dhe VD
b) Gjeni gm dhe ro nse VA = 100 V.

Zgjidhje:
a) Skema DC e qarkut t msiprm sht:

[15p]
[3p]

R R
R2
5
U DD =
15 = 5V , RG = 1 2 = 3.33 M
R1 + R2
5 + 10
R1 + R2
Aplikojm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr qarkun e Gejtit
U GG =

Meq I G = 0

5 U GS 3 I D = 0 I D =

Pasi n kondita t ngopjes vlen I D =

5 U GS
3

1 'W
k n (U GS VTN ) 2 , ather
2
L

5 U GS 1
2
2
= 2 (U GS VTN ) 2 5 U GS = 3 (U GS
2 U GS VTN + VTN2 ) 5 U GS = 3U GS
6U GS + 3
3
2
2
3U GS
5U GS 2 = 0 , pas zgjidhjes s ekuacionit t fundit kuadratik fitojm: U GS1 = 2V dhe U GS 2 = 1 / 3 V
Pranohet vetm zgjidhja e par, sepse sht supozuar se transistori punon n ngopje. Zgjidhja e dyt nuk merret
n konsiderat sepse me ket vler t tensionit Gejt-Sours transistori hyn n bllokim
Pra, U GS = 2V ,

5 U GS 5 2
=
= 1 mA
3
3
RD I D = VD

ID =
V DD

15 7.5 1 = VD
Prfudimisht:
VD = 7.5 V, ID = 1 mA, UGS = 2 V
b) g m =

ro =

2 ID
2 1
W
mA
= k n'
(U GS VTN ) =
=2
VOV
L
U GS VTN
V

V A 100
=
= 100 k
I D 10 3

4. Pr amplifikatorin me BJT:
a) Gjeni IEQ, ICQ, IBQ, UCEQ, r dhe gm
b) Paraqitni skemn zvendsuese pr analizn dinamike
c) Llogaritni rezistencn hyrse Ri
d) Llogaritni prforcimin Av dhe Avg
Jan t njohura: UCC = 20V, UEE = 10V, RC = RE = RP = 1k, RB = RG = 10k, hfe = 200.

Zgjidhje
a) N modin DC qarku duket si n vijim.

Ligji i Dyt I Kirkofit pr qarkune Bazs sht:

RB I B U BE RE ( + 1) I B + U E = 0
U E U BE
I BQ =
= 44 A
RB + RE ( + 1)
I EQ = ( + 1) I B Q = 201 44 = 8.86 mA
I CQ = I BQ = 8.815 mA
U CC RC I CQ U CEQ R E I E + U E = 0 U CEQ = 12.325 V

r =

UT
25 mV
=
= 568.18
I BQ 0.044 mA

gm =

I CQ
UT

8.815 mA
mA
= 352.6
25 mV
V

b) Skema ekuivalente pr sinjale t vogla do jet si m posht:

[10p]
[3p]
[5p]
[14p]

c) Rezistenca hyrse sht:

Ri =

u i R B II r ii
R r
=
= B = 537.6
ii
ii
RB + r

d) u o = RC II RP g m U be
u i = U be
prandaj

Au = g m

RC RP
= 176.3
RC + RP

e) Pasi vi = Ri ii mund t shkruajm:

v g ( R g + R i ) i i = 0 , v i = Ri

vg
R g + Ri

, pasi vi = U be

Shprehja e msiprme pr vo mund t shkruhet:

u o = RC II RP g m U be = u o = RC II RP g m Ri

Avg =

vg
Rg + Ri

vo
Ri
537.6
= RC II RP g m
= 176.3
= 8.99
vg
R g + Ri
10537.6

UNIVERSITETI I PRISHTINS
FAKULTETI I INXHINIERIS ELEKTRIKE DHE KOMPJUTERIKE
ZGJIDHJET E DETYRAVE T PROVIMIT ME SHKRIM NGA ELEKTRONIKA, Janari 2012 gr. B

1. Pr qarkun kufizues dioda t konsiderohet reale me tension pragu 0.7[V]

a) paraqitni formn e sakt valore t tensionit n dalje Vo(t), nse n hyrje vepron tensioni si n fig.
[12p]
b) llogaritni vlern mesatare t tensionit n dalje
[18p]

Zgjidhja:
Dioda pron nse vi + 3 0.7 > 0 vi > 2.3V , me ket rast tensioni ne
vo = vi + 2.3 = 10 sin wt + 2.3
Dioda nuk do t pron vetm kur vi < 2.3V , n ket rast tensioni n dalje sht vo = 0 V .
Kjo sht paraqitur grafikisht si n Fig. 1

