Complementos de Fisica - Ledesma

Apuntes de apoyo a la asignatura
COMPLEMENTOS de FSICA
E.T.S. de Ingeniera Informtica
UNIVERSIDAD DE SEVILLA
Francisco L. Mesa Ledesma
ii
Copyright 2002 by Francisco L. Mesa Ledesma; esta informacin puede ser copiada, distribuida y/o modificada bajo ciertas condiciones, pero
viene SIN NINGUNA GARANTA; ver la Design Science License para ms
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END OF TERMS AND CONDITIONS
2
Apuntes de CF
FLML
Prefacio
La presente coleccin de notas sobre Fsica Cuntica y Fsica del Estado Slido pretende ser una ayuda al estudiante en la asignatura cuatrimestral Complementos de Fsica de la E.T.S. de Ingeniera Informtica de la
Universidad de Sevilla. Aunque estas notas han sido inspiradas por diversas fuentes (permtaseme destacar y agradecer la importante contribucin
de los profesores de la ETS de Ingeniera Informtica del Departamento de
Fsica Aplicada 1 de la Universidad de Sevilla), cualquier defecto o error slo es atribuible al autor de estos apuntes. Es importante resaltar que estas
notas no pueden ni deben sustituir a otros textos ms elaborados sobre la
materia.
El objetivo principal de la materia presentada es dotar al alumno de
algunos de los fundamentos fsicos elementales en los que se basa el funcionamiento de los dispositivos y sistemas usados en Informtica. Gran
parte de la tecnologa actual de los computadores se basa en la Electrnica. Dado que la Electrnica consiste bsicamente en el control del flujo de
los electrones en materiales conductores y semiconductores, es evidente
la necesidad de estudiar el comportamiento de dichos electrones en metales y semiconductores. Este estudio se llevar a cabo mediante una serie
de temas introductorios de Fsica Cuntica y Atmica donde se presentan
las propiedades fundamentales de las partculas cunticas. Posteriormente se analiza el comportamiento de los electrones en metales y semiconductores, para lo cual debemos considerar sus caractersticas cunticas y
estadsticas. Finalmente, estudiaremos el comportamiento de la unin p-n
puesto que es la base de multitud de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos usados en la tecnologa de los computadores.
F RANCISCO L. M ESA L EDESMA
Sevilla, febrero de 2002
III
iv
Apuntes de CF
FLML
ndice general
1. Fundamentos de Fsica Cuntica
1.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.1. Espectros pticos
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.3. Dualidad de la radiacin
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
1.4. Modelo atmico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
11
1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
1.5.1. Hiptesis de De Broglie . . . . . . . . . . . . . . . . . .
15
1.5.2. Verificacin experimental . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
1.5.3. Naturaleza de la onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
18
1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
20
1.6.1. Principio de incertidumbre

posicin/momento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
21
1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo . . . . . .
24
1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
25
2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones
29
2.1. Ecuacin de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
29
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
2.2.1. Partcula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
32
2.2.2. Pozo potencial infinito monodimensional . . . . . . .
33
2.2.3. Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . . . . . .
36
2.3. Efecto tnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.4. tomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.4.1. Nmeros cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40
2.4.2. Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
44
NDICE GENERAL
vi
2.5. Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
45
47
3. Materia Condensada
51
3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . . . . . .
51
3.2. Gas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
53
3.2.1. Derivacin de la ley de los gases ideales . . . . . . . . .
53
3.2.2. Anlisis estadstico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
55
3.3. Monocristal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
56
3.4. Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
58
3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
58
3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . . . . .
59
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . . . . .
61
62
4. Electrones libres en metales
63
4.1. Fenomenologa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
63
4.2. Modelo clsico del electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . . .
65
4.2.1. Hiptesis bsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65
4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . . . . .
67
4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . . . . . .
68
4.3. Modelo cuntico del electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . .
69
4.3.1. Funcin densidad de estados . . . . . . . . . . . . . . .
69
4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . . .
70
4.3.3. Conduccin elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
73
4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . . . . . .
73
74
5. Electrones en una red peridica
Apuntes de CF
77
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado . . . . . . . . . . . . . . . .
77
5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace . . . . . . . . . . . . . .
79
5.1.2. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
81
5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . . . .
84
5.3. Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
86
5.4. Huecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
90
92
FLML
NDICE GENERAL
vii
6. Bandas de Energa en Semiconductores
93
6.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
93
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . . . . .
94
6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
96
6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . .
96
6.3.2. Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos . .
98
6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
98
6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y huecos
98
6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones . . . . 100

6.4. Semiconductores Extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
6.4.1. Semiconductor tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103
6.4.2. Semiconductor tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 104
6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones . . . . 105
6.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106
7. Portadores de carga en Semiconductores
109
7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

7.2. Concentracin de electrones y huecos . . . . . . . . . . . . . . 109
7.2.1. Ley de accin masas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 112
7.3. Compensacin y Neutralidad de la carga
espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
7.3.1. Clculo aproximado de n y p . . . . . . . . . . . . . . . 115
7.3.2. Clculo de E F para semiconductores intrnsecos y extrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores . . . . . . . . . 118
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
7.5.1. Proceso de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
7.5.2. Corriente de difusin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121
7.5.3. Corriente total . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
7.5.4. Campo elctrico interno . . . . . . . . . . . . . . . . . 123
7.6. Velocidad de generacin y recombinacin . . . . . . . . . . . 126
7.7. Ecuacin de continuidad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 128
7.7.1. Ecuacin de difusin
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
7.7.2. Inyeccin constante de portadores . . . . . . . . . . . 130
FLML
Apuntes de CF
NDICE GENERAL
viii

8. Unin p-n
133
8.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 133

8.2. Unin p-n en equilibrio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
8.2.1. Potencial de Contacto . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 134
8.2.2. Regin de carga espacial . . . . . . . . . . . . . . . . . . 136
8.3. Unin p-n polarizada . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin . 139
8.3.2. Ecuacin del diodo. Clculo simplificado . . . . . . . . 143
8.4. Lser Semiconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
8.4.1. Propiedades elctricas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 147
8.4.2. Propiedades pticas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
8.4.3. Estructura del lser semiconductor . . . . . . . . . . . 153
8.5. Aplicaciones del Lser . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 157
8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin . . . . . . . . . . . 158
A. Constantes fundamentales
163
B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista
165
C. Promedios estadsticos
167
C.1. Sistemas Discretos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 167

C.2. Sistemas Continuos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 168
Apuntes de CF
D. Propiedades de algunos materiales semiconductores
169
E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio
171
FLML
T EMA 1
Fundamentos de Fsica
Cuntica
1.1. Introduccin
De una forma muy genrica denominaremos Fsica Cuntica a la Fsica que se desarroll a principios del siglo XX para explicar el comportamiento de los fenmenos que ocurren a muy pequea escala (el mbito
microscpico donde los rdenes de magnitud involucrados son: distancia
1 , masa 1027 kg, energa 1019 J). Esta nueva Fsica complementa a
la denominada Fsica Clsica que se desarroll para ser aplicada en el mbito macroscpico (fenmenos que involucran rdenes de magnitud del
orden de 1 m, 1 kg, 1 J) y que podemos identificar, por ejemplo, con las leyes
de Newton, las ecuaciones de Maxwell, etc. Antes de introducir los fundamentos de la Fsica Cuntica, es conveniente resaltar que la Fsica Cuntica trajo consigo, adems de nuevos resultados, cambios conceptuales muy
importantes que afectan a la forma en la que habitualmente entendemos
el mundo que nos rodea. No obstante, cabe sealar que estos cambios conceptuales afectan drsticamente a nuestra visin del mundo microscpico
pero no tanto a la del mundo macroscpico (aunque obviamente muchos
fenmenos macroscpicos slo pueden entenderse con base en los principios de la Fsica Cuntica).
La Fsica siempre afronta el estudio de los fenmenos mediante el estudio de modelos, esto es, representaciones parciales de la realidad. Es entonces importante aclarar que lo que se estudia no es directamente la realidad sino el modelo que nosotros hacemos de ella. Usualmente, el modelo es una simplificacin de la realidad que recoge, no obstante, las caractersticas esenciales del aspecto fsico en el que estemos interesados. As,
si queremos estudiar el efecto de la gravedad sobre los cuerpos, un posible modelo elemental sera el suponer que los cuerpos son puntuales (su
masa est concentrada en un punto), que la gravedad es constante y que
se desprecia el efecto del rozamiento con el aire. Este modelo simplificado explicara satisfactoriamente, por ejemplo, el tiempo que tarda en caer
1
Tema 1. Fundamentos de Fsica Cuntica

una piedra desde cierta altura pero no describira muy adecuadamente la
cada de una hoja de papel. En consecuencia, el estudio de este ltimo fenmeno requerira el uso de otro modelo ms complejo. En este sentido, es
interesante constatar que la mayora de los modelos que intentan describir el mundo macroscpico se basan parcialmente en el sentido comn
(esto es, en la manera en la que nuestros sentidos perciben la realidad). De
esta forma, se suponen caractersticas generales como
continuidad de la materia y la energa (es decir, la materia y la energa pueden tomar cualquier valor e intercambiarse en cualquier cantidad);
diferenciacin objetiva entre fenmenos ondulatorios y corpusculares;
posibilidad de minimizar completamente el efecto del observador

sobre el fenmeno observado, etc.
Cuando se afronta el estudio de los fenmenos microscpicos (por ejemplo, el estudio de los tomos), una primera posibilidad sera la de partir de
los modelos y categoras que se usaron con xito en el mbito macroscpico y extrapolarlos al nuevo mbito de muy pequeas escalas. En este sentido podramos considerar el tomo como un sistema de cargas puntuales
(algunas de ellas en movimiento) regidas por las leyes de la Electrodinmica. No obstante, al iniciar el estudio del mbito microscpico se observ
que la extrapolacin directa de los modelos macroscpicos llevaba irremediablemente a resultados muy dispares con la realidad. Hubo, por tanto,
que hacer un gran esfuerzo no slo para desarrollar muevas leyes fsicas
sino tambin para olvidar muchos de los conceptos y categoras vlidas
en el mbito macroscpico y buscar otros nuevos que fuesen aplicables al
mbito microscpico. Gran parte de la dificultad de la nueva Fsica Cuntica recae en el hecho de que las leyes que rigen el comportamiento del
mbito microscpico son tremendamente antiintuitivas.
Este primer tema mostrar, siguiendo un cierto orden cronolgico, los
fundamentos de la Fsica Cuntica; en concreto nos centraremos en la presentacin de las leyes bsicas y discutiremos algunas de sus consecuencias
ms inmediatas. Un buen entendimiento de estas leyes y sus consecuencias ser fundamental para la posterior comprensin del comportamiento de los electrones en los materiales conductores y semiconductores. En
consecuencia, la comprensin fsica de los fenmenos cunticos nos proporcionar la base necesaria para entender el funcionamiento de los mltiples dispositivos electrnicos y optoelectrnicos que son la base de la actual tecnologa de los computadores y previsiblemente nos dotar de la
base cientfica imprescindible para entender futuros desarrollos de la tecnologa informtica.
Apuntes de CF
FLML
1.2. Cuantizacin de la radiacin

El inicio de la Fsica Cuntica puede situarse en el final del siglo XIX,
momento en el que se estaba estudiando la interaccin de la radiacin con
la materia. En concreto se estaba investigando la naturaleza del espectro
de radiacin emitida por los distintos cuerpos.
1.2.1. Espectros pticos

Es un hecho bien conocido que cualquier cuerpo caliente emite radiacin electromagntica.1 La distribucin con respecto a la frecuencia, , de
esta radiacin se conoce como espectro. Las observaciones experimentales permitieron establecer la existencia de varios tipos de espectros: espectros discretos (emitidos por gases de tomos aislados), espectros de bandas (emitidos por gases moleculares) y espectros continuos (emitidos por
cuerpos slidos). A continuacin esbozaremos algunas de las caractersticas de los espectros discretos y continuos.
Espectros Discretos
Empricamente se comprob que la radiacin emitida (y absorbida)
por sustancias formadas por elementos qumicos aislados (en forma de gases) tena un carcter discreto; esto es, estas sustancias solo
emiten (y absorben) radiacin para un conjunto discreto de frecuencias. Este hecho experimental era muy sorprendente e imposible de
explicar en el marco de la Fsica Clsica. Para el caso del hidrgeno
(H) se comprob que su espectro est formado por una familia de
lneas espectrales cuya longitud de onda ( = c/, c 3 108 m/s)
sigue la siguiente ley emprica:
1
1
1
= R
m < n( N) ,
(1.1)
m2 n2
que se conoce como formula de Rydberg-Ritz y donde R = 1,0967
107 m1 es la denominada constante de Rydberg. Para cada valor de
m y variando n se obtienen distintas familias de lneas espectrales
conocidas como las series del hidrgeno. Una expresin particular
para el espectro visible del H, conocido como serie de Balmer, fue
obtenida en 1885 por Balmer, siendo, no obstante un caso particular de la ley general (1.1) cuando m = 2. Es importante resaltar que la
frmula de Rydberg-Ritz es una ley completamente emprica que fue
propuesta en ese momento sin ninguna explicacin fsica que justificase el ajuste sorprendente de dicha expresin con los resultados
experimentales.
1 La explicacin clsica de este hecho se basa en la suposicin de que la temperatura es
una medida de la energa cintica media de las partculas que componen la materia. Dado
que la materia est compuesta de tomos y stos a su vez estn formados por partculas
cargadas, un cuerpo caliente puede considerarse como un conjunto de osciladores cargados (se supone que, debido a su menor masa, la carga negativa oscila en torno al ncleo de
carga positiva). Estos osciladores de carga emiten entonces radiacin electromagntica al
igual que lo hacen los dipolos elctricos oscilantes.
FLML
Apuntes de CF

Espectros Continuos
Estos espectros son emitidos por los cuerpos slidos. Dado que la
emisin de los slidos dependa en parte de su composicin, en el
estudio de estos espectros se buscaba un cuerpo cuya emisin fuese independiente de la forma y composicin particular del emisor.
En este sentido, se define como cuerpo negro a un emisor cuyo espectro no dependa de su forma y composicin. Un estudio siguiendo las leyes de la Fsica Clsica, que queda fuera del alcance de este
tema, permite establecer que la expresin terica para la radiancia
espectral, R() (intensidad de la radiacin emitida con frecuencias
comprendidas entre y + d ) viene dada por
R() 2 T ,
(1.2)
donde T es la temperatura absoluta (en grados Kelvin) del cuerpo

negro.
R(n)
curva terica
curva
experimental
Cuando la expresin terica (1.2) se comparaba con los datos experimentales (ver figura adjunta), se observaba una buena concordancia para
bajas frecuencias pero una discrepancia total para frecuencias altas. Esta
discrepancia es tan importante (para frecuencias muy altas R() tiende a
cero segn los datos experimentales mientras que el resultado terico tiende a infinito) que se conoce como catstrofe ultravioleta puesto que las
diferencias empiezan a ser muy importantes para frecuencias de radiacin
ultravioleta. La catstrofe ultravioleta es una clarsima constatacin de que
haba algo fundamentalmente errneo en la aplicacin de las leyes conocidas hasta ese momento al estudio del espectro de radiacin del cuerpo
negro.
Afortunadamente, en 1900 Planck incorpor un nuevo enfoque a este
problema que sorprendentemente conduca a una teora que se ajustaba
perfectamente a los resultados experimentales. La propuesta de Planck fue
que
Hiptesis de Planck
los osciladores atmicos realizan intercambios de

energa con la radiacin de modo que la accin, S
(energatiempo), vara nicamente en mltiplos de
h = 6,62 1034 Js.
La cantidad de intercambio de accin mnima, h, se conoce como constante de Planck y tiene por valor
Constante de Planck
h = 6,62 1034 Js = 4,135 1015 eVs
(1.3)
(1 eV = 1,6 1019 J, e = 1,6 1019 C es el mdulo de la carga del electrn

en el S.I.).
La anterior hiptesis implicaba que en el periodo T de oscilacin de
los osciladores atmicos, el intercambio de accin, S, deba ser
S = nh = E T
Apuntes de CF
n = 1, 2, . . . ,
(1.4)
FLML
siendo E la energa puesta en juego en el intercambio energtico. A partir

de (1.4) encontramos entonces que
E = nh
1
= nh .
T
(1.5)
La anterior expresin, fruto de la hiptesis de Planck, indica que el intercambio energtico mnimo es h y que cualquier otro intercambio energtico siempre se produce en mltiplos de esta cantidad. Este resultado
tiene dos implicaciones muy destacadas:
1. La interaccin energtica entre dos sistemas no puede hacerse menor que h. Este resultado es abiertamente opuesto a la hiptesis
clsica de que la interaccin entre dos sistemas poda hacerse tan
pequea como se quisiera.
2. La energa puesta en juego en las interacciones est cuantizada. De
nuevo, este sorprendente resultado contradice la hiptesis acerca
del carcter continuo de la energa.
Es interesante finalmente notar que las consecuencias anteriores apenas tienen efecto en las interacciones entre sistemas macroscpicos. Ello
es debido a que los valores de energa puestos en juego en los intercambios energticos son generalmente mucho ms altos que h, por lo que
la existencia de una cantidad mnima de energa de intercambio apenas
difiere de la suposicin de que sta sea infinitesimal. Este hecho provoca
que la cuantizacin energtica sea prcticamente inapreciable haciendo,
por tanto, aceptable el hecho de que la energa se considere continua a
efectos prcticos.
1.2.2. Efecto fotoelctrico

Otro efecto muy destacado fruto de la interaccin entre la luz y la materia es el efecto fotoelctrico. Este efecto se produce cuando al incidir luz
sobre ciertos metales, stos emiten electrones (que denominaremos fotoelectrones). Un dispositivo experimental apropiado para estudiar el efecto
fotoelctrico se muestra en la figura adjunta y consiste en un tubo de vaco
con dos placas metlicas en su interior. Al incidir luz de intensidad I () sobre el metal del que est compuesto la placa C, ste emite electrones que,
si son acelerados por un potencial (V ) impuesto entre las placas situadas
en el interior del tubo de vaco, son arrastrados hasta la placa A. Este flujo
de electrones da lugar a una corriente elctrica, i , que es detectada por el
ampermetro puesto a tal efecto.
Una de las principales ventajas del anterior montaje experimental es
que nos permite determinar la energa cintica, E c , de los fotoelectrones.
Notemos que si V < 0, el campo impuesto entre las placas acelera los fotoelectrones hacia la placa A, pero si V > 0, el campo elctrico frenar los
FLML
Apuntes de CF

fotoelectrones dificultando as su camino hacia el nodo. El efecto de frenado ser total cuando la energa que proporciona el campo a los fotoelectrones, eV , sea igual a la energa cintica mxima, E c,max , de los fotoelectrones, esto es, cuando
eVR = E c,max ,
(1.6)
siendo VR el valor de potencial elctrico conocido como potencial de frenado.
El estudio experimental del efecto fotoelctrico pone de manifiesto las
siguientes caractersticas:
La emisin fotoelctrica es instantnea.
I2(n)
I1(n)
I2(n)>I1(n)
VAC
VR
VR
Existe cierta frecuencia para la radiacin incidente, conocida como

frecuencia umbral, 0 , por debajo de la cual no existe emisin fotoelctrica, independientemente de la intensidad de dicha radiacin;
es decir, i = 0 I () si < 0
Al aumentar la intensidad de la radiacin, aumenta el nmero de
fotoelectrones emitidos y, en consecuencia, la intensidad de la corriente es mayor.
Para una frecuencia fija, la energa cintica de los fotoelectrones no
depende de la intensidad de la radiacin incidente.
La energa cintica mxima de los fotoelectrones (cuya magnitud es
proporcional al potencial de frenado VR ) muestra una dependencia
lineal de la frecuencia.
n0
La mayora de los anteriores resultados experimentales resultan realmente sorprendentes y contradictorias cuando se intentan interpretar a
partir de los postulados de la Fsica Clsica. En este marco, la luz es
una onda electromagntica cuya energa est repartida de forma continua en el frente de ondas;
su intensidad promedio, I , viene dada por la expresin
I=
1
0 cE 02 ,
2
(1.7)
donde 0 es la permitividad del vaco y E 0 es la amplitud del campo

elctrico de la onda luminosa. Es interesante notar que, segn (1.7),
la intensidad (y por tanto la energa) de la onda electromagntica
no depende de la frecuencia sino simplemente de la amplitud del
campo elctrico.
En el metal hay que considerar que los electrones susceptibles de ser
emitidos estn ligados al metal con una cierta energa umbral e , denominada tambin funcin trabajo. Para que un electrn sea desprendido
Apuntes de CF
FLML
del metal, ste debe adquirir una energa suficiente para romper su ligadura con el metal, manifestndose el posible exceso de energa en forma
de energa cintica del electrn emitido. Desde este punto de vista, la luz
incidente en el ctodo ser la encargada de proporcionar (durante cierto intervalo de tiempo) la energa suficiente a cada electrn para que ste
puede salir del metal. No obstante, el clculo terico del tiempo requerido
para que se inicie la emisin proporciona un valor muchsimo mayor que
el observado experimentalmente (recurdese que el efecto fotoelctrico es
prcticamente instantneo). Por otra parte, si mantenemos fija la frecuencia y aumentamos la intensidad de la radiacin luminosa, esperamos de
acuerdo a la expresin (1.7) que llegue ms energa al metal y que, por tanto, la energa cintica de los fotoelectrones aumente. Hemos visto que la
experiencia contradice esta suposicin, mostrando que dicha energa cintica mxima no depende de la intensidad de la radiacin incidente sino
sorprendentemente de su frecuencia.
E JEMPLO 1.1 Calcule el tiempo que habra que esperar para que se produjese el
efecto fotoelctrico si una radiacin luminosa emitida por una fuente de luz de
P = 100 W y rendimiento luminoso = 8 % incide sobre un metal que est situado
a 1 m de distancia y cuya funcin trabajo es e = 4 eV. Suponga que el radio
aproximado de un tomo es r atomo = 1.
La intensidad luminosa, I , emitida por la fuente de luz que llega al metal es
I =
P
100
2
= 0,08
= W/m2 ,
4R 2
412
por lo que la potencia captada por cada tomo vendr dada por
2
P tomo = I r tomo
=
2
1020 = 2 1020 W .
Finalmente, el tiempo de espera, t , para que se acumule la energa umbral suficiente, e , es

e
4 1,6 1019
t =
=
32 s .
P tomo
2 1020
Ntese que el clculo del tiempo de espera calculado segn el modelo ondulatorio de la radiacin luminosa nos da un valor (t 32 s) muchsimo ms alto
que el observado experimentalmente (emisin espontnea).
En 1905, A. Einstein proporcion una explicacin satisfactoria al efecto

fotoelctrico aportando adems una concepcin revolucionaria de la energa radiante. Bsicamente Einstein, partiendo la hiptesis de Planck acerca
de la cuantizacin del intercambio energtico, dio un paso ms extendiendo la nueva idea de cuantizacin a la propia energa radiante (y no slo a su
posible intercambio). En concreto, Einstein explic el efecto fotoelctrico
a partir de las dos siguientes hiptesis:
1. La energa de la onda electromagntica de frecuencia no est distribuida continuamente en el frente de onda sino que est localizada
FLML
Apuntes de CF
Energa del fotn
en pequeos paquetes (entes como partculas) llamados fotones cuya energa es

E = h = ~ .
(1.8)
(~ = h/2, = 2).
hn
Radiacin incidiendo
en el metal
Metal
electrn liberado
del metal
e
Ec
2. El efecto fotoelctrico es fruto de procesos individuales de intercambio instantneo de la energa del fotn con la del electrn.
El primer punto indica que Einstein concibe la onda electromagntica como un conjunto de paquetes discretos de energa h, esto es, la propia
energa de la onda estara cuantizada. El efecto fotoelctrico podra entonces verse como un conjunto de choques elsticos individuales entre los
fotones de la radiacin incidente y los electrones ligados del interior del
metal. Supuesta que la energa se conserva en este choque, el fotn cede toda su energa h al electrn, adquiriendo ste por tanto una energa
que sera empleada parcialmente para vencer la funcin trabajo, e , apareciendo la restante en forma de energa cintica, E c , esto es,
h = E c + e .
(1.9)
Dado que la expresin (1.6) relaciona la energa cintica de los fotoelectrones con el potencial de frenado, VR , tenemos que
E c = h e
eVr = h e ,
E c = eVR
lo que nos permite escribir finalmente
Ecuacin de Einstein para el

efecto fotoelctrico
VR =
h
e
.
e
e
(1.10)
El sencillo desarrollo anterior muestra que existe una relacin lineal entre
VR y , siendo la pendiente de esta recta h/e. Tambin explica la existencia
de una frecuencia umbral, 0 = e /h, por debajo de la cual no puede existir
efecto fotoelctrico (puesto que la energa cintica asociada al electrn sera negativa). La expresin terica (1.10) coincide satisfactoriamente con
los resultados experimentales, confirmando la sorprendente hiptesis de
la naturaleza fotnica de la radiacin y proporcionando una prueba adicional de que la constante h introducida por Planck es una constante fundamental de la Naturaleza y no, simplemente, una constante arbitraria de
ajuste.
Dado que la emisin de fotoelectrones crece al aumentar la intensidad
de la radiacin, I , esta magnitud debe estar relacionada con el nmero de
choques y, en consecuencia, puede relacionarse con la densidad de fotones, N f (nmero de fotones por unidad de tiempo y rea), de la radiacin.
Podemos escribir, por tanto, que
I = N f ~ .
(1.11)
Por otra parte, dado que los fotones transportan una energa E , tambin deben transportar un momento lineal p. En su teora de la Relatividad
Apuntes de CF
FLML
Especial, Einstein demostr que el momento lineal de los fotones estaba

relacionado con su energa mediante la siguiente relacin:
p=
E
,
c
(1.12)
siendo c la velocidad de la luz. Como la energa del fotn es E = h, encontramos que

h h
p=
=
,
(1.13)
c
momento del fotn
donde se ha tenido en cuenta que la frecuencia de la onda, , est relacionada con su longitud de onda, , mediante = c.
E JEMPLO 1.2 Una radiacin luminosa de = 2000 e intensidad I = 3 mW/m2

incide sobre un metal de Cu cuya funcin trabajo es e = 1 eV. Calcule (a) el n-
mero de fotones por unidad de tiempo y rea que llegan al metal; (b) el momento
de cada uno de los fotones; y (c) la energa cintica de los fotoelectrones emitidos.
(a) Para calcular el nmero de fotones por unidad de tiempo y rea debemos
aplicar la expresin (1.11), para lo cual debemos obtener primero la frecuencia, , de la radiacin:
=
c
3 108
=
= 1,5 1015 Hz ,
2 107
por lo que la energa, E , de cada fotn ser

E = h = 6,63 1034 1,5 1015 9,95 1019 J = 6,21 eV .
La aplicacin de (1.11) nos dice que
Nf =
I
3 103
fotones
=
3,017 1015
.
E 9,95 1019
m2 s
(b) El momento del fotn puede calcularse a partir de

p=
h 6,63 1034
=
3,31 1027 kgm/s
2 107
(c) Finalmente la energa cintica de los fotoelectrones emitidos, de acuerdo a

la expresin (1.10), vendr dada por
E c = h e = 6,21 eV 1 eV = 5,21 eV .

A la vista de la discusin presentada en el anterior apartado, nos encontramos con que existen dos concepciones distintas de la radiacin electromagntica:
FLML
Apuntes de CF
10

Onda electromagntica (OEM)
La visin clsica de la radiacin interpreta que sta es una onda de
modo que su energa y momento se distribuye continuamente en el
frente de ondas. Segn hemos visto, la intensidad de la onda, I , puede relacionarse con la amplitud del campo elctrico, E 0 , mediante
I=
1
0 cE 02 .
2
Fotones
Segn la interpretacin de Einstein, la radiacin electromagntica
puede considerarse como un conjunto discreto de paquetes de energa E = h, de modo que la intensidad de la radiacin, de acuerdo
con (1.11), puede escribirse como
I = N f ~ .
Segn la visin clsica, la intensidad de la onda depende del valor de
la amplitud del campo elctrico y segn la interpretacin fotnica, del nmero de fotones. En consecuencia, podemos observar que el nmero de
fotones debe ser proporcional al cuadrado de la amplitud del campo elctrico,
N f E 02 ,
(1.14)
donde debemos interpretar esta densidad de fotones, N f , en trminos puramente probabilsticos. Este hecho nos permite establecer un punto comn de relacin entre las visiones clsica y fotnica de la radiacin y establecer, en general, que
el cuadrado de la amplitud del campo elctrico de la onda
electromagntica, E 02 (r, t ), es proporcional a la probabilidad
de localizar en un instante t a los fotones en un dV centrado
en el punto r.
Desde el punto de vista del modelo fotnico, el campo elctrico de
la onda electromagntica juega el papel de una funcin matemtica que
determina la probabilidad de encontrar a los fotones en un determinado
punto e instante. En aquellos puntos donde el campo elctrico tenga un
valor alto de amplitud ser, por tanto, ms probable encontrar fotones que
all donde la amplitud presente un valor bajo. En la prctica, la conveniencia de usar uno de los dos modelos (OEM/fotones) vendr determinada
por la relacin entre la cantidad de energa de los fotones y la energa puesta en juego en la posible interaccin. Si la energa en la interaccin, E , es
del orden de la energa de los fotones, h, entonces se debe usar el modelo
fotnico. Por el contrario, si E h (esto es, si en la interaccin intervienen muchos fotones conjuntamente), el modelo ondulatorio ser ms
apropiado.
Apuntes de CF
FLML
1.4. Modelo atmico de Bohr
11

En este apartado discutiremos el modelo que propuso N. Bohr en 1913
para el tomo de hidrgeno. Este modelo fue propuesto como consecuencia de los problemas que presentaba el modelo nuclear de Rutherford (este
modelo se supone conocido por el alumno). En concreto, Rutherford propuso un modelo planetario del tomo compuesto por un sistema de cargas globalmente neutro donde supuso que exista un ncleo de carga positiva muy pequeo y muy msico rodeado de cargas negativas (electrones)
de muy poca masa orbitando continuamente a su alrededor. Este modelo, muy vlido en cuanto a la idea de un tomo formado por un ncleo y
electrones a su alrededor, presentaba dos problemas fundamentales:
1. Inestabilidad del tomo.

Segn la teora clsica del Electromagnetismo, una carga acelerada
radia y como los electrones orbitando en torno al ncleo describen
un movimiento acelerado, estos electrones deban estar radiando. Si
estos electrones radian energa, esto significa que deban estar perdiendo energa cintica de forma continua, lo que a su vez implica
que tras un breve lapso de tiempo los electrones deberan colapsar
en el ncleo. Este razonamiento clsico conduce inevitablemente a
un tomo inestable con todos los electrones atrapados en el ncleo, en abierta contradiccin con las suposiciones iniciales de un
ncleo de carga positiva en torno al cual los electrones orbitan de
forma estable.
2. Emisin de un espectro continuo.
Segn el razonamiento clsico anterior, la radiacin emitida por el
tomo deba ser continua, puesto que la supuesta prdida de energa cintica del electrn en forma de radiacin electromagntica se
realizara de forma continua. Esta suposicin es de nuevo contraria
al hecho experimental de que las sustancias formadas por elementos
puros emiten un espectro discreto.
Basado en el modelo de Rutherford e incorporando la concepcin fotnica de la radiacin propuesta por Einstein, Bohr propuso un sorprendente
modelo para el tomo de hidrgeno (el tomo ms simple de la naturaleza,
compuesto nicamente por dos cargas: una positiva en el ncleo protn
y otra negativa electrn orbitando a su alrededor) basado en los siguientes tres postulados:
1. En vez de las infinitas rbitas, con cualquier valor de radio, que son
permitidas por la Fsica Clsica, los electrones pueden tomar nicamente aquellas rbitas en las que se verifique que el mdulo de su
momento angular, L (L = r p, por lo que L = m e vr siendo m e =
9,1 1031 kg la masa del electrn, v el mdulo de la velocidad y r el
valor del radio), sea un mltiplo de ~:
L = m e vr = n ~
FLML
n = 1, 2, 3, . . .
(1.15)
Apuntes de CF
12
Ei
hn
Ef
2. Un electrn en una de las rbitas anteriores no emite radiacin electromagntica. Estas rbitas corresponden por tanto a estados estacionarios, es decir, estados en los que la energa del tomo es constante en el tiempo.
3. Si un electrn est inicialmente en una rbita de energa E i y transita hacia una rbita de menor energa E f , se emite radiacin electromagntica (un fotn) de frecuencia
=
Ei E f
h
(1.16)
Consecuencias del modelo de Bohr

Los postulados propuestos por Bohr conducen a las siguientes consecuencias:
Radio de las rbitas permitidas
Para un electrn que est situado en una rbita circular estacionaria
de radio r debe cumplirse que los mdulos de la fuerza centrpeta, F c , y de la fuerza de atraccin electrosttica del ncleo, F e , sean
idnticos:
Fc
(1.17)
me v 2
e2
.
=
r
40 r 2
(1.18)
o equivalentemente
v
Fe
Fc = Fe ,
Si tenemos en cuenta la expresin (1.15), podemos escribir

m e n 2 ~2
e2
,
=
r m e2 r 2 40 r 2
(1.19)
de donde obtenemos finalmente, al despejar el radio, que

r n = n 2 r 0 = r 0 , 4r 0 , 9r 0 , . . .
Radio de las orbitas estacionarias

del hidrgeno
(1.20)
siendo
r0 =
40 ~2
0,53
e 2 me
(1.21)
(1 = 1010 m).
El electrn en el tomo de hidrgeno slo puede tomar aquellas rbitas discretas cuyos radios verifiquen (1.20). Dado que la menor rbita que puede tomar el electrn en el tomo de hidrgeno es r 0 ,
este dato podra ser considerado como el tamao de dicho tomo.
Comprobaciones experimentales demuestran que r 0 coincide muy
aproximadamente con el tamao medido para el radio de los tomos de hidrgeno.
Apuntes de CF
FLML
13
Cuantizacin de la energa del tomo de H

En una rbita estacionaria, y que por tanto verifica (1.18), debe cumplirse que
e2
me v 2 =
.
(1.22)
40 r
La energa, E , del electrn en una rbita estacionaria (y, en consecuencia, en un estado estacionario) ser la suma de su energa cintica, E c , ms la energa potencial electrosttica, E p , debido al efecto
de carga positiva del ncleo, esto es,
1
1 e2
E = E c + E p = me v 2
,
2
40 r
expresin que puede reescribirse, teniendo en cuenta (1.22), como
E =
1 1 e2
.
2 40 r
(1.23)
Dado que el radio de la rbita est cuantizado (r n = n 2 r 0 ), la energa del estado estacionario lo estar igualmente. En consecuencia la
energa del estado estacionario caracterizado por el nmero cuntico n puede escribirse como
E0
E0 E0
E n = 2 = E 0 , , , . . . ,
n
4
9
(1.24)
donde E 0 es la energa del estado elemental del tomo de hidrgeno

(n = 1), que viene dada por
e 4 me
e2
= 2 2 13,6 eV .
E0 =
80 r 0 80 h
Energa de los estados estacionarios del H

n=
n=3
n=2
E=0
n=1
E1=-E0
E2=-E0 /4
(1.25)
Los posibles estados de energa con n > 1 se conocen como estados

excitados. El hecho de que la energa de los distintos estados sea negativa debe entenderse en el sentido de que hay que proporcionar
energa para sacar al electrn de esos estados, esto es, el electrn
est ligado al tomo de hidrgeno por esa cantidad de energa. En
este sentido, podemos decir que la energa de ionizacin del tomo
de hidrgeno es de 13.6 eV; es decir, hay que dar al menos esa energa al tomo de H en su estado fundamental para poder extraerle el
electrn.
Espectro del hidrgeno
Teniendo en cuenta la hiptesis (1.16) junto con la expresin (1.24)
obtenida anteriormente, la frecuencia de la radiacin emitida en la
transicin de un electrn desde un estado caracterizado por n i hasta
otro estado de menor energa caracterizado por n f vendra dada por
FLML
E0
n i2
+
h
E0
n 2f
!
E0 1
1
=
,
h n 2f n i2
(1.26)
Apuntes de CF
14

o equivalentemente, teniendo en cuenta que = c,
!
1 E0 1
1
,
=
hc n 2f n i2
(1.27)
donde E 0 /hc 1,0974 107 m1 . Esta expresin terica, obtenida

nicamente a partir de las hiptesis de Bohr, coincide plenamente
con la frmula emprica de RydbergRitz (1.1). Si admitimos que esta sorprendente y total coincidencia no es mera casualidad debemos
entonces admitir que el modelo de Bohr proporciona un marco terico novedoso, muy original y consistente para entender el espectro
del tomo de hidrgeno. Podemos afirmar, por tanto, que el espectro
discreto del H es fruto de la cuantizacin de los estados energticos de
este tomo2 y de la naturaleza fotnica de la radiacin.
Es interesante notar finalmente que, aunque el modelo atmico de Bohr
proporcion un marco terico muy satisfactorio que pudo explicar las caractersticas esenciales del tomo de hidrgeno, cuando este mismo modelo se intent aplicar a tomos con ms de un electrn no result tan
eficaz. Por ejemplo, este modelo no pudo explicar el valor de la energa de
ionizacin ni el espectro discreto del tomo de helio (el tomo de helio
consta ya de dos protones en el ncleo y dos electrones orbitando). Este
hecho debe interpretarse en el sentido de que, aunque el modelo de Bohr
supuso un avance fundamental en la comprensin del tomo, era un modelo simple que no tena en cuenta algunas de las propiedades ms caractersticas (todava por descubrir) de las partculas cunticas. Los apartados
siguientes explorarn algunas de estas propiedades.
E JEMPLO 1.3 Un tomo de H es excitado de manera que al volver a su estado fundamental (de mnima energa) emite una radiacin de frecuencia =
2,9235 1015 Hz. Calcule el nmero cuntico del estado excitado as como su
radio.
Supuesto que E n sea la energa del estado excitado de nmero cuntico n,
sabemos que la energa, E , puesta en juego en la transicin ser
E = E n E 0 = h ,
por lo que
E n = E + E 0 = h + E 0
= 4,135 1015 eVs 2,9235 1015 s1 13,6eV = 1,51 eV .
Para calcular el nmero cuntico, debemos tener en cuenta que
En =
E0
,
n2
2 Un experimento muy relevante, llevado a cabo en 1914 por J. Frank y G. Hertz, demos-
tr empricamente que la cuantizacin de los estados energticos es una caracterstica comn de todos los tomos.
Apuntes de CF
FLML
1.5. Dualidad de la materia
15
por lo que
s
n=
E 0
=
En
13,6
3.
1,51
El electrn fue excitado hasta el estado de nmero cuntico n = 3.

Segn el modelo de Bohr, el radio de la rbita del electrn en este estado ser
r 3 = 9r 0 4,77 .

