InxGa1-xP/GaAs YARIİLETKENİNİN SICAKLIĞA BAĞLI

ELEKTRİKSEL İLETİM ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ

Emine BOYALI

YÜKSEK LİSANS TEZİ

FİZİK

GAZİ ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ

NİSAN 2013
ANKARA
Emine BOYALI tarafından hazırlanan “InxGa1-xP/GaAs YARIİLETKENİNİN
SICAKLIĞA BAĞLI ELEKTRİKSEL İLETİM ÖZELLİKLERİNİN
İNCELENMESİ” adlı bu tezin Yüksek Lisans tezi olarak uygun olduğunu
onaylarım.

Prof. Dr. Mehmet KASAP …..……………………………

Tez Danışmanı, Fizik Anabilim Dalı

Bu çalışma, jürimiz tarafından oy birliği ile Fizik Anabilim Dalında Yüksek

Lisans tezi olarak kabul edilmiştir.

Prof. Dr. Bora ALKAN .……………………………….

Fizik Müh. Anabilim Dalı, Ankara Üniversitesi

Prof. Dr. Mehmet KASAP ……………………………….

Fizik Anabilim Dalı, Gazi Üniversitesi

Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK .……………………………….

Fizik Anabilim Dalı, Gazi Üniversitesi

Tez Savunma Tarihi: 18 / 04 / 2013

Bu tez ile G.Ü. Fen Bilimleri Enstitüsü Yönetim Kurulu Yüksek Lisans
derecesini onaylamıştır.

Prof. Dr. Şeref SAĞIROĞLU ……………………………….

Fen Bilimleri Enstitüsü Müdürü
 TEZ BİLDİRİMİ

Tez içindeki bütün bilgilerin etik davranış ve akademik kurallar çerçevesinde

elde edilerek sunulduğunu, ayrıca tez yazım kurallarına uygun olarak
hazırlanan bu çalışmada bana ait olmayan her türlü ifade ve bilginin
kaynağına eksiksiz atıf yapıldığını bildiririm.

Emine BOYALI
 iv

InxGa1-xP/GaAs YARIİLETKENİNİN SICAKLIĞA BAĞLI ELEKTRİKSEL

İLETİM ÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ
(Yüksek Lisans Tezi)

Emine BOYALI

GAZİ ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
Nisan 2013

ÖZET

Bu tez çalışmasında, Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemiyle

büyütülen Si ve Be katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinin
sıcaklığa bağlı elektriksel iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı
Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında
30-300 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz
yöntemleri kullanılarak, katkılı InxGa1-xP/GaAs yarıiletkenlerinde
iletkenliğin safsızlık bandında gerçekleştiği ve iletimin metalik tipte
olduğu tespit edildi. Ölçüm sonuçları, safsızlık bandı iletiminin metalik
modeli kullanılarak analiz edildi ve iletkenlik parametreleri elde edildi.
Bulunan parametrelerin literatür ile uyumlu olduğu görüldü. Sonuç
olarak; katkılı InxGa1-xP/GaAs alaşım yarıiletkenlerinde, elektron-
elektron ve zayıf lokalizasyon etkileşimlerinin baskın olduğu belirlendi.

Bilim Kodu : 202.1.147

Anahtar Kelimeler : InxGa1-xP, safsızlık bandı iletimi, VRH iletimi,
metalik iletim, Hall etkisi
Sayfa Adedi : 80
Tez Yöneticisi : Prof. Dr. Mehmet KASAP
 v

THE INVESTIGATION OF TEMPERATURE DEPENDENT ELECTRICAL

TRANSPORT PROPERTIES OF InxGa1-xP/GaAs
(M. Sc. Thesis)

Emine BOYALI

GAZİ UNIVERSITY
GRADUATE SCHOOL OF NATURAL AND APPLIED SCIENCES
April 2013

ABSTRACT

In this work, temperature dependent electrical transport properties of

doped (with Si and Be) InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors grown
Molecular Beam Epitaxy (MBE) have been investigated. The
temperature dependent Hall effect and resistivity measurements were
made in a temperature range of 30-300 K at a constant magnetic field of
0,4 Tesla. Using the conventional analyses method, it has been
determined that the conductivity takes place in the impurity band. The
measurement results have been analyzed using the metallic type of
impurity band conduction, and the transport parameters have also been
obtained. It has been shown that the parameters obtained are in
agreement with the related literature. Finally, it has been determined
electron-electron and weak localization interactions were dominated the
conductivity in doped InxGa1-xP/GaAs alloy semiconductors.

Science Code : 202.1.147

Key Words : InxGa1-xP, impurity band conduction, VRH
conduction, metallic conduction, Hall effect
Page Number : 80
Adviser : Prof. Dr. Mehmet KASAP
 vi

TEŞEKKÜR

Yapmış olduğum çalışmalar süresince değerli yardımını, özellikle zamanını

ve sabrını eksik etmeyerek görüş ve fikirlerini benimle paylaşıp, bilgi ve
tecrübesiyle bana yol gösteren, değerli danışman hocam Prof. Dr. Mehmet
KASAP’a, bu tez çalışmasındaki numunelerin büyütüldüğü, üniversitemiz
bünyesinde bulunan Fotonik Uygulama ve Araştırma Merkezindeki her türlü
imkândan yararlanmamızı sağlayan ayrıca maddi ve manevi yardımlarını da
bizden eksik etmeyen sayın hocam Prof. Dr. Süleyman ÖZÇELİK’e
saygılarımı ve teşekkürlerimi bir borç bilirim.

Çalışma bilincimin oluşmasında yorum ve önerileri ile bilgi ve tecrübelerinden

yararlandığım, her konuda ilgi ve desteğini eksik etmeyen, yol gösteren sayın
hocalarım, Yrd. Doç. Dr. Pınar Tunay TAŞLI ile Doç. Dr. Sefer Bora
LİŞESİVDİN’e, bu çalışmada emeği büyük olan Doç. Dr. Abdullah YILDIZ’a,
yazmış olduğu tezlerle bilgi birikiminden faydalandığım hocalarıma, ayrıca
merkezimizde çalışan tüm araştırmacı arkadaşlarıma teşekkürlerimi sunarım.

Eğitim hayatım boyunca yapmış oldukları iyilikleri ödeyemeyeceğim canım

arkadaşlarım Nurcan KAPLANLI, Arzu YILMAZ ve ailelerine de teşekkürü bir
borç bilirim.

Hayatım boyunca beni her konuda destekleyen, kararlarımın arkasında

durmamı sağlayan, hayatta attığım her adımın en sağlam temelini oluşturan
aileme bu tez çalışmasıyla verdikleri emeğin karşılığı olmasa da
teşekkürlerimi sunuyorum ve yapmış olduğum çalışmayı babam Adem
BOYALI, annem Şerife BOYALI, kardeşlerim Mehmet ve Hatice BOYALI’ya
ithaf ediyorum.

Bu tez 2011K120290 no’lu “Fotonik Araştırma Merkezi” isimli Kalkınma

Bakanlığı projesi ile desteklenmiştir.
 vii

İÇİNDEKİLER

Sayfa

ÖZET ............................................................................................................. iv

TEŞEKKÜR.................................................................................................... vi

İÇİNDEKİLER ............................................................................................... vii

ÇİZELGELERİN LİSTESİ ................................................................................ x

ŞEKİLLERİN LİSTESİ .................................................................................... xi

RESİMLERİN LİSTESİ ................................................................................. xiv

SİMGELER VE KISALTMALAR .................................................................... xv

1.GİRİŞ .......................................................................................................... 1

2. BAND YAPISI VE MATERYAL PARAMETRELERİ ................................... 6

2.1. Kristal Yapı ......................................................................................... 6

2.2. Bant Yapısı ......................................................................................... 8

2.3. Etkin Kütle ve Bant Yapısına Etkisi ................................................... 14

2.4. Sıcaklığın Bant Yapısına Etkisi ......................................................... 15

2.5. Safsızlıkların Bant Yapısına Etkisi .................................................... 16

2.6.Materyal Parametreleri ...................................................................... 18

3. ELEKTRİKSEL İLETİM VE DÜŞÜK ALAN İLETİM TEORİSİ ................... 20

3.1. Giriş .................................................................................................. 20

3.2. Elektron Hareketi, Sürüklenme Hızı ve Mobilitesi ............................. 20

3.3. Saçılma Mekanizmaları .................................................................... 23

3.4. Elektriksel İletkenlik .......................................................................... 24

3.5. Özgün İletkenlik ................................................................................ 26

 viii

Sayfa

3.6. Katkılı İletkenlik ................................................................................. 28

3.7. Safsızlık Bandı İletimi ve İletkenlik Modelleri .................................... 29

3.7.1. Safsızlık bandı iletimi .............................................................. 29

3.7.2 İletim modelleri ........................................................................ 32

3.8. Sıçrama İletimi .................................................................................. 33

3.8.1. Değişken aralıklı sıçrama iletimi ............................................. 35

3.9. Metalik iletim ..................................................................................... 37

3.9.1. Elektron-elektron etkileşmeleri ............................................... 38

3.9.2. Zayıf lokalizasyon etkileri ........................................................ 40

3.10. İki Bant Modeli ................................................................................ 41

4. DENEY SETİ, ÖLÇÜM VE ANALİZ TEKNİKLERİ.................................... 43

4.1. Giriş .................................................................................................. 43

4.2. MBE Büyütme Yöntemi ve InxGa1-xP yapısı ...................................... 43

4.2.1. MBE yöntemi .......................................................................... 44

4.2.2. InxGa1-xP/GaAs yapısı ............................................................ 47

4.3. Hall Olayı ve Hall Etkisi Ölçüm Sistemi............................................. 47

4.3.1. Hall olayı ................................................................................. 47

4.3.2. Hall etkisi ölçüm sistemi ......................................................... 50

4.4. Numune Hazırlama ve Kontak Alma ................................................. 51

4.5. Akım-Voltaj Ölçümleri ....................................................................... 54

4.6. Özdirenç ve Hall Etkisi Ölçümleri ...................................................... 55

4.6.1. Özdirenç ölçümleri .................................................................. 56

4.6.2. Hall etkisi ölçümleri ................................................................. 56

 ix

Sayfa

5. BULGULAR VE TARTIŞMA ..................................................................... 59

5.1. Giriş .................................................................................................. 59

5.2. Hall Etkisi Verilerinin Sıcaklığa Bağlı Değişimleri.............................. 59

5.3. Kritik Taşıyıcı Yoğunluğunun Belirlenmesi ........................................ 63

5.4. VRH İletim Modeli Hesaplamaları ..................................................... 63

5.5. Metalik İletkenlik Analizleri ................................................................ 67

5.5.1. Yüksek sıcaklık bölgesi .......................................................... 67

5.5.2. Düşük sıcaklık bölgesi ............................................................ 68

6. SONUÇLAR ............................................................................................. 74

KAYNAKLAR ............................................................................................... 77

ÖZGEÇMİŞ .................................................................................................. 80
 x

ÇİZELGELERİN LİSTESİ

Çizelge Sayfa

Çizelge 2.1. GaP, InP ve In0,49Ga0,51P’a ait temel parametreler .................. 19

Çizelge 5.1. Numunelerin indiyum oranı (In), tipi, oda sıcaklığındaki özdirenç
(ρ), iletkenlik (σ), taşıyıcı yoğunluğu (n,p), mobilite (μ), kalınlık
(d) değerleri .............................................................................. 60

Çizelge 5.2. InxGa1-xP/ GaAs yapısına ait statik dielektrik sabiti (εr), etkin kütle
(m*/m0), Bohr yarıçapı (aB), kritik taşıyıcı yoğunluğu (nc), Hall
taşıyıcı yoğunluğu (nH) ............................................................. 63

Çizelge 5.3. x=0,45 ve x=0,47 için Mott ve ES VRH modeline ait iletim
parametreleri ............................................................................ 64

Çizelge 5.4. Yüksek sıcaklık bölgesi için uygulanan basit iletkenlik modeli için
elde edilen σ0,ve A parametreleri ............................................. 68

Çizelge 5.5. Düşük sıcaklık bölgesi için Eş 3.41’in deneysel verilere

uyarlandığında elde edilen iletim (uyarlama) parametreleri ...... 69

Çizelge 5.6. Düşük sıcaklık bölgesi için Eş 3.41’in B=0 olduğu durum için
deneysel verilere uyarlandığında elde edilen iletim (uyarlama)
parametreleri ............................................................................ 69

Çizelge 5.7. InxGa1-xP yapısı için teorik Fσ, ortalama serbest yol (l), Fermi
dalga boyu (), Fermi dalga vektörü (kf), değerleri ................... 71
 xi

ŞEKİLLERİN LİSTESİ

Şekil Sayfa

Şekil 1.1. Yapay yarıiletkenlerin elde edildiği elementler ............................... 2

Şekil 1.2. III-V grubu bazı yarıiletken bileşiklerin şeması ............................... 3

Şekil 2.1. (a) Kristal SiO2 (b) amorf SiO2 yapısı ............................................. 6

Şekil 2.2. (a) Çinko sülfür ve (b) GaAs yapıdaki birim hücre .......................... 7

Şekil 2.3. InGaP’ın kristal yapısı .................................................................... 8

Şekil 2.4. Si için yarıiletkenlerdeki enerji bant oluşumunun temsili gösterimi . 9

Şekil 2.5. (a) Metal (b) Yarıiletken (c) Yalıtkan’a ait enerji bant diyagramları 10

Şekil 2.6. (a) Yüzey merkezli kübik (fcc) yapıya ait brillion bölgesi, (b)
Yarıiletkenlere ait genel enerji bant yapısı ................................... 11

Şekil 2.7. (a) Direkt ve (b) İndirekt bant aralıklı yarıiletkenlere ait enerji bant
yapısı ........................................................................................... 12

Şekil 2.8. GaP’a ait bant yapısı .................................................................... 13

Şekil 2.9. InP’a ait bant yapısı ...................................................................... 13

Şekil 2.10. (a) Basit bant yapısı, (b); (a)’da verilen eğrinin birinci türevi, (c);
(a)’da verilen eğrinin ikinci türevinin tersi ................................... 15

Şekil 2.11. Kristaldeki noktasal kusurlar, katkılamadaki safsızlık atomlarının

(a) büyük, (b) küçük, (c) atom yok, (d) aynı büyüklükte atom olma
durumu ....................................................................................... 16

Şekil 2.12. Yarıiletkenlerdeki (a) Fermi, (b) alıcı(akseptör) ve (c) verici (donör)
seviyeleri .................................................................................... 17

Şekil 3.1. B manyetik alan altında hareket eden yüklü parçacığın

yörüngesi………………………………………………………………20

Şekil 3.2. Paralel iki levha arasındaki elektrik alan ve yüklü parçacıklara etki
eden elektriksel kuvvet ................................................................. 21

Şekil 3.3. Saçılma mekanizmaları ................................................................ 24

 xii

Şekil Sayfa

Şekil 3.4. A kesit alanlı metal bir tele uygulanan V potansiyeli ..................... 24

Şekil 3.5. (a) p tipi, (b) n tipi, (c) hakiki (saf) ; yarıiletken yapısı ................... 28

Şekil 3.6. GaAs için çeşitli katkı seviyelerinde Hall taşıyıcı yoğunluğunun
sıcaklığa bağlı değişimi ................................................................ 32

Şekil 3.7. Sıçrama iletiminin temsili gösterimi .............................................. 34

Şekil 4.1. VG-Semicon V80H-MBE sistemi .................................................. 44

Şekil 4.2. MBE sisteminin temsili kesiti ........................................................ 45

Şekil 4.3. MBE sisteminde (a) Moleküler demetlerin alttaşa yönelimi (b)
Büyütme süresince tek tabakanın oluşumu ve karşılık gelen
RHEED titreşimleri ...................................................................... 46

Şekil 4.4. (a) n tipi (b) p tipi InxGa1-xP yapısı .............................................. 47

Şekil 4.5. (a) n tipi, (b) p tipi yarıiletken için Hall konfigürasyonu ................. 48

Şekil 4.6. (a) 6 kontaklı Hall yapısı, (b) 8 kontaklı Hall yapısı, (c) yonca
yaprağı biçiminde Van der Pauw yapısı, (d) Kare Van der Pauw
yapısı ........................................................................................... 52

Şekil 4.7. Cam kontak fırını .......................................................................... 53

Şekil 4.8. Numunenin (a) Van der Pauw geometrisine göre kontak alındıktan
sonraki hali, (b) Numune tutucuya yerleştirilmiş hali .................... 54

Şekil 4.9. Van der Pauw geometrisine uygun olarak yapılan özdirenç (a ve b)
ve Hall etkisi (c ve d) ölçümlerinin şematik gösterimi ................... 58

Şekil 5.1. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel n, p-T

grafiği ........................................................................................... 61

Şekil 5.2. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel σ-T

grafiği ........................................................................................... 62

Şekil 5.3. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel μ-T

grafiği. .......................................................................................... 62

Şekil 5.4. n tipi x=0,45 numunesi için T>154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/4 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir .................................................................................... 65
 xiii

Şekil Sayfa

Şekil 5.5. n tipi x=0,45 numunesi için T<154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/2 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir .................................................................................... 65

Şekil 5.6. p tipi x=0,47 numunesi için T>154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/4 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir .................................................................................... 66

Şekil 5.7. p tipi x=0,47 numunesi için T<154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/2 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir .................................................................................... 66

Şekil 5.8. Deneysel ve teorik m değerleri ..................................................... 71

Şekil 5.9. x=0,43değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller deneysel
verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını ve kesikli
çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik uyarlamasını
göstermektedir ............................................................................. 72

Şekil 5.10. x=0,45 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını ve
kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik uyarlamasını
göstermektedir ........................................................................... 72

Şekil 5.11. x=0,46 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını ve
kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik uyarlamasını
göstermektedir ........................................................................... 73

Şekil 5.12. x=0,47 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını ve
kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik uyarlamasını
göstermektedir ........................................................................... 73
 xiv

RESİMLERİN LİSTESİ

Resim Sayfa

Resim 4.1. Lakeshore 7700 serisi Yüksek Empedans Hall etkisi ölçüm
sistemi (1) He tüpü, (2) Kapalı devre He soğutma ünitesi, (3)
Mekanik pompa destekli turbo moleküler vakum pompası, (4)
Kryostat, (5) Elektromıkanatıs, (6) Elektromıknatıs güç kaynağı,
(7) Bilgisayar, (8) Sıcaklık kontrol ünitesi, anahtarlama sistemi,
ölçüm cihazları, manyetik alan ölçüm sistemi vb… içeren sistem,
(9) Su soğutma sistemi............................................................... 51

Resim 4.2. Ohmik davranış gösteren bir numunenin   V karakteristiği ...... 54

 xv

SİMGELER VE KISALTMALAR

Bu çalışmada kullanılmış bazı simge ve kısaltmalar, açıklamaları ile birlikte

aşağıda sunulmuştur.