Kndi 1 gjendet si pikprerje ndrmjet vi = 10 sin wt dhe 2.3, pra nga Fig. 1 vrejm q:
2.3
1 = arcsin
= 13.29 0 , ndrsa 2 = 180 0 + 13.29 0 = 193.29 0
10
Prandaj s fundmi, vlera mesatare e tensionit n dalje gjendet nga shprehja matematikore:

dalje

sht:

U mes

syprina e siperfaqs nn lakore vo

=
=
perioda

(10 sin wt + 2.3)d (wt )

2. Silici sht pasuruar fillimisht me 1.5x1014 atome tre - valente n cm3. Gjeni tipin (donor apo akceptor) si dhe
koncentrimin e atomeve t papastrtis s dyt ashtu q n T=300K prueshmria e silicit t jet pr 35% m e
vogl se pas pasurimit t par. sht e njohur: n (300K) = 1400 cm2/Vs, p(300K) = 460 cm2/Vs, ni=1,381010
cm-3).
[20p]
Zgjidhje:
Gjysmpruesi i Si pas pasurimit t par sht i tipit akceptor, pra
1 = e N A p , ku NA = 1.5 x 1014cm-3
Tipi i dyt i papastrtis duhet t jet i ndryshm me papastrtin e par pasi q prueshmria e Si zvoglohet
pr 35 % , pra
2 = 1 35% 1 = 0.65 1
Pas pasurimit t dyt koncentrimi i prgjithshm(total) sht:

N tot = N A N D
e N tot p = 0.65 e N A p N tot = 0.65 N A

N tot = 0.65 N A

N A N D = 0.65 N A , prandaj koncentrimi i papastrtis s dyt do t jet: N D = 0.35 N A

N D 0.35 1.5 1014 cm 3 = 0.525 1014 cm 3
3. Pr prforcuesin me NMOS n Fig. 3, zvendsoni transistorin me modelin ekuivalent pr sinjale t vogla, e
pastaj gjeni shprehjet pr vs/vi , vd/vi dhe vd/vs.
[18p]

Zgjidhje:
Skema ekuivalente pr frekuenca t ulta sht si m posht:

Ligji i Dyt i Kirkofit pr Konturn hyrse sht:

vi v gs Rs g m v gs = 0
vi = (1 + Rs g m ) v gs

Tensioni n dalje sht v d = R D g m v gs , ndrsa tensioni n Sours sht v s = Rs g m v gs

Prandaj,
a)

vs
R g
= s m
vi 1 + Rs g m

b)

vd
R g
= D m
vi
1 + Rs g m

c)

vd
R
= D
vs
RS

4. Pr qarkun e treguar n Fig 4. jan dhn: = 100,UBE = 0,6V, RE = 2.7k, RC = RT = 3.3k, RG = 1k, UDD =
12V, UEE = 6 V, UT = 25 mV.
a) Gjeni IEQ, ICQ, IBQ, UCEQ, r dhe gm
[10p]
b) Paraqitni skemn zvendsuese pr analizn dinamike
[3p]
[5p]
c) Llogaritni rezistencn hyrse Ri
d) Llogaritni prforcimin Av dhe Avg
[14p]

Zgjidhje:
a) N modin DC qarku duket si m posht:

Shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr

qarkun e bazs:
U BE RE I EQ + U EE = 0
U EE U BE
= 2 mA
RE
= ( + 1) I BQ

IEQ =

I EQ

I CQ

I EQ

2
= 0.0198 mA
+ 1 101
= I BQ = 1.98 mA

I BQ =

Shkruajm Ligjin e Dyt t Kirkofit pr konturn Kolektore q ta gjejm rrymn e Kolektorit.

U DD RC I CQ U CEQ R E I EQ + 6 = 0
U CEQ = 6.07 V

r =

UT
25 mV
=
= 1.262 k
I BQ 0.0198mA

gm =

I CQ
UT

= 79.2

mA
V

b) Skema ekuivalente pr sinjale t vogla do jet si m posht:

c)

ui
ii
u i = r ib
u
r
ii = i ib ib = ( + + 1) ib
RE
RE
u
r ib
1.262
Ri = i =
=
= 12.44
1.262
r
ii
+ 101
(
+ + 1) ib
2.7
RE
Ri =

u o ( RC II RT ) ib 1.65 100
=
= 130.74
=
ui
r ib
1.262
Nga skema ekuivalente pr sinjale t vogla mund t shkruajm:

d) Au =

u g R g ii Ri ii = 0
u i = Ri ii =

Ri
ug
R g + Ri

ui
Ri
12.44
12.44
=
=
=
u g R g + Ri 1000 + 12.44 1012.44
Avg =

uo uo ui
u
12.44
=

= Au i = 130.74
= 1.6
u g ui u g
ug
1012.44