Lời cảm ơn

Trước hết, em xin gửi lời cảm ơn đến các thầy, cô trong ban lãnh đạo viện Điện
Tử-Viễn Thông, trường Đại Học Bách Khoa Hà Nội đã tạo cơ hội để chúng em có
đợt thực tập bổ ích này.
Em xin được gửi lời cảm ơn tới toàn thể Ban Lãnh Đạo công ty, phòng R&D
của công ty TNHH ACE ANTENNA đã tạo mọi cơ hội để em có thể tham gia học
tập và nghiên cứu trong thời gian thực tập tại công ty.
Đặc biệt, em xin được gửi lời cảm ơn tới a Nguyễn Văn Minh, người đã tận tình
hướng dẫn, giúp đỡ để em có thể hoàn thành tốt đợt thực tập này.
Trong quá trình thực tập, cũng như là trong quá trình làm bài báo cáo thực tập,
khó tránh khỏi sai sót, rất mong các thầy, cô bỏ qua. Đồng thời do trình độ lý luận
cũng như kinh nghiệm thực tiễn còn hạn chế nên bài báo cáo không thể tránh khỏi
những thiếu sót, em rất mong nhận được ý kiến đóng góp thầy, cô để em học thêm
được nhiều kinh nghiệm và sẽ hoàn thành tốt hơn bài báo cáo tốt nghiệp sắp tới.
Cuối cùng em kính chúc quý thầy, cô dồi dào sức khỏe và thành công trong sự
nghiệp . Đồng kính chúc các cô, chú, anh, chị trong Ban Lãnh Đạo công ty,phòng
R&D luôn dồi dào sức khỏe, đạt được nhiều thành công trong công việc.

Hà Nội, tháng 10/2017.

Vũ Xuân Đạt

1
 Mục lục
Mục lục .................................................................................................................. 2
Chương 1: TỔNG QUAN VỀ MẠNG DI ĐỘNG 2G, 3G, 4G, 5G ...................... 4
1.1. Mạng thông tin di động 2G ..................................................................... 4
1.2. Mạng thông tin di động 3G ..................................................................... 5
1.3. Mạng thông tin di động 4G ..................................................................... 7
1.4. Mạng thông tin di động 5G ................................................................... 10
Chương 2: LÝ THUYẾT CƠ BẢN VỀ ANTEN ................................................ 14
2.1. Giới thiệu ............................................................................................... 14
2.2. Các tham số cơ bản của anten .............................................................. 15
2.2.1. Hàm tính hướng ............................................................................... 15
2.2.2. Đồ thị phương hướng và độ rộng búp sóng ....................................... 16
2.2.3. Mật độ công suất bức xạ .................................................................... 17
2.2.4. Cường độ bức xạ ................................................................................ 19
2.2.5. Hệ số định hướng ............................................................................... 19
2.2.6. Hệ số tăng ích .................................................................................... 20
2.2.7. Băng thông ......................................................................................... 22
2.2.8. Phân cực ............................................................................................. 22
2.2.9. Trở kháng vào .................................................................................... 24
Chương 3: ANTEN VI DẢI (MICROSTRIP ANTENNA) ................................ 24
3.1. Giới thiệu ............................................................................................... 24
3.2. Cấu tạo ................................................................................................... 25
3.3. Nguyên lý hoạt động của anten vi dải .................................................. 26
3.4. Tính phân cực của anten vi dải ............................................................. 27
3.5. Những phương pháp cấp tín hiệu cho anten vi dải ............................... 28
3.5.1. Tiếp điện bằng đường truyền vi dải ................................................... 28
3.5.2. Tiếp điện bằng cáp đồng trục............................................................. 29
3.5.3. Tiếp điện bằng cách ghép khe ........................................................... 30
3.5.4. Tiếp điện bằng cách ghép lân cận ...................................................... 31
3.6. Băng thông của anten vi dải ................................................................. 31
3.7. Công suất bức xạ ....................................................................................... 33
3.8. Trở kháng vào ............................................................................................ 33
2
 3.9. Phương pháp phân tích và thiết kế anten vi dải ........................................ 33
3.9.1. Mô hình đường truyền ....................................................................... 34
3.9.2. Mô hình hốc cộng hưởng ................................................................... 35
3.9.3. Mô hình sóng đầy đủ ......................................................................... 37
3.9.4. Phương pháp phần tử hữu hạn ........................................................... 37
3.10. Một số loại anten vi dải cơ bản .......................................................... 38
3.10.1. Anten patch vi dải ............................................................................ 38
3.10.2. Anten dipole vi dải và anten vòng vi dải ......................................... 39
3.10.3. Anten khe mạch in ........................................................................... 39
3.10.4. Anten sóng chạy vi dải .................................................................... 40
Chương 4: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI ................................ 40
4.1. Thiết kế anten vi dải .................................................................................. 40
4.1.1. Cơ sở thiết kế anten ........................................................................... 40
4.1.2. Tính toán các thông số của anten ....................................................... 41
4.1. Mô phỏng cấu trúc anten với phần mềm Ansoft HFSS 16.1 .................... 43

3
Chương 1: TỔNG QUAN VỀ MẠNG DI ĐỘNG 2G, 3G, 4G, 5G

1.1. Mạng thông tin di động 2G

Là thế hệ kết nối thông tin di động mang tính cải cách cũng như khác hoàn toàn
so với thế hệ đầu tiên ( Mạng 1G). Nó sử dụng các tín hiệu kỹ thuật số thay cho tín
hiệu analog của thế hệ 1G và được áp dụng lần đầu tiên tại Phần Lan bởi Radiolinja
(hiện là nhà cung cấp mạng con của tập đoàn Elisa Oyj) trong năm 1991.
Mạng 2G mang tới cho người sử dụng di động 3 lợi ích tiến bộ trong suốt một
thời gian dài: mã hoá dữ liệu theo dạng kỹ thuật số, phạm vi kết nối rộng hơn 1G và
đặc biệt là sự xuất hiện của tin nhắn dạng văn bản đơn giản – SMS.

Các thiết bị di động phổ thông hoạt động trên mạng 2G để thực hiện các
chức năng nghe, gọi cơ bản

Mạng 2G chia làm 2 nhánh chính: nền TDMA (Time Division Multiple Access)
và nền CDMA cùng nhiều dạng kết nối mạng tuỳ theo yêu cầu sử dụng từ thiết bị
cũng như hạ tầng từng phân vùng quốc gia:
GSM (TDMA-based), khơi nguồn áp dụng tại Phần Lan và sau đó trở thành
chuẩn phổ biến trên toàn 6 Châu lục. Và hiện nay vẫn đang được sử dụng bởi hơn
80% nhà cung cấp mạng di động toàn cầu:

- CDMA2000 – tần số 450 MHZ cũng là nền tảng di động tương tự GSM nói
trên nhưng nó lại dựa trên nền CDMA và hiện cũng đang được cung cấp bởi 60
nhà mạng GSM trên toàn thế giới.

4
 - IS-95 hay còn gọi là cdmaOne, (nền tảng CDMA) được sử dụng rộng rãi tại
Hoa Kỳ và một số nước Châu Á và chiếm gần 17% các mạng toàn cầu. Tuy
nhiên, tính đến thời điểm này thì có khoảng 12 nhà mạng đang chuyển dịch dần
từ chuẩn mạng này sang GSM (tương tự như HT Mobile tại Việt Nam vừa qua)
tại: Mexico, Ấn Độ, Úc và Hàn Quốc.
- PDC (nền tảng TDMA) tại Japan
- iDEN (nền tảng TDMA) sử dụng bởi Nextel tại Hoa Kỳ và Telus Mobility tại
Canada.
- IS-136 hay còn gọi là D-AMPS, (nền tảng TDMA) là chuẩn kết nối phổ biến
nhất tính đến thời điểm này và đưọ7c cung cấp hầu hết tại các nước trên thế
giới cũng như Hoa Kỳ.

Ưu điểm:
 Cải thiện được chất lượng cuộc gọi, tín hiệu và tốc độ so với thế hệ trước.
 Mã hoá dữ liệu theo dạng kỹ thuật số, giúp tiết kiệm thời gian và chi phí.
 Cung cấp tin nhắn dạng SMS.
 Thiết bị nhỏ gọn hơn.

1.2. Mạng thông tin di động 3G

Mạng 3G (Third-generation technology) là thế hệ thứ ba của chuẩn công
nghệ điện thoại di động, cho phép truyền cả dữ liệu thoại (nghe, gọi, nhắn tin thông
thường) và ngoài thoại như: tải dữ liệu, gửi Email, tin nhắn nhanh, hình ảnh...
Tốc độ 3G
Tốc độ 3G là tốc độ truyền và tải dữ liệu (tin nhắn, cuộc gọi, hình ảnh, video…).
Tốc độ càng cao nghĩa là thời gian truyền tải dữ liệu càng nhanh, dung lượng dữ liệu
càng lớn.