Simgeler Açıklama

A Kesit alanı
aB Bohr yarıçapı
d Numunelerin kalınlığı
E Enerji

E Elektrik alan
EAC Akustik deformasyon potansiyeli
EF Fermi enerjisi
Ec İletim bandı enerjisi
Eg Yasak enerji aralığı
Ev Valans Bandı enerjisi
Ey Hall alanı
εd İyonizasyon enerjisi
εr Statik dielektrik sabiti
ε0 Boş uzayın dielektrik sabiti
gD Spin dejenere faktörü
І Akım
J Akım yoğunluğu
Jn Elektronların akım yoğunluğu
Jp Deşiklerin akım yoğunluğu
k Dalga vektörü
L Uzunluk
μ Mobilite
μAC Akustik fonon saçılması için mobilite
μAL Alaşım saçılması için mobilite
 xvi

Simgeler Açıklama

μc İletim bandı mobilitesi

μe Elektronun mobilitesi
μH Hall mobilitesi
μIB Safsızlık bandı mobilitesi
μn Safsızlık saçılması için mobilite
μp Deşiklerin mobilitesi
μPE Piezoelektrik saçılma için mobilite
N Taşıyıcı yoğunluğu
Nc, nc İletim bandı taşıyıcı yoğunluğu
Nv, nv Valans bandı taşıyıcı yoğunluğu
ND Verici seviyelerin taşıyıcı yoğunluğu
NA Alıcı seviyelerin taşıyıcı yoğunluğu
p Deşik yoğunluğu
R Direnç
ρ Özdirenç
ρ Kütle yoğunluğu
RH Hall katsayısı
rD Safsızlık seviyeleri arasındaki ortalama uzaklık
σ İletkenlik
T Sıcaklık
x Alaşım, mol oranı
V Gerilim, potansiyel

Kısaltmalar Açıklama

CVD Kimyasal buhar biriktirme

DX Derin seviye merkezleri
EEI Elektron-elektron etkileşmeleri
ES Efros-Shklovskii
 xvii

Kısaltmalar Açıklama

eV Elektron Volt
fcc Yüzey merkezli kübik yapı
HEMT Yüksek elektron mobiliteli transistör
HMS Hall etkisi ölçüm sistemi
It Litre
LED Işık yayan diyot
LPE Sıvı faz epitaksi
MBE Moleküler demet epitaksi
MIT Metal-yalıtkan geçişi
MOCVD Metal organik buhar biriktirme
PPC Sürekli ısıl iletkenlik
RHEED Yüksek enerjili elektron yansıma kırınımı
sn Saniye
SM Saçılma Mekanizması
UHV Ultra yüksek vakum
VRH Değişken aralıklı sıçrama mekanizması
VPE Buhar faz epitaksi
WL Zayıf lokalizasyon etkileşmesi
ZnS Çinko sülfür
 1

1.GİRİŞ

Enformasyon ve teknoloji çağı olarak adlandırılan günümüzde bilimsel

ilerlemenin etkisini hayatımızın her alanında hissetmekteyiz. Enformasyon
çağının bu kadar etkili olmasının arkasındaki temel sebeplerden birisi de
yarıiletken teknolojisidir. Yarıiletken teknolojisi yüzyılımıza damgasını vuran
ve yaşam koşullarımızın gelişimine pek çok olumlu katkılar sağlayan, bilim ve
teknolojinin her alanda gelişmesine ön ayak olan temel öğelerden biri olarak
karşımıza çıkar.

Bilimsel gelişmeler ve bulgular ışığında yaşam kalitemizi arttıran cihazlar

yapılmaktadır. Bu cihazların yapımında kullanılan devre elemanları, cihazın
işlevselliği açısından oldukça önemlidir. Bu noktada, kullanılan malzemenin
türü, kalitesi, niteliği gibi parametreler devreye girer. Yani yapılan cihazın
işlevselliğine uygun malzeme seçimi büyük önem taşımaktadır.

Elektronik cihaz yapımında kullanılacak malzeme seçiminde elektriksel

iletkenlik en belirleyici parametredir. Tarihte, maddelerin elektrik
iletebileceğini kanıtlayan ve çeşitli maddeleri iletken ve yalıtkan olarak
sınıflandıran ilk kişi İngiliz Stephan Gray olmuştur. Michael Faraday bundan
bir yüzyıl sonra yeni bir malzeme sınıfı tanımlayarak, bu sınıfa yarıiletken
adını vermiştir [1]. 1800’lü yıllardan günümüze, yarıiletken malzemelerin
gelişimi, onu gündelik hayatımızın vazgeçilmezi yapmıştır.

Yarıiletkenler genel olarak iki grupta sınıflandırılmaktadır. Bunlardan ilki

periyodik tablonun IV. grubunda yer alan element yarıiletkenlerdir. Diğeri ise
III. ve V. ya da II. ve VI. gruptaki elementlerin belirli oranlarda birleşmesiyle
oluşan bileşik ve alaşım yarıiletken malzemelerdir [2]. Bu malzemeler Şekil
1.1’de verilen elementlerin uygun şartlarda bir araya getirilmesi ile elde
edilmektedir.
 2

Şekil 1.1. Yapay yarıiletkenlerin elde edildiği elementler

Yarıiletken malzemelerin elektronik ve optik uygulamalar için bu kadar tercih

edilmesinin sebepleri şunlardır;

 Aynı malzemeden hem iletken hem de yalıtkan özellik gösteren

malzeme elde etmek mümkündür. İletkenler her zaman tümüyle
iletken, yalıtkanlar ise her zaman tümüyle yalıtkandır.

 Elektriksel yük iletimi hem elektronlarla hem de boşluklar (deşikler,

holler) aracılığı ile sağlanır. İletkenlerdeki iletime sadece elektronlar
katılır. Yalıtkanlarda ise iletim yoktur.

 Yarıiletken malzemenin iletkenliği kasti olarak safsızlıklar katılarak

kontrol edilebilmektedir.

Tüm bu özellikler yarıiletken malzemelerin kullanılabilirliğini üstün

kılmaktadır.

Yarıiletken fiziğinin gelişmesindeki en önemli aşama 1947 yılında Bell

laboratuarlarında John Thomson ve Bradley Shocley tarafından transistörün
 3

icadıyla başlamıştır. 1950’li yıllarda elektronik cihazlarda kullanılan elektron

tüplerinin yerini Si ve Ge transistörlerin almasıyla, bilim adamlarının dikkati
yarıiletken araştırmaları üzerine yoğunlaşmış ve bu alandaki çalışmalar ivme
kazanmıştır. Saf yarıiletkenler olan Si ve Ge’nin gelişen elektronik
teknolojisine cevap veremez duruma gelişiyle araştırmalar bileşik yarıiletken
materyaller üzerine yönlendirilmiştir. Özellikle III–V grubu bileşiklerin çeşitli
sentezleriyle InAs, GaAs, InP, InGaAs, InGaP gibi ikili ve üçlü yarıiletkenler
ön plana çıkmıştır [3]. Şekil 1.2’de bazı III–V grubu bileşik yarıiletkenler
gösterilmiştir.

Şekil 1.2. III-V grubu bazı yarıiletken bileşiklerin şeması

Son yıllarda çoklu yapılar üzerinde yapılan araştırmalar, çeşitli yarıiletken

materyal büyütme tekniklerinin gelişmesiyle de artış göstermiştir. Materyal
büyütme konusunda yaygın kullanılan ve kaliteli sonuç veren yöntemlerden
birisi Moleküler Demet Epitaksi (MBE) yöntemidir. Bu yöntemin ilk göstergesi
III–V grubu bileşiklerin vakum altında büyütülmesidir. 1958’de Gunther (sıcak
duvar yöntemi) vakum yer değiştirmesi ile stokiyometrik olarak (aynı
 4

zamanda polikristal) ince filmlerin büyütülebileceğini göstermiştir [4]. Bu

alandaki ilk araştırmaların çoğu GaAs kristal ve aygıtlara dayalı yüksek
saflıkta kristal büyütme teknikleri üzerine yapılmıştır. 1970’de Cho, GaAs
üzerine ilk AlGaAs MBE büyütmesi ile çok katmanlı yapı büyütmesini
tanıtmıştır [5].

İlerleyen yıllarda AlGaAs/GaAs çoklu yapısına alternatif olarak, InGaP/GaAs

çoklu yapısı tercih edilmeye başlanmıştır. Bu tercihin sebepleri aşağıdaki gibi
listelenebilir:

i. Al içermediğinden yüksek kristal kalitesine sahiptir. Bu yüzden yüksek

kalitede ve yüksek dayanıklılıkta cihaz yapımı için uygundur. (Al
oldukça aktif bir elementtir.).

ii. Yüzey kolay kolay oksitlenmez ve yeniden oluşum oranı oldukça

düşüktür. Yapıdaki deformasyonların yayılma hızı da buna bağlı
olarak düşük olmaktadır.

iii. Derin seviye merkezlerinin (DX) varlığı oldukça önemsiz kabul

edilmektedir. Bu sebeple yüksek elektron mobiliteli transistör
yapılarında (HEMT) gözlenen sürekli ısıl iletkenlik (PPC), düşük
sıcaklıklarda akım-voltaj (I-V) düşmesi ve eşik voltajının yükselmesi
gibi DX merkezi ile alakalı problemler hemen hemen elimine
edilmiştir.

iv. GaAs ve InGaP arasında yüksek aşınma seçiciliği vardır. Böylelikle

daha kararlı bir yapı oluşmaktadır [6,7].

Yukarıda tanımlanan özelliklerinden dolayı InGaP/GaAs çoklu yapısı, yüksek

performanslı ışık yayan diyotlar (LED), lazerler, fotonik aygıtlar, güneş pilleri,
yükselticiler, HEMT yapılar gibi birçok cihaz fabrikasyonunda başarılı bir
şekilde kullanılmaktadır [6].
 5

Bu çalışmada MBE yöntemi ile GaAs üzerine büyütülmüş n ve p tipi InxGa1-xP

yarıiletkeninin sıcaklığa bağlı iletim özellikleri araştırılmıştır. Sıcaklık bağımlı
Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla’lık sabit manyetik alanda 30-300 K
sıcaklık aralığında gerçekleştirilmiştir. Yapılan bu ölçümler sonucunda
numunelerin tipi, Hall mobilitesi, taşıyıcı yoğunluğu ve özdirenç değerleri elde
edilmiştir. İletim mekanizması metalik iletim modeli ile açıklanmıştır.

Bu tez çalışmasının birinci bölümünde çalışmanın girişi verilmiştir. İkinci

bölümde yarıiletkenlerin bant ve kristal yapısı verilmiş ayrıca InxGa1-xP’a ait
materyal parametreleri tanımlanmıştır. Üçüncü bölümde düşük alan elektron
iletim teorisi ve iletim mekanizmaları gözden geçirilmiştir. Dördüncü bölümde
kullanılan ölçüm ve analiz teknikleri ile deney seti hakkında bilgi verilmiştir.
Beşinci bölümde ise Hall etkisi ölçümlerinden elde edilen sonuçlar
yorumlanmıştır.
 6

2. BAND YAPISI VE MATERYAL PARAMETRELERİ

Bu bölümde, III-V grubu yarıiletkenlerinin kristal ve bant yapısı gibi bazı temel
özellikleri tanımlanmış, ayrıca InP, GaP ve InGaP yarıiletkenlerinin temel
parametreleri verilmiştir.

2.1. Kristal Yapı

Malzemelerin içyapısı atomların diziliş biçimine bağlıdır. Atomlar, kristal yapı

ve amorf yapı olmak üzere iki şekilde yapı oluşturabilir. Bazı katıların atomları
gelişi güzel dizilmiş olup, belirli bir düzene sahip değildir. Bu tür maddelere
amorf denir ve oluşturdukları yapıya da amorf yapı adı verilir. Bazı katılarda
ise katıyı oluşturan atom, atom grupları ve moleküller o katıya özgü belirli bir
düzen içinde bir araya gelirler. Bu katılara kristal denir ve oluşturdukları yapı
kristal yapı olarak adlandırılır.

(a) (b)

Şekil 2.1. (a) Kristal SiO2 (b) amorf SiO2 yapısı

Malzemelerin kristal yapısını bilmek onlar hakkında bilgi sahibi olabilmemiz

açısından önemlidir.
 7

Kristal içindeki atomik yapıyı anlamak açısından kayda değer çalışmalar

yapılmıştır. Kristal yapının bulunmasında X ışınlarını kullanmak fikri 1912
yılında Max Van LOUE tarafından öne sürülmüştür. X ışınları kristal içinde
güçlü bir difraksiyona uğramaktadır. X ışını kristal üzerine düşürüldüğünde
kristal yapıya ait difraksiyon (saçılma) desenleri elde edilmiştir.

Bunu takip eden yılda ise W.L.Bragg, X ışınlarının örgü düzlemlerinden zayıf
olarak yansıtıldığı ve fotoğraf plağı üzerindeki desenin paralel örgü
düzlemlerinden yansıyan ışığın kombinasyonu olduğunu ileri sürmüştür.
Kırınım olayının keşfedilmesi ve sonrasında kristalin özelliklerini tanımlayan
bir dizi basit model hesaplamalarının yayınlanmasından sonra malzemelerin
kristal yapısı hakkında bilgi sahibi olunmuştur [8].

Yarıiletkenlerin iletim özellikleri kristal yapısına oldukça bağlıdır. GaAs

yarıiletkeninde olduğu gibi III-V grubu yarıiletkenlerin çoğu Şekil 2.2’de
verildiği gibi çinko sülfür (ZnS) yapıda kristalleşmektedir.

(a) (b)

Şekil 2.2. (a) Çinko sülfür [7] ve (b) GaAs yapıdaki birim hücre

InGaP yapısı da ZnS yapısında olup; In, Ga, P olmak üzere üç atomdan
meydana gelmiştir. Atomların ZnS yapıya yerleşmiş hali Şekil 2.3’te
verilmiştir. Burada temeldeki sekiz atomun dört tanesi; mol yüzdesi x ve 1-x
 8

oranlarında olacak şekilde Ga ve In atomları tarafından paylaşılır. Geri kalan

dört atom P atomudur.

Şekil 2.3. InGaP’ın kristal yapısı

InGaP kristal yapısı GaAs ile aynıdır. Yapıdaki mol oranları x=0,49 ve 1-
x=0,51 oranında olduğunda InGaP ve GaAs kristal yapı tamamıyla örgü
uyumludur.

2.2. Bant Yapısı

Maddelerin elektriksel özellikleri bant yapısıyla yakından ilgilidir. Malzemeler

arasındaki iletimsel farklılıkları katıların bant teorisi oldukça başarılı bir
biçimde açıklamaktadır. Katıların bant teorisine göre elektronlar en düşük
enerji seviyesinden başlayarak yüksek seviyelere doğru enerji seviyelerini
doldurur. En son elektronun alabileceği enerji seviyesi Fermi enerjisi (E F)
olarak adlandırılır.

Bununla birlikte katıdaki atomların dalga özelliğinden dolayı bazı enerji

seviyeleri yasaklıdır ve izinli enerji seviyeleri bant oluştururlar. Yarıiletkende
enerji bantlarının oluşumu Si için temsili olarak Şekil 2.4’deki gibi gösterilir.
Şekilde tek bir Si atomu için 3s ve 3p enerji seviyeleri mevcuttur. Bir Si
 9

atomunun yanına başka bir Si atomu geldiğinde enerji seviyesinde yarılmalar

meydana gelir. Kristal yapıda yan yana gelen Si atomları arttıkça enerji
seviyelerindeki yarılmalar artar ve artık kesikli enerjilerden oluşan sürekli bir
enerji aralığı; yani bant oluşur.

