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2018年9月 Journal of Dalian University of Technology Sep t. 2 0 1 8
InSb 薄膜热导率温度特性及传热机理
黄 正 兴 * 1 ,2 , 孙 豪 1 ,2 , 李 奇 松 3 , 管 相 宇 1 ,2
(1 .大连理工大学 电子信息与电气工程学部,辽宁 大连 1 1 6024;
2 .辽宁省集成电路技术重点实验室,辽宁 大连 1 1 6024;
3 .中国科学院上海光学精密机械研究所 高密度光存储实验室,上海 2 0 1 800 )
摘要:InSb 薄膜广泛应用于高精度的光电存储、红 外 探 测 和 红 外 热 成 像 技 术 以 及 超 分 辨 掩
膜层技术中 .热导率及其温度特性是影响薄膜 实 际 应 用 的 关 键 因 素 .采 用 瞬 态 热 反 射 方 法 测
试了厚度为 7 0 ~2 00 nm 的 InSb 薄膜在非晶态和 晶 态 下 热 导 率,并 探 讨 了 其 中 的 传 热 机 理 .
对于晶态 InSb 薄膜,热导率为(0 .5 5 ± 0 .0 5 5 )W/(m · K ),并 且 随 温 度 的 变 化 不 明 显;而 非
晶 态 InSb 薄膜在温度 4 5 0 K 以下时热导率为(0 .3 7 ±0 .0 3 7 )W/(m · K ).当温度在 4 5 0 K 以
上时,由于薄膜从非晶态转化为晶态,其热导率经历了一个突然的升高过程 .无论是晶态还是
非晶态薄膜样品,热导率与薄膜厚度都没有明显依赖关系 .研究结果可以为 InSb 薄 膜 的 实 际
应用提供有益的参考 .
关键词:InSb 薄膜;晶态和非晶态;热导率;温度特性
中图分类号:TK1 2 4 文献标识码:A doi :1 0 .7 5 1 1/dll g xb2 0 1 80 5 0 1 2
备,具有超分辨结构的光学掩膜(可以减少光刻掩 作具有超分辨掩膜层也具有非常大的应用潜
过实 验 对 InSb 相 变 材 料 热 导 率 的 温 度 特 性 进 行 在一个较宽而有限的温度范围内与温度基本呈线
测试,并 且 对 其 传 热 机 理 进 行 分 析 .过 去 几 年,关 性关系 [2 6 ],因此反射光强度曲 线 也 可 以 反 映 温 度
于 InSb 材料的热特性有过几篇报告 .Bhandari 等 的变化 .快速光探测器的信号输出到示波器,示波
研究了 InSb 体材料在室温下的热导率 .Cai 等
[2 3 ]
器连接计算机就可以进行数据的拟合与分析 .
研究 了 InSb 体 材 料 随 温 度 变 化 的 热 导 率 .文
[1 9 ]
献中 测 得 的 InSb 体 材 料 的 热 导 率 数 量 级 普 遍 较
大,室温下为 1 1 ~1 2 W/(m · K )[1 9 ].在上文中提
到的实际应用中,无论是红外探测、信息存储还是
超分辨结构掩膜层,InSb 材 料 通 常 是 微 米 级 或 者
纳米级的薄 膜 材 料 .然 而,InSb 薄 膜 材 料 的 热 导
率随温度的变化关系,包括晶态和非晶态,以及在
非晶态转化为晶态的相变过程中的热导率变化却
鲜有报道 .本文工 作 旨 在 通 过 实 验 的 方 法 获 得 晶
态和非晶态 InSb 薄膜材料的热导率,尤其需要探
索其随温度变化的函数关系 .
1 实验原理 图1 瞬态热反射装置示意图
Fig.1 Schematic of the transient thermo-reflectance
非晶态 InSb 薄膜,是在室温条件下使用射频
setup
磁控溅射仪,直接利用单合金靶材 InSb 在 P 型硅
晶元上进行溅射 沉 积 得 到 的 .溅 射 过 程 在 气 压 约 在拟合模型中,利 用 一 维 热 传 导 方 程 来 建 立
为 5 ×1 0 - 4 Pa 的充满氩气的密闭容 器 中 进 行,溅 热 传 导 理 论 模 型,其 中 拟 合 过 程 使 用 了 遗 传 算
射压强为 0 .5 Pa ,溅射 功 率 为 40 W,其 沉 积 速 率 法 [2 7-2 8 ].考虑到作为热阻层的薄膜厚度很小,可以
约为 1 nm/s.为了 实 验 需 要,准 备 了 7 0 、9 5 、1 5 5 、 使用双层传热模型进行拟合 .