5
 Điểm mạnh 3G so với công nghệ trước là cho phép truy cập internet, sử dụng các
dịch vụ định vị toàn cầu GPS, truyền, nhận các dữ liệu, âm thanh, hình ảnh chất lượng
cao cho cả thuê bao cố định và thuê bao đang di chuyển ở các tốc độ khác nhau.
Tốc độ 3G chuẩn của một số mạng di động tại Việt Nam là 21 Mbps và đang
được cải tiến, nâng cao lên 42 Mbps. Do đó, người dùng 3G sẽ có thể xem phim, clip,
nghe nhạc và lướt web nhanh hơn. Trong đó:
- HSDPA (High-Speed Downlink Packet Access): Gói đường truyền tải xuống
tốc độ cao, cho phép tốc độ tải dữ liệu về máy tối đa đạt đến 42 Mbps, tương
đương với tốc độ đường truyền ADSL (1 giây có thể up xong 1 bản MP3 dung
lượng 5 MB).
- HSUPA (High-Speed Uplink Packet Access): Gói đường truyền tải lên tốc độ
cao, cho phép tốc độ tối đa đạt 5.76 Mbps.
Đa số các thiết bị smartphone, máy tính bảng hiện nay đều hỗ trợ tốc độ 3G tối
đa của HSDPA và HSUPA.

Samsung Galaxy S8 Plus hỗ trợ chuẩn 3G cao nhất và 4G LTE Cat 9

6
 Công nghệ 3G được các nhà sản xuất thiết bị viễn thông lớn trên thế giới xây
dựng thành 4 chuẩn chính:
- W-CDMA: Là nền tảng của chuẩn UMTS, sử dụng băng rộng để có tốc độ cao
hơn và hỗ trợ nhiều người dùng hơn mạng 2G, được sử dụng ở Châu Âu và
một phần châu Á, trong đó có Việt Nam.
- CDMA 2000: Một chuẩn 3G quan trọng, là thế hệ kế tiếp của các
chuẩn 2G CDMA và IS-95. CDMA 2000 cung cấp tốc độ dữ liêu từ 144 kbit/s
tới trên 3 Mbit/s.
- TD-CDMA: Được phát triển trền nền tảng chuẩn UTMS. Đây là một chuẩn
thương mại áp dụng hỗn hợp của TDMA và CDMA nhằm cung cấp chất lượng
dịch vụ tốt hơn cho dữ liệu đa phương tiện kể cả âm thanh, hình ảnh.
- TD-SCDMA: Một chuẩn khác dựa trên nền tảng chuẩn UTMS, đang được phát
triển tại Trung Quốc, nhằm mục đích như là một giải pháp thay thế cho W-
CDMA.
Ưu điểm:
 Cải thiện được chất lượng cuộc gọi, tín hiệu và tốc độ so với thế hệ trước.
 Truy cập Internet tốc độ cao kể cả khi di đang chuyển.
 Cùng với sự bùng nổ smartphone, kết nối 3G cho phép người dùng truy cập
vào thế giới nội dung đa phương tiện phong phú bao gồm nhạc, phim, hình
ảnh chất lượng cao.
 Kết hợp với các ứng dụng nhắn tin như Viber, Skype, Zalo, Line…, 3G giúp
người dùng có thể online, trò chuyện mọi lúc mọi nơi với chi phí rẻ hơn rất
nhiều so với dạng tin nhắn SMS truyền thống.

1.3. Mạng thông tin di động 4G

Hay còn có thể viết là 4-G (fourth-generation technology), là công nghệ truyền
thông không dây thế hệ thứ tư, cho phép truyền tải dữ liệu với tốc độ tối đa trong điều
kiện lý tưởng lên tới 1 - 1,5 Gbit/s.
Cách đây không lâu thì một nhóm gồm 26 công ty trong đó có Vodafone (Anh),
Siemens (Đức), Alcatel (Pháp), NEC và DoCoMo (Nhật Bản), đã ký thỏa thuận cùng
nhau phát triển một tiêu chí cao cấp cho ĐTDĐ, một thế hệ thứ 4 trong kết nối di động
– đó chính là nền tảng cho kết nối 4G sắp tới đây.

7
 Công nghệ 4G được hiểu là chuẩn tương lai của các thiết bị không dây. Các
nghiên cứu đầu tiên của NTT DoCoMo cho biết, điện thoại 4G có thể nhận dữ liệu với
tốc độ 100 Mbit/s khi di chuyển và tới 1 Gbit/s khi đứng yên, cũng như cho phép
người sử dụng có thể tải và truyền lên các hình ảnh, video clips chất lượng cao. Mạng
điện thoại 3G hiện tại của DoCoMo có tốc độ tải là 384 Kbit/s và truyền dữ liệu lên
với tốc độ 129 Kbit/s.

8
 Với những ứng dụng đa dạng như duyệt web tốc độ cao, điện thoại IP (VoIP),
game, truyền hình độ nét cao, hội thảo video... 4G là công nghệ hứa hẹn tạo ra những
bước đột phá mới về dịch vụ viễn thông.

Hiện tại các quốc gia khác đã áp dụng mạng 4G từ khá lâu rồi, Việt Nam chúng
ta cũng đã từng bước triển khai mạng 4G tại các thành phố lớn và kết quả thu được hết
sức khả quan.

4G LTE LÀ GÌ??
Nếu như bạn tham khảo thêm về phần cứng của các smartphone, hầu hết chúng
đều ghi là "hỗ trợ mạng 3G" hoặc "4G LTE" chứ không bao giờ để chữ "4G" riêng
biệt.
Trong phần trên, khi một kết nối có truyền tải dữ liệu với tốc độ lên tới 1 hay 1.5
Gb/s mới được xem là mạng 4G. Vậy nên hiện tại chưa có một thiết bị mạng hay một
chiếc smartphone nào đạt được tốc độ truyền tải như vậy.

Điều này đã làm các nhà mạng phải gắn thêm chữ "LTE" - viết tắt của Long
Term Evolution (Tiến hóa dài hạn) - để giúp người dùng hiểu rằng đây chưa phải là
một công nghệ chuẩn 4G, thay vào đó chỉ là một chuẩn tiệm cận công nghệ mạng thứ
tư. Trên thực thế, tuy điện thoại của bạn có thể hiển thị biểu tượng “4G” ở góc phải
phía trên màn hình, nhưng thực chất lại không phải kết nối 4G theo chuẩn lí tưởng
nhất.

LTE khi được viết đầy đủ nó sẽ là LTE CAT, và có khá nhiều chuẩn. CAT càng
cao thì tốc độ upload/download dữ liệu sẽ càng nhanh.

9
4G và 4G LTE giống hay khác nhau?

Chắc chắn là khác vì 4G LTE chỉ là kết nối nhanh hơn 3G và chưa đạt đến tốc độ
tải dữ liệu lí tưởng như mạng 4G trong chuẩn nghiên cứu. Hay nói cách khác thì
4G LTE cung cấp tốc độ thấp hơn nhiều so với một mạng 4G thực sự.Nghĩa là các
dịch vụ 4G LTE trên thị trường hiện nay không thực sự đáp ứng được yêu cầu kỹ
thuật của một mạng không dây 4G.

Hiện nay các cơ quan quản lí thị trường đã cho phép các hãng smarpthone dùng
định nghĩa 4G LTE để nhằm quảng bá với người dùng như là một mạng 4G thực thụ
mà thôi.
Nhưng dù sao đi nữa với 4G LTE thì việc truyền tải dữ liệu giữa các thiết bị
thông minh với nhau thông qua mạng kết nối này đã có cải thiện đáng kể so với thời
mạng GPRS nói vui là "như rùa bò" hay mạng 3G chỉ "nhanh hơn rùa một chút" mà
thôi.
1.4. Mạng thông tin di động 5G
Cụm từ 5G là viết tắt của từ 5th Generation, thế hệ thứ 5 của mạng di động. Mỗi
thế hệ tương ứng với một tập hơp các yêu cầu riêng, quyết định chất lượng thiết bị và
hệ thống mạng nào đủ chuẩn đáp ứng yêu cầu và tương thích với các hệ thống mạng
khác, mô tả những công nghệ mới, mang lại khả năng giao tiếp mới.

10
 So sánh mạng không dây 3G, 4G, 5G

Hiện 5G còn đang trong giai đoạn phát triển và hứa hẹn sẽ ứng dụng rộng rãi
trong tương lai gần nhưng là sản phẩm mới nhất, 5G sẽ khắc phục những khuyết điểm
của 4G-LTE, đặc biệt là tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh hơn gấp 20 lần, đạt 20 GPs
mỗi cell đơn tải về. Người dùng có thể xem trực tuyến video “8K” ở định dạng 3D,
kết nối thiết bị VR và chơi game mà gần như không có độ trễ.
Theo lý thuyết mạng 5G đạt tốc độ 10 Gbps (gigabit mỗi giây), thậm chí cao hơn,
ngay cả vùng rìa phủ sóng, tốc độ vẫn có thể đạt vài trăm Mbps. 5G có thể giao tiếp
tốt với các thiết bị công nghệ điện tử trong nhà thông minh và cả xe oto có kết nối
internet.
Trong khi tốc độ rõ ràng là ưu điểm vượt trội so với mạng 4G thì có các ưu điểm
khác khiến 5G sẽ là thế hệ mạng không dây của tương lai: là mạng đầu tiên sử dụng
trạm vệ tinh và không còn gặp vấn đề về phủ sóng. Bên cạnh đó 5G hứa hẹn sẽ có khả
năng tiết kiệm năng lượng hiệu quả hơn và có thể hỗ trợ, giao tiếp tốt với các thiết bị
công nghệ có kết nối mạng.

