TONKO KOVAEVI

ELEKTRONIKI ELEMENTI
Nastavni materijal

SVEUILITE U SPLITU
SVEUILINI STUDIJSKI CENTAR
ZA STRUNE STUDIJE
Split, 2010

PREDGOVOR
Nastavni materijal iz podruja Elektronikih elemenata napisan je za studente Elektronike i
Elektroenergetike Sveuilinog studijskog centra za strune studije Sveuilita u Splitu.
Nastavnim materijalom je obuhvaen vei dio tematskih cjelina potrebnih za savladavanje
gradiva iz predmeta Elektroniki elementi (6 ECTS).

Sadraj
1.

POLUVODII .........................................................................................................................1

2.

ELEKTRONIKI ELEMENTI .............................................................................................14

2.1.

POLUVODIKA DIODA ............................................................................................14

Poluvalni ispravlja ...............................................................................................................15

Punovalni ispravlja ..............................................................................................................17
Diodni ograniavai ...............................................................................................................18
Zadatak 2.1. .......................................................................................................................20
Zadatak 2. ..........................................................................................................................20
Zadatak 3. ..........................................................................................................................21
Zadatak 4. ..........................................................................................................................21
2.2.

ZENER DIODA ............................................................................................................24

Zadatak 1 ...........................................................................................................................25
Zadatak 2 ...........................................................................................................................26

2.3.

LED DIODA .................................................................................................................28

Ostali Opto-elektroniki elementi .........................................................................................28

2.4.

Kapacitivna dioda ..........................................................................................................30

Zadatak 1 ...........................................................................................................................32

VJEBA 5. KAPACITIVNA DIODA .................................. Error! Bookmark not defined.

2.5.

BIPOLARNI TRANZISTOR ........................................................................................34

Ogranienja u radu tranzistora ...............................................................................................39

Nadomjesni modeli bipolarnoga tranzistora ..........................................................................40
Nadomjesni -hibridni sklop tranzistora ...........................................................................41
Ebers-Mollov model ..........................................................................................................42
Tranzistor kao sklopka...........................................................................................................45
2.6.

UNIPOLARNI TRANZISTOR .....................................................................................49

JFET ......................................................................................................................................49
MOSFET ...............................................................................................................................51
VFET i VMOS ......................................................................................................................53
CMOS ....................................................................................................................................53
Projektiranje mikro-elektronikih sklopova ......................................................................54
Nadomjesni modeli unipolarnih tranzistora ..........................................................................57
Unipolarni tranzistor kao sklopka..........................................................................................58
Sklopka s MOSFET-om ....................................................................................................58
CMOS sklopka ..................................................................................................................58
c

Budui razvoj i druge tehnologije......................................................................................... 59

2.7.

JEDNOSPOJNI TRANZISTOR ................................................................................... 62

2.8.

TIRISTORI ................................................................................................................... 64
Primjer regulacije struje pomou SCR-a .......................................................................... 67

3.

OZNAAVANJE I ISPITIVANJE POLUVODIA ........................................................... 69

4.

PRILOG tehniki podaci ................................................................................................... 72

5.

PRILOG osciloskopi .......................................................................................................... 80

5.1.

6.

Kratke upute za uporabu osciloskopa u laboratoriju 1 ................................................. 80

LITERATURA ..................................................................................................................... 87

1.

POLUVODII

vrsta tijela
Materijali u vrstome stanju mogu biti amorfni ili kristalni. Nepravilan raspored atoma ili grupa
atoma karakterizira amorfna vrsta tijela. Karakteristika kristalnih vrstih tijela je pravilan raspored
atoma ili molekula od kojih su nainjena. Nadalje kristalna vrsta tijela moemo podijeliti na
polikristale i monokristale. Kod polikristala, pravilan poredak protee se na manje dijelove
vrstoga tijela. Monokristali su karakterizirani pravilnim ponavljanjem osnovnoga geometrijskog
oblika (jedinine elije). Postoji vie mogunosti promatranja i klasifikacije kristalnih vrstih tijela.
Ona se mogu promatrati sa stanovita geometrijskoga oblika osnovnih elija od kojih je vrsto tijelo
nastalo, mogue ih je klasificirati prema njihovim fizikalnim svojstvima, kao to su temperaturna,
optika, magnetska, elektrina i druga svojstva. Elektroni u vanjskoj ljusci atoma (valentni elektroni)
bitni su za sva ova svojstava kao i za karakter sila koje dre atome kristala na okupu. Prema
karakteru sila koje dre atome kristala na okupu (sile kristalnih veza) mogue je vrsta tijela
podijeliti na: ionske, metalne, kovalentne i molekularne kristale.
Svojstvo ionskih kristala je da pojedini elektroni vanjske ljuske jednoga elementa prelaze na atome
drugoga elementa, na tako da oba tvore zatvorene ljuske. Primjer takvoga kristala je NaCl (natrijev
klorid).
Natrij, koji ima jedan valentan elektron, predaje ga kloru, to znai da svaki atom ima za sebe
popunjene ljuske i oba atoma se ioniziraju (Na+Cl). Sila kristalne veze je elektrostatske prirode i
rezultat je ionizacije. Ovi kristali vrlo slabo vode struju pogotovo na niim temperaturama.
Za metalne kristale karakteristino je to to su ioni kristalne reetke nastali otputanjem valentnih
elektrona. Ti elektroni nisu vezani za svoje matine atome i kreu se slobodno kroz itav kristal.
Slobodni elektroni su uzrok velike specifine vodljivosti metalnih kristala. Sile kristalnih veza
izmeu iona kristalne reetke, elektrostatske su prirode i ostvaruju ih slobodni elektroni.
U molekularnim kristalima postoje prepoznatljive molekule u kristalnoj strukturi. Sile kristalnih
veza mogu se objasniti pomou van der Waalsove sile (nisu kovalentne interakcije). Kao primjer
ovakvih kristala mogao bi posluiti eer koji ima nisko talite.
Kod kovalentnih kristala, sile kristalne veze ostvaruju se dijeljenjem valentnih elektrona izmeu
susjednih atoma. Primjer takve veze je dijamantna struktura. Dijamant (ugljik) je etverovalentan,
slika 1.1.

Slika 1.1. Kristalna reetka dijamanta

Svaki atom dijeli svoja etiri valentna elektrona sa etiri susjedna atoma, udruujui ih u parove.
Privlanu silu izmeu dvaju susjednih atoma ostvaruje par elektrona smjeten na krajevima duine,
ime se simbolizira veza izmeu susjednih atoma, to znai da se oko svakoga atoma formiraju
etiri valentne veze. Na isti nain kristaliziraju se etverovalentni elementi silicij (Si) i germanij
(Ge), koji su od najveeg interesa u poluvodikoj elektronici.
1

Ovaj nain veze ostvaruje se takoer i kod nekih kristala sloenih od dvaju elemenata, od kojih je
jedan trovalentan, a drugi peterovalentan. Takvi kristali su galijev-arsenid (GaAs) i indijevantimonid (In-Sb). Sile kristalnih veza su opet elektrostatske prirode, ali se ne mogu objasniti
klasinom Coulombovom silom, ve valnom prirodom elektrona. Udruivanje valentnih elektrona u
kovalentne veze ima za posljedicu da kovalentni kristali slabo vode struju, a na temperaturi
apsolutne nule uope ne vode.
Od fizikalnih svojstava vrstih tijela u elektrotehnici, najvanija su njihova elektrina svojstva.
Prema iznosu specifinoga otpora, vrsta tijela dijele se na: vodie, poluvodie i izolatore (tablica
1.1).
Tablica 1.1 Podjela vrstih tijela prema specifinome otporu
vrsta tijela
Vodii
Poluvodii
Izolatori

Specifini otpor [cm]

< 103
103 < < 106
> 106

Specifini otpor poluvodia opada porastom temperature, ali unutar odreenoga intervala
temperaturne skale moe i rasti. Navedene vrijednosti specifinoga otpora odnose se na sobnu
temperaturu.
Granice su u odreenoj mjeri proizvoljne, time da je mnogo jaa indikacija o vrsti vrstoga tijela temperaturna ovisnost specifinoga otpora, iako ni ona nije jednoznana.
Podjelu vrstih tijela na vodie, poluvodie i izolatore mogue je uglavnom napraviti na osnovi
vrste sila kristalne veze. Za najvei broj vodia tipini su metalni kristali, a za poluvodie i izolatore
ionski i kovalentni kristali. U ionskim kristalima vodljivost, naroito na viim temperaturama, moe
biti izazvana i gibanjem iona kroz kristal.
Kao to je iz fizike poznato diskretne energetske razine (koje karakteriziraju atome) odreuju
dozvoljene energije elektrona u atomu. One prerastaju u pojaseve energija kada se atomi
pojedinoga elementa udrue u kristal. U pravilu, iz svake diskretne energetske razine pojedinanoga
atoma, nastaje jedan pojas energija kristala. Pojasevi dozvoljenih energija obino su meusobno
odijeljeni intervalima ili pojasevima energija koje elektroni ne mogu imati, tzv. pojasevima
zabranjenih energija. Najvii energetski pojasevi mogu se, meutim, i preklapati.
O obliku energetskih pojaseva kristala koji potjeu od valentnih elektrona ovisit e je li pojedino
vrsto tijelo metal, poluvodi ili izolator. Nii energetski pojasevi, nastali iz diskretnih razina
elektrona koji tvore popunjene ljuske, bez znaenja su za elektrina svojstva vrstih tijela, pa se
ovdje nee niti razmatrati.
Za poluvodie i izolatore, kada nemaju primjesa i kada je itav kristal bez strukturnih defekata,
dijagram energetskih pojaseva poprima oblik prikazan na slici 1.2.
E(eV)

Vodljivi pojas
Zabranjeni pojas

EG C

EV

Valentni pojas
Slika 1.2 Dijagram energetskih pojaseva poluvodia ili izolatora
Energetski pojasevi koji pripadaju elektronima popunjenih ljusaka nisu prikazani. Valentni pojas je
na apsolutnoj nuli kompletno popunjen, a odijeljen je od vodljivoga pojasa, koji je na apsolutnoj
nuli prazan, pojasom zabranjenih energija irine EG, unutar kojega elektroni ne mogu egzistirati.
Postojanje pojasa zabranjenih energija izmeu jednoga, na apsolutnoj nuli popunjenog, i drugoga
2

koji je dozvoljen, ali na apsolutnoj nuli praznoga, ima za posljedicu da kroz takav kristal na
apsolutnoj nuli uope ne moe protjecati struja. To je posljedica Paulijevog principa. Taj osnovni
princip izrie tvrdnju da u jednome kristalu isto stanje gibanja, karakterizirano trima komponentama
brzine elektrona, moe imati samo jedan elektron, odnosno dva elektrona ukoliko se uzme u obzir i
njihov spin. U popunjenome pojasu, sva dozvoljena energetska stanja stvarno su i zastupljena.
Prema tome gibanje elektrona kroz kristal, odnosno prijelaz iz jednoga energetskog stanja u drugo
ima za posljedicu suprotno gibanje drugoga elektrona, tj. mogua je samo zamjena stanja. U tome
sluaju ne tee elektrina struja, jer ne postoji usmjereno gibanje slobodnih elektrona pod utjecajem
elektrinoga polja.
Da bi kroz takav kristal mogla tei struja, morali bi se elektroni iz popunjenoga valentnog pojasa
prebaciti u prazan vodljivi pojas, ali za to im je potrebno predati iznos energije E > EG. Elektrino
polje, ak kad je i vrlo jako, moe elektronima predati samo male dodatne iznose energija, koji su
puno manji od EG, a unutar zabranjenoga pojasa elektroni ne mogu egzistirati. Kod porasta
temperature, uslijed vibracija atoma kristalne reetke, elektronima se predaju u prosjeku iznosi
energije reda kT. Taj iznos izraen u elektron-voltima daje:

ET

k T
T
eV

q
11605

(1.1)

gdje je:
T apsolutna temperatura,
k = 1,38 1023 [J/K] Boltzmannova konstanta,
q = 1,6 1019 [C] iznos naboja elektrona.
Na sobnoj temperaturi T = 290 K, a ET = 0,025 eV. To je puno manje od irine zabranjenoga pojasa
EG, koja je reda veliine eV. Treba meutim voditi rauna o injenici koja rezultira iz statistike
fizike, na osnovi koje e biti mogue odreenome, vrlo malome broju elektrona dati iznose energija
vee od EG i omoguiti im prijelaze u vodljivi pojas, ali je vjerojatnost f za to vrlo mala i
proporcionalna je:
f e

EG
ET

(1.2)

Vjerojatnost prijelaza elektrona u vodljivi pojas na danoj temperaturi eksponencijalno opada sa

irinom zabranjenoga pojasa. Kako vodljivost kristala ovisi o broju elektrona u vodljivome pojasu,
kristali s manjom irinom zabranjenoga pojasa bolje e voditi struju. Na osnovi te isto
kvantitativne razlike, dijele se spomenuta vrsta tijela na poluvodie i izolatore. Ukoliko je EG
manji od priblino 2 eV, govori se o poluvodiima. Meu poluvodie spadaju germanij, iji je
EG = 0,78 eV, i silicij, koji ima EG = 1,2 eV, na temperaturi apsolutne nule. irina zabranjenoga
pojasa polako opada kako raste temperatura, tako da je na sobnoj temperaturi: za germanij EG =
0,72 eV, a za silicij EG = 1,1 eV.
Vodii

Jedan od moguih oblika predodbi energetskih pojaseva metala (vodia) prikazuje slika 1.3.

Slika 1.3 Energetski pojasevi metala

Gornji pojas samo je djelomino popunjen na apsolutnoj nuli do tono odreene razine tzv.
Fermijeva razina.
3

Budui da se iznad najvie zaposjednute razine nalazi obilje dozvoljenih energetskih razina,
elektroni e se pod djelovanjem elektrinoga polja slobodno kretati kroz kristal i struja e moi tei.
Energetski pojasevi elektrona popunjenih ljusaka lee ispod prikazanoga pojasa energija i odvojeni
su od njega pojasevima zabranjenih energija, ali kao to je ve reeno, o njima ne ovise elektrina
svojstva kristala.

Intrinsini i ekstrinsini poluvodii

Na slici 1.4 prikazana je kristalna reetka silicija.

114+
11-

Slika 1.4 Dvodimenzionalan prikaz kristalne reetke silicija

Kao to se vidi na slici, jedan atom dijeli svoja etiri valentna elektrona sa etirima susjednim
atomima i na taj nain tvori sile kristalne veze.
Na temperaturama razliitim od temperature apsolutne nule, termika titranja kristalne reetke
dovoljna su da se neke veze meu atomima razbiju, slika 1.5.

Slika 1.5. Generacija parova elektron-upljina

Razbijanjem veze, elektron se oslobaa od matinoga atoma, to e omoguiti protok elektrine
struje. Prekinutoj kovalentnoj vezi istodobno nedostaje elektron to se simbolizira upljinom,
nositeljem pozitivnoga jedininog naboja. Valentni elektroni iz susjednih kovalentnih veza mogu
uskoiti na mjesto upljine, dodatno doprinosei elektrinoj vodljivosti poluvodia. Opisani proces
nastanka elektrona i upljina naziva se generacija nositelja (toka 1 na slici 1.5.).
4

Porastom temperature, raste energija termikih titraja kristalne reetke, pa raste i broj termiki
generiranih parova elektron-upljina, a time i elektrina vodljivost poluvodia. Tijekom gibanja
kroz kristalnu reetku (toka 2 na slici 1.5.), osloboeni elektron e negdje u kristalnoj reetki
naletjeti na prethodno razbijenu valentnu vezu koju e dopuniti. Time e ponititi upljinu koja je na
tome mjestu u tom trenutku postojala. Taj proces naziva se rekombinacija nositelja (toka 3 na slici
1.5.).
Uvoenje upljine kao pozitivno nabijene estice omoguuje da se umjesto gibanja velikoga broja
elektrona u valentnome pojasu, prati gibanje relativno maloga broja upljina u suprotnome smjeru.
U energetskome dijagramu, oslobaanje elektrona od matinoga atoma predoava se preskokom
elektrona iz valentnoga u vodljivi pojas. Elektron pri dnu vodljivoga pojasa ima samo potencijalnu
energiju. Pod djelovanjem elektrinoga polja on e dobiti odreeni iznos kinetike energije, to e
omoguiti protok elektrine struje. Porast kinetike energije elektrona u energetskome dijagramu,
odgovara udaljavanju elektrona od dna vodljivoga pojasa prema gore. Porast kinetike energije
upljina odgovara udaljavanju od vrha valentnoga pojasa prema dolje.
Ako je poluvodi potpuno ist, tj. ako je koncentracija drugih atoma u kristalu poluvodia
zanemariva, tada slobodni elektron i upljine nastaju iskljuivo opisanim postupkom generacije
parova elektron-upljina. Zbog toga su ravnotene koncentracije elektrona i upljina u takvome
poluvodiu meusobno jednake, a takav poluvodi zovemo intrinsini (isti) poluvodi.
Prema zakonu termodinamike ravnotee, umnoak ravnotenih koncentracija elektrona i upljina u
poluvodiu na nekoj temperaturi je konstantan:
n0 p0 ni2 ,

(1.3)

gdje su:
n0 ravnotene koncentracije slobodnih elektrona,
p0 ravnotene koncentracije slobodnih upljina,
ni intrinsina koncentracija nositelja.
Koncentracije elektrona i upljina u istome (intrinsinom) poluvodiu meusobno su jednake i
jednake intrinsinoj koncentraciji, zato to u takvome poluvodiu slobodni nositelji postoje
iskljuivo zbog termike generacije parova elektron-upljina. Intrinsina koncentracija ovisi o
temperaturi na kojoj se poluvodi nalazi i o irini njegovoga zabranjenog pojasa:
ni NV NC e

EG
2 ET

(1.4)

gdje su:
NV efektivne gustoe kvantnih stanja u valentnom,
NC efektivne gustoe kvantnih stanja u vodljivome pojasu.
Dodavanjem odreenih primjesa u kristalnu reetku poluvodia, mijenjaju se i njegova elektrina
svojstva. Ako te primjese poveavaju koncentraciju slobodnih elektrona, onda govorimo o
donorskim primjesama, a za poluvodi u kojemu je koncentracija elektrona vea od koncentracije
upljina kaemo da je ekstrinsian poluvodi n-tipa. U siliciju i germaniju, koji su etverovalentni
elementi (imaju etiri elektrona u valentnoj ljusci), koncentraciju elektrona poveavaju
peterovalentni elementi, npr. fosfor ili arsen. Budui da oni u valentnoj ljusci imaju pet elektrona, a
etiri su im dovoljna za formiranje kovalentne veze sa susjednim atomima poluvodia, peti elektron
e biti vrlo slabo vezan za matini atom, te e biti dovoljna vrlo mala energija ionizacije da se on
oslobodi. Naravno, kada elektron napusti primjesni atom, on e postati pozitivan (donorski) ion.
On je na sobnoj temperaturi "zamrznut" u kristalnoj reetki silicija, pa ne doprinosi vodljivosti
poluvodia, slika 1.6.

Slika 1.6. Poluvodi n-tipa

Prisutnost donorskoga atoma u poluvodiu u energetskome dijagramu unutar zabranjenoga pojasa
poluvodia, predoava se diskretnim stanjima koja su vrlo blizu vrha zabranjenoga pojasa. Budui
da je za tipine donorske primjese neophodna vrlo mala energija ionizacije da bi elektroni uskoili u
vodljivi pojas (10 do 50 meV), na sobnoj temperaturi (T = 300 K) ionizirani su gotovo svi primjesni
atomi .
Poluvodi p-tipa, u kojem je koncentracija upljina vea od koncentracije elektrona, dobiva se
dodavanjem akceptorskih primjesa. U siliciju i germaniju akceptorske primjese uglavnom su
trovalentni elementi, npr. bor, galij. Kako ti elementi imaju samo tri elektrona u valentnoj ljusci, za
ostvarivanje vrste kovalentne veze sa susjednim atomima poluvodia, nedostaje jedan elektron,
slika 1.7.