T=0 K’de en yüksek dolu seviyeyle oluşan kısım valans (değerlik) bant (Ev)
olarak adlandırılır. Valans bandındaki elektronlar iletime katılmazlar. T=0
K’de valans bandının üstündeki ilk boş seviye ise iletkenlik bandı (Ec) olarak
bilinir. Valans bandı ile iletim bandı arasındaki boşluk ise yasak enerji aralığı
(Eg) olarak tanımlandırılır.

Şekil 2.4. Si için yarıiletkenlerdeki enerji bant oluşumunun temsili gösterimi

Malzemenin iletim özellikleri bant aralığına bağlı olarak belirlenebilir. İletken,

yalıtkan ve yarıiletken malzemelere ait enerji bant diyagramı Şekil 2.5’teki
gibi gösterilmektedir. Şekilden görüldüğü üzere metallerin yasak enerji aralığı
yoktur. İletim bandı ile valans bandı çakışıktır. Yarıiletkenlerin yasak enerji
aralığı yaklaşık olarak 0,15-6 elektron Volt (eV) aralığındadır. Valans
bandındaki bir elektronu iletim bandına geçirecek kadar enerji sağlanamazsa
 10

iletim oluşmaz. Bu yüzden gerekli uyarma enerjisi yasak enerji aralığının bir
ölçüsüdür. Bu enerji eşik enerjisi olarak tanımlanır. Yalıtkanlarda ise
elektronları valans bandından iletim bandına geçirebilecek minimum enerji
aralığı yaklaşık olarak 6 eV’dan büyük bir değerdir. Bu enerji değeri (6 eV)
çok yüksek olduğu için yalıtkanlarda iletim yok olarak kabul edilmektedir.

Şekil 2.5. (a) Metal (b) Yarıiletken (c) Yalıtkan’a ait enerji bant diyagramları

Yarıiletkenlerin bant yapısı; enerji (E)-dalga vektörü (k) ile tanımlanır.

Yarıiletkenlerin elektronik ve optik özelliklerini sergileyebilmek için kristal
içindeki taşıyıcıların dalga vektörüne karşılık enerjiyi tanımlamak oldukça
faydalıdır. Dalga vektörü kristal içerisinde farklı doğrultularda farklı değerlere
sahip olduğundan farklı yönler için E-k grafikleri birlikte çizilir.

III-V grubu birçok yarıiletken benzer bant yapısına sahiptir. Önemli

yarıiletkenlerin bant yapıları Chelikowsky ve Cohen tarafından Şekil
2.6.(b)’ye benzer olarak tanımlanmıştır [9]. Bant yapısı kristal simetrisinin
temel bir fonksiyonu olup Г (Gamma), X ve L noktaları Brillion bölgelerindeki
önemli simetri noktalarıdır.
 11

(a) (b)

Şekil 2.6. (a) Yüzey merkezli kübik (fcc) yapıya ait brillion bölgesi, (b)
Yarıiletkenlere ait genel enerji bant yapısı

Şekil 2.6.(b)’de verilen enerji bant diyagramındaki iletim bandının enerjisi,

2 2
k
Ei (k)  Eg  (2.1)
2me

ifadesi ile verilir. Eşitlikteki Eg ; yasak enerji aralığı, ; indirgenmiş Planck

sabiti, k; dalga vektörü, me ; etkin elektron kütlesi olarak tanımlanır. Burada

enerjinin sıfırı, değerlik bandının tepesinde seçilmiştir. Değerlik bandının

enerjisi ise,

2 2
k
ED (k)   (2.2)
2mh

olarak tanımlanır. mh ; etkin deşik (hol) kütlesidir [10].

Yarıiletkenlerdeki E-k grafikleri bizlere önemli bilgiler vermektedir. Bant

yapılarının en belirleyici özelliği valans bant ile iletim bandının durumudur.
Valans bant maksimumu olan Г noktası k=0’da oluşmaktadır. Eğer k=0’da
 12

Brillion bölgesinde valans bandının maksimumu ile iletim bandının minimumu

aynı doğrultudaysa bu tip yarıiletkene direkt bant aralıklı, aynı doğrultuda
değil ise indirekt bant aralıklı yarıiletken adı verilir. Bu durum Şekil 2.7’de
tanımlanmıştır.

Direkt ya da indirekt bant aralığı bir yarıiletkenin optik özelliklerini belirler,

ayrıca optoelektronik uygulamalar için kullanıp kullanılamayacağının en
büyük kriterlerinden de biridir.

(a) (b)

Şekil 2.7. (a) Direkt ve (b) İndirekt bant aralıklı yarıiletkenlere ait enerji bant
yapısı

InGaP yarıiletkeni Direkt bant aralığına sahiptir. GaP ve InP’a ait bant yapısı
Şekil 2.8 ve 2.9’daki gibi verilmiştir.
 13

Şekil 2.8. GaP’a ait bant yapısı [11]

Şekil 2.9. InP’a ait bant yapısı [11]

 14

2.3. Etkin Kütle ve Bant Yapısına Etkisi

Eş.2.1 ve Eş.2.2’den görüleceği üzere yarıiletkenlerin bant yapıları

incelenirken etkin kütle oldukça önem taşımaktadır. Yapılan bazı deneysel
çalışmalar sonucunda elektronun yarıiletken içerisinde serbest elektron
kütlesinden farklı bir kütleyle hareket ettiği tespit edilmiştir. Bunun nedeni
kristal içerisindeki elektronun, iyonlar ve diğer valans elektronları gibi yüklerin
oluşturduğu kuvvetlerin (kristal kuvveti) etkisi altında olmasıdır. Dolayısıyla
serbest elektronun manyetik alanda gösterdiği tepkiyi gösteremez ve
kütlesinde değişiklik gözlemlenir. Bu kütle genel olarak etkin kütle olarak
adlandırılır.

1

2
dk 2  d2E 
m  2  2
 2 (2.3)
dE  dk 

ve eşitliğindeki gibi tanımlanır. İfadedeki E ise,

 2k 2 
E  
(2.4)
 2me 

ile verilir. Yarıiletkenlerin bant diyagramı E’nin k ile değişimine göre

çizilmektedir. Eş.2.4’den görüleceği üzere sabit bir değer olduğundan k 2
’nin katsayısı, çizilen bant diyagramının eğriliği belirler. Eşitliğe göre eğrilik 1/
m ile değişecektir.

Yarıiletkenlerin elektron iletim özelliklerinin kristal ve bant yapısına bağlıdır.

Katıların bant yapıları genellikle Brillion bölgesiyle sınırlandırılmış olup k
dalga vektörü için genellikle Schrödinger denkleminin çözümüyle elde edilir.
Şekil 2.10. incelendiğinde elektron bandı eğiminin bazı noktalarda daha iyi
olduğu görülür. Bu bölgeler genellikle Brillion bölgesinin merkezine ve
sınırlarına denk gelmektedir. Etkin kütle ifadesine bağlı olarak E= f(k) gibi bir
 15

bağıntıda verilen k noktasında eğim fazla ise etkin kütle küçük, eğim az ise
etkin kütle büyük olacaktır. Kısacası elektronun farklı malzemelerde farklı
kütleye sahip olmasının nedeni her maddenin farklı bant yapısına sahip
olmasından kaynaklanır [12]. Kısacası yasak enerji aralığı küçük olan
materyaller küçük etkin kütlelere sahip olur.

Şekil 2.10. (a) Basit bant yapısı, (b); (a)’da verilen eğrinin birinci türevi, (c);
(a)’da verilen eğrinin ikinci türevinin tersi [12]

2.4. Sıcaklığın Bant Yapısına Etkisi

Isısal genleşmeler ve sıcaklık bağımlı elektron fonon etkileşmeleri nedeniyle

yasak bant aralığının sıcaklıkla değişmesi beklenir. Yasak bant aralığının
sıcaklıkla değişimine bağlı olarak etkin kütlede sıcaklıkla değişir.
Yarıiletkenlerde yasak enerji aralığının sıcaklığa bağlı değişimi Varshni
tarafından ;

T 2
Eg (T)  Eg (0)  (2.5)
T
 16

ile verilmiştir [13].Buradaki Eg (0) ; T=0 K’deki yasak bant aralığı,  ve 

ısısal genleşme sabitleridir. Eşitlikten de görüleceği üzere sıcaklık arttıkça

yasak enerji aralığı azalır.

2.5. Safsızlıkların Bant Yapısına Etkisi

Bu bölümde verilen kristal yapı ve bant yapısına ait teoriler mükemmel kristal
yapı temel alınarak tanımlanmıştır. Ancak gerçekte mükemmel bir kristal
yapının olması mümkün değildir. Çünkü tüm yarıiletken malzemeler
safsızlıklar ihtiva etmektedir. Bu durum kristal yapısını etkileyeceğinden bant
yapısını da etkiler.

Safsızlıklar kristal yapının elektriksel, optiksel ve esneme gibi çoğu fiziksel

özelliklerin üzerinde oldukça etkilidir. Safsızlık olarak adlandırılan başlıca
yapı kusurları noktasal, çizgisel, ve hacimsel kusurlar olmak üzere üç’e
ayrılır. Şekil 2.11’de nokta kusurlar verilmiştir. Şekilden de görüleceği üzere
katkı atomları kristal yapının periyodikliğinde bozukluklar meydana
getirmektedir.

Şekil 2.11. Kristaldeki noktasal kusurlar, katkılamadaki safsızlık atomlarının

(a) büyük, (b) küçük, (c) atom yok, (d) aynı büyüklükte atom olma
durumu
 17

Safsızlık olarak adlandırılan katkı atomları kristalin periyodikliğini etkiledikleri

gibi, yasak bant aralığında izinli enerji seviyeleri oluşturabilirler. Bu durum
yapının birçok özelliğini olumsuz etkileyeceğinden pek istenmeyen bir
durumdur.

Oluşan bu seviyeler katkı durumuna göre sığ veya derin enerji seviyeleri
olarak adlandırılır. Alıcı atomlar için ortaya çıkan enerji seviyesine alıcı
seviyesi, verici atomlar için çıkan seviyeye ise verici seviyesi denir. Alıcı
seviyeler genellikle valans bandına verici seviyeler ise genellikle iletim
bandına yakındır. Bu seviyelerin enerjileri oldukça düşük olduğu için sığ
seviyeler olarak adlandırılır. Bu durum Şekil 2.12’de verilmiştir.

(a) (b) (c)

Şekil 2.12. Yarıiletkenlerdeki (a) Fermi, (b) alıcı(akseptör) ve (c) verici (donör)
seviyeleri

Safsızlık seviyelerinin enerjileri ve doldurulabilme ihtimalleri sıcaklıkla değişir.

Alıcı ve vericilerden gelen taşıyıcılar T=0 K’de kendi atomlarına bağlıdır. Bu
nedenle iletim yoktur. Sıfırdan farklı sıcaklıklarda ise alıcı ve verici
seviyelerindeki taşıyıcıların enerjileri artacağı için iyonlaşarak bağlarını
koparırlar. Bağları kopmuş olan yüksek enerjili katkı atomları valans ve iletim
bandına taşıyıcılar vererek bir iletim oluştururlar.

Kristal bozuklukları ve katkı safsızlıkları, enerji seviyeleri sığ seviyelere

kıyasla daha yüksek olan ve yasak bant aralığının daha orta kesimlerinde
 18

bulunan safsızlık seviyeleri oluşturabilirler. Bu seviyeler derin safsılık

seviyeleri olarak adlandırılır. Bu seviyelerin enerjileri sığ seviyelere göre
oldukça yüksektir. Yüksek sıcaklıklarda elektron tuzakları ve saçılma
merkezleri gibi davrandıklarınırlar. Bu nedenle derin seviyeler yarıiletkenin
elektronik yapısında oldukça etkilidir.

Bant yapısını etkileyen diğer bir safsızlıkta katkılamadır. Katkısız

yarıiletkenlerde Fermi enerji seviyesi hemen hemen yasak bant aralığının
ortasında yer alır. Katkı yoğunluğu arttıkça fermi seviyesi n tipi
yarıiletkenlerde iletim bandına, p tipi iletkenlerde ise valans bandına yaklaşır.
Yasak bant aralığı yüksek katkılı durumlarda katkı yoğunluğuna bağlı olarak
daralır ve yasak bant aralığı daralması (ΔEg) olarak adlandırılır [9].

2.6.Materyal Parametreleri

GaP, InP ve In0,49Ga0,51P’a ait temel parametreler Çizelge 2.1’de verildi.

In0,49Ga0,51P’a ait bazı parametreler Eş.2.6’da verilen interpolasyon yöntemi
ile hesaplandı.

İnterpolasyon yöntemiyle, AxB1-xC gibi üçlü alaşımlar için hesaplanmak

istenilen T(x) parametresi, TAC ve TBC gibi ikili parametreler cinsinden,

TAxB1-xC  x  TAC  1- x   TBC (2.6)

eşitliği ile tanımlanır [14].

 19

Çizelge 2.1. GaP, InP ve In0,49Ga0,51P’a ait temel parametreler [11,14]

In0,49Ga0,51
GaP InP
P
Çinko
Kristal yapısı Çinko sülfür Çinko sülfür
sülfür
Örgü sabiti 5,45 5,8687 5,653
3 22 22 22
1 cm ’deki atom sayısı 4,94.10 3,96.10 4,46.10
-3 -3 -3
Yoğunluk 4,138 g∙cm 4,81 g∙cm 4,47 g∙cm

Dielektrik sabitleri (statik) 10,86 12,5 11,8

Dielektrik sabitleri (yüksek frekans) 9,11 9,61 9,35

Etkin elektron kütlesi m*e 0,22 m0 0,082 m0 0,088 m0

*
Etkin (ağır) deşik kütlesi m h 0,79 m0 0,6 m0 0,7 m0

Etkin (hafif) deşik kütlesi mlp 0,14 m0 0,089 m0 0,12 m0

Elektron yakınlığı 3,8 eV 4,38 eV 4,1 eV

Optik fonon enerjisi 0,051 eV 0,043 eV 0,047 eV

Yasak bant aralığı 2,26 eV 1,344 eV 1,811 eV

Г ve L çukurları arasındaki enerji farkı (EГL) 0,18 eV 0,59 eV 0,38 eV

Г ve X çukurları arasındaki enerji farkı (EГX) 0,34 eV 0,85 eV 0,59 eV

E0(eV)(T=0 K) 2,78 eV 1,39 eV 2,1 eV

 20

3. ELEKTRİKSEL İLETİM VE DÜŞÜK ALAN İLETİM TEORİSİ

3.1. Giriş

Elektronun iletim teorisi, düşük elektrik ve manyetik alan altındaki

elektronların hareketiyle tanımlanır. Bu bölümde elektrik ve manyetik alan
altındaki elektronun hareketi, sürüklenme hızı, saçılma mekanizmaları ve
yarıiletkendeki iletim mekanizmaları tanımlandı.

3.2. Elektron Hareketi, Sürüklenme Hızı ve Mobilitesi

Yarıiletken malzemeler T≠0 K’deki sıcaklıklarda hareketli ve ya serbest

elektronlara sahiptir. Herhangi bir dış potansiyel alan uygulanmasa bile
yinede kristalde elektron hareketliliği mevcuttur. Fakat yapıya elektrik alan ve
manyetik alan gibi dış bir potansiyel alan uygulandığında elektronun hareketi
farklılaşacaktır.

Elektronun Manyetik Alan Altındaki Hareketi

Belli bir hıza sahip yüklü bir parçacık düzgün bir manyetik alana dik olarak

konulduğunda parçacık manyetik alana ( B ) dik olan düzlemde dairesel bir

yörüngede hareket eder. Yüke etki eden manyetik kuvvet ( FB ) kuvveti her

zaman çemberin merkezine doğrudur. Şekil 3.1’de gösterilmiştir.

Şekil 3.1. B manyetik alan altında hareket eden yüklü parçacığın yörüngesi
 21

Elektrik Alan Altındaki Hareketi

Bir noktada elektriksel yük var olduğu sürece o noktada mutlaka bir elektrik

alan ( E ) mevcuttur. Bir noktadaki pozitif birim yüke etki eden kuvvete, elektrik

alan denir. Elektrik alan şiddetinin ( E ) olduğu bir noktada q yüküne etki eden
kuvvet,

FE  q  E (3.2)

eşitliği ile verilir. Yüklü parçacık düzgün bir E alanda serbest bırakıldığında
Eş. 3.2 ile verilen kuvvetin etkisinde kalır. Parçacık bu kuvvetin etkisi ile ilk
hızı olmayan, Vt (termal hız) ile hızı düzgün değişen, ivmeli hareket yapar.
Şekil 3.2’de q yüküne etki eden elektriksel kuvvetler gösterilmiştir.

