FAKULTET ELEKTROTEHNIKE, STROJARSTVA I BRODOGRADNJE

SVEUILITA U SPLITU

Dr. sc. IVAN ZULIM, red. prof.

ELEKTRONIKA
(Auditorne vjebe 1)

Privremeno izdanje

Samo za internu uporabu

Split, 2004.
 1. Zakon termodinamike ravnotee :

2
n p ni

EG
ni NV NC exp
; ET k T
2 ET
T
ET eV
11606
3
2E T

3
2 * * 4
NV NC 2 2 mc mv
h
3
m * m * 4 3
EG
n i c ' c 2 v T 2 exp
m0 2E T

EG
3
n i c T exp
'' 2
2E T

3
m * m * 4
c '' c ' c 2 v
m0

E G T 1,17 1,059 10 5 T 6,05 10 7 T 2 eV T 170K

E G T 1,1785 9,025 10 5
T 3,05 10 7
T 2
eV T 170K

2. Zakon elektrine neutralnosti :

p ND n NA

1. Zadatak
Odredite tip poluvodia te koncentraciju nosilaca u siliciju na T=300 K ako su koncentracije
primjesa :
a) N A 1016 cm 3 ; N D 0
b) N D 1016 cm 3 ; N A 0
c) N D N A 1016 cm 3

Postupak rjeavanja :

2
n p ni

n i 300K 1,38 1010 cm 3

n NA p ND

ND NA N D N A 2 4n i 2
n
2

NA ND N A N D 2 4n i 2
p
2

2 2
a) N A 4n i p 1016 cm 3

2
n
n i 1,9 10 4 cm 3
p

b) n N D 1016 cm 3

2
n
p i 1,9 10 4 cm 3
n

c) n p n i 1,38 1010 cm 3

Elektrina provodnost poluvodia

Zadatak

Izraunati elektrinu provodnost za silicij pri T=300 K koji je :

a) intrisian
b) dopiran s N A 1015 cm 3
c) dopiran s N D 1015 cm 3
d) dopiran s N A N D 1015 cm 3

Postupak rjeavanja :

Elektrina provodnost : q n n p p n p

a) elektrina provodnost za intrisini poluvodi :

n p ni
i qn i n p gdje su n i - intrisina koncentracija
n - pokretljivost elektrona
p - pokretljivost upljina

n i 300K 1,38 1010 cm 3

max min
min
pokretljivost nosilaca : N ND
1 A
N ref

Za Si ; T =300K

min cm
2

Vs

max cm
2

Vs

N ref cm 3
elektroni 80 1430 1,12 1017 0,72
upljine 45 460 2,23 1017 0,72

Za intrisini poluvodi je : N A N D 0 stoga je :

 n n max 1430 cm 2 Vs
p p max 460 cm 2 Vs

i 1,602 1019 1,38 1010 1430 460 4,17 S cm

b) N A 1015 cm 3 ; N D 0

p N A n

p q p p

460 45
p 45 0 , 72
452 cm 2 Vs
10 15

1 17

2,23 10
p 1,602 10 19 1015 452 72,4 mS cm

c) N D 1015 cm 3 ; N A 0

n N D p

n q n n

n 1368 cm 2 Vs 222 mS cm

d) n p n i

N A N D 2 1015 cm 3

n 1359 cm 2 Vs
p 447 cm 2 Vs

q n i n p 3,99 S cm

Zadatak
Primjerak silicija je oneien s N A 1016 cm 3 .Ako bi se taj isti primjerak oneistio s
donorima koncetracije N D uz uvjet p N A n N D ,odredite koncentracije N D pri
T=300K.

Postupak rjeavanja :

Iz koncentracije N A 1016 cm 3 odredit emo pokretljivost upljina p :

460 45
p 45 0 , 72
420 cm 2 Vs
10 16

1
2,23 10
17

P NA
ND
n

p NA
ND
n min
n min n max ; nakon uvrtavanja vrijednosti imamo:
ND
1
N ref

420 1016
ND
1430 80
80 0 , 72
ND
1
1,12 10
17

korak 0 1 2 3 4
N D cm 3,029 10
3 15
1015 3,142 10
15
3,147 10 15
3,147 1015

Difuzijsko i driftno gibanje nosilaca (transportne jednadbe)

 dn x
(1) J n x q n n x E x qD n
dx

dp x
(2) J p x q p p x E x qD p
dx

Opi oblik :

dn x
J n x q n n x E x qD n
dx

dp x
J p x q p p x E x qD p
dx

Zadatak

Djelovanjem svjetla generiraju se ekscesni nosioci uz povrinu silicija.Valja odediti sve

komponente struja (difuzijske i driftne) veinskih i manjinskih nosilaca,ako je raspodjela
upljina dana prema prikazanom crteu ako je :

p(x)

p1

T=300 K ; p 0 10 4 cm 3
a) p1 10 8 cm 3
b) p1 1016 cm 3

p0
Postupak rjeavanja :
x
2
0 x1 10 m ni (1,38 1010 ) 2
a) n0 4
1,9 1016 cm 3
p0 10

p p1 p 0 10 8 10 4 10 8 cm 3

Za isti iznos p se povea i koncentracija veinskih nosilaca (elektrona)

n 1 n 0 p n 0 n 1,9 1016 10 8 1,9 1016 cm 3

Jp Jn 0

Iz transportnih jednadbi slijedi :

Dp
dp
Dn
dn
D p D n dp dp dn
E dx dx dx budui je te n n p p
n n p p n n p p dx dx

uz supstituciju Einsteinove relacije :

D U T ; gdje je U T k T naponski ekvivlent temperature

za jakost elektrinog polja moe se pisati izraz :

p n
dp
E UT dx
n n

Koncentraciji elektrona n odgovara koncentracija donora N D :

N D n 1,9 1016 cm 3
 1430 80
n 80 0 , 72
1135 cm 2 Vs
1,9 10 16

1
1,12 10
17

460 45
p 45 0 , 72
400 cm 2 Vs
1,9 10 16

1
2,23 10
17

T 300
Dn UT n n 1135 29,4 cm 2 Vs
11605 11605

T 300
Dp UT p p 400 10,3 cm 2 Vs
11605 11605

dp p
1011 cm 4
dx x1

p n
dp
300 400 1135 1011


8,82 10 8 V cm
E UT dx =
n n 11605 1,9 10 1135
16

Komponente struja :

1,602 10 19 10,3 1011 0,165 A cm 2

dp
J pdif qD p
dx

J pdrift qp p E 1,602 10 19 10 8 400 8,82 10 8 5,64 10 10 A cm 2

dn
J ndif qD n 0,47 A cm 2
dx

J ndrift qn n E 0,305 A cm 2

b) p1 1016 cm 3
 p n 1016 cm 3
2
n
n0 i
p0
n 1 n 0 p 1,9 1016 1016 2,9 1016 cm 3
n ND
dp
1019 cm 4
dx
p n
dp
E UT dx 5,15 V cm
n n p p

Komponente struja :

J pdif 16,48 A cm 2

J pdrift 3,3 A cm 2

J ndif 47,04 A cm 2

J ndrift 27,2 A cm 2

Razina visoke injekcije (koncentracija manjinskih nosilaca nije zanemariva u odnosu prema
razini veinskih nosilaca): driftna komponenta struje manjinskih nosilaca nije zanemariva.

