4/26/2016

Bölüm 7: Elektriksel Özellikler

Malzemelerin Elektriksel Özellikleri
CEVAP ARANACAK SORULAR...
• Elektriksel iletkenlik ve direnç nasıl tarif edilebilir?
• İletkenlerin, yarıiletkenlerin ve yalıtkanların ortaya
• Elektron hareketliliği
çıkmasında hangi fiziksel süreçler bulunmaktadır? • İletkenlik
• Metallerin iletkenliği kusurlardan, ısıdan ve deformasyon
oluşumundan nasıl etkilenmektedir?
• Enerji bant yapıları
• Yarıiletkenlerin iletkenliği kusurlardan ve ısıdan
nasıl etkilenmektedir?

1 2

Elektriksel İletkenlik Elektriksel Özellikler

• Ohm Yasası: V=IR • Hangisi daha büyük dirence sahiptir?
Potansiyel fark (volt = J/C) Direnç (Ohm)
C = Coulomb Akım (amper = C/s) 
2 2 8
D R1  
D 2 D 2
• özdirenç , r:   

  2 
-- malzeme boyutundan ve biçiminden bağımsız olan bir özelliktir
Akımın geçtiği 2D   R
RA yüzey alanı R2    1
 2D 2 D2 8
 l   
Akımın aldığı yol   2 

• iletkenlik, s 1 • Borudan akan suya benzer

(özdirencin tersi, r) 
 • Direnç boyut ve biçime bağlıdır

3 4

1
 4/26/2016

Tanımlar Örnek : iletkenlik problemi

İlave tanımlar Potansiyel farkın < 1.5 V olması için en küçük çap nedir?
J=s <= Ohm yasasını gösteren bir başka yol
  100 m
akım
akık I - I = 2.5 A +
J  akım yoğunluğu   Cu tel
yüzey alanı A
V
  elektrik alan potansiyeli = V / 
100 m
< 1.5 V
J = s (V /  )  V
R  2.5 A
D 2 As I
Elektron akışı iletkenlik voltaj farkı
4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1
(Cu için bilinen)
Bu eşitlikten çap D > 1.87 mm olarak bulunur
5 6

İletkenlik: karşılaştırma
•Katı malzemelerin elektriği iletmelerine göre
sınıflandırmanın ilk yolu üçe ayırmaktır: • Oda sıcaklığı değerleri (Ohm-m)-1 = ( - m)-1
METALLER iletkenler SERAMIKLER
-10
1) İletkenler, 2) Yarıiletkenler, ve 3) Yalıtkanlar: Gümüş 6.8 x 10 7 Cam 10 -10-11
Bakır 6.0 x 10 7 Beton 10-9
•“Metaller” iyi iletkendirler, iletkenlikleri yaklaşık 7
107( Ω-m)-1 (iletken) civarındadır. Demir 1.0 x 10 Aluminyum oksit <10-13

•Az sayıdaki çok düşük iletkenliğe sahip malzemelerde,

bu değer 10-10 ile 10-20( Ω-m)-1 arasındadır. Bunlara YARIİLETKENLER POLİMERLER
“Yalıtkanlar” denir. Silikon 4 x 10 -4 Polistiren <10 -14
Germanyum 2 x 10 0 Polietilen 10-15-10-17
•Orta derecede iletkenliğe sahip malzemelerin
GaAs 10 -6
iletkenlikleri, 10-6 ile 104( Ω-m)-1 arasında değişir ve
yarıiletkenler yalıtkanlar
“Yarıiletkenler” olarak adlandırılırlar.
7 8

2
 4/26/2016

Oda sıcaklığındaki metal, seramik, polimer ve yarıiletken

malzemelerin elektriksel iletkenlik aralıkları. Elektriksel iletim

• Elektriksel alan etkisinde elektriksel yük

taşıyıcılarının uzak mesafeli hareketleri
sonucu oluşur.

• Elektriksel yük farklı şekillerde taşınabilir.