1.5.1. Hiptesis de De Broglie
En 1924, L. de Broglie, suponiendo la existencia de una simetra interna
en la naturaleza, sugiri que el carcter dual onda/corpsculo exhibido
por los fotones era igualmente aplicable a todas las partculas materiales.
En concreto la hiptesis de L. de Broglie fue
El movimiento de una partcula material viene determinado por las propiedades ondulatorias de propagacin de una
onda piloto cuya longitud de onda, , y frecuencia, , estn asociadas con el momento lineal, p, y la energa, E , de
la partcula segn
=
=
h
p
E
h
o bien
p = ~k
(1.28)
o bien
E = ~ .
(1.29)
Relaciones de de Broglie
Debe notarse que en la onda piloto asociada a las partculas NO SE CUMPLE

que = c/ (esto slo era vlido en ondas electromagnticas/fotones en
el espacio libre). Este hecho podemos relacionarlo con la expresin de la
energa de una partcula libre (partcula sobre la que no se ejercen fuerzas
externas) proporcionada por la Relatividad Especial,
E 2 = m 02 c 4 + p 2 c 2 ,
Para una partcula 6= c/
(1.30)
donde m 0 es la masa en reposo de la partcula material ntese que para

los fotones, cuya masa en reposo es nula, m 0 = 0, la expresin anterior se
reduce a (1.12). Puede comprobarse que al sustituir (1.28) y (1.29) en (1.30)
encontramos una relacin entre la y la de la onda piloto ms complicada que la que existe para ondas electromagnticas.
En el caso de partculas libres cuya velocidad, v, sea mucho menor que
la velocidad de la luz (v 2 c 2 ), el Apndice B muestra que la energa cintica de dicha partcula puede expresarse como
Ec =
FLML
p2
,
2m 0
(1.31)
Apuntes de CF
16

por lo que el momento y la longitud de onda de la partcula puede expresarse como
p
p = 2m 0 E c = mv .
(1.32)
y
h
.
= p
2m 0 E c
para partcula libre
(1.33)
Es interesante resaltar que, debido al pequeo valor de la constante de

Planck, los fenmenos tpicamente ondulatorios de interferencia y/o difraccin de las partculas macroscpicas son prcticamente imposibles de
detectar. Dado que la longitud de onda de estas partculas macroscpicas
es mucho menor que las distancia tpicas en el mbito macroscpico, podemos ignorar el carcter ondulatorio de estas partculas.
E JEMPLO 1.4 Calcular la longitud de onda asociada a (1) una pelota de tenis de
m = 50g y v = 40m/s; y (2) un electrn sometido a un potencial de aceleracin
V = 100V.
(1) En este caso, el momento lineal es
p = mv = 0,05 40 = 2 kgm/s
y la longitud de onda ser
=
h 6,6 1034
=
3,3 1034 m .
p
2
Como puede observarse, la longitud de onda asociada a la pelota de tenis es

muchsimo ms pequea que el tamao de un tomo de H. Esta es tan pequea
que es totalmente indetectable por cualquier dispositivo experimental. Una posible manera de aumentar esta es hacer que la masa de la partcula sea muy
pequea, en la prctica del orden de la masa de las partculas elementales (electrones, protones, ....)
(2) Si el electrn est sometido a cierto potencial de aceleracin, V , entonces, supuesto que parte del reposo, la energa cintica que adquiere ser justamente la
energa potencial elctrica que pierde la partcula cargada, esto es,
E c = eV = 100 eV .
La longitud de onda asociada a esta partcula ser entonces
h
6,6 1034
= p
=
1,2 .
(2 9,1 1031 1,6 1019 100)1/2
2m e eV
Esta longitud de onda es muy pequea pero al menos es del orden del tamao de
los tomos.
Apuntes de CF
FLML
17
1.5.2. Verificacin experimental

Antes de describir el experimento que verific el carcter ondulatorio
de interferencia y/o difraccin las partculas materiales, debemos notar
que para que un fenmeno ondulatorio sea observable es necesario que
las dimensiones de los objetos con los que interacta la onda sean del orden de la longitud de onda. Segn ha mostrado el Ejemplo 1.4, la longitud
de onda de las partculas elementales puede ser del orden de , por lo que
se necesitara que su onda piloto interactuase con objetos de esas dimensiones. Un posible objeto que presenta estas dimensiones son los planos
atmicos de un monocristal que estn separados precisamente distancias
del orden de .
Basado en lo anterior, Davisson y Germer verificaron experimentalmente en 1927 el comportamiento ondulatorio de los electrones usando
un dispositivo experimental cuyo esquema se muestra en la Fig. 1.1a. En
a)
b)
q
V
eDetector
f
Monocristal
Detalle de reflexin
en monocristal
F IGURA 1.1: Experimento de Davisson y Germer

este experimento, un monocristal es bombardeado con electrones acelerados por un potencial elctrico V . Estos electrones, previamente emitidos
por una resistencia incandescente, adquieren una energa cintica dada
por
E c = eV .
(1.34)
Si los electrones se comportasen como partculas, entonces, tras chocar con el monocristral, rebotaran tal y como lo haran pelotas de tenis
que chocasen contra una piedra; esto es, saldran rebotados en todas direcciones sin que haya direcciones privilegiadas. Adems, este efecto sera
independiente de la energa cintica de las partculas, por lo que no dependera del potencial de aceleracin V . No obstante, si los electrones se
comportasen como ondas, entonces los electrones dispersados lo haran
mayoritariamente en aquellas direcciones privilegiadas para las que exista
interferencia constructiva.
(1)
q
Admitiendo que los electrones presentan un comportamiento ondulatorio, la onda incidente se reflejar en cada uno de los planos atmicos
(ver detalle en Fig. 1.1b), existiendo una interferencia constructiva de las
ondas reflejadas en planos paralelos consecutivos si se cumple la condi-
FLML
(2)
diferencia de
camino
Apuntes de CF
18

cin de Bragg; es decir, si la diferencia de camino entre los rayos (1) y (2)
es justamente un mltiplo de la longitud de onda:
2d sen = n .
(1.35)
Supuesta vlida la hiptesis de de Broglie, la longitud de onda, , de los

electrones que inciden en el monocristal ser
=
h
h
,
=p
p
2m e eV
(1.36)
lo que implicara que el detector mostrara unos mximos de dispersin

para los ngulos n relacionados con los n (2n + n = ) que verificasen
sen n = n
h
.
p
2d 2m e eV
(1.37)
El experimento de Davisson y Germer demostr que esta suposicin terica estaba en excelente acuerdo con la experiencia, confirmando fehacientemente que los electrones (y por ende, todas las partculas materiales)
presentaban un carcter ondulatorio.
E JEMPLO 1.5 En un dispositivo experimental como el del experimento de Davisson y Germer, los electrones son acelerados por un potencial V antes de incidir
sobre un monocristal de Ni cuya distancia entre planos atmicos es de 0.91. Si
el detector se sita en un ngulo = 40o , calcule el valor del potencial de aceleracin para el cual se detecta en ese ngulo el mximo de dispersin de primer orden.
Dado que 2 + = 180o , el ngulo relacionado con la posicin del detector
ser
180o 40o
=
= 70o .
2
El mximo de dispersin de primer orden ocurre cuando n = 1, esto es, para un
ngulo 1 que verifica
h
,
sen 1 =
p
2d 2m e eV
o equivalentemente para un potencial de aceleracin, V , dado por
V=
=
h2
8d 2 sen2
1 me e
(6,6 1034 )2
51,1 V .
8 (0,91 1010 )2 (0,9397)2 9,1 1031 1,6 1019
1.5.3. Naturaleza de la onda

En el Apartado 1.3 se discuti que la relacin existente entre la interpretacin ondulatoria y la corpuscular de la radiacin electromagntica poda
hacerse mediante la interpretacin que se le daba al campo elctrico en un
Apuntes de CF
FLML
19
punto como una medida de la probabilidad de encontrar a los fotones en

cierto instante en el entorno de dicho punto. En este sentido, en 1926 Max
Born extendi esta interpretacin probabilstica igualmente al caso de las
partculas materiales. Segn la interpretacin de Born, lo que se est propagando en forma de onda (asociado al movimiento de las partculas) no
es algo material sino una magnitud representada matemticamente por
(r, t ), que se conoce como funcin de onda y que posee el siguiente significado fsico:
Si en un instante t se realiza una medida para localizar a la
partcula asociada a la funcin de onda (r, t ), la probabilidad P (r, t )dV de encontrar a la partcula en un dV centrado
en r viene dado por
P (r, t )dV = |(r, t )|2 dV .
(1.38)
Dado que la partcula evidentemente debe encontrarse en algn punto del

espacio, la probabilidad de encontrar a dicha partcula en algn punto del
espacio debe ser la unidad, por lo que debemos imponer la siguiente condicin:
Z
|(r, t )|2 dV = 1 ,
(1.39)
todo el
espacio
que se conoce como condicin de normalizacin.

Analicemos dos casos de inters:
Partcula libre
Dado que sobre una partcula libre no se ejercen fuerzas externas,
esta partcula no debe encontrarse en ciertos sitios con ms probabilidad que en otros. En consecuencia, la probabilidad de encontrarla en alguna posicin no debe depender de dicha posicin. Por otra
parte, una partcula libre tiene perfectamente definido su energa, E ,
y su momento, p, por lo que de acuerdo a las relaciones de de Broglie (p = ~k y E = ~), su nmero de ondas y frecuencia estn igualmente definidas y, por tanto, es razonable suponer que su funcin
de onda asociada pueda venir dada por
(x, t ) = Ae j (p/~)x e j (E /~)t .
(1.40)
Partcula localizada
Si una partcula est localizada existir entonces ms probabilidad
de encontrarla en algunos sitios que en otros. Consecuentemente
P (x, t ) debe depender de la posicin, lo cual se puede conseguir si
su funcin de onda asociada, (x, t ), viene dada por un grupo de ondas, por lo que podr expresarse como
(x, t ) =
FLML
k 0 +k
A(k)e j kx e j (k)t dk .
(1.41)
k 0 k
Apuntes de CF
20

En este caso, la velocidad de la partcula vendr determinada por la
velocidad del grupo de ondas, esto es,
vg =
d 1 dE
=
.
dk ~ dk
(1.42)
Es interesante resaltar que la funcin de onda, , no es una magnitud estadstica, en el sentido de que describa el comportamiento de un colectivo muy numeroso de partculas que se manifiestan simultneamente,
sino que es una propiedad intrnseca de cada partcula, independiente del colectivo3 . En este sentido, la interpretacin probabilstica de Born
nos impone una restriccin al conocimiento que podemos tener sobre la
partcula, es decir, todo lo que nos puede dar la Fsica Cuntica sobre la
posicin de una partcula es una informacin probabilstica acerca del posible resultado de una medida. Podemos ver que este hecho dota a nuestro
conocimiento sobre la partcula de cierta incertidumbre, hecho que ser
discutido con ms profundidad en el apartado siguiente.
1.6. Principio de Heisenberg

Si una cuerda es agitada de forma peridica, tal como muestra la figura
adjunta, y nos planteamos la pregunta de dnde est la onda?, entonces
parece razonable responder que la onda est distribuida en toda la cuerda. No obstante, si la pregunta es cul es la longitud de onda?, entonces la
respuesta puede ser ms precisa. No obstante, si en vez de agitar la cuerda peridicamente simplemente se ha agitado una vez de modo que se ha
generado un pulso que viaja por la cuerda, ahora la pregunta de dnde
est la onda? podra ser respondida con cierta precisin mientras que a la
pregunta cul es la longitud de onda? no encontraramos una respuesta
precisa. Esta discusin pone de manifiesto que, en este fenmeno ondulatorio, una determinacin precisa de la longitud de onda hara ms imprecisa la determinacin de la posicin, y viceversa. Un estudio ms riguroso,
basado en el anlisis de Fourier, nos permitira establecer que la imprecisin o incertidumbre en la determinacin simultnea de los valores de la
posicin y la longitud de onda es algo inherente a todo fenmeno ondulatorio.
3 Cuando decimos que la probabilidad de sacar cara al lanzar una moneda es de 1/2,
estamos diciendo que al lanzar un colectivo numeroso de monedas al aire, muy aproximadamente la mitad de ellas ser cara y la otra mitad cruz. Al aplicar esa propiedad a un
elemento del colectivo, le estamos atribuyendo a ste las propiedades que en realidad slo
posee el colectivo. De hecho, en principio, si supisemos con exactitud las condiciones que
determinan el lanzamiento de una moneda (su posicin y momento iniciales), podramos
determinar con precisin el resultado de este evento. Esto NO es lo que ocurre con las partculas cunticas sino que cada una de ellas individualmente presenta un comportamiento
que slo puede conocerse en forma probabilstica
Apuntes de CF
FLML
21
1.6.1. Principio de incertidumbre

posicin/momento
Si tenemos en cuenta que todo fenmeno ondulatorio estar afectado
intrnsecamente por la anterior incertidumbre en la medida de su posicin
y longitud de onda y lo relacionamos ahora con la existencia de la dualidad onda/corpsculo tanto para la radiacin como para la materia, parece
entonces razonable prever la existencia de incertidumbre en la determinacin de ciertas magnitudes fsicas en cualquier fenmeno natural. En este
sentido, en 1927 W. Heisenberg postul el siguiente principio para la medida de la posicin y el momento de una partcula:
En un experimento NO es posible determinar simultneamente y con toda precisin una componente del momento
de una partcula, por ejemplo p x , y la posicin de la coordenada correspondiente x. Si representa la incertidumbre
en la medida, encontraremos que
p x x ~ .
Relacin de incertidumbre para la

posicin y el momento
(1.43)
Dpx
q
p
Una manera de ver que la dualidad onda/corpsculo de la materia est intrnsecamente relacionada con el anterior principio de incertidumbre
puede obtenerse a partir de la determinacin de la posicin de una partcula hacindola pasar por una rendija de anchura x (sta sera justamente la incertidumbre en su posicin). Al pasar por la rendija, la partcula
sufrira difraccin debido a su carcter ondulatorio. El estudio de la difraccin de una onda plana que incide normal a la rendija muestra que, para
la configuracin mostrada en la figura, el primer mnimo de difraccin se
produce para un ngulo tal que
sen =
.
x
Dx
(1.44)
Dado que la partcula llegar a algn punto comprendido entre los dos mnimos mostrados en la figura, podemos ver que el mximo de incertidumbre de la componente x del momento ser
p x = p sen ,
(1.45)
donde p es el mdulo del momento de la partcula, que no habr cambiado al atravesar sta la rendija. Teniendo ahora en cuenta la relacin de de
Broglie (1.28) y las dos expresiones anteriores, podemos escribir
h
x
(1.46)
p x x = h .
(1.47)
p x =
y finalmente
FLML
Apuntes de CF
22

Notemos que el simple anlisis anterior, basado en el carcter ondulatorio
de la partcula, nos ha conducido a una expresin que relaciona las incertidumbres de la posicin y el momento, siendo adems congruente con
(1.43).
El principio de incertidumbre puede tambin relacionarse con la existencia de un mnimo de accin, h, descrito en el Apartado 1.2.1. Debe tenerse en cuenta que cualquier descripcin de un fenmeno requiere cierta
interaccin con dicho fenmeno. Debido a la existencia de un mnimo de
accin, esta interaccin no puede hacerse infinitesimal, por lo que la correspondiente descripcin siempre estar sujeta a cierta incertidumbre.
Es importante destacar tres puntos con respecto al principio de incertidumbre:
1. La existencia de incertidumbre no se debe a deficiencias en la calidad de los aparatos de medida. Incluso con aparatos ideales seguira
existiendo una incertidumbre en la medida determinada por (1.43).
2. El principio de incertidumbre no prohbe una medida exacta de la
posicin o el momento. Ahora bien, una medida exacta en la posicin (esto es, x 0) implica una incertidumbre total en la medida
del momento, p x , y viceversa.
3. La desigualdad (1.43) debe considerarse como algo intrnseco y fundamental del comportamiento de la naturaleza.
Consecuencias del principio de incertidumbre
posicin/momento
Una consecuencia relevante del principio de incertidumbre es que, en
un sentido estricto, no podemos seguir hablando de trayectorias de las partculas. Notemos que la existencia de una trayectoria definida es simplemente la informacin simultnea y precisa acerca de las posiciones y las
velocidades (momento) de cierta partcula. Dado que la simultaneidad y
precisin de ambas magnitudes no est permitida por (1.43), debemos admitir que el concepto de trayectoria debe ser revisado y usado con mucha
prudencia. No obstante, debemos tener en cuenta que ms relevante que
la incertidumbre absoluta en s es la incertidumbre relativa, esto es, el cociente entre la incertidumbre y el valor de la magnitud. Veamos este hecho
con el siguiente ejemplo.
E JEMPLO 1.6 Calcule la incertidumbre relativa en la determinacin del momento

para el movimiento de (1) la Luna en su rbita alrededor de la Tierra y (2) el
electrn en el tomo de hidrgeno.
La Luna
Sabiendo que la masa de la Luna es m 6 1022 kg, que su velocidad media
Apuntes de CF
FLML
23
es v 103 m/s y que su posicin se determina con una incertidumbre de

x 106 m (con una incertidumbre tan pequea, p x se maximiza), la
incertidumbre en el momento vendr dada por
p x
~
x
1028 kgm/s .
Puesto que el momento puede calcularse como

p x = mv 1025 kgm/s ,
la incertidumbre relativa ser aproximadamente
p x 1028
1053 .
px
1025
La incertidumbre relativa para el momento, incluso intentando maximixarla, es tremendamente pequea; tanto que en la prctica sera totalmente
indetectable. Consecuentemente, para el caso de la Luna en su rbita alrededor de la Tierra, el concepto de trayectoria es aplicable.
Electrn en tomo de hidrgeno
Con el fin de obtener el mnimo de imprecisin en el momento, supongamos que la imprecisin en la determinacin de x es mxima, es decir, que
slo sepamos que el electrn est dentro del tomo. Dado que el tamao
del tomo vena dado por r 0 , entonces diremos que x r 0 1010 m y,
por tanto,
1024 kgm/s .
x
Ntese que la incertidumbre absoluta en el momento es mayor para el electrn que para la Luna. Para calcular p, tengamos en cuenta que la energa
cintica, E c , del electrn en la rbita fundamental ser
p x
E c = E 0 /2 7eV 1,12 1018 J ,

por lo que
p
p
p = 2m e E c 2 9,3 1031 1,12 1018 2 1024 kgm/s .
La incertidumbre relativa en el momento ser entonces
p x
1024
0,5 ,
px
2 1024
esto es, una incertidumbre relativa muy importante, lo que indica claramente que no podramos hablar de la trayectoria del electrn en el tomo
de H.
Otra consecuencia importante del principio de incertidumbre es que

no existe reposo para las partculas localizadas. Supongamos una partcula que est localizada en cierta regin 0 x a. Ciertamente, la mxima
incertidumbre en la localizacin de esta partcula es
(x)max = a ,
y, en consecuencia, la mnima incertidumbre en el momento ser
(p x )min =
FLML
h
.
a
Apuntes de CF
24

Teniendo en cuenta que el mnimo valor del momento, p min , debe ser del
orden del mnimo valor de su incertidumbre, entonces tenemos que
p min (p x )min ,
por lo que la energa cintica mnima de la partcula tomar el valor
2
p min
h2
,
(1.48)
2m
2ma 2
esto es, una partcula localizada no puede estar en reposo (con energa cintica nula).
(E c )min =
1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo

Al igual que existe un principio de incertidumbre para la posicin y
el momento, podemos encontrar un principio de incertidumbre para la
energa y el tiempo. Este principio puede enunciarse como sigue
Principio de incertidumbre
energa-tiempo
E t ~ ,
(1.49)
donde E debe entenderse como la incertidumbre energtica asociada a

la energa puesta en juego en cierta transicin y t como el intervalo de
tiempo que tarda el sistema en realizar dicha transicin.
El principio de incertidumbre energatiempo puede tambin interpretarse diciendo que una determinacin de la energa de un sistema que
presente una incertidumbre, E , debe tomar al menos un intervalo de
tiempo
t
.
E
Anlogamente, si un sistema permanece en cierto estado durante un tiempo no mayor que t , la energa en ese estado presentar una incertidumbre de al menos
.
t
Cuando hablamos de la incertidumbre en la energa de cierto estado debe entenderse que nos referimos a la incertidumbre en la energa puesta
en juego en la transicin a otro estado de referencia, usualmente el estado
fundamental.
E JEMPLO 1.7 Se sabe que el tiempo de vida media, , de cierto estado atmico es
de 100 s. Determine (1) la incertidumbre en la energa de dicho estado y (2) la
incertidumbre en la longitud de onda de la radiacin emitida en la transicin hacia
el estado fundamental, sabiendo que en sta se emite una radiacin de = 100 nm.
1. El tiempo de vida media es una medida del tiempo que tarda en realizarse
cierta transicin, por lo que podemos identificar t . La incertidumbre
en la energa puesta en juego en la transicin ser entonces
E
Apuntes de CF
~
t
1,009 1034
' 1020 J 6,25 102 eV .
104
FLML
1.7. Problemas propuestos
25
2. En la transicin hacia el estado fundamental se emitir un fotn de energa

E = h, cuya incertidumbre E corresponde a la calculada anteriormente.
La longitud de onda de la radiacin emitida ser
=
hc
,
E
por lo que la incertidumbre en la longitud de onda, , vendr dada por
2
d
E = hc E = E
dE
E2
hc
=
(100 109 )2
1020 5 .
6,6 1034 3 108
En este caso la incertidumbre relativa en la longitud de onda es bastante

pequea
0,5 nm
=
= 0,005 .
100 nm

1.1: La longitud de onda, max , para la cual la radiancia espectral de un cuerpo negro es
mxima viene dada por la ley de Wien, que establece
max T = 2,898 103 mK ,
donde T es la temperatura absoluta del cuerpo negro. Sabiendo que la temperatura de la
superficie del Sol es aproximadamente 5800 K, (a) calcular la longitud de onda de la radiacin ms intensa emitida por el Sol. (b) A qu parte del espectro pertenece esta radiacin?
Sol. max 500 nm (espectro visible).
1.2: Si el ojo humano empieza a detectar luz amarilla de longitud de onda 5890 a partir
de una potencia de 3,1 1016 W, Cul es el nmero mnimo de fotones que deben incidir
en el ojo para la luz amarilla se vea?
Sol. 923 fotones.
1.3: Una superficie de potasio se encuentra a 75 cm de distancia de una bombilla de 100
W. Suponiendo que el rendimiento luminoso de la bombilla es del 5 % y que cada tomo
de potasio presenta una superficie efectiva equivalente a un crculo de 1 de dimetro,
calcule el tiempo requerido por cada tomo para absorber una energa igual a la de su
funcin trabajo (e = 2,0 eV), de acuerdo con la interpretacin ondulatoria de la luz.
Sol. t = 57,6 s
1.4: Una radiacin de 2,5 1015 Hz incide sobre una superficie metlica cuya frecuencia
umbral es de 91014 Hz. Calcular la velocidad de los fotoelectrones emitidos. Qu ocurrira
si la radiacin incidente fuese de 8,5 1014 Hz?
Sol. v = 1,52 106 m/s.
1.5: (a) Calcular la longitud de onda mxima de la luz que har funcionar una clula fotoelctrica dotada de un ctodo de tungsteno sabiendo que los fotoelectrones poseen una
energa cintica de 5.5 eV cuando son arrancados por una luz de = 1200 . (b) Si esta
radiacin de = 1200 e intensidad I = 2,5 W/m2 incide sobre la clula fotoelctrica de
30 mm2 de superficie, siendo el rendimiento cuntico del 20 %, cul sera la intensidad, i ,
de la corriente elctrica producida?
Sol. (a) max = 2570 ; (b) i = 1,45 A.
1.6: Para una radiacin de 1500 que incide sobre una superficie de aluminio que tiene
una funcin trabajo de 4.2 eV, calcule (a) La energa cintica mxima de los fotoelectrones
FLML
Apuntes de CF
26

emitidos; (b) el potencial de frenado; (c) la frecuencia de corte del aluminio.
Sol. (a) 4.09 eV; (b) 4.09 V; (c) 1,01 1015 Hz.
1.7: Se emite un haz de fotones mediante una transicin electrnica entre los niveles E 2 =
8 eV y E 1 = 2 eV. Este haz luminoso de potencia P = 10 W incide sobre un metal cuyo trabajo de extraccin es e = 2,5 eV, originando la emisin de electrones por efecto fotoelctrico
con rendimiento = 0,8 (nmero de electrones emitidos/nmero de fotones incidentes).
Calcular: (a) la energa, frecuencia y cantidad de movimiento de los fotones; (b) la energa
cintica de los fotoelectrones; y (c) el nmero de ellos que son emitidos por segundo.
Sol. (a) = 1,45 1015 Hz; (b) p = 3,2 1027 kgm/s; (c) E c = 3,5 eV; N = 8 1012 .
1.8: Se consideran los rayos X producidos debidos a la transicin de los niveles E 2 = 6,33KeV
y E 1 = 2KeV. Determinar: (a) la frecuencia de dichos fotones; (b) la potencia emitida (en
mW) cuando el nmero de transiciones por segundo es N = 1014 s1 ; y (c) la distancia (en
) entre dos planos reticulares contiguos de un monocristal, sabiendo que la reflexin de
primer orden de esta radiacin se produce con un ngulo de = 450 .
Sol. (a) = 1,05 1018 Hz; (b) P = 69 mW; (c) d = 2,02 .
1.9: Se ilumina con luz de 280 nm la superficie de una aleacin metlica rodeada de oxgeno. A medida que la superficie se oxida, el potencial de frenado cambia de 1.3 a 0.7 eV.
Determinar qu cambios se producen en: (a) la energa cintica mxima de los electrones
emitidos por la superficie; (b) la funcin de trabajo; (c) la frecuencia umbral; y (d) la constante de Planck.
Sol. (a) E c disminuye en 0,6 eV; (b) e aumenta en 0.6 eV; (c) 0 aumenta en 1,46 1014 Hz;
(d) h no vara.
1.10: Experimentalmente se observa que no todos los fotones que chocan contra la superficie metlica son capaces de extraer un fotoelectrn. En un experimento, luz de longitud
de onda 4366 ilumina una superficie de sodio de funcin trabajo 2.5 eV dando lugar a
una emisin de 8,3 103 C/J. Cuntos fotones se requieren para emitir un fotoelectrn?
Sol. 365 fotones.
1.11: Suponer un tomo de hidrgeno en el estado n = 2 y un electrn en rbita circular.
Determinar: (a) el radio de la rbita; (a) la energa potencial elctrica; (a) la energa cintica;
y (a) le energa total del electrn en esa rbita.
Sol. (a) r = 2,12; (b) E p = 6,79 eV; (c) E c = 3,39 eV; (d) E = 3,39 eV.
1.12: Cul es el mnimo potencial de aceleracin capaz de excitar un electrn para sacar
un tomo de Hidrgeno de su estado fundamental?
Sol. Va = 10,2 V.
1.13: En una transicin a un estado de energa de excitacin de 10.19 eV, un tomo de
hidrgeno emite un fotn cuya longitud de onda es de 4890 . Determinar la energa del
estado inicial del que proviene la desexcitacin y los nmeros cunticos de los niveles energticos inicial y final. A qu transicin corresponde?
Sol. 4 2.
1.14: Cul es el mayor estado que pueden alcanzar tomos no excitados de hidrgeno
cuando son bombardeados con electrones de 13.2 eV?
Sol. n = 5.
1.15: Si la vida promedio de un estado excitado del hidrgeno es del orden de 108 s, estimar cuntas revoluciones da un electrn cuando se encuentra inicialmente a) en el estado
n = 2 y b) en el estado n = 15, antes de experimentar una transicin al estado fundamental.
c) Comparar estos resultados con el nmero de revoluciones que ha dado la Tierra en sus
dos mil millones de aos existencia.
Sol.: a) 8,22 106 rbitas; b) 1,95 104 .
1.16: Calcular la energa, el momento lineal y la longitud de onda del fotn que es emitido
cuando un tomo de hidrgeno sufre una transicin desde el estado 3 al estado fundamen-
Apuntes de CF
FLML
27
tal.
Sol.: E = 12,07 eV, p = 6,44 1027 kgm/s, = 1030 .
1.17: Para transiciones en tomos de hidrgeno correspondientes a n = 1, demuestre
que para valores muy grandes de n, la energa de
viene dada por E = 2 (m e c 2 /n 3 ),
la transicin
1 e2
siendo una constante adimensional, = 2 4
, cuyo valor numrico es 1/137.
0 hc
1.18: Compare la frecuencia de revolucin en el tomo de hidrgeno con la frecuencia

del fotn emitido en una transicin para la que n = 1 cuando los estados iniciales son a)
n = 10, b) n = 100 y c) n = 1000.
Sol.: A medida que n aumenta ambos valores se aproximan.
1.19: Un haz de partculas (q=+2e), que es acelerado mediante una diferencia de potencial de 10 V, incide sobre un cristal de NaCl (d = 2,82 ). Cul es el mximo orden de la
reflexin de Bragg que puede ser observada?
Sol.: n max = 125.
1.20: Si un haz monocromtico de neutrones (m n = 1,67 1027 kg) incide sobre un cristal
de berilio cuyo espaciado entre planos atmicos es de 0,732 , cul ser el ngulo entre el
haz incidente y los planos atmicos que d lugar a un haz monocromtico de neutrones de
longitud de onda 0,1 ?
Sol.: 3,9o .
1.21: El lmite de resolucin de un aparato es del mismo orden de magnitud que la longitud de onda usada para ver los objetos bajo estudio. Para un microscopio electrnico que
opera a 60000 V, cul es el tamao mnimo del objeto que puede ser observado con este
microscopio?
Sol.: d 0,05.
1.22: Un electrn, un neutrn y un fotn tienen la misma longitud de onda, = 1 . Calcule y compare la frecuencia y energa de cada cual.
Sol. electrn: = 3,64 1016 Hz, E = 151 eV; neutrn: = 1,98 1013 Hz, E = 8,2 102 eV;
fotn: = 3 1018 Hz, E = 1,24 104 eV.
1.23: Cul es la incertidumbre en la posicin de un fotn de longitud de onda 3000 , si
su longitud de onda se conoce con una precisin de una parte en un milln?
Sol. x 50 mm.
1.24: La posicin de una partcula se mide al paso de sta por una ranura de anchura d .
Hallar la correspondiente incertidumbre en el momento de la partcula.
Sol. p x h/x.
1.25: Cul sera la incertidumbre en la posicin de un electrn que ha sido acelerado mediante una diferencia de potencial V = 1000 0,1?
1.26: Si el ancho de energa de un estado excitado de un sistema es de 1.1 eV. (a) Cul es
el promedio de duracin en ese estado?; (b) Si el nivel de energa de excitacin del estado
del sistema fuera de 1.6 keV, cul es la mnima incertidumbre en la longitud de onda del
fotn emitido cuando el estado excitado decaiga?
Sol. (b) 5 103 .
1.27: La ley de conservacin de la energa slo puede verificarse dentro de los lmites de la
incertidumbre de la medida, E . Consecuentemente esta ley podra ser violada si el intervalo de tiempo es suficientemente corto. Durante qu mximo intervalo de tiempo puede
violarse la conservacin de la energa de un sistema en (a) el doble de la energa correspondiente a un electrn en reposo, mc 2 (lo que corresponde a un fotn que produce espontneamente un par electrnpositrn); (b) el doble de la energa asociada a la masa en
reposo de un protn ?
Sol. (a) 1,27 1021 s.
FLML
Apuntes de CF
28

1.28: Un tomo emite fotones de luz verde, = 5200 durante un intervalo = 2 1010 s.
Estime la dispersin, , en la longitud de onda de la luz emitida.
Sol. & 7,17 1013 m.
Constantes: c = 3 108 m/s, 1 eV=1,6 1019 J; h = 6,6 1034 Js = 4,1 1015 eVs; m e =
9,1 1031 kg.
Apuntes de CF
FLML
T EMA 2
Ecuacin de Schrdinger.
Aplicaciones
2.1. Ecuacin de Schrdinger
La primera formulacin que se realiz de la teora cuntica aport una
visin novedosa y revolucionara de multitud de fenmenos. No obstante, esta teora presentaba una seria de inconvenientes, entre los que cabe
destacar lo siguiente:
Slo era aplicable a sistemas peridicos.
No explicaba las diferentes probabilidades de transicin entre distintos niveles energticos.
No explicaba el espectro de los tomos multielectrnicos.
Asignaba trayectorias a los electrones, lo cual es incompatible con el
principio de incertidumbre.
Bsicamente, lo que faltaba era una teora unificadora que diera cuenta de
los diversos fenmenos cunticos, a saber: dualidad onda/corpsculo de
la radiacin/materia, principio de incertidumbre, naturaleza probabilstica de los fenmenos, etc.
Tal como ya se apunt en el Apartado 1.5.3, la descripcin de los fenmenos cunticos se realizar a travs de una funcin de onda, (r, t ),
que describe completamente el estado de un sistema dado. A partir de esta funcin de onda se podrn obtener los valores medios de las distintas
magnitudes observables asociadas al sistema as como la probabilidad de
encontrar a las partculas en distintos puntos del espacio. Puede, por tanto, concluirse que
el problema central de la teora cuntica es la determinacin de la funcin de onda (r, t ).

29
30
Tema 2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones

En 1925, E. Schrdinger plante como un postulado la ecuacin diferencial que permite calcular la funcin de onda, (r, t ), cuando se conoce
la energa potencial, E p (r, t ) (o a menudo simplemente potencial), de la
que derivan las interacciones que actan sobre el sistema. Para el caso de
un sistema monodimensional, la ecuacin de Schrdinger para la funcin
de onda (x, t ) es
Ecuacin de Schrdinger para un

sistema monodimensional
~2 2
2m x 2
+ E p (x, t ) = j ~
.
t
(2.1)
Es interesante notar que la solucin de esta ecuacin ser, en general, una

funcin compleja debido a la aparicin de la unidad imaginaria, j , en el
segundo miembro. Esto implica que el uso de funciones complejas no ser
un recurso matemtico (tal como se hace, por ejemplo, en el estudio de
corriente alterna y en las ondas en Fsica Clsica) sino que, por el contrario,
forma parte esencial de la propia teora.
La funcin de onda (x, t ) debe cumplir las siguientes condiciones:
Tanto (x, t ) como su derivada espacial deben ser funciones continuas, finitas y monoevaluadas.
De acuerdo a la expresin (1.39), debe cumplirse la siguiente condicin de normalizacin (ver Apndice C):
Z
Z
(x, t )(x, t ) dx = 1 ,
(2.2)
|(x, t )|2 dx =
que nos dice que la probabilidad de encontrar a la partcula en algn

punto x debe ser igual a la unidad (es decir, la partcula debe estar en
algn sitio).
A partir de la expresin (1.38), podemos establecer que
(x, t )(x, t )dx =
probabilidad de encontrar a la
partcula en el instante t
entre x y x + dx
(2.3)
por lo que el valor esperado1 en una posible medicin de la posicin de la

partcula vendr dado por
Z
x =
x dx
(2.4)
(en analoga con la expresin (C.5) del Apndice C). Para cualquier otra
magnitud, f (x), que sea funcin de x, su valor esperado podr calcularse
mediante
Z
f (x) =
f (x) dx .
(2.5)
1 En el contexto de la Fsica Cuntica, el valor esperado es el promedio de los valores de

una serie de medidas repetidas sobre un conjunto de sistemas idnticamente preparados.
No es el promedio de los valores de una serie de medidas repetidas sobre un nico y mismo
sistema
Apuntes de CF
FLML
2.1. Ecuacin de Schrdinger
31
Estados estacionarios
Existen multitud de situaciones en las cuales la energa potencial, E p ,
del sistema no depende del tiempo sino nicamente de la posicin de los
distintos componentes del sistema, en cuyo caso tendremos que E p = E p (x)
(por ejemplo, la energa potencial electrosttica)2 . Para estas situaciones
encontramos que la funcin de onda puede escribirse como el producto
de dos funciones (x) y g (t ), de modo que (x, t ) = (x)g (t ). Al sustituir
esta forma de la funcin de onda en la ecuacin (2.1), obtenemos que
~2
d2 (x)
dg (t )
g (t )
+ g (t )E p (x)(x) = j ~ (x)
,
2m
dx 2
dt
que tras dividir ambos miembros por (x)g (t ) queda como
1
~2 d2 (x)
1
dg (t )
+
E
(x)(x)
=
j
~
.
p
(x)
2m dx 2
g (t )
dt
(2.6)
Notemos que la nica posibilidad de que los dos miembros de la ecuacin

anterior sean iguales consiste en que ambos sean idnticos a una constante que denominaremos E de momento. Al igualar cada uno de los miembros de (2.6) a dicha constante obtenemos las dos siguientes ecuaciones
diferenciales ordinarias acopladas:
~2 d2 (x)
2m
+ E p (x)(x) = E (x)
dx 2
dg (t )
jE
=
g (t ) .
dt
~
(2.7a)
(2.7b)
Es fcil comprobar que la solucin a la ecuacin (2.7b) viene dada por la

funcin
g (t ) = e j (E /~)t .
(2.8)
Notemos que el factor E /~ tiene unidades de inverso de tiempo (o, lo que
es lo mismo, de frecuencia), por lo que la constante E tendr unidades de
~ por frecuencia, es decir, julios. En consecuencia dicha constante puede
identificarse con la energa del sistema.
Es importante destacar que la situacin anterior en la que la energa
potencial no dependa del tiempo da lugar a estados estacionarios, esto
es, a situaciones que no varan con el tiempo. Para comprobar este hecho
basta notar que, teniendo en cuenta (2.8), la funcin de onda puede escribirse como
(x, t ) = (x)e j E t /~ ,
(2.9)
2 Recurdese que en el marco de la Fsica Clsica, estos sistemas reciban el nombre de
sistemas conservativos, en los cuales la fuerza que acta sobre el sistema se calcula a partir
del gradiente de la energa potencial, esto es,
F (x) =
FLML
dE p (x)
dx
Apuntes de CF
32

que da lugar a una densidad de probabilidad
|(x, t )|2 = (x, t )(x, t )
= (x)e+ j E t /~ (x)e j E t /~ = |(x)|2
(2.10)
que NO depende del tiempo. En estos estados estados estacionarios la energa debe conservarse, viniendo sta dada precisamente por la variable E de
las ecuaciones (2.7a) y (2.7b).
En lo que sigue, se tratarn nicamente situaciones estacionarias, por
tanto, la funcin de onda (x) y la energa del sistema, E , se obtendr resolviendo la ecuacin (2.7a) , esto es,
Ecuacin de Schrdinger
independiente del tiempo
~2 d2 (x)
2m
dx 2
+ E p (x)(x) = E (x)
(2.11)
que se conoce como ecuacin de Schrdinger independiente del tiempo.

Evidentemente la resolucin de esta ecuacin requiere el conocimiento del
potencial, E p (x), del sistema.
2.2. Partcula ligada. Cuantizacin

Una vez establecida la ecuacin que rige el comportamiento de los sistema estacionarios, procederemos la resolucin de algunas situaciones relevantes. Empezaremos tratando la partcula libre para luego abordar el
problema de la partcula en un pozo tanto monodimensional como tridimensional.
2.2.1. Partcula Libre

Para una partcula libre (esto es, una partcula sobre la que no actan
fuerzas externas), la energa potencial no depende de la posicin, pudindose tomar su valor de referencia como nulo. La ecuacin a resolver ser,
por tanto,
~2 d2 (x)
= E (x) ,
(2.12)
2m dx 2
que puede reescribirse, al redefinir
k2 =
2mE
~2
(2.13)
o equivalentemente
E = ~ =
~2 k 2
2m
(2.14)
como
d2 (x)
+ k 2 (x) = 0 .
dx 2
La solucin de esta ecuacin puede escribirse como
(2.15)
(x) = Ae j kx ,
Apuntes de CF
FLML
33
(donde k juega el papel de un nmero de ondas) por lo que la funcin de

onda vendr dada por
(x, t ) = Ae j (kxE t /~) .
(2.16)
Si tenemos en cuenta las relaciones de de Broglie (E = ~, p = ~k), podemos comprobar que la solucin de la ecuacin de Schrdinger para una
partcula libre coincide con la expresin obtenida previamente en (1.40)
mediante razonamientos puramente heursticos.
Si en la expresin de la energa de la partcula libre,
E = p 2 /2m ,
sustituimos el valor de E y p por sus equivalentes segn de Broglie, obtenemos que
~2 k 2
,
~ =
2m
Ep(x)
expresin que es idntica a (2.14), confirmando as la congruencia de la

presente formulacin con las hiptesis de de Broglie.
2.2.2.
Pozo potencial infinito monodimensional
Existen muchas situaciones prcticas en las cuales una partcula es

completamente libre excepto en los contornos (o paredes) de un recinto
donde una fuerza infinita evita que la partcula salga de este recinto. Para
el caso monodimensional de un recinto limitado por 0 x a, la energa
potencial de dicho sistema vendr dada por
E p (x) =
(
0,
si 0 x a
, en otro caso.
x
x=0
x=a
(2.17)
En el caso de una partcula cuntica sometida a este tipo de potencial,

debe cumplirse que la probabilidad de encontrar la partcula fuera del pozo sea nula, esto es,
(x) = 0
0>x >a .
(2.18)
En el interior del pozo de potencial, dado que la partcula no esta afectada
por fuerza alguna, la funcin de onda ser la solucin de
d2 (x)
+ k 2 (x) = 0 ,
dx 2
siendo
k=
p
2mE
(2.19)
(2.20)
el nmero de ondas asociado. La solucin general de la ecuacin (2.19)

puede expresarse como
(x) = Ae+ j kx + B e j kx ,
FLML
Apuntes de CF
34

donde A y B sern dos constantes que se determinarn de acuerdo a las
condiciones del problema. En concreto, al aplicar la condicin (2.18) al extremo x = 0, esto es (0) = 0, obtendremos que
A + B = 0,
por lo que
B = A .
Esta condicin hace que la funcin (x) pueda escribirse como
(x) = A e+ j kx e j kx = C sen kx ,
donde C = 2 j A. Al imponer ahora la condicin (2.18) en el extremo x = a,
es decir: (a) = 0, tenemos que
sen ka = 0
ka = n ,
esto es,
,
n = 1, 2, 3, . . .
(2.21)
a
Es interesante notar que la condicin de contorno en x = a no ha fijado el
valor de la constante C sino ms bien el de la variable k y de aqu que los
posibles valores de la energa, teniendo en cuenta (2.20), vengan dados por
kn = n
Energa de la partcula en un
pozo monodimensional
En =
~2 kn2
2m
= n2
~2 2
2ma 2
= n2E0 , n 1 .
(2.22)
La expresin anterior nos dice que la energa de una partcula cuntica

en un pozo monodimensional de paredes infinitas no puede tomar cualquier valor sino solamente ciertos valores permitidos, esto es, la energa
esta cuantizada. El estado n = 1 se denomina estado fundamental, siendo
su valor de energa E 0 . Los estados con n > 1 se denominan estados excitados.
El valor de la constante C se determina al imponer la siguiente condicin de normalizacin (2.2):
Z a
a
2
|C |2 sen2 (kx) dx = |C |2 = 1, luego |C |2 = .
2
a
0
Dentro del pozo, las diferentes soluciones de la funcin de onda son entonces
r
n
2
n (x) =
sen
x ,
(2.23)
a
a
donde el numero n se denomina nmero cuntico y define el estado de la
partcula en el pozo monodimensional.
Es interesante notar que el estado de mnima energa de la partcula en
el pozo viene dado por E 0 , lo que significa que el valor de mnima energa no es nulo. Este sorprendente hecho ya fue expuesto en el Apartado
1.6.1 como una posible consecuencia del principio de incertidumbre posicin/momento. En concreto, la expresin (1.48) estableca que la energa
de la partcula en el pozo deba ser
E&
Apuntes de CF
h2
.
2ma 2
FLML
y(x)
35
|y(x)|
n=1
n=2
n=3
x=0
x=a
x=0
x=a
F IGURA 2.1: Aspecto de las funciones de onda y funciones densidad de probabilidad para distintos nmeros cunticos
Este hecho muestra de nuevo que la formulacin basada en la ecuacin de
Schrdinger es congruente con el principio de Heisenberg.
El conjunto de funciones de onda n (x) presenta una serie de propiedades interesantes:

La funcin de onda n (x) pasa n 1 veces por cero, esto es, presenta
n 1 nodos.
Son funciones pares o impares con respecto al centro del pozo
A medida que el nmero de nodos aumenta, crece el valor de la energa del estado
E JEMPLO 2.1 Calcule la longitud de onda mnima del fotn que debiera ser absorbido para que un electrn situado en el estado fundamental de un pozo monodimensional de paredes infinitas de anchura a = 2 transite hasta el tercer estado
excitado.
Si la energa del electrn en el estado fundamental en el pozo es
E0 =
~2 2
2m e a 2
(1,05 1034 )2 2
= 1,49 1018 J = 9,34 eV ,
2 9,1 1031 (2 1010 )2
y la energa en el tercer estado excitado (n = 4) es, segn (2.22),