Nehomogeni poluvodi

Nehomogeni poluvodi je nejednoliko oneien primjesama.U njemu se koncentracija

nosilaca mijenja od toke do toke.

Ukupna struja jednaka je nuli.Difuzijsku struju ponitava driftna komponenta.Jakost

uspostavljenog elektrinog polja moe se odrediti iz transportnih jednadbi (npr. za upljine)
iz uvjeta J p 0.
 U T dp
E
p dx

dU
E
dx

dp
dU U T
p

U2

dU U
U1
T (ln p 2 ln p1 )

p1
U 21 U 2 U 1 U T ln
p2

Ako je poluvodi oneien tako da je polovica poluvodia N- tip, a polovica P- tip

p1 p 0 p N A
2
n
p 2 p 0n i
ND

p 0p NA ND
U k U 21 U T ln U T ln 2
p 0n ni

Zadatak

U primjerku Si koncentracija primjesa mijenja se kao :

x
N ( x ) N D ( x ) N A 1019 exp( ) 1015 ; a 1 m; T 300K.
a
Valja odrediti :

a) Jakost i smjer ugraenog elektrinog polja na povrini x=0 i na dubini x=12 m

b) Dubinu pn spoja
c) Potencijal toke x= 5 m prema toki x=0.

Postupak rjeavanja :

dn dU
a) J n qD n q n n 0
dx dx

dU 1 dn ( x ) 1 d N D ( x ) N A
E U T U T
dx n ( x ) dx N D (x) N A dx
Na povrini poluvodia , x=0 , je N D (0) N A

1 d N D ( x ) 1 x 1
E U T U T N D (0) exp( ) ( )
N D (x) dx x a a
N D (0) exp( )
a

1 T 1 300 1
E UT 4 250 V cm
a 11605 a 11605 10

N(x)

E
+ -

difuzija elektrona
Jndif
drift elektrona
Jndrift

xj x

za x=12 m :

dp dU
J p qD p q p p 0
dx dx

dU 1 dp( x )
E U T
dx p( x ) dx

1 x 1
E UT 1019 exp( ) ( )
x a a
1019 exp( ) 1015
a

E ( x 12 m) 16,4 V cm

b) dubina pn spoja moe se odrediti iz uvjeta :

N D (x) N A 0
 1019
x j a ln( 15 ) 9,21 m
10

U ( x1 ) n ( x1 )
dn ( x ) n(x1 ) N (x ) N A
c) U 1 dU U
U (0)
T
n (0)
dn
U T ln
n (0)
U T ln D 1
N D (0) N A
125 mV

Ponitavanje (rekombinacija ) nosilaca

Poluvodi n-tipa pod utjecajem svjetla.

p 0n p 0n n 0n n 0n

p 0 n , n 0 n ravnotene koncetracije upljina i elektrona

p 0 n , n on koncetracije upljina i elektrona za vrijeme djelovanja zraenja h.

Prestankom zraenja koncentracija nosilaca opada prema empirijskom zakonu :

 t

p
p n p 0n p 0n p 0n e

n
n n n 0n n 0n n 0n e

gdje je : p - vrijeme ivota upljine

n - vrijeme ivota elektrona

Brzina promjene koncentracije nosilaca (npr. upljina) :

dp n p p 0 n d (p n p 0 n )
n
dt p dt

Jednadba kontinuiteta

p n p n p 0n 2pn (p n E)
Dp p
t p x 2
x

p n p 0n
gdje je : - rekombinacija
p
2pn
Dp - difuzija
x 2

(p n E)
p - drift
x

p n
Uz uvjet : 0 i E 0 imamo
t
 2 p n p n p 0n
=
x 2 Dpp

Ope rjeenje diferencijalne jednadbe:

x x

p n p 0n K 1e LP
K 2e LP

gdje su : K1 i K 2 konstante integracije

Lp DPp difuzijska duina

pn spoj (skokoviti pn prijelaz)

a)

Podruje barijere pn spoja u ravnotei.

b)
 Energijski dijagram pn spoja u ravnotei.

c)

kontaktni potencijal
pn spoj u ravnotei

a) naboj ioniziranih primjesa u osiromaenom podruju

b) energetski dijagram
c) raspodjela potencijala

n 0 p - manjinski nosioci na p-strani (elektroni)

p 0 p - veinski nosioci na p-strani (upljine)
n 0 n - veinski nosioci na n-strani (elektroni)
p 0 n - manjinski nosioci na n- strani (upljine)
U k - kontaktni potencijal
qU k - energetska barijera za veinske nosioce
d B - irina osiromaenog podruja

karakteristine veliine :

kontaktni potencijal
 p 0p n 0n
U k U T ln U T ln
n
p 0n 0p

2
n 0n p 0n n 0p p 0p n i

n 0n N D

p 0p N A

n 0n p 0p NDNA
U k U T ln 2
= U T ln
2


ni ni

osiromaeno podruje :

xp xn

dB=xp+xn

ND
xp d B - irina na p- strani
NA ND

NA
xn d B - irina na n- strani
NA ND

U TOT U k U gdje je U- narinuti vanjski napon

 2 N A N D
dB U TOT
q NA ND

2 U TOT
E maks - maksimalna jakost elektrinog polja
dB

S
CT - kapacitet osiromaenog podruja (tranzintni,barijerni kapacitet)
dB

Zadatak

Silicijski skokoviti pn spoj ima koncentraciju primjesa na p-strani N A 1015 cm 3 ,a na

n-strani N D 5 1016 cm 3 pri T=300 K.Valja izraunati irinu barijere na n i p strani ,
ukupnu irinu barijere te maksimalnu jakost elektrinog polja pri narinutom naponu :
U=0 V,U=0.6 V i U=-5 V. Odredite i tranzitni kapacitet ako povrina spoja iznosi S=1 mm 2 .