9 10

• Metaller: • Kovalan bağlı malzemeler:

Yarı iletken veya yalıtkanlarda elektronun
Valans elektronlar (-) kutuptan (+) kutba hareket edebilmesi için kovalan bağın
doğru kolayca hereket eder. kırılması ve elektronun kopması gereklidir.

 Elektron (+) kutba doğru gittiğinden eksi yük taşıyıcı

 Elektron (+) kutba doğru gittiğinden eksi yük taşıyıcı
 Elektron deliği (-) yönden gelen bir elektronla
doldurulduğundan (+) yük taşıyıcı

11 12

3
 4/26/2016

• İyonsal bağlı malzemeler: Elektron Hareketi

İyonların yayınması (difüzyonu) gereklidir. •Bir elektrik alan uygulandığında, serbest elektronlar (negatif
yüklü olmaları nedeniyle) alanın ters yönünde hızlanarak
(sıvı eriyiklerde görülür) harekete geçerler.

•Kuantum mekaniğine göre, kusursuz bir kristalde atomlarla

hızlanan elektronlar arasında herhangi bir etkileşim söz
konusu değildir.

•Bu koşullar altında tüm elektronların elektrik alan

uygulandığı sürece hızlanacağı ve akımın zamana bağlı
olarak sürekli artacağı söylenebilir.

13 14

Elektron Hareketi Elektron Hareketi

•Ancak, belirli bir elektrik alan uygulandığında akımın sabit •Her sapma elektron hareketinde değişime ve kinetik enerji
bir değere kadar ulaşabildiğini biliyoruz. Bu durum, kaybına neden olur. Neticede, elektrik alanın tersi
“sürtünme” benzeri kuvvetlerin varlığını gösterir. yönündeki net elektron hareketi sonucunda taşınan yük
miktarı elektrik akımı demektir.
•Bu kuvvetler kristal yapıdaki:
-yabancı atomlar,
-boş köşeler,
-arayer atomları,
-dislokasyonlar, ve
-atomların ısıl titreşimlerinden kaynaklanmaktadır.

15 16

4
 4/26/2016

Elektron Hareketi
Sürüklenme hızı (vd): Sıcaklık etkisinde kristal içindeki atomlar
“uygulanan elektrik alan etkisiyle titreştikçe, hareket halindeki elektronlar
yönlenen elektronların ortalama
titreşim yapan bu atomlara çarpar.
hızı”. Elektriksel alan ile orantılıdır:

µe : Elektron hareket yeteneği, m 2/V.s

 : Elektrik alan potansiyeli
Özgül İletkenlik :
σ=n.q.µe
n : Birim hacimdeki aktif halde olan elektron sayısı
q : Elektriksel yük(1.6x10-19 C)

17 18

Sıcaklığın elektriksel dirence etkisi

• Elektronların hareketi için en ideal ortam ısıl
titreşimlerin olmadığı (minimum enerjili) 0oK’de
kusursuz kristallerdir.

   o  T

o: 0oK’deki özdirenç

T: T sıcaklığındaki özdirenç

19 20

5
 4/26/2016

Süperiletkenler Elektriksel direnci etkileyen faktörler

• T = Tc olduğunda ısıl titreşimler etkisiz Kristal içinde hareket eden elektronlar;

olur ve direnç aniden azalarak sıfıra düşer, dislokasyonlar, boşluklar, yabancı katkı
malzeme süper iletken olur. atomları ve herhangi başka kafes
Özdirenç kusurlarıyla çarpışırlar.