E 4 = 16E 0 = 149,4 eV ,
FLML
Apuntes de CF
36

la energa, E , necesaria para realizar la transicin del estado 1 4 vendr dada
por
E = (42 12 )E 0 = 15E 0 = 2,23 1017 J .
Teniendo ahora en cuenta que la energa de un fotn es E = hc/, la longitud
de onda mnima, min , de un fotn capaz de producir la transicin anterior al ser
absorbido ser
min =
z
c
2.2.3.
a
x
6,6 1034 3 108

hc
= 8,86 nm .
=
15E 0
2,23 1017
Pozo de potencial tridimensional
Considrese una situacin en la que una partcula cuntica est confinada en cierta regin del espacio (por ejemplo, un paraleleppedo) de la
que no puede salir. Dicha situacin podra estar relacionada con la ausencia de fuerzas en el interior de la regin y una fuerza infinita en las paredes
impenetrables. Este caso, que podra describir la situacin de un electrn
libre en un slido, estara caracterizado por la siguiente energa potencial:
E p (x, y, z) =
(
0,
si 0 < x < a, 0 < y < b, 0 < z < c
, en otra parte .
(2.24)
Para resolver la ecuacin de Schrdinger en este sistema (y as encontrar las funciones de onda y las energas de la partcula), debemos tener
en cuenta que ahora la energa potencial depende de las tres variables espaciales x, y y z, es decir, nos enfrentamos a un problema tridimensional.
Este hecho implica que la ecuacin de Schrdinger debe ser extendida al
caso tridimensional. Dado que las funciones de onda dependern de las
tres variables espaciales, = (x, y, z), la ecuacin de Schrdinger debe
incluir derivadas parciales con respecto a cada una de estas variables, por
lo que la extensin de la ecuacin (2.11) al caso 3D tendra la siguiente forma:
~2 2 2 2
+
+
+ E p (x, y, z) = E ,
(2.25)
2m x 2 y 2 z 2
o bien usando el operador 2 2 /x 2 + 2 /y 2 + 2 /z 2 ,
~2
2m
2 + E p (x, y, z) = E .
(2.26)
Si ahora tenemos en cuenta la forma de la energa potencial dada en (2.24),

la ecuacin anterior puede reescribirse como
2 2 2
+
+
+ k 2 = 0
x 2 y 2 z 2
0 < x < a,
0 < y < b,
(2.27)
0<z <c ,
donde, de nuevo, k viene dado por (2.20). La ecuacin anterior puede resolverse por el mtodo de separacin de variables, el cual supone que la
Apuntes de CF
FLML
37
funcin de onda, (x, y, z), puede expresarse como el producto de tres funciones, cada una de las cuales depende nicamente de una de las variables
espaciales, esto es,
(x, y, z) = X (x)Y (y)Z (z) .
Al introducir esta solucin en (2.27), obtenemos el siguiente conjunto de
ecuaciones diferenciales ordinarias:
d2 X
+ k x2 X = 0 ,
dx 2
d2 Y
+ k y2 Y = 0 ,
dy 2
d2 Z
+ k z2 Z = 0 ,
dz 2
X (x) = 0 para 0 x a
(2.28a)
Y (y) = 0 para 0 y b
(2.28b)
Z (z) = 0 para 0 z c
(2.28c)
donde
k x2 + k y2 + k z2 = k 2 =
2mE
~2
(2.29)
Ntese que cada una de las ecuaciones (2.28a)(2.28c) es equivalente a la

ecuacin (2.19) ya resuelta para el caso del pozo monodimensional. Consecuentemente, la solucin del presente problema vendr dada por
kx = nx
, k y = n y , kz = nz ,
a
b
c
(2.30)
estando la funcin de onda de la partcula (esto es, cada estado del sistema) determinada por tres nmeros cunticos, (n x , n y , n z ) [n = 1, 2, 3, . . . ]
segn
r
n
ny
n
8
x
z
n x n y n z (x, y, z) =
sen
x sen
y sen
z .
(2.31)
abc
a
b
c
Teniendo en cuenta que segn (2.29)
E=
~2 k 2
2m
~2
2m
(k x2 + k y2 + k z2 )
(2.32)
y (2.30), los valores de la energa de cada estado vendrn finalmente dados

por
!
2
~2 2 n x2 n y n z2
E nx n y nz =
+
+
,
(2.33)
2m a 2 b 2 c 2
expresin que muestra que la energa est cuantizada y que depende de
tres nmeros cunticos.
Funcin densidad de estados
Una situacin prctica interesante se presenta cuando el pozo de potencial es cbico, es decir, cuando a = b = c L. En este caso, cada estado
del sistema viene determinado de nuevo por la terna de nmeros cunticos (n x , n y , n z ), pudindose escribir ahora la energa de cada estado como
E nx n y nz =
FLML
~2 2
n 2 + n 2y + n z2
2mL 2 x
n x2 + n 2y + n z2
L
E0 ,
(2.34)
Apuntes de CF
38

donde
E0 =
~2 2
2mL 2
(2.35)
Segn muestra la expresin (2.34), los valores de la energa muestran

degeneracin, esto es, existen distintos estados (esto es, estados caracterizados por ternas distintas de nmeros cunticos) que presentan el mismo
valor de la energa. Para ver esto en ms detalle considrese la siguiente
tabla que muestra los valores de la energa y su correspondiente valor de
degeneracin para las primeras ternas de nmeros cunticos:
14E0
12E0
11E0
9E0
6E0
3E0
Energa
Terna de nmeros cunticos
Degeneracin (g )
3E 0
6E 0
9E 0
11E 0
12E 0
(1, 1, 1)
(2, 1, 1), (1, 2, 1), (1, 1, 2)
(2, 2, 1) , (2, 1, 2), (1, 2, 2)
(3, 1, 1), (1, 3, 1), (1, 1, 3)
(2, 2, 2)
(1, 2, 3), (1, 3, 2), (2, 1, 3)
(2, 3, 1), (3, 1, 2), (3, 2, 1)
1
3
3
3
1
14E 0
Cubo microscpico
Cubo macroscpico
Podemos observar, por ejemplo, que para el valor de energa E = 14E 0 encontramos seis estados con distintos nmeros cunticos.
Pozo de potencial de dimensiones macroscpicas

En el caso de que la partcula (por ejemplo, un electrn) est en el interior
de un pozo cuyas dimensiones sean macroscpicas, por ejemplo: L 1cm,
la mnima diferencia energtica entre los distintos estados, E E 0 , se hace extremadamente pequea:
E =
~2 2
2mL 2
(1034 )2 10
1033 J 1014 eV .
1030 (102 )2
Este valor tan diminuto para E hace que, a efectos prcticos, podamos
despreciar el hecho de que el espectro de energa est cuantizado y consideremos a la energa, E , como una variable continua ms bien que discreta. En consecuencia, incluso en un intervalo infinitesimal de energa,
d E , existirn muchos estados distintos. En esta situacin es conveniente
introducir el concepto de funcin densidad de estados, g (E ). Esta funcin
mide la densidad energtica de estados, es decir,
g (E )d E =
nmero de estados cuyos valores
de energa estn comprendidos en el

.
intervalo entre E y E + d E
Una manera directa de obtener la funcin densidad de estados requiere el

clculo, en primer lugar, del nmero de estados, N (E ), cuyas energas son
menores o iguales que E :
N (E ) = Nmero de estados cuya energa E .
Apuntes de CF
FLML
39
Para llevar a cabo el clculo anterior, considrese la construccin mostrada al margen en la que cada punto, de coordenadas (n x , n y , n z ), representa un estado cuntico distinto (ntese que n 1, por lo que los puntos
slo aparecen en el octante mostrado). La distancia, R, desde el origen a
cada uno de los puntos viene dada por
R 2 = n x2 + n 2y + n z2 ,
o equivalentemente, teniendo en cuenta la expresin de la energa dada
por (2.34),
1
E 2
.
(2.36)
R=
E0
La expresin anterior nos muestra que la distancia al origen de cada punto
en el espacio (n x , n y , n z ) depende de la energa del estado asociado a dicho
punto, es decir, R = R(E ). El nmero de estados con energas menores o
iguales que E puede, por tanto, calcularse muy aproximadamente como
el nmero de puntos cuya distancia al origen es menor que R(E ), esto es,
como el volumen de un octante de esfera3 de radio R:
N (E ) =
1
8
Volumen esfera de radio R(E )
Volumen de cada cubito elemental 1
por lo que
N (E ) =
1 4
E 3/2
.
[R(E )]3 =
8 3
6 E 03/2
(2.37)
Una vez calculado N (E ), el nmero de estados comprendido entre E y E +

dE vendr dado simplemente por
d
dN (E ) =
N (E ) dE = g (E )dE ;
dE
esto es,
dN =
4E o3/2
E 1/2 dE ,
(2.38)
de donde podemos deducir que la funcin densidad de estados, g (E ), ser

g (E ) = C E 1/2 ,
(2.39)
g(E)
donde la constante C suele expresarse como
C=
4E o3/2
4V (2m 3 )1/2 V (2m)3/2

=
,
h3
4~3 2
(2.40)
siendo V = L el volumen de la regin macroscpica donde se encuentra

la partcula. Este importante resultado ser ampliamente usado en posteriores temas cuando se estudien electrones libres en slidos.
3 Ntese que slo deben considerarse los puntos que tienen valores positivos de
n x , n y , n z ; es decir, los puntos situados en el octante mostrado en la figura anterior
FLML
Apuntes de CF
40
2.3. Efecto tnel

En el apartado 2.2.2 se obtuvo la funcin de onda para el caso de un
pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas. En ese caso, la
funcin de onda fue fcil de obtener debido a que las condiciones de contorno forzaban que (x) fuese nula en los extremos del pozo. Una pequea modificacin de este problema ilustrar un fenmeno cuntico que es
de fundamental importancia en muchos dispositivos de estado slido: el
efecto tnel cuntico de un electrn a travs de una barrera de potencial
de anchura y altura finita.
Ep(x)
w
V0
x=L
y(x)
Considrese una partcula sometida a la barrera de potencial de anchura w y altura V0 mostrada en la figura adjunta y cuya energa total sea menor que la altura de la barrera (E < V0 ). En el presente caso, la condicin de
contorno no impone ahora que la funcin de onda tenga que anularse en
el borde de la barrera (x = L), por lo que (x = L) tomar un valor distinto
de cero. Teniendo en cuenta la propiedad de continuidad para la funcin
de onda y su derivada, podemos deducir que (x) tampoco ser nula en
el interior de la barrera ni a su derecha. Dado que (x) no se anula para
x > L + W (y, por tanto, tampoco lo hace |(x)|2 ), existir cierta probabilidad de encontrar al electrn ms all de la barrera. Aunque La presencia
del electrn en estos lugares parece indicar que el electrn haya saltado
la barrera de potencial (no podra hacerlo dado que tiene una energa insuficiente para ello), debemos interpretar este resultado considerando ms
bien que la partcula ha atravesado la barrera de algn modo. Este efecto, que podra visualizarse como un tunelamiento a travs de la barrera,
es un fenmeno puramente cuntico que no tiene ninguna analoga en la
Fsica Clsica, donde obviamente una partcula no puede saltar una barrera de potencial a no ser que tenga suficiente energa para ello (E debe
ser mayor que V0 ). Debe notarse que la amplitud de la funcin de onda ms
all de la barrera decrecer a medida que la anchura y la altura de la barrera
aumentan, de modo que para una barrera de potencial infinitamente alta
se recuperaran los resultados del pozo infinito.
2.4. tomos hidrogenoides

2.4.1.
Nmeros cunticos
Tal como ya se ha descrito, una de las caractersticas ms importantes de la ecuacin de Schrdinger es que es consistente con muchos de
los postulados de la Fsica Cuntica, hacindose stos explcitos cuando se
resuelve matemticamente la ecuacin. Esto ha sido observado, por ejemplo, en la cuantizacin de los niveles energticos para la partcula en un
pozo de potencial. En este sentido, podremos esperar que la aplicacin de
la ecuacin de Schrdinger a la resolucin del tomo de Hidrgeno reproduzca algunos de los postulados de Bohr, adems de proporcionar informacin adicional que permita explicar algunos de los resultados que el
Apuntes de CF
FLML
41
Ep(r)
modelo de Bohr no poda.

Para resolver la ecuacin de Schrdinger para un tomo hidrogenoide
(esto es, aqul compuesto de un ncleo en reposo con una carga positiva Z e y un electrn de carga e orbitando en torno a dicho ncleo) debemos obtener, en primer lugar, la energa potencial del sistema. Dado que el
sistema que estamos estudiando es un conjunto de partculas cargadas, la
energa potencial del sistema debe dar cuenta de la atraccin electrosttica
existente entre el ncleo y el electrn (es fcil comprobar que la interaccin
gravitatoria es totalmente despreciable respecto a la electrosttica), por lo
que encontramos que
1 Z e2
.
(2.41)
E p (r ) =
40 r
Dado que el potencial, E p , no depende explcitamente del tiempo, la ecuacin que habra que resolver para la parte espacial de la funcin de onda,
(r) sera
~2 2
1 Z e2

= E .
(2.42)
2m
40 r
Afortunadamente esta ecuacin puede resolverse de forma analtica (sin
necesidad de mtodos numricos), aunque es una tarea de cierta complejidad matemtica que no ser expuesta aqu en detalle. Para resolver (2.42)
se aplicara de nuevo el mtodo de separacin de variables, tal y como ya
se us en la resolucin de (2.26), aunque ahora debido a la simetra esfrica
del potencial, la separacin de variables se realiza en coordenadas esfricas, esto es,
(r) = (r, , ) = R(r )()() .
z
r
q
r
f
x
Tras laboriosos clculos matemticos se obtiene que la funcin de onda

depende de tres nmeros cunticos (al igual que ocurra con la partcula
en el pozo tridimensional), que en este caso se denominan: n, l y m l . En
consecuencia, el estado del sistema, determinado por
n,l ,ml (r, , ) ,
estar descrito por esta terna de nmeros cunticos. La resolucin de (2.42)
nos proporcionara adems el siguiente significado para estos tres nmeros cunticos:
Nmero cuntico principal n,
Este nmero cuntico puede tomar los valores naturales
n = 1, 2, 3, . . . .
(2.43)
Est relacionado con R(r ), la parte radial de la funcin de onda.

En principio, el valor de la energa del estado depende nicamente de este nmero cuntico. El resultado que se obtiene es
13,6 2
Z (eV) .
(2.44)
n2
Este resultado es idntico al obtenido por el modelo de Bohr,
aunque ahora se ha obtenido como un resultado matemtico
fruto de la resolucin de la ecuacin de Schrdinger.
En =
FLML
Energa del tomo de H
Apuntes de CF
42

El valor ms probable del radio en el que se puede localizar al
electrn aumenta al incrementarse n. Esto sugiere la existencia
de capas en el tomo.
Nmero cuntico orbital l,
Los valores que puede tomar este nmero cuntico son
l = 0, 1, 2, . . . , n 1 .
(2.45)
Est relacionado con la parte azimutal de la funcin de onda,

().
Mdulo momento angular orbital
Determina el valor del mdulo del momento angular orbital

(L), esto es, de la resolucin de (2.42) se obtiene que
p
L = l (l + 1) ~ .
(2.46)
Es interesante notar que si l 1, el valor de L coincide con
el proporcionado por el modelo de Bohr (L = n ~) ver expresin (1.15), lo que nos dice que el resultado del modelo de
Bohr era una aproximacin de L para valores altos del nmero
cuntico l .
En funcin del valor nmero de l se usa la siguiente denominacin:
l
0
s
1
p
2
d
3
f
...
...
Nmero cuntico magntico, m l

Puede tomar los siguientes valores enteros
m l = 0, 1, 2, . . . , l .
(2.47)
Est relacionado con la parte angular () de la funcin de onda.

Determina la orientacin del momento angular L cuando se introduce una direccin privilegiada (por ejemplo, mediante un
campo magntico B). Si esta direccin privilegiada est dirigida, por ejemplo, segn el eje z, encontramos que
Componente z del momento

angular orbital
L z = ml ~ .
(2.48)
En presencia de un campo magntico, la aparicin de este nmero cuntico da lugar al efecto Zeeman. Este efecto consiste
en que cada raya espectral en ausencia de campo magntico se
desdobla en tres si B 6= 0.
Para explicar este hecho debemos considerar que un anlisis
semiclsico nos dice que el electrn con momento angular L
da lugar a un momento dipolar magntico, pm , cuya expresin
es
e
pm =
L.
(2.49)
2m e
Apuntes de CF
FLML
43
Este momento dipolar magntico origina a su vez una energa

potencia de origen magntico, E p,m , dada por
E p,m = pm B .
(2.50)
Introduciendo ahora el valor de pm dado por (2.49) en la ltima

expresin obtenemos que
E p,m =
e
e~
LB =
Lz B ,
2m e
2m e
(2.51)
que puede reescribirse, al considerar (2.48), como

E p,m = m l B B ,
(2.52)
donde B = e ~/2m es una constante que se conoce como magnetn de Bohr y su valor es
B = 9,27 1024 Am .
La energa del estado descrito por la terna de nmeros cunticos (n, l , m l ) ser por tanto
E = E n + m l B B .
(2.53)
Energa en presencia de un
campo magntico
Esta ltima expresin indica que, en ausencia de campo magntico (B = 0), un estado con nmero cuntico l presenta una
degeneracin en la energa de 2l + 1; es decir, existen 2l + 1 estados (debido a los distintos valores de m l ) con el mismo valor
de energa. As se tiene que
estado l
degeneracin
s
1
p
3
d
5
f
7
...
...
Cada uno de los estados degenerados anteriores se desdoblar en 2l + 1 estados en presencia de un campo magntico. La
aparicin de estos nuevos valores de la energa hace que aparezcan ms rayas espectrales, de modo que cuando se tienen
en cuenta las reglas de seleccin (reglas que nos dicen que las
nicas transiciones entre estados permitidas son aquellas que
verifican l = 1, m l = 0, 1), cada una de las rayas espectrales
originales (cuando B = 0) se desdobla en tres.
E JEMPLO 2.2 Obtenga el valor del campo magntico aplicado a un gas de hidrgeno si existe una variacin mnima de 120 en la raya espectral correspondiente
a la transicin 3 2.
La frmula de Rydberg-Ritz, expresin (1.1), nos dice que la longitud de onda
correspondiente a una transicin con n = 3 y m = 2 es
1
1
1
= 1,0968 107 2 2
= = 6562,9 .
2
3
FLML
Apuntes de CF
44

Si tenemos en cuenta que la energa debida a la emisin de fotones de longitud de
onda es
hc
,
E=
la variacin en la longitud de onda, , con respecto a la energa vendr dada por
2
d
E = E ,
=
dE
hc
de donde deducimos que
E =
hc
6,6 1034 3 108
=
1,2 108 = 5,5 1021 J .
2
(6,57 107 )2
Considerando ahora, segn (2.53), que la variacin mnima en la energa debido a la presencia de un campo magntico de mdulo B viene dada por
E = B B ,
al igualar las dos expresiones anteriores obtenemos que
B=
2.4.2.
E
5,5 1021
=
= 593,8 T .
B
9,27 1024
Spin del electrn
Aunque la aplicacin de la ecuacin de Schrdinger al tomo de hidrgeno justific muchos de los fenmenos asociados a dicho tomo, todava
existan algunos fenmenos que no pudieron ser explicados satisfactoriamente. Uno de estos fenmenos fue la estructura fina del hidrgeno, que
consiste en que cada una de las rayas espectrales de este elemento (en ausencia de campo magntico) en realidad estaba compuesta de dos rayas
muy prximas. Esto indicaba que la energa de los diferentes estados del
tomo no slo dependan del nmero cuntico principal sino tambin de
otro nmero cuntico no descrito por la ecuacin de Schrdinger. Para solventar este problema se postul la existencia de un momento angular intrnseco, S, llamado momento de spin. Esta nueva magnitud es una propiedad puramente cuntica, en el sentido de que no existe ninguna magnitud
clsica anloga4 . Similarmente a lo que suceda con el momento angular
orbital, L, el mdulo y la orientacin del momento angular de spin, S, podan relacionarse con dos nuevos nmeros cunticos s y m s segn
S=
s(s + 1) ~ ;
S z = ms ~ ;
s = 1/2
(2.54)
m s = 1/2 .
(2.55)
Dado que el nmero cuntico s slo toma un nico valor, no tiene sentido
considerarlo como un nmero cuntico adicional y por ello el cuarto nmero cuntico que define el estado del tomo de hidrgeno ser el m s . El
4 La introduccin del spin del electrn slo pudo ser justificado posteriormente por Di-
rac en el marco de la teora cuntica relativista
Apuntes de CF
FLML
2.5. Tabla peridica
45
estado queda, por tanto, completamente determinado por la cuaterna de

nmeros cunticos: n, l , m l , m s .
Un estudio ms profundo de este tema nos mostrara que el spin del
electrn juega un papel fundamental en la explicacin de algunos fenmenos tan destacados como
Las fuerzas que intervienen en los enlaces covalente y metlico,
Las propiedades magnticas de los distintos materiales. Este hecho
puede justificarse debido a que, asociado al momento angular de
spin (S), existe un momento dipolar magntico de spin dado por
pm,s =
e
S,
me
(2.56)
que es, por ejemplo, responsable del origen del campo magntico
natural que presentan ciertos materiales (imanes, ferritas, etc...). Debe notarse que, en presencia de un campo magntico externo, el anterior momento magntico tambin provocar la aparicin de una
energa potencial magntica en similitud con la expresin (2.50). En
concreto, la energa magntica vendra en este caso dada por
spin
E p,m =
e
e
SB =
Sz B ,
me
me
(2.57)
o equivalentemente
spin
E p,m = B B .
(2.58)
2.5. Tabla peridica

La teora de Schrdinger ms el postulado sobre el spin proporciona
igualmente una justificacin terica a la disposicin de los distintos elementos en la Tabla Peridica. Esta justificacin proviene del estudio de los
tomos multielectrnicos, y dado que este estudio excede los objetivos
del presente tema, aqu optaremos por llevar a cabo un tratamiento eminentemente cualitativo que hace uso de aproximaciones muy simplificadoras. Una de las aproximaciones ms fructferas es la descripcin de la
funcin de onda de un tomo multielectrnico mediante funciones de onda de partculas aisladas; esto es, despreciando la interaccin mutua entre
los electrones. Estas funciones de onda son muy semejantes a las ya descritas para el tomo de hidrgeno y estarn por tanto caracterizadas por
los cuatro nmeros cunticos n, l , m l y m s .
Una de las diferencias ms importantes que aporta el estudio de las
funciones de onda del tomo multielectrnico con respecto al tomo de
hidrgeno consiste en que la energa del electrn en el tomo multielectrnico vendr ahora determinada por los nmeros cunticos n y l (recurdese que la energa del electrn slo dependa de n en el tomo de hidrgeno). La especificacin de estos dos nmeros cunticos n y l para cada
FLML
Apuntes de CF
46

electrn del tomo se denomina configuracin electrnica. La nomenclatura de esta configuracin no hace uso del valor del nmero cuntico l
sino de su letra asociada (ver Apartado 2.4.1). En este sentido los estados
determinados por n y l sern
n
l
1
0
1s
2
0
2s
1
2p
0
3s
3
1
3p
4
2
4d
0
4s
1
4p
2
4d
3
4f
0
5s
5
1
5p
...
...
Uno de los fenmenos cunticos que regir la configuracin de los electrones en los distintos estados se conoce como principio de exclusin de
Pauli, que puede enunciarse como
Principio de exclusin de Pauli
dos electrones en un sistema (tomo, slido,...) no pueden estar en el mismo estado cuntico.
En el caso del tomo multielectrnico, esto implica que no pueden poseer
la misma serie de nmeros cunticos. En consecuencia, teniendo en cuenta la degeneracin de los estados con el mismo nmero cuntico l (ya vista
en el Apartado 2.4.1) y la existencia de otra degeneracin simultnea debida al spin, cada estado caracterizado por l puede albergar el siguiente
nmero de electrones
estado l
nmero mximo de electrones
s
2
p
6
d
10
f
14
...
...
Otras consideraciones relevantes que surgen del anlisis de las funciones de onda del tomo multielectrnico son las siguientes:
La energa del electrn aumenta al incrementarse n dado que aumenta la distancia media del electrn al ncleo y ste ejerce menos
atraccin;
Para un n dado, los electrones con menor mdulo del momento angular tienen una probabilidad mayor de estar en regiones cercanas
al ncleo. Esto afecta a la carga efectiva del ncleo que siente el
electrn segn el grado de apantallamiento de la carga nuclear por
los dems electrones y, por consiguiente, explica la dependencia de
la energa con l y que para un valor dado de n, la energa crezca al
aumentar el valor de l ;
Si se tiene un electrn en cada uno de los m l estados asociados con
un l dado, la distribucin de la carga espacial tendr simetra esfrica.
Todas las consideraciones anteriores sirven para justificar la dependencia peridica de las propiedades fsicas y qumicas de los distintos elementos con respecto a su nmero atmico, conduciendo as a la clasificacin de los elementos en grupos y columnas que aparece en la Tabla Peridica. Dado que las propiedades de un elemento dependen fundamentalmente de su configuracin electrnica, la Tabla Peridica no es ms que
Apuntes de CF
FLML
47
una clasificacin de los elementos en funcin de esta configuracin. Ahora bien, debido a la dependencia de la energa de los estados tanto con n
como con l , el orden energtico con el que se ordenan los distintos estados
sigue la siguiente ley:
1s 2
2s2 2p6
3s2 3p6 3d1 0
2
6
1 0 1 4
4s 4p 4d 4f
2
6
5s 5p .....
1 0
1 0
1 4
1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f .....
El que se llene antes el nivel 4s que el 3d reside en el hecho anteriormente

sealado de que niveles con un bajo valor de l tienden a tener menos energa y pueden as compensar el incremento producido por el aumento del
nmero cuntico n.
Dado que la interaccin entre distintos tomos se llevar a cabo fundamentalmente mediante la interaccin de los electrones de sus capas ms
externas, la explicacin de las propiedades de los elementos distribuidos
en los distintos grupos de la Tabla Peridica puede relacionarse con la
configuracin de sus electrones en las ltimas capas. Por ejemplo, el comportamiento de las fuerzas interatmicas que condicionarn la formacin
de molculas y cristales estar determinado por la estructura de las capas
electrnicas ms externas de los tomos que interaccionan. Un parmetro
importante en este sentido es la electronegatividad, que mide la capacidad de un tomo para capturar o ceder un electrn de valencia (electrn
de su ltima capa). Puede as explicarse, por ejemplo, el comportamiento inerte de los gases nobles en funcin de su escasa tendencia a captar
o ceder electrones ya que poseen su capa ms externa p completamente
llena. Este hecho, que implica la ausencia de momento dipolar magntico
y elctrico en estos elementos (dada su distribucin de carga esfrica y la
compensacin mutua de los spines electrnicos) junto con la importante
diferencia energtica que existe entre la capa p llena y la siguiente s, da
lugar a que se necesite mucha energa para romper la muy estable simetra esfrica de carga usualmente esta energa no est disponible a las
temperaturas ordinarias. Explicaciones de esta misma ndole justificarn
tambin el comportamiento de los tomos de los restantes grupos.

2.1: El principio de superposicin para las soluciones de la ecuacin de Schrdinger establece que si 1 y 2 son soluciones de la ecuacin, = A1 +B 2 tambin es una solucin,
donde A y B son constantes arbitrarias. Es vlido este principio tanto para la ecuacin independiente del tiempo como para la dependiente?. Razonar la respuesta.
Sol. S.
2.2: Una partcula se mueve en lnea recta bajo la accin de un campo elctrico uniforme
FLML
Apuntes de CF
48

E de modo que su energa potencial es E p = eE x. Escriba la ecuacin de Schrdinger para
este movimiento y discuta si la energa est cuantizada la en este caso.
2.3: Un electrn excitado en uno de los estados de un pozo de potencial de paredes infinitas y anchura a puede emitir fotones cuando decae a niveles energticos inferiores. Suponiendo que slo las transiciones en las que n = 1 estn permitidas, hallar las frecuencias
de las radiaciones emitidas en estas transiciones.
Sol. n = (2n + 1)h/(8ma 2 ).
2.4: La funcin de onda (x) de un electrnppara el cuarto estado excitado, en el interior
de un pozo de potencial infinito, es: (x) = 2/a sen(4x/a). Cul es la probabilidad de
encontrar al electrn en la region 0 < x < a/4?.
Sol. 25 %.
2.5: La ecuacin diferencial de Schrdinger para la variable en el tomo de Hidrgeno
es de la forma:
d2
+ m l2 = 0 ,
d2
siendo sta similar a la de una partcula en un pozo de potencial de paredes infinitas. Suponiendo que una solucin es de la forma: = e (a) demostrar que es solucin de la
ecuacin y que = i m l , siendo i la unidad imaginaria. (b) Debido a que la funcin de onda, , debe ser unvoca, esto es, () = ( + 2), demostrar que los posibles valores para
m l son: m l = 0, 1, 2, . . .
2.6: Si tenemos 2N electrones en un pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas y anchura L, obtenga el valor de la energa del ltimo estado lleno (a T = 0 K este nivel
de energa es conocido como energa de Fermi, E F ). Tenga en cuenta que el principio de
exclusin prohibe la existencia de ms de dos electrones en el mismo estado cuntico.

h2 N 2
Sol. E F =
8m e L
2.7: Calcular la energa ms baja posible, E 1 , de un electrn confinado en el interior de
una regin de 1014 m (aproximadamente el orden de magnitud de un ncleo atmico).
Comparar esta energa con la energa potencial gravitatoria y la potencial electrosttica de
un electrn y un protn a la misma distancia. Basndose en lo anterior discuta la posibilidad de que exista un electrn en el interior de un ncleo.
Sol: E 1 = 3,8 GeV; E grav = 6,34 1017 eV; E elst = 144 keV.
2.8: Demostrar que los niveles de energa y funciones de onda de una partcula que se
mueve en el plano (x, y) dentro de una caja de potencial bidimensional de lados a y b son
E = (2 ~2 /2m)(n 12 /a 2 +n 22 /b 2 ) y = C sen(n 1 x/a) sen(n 2 y/b). Discutir la degeneracin
de los niveles cuando a = b. Hallar la constante de normalizacin C .
2.9: Si el problema anterior los lados de la caja son muy grandes pero iguales, demuestre
que el nmero de estados cunticos con energas comprendidas entre E y E + d E viene
dado por (ma 2 /2~2 )d E .
2.10: Para un tomo de Hidrgeno en el estado l = 3, Cules son los valores permitidos
de las componentes z del momento angular y del momento magntico?.
~
e~
Sol. 0, ~, 2~, 3~; 0, 2m
, em~ , 3e
2m .
2.11: Dibujar un diagrama de niveles de energa para los estados 4f y 3d del hidrgeno en
presencia de un campo magntico. Mostrar que en la transicin 4f3d el nmero de lneas
espectrales es tres. Si el campo magntico es de 0,5 T, sern observables las anteriores
lneas en un espectrmetro de resolucin 1011 m?.
Sol. S ( = 8,2 1011 m).
2.12: Cul es el campo magntico B necesario para observar el efecto Zeemann si un
espectrmetro puede separar lneas de hasta 0.5 en 5000?.
Sol. B 4,28 T.
Apuntes de CF
FLML
49
2.13: Determinar los momentos magnticos posibles en un nivel energtico n = 3. Qu

predice la teora de Bohr?.
Sol. 0, 1,31 1013 J/T, 2,27 1013 J/T; Bohr: 2,78 1013 J/T.
2.14: La configuracin electrnica del azufre, Z = 16, es 1s 2 2s 2 p 6 3s 2 p 4 . Escribir un conjunto completo de nmeros cunticos para los cuatro electrones en el subnivel 3p.
Sol.: (3,1,-1,-1/2), (3,1,-1,1/2), (3,1,0,-1/2), (3,1,0,1/2).
2.15: Escribir la configuracin electrnica del aluminio (Al, Z = 13), calcio (Ca, Z = 20) y
bromo (Br, Z = 35).
2.16: Clasificar las siguientes configuraciones electrnicas como correspondientes a tomos en estado fundamental, a tomos en estado excitado o en incorrecta. De qu elemento se trata en cada caso? 1) 1s 2 2s, 2) 1s 2 2s 2 2d , 3) 1s 2 2s 2 2p 2 , 4) 1s 2 2s 2 2p 4 3s, 5) 1s 2 2s 4 2p 2 ,
6) 1s 2 2s 2 2p 6 3d
2.17: Escribir los numeros cunticos que caracterizan a los electrones desapareados del
potasio (K) y del cloro (Cl).
Sol. (4, 0, 0, 1/2), (3,1,1,1/2).
2.18: (a) Cul es la configuracin electrnica del litio (Li, Z = 3)?. (b) Suponiendo que el
Li es equivalente a un tomo de hidrgeno, calcular la energa de ionizacin del electrn de
valencia 2s. (c) La energa de ionizacin determinada experimentalmente para el Li es de
5.39 eV, cul es la carga efectiva positiva que ve el electrn?. (d) Repetir el clculo anterior
pata el potasio (K) que posee un electrn de valencia en el subnivel 4s, siendo su energa
de ionizacin 4.34 eV.
Sol. (a): 1s2 2s. (b): 30,6 eV. (c) 1,25 e. (d) 2,26 e.
FLML
Apuntes de CF
T EMA 3
Materia Condensada
3.1. Estados de Agregacin de la Materia

Recordemos que uno de los objetivos finales de la presente asignatura ser proporcionar los fundamentos fsicos que nos permitan entender
el funcionamiento de los dispositivos electrnicos usados en la actual tecnologa de los computadores. Dado que este funcionamiento se basa en
las propiedades del transporte de carga en metales y semiconductores, los
temas anteriores han estado dedicados al estudio de las propiedades cunticas de las partculas portadoras de carga (fundamentalmente electrones).
No obstante, dicho transporte de carga no slo depende de las propiedades
intrnsecas de los electrones sino tambin de la disposicin de los tomos
en los slidos. En este sentido, el presente tema mostrar una descripcin
elemental de la estructura interna de la materia, haciendo especial hincapi en la estructura de los metales y semiconductores.
Una posible clasificacin de la materia divide a sta en materia condensada y materia gaseosa, con las siguientes propiedades generales:
nmero tomos/m3
densidad de masa
distancia interatmica
Materia Condensada
Materia Gaseosa
Predominio energa potencial

de interaccin entre sus
componentes
Presencia de orden espacial
en sus componentes
n 1028 tomos/m3
103 kg/m3
d 3
Predominio energa cintica

de traslacin
Distribucin catica de sus
componentes
n 1025 tomos/m3
1 kg/m3
d 200
Dependiendo del alcance del orden espacial de la estructura interna de

la materia, podemos distinguir los siguientes estados de agregacin de la
materia (en rigor, esta clasificacin slo es aplicable a sustancias puras):
51
52
Tema 3. Materia Condensada
MONOCRISTAL
Anisotropa
POLICRISTAL
Isotropa
estadstica
Orden de largo alcance
AMORFO
LQUIDO
GAS
Isotropa
Orden de corto alcance
Desorden
Monocristal:
Presenta fuertes interacciones entre sus partculas componentes (tomos, grupos de tomos,...), que estn casi en reposo (excepto por
pequeas oscilaciones) en un mnimo de energa potencial. Las partculas estn dispuestas segn un orden espacial bien determinado
que define una estructura peridica tridimensional. Ejemplos: mayora de metales puros, muchos compuestos inicos, ...
Policristal:
Est compuesto de pequeas regiones o granulos, cada una de las
cuales con la estructura de un monocristal de tamao y orientacin
irregular.
Amorfos:
Aunque sus componentes estn bsicamente en reposo, stos no presentan una estructura espacial bien definida. Ejemplo: vidrios, plsticos, madera, ....
Lquidos:
Sus componentes no presentan fuertes interacciones entre s por lo
que pueden moverse, dando lugar a que estas sustancias adopten la
forma de los recipientes que las contienen.
Gases:
Sus componentes apenas interaccionan entre s, estando dotados
bsicamente de energa cintica. Pueden considerarse como un caso
extremo de lquidos, presentando menos densidad que stos.
A continuacin estudiaremos elementalmente los dos casos extremos:

gases y monocristales.
Apuntes de CF
FLML
3.2. Gas
3.2.
53
Gas
3.2.1. Derivacin de la ley de los gases ideales

Recordemos que la ley de los gases ideales estableca que la presin, P ,
y el volumen, V , del gas estn relacionados con la temperatura absoluta,
T , mediante la siguiente expresin:
PV = RT ,
(3.1)
siendo el nmero de moles de partculas (tomos o molculas) del gas y

R = 8,314 J/mol-K es la denominada constante de los gases. Conviene recordar que 1 mol es simplemente una cantidad (al igual que 1 docena),
en concreto,
1 mol = 6,022 1023 ,
coincidiendo esta cantidad con el llamado nmero de Avogadro, N A , que
puede definirse como el nmero de tomos necesarios para preparar una
cantidad de un elemento igual a su peso atmico expresado en gramos.
La ley experimental (3.1) puede obtenerse siguiendo una descripcin
clsica (esto es, una descripcin basada en las leyes de la fsica clsica),
que hace el siguiente modelo del gas:
El gas es un colectivo muy numeroso de partculas rgidas e
independientes en constante movimiento cuyas nicas interacciones se producen a travs de choques elsticos entre
ellas y con las paredes del recipiente que las contiene.
(Debe notarse que cuando el gas alcanza una situacin en las que sus partculas estn uniformemente distribuidas, entonces el movimiento global
de stas no da lugar a un movimiento neto; es decir, en un promedio temporal, las partculas no se desplazan.)
A partir de la descripcin anterior y usando las leyes de movimiento de
Newton (aunque este procedimiento no ser aqu desarrollado), la teora
cintica nos permite establecer que
PV =
2
N E c ,
3
(3.2)
donde N es el nmero total de partculas y E c la energa cintica media

de las partcula del gas.
Las expresiones (3.1) y (3.2) nos dicen que, para 1 mol de partculas,
tenemos que
2
PV = RT
y
PV = N A E c .
3
Igualando ambas expresiones obtenemos que
E c =
FLML
3 R
T,
2 NA
Apuntes de CF
54

o, equivalentemente,
Energa cintica media de las

partculas del gas
E c =
siendo
kB =
3
kB T ,
2
R
= 1,38 1023 J/K = 8,63 105 eV/K ,
NA
(3.3)
(3.4)
la denominada constante de Boltzmann. El resultado (3.3) nos dice que la

temperatura absoluta de un gas es proporcional a la energa cintica media
de traslacin de las partculas de dicho gas. En consecuencia, el valor de
la temperatura (en grados kelvin) nos informa sobre el valor de la energa
cintica media de las partculas del gas. A mayor temperatura tendremos
por tanto mayor agitacin (movimiento trmico) en el gas.
La expresin (3.3), que se ha obtenido para el caso particular de un gas
ideal, puede generalizarse para cualquier otro tipo de sistemas, en cuyo caso se conoce como teorema de equiparticin de la energa. Este teorema
establece que la energa media por grado de libertad1 de las partculas del
sistema viene dada por
Teorema de equiparticin de
la energa
1
E |grado de libertad = k B T .
2
(3.5)
E JEMPLO 3.1 Calcule la velocidad media de las molculas de un gas de N2 que

est a temperatura ambiente (T 300 K).
Dado que todas las partculas del gas de nitrgeno (molculas de N2 ) son
idnticas, podemos escribir que
E c =
1
1
2
mv = mv 2 .
2
2
Considerando que la velocidad cuadrtica media, v 2 , es muy aproximadamente

igual al cuadrado de la velocidad media, esto es,
v2 v 2 ,
encontramos, de acuerdo a la expresin (3.3), que
3
1
mv2 = k B T ,
2
2
de donde podemos obtener el siguiente valor para la velocidad media:
s
v =
3k B T
=
m
3RT
,
M
(3.6)
1 Cada variable independiente que es necesario especificar para determinar la energa

de una partcula se denomina grado de libertad. En el caso de una partcula del gas ideal,
dado que hace falta especificar las componentes x,y y z de la velocidad de la partcula, sta
tendra tres grados de libertad.
Apuntes de CF
FLML
3.2. Gas
55
siendo M = N A m el peso molecular del gas (peso de 1 mol de molculas de N2 ).

En el presente ejemplo como el peso atmico del N es 14 tendremos para el gas
N2 que
M = 2 14 g = 28 103 kg ,
por lo que
r
v =
3 8,314 300
516,95 m/s .
28 103
Es interesante notar que la anterior velocidad es del mismo orden de magnitud que la velocidad de propagacin del sonido en el gas, v son (recordemos que
el aire contiene aproximadamente un 70 % de N2 y que en el aire v son 340m/s),
aunque ciertamente debe ocurrir que v > v son .
3.2.2. Anlisis estadstico

Dado que un gas es un colectivo muy numeroso de partculas (recordemos que n 1025 m3 ), abordaremos su estudio mediante un anlisis
estadstico puesto que no estamos interesados en las caractersticas individuales de cada una de las partculas que lo componen sino ms bien las
propiedades del conjunto como un todo (su presin, su temperatura, etc).
Para llevar a cabo este anlisis necesitamos conocer la forma en que las
partculas estn distribuidas respecto a ciertas magnitudes. En concreto
nos interesar conocer especialmente la distribucin de las partculas con
respecto a la energa. En este sentido, definiremos las siguientes magnitudes:
g (E )
Funcin densidad de estados, tal que g (E )d E nos dice el nmero de
estados del sistema cuya energa est comprendida entre E y E +d E .
f (E )
Funcin de distribucin, que mide la probabilidad de ocupacin de
un estado con energa E .
De este modo, la magnitud dN (E ) que nos informa del nmero de partculas del sistema con energas comprendidas entre E y E + dE puede expresarse como
dN (E ) = g (E ) f (E )dE .
(3.7)
Es importante notar que la expresin anterior no slo es vlida para

el caso de un gas sino que, en general, es vlida para cualquier colectivo
de partculas. En consecuencia, las propiedades particulares de cualquier
colectivo dependern de la la forma de las funciones g (E ) y f (E ). Si se conocen estas dos funciones, el valor medio de cualquier magnitud, , que
dependa de la energa (y que, por tanto, pueda expresarse como una fun-
FLML
Nmero de partculas del sistema

con energas comprendidas
entre E y E + dE
Apuntes de CF
56

cin de sta) puede evaluarse a partir de
R
R
(E )g (E ) f (E ) dE
(E ) dN (E )
R
R
=
=
dN (E )
dN (E )
Z
1
=
(E )g (E ) f (E ) dE .
N
(3.8)
Si las partculas que forman el colectivo se consideran clsicas (es

decir, abordamos su estudio a partir de las leyes de Newton, ignorando las
leyes cunticas descritas en los temas anteriores), entonces la funcin
distribucin que rige el comportamiento de este colectivo se denomina
funcin distribucin de Maxwell-Boltzmann y viene dada por
Funcin distribucin de
Maxwell-Boltzmann
E
.
f MB (E ) exp
kB T
(3.9)
En el caso de que las partculas del sistema sean cunticas, la funcin distribucin a usar es la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que ser estudiada en el Tema 4.
3.3.
Monocristal
El estudio de este estado de la materia se realizar mediante un modelo

simple y representativo del slido, conocido como cristal ideal.
El cristal ideal se define como un medio material discreto e infinito con
una ordenacin espacial regular y peridica de sus componentes, caracterizado bsicamente por su
homogeneidad,
simetra de traslacin (ciertas traslaciones de vectores T en el interior del cristal dejan a ste invariante),
anisotropa.
Una de las caractersticas ms ideales y simplificadoras del modelo anterior lo constituye su carcter infinito. A pesar de la aparente irrealidad de
esta caracterstica, el cristal ideal es un modelo muy vlido para el estudio
de aquellas propiedades del cristal en las que los efectos de superficie no
sean muy significativos. Dado que las propiedades en las que estaremos
interesados (fundamentalmente las relacionadas con el transporte de carga) son propiedades que muy aproximadamente son independientes de la
forma de la superficie del material, el cristal ideal ser un buen modelo
para nuestro propsito.
En el estudio del cristal ideal aparece hay un concepto bsico fundamental que nos informa sobre la geometra subyacente. Dicho concepto
es la red cristalina, que puede definirse como
Apuntes de CF
FLML
3.3. Monocristal
57
Red cristalina es un conjunto infinito y discreto de puntos

con una disposicin y orientacin que aparece exactamente la misma desde cualquier punto del conjunto.
Tal como muestra la Fig. 3.1, la red cristalina es una estructura puramente geomtrica que se forma mediante la traslacin peridica (de periodo T) de una malla o celdilla elemental.
+ T=
a
Celdilla
elemental
Red cristalina
F IGURA 3.1: Formacin de una red cristalina bidimensional a partir de la
repeticin peridica, con periodo T = n 1 a + n 2 b, de la celdilla elemental.
Una de las caractersticas esenciales de esta red cristalina es que pone de manifiesto la importancia que tiene la disposicin geomtrica de la
estructura espacial peridica del cristal con independencia de las unidades reales o motivos que la compongan. Este hecho puede observarse en
la construccin de la Fig. 3.2, donde se evidencia el hecho de que subyacente a la estructura reticular aparece la composicin de la red cristalina
con cierto motivo (tomo o grupo de tomos).
Red cristalina
Motivo
Estructura reticular
F IGURA 3.2: Estructura reticular vista como producto de la composicin de

la red cristalina ycon cierto motivo.
FLML
Apuntes de CF
58
3.4.
Estructuras reticulares
3.4.1. Redes de Bravais

Adems de la simetra de traslacin presente en la red cristalina, esta
red posee otras simetras (por ejemplo, simetras puntuales), que son usadas para clasificar los distintos tipos de redes que existen.
El estudio detallado de las distintas simetras nos permite concluir que
todas las posibles redes cristalinas tridimensionales pueden clasificarse en
14 tipos distintos de redes, conocidas genricamente como redes de Bravais. Como ejemplo, la Fig. 3.3 muestra las 3 redes que pertenecen al sistema cbico.
Cbica
[P]
Cbica centrada
en el interior (bcc)
[Ba,Cr,Cs,Fe,K,..]
Cbica centrada
en las caras (fcc)
[Ag,Al,Au,Cu,..]
F IGURA 3.3: Redes cristalinas pertenecientes al sistema cbico.