Postupak rjeavanja :

ND NA
300 ln 5 10 10
16 15
U k U T ln 2 10 2

11605 (1,38 10 ) 0,680 V
ni
U= 0 V ; U TOT U k

2 N A N D
dB Uk
q NA ND
gdje je : 0 r - permitivnost (dielektrina konstatnta)

0 8,854 10 14 F 11,9 za Si
cm ; r

2 8,854 10 14 11,9 1015 5 1016

dB 15 0,68 0,955 m
1,602 10 19 10 5 1016

ND 5 1016
xp dB = 0,955 10 6 0,936 m
NA ND 5 10 10
16 15

NA 1015
xn dB = 0,9555 10 6 0,0187 m
NA ND 5 10 10
16 15

2U k 2 0,68
E maks 14,24 kV cm
dB 0,955 10 6

S 1 10 2
CT 8,854 10 14 11,9 110,3 pF
dB 0,955 10 4

U=0,6 V pn spoj je propusno polariziran

p n

+ -
0,6 V

U TOT U k U 0,68 0,6 0,08 V

2 N A N D
dB U TOT
q NA ND

d B 0,327 m

dB xn xp
x n 0,00641 m
x p 0,321 m
E maks 4,97 kV cm
C T 322,2 pF

U=-5 V pn spoj je nepropusno polariziran

p n

- +
5V

U TOT U k U 0,68 (5) 5,68 V

2 N A N D
dB U TOT
q NA ND

d B 2,76 m
dB xn xp
x n 0,0541 m
x p 2,71 m
E maks 41,1 kV cm
C T 38,2 pF

Linearno postupan pn prijelaz

Linearno postupan prijelaz definiran je izrazom :

N D N A ax

gdje je a tehnoloka konstanta u cm 4 , a ima znaenje gradijenta koncentracije primjesa.U

osiromaenom podruju koncentracije slobodnih nosilaca mogu se zanemariti s obzirom na
koncetracije ioniziranih primjesa pa gustoa prostornog naboja iznosi :

( x ) q ( N D N A ) qax
 (x)

qaxn

xp
xn x

-qaxp

dB xn xp

kontaktni potencijal :

p 0p n 0n
U k U T ln 2


ni

dB
p 0 p N Aneto ( x x p ) a
2
dB
n 0n N Dneto ( x x n ) a
2

N Aneto N A N D

N Dneto N D N A

a 2d B2 a dB
U k U T ln 2
2U T ln

4n i 2 n i

irina osiromaenog podruja :

12
dB 3 U TOT gdje je U TOT U k U
qa

maksimalna jakost elektrinog polja :

3U TOT
E maks
2d B

tranzitni (barijerni) kapacitet :

 S
CT
12
3 U TOT
qa

Zadatak

Za linearno- postupan pn prijelaz valja izraunati kontaktni potencijal ,irinu

osiromaenog podruja,maksimalnu jakost elektrinog polja te barijerni kapacitet pri
narinutom naponu U=0 V, U=0,6 V i U=-5 V ako gradijent koncentracije primjesa iznosi
a 5 1019 cm 4 T=300 K a S 1 mm 2 .

Postupak rjeavanja :

a) za U =0 V i U TOT U k

2 3a 2
U k U T ln 2
U k


3 2 qn i

korak 0 1 2 3 4
0,6277
U k V 0,7 0,6258 0,6257 0,6257

U k 0,626 V
d B 0,996 m
d
x n x p B 0,498 m
2
E maks 9,42 kV cm
S 10 2
CT 11,9 8,854 10 14 105,8 pF
dB 0,996 10 4

b) za U= 0,6 V

U TOT U k U 25,7 mV
d B 0,334 m
x n x p 0,172 m
E maks 1,12 kV cm
S 10 2
CT 11,9 8,854 10 14 306,3 pF
dB 0,334 10 4

c) za U=-5 V
 U TOT 5,626 V
d B 2,07 m
x n x p 1,04 m
E maks 40,8 kV cm
S 10 2
CT 11,9 8,854 10 14 50,9 pF
dB 2,07 10 4

Akumulirani naboj manjinskih nosilaca

Zadatak

Koncentracija donora na n-strani Si diode iznosi N D 5 1016 cm 3 ,a koncentracija upljina

na n strani neposredno uz barijeru je p n 0 2 1014 cm 3 .Vrijeme ivota upljina na n strani je
p 1 s .T=300 K,S=2 mm 2 .Valja izraunati :

a) napon prikljuen na diodu

b) ekscesni naboj upljina na n strani (iroka n strana , Wn x n L p )
c) ukupnu struju upjlina
d) nacrtati raspodjele kocentracije i difuzijske struje upljina na n strani.
zadatak rijeiti i za usku n stranu ( Wn x n 2 m L p )
Postupak rjeavanja :

a)
pn

pn0

p0n

xn x
0

N D 5 1016 cm 3
p n 0 2 1014 cm 3 n 0 n N D

2
n
p 0n i 3,8 10 3 cm 3
n 0n

U
p n 0 p 0 n exp( )
UT
pn0 300 2 1014
U U T ln ln 0,638 V
p 0 n 11605 3,8 10 3

b) ekscesni naboj upjlina Qp

iroka n strana , Wn x n L p
 Akumulirani naboj na irokoj n strani pn spoja.

Wn

Q p qS p n ( x ) p 0 n dx
xn

x xn
p n ( x ) p 0 n (p no p 0 n ) exp
Lp

za Wn x n L P :

Q p q S( p n 0 p 0 n ) L p

460 45
p 45 0 , 72
315 cm 2 Vs
5 10 16

1
2,23 10
17

300
Lp D p p p U T P 315 10 6 30,3 m
11605
Q p 1,602 10 19 2 10 4 ( 2 1014 3,8 10 3 ) 30,3 10 4 1,94 nC

uska n strana , Wn x n L p

pn(x)

T2(xn,pn0)
pn0

Qp

p0n T1(xcn,p0n)
x

0 xn wn
 y 2 y1
jednadba pravca kroz dvije toke : Y Y1 (X X1 )
x 2 x1

x Wn
p n ( x ) p 0 n (p n 0 p 0 n )
x n Wn

Wn

Q p qS p n ( x ) p 0 n dx
xn

Wn x n
Q p qS( p n 0 p 0 n ) 64,1 pC
2

c) difuzijska struja upljina :

dp n
I p I dp ( x n ) qSD p x xn
dx

iroka n strana

qSD p x xn
I dp ( x ) p no p 0 n exp

Lp Lp

qSD p Dpp QP
I dp ( x n ) p n0 p 0n
Lp Dpp p

QP 1,94 10 9
I dp ( x n ) 1,94 mA
p 10 6

uska n strana

p n 0 p 0n Q p
I p I dp qSD p
Wn x n t pr

gdje je t pr vrijeme proleta

Wn x n 2
t pr 2,18 ns
2D p
 Qp 64,1 10 12
Ip 29,4 mA
t pr 2,18 10 9

d)

iroka n strana uska n strana

Idp[mA] Idp[mA]

1,94 29,4

xn x xn wn x
0

x xp
I dp ( x ) I dp ( x n ) exp
Lp

Struja kroz pn spoj

Shockleyjeva jednadba :

gustoa struje odreena je relacijom :

2 Dn Dp qU
J qn i exp kT 1
WP Wn
L n N A th L p N D th
LN L
p

koja se obino navodi u obliku (Shockleyeva jednadba) :

U
I I S exp 1
UT
 kT
gje je : I JS ; U T q

I S je reverzna struja zasienja.

