Planarna tehnologija se sastoji iz niza uzastopnih procesa, od kojih e biti opisane sljedee:

a) priprema silicijumske ploice;

b) epitaksijalni rast;
c) oksidacija;
d) izrada fotomaski;
e) fotolitografija
f) difuzija
g) izrada elektrinih veza

1.1. PRIPREMA SILICIJUMSKE PLOICE

Prvo moramo da dobijemo isti silicij a on se dobije iz legure silicija i gvodja tj. ferosilicij. A
da bi dobili ferosilicijpotrebno je u specijalnim pecima izvrsiti zagrijavanje gvodja i silicija.
A na ferosilicij djeluje hloridna kiselina (HCL). Za ist silicij potrebno je jos izvrsiti zonsko
preciscavanje. Silicij ploca se koristi kao osnovni materijal za dobivanje inegrisssanih kola, a
da bi bili upotrebljena treba da bude mono kristal. Za taj proces potrebno je izvrsiti
kristalizaciju i dodavanje atoma primjesa.

1.2. EPITAKSIJALNI RAST

Epitaksijalni rast je postupak kada se na mono kristalnu plocicu nanese novi sloj
poluprovodnik suprotnog ipa epitaksijalnog rasta debljina mono kristala postaje za 10%
veca.

1.3. OKSIDACIJA
Oksidacijom povrsine silicija se dobija se tanak slojnsilicij-dioksid(SiO2) i ima odlicne
mehanicke i elektricne osobine. Termicka oksidacija se vrsi u posebnoj peci sa visokim
temperaturama gdje je povrsina diska izlozena djelovanju kisika..

1.4. IZRADA FOTOMASKI

Fotomaske za planarnu tehnologiju su, ustvari, fotonegativi koji se koriste za fotolitografsko
dobijanje oksidnih maski na ploici silicijuma.

1.5. FOTOLITOGRAFIJA
Fotolitografija je selektivno nagrizanje ili metala ili dielektrika.

1.6. DIFUZIJA
Difuzijom se dobivaju PN spojevi od njih zavisi i osnovne karakteristike elemenata
integralnih kola.

1.7. IZRADA ELEKTRINIH VEZA

Ovim procesom se ostavruje pojedine veze izmedju elemenata integrisanog kola. Da bi ovo
ostvarili moraju se koristiti nove maske da bi se napravili novi otvori u sloju oksida. Na ovaj
nacin se ostvaruje potrebni kontakti izmedju elemenata integralnog kola.