11
5G HOẠT ĐỘNG NHƯ THẾ NÀO ?
Mạng di dộng 5G được lên kế hoạch sử dụng bước sóng milimét, quang phổ tín
hiệu RF giữa các tần số cao 20GHZ và 300GHz. Các bước sóng này có thể truyền tải
khối lượng lớn dữ lệu với tốc độ cao, nhưng không truyền được xa và khó xuyên qua
tường, vượt các ngại vật như các bước sóng tần số thấp trong mạng 4G.
Vì vậy khi xây dựng mạng 5G, các nhà mạng đã sử dụng một lượng lớn ăngten để
có cùng độ phủ sóng như 4G hiện tại.

Cách thức hoạt động của mạng 5G trong thử nghiệm tại Nhật Bản
Thay vì những trạm cơ sở trên mặt đất đang được sử dụng bởi mạng 2G, 3G và
4G, có thể 5G sẽ sử dụng các trạm HAPS (High Altitude Stratospheric Platform
Stations), được biết như là những chiếc máy bay cố định ở độ cao trung bình 20 km so
với mặt đất. Chúng hoạt động như vệ tinh và thay thế các ăng ten để giúp đường
truyền tín hiệu của mạng không dây mới được thẳng và vùng phủ sóng rộng, ổn định
hơn, không bị hạn chế bởi các thiết kế kiến trúc cao tầng.

12
MẠNG 5G SẼ NHANH HƠN 4G KHOẢNG 40 LẦN ???

Tuy nhiên, số trên mới được đưa ra nhờ những thí nghiệm khoa học, tốc độ của
mạng 5G ngoài đời thực sẽ nhanh, nhưng không "khủng khiếp" vậy. Nokia, một trong
những nhân tố quan trọng của cuộc chiến mạng 5G trong tương lai, tin rằng thực tế tốc
độ tối đa của 5G sẽ khoảng 100 MB/giây, tức là gấp 4 lần tốc độ tối đa của mạng 4G.
Từ đó có thể hỗ trợ khoảng 10 nghìn người sử dụng cùng một lúc.

MẠNG 5G SẼ LÀ CHUẨN KẾT NỐI CỦA TƯƠNG LAI

Hiện nay, 3G vẫn còn tồn tại rộng rãi, trong khi đó 4G còn đang trong quá trình
triển khai trên thị trường Việt Nam thì việc xuất hiện của 5G còn nhiều xa lạ. Các nhà
mạng lớn đang đặt mục tiêu gần nhất đến 2020 sẽ bắt đầu phủ sóng 5G. Có vẻ là một
quãng thời gian dài cho người tiêu dùng tiếp cận với thế hệ mạng tương lai, nhưng là
một thời gian ngắn cho các nhà sản xuất và phát triển khi muốn phủ sóng 5G phải thay
đổi hàng loạt cơ sở hạ tầng để có thể tương thích và phục vụ mạng lưới 5G tốt nhất có
thể.

13
 Chương 2: LÝ THUYẾT CƠ BẢN VỀ ANTEN

2.1. Giới thiệu

Thiết bị dùng để bức xạ sóng điện từ (anten phát) hoặc thu sóng điện từ (anten
thu) từ không gian bên ngoài được gọi là anten.
- Anten phát: Biến đổi tín hiệu điện cao tần từ máy phát thành sóng điện từ tự do
lan truyền trong không gian
- Anten thu: Tập trung năng lượng sóng điện từ trong không gian thành tín hiệu
điện cao tần đưa đến máy thu.

Cùng với việc thu nhận hay phát năng lượng, anten trong các hệ thông không dây
thường được yêu cầu định hướng năng lượng bức xạ mạnh theo hướng nào đó và triệt
tiêu những hướng khác.Do đó, anten cũng cần phải có vai trò như một thiết bị bức xạ
hướng tính.Anten cũng phải có hình dạng khác nhau để phù hợp với những mục đích
khác nhau.
Anten là một lĩnh vực sôi động. Công nghệ anten đã là một phần không thể thiếu
trong các giải pháp truyền thông.Nhiều sự cải tiến đã được đưa ra cách đây hơn 50
năm vẫn còn được sử dụng đến ngày nay, tuy nhiên các kết mới và những thay đổi đã
được đưa ra ngày này,đặc biệt là nhu cầu hiệu suất hệ thống hệ thống ngày càng lớn
hơn.

14
Các loại anten:

2.2. Các tham số cơ bản của anten

2.2.1. Hàm tính hướng
Khi sử dụng anten chúng ta cần biết anten đó bức xạ vô hướng hay có hướng,và
ở hướng nào thì anten bức xạ là cực đại và hướng nào thì anten không bức xạ để có
thể đặt đúng vi trí cho anten.Muốn vậy ta cần biết tính hướng của anten đó.Một trong
những thông số đặc tả hướng tính của anten là hàm tính hướng.
Hàm tính hướng là hàm số biểu thị sự phụ thuộc của cường độ trường bức xạ
của anten theo các hướng khác nhau trong không gian với khoảng cách không đổi,
được kí hiệu là F(  ,  ).

Hàm tính hướng được thể hiện ở các dạng sau:

 Trường hợp tổng quát, hàm tính hướng là hàm vecto phức, bao gồm thành phần
 , :

f (  ,  )= f ( ,  )i  f ( ,  )i (2.1)

 Hàm tính hướng biên độ là hàm biểu thị quan hệ tương đối của biên độ cường
độ trường bức xạ thoe các hướng khảo sát khi cự li khảo sát không đổi, đó là
biên độ của hàm tính hướng phức:
2
f ( ,   f ( ,  )  f ( ,  )
2
(2.2)

15
 Để đơn giản cho viêc khảo sát tính hướng của anten cung như thiết lập và phân
tích đồ thị phương hướng ta dùng một hàm biên độ chuẩn hóa, là hàm số biểu thị biên
độ cường độ trường ở hướng khảo sát trên biên độ cường độ trường cực đại:
f ( ,  )
F ( ,  )  (2.3)
f ( ,  ) max

Như vậy giá trị cực đại của hàm biên độ chuẩn hóa là 1.
2.2.2. Đồ thị phương hướng và độ rộng búp sóng
Hàm tính hướng cho biết giá trị cụ thể của tính hướng môt anten, nhưng muốn
cảm nhận được bằng trực thị tính hướng của 1 anten ta phải dùng đồ thị.Đồ thị
phương hướng được vẽ bởi hàm tính hướng
Đồ thị phương hướng của anten mô tả quan hệ giữa cường độ trường bức xạ
hoặc công suất bức xạ của 1 anten trong các hướng khác nhau với khoảng cách khảo
sát cố định(tính từ anten).Đồ thị phương hướng được biểu diễn trong không gian ba
chiều (có dạng hình khối) nhưng rất khó để hiển thị một cách đầy đủ.Thông thường
,đồ thị phương hướng là một mặt cắt của đồ thị hướng tính ba chiều.Đó là đồ thị
hướng tính hai chiều trong hệ tọa độ cực hoặc trong hệ tọa độ vuông góc, loại đồ thị
có thể dễ dàng hiển thị trên giấy.

Từ đồ thị trên hình 4.3 ta nhận thấy rằng, giá trị trường bức xạ biến đổi theo sự
biến đổi của các góc phương hướng khác nhau.Vì vậy để đánh giá dạng của đồ thị
phương hướng của các anten khác nhau ta sử dụng khái niệm độ rộng của đồ thị
phương hướng hay còn gọi là độ rộng búp sóng.

16
 Độ rộng búp sóng được xác định bởi góc giữa hai hướng mà theo 2 hướng đó
cường độ trường hoặc công suất bức xạ giảm đi 1 giá trị nhất định.Có nhiều cách đánh
giá độ rộng búp sóng, thường thì độ rộng búp sóng nửa công suất được sử dụng.Độ
rộng búp sóng nửa công suất là góc giữa 2 hướng mà theo hai hướng đó công suất bức
xạ giảm đi một nửa so với công suất bức xạ cực đại.Nếu tính thoe giá trị của cường độ
điện trường thì đọ rộng búp sóng này ứng với hai hướng mà theo hai hướng đó cường
độ điện trường giảm đi 2 lần so với cường độ điện trường cực đại của anten trong
tọa độ cực.
Nếu tính theo đơn vị decibel (dB), khi công suất giảm đi 1 nửa tương ứng sẽ
giảm đi 3 dB.Bởi vậy độ rộng búp sóng nửa công suất còn được gọi là độ rộng búp
sóng 3 dB, kí hiệu là: 3dB

Như vậy độ rộng búp sóng thể hiện sự tập trung năng lượng bức xạ theo một
hướng nào đó,nếu góc 3dB càng bé thì anten đó tập trung công suất bức xạ càng
mạnh.