Slika 1.7. Poluvodi p-tipa

Takav atom e stoga vezati za sebe jedan od elektrona koji bi inae preskoio iz valentnoga u
vodljivi pojas, odnosno onemoguit e generiranje slobodnoga elektrona u paru elektron-upljina.
Prihvaanjem slobodnoga elektrona, akceptorski atom postaje negativan ion. Za tipine akceptorske
primjese, energija ionizacije je vrlo mala (10 do 50 meV), pa su na sobnim temperaturama gotovo
svi akceptori ionizirani. U energetskome dijagramu poluvodia akceptori unose stanja u zabranjeni
pojas, vrlo blizu dna zabranjenoga pojasa.
6

Sloeni poluvodii (compound semiconductors) sastoje se od spojeva tro-valentnoga i peterovalentnoga elementa (III-V poluvodii, GaAs galij-arsenid, GaP galij-fosfid), odnosno dvovalentnoga i estero-valentnih elemenata (II-VI poluvodii, ZnS cink-sulfid), kovalentna veza
ostvaruje se tako da atom koji ima vei broj elektrona u valentnoj ljusci ustupa viak elektrona
atomu s niom valentnou. Donorske primjese su elementi koji imaju viu valentnost od
komponente koju nadomjetaju u kristalnoj reetki, a akceptorske primjese imaju niu valentnost od
komponente koju nadomjetaju. Na slici 1.8. prikazan je donorski atom estero-valentnoga sumpora
koji je nadomjestio petero-valentni arsen u kristalnoj reetki galij-arsenida.

Slika 1.8. a) Intrinsini poluvodi, b) poluvodi n-tipa

P-N spoj
Prijelaz iz P-tipa u N-tip moe biti skokovit ili postupan. Pod metalurkom ili P-N graninom
ravninom podrazumijeva se ona ravnina u kojoj su koncentracije donora i akceptora meusobno
jednake, a to je u oba sluaja ravnina x = 0, slika 1.9.

Slika 1.9 Postupci legiranja i izvlaenja

Osnovno svojstvo P-N spoja je njegovo ispravljako djelovanje i zbog toga efekta imamo usko
podruje konane irine koje se protee na obje strane metalurke granice. To prijelazno podruje
naziva se sloj prostornoga naboja, P-N barijera ili prijelazni sloj. Pod P-N spojem podrazumijeva se
cjelina poluvodia P- i N-tipa, i on je u tome smislu praktiki ekvivalentan P-N diodi.
Ispravljakim svojstvom raspolau i kontakti mnogih metala s poluvodiima. Ako je spoj ostvaren
du neke relativno vee plohe, kao i u sluaju P-N spoja, onda se takvi ispravljai nazivaju slojni ili
spojni ispravljai; to su uz P-N diode, npr. selenski ispravljai. Mogue je takoer ispravljako
djelovanje postii kontaktom tankih metalnih iljaka i poluvodia. Tada se govori o tokastim
diodama, odnosno ispravljaima. Meu njima su najvaniji silicijevi i germanijevi ispravljaki
elementi.

Budui da kod P-N spoja mono-kristalna struktura ostaje sauvana, teoretska analiza takvoga spoja
dade se razmjerno jednostavno provesti. Vanu ulogu kod spojeva metal-poluvodi imaju i svojstva
povrine poluvodia du koje se ostvaruje spoj. Ovdje e se najvea pozornost posvetiti P-N spoju,
jer je on tehniki najvaniji.
Svojstva P-N spoja mogu se najlake objasniti ukoliko se zamisli da su oba poluvodia najprije bila
razmaknuta, a zatim dovedena u kontakt uz ouvanje mono-kristalne strukture. Za P-tip i za N-tip
uzet e se da su homogeni, a prijelaz iz jednoga tipa u drugi skokovit. Koncentracije akceptorskih
neistoa prikazanih kao negativni ioni i donorskih neistoa prikazanih kao pozitivni ioni, redovito
nisu iste. One se obino razlikuju za nekoliko redova veliina. Treba napomenuti da se takav tip
prijelaza stvarno i praktiki realizira jednim tehnolokim postupkom nazvanim legiranje. Rezultati
do kojih e se doi analizom skokovitoga prijelaza vrijede u biti i za ostale tipove prijelaza.
Kada na P-N spoj nije prikljuen napon, kada se on nalazi na konstantnoj temperaturi i nije izloen
djelovanju dodatne radijacije, tada kroz spoj ne moe tei struja, pa se on nalazi u ravnotei.
Ravnotene koncentracije nositelja na P-strani su p0P i n0P, a na N-strani n0N i p0N. Lako je zakljuiti
da stanje ostvareno neposredno nakon uspostavljanja kontakta i prikazano na slici 1.10. lijevo, ne
moe predstavljati ravnoteno stanje.

Slika 1.10 P-N spoj neposredno nakon uspostavljanja kontakta i P-N spoj u ravnotei
Postoji velika razlika u koncentracijama istoga tipa nositelja na lijevoj i desnoj strani od granine
ravnine, pa je u asu zamiljenoga uspostavljanja kontakta, gradijent koncentracije beskonano
velik. Posljedica toga je difuzijsko gibanje nositelja od mjesta vie koncentracije prema mjestu nie
koncentracije, i to elektrona na P-stranu i upljina na N-stranu. N-strana gubi elektrone s jedne
strane i dobiva upljine s druge strane, pa postaje pozitivnija, a P-strana postaje negativnija. Zbog
toga se prolaz difuzijske struje sve vie oteava, jer se veinski elektroni na N-strani moraju gibati
prema P-strani, koja postaje sve negativnija, a isto tako upljine s P-strane sve tee prelaze na Nstranu, koja postaje sve pozitivnija.
Ravnoteno stanje uspostavlja se kada je neto struja kako elektrona tako i upljina jednaka nuli. To
e nastupiti onda kada Fermijeva razina u P i N dijelu spoja bude jedna te ista. Energetski
dijagram P-N spoja u ravnotei prikazan je na slici 1.10 desno.
Veinski elektroni sprjeavani su u svome prijelazu na P-stranu barijerom potencijalne energije ili
kontaktnom potencijalnom energijom EK, a isto su tako sprjeavane i veinske upljine u svome
prijelazu na N-stranu. Podruje u kojemu se mijenjaju potencijalne energije elektrona i upljina vrlo
je usko i oznaeno je na slici 1.10 s dB. Ono zadire kako na P-stranu tako i na N-stranu i naziva se
P-N barijera, prijelazni sloj ili sloj prostornoga naboja.
Na P-strani barijere postoji negativni prostorni naboj akceptora, a na N-strani pozitivni prostorni
naboj donora. Ti naboji su apsolutnim iznosom jednaki, jer je itav P-N spoj kao cjelina elektrino
neutralan. Negativan naboj akceptorskih iona na P-strani barijere nastaje zbog toga to su se
veinski elektroni, prelazei na P-stranu tokom vremena u kojemu se uspostavljala ravnotea,
rekombinirali u blizini prijelaza sa upljinama, pa je ostao negativni naboj akceptora
nekompenziran pozitivnim nabojem upljina, slika 1.11.
8

Slika 1.11. Presjek P-N spoja u ravnotei

Isto vrijedi i za pozitivni naboj donorskih iona na N-strani. Prostorni naboj u P-N barijeri ima prema
Poissonovoj jednadbi za posljedicu da u barijeri postoji elektrino polje, odnosno razlika
potencijala izmeu P i N-strane.
Na slici 1.12. prikazana je raspodjela koncentracije nositelja u ravnotei na sobnoj temperaturi.

Slika 1.12. Raspodjela koncentracije nositelja u P-N spoju

Gustoa struje upljina u naemu sluaju iznosi:
Jp = qDp(dp/dx) = 1,6101945(21016/3105) = 4800 A/cm2,

(1.5)

gdje je DP [cm /s] difuzijska konstanta za upljine.

Gustoa struje elektrona je istoga reda veliine pa se ove dvije struje zbrajaju. Potencijalna barijera
eliminira ove velike tendencije difuzijskih struja. Mogu difundirati samo oni veinski nositelji ija
je kinetika energija vea od EK.
Kontaktni potencijal moe se izraziti relacijom:
UK =

kT p0 P n0 N kT N A N D
ln

ln
,
q
ni2
q
ni2

(1.6)

gdje su:
NA koncentracije atoma akceptora,
ND koncentracije atoma donora.
Za germanij UK kree se u granicama od 0,2 V do 0,6 V, a za silicij od 0,4 V do 0,9 V.

P-N SPOJ POD DJELOVANJEM NAPONA

Na slici 1.13. je prikazan propusno polariziran P-N spoj gdje dolazi do smanjivanja potencijalne
barijere u odnosu na ravnoteno stanje.

Slika 1.13. Propusna polarizacija P-N spoja

Zbog toga se u sluaju kad je plus pol vanjskoga napona prikljuen na P-tip, difuzija veinskih
nositelja olakava, pa e doi do pojaane injekcije elektrona na P-stranu i upljina na N-stranu. To
e imati za posljedicu znatan porast difuzijskih struja IDN i IDP, koje se meusobno potpomau.
Veinski nositelji koji mogu difundirati preko barijere oznaeni su crtkanim povrinama.
Za struje manjinskih nositelja ISN i ISP nije se nita promijenilo u odnosu na ravnoteno stanje, jer za
njih barijera ne postoji. Struje IDN i IDP e prevladati struje ISN i ISP i kroz P-N spoj tei e struja.
Lako je zakljuiti da e struja biti to vea to je potencijalna barijera manja. Ukupan napon na
P-N barijeri je UTOT i on je jednak sumi kontaktnoga potencijala i vanjskoga napona:
UTOT = UK + U.

(1.7)

Za referentnu stranu uzeta je N-strana, pa UTOT znai ukupan napon P-strane prema N-strani.
Kontaktni potencijal je negativan, pa napon UTOT postaje iznosom manji ukoliko je vanjski napon U
pozitivan, tj. ako je plus pol napona U prikljuen na P-stranu. Budui da je uz takvu polarizaciju
barijera smanjena, takva polarizacija naziva se propusna polarizacija P-N spoja. Openito, za struju
propusne polarizacije moe se pisati:
I = IDN + IDP ISN ISP = ID IS.

(1.8)

Za sada se jo ne moe rei kakva e biti ovisnost struje o prikljuenome naponu, ali je oito da e
ona biti to vea to je napon propusne polarizacije vii. U dijagramu energetskih pojaseva,
prikljuak vanjskog napona U manifestira se kao dislokacija energetskih razina P-strane za iznos
koji je jednak qU. Prema tome Fermijeve razine P-strane i N-strane nisu vie iste, nego
meusobno pomaknute za spomenuti iznos. U sluaju da je minus pol vanjskoga napona prikljuen
na P-stranu, potencijalna barijera bit e vea, tj. napon UTOT postaje iznosom vii, slika 1.14.

10

N
U
- +

Slika 1.14. Nepropusno polariziran P-N spoj

Za UTOT, naravno, opet vrijedi relacija (1.7). Iz dijagrama energetskih pojaseva je oito da e zbog
visine potencijalne barijere, difuzija veinskih nositelja preko barijere biti praktiki onemoguena.
Postojat e samo struja manjinskih nositelja, koja je vrlo mala i koja ne ovisi o naponu. Budui da
uz takvu polarizaciju postoji samo mala struja manjinskih nositelja, takva polarizacija naziva se
reverzna ili nepropusna polarizacija P-N spoja. Za struju P-N spoja sada vrijedi relacija:
I = ISN ISP = IS.

(1.9)

Budui da struja reverzne polarizacije ne ovisi o naponu, naziva se reverzna struja zasienja.
U danome prikazu pretpostavljeno je da se sav pad napona odigrava na P-N barijeri, tj. da nema
pada napona du elektrino neutralnih dijelova poluvodia P i N-tipa koji se nadovezuju na barijeru.
U prikazu energetskih pojasa to se oituje na taj nain da su pojasevi P i N-podruja van barijere
horizontalni. U sluaju nepropusne polarizacije zbog vrlo male struje ta je tvrdnja praktiki sasvim
tona.
Za pronalaenje strujno-naponske ovisnosti P-N spoja treba rijeiti jednadbu kontinuiteta (za
manjinske upljine na N-strani):
d 2 pN p0 N pN

0.
(1.10)
dx 2
p Dp
Jednadba kontinuiteta za manjinske elektrone na P-strani je analogna, pa se izostavlja. Ovdje se
nee rjeavati ova diferencijalna jednadba nego e strujno-naponska karakteristika biti prikazana
sljedeom jednadbom (Shockley):
UU

qU

kT
I I S e 1 I S e T 1 ,
(1.11)

gdje je:
T apsolutna temperatura,
k = 1,38 1023 J/K Boltzmannova konstanta,
q = 1,6 1019 C iznos naboja elektrona,
U napon na diodi,
IS reverzna struja zasienja,
UT napon na temperaturi T (na sobnoj temperaturi oko 26 mV).

11

Zadatak 1.

Za n-tip poluvodia odredi koncentraciju manjinskih nositelja na 300 K, ako je koncentracija neistoa
1017. Intrinsina koncentracija elektrona u siliciju Si (Eg = 1,1 eV, T = 300 K) 1,521010 (p = ?).
Rjeenje:
Za intrinsine poluvodie:
p = n = ni pn = ni2
Za n-tip poluvodia veinska koncentracija elektrona je:
nn ND pND = ni2

n2
1,52 1010
p i
ND
1 1017

2,31 1020
upljina
2,31 103
17
10
cm3

Zadatak 2.

Za silicijev pn-spoj treba izraunati kontaktni potencijal, ako je: ND = 1014

NA = 1017

atoma
,
cm 3

elektrona
atoma
, ni = 3,2251013
na T = 300 0K, q = 1,610-19 [As = C],
3
3
cm
cm

k = 1,381023

J
eV
= 8,62105 .
K
K

Rjeenje:
atoma
cm 3
atoma
NA = 1017
cm 3
elektrona
ni = 3,2251013
na T = 300 0K
3
cm
-19
q = 1,610 [As = C]
J
eV
k = 1,381023
= 8,62105
K
K
_____________________________________
Vc = ?

ND = 1014

J VAs
1,38 10 23
300K 1014 1017
kT N A N D
K
K

=
ln
ln
0,6535 [V]
Vc =
q ni 2
1,6 1019 As
1,04 1026

12

Zadatak 1.3.

Za krug na slici odredi UT i T ako je IS =20 nA (q = 1,610-19 [As = C], k = 1,381023 J/K).

Rjeenje:
II K .Z .
U I R U D U D 0,2 V

Shockleyev a jednadba
I I S (e

UD
UT

UD

I
1)
eUT 1
IS

UD

I
1 e U T ln
IS
UD
I
ln( 1) 10,31
UT
IS
UT

UT

UD
0,2 V

19,4 mV
I
10
,
31
ln( 1)
IS
k T
q UT
T
253 K
q
k

13

ELEKTRONIKI ELEMENTI

2.

POLUVODIKA DIODA
Poluvodike diode su elektroniki elementi s dvije elektrode, razliitih izvedbi, svojstava i namjene.
Dioda predstavlja kombinaciju N- i P-tipa poluvodia. Kada se ova dva tipa poluvodia spoje, zbog
toplinske energije dolazi do difuzije, zbog ega se slobodni nositelji naboja nastoje proiriti preko
cijelog kristala. Elektroni prelaze s N-strane (gdje su veinski nositelji naboja) na P-stranu
poluvodia (gdje su manjinski nositelji naboja), i obratno, upljine s P-strane prelaze na N-stranu.
Ovaj proces naziva se injekcija (ubacivanje) manjinskih nositelja, zbog toga to veinski nositelji
dolaze na onu stranu P-N spoja gdje predstavljaju manjinske nositelje. Na slici 2.1 prikazan je
tehnoloki postupak izrade P-N diode (difuzijski postupak), kao i simbol diode te primjeri izvedbe.

b)

a)
Slika 2.1. a) Izvedba P-N diode difuzijskim postupkom; b) simbol; c) primjeri izvedbe
Prvo se na metalnu podlogu nanosi N-sloj poluvodia, te se elektrolitiki ili premazom nanose
primjese indija ili nekog drugog trovalentnog elementa (bor, galij i sl.) Nakon toga kontrolirano se
ugrijava taj premaz, pri emu procesom difuzije, indij prodire u N-sloj. Na tako formiran P-sloj s
graninim prijelazom privruju se jo metalni izvodi, te se cijeli element hermetiki inkapsulira u
inertnoj atmosferi.
Shockleyeva jednadba predstavlja strujno-naponsku karakteristiku poluvodike diode. Najvanije
karakteristike P-N diode su:

Doputena vrijednost napona zaporne polarizacije UR koja se smije prikljuiti na diodu, a da

ne doe do njezina izgaranja. Ovaj napon za silicijske diode kree se od nekoliko desetaka
pa do tisuu volta.

Probojni napon UBR (breakdown reverse voltage).

Doputena jakost struje IF (forward current) koja smije tei kroz diodu pri propusnoj
polarizaciji, a da ne doe do njezinoga oteenja. Vrijednosti ove struje kreu se u
granicama od nekoliko mili-ampera do nekoliko kilo-ampera.

Doputen utroak snage Ptot.

Temperaturno podruje rada. U podacima proizvoaa karakteristine veliine dioda uvijek

se daju za odreeno podruje temperatura.

Izvedba kuita.

Na slici 2.2. prikazana je strujno-naponska karakteristika P-N diode.

14

Slika 2.2. Strujno-naponska karakteristika poluvodike diode

U podruju propusne polarizacije, struja u poetku polagano raste do tzv. napona koljena U
(threshold voltage), a zatim naglo raste poprimajui sve vee vrijednosti. U podruju nepropusne
polarizacije kroz diodu tee vrlo mala struja (reda [nA]).
POLUVALNI ISPRAVLJA
Osnovna karakteristika P-N spoja je njegovo ispravljako djelovanje. Bit ispravljakoga djelovanja
P-N spoja sastoji se u tome to je struja kroz diodu kod promjene polariteta razliita, slika 2.3.

Slika 2.3 Poluvalni ispravlja

Kada je dioda ukljuena u strujni krug koji se napaja izmjeninim naponom, struja e tei samo za
trajanja poluperiode koja diodu polarizira propusno. Za vrijeme trajanja druge poluperiode struja
kroz diodu nee tei, jer je dioda polarizirana nepropusno. Za ovakav strujni krug, u koji je
ukljuena dioda, struja praktiki tee samo u jednome smjeru, pa dioda u tome sluaju slui kao
poluvalni ispravlja napona (half-wave rectifier).
Zbog lakega prorauna pretpostavit e se da je dioda idealna (nema pada napona na diodi), to
znai da je Um = Upm. Kod praktinih realizacija ovaj pad napona na diodi je oko 0,7 V. Takoer
doputena vrijednost napona zaporne polarizacije diode mora biti vea od Um. Napon na potroau
je:

U sin t ,
u p t m
0,

0 t
t 2

gdje je :

2
.
T

(2.1)

15

Srednja vrijednost ispravljenoga napona (istosmjerna komponenta) dana je izrazom:

T
2

UPsr =

1
U
U m sin t dt m 0,45 U ef U DC .

T 0

(2.2)

Efektivna vrijednost napona na potroau dana je izrazom:

T
2

UPef =

1
U
2
U m sin t dt m .
T 0
2

(2.3)

Kod ispravljaa napona, kvaliteta istosmjernoga napona mjeri se faktorom valovanja ili brujanja
(ripple factor) koji je dan izrazom:
T

r=

uP U Psr ef
U Psr

1
2
uP U Psr dt
T 0
U Psr

= 1,211.

(2.4)

Poboljanje oblika izlaznoga napona, poveanje istosmjerne komponente uz smanjenje valovitosti,

postie se postupkom filtriranja (glaenja) ispravljenoga napona, slika 2.4.

Slika 2.4 Poluvalni ispravlja s niskopropusnim filtrom

Iznos napona brujanja Urippp moemo oitati na osciloskopu (mjeren od vrha do vrha) ili izraunati
prema izrazu:
Urippp =

Um
3,38 V
f rip R C

(2.5)

gdje je frip frekvencija napona brujanja koja za poluvalni ispravlja iznosi 50 Hz. U tablici 2.1
prikazane su karakteristine veliine za poluvalne ispravljae prikazane na slikama 2.3 i 2.4.
Tablica 2.1 Karakteristine veliine poluvalnog ispravljaa
C [F] bez 100
Uef [V]
12
UDC [V] 5,4 14,5
UDC/Uef 0,45 1,21
Urippp [V] 16,22 3,38
frip [Hz]
50

16

PUNOVALNI ISPRAVLJA
Punovalni ispravlja (full-wave rectifier) pokazuje znatno bolja svojstva od poluvalnog ispravljaa.
Njihove izvedbe prikazane su na slici 2.5.