2 Dn Dp
I S qn i S
WP Wn
L n N A th L p N D th
LN L
p

ako su irine neutralnih podruja velike u odnosu prema difuzijskim duinama:

Wp W
Wp L n ; Wn L p , tada je th n
L 1 i th L 1 , pa izraz za struju I S poprima
n p

jednostavniji oblik :

2
Dn Dp
I S qn i S
L n N A L p N D

Zadatak

Silicijska pn dioda s irokom p i n stranom ima elektrinu otpornost p strane p 0,05 cm

a n strane n 0,4 cm .Vremena ivota manjinski nosilaca iznose : n 50 s i p 10 s .
Povrina pn spoja je S 2 mm 2 .T=300 K.Valja izraunati :

a) reverznu struju zasienja diode

b) reverzni napon pri kojem reverzna struja ima iznos 90% vrijednosti struje I S .

Postupak rjeavanja :

a) I S I Sp I Sn

D n n 0p D p p 0n n
2
n
2
I S qS ; p 0n i ; n 0p i
L n L p ND NA

2
Dn Dp
I S qn i S
L n N A L p N D
 1 1 1
n n strana
n qn n q n N D

1 min
n min maks
n NDq ND
1
N ref

1
ND


maks min
n q min

ND
1
N ref

1
ND


19
1430 80
0,4 1,602 10 80 0 , 72
ND
1 17

1,12 10

postupkom iteracije dobiva se: N D 1,31 1016 cm 3 ( n 1193 cm 2 Vs )

za manjinske nosioce (upljine na n strani):

460 45
p 45 0, 72
412 cm 2 Vs
1,31 10 16

1
2,23 10
17

300
D p p U T 412 10,7 cm 2 s
11605

Lp Dpp 10,7 10 10 6 103 m

2 Dp
I Sp qSn i 4,84 10 14 A
NDLp

p - strana

1 1
p
p q p N D

postupkom iteracije dobiva se :

 N A 7,44 1017 cm 3 ( p 168 cm 2 Vs)

za manjinske nosioce (elektrone na p strani) :

1430 80
n 80 0 , 72
355 cm 2 Vs
7,44 10 17

1
1,12 10
17

D n n U T 9,18 cm 2 s

Ln D n n 9,18 50 10 6 214 m

2 Dp
I Sp qSn i
NDLp

N D 1,31 1016 cm 3 ( n 1193 cm 2 Vs )

za manjinske nosioce (upljine na n strani)

460 45
p 45 0, 72
412 cm 2 Vs
1,31 10 16
1 17

2,23 10
300
D p p U T 412 10,7 cm 2 s
11605

Lp Dpp 10,7 10 10 6 103 m

2 Dp
I Sp qSn i 4,84 10 14 A
NDLp

p - strana

1 1
p
p q p N D

postupkom iteracije dobiva se :

N A 7,44 1017 cm 3 ( p 168 cm 2 Vs)

za manjinske nosioce (elektrone na p strani) :

 1430 80
n 80 0 , 72
355 cm 2 Vs
7,44 10 17

1
1,12 10
17

D n n U T 9,18 cm 2 s

Ln Dn n 9,18 50 10 6 214 m

2 Dn
I Sn qSn i
NALn

I S I Sp I Sn 4,84 10 14 3,52 10 16 4,84 10 14 A

U
b) I I S exp 1 0,9I S
UT

-U +U

-I=0,9IS
IS

-I

I
U U T ln 1
IS

300 0,9I S
U ln 1 59,5 mV
11605 IS

Poluvodika dioda u strujnom krugu

Zadatak
etiri diode spojene su u strujnom krugu prema prikazanom crteu.Valja odrediti struju i
napon za svaku od dioda ako njihove reverzne struje zasienja iznose :
I S1 5 nA ; I S2 I S4 10 nA ; I S3 20 nA. T=300 K.

D1 D2 D3 D4

I
+ -

5V

Postupak rjeavanja :

Diode D1 i D 4 su propusno polarizirane,a diode D 2 i D 3 nepropusno.Struja kroz diode

iznosi : I I S 2 I S 4 10 nA .

U I
I I S exp 1 U U T ln 1
UT IS

10 10 9
U 1 U T ln 9
1 28,2 mV
5 10
10 10 9

U 3 U T ln 9
1 17,8 mV
20 10
10 10 9
U 4 U T ln 9
1 17,8 mV
10 10
U 2 U U 1 U 3 U 4 5 ( 28,2 17,8 17,8) 10 3 4,94 V

Temperaturna ovisnost pn prijelaza (poluvodike diode)

Zadatak

Valja izraunati za koliko posto naraste reverzna struja zasienja poluvodike diode ako se na
T=300 K temperatura povea za 1K .Zanemariti temperaturnu ovisnost pokretljivosti nosilaca.

Postupak rjeavanja :
 2
Dn Dp 2
I S qn i S k ni
'

L n N A L p N D

2
ln I S ln k ' 2 ln n i

3
E G (T )
n i C T 2 exp
2E T

E G (T ) 1,175 9,025 10 5 T 3,05 10 7 T 2 eV

E T kT gdje je k Boltzmanova konstanta

3
a bT cT 2
n i CT 2 exp
2E T
3 1 a bT cT 2 d
ln n i ln C ln T
2 2k T dt

dn i 3 dT 1 b 2cT T a bT cT 2
dT
ni 2 T 2k T2

dn i 3 a cT 2 dT

ni 2 2kT T

dn dT
'
dI S E
2 i 3 G 0
T
IS ni ET
'
E G 0 a cT 2 1,175 3,05 10 7 300 2 1,20 eV

dI S 1,20 1
3 11605 16,6 %
IS 300 300

Zadatak

Valja izraunati temperaturni koefiijent propusno polarizirane silicijske pn diode pri

konstantnoj vrijednosti :
a) napona na diodi
b) struje kroz diodu
Pretpostaviti da je napon U kojim je dioda propusno polarizirana nekoliko puta vei od U T .
Zadano je : T=300 K, I S 2 nA,U=0,65 V,m=1,7.

Postupak rjavanja :
 U U
I I S exp 1 I S exp
mU T mU T

dI S dT
'
E
3 G 0
T
IS ET

a) U=konst.

U U (kdT) U
dI dI S exp I S 2
exp =
mU T m U T mU T

U E G0
'
dT U U dT
= I S exp 3 I S exp
mU T ET T mU T mU T T

dI I U
'
E I a cT 2 Uq
3 G0 3
dT T E T mU T T kT mkT

I S 2 nA, U=0,65 V, m=1,7, T=300 K I=5,3 mA

dI
0,615 mA
dT K

b) I=konst.