Una estructura de especial inters prctico (y que no es en s una red
de Bravais) es la denominada estructura tipo diamante, que se muestra
en la Fig. 3.4(a). Una gran nmero de las sustancias formadas por tomos
(a)
(b)
F IGURA 3.4: (a) Estructura tipo diamante formada por la interpenetracin

de dos redes cbicas centradas en las caras y desplazadas una respecto a
la otra 1/4 a lo largo de la diagonal del cubo. (b) Detalle que muestra la
disposicin tetradrica de los tomos de las sustancias que cristalizan en
esta red cristalina.
del grupo IV (C, Si, Ge, ...), o bien aqullas formadas por tomos del grupo
III y V, cristalizan en este tipo de red. Dado que la mayora de los materiales semiconductores estn formados por tomos de los grupos anteriores,
los semiconductores suelen presentar una estructura tipo diamante. Segn
muestra la Fig. 3.4(a), la estructura tipo diamante puede visualizarse como
Apuntes de CF
FLML
3.4. Estructuras reticulares
59
dos redes cbicas fcc interpenetradas y desplazadas una sobre la otra 1/4
sobre la diagonal del cubo, dando as lugar a una disposicin tetradrica
(ver Fig. 3.4b) en la que cada tomo puede considerarse localizado en el
centro de un tetraedro y formando un enlace con cada uno de sus cuatro
vecinos ms prximos. Segn veremos en temas posteriores, esta disposicin tetradrica determina alguna de las propiedades ms caractersticas
de los semiconductores.
3.4.2. Parmetros de la estructura reticular

Dado que muchos de los compuestos elementales que forman los slidos (tomos, iones, ...) presentan simetra esfrica, la disposicin de muchas estructuras reticulares puede visualizarse considerando a stas como
empaquetamientos espaciales de esferas rgidas en forma simtrica y compacta. Algunos de los parmetros ms importantes de las redes cristalinas,
fruto de la consideracin anterior, se describen a continuacin.
Nmero de partculas por celdilla elemental, n c
El nmero de partculas por celdilla elemental puede obtenerse como
nc =
nV
nF
+ nI +
,
8
2
(3.10)
donde nV es el nmero de partculas en los vrtices, n I en el interior y n F

en las caras.
E JEMPLO 3.2 Calcule la densidad del silicio sabiendo que la arista de su celdilla
unidad es a = 5,43 108 cm y que su peso atmico es A = 28,1 g.
Dado que el Si cristaliza en una red tipo diamante que est formada por 2 redes fcc interpenetradas, el nmero de tomos por celdilla elemental ser el doble
del de una red fcc. Para la red fcc tenemos que nV = 8, n I = 0 y n F = 6, por lo que
n c (fcc) =
8
6
+0+ = 4 .
8
2
Para el silicio tendremos, por tanto, que cada celdilla elemental tiene 8 tomos. Si
n es el nmero de tomos por unidad de volumen, entonces
Nmero de tomos por celdilla unidad n c
= 3
Volumen celdilla unidad
a
8
22
3
=
5 10 tomos/cm .
(5,43 108 )3
n=
La densidad, , en g/cm3 del Si podemos calcularla como

= masa de 1 tomo Nmero de tomos/cm3 = m at n ,
por lo que
=
FLML
A nc
,
N A a3
(3.11)
Apuntes de CF
60

que en nuestra caso particular ser
(Si) =
28,1
5 1022 2,3 g/cm3 .
6,02 1021
ndice de coordinacin
En una celdilla elemental, el ndice de coordinacin es el nmero de
nodos reticulares adyacentes. Este ndice suele determinar el tipo de enlace que cohesiona a la sustancia.
Fraccin de empaquetamiento, f c
Considerando que cada nodo de la celda unidad es el centro de una
esfera rgida, de modo que las esferas se distribuyen de la forma ms compacta posible, definimos la fraccin de empaquetamiento como
fc =
Volumen de las esferas n c Vesf

=
.
Volumen de la celda
a3
(3.12)
La fraccin de empaquetamiento nos proporciona una medida de lo

llena que est la estructura reticular. De las redes cbicas, la ms compacta es la fcc, mientras que la de menor fraccin de empaquetamiento es
la cbica simple.
E JEMPLO 3.3 Calcule la fraccin de empaquetamiento para una red fcc.

Para una red fcc, segn vimos en el ejemplo anterior, n c = 4. En esta red, segn
muestra la figura adjunta, el plano de mayor empaquetamiento (es decir, el plano
donde las esferas estn ms juntas) se localiza en una cualquiera de las caras.
En una de las caras debe cumplirse que
a 2 + a 2 = (4R)2 = 16R 2
2a 2 = 16R 2 ,
de donde
R
a
p
1
2
R= p a=
a
4
8
y por tanto
4
4
3
n c Vesf
=
a3
p
2
=
0,74
6
f c (fcc) =
Apuntes de CF
p !3
2
a
4
a3
FLML
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas
61
3.5. Observacin de las estructuras cristalinas

La estructura interna de los cristales puede determinarse a partir del
anlisis de la difraccin ondulatoria producida cuando fotones, electrones, neutrones, etc, inciden en el cristal. El anlisis de la difraccin nos
informa sobre la configuracin interna del cristal debido a que la manera en que las ondas son difractadas viene determinada por la disposicin
interna de los componentes del cristal. Puesto que las dimensiones implicadas en las estructuras cristalinas (distancias entre nodos reticulares) son
del orden del , la configuracin de las estructuras reticulares slo puede
observarse mediante ondas cuya longitud de onda asociada sea de este
mismo orden. En este sentido, al ser la longitud de onda de la radiacin
visible ( 5000 ) mucho mayor que la distancia entre nodos reticulares,
esta radiacin simplemente da origen a la refraccin ptica ordinaria, que
claramente no nos proporciona ninguna informacin sobre la estructura
interna del cristal. En el caso de que la radiacin incidente est constituida
por rayos X (radiacin electromagntica cuya ), entonces la difraccin
producida en el cristal presenta cierta distribucin de mximos y mnimos
que s nos informa sobre la estructura interna del cristal.
(1)
q
(2)
diferencia de
camino =2dsenq
F IGURA 3.5: Los rayos (1) y (2) reflejados en los planos especulares interferirn constructivamente cuando su diferencia de camino sea un mltiplo
entero de la longitud de onda.
Una primera y elemental explicacin de la difraccin de rayos X en cristales la proporcion W. L. Bragg, suponiendo que las ondas incidentes se
reflejaban especularmente en los distintos planos del cristal, de forma
que cada plano refleja nicamente una fraccin muy pequea de la radiacin total (en un cristal perfecto contribuiran de 103 a 105 planos atmicos en la formacin del haz reflejado). Supuesto, entonces, que cada plano
se comporta como un espejo semitransparente, aparecer un mximo de
difraccin siempre que los haces difractados procedentes de planos de tomos paralelos interfieran constructivamente. Esta condicin, conocida como ley de Bragg, exige que la diferencia de camino entre los haces (1) y (2)
de la Figura 3.5 sea un mltiplo de la longitud de onda, esto es,
2d sen n = n .
FLML
Apuntes de CF
62

Aunque la ley de Bragg es una consecuencia de la periodicidad de la
red, sta no manifiesta la composicin de la base de tomos de la estructura reticular (es decir, si la base es un tomo, un conjunto de tomos,...).
Un estudio ms riguroso muestra que la composicin de la base se refleja
en la intensidad relativa de los diversos rdenes de difraccin.

3.1: Determinar el ndice de coordinacin y la fraccin de empaquetamiento para los tres
tipos de redes cbicas.
3.2: Sabiendo que el sodio cristaliza en una red fcc, que su densidad es 0,971 g/cm3 y su
peso atmico 23 g/mol, calcular la longitud de su celda unidad.
Sol. 4,29 .
3.3: Calcular la densidad de electrones libres en el cobre si su peso atmico vale 63,5 g/mol
y su densidad es 8950 kg/m3 , suponiendo que hay un electrn por tomo. Repetir el clculo
para el oro (Au, A = 197,0, = 19,3 g/cm3 , un electrn libre por tomo), y el zinc (Zn, A =
65,38, = 7,1 g/cm3 , dos electrones libres por tomo)
Sol.: n(Cu) = 8,48 1028 m3 , n(Zn) = 1,31 1023 cm3 .
3.4: Calcular la distancia a entre los iones K+ y Cl en el KCl, admitiendo que cada in
ocupa un cubo de arista a. El peso molecular es 74,55 g/mol y la densidad es 1,984 g/cm3 .
Sol. a = 3,15 .
3.5: La dimension de la celda unidad del cobre fcc es de 0,36 nm. Calcular la longitud de
onda ms grande para los rayos X capaz de producir difraccin por los planos cristalinos.
Qu planos podran difractar rayos X de longitud de onda 0,50 nm?.
Apuntes de CF
FLML
T EMA 4
Electrones libres en metales
4.1.
Fenomenologa
En este tema iniciamos el estudio de la conductividad elctrica en los

slidos, empezando en primer lugar por el anlisis del comportamiento de
los electrones libres en los metales. Este estudio tiene un alto inters prctico dado que los metales (por ejemplo, el cobre) forman una parte esencial
de los circuitos electrnicos junto con los materiales semiconductores.
Los primeros estudios que se hicieron respecto a la conductividad elctrica provienen de Ohm(1827). Estudiando metales, Ohm encontr la siguiente relacin entre la intensidad de la corriente, I , que recorre el metal
y la tensin (o diferencia de potencial), V , entre los extremos de dicho metal:
V = IR ,
(4.1)
donde el parmetro R se conoce como resistencia del material (sus unidades son ohmios, 1 =1 V/A). Para un material filiforme de seccin constante, este parmetro viene dado por
R =
l
,
S
(4.2)
siendo la resistividad del material (este parmetro depende de las caractersticas internas del materia, siendo sus unidades m), l la longitud
del conductor y S su seccin. La ley de Ohm puede igualmente expresarse
como
J = E ,
(4.3)
donde J es el vector la densidad de corriente elctrica,

=
(4.4)
la conductividad elctrica (sus unidades son (m)1 ) y E el el vector campo elctrico aplicado.
63
Conductor
64
Tema 4. Electrones libres en metales

En funcin del nmero de portadores de carga por unidad de volumen,
n, y de la velocidad de arrastre, va , de estos portadores, la densidad de corriente se define como
J = nqva .
(4.5)
E
va
Usualmente, la velocidad de arrastre puede relacionarse linealmente con

el campo aplicado mediante la siguiente expresin:
va = E ,
(4.6)
siendo la movilidad de los portadores (sus unidades son m2 /V s). En

funcin de la anterior relacin, la conductividad elctrica puede escribirse
como
= qn .
(4.7)
La expresin anterior nos indica claramente que la conductividad de los
materiales depende proporcionalmente del nmero de portadores de carga y de la movilidad de dichos portadores. En el caso de que existan distintos tipos de portadores, la expresin (4.7) debe generalizarse. En concreto,
para el caso de los semiconductores, para los que existen dos tipos de portadores, electrones y huecos, la conductividad puede escribirse como
= q(nn + pp ) ,
donde el subndice n se refiere a electrones y el subndice p a huecos. Esta
cuestin ser analizada con detalle en el Tema 7.
Una posible clasificacin de los slidos en funcin del valor de la conductividad a temperatura ambiente los divide en: conductores, semiconductores y aislantes.
Conductores
I > 104 (m)1 , [Cu,Ag 107 (m)1 ]

I
d
< 0, la conductividad disminuye con la temperatura. En
dT
concreto se encuentra que
=
0
1 + (T T0 )
(4.8)
I decrece con las imperfecciones y/o impurezas de la red.

I n 1028 m3 . La concentracin de electrones libres apenas vara con la temperatura.
lns
Semiconductores
I 108 (m)1 104 ,
1/T
[Si 4 104 (m)1 , Ge 4 104 (m)1 ]

d
> 0, la conductividad aumenta al aumentar la temperatuI
dT
ra. Experimentalmente se encuentra que la dependencia de la
conductividad con la temperatura es del tipo
= 0 e/T
Apuntes de CF
(4.9)
FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre
65
I crece con las impurezas de la red.

I n 1017 m3 . La concentracin de electrones libres vara enormemente (de hecho de forma exponencial) con la temperatura.
Aislantes
I < 108 (m)1 ,

[Vidrio 1011 (m)1 , Poliuretano 1020 (m)1
d
I
> 0. El comportamiento trmico de los aislantes es idntidT
co al de los semiconductores. Por este motivo los aislantes y los
semiconductores a veces se consideran el mismo tipo de materiales en cuanto a su comportamiento respecto a la conductividad elctrica. Su nica diferencia consiste en el valor de dicha
conductividad a temperatura ambiente.
Para explicar el comportamiento cuantitativo y cualitativo de los diversos materiales respecto a la conductividad elctrica se han propuesto
bsicamente tres modelos diferentes:
1. Modelo clsico del electrn libre: Modelo de Drude-Lorentz.
2. Modelo cuntico del electrn libre: Modelo de Sommerfeld.
3. Modelo cuntico del electrn ligado: Modelo de Bloch.
Dado que los dos primeros modelos tratan sobre electrones libres, el
presente tema estar dedicado a ellos, dejndose el tercer modelo para el
siguiente tema.
4.2.
Modelo clsico del electrn libre
Este primer modelo, desarrollado a finales del siglo XIX y principios del
XX (despus del descubrimiento de los electrones en 1897), propone una
teora clsica para la conduccin elctrica en los metales. El modelo parte
del hecho de que muchos metales presentan estructuras reticulares y asume que las fuerzas de cohesin de los metales se deben al tipo particular
de enlace que presentan, esto es, el enlace metlico. En los slidos que
presentan este tipo de enlace, se supone que los portadores de carga de la
corriente sern los electrones libres que provienen de que cada tomo del
metal cede uno o varios de sus electrones de sus ltimas capas (electrones
de valencia) para formar una especie de gas de electrones comn a todo el
slido. La cohesin del slido se debe precisamente a la interaccin entre
los iones positivos y el gas de electrones libres que los rodea.
4.2.1. Hiptesis bsicas

Partiendo de las ideas anteriores, el modelo de Drude-Lorentz propone que los metales estn constituidos por
FLML
Apuntes de CF
66

Un resto de iones positivos esencialmente estticos que estn
regularmente distribuidos
+
Conjunto de electrones de valencia que vagan libremente por el
metal. Estos electrones forman un gas clsico.
Aplicando las ideas de la teora cintica de los gases, se supone que los
electrones de este gas clsico estn en constante agitacin trmica (con un
movimiento de desplazamiento neto nulo). La interaccin entre el gas de
electrones y los restos inicos se realiza mediante choques elsticos continuos debido al movimiento trmico catico de los electrones. Siguiendo el
razonamiento presentado en el Apartado 3.2, el clculo sobre la velocidad
trmica promedio, v T , de estos electrones puede hacerse al considerar que
3
E c = k B T
2
y
1
E c = m e v T2 .
2
Al igualar las dos expresiones anteriores, encontramos que
s
3k B T
vT =
me
(4.10)
= [T 300K] 105 m/s .

En presencia de un campo elctrico externo, E , los electrones adquieren obviamente una aceleracin, a = eE /m e . No obstante, estos electrones sufrirn continuos choques contra los restos inicos, lo que provocar
una desaceleracin continuada. El efecto combinado del campo externo
junto con estos choques da lugar a un movimiento de desplazamiento que
en promedio es uniforme y caracterizado por cierta velocidad de arrastre,
va (superpuesta a la anterior velocidad trmica). Un clculo aproximado
de esta velocidad de arrastre de los electrones nos dice que
va = a =
eE
,
me
(4.11)
siendo el tiempo promedio entre colisiones. Dado que la densidad de corriente, J, puede escribirse como
J = n(e)va =
Conductividad elctrica segn

modelo de Drude
Apuntes de CF
ne 2
E,
me
(4.12)
se encuentra que sta es proporcional al campo aplicado, justificndose

de este modo la expresin (4.3) para la ley de Ohm. El coeficiente de proporcionalidad entre J y E nos proporciona la siguiente expresin para la
conductividad elctrica:
ne 2
=
.
(4.13)
me
FLML
4.2. Modelo clsico del electrn libre
67
E JEMPLO 4.1 Estimacin de la velocidad de arrastre

Conductor de Cu
Sea una situacin tpica en la que un conductor filiforme de Cu es recorrido

por una intensidad I = 100 mA, siendo la seccin del conductor S = 1mm2 = 106 m2
y la masa atmica y la densidad del cobre: A = 64, = 9 g/cm3 .
Dado que
J=
I
= nev a ,
S
encontramos que la velocidad de arrastre puede expresarse como

va =
I
.
Sne
La nica magnitud que no conocemos en este problema es la densidad de

electrones libres en el Cu. Para ello considrese que
n nmero de e en 1 m3
= N A nmero de moles en 1 m3 ,
donde es el nmero de electrones de valencia (que en el caso del Cu es 1). El
nmero de moles por m3 , , puede calcularse como
=
(gr/m3 )
masa de 1 m3
=
.
masa de 1 mol
A
Para la densidad de electrones en el Cu obtenemos entonces que

n = 1 6,023 1023
9 106
8,47 1028 m3 ,
64
por lo que la velocidad de arrastre ser

va =
0,1
8,47
1028 1,6 1019 106
7,4 m/s .
Puede comprobarse que el valor obtenido de la velocidad de arrastre de los

electrones es mucho menor que el que se obtuvo para su velocidad trmica ver
expresin (4.10). En multitud de casos puede, por tanto, concluirse que
v a vT
Veloc. arrastre Veloc. trmica
4.2.2. Dependencia con la temperatura

La expresin (4.13) ofreca el valor de la conductividad en funcin de
la densidad de portadores de carga, n, y del tiempo promedio entre colisiones, . Podemos, por tanto, obtener una expresin ms detallada de
si previamente estimamos el valor de . Para ello, debemos considerar que
el tiempo entre colisiones, , vendr determinado por el cociente entre la
FLML
Apuntes de CF
68

distancia promedio entre colisiones, L 0 (en este modelo L 0 distancia entre iones de la red) y la velocidad de los electrones. Dado que la velocidad trmica es generalmente mucho mayor que la velocidad de arrastre
(ver Ejemplo 4.1), consideraremos que la velocidad de los electrones puede aproximarse con buena precisin por la velocidad trmica, por lo que
tendremos que
L0
L0
=
=s
,
(4.14)
vT
3k B
T
me
donde se ha usado la expresin (4.10) para v T en funcin de la temperatura. Al introducir (4.14) en (4.13) se obtiene finalmente que
ne 2 L 0
= p
T 1/2 .
3k B m e
(4.15)
La expresin anterior nos permite obtener la conductividad elctrica de los

metales en funcin de la densidad de portadores, de la distancia promedio
entre colisiones y de la temperatura de trabajo. En concreto nos dice que
la conductividad disminuye si la temperatura aumenta, de acuerdo con la
observacin experimental hecha para los metales.
E JEMPLO 4.2 Obtenga la conductividad del cobre a temperatura ambiente sabiendo que n = 9 1028 m3 y L 0 = 3,6 .
Teniendo en cuenta los datos anteriores y usando la expresin (4.15) tenemos
que
=
9 1028 (1,6 1019 )2 3,6 1010

3001/2
p
3 1,38 1023 9,1 1031
0,78 107 (m)1
4.2.3. Fallos del modelo de Drude

Aunque el modelo clsico del electrn libre pudo explicar de forma
cualitativa la forma de la ley de Ohm y la disminucin de la conductividad
al aumentar la temperatura (y algunas otras cuestiones que no se han tratado aqu), este modelo no es todava muy satisfactorio dado que presenta
los siguientes fallos:
Slo es aplicable a metales (conductores), de modo que no predice el diferente comportamiento de los conductores y semiconductores/aislantes.
Predice un comportamiento de la conductividad de los metales con
la temperatura del tipo (T ) = 0 T 1/2 , que no explica el comportamiento experimental, (T ) T 1 , encontrado para los conductores.
Apuntes de CF
FLML
4.3. Modelo cuntico del electrn libre
69
La expresin (4.15) predice resultados para la conductividad ms bajos que los obtenidos experimentalmente.
No explica la aparente presencia de cargas positivas (predicha por el
efecto Hall) como portadores de carga en algunos metales.
Aunque no se ha tratado aqu, es tambin conveniente sealar que
este modelo predice un calor especfico (C v = d E /d T ) para los metales mucho mayor (del orden de 104 veces) que el observado experimentalmente.

Debido a las inexactitudes del modelo clsico del electrn libre, Sommerfeld desarroll posteriormente un modelo basado en la teora cuntica
para describir el comportamiento de los electrones libres. Bsicamente, el
modelo cuntico del electrn libre sigue el modelo de Drude respecto a las
hiptesis que hace del slido pero introduce dos importantes consideraciones respecto a los electrones:
Ep
Modelo monodimensional
de la Ep de los e en el
interior del conductor.
1. Los electrones deben ser considerados como entes cunticos.

2. Los electrones obedecen el principio de exclusin de Pauli.
Estas consideraciones implican que el conjunto de electrones debe ser
considerado ahora como un gas cuntico (tambin conocido como gas de
Fermi) en vez de un gas clsico tal como se haca en el anterior modelo
clsico.
El hecho de considerar ahora el conjunto de electrones como un gas
cuntico se manifiesta en que su tratamiento estadstico, realizado mediante
dN (E ) = g (E ) f (E ) dE ,
hace uso de una funcin densidad de estados, g (E ), y una funcin distribucin, f (E ), distintas a las usadas para describir el gas clsico. (Segn se
vio en la expresin (3.9), la funcin distribucin del gas clsico era la de
Maxwell-Boltzmann).
4.3.1. Funcin densidad de estados

La funcin densidad de estados, g (E ), para los electrones considerados como entes cunticos ya fue estudiada en el Apartado 2.2.3 cuando
se estudiaron los niveles energticos de una partcula cuntica en un pozo tridimensional. Segn se vio, los electrones estaran caracterizados por
una terna de nmeros cunticos (n x , n y , n z ), que debido a la degeneracin
de los niveles de energa daba lugar a la siguiente funcin degeneracin o
funcin densidad de estados:
g (E ) =
E 1/2
(4.16)
4E 03/2
FLML
Apuntes de CF
70

con
E0 =
~2 2
2m e a 2
Si tenemos tambin en cuenta el spin (ver Apartado 2.4.2) junto con su

correspondiente nmero cuntico, m s , los electrones de conduccin en el
modelo de Sommerfeld vendrn finalmente caracterizados por la siguiente
cuaterna de nmeros cunticos
Nmeros cunticos del electrn

en el modelo de Sommerfeld
(n x , n y , n z , m s )
La introduccin de este nuevo nmero cuntico introduce una nueva doble degeneracin (que no fue tenida en cuenta en el Apartado 2.2.3), de
modo que la funcin densidad de estados que debe usarse ser la dada en
(4.16) multiplicada por 2, esto es,
g(E)
g (E ) =
E 1/2 =
3/2
2E 0
=
E
(2m e )3/2V 1/2

E
2~3 2
8V (2m e3 )1/2
h3
(4.17)
1/2
donde V es el volumen del slido.
4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac

En al Apartado 3.2 ya se discuti que la funcin distribucin para el gas
clsico de electrones vena dada por
f MB (E ) eE /kB T
fFD(E)
1
T=0K
T >0K
EF
(gas clsico) .
(4.18)
Para el presente caso de un gas cuntico de electrones, la introduccin

del carcter cuntico del electrn junto con el principio de exclusin de
Pauli nos conducira a la funcin distribucin de Fermi-Dirac, f FD (E ), cuya
forma matemtica es
f FD (E ) =
,
E EF
exp
+1
kB T
(4.19)
siendo E F la energa de Fermi que puede definirse, para nuestros propsitos, como el valor de energa para el cual la funcin distribucin vale 1/2.
Es interesante notar que tomando el lmite para valores altos de la energa (E E F ), el trmino exponencial es mucho mayor que la unidad en el
denominador de (4.19) y, en consecuencia, la distribucin de Fermi-Dirac
se hace bsicamente idntica a la distribucin de Maxwell-Boltzmann:
E E F
f FD (E ) f MB (E ) .
(4.20)
Si analizamos con detenimiento la dependencia de (4.19) con respecto

a la temperatura, nos encontramos con que a T = 0 K, la funcin distribucin de Fermi-Dirac equivale a la siguiente funcin escaln:
(
1 si E < E F
f FD (E ) =
(4.21)
0 si E > E F ,
Apuntes de CF
FLML
71
esto es, todos los estados presentan probabilidad unidad de ocupacin si

E < E F y probabilidad nula si E > E F . Podemos comprobar que esta propiedad apenas vara con la temperatura, excepto en la regin donde
fFD(E)
8kT
T=0K
|E E F | . 4k B T ,
T >0K
puesto que fuera de esa regin f FD (E ) toma valores muy prximos a 0 o

bien a 1. Teniendo en cuenta el hecho de que la energa de Fermi para la
mayora de los conductores y semiconductores a temperatura ambiente
est comprendida entre 1eV < E F < 8eV, y que
k B T (300 K) 0,025 eV ,
EF
T=3000K
(4.22)
podemos observar que el intervalo donde se produce el trnsito de 1 0

es muy pequeo para temperatura ambiente (8k B T E F ) y solo se hace
apreciable para temperaturas muy altas (T & 3000 K). Esto implica que la
funcin f FD (E ) slo mostrar cambios apreciables (respecto a su comportamiento para T = 0 K) para temperaturas muy altas, por lo que en muchos
casos de inters prctico (por ejemplo, a temperatura ambiente), en vez de
usar la expresin complicada (4.19) puede usarse directamente la funcin
escaln (4.21).
Bajo las condiciones anteriores, la distribucin de portadores de carga
con respecto a la energa, dN /dE , muestra entonces que a T > 0 K existen
pocos electrones con energas mayores que E F . Esto quiere decir que a temperatura ambiente y similares, la distribucin de energa es bsicamente la
misma que la que se encuentra a T = 0 K. Fsicamente, esto implica que un
aumento moderado de la temperatura respecto a T = 0 K tiene muy poco
efecto en el gas cuntico de electrones.
kBT-EF
EF
dN
dE
T=0K
T >0K
E
Clculo de la energa de Fermi

Teniendo en cuenta las consideraciones anteriores respecto a la dependencia con la temperatura de la distribucin de Fermi-Dirac, encontramos
que en multitud de situaciones prcticas podemos escribir
dN (E ) = g (E ) f FD (E )dE g (E )
1 si E < E F
0 si E > E F
dE .
(4.23)
Si aplicamos la expresin anterior a un modelo simple de un conductor,

encontraramos que el nmero total de electrones, N , en el conductor vendra dado por
Z
Z EF
N=
dN (E )
dN (E ) = N (E F ) ,
(4.24)
0
es decir,
en un metal, el nivel de Fermi, E F , puede identificarse
con el mximo valor de la energa correspondiente a un
estado ocupado, existiendo como mximo dos electrones en cada nivel de energa.
FLML
Apuntes de CF
72

Dado que el nmero de electrones con energas E E F sern precisamente todos los del conductor, encontramos que
N (E F ) = nV .
(4.25)
Por otra parte, teniendo en cuenta (4.23), N (E F ) puede calcularse como

EF
N (E F ) =
g (E ) dE
0
EF
Energa de Fermi en un conductor
8V (2m 3 )1/2 2 3/2

8V (2m 3 )1/2 1/2
E
dE
=
E .
h3
h3
3 F
(4.26)
Igualando ahora los resultados de las expresiones (4.25) y (4.26), podemos

concluir que

h 2 3n 2/3
.
(4.27)
EF =
2m e 8
Puede comprobarse que para los metales tpicos (n 1028 m3 ), los valores
de la energa de Fermi se encuentran entre E F 28 eV, tal como se supuso
anteriormente.
Clculo de la energa promedio del gas de Fermi

El clculo de la energa promedio de los electrones del gas de Fermi
puede realizarse a partir de la expresin encontrada para dN (E ) mediante
el siguiente clculo:
Z
EF
E dN (E )
E c = Z0
dN (E )
0
= Z0
E C E 1/2 dE
=
EF
CE
1/2
dE
3
EF
5
(4.28)
(E dN puede interpretarse como la energa de aquellas partculas cuyos estados de energa estn comprendidos entre E y E + dE ).
Si queremos encontrar la temperatura, TgF , a la cual la energa de un
electrn en un gas clsico (3/2k B TgF ) sera igual a la energa obtenida previamente en (4.28) para un electrn en un gas cuntico, entonces al igualar
ambas energas
3
3
k B TgF = E F
2
5
encontramos que
2E F
TgF =
.
5k B
Puede comprobarse que esta temperatura es del orden de 104 K, lo que explicara porqu un aumento de la temperatura del gas de Fermi apenas
variar su energa promedio y por tanto el valor del calor especfico de este gas es tan bajo (con respecto al predicho por el modelo de Drude, en el
cual un aumento de la temperatura del gas s tiene un efecto muy apreciable sobre el valor de la energa promedio).
Apuntes de CF
FLML
73
4.3.3. Conduccin elctrica

En el contexto del modelo cuntico del electrn libre, la dinmica de
los electrones no viene regida por las colisiones de los portadores con los
restos inicos sino que, por el contrario, la dinmica de los electrones estar determinada por el proceso de propagacin de la funcin de onda asociada a los electrones en el entorno constituido por los restos inicos. En
principio caben sealarse varios puntos:
Al contrario de lo ocurre en los procesos trmicos, en el proceso de
conduccin elctrica participan todos los electrones del gas de Fermi. Esto se debe a la posibilidad que tienen todos los electrones de
aumentar de forma coherente su energa y por tanto de desplazarse a un nivel de energa superior sin por ello violar el principio de
exclusin.
Al estudiar la dinmica de los electrones sometidos a un campo elctrico externo, el fenmeno ondulatorio anlogo a lo que antes se visualiz como colisiones vendr ahora dado por la dispersin de la
onda electrnica por los iones, es decir, por las reflexiones de Bragg
de la onda electrnica en su interaccin con la red cristalina. No obstante, para situaciones tpicas, se encuentra que no se dan las condiciones para que se produzcan estas reflexiones y, por tanto, los electrones podran vagar libremente por la red sin que sta les ofreciera
resistencia alguna (lo que dara lugar a un valor de conductividad infinito).
El origen de una conductividad finita no se debe entonces al proceso
anterior de choques sino que surge fruto de la dispersin de las ondas
electrnicas por las imperfecciones (impurezas y vibraciones trmicas) en la periodicidad del cristal. En particular, el efecto ms importante proviene de las vibraciones trmicas de los iones en la red. El
efecto de estas vibraciones es aumentar la seccin eficaz de los iones
dando lugar a una dispersin apreciable. Los clculos muestran que
el camino libre medio entre colisiones viene dado por
L 0 T 1 ,
(4.29)
lo que implica que T 1 , en acuerdo con la observacin experimental.
4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld

A pesar de los xitos de este modelo al explicar el diferente comportamiento trmico y elctrico de los electrones as como la correcta dependencia de la conductividad con la temperatura, algunos de los puntos que
este modelo no explica son:
Existencia de conductores y semiconductores/aislantes y porqu presentan comportamientos cualitativos distintos respecto a la temperatura.
FLML
Apuntes de CF
74

Gran dependencia de las propiedades de conduccin de los semiconductores respecto al numero de impurezas aadidas.
Existencia aparente de portadores de carga positiva, tal y como seala el efecto Hall en algunos metales y semiconductores dopados.

4.1: Para un hilo de cobre cuya rea transversal es 5 mm2 : a) cul debera ser la intensidad
de corriente que lo recorriese para que la velocidad de arrastre de los electrones fuese igual
a la velocidad trmica a temperatura ambiente?; b) discuta si se seguira cumpliendo en las
anteriores condiciones la ley de Ohm.
Sol. (a): I > 109 A.
4.2: Usando para el cobre los siguientes valores: a = 3,7 y v(300 K) = 1,08 105 m/s, calcular la resistividad a T = 300, 200 y 100 K.
Sol. (300 K) = 1,22 107 m; (200 K) = 9,96 108 m; (100 K) = 7,05 108 m.
4.3: Considere un sistema con N partculas que nicamente dispone de dos estados de
energa accesibles: E 1 = E y E 2 = E . Si la probabilidad de ocupacin de un nivel de energa a temperatura T viene dada por la distribucin de Maxwell-Boltzmann f = eE /(kB T ) ,
calcule a) la proporcin de partculas, N1 /N2 , para E 1 y E 2 , b) la cantidad de partculas en
cada nivel de energa y c) la energa total del sistema U .
Sol.: a) N1 /N2 = e2E /kT ; b) como N = N1 + N2 , N1 /N = 1/(1 + e2E /kT ),
N2 /N = e2E /kT /(1 + e2E /kT ); c) U = N1 E 1 + N2 E 2 = N E tanh(E /kT ).
4.4: En qu intervalo de energa, expresado en unidades de k B T , la funcin distribucin
de Fermi-Dirac cambia de valor 0.90 a 0.10?
Sol.: 4,4 k B T .
4.5: Estimar la fraccin de electrones libres en el cobre que estn excitados a temperatura
ambiente. E F (Cu)=6.95 eV.
Sol.: 1 %.
4.6: Calcular la energa de Fermi y la temperatura de Fermi para el oro y el hierro sabiendo
que la densidad electrnica es n(Au) = 5,90 1022 cm3 y n(Fe) = 17 1022 cm3 .
4.7: En la distribucin de Fermi si E = E E F , calcule f FD (E ) para E = 2k B T, 4k B T, 10k B T .

Qu conclusiones puede extraer de los anteriores resultados?. Demuestre igualmente que
f FD (E F E ) = 1 f FD (E F + E ) y discuta los resultados.
4.8: A una temperatura de 300 K (E F = 5,1eV): (a) cul es la probabilidad de que un estado est ocupado para energas de 5 y 6 eV?; (b) a qu temperatura la probabilidad de
ocupacin del estado de energa E = 5,2eV es de 0.1?
Sol.: (a) 0.979, 7,08 1016 ; (b) T = 528 K.
4.9: Sabiendo que la energa de Fermi para el cobre es de 7.0 eV, determnese a 1000 K :
(a) la energa a la que la probabilidad, f F (E ), del estado que ocupar un electrn de conduccin sea de 0.9; (b) la funcin distribucin de estados o densidad de estados, g (E ), por
unidad de volumen; y (c) la funcin de distribucin de partculas, dn(E )/dE = g (E ) f FD (E ).
Sol.: 6.81 eV; 1,79 1028 m3 eV1 ; 1,6 1028 m3 eV1 .
4.10: Un cubo muy pequeo de Cu tiene 0.1 mm de lado. Cuntos electrones de conduccin contiene que posean energas comprendidas entre 5 y 5.025 eV?
Sol.: 3,8 1014 electrones.
Apuntes de CF
FLML
75
4.11: El magnesio es un metal bivalente con un peso atmico de 24.32 g/mol y una densidad de 1.74 g/cm3 . (a) Cul es la densidad de electrones libres?; (b) Cul es la energa
de Fermi?; y (c) Cul es la longitud de onda de De Broglie de los electrones en el nivel de
energa de Fermi?.
Sol.: (a) 8,4 1028 m3 ; (b) E F = 7,07 eV; (c) = 4,62 .
4.12: Los niveles energticos electrnicos en un pozo infinito de potencial tridimensional estn dados por la expresin: E (n 1 , n 2 , n 3 ) = E 0 (n 12 + n 22 + n 32 ). Encontrar las diferencias
fraccionales, [E (n i , n j , n k )E (n i0 , n 0j , n k0 )]/E (n i , n j , n k ), en la energa entre los pares de estados dados por: (a) E (1, 1, 1) y E (1, 1, 2); (b) E (10, 10, 10) y E (9, 10, 11); y (c) E (100, 100, 100)
y E (99, 100, 101). (d) Qu conclusin puede ser deducida de estos resultados?
4.13: Si admitimos que, segn la teora cuntica del electrn libre, la energa media de un
electrn libre en el cobre viene dada por
2 kB T
kB T ,
E = 53 E F + 4
EF
calcule dicha energa a temperatura ambiente (E F = 7,03 eV) y compare el anterior valor
con la energa media a T = 0 K y con el valor clsico 3k B T /2.
Sol.: E (300 K) = 4,2182 eV, E (0 K) = 4,2180 eV, 3k B T /2 = 3,88 102 eV.
2E F 1/2
, como aqueme
lla que adquieren los electrones de conduccin en el gas de Fermi, calcule el recorrido libre
medio, L 0 , de los electrones en el oro sabiendo que E F = 5,53 eV y = 2,04 cm. Compare este valor con la distancia promedio entre tomos y discuta el resultado.
Sol. l= 4, 14 .
4.14: Si consideramos a la velocidad de Fermi, definida como v F =
4.15: Calcule la energa de Fermi (el valor de la energa del ltimo estado lleno a T = 0 K)
para un conductor monodimensional que consta de 23 electrones en un pozo de potencial monodimensional de paredes infinitas y anchura 6 . Tenga en cuenta que el principio
de exclusin prohbe la existencia de ms de dos electrones en el mismo estado cuntico.
Sol. E F = 149, 4 eV.
FLML
Apuntes de CF
T EMA 5
Electrones en una red peridica

5.1.Modelo cuntico del electrn ligado
En los dos modelos expuestos en el tema anterior se supuso que los
electrones de conduccin en los slidos eran libres, o equivalentemente
que su energa potencial en el interior del slido era constante. No obstante, las carencias de los modelos basados en esta suposicin (vlidos nicamente para explicar propiedades de los metales) nos sugiere que el modelo
del electrn libre debe revisarse. Un posible paso adelante que supera este
modelo debe tomar en consideracin la interaccin electrosttica de los
electrones con la estructura cristalina del slido. Puesto que la aparicin
de este potencial peridico proviene del efecto conjunto de todos los iones
positivos de la red (que estn regular y peridicamente distribuidos), esta
interaccin quedara descrita en el modelo admitiendo que
Gas cuntico de electrones est sometido a un potencial peridico,
esto es,
E p (r) = E p (r + T) ,
(5.1)
donde T es un vector traslacin de la red cristalina (ver Apartado 3.3). Para una red finita monodimensional de periodo a, la Figura 5.1 muestra el
aspecto de este potencial.
La forma rigurosa de abordar el problema anterior requiere la resolucin de la ecuacin de Schrdinger teniendo en cuenta el hecho de que el
potencial es peridico. Para el caso monodimensional esto implicara resolver la siguiente ecuacin:
~2 d2
2m e dx 2
+ E p (x) = E
(5.2)
siendo
E p (x) = E p (x + a) .
Esta tarea fue llevada a cabo por Bloch, quien encontr que la funcin de
onda de un electrn en la red peridica monodimensional deba ser del
tipo
(x) = u k (x)e j kx
(5.3)
77
E p (r) = E p (r + T)
78
Tema 5. Electrones en una red peridica
Ep
e
Ep=-K r
(a)
(b)
F IGURA 5.1: (a) Energa potencial (o, simplemente, potencial) debida a la
interaccin culombiana de un electrn con un ion positivo. (b) Potencial
de un electrn en una red monodimensional de iones positivos.
con
u k (x) = u k (x + a) ,
que puede verse como la funcin de onda del electrn libre (e j kx ) modulada por una funcin u k (x) que presenta la misma periodicidad que la
red.
Operando con este tipo de funciones de onda encontraramos que los
niveles de energa del slido se agrupan en bandas de energa, segn nos
muestra la relacin E k en la Figura 5.2(a). La energa E = E (k) es una
F IGURA 5.2: (a) Relacin de dispersin E k para un electrn que se mueve en una red peridica monodimensional de periodo a. (b) Diagrama simplificado de bandas de energas permitidas y prohibidas.
funcin continua en ciertos intervalos de k que experimenta saltos para
determinados valores del nmero de ondas (k = n/a). Las bandas permitidas mostradas en la Figura 5.2(b) nos indican aquellos valores de energa
que puede tener el electrn mientras que las bandas prohibidas sealan
los valores de energa que no pueden ser tomados por el electrn.
Apuntes de CF
FLML
5.1.
Modelo cuntico del electrn ligado
79
5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace

El desarrollo matemtico que llevara a la verificacin de la existencia
de bandas de energa queda fuera del alcance del presente tema, por lo que
optaremos por deducir la existencia de bandas de energa en los slidos a
partir de una versin elemental de la aproximacin de fuerte enlace. Esta
aproximacin consiste bsicamente en suponer que las funciones de onda
de los electrones en los tomos que forman el slido apenas se extiende
ms all de los lmites de cada uno de estos tomos.
En el marco de esta aproximacin, una manera sencilla de visualizar
el efecto del potencial peridico en la formacin de las bandas de energa consiste en determinar los niveles energticos de los electrones en un
slido partiendo de los niveles energticos de los tomos individuales y
observando cmo varan estos niveles cuando los tomos se aproximan lo
suficientemente como para formar un slido. Dado que este estudio es todava complicado (debido a lo complejo del potencial que siente un electrn en el tomo), partiremos de una situacin ms simple que modela en
lo bsico la situacin anterior y que consiste en el estudio de la variacin de
los niveles de energa desde un pozo de potencial monodimensional simple finito hasta el caso del pozo doble finito cuando disminuye la distancia
entre los pozos.
Pozo doble de potencial finito
En el caso de un nico pozo de potencial finito, las dos primeros niveles
de energa, E 1 y E 2 , estn relacionados con las funciones de onda mostradas en la Fig. 5.3.
a)
b)
E1
E2
F IGURA 5.3: Funcin de onda asociada con (a) estado fundamental y (b)
primer estado excitado de una partcula en un pozo de potencial finito.
Para el caso del pozo doble de potencial finito (Fig. 5.4a), un electrn
en el estado fundamental que est el pozo 1 tendr una funcin de onda,
1 (x), que slo ser distinta de cero en las proximidades de dicho pozo
(Fig. 5.4b). Anlogamente ocurrira para un electrn en el estado fundamental que estuviese en el pozo 2 al que le correspondera una funcin de
onda 2 (x) (Fig. 5.4c).
Si ahora se considera el caso de un electrn que pudiese estar con igual
probabilidad en cualquiera de los dos pozos, la funcin de onda, (x), que
FLML
Apuntes de CF
80
F IGURA 5.4: (a) Pozo doble finito monodimensional. (b) Funcin de onda
asociada de un electrn que est en el pozo 1 en el estado fundamental. (c)
Funcin de onda asociada de un electrn que est en el pozo 2 en el estado
fundamental. (d) Funcin de onda simtrica que representa a un electrn
que puede estar con igual probabilidad en ambos pozos. (e) Densidad de
probabilidad asociada con el caso anterior. (f ) Funcin de onda antisimtrica que representa a un electrn que puede estar con igual probabilidad
en ambos pozos. (g) Densidad de probabilidad asociada con el caso anterior.
represente este sistema debe tener las siguientes propiedades:1
1. (x) debe reflejar el hecho de que la partcula se encuentre con igual
probabilidad en ambos pozos, por lo que la densidad de probabilidad, |(x)|2 , debe ser simtrica con respecto al punto medio de los
dos pozos.
2. (x) debe presentar un aspecto similar en aquellas regiones correspondientes al caso de un electron localizado en un nico pozo.
1 Debe tenerse en cuenta que si (x) es una funcin de onda correspondiente a un nivel
de energa E cuya densidad de probabilidad asociada es |(x)|2 , (x) tambin ser solucin de la ecuacin de Schrdinger y tendr asociados los mismos valores de energa y
densidad de probabilidad que la funcin (x).
Apuntes de CF
FLML
5.1.
81
Teniendo en cuenta las anteriores consideraciones encontramos que

slo existen dos posibilidades compatibles, dando as lugar a la funcin de
onda simtrica, S (Fig. 5.4d), y antisimtrica, A (Fig. 5.4f):
S
= C (1 + 2 )
= C (1 2 ) .
Si la distancia entre los pozos es considerable, la forma de |S (x)|2

(Fig. 5.4e) y de | A (x)|2 (Fig. 5.4g) es muy parecida por lo que la energa
de los estados que representan tendrn muy aproximadamente el mismo
valor, E S E A , y diremos que existe degeneracin.
Cuando la distancia entre los pozos disminuye, siguiendo los mismos
criterios anteriores, la forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica se modificar tal como muestra la Fig. 5.5 Puede verse que la fun-
yS
yA
|yS|2
|yA|
ES=EA
F IGURA 5.5: Forma de las funciones de onda simtrica y antisimtrica

cuando los pozos de potencial finito se aproximan.
cin de onda simtrica, S , presenta para este caso una forma similar a la
funcin de onda correspondiente al estado fundamental del pozo simple
finito de anchura doble (Fig. 5.3a) y, anlogamente, la funcin de onda antisimtrica, A , es similar a la funcin de onda del primer estado excitado
del pozo simple finito de anchura doble (Fig. 5.3b). Dado que las funciones del pozo simple correspondan a diferentes niveles de energa, puede
concluirse que
Al acercar dos sistemas independientes idnticos
(con la misma energa) se rompe la degeneracin de
los dos estados correspondientes a estos sistemas y
aparecen dos niveles de energa diferente.
5.1.2. Bandas de energa

A partir del principio bsico enunciado anteriormente podemos ahora
analizar los cambios en los niveles de energa del electrn en un sistema
FLML
Apuntes de CF
82

con dos tomos. Tal como muestra la Fig. 5.6, en este caso, se observara
que los niveles de energa de los electrones ms internos (nivel E 1 ) apenas sufriran cambios mientras que los niveles de energa de los electrones
de las capas ms externas (nivel E 2 ) s que sufriran un desdoblamiento.
Este hecho se debe a que los electrones ms internos apenas seran afectados por la presencia del otro tomo dado que su entorno de potencial
apenas vara con respecto a la situacin en la que se encontraban en cada
tomo individual. Por el contrario, el entorno de potencial de los electrones externos en el sistema de dos tomos es sustancialmente distinto
al que haba en un nico tomo. El mayor cambio en los niveles energticos de los electrones ms externos puede tambin interpretarse a partir
del efecto tnel. Debido al efecto tnel esperamos que los electrones de las
capas ms externas dejen de estar localizados estrictamente en el entorno
de cada tomo individual y pasen a formar parte del sistema en su conjunto, mientras que es muy poco probable que los electrones de las capas ms
internas atraviesen las barreras de potencial que los rodean.
E2
E2
E1
E1
distancia
interatmica
F IGURA 5.6: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema de 2 tomos
El fenmeno de desdoblamiento observado para dos tomos puede
claramente extenderse a un sistema de ms tomos (por ejemplo 5, tal como muestra la Fig. 5.7). En este caso encontraremos que por cada nivel
original de las capas del tomo individual aparecern ahora tantos niveles
como tomos haya en el sistema multiatmico. Igualmente observamos
cmo los niveles de las capas ms externas (nivel E 2 ) sufre un desdoblamiento ms amplio que el correspondiente a las capas ms internas (nivel
E 1 ).
Si este modelo se sigue extendiendo hasta completar el nmero total
de tomos del slido (n 1028 m3 ), los niveles discretos de energas (correspondientes al despliegue de los niveles originales de los tomos individuales) apareceran ahora tan cerca que daran lugar a una configuracin
cuasicontinua de niveles energticos. Debido a esta naturaleza cuasicontinua de la energa, se dice que la configuracin energtica del slido muestra bandas de energa (ver Fig. 5.8).
Debido a que las propiedades fsicas de los slidos dependen bsicamente de la configuracin de las ltimas bandas de energa, stas sern la
Apuntes de CF
FLML
5.1.
83
E
E2
E2
E1
E1
a
distancia
interatmica
F IGURA 5.7: Modificacin de los niveles energticos asociados a los electrones externos de un sistema monodimensional de N tomos
E
3s
2N
3s
6N
2p
2p
2N
2s
2s
2N
Banda 1s
1s
F IGURA 5.8: Aparicin de bandas de energa fruto de la prdida de degeneracin de los niveles energticos asociados a los electrones de un slido
de mayor inters para la conductividad elctrica. La denominacin usual
para estas ltimas bandas es la siguiente:
Banda de Valencia (BV): es la banda de energa ms alta conteniendo electrones.
Bandas Prohibidas (BP): corresponden a aquellos valores de energa
en los cuales no hay niveles permitidos.
Banda de Conduccin (BC): Si la BV est parcialmente llena, esta
banda se denomina banda de conduccin y si la BV est totalmente
llena (a T = 0 K) entonces la BC ser aquella banda inocupada inmediatamente superior a la BV.
Debe notarse que la anterior discusin sobre la formacin de bandas
se basa en un modelo simplificado monodimensional que no ha tenido en
cuenta las caractersticas tridimensionales del cristal. Cuando stas se tienen en cuenta, la formacin de bandas de energa puede presentar algunas
variaciones importantes respecto al modelo simple presentado anteriormente. En concreto cabe destacar el fenmeno de hibridacin de bandas,
FLML
Apuntes de CF
84

que consiste en la existencia de bandas de energa formadas combinando
niveles de energa procedentes de diferentes niveles originales.
5.2.
Aislantes, Semiconductores y Conductores
El modelo de bandas expuesto anteriormente podr explicar satisfactoriamente la existencia de conductores y semiconductores/aislantes. Debe notarse que para que los electrones respondan al campo elctrico externo (y por tanto contribuyan a la corriente elctrica), stos deben poder ganar energa y situarse en estados energticos superiores. En consecuencia, slo aquellos electrones que posean estados superiores prximos
disponibles vacos y permitidos respondern a la accin del campo elctrico externo. Siguiendo este mismo razonamiento podemos igualmente
concluir que aquellos electrones cuyas energas correspondan a las de una
banda completamente llena NO contribuirn a la corriente,
Jbanda llena = 0 .
(5.4)
Esto implica que los nicos electrones que participaran en el proceso de

conduccin elctrica sern aqullos situados en las bandas superiores (dado que las bandas inferiores estarn totalmente llenas).
Para explicar el comportamiento elctrico de los slidos distinguiremos dos situaciones en funcin de la temperatura: T = 0 K y T > 0 K.
A T = 0 K, un slido que tenga la BV llena ser un aislante debido a
que los electrones en dicha BV no pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en dicha banda bajo la accin de un campo
elctrico externo. La existencia de la BP, en principio, impedira que
estos electrones pudieran desplazarse hacia la BC. Por el contrario, si
la BV est parcialmente llena, entonces los electrones pueden desplazarse hacia niveles ms altos de energa en el interior de dicha banda y el slido se comportar como un conductor. Un aislante cuya
BP sea relativamente pequea se denominar semiconductor, aunque a T = 0 K, tanto el aislante como el semiconductor se comportan
como aislantes perfectos. Las situaciones descritas anteriormente se
muestran en la Fig. 5.9.
A T > 0 K es posible que, en aislantes y semiconductores, algunos
electrones de la BV sean excitados trmicamente a la BC y, por tanto,
que haya algunos portadores disponibles para la corriente elctrica.
La probabilidad de salto de electrones de BV a BC ser directamente proporcional a la temperatura e inversamente proporcional a la
anchura energtica, E g , de la BP. En consecuencia, a mayor E g menor concentracin de electrones en BC y menor valor de conductividad elctrica. Esto explica el diferente valor a temperatura ambiente
de la conductividad elctrica, , dando as lugar a la diferenciacin
entre aislantes y semiconductores. Por otra parte, dado que para estos materiales, la concentracin de electrones en BC aumenta con T ,
Apuntes de CF
FLML
5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores
T=0 K
85
BC
Eg
BV
Aislante
BC
Semiconductor
(BC)
BV
BV
Conductor
F IGURA 5.9: Situacin de las bandas energticas ms externas para Aislante, Semiconductor y Conductor
la conductividad crecer a medida que la temperatura crezca, explicndose as la correcta dependencia de la conductividad con la temperatura para aislantes y semiconductores discutida en el Apartado
4.1.
En los conductores, la situacin energtica de los electrones ligados
en la BV parcialmente llena (o BC) es muy similar a la que se encontr en el Tema 4 para los electrones libres en el modelo de Sommerfeld dentro del pozo de potencial finito. (Esto explica porqu el
modelo de Sommerfeld fue exitoso al predecir las propiedades elctricas de los metales.) Por tanto, el comportamiento de la conductividad con la temperatura para los conductores segn el modelo de
bandas es igual al predicho por el modelo de Sommerfeld, esto es,
T 1 .
3s
Siguiendo los razonamientos anteriores, se podra ahora predecir el carcter elctrico de los slidos formados por distintos elementos. As para
un cristal formado por tomos de Na, cuyo nmero atmico es Z = 11 y de
configuracin 1s 2 2s 2 2p 6 3s 1 , es de esperar que su estructura de bandas sea
la mostrada en la figura adjunta. En principio, es de esperar que la banda
3s estuviese parcialmente llena y, por tanto, que esta banda constituyese
una Banda de Conduccin. En esta situacin, esperaramos que este solido fuese un conductor; suposicin que es plenamente confirmada por los
hechos experimentales.
Usando un razonamiento similar es de esperar igualmente que un slido cristalino de Mg (elemento de Z = 12 y configuracin electrnica
1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 ) sea un aislante al tener su ltima banda con electrones totalmente llena. No obstante, experimentalmente se encuentra que el Mg
es un buen conductor. Para explicar esta importante discrepancia hay que
considerar que el modelo de formacin de bandas que se ha seguido es un
modelo monodimensional y, tal como se seal anteriormente, este modelo slo nos proporciona las guas bsicas para explicar la formacin de
bandas en los slidos tridimensionales. Los detalles especficos de las bandas de muchos slidos slo pueden explicarse a partir de un modelo que
tuviese en cuenta el carcter tridimensional del slido. En este sentido, ha
FLML
1N
2p
6N
2s
2N
1s
2N
tomo de Na
Slido de Na
2N
de 8N
Banda 3s3p
6N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin para Mg
Apuntes de CF
86
2N
de 4N
Banda 2p
2N
Banda 2s
2N
Banda 1s
Situacin aparente para C
E
2p
Eg
2s
1s
ro
Separacin
interatmica
E
Eg
de tenerse en cuenta que tanto el Na como el Mg presentan una hibridacin de las bandas 3s y 3p para formar una nica banda hbrida 3s3p que
tendr en total 8N estados energticos y, en consecuencia, tanto para el Na
como para el Mg esta ltima banda con electrones est parcialmente llena
y ambos slidos sern conductores.
Una discusin anloga puede hacerse para el caso del carbono cristalizado (diamante). El C tiene una configuracin electrnica 1s 2 2s 2 2p 2 ,
de modo que siguiendo el modelo monodimensional debera ser un buen
conductor. No obstante, el hecho de que el diamante sea un aislante excelente puede explicarse de nuevo a partir de la formacin de una banda
hbrida 2s2p con 8N estados. Tal como se puede ver en la figura, tras la
formacin de esta nica banda hbrida ocurre una posterior separacin de
esta banda en dos bandas que podemos llamar banda 2s2p inferior y banda 2s2p superior, cada una de ellas con 4N estados energticos. Cuando
se forma el diamante los 6N electrones del slido se situarn de manera
que 2N van a la banda 1s y los restantes 4N a la banda 2s2p inferior, dando lugar a que la ltima banda con electrones est totalmente llena. Dado
que la separacin entre la BV y BC en el diamante es grande (E g 6 eV), el
diamante sera muy buen aislante de acuerdo con el modelo de bandas.
Es importante notar que el Si y el Ge tienen la misma configuracin
electrnica en sus ltimas capas que el C, por lo que igualmente se producir el mismo tipo de hibridacin de bandas (banda 3s3p para Si y banda 4s4p para Ge) y, en consencuencia, los monocristales de Si y Ge sern
igualmente aislantes a T = 0 K. No obstante, la anchura de la banda prohibida entre BV y BC es menor en estos slidos que en el diamante, por lo
que de acuerdo con las discusiones al inicio de esta seccin, ambos slidos sern semiconductores a T > 0 K.
5.3.
Masa efectiva
Una de las consecuencias ms importantes de la existencia de bandas

en los slidos se manifiesta en la respuesta que presentan los electrones
ligados a un campo elctrico externo, E . La distinta respuesta de los electrones en funcin de su situacin en las bandas de energa ser recogida
por la magnitud masa efectiva, m . En concreto, esta magnitud nos relacionar directamente la aceleracin, a, del electrn con la fuerza externa
aplicada, esto es,
F ext
a= .
(5.5)
m
Es importante notar lo que la ley de Newton nos dice es que la suma vectorial de todas las fuerzas que actan sobre el electrn (externas ms internas) es igual a su masa real (m e ) por su vector aceleracin,
X
(todas las fuerzas) = Fint + Fext = m e a .
(5.6)
Esta expresin nos permite deducir que en aquellos casos en los que acten fuerzas internas no existir una relacin lineal trivial entre la acele-
Apuntes de CF
FLML
5.3. Masa efectiva
87
racin y las fuerzas externas dado que ser precisamente la masa efectiva
(m ) la que recoger el efecto global de las fuerzas internas.
E
Electrn libre
Antes de tratar el electrn ligado, repasaremos brevemente las caractersticas bsicas que se encontraron para el electrn libre. En concreto se
encontr que la energa del electrn libre (ver expresin (2.14)) vena dada
por la siguiente expresin:
2
E=
2m e
k2 .
(5.7)
Dado que en el presente caso slo actan sobre el electrn la fuerza externa
debido al campo elctrico aplicado (E ), tendremos que la ecuacin (5.6)
viene dada por
Fext = eE = m e a ,
(5.8)
de donde obtenemos que el mdulo del vector aceleracin ser

a=
eE
.
me
(5.9)
En el presente caso vemos que el electrn libre sufre una aceleracin inversamente proporcional al valor de su masa inercial m e , por lo que encontramos que m = m e .
Electrn ligado
En este caso ya discutimos que el electrn estaba sometido al efecto de
un potencial peridico del cristal, que obviamente est relacionado con la
existencia de fuerzas internas que actan sobre dicho electrn. Debido a la
presencia de estas fuerzas internas podemos asegurar que m 6= m e por lo
que debemos emplear algn modelo sencillo que nos permita encontrar
una expresin adecuada para la magnitud masa efectiva. En concreto usaremos un modelo semiclsico del electrn, es decir, haremos uso tanto de
argumentos clsicos como de argumentos cunticos en el anlisis.
Parte cuntica.
El movimiento del electrn se supone que est regido por las caractersticas de propagacin de su funcin de onda asociada. En este
sentido, la velocidad del electrn, v, vendr dada por la velocidad de
grupo de la onda,
d
.
vg =
dk
Dado que = E (k)/~ y v v g , la velocidad puede expresarse como
v(k) =
FLML
1 dE
.
~ dk
(5.10)
Apuntes de CF
88

Parte clsica.
Suponemos que el campo elctrico aplicado da lugar a fuerzas ordinarias clsicas, de modo que podremos usar la ecuaciones de movimiento de la Fsica Clsica. En este sentido, si la fuerza externa realiza un trabajo diferencial, dW , sobre la partcula, la energa de dicha
partcula se incrementar en la misma cantidad: d E = dW . Para el
presente caso tendremos entonces que
dE =dW
=F ext dx = eE dx = eE
dx
d t = eE vdt
dt
(5.11)
y, por tanto, el incremento de energa en el tiempo puede expresarse

como
dE
= eE v .
(5.12)
dt
Derivando con respecto al tiempo la ecuacin (5.10) encontramos la
siguiente expresin para la aceleracin:
dv(k) 1 d dE
a=
,
=
dt
~ dt dk
o bien, intercambiando el order de integracin,
1 d dE
a=
.
~ dk dt
(5.13)
Introduciendo ahora (5.12) en (5.13), encontramos

eE dv
,
~ dk
a=
que puede reescribirse al sustituir el valor de v(k) dado por (5.10) como
a=
eE 1 d2 E
~ ~ dk 2
(5.14)
o, equivalentemente,
a=
eE
1 d2 E
~2 dk 2
1 .
(5.15)
Comparando ahora la expresin (5.15) encontrada para la aceleracin de

un electrn ligado con la expresin (5.5) podemos concluir que
Definicin de masa efectiva para

el electrn ligado
la respuesta del electrn ligado al campo elctrico externo aplicado puede verse como la de un electrn libre que estuviese dotado de una masa efectiva, m , dada por
m =~
Apuntes de CF
d2 E
dk 2
(5.16)
FLML
5.3. Masa efectiva
89
E JEMPLO 5.1 Clculo de la masa efectiva de un electrn libre

De acuerdo a la expresin (5.7)
E
~2
dE
=
k
dk m e
luego segn (5.16)
~2
d2 E
=
,
dk 2 m e
m = me .
k
v
A partir de la forma de la relacin de dispersin para el electrn de

Bloch (Fig. 5.3a), se pueden deducir cualitativamente algunas importantes caractersticas de la masa efectiva del electrn sometido al efecto del
potencial peridico de la red. As, si nos fijamos en la forma de la primera
banda energtica, su velocidad vendr dada por
v=
1 dE
~ dk
k
2
donde debemos considerar que esta velocidad da cuenta tanto de la accin

del campo externo como de la interaccin del electrn con la red. Al realizar la derivada de la curva anterior para valores de k > 0 se observa que
para valores de k prximos a cero, la derivada es una funcin creciente que
alcanza un mximo en el punto de inflexin de E (k) para luego alcanzar un
valor nulo en el extremo de la banda. Para obtener la masa efectiva, se procede segn
2 1
d E
m = ~2
,
dk 2
d E/dk
m*
esto es, se derivar la curva anterior y se invierte. Tras realizar esto, se pueden destacar los siguientes hechos:
1. m no presenta el mismo valor que m e .
2. m puede ser mayor que m e e incluso llegar a ser infinita.
3. m puede ser menor que m e e incluso ser negativa.
En concreto se ha obtenido que la masa efectiva es
positiva en el borde inferior de la banda y
negativa en el borde superior.
La variacin de los valores y signo de la masa efectiva del electrn bajo
el efecto conjunto y opuesto del campo elctrico externo y del potencial
peridico de la red puede interpretarse como un balance entre la accin
de las fuerzas provenientes del campo externo (a favor del movimiento) y
las fuerzas internas de la red (opuestas al movimiento). Cuando m > 0, el
FLML
Apuntes de CF
90

electrn gana energa globalmente dado que la accin del campo externo
es superior a la de las fuerzas internas. El punto en el que m indicara
que el electrn no se movera (como si no respondiese a la accin de E )
ya que la accin del campo externo es perfectamente contrarrestada por
la accin de las fuerzas internas de la red. La situacin en la que m < 0
podra interpretarse como que en esa zona las fuerzas internas de la red
superan a la accin del campo elctrico externo.
5.4. Huecos
BC
Eg
BV
El hecho de que la masa efectiva de los electrones en el borde superior de la banda sea negativa tiene unos efectos trascendentales sobre el
fenmeno de conductividad elctrica en el slido. En este sentido estudiaremos la contribucin a la corriente elctrica de los electrones de una
banda cuasillena. Esta situacin se encuentra tpicamente para un semiconductor intrnseco en el que algunos electrones del borde superior de la
BV migran hacia la BC por excitacin trmica. Como ya hemos discutido,
los electrones que han migrado a la BC contribuirn a la corriente elctrica
del modo usual a como lo hacen los electrones libres en los metales. Para
tratar la contribucin a la corriente elctrica de los electrones que permanecen en la BV (que se denominar Jresto ), analizaremos en primer lugar
una situacin que involucra a todos los electrones de la BV menos a uno.
Tal como ya se seal en el apartado 5.2, debemos notar que la corriente
elctrica de una banda totalmente llena es nula:
Jllena = 0 .
Esta corriente puede a su vez descomponerse en la corriente, Ji , producida por un nico electrn i situado en el borde superior de la BV ms
la producida por el resto de electrones de dicha banda, Jresto . Es claro que
esta ltima corriente describe la contribucin de los electrones de la banda
de valencia cuasillena, pudindose escribir como
Jresto = Jllena Ji = Ji ,
es decir, la corriente debida a todos los electrones de la BV menos el electrn i es equivalente a menos la corriente del electrn i situado en el borde
superior de la BV. Dado que
Ji = evi
y teniendo en cuenta que la velocidad, vi , puede escribirse, en analoga
con la expresin (4.11), como
vi = ai i ,
encontramos que
Jresto = eai i .
(5.17)
Para obtener una idea ms clara de la naturaleza de la corriente a la que

es equivalente Jresto debe analizarse el sentido del vector aceleracin ai . La
Apuntes de CF
FLML
5.4. Huecos
91
aceleracin podr obtenerse a partir de la aplicacin de la ley de Newton

para el electrn ligado i , esto es,
ai =
Fexterna eE
=
.
m i
m i
Ahora bien, dado que el electrn i estaba en el borde superior de la BV, su

masa efectiva es negativa, m i = |m i | < 0, por lo que encontramos que
ai =
eE
.
|m i |
(5.18)
La expresin anterior nos indica que la aceleracin del electrn i del

borde superior de la BV es equivalente a la de una pseudopartcula, que
se llamar hueco, que tuviese carga positiva, e, y masa positiva |m i |. El
razonamiento anterior puede extenderse similarmente al caso de ms de
un electrn del borde superior de la BV. De acuerdo a esta consideracin y
a la expresin (5.17), se puede concluir que
la contribucin a la corriente de todos los electrones de la BV
menos un numero pequeo de ellos que migraron a BC es equivalente a la corriente del mismo nmero de huecos (pseudopartculas con carga y masa positiva)
Bsicamente, lo que se ha conseguido con la anterior interpretacin es
encontrar una equivalencia entre la corriente de muchos electrones (obviamente con carga negativa) de una BV cuasillena con la corriente de unos
pocos huecos de carga positiva. No obstante, debemos tener en cuenta que
la corriente en el slido est sostenida nicamente por electrones y que los
huecos se han introducido con el nico objetivo de simplificar el anlisis.
En este sentido, el tratamiento de la corriente debido a los huecos en BV
se har de una forma anloga al de los electrones en la BC. Por ejemplo, si
los electrones de la BV cuasillena son sometidos a un campo elctrico externo, estos electrones ganarn energa provocando simultneamente que
los huecos se muevan hacia abajo en la banda. Dado que en el anlisis
de la BV cuasillena se ignoran los electrones y se tratan nicamente los
huecos, esto implica que un incremento de la energa de los portadores de
carga de la BV se traduce en que la energa de los huecos decrece desde el
tope superior de la BV.
Hemos encontrado entonces que la corriente en un semiconductor a
T > 0 K en respuesta a un campo elctrico externo, E , est sostenida por
dos tipos de portadores:
electrones en la Banda de Conduccin, y
huecos en la Banda de Valencia.
En consecuencia, la densidad de corriente total, J, puede expresarse como
la superposicin de la corriente debida a los electrones en BC, Jn , ms la
FLML
Apuntes de CF
92

corriente debida a los huecos en BV, Jp ,
J = Jn + Jp .
(5.19)
La distribucin de estos dos tipos de portadores ser por tanto lo que determinar las propiedades elctricas de los semiconductores. Por este motivo, los temas siguientes dedicados al estudio de los semiconductores se
centrarn en analizar el comportamiento de los electrones en la BC y los
huecos en la BV.

5.1: Responda a las siguientes cuestiones tericas:
Cules son las diferencias ms importantes entre un electrn libre y un electrn en el slido cristalino?.
Por qu se originan bandas de energa en un slido cristalino?
Son los huecos simplemente la ausencia de electrones en las bandas de energa?. En caso afirmativo, cmo explicara que, a pesar de la ausencia de muchos electrones en BC, no haya huecos en esta banda?
Se mueven los huecos en la misma direccin que los electrones?
5.2: Para una banda de energa que puede ser aproximada mediante la expresin
E (k) = E 0 [1 exp(2a 2 k 2 )]
(donde a es la constante de la red del cristal), calcule:
a) La masa efectiva para k = 0.
b) El valor de k para el que la velocidad del electrn es mxima.
Sol. a): m (k = 0) = ~2 /(4a 2 E 0 ); b): k = 1/(2a).
5.3: El valor experimentalmente determinado de la energa de Fermi en el Na es de 2,50
eV. Usando la expresin terica para la energa de Fermi y el valor experimental determine
la masa efectiva de los electrones en el Na monovalente, cuyo peso atmico es 22.9 g/mol
y su densidad 0.97 g/cm3 .
Sol. m = 1,26m e .
Apuntes de CF
FLML
T EMA 6
Bandas de Energa en
Semiconductores
6.1. Introduccin
El estudio terico de los semiconductores fue realizado bsicamente
(Wilson, Shockley,...) en la dcada de los 30 del siglo XX. No obstante, el
uso tecnolgico de los semiconductores no se inici hasta unas dos dcadas despus debido, en gran parte, a la dificultad en la obtencin de muestras puras de material semiconductor. Desde un punto de vista tecnolgico, algunas de las caractersticas que hacen atractivos a los semiconductores pueden ser las siguientes:
Aparicin de dos tipos de portadores de carga: electrones (e ) en
BC y huecos (h+ ) en BV. El hecho de que la conduccin elctrica se
produzca por dos tipos de portadores ofrece una mayor flexibilidad
de diseo y ampla considerablemente las posibilidades tecnolgicas de estos materiales respecto a los conductores y/o aislantes.
Las propiedades fsicas de los semiconductores son altamente dependientes de la concentracin de impurezas aadidas al material.
Esto permite construir muestras de semiconductor con muy diversas caractersticas fsicas, propiedad que puede ser eficazmente usada para el diseo de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos.
La mayora de los componentes electrnicos y optoelectrnicos pueden realizarse sobre la misma muestra de semiconductor por lo que
se pueden integrar en un mismo chip muchos dispositivos diferentes.
El inters prctico de los semiconductores se pone de manifiesto en su
amplia utilizacin en la tecnologa actual. Su uso es fundamental en
Microelectrnica.
Prcticamente todos los elementos usados en Electrnica pueden
93
94
Tema 6. Bandas de Energa en Semiconductores

realizarse usando materiales semiconductores de distinto tipo (por
ejemplo: resistencias, diodos, transistores, puertas lgicas, etc) y, por
tanto, pueden ser integrados conjuntamente en un mismo chip.
Comunicaciones.
Los circuitos usados en los sistemas de comunicacin (circuitos de
baja y alta frecuencia) se realizan actualmente sobre substratos semiconductores.
Optoelectrnica.
Dada la posibilidad de interaccin de los semiconductores con la luz,
muchos de los dispositivos pticos y optoelectrnicos se realizan sobre la base de materiales semiconductores, por ejemplo: LED, lser
de inyeccin, clulas fotovoltaicas, etc.
6.2.
Generacin trmica
Generacin y recombinacin de electrones y huecos
Como ya se ha comentado anteriormente, la existencia de electrones

en BC y huecos en BV es la caracterstica fsica ms determinante de las
propiedades elctricas de los semiconductores. E n concreto, la existencia
de estos electrones en BC y/o huecos en BV puede explicarse a partir de los
siguientes procesos:
BC
BV
Generacin/recombinacin trmica de pares e /h+ .

Debido a los aportes energticos de origen trmico (T > 0 K) existe
cierta probabilidad de que, fruto de la excitacin trmica, algunos
electrones de BV pasen a la BC a travs de la BP, generando as pares
de e /h+ .
Generacin ptica de pares e /h+ .
La posible interaccin luz semiconductor se producir cuando un
fotn de energa h > E g incida sobre el material. Un electrn de
BV puede absorber entonces la energa suficiente para pasar a BC
generando simultneamente un hueco en la BV.
En la interaccin luz semiconductor deben distinguirse dos tipos
de transiciones: directas e indirectas. Estos dos tipos distintos de transiciones responden a la distinta configuracin de las bandas de energa cuando se considera su estructura con un poco ms de detalle;
esto es, cuando se tiene en cuenta la dependencia de la forma de las
bandas con respecto al nmero de ondas k.
Apuntes de CF
FLML
6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos
95
T RANSICIONES D IRECTAS.
Este tipo de transiciones se da cuando el mnimo de la BC
coincide, para el mismo valor de k (usualmente k = 0), con el
mximo de la BV. Este hecho permite que pueda darse la mnima transicin energtica entre las dos bandas sin que haya un
cambio en el momento lineal (debido a que k no vara). En este
tipo de transiciones se absorbe un fotn simultneamente a la
transicin electrnica entre bandas.
T RANSICIONES I NDIRECTAS.
En este caso, la forma de las bandas es tal que el mnimo de
la BC y el mximo de la BV no ocurren para el mismo valor de
k. Este hecho implica que una transicin electrnica entre BV y
BC debe llevar aparejado un proceso que d cuenta del cambio
de momento lineal necesario. En la prctica esto implica que el
electrn debe primero realizar una transicin haca otro estado (usualmente un estado energtico provocado por la presencia de algn defecto en la red) y desde ah realizar la transicin
entre bandas sin intercambio de momento. En otras muchas
transiciones indirectas, el proceso de cambio de momento suele deberse a un intercambio de calor con la red.
Adicin de impurezas.
Si se aaden tomos de elementos que no estn en la columna IV
(usualmente llamados impurezas substitutorias), se produce un incremento de la concentracin de electrones en BC y/o huecos en BV.
La seleccin del tipo de impureza que se aade provocar un aumento considerable del nmero de e o bien de h+ . Es interesante notar
que este proceso de generacin, al contrario que los anteriores, no
genera pares de e /h+ sino que slo genera un tipo de portadores.
Cuando se aaden impurezas no

se generan directamente pares de
e /h+ sino e o h+
Debemos observar que simultneamente a la generacin de e y h+ ocurre

un fenmeno de recombinacin de pares e /h+ . Este proceso de recombinacin puede verse como un proceso inverso al de generacin de pares
e /h+ ; es decir, existe cierta probabilidad de que un electrn de la BC pase
a la BV, liberando as cierta energa en este trnsito en forma de calor que
absorbe la red o bien en forma de luz (fotones). Si los agentes externos permanecen invariables en el tiempo, la actuacin conjunta de la generacin y
la recombinacin de electrones y huecos provoca que sus concentraciones
permanezcan constantes en un equilibrio dinmico.
Un estudio de las causas que intervienen en la generacin y recombinacin de pares e /h+ nos permitira concluir que la velocidad de generacin de pares e /h+ , G, depende de la temperatura de operacin y del
proceso concreto que origina dicha generacin, mientras que la velocidad
de recombinacin de estos pares, R, se encuentra que es proporcional a la
concentracin existente tanto de electrones en BC, n, como de huecos en
BV, p, es decir,
R = r np ,
FLML
(6.1)
Velocidad de recombinacin de pares e /h+

Apuntes de CF
96

donde el factor r es una constante de proporcionalidad que depende del
material y del mecanismo particular de recombinacin.
6.3. Semiconductores Intrnsecos

Cuando las propiedades elctricas de un semiconductor vienen determinadas exclusivamente por la estructura de bandas del cristal decimos
que este semiconductor es intrnseco (en la prctica, diremos que un semiconductor es intrnseco cuando la concentracin de impurezas sea tan
pequea que no afecte a sus propiedades elctricas). Una propiedad importante de estos semiconductores es que sus portadores de carga, pares
e /h+ , se generan nicamente por excitacin trmica a travs de la banda
prohibida.
Para estudiar las propiedades de los semiconductores intrnsecos, llevaremos a cabo, en primer lugar, una descripcin cualitativa de la aparicin de electrones en BC y huecos en BV. Posteriormente estudiaremos la
probabilidad de ocupacin de estos portadores as como su funcin densidad de estados. Esto nos permitir finalmente obtener la distribucin
energtica de ambos portadores.
6.3.1. Descripcin cualitativa

En funcin de un modelo bidimensional de enlaces covalentes y de la
estructura de bandas, los semiconductores intrnsecos pueden describirse
de la siguiente manera:
BC
BV
Apuntes de CF
A T = 0 K.
Dado que la estructura reticular tpica de los semiconductores es la
estructura tipo diamante (ver Apartado 3.4), cada uno de los tomos
del cristal aparece rodeado de cuatro vecinos prximos de manera
que forma un doble enlace covalente con cada uno de ellos (cada
tomo proporciona cuatro electrones) para obtener la configuracin
del octete. Esta configuracin no deja ningn electrn fuera de los
enlaces covalentes, por lo que el material se comporta como un aislante.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la anterior configuracin se traduce en la presencia de una Banda de Valencia completamente llena y una Banda de Conduccin completamente vaca
separadas por una banda prohibida de anchura E g .
FLML
97
A T > 0 K.
Debido a la agitacin trmica, existe cierta probabilidad de que alguno de los enlaces covalentes del cristal pueda romperse dando
lugar a un electrn que no est localizado en las inmediaciones de
un tomo particular (est deslocalizado y extendido por la red por lo
puede funcionar como un portador de carga para conducir una corriente a travs del cristal). A su vez, queda un enlace roto que puede
ser ocupado por alguno de los electrones adyacentes provocando de
esta manera otro posible movimiento adicional de cargas que puede
identificarse con la aparicin de un hueco1 .
BC
Desde el punto de vista del modelo de bandas, la aparicin del par

e /h+ es simplemente fruto de la posible transicin trmica de un
electrn de BV a BC.
BV
Dado que los electrones y huecos son generados trmicamente por parejas, la concentracin de electrones en BC debe ser igual a la concentracin de huecos en BV:
n = p ni .
(6.2)
Concentracin de e y h+ es la
misma en un semiconductor
intrnseco
Por otra parte, dado que en equilibrio la concentracin de electrones y/o

huecos permanece constante, esto implica que la generacin trmica de
pares e /h+ es compensada por continuas transiciones (directas o indirectas) de electrones de BC a BV, es decir, por una continua recombinacin. El
equilibrio requiere, por tanto, que en el semiconductor intrnseco la velocidad de generacin trmica, G i , de pares e /h+ sea igual a la velocidad de
recombinacin, R i , de estos pares y por tanto tendremos que
Ri = G i .
(6.3)
1 Tal como muestra la figura adjunta, la aparicin de un par e /h+ en la red podra
tambin considerarse teniendo en cuenta que, en dicha red, un tomo con un enlace roto
puede verse como un tomo normal ms un par e /h+ . Para visualizar esto, consideremos que cada tomo de la red contribuye a los enlaces con cuatro de sus electrones y, en
este sentido, caractericemos cada tomo por sus cuatro electrones de valencia junto con
sus correspondientes cuatro protones que den cuenta de la neutralidad de la carga en el
tomo. En este sentido, un tomo normal ms un par e /h+ , tras la posible recombinacin de uno de los electrones ligados al tomo con el hueco, sera equivalente al tomo con
uno de sus enlaces rotos.
4
-
tomo normal +
+
par e / h
FLML
e y h que
se recombinan
tomo con un
enlace roto
Apuntes de CF
98
6.3.2.
Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos
La generacin trmica de pares e /h+ puede entenderse a partir de la

forma de la funcin distribucin de Fermi-Dirac, que da la probabilidad
de ocupacin de los estados electrnicos. En concreto para T > 0 K, la probabilidad de ocupacin de electrones, f n (E ), es la ya conocida y estudiada
con detalle en el Tema 4, esto es,
fn(E)
1
f n (E ) =
EF
.
E EF
+1
exp
kB T
(6.4)
Para el caso de la probabilidad de ocupacin de huecos, f p (E ), debe notarse que la cantidad 1 f n (E ) representa la probabilidad de que un estado
electrnico de energa E est vaco, o dicho de otra manera, la probabilidad
de que este estado est ocupado por un hueco. Por tanto,
fp(E)
f p (E ) = 1 f n (E ) =
E
EF
,
EF E
exp
+1
kB T
(6.5)
representa la probabilidad de ocupacin de huecos2 .
BC
EC
EF
EV
BV
6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

intrnsecos
Dado que en un semiconductor intrnseco debe cumplirse que la concentracin de electrones en BC sea idntica a la concentracin de huecos
en BV (n = p), es razonable suponer que esta situacin se da si
el nivel de energa de Fermi, E F , se sita aproximadamente
en el medio de la Banda Prohibida.
De esta manera se tiene que la probabilidad de ocupacin de electrones
en BC ser exactamente la misma que la probabilidad de ocupacin de
huecos en BV. Si la densidad de estados para electrones en BC y huecos
en BV no es muy distinta, el situar E F en mitad de la BP provocar que la
concentracin de electrones en BC sea igual a la concentracin de huecos
en BV, tal y como se espera para el semiconductor intrnseco.
6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y huecos

La funcin densidad de estados para electrones libres se obtuvo ya en
(4.17), aunque si estamos interesados en la funcin densidad de estados
por unidad de volumen , entonces encontraremos que
g (E ) =
(2m e )3/2 1/2

E ,
2~3 2
2 Es importante observar que la probabilidad de ocupacin de huecos se obtiene como
una reflexin especular en torno a E F de la probabilidad de ocupacin de electrones.
Apuntes de CF
FLML
99
siendo su forma grfica la mostrada en la Fig. 6.1. Debe notarse que el origen de la energa cintica, E E c , para los electrones libres se tomaba en
el fondo del pozo de potencial.
EF
E
g(E)
F IGURA 6.1: Funcin densidad de estados para electrones libres en un metal.
Si ahora se desea obtener la funcin densidad de estados para los electrones en BC y para los huecos en BV debemos tener en cuenta que, de
acuerdo a la discusin que se llev a cabo en el apartado 5.3, el tratamiento de los electrones/huecos en BC/BV es anlogo al de los electrones libres
en el modelo de Sommerfeld pero considerando que las partculas estn
dotadas ahora de cierta masa efectiva, m e para los electrones y m h para
los huecos.
Electrones en Banda de Conduccin

Los electrones en la banda de conduccin se comportarn de forma
anloga a los electrones libres en el pozo finito del modelo de Sommerfeld
salvo que ahora debemos considerar que
La masa debe ser modificada para dar cuenta de la posicin en la

banda, esto es, debemos sustituir la masa de los electrones, m e , por
su masa efectiva, m e .
El origen de energa cintica debe ser tomado ahora en el lmite inferior de la BC, cuyo valor se denotar como EC , para poder as dar
cuenta de que un electrn en el fondo del pozo formada por la BC
tenga ah su nivel de energa cero.
FLML
Apuntes de CF
100

De acuerdo a lo anterior, la funcin densidad de estados para los electrones en la BC, g n (E ), vendr dada por
g n (E ) =
(2m e )3/2
2~3 2
(E EC )1/2
(6.6)
E
BC
EC
EC
BV
gn(E)
Huecos en Banda de Valencia
Anlogamente al caso de los electrones en BC, la densidad de huecos
en BV, g p (E ), viene dada por
(2m h )3/2
(6.7)
(E V E )1/2 ,
2~3 2
donde el origen de energa cintica nula ha de tomarse en el borde superior
de BV, E E V y teniendo en cuenta adems que el sentido positivo de esta
energa debe tomarse en sentido decreciente.
g p (E ) =
E
BC
EV
BV
gp(E)
6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones
La obtencin de la distribucin energtica de electrones en BC, d n/d E ,
y huecos en BV, d p/d E , se har a partir de las expresiones anteriores para
Apuntes de CF
FLML
101
la densidad de estados y la probabilidad de ocupacin, dando lugar a
dn
= g n (E ) f n (E ) = C n
dE
(E EC )1/2
,
E EF
exp
+1
kB T
(6.8)
BC
EC
EF
EV
BV
gn(E)
fn(E)
dn/dE
F IGURA 6.2: Distribucin energtica de e en BC para un semiconductor

intrnseco
dp
= g p (E ) f p (E ) = C p
dE
(E V E )1/2
.
EF E
exp
+1
kB T
(6.9)
E
BC
EC
EF
EV
BV
gp(E)
fp (E)
dp/dE
F IGURA 6.3: Distribucin energtica de h+ en BV para un semiconductor

intrnseco
FLML
Apuntes de CF
102

La Fig. 6.4 muestra una representacin grfica de la distribucin de
huecos y electrones de un semiconductor comparndolas con las de un
metal y un aislante. En esta figura podemos ver cmo la concentracin de
electrones en los metales es la ms abundante. Igualmente observamos
que la diferencia bsica entre los aislantes y los semiconductores proviene
de la diferente anchura de la BP, lo cual provoca que, a una temperatura
dada, la distribucin de electrones y huecos sea ms abundante en los semiconductores que en los aislantes.
E
e
EF
METAL
g(E)
f (E)
BC
EF
BV
AISLANTE
BC
EF
BV
SEMICONDUCTOR
F IGURA 6.4: Distribucin de electrones, d n/d E , y huecos, d p/d E , en metales, aislantes y semiconductores
Apuntes de CF
FLML
6.4. Semiconductores Extrnsecos
103