Slika 2.5. Izvedbe mosnih ispravljaa

To su:
spojevi s dvije diode,
mosni ili Graetzov spoj.
Srednja komponenta ispravljenoga napona (istosmjerna komponenta), uz zanemariv pad napona na
diodama iznosi:
UPsr = 2Um/ = 0,9 Uef

(2.6)

gdje je:
Um =

2 U ef .

(2.7)

Faktor valovanja za punovalni ispravlja iznosi 0,483 (relacija (2.4)) i vidimo da je skoro tri puta
poboljan u odnosu na poluvalni ispravlja. Na slici 2.6. prikazan je ispravlja s diodnim mostom.

Smjer struje za vrijeme pozitivne poluperiode

Smjer struje za vrijeme negativne poluperiode
Slika 2.6. Punovalni ispravlja
Kada je na ulazu pozitivna poluperioda napona, vode diode D1 i D2, dok za negativnu poluperiodu,
vode diode D3 i D4, tako da u obje poluperiode kroz potroa tee struja u istome smjeru. Struju
potroau daje nabijen kondenzator pa se na njemu smanjuje napon.
to je potroa vei, bit e znatnije smanjenje izlaznoga napona, a da bismo to sprijeili potrebno je
primijeniti kondenzatore velikoga kapaciteta. Iznos napona valovanja moe se izraunati pomou
relacije (2.5), ali mora se voditi rauna da je sada frekvencija frip jednaka 100 Hz. Karakteristine
veliine punovalnoga ispravljaa sa slike 2.6. dane su u tablici 2.2.

17

Tablica 2.2 Karakteristine veliine punovalnoga ispravljaa

C [F] bez 100
Uef [V]
12
UDC [V] 10,8 14,6
UDC/Uef 0,9 1,22
Urippp [V] 15,52 1,552
frip [Hz]
100
Na slici 2.7. prikazani su valni oblici u karakteristinim tokama punovalnoga ispravljaa
prikazanoga na slici 2.6.

Slika 2.7. Valni oblici: a) ulazni napon, b) ispravljeni napon bez C, c) ispravljeni napon s C
DIODNI OGRANIAVAI
U mnogim primjenama esto je potrebno ograniiti porast napona iznad odreene vrijednosti. Za tu
svrhu upotrebljavaju se ograniavai napona (clipping circuits, clippers, limiters).
Na slici 2.8 prikazan je spoj diode i otpornika koji ograniava porast izlaznoga napona za vrijeme
pozitivne poluperiode.

Slika 2.8 Paralelni diodni ograniava

18

Kako je dioda spojena paralelno izlazu, ovaj spoj naziva se paralelni ograniava. Kod ovih
ograniavaa ulazni napon prenosi se na izlaz kada je dioda nepropusno polarizirana (nije vodljiva).
Kada je dioda propusno polarizirana, na izlazu je napon Ug = 0,7 V. Ako se eli porast izlaznoga
napona ograniiti na neku vrijednost veu od Ug, tada se dodaje u seriju s diodom izvor napona U (u
naem sluaju U = 5 V).
Kada je potrebno ograniiti izlazni napon na dvije razine, upotrebljavaju se dvostrani paralelni
ograniavai kao to je prikazano na slici 2.9.

Slika 2.9. Dvostrani paralelni diodni ograniava

Za vrijeme pozitivne poluperiode izlazni napon slijedi ulazni sve dok dioda D1 ne provede. Kada D1
provede tada na izlazu imamo:
UIZ = U + U1 = 0,7 V + 5 V = 5,7 V,

(2.8)

i ova vrijednost je na izlazu sve dok ulazni napon ne padne ispod ove vrijednosti. Kada se ovo
dogodi izlazni napon ponovno slijedi ulazni napon. Ovo se nastavlja i za vrijeme negativne
poluperiode sve dok D2 ne provede. Kada D2 provede, na izlazu imamo:
UIZ = (U) + (U2) = 0,7 V 8 V = 8,7 V,

(2.9)

i kada ulazni napon po svome apsolutnom iznosu padne ispod ove vrijednosti izlazni napon
ponovno slijedi ulazni. Isti uinak moe se postii i serijskim ograniavaem, kao to je prikazano
na slici 2.10.

Slika 2.10 Serijski diodni ograniava

Ulazni napon prenosi se na izlaz kada je dioda vodljiva. Kada dioda nije vodljiva, na izlazu je
napon U dodanoga istosmjernog izvora (u naem sluaju U = 10 V).

19

Zadatak 2.1.

Za sklop na slici odredi trenutnu i efektivnu vrijednost napona na potroau.

UG 1 V

u g U gm sin(t ) 0,1sin(t ) V
Rg 5
Rp 8
rd 5 (dinam. otpor diode )

Rjeenje:
Kako je UG =1 V dioda vodi pa emo je zamijeniti dinamikim otporom, a za dinamike uvjete
spojit emo ukratko istosmjerni izvor.
0,1
V
I
2 3,94 mA
Rg R p rd
18
U gef

U p I R p 31,52 mV
Rg 5
Rp 8
u p U pm sin(t ) U p 2 sin(t )
u p 44,4 sin(t ) mV
Zadatak 2.

Odrediti valni oblik na izlazu sklopa uz pretpostavku da je dioda idealna.

Rjeenje:

20

Za 0 t :
R2
U iz
U m sin t
R1 R2

Za t 2:
Dioda ne vodi Uiz = 0 [V]

2
100 2 sin t = 94 sin t [V]
3

Uiz =

Zadatak 3.

Za krug na slici, i = 0,5 mA, U = uD = 0,68 V.

a) Izraunaj R2, ako je R1=1 k
b) Izraunaj R1, ako je R2=1 k
Rjeenje:
a ) u1 U u D 1,32 V
i1

u1
1,32 mA i2 i1 i 0,82 mA
R1

R2

uD
0,68 V

829
i2
0,82 mA

b ) i2

u D 0,68 V

0,68 mA
R2
1k

i1 i2 i 1,18 mA
R1

u1 U u D 1,32 V

u1
1,32 V

1,12 k
i1 1,18 mA

Zadatak 4.

Krug za punjenje baterije prikazan je slikom. Napon baterije je 11,8 V. Izvor izmjeninog napona je
us(t) = 18 sin(120 t) [V], a otpor R = 100 [].
Matlab programom treba:
D
a) nacrtati ulazni napon,
b) nacrtati struju kroz diodu,
c) izraunati kut voenja diode,
UB
d) izraunati vrnu (tjemenu) vrijednost.
uus
Pretpostaviti da je dioda idealna.
21

Rjeenje:
Za us > UB, dioda vodi pa je:
id =
Za kut vrijedi:

us U B
.
R

18 sin 1 = 18sin(120t1) = 11,8 = UB.

Za us < UB, dioda ne vodi pa je:
u UB
id = s
.
R
Za kut vrijedi:
18 sin 2 = 18sin(120t2) = 11,8 = UB,
te zbog simetrije kutova vrijedi:
2 = 1.
UB
410, 2 = 1 = 1390
18
1 139 41
k= 2
=
= 0,272 [rad] 150
2
2

1 = arc sin

18 sin U B
2
Imax =
= 62 mA
R
% Krug za punjenje baterije
period = 1/60;
period2 = period*2;
inc =period/100;
npts = period2/inc;
Ub = 11.8;
R=100;
t = [];
for i = 1:npts
t(i) = (i-1)*inc;
us(i) = 18*sin(120*pi*t(i));
if us(i) > Ub
idiode(i) = (us(i) -Ub)/R;
else
idiode(i) = 0;
end
end
subplot(211), plot(t,us)
%title('Ulazni napon')
xlabel('Vrijeme (s)')
ylabel('Napon (V)')
text(0.027,10, 'Ulazni napon')
subplot(212), plot(t,idiode)
%title('Struja diode')
xlabel('Vrijeme (s)')
ylabel('Struja(A)')
text(0.027, 0.7e-3, 'Struja diode')
% kut vodjenja
alpha1 = asin(Ub/18);
alpha2 = pi - alpha1;
kut = (alpha2 -alpha1)/(2*pi)
% vrsna vrijednost struje
vrsna_vr = (18*sin(pi/2) - Ub)/R
% pcurrent = max(idiode)

22

Poziv programa:
kut =
0.2724
vrsna_vr =
0.0620

Napon (V)

20
10

Ulazni napon

0
-10
-20

0.005

0.01

0.015
0.02
Vrijeme (s)

0.025

0.03

0.035

0.08
Struja diode

Struja(A)

0.06
0.04
0.02
0

0.005

0.01

0.015
0.02
Vrijeme (s)

0.025

0.03

0.035

23

2.2. ZENER DIODA

Kroz nepropusno polarizirani P-N spoj tee mala reverzna struja zasienja konstantnoga iznosa Is.
Meutim kod realnih dioda kad napon nepropusne polarizacije prekorai neku odreenu vrijednost,
dolazi do naglog skokovitog porasta struje, tako da struja na kraju raste praktiki bez daljnjeg
porasta napona.
Vrijednost napona kod kojeg dolazi do naglog skokovitog porasta struje naziva se probojni ili
Zenerov napon UZ, slika 2.11.

Slika 2.11. Strujno-naponska karakteristika Zenerove diode

Fizikalno postoje dva uzroka koja dovode do proboja P-N barijere. Kod vrlo uskih barijera, koje se
dobivaju vrlo velikim oneienjem poluvodia p i n tipa, moe doi do tuneliranja valentnih
elektrona kroz barijeru. Ta pojava se objanjava valnom prirodom elektrona. Proboj ovoga tipa zove
se kod poluvodia Zenerov proboj, prema istraivau koji ga je prvi objasnio.
Kod irih barijera manjinski nositelji koji slobodno prolaze preko barijere mogu kod veih jakosti
polja zadobiti dovoljne brzine da razbijaju valentne veze unutar barijere. Na ovaj nain stvaraju se
dodatni parovi elektron-upljina, koji doprinose porastu struje.
Strujno-naponska karakteristika Zener diode za podruje propusne polarizacije ne razlikuje se od
karakteristike obine ispravljake poluvodike diode. U podruju nepropusne polarizacije probojni
naponi Zener dioda obino imaju manje vrijednosti u odnosu na probojne napone obinih
poluvodikih dioda i one rade iskljuivo u podruju nepropusne polarizacije.
Kad jednom doe do proboja P-N spoja struja se moe ograniiti na odreenu dozvoljenu vrijednost
samo pomou vanjskoga otpora, u protivnome dolazi do unitenja diode. Vrijednosti probojnoga
napona Zenerovih dioda moe se kontrolirati u tijeku procesa proizvodnje. To omoguuje da se
proizvode diode s probojnim naponom od nekoliko volta do nekoliko stotina volta.
Diode s probojnim naponom manjim od 5 V nemaju jasno izraen probojni napon i imaju negativan
temperaturni koeficijent (porastom temperature smanjuje se Zenerov napon). Diode s UZ > 5 V
imaju pozitivan temperaturni koeficijent (porastom temperature raste Zenerov napon). Simbol i
prikaz Zenerove diode dan je na slici 2.12.

24

Slika 2.12. Simboli i primjeri izvedbe Zenerovih dioda

Temperaturni koeficijent definiran je relacijom:
Z =

U Z 1
.

U Z T

(0.1)

Tipine vrijednosti za Z su reda veliine 104/0C. Omjer izmeu izmjeninoga napona i struje
definira se kao dinamiki otpor ili Zenerov otpor i dan je relacijom:
rZ =

U Z
.
I Z

(0.2)

Zenerov otpor ima minimalnu vrijednost za diode s probojnim naponom od 5 do 6 V, a iznosi oko
10 . Kod dioda s viim probojnim naponom taj otpor naglo raste.
Zenerove diode upotrebljavaju se kao stabilizatori i ograniavai napona. Prilikom odabira
Zenerove diode treba voditi rauna o najveoj doputenoj struji diode u Zenerovu podruju, IM na
slici 2.11. odnosno o doputenom utroku snage (koji se kree od nekoliko stotina mW do nekoliko
desetaka W).
Zadatak 1
Za stabilizator na slici 2.13 potrebno je dimenzionirati otpornik R.

Slika 2.13.
Karakteristika Zenerove diode prikazana je na slici 2.11 (UZ = 5 V) a maksimalna disipacija diode
je 1 W.
Rjeenje:

Pod pojmom disipacija podrazumijeva se radna snaga koju u obliku topline element preda
okolini. Radna snaga je po definiciji jednaka umnoku efektivne vrijednosti struje i napona
na elementu.

Kako je Pmax = UZIM = 5 [V] IM = 1 W, slijedi da je maksimalno dozvoljena struja jednaka

200 mA, kao to se vidi iz karakteristike (slika 2.11.).
Up = konst = 5 V Ip = konst. =

Up
Rp

= 100 mA

25

Struja kroz otpornik R je

i=

U ul U p

a kroz Zenerovu diodu Z:

iZ = i Ip.
Kada je na ulazu sklopa Uul = Um = 6 V, struja i poprima minimalan iznos kao i struja iZ. Iz
karakteristike (slika 2.11.) moe se oitati minimalna struja kroz diodu da bi ona ispravno regulirala
izlazni napon, iz ega slijedi:
iZ = i Ip =

Um U p
R

Ip > Im R <

Um U p

= 7,7 .

Im I p

(0.3)

Kada je na ulazu Uul = UM = 7 V, struja i poprima maksimalan iznos kao i struja iZ. Iz karakteristike
vidimo da maksimalna dozvoljena struja kroz diodu iznosi 200 mA, da ne bi dolo do izgaranja
diode, iz ega slijedi:
iZ = i Ip =

UM U p
R

Ip < IM R >

UM U p
IM I p

= 6,6 .

(0.4)

Iz ovoga slijedi da je 6,6 < R < 7,7 , to znai da je za vrijednost otpornika potrebno izabrati
jednu iz ovoga opsega. Takoer je bolje izabrati otpornik s veim otporom iz danoga opsega, jer u
tome sluaju tee manja struja kroz diodu. Jedna od standardnih vrijednosti koja zadovoljava ovaj
uvjet je 7,6 . Disipacija na otporniku R za navedeni sluaj iznosi:

I RM
PR = URsredIRsred =

UM U p
R
Um U p

263 mA

U RM U Rm I RM I Rm
132 mA 296 mW .

I Rm
R
2
2
U RM U M U p 2 V
U Rm U m U p 1 V

Iz ovoga slijedi da su vrijednosti otpornika R [7,6 , 0,5W].

Zadatak 2

Za stabilizator sa Zenerovom diodom (slika 2.14) potrebno je odrediti:

a) struju diode i potroaa te napon na potroau,
b) izlazni otpor stabilizatora,
c) promjenu izlaznoga napona pri promjeni ulaznog napona za 10 %,
d) faktor stabilnosti S (koeficijent priguenja valovitosti).

Slika 2.14.
26

(0.5)

Rjeenje:

Ako promjenu ulaznog napona Uul

nadomjestimo izmjeninim izvorom,
tada sklop moemo prikazati kao na
slici 2.15.

Ako sada ovaj sklop nadomjestimo

Theveninovim teoremom:
RT R Rp 0,24 k

UT U ul

Rp
Rp R

16 V

UT 0,1 16 1,6 V
Slika 2.15.
a) Uul = 0 V
IZ =

UT U Z
= 24 mA,
RT rZ

UIZ = IZrZ +UZ = 10,24 V,

Ip =

U IZ
= 25,6 mA.
Rp

b) RIZ = rZ||R 10 .
c) Uul = 0,1 40 = 4 V UT = 1,6 V
UIZ = UT

rZ
= 0,064 V.
rZ RT

d) Faktor stabilnosti (ili koeficijent priguenja valovitosti) S, izravno govori o kvaliteti sklopa i dan
je izrazom:
S=

U IZ
= 0,016.
U ul

(0.6)

27

22.3. LED DIODA

Svjetlee diode, LED (light emitting diode), su poluvodiki svjetlosni izvori. Naime postoji
odreena vrsta poluvodikih dioda nainjenih od materijala kao to su galij-arsenid (GaAS), galijarsenid-fosfat (GaAsP) ili galij-fosfat (GaP) koji uz tono odreene koncentracije primjesa i
propusnu polarizaciju jedan dio elektrine energije dovedene na diodu ne pretvaraju samo u
toplinu, kao ostale poluvodike komponente, ve odreeni dio te energije zrai u prostor u vidu
elektromagnetskih valova.
Na frekvenciju zraenih elektromagnetskih valova, odnosno na boju emitirane svjetlosti, moe se
utjecati odabirom odgovarajueg poluvodikog materijala, te odabirom i koncentracijom tono
odreenih primjesa. Osim infracrvenoga zraenja u nevidljivome dijelu spektra, LED diode
emitiraju svjetlost koja moe biti crvene, ute, naranaste, zelene ili plave boje (slika 2.16.).

Slika 2.16 Strujno-naponske karakteristike, simbol, te primjer izvedbi LED dioda

Osnovne karakteristike LED dioda su:

doputeni reverzni napon (reverse voltage) UR koji iznosi nekoliko volti,

doputena struja pri propusnoj polarizaciji (forward DC current) IF koja se kree do

nekoliko stotina mA,

doputeni utroak snage (power dissipation) Ptot reda veliine nekoliko stotina mW,

jakost svjetlosti (axial luminous intensity) IO ili IV izraena u kandelama [cd] uz odreenu
struju propusne polarizacije ili svjetlosni tok izraen u [mW], odnosno lumenima [lm],

pad napona na diodi pri propusnoj polarizaciji UF (forward voltage) ije se vrijednosti
kreu od 1,3 2 V ovisno o struji kroz diodu i boji svjetlosti,

valna duina (wavelength) svjetlosti pri najveoj emisiji lmax,

vrijeme ukljuivanja i iskljuivanja, od nekoliko desetaka do nekoliko stotina [ns].

LED diode upotrebljavaju se kao signalni i kontrolni elementi te izvori svjetlosti u razliitim
ureajima.
OSTALI OPTO-ELEKTRONIKI ELEMENTI
Opto-elektroniki elementi su elektronike komponente ije je djelovanje povezano sa svjetlosnim
efektom. Opto-elektronike elemente mogue je svrstati u tri osnovne skupine:
1. Foto-detektori (photo detectors) su elementi koji svjetlosnu energiju pretvaraju u elektrinu:
a. foto-otpornik LDR (photo resistor, light dependent resistor),
b. foto-dioda (photo diode),
c. foto-tranzistor (photo transistor),
28

d. foto-tiristor LASCR (light activated silicon controlled rectifier),

e. foto-element (solar cell).
2. Svjetlosni izvori (light sources) koji elektrinu energiju pretvaraju u svjetlosnu:
a. LED dioda,
b. laserske diode.
3. Foto-vezni ili opto-vezni elementi (source-detector combinations, optical coupler, photo
coupled pairs) su kombinacija svjetlosnog izvora i foto-detektora. Primjenjuju se kada je u
nekom ureaju potrebno galvanski odvojiti dva strujna kruga.

29

2.4. KAPACITIVNA DIODA

Svaki P-N prijelaz posjeduje odreen kapacitet zbog toga to se u ravnotenome stanju oko
granine ravnine formira vrlo usko podruje, koje se naziva podruje prostornoga naboja ili
podruje P-N barijere ili osiromaeno podruje.
irina ovoga podruja nije konstantna ve ovisi o koncentraciji primjesa na p- i n-strani poluvodia.
Naime, ona je ua to su koncentracije primjesa na p i n-strani vee i dublje prodire u onu stranu
koja ima manju koncentraciju primjesa, to znai da nije simetrina. Kapacitet se javlja zbog
prostornoga naboja (zaporna kapacitivnost) i zbog difuzije elektrona i upljina (difuzijska
kapacitivnost), bez obzira na polaritet prikljuenoga napona.
Kada je dioda polarizirana nepropusno, dominira zaporna kapacitivnost (depletion capacitance), a
kada je polarizirana propusno, dominira difuzijska kapacitivnost. Kod kapacitivnih dioda
iskoritava se zaporna kapacitivnost. Simboli kapacitivne diode prikazani su na slici 2.17.