2.2.3. Mật độ công suất bức xạ

Sóng điện từ được dùng để truyền tải thông tin qua môi trường vô tuyến hay cấu
trúc dẫn sóng, từ điểm này qua điểm kia.Đại lượng dùng để mô tả năng lượng kết hợp
với sóng điện từ là vecto Poynting tức thồi được định nghĩa như sau:
(2.4)

Trong đó: : vecto Poynting tức thời (W/m2)

: cường độ điện trường tức thời
: cường độ từ trường tức thời (A/m)

17
 Tổng công suất đi qua một mặt kín có thể thu được bằng cách tích phân thành
phần pháp tuyến với mặt kín của vector Poynting trên toàn mặt kín đó.
Phương trình là:
(2.5)

Trong đó, : tổng công suất tức thời (W)

: vector đơn vị pháp tuyến với bề mặt
da : vi phân diện tích của bề mặt (m2)

Khi trường biến đổi theo thời gian, ta thường tìm mật độ năng lượng trung bình
bằng cách tích phân vector Poynting tức thời trong 1 chu kỳ và chia cho chu kỳ. Khi
trường biến đổi tuần hoàn theo thời gian có dạng ejωt , ta định nghĩa các trường phức E
và H, chúng có quan hệ với các thành phần tức thời và bởi công thức:

(2.6)

1
Do Re[ Eeiwt ]  [Ee jwt  E *e  jwt ] nên : (2.7)
2
(2.8)
Thành phần đầu tiên của (2.8) không biến đổi theo thời gian, và thành phần thứ
hai biến đổi theo thời gian có tần số bằng 2 lần tần số ω cho trước. Vector Poynting
trung bình theo thời gian (mật độ công suất trung bình) có thể được viết lại như sau:

(2.9)

Dựa trên định nghĩa (2.9), công suất trung bình bức xạ bởi anten (công suất bức
xạ) có thể được định nghĩa như sau:

(2.10)

18
 2.2.4. Cường độ bức xạ
Cường độ bức xạ theo một hướng cho trước được định nghĩa như sau: “Năng
lượng bức xạ từ anten trên một đơn vị góc đặc”. Cường độ bức xạ là tham số trường
xa, và được tính bằng cách đơn giản là nhân mật độ bức xạ với bình phương khoảng
cách

U  r 2 Wrad (2.11)

Trong đó: U: là cường độ bức xạ (W/đơn vị góc đặc)

Wrad : mật độ bức xạ (W/m2 )

Cường độ bức xạ cũng có quan hệ với điện trường trong trường xa của anten bởi
r2 r2 2 2
U ( ,  )  [E (r , ,  ]2  [ E 0 ( ,  )  E 0 ( ,  ) ] (2.11a)
2 2

Trong đó:  là trở kháng sóng của môi trường

e jkr
E (r , ,  ) = E 0 ( ,  ) là cường độ điện trường trong trường xa của anten
r
Tổng công suât bức xạ nhận được bằng cách tích phân cường độ bức xạ
2 
Prad   Ud     U sin  d d (2.12)
 0 0

Trong đó: d = sin  d d là một vi phân góc đặc.

2.2.5. Hệ số định hướng

Hệ số định hướng của anten được định nghĩa như sau: “tỉ lệ của cường đọ bức xạ
theo một hướng cho trước so với cường độ bức xạ trung bình trên tất cả các
hướng.Cường độ bức xạ trung bình bằng tổng công suất bức xạ bởi anten chia cho 4 
.Nếu hướng không được xác định, hướng của cường độ bức xạ cực đại được chọn.”
Đơn giản hơn, hệ số định hướng của 1 nguồn bức xạ hướng tính bằng với tỉ lệ
của cường độ bức xạ theo 1 hướng cho trước (U) và cường độ bức xạ của một nguồn
đằng hướng (U0)
U 4 U
D  (2.13)
U0 Prad

Hướng bức xạ cực đại (hướng tính cực đại) được biểu diễn như sau:
19
 U |max U max 4 U max
Dmax  D0    (2.13a)
U0 U0 Prad

Trong đó: D là hướng tính ( không có thứ nguyên)

D0 là hướng tính cực đại ( không có thứ nguyên)
U là cường độ bức xạ (W/ đơn vị góc đặc)
Uo là cường độ bức xạ của nguồn đẳng hướng (W/ đơn vị góc đặc)
Prad là tổng công suất bức xạ (W)

Với anten có các thành phần phân cực trực giao, chúng ta định nghĩa hệ số định
hướng riêng (partial directivity), theo một phân cực cho trước và một hướng cho
trước, là tỉ lệ của cường độ bức xạ tương ứng với một phân cực cho trước chia cho
tổng cường độ bức xạ trung bình trên tất cả các hướng .
Trong hệ tọa độ cầu, hướng tính cực đại D0 với các thành phần tọa độ  ,  của
anten có thể được viết là: D0  D  D (2.14)

Trong đó hệ số định hướng riêng D , D được biểu diễn bởi:

4U 0
D  (2.14a)
( Prad )  ( Prad )

4 U
D  (2.14b)
( Prad )  ( Prad )

Ở đó: U là cường độ bức xạ theo 1 hướng cho trước chỉ phụ thuộc vào 

U  là cường độ bức xạ theo 1 hướng cho trước chỉ phụ thuộc vào 

( Prad ) là công suất bức xạ theo tất cả các hướng phụ thuộc vào 

( Prad ) là công suất bức xạ theo tất cả các hướng phụ thuộc vào 

2.2.6. Hệ số tăng ích

Một đại lượng khác để mô tả công suất của anten là hệ số tăng ích (G). Hệ số
tăng ích của anten có quan hệ với hệ số định hướng, là đơn vị dùng để tính toán hiệu
suất của anten cũng như khả năng hướng tính của nó.
Hệ số tăng ích được xác định bằng cách so sánh mật độ công suất bức xạ của
anten thực ở hướng khảo sát và mật độ công suất bức xạ của anten chuẩn ( thường là
anten vô hướng) ở cung hướng và khoảng cách như nhau ,với giả thiết công suất đặt
vào 2 anten là bằng nhau còn anten chuẩn là anten có hiệu suất bằng 1(k hao tổn).

20
 Cường độ bức xạ của anten đẳng hướng bằng công suất đặt vào anten chia cho
4  . Do đó ta có:
U ( ,  )
G  4 ( không thứ nguyên) (2.15)
Pin

Tổng công suất bức xạ Prad có quan hệ với tổng công suất đặt vào anten Pin bởi

Prad  ecd Pin (2.16)

Trong đó ecd là hiệu suất bức xạ của anten (không thứ nguyên).Sử dụng (2.16)
biến đổi (2.15) thành :
U ( ,  )
G ( ,  )  ecd [4 ] (2.17)
Prad

Sử dụng (2.13) ta có:

G( ,  )  ecd D( ,  ) (2.18)

Giá trị cưc đại của hệ số tăng ích có quan hệ với hệ số định hướng cực đại bởi:
G0  G( ,  ) |max  ecd D( ,  ) |max  ecd D0 (2.19)

Cũng như đối với hệ số định hướng, ta định nghĩa hệ số tăng ích riêng (partial
gain) của anten theo một phân cực cho trước và một hướng cho trước như sau: “ phần
cường độ bức xạ tương ứng với một phân cực cho trước chia cho tổng cường độ bức
xạ khi anten bức xạ đẳng hướng”, theo đó “ tổng hệ số tăng ích là tổng của các hệ số
tăng ích riêng” .Trong hệ tọa độ cầu, hệ số tăng ích cực đại G0 theo các thành phần
trực giao  ,  là : G0  G  G (2.20)

4 U
Trong đó: G0  (2.20a)
Pin

4 U 
G  (2.20b)
Pin

Trong đó: Pin là tổng công suất đưa vào anten

U là cường độ bức xạ theo 1 hướng cho trước chỉ phụ thuộc vào 

U  là cường độ bức xạ theo 1 hướng cho trước chỉ phụ thuộc vào 

Thường thì hệ số tăng ích được biểu diễn theo dB :

G0 (dB)  10log10 [ecd D0 ] (2.21)

21
 2.2.7. Băng thông
Băng thông (BW) của anten được định nghĩa như sau: “ là khoảng tần số mà
trong đó hiệu suất của anten thỏa mãn một tiêu chuẩn nhất định”.
Với các anten dải rộng, băng thông thường được biểu diễn là tỉ số của tần số
trên và tần số dưới khi anten hoạt động với các đặc tính có thể chấp nhận được.Ví dụ
băng thông 10:1 chỉ ra rằng tần số trên lớn hơn 10 lần tần số dưới
f max
BW  (2.22)
f min