metal
süper iletken

0 Tc Sıcaklık (oK)
21 22

Cu-Ni alaşımlarında özdirencin

bileşimle değişimi
Özdirenç

%0 %50 %100
Cu Ni

23 24

6

Elektronların Enerji Bant Yapıları
•Enerji bandı modeli elektriksel iletkenliği
açıklamada önemlidir.
•İletken, yarıiletken, ve birçok yalıtkan
malzemelerde, sadece elektriksel iletkenlik bulunur
(iyonsal iletkenlik bulunmaz), ve bu elektriksel
iletkenliğin büyüklüğü büyük oranda iletkenlik
sürecine dahil olan elektron sayısına bağlıdır:
Ancak, tüm atomların her bir elektronu elektrik
alan içerisinde yönlenmez.
25
Elektronların Enerji Bant Yapıları
Hatırlatma:
•Her bir atomun elektronlar tarafından doldurulan ayrı enerji
seviyeleri mevcuttur. Bu elektronlar kabuk ve altkabuklarda
dizilirler.
•Kabuklar sayılarla (1, 2, 3, gibi), altkabuklar ise harflerle
gösterilirler (s, p, d, ve f ). Her s, p, d, ve f altkabuğu için,
sırasıyla, 1, 3, 5, ve 7 seviye vardır.
•Atomların büyük çoğunluğunda elektronlar ilk olarak en
düşük enerji seviyesini doldururlar. Her enerji seviyesinde
birbirinin tersi istikametinde dönen en fazla 2 elektron bulunur
(Pauli prensibi).
•Tek atomdaki elektron dağılımı enerji seviyelerinin
düzenini gösterir.
27
4/26/2016
Elektronların Enerji Bant Yapıları
Bir malzemede elektriksel iletkenliği sağlayan
elektron sayısı:
•Elektronların durumuna (bağlı/serbest) veya
enerji seviyelerine, ve
•Bu seviyelerin ne kadarının elektronlar
tarafından doldurulduğuna bağlıdır.
Bu konu oldukça karmaşık ve “kuantum mekaniği”
prensiplerini içermesi nedeniyle bu ders konusu
kapsamı dışındadır; bu nedenle bazı kavramları
ihmal edip kalanları basitleştirilecektir.
26
•Bir katının, çok sayıda (N adet) bireysel atomun düzenli bir
atomsal diziliş oluşturmak üzere bağlanarak biraraya gelmesi
sonucu oluşan kristal yapılı malzeme olduğu düşünülürse;
•Her atomun birbirinden görece uzak olması, birbirinden
bağımsız olduğu ve farklı atomsal enerji düzeylerine sahip
olacağı elektron diziliminin “yalıtılmış” gibi olduğunu gösterir.
•Ancak, atomlar belirli bir yakınlığa geldiklerinde, elektronlar
komşu atomun elektronları ve çekirdeğini etkiler. Bu etki
atomsal yapıda elektronların gruplara bölünmüş halde birbirine
yaklaşmasına ve “elektron enerji bandı” oluşturmasına neden
olur.
28
7
 4/26/2016

Elektronların Enerji Bant Yapıları Bant Yapısı

•Bölünmenin derecesi atomlar arası mesafeye bağlı olup en dıştaki
elektron kabuklarından başlar (atomlar biraraya geldiklerinde ilk olarak
uyarılanlar onlardır).
•Her bantta enerji seviyeleri ayrık fakat aralarındaki fark sonsuz
küçüklüktedir. Bundan dolayı bir bant içine çok sayıda elektron yerleşebilir.
•Denge mesafesinde, “bant oluşumu” çekirdeğe en yakın olan
altkabuklarda oluşmayabilir.
•Ayrıca, komşu bantlar arasında “aralıklar” meydana gelebilir.
•“Bant aralıkları” içerisindeki enerji seviyelerinde elektron bulunmaz.

Elektron enerjisinin
atomlar arası
mesafe ile
değişimini 12 atom
içeren bir tane için
gösteren şema.

Katılardaki elektron Atomlararası mesafe

Denge
yapılarının mesafesi
29 geleneksel gösterimi 30

0 K sıcaklıkta 4 farklı yapıda bant oluşumu mümkündür.

•Birincisi, “en dıştaki bandın kısmen elektronla dolu olma durumu”

Bir katının elektriksel özellikleri elektron bant 0 K sıcaklıkta en son dolan (en üstteki) enerji seviyesine Fermi enerji
yapıları ile doğrudan ilişkilidir: seviyesi denir.

Bu enerji bandı oluşumu, sadece s valans elektronuna sahip olan bazı

•En dıştaki elektron bantlarındaki diziliş ve, metallerde (bakır gibi) görülür. Her bakırda sadece bir adet 4s elektronu
bulunur; yani kapasitesinin yarısı kadar elektron içerir.
•Elektronlarla doldurulma şekilleri.