Slika 2.17 Simboli kapacitivne diode

Razliiti proizvoai ove diode nazivaju jo i varicap-diode, varaktor i sl. (simboli su prikazani na
slici 2.17). Kod ovih dioda mijenja se kontinuirano kapacitet ovisno o narinutome naponu, pa se one
upotrebljavaju kao promjenjivi kondenzatori bez pominih mehanikih dijelova.
Podruje barijere P-N spoja specifino je po tome to oskudijeva slobodnim nositeljima naboja,
odnosno njihove koncentracije su zanemarivo malene, a dominiraju nepokretni negativni ioni
akceptora na p-strani i pozitivni ioni donora na n-strani (vidi poglavlje 1). Poznato je da je osnovno
svojstvo izolatora to to ne posjeduje slobodne nositelje naboja, pa se moe kazati da itav prostor
P-N barijere ima karakteristike dielektrika na koji se s obje strane nastavljaju relativno dobro
vodljiva neutralna p i n podruja.
Na ovaj nain formirana je struktura sa svojstvom kapaciteta analogno onoj kod ploastoga
kondenzatora. Ako se P-N spoj polarizira nepropusno, podruje barijere irine dB se iri, a time se
ujedno mijenja i iznos barijernoga kapaciteta. Barijerni kapacitet, odnosno kapacitet prijelaznoga
podruja CT moe se openito izraziti relacijom koja vrijedi za kapacitet ploastoga kondenzatora:
CT =

S
,
dB

(0.7)

gdje je:
dielektrina konstanta,
S je povrina poprenoga presjeka,
dB je irina P-N barijere analogna udaljenosti izmeu ploica kondenzatora.
Porastom napona nepropusne polarizacije slobodni nositelji naboja jo se vie udaljavaju od
granine ravnine P-N spoja i irina barijere je vea, a kapacitet CT se smanjuje.

30

Na slici 2.18 prikazane su karakteristike kapacitivne diode.

Slika 2.18. Ovisnost struje i kapaciteta o zapornome naponu

Vidimo da se promjenom napona u zapornome podruju od 35 V do 1 V mijenja i kapacitet od
15 pF do 80 pF. Na istome dijagramu prikazana je i strujna karakteristika. To je poznata struja
zasienja, nastala zbog toplinske generacije nositelja naboja (zbog ovoga kondenzator nije idealan
ve posjeduje stanovitu vodljivost). Smanjenje ove vodljivosti postie se tako to se kapacitivne
diode izrauju od silicija (veoma mala struja zasienja). Na slici 2.19. prikazana je nadomjesna
shema kapacitivne diode.

Slika 2.19. Nadomjesna shema kapacitivne diode za visoke frekvencije

Na visokim frekvencijama (preko 100 MHz) dolazi do izraaja parazitni induktivitet Ld dovoda
(reda veliine nano-henrija). Osim toga u seriji se nalazi i otpor rd, koji ine otpor dovodnih ica i
otpor kristala silicija. Kako je kapacitivna dioda obino spojena u VF titrajnome krugu, vrlo vaan
je i kut gubitaka kondenzatora, koji je dan:
tg = rdCd.

(0.8)

Gubici kondenzatora mogu se smanjiti ako se u seriju ili paralelno kapacitivnoj diodi prikljui
visokokvalitetan kondenzator zanemariva kuta gubitaka. Za paralelan spoj vrijedi:
tg par =

Cd
tg ,
Cd C p

(0.9)

a zadrava se puna promjena kapaciteta Cd.

U serijskome spoju imamo:
tg ser =

Cs
tg ,
Cd C s

31

dok je promjena kapaciteta smanjena:

2

Cs
Cd.
Cuk =
Cd C s

(0.10)

Kapacitivnost se znatno mijenja zbog proizvodnih odstupanja i temperaturne ovisnosti kapacitivnih

dioda. To ipak ne predstavlja velik problem, jer krivulja Cd = f(Ud) zadrava logaritamski karakter
i potrebno je da se samo jednom vrsto namjesti nominalna vrijednost istosmjernoga napona.
Glavna podruja primjene kapacitivnih dioda su: automatsko ugaanje otrine kod TV prijemnika,
generacija frekvencijsko moduliranih signala, u promjenljivim R-C i L-C filtrima, za umnaanje i
dijeljenje frekvencije, te u impulsnim krugovima.
Zadatak 1

Za P-N spoj s kontaktnim potencijalom VC = 0,65 V i zapornom kapacitivnosti od Cj1 = 4,5 pF

(US1 = 10 V) i Cj2 = 6,5 pF (US2 = 2V):
a) Izraunaj m i Cj0;
b) U MatLab-u napii program za crtanje ovisnosti zaporne kapacitivnosti o prikljuenom
naponu u rasponu od 30 V do 0,4 V.
Rjeenje:
Zaporna kapacitivnost P-N spoja:

Cj

C j0
m

1
1
m ,
3
2

m je

1
1
za linearan spoj, a za skokovit spoj.
3
2

US
1

VC
C j 0 spojna kapacitivnost za priklj. napon 0 V .

C j1

C j0
U S1
1

V
C

C j2

C j0
US2
1

V
C

MatLab skript
% zaporna kapacitivnost
%Podaci
cj1 = 4.5e-12;
us1 = -10;
cj2 = 6.5e-12;
us2 = -2;
vc = 0.65;
%Rjeenje
num = cj1/cj2;
den = (vc-us2)/(vc-us1);
m = log10(num)/log10(den)
cj0 = cj1*(1 - (us1/vc))^m
vs = -30:0.2:0.4;

32

C j1
C j2

V US2

C
V

U
S2
C

C j1
m
C j2
U S1

m
; C j 0 C j1 1
VC U S 2
V
C

log10
VC U S 2
log10

k = length(vs);
for i = 1:k
cj(i) = cj0/(1-(vs(i)/vc))^m;
end
%Crtanje karakteristike
plot(vs,cj)
xlabel('Reverzni napon,V')
ylabel('Kapacitet,F')
title('Zaporna kapacitivnost pn spoja')
axis([-30,2,1e-12,14e-12])
grid on;

a) m = 0.2644

cj0 = 9.4246e-012

b)
-12

14

Zaporna kapacitivnost pn spoja

x 10

12

Kapacitet,F

10

2
-30

-25

-20

-15
-10
Reverzni napon,V

-5

33

2.52.5.BIPOLARNI TRANZISTOR
Tranzistor je poluvodiki elektroniki element koji se primjenjuje za pojaanje signala i generiranje
razliitih vremenskih oblika. Prvi tranzistor je konstruiran jo 1948. godine (Bardeen i Brattain). To
je bio tokasti tranzistor i on je konstrukcijom slijedio tokastu diodu. Zbog estih nestabilnosti,
ograniene snage, potekoa oko dobivanja slinih karakteristika za razliite primjerke istoga tipa
tranzistora, tokasti tranzistori danas se vie ne primjenjuju. To je u odreenoj mjeri bio i rezultat
(posljedica) nedovoljnoga poznavanja njihovoga rada,. Stvarni razvoj tranzistora datira iz 1949.
godine kada je Shockley iznio princip rada spojnih tranzistora koji mogu biti p-n-p ili n-p-n tipa.
Bipolarni tranzistor je aktivan poluvodiki elektroniki element s tri elektrode dobiven
kombinacijom poluvodia p i n tipa. U naelu se bipolarni tranzistor moe shvatiti kao struktura
nainjena od dva P-N spoja, odnosno kao poluvodika cjelina pnp ili npn tipa u kojoj se sredinji
sloj naziva baza (B), a druga dva sloja su emiter (E) i kolektor (C), slika 2.20.

(b)
(a)
Slika 2.20. Shematski prikaz i simbol bipolarnog tranzistora: a) pnp tip, b) npn tip
Danas dominira difuzijsko-planarni tehnoloki postupak proizvodnje bipolarnih tranzistora, bilo da
se radi o komponentama u vlastitome kuitu (diskretni tranzistori) ili komponentama u monolitnim
integriranim sklopovima (integrirani tranzistor) slika 2.21.

Diskretni tranzistor u
metalnome kuitu
Original vidi [2]

Slika 2.21. Tehnoloki presjeci i primjeri izvedbe bipolarnog tranzistora

Tako za diskretni npn tranzistor, prvo se na jako dopiranu podlogu n-tipa nanese slabo dopirani
epitaksijalni sloj n-tipa debljine 5 15 m. On e sluiti kao kolektor gotovoga tranzistora. Zatim
slijedi bazna difuzija akceptorskih primjesa u epitaksijalni sloj kojom se formira podruje baze,
34

odnosno P-N spoj baza kolektor. Zatim se u tu bazu difundiraju donorske primjese u jo veoj
koncentraciji, tako da se formira podruje emitera, odnosno P-N spoj emiter-baza.
Princip rada bipolarnih tranzistora zasniva se na injekciji slobodnih nosilaca iz emitera u bazu,
transportu tih nosilaca kroz vrlo usko podruje baze, te njihovom sakupljanju na kolektoru. U radu
tranzistora bitno je prisutnost obaju tipova nosilaca, veinskih i manjinskih, pa se zato ovaj
tranzistor i naziva bipolarni tranzistor. Upotrebljava se na jedan od dva osnovna naina:
1. kao linearni pojaavaki element napona ili struje,
2. kao nelinearni prekidaki element u funkciji sklopke.
Ovisno o polaritetu napona prikljuenoga izmeu emitera i baze, te kolektora i baze mogua su
etiri podruja rada tranzistora:
1. normalno aktivno podruje: spoj emiter-baza je polariziran propusno, a spoj kolektor-baza
nepropusno;
2. podruje zasienja: oba spoja su polarizirana propusno;
3. podruje zapiranja: oba spoja su polarizirana nepropusno;
4. inverzno aktivno podruje: spoj emiter-baza je polariziran nepropusno, a spoj kolektor-baza
propusno (kao emiter se upotrebljava elektroda kolektora).
Kada tranzistor radi u sklopu pojaala, radi u normalnome aktivnom podruju, a kad se koristi kao
sklopka prebacuje se iz podruja zasienja u zaporno podruje, i obratno.
Tranzistor ima tri elektrode, stoga i tri elektrodne struje: struju emitera, struju baze i struju
kolektora. One su sastavljene od pripadajuih struja elektrona i struja upljina. Za normalno
polarizirani pnp tranzistor, prikazan na slici 2.22., ucrtani su stvarni smjerovi struja koji odgovaraju
smjeru gibanja pozitivnog naboja (upljina).

Slika 2.22. Struje normalno polariziranog pnp tranzistora

Struja emitera IE je struja propusno polariziranoga spoja emiter-baza i sastoji se od struje upljina
IpE, koje su iz emitera injektirane u bazu te od struje elektrona InE koji su iz baze injektirani u emiter.
Spoj kolektor-baza je polariziran nepropusno pa se struja kolektora sastoji od manjinskih nosilaca:
struje upljina IpC koje iz baze idu u kolektor i reverzne struje zasienja ICB0. Struja upljina
kolektora IpC predstavlja onaj dio struje upljina emitera IpE koji je od emitera na putu kroz bazu
stigao do kolektora, tj. to je struja IpE umanjena za rekombinacijsku struju IR,
IR = IpE IpC. Struja ICB0 se sastoji od elektrona koji predstavljaju manjinske nositelje kolektora i
prelaze u bazu.
Struja baze IB sastoji se od tri komponente: struje elektrona InE injektiranih iz baze u emiter,
rekombinacijske struje IR koja je posljedica rekombinacije dijela upljina iz emitera s elektronima u
bazi, IR = IpE IpC, te reverzne struje zasienja ICB0 nepropusno polariziranoga spoja kolektor-baza.
35

Za normalno polarizirani npn tranzistor sve struje teku u suprotnome smjeru u odnosu prema
strujama pnp tranzistora i polariteti istosmjernih izvora su suprotni. Struja emitera bipolarnoga
tranzistora jednaka je zbroju struje kolektora i struje baze:
IE = IC + IB.

(0.11)

S obzirom na broj elektroda bipolarnoga tranzistora, on moe biti ukljuen u pojedini elektroniki
sklop tako da se realizira jedan od tri osnovna spoja tranzistora:
spoj zajednike baze (ZB),
spoj zajednikog emitera (ZE),
spoj zajednikog kolektora (ZC).
Rije zajedniki oznaava da je dotina elektroda zajednika ulaznome i izlaznom krugu tranzistora.
Uvijek drugo slovo u indeksu za napon oznaava o kojemu se spoju radi, tako npr. UCE predstavlja
napon izmeu kolektora i emitera u spoju zajednikoga emitera - slika 2.23.

Slika 2.23. Spojevi bipolarnoga tranzistora

Statike karakteristike tranzistora daju meusobnu ovisnost odreenih struja i napona tranzistora,
ovisno o tome o kojemu se od navedenih osnovnih spojeva tranzistora radi. Za spoj zajednikoga
emitera to su struje IB i IC, te naponi UBE i UCE. Od dvanaest moguih familija statikih
karakteristika tranzistora samo su etiri familije od vanosti, a za spoj ZE to su:
a) ulazne

I B f U BE
,
U CE konst.
b) izlazne

I C f U CE

I B konst.

c) prijenosne

I C f I B
,
U CE konst.
d) povratne

U BE f U CE

I B konst.

U katalozima proizvoaa tranzistora najee se daju ulazne i izlazne karakteristike za spoj ZE, a
esto i za spoj ZB. S ulaznim i izlaznim karakteristikama statika svojstva tranzistora na danoj
temperaturi su potpuno odreena. U spoju zajednikoga emitera, emiter je zajednika elektroda
ulaznome i izlaznom krugu tranzistora, slika 2.24 .

36

Slika 2.24. Izlazne karakteristike npn tranzistora u ZE spoju

Struja IB i napon UBE pripadaju ulaznom krugu, a IC i UCE izlaznom krugu tranzistora. Izlazne
karakteristike tranzistora u spoju ZE date su kao funkcija IC = f(UCE) pri konstantnoj vrijednosti
struje baze IB za pojedinu karakteristiku, slika 2.24.
Radna toka tranzistora Q, koja je odreena statikim uvjetima, redovito se crta u izlaznim
karakteristikama i o njezinome poloaju u polju tih karakteristika ovisi u kojemu podruju rada se
nalazi dotini tranzistor. Poloaj radne toke odreen je koordinatama Q(UCE, IC, IB). Podruje
zasienja karakteriziraju male vrijednosti napona UCE za koje struja IC naglo raste za svaku
promjenu struje IB (dio izmeu koljena karakteristika i osi ordinate). Podruje zapiranja nalazi se
ispod karakteristike IB = 0. Ako se radna toka nalazi u dijelu polja izlaznih karakteristika izmeu
karakteristike za struju IB = 0 i koljena krivulja, tranzistor radi u normalnome aktivnom podruju i
za to podruje vrijedi relacija:
IC = IB + (1 + )ICB0,

(0.12)

gdje je faktor strujnoga pojaanja tranzistora za spoj ZE.

Faktor izmjeninoga strujnog pojaanja (small-signal current gain) tranzistora za spoj ZE definiran
je za svaku odreenu vrijednost napona UCE, kao omjer promjene struje kolektora IC uzrokovane
promjenom struje baze IB:
= hfe =

diC
I
C
dI B U CE konst. I B U CE konst.

(0.13)

Omjerom statikih vrijednosti struje kolektora i struje baze definiran je tzv. istosmjerni faktor
strujnoga pojaanja 0:
0 = hFE = B =

IC
I B U CE konst.

(0.14)

Na iznos obaju faktora utjee napon UCE, struja IC i temperatura. Porastom struje kolektora IC oba
faktora rastu do odreenoga iznosa, a zatim se smanjuju. Za struje reda veliine nekoliko desetaka
do stotinu mili-ampera faktori hFE i hfe malo se razlikuju i mogu se smatrati jednakima. Za spoj ZB
baza tranzistora je zajednika elektroda ulaznome i izlaznom krugu tranzistora, slika 2.26.

37

Slika 2.25. Izlazne karakteristike npn tranzistora u ZB spoju

Izlazne karakteristike date su kao funkcija IC = f(UCB) pri stalnoj vrijednosti struje IE za pojedinu
karakteristiku. Desno od osi ordinata je UCB > 0 i tranzistor radi u normalnome aktivnom podruju,
a lijevo od osi ordinata je UCB < 0 i tranzistor je u podruju zasienja. Podruje zapiranja nalazi se
ispod krivulje IE = 0. Za spoj zajednike baze definira se faktor strujnoga pojaanja , kao omjer
promjene struje kolektora i struje emitera:
=

dI C
I
C
dI E U CB konst. I E U CB konst.

(0.15)

Faktor strujnog pojaanja u spoju ZB uvijek je manji od jedinice, dok se vrijednosti faktora
strujnoga pojaanja u spoju ZE vrijednosti faktora kreu priblino u granicama od 20 1000.
Faktori strujnoga pojaanja i povezani su relacijama:

,
1

.
1

(0.16)

Faktor strujnoga pojaanja moe se definirati i preko komponenti struja sa slike 2.5.3. Faktor
injekcije ili efikasnost emitera definirana je relacijom:

I pE
I pE I nE

I pE

IE

(0.17)

Transport upljina kroz bazu bit e to povoljniji to je baza ua. Ako je irina baze W vea od
difuzijske duine upljina/elektrona u bazi Lp/Le (one su reda veliine 102 cm), mali dio
upljina/elektrona e stii u kolektorski krug, a najvei dio e se rekombinirati u podruju baze. Kad
je W > Lp/e, tranzistor u biti degenerira u dvije nasuprot spojene diode. Uz svojstvo injekcije i
kolekcije, bitno svojstvo tranzistora je dakle i transport nositelja kroz bazu. Transport e biti
efikasniji to je baza ua, to znai da treba biti ispunjen uvjet W << Lp/e. Ovim uvjetom je odreena
gornja granica irine baze. Kao mjera kvalitete transporta je transportni faktor *, koji je definiran
kao pozitivna bezdimenzijska veliina:

I pC
I pE

IR
.
I pE

(0.18)

Na osnovi ovih definicija mogue je struju baze i kolektora definirati kao:

I C * I E I CB0 ,

(0.19)

I B 1 I E 1 * I E ICB0 1 * I E I CB0 .

38

(0.20)

Kao to se vidi, glavna komponenta struje kolektora izazvana je emiterskom strujom i

proporcionalna je produktu * , pa se taj produkt naziva faktor strujnog pojaanja tranzistora u
spoju zajednike baze . On je prema definiciji jednak:
= *.

(0.21)

Prema tome za struje kolektora i baze vrijedi:

I C I E I CB0 ;

I B 1 I E I CB0 .

(0.22)

OGRANIENJA U RADU TRANZISTORA

Ogranienja u radu tranzistora mogu se podijeliti na naponska, strujna i ogranienja snage. Takoer
postoje i frekvencijska ogranienja tranzistora, povezana postupnim pogoranjem rada tranzistora na
sve viim frekvencijama.

Slika 2.26 . Ovisnost probojnoga napona o veliini otpora RB

Od strane proizvoaa redovito se navode maksimalni iznosi reverznih napona UCBM, UCEM i UBEM
koji se u radu ne smiju prekoraiti, jer postoji opasnost proboja s mogunou unitenja tranzistora.
Naponi UCBM i UCEM kreu se od nekoliko desetaka volta kod tranzistora malih snaga pa do
nekoliko stotina i vie volta kod tranzistora velikih snaga, posebno napon UCBM kod silicijevih
tranzistora. Mehanizam proboja koji te napone ograniava je lavinski proboj. Ovisnost IC = f(UCE)
prikazana je na slici 2.26. za dva razliita tranzistora. Vidimo da krivulje 2, 3 i 4 posjeduju podruje
negativnoga otpora i ova pojava dosta se esto opaa kod silicijevih tranzistora. Uvjet IB = 0 ili IB =
konst. moe se ostvariti ako se tranzistor napaja iz strujnoga izvora, tj. izvora s beskonano velikim
unutarnjim otporom. U praktinim izvedbama otpor baze uvijek je konaan, ak i ako je otpor
vanjskoga kruga u seriji s bazom jednak nuli, ostaje uvijek omski otpor baze rB. O veliini toga
vanjskog otpora baze RB ovisi i probojni napon UCERPR, kao to je prikazano na slici 2.26. Tipina
doputena vrijednost napona UBEM iznosi oko 5 V. Ako u sklopovima postoji mogunost pojave
veeg napona, potrebno je zatititi spoj baza-emiter tranzistora kao to je prikazano na slici 2.27.

