KOLOKFIUMI PARË NGA ELEKTRONIKA, GR.

1. Silici është pasuruar me 10 14 atome akceptore/cm3. Gjeni tipin dhe koncentrimin e papastërtisë që duhet shtuar në
temperaturën 300 K ashtu që koncentrimi i elektroneve të jetë dy herë më i madh pas dopingut të dytë.
(7p)

2. Duke bërë analizën e qarkut të paraqitet forma valore e tensionit në dalje dhe gjeni vlerën mesatare të tij.
Dioda të konsiderohet konsiderohet relae me tension te pragut 0.6 V (10+15p)

3. Paraqitni karakteristikën hyrëse/dalëse Vo = f (Vi), R1 = 2R2 = 1kΩ, VB = 3V dhe Vγ = 0.6 V (8+12p)

4. Llogaritni rezistencën e pllakëzes së Silicit me gjatësi 10 µm dhe syprinë të sipërfaqes së prerjes tërthore 0,1 mm 2 në
temperaturën 300 K. Pllakëza është pasuruar me NA = 1015 cm-3 dhe ND = 9 x 1014 cm-3. Lëvizshmëria e bartësve është µn = 900
cm2/Vs dhe µp = 350 cm2/Vs. Është e njohur ni = 1,45 x 1010 cm-3. (13p)

5. Dioda e Ge me lidhje sipërfaqësore në temperaturën prej 225 0C, ka rrymën reverse të ngopjes Is = 30A. Llogaritni rrymën
nëpër diodë dhe rezistencën e saj dinamike kur dioda polarizohet drejtë me tension 0.2 V dhe kur polarizohet revers me të
njëjtin tension.
(10p)
 KOLOKFIUMI PARË NGA ELEKTRONIKA, GR. B

1. Silici është pasuruar me 10 14 atome akceptore/cm3. Gjeni tipin dhe koncentrimin e papastërtisë që duhet shtuar në
temperaturën 300 K ashtu që koncentrimi i elektroneve të jetë pesë herë më i vogël pas dopingut të dytë.
(7p)

2. Duke bërë analizën e qarkut të paraqitet forma valore e tensionit në dalje dhe gjeni vlerën mesatare të tij.
Dioda të konsiderohet konsiderohet relae me tension te pragut 0.6 V (10+15p)

3. Paraqitni karakteristikën hyrëse/dalëse Vo = f (Vi), R1 = 2R2 = 1kΩ, VB = 3 V dhe Vγ = 0.6 V (8+12p)

4. Llogaritni rezistencën e pllakëzes së Silicit me gjatësi 10 µm dhe syprinë të sipërfaqes së prerjes tërthore 0,1 mm 2 në
temperaturën 300 K. Pllakëza është pasuruar me NA = 1014 cm-3 dhe ND = 9 x 1015 cm-3. Lëvizshmëria e bartësve është µn = 900
cm2/Vs dhe µp = 350 cm2/Vs. Është e njohur ni = 1,45 x 1010 cm-3. (13p)

5. Dioda e Si me lidhje sipërfaqësore në temperaturën prej 125 0C, ka rrymën reverse të ngopjes Is = 50A. Llogaritni rrymën
nëpër diodë dhe rezistencën e saj dinamike kur dioda polarizohet drejtë me tension 0.5 V dhe kur polarizohet revers me të
njëjtin tension.
(10p)
KOLOKFIUMI PARË NGA ELEKTRONIKA, GR. C

1. Silici është pasuruar me 10 14 atome akceptore/cm3. Gjeni tipin dhe koncentrimin e papastërtisë që duhet shtuar në
temperaturën 300 K ashtu që koncentrimi i vrimave të jetë pesë herë më i vogël pas dopingut të dytë.
(7p)

2. Duke bërë analizën e qarkut të paraqitet forma valore e tensionit në dalje dhe gjeni vlerën mesatare të tij.
Dioda të konsiderohet konsiderohet relae me tension te pragut 0.6 V (10+15p)

3. Paraqitni karakteristikën hyrëse/dalëse Vo = f (Vi), R1 = 2R2 = 1kΩ, VB = 3 V dhe Vγ = 0.6 V (8+12p)

4. Llogaritni rezistencën e pllakëzes së Silicit me gjatësi 10 µm dhe syprinë të sipërfaqes së prerjes tërthore 0,1 mm 2 në
temperaturën 300 K. Pllakëza është pasuruar me ND = 2x1015 cm-3 dhe ND = 9 x 1014 cm-3. Lëvizshmëria e bartësve është µn = 900
cm2/Vs dhe µp = 350 cm2/Vs. Është e njohur ni = 1,45 x 1010 cm-3. (15p)

5. Dioda e Ge me lidhje sipërfaqësore në temperaturën prej 125 0C, ka rrymën reverse të ngopjes Is = 20A. Llogaritni rrymën
nëpër diodë dhe rezistencën e saj dinamike kur dioda polarizohet drejtë me tension 0.8 V dhe kur polarizohet revers me të
njëjtin tension.