Adems de los portadores intrnsecos generados trmicamente, es posible crear nuevos portadores en los semiconductores mediante la adicin
de impurezas en el cristal. Este proceso, llamado dopaje, es una tcnica
muy comn para variar la conductividad de los semiconductores. Si el nmero de tomos de impurezas que se aaden es una fraccin pequea del
nmero total de tomos originarios en el cristal, entonces puede suponerse que la accin de la adicin de estas impurezas ser la de sustituir a algunos tomos originales pero SIN cambiar la estructura reticular del cristal, es
decir, sin modificar apreciablemente la estructura de bandas del semiconductor. Segn el tipo de impurezas que se aadan al cristal, se distinguirn
dos tipos de semiconductores extrnsecos.
6.4.1. Semiconductor tipo n

Si las impurezas que se aaden al cristal semiconductor pertenecen a
elementos de la columna V (N, P, As, Sb), entonces, segn la visin bidimensional de enlaces del cristal, algunas posiciones ocupadas por tomos
originales aparecern ahora ocupadas por los ND tomos de impurezas
aadidas, que debido a sus cinco electrones de valencia posibilitarn el
que uno de esos electrones no est ubicado en alguno de los enlaces covalentes. Dado que este electrn est ligado al tomo de impureza por fuerzas electrostticas dbiles, dicho tomo puede fcilmente ionizarse y el e
liberado podr contribuir a la corriente elctrica en el cristal. A las impurezas del grupo V se las llamar impurezas donadoras.
Desde el punto de vista del modelo de bandas, y tal como muestra la
Fig. 6.5, la situacin anterior se traduce en la aparicin en la BP de un nue-
Si ;
T=0 K
T>0K
+
P=>P + e
F IGURA 6.5: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas donadoras. A bajas temperaturas, el nmero de transiciones de
electrones a la BC se debe principalmente a la presencia de los tomos donadores (ocurren pocas transiciones de origen trmico).
vo nivel de energa, E D , (con 2ND estados posibles) correspondiente a los
electrones deslocalizados de los tomos de impurezas donadoras. Este nivel de energa aparecer cercano al borde inferior de la BC y as, por excitacin trmica, existir una alta probabilidad de que los electrones de este
estado pasen a la BC y, por tanto, incrementen la concentracin de elec-
FLML
Apuntes de CF
104
3
-
tomo Si +
+
carga neg. fija + h
e y h que
se recombinan
tomo Al
F IGURA 6.6:
trones en dicha banda. Debe notarse que el aumento de electrones en esta
banda no va acompaado de un incremento anlogo de huecos en BV dado que la correspondiente carga positiva corresponde al ion de la impureza
donadora permanecer fijo en el cristal.
La discusin anterior tambin nos permite predecir cualitativamente
que la posicin del nivel de Fermi a T = 0 K debe estar situada entre E D y
EC , puesto que as aseguraramos que a 0 K no hay electrones en BC y el
nivel E = E D est lleno.
Si
Al
6.4.2. Semiconductor tipo p
De manera similar a lo que sucede para el semiconductor tipo n, la adicin de tomos de elementos correspondientes a la columna III (Ga, In, B,
Al) con slo tres electrones de valencia provoca que al sustituir a alguno
de los tomos originales del cristal semiconductor, uno de los enlaces covalentes quede incompleto. Este enlace incompleto puede ser fcilmente
completado por uno de los electrones de los enlaces adyacentes provocando de este modo que el enlace incompleto pueda vagar por el cristal
y contribuya a la corriente elctrica como un hueco.
T=0K
Tal como muestra la Fig. 6.6, la adicin de un tomo de Al a la red del

Si podra visualizarse como una red tpica de Si ms una carga negativa
fija en la posicin del tomo de Al y una carga positiva (hueco) dbilmente
ligada a la carga negativa. Una dbil excitacin trmica puede liberar a
esta carga positiva creando as un portador mvil de carga.
T>0K
Al=>Al + h
-
Dado que los tomos de impurezas (en nmero igual a N A ) pueden

aceptar electrones de tomos adyacentes, stas se denominan impurezas
aceptoras.
La situacin que el modelo de bandas (ver Fig. 6.7) predice para el presente caso consiste en la aparicin de un nuevo nivel de energa, E A en
la BP (con 2N A estados electrnicos posibles) correspondiente a los electrones que pueden ser aceptados por las impurezas. Este nivel de energa
estar situado cerca del borde superior de la BV, indicando que este nivel
ser fcilmente alcanzado por los electrones del borde superior de la BV
dejando de este modo un nmero igual de huecos en la BV.
Anlogamente al caso del semiconductor tipo n, la posicin del nivel
Apuntes de CF
FLML
105
p>>n
EC
e portadores minoritarios
EA
EV
h portadores mayoritarios
T=0K
T > 0 K (~50 K)
F IGURA 6.7: Estructura de bandas de un semiconductor dopado con impurezas aceptoras.
de Fermi a T = 0 K debe estar situada entre E V y E A .
6.4.3. Distribucin energtica de huecos y electrones

Para obtener la distribucin energtica de huecos/electrones en BC/BV
han de obtenerse los productos (6.8) y (6.9). Debe notarse que dado que
se supuso que la adicin de impurezas no modificaba la estructura de las
bandas energticas del cristal, las densidades de estados, g n (E ) y g p (E )
(dadas por (6.6) y (6.7)), no variarn por la adicin de impurezas donadoras/aceptoras. El cambio en la distribucin energtica debido a la aparicin de nuevos portadores debe venir por tanto reflejado en la probabilidad de ocupacin de los estados.
Para un semiconductor tipo n existe claramente una mayor concentracin de electrones en BC que de huecos en BV. Para que esto pueda ocurrir,
el nivel de Fermi correspondiente a la presente situacin debe situarse por
encima de la posicin del nivel intrnseco. Dado que f n (E ) mantiene su
forma relativa para una temperatura especfica, el desplazamiento del nivel de Fermi indica que la probabilidad de ocupacin de electrones en BC
(E EC ) ser mayor que la probabilidad de ocupacin de huecos en BV
(E E V ).3
Para un semiconductor tipo p, la concentracin de huecos en BV ser
mayor que la de electrones en BC. Por tanto, el nivel de Fermi (siguiendo
los razonamientos dados anteriormente) deber situarse por debajo de la
posicin del nivel intrnseco.
A partir de las discusiones anteriores, la distribucin energtica para
electrones en BC y huecos en BV para semiconductores tipo n y tipo p tendr la forma mostrada en la Fig. 6.8, donde tambin se muestra comparativamente la de un semiconductor intrnseco.
3 Se espera que la concentracin de huecos disminuya debido a los fenmenos de recombinacin. Al aumentar considerablemente n, y de acuerdo con (6.1), la velocidad de
recombinacin de pares e /h+ aumentar, lo que tendr poco efecto sobre el nmero total de electrones en BC pero s ser bastante considerable sobre el nmero de huecos en
BV.
FLML
Apuntes de CF
106
BC
e
EF
h
BV
Semic. Intrnseco
BC
e
EF
h
BV
Semic. tipo n
BC
e
EF
h
BV
Semic. tipo p
F IGURA 6.8: Distribucin de electrones, d n/d E , y huecos, d p/d E , en semiconductores intrnsecos, tipo n y tipo p.

6.1: Las bandas prohibidas para el Si y el Ge son respectivamente 1.1 eV y 0.7 eV. Calcular
la frecuencia mnima que debe tener una radiacin electromagntica para poder producir
conductividad en estos semiconductores.
Sol. Si = 2,66 1014 Hz. Ge = 1,69 1014 Hz.
6.2: Cuando un fotn de energa E E g penetra en un semiconductor produce pares
electrn/hueco (e/h), esto es, se excitan electrones desde el borde de la BV hasta el fondo
de la BC. Un cristal de Ge (E g = 0,67 eV) se usa como detector de rayos (fotones de alta
energa). Determinar: a) cul es el nmero mximo, N , de pares e/h que puede producir
una radiacin de 1.5 MeV?; b) si la resolucin del detector es de 4 103 pares e/h, cul
es la resolucin de la energa ptima del detector?
Sol. (a) N = 2,238 106 , (b) E = 2,68 103 eV.
6.3: La luz visible del espectro est compuesta por fotones con longitudes de onda comprendidas entre 4000 y 7000 (equivalente a energas entre 1.8 y 3.1 eV). Para el diaman-
Apuntes de CF
FLML
107
te el ancho de la BP es de 6 eV. Explicar por qu el diamante es transparente. Asimismo,

explicar por qu el Si cuya BP es de 1.1 eV es transparente al infrarrojo (IR) de frecuencia
comprendida entre 1012 y 1014 Hz y no lo es a la radiacin visible.
6.4: Suponer que la energa de Fermi de un semiconductor intrnseco est en mitad de su
banda de energa prohibida y que la anchura de sta es grande en comparacin con kT .
Demostrar que la probabilidad de ocupacin de un estado de energa E est dada aproximadamente por a) f n (E ) = e(E E F )/kT para un electrn en la banda de conduccin y b)
f p (E ) = 1 f n (E ) = e(E F E )/kT para un hueco en la banda de valencia.
6.5: El GaAs es un semiconductor con una banda prohibida (BP), E g = 1,43 eV. Dentro de
esta BP aparecen niveles de energa debidos a impurezas. Medidos respecto a la BV estos
niveles estn a 0.05 eV para el Al y 1.38 para el P. Cul de estas impurezas acta como
donadora y cul como aceptora?. Razone la respuesta.
FLML
Apuntes de CF
T EMA 7
Portadores de carga en
Semiconductores
7.1. Introduccin
Tal como se ha venido sealado, las propiedades elctricas de los semiconductores vienen bsicamente determinadas por la presencia de electrones en la BC y de huecos en la BV (dado que son estos portadores de carga los que determinen el flujo de corriente elctrica en el material). Por este motivo, este tema estar dedicado al estudio de las propiedades de estos
portadores de carga. En particular estudiaremos en primer lugar cuntos
portadores hay para poder as determinar los factores que influyen en la
conductividad elctrica del semiconductor. Posteriormente estudiaremos
la respuesta de un semiconductor al efecto de un campo externo, para lo
cual analizaremos los distintos tipos de corriente que aparecen y dedicaremos una especial atencin a un nuevo tipo de corriente (corriente de difusin) que surge fruto de una concentracin no uniforme de portadores.
Finalmente obtendremos las ecuaciones que determinan la distribucin
espacial de portadores en algunas situaciones de gran inters prctico.
7.2. Concentracin de electrones y huecos

En el Tema 4 ya apuntamos que la conductividad elctrica de un semiconductor poda escribirse como
= e(nn + pp ) ,
(7.1)
donde n y p son las movilidades de los electrones y huecos respectivamente. Es interesante notar que las movilidades dependen inversamente
de la masa efectiva. Por ejemplo para electrones en BC, an analoga con la
expresin (4.12) para electrones libres en metales, se tiene que
Jn =
ne 2 n
E
m e
109
110
Tema 7. Portadores de carga en Semiconductores

(donde se ha usado la masa efectiva en vez de la masa en reposo y recordemos que E es la amplitud del campo elctrico), por lo que
n =
ne 2 n
,
m e
y dado que n = enn , encontramos finalmente que

n =
en
.
m e
(7.2)
El procedimiento para obtener las concentraciones de electrones en

BC, n, y huecos en BV, p, consiste en integrar las expresiones (6.8) y (6.9)
con respecto a la energa en las correspondientes bandas. As, para el caso
de la concentracin de electrones en BC tendremos que
Z
n=
dn
dE =
BC d E
Z
BC
g n (E ) f n (E ) dE .
(7.3)
Al sustituir las expresiones matemticas encontradas en el tema anterior

para g n (E ) y f n (E ), la integral (7.3) (as como su equivalente para el clculo
de p) presenta una forma para la que no es posible encontrar su primitiva en forma cerrada. Para intentar solventar este inconveniente, podemos
hacer uso del hecho de que, en muchas situaciones tpicas (para temperaturas no excesivamente altas y siempre que la concentracin de impurezas
que se aadan sea una fraccin del nmero de tomos originales del cristal), la posicin del nivel de Fermi est situada por debajo de EC (o bien
arriba de E V para huecos en BV) al menos unas cuantas unidades de k B T .
Cuando se dan estas condiciones, es decir, si
Condiciones de un conductor
no degenerado
EC E F kB T
(7.4a)
E F EV kB T ,
(7.4b)
se dice que el semiconductor es no degenerado. Este hecho nos permite

usar la siguiente expresin aproximada para la probabilidad de ocupacin
de electrones en BC:
1
E E F
f n (E ) =
exp
.
(7.5)
E EF
k B T E EC
exp
+1
kB T
Ntese que la anterior expresin aproximada de la funcin distribucin de
Fermi-Dirac tiene la misma forma que la funcin distribucin de MaxwellBoltzmann, tal como ya se discuti en (4.20). Dado que f n (E ) decae exponencialmente a cero para valores de energa alejados de EC (E EC ),
el lmite de integracin superior de la BC puede sustituirse por infinito,
de modo que la concentracin de electrones puede obtenerse con buena
aproximacin como
Z
n=
Apuntes de CF
EC
E EF
C n (E EC )1/2 exp
dE .
kB T
(7.6)
FLML
111
Realizando el cambio de variable

x=
E EC
,
kB T
la integral (7.6) puede reescribirse como
Z
EC E F
n = C n (k B T )3/2 exp
x 1/2 ex dx .
kB T
0
Teniendo ahora en cuenta que la integral que aparece en la expresin anp
terior est tabulada y que su valor es /2, encontramos finalmente que el
nmero de electrones por unidad de volumen en la BC puede expresarse
como
EC E F
,
(7.7)
n = NC exp
kB T
Concentracin de electrones
en BC
donde NC es una constante del semiconductor llamada densidad efectiva

de estados en BC que viene dada por
NC = 2
m e k B T
3/2
2~2
(7.8)
Un clculo para la densidad efectiva de estados en BC para el Si a T = 300 K

muestra que NC = 4,39 1024 m3 .
Siguiendo un procedimiento similar para el clculo de la concentracin de huecos en BV obtendramos que
Concentracin de huecos en BV
E F EV
p = NV exp
kB T
(7.9)
donde NV es la densidad efectiva de estados en BV dada por
NV = 2
m h k B T
2~2
3/2
(7.10)
En el Si a T = 300 K, NV = 5,95 1024 m3 .

Una expresin alternativa bastante til para calcular la densidad efectiva de estados es
!3/2
m e,h
T (K) 3/2
NC ,V = 2,5
1025 m3 .
(7.11)
me
300
Es interesante notar que las expresiones obtenidas para n y p en (7.7) y
(7.9) son vlidas tanto para semiconductores intrnsecos como extrnsecos
en equilibrio trmico y que su clculo requiere el conocimiento previo de
la posicin del nivel de Fermi. De hecho puede observarse que a medida
que E F se aleja de EC (E V ) la concentracin de electrones(huecos) decrece
exponencialmente.
A partir de la posicin del nivel de Fermi para el semiconductor intrnseco, que ser denotado como E i , pueden obtenerse unas expresiones
FLML
Apuntes de CF
112

tiles para el clculo de las concentraciones de electrones y huecos en semiconductores extrnsecos conociendo la posicin del nivel de Fermi y el
valor de las concentracin intrnseca, n i . Teniendo en cuenta que, para semiconductores intrnsecos, las expresiones (7.7) y (7.9) nos dicen que
EC E i
,
n i = NC exp
kB T
E i EV
p i = NV exp
,
kB T
al sustituir estas expresiones de nuevo en (7.7) y (7.9), obtendremos equivalentemente que
EF Ei
n = n i exp
k T
B
Ei EF
p = n i exp
.
kB T
(7.12)
(7.13)
7.2.1. Ley de accin masas

Otro resultado interesante que puede derivarse de las expresiones (7.7)
y (7.9) se obtiene al realizar el producto de los valores de la concentracin
de electrones en BC por la concentracin de huecos en BV. Si se realiza este
producto tenemos que
EC E F
E F EV
np = NC exp
NV exp
k T
kB T
B
Eg
= NC NV exp
= Cte(T ; m , E g ) ,
kB T
(7.14)
esto es, el producto np slo depende de la temperatura y de ciertos parmetros del semiconductor (masas efectivas de electrones/huecos y la anchura de la BP). El resultado (7.14) nos dice entonces que a una temperatura fija, en un mismo semiconductor, el producto de la concentracin de
e en BC por la de h+ en BV permanece constante independientemente
del tipo y grado de dopaje del material.
El resultado anterior puede tambin obtenerse a partir de la combinacin de las expresiones (7.12) y (7.13), de donde obtendramos al multiplicarlas que
Ley de accin de masas
np = n i2 .
(7.15)
Esta ley conocida como ley de accin de masas muestra que el producto
de la concentracin de electrones en BC por huecos en BV para cualquier
semiconductor es siempre igual al cuadrado de la concentracin intrnseca
de electrones y/o huecos.
Apuntes de CF
FLML
113
El valor de n i puede a su vez relacionarse con los parmetros del semiconductor intrnseco combinando (7.14) con (7.15) para obtener
ni =
Eg
NC NV exp
.
2k B T
(7.16)
Concentracin de e y h+ en un semiconductor intrnseco
La expresin anterior es a menudo tambin til para obtener el valor de la

anchura de la BP (E g ) a partir de los valores de n i , NC y NV .
E JEMPLO 7.1 Clculo de la concentracin intrnseca en una muestra de Si a

T = 300 K, siendo m e = 0,31m e , m h = 0,38m e , E g = 1,1 eV.
Usaremos la expresin (7.16), para lo cual necesitamos previamente calcular
NC y NV mediante (7.11). Operando obtenemos que
NC = 2,5 0,313/2 1025 m3 = 4,39 1024 m3
NV = 2,5 0,383/2 1025 m3 = 5,95 1024 m3 ,
que al sustituirlos en (7.16) nos dice que
ni =
p
1,1 40
4,39 5,95 1024 exp
1,42 1015 m3 ,
2
donde hemos hecho uso de que, a temperatura ambiente, k B T 1/40 eV.
En el apartado 5.2 se discuti que la anchura de la BP, E g , determinaba el que un slido fuese considerado aislante o bien semiconductor. La
expresin (7.16) muestra que la concentracin de electrones en la BC decrece exponencialmente al aumentar E g , justificando claramente porqu
el diamante (E g 6 eV) es un buen aislante y sin embargo el Si (E g 1 eV)
es un semiconductor.
E JEMPLO 7.2 Comparacin de la concentracin intrnseca, n i , para el diamante

(C) y el silicio (Si) a temperatura ambiente.
A partir de la expresin (7.16) puede verse que la relacin entre la concentracin de electrones en BC para el diamante y el silicio puede escribirse como
E g (C)
p
NC NV C exp
n i (C)
2k B T
=
E
n i (Si) p
g (Si)
NC NV Si exp
2k B T
Despreciando las posibles pequeas diferencias existentes respecto a las masas
efectivas en el diamante y en el silicio obtenemos que
6 (eV)
exp
n i (C)
2,5 (eV)
2k B T
= exp
.
1 (eV)
n i (Si)
kB T
exp
2k B T
FLML
Apuntes de CF
114

Dado que a temperatura ambiente k B T 0,025eV, encontramos finalmente que
n i (C)
2,5 (eV)
= exp
= exp(100) 1044 !! .
n i (Si)
0,025 (eV)
En el ejemplo 7.1 hemos obtenido que n i (Si) 1015 m3 y dado que la densidad
de electrones en BC para el diamante es 44 rdenes de magnitud menor que en el
silicio, podemos concluir que n i (C) es prcticamente nula; confirmando as que
el diamante es un aislante excelente.

espacial
Segn se ha discutido en el Tema 6, en un semiconductor aparecen dos
tipos distintos de cargas en funcin de su estado de movimiento, a saber,
Portadores mviles de carga: las cargas mviles compuestas por los
electrones de BC, n, y los huecos de BV, p.
Cargas fijas: provenientes de la ionizacin de las impurezas sustitutorias tanto donadoras, ND + , como aceptoras, N A .
Dado que ni la generacin de pares e /h+ ni la adicin de impurezas provoca la aparicin de carga neta y supuesto que el semiconductor era originalmente neutro, de acuerdo al principio de conservacin de la carga,
debemos tener que
Nmero de cargas positivas = Nmero de cargas negativas.
En otras palabras, la concentracin de e en BC ms la concentracin de
impurezas aceptoras ionizadas negativamente debe ser igual a la concentracin de h+ en BV ms la concentracin de impurezas donadoras ionizadas positivamente, es decir,
Ecuacin de neutralidad
de la carga
n + N A = p + ND + .
(7.17)
Si la temperatura de operacin es tal que las impurezas se han ionizado

completamente (lo cual puede considerarse que ocurre aproximadamente
a temperatura ambiente), esto es, si N A N A y ND + ND , entonces la
ecuacin de neutralidad de la carga espacial en el semiconductor puede
escribirse como
n + N A = p + ND .
(7.18)
Esta ley junto con la ley de accin de masas (7.15) nos permitir calcular las concentraciones de e y h+ en funcin de las concentraciones de
impurezas donadoras/aceptoras y la concentracin intrnseca. Para ello,
partiendo de p = n i2 /n y sustituyndolo en (7.18), obtenemos que
n + NA =
Apuntes de CF
n i2
n
+ ND
n 2 (ND N A )n n i2 = 0 .
FLML

espacial
115
Al despejar en la ecuacin anterior encontramos finalmente que
7.3.1.
ND N A
+
2
n i2
n
ND N A
2
+ n i2
(7.19)
(7.20)
Clculo aproximado de n y p
Las expresiones anteriores se pueden simplificar en las siguientes condiciones:

Semiconductor tipo n
Si se cumple estrictamente que N A = 0, la ecuacin de neutralidad
de la carga dice que
n = p + ND .
Si la generacin de electrones por excitacin trmica (recurdese que
se excitan pares e /h+ ) puede despreciarse frente a la generacin de
electrones debido a la ionizacin de las impurezas donadoras, es decir, si
ND n i ,
entonces el trmino n i2 puede despreciarse en la raz de (7.19), dando
lugar a que
n ND
p
n i2
ND
(7.21)
.
(7.22)
Semiconductor tipo p
Si en este caso ND = 0, la ecuacin de neutralidad de la carga queda
como
n + NA = p .
Suponiendo de nuevo que la generacin de huecos por excitacin
trmica puede despreciarse frente a la generacin de huecos debido
a la ionizacin de las impurezas aceptoras, esto es, cuando
N A ni ,
entonces se cumplir que N A n y por tanto
p NA
n
FLML
n i2
NA
(7.23)
.
(7.24)
Apuntes de CF
116
E JEMPLO 7.3 Calcular la concentracin de electrones y huecos en una muestra de

Si dopada con 1019 tomos de Al.
Dado que el Al es una impureza aceptora, tenemos que
N A = 1019 m3
ND = 0 .
Por otra parte, segn el dato para n i obtenido en el ejemplo 7.1, tenemos que
N A ni ,
por lo que podemos usar las aproximaciones (7.23) y (7.24) para obtener finalmente que
p 1019 m3
n
(1,42 1015 )2
2 1011 m3 .
1019
7.3.2. Clculo de E F para semiconductores intrnsecos y extrnsecos
Posicin del nivel de Fermi
Si en las expresiones (7.7) y (7.9) se toman logaritmos neperianos y a

continuacin se restan, obtenemos que
p
n
k B T ln
= 2E F EC E V .
k B T ln
NC
NV
Reescribiendo el segundo miembro de la expresin anterior como
2E F EC E V = 2(E F E V ) E g y teniendo en cuenta (7.11), encontramos
la siguiente expresin general para el nivel de Fermi en cualquier tipo de
semiconductor no-degenerado:
Posicin del nivel de Fermi para

un semiconductor no degenerado

mh
3
1
n
E F = EV +
+ k B T ln
+ k B T ln
2
4
m e
2
p
Eg
(7.25)
Semiconductor intrnseco
En un semiconductor intrnseco se cumple que n = p, luego al operar
en (7.25), denominando como E i al nivel de Fermi intrnseco, se tiene que
Eg 1
NC
E i = EV +
+ k B T ln
2
2
NV

mh
Eg 3
= EV +
+ k B T ln
.
(7.26)
2
4
m e
La expresin anterior indica que el nivel de Fermi para un semiconductor
intrnseco se sita aproximadamente en el centro de la BP, desviado de ella
el factor 34 k B T ln(m h /m e ). Supuesto que la temperatura no es muy alta y
Apuntes de CF
FLML

espacial
117
que m e ' m h , este factor es despreciable respecto al primer trmino y, por

tanto,
E i EV +
Posicin del nivel de Fermi en un

semiconductor intrnseco a no muy
altas temperaturas
Eg
2
para la mayora de los casos tpicos en los semiconductores intrnsecos,

tal y como ya se predijo de forma cualitativa en el Apartado 6.3.2.
Semiconductores extrnsecos
En el supuesto de que se cumplan las aproximaciones (7.4a) y (7.4b)
dadas en el apartado 7.3.1, la posicin del nivel de Fermi en semiconductores extrnsecos puede igualmente determinarse con facilidad.
Dado que en este caso n p, la expresin (7.25) nos dice que la posicin del nivel de Fermi se desplazar claramente hacia el borde inferior de BC (tal y como ya se predijo anteriormente de una forma
cualitativa). Una expresin til para el clculo de E F se obtiene al
combinar las ecuaciones (7.7) y (7.21),
EC E F
ND = NC exp
,
kB T
y despejar E F , de donde
E F = EC kT ln
NC
.
ND

semiconductor extrnseco tipo n
(7.27)
EF
Partiendo de (7.25), un clculo ms detallado nos mostrara (ver figura adjunta) que el nivel de Fermi disminuye primero ligeramente con
la temperatura para acercarse posteriormente a la curva de E i a altas temperaturas. Esta tendencia puede entenderse si consideramos
que a altas temperaturas, todos los tomos de impurezas ya se han
ionizado y, en consecuencia, la concentracin de portadores de carga estar regida por los procesos de generacin trmica de pares
e /h+; es decir, el semiconductor extrnseco se comporta como uno
intrnseco a medida que aumenta la temperatura. Claramente esta
tendencia ocurre a temperaturas ms altas a medida que el nivel de
impurezas aumenta en la muestra (la curva A en la figura representa
menor nivel de dopaje que B y sta a su vez que C).
FLML
EC
ED
Ei
EV
T
Apuntes de CF
118

EF
EC
Ei
EA
EV
T
Segn la expresin (7.25), para un semiconductor tipo p (p n), la
posicin del nivel de Fermi se desplaza hacia el borde superior de BV.
De forma aproximada, se puede calcular E F sustituyendo (7.23) en la
expresin (7.9)
E F EV
N A = NV exp
kB T
y despejando de aqu E F para obtener

semiconductor extrnseco tipo p
E F = E V + kT ln
NV
.
NA
(7.28)
Tal como muestra la figura adjunta, un clculo ms detallado nos

dira que la posicin del nivel de Fermi se aproxima a la de E i para
altas temperaturas.
E JEMPLO 7.4 Para el problema del Ejemplo 7.3, calcular la posicin del nivel de
Fermi a temperatura ambiente.
Dado que en el presente caso N A = 1019 m3 y que, segn el Ejemplo 7.1, NV =
5,95 1024 m3 , al sustituir en (7.28) obtenemos que
E F E V = kT ln
NV
5,95 1024
= 0,33 eV.
= 0,025 ln
NA
1019
Teniendo en cuenta que E g = 1,1 eV, comprobamos que el nivel de Fermi est
comprendido entre E V y E i .
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores

Segn ya vimos en temas anteriores, para un metal la conductividad
elctrica vena dada por
= en ,
siendo su dependencia con la temperatura del tipo T 1 . Esta dependencia con la temperatura provena bsicamente de la movilidad puesto
que la concentracin de electrones en la banda apenas variaba con la temperatura1 .
En un semiconductor, debido a la presencia de dos tipos de portadores
de carga, la conductividad elctrica deba expresarse como
= e(nn + pp ) ,
1 Recurdese que en un metal n apenas variaba con T dado que el cambio de la situacin
energtica de los electrones en la banda debido a la excitacin trmica era muy pequeo
con respecto a la situacin existente a T = 0 K.
Apuntes de CF
FLML
7.4. Conductividad elctrica en semiconductores
119
encontrndose experimentalmente una dependencia con la temperatura

tal que existe una relacin lineal entre el ln y el inverso de la temperatura,
1/T . A continuacin veremos que esta dependencia puede ya explicarse a
partir de las expresiones obtenidas anteriormente en el tema.
Semiconductor Intrnseco
Dado que en este caso n = p n i , (7.1) puede reescribirse como
= e(n + p )n i .
(7.29)
En los semiconductores (y al contrario de lo que ocurre en los metales), la conductividad muestra una dependencia con la temperatura tanto en las movilidades como en la concentracin intrnseca. Al
sustituir (7.16) en (7.29) obtenemos que
= e(n + p )
Eg
NC NV exp
.
2k B T
Para las movilidades se encuentra una dependencia con la temperap

tura del tipo T 3/2 y dado que NC NV , segn (7.8) y (7.10), muestra una dependencia del tipo T 3/2 , ello implica que la conductividad
puede finalmente escribirse como
Eg
= 0 exp
,
2k B T
(7.30)
Conductividad elctrica de un semiconductor intrnseco
donde 0 es una constante que slo depende de los parmetros del

material pero no de la temperatura. Esta expresin explica satisfactoriamente los resultados experimentales encontrados anteriormente y muestra que la conductividad en los semiconductores intrnsecos es altamente dependiente del valor de la anchura de la banda
prohibida y de la temperatura de trabajo. Esto ltimo nos indica que
los semiconductores intrnsecos deben operar en unas condiciones
de temperatura controlada para evitar que las propiedades de los
dispositivos se vean muy afectadas.
Semiconductor Extrnseco
El estudio de la conductividad elctrica en los semiconductores extrnsecos es ms complicada que en los intrnsecos, por lo que no abordaremos su estudio. No obstante, podemos resaltar que ese estudio
nos dara la dependencia que muestra la figura adjunta para el ln
con el inverso de la temperatura, 1/T . Dado que los semiconductores extrnsecos se comportan como los intrnsecos a altas temperaturas, la figura muestra a temperaturas altas (parte izquierda de la
grfica) la misma pendiente que para el caso intrnseco. A temperaturas no tan altas, ln muestra el mismo tipo de comportamiento
aunque con otra pendiente.
FLML
Apuntes de CF
120
E JEMPLO 7.5 Clculo de la conductividad elctrica para el Si a T = 300 K y

T = 500 K, siendo n = 1350 cm2 /V s y p = 480 cm2 /V s.
Teniendo en cuenta el resultado del ejemplo 7.1, al sustituir en la expresin
(7.29), llegamos a que
(T = 300 K) = 1,6 1019 (0,135 + 0,048)1,42 1015 = 4,15 105 ( m)1 .
Para calcular la conductividad a T = 500 K, suponemos que la variacin ms
notable con la temperatura se debe nicamente a la dependencia en la exponencial, por lo que podemos escribir que
1
1, 1
1
(T = 500 K)
4927
= exp
(T = 300 K)
2 8,625 105 500 300
y, por tanto,
(T = 500 K) 0,2 ( m)1 .
7.5. Corrientes de Arrastre y Difusin
E
Movimiento
corriente
Hasta ahora, la nica corriente que se ha estudiado es la relacionada

con el movimiento de cargas provocado por la presencia de un campo elctrico externo E . Esta corriente se denomin corriente de arrastre y su forma para electrones y huecos era
J p,arr
= ep pE
(7.31a)
J n,arr
= en nE .
(7.31b)
En este apartado se ver que adems de este tipo de corriente existe otro
tipo, denominado corriente de difusin, que aparece siempre que exista
una distribucin no uniforme de portadores de carga.
7.5.1. Proceso de difusin

Algunos ejemplos comunes en los que encontramos procesos de difusin son:
Proceso por el que las partculas de un gas inicialmente situado en
cierta regin de un recinto se expande por todo el recinto.
Proceso por el que una gota de tinta en un lquido va diluyndose
hasta que todo el lquido se colorea.
Proceso por el que el perfume que inicialmente estaba en un rincn
de una habitacin cerrada se va extendiendo hasta que toda la habitacin queda perfumada.
Apuntes de CF
FLML
121
El origen de los procesos de difusin anteriores hay que buscarlo en

el movimiento errtico de agitacin trmica que muestran las partculas.
Este movimiento junto con los consiguientes choques con otras partculas
y con las paredes del recinto hace que las partculas traten de extenderse
por todo el recinto que las contiene. Tras cada choque, las partculas tienen
igual probabilidad de dirigirse en cualquier direccin, lo que da lugar a
que exista una transferencia neta o flujo de partculas desde las zonas ms
pobladas a las menos pobladas. Este proceso de difusin dura hasta que se
homogeniza la concentracin, , de partculas en el recinto (la permanente
agitacin trmica ya no provocara una transferencia neta de partculas).
Por consiguiente, podemos decir que
La causa del proceso de difusin es la existencia
de concentraciones no uniformes de partculas,
= (x).
Dado que una concentracin inhomognea implica que
d (x)
6= 0 ,
dx
podemos decir que el proceso de difusin ocurre mientras exista un gradiente de concentracin (en una dimensin, el gradiente de una funcin
f (x) es precisamente su derivada respecto a x). En este sentido podemos
establecer que el flujo de partculas (nmero de partculas por unidad de
rea) por unidad de tiempo en la posicin x, (x), ser proporcional al gradiente de la concentracin,
(x)
d (x)
,
dx
lo que nos permite escribir que

(x) = D
d (x)
,
dx
(7.32)
donde D es el coeficiente de difusin caracterstico de cada tipo de proceso.

El signo menos en la expresin anterior se aade para indicar que el movimiento de las partculas se producir desde donde hay ms concentracin
hasta donde hay menos, es decir, en el sentido decreciente de la concentracin.
7.5.2.
Corriente de difusin
En un semiconductor donde tenemos portadores libres de carga (esto

es, gases de electrones y de huecos) tambin pueden darse procesos de
difusin si la concentracin de portadores no es homognea. No obstante,
dado que los portadores son partculas cargadas, existen algunas diferencias importantes con las situaciones descritas en el proceso anterior (que
slo implicaban a partculas elctricamente neutras).
FLML
Apuntes de CF
122

En primer lugar un flujo de partculas cargadas originar obviamente una corriente elctrica, que se conoce como corriente de difusin. Por
otra parte, si el origen de las inhomogeneidades de portadores libres proviene de una distribucin no uniforme de impurezas, debemos tener en
cuenta que stas se ionizan y permanecen bsicamente inmviles mientras que los electrones o huecos asociados a stas son prcticamente libres. En este caso, los procesos de difusin de portadores libres darn lugar a una descompensacin espacial de la carga elctrica que provocar la
aparicin de un campo elctrico interno, E i , que tiende a oponerse al propio proceso de difusin (es decir, el proceso de difusin acaba antes de que
se haya homogenizado la concentracin de carga).
Si las concentraciones de electrones y huecos en el semiconductor son
no uniformes, los flujos de difusin vendrn entonces dados por
dp(x)
dx
dn(x)
n (x) = D n
,
dx
p (x) = D p
p(x)
Movimiento
n(x)
corriente
(7.33a)
(7.33b)
siendo D n y D p los coeficientes de difusin para e y h+ respectivamente.

La densidad de corriente de difusin para electrones y huecos se obtendr
simplemente multiplicando la carga por el flujo de difusin de partculas
por unidad de tiempo, por lo que
dp(x)
dp(x)
J p,dif (x) = (+e) D p
= eD p
(7.34a)
dx
dx
dn(x)
dn(x)
J n,dif (x) = (e) D n
= eD n
.
(7.34b)
dx
dx
Electrones y huecos se mueven en el mismo sentido si sus respectivas concentraciones varan del mismo modo. En este caso, sus corrientes de difusin resultan en sentidos opuestos.
7.5.3. Corriente total

Si adems del proceso de difusin, el semiconductor est sometido a
un campo elctrico externo, E (x), entonces la densidad de corriente de
electrones, J n (x), y la de huecos, J p (x), debern incluir trminos correspondientes a los dos procesos simultneos de movimiento de cargas que
ocurren en el semiconductor, a saber, arrastre y difusin:
dp(x)
dx
dn(x)
J n (x) = J n,arr (x) + J n,dif (x) = en n(x)E (x) + eD n
.
dx
J p (x) = J p,arr (x) + J p,dif (x) = ep p(x)E (x) eD p
(7.35)
(7.36)
Existe una relacin entre los coeficientes de difusin y movilidad, que se

conoce como relacin de Einstein, que establece la siguiente relacin:
D n,p
n,p
Apuntes de CF
kB T
,
q
(7.37)
FLML
123
siendo q la carga elemental de los portadores de carga en el proceso, en

nuestro caso e.
La densidad de corriente total en el semiconductor, J total (x), ser obviamente la suma de las correspondientes a electrones y huecos, esto es,
J total (x) = J n (x) + J p (x) ,
(7.38)
cuyos sentidos se muestran en la Fig. 7.1.

E(x)
n(x)
p(x)
MOVIMIENTO
CORRIENTE
ARRASTRE
DIFUSIN
F IGURA 7.1: Sentido de las corrientes de difusin y de arrastre para electrones y huecos.
Es importante sealar que la corriente de arrastre es proporcional a la
concentracin de portadores, por lo que los portadores minoritarios apenas contribuiran a esta corriente de arrastre. Por otra parte, dado que la
corriente de difusin es proporcional al gradiente de la concentracin, entonces aunque la concentracin de minoritarios pudiera ser rdenes de
magnitud ms pequea que la de mayoritarios, su gradiente s puede ser
del mismo orden o incluso mayor y, en consecuencia, contribuir muy significativamente a la corriente de difusin y, por ende, a la corriente total.
Este importante resultado puede resumirse como
los portadores minoritarios pueden contribuir significativamente a la corriente total mediante procesos de difusin.
7.5.4.
Campo elctrico interno
En un semiconductor con un dopaje no uniforme de impurezas (esto

es, con una concentracin inhomognea de portadores), en ausencia de
campo externo aplicado y en condiciones de equilibrio, la corriente total,
tanto de electrones como de huecos, debe ser cero2 :
J n (x) J p (x) = 0 .
2 Ntese que si la corriente fuese distinta de cero se estara generando energa de la nada
dado que al paso de la corriente hay resistencia.
FLML
Apuntes de CF
124
Semicond
Inhomog
I=0
A
Jp=Jp,d fi+Jp,arr
Jp,d fi
Ei
Por ejemplo si consideramos el caso de un semiconductor tipo p dopado inhomogneamente, p = p(x) (en la figura se representan los portadores de carga mviles), es claro que inicialmente existir una corriente de
difusin de huecos debido a la existencia de un gradiente no nulo en la
concentracin de huecos, J p,dif 6= 0. Dado que en el equilibrio la corriente
total de huecos es nula, esta corriente de difusin de huecos debe verse
compensada por una corriente de arrastre de huecos en sentido contrario.
Claramente, esta corriente de arrastre debe estar originada por la aparicin de un campo elctrico interno, E i , que sea responsable de la creacin
de dicha corriente.
Tal como se ha discutido en al Apartado 7.5.2, el origen de este campo
elctrico interno puede entenderse partiendo del hecho de que la muestra
era originalmente neutra. Podemos ver que existen dos tendencias contrapuestas en el semiconductor dopado no uniformemente. Por una parte
existe una tendencia hacia la inhomogeneidad de los portadores libres debido a la atraccin elctrica de las impurezas ionizadas que, buscando la
neutralidad local de la carga, tiende a igualar la distribucin de impurezas
ionizadas con la de portadores libres. Por otra parte, a causa de la difusin
(que solo afecta a las cargas mviles), existe una tendencia a la homogenizacin de la concentracin de portadores. Ambas tendencias tienden a
contrarrestarse, dando lugar a una distribucin final de portadores intermedia entre la distribucin inicial de impurezas y la homogenizacin total.
En este sentido, el proceso de difusin genera un movimiento neto de los
portadores de carga que provoca la aparicin de una densidad de carga neta, (x), en la muestra. A su vez, la aparicin de esta densidad de carga neta
dar lugar a un campo electrosttico y, consecuentemente, a un potencial
electrosttico, V (x), que estar relacionado con la densidad de carga, (x),
mediante la siguiente ecuacin:
d2V (x)
(x)
=
,
2
dx
(7.39)
denominada ecuacin de Poisson.