I
U mU T ln mU T (ln I ln I S )
IS
I dI I kdT E
'
dT
dU m ln k dT mU T S mU T ln mU T 3 G 0
IS IS IS U T ET T
dT E U dT
'

=U mU T 3 G 0
T E T mU T T
dU E G0
'
U mU T dI T mU T mU T dI
3
dT E T mT T dT I T I dT

dU 1,7 300
0,615 10 3 5,1 mV
dT 5,3 10 3 11605 K
 I [mA]
T2 > T1

5,3

0,65 U [V]

Osnove planarne tehnologije na Siliciju

a) osnovna ploica b) epitaksijalni rast

n - epitaksijalni rast

n+ - podloga n+ - podloga

c) oksidacija d) fotolitografija

svjetlo
SiO2
maska
fotorezist
SiO2
n - epitaksijalni rast
n - epitaksijalni rast

n+ - podloga n+ - podloga
 e) difuzija f) metalizacija

prednji metalni kontakt

akceptori (anoda)

SiO2

SiO2 p-difuzija
n - epitaksijalni rast
p-difuzija
n - epitaksijalni rast

n+ - podloga

n+ - podloga
stranji metalni kontakt
(anoda)

Difuzija

Prvi Fickov zakon :

N ( x , t )
f ( x, t ) D
x

f - gustoa toka atoma primjesa

N - koncentracija prmjesa
D difuzijski koeficijent atoma primjesa

Drugi Fickov zakon :

N( x , t ) 2 N( x, t )
D
t x 2

E T
D D 0 exp a E T kT eV
ET 11605
D 0 i E a (aktivacijska energija) ovise o vrsti primjese.Vrijednosti su odreene
eksperimentalno i dane su u tablici :

primjesa s
D 0 cm
2
E a eV

bor 10,5 3,69

fosfor 10,5 3,69
arsen 0,32 3,56
antimon 5,6 3,92
 Ako je difuzija iz neogranienog izvora :

x
N ( x , t ) N 0 erfc
2 Dt

N 0 - koncentracija primjesa uz povrinu

erfc- komplementarna funkcija pogreke

Difuzija iz ogranienog izvora :

Q x2
N( x, t ) exp
Dt 4Dt

gdje je Q povrinska gustoa atoma primjesa

Q
N ( x , t ) N( x 0, t )
Dt

Difuzija primjesa obino se izvodi u dva koraka :

1. Predepozicija , tj. poetno unoenje primjese difuzijom iz ogranienog izvora

2. Redistribucija (preraspodjela) primjese uneene tijekom predepozicije,difuzijom iz
ogranienog izvora.

Komplementarna funkcija pogreke :

2
erfc( x ) exp( t
2
)dt
x

erfc(0)=1
erfc( )=0

d 2
erfc( x ) exp( x 2 )
dx

1
erfc( x )dx
0
Zadatak

U ploicu silicija n- tipa koja je homogeno oneiena donorskom primjesom koncentracije

N D 2 1016 cm 3 ,uneeni su atomi bora difuzijom u dva koraka (predepozicija +
redistribucija).Predepozicija je bila na temperaturi T1 950 C u trajanju od t 1 20 min
,dok je redistribucija bila na temperaturi T2 1100 C i trajala je t 2 1 h .
Valja odrediti :

a) dubinu pn spoja nakon predepozicije ako topivost bora na 950 C iznosi

N 0 A 2 10 20 cm 3
b) dubinu pn spoja nakon redistibucije

Postupak rjeavanja :

x
N A ( x ) N 0 A erfc
2 D t
1 1
N 0 A - je povrinska koncentracija uneenih primjesa tijekom predepozicije i jednaka je
zadanoj topivosti bora na temperaturi predepozicije

D1 - je difuzijski koeficijent bora na temperaturi predepozicije ( T1 950 C 1223 K )

E
D1 D 0 exp a
ET
1

gdje je E a aktivacijska energija

T1 1223
E T1
11605 11605
 3,69
D1 10,5 exp 11605 6,53 10 15 cm 2 s
1223
t 1 je trajanje predepozicije ( t 1 20 min 1200 s )

Dubina pn spoja x j moe se odrediti iz uvjeta :

x j1
N 0 A erfc ND
2 D t
1 1

ND
x j1 2 D1 t 1 erfc 1
N 0A

ND
10 4
N 0A

Iz tablica : erfc 1 (10 4 ) 2,75

x j1 1,54 10 4 cm 0,154 m

b) Tijekom redistribucije difundirani akceptori se ravnaju po Gaussovoj funkciji :

QA x2
N A (x) exp
D 2 t 2 4D 2 t 2

D 2 - je difuzijski koeficijent atoma bora na temperaturi redistribucije

T2 1100 C 1373 K

3,69
D 2 10,5 exp 11605 2,99 10 13 cm 2 s
1373

t 2 - je trajanje redistribucije : t 2 =1 h =3600s

Q A - je povrinska gustoa atoma bora uneenih u silicijsku ploicu tijekom predepozicije

x
erfc dx 2 N 0 A
QA N 0A
2 D t
D1 t 1
0 1 1

2
QA 2 10 20 6,53 10 15 1200 6,317 1014 cm 2

Dubina pn spoja nakon redistribucije :

 QA x j2
2

exp N
D 2 t 2 4D 2 t 2 D

QA
x j2 2 D 2 t 2 ln
N D t
D 2 2

6,317 1014
x j2 2 2,99 10 13 3600 ln
2 1016 2,99 10 13 3600

x j2 1,6466 m

Bipolarni tranzistor

Struje normalno polariziranog tranzistra :

Normalno aktivno podruje : U EB 0 ; U CB 0 .

a)
IE E B
IB
P N P
IpE InE
IR
IpC ICB0

C
b)
p n p

IpE IpC
E IR
C

InE
ICB0

IB
B

IE IB IC
I E I pE I nE
I B I nE I R I CB
I C I pC I CB 0

Faktor injekcije (efikasnost, djelotvornost) :

 I pE I pE

IE I pE I nE

I pC
*
I pE

* faktor strujnog pojaanja

I C I pC I CB 0 * I pE I CB 0 * I E I CB 0 I E I CB 0

Zadatak

PNP tranzistor ima faktor strujnog pojaanja =0,98 i reverznu struju zasienja kolektora
I CB0 10 nA .
a) Izvesti izraz za struju kolektora u ovisnosti o struji baze ako tranzistor radi u spoju
zajednikog emitera.Izraunati struju kolektora za ove vrijednosti struje baze :
I B 0 A ; I B 100 A .
b) Izvesti ovisnost struje emitera o struji baze ako tranzistor radi u spoju zajednikog
kolektora u normalnom aktivnom podruju.Izraunati struju emitera za ove vrijednosti
struje baze : I B 0 A ; I B 100 A .

a)

IB IC
-
U
+ CE
-
UBE IE
+

I C f (I B )

I C I E I CB0
IE IB IC
I C (I B I C ) I CB 0 I B I C I CBO
I
IC I B CB0 I B I CB 0 (1 )
1 1

0,98 I
gdje je : 1 1 0,98 49 I CE 0 CB0 (1 ) I CB0 500 nA
1
 za I B 0 A I C I CE 0 0,5 A
3
za I B 100 A I C 49 0,1 0,5 10 4,9005 mA

b)

IB IE
+
U
- EC
+
UBC IC
-

I E f (I B )
IC IE IB
IB I I
IE CB 0 B 0,5 10 6 A
1 1 0,02
za B 0 A I E 0,5 A
I
za I B 100 A I E 5,0005 mA

Zadatak

Silicijski PNP tranzistor radi u normalnom aktivnom podruju i ima u bazi nakrcan naboj
manjinskih nosilaca iznosa Q B 5 pC .irina baze je w B 2 m a faktor injekcije emitera
0,985 .Povrina poprenog presjeka tranzistora je S 2 mm 2 , a koncentracija primjesa u
bazi je N D 5 1015 cm 3 .Vrijeme ivota upljina u bazi je 2s .T=300 K.Valja odrediti :
a) struju emitera ,kolektora i baze
b) napon na spojitu emiter-baza, U BE uz pretpostavku da je I CB0 0.