Bakır gibi bazı metallerin elektron bant

yapılarında, dolu seviyelerle aynı hatta
daha üst düzeylerde boşluklar bulunabilir.

31 32

8
 4/26/2016

Diğer iki bant yapısı benzerdir; elektronlarla dolu bir bant (valans
İkinci tür bant yapısında, dolu bir bant ile boş bant bandı) ile boş bir iletim bandı arasında bir enerji boşluğu
arasında boşluk bulunur. Ve yine metallerde görülür. bulunmaktadır.
•Saf malzemeler, bu boşluğa karşılık gelen enerji seviyelerinde
elektron içermeyebilirler.
•Magnezyum bu tür bant yapısına sahiptir. Her Mg atomu
•Bu iki tür bant yapısının arasındaki fark enerji boşluğunun
(izole edilmiş halde olan) “iki” adet 3s elektrona sahiptir. büyüklüğünden kaynaklanmaktadır;
Ancak, katı oluştuğunda, 3s ve 3p bantları çakışır. •Yalıtkanlarda, bant boşluğu büyük,
•Yarıiletkenlerde dardır.

(a) Yalıtkanlarda elektron bant yapısı; dolu

Magnezyum benzeri elektron bant valans bandı boş olan iletim bandından
yapılarına sahip metallerde görülen, dıştaki nispeten büyük bir bant aralığı ile ( >2eV)
ayrılmıştır.
dolu ve boş bantların çakışma durumu.
(b) Yarıiletkenlerin elektron bant yapıları da,
yalıtkanlarınkiyle aynıdır, sadece bant
boşluğu daha dardır (<2 eV).

33 (a- yalıtkan) (b- yarıiletken) 34

Bant yapıları
Metaller:
•Bir elektronun serbest hale gelmesi için, Ef seviyesinin üzerinde ve boş bir enerji
seviyesine doğru yönlendirilmesi gerekir.
•Metallerde üst düzeyleri dolduran elektronların (Ef) çok yakınında boş enerji
düzeyleri bulunur. Böylece bu elektronlar çok az bir enerji ile üstteki boş banda
yükseltilebilir.
•Genellikle, bir elektrik alan tarafından sağlanan enerji çok sayıda elektronun
iletim bandına geçmesi için yeterlidir.

(a) Metal (bakır – yarı dolu enerji bandı

(b) Metal (magnezyum – 3s ve 3p bantları çakışık)

(c) Yalıtkan (dolu valans bandı büyük bir aralıkla iletim bandından ayrılır)

(d) Yarı iletken (dolu valans bandı küçük bir aralıkla iletim bandından ayrılır) (Elektron geçişinin öncesi ve sonrası)
35 36

9
 4/26/2016

Enerji Bant Yapıları:

İletkenlik & Elektron Geçişi
• Metaller (İletkenler):
Yalıtkanlar & Yarıiletkenler
-- metallerde boş enerji seviyeleri ile dolu seviyeler birbirine • yalıtkanlar: • yarıiletkenler:
çok yakındır. Kısmen dolu bant
-- geniş bant aralığı (> 2 eV) -- dar bant aralığı (< 2 eV)
Çakışan bantlar -- aralıktan atlayabilen az -- daha fazla sayıda atlayan
Enerji Enerji sayıda elektron elektron
-- ısıl enerji elektronların
boş Enerji boş Enerji
üst seviyelerdeki boş bant
boş
iletim iletim
bantlara doğru hareket boş bandı
BOŞLUK ? bandı
etmesini sağlar bant BOŞLUK BOŞLUK
-- metallerde iki tip bant kısmen

Dolu seviyeler
dolu dolu
yapısı mevcuttur

Dolu seviyeler
dolu dolu

Dolu seviyeler

Dolu seviyeler
bant bant
- kısmen dolu valans valans
- dolu bant ile çakışan bandı bandı
boş bant
dolu dolu
bant bant dolu dolu
bant bant
37 38