1 80 和 2 00 nm 5 个厚度的 样 品,分 别 用 来 进 行 厚 双层 传 热 模 型 温 度 的 拉 普 拉 斯 域 表 达 式
度相关和温度相关的实验测试 .晶态 InSb 薄膜则 为 [2 4 ]
是在 5 2 0 K 下,在真空环境中退火处理 3 0 min 得
1 (
T (s )= arccos μ1 s +e 2 1 arcsin μ1 s +
到,退火前后的厚度可以视为不变 . e1 s
r th e 2 s arccos μ1 s )
/(arcsin μ1 s +
热导率的测量是通过瞬态热反射方法来进行
.该方法是一种非接触式的无损光学方法,
[2 4-2 5 ]
的
e 2 1 arccos μ1 s +r th e 2 s arcsin μ1 s )(1 )
在对材料表面进行加热的同时可以得到其表面的
其中 e i = r ic i k i ,e ij = e i/e j ,
μi = d i ρic i / k i ,
i,
温度变化 .此外,样品制备和测量的实验装置都是
简单易操作的,比 较 容 易 避 免 人 为 造 成 的 实 验 误 j =1 ,2 分别代表金 属 层 和 基 底 层 .参 数 k 、 ρ、c 和
差. d 分别表示热导率、密度、比热容、薄膜的厚度 .
r th
测试系统的 原 理 如 图 1 所 示,加 热 激 光 器 是 表示总热阻,包括样品的热阻和样品与金属、样品
N
ln 2 n ln 2 析其中的原因和机理 .
t ∑
f(
t )= AnF ( ) (2 )
n =1 t
其中
An = (-1 )n + N 2 ×
/
min (
n ,N/2 )
j (2j )!
N/2
∑
j =(
(/
/2 N 2 -j
n+1 )
)! j ! (j -1 )! (n -j )! (2j -n )!
(3 )
F (s )是关于 f (
式中: t )的拉普拉斯变换公式,
j 是
整数 .使用室温下 金 属 层 和 基 底 层 的 密 度 比 热 容
和热导率数值:金属层使用金膜,其密度比热容为
2 .4 9 × 1 0 6 J/(m 3 · K ),热 导 率 为 3 1 7 W/(m · 图2 非晶态 InSb 薄膜的温度衰减曲线
K )2 4 ;基底层为硅,其密度比热容为 1 .6 5 9 × 1 0 6
[ ]
Fig.2 The temperature decay curves of the amorphous
J/(m 3 · K ),热导率为 1 48 W/(m · K ).归一化的 InSb thin films
温度 衰 减 曲 线 很 直 观 地 反 映 了 InSb 薄 膜 样 品 的
热扩散过程 .数据 拟 合 采 用 多 参 数 优 化 的 遗 传 算
法 [2 7-2 8 ].选取目标函数为
Nr
f 0 =∑ (
Te(
i )-T t (
i )) (4 )
2
i=1
Te(
式中: i )和 T t (
i )分 别 为 实 验 和 理 论 的 标 准 温
N r 是随时间 测 量 记 录 的 次 数 编 码 .优 化 过 程
度,
实际上就是求函数最小值的过程 .
2 实验结果及讨论
图 2 、3 分别展 示 了 非 晶 态 InSb 薄 膜 归 一 化
后的温度随时间的变化关系以及其热阻和热导率 图3 非晶态 InSb 薄膜的 热 阻 和 热 导 率 随 薄 膜
随厚度的变化关系 .可以看出,总热阻随着厚度的 厚度的变化曲线
增加而线性增加 .界 面 热 阻 可 以 通 过 线 性 拟 合 得 Fig.3 The thermal resistance and thermal conductivity
到 .可以从图 3 拟 合 函 数 的 截 距 得 到 非 晶 态 的 接 curves of the amorphous InSb thin films along
触热阻 为 0 .1 40 8 × 1 0 -7
m ·K·W
2 -1
.通 过 理 with the change of film thickness
论拟 合,图 3 中 的 热 导 率 k = (0 .3 7 ± 0 .0 3 7 )
W/(m · K ),其中 ±0 .0 3 7 为 ± 1 0 % 实 验 误 差,主
要来源于样品厚 度 的 测 量 .考 虑 到 这 个 误 差 可 能
的影响,在图中也绘出了 ±1 0 % 误差的曲线 .
图 4 、5 则为晶 态 InSb 薄 膜 归 一 化 后 的 温 度
随时间的变化关系及其热阻和热导率随厚度的变
化关系 .其 数 据 处 理 方 法 与 非 晶 态 InSb 薄 膜 相
同,拟 合 得 到 的 接 触 热 阻 为 0 .1 3 7 1 × 1 0 - 7
m 2 · K · W- 1 ,热 导 率 k = (0 .5 5 ± 0 .0 5 5 )
W/(m · K ),其 中 ± 0 .0 5 5 同 样 为 ± 1 0 % 的 实 验 图4 晶态 InSb 薄膜的温度衰减曲线
误差 .可以看 出,晶 态 InSb 薄 膜 的 热 导 率 比 非 晶 Fig.4 The temperature decay curves of the crystalline
态时增加了 0 .1 8 W/(m · K ).将在下文进一步分
万方数据 InSb thin films
522 大 连 理 工 大 学 学 报 第 58 卷
之间,随 温 度 的 减 小 略 有 下 降 .这 表 明 非 晶 态
3 理论分析
InSb 薄膜已经在控温测量 过 程 中 晶 化 .这 个 结 果
也可以由图 7 的 XRD 分析进一步证实 .控温之前 半导体晶体的 导 热 一 般 包 括 电 子 导 热、声 子
样品为非晶态,没有明显的衍射峰,而控温之后的 导热和光子导热,其热导率可以表达为
子热导率几乎没有贡献;而在晶态下,电子热导率 度呈正负相关的关系,是二者共同作用的结果 .