Với anten dải hẹp, băng thông được thể hiện bởi tỉ lệ phần trăm của sự sai khác
tần số( tần số trên-dưới) so với tần số trung tâm của băng thông. Ví dụ băng thông 5%
cho rằng, sự sai khác tần số là 5% tần số trung tâm của băng thông.
f max  f min
BW  (2.23)
f0

Vì các đặc tính như trở kháng vào, giản đồ bức xạ, hệ số tăng ích… của anten
không biến đổi giống nhau theo tần số nên có nhiều định nghĩa băng thông khác
nhau.Tùy từng ứng dụng cụ thể, yêu cầu đặc tính của anten được chọn thế nào sao cho
phù hợp.
2.2.8. Phân cực
Phân cực của anten theo một hướng cho trước được định nghĩa như sau: “ là
phân cực của sóng được truyền đi bởi anten. Chú ý: khi không nói đến hướng nào,
phân cực được xem là phân cực theo hướng có hệ số tăng ích cực đại.”
Sự phân cực của sóng bức xạ được thể hiện bởi đầu mút của vecto điện trường
tức thời, và hướng mà nó vạch khi quan sát dọc theo hướng truyền sóng. Một hướng
vạch theo bởi đầu mút của vecto điện trường là hàm của thời gian được thể hiện trong
hình dưới:

22
Hình 1.10. Sự quay của sóng điện từ phẳng phân cực elip là hàm theo thời gian
a.Sự quay của vecto điện trường b.Phân cực elip khi z=0
Phân cực chia thành 3 loại: tròn, thẳng và elip.
Nếu đầu mút vecto điện trường ở một điểm trong không gian luôn hướng theo
một đường thẳng, trường này được gọi là phân cực tuyến tính. Trong đó phân cực dọc
và phân cực ngang là những hình thức đơn giản nhất của phân cực antenna và cả hai
đều rơi vào một loại là phân cực tuyến tính. Trường hợp đặc biệt của phân cực tuyến
tính là đặc tính phân cực kép trong đó anten hoạt động ở phân cực dọc cũng tốt như ở
phân cực ngang.
Một cách tổng quát, đầu mút vector điện trường vạch ra là một hình
ellip, và trường được gọi là phân cực ellip. Phân cực tuyến tính và tròn là
trường hợp đặc biệt của phân cực ellip. Đầu mút vector điện trường quay
theo chiều kim đồng hồ CW (clockwise) gọi là phân cực phải và ngược kim
đồng hồ CCW (counterclockwise) gọi là phân cực trái.

23
 Hình 1.11. Các loại phân cực

2.2.9. Trở kháng vào

Trở kháng vào được định nghĩa như sau : “ trở kháng của anten tại điểm đầu vào
của nó hay tỉ số điện áp so với dòng điện tại đầu vào hay tỉ số của các thành phần
tương ứng của điện trường so với từ trường tại một điểm”.Trong phần này, chúng ta
chủ yếu quan tâm đến trở kháng đầu vào của anten .Tỉ số điện áp trên dòng điện ở đâu
vào này, không có tải, xác định trở kháng của anten như sau:
Z A  RA  jX A (2.24)

Trong đó: Z A là trở kháng của anten ở các đầu vào (Ohm)

RA là điện trở của anten ở các đầu vào (Ohm)

X A là điện kháng của anten ở các đầu vào (Ohm)

Nói chung, thành phần điện trở trong (2.24) là:

RA  Rr  RL

Trong đó: Rr là trở kháng bức xạ của anten

RL là trở kháng tiêu hao của anten

Trở kháng vào của anten nói chung là của tần số. Do đó anten chỉ được phối hợp
tôt với đường tiếp điện chỉ trong cùng một dải tần nào đó. Thêm nữa, trở kháng của
anten phụ thuộc vào các yếu tố như : hình dạng của anten, phương pháp tiếp điện cho
anten, và ảnh hưởng bởi các đối tượng bao quanh nó.Do sự phức tap của chúng, chỉ
một lượng giới hạn các anten thực tế được nghiên cứu và phân tích tỉ mỉ.Với các loại
anten khác, trở kháng vào được xác định bằng thực nghiệm.

Chương 3: ANTEN VI DẢI (MICROSTRIP ANTENNA)

3.1. Giới thiệu

Khái niệm anten vi dải lần đầu tiên được đưa ra bởi Deschamps vào năm 1953,
Gutton và Bassinot vào năm 1955. Tuy nhien đến tận năm 1972 người ta mới bắt đầu
chế tạo anten vi dải, bởi vì thời điểm này mới xuất hiện chất nền có các đặc tính tốt.
Anten vi dải với cấu hình đơn giản nhất bao gồm một patch phát xạ nằm trên
một mặt của chất nền điện môi ( r  10) , mặt kia của chất nền là mặt phẳng đất.Patch

24
là vật dẫn điện, thông thường là đồng hay vàng, có thể có hình dạng bất kì, nhưng các
hình dạng thông thường được sử dụng nhiều hơn.
Hằng số điện môi của chất nền đóng vai trò quan trọng nhất đối với hoạt động
của anten.Nó ảnh hướng đến trở kháng đặc tính, tần số cộng hưởng, băng thông, hiệu
suất của anten.

Cấu trúc của anten vi dải đơn giản nhất

Ưu điểm của anten vi dải:
 Trọng lượng nhẹ, kích thước nhỏ,có cấu trúc phẳng lên dễ chế tạo.
 Giá thành sản xuất thấp, phù hợp cho nhiều ứng dụng.
 Dễ dàng được gắn lên các đối tượng khác.
 Có thể tạo ra các phân cực tròn, tuyến tính chỉ đơn giản bằng cách thay đổi
phương pháp tiếp điện.
 Dễ dàng chế tạo các anten hoạt động với nhiều dải tần.
 Mạng phối hợp trở kháng và đường tiếp điện có thể được in cùng với cấu trúc
anten.
Nhược điểm của anten vi dải:
 Băng thông nhỏ (chỉ khoảng 0.5-10%)
 Hầu hết anten vi dải bức xạ trong nửa không gian
 Giới hạn độ tăng ích cực đại ( khoảng 20 dB0
 Hiệu suất bức xạ kém
 Xuất hiện các sóng mặt
 Công suất cho phép thấp
3.2. Cấu tạo
Anten Microstrip như trong Hình 3.1, bao gồm một dải bằng kim loại rất mỏng
(t<<λ0, với λ0 là bước sóng trong chân không) được đặt trên mặt phẳng đất (ground
plane) với chiều cao h nhỏ hơn bước sóng λ0 rất nhiều, thông thường 0.003λ0 ≤ h ≤
0.05λ0. Đối với tấm tấm bức xạ hình chữ nhật, chiều dài L của phần tử thường λ0/3< L
<λ0/2, tấm tấm bức xạ này được ngăn cách với mặt phẳng ground bởi một lớp điện môi
có hằng số điện môi εr.

25
 Hình 3.1.Cấu trúc của anten vi dải dạng chữ nhật và dạng tròn
Các thông số cấu trúc cơ bản của anten vi dải là chiều dài L, chiều rộng W, độ
dày chất nền h, hằng số điện môi  , và thông số ít ảnh hưởng khác là độ dày lớp dẫn
điện t.
3.3. Nguyên lý hoạt động của anten vi dải
Sóng điện từ xuất phát từ tấm phía trên đi vào trong lớp điện môi, sau đó phản
xạ trên mặt phẳng đất và bức xạ vào không gian phía trên. Trường bức xạ xảy ra chủ
yếu do trường giữa tấm phẳng phía trên và mặt phẳng đất.

26
 Hình 3.2. Tường bức xạ E và H của antenna vi dải
Phụ thuộc vào từng cấu trúc, chúng ta phân biệt 4 loại sóng trong cấu trúc mạch
dải phẳng đó là: sóng không gian, sóng mặt, sóng rò, sóng trong ống dẫn sóng. Nếu
cấu trúc sử dụng như một anten thì hầu hết năng lượng sẽ được biến đổi thành sóng
không gian. Còn nếu cấu trúc sử dụng để dẫn sóng thì phần lớn năng lượng được giữ
trong ống dẫn sóng.Còn lại 2 loại sóng kia là suy hao không mong muốn nhưng đôi
khi vẫn có những ứng dụng sử dụng loại sóng này như leaky anten.
 Sóng không gian được phát xạ lên phía trên bề mặt phiến kim loại. Những sóng
này có thể bức xạ đi xa và giảm nhanh theo khoảng cách 1/r. Trong cấu trúc mạch
dải thì sóng không gian chỉ tồn tại ở nửa trên vì màn chắn kim loại đã ngăn không
cho bức xạ xuống không gian phía dưới.
 Sóng trong ống dẫn sóng là sóng tồn tại trong lớp đế điện môi giữa màn chắn dẫn
điện và phiến kim loại.
 Sóng rò phát sinh khi sóng truyền trong lớp điện môi tới màn chắn kim loại theo
góc nhỏ hơn góc tới hạn. Sau khi phản xạ từ màn chắn, một bộ phận của sóng sẽ
khúc xạ qua mặt giới hạn điện môi – không khí, khiến cho một phần năng lượng
rò ra khỏi lớp điện môi.
 Sóng mặt là các sóng có năng lượng tập trung chủ yếu trên bề mặt và bên trong
lớp điện môi. Chúng được phản xạ toàn phần tại mặt giới hạn điện môi – không
khí, giống như sóng trong ống dẫn sóng điện môi hay trong sợi cáp quang.