Enerji Bant Yapıları: Enerji Bant Yapıları:

Yalıtkanlar & Yarıiletkenler Yalıtkanlar & Yarıiletkenler
Elektronlar serbest hale gelmek ve iletim bandına ulaşmak için bant •Sıcaklık (ısıl enerji) ile harekete geçirileren iletim bandına
boşluğunu aşmaları gerekir. Bu ise ancak bant boşluk enerjisi kadar ulaşan elektron sayısı “boş bant enerji aralığı”’na olduğu
enerjinin elektrona verilmesi ile mümkün olabilir, Eg.
kadar “sıcaklığa” da bağlıdır.

•Belirli bir sıcaklıkta, boş bant enerji aralığının Eg büyüklüğü

valans elektronun iletim bandına atlama olasılığı ile ters
orantılıdır. Bu nedenle çok az sayıda elektron iletkenlik
sağlar.

•Diğer bir deyişle, “büyük bant boşluğu, düşük iletkenlik

anlamına gelir” (sıcaklık değişimi söz konusu olmaması
durumunda).

39 40

10
 4/26/2016

Yalıtkanlarda ve Yarıiletkenlerde
Enerji Bant Yapıları:
Yük Taşıyıcılar
Yalıtkanlar & Yarıiletkenler
İki tür elektriksel yük taşıyıcı
•Yani, “yarıiletkenler” ile “yalıtkanlar” arasındaki farkın vardır:
nedeni bant boşluğunun genişliğinden kaynaklanır;
Serbest Elektron
•Yarıiletkenlerde dar iken – negatif yük
•Yalıtkan malzemelerde nispeten daha geniştir. – iletim bandı içinde

•Sıcaklık artışı bir “yarıiletkende” de veya bir “yalıtkanda” da Elektron Deliği

elektronları hareketlendirecek bir ısıl enerji artışına yol açar. – pozitif yük
Böylece daha fazla elektron iletim bandına geçebilir ve – valans bandı içindeki
iletkenlik artar. boşalan elektron seviyesi

Farklı hızlarda hareket ederler

41 42

YARIİLETKENLER

YARIİLETKENLER
HAS KATKILI
YARIİLETKENLER YARIİLETKENLER

N-Tipi P-Tipi

43 44

11
 4/26/2016

Has Yarıiletkenler Has Yarıiletkenler

•Has yarıiletkenler elektron bant yapısı, 0 K’de, tam dolu
valans bandı ile görece dar bir yasak bandın ayırdığı boş iletim •Bunlara ek olarak birçok has yarıiletken mevcuttur
bandından meydana gelir. Genellikle yasak bant genişliği 2
eV’tan küçüktür. •Periyodik cetvelde IIIA ve VA grupları, (Ör: galyum arsenit
(GaAs) ve indiyum antimonit (InSb)) has yarıiletken
•En önemli yarıiletkenler periyodik oluştururlar; bunlara III–V bileşikleri adı verilir.
cetvelin IV. grubunda bulunan silikon
(Si) ve germanyum (Ge). Bunların •IIB ve VIA grup elemanlarının oluşturduğu bileşikler de
bant boşluk enerjileri, sırasıyla, 1.1 ve yarıiletken özellik gösterirler (Ör: kadmiyum sulfit (CdS) ve
0.7 eV’tur. çinko tellur (ZnTe)).
•Her ikisi de kovalan bağlı olup elmas
kübik veya kompleks kübik kafese
sahiptir.

45 46

Has Yarıiletkenler Has Yarıiletkenlik: Elektron

• Saf yarıiletkenler: Ör: silikon & germanyum ve Elektron Deliği Hareketi
– Grup IVA malzemeleri

• Bileşik haldeki yarıiletkenler •Has yarıiletkenlerde, iletim

– III-V bileşikleri bandına atlayan her elektron,
kovalan bağlarda bir elektron
• Ör: GaAs & InSb
kaybı demektir. (Valans
– II-VI bileşikleri banttaki eksik elektron, bant
• Ör: CdS & ZnTe planında görülmektedir.)
– Bileşenlerin elektronegatiflikleri arasındaki fark
büyüdükçe boş bant genişliği de artar

