Professional Documents
Culture Documents
hiệu từ điện thoại, máy tính) thành tín hiệu điện áp có biên độ đủ lớn để đặt vào
tầng khuếch đại công suất, do tầng khuếch đại công suất không khuếch đại điện áp.
Ta chọn transistor khuếch đại là transistor 2N2222A. Tại 25C, giá trị =100.
Ta cũng chọn giá trị bất kì, giả sử R 4 = 150 Ω . Biên độ tín hiệu ra từ điện thoại có
giá trị khoảng 80mV, biên độ tín hiệu vào cho tầng khuếch đại công suất mà ta cần
là 4V.
Giả sử dòng Ic = 0.5 mA thì dông IE cũng xấp xỉ bằng 0.5 mA va re 2 = 52 Ω
Ta có : VE = IE .R4 = 0,5.150 = 75 mV
Mặt khác : VB - VE = VBE = 0,7 V = 0,7+ 0,075 = 0,775 V
R2 R2
VB = v = 24 = 0.775 V
R 1+ R 2 CC R 2+ R 1
Từ đó ta chọn ra được R1 = 30K và R2 = 1K.
Để tầng khuếch đại nhỏ hoạt động tốt nhất thì điểm làm việc tinh Q phải ở giữa
lớn. Như vậy nếu nối trực tiếp 2 tầng này với nhau, các giá trị trở kháng
không phù hợp sẽ làm sai lệch các thông số đã tính toán. Vì vậy, phải có 1
tầng có nhiệm vụ phối hợp trở kháng giữa 2 tầng này, đồng thời không được
khuếch đại giá trị điện áp, chỉ được phép khuếch đại dòng điện để đưa vào
tầng công suất. Tầng phối hợp trở kháng được chọn mắc theo cách chung C
zi
Av1(L) = Av21(NL)
2
zi + zo 1
2
zi
Av2(L) = Av2 (NL)
3
zi + zo 2
3
26
Z B=β ℜ+ ( 1+ β ) R L=100 ( 127 +2 ) ≈22 3 Ω
Z i 3=R 7 /¿ R 8 /¿ Z B ≈ 21 8 Ω
zi zi
AvT= Av1(L) . Av2(L) = Av21(NL) . Av2 (NL)
2 3
zi + zo 1
2
zi + zo 2
3
20 k 218
= 133,33 . . 1. ≈ 64 (lần)
20 k +20 k 218+ 26/30