Şekil 3.2. Paralel iki levha arasındaki elektrik alan ve yüklü parçacıklara etki
eden elektriksel kuvvet

Şekil 3.2’den de görüldüğü gibi eğer yarıiletkene bir E uygulanırsa elektron,

FE gibi bir kuvvete maruz kalacak ve alan doğrultusunda alana zıt yönde
ivmelenecektir. Bu nedenle elektronun ısısal hızına ilave bir hız bileşeni
eklenecektir. Bu ilave hız bileşeni sürüklenme hızı olarak adlandırılır. Elektrik
alandan dolayı elektronlara uygulanan momentum ve elektronlar tarafından
kazanılan momentum,
 22

Puyg  eEc (3.3)

Pkazanilan  me Vd (3.4)

olarak tanımlanır. Uygulanan momentum kazanılan momentuma eşittir.

Tanımlanan eşitliklerden sürüklenme hızı,

 e  
Vd    c  E (3.5)
 me 

şeklinde elde edilir. Buradaki Vd ; sürüklenme hızı, me ; elektronun etkin

kütlesi, c ; iki saçılma arası ortalama zamandır. Bu eşitlik sürüklenme hızının

elektrik alanla doğru orantılı olduğunu ifade eder. Yüksek alanlarda bu eşitlik
geçerli değildir. Bu oranın bozulduğu nokta düşük alan iletiminin sınırı olarak
kabul edilir.

Eş.3.5’deki orantı çarpanı, taşıyıcı hareketliliği (mobilite) olarak adlandırılır ve

ec 
e  (3.6)
me 

ile verilir. Mobilitenin 1/ m* e bağımlılığı denklemden açıkça görülmektedir.

Saçılma oranının durum yoğunluğuna bağlılığından dolayı c , me* ile ters

orantılıdır. Kısacası mobilite taşıyıcı kütlesine güçlü bir şekilde bağlıdır.

Taşıma parametrelerinde kullanılan etkin kütle, iletkenlik kütlesidir [7].

Mobilite, yüklü parçacıkların elektrik alana karşı kazandıkları hız yani

hareketliliktir. İletim özelliklerini belirleyen önemli bir parametre olup saçılma
mekanizmaları ile sınırlandırılır.
 23

3.3. Saçılma Mekanizmaları

Mükemmel periyodik potansiyel altında hareket eden elektronlar serbest

elektronlar gibi davranır.1925 yılında Felix Bloch mükemmel kristal içindeki
elektron için kuantum mekaniksel denklemi çözerek elektronun kristal içinde
saçılmadan hareket ettiğini gösterdi [8]. Bununla birlikte gerçek kristalde
mükemmel periyodiklik mümkün değildir. Bunun başlıca iki sebebi vardır. İlki
gerçekte tamamen saf bir kristal elde etmek mümkün değildir. İkincisi ise
kristal içinde atomların dizilişleri periyodik olsa bile T=0 K’den farklı bir
sıcaklıkta atomlar ısısal titreşim yaparlar. Tüm bu durumlar potansiyelin
periyodikliğini bozduğundan, elektron durumunu değiştirmeksizin uzun
mesafeli hareket edemez. Elektronun hareketi esnasındaki durum (yer, yön,
doğrultu ve enerji) değişikliği saçılma olarak adlandılır.

Saçılmaya uğrayan taşıyıcıların enerji ve momentumunda azalma olur.

Bununla beraber mobilitesinde de bir değişim gözlenir. Mobilite de gözlenen
bu değişim saçılma mekanizmalarını yapıdaki iletim için önemli kılmaktadır.
Mevcut saçılma mekanizmaları Şekil 3.3’te verilmiştir.

Her saçılma mekanizmasına ait bir mobilite değeri vardır. Saçılma

mekanizmalarından hesaplanacak mobilite değerleri sıcaklıkla ve yapıya ait
sabitlere bağlı olarak değişmektedir. Belli sıcaklık değerlerinde tek bir
saçılma mekanizması ya da birden fazla saçılma mekanizması mevcut
olabilir. Birden fazla saçılma söz konusu olduğunda toplam mobilite
Mattheisen kuralı ile hesaplanır. Bu kural,

1 1 1 1 1 1 1
       ...
Toplam Orgu Saf PO PE  AC ii
(3.7)

ifadesi ile verilir.

 24

Şekil 3.3. Saçılma mekanizmaları

3.4. Elektriksel İletkenlik

Elektriksel iletkenlik bir malzemeye uygulanan elektriksel alan etkisinde yük

taşıyıcılarının hareketi ile oluşur.

Şekil 3.4. A kesit alanlı metal bir tele uygulanan V potansiyeli

L uzunluğunda, R direncine sahip bir metal tele V potansiyeli

uyguladığımızda tel üzerinden  akımı geçer. Ohm yasası gereği akım,
V
 (3.8)
R
 25

ile tanımlanır. Eşitlikteki R doğrudan maddenin bir özelliği olarak kullanılamaz

zira R maddenin geometrisine de bağlı bir parametredir. Maddenin ayırt edici
özelliği olarak özdirenç tanımlanmaktadır. Direnç, özdirenç (  )’e bağlı olarak,

L
R (3.9)
A

ile ifade edilir. Eşitlikteki A ( m2 ) maddenin akıma dik yöndeki kesit alanıdır.

Telden geçen akım yoğunluğu, birim kesit başına saniyede geçen akım
miktarıdır ve


J (3.10)
A

eşitliği ile tanımlıdır.

Akım ifadesi; n; taşıyıcı yoğunluğu, A; kesit, Vd ; sürüklenme hızı, q; taşıyıcı

yükü olmak üzere,

  nqVd A (3.11)

şeklinde alınırsa Eş.3.5, Eş.3.10 ve Eş.3.11’deki tanımlamalar doğrultusunda

akım yoğunluğu,

J  nqVd (3.12)

nq2 
J E  E (3.13)
m* e

olarak elde edilir. İfadedeki  elektriksel iletkenliktir.

 26

Eş.3.6 ve Eş.3.13 göz önüne alındığında iletkenlik,

  nee (3.14)

ile tanımlanır. İletkenlikle özdirenç ters orantılıdır ve ikisi arasındaki bağıntı,

1
 (3.15)


eşitliği ile ifade edilir.

3.5. Özgün İletkenlik

Yarıiletkenlerde iletim, metallerin aksine hem elektronlarla hem de deşiklerle

sağlanır. Bu yüzden yarıiletkenlerdeki toplam akım yoğunluğu hem
elektronlardan hem de deşiklerden gelen akım bileşenlerinin toplamı olarak

J  Jn  Jp  (ene  epp )  E (3.16)

yazılabilir. Parantez içerisindeki terim iletkenlik terimidir ve

i  nen  pep (3.17)

ile verilir. İfadedeki n; elektronların, p ise deşiklerin yoğunluğudur. Elektron

yoğunluğu,

 (Ec  EF ) 
n=Nc exp   (3.18)
 kBT 

ile tanımlıdır. Eşitlikteki T; sıcaklık, Nc iletim bandındaki durum yoğunluğu

olup,
 27

3/2
 2mekBT 
Nc  2    (3.19)
 h2 

ile tanımlanır. Aynı şekilde p için,

 (EF  EV ) 
p=Nv exp   (3.20)
 kBT 

ifadesi yazılabilir. Nv ; valans bandındaki durum yoğunluğu ise,

3/2
 2mhkBT 
Nv  2    (3.21)
 h2 

şeklinde tanımlanır.

Hakiki (özgün ve ya saf) yarıiletkenlerde elektronların ve deşiklerin yoğunluğu

eşit ( ni  n  p ) kabul edilir. Bu duruma bağlı olarak saf yarıiletkenler için

iletkenlik ifadesi Eş.3.17, Eş.3.18, Eş.3.19 kullanılarak,

 Eg 
i  (Nc  Nv )1/2 exp   (3.22)
 2kBT 

şeklinde tanımlıdır. Nc ve Nv çarpım ifadesi sabit olarak kabul edilirse,

 Eg 
i  0 exp    (3.23)
 2kBT 

eşitliği ile iletkenlik, saf yarıiletkenler için elde edilmiş olur. Tanımlanan eşitlik
özgün iletkenlik olarak ifade edilir.
 28

3.6. Katkılı İletkenlik

Bir yarıiletkenin iletkenliğini arttırmak için uygun bir safsızlık atomu ile
katkılanır. Bu durumda deşiklerin ve elektronların durum yoğunlukları eşit
olmaz ni  n  p  .

Katkılama neticesinde n tipi ve p tipi iletken olmak üzere iki tip yapı elde
edilir. Yapılan katkılama sonucunda verici olarak adlandırılan en az bir
elektron fazlalığı oluşuyor ise bu tip yarıiletkene n tipi yarıiletken, eğer
katkılama sonucunda alıcı olarak adlandıran en az bir boşluk (deşik)
meydana geliyorsa da bu tip yarıiletkene p tipi yarıiletken adı verilir. Şekil
3.5’te hakiki, n ve p tipi yarıiletken yapıları verilmiştir.

Şekil 3.5. (a) p tipi, (b) n tipi, (c) hakiki (saf) ; yarıiletken yapısı

Katkılı yarıiletkenlerde n=p şartı sağlanmadığı için iletkenlik Eş. 3.17’den yola
çıkılarak,
 29

 Eg   Ed 
  1 exp     2 exp    (3.24)
 2kBT   2kBT 

ile verilir. İfadedeki ilk terim yüksek sıcaklık, ikinci terim ise düşük sıcaklık
bölgesinde baskındır. Eş.3.24 ile tanımlanan iletkenlik modeli tamamen
iletkenlik bandında cereyan edip iletkenlik bandı iletimi olarak bilinir.

3.7. Safsızlık Bandı İletimi ve İletkenlik Modelleri

3.7.1. Safsızlık bandı iletimi

Yarıiletken malzemelerde iletim her zaman iletkenlik bandında gerçekleşmez.

Düşük sıcaklıklarda yarıiletkenlerdeki katkı oranına bağlı olarak serbest
taşıyıcılar iletkenlik bandına geçemeyebilir. Bu durumda iletim; iletkenlik
bandında değil, yasak enerji aralığındaki safsızlık seviyeleri arasında
gerçekleşir. Tanımlanan bu durum safsızlık bandı iletimi olarak bilinir.

Değişen katkılama oranına ve sıcaklığa bağlı olarak iletim önemli ölçüde

değişiklik göstermektedir. İletim; katkı oranının düşük, orta ve yüksek olduğu
üç temel bölgede incelenir.

Şekil 3.6’da saf bir yarıiletkenden başlayıp maksimum katkı seviyesine kadar
katkılanmış bir GaAs yarıiletkeninin taşıyıcı yoğunluğunun sıcaklıkla değişimi
verilmiştir. Şekilden de görüleceği üzere katkılama oranına bağlı olarak iletim
genel anlamda üç farklı bölgede incelenebilir.

Bunlardan ilki katkılanmanın az olduğu (1013≤n≤1015) durumdur.

Katkılanmanın düşük olduğu seviyelerde azalan sıcaklıkla birlikte taşıyıcı
yoğunluğu da azalmaktadır. Bu durum Eş.3.24 ile tanımlanan iletkenlik bandı
iletimine karşılık gelir.
 30

İkinci durum orta katkılı seviyelerdeki (1015≤n≤1017) durumdur. Bu bölgede

taşıyıcı yoğunluğu, sıcaklığın azalmasıyla beraber azalmaktadır. Fakat belli
bir sıcaklık değerinden sonra bir minimum gerçekleştirerek tekrar artış
gösterir. Bu durum düşük sıcaklıklarda safsızlık bandı iletimine tekabül
etmektedir.

Üçüncü olarak da katkılamanın çok fazla (n≥1017) olduğu bölge incelenebilir.

Taşıyıcı yoğunluğu fazla katkılanmadan dolayı sıcaklıktan bağımsız bir
davranış sergiler. Bu esnada elektronların büyük bir kısmı iletim bandından
safsızlık bandına geçer. İletim artık iletkenlik bandında değil tamamen
safsızlık bandındır. Bu durumda safsızlık bandındaki iletim metalik bir
karakter sergilemektedir [15,16].

Şekil 3.6’da gözlenen durumlar ele alındığında katkılı yarıiletkenlerde

katkılama oranı arttıkça iletkenlik konusunda yalıtkan (yarıiletken) durumdan
metal olan duruma doğru bir geçiş söz konusudur. Bu geçiş Metal-yalıtkan
(MIT) geçişi olarak bilinir.

Metal-yalıtkan geçişi terimi (MIT), bir materyalin elektriksel iletkenliğinin,

kompozisyon, basınç, gerinme veya manyetik alan gibi bir dış parametrenin,
fonksiyonu olarak bir metalden bir yalıtkana değiştiği durum olarak
tanımlanır. Yüksek katkılama, iyonizasyon enerjisini oldukça düşürür ve belli
bir taşıyıcı yoğunluğu değerinde iyonizasyon enerjisi yok olur. Yarıiletken bir
safsızlık metali haline gelir ve taşıyıcı yoğunluğu sıcaklığa karşı oldukça
duyarsızlaşır.

Metal durumdan yalıtkan duruma geçiş safsızlık seviyelerinin arasındaki

ortalama uzaklığın (rD)’nin Bohr yarıçapına (aB) oranına bağlıdır. Bu oran rD/
aB≈4 olduğu zaman MIT geçişi meydan gelmektedir [16].

Tanımlanan eşitlikteki rD ve aB sırasıyla,

 31

1/3
4 
rD   ND  (3.25)
3 

40 2   
aB  * 2
r  5,2547  1011  r   (3.26)
me  me 

ile verilir. Bohr yarıçapını hesaplanmasında elde edilen sonucun birimi

uzunluk olup, ifadedeki 0 ; boş uzayın dielektriksel geçirgenliği, e; elektronun

yükü, r ; statik dielektrik sabitidir. InxGa1-xP yarıiletkeni için statik dielektrik

sabiti,

εr = 12,5 - 1,4x (3.27)

ile verilir [11].

MIT geçişinin meydana geldiği kritik taşıyıcı yoğunluğu (nc) değeri ise Mott
tarafından,

nc1/3aB  0,25  0,4 (3.28)

şeklinde tanımlanmıştır. n<nc için metalik olmayan, n> nc değeri için ise
metalik olan bir iletim söz konusudur. Kısacası kritik taşıyıcı yoğunluğu
metalik olmayan bir durumdan metalik olan bir duruma geçişin ölçütüdür.
 32

Şekil 3.6. GaAs için çeşitli katkı seviyelerinde Hall taşıyıcı yoğunluğunun
sıcaklığa bağlı değişimi [17]

3.7.2 İletim modelleri

Katkılama sonucunda malzemede oluşan taşıyıcı yoğunluğu ile kritik taşıyıcı

yoğunluğu ile kıyaslandığında olabilecek mevcut iletim modelleri ve iletim
özellikleri aşağıdaki gibi tanımlanır.

1. n<<nc durumu için Eş.3.24’te (σ=σ1exp(-Eg/2kBT)+σ1exp(-ED/2kBT))

tanımlanan iletkenlik bandı iletimi geçerlidir. Eş.3.24’teki ilk terim yüksek
sıcaklık bölgesi ikinci terim ise düşük sıcaklık bölgesinde geçerlidir.
 33

2. n<nc durumunda; düşük sıcaklıklardaki iletkenlik ifadesi σ(T)=σ3exp(-

ε3/kBT) şeklinde verilir. Bu durumda yüksek sıcaklık bölgesinde iletkenlik
bandı iletimi geçerlidir. Düşük sıcaklıklarda ise safsızlık bandı iletimi olarak
bilinen basit sıçrama iletimi geçerlidir. Eşitlikteki ε3<<ED olup; sıçrama
aktivasyon enerjisi olarak bilinir.

3. n≈nc olduğunda iki durum söz konusudur.İlki, n≤nc durumu yalıtkan

(yarıiletken) tarafından geçiş noktasına yakındır. Bu durumda VRH iletimi
etkilidir. İletkenliğin genel ifadesi σ(T)=σ0,Mottexp((-T0/T)1/4)+σ0,ESexp((
-T0/T)1/2) şeklinde olup yüksek sıcaklıklarda Mott (birinci terim), düşük
sıcaklıklarda ise Efros-Shlovskii (ES) iletimi (ikinci terim) geçerlidir. n≥nc
durumu ise metal tarafından geçiş bölgesine yakındır. İletkenliğin genel
ifadesi σ(T)=σ0+mT1/2+BTp/2 ile ifade edilir. p=2 ve 3 değerlerini alabilir. Her
iki durumda da taşıyıcı yoğunluğu sıcaklıktan bağımsızdır.

4. n>nc veya n>>nc durumunda iletim tamamen metalik tarafta olup tam bir
metal gibi davranmaktadır. Taşıyıcı yoğunluğu sıcaklıkla değişmez. Özdirenci
ρ(T)=ρ0+AT+BTl olarak verilir. l=2 ile 5 arasında değişir. Sistemdeki
katkılanmadan dolayı saçılmalar çok fazla olacaktır. Her materyale özgü olan
Debye sıcaklığı ile sıcaklık kıyaslandığında; T>QD (Debye sıcaklığı) (yüksek
sıcaklık bölgesinde) fonon saçılmaları, T< QD ise (düşük sıcaklık bölgesinde)
safsızlık saçılmaları baskındır [16].

Tanımlanan bu iletim modellerine bakıldığında bu tez çalışmasında incelenen

numunelerin geçiş bölgesine yakın oldukları görüldü. Bu bağlamda bu
bölümde geçiş bölgesinde tanımlanan sıçrama iletimi ve metalik iletim
modelleri ayrıntılı olarak açıklanmıştır.