47 48

12
 4/26/2016

Has Yarıiletkenlik: Elektron

Has Yarıiletkenlik: Elektron
ve Elektron Deliği Hareketi ve Elektron Deliği Hareketi
•Elektrik alan etkisi altında, kristal kafes içinde ortaya çıkan elektron
• Elektron ve Elektron Deliği:
deliği, bağlarını kopararak harekete geçen diğer valans elektronlar valans elektron delik elektron delik
tarafından doldurulduğu için hareket ettiği düşünülebilir. elektronu Si atomu
çifti oluşumu çifti hareketi

•Bu “delik” pozitif yük taşıyıcı durumundadır.

- + - +
•Taşıdığı yükün ise elektron ile aynı mertebede fakat ters işaretli
olduğu kabul edilmektedir (+1.6x10-19 Coulomb).
Elektrik alan yok Elektrik alan var Elektrik alan var
•Nitekim, elektrik alan etkisinde, harekete geçen “elektronlar” ve
“delikler” ters yönde hareket ederler. Ayrıca, her ikisi de hareketleri • Elektriksel İletkenlik :
# delik/m3
sırasında, kafes içerisinde bulunan kusurlar nedeniyle yollarından
saparlar. s  n e e  p e  h
delik hareket yeteneği
# elektron/m3 elektron hareket yeteneği
49 Electrical charge (1.6x10-19 Coulomb) 50

Has Yarıiletkenler:
Yük Taşıyıcı Sayısı İletkenlik vs T
Has İletkenlik • Saf Silikon:
-- T arttıkça s artar
s  n e e  p e  h -- metallerin aksi !!!!
  ni e e  h 

• has yarıiletkenlerde n = p = ni
E gap / kT
 s = ni|e|(e + h) ni  e
• Ör: GaAs (Gallium Arsenide)
malzeme bant aralığı (eV)
 106 (  m) 1 Si 1.11
ni  
e e   h  (1.6 x1019 C)(0.85  0.04 m 2 /V  s) Ge
GaP
0.67
2.25
CdS 2.40
GaAs için ni = 7.0 x 1012 m -3 Selected values from Table 18.3,
Callister & Rethwisch 8e.

Adapted from Fig. 18.16,

51 Callister & Rethwisch 8e. 52

13
 4/26/2016

KATKILI Yarıiletkenler:
YARIİLETKENLER
•Hemen hemen tüm ticari yarıiletkenler katkılıdır. Bunlarda,
çok düşük konsantrasyonlarda olsa da katkı elemanı
sayesinde ortaya çıkan fazladan elektronlar veya boşluklar
elektriksel davranışı belirler.
HAS KATKILI
YARIİLETKENLER YARIİLETKENLER
•n-Tipi Katkılı Yarıiletken.
•p-Tipi Katkılı Yarıiletken.
N-TİPİ P-TİPİ

53 54

n-Tipi Katkılı Yarıiletkenlik: Fazlalık haldeki bağ

kurmamış elektron

•Bir Si atomunun herbiri komşu Si atomu ile kovalan

YARIİLETKENLER bağlarla bağlı 4 adet elektronu bulunmaktadır.

•Valans elektron sayısı 5 olan bir katkı elemanının

Si atomları ile “yer değiştirdiği” düşünülürse.

•Katkı elemanındaki “beş” valans elektronunun

“dört” tanesi bağ kurmada görev almaktadır. Çünkü
HAS KATKILI komşu atomlarla en fazla dört adet bağ
YARIİLETKENLER YARIİLETKENLER kurabilmektedir.

•Fazlalık halde kalan bağ kurmamış elektron ise

N-Tipi P-Tipi zayıf elektrostatik çekim kuvvetleri ile katkı elemanı
civarında gevşek olarak bağlıdır.

•Bu elektronun bağ enerjisi görece küçüktür (0.01 eV

civarında); bundan dolayı, katkı elemanından
kolayca ayrılarak serbest hale geçer ve iletkenlik
sağlar.
55 56

14
 4/26/2016

•Gevşek olarak bağlı bulunan her bir elektronun, iletim bandının hemen altında
bulunan yasak bant içerisine düşen bir enerji seviyesi bulunmaktadır.