Slika 2.27. Zatita spoja baza-emiter

Osim toga tvorniki podaci sadre i podatke o uvjetima pod kojima su mjerene pojedine
karakteristine veliine. Kako veina podataka za isti tip tranzistora varira u velikome rasponu, u
39

tvornikim podacima obino se daje tipian podatak ili najvea i najmanja mogua vrijednost.
Naponi za tranzistor u zasienju:
1. UBEzas (saturation voltage - VBEsat) iznosi za silicijske tranzistore 0,7 0,8 V;
2. UCEzas (VCEsat) iznosi 0,1 0,3 V, ali moe imati i vrijednosti vee od 1 volta kod tranzistora
namijenjenih za vee snage.
Kao to je poznato iz teorije poluvodia veoma je bitan utjecaj temperature, kao i utjecaj raznih
zraenja (svjetlost, radioaktivno zraenje).
NADOMJESNI MODELI BIPOLARNOGA TRANZISTORA
Sada e ukratko biti objanjeni modeli tranzistora koji se koriste u analizi i projektiranju elektrinih
sklopova. Potrebno je na odreen nain modelirati svojstva tranzistora pomou elektrinoga
ekvivalenta.
Ima vie razliitih metoda, ali je svaka od njih izvedena uz pretpostavku da su izmjenine promjene
dovoljno malene, tako da tranzistor uvijek radi u linearnom podruju i da ne postoje ni neki drugi
uzroci izoblienja signala. Tada se svojstva tranzistora mogu prikazati linearnim krugom, a
dobivene modele nazivamo modelima za mali izmjenini signal na relativno niskim frekvencijama.
Na slici 2.28. a) prikazan je tranzistor s pripadnim izmjeninim naponima i strujama, a na slici
2.28.b) i c) su dva njegova linearna modela za male signale.
Napomena: Strujni izvor oznaen je posebnim simbolom kojim se prikazuje ovisni (zavisni) strujni
izvor, ime se eli istaknuti da njegova vrijednost ovisi o nekoj varijabli kruga kojemu izvor pripada.

a)

b)
c)
Slika 2.28. Model bipolarnog tranzistora za male izmjenine signale

Struja IB predstavlja ulaznu struju tranzistora (pojaala) to znai da je IB = Iul za ZE spoj. Otpor
baze r oznaava se jo i s hie (vidi: Model s h-parametrima). Moe se odrediti uz poznavanje
parametra radne toke (IBQ ili ICQ) prema:

h
kT 1

0,026 fe ,
q I BQ
I CQ

(0.23)

gdje je kT/q termiki napon, koji na sobnoj temperaturi iznosi 0,026 V.

Strujno ovisan strujni izvor je hfeIb. U modelu na slici c) umjesto baznog otpora r koristi se
odgovarajui emiterski otpor re, pri emu je:
r 1 h fe re h fe re

fe

1 .

(0.24)

Model s h-parametrima
Sljedei model, koji omoguuje veu tonost u odnosu na prije opisane modele za mali signal,
temelji se na prikazu tranzistora kao sklopa s 4 terminala - etveropol (four terminal network).
Modelom se povezuju ulazni i izlazni naponi i struje preko odgovarajuih jednadbi etveropola.
Poznato je da je mogue postaviti 6 razliitih setova parametara (Y, Z, A, parametri) koji opisuju
strukturu etveropola. U analizi tranzistora primjenjuje se model s hibridnim ili h-parametrima.
Jednadbe iji su koeficijenti hibridni parametri openito su:
40

U ul h11I ul h12U iz
I iz h21I ul h22U iz

(0.25)

Na slici 2.29 prikazan je bipolarni tranzistor i njegov hibridni ekvivalent za ZE spoj, pri emu je za
prikazani model: Uul = UBE, Uiz = UCE, Iul = IB, Iiz = IC, a parametri su: h11 = hie, h12 = hre, h21 = hfe,
h22 = hoe. Oznaka e u "subscriptu" h parametara ukazuje da se parametri odnose na ZE spoj
tranzistora.

(a)

(b)

Slika 2.29. Bipolarni tranzistor i njegov model s h-parametrima

Parametri se definiraju iz pokusa kratkog spoja (UCE = 0 V) i otvorenoga kruga (IB = 0 A):

hie

U BE
[]
I B U CE 0

ulazni otpor kratkoga spoja,

(0.26)

hre

U BE
U CE I B 0

inverzno naponsko pojaanje otvorenoga kruga,

(0.27)

h fe

IC
I B U CE 0

strujno pojaanje kratkoga spoja,

(0.28)

hoe

IC
[1] izlazna vodljivost otvorenoga kruga.
U CE I B 0

(0.29)

h-parametri su diferencijalni koeficijenti za odabranu radnu toku, a mogu se odrediti iz

karakteristika tranzistora ili su navedeni u katalozima za pripadne tranzistore.
Tipine numerike vrijednosti h parametara su:
hie = 1,5 k, hre = 104, hfe = 100, hoe = 105 1.
Kada se zanemare hre i hoe ije su vrijednosti obino vrlo male, gornji model s h-parametrima svodi
se na model za male signale prikazan na slici 2.28.b). Tada postaje jasno zato se strujno pojaanje
za izmjenini signal oznaava i s hfe.
Nadomjesni -hibridni sklop tranzistora

Pri analizi sklopa na visokim frekvencija esto se upotrebljava nadomjesni model prikazan na slici
2.30. i jednadbom 2.42:
gm

h
IC
, rb ' e fe ,
gm
UT

rb 'b hie rb ' e ,

rb ' c

rb ' e
hre

rce

hoe

1
.
1 h fe

(0.30)

rb ' c

41

Cc

rb 'b

rb 'c

+
u b 'e

rb 'e

Ce

rce

g mub 'e

Slika 2.30. Nadomjesni -hibridni sklop tranzistora

Kondenzatori Ce i Cc predstavljaju parazitne kapacitetivnosti koje dolaze do izraaja na visokim
frekvencijama. Posljedica toga je da e sklop imati gornju graninu frekvenciju do koje ispravno
funkcionira.
Ebers-Mollov model

Za analizu rada tranzistora u svim podrujima rada najprikladniji je Ebers-Mollov model prikazan
na slici 2.31.
C

IC

r'BB

I GC

CTC
B'

IB

CDC

N I GE

I I GC

+
CTE

I GE

U B 'C
U CE

CDE U B 'E

IE
E

Slika 2.31 . Ebers-Mollov model

I B IGE N IGE 1 N IGE ,

I GE

UUBE

I ES e T 1 ,

(0.31)
(0.32)

U BE

I
I
N N ES e U T N N GE ,
UT
UT

(0.33)

UUBC

I CS e T 1

(0.34)

U BE
UUBE

I ES U T
I
T

I ES e 1 , CDE N N
e
N N GE ,

UT
UT

(0.35)

CDE

I GC

I GS

U BC

CTC

42

I
I
CTC 0

, CDC I I CS e UT I I GC ,
UT
UT
U
1 BC
U

(0.36)

+
IC

U BC

CTE 0
U
1 BE
U

CTE

U BC U B 'C

+
+

U BE U B ' E

U CE

N I ES I I CS

IB
U BE

IE

gdje je:
IES struja zasienja diode B-E,
UBE napon izmeu baze i emitera,
CTE0 kapacitivnost barijere pri naponu UBE = 0,
U napon priblino jednak 1 V,
N faktor strujnog pojaanja,1
N vremenska konstanta diode B-E.
Dinamiki uvjeti

Istosmjerni uvjeti

CDC

rB 'B

U B 'C

B' +

r'BB

B'

IB

CDE

IB

U B 'E

a) zaporno podruje
C

IC

IC

CTC
B

rB 'B

CDC

N I GE

B'

I I GC

IB
I GE

gE

CTE

CDE

N I GE

U BC

+
U BE

rB 'B
B'

IB
I GE

gE

1
rE

IE
E

b) aktivno podruje

Tome pripada istosmjerni faktor strujnog pojaanja normalnog smjera N, dosada oznaivan kao . Kad je UCB 0, a
UEB = 0, govori se o inverznom smjeru struje, kome pripada inverzan faktor strujnoga pojaanja I. Redovito je
N > I. (Juzbai)
1

43

Dinamiki uvjeti

Istosmjerni uvjeti

IC

IC

I GC
B

CTC

gC

rB 'B

B'

IB

CDC

N I GE

I I GC

gE

CTE

I GE

I GC

U B 'C

gC

rB 'B
IB

I I GC

gE

CDE U B 'E

N I GE

B'

I GE

IE

IE
E

E
U BE

1 dI
I
g E GE ES e U T 40 I GE
rE dU BE UT
c) podruje zasienja
Slika 2.32. Ebers-Mollov model: a) zaporno podruje; b) aktivno podruje;
c) podruje zasienja
U BE

gE

1
dI
I
GE ES e U T 40 I GE .
rE dU BE UT

gdje je:
ICS struja zasienja diode B-C,
UBC napon izmeu baze i kolektora,
CTC0 kapacitivnost barijere pri naponu UBC = 0,
I inverzni faktor strujnog pojaanja,
N vremenska konstanta diode B-C,
NIES = IICS.
Tablica 2.5.1. Karakteristini naponi za tranzistore
Tip tranzistora UZ [V] U [V] UBE [V] UBEzas [V] UCEzas [V]
Si
0
0,5
0,6
0,7
0,15
Ge
0,1
0,2
0,3
0,1
0,1
gdje je:
UZ zaporni napon UBE pri kojem se tranzistor nalazi u zapornom podruju,
U napon koljena UBE pri kojem tranzistor poinje voditi struju,
UBE napon UBE pri kojem tee nominalna struja kroz tranzistor,
UBEzas napon UBE pri kojem se tranzistor nalazi u zasienju,
UCEzas napon UCE kada se tranzistor nalazi u zasienju.

44

(0.37)

Slika 2.33. Analiza rada tranzistora u ZE spoju

TRANZISTOR KAO SKLOPKA
Elektrinim sklopkama ukljuujemo i iskljuujemo potroa iz strujnoga kruga. Kada je sklopka
ukljuena, u strujnome krugu tee struja, a pad napona na samoj sklopki je zanemarivo mali. Uz
iskljuenu sklopku strujni krug se prekida (struja ne tee), a sklopka preuzima na sebe sav
prikljueni napon.
U elektronikim sklopovima, za ukljuivanje i iskljuivanje struje kroz potroa esto se koristi
tranzistor. Pri tome se sklopka ne ukljuuje ili iskljuuje mehaniki, ve strujnim impulsima. Da bi
pad napona na tranzistorskoj sklopci kada vodi bio to manji, oito je da tranzistor mora biti u
podruju zasienja. Takoer, da bi struja kroz sklopku kada je ona iskljuena bila najmanja,
tranzistor mora biti u podruju zapiranja.
Prema tome strujni impulsi koji upravljaju tranzistorom, prebacivat e tranzistor iz podruja
zapiranja (nevoenja) u podruje zasienja (voenja), i obrnuto. Radi to manjega optereenja
izvora impulsa, potronja energije u ulaznome dijelu sklopa mora biti to manja. Stoga se kao
najpogodnija konfiguracija namee spoj zajednikoga emitera.
Spoj zajednikoga emitera treba ulaznu baznu struju nekoliko redova veliine manju od izlazne
kolektorske struje (za faktor ).
Kada bi se koristio spoj zajednike baze, ulazna emiterska struja baze bi bila jednaka izlaznoj
kolektorskoj struji, to znai da pobudni impuls mora biti jednake amplitude kao i izlazni.
U spoju zajednikoga kolektora ulazni uBC i izlazni napon uEC su meusobno praktiki jednaki, to
opet znai da je potrebna ulazna pobuda velike amplitude. Ulazni napon uG upravlja strujom baze iB
i prebacuje tranzistor iz stanja nevoenja u stanje voenja i obrnuto. Bazna i kolektorska struja ne
prate promjenu pobudnoga napona, ve nastaje kanjenje u njihovu odzivu. Do toga kanjenja u
odnosu na pobudni napon dolazi zbog konanoga vremena potrebnoga za promjenu naboja i
uspostavu novoga stacionarnog stanja.
45

Slika 2.34. Tranzistor kao sklopka, valni oblici i raspored naboja u bazi
U jednome stacionarnom stanju tranzistor ne vodi (zapiranje). Nakon toga prelazi u drugo
stacionarno stanje kada vodi i radna toka tranzistora ulazi u podruje zasienja. Ponovnim
iskljuivanjem radna toka tranzistora vraa se u podruje zapiranja.
Oito je da prijelaz iz jednoga stacionarnog stanja u drugo iziskuje ukrcavanje odreene koliine
naboja u bazu (osjenana ploha), odnosno njezino izvlaenje iz baze, za to je potrebno neko
odreeno vrijeme.
Struje i naponi u stacionarnome stanju mogu se izraunati koritenjem Ebers-Mollovih relacija.
Meutim one nisu dovoljne za objanjene prijelaznih pojava - kanjenje odziva i postupnoga
prijelaza iz jednoga stacionarnog stanja u drugo. Struje bi trebalo izraziti u ovisnosti o ukupnome
akumuliranom naboju u tranzistoru.
Zadatak 1
Za krug tranzistorskoga pojaala na slici, zadanim podacima izraunajte statiku radnu toku (SRT)
i statiki radni pravac (SRP), te ih ucrtajte u polje izlaznih karakteristika. Pri raunanju
Theveninovoga ekvivalentnog otpora, zato su R1 i R2 paralelno spojeni?
U CC

I CQ

R1

CB

I BQ

U BE

ug

46

B
+

R2

I EQ

RC

C
+
U CE

RE

CC

RP

UCC = 10 V
hFE = 100 =
R1 = 50 k
R2 = 6,8 k
RE=100
RC = 1 k
UBE= 0,7 V
----------------SRT, SRP = ?

Rjeenje:
U polju izlaznih karakteristika statiki uvjeti odreeni su s: IB, IC, UCE
U CC

I BQ

B
+

U BE
R2

RC

I CQ

R1

I EQ

nadomjestimo

C
+
U CEQ

Theveninovim

RBT

ekvivalentom

IB

RE

U CC +

U CE

U BE

petlja I

RBT

C
B

+ U BT

UBT i RBT

U BT UCC

petlja II

E
RE

IE

R2
6,8 103
68
10

1,2639 V
3
3
R1 R2
53,8
47 10 6,8 10

R1 R2
47 6,8 106 319,6 106

5,94 k
R1 R2
53,8 103
53,8 103
I KZ

A. Za ulazni krug (petlja I):

I E I B IC

U BT I B RBT U BE I E RE
IB

RC

IC

Ulazni krug

U BT U BE
1,2639 0,7
0,5639 V

RBT 1RE 5940 101 100 16040

I B 3,515586 105 35,16 A

(1)

B. Za izlazni krug (petlja II):

I E 1I B 100 1 35,16
I E 3551,16 A 3,55 mA
kako je:
= 100 >> 1

UCC IC RC UCE I E RE

I E 1I B I B IC

Jednadba statikoga radnog pravca (SRP)

UCE UCC IC RC RE

IC I E

U CE 10 3,5 10 1 0,1 10 10 3,85 6,16 V

3

IC I B (tranzistorsko djelovanje )

I C I B
I C 100 35,16 A 3,5 mA (2)

Statika radna toka Q odreena je sljedeim veliinama:

I B I BQ 35 A ; I C I CQ 3,5 mA ; U CE U CEQ 6,15 V

U isto polje izlaznih karakteristika izraunajte i ucrtajte statiki radni pravac (SRP).
Statiki radni pravac:
za IC = 0 UCE =UCC = 10 [V] .......................................................................................... 1. toka
za UCE = 0 .. .. I C

U CC
RC RE

IC

U CC
10 V

9,0 9 mA
RC RE 1,1 103

2. toka

Sada imamo dvije toke pa moemo nacrtati radni pravac:

47

2. toka: ( 9,0 9 [mA])

1. toka: UCC (10 [V])

IC [mA]
12
11
10
9
8
7
6
5
ICQ 4
3
2
1

IB = 80 A

SRP

IB = 70 A
IB = 60 A
IB = 50 A
IB = 40 A

Q(38 [A]; 3,8 Q

[mA]; 5,776 [V])

IB = 30 A
IB = 20 A
1

6 7
UCEQ

10 11 12

UCE [V]

Je li statika radna toka smjetena optimalno u polje izlaznih karakteristika i zato?

48

22.6. UNIPOLARNI TRANZISTOR

Pokuaji da se pomou vanjskog elektrinog polja upravlja prolaskom struje kroz poluvodie i na
taj nain postigne efekt pojaanja, starijega su datuma od bipolarnih tranzistora. Ti pokuaji datiraju
iz 1934. kada je Heil doao na ideju da pomou vanjskoga polja okomitoga na povrinu nekog
poluvodia (telur, vanadijev-pentoksid, kadmijev sulfid), upravlja iznosom struje kroz poluvodi.
Osnovna ideja toga tranzistora zasniva se na zakonima elektrodinamike, tj. na Gaussovom zakonu:

(0.38)
div D div 0 r E .

Vektor jakosti elektrinoga polja u izolatorskome materijalu izmeu ploica kondenzatora je E ,

relativna dielektrina konstanta tog materijala je r, dok je gustoa induciranoga povrinskog naboja
u poluvodiu [As/m2].
Krajem etrdesetih godina prologa stoljea Shockley, Pearson i Bardeen su nastavili pokuse
germanijevim poluvodikim materijalom, ali su nailazili na potekoe u vezi s povrinom. Da bi
izbjegao ove potekoe, Shockley je 1952. godine dao ideju i razradio osnovnu teoriju tranzistora s
efektom polja, spojni tranzistor s efektom polja, JFET (junction field-effect transistor).
Openito, postoje dva tipa FET-a:
1. JFET spojni tranzistor s efektom polja,
2. MOSFET tranzistor s efektom polja s izoliranim vratima (Metal-Oxide-Semiconductor
field-effect transistor).
JFET
Unipolarni tranzistor je aktivan poluvodiki elektroniki element s tri elektrode kod kojega u
voenju struje sudjeluju samo veinski nositelji naboja (ili samo elektroni ili samo upljine), a
protjecanjem te struje upravlja se promjenom vanjskoga napona. Posljedica prikljuivanja toga
napona na poluvodi jest postojanje poprenoga elektrinog polja koje utjee na vodljivost
poluvodia, pa se uz naziv unipolarni tranzistor obino upotrebljava i naziv tranzistor s efektom
polja ili krae FET (Field Effect Transistor).
Za razliku od bipolarnoga tranzistora, kod FET-a nositelji naboja koji ine struju, ne prelaze preko
odgovarajue polariziranih P-N spojeva meu pojedinim elektrodama, ve teku kroz dio poluvodia
koji se naziva kanal. Ovisno o tome koji se tip nositelja naboja nalazi u kanalu, unipolarni
tranzistori mogu biti p-kanalni ili n-kanalni.
Bipolarni tranzistori su strujno upravljani elementi i s njima je mogue ostvariti vee naponsko
pojaanje, te takoer imaju linearnije podruje rada, meutim postoje mnoge prednosti FET-ova u
praktinoj primjeni:

FET je naponski upravljan elektroniki element;

Posjeduje vrlo veliku ulaznu, a nisku izlaznu impedanciju;

Ima veoma malu potronju, zbog toga to se protok struje kroz kanal kontrolira samo
mijenjanjem potencijala upravljake elektrode FET-a, a u tu svrhu ne troi se gotovo
nikakva snaga sve dok su P-N spojevi nepropusno polarizirani (u tomu sluaju gotovo ne
tee struja upravljake elektrode IG, u stvari tee struja reda veliine nA);

Generira relativno malen um;

Temperaturno je stabilniji od bipolarnoga tranzistora.