Teniendo en cuenta que
dp(x)
J p (x) = e p p(x)E i (x) D p
=0,
dx
podemos obtener, tras despejar, la siguiente expresin para el campo elctrico interno:
Ei =
Dp
1 dp(x) k B T 1 dp(x) k B T d
=
=
lnp(x) .
p p(x) dx
e p(x) dx
e dx
(7.40)
Dado que este campo es irrotacional puro (proviene nicamente de las cargas elctricas), E i derivar de un potencial V ,
Ei =
dV (x)
,
dx
y por tanto (7.40) puede reescribirse como

dV (x)
kB T d
=
lnp(x) .
dx
e dx
Apuntes de CF
(7.41)
FLML
125
2
1
Si integramos la ecuacin anterior entre dos puntos arbitrarios, 1 y 2,
Z 2
Z
kB T 2
dV =
d lnp ,
e
1
1
encontramos finalmente que
Jp,dif(x)
Jp,arr
Ei(x)
p2
kB T
ln
,
V21 =
e
p1
(7.42)
V2
1
Potencial
debido a una
concentracin de portadores
no uniforme
donde V21 = V2 V1 y p 1 , p 2 son las concentraciones de huecos en los puntos 1 y 2 respectivamente. Es interesante notar que la expresin anterior
nos dice que
la diferencia de potencial que se establece entre dos
puntos de una muestra de semiconductor no homogneo slo depende de la relacin entre las concentraciones en estos puntos y no de la distancia entre los puntos
o de la forma de la concentracin entre estos puntos.
A partir de (7.42), encontramos la siguiente relacin entre las concentraciones en funcin de la diferencia de potencial:
eV21
p2
= exp
.
(7.43)
p1
kB T
Si el proceso anterior se hubiese hecho para la corriente de electrones3 ,
procediendo de una forma anloga se hubiese llegado igualmente a que
n2
eV21
= exp
.
(7.44)
n1
kB T
Combinando ahora las expresiones (7.43) con (7.44) obtenemos que
p 2 n1
=
p 1 n2
n1 p 1 = n2 p 2 .
Dado que los puntos 1 y 2 son puntos arbitrarios y el producto de la concentracin de huecos por electrones viene fijado por la ley de accin de
masas (7.15), encontramos la siguiente expresin general de la ley de accin de masas:
n(x)p(x) = n i2 .
(7.45)
Ley de accin de masas para

un semiconductor inhomogneo en
equilibrio
E JEMPLO 7.6 Una muestra de Si es dopada con tomos donadores de tal manera
que Nd (x) = N0 exp(ax). (a) Encuentre una expresin para el campo interno
supuesto que Nd n i . (b) Calcule el valor del campo si a = 1 (m)1 .
3 Notar que si p = p(x), esto implica que n = n(x) dado que donde hay mayor concentracin de huecos, habr mayor recombinacin y por tanto esto afectar a la concentracin
de electrones.
FLML
Apuntes de CF
126

(a) Partiendo de que J n (x) = 0 y siguiendo un proceso anlogo al realizado en
la seccin anterior, llegamos a que
Ei =
kB T d
ln n(x) ,
e dx
que en nuestro caso, admitiendo que n(x) ' Nd (x), se convierte en

Ei =
kB T
a.
e
(b) Sustituyendo los valores oportunos tenemos que

E i = 0,0259 106 = 259 V/m .
7.6.
Velocidad de generacin y recombinacin
Antes de analizar la generacin y recombinacin de portadores vamos

a discutir brevemente algunas cuestiones relacionadas con el equilibrio.
Es bien conocida la propiedad natural de todo sistema fsico de responder
a una accin mediante una reaccin. La accin puede ser interna (realizada desde dentro del sistema) o bien externa mientras que la reaccin ser
siempre interna. En funcin del balance entre la accin y la reaccin del
sistema diremos que ste presenta
Equilibrio estadstico
Cuando el efecto combinado de la accin/reaccin produzca una situacin en la que las variables del sistema slo muestren pequeas
fluctuaciones en torno a un valor medio fijo en el tiempo.
Equilibrio trmico
Cuando no se ejerce accin externa sobre el sistema, salvo el efecto
de la temperatura.
Desequilibrio estacionario
Existe accin externa pero tras cierto tiempo de transicin (usualmente muy pequeo) se alcanza una situacin en la que las variables
del sistema permanecen constantes en el tiempo.
No equilibrio
Cuando las variables del sistema varan con el tiempo.
Ya se discuti en el Apartado 6.2 que, en un semiconductor en equilibrio trmico, el proceso de generacin de portadores de carga era interno (generacin trmica fundamentalmente), debindose cumplir adems que la velocidad de generacin interna, G int , fuese igual a la velocidad
de recombinacin, R, ver expresin (6.3).
Si existen acciones externas, adems de los procesos de generacin interna, pueden darse otros procesos de generacin debidos a causas externas, G ext : iluminacin, campos intensos aplicados, etc, que rompen la situacin de equilibrio. Si consideramos que, en estas situaciones de no equilibrio, todos los procesos de generacin/recombinacin slo crean/destruyen
Apuntes de CF
FLML
7.6. Velocidad de generacin y recombinacin
127
pares de e /h+ , entonces es conveniente introducir el concepto de velocidad de recombinacin neta, U , que se define como la diferencia entre la
velocidad de recombinacin y la de generacin interna,
U = R G int .
(7.46)
Velocidad de recombinacin neta
(Notemos que U nos informa bsicamente sobre los procesos internos, es

decir, recombinacin y generacin interna de pares e /h+ ). Dado que la
accin externa provoca una descompensacin entre los procesos de generacin y recombinacin, existir una variacin de las concentraciones de
portadores con el tiempo, que pueden expresarse como

n
= G n,ext U
(7.47a)
t g r

p
= G p,ext U .
(7.47b)
t g r
Teniendo en cuenta la expresin (6.1) para la velocidad de recombinacin, R, y que segn (6.3) G int = R int = r n i2 , la velocidad de recombinacin
neta puede escribirse como
U = R G int = r np r n i2 = r (np n i2 ) .
(7.48)
Ntese que en una situacin de no equilibrio no se cumplir la ley de accin de masas (np 6= n i2 ).
Si la concentracin de portadores fuera del equilibrio se expresa en trminos de la concentracin de portadores en equilibrio (lo cual se denotar
a partir de ahora con el subndice 0) y de la concentracin de portadores
en exceso (denotados por el smbolo ), podremos escribir que
n
= n 0 + n
p 0 + p .
(7.49a)
(7.49b)
n Concentracin de portadores
n 0 Concent. portad. en equilibrio
n Concent. de port. en exceso
Teniendo en cuenta las expresiones anteriores y que la ley de accin de

masas exige que n 0 p 0 = n i2 , encontramos que la expresin (7.48) puede
reescribirse como
U = r p 0 n + n 0 p + np .
(7.50)
Si suponemos que la accin externa genera el mismo nmero de electrones que de huecos [n(t = 0) = p(t = 0)], y puesto que los e y h+ se
recombinan por pares, entonces el exceso instantneo de ambos tipos de
portadores ser tambin idntico,
n(t ) = p(t ) .
Bajo este supuesto, en un semiconductor tipo n tal que p 0 n 0 y en condiciones de inyeccin dbil (esto es, n n 0 ), la velocidad de recombinacin neta puede aproximarse mediante
U = r n 0 p =
FLML
p
,
p
Inyeccin dbil
n n 0
p p 0
(7.51)
Apuntes de CF
128

donde la constante p = 1/r n 0 se denomina tiempo de vida media de los
portadores minoritarios.
En el caso anterior, la ecuacin que nos da la variacin temporal de
la concentracin de los portadores minoritarios debido a los procesos de
generacin y recombinacin vendra dada por
p
t
p
=
t
g r
= G p,ext
g r
p
.
p
(7.52)
7.7. Ecuacin de continuidad

En el Apartado 7.6 ya discutimos que cuando se produce una generacin neta de portadores en un semiconductor como consecuencia de una
accin exterior, el semiconductor reacciona oponindose a dicha generacin mediante una recombinacin neta, tanto ms importante cuanto mayor sea la generacin debida a la causa externa. Cuando ambas tendencias
se contrarrestan mutuamente se alcanza un rgimen estacionario (o desequilibrio estacionario), pudindose considerar el equilibrio como un caso
particular de rgimen estacionario cuando no existe accin externa alguna. Si la accin exterior cambia con el tiempo ello dar lugar a un rgimen
dinmico (situacin de no equilibrio) en el que predominar una de las
dos tendencias de accin o reaccin.
Para el anlisis general de un rgimen dinmico debe tenerse en cuenta
que la accin y la reaccin no tienen por qu ocurrir en los mismos puntos.
La generacin por causas externas puede ocurrir en cierto lugar y los portadores generados pueden originar corrientes que los llevan a recombinarse
en otros lugares distintos. Las ecuaciones que rigen el proceso dinmico
general se denominan ecuaciones de continuidad de las concentraciones
de portadores.
En el caso de un semiconductor, la variacin en el tiempo de la concentracin de portadores minoritarios en un elemento de volumen, d V ,
puede deberse a dos causas distintas:
1. Generacin y/o recombinacin neta,
2. Transporte o flujo variable de portadores a travs del volumen.
En consecuencia, para un semiconductor tipo n, la variacin temporal
total de la concentracin de portadores minoritarios (huecos), vendr
dada por

p
p
p
=
+
(7.53)
t
t transp
t genrec
Apuntes de CF
FLML
7.7. Ecuacin de continuidad

p
t
incremento neto
del nmero de
huecos por unidad
de tiempo en d V
129
p
t
diferencia entre el
nmero de h+
entrando y saliendo
de d V en unidad tpo.
G ext
U [= R G int ]
transp
nmero de h+
generados en d V
en la unidad de tpo.
debido a accin ext.
velocidad de gener.
h+ en d V debido
a acciones externas
nmero de h+
recombinados en d V
en la unidad de tpo
velocidad de recomb.
neta de h+ en d V
La expresin anterior nos dira, por ejemplo, que si en d V se acumulan

3 h por unidad de volumen en la unidad de tiempo puede ser debido a
que han entrado 12, han salido 11, se han generado por acciones externas
3, por acciones internas 1 y se han recombinado globalmente 2.
+
La variacin de la concentracin debida a la generacin/recombinacin de portadores fue analizada en el Apartado 7.6 donde se obtuvo en
(7.52) para la concentracin de portadores minoritarios que

p
p
= G p,ext
.
t genrec
p
Si queremos calcular el nmero de h+ que entra por unidad de tiempo en

d V a travs de la superficie A en x, magnitud que denominaremos p (x),
podemos tener en cuenta que al dividir la densidad de corriente de huecos
J p (x) por la carga e podemos as obtener el nmero de huecos por unidad de tiempo y superficie que entra en el elemento diferencial. Al dividir
J p (x) por la longitud del elemento diferencial x se obtendr ya finalmente p (x) y anlogamente para p (x + x). Por tanto
p
t
transp xx+x
1 J p (x) J p (x + x)
,
e
x
que al tomar el lmite x 0, puede reescribirse como
FLML
p(x, t )
t
=
transp
1 J p (x, t )
.
e
x
Apuntes de CF
130

Al agrupar los trminos de generacin/recombinacin con los trminos de arrastre, en condiciones de inyeccin dbil, la ecuacin de continuidad para huecos vendr dada finalmente por
Ecuacin de continuidad para los

minoritarios (huecos) en
condiciones de inyeccin dbil
p(x, t )
1 J p p
+G p,ext .
=
t
e x
p
(7.54)
Anlogamente para electrones se tendr que

n(x, t ) 1 J n n
=
+G n,ext .
t
e x
n
(7.55)
7.7.1. Ecuacin de difusin

En muchas situaciones prcticas tenemos una muestra homognea (la
densidad de impurezas es uniforme es todo el material) donde encontramos que la corriente de difusin de portadores minoritarios es mucho mayor que la de arrastre, admitiendo adems que no existe generacin de
portadores en el volumen del semiconductor debida a agentes externos,
G ext = 0. En estas situaciones (en el caso de que los minoritarios sean los
huecos) se tiene que la densidad de corriente total de huecos vendra dada
por
(p 0 + p)
p
J p J pdif = eD p
= eD p
.
(7.56)
x
x
Al sustituir la expresin anterior en la ecuacin de continuidad (7.54) obtenemos la siguiente ecuacin de difusin de minoritarios (en este caso,
huecos):
Ecuacin de difusin para huecos
p
2 p p
= Dp
t
x 2
p
(7.57)
y similarmente si los minoritarios fuesen los electrones:
Ecuacin de difusin para

electrones
n
2 n n
= Dn
.
t
x 2
n
(7.58)
7.7.2. Inyeccin constante de portadores
x=0
Se mantiene un exceso de
portaores para todo x
En x=0 , dp(x=0) = Dp
Una de las situaciones de mayor inters prctico que puede analizarse

mediante la ecuacin de difusin es aquella situacin estacionaria que se
mantiene gracias a una inyeccin constante de portadores que hace que el
exceso en la concentracin de minoritarios no vare con el tiempo, es decir
(para el caso de huecos),
p
=0.
t
Para el caso de una muestra homognea de semiconductor tipo n en condiciones de inyeccin dbil y generacin externa nula en el volumen, la
ecuacin de difusin (7.57) para los minoritarios puede expresarse como
Apuntes de CF
FLML
131
p
d2 p
p
=
2 ,
2
dx
D p p L p
(7.59)
Ecuacin de difusin para

el estado estacionario
p
donde L p = D p p se conoce como longitud de difusin para huecos.
(Ntese que las derivadas que aparecen en la ecuacin son totales).
Si, por ejemplo, se supone que un exceso de huecos son inyectados en

el semiconductor a travs de la superficie en x = 0, tal que p(x = 0) = p,
al resolver (7.59) obtenemos que
p(x)
p(x) = Aex/L p + B ex/L p .

Dado que la solucin anterior no puede crecer para x , la constante A
debe hacerse cero. Por otra parte, dado que
p(x = 0) p = B ,
Dp
p0
tenemos finalmente que
p(x) = p 0 + p ex/L p .
(7.60)
Esta expresin da una idea de la distancia (en la prctica un nmero escaso

de veces L p ) a la cual prcticamente se recupera el equilibrio. En rigor, L p
puede interpretarse como la distancia media en el movimiento de difusin
del h+ antes de recombinarse.

7.1: La energa de la banda prohibida del germanio puro es E g = 0,67 eV. (a) Calcular el
nmero de electrones por unidad de volumen en la banda de conduccin a 250 K, 300 K y
350 K. (b) Hacer lo mismo para el silicio suponiendo que E g = 1,1 eV. La masa efectiva de
los electrones y huecos son en el germanio es 0,12 m e y 0,23 m e , y en el silicio 0,31 m e y
0,38 m e , donde m e = 9,1 1031 kg es la masa de electrn libre.
Sol. [en m3 ] (a): 0,023 1019 , 0,40 1019 , 3,24 1019 ; (b): 0,032 1016 , 0,29 1016 , 7,7 1016
7.2: Supngase que la masa efectiva de los huecos en un material es cuatro veces la de los
electrones. A que temperatura el nivel de Fermi estar un 10 % por encima del punto medio
de la banda prohibida. E g = 1 eV.
Sol. T = 557, 6 K
7.3: La anchura de la banda prohibida para el Ge es E g = 0,67 eV. Las masas efectivas de
electrones y huecos son respectivamente m e = 0,12m e y m h = 0,23m e (m e es la masa del
electrn libre). Calcular a 300 K: a)la energa de Fermi; b) la densidad de electrones; y c) la
densidad de huecos.
Sol. (a) E F = E V + 0,3476 eV; (b) n = n i = 4,05 1018 m3 ; (c) p = n n i .
7.4: Los valores de la conductividad del germanio puro a las temperaturas en K: (300,350,400,
450,500) son respectivamente en 1 m1 : (2,13,52,153,362). a) Hacer una grfica de ln
frente a 1/T . b) Determinar E g para el germanio.
Sol. E g = 0,67 eV.
7.5: En el tema se ha visto que la introduccin de tomos donadores puede incrementar
fuertemente la concentracin de electrones en BC. Por otra parte, la ley de accin de masas
nos dice que este incremento implica una disminucin igualmente fuerte en la concentracin de huecos en BV. Explique las razones fsicas de esta importante disminucin de
huecos.
FLML
Apuntes de CF
132

7.6: La conductividad del Ge puro se incrementa en un 50 % cuando la temperatura pasa
de 20 a 30 grados centgrados. a) Cul es la anchura de la banda prohibida?; a) Teniendo
en cuenta que para el Si, E g = 1,1 eV, cul es el porcentaje de cambio en la conductividad
para el mismo cambio de temperatura?.
Sol. (a) E g = 0,61 eV; (b): 105 %.
7.7: Cunto tiempo tardar un electrn en recorrer 1 m en Si puro sometido a un campo
elctrico de 100 V/cm?. Repita el clculo para un campo de 105 V/cm.
7.8: Una muestra de Si es dopada con 5 1016 cm3 tomos donadores y 2 1016 cm3
tomos aceptores. Encuentre la posicin del nivel de Fermi respecto al intrnseco a 300K.
7.9: Se utiliza como resistencia de una zona de un circuito integrado una barra de silicio tipo N de 2 mm de longitud y de 2,5 105 m2 de seccin. Sabiendo que la concentracin de tomos donadores es ND = 5 1013 cm3 y que la movilidad de electrones es
n = 1500 cm2 /Vs, determinar su resistencia a 300 K demostrando que la contribucin de
huecos es despreciable a la conductividad. Datos: p = 475 cm2 /(Vs); n i = 1,45 1016 m3
Sol. R 66 .
7.10: A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una d.d.p. de
10 V entre sus extremos. Conociendo como datos la concentracin intrnseca de portadores, n i = 2,36 1019 m3 , que n (300K) = 0,39 m2 /(Vs) y que p (300K) = 0,182 m2 /(Vs),
determinar : a) la resistividad del Ge; b) la resistencia de la barra; c) la velocidad de arrastre
de electrones y huecos; y d) la corriente que circula por la barra.
Sol. (a) = 0,462 m; (b) R = 231,2 ; (c) v n = 39 m/s, v p = 18 m/s.
7.11: Una muestra de Ge tipo N posee una concentracin de impurezas donadoras dada
por ND = 1015 cm3 . Determinar la concentracin de electrones y huecos a 500 K sabiendo
que la concentracin intrnseca viene dada por la expresin
n i = C T 3/2 exp(E g /(2kT )) ,
siendo C = 1,91 1021 m3 K3/2 , E g = 0,67 eV.
Sol. p = 8,34 1021 m3 , n = 9,34 1021 m3 ]
7.12: Una muestra de Si es dopada con 1017 tomos/cm3 de fsforo. a) Qu valor tendr
la resistividad del material?. b) Calcule la tensin Hall que se medira en una muestra de
100 m de espesos recorrida por una corriente de 1 mA y sometida a un campo magntico
de 1 kG.
Sol.: a) = 0,0893 cm; b) |V H | = 62,5m.
7.13: Una muestra de Si a 300 K presenta dos niveles independientes de donadores con
densidades ND1 = 1 1016 cm3 y ND2 = 2 1016 cm3 , localizados a 100 meV y 200 meV
por debajo del borde inferior de BC. Supuesta ionizacin total de los donadores, obtenga la
ecuacin de neutralidad de la carga para este caso y encuentre el valor de la concentracin
de electrones en BC. Cmo cambiar este valor si se aaden impurezas aceptoras con una
densidad de 0,9 1016 cm3 ?.
7.14: Una muestra pura de InP es dopada con impurezas aceptoras desde un lado de tal
modo que obtenemos un perfil dado por N A (z) = N A (0)ebz , donde z representa la coordenada en el interior de la muestra y N A (0) la concentracin en la superficie. a) Calcule el
perfil de dopado y encuentre una expresin para el campo elctrico que se instaurara en
equilibrio trmico si N A n i . b) Obtenga el valor del campo elctrico si b = (2m)1 .
Apuntes de CF
FLML
T EMA 8
Unin p-n
8.1. Introduccin
Las aplicaciones elctricas y pticas ms interesantes de los semiconductores surgen cuando se dopan regiones vecinas con distintos tipos de
impurezas. En este sentido, la mayora de los dispositivos semiconductores usados en Electrnica contienen al menos una unin entre un material
tipo p y uno tipo n. Las uniones p-n son fundamentales para la realizacin
de funciones tales como la rectificacin, amplificacin y conmutacin tanto de seales electrnicas como optoelectrnicas. En consecuencia, podemos considerar a la unin p-n como el elemento bsico operativo de diversos componentes electrnicos y optoelectrnicos como diodo rectificador,
diodo Zener, diodo tnel, transistor bipolar, fotodiodo, LDR, clula fotovoltaica, diodo LED, lser de inyeccin, etc.
Para el estudio de la unin p-n se usar un modelo simplificado que es
la unin abrupta. Esta unin no es en sentido estricto la que se encuentra en los diversos dispositivos pero es suficientemente simple como para
poder ser tratada cualitativa y cuantitativamente y, por otro parte, es suficientemente realista como para ofrecer un comportamiento fsico muy
prximo al que ocurre en las uniones difusas.
En principio estudiaremos la unin p-n en equilibrio (esto es, sin accin externa) para despus analizar el efecto de una polarizacin externa
sobre la unin. En primer lugar estudiaremos este efecto desde un punto de vista cualitativo para posteriormente obtener las expresiones de las
diversas corrientes. Es interesante sealar el enorme cambio que se observa en la caracterstica I V de una unin p-n respecto a la caracterstica
de una muestra homognea de semiconductor dopado (que se comporta
como una simple resistencia). Aparecen nuevos efectos fsicos relacionados con la unin que abren muchas posibilidades al diseo de nuevos y
eficaces dispositivos.
Una vez realizado el estudio bsico de las corrientes de la unin, estudiaremos tambin su comportamiento optoelectrnico con el objetivo de
133
134
Tema 8. Unin p-n

aplicarlo al anlisis de diversos componentes como el diodo LED y el diodo
lser.
8.2. Unin p-n en equilibrio

ND
NA
S
Semiconductor
Intrnseco
Tal como se ha comentado anteriormente, el estudio de la unin p-n en

equilibrio se realizar usando el modelo de la unin abrupta sin excitacin
externa y, por tanto, sin corriente neta en la unin. Esta unin abrupta estar constituida por una muestra original de semiconductor intrnseco de
seccin S constante que es dopada uniformemente en un lado de la unin
por impurezas aceptoras (de concentracin N A ) y en el otro lado por impurezas donadoras (cuya concentracin ser ND ).
n
8.2.1. Potencial de Contacto
Segn se discuti en el Apartado 7.5.2, al poner en contacto los dos lados de la unin p-n comenzar un proceso de difusin debido a la diferencia de concentracin de portadores en ambos lados de la unin. Se inicia
un flujo de huecos de p n y simultneamente un flujo de electrones de
p n . Este proceso de difusin (que intenta igualar las concentraciones
en ambos lados de la unin) contina hasta establecimiento de un campo
electrosttico interno suficientemente intenso como para oponerse al movimiento de las cargas (ver Apartado 7.5.4). La ausencia de corriente neta
en el equilibrio implica que
|J arrastre | = |J difusin | .
Los h+ que viajan desde p n provienen mayoritariamente de la ionizacin de las impurezas aceptoras en el lado p y, anlogamente, los e desde
p n , de la ionizacin de las impurezas donadoras en el lado n. Tal como
muestra la Fig. 8.1, este desplazamiento de portadores de carga, dejando
tras de s un defecto de carga fija, provoca la aparicin de una regin de
carga neta en las proximidades de la unin. Esta regin de carga neta, o
regin de carga espacial/regin de transicin, est compuesta por cierta
cantidad de cargas negativas fijas en el lado p y la misma cantidad de cargas positivas en el lado n. El campo electrosttico interno se genera debido
a la aparicin de estas cargas y es importante sealar que
el campo electrosttico est bsicamente localizado en
la regin de carga espacial,
dado que fuera de esta regin el resto de la muestra es neutro dando as lugar a que el campo apenas se extienda ms all de la zona de transicin. La
existencia de dicho campo electrosttico viene lgicamente acompaado
de la aparicin de una diferencia de potencial correspondiente, de tal modo que el potencial toma un valor Vn en la zona neutra n y Vp en la zona
Apuntes de CF
FLML
135
F IGURA 8.1: Propiedades de la unin p-n en equilibrio

neutra p; siendo su diferencia V0 = Vn Vp conocida como potencial de
contacto1 .
El clculo del potencial de contacto puede realizarse, por ejemplo, siguiendo la expresin (7.42), que nos deca que
V21 =
kT
p2
ln
q
p1
donde hemos hecho uso ahora de una notacin ligeramente diferente al

llamar q al mdulo de la carga del electrn y k k B (la constante de Boltzmann). Teniendo en cuenta adems la siguiente nomenclatura:
V2 Vn , V1 V p ,
p 1 p p0
V21 Vn Vp = V0
y
p 2 p n0 ,
donde el subndice n o p indica la regin de la unin y el subndice 0 que

se est en situacin de equilibrio, la expresin anterior puede reescribirse
como
p p0
kT
V0 =
ln
.
(8.1)
q
p n0
1 Un voltmetro no podra medir este potencial de contacto puesto que el campo que lo
crea slo existe en el interior de la muestra, no extendindose por el exterior.
FLML
Apuntes de CF
136
Tema 8. Unin p-n

En aquellas situaciones comunes en la prctica en las que podamos escribir que
n2
p p0 N A
y
p n0 i ,
ND
la expresin para el potencial de contacto vendr dada por
Potencial de contacto en una

unin p-n.
V0 =
kT
N A ND
ln
.
q
n i2
(8.2)
Para obtener el diagrama de bandas de energa de la unin p-n mostrado en la Fig. 8.1 se ha hecho uso de las siguientes consideraciones:
El nivel de Fermi de una muestra en equilibrio no depende de la posicin (ver Apndice E).
La energa de los electrones y/o huecos en cada zona de la unin
estar afectada por la presencia del potencial electrosttico.
Teniendo en cuenta adems que p p0 y p n0 representan la concentracin
de huecos en equilibrio en los lados p y n fuera de la regin de carga, obtendremos haciendo uso de (7.9), que
E F p EV p
NV exp
p p0
kT
.
=
E F n EV n
p n0
NV exp
kT
Reescribiendo (8.1) como
p p0
p n0
qV0
= exp
kT
(8.3)
y teniendo en cuenta que E F p = E F n en equilibrio, encontramos que
E F p EV p
qV0
E F n EV n
exp
= exp
exp
,
kT
kT
kT
lo que nos lleva a
Desplazamiento de las bandas

de energa en una unin p-n
en equilibrio
E V p E V n = qV0 .
(8.4)
(Una expresin anloga podra obtenerse para la energa de las bandas de

conduccin.) Tal como muestra la Fig. 8.1, la expresin (8.4) indica que las
bandas de energa en cada lado de la unin estn separadas una cantidad
igual al valor del potencial de contacto por el de la carga electrnica q.
8.2.2. Regin de carga espacial

En la regin de carga espacial tanto los electrones como los huecos estn en trnsito debido a la accin del campo electrosttico E . Este hecho
provoca que existan, en un instante dado, muy pocos electrones o huecos
en esta regin. En consecuencia,
Apuntes de CF
FLML
137
la carga espacial de la regin de transicin puede considerarse

debida nicamente a las impurezas donadoras/aceptoras fijas
ionizadas.
Consideraremos, por tanto, que no hay portadores de carga libres en
esta regin. El clculo de la carga neta en ambos lados de la regin de transicin debe tener slo en cuenta la concentracin de impurezas ionizadas,
esto es,
Q (+) = q ND Sx n0
y
Q () = q N A Sx p0 ,
donde S era el rea transversal del semiconductor y x p0 y x n0 son los lmites de la regin de carga espacial, tal como muestra la figura adjunta.
Dado que el semiconductor era originalmente neutro, debe verificarse que
Q (+) = |Q () |, lo que implica que
q ND Sx n0 = q N A Sx p0
(8.5)
ND x n0 = N A x p0 .
(8.6)
w
Zona
Neutra
Zona
Neutra
n
-xp0
x
xn0
y por tanto
Esta expresin nos dice que las distancias de las zonas de carga espacial
positiva y negativa son las mismas nicamente si ND = N A . A medida que
la concentracin de impurezas en una de estas zonas aumente, la longitud
de esta zona disminuye.
Si la anchura de la zona de carga espacial se denomina
w = x n0 + x p0 ,
(8.7)
la resolucin de la ecuacin de Poisson para el potencial electrosttico nos

proporcionara la siguiente expresin:
1/2
2V0 1
1
w=
+
.
(8.8)
q
N A ND
E JEMPLO 8.1 En una muestra de Si dopada para formar una unin abrupta p-n
con N A = 4 1018 cm3 , ND = 1016 cm3 y = 120 calcule a) el potencial de contacto, b) la anchura de la regin de carga espacial en cada lado de la unin, y c)
el valor mximo del campo interno.
a) Usando la expresin (8.2) obtenemos que el potencial de contacto ser

V0 =
kT
N A ND
ln
0,85 V .
q
n i2
b) Para calcular la anchura de la regin de carga espacial hacemos uso de (8.8),

lo que nos dice que
1/2
2(12 8,85 1012 )(0,85)
1
1
w=
+
0,334 m .
1,6 1019
4 1024 1022
Combinando ahora (8.6) con (8.7) obtendremos finalmente que

x n0 = 0,333 m ,
FLML
x p0 = 8,3 .
Apuntes de CF
138
Tema 8. Unin p-n

c) Para calcular el valor mximo del campo interno partimos de (7.39), ecuacin de Poisson, escrita para el campo, es decir
dE (x) (x)
=
,
dx
que en la regin de carga espacial se convierte en

dE (x) q ND
=
dx
q NA
dE (x)
=
dx
0 < x < x n0
x p0 < x < 0 .
Integrando las anteriores ecuaciones y llamando E (0 ) = E (0 ) E 0 obtenemos la siguiente forma para el campo elctrico:
donde podemos observar que

q
q
E 0 = ND x n0 = N A x p0 .
Al sustituir en la expresin anterior los valores correspondientes tendremos

que
E0 =
1,6 1019
= 5,1 106 V/m .
(12)(8,85 1012 )(1022 )(3,33 105 )
8.3. Unin p-n polarizada

Una de las conclusiones ms importantes que obtendremos en este
apartado es el comportamiento asimtrico que presenta la union p-n cuando sta es polarizada directamente (cuando la zona p est sometida a un
potencial externo positivo respecto a la zona n) o bien inversamente. Esta
asimetra en el comportamiento de la caracterstica I V implica que la
corriente puede fluir casi libremente cuando la unin se polariza directamente y apenas fluye en polarizacin inversa. Tal como muestra la Fig. 8.2,
una muestra de semiconductor dopado homogneamente mostrara un
comportamiento claramente recproco mientras que la unin p-n muestra
un evidente comportamiento no recproco.
Apuntes de CF
FLML
139
Semiconductor
dopado
(a)
(b)
F IGURA 8.2: Caracterstica I V para (a): una muestra de semiconductor

dopado homogneamente; y (b): una unin p-n.
El anlisis del efecto de la aplicacin de un potencial externo a la unin
se realizar, en primer lugar, mediante una descripcin cualitativa para ver
cmo varan las corrientes en la unin y posteriormente se har un clculo
explcito de estas corrientes.
8.3.1. Descripcin cualitativa de las corrientes en la unin

Para llevar a cabo este anlisis, supondremos que
Se ha llegado a una situacin estacionaria.
Todo el voltaje aplicado al sistema aparece nicamente en la regin
de carga espacial asociada a la unin.
Las cadas de voltaje y los campos elctricos en el material que se
encuentra fuera de la regin de la unin (esto es, las zonas neutras)
son despreciables.
La suposicin de que el efecto del voltaje externo aplicado a la unin aparezca nicamente en la regin de transicin es una aproximacin puesto
que, en sentido estricto, debe existir una cada de potencial en las zonas
neutras si hay un flujo de carga a travs de dichas regiones. No obstante,
la resistencia de estas regiones neutras ser muy pequea en comparacin
con la resistencia de la regin de carga espacial debido a la enorme diferencia en la concentracin de portadores de carga existentes en ambas
zonas (la zona de transicin se ha supuesto despoblada de portadores de
carga, es decir, con muy bajos valores de n o p, lo que hace que la conductividad de esta zona sea mucho menor que la de las zonas neutras). Este
hecho provoca que la diferencia de potencial en las zonas neutras pueda
FLML
Apuntes de CF
140
Tema 8. Unin p-n

despreciarse en la prctica respecto a la diferencia de potencial en la zona
de transicin.
El voltaje externo aplicado afectar a la barrera de potencial en la unin
y, en consecuencia, al campo elctrico en el interior de la regin de transicin. Debido a ello es de esperar cambios en las diversas componentes de
los flujos de corriente en la unin. Evidentemente, estos cambios se reflejarn en una distinta configuracin de bandas para la unin y en un cambio
en la anchura de zona de carga espacial (ver Fig. 8.3).
(a)
Equilibrio
(V=0)
(b)
Polarizacin directa
(V=Vf )
(c)
Polarizacin inversa
(V= -Vr )
Vr
Vf
w
p
(V0 -Vf )
Vn
V0
(V0+Vr)
Vp
q(V0 -Vf)
ECp
qV0
EFp
ECn
EFn
q(V0+Vr)
qVf
EVp
EVn
Flujo de
patculas
(1)
(2)
(3)
(4)
Corriente
Flujo de
patculas
Corriente
Flujo de
patculas
Corriente
(1) Difusin huecos
(2) Arrastre huecos
(3) Difusin electrones
(4) Arrastre electrones
F IGURA 8.3: Efecto de la polarizacin externa sobre la unin p-n.

A continuacin analizaremos los cambios en las diversas magnitudes
debido a una polarizacin externa:
Altura de la barrera de potencial.
El potencial de contacto de equilibrio se ver afectado por la diferen-
Apuntes de CF
FLML
141
cia de potencial aplicada externamente de manera que la altura de

la barrera de potencial resultante
en polarizacin directa, V = V f , disminuye para tomar el valor
V0 V f ,
en polarizacin inversa, V = Vr , aumenta y se hace V0 + Vr .
Campo elctrico en la regin de transicin.
En concordancia con los cambios en la altura de la barrera de potencial, el campo elctrico en la regin de transicin
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Anchura de la regin de transicin.
Dado que el campo elctrico proviene de las cargas fijas descompesadas que aparecen en la regin de transicin y puesto que las concentraciones de impurezas no cambian en cada lado de la unin, los
cambios en la magnitud del campo elctrico deben ir acompaados
de cambios en la anchura de la regin de transicin de modo que
sta
disminuye en polarizacin directa,
aumenta en polarizacin inversa.
Separacin de las bandas de energa.
Puesto que el valor de la altura de la barrera de energa para los electrones es simplemente su carga multiplicada por la altura de la barrera de potencial electrosttico, tendremos que la separacin entre
bandas viene dada por
en polarizacin directa: q(V0 V f ),
en polarizacin inversa: q(V0 + Vr ).
Los efectos de la polarizacin se localizan bsicamente en la regin
de transicin y sus proximidades, por lo que en el interior de cada
regin neutra la posicin relativa del nivel de Fermi en el diagrama
de bandas se mantiene igual que en el equilibrio. En consecuencia,
el desplazamiento de las bandas de energas por efecto del potencial
externo aplicado provocar una separacin equivalente en los niveles de Fermi para cada lado de la unin, es decir
E F n E F p = qV .
(8.9)
Corrientes de difusin.
En equilibrio, el campo elctrico interno se estableca de modo que
su efecto contrarrestaba exactamente la corriente de difusin. En la
situacin de no equilibrio impuesta por la polarizacin externa encontramos que
FLML
Apuntes de CF
142
Tema 8. Unin p-n

Polarizacin directa:
al disminuir el campo elctrico en la regin de transicin, este
campo ya no puede contrarrestar totalmente las corrientes de
difusin, de modo que se iniciar un flujo de h+ de p n y
otro anlogo de e de p n . (Estas corrientes de difusin se
mantendrn en el tiempo debido al efecto de la batera).
Polarizacin inversa:
el campo en la regin de transicin aumentaba por lo que las
corrientes de difusin sern en este caso aminoradas.
Corrientes de arrastre.
Aunque pudiera parecer un poco sorprendente,
las corrientes de arrastre son relativamente insensibles
a las variaciones en la altura de la barrera de potencial.
El hecho de que la corriente de arrastre en la unin sea despreciable respecto a la difusin en la unin puede entenderse si notamos
que dicha corriente de arrastre proviene de los portadores minoritarios que llegan a la regin de transicin y que son barridos por el
campo en esta regin. En concreto, esta corriente estar mantenida por e que viajan desde p n y por h+ de p n (por ejemplo,
electrones del lado p que por difusin aparecen en la regin de transicin y son barridos por el campo llegando a la zona n). Dado que
la concentracin de portadores minoritarios proviene de la generacin de pares e /h+ (en el presente caso nicamente por efecto de la
excitacin trmica) y sta no se ve afectada por el potencial externo
aplicado, puede deducirse que esta corriente de minoritarios depende bsicamente de la velocidad de generacin de pares e /h+ en las
zonas respectivas y apenas del voltaje exterior2 . Por este motivo, esta
corriente de arrastre de minoritarios tambin se conoce como corriente de generacin.
Corriente Total.
La Fig. 8.3 muestra que la corriente total es la suma de las corrientes de difusin, que se producen desde p n , ms las de arrastre,
cuyo sentido es desde p n . Dado que ambas corrientes han sido
analizadas anteriormente, tendremos para la corriente total que
Polarizacin inversa:
Corriente de difusin disminuye considerablemente (se hace
prcticamente despreciable). La nica corriente que queda es
la relativamente pequea corriente de generacin en el sentido
p n.
2 Este hecho tambin puede verse como que el campo es capaz de barrer todos los por-
tadores minoritarios que llegan a la unin y el ritmo de aparicin de estos portadores en la

unin apenas se ve afectado por V . Ciertamente, clculos ms rigurosos demuestran que,
en la regin de transicin, la corriente de arrastre es mucho menor que la de difusin para
valores de polarizacin directa no demasiado elevados.
Apuntes de CF
FLML
143
Polarizacin directa:
La corriente de difusin (p n ) es ahora claramente favorecida mientras que la corriente de arrastre (p n ) apenas vara.
Esto da lugar a un incremento considerable de la corriente total
en el sentido p n .
Ntese que la corriente de difusin en polarizacin directa puede
crecer indefinidamente mientras que esta corriente en polarizacin
inversa slo puede disminuir hasta hacerse nula.
8.3.2. Ecuacin del diodo. Clculo simplificado

En este apartado llevaremos a cabo un clculo simplificado de la ecuacin del diodo a partir de ciertos razonamientos cualitativos. Para ello notemos en primer lugar que la concentracin de minoritarios en cada lado
de la unin p-n variar con el voltaje aplicado debido al efecto de ste en la
difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin. En el equilibrio,
la relacin entre las concentraciones de h+ a ambos lados de la unin viene
dada por (8.3), esto es,
p p0
= eqV0 /kT .
p n0
Al aplicar una tensin externa, V , la altura de la barrera de potencial vara
desde V0 V0 V . Considerando que el efecto de este potencial externo
no vara la relacin anterior para cada tipo de portadores en las regiones
neutras, todava podemos escribir para las concentraciones, justo en los
lmites de las zonas neutras con la zona de transicin, que
p p (x p0 )
p n (x n0 )
= eq(V0 V )/kT .
(8.10)
En situaciones de inyeccin dbil (ver discusin al final del Apartado 7.6),

la concentracin de mayoritarios apenas variar con el voltaje aplicado
[p p (x p0 ) p p0 ], luego (8.10) podr reescribirse como
p p (x p0 )
p n (x n0 )
p p0
p n (x n0 )
= eqV0 /kT eqV /kT ,
que, teniendo en cuenta (8.3), al agrupar trminos encontramos que

p n (x n0 ) = p n0 eqV /kT .
(8.11)
Concentracin de minoritarios en
el borde de la regin de transicin
del lado n
La expresin anterior nos indica que la concentracin de minoritarios

sufre un fuerte incremento (exponencial) en polarizacin directa respecto
a la que exista en equilibrio. En polarizacin inversa (V < 0), la concentracin sufrira igualmente una disminucin muy considerable. Dado que
hemos comprobado que un voltaje aplicado, V , incrementa la probabilidad de que un portador se pueda difundir a travs de la unin en un factor
dado por exp(qV /kT ), esto nos permite suponer que la corriente de difusin presentar similarmente una dependencia con respecto al voltaje
aplicado del tipo
I dif = I 0,dif eqV /kT
(8.12)
FLML
Apuntes de CF
144
Tema 8. Unin p-n

(lo que en ltima instancia provoca que el diodo presente un comportamiento claramente no recproco en su caracterstica I V , tal como
muestra la Fig. 8.2).
Puesto que en equilibrio (V = 0) la corriente total es nula, y adicionalmente encontramos que la corriente de difusin (I 0,dif ) y la de generacin
(I gen ) se cancelan, tendremos que
I (V = 0) = I 0,dif |I gen | = 0 ,
(8.13)
lo que nos permite escribir que

I 0,dif = |I gen | I 0 .
(8.14)
Al expresar la corriente en la unin p-n polarizada (V 6= 0) como

I = I dif |I gen | ,
(8.15)
y hacer uso de (8.12) y (8.14), obtenemos finalmente que
I = I 0 eqV /kT 1 ,
(8.16)
expresin que se conoce como ecuacin caracterstica del diodo.
Inyeccin de portadores. Clculo riguroso ecuacin del diodo

Para calcular de una forma ms rigurosa la corriente total en la unin
p-n deberemos obtener primero las corrientes de difusin en los lmites
de la zona de carga espacial con las zonas neutras. Las corrientes de difusin se obtendrn como el gradiente de la concentracin de minoritarios
pues supondremos que el gradiente de la concentracin de mayoritarios
es despreciable. Para obtener la concentracin de minoritarios en las zonas neutras deberemos resolver la ecuacin de continuidad que, en el presente caso, se reducir a la resolucin de la ecuacin de difusin (cuestin
tratada en el Apartado 7.7.1).
Segn nos ha mostrado la expresin (8.11), la polarizacin directa provoca una inyeccin constante de minoritarios en exceso, esto es, h+ en la
zona neutra n y e en la zona neutra p. La concentracin de h+ en exceso
en el borde de la regin de transicin con la zona neutra n vendr entonces
dada por
p n = p n (x n0 ) p n0 = p n0 eqV /kT 1
(8.17)
y similarmente para e en el lado p,
n p = n p0 eqV /kT 1 .
(8.18)
Esta situacin de inyeccin constante de minoritarios fue ya estudiada

en el Apartado 7.7.2, donde vimos que daba lugar a una difusin de estos
Apuntes de CF
FLML
145
minoritarios hasta que se recombinaban. Para el presente cado tendremos

que
p n (x n ) = p n exn /L p = p n0 (eqV /kT 1)exn /L p
n p (x p ) = n p e
x p /L n
= n p0 (e
qV /kT
1)e
x p /L n
(8.19a)
,
(8.19b)
originando as la distribucin de portadores minoritarios en cada lado de

la unin mostrada en la Fig. 8.4 (notar que x n y x p se toman positivos al
introducirse en las regiones neutras n y p respectivamente).
-xpo
xno
n
n(xp)
p(xn)
npo
xp
pno
xn
F IGURA 8.4: Distribucin de portadores minoritarios en cada lado de la

unin.
La corriente de difusin de h+ en la zona neutra n puede calcularse a
partir de la expresin (7.56), multiplicando sta por el rea, S, de la seccin
transversal, para obtener
I pdif (x n ) = qSD p
Dp
dp n (x n )
= qS
p n (x n ) ,
dx n
Lp
(8.20)
lo que nos indica que la corriente de difusin de h+ en cada punto x n ser

proporcional a la concentracin de h+ en exceso en dicho punto.
Dado que en el lmite de la regin de transicin con la zona neutra n
(x n = 0) el campo elctrico es nulo, la corriente total de huecos puede identificarse en este punto con la corriente de difusin. Ello nos permite calcular I p (x n = 0) a partir de la corriente inyectada en el lado n a travs de la
unin, que segn (8.20) vendr dada por
I p (x n = 0) I pdif (x n = 0) =
qSD p
Lp
p n =
qSD p
Lp
p n0 eqV /kT 1 .
(8.21)
Anlogamente, la corriente de electrones inyectada en el lado p ser

I n (x p = 0) =
FLML
qSD n
n p0 eqV /kT 1 .
Ln
(8.22)
Apuntes de CF
146
Tema 8. Unin p-n

Si se supone despreciable la recombinacin en la regin de transicin,
los e que se inyectan al lado p (x p = 0) deben haber atravesado la superficie situada en x n = 0. Debido a este hecho, la corriente total que cruza la
unin en x n = 0 puede escribirse como
I = I p (x n = 0) + I n (x p = 0)
Dp
Dn
= qS
p n0 +
n p0 eqV /kT 1 .
Lp
Ln
Ecuacin del diodo
Dado que la corriente total debe ser constante a travs del dispositivo (al
no haber generacin ni acumulacin de carga neta), la expresin anterior
nos proporciona justamente la corriente total para cada punto de la unin
p-n,
I = I 0 eqV /kT 1 ,
(8.23)
donde I 0 se conoce como corriente inversa de saturacin y tiene por valor
Dp
Dn
I 0 = qS
p n0 +
n p0 .
Lp
Ln
La ecuacin (8.23), vlida tanto para tensiones aplicadas positivas o negativas, dice que, en polarizacin directa, la corriente p n crece exponencialmente con la tensin aplicada mientras que en polarizacin inversa (V 0) tendremos una pequea corriente en sentido p n de valor
I I 0 . Claramente, la curva I V mostrada en la Fig. 8.2(b) es una representacin grfica de esta ecuacin.
Corrientes de portadores mayoritarios y minoritarios
La corriente del diodo segn (8.23) fue calculada considerando nicamente la corriente de difusin de minoritarios3 dado que se supuso despreciable la corriente de arrastre de minoritarios en las zonas neutras. Por
tanto, la corriente dada por (8.20) representaba la corriente de minoritarios (huecos) en la zona neutra n, es decir,
I
In(xn)
I p (x n ) =
Ip(xn)
xn
Corrientes en la zona neutra n
+
de una unin p -n
qSD p
Lp
p n exn /L p .
(8.24)
En el caso de una unin p+ -n (N A ND ), la corriente total en x n = 0

proviene mayoritariamente de la corriente de difusin de huecos en ese
punto, puesto que segn (8.21) y (8.22), I n (x n = 0) I p (x n = 0) al ser
n p0 p n0 . Dado que la corriente total, I , debe ser constante en cualquier
punto, la corriente de mayoritarios (electrones) en la zona neutra n vendr
entonces dada por
I n (x n ) = I I p (x n ) .
(8.25)
3 Es interesante notar que I es justamente la magnitud de la corriente de difusin que
0
exista en equilibrio. Esta corriente de difusin de equilibrio era justamente igual a la corriente de arrastre en equilibrio, lo cual nos permitira interpretar (8.23) considerando que
I 0 eqV /kT es la corriente de difusin e I 0 la corriente de generacin (que no dependa del
voltaje aplicado).
Apuntes de CF
FLML
8.4. Lser Semiconductor
147
Lejos de la unin, la corriente en la zona neutra n es mantenida casi exclusivamente por e . Estos e deben fluir desde dentro de la regin neutra
hacia la unin para restituir aquellos e que se recombinaron con los h+ en
exceso y para proporcionar la inyeccin de e a la zona p. En ltima instancia, el suministro de estos e lo realiza la batera.