•Bu elektronu iletim bandına atlatarak iletkenlik sağlayabilmek daha kolay olduğu için
has yarıiletkenlere göre daha büyük iletkenliğe sahiptirler. YARIİLETKENLER
•Fazla elektronların hareketi söz konusu olduğundan elektron boşluğu bulunmaz.

•Katkı elemanı çevresindeki elektronların tümü iletim bandına atladığında oluşacak

en büyük katkılı iletkenlik:
HAS KATKILI
s  n e e YARIİLETKENLER YARIİLETKENLER

N-Tipi P-Tipi

57 58

p-Tipi Katkılı Yarıiletkenlik: p-Tipi Katkılı Yarıiletkenlik:

•“Silikon” veya “germanyum” atomları, üç değerlikli,
“aluminyum”, “boron”, ve “galyum” gibi Grup IIIA elemanı ile
yerdeğiştirdiğinde tersi bir etki görülür.
•Eksik elektron nedeniyle oluşan bağ eksikliğine elektron
deliği denir.
•(-) kutup yönünde hareket eden elektron deliğinin
davranışı n-tipi iletkenlerde hareket eden elektrona
benzer.
•Elektron deliğinin (-) kutba doğru hareketinden dolayı
“(+) yük taşıyıcı” adını alır. Bu şekilde oluşan yarıiletkene;

•Elektriksel alan etkisinde (-) kutba yakın bir elektron yerinden

koparak elektron deliğini doldurur.

•Sonuç olarak, elektron ve delik yerdeğiştirmiş olurlar.

59 60

15
 4/26/2016

p-Tipi Katkılı Yarıiletkenlik: p-Tipi Katkılı Yarıiletkenlik:

•Elektron deliğinden dolayı valans enerji bandında boş bir
enerji düzeyi bulunmaktadır
•Bandın içinden bir elektronu (+) kutba daha yakın olan
elektron deliğine yerleştirmek için E kadar enerji (alıcı
enerjisi) vermek gerekir.
•Ancak bu enerji bir elektronu serbest hale getirmek için
yeterli değildir.
•N-tipi kadar olmasa da P-tipi katkılı iletkenlik yanında, has
iletkenlik ihmal edilebilir.
•Dolan elektron deliği sayısı en fazla katkı elemanı sayısı
kadar olabilir (Alıcı doyma durumu). Bu durumda en büyük
katkılı iletkenlik elde edilir

s  p e h

61 62

Has-Katkılı İletkenlik Karşılaştırması Has Yarıiletkenlerde İletkenlik ile Sıcaklık

• has: İlişkisi
-- saf Si
-- # elektron = # delik (n = p)
•Elektron ve delik konsantrasyonu
• katkılı: sıcaklıkla birlikte artar (artan ısıl
-- katkı elemanları sayesinde ortaya çıkan fazla elektronlar veya enerji daha fazla valans elektronunun
delikler ile iletkenlik sağlanır iletim bandına atlayabilmesini sağlar).
-- n ≠ p
•Yarıiletkenlerde de sıcaklık
• n-tipi katkılı: (n >> p) • p-tipi katkılı: (p >> n) arttıkça ortamın direnci artar ancak
yük taşıyıcı sayısındaki büyük artış,
Fosfor atomu Boron atomu
delik
dirençteki artışın iletkenlik üzerinde
4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+ 4+ oluşturacağı olumsuz etkiyi örter.
iletim
s  n e e elektronu s  p e h
4+ 5+ 4+ 4+ 4+ 3+ 4+ 4+ •Ge’daki taşıyıcı konsantrasyonu
valans Si’dan büyüktür (germanyumun boş
4+ 4+ 4+ 4+ elektronu 4+ 4+ 4+ 4+
bant genişliği daha küçüktür).
Elektrik alan yok Si atomu Elektrik alan yok
63 64