3.8. Sıçrama İletimi

Katkılı yarıiletkenlerde düşük sıcaklıklar için geçerli olan safsızlık bandı

iletiminin bir çeşidi sıçrama iletkenliğidir. Katkılanan yarıiletkenler için düşük
 34

sıcaklıklarda iletkenlik bandı iletimine katkı yapan serbest elektronların

birçoğu vericiler tarafından tekrar yakalanır. Bu durumda iletim bandı iletimi
iletkenliğe çok az katkıda bulunur. İletkenliğe gelen temel katkı, safsızlık
bandındaki vericiler arasındaki direkt elektron sıçramasından dolayıdır.

Sıçrama kelimesi lokalize seviyeler arasındaki geçiş için kullanılır. Düşük

sıcaklıklarda iletim, elektronun iletim bandına girmeksizin safsızlık seviyeleri
arasında meydana gelen, dolu (nötral) bir verici seviyesinden, boş (iyonize)
bir verici seviyesine hareketinden (sıçramasından) kaynaklanır. Şekil 3.7’de
sıçrama iletimi temsili olarak verilmiştir.

Şekil 3.7. Sıçrama iletiminin temsili gösterimi

Sıçrama iletimi için iletkenliğin genel formülü,

  
  3 exp  3  (3.29)
 kBT 

ile verilir. ε3; dolu bir safsızlık seviyesinden boş birine sıçramak için gerekli
olan enerji olarak tanımlanır [18].
 35

Yüksek katkılı materyallerde, yüksek sıcaklıklarda, safsızlıkların dağılımıyla

sıçrama olasılığı artar. Sıçrama iletkenlik öncelikle en yakın komşu sıçraması
(NNH) ile belirlenir. Fermi seviyelerine yakın durumlarda ise her bir sıçrama
mesafesinin uzunluğu değişebilir. Bu mekanizmaya da değişken aralıklı
sıçrama (VRH) mekanizması denir. Sıçrama iletimi şimdiye kadar basit bir
modelle tam olarak açıklanamamıştır. Genel olarak NNH ve VRH olmak
üzere iki tip sıçrama iletiminden söz edilir [18]. Bu tez kapsamında VRH
iletimi ve metalik iletim modelleri incelenmiştir.

3.8.1. Değişken aralıklı sıçrama iletimi

Katkılı bir yarıiletkende sıcaklık çok düşük olduğunda serbest taşıyıcıların

enerjileri iletim bandına geçebilecek ölçüde değildir. Taşıyıcılara iletim
bandına geçemediğinden dolayı iletim lokalize safsızlık seviyeleri arasında
gerçekleşir. Taşıyıcıların safsızlık seviyeleri arasında mesafe ve enerjiye
bağlı olarak yer değiştirmesiyle safsızlık iletimi meydana gelir. Taşıyıcının
enerji durumu uygun olduğunda daha yakın bir konum yerinde daha uzak bir
konuma geçişi söz konusu olabilir. Bu duruma değişken aralıklı sıçrama
(VRH) mekanizması denir [18]. Bu modele ait iletim mekanizması Şekil
3.7’de verilmiştir.

Mott ve ES (Efros-Shklovskii) olmak üzere iki tür VRH iletimi vardır. Bu

safsızlık bandı modeli için iletkenliğin sıcaklığa bağımlı genel formülü,

  T0 s 
  0 exp      (3.30)
  T  

ile verilir [19]. Burada σ0, ya sıcaklıktan bağımsızdır ya da sıcaklığa çok az

bağımlıdır. T0, karakteristik sıçrama sıcaklığıdır. s değeri sistemler için genel
olarak,
 36

m 1
s (3.31)
m4

ile tanımlıdır.

Üç boyutlu ve iki boyutlu sistemler için s değeri sırasıyla 1/4 ve 1/2 değerini
alır.

Üç boyutlu sistemler için Mott VRH durumunda iletkenlik,

 1

 T 
  0  T exp    

4
1/2 0
(3.32)
 T 
 

denklemi ile tanımlıdır. Burada, T0 karakteristik sıcaklık katsayısı olup, Fermi

seviyesinde durum yoğunluğuna N(EF)’ye şu şekilde bağlıdır.

18
T0,Mott  (3.33)
kB N EF 
3

Eşitlikteki ξ; lokalizasyon uzunluğu, kB;Boltzman sabitidir. Mott iletimi için T0

karakteristik sıcaklık ve lokalizasyon uzunluğu belirlendikten sonra N(E F)
bulunur. Diğer sıçrama parametreleri olan Rhop (sıçrama mesafesi) ve Δhop
(sıçrama enerjisi) ,

3
 T0,Mott / T 
1/4
Rhop,Mott /   (3.34)
8

kBT  T0,Mott / T 
1 1/4
hop,Mott /   (3.35)
4

eşitlikleri ile tanımlanır [18, 19, 20].

 37

VRH iletimi için daha düşük sıcaklıklarda s=1/2’nin geçerli olduğu Efros
Shklovskii (ES) iletimi geçerlidir. ES iletim mekanizması için iletkenlik,

 1

 T 
  0  T exp     
2
1 0
(3.36)
 T 
 

şeklindedir. Eşitlikteki, T0 karakteristik sıcaklık katsayısı,

2,8e2
T0,ES  (3.37)
kB

ile tanımlanır.

Mott için yapılan genel kabullenimler burada da yapıldığında sıçrama

mesafesi ve enerjisi,

3
 T0,ES /T 
1/2
Rhop,ES /ξ= (3.38)
8

kBT  T0,ES / T 
1 1/2
hop,ES /   (3.39)
2

eşitlikleri ile verilir [18, 19, 21].

Bu iletim modelinin geçerli olabilmesi için, her iki sıçrama iletimi içinde Rhop/ξ
> 1 ve Δhop>kBT şartları sağlanmalıdır [18, 19].

3.9. Metalik iletim

Diğer bir safsızlık bandı iletimi de metalik iletimdir. Metalik durumdaki genel
iletkenlik ifadesi, biri sıcaklığa bağlı diğeri sıcaklıktan bağımsız iki terimin top-
 38

lamı olarak yazılır [22] ve,

(T)    0   ATn (3.40)

eşitliği ile tanımlıdır.

σ0 değeri sıcaklıktan bağımsız safsızlık saçılması terimidir. Diğer terim ise

sıcaklığa bağlı olan elektron-elektron etkileşmeleri ve zayıf lokalizasyon
etkilerinden kaynaklanmaktadır.

Yüksek oranda safsızlık içeren bir sistemde çarpışmalar arası ortalama

serbest yol küçüleceğinde ara yüzey etkileri önem kazanır. n>n c şartını
sağlayan safsızlıkların çok olduğu metalik bir sistem için iletkenliğin sıcaklıkla
değişimi,

(T)    0   mT1/2  BTp/2 (3.41)

ile verilir [23]. İfadedeki   0  Boltzman iletkenlik terimi, mT1/2 elektron-

elektron etkileşme terimi (EEI), BTp/2 ise zayıf lokalizasyon etkilerini içeren
terimdir. p=2 olduğu durumda elektron-elektron etkileri, p=3 olduğu durumda
ise elektron-fonon etkileşimleri baskındır [16].

3.9.1. Elektron-elektron etkileşmeleri

Metalik fazda olan yapı çok yüksek oranda safsızlık içereceği için elektronun
hareketinden dolayı değişen yük dağılımındaki değişiklikler belirli bir zaman
diliminde perdelenir ve elektronlar arası Coulomb etkileşmeleri önem kazanır
[24]. Bu etki sonucunda iletkenliğe T1/2 ile orantılı bir terim eklenir ve bu terim
elektron-elektron etkileşme terimi olarak bilinir [25].
 39

Düşük sıcaklıklarda elektron-elektron etkileşmelerinin iletime 1(T)  mT1/2

terimi kadar bir katkısı olur. Buradaki m katsayı hesabı aşağıdaki işlem
basamakları ile tanımlanmıştır [26].

4 
m     (3 F / 2) (3.42)
3 

F ; Coulomb etkileşme parametresi,  ; yapıya bağlı anizotropik faktördür. Α

katsayı ise,

 e2   1,3   k 
1/2

     2  B  (3.43)
   4  2 D 

ile verilir. İfadedeki tüm değerler görüldüğü üzere bilinen sabitler olup D;
difüzyon katsayı,

kB T
D (3.44)
e

Einstein eşitliği ile tanımlanır. Fσ niceliği, F likit parametresine

 32   3F  F   1
3/2

F     1   1   F (3.45)
 3   4  2  

eşitliği ile bağlıdır [27]. Fermi likit parametresi ise,

1
F ln(1  x) (3.46)
x

ile hesaplanır. F değeri genellikle 0 ile 1 aralığında değişir [23]. Eş.3.46’daki x

parametresi,
 40

 2k 
x f  (3.47)
 K 

ile tanımlıdır.

Eş.3.47’deki kf; Fermi dalga vektörü, K; perdeleme dalga vektörü olmak

üzere,

1/2
 12m* e2 
K  2 2 
(3.48)
  kf 

32n 1/3
kf  ( ) (3.49)
V

eşitlikleri ile hesaplanır. Eş.3.49’daki V; vadi dejeneresi olarak tanımlanır

[15,18].

3.9.2. Zayıf lokalizasyon etkileri

Düşük sıcaklıklarda, ortalama serbest yol atomlar arası yerleşme mesafesi ile
aynı mertebede olduğunda elastik safsızlık saçılma oranı, inelastik saçılma
oranından daha büyük olur. Bu durumda bir saçılma merkezinden diğer bir
saçılma merkezine doğru ilerleyen dalgalar arasında faz uyumu oluşur ve
saçılma doğrultusunda girişim meydana gelir [28]. Bu etki sonucunda transfer
edilen momentum azalır, özdirenç artar. Tanımlanan olay zayıf lokalizasyon
etkisi olarak bilinir.

Zayıf lokalizasyon etkisi İletkenliğe BT-1/2’lik bir katkı getirir. B katsayısı

1/2
e2  C 
B  S0 v
2  D 
(3.50)
 41

eşitliği ile hesaplanır. Eş.3.50’deki S0; etkin kütle tensörünün anizotropisi, V;

vadi dejeneresi, D; difüzyon katsayısıdır. C parametresi ise,

2
    e k f    kB 
2
C  4    (3.51)
 4   3 2  EF 

ifadesi ile Thomas ve arkadaşları tarafından tanımlanmıştır.

 sabiti,

EF
 (3.52)
Wp

1/2
 4e2n 
Wp   *  (3.53)
 m 

şeklinde verilen formüller yardımı ile hesaplanır [15,18,28].

3.10. İki Bant Modeli

Katkı oranına bağlı olarak iletim bölgeleri incelendiğinde, az ve çok katkılı

bölge için bir iletim mekanizması söz konusu iken orta katkılı bölge için aynı
durumda iki tip iletim mekanizması mevcuttur. Bu bölgede yüksek
sıcaklıklarda iletkenlik bandı iletimi, düşük sıcaklıklarda ise safsızlık bandı
iletimi geçerlidir. Orta sıcaklıklarda taşıyıcı yoğunluğunun minimum yapıp
tekrar arttığı orta sıcaklık bölgesinde ise iletime hem iletkenlik hem de
safsızlık bandından katkılar gelmektedir. Eğer yüksek oranda verici safsızlığı
yoğunluğu ( ND ), buna oranla daha az bir miktarda alıcı safsızlığı yoğunluğu (

NA )mevcut ise iletkenlik bandına uyarılan elektronların sayısı n,

 42

Nc (ND  NA )   
n exp   D  (3.54)
gDNA  kBT 

ifadesi ile tanımlıdır. Eşitlikteki Nc ; iletim bandındaki durum yoğunluğu, gD ;

spin dejenere faktörü (n tipi için 2, p tipi için 4), D ; vericilerin iyonizasyon

enerjisidir [18].

Bu iletim bölgesinde iki bant modeli uygulanır. İki bant iletiminde iki tane
iletim mekanizması olduğundan her bir durumun taşıyıcı yoğunluğu ve
mobilitesi ayrı ayrı değerlendirilir. Bundan dolayı Hall taşıyıcı yoğunluğu ve
mobilite iki farklı değer alır ve

(nc c  nBB )2
nH  (3.55)
nc 2c  nB2B

nc 2c  nB2B
H  (3.56)
nc c  nBB

şeklinde tanımlanır [29]. nc ve c iletim bandı için taşıyıcı yoğunluğu ve

mobilitesi, nB ve  B ise safsızlık bandı için taşıyıcı yoğunluğu ve mobilitesi

olarak tanımlıdır. nB ,

nB  ND (1 k)  nc (3.57)

eşitliğinden hesaplanır. İfadedeki k; karşılama oranı olup,

k=NA/ND (3.58)

şeklinde hesaplanır [29].

 43

4. DENEY SETİ, ÖLÇÜM VE ANALİZ TEKNİKLERİ

4.1. Giriş

Bu tez kapsamında MBE yöntemi ile büyütülen InxGa1-xP/GaAs yapısındaki

Si katkılı (n tipi) ve Be katkılı (p tipi) yarıiletken numunelerin sıcaklığa bağlı
elektriksel iletim özellikleri incelendi. Van der Pauw tekniği kullanılarak
numunelerin 0,4 T’lik sabit manyetik alanda 30-300 K sıcaklık aralığında Hall
etkisi ve özdirenç ölçümleri Lake Shore yüksek empedans sistemi
kullanılarak gerçekleştirildi. Bu bölümde kullanılan cihazlar, cihazların
çalışma prensipleri ve yapılan ölçümler hakkında bilgi verildi.

4.2. MBE Büyütme Yöntemi ve InxGa1-xP yapısı

Bir yarıiletken cihazın teknolojik uygulamalarda kullanılabilir olması için

öncelikli koşullardan biride cihaz yapımında kullanılacak materyalin yüksek
kalitede olmasıdır. Uygun kalitede malzeme üretimi yüksek teknolojinin
varlığına, yüksek teknolojinin varlığı ise bu tip malzemelerin üretimine
bağlıdır [30].

Kaliteli malzeme üretmek amacıyla kullanılan en etkili yöntemlerden biri

epitaksiyel ince film büyütme tekniğidir. Epitaksiyel büyütme, uygun bir kristal
tabaka üzerine istenilen atom ya da moleküllerin uygun olarak yerleşmesiyle
oluşan bir süreç olarak tanımlanır. Homoepitaksi ve heteroepitaksi olmak
üzere iki çeşittir. Homoepitaksi alttaş ve üzerine büyütülen tabakaların aynı
olduğu, heteroepitaksi ise alttaş ve üzerine büyütülen tabakaların farklı
olduğu büyütme durumdur.

Epitaksiyel büyütmede yaygın olarak kullanılan teknikler şunlardır.

1. Buhar Faz Epitaksi (VPE)

2. Likit Faz Epitaksi (LPE)

 44

3. Kimyasal Buhar Biriktirme (CVD)

4. Metal Organik Kimyasal Buhar Biriktirme (MOCVD)

5. Moleküler Demet Epitaksi (MBE)

Bu çalışmada incelenen numuneler MBE yöntemiyle büyütüldüğü için MBE

sistemi kısaca tanıtıldı.

4.2.1. MBE yöntemi

MBE yöntemi, çok yüksek vakum (UHV) şartları altında bir ve ya birden çok
atom ve ya molekülün ısıl demetlerinin bir kristal alttaş ile etkileşimini içeren
bir süreç olarak tanımlanır. Moleküler demet kaynak elementin buharlaşacak
seviyeye kadar ısıtılmasıyla elde edilir. Büyütülecek olan kristalin yüksek
kalitede olması için; kaynak elementin mümkün olduğunca saf olması ve
büyütme işleminin UHV ortamında gerçekleşmesi gerekir.

Bu çalışmada kullanılan numunelerin büyütüldüğü VG-Semicon V80H-MBE

sisteminin temsili şekli Şekil 4.1’de verildi.

Şekil 4.1. VG-Semicon V80H-MBE sistemi

 45

Şekil 4.1’de gösterilen MBE sistemi yükleme odası, hazırlık odası ve

büyütme odası olmak üzere üç ana kısımdan oluşur. Odaların her birinde
UHV şartlarını sağlayan vakum pompaları bulunmaktadır.

Yükleme odası; büyütülecek olan numunenin sisteme ilk alındığı oda olup,
aynı anda birden fazla numuneyi alabilecek asansörlü bir kasete sahiptir.
Numuneler bu kısımdan hazırlık odasına geçirilir. Bu odada vakum sağlamak
amacıyla 500 lt/sn’lik bir turbo moleküler pompa bulunmaktadır.

Hazırlık odası; numunenin saklanması ve hazırlanması için kullanılan

bölmedir. Numune burada 450 0 C ’ ye kadar ısıtılarak ilk ısıl temizleme işlemi
gerçekleşir. Ayrıca bu oda 300 lt/s’lik bir iyon pompasıyla vakumlanır.