Na slici 2.35. prikazan je presjek kroz simetrini n-kanalni spojni FET s oznaenim elektrodama:
uvod S (source), odvod D (drain) i vrata ili upravljaka elektroda G (gate).

49

Slika 2.35. Simboli i presjek JFET-a

JFET prikazan na slici 2.35. dobiven je tako da je na podlogu od n-tipa poluvodia difuzijom na
dvije suprotne plohe umetnut p-tip poluvodia s izrazito velikom koncentracijom upljina, p+
podruje. Na taj nain ostvarena su dva P-N spoja i oni se nepropusno polariziraju naponom UGS.
Na krajevima podloge n-tipa nanesene su dvije metalne elektrode oznaene sa S i D, a izmeu njih
je prikljuen napon UDS.
Budui da je n-podruje slabije vodljivo od p+ podruja, barijere e se na tim P-N spojevima iriti
praktiki iskljuivo na n-stranu, to je i oznaeno na slici. Kroz preostali elektrino neutralni dio
poluvodia n-tipa, nazvan kanal, tei e struja ID od uvoda prema odvodu, a njezin iznos ovisi o
naponima napajanja UDS i UGS. Za odreeni napon UDS struja e biti to manja to je napon
nepropusne polarizacije iznosom vii. Naime, uz vei napon nepropusne polarizacije UGS kanal e
biti ui, odnosno njegov presjek manji, a otpor vei. Pri naponu UDS = 0 i UGS = 0 kanal FET-a ima
najveu irinu, dok se pri nekom naponu UGS i naponu UDS = 0 irina kanala jednako smanji po
itavoj njegovoj duini. Poveanjem napona nepropusne polarizacije barijere postaju sve ire, tako
da kod nekoga odreenog napona dolazi do dodira gornje i donje barijere. Napon UGS pri kojem
irina kanala postaje jednaka nuli naziva se napon dodira i oznaava se s UGS0.
Naponima prikljuenim izmeu odgovarajuih elektroda odreena je radna toka FET-a, a sukladno
tim naponima na slici 2.35. je oznaen i smjer struje odvoda ID koji odgovara smjeru gibanja
pozitivnoga naboja. Na slici 2.36. prikazane su statike karakteristike n-kanalnoga FET-a.

Slika 2.36. Prijenosna i izlazne karakteristike FET-a

Izlazne karakteristike prikazuju ovisnost struje ID o naponu UDS uz konstantan napon UGS, ID =
f(UDS). Geometrijsko mjesto toaka UDS = UGS UGS0 na izlaznim karakteristikama za pojedini
napon UGS predstavlja granicu izmeu dvaju podruja rada FET-a triodnoga podruja i podruja
50

zasienja. U triodnome podruju napon UDS je nizak i spojni FET ponaa se kao linearni otpor ijim
se iznosom moe upravljati pomou napona upravljake elektrode UGS. Podruje zasienja
karakterizirano je konstantnom strujom ID koja u tomu dijelu karakteristika praktiki ne ovisi o
naponu UDS (idealizirano). Kod realnoga FET-a postoji vrlo blag porast struje odvoda u podruju
zasienja. Nagli porast struje odvoda kod viih napona rezultat je proboja P-N barijere upravljaka
elektroda-kanal u blizini odvoda. Kada se pomou FET-a eli realizirati pojaalo, radnu toku treba
postaviti u podruje zasienja.
Prijenosna karakteristika definirana je ovisnou struje ID o naponu UGS, ID = f(UGS).
U podruju zasienja vrijedi:
2

U
I D I DSS 1 GS .
U GS 0

(0.39)

Struja iD = iD(uDS, uGS) te njezina parcijalna derivacija po uGS predstavlja vrlo vaan parametar FETa koji se naziva strmina:

gm

iD
I D

.
uGS u DS konst . U GS

(0.40)

Strmina je vrlo vaan parametar FET-a jer je njoj izravno proporcionalno naponsko pojaanje, a
moe se oitati i iz izlaznih karakteristika kao omjer promjene struje ID izazvane promjenom
napona UGS uz konstantni napon UDS. Ulazni dinamiki otpor tranzistora rGS (gate-source resistance)
moe se smatrati beskonanim jer je struja upravljake elektrode praktino zanemariva (reda
veliine nano-ampera ili manja), budui da se radi o zaporno polariziranom P-N spoju.
MOSFET
Kod MOSFET-a (Metal-Oxide-Semiconductor field-effect transistor) ili IGFET-a (insulated gate
field-effect transistor) upravljaka elektroda je izolirana od podloge tankim slojem silicijevoga
dioksida za razliku od JFET-a kod kojega je upravljaka elektroda nanesena izravno na podlogu.
Rad MOSFET-a ovisi o nastajanju tzv. inverzijskoga sloja na podlozi. MOSFET moe biti izveden
s p-kanalom na podlozi n-tipa ili s n-kanalom na podlozi p-tipa.
Na slici 2.37. prikazan je presjek n-kanalnoga MOSFET-a.

Slika 2.37. Simboli MOSFET-a i presjek nMOS-a

51

Podloga je silicij p-tipa s relativno malom koncentracijom primjesa na koju se nanosi sloj silicijeva
dioksida SiO2 debljine priblino 0,1 m. Zatim se odreenim planarnim postupcima otvaraju tzv.
difuzijski prozori u oksidnome sloju kroz koje se unose primjese n-tipa vrlo velike koncentracije
(n+), koje formiraju podruja uvoda i odvoda.
Dio poluvodia izmeu uvoda i odvoda oznaen je kao kanal, a kroz njega struja moe tei jedino
ako su u njemu nositelji naboja istoga tipa kao i veinski nositelji podruja uvoda i odvoda. To
znai da je za n-kanalni MOSFET uz povrinu izmeu p-podloge i izolatora u kanalu nuno stvoriti
viak elektrona, odnosno uspostaviti inverzijski sloj izmeu uvoda i odvoda.
Izlazne karakteristike MOSFET-a su istoga oblika kao i za JFET prikazane na slici 2.36. U
triodnome podruju vrijedi:
1 2

I D K U GS U GS 0 U DS U DS

za U DS U GS U GS 0 ,

(0.41)

ox W
, n povrinska pokretljivost slobodnih elektrona u kanalu izmeu uvoda i
tox L
odvoda, eox je dielektrina konstanta, tox je debljina sloja silicij-dioksida iznad podruja kanala, W je
irina, a L duljina kanala.

gdje je K = n

Slika 2.38. Prijenosne karakteristike osiromaenog i obogaenog tipa

U podruju zasienja vrijedi:

ID

K
U GS U GS 0 2 , U DS U GS U GS 0 .
2

(0.42)

Takoer moemo definirati u podruju zasienja pri UGS = 0:

I DSS

K
2
U GS 0
2

U
I D I DSS 1 GS .
U GS 0

(0.43)

Openito, postoje dva tipa MOSFET-a: obogaeni i osiromaeni tip. Kod osiromaenoga tipa i pri
naponu UGS = 0 postoji formiran inverzijski kanal izmeu uvoda i odvoda. Takav MOSFET moe
raditi i kad se kanal osiromauje nositeljima naboja, tj. i za negativne napone UGS ako se radi o nkanalnom MOSFET-u. Napon UGS pri kojem kanal prestaje biti vodljiv naziva se napon praga UGS0
(threshold voltage).
52

Za n-kanalni MOSFET osiromaenog tipa napon UGS0 je negativan, a za obogaeni tip pozitivan.
Znaajka n-kanalnoga MOSFET-a osiromaenoga tipa je u tome to struja ID moe tei i pri
negativnim naponima UGS, pri emu mora biti ispunjeno UGS0 < UGS < 0, te pri pozitivnim
naponima UGS. To znai da n-kanalni MOSFET osiromaenoga tipa moe raditi u osiromaenome
modu (UGS negativan, depletion mode) i u obogaenome modu (UGS pozitivan, enhancement mode).
Za razliku od MOSFET-a osiromaenoga tipa, kroz kanal MOSFET-a obogaenoga tipa struja ID
moe tei samo uz pozitivne napone UGS, pri emu treba biti ispunjeno UGS > UGS0, to znai da on
moe raditi samo u obogaenome modu (enhancement mode).
Kod p-kanalnoga MOSFET-a podloga je silicijski poluvodi n-tipa, a podruja uvoda i odvoda p+tipa. Napon praga p-kanalnog MOSFET-a obogaenoga tipa je negativan to znai da moe raditi
samo u obogaenome modu. Za osiromaeni tip napon praga je pozitivan pa osiromaeni tip moe
raditi i za pozitivne i za negativne napone UGS.
VFET I VMOS
Vertikalni FET (VFET) je unipolarni tranzistor snage posebne izvedbe namijenjen pojaanju snage.
Kod ovih tranzistora uvod i odvod nalaze se na suprotnim stranama poluvodia pa je kanal
vertikalan. Kod ovih tranzistora struja upravljake reetke IG nije zanemariva, kree se u granicama
od nekoliko mili-ampera pa do reda veliine ampera kod tranzistora velikih snaga. Ulazni otpor je
reda veliine nekoliko kilo-oma. Napon UDS moe iznositi do nekoliko stotina volta, a struja ID do
nekoliko desetaka ampera uz snage od nekoliko stotina vata.
Isto tako vertikalni MOS (VMOS) je unipolaran tranzistor snage namijenjen pojaanju snage.
Poveanje struje odvoda kod unipolarnoga tranzistora moe se postii ako se povea omjer irine i
duljine kanala (W/L, relacija). Budui da zbog tehnolokih postupaka proizvodnje unipolarnih
tranzistora uz dobar prinos u proizvodnji, nije mogue osigurati duljinu kanala bitno manju od
3 m, visoki iznos omjera W/L se moe postii samo velikom irinom kanala. To je posljedica
injenice da je MOSFET povrinski, a ne volumeni element kao bipolarni tranzistor. Ovaj problem
je rijeen u novije vrijeme pojavom VMOS-a. Za dobivanje VMOS-a primjenjuje se tehnika lijeba
kao to je prikazano na slici 2.39.

Slika 2.39. N-kanalni VMOS

Radni naponi UDS ovih tranzistora iznose 1000 V, struje odvoda i do 500 A uz dozvoljeni utroak
snage i do 2500 W.
CMOS
Postoji nekoliko tehnolokih procesa proizvodnje MOSFET tranzistora. To su:

standardni proces (n-kanalni i p-kanalni),

proces ionskog implementiranja (Ion-Implantation Process),

SGP (Silicon-Gate Process) proces,

SOS (Silicon on Sapphire) proces,

53

CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) proces.

Slika 2.40. prikazuje tehnoloki proces za dobivanje CMOS i TTL (tranzistorsko-tranzistorska

logika) integriranih krugova.

Slika 2.40. CMOS i TTL procesi

Danas je sigurno najinteresantnija CMOS tehnologija koja ini vie od 90% ukupne proizvodnje
mikro-elektronikih sklopova. Poboljanje svojstava integriranih CMOS krugova je rezultat
skaliranja MOS tranzistora. Skaliranjem nazivamo smanjivanje dimenzija tranzistora omogueno
napretkom tehnologije to rezultira manjom povrinom, tj. veom gustoom pakiranja komponenata
po mikro-elektrinom sklopu (ipu), veom brzinom rada i manjom disipacijom snage po
tranzistoru.
No sada se sigurno postavlja logino pitanje: Do kada e se skaliranje nastaviti? Oito taj trend ne
moe ii u beskonanost, jer uvijek moramo doi do dimenzija usporedivih s dimenzijama kristalne
reetke materijala u kojem je tranzistor realiziran, te do kvantnih i statistikih efekata koji utjeu na
fiziku rada tranzistora i njegovu upotrebljivost kao elektronike sklopke. Dananjom tehnologijom
ve se mogu realizirati dimenzije od 100 nm, to omoguuje procesiranje integriranih sklopova s
vie stotina milijuna tranzistora. Litografski postupak je taj koji odreuje najmanju dimenziju koja
se tehnoloki moe realizirati, a koja je kod MOS tranzistora duina upravljake elektrode (gate).
Duina upravljake elektrode odreuje duinu kanala tranzistora koja se definira kao razmak
izmeu uvoda i odvoda i koja je kontrolirana upravljakom elektrodom. Duina kanala je
najznaajniji parametar tranzistora i tipino je za faktor 1,5-2 puta manja od minimalne dimenzije
litografije. Iz ovoga slijedi da e CMOS generacija procesirana u 100 nm rezoluciji litografije imati
efektivnu duinu kanala oko 50 nm, to e rezultirati frekvencijom jedininog strujnog pojaanja
(cut-off frequency) neoptereenog tranzistora iznad 100 GHz i vremenima kanjenja neoptereenih
digitalnih sklopova oko 10 ps. S obzirom da se u tranzistoru moraju sauvati jednaki relativni
odnosi geometrijskih dimenzija kako bi se sauvao jednak odnos elektrinoga polja, skaliranje
duine kanala povlai i skaliranje tankoga oksida (gate oxide), te irina izmeu osiromaenih
podruja izmeu uvoda i podloge te odvoda i podloge.
Ako bi naponi na kojima tranzistor radi ostali nepromijenjeni, elektrino polje u tankom oksidu i u
osiromaenim podrujima bi se poveavalo, to bi dovodilo ili do tuneliranja nositelja kroz ta
podruja ili do proboja. Takoer, disipacija snage tranzistora bi se poveala ukoliko bi naponi
ostajali isti zbog vee brzine rada pojedinoga tranzistora i veega broja tranzistora u ipu.
Stoga zbog posljedica smanjivanja dimenzija tranzistora potrebno je smanjivati i napone.
Neosporno, da bi se efekt kratkoga kanala drao pod kontrolom, potrebno je smanjivati debljinu
tankoga oksida proporcionalno duini kanala. Debljina oksida mora biti 1/50 do 1/25 duine kanala
da bi upravljaka elektroda zadovoljavajue kontrolirala naboj u kanalu. Drugim rijeima, to znai
da debljina oksida mora iznositi 1-2 nm za duinu kanala 50 nm.
Projektiranje mikro-elektronikih sklopova

Mikro-elektroniki sklopovi danas su glavne sastavne komponente elektronikih ureaja. Razlikuju

se po elektronikim funkcijama, sloenosti i po drugim kriterijima. Po nainu projektiranja mogu se
podijeliti u dvije grupe:
1. standardne ili potpuno projektirane (custom ili full custom),
2. projektirane po narudbi (semi custom).
54

Metoda potpunoga projektiranja je klasina metoda koja se koristi od poetka razvoja mikroelektronikih sklopova. Pojedina sklopovska svojstva se optimiziraju prilagodbom dimenzija
praktiki svih komponenata. Pristup je vrlo zahtjevan i provode ga tvrtke koje su specijalizirane za
proizvodnju mikro-elektronikih sklopova koji su dovoljno univerzalni da se mogu koristiti u
velikome broju primjena, te imaju osiguran veliki volumen prodaje.
Osim analognih i digitalnih sklopova niih stupnjeva integracije (pojaala, komparatori, stabilizatori,
multivibratori, logiki sklopovi), na ovaj se nain projektiraju i sklopovi najviega stupnja
integracije poput mikro-procesora i poluvodikih memorija. Sklopovi se nazivaju standardnim,
proizvode se pod odreenim imenom, a na tritu se prodaju raznim kupcima.
Intenzivan razvoj poluvodike tehnologije omoguuje udvostruenje broja tranzistora po ipu svake
1,5 do 2 godine. Od svih mikro-elektronikih sklopova najbre su se razvijali mikro-procesori,
slika 2.41.

Slika 2.41. Moorov zakon rasta sloenosti mikro-procesora

U prosjeku se svake dvije godine pojavljuje nova generacija i udvostruuje frekvencija rada.
Uz smanjenje dimenzija pojedinih tranzistora na poveavanje sloenosti mikro-procesora utjee i
porast veliine ipa prosjeno 7 % godinje. Trenutno mikro-procesori se izvode u 0,13 m-skoj
tehnologiji s minimalnom duinom kanala od 60 nm i sadre vie stotina milijuna tranzistora na
povrini ipa 300 400 mm2. Rade s naponom napajanja od 1,3 V na frekvenciji vioj od GHz i
disipiraju preko 100 . Hijerarhijski pristup u modularnoj strukturi primjenjuje se pri projektiranju
mikro-procesora. Pri projektiranju optimiziraju se parametri poput brzine, snage, povrine i sl. U
CMOS tehnologiji zadane logike funkcije mogu se realizirati razliitim sklopovskim tehnikama.
Najee upotrebljavane tehnike su statiki komplementarni i dinamiki sklopovi. U statiki
komplementarnim sklopovima logiki sloeni sklopovi se realiziraju s istim brojem nMOS i pMOS
tranzistora. Statiki sklopovi su stabilni jer je izlaz izravno vezan na napon napajanja (logika 1) ili
na masu (logika 0), te se odlikuju vrlo malom potronjom. Nedostatak im je sporiji rad zbog
velikoga broja pMOS tranzistora.
U dinamikim sklopovima logiku funkciju odreuju samo nMOS tranzistori. Rad sklopa
upravljaju impulsi ritma preko para nMOS i pMOS tranzistora. U odreenim uvjetima izlaz je u
stanju visokoga otpora i njegov visoki napon podrava iskljuivo naboj na parazitnome kapacitetu.
55

Zbog toga su dinamiki sklopovi osjetljivi na smetnje, ali su bri od statikih zbog manjega broja
pMOS tranzistora.
Brzinu rada dananjih mikro-procesora bitno odreuju prospojne linije. Lokalne linije povezuju
susjedne sklopove, a globalne linije pojedine module. Skaliranjem, lokalne linije se skrauju, a
globalne se produuju zbog poveavanja dimenzija ipova. Kanjenje signala po liniji raste
porastom njezine RC konstante.
Tehnoloki se RC konstante linija smanjuju primjenom vodljivijih materijala, bakar umjesto
aluminija, i dielektrika male dielektrine konstante (low-k materials). Kanjenje na linijama
najkritinije je u voenju impulsa ritma. Zbog velikoga broja sklopova na koji se razvode impulsi
ritma, te su linije optereene velikim parazitnim kapacitetima. Rezultat je fazni pomak impulsa
ritma (clock skew) na razliitim dijelovima sklopa koji moe prouzroiti pogrean rad, zbog ega je
potrebno pri projektiranju sklopa ovome posvetiti posebnu panju.
Disipirana snaga mikro-procesorskog ipa moe se izraziti relacijom:
2
P C U DD
f,

(0.44)

gdje je C parazitni kapacitet, UDD napon napajanja, a f radna frekvencija. Poveavanjem radne
frekvencije raste i disipirana snaga. Odravanje disipirane snage u doputenim granicama postie se
smanjenjem napona napajanja, ali to predstavlja kompromisno rjeenje, jer smanjenje napona
napajanja negativno utjee na brzinu rada sklopa.
Upotrebom velikoga broja tranzistora dananji mikro-procesori osim aritmetiko-logikih,
upravljakih i ulazno-izlaznih jedinica sadre sve vee prirune (cache) memorije, kojima se
postiu vee brzine rada. Kod mikro-procesora upotrebljavaju se upisno-ispisne statike memorije
SRAM (static random-access memory), u kojima je jedinina memorijska elija bistabil.
Prirune memorije novih mikro-procesora vee su od MB.
Poluvodike memorije izvode se i kao samostalni standardni mikro-elektroniki sklopovi. Uz
statike, proizvode se i dinamike memorije (DRAM) u kojima se podatak jedinine elije
pohranjuje u obliku naboja na kapacitetu. Tehnologija izrade SRAM-ova ista je kao i za mikroprocesore. Pri proizvodnji DRAM-ova upotrebljavaju se specijalni tehnoloki postupci koji
osiguravaju realizaciju velikoga kapaciteta memorije na maloj povrini ploice (1 GB memorije).
Uz RAM-ove rade se i ispisne memorije ROM (read-only memory). Posebnu skupinu ine
programibilni ROM-ovi (EPROM, EEPROM, Flash).
Poetkom osamdesetih godina zapoelo je projektiranje mikro-elektronikih sklopova po narudbi
za tono odreenu primjenu i za odreenog korisnika ASIC (application specific integrated circuit).
U njihovom projektiranju upotrebljavaju se jednostavnije automatizirane metode koje uz primjenu
specifinih programskih alata osiguravaju krae trajanje projektiranja i niu cijenu sklopa, to je
naroito pogodno za projektiranje digitalnih sklopova. U ovu skupinu ubrajaju se programibilni
integrirani sklopovi ili elektrini programibilna logika polja FPGA (field programmable gate
array).
Mikro-elektroniki sklopovi s vie od 100 milijuna tranzistora po ipu preveliki su za klasine
ASIC primjene. Za tako sloene sklopove uveden je novi pristup projektiranja koji se naziva sustav
na ipu SoC (System on Chip). Uz veliki broj tranzistora projektanti se suoavaju s dva problema:
1. kako zaposliti sve tranzistore,
2. kako projektirati sloeni sklop u relativno kratkom vremenu.
Naime jedan od glavnih kriterija pri projektiranju mikro-elektronikog sklopa je vrijeme njegove
realizacije i pojava na tritu (time to market). Kod ovoga pristupa sloeni sklop ne projektira vie
jedan tim, ve se projekti pojedinih modula kupuju od razliitih proizvoaa i ugrauju u sustav.
Ovaj pristup inicirao je pojavu velikog broja malih projektantskih tvrtki koje su se specijalizirale za
razvoj modula predvienih za ugradnju u mikro-elektronike sustave tipa sustav na ipu. Budui da
56

moduli razvijeni u nekoj tvrtki predstavljaju njihovo intelektualno vlasnitvo IP (intellectual

property), ta se kratica pojavljuje u nazivima modula, IP moduli. Ovim pristupom realiziraju se
sklopovi sloenih sustava u pojedinim elektronikim primjenama poput telekomunikacija, obrade
signala (DSP) i sl., slika 2.42.