3.4. Tính phân cực của anten vi dải

Phân cực của anten theo hướng đã cho được xác định như phân cực sóng bức xạ
bởi anten.Chú ý khi hướng không được nói rõ thì phân cực được xem xét là phân cực
theo hướng có độ lợi cực đại. Tuỳ vào mục đích sử dụng mà ta có thể tạo ra các trường
bức xạ phân cực tròn hoặc phân cực thẳng, trường hợp đặc biệt là phân cực kép, bằng
cách sử dụng các biện pháp thích hợp.
Sự phân cực của anten thường phụ thuộc vào kỹ thuật tiếp điện. Với các biện
pháp tiếp điện thông thường thì trường phân cực của anten mạch dải là trường phân
cực thẳng. Anten khe là một dạng đơn giản nhất của anten phân cực thẳng.
Để đạt đặc tính phân cực kép ta xoay điểm dẫn nạp anten ở một vị trí thích hợp.
Cụ thể là xoay điểm dẫn nạp một góc 45o như Hình 3.8 để đạt đặc tính bức xạ phân
cực kép trong mặt cắt x - z dọc theo đường kính của chất nền anten và mặt cắt y - z

27
vuông góc với x – z.

Hình 3.3. Anten vòng xoay dẫn nạp một góc 45o
Ưu điểm của anten phân cực kép là để phát dữ liệu trên một phân cực và nhận
dữ liệu trên một phân cực khác một cách đồng thời. Anten phân cực kép được sử dụng
khi không gian có hạn, phù hợp hơn so với hai anten tách rời.
3.5. Những phương pháp cấp tín hiệu cho anten vi dải
Anten vi dải đa dạng bởi nhiều phương pháp tiếp điện. Các phương pháp tiếp
điện có thể phân ra làm hai loại: tiếp xúc và không tiếp xúc.
 Tiếp điện dạng tiếp xúc là sóng RF (radio – frequency) được truyền thẳng đến
tấm bức xạ bằng cách sử dụng Microstrip line hay coaxial...
 Tiếp điện dạng không tiếp xúc là sự ghép nối trường điện từ để truyền năng
lượng giữa Microstrip line và tấm bức xạ.
Có bốn phương pháp được sử dụng rộng rãi: đường vi dải (Microstrip line), đầu
dò cáp đồng trục (Coaxial Probe), ghép qua lỗ (aperture coupling) và ghép đôi lân cận
(proximity coupling).
3.5.1. Tiếp điện bằng đường truyền vi dải
Với phương pháp này, một dải dẫn điện kết nối trực tiếp với cạnh của tấm tấm
bức xạ. Dải dẫn điện này nhỏ hơn chiều rộng của tấm tấm bức xạ và cấu trúc này có
lợi thế là được tạo ra trên cùng một lớp nền để cung cấp một cấu trúc phẳng. Dải dẫn
điện trong trường hợp này có thể sử dụng để phối hợp trở kháng mà không cần thêm
phần tử nào khác. Đây cũng là lợi điểm của kỹ thuật tiếp tín hiệu bằng đường vi dải.
Tuy nhiên, khi tăng độ dày chất nền, sóng bức xạ bề mặt và bức xạ nhiễu từ đường
tiếp tín hiệu tăng lên làm cho các thiết kế thực tế bị giới hạn băng thông (điển hình là
2-5%).

28
 Hình 3.4. Tiếp điện bằng đường truyền vi dải
3.5.2. Tiếp điện bằng cáp đồng trục
Phương pháp tiếp điện bằng cáp đồng trục (Coaxial probe) là kỹ thuật thông
dụng sử dụng trong tấm bức xạ anten vi dải. Ta thấy trong Hình 3.3, lõi bên trong của
cáp đồng trục được nối với tấm bức xạ thông qua lớp đế điện môi trong khi lớp ngoài
của cáp đồng trục được nối với Ground Plane.

Hình 3.5. Tiếp điện bằng cáp đồng trục

29
 Một dạng khác của tiếp điện bằng cáp đồng trục là sử dụng một đoạn
Minicoaxial để cho phép linh hoạt trong việc sắp đặt vị trí ở một địa điểm xác định.
Một đầu cáp được nối với nguồn còn đầu kia được hàn lên tấm patch. Kiểu tiếp điện
này thường sử dụng cho anten lưỡng cực và anten vòng

Hình 3.6. Hình dạng của Mini – coaxial

Ưu điểm của kiểu tiếp điện này là ống dẫn có thể đặt ở bất kì vị trí nào trên tấm
bức xạ để phối hợp trở kháng vào. Phương pháp này được tạo ra một cách dễ dàng và
có bức xạ không mong muốn thấp.
Nhược điểm là cung cấp dải thông hẹp, khó mô hình hóa từ một lỗ khoan trong
lớp nền và đầu nối nhô ra ngoài ground plane làm cho bề dày lớp nền không bằng
phẳng. Khi bề dày lớp nền tăng thì làm tăng chiều dài của đầu dò, vì thế làm cho việc
phối hợp trở kháng sẽ khó khăn hơn. Còn đối với Mini-coaxial thì phải lưu ý đến mối
hàn và đảm bảo cố định cáp trên mạch. Nhưng kiểu tiếp điện này cung cấp dải thông
rộng hơn kiểu Microstrip Line Feed.
3.5.3. Tiếp điện bằng cách ghép khe
Với kỹ thuật này thì miếng tấm bức xạ và đường tiếp điện vi dải được phân chia
bởi ground plane như Hình 3.5. Sự kết nối giữa tấm bức xạ với đường tiếp điện là tạo
ra một khe hay một lỗ xuyên qua ground plane.

Hình 3.7. Tiếp điện bằng cách ghép khe

30
 Coupling Aperture được đặt ngay dưới trung tâm miếng tấm bức xạ dẫn đến sự
phân cực ngang thấp vì tính đối xứng của cấu hình. Số lượng ghép nối từ feed line đến
tấm bức xạ được xác định bởi hình dạng, kích thước và vị trí của lỗ. Với kỹ thuật này
thì làm giảm sự bức xạ không xác định. Sự bất lợi của phương pháp này là khó tạo ra
chất nền với nhiều lớp như thế và nó cũng làm cho bề dày của anten tăng lên. Kiểu
tiếp điện này cũng cung cấp băng thông hẹp.
3.5.4. Tiếp điện bằng cách ghép lân cận
Kỹ thuật này gọi là ghép nối điện từ, hai đế chất điện môi được sử dụng sao cho
nguồn nuôi được nằm giữa hai lớp đế điện môi và tấm bức xạ sẽ nằm phía trên của lớp
đế điện môi ở trên.

Hình 3.8. Tiếp điện bằng cách ghép lân cận

Lợi thế chính của kỹ thuật này là loại trừ sự bức xạ không xác định và cung cấp
dải thông rộng (13%). Phối hợp trở kháng có thể đạt được bằng cách điều chỉnh độ dài
của feed line và tỉ số độ rộng của miếng tấm bức xạ. Sự phối hợp trở kháng có thể đạt
được bằng việc thay đổi chiều dài và chiều rộng của đường tiếp điện tới tấm bức xạ.
Sự bất lợi chính của phương pháp này là độ dày của anten tăng và việc tạo ra hai lớp
đế điện môi khác nhau là khó khăn. Nhận xét: Từ các phương pháp tiếp điện trên thì
đề tài chủ yếu tập trung nghiên cứu cách tiếp điện bằng cáp đồng trục, cụ thể là sử
dụng Mini-coaxial. Vì đây là phương pháp được sử dụng phổ biến nhất trong anten vi
dải và phù hợp với dạng anten vòng.
3.6. Băng thông của anten vi dải
Như chúng ta đã biết, hận chế lớn nhất của anen vi dải là băng thông. Băng
thông (BW) có thể được xác định thông qua hệ số sóng đứng (VSWR), sự thay đổi
của trở kháng vào theo tần số hay các thông số bức xạ. Đối với các anten phân cực
tròn, BW đươc theo hệ số quanh trục (AR).

31
 BW được xác định bởi vùng tần số mà ở đó khả năng phối hợp với trở kháng
anten nằm trong một giới hạn cho trước. BW của anten vi dải tỉ lệ nghịch với hệ số
phẩm chất Q:
VSWR  1
BW  (3.1)
Q VSWR

Với VSWR được xác định bởi hệ số phản xạ  :

1 
VSWR  (3.2)
1 

Hệ số phản xạ  đánh giá tín hiệu phản xạ tại điểm feed của anten,  được xác định
bởi trở kháng vào Z in của anten và trở kháng đặc tính Z 0 của feedline .