Büyütme odası; büyütmenin gerçekleştiği yerdir. Bu odada alttaş

manipulatör, numune manipulatör (körüklü çubuk), efüzyon hücreleri, hücre
kapakları, Yüksek Enerjili Elektron Yansıma Kırınımı (RHEED) analizinin
yapılabilmesini sağlayan kısım, dört kutuplu kütle spektrometresi, akı
ölçümleri için görüntülü iyon ölçer ve gözlem camından oluşur. Bu oda, bir
cryo pompa, bir 500 lt/s’lik iki iyon pompası ve titanyum süblimleşme
pompaları ile vakumlanmaktadır [31,32].

Şekil 4.2. MBE sisteminin temsili kesiti

 46

MBE sisteminin diğer sistemlere göre avantaj ve dezavantajları şu şekilde

sıralanabilir. Avantajları;

 Atomik mertebede kalınlık kontrolü sağlar.

 Saflık derecesi çok iyi olan malzeme üretimini etkin kılar.

 Büyütme esnasında katkılama oranı (x) istenilen düzeyde kontrol

edilebilir.

 Homojen bir büyütme gerçekleşir.

Dezavantajları;

 Sistemdeki büyüme hızı saniyede bir ya da iki monotabaka

seviyesindedir.

 Seri üretime uygun değildir.

 Oldukça pahalı bir sistemdir.

Şekil 4.1’de gösterilen bir sistem için bir mono tabaka büyütme süreci Şekil
4.3’de verildi.

Şekil 4.3. MBE sisteminde (a) Moleküler demetlerin alttaşa yönelimi (b)
Büyütme süresince tek tabakanın oluşumu ve karşılık gelen
RHEED titreşimleri [30, 31]
 47

Şekil 4.3’teki S, tabakanın kaplanan kesrini temsil etmektedir.

4.2.2. InxGa1-xP/GaAs yapısı

Bu çalışmada kullanılan ve gerekli koşullarda büyütülen numunelerin yapısı

Şekil 4.4’te verilmiştir. MBE yönteminde numunelerin n tipi olması için yapıya
Si, p tipi olması için ise Be katkılanır.

Şekil 4.4. (a) n tipi (b) p tipi InxGa1-xP yapısı

4.3. Hall Olayı ve Hall Etkisi Ölçüm Sistemi

4.3.1. Hall olayı

1897 yılında Amerikalı fizikçi Edwin HALL, akım taşıyan bir metal levhaya
akım yönüne dik doğrultuda bir manyetik alan uygulandığında levhanın iki
kenarı arasında bir potansiyel farkı meydana geldiğini gözlemlemiştir. Bu
olaya Hall etkisi olayı, oluşan voltaja da Hall voltajı denilmektedir. Klasik bir
Hall olayı konfigürasyonu n ve p tipi yarı iletkenler için Şekil 4.5’teki gibi
tanımlanır.
 48

(a) (b)

Şekil 4.5. (a) n tipi, (b) p tipi yarıiletken için Hall konfigürasyonu

P tipi bir yarıiletken için Hall deneyi konfigürasyonunu ele aldığımızda, x

doğrultusunda akım, z doğrultusunda ise manyetik alan uygulanır. Bu işlem
sonucunda x doğrultusunda hareket eden deşiklere manyetik alan yukarı
yönde (-y) yönünde bir Lorentz kuvveti etki ettirir. Lorentz kuvvetinin etkisiyle
yarıiletkenin üst yüzeyinde pozitif, alt yüzeyinde ise negatif bir yük birikimi
olur. y doğrultusunda oluşan Lorentz kuvveti,

FL  q(v ˆi  Bkˆ )  qv xBz ˆj (4.1)

ile tanımlanır. Denge durumunda y doğrultusunda elektrostatik kuvvet

oluşmayacağından dolayı Hall alanından kaynaklanan elektrostatik kuvvet
Lorentz kuvveti ile dengelenir.

qv xBz ˆj  qEy ˆj  0 (4.2)

Buradan da,

Ey  v xBz (4.3)

olduğu görülür.
 49

Elde edilen elektrik alana E y ; Hall alanı denir. Zıt kutuplanmadan dolayı

oluşan potansiyel fark ise Hall voltajı,

VH  Ey d (4.4)

olarak tanımlanır.

Eş 4.3’teki v x , Jp  qpvp eşitliğindeki v p sürüklenme hızı olup eşitlikte yerine

yazılırsa bu durumda Hall alanı,

J 
Ey   p  Bz  RhJpBz (4.5)
 qp 

olarak elde edilir. Eş.4.5’teki orantı çarpanı RH Hall katsayısıdır ve

1
RH  (4.6)
pq

ile ifade edilir. Hall katsayısı benzer hesaplamalar için n tipi yarıiletkenler
içinde elde edilir. RH değeri; n tipi yarıiletkenler için negatifken, p tipi

yarıiletkenler için pozitif değerlik alır.

Eş 4.5’den taşıyıcı yoğunluğu ifadesi p,

JpBz B Z d
p  (4.7)
qEy qVH

olarak elde edilir.

R  L / A ve R  V /  ifadeleri ile tanımlanırsa özdirenç,

 50

AR VA
  (4.8)
L L

şeklinde elde edilir.

Hall katsayısı,   pq iletkenlik denkleminde kullanılırsa,

  Rh  (4.9)

mobilite ifadesi bulunur.

Görüldüğü üzere Hall olayında materyalin tipi, taşıyıcı yoğunluğu, özdirenci,

mobilitesi, iletkenliği gibi parametreler hesaplanabilmektedir.

4.3.2. Hall etkisi ölçüm sistemi

Bu çalışmadaki InxGa1-xP numunelerin sıcaklık bağımlı Hall etkisi ölçümleri

bilgisayar kontrollü Lake Shore yüksek empedans Hall etkisi Ölçüm Sistemi
(Lake Shore-7700 HMS) kullanılarak gerçekleştirilmiştir. Deney sistemi
Resim 4.1’de verildi.

HMS sistemi yarıiletken malzemelerin Hall katsayısı, direnç, özdirenç,

manyeto özdirenç, akım voltaj eğrileri, taşıyıcı yoğunluğu, mobilite gibi
parametrelerini gerçekleştirilen ölçümler sonucu çok iyi bir şekilde
belirleyebilmektedir.
 51

Resim 4.1. Lakeshore 7700 serisi Yüksek Empedans Hall etkisi ölçüm
sistemi (1) He tüpü, (2) Kapalı devre He soğutma ünitesi, (3)
Mekanik pompa destekli turbo moleküler vakum pompası, (4)
Kryostat, (5) Elektromıkanatıs, (6) Elektromıknatıs güç kaynağı,
(7) Bilgisayar, (8) Sıcaklık kontrol ünitesi, anahtarlama sistemi,
ölçüm cihazları, manyetik alan ölçüm sistemi vb. içeren sistem,
(9) Su soğutma sistemi

4.4. Numune Hazırlama ve Kontak Alma

Hall etkisi ölçümleri yapılırken numunelerin ölçüm sistemine bağlantıları

numunenin yüzeyinden alınacak kontaklarla yapılır. Ölçüm sistemlerindeki
numune tutucu ve numunenin yapısına bağlı olarak çeşitli kontak yapıları
mevcuttur. değişik kontak yapıları Şekil 4.6’da verilmiştir.

Hall ölçümleri için en ideal kontak yapısı kare Van der Pauw kontak yapısıdır.
Van der Pauw’a göre,

 Numune her bölgede homojen olmalıdır.

 52

 Numunenin geometrisi mümkün olduğunca simetrik olmalıdır.

 Alınacak kontaklar mümkün olduğunca köşelerde ve olabildiğince

küçük olmalıdır.

Bu geometriye göre alınacak kontakların omik özellik göstermesi, ölçüm

verilerinin tamamının numuneden geldiğinin, kontaklardan sonuca herhangi
bir katkı gelmediğinin kabulü açısından önemlidir [33]. Kontaklardan herhangi
bir katkı gelmemesi için devre ya da numune üzerine herhangi bir potansiyel
düşüşü ile kontaklar üzerinde oluşacak potansiyel farkı kıyasladığımızda
kontaklar üzerinde oluşacak potansiyelin ihmal edilebilecek kadar küçük
olması gerekmektedir. Prensip olarak omik kontak; n tipi bir yarıiletkenin iş
fonksiyonundan daha küçük, p tipi yarıiletkenin iş fonksiyonundan ise daha
büyük bir iş fonksiyonuna sahip metal kullanılarak elde edilir [34].

(a) (b) (c) (d)

Şekil 4.6. (a) 6 kontaklı Hall yapısı, (b) 8 kontaklı Hall yapısı, (c) yonca
yaprağı biçiminde Van der Pauw yapısı, (d) Kare Van der Pauw
yapısı

Kontak alımındaki diğer önemli bir husus ise yarıiletkenlerin yüzey

temizliğidir. Yüzeyde oluşacak kir, toz, oksit, tabakalar omik kontakların
özelliklerini değiştirerek ölçüm sonuçlarını etkileyebilir. Bundan dolayı
numunenin yüzey temizliğine dikkat edilir.
 53

Kontak alımına dair tüm bu parametreler ışığında bu çalışma dahilindeki

numunelerin kontakları aşağıdaki işlem sırasına göre alınmıştır.

Numuneler kontak alımına başlamadan önce aseton ve metanol’de 5’er

dakika bekletilerek temizlendi. Numuneyi sisteme tutturmak için 2-3 cm
uzunluğunda ince teller hazırlandı. Numunenin dört köşesine hazırlamış
olduğumuz bu teller ve olabildiğince az miktarda indiyum koyuldu. Hazırlanan
bu yapı indiyumların erimesi için Şekil 4.7’de gösterilen kontak fırınına
koyuldu. Fırına 20 dakika azot verildikten sonra ısıtıcı 400 0 C ’ye kadar yavaş
yavaş ısıtılarak indiyumun erimesi sağlandı. İndiyumların eridiği gözlendikten
sonra kapatılan fırında numune birkaç dakika soğumaya bırakıldı.
Kontakların sağlamlığını mikroskop altında kontrol ettikten sonra teller
numune tutucuya lehimlenerek numune dikkatli bir şekilde sabitlendi. Isı
iletimini sağlamak için ve herhangi bir kontak kopmasına karşı numune
tutucu teflon bant ile iyice sarıldı.

Şekil 4.7‘de numunenin konulduğu cam fırın, Şekil 4.8’de ise numunenin son
hali ve numune tutucunun sembolik şekilleri verildi.

Şekil 4.7. Cam kontak fırını

 54

(a) (b)

Şekil 4.8. Numunenin; (a) Van der Pauw geometrisine göre kontak alındıktan
sonraki hali, (b) Numune tutucuya yerleştirilmiş hali

4.5. Akım-Voltaj Ölçümleri

Özdirenç ve Hall etkisi ölçümlerine başlamadan önce yüzeye alınan

kontakların omik karakteristik gösterip göstermediğini teyit etmek amacıyla
öncelikle numunenin akım-voltaj (   V ) karakteristiği incelenir. V
verilerinin tamamen lineer çıktığı gözlemlenirse, bu durum kontakların omik
olduklarını, ölçülen her bir verinin numuneden geldiğini kontaklardan hiçbir
etki gelmediğini doğrular [35].

Bu çalışmada kullanılan numunelerin her biri için   V karakteristikleri ölçüldü

ve tüm ölçüm sonuçlarında kontakların ohmik olduğu gözlemlendi. Resim
4.2’de ohmik davranış sergileyen bir numune için   V ölçümü verildi.

Resim 4.2. Ohmik davranış gösteren bir numunenin   V karakteristiği

 55

4.6. Özdirenç ve Hall Etkisi Ölçümleri

InxGa1 xP için Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri Van der Pauw tekniği

kullanılarak gerçekleştirildi. Van der Pauw geometrisine uygun olarak kontak

alınan numunelerde akım gerilim değişimini incelemek için Şekil 4.9’da
görüldüğü gibi iki özdirenç iki Hall voltajı ölçümü yeterlidir.

Fakat gerçekte Hall voltajında doğru sonucun alınmasını etkileyecek bazı

durumlar vardır. Bu etkiler Look tarafından,

VH/  VH  VN  VR  VE (4.10)

şeklinde verilir. Yukarıdaki eşitlikte Hall voltajına ek olarak gelen potansiyeller

şu şekilde tanımlanır. Manyetik alan varken, dış bir akımın söz konusu
olmadığı bir durumda numunenin uçları arasında sıcaklık farkı oluşur. Bu
durumda elektronlar sıcak bölgelerden numunenin sonlarındaki soğuk
bölgelere hareket etme eğilimi gösterirler ve bu yolla bir akım oluştururlar.
Oluşan bu akım manyetik alanla doğru orantılı olup bu olay Nernst veya
Nernst- Ettingshausen etkisi olarak bilinir. Bu etkinin oluşturduğu potansiyel
VN ile gösterilir. Sıcak elektronların dağılımı numune yüzeyinde sıcak ve

soğuk bölgeler meydana getirerek ikinci bir Seebeck potansiyeli oluşur. Bu

potansiyel Righi-Leduc potansiyeli olarak bilinir ve VR ile ifade edilir.

Dışarıdan herhangi bir sıcaklık değişimi olmasa bile numunedeki yavaş

(soğuk) ve hızlı (sıcak) elektronlar bu değişimi oluşturabilir. Böylece dahili
olarak üretilen bir Seeback etkisi oluşur. Bu potansiyel Ettingshausen etkisi
olarak bilinir ve VE ile tanımlanır. Oluşan bu etki hem manyetik alanla hem de

akımla doğru orantılıdır [36].

Hall potansiyele ek olarak gelen bu etkileri minimuma indirmek açısından

farklı kontak çiftleri kullanılarak 8 özdirenç ve 8 Hall ölçümü olmak üzere
toplam 16 farklı ölçüm yapıldı. Şekil 4.8’den de görüldüğü gibi yapılan
 56

özdirenç ölçümlerinde yan yana olan kontak çiftlerine akım uygulandığında

ve karşı kontaklardan, Hall ölçümlerinde ise numuneye dik bir manyetik alan
altında bir çapraz kontak çiftine akım uygulandığında diğer çapraz kontak
çiftinden gerilim ölçülür. Farklı kontak konfigürasyonları ile olası durumlar
ölçümler dahil edildiği için Hall potansiyele ek olarak gelebilecek tüm etkiler
en aza indirgenmiştir. Ölçülen sonuçlarda ısıl yollarla üretilen bu
potansiyellerin etkisi olmadığı kabul edilir.

4.6.1. Özdirenç ölçümleri

Özdirenç ifadesi 1958 yılında Van der Pauw tarafından,

d  R12,34  R23,41   R12,34 

  f  R  cm (4.11)
ln2  2   23,41 

şekliyle tanımlanmıştır [37]. Buradaki d; numunenin kalınlığı, RAB,CD

VD  VC VCD
RAB,CD   (4.12)
 AB  AB

olarak tanımlanır. f; düzeltme faktörü olup,

2 4
 R12,34   R12,34  R23,41  ln(2)  R12,34  R23,41   (ln(2))2 (ln(2))3 
f
R   1         (4.13)
 23,41   R12,34  R23,41  2  R12,34  R23,41   4 12 

eşitliği ile verilir. Şekil 4.9 (a) ve (b)’deki konfigürasyona bağlı sekiz ölçüm
gerçekleştirildi.

4.6.2. Hall etkisi ölçümleri

Hall ölçümleri genel olarak özdirenç ölçümleri birleştirilerek, Şekil 4.9 (c) ve (
 57

(d)’ de verilen şemaya uygun olarak gerçekleştirilir. Uygulanan akım birimi

Amper (A), manyetik alan birimi Gauss (G), numune kalınlığı cm ve okunan
voltaj Volt (V) alındığında Hall katsayısı aşağıdaki gibi verilir.

 dR13,24  3 1
RH  108   cm C (4.14)
 B 

Bu eşitlikte R13,24 numuneye dik bir manyetik alan uygulandığında R13,24

dirençlerindeki değişimi göstermektedir. Isıl kaynaklı Ettinghausen, Nernst ve

Righieduc etkilerini Hall katsayısı ölçümlerinde en aza indirgemek ve en
doğru sonucu elde etmek için düz-ters akım ve manyetik alan uygulanarak
sekiz ölçüm alınır.

Sekiz özdirenç ve sekiz Hall katsayısı ölçümleri olmak üzere toplamda 16

tane ölçüm gerçekleştirildi. Taşıyıcıların Hall mobilitesi (hareketliliği) (μH) ve
Hall taşıyıcı yoğunluğu (nH) değerleri özdirenç ve Hall katsayısı eşitlikleri
kullanılarak aşağıdaki gibi verilir.