Slika 2.42. Modularna struktura sklopa projektiranog pristupom sustava na ipu

Kao to se vidi na slici 2.42, sustavi na ipu sadre vrlo razliite dijelove - digitalne module poput:
mikro-procesorskih jezgri i ugraenih memorija, analognih modula poput RF sklopova, ili modula s
kombiniranim analognim i digitalnim funkcijama (mixed signal). Pojava ovih modula potie sve
vie razvoj metodologije projektiranja analognih sklopova.
NADOMJESNI MODELI UNIPOLARNIH TRANZISTORA
G

id

ULAZ

uGS

g muGS

D
+

rD u DS IZLAZ

+
ULAZ

uGS

D
+

rD

uGS

u DS IZLAZ

+
S

a)
gm 1,7 mA/V , rD 0,1 M
+

D
+

CGD
uGS

rD 0,1 M
C DS 0,5 pF

C DS

g muGS

CGS 5 pF

rD u DS

b)

CGS

gmrD
g m 1,7 mA/V

CGD 5 pF
rGS 108

rGD 108
Slika 2.43. Nadomjesni modeli unipolarnih tranzistora: a) nadomjesni model pri niskim
frekvencijama u reimu malih signala; b) nadomjesni model pri visokim frekvencijama

Za nadomjesni model na slici 2.43. a) vrijedi sljedei izraz za trenutnu struju odvoda:
57

id g muGS

uDS
.
rD

(0.45)

UNIPOLARNI TRANZISTOR KAO SKLOPKA

Sklopka s MOSFET-om

Sklopka s MOSFET-om prikazana je na slici 2.44.

Slika 2.44 Sklopka s MOSFET-om

Na slici je prikazana sklopka s n-kanalnim MOSFET-om obogaenoga tipa. Za ulazni napon 0 V
tranzistor ne vodi (iskljuena sklopka), te je izlazni napon jednak naponu napajanja UDD. Uz
dovoljno veliki pozitivni ulazni napon (reda veliine UDD), tranzistor postaje vodljiv i izlazni napon
se smanjuje na iznos maloga napona UDS. Tranzistor se moe smatrati ukljuenom sklopkom.
CMOS sklopka

U digitalnim sklopovima se umjesto otpora RD primjenjuje drugi tranzistor. Ako je taj drugi
tranzistor TP p-kanalni MOSFET koji predstavlja komplement tranzistora TN, dobili smo CMOS
sklopku, slika 2.45.

Slika 2.45. CMOS sklopka

Ako je ulazni napon 0 V, tranzistor TN ne vodi, a tranzistor TP vodi jer je izmeu uvoda i odvoda TN
tranzistora veliki otpor oko 1010 , a izmeu uvoda i odvoda tranzistora otpor je oko 1 k. Izlaz je
praktiki odspojen od zajednike toke i spojen na napon napajanja UDD te sklop djeluje kao
iskljuena sklopka. Kada je ulazni napon UDD, tada je TP (otpor izmeu uvoda i odvoda) oko 1010
), pa TN vodi (otpor izmeu uvoda i odvoda je oko 1 k) te sklop djeluje kao ukljuena sklopka.
Ovaj sklop predstavlja CMOS invertor i uz kapacitivno optereenje bri je od obine MOSFET
tehnologije. Kod kapacitivnoga optereenja ovoga sklopa postoji samo dinamika disipacija snage.
Kapacitet se uvijek nabija ili izbija kroz samo jedan od tranzistora, te je dinamika disipacija sklopa:

PD f C U 2 .
58

(0.46)

BUDUI RAZVOJ I DRUGE TEHNOLOGIJE

CMOS sklopovi pribliavaju se svojim fizikim ogranienjima, no zalihosti u dananjim
tranzistorima dovoljne su da produlje napredak ovih elemenata za jo sigurno nekoliko generacija.
eli li se izvui maksimum iz standardne CMOS tehnologije bit e potrebno upotrijebiti nove
sloene sheme kao to su: vie napona praga na istome ipu, optimiranje nehomogenoga profila
primjesa u kanalu, kontrola debljine i tankoga oksida do razine atoma, kontrola raspodjele primjesa
u uvodu i odvodu. Neka ogranienja standardne CMOS tehnologije bit e mogue izbjei uporabom
naprednih MOS koncepata.
Upotrebom silicija na izolatoru SOI (silicon on insulator) mogu se smanjiti parazitni kapaciteti
tranzistora, to povlai manju disipaciju snage i veu brzinu rada uz istu rezoluciju litografije. Isto
tako uporabom silicij-germanijevih SiGe (silicon-germanium) slojeva moe se postii poveavanje
pokretljivosti elektrona i upljina, i time vee brzine rada uz tehnologiju koja je kompatibilna
silicijskoj tehnologiji. MOS strukture s dvostrukom upravljakom elektrodom (double gate MOS)
mogu potpuno eliminirati efekt kratkog kanala, jer se upravljaka elektroda nalazi s obje strane
kanala i sprjeava djelovanje odvoda na uvod (vertikalna MOS struktura).
Osim CMOS tehnologije koja je danas tehnologija broj jedan u svijetu, u nekoliko reenica dat e
se kratak osvrt na neke od tehnologija koje su izuzetno bitne u telekomunikacijskim i informatikim
sustavima. Tehnologija tekuih kristala (LC) temelji se na apsorpciji ili refleksiji svjetlosti odreene
polarizacije.
Kada se na LC ureaj narine napon, pojedini kristali usmjeravaju se pod djelovanjem elektrinoga
polja. Ako su kristali ortogonalni s polarizacijom optikoga nositelja, svjetlo e se reflektirati, inae
prolazi kroz tekue kristale. Elektroholografska tehnologija, koja se temelji na uporabi preklapajue
matrice koju ine redovi i stupci feroelektrinih kristala, kao to su litij niobat (lithium niobate) ili
potassium lithium tantalate niobate. U kristale su utisnuti hologrami koji mijenjaju optika svojstva
kristala kada se narine elektrino polje.
Takoer u novije vrijeme su sve brojnija istraivanja bazirana na molekulama (molekularne
memorije) i neki znanstvenici smatraju da e to biti "tehnologija budunosti".
"A molecular computer will enable us to do things we cannot even imagine now."
James Heath, UCLA.
Zadatak 1
Za n-kanalni obogaeni tip MOSFET-a s K = 1 [mA/V2] i Vgs0 = 1,5 V (napon praga), upotrebom
Matlab programa nacrtati I-V karakteristike za VGS = 4,6 V i 8 V i za VDS izmeu 0 V i 12 V.
Rjeenje:
% I-V MOSFET karakteristike
%
K=1e-3; %K konstanta ,
Vgs0=1.5; %napon praga
vds=0:0.5:12;
vgs=4:2:8;
m=length(vds);
n=length(vgs);
for i=1:n
for j=1:m
if vgs(i) < Vgs0 %ne moe raditi
cur(i,j)=0;
elseif vds(j) >= (vgs(i) - Vgs0)%podruje zasienja
cur(i,j)=K * (vgs(i) - Vgs0)^2;
elseif vds(j) < (vgs(i) - Vgs0) %triodno podruje
cur(i,j)=K*(2*(vgs(i)-Vgs0)*vds(j) - vds(j)^2);
end

59

end
end
plot(vds,cur(1,:),'r',vds,cur(2,:),'b',vds,cur(3,:),'g')
xlabel('Vds, V')
ylabel('Struja izvoda, A')
title('I-V MOSFET karakteristika' )
text(6, 0.009, 'Vgs = 4 V')
text(6, 0.023, 'Vgs = 6 V')
text(6, 0.045, 'Vgs = 8 V')
I-V MOSFET karakteristika
0.045
Vgs = 8 V

0.04

Struja odvoda Id, A

0.035
0.03
0.025
Vgs = 6 V
0.02
0.015
0.01

Vgs = 4 V

0.005
0

6
Vds, V

10

12

Zadatak 2
Za pojaalo na slici izraunajte statiku radnu toku te napiite i nacrtajte jednadbe statikog i
dinamikog radnog pravca. Poznato je: UDD = 9 V, RG = 1,2 M, RD = 4,7 k, RS = 1,5 k,
RT = 10 k, Rg = 600 , UGSO = 2 V, K = 2 mA/V2, = 60.
+UDD

RD

CV
CV

Rus
Uul
AC

us

60

RG

CS
RS

RP

Uiz

Rjeenje:

0 U GSQ RS I DQ

I DQ

U GSQ
RS

I DQ

K
2
U GSQ U GS 0
2

K
K
2
2
U GSQ K U GSQ U GS 0 U GS 0
2
2

2
2
U GSQ U GSQ
2 U GS 0 U GS 0 0
K RS

2
U GSQ 4,6U GSQ 4 0

Drugo rjeenje se odbacuje, jer FET ne vodi.

U DSQ U DD RS RD I DQ 4,323 V

I DQ 754,3 A

Jednadba SRP:
1
U DD
ID
U DS
161,3 106 U DS 1,452 103 A
RD RS
RD RS
Jednadba DRP:

iD I DQ id I DQ

U DSQ
uds
u
DS
I DQ 312,8 106 uDS 2,106 103 A
RD RT
RD RT RD RT

-3

I-V MOSFET karakteristika

x 10

2.5

.
Struja izvoda, A

1.5

U
R

) 1 . 45

DD

.
DRP (

RT

.Q

IDQ=0.75

0.5

1
RD

SRP (

4 UDSQ=4.32 6
Vds, V

.
8

1
)
R D RS

10

12

UDD=9

61

2.7. JEDNOSPOJNI TRANZISTOR

Jednospojni tranzistor, UJT (unijunction transistor), ima tri elektrode od kojih se dvije nazivaju
bazama B1 i B2 (pa zbog ovoga jo se upotrebljava naziv tranzistor s dvije baze), a trea se zove
emiter E. Jednospojni tranzistor se moe prikazati kao spoj dvaju otpora izmeu kojih je spojena
dioda. Kada se izmeu baza prikljui napon UBB, kao na slici 2.46, a napon emitera UE = 0, dioda je
nepropusno polarizirana.

Slika 2.46. Simboli, presjek, primjer izvedbi i nadomjesni spoj jednospojnog tranzistora
Struja emitera IE je vrlo maloga iznosa i negativnoga predznaka te predstavlja reverznu struju
zasienja IE0 (reda veliine desetak A). Tada tranzistor predstavlja omski otpor reda veliine
desetak kilo-oma. Na dijelu otpora RB1 postoji pad napona UBB. Faktor naziva se unutarnji
omjer (intrinsic stand-off ratio) i kree se u granicama od 0,5 do 0,8. Zbog ovoga, struja emitera IE
ostaje vrlo mala (priblino nula) i kod prikljuenoga napona UE sve dok taj napon ne poprimi
vrijednost UBB uveanu za pad napona na diodi UD (oko 0,6 V).
Kada napon UE poprimi vrijednost veu od UBB + UD, ulazna dioda postaje propusno polarizirana
i tada tee znatna struja emitera IE. Pri tome dolazi do smanjenja otpora RB1 i zbog toga se
smanjuje i napon UE (svojstvo negativnog otpora) uz porast struje emitera. Kod iznosa struje dna
IV (valley point current), napon UE ima najmanju vrijednost UV (valley point voltage). Uz porast
struje iznad IV jednospojni tranzistor prelazi iz podruja negativnoga otpora u podruje zasienja, a
napon UE lagano raste. Napon emitera kod kojega je jednospojni tranzistor proveo naziva se napon
vrha UP (peak point voltage) kojemu odgovara struja vrha IP.
Struja IP je reda veliine mikro-ampera. Vrijednost napona vrha ovisi o naponu napajanja spojenom
izmeu baza i dana je relacijom:
U p U BB U D .

(0.47)

Naponi napajanja iznose do 30 V, a istoga reda veliine iznose i doputeni naponi emitera.
Doputena struja emitera iznosi tipino oko 50 mA.
Jednospojni tranzistori primjenjuju se prvenstveno kao prekidaki elementi, ali i u vremenskim
sklopovima i sklopovima za generiranje impulsa, i kao takvi imaju niz prednosti u odnosu na ostale
poluvodike elemente:

62

Napon okidanja jednospojnog tranzistora (napon pri kojem prelazi iz stanja nevoenja u
stanje voenja) predstavlja odreeni dio napona napajanja;

Jednospojni tranzistor posjeduje stabilno podruje negativnog otpora to mu daje prednost

kod realizacije sklopova oscilatora i multivibratora;

Uporabom jednospojnog tranzistora u odreenim sklopovima broj potrebnih elemenata se

smanjuje za vie od pola u usporedbi s istim sklopovima realiziranim bipolarnim
tranzistorima:

Unutarnji otpor bipolarnog tranzistora u stanju nevoenja je relativno velik (> 30 k).

Slika 2.47. Ulazna strujno-naponska karakteristika jednospojnog tranzistora

Kao to je vidljivo iz karakteristike prikazane na slici 2.47. rad jednospojnog tranzistora
karakteriziran je s dvama podrujima:
1. Podruje nevoenja - UEB1 < UP emiterska dioda je nepropusno polarizirana, tee vrlo mala
reverzna struja zasienja IE0 i UJT ne vodi;
2. Podruje negativnog otpora - UEB1 > UP emiterska dioda je propusno polarizirana, struja IE
raste i UJT vodi.

63

2.8.

TIRISTORI

Tiristori (thyristors) su etveroslojni p-n-p-n poluvodiki elementi. Osnovni princip rada tiristora
zasniva se na regenerativnosti, tj. oni vode struju dok su ispunjeni odreeni uvjeti, a zatim naglo
prestaju voditi, to je opet rezultat ispunjenja odreenih uvjeta. Kao i P-N dioda tiristor ima dva
razliita stanja, stanje voenja i stanje nevoenja, te nagle prijelaze iz jednoga stanja u drugo.
Osnovnu teoriju rada etveroslojne diode (four-layer diode) razvio je Shockley. Postoje razliite
izvedbe koje se razlikuju po broju elektroda pomou kojih se tiristori prikljuuju na vanjski
elektrini krug, te prema voenju struje (vode u jednome ili oba smjera):

jednosmjerni diodni tiristor,

dvosmjerni diodni tiristor (DIAC),

jednosmjerni triodni tiristor (SCR),

dvosmjerni triodni tiristor (TRIAC).

Tiristori u prvome redu slue kao ispravljaki, regulacijski i prekidaki elementi (pretvorba i
upravljanje elektrinom energijom), a najvea prednost u odnosu na ostale poluvodike elemente je
iskazana u njihovoj sposobnosti upravljanja signalima velikih iznosa snage uz istovremeno malu
potronju, odnosno izrazito malu snagu potrebnu za upravljanje radom tiristora.

Slika 2.48. Primjeri izvedbe tiristora

Strujno-naponske karakteristike tiristora prikazane su u tablici 2.8.1. Kod jednosmjernoga diodnog
tiristora, uz pozitivan napon na anodi, struja kroz tiristor bit e vrlo mala dok anodni napon ne
prekorai odreenu vrijednost koja se naziva prijelomni napon UB0 (break-over voltage). Iznos
ovoga napona ovisi o konstrukciji tiristora i moe se kretati u granicama od nekoliko volti do
nekoliko tisua volti. Nakon ukljuivanja, napon na tiristoru pada na vrlo mali iznos od 1 2 V.
Struja moe dosei vrlo velike iznose (preko 1000 A) koji se ograniavaju pomou otpora u
anodnome krugu. Podruje rada u kojemu je anodni napon pozitivan, naziva se propusno podruje
(prvi kvadrant). Iz karakteristike je vidljivo da postoje dva stabilna stanja:
1. nevodljivo ili iskljueno stanje - vrlo mala anodna struja uz veliki anodni napon,
2. vodljivo ili ukljueno stanje - velika anodna struja i mali anodni napon.
Dioda ostaje u vodljivome stanju sve dok se struja kroz nju ne smanji ispod odreene vrijednosti IH
koja se naziva struja dranja (holding current). Vrijednosti ove struje kreu se u granicama od
nekoliko mA do nekoliko desetaka mA, a naponi dranja su izmeu 0,5 V i 1 V.
Prijelaz iz jednoga stanja u drugo je vrlo brz i ide preko podruja negativnoga otpora. Kada je na
anodi negativan napon, tiristor se nalazi u nepropusnome ili reverznom podruju. Anodna struja je
vrlo mala i istoga reda veliine kao i anodna struja u propusnome neukljuenom stanju. Kad anodni
napon dosegne vrijednost probojnoga napona UBR, struja poinje naglo rasti. Ovdje se uoava isto
ponaanje kao i kod obine P-N diode. Praktine izvedbe tiristora su obino takve da su naponi UBR
i UB0 priblino jednaki.

64

etveroslojna
(Shockleyjeva ) dioda

Slika 2.49. Simbol i strujno-naponska karakteristika etveroslojne diode

U nepropusnome podruju ne postoji ukljueno stanje koje je karakterizirano malim padom napona
i velikom anodnom strujom, zbog ega se prikazani tiristor ne ponaa kao sklopka u nepropusnome
podruju. Svi tiristori (diodni ili triodni), koji mogu biti u iskljuenome stanju samo uz pozitivan
anodni napon, nazivaju se jednosmjerni tiristori. etveroslojna dioda moe se upotrijebiti za
generiranje impulsa.
Postoje takoer i diodni ili triodni tiristori, koji u oba kvadranta mogu biti u ukljuenom i
iskljuenom stanju. Ovi tiristori nazivaju se dvosmjerni, slika 2.50.
IA(mA)

A2

A1

-UB0
A1

A2

-UH

IH

UAK(V)
UH

UB0

-IH

DIAC

Slika 2.50. Simbol i strujno-naponska karakteristika DIAC-a

Na slici je prikazana karakteristika dvosmjernoga diodnog tiristora DIAC-a (diode alternating
current switch) za koji se jo upotrebljava skraenica SSS (silicon symmetric switch). Princip rada
ovog tiristora moe se objasniti pomou dvaju paralelnih nasuprot spojenih jednosmjernih tiristora.
U praksi su najvie u upotrebi jednosmjerni triodni tiristor, koji se esto oznaava sa SCR (silicon
controlled rectifier), te dvosmjerni triodni tiristor TRIAC (triode alternating current switch).
Njihova velika primjena je u ureajima za regulirano pretvaranje energije iz jednoga oblika u drugi,
odnosno za ispravljanje i pretvaranje izmjenine struje u izmjeninu struju druge frekvencije ili
efektivne vrijednosti. Za razliku od diodnih tiristora, kod ovih tiristora postoji i trea elektroda koja
se naziva upravljaka elektroda (gate).
Prebacivanje SCR-a iz iskljuenoga u ukljueno stanje obavlja se pomou pozitivnoga napona
(odnosno struje) na upravljakoj elektrodi. Na ovaj nain postie se snienje prijelomnoga napona,
kao to se vidi na slici 2.51.