和声子热导率均对总热导率有一定的贡献 . 参考文献:
声子热导率主要来源于晶体内声子气体的热
[1 ] OHTA T , NISHIUCHI K , NARUMI K ,et al .
传导,可以从分子动理论中获得 [3 2 ]:
Overview and the future of phase-change optical
1 (7 )
k ph = CV vl mfp disk technology [J ].Jap anese Journal of App lied
3
其中 CV 、 Physics ,2 000 ,39 (1 ):7 7 0-7 7 4 .
v 和 l mfp 分别为体 积 热 容、平 均 声 子 速 度
[2 ] WANG W J ,SHI L P ,ZHAO R ,et al .Fastphase
以及声 子 平 均 自 由 程 .在 3 00 ~ 5 00 K ,可 以 假 定
transitions induced by picosecond electrical pulses
CV 和 v 不随温度变化 .声子平均自由程的大小由
on phase change memory cells [J ].App lied Physics
声子与声子、电子、杂质原子和缺陷等的碰撞和散
Letters ,2 00 8 ,93 :04 3 1 2 1 .
射决定 .在 理 想 的 晶 体 中,高 于 Deb y e 温 度 时 平
[3 ] LENCER D ,SALINGA M,WUTTIG M.Design
均声子数为 [1 9 ]
rules for phase-change materials in data storage
1 k BT
n(
ω)= ≈ - (8 ) applications [J ]. Advanced Materials , 2 0 1 1 ,
exp (h-ω/k B T )-1 hω
23 (1 8 ):2 0 3 0-2 0 5 8 .
声子平均自由程 与 声 子 数 成 反 比,而 声 子 数 与 温
[4 ] WEI Jingsong , ZHANG Kui , WEI Tao , et al .
度成正比,于是声子平均自由程也与温度成反比,
High-speed maskless nanolithography with visible
从而声子热导率也与温度成反比,也就是 k ph ∝ 1/ light based on photothermal localization [J ].
T ;而由式(6 )可 知 电 子 热 导 率 与 温 度 成 正 比,也 Scientific Reports ,2 0 1 7 ,7 :4 3 8 9 2 .
就是 k e ∝万方数据
T .综 合 电 子 热 导 率 和 声 子 热 导 率 与 温 [5 ] LI Jianzheng ,ZHENG Lirong ,XI Hongzhu ,et al .
524 大 连 理 工 大 学 学 报 第 58 卷
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万方数据
InSb semiconductor thin films [D ]. Shanghai : IEEE Transactions on Industrial Electronics , 2 00 9 ,
第5 期 黄正兴等:InSb 薄膜热导率温度特性及传热机理 525
(1 .Faculty of Electron ic I nformation and Electrical En g ineerin g ,Dal ian Un iversity of Technolo gy ,Dal ian 1 1 6024 ,China ;
2 .Ke y Laborator y of L iaon in g for I nte g rated Ci rcu its Technolo gy ,Dal ian 1 1 6024 ,China ;
3 .Laborator y for H i g h Density O p tical Stora g e ,Shan g hai I nstitute of O p tics and F ine Mechan ics ,Chinese Academ y of
Sciences ,Shan g hai 20 1 800 ,China )
Abstract : The InSb thin film is widel y used in hi g h p recision p hotoelectric stora g e , infrared
detection ,infrared thermal ima g in g technolo gy and su p er resolution la y er mask technolo gy .Thermal
conductivit y and its tem p erature de p endent characteristic are the ke y factors for the film a pp lication.
The thermal conductivit y of InSb thin film under amor p hous and cr y stalline states with thickness of
7 0-2 00 nm is tested based on the transient thermal reflection method. And the heat trans p ort
mechanism is discussed.For cr y stalline InSb thin film ,its thermal conductivit y is (0 .5 5 ± 0 .0 5 5 )
W/(m · K ),and the value is hardl y chan g ed with the chan g e of tem p erature ;and for amor p hous InSb
thin film ,its thermal conductivit y is (0 .3 7 ± 0 .0 3 7 ) W/(m · K ) when the tem p erature is below
4 5 0 K.While when the tem p erature is above 4 5 0 K , due to the chan g es from amor p hous into
cr y stalline ,the thermal conductivit y has exp erienced a sudden rise.Neither cr y stalline nor amor p hous
thin film sam p les ,their thermal conductivities chan g e with the chan g e of the sam p le thickness.This
work can p rovide a beneficial reference for the p ractical a pp lication of InSb thin film.
Key words :InSb thin film ;cr y stalline and amor p hous ;thermal conductivit y ;tem p erature de p endent
characteristic
万方数据