Postupak rjeavanja :
 E B C
pB
wB0

pB0

p0B

x=0 x
wB

L pB w B
U
p B0 p 0 B exp EB
UT
p BW 0 ( p 0 B )

I pE I pE I pE
IE
I pE I nE IE

I pE ?

p B0
I pE qSD pB
wb

p B0 Wb 2Q B
Q B qS p B0
2 qSw b

2Q 2Q B D pB Q B
I pE qSD pB 2
2

qSw b wb t pr

gdje je t pr - vrijeme proleta nosilaca kroz bazu

2
wb
t pr
2D pB

N DB 5 1015 cm 3
 460 45
p 45 0 , 72
435 cm 2 Vs
5 10 15

1
23 10
17
2,

300
D pB p U T 435 11,2 cm 2 s
11605

L pB D pB B 11,2 2 10 6 47,4 m

2
wb (2 10 4 ) 2
t pr 1,78 ns
2D pB 2 11,2

QB 5 10 12
I pE 2,81 mA
t pr 1,78 10 9

I pE 2 81 10 3
IE 2,85 mA
0,985
2 2
1 w b 1 2 10 6
1
*
1 0,9991
2 L pB 2 47,4
* 0,9991 0,985 0,984
I C I E 0,984 2,85 10 3 2,81 mA
I B I E I C (2,85 2,81) 10 3 40 A

u EB ni
2
U
b) p B0 p 0 B exp exp EB
U T N DB UT

2Q B
p B0
qSw b

2Q B N DB
U EB U T ln 2
qSw b n i

300 2 5 10 12 5 1015
U EB ln 0,513 V
11605 1,602 10 19 2 10 4 2 10 4 (1,38 1010 ) 2
Zadatak

Silicijski npn tranzistor ima u bazi koncentraciju primjesa N AB 5 1016 cm 3 , a u kolektoru

N DC 1015 cm 3 , tehnoloka irina baze je w B0 2 m i povrinu S 1 mm 2 .Tranzistor
radi uz radne napone U EB1 0,6 V i U CB1 0 V pri emu je efikasnost emitera 0,99
.Ako se napon U CB promjeni na napon U CB 2 10 V , valja odrediti za koliko e se
promijeniti struja kolektora ako je :

a) I E konst.
b) I B konst.
Pretpostaviti : T=300 K; B 1 s ; I CB0 0 ; pn spoj kolektor-baza je skokovit.

Postupak rjeavanja :

n p n
E B C

U EB1 0,6 V
U CB1 0 V

kontaktni potencijal izmeu kolektora i baze iznosi :

k T N N 300 1015 5 1016

U kCB ln DC 2 AB ln 0.680 V
q ni 11605 (1.38 1010 ) 2
irina osiromaenog podruja spoja kolektor-baza :

2 0 ' N AB N DC
d B1 ( U kBC U BC )
q N AB N DC

gdje je : 0 8,854 10
14 F ' (Si ) 12
cm ;

2 8.854 10 14 12 5 1016 1015

d B1 . (0,680) 0.959 m
1.602 10 19 5 1016 1015

irina osiromaenog podruja na strani baze :

N DC 1015
d BB1 d B1 15 0,959 10 6 1,88 10 6 cm
N DC N AB 10 5 10 16
efektivna irina baze :

w B1 w B0 d BB1 2 10 6 0,0188 10 6 1,98 m

n B01 n U 1
2

I nE1 qSD nB qSD nB i exp EB1

WB1 N AB U T WB1

N AB 5 1016 cm 3

2
nB 946 cm
Vs
2
D nB 24,4 cm
s
L nB 49,4 m

I nE1 9,013 mA

I nE1
I E1 9,104 mA

I pE1 I E1 I nE1 91,044 A
2
1 w B1
I nE1 7,249 A
*
I R1 (1 1 )I nE1
2 L nB
I B1 I R1 I pE1 98,292 A
I C1 I E1 I B1 I nE1 I R1 9,006 mA

a) I E konst.

IC

IE

UCB

Uz uvjet I E1 I E 2 I nE1 I nE 2

n B01 n B02

w B1 w B 2
 nB
wB0
nB01

nB02

n0B

wB1 wB2 x
0

U CB 2 10 V
d B 2 3,8 m
d BB2 7,45 10 2 m

1 w B1
2
1 w B1 (1 1 ) w B 2

2 0,9903 2 1

U
n B0 n 0 B exp BE
UT
U
n 0 B exp BE 2
n B02
U T exp U BE w B 2
n B01 U U w B1
n 0 B exp BE1 T

UT

w B2 300 1,93
U BE U T ln ln 6,612 10 4 V
w B1 11605 1,98

2
1 w
IR2 B 2 I nE 2 6,847 A
2 L nB

U BE
I pE p E 0 exp
UT

U BE
I pE 2 I pE1 exp 88,536 A
UT

I B2 I p I R2 95,382 A
 I E 2 I E1 9,104 mA
I C 2 I nE 2 I R 2 I E 2 I B 2 9,009 mA

I C2 I C2
3,33 10 4 0,0333 %
I C1
I B2 I B2
0,02961 2,96 %
I B1

b) I B konst.

nB

nB02

nB01

pE02
pE01

w B2 w B1

I B I pE I R
U BE
I pE exp
UT
U
I R w B exp BE
UT
U BE
I pE 2 I pE1 exp
UT
w B2 U BE
IR2 I R1 exp
w B1 UT

IC

IB

UCE
 U BE w U BE I B1
I B 2 exp I pE1 I R1 B 2 I B1 exp 1,002
UT w B1 UT w B2
I pE1 I R1
w B1
U BE 52,3 V

U BE
I pE 2 I pE1 exp 91,229 A
UT
w U BE
I R 2 B2 I R1 exp 7,062 A
w B1 U T
I B I pE 2 I R 2 98,292 A

U BE w B1
I nE 2 I nE1 exp 9,289 mA
UT w B2

I E 2 I nE 2 I pE 2 9,380 mA
I C 2 I E 2 I B 2 9,282 mA
I E 2 I E1
0,0303 3,03 %
I E1

I C 2 I C1
3,80 %
I C1

Zadatak

Za npn tranzistor koji ima N 110 , I 9 i I CE 0 5 pA pomou Ebers-Mollovih

jednadbi valja odrediti:
a) ulazne karakteristike
b) izlazne karakteristike,
za spoj zajednikog emitera.T=300 K.