La idea inicial de realizar un lser usando materiales semiconductores parece que fue propuesta de forma esquemtica por J. von Neumann
en 1953. Posteriormente Basov en 1961 llev a cabo un desarrollo terico
ms completo que finalmente redund en la realizacin del primer lser
semiconductor funcionando a 77K por R.N. Hall en 1962. El primer lser
semiconductor a temperatura ambiente fue realizado en el ao 1970 por
varios grupos rusos y en los ATT Bell Laboratories.
El lser semiconductor suele denominarse diodo lser debido a que se
basa en las propiedades fsicas de la unin p-n, al igual que los diodos de
rectificacin elctrica vistos anteriormente. Tambin se conocen estos lseres con el nombre de lseres de inyeccin debido a que el procedimiento
de bombeo ms usado es la inyeccin de portadores en la unin p-n.
8.4.1. Propiedades elctricas

Conviene recordar algunas propiedades de los semiconductores que
son relevantes en el contexto del laser de inyeccin:
I Tal como se coment en el Apartado 6.2, la estructura de bandas de

energa de un semiconductor es aproximadamente como se representa en
la Fig. 8.5, donde se muestran los dos casos usuales de semiconductor diE
BC
BC
Eg
m
Transicin
Directa
Eg
Transicin
Indirecta
k
M
BV
BV
(a)
(b)
F IGURA 8.5: Esquema energtico de bandas realista de (a): un semiconductor

directo y (b) un semiconductor indirecto.
recto (por ejemplo: GaAs) y semiconductor indirecto (Si, Ge...).
En un semiconductor directo, un electrn puede realizar una transicin energtica desde el punto ms bajo de la BC al punto ms alto de la BV
FLML
Apuntes de CF
148
Tema 8. Unin p-n

sin que ello implique un cambio significativo en su momento. Por el contrario, en un semiconductor indirecto, la anterior transicin requerira un
cambio importante de momento. En una estructura peridica de periodo
espacial a (tpicamente a 1), el mayor cambio de momento permitido
sera
h
p max
.
2a
Por otra parte, teniendo en cuenta el valor del momento, p f = h/, de un
fotn luminoso ( 104 ), encontramos la siguiente relacin:
pf
p max
2a
= 104 ,
que nos indica que las diferencias de momento requeridas en una transicin indirecta no pueden ser satisfechas nicamente por la participacin
de un fotn ptico. Debemos admitir entonces que la transicin anterior
debe realizarse con la participacin conjunta de otro proceso que proporcione la cantidad de momento requerido (en concreto, participa un fonn,
que puede verse como una oscilacin colectiva de la red). Por el contrario,
en el caso de una transicin directa, los pequeos cambios de momento
requeridos en el proceso s pueden ser satisfechos nicamente por un fotn.
I Tal como se ha venido discutiendo en este tema, en la zona de transicin

de una unin p-n se igualan los niveles de Fermi de ambas regiones dando lugar a un potencial de contacto, segn se muestra en la Figura 8.6(a).
Si la anterior unin p-n se somete ahora a una fuente de tensin externa
tipo p
tipo n
tipo p
tipo n
BC
BC
EFn
Ec
EF
qV
EFp
BV
BV
Ev
(a)
(b)
F IGURA 8.6: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

(a): en equilibrio trmico y (b): sometida a una fuente de tensin externa que la
polariza directamente.
de modo que eleva el potencial del lado p con respecto al del lado n, lo
que se denomina polarizacin directa, el esquema energtico resultante
puede verse en la Figura 8.6(b). En esta situacin, los electrones del lado
n se desplazarn hacia el lado p y anlogamente huecos del lado p viajarn hacia el lado n. En consecuencia, electrones y huecos se encontrarn
en la misma regin espacial, siendo posible su recombinacin mediante
las transiciones directas/indirectas que antes se mencionaron (ver Figura
8.7).
Apuntes de CF
FLML
149
ENERGA LIBERADA EN
LA RECOMBINACIN
Tipo n
RECOMBINACIN DE
ELECTRONES Y HUECOS
+
Tipo p
REGIN DE
TRANSICIN
FLUJO NETO
DE ELECTRONES
+
F IGURA 8.7: Flujo de portadores en un diodo semiconductor polarizado directamente.
Si en estas recombinaciones predomina la emisin espontnea, se tiene un LED (light emitting diode) y si por el contrario, predominan las emisiones estimuladas, se produce una accin lser.
Si en los semiconductores de la situacin anterior se incrementan los
niveles de dopaje, el efecto de las impurezas aadidas puede llegar a distorsionar la estructura de bandas energticas del semiconductor. En el caso de un incremento de impurezas donadoras, la presencia de numerosos
electrones no localizados hace que el nivel de Fermi del semiconductor
aparezca en el interior de la Banda de Conduccin. En este caso el semiconductor se denomina degenerado. La Figura 8.8(a) muestra la situacin
energtica a la que se llega en la regin de transicin de una unin p-n
tipo n
tipo n
tipo p
tipo p
BC
EFn
BC
eV
EF
EC
EFp
BV
BV
EV
(a)
Estados electrnicos
llenos a T=0K
(b)
F IGURA 8.8: Esquema energtico de la regin de transicin de una unin p-n

degenerada (a): en equilibrio trmico y (b) polarizada directamente.
degenerada en equilibrio trmico. Si a esta unin se le aplica una polarizacin directa, V , tal que qV > E g , se llega a la situacin mostrada en la
Figura 8.8(b). Es importante notar que aunque estamos en una situacin
de no equilibrio trmico, lejos de la regin de transicin y dentro de cada
banda, se establece rpidamente un cuasi-equilibrio trmico (esto es, la
dinmica de los electrones fuera de la regin de transicin no es influenciada significativamente por el campo externo aplicado). Esto posibilita la
descripcin de los electrones en las bandas mediante la distribucin de
FLML
Apuntes de CF
150
Tema 8. Unin p-n

Fermi-Dirac y se puede, por tanto, seguir usando el parmetro Energa de
Fermi como caracterstico de esa banda.
8.4.2. Propiedades pticas

La interaccin de la radiacin con los semiconductores est fundamentalmente determinada por la estructura de bandas que stos posean.
As, en un semiconductor homogneo
La emisin se producir en la forma de fotones de energa igual a la
anchura energtica de la banda prohibida, h = E g , dado que, dentro de cada banda, los electrones se mueven muy rpidamente hacia los niveles ms bajos/altos disponibles en la banda de conduccin/valencia. A este proceso se le denomina recombinacin electron
hueco.
La absorcin de radiacin puede producirse en un rango mucho ms
ancho de frecuencias, denominndose a este proceso generacin de
un par e /h+ .
La recombinacin de portadores ms probable en un semiconductor
que forma una unin p-n se produce cuando electrones y huecos se encuentran en la misma regin espacial. Segn se ver ms adelante, para
densidades de corriente moderadas, la radiacin emitida tiene caractersticas de emisin espontnea y nicamente a partir de cierta intensidad
umbral, IU , se producir emisin estimulada.
Dado que los procesos de emisin y absorcin mediante recombinacin o generacin de pares e /h+ pueden considerarse como procesos de
interaccin luz-materia, para que exista accin lser la cuestin es la siguiente:
Bajo qu condiciones la razn de emisin estimulada
supera a la absorcin en una unin p-n en polarizacin
directa?
Dado que los procesos de interaccin radiacin-semiconductor ocurrirn predominantemente en la regin de transicin, los procesos involucrados se suponen asociados a transiciones entre un grupo de niveles del
borde inferior de la Banda de Conduccin y un grupo de niveles del borde
superior de la Banda de Valencia (ver Figura 8.9).
Debemos considerar que para que exista absorcin estimulada un electrn de BV tras tomar la energa de un fotn incidente transita un estado
energtico en la BC. No obstante, este proceso no slo depende de la existencia de estados energticos en la BC sino tambin de que estos estados
estn vacos, es decir, que no haya otros electrones ocupando ese estado.
As, los procesos de absorcin estarn relacionados con la existencia de
estados llenos en BV y vacos en la BC mientras que los de emisin lo estarn con la existencia de estados llenos en BC y vacos en BV. En concreto,
las probabilidades de emisin y absorcin estimulada estarn relacionadas
con
Apuntes de CF
FLML
151
REGIN DE
TRANSICIN
Niveles
electrnicos
ocupados
BC
tipo n
tipo p
Niveles
electrnicos
vacos
BV
NIVEL LASER
SUPERIOR
Inversin de poblacin
entre estos 2 grupos
de niveles
NIVEL LASER
INFERIOR
F IGURA 8.9: Niveles involucrados en la accin laser de una regin de transicin

de una unin p-n degenerada.
1. la densidad de la radiacin presente, u();
2. la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de conduccin, f c (E ); y
3. la probabilidad de ocupacin de los niveles de la banda de valencia,
f v (E ).
En este sentido se tiene que
Emisin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre los estados superiores llenos y los estados inferiores vacos.
Absorcin estimulada: proporcional al nmero de transiciones posibles entre estados inferiores llenos y estados superiores vacos.
La probabilidad de que un estado con energa E 2 en la Banda de Conduccin est ocupado y que un estado con energa E 1 en la Banda de Valencia est vaco es
f c (E 2 ) 1 f v (E 1 ) o bien f c (1 f v )
y por tanto el ritmo de transiciones de E 2 E 1 ser

R 21 = B 21 u() f c (1 f v ) .
(8.26)
Anlogamente, el ritmo de transiciones de E 1 E 2 vendr dado por

R 12 = B 12 u() f v (1 f c ) .
(8.27)
Para que el ritmo de emisin estimulada supere a la absorcin deber

ocurrir que f c (1 f v ) > f v (1 f c ), que puede expresarse simplemente como
f c (E 2 ) > f v (E 1 ) ,
FLML
(8.28)
Apuntes de CF
152
Tema 8. Unin p-n

esto es, la probabilidad de ocupacin en el nivel de energa E 2 en BC debe
ser mayor que la del estado E 1 en BV (ntese que esto nunca podra ocurrir
en un semiconductor homogneo intrnseco o extrnseco con cualquier
nivel de dopaje ni tampoco en una unin p-n en equilibrio).
Dado que el tiempo de vida medio de los portadores es mucho mayor
que el tiempo en que los electrones/huecos en ambas bandas alcanzan
el equilibrio trmico, se supone que la probabilidad de ocupacin de los
niveles energticos correspondiente a los electrones o huecos inyectados
en la regin de transicin viene descrita por la estadstica de FermiDirac
y por tanto
E1 EF p
E2 EF n
f c1 = 1 + exp
y f v1 = 1 + exp
.
kT
kT
En vista de la anterior expresin, la condicin (8.28) viene dada por
E1 EF p
E2 EF n
exp
< exp
(8.29)
kT
kT
que puede reducirse a
EF n EF p > E2 E1 .
(8.30)
La condicin de inversin de poblacin se da, por tanto, para aquellos niveles E 2 de BC y niveles E 1 de BV que satisfagan la condicin (8.30), esto
es, los niveles de BC por debajo de E F n y los niveles de BV por encima de
E F p . Puesto que E 2 E 1 es necesariamente mayor que la anchura de la banda energtica, E g , podemos concluir finalmente que la condicin para que
exista inversin de poblacin en la regin de transicin de una unin p-n
directamente polarizada es
Condicin para que exista

inversin de poblacin
EF n EF p > E g
(8.31)
De todo lo expuesto anteriormente podemos concluir que la accin

lser requiere :
1. El semiconductor debe estar degenerado (pues de otra manera la diferencia entre los niveles de Fermi de la zona p y la zona n nunca
puede superar la anchura energtica de la banda prohibida).
2. La tensin de polarizacin debe exceder el valor E g /e.
3. El semiconductor debe ser directo (para que las posibles recombinaciones electrnhueco se realicen con la mayor probabilidad de
emisin de fotones).
A pesar de cumplir las condiciones anteriores, una seria limitacin para la accin lser en los semiconductores es la absorcin de portadores
libres. Esto se debe a que la estructura de bandas del semiconductor permite que un electrn de la Banda de Conduccin pueda interactuar con
uno de los fotones emitidos de tal forma que el electrn pase a uno de
Apuntes de CF
FLML
153
los niveles superiores y vacos de dicha banda. Este exceso de energa ser
posteriormente liberado en forma de calor, dndose de esta manera transiciones energticas de valor h que pueden reducir considerablemente la
densidad de emisin estimulada y por tanto dificultar la realimentacin de
la accin lser.
Segn se indic anteriormente, cuando la corriente de alimentacin
del diodo lser es pequea, ste genera emisin espontnea, segn el mismo proceso que la emisin de un LED. Sin embargo, al aumentar la corriente de alimentacin (o anlogamente la tensin de polarizacin hasta
conseguir que se cumpla (8.31)), se alcanza un nivel umbral donde se invierte la poblacin de electrones y comienza la accin lser. Este fenmeno
puede observarse en la Figura 8.10 donde puede verse como por debajo
F IGURA 8.10: Potencia de salida de un lser semiconductor en funcin de la corriente de alimentacin.

de la corriente umbral, la intensidad luminosa proporcionada por el diodo es muy pequea, disipndose la mayor parte de la potencia de entrada
en calor. A partir del umbral de intensidad, aumenta considerablemente la
eficiencia ptica del diodo, aunque debe tenerse en cuenta que si la intensidad umbral es alta, esto significa una considerable prdida de potencia
en calor para mantener la accin lser. Las investigaciones actuales en los
diodos lser van encaminadas a reducir esta corriente umbral y as asegurar funcionamientos muy duraderos a temperatura ambiente.
8.4.3. Estructura del lser semiconductor

La accin lser eficiente requiere el uso de resonadores pticos. En el
caso del diodo lser horizontal y tal como se muestra en la Figura 8.11,
la realimentacin que concentra la emisin estimulada en el plano de la
unin, proviene de los bordes pulidos del cristal semiconductor que actan como espejos debido al alto ndice de refraccin de los semiconductores ( 3 4), que hace que estas caras pulidas reflejen aproximadamente
el 30 % de la luz incidente.
Una de las caractersticas ms determinantes en las propiedades del lser semiconductor es la estructura de las capas adyacentes a la capa activa
FLML
Apuntes de CF
154
Tema 8. Unin p-n
Regin activa
Haz lser
Cara Reflectiva
Regin de
Transicin
Cara de salida
parcialmente
reflectante
Sustrato
F IGURA 8.11: Las regiones reflectantes producen accin lser en el plano de la

unin en un diodo lser
(regin de transicin donde se realiza la accin lser). En los primeros diodos lser, todas las capas estaban construidas sobre la base del mismo material y por tanto se denominan homoestructuras. Posteriores desarrollos
llevaron a la realizacin de lseres semiconductores en los que las capas
adyacentes estaban construidas con distintos materiales, denominndose
heteroestructuras. Algunas caractersticas relevantes de ambas son
Homoestructuras:
No proporcionan un confinamiento ptico ptimo ya que los ndices
de refraccin de las diversas capas eran muy parecidos ver Figura
8.12(a). Esto exiga unas densidades de corrientes umbrales muy alESTRUCTURA
LSER
PERFIL DEL
CONFINAMIENTO
NDICE DE
REFRACCIN
P-GaAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAs
Lser de Homounin
Heterouniones
P-GaAlAs
GaAs
Capa Activa
N-GaAlAs
N-GaAs
Lser de Doble Heterounin

F IGURA 8.12: Lser de homounin y heterounin, sealando el perfil del ndice
de refraccin y el confinamiento luminoso.
Apuntes de CF
FLML
155
tas, IU /cm2 50000 A/cm2 que causaban muchas prdidas por calor (lo cual exiga trabajar a temperaturas de Helio lquido, T 77 K)
y una corta vida media de los dispositivos.
Heteroestructuras:
Las capas presentan distintos ndices de refraccin de forma que esto crea un efecto gua de onda (similar al de la fibra ptica) que confina la luz en la capa activa, segn se muestra en la Figura 8.12(b). Adems, si las capas adyacentes poseen bandas energticas prohibidas
de mayor anchura se reducir sustancialmente la absorcin por portadores libres. Este tipo de lseres puede ya funcionar en modo continuo a temperatura ambiente al ser IU /cm2 2000 4000 A/cm2 ,
IU 1, 2A.
El esquema con el que se realizan actualmente la mayora de los diodos lser comerciales consiste en una modificacin de la heteroestructura anterior que se muestra en la Figura 8.13. Esta estructura
proporciona confinamiento lateral para la luz, lo que reduce la corriente umbral hasta IU 60mA. Usando esta estructura, es posible
fabricar sobre el mismo sustrato semiconductor, muchos lseres en
paralelo y as conseguir potencias de hasta 10 vatios en modo continuo.
Contacto
p-Ga1-xAlxAs
Aislante
GaAs
Regin activa
0.2mm
n-Ga1-zAlzAs
n-Ga1-yAlyAs
3mm
Contacto
Sustrato
n-GaAs
F IGURA 8.13: Heteroestructura tpica de los lseres semiconductores comerciales actuales.
Pozos cunticos
Un tipo de confinamiento distinto basado en fenmenos cunticos se
ha conseguido mediante el uso de capas de material muy finas ( 10 nm)
que se comportan respecto a los electrones como un pozo cuntico. La
idea bsica del pozo cuntico se consigue al intercalar una capa muy fina con una banda prohibida de anchura pequea entre capas gruesas con
anchuras de banda prohibida mayores. Los electrones que pasan por esta
configuracin de bandas pueden ser capturados en el pozo cuntico. Estos electrones capturados tienen suficiente energa para permanecer en
la Banda de Conduccin del material que forma la fina capa de pequea
FLML
Apuntes de CF
156
Tema 8. Unin p-n

anchura de banda prohibida, pero no para entrar en la capa de mayor anchura de banda prohibida.
Si los pozos cunticos se colocan en una unin p-n de un diodo lser,
permiten concentrar en capas muy finas los electrones y huecos, consiguiendo una eficaz recombinacin de stos que disminuye considerablemente la intensidad umbral. Adems, dado que las capas de confinamiento tienen diferentes ndices de refraccin, tambin posibilitan el confinamiento de luz.
Longitud de onda
En general, los medios activos de los diodos lser presentan altas ganancias, de forma que no se requieren muchas oscilaciones en la cavidad
resonante para producir accin lser. Dado que tpicamente la regin que
acta de cavidad tiene una longitud de 300500m, los modos resonantes de esta cavidad estn ms separados que en otros lseres (cuyas cavidades resonantes son al menos de 1030 cm) y como resultado, la mayora
de los diodos lser normalmente oscilan a una sola frecuencia al mismo
tiempo. No obstante, debido a que la anchura de la curva de ganancia es
grande, el diodo lser puede emitir distintas longitudes de onda (saltando
de una resonante a otra) dando lugar a un funcionamiento bastante inestable. Este fenmeno puede solucionarse mediante el uso de dispositivos
aadidos de sintonizacin y estabilizacin.
Divergencia del haz

Otra caracterstica importante del diodo lser es la inusual divergencia
del haz emitido. La geometra de la pequea cavidad junto con la minscula rea de emisin (generalmente una pequea rendija del orden de los
m2 ) se combinan para producir un haz no circular que se dispersa muy
rpidamente, tpicamente del orden de 40 grados. Se encuentra por tanto
que los rayos de un diodo lser divergen ms rpidamente que los de una
buena lmpara de flash. Afortunadamente, el uso de una ptica adecuada
permite una buena focalizacin del haz y as, por ejemplo, los diodos lser
se usan como fuente de luz de los punteros lser.
Modulacin
Segn puede observarse en la Figura 8.10, la salida ptica del diodo
lser depende linealmente de la corriente que circula a travs de ste. Esta simple dependencia lineal hace que la modulacin del haz pueda conseguirse modulando directamente la corriente de alimentacin, constituyendo este hecho una de las principales ventajas de los lseres de inyeccin. Dado que la respuesta de la salida ptica a las variaciones de la corriente de alimentacin es muy rpida, se consiguen anchuras de banda
Apuntes de CF
FLML
8.5. Aplicaciones del Lser
157
tpicas en la modulacin del orden de los Gigahertzios.

Las posibles aplicaciones del lser pueden dividirse en varias categoras. Una de las ms usuales consiste en distinguir la accin de los lseres
de baja potencia de aquellos de alta potencia. En la presente seccin se expondrn nicamente algunas de las aplicaciones de los lseres de baja potencia. Generalmente, se denomina baja potencia a cantidades menores
que un watio, bajo la suposicin de que el haz lser no afecta destructivamente a los objetos que ilumina. Es interesante sealar que en muchas de
las posibles aplicaciones de lser, ste se emplea bsicamente como una
bombilla de muy alta eficacia. Algunas de las caractersticas diferenciadoras de los lseres de baja potencia respecto a otras posibles fuentes de luz
son:
Lseres producen luz bien controlada que puede ser focalizada con
precisin sobre una minscula regin de un objeto. Este hecho tiene multitud de aplicaciones, por ejemplo en contadores, lectores de
cdigos de barras, lectores de CD, discos magnetopticos, etc..
Al focalizarse la luz sobre una pequea regin, se pueden conseguir
altas densidades de potencia, que pueden usarse para un calentamiento selectivo de pequeas regiones.
Debido a la alta directividad de los rayos lser, stos pueden definir
lneas rectas. Esta propiedad se usa para el diseo de posicionadores
y punteros.
La luz lser posee normalmente un estrecho rango de longitudes de
onda, siendo este hecho altamente aprovechado en espectroscopa.
La alta coherencia que presentan muchos lseres es aprovechada para la holografa y fundamentalmente para metrologa.
Los lseres pueden generar pulsos extremadamente cortos, siendo
esto muy til para la transmisin de datos.
Lseres de He-Ne y de inyeccin producen potencias muy constantes en modo continuo durante miles de horas de uso.
Los diodos lser son muy compactos y baratos.
Dado que los diodos lser puedes ser modulados directamente a altas velocidades mediante cambios en la corriente de alimentacin,
son muy usados en la transmisin de datos.
FLML
Apuntes de CF
158
Tema 8. Unin p-n
8.5.1. Aplicaciones del Lser de Inyeccin

Debido a las peculiaridades del lser de inyeccin (tamao reducido,
bajo coste, modulacin directa...), ste se ha convertido con diferencia en
el lser ms popular, siendo actualmente usado en millones de lectores de
discos pticos (en equipos de msica, computadores..) y en la mayora de
los sistemas de alimentacin de fibras pticas para transmisin de datos.
Discos pticos; Lectura de datos para computadores

El funcionamiento bsico de lectura de un CDROM se muestra en la
Figura 8.14, donde puede verse como la luz de un diodo lser es focalizada
Cabeza lectora
(muy ampliada con
respecto al disco)
Detector
Luz reflejada
Slida elctrica hacia

los decodificadores
electrnicos
Diodo Lser
Divisor del haz
Bits de datos
Disco ptico
Lente de
focalizacin
Luz enfocada sobre
la marca que se lee
F IGURA 8.14: Sistema de lectura de un CD-ROM.

sobre una diminuta regin de un disco que gira rpidamente. La superficie
del disco est cubierta con minsculas partculas, con diferente reflectividad que el fondo del disco, de acuerdo a un cierto patrn de bits de datos.
La luz lser reflejada por el disco es enfocada sobre un detector que genera una seal elctrica en forma de una serie de pulsos correspondientes al
patron de datos registrado en el disco.
Debido a que el haz del diodo lser puede ser enfocado sobre una regin que cubre aproximadamente un dimetro de una longitud de onda,
esto significa que el uso de diodos lser de = 780 nm permite que cada
una de las marcas del disco debe cubrir aproximadamente 1 m2 . De este
modo, un CD-ROM de 12 cm de dimetro permite almacenar 600 MBytes, incrementndose considerablemente la densidad de almacenamiento
de datos con respecto a los anteriores discos magnticos. La focalizacin
a distinta profundidad permite igualmente el uso de discos pticos multicapas, dando as lugar a un incremento adicional muy importante de la
Apuntes de CF
FLML
159
cantidad de informacin que se puede almacenar.

Dado que los diodos lser son muy pequeos y pueden ser montados
en la cabeza lectora, esto permite un acceso a la informacin muy rpido
(si se dispone de un software de control adecuado) con independencia de
donde est localizada en el disco. Por otra parte, los diodos lser requieren
poca potencia para su funcionamiento, siendo adems esta potencia del
mismo orden que la que se usa en los dispositivos electrnicos, aumentando as la compatibilidad entre la parte electrnica y la ptica.
Discos magneto-pticos; Almacenamiento y Lectura de datos para computadores
El mayor inconveniente de los CD-ROM proviene de su carcter de memoria de slo lectura. Las intensas investigaciones realizadas para conseguir discos de alta densidad de almacenamiento de datos y con posibilidad
de ser regrabados por el usuario han resultado en el desarrollo del disco
magneto-ptico. La diferencia fundamental de este disco con respecto al
CD-ROM consiste en una cubierta de un material parcialmente transparente con propiedades ferrimagnticas. Este material manifiesta una magnetizacin neta a temperatura ambiente que puede ser modificada por encima de cierta temperatura (temperatura de Neel) cuando est en la fase
paramagntica. Tal como se muestra en la Figura 8.15, el aumento de temperatura local de una pequea regin del disco se consigue mediante el
Diodo Lser
Lente de
focalizacin
Area del disco calentada
para poder magnetizarla
Haz que calienta la

cubierta del disco
Campo magnetizante
sobre el rea caliente
Electroimn
F IGURA 8.15: Esquema de grabacin de un disco magnetoptico.
haz focalizado de un diodo lser. Una vez que se ha alcanzado la temperatura adecuada, la pequea regin es magnetizada en la direccin impuesta
por un electroimn. Ntese que la grabacin de datos es puramente magntica, pero debido a que la magnetizacin se realiza en direccin normal
al disco y que se pueden magnetizar regiones muy localizadas, se consiguen unas densidades de almacenamiento de datos muy altas.
La lectura del disco magneto-ptico se realiza mediante un procedimiento similar al del CD-ROM, aunque en este caso se usa el hecho de que
FLML
Apuntes de CF
160
Tema 8. Unin p-n

la refraccin de un haz polarizado en un material magnetizado produce un
haz reflejado cuya polarizacin sufre una variacin que depende de la direccin de magnetizacin del material refractante. Detectando, por tanto,
los estados de polarizacin del haz reflejado por la cubierta magnetizada
del disco y registrando estos estados en pulsos elctricos se consigue recobrar el patrn de datos grabado previamente de forma magntica.
Comunicaciones por fibra ptica

Actualmente las fibras pticas se han convertido en el soporte fsico
dominante en las telecomunicaciones de larga distancia punto a punto.
Los LEDs pueden excitar los sistemas de fibra ptica cuando la transmisin
se realiza a corta distancia (por ejemplo: en un mismo edificio) pero se
necesitan fuentes ms monocromticas para las comunicaciones de larga
distancia, usndose para este cometido como fuentes estndar los diodos
lser, debido a
Diodo lser emite en un rea de unos pocos m2 ; lo cual es ideal para
acoplarse bien con el diminuto ncleo de la fibra ptica ( 10m)
Es muy compacto y opera con los mismos niveles de tensin e intensidad que los dispositivos electrnicos convencionales.
El esquema bsico de transmisin se muestra en la Figura 8.16. La se(Larga distancia)
CABLE DE
FIBRA PTICA
Luz guiada
por fibra
Seal de
pulsos de
entrada
Corriente de
alimentacin
TRANSMISOR
DIODO
LSER
Seal
elctrica
DETECTOR
Seal de
pulsos de
salida
ELECTRNICA DE
DECODIFICACIN
F IGURA 8.16: Sistema de fibra ptica para larga distancia

al que alcanza el transmisor genera una corriente que pasa a travs de un
lser semiconductor. La seal es una serie de pulsos elctricos que genera
una correspondiente serie de pulsos luminosos en el diodo lser. El lser
emite los pulsos directamente al ncleo de la fibra ptica, siendo transmitida por sta (hasta 104 km) a un receptor lejano. All, un detector de luz
convierte los pulsos luminosos en pulsos elctricos.
Apuntes de CF
FLML
161

8.1: Una unin p-n abrupta presenta N A = 1017 cm3 en el lado p y Nd = 1016 cm3 en el
lado n. A 300 K, (a) calcule los niveles de Fermi, dibuje el diagrama de bandas en equilibrio
y halle V0 a partir del anterior diagrama; (b) Compare el resultado anterior con el que proporciona la expresin (8.2); (c) Calcule la anchura de la regin de carga espacial y el valor
del campo elctrico en esta regin.
8.2: Compare los valores del potencial de contacto del problema anterior para el Si con los
que se obtendran en uniones hechas en Ge y GaAs con los mismos niveles de dopaje.
8.3: La corriente a travs de una unin p-n a 300 K es 0.01 A para una polarizacin inversa
de 10 V. Calcule el valor de la corriente a travs de la unin para polarizaciones directas de
(a) 0.1 V, (b) 0.3 V, y (c) 0.5 V.
8.4: Teniendo en cuenta que la corriente de saturacin inversa debe ser lo ms pequea posible en una unin p-n ideal qu material es ms adecuado para la fabricacin de
uniones p-n?. E g (Si) = 1,1 eV.
8.5: La corriente de saturacin inversa para una unin p-n es I 0 = 5 109 A. Para una
polarizacin directa de 0.45 V, (a) calcule la corriente a travs de la unin a T = 27o C; (b) si
el voltaje a travs de la unin se supone constante e I 0 no cambia con la temperatura, cul
es la corriente a travs de la unin a T = 47o C?.
Sol. (a): 0.18 A, (b) 0.06 A.
8.6: Una unin p+ -n en Si est dopada con Nd = 1016 cm3 , siendo D p = 10 cm2 /s, p =
0,1 m y el rea de la unin S = 104 cm2 . Calcule la corriente de saturacin inversa y la
corriente directa cuando V = 0,6 V.
FLML
Apuntes de CF
Apndice A
Constantes fundamentales
Constante de Planck:
h=
6,626 1034 Js
4,136 1015 eVs
Velocidad de la luz:
c=
2,998 108 m/s
me =
9,109 1031 kg
Masa del electrn:
e=
Carga del electrn (sin signo):
1,602 1019 C
Masa del protn:
mp =
1,673 1027 kg
Nmero de Avogadro:
NA =
6,022 1023 partculas/mol
Constante de Boltzmann:
kB =
163
1,381 1023 J/K

8,620 105 eV/K
Apndice B
Energa y longitud de onda de

una partcula relativista
La expresin de la energa, E , de una partcula libre proporcionada por
la Relatividad Especial es
E 2 = m 02 c 4 + p 2 c 2 ,
(B.1)
donde m 0 es la masa en reposo de la partcula material, c la velocidad de la

luz y p el mdulo de su momento lineal.
La energa de la partcula libre puede tambin expresarse como la suma de su energa cintica, E c , ms su energa en reposo, m 0 c 2 , esto es,
E = E c + m0 c 2 .
(B.2)
Operando en (B.1) y teniendo en cuenta (B.2), tenemos que

p 2 c 2 = E 2 m 02 c 4 = (E m 0 c 2 )(E + m 0 c 2 ) = E c (E c + 2m 0 c 2 )
Ec
= 2m 0 c 2 E c 1 +
,
2m 0 c 2
(B.3)
de donde obtenemos la siguiente expresin para el momento lineal:

p=
p
2m 0 E c 1 +
Ec
2m 0 c 2
1/2
(B.4)
Teniendo ahora en cuenta la expresin (1.28) que relaciona el mdulo del

momento lineal con la longitud de onda, , asociada a la onda piloto de la
partcula, encontramos que esta puede expresarse como
=
h
p
2m 0 E c 1 +
Ec
2m 0 c 2
1/2 .
(B.5)
En el caso de que la energa cintica de la partcula sea mucho menor

que su energa en reposo,
E c m0 c 2 ;
165
166
Apndice B. Energa y longitud de onda de una partcula relativista

es decir, si la velocidad de la partcula, v, es mucho menor que la velocidad
de la luz (v 2 c 2 ), entonces la masa de la partcula puede igualarse a su
masa en reposo,
m m0 ,
y las expresiones (B.4) y (B.5) pueden simplificarse en
p=
p
2mE c = mv .
(B.6)
y
h
.
= p
2mE c
Apuntes de CF
(B.7)
FLML
Apndice C
Promedios estadsticos
C.1. Sistemas Discretos

Sea un sistema discreto compuesto de NTotal = 18 alumnos. Supngase
que la distribucin de notas ha sido la siguiente: un alumno ha obtenido
un uno, N1 = 1, un alumno ha obtenido un dos, N2 = 1, N3 = 2, N4 = 0,
N5 = 4, N6 = 2, N7 = 3, N8 = 1, N9 = 4, N10 = 0. Cada Ni puede reinterpretarse como una medida de la probabilidad de que un alumno de este
colectivo obtenga una determinada nota. Una representacin grfica de
esta distribucin se representa a continuacin
Nmero de Alumnos (Ni)
0
0
10
Calificacin (C)
P
Dado que 10
i =1 Ni = NTotal , la probabilidad de obtener una determinada nota vendr dada por
ni =
Ni
,
NTotal
(C.1)
P
obtenindose obviamente que 10
i =1 n i = 1. La funcin distribucin del sistema puede identificarse con n i .
167
168
Apndice C. Promedios estadsticos

El valor de la calificacin promedio, C , de las notas obtenidas por el
colectivo de alumnos se obtiene mediante
P10
10
X
i =1 Ni C i
C = P
=
ni C i .
(C.2)
10
i =1
i =1 Ni
Anlogamente, el valor promedio de cualquier magnitud (F (C i )) que dependa de las calificaciones se obtendr como
F =
10
X
n i F (C i ) .
(C.3)
i =1
C.2. Sistemas Continuos

Las discusiones anteriores para casos discretos pueden fcilmente extenderse a sistemas continuos, para ello debe notarse que el papel jugado
por la suma ser ahora asumido por el proceso de integracin,
Z
X
dx .
Por tanto, partiendo de una determinada funcin de distribucin, (x), debe cumplirse que
La probabilidad de que el sistema tome alguno de los valores x debe
ser igual a la unidad:
Z
(x) dx = 1 .
El valor promedio de la variable x se calcular como

Z
x = x(x) dx .
(C.4)
(C.5)
El valor promedio de una funcin de x, por ejemplo f (x), puede obtenerse a partir de la funcin distribucin como
Z
(C.6)
f (x) = f (x)(x) dx .
Apuntes de CF
FLML
Apndice D
Propiedades de algunos
materiales semiconductores
Para el silicio (Si), germanio (Ge) y arsenuro de galio (GaAs) a
T = 300 K, encontramos que
Si
Ge
GaAs
Eg
(eV)
m e /m e
m h /m e
n
(cm2 /Vs)
p
(cm2 /Vs)
1.11
0.67
1.43
1.1
0.55
0.067
0.56
0.37
048
1350
3900
8500
480
1900
400
Densidad efectiva de estados para Si en BC

NC = 4,39 1024 m3
Densidad efectiva de estados para Si en BV
NV = 5,95 1024 m3
169
Apndice E
Invarianza del nivel de Fermi

en equilibrio
La invarianza del nivel de Fermi en equilibrio trmico podra explicarse a partir de la igualacin del trabajo de extraccin de dos metales cuando
stos se unen perfectamente. No obstante, desde un punto de vista ms riguroso, podemos recurrir al hecho de que, en equilibrio trmico, NO existe
una corriente neta de carga en un material formado por la unin perfecta de dos materiales 1 y 2 con densidades de estado y probabilidades de
ocupacin g 1 (E ), f 1 (E ) y g 2 (E ), f 2 (E ) respectivamente. Para cualquier nivel
de energa, la velocidad de transferencia de electrones de 1 2 ser proporcional al nmero de estados ocupados en 1 por el nmero de estados
vacos en 2, es decir,
1 2 g 1 f 1 g 2 (1 f 2 )
(E.1)
y, anlogamente,
2 1 g 2 f 2 g 1 (1 f 1 ) .
(E.2)
En equilibrio y para que no haya corriente neta debe cumplirse que el nmero de electrones por unidad de tiempo que pasan de 1 2 sea el mismo
que aquel que pase de 2 1, lo que implica que
g 1 f 1 g 2 (1 f 2 ) = g 2 f 2 g 1 (1 f 1 ) .
(E.3)
Reagrupando trminos llegamos a que

g1 f1 g2 g1 f1 g2 f2 = g2 f2 g1 g2 f2 g1 f1 ,
(E.4)
y dado que g 1 6= g 2 (puesto que estas magnitudes dependen directamente

de las caractersticas de los metales), la igualdad anterior exige que
f 1 (E ) = f 2 (E ) ,
(E.5)
E E F 1 1
E E F 2 1
1 + exp
= 1 + exp
.
kB T
kB T
(E.6)
y por tanto
171
172
Apndice E. Invarianza del nivel de Fermi en equilibrio

Para que se satisfaga la igualdad anterior para cualquier valor de energa,
E , debe ocurrir que
EF 1 = EF 2 ,
lo que implica que no existe ninguna discontinuidad en el nivel de Fermi
en equilibrio. De forma ms general, esta propiedad puede establecerse
como la inexistencia de gradiente en el nivel de Fermi en equilibrio,
dE F
=0 .
dx
Apuntes de CF
(E.7)
FLML

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Apuntes de apoyo a la asignatura

Francisco L. Mesa Ledesma

DESIGN SCIENCE LICENSE

1.2. Cuantizacin de la radiacin . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.2.1. Espectros pticos

1.2.2. Efecto fotoelctrico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.3. Dualidad de la radiacin

1.4. Modelo atmico de Bohr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5. Dualidad de la materia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.1. Hiptesis de De Broglie . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.2. Verificacin experimental . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.5.3. Naturaleza de la onda . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6. Principio de Heisenberg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

1.6.1. Principio de incertidumbre

1.6.2. Principio de incertidumbre energa-tiempo . . . . . .

1.7. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2. Ecuacin de Schrdinger. Aplicaciones

2.1. Ecuacin de Schrdinger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2. Partcula ligada. Cuantizacin . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2.1. Partcula Libre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.2.2. Pozo potencial infinito monodimensional . . . . . . .

2.2.3. Pozo de potencial tridimensional . . . . . . . . . . . .

2.3. Efecto tnel . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4. tomos hidrogenoides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4.1. Nmeros cunticos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.4.2. Spin del electrn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.5. Tabla peridica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

2.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.1. Estados de Agregacin de la Materia . . . . . . . . . . . . . . .

3.2.1. Derivacin de la ley de los gases ideales . . . . . . . . .

3.2.2. Anlisis estadstico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.4. Estructuras reticulares . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.4.1. Redes de Bravais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

3.4.2. Parmetros de la estructura reticular . . . . . . . . . .

3.5. Observacin de las estructuras cristalinas . . . . . . . . . . .

3.6. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4. Electrones libres en metales

4.2. Modelo clsico del electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2.1. Hiptesis bsicas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.2.2. Dependencia con la temperatura . . . . . . . . . . . .

4.2.3. Fallos del modelo de Drude . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3. Modelo cuntico del electrn libre . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.1. Funcin densidad de estados . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.2. Distribucin de Fermi-Dirac . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.3. Conduccin elctrica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4.3.4. Fallos del modelo de Sommerfeld . . . . . . . . . . . .

4.4. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5. Electrones en una red peridica

5.1.1. Aproximacin de fuerte enlace . . . . . . . . . . . . . .

5.1.2. Bandas de energa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.2. Aislantes, Semiconductores y Conductores . . . . . . . . . .

5.3. Masa efectiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5.5. Problemas propuestos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6. Bandas de Energa en Semiconductores

6.2. Generacin y recombinacin de electrones y huecos . . . . .

6.3. Semiconductores Intrnsecos . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.3.1. Descripcin cualitativa . . . . . . . . . . . . . . . . . .

6.3.2. Probabilidad de ocupacin de electrones y huecos . .

6.3.3. Posicin del nivel de Fermi para semiconductores

6.3.4. Funcin densidad de estados para electrones y huecos

6.3.5. Distribucin energtica de huecos y electrones . . . . 100

7.1. Introduccin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109

7.7.2. Inyeccin constante de portadores . . . . . . . . . . . 130