RH
H  cm2 V 1s1 (4.15)


1
nH  cm3 (4.16)
eRH

Elde edilen eşitliklerden de görüldüğü gibi numune kalınlığı (d), 3-Boyutlu

özdirenç ve Hall taşıyıcı yoğunluğu için gereklidir. 2- boyutlu Hall mobilitesi,
özdirenç, Hall katsayısı ve Hall taşıyıcı yoğunluğu numunenin kalınlığından
(d) bağımsız olabilir. Bu şekilde hesaplanan taşıyıcı yoğunluğu 2- Boyutlu
taşıyıcı yoğunluğu, özdirenç ise 2-Boyutlu özdirenç adını alır. 2-boyutlu
ifadeler ölçümleri kalınlıktan bağımsızlaştırması ve kolaylaştırması
bakımından yaygın olarak kullanılırlar [38].
 58

Şekil 4.9. Van der Pauw geometrisine uygun olarak yapılan özdirenç (a ve b)
ve Hall etkisi (c ve d) ölçümlerinin şematik gösterimi
 59

5. BULGULAR VE TARTIŞMA

5.1. Giriş

Bu çalışmada MBE yöntemi ile büyütülen (x=0,43 ve x= 0,45) ve p ( x=0,46

ve x=0,47) tipi InxGa1-xP yarıiletkenlerinde özdirenç, Hall etkisi ölçümleri ve
iletkenlik analizleri yapıldı. 0,4 T’lik sabit manyetik alanda 30-300 K sıcaklık
aralığında Van der Pauw geometrisine uygun olarak gerçekleştirilen ölçümler
sonucunda numunelere ait özdirenç, taşıyıcı yoğunluğu ve mobilite değerleri
belirlendi. Elde edilen bu veriler ışığında numunelerin elektriksel iletim
özellikleri incelendi. Bu kapsam dâhilinde, öncelikle numunelerin kritik taşıyıcı
yoğunluğu belirlendi ve iletim safsızlık bandı iletimi olan VRH iletimiyle
açıklanamayacağı belirlendi. Yapılan hesaplamalar sonucu; elde edilen
verilerin VRH iletiminin geçerlilik şartlarını sağlamaması ve bütün
numunelerde ölçülen taşıyıcı yoğunluğunun kritik taşıyıcı yoğunluğundan
büyük olması nedeniyle, deneysel iletkenlik metalik iletim modeli kullanılarak
edildi. Elde edilen sonuçlar deneysel ve teorik sonuçları kıyaslanarak
yorumlandı.

5.2. Hall Etkisi Verilerinin Sıcaklığa Bağlı Değişimleri

x alaşım oranları sırasıyla x1= 0,43, x2= 0,45, x3= 0,46, x4= 0,47 olan InxGa1-
xP/GaAs yapısındaki numunelerin 30-300 K sıcaklık aralığında 0,4 T’lık sabit
manyetik alanda özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri gerçekleştirildi. Ölçümler
sonucunda numunelerin Hall katsayısı, özdirenci, taşıyıcı yoğunluğu ve
mobilite değerleri elde edildi.

x1= 0,43, x2= 0,45 oranına sahip numunelerin negatif, x3= 0,46, x4= 0,47
oranına sahip numunelerin ise pozitif Hall katsayısına sahip olduğu görüldü.
Bu durumda yapılan iletkenlik hesaplamalarında taşıyıcı olarak, n tipi
numuneler için elektronlar, p tipi numuneler için deşikler göz önüne alındı.
 60

Numunelerin oda sıcaklığındaki (T=300 K) özdirenç, taşıyıcı yoğunluğu,

mobilite değeri ve diğer bazı verileri Çizelge 5.1’de verilmiştir.

Çizelge 5.1. Numunelerin indiyum oranı (In), tipi, oda sıcaklığındaki özdirenç
(ρ), iletkenlik (σ), taşıyıcı yoğunluğu (n,p), mobilite (μ), kalınlık
(d) değerleri

Çizelge 5.1’de verilen değerlere bakıldığında hem n tipi hem de p tipi

numuneler için In oranı arttıkça mobilitenin arttığı gözlenir. Bu durum
mobilitenin etkin kütleyle ters orantılı olması ile açıklanabilir. Çizelge 2.1’de
verilen materyal parametrelerine bakıldığında GaP’ın etkin kütlesinin InP’ın
etkin kütlesinden daha büyük olduğu buna bağlı olarak da InP’ın mobilitesinin
GaP’dan büyük olduğu görülür. Yani kısacası yapıdaki In oranı arttıkça etkin
kütle azalacağından mobilitenin artması beklenen bir sonuçtur.

InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklık bağımlı özdirenç (iletkenilk) ve Hall

etkisi sonuçları; taşıyıcı yoğunluğu, iletkenlik ve mobilite ölçümleri sırasıyla
Şekil 5.1, 2 ve 3’de verildi. Şekil 5.1’de numuneler için n-T grafiğine bakılırsa,
numunelerin taşıyıcı yoğunluğunun neredeyse sıcaklıktan bağımsız bir
davranış sergilediği görülür. Şekil 3.6’dan yola çıkarak bu durum, iletimin
iletkenlik bandında cereyan etmediğini ve bütün numuneler için iletimin
safsızlık bandında gerçekleştiğini söyler.

Şekil 5.2’de numunelerin σ-T grafiği verildi. Yarıiletken malzemelerde

genellikle sıcaklık arttıkça iletkenlik artmaktadır. Fakat söz konusu yapıların
iletkenliği yarıiletkenlerin aksine sıcaklığa zayıf bir bağımlılık göstermektedir.
 61

Bu davranış dejenere yarıiletkenlerin bir özelliğidir. Bu durumda metalik

iletkenlik modelinin geçerli olması beklenir. Fakat bunun için öncelikle
numunelerin kritik taşıyıcı yoğunluğu hesaplanmalıdır.

Şekil 5.3’de ise μ-T grafiği verilmiştir. Çizelge 2.1’deki değerlere bakıldığında
mobilitenin oldukça düşük olduğu görülür. Bu durum fazla taşıyıcı
yoğunluğundan kaynaklı yapıdaki deformasyonlar ve oluşan saçılma
mekanizmalarının baskın olduğu ile açıklanabilir.

Şekil 5.1. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel n, p-T

grafiği
 62

Şekil 5.2. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel σ-T grafiği

Şekil 5.3. InxGa1-xP/GaAs numuneleri için sıcaklığa bağlı deneysel μ-T grafiği
 63

5.3. Kritik Taşıyıcı Yoğunluğunun Belirlenmesi

InGaP/GaAs yapısına ait n,p-T grafiklerine bakıldığında taşıyıcı yoğunluğu

neredeyse sıcaklıktan bağımsızdır. Bu durum sonucunda her bir numune için
Bohr yarıçapı ve kritik taşıyıcı yoğunluğu (nc) Eş.3.26 ve Eş3.28 ile
hesaplandı. Elde edilen sonuçlar Çizelge 5.2’de verildi.

Çizelge 5.2. InxGa1-xP/ GaAs yapısına ait statik dielektrik sabiti (εr), etkin kütle
(m*/m0), Bohr yarıçapı (aB), kritik taşıyıcı yoğunluğu (nc), Hall
taşıyıcı yoğunluğu (nH)

Göz önüne alınan numuneler için kritik taşıyıcı yoğunluğu ile deneysel
taşıyıcı yoğunluğu değerleri kıyaslandığında n>nc olduğu ve iletimin metalik
bölgede gerçekleştiği anlaşılır. Ancak; metal-yalıtkan Mott geçişindeki
nc1/3aB≈0,25-0,4 belirsizlik ve karşılama (dengeleme) oranındaki (k=NA/ND)
belirsizlikler göz önüne alındığında en azından küçük taşıyıcı yoğunluğuna
sahip numuneler için VRH modelinin geçerliliği olup olmadığı araştırılmalıdır.

5.4. VRH İletim Modeli Hesaplamaları

Bu bölümde, bir önceki kesimde (5.3) verilen sebeplerden dolayı x=0,45 ve

0,47 alaşım oranlı n ve p tipi numunelere Eş.3.30’da verilen VRH iletkenlik
modeli uygulandı. VRH iletkenlik modelinde yüksek sıcaklık bölgesinde s=1/4
alınır (T-1/2exp[-(T0/T)1/4]) ve bu model Mott VRH iletimi ismiyle anılır.
Düşük sıcaklık bölgesinde ise s=1/2 alınır (T-1exp[-(T0/T)1/2]) ve bu
model de ES (Efros-Shklovskii) VRH iletimi olarak adlandırılır. x=0,45 ve 0,47
 64

alaşım oranlı numuneler için; yüksek sıcaklık bölgesinde Eş.3.32, düşük

sıcaklık bölgesinde Eş.3.36 deneysel iletkenliğe uyarlandı (fit edildi).
Uyarlama sonuçları Şekil 5.4, 5.5, 5.6 ve 5.7’de verildi. Şekillerden de
görüldüğü gibi iyi bir uyarlama elde edildi ve uyarlama parametreleri ( ve T0)
Çizelge 5.3’de verildi.

Her ne kadar iletkenlik modellerinin deneye uyarlanması esas olsa da elde

edilen uyarlama parametrelerinin Mott ve ES modellerinin geçerlilik kriterlerini
sağlaması gerekmektedir. VRH iletiminin geçerli olması için hem Mott hem
de ES iletimi için Rhop/ξ>1 ve Δhop>kBT şartları sağlanmalıdır. Eş.3.34,
Eş.3.35, Eş.3.38 ve Eş.3.39 kullanılarak Rhop (sıçrama mesafesi), Δhop
(sıçrama enerjisi) hesaplandı ve Çizelge 5.3’de verildi. Çizelge 5.3’den
görüldüğü gibi en küçük taşıyıcı yoğunluklu numuneler için bu şartlar
(Rhop/ξ>1 ve Δhop>kBT) sağlanmamıştır. Bu nedenle göz önüne alınan bütün
numuneler için iletimin tamamen metalik bölgede olduğu anlaşılır.

Çizelge 5.3. x=0,45 ve x=0,47 için Mott ve ES VRH modeline ait iletim
parametreleri
 65

Şekil 5.4. n tipi x=0,45 numunesi için T>154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/4 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir

Şekil 5.5. n tipi x=0,45 numunesi için T<154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/2 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir
 66

Şekil 5.6. p tipi x=0,47 numunesi için T>154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/4 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir

Şekil 5.7. p tipi x=0,47 numunesi için T<154 K sıcaklık bölgesinde ln(-
T-1/2 grafiği. Semboller deneysel verileri çizgi ise teorik fiti temsil
etmektedir
 67

5.5. Metalik İletkenlik Analizleri

Çalışılan bütün numuneler için n>nc olması, taşıyıcı yoğunluklarının

sıcaklıktan bağımsız olması veya azalan sıcaklıkla azalarak sıfıra gitmemesi
ve bir önceki bölümde tartışılan VRH iletim sonuçlarının dikkate alınmasıyla
çalışma konusu olan tüm numuneler için metalik iletkenlik modelinin geçerli
olduğu anlaşılmaktadır. Yüksek sıcaklık bölgesinde, metallerde iletkenlik
sıcaklığa bağlı olarak azalır. Düşük sıcaklık bölgesinde ise iletkenlik, bir
metalin aksine tıpkı bir yarıiletken gibi, davranarak artan sıcaklık ile artış
gösterir. Düşük sıcaklıklar için söz konusu bu durum elektron-elektron (EEI)
ve zayıf lokalizasyon (WL) etkileri ile açıklanır. Bu sebeplerden dolayı metalik
iletim modeli için iletkenlik, düşük sıcaklık ve yüksek sıcaklık bölgesi olmak
üzere, iki ayrı durumda incelendi. Düşük sıcaklık bölgesi için EEI ve WL
etkilerini içiren, Eş.3.41 ((T)=m1/2+BTp/2) ile tanımlanan iletkenlik
modeli, yüksek sıcaklık bölgesi için ise bu etkileri içermeyen, Eş.3.40
((T)=n) ile verilen basit iletkenlik modeli uygulandı.

5.5.1. Yüksek sıcaklık bölgesi

Yüksek sıcaklık bölgesinde iletkenlik metallerde olduğu gibi azalma eğilimi

gösterir. Bu yüzden yüksek sıcaklık bölgesi için Eş.3.40 ile tanımlanan basit
iletkenlik modeli geçerlidir. Bu nedenle Eş.3.40 ((T)=n) deneysel
verilere uyarlandı (fit edildi). En uygun uyarlama n=2 değerleri ile elde edildi.
Uyarlama sonuçları Şekil 5.9, 10, 11 ve 12 de düz çizgilerle verildi. Uyarlama
parametreleri (σ0 ve A) Çizelge 5.4’de verilmiştir. İlgili şekillerden de
görüldüğü gibi her dört numune için de yüksek sıcaklık bölgesinde iyi bir
uyum elde edilmiştir. Diğer taraftan, elde edilen σ0 ve A parametreleri literatür
ile uyumludur [15]. Eş.3.40’ta verilen n değeri için n=2 ise elektron-elektron
etkileşmeleri, n=3 olduğu durumda ise elektron-fonon etkileşmeleri baskındır
[15]. Bu bölge için n=2 değerinin daha uygun olduğu, elektron-elektron
etkileşmelerinin daha baskın ve elektron-fonon etkileşmelerinin zayıf olduğu
 68

bulundu.

Çizelge 5.4. Yüksek sıcaklık bölgesi için uygulanan basit iletkenlik modeli için
elde edilen σ0,ve A parametreleri

5.5.2. Düşük sıcaklık bölgesi

Numunelerin, n>nc bölgesinde metalik fazda olmasına rağmen düşük sıcaklık

bölgelerinde iletkenliğin metallerin aksine tıpkı bir yarıiletken gibi artan
sıcaklıkla beraber arttığı veya en azından artma eğilimli olduğu gözlemlendi
(Şekil 5.2). Bu durum daha önceden de tartışıldığı gibi EEI ve WL etkileşme
terimleri içeren metalik iletkenlik modeli ile açıklanır. Bu nedenle, düşük
sıcaklık bölgesinde Eş.3.41 ((T)=m1/2+BTp/2) deneysel verilere
uyarlandı. Uyarlama sonuçları Şekil 5.9, 10, 11 ve 12 de kesikli çizgilerle ve
uyarlama parametreleri (m ve B) Çizelge 5.5’de verildi. Uyarlamada en
iyi uyumu p=2 değeri sağladı. Bu durum elektron-elektron etkileşmelerin
baskın olduğunu gösterir [16]. Şekil.5.9, 10, 11 ve 12 den görüldüğü gibi her
dört numune için de düşük sıcaklık bölgesinde iyi bir uyum elde edilmiştir.
 69

Çizelge 5.5. Düşük sıcaklık bölgesi için Eş 3.41’in deneysel verilere

uyarlandığında elde edilen iletim (uyarlama) parametreleri

Çizelge 5.6. Düşük sıcaklık bölgesi için Eş 3.41’in B=0 olduğu durum için
deneysel verilere uyarlandığında elde edilen iletim (uyarlama)
parametreleri

İyi bir uyum elde edilmesine rağmen; Çizelge 5.5’den de görüldüğü gibi ilgili
literatüre göre [23] çok küçük B değerleri elde edilmiştir. Bu nedenle B’li
terimi kullanmadan ((T)=m1/2) uyarlama yapıldığında; hem
uyarlamada hem de uyarlama parametrelerinde (ve m) gözle gözlenen
herhangi bir değişiklik olmadığı görüldü. (T)=m1/2+BTp/2 kullanılarak
yapılan uyarlama eğrisi ile (T)=m1/2 kullanılarak yapılan uyarlama
eğrisi neredeyse üst üste çakışmaktadır. Çizelge 5.5’de B0 ve Çizelge
5.6’da ise B=0 olduğu durumunda Eş.3.41’in deneysel verilere
uyarlandığında elde edilen parametreler verildi. İki durum içinde parametre
değerlerinde pek bir değişiklik olmadığı görüldü. m elektron-elektron
etkileşmelerini, B ise zayıf lokalizasyon etkisini gösteren terimdir. Bundan
dolayı elektron-elektron etkileşmelerinin daha baskın olduğu, zayıf
 70

lokalizasyon etkilerinin ihmal edilebilir derecede az olduğu yani elektron-

elektron etkileşmelerinin iletkenliğe daha fazla katkı yaptığı söylenebilir.

Elektron-elektron etkileşmelerinin tanımlayan m parametresinin her bir

numune için teorik hesaplaması, Bölüm 3.9.1 de verilen işlem basamakları
takip edilerek Eş. 3.42’den hesaplandı ve Çizelge 5.2 de verildi. m
parametresinin teorik olarak hesaplanmasında kullanılan Fermi likit
parametresi F, Bölüm 3.9’da tartışılan Thomas-Fermi yaklaşımından
hesaplanabilir. F değeri genel olarak 0 ile 1 aralığında değişir. Fermi likit
parametresi Eş. 3.46, 47, 48 ve 49 kullanılarak hesaplandı. Hesaplamalar
sonucu elde edilen F değerleri sıfıra daha yakındır. Perdeleme uzunluğunu
geçiş civarında daha da büyük hale gelir bu yüzden geçiş noktasına
yaklaştıkça F’in sıfıra gitmesi beklenilen bir sonuçtur [18]. F değerini
hesaplarken kullanılan  parametresi band yapısından hesaplanabilen bir
sabittir. Bu değer hesaplamalarda ihmal edildi.