16
 4/26/2016

Katkılı Yarıiletkenlerde İletkenlik ile Elektriksel İletkenlik – Sıcaklık İlişkisi

Sıcaklık İlişkisi
 E g / 2 kT
•Düşük sıcaklıklarda: P donör seviyesindeki    0e
elektronları, iletim bandına atlatacak ısıl enerji
yeterli değildir.
•Orta sıcaklıklarda: malzeme n-tipi yarı iletkendir.
Ve elektron konsantrasyonu sabittir. İletim
bandındaki elektronlar fosfor verici seviyesinden
uyarılır. Elektron konsantrasyonu yaklaşık olarak  ( E g  Ed ) / kT
P miktarına (1021 m -3) eşit olduğundan, neredeyse    0e
fosfor atomlarının tamamı iyonize olmuştur (yani
bütün elektronları iletkenliğe katılır).
•Yüksek sıcaklıklarda: Yarı iletken, has yarı
iletken özellikleri kazanır. Yani, artan sıcaklıkla
yasak bant aralığını geçen has yük taşıyıcı sayısı
önce verici sayısına eşitlenir, daha sonra verici    0e  Eac / kT
taşıyıcı sayısını aşar.
Has yarı iletken Si (kesikli çizgi) ve 1021 m-3
donör empürite (P) ile katkılanmış n-tipi Si için
elektron konsantrasyonu-sıcaklık ilişkisi

65 66

Elektriksel İletkenlik – Sıcaklık İlişkisi Yarıiletken Cihazlar: p-n Doğrultucu Birleşim (Diyot-
Rectifying Junction)
 E g / 2 kT
Eg 1 • Sadece tek yönlü elektron akışına izin verir (Örn., alternatif akımı doğru
   0e ln   ln  0 - akıma çevirmede kullanışlıdır).
2k T
Eg -- Uygulanmış potansiyel yok: + p-type+ -n-type
-
(has yarıiletkenler için) +
Egim  Net akım debisi yok + -
2k + - -
-- İleri gerilim (forward bias):
Taşıyıcılar azalmış bölge
lnσ Taşıyıcılar p-tipi ve n-tipi
p-type + - n-type
bölgelerden akarlar; boşluk ve + + -
+ -
 ( Eg  Ed ) (n-tipi katkılı elektronlar p-n bağlantısında + - -
Egim  + -
yarıiletkenler için) yeniden biraraya gelir;
k
Eac akım gerçekleşir
Egim  (p-tipi katkılı
-- Ters gerilim (reverse bias):
k yarıiletkenler için) n-type -
Taşıyıcılar p-n bağlantısından + p-type+
- + - - +
uzağa akarlar; bağlantı bölgesi
taşıyıcıları azalır; az akım + + - -
1/T gerçekleşir

67 68

17
 4/26/2016

Doğrultucu Birleşim Özellikleri Birleşmeli Transistörler

1. Birleşim 2. Birleşim

İleri

Ters gerilim voltajı

İleri gerilim voltajı
Voltaj, V
Geri
İleri gerilim

Delinme Zaman
Yük

Giriş Çıkış
voltajı voltajı
Ters gerilim

Çıkış voltajı
Giriş voltajı
İleri
Akım, I
Geri
Zaman
Zaman Zaman
Emitter:Yayıcı
69
Base: Ana 70
Collector:Toplayıcı

Özet
• Elektriksel iletkenlik ve özdirenç:
-- malzeme özellikleridir
-- geometriden bağımsızdır
• İletkenler, yarıiletkenler ve yalıtkanların
-- iletkenlik değer sınırları farklıdır
-- elektron uyarma seviyelerinin varlığı farklıdır
• Metallerde özdirenci artıran faktörler
-- artan sıcaklık
-- safsızlıkların eklenmesi
-- plastik deformasyon
• Saf yarıiletkenlerde iletkenliği artıran faktörler
-- artan sıcaklık
-- katkılama [Örn., Si’ye B (p-tipi) veya Si’ye P (n-tipi)]
• Diğer elektriksel özellikler
-- ferroelektriklik
71
-- piezoelektriklik

18