CMOS Fabrication Process PDF

CMOS Fabrication Process
[p-well method]
Si-substrate
Fig. (1) Pure Si single crystal
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Fig. (2) n-type impurity is lightly

doped
CMOS FABRICATION PROCESS
Deepak Kumar
Design & Verification Eng.
N-MOS Fabrication Process
[Step- formation of p-well]
Thick SiO2
(1 µm)
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Fig. (3) SiO2 Deposited over si surface

Photoresist
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (4) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Mask-1 UV Light
Photoresist
Mask-1 is used
for forming p-
well
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (5) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Photoresist
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (6) Photoresist and SiO2 which is not exposed is etched away.
Photoresist
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (7) Hardened Photoresist is stripped away and p-type impurity is added by diffusion process.
[Step- formation of Diffusion area for p-MOS]
Mask-2 Photoresist
Mask-2 is used
for forming
diffusion area
for p-MOS
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (8) Photo resist is grown and exposed in UV Light.

Photoresist
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (9) Photoresist and SiO2 which are un-exposed are etched away.
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (10) Polymerised Photoresist is stripped away.

[[Step- Gate formation for n-MOS and p-MOS]
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (11) Deposit Thinox

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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (12) Deposit Polysilicon

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-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (13) Deposit Photoresist

Mask-3
Mask-3 is
used for the
formation of
Two GATEs
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (14) UV Light Exposure to form GATEs of P-MOS and n-MOS

Mask-3
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (15) Un-Exposed Photoresist, Metal and Thinox is etched away.

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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
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Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (16) Polymerised Photoresist is stripped away.

[[Step- Source & Drain formation for p-MOS]
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (17) Grow SiO2 Layer

Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-4
p-MOS
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (18) Grow Photoresist Layer

Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-4
p-MOS
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (19) Etching of un[polymerised photoresist and SiO2 below it

Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-4
p-MOS
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (20) Strip away hard photoresist

Mask-4 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-4
p-MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -- ----- -- -- -- - - -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (21) Diffusion of p-type impurity

[[Step- Source & Drain formation for n-MOS]
Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-5
n-MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -- ----- -- -- -- - - -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (22) Grow photoresist

Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-5
n-MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -- ----- -- -- -- - - -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (23) Etching

Mask-5 is
used for the
formation of
S and D of
Mask-5
n-MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -- ----- -- -- -- - - -- -- - - - - - -
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
Thick SiO2
------------------------------------- (1 µm)
Fig. (24) Hard photoresist stripped away

- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
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-------------------------------------
Fig. (25) Diffusion of n-type impurity to form Source and Drain of n-MOS
[[Step- Formation of Contact-Cut]
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- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact –
Mask-6
Cuts in S, D
and G of n-
MOS and p-
MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
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- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact –
Mask-6
Cuts in S, D
and G of n-
MOS and p-
MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Mask-6 is
used for the
formation of
Contact –
Mask-6
Cuts in S, D
and G of n-
MOS and p-
MOS
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
[[Step- Metakkization]
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Mask-7 is
used for the
deposition
Mask-7
of metal in
contact -
cuts
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Mask-7 is
used for the
deposition
of metal in
contact -
cuts
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Vin
VDD
(SOURCE) Vout
GND
(SOURCE)
- - - -p- - - - - - - - - - - - - -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - -p- - - - - - -- -n- ----- -- -- -- - - n -- -- - - - - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- ----- -- -- -- -- -- -- -- - - -
- - - - - - - - - - - - - - - - - - - -- -- -- - p-well
- - - - - --- -- -- - - - - -
-------------------------------------
-------------------------------------
Sticks Diagram
V DD 3
In Out
• Dimensionless layout entities
• Only topology is important
• Final layout generated by
1 “compaction” program
GND
Stick diagram of inverter

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Fig. (1) Pure Si single crystal

Fig. (2) n-type impurity is lightly

Fig. (3) SiO2 Deposited over si surface

Fig. (4) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Fig. (5) Photoresist is Deposited over siO2 surface

Fig. (8) Photo resist is grown and exposed in UV Light.

Fig. (10) Polymerised Photoresist is stripped away.

Fig. (11) Deposit Thinox

Fig. (12) Deposit Polysilicon

Fig. (13) Deposit Photoresist

Fig. (14) UV Light Exposure to form GATEs of P-MOS and n-MOS

Fig. (15) Un-Exposed Photoresist, Metal and Thinox is etched away.

Fig. (16) Polymerised Photoresist is stripped away.

Fig. (17) Grow SiO2 Layer

Fig. (18) Grow Photoresist Layer

Fig. (19) Etching of un[polymerised photoresist and SiO2 below it

Fig. (20) Strip away hard photoresist

Fig. (21) Diffusion of p-type impurity

Fig. (22) Grow photoresist

Fig. (23) Etching

Fig. (24) Hard photoresist stripped away

Stick diagram of inverter

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