Z in  Z 0
 (3.3)
Z in  Z 0

Thông thường, BW được xác định trong vùng tần số mà VSWR nhỏ hơn 2 ( return
loss < 10 dB hay công suất phản xạ < 11% ) . Đối với những ứng dụng đặc biêt,
VSWR<1,5 dB (return loss < 15 dB hay công suất phản xạ < 4% )
Với tiêu chuẩn VSWR<2, ta có đồ thị biểu diễn sự thay đổi của BW( tính theo %) theo
h / 0 với các thông số  r khác nhau (  r =2.2 và  r =10)

Công thức gần đúng cho BW:

Ah W
% BW  (3.4)
0  r L

h
Với A=180 khi  0.045
0  r

h
A=200 khi 0.045   0.075
0  r

h
A=220 khi  0.075
0  r

Từ công thức trên ta thấy, từ tăng W có thể tăng BW tuy nhiên W bị giới hạn bởi  vì
nếu W>  thì ta không thể truyền đơn mode.

32
3.7. Công suất bức xạ
Công suất bức xạ của anten có thể được tính bằng cách lấy tích phân của vecto
Poynting trên khe bức xạ:
Đối với anten vi dải, điện trường bên trong patch thì vuông góc với miếng dẫn
và mặt phẳng đất và từ trường thì song song với các cạnh của anten.

Ngoài ra, ta có thể tính công suất bức xạ từ đồ thị bức xạ theo phương trình:
1 2
Pr   ( E  E )r 2 sin  d d
2
(3.5)
20

3.8. Trở kháng vào

Hầu hết các anten vi dải phải được phối hợp trở kháng chuẩn của nguốn và tải
nên việc tính toán trở kháng vào của anten là rát quan trọng. Anten vi dải có thể được
cấp nguồn từ cáp đồng trục, đường truyền vi dải hoặc ống dẫn sóng .Đối với anten vi
dải được cấp nguồn từ cáp đồng trục, công suất vào được tính như sau:

Pin c    E J *dV (3.6)

Trong đó : J[A/m2] là mật độ dòng điện của nguồn đồng trục , kí hiệu “c” chỉ
rằng nguồn cấp là nguồn đồng trục.Nếu dòng trong cáp đồng trục theo hướng z và giả
sử là nhỏ về điện thì :
Trong đó, ( x0, y0 ) là tọa độ điểm cấp nguồn . Do đó, trở kháng ngõ vào có thể được
Pin  I in Z in
2
tính theo công thức : (3.7)
h
E ( x0 , y0 )
Zin   I
*
2
( z ' )dz ' (3.7.1)
I in 0

Vin
Khi h  0 thì E và I ( z ' ) là hằng số, nên: Z in  (3.8)
I in
h

Trong đó: Vin   E ( x0 , y0 )  dz '  hE ( x0 , y0 ) (3.8.1)

0

3.9. Phương pháp phân tích và thiết kế anten vi dải

Có nhiều phương pháp để phân tích anten vi dải. Những phương pháp phổ biến
nhất là mô hình đường truyền (transmission line model), mô hình hốc cộng hưởng
(cavity model), và mô hình sóng đầy đủ (full wave model).

33
 Transmission line model là phương pháp đơn giản nhất khi nắm được mô hình
vật lý nhưng kém chính xác. Phương pháp cavity model thì chính xác hơn nhưng phức
tạp. Còn kỹ thuật full wave model thì cực kỳ chính xác và phân tích cặn kẽ nhất nhưng
lại là phương pháp phức tạp nhất.
Ngoài ra, phương pháp FDTD (Finite Diference Time Domain) cũng được dùng
để phân tích anten, phương pháp này đơn giản nhưng có thể tính toán được các mô
hình phức tạp.
3.9.1. Mô hình đường truyền
Mô hình này được sử dụng cho các trường hợp tấm bức xạ có hình dạng đơn
giản. Mỗi anten vi dải hình chữ nhật có thể mô tả tương đương 2 khe bức xạ có chiều
rộng W và chiều cao h, phân chia bởi đường truyền chiều dài L (Hình 3.9a). Mỗi khe
bức xạ được coi như một dipole từ. Khi chọn L = d/2 do vì mặt bức xạ của 2 khe lại
hướng theo 2 phía ngược nhau nên kết quả là đường sức điện trường trong 2 khe lại
trở nên cùng chiều trong không gian. Phần tử bức xạ này được gọi là phần tử vi dải
nửa sóng.

a) b)
Theo Hình 3.9b, ta thấy hầu hết trường điện nằm bên trong đế và một phần nhỏ
trong không khí gần đáy. Theo kết quả thì kiểu truyền này không thể hỗ trợ thuần túy
kiểu truyền sóng điện từ ngang (sóng TEM – Transverse Electric Magnetic). Do
trường điện từ sinh ra không nằm hoàn toàn ở biên của tấm bức xạ mà một phần bị
bức xạ ra không khí và do vận tốc truyền sóng là khác nhau giữa không khí và lớp
nền. Vì thế hằng số điện môi hiệu dụng (  eff ) thu được ở viền và đường truyền sóng,
có giá trị  eff phải thấp hơn er .

Công thức thể hiện quan hệ giữa er ,  eff :

er  1 er  1
 e ff   (3.9)
2 12d
2 1
W

34
 Trong đó:  e ff : là hằng số điện môi hiệu dụng

er : hằng số điện môi của chất nền

d : bề dày của chất nền

W : độ rộng của tấm bức xạ

Trong Hình 3.10a, tấm bức xạ anten được đại diện cho bởi hai khe, tách ra bởi
một đường truyền chiều dài L. Dọc theo chiều rộng của tấm tấm bức xạ điện áp là cực
đại và dòng điện là nhỏ nhất ở những đầu mút. Những trường tại những cạnh có thể
được giải quyết trong những thành phần tiếp tuyến và bình thường đối với mặt phẳng
nằm ngang.

Hình 3.10b, ta thấy những phần tử bình thường của trường điện ở 2 cạnh dọc
theo chiều rộng là ngược hướng và lệch pha từ tấm bức xạ. Từ những cạnh dọc theo
chiều rộng có thể được mô tả như hai khe bức xạ, cạnh một nửa chiều dài bước sóng
tách ra và bị kích thích pha và bức xạ trong không gian trên ground plane. Những
trường bao bọc dọc theo chiều dài có thể được mô hình hóa như những khe bức xạ và
đặc tính điện trong tấm tấm bức xạ của anten vi dải trông lớn hơn những kích thước
vật lý.
3.9.2. Mô hình hốc cộng hưởng
Mặc dù mô hình Transmission Line Model dễ dàng sử dụng nhưng vẫn có một
số bất lợi tồn tại. Đặc biệt, nó hữu ích cho những tấm bức xạ khi thiết kế hình chữ
nhật và bỏ qua những trường biến thiên dọc theo các cạnh bức xạ. Những sự bất lợi sẽ
được khắc phục bằng cách dùng Cavity Model. Mô hình này sử dụng cho các trường
hợp tấm bức xạ có hình dạng phức tạp.

35
 Trong mô hình này, phần bên trong lớp nền điện môi được mô hình như là
những hốc giới hạn bằng bức tường điện phía trên và phía dưới với độ dày của lớp nền
rất nhỏ ( h   ).
Từ lớp nền điện môi mỏng điện trường bên trong không biến đổi nhiều theo
hướng z. Điện trường chỉ hướng theo trục z và từ trường thì được cấu tạo bởi Hx và
Hy ở trong vùng giới hạn bởi miếng tấm bức xạ kim loại và mặt phẳng đất.

Hình 3.11. Mật độ điện tích và dòng điện trên tấm bức xạ vi dải
Mô hình hốc cộng hưởng giả định rằng tỉ lệ chiều cao của lớp đế điện môi và
chiều rộng của tấm bức xạ là rất nhỏ. Dòng điện nhỏ hơn sẽ chạy trên mặt trên của
tấm bức xạ và hệ số chiều cao của lớp nền và chiều rộng của tấm bức xạ sẽ giảm.
Suy hao hốc cộng hưởng được tính toán bằng  eff (effective loss tangent) như sau:

1
 eff = (3.10)
QT

QT là hệ số đặc tính tổng thể của anten được tính như sau:

1 1 1 1
   (3.10a)
QT Qd QC Qr

Qd miêu tả hệ số đặc tính của chất điện môi, được tính bằng:

w r WT 1
Qd   (3.11)
Pd tan 

Trong đó: w r : tần số góc cộng hưởng

WT :năng lượng tổng cộng khi anten cộng hưởng

36
 P d :chất điện môi tổn hao

tan  : loss tangent của chất điện môi

QC miêu tả hệ số đặc tính của chất dẫn, được tính bởi;

w r WT h
QC   (3.12)
PC 

Trong đó: P C : công suất tồn hao chất dẫn.

 : độ dày lớp da của dây dẫn.

h: chiều cao của chất nền (substrate).

Qr miêu tả đặc tính của sựu bức xạ, được tính bởi:

w r WT
Qr  (3.13)
Pr

Trong đó: P r : công suất bức xạ từ miếng tấm bức xạ

Từ (3.10), (3.10a), (3.11), (3.12) và (3.13) ta được phương trình (3.14).

