BÀI TẬP CHƯƠNG 3

1.   Cho bán dẫn thuần GaAs ở nhiệt độ 300K có các tham số sau:
-   Khối lượng nghỉ của điện tử bằng 9,1x10-31kg
-   Khối lượng hiệu dụng của điện tử bằng 6,19x10-32kg
-   Khối lượng hiệu dụng của lỗ trống bằng 5,1x10-32kg
-   Năng lượng dải cấm của vật liệu bán dẫn là 1,42 eV
a.   Xác định nồng độ hạt mang bên trong của chất bán dẫn
b.   So sánh nồng độ này với nồng độ hạt mang có trong bán dẫn loại p và loại n
2.   Hãy tìm thành phần vật liệu InGaAsP để chế tạo laser hoạt động ở bước sóng 1310 nm
và 1550 nm.
3.   Cho nguồn LED cấu trúc dị thể kép làm từ vật liệu InGaAsP hoạt động ở bước sóng
1310 nm có thời gian tái hợp có phát xạ và thời gian tái hợp không phát xạ lần lượt là
30 ns và 70 ns. Biết chiết suất của vật liệu trong vùng tích cực của LED là 3,5 và dòng
bơm đưa vào LED là 40 mA
a.   Xác định hiệu suất lượng tử nội, hiệu suất lượng tử ngoài và hiệu suất lượng tử tổng
của nguồn quang
b.   Xác định công suất quang thu được bên trong LED và công suất phát quang thu
được từ một mặt của LED
c.   Xác định băng tần 3dB của nguồn quang
4.   Vùng tích cực của laser InGaAsP hoạt động ở bước sóng 1310 nm có độ dài 250 µm.
Tìm độ khuếch đại vùng tích cực cần thiết cho laser đạt tới ngưỡng. Giả sử suy hao bên
trong là 30 cm-1, chiết suất vùng tích cực là 3,3 và hệ số giam hãm là 0,4.
5.   Một laser InGaAsP có kích thước khoang cộng hưởng 250x5x0,1µm hoạt động ở bước
sóng 1310 nm có suy hao bên trong hốc cộng hưởng là 40cm-1 . Laser hoạt động đơn
mode với chiết suất mode là 3,3 và chiết suất nhóm là 3,4. Giả sử rằng hệ số khuếch
đại biến đổi tính theo N với GN=6x107 cm3s-1 và NT=1018cm-3. Thời gian sống của hạt
tải là 2ns.
a.   Hãy tính hiệu suất lượng tử vi sai và hiệu suất lượng tử ngoài của laser tại thời điểm
dòng bơm vào laser lớn gấp 2 lần dòng ngưỡng.
b.   Tín hiệu suất lượng tử tổng nếu điện áp ngoài là 1,5V với giả thiết hiệu suất lượng
tử nội đạt 90%.
6.   Dòng ngưỡng của laser tăng gấp 2 lần khi nhiệt độ hoạt động tăng lên 50oC. Xác định
nhiệt độ đặc trưng của laser
7.   Laser InGaAsP có có kích thước khoang cộng hưởng 300x5x0,1µm hoạt động ở bước
sóng 1310 nm có hệ số suy hao nội là 10cm-1. Mỗi gương hai đầu có hệ số phản xạ là
0,3 và chiết suất nhóm là 3,4. Giả sử rằng hệ số khuếch đại biến đổi theo hàm G=GN(N-
NT) với GN=6x103s-1 và NT=108 với thời gian sống của hạt tải là 2 ns.
a.   Xác định dòng định thiên I và công suất phát xạ Pe để có độ rộng băng tần
f3dB=10GHz. Bỏ qua tốc độ tắt dần. Giả sử hiệu suất lượng tử nội là 100%.
b.   Các kết quả sẽ thay đổi thế nào nếu hiệu suất lượng tử nội là 90%