Bu kabuller sonucunda; teorik hesaplanan m değerleri ile deneysel m

değerleri arasında en azından mertebe olarak bir uyumluluk beklenir. Şekil
5.8’de teorik ve deneysel m değerleri verildi. Şekilden görüldüğü gibi, teorik
değerlerle deneysel değerler bir birine eşit olmasa bile; x=0.47 numunesi
hariç diğer üç numune için deneysel ve teorik değerler iyi bir uyum
içerisindedir.

mDeneyselmTeorik olmasının nedenlerinden ilki; m parametresi hesaplanırken

yapıya ait bir sabit olan  değeri ihmal edilmiştir. İkinci olarak da yapıdaki
düzensizlikler tam olarak belirlenemez. Bu sebeplerden dolayı m değerlerinin
eşit olmaması ve mertebe olarak tutarlı olması sonucu kabul edilebilir bir
sonuçtur.
 71

10
m ((cm-1 )/ K1/2 )

0,1

mDeneysel
mTeorik

0,01
0,42 0,43 0,44 0,45 0,46 0,47 0,48

In (%)

Şekil 5.8. Deneysel ve teorik m değerleri

Çizelge 5.7’de InxGa1-xP yapısı için Fσ, ortalama serbest yol (l), Fermi dalga
boyu (), Fermi dalga vektörü (kf), değerleri verildi. Normal metallerde l>>
şartı vardır. Yapıdaki düzensizlikler arttıkça l değeri  değerine yaklaşır.
Hatta yapı çok düzensiz ise l< olabilir. Bu durumda iletim modeli olarak
σ=σ0+mT1/2 geçerlidir. Bu durum; B=0 durumudur ve çalışma konusu olan
InxGa1-xP/GaAs numunelerinde düşük sıcaklık bölgesinde taşıyıcı iletimini
açıklar. Sonuç olarak, InxGa1-xP/GaAs numunelerinin oldukça fazla yapı
kusurlarına sahip olduğu söylenebilir.

Çizelge 5.7. InxGa1-xP yapısı için teorik Fσ, ortalama serbest yol (l), Fermi
dalga boyu (), Fermi dalga vektörü (kf), değerleri

n ve p tipi yüksek katkılı InxGa1-xP/GaAs (x=0,43, 0,45, 0,46, 0,47) alaşım

yarıiletkenlerinde taşıyıcı iletimi; yüksek sıcaklıklarda basit metalik iletkenlik
((T)=n), düşük sıcaklıklarda EEI ve WL etkileşimleri içeren
((T)=m1/2+BTp/2) metalik iletkenlik modeli açıklanır. Sonuç olarak;
 72

katkılanmaya bağlı olarak InxGa1-xP/GaAs yapısının oldukça bozuk olduğu ve

tamamen dejenere yarıiletken karakteristiği sergilediği söylenir.

Şekil 5.9. x=0,43değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller deneysel
verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını ve kesikli
çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik uyarlamasını
göstermektedir

Şekil 5.10. x=0,45 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını
ve kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik
uyarlamasını göstermektedir
 73

Şekil 5.11. x=0,46 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını
ve kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik
uyarlamasını göstermektedir

Şekil 5.12. x=0,47 değerine sahip numune için σ-T grafiği; semboller
deneysel verileri, düz çizgi basit metalik iletkenlik uyarlamasını
ve kesikli çizgi ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik
uyarlamasını göstermektedir
 74

6. SONUÇLAR

Bu çalışma kapsamında MBE yöntemi ile büyütülen yüksek seviyede katkılı

InxGa1-xP/GaP alaşım yarıiletkeninde, sırasıyla x1=0,43, x2=0,45, x3=0,46,
x4=0,47 In oranına sahip dört numune için Hall etkisi ölçümleri yapıldı.
Yapılan ölçümler 0,4 Teslalık sabit manyetik alan altında, 30-300 K sıcaklık
aralığında gerçekleştirildi. Ölçüm sonuçları safsızlık bandının metalik
iletkenlik modeli kullanılarak analiz edildi.

Hall etkisi ölçümleri sonucunda bulunan Hall katsayısının; x1=0,43, x2=0,45

In oranına sahip numuneler için negatif ve x3=0,46, x4=0,47 In oranına sahip
numuneler için ise pozitif değer aldığı bulundu. Bu sonuç dâhilinde n tipi
yarıiletkenler için taşıyıcı olarak elektronlar, p tipi olanlar için ise taşıyıcı
olarak deşikler hesaba katıldı.

Göz önüne alınan her iki tip numunenin de taşıyıcı yoğunlukları grafiği hemen
hemen sıcaklıktan bağımsız bir davranış sergilediği görüldü. Katkılanmanın
çok fazla olmasından dolayı numunelerin iletkenliklerinin metalik faza geçiş
yaptıkları düşünüldü. Bu itibarla her bir numunenin metal-yalıtkan (MIT)
geçişi için kritik taşıyıcı yoğunluğu; Mott’un metal-yalıtkan geçiş kriteri ile
hesaplandı. Kritik taşıyıcı yoğunluğu n tipi numuneler için 10 16 cm-3, p tipi
numuneler için ise 1019 cm-3 mertebesinde elde edildi. Numunelerin deneysel
taşıyıcı yoğunlukları ile kritik taşıyıcı yoğunlukları kıyaslandığında n>nc
olduğu görüldü. Bu durum, yüksek seviyede katkılı InxGa1-xP/GaP
yarıiletkenleri için iletimin safsızlık bandı safsızlık bandında cereyan ettiğini
söyler.

Her ne kadar iletimin metallik iletim modeline uygun olduğu görülse de, Mott
yalıtkan-metal geçişindeki belirsizlik göz önüne alınarak diğer bir safsızlık
iletim olan VRH (değişken aralıklı sıçrama) araştırıldı. VRH iletim modeli,
düşük taşıyıcı yoğunluklu n ve p tipi iki numuneye uyarlandı (fit edildi) ve
oldukça güzel bir uyarlama elde edildi. Ancak deney ile teori arsında iyi bir fit
 75

olması ilk şart olsa da; uyarlamadan elde edilen parametrelerin hem Mott
VRH hem de Shklovskii-Efros VRH iletim modellerinin geçerlik kriterlerini
sağlamadığı ve VRH iletim modelinin geçerli olmadığı tespit edildi. Bu
sonuçlar; yüksek seviyede katkılı InxGa1-xP/GaP yarıiletkenlerinde iletimin
kesinlikle safsızlık badının metalik fazında gerçekleştiğini gösterir.

Katkılı InxGa1-xP/GaP yarıiletkenlerinde, yüksek sıcaklık bölgesinde basit

metalik iletkenlik ((T)=n) modeli deneysel iletkenlik verilerine
uyarlandı. Yüksek sıcaklık bölgesinde teorik uyarlama ile deney arasında iyi
bir uyum elde edildi. Uyarlama sonucunda bütün numuneler için n=2 elde
edildi. n=2 olması, yüksek sıcaklık bölgesinde elektron-elektron
etkileşmelerinin baskın olduğunun teyididir. Diğer taraftan da elde edilen
ve A parametrelerinin literatür ile de uyumlu olduğu görüldü.

Düşük sıcaklık bölgesinde ise kuantum düzeltmeli metalik iletkenlik

((T)=m1/2+BTp/2) modeli deneysel iletkenlik verilerine uyarlandı. Bu
sıcaklık bölgesinde de yine teorik uyarlama ile deney arasında iyi bir uyum
elde edildi. Ancak, uyarlamadan elde edilen zayıf lokalizasyon etkileşmelerini
ihtiva eden B katsayısının ilgili literatüre göre çok düşük olduğu görüldü. Bu
nedenle; model B’li terim kullanılmadan ((T)=m1/2) deneysel verilere
uyarlandı. Modelin bu haliyle, teorik uyarlama ile deney arasında yine çok iyi
bir uyum elde edildi. Diğer taraftan, modelin B’li terimi içerdiği ve içermediği
haliyle uyarlamalar ve elektron-elektron etkileşmelerini ihtiva eden m
değerlerinde de herhangi bir kayda değer farlılık görülmedi. Bu sonuçlar;
katkılı InxGa1-xP/GaP yarıiletkenlerinde, bütün sıcaklık bölgesinde (30–300 K)
taşıyıcı iletiminde elektron-elektron etkileşmelerinin baskın olduğu, zayıf
lokalizasyon ve elektron-fonon etkileşmelerinin ise çok düşük olduğu
sonucunu verir.

Elektron-elektron etkileşmelerini ihtiva eden m parametreleri deneyden

bağımsız teorik olarak hesaplandı. Deneysel (uyarlamadan) ve teorik
 76

hesaplamadan elde edilen m parametre arasında iyi bir uyum olduğu gibi ilgili
literatürle de uyumlu olduğu görüldü.

Sonuç olarak; yüksek seviyede katkılı, n ve p tipi InxGa1-xP/GaP

yarıiletkenlerinde elektriksel iletim, Mott yalıtkan-metal geçişinin metalik
tarafındadır. Elektriksel iletim, yüksek sıcaklık bölgesinde basit metalik
iletkenlik modeliyle ((T)=n), düşük sıcaklık bölgesinde ise kuantum
düzeltmeli metalik iletkenlik modeliyle ((T)=m1/2) açıklanır ve tüm
sıcaklık bölgesinde elektron-elektron etkileşmeleri baskındır.
 77

KAYNAKLAR

1. Selver, R., Katı, E., Çırak, Ç., "Silindirik Sabit Sıcaklık

Konfigürasyonunda Farklı Soğuk Duvar Sıcaklık Etkisi Altında Kararlı
Yüzey Gerilimli Akıştan Osilasyonlu Yüzey Gerilimli Akışa Geçişin
Araştırılması", Makine Teknolojileri Elektronik Dergisi, 4 (3) : 1-12
(2007).

2. Öztürk, O., ’'Yarıiletken Dedektörler’', Lisans Tezi, Kilis 7 Aralık

Üniversitesi , Kilis, 3 (2007).

3. Kara, İ., ‘'Lec Tekniği ile Büyütülen Zn Katkılı InAs Yarıiletkeninde

Sıcaklık Bağımlı Manyetik ve Elektron İletim Özellikleri’', Gazi
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, 1-3 (2006).

4. Gunther, K.G., Z., Naturforce., Inst. Rev., 13 (a): 1081 (1958).

5. Cho, A.Y.,Panish,M. B.Hayashi, I., Proc.Third.Int.Sympo.On GaAs

And Related Compounds,Inst. Of Phys., London, 18 (1971).

6. Ferrini, R., Guizetti, G., Patrini, M., Parisini, A., Tarricone, L., Valenti,
B., ‘'Optical Functions of InGaP/GaAs epitaxial layers from 0,01 to 5.5
eV’', The Europen Physical Journal B, 27, 449-458 (2002).

7. Denizli, T., ‘'GaInP/GaAs Kuantum Kuyulu yapılarda Alaşım

Düzensizliği ve arayüzey Pürüzlülüğü Saçılması, Balıkesir
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Balıkesir, 5-13 (2006).

8. Turton, R., ‘' Katıların Fiziği’', Y. K. Yoğurtçu, Erzurum, 50-59 (2007).

9. Tunalıoğlu, S.Ş., ‘'InGaP Yarıiletkeninde Mobilite Analizi’', Yüksek

lisans Tezi, Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 4-13 (2007).

10. Yurdugül, Ü., ‘'Lec Tekniği ile Büyütülen Te Katkılı n-tipi InSb
Yarıiletkeninde Sıcaklık Bağımlı Manyetik ve Elekyron İletim
Özellikleri’', Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 4-12 (2005).

11. İnternet: Ioffe Physico Technical Institute, ‘’Physical Properties of

Semiconductor’’
http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/Semicond/GaInP/ (26.02.2013).

12. Soylu, Ö., ‘'Delta Katkılı Yarıiletkenlerin Elektronik Özellikleri’',

Çukurova Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, 15-23 (2011).

13. Varshni, Y.P., ‘'Temperature Dependence of the Energy GaP in

Semiconductors’', Phsica, 34:149-154 (1967).
 78

14. Kasap, M., ‘' The Temperature and Pressure Dependence of Electron
Transport in Plastically Relaxed InxGa1-xAs’', Doktora Tezi, University
of Surrey Faculty of Science Department of Physics, Surrey, 8
(1993).

15. Yazbahar, E., ‘'Yüksek katkılı In xGa1-xAs Alaşım Yarıiletkenlerin

Sıcaklığa Bağımlı Elektriksel Özellikleri’', Yüksek Lisans Tezi, Gazi
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, 19-27 (2012).

16. Mott, N. F., ‘’Metal-Insulator Transitions’’, London, 5-58, 1990.

17. Look, D.C., Fang, Z.Q., Look, J.W., Sizelove, J.R., ‘'Hopping
Conduction in Molecular Beam Epitaxial GaAs Grown at very Low
Temperatures’', Journal of Electrochemical Society, 141(4): 120-
160 (1994).

18. Yıldız, A., ’'InxGa1-xN Yarıiletkeninin Elektron İletim Özellikleri’',

Doktora Tezi, Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, 16-
58 (2008).

19. Yıldız, A., Lişesivdin, S.B., Kasap, M., Mardane, D., ‘'Electrical
Properties of TiO2 Thin Films’', Journal of Non-crystalline Solids, 3
(54),4944-4947 (2008).

20. Mott, N.F., Davis, E.A., ‘'Electronic Processes in Non-Crystalline

Materials 2nd ed.’’, Clorendon, 7-62 (1979).

21. Efros, A.L. and Shklovskii, B.I., ‘'Coulomb Gap and Low Temperature
Conductivty of Disordered Systems’', Journal of Physics C., 8
(4):L49 (1975).

22. Stokes, H., ‘' Solid State Physcis’', Allyn and Bacon, Massachusetts,
180 (1987).

23. Yıldız, A., Lişesivdin, S.B., Acar, S., Kasap, M., Bosi, M., ‘'Electron
Transport in Ga-Rich InxGa1-xN Alloys’', Chin. Phys. Lett., 24
(10):2930-2935 (2007).

24. Bergman, G., ‘'Electron Scattering by Electron Holograms’', Phy. Rev.

B, 35 (9): 4205-4215 (1987).

25. Lee, P.A., Ramakrishan, T.V., ‘'Disordered Electronic Systems’', Rev.

Mod. Phys., 57 (2):287-237 (1935).

26. Dai, P., Zhang, Y.,Srachip, M.P., ‘'Low Temperature Transport in the
Hopping Regime Evidence for Correlations Due to Exchange’', Physc.
Rev. Lett., 69 (12):1804-1806 (1992).
 79

27. Leighton, C., Terry, I., Becla, P., ‘'Metallic Conductivity Near the Metal-
Insulator Transition ın Cd1-xMnxTe’', Phys. Rev. B., 58,9773-9782
(1998).

28. Altshuler, B.L., Aronov, A.G., ‘'Fermi Liquid Theory in The Electron-
Electron İnteraction Effects in Disordered Metals’', Solid State
Commun, 46(6):429-435 (1983).

29. Acar, S., Yıldız, A., Kasap, M. and Bosi, M., ‘'Temperature Dependent
Electron Transport in In0,5Ga0,5P/GaAs Grown by MOVPE’', Chin.
Phys. Lett., 8,2373-2375 (2007).

30. Taştaban, E., ‘'Moleküler Demet Epitaksi ile Üretilmiş Pd-Zr İnce
Filmlerin Karekterizasyonu’', Yüksek Lisans Tezi, Sakarya
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Sakarya, 35 (2008).

31. Cankuş Aydın, G., ‘'MBE ile Büyütülen Si Delta Katkılı GaAs’in
Elektriksel ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi’', Yüksek Lisans Tezi,
Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, 11-14 (2007).

32. Çetin, S.Ş., ‘'GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n Eklem Yapılarını Optik

ve Yapısal Özelliklerinin İncelenmesi’', Doktora Tezi, Gazi
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara, 48-51 (2010).

33. Lişesividin, S.B., ''InAlN/GaN Temelli Yüksek Elektron Hareketlilikli

Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Manyeto İletim Özellikleri’',
Doktora Tezi, Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü,Ankara, 51-
63 (2008).

34. Haderick, A.,R., Williams, R.H., ‘'Metal Semiconductor Contacts’',

Clarendon Press, Oxford, 79-88 (1988).

35. Hollaway, P.H., Mc Guire, G.E. ‘'Hanbook of Compaund

Semiconductors’', Park Ridge, New Jersey, 779-812 (1995).

36. Look, D.C., ’'Electrical Charecterization of GaAs Materials and

Devices’', John Wiley and Sons, New York, 1-57 (1989).

37. Vander Pauw, L.J., ‘'A method of Measuring Spesific Resistivity and
Hall Effect of Disc of Orbitrary Shape’', Philips Research Reports, 13
(2):1-9 (1958).

38. Tunay Taşlı, P., ‘'InAlN/GaN Temelli Yüksek Elektron Mobiliteli

Transistörlerin (HEMT) Elektron ve Mageto İletim Özelliklerinin
İncelenmesi’', Doktora Tezi, Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri
Enstitüsü,Ankara, 74-86 (2010).
 80

ÖZGEÇMİŞ

Kişisel Bilgiler
Soyadı, Adı : BOYALI, Emine

Uyruğu : T.C.

Doğum tarihi ve yeri : 15 Ağustos 1988, Antalya

Medeni hali : Bekar

Telefon : 0 (507) 7501188

Eposta : emineboyali@gmail.com

Eğitim
Derece Eğitim Bilgileri Mezuniyet Tarihi
Lisans Gazi Üniv. Fen-Edebiyat Fak. 2009

Lise Kale Çok Programlı Lisesi 2005

Yabancı Dil
İngilizce

Hobiler
Programcılık, Satranç, Yüzme, Kitap Okuma, Masa tenisi