 Pr
 e ff  tan    (3.14)
h w r WT

Như vậy phương trình (3.8) mô tả suy hao tổng thể (total effective loss tangent)
cho tấm bức xạ anten vi dải.
3.9.3. Mô hình sóng đầy đủ
Phương pháp này được đưa ra bởi Newman và Tulyathan, là một trong những
phương pháp cung cấp sóng đầy đủ phân tích tấm bức xạ anten vi dải. Trong phương
pháp này các dòng điện mặt dùng để làm mô hình cho tấm bức xạ anten vi dải và
những dòng điện phân cực được dùng để mô hình các trường bên trong tấm điện môi.
Những phương trình điện trường đầy đủ được biến đổi bên trong phương trình ma
trận, phương trình ma trận này có thể được giải thích bằng nhiều phương pháp đại số
để cung cấp kết quả. Tuy nhiên phương pháp phân tích này tính toán rất phức tạp nên
ít được sử dụng rộng rãi.
3.9.4. Phương pháp phần tử hữu hạn
Phương pháp FDTD được công bố đầu tiên bởi Yee năm 1966 là một phương
pháp đơn giản và hữu hiệu để rời rạc phương trình vi phân của hệ phương trình
Maxwell. Tuy mới bắt đầu có những ứng dụng vào các cấu trúc bức xạ đầu những
năm 90, ngày nay FDTD đã rất mạnh trong việc mô phỏng anten. Các kỹ thuật hỗ trợ
37
cho FDTD đã phát triển đầy đủ để có thể cấu trúc cho một mô hình anten phức tạp.
FDTD đặc biệt có thể mô phỏng những hiện tượng điện từ tác động ngẫu nhiên hay
các tham số môi trường tác động lên anten. FDTD là kỹ thuật mô phỏng rất linh hoạt
có thể mô phỏng được nhiều bài toán phức tạp.
Hai phương pháp thường được sử dụng để phân tích anten vi dải là phương pháp
đường truyền dẫn và phương pháp hốc cộng hưởng mở rộng. Phương pháp đường
truyền dẫn được sử dụng cho các trường hợp phiến kim loại có hình dạng đơn giản,
còn phương pháp hốc cộng hưởng mở rộng được áp dụng cho các trường hợp được áp
dụng cho các trường hợp phiến kim loại có hình dạng phức tạp.

3.10. Một số loại anten vi dải cơ bản

3.10.1. Anten patch vi dải
Anten có patch vi dải (microstrip patch antenna, MPA) bao gồm một patch dẫn
điện hình dạng phẳng hay không phẳng trên một mặt của chất nền điện môi, và mặt
phẳng đất trên mặt còn lại của chất nền.

Hình 3.12. Các hình dạng anten patch cơ bản thường được sử dụng trong thực tế

Hình 3.13. Các hình dạng khác của anten patch vi dải

38
 3.10.2. Anten dipole vi dải và anten vòng vi dải
Là các loại anten lưỡng cực gồm có các dạng như tấm dẫn điện giống như anten
vi dải dạng tấm, tuy nhien anten dipole vi dải còn có các tấm đối xứng ở cả 2 phía của
tấm điện môi.Anten vòng vi dải có nhiều dạng như vòng tròn, vuông, tam
giác,…Anten vòng tròn phố biến vì dễ dàng phân tích và thiết kế.

Hình 3.14. Một vài anten dipole vi dải

3.10.3. Anten khe mạch in
Các anten khe mạch in (printed slot antenna) có môt khe được cắt trên mặt kim
loại. Khe này có thể có bất kì hình dạng nào. Về lý thuyết, hầu hết các hình dạng của
patch vi dải có thể được thực hiện lại trong dạng của một khe mạch in.

Hình 3.15. Một số anten khe mạch in cơ bản với cấu trúc tiếp điện

39
 3.10.4. Anten sóng chạy vi dải
Anten sóng chạy vi dải (microstrip traveling-wave antenna, MTA) gồm các dải
dẫn điện tuần hoàn hoặc một đường vi dải dài đủ rộng để hỗ trợ TE mode .Điểm cuối
kia của anten sóng chạy được mắc một tải có điện trở được phối hợp trở kháng để
tránh sóng phản xạ trên anten.

Hình 3.16. Vài cấu hình anten sóng chạy vi dải mạch in

Chương 4: THIẾT KẾ VÀ MÔ PHỎNG ANTEN VI DẢI

4.1. Thiết kế anten vi dải
4.1.1. Cơ sở thiết kế anten
Anten được thiết kế dựa trên mô hình của một hệ anten vòng vi dải như Hình
4.1. Anten vòng là loại anten đơn giản, rẻ tiền và rất linh hoạt. Anten vòng có nhiều
hình dạng khác nhau như hình chữ nhật, hình vuông, hình tam giác, hình elip, hình
tròn ... Vì đơn giản trong phân tích và xây dựng nên anten vòng tròn là phổ biến nhất
và đã nhận được sự chú ý nhiều nhất.
Hệ thống anten bao gồm ba anten vòng kép hình tròn in trên cùng một lớp của
một chất nền anten tròn hoạt động trên các băng 2.3 GHz. Mỗi anten vòng kép bao
gồm một vòng lớn bên ngoài và một vòng nhỏ bên trong, cả hai hoạt động ở chế độ
cộng hưởng 1-λ, cùng chia sẻ dẫn nạp và nối đất anten chung. Các anten được thiết lập
trong một sắp xếp xoay vòng trên bề mặt với một góc nghiêng bằng 1200 để tạo thành
một cấu trúc đối xứng đa anten.

40
 Hình 4.1. anten vòng tham khảo
Dựa vào những kết quả và hình ảnh anten tham khảo ta tiến hành khảo sát một
hệ anten vi dải dạng tròn hoạt động ở chế độ 1-λ, trên nền tấm mạch in FR-4, có tấm
phản xạ bằng nhôm hoạt động ở dải tần 2.3 GHz.
4.1.2. Tính toán các thông số của anten
Các kích thước cùng hằng số điện môi và kỹ thuật tiếp điện của anten là những
vấn đề quan trọng trong việc thiết kế anten nói chung và anten vi dải nói riêng. Thay
đổi hằng số điện môi, điều chỉnh vị trí tiếp điện cùng việc tính toán các thông số kỹ
thuật trên cơ sở lý thuyết để đưa ra các kích thước ban đầu cho việc thiết kế anten chỉ
mang tính ước lượng.
Các thông số thiết kế anten được thể hiện dưới bẳng sau:
Tần số hoạt động 2.3 GHz
Độ dày lớp điện môi (h) 1.6 mm

Hằng số điện môi của lớp điện môi  r 4.6 (RF4)

Cách thức cấp nguồn Cáp đồng trục

Hình 4.1. Cấu trúc mặt bên của anten ban đầu

41
 Hình 4.2. Cấu trúc mặt trên của anten ban đầu

Dựa vào một số công thức, ta tính các thông số của anten vi dải như sau:
W
Thiết lập tỉ số để tìm W:
h
W 2  1 0, 61
 [B  1  ln(2 B  1)  r {ln( B  1)  0,39  }] (4.1)
h  2 r r

377
Với : B  (4.2)
2Z 0  r

Trong đó : W : độ dày của vòng(m)

Z 0 : trở kháng đặc tính ( Ω)

h: độ dày của lớp điện môi (m)

 r : hằng số điện môi của tấm mạch in

Thay  r =4,6 và Z 0 =50 Ω vào (4.1),(4.2) ta được W  3 (mm)

Hằng số điện môi hiệu dụng của anten được tính bởi :
 r  1  r 1 h  12 4, 6  1 4, 6  1 1, 6  12
 reff   [1  12 ]   [1  12 ] = 3,46 (mm)
2 2 W 2 2 3
Bước sóng hoạt động của anten:
c
 = 70 mm
f  reff

42
Bán kính vòng: do anten hoạt động ở chế độ cổng hưởng 1-  nên C=  =2  a

 a= =11,14 mm
2
Đối với mặt phản xạ ta chọn đường kính 2  .

Khoảng cách giữa mặt phản xạ và tấm bức xạ là .
10
Khoảng cách giữa 2 điểm dẫn nạp là 2 mm.

4.1. Mô phỏng cấu trúc anten với phần mềm Ansoft HFSS 16.1
HFSS (Hight Frequency Structure Simulator) . HFSS là phần mềm mô phỏng
trường điện từ theo phương pháp toàn sóng (full wave) để mô hình hóa bất kì thiết bị
3D nào. Ưu điểm nổi bật của nó là có giao diện người dùng đồ họa. Nó tích hợp mô
phỏng, ảo hóa, mô hình hóa 3D và tự động hóa (tự động tìm lời giải) một cách nhanh
chóng và chính xác.
Ansoft HFSS cung cấp một giao diện trực giác và dễ dàng sử dụng để phát triển
các mô hình thiết bị RF thụ động.

EM ĐANG HOÀN THIỆN Ạ

43
44