65

IA

IH0
IH1

G
A

I=0
G0

-UAk

G
SCR

I=0
G

I G1

-IA

Slika 2.51 Simbol i strujno-naponska karakteristika SCR-a

to je iznos struje upravljake elektrode IG vei, prijelomni napon e biti manji. Za vrijednost struje
IG = 0, prijelomni napon je UB0 i naziva se prijelomni napon praznoga hoda. U ovome sluaju
triodni tiristor reducira se u diodni.
SCR e prijei iz ukljuenoga stanja u iskljueno ako se anodni napon snizi na tako nisku vrijednost
da anodna struja padne na iznos koji je manji od struje pridravanja IH, ili ako se promijeni
polaritet anodnoga napona. Kada je tiristor prikljuen u izmjenini krug, do ukljuivanja (paljenja) i
iskljuivanja (gaenja) tiristora dolazi svaki put kada izmjenini signal prolazi kroz nulu, jer tada
anodna struja padne na iznos manji od iznosa struje pridravanja IH.
Kod TRIAC-a, napon upravljake elektrode kojim se postie ukljuivanje, moe biti pozitivan ili
negativan, bez obzira na polaritet anodnoga napona, slika 2.52.
IA

G
A1

IH0
IH1

A2
G

A1

A2

I=0
G0

-UAk

TRIAC

-IA

Slika 2.52. Simbol i strujno-naponska karakteristika TRIAC-a

Kad je tiristor u stanju voenja, struja IG moe se po volji smanjiti ili se izvor napona UG moe u
potpunosti iskljuiti iz strujnoga kruga, a da to ne poremeti stanje voenja tiristora.
Thyristori za manje snage (maksimalna struja do 10 A) mogu se iz ukljuenoga stanja prebaciti u
iskljueno i pomou negativne struje upravljake elektrode. Ovi tiristori nazivaju se tiristori s
iskljuivanjem na upravljakoj elektrodi, GTO (gate turn-off tiristor), slika 2.53.
66

thyristor vodljiv
K

A
G
A

thyristor nevodljiv
K

G
GTO

Slika 2.53. Simbol i strujno-naponska karakteristika GTO-a

Isklopivi tiristori upotrebljavaju se osobito u sklopovima energetske elektronike za pretvorbu
istosmjernoga napona u izmjenini.
Primjer regulacije struje pomou SCR-a

Sa SCR-ima moe se regulirati trenutak poetka voenja (vrijeme voenja), a to znai i jakost
struje, oni se esto primjenjuju u sklopovima za regulaciju struje u razliitim ureajima, slike 2.54.
i 2.55.

Slika 2.54. Sklop za regulaciju struje primjenom etveroslojne diode i SCR-a

b)

c)

Slika 2.55. Izlazni valni oblici uAK sklopa sastavljenoga od etveroslojne diode i SCR-a
Za regulaciju struje troilo i SCR spajaju se serijski kao to je prikazano na slici 2.49. SCR se
odabire tako da provede tek dovoenjem okidnoga impulsa na upravljaku elektrodu.

67

Jakost struje troila regulira se promjenom vremena okidanja. Struja kroz troilo je vea ako se
okidni impuls dovede prije. Padom napona na vrijednost 0 V tiristor se gasi. Ulazni izmjenini
napon kojime se napaja troilo, dovodi se preko RC-mree na etveroslojnu diodu. Fazni pomak i
veliina napona na kondenzatoru, tj. etveroslojnoj diodi ovise o veliini otpora R.
Promjenom vrijednosti ovoga otpora takoer se mijenja i trenutak voenja etveroslojne diode koja
okida SCR. Veim otporom R dolazi do kasnijega voenja etveroslojne diode, a time i SCR-a
(slika 2.50.). Manji otpor omoguuje ranije voenje SCR-a (slika 2.51.).
Impulsi potrebni za okidanje SCR-a u spojevima za regulaciju struje mogu se dobiti iz posebnih
izvora okidnih impulsa (npr. primjenom jednospojnoga tranzistora), ili iz istoga izvora kojime se
napaja troilo kojemu se regulira struja. U sklopu prikazanome na slici 2.54, SCR se okida pomou
etveroslojne diode iz istoga izvora kojim se napaja troilo.
Za dijagrame na slici 2.55. nacrtaj dijagrame vremenske ovisnosti napona na potroau Rp.

68

3.
OZNAAVANJE I ISPITIVANJE POLUVODIA
Europski nain oznaavanja poluvodia (Pro-electron) ima sljedei oblik (tablica 3.1):
dva slova (opcija tree slovo), serijski broj.
Elementi u ureajima iroke potronje oznaavaju se pomou dvaju slova i dvoznamenkastoga ili
troznamenkastog broja. Elementi za profesionalnu i posebnu primjenu oznaavaju se trima slova i
dvoznamenkastim brojem.
Tablica 3.1. Europski nain oznaavanja poluvodia
1. Slovo oznaava
poluvodiki materijal

2. Slovo oznaava tip

komponente
A

Dioda, male snage ili signalna

Dioda, promjenjivi kapacitet

Opcija 3.
slovo

Serijski broj

C Tranzistor male snage, za audio

frekvencije
D Tranzistor, snani za audio
frekvencije
E

Dioda, tunel

Tranzistor, visokofrekventni,
male snage

G Razne komponente
H Dioda osjetljiva na magnetsko
polje
L

Tranzistor, visokofrekventni,
snani

Germanij

N Optocoupler

Silicij

Galijum Arsenid

Q Svjetlosno emitiranje

Sloeni materijali

R Prekidaka komponenta, male

snage, tiristor, diak, UJT
tranzistor

Svjetlosni detektor

Tranzistor male snage,

prekidaki

Prekidaka komponenta snage,

tiristor, triak

Tree slovo
oznaava da
je komponenta
namijenjena
za industrijsku
ili
profesionalnu
uporabu.
Obino je to
slovo:
W, X, Y ili Z.

Znakovi koji prate ova

dva slova predstavljaju
serijski broj za vrstu
komponente.
Potroaka elektronika
ima troznamenkastu
brojku (100 999).
Komercijalna primjena
obino ima jedno slovo i
dvije brojke (W10
Z99).

U Tranzistor za prekidako
napajanje (switching)
W Komponenta povrinskog
akustinog vala
X

Kapacitivna dioda

Ispravljaka dioda

Dioda za referentni napon

(stabilizatorski element, Zener
dioda)

Primjer I:
1. BC 547 silicijski tranzistor male snage za niske frekvencije
2. RPY 61 svjetlosni detektor (fotootpornik) za industrijske potrebe (tree slovo oznaava
posebnu namjenu)
69

Ameriki nain oznaavanja, JEDEC (Join Electron Device Engineering Council), ima
sljedei oblik (tablica 3.2):
brojka, slovo, serijski broj, (sufiks).
Tablica 3.2. Ameriki nain oznaavanja poluvodia
1. Broj oznaava vrstu
komponente

2. Slovo

1. Diode
2. Tranzistori
3. Tetrodni tranzistori
4. Fotovezivni elementi

N za sve poluvodie

3. Pratee znamenke

Serijski broj komponente koji

ne oznaava funkciju ili
specifikacije nego redni broj
2
proizvoda.

Sufiks (opcija slovo)

Inaica istog tipa
elementa:
A malo pojaanje
B srednje pojaanje
C visoko pojaanje

Primjer II:
1. 1N4007 silicijska dioda ope namjene
2. 2N3819 n-kanalni unipolarni tranzistor
Iz navedenih se primjera vidi da se iz oznaka ne moe zakljuiti o kakvim se svojstvima pojedinog
elementa radi. Kako bi se utvrdila ostala svojstva, treba vidjeti tehnike karakteristike pojedinog
elementa koje daje proizvoa (data sheet), vidi priloge!
Kod ispitivanja ispravnosti dioda analognim instrumentom koristi se skala za manji otpor (do 2 k).
Dioda treba pokazati mali otpor (tipino 2/3 skale ili nekoliko stotina ) u jednom smjeru, dok u
drugom treba pokazati beskonani otpor (slika 3.1.).

Slika 3.1 Ispitivanje diode analognim instrumentom

Ovaj otpor ne bi smio biti blizu 0 (kratki spoj) ili u prekidu u oba smjera. Germanijeva dioda e
pokazati nii otpor zbog nieg pada napona na njoj.
Na digitalnom multimetru obino postoji mod za ispitivanje dioda (slika 3.2.).

Dva elementa s brojevima jedan do drugoga mogu se potpuno razlikovati po namjeni.

70

0.621
+

Slika 3.2 Ispitivanje diode digitalnim instrumentom

Silicijska dioda e pri tom pokazati 0,5 do 0,8 V u propusnom smjeru i prekid u nepropusnom
smjeru. Germanijeva dioda e pokazati manji napon, izmeu 0,2 i 0,4 V u propusnom smjeru.
Veina dioda (oko 99 %) su u kratkom spoju kada su neispravne.
Ispitivanje bipolarnih tranzistora se zasniva na injenici da se moe smatrati kao da je tranzistor
sastavljen od dviju u seriju suprotno spojenih dioda (slika 3.3.), te se kontrolira ispravnost dioda
emiter-baza i baza-kolektor.
C
E

C
B

B
E
NPN tranzistor

Slika 3.3. Prikaz tranzistora pomou dviju serijskih suprotno spojenih dioda
Pitanja za provjeru:
1. Objasni nain oznaavanja poluvodikih elemenata?
2. Kako se analognim instrumentom ispituje ispravnost diode?
3. Kako se digitalnim instrumentom ispituje ispravnost diode?

71

4.

72

PRILOG TEHNIKI PODACI

73

74

75

76

77

78

79

5.

PRILOG osciloskopi

Kratke upute za uporabu osciloskopa u laboratoriju 1

Vrste osciloskopa u laboratoriju:
1. Fluke PM 3070 100 MHz,
2. Fluke PM 3082 100 MHz,
3. Philips PM 3209 40 MHz,
4. Fluke PM 3384B 100 MHz Combiscope 10 GS/s Repetitive, 200 MS/s Single Shot,
5. Fluke PM 3394B 200 MHz Combiscope 25 GS/s Repetitive, 200 MS/s Single Shot,
6. Fluke Scope Meter Series II 92B/96B/99B/105B.
7. Analogni osciloskop PM 3094
8. Digitalni osciloskop FLUKE PM 3394A
9. Opisuje se ugaanje osciloskopa za Vjebu 2, Zener dioda, iz kolegija: Elektroniki
elementi i Vjebu F, Protutaktno pojaalo, iz kolegija Elektroniki sklopovi:
a) kalibracija,
b) raspored probi Y1 i Y2 na komponentama (R/D),
c) iskljuenje vremenske baze,
d) invertiranje signala,
e) namjetanje 0-toke i y-pravca,
f) odabir vrste mjerenih signala (AC/DC),
g) proirenje mjernoga opsega po vertikali.

80

Fluke PM 3070 100 MHz

a) Kalibracija: zakrenuti dugme VAR potpuno udesno do poloaja CAL.

b) Raspored probi: A i B na komponentama [R (otpornik)/D (Zener dioda)],
A D, B R
c) Iskljuenje vremenske baze B-kanala: X-DEFL
d) Invertiranje signala: na B-ulazu

ADD
INVERT

e) Odabir vrste mjerenih signala: (AC/DC) DC

f) Namjetanje 0-toke: Za odrediti nulu koordinatnoga sustava, koristiti dugme GND na oba
kanala, te pomou dugmeta X POS i Y POS (za B-kanal) namjestiti toku na eljeno mjesto.
g) Pritisnuti tipku

A
da se ukloni prikaz pravca s ekrana.
B

81

Fluke PM 3082 100 MHz

a) Raspored probi: CH1 i CH2 na komponentama (R - otpornik/D - dioda),

CH1 D, CH2 R
b) Iskljuenje vremenske baze: dugmetom TB MODE aktivirati prozori na ekranu te
estim dugmetom odozgo (desno od ekrana) za X-DEFL osvijetliti on poziciju (iskljuiti
vremensku bazu). Pritiskom na TEXT OFF oistiti ekran od dodatnog prozoria.
c) Invertiranje signala drugog kanala (CH2): na CH2-ulazu pritisnuti INV dugme (na
ekranu, lijevo od oznake kanala CH2, prikae se strelica okrenuta dolje ().
d) Odabir vrste mjerenih signala:

AC
DC (uz oznaku kanala stoje oznake CH1 i CH2
DC

e) Namjetanje 0-toke i y-pravca:

Koristiti dugme GND na oba kanala
f) Pritisnuti ON prvog kanala da se ukloni pravac s ekrana.
g) Proirenje mjernoga opsega po vertikali: istovremeno pritisnuti i drati oba dugmeta
AMPL odgovarajuega kanala, a nakon toga dranjem samo donjega dugmeta AMPL
poveati mjerni opseg toga kanala (u blizini eljene vrijednosti mjernog opsega 10 V
otpustiti dugme, a onda postupnim pritiskanjem donjega i gornjeg dugmeta AMPL fino
ugoditi eljenu vrijednost).

82

Philips PM 3209 40 MHz

a) Kalibracija: zakrenuti svu dugmad VAR potpuno udesno do poloaja CAL.

b) Raspored probi: A i B na komponentama (R - otpornik/D - Zener dioda),
A D, B R
c) Iskljuenje vremenske baze: Najvee dugme (MTB - vremenska baza) postaviti u krajnji
lijevi poloaj X DEFL, polugu TRIG or X DEFL postaviti u krajnji lijevi poloaj (DC), a
polugu EXT LINE B A u krajnjem desnom kutu postaviti u krajnji desni poloaj (A).
Prekidae prikazane na donjoj slici postaviti kako je oznaeno (ON/off)

ON

off

off

ON

off

off

d) Invertiranje signala B-kanala: povui prema sebi dugme POSITION

PULL TO
INVERT

e) Odabir vrste mjerenih signala: (AC/DC) DC

f) Namjetanje 0-toke i y-pravca:
Koristiti dugme GND na oba kanala te X-POSITION ODNOSNO POSITION na
B-kanalu
g) Pritisnuti dugme A da se ukloni prikaz pravca s ekrana.

83

Fluke PM 3384B 100 MHz

a) Raspored probi: CH1 i CH2 na komponentama (R - otpornik/D - Zener dioda),

CH1 D, CH2 R
b) Iskljuenje vremenske baze: dugmetom DISPLAY aktivirati prozori na ekranu,
pritisnuti etvrto sivo dugme odozgo (desno od ekrana) za X-DEFL te prvim sivim
dugmetom odozgo osvijetliti on poziciju (iskljuiti vremensku bazu), zatim oistiti ekran
od dodatnoga prozoria pritiskom na dugme TEXT OFF.
c) Invertiranje signala drugog kanala (CH2): na CH2-ulazu pritisnuti INV dugme (na
ekranu, lijevo od oznake kanala CH2, prikae se strelica okrenuta dolje ().
AC DC
d) Odabir vrste mjerenih signala:
DC (uz oznaku kanala stoje oznake CH1 i
GND
CH2.
e) Namjetanje 0-toke i y-pravca:
AC DC
Koristiti dugme
na oba kanala te s dugmadi POS i
POS (za CH2)
GND
f) Pritisnuti dugme ON prvoga kanala (CH1) da se ukloni pravac s ekrana.
g) Proirenje mjernoga opsega po vertikali: istovremeno pritisnuti i drati oba dugmeta
VAR odgovarajuega kanala, a nakon toga dranjem samo donjega dugmeta VAR
poveati mjerni opseg toga kanala (u blizini eljene vrijednosti mjernog opsega 10 V
otpustiti dugme, a onda postupnim pritiskanjem donjega i gornjeg dugmeta VAR fino
ugoditi eljenu vrijednost).

84

Fluke PM 3394B 200 MHz

a) Raspored probi: CH1 i CH2 na komponentama (R - otpornik/D - Zener dioda),

CH1 D, CH2 R
b) Iskljuenje vremenske baze: dugmetom DISPLAY aktivirati prozori na ekranu,
pritisnuti etvrto sivo dugme odozgo (desno od ekrana) za X-DEFL te prvim sivim
dugmetom odozgo osvijetliti on poziciju (iskljuiti vremensku bazu). Ekran oistiti od
dodatnog prozoria pritiskom na dugme TEXT OFF.
c) Invertiranje signala drugog kanala (CH2): na CH2-ulazu pritisnuti INV dugme (na
ekranu, lijevo od oznake kanala CH2, prikae se strelica okrenuta dolje ().
AC DC
d) Odabir vrste mjerenih signala:
DC (uz oznaku kanala stoje oznake CH1 i
GND
CH2.
e) Namjetanje 0-toke i y-pravca:
AC DC
Koristiti dugme
na oba kanala dok se na ekranu ne pokae oznaka te
GND
pomou dugmadi

POS

POS

(za CH2), namjestiti 0-toku.

f) Pritisnuti dugme ON prvoga kanala (CH1) da se ukloni pravac s ekrana.

g) Proirenje mjernoga opsega po vertikali: istovremeno pritisnuti i drati oba dugmeta
VAR odgovarajuega kanala, a nakon toga dranjem samo donjega dugmeta VAR
poveati mjerni opseg toga kanala (u blizini eljene vrijednosti mjernog opsega 10 V
otpustiti dugme, a onda postupnim pritiskanjem donjega i gornjeg dugmeta VAR fino
ugoditi eljenu vrijednost).
85

Fluke Scope Meter Series II 99B

a) Raspored probi: A i B na komponentama [R (otpornik)/D (Zener dioda)], A R, B D

INPUT
b) Invertiranje A kanala i iskljuenje vremenske baze: Pritisnuti
F1, odnosno
A
F5, tipkama

odabrati opcije INVERT pa potvrditi s F5, zatim pomou tipki

COMBINE A&B, pritisnuti F5 i odabrati A versus B te potvrditi s F5, a zatim s F1

zatvoriti prozor.
INPUT
c) Pritisnuti
te provjeriti status (mora biti u statusu on).
B
INPUT
d) Pritisnuti
(oznaen u crnome polju na ekranu) i iskljuimo ga s F2. Pritisnuti
A
INPUT
(oznaen u crnome polju na ekranu) i iskljuimo ga s F2, tako da na ekranu ostane
B
x-y prikaz.
INPUT
e) Namjetanje 0-toke i y-pravca:
Prebacivanjem s F3 na GND vidljiva je y-os,
B
koju s

INPUT
B

pomiemo po x-osi, a s

INPUT
A

pomiemo po y-osi.

f) Odabir vrste mjerenih signala: a zatim treba vratiti na DC

86

6.
[1]

LITERATURA
T. Kovaevi: Elektroniki elementi, Repetitorij s laboratorijskim vjebama, Split, veljaa
2007.

[2]

hps SystemTechnik: Semiconductor Components, 3. Edition

[3]

S. Bovan: Elektroniki elementi, laboratorijske vjebe, Split, 2001.

[4]

P. Slapniar, S. Gotovac: Elektroniki sklopovi, Split, veljaa 2000.

[5]

I. Zulim, P. Biljanovi: Elektroniki sklopovi, Zagreb, 1994.

[6]

B. Juzbai: Elektroniki elementi, Zagreb, 1994.

[7]

J. tribar, J. Divkovi-Pukec: Elektroniki elementi, zbirka rijeenih zadataka i izvoda I dio,

Zagreb, 1996

[8]

J. tribar, J. Divkovi-Pukec: Elektroniki elementi, zbirka rijeenih zadataka i izvoda II dio,

Zagreb, 1996.

[9]

. Butkovi, T. Suligoj: Mikroelektronika, Automatika 43, 2002.

[10] V. Ani: Rjenik hrvatskoga jezika, Novi Liber, Zagreb, 1994.

[11] L. Badurina, I. Markovi, K. Mianovi: Hrvatski pravopis, Matica hrvatska , Zagreb, 2007.

87