Postupak rjeavanja :

a) ulazne karakteristike:

I B f ( U BE , U CE )

Ebers-Mollove jednadbe :

U U
I E I ES exp BE 1 I I CS exp BC 1
UT UT
 U U
I C N I ES exp BE 1 I CS exp BC 1
UT UT

na temelju osnovne strujne jednadbe tranzistora :

IC IB IE 0

dobiva se :
U U
I B (1 N ) I ES exp BE 1 (1 1 ) I CS exp BC 1
UT UT

Uvrtavanjem temeljne naponske jednadbe tranzistora :

C

UBC

B UCE

UBE
E

U CE U BE U BC

dobiva se :
U U
I B (1 N )I ES (1 I )I CS exp CE exp BE (1 N )I ES (1 I )I CS
UT UT
N 110
N 0,991
N 1 1 110
I 9
I 0,9
I 1 1 9
I CE 0 (1 N )I E 0 (1 0,991) 5 10 12
I CS 4,17 10 13 A
1 N I 1 NI 1 0,991 0,9

I 0,9
I ES I CS 4,17 10 13 3.78 10 13 A
N 0,991

U CE +10 V +50 mV 0 -50 mV

UBE[V] IB[A]
0,400 0,197 0,513 2,38 15,3
0,425 0,517 1,35 6,27 40,3
0,450 1,36 3,55 16,5 106
0,475 3,58 9,33 43,4 279
0,500 9,41 24,5 114 733
b) Izlazne karakteristike :
 I C f ( U CE , I B )
U
I C N I E I CB 0 exp BC 1
UT
I E I C I B
U CE U BE U BC

N I U BE U
IC I B CB 0 exp exp CE 1
1 N 1 N UT UT

Uz jednadbu :

U
I E I I C I EB0 exp BE 1
UT

dobiva se :

I U
N I B I CB0 I B CB0 I CB0 exp CE
I EBO UT
IC
I U
1 N CB0 (1 I ) exp CE
I EB0 UT

U normalnom aktivnom podruju je U CE U T :

N I
IC I B CB 0 N I B I CB 0 (1 N )
1 N 1 N

IB 0 10A 20A 30A 40A 50A

UCE[V] IC[A]
-0,150 4,08 10 13 1,99 10 4 2,29 10 4 3,99 10 4 4,99 10 4
9,97 10 5
-0,050 3,46 10 13 8,60 10 5 1,72 10 4 2,58 10 4 3,44 10 4 4,30 10 4
0 0 9,24 10 6 1,85 10 4 2,77 10 5 3,70 10 5 4,62 10 4
0,025 5,49 10 13 1,13 10 4 2,25 10 4 3,38 10 4 4,50 10 4 5,63 10 4
0,050 1,55 10 12 3,34 10 4 6,67 10 4 1,00 10 3 1,33 10 3 1,67 10 3
0,100 3,9 10 12 8,56 10 4 1,71 10 3 2,57 10 3 3,42 10 3 4,28 10 3
0,150 4,81 10 12 1,06 10 3 2,11 10 3 3,17 10 3 4,23 10 3 5,29 10 3
0,250 5,00 10 12 1,10 10 3 2,20 10 3 3,30 10 3 4,40 10 3 5,50 10 3

Zadatak
Na temelju zadanog nadomjesnog sklopa tranzistora valja odrediti :
a) sve parametre nadomjesnog sklopa
b) sve napone i struje ako je I CB 0 5 pA ,T=300 K.
C

1 mA 2,94 mA

3 mA 0,2 mA

Postupak rjeavanja :

IBE NIBE

E C

IE IC

IIBC IBC
B

U
I BE I ES exp BE 1
UT
U
I BC I CS exp BC 1
UT

a) I BE 3 mA
N I BE 2,94 mA
2,94
N 0,98
3
I BC 1 mA
I I BC 0,2 mA
0,2
I 0,2
1
I CB 0 5 pA
I I CB 0 0,2 5 10 12
I I CB 0 N I EB0 I EB 0 1,02 pA
N 0,98

b) I E I BE I I BC 0
I E I BE I I BC
 I E 3 10 3 0,2 10 3 2,8 mA
I C I BC N I BE 1 10 3 2,94 10 3 1,94 mA

U BE I BE
exp 1
UT I ES
I BE
U BE U T ln 1
I ES
I EB0 1,02 10 12
I ES 1,269 pA
1 N I 1 0,2 0,98
3 10 3
U BE 25 10 3 ln 12
1 0,54 V
1,269 10
I BC
U BC U T ln 1
I CS
I CB0 5 10 12
I CS 6,219 pA
1 N I 1 0,2 0,98
1 10 3
U BC 25 10 3 ln 12
1 0,472 V
6,219 10

Zadatak

Valja odrediti napon U CB u radnoj toki B za npn tranzistor ija je izlazna karakteristika
prikazana na slici :
ID [mA]

B UGS=0 V
10
-1 V
A

0 4 UDS [V]

I CS 1 pA ; I ES 0,85 pA ; T=300 K

Postupak rjeavanja :

Ebers-Mollove jednadbe :
 U BE U
(1) I E I ES exp 1 I I CS exp BC 1
UT UT

U BE U
(2) I C N I ES exp 1 I CS exp BC 1
UT UT
U toki A : U BC 0

U BE1
(3) I E1 I ES exp 1 1 mA
UT

U BE1
(4) I C1 N I ES exp 1 0,995 mA
UT
I
U toki B : C 0

U BE 2 U
(5) I E 2 I ES exp 1 I I CS exp BC 2 1
UT UT

U BE 2 U
(6) I C 2 0 N I ES exp 1 I CS exp BC 2 1
UT UT

I E1 I E 2 I E 1 mA

Iz jednadbi (5), (6) i (7) dobiva se :

U BC 2
(8) 0 N I E exp 1 I CS ( N I 1)
UT
(9) I CS ( N I 1) I CB0

Iz (8) i (9) slijedi :

N I E I CB 0
U BC 2 U T ln
I CB0
Iz (3) i (4) moe se odrediti N :

N I ES 0,995 0,85
N 0.995 I 0,846
I CS 1
 I CS ( N I 1) I CB 0 I CB0 1 10 12 (1 0,995 0,846) 0,158 pA

300 0,995 ( 1 10 3 ) 0,158 10 12

U BC 0,583 V
11605 0,158 10 12

U CB 0,583 V

Zadatak

Za silicijski n-kanalni FET zadani su podaci:

NA = 1017 cm-3, ND = 1015 cm-3, a = 3m, L/w = 1, T = 300 K.
Odredite:
 a) vodljivost potpuno otvorenog kanala,
b) poluirinu i vodljivost pri naponu UGS = 0.5UGS0.
Rjeenje:
q n N D w 2a
a) G 0
L
1430 80
n 80 0. 72
1386,29 cm 2 V 1 s 1
10 15

1 17
. 10
112

G 0 1.602 10 19 1386.29 1015 2 3 10 4 133

. 10 4 A / V

U k U GS
b) b a 1
U k U GS 0

ND NA 300 1015 1017

U k U T ln ln 0.695 V
n 2i 11605 . 1010 )2
(145

q N D a2 . 10 19 1015 (3 10 4 ) 2
1602
U GS 0 Uk 0.695 6.264 V
2 2 8.854 10 14 117
.
0.695 0.5 ( 6.264 )
b 3 10 4 1 0.775 m
0.695 ( 6.264)

q n N D 2b w
G 1602
. 10 19 1386.29 1015 2 0.775 10 4 34.42 A / V
L

Zadatak

Zadane su izlazne karakteristike silicijskog n-kanalnog FETa, slika 5.1.4.1. Odrediti sve
dinamike parametre u tokama A i B, ako su poznati podaci tranzistora:
NA = 1.21017 cm-3, ND = 21015 cm-3, a = 3m, = 0.01 V-1, T = 300 K.
Rjeenje:
ND NA 300 1.2 1017 2 1015
U k U T ln ln 0.718 V
n 2i 11605 (1.45 1010 ) 2

q N D a2 . 10 19 2 1015 (2 10 4 )
1602
U GS 0 U k 0.718 5.468 V
2 2 8.854 10 14 117
.
Radna toka A:
U DS U GS U GS 0 0 ( 5.486 ) 5.486 V
Kako je 5 < 5.486 toka A je u triodnom podruju: UGS = 0V, UDS = 5V.
Radna toka B:
U DS U GS U GS 0 2 ( 5.486) 3.486 V
Radna toka B je u podruju zasienja: IDzas = 2mA, UGS = -2V.
3 3

2 ( U U GS 0 ) 2 ( U k U GS ) 2
I Dzas G 0 U GS U GS 0 k
3 U k U GS 0

2 10 3
G0 3 3
3.67 mA / V
2 0.718 ( 5.468 ) 0.718 ( 2)
2 2
2 ( 5.468)
3 0.718 ( 5.468)
U k U GS U DS U k U GS
g mA G 0
U k U GS 0
0.718 5 0.718
3.67 10 3 2.28 mA / V
0.718 5.468
U k U GS 0.718 2
g mB G 0 1 3.67 10 3 1 124
. mA / V
U k U GS 0 0.718 5.468
 U k U GS U DS
g dA G 0 1
U k U GS 0
0.718 5
3.67 10 3 1 014
. mA / V
0.718 5.468
1
rdA 7143
. k
g dA
A g mA rdA 2.28 10 3 7143
. 10 3 16.29
g rB I Dzas 0.01 2 10 3 0.0110 3 A / V
1
rdB 50 k
g rB
B g mB rdB 1.24 10 3 50 10 3 62

Zadatak

Za p-kanalni MOSFET obogaenog tipa zadana je prijenosna karakteristika (vidi sliku).

Odredite dinamike parametre: strminu, izlazni otpor i pojaanje u radnoj toki pri struji I D =
6 mA i nekom naponu UGS2, ako su zadani podaci za tranzistor:
gustoa primjese u podlozi ND = 1015 cm-3,

relativna permitivnost Si02 sloja '0x = 3.82,

irina Si02 sloja t0x = 0.1 m,
omjer irine i duine kanala w/L= 10,
odnos pokretljivosti upljina u kanalu i pokretljivosti u dubini podloge pk = 0.5pV,
= 0.01, T = 300 K.

Rjeenje:
pk ,0 x 0 w
K
t 0x L
 460 45
pV 45 0. 72
451.71 cm 2 V 1 s 1
10 15

1 17
2.23 10

pk 0.5 pV 225.86 cm 2 V 1 s 1

225.86 3.82 8.854 10 4

K= 4
10 0.76 10 4 A V -2
01. 10
K
I Dzas ( U GS U GS 0 ) 2
2
0.76 10 4
4 10 3 (12 U GS0 ) 2 U GS0 1.74 V
2
U radnoj toki T2:
K 2 I Dzas
I Dzas ( U GS2 U GS 0 ) 2 U GS2 U GS0
2 K

2 6 10 3
U GS2 1.74 14.31 V
0.26 10 4
I D
gm K ( U GS2 U GS 0 ) 0.76 10 4 (14.31 1.74) 0.96 mA / V
U GS

g d I D 2 zas 6 10 3 0.01 0.06 mA / V

1 1
rd 16.67 k
gd 0.06 10 3

g m rd 0.96 10 3 16.67 10 3 16.00

Zadatak

Za n-kanalni MOSFET obogaenog tipa s prijenosnom karakteristikom prikazanoj na slici

zadani su podaci:
gustoa primjesa u podlozi NA = 51015 cm-3,
relativna permitivnost Si02 sloja '0x = 3.82,
irina Si02 sloja t0x = 0.18 m,
omjer irine i duine kanala w/L = 5,
odnos pokretljivosti upljina u kanalu i pokretljivosti u dubini podloge pk = 0.5pV,
= 0.01, T = 300 K.
Izraunajte dinamike parametre u radnim tokama:
1. UGS = 6V, UDS = 1.8V,
2. UGS = 6V, UDS = 8V.

Rjeenje:
nk ,0 x 0 w
K
t 0x L
1430 80
nV 80 0.72
1299.94 cm 2 V 1 s 1
5 10
15
1
. 1017
112

1299.94 3.82 8.854 10 14

K 5 0.61 10 4 A V -2
2 . 10 4
018
Radna toka 1.: UGS = 6V, UDS = 1.8V, UGS0 = 4V
U DS U GS U GS0 6 4 2V 18
. V triodno podruje
I D
gm K U DS 0.61 10 4 18
. 011
. mA / V
U GS
 I D
gd K ( U GS U GS0 U DS )
U DS
0.61 10 4 ( 6 4 18
. ) 1.22 10 2 mA / V
1 1
rd 81967
. k
g d 1.22 10 5

. 10 3 81967
g m rd 011 . 10 3 9.02
Radna toka 2.: UGS = 6V, UDS = 8V, UGS0 = 4V
U DS U GS U GS0 6 8 2V 8V podruje zasienja

g m K ( U GS U GS0 ) 0.61 10 4 ( 6 4) 012

. mA / V
K 0.61 10 4
I Dzas ( U GS U GS0 ) 2 ( 6 4) 2 012
. mA
2 2
. 10 3 0.01 1.2 10 3 mA / V
g d I Dzas 012
1 1
rd 833.33 k
g d 1.2 10 6

. 10 3 833.33 10 